揮発性イミダゾール及び二族イミダゾール系金属前駆体
【課題】単量体又は二量体の揮発性錯体の形成を可能にするη−５配位モードにおいて二族金属、例えばカルシウム、マグネシウム、ストロンチウムに配位できる立体障害イミダゾール配位子及びそれらの合成を提供する。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム又はカルシウム又はそれらの２種以上からなる群より選択される金属に配位された１つ又は複数の多置換型イミダゾレート・アニオンを含む化合物が提供される。或いは、１つのアニオンを第２の非イミダゾレート・アニオンで置換することも可能である。新規化合物の合成及びＢＳＴ膜を形成するためのそれらの使用も意図される。
【解決手段】バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム又はカルシウム又はそれらの２種以上からなる群より選択される金属に配位された１つ又は複数の多置換型イミダゾレート・アニオンを含む化合物が提供される。或いは、１つのアニオンを第２の非イミダゾレート・アニオンで置換することも可能である。新規化合物の合成及びＢＳＴ膜を形成するためのそれらの使用も意図される。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
以下の式
【化１】
のポリアルキル化イミダゾールであって、式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3がそれぞれ個々にＣ1−Ｃ10の第一級、第二級又は第三級アルキル；Ｃ1−Ｃ10の第一級、第二級又は第三級アルコキシ；Ｃ1−Ｃ10の第一級、第二級又は第三級アルキルアミン；ヘテロ原子置換型環構造で官能化されたＣ1−Ｃ10の第一級、第二級又は第三級アルキル；アミド基で官能化されたＣ1−Ｃ10アルキル；エステル基で官能化されたＣ1−Ｃ10の第一級、第二級又は第三級アルキル；及びそれらのうち２種以上からなる群より選択される嵩高い基（bulky group）である、ポリアルキル化イミダゾール。
【請求項２】
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3が個々にイソプロピル、ｔｅｒｔ−アミル、ネオペンチル、アダマンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、プロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ノルボルニル、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル、ジメチルペンチル、ジメチルヘキシル、エチルメチルプロピル、イソヘキシル、イソペンチルからなる群より選択される、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項３】
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3が互いに結合されて環状構造が形成された、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項４】
２つ以上のイミダゾール配位子が互いに接合されるように、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3のうち少なくとも２つが接合される、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項５】
前記ヘテロ原子置換型環構造が、イミダゾール、ピロール、ピリジン、フラン、ピリミジン、ピラゾール及びそれらのうち２種以上からなる群より選択される、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項６】
２，４，５−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルイミダゾール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾール、２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミダゾール、及び２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾールからなる群より選択される、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項７】
以下の式
【化２】
のイミダゾレート・アニオンであって、式中、Ｒ1及びＲ3が個々にη−５結合において金属と結合する性質をイミダゾレートに与えるのに十分な三次元の形態を有する嵩高い基であり、Ｒ2が嵩高い基であることができるか又は嵩高い基ではない基であることができるイミダゾレート・アニオンに脱プロトン化された、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項８】
Ｒ1及びＲ3が個々にｔｅｒｔ−ブチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−アミル、ネオペンチル、アダマンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、プロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ノルボルニル、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル、ジメチルペンチル、ジメチルヘキシル、エチルメチルプロピル、イソヘキシル、イソペンチル、及びそれらのうち２種以上からなる群より選択される、請求項７に記載のイミダゾレート。
【請求項９】
Ｒ2が嵩高い基である、請求項７に記載のイミダゾレート。
【請求項１０】
２，４，５−トリス−ｔ−ブチルイミダゾレート、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾレート、２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミダゾレート、及び２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾレートからなる群より選択される、請求項７に記載のイミダゾレート。
【請求項１１】
バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム、カルシウム又はそれらのうち２種以上からなる群より選択される少なくとも１つの金属にそれぞれが配位結合された、請求項７に記載のイミダゾレート及び第２のアニオン。
【請求項１２】
前記第２のアニオンが、多置換型イミダゾレート・アニオン、ポリアルキル化ピロリル・アニオン、β−ジケトネート、カルボキシレート、アセテート、ケトイミネート、ジイミン、アルコキシド、アミド、ヒドリド、β−ケトエステル、アミジネート、グアニジネート、シクロペンタジエニル、シアニド、イソシアニド、ホルメート、オキサレート、マロネート、フェノキシド、チオレート、スルフィド、ニトレート、アルキル、シリルアルキル、フルオロアルキル、アリール、イミダゾレート、ヒドリド及びそれらのうち２種以上からなる群より選択される、請求項１１に記載のイミダゾレート。
【請求項１３】
少なくとも２つの前記イミダゾレートが金属Ｍに結合され、以下の式
【化３】
【化４】
からなる群より選択される構造体であって、式中、（Ｌ）が脂肪族Ｃ3−Ｃ20エーテル又はポリエーテル、クラウンエーテル、アミン、ポリアミン、アミド、ポリアミド、エステル、ポリエステル、芳香族エーテル、芳香族エステル、芳香族アミド、芳香族アミン、ピリジン、イミダゾール、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、及びそれらのうち２種以上からなる群より選択される中性配位子であり、ｎが０〜４であり、ＭがＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｒａ又はＭｇである構造体が形成される、請求項７に記載のイミダゾレート。
【請求項１４】
前記イミダゾレートが、η−１、η−２、η−３、η−４及びη−５モードからなる群より選択される仕方においてＭに配位結合される、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体。
【請求項１５】
ジ−バリウムテトラ（２，４，５−トリス−ｔ−ブチルイミダゾレート）、ジ−バリウムテトラ（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾレート）、ジ−バリウムテトラ（２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミダゾレート）、及びジ−バリウムテトラ（２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾレート）からなる群より選択される、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体。
【請求項１６】
ジ−ストロンチウムテトラ（２，４，５−トリス−ｔ−ブチルイミダゾレート）、ジ−ストロンチウムテトラ（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾレート）、ジ−ストロンチウムテトラ（２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミダゾレート）、及びジ−ストロンチウムテトラ（２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾレート）からなる群より選択される、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体。
【請求項１７】
各イミダゾレートのＲ1-3が独立して互いに選択される、請求項１３に記載のイミダゾレート。
【請求項１８】
１つのイミダゾレートのＲ1-3のうちの少なくとも１つが別のイミダゾレートのＲ1-3のうちの少なくとも１つに接合されて２つのイミダゾレートが結合される、請求項１３に記載のイミダゾレート。
【請求項１９】
請求項１３に記載のイミダゾレート構造体の使用を含む、ＡＬＤ又はＣＶＤによる金属含有膜の堆積方法。
【請求項２０】
０．００１〜１０００Ｔｏｒｒの反応器圧力及び０〜１０００℃の温度を用いて、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を水、アルコール、酸素、オゾン、亜酸化窒素、二酸化窒素、過酸化水素又はそれらの組み合わせからなる群より選択される酸化剤と反応させて、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム又は酸化ラジウム及びそれらの混合物からなる群より選択される金属含有膜を成長させることにより金属含有膜を堆積させる方法。
【請求項２１】
酸化バリウムの堆積量が＞１Å／サイクルである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
酸化バリウムの堆積量が＞１．５Å／サイクルである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
酸化バリウムの堆積量が＞２Å／サイクルである、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
酸化ストロンチウムの堆積量が＞１Å／サイクルである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
酸化ストロンチウムの堆積量が＞１．５Å／サイクルである、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
酸化ストロンチウムの堆積量が＞２Å／サイクルである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
請求項１３に記載のＢａ及びＳｒイミダゾレート構造体を、チタンアルコキシド、チタンアルコキシド／ジケトネート、チタンシクロペンタジエニル、チタンアミド、チタンイミダゾレート及びそれらの混合物からなる群より選択されるチタン前駆体の交互パルスとＡＬＤ又はパルス化ＣＶＤモードにおいて反応させてＢＳＴ膜を成長させる方法。
【請求項２８】
請求項１３に記載のＳｒイミダゾレート構造体を、チタンアルコキシド、チタンアルコキシド／ジケトネート、チタンシクロペンタジエニル、チタンアミド、チタンイミダゾレート及びそれらの混合物からなる群より選択されるチタン前駆体の交互パルスとＡＬＤ又はパルス化ＣＶＤモードにおいて反応させてＳＴＯ膜を成長させる方法。
【請求項２９】
請求項１３に記載のＢａイミダゾレート構造体を、チタンアルコキシド、チタンアルコキシド／ジケトネート、チタンシクロペンタジエニル、チタンアミド、チタンイミダゾレート及びそれらの混合物からなる群より選択されるチタン前駆体の交互パルスとＡＬＤ又はパルス化ＣＶＤモードにおいて反応させてＢＴＯ膜を成長させる方法。
【請求項３０】
請求項１３に記載のバリウムイミダゾレート構造体を、ストロンチウムケトイミネート、ストロンチウムジケトネート及びそれらの混合物からなる群より選択されるストロンチウム化合物、及びチタンアルコキシド、チタンアルコキシド／ジケトネート、チタンシクロペンタジエニル、チタンアミド及びそれらの混合物からなる群より選択されるチタン化合物と、ＡＬＤ、ＣＶＤ又はパルス化ＣＶＤにおいて反応させてＢＳＴ膜を成長させる方法。
【請求項３１】
請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を、ＨＣｌ、ＨＦ、ＳｉＣｌ4、ＨＢｒ及びそれらの混合物からなる群より選択されるハロゲン化物ガスとＡＬＤ、ＣＶＤ又はパルス化ＣＶＤモードにおいて反応させて、ＭＸ2（式中、Ｘはハロゲン化物であり、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｒａ及びそれらの混合物からなる群より選択される）を成長させる方法。
【請求項３２】
ｎ−ブチルリチウム、ｎ−ヘキシルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、水素化カリウム、水素化ナトリウム、ナトリウム金属、カリウム金属、ナトリウムｔ−ブトキシド、カリウムｔ−ブトキシドからなる群より選択される金属試薬でイミダゾールを直接金属化し、次いで、得られた生成物を、アルカリ土類金属ヨウ化物、アルカリ土類金属アセテート、アルカリ土類金属カルボキシレート、アルカリ土類金属カルボネート、アルカリ土類金属ホルメート、アルカリ土類金属臭化物、アルカリ土類金属トリフルオロアセテート、アルカリ土類金属ヘキサフルオロアセチルアセトン、アルカリ土類金属トリフルオロアセチルアセトネート、アルカリ土類金属アセチルアセトネート、アルカリ土類金属ジイミン、アルカリ土類金属ケトイミン、アルカリ土類金属アミジネート、アルカリ土類金属グアニジネート及びそれらの混合物からなる群より選択される反応体と反応させることによって実施される、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を合成する方法。
【請求項３３】
アルカリ土類金属アミド、アルカリ土類金属フェノキシド、アルカリ土類金属ヒドロキシド、アルカリ土類金属アルキル、アルカリ土類金属アリール及びそれらの混合物からなる群より選択される試薬を用いてポリアルキル化イミダゾールを反応させることによる、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を直接に合成する方法。
【請求項３４】
イミダゾールをアンモニアの存在下でアルカリ土類金属と反応させることによる、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を合成する方法。
【請求項３５】
イミダゾールをアンモニアを含むアミンの存在下でアルカリ土類金属と反応させることによる、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を合成する方法。
【請求項３６】
ストロンチウムイミダゾレートと揮発性チタン源との混合物を含む、請求項１１に記載のイミダゾレート。
【請求項３７】
前記揮発性チタン源がイミダゾレート系チタン前駆体である、請求項３６に記載のイミダゾレート。
【請求項３８】
請求項３６に記載の混合物を用いてＳＴＯ及びＢＳＴからなる群より選択される誘電体膜を成長させて、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）のメモリ・セル及び高温測定デバイスからなる群より選択されるマイクロ電子デバイスを形成する方法。
【請求項３９】
請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を用いて、不揮発性強誘電体マイクロ電子メモリ・デバイス、電子発光ディスプレイのためのディスプレイ蛍光体、高Ｔｃ超伝導デバイスからなる群より選択されるマイクロ電子デバイスを製造する方法。
【請求項４０】
エーテル、アミノエーテル、アミド、エステル、芳香族又は炭化水素の溶剤からなる群より選択される溶剤中に溶解されたチタン源とともに請求項１３に記載のバリウム又はストロンチウムイミダゾレート構造体を提供する工程、及び得られた溶液をＤＬＩシステムによって供給して該得られた溶液の蒸気流を提供し、ＡＬＤ又はＣＶＤによって金属酸化物膜又は金属窒化物膜を成長させる工程を含む、ＡＬＤ又はＣＶＤによって金属酸化物膜又は金属窒化物膜を成長させる方法。
【請求項４１】
ステンレス鋼容器内の請求項１３に記載のイミダゾレート構造体。
【請求項４２】
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3のうち少なくとも２つが三次構造を有する、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項１】
以下の式
【化１】
のポリアルキル化イミダゾールであって、式中、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3がそれぞれ個々にＣ1−Ｃ10の第一級、第二級又は第三級アルキル；Ｃ1−Ｃ10の第一級、第二級又は第三級アルコキシ；Ｃ1−Ｃ10の第一級、第二級又は第三級アルキルアミン；ヘテロ原子置換型環構造で官能化されたＣ1−Ｃ10の第一級、第二級又は第三級アルキル；アミド基で官能化されたＣ1−Ｃ10アルキル；エステル基で官能化されたＣ1−Ｃ10の第一級、第二級又は第三級アルキル；及びそれらのうち２種以上からなる群より選択される嵩高い基（bulky group）である、ポリアルキル化イミダゾール。
【請求項２】
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3が個々にイソプロピル、ｔｅｒｔ−アミル、ネオペンチル、アダマンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、プロピル、ブチル、イソブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ノルボルニル、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル、ジメチルペンチル、ジメチルヘキシル、エチルメチルプロピル、イソヘキシル、イソペンチルからなる群より選択される、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項３】
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3が互いに結合されて環状構造が形成された、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項４】
２つ以上のイミダゾール配位子が互いに接合されるように、Ｒ1、Ｒ2及びＲ3のうち少なくとも２つが接合される、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項５】
前記ヘテロ原子置換型環構造が、イミダゾール、ピロール、ピリジン、フラン、ピリミジン、ピラゾール及びそれらのうち２種以上からなる群より選択される、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項６】
２，４，５−トリ−ｔｅｒｔ−ブチルイミダゾール、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾール、２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミダゾール、及び２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾールからなる群より選択される、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項７】
以下の式
【化２】
のイミダゾレート・アニオンであって、式中、Ｒ1及びＲ3が個々にη−５結合において金属と結合する性質をイミダゾレートに与えるのに十分な三次元の形態を有する嵩高い基であり、Ｒ2が嵩高い基であることができるか又は嵩高い基ではない基であることができるイミダゾレート・アニオンに脱プロトン化された、請求項１に記載のイミダゾール。
【請求項８】
Ｒ1及びＲ3が個々にｔｅｒｔ−ブチル、イソプロピル、ｔｅｒｔ−アミル、ネオペンチル、アダマンチル、ヘキシル、シクロヘキシル、プロピル、ブチル、イソブチル、ペンチル、イソペンチル、ネオペンチル、ノルボルニル、ビシクロ［２．２．１］ヘプチル、ジメチルペンチル、ジメチルヘキシル、エチルメチルプロピル、イソヘキシル、イソペンチル、及びそれらのうち２種以上からなる群より選択される、請求項７に記載のイミダゾレート。
【請求項９】
Ｒ2が嵩高い基である、請求項７に記載のイミダゾレート。
【請求項１０】
２，４，５−トリス−ｔ−ブチルイミダゾレート、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾレート、２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミダゾレート、及び２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾレートからなる群より選択される、請求項７に記載のイミダゾレート。
【請求項１１】
バリウム、ストロンチウム、マグネシウム、ラジウム、カルシウム又はそれらのうち２種以上からなる群より選択される少なくとも１つの金属にそれぞれが配位結合された、請求項７に記載のイミダゾレート及び第２のアニオン。
【請求項１２】
前記第２のアニオンが、多置換型イミダゾレート・アニオン、ポリアルキル化ピロリル・アニオン、β−ジケトネート、カルボキシレート、アセテート、ケトイミネート、ジイミン、アルコキシド、アミド、ヒドリド、β−ケトエステル、アミジネート、グアニジネート、シクロペンタジエニル、シアニド、イソシアニド、ホルメート、オキサレート、マロネート、フェノキシド、チオレート、スルフィド、ニトレート、アルキル、シリルアルキル、フルオロアルキル、アリール、イミダゾレート、ヒドリド及びそれらのうち２種以上からなる群より選択される、請求項１１に記載のイミダゾレート。
【請求項１３】
少なくとも２つの前記イミダゾレートが金属Ｍに結合され、以下の式
【化３】
【化４】
からなる群より選択される構造体であって、式中、（Ｌ）が脂肪族Ｃ3−Ｃ20エーテル又はポリエーテル、クラウンエーテル、アミン、ポリアミン、アミド、ポリアミド、エステル、ポリエステル、芳香族エーテル、芳香族エステル、芳香族アミド、芳香族アミン、ピリジン、イミダゾール、ピリジン、ピラジン、フラン、ピロール、及びそれらのうち２種以上からなる群より選択される中性配位子であり、ｎが０〜４であり、ＭがＢａ、Ｓｒ、Ｃａ、Ｒａ又はＭｇである構造体が形成される、請求項７に記載のイミダゾレート。
【請求項１４】
前記イミダゾレートが、η−１、η−２、η−３、η−４及びη−５モードからなる群より選択される仕方においてＭに配位結合される、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体。
【請求項１５】
ジ−バリウムテトラ（２，４，５−トリス−ｔ−ブチルイミダゾレート）、ジ−バリウムテトラ（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾレート）、ジ−バリウムテトラ（２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミダゾレート）、及びジ−バリウムテトラ（２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾレート）からなる群より選択される、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体。
【請求項１６】
ジ−ストロンチウムテトラ（２，４，５−トリス−ｔ−ブチルイミダゾレート）、ジ−ストロンチウムテトラ（２−ｔｅｒｔ−ブチル−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾレート）、ジ−ストロンチウムテトラ（２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルイミダゾレート）、及びジ−ストロンチウムテトラ（２−（１，１−ジメチルブチル）−４，５−ジ−（１，１−ジメチルプロピル）イミダゾレート）からなる群より選択される、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体。
【請求項１７】
各イミダゾレートのＲ1-3が独立して互いに選択される、請求項１３に記載のイミダゾレート。
【請求項１８】
１つのイミダゾレートのＲ1-3のうちの少なくとも１つが別のイミダゾレートのＲ1-3のうちの少なくとも１つに接合されて２つのイミダゾレートが結合される、請求項１３に記載のイミダゾレート。
【請求項１９】
請求項１３に記載のイミダゾレート構造体の使用を含む、ＡＬＤ又はＣＶＤによる金属含有膜の堆積方法。
【請求項２０】
０．００１〜１０００Ｔｏｒｒの反応器圧力及び０〜１０００℃の温度を用いて、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を水、アルコール、酸素、オゾン、亜酸化窒素、二酸化窒素、過酸化水素又はそれらの組み合わせからなる群より選択される酸化剤と反応させて、酸化バリウム、酸化ストロンチウム、酸化マグネシウム、酸化カルシウム又は酸化ラジウム及びそれらの混合物からなる群より選択される金属含有膜を成長させることにより金属含有膜を堆積させる方法。
【請求項２１】
酸化バリウムの堆積量が＞１Å／サイクルである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２２】
酸化バリウムの堆積量が＞１．５Å／サイクルである、請求項２１に記載の方法。
【請求項２３】
酸化バリウムの堆積量が＞２Å／サイクルである、請求項２２に記載の方法。
【請求項２４】
酸化ストロンチウムの堆積量が＞１Å／サイクルである、請求項２０に記載の方法。
【請求項２５】
酸化ストロンチウムの堆積量が＞１．５Å／サイクルである、請求項２４に記載の方法。
【請求項２６】
酸化ストロンチウムの堆積量が＞２Å／サイクルである、請求項２５に記載の方法。
【請求項２７】
請求項１３に記載のＢａ及びＳｒイミダゾレート構造体を、チタンアルコキシド、チタンアルコキシド／ジケトネート、チタンシクロペンタジエニル、チタンアミド、チタンイミダゾレート及びそれらの混合物からなる群より選択されるチタン前駆体の交互パルスとＡＬＤ又はパルス化ＣＶＤモードにおいて反応させてＢＳＴ膜を成長させる方法。
【請求項２８】
請求項１３に記載のＳｒイミダゾレート構造体を、チタンアルコキシド、チタンアルコキシド／ジケトネート、チタンシクロペンタジエニル、チタンアミド、チタンイミダゾレート及びそれらの混合物からなる群より選択されるチタン前駆体の交互パルスとＡＬＤ又はパルス化ＣＶＤモードにおいて反応させてＳＴＯ膜を成長させる方法。
【請求項２９】
請求項１３に記載のＢａイミダゾレート構造体を、チタンアルコキシド、チタンアルコキシド／ジケトネート、チタンシクロペンタジエニル、チタンアミド、チタンイミダゾレート及びそれらの混合物からなる群より選択されるチタン前駆体の交互パルスとＡＬＤ又はパルス化ＣＶＤモードにおいて反応させてＢＴＯ膜を成長させる方法。
【請求項３０】
請求項１３に記載のバリウムイミダゾレート構造体を、ストロンチウムケトイミネート、ストロンチウムジケトネート及びそれらの混合物からなる群より選択されるストロンチウム化合物、及びチタンアルコキシド、チタンアルコキシド／ジケトネート、チタンシクロペンタジエニル、チタンアミド及びそれらの混合物からなる群より選択されるチタン化合物と、ＡＬＤ、ＣＶＤ又はパルス化ＣＶＤにおいて反応させてＢＳＴ膜を成長させる方法。
【請求項３１】
請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を、ＨＣｌ、ＨＦ、ＳｉＣｌ4、ＨＢｒ及びそれらの混合物からなる群より選択されるハロゲン化物ガスとＡＬＤ、ＣＶＤ又はパルス化ＣＶＤモードにおいて反応させて、ＭＸ2（式中、Ｘはハロゲン化物であり、ＭはＢａ、Ｓｒ、Ｍｇ、Ｃａ、Ｒａ及びそれらの混合物からなる群より選択される）を成長させる方法。
【請求項３２】
ｎ−ブチルリチウム、ｎ−ヘキシルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、水素化カリウム、水素化ナトリウム、ナトリウム金属、カリウム金属、ナトリウムｔ−ブトキシド、カリウムｔ−ブトキシドからなる群より選択される金属試薬でイミダゾールを直接金属化し、次いで、得られた生成物を、アルカリ土類金属ヨウ化物、アルカリ土類金属アセテート、アルカリ土類金属カルボキシレート、アルカリ土類金属カルボネート、アルカリ土類金属ホルメート、アルカリ土類金属臭化物、アルカリ土類金属トリフルオロアセテート、アルカリ土類金属ヘキサフルオロアセチルアセトン、アルカリ土類金属トリフルオロアセチルアセトネート、アルカリ土類金属アセチルアセトネート、アルカリ土類金属ジイミン、アルカリ土類金属ケトイミン、アルカリ土類金属アミジネート、アルカリ土類金属グアニジネート及びそれらの混合物からなる群より選択される反応体と反応させることによって実施される、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を合成する方法。
【請求項３３】
アルカリ土類金属アミド、アルカリ土類金属フェノキシド、アルカリ土類金属ヒドロキシド、アルカリ土類金属アルキル、アルカリ土類金属アリール及びそれらの混合物からなる群より選択される試薬を用いてポリアルキル化イミダゾールを反応させることによる、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を直接に合成する方法。
【請求項３４】
イミダゾールをアンモニアの存在下でアルカリ土類金属と反応させることによる、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を合成する方法。
【請求項３５】
イミダゾールをアンモニアを含むアミンの存在下でアルカリ土類金属と反応させることによる、請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を合成する方法。
【請求項３６】
ストロンチウムイミダゾレートと揮発性チタン源との混合物を含む、請求項１１に記載のイミダゾレート。
【請求項３７】
前記揮発性チタン源がイミダゾレート系チタン前駆体である、請求項３６に記載のイミダゾレート。
【請求項３８】
請求項３６に記載の混合物を用いてＳＴＯ及びＢＳＴからなる群より選択される誘電体膜を成長させて、ダイナミック・ランダム・アクセス・メモリ（ＤＲＡＭ）のメモリ・セル及び高温測定デバイスからなる群より選択されるマイクロ電子デバイスを形成する方法。
【請求項３９】
請求項１３に記載のイミダゾレート構造体を用いて、不揮発性強誘電体マイクロ電子メモリ・デバイス、電子発光ディスプレイのためのディスプレイ蛍光体、高Ｔｃ超伝導デバイスからなる群より選択されるマイクロ電子デバイスを製造する方法。
【請求項４０】
エーテル、アミノエーテル、アミド、エステル、芳香族又は炭化水素の溶剤からなる群より選択される溶剤中に溶解されたチタン源とともに請求項１３に記載のバリウム又はストロンチウムイミダゾレート構造体を提供する工程、及び得られた溶液をＤＬＩシステムによって供給して該得られた溶液の蒸気流を提供し、ＡＬＤ又はＣＶＤによって金属酸化物膜又は金属窒化物膜を成長させる工程を含む、ＡＬＤ又はＣＶＤによって金属酸化物膜又は金属窒化物膜を成長させる方法。
【請求項４１】
ステンレス鋼容器内の請求項１３に記載のイミダゾレート構造体。
【請求項４２】
Ｒ1、Ｒ2及びＲ3のうち少なくとも２つが三次構造を有する、請求項１に記載のイミダゾール。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２１】
【図２２】
【図２０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２１】
【図２２】
【図２０】
【公開番号】特開２０１２−６２３０３（Ｐ２０１２−６２３０３Ａ）
【公開日】平成２４年３月２９日（２０１２．３．２９）
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願２０１１−２４０８７（Ｐ２０１１−２４０８７）
【出願日】平成２３年２月７日（２０１１．２．７）
【出願人】（５９１０３５３６８）エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド (452)
【氏名又は名称原語表記】ＡＩＲ ＰＲＯＤＵＣＴＳ ＡＮＤ ＣＨＥＭＩＣＡＬＳ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】７２０１ Ｈａｍｉｌｔｏｎ Ｂｏｕｌｅｖａｒｄ， Ａｌｌｅｎｔｏｗｎ， Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ １８１９５−１５０１， ＵＳＡ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年３月２９日（２０１２．３．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４０８７（Ｐ２０１１−２４０８７）
【出願日】平成２３年２月７日（２０１１．２．７）
【出願人】（５９１０３５３６８）エア プロダクツ アンド ケミカルズ インコーポレイテッド (452)
【氏名又は名称原語表記】ＡＩＲ ＰＲＯＤＵＣＴＳ ＡＮＤ ＣＨＥＭＩＣＡＬＳ ＩＮＣＯＲＰＯＲＡＴＥＤ
【住所又は居所原語表記】７２０１ Ｈａｍｉｌｔｏｎ Ｂｏｕｌｅｖａｒｄ， Ａｌｌｅｎｔｏｗｎ， Ｐｅｎｎｓｙｌｖａｎｉａ １８１９５−１５０１， ＵＳＡ
【Ｆターム（参考）】
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