イオン源、システム及び方法
【課題】イオン源、システム及び方法を開示する。
【解決手段】気体を気体電界イオン源の導電性先端の末端棚の二つ以上の原子と相互作用させることによって、イオンビームを発生させることと、(ここで、前記末端棚は3〜20個の原子を含み)、前記イオンビームを活性化ガスと相互作用させて、試料の表面にて化学反応を促進させることと、前記試料に達する前記イオンビーム中のイオンの70%以上を前記期待と前記先端棚の一つの原子だけとの相互作用によって発生させるように、該イオンビーム中のイオンをブロックすることと、を含む方法。
【解決手段】気体を気体電界イオン源の導電性先端の末端棚の二つ以上の原子と相互作用させることによって、イオンビームを発生させることと、(ここで、前記末端棚は3〜20個の原子を含み)、前記イオンビームを活性化ガスと相互作用させて、試料の表面にて化学反応を促進させることと、前記試料に達する前記イオンビーム中のイオンの70%以上を前記期待と前記先端棚の一つの原子だけとの相互作用によって発生させるように、該イオンビーム中のイオンをブロックすることと、を含む方法。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
気体を気体電界イオン源と相互作用させることによって、イオンビームを発生させることと、
前記イオンビームを活性化ガスと相互作用させて、試料の表面にて化学反応を促進させることと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項2】
前記イオンビームが前記試料と相互作用し、該試料から二次電子を出すことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記二次電子が前記活性化ガスと相互作用し、前記表面にて化学反応を促進させることを特徴とする請求項2に記載の方法。
【請求項4】
前記活性化ガスが、エッチングガスを具えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項5】
前記方法が、前記試料をエッチングすることを特徴とする請求項4に記載の方法。
【請求項6】
前記活性化ガスが、前駆体ガスを具えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項7】
前記方法が、前記試料上に物質を堆積させることを特徴とする請求項6に記載の方法。
【請求項8】
前記イオンビーム中のイオンが、試料の表面にて1keV以上のエネルギーを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項9】
前記試料の表面にほぼ一層の活性化ガスの単分子層をもたらす速度で、前記活性化ガスを供給することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項10】
前記イオンビームが、Heガスイオンを具えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項11】
前記イオンビームが、Arガスイオンを具えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項12】
前記活性化ガスが、ハロゲンを具えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項13】
前記活性化ガスが、Cl2、O2、I2、XeF2、F2、CF4及びH2Oよりなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項14】
前記活性化ガスが、XeF2、F2、CF4及びH2Oよりなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項15】
前記試料の表面が、金属窒化物を具えることを特徴とする請求項14に記載の方法。
【請求項16】
前記金属窒化物が、窒化タンタルを具えることを特徴とする請求項15に記載の方法。
【請求項17】
前記活性化ガスが、Cl2及びO2よりなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項18】
前記試料の表面が、クロムを具えることを特徴とする請求項17に記載の方法。
【請求項19】
前記試料の表面が、クロム、酸化クロム、窒化クロム及び酸窒化クロムよりなる群から選択される物質を具えることを特徴とする請求項17に記載の方法。
【請求項20】
前記活性化ガスが、O2及びH2Oよりなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項21】
前記試料の表面が、炭素含有物質を具えることを特徴とする請求項20に記載の方法。
【請求項22】
前記イオンビームが、1×10-16cm2srV以下の還元エタンデュを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項23】
前記イオンビームが、5×10-21cm2sr以下のエタンデュを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項24】
前記イオンビームが、試料の表面にて5×108A/m2srV以上の還元輝度を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項25】
前記イオンビームが、試料の表面にて1×109A/cm2sr以上の輝度を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項26】
前記イオンビームが、試料の表面に10nm以下の寸法のスポットサイズを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項27】
前記方法が、気体電界イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項28】
前記方法が、ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項29】
前記方法が、走査イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項30】
前記方法が、走査ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項31】
気体を気体電界イオン源と相互作用させることによって、イオンビームを発生させることと、
前記イオンビームを用いて、半導体製品についての内層面情報を決定することと、
前記内層面情報に基づいて半導体製品をエッチングすることと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項32】
前記方法が、位置合わせのマークを使用することを含まないことを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項33】
前記イオンビームが、半導体製品上に10nm以下のスポットサイズを有することを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項34】
前記イオンビームが前記半導体製品と相互作用して、その試料から粒子を出し、該粒子が一次中性粒子及び光子を具えることを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項35】
更に、前記粒子を検出して該粒子についての情報を提供することと、前記粒子についての情報を処理して前記半導体製品についての内層面情報を提供することとを含むことを特徴とする請求項34に記載の方法。
【請求項36】
前記粒子が、一次中性粒子を具えることを特徴とする請求項35に記載の方法。
【請求項37】
前記方法が、前記一次中性粒子についての対応する角度及びエネルギーを決定することを含むことを特徴とする請求項36に記載の方法。
【請求項38】
前記方法が、前記粒子の全存在量を決定することを特徴とする請求項36に記載の方法。
【請求項39】
前記粒子が、X線光子、IR光子、可視光子及びUV光子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項35に記載の方法。
【請求項40】
前記方法が、エネルギー分解検出器を用いて前記粒子を検出することを含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。
【請求項41】
前記方法が、波長分解検出器を用いて前記粒子を検出することを含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。
【請求項42】
前記半導体製品が、回路を具えることを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項43】
前記方法が、前記回路を編集することを含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。
【請求項44】
前記回路を編集することが、回路に物質を加えることを含むことを特徴とする請求項43に記載の方法。
【請求項45】
前記回路を編集することが、回路から物質を除去することを含むことを特徴とする請求項44に記載の方法。
【請求項46】
前記回路を編集することが、回路から物質を除去することを含むことを特徴とする請求項43に記載の方法。
【請求項47】
前記イオンビームが、1×10-16cm2srV以下の還元エタンデュを有することを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項48】
前記イオンビームが、5×10-21cm2sr以下のエタンデュを有することを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項49】
前記イオンビームが、試料の表面にて5×108A/m2srV以上の還元輝度を有することを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項50】
前記イオンビームが、試料の表面にて1×109A/cm2sr以上の輝度を有することを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項51】
前記イオンビームが、試料の表面に10nm以下の寸法のスポットサイズを有することを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項52】
前記方法が、気体電界イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項53】
前記方法が、ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項54】
前記方法が、走査イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項55】
前記方法が、走査ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項56】
気体を気体電界イオン源と相互作用させることによって、イオンビームを発生させることと、
前記イオンビームを用いて、半導体製品についての内層面情報を決定し、該イオンビームが半導体製品の表面に10nm以下のスポットサイズを有することと、
前記情報に基づいて半導体製品をエッチングすることと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項57】
前記情報が、試料表面についてのトポグラフィー情報、試料表面についての物質構成情報、試料の内層面領域についての物質構成情報、試料についての結晶情報、試料表面についての電圧コントラスト情報、試料の内層面領域についての電圧コントラスト情報、試料についての磁気情報、及び試料についての光学情報よりなる群から選択されることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項58】
前記イオンビームが半導体製品と相互作用して該半導体製品から粒子を出し、該粒子が、二次電子、オージェ電子、二次イオン、二次中性粒子、一次中性粒子、散乱イオン及び光子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項59】
前記半導体製品が、回路を具えることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項60】
前記方法が、前記回路を編集することを含むことを特徴とする請求項59に記載の方法。
【請求項61】
前記回路を編集することが、回路に物質を加えることを含むことを特徴とする請求項60に記載の方法。
【請求項62】
前記回路を編集することが、回路から物質を除去することを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。
【請求項63】
前記回路を編集することが、回路から物質を除去することを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。
【請求項64】
前記イオンビームが、1×10-16cm2srV以下の還元エタンデュを有することを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項65】
前記イオンビームが、5×10-21cm2sr以下のエタンデュを有することを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項66】
前記イオンビームが、試料の表面にて5×108A/m2srV以上の還元輝度を有することを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項67】
前記イオンビームが、試料の表面にて1×109A/cm2sr以上の輝度を有することを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項68】
前記方法が、気体電界イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項69】
前記方法が、ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項70】
前記方法が、走査イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項71】
前記方法が、走査ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項72】
気体を気体電界イオン源と相互作用させることによって、イオンビームを発生させることと、
前記イオンビームを用いてリソグラフィマスクについての情報を決定し、該イオンビームが半導体製品の表面に10nm以下のスポットサイズを有することと、
前記情報に基づいてリソグラフィマスクを修理することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項73】
前記情報が、リソグラフィマスク表面についてのトポグラフィー情報、リソグラフィマスク表面についての物質構成情報、リソグラフィマスクの内層面領域についての物質構成情報、リソグラフィマスクについての結晶情報、リソグラフィマスク表面についての電圧コントラスト情報、リソグラフィマスクの内層面領域についての電圧コントラスト情報、リソグラフィマスクについての磁気情報、及びリソグラフィマスクについての光学情報よりなる群から選択されることを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項74】
前記イオンビームがリソグラフィマスクと相互作用して該マスクから粒子を出し、該粒子が、二次電子、オージェ電子、二次イオン、二次中性粒子、一次中性粒子、散乱イオン及び光子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項75】
前記リソグラフィマスクを修理することが、該マスクに物質を加えることを含むことを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項76】
前記リソグラフィマスクを修理することが、該マスクから物質を除去することを含むことを特徴とする請求項75に記載の方法。
【請求項77】
前記リソグラフィマスクを修理することが、該マスクから物質を除去することを含むことを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項78】
更に、リソグラフィ処理において前記マスクを用いることを含むことを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項79】
前記リソグラフィ処理が、半導体製品を製造することを含むことを特徴とする請求項78に記載の方法。
【請求項80】
前記イオンビームが、1×10-16cm2srV以下の還元エタンデュを有することを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項81】
前記イオンビームが、5×10-21cm2sr以下のエタンデュを有することを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項82】
前記イオンビームが、試料の表面にて5×108A/m2srV以上の還元輝度を有することを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項83】
前記イオンビームが、試料の表面にて1×109A/cm2sr以上の輝度を有することを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項84】
前記方法が、気体電界イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項85】
前記方法が、ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項86】
前記方法が、走査イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項87】
前記方法が、走査ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項88】
イオンビームを用いて試料上にレジストをパターン形成し、該イオンビームが試料にて10nm以下のスポットサイズを有することを含むことを特徴とする方法。
【請求項89】
前記イオンビームが、9nm以下のスポットサイズを有することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項90】
前記イオンビームが、試料にて8nm以下のスポットサイズを有することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項91】
前記イオンビームが、気体と気体電界イオン源との相互作用によって発生することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項92】
前記方法が、マスクを使用せずに行われることを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項93】
前記レジストが、PMMA、感光性ガラス及びアリルジグリコールカーボネートを具えることを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項94】
前記イオンビームが、1×10-16cm2srV以下の還元エタンデュを有することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項95】
前記イオンビームが、5×10-21cm2sr以下のエタンデュを有することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項96】
前記イオンビームが、試料の表面にて5×108A/m2srV以上の還元輝度を有することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項97】
前記イオンビームが、試料の表面にて1×109A/cm2sr以上の輝度を有することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項98】
前記方法が、気体電界イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項99】
前記方法が、ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項100】
前記方法が、走査イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項101】
前記方法が、走査ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項1】
気体を気体電界イオン源と相互作用させることによって、イオンビームを発生させることと、
前記イオンビームを活性化ガスと相互作用させて、試料の表面にて化学反応を促進させることと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項2】
前記イオンビームが前記試料と相互作用し、該試料から二次電子を出すことを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項3】
前記二次電子が前記活性化ガスと相互作用し、前記表面にて化学反応を促進させることを特徴とする請求項2に記載の方法。
【請求項4】
前記活性化ガスが、エッチングガスを具えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項5】
前記方法が、前記試料をエッチングすることを特徴とする請求項4に記載の方法。
【請求項6】
前記活性化ガスが、前駆体ガスを具えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項7】
前記方法が、前記試料上に物質を堆積させることを特徴とする請求項6に記載の方法。
【請求項8】
前記イオンビーム中のイオンが、試料の表面にて1keV以上のエネルギーを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項9】
前記試料の表面にほぼ一層の活性化ガスの単分子層をもたらす速度で、前記活性化ガスを供給することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項10】
前記イオンビームが、Heガスイオンを具えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項11】
前記イオンビームが、Arガスイオンを具えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項12】
前記活性化ガスが、ハロゲンを具えることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項13】
前記活性化ガスが、Cl2、O2、I2、XeF2、F2、CF4及びH2Oよりなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項14】
前記活性化ガスが、XeF2、F2、CF4及びH2Oよりなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項15】
前記試料の表面が、金属窒化物を具えることを特徴とする請求項14に記載の方法。
【請求項16】
前記金属窒化物が、窒化タンタルを具えることを特徴とする請求項15に記載の方法。
【請求項17】
前記活性化ガスが、Cl2及びO2よりなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項18】
前記試料の表面が、クロムを具えることを特徴とする請求項17に記載の方法。
【請求項19】
前記試料の表面が、クロム、酸化クロム、窒化クロム及び酸窒化クロムよりなる群から選択される物質を具えることを特徴とする請求項17に記載の方法。
【請求項20】
前記活性化ガスが、O2及びH2Oよりなる群から選択されることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項21】
前記試料の表面が、炭素含有物質を具えることを特徴とする請求項20に記載の方法。
【請求項22】
前記イオンビームが、1×10-16cm2srV以下の還元エタンデュを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項23】
前記イオンビームが、5×10-21cm2sr以下のエタンデュを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項24】
前記イオンビームが、試料の表面にて5×108A/m2srV以上の還元輝度を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項25】
前記イオンビームが、試料の表面にて1×109A/cm2sr以上の輝度を有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項26】
前記イオンビームが、試料の表面に10nm以下の寸法のスポットサイズを有することを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項27】
前記方法が、気体電界イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項28】
前記方法が、ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項29】
前記方法が、走査イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項30】
前記方法が、走査ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項1に記載の方法。
【請求項31】
気体を気体電界イオン源と相互作用させることによって、イオンビームを発生させることと、
前記イオンビームを用いて、半導体製品についての内層面情報を決定することと、
前記内層面情報に基づいて半導体製品をエッチングすることと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項32】
前記方法が、位置合わせのマークを使用することを含まないことを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項33】
前記イオンビームが、半導体製品上に10nm以下のスポットサイズを有することを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項34】
前記イオンビームが前記半導体製品と相互作用して、その試料から粒子を出し、該粒子が一次中性粒子及び光子を具えることを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項35】
更に、前記粒子を検出して該粒子についての情報を提供することと、前記粒子についての情報を処理して前記半導体製品についての内層面情報を提供することとを含むことを特徴とする請求項34に記載の方法。
【請求項36】
前記粒子が、一次中性粒子を具えることを特徴とする請求項35に記載の方法。
【請求項37】
前記方法が、前記一次中性粒子についての対応する角度及びエネルギーを決定することを含むことを特徴とする請求項36に記載の方法。
【請求項38】
前記方法が、前記粒子の全存在量を決定することを特徴とする請求項36に記載の方法。
【請求項39】
前記粒子が、X線光子、IR光子、可視光子及びUV光子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項35に記載の方法。
【請求項40】
前記方法が、エネルギー分解検出器を用いて前記粒子を検出することを含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。
【請求項41】
前記方法が、波長分解検出器を用いて前記粒子を検出することを含むことを特徴とする請求項39に記載の方法。
【請求項42】
前記半導体製品が、回路を具えることを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項43】
前記方法が、前記回路を編集することを含むことを特徴とする請求項42に記載の方法。
【請求項44】
前記回路を編集することが、回路に物質を加えることを含むことを特徴とする請求項43に記載の方法。
【請求項45】
前記回路を編集することが、回路から物質を除去することを含むことを特徴とする請求項44に記載の方法。
【請求項46】
前記回路を編集することが、回路から物質を除去することを含むことを特徴とする請求項43に記載の方法。
【請求項47】
前記イオンビームが、1×10-16cm2srV以下の還元エタンデュを有することを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項48】
前記イオンビームが、5×10-21cm2sr以下のエタンデュを有することを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項49】
前記イオンビームが、試料の表面にて5×108A/m2srV以上の還元輝度を有することを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項50】
前記イオンビームが、試料の表面にて1×109A/cm2sr以上の輝度を有することを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項51】
前記イオンビームが、試料の表面に10nm以下の寸法のスポットサイズを有することを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項52】
前記方法が、気体電界イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項53】
前記方法が、ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項54】
前記方法が、走査イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項55】
前記方法が、走査ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項31に記載の方法。
【請求項56】
気体を気体電界イオン源と相互作用させることによって、イオンビームを発生させることと、
前記イオンビームを用いて、半導体製品についての内層面情報を決定し、該イオンビームが半導体製品の表面に10nm以下のスポットサイズを有することと、
前記情報に基づいて半導体製品をエッチングすることと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項57】
前記情報が、試料表面についてのトポグラフィー情報、試料表面についての物質構成情報、試料の内層面領域についての物質構成情報、試料についての結晶情報、試料表面についての電圧コントラスト情報、試料の内層面領域についての電圧コントラスト情報、試料についての磁気情報、及び試料についての光学情報よりなる群から選択されることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項58】
前記イオンビームが半導体製品と相互作用して該半導体製品から粒子を出し、該粒子が、二次電子、オージェ電子、二次イオン、二次中性粒子、一次中性粒子、散乱イオン及び光子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項59】
前記半導体製品が、回路を具えることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項60】
前記方法が、前記回路を編集することを含むことを特徴とする請求項59に記載の方法。
【請求項61】
前記回路を編集することが、回路に物質を加えることを含むことを特徴とする請求項60に記載の方法。
【請求項62】
前記回路を編集することが、回路から物質を除去することを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。
【請求項63】
前記回路を編集することが、回路から物質を除去することを含むことを特徴とする請求項61に記載の方法。
【請求項64】
前記イオンビームが、1×10-16cm2srV以下の還元エタンデュを有することを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項65】
前記イオンビームが、5×10-21cm2sr以下のエタンデュを有することを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項66】
前記イオンビームが、試料の表面にて5×108A/m2srV以上の還元輝度を有することを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項67】
前記イオンビームが、試料の表面にて1×109A/cm2sr以上の輝度を有することを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項68】
前記方法が、気体電界イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項69】
前記方法が、ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項70】
前記方法が、走査イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項71】
前記方法が、走査ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項56に記載の方法。
【請求項72】
気体を気体電界イオン源と相互作用させることによって、イオンビームを発生させることと、
前記イオンビームを用いてリソグラフィマスクについての情報を決定し、該イオンビームが半導体製品の表面に10nm以下のスポットサイズを有することと、
前記情報に基づいてリソグラフィマスクを修理することと、
を含むことを特徴とする方法。
【請求項73】
前記情報が、リソグラフィマスク表面についてのトポグラフィー情報、リソグラフィマスク表面についての物質構成情報、リソグラフィマスクの内層面領域についての物質構成情報、リソグラフィマスクについての結晶情報、リソグラフィマスク表面についての電圧コントラスト情報、リソグラフィマスクの内層面領域についての電圧コントラスト情報、リソグラフィマスクについての磁気情報、及びリソグラフィマスクについての光学情報よりなる群から選択されることを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項74】
前記イオンビームがリソグラフィマスクと相互作用して該マスクから粒子を出し、該粒子が、二次電子、オージェ電子、二次イオン、二次中性粒子、一次中性粒子、散乱イオン及び光子よりなる群から選択されることを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項75】
前記リソグラフィマスクを修理することが、該マスクに物質を加えることを含むことを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項76】
前記リソグラフィマスクを修理することが、該マスクから物質を除去することを含むことを特徴とする請求項75に記載の方法。
【請求項77】
前記リソグラフィマスクを修理することが、該マスクから物質を除去することを含むことを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項78】
更に、リソグラフィ処理において前記マスクを用いることを含むことを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項79】
前記リソグラフィ処理が、半導体製品を製造することを含むことを特徴とする請求項78に記載の方法。
【請求項80】
前記イオンビームが、1×10-16cm2srV以下の還元エタンデュを有することを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項81】
前記イオンビームが、5×10-21cm2sr以下のエタンデュを有することを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項82】
前記イオンビームが、試料の表面にて5×108A/m2srV以上の還元輝度を有することを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項83】
前記イオンビームが、試料の表面にて1×109A/cm2sr以上の輝度を有することを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項84】
前記方法が、気体電界イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項85】
前記方法が、ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項86】
前記方法が、走査イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項87】
前記方法が、走査ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項72に記載の方法。
【請求項88】
イオンビームを用いて試料上にレジストをパターン形成し、該イオンビームが試料にて10nm以下のスポットサイズを有することを含むことを特徴とする方法。
【請求項89】
前記イオンビームが、9nm以下のスポットサイズを有することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項90】
前記イオンビームが、試料にて8nm以下のスポットサイズを有することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項91】
前記イオンビームが、気体と気体電界イオン源との相互作用によって発生することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項92】
前記方法が、マスクを使用せずに行われることを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項93】
前記レジストが、PMMA、感光性ガラス及びアリルジグリコールカーボネートを具えることを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項94】
前記イオンビームが、1×10-16cm2srV以下の還元エタンデュを有することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項95】
前記イオンビームが、5×10-21cm2sr以下のエタンデュを有することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項96】
前記イオンビームが、試料の表面にて5×108A/m2srV以上の還元輝度を有することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項97】
前記イオンビームが、試料の表面にて1×109A/cm2sr以上の輝度を有することを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項98】
前記方法が、気体電界イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項99】
前記方法が、ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項100】
前記方法が、走査イオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項88に記載の方法。
【請求項101】
前記方法が、走査ヘリウムイオン顕微鏡を用いて行われることを特徴とする請求項88に記載の方法。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35−1】
【図35−2】
【図35−3】
【図36】
【図38】
【図39】
【図60】
【図66】
【図67】
【図72】
【図73】
【図76】
【図77】
【図78】
【図37】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図74】
【図75】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
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【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35−1】
【図35−2】
【図35−3】
【図36】
【図38】
【図39】
【図60】
【図66】
【図67】
【図72】
【図73】
【図76】
【図77】
【図78】
【図37】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図74】
【図75】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【公開番号】特開2012−98293(P2012−98293A)
【公開日】平成24年5月24日(2012.5.24)
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願2011−259420(P2011−259420)
【出願日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【分割の表示】特願2008−543312(P2008−543312)の分割
【原出願日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【出願人】(508164600)アリス コーポレーション (15)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成24年5月24日(2012.5.24)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−259420(P2011−259420)
【出願日】平成23年11月28日(2011.11.28)
【分割の表示】特願2008−543312(P2008−543312)の分割
【原出願日】平成18年11月15日(2006.11.15)
【出願人】(508164600)アリス コーポレーション (15)
【Fターム(参考)】
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