化合物
【課題】発光素子の長寿命化と発光効率の向上を達成することが可能な新規物質を提供する。
【解決手段】一般式(G1)で表される構造を有するカルバゾール化合物を提供する。なお、一般式(G1)における置換基(R1、R2、Ar3及びα3)としては、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のHOMO準位が深く、LUMO準位が浅い置換基をいずれも用いるものとする。また、一般式(G1)における置換基(R1、R2、Ar3、及びα3)としては、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のバンドギャップ(Bg)が広く、T1準位が高い置換基をいずれも用いるものとする。
【解決手段】一般式(G1)で表される構造を有するカルバゾール化合物を提供する。なお、一般式(G1)における置換基(R1、R2、Ar3及びα3)としては、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のHOMO準位が深く、LUMO準位が浅い置換基をいずれも用いるものとする。また、一般式(G1)における置換基(R1、R2、Ar3、及びα3)としては、当該置換基の結合手を水素で置換した化合物のバンドギャップ(Bg)が広く、T1準位が高い置換基をいずれも用いるものとする。
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【特許請求の範囲】
【請求項1】
下記式(102)で表される化合物。
【化1】
【請求項2】
下記式(105)で表される化合物。
【化2】
【請求項1】
下記式(102)で表される化合物。
【化1】
【請求項2】
下記式(105)で表される化合物。
【化2】
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図15】
【図16】
【図17】
【図18】
【図19】
【図20】
【図21】
【図22】
【図23】
【図24】
【図25】
【図26】
【図27】
【図28】
【図29】
【図30】
【図31】
【図32】
【図33】
【図34】
【図35】
【図36】
【図37】
【図38】
【図39】
【図40】
【図41】
【図42】
【図43】
【図44】
【図45】
【図46】
【図47】
【図48】
【図49】
【図50】
【図51】
【図52】
【図53】
【図54】
【図55】
【図56】
【図57】
【図58】
【図59】
【図60】
【図61】
【図62】
【図63】
【図64】
【図65】
【図66】
【図67】
【図68】
【図69】
【図70】
【図71】
【図72】
【図73】
【図74】
【図75】
【図76】
【図77】
【図78】
【図79】
【図80】
【図81】
【図82】
【図83】
【図84】
【図85】
【図86】
【図87】
【図88】
【図89】
【公開番号】特開2013−91646(P2013−91646A)
【公開日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−264340(P2012−264340)
【出願日】平成24年12月3日(2012.12.3)
【分割の表示】特願2011−208847(P2011−208847)の分割
【原出願日】平成23年9月26日(2011.9.26)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成25年5月16日(2013.5.16)
【国際特許分類】
【出願日】平成24年12月3日(2012.12.3)
【分割の表示】特願2011−208847(P2011−208847)の分割
【原出願日】平成23年9月26日(2011.9.26)
【出願人】(000153878)株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Fターム(参考)】
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