摩擦接触面へのセグメント構造の無機質膜形成方法
【課題】摩擦接触面に、形状や高さが均一でエッジ部分が丸みを帯びたセグメントで構成される無機質膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】成膜面にマスク形成用の金属層４０を形成するステップと、金属層４０にエッチングを施して、セグメントを区画する溝位置に金属層４０の突起部を形成するステップと、突起部４０を形成した成膜面が露出するように陰極を構成する基板ホルダ上に載置し、プラズマＣＶＤ法を用いて突起部４０の間の成膜面に、突起部４０に対向するエッジ部分が丸みを帯びたセグメント７から成る無機質膜を成膜するステップと、突起部４０を除去するステップとを備える。セグメントのエッジ部分が丸みを帯びているため、予圧された接触部材と接触したときの接触圧力がセグメント全体で均一化し、エッジ部分の破損が生じない。
【解決手段】成膜面にマスク形成用の金属層４０を形成するステップと、金属層４０にエッチングを施して、セグメントを区画する溝位置に金属層４０の突起部を形成するステップと、突起部４０を形成した成膜面が露出するように陰極を構成する基板ホルダ上に載置し、プラズマＣＶＤ法を用いて突起部４０の間の成膜面に、突起部４０に対向するエッジ部分が丸みを帯びたセグメント７から成る無機質膜を成膜するステップと、突起部４０を除去するステップとを備える。セグメントのエッジ部分が丸みを帯びているため、予圧された接触部材と接触したときの接触圧力がセグメント全体で均一化し、エッジ部分の破損が生じない。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、摩擦接触する面にダイヤモンド状炭素（ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅ ｃａｒｂｏｎ：ＤＬＣ）などの無機質膜をセグメント形状に形成する方法に関し、摩擦接触面の耐摩耗性の向上を図るものである。
【背景技術】
【０００２】
超音波モータは、超音波で励振したステータにスライダを接触させて、スライダを駆動する摩擦駆動型のモータであり、カメラのＡＦ駆動用モータ等に広く利用されている。
図７は、超音波モータの一種である弾性表面波リニアモータの構成を模式的に示している。このモータでは、圧電体からなる基板１０がステータを構成しており、基板１０上の交差指電極１１に高周波電圧が印加されると、基板１０上に弾性表面波１２が励振され、基板１０表面が楕円軌道に沿って振動する。この基板１０上にスライダ２０を接触させると、振動の水平成分が摩擦力を介してスライダ２０に伝わり、スライダ２０は、弾性表面波１２の進行方向と逆向きの駆動力２２を得る。
スライダ２０が受ける摩擦力（駆動力）をより大きくするため、スライダ２０には予圧２１が付加され、また、図８に示すように、スライダ２０に、基板１０との接触面に直径１０μｍ程度の多数の突起２３が形成されたシリコン製のスライダが使われる。
【０００３】
しかし、摩擦駆動型の超音波モータでは、ステータとスライダとの摩擦接触面（摩擦駆動面）における摩耗がモータの寿命を短くすると言う問題がある。
この摩耗を減らすために、耐摩耗性材料のＤＬＣ膜の使用が検討されている。ＤＬＣ膜は、アモルファス炭素膜の中でも高硬度を有し、低摩擦係数・耐摩耗性など優れたトライボロジー特性を備えており、機械部品の保護膜として需要が拡大している。
しかし、図９（ａ）に示すように、基材に被着した単一のＤＬＣ膜は、基材が変形すると、クラックが生じ、剥離し易いため、図９（ｂ）に示すように、碁盤の目のように縦横の溝で複数のセグメントに細分化された構造のＤＬＣ膜（この構造の膜を“セグメント構造ＤＬＣ（ｓｅｇｍｅｎｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ ＤＬＣ：Ｓ−ＤＬＣ）膜”と言う。）を形成する必要がある。
【０００４】
下記特許文献１には、図１０に示すように、タングステン線の金網を“メッシュマスク”に用いて超音波モータのステータやスライダにＳ−ＤＬＣ膜を形成する方法が開示されている。この方法では、タングステン線の金網をメッシュ電極（陰極）３０とし、この金網の上にステータ（またはスライダ）１２２の成膜面を下向きにして搭載し、支持部３１ａ、３１ｂ、３１ｃを用いてプラズマＣＶＤ装置の内部に陽極と対向するように配置してプラズマＣＶＤを実行し、ステータやスライダの摩擦駆動面にＳ−ＤＬＣ膜を形成する。
【０００５】
図１１（ａ）は、非接触粗さ測定器を用いて測定した、この方法で形成したＳ−ＤＬＣ膜の形状を示し、図１１（ｂ）は、その断面形状を示している。
図１２に誇張して示すように、このＳ−ＤＬＣ膜のセグメントに相当する突起７０は、高さや形状が不均一であり、そのため、スライダ２０とステータ１０との接触面積が減少し、スライダ２０に作用する摩擦力（駆動力）が低下するという問題がある。
この突起の形状及び高さが不均一になる原因は、ステータ１０とメッシュマスク３０とを密着させる際にマスクのワイヤーが撓み、マスクの位置によりステータとワイヤーとの距離に差が生じるためと考えられる。
【０００６】
そこで、本発明の発明者等は、メッシュマスクを用いずに、フォトリソグラフィプロセスでＳ−ＤＬＣ膜を形成する方法を開発した。
この方法では、図１３に示すように、まず、圧電体（ＬｉＮｂＯ3）基板１０の上に、ＤＬＣとの密着性を高めるＣｒ層を中間層１３として蒸着し、さらに、交差指電極を形成するためのＡｌ層１４を形成し、その上にフォトレジスト層１５を形成する（図１３（ａ））。次に、露光・現像してフォトレジスト１５の不要部分を除去し、フォトレジストで覆われていないＡｌ層１４及びＣｒ層１３をエッチングで除去する（図１３（ｂ））。次に、フォトレジストを有機溶剤で除去し、Ｓ−ＤＬＣ膜を形成する成膜面のＡｌ層をエッチングで除去し、中間層１３だけを残す（図１３（ｃ））。次に、成膜面にＤＬＣ膜を成膜する（図１３（ｄ））。この成膜で中間層１３の上に載るＤＬＣ膜７１がセグメントを構成するＳ−ＤＬＣ膜が得られる。
【０００７】
この方法で形成したＳ−ＤＬＣ膜を、以下、“Ｓ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜”と表記する。
図１４（ａ）は、非接触粗さ測定器を用いて測定したＳ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜の形状を示し、図１４（ｂ）は、その断面形状を示している。図１４から明らかなように、Ｓ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜のセグメントに相当する突起の高さ及び形状は均一である。
【０００８】
また、下記特許文献２には、一般の基材上にフォトリソグラフィプロセスを用いてＳ−ＤＬＣ膜を含むセグメント構造の無機質膜を精度良く形成する方法が開示されている。
この方法では、図１５に示すように、基材２上にフォトレジスト層５を形成し（図１５（ａ））、露光・現像して、セグメントに相当する領域のフォトレジストを除去し、セグメントを区画する溝に相当する位置の基材２上にフォトレジストの突起部６を形成する（図１５（ｂ））。次に、プラズマＣＶＤ法等の方法で基材２上にＤＬＣ膜７を形成する。このとき、ＤＬＣ膜７は、露出している基材２の上面並びに突起部６の頂面及び側面に成膜する（図１５（ｃ））。次に、この基材２を市販のレジスト剥離液や有機溶剤などに浸漬し、レジストの突起部６を除去する。レジストは、これらの液で膨潤、破壊あるいは溶解されて除去される。突起部６の跡には溝４が形成されている（図１５（ｄ））。
【０００９】
図１６は、こうして形成された基材２上のＳ−ＤＬＣ膜を示しており、セグメント３の周囲を溝４が囲んでいる。また、図１７は、溝４の断面を示している。レジストの突起部６を除去するとき、突起部６の側面に成膜したＤＬＣ膜が基材２上に成膜したＤＬＣ膜との境界で分離されるため、セグメント３の側面が、傾斜角αを持つようになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−２３６０９４号公報
【特許文献２】特開２０１０−７１１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、図１９（ａ）に示すように、Ｓ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜のセグメントを構成する突起７１は、図１２のＳ−ＤＬＣ膜の突起７０に比べて、形状や高さが均一であり、スライダ２０とステータ１０との間に安定した接触面積を確保できるが、突起７１先端の角部は、突起７０のように丸みを帯びていない。これは、図１１と図１４とを比較すれば明らかである。
【００１２】
このように、摩擦接触面に形成した無機質膜のセグメントのエッジ部分が角張っている場合は、図１８に示すように、セグメント８０の面に接触する接触部材９０に高い接触予圧が加わると（ｂ）、セグメント８０の端部が大きく弾性変形し、セグメント８０の端部に応力が集中して接触圧力が高くなり（ｃ）、セグメント８０端部の破損などの原因になる。
【００１３】
また、超音波モータでは、Ｓ−ＤＬＣ膜の突起のエッジ部分が丸みを帯びていないと、図１９（ｂ）に示すように（丸で囲んだ箇所）、突起７１のエッジ側面にスライダ２０の端部が接触し、駆動方向と逆向きの力がスライダ２０に作用するため、超音波モータの駆動特性が低下する原因になる。
また、図１７に記載されているように、セグメント３の側面が傾斜し、セグメント３が台形状の断面を有している場合でも、スライダは、その端部がセグメント３のエッジ部分に接触し、駆動方向と逆向きの力を受けるため、超音波モータの駆動特性の低下は避けられない。
【００１４】
本発明は、こうした事情を考慮して創案したものであり、摩擦接触面に、形状や高さが均一で、エッジ部分が丸みを帯びたセグメントで構成されるセグメント構造の無機質膜を形成する方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、摩擦接触面の成膜面に、セグメントのエッジ部分が丸みを帯びたセグメント構造の無機質膜を形成する方法であって、成膜面に、導電性金属から成るマスク形成用の金属層を形成する金属層形成ステップと、金属層にエッチングを施して、セグメントを区画する溝となる位置に金属層の突起部を形成するマスク形成ステップと、金属層の突起部を形成した成膜面が露出するように、電極を構成する基板ホルダ上に載置し、物理気相成長法または化学気相成長法を用いて、突起部の間の成膜面に、突起部に対向するエッジ部分が所定形状の丸みを帯びる厚さの無機質の膜を成膜する成膜ステップと、金属層の突起部を除去するマスク除去ステップと、を備えることを特徴とする。
マスク用突起部が形成された面に物理気相成長法または化学気相成長法で無機質膜を被着するとき、突起部に近い箇所では入射プラズマの立体角が小さくなるため、突起部に近い箇所に到達する炭素イオンの量は、突起部から離れた箇所に到達する炭素イオンの量よりも少なくなる。その結果、形成されたセグメントのエッジ部は丸みを帯びる。この丸みの曲率は、被着した無機質膜の厚さによって変わってくる。
【００１６】
また、本発明の無機質膜形成方法では、無機質膜がＤＬＣ膜でも良い。
この形成方法で、形状・高さが均一で、エッジ部分が丸みを帯びたセグメントから成るＳ−ＤＬＣ膜が得られる。
【００１７】
また、本発明の無機質膜形成方法では、成膜ステップで、プラズマＣＶＤ法を用いて無機質の膜を成膜することが望ましい。
金属層から成るマスク用突起部は、プラズマＣＶＤ法を実施する際に補助電極の役割を果たし、プラズマの安定化に寄与する。
【００１８】
また、本発明の無機質膜形成方法では、金属層の厚さを変え、突起部の高さを変えて、突起部に対向するエッジ部分の丸みの曲率を変えることができる。
金属マスクの突起部で囲まれた穴に進入したイオンは、近傍に金属層（電極）が存在すると、金属層の方に引っ張られるため、金属層近傍でのイオン入射の有効な立体角が狭くなり、金属層に近づくほど生成される膜が薄くなる。この「イオン入射の有効な立体角」は、突起部の高さが高くなる程、狭くなるため、突起部の高さ（金属層の厚さ）を大きくすることで、セグメントのエッジ部分の丸みの曲率が増大する。
【００１９】
また、本発明の無機質膜形成方法では、マスク形成用の金属層としてＣｕまたはＡｌを用いることができる。
【００２０】
また、本発明の無機質膜形成方法では、金属層形成ステップに先立ち、成膜面に、無機質膜との密着性が高い中間層を形成することが望ましい。
中間層が介在すると、形成された無機質膜のセグメントが成膜面に強固に付着する。
【００２１】
また、本発明の無機質膜形成方法では、Ｓ−ＤＬＣ膜を形成する場合、中間層としてＣｒ層を形成することが望ましい。
Ｃｒ層は、ＤＬＣ膜の付着力を向上させる。
【００２２】
また、本発明の無機質膜形成方法は、超音波モータの固定子または移動子の摩擦駆動面にＳ−ＤＬＣ膜を形成する方法として適している。
このＳ−ＤＬＣ膜は、超音波モータの駆動力を損なわずに、超音波モータの耐摩耗性を高めることができ、超音波モータの長寿命化が可能になる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の形成方法により、摩擦接触面に、形状・高さが均一で、エッジ部分が丸みを帯びたセグメントから成るセグメント構造の無機質膜を形成することができる。この無機質膜は、セグメントの端部に応力が集中しないため、セグメントの端部が破損し難く、強い耐久性を有している。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明のＳ−ＤＬＣ膜の形成工程を示す図
【図２】図１（ｄ）のＤＬＣ膜形成の環境を示す図
【図３】図１の方法で形成されたＳ−ＤＬＣ膜のセグメントの形状及び断面図を示す図
【図４】図１の方法で形成されたセグメントのエッジ部分が丸みを帯びる理由を説明する図
【図５】摩耗実験の実験結果を示す図
【図６】エッジ部分が丸みを帯びたセグメントと接触部材との接触状態を示す図
【図７】弾性表面波リニアモータの構成を示す図
【図８】スライダの摩擦駆動面を示す図
【図９】Ｓ−ＤＬＣ膜の説明図
【図１０】従来のＳ−ＤＬＣ膜の形成方法を示す図
【図１１】図１０の方法で形成されたＳ−ＤＬＣ膜のセグメントの形状及び断面図を示す図
【図１２】図１０の方法で形成されたＳ−ＤＬＣ膜のセグメントとスライダとの接触状態を示す図
【図１３】従来のＳ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜の形成方法を示す図
【図１４】図１３の方法で形成されたＳ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜のセグメントの形状及び断面図を示す図
【図１５】従来のフォトリソグラフィプロセスを用いたＳ−ＤＬＣ膜の形成方法を示す図
【図１６】図１５の方法で形成されたＳ−ＤＬＣ膜を示す図
【図１７】図１５の方法で形成されたＳ−ＤＬＣ膜の溝の断面図
【図１８】エッジ部分が角張ったセグメントと接触部材との接触状態を示す図
【図１９】図１３の方法で形成されたＳ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜のセグメントとスライダとの接触状態を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１は、本発明の無機質膜形成方法を用いて、超音波モータのステータの圧電体（ＬｉＮｂＯ3）基板にＳ−ＤＬＣ膜を形成する手順について示している。
まず、基板１０上に、ＤＬＣ膜との密着性が高いクロム（Ｃｒ）層から成る中間層１３を蒸着等で形成し、その上に銅（Ｃｕ）層から成るマスク形成用金属層４０を蒸着等で形成した。ここでは、中間層１３の膜厚を約０．１μｍ、マスク形成用金属層４０の膜厚を約４μｍに設定している。マスク形成用金属層４０の上には、フォトレジスト層１５をスピンコートで形成した（図１（ａ））。
【００２６】
次に、露光・現像して、セグメント間の溝に相当する部分のフォトレジスト１５を残し、セグメントに相当する領域のフォトレジスト１５を除去した。そして、フォトレジスト１５が除かれて露出した金属層４０のＣｕ層部分をエッチングで除去した（図１（ｂ））。
残存する金属層４０の上のフォトレジスト１５を除去すると、メッシュ状の金属層（突起部）４０から成るマスクが形成されている（図１（ｃ））。
【００２７】
次に、プラズマＣＶＤ法により、炭化水素ガスをプラズマ放電でイオン化し、炭素イオンを電界で加速して、陰極を兼ねる基板ホルダ上に載置された基板１０の成膜面、即ち、マスク金属層（突起部）４０が形成された面、に衝突させ、約０．４μｍのＤＬＣ膜７を形成した（図１（ｄ））。
このＤＬＣ膜７の詳しい形成条件は、図２に示している。
なお、マスク金属層４０は、プラズマＣＶＤの際に補助電極の役割を果たし、プラズマの安定化に寄与している。
【００２８】
次に、第二塩化鉄水溶液によるウェットエッチングでメッシュ状の金属層４０と、金属層に付着するＤＬＣ膜７とを除去し、エッジ部分が丸みを帯びたセグメント７から成るＳ−ＤＬＣ膜を得た（図１（ｅ））。
図３（ａ）は、非接触粗さ測定器を用いて測定した、この方法で形成したＳ−ＤＬＣ膜の形状を示し、図３（ｂ）は、その断面形状を示している。
【００２９】
この方法では、フォトリソグラフィプロセスにより、基板１０上に（中間層１３を介して）密着する金属層４０のマスクを形成し、このマスクを用いてＳ−ＤＬＣ膜を形成しているため、図３から明らかなように、Ｓ−ＤＬＣ膜の各セグメントの形状及び高さは均一である。
【００３０】
また、図４（ａ）に示すように、金属層の突起部４０で囲まれたセグメントの形成領域では、領域の中央部分の入射プラズマの立体角α1に比べて、突起部４０に隣接する位置での入射プラズマの立体角α2が小さい。しかも、セグメントの形成領域面に入射するプラズマの入射角度が直角から外れる程、プラズマの入射量が減る傾向にあるから、この形成領域に到達する炭素イオンの量は、突起部４０の隣接位置で急激に減少する。
【００３１】
また、金属層の突起部４０で囲まれたセグメントの形成領域に進入したイオンは、近傍に金属層（電極）４０が存在すると、金属層４０の方に引っ張られるため、金属層近傍での入射プラズマの有効な立体角は、図４（ａ）に示す立体角α2よりも狭くなり、金属層４０に近づくほど生成される膜が薄くなる。この「入射プラズマの有効な立体角」は、突起部４０の高さが高くなる程、狭くなる。
【００３２】
そのため、図４（ｂ）に示すように、セグメント８１のエッジ部分は、丸みを帯び、この丸みは、セグメント８２、８３の厚みが増すごとに顕著になる。
このエッジ部分の丸みは、図４（ｃ）に拡大して示すように、突起部４０や突起部４０に付着したＤＬＣ膜８４を除去した後も、セグメント８３に残る。
また、イオンが金属層（電極）に引っ張られることで生じる「入射プラズマの有効な立体角」は、突起部４０の高さが高くなる程、狭くなるため、突起部の高さ（金属層の厚さ）を制御して、セグメントのエッジ部分の丸みの曲率を変えることができる。
【００３３】
図５は、セグメント構造ＤＬＣ膜の摩耗状態を調べる実験の結果について示している。
この実験では、摩擦駆動を模擬するため、摩擦駆動面にセグメント構造ＤＬＣ膜を形成したステータに、シリコンウエハから切り出したスライダを強制的に擦り合わせて、セグメント構造ＤＬＣ膜の変化の様子を観察した。スライダへの予圧を一定（１０Ｎ）に設定し、スライダを２００回直線運動させた後のセグメント構造ＤＬＣ膜の状態を観察している。
図５（ａ）は、図１の方法で得たＳ−ＤＬＣ膜の実験後の状態（汚れをクリーニングした後の状態）を示し、図５（ｂ）は、Ｓ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜の実験後の状態（汚れをクリーニングした後の状態）を示している。
図５から明らかなように、図１の方法で形成したＳ−ＤＬＣ膜は、Ｓ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜に比べて、傷及び摩耗量が共に少ない。
【００３４】
また、図６は、セグメント８３のエッジ部分に丸みを帯びたＳ−ＤＬＣ膜が形成された摩擦接触面と接触部材９０とが接触する状態を示している（ａ）。この場合、接触部材９０を高い接触予圧で摩擦接触面に接触させても（ｂ）、セグメント８３の端部の弾性変形が抑えられ、セグメント全体で接触圧力が均一になる（ｃ）。そのため、セグメント８３の破損が回避できる。
【００３５】
このように、本発明の無機質膜の形成方法は、形状及び高さが均一で、エッジ部分に丸みを帯びたセグメントから成るＳ−ＤＬＣ膜などの無機質膜を形成することができる。この方法で形成したＳ−ＤＬＣ膜のセグメントは、Ｓ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜のセグメントに比べて、スライダの駆動を妨げないため、超音波モータの駆動力は損なわれず、また、摩耗による損傷も少ない。
【００３６】
なお、ここでは、超音波モータのステータやスライダの摩擦駆動面にＳ−ＤＬＣ膜を形成する例を示したが、本発明は、摩擦接触面を有する無段変速機などにＳ−ＤＬＣ膜を形成する場合にも適用でき、また、各種の摩擦接触面に形成するＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの無機質膜をセグメント構造に成形する場合にも適用できる。
【００３７】
また、ここでは、マスク形成用金属層の素材にＣｕを使用したが、アルミニウム（Ａｌ）を使用しても良い。
また、ここでは、ＤＬＣ膜の密着性を高める中間層としてＣｒ層を用いたが、ＴｉやＳｉ等を用いても良い。また、中間層を設けなくても良い。
また、ここでは、プラズマＣＶＤ法を用いてＤＬＣ膜を成膜したが、無機質膜の成膜には、その他の物理気相成長法や化学気相成長法を用いても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明の無機質膜形成方法は、摩擦接触面に耐久性の強いセグメント構造の無機質膜を形成することができ、超音波モータや無段変速機など、摩擦接触面を有する多くの製品に広く利用することができる。
【符号の説明】
【００３９】
２ 基材
３ セグメント
４ 溝
５ フォトレジスト
６ フォトレジストの突起部
７ ＤＬＣ膜
１０ 圧電体基板（ステータ）
１１ 交差指電極
１２ 弾性表面波
１３ 中間層
１４ Ａｌ層
１５ フォトレジスト
２０ スライダ
２１ 予圧
２２ 駆動力
２３ 突起
３０ メッシュ電極
３１ａ 支持部
３１ｂ 支持部
３１ｃ 支持部
４０ マスク形成用金属層
７０ 突起
７１ ＤＬＣ膜の突起
８１ セグメント
８２ セグメント
８３ セグメント
８４ 突起部に付着したＤＬＣ膜
９０ 接触部材
１２２ ステータ（またはスライダ）
【技術分野】
【０００１】
本発明は、摩擦接触する面にダイヤモンド状炭素（ｄｉａｍｏｎｄ−ｌｉｋｅ ｃａｒｂｏｎ：ＤＬＣ）などの無機質膜をセグメント形状に形成する方法に関し、摩擦接触面の耐摩耗性の向上を図るものである。
【背景技術】
【０００２】
超音波モータは、超音波で励振したステータにスライダを接触させて、スライダを駆動する摩擦駆動型のモータであり、カメラのＡＦ駆動用モータ等に広く利用されている。
図７は、超音波モータの一種である弾性表面波リニアモータの構成を模式的に示している。このモータでは、圧電体からなる基板１０がステータを構成しており、基板１０上の交差指電極１１に高周波電圧が印加されると、基板１０上に弾性表面波１２が励振され、基板１０表面が楕円軌道に沿って振動する。この基板１０上にスライダ２０を接触させると、振動の水平成分が摩擦力を介してスライダ２０に伝わり、スライダ２０は、弾性表面波１２の進行方向と逆向きの駆動力２２を得る。
スライダ２０が受ける摩擦力（駆動力）をより大きくするため、スライダ２０には予圧２１が付加され、また、図８に示すように、スライダ２０に、基板１０との接触面に直径１０μｍ程度の多数の突起２３が形成されたシリコン製のスライダが使われる。
【０００３】
しかし、摩擦駆動型の超音波モータでは、ステータとスライダとの摩擦接触面（摩擦駆動面）における摩耗がモータの寿命を短くすると言う問題がある。
この摩耗を減らすために、耐摩耗性材料のＤＬＣ膜の使用が検討されている。ＤＬＣ膜は、アモルファス炭素膜の中でも高硬度を有し、低摩擦係数・耐摩耗性など優れたトライボロジー特性を備えており、機械部品の保護膜として需要が拡大している。
しかし、図９（ａ）に示すように、基材に被着した単一のＤＬＣ膜は、基材が変形すると、クラックが生じ、剥離し易いため、図９（ｂ）に示すように、碁盤の目のように縦横の溝で複数のセグメントに細分化された構造のＤＬＣ膜（この構造の膜を“セグメント構造ＤＬＣ（ｓｅｇｍｅｎｔ ｓｔｒｕｃｔｕｒｅｄ ＤＬＣ：Ｓ−ＤＬＣ）膜”と言う。）を形成する必要がある。
【０００４】
下記特許文献１には、図１０に示すように、タングステン線の金網を“メッシュマスク”に用いて超音波モータのステータやスライダにＳ−ＤＬＣ膜を形成する方法が開示されている。この方法では、タングステン線の金網をメッシュ電極（陰極）３０とし、この金網の上にステータ（またはスライダ）１２２の成膜面を下向きにして搭載し、支持部３１ａ、３１ｂ、３１ｃを用いてプラズマＣＶＤ装置の内部に陽極と対向するように配置してプラズマＣＶＤを実行し、ステータやスライダの摩擦駆動面にＳ−ＤＬＣ膜を形成する。
【０００５】
図１１（ａ）は、非接触粗さ測定器を用いて測定した、この方法で形成したＳ−ＤＬＣ膜の形状を示し、図１１（ｂ）は、その断面形状を示している。
図１２に誇張して示すように、このＳ−ＤＬＣ膜のセグメントに相当する突起７０は、高さや形状が不均一であり、そのため、スライダ２０とステータ１０との接触面積が減少し、スライダ２０に作用する摩擦力（駆動力）が低下するという問題がある。
この突起の形状及び高さが不均一になる原因は、ステータ１０とメッシュマスク３０とを密着させる際にマスクのワイヤーが撓み、マスクの位置によりステータとワイヤーとの距離に差が生じるためと考えられる。
【０００６】
そこで、本発明の発明者等は、メッシュマスクを用いずに、フォトリソグラフィプロセスでＳ−ＤＬＣ膜を形成する方法を開発した。
この方法では、図１３に示すように、まず、圧電体（ＬｉＮｂＯ3）基板１０の上に、ＤＬＣとの密着性を高めるＣｒ層を中間層１３として蒸着し、さらに、交差指電極を形成するためのＡｌ層１４を形成し、その上にフォトレジスト層１５を形成する（図１３（ａ））。次に、露光・現像してフォトレジスト１５の不要部分を除去し、フォトレジストで覆われていないＡｌ層１４及びＣｒ層１３をエッチングで除去する（図１３（ｂ））。次に、フォトレジストを有機溶剤で除去し、Ｓ−ＤＬＣ膜を形成する成膜面のＡｌ層をエッチングで除去し、中間層１３だけを残す（図１３（ｃ））。次に、成膜面にＤＬＣ膜を成膜する（図１３（ｄ））。この成膜で中間層１３の上に載るＤＬＣ膜７１がセグメントを構成するＳ−ＤＬＣ膜が得られる。
【０００７】
この方法で形成したＳ−ＤＬＣ膜を、以下、“Ｓ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜”と表記する。
図１４（ａ）は、非接触粗さ測定器を用いて測定したＳ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜の形状を示し、図１４（ｂ）は、その断面形状を示している。図１４から明らかなように、Ｓ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜のセグメントに相当する突起の高さ及び形状は均一である。
【０００８】
また、下記特許文献２には、一般の基材上にフォトリソグラフィプロセスを用いてＳ−ＤＬＣ膜を含むセグメント構造の無機質膜を精度良く形成する方法が開示されている。
この方法では、図１５に示すように、基材２上にフォトレジスト層５を形成し（図１５（ａ））、露光・現像して、セグメントに相当する領域のフォトレジストを除去し、セグメントを区画する溝に相当する位置の基材２上にフォトレジストの突起部６を形成する（図１５（ｂ））。次に、プラズマＣＶＤ法等の方法で基材２上にＤＬＣ膜７を形成する。このとき、ＤＬＣ膜７は、露出している基材２の上面並びに突起部６の頂面及び側面に成膜する（図１５（ｃ））。次に、この基材２を市販のレジスト剥離液や有機溶剤などに浸漬し、レジストの突起部６を除去する。レジストは、これらの液で膨潤、破壊あるいは溶解されて除去される。突起部６の跡には溝４が形成されている（図１５（ｄ））。
【０００９】
図１６は、こうして形成された基材２上のＳ−ＤＬＣ膜を示しており、セグメント３の周囲を溝４が囲んでいる。また、図１７は、溝４の断面を示している。レジストの突起部６を除去するとき、突起部６の側面に成膜したＤＬＣ膜が基材２上に成膜したＤＬＣ膜との境界で分離されるため、セグメント３の側面が、傾斜角αを持つようになる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１０】
【特許文献１】特開２００７−２３６０９４号公報
【特許文献２】特開２０１０−７１１２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１１】
しかし、図１９（ａ）に示すように、Ｓ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜のセグメントを構成する突起７１は、図１２のＳ−ＤＬＣ膜の突起７０に比べて、形状や高さが均一であり、スライダ２０とステータ１０との間に安定した接触面積を確保できるが、突起７１先端の角部は、突起７０のように丸みを帯びていない。これは、図１１と図１４とを比較すれば明らかである。
【００１２】
このように、摩擦接触面に形成した無機質膜のセグメントのエッジ部分が角張っている場合は、図１８に示すように、セグメント８０の面に接触する接触部材９０に高い接触予圧が加わると（ｂ）、セグメント８０の端部が大きく弾性変形し、セグメント８０の端部に応力が集中して接触圧力が高くなり（ｃ）、セグメント８０端部の破損などの原因になる。
【００１３】
また、超音波モータでは、Ｓ−ＤＬＣ膜の突起のエッジ部分が丸みを帯びていないと、図１９（ｂ）に示すように（丸で囲んだ箇所）、突起７１のエッジ側面にスライダ２０の端部が接触し、駆動方向と逆向きの力がスライダ２０に作用するため、超音波モータの駆動特性が低下する原因になる。
また、図１７に記載されているように、セグメント３の側面が傾斜し、セグメント３が台形状の断面を有している場合でも、スライダは、その端部がセグメント３のエッジ部分に接触し、駆動方向と逆向きの力を受けるため、超音波モータの駆動特性の低下は避けられない。
【００１４】
本発明は、こうした事情を考慮して創案したものであり、摩擦接触面に、形状や高さが均一で、エッジ部分が丸みを帯びたセグメントで構成されるセグメント構造の無機質膜を形成する方法を提供することを目的としている。
【課題を解決するための手段】
【００１５】
本発明は、摩擦接触面の成膜面に、セグメントのエッジ部分が丸みを帯びたセグメント構造の無機質膜を形成する方法であって、成膜面に、導電性金属から成るマスク形成用の金属層を形成する金属層形成ステップと、金属層にエッチングを施して、セグメントを区画する溝となる位置に金属層の突起部を形成するマスク形成ステップと、金属層の突起部を形成した成膜面が露出するように、電極を構成する基板ホルダ上に載置し、物理気相成長法または化学気相成長法を用いて、突起部の間の成膜面に、突起部に対向するエッジ部分が所定形状の丸みを帯びる厚さの無機質の膜を成膜する成膜ステップと、金属層の突起部を除去するマスク除去ステップと、を備えることを特徴とする。
マスク用突起部が形成された面に物理気相成長法または化学気相成長法で無機質膜を被着するとき、突起部に近い箇所では入射プラズマの立体角が小さくなるため、突起部に近い箇所に到達する炭素イオンの量は、突起部から離れた箇所に到達する炭素イオンの量よりも少なくなる。その結果、形成されたセグメントのエッジ部は丸みを帯びる。この丸みの曲率は、被着した無機質膜の厚さによって変わってくる。
【００１６】
また、本発明の無機質膜形成方法では、無機質膜がＤＬＣ膜でも良い。
この形成方法で、形状・高さが均一で、エッジ部分が丸みを帯びたセグメントから成るＳ−ＤＬＣ膜が得られる。
【００１７】
また、本発明の無機質膜形成方法では、成膜ステップで、プラズマＣＶＤ法を用いて無機質の膜を成膜することが望ましい。
金属層から成るマスク用突起部は、プラズマＣＶＤ法を実施する際に補助電極の役割を果たし、プラズマの安定化に寄与する。
【００１８】
また、本発明の無機質膜形成方法では、金属層の厚さを変え、突起部の高さを変えて、突起部に対向するエッジ部分の丸みの曲率を変えることができる。
金属マスクの突起部で囲まれた穴に進入したイオンは、近傍に金属層（電極）が存在すると、金属層の方に引っ張られるため、金属層近傍でのイオン入射の有効な立体角が狭くなり、金属層に近づくほど生成される膜が薄くなる。この「イオン入射の有効な立体角」は、突起部の高さが高くなる程、狭くなるため、突起部の高さ（金属層の厚さ）を大きくすることで、セグメントのエッジ部分の丸みの曲率が増大する。
【００１９】
また、本発明の無機質膜形成方法では、マスク形成用の金属層としてＣｕまたはＡｌを用いることができる。
【００２０】
また、本発明の無機質膜形成方法では、金属層形成ステップに先立ち、成膜面に、無機質膜との密着性が高い中間層を形成することが望ましい。
中間層が介在すると、形成された無機質膜のセグメントが成膜面に強固に付着する。
【００２１】
また、本発明の無機質膜形成方法では、Ｓ−ＤＬＣ膜を形成する場合、中間層としてＣｒ層を形成することが望ましい。
Ｃｒ層は、ＤＬＣ膜の付着力を向上させる。
【００２２】
また、本発明の無機質膜形成方法は、超音波モータの固定子または移動子の摩擦駆動面にＳ−ＤＬＣ膜を形成する方法として適している。
このＳ−ＤＬＣ膜は、超音波モータの駆動力を損なわずに、超音波モータの耐摩耗性を高めることができ、超音波モータの長寿命化が可能になる。
【発明の効果】
【００２３】
本発明の形成方法により、摩擦接触面に、形状・高さが均一で、エッジ部分が丸みを帯びたセグメントから成るセグメント構造の無機質膜を形成することができる。この無機質膜は、セグメントの端部に応力が集中しないため、セグメントの端部が破損し難く、強い耐久性を有している。
【図面の簡単な説明】
【００２４】
【図１】本発明のＳ−ＤＬＣ膜の形成工程を示す図
【図２】図１（ｄ）のＤＬＣ膜形成の環境を示す図
【図３】図１の方法で形成されたＳ−ＤＬＣ膜のセグメントの形状及び断面図を示す図
【図４】図１の方法で形成されたセグメントのエッジ部分が丸みを帯びる理由を説明する図
【図５】摩耗実験の実験結果を示す図
【図６】エッジ部分が丸みを帯びたセグメントと接触部材との接触状態を示す図
【図７】弾性表面波リニアモータの構成を示す図
【図８】スライダの摩擦駆動面を示す図
【図９】Ｓ−ＤＬＣ膜の説明図
【図１０】従来のＳ−ＤＬＣ膜の形成方法を示す図
【図１１】図１０の方法で形成されたＳ−ＤＬＣ膜のセグメントの形状及び断面図を示す図
【図１２】図１０の方法で形成されたＳ−ＤＬＣ膜のセグメントとスライダとの接触状態を示す図
【図１３】従来のＳ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜の形成方法を示す図
【図１４】図１３の方法で形成されたＳ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜のセグメントの形状及び断面図を示す図
【図１５】従来のフォトリソグラフィプロセスを用いたＳ−ＤＬＣ膜の形成方法を示す図
【図１６】図１５の方法で形成されたＳ−ＤＬＣ膜を示す図
【図１７】図１５の方法で形成されたＳ−ＤＬＣ膜の溝の断面図
【図１８】エッジ部分が角張ったセグメントと接触部材との接触状態を示す図
【図１９】図１３の方法で形成されたＳ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜のセグメントとスライダとの接触状態を示す図
【発明を実施するための形態】
【００２５】
図１は、本発明の無機質膜形成方法を用いて、超音波モータのステータの圧電体（ＬｉＮｂＯ3）基板にＳ−ＤＬＣ膜を形成する手順について示している。
まず、基板１０上に、ＤＬＣ膜との密着性が高いクロム（Ｃｒ）層から成る中間層１３を蒸着等で形成し、その上に銅（Ｃｕ）層から成るマスク形成用金属層４０を蒸着等で形成した。ここでは、中間層１３の膜厚を約０．１μｍ、マスク形成用金属層４０の膜厚を約４μｍに設定している。マスク形成用金属層４０の上には、フォトレジスト層１５をスピンコートで形成した（図１（ａ））。
【００２６】
次に、露光・現像して、セグメント間の溝に相当する部分のフォトレジスト１５を残し、セグメントに相当する領域のフォトレジスト１５を除去した。そして、フォトレジスト１５が除かれて露出した金属層４０のＣｕ層部分をエッチングで除去した（図１（ｂ））。
残存する金属層４０の上のフォトレジスト１５を除去すると、メッシュ状の金属層（突起部）４０から成るマスクが形成されている（図１（ｃ））。
【００２７】
次に、プラズマＣＶＤ法により、炭化水素ガスをプラズマ放電でイオン化し、炭素イオンを電界で加速して、陰極を兼ねる基板ホルダ上に載置された基板１０の成膜面、即ち、マスク金属層（突起部）４０が形成された面、に衝突させ、約０．４μｍのＤＬＣ膜７を形成した（図１（ｄ））。
このＤＬＣ膜７の詳しい形成条件は、図２に示している。
なお、マスク金属層４０は、プラズマＣＶＤの際に補助電極の役割を果たし、プラズマの安定化に寄与している。
【００２８】
次に、第二塩化鉄水溶液によるウェットエッチングでメッシュ状の金属層４０と、金属層に付着するＤＬＣ膜７とを除去し、エッジ部分が丸みを帯びたセグメント７から成るＳ−ＤＬＣ膜を得た（図１（ｅ））。
図３（ａ）は、非接触粗さ測定器を用いて測定した、この方法で形成したＳ−ＤＬＣ膜の形状を示し、図３（ｂ）は、その断面形状を示している。
【００２９】
この方法では、フォトリソグラフィプロセスにより、基板１０上に（中間層１３を介して）密着する金属層４０のマスクを形成し、このマスクを用いてＳ−ＤＬＣ膜を形成しているため、図３から明らかなように、Ｓ−ＤＬＣ膜の各セグメントの形状及び高さは均一である。
【００３０】
また、図４（ａ）に示すように、金属層の突起部４０で囲まれたセグメントの形成領域では、領域の中央部分の入射プラズマの立体角α1に比べて、突起部４０に隣接する位置での入射プラズマの立体角α2が小さい。しかも、セグメントの形成領域面に入射するプラズマの入射角度が直角から外れる程、プラズマの入射量が減る傾向にあるから、この形成領域に到達する炭素イオンの量は、突起部４０の隣接位置で急激に減少する。
【００３１】
また、金属層の突起部４０で囲まれたセグメントの形成領域に進入したイオンは、近傍に金属層（電極）４０が存在すると、金属層４０の方に引っ張られるため、金属層近傍での入射プラズマの有効な立体角は、図４（ａ）に示す立体角α2よりも狭くなり、金属層４０に近づくほど生成される膜が薄くなる。この「入射プラズマの有効な立体角」は、突起部４０の高さが高くなる程、狭くなる。
【００３２】
そのため、図４（ｂ）に示すように、セグメント８１のエッジ部分は、丸みを帯び、この丸みは、セグメント８２、８３の厚みが増すごとに顕著になる。
このエッジ部分の丸みは、図４（ｃ）に拡大して示すように、突起部４０や突起部４０に付着したＤＬＣ膜８４を除去した後も、セグメント８３に残る。
また、イオンが金属層（電極）に引っ張られることで生じる「入射プラズマの有効な立体角」は、突起部４０の高さが高くなる程、狭くなるため、突起部の高さ（金属層の厚さ）を制御して、セグメントのエッジ部分の丸みの曲率を変えることができる。
【００３３】
図５は、セグメント構造ＤＬＣ膜の摩耗状態を調べる実験の結果について示している。
この実験では、摩擦駆動を模擬するため、摩擦駆動面にセグメント構造ＤＬＣ膜を形成したステータに、シリコンウエハから切り出したスライダを強制的に擦り合わせて、セグメント構造ＤＬＣ膜の変化の様子を観察した。スライダへの予圧を一定（１０Ｎ）に設定し、スライダを２００回直線運動させた後のセグメント構造ＤＬＣ膜の状態を観察している。
図５（ａ）は、図１の方法で得たＳ−ＤＬＣ膜の実験後の状態（汚れをクリーニングした後の状態）を示し、図５（ｂ）は、Ｓ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜の実験後の状態（汚れをクリーニングした後の状態）を示している。
図５から明らかなように、図１の方法で形成したＳ−ＤＬＣ膜は、Ｓ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜に比べて、傷及び摩耗量が共に少ない。
【００３４】
また、図６は、セグメント８３のエッジ部分に丸みを帯びたＳ−ＤＬＣ膜が形成された摩擦接触面と接触部材９０とが接触する状態を示している（ａ）。この場合、接触部材９０を高い接触予圧で摩擦接触面に接触させても（ｂ）、セグメント８３の端部の弾性変形が抑えられ、セグメント全体で接触圧力が均一になる（ｃ）。そのため、セグメント８３の破損が回避できる。
【００３５】
このように、本発明の無機質膜の形成方法は、形状及び高さが均一で、エッジ部分に丸みを帯びたセグメントから成るＳ−ＤＬＣ膜などの無機質膜を形成することができる。この方法で形成したＳ−ＤＬＣ膜のセグメントは、Ｓ−Ｃｒ／ＤＬＣ膜のセグメントに比べて、スライダの駆動を妨げないため、超音波モータの駆動力は損なわれず、また、摩耗による損傷も少ない。
【００３６】
なお、ここでは、超音波モータのステータやスライダの摩擦駆動面にＳ−ＤＬＣ膜を形成する例を示したが、本発明は、摩擦接触面を有する無段変速機などにＳ−ＤＬＣ膜を形成する場合にも適用でき、また、各種の摩擦接触面に形成するＳｉＯ2やＡｌ2Ｏ3などの無機質膜をセグメント構造に成形する場合にも適用できる。
【００３７】
また、ここでは、マスク形成用金属層の素材にＣｕを使用したが、アルミニウム（Ａｌ）を使用しても良い。
また、ここでは、ＤＬＣ膜の密着性を高める中間層としてＣｒ層を用いたが、ＴｉやＳｉ等を用いても良い。また、中間層を設けなくても良い。
また、ここでは、プラズマＣＶＤ法を用いてＤＬＣ膜を成膜したが、無機質膜の成膜には、その他の物理気相成長法や化学気相成長法を用いても良い。
【産業上の利用可能性】
【００３８】
本発明の無機質膜形成方法は、摩擦接触面に耐久性の強いセグメント構造の無機質膜を形成することができ、超音波モータや無段変速機など、摩擦接触面を有する多くの製品に広く利用することができる。
【符号の説明】
【００３９】
２ 基材
３ セグメント
４ 溝
５ フォトレジスト
６ フォトレジストの突起部
７ ＤＬＣ膜
１０ 圧電体基板（ステータ）
１１ 交差指電極
１２ 弾性表面波
１３ 中間層
１４ Ａｌ層
１５ フォトレジスト
２０ スライダ
２１ 予圧
２２ 駆動力
２３ 突起
３０ メッシュ電極
３１ａ 支持部
３１ｂ 支持部
３１ｃ 支持部
４０ マスク形成用金属層
７０ 突起
７１ ＤＬＣ膜の突起
８１ セグメント
８２ セグメント
８３ セグメント
８４ 突起部に付着したＤＬＣ膜
９０ 接触部材
１２２ ステータ（またはスライダ）
【特許請求の範囲】
【請求項１】
摩擦接触面の成膜面に、セグメントのエッジ部分が丸みを帯びたセグメント構造の無機質膜を形成する方法であって、
前記成膜面に、導電性金属から成るマスク形成用の金属層を形成する金属層形成ステップと、
前記金属層にエッチングを施して、前記セグメントを区画する溝となる位置に前記金属層の突起部を形成するマスク形成ステップと、
前記金属層の突起部を形成した前記成膜面が露出するように、電極を構成する基板ホルダ上に載置し、物理気相成長法または化学気相成長法を用いて、前記突起部の間の成膜面に、前記突起部に対向するエッジ部分が所定形状の丸みを帯びる厚さの無機質の膜を成膜する成膜ステップと、
前記金属層の突起部を除去するマスク除去ステップと、
を備えることを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の無機質膜形成方法であって、前記無機質膜がＤＬＣ膜であることを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の無機質膜形成方法であって、前記成膜ステップで、プラズマＣＶＤ法を用いて前記無機質の膜を成膜することを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の無機質膜形成方法であって、前記金属層の厚さを変え、前記突起部の高さを変えて、前記突起部に対向するエッジ部分の丸みの曲率を変えることを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の無機質膜形成方法であって、前記金属層としてＣｕまたはＡｌを用いることを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の無機質膜形成方法であって、前記金属層形成ステップに先立ち、前記成膜面に、無機質膜との密着性が高い中間層を形成することを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項７】
請求項６に記載の無機質膜形成方法であって、前記無機質膜がＤＬＣ膜である場合に、前記中間層としてＣｒ層を形成することを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項８】
請求項２に記載の無機質膜形成方法であって、ＤＬＣ膜が形成される前記摩擦接触面が超音波モータの固定子または移動子の摩擦駆動面であることを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項１】
摩擦接触面の成膜面に、セグメントのエッジ部分が丸みを帯びたセグメント構造の無機質膜を形成する方法であって、
前記成膜面に、導電性金属から成るマスク形成用の金属層を形成する金属層形成ステップと、
前記金属層にエッチングを施して、前記セグメントを区画する溝となる位置に前記金属層の突起部を形成するマスク形成ステップと、
前記金属層の突起部を形成した前記成膜面が露出するように、電極を構成する基板ホルダ上に載置し、物理気相成長法または化学気相成長法を用いて、前記突起部の間の成膜面に、前記突起部に対向するエッジ部分が所定形状の丸みを帯びる厚さの無機質の膜を成膜する成膜ステップと、
前記金属層の突起部を除去するマスク除去ステップと、
を備えることを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項２】
請求項１に記載の無機質膜形成方法であって、前記無機質膜がＤＬＣ膜であることを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項３】
請求項１または２に記載の無機質膜形成方法であって、前記成膜ステップで、プラズマＣＶＤ法を用いて前記無機質の膜を成膜することを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項４】
請求項１から３のいずれかに記載の無機質膜形成方法であって、前記金属層の厚さを変え、前記突起部の高さを変えて、前記突起部に対向するエッジ部分の丸みの曲率を変えることを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項５】
請求項１から４のいずれかに記載の無機質膜形成方法であって、前記金属層としてＣｕまたはＡｌを用いることを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項６】
請求項１から５のいずれかに記載の無機質膜形成方法であって、前記金属層形成ステップに先立ち、前記成膜面に、無機質膜との密着性が高い中間層を形成することを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項７】
請求項６に記載の無機質膜形成方法であって、前記無機質膜がＤＬＣ膜である場合に、前記中間層としてＣｒ層を形成することを特徴とする無機質膜形成方法。
【請求項８】
請求項２に記載の無機質膜形成方法であって、ＤＬＣ膜が形成される前記摩擦接触面が超音波モータの固定子または移動子の摩擦駆動面であることを特徴とする無機質膜形成方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２０１３−５３３４０（Ｐ２０１３−５３３４０Ａ）
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１９２０２７（Ｐ２０１１−１９２０２７）
【出願日】平成２３年９月２日（２０１１．９．２）
【出願人】（５０４１９０５４８）国立大学法人埼玉大学 (292)
【出願人】（３０４０２１４１７）国立大学法人東京工業大学 (1,821)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２日（２０１１．９．２）
【出願人】（５０４１９０５４８）国立大学法人埼玉大学 (292)
【出願人】（３０４０２１４１７）国立大学法人東京工業大学 (1,821)
【Ｆターム（参考）】
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