プラズマ源用粒子捕獲
遠隔プラズマ源用粒子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合する入口と、プロセス・チェンバの入口に結合する出口とを有する本体構造を含む。また、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器は、本体構造内に形成されており、本体構造の入口と本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルを含む。このガス・チャネルは、本体構造を貫通する経路を定めることができ、チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、この壁の表面に対してある角度で衝突させる。冷却部材が、ガス・チャネルと熱連通することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
[0001] 本発明は、一般的には、プラズマ発生および処理機器に関する。特に、本発明は、汚染粒子を活性化されたガスから除去するための方法および装置に関する。
【従来技術】
【0002】
[0002] ガスを活性化するためにプラズマが用いられることが多く、ガスの化学的反応性を高めるように、プラズマは活性化状態に置かれる。場合によっては、ガスを活性化させて、イオン、遊離基、原子、および分子を含有する解離ガス(dissociated gases)を生成する。解離ガスは、多数の工業および化学的用途に用いられており、半導体ウェハのような固体材料、粉体、およびその他のガスの処理がこれらの用途に含まれる。活性化ガスの特性、および材料をこれらのガスに露出させる条件は、用途に応じて幅広く異なる。プラズマの解離を起こすためには、大量の電力が必要となることもある。
【0003】
[0003] プラズマ源がプラズマを発生する際、例えば、十分な大きさの電位をプラズマ・ガス(例えば、O2N2、Ar、NF3、H2、およびHe)、またはガスの混合体に印加して、ガスの少なくとも一部をイオン化する。プラズマは、DC放電、無線周波数(RF)放電、およびマイクロ波放電を含む、種々の方法で発生することができる。DC放電プラズマは、プラズマ・ガスの中にある2つの電極間に電位を印加することによって得られる。RF放電プラズマは、容量的または誘導的に電源からのエネルギをプラズマに結合することによって得られる。マイクロ波放電プラズマは、直接マイクロ波エネルギを、マイクロ波通過窓を通じて、プラズマ・ガスを収容している放電チェンバに結合することによって得られる。通例、プラズマは、アルミニウムまたはステンレス鋼のような金属材料、あるいはクオーツ、サファイア、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、および/または窒化アルミニウムのような誘電体材料で構成されたチェンバ内部に収容される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
[0004] プラズマ発生の技術において知られている問題として、例えば、プラズマ発生器、またはプラズマ・チェンバの出力に結合されているチェンバを汚染する可能性のある粒子が発生することが多いことが挙げられる。したがって、プラズマ発生機器によって発生した活性化ガスにおける汚染粒子の数を減少させるという要望がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
[0005] 本発明は、一般的には、活性化ガスにおける粒子個数を低減することができる装置および方法を特徴とする。1つの利点は、本発明が、処理すべき材料(例えば、半導体ウェハ)上における粒子または欠陥の混入を最小限に抑えることである。別の利点は、本発明が、処理すべき材料(例えば、半導体ウェハ)の製造において歩留まりを高めることである。更に別の利点は、本発明が、交換すると製造ダウンタイムを最小限に抑えることができる装置を提供することである。別の利点は、本発明が、活性化ガスの再結合を最小限に抑えつつ粒子個数を低減することである。
【0006】
[0006] 一態様において、本発明は、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器を特徴とする。この粒子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合する入口と、プロセス・チェンバの入口に結合する出口とを有する本体構造を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構造内に形成されており、本体構造の入口と本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルを含む。このガス・チャネルは、本体構造を貫通する経路を定め、チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、この壁の表面に対してある角度で衝突させる。
【0007】
[0007] 実施形態によっては、壁が、本体構造の外壁の内部にある障害物の一部である場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が複数の障害物を含む場合もある。実施形態によっては、障害物が、この障害物の壁の表面と熱連通する冷却部材を含む場合もある。この冷却部材は、障害物の壁の表面を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含むことができる。
【0008】
[0008] 実施形態によっては、前述の角度が約45度および135度の間である場合もある。実施形態によっては、前述のチャネルの第1部分が、このチャネルの第2部分に対して実質的に直角となっている場合もある。ガス・チャネルは第3部分を有することができ、第2部分から通過するガスの中にある粒子が、第3部分を定める第2の壁に、第2の壁の第2表面に対して第2の角度で衝突する。実施形態によっては、第2の角度が約45度および135度の間である場合もある。実施形態によっては、第1区間および第2区間が曲線を定める場合もある。壁の表面は、不規則または模様付きの内少なくとも1つである。実施形態によっては、本体構造が遠隔プラズマ源の中に配置されている場合もある。実施形態によっては、本体構造の入口と本体構造の出口との間における圧力降下が、約100milliTorr未満である場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が、更に、ガス・チャネルの第1部分または第2部分の内少なくとも1つの壁に窪みを備えている場合もあり、この窪みがガスの中にある粒子を収集するように構成されている。
【0009】
[0009] 実施形態によっては、粒子捕獲器が、更に、ガス・チャネルと熱連通する冷却部材を含む場合もある。この冷却部材は、ガス・チャネルの第2部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、本体構造内に形成された少なくとも1つの冷媒チャネルを含むことができる。実施形態によっては、冷却部材が冷却板を含む場合もある。実施形態によっては、冷却部材が、ガス・チャネルの第2部分の壁の少なくとも一部を間接的に冷却する場合もある。冷却部材は、本体構造の中に配置することができる。実施形態によっては、少なくとも1つの冷媒チャネルの経路が、ガス・チャネルの経路に対して少なくとも実質的に平行である場合もある。
【0010】
[0010] 別の態様において、本発明は、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器を特徴とする。この粒子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構造内に形成され、本体構造の入口および本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルも含み、このガス・チャネルは、本体構造を貫通する経路を定める。また、粒子捕獲器は、ガス・チャネルと熱連通する冷却部材も含む。
【0011】
[0011] 実施形態によっては、冷却部材が、ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、本体構造内に形成されている少なくとも1つの冷媒チャネルを備えている場合もある。実施形態によっては、冷却部材が冷却板を含む場合もある。冷却部材は、ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を間接的に冷却することができる。冷却部材は、本体構造の中に配置することができる。
【0012】
[0012] 実施形態によっては、本体構造を貫通する経路が、チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、壁の表面に対してある角度で衝突させる場合もある。実施形態によっては、ガス・チャネルが第3部分を有し、第2部分から通過するガスの中にある粒子が、第3部分を定める第2の壁に、第2の壁の第2表面に対して第2の角度で衝突する場合もある。本体構造は、遠隔プラズマ源の中に配置することができる。実施形態によっては、粒子捕獲器が、ガス・チャネルの第1部分または第2部分の内少なくとも1つの壁に窪みを備えている場合もあり、この窪みがガスの中にある粒子を収集するように構成されている。
【0013】
[0013] 別の態様では、本発明は、プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去する方法を特徴とする。この方法は、チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受けるステップを含む。また、本方法は、ガス・チャネルの第1部分から通過する活性化ガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、この壁の表面に対してある角度で衝突させるために、本体構造内に形成されているガス・チャネルを通過するように活性化ガスを誘導するステップも含む。また、本方法は、ガス・チャネルから流出する活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導するステップも含む。
【0014】
[0014] 本方法は、活性化ガスの中にある粒子を壁上に蓄積させるために、この壁の少なくとも一部を冷却するステップを含むことができる。実施形態によっては、本方法は、チャネルの第3部分を定める第2壁に、この第2壁の第2表面に対して第2の角度で衝突させるために、チャネルの第2部分から本体構造のガス・チャネルを通過するように活性化ガスを誘導するステップを含む場合もある。本方法は、活性化ガスの中にある粒子を第2の壁上に蓄積させるために、第2の壁の少なくとも一部を冷却するステップを含むことができる。本方法は、壁の少なくとも一部を冷却するために、本体構造の中にある冷媒チャネルに流体を流すステップを含むことができる。実施形態によっては、壁を間接的に冷却する場合もある。本方法は、壁の温度を調節するステップを含むことができる。実施形態によっては、本方法は、粒子数が所定の制限値を超えたときに信号を発生するステップを含む場合もある。実施形態によっては、ガス・チャネルが、本体構造の入口と本体構造の出口との間において、約100milliTor未満の圧力降下を生ずる場合もある。
【0015】
[0015] 別の態様では、本発明は、プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去する方法を特徴とする。この方法は、チェンバにおいてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受けるステップを含む。また、本方法は、本体構造内に形成されたガス・チャネルを通過するように活性化ガスを誘導するステップも含む。また、本方法は、活性化ガスの中にある粒子を壁上に蓄積させるために、ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を冷却するステップも含む。
【0016】
[0016] 実施形態によっては、壁の少なくとも一部を間接的に冷却する場合もある。実施形態によっては、本方法が壁の温度を調節するステップを含む場合もある。実施形態によっては、本方法が、チャネルの第2部分を定める第2壁に、壁の表面に対してある角度で衝突させるために、チャネルの第1部分から本体構造内のガス・チャネルを通過するように活性化ガスを誘導するステップを含む場合もある。本方法は、活性化ガスの中にある粒子を第2の壁上に蓄積させるために、第2の壁の少なくとも一部を冷却するステップを含むことができる。実施形態によっては、本方法が、壁の少なくとも一部を冷却するために、本体構造内にある冷媒チャネルに流体を流すステップを含む場合もある。
【0017】
[0017] 別の態様では、本発明はシステムを特徴とする。このシステムは、遠隔プラズマ源を含む。また、本システムは、遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造を含む。また、本システムは、本体構造内に形成され、本体構造の入口および本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルを含み、このガス・チャネルが本体構造を貫通する経路を定め、チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、壁の表面に対してある角度で衝突させる。
【0018】
[0018] 別の態様では、本発明は、粒子捕獲器の製造方法を特徴とする。この方法は、本体構造内にガス・チャネルを作成するステップを含み、このガス・チャネルが、遠隔プラズマ源のチェンバに結合することができる入口と、プロセス・チェンバの入口に結合することができる出口とを有し、ガス・チャネルが、チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、この壁の表面に対してある角度で衝突させるように構成されている。
【0019】
[0019] 実施形態によっては、前述の方法が、冷却部材をガス・チャネルに熱的に結合するステップを含む場合もある。実施形態によっては、この方法が、ガス・チャネルの第2部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、本体構造の中に少なくとも1つの冷媒チャネルを形成するステップを含む場合もある。
【0020】
[0020] 別の態様では、本発明は、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器を特徴とする。この粒子捕獲器は、チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受ける手段を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構造内に形成されたガス・チャネルを通過するように活性化ガスを誘導し、ガス・チャネルの第1部分から通過する活性化ガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、壁の表面に対してある角度で衝突させるように構成されている手段を含む。また、この粒子捕獲器は、活性化ガスの中にある粒子を壁上に蓄積させるために、この壁の少なくとも一部を冷却する手段を含む。
【0021】
[0021] 別の態様では、本発明は、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器を特徴とする。この粒子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構造内に少なくとも1つの障害物を含む。この少なくとも1つの障害物は、ガスの中にある粒子を障害物の表面に衝突させるために、入口から出口に流れるガスを偏向させるように構成されている。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物が複数の障害物である場合もある。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物が、当該少なくとも1つの障害物の表面と熱連通する冷却部材を含む場合もある。この冷却部材は、少なくとも1つの障害物の表面を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含むことができる。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物が、本体構造の外壁の内部にある壁である場合もある。
【図面の簡単な説明】
【0022】
[0022] 本発明の以上に述べたおよびその他の目的、特徴および利点、ならびに発明自体は、以下の例示的説明を、添付図面と合わせて読むことによって、一層深く理解されよう。図面は、必ずしも同じ拡縮率で描かれている訳ではない。
【図1】図1は、本発明の例示的な実施形態によるプラズマ発生システムの模式断面図である。
【図2】図2は、例示的な実施形態による、冷却部材を除いたプラズマ発生システムの模式断面図である。
【図3】図3は、本発明の例示的な実施形態によるプラズマ発生システムの模式断面図である。
【図4】図4は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲の模式断面図である。
【図5A】図5Aは、粒子捕獲器の異なる実施形態の模式断面図である。
【図5B】図5Bは、粒子捕器の異なる実施形態の模式断面図である。
【図6】図6は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【図7】図7は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【図8】図8は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【図9】図9は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【図10】図10は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【図11】図11は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【図12】図12は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
[0035] 図1は、本発明の例示的な実施形態によるプラズマ発生システム100の模式断面図である。システム100は、遠隔プラズマ源110、プロセス・チェンバ130、および粒子捕獲器140を含む。遠隔プラズマ源110の出口125は、粒子捕獲器140の入口135に結合されている。実施形態によっては、出口125が直接入口135に結合されていることもある。実施形態によっては、例えば、導管または他の適した構造によって、出口125が間接的に入口135に結合されていることもある。プラズマは、例えば、十分な大きさの電位をプラズマ・ガス(例えば、O2、N2、Ar、NF3、H2、およびHe)、またはガスの混合体に印加して、チェンバ120内においてガスの少なくとも一部をイオン化することによって、チェンバ120内において生成される。プラズマは、プラズマ源110のチェンバ120内に導入される追加のガスを活性化するために用いられ、これらのガスが、例えば、反応性を向上させるように、追加のガスを活性化された状態にする。活性化されたガスは、プラズマ源110の出口から外に出され、粒子捕獲器140の入口135に誘導される。
【0024】
[0036] ガス・チャネル145が、粒子捕獲器140の本体構造150の中に作られている。ガス・チャネル145は、本体構造150の入口135および出口155と流体連通している。本体構造150の内壁105aから外壁105bにわたり、障害物187が位置している。障害物187と外壁105aおよび内壁105bとの組み合わせが、ガス・チャネル145を定める。本体構造150の出口155は、プロセス・チェンバ130の入口160に結合されている。実施形態によっては、出口155が入口160に直接結合されている場合もある。実施形態によっては、出口155が、例えば、導管またはその他の適した構造によって、間接的に入口160に結合されている場合もある。ガス・チャネル145は、本体構造150を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル145の第1部分165から誘導されて来るガスの中にある粒子を、ガス・チャネル145の第2部分175を定める障害物187の壁170に衝突させる。壁170は、ガス・チャネル145の第2部分175を、壁170の表面180に対して角度Φ1(例えば、この実施形態では、約90度)をなすように定める。ガス・チャネル145の第1部分165に沿って(負のy−軸方向に沿って)移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル145の第2部分175において方向を変える(次いで、概略的に正および負のx−軸方向に沿って進む)ときに、粒子を壁170の表面180に衝突させる。実施形態によっては、壁170は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁170の表面180に蓄積させる。実施形態によっては、角度θ1は約45から135度の間である。
【0025】
[0037] この実施形態では、ガス・チャネル145は第3部分185を有する。ガス・チャネル145の第2部分175から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第2の壁190の第2表面192に対して第2の角度Φ2(例えば、この実施形態では約90度)で第2の壁190に衝突する。ガス・チャネル145の第2部分175に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル145の第3部分185において方向を変える(そして、負のy−軸方向に沿って進む)ときに、これらの粒子を第2の壁190の第2表面192に衝突させる。実施形態によっては、壁190は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁190上に蓄積させる。実施形態によっては、角度θ2は約45から135度の間である場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器は、本体構造150の入口135と出口155との間に圧力降下が生ずるように構成されている場合もある。この圧力降下は、約100milliTorr未満である。高い圧力降下は、遠隔プラズマ源110によって発生された活性化ガスの活動を弱め、このためプラズマ発生システムの有効性および有用性を低下させる可能性がある。
【0026】
[0038] 冷却部材195が、第2の壁190に隣接するガス・チャネル145と熱連通している。この実施形態では、冷却部材195は、本体構造150の壁の中にある冷却板である。実施形態によっては、粒子捕獲器140が複数の冷却部材を含む場合もある。実施形態によっては、冷却部材195が流体(例えば、水)によって冷却される場合もある。冷却部材195は、第2の壁190の第2表面192を冷却する。実施形態によっては、第2の壁190の第2表面192を約25〜30゜Cに冷却する場合もある。入口135を通って粒子捕獲器140に入った粒子は、遠隔プラズマ源120において熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器140に入るガスが約2000゜Cになる場合もある。熱的に活性化された粒子と第2の壁190の第2表面192との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力(thermophoretic force)と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。第2の壁190の第2表面192が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、第2の壁190の冷たい方の第2表面192に向けて粒子を押し出すように作用する。第2の壁190の第2表面192と衝突した粒子は、経路方向の変化、第2の壁190の材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)の高い付着特性、および局所的温度勾配に付随する伝熱力の複合作用(combination)のために、蓄積する。
【0027】
[0039] 障害物187は、障害物187の壁170の表面180と熱連通する冷却部材を含むことができる。実施形態によっては、冷却部材が冷媒チャネルを含み、障害物187の壁170の表面180を冷却する流体を受ける場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が複数の障害物187を含む場合もある。
【0028】
[0040] 活性化ガスが粒子捕獲器140を通過するように誘導された後、活性化ガスはプロセス・チェンバ130に誘導される。粒子は壁170および190の表面180および192にそれぞれ蓄積するので、プロセス・チェンバ130に入る活性化ガスは、粒子捕獲器140に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0029】
[0041] 実施形態によっては、本発明の原理を組み込んだ特徴が、プラズマ源110に(またはその一部として)設けられる場合がある。実施形態によっては、プラズマ源110が、粒子捕獲器140の種々の特徴に対応するように構成されている場合もある。例えば、ガス・チャネル145ならびに壁170および190をプラズマ源110に組み込むことができ、動作の間、壁170および190が、本明細書において既に述べたように、粒子を蓄積することができる。実施形態によっては、冷却部材195を一部(例えば、プラズマ源110のチェンバ120の出口の壁の一部)に組み込んで、活性化ガスとチェンバの一部との間に温度勾配を発生させて、活性化ガスの中にある粒子をチェンバの冷却された部分に向かって移動させてここに吸着させる場合もある。
【0030】
[0042] 図2は、本発明の例示的な実施形態による、冷却部材を除いたプラズマ発生システム100の模式断面図である。システム100は、遠隔プラズマ源110、プロセス・チェンバ130、および粒子捕獲器140を含む。遠隔プラズマ源110の出口125は、粒子捕獲器140の入口135に結合されている。実施形態によっては、出口125が直接入口135に結合されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管または他の適した構造によって、出口125が間接的に入口135に結合されていることもある。活性化ガスは、プラズマ源110の出口125から出て、粒子捕獲器140の入口135に入るように誘導される。
【0031】
[0043] ガス・チャネル145が、粒子捕獲器140の本体構造150の中に形成されている。ガス・チャネル145は、本体構造150の入口135および出口155と流体連通している。本体構造150の出口155は、プロセス・チェンバ130の入口160に結合されている場合もある。実施形態によっては、出口155が入口160に直接結合されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管またはその他の適した構造によって、出口155が間接的に入口160に結合されている場合もある。ガス・チャネル145は、本体構造150を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル145の第1部分165から誘導されて来るガスの中にある粒子を、ガス・チャネル145の第2部分175を定める障害物187の壁170に衝突させる。壁170は、ガス・チャネル145の第2部分175を、壁170の表面180に対して角度Φ1(例えば、この実施形態では、約90度)をなすように定める。ガス・チャネル145の第1部分165に沿って(負のy−軸方向に沿って)移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル145の第2部分175において方向を変える(次いで、概略的に正および負のx−軸方向に沿って進む)ときに、粒子を壁170の表面180に衝突させる。実施形態によっては、壁170は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁170の表面180に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ1は約45から135度の間である。
【0032】
[0044] この実施形態では、ガス・チャネル145は第3部分185を有する。ガス・チャネル145の第2部分175から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第2の壁190の第2表面192に対して第2の角度Φ2(例えば、この実施形態では約90度)で第2の壁190に衝突する。ガス・チャネル145の第2部分175に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル145の第3部分185において方向を変える(そして、負のy−軸方向に沿って進む)ときに、これらの粒子を第2の壁190の第2表面192に衝突させる。実施形態によっては、壁190は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁190に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ2は約45から135度の間である。
【0033】
[0045] 活性化ガスが粒子捕獲器140を通過するように誘導された後、活性化ガスはプロセス・チェンバ130に誘導される。粒子は壁170および190の表面180および192にそれぞれ蓄積するので、プロセス・チェンバ130に入る活性化ガスは、粒子捕獲器140に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0034】
[0046] 図3は、本発明の例示的な実施形態による、冷却部材を除いたプラズマ発生システム100の模式断面図である。システム100は、遠隔プラズマ源110、プロセス・チェンバ130、および粒子捕獲器340を含む。遠隔プラズマ源110の出口125は、粒子捕獲器340の入口135に結合されている。実施形態によっては、出口125が直接入口135に結合されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管または他の適した構造によって、出口125が間接的に入口135に結合されていることもある。活性化ガスは、プラズマ源110の出口125から出て、粒子捕獲器340の入口135に入るように誘導される。
【0035】
[0047] ガス・チャネル345が、粒子捕獲器340の本体構造350の中に形成されている。ガス・チャネル345は、本体構造350の入口135および出口155と流体連通している。本体構造350の出口155は、プロセス・チェンバ130の入口160に結合されている。実施形態によっては、出口155が入口160に直接結合されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管またはその他の適した構造によって、出口155が間接的に入口160に結合されている場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が、本体構造150の入口135と出口155との間に圧力降下が生ずるように構成されている場合もある。この圧力降下は、約100milliTorr未満である。高い圧力降下は、遠隔プラズマ源110によって発生された活性化ガスの活動を弱める可能性がある。
【0036】
[0048] 冷却部材390が、壁370に隣接するガス・チャネル345と熱連通している。この実施形態では、冷却部材390は、壁370の表面380を含む、壁370の少なくとも一部を冷却する。実施形態によっては、の壁370の表面380を約25〜30゜Cに冷却する場合もある。冷却部材390は、複数の冷却チャネル395を有する。冷媒(例えば、水)がチャネルを通過して流れ、冷却部材390および壁370を冷却する。入口135を通って粒子捕獲器340に入った粒子は、遠隔プラズマ源120において熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器340に入るガスが約2000゜Cになる場合もある。熱的に活性化された粒子と壁370の表面380との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。壁370の表面380が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、壁370の冷たい方の表面380に向けて粒子を押し出すように作用する。実施形態によっては、壁370が高い付着特性を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作ることができ、粒子を壁370の表面380上に蓄積させる場合もある。
【0037】
[0049] 活性化ガスが粒子捕獲器340を通過するように誘導された後、活性化ガスはプロセス・チェンバ130に誘導される。粒子は壁390の表面380に蓄積するので、プロセス・チェンバ130に入る活性化ガスは、粒子捕獲器340に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0038】
[0050] 図4は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器440の模式断面図である。粒子捕獲器440は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器440は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する。粒子捕獲器440は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。実施形態によっては、本体構造150を遠隔プラズマ源(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110)のチェンバ(例えば、図1、図2、または図3のチェンバ120)に配置する場合もある。
【0039】
[0051] ガス・チャネル445が、粒子捕獲器440の本体構造450の中に形成され、入口135および出口155と流体連通している。ガス・チャネル445は、当該ガス・チャネル445の第1部分465から通過するガスの中にある粒子を、壁470の表面480に対して角度Φ4(この実施形態では、約135度)をなすようにガス・チャネル445の第2部分475を定める壁470に衝突させる。ガス・チャネル445の第1部分465に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル445の第2部分475において方向を変えるときに、粒子を壁470の表面480に衝突させる。実施形態によっては、壁470は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁470に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、第1部分465がガス・チャネル445の第2部分475に対して実質的に直角となることもある(例えば、Φ4が実質的に90度に等しい)。実施形態によっては、角度θ4は約45から135度の間である。
【0040】
[0052] オプションの冷媒チャネル495aおよび495b(纏めて、冷却部材495)が、本発明の代替実施形態に含まれている。冷却部材495は、ガス・チャネル445と熱連通している。冷媒チャネル495aは、本体構造450の中に形成されており、ガス・チャネル445の第2部分475の、壁470の表面480を含む、壁470の少なくとも一部を冷却する流体(例えば、水)を受ける。実施形態によっては、壁470の表面480を約25〜30゜Cに冷却することもある。粒子捕獲器340に入った粒子は、遠隔プラズマ源において熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器140に入るガスが約2000゜Cになる場合もある。熱的に活性化された粒子と壁470の表面480との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。この局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。壁470の表面480が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、壁470の冷たい方の表面480に向けて粒子を押し出すように作用する。実施形態によっては、壁370が高い付着特性を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作ることができ、粒子を壁370の表面380上に蓄積させる場合もある。壁470の表面480と衝突した粒子は、経路方向の変化、壁490の材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)の高い付着特性、および局所的温度勾配に付随する伝熱力の複合作用のために、蓄積する。
【0041】
[0053] 実施形態によっては、冷媒チャネル495aが粒子捕獲器440の外側に配置されている場合もある。これらの実施形態では、冷媒チャネル495aは、本体構造450を通じて、ガス・チャネル445の第2部分475の、壁470の表面480を含む、壁470の少なくとも一部を間接的に冷却する。一実施形態では、冷媒チャネル495aは粒子捕獲器440の外部にあり、熱伝導性接着剤によって粒子捕獲器の壁に結合されている。実施形態によっては、冷媒チャネル495aが、図4に示した冷媒チャネルに対して対角線方向に配置され、冷媒チャネル495aの経路が、壁470の表面480に隣接するガス・チャネルの経路に対して少なくとも実質的に平行となるようにする場合もある。
【0042】
[0054] 冷媒チャネル495bは、本体構造450の中に形成され、内壁490の少なくとも一部を冷却する流体を受ける。熱的に活性化された粒子と内壁490との間における温度差のために、第2の局所的温度勾配が生ずる。この第2の局所的温度勾配によって、壁470に付着されなかった熱活性化粒子を、第2の温度勾配に付随する伝熱力によって、壁490の低温箇所に付着させる。実施形態によっては、冷媒チャネル495bが粒子捕獲器440の外側に配置されている場合もある。これらの実施形態では、冷媒チャネル495aは、本体構造450を通じてガス・チャネル445の第2部分475の、壁490の表面492を含む、壁490の少なくとも一部を間接的に冷却する。実施形態によっては、冷媒チャネル495bが図4に示した冷媒チャネルに対して対角線方向に配置され、冷媒チャネル495aの経路が、壁490の表面492に隣接するガス・チャネルの経路に対して少なくとも実質的に平行となるようにする場合もある。
【0043】
[0055] 活性化ガスが粒子捕獲器440を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁470および490の表面480および490にそれぞれ蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器440に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0044】
[0056] 図5Aおよび図5Bは、粒子捕獲器540の異なる例示的な実施形態の模式断面図である。粒子捕獲器540は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器540は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する。粒子捕獲器540は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。ガス・チャネル545が、粒子捕獲器540の本体構造550の中に形成され、入口135および出口155と流体連通している。
【0045】
[0057] 図5Aを参照すると、ガス・チャネル545aは、本体構造550を通過する経路を定める。この経路は、当該ガス・チャネル545aの第1部分565a(例えば、負のy軸に沿って)から通過するガスの中にある粒子を、壁570aに衝突させる。壁570aは、壁570aの表面580aに対して局部角度Φ5a(この実施形態では、約135度)をなすガス・チャネル545aの第2部分575aを定める。この実施形態では、第1部分565aおよび第2部分575aが、チャネル545aの経路の湾曲部分を形成する。ガス・チャネル545aの第1部分565aに沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル545aの第2部分575aにおいて方向を変えるときに、粒子を壁570aの表面580aに衝突させる。実施形態によっては、壁570aは高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁570aの表面580aに蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度Φ5aは約45から135度の間である。
【0046】
[0058] 活性化ガスが粒子捕獲器540を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁570aの表面580aに蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器540に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0047】
[0059] 図5Bを参照すると、ガス・チャネル545bは、本体構造550を通過する経路を定める。この経路は、当該ガス・チャネル545bの第1部分565b(例えば、負のy軸に沿って)から通過するガスの中にある粒子を、壁570bの表面580bに衝突させる。壁570bは、壁570bの表面580bに対して角度Φ5bをなすガス・チャネル545bの第2部分575bを定める。この実施形態では、ガス・チャネル545bの第1部分565bは、第2部分575bに対して実質的に直角となる(例えば、Φ5bは実質的に90度に等しい)。ガス・チャネル545bの第1部分565bに沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル545bの第2部分575bにおいて方向を変えるときに、粒子を壁570bの表面580bに衝突させる。実施形態によっては、壁570bは高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁570bの表面580bに蓄積させる場合もある。
【0048】
[0060] 活性化ガスが粒子捕獲器540を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁570aの表面580aに蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器540に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0049】
[0061] 図6は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器640の模式断面図である。粒子捕獲器640は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器640は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する。粒子捕獲器640は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。ガス・チャネル645が、粒子捕獲器640の本体構造650の中に形成され、入口135および出口155と流体連通している。ガス・チャネル645は、本体構造650を通過する経路を定め、当該ガス・チャネル645の第1部分665から通過するガスの中にある粒子を、壁670の第2表面680に対して角度Φ6(この実施形態では、約135度)をなすようにガス・チャネル645の第2部分675を定める壁670に衝突させる。ガス・チャネル645の第1部分665に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル645の第2部分675において方向を変えるときに、粒子を第2の壁670の第2表面680に衝突させる。
【0050】
[0062] この実施形態では、第1の壁610の第1表面615が不規則となっており、第1の壁610の第1表面615上に複数の窪み620が設けられている。ガス・チャネル645の第1区間665に沿って移動する粒子は、窪み620を含む第1の壁610の第1表面615に衝突する。ガス・チャネル645の第1部分665に沿って移動するガスの中にある粒子は、窪み620によって捕獲される。実施形態によっては、第1の壁610が高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、第1の壁610の第1表面615上への粒子の蓄積を更に促進する場合もある。
【0051】
[0063] 第2の壁670の第2表面680は不規則となっており、第2の壁670の第2表面680上に複数の窪み685が設けられている。ガス・チャネル645の第1区間665に沿って移動する粒子は、第2の壁670の第2表面680に沿った分布で第2の壁670の第2表面680に衝突する。ガス・チャネル645の第2部分675に沿って移動する粒子は、窪み685を含む第2の壁670の第2表面680に衝突する。ガス・チャネル645の第2部分675に沿って移動するガスの中にある粒子は、窪み685によって捕獲され、システムにおける機械的振動によって粒子が移動させられるのを防止する。実施形態によっては、壁670または670のそれぞれの表面615または680の少なくとも1つが、少なくとも部分的に不規則である場合もある。実施形態によっては、壁610または670の内一方のみが、少なくとも部分的に不規則である場合もある。表面に模様を付けることによって、粒子が表面615または680に付着する可能性が高くなる。何故なら、模様がある表面は局部的にポケットまたは窪みを有し、その中に粒子を捕獲することができるからである。
【0052】
[0064] 実施形態によっては、壁670は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁470に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、第1部分665が、ガス・チャネル645の第2部分675に対して実質的に直角になっている(例えば、θ6は約90度)場合もある。実施形態によっては、Φ6が約45〜135度の間である場合もある。
【0053】
[0065] 活性化ガスが粒子捕獲器640を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁610または670それぞれの表面615または680に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器640に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0054】
[0066] 図7は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器740の模式断面図である。粒子捕獲器740は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器740は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する。粒子捕獲器740は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。
【0055】
[0067] ガス・チャネル745が、粒子捕獲器740の本体構造750の中に作られており、入口135および出口155と流体連通している。本体構造750の内壁705aから外壁705bにわたり、障害物787が位置している。障害物787と外壁705aおよび内壁705bとの組み合わせが、ガス・チャネル145を定める。ガス・チャネル745は、本体構造750を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル745の第1部分765から(例えば、負のy−軸方向に沿って)流れてくるガスの中にある粒子を、ガス・チャネル745の第2部分775を定める障害物787の壁770に衝突させる。壁770は、ガス・チャネル745の第2部分775を、壁770の表面780に対して角度Φ7a(例えば、この実施形態では、約90度)をなすように定める。ガス・チャネル745の第1部分765に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル745の第2部分775において方向を変えるときに、粒子を壁770の表面780に衝突させる。第2部分に沿って(例えば、正および負のx−軸方向に沿って)移動する粒子は、壁770にある窪み735の表面730に衝突する。窪み735は、ガス・チャネル745の第2部分775に沿って流れるガスから粒子を捕獲して、これらの粒子を窪み735の表面730に蓄積させ、システムにおける機械的振動によって粒子が移動するのを防止する役割を果たす。実施形態によっては、壁770は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁770の表面780または壁770の窪み735の表面730に蓄積させる。実施形態によっては、角度θ7aは約45から135度の間である。
【0056】
[0068] 実施形態によっては、障害物787が窪み(例えば、窪み785)を含む場合もある。障害物787は、この障害物787の壁770の表面780と熱連する冷却部材を含むことができる。実施形態によっては、この冷却部材は、障害物787の壁770の表面780を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含む場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が複数の障害物787を含む場合もある。
【0057】
[0069] 更に図7を参照すると、ガス・チャネル745は第3部分785を有する。ガス・チャネル745の第2部分775から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第2の壁790の第2表面792に対して第2の角度Φ7b(例えば、この実施形態では約90度)で第2の壁790に衝突する。ガス・チャネル745の第2部分775に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル745の第3部分785において方向を変えるときに、これらの粒子を第2の壁790の第2表面792に衝突させる。実施形態によっては、壁790は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁790上に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ7bは約45から135度の間である場合もある。実施形態によっては、第2の壁790が窪みを含む場合もある。
【0058】
[0070] オプションの冷媒チャネル795が、第2の壁790に隣接するガス・チャネル745と熱連通している。冷媒チャネル795は、本体構造750を通じて、第2の壁790の第2表面792を間接的に冷却する。実施形態によっては、壁770の表面792を約25〜30゜Cに冷却することもある。粒子捕獲器740に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によって熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器740に入るガスが約2000゜Cになる場合もある。熱的に活性化された粒子と壁770との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。壁790の表面792が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、壁790の冷たい方の表面792に向けて粒子を押し出すように作用する。第2の壁790の第2表面792と衝突した粒子は、経路方向の変化、壁790の材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)の高い付着特性、および局所的温度勾配に付随する伝熱力の複合作用のために、蓄積する。
【0059】
[0071] 活性化ガスが粒子捕獲器740を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は表面780、730、および792上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器740に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0060】
[0072] 図8は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器840の模式断面図である。粒子捕獲器840は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器840は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する。粒子捕獲器740は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。
【0061】
[0073] ガス・チャネル845が、粒子捕獲器840の本体構造850の中に作られており、入口135および出口155と流体連通している。本体構造850の内壁805aから外壁805bにわたり、障害物887が位置している。障害物887と外壁805aおよび内壁805bとの組み合わせが、ガス・チャネル845を定める。ガス・チャネル845は、本体構造850を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル845の第1部分865から通過する(例えば、負のy−軸方向に沿って)ガスの中にある粒子を、障害物887の壁870の表面880に衝突させる。壁870は、ガス・チャネル845の第2部分875を、壁870の表面880に対して角度Φ8a(例えば、この実施形態では、約90度)をなすように定める。ガス・チャネル845の第1部分865に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル845の第2部分875において方向を変えるときに、粒子を壁870の表面880に衝突させる。実施形態によっては、壁870が高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁870の表面880上に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ8aは約45から135度の間である場合もある。実施形態によっては、第1の壁870が少なくとも1つの窪み(例えば、図7の窪み735)を含む場合もある。
【0062】
[0074] 更に図8を参照すると、ガス・チャネル845は第3部分885を有する。ガス・チャネル845の第2部分875から(例えば、正および負のx−軸方向に沿って)誘導されて来るガスの中にある粒子は、第2の壁890の第2表面892に対して第2の角度Φ8b(例えば、この実施形態では約90度)で第2の壁890の第2表面892に衝突する。ガス・チャネル845の第2部分875に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル845の第3部分885において方向を変えるときに、これらの粒子を第2の壁890の第2表面892に衝突させる。
【0063】
[0075] 実施形態によっては、壁890は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁890に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ8bが約45から135度の間である場合もある。実施形態によっては、第2の壁890が窪みを含む場合もある。
【0064】
[0076] この実施形態では、第3部分885は第3の壁820に窪み835を含む。第3部分885に沿って(例えば、負のy−軸方向に沿って)移動する粒子は、第3の壁820の窪み835に入る。粒子は、第3の壁820の第3表面830に衝突する。窪み835は、ガス・チャネル845の第3部分885に沿って流れるガスの中にある粒子を捕獲し、これらの粒子を窪み835の表面に蓄積させ、システムにおける機械的振動によって粒子が移動するのを防止する役割を果たす。実施形態によっては、第3の壁820は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、第3の壁820上に粒子を蓄積させる場合もある。実施形態によっては、冷却部材が第3の壁820における窪み835と熱連通し、粒子捕獲器840の粒子捕獲特性を向上させる場合もある。
【0065】
[0077] 活性化ガスが粒子捕獲器840を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は表面880、892、および830上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器840に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0066】
[0078] 図9は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器940の模式断面図である。粒子捕獲器940は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器940は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する。粒子捕獲器940は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。
【0067】
[0079] ガス・チャネル945が、粒子捕獲器940の本体構造950の中に作られており、本体構造950の入口135および出口155と流体連通している。本体構造950の内壁905aから外壁905bにわたり、障害物987が位置している。障害物987と外壁905aおよび内壁905bとの組み合わせが、ガス・チャネル945を定める。ガス・チャネル945は、本体構造950を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル945の第1部分965から(例えば、負のy−軸方向に沿って)通過するガスの中にある粒子を、第1の壁970の表面980に衝突させる。第1の壁970は、ガス・チャネル945の第2部分975を、壁970の表面980に対して角度Φ9a(例えば、この実施形態では、約120度)をなすように定める。ガス・チャネル945の第1部分965に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル945の第2部分975において方向を変えるときに、粒子を第1の壁970の表面980に衝突させる。実施形態によっては、壁970は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁970の表面980上に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度Φ9aが約45から135度の間である場合もある。実施形態によっては、第1の壁970が少なくとも1つの窪み(例えば、図7の窪み735)を含む場合もある。
【0068】
[0080] 実施形態によっては、障害物987が窪み(例えば、図7からの窪み785)を含む場合もある。障害物987は、この障害物987の壁970の表面980と熱連通する冷却部材を含むことができる。実施形態によっては、この冷却部材は、障害物987の壁970の表面980を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含む場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が複数の障害物987を含む場合もある。
【0069】
[0081] 更に図9を参照すると、ガス・チャネル945は第3部分985を有する。ガス・チャネル945の第2部分975から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第2の壁990の第2表面992に対して第2の角度Φ9b(例えば、この実施形態では約135度)で第2の壁990の第2表面に衝突する。ガス・チャネル945の第2部分975に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル945の第3部分985において方向を変えるときに、これらの粒子を第2の壁990の第2表面992に衝突させる。この実施形態では、第2の壁990の第2表面992の一部が曲線を定める。実施形態によっては、壁990は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁990上に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ9bが約45から135度の間である場合もある。実施形態によっては、第2の壁990が窪みを含む場合もある。
【0070】
[0082] この実施形態では、第3部分985は第3の壁920に窪みを含む。第3部分985に沿って移動する粒子は、第3の壁920の窪み935に入る。粒子は、第3の壁920の第3表面930に衝突する。窪み935は、ガス・チャネル945の第3部分985に沿って流れるガスの中にある粒子を捕獲し、これらの粒子を窪み935の第3表面930上に蓄積させ、システムにおける機械的振動によって粒子が移動するのを防止する役割を果たす。実施形態によっては、第3の壁920は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、第3の壁920の表面930上に粒子を蓄積させる。実施形態によっては、冷却部材が第3の壁920における窪みと熱連通する場合もある。
【0071】
[0083] 活性化ガスが粒子捕獲器940を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は表面980、992、および930上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器940に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0072】
[0084] 図10は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器1040の模式断面図である。粒子捕獲器1040は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器1040は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する本体構造1050を含む。本体構造1050は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。粒子捕獲器は、本体構造1050の中に少なくとも1つの障害物1010を含む。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物1010が複数の障害物1010である場合もある。この実施形態では、粒子捕獲器1040が8つの障害物1010を含む。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物1010が、本体構造1050の外壁1030aおよび1030bの内側にある壁を有するか、またはその壁である(例えば、図1または図2の壁170)場合もある。少なくとも1つの障害物1010は、入口135から出口155に流れるガスを偏向させて、ガスの中にある粒子を少なくとも1つの障害物1010の表面1015に衝突させるように構成されている。本体構造1050の入口135から出口155に流れる粒子の運動量が、少なくとも1つの障害物1010によってガスが偏向されるときに、ガス内にある粒子を障害物1010の表面1015に衝突させる。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物1010の表面1015が高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、少なくとも1つの障害物1010の表面1015上に粒子を蓄積させる場合もある。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物1010が窪み(例えば、図9の窪み935)を含む場合もある。
【0073】
[0085] 少なくとも1つの障害物1010は、この少なくとも1つの障害物1010の表面1015と熱連通している冷却部材1020を含む。冷却部材1020は、少なくとも1つの障害物1010の表面1015を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含むことができる。少なくとも1つの部材1010の表面1015を約25〜30゜Cに冷却することができる。粒子捕獲器1040に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によって熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器1040に入るガスが約2000゜Cになる場合もある。熱的に活性化された粒子と少なくとも1つの部材1010の表面1015との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。少なくとも1つの部材1010の表面1015が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、少なくとも1つの部材1010の冷たい表面1015に向けて粒子を押し出すように作用する。
【0074】
[0086] 図11は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器1140の模式断面図である。この実施形態では、粒子捕獲器1140の本体構造1150が遠隔プラズマ源(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源120)の出口1160に配置されている。本体構造1150は、第1端部1130および第2端部1135を含む。本体構造1150は、入口1132が第1端部1130にあり、出口1134が第2端部1135にあるチャネル1144を有する。入口1132に入るガスは、チャネル1144を通過して出口1134まで流れる。この実施形態では、本体構造1150は断面が実質的に円形となっている。第1端部1130における入口1132の直径d1は、第2端部1135における出口1134の直径d2よりも大きい。本体構造1150のチャネル1144を通過した粒子は、第2端部の内面1152に、第2端部1135の内面1152に対してある角度で衝突する。
【0075】
[0087] 実施形態によっては、第1端部1130の直径d1が第2端部1135の直径d2にほぼ等しい場合もある。実施形態によっては、直径d1が約4.6センチメートル(1.8インチ)であり、直径d2が約3.8センチメートル(1.5インチ)である場合もある。実施形態によっては、本体構造1150が高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を本体構造1150の内面上に蓄積させる場合もある。
【0076】
[0088] 本体構造は、導管1145に結合されている。導管1145は、プロセス・チェンバ(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130)の入口1170に結合されている。導管1145は、本体構造1150の出口1134からプロセス・チェンバの入口1170まで、ガスを移送する。この実施形態では、導管1145は実質的に円筒形となっている。実施形態によっては、導管1145の長さlが約10.2センチメートル(4インチ)である場合もある。また、粒子捕獲器1140は冷却部材1195も含む。冷却部材1195は、導管1145および本体構造1150と熱連通している。実施形態によっては、冷却部材1195が1つ又は複数の冷媒チャネルを含み、これらが冷却部材1195の本体内にあり、冷媒がこれらを通過して流れるようにする場合もある。実施形態によっては、導管1145の内面1175を約25〜30゜Cに冷却する場合もある。導管1145に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によって熱的に活性化されている。実施形態によっては、導管1145に入るガスが約2000゜Cになる場合もある。熱的に活性化された粒子と導管1145の内面1175との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。導管1145の内面1175が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、導管1145の冷たい方の内面1175に向けて粒子を押し出すように作用する。
【0077】
[0089] 活性化ガスが粒子捕獲器1140を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は本体構造1150および導管1145の内面上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器1140に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0078】
[0090] 図12は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器1240の模式断面三次元図である。この実施形態では、粒子捕獲器1240の本体構造1250が、遠隔プラズマ源(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源120)の出口1260にある。本体構造1250は、長さl1aを有し、第1端部1230および第2端部1235を含む。第1端部1230の直径d1aは、第2端部1235の直径d2aよりも大きい。本体構造1250を通過した粒子は、第2端部1235の内面1220に、第2端部1235の内面1220に対して角度Φ12で衝突する。
【0079】
[0091] 実施形態によっては、本体構造1250が高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を本体構造1250の内面1220上に蓄積させる場合もある。
【0080】
[0092] 実施形態によっては、第1端部1230の直径d1aが、第2端部1235の直径d2aにほぼ等しい場合もある。粒子捕獲器1240の有効性(例えば、捕獲される粒子数)は、直径d1aの直径d2aに対する比率が増大するに連れて(即ち、角度Φ12が大きくなるにつれて)高くなる。実施形態によっては、直径d1aが約4.6センチメートル(1.8インチ)、直径d2aが約3.8センチメートル(1.5インチ)、そして長さl1aが約2.8センチメートル(1.1インチ)となっている場合もある。実施形態によっては、本体構造1250が冷却部材と熱連通している場合もある。
【0081】
[0093] 実施形態によっては、本体構造1250の第2端部1235がプロセス・チェンバ(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130)の入口に結合されている場合もある。この実施形態では、本体構造1250の第2端部1235が導管1245に結合されている。導管1245は実質的に円筒形となっている。導管1245は、プロセス・チェンバ(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130)の入口に結合されている。実施形態によっては、導管1245が高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を導管1245の内面1260上に蓄積させる場合もある。導管1245の有効性(例えば、捕獲される粒子数)は、長さl2aが増大するに連れて高くなる。
【0082】
[0094] 実施形態によっては、導管1245が冷却部材(図示せず)と熱連通している場合もある。導管1245の内面1260を冷却部材によって冷却することができる。導管1245に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によって熱的に活性化されている。熱的に活性化された粒子と導管1245の内面1260との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。導管1245の内面1260が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、導管1245の冷たい方の内面1260に向けて粒子を押し出すように作用する。実施形態によっては、長さl2aが約10.2センチメートル(4インチ)である場合もある。実施形態によっては、導管1245が後続の粒子捕獲器に結合される場合もある。
【0083】
[0095] 活性化ガスが粒子捕獲器1240および導管1245を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は本体構造125の内面1220および導管1260の内面1260上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器1240および部材1245に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0084】
[0096] 本明細書において記載したことの変形、変更、およびその他の実施態様は、本発明の主旨および範囲から逸脱することなく、当業者には想起され、本発明の範囲に含まれるものとする。したがって、本発明は、これまでの例示的な説明のみによって定義されることはない。
【技術分野】
【0001】
[0001] 本発明は、一般的には、プラズマ発生および処理機器に関する。特に、本発明は、汚染粒子を活性化されたガスから除去するための方法および装置に関する。
【従来技術】
【0002】
[0002] ガスを活性化するためにプラズマが用いられることが多く、ガスの化学的反応性を高めるように、プラズマは活性化状態に置かれる。場合によっては、ガスを活性化させて、イオン、遊離基、原子、および分子を含有する解離ガス(dissociated gases)を生成する。解離ガスは、多数の工業および化学的用途に用いられており、半導体ウェハのような固体材料、粉体、およびその他のガスの処理がこれらの用途に含まれる。活性化ガスの特性、および材料をこれらのガスに露出させる条件は、用途に応じて幅広く異なる。プラズマの解離を起こすためには、大量の電力が必要となることもある。
【0003】
[0003] プラズマ源がプラズマを発生する際、例えば、十分な大きさの電位をプラズマ・ガス(例えば、O2N2、Ar、NF3、H2、およびHe)、またはガスの混合体に印加して、ガスの少なくとも一部をイオン化する。プラズマは、DC放電、無線周波数(RF)放電、およびマイクロ波放電を含む、種々の方法で発生することができる。DC放電プラズマは、プラズマ・ガスの中にある2つの電極間に電位を印加することによって得られる。RF放電プラズマは、容量的または誘導的に電源からのエネルギをプラズマに結合することによって得られる。マイクロ波放電プラズマは、直接マイクロ波エネルギを、マイクロ波通過窓を通じて、プラズマ・ガスを収容している放電チェンバに結合することによって得られる。通例、プラズマは、アルミニウムまたはステンレス鋼のような金属材料、あるいはクオーツ、サファイア、酸化イットリウム、酸化ジルコニウム、および/または窒化アルミニウムのような誘電体材料で構成されたチェンバ内部に収容される。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0004】
[0004] プラズマ発生の技術において知られている問題として、例えば、プラズマ発生器、またはプラズマ・チェンバの出力に結合されているチェンバを汚染する可能性のある粒子が発生することが多いことが挙げられる。したがって、プラズマ発生機器によって発生した活性化ガスにおける汚染粒子の数を減少させるという要望がある。
【課題を解決するための手段】
【0005】
[0005] 本発明は、一般的には、活性化ガスにおける粒子個数を低減することができる装置および方法を特徴とする。1つの利点は、本発明が、処理すべき材料(例えば、半導体ウェハ)上における粒子または欠陥の混入を最小限に抑えることである。別の利点は、本発明が、処理すべき材料(例えば、半導体ウェハ)の製造において歩留まりを高めることである。更に別の利点は、本発明が、交換すると製造ダウンタイムを最小限に抑えることができる装置を提供することである。別の利点は、本発明が、活性化ガスの再結合を最小限に抑えつつ粒子個数を低減することである。
【0006】
[0006] 一態様において、本発明は、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器を特徴とする。この粒子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合する入口と、プロセス・チェンバの入口に結合する出口とを有する本体構造を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構造内に形成されており、本体構造の入口と本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルを含む。このガス・チャネルは、本体構造を貫通する経路を定め、チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、この壁の表面に対してある角度で衝突させる。
【0007】
[0007] 実施形態によっては、壁が、本体構造の外壁の内部にある障害物の一部である場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が複数の障害物を含む場合もある。実施形態によっては、障害物が、この障害物の壁の表面と熱連通する冷却部材を含む場合もある。この冷却部材は、障害物の壁の表面を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含むことができる。
【0008】
[0008] 実施形態によっては、前述の角度が約45度および135度の間である場合もある。実施形態によっては、前述のチャネルの第1部分が、このチャネルの第2部分に対して実質的に直角となっている場合もある。ガス・チャネルは第3部分を有することができ、第2部分から通過するガスの中にある粒子が、第3部分を定める第2の壁に、第2の壁の第2表面に対して第2の角度で衝突する。実施形態によっては、第2の角度が約45度および135度の間である場合もある。実施形態によっては、第1区間および第2区間が曲線を定める場合もある。壁の表面は、不規則または模様付きの内少なくとも1つである。実施形態によっては、本体構造が遠隔プラズマ源の中に配置されている場合もある。実施形態によっては、本体構造の入口と本体構造の出口との間における圧力降下が、約100milliTorr未満である場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が、更に、ガス・チャネルの第1部分または第2部分の内少なくとも1つの壁に窪みを備えている場合もあり、この窪みがガスの中にある粒子を収集するように構成されている。
【0009】
[0009] 実施形態によっては、粒子捕獲器が、更に、ガス・チャネルと熱連通する冷却部材を含む場合もある。この冷却部材は、ガス・チャネルの第2部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、本体構造内に形成された少なくとも1つの冷媒チャネルを含むことができる。実施形態によっては、冷却部材が冷却板を含む場合もある。実施形態によっては、冷却部材が、ガス・チャネルの第2部分の壁の少なくとも一部を間接的に冷却する場合もある。冷却部材は、本体構造の中に配置することができる。実施形態によっては、少なくとも1つの冷媒チャネルの経路が、ガス・チャネルの経路に対して少なくとも実質的に平行である場合もある。
【0010】
[0010] 別の態様において、本発明は、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器を特徴とする。この粒子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構造内に形成され、本体構造の入口および本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルも含み、このガス・チャネルは、本体構造を貫通する経路を定める。また、粒子捕獲器は、ガス・チャネルと熱連通する冷却部材も含む。
【0011】
[0011] 実施形態によっては、冷却部材が、ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、本体構造内に形成されている少なくとも1つの冷媒チャネルを備えている場合もある。実施形態によっては、冷却部材が冷却板を含む場合もある。冷却部材は、ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を間接的に冷却することができる。冷却部材は、本体構造の中に配置することができる。
【0012】
[0012] 実施形態によっては、本体構造を貫通する経路が、チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、壁の表面に対してある角度で衝突させる場合もある。実施形態によっては、ガス・チャネルが第3部分を有し、第2部分から通過するガスの中にある粒子が、第3部分を定める第2の壁に、第2の壁の第2表面に対して第2の角度で衝突する場合もある。本体構造は、遠隔プラズマ源の中に配置することができる。実施形態によっては、粒子捕獲器が、ガス・チャネルの第1部分または第2部分の内少なくとも1つの壁に窪みを備えている場合もあり、この窪みがガスの中にある粒子を収集するように構成されている。
【0013】
[0013] 別の態様では、本発明は、プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去する方法を特徴とする。この方法は、チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受けるステップを含む。また、本方法は、ガス・チャネルの第1部分から通過する活性化ガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、この壁の表面に対してある角度で衝突させるために、本体構造内に形成されているガス・チャネルを通過するように活性化ガスを誘導するステップも含む。また、本方法は、ガス・チャネルから流出する活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導するステップも含む。
【0014】
[0014] 本方法は、活性化ガスの中にある粒子を壁上に蓄積させるために、この壁の少なくとも一部を冷却するステップを含むことができる。実施形態によっては、本方法は、チャネルの第3部分を定める第2壁に、この第2壁の第2表面に対して第2の角度で衝突させるために、チャネルの第2部分から本体構造のガス・チャネルを通過するように活性化ガスを誘導するステップを含む場合もある。本方法は、活性化ガスの中にある粒子を第2の壁上に蓄積させるために、第2の壁の少なくとも一部を冷却するステップを含むことができる。本方法は、壁の少なくとも一部を冷却するために、本体構造の中にある冷媒チャネルに流体を流すステップを含むことができる。実施形態によっては、壁を間接的に冷却する場合もある。本方法は、壁の温度を調節するステップを含むことができる。実施形態によっては、本方法は、粒子数が所定の制限値を超えたときに信号を発生するステップを含む場合もある。実施形態によっては、ガス・チャネルが、本体構造の入口と本体構造の出口との間において、約100milliTor未満の圧力降下を生ずる場合もある。
【0015】
[0015] 別の態様では、本発明は、プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去する方法を特徴とする。この方法は、チェンバにおいてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受けるステップを含む。また、本方法は、本体構造内に形成されたガス・チャネルを通過するように活性化ガスを誘導するステップも含む。また、本方法は、活性化ガスの中にある粒子を壁上に蓄積させるために、ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を冷却するステップも含む。
【0016】
[0016] 実施形態によっては、壁の少なくとも一部を間接的に冷却する場合もある。実施形態によっては、本方法が壁の温度を調節するステップを含む場合もある。実施形態によっては、本方法が、チャネルの第2部分を定める第2壁に、壁の表面に対してある角度で衝突させるために、チャネルの第1部分から本体構造内のガス・チャネルを通過するように活性化ガスを誘導するステップを含む場合もある。本方法は、活性化ガスの中にある粒子を第2の壁上に蓄積させるために、第2の壁の少なくとも一部を冷却するステップを含むことができる。実施形態によっては、本方法が、壁の少なくとも一部を冷却するために、本体構造内にある冷媒チャネルに流体を流すステップを含む場合もある。
【0017】
[0017] 別の態様では、本発明はシステムを特徴とする。このシステムは、遠隔プラズマ源を含む。また、本システムは、遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造を含む。また、本システムは、本体構造内に形成され、本体構造の入口および本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルを含み、このガス・チャネルが本体構造を貫通する経路を定め、チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、壁の表面に対してある角度で衝突させる。
【0018】
[0018] 別の態様では、本発明は、粒子捕獲器の製造方法を特徴とする。この方法は、本体構造内にガス・チャネルを作成するステップを含み、このガス・チャネルが、遠隔プラズマ源のチェンバに結合することができる入口と、プロセス・チェンバの入口に結合することができる出口とを有し、ガス・チャネルが、チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、この壁の表面に対してある角度で衝突させるように構成されている。
【0019】
[0019] 実施形態によっては、前述の方法が、冷却部材をガス・チャネルに熱的に結合するステップを含む場合もある。実施形態によっては、この方法が、ガス・チャネルの第2部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、本体構造の中に少なくとも1つの冷媒チャネルを形成するステップを含む場合もある。
【0020】
[0020] 別の態様では、本発明は、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器を特徴とする。この粒子捕獲器は、チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受ける手段を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構造内に形成されたガス・チャネルを通過するように活性化ガスを誘導し、ガス・チャネルの第1部分から通過する活性化ガスの中にある粒子を、ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、壁の表面に対してある角度で衝突させるように構成されている手段を含む。また、この粒子捕獲器は、活性化ガスの中にある粒子を壁上に蓄積させるために、この壁の少なくとも一部を冷却する手段を含む。
【0021】
[0021] 別の態様では、本発明は、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器を特徴とする。この粒子捕獲器は、遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造を含む。また、この粒子捕獲器は、本体構造内に少なくとも1つの障害物を含む。この少なくとも1つの障害物は、ガスの中にある粒子を障害物の表面に衝突させるために、入口から出口に流れるガスを偏向させるように構成されている。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物が複数の障害物である場合もある。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物が、当該少なくとも1つの障害物の表面と熱連通する冷却部材を含む場合もある。この冷却部材は、少なくとも1つの障害物の表面を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含むことができる。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物が、本体構造の外壁の内部にある壁である場合もある。
【図面の簡単な説明】
【0022】
[0022] 本発明の以上に述べたおよびその他の目的、特徴および利点、ならびに発明自体は、以下の例示的説明を、添付図面と合わせて読むことによって、一層深く理解されよう。図面は、必ずしも同じ拡縮率で描かれている訳ではない。
【図1】図1は、本発明の例示的な実施形態によるプラズマ発生システムの模式断面図である。
【図2】図2は、例示的な実施形態による、冷却部材を除いたプラズマ発生システムの模式断面図である。
【図3】図3は、本発明の例示的な実施形態によるプラズマ発生システムの模式断面図である。
【図4】図4は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲の模式断面図である。
【図5A】図5Aは、粒子捕獲器の異なる実施形態の模式断面図である。
【図5B】図5Bは、粒子捕器の異なる実施形態の模式断面図である。
【図6】図6は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【図7】図7は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【図8】図8は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【図9】図9は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【図10】図10は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【図11】図11は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【図12】図12は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器の模式断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0023】
[0035] 図1は、本発明の例示的な実施形態によるプラズマ発生システム100の模式断面図である。システム100は、遠隔プラズマ源110、プロセス・チェンバ130、および粒子捕獲器140を含む。遠隔プラズマ源110の出口125は、粒子捕獲器140の入口135に結合されている。実施形態によっては、出口125が直接入口135に結合されていることもある。実施形態によっては、例えば、導管または他の適した構造によって、出口125が間接的に入口135に結合されていることもある。プラズマは、例えば、十分な大きさの電位をプラズマ・ガス(例えば、O2、N2、Ar、NF3、H2、およびHe)、またはガスの混合体に印加して、チェンバ120内においてガスの少なくとも一部をイオン化することによって、チェンバ120内において生成される。プラズマは、プラズマ源110のチェンバ120内に導入される追加のガスを活性化するために用いられ、これらのガスが、例えば、反応性を向上させるように、追加のガスを活性化された状態にする。活性化されたガスは、プラズマ源110の出口から外に出され、粒子捕獲器140の入口135に誘導される。
【0024】
[0036] ガス・チャネル145が、粒子捕獲器140の本体構造150の中に作られている。ガス・チャネル145は、本体構造150の入口135および出口155と流体連通している。本体構造150の内壁105aから外壁105bにわたり、障害物187が位置している。障害物187と外壁105aおよび内壁105bとの組み合わせが、ガス・チャネル145を定める。本体構造150の出口155は、プロセス・チェンバ130の入口160に結合されている。実施形態によっては、出口155が入口160に直接結合されている場合もある。実施形態によっては、出口155が、例えば、導管またはその他の適した構造によって、間接的に入口160に結合されている場合もある。ガス・チャネル145は、本体構造150を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル145の第1部分165から誘導されて来るガスの中にある粒子を、ガス・チャネル145の第2部分175を定める障害物187の壁170に衝突させる。壁170は、ガス・チャネル145の第2部分175を、壁170の表面180に対して角度Φ1(例えば、この実施形態では、約90度)をなすように定める。ガス・チャネル145の第1部分165に沿って(負のy−軸方向に沿って)移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル145の第2部分175において方向を変える(次いで、概略的に正および負のx−軸方向に沿って進む)ときに、粒子を壁170の表面180に衝突させる。実施形態によっては、壁170は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁170の表面180に蓄積させる。実施形態によっては、角度θ1は約45から135度の間である。
【0025】
[0037] この実施形態では、ガス・チャネル145は第3部分185を有する。ガス・チャネル145の第2部分175から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第2の壁190の第2表面192に対して第2の角度Φ2(例えば、この実施形態では約90度)で第2の壁190に衝突する。ガス・チャネル145の第2部分175に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル145の第3部分185において方向を変える(そして、負のy−軸方向に沿って進む)ときに、これらの粒子を第2の壁190の第2表面192に衝突させる。実施形態によっては、壁190は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁190上に蓄積させる。実施形態によっては、角度θ2は約45から135度の間である場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器は、本体構造150の入口135と出口155との間に圧力降下が生ずるように構成されている場合もある。この圧力降下は、約100milliTorr未満である。高い圧力降下は、遠隔プラズマ源110によって発生された活性化ガスの活動を弱め、このためプラズマ発生システムの有効性および有用性を低下させる可能性がある。
【0026】
[0038] 冷却部材195が、第2の壁190に隣接するガス・チャネル145と熱連通している。この実施形態では、冷却部材195は、本体構造150の壁の中にある冷却板である。実施形態によっては、粒子捕獲器140が複数の冷却部材を含む場合もある。実施形態によっては、冷却部材195が流体(例えば、水)によって冷却される場合もある。冷却部材195は、第2の壁190の第2表面192を冷却する。実施形態によっては、第2の壁190の第2表面192を約25〜30゜Cに冷却する場合もある。入口135を通って粒子捕獲器140に入った粒子は、遠隔プラズマ源120において熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器140に入るガスが約2000゜Cになる場合もある。熱的に活性化された粒子と第2の壁190の第2表面192との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力(thermophoretic force)と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。第2の壁190の第2表面192が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、第2の壁190の冷たい方の第2表面192に向けて粒子を押し出すように作用する。第2の壁190の第2表面192と衝突した粒子は、経路方向の変化、第2の壁190の材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)の高い付着特性、および局所的温度勾配に付随する伝熱力の複合作用(combination)のために、蓄積する。
【0027】
[0039] 障害物187は、障害物187の壁170の表面180と熱連通する冷却部材を含むことができる。実施形態によっては、冷却部材が冷媒チャネルを含み、障害物187の壁170の表面180を冷却する流体を受ける場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が複数の障害物187を含む場合もある。
【0028】
[0040] 活性化ガスが粒子捕獲器140を通過するように誘導された後、活性化ガスはプロセス・チェンバ130に誘導される。粒子は壁170および190の表面180および192にそれぞれ蓄積するので、プロセス・チェンバ130に入る活性化ガスは、粒子捕獲器140に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0029】
[0041] 実施形態によっては、本発明の原理を組み込んだ特徴が、プラズマ源110に(またはその一部として)設けられる場合がある。実施形態によっては、プラズマ源110が、粒子捕獲器140の種々の特徴に対応するように構成されている場合もある。例えば、ガス・チャネル145ならびに壁170および190をプラズマ源110に組み込むことができ、動作の間、壁170および190が、本明細書において既に述べたように、粒子を蓄積することができる。実施形態によっては、冷却部材195を一部(例えば、プラズマ源110のチェンバ120の出口の壁の一部)に組み込んで、活性化ガスとチェンバの一部との間に温度勾配を発生させて、活性化ガスの中にある粒子をチェンバの冷却された部分に向かって移動させてここに吸着させる場合もある。
【0030】
[0042] 図2は、本発明の例示的な実施形態による、冷却部材を除いたプラズマ発生システム100の模式断面図である。システム100は、遠隔プラズマ源110、プロセス・チェンバ130、および粒子捕獲器140を含む。遠隔プラズマ源110の出口125は、粒子捕獲器140の入口135に結合されている。実施形態によっては、出口125が直接入口135に結合されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管または他の適した構造によって、出口125が間接的に入口135に結合されていることもある。活性化ガスは、プラズマ源110の出口125から出て、粒子捕獲器140の入口135に入るように誘導される。
【0031】
[0043] ガス・チャネル145が、粒子捕獲器140の本体構造150の中に形成されている。ガス・チャネル145は、本体構造150の入口135および出口155と流体連通している。本体構造150の出口155は、プロセス・チェンバ130の入口160に結合されている場合もある。実施形態によっては、出口155が入口160に直接結合されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管またはその他の適した構造によって、出口155が間接的に入口160に結合されている場合もある。ガス・チャネル145は、本体構造150を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル145の第1部分165から誘導されて来るガスの中にある粒子を、ガス・チャネル145の第2部分175を定める障害物187の壁170に衝突させる。壁170は、ガス・チャネル145の第2部分175を、壁170の表面180に対して角度Φ1(例えば、この実施形態では、約90度)をなすように定める。ガス・チャネル145の第1部分165に沿って(負のy−軸方向に沿って)移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル145の第2部分175において方向を変える(次いで、概略的に正および負のx−軸方向に沿って進む)ときに、粒子を壁170の表面180に衝突させる。実施形態によっては、壁170は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁170の表面180に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ1は約45から135度の間である。
【0032】
[0044] この実施形態では、ガス・チャネル145は第3部分185を有する。ガス・チャネル145の第2部分175から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第2の壁190の第2表面192に対して第2の角度Φ2(例えば、この実施形態では約90度)で第2の壁190に衝突する。ガス・チャネル145の第2部分175に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル145の第3部分185において方向を変える(そして、負のy−軸方向に沿って進む)ときに、これらの粒子を第2の壁190の第2表面192に衝突させる。実施形態によっては、壁190は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁190に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ2は約45から135度の間である。
【0033】
[0045] 活性化ガスが粒子捕獲器140を通過するように誘導された後、活性化ガスはプロセス・チェンバ130に誘導される。粒子は壁170および190の表面180および192にそれぞれ蓄積するので、プロセス・チェンバ130に入る活性化ガスは、粒子捕獲器140に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0034】
[0046] 図3は、本発明の例示的な実施形態による、冷却部材を除いたプラズマ発生システム100の模式断面図である。システム100は、遠隔プラズマ源110、プロセス・チェンバ130、および粒子捕獲器340を含む。遠隔プラズマ源110の出口125は、粒子捕獲器340の入口135に結合されている。実施形態によっては、出口125が直接入口135に結合されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管または他の適した構造によって、出口125が間接的に入口135に結合されていることもある。活性化ガスは、プラズマ源110の出口125から出て、粒子捕獲器340の入口135に入るように誘導される。
【0035】
[0047] ガス・チャネル345が、粒子捕獲器340の本体構造350の中に形成されている。ガス・チャネル345は、本体構造350の入口135および出口155と流体連通している。本体構造350の出口155は、プロセス・チェンバ130の入口160に結合されている。実施形態によっては、出口155が入口160に直接結合されている場合もある。実施形態によっては、例えば、導管またはその他の適した構造によって、出口155が間接的に入口160に結合されている場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が、本体構造150の入口135と出口155との間に圧力降下が生ずるように構成されている場合もある。この圧力降下は、約100milliTorr未満である。高い圧力降下は、遠隔プラズマ源110によって発生された活性化ガスの活動を弱める可能性がある。
【0036】
[0048] 冷却部材390が、壁370に隣接するガス・チャネル345と熱連通している。この実施形態では、冷却部材390は、壁370の表面380を含む、壁370の少なくとも一部を冷却する。実施形態によっては、の壁370の表面380を約25〜30゜Cに冷却する場合もある。冷却部材390は、複数の冷却チャネル395を有する。冷媒(例えば、水)がチャネルを通過して流れ、冷却部材390および壁370を冷却する。入口135を通って粒子捕獲器340に入った粒子は、遠隔プラズマ源120において熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器340に入るガスが約2000゜Cになる場合もある。熱的に活性化された粒子と壁370の表面380との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。壁370の表面380が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、壁370の冷たい方の表面380に向けて粒子を押し出すように作用する。実施形態によっては、壁370が高い付着特性を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作ることができ、粒子を壁370の表面380上に蓄積させる場合もある。
【0037】
[0049] 活性化ガスが粒子捕獲器340を通過するように誘導された後、活性化ガスはプロセス・チェンバ130に誘導される。粒子は壁390の表面380に蓄積するので、プロセス・チェンバ130に入る活性化ガスは、粒子捕獲器340に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0038】
[0050] 図4は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器440の模式断面図である。粒子捕獲器440は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器440は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する。粒子捕獲器440は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。実施形態によっては、本体構造150を遠隔プラズマ源(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110)のチェンバ(例えば、図1、図2、または図3のチェンバ120)に配置する場合もある。
【0039】
[0051] ガス・チャネル445が、粒子捕獲器440の本体構造450の中に形成され、入口135および出口155と流体連通している。ガス・チャネル445は、当該ガス・チャネル445の第1部分465から通過するガスの中にある粒子を、壁470の表面480に対して角度Φ4(この実施形態では、約135度)をなすようにガス・チャネル445の第2部分475を定める壁470に衝突させる。ガス・チャネル445の第1部分465に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル445の第2部分475において方向を変えるときに、粒子を壁470の表面480に衝突させる。実施形態によっては、壁470は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁470に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、第1部分465がガス・チャネル445の第2部分475に対して実質的に直角となることもある(例えば、Φ4が実質的に90度に等しい)。実施形態によっては、角度θ4は約45から135度の間である。
【0040】
[0052] オプションの冷媒チャネル495aおよび495b(纏めて、冷却部材495)が、本発明の代替実施形態に含まれている。冷却部材495は、ガス・チャネル445と熱連通している。冷媒チャネル495aは、本体構造450の中に形成されており、ガス・チャネル445の第2部分475の、壁470の表面480を含む、壁470の少なくとも一部を冷却する流体(例えば、水)を受ける。実施形態によっては、壁470の表面480を約25〜30゜Cに冷却することもある。粒子捕獲器340に入った粒子は、遠隔プラズマ源において熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器140に入るガスが約2000゜Cになる場合もある。熱的に活性化された粒子と壁470の表面480との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。この局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。壁470の表面480が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、壁470の冷たい方の表面480に向けて粒子を押し出すように作用する。実施形態によっては、壁370が高い付着特性を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作ることができ、粒子を壁370の表面380上に蓄積させる場合もある。壁470の表面480と衝突した粒子は、経路方向の変化、壁490の材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)の高い付着特性、および局所的温度勾配に付随する伝熱力の複合作用のために、蓄積する。
【0041】
[0053] 実施形態によっては、冷媒チャネル495aが粒子捕獲器440の外側に配置されている場合もある。これらの実施形態では、冷媒チャネル495aは、本体構造450を通じて、ガス・チャネル445の第2部分475の、壁470の表面480を含む、壁470の少なくとも一部を間接的に冷却する。一実施形態では、冷媒チャネル495aは粒子捕獲器440の外部にあり、熱伝導性接着剤によって粒子捕獲器の壁に結合されている。実施形態によっては、冷媒チャネル495aが、図4に示した冷媒チャネルに対して対角線方向に配置され、冷媒チャネル495aの経路が、壁470の表面480に隣接するガス・チャネルの経路に対して少なくとも実質的に平行となるようにする場合もある。
【0042】
[0054] 冷媒チャネル495bは、本体構造450の中に形成され、内壁490の少なくとも一部を冷却する流体を受ける。熱的に活性化された粒子と内壁490との間における温度差のために、第2の局所的温度勾配が生ずる。この第2の局所的温度勾配によって、壁470に付着されなかった熱活性化粒子を、第2の温度勾配に付随する伝熱力によって、壁490の低温箇所に付着させる。実施形態によっては、冷媒チャネル495bが粒子捕獲器440の外側に配置されている場合もある。これらの実施形態では、冷媒チャネル495aは、本体構造450を通じてガス・チャネル445の第2部分475の、壁490の表面492を含む、壁490の少なくとも一部を間接的に冷却する。実施形態によっては、冷媒チャネル495bが図4に示した冷媒チャネルに対して対角線方向に配置され、冷媒チャネル495aの経路が、壁490の表面492に隣接するガス・チャネルの経路に対して少なくとも実質的に平行となるようにする場合もある。
【0043】
[0055] 活性化ガスが粒子捕獲器440を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁470および490の表面480および490にそれぞれ蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器440に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0044】
[0056] 図5Aおよび図5Bは、粒子捕獲器540の異なる例示的な実施形態の模式断面図である。粒子捕獲器540は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器540は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する。粒子捕獲器540は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。ガス・チャネル545が、粒子捕獲器540の本体構造550の中に形成され、入口135および出口155と流体連通している。
【0045】
[0057] 図5Aを参照すると、ガス・チャネル545aは、本体構造550を通過する経路を定める。この経路は、当該ガス・チャネル545aの第1部分565a(例えば、負のy軸に沿って)から通過するガスの中にある粒子を、壁570aに衝突させる。壁570aは、壁570aの表面580aに対して局部角度Φ5a(この実施形態では、約135度)をなすガス・チャネル545aの第2部分575aを定める。この実施形態では、第1部分565aおよび第2部分575aが、チャネル545aの経路の湾曲部分を形成する。ガス・チャネル545aの第1部分565aに沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル545aの第2部分575aにおいて方向を変えるときに、粒子を壁570aの表面580aに衝突させる。実施形態によっては、壁570aは高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁570aの表面580aに蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度Φ5aは約45から135度の間である。
【0046】
[0058] 活性化ガスが粒子捕獲器540を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁570aの表面580aに蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器540に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0047】
[0059] 図5Bを参照すると、ガス・チャネル545bは、本体構造550を通過する経路を定める。この経路は、当該ガス・チャネル545bの第1部分565b(例えば、負のy軸に沿って)から通過するガスの中にある粒子を、壁570bの表面580bに衝突させる。壁570bは、壁570bの表面580bに対して角度Φ5bをなすガス・チャネル545bの第2部分575bを定める。この実施形態では、ガス・チャネル545bの第1部分565bは、第2部分575bに対して実質的に直角となる(例えば、Φ5bは実質的に90度に等しい)。ガス・チャネル545bの第1部分565bに沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル545bの第2部分575bにおいて方向を変えるときに、粒子を壁570bの表面580bに衝突させる。実施形態によっては、壁570bは高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁570bの表面580bに蓄積させる場合もある。
【0048】
[0060] 活性化ガスが粒子捕獲器540を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁570aの表面580aに蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器540に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0049】
[0061] 図6は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器640の模式断面図である。粒子捕獲器640は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器640は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する。粒子捕獲器640は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。ガス・チャネル645が、粒子捕獲器640の本体構造650の中に形成され、入口135および出口155と流体連通している。ガス・チャネル645は、本体構造650を通過する経路を定め、当該ガス・チャネル645の第1部分665から通過するガスの中にある粒子を、壁670の第2表面680に対して角度Φ6(この実施形態では、約135度)をなすようにガス・チャネル645の第2部分675を定める壁670に衝突させる。ガス・チャネル645の第1部分665に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル645の第2部分675において方向を変えるときに、粒子を第2の壁670の第2表面680に衝突させる。
【0050】
[0062] この実施形態では、第1の壁610の第1表面615が不規則となっており、第1の壁610の第1表面615上に複数の窪み620が設けられている。ガス・チャネル645の第1区間665に沿って移動する粒子は、窪み620を含む第1の壁610の第1表面615に衝突する。ガス・チャネル645の第1部分665に沿って移動するガスの中にある粒子は、窪み620によって捕獲される。実施形態によっては、第1の壁610が高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、第1の壁610の第1表面615上への粒子の蓄積を更に促進する場合もある。
【0051】
[0063] 第2の壁670の第2表面680は不規則となっており、第2の壁670の第2表面680上に複数の窪み685が設けられている。ガス・チャネル645の第1区間665に沿って移動する粒子は、第2の壁670の第2表面680に沿った分布で第2の壁670の第2表面680に衝突する。ガス・チャネル645の第2部分675に沿って移動する粒子は、窪み685を含む第2の壁670の第2表面680に衝突する。ガス・チャネル645の第2部分675に沿って移動するガスの中にある粒子は、窪み685によって捕獲され、システムにおける機械的振動によって粒子が移動させられるのを防止する。実施形態によっては、壁670または670のそれぞれの表面615または680の少なくとも1つが、少なくとも部分的に不規則である場合もある。実施形態によっては、壁610または670の内一方のみが、少なくとも部分的に不規則である場合もある。表面に模様を付けることによって、粒子が表面615または680に付着する可能性が高くなる。何故なら、模様がある表面は局部的にポケットまたは窪みを有し、その中に粒子を捕獲することができるからである。
【0052】
[0064] 実施形態によっては、壁670は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁470に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、第1部分665が、ガス・チャネル645の第2部分675に対して実質的に直角になっている(例えば、θ6は約90度)場合もある。実施形態によっては、Φ6が約45〜135度の間である場合もある。
【0053】
[0065] 活性化ガスが粒子捕獲器640を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は壁610または670それぞれの表面615または680に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器640に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0054】
[0066] 図7は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器740の模式断面図である。粒子捕獲器740は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器740は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する。粒子捕獲器740は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。
【0055】
[0067] ガス・チャネル745が、粒子捕獲器740の本体構造750の中に作られており、入口135および出口155と流体連通している。本体構造750の内壁705aから外壁705bにわたり、障害物787が位置している。障害物787と外壁705aおよび内壁705bとの組み合わせが、ガス・チャネル145を定める。ガス・チャネル745は、本体構造750を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル745の第1部分765から(例えば、負のy−軸方向に沿って)流れてくるガスの中にある粒子を、ガス・チャネル745の第2部分775を定める障害物787の壁770に衝突させる。壁770は、ガス・チャネル745の第2部分775を、壁770の表面780に対して角度Φ7a(例えば、この実施形態では、約90度)をなすように定める。ガス・チャネル745の第1部分765に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル745の第2部分775において方向を変えるときに、粒子を壁770の表面780に衝突させる。第2部分に沿って(例えば、正および負のx−軸方向に沿って)移動する粒子は、壁770にある窪み735の表面730に衝突する。窪み735は、ガス・チャネル745の第2部分775に沿って流れるガスから粒子を捕獲して、これらの粒子を窪み735の表面730に蓄積させ、システムにおける機械的振動によって粒子が移動するのを防止する役割を果たす。実施形態によっては、壁770は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁770の表面780または壁770の窪み735の表面730に蓄積させる。実施形態によっては、角度θ7aは約45から135度の間である。
【0056】
[0068] 実施形態によっては、障害物787が窪み(例えば、窪み785)を含む場合もある。障害物787は、この障害物787の壁770の表面780と熱連する冷却部材を含むことができる。実施形態によっては、この冷却部材は、障害物787の壁770の表面780を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含む場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が複数の障害物787を含む場合もある。
【0057】
[0069] 更に図7を参照すると、ガス・チャネル745は第3部分785を有する。ガス・チャネル745の第2部分775から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第2の壁790の第2表面792に対して第2の角度Φ7b(例えば、この実施形態では約90度)で第2の壁790に衝突する。ガス・チャネル745の第2部分775に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル745の第3部分785において方向を変えるときに、これらの粒子を第2の壁790の第2表面792に衝突させる。実施形態によっては、壁790は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁790上に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ7bは約45から135度の間である場合もある。実施形態によっては、第2の壁790が窪みを含む場合もある。
【0058】
[0070] オプションの冷媒チャネル795が、第2の壁790に隣接するガス・チャネル745と熱連通している。冷媒チャネル795は、本体構造750を通じて、第2の壁790の第2表面792を間接的に冷却する。実施形態によっては、壁770の表面792を約25〜30゜Cに冷却することもある。粒子捕獲器740に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によって熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器740に入るガスが約2000゜Cになる場合もある。熱的に活性化された粒子と壁770との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。壁790の表面792が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、壁790の冷たい方の表面792に向けて粒子を押し出すように作用する。第2の壁790の第2表面792と衝突した粒子は、経路方向の変化、壁790の材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)の高い付着特性、および局所的温度勾配に付随する伝熱力の複合作用のために、蓄積する。
【0059】
[0071] 活性化ガスが粒子捕獲器740を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は表面780、730、および792上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器740に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0060】
[0072] 図8は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器840の模式断面図である。粒子捕獲器840は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器840は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する。粒子捕獲器740は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。
【0061】
[0073] ガス・チャネル845が、粒子捕獲器840の本体構造850の中に作られており、入口135および出口155と流体連通している。本体構造850の内壁805aから外壁805bにわたり、障害物887が位置している。障害物887と外壁805aおよび内壁805bとの組み合わせが、ガス・チャネル845を定める。ガス・チャネル845は、本体構造850を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル845の第1部分865から通過する(例えば、負のy−軸方向に沿って)ガスの中にある粒子を、障害物887の壁870の表面880に衝突させる。壁870は、ガス・チャネル845の第2部分875を、壁870の表面880に対して角度Φ8a(例えば、この実施形態では、約90度)をなすように定める。ガス・チャネル845の第1部分865に沿って移動する粒子の運動量のために、経路がガス・チャネル845の第2部分875において方向を変えるときに、粒子を壁870の表面880に衝突させる。実施形態によっては、壁870が高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁870の表面880上に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ8aは約45から135度の間である場合もある。実施形態によっては、第1の壁870が少なくとも1つの窪み(例えば、図7の窪み735)を含む場合もある。
【0062】
[0074] 更に図8を参照すると、ガス・チャネル845は第3部分885を有する。ガス・チャネル845の第2部分875から(例えば、正および負のx−軸方向に沿って)誘導されて来るガスの中にある粒子は、第2の壁890の第2表面892に対して第2の角度Φ8b(例えば、この実施形態では約90度)で第2の壁890の第2表面892に衝突する。ガス・チャネル845の第2部分875に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル845の第3部分885において方向を変えるときに、これらの粒子を第2の壁890の第2表面892に衝突させる。
【0063】
[0075] 実施形態によっては、壁890は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁890に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ8bが約45から135度の間である場合もある。実施形態によっては、第2の壁890が窪みを含む場合もある。
【0064】
[0076] この実施形態では、第3部分885は第3の壁820に窪み835を含む。第3部分885に沿って(例えば、負のy−軸方向に沿って)移動する粒子は、第3の壁820の窪み835に入る。粒子は、第3の壁820の第3表面830に衝突する。窪み835は、ガス・チャネル845の第3部分885に沿って流れるガスの中にある粒子を捕獲し、これらの粒子を窪み835の表面に蓄積させ、システムにおける機械的振動によって粒子が移動するのを防止する役割を果たす。実施形態によっては、第3の壁820は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、第3の壁820上に粒子を蓄積させる場合もある。実施形態によっては、冷却部材が第3の壁820における窪み835と熱連通し、粒子捕獲器840の粒子捕獲特性を向上させる場合もある。
【0065】
[0077] 活性化ガスが粒子捕獲器840を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は表面880、892、および830上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器840に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0066】
[0078] 図9は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器940の模式断面図である。粒子捕獲器940は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器940は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する。粒子捕獲器940は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。
【0067】
[0079] ガス・チャネル945が、粒子捕獲器940の本体構造950の中に作られており、本体構造950の入口135および出口155と流体連通している。本体構造950の内壁905aから外壁905bにわたり、障害物987が位置している。障害物987と外壁905aおよび内壁905bとの組み合わせが、ガス・チャネル945を定める。ガス・チャネル945は、本体構造950を貫通する経路を定める。この経路は、チャネル945の第1部分965から(例えば、負のy−軸方向に沿って)通過するガスの中にある粒子を、第1の壁970の表面980に衝突させる。第1の壁970は、ガス・チャネル945の第2部分975を、壁970の表面980に対して角度Φ9a(例えば、この実施形態では、約120度)をなすように定める。ガス・チャネル945の第1部分965に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル945の第2部分975において方向を変えるときに、粒子を第1の壁970の表面980に衝突させる。実施形態によっては、壁970は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁970の表面980上に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度Φ9aが約45から135度の間である場合もある。実施形態によっては、第1の壁970が少なくとも1つの窪み(例えば、図7の窪み735)を含む場合もある。
【0068】
[0080] 実施形態によっては、障害物987が窪み(例えば、図7からの窪み785)を含む場合もある。障害物987は、この障害物987の壁970の表面980と熱連通する冷却部材を含むことができる。実施形態によっては、この冷却部材は、障害物987の壁970の表面980を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含む場合もある。実施形態によっては、粒子捕獲器が複数の障害物987を含む場合もある。
【0069】
[0081] 更に図9を参照すると、ガス・チャネル945は第3部分985を有する。ガス・チャネル945の第2部分975から誘導されて来るガスの中にある粒子は、第2の壁990の第2表面992に対して第2の角度Φ9b(例えば、この実施形態では約135度)で第2の壁990の第2表面に衝突する。ガス・チャネル945の第2部分975に沿って移動する粒子の運動量が、経路がガス・チャネル945の第3部分985において方向を変えるときに、これらの粒子を第2の壁990の第2表面992に衝突させる。この実施形態では、第2の壁990の第2表面992の一部が曲線を定める。実施形態によっては、壁990は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を壁990上に蓄積させる場合もある。実施形態によっては、角度θ9bが約45から135度の間である場合もある。実施形態によっては、第2の壁990が窪みを含む場合もある。
【0070】
[0082] この実施形態では、第3部分985は第3の壁920に窪みを含む。第3部分985に沿って移動する粒子は、第3の壁920の窪み935に入る。粒子は、第3の壁920の第3表面930に衝突する。窪み935は、ガス・チャネル945の第3部分985に沿って流れるガスの中にある粒子を捕獲し、これらの粒子を窪み935の第3表面930上に蓄積させ、システムにおける機械的振動によって粒子が移動するのを防止する役割を果たす。実施形態によっては、第3の壁920は高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、第3の壁920の表面930上に粒子を蓄積させる。実施形態によっては、冷却部材が第3の壁920における窪みと熱連通する場合もある。
【0071】
[0083] 活性化ガスが粒子捕獲器940を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は表面980、992、および930上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器940に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0072】
[0084] 図10は、本発明の例示的な実施形態による、粒子捕獲器1040の模式断面図である。粒子捕獲器1040は、プラズマ発生システム(例えば、図1、図2、または図3のプラズマ発生システム100)において用いることができる。粒子捕獲器1040は、遠隔プラズマ源の出口(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源110の出口125)に結合することができる入口135を有する本体構造1050を含む。本体構造1050は、プロセス・チェンバの入口(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130の入口160)に結合することができる出口155を有する。粒子捕獲器は、本体構造1050の中に少なくとも1つの障害物1010を含む。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物1010が複数の障害物1010である場合もある。この実施形態では、粒子捕獲器1040が8つの障害物1010を含む。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物1010が、本体構造1050の外壁1030aおよび1030bの内側にある壁を有するか、またはその壁である(例えば、図1または図2の壁170)場合もある。少なくとも1つの障害物1010は、入口135から出口155に流れるガスを偏向させて、ガスの中にある粒子を少なくとも1つの障害物1010の表面1015に衝突させるように構成されている。本体構造1050の入口135から出口155に流れる粒子の運動量が、少なくとも1つの障害物1010によってガスが偏向されるときに、ガス内にある粒子を障害物1010の表面1015に衝突させる。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物1010の表面1015が高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、少なくとも1つの障害物1010の表面1015上に粒子を蓄積させる場合もある。実施形態によっては、少なくとも1つの障害物1010が窪み(例えば、図9の窪み935)を含む場合もある。
【0073】
[0085] 少なくとも1つの障害物1010は、この少なくとも1つの障害物1010の表面1015と熱連通している冷却部材1020を含む。冷却部材1020は、少なくとも1つの障害物1010の表面1015を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを含むことができる。少なくとも1つの部材1010の表面1015を約25〜30゜Cに冷却することができる。粒子捕獲器1040に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によって熱的に活性化されている。実施形態によっては、粒子捕獲器1040に入るガスが約2000゜Cになる場合もある。熱的に活性化された粒子と少なくとも1つの部材1010の表面1015との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。少なくとも1つの部材1010の表面1015が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、少なくとも1つの部材1010の冷たい表面1015に向けて粒子を押し出すように作用する。
【0074】
[0086] 図11は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器1140の模式断面図である。この実施形態では、粒子捕獲器1140の本体構造1150が遠隔プラズマ源(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源120)の出口1160に配置されている。本体構造1150は、第1端部1130および第2端部1135を含む。本体構造1150は、入口1132が第1端部1130にあり、出口1134が第2端部1135にあるチャネル1144を有する。入口1132に入るガスは、チャネル1144を通過して出口1134まで流れる。この実施形態では、本体構造1150は断面が実質的に円形となっている。第1端部1130における入口1132の直径d1は、第2端部1135における出口1134の直径d2よりも大きい。本体構造1150のチャネル1144を通過した粒子は、第2端部の内面1152に、第2端部1135の内面1152に対してある角度で衝突する。
【0075】
[0087] 実施形態によっては、第1端部1130の直径d1が第2端部1135の直径d2にほぼ等しい場合もある。実施形態によっては、直径d1が約4.6センチメートル(1.8インチ)であり、直径d2が約3.8センチメートル(1.5インチ)である場合もある。実施形態によっては、本体構造1150が高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を本体構造1150の内面上に蓄積させる場合もある。
【0076】
[0088] 本体構造は、導管1145に結合されている。導管1145は、プロセス・チェンバ(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130)の入口1170に結合されている。導管1145は、本体構造1150の出口1134からプロセス・チェンバの入口1170まで、ガスを移送する。この実施形態では、導管1145は実質的に円筒形となっている。実施形態によっては、導管1145の長さlが約10.2センチメートル(4インチ)である場合もある。また、粒子捕獲器1140は冷却部材1195も含む。冷却部材1195は、導管1145および本体構造1150と熱連通している。実施形態によっては、冷却部材1195が1つ又は複数の冷媒チャネルを含み、これらが冷却部材1195の本体内にあり、冷媒がこれらを通過して流れるようにする場合もある。実施形態によっては、導管1145の内面1175を約25〜30゜Cに冷却する場合もある。導管1145に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によって熱的に活性化されている。実施形態によっては、導管1145に入るガスが約2000゜Cになる場合もある。熱的に活性化された粒子と導管1145の内面1175との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。導管1145の内面1175が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、導管1145の冷たい方の内面1175に向けて粒子を押し出すように作用する。
【0077】
[0089] 活性化ガスが粒子捕獲器1140を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は本体構造1150および導管1145の内面上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器1140に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0078】
[0090] 図12は、本発明の例示的な実施形態による粒子捕獲器1240の模式断面三次元図である。この実施形態では、粒子捕獲器1240の本体構造1250が、遠隔プラズマ源(例えば、図1、図2、または図3の遠隔プラズマ源120)の出口1260にある。本体構造1250は、長さl1aを有し、第1端部1230および第2端部1235を含む。第1端部1230の直径d1aは、第2端部1235の直径d2aよりも大きい。本体構造1250を通過した粒子は、第2端部1235の内面1220に、第2端部1235の内面1220に対して角度Φ12で衝突する。
【0079】
[0091] 実施形態によっては、本体構造1250が高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を本体構造1250の内面1220上に蓄積させる場合もある。
【0080】
[0092] 実施形態によっては、第1端部1230の直径d1aが、第2端部1235の直径d2aにほぼ等しい場合もある。粒子捕獲器1240の有効性(例えば、捕獲される粒子数)は、直径d1aの直径d2aに対する比率が増大するに連れて(即ち、角度Φ12が大きくなるにつれて)高くなる。実施形態によっては、直径d1aが約4.6センチメートル(1.8インチ)、直径d2aが約3.8センチメートル(1.5インチ)、そして長さl1aが約2.8センチメートル(1.1インチ)となっている場合もある。実施形態によっては、本体構造1250が冷却部材と熱連通している場合もある。
【0081】
[0093] 実施形態によっては、本体構造1250の第2端部1235がプロセス・チェンバ(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130)の入口に結合されている場合もある。この実施形態では、本体構造1250の第2端部1235が導管1245に結合されている。導管1245は実質的に円筒形となっている。導管1245は、プロセス・チェンバ(例えば、図1、図2、または図3のプロセス・チェンバ130)の入口に結合されている。実施形態によっては、導管1245が高い付着係数を有する材料(例えば、クオーツ、アルミニウム、または酸化アルミニウム)で作られ、粒子を導管1245の内面1260上に蓄積させる場合もある。導管1245の有効性(例えば、捕獲される粒子数)は、長さl2aが増大するに連れて高くなる。
【0082】
[0094] 実施形態によっては、導管1245が冷却部材(図示せず)と熱連通している場合もある。導管1245の内面1260を冷却部材によって冷却することができる。導管1245に入った粒子は、遠隔プラズマ源における処理によって熱的に活性化されている。熱的に活性化された粒子と導管1245の内面1260との間における温度差が、ガスにおける局所的温度勾配となる。典型的な温度勾配の大きさは、約1000゜C/cmよりも大きい。プラズマ・パワーの吸収が多いガス種(例えば、酸素、窒素、水素)程、プラズマ・パワーの吸収が少ないガス種(例えば、アルゴン)よりも大きな温度勾配を有する。局所的温度勾配は、力を、熱的に活性化された粒子に分与する。これは、伝熱力と呼ばれ、最も急峻な温度降下の方向に作用する。導管1245の内面1260が低温であるために、ガス内に温度勾配が生じるので、この伝熱力が、導管1245の冷たい方の内面1260に向けて粒子を押し出すように作用する。実施形態によっては、長さl2aが約10.2センチメートル(4インチ)である場合もある。実施形態によっては、導管1245が後続の粒子捕獲器に結合される場合もある。
【0083】
[0095] 活性化ガスが粒子捕獲器1240および導管1245を通過するように誘導された後、活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導することができる。粒子は本体構造125の内面1220および導管1260の内面1260上に蓄積するので、プロセス・チェンバに入る活性化ガスは、粒子捕獲器1240および部材1245に入る活性化ガスよりも粒子が少なくなる。
【0084】
[0096] 本明細書において記載したことの変形、変更、およびその他の実施態様は、本発明の主旨および範囲から逸脱することなく、当業者には想起され、本発明の範囲に含まれるものとする。したがって、本発明は、これまでの例示的な説明のみによって定義されることはない。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、このガス・チャネルが前記本体構造を貫通する経路を定め、前記チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させる、ガス・チャネルと、
を備えている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器
【請求項2】
請求項1記載の粒子捕獲器において、前記角度が約45度および135度の間である、粒子捕獲器。
【請求項3】
請求項2記載の粒子捕獲器において、前記チャネルの第1部分が、前記チャネルの第2部分に対して実質的に直角となっている、粒子捕獲器。
【請求項4】
請求項1記載の粒子捕獲器において、前記ガス・チャネルは第3部分を有し、前記第2部分から通過するガスの中にある粒子が、前記第3部分を定める第2の壁に、前記第2の壁の第2表面に対して第2の角度で衝突する、粒子捕獲器。
【請求項5】
請求項4記載の粒子捕獲器において、前記第2の角度が約45度および135度の間である、粒子捕獲器。
【請求項6】
請求項1記載の粒子捕獲器において、少なくとも前記第1区間および前記第2区間が曲線を定める、粒子捕獲器。
【請求項7】
請求項1記載の粒子捕獲器において、前記壁の表面が、不規則または模様付きの内少なくとも1つである、粒子捕獲器。
【請求項8】
請求項1記載の粒子捕獲器において、前記本体構造が前記遠隔プラズマ源の中に配置されている、粒子捕獲器。
【請求項9】
請求項1記載の粒子捕獲器において、前記本体構造の入口と前記本体構造の出口との間における圧力降下が、約100milliTorr未満である、粒子捕獲器。
【請求項10】
請求項1記載の粒子捕獲器であって、更に、前記ガス・チャネルの第1部分または第2部分の内少なくとも1つの壁に窪みを備えており、この窪みが前記ガスの中にある粒子を収集するように構成されている、粒子捕獲器。
【請求項11】
請求項1記載の粒子捕獲器であって、更に、前記ガス・チャネルと熱連通する冷却部材を備えている、粒子捕獲器。
【請求項12】
請求項11記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記ガス・チャネルの第2部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、前記本体構造内に形成された少なくとも1つの冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
【請求項13】
請求項11記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が冷却板を備えている、粒子捕獲器。
【請求項14】
請求項11記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記ガス・チャネルの第2部分の壁の少なくとも一部を間接的に冷却する、粒子捕獲器。
【請求項15】
請求項11記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記本体構造の中に配置されている、粒子捕獲器。
【請求項16】
請求項12記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも1つの冷媒チャネルの経路が、前記ガス・チャネルの経路に対して少なくとも実質的に平行である、粒子捕獲器。
【請求項17】
請求項1記載の粒子捕獲器において、前記壁が、前記本体構造の外壁の内部にある障害物の一部である、粒子捕獲器。
【請求項18】
請求項17記載の粒子捕獲器において、前記障害物が、当該障害物の壁の表面と熱連通する冷却部材を備えている、粒子捕獲器。
【請求項19】
請求項18記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記障害物の壁の表面を冷却する流体を受けるための冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
【請求項20】
請求項17記載の粒子捕獲器であって、更に、複数の障害物を備えている、粒子捕獲器。
【請求項21】
遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、前記本体構造を貫通する経路を定める、ガス・チャネルと、
前記ガス・チャネルと熱連通する冷却部材と、
を備えている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。
【請求項22】
請求項21記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材は、前記ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、前記本体構造内に形成されている少なくとも1つの冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
【請求項23】
請求項21記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が冷却板を備えている、粒子捕獲器。
【請求項24】
請求項21記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が前記ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を間接的に冷却する、粒子捕獲器。
【請求項25】
請求項21記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記本体構造の中に配置されている、粒子捕獲器。
【請求項26】
請求項21記載の粒子捕獲器において、前記本体構造を貫通する前記経路が、前記チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、当該壁の表面に対してある角度で衝突させる、粒子捕獲器。
【請求項27】
請求項26記載の粒子捕獲器において、前記ガス・チャネルは第3部分を有し、前記第2部分から通過するガスの中にある粒子が、前記第3部分を定める第2の壁に、前記第2の壁の第2表面に対して第2の角度で衝突する、粒子捕獲器。
【請求項28】
請求項21記載の粒子捕獲器において、前記本体構造が前記遠隔プラズマ源の中に配置されている、粒子捕獲器。
【請求項29】
請求項26記載の粒子捕獲器であって、更に、前記ガス・チャネルの第1部分または第2部分の内少なくとも1つの壁に窪みを備えており、この窪みが前記ガスの中にある粒子を収集するように構成されている、粒子捕獲器。
【請求項30】
プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去する方法であって、
チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受けるステップと、
前記ガス・チャネルの第1部分から通過する前記活性化ガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させるために、本体構造内に形成されているガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップと、
前記ガス・チャネルから流出する活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導するステップと、
を備えている、方法。
【請求項31】
請求項30記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの中にある粒子を前記壁上に蓄積させるために、前記壁の少なくとも一部を冷却するステップを備えている、方法。
【請求項32】
請求項30記載の方法であって、更に、前記チャネルの第3部分を定める第2壁に、当該第2壁の第2表面に対して第2の角度で衝突させるために、前記チャネルの第2部分から前記本体構造のガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップを備えている、方法。
【請求項33】
請求項32記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの中にある粒子を前記第2の壁上に蓄積させるために、前記第2の壁の少なくとも一部を冷却するステップを備えている、方法。
【請求項34】
請求項31記載の方法であって、更に、前記壁の少なくとも一部を冷却するために、前記本体構造の中にある冷媒チャネルに流体を流すステップを備えている、方法。
【請求項35】
請求項31記載の方法において、前記壁を間接的に冷却する、方法。
【請求項36】
請求項31記載の方法であって、更に、前記壁の温度を調節するステップを備えている、方法。
【請求項37】
請求項30記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの粒子量を、電子デバイスによって監視するステップを備えている、方法。
【請求項38】
請求項37記載の方法であって、更に、前記粒子数が所定の制限値を超えたときに信号を発生するステップを備えている、方法。
【請求項39】
請求項30記載の方法において、前記ガス・チャネルが、前記本体構造の入口と前記本体構造の出口との間において、約100milliTor未満の圧力降下を生ずる、方法。
【請求項40】
プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去する方法であって、
チェンバにおいてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受けるステップと、
本体構造内に形成されたガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップと、
前記活性化ガスの中にある粒子を前記壁上に蓄積させるために、前記ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を冷却するステップと、
前記ガス・チャネルから流出する前記活性化ガスを、プロセス・チェンバに誘導するステップと、
を備えている、方法。
【請求項41】
請求項40記載の方法において、前記壁の少なくとも一部を間接的に冷却する、方法。
【請求項42】
請求項40記載の方法であって、更に、前記壁の温度を調節するステップを備えている、方法。
【請求項43】
請求項40記載の方法であって、更に、前記チャネルの第2部分を定める第2壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させるために、前記チャネルの第1部分から前記本体構造内のガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップを備えている、方法。
【請求項44】
請求項43記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの中にある粒子を前記第2の壁上に蓄積させるために、前記第2の壁の少なくとも一部を冷却するステップを備えている、方法。
【請求項45】
請求項40記載の方法であって、更に、前記壁の少なくとも一部を冷却するために、前記本体構造内にある冷媒チャネルに流体を流すステップを備えている、方法。
【請求項46】
システムであって、
遠隔プラズマ源と、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、このガス・チャネルが前記本体構造を貫通する経路を定め、前記チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させる、ガス・チャネルと、
を備えている、システム。
【請求項47】
システムであって、
遠隔プラズマ源と、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルと、
前記ガス・チャネルと熱連通する冷却部材と、
を備えている、システム。
【請求項48】
粒子捕獲器の製造方法であって、
本体構造内にガス・チャネルを作成するステップであって、前記ガス・チャネルが、遠隔プラズマ源のチェンバに結合することができる入口と、プロセス・チェンバの入口に結合することができる出口とを有し、前記ガス・チャネルが、前記チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させるように構成されている、ステップを備えている、粒子捕獲器の製造方法。
【請求項49】
請求項48記載の方法であって、更に、冷却部材を前記ガス・チャネルに熱的に結合するステップを備えている、方法。
【請求項50】
請求項49記載の方法であって、更に、前記ガス・チャネルの第2部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、前記本体構造の中に少なくとも1つの冷媒チャネルを形成するステップを備えている、方法。
【請求項51】
遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受ける手段と、
本体構造内に形成されたガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導し、前記ガス・チャネルの第1部分から通過する前記活性化ガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、当該壁の表面に対してある角度で衝突させるように構成されている手段と、
前記活性化ガスの中にある粒子を前記壁上に蓄積させるために、前記壁の少なくとも一部を冷却する手段と、
を備えている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。
【請求項52】
遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造の中にある少なくとも1つの障害物であって、前記ガスの中にある粒子を当該障害物の表面に衝突させるために、前記入口から前記出口に流れるガスを偏向させるように構成されている、障害物と、
を備えている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。
【請求項53】
請求項52記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも1つの障害物は、当該少なくとも1つの障害物の表面と熱連通する冷却部材を備えている、粒子捕獲器。
【請求項54】
請求項53記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材は、前記少なくとも1つの障害物の表面を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
【請求項55】
請求項52記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも1つの障害物が複数の障害物である、粒子捕獲器。
【請求項56】
請求項52記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも1つの障害物が、前記本体構造の外壁の内部にある壁である、粒子捕獲器。
【請求項1】
遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、このガス・チャネルが前記本体構造を貫通する経路を定め、前記チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させる、ガス・チャネルと、
を備えている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器
【請求項2】
請求項1記載の粒子捕獲器において、前記角度が約45度および135度の間である、粒子捕獲器。
【請求項3】
請求項2記載の粒子捕獲器において、前記チャネルの第1部分が、前記チャネルの第2部分に対して実質的に直角となっている、粒子捕獲器。
【請求項4】
請求項1記載の粒子捕獲器において、前記ガス・チャネルは第3部分を有し、前記第2部分から通過するガスの中にある粒子が、前記第3部分を定める第2の壁に、前記第2の壁の第2表面に対して第2の角度で衝突する、粒子捕獲器。
【請求項5】
請求項4記載の粒子捕獲器において、前記第2の角度が約45度および135度の間である、粒子捕獲器。
【請求項6】
請求項1記載の粒子捕獲器において、少なくとも前記第1区間および前記第2区間が曲線を定める、粒子捕獲器。
【請求項7】
請求項1記載の粒子捕獲器において、前記壁の表面が、不規則または模様付きの内少なくとも1つである、粒子捕獲器。
【請求項8】
請求項1記載の粒子捕獲器において、前記本体構造が前記遠隔プラズマ源の中に配置されている、粒子捕獲器。
【請求項9】
請求項1記載の粒子捕獲器において、前記本体構造の入口と前記本体構造の出口との間における圧力降下が、約100milliTorr未満である、粒子捕獲器。
【請求項10】
請求項1記載の粒子捕獲器であって、更に、前記ガス・チャネルの第1部分または第2部分の内少なくとも1つの壁に窪みを備えており、この窪みが前記ガスの中にある粒子を収集するように構成されている、粒子捕獲器。
【請求項11】
請求項1記載の粒子捕獲器であって、更に、前記ガス・チャネルと熱連通する冷却部材を備えている、粒子捕獲器。
【請求項12】
請求項11記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記ガス・チャネルの第2部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、前記本体構造内に形成された少なくとも1つの冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
【請求項13】
請求項11記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が冷却板を備えている、粒子捕獲器。
【請求項14】
請求項11記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記ガス・チャネルの第2部分の壁の少なくとも一部を間接的に冷却する、粒子捕獲器。
【請求項15】
請求項11記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記本体構造の中に配置されている、粒子捕獲器。
【請求項16】
請求項12記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも1つの冷媒チャネルの経路が、前記ガス・チャネルの経路に対して少なくとも実質的に平行である、粒子捕獲器。
【請求項17】
請求項1記載の粒子捕獲器において、前記壁が、前記本体構造の外壁の内部にある障害物の一部である、粒子捕獲器。
【請求項18】
請求項17記載の粒子捕獲器において、前記障害物が、当該障害物の壁の表面と熱連通する冷却部材を備えている、粒子捕獲器。
【請求項19】
請求項18記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記障害物の壁の表面を冷却する流体を受けるための冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
【請求項20】
請求項17記載の粒子捕獲器であって、更に、複数の障害物を備えている、粒子捕獲器。
【請求項21】
遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、前記本体構造を貫通する経路を定める、ガス・チャネルと、
前記ガス・チャネルと熱連通する冷却部材と、
を備えている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。
【請求項22】
請求項21記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材は、前記ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、前記本体構造内に形成されている少なくとも1つの冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
【請求項23】
請求項21記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が冷却板を備えている、粒子捕獲器。
【請求項24】
請求項21記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が前記ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を間接的に冷却する、粒子捕獲器。
【請求項25】
請求項21記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材が、前記本体構造の中に配置されている、粒子捕獲器。
【請求項26】
請求項21記載の粒子捕獲器において、前記本体構造を貫通する前記経路が、前記チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、当該壁の表面に対してある角度で衝突させる、粒子捕獲器。
【請求項27】
請求項26記載の粒子捕獲器において、前記ガス・チャネルは第3部分を有し、前記第2部分から通過するガスの中にある粒子が、前記第3部分を定める第2の壁に、前記第2の壁の第2表面に対して第2の角度で衝突する、粒子捕獲器。
【請求項28】
請求項21記載の粒子捕獲器において、前記本体構造が前記遠隔プラズマ源の中に配置されている、粒子捕獲器。
【請求項29】
請求項26記載の粒子捕獲器であって、更に、前記ガス・チャネルの第1部分または第2部分の内少なくとも1つの壁に窪みを備えており、この窪みが前記ガスの中にある粒子を収集するように構成されている、粒子捕獲器。
【請求項30】
プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去する方法であって、
チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受けるステップと、
前記ガス・チャネルの第1部分から通過する前記活性化ガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させるために、本体構造内に形成されているガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップと、
前記ガス・チャネルから流出する活性化ガスをプロセス・チェンバに誘導するステップと、
を備えている、方法。
【請求項31】
請求項30記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの中にある粒子を前記壁上に蓄積させるために、前記壁の少なくとも一部を冷却するステップを備えている、方法。
【請求項32】
請求項30記載の方法であって、更に、前記チャネルの第3部分を定める第2壁に、当該第2壁の第2表面に対して第2の角度で衝突させるために、前記チャネルの第2部分から前記本体構造のガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップを備えている、方法。
【請求項33】
請求項32記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの中にある粒子を前記第2の壁上に蓄積させるために、前記第2の壁の少なくとも一部を冷却するステップを備えている、方法。
【請求項34】
請求項31記載の方法であって、更に、前記壁の少なくとも一部を冷却するために、前記本体構造の中にある冷媒チャネルに流体を流すステップを備えている、方法。
【請求項35】
請求項31記載の方法において、前記壁を間接的に冷却する、方法。
【請求項36】
請求項31記載の方法であって、更に、前記壁の温度を調節するステップを備えている、方法。
【請求項37】
請求項30記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの粒子量を、電子デバイスによって監視するステップを備えている、方法。
【請求項38】
請求項37記載の方法であって、更に、前記粒子数が所定の制限値を超えたときに信号を発生するステップを備えている、方法。
【請求項39】
請求項30記載の方法において、前記ガス・チャネルが、前記本体構造の入口と前記本体構造の出口との間において、約100milliTor未満の圧力降下を生ずる、方法。
【請求項40】
プラズマ源によって出力されたガスから粒子を除去する方法であって、
チェンバにおいてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受けるステップと、
本体構造内に形成されたガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップと、
前記活性化ガスの中にある粒子を前記壁上に蓄積させるために、前記ガス・チャネルの壁の少なくとも一部を冷却するステップと、
前記ガス・チャネルから流出する前記活性化ガスを、プロセス・チェンバに誘導するステップと、
を備えている、方法。
【請求項41】
請求項40記載の方法において、前記壁の少なくとも一部を間接的に冷却する、方法。
【請求項42】
請求項40記載の方法であって、更に、前記壁の温度を調節するステップを備えている、方法。
【請求項43】
請求項40記載の方法であって、更に、前記チャネルの第2部分を定める第2壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させるために、前記チャネルの第1部分から前記本体構造内のガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導するステップを備えている、方法。
【請求項44】
請求項43記載の方法であって、更に、前記活性化ガスの中にある粒子を前記第2の壁上に蓄積させるために、前記第2の壁の少なくとも一部を冷却するステップを備えている、方法。
【請求項45】
請求項40記載の方法であって、更に、前記壁の少なくとも一部を冷却するために、前記本体構造内にある冷媒チャネルに流体を流すステップを備えている、方法。
【請求項46】
システムであって、
遠隔プラズマ源と、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルであって、このガス・チャネルが前記本体構造を貫通する経路を定め、前記チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させる、ガス・チャネルと、
を備えている、システム。
【請求項47】
システムであって、
遠隔プラズマ源と、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造内に形成され、前記本体構造の入口および前記本体構造の出口と流体連通するガス・チャネルと、
前記ガス・チャネルと熱連通する冷却部材と、
を備えている、システム。
【請求項48】
粒子捕獲器の製造方法であって、
本体構造内にガス・チャネルを作成するステップであって、前記ガス・チャネルが、遠隔プラズマ源のチェンバに結合することができる入口と、プロセス・チェンバの入口に結合することができる出口とを有し、前記ガス・チャネルが、前記チャネルの第1部分から通過するガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、前記壁の表面に対してある角度で衝突させるように構成されている、ステップを備えている、粒子捕獲器の製造方法。
【請求項49】
請求項48記載の方法であって、更に、冷却部材を前記ガス・チャネルに熱的に結合するステップを備えている、方法。
【請求項50】
請求項49記載の方法であって、更に、前記ガス・チャネルの第2部分の壁の少なくとも一部を冷却する流体を受けるために、前記本体構造の中に少なくとも1つの冷媒チャネルを形成するステップを備えている、方法。
【請求項51】
遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
チェンバ内においてプラズマによって発生した活性化ガスを入口において受ける手段と、
本体構造内に形成されたガス・チャネルを通過するように前記活性化ガスを誘導し、前記ガス・チャネルの第1部分から通過する前記活性化ガスの中にある粒子を、前記ガス・チャネルの第2部分を定める壁に、当該壁の表面に対してある角度で衝突させるように構成されている手段と、
前記活性化ガスの中にある粒子を前記壁上に蓄積させるために、前記壁の少なくとも一部を冷却する手段と、
を備えている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。
【請求項52】
遠隔プラズマ源用粒子捕獲器であって、
遠隔プラズマ源のチェンバに結合するための入口と、プロセス・チェンバの入口に結合するための出口とを有する本体構造と、
前記本体構造の中にある少なくとも1つの障害物であって、前記ガスの中にある粒子を当該障害物の表面に衝突させるために、前記入口から前記出口に流れるガスを偏向させるように構成されている、障害物と、
を備えている、遠隔プラズマ源用粒子捕獲器。
【請求項53】
請求項52記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも1つの障害物は、当該少なくとも1つの障害物の表面と熱連通する冷却部材を備えている、粒子捕獲器。
【請求項54】
請求項53記載の粒子捕獲器において、前記冷却部材は、前記少なくとも1つの障害物の表面を冷却する流体を受ける冷媒チャネルを備えている、粒子捕獲器。
【請求項55】
請求項52記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも1つの障害物が複数の障害物である、粒子捕獲器。
【請求項56】
請求項52記載の粒子捕獲器において、前記少なくとも1つの障害物が、前記本体構造の外壁の内部にある壁である、粒子捕獲器。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5A】
【図5B】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【公表番号】特表2012−500448(P2012−500448A)
【公表日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−516452(P2011−516452)
【出願日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【国際出願番号】PCT/US2009/047631
【国際公開番号】WO2009/158249
【国際公開日】平成21年12月30日(2009.12.30)
【出願人】(592053963)エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド (114)
【氏名又は名称原語表記】MKS INSTRUMENTS,INCORPORATED
【公表日】平成24年1月5日(2012.1.5)
【国際特許分類】
【出願日】平成21年6月17日(2009.6.17)
【国際出願番号】PCT/US2009/047631
【国際公開番号】WO2009/158249
【国際公開日】平成21年12月30日(2009.12.30)
【出願人】(592053963)エム ケー エス インストルメンツ インコーポレーテッド (114)
【氏名又は名称原語表記】MKS INSTRUMENTS,INCORPORATED
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