ペースト塗布方法およびペースト塗布装置
【課題】ノズルの移動方向の違いで塗布高さに生じる違いを吸収してガラスペーストの塗布高さの精度を確保できるペースト塗布方法およびペースト塗布装置を提供することを課題とする。
【解決手段】有機ＥＬ素子が蒸着された基板８の蒸着部Ａ１の周囲に沿ってノズル５５ａを移動させてガラスペーストを基板８の蒸着部Ａ１の周囲に塗布するペースト塗布方法であって、ノズル５５ａが移動するときのノズル高さを補正するノズル補正量を、蒸着部Ａ１の周囲に沿ってノズル５５ａが移動するときの移動方向ごとに設定する準備工程と、ノズル高さを移動方向ごとにノズル補正量で補正し、ノズル５５ａを蒸着部Ａ１の周囲に沿って移動させてガラスペーストを塗布する塗布工程と、を有することを特徴とするペースト塗布方法とする。また、当該ペースト塗布方法によってガラスペーストを基板８に塗布するペースト塗布装置１００とする。
【解決手段】有機ＥＬ素子が蒸着された基板８の蒸着部Ａ１の周囲に沿ってノズル５５ａを移動させてガラスペーストを基板８の蒸着部Ａ１の周囲に塗布するペースト塗布方法であって、ノズル５５ａが移動するときのノズル高さを補正するノズル補正量を、蒸着部Ａ１の周囲に沿ってノズル５５ａが移動するときの移動方向ごとに設定する準備工程と、ノズル高さを移動方向ごとにノズル補正量で補正し、ノズル５５ａを蒸着部Ａ１の周囲に沿って移動させてガラスペーストを塗布する塗布工程と、を有することを特徴とするペースト塗布方法とする。また、当該ペースト塗布方法によってガラスペーストを基板８に塗布するペースト塗布装置１００とする。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にペーストを塗布するペースト塗布方法およびペースト塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルの製造工程において、有機ＥＬ素子が蒸着された基板に封止用のガラス（封止ガラス）を貼り合わせる工程では、基板にペースト（ガラスペースト）を塗布して封止ガラスを貼り合せ、レーザビームをガラスペーストに照射して接合する。
この工程では、基板に塗布されるガラスペーストの高さ（塗布高さ）に高精度の均一性が要求されるため、印刷法によって基板にガラスペーストが塗布されることが多い。
【０００３】
印刷法は、ガラスペーストを塗布するパターン（塗布パターン）が形成されたスクリーンを通してガラスペーストを基板に塗布する構成であり、塗布パターンの形状ごとにスクリーンが必要になるという問題がある。
また、スクリーンは極薄の部材であるため製造可能な大きさに限界がある。したがって、スクリーンを用いた印刷法で製造される有機ＥＬパネルの大きさが制限されるという問題がある。
さらに、スクリーンは塗布パターンの部分のガラスペーストを基板に塗布する構成であり、塗布パターンが形成される部分以外はマスクされる部分となる。そしてマスク部分のガラスペーストは残留するため、この残留するガラスペーストが余剰分（無駄）となって、ガラスペーストの使用効率が低下するという問題がある。
【０００４】
このような印刷法の問題点を解消してガラスペーストを塗布する方法として、塗布パターンに沿って移動するノズルからガラスペーストを基板に塗布する方法が知られている。
例えば特許文献１には、前回ペーストを塗布したときのノズル高さに基づいて２回目以降にペーストを塗布するときのノズル高さを調節しながらノズルを移動してペーストを塗布するペースト塗布装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３１６０８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ノズルを移動してペーストを塗布する場合、基板からのノズルの高さ（ノズル高さ）やノズルの移動速度が等しい場合でもノズルの移動方向の違いによって塗布高さが微小に異なる場合がある。これは、ノズルの先端部の形状誤差や取り付け誤差（傾斜等）によってペーストを吐出する吐出口と基板との高さがノズルの移動方向の違いで微小に変化すること等に起因するものである。特許文献１に記載されるペースト塗布装置は、基板のうねりによる塗布高さの変化を吸収して塗布高さを精度よく維持できるが、ノズルの移動方向の違いで生じる塗布高さの微小な違いを吸収することはできず、その点において塗布高さの精度が低下する。
【０００７】
そこで、本発明は、ノズルの移動方向の違いで塗布高さに生じる違いを吸収してガラスペーストの塗布高さの精度を確保できるペースト塗布方法およびペースト塗布装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明は、ペーストを連続して塗布するノズルを基板の平面における所定の領域の周囲に沿って移動し、前記ペーストを当該領域の周囲に連続して塗布するペースト塗布方法とする。そして、前記ノズルが移動するときの前記基板から前記ノズルまでのノズル高さの補正量を、前記領域の周囲に沿って前記ノズルが移動するときの移動方向ごとに設定する準備工程と、前記ノズルの前記移動方向ごとに、前記ノズルの前記移動方向に対応した前記補正量で前記ノズル高さを補正して前記領域の周囲に沿って前記ノズルを移動する塗布工程と、を有することを特徴とする。
また、この塗布方法で前記ペーストを基板に塗布するペースト塗布装置とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、ノズルの移動方向の違いで塗布高さに生じる違いを吸収してガラスペーストの塗布高さの精度を確保できるペースト塗布方法およびペースト塗布装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ペースト塗布装置の斜視図である。
【図２】（ａ）は塗布ヘッドの側面図、（ｂ）は塗布ヘッドの斜視図である。
【図３】蒸着部の周囲にガラスペーストを塗布する塗布パターンの一例を示す図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）はノズルの先端部の形状と塗布高さを示す図である。
【図５】（ａ）は塗布パターンの分割の一例を示す図、（ｂ）はノズル補正量を説明する図、（ｃ）は計測点を説明する図である。
【図６】ガラスペーストを塗布するときにノズル高さＮｈを変更する接続点を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、適宜図を参照して詳細に説明する。
本実施形態に係るペースト塗布装置１００は、図１に示すように、架台１、フレーム２、固定部３Ａ，３Ｂ、可動部４Ａ，４Ｂ、塗布ヘッド５、基板８を載置する基板保持盤６、制御部９、モニタ１１、キ一ボード１２を含んで構成される。
また、架台１の長手方向をＸ軸、幅方向をＹ軸、高さ方向（上下方向）をＺ軸とする座標軸を設定する。
なお、図１には１つの塗布ヘッド５が図示されているが、複数の塗布ヘッド５が備わるペースト塗布装置１００であってもよい。
【００１２】
また、架台１上には、固定部３Ａ，３Ｂと可動部４Ａ，４Ｂとを含んでなるＸ軸移動機構が設けられている。固定部３Ａ，３Ｂは架台１の、例えばＹ軸方向の両端部にＸ軸方向に沿って固定されて可動部４Ａ，４Ｂのガイド部材として機能する。可動部４Ａは固定部３Ａ上に、可動部４Ｂは固定部３Ｂ上に夫々移動可能に備わり、さらに、可動部４Ａと可動部４Ｂとにまたがって（即ち、Ｙ軸方向に沿って）フレーム２が設けられている。この構成によると、フレーム２は、Ｙ軸方向に延伸するように備わる。
Ｘ軸移動機構は、ボールねじ機構やリニアモータなどの駆動装置によって可動部４Ａ，４Ｂが固定部３Ａ，３Ｂに沿って移動可能に構成される。
【００１３】
フレーム２には、長手方向（即ち、Ｙ軸方向）に移動可能に塗布ヘッド５が備わっている。以降、フレーム２の長手方向に塗布ヘッド５を移動するための移動機構をＹ軸移動機構と称する。Ｙ軸移動機構は、ボールねじ機構やリニアモータなどの駆動装置によって塗布ヘッド５がフレーム２に沿って移動可能に構成される。
【００１４】
また、架台１の上面で固定部３Ａ，３Ｂの間の領域には、有機ＥＬ素子が蒸着部Ａ１に蒸着された基板８を載置するテーブルとして基板保持盤６が備わっている。基板保持盤６は図示しない吸着機構等によって載置された基板８を固定可能に構成される。
さらに、架台１には、操作手段としてモニタ１１やキーボード１２が設けられ、ペースト塗布機１００を制御する制御手段として制御部９が内蔵されている。
【００１５】
また、ペースト塗布装置１００には、空気を加圧して塗布ヘッド５に備わるペースト収納部（シリンジ５５）に供給することによって、ガラスペーストＧｐをノズル５５ａから吐出するための圧力（吐出圧）をシリンジ５５に供給する加圧源１０が備わっている。
加圧源１０は加圧配管１０ｃを介して塗布ヘッド５に備わるシリンジ５５に接続され、加圧した空気を供給してシリンジ５５内を加圧し、塗布ヘッド５に吐出圧を供給する。加圧配管１０ｃには加圧源１０で加圧された空気を所望の圧力（吐出圧）に調圧する正圧レギュレータ１０ａと加圧された空気の流通を遮断するためのバルブ１０ｂが備わっている。バルブ１０ｂは制御部９からの制御信号に応じて加圧配管１０ｃを開閉する電動式の開閉弁であって、バルブ１０ｂが閉弁したときに加圧配管１０ｃにおける空気の流通が遮断されるように構成される。
【００１６】
図２の（ａ）、（ｂ）に示すように、塗布ヘッド５は、フレーム２にＹ軸移動機構を介して駆動可能に取り付けられる基台部５０を有し、基台部５０にはフレーム２に備わるリニアスケール２ａの検出器５１が備わっている。リニアスケール２ａはフレーム２の一方の側面にＹ軸方向に沿って延設され、これを検出する検出器５１は、リニアスケール２ａと対向するように基台部５０に取り付けられる。制御部９（図１参照）は、検出器５１がリニアスケール２ａを検出した結果に基づいてＹ軸移動機構を制御することによって、塗布ヘッド５（ノズル５５ａ）のＹ軸方向を位置制御する。なお、Ｘ軸移動機構にも図示しないリニアスケールと検出器が備わって塗布ヘッド５（ノズル５５ａ）のＸ軸方向の位置制御が可能な構成であることが好ましい。
【００１７】
塗布ヘッド５の基台部５０にはＺ軸サーボモータ５２ａが備わるＺ軸ガイド５２が取り付けられ、このＺ軸ガイド５２にはＺ軸サーボモータ５２ａでＺ軸方向（上下方向）に移動するＺ軸テーブル５３が取り付けられる。また、Ｚ軸テーブル５３にはガラスペーストＧｐを収納するためのペースト収納部（シリンジ５５）が備わっている。さらに、シリンジ５５には収納されたペースト（本実施形態においてはガラスペーストＧｐ）を基板８（図１参照）に塗布するためのノズル５５ａと、基板保持盤６に載置された基板８からノズル５５ａまでの高さ（ノズル高さＮｈ）を計測する距離計（例えば、光学式距離計５４）と、基板８に塗布されたガラスペーストＧｐの高さ（図４の（ａ）に示す塗布高さＨｔ）の変化（変位）を計測する変位センサ５６と、が備わっている。
【００１８】
図２の（ｂ）に示す光学式距離計５４は発光部と受光部を含んで構成され、発光部が基板８（図１参照）に向かって照射した光（レーザ光）が基板８で反射した反射光の受光量に基づいて基板８からノズル５５ａまでのノズル高さＮｈ（図４の（ａ）参照）を計測する。
具体的には、ノズル高さＮｈが長くなるほど受光部による反射光の受光量が低下することから、光学式距離計５４は、発光部での発光量に対する受光部での受光量の比率に基づいてノズル高さＮｈを計測するように構成される。
【００１９】
図２の（ｂ）に示す変位センサ５６は、例えば光学式距離計５４と同様の構成とし、基板８に塗布されたガラスペーストＧｐの頂部（尾根部分）にレーザ光を照射してその反射光の受光量に基づいてガラスペーストＧｐからノズル５５ａまでの高さを計測する構成とすればよい。さらに、後記するように、制御部９（図１参照）が変位センサ５６の計測値に基づいてガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔを演算する構成とすればよい。
【００２０】
なお、変位センサ５６に替えて、基板８に塗布されたガラスペーストＧｐを撮像可能に備わる撮像装置（画像撮像カメラ）が備わる構成であってもよい。そして、例えばオートフォーカス機能によってガラスペーストＧｐの頂部までの焦点距離を計測し、その焦点距離に基づいて、制御部９（図１参照）がガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔを演算する構成としてもよい。
【００２１】
Ｚ軸サーボモータ５２ａは、Ｚ軸テーブル５３上に設置された光学式距離計５４の計測値に基づく制御部９（図１参照）の制御によって、Ｚ軸テーブル５３を介してシリンジ５５（ノズル５５ａ）をＺ軸方向、つまり上下方向に移動する。
【００２２】
以上のように構成されるペースト塗布装置１００（図１参照）は、例えば、図３に示すように、有機ＥＬ素子が蒸着された基板８に封止ガラスを接合するためのガラスペーストＧｐを塗布する装置であり、例えば略矩形の平面形状で有機ＥＬ素子が蒸着された蒸着部Ａ１を所定の領域としてその周囲にガラスペーストＧｐを所定の高さ（塗布高さＨｔ）で盛り上げるように塗布する。ペースト塗布装置１００でガラスペーストＧｐが塗布された基板８は、次の工程で封止ガラスが貼り合わされた後、レーザビームがガラスペーストＧｐに照射されて封止ガラスが接合される。このとき、有機ＥＬ素子の蒸着部Ａ１が真空状態となるように、封止ガラスは真空の作業環境で真空貼りされる。
【００２３】
基板８に形成される有機ＥＬ素子の蒸着部Ａ１はガラスペーストＧｐと封止ガラスによって真空状態が維持されることが要求され、ペースト塗布装置１００は略矩形に有機ＥＬ素子が蒸着された蒸着部Ａ１の周囲に連続して切れ目なくガラスペーストＧｐを塗布することが要求される。
例えば、ペースト塗布装置１００の制御部９（図１参照）は、図３に示すように、基板８における有機ＥＬ素子の蒸着部Ａ１の周囲の１点（白丸）をノズル５５ａの移動を開始する始点Ｐｓとする。つまり、始点Ｐｓが蒸着部Ａ１の周囲の１点として形成される。
制御部９は、ガラスペーストＧｐの塗布を開始するとき、始点Ｐｓまでノズル５５ａを移動し、加圧配管１０ｃに備わるバルブ１０ｂ（図１参照）に制御信号を送信して開弁する。適宜調圧された空気が正圧レギュレータ１０ａ（図１参照）からシリンジ５５（図１参照）に供給されることによってシリンジ５５に吐出圧が供給される。シリンジ５５の内部は吐出圧によって昇圧し、収納されているガラスペーストＧｐが吐出圧によってシリンジ５５から押し出され、ノズル５５ａから連続して塗布される。
【００２４】
この状態で、制御部９（図１参照）は、ノズル５５ａを蒸着部Ａ１の周囲に沿うように移動させる。ノズル５５ａをＸ軸方向に移動する場合、制御部９はＸ軸移動機構によって可動部４Ａ，４Ｂ（図１参照）を固定部３Ａ，３Ｂ（図１参照）に沿って移動させる。また、ノズル５５ａをＹ軸方向に移動する場合、制御部９はＹ軸移動機構によって塗布ヘッド５をフレーム２（図１参照）に沿って移動させる。
ノズル５５ａの移動にともなってガラスペーストＧｐが蒸着部Ａ１の周囲に連続的に塗布されてノズル５５ａの移動する軌跡に沿った塗布パターンＰｔが連続的に形成される。
【００２５】
そして、ノズル５５ａが蒸着部Ａ１の周囲を１周して始点Ｐｓの位置に戻ると、制御部９（図１参照）は、加圧配管１０ｃに備わるバルブ１０ｂ（図１参照）に制御信号を送信して閉弁する。さらに、制御部９は、先に塗布されているガラスペーストＧｐ上に沿ってオーバーラップするように、ノズル５５ａを移動する。このとき、ノズル５５ａが上昇しながら移動する構成であってもよい。
バルブ１０ｂが閉弁してシリンジ５５（図１参照）への吐出圧の供給が停止されてもシリンジ５５内は吐出圧の残圧による高圧の状態が続き、ノズル５５ａからのガラスペーストＧｐの塗布は継続される。したがって、先に塗布されているガラスペーストＧｐとオーバーラップしてノズル５５ａが移動するとき、ガラスペーストＧｐは重なって塗布される。そして、吐出圧の供給が停止されたシリンジ５５の内部は徐々に減圧し、シリンジ５５内部の減圧にともなってノズル５５ａ（図２の（ａ）参照）からのガラスペーストＧｐの塗布量が減少し、シリンジ５５の内部が大気圧程度まで減圧した時点でノズル５５ａによるガラスペーストＧｐの塗布が停止して終点Ｐｅ（白四角）となる。
【００２６】
このように始点Ｐｓから終点Ｐｅまでの間でガラスペーストＧｐが重なって塗布されることによって、蒸着部Ａ１の周囲に切れ目のない連続的な矩形の塗布パターンＰｔをガラスペーストＧｐの塗布で形成できる。
【００２７】
また、制御部９（図１参照）は塗布パターンＰｔを基板８にガラスペーストＧｐの塗布で形成するとき、基板８に塗布するガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが所定の目標値（基準塗布高さＳｔｄＨと称する（図５の（ｂ）参照））となるようにノズル高さＮｈを設定して、ノズル５５ａを移動する。
例えば、塗布高さＨｔの基準塗布高さＳｔｄＨを「３０μｍ」とする場合、制御部９はガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが「３０μｍ」となるようにノズル高さＮｈを調節してノズル５５ａを移動する。このようなノズル高さＮｈは予め設定されていることが好ましい。例えば、ガラスペーストＧｐの種類や基準塗布高さＳｔｄＨ、ノズル５５ａの移動速度ごとに、ガラスペーストＧｐを塗布するときのノズル高さＮｈが設定されていることが好ましい。制御部９はガラスペーストＧｐを塗布するとき、光学式距離計５４（図２の（ａ）参照）の計測値を取得し、この計測値が、設定されているノズル高さＮｈとなるようにＺ軸テーブル５３（図２の（ａ）参照）をＺ軸方向（上下方向）に移動してガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔを基準塗布高さＳｔｄＨ（例えば３０μｍ）に維持する。
【００２８】
封止ガラスを接合する工程において、レーザビームの照射によるガラスペーストＧｐの温度上昇を塗布パターンＰｔの全周に亘って均一にするために、ガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが塗布パターンＰｔの全周に亘って均一であることが好ましい。そこで制御部９（図１参照）は、ガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが精度よく基準塗布高さＳｔｄＨを維持できるように、ノズル高さＮｈを精度よく調節する構成が好適である。
【００２９】
しかしながら、製造時の形状誤差等によって、例えば、図４の（ａ）に示すように、ノズル５５ａの先端部が変形して傾斜する場合がある。または、図４の（ｂ）に示すようにノズル５５ａの先端部に凹凸が形成されて変形する場合がある。このようにノズル５５ａの先端部の形状が変形している場合、図示するように、ノズル高さＮｈが一定であっても図中矢印で示されるノズル５５ａの移動方向によってガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが微小に異なる。
また、ノズル５５ａのシリンジ５５（図１参照）に対する傾斜や、シリンジ５５の基板保持盤６（図１参照）に対する傾斜が生じている場合にもノズル５５ａの移動方向によってガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが微小に異なる。
【００３０】
例えば、ガラスペーストＧｐの種類（粘度等）、吐出圧、ノズル高さＮｈ、及びノズル５５ａの移動速度が等しい場合であっても、Ｘ軸方向に移動する場合とＹ軸方向に移動する場合で基板８に塗布されるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが異なる。さらに、Ｘ軸方向の移動方向（図３における左右方向）の違いやＹ軸方向の移動方向（図３における上下方向）の違いでも基板８に塗布されるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが異なる。
【００３１】
そこで、本実施形態に係るペースト塗布装置１００（図１参照）は、ノズル５５ａ（図１参照）の移動方向の違いによって生じる塗布高さＨｔの違いを吸収して、精度よく基準塗布高さＳｔｄＨでガラスペーストＧｐを塗布可能な構成とする。
具体的に、ペースト塗布装置１００はノズル５５ａを塗布パターンＰｔ（図３参照）の周囲に沿って移動してガラスペーストＧｐを基板８（図１参照）に塗布する工程（塗布工程）の前に、ノズル５５ａの移動方向の違いによる塗布高さＨｔの違いを予め測定し、ノズル５５ａの移動方向ごとに異なる塗布高さＨｔに対応したノズル高さＮｈの補正量（ノズル補正量ΔＨ）を設定する工程（準備工程）を実行する。そして、ガラスペーストＧｐを基板８に塗布する塗布工程では、ノズル５５ａの移動方向ごとに設定したノズル補正量ΔＨで、ノズル５５ａの移動方向ごとにノズル高さＮｈを補正してノズル５５ａを移動し、ノズル５５ａの移動方向の違いによって生じる塗布高さＨｔの違いを吸収して、精度よく基準塗布高さＳｔｄＨでガラスペーストＧｐを塗布可能な構成とする。
【００３２】
例えば、図５の（ａ）に示すように蒸着部Ａ１がＸ軸方向及びＹ軸方向に延びる直線部を有する矩形の場合、制御部９（図１参照）はノズル補正量ΔＨを設定する準備工程の実行時に、ノズル５５ａ（図１参照）が移動する塗布パターンＰｔ（図３の（ａ）参照）を蒸着部Ａ１の周囲に沿った矩形（より詳しくは角丸の矩形）とし、Ｘ軸方向にノズル５５ａが移動するＸ方向移動部（Ｘ１，Ｘ２）とＹ軸方向にノズル５５ａが移動するＹ方向移動部（Ｙ１，Ｙ２）に分割する。
【００３３】
本実施形態において、Ｘ方向移動部Ｘ１とＸ方向移動部Ｘ２は互いに対向し、ノズル５５ａの移動方向が互いに逆となる。例えば、Ｘ方向移動部Ｘ１を図中右方向への移動部とした場合、Ｘ方向移動部Ｘ２を図中左方向への移動部とする。同様に、Ｙ方向移動部Ｙ１とＹ方向移動部Ｙ２は互いに対向し、ノズル５５ａの移動方向が互いに逆となる。例えば、Ｙ方向移動部Ｙ１を図中上方向への移動部とした場合、Ｙ方向移動部Ｙ２を図中下方向への移動部とする。
さらに、Ｙ方向移動部Ｙ１をＸ方向移動部Ｘ１からＸ方向移動部Ｘ２に向かう移動部とし、Ｙ方向移動部Ｙ２をＸ方向移動部Ｘ２からＸ方向移動部Ｘ１に向かう移動部とする。
【００３４】
また、Ｘ方向移動部Ｘ１からＹ方向移動部Ｙ１に移るとき（つまり、ノズル５５ａの移動方向が蒸着部Ａ１の角部で変化するとき）、ノズル５５ａは弧を描くように移動することから、この移動部をコーナ移動部Ｃ１１とする。同様にＹ方向移動部Ｙ１からＸ方向移動部Ｘ２に移る移動部をコーナ移動部Ｃ１２、Ｘ方向移動部Ｘ２からＹ方向移動部Ｙ２に移る移動部をコーナ移動部Ｃ２２、Ｙ方向移動部Ｙ２からＸ方向移動部Ｘ１に移る移動部をコーナ移動部Ｃ２１とする。
このように制御部９（図１参照）はノズル補正量ΔＨを設定する準備工程を実行するとき、ノズル５５ａの移動方向によって塗布パターンＰｔ（図３の（ａ）参照）を８つの部分に分割する。
【００３５】
なお、Ｘ方向移動部Ｘ１，Ｘ２の長さ及びＹ方向移動部Ｙ１，Ｙ２の長さは蒸着部Ａ１の各辺の長さと同じである必要はなく、好適に塗布高さＨｔを測定できる長さであればよい。また、コーナ移動部Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２２，Ｃ２１の長さも好適に塗布高さＨｔを測定できる長さであればよい。
【００３６】
なお、準備工程によるノズル補正量ΔＨの設定は、例えば有機ＥＬパネルの生産が開始された時、ノズル５５ａやシリンジ５５（図１参照）が取り替えられた時、基板８（図１参照）に塗布するガラスペーストＧｐの種類（粘度等）が変更された時、塗布パターンＰｔ（図３の（ａ）参照）の形状が変わった時、などに適宜実行されることが好ましい。または、所定の時間間隔で定期的に実行される構成であってもよい。
また、例えばペースト塗布装置１００（図１参照）を管理する管理者等の操作によって準備工程が開始される構成であってもよいし、制御部９（図１参照）に組み込まれたプログラムの実行によって制御部９が自動的に準備工程を開始する構成であってもよい。
【００３７】
準備工程を開始すると制御部９（図１参照）は、例えばコーナ移動部Ｃ２１とＸ方向移動部Ｘ１の接続点Ｐｃｘ２をスタート位置としてノズル５５ａ（図１参照）を当該スタート位置（接続点Ｐｃｘ２）に移動する。そして、ノズル高さＮｈを所定の基準高さ（初期高さＦＮｈと称する）に設定するとともにバルブ１０ｂ（図１参照）を開弁して吐出圧をシリンジ５５（図１参照）に供給し、ノズル５５ａからのガラスペーストＧｐの塗布を開始する。
なお、準備工程の実行時に基板保持盤６に載置される基板８は準備工程用の基板であればよく、製品となる基板８、つまり、有機ＥＬ素子が蒸着された基板８でなくてもよい。
【００３８】
初期高さＦＮｈは、ガラスペーストＧｐを基準塗布高さＳｔｄＨで基板８（図１参照）に塗布できるとされる基準のノズル高さＮｈであることが好ましく、例えばガラスペーストＧｐの種類、基準塗布高さＳｔｄＨ、ノズル５５ａの移動速度等によって予め決定されている値であることが好ましい。例えば管理者等がモニタ１１（図１参照）やキーボード１２（図１参照）を使用してペースト塗布装置１００（図１参照）に設定するガラスペーストＧｐの種類やノズル５５ａの移動速度に基づいて制御部９が初期高さＦＮｈを設定する構成とすればよい。
【００３９】
制御部９（図１参照）はノズル高さＮｈが初期高さＦＮｈとなるように、具体的には、光学式距離計５４（図１参照）の計測値が初期高さＦＮｈの値となるように、ノズル５５ａ（図１参照）の高さを調節しながら設定されている移動速度でノズル５５ａをＸ移動方向Ｘ１に沿って移動し、基板保持盤６（図１参照）に載置されている基板８（図１参照）にガラスペーストＧｐを塗布する。さらに制御部９は変位センサ５６の計測値に基づいて基盤８に塗布されたガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔの基準塗布高さＳｔｄＨからの上下方向の違い（偏差量）を演算し、この偏差量をノズル補正量ΔＨとする。
【００４０】
例えば、図５の（ｂ）に示すように、変位センサ５６（図２の（ａ）参照）が基準塗布高さＳｔｄＨを計測したときの計測値を基準計測値Ｌ１とした場合、基板８に塗布されたガラスペーストＧｐの実際の塗布高さＨｔが基準塗布高さＳｔｄＨと異なるとき変位センサ５６の計測値は基準計測値Ｌ１と異なる計測値（実測値Ｌ２）となる。この場合、制御部９は基準計測値Ｌ１と実測値Ｌ２の差（Ｌ１−Ｌ２）を演算することによって、基準塗布高さＳｔｄＨからの塗布高さＨｔの偏差量（ノズル補正量ΔＨ）を演算できる。
【００４１】
また、Ｘ方向移動部Ｘ１の任意の数点で基準塗布高さＳｔｄＨからの塗布高さＨｔの偏差量（ノズル補正量ΔＨ）を演算する構成であってもよい。
例えば、図５の（ｃ）に示すように、Ｘ方向移動部Ｘ１上に複数の計測点（図５の（ｃ）にはＰ１〜Ｐ５を例示）を設定し、制御部９（図１参照）は計測点Ｐ１〜Ｐ５における変位センサ５６の計測値（実測値Ｌ２）を取得する。そして制御部９は、計測点Ｐ１〜Ｐ５における基準計測値Ｌ１と実測値Ｌ２の差を演算し、この差の、計測点Ｐ１〜Ｐ５における平均値を、Ｘ方向移動部Ｘ１におけるノズル補正量ΔＨ（ΔＨＸ１）とする。
なお、本実施形態においては、塗布高さＨｔの偏差量（ノズル補正量ΔＨ）は基準塗布高さＳｔｄＨより高い場合を正、低い場合を負とする。
【００４２】
同様に制御部９（図１参照）は、コーナ移動部Ｃ１１におけるノズル補正量ΔＨＣ１１、Ｙ方向移動部Ｙ１におけるノズル補正量ΔＨＹ１、コーナ移動部Ｃ１２におけるノズル補正量ΔＨＣ１２、Ｘ方向移動部Ｘ２におけるノズル補正量ΔＨＸ２、コーナ移動部Ｃ２２におけるノズル補正量ΔＨＣ２２、Ｙ方向移動部Ｙ２におけるノズル補正量ΔＨＹ２、コーナ移動部Ｃ２１におけるノズル補正量ΔＨＣ２１を演算する。
さらに制御部９は、演算した全てのノズル補正量ΔＨ（ΔＨＸ１，ΔＨＣ１１，ΔＨＹ１，ΔＨＣ１２，ΔＨＸ２，ΔＨＣ２２，ΔＨＹ２，ΔＨＣ２１）を図示しない記憶部に記憶する構成が好ましい。
【００４３】
このようにノズル補正量ΔＨ（ΔＨＸ１，ΔＨＣ１１，ΔＨＹ１，ΔＨＣ１２，ΔＨＸ２，ΔＨＣ２２，ΔＨＹ２，ΔＨＣ２１）を演算する構成によって、準備工程では、蒸着部Ａ１の周囲に沿ったノズル５５ａ（図１参照）の移動方向ごとにノズル補正量ΔＨが設定される。
そして、準備工程は、初期高さＦＮｈをノズル高さＮｈとしてノズル５５ａが移動するときに塗布されるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔと基準塗布高さＳｔｄＨの偏差をノズル補正量ΔＨとして設定する工程を、ノズル５５ａの移動方向ごとに実行する工程である。
【００４４】
さらに、制御部９（図１参照）は、図６に示すように有機ＥＬ素子が蒸着されて蒸着部Ａ１が形成された基板８にガラスペーストＧｐを塗布する塗布工程を実行するとき、始点ＰｓがＸ方向移動部Ｘ１にあるときにはノズル５５ａを始点Ｐｓに移動するとともに、初期高さＦＮｈをノズル補正量ΔＨＸ１で補正した値をノズル高さＮｈとする。つまり、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＸ１で補正する。
【００４５】
例えば、Ｘ方向移動部Ｘ１における塗布高さＨｔが基準塗布高さＳｔｄＨに対して高いとき、すなわち、基準塗布高さＳｔｄＨからの塗布高さＨｔの偏差量が正（ノズル補正量ΔＨＸ１が正）のとき、制御部９はＸ方向移動部Ｘ１におけるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが高すぎると判定し、初期高さＦＮｈからノズル補正量ΔＨＸ１に相当する高さだけ低い高さにノズル高さＮｈを設定する。一方、基準塗布高さＳｔｄＨからの塗布高さＨｔの偏差量が負（ノズル補正量ΔＨＸ１が負）のとき、制御部９はＸ方向移動部Ｘ１におけるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが低すぎると判定し、初期高さＦＮｈからノズル補正量ΔＨＸ１に相当する高さだけ高い高さにノズル高さＮｈを設定する。
つまり、ノズル補正量ΔＨＸ１が正のときノズル高さＮｈは低くなる方向に補正され、ノズル補正量ΔＨＸ１が負のときノズル高さＮｈは高くなる方向に補正される。
そして、制御部９は設定したノズル高さＮｈを維持するようにノズル５５ａをＸ方向移動部Ｘ１に沿って移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
【００４６】
さらに、Ｘ方向移動部Ｘ１に沿った移動に続けてコーナ移動部Ｃ１１に沿ってノズル５５ａを移動する場合、制御部９（図１参照）は、Ｘ方向移動部Ｘ１とコーナ移動部Ｃ１１の接続点Ｐｘｃ１においてノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＣ１１で補正する。つまり、制御部９は初期高さＦＮｈをノズル補正量ΔＨＣ１１で補正した値をノズル高さＮｈとする。そして、補正したノズル高さＮｈを維持するようにコーナ移動部Ｃ１１に沿ってノズル５５ａを移動し、ガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
【００４７】
同様にコーナ移動部Ｃ１１とＹ方向移動部Ｙ１の接続点Ｐｃｙ１において、制御部９（図１参照）はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＹ１で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにＹ方向移動部Ｙ１に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
また、Ｙ方向移動部Ｙ１とコーナ移動部Ｃ１２の接続点Ｐｙｃ１において、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＣ１２で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにコーナ移動部Ｃ１２に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
また、コーナ移動部Ｃ１２とＸ方向移動部Ｘ２の接続点Ｐｃｘ１において、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＸ２で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにＸ方向移動部Ｘ２に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
また、Ｘ方向移動部Ｘ２とコーナ移動部Ｃ２２の接続点Ｐｘｃ２において、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＣ２２で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにコーナ移動部Ｃ２２に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
また、コーナ移動部Ｃ２２とＹ方向移動部Ｙ２の接続点Ｐｃｙ２において、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＹ２で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにＹ方向移動部Ｙ２に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
また、Ｙ方向移動部Ｙ２とコーナ移動部Ｃ２１の接続点Ｐｙｃ２において、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＣ２１で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにコーナ移動部Ｃ２１に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
また、コーナ移動部Ｃ２１とＸ方向移動部Ｘ１の接続点Ｐｃｘ２において、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＸ１で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにＸ方向移動部Ｘ１に沿ってノズル５５ａを移動して終点ＰｅまでガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
【００４８】
以上のように、蒸着部Ａ１（図３参照）の周囲に沿ってノズル５５ａ（図３参照）を移動して基板８（図３参照）にガラスペーストＧｐを塗布する塗布工程で、制御部９（図１参照）は、ノズル５５ａの移動方向ごとに、当該移動方向に対応したノズル補正量ΔＨ（ΔＨＸ１，ΔＨＣ１１，ΔＨＹ１，ΔＨＣ１２，ΔＨＸ２，ΔＨＣ２２，ΔＨＹ２，ΔＨＣ２１）でノズル高さＮｈを補正してノズル５５ａを移動し、ガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
【００４９】
このように、本実施形態に係るペースト塗布装置１００（図１参照）は、基板８（図１参照）にガラスペーストＧｐを塗布する塗布工程の前に準備工程を実行し、ノズル５５ａ（図１参照）の移動方向の違いによって生じる塗布高さＨｔの違いに基づいて、ノズル高さＮｈを補正するノズル補正量ΔＨを、ノズル５５ａの移動方向ごとに設定する。さらに、蒸着部Ａ１（図１参照）の周囲に沿ってノズル５５ａを移動して基板８にガラスペーストＧｐを塗布する塗布工程では、ノズル５５ａの移動方向ごとに、ノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨで補正してノズル５５ａを移動し、ガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
この構成によって、ノズル５５ａの移動方向の違いで生じる塗布高さＨｔの違いを吸収することができ、精度よく基準塗布高さＳｔｈｄＨでガラスペーストＧｐを基板８に塗布できる。
【００５０】
なお、シリンジ５５（図１参照）やノズル５５ａ（図１参照）を取り替えたときに、ガラスペーストＧｐの種類、ノズル５５ａの移動速度、基準塗布高さＳｔｄＨの複数の組み合わせに応じて、複数のノズル補正量ΔＨを予め演算するように準備工程を実行する構成であってもよい。
そして、例えば基板８（図１参照）にガラスペーストＧｐを塗布する塗布工程の開始時にペースト塗布装置１００（図１参照）の管理者が、モニタ１１（図１参照）やキーボード１２（図１参照）を使用して、ガラスペーストＧｐの種類、ノズル５５ａの移動速度、基準塗布高さＳｔｄＨを設定したときに制御部９が該当する初期高さＦＮｈとノズル補正量ΔＨ（ΔＨＸ１，ΔＨＣ１１，ΔＨＹ１，ΔＨＣ１２，ΔＨＸ２，ΔＨＣ２２，ΔＨＹ２，ΔＨＣ２１）を図示しない記憶部から読み出し、適宜ノズル高さＮｈを補正しながらガラスペーストＧｐを基板８に塗布する構成であってもよい。
【００５１】
また、塗布ヘッド５（図１参照）に変位センサ５６（図２の（ａ）参照）を備える構成に限定されるものではない。例えば、制御部９（図１参照）が、初期高さＦＮｈをノズル高さＮｈとしてノズル５５ａを全ての移動部（Ｘ方向移動部Ｘ１，Ｘ２、Ｙ方向移動部Ｙ１，Ｙ２、コーナ移動部Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２２，Ｃ２１）で移動し、ガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。その後、変位センサ５６が備わる図示しない測定装置で全ての移動部におけるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔと基準塗布高さＳｔｄＨの偏差を計測し、計測された各移動部における偏差を各移動部のノズル補正量ΔＨ（ΔＨＸ１，ΔＨＣ１１，ΔＨＹ１，ΔＨＣ１２，ΔＨＸ２，ΔＨＣ２２，ΔＨＹ２，ΔＨＣ２１）とする構成であってもよい。
【符号の説明】
【００５２】
８ 基板
５５ シリンジ（ペースト収納部）
５５ａ ノズル
１００ ペースト塗布装置
Ａ１ 蒸着部（所定の領域）
ＦＮｈ 初期高さ（所定の基準高さ）
Ｇｐ ガラスペースト（ペースト）
Ｎｈ ノズル高さ
ＳｔｄＨ 基準塗布高さ
ΔＨ ノズル補正量（ノズル高さの補正量）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板にペーストを塗布するペースト塗布方法およびペースト塗布装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
有機ＥＬ（Electro Luminescence）パネルの製造工程において、有機ＥＬ素子が蒸着された基板に封止用のガラス（封止ガラス）を貼り合わせる工程では、基板にペースト（ガラスペースト）を塗布して封止ガラスを貼り合せ、レーザビームをガラスペーストに照射して接合する。
この工程では、基板に塗布されるガラスペーストの高さ（塗布高さ）に高精度の均一性が要求されるため、印刷法によって基板にガラスペーストが塗布されることが多い。
【０００３】
印刷法は、ガラスペーストを塗布するパターン（塗布パターン）が形成されたスクリーンを通してガラスペーストを基板に塗布する構成であり、塗布パターンの形状ごとにスクリーンが必要になるという問題がある。
また、スクリーンは極薄の部材であるため製造可能な大きさに限界がある。したがって、スクリーンを用いた印刷法で製造される有機ＥＬパネルの大きさが制限されるという問題がある。
さらに、スクリーンは塗布パターンの部分のガラスペーストを基板に塗布する構成であり、塗布パターンが形成される部分以外はマスクされる部分となる。そしてマスク部分のガラスペーストは残留するため、この残留するガラスペーストが余剰分（無駄）となって、ガラスペーストの使用効率が低下するという問題がある。
【０００４】
このような印刷法の問題点を解消してガラスペーストを塗布する方法として、塗布パターンに沿って移動するノズルからガラスペーストを基板に塗布する方法が知られている。
例えば特許文献１には、前回ペーストを塗布したときのノズル高さに基づいて２回目以降にペーストを塗布するときのノズル高さを調節しながらノズルを移動してペーストを塗布するペースト塗布装置が記載されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特開２００２−３１６０８２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ノズルを移動してペーストを塗布する場合、基板からのノズルの高さ（ノズル高さ）やノズルの移動速度が等しい場合でもノズルの移動方向の違いによって塗布高さが微小に異なる場合がある。これは、ノズルの先端部の形状誤差や取り付け誤差（傾斜等）によってペーストを吐出する吐出口と基板との高さがノズルの移動方向の違いで微小に変化すること等に起因するものである。特許文献１に記載されるペースト塗布装置は、基板のうねりによる塗布高さの変化を吸収して塗布高さを精度よく維持できるが、ノズルの移動方向の違いで生じる塗布高さの微小な違いを吸収することはできず、その点において塗布高さの精度が低下する。
【０００７】
そこで、本発明は、ノズルの移動方向の違いで塗布高さに生じる違いを吸収してガラスペーストの塗布高さの精度を確保できるペースト塗布方法およびペースト塗布装置を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
前記課題を解決するため、本発明は、ペーストを連続して塗布するノズルを基板の平面における所定の領域の周囲に沿って移動し、前記ペーストを当該領域の周囲に連続して塗布するペースト塗布方法とする。そして、前記ノズルが移動するときの前記基板から前記ノズルまでのノズル高さの補正量を、前記領域の周囲に沿って前記ノズルが移動するときの移動方向ごとに設定する準備工程と、前記ノズルの前記移動方向ごとに、前記ノズルの前記移動方向に対応した前記補正量で前記ノズル高さを補正して前記領域の周囲に沿って前記ノズルを移動する塗布工程と、を有することを特徴とする。
また、この塗布方法で前記ペーストを基板に塗布するペースト塗布装置とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によると、ノズルの移動方向の違いで塗布高さに生じる違いを吸収してガラスペーストの塗布高さの精度を確保できるペースト塗布方法およびペースト塗布装置を提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】ペースト塗布装置の斜視図である。
【図２】（ａ）は塗布ヘッドの側面図、（ｂ）は塗布ヘッドの斜視図である。
【図３】蒸着部の周囲にガラスペーストを塗布する塗布パターンの一例を示す図である。
【図４】（ａ）、（ｂ）はノズルの先端部の形状と塗布高さを示す図である。
【図５】（ａ）は塗布パターンの分割の一例を示す図、（ｂ）はノズル補正量を説明する図、（ｃ）は計測点を説明する図である。
【図６】ガラスペーストを塗布するときにノズル高さＮｈを変更する接続点を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の実施形態について、適宜図を参照して詳細に説明する。
本実施形態に係るペースト塗布装置１００は、図１に示すように、架台１、フレーム２、固定部３Ａ，３Ｂ、可動部４Ａ，４Ｂ、塗布ヘッド５、基板８を載置する基板保持盤６、制御部９、モニタ１１、キ一ボード１２を含んで構成される。
また、架台１の長手方向をＸ軸、幅方向をＹ軸、高さ方向（上下方向）をＺ軸とする座標軸を設定する。
なお、図１には１つの塗布ヘッド５が図示されているが、複数の塗布ヘッド５が備わるペースト塗布装置１００であってもよい。
【００１２】
また、架台１上には、固定部３Ａ，３Ｂと可動部４Ａ，４Ｂとを含んでなるＸ軸移動機構が設けられている。固定部３Ａ，３Ｂは架台１の、例えばＹ軸方向の両端部にＸ軸方向に沿って固定されて可動部４Ａ，４Ｂのガイド部材として機能する。可動部４Ａは固定部３Ａ上に、可動部４Ｂは固定部３Ｂ上に夫々移動可能に備わり、さらに、可動部４Ａと可動部４Ｂとにまたがって（即ち、Ｙ軸方向に沿って）フレーム２が設けられている。この構成によると、フレーム２は、Ｙ軸方向に延伸するように備わる。
Ｘ軸移動機構は、ボールねじ機構やリニアモータなどの駆動装置によって可動部４Ａ，４Ｂが固定部３Ａ，３Ｂに沿って移動可能に構成される。
【００１３】
フレーム２には、長手方向（即ち、Ｙ軸方向）に移動可能に塗布ヘッド５が備わっている。以降、フレーム２の長手方向に塗布ヘッド５を移動するための移動機構をＹ軸移動機構と称する。Ｙ軸移動機構は、ボールねじ機構やリニアモータなどの駆動装置によって塗布ヘッド５がフレーム２に沿って移動可能に構成される。
【００１４】
また、架台１の上面で固定部３Ａ，３Ｂの間の領域には、有機ＥＬ素子が蒸着部Ａ１に蒸着された基板８を載置するテーブルとして基板保持盤６が備わっている。基板保持盤６は図示しない吸着機構等によって載置された基板８を固定可能に構成される。
さらに、架台１には、操作手段としてモニタ１１やキーボード１２が設けられ、ペースト塗布機１００を制御する制御手段として制御部９が内蔵されている。
【００１５】
また、ペースト塗布装置１００には、空気を加圧して塗布ヘッド５に備わるペースト収納部（シリンジ５５）に供給することによって、ガラスペーストＧｐをノズル５５ａから吐出するための圧力（吐出圧）をシリンジ５５に供給する加圧源１０が備わっている。
加圧源１０は加圧配管１０ｃを介して塗布ヘッド５に備わるシリンジ５５に接続され、加圧した空気を供給してシリンジ５５内を加圧し、塗布ヘッド５に吐出圧を供給する。加圧配管１０ｃには加圧源１０で加圧された空気を所望の圧力（吐出圧）に調圧する正圧レギュレータ１０ａと加圧された空気の流通を遮断するためのバルブ１０ｂが備わっている。バルブ１０ｂは制御部９からの制御信号に応じて加圧配管１０ｃを開閉する電動式の開閉弁であって、バルブ１０ｂが閉弁したときに加圧配管１０ｃにおける空気の流通が遮断されるように構成される。
【００１６】
図２の（ａ）、（ｂ）に示すように、塗布ヘッド５は、フレーム２にＹ軸移動機構を介して駆動可能に取り付けられる基台部５０を有し、基台部５０にはフレーム２に備わるリニアスケール２ａの検出器５１が備わっている。リニアスケール２ａはフレーム２の一方の側面にＹ軸方向に沿って延設され、これを検出する検出器５１は、リニアスケール２ａと対向するように基台部５０に取り付けられる。制御部９（図１参照）は、検出器５１がリニアスケール２ａを検出した結果に基づいてＹ軸移動機構を制御することによって、塗布ヘッド５（ノズル５５ａ）のＹ軸方向を位置制御する。なお、Ｘ軸移動機構にも図示しないリニアスケールと検出器が備わって塗布ヘッド５（ノズル５５ａ）のＸ軸方向の位置制御が可能な構成であることが好ましい。
【００１７】
塗布ヘッド５の基台部５０にはＺ軸サーボモータ５２ａが備わるＺ軸ガイド５２が取り付けられ、このＺ軸ガイド５２にはＺ軸サーボモータ５２ａでＺ軸方向（上下方向）に移動するＺ軸テーブル５３が取り付けられる。また、Ｚ軸テーブル５３にはガラスペーストＧｐを収納するためのペースト収納部（シリンジ５５）が備わっている。さらに、シリンジ５５には収納されたペースト（本実施形態においてはガラスペーストＧｐ）を基板８（図１参照）に塗布するためのノズル５５ａと、基板保持盤６に載置された基板８からノズル５５ａまでの高さ（ノズル高さＮｈ）を計測する距離計（例えば、光学式距離計５４）と、基板８に塗布されたガラスペーストＧｐの高さ（図４の（ａ）に示す塗布高さＨｔ）の変化（変位）を計測する変位センサ５６と、が備わっている。
【００１８】
図２の（ｂ）に示す光学式距離計５４は発光部と受光部を含んで構成され、発光部が基板８（図１参照）に向かって照射した光（レーザ光）が基板８で反射した反射光の受光量に基づいて基板８からノズル５５ａまでのノズル高さＮｈ（図４の（ａ）参照）を計測する。
具体的には、ノズル高さＮｈが長くなるほど受光部による反射光の受光量が低下することから、光学式距離計５４は、発光部での発光量に対する受光部での受光量の比率に基づいてノズル高さＮｈを計測するように構成される。
【００１９】
図２の（ｂ）に示す変位センサ５６は、例えば光学式距離計５４と同様の構成とし、基板８に塗布されたガラスペーストＧｐの頂部（尾根部分）にレーザ光を照射してその反射光の受光量に基づいてガラスペーストＧｐからノズル５５ａまでの高さを計測する構成とすればよい。さらに、後記するように、制御部９（図１参照）が変位センサ５６の計測値に基づいてガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔを演算する構成とすればよい。
【００２０】
なお、変位センサ５６に替えて、基板８に塗布されたガラスペーストＧｐを撮像可能に備わる撮像装置（画像撮像カメラ）が備わる構成であってもよい。そして、例えばオートフォーカス機能によってガラスペーストＧｐの頂部までの焦点距離を計測し、その焦点距離に基づいて、制御部９（図１参照）がガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔを演算する構成としてもよい。
【００２１】
Ｚ軸サーボモータ５２ａは、Ｚ軸テーブル５３上に設置された光学式距離計５４の計測値に基づく制御部９（図１参照）の制御によって、Ｚ軸テーブル５３を介してシリンジ５５（ノズル５５ａ）をＺ軸方向、つまり上下方向に移動する。
【００２２】
以上のように構成されるペースト塗布装置１００（図１参照）は、例えば、図３に示すように、有機ＥＬ素子が蒸着された基板８に封止ガラスを接合するためのガラスペーストＧｐを塗布する装置であり、例えば略矩形の平面形状で有機ＥＬ素子が蒸着された蒸着部Ａ１を所定の領域としてその周囲にガラスペーストＧｐを所定の高さ（塗布高さＨｔ）で盛り上げるように塗布する。ペースト塗布装置１００でガラスペーストＧｐが塗布された基板８は、次の工程で封止ガラスが貼り合わされた後、レーザビームがガラスペーストＧｐに照射されて封止ガラスが接合される。このとき、有機ＥＬ素子の蒸着部Ａ１が真空状態となるように、封止ガラスは真空の作業環境で真空貼りされる。
【００２３】
基板８に形成される有機ＥＬ素子の蒸着部Ａ１はガラスペーストＧｐと封止ガラスによって真空状態が維持されることが要求され、ペースト塗布装置１００は略矩形に有機ＥＬ素子が蒸着された蒸着部Ａ１の周囲に連続して切れ目なくガラスペーストＧｐを塗布することが要求される。
例えば、ペースト塗布装置１００の制御部９（図１参照）は、図３に示すように、基板８における有機ＥＬ素子の蒸着部Ａ１の周囲の１点（白丸）をノズル５５ａの移動を開始する始点Ｐｓとする。つまり、始点Ｐｓが蒸着部Ａ１の周囲の１点として形成される。
制御部９は、ガラスペーストＧｐの塗布を開始するとき、始点Ｐｓまでノズル５５ａを移動し、加圧配管１０ｃに備わるバルブ１０ｂ（図１参照）に制御信号を送信して開弁する。適宜調圧された空気が正圧レギュレータ１０ａ（図１参照）からシリンジ５５（図１参照）に供給されることによってシリンジ５５に吐出圧が供給される。シリンジ５５の内部は吐出圧によって昇圧し、収納されているガラスペーストＧｐが吐出圧によってシリンジ５５から押し出され、ノズル５５ａから連続して塗布される。
【００２４】
この状態で、制御部９（図１参照）は、ノズル５５ａを蒸着部Ａ１の周囲に沿うように移動させる。ノズル５５ａをＸ軸方向に移動する場合、制御部９はＸ軸移動機構によって可動部４Ａ，４Ｂ（図１参照）を固定部３Ａ，３Ｂ（図１参照）に沿って移動させる。また、ノズル５５ａをＹ軸方向に移動する場合、制御部９はＹ軸移動機構によって塗布ヘッド５をフレーム２（図１参照）に沿って移動させる。
ノズル５５ａの移動にともなってガラスペーストＧｐが蒸着部Ａ１の周囲に連続的に塗布されてノズル５５ａの移動する軌跡に沿った塗布パターンＰｔが連続的に形成される。
【００２５】
そして、ノズル５５ａが蒸着部Ａ１の周囲を１周して始点Ｐｓの位置に戻ると、制御部９（図１参照）は、加圧配管１０ｃに備わるバルブ１０ｂ（図１参照）に制御信号を送信して閉弁する。さらに、制御部９は、先に塗布されているガラスペーストＧｐ上に沿ってオーバーラップするように、ノズル５５ａを移動する。このとき、ノズル５５ａが上昇しながら移動する構成であってもよい。
バルブ１０ｂが閉弁してシリンジ５５（図１参照）への吐出圧の供給が停止されてもシリンジ５５内は吐出圧の残圧による高圧の状態が続き、ノズル５５ａからのガラスペーストＧｐの塗布は継続される。したがって、先に塗布されているガラスペーストＧｐとオーバーラップしてノズル５５ａが移動するとき、ガラスペーストＧｐは重なって塗布される。そして、吐出圧の供給が停止されたシリンジ５５の内部は徐々に減圧し、シリンジ５５内部の減圧にともなってノズル５５ａ（図２の（ａ）参照）からのガラスペーストＧｐの塗布量が減少し、シリンジ５５の内部が大気圧程度まで減圧した時点でノズル５５ａによるガラスペーストＧｐの塗布が停止して終点Ｐｅ（白四角）となる。
【００２６】
このように始点Ｐｓから終点Ｐｅまでの間でガラスペーストＧｐが重なって塗布されることによって、蒸着部Ａ１の周囲に切れ目のない連続的な矩形の塗布パターンＰｔをガラスペーストＧｐの塗布で形成できる。
【００２７】
また、制御部９（図１参照）は塗布パターンＰｔを基板８にガラスペーストＧｐの塗布で形成するとき、基板８に塗布するガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが所定の目標値（基準塗布高さＳｔｄＨと称する（図５の（ｂ）参照））となるようにノズル高さＮｈを設定して、ノズル５５ａを移動する。
例えば、塗布高さＨｔの基準塗布高さＳｔｄＨを「３０μｍ」とする場合、制御部９はガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが「３０μｍ」となるようにノズル高さＮｈを調節してノズル５５ａを移動する。このようなノズル高さＮｈは予め設定されていることが好ましい。例えば、ガラスペーストＧｐの種類や基準塗布高さＳｔｄＨ、ノズル５５ａの移動速度ごとに、ガラスペーストＧｐを塗布するときのノズル高さＮｈが設定されていることが好ましい。制御部９はガラスペーストＧｐを塗布するとき、光学式距離計５４（図２の（ａ）参照）の計測値を取得し、この計測値が、設定されているノズル高さＮｈとなるようにＺ軸テーブル５３（図２の（ａ）参照）をＺ軸方向（上下方向）に移動してガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔを基準塗布高さＳｔｄＨ（例えば３０μｍ）に維持する。
【００２８】
封止ガラスを接合する工程において、レーザビームの照射によるガラスペーストＧｐの温度上昇を塗布パターンＰｔの全周に亘って均一にするために、ガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが塗布パターンＰｔの全周に亘って均一であることが好ましい。そこで制御部９（図１参照）は、ガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが精度よく基準塗布高さＳｔｄＨを維持できるように、ノズル高さＮｈを精度よく調節する構成が好適である。
【００２９】
しかしながら、製造時の形状誤差等によって、例えば、図４の（ａ）に示すように、ノズル５５ａの先端部が変形して傾斜する場合がある。または、図４の（ｂ）に示すようにノズル５５ａの先端部に凹凸が形成されて変形する場合がある。このようにノズル５５ａの先端部の形状が変形している場合、図示するように、ノズル高さＮｈが一定であっても図中矢印で示されるノズル５５ａの移動方向によってガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが微小に異なる。
また、ノズル５５ａのシリンジ５５（図１参照）に対する傾斜や、シリンジ５５の基板保持盤６（図１参照）に対する傾斜が生じている場合にもノズル５５ａの移動方向によってガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが微小に異なる。
【００３０】
例えば、ガラスペーストＧｐの種類（粘度等）、吐出圧、ノズル高さＮｈ、及びノズル５５ａの移動速度が等しい場合であっても、Ｘ軸方向に移動する場合とＹ軸方向に移動する場合で基板８に塗布されるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが異なる。さらに、Ｘ軸方向の移動方向（図３における左右方向）の違いやＹ軸方向の移動方向（図３における上下方向）の違いでも基板８に塗布されるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが異なる。
【００３１】
そこで、本実施形態に係るペースト塗布装置１００（図１参照）は、ノズル５５ａ（図１参照）の移動方向の違いによって生じる塗布高さＨｔの違いを吸収して、精度よく基準塗布高さＳｔｄＨでガラスペーストＧｐを塗布可能な構成とする。
具体的に、ペースト塗布装置１００はノズル５５ａを塗布パターンＰｔ（図３参照）の周囲に沿って移動してガラスペーストＧｐを基板８（図１参照）に塗布する工程（塗布工程）の前に、ノズル５５ａの移動方向の違いによる塗布高さＨｔの違いを予め測定し、ノズル５５ａの移動方向ごとに異なる塗布高さＨｔに対応したノズル高さＮｈの補正量（ノズル補正量ΔＨ）を設定する工程（準備工程）を実行する。そして、ガラスペーストＧｐを基板８に塗布する塗布工程では、ノズル５５ａの移動方向ごとに設定したノズル補正量ΔＨで、ノズル５５ａの移動方向ごとにノズル高さＮｈを補正してノズル５５ａを移動し、ノズル５５ａの移動方向の違いによって生じる塗布高さＨｔの違いを吸収して、精度よく基準塗布高さＳｔｄＨでガラスペーストＧｐを塗布可能な構成とする。
【００３２】
例えば、図５の（ａ）に示すように蒸着部Ａ１がＸ軸方向及びＹ軸方向に延びる直線部を有する矩形の場合、制御部９（図１参照）はノズル補正量ΔＨを設定する準備工程の実行時に、ノズル５５ａ（図１参照）が移動する塗布パターンＰｔ（図３の（ａ）参照）を蒸着部Ａ１の周囲に沿った矩形（より詳しくは角丸の矩形）とし、Ｘ軸方向にノズル５５ａが移動するＸ方向移動部（Ｘ１，Ｘ２）とＹ軸方向にノズル５５ａが移動するＹ方向移動部（Ｙ１，Ｙ２）に分割する。
【００３３】
本実施形態において、Ｘ方向移動部Ｘ１とＸ方向移動部Ｘ２は互いに対向し、ノズル５５ａの移動方向が互いに逆となる。例えば、Ｘ方向移動部Ｘ１を図中右方向への移動部とした場合、Ｘ方向移動部Ｘ２を図中左方向への移動部とする。同様に、Ｙ方向移動部Ｙ１とＹ方向移動部Ｙ２は互いに対向し、ノズル５５ａの移動方向が互いに逆となる。例えば、Ｙ方向移動部Ｙ１を図中上方向への移動部とした場合、Ｙ方向移動部Ｙ２を図中下方向への移動部とする。
さらに、Ｙ方向移動部Ｙ１をＸ方向移動部Ｘ１からＸ方向移動部Ｘ２に向かう移動部とし、Ｙ方向移動部Ｙ２をＸ方向移動部Ｘ２からＸ方向移動部Ｘ１に向かう移動部とする。
【００３４】
また、Ｘ方向移動部Ｘ１からＹ方向移動部Ｙ１に移るとき（つまり、ノズル５５ａの移動方向が蒸着部Ａ１の角部で変化するとき）、ノズル５５ａは弧を描くように移動することから、この移動部をコーナ移動部Ｃ１１とする。同様にＹ方向移動部Ｙ１からＸ方向移動部Ｘ２に移る移動部をコーナ移動部Ｃ１２、Ｘ方向移動部Ｘ２からＹ方向移動部Ｙ２に移る移動部をコーナ移動部Ｃ２２、Ｙ方向移動部Ｙ２からＸ方向移動部Ｘ１に移る移動部をコーナ移動部Ｃ２１とする。
このように制御部９（図１参照）はノズル補正量ΔＨを設定する準備工程を実行するとき、ノズル５５ａの移動方向によって塗布パターンＰｔ（図３の（ａ）参照）を８つの部分に分割する。
【００３５】
なお、Ｘ方向移動部Ｘ１，Ｘ２の長さ及びＹ方向移動部Ｙ１，Ｙ２の長さは蒸着部Ａ１の各辺の長さと同じである必要はなく、好適に塗布高さＨｔを測定できる長さであればよい。また、コーナ移動部Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２２，Ｃ２１の長さも好適に塗布高さＨｔを測定できる長さであればよい。
【００３６】
なお、準備工程によるノズル補正量ΔＨの設定は、例えば有機ＥＬパネルの生産が開始された時、ノズル５５ａやシリンジ５５（図１参照）が取り替えられた時、基板８（図１参照）に塗布するガラスペーストＧｐの種類（粘度等）が変更された時、塗布パターンＰｔ（図３の（ａ）参照）の形状が変わった時、などに適宜実行されることが好ましい。または、所定の時間間隔で定期的に実行される構成であってもよい。
また、例えばペースト塗布装置１００（図１参照）を管理する管理者等の操作によって準備工程が開始される構成であってもよいし、制御部９（図１参照）に組み込まれたプログラムの実行によって制御部９が自動的に準備工程を開始する構成であってもよい。
【００３７】
準備工程を開始すると制御部９（図１参照）は、例えばコーナ移動部Ｃ２１とＸ方向移動部Ｘ１の接続点Ｐｃｘ２をスタート位置としてノズル５５ａ（図１参照）を当該スタート位置（接続点Ｐｃｘ２）に移動する。そして、ノズル高さＮｈを所定の基準高さ（初期高さＦＮｈと称する）に設定するとともにバルブ１０ｂ（図１参照）を開弁して吐出圧をシリンジ５５（図１参照）に供給し、ノズル５５ａからのガラスペーストＧｐの塗布を開始する。
なお、準備工程の実行時に基板保持盤６に載置される基板８は準備工程用の基板であればよく、製品となる基板８、つまり、有機ＥＬ素子が蒸着された基板８でなくてもよい。
【００３８】
初期高さＦＮｈは、ガラスペーストＧｐを基準塗布高さＳｔｄＨで基板８（図１参照）に塗布できるとされる基準のノズル高さＮｈであることが好ましく、例えばガラスペーストＧｐの種類、基準塗布高さＳｔｄＨ、ノズル５５ａの移動速度等によって予め決定されている値であることが好ましい。例えば管理者等がモニタ１１（図１参照）やキーボード１２（図１参照）を使用してペースト塗布装置１００（図１参照）に設定するガラスペーストＧｐの種類やノズル５５ａの移動速度に基づいて制御部９が初期高さＦＮｈを設定する構成とすればよい。
【００３９】
制御部９（図１参照）はノズル高さＮｈが初期高さＦＮｈとなるように、具体的には、光学式距離計５４（図１参照）の計測値が初期高さＦＮｈの値となるように、ノズル５５ａ（図１参照）の高さを調節しながら設定されている移動速度でノズル５５ａをＸ移動方向Ｘ１に沿って移動し、基板保持盤６（図１参照）に載置されている基板８（図１参照）にガラスペーストＧｐを塗布する。さらに制御部９は変位センサ５６の計測値に基づいて基盤８に塗布されたガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔの基準塗布高さＳｔｄＨからの上下方向の違い（偏差量）を演算し、この偏差量をノズル補正量ΔＨとする。
【００４０】
例えば、図５の（ｂ）に示すように、変位センサ５６（図２の（ａ）参照）が基準塗布高さＳｔｄＨを計測したときの計測値を基準計測値Ｌ１とした場合、基板８に塗布されたガラスペーストＧｐの実際の塗布高さＨｔが基準塗布高さＳｔｄＨと異なるとき変位センサ５６の計測値は基準計測値Ｌ１と異なる計測値（実測値Ｌ２）となる。この場合、制御部９は基準計測値Ｌ１と実測値Ｌ２の差（Ｌ１−Ｌ２）を演算することによって、基準塗布高さＳｔｄＨからの塗布高さＨｔの偏差量（ノズル補正量ΔＨ）を演算できる。
【００４１】
また、Ｘ方向移動部Ｘ１の任意の数点で基準塗布高さＳｔｄＨからの塗布高さＨｔの偏差量（ノズル補正量ΔＨ）を演算する構成であってもよい。
例えば、図５の（ｃ）に示すように、Ｘ方向移動部Ｘ１上に複数の計測点（図５の（ｃ）にはＰ１〜Ｐ５を例示）を設定し、制御部９（図１参照）は計測点Ｐ１〜Ｐ５における変位センサ５６の計測値（実測値Ｌ２）を取得する。そして制御部９は、計測点Ｐ１〜Ｐ５における基準計測値Ｌ１と実測値Ｌ２の差を演算し、この差の、計測点Ｐ１〜Ｐ５における平均値を、Ｘ方向移動部Ｘ１におけるノズル補正量ΔＨ（ΔＨＸ１）とする。
なお、本実施形態においては、塗布高さＨｔの偏差量（ノズル補正量ΔＨ）は基準塗布高さＳｔｄＨより高い場合を正、低い場合を負とする。
【００４２】
同様に制御部９（図１参照）は、コーナ移動部Ｃ１１におけるノズル補正量ΔＨＣ１１、Ｙ方向移動部Ｙ１におけるノズル補正量ΔＨＹ１、コーナ移動部Ｃ１２におけるノズル補正量ΔＨＣ１２、Ｘ方向移動部Ｘ２におけるノズル補正量ΔＨＸ２、コーナ移動部Ｃ２２におけるノズル補正量ΔＨＣ２２、Ｙ方向移動部Ｙ２におけるノズル補正量ΔＨＹ２、コーナ移動部Ｃ２１におけるノズル補正量ΔＨＣ２１を演算する。
さらに制御部９は、演算した全てのノズル補正量ΔＨ（ΔＨＸ１，ΔＨＣ１１，ΔＨＹ１，ΔＨＣ１２，ΔＨＸ２，ΔＨＣ２２，ΔＨＹ２，ΔＨＣ２１）を図示しない記憶部に記憶する構成が好ましい。
【００４３】
このようにノズル補正量ΔＨ（ΔＨＸ１，ΔＨＣ１１，ΔＨＹ１，ΔＨＣ１２，ΔＨＸ２，ΔＨＣ２２，ΔＨＹ２，ΔＨＣ２１）を演算する構成によって、準備工程では、蒸着部Ａ１の周囲に沿ったノズル５５ａ（図１参照）の移動方向ごとにノズル補正量ΔＨが設定される。
そして、準備工程は、初期高さＦＮｈをノズル高さＮｈとしてノズル５５ａが移動するときに塗布されるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔと基準塗布高さＳｔｄＨの偏差をノズル補正量ΔＨとして設定する工程を、ノズル５５ａの移動方向ごとに実行する工程である。
【００４４】
さらに、制御部９（図１参照）は、図６に示すように有機ＥＬ素子が蒸着されて蒸着部Ａ１が形成された基板８にガラスペーストＧｐを塗布する塗布工程を実行するとき、始点ＰｓがＸ方向移動部Ｘ１にあるときにはノズル５５ａを始点Ｐｓに移動するとともに、初期高さＦＮｈをノズル補正量ΔＨＸ１で補正した値をノズル高さＮｈとする。つまり、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＸ１で補正する。
【００４５】
例えば、Ｘ方向移動部Ｘ１における塗布高さＨｔが基準塗布高さＳｔｄＨに対して高いとき、すなわち、基準塗布高さＳｔｄＨからの塗布高さＨｔの偏差量が正（ノズル補正量ΔＨＸ１が正）のとき、制御部９はＸ方向移動部Ｘ１におけるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが高すぎると判定し、初期高さＦＮｈからノズル補正量ΔＨＸ１に相当する高さだけ低い高さにノズル高さＮｈを設定する。一方、基準塗布高さＳｔｄＨからの塗布高さＨｔの偏差量が負（ノズル補正量ΔＨＸ１が負）のとき、制御部９はＸ方向移動部Ｘ１におけるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔが低すぎると判定し、初期高さＦＮｈからノズル補正量ΔＨＸ１に相当する高さだけ高い高さにノズル高さＮｈを設定する。
つまり、ノズル補正量ΔＨＸ１が正のときノズル高さＮｈは低くなる方向に補正され、ノズル補正量ΔＨＸ１が負のときノズル高さＮｈは高くなる方向に補正される。
そして、制御部９は設定したノズル高さＮｈを維持するようにノズル５５ａをＸ方向移動部Ｘ１に沿って移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
【００４６】
さらに、Ｘ方向移動部Ｘ１に沿った移動に続けてコーナ移動部Ｃ１１に沿ってノズル５５ａを移動する場合、制御部９（図１参照）は、Ｘ方向移動部Ｘ１とコーナ移動部Ｃ１１の接続点Ｐｘｃ１においてノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＣ１１で補正する。つまり、制御部９は初期高さＦＮｈをノズル補正量ΔＨＣ１１で補正した値をノズル高さＮｈとする。そして、補正したノズル高さＮｈを維持するようにコーナ移動部Ｃ１１に沿ってノズル５５ａを移動し、ガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
【００４７】
同様にコーナ移動部Ｃ１１とＹ方向移動部Ｙ１の接続点Ｐｃｙ１において、制御部９（図１参照）はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＹ１で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにＹ方向移動部Ｙ１に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
また、Ｙ方向移動部Ｙ１とコーナ移動部Ｃ１２の接続点Ｐｙｃ１において、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＣ１２で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにコーナ移動部Ｃ１２に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
また、コーナ移動部Ｃ１２とＸ方向移動部Ｘ２の接続点Ｐｃｘ１において、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＸ２で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにＸ方向移動部Ｘ２に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
また、Ｘ方向移動部Ｘ２とコーナ移動部Ｃ２２の接続点Ｐｘｃ２において、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＣ２２で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにコーナ移動部Ｃ２２に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
また、コーナ移動部Ｃ２２とＹ方向移動部Ｙ２の接続点Ｐｃｙ２において、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＹ２で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにＹ方向移動部Ｙ２に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
また、Ｙ方向移動部Ｙ２とコーナ移動部Ｃ２１の接続点Ｐｙｃ２において、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＣ２１で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにコーナ移動部Ｃ２１に沿ってノズル５５ａを移動してガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
また、コーナ移動部Ｃ２１とＸ方向移動部Ｘ１の接続点Ｐｃｘ２において、制御部９はノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨＸ１で補正し、この補正されたノズル高さＮｈを維持するようにＸ方向移動部Ｘ１に沿ってノズル５５ａを移動して終点ＰｅまでガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
【００４８】
以上のように、蒸着部Ａ１（図３参照）の周囲に沿ってノズル５５ａ（図３参照）を移動して基板８（図３参照）にガラスペーストＧｐを塗布する塗布工程で、制御部９（図１参照）は、ノズル５５ａの移動方向ごとに、当該移動方向に対応したノズル補正量ΔＨ（ΔＨＸ１，ΔＨＣ１１，ΔＨＹ１，ΔＨＣ１２，ΔＨＸ２，ΔＨＣ２２，ΔＨＹ２，ΔＨＣ２１）でノズル高さＮｈを補正してノズル５５ａを移動し、ガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
【００４９】
このように、本実施形態に係るペースト塗布装置１００（図１参照）は、基板８（図１参照）にガラスペーストＧｐを塗布する塗布工程の前に準備工程を実行し、ノズル５５ａ（図１参照）の移動方向の違いによって生じる塗布高さＨｔの違いに基づいて、ノズル高さＮｈを補正するノズル補正量ΔＨを、ノズル５５ａの移動方向ごとに設定する。さらに、蒸着部Ａ１（図１参照）の周囲に沿ってノズル５５ａを移動して基板８にガラスペーストＧｐを塗布する塗布工程では、ノズル５５ａの移動方向ごとに、ノズル高さＮｈをノズル補正量ΔＨで補正してノズル５５ａを移動し、ガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。
この構成によって、ノズル５５ａの移動方向の違いで生じる塗布高さＨｔの違いを吸収することができ、精度よく基準塗布高さＳｔｈｄＨでガラスペーストＧｐを基板８に塗布できる。
【００５０】
なお、シリンジ５５（図１参照）やノズル５５ａ（図１参照）を取り替えたときに、ガラスペーストＧｐの種類、ノズル５５ａの移動速度、基準塗布高さＳｔｄＨの複数の組み合わせに応じて、複数のノズル補正量ΔＨを予め演算するように準備工程を実行する構成であってもよい。
そして、例えば基板８（図１参照）にガラスペーストＧｐを塗布する塗布工程の開始時にペースト塗布装置１００（図１参照）の管理者が、モニタ１１（図１参照）やキーボード１２（図１参照）を使用して、ガラスペーストＧｐの種類、ノズル５５ａの移動速度、基準塗布高さＳｔｄＨを設定したときに制御部９が該当する初期高さＦＮｈとノズル補正量ΔＨ（ΔＨＸ１，ΔＨＣ１１，ΔＨＹ１，ΔＨＣ１２，ΔＨＸ２，ΔＨＣ２２，ΔＨＹ２，ΔＨＣ２１）を図示しない記憶部から読み出し、適宜ノズル高さＮｈを補正しながらガラスペーストＧｐを基板８に塗布する構成であってもよい。
【００５１】
また、塗布ヘッド５（図１参照）に変位センサ５６（図２の（ａ）参照）を備える構成に限定されるものではない。例えば、制御部９（図１参照）が、初期高さＦＮｈをノズル高さＮｈとしてノズル５５ａを全ての移動部（Ｘ方向移動部Ｘ１，Ｘ２、Ｙ方向移動部Ｙ１，Ｙ２、コーナ移動部Ｃ１１，Ｃ１２，Ｃ２２，Ｃ２１）で移動し、ガラスペーストＧｐを基板８に塗布する。その後、変位センサ５６が備わる図示しない測定装置で全ての移動部におけるガラスペーストＧｐの塗布高さＨｔと基準塗布高さＳｔｄＨの偏差を計測し、計測された各移動部における偏差を各移動部のノズル補正量ΔＨ（ΔＨＸ１，ΔＨＣ１１，ΔＨＹ１，ΔＨＣ１２，ΔＨＸ２，ΔＨＣ２２，ΔＨＹ２，ΔＨＣ２１）とする構成であってもよい。
【符号の説明】
【００５２】
８ 基板
５５ シリンジ（ペースト収納部）
５５ａ ノズル
１００ ペースト塗布装置
Ａ１ 蒸着部（所定の領域）
ＦＮｈ 初期高さ（所定の基準高さ）
Ｇｐ ガラスペースト（ペースト）
Ｎｈ ノズル高さ
ＳｔｄＨ 基準塗布高さ
ΔＨ ノズル補正量（ノズル高さの補正量）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ペーストを塗布するノズルを基板の平面における所定の領域の周囲に沿って移動し、前記ペーストを当該領域の周囲に塗布するペースト塗布方法であって、
前記ノズルが移動するときの前記基板から前記ノズルまでのノズル高さの補正量を、前記領域の周囲に沿って前記ノズルが移動するときの移動方向ごとに設定する準備工程と、
前記ノズルの前記移動方向ごとに、前記ノズルの前記移動方向に対応した前記補正量で前記ノズル高さを補正して前記領域の周囲に沿って前記ノズルを移動する塗布工程と、を有することを特徴とするペースト塗布方法。
【請求項２】
前記準備工程は、
所定の基準高さを前記ノズル高さとして前記ノズルを移動するときに前記基板に塗布される前記ペーストの塗布高さと、前記塗布高さの目標値となる基準塗布高さと、の差を前記補正量として設定する工程を、
前記領域の周囲に沿った前記ノズルの移動方向ごとに実行することを特徴とする請求項１に記載のペースト塗布方法。
【請求項３】
ペーストを塗布するノズルが移動し、前記ペーストを基板の平面における所定の領域の周囲に塗布するペースト塗布装置であって、
請求項１または請求項２に記載のペースト塗布方法で前記ペーストを前記基板に塗布することを特徴とするペースト塗布装置。
【請求項１】
ペーストを塗布するノズルを基板の平面における所定の領域の周囲に沿って移動し、前記ペーストを当該領域の周囲に塗布するペースト塗布方法であって、
前記ノズルが移動するときの前記基板から前記ノズルまでのノズル高さの補正量を、前記領域の周囲に沿って前記ノズルが移動するときの移動方向ごとに設定する準備工程と、
前記ノズルの前記移動方向ごとに、前記ノズルの前記移動方向に対応した前記補正量で前記ノズル高さを補正して前記領域の周囲に沿って前記ノズルを移動する塗布工程と、を有することを特徴とするペースト塗布方法。
【請求項２】
前記準備工程は、
所定の基準高さを前記ノズル高さとして前記ノズルを移動するときに前記基板に塗布される前記ペーストの塗布高さと、前記塗布高さの目標値となる基準塗布高さと、の差を前記補正量として設定する工程を、
前記領域の周囲に沿った前記ノズルの移動方向ごとに実行することを特徴とする請求項１に記載のペースト塗布方法。
【請求項３】
ペーストを塗布するノズルが移動し、前記ペーストを基板の平面における所定の領域の周囲に塗布するペースト塗布装置であって、
請求項１または請求項２に記載のペースト塗布方法で前記ペーストを前記基板に塗布することを特徴とするペースト塗布装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−６６８３３（Ｐ２０１３−６６８３３Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０６２８２（Ｐ２０１１−２０６２８２）
【出願日】平成２３年９月２１日（２０１１．９．２１）
【出願人】（０００００５４５２）株式会社日立プラントテクノロジー (1,767)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２１日（２０１１．９．２１）
【出願人】（０００００５４５２）株式会社日立プラントテクノロジー (1,767)
【Ｆターム（参考）】
[ Back to top ]