レジスト組成物及びレジストパターン形成方法

【課題】ネガ型パターンを高解像性で、かつ、良好な形状で形成できるレジストパターン形成方法と、これに用いるのに好適なレジスト組成物の提供。
【解決手段】基材成分（Ａ）及び光塩基発生剤成分を含有するレジスト組成物を用いてレジスト膜を形成する工程、レジスト膜を露光する工程、露光後にベークを行う工程、レジスト膜をアルカリ現像し、未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程を含むレジストパターン形成方法、及びこれに用いるレジスト組成物であって、（Ａ）成分は酸分解性基を含む構成単位、−ＳＯ_２−又はラクトン含有環式基を含む構成単位、式（ａ３−１）で表される構成単位（但し１０モル％以下）を有する高分子化合物を含む。

【特許請求の範囲】
【請求項１】
酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分（Ｃ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分（Ｃ）から発生した塩基と、前記レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記レジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分（Ａ）のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と
を含むレジストパターン形成方法における、前記工程（１）で用いられる前記レジスト組成物であって、
前記基材成分（Ａ）は、酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）と、−ＳＯ_２−含有環式基又はラクトン含有環式基を含む構成単位（ａ２）とを有する高分子化合物（Ａ１）を含み、かつ、
前記高分子化合物（Ａ１）は、下記一般式（ａ３−１）で表される構成単位（ａ３）の割合が該高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して１０モル％以下であることを特徴とするレジスト組成物。
【化１】

［式中、Ｒは水素原子、炭素数１〜５のアルキル基又は炭素数１〜５のハロゲン化アルキル基である。ｊは１〜３の整数である。］
【請求項２】
酸性化合物成分又は酸発生剤成分を含有する、請求項１記載のレジスト組成物。
【請求項３】
酸の作用により極性が増大する酸分解性基を含む構成単位（ａ１）と、−ＳＯ_２−含有環式基又はラクトン含有環式基を含む構成単位（ａ２）とを有する高分子化合物（Ａ１）（ただし、下記一般式（ａ３−１）で表される構成単位（ａ３）の割合が該高分子化合物（Ａ１）を構成する全構成単位の合計に対して１０モル％以下であるもの）を含む、酸の作用によりアルカリ現像液に対する溶解性が増大する基材成分（Ａ）と、露光により塩基を発生する光塩基発生剤成分（Ｃ）とを含有するレジスト組成物を、支持体上に塗布してレジスト膜を形成する工程（１）と、
前記レジスト膜を露光する工程（２）と、
前記工程（２）の後にベークを行い、前記レジスト膜の露光部において、前記露光により前記光塩基発生剤成分（Ｃ）から発生した塩基と、前記レジスト膜に予め供給された酸とを中和させ、前記レジスト膜の未露光部において、前記レジスト膜に予め供給された酸の作用により、前記基材成分（Ａ）のアルカリ現像液に対する溶解性を増大させる工程（３）と、
前記レジスト膜をアルカリ現像し、前記レジスト膜の未露光部が溶解除去されたネガ型レジストパターンを形成する工程（４）と
を含むレジストパターン形成方法。
【化２】