説明

蒸着用マスクおよび蒸着用マスクの製造方法

【課題】本発明は、スリットの大きさが微細に制御された蒸着用マスクおよび蒸着用マスクの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明による蒸着用マスクは、貫設された複数のスリットが形成されたマスク本体、および原子層蒸着法(atomic layer deposition、ALD)により前記マスク本体の表面全体にコーティングされた蒸着層を含む。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、蒸着用マスクおよび蒸着用マスクの製造方法に関し、より詳しくは、有機発光表示装置の有機層を蒸着する際に用いられる蒸着用マスクおよび蒸着用マスクの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
一般に、有機物蒸着装置は、真空で蒸着しようとする有機物に電流を加えて有機物を基板に層(layer)形態に形成する装置である。有機物蒸着装置は、基板に所望するパターンの有機層を形成するための蒸着用マスクを含む。一定の大きさ以上の大型基板に有機物を蒸着する場合、蒸着用マスクとしては、所望するパターンの安定した有機物蒸着のために、高い耐久性と強度を有する高精細メタルマスク(fine metal mask、FMM)が使用され得る。
【0003】
FMMは、大型基板に高精細パターンの有機物を蒸着するための蒸着用マスクである。
【0004】
FMMを用いると、基板の決められた位置に複数の所望する高精細パターンの有機物を一度に形成することができる。このようなFMMは、所望するパターンの有機物蒸着のために、有機物が通過する複数の直方形スリットを備えたりストライプ状のスリットを備えることができる。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明の一実施形態は、スリットの大きさが微細に制御された蒸着用マスクおよび蒸着用マスクの製造方法を提供することにその目的がある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
上述した技術的課題を達成するための本発明の第1側面は、貫設された複数のスリットが形成されたマスク本体、および原子層蒸着法(atomic layer deposition、ALD)により前記マスク本体の表面全体にコーティングされた蒸着層を含む蒸着用マスクを提供する。
【0007】
前記蒸着層は、前記マスク本体を構成する材料とは異なる材料で構成されてもよい。
【0008】
前記マスク本体は、磁性体であってもよい。
【0009】
前記蒸着層は、前記マスク本体に比べてより強い磁気力を有することができる。
【0010】
前記蒸着層は、酸化物であってもよい。
【0011】
前記スリットは、オープン領域を形成し、前記蒸着層の厚さは、前記オープン領域の幅を調節することができる。
【0012】
また、本発明の第2側面は、マスク本体に貫設された複数のスリットを形成する段階、および原子層蒸着法を利用して前記マスク本体の表面全体に蒸着層をコーティングする段階を含む蒸着用マスクの製造方法を提供する。
【0013】
前記複数のスリットを形成する段階は、フォトリソグラフィ(photolithography)工程を利用して行うことができる。
【0014】
前記蒸着層をコーティングする段階は、前記スリットが形成するオープン領域の幅を調節するように前記蒸着層の厚さを調節して行うことができる。
【発明の効果】
【0015】
上述した本発明の実施形態によれば、スリットの大きさが微細に制御された蒸着用マスクおよび蒸着用マスクの製造方法が提供される。
【図面の簡単な説明】
【0016】
【図1】本発明の第1実施形態による蒸着用マスクが含まれている有機物蒸着装置を示す図面である。
【図2】図1に示された蒸着用マスクおよびフレームを示す斜視図である。
【図3】図2のIII-III線断面図である。
【図4】本発明の第2実施形態による蒸着用マスクの製造方法を示すフローチャートである。
【図5】本発明の第2実施形態による蒸着用マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図6】本発明の第3実施形態による蒸着用マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図7】本発明の第4実施形態による蒸着用マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【図8】本発明の第5実施形態による蒸着用マスクを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、添付図面を参照して本発明の多様な実施形態について本発明が属する技術分野で通常の知識を有する者が容易に実施できるように詳しく説明する。本発明は、多様な異なる形態で実現可能であり、ここで説明する実施形態に限定されない。
【0018】
本発明を明確に説明するために、説明上不要な部分は省略し、明細書全体を通して同一または類似する構成要素については同一の参照符号を付した。
【0019】
また、図面に示された各構成の大きさおよび厚さは、説明の便宜のために任意に示したため、発明が必ずしも示されたことに限定されない。
【0020】
図面において、多くの層および領域を明確に表現するために、厚さを拡大して示した。そして、説明の便宜のために、一部の層および領域の厚さを誇張して示した。層、膜、領域、板などの部分が他の部分の「上」にあるという時、これは他の部分の「直上」にある場合のみならず、その中間にさらに他の部分がある場合も含む。
【0021】
また、明細書全体において、ある部分がある構成要素を「含む」という時、これは特に反対の記載がない限り、他の構成要素を除くのではなく、他の構成要素をさらに含むことができることを意味する。また、明細書全体において、「〜上に」とは、対象部分の上または下に位置することを意味し、必ずしも重力方向を基準に上側に位置することを意味するのではない。
【0022】
以下、図1乃至図3を参照して本発明の第1実施形態による蒸着用マスクを説明する。
【0023】
図1は、本発明の第1実施形態による蒸着用マスクが含まれている有機物蒸着装置を示す図面である。
【0024】
図1に示されているように、有機物蒸着装置は、有機発光表示装置の有機層を形成するために用いられる。有機物蒸着装置は、真空チャンバー30、真空チャンバー30に設けられた有機物蒸着容器(crucible)20、有機物蒸着容器20の上部に設けられた開口部11が形成されたフレーム10、フレーム10に支持された蒸着用マスク100、蒸着用マスク100上に配置された磁石アレイ40を含む。有機物蒸着装置を用いて基板Sに有機層を蒸着する方法を説明すると、蒸着用マスク100の上部に有機層が形成される基板Sを装着し、基板Sの上部に蒸着用マスク100を基板Sに密着させるための磁石アレイ40を位置させて蒸着用マスク100が基板Sに密着するようにした後、この状態で有機物蒸着容器20を作動させると、有機物蒸着容器20に収納された有機物は気化し、フレーム10の開口部11および蒸着用マスク100のスリットを通過して基板Sに所定のパターンを有する有機層として蒸着される。
【0025】
図2は、図1に示された蒸着用マスクおよびフレームを示す斜視図である。
【0026】
図2に示されているように、蒸着用マスク100は、複数のスリット111を含み、複数の蒸着用マスク100のそれぞれが開口部11が形成されたフレーム10に支持される。蒸着用マスク100は、引張されてフレーム10に溶接され得る。
【0027】
図3は、図2のIII-III線断面図である。
【0028】
図3に示されているように、蒸着用マスク100は、マスク本体110および蒸着層120を含む。
【0029】
マスク本体110は、貫設された複数のスリット111を含み、このスリット111を通じて有機物が基板Sに蒸着され、有機層として形成される。マスク本体110は、高い耐久性と強度を有する金属から形成され得る。マスク本体110は、磁性体であってもよく、これに限定されずにニッケル(Ni)、インバー(invar)およびアルミニウム(Al)等の多様な金属を含んでもよい。スリット111は、オープン領域OAを形成している。
【0030】
蒸着層120は、マスク本体110の表面全体にコーティング(coating)されており、原子層蒸着法(atomic layer deposition、ALD)により形成される。原子層蒸着法の特性上、蒸着層120は、多様な材料を含み、被蒸着体であるマスク本体110を構成する材料とは関係なしにマスク本体110に安定的にコーティングされている。蒸着層120は、マスク本体110を構成する材料とは異なる材料で構成されてもよく、一例として、鉄(Fe)またはフェライト(ferrite)等の材料で構成され得る。蒸着層120は、マスク本体110に比べてより強い磁気力を有することができる。このように、マスク本体110の表面全体にコーティングされた蒸着層120がマスク本体110に比べてより強い磁気力を有することによって、マスク本体110を構成する材料とは関係なしに基板Sの上部に配置され、蒸着用マスク100を基板Sに密着させるための磁石アレイ40により、容易に蒸着用マスク100が基板Sに密着する。
【0031】
蒸着層120は、複数の原子層蒸着法により形成され、原子層蒸着法の回数により厚さDが調節される。蒸着層120の厚さDが調節されることによって、スリット111が形成するオープン領域OAの幅Wが調節され、これによって蒸着用マスク100のスリット111の大きさが微細に調節される。
【0032】
このように、蒸着用マスク100のスリット111が形成するオープン領域OAの幅Wが蒸着層120の厚さDを調節して調節されることによって、蒸着層120の厚さを原子層の厚さ単位に調節することができるため、スリット111が形成するオープン領域OAの幅Wをナノ(nano)単位に調節することができる。これによって、ナノ単位のパターンを有する有機層を基板Sに蒸着して高解像度の有機発光表示装置を形成することができる。
【0033】
以上のように、本発明の第1実施形態による蒸着用マスク100は、マスク本体110およびマスク本体110の表面全体にコーティングされた蒸着層120を含むことによって、蒸着層120がマスク本体110に比べてより強い磁気力を有しているため、マスク本体110を構成する材料とは関係なしに基板Sの上部に配置され、蒸着用マスク100を基板Sに密着させるための磁石アレイ40により、容易に蒸着用マスク100を基板Sに密着させることができる。
【0034】
また、本発明の第1実施形態による蒸着用マスク100は、蒸着層120が複数の原子層蒸着法により形成され、原子層蒸着法の回数により厚さDが調節されることによって、厚さDによりスリット111が形成するオープン領域OAの幅Wが調節されるため、スリット111が形成するオープン領域OAの幅Wをナノ(nano)単位に調節し、ナノ単位のパターンを有する有機層を基板Sに蒸着して高解像度の有機発光表示装置を形成することができる。
【0035】
また、本発明の第1実施形態による蒸着用マスク100は、蒸着層120をマスク本体110がフレーム10に引張されて溶接された後に形成する場合、引張または溶接によりスリット111が変形されても、変形後に蒸着層120の厚さDを調節してスリット111が形成するオープン領域OAの幅Wを調節することができる。
【0036】
また、本発明の第1実施形態による蒸着用マスク100は、蒸着層120がマスク本体110を構成する材料とは異なる材料で構成されることによって、蒸着層120をエッチング液でエッチングされる材料で構成し、マスク本体110を前記エッチング液でエッチングされない材料で構成する場合、蒸着用マスク100を有機物蒸着工程に利用した後、前記エッチング液を利用して蒸着用マスク100を湿式エッチングし、蒸着層120をマスク本体110から除去して蒸着用マスク100をきれいにクリーニング(cleaning)することができる。クリーニングの後、マスク本体110はリサイクルすることができる。これは全体的な製造費用および製造時間が節減される要因として作用する。
【0037】
また、本発明の第1実施形態による蒸着用マスク100は、蒸着層120がマスク本体110を構成する材料とは異なる材料で構成されることによって、マスク本体110を構成する材料とは関係なしに蒸着層120をスリット111を通過する有機物と化学的親和性が低い材料で構成する場合、蒸着用マスク100に有機物が吸着することを最少化することができる。
【0038】
以下、図4および図5を参照して本発明の第2実施形態による蒸着用マスクの製造方法を説明する。本発明の第2実施形態による蒸着用マスクの製造方法を利用して上述した本発明の第1実施形態による蒸着用マスクを製造することができる。
【0039】
図4は、本発明の第2実施形態による蒸着用マスクの製造方法を示すフローチャートである。図5は、本発明の第2実施形態による蒸着用マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【0040】
まず、図4および図5に示されているように、マスク本体110に貫設された複数のスリット111を形成する(S100)。
【0041】
具体的に、フォトリソグラフィ(photolithography)工程を利用してマスク本体110に複数のスリット111を形成する。
【0042】
以下、フォトリソグラフィ工程を利用してマスク本体110に複数のスリット111を形成することについて説明する。
【0043】
まず、図5の(a)に示されているように、マスク本体110の上面に第1フォトレジスト層を形成し、下面に第2フォトレジスト層を形成した後、フォトマスクを用いて第1フォトレジスト層および第2フォトレジスト層のそれぞれを順次に露光および現像し、マスク本体110の上面および下面のそれぞれに第1フォトレジストパターンPR1および第2フォトレジストパターンPR2のそれぞれを形成する。
【0044】
次に、図5の(b)に示されているように、第1フォトレジストパターンPR1および第2フォトレジストパターンPR2をマスクとして用いてマスク本体110を湿式エッチングし、第1幅W1のオープン領域OAを形成するスリット111を形成する。
【0045】
次に、図5の(c)に示されているように、リフトオフ(lift off)またはアッシング(ashing)工程などを利用してマスク本体110から第1フォトレジストパターンPR1および第2フォトレジストパターンPR2を除去する。
【0046】
次に、原子層蒸着法を利用してマスク本体110の表面全体に蒸着層120をコーティングする(S200)。
【0047】
具体的に、図5の(d)に示されているように、マスク本体110のスリット111が形成するオープン領域OAの第1幅W1を第2幅W2に調節するために、蒸着層120の厚さDを調節するように原子層蒸着法を利用してマスク本体110表面全体に蒸着層120をコーティングする。これによって、蒸着用マスク100のスリット111が形成するオープン領域OAは、第1幅W1に比べてナノ単位に狭く調節された第2幅W2を有するようになる。
【0048】
以下、図6を参照して本発明の第3実施形態による蒸着用マスクの製造方法を説明する。本発明の第3実施形態による蒸着用マスクの製造方法を利用して上述した本発明の第1実施形態による蒸着用マスクを製造することができる。
【0049】
図6は、本発明の第3実施形態による蒸着用マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【0050】
まず、図6の(a)に示されているように、マスク本体110の上面に第3フォトレジスト層を形成し、下面に第4フォトレジスト層を形成した後、フォトマスクを用いて第3フォトレジスト層および第4フォトレジスト層のそれぞれを順次に露光および現像し、マスク本体110の上面および下面のそれぞれに第3フォトレジストパターンPR3および第4フォトレジストパターンPR4のそれぞれを形成する。
【0051】
次に、図6の(b)に示されているように、第3フォトレジストパターンPR3および第4フォトレジストパターンPR4をマスクとして用いてマスク本体110の一部を湿式エッチングする。
【0052】
次に、図6の(c)に示されているように、マスク本体110の一部が湿式エッチングされたマスク本体110の上側を満たすようにエッチング阻止層ESを形成する。
【0053】
次に、図6の(d)に示されているように、第4フォトレジストパターンPR4をマスクとして用いてマスク本体110の下側を湿式エッチングした後、図6の(e)に示されているように、エッチング阻止層ESをマスク本体110から除去し、リフトオフ(lift off)またはアッシング(ashing)工程などを利用してマスク本体110から第3フォトレジストパターンPR3および第4フォトレジストパターンPR4を除去し、第3幅W3のオープン領域OAを形成するスリット111を形成する。
【0054】
次に、図6の(f)に示されているように、マスク本体110のスリット111が形成するオープン領域OAの第3幅W3を第4幅W4に調節するために、蒸着層120の厚さDを調節するように原子層蒸着法を利用してマスク本体110表面全体に蒸着層120をコーティングする。これによって、蒸着用マスク103のスリット111が形成するオープン領域OAは第3幅W3に比べてナノ単位に狭く調節された第4幅W4を有するようになる。
【0055】
以下、図7を参照して本発明の第4実施形態による蒸着用マスクの製造方法を説明する。本発明の第4実施形態による蒸着用マスクの製造方法を利用して上述した本発明の第1実施形態による蒸着用マスクを製造することができる。
【0056】
図7は、本発明の第4実施形態による蒸着用マスクの製造方法を説明するための断面図である。
【0057】
まず、図7の(a)に示されているように、金属板SSの上面に第5フォトレジスト層PL5を形成する。
【0058】
次に、図7の(b)に示されているように、フォトマスクを用いて第5フォトレジスト層PL5を露光および現像し、金属板SS上面にテーパされた(taper)形態の第5フォトレジストパターンPR5を形成する。
【0059】
次に、図7の(c)に示されているように、電解めっき法を利用して金属板SS上面にマスク本体110を形成する。
【0060】
次に、図7の(d)に示されているように、リフトオフ(lift off)またはアッシング(ashing)工程などを利用して金属板SSから第5フォトレジストパターンPR5を除去し、図7の(e)に示されているように、湿式エッチングなどを利用してマスク本体110から金属板SSを除去し、第5幅W5のオープン領域OAを形成するスリット111を形成する。
【0061】
次に、図7の(f)に示されているように、マスク本体110のスリット111が形成するオープン領域OAの第5幅W5を第6幅W6に調節するために、蒸着層120の厚さDを調節するように原子層蒸着法を利用してマスク本体110表面全体に蒸着層120をコーティングする。これによって、蒸着用マスク104のスリット111が形成するオープン領域OAは、第5幅W5に比べてナノ単位に狭く調節された第6幅W6を有するようになる。
【0062】
以下、図8を参照して本発明の第5実施形態による蒸着用マスクを説明する。
【0063】
ただし、第1実施形態と区別される特徴的な部分のみを抜粋して説明し、説明が省略された部分は第1実施形態と同一である。そして、本発明の第5実施形態では、説明の便宜のために、同一の構成要素については本発明の第1実施形態と同一の参照番号を付して説明する。
【0064】
図8は、本発明の第5実施形態による蒸着用マスクを示す断面図である。
【0065】
図5に示されているように、本発明の第5実施形態による蒸着用マスク105は、マスク本体110および蒸着層125を含む。
【0066】
蒸着層125は、アルミナ(Al)、窒素酸化物(NOx)、シリコン酸化物(SiOx)等の酸化物からなる。
【0067】
このように、本発明の第5実施形態による蒸着用マスク105は、蒸着層125が酸化物からなることによって、蒸着用マスク105がスパッタ工程または化学気相蒸着工程などに利用されても、蒸着層125がスパッタ工程または化学気相蒸着工程などに使用するプラズマまたは反応性ガスなどがマスク本体110にダメージ(damage)を与えることを一次的に防止するため、蒸着工程中は、マスク本体110に対するダメージの発生が最小化される。
【0068】
以上で本発明を好適な実施形態を通じて説明したが、本発明はこれに限定されず、特許請求の範囲の概念と範囲を逸脱しない限り、多様な修正および変形が可能であることを本発明が属する技術分野で務める者は簡単に理解できるだろう。
【符号の説明】
【0069】
10 フレーム
11 開口部
20 有機物蒸着容器
30 真空チャンバー
40 磁石アレイ
100 蒸着用マスク
110 マスク本体
120 蒸着層

【特許請求の範囲】
【請求項1】
貫設された複数のスリットが形成されたマスク本体、および
原子層蒸着法(ALD)により前記マスク本体の表面全体にコーティングされた蒸着層
を含む、蒸着用マスク。
【請求項2】
前記蒸着層は、前記マスク本体を構成する材料とは異なる材料で構成される、請求項1に記載の蒸着用マスク。
【請求項3】
前記マスク本体は、磁性体である、請求項2に記載の蒸着用マスク。
【請求項4】
前記蒸着層は、前記マスク本体に比べてより強い磁気力を有する、請求項3に記載の蒸着用マスク。
【請求項5】
前記蒸着層は、酸化物である、請求項3に記載の蒸着用マスク。
【請求項6】
前記スリットは、オープン領域を形成し、
前記蒸着層の厚さは、前記オープン領域の幅を調節する、 請求項1乃至5のいずれか一項に記載の蒸着用マスク。
【請求項7】
マスク本体に貫設された複数のスリットを形成する段階、および
原子層蒸着法を利用して前記マスク本体の表面全体に蒸着層をコーティングする段階
を含む、蒸着用マスクの製造方法。
【請求項8】
前記複数のスリットを形成する段階は、フォトリソグラフィ工程を利用して行う、請求項7に記載の蒸着用マスクの製造方法。
【請求項9】
前記蒸着層をコーティングする段階は、
前記スリットが形成するオープン領域の幅を調節するように前記蒸着層の厚さを調節して行う、請求項7に記載の蒸着用マスクの製造方法。

【図1】
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【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【公開番号】特開2013−112895(P2013−112895A)
【公開日】平成25年6月10日(2013.6.10)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−41864(P2012−41864)
【出願日】平成24年2月28日(2012.2.28)
【出願人】(512187343)三星ディスプレイ株式會社 (73)
【氏名又は名称原語表記】Samsung Display Co.,Ltd.
【住所又は居所原語表記】95,Samsung 2 Ro,Giheung−Gu,Yongin−City,Gyeonggi−Do,Korea
【Fターム(参考)】