発光装置
【課題】簡単な構造及び工程で光取り出し効率を向上させ、輝度を向上させるだけではなく、この共振が視野角及び発光スペクトルに及ぼす影響を小さくする発光装置を提供する。
【解決手段】基板1と、基板1上に備わった発光素子4と、発光素子4の外側に位置し、発光素子4から放出される光を共振させる光共振層2と、光共振層2と発光素子4との間に介在される中間層3とを備える発光装置である。
【解決手段】基板1と、基板1上に備わった発光素子4と、発光素子4の外側に位置し、発光素子4から放出される光を共振させる光共振層2と、光共振層2と発光素子4との間に介在される中間層3とを備える発光装置である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置に係り、さらに詳細には発光層から放出される光の光取り出し効率の改善された発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
発光装置、その中で、特に液晶表示装置(LCD)や電界発光表示装置のような平板表示装置の光効率は、内部効率(internal efficiency)と外部効率(external efficiency)とに分けられる。このうち、内部効率は、有機発光物質の光電変換効率に依存する。そして、光取り出し効率と呼ばれる外部効率は、有機電界発光素子(OLED:Organic Light−Emitting Diode )を構成する各層の屈折率に左右される。このうち、外部効率の光取り出し効率の場合には、OLEDが陰極線管やPDP(Plasma Display Panel)のような他の表示装置に比べて低い方であり、これによって輝度、寿命のような表示装置の特性面で改善の余地が多い。
【0003】
このように、従来のOLEDの光取り出し効率が他表示装置に比べて低いという最も大きい原因は、前記有機膜により放出される光が臨界角以上に出射されるとき、ITO電極層のように屈折率の高い層と、基板のように屈折率の低い層との界面で、全反射を起こすようになり、外部に取り出されることが妨害されるためである。従って、かかる界面での全反射問題により、OLEDにおいて実際に有機発光層から発生する光は、1/4ほどだけ外部に取り出されうる。
【0004】
かような光取り出し率の低下を防止するための従来OLEDの一例が特許文献1に開示されている。開示されたOLEDは、突出レンズなどの集光性を有する基板を備える。しかし、かかる集光のための突出レンズは、有機膜の発光にかかわる画素が非常に小さいので、基板に形成し難い。
【0005】
特許文献2には、透明電極層と発光層との間に第1誘電体層を介在さると共に、透明電極側に前記第1誘電体層と透明電極の中間ほどの屈折率を有する第2の誘電体層を介在させたOLEDが開示されている。
【0006】
そして、特許文献3には、基板上に下部電極、絶縁層、発光層及び上部電極を形成し、前記発光層のサイド面に光を反射させるミラーが形成されたOLEDが開示されている。
【0007】
かかるOLEDは、発光層の厚さが非常に薄いために、側面に反射のためのミラーを設置することが非常に困難で、結果的に生産コスト上昇の原因になる。
【0008】
かかる問題点を解決するために、特許文献4には、正極と負極との間に一層または多層の有機層を有する有機電界発光表示装置において、構成要素として回折格子またはゾーンプレートを備えた構成が開示されている。これは、屈折率の差が出る境界付近に回折格子を形成させ、光の散乱効果により有機層の光を取り出すものである。しかし、かかる回折格子層は、実際の製造工程上で複雑、かつその表面屈曲によって薄膜の上部層のパターン形成が困難であり、表面屈曲を埋め込むためには、別途の平坦化工程が追加されねばならないという問題がある。
【0009】
また、かかるOLEDの問題点を改善するために、特許文献5、特許文献6、特許文献7には、光学的微細空洞概念を利用したOLEDが開示されている。開示されたOLEDでは、ガラス基板とITO電極との間に、多層構造の半透過鏡を形成し、この半透過鏡が反射板としての機能を兼ねた金属負極と共に、光共振器としての機能を果たす。このとき、前記半透過鏡は、高屈折率を有するTiO2層と低屈折率を有するSiO2層とが交互に積層されて多重層を形成し、この多重層の層の数でもって反射率を調節して光共振機能を設計する。しかし、かかる光共振器は、半透過鏡をなす層の数が多いほど反射特性が向上するので、層の数を増加させなければならないが、特定波長に対する反射率を調節するためには、積層される層の数と厚さとを正確に設計しなければならないので、OLEDの工程が複雑になるという短所を有する。また、これは、輝度が上昇して色純度が向上するという長所を有するが、視野角が狭くなり、スペクトルも狭くなるという問題を有する。
【0010】
また、フルカラーディスプレイにおいて、赤、緑、青色別に膜厚や共振の起こる厚さなどを異ならせることも工程的、コスト的な負担になる。
【特許文献1】特開昭63−172691号公報
【特許文献2】特開昭62−172691号公報
【特許文献3】特開平01−220394号公報
【特許文献4】特開平11−283751号公報
【特許文献5】特開平08−250786号公報
【特許文献6】特開平08−213174号公報
【特許文献7】特開平10−177896号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
本発明は、前述のような問題点を解決するためのものであり、簡単な構造及び工程で光取り出し効率を向上させ、輝度を向上させるだけではなく、この共振が視野角及び発光スペクトルに及ぼす影響を小さくできる発光装置を提供するところに目的がある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
前記のような課題を解決するために、本発明は、基板と、前記基板上に備わった発光素子と、前記発光素子の外側に位置し、前記発光素子から放出される光を共振させる光共振層と、前記光共振層と前記発光素子との間に介在される中間層とを備える発光装置を提供する。
【0013】
本発明は、また前述の課題を解決するために、基板と、前記基板上に備わった発光素子と、前記発光素子と前記基板との間に介在され、前記発光素子から放出される光を共振させる光共振層と、前記光共振層と前記発光素子との間に介在された中間層を備える発光装置とを提供する。
【0014】
本発明はまた、基板と、前記基板上に備わった発光素子と、前記発光素子上に位置し、前記発光素子から放出される光を共振させる光共振層と、前記光共振層と前記発光素子との間に介在された中間層とを備える発光装置を提供する。
【発明の効果】
【0015】
前記のようになされた本発明の発光装置によれば、次のような効果を得ることができる。
【0016】
第一に、簡単な構造の光共振層を構成し、発光される光を増幅させることができ、それにより光取り出し効率を向上させられる。
【0017】
第二に、共振構造をさらに簡単に形成でき、全体の製造工程が簡単になりうる。
【0018】
第三に、光共振効果による輝度向上と同時に、視野角の損失を小さくできる。
【0019】
第四に、効率向上を期することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0020】
以下、添付図面を参照して、本発明の望ましい実施例を詳細に説明すれば、次の通りである。
【0021】
図1は、本発明の望ましい一実施例によるOLEDを概略的に表した断面図である。
【0022】
図1で分かるように、本発明の望ましい一実施例によるOLEDは、透明な素材からなる基板1の上面に光共振層2が形成され、この光共振層2上に中間層3が形成され、中間層3上に発光素子4が形成されている。
【0023】
前記発光素子4の上部には、前記発光素子4を外部から密封させるガラス、フィルム、メタルキャップのような密封部材(図示せず)がさらに備わりうる。以下、説明される本発明の実施例では、説明の便宜のために、前記密封部材を省略した概略的構造を中心に説明する。
【0024】
前記基板1は、SiO2を主成分とする透明なガラス材の基板が使われうる。前記透明基板1の上面には、基板の平滑性の確保と不純元素浸透の遮断とのために、バッファ層(図示せず)がさらに備えられる。前記バッファ層は、SiO2及び/またはSiNxなどで形成できる。基板1は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材で形成されもするということはいうまでもない。
【0025】
前記基板1の上部に位置する発光素子4は、互いに対向した第1及び第2電極層41,43を備え、この間に介在された発光層42を備える。
【0026】
前記第1電極層41は、透明素材の伝導性物質から形成されうるが、ITO、IZO、In2O3、及びZnOなどから形成され、フォトリソグラフィ法により所定のパターンになるように形成できる。
【0027】
前記第1電極層41のパターンは、受動駆動型(PM:Passive Matrixtype)の場合には、互いに所定間隔離れたストライプ状のラインから形成され、能動駆動型(AM:Active Matrixtype)の場合には、画素に対応する形態により形成されうる。AMの場合には、また、この第1電極層41下部の基板1に、少なくとも1つの薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を備えたTFT層がさらに備わり、前記第1電極層41は、このTFT層に電気的に連結される。かかるPM及びAMについて、具体的な実施例については後述する。
【0028】
このように透明電極で備わった第1電極層41は、外部の第1電極端子(図示せず)に連結され、アノード電極として作用しうる。
【0029】
前記第1電極層41の上部には、第2電極層43が位置し、この第2電極層43は、反射型電極になり、アルミニウム、銀、及び/またはカルシウムなどで形成され、外部の第2電極端子(図示せず)に連結され、カソード電極として作用しうる。
【0030】
前記第2電極層43は、PMの場合には、第1電極層41のパターンに直交するストライプ状のラインから形成され、AMの場合には、画素に対応する形態から形成されうる。AMの場合には、画像が具現されるアクティブ領域全体にかけて形成されうる。これについての詳細な実施例は後述する。
【0031】
前記のような第1及び第2電極層41,43は、その極性が互いに反対になっても差し支えない。
【0032】
前記第1及び第2電極層41,43の間に介在された発光層42は、第1及び第2電極層41,43の電気的駆動により発光する。この発光層42の種類によって、電界発光素子がOLEDまたは無機電界発光素子に区分されうる。
【0033】
OLEDの場合には、低分子有機物または高分子有機物を使用できる。
【0034】
前記発光層42が、低分子有機物から形成された低分子有機層である場合には、有機発光層(EML)を中心に、第1電極層41の方向に、ホール輸送層及びホール注入層などが積層され、第2電極層43の方向に、電子輸送層及び電子注入層などが積層される。もちろん、それらホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層以外にも多様な層が必要によって積層されて形成されうる。
【0035】
また、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン(CuPc)、N,N−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン(NPB)、トリス−8−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Alq3)などを始めとして多様に適用可能である。
【0036】
一方、高分子有機物から形成された高分子有機層の場合には、有機発光層を中心に、第1電極層41の方向にホール輸送層(HTL)だけ備わりうる。前記高分子ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン(PEDOT)や、ポリアニリン(PANI)などを使用し、インクジェットプリンティング法やスピンコーティング法により前記第1電極層41の上部に形成され、前記高分子有機発光層は、ポリフェニルビニレン(PPV)、可溶性PPV、シアノ基付きPPV、ポリフルオレンなどを使用でき、インクジェットプリンティング法や、スピンコーティング法、またはレーザを利用した熱転写法などの一般的な方法でカラーパターンを形成できる。
【0037】
無機電界発光素子の場合、発光層42は、ZnS、SrS、CaS、CaCa2S4、SrCa2S4、BaAl2S4のようなアルカリ土類カルシウム硫化物、及びMn、Ce、Tb、Eu、Tm、Er、Pr、Pbなどを含む遷移金属、またはアルカリ稀土類金属のような発光中心原子から形成され、この発光層42を中心に、第1電極層41との間及び第2電極層43との間に絶縁層が形成される。
【0038】
本発明の一実施例において、前記発光素子4の発光層42から放出される光は、図1で分かるように、基板1の方向に放出される(図示矢印方向)。
【0039】
図1で分かるような本発明の一実施例によれば、前記基板1と発光素子4との間に、発光素子4から放出される光を共振させる光共振層2が介在され、この光共振層2と発光素子4との間には、中間層3が介在される。
【0040】
本発明の一実施例において、前記光共振層2は、前記発光素子4から遠ざかる方向に順次積層された第1層21及び第2層22を有する。
【0041】
前記第2層22は、前記第1層21より高い屈折率を有させる。このとき、前記第1層21と前記第2層22との屈折率差は、0.2以上にすることが望ましい。
【0042】
前記第1層21は、屈折率が1〜1.6であるものを使用でき、その具体的な例としては、ナノ多孔性シリカ(NPS:Nano Poros Silica)、シロキサン、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ素樹脂(ポリテトラフルオロエチレン(PTFE))、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素(SiO2)などを使用できる。
【0043】
前記NPSは、複数個の気孔を備え、水分や酸素を吸収する性質を有するが、このとき、水分や酸素を吸収しても、その透明性が保持される特性を有することをいう。また、吸収された水分が有機電界発光の寿命に影響を与えることがあるので、前記NPS層は、疏水性を帯びるものを使用することが好ましい。
【0044】
かかるNPS層は、多様な方法により製造可能である、その一方法は次の通りである。
【0045】
まず、界面活性剤0.3gと溶媒0.6gとを混合した第1混合物を準備する。ここで、界面活性剤としては、高分子物質を使用し、溶媒は、プロパノールとブタノールとを1対2の割合で混合して形成する。また、テトラエトキシシラン(TEOS:Tetra−Ethyl−Ortho−Silicate)5gと溶媒10.65g、HCL 1.85gを混合した第2混合物を準備する。
【0046】
前記第2混合物を約1時間ほどかき混ぜ、第2混合物2.1gを第1混合物と混合して第3混合物を形成する。この第3混合物を基板に塗布する。塗布は、スピンコーティング、スプレイコーティング、ロールコーティングなどを利用でき、スピンコーティングを利用する場合には、2,000rpmで30秒ほど回してコーティングする。この後、常温で24時間ほど、または40ないし50℃で5時間ほど熟成させる。吸収孔を形成するために、400℃ほどのオーブンで2時間ほど焼成することにより、高分子を焼く。かかる条件で形成したNPSの厚さは、100nm〜400nmほどである。前記のような過程を反復することによって、所望の2枚の薄膜を形成する。上記の説明で利用される物質の量は、その比率を提示する意味で使われ、その絶対量に意味があるのものではない。
【0047】
また、他の方法として、H2O30gにアンモニア水(NH4OH)を付加して塩基性を示させた後、ここにTEOS10gを入れた後、加熱しつつ3時間以上撹拌し、加水分解及び重縮合反応を進める。このように得られた溶液に有機酸や無機酸のような酸を添加する。
【0048】
このように得られた混合物に、安定性のために30重量%の水溶性アクリル樹脂溶液13.2gを添加した後で撹拌し、均一な溶液を得る。
【0049】
前記溶液を基板上に塗布し、これを180rpmで120秒間回転コーティングした後、微蒸発溶媒の除去のために、乾燥オーブンで2分間ほど乾燥させる。膜厚をさらに厚くするためには、かかる過程を反復実施する。
【0050】
前記結果物は、高分子及び有機物質を除去し、シリカを硬化させるために、500℃で30分間熱処理できる。以上で使われた物質の量は、その比率を提示する意味で使われ、その絶対量に意味があるのではない。
【0051】
前記のような過程を介して製造されたNPSは、その構造内に気孔を含有する。かかる気孔の大きさは、普通1〜50nmほどであり、この大きさは、前記第1混合物に使われる高分子の大きさを調節することによって調節可能である。気孔の密度は、80%ほどになるように製造可能である。かかるNPS層は、前述したようにスピンコーティング、スプレイコーティング、ロールコーティングなどを利用して製造され、機械的、熱的安定性にすぐれ、比較的制御が容易な工程により製造可能である。
【0052】
前記第2層22は、屈折率が1.6〜2.3であるものを使用できるが、その具体的な例として、窒化ケイ素(Si3N4)、酸化チタン(TiO2)、酸化ハフニウム(HfO2)、酸化ニオビウム(Nb2O5)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化アンチモン(Sb2O3)、合成ポリマー、またはベンゾシクロブテン(BCB)などを使用できる。
【0053】
一方、前記中間層3は、前記第1層21と第2層22の中間値に対応する物質で備わりうるが、屈折率は、1.3〜2.3である物質を使用できる。かかる物質として、無機−有機ハイブリッド・ポリマー(ORMOCER)、酸化ケイ素(SiO2)、BCB、または窒化ケイ素(Si3N4)を使用できる。
【0054】
本発明による光共振層2により、発光層42から放出された光は、光学的共振を起こす。この共振は、図1で分かるように、第2電極層43の下面と、低屈折率物質から形成された第1層21と高屈折率物質から形成された第2層22との界面との間から発生し、また他の共振が第2電極層43の下面と、第2層22と基板1との界面との間から発生する。
【0055】
かかる光学的共振により、発光素子4の発光層42から発生する光を表示装置の外部に容易に抽出でき、光効率を向上させる。また、かかる共振が発光素子4の外側に形成され、共振面の反射率調節によって、視野角特性も調節される。
【0056】
かかる共振厚は、図1で分かるように、t1,t2と示せるが、t1は、第2電極層43の下面から前記第1層21と第2層22との界面までの厚さになり、t2は、第2電極層43の下面から前記第2層22と基板1との界面までの厚さとなる。該t1,t2は、次の式により決定されうる。
【0057】
t1=(nλ)/2 (ただしnは自然数)
t2=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数)
このとき、前記t1は、前記第1層21及び中間層3のうち少なくとも一層の厚さを調節することによって得られ、前記t2は、前記第2層22の厚さを調節することによって得られる。
【0058】
一方、本発明において、前記中間層3は、光共振層2と発光素子4との間に介在され、酸素及び水分が基板1の方向から発光素子4の方向に浸透することを防止するパッシベーションの機能を果たすか、または光共振層2の表面を平坦化させる役割を果たす。もちろん、この中間層3の機能は、これ以外にも多様にありうる。例えば、中間層3と、低屈折率層である第1層21との間で全反射による光学的共振が起こりうることもいうまでもない。
【0059】
一方、前記光共振層2は、図2で分かるように、本発明の望ましい他の一実施例によれば、第1層21だけで備わりうる。この第1層21を形成する物質は、前述した通りである。
【0060】
この場合には、図2で分かるように、反射界面の第2電極層43の下面と、第1層21と基板1との界面とで光学的共振が起こる。
【0061】
このとき、光学的共振を起こす厚さt3は、t3=(nλ)/2 (ただしnは自然数)のような式により決定され、かかる厚さt3は、中間層3や低屈折層21の厚さを調節することによって得ることができる。
【0062】
以上で説明した図1及び図2による実施例は、光が基板1の方向に放出される背面発光型の場合を示しているが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、図3及び図4で分かるように、前面発光型の場合にも同一に適用可能である。
【0063】
図3は、本発明の望ましいさらに他の一実施例を図示した図面であり、図1のように、光共振層2を第1層21及び第2層22で備えたものである。
【0064】
ただし、この場合には、基板1上に発光素子4を形成した後、発光素子4上に中間層3を形成し、中間層3上に第1層21及び第2層22を順に積層する。
【0065】
このとき、前記発光素子4の第1電極41は、第1反射電極411と第1透明電極412とで備わる。第1反射電極411は、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、及びそれらの化合物で形成され、第1透明電極412は、仕事関数の大きいITO、IZO、ZnO、またはIn2O3などで形成されうる。
【0066】
そして、第2電極42も、透過型電極で備わることが望ましいが、半透過型、かつ仕事関数の小さな第2金属電極431と、その上に備わった第2透明電極432とで備わりうる。第2金属電極431は、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、及びそれらの化合物が使われ、第2透明電極432としては、ITO、IZO、ZnO、またはIn2O3などが使われうる。
【0067】
従って、この場合には、第1電極層41の第1反射電極411の上面と、第1層21及び第2層22の界面との間で共振が発生し、さらに他の共振が、第1電極層43の第1反射電極411の上面と、第2層22の上面との間で発生する。
【0068】
共振厚は、図3で分かるように、t4、t5で示されうるが、t4は、第1電極層41の第1反射電極411の上面から前記第1層21と第2層22との界面までの厚さになり、t5は、第1電極層41の第1反射電極411の上面から前記第2層22の上面までの厚さとなる。それらt4、t5は、次の式により決定されうる。
【0069】
t4=(nλ)/2 (ただしnは自然数)
t5=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数)
このとき、前記t4は、前述したt1のように、前記第1層21及び中間層3のうち少なくとも一層の厚さを調節することによって得られ、前記t5も、前述したt2のように、前記第2層22の厚さを調節することによって得られる。
【0070】
図4は、本発明の望ましいさらに他の一実施例を図示した図面であり、図2のように、光共振層2を第1層21で備えたものである。この場合、光共振層2を除外した残りの構成要素は、図3と同一なので、詳細な説明は省略する。
【0071】
図4での光学的共振は、第1電極層43の第1反射電極411の上面と、第1層21の上面との間で発生する。
【0072】
図4で、光学的共振を起こす厚さt6は、t6=(nλ)/2(ただしnは自然数)のような式により決定され、かかる厚さt6は、中間層3や第1層21の厚さを調節することによって得ることができる。
【0073】
図5は、本発明のさらに他の一実施例を図示した図面であり、図1のような構造において、発光層42が赤色発光層421、緑色発光層422、及び青色発光層423で備わり、赤色画素(R)、緑色画素(G)、及び青色画素(B)が具現された例を概略的に図示したものである。
【0074】
この場合には、R、G及びBでの発光領域で、各色別に異なる発光スペクトル及び発光波長であるために、効率が極大化される共振厚が異なる。従って、発光装置のR、G及びBの効率をいずれも極大化するためには、各画素別に最高の光効率を発現する共振厚を形成するように、第1層21及び第2層22の厚さを異なって成膜せねばならない。
【0075】
かかる課題を解決するために、本実施例では、基板1上に第2層22として、Si3N4をPECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapour deposition)などの方法で成膜した後、それを、フォトレジストをエッチングマスクとして利用する一般的なドライエッチング技法により、図5のように段差をつけるように形成する。このとき、R、B、Gに対応する領域の第2層22の厚さを異ならせる。
【0076】
その後、低屈折率層である第1層21をスピンコーティングして平坦化することによって、図5のような構造を形成する。
【0077】
図6は、本発明の望ましいさらに他の一実施例を図示した図面であり、図2のような構造において、発光層42が赤色発光層421、緑色発光層422、及び青色発光層423で備わり、R、G及びBが具現された例を概略的に図示したものである。
【0078】
この場合にも、やはり、R、G及びBでの発光領域で、各色別に異なる発光スペクトル及び発光波長であるために、効率が極大化される共振厚が異なる。すなわち、各画素の効率をいずれも極大化させるためには、各画素別に最高の光効率を発現する共振厚さを形成するように、第1層21の厚さを異ならせて成膜する。
【0079】
このために、基板1上に第1層21を、図6のように、R、G、B別に異なる厚さになるように形成した後、中間層3で平坦化する。このとき、R、B、Gに対応する領域の第1層21の厚さを異ならせる。
【0080】
前述のように、各画素別に第1層21及び/または第2層22の厚さを異なって形成することは、図面では示されていないが、図3や図4のような前面発光型の実施例にも、同一に適用可能であることはいうまでもない。
【0081】
図7は、本発明のさらに具体的な実施例を図示した図面であり、PM有機電界発光表示装置を図示したものである。
【0082】
この実施例の場合は、図1で分かるように、光共振層2として第1層21及び第2層22を備え、光が基板1の方向に発光されるものである。従って、光共振層2は、基板1と発光素子4との間に介在される。そして、光共振層2と発光素子4との間には、中間層3が介在している。
【0083】
前記中間層3上には、第1電極層41が所定のストライプパターンにより形成されており、この第1電極層41上に、これを格子型で区画するように内部絶縁膜44が形成されている。そして、内部絶縁膜44上には、発光層42及び第2電極層43のパターニングのために、第1電極層41に直交するようにセパレータ45が形成されている。このセパレータ45により、発光層42及び第2電極層43は、第1電極層41に交差するようにパターニングされる。
【0084】
図7による実施例の場合、光共振層2が赤、緑、青色画素別に他の厚さを有するように形成されていないが、図8の場合には前述した図5の実施例の通り、光共振層2の厚さを違うように形成できる。
【0085】
図9ないし図11は、本発明の望ましいさらに他の実施例を図示した図面であり、AM有機電界発光表示装置を図示した図面である。
【0086】
まず、図9は、基板1の方向に発光がなされる背面発光型の有機電界発光表示装置を図示したものであるが、基板1が各画素別に少なくとも1つのTFTを備える。
【0087】
具体的に、図9で分かるように、基板1上にバッファ層11が形成されており、この上にTFTと、キャパシタCstが形成される。
【0088】
前記基板1のバッファ層11上に所定パターンの半導体活性層12が備わる。前記活性層12の上部には、SiO2、SiNxなどで形成されるゲート絶縁膜13が備わり、ゲート絶縁膜13上部の所定領域には、ゲート電極14が形成される。前記ゲート電極14は、TFTオン/オフ信号を印加するゲートライン(図示せず)と連結されている。前記ゲート電極14の上部では、層間絶縁膜15が形成され、コンタクトホールを介してソース/ドレーン電極16がそれぞれ活性層12のソース/ドレーン領域に接するように形成される。
【0089】
一方、ゲート電極14と同時に、キャパシタCstの一電極17aが形成され、ソース/ドレーン電極16と共に、他の一電極17bが形成される。かかるTFT及びキャパシタCstの構造は、これ以外にも多様に変形可能であることはいうまでもない。
【0090】
上記の通りに形成されたTFT及びキャパシタCstは、パッシベーション層で覆われて保護されるが、図9による実施例の場合、このパッシベーション層として、光共振層2の第2層22が形成される。具体的には、高屈折のSi3N4をPECVD法で形成可能である。
【0091】
第2層22の上部には、前述の低屈折率材料のうち、光透過率の高い材料で第1層21を形成した後、この第1層21を覆うように中間層3を形成する。
【0092】
中間層3の上部には、アノード電極になる第1電極層41が形成され、これを覆うように有機物で画素定義膜46が形成される。この画素定義膜46に所定の開口を形成した後、この開口で限定された領域内に発光層42を形成する。そして、全体画素をいずれも覆うように第2電極層43が形成される。
【0093】
前記のようなAM構造においても、TFTの上部に光共振層2及び中間層3が備わり、前述した効果を得ることができる。
【0094】
かかるAM構造は、多様に変形可能であるが、図10は、その一例として、図9でパッシベーション層として第2層22を使用する代わりに、低屈折率のメチルシルセスキオキサン(MSQ)を使用した場合である。この場合には、パッシベーション層18を覆うようにさらに第2層22が形成された後、その上に第1層21及び中間層3が順に形成されうる。その他の構成要素は前述したところと同じである。
【0095】
図11は、発光層42からの光が基板1の反対側に発光される前面発光型の場合を図示した図面であり、TFT及びキャパシタCstが形成された構造は、前述のところと同じである。
【0096】
このようにTFT及びキャパシタCstが形成された上をパッシベーション層18が覆って平坦化する。このとき、パッシベーション層18は、無機物及び/または有機物の単一及び複合層の構造から形成されうる。
【0097】
パッシベーション層18の上部には、反射型第1電極層41が所定パターンにより形成され、そのエッジを覆うように画素定義膜46が形成される。
【0098】
そして、画素定義膜46の開口部を介して発光層42が形成され、この発光層42及び画素定義膜46を覆うように第2電極層43が形成される。第2電極層43は、前述したように、透過型により形成されうるが、仕事関数の小さい第2金属電極431と、これを覆う第2透明電極432とで備わりうる。
【0099】
第2電極層43の上には、中間層3、及び光共振層2が順に積層されている。
【0100】
前記のような構造では、中間層3及び光共振層2が発光素子4のパッシベーションの役割まで行う。
【0101】
一方、前述の図7ないし図11のPM及びAM構造は、光共振層2として、第1層21及び第2層22いずれも備えた場合であるが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、光共振層2として、第1層21のみを有する構造も同一に適用可能であることはいうまでもない。
【0102】
そして、図9ないし図11の実施例では、いずれも単一画素だけを表したものであったが、各画素別に色相の異なるフルカラーディスプレイ装置の場合、図5のように、光共振層2及び中間層3のうち、少なくとも一層の厚さを各画素別に異ならせる構造も同一に適用できることはいうまでもない。
【0103】
次に、前述のような本発明のさらに具体的な実施例を説明する。
【0104】
<実施例1>
2mm×3mmサイズの発光領域を4つ備えたテストセルを製作して評価した。まず、ガラス基板を洗浄した後、スピンコーティング法により、10nm以下の気孔を有するNPSをガラス基板に塗布した後、熱処理オーブンで400℃、1時間熱処理して第1層21を形成した。このようにして得られた第1層21の屈折率は1.2であった。第1層21の厚さは0、100、230、300nmと変化させてそれぞれ製作した。
【0105】
次に、前記第1層21上にスパッタリング法を利用し、SiO2を20nmの厚さに蒸着して中間層3を成膜した。スパッタリングを介して成膜された中間層3の屈折率は、1.45であった。
【0106】
一般的に、多孔性素材を第1層21として使用する場合、大気中の水分を吸着するようになるが、吸着された水分は、OLEDの寿命を悪化させる作用をする。従って、SiO2をスパッタリングするとき、蒸着チャンバ内で基板を150℃で10分ベーキングし、第1層21内に吸着された水分を完全に除去した後で蒸着を行い、かかる過程を経て蒸着されたSiO2は、多孔性素材への水分浸透を防止するパッシベーションの役割を果たす。
【0107】
中間層3を成膜した後には、第1電極層41として、ITOをスパッタリングで80nmの厚さに成膜した。その後、一般的な画素パターニング工程とポリイミドとを利用して発光領域を形成し、蒸着器を利用してOLEDを構成する有機物(緑色蛍光発光有機物)を形成し、第2電極層43として金属負極を成膜した。その後、ガラス基板で密封をすることにより、テストセル素子製作を完成した。このように形成されたセルは、図2のような構造を有する。
【0108】
図12は、このように形成されたセルの結果を表したものであり、図12の実線は、図2で提示された共振厚t3を求める計算式を反映したシミュレーションの結果であり、原点表示は、前記で製作されたセルを介して測定した値である。
【0109】
図12で、第1層21の厚さが0である場合は、第1層21、中間層3なしに製作された正規構造に該当し、比較例(I)に該当する。一方、図12の実線は、中間層3の厚さは変化を与えずに、第1層21の厚さだけに変化を与えた場合のシミュレーション結果であり、第1層21の厚さが0である場合にも、中間層3が20nmに存在するために、計算された効率向上率は、120%を超えるように示されるが、前述した比較例(I)は、第1層21と中間層3とがないケースに該当する。
【0110】
素子の評価は、同一電流密度で行い、電流の駆動時(電流密度範囲30mA/cm2)の正面輝度値を測定して光効率を比較した。結果的に、本発明による構造(II)(III)(IV)がOLED素子の効率向上に寄与し、本実験の条件で最大1.75倍向上することが分かる。
【0111】
<実施例2>
次には、光共振層2として、第1層21と第2層22とがいずれも導入された実施例を示したものであり、その基本的な構造は図1と同じである。
【0112】
この構造では、中間層3と第1層21とを成膜する過程及びテストセル素子を製作する工程は実施例1と同じであり、ただ第1層21を成膜する前に、第2層22をPECVDを利用してSi3N4で成膜したという点で違いがある。成膜されSi3N4の屈折率は、2.0であった。
【0113】
図13は、第1電極層41が140nm、中間層3が20nm、第1層21が340nmに固定され、第2層22の厚さが100〜400nmの厚さで変化するときの光効率向上率をシミュレーションした結果を表す。
【0114】
<実施例3>
前述した実施例2と同じ構造であり、第1電極層41を160nm、中間層3を20nm、第1層21を300nmに固定し、第2層22の厚さを100〜400nmで変化させ、その結果は図14に表した。
【0115】
図13に図示されたように、実施例2の場合には、緑色画素の場合を除いては、いずれも前述した実施例1のように、効率向上が大きく現れることが分かり、図14のような実施例3の場合には、特定厚さではR、G、Bいずれも効率向上が現れることが分かる。
【0116】
一方、下表1は、上の図13のような実施例2で、第2層22の厚さを260nmとした場合の色座標を評価したものであり、前述した図12の比較例(I)と比較したものである。
【0117】
【表1】
【0118】
上の表1でも分かるように、色座標にも大きい変化のないことが分かる。
【0119】
以上で説明したように本発明は、有機電界発光表示装置や、無機電界発光表示装置に限定されるものではなく、発光素子として、LCDや、電子放出装置などを使用するその他の平板表示装置にもいずれも適用可能である。
【0120】
本発明は、図面に図示された一実施例を参考として説明されたが、それは例示的なものに過ぎず、当分野で当業者ならば、それから多様な変形及び実施例の変形が可能であるという点を理解できるであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の思想によって決まるものである。
【産業上の利用可能性】
【0121】
本発明は、有機電界発光表示装置や、無機電界発光表示装置に限定されずに、発光素子として、LCDや電子放出装置などを使用するその他の平板表示装置などいずれも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0122】
【図1】本発明の望ましい一実施例による背面発光型OLEDを概略的に図示した断面図である。
【図2】本発明の背面発光型OLEDの他の一実施例を概略的に図示した断面図である。
【図3】本発明の望ましい他の一実施例による前面発光型OLEDを概略的に図示した断面図である。
【図4】本発明の前面発光型OLEDの他の一実施例を概略的に図示した断面図である。
【図5】図1の構造において、画素別に光共振層の厚さが異なった場合を図示した断面図である。
【図6】図2の構造において、画素別に光共振層の厚さが異なった場合を図示した断面図である。
【図7】本発明の望ましいさらに他の一実施例による背面発光型のPM有機電界発光表示装置を図示した断面図である。
【図8】本発明の望ましいさらに他の一実施例による背面発光型のPM有機電界発光表示装置を図示した断面図である。
【図9】本発明の望ましいさらに他の一実施例による背面発光型のAM有機電界発光表示装置を図示した断面図である。
【図10】本発明の望ましいさらに他の一実施例による背面発光型のAM有機電界発光表示装置を図示した断面図である。
【図11】本発明の望ましいさらに他の一実施例による前面発光型のAM有機電界発光表示装置を図示した断面図である。
【図12】本発明の第1実施例において、第1層の厚さと効率向上率との関係を図示したグラフである。
【図13】本発明の第2実施例において、第2層の厚さと効率向上率との関係を図示したグラフである。
【図14】本発明の第1実施例において、第2層の厚さと効率向上率との関係を図示したグラフである。
【符号の説明】
【0123】
1…基板、
2…光共振層、
3…中間層、
4…発光素子、
21…第1層、
22…第2層、
41…第1電極層、
42…発光層、
43…第2電極層。
【技術分野】
【0001】
本発明は、発光装置に係り、さらに詳細には発光層から放出される光の光取り出し効率の改善された発光装置に関する。
【背景技術】
【0002】
発光装置、その中で、特に液晶表示装置(LCD)や電界発光表示装置のような平板表示装置の光効率は、内部効率(internal efficiency)と外部効率(external efficiency)とに分けられる。このうち、内部効率は、有機発光物質の光電変換効率に依存する。そして、光取り出し効率と呼ばれる外部効率は、有機電界発光素子(OLED:Organic Light−Emitting Diode )を構成する各層の屈折率に左右される。このうち、外部効率の光取り出し効率の場合には、OLEDが陰極線管やPDP(Plasma Display Panel)のような他の表示装置に比べて低い方であり、これによって輝度、寿命のような表示装置の特性面で改善の余地が多い。
【0003】
このように、従来のOLEDの光取り出し効率が他表示装置に比べて低いという最も大きい原因は、前記有機膜により放出される光が臨界角以上に出射されるとき、ITO電極層のように屈折率の高い層と、基板のように屈折率の低い層との界面で、全反射を起こすようになり、外部に取り出されることが妨害されるためである。従って、かかる界面での全反射問題により、OLEDにおいて実際に有機発光層から発生する光は、1/4ほどだけ外部に取り出されうる。
【0004】
かような光取り出し率の低下を防止するための従来OLEDの一例が特許文献1に開示されている。開示されたOLEDは、突出レンズなどの集光性を有する基板を備える。しかし、かかる集光のための突出レンズは、有機膜の発光にかかわる画素が非常に小さいので、基板に形成し難い。
【0005】
特許文献2には、透明電極層と発光層との間に第1誘電体層を介在さると共に、透明電極側に前記第1誘電体層と透明電極の中間ほどの屈折率を有する第2の誘電体層を介在させたOLEDが開示されている。
【0006】
そして、特許文献3には、基板上に下部電極、絶縁層、発光層及び上部電極を形成し、前記発光層のサイド面に光を反射させるミラーが形成されたOLEDが開示されている。
【0007】
かかるOLEDは、発光層の厚さが非常に薄いために、側面に反射のためのミラーを設置することが非常に困難で、結果的に生産コスト上昇の原因になる。
【0008】
かかる問題点を解決するために、特許文献4には、正極と負極との間に一層または多層の有機層を有する有機電界発光表示装置において、構成要素として回折格子またはゾーンプレートを備えた構成が開示されている。これは、屈折率の差が出る境界付近に回折格子を形成させ、光の散乱効果により有機層の光を取り出すものである。しかし、かかる回折格子層は、実際の製造工程上で複雑、かつその表面屈曲によって薄膜の上部層のパターン形成が困難であり、表面屈曲を埋め込むためには、別途の平坦化工程が追加されねばならないという問題がある。
【0009】
また、かかるOLEDの問題点を改善するために、特許文献5、特許文献6、特許文献7には、光学的微細空洞概念を利用したOLEDが開示されている。開示されたOLEDでは、ガラス基板とITO電極との間に、多層構造の半透過鏡を形成し、この半透過鏡が反射板としての機能を兼ねた金属負極と共に、光共振器としての機能を果たす。このとき、前記半透過鏡は、高屈折率を有するTiO2層と低屈折率を有するSiO2層とが交互に積層されて多重層を形成し、この多重層の層の数でもって反射率を調節して光共振機能を設計する。しかし、かかる光共振器は、半透過鏡をなす層の数が多いほど反射特性が向上するので、層の数を増加させなければならないが、特定波長に対する反射率を調節するためには、積層される層の数と厚さとを正確に設計しなければならないので、OLEDの工程が複雑になるという短所を有する。また、これは、輝度が上昇して色純度が向上するという長所を有するが、視野角が狭くなり、スペクトルも狭くなるという問題を有する。
【0010】
また、フルカラーディスプレイにおいて、赤、緑、青色別に膜厚や共振の起こる厚さなどを異ならせることも工程的、コスト的な負担になる。
【特許文献1】特開昭63−172691号公報
【特許文献2】特開昭62−172691号公報
【特許文献3】特開平01−220394号公報
【特許文献4】特開平11−283751号公報
【特許文献5】特開平08−250786号公報
【特許文献6】特開平08−213174号公報
【特許文献7】特開平10−177896号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0011】
本発明は、前述のような問題点を解決するためのものであり、簡単な構造及び工程で光取り出し効率を向上させ、輝度を向上させるだけではなく、この共振が視野角及び発光スペクトルに及ぼす影響を小さくできる発光装置を提供するところに目的がある。
【課題を解決するための手段】
【0012】
前記のような課題を解決するために、本発明は、基板と、前記基板上に備わった発光素子と、前記発光素子の外側に位置し、前記発光素子から放出される光を共振させる光共振層と、前記光共振層と前記発光素子との間に介在される中間層とを備える発光装置を提供する。
【0013】
本発明は、また前述の課題を解決するために、基板と、前記基板上に備わった発光素子と、前記発光素子と前記基板との間に介在され、前記発光素子から放出される光を共振させる光共振層と、前記光共振層と前記発光素子との間に介在された中間層を備える発光装置とを提供する。
【0014】
本発明はまた、基板と、前記基板上に備わった発光素子と、前記発光素子上に位置し、前記発光素子から放出される光を共振させる光共振層と、前記光共振層と前記発光素子との間に介在された中間層とを備える発光装置を提供する。
【発明の効果】
【0015】
前記のようになされた本発明の発光装置によれば、次のような効果を得ることができる。
【0016】
第一に、簡単な構造の光共振層を構成し、発光される光を増幅させることができ、それにより光取り出し効率を向上させられる。
【0017】
第二に、共振構造をさらに簡単に形成でき、全体の製造工程が簡単になりうる。
【0018】
第三に、光共振効果による輝度向上と同時に、視野角の損失を小さくできる。
【0019】
第四に、効率向上を期することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0020】
以下、添付図面を参照して、本発明の望ましい実施例を詳細に説明すれば、次の通りである。
【0021】
図1は、本発明の望ましい一実施例によるOLEDを概略的に表した断面図である。
【0022】
図1で分かるように、本発明の望ましい一実施例によるOLEDは、透明な素材からなる基板1の上面に光共振層2が形成され、この光共振層2上に中間層3が形成され、中間層3上に発光素子4が形成されている。
【0023】
前記発光素子4の上部には、前記発光素子4を外部から密封させるガラス、フィルム、メタルキャップのような密封部材(図示せず)がさらに備わりうる。以下、説明される本発明の実施例では、説明の便宜のために、前記密封部材を省略した概略的構造を中心に説明する。
【0024】
前記基板1は、SiO2を主成分とする透明なガラス材の基板が使われうる。前記透明基板1の上面には、基板の平滑性の確保と不純元素浸透の遮断とのために、バッファ層(図示せず)がさらに備えられる。前記バッファ層は、SiO2及び/またはSiNxなどで形成できる。基板1は、必ずしもこれに限定されるものではなく、透明なプラスチック材で形成されもするということはいうまでもない。
【0025】
前記基板1の上部に位置する発光素子4は、互いに対向した第1及び第2電極層41,43を備え、この間に介在された発光層42を備える。
【0026】
前記第1電極層41は、透明素材の伝導性物質から形成されうるが、ITO、IZO、In2O3、及びZnOなどから形成され、フォトリソグラフィ法により所定のパターンになるように形成できる。
【0027】
前記第1電極層41のパターンは、受動駆動型(PM:Passive Matrixtype)の場合には、互いに所定間隔離れたストライプ状のラインから形成され、能動駆動型(AM:Active Matrixtype)の場合には、画素に対応する形態により形成されうる。AMの場合には、また、この第1電極層41下部の基板1に、少なくとも1つの薄膜トランジスタ(TFT:Thin Film Transistor)を備えたTFT層がさらに備わり、前記第1電極層41は、このTFT層に電気的に連結される。かかるPM及びAMについて、具体的な実施例については後述する。
【0028】
このように透明電極で備わった第1電極層41は、外部の第1電極端子(図示せず)に連結され、アノード電極として作用しうる。
【0029】
前記第1電極層41の上部には、第2電極層43が位置し、この第2電極層43は、反射型電極になり、アルミニウム、銀、及び/またはカルシウムなどで形成され、外部の第2電極端子(図示せず)に連結され、カソード電極として作用しうる。
【0030】
前記第2電極層43は、PMの場合には、第1電極層41のパターンに直交するストライプ状のラインから形成され、AMの場合には、画素に対応する形態から形成されうる。AMの場合には、画像が具現されるアクティブ領域全体にかけて形成されうる。これについての詳細な実施例は後述する。
【0031】
前記のような第1及び第2電極層41,43は、その極性が互いに反対になっても差し支えない。
【0032】
前記第1及び第2電極層41,43の間に介在された発光層42は、第1及び第2電極層41,43の電気的駆動により発光する。この発光層42の種類によって、電界発光素子がOLEDまたは無機電界発光素子に区分されうる。
【0033】
OLEDの場合には、低分子有機物または高分子有機物を使用できる。
【0034】
前記発光層42が、低分子有機物から形成された低分子有機層である場合には、有機発光層(EML)を中心に、第1電極層41の方向に、ホール輸送層及びホール注入層などが積層され、第2電極層43の方向に、電子輸送層及び電子注入層などが積層される。もちろん、それらホール注入層、ホール輸送層、電子輸送層、電子注入層以外にも多様な層が必要によって積層されて形成されうる。
【0035】
また、使用可能な有機材料も、銅フタロシアニン(CuPc)、N,N−ジ(ナフタレン−1−イル)−N,N’−ジフェニル−ベンジジン(NPB)、トリス−8−ヒドロキシキノリンアルミニウム(Alq3)などを始めとして多様に適用可能である。
【0036】
一方、高分子有機物から形成された高分子有機層の場合には、有機発光層を中心に、第1電極層41の方向にホール輸送層(HTL)だけ備わりうる。前記高分子ホール輸送層は、ポリエチレンジヒドロキシチオフェン(PEDOT)や、ポリアニリン(PANI)などを使用し、インクジェットプリンティング法やスピンコーティング法により前記第1電極層41の上部に形成され、前記高分子有機発光層は、ポリフェニルビニレン(PPV)、可溶性PPV、シアノ基付きPPV、ポリフルオレンなどを使用でき、インクジェットプリンティング法や、スピンコーティング法、またはレーザを利用した熱転写法などの一般的な方法でカラーパターンを形成できる。
【0037】
無機電界発光素子の場合、発光層42は、ZnS、SrS、CaS、CaCa2S4、SrCa2S4、BaAl2S4のようなアルカリ土類カルシウム硫化物、及びMn、Ce、Tb、Eu、Tm、Er、Pr、Pbなどを含む遷移金属、またはアルカリ稀土類金属のような発光中心原子から形成され、この発光層42を中心に、第1電極層41との間及び第2電極層43との間に絶縁層が形成される。
【0038】
本発明の一実施例において、前記発光素子4の発光層42から放出される光は、図1で分かるように、基板1の方向に放出される(図示矢印方向)。
【0039】
図1で分かるような本発明の一実施例によれば、前記基板1と発光素子4との間に、発光素子4から放出される光を共振させる光共振層2が介在され、この光共振層2と発光素子4との間には、中間層3が介在される。
【0040】
本発明の一実施例において、前記光共振層2は、前記発光素子4から遠ざかる方向に順次積層された第1層21及び第2層22を有する。
【0041】
前記第2層22は、前記第1層21より高い屈折率を有させる。このとき、前記第1層21と前記第2層22との屈折率差は、0.2以上にすることが望ましい。
【0042】
前記第1層21は、屈折率が1〜1.6であるものを使用でき、その具体的な例としては、ナノ多孔性シリカ(NPS:Nano Poros Silica)、シロキサン、フッ化マグネシウム(MgF2)、フッ化カルシウム(CaF2)、フッ素樹脂(ポリテトラフルオロエチレン(PTFE))、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素(SiO2)などを使用できる。
【0043】
前記NPSは、複数個の気孔を備え、水分や酸素を吸収する性質を有するが、このとき、水分や酸素を吸収しても、その透明性が保持される特性を有することをいう。また、吸収された水分が有機電界発光の寿命に影響を与えることがあるので、前記NPS層は、疏水性を帯びるものを使用することが好ましい。
【0044】
かかるNPS層は、多様な方法により製造可能である、その一方法は次の通りである。
【0045】
まず、界面活性剤0.3gと溶媒0.6gとを混合した第1混合物を準備する。ここで、界面活性剤としては、高分子物質を使用し、溶媒は、プロパノールとブタノールとを1対2の割合で混合して形成する。また、テトラエトキシシラン(TEOS:Tetra−Ethyl−Ortho−Silicate)5gと溶媒10.65g、HCL 1.85gを混合した第2混合物を準備する。
【0046】
前記第2混合物を約1時間ほどかき混ぜ、第2混合物2.1gを第1混合物と混合して第3混合物を形成する。この第3混合物を基板に塗布する。塗布は、スピンコーティング、スプレイコーティング、ロールコーティングなどを利用でき、スピンコーティングを利用する場合には、2,000rpmで30秒ほど回してコーティングする。この後、常温で24時間ほど、または40ないし50℃で5時間ほど熟成させる。吸収孔を形成するために、400℃ほどのオーブンで2時間ほど焼成することにより、高分子を焼く。かかる条件で形成したNPSの厚さは、100nm〜400nmほどである。前記のような過程を反復することによって、所望の2枚の薄膜を形成する。上記の説明で利用される物質の量は、その比率を提示する意味で使われ、その絶対量に意味があるのものではない。
【0047】
また、他の方法として、H2O30gにアンモニア水(NH4OH)を付加して塩基性を示させた後、ここにTEOS10gを入れた後、加熱しつつ3時間以上撹拌し、加水分解及び重縮合反応を進める。このように得られた溶液に有機酸や無機酸のような酸を添加する。
【0048】
このように得られた混合物に、安定性のために30重量%の水溶性アクリル樹脂溶液13.2gを添加した後で撹拌し、均一な溶液を得る。
【0049】
前記溶液を基板上に塗布し、これを180rpmで120秒間回転コーティングした後、微蒸発溶媒の除去のために、乾燥オーブンで2分間ほど乾燥させる。膜厚をさらに厚くするためには、かかる過程を反復実施する。
【0050】
前記結果物は、高分子及び有機物質を除去し、シリカを硬化させるために、500℃で30分間熱処理できる。以上で使われた物質の量は、その比率を提示する意味で使われ、その絶対量に意味があるのではない。
【0051】
前記のような過程を介して製造されたNPSは、その構造内に気孔を含有する。かかる気孔の大きさは、普通1〜50nmほどであり、この大きさは、前記第1混合物に使われる高分子の大きさを調節することによって調節可能である。気孔の密度は、80%ほどになるように製造可能である。かかるNPS層は、前述したようにスピンコーティング、スプレイコーティング、ロールコーティングなどを利用して製造され、機械的、熱的安定性にすぐれ、比較的制御が容易な工程により製造可能である。
【0052】
前記第2層22は、屈折率が1.6〜2.3であるものを使用できるが、その具体的な例として、窒化ケイ素(Si3N4)、酸化チタン(TiO2)、酸化ハフニウム(HfO2)、酸化ニオビウム(Nb2O5)、酸化タンタル(Ta2O5)、酸化アンチモン(Sb2O3)、合成ポリマー、またはベンゾシクロブテン(BCB)などを使用できる。
【0053】
一方、前記中間層3は、前記第1層21と第2層22の中間値に対応する物質で備わりうるが、屈折率は、1.3〜2.3である物質を使用できる。かかる物質として、無機−有機ハイブリッド・ポリマー(ORMOCER)、酸化ケイ素(SiO2)、BCB、または窒化ケイ素(Si3N4)を使用できる。
【0054】
本発明による光共振層2により、発光層42から放出された光は、光学的共振を起こす。この共振は、図1で分かるように、第2電極層43の下面と、低屈折率物質から形成された第1層21と高屈折率物質から形成された第2層22との界面との間から発生し、また他の共振が第2電極層43の下面と、第2層22と基板1との界面との間から発生する。
【0055】
かかる光学的共振により、発光素子4の発光層42から発生する光を表示装置の外部に容易に抽出でき、光効率を向上させる。また、かかる共振が発光素子4の外側に形成され、共振面の反射率調節によって、視野角特性も調節される。
【0056】
かかる共振厚は、図1で分かるように、t1,t2と示せるが、t1は、第2電極層43の下面から前記第1層21と第2層22との界面までの厚さになり、t2は、第2電極層43の下面から前記第2層22と基板1との界面までの厚さとなる。該t1,t2は、次の式により決定されうる。
【0057】
t1=(nλ)/2 (ただしnは自然数)
t2=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数)
このとき、前記t1は、前記第1層21及び中間層3のうち少なくとも一層の厚さを調節することによって得られ、前記t2は、前記第2層22の厚さを調節することによって得られる。
【0058】
一方、本発明において、前記中間層3は、光共振層2と発光素子4との間に介在され、酸素及び水分が基板1の方向から発光素子4の方向に浸透することを防止するパッシベーションの機能を果たすか、または光共振層2の表面を平坦化させる役割を果たす。もちろん、この中間層3の機能は、これ以外にも多様にありうる。例えば、中間層3と、低屈折率層である第1層21との間で全反射による光学的共振が起こりうることもいうまでもない。
【0059】
一方、前記光共振層2は、図2で分かるように、本発明の望ましい他の一実施例によれば、第1層21だけで備わりうる。この第1層21を形成する物質は、前述した通りである。
【0060】
この場合には、図2で分かるように、反射界面の第2電極層43の下面と、第1層21と基板1との界面とで光学的共振が起こる。
【0061】
このとき、光学的共振を起こす厚さt3は、t3=(nλ)/2 (ただしnは自然数)のような式により決定され、かかる厚さt3は、中間層3や低屈折層21の厚さを調節することによって得ることができる。
【0062】
以上で説明した図1及び図2による実施例は、光が基板1の方向に放出される背面発光型の場合を示しているが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、図3及び図4で分かるように、前面発光型の場合にも同一に適用可能である。
【0063】
図3は、本発明の望ましいさらに他の一実施例を図示した図面であり、図1のように、光共振層2を第1層21及び第2層22で備えたものである。
【0064】
ただし、この場合には、基板1上に発光素子4を形成した後、発光素子4上に中間層3を形成し、中間層3上に第1層21及び第2層22を順に積層する。
【0065】
このとき、前記発光素子4の第1電極41は、第1反射電極411と第1透明電極412とで備わる。第1反射電極411は、Ag、Mg、Al、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、及びそれらの化合物で形成され、第1透明電極412は、仕事関数の大きいITO、IZO、ZnO、またはIn2O3などで形成されうる。
【0066】
そして、第2電極42も、透過型電極で備わることが望ましいが、半透過型、かつ仕事関数の小さな第2金属電極431と、その上に備わった第2透明電極432とで備わりうる。第2金属電極431は、Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Mg、及びそれらの化合物が使われ、第2透明電極432としては、ITO、IZO、ZnO、またはIn2O3などが使われうる。
【0067】
従って、この場合には、第1電極層41の第1反射電極411の上面と、第1層21及び第2層22の界面との間で共振が発生し、さらに他の共振が、第1電極層43の第1反射電極411の上面と、第2層22の上面との間で発生する。
【0068】
共振厚は、図3で分かるように、t4、t5で示されうるが、t4は、第1電極層41の第1反射電極411の上面から前記第1層21と第2層22との界面までの厚さになり、t5は、第1電極層41の第1反射電極411の上面から前記第2層22の上面までの厚さとなる。それらt4、t5は、次の式により決定されうる。
【0069】
t4=(nλ)/2 (ただしnは自然数)
t5=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数)
このとき、前記t4は、前述したt1のように、前記第1層21及び中間層3のうち少なくとも一層の厚さを調節することによって得られ、前記t5も、前述したt2のように、前記第2層22の厚さを調節することによって得られる。
【0070】
図4は、本発明の望ましいさらに他の一実施例を図示した図面であり、図2のように、光共振層2を第1層21で備えたものである。この場合、光共振層2を除外した残りの構成要素は、図3と同一なので、詳細な説明は省略する。
【0071】
図4での光学的共振は、第1電極層43の第1反射電極411の上面と、第1層21の上面との間で発生する。
【0072】
図4で、光学的共振を起こす厚さt6は、t6=(nλ)/2(ただしnは自然数)のような式により決定され、かかる厚さt6は、中間層3や第1層21の厚さを調節することによって得ることができる。
【0073】
図5は、本発明のさらに他の一実施例を図示した図面であり、図1のような構造において、発光層42が赤色発光層421、緑色発光層422、及び青色発光層423で備わり、赤色画素(R)、緑色画素(G)、及び青色画素(B)が具現された例を概略的に図示したものである。
【0074】
この場合には、R、G及びBでの発光領域で、各色別に異なる発光スペクトル及び発光波長であるために、効率が極大化される共振厚が異なる。従って、発光装置のR、G及びBの効率をいずれも極大化するためには、各画素別に最高の光効率を発現する共振厚を形成するように、第1層21及び第2層22の厚さを異なって成膜せねばならない。
【0075】
かかる課題を解決するために、本実施例では、基板1上に第2層22として、Si3N4をPECVD(Plasma Enhanced Chemical Vapour deposition)などの方法で成膜した後、それを、フォトレジストをエッチングマスクとして利用する一般的なドライエッチング技法により、図5のように段差をつけるように形成する。このとき、R、B、Gに対応する領域の第2層22の厚さを異ならせる。
【0076】
その後、低屈折率層である第1層21をスピンコーティングして平坦化することによって、図5のような構造を形成する。
【0077】
図6は、本発明の望ましいさらに他の一実施例を図示した図面であり、図2のような構造において、発光層42が赤色発光層421、緑色発光層422、及び青色発光層423で備わり、R、G及びBが具現された例を概略的に図示したものである。
【0078】
この場合にも、やはり、R、G及びBでの発光領域で、各色別に異なる発光スペクトル及び発光波長であるために、効率が極大化される共振厚が異なる。すなわち、各画素の効率をいずれも極大化させるためには、各画素別に最高の光効率を発現する共振厚さを形成するように、第1層21の厚さを異ならせて成膜する。
【0079】
このために、基板1上に第1層21を、図6のように、R、G、B別に異なる厚さになるように形成した後、中間層3で平坦化する。このとき、R、B、Gに対応する領域の第1層21の厚さを異ならせる。
【0080】
前述のように、各画素別に第1層21及び/または第2層22の厚さを異なって形成することは、図面では示されていないが、図3や図4のような前面発光型の実施例にも、同一に適用可能であることはいうまでもない。
【0081】
図7は、本発明のさらに具体的な実施例を図示した図面であり、PM有機電界発光表示装置を図示したものである。
【0082】
この実施例の場合は、図1で分かるように、光共振層2として第1層21及び第2層22を備え、光が基板1の方向に発光されるものである。従って、光共振層2は、基板1と発光素子4との間に介在される。そして、光共振層2と発光素子4との間には、中間層3が介在している。
【0083】
前記中間層3上には、第1電極層41が所定のストライプパターンにより形成されており、この第1電極層41上に、これを格子型で区画するように内部絶縁膜44が形成されている。そして、内部絶縁膜44上には、発光層42及び第2電極層43のパターニングのために、第1電極層41に直交するようにセパレータ45が形成されている。このセパレータ45により、発光層42及び第2電極層43は、第1電極層41に交差するようにパターニングされる。
【0084】
図7による実施例の場合、光共振層2が赤、緑、青色画素別に他の厚さを有するように形成されていないが、図8の場合には前述した図5の実施例の通り、光共振層2の厚さを違うように形成できる。
【0085】
図9ないし図11は、本発明の望ましいさらに他の実施例を図示した図面であり、AM有機電界発光表示装置を図示した図面である。
【0086】
まず、図9は、基板1の方向に発光がなされる背面発光型の有機電界発光表示装置を図示したものであるが、基板1が各画素別に少なくとも1つのTFTを備える。
【0087】
具体的に、図9で分かるように、基板1上にバッファ層11が形成されており、この上にTFTと、キャパシタCstが形成される。
【0088】
前記基板1のバッファ層11上に所定パターンの半導体活性層12が備わる。前記活性層12の上部には、SiO2、SiNxなどで形成されるゲート絶縁膜13が備わり、ゲート絶縁膜13上部の所定領域には、ゲート電極14が形成される。前記ゲート電極14は、TFTオン/オフ信号を印加するゲートライン(図示せず)と連結されている。前記ゲート電極14の上部では、層間絶縁膜15が形成され、コンタクトホールを介してソース/ドレーン電極16がそれぞれ活性層12のソース/ドレーン領域に接するように形成される。
【0089】
一方、ゲート電極14と同時に、キャパシタCstの一電極17aが形成され、ソース/ドレーン電極16と共に、他の一電極17bが形成される。かかるTFT及びキャパシタCstの構造は、これ以外にも多様に変形可能であることはいうまでもない。
【0090】
上記の通りに形成されたTFT及びキャパシタCstは、パッシベーション層で覆われて保護されるが、図9による実施例の場合、このパッシベーション層として、光共振層2の第2層22が形成される。具体的には、高屈折のSi3N4をPECVD法で形成可能である。
【0091】
第2層22の上部には、前述の低屈折率材料のうち、光透過率の高い材料で第1層21を形成した後、この第1層21を覆うように中間層3を形成する。
【0092】
中間層3の上部には、アノード電極になる第1電極層41が形成され、これを覆うように有機物で画素定義膜46が形成される。この画素定義膜46に所定の開口を形成した後、この開口で限定された領域内に発光層42を形成する。そして、全体画素をいずれも覆うように第2電極層43が形成される。
【0093】
前記のようなAM構造においても、TFTの上部に光共振層2及び中間層3が備わり、前述した効果を得ることができる。
【0094】
かかるAM構造は、多様に変形可能であるが、図10は、その一例として、図9でパッシベーション層として第2層22を使用する代わりに、低屈折率のメチルシルセスキオキサン(MSQ)を使用した場合である。この場合には、パッシベーション層18を覆うようにさらに第2層22が形成された後、その上に第1層21及び中間層3が順に形成されうる。その他の構成要素は前述したところと同じである。
【0095】
図11は、発光層42からの光が基板1の反対側に発光される前面発光型の場合を図示した図面であり、TFT及びキャパシタCstが形成された構造は、前述のところと同じである。
【0096】
このようにTFT及びキャパシタCstが形成された上をパッシベーション層18が覆って平坦化する。このとき、パッシベーション層18は、無機物及び/または有機物の単一及び複合層の構造から形成されうる。
【0097】
パッシベーション層18の上部には、反射型第1電極層41が所定パターンにより形成され、そのエッジを覆うように画素定義膜46が形成される。
【0098】
そして、画素定義膜46の開口部を介して発光層42が形成され、この発光層42及び画素定義膜46を覆うように第2電極層43が形成される。第2電極層43は、前述したように、透過型により形成されうるが、仕事関数の小さい第2金属電極431と、これを覆う第2透明電極432とで備わりうる。
【0099】
第2電極層43の上には、中間層3、及び光共振層2が順に積層されている。
【0100】
前記のような構造では、中間層3及び光共振層2が発光素子4のパッシベーションの役割まで行う。
【0101】
一方、前述の図7ないし図11のPM及びAM構造は、光共振層2として、第1層21及び第2層22いずれも備えた場合であるが、本発明は、必ずしもこれに限定されるものではなく、光共振層2として、第1層21のみを有する構造も同一に適用可能であることはいうまでもない。
【0102】
そして、図9ないし図11の実施例では、いずれも単一画素だけを表したものであったが、各画素別に色相の異なるフルカラーディスプレイ装置の場合、図5のように、光共振層2及び中間層3のうち、少なくとも一層の厚さを各画素別に異ならせる構造も同一に適用できることはいうまでもない。
【0103】
次に、前述のような本発明のさらに具体的な実施例を説明する。
【0104】
<実施例1>
2mm×3mmサイズの発光領域を4つ備えたテストセルを製作して評価した。まず、ガラス基板を洗浄した後、スピンコーティング法により、10nm以下の気孔を有するNPSをガラス基板に塗布した後、熱処理オーブンで400℃、1時間熱処理して第1層21を形成した。このようにして得られた第1層21の屈折率は1.2であった。第1層21の厚さは0、100、230、300nmと変化させてそれぞれ製作した。
【0105】
次に、前記第1層21上にスパッタリング法を利用し、SiO2を20nmの厚さに蒸着して中間層3を成膜した。スパッタリングを介して成膜された中間層3の屈折率は、1.45であった。
【0106】
一般的に、多孔性素材を第1層21として使用する場合、大気中の水分を吸着するようになるが、吸着された水分は、OLEDの寿命を悪化させる作用をする。従って、SiO2をスパッタリングするとき、蒸着チャンバ内で基板を150℃で10分ベーキングし、第1層21内に吸着された水分を完全に除去した後で蒸着を行い、かかる過程を経て蒸着されたSiO2は、多孔性素材への水分浸透を防止するパッシベーションの役割を果たす。
【0107】
中間層3を成膜した後には、第1電極層41として、ITOをスパッタリングで80nmの厚さに成膜した。その後、一般的な画素パターニング工程とポリイミドとを利用して発光領域を形成し、蒸着器を利用してOLEDを構成する有機物(緑色蛍光発光有機物)を形成し、第2電極層43として金属負極を成膜した。その後、ガラス基板で密封をすることにより、テストセル素子製作を完成した。このように形成されたセルは、図2のような構造を有する。
【0108】
図12は、このように形成されたセルの結果を表したものであり、図12の実線は、図2で提示された共振厚t3を求める計算式を反映したシミュレーションの結果であり、原点表示は、前記で製作されたセルを介して測定した値である。
【0109】
図12で、第1層21の厚さが0である場合は、第1層21、中間層3なしに製作された正規構造に該当し、比較例(I)に該当する。一方、図12の実線は、中間層3の厚さは変化を与えずに、第1層21の厚さだけに変化を与えた場合のシミュレーション結果であり、第1層21の厚さが0である場合にも、中間層3が20nmに存在するために、計算された効率向上率は、120%を超えるように示されるが、前述した比較例(I)は、第1層21と中間層3とがないケースに該当する。
【0110】
素子の評価は、同一電流密度で行い、電流の駆動時(電流密度範囲30mA/cm2)の正面輝度値を測定して光効率を比較した。結果的に、本発明による構造(II)(III)(IV)がOLED素子の効率向上に寄与し、本実験の条件で最大1.75倍向上することが分かる。
【0111】
<実施例2>
次には、光共振層2として、第1層21と第2層22とがいずれも導入された実施例を示したものであり、その基本的な構造は図1と同じである。
【0112】
この構造では、中間層3と第1層21とを成膜する過程及びテストセル素子を製作する工程は実施例1と同じであり、ただ第1層21を成膜する前に、第2層22をPECVDを利用してSi3N4で成膜したという点で違いがある。成膜されSi3N4の屈折率は、2.0であった。
【0113】
図13は、第1電極層41が140nm、中間層3が20nm、第1層21が340nmに固定され、第2層22の厚さが100〜400nmの厚さで変化するときの光効率向上率をシミュレーションした結果を表す。
【0114】
<実施例3>
前述した実施例2と同じ構造であり、第1電極層41を160nm、中間層3を20nm、第1層21を300nmに固定し、第2層22の厚さを100〜400nmで変化させ、その結果は図14に表した。
【0115】
図13に図示されたように、実施例2の場合には、緑色画素の場合を除いては、いずれも前述した実施例1のように、効率向上が大きく現れることが分かり、図14のような実施例3の場合には、特定厚さではR、G、Bいずれも効率向上が現れることが分かる。
【0116】
一方、下表1は、上の図13のような実施例2で、第2層22の厚さを260nmとした場合の色座標を評価したものであり、前述した図12の比較例(I)と比較したものである。
【0117】
【表1】
【0118】
上の表1でも分かるように、色座標にも大きい変化のないことが分かる。
【0119】
以上で説明したように本発明は、有機電界発光表示装置や、無機電界発光表示装置に限定されるものではなく、発光素子として、LCDや、電子放出装置などを使用するその他の平板表示装置にもいずれも適用可能である。
【0120】
本発明は、図面に図示された一実施例を参考として説明されたが、それは例示的なものに過ぎず、当分野で当業者ならば、それから多様な変形及び実施例の変形が可能であるという点を理解できるであろう。よって、本発明の真の技術的保護範囲は、特許請求の範囲の思想によって決まるものである。
【産業上の利用可能性】
【0121】
本発明は、有機電界発光表示装置や、無機電界発光表示装置に限定されずに、発光素子として、LCDや電子放出装置などを使用するその他の平板表示装置などいずれも適用可能である。
【図面の簡単な説明】
【0122】
【図1】本発明の望ましい一実施例による背面発光型OLEDを概略的に図示した断面図である。
【図2】本発明の背面発光型OLEDの他の一実施例を概略的に図示した断面図である。
【図3】本発明の望ましい他の一実施例による前面発光型OLEDを概略的に図示した断面図である。
【図4】本発明の前面発光型OLEDの他の一実施例を概略的に図示した断面図である。
【図5】図1の構造において、画素別に光共振層の厚さが異なった場合を図示した断面図である。
【図6】図2の構造において、画素別に光共振層の厚さが異なった場合を図示した断面図である。
【図7】本発明の望ましいさらに他の一実施例による背面発光型のPM有機電界発光表示装置を図示した断面図である。
【図8】本発明の望ましいさらに他の一実施例による背面発光型のPM有機電界発光表示装置を図示した断面図である。
【図9】本発明の望ましいさらに他の一実施例による背面発光型のAM有機電界発光表示装置を図示した断面図である。
【図10】本発明の望ましいさらに他の一実施例による背面発光型のAM有機電界発光表示装置を図示した断面図である。
【図11】本発明の望ましいさらに他の一実施例による前面発光型のAM有機電界発光表示装置を図示した断面図である。
【図12】本発明の第1実施例において、第1層の厚さと効率向上率との関係を図示したグラフである。
【図13】本発明の第2実施例において、第2層の厚さと効率向上率との関係を図示したグラフである。
【図14】本発明の第1実施例において、第2層の厚さと効率向上率との関係を図示したグラフである。
【符号の説明】
【0123】
1…基板、
2…光共振層、
3…中間層、
4…発光素子、
21…第1層、
22…第2層、
41…第1電極層、
42…発光層、
43…第2電極層。
【特許請求の範囲】
【請求項1】
基板と、
前記基板上に備わった発光素子と、
前記発光素子の外側に位置し、前記発光素子から放出される光を共振させる光共振層と、
前記光共振層と前記発光素子との間に介在される中間層と、を備える発光装置。
【請求項2】
前記光共振層は、前記発光素子から遠ざかる方向に順に積層された第1層及び第2層を有し、前記第2層は前記第1層より高い屈折率を有することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項3】
前記第1層と前記第2層との屈折率差は、0.2以上であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項4】
前記第1層の屈折率が1〜1.6であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項5】
前記第1層は、ナノ多孔性シリカ、シロキサン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ素樹脂、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項6】
前記第2層の屈折率が1.6〜2.3であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項7】
前記第2層は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ニオビウム、酸化タンタル、酸化アンチモン、合成ポリマー、またはベンゾシクロブテンを含むことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項8】
前記中間層は、前記第1層より緻密な物質で備わったことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項9】
前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項10】
前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項11】
前記発光素子は、互いに対向した一対の電極と、前記電極間に介在された発光層とを備え、
前記発光素子の電極のうちいずれか一つは、前記発光層から放出された光を反射する反射膜を備え、
前記光共振層は、前記発光層を中心に前記反射膜に対向するように位置することを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項12】
前記反射膜の反射界面から前記第1層と第2層との界面までの厚さをt1とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t1が下記(1)式を満足させることを特徴とする請求項11に記載の発光装置。
t1=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(1)
【請求項13】
前記t1は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項12に記載の発光装置。
【請求項14】
前記反射膜の反射界面から前記第2層の外側面までの厚さをt2とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t2が下記(2)式を満足させることを特徴とする請求項11に記載の発光装置。
t2=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数) …(2)
【請求項15】
前記t2は、前記第2層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
【請求項16】
前記光共振層は、屈折率が1〜1.6である第1層を備え、
前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項17】
前記第1層は、ナノ多孔性シリカ、シロキサン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ素樹脂、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
【請求項18】
前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
【請求項19】
前記発光素子は、互いに対向した一対の電極と、前記電極間に介在された発光層とを備え、
前記発光素子の電極のうちいずれか一つは、前記発光層から放出された光を反射する反射膜を備え、
前記光共振層は、前記発光層を中心に前記反射膜に対向するように位置することを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
【請求項20】
前記反射膜の反射界面から前記第1層の外側面までの厚さをt3とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t3が下記(3)式を満足させることを特徴とする請求項19に記載の発光装置。
t3=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(3)
【請求項21】
前記t3は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項20に記載の発光装置。
【請求項22】
前記基板は、前記発光素子に電気的に連結された少なくとも1つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項23】
前記発光素子は、前記発光層が赤色、緑色、及び青色発光層で備わった赤色、緑色及び青色画素を備え、
前記光共振層は、前記赤色、緑色、及び青色画素別にその厚さが異なるように備わったことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項24】
前記発光素子は、有機電界発光素子であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項25】
前記発光素子は、無機電界発光素子であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項26】
基板と、
前記基板上に備わった発光素子と、
前記発光素子と前記基板との間に介在され、前記発光素子から放出される光を共振させる光共振層と、
前記光共振層と前記発光素子との間に介在された中間層と、を備える発光装置。
【請求項27】
前記光共振層は、前記発光素子から遠ざかる方向に順に積層された第1層及び第2層を有し、前記第2層は、前記第1層より高い屈折率を有することを特徴とする請求項26に記載の発光装置。
【請求項28】
前記第1層と前記第2層との屈折率差は、0.2以上であることを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項29】
前記第1層の屈折率が1〜1.6であることを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項30】
前記第1層は、ナノ多孔性シリカ、シロキサン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ素樹脂、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項31】
前記第2層の屈折率が1.6〜2.3であることを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項32】
前記第2層は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ニオビウム、酸化タンタル、酸化アンチモン、合成ポリマー、またはベンゾシクロブテンを含むことを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項33】
前記中間層は、前記第1層より稠密な物質で備わったことを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項34】
前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項35】
前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項36】
前記発光素子は、互いに対向した一対の電極と、前記電極間に介在された発光層とを備え、
前記発光素子の電極のうちいずれか一つは、前記発光層から放出された光を反射する反射膜を備え、
前記光共振層は、前記発光層を中心に前記反射膜に対向するように位置することを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項37】
前記反射膜の反射界面から前記第1層と第2層との界面までの厚さをt4とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t4が下記(4)式を満足させることを特徴とする請求項36に記載の発光装置。
t4=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(4)
【請求項38】
前記t4は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項37に記載の発光装置。
【請求項39】
前記反射膜の反射界面から前記第2層の外側面までの厚さをt5とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t5が下記(5)式を満足させることを特徴とする請求項36に記載の発光装置。
t5=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数) …(5)
【請求項40】
前記t5は、前記第2層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項39に記載の発光装置。
【請求項41】
前記光共振層は、屈折率が1〜1.6の第1層を備え、
前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項26に記載の発光装置。
【請求項42】
前記第1層は、ナノ多孔性シリカ、シロキサン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ素樹脂、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項41に記載の発光装置。
【請求項43】
前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項41に記載の発光装置。
【請求項44】
前記発光素子は、互いに対向した一対の電極と、前記電極間に介在された発光層とを備え、
前記発光素子の電極のうちいずれか一つは、前記発光層から放出された光を反射する反射膜を備え、
前記光共振層は、前記発光層を中心に前記反射膜に対向するように位置することを特徴とする請求項41に記載の発光装置。
【請求項45】
前記反射膜の反射界面から前記第1層の外側面までの厚さをt6とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t6が下記(6)式を満足させることを特徴とする請求項44に記載の発光装置
t6=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(6)。
【請求項46】
前記t6は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項45に記載の発光装置。
【請求項47】
前記基板は、前記発光素子に電気的に連結された少なくとも1つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項26に記載の発光装置。
【請求項48】
前記発光素子は、前記発光層が赤色、緑色、及び青色発光層で備わった赤色、緑色及び青色画素を備え、
前記光共振層は、前記赤色、緑色、及び青色画素別にその厚さが異なるように備わったことを特徴とする請求項26に記載の発光装置。
【請求項49】
前記発光素子は、有機電界発光素子であることを特徴とする請求項26に記載の発光装置。
【請求項50】
前記発光素子は、無機電界発光素子であることを特徴とする請求項26に記載の発光装置。
【請求項51】
基板と、
前記基板上に備わった発光素子と、
前記発光素子上に位置し、前記発光素子から放出される光を共振させる光共振層と、
前記光共振層と前記発光素子との間に介在された中間層と、を備える発光装置。
【請求項52】
前記光共振層は、前記発光素子から遠ざかる方向に順に積層された第1層及び第2層を有し、前記第2層は、前記第1層より高い屈折率を有することを特徴とする請求項51に記載の発光装置。
【請求項53】
前記第1層と前記第2層との屈折率差は、0.2以上であることを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項54】
前記第1層の屈折率が1〜1.6であることを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項55】
前記第1層は、ナノ多孔性シリカ、シロキサン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ素樹脂、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項56】
前記第2層の屈折率が1.6〜2.3であることを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項57】
前記第2層は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ニオビウム、酸化タンタル、酸化アンチモン、合成ポリマー、またはベンゾシクロブテンを含むことを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項58】
前記中間層は、前記第1層より稠密な物質で備わったことを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項59】
前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項60】
前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項61】
前記発光素子は、互いに対向した一対の電極と、前記電極間に介在された発光層とを備え、
前記発光素子の電極のうちいずれか一つは、前記発光層から放出された光を反射する反射膜を備え、
前記光共振層は、前記発光層を中心に前記反射膜に対向するように位置することを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項62】
前記反射膜の反射界面から前記第1層と第2層との界面までの厚さをt7と、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t7が下記(7)式を満足させることを特徴とする請求項に記載61の発光装置。
t7=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(7)
【請求項63】
前記t7は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項62に記載の発光装置。
【請求項64】
前記反射膜の反射界面から前記第2層の外側面までの厚さをt8と、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t8が下記(8)式を満足させることを特徴とする請求項61に記載の発光装置。
t8=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数) …(8)。
【請求項65】
前記t8は、前記第2層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項64に記載の発光装置。
【請求項66】
前記光共振層は、屈折率が1〜1.6の第1層を備え、
前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項61に記載の発光装置。
【請求項67】
前記第1層は、ナノ多孔性シリカ、シロキサン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ素樹脂、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項66に記載の発光装置。
【請求項68】
前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項66に記載の発光装置。
【請求項69】
前記発光素子は、互いに対向した一対の電極と、前記電極間に介在された発光層とを備え、
前記発光素子の電極のうちいずれか一つは、前記発光層から放出された光を反射する反射膜を備え、
前記光共振層は、前記発光層を中心に前記反射膜に対向するように位置することを特徴とする請求項66に記載の発光装置。
【請求項70】
前記反射膜の反射界面から前記第1層の外側面までの厚さをt9とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t9が下記(9)を満足させることを特徴とする請求項69に記載の発光装置。
t9=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(9)
【請求項71】
前記t9は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項70に記載の発光装置。
【請求項72】
前記基板は、前記発光素子に電気的に連結された少なくとも1つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項51に記載の発光装置。
【請求項73】
前記発光素子は、前記発光層が赤色、緑色、及び青色発光層で備わった赤色、緑色及び青色画素を備え、
前記光共振層は、前記赤色、緑色、及び青色画素別にその厚さが異なるように備わったことを特徴とする請求項51に記載の発光装置。
【請求項74】
前記発光素子は、有機電界発光素子であることを特徴とする請求項51に記載の発光装置。
【請求項75】
前記発光素子は、無機電界発光素子であることを特徴とする請求項51に記載の発光装置。
【請求項1】
基板と、
前記基板上に備わった発光素子と、
前記発光素子の外側に位置し、前記発光素子から放出される光を共振させる光共振層と、
前記光共振層と前記発光素子との間に介在される中間層と、を備える発光装置。
【請求項2】
前記光共振層は、前記発光素子から遠ざかる方向に順に積層された第1層及び第2層を有し、前記第2層は前記第1層より高い屈折率を有することを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項3】
前記第1層と前記第2層との屈折率差は、0.2以上であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項4】
前記第1層の屈折率が1〜1.6であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項5】
前記第1層は、ナノ多孔性シリカ、シロキサン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ素樹脂、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項6】
前記第2層の屈折率が1.6〜2.3であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項7】
前記第2層は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ニオビウム、酸化タンタル、酸化アンチモン、合成ポリマー、またはベンゾシクロブテンを含むことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項8】
前記中間層は、前記第1層より緻密な物質で備わったことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項9】
前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項10】
前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項11】
前記発光素子は、互いに対向した一対の電極と、前記電極間に介在された発光層とを備え、
前記発光素子の電極のうちいずれか一つは、前記発光層から放出された光を反射する反射膜を備え、
前記光共振層は、前記発光層を中心に前記反射膜に対向するように位置することを特徴とする請求項2に記載の発光装置。
【請求項12】
前記反射膜の反射界面から前記第1層と第2層との界面までの厚さをt1とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t1が下記(1)式を満足させることを特徴とする請求項11に記載の発光装置。
t1=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(1)
【請求項13】
前記t1は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項12に記載の発光装置。
【請求項14】
前記反射膜の反射界面から前記第2層の外側面までの厚さをt2とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t2が下記(2)式を満足させることを特徴とする請求項11に記載の発光装置。
t2=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数) …(2)
【請求項15】
前記t2は、前記第2層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項14に記載の発光装置。
【請求項16】
前記光共振層は、屈折率が1〜1.6である第1層を備え、
前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項17】
前記第1層は、ナノ多孔性シリカ、シロキサン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ素樹脂、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
【請求項18】
前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
【請求項19】
前記発光素子は、互いに対向した一対の電極と、前記電極間に介在された発光層とを備え、
前記発光素子の電極のうちいずれか一つは、前記発光層から放出された光を反射する反射膜を備え、
前記光共振層は、前記発光層を中心に前記反射膜に対向するように位置することを特徴とする請求項16に記載の発光装置。
【請求項20】
前記反射膜の反射界面から前記第1層の外側面までの厚さをt3とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t3が下記(3)式を満足させることを特徴とする請求項19に記載の発光装置。
t3=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(3)
【請求項21】
前記t3は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項20に記載の発光装置。
【請求項22】
前記基板は、前記発光素子に電気的に連結された少なくとも1つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項23】
前記発光素子は、前記発光層が赤色、緑色、及び青色発光層で備わった赤色、緑色及び青色画素を備え、
前記光共振層は、前記赤色、緑色、及び青色画素別にその厚さが異なるように備わったことを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項24】
前記発光素子は、有機電界発光素子であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項25】
前記発光素子は、無機電界発光素子であることを特徴とする請求項1に記載の発光装置。
【請求項26】
基板と、
前記基板上に備わった発光素子と、
前記発光素子と前記基板との間に介在され、前記発光素子から放出される光を共振させる光共振層と、
前記光共振層と前記発光素子との間に介在された中間層と、を備える発光装置。
【請求項27】
前記光共振層は、前記発光素子から遠ざかる方向に順に積層された第1層及び第2層を有し、前記第2層は、前記第1層より高い屈折率を有することを特徴とする請求項26に記載の発光装置。
【請求項28】
前記第1層と前記第2層との屈折率差は、0.2以上であることを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項29】
前記第1層の屈折率が1〜1.6であることを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項30】
前記第1層は、ナノ多孔性シリカ、シロキサン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ素樹脂、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項31】
前記第2層の屈折率が1.6〜2.3であることを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項32】
前記第2層は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ニオビウム、酸化タンタル、酸化アンチモン、合成ポリマー、またはベンゾシクロブテンを含むことを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項33】
前記中間層は、前記第1層より稠密な物質で備わったことを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項34】
前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項35】
前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項36】
前記発光素子は、互いに対向した一対の電極と、前記電極間に介在された発光層とを備え、
前記発光素子の電極のうちいずれか一つは、前記発光層から放出された光を反射する反射膜を備え、
前記光共振層は、前記発光層を中心に前記反射膜に対向するように位置することを特徴とする請求項27に記載の発光装置。
【請求項37】
前記反射膜の反射界面から前記第1層と第2層との界面までの厚さをt4とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t4が下記(4)式を満足させることを特徴とする請求項36に記載の発光装置。
t4=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(4)
【請求項38】
前記t4は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項37に記載の発光装置。
【請求項39】
前記反射膜の反射界面から前記第2層の外側面までの厚さをt5とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t5が下記(5)式を満足させることを特徴とする請求項36に記載の発光装置。
t5=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数) …(5)
【請求項40】
前記t5は、前記第2層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項39に記載の発光装置。
【請求項41】
前記光共振層は、屈折率が1〜1.6の第1層を備え、
前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項26に記載の発光装置。
【請求項42】
前記第1層は、ナノ多孔性シリカ、シロキサン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ素樹脂、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項41に記載の発光装置。
【請求項43】
前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項41に記載の発光装置。
【請求項44】
前記発光素子は、互いに対向した一対の電極と、前記電極間に介在された発光層とを備え、
前記発光素子の電極のうちいずれか一つは、前記発光層から放出された光を反射する反射膜を備え、
前記光共振層は、前記発光層を中心に前記反射膜に対向するように位置することを特徴とする請求項41に記載の発光装置。
【請求項45】
前記反射膜の反射界面から前記第1層の外側面までの厚さをt6とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t6が下記(6)式を満足させることを特徴とする請求項44に記載の発光装置
t6=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(6)。
【請求項46】
前記t6は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項45に記載の発光装置。
【請求項47】
前記基板は、前記発光素子に電気的に連結された少なくとも1つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項26に記載の発光装置。
【請求項48】
前記発光素子は、前記発光層が赤色、緑色、及び青色発光層で備わった赤色、緑色及び青色画素を備え、
前記光共振層は、前記赤色、緑色、及び青色画素別にその厚さが異なるように備わったことを特徴とする請求項26に記載の発光装置。
【請求項49】
前記発光素子は、有機電界発光素子であることを特徴とする請求項26に記載の発光装置。
【請求項50】
前記発光素子は、無機電界発光素子であることを特徴とする請求項26に記載の発光装置。
【請求項51】
基板と、
前記基板上に備わった発光素子と、
前記発光素子上に位置し、前記発光素子から放出される光を共振させる光共振層と、
前記光共振層と前記発光素子との間に介在された中間層と、を備える発光装置。
【請求項52】
前記光共振層は、前記発光素子から遠ざかる方向に順に積層された第1層及び第2層を有し、前記第2層は、前記第1層より高い屈折率を有することを特徴とする請求項51に記載の発光装置。
【請求項53】
前記第1層と前記第2層との屈折率差は、0.2以上であることを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項54】
前記第1層の屈折率が1〜1.6であることを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項55】
前記第1層は、ナノ多孔性シリカ、シロキサン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ素樹脂、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項56】
前記第2層の屈折率が1.6〜2.3であることを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項57】
前記第2層は、窒化ケイ素、酸化チタン、酸化ハフニウム、酸化ニオビウム、酸化タンタル、酸化アンチモン、合成ポリマー、またはベンゾシクロブテンを含むことを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項58】
前記中間層は、前記第1層より稠密な物質で備わったことを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項59】
前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項60】
前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項61】
前記発光素子は、互いに対向した一対の電極と、前記電極間に介在された発光層とを備え、
前記発光素子の電極のうちいずれか一つは、前記発光層から放出された光を反射する反射膜を備え、
前記光共振層は、前記発光層を中心に前記反射膜に対向するように位置することを特徴とする請求項52に記載の発光装置。
【請求項62】
前記反射膜の反射界面から前記第1層と第2層との界面までの厚さをt7と、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t7が下記(7)式を満足させることを特徴とする請求項に記載61の発光装置。
t7=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(7)
【請求項63】
前記t7は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項62に記載の発光装置。
【請求項64】
前記反射膜の反射界面から前記第2層の外側面までの厚さをt8と、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t8が下記(8)式を満足させることを特徴とする請求項61に記載の発光装置。
t8=(2n+1)λ/4 (ただしnは自然数) …(8)。
【請求項65】
前記t8は、前記第2層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項64に記載の発光装置。
【請求項66】
前記光共振層は、屈折率が1〜1.6の第1層を備え、
前記中間層は、屈折率が1.3〜2.3であることを特徴とする請求項61に記載の発光装置。
【請求項67】
前記第1層は、ナノ多孔性シリカ、シロキサン、フッ化マグネシウム、フッ化カルシウム、フッ素樹脂、シリカエアロゲル、または酸化ケイ素を含むことを特徴とする請求項66に記載の発光装置。
【請求項68】
前記中間層は、無機−有機ハイブリッド・ポリマー、酸化ケイ素、ベンゾシクロブテン、または窒化ケイ素を含むことを特徴とする請求項66に記載の発光装置。
【請求項69】
前記発光素子は、互いに対向した一対の電極と、前記電極間に介在された発光層とを備え、
前記発光素子の電極のうちいずれか一つは、前記発光層から放出された光を反射する反射膜を備え、
前記光共振層は、前記発光層を中心に前記反射膜に対向するように位置することを特徴とする請求項66に記載の発光装置。
【請求項70】
前記反射膜の反射界面から前記第1層の外側面までの厚さをt9とし、前記発光層から放出される光の波長をλとするとき、前記t9が下記(9)を満足させることを特徴とする請求項69に記載の発光装置。
t9=(nλ)/2 (ただしnは自然数) …(9)
【請求項71】
前記t9は、前記第1層及び中間層のうち少なくとも一層の厚さにより調節されることを特徴とする請求項70に記載の発光装置。
【請求項72】
前記基板は、前記発光素子に電気的に連結された少なくとも1つの薄膜トランジスタを備えることを特徴とする請求項51に記載の発光装置。
【請求項73】
前記発光素子は、前記発光層が赤色、緑色、及び青色発光層で備わった赤色、緑色及び青色画素を備え、
前記光共振層は、前記赤色、緑色、及び青色画素別にその厚さが異なるように備わったことを特徴とする請求項51に記載の発光装置。
【請求項74】
前記発光素子は、有機電界発光素子であることを特徴とする請求項51に記載の発光装置。
【請求項75】
前記発光素子は、無機電界発光素子であることを特徴とする請求項51に記載の発光装置。
【図1】
【図2】
【図3】
【図4】
【図5】
【図6】
【図7】
【図8】
【図9】
【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【図2】
【図3】
【図4】
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【図10】
【図11】
【図12】
【図13】
【図14】
【公開番号】特開2006−140130(P2006−140130A)
【公開日】平成18年6月1日(2006.6.1)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2005−192253(P2005−192253)
【出願日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【出願人】(590002817)三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Fターム(参考)】
【公開日】平成18年6月1日(2006.6.1)
【国際特許分類】
【出願日】平成17年6月30日(2005.6.30)
【出願人】(590002817)三星エスディアイ株式会社 (2,784)
【Fターム(参考)】
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