配線基板及びフリップチップ実装構造
【課題】配線基板と半導体チップの接続の信頼性を向上させることができる配線基板及びフリップチップ実装構造を提供する。
【解決手段】配線基板２には、配線導体２１が所定間隔に設けられており、その先端部に半導体チップ３が搭載される。半導体チップ３と配線導体２１とは、バンプ４を介して接続される。配線導体２１は、バンプ４との接続部２１ａから所定長を延伸して構成されたダミー配線導体部（気泡把持部）２１ｂを有する。ダミー配線導体部２１ｂは、配線基板２と半導体チップ３の間に注入された熱硬化性樹脂に発生した気泡３０１が、配線導体２１へ進入するのを阻止する。
【解決手段】配線基板２には、配線導体２１が所定間隔に設けられており、その先端部に半導体チップ３が搭載される。半導体チップ３と配線導体２１とは、バンプ４を介して接続される。配線導体２１は、バンプ４との接続部２１ａから所定長を延伸して構成されたダミー配線導体部（気泡把持部）２１ｂを有する。ダミー配線導体部２１ｂは、配線基板２と半導体チップ３の間に注入された熱硬化性樹脂に発生した気泡３０１が、配線導体２１へ進入するのを阻止する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップがフリップチップ（Flip Chip）方式によって実装される配線基板及びフリップチップ実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップを配線基板に実装する方法として、配線基板に半導体チップを直接接続するフリップチップ方式が広く採用されている。フリップチップ方式は、実装面積が小さく、半導体パッケージの小型化、実装の効率化および電子機器等の高速動作が可能であるという特徴を有している。
【０００３】
フリップチップ方式による半導体チップの実装方法は、大別して以下の２つがある。
（１）半導体チップを配線基板に搭載した後、半導体チップと配線基板の隙間に封止樹脂を外部から注入及び充填する方法。
（２）配線基板の所定領域に封止樹脂を塗布した後、半導体チップを封止樹脂上に位置決めしてから降下させ、封止樹脂が半導体チップと配線基板の間からはみ出る状態にして封止する方法。
【０００４】
しかし、上記した実装方法は、いずれも、封止樹脂が広がり或いは充填されていく間に、封止樹脂の流動によって空気を封止樹脂内に巻き込み、気泡（ボイド）を生じさせるという問題がある。
【０００５】
図１２は、封止樹脂内に気泡が発生した半導体装置を示す。この半導体装置１０は、配線基板１００上に半導体チップ２００をフリップチップ方式により実装している。配線基板１００は、所定間隔に設けられた配線導体１０１を有し、その先端を覆うようにして半導体チップ２００が実装されている。半導体チップ２００は、配線導体１０１のそれぞれの先端部に接続されたバンプ（bump）２０１を有する。
【０００６】
なお、配線基板１００上のチップ搭載領域１００ａに半導体チップ２００を搭載した後、半導体チップ２００と配線基板１００の間に熱硬化性の封止樹脂が注入されるが、ここでは図示を省略している。
【０００７】
図１２のように、気泡３００が、封止樹脂の流動によって配線導体１０１とバンプ２０１が接続される接続部１０１ａ周辺に存在することがある。気泡３００が接続部１０１ａ周辺に存在すると、半導体チップ２００と配線基板１００との間の接続強度が低下し、半導体装置１０の信頼性が損なわれる。
【０００８】
この対策として、配線基板の隣接パターン間にダミーパターンを設け、或いは配線層の先端形状をくさび状または円弧状にしておき、接着剤の充填がバンプや配線層の周囲に行きわたるようにし、気泡をチップ搭載領域１００ａの外へ排出する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平６−５７３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、従来のフリップチップ実装構造は、半導体チップが大きい、配線導体のピッチが広いなど、樹脂の流動性を損なわない条件であれば、大きな気泡の排出は期待できるが、十数〜１００μｍ程度の小さいものは排出されにくい。更に、配線導体のピッチが狭いと、図１２のように、気泡３００が接続部１０１ａにとどまってしまい、電気的絶縁性が低下するという問題がある。
【００１０】
従って、本発明の目的は、配線基板と半導体チップの接続の信頼性を向上させることができる配線基板及びフリップチップ実装構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様は、上記目的を達成するため、半導体チップがバンプを介して実装され、前記半導体チップが熱硬化性樹脂により封止される配線基板において、絶縁性を有する基材と、前記基材の前記半導体チップが実装される面に形成された複数の配線導体と、前記複数の配線導体の前記バンプとの接続部よりも内側に設けられ、前記熱硬化性樹脂に含まれる気泡を把持する気泡把持部とを備えたことを特徴とする配線基板を提供する。
【００１２】
上記第１の態様によれば、熱硬化性樹脂内で発生した気泡は、気泡把持部によって把持され、接続部に到達しなくなり、電気的絶縁性の低下を防ぐことができる。
【００１３】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体を前記接続部から前記配線導体のピッチの３倍以上の長さに延在した構成としてもよい。この構成によれば、熱硬化性樹脂内で発生した気泡が接続部に到達しなくなり、接続不良の発生を防ぐことができる。また、気泡を小さく分割することが可能となり、この結果、気泡の周長が長くなり、基材と半導体チップとの接続強度の低下を低減することができる。
【００１４】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体の延長線上に前記複数の配線導体に絶縁して形成された複数の所定長のダミー配線導体にすることができる。この構成によれば、熱硬化性樹脂内で発生した気泡が接続部に到達しなくなり、電気的絶縁性の低下を防ぐことができる。また、気泡を小さく分割することが可能となり、この結果、気泡の周長が長くなり、基材と半導体チップとの接続強度の低下を低減することができる。
【００１５】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体に絶縁して形成され、格子状、千鳥状、ランダムに配置された複数の開口を有するダミー配線導体にすることができる。ダミー配線導体によって気泡が接続部に到達しなくなる。また、開口によって気泡を把持することができる。
【００１６】
前記気泡把持部は、前記熱硬化性樹脂の注入方向に対して傾斜した部分を有し、前記複数の配線導体の端部に設けられたダミー配線導体にすることができる。傾斜した部分により、気泡が傾斜した部分に沿って外へ逃げようとするため、気泡が接続部に到達しなくなる。
【００１７】
前記気泡把持部は、ダミーバンプを有する構成にすることができる。基材と半導体チップとの間を外側に移動する気泡をダミーバンプにより阻止することが可能となる。
【００１８】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体のピッチよりも小さいピッチである構成にすることができる。ピッチを小さくすることにより、気泡が接続部に到達しなくなる。
【００１９】
前記気泡把持部は、先端のピッチが中心部に向かって小さくなっている構成にすることができる。ピッチを小さくすることにより、気泡が接続部に到達しなくなる。また、端部のダミー配線導体は、傾斜して配置されるため、気泡がその傾斜した部分に沿って外へ逃げようとするため、気泡が接続部に到達しなくなる。
【００２０】
前記バンプは、予め前記複数の配線導体に設けられている構成にすることができる。
【００２１】
本発明の第２の態様は、上記目的を達成するため、前記配線基板と、前記配線基板上にバンプを介して実装される半導体チップと、前記半導体チップを封止する熱硬化性樹脂とを備えたことを特徴とするフリップチップ実装構造を提供する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、封止樹脂内に発生した気泡がバンプと配線基板の接続部周辺に存在しないようにしたので、配線基板と半導体チップの接続の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
［第１の実施の形態］
（半導体装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部詳細図である。
【００２４】
この半導体装置１は、図１（ａ）に示すように、配線導体２１を有する配線基板２と、配線基板２上のチップ搭載領域２ａにフリップチップ方式により実装された半導体チップ３とを備えている。
【００２５】
半導体チップ３と配線導体２１は、図１（ｂ）に示すように、半田、Ａｕ等からなるバンプ４を介して接続されている。また、バンプ４は、半導体チップ３の下面に設けられている図示しない電極に接続されている。
【００２６】
なお、配線基板２の基材と半導体チップ３との間（例えば、ギャップ３０μｍ）は、熱硬化性のエポキシ系樹脂等からなる封止樹脂で封止されるが、ここでは図示を省略している。
【００２７】
フリップチップ方式により実装される半導体チップ３は、ベアチップにバンプを設けたフリップチップ型の半導体チップのみならず、ベアチップとバンプの間に基板（インターポーザ）が存在し、ベアチップの表面および側面を樹脂で封止したＣＳＰ（Chip Size Package）型の半導体チップも含まれる。
【００２８】
配線基板２は、例えば、テープ状、プラスチック基板、セラミック等の基材と、基材の表面に上記配線導体２１を含む導電パターンが銅等の導電性材料から形成されている。
【００２９】
配線導体２１は、所定の厚さ（例えば１０〜２５μｍ）および所定の幅を有し、チップ搭載領域２ａの対向する２辺に所定の間隔を有して複数設けられている。また、配線導体２１は、チップ搭載領域２ａの外側から内側へ延在し、かつ、バンプ４に接続可能な長さ以上の長さを有している。すなわち、配線導体２１の先端部は、バンプ４との接続部２１ａより延伸した気泡把持部としてのダミー配線導体部２１ｂを設けている。ダミー配線導体部２１ｂは、気泡が接続部２１ａに到達しない長さ、具体的には、配線ピッチｐの３倍以上の長さＬを有することが望ましい。
【００３０】
（第１の実装方法）
次に、図１の半導体装置の実装方法について説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板２に半導体チップ３を実装する第１の実装方法を示す。
【００３１】
まず、配線導体２１が設けられている配線基板２と、チップ底面３ａ側にバンプ４を実装済みの半導体チップ３を用意する。次に、図２の（ａ）のように、半導体チップ３を配線基板２のチップ搭載領域２ａの上方に位置決めする。なお、バンプ４が設けれている電極は、チップ底面３ａと面一でも、チップ底面３ａ内に凹んだ位置に設けられていても、チップ底面３ａから下方に突出するように設けられていてもよい。
【００３２】
次に、半導体チップ３を降下し、図２の（ｂ）のように、配線導体２１の接続部２１ａにバンプ４が接触した時点で降下を停止する。
【００３３】
次に、図２の（ｃ）のように、半導体チップ３のチップ底面３ａと配線基板２の間に、熱硬化性の封止樹脂５を半導体チップ３の周囲からはみ出る程度に注入する。封止樹脂５を注入後、封止樹脂５を加熱硬化し、更に、半導体チップ３のバンプ４と配線導体２１とを電気的に接続する。以上により、半導体チップ３の配線基板２への実装が完了する。
【００３４】
（第２の実装方法）
図３（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板２に半導体チップ３を実装する第２の実装方法を示す。この実装方法は、第１の実装方法において、バンプ４が配線導体２１側に設けられている場合である。半導体チップ３は、配線導体２１側にあるバンプ４に接続するための電極３１を有している。
【００３５】
まず、配線導体２１およびバンプ４が設けられている配線基板２と、チップ底面３ａから電極３１が露出している半導体チップ３を用意する。次に、図３の（ａ）のように、半導体チップ３を配線基板２のチップ搭載領域２ａの上方に位置決めする。なお、電極３１は、チップ底面３ａと面一でも、チップ底面３ａ内に凹んだ位置に設けられていてもよい。
【００３６】
次に、半導体チップ３を降下し、図３の（ｂ）のように、配線導体２１のバンプ４に電極３１が接触した時点で降下を停止する。
【００３７】
次に、図３の（ｃ）のように、半導体チップ３のチップ底面３ａと配線基板２の間に、熱硬化性の封止樹脂５を半導体チップ３の周囲からはみ出る程度に注入する。封止樹脂５を注入後、封止樹脂５を加熱硬化し、更に、半導体チップ３の電極３１と配線導体２１上のバンプ４とを電気的に接続する。以上により、半導体チップ３の配線基板２への実装が完了する。
【００３８】
（第３の実装方法）
図４（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板２に半導体チップ３を実装する第３の実装方法を示す。まず、配線導体２１が設けられている配線基板２と、チップ底面３ａ側にバンプ４を実装済みの半導体チップ３とを用意する。次に、図４の（ａ）のように、熱硬化性を有する封止樹脂５の適量を配線基板２のチップ搭載領域２ａに塗布する。
【００３９】
次に、図４の（ｂ）のように、配線基板２のチップ搭載領域２ａの上方に半導体チップ３を位置決めした後、半導体チップ３を降下する。この降下により、バンプ４は配線基板２の配線導体２１の接続部２１ａに接触する。
【００４０】
次に、半導体チップ３を配線基板２方向へ加圧する。これにより、図４の（ｃ）のように、封止樹脂５が配線基板２と半導体チップ３との間に拡散する。ついで、封止樹脂５を全体または部分的に加熱して硬化させ、更に、半導体チップ３のバンプ４と配線導体２１とを電気的に接続する。以上により、半導体チップ３の実装が完了する。
【００４１】
（第４の実装方法）
図５（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板２に半導体チップ３を実装する第４の実装方法を示す。この実装方法は、第３の実装方法において、バンプ４が配線導体２１側に設けられている場合である。半導体チップ３は、配線導体２１側にあるバンプ４に接続するための電極３１を有している。
【００４２】
まず、配線導体２１およびバンプ４が設けられている配線基板２と、チップ底面３ａから電極３１が露出している半導体チップ３を用意する。次に、図５の（ａ）のように、熱硬化性を有する封止樹脂５の適量を配線基板２のチップ搭載領域２ａに塗布する。
【００４３】
次に、図５の（ｂ）のように、配線基板２のチップ搭載領域２ａの上方に半導体チップ３を位置決めした後、半導体チップ３を降下する。この降下により、半導体チップ３の電極３１は配線導体２１上のバンプ４に接触する。
【００４４】
次に、半導体チップ３を配線基板２方向へ加圧する。これにより、図５の（ｃ）のように、封止樹脂５が配線基板２と半導体チップ３との間に拡散する。ついで、封止樹脂５を全体または部分的に加熱して硬化させ、更に、半導体チップ３の電極３１と配線導体２１上のバンプ４とを電気的に接続する。以上により、半導体チップ３の実装が完了する。
【００４５】
（第１の実施の形態の効果）
上述した第１の実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
（イ）気泡が、図２〜図５の各（ｃ）の工程において封止樹脂５に生じたとしても、ダミー配線導体部２１ｂが設けられたことにより、封止樹脂５の流入部とバンプ４の距離が離れ、従来、図１２のように生じていた気泡３００は、本実施の形態では配線導体２１間に進入し易くなり、図１のように、気泡３０１は配線導体２１間に分断される。このため、分断された気泡３０１は、分断されない従来の気泡３００に比べて境界面の周囲長が長くなり、配線基板２と半導体チップ３の間の接続強度の低下を低減することができる。
（ロ）ダミー配線導体部２１ｂの長さを最適にすることにより、配線導体２１間に入り込んだ気泡３０１が配線導体２１とバンプ４の接続部２１ａに到達しないようにすることができ、電気的絶縁性の低下を防止することができる。
（ハ）気泡３０１がダミー配線導体部２１ｂに入り込んだとしても、ダミー配線導体部２１ｂと封止樹脂５との密着長さを長くとれるため、接続強度の低下を抑えることができる。
【００４６】
［第２の実施の形態］
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す。本実施の形態は、第１の実施の形態において、配線導体２１とパッド４の接続部２１ａの近傍から気泡把持部を電気的に分離してダミー配線導体２３としたものであり、その他の構成は、第１の実施の形態と同様である。また、本実施の形態における半導体チップ３の実装方法は、図２〜図５で説明した方法を採用することができる。
【００４７】
上述した第２の実施の形態によれば、ダミー配線導体２３が配線導体２１へ進入しようとする気泡に対して遮蔽材として機能し、図１２のように、配線導体２１間に気泡３００が跨がったとしても、ほぼ、ダミー配線導体２３で進入が止まり、配線導体２１とパッド４の接続部２１ａ周辺に気泡が存在しないようにすることができる。更に、図１のように、気泡３０１を分断することができるため、接続強度の低下を抑えることができる。その他の効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００４８】
［第３の実施の形態］
図７は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す。本実施の形態は、第２の実施の形態において、ダミー配線導体２３に複数の開口２３ａを設けて格子状にしたものであり、その他の構成は、第２の実施の形態と同様である。また、本実施の形態における半導体チップ３の実装方法は、図２〜図５で説明した方法を採用することができる。なお、ダミー配線導体２３の開口２３ａは、図７に示した格子状のほか、千鳥状やランダムに配置してもよい。
【００４９】
この第３の実施の形態によれば、ダミー配線導体２３が気泡に対して突堤になるので、上記各実施の形態に比べ、配線導体２１間への気泡の進入を防止する効果を高めることができる。
【００５０】
［第４の実施の形態］
図８は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す。本実施の形態は、図６に示した第２の実施の形態において、ダミー配線導体２３の端部に第２のダミー配線導体２４を設けたものであり、その他の構成は第２の実施の形態と同様である。また、本実施の形態における半導体チップ３の実装方法は、図２〜図５で説明した方法を採用することができる。
【００５１】
第２のダミー配線導体２４は、ダミー配線導体２３の列方向に平行した水平部２４ａと、水平部２４ａに対して傾斜させた傾斜部２４ｂとからなり、全体が“へ”字形の形状を成している。
【００５２】
半導体チップ３のチップ搭載領域２ａの内側に注入された封止樹脂５は、ダミー配線導体２３の方向へ流動し、その過程で配線導体２１の端部近傍に発生した気泡は、第２のダミー配線導体２４の傾斜部２４ｂに沿ってダミー配線導体２３の外側へ流れ出る。
【００５３】
この第４の実施の形態によれば、ダミー配線導体２３の端部に向かった封止樹脂５及び気泡は、第２のダミー配線導体２４の傾斜部２４ｂによって排出方向が変更され、同図矢印の方向に沿ってチップ搭載領域２ａの外側へ導かれる。このため、ダミー配線導体２３に進入する気泡数を低減することができる。
【００５４】
［第５の実施の形態］
図９は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置を示す。本実施の形態は、図６に示した第２の実施の形態において、ダミー配線導体２３に接続されたダミーバンプ６を半導体チップ３に設けたものであり、その他の構成は第２の実施の形態と同様である。
【００５５】
この第５の実施の形態によれば、ダミーバンプ６によってダミー配線導体２３への気泡の侵入を阻止することができる。その他の効果は、第２の実施の形態と同様である。
【００５６】
なお、第５の実施の形態は、第２の実施の形態以外に、第１，第３及び第４の実施の形態にも適用することができる。
【００５７】
［第６の実施の形態］
図１０は、本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置を示す。本実施の形態は、図６に示した第２の実施の形態において、ダミー配線導体２３のピッチｐ２を配線導体２１のピッチｐ１よりも小さくし、ダミー配線導体２３の導体数が配線導体２１よりも多くなるようにしたものであり、その他の構成は第２の実施の形態と同様である。
【００５８】
この第６の実施の形態によれば、配線導体２１に比してダミー配線導体２３のピッチを小さくしたことにより、ダミー配線導体２３が配線導体２１間にも位置するようになり、気泡がダミー配線導体２３を通過したとしても、配線導体２１の先端部で阻止されるため、配線導体２１に気泡が進入しないようにすることができる。その他の効果は、第２の実施の形態と同様である。
【００５９】
［第７の実施の形態］
図１１は、本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置を示す。本実施の形態は、第１の実施の形態において、ダミー配線導体部２１ｂを先端に進みに従ってピッチを小さくしたものであり、その他の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００６０】
この第７の実施の形態によれば、ダミー配線導体部２１ｂの両側が、図８に示した第４の実施の形態と同様に、封止樹脂５の流動方向に対して傾斜しているため、ダミー配線導体部２１ｂに向かった封止樹脂５及び気泡の排出方向が斜面に沿って変更され、チップ搭載領域２ａの外へ導かれる。このため、配線導体２１及びダミー配線導体部２１ｂに介在する気泡を低減することができる。その他の効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００６１】
［他の実施の形態］
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々な変形が可能である。また、上記各実施の形態の構成要素を本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で任意に組み合わせることができる。
【００６２】
例えば、上記各実施の形態においては、配線導体２１と、ダミー配線導体２３が、チップ搭載領域２ａの２辺に設けられているものとしたが、チップ搭載領域２ａの４辺に設けられた構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部詳細図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板に半導体チップを実装する第１の実装方法を示す工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板に半導体チップを実装する第２の実装方法を示す工程図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板に半導体チップを実装する第３の実装方法を示す工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板に半導体チップを実装する第４の実装方法を示す工程図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図９】本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図１０】本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図１１】本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図１２】封止樹脂内に気泡が発生した半導体装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１ 半導体装置
２ 配線基板
２ａ チップ搭載領域
３ 半導体チップ
３ａ チップ底面
４ バンプ
５ 封止樹脂
６ ダミーバンプ
１０ 半導体装置
２１ 配線導体
２１ａ 接続部
２１ｂ ダミー配線導体部
２３ ダミー配線導体
２３ａ 開口
２４ 第２のダミー配線導体
２４ａ 水平部
２４ｂ 傾斜部
３１ 電極
１００ 配線基板
１００ａ チップ搭載領域
１０１ 配線導体
１０１ａ 接続部
２００ 半導体チップ
２０１ バンプ
３００，３０１ 気泡
Ｌ 長さ
ｐ，ｐ１，ｐ２ ピッチ
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体チップがフリップチップ（Flip Chip）方式によって実装される配線基板及びフリップチップ実装構造に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体チップを配線基板に実装する方法として、配線基板に半導体チップを直接接続するフリップチップ方式が広く採用されている。フリップチップ方式は、実装面積が小さく、半導体パッケージの小型化、実装の効率化および電子機器等の高速動作が可能であるという特徴を有している。
【０００３】
フリップチップ方式による半導体チップの実装方法は、大別して以下の２つがある。
（１）半導体チップを配線基板に搭載した後、半導体チップと配線基板の隙間に封止樹脂を外部から注入及び充填する方法。
（２）配線基板の所定領域に封止樹脂を塗布した後、半導体チップを封止樹脂上に位置決めしてから降下させ、封止樹脂が半導体チップと配線基板の間からはみ出る状態にして封止する方法。
【０００４】
しかし、上記した実装方法は、いずれも、封止樹脂が広がり或いは充填されていく間に、封止樹脂の流動によって空気を封止樹脂内に巻き込み、気泡（ボイド）を生じさせるという問題がある。
【０００５】
図１２は、封止樹脂内に気泡が発生した半導体装置を示す。この半導体装置１０は、配線基板１００上に半導体チップ２００をフリップチップ方式により実装している。配線基板１００は、所定間隔に設けられた配線導体１０１を有し、その先端を覆うようにして半導体チップ２００が実装されている。半導体チップ２００は、配線導体１０１のそれぞれの先端部に接続されたバンプ（bump）２０１を有する。
【０００６】
なお、配線基板１００上のチップ搭載領域１００ａに半導体チップ２００を搭載した後、半導体チップ２００と配線基板１００の間に熱硬化性の封止樹脂が注入されるが、ここでは図示を省略している。
【０００７】
図１２のように、気泡３００が、封止樹脂の流動によって配線導体１０１とバンプ２０１が接続される接続部１０１ａ周辺に存在することがある。気泡３００が接続部１０１ａ周辺に存在すると、半導体チップ２００と配線基板１００との間の接続強度が低下し、半導体装置１０の信頼性が損なわれる。
【０００８】
この対策として、配線基板の隣接パターン間にダミーパターンを設け、或いは配線層の先端形状をくさび状または円弧状にしておき、接着剤の充填がバンプや配線層の周囲に行きわたるようにし、気泡をチップ搭載領域１００ａの外へ排出する方法が知られている（例えば、特許文献１参照。）。
【特許文献１】特開平６−５７３５号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
しかし、従来のフリップチップ実装構造は、半導体チップが大きい、配線導体のピッチが広いなど、樹脂の流動性を損なわない条件であれば、大きな気泡の排出は期待できるが、十数〜１００μｍ程度の小さいものは排出されにくい。更に、配線導体のピッチが狭いと、図１２のように、気泡３００が接続部１０１ａにとどまってしまい、電気的絶縁性が低下するという問題がある。
【００１０】
従って、本発明の目的は、配線基板と半導体チップの接続の信頼性を向上させることができる配線基板及びフリップチップ実装構造を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明の第１の態様は、上記目的を達成するため、半導体チップがバンプを介して実装され、前記半導体チップが熱硬化性樹脂により封止される配線基板において、絶縁性を有する基材と、前記基材の前記半導体チップが実装される面に形成された複数の配線導体と、前記複数の配線導体の前記バンプとの接続部よりも内側に設けられ、前記熱硬化性樹脂に含まれる気泡を把持する気泡把持部とを備えたことを特徴とする配線基板を提供する。
【００１２】
上記第１の態様によれば、熱硬化性樹脂内で発生した気泡は、気泡把持部によって把持され、接続部に到達しなくなり、電気的絶縁性の低下を防ぐことができる。
【００１３】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体を前記接続部から前記配線導体のピッチの３倍以上の長さに延在した構成としてもよい。この構成によれば、熱硬化性樹脂内で発生した気泡が接続部に到達しなくなり、接続不良の発生を防ぐことができる。また、気泡を小さく分割することが可能となり、この結果、気泡の周長が長くなり、基材と半導体チップとの接続強度の低下を低減することができる。
【００１４】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体の延長線上に前記複数の配線導体に絶縁して形成された複数の所定長のダミー配線導体にすることができる。この構成によれば、熱硬化性樹脂内で発生した気泡が接続部に到達しなくなり、電気的絶縁性の低下を防ぐことができる。また、気泡を小さく分割することが可能となり、この結果、気泡の周長が長くなり、基材と半導体チップとの接続強度の低下を低減することができる。
【００１５】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体に絶縁して形成され、格子状、千鳥状、ランダムに配置された複数の開口を有するダミー配線導体にすることができる。ダミー配線導体によって気泡が接続部に到達しなくなる。また、開口によって気泡を把持することができる。
【００１６】
前記気泡把持部は、前記熱硬化性樹脂の注入方向に対して傾斜した部分を有し、前記複数の配線導体の端部に設けられたダミー配線導体にすることができる。傾斜した部分により、気泡が傾斜した部分に沿って外へ逃げようとするため、気泡が接続部に到達しなくなる。
【００１７】
前記気泡把持部は、ダミーバンプを有する構成にすることができる。基材と半導体チップとの間を外側に移動する気泡をダミーバンプにより阻止することが可能となる。
【００１８】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体のピッチよりも小さいピッチである構成にすることができる。ピッチを小さくすることにより、気泡が接続部に到達しなくなる。
【００１９】
前記気泡把持部は、先端のピッチが中心部に向かって小さくなっている構成にすることができる。ピッチを小さくすることにより、気泡が接続部に到達しなくなる。また、端部のダミー配線導体は、傾斜して配置されるため、気泡がその傾斜した部分に沿って外へ逃げようとするため、気泡が接続部に到達しなくなる。
【００２０】
前記バンプは、予め前記複数の配線導体に設けられている構成にすることができる。
【００２１】
本発明の第２の態様は、上記目的を達成するため、前記配線基板と、前記配線基板上にバンプを介して実装される半導体チップと、前記半導体チップを封止する熱硬化性樹脂とを備えたことを特徴とするフリップチップ実装構造を提供する。
【発明の効果】
【００２２】
本発明によれば、封止樹脂内に発生した気泡がバンプと配線基板の接続部周辺に存在しないようにしたので、配線基板と半導体チップの接続の信頼性を向上させることができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
［第１の実施の形態］
（半導体装置の構成）
図１は、本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部詳細図である。
【００２４】
この半導体装置１は、図１（ａ）に示すように、配線導体２１を有する配線基板２と、配線基板２上のチップ搭載領域２ａにフリップチップ方式により実装された半導体チップ３とを備えている。
【００２５】
半導体チップ３と配線導体２１は、図１（ｂ）に示すように、半田、Ａｕ等からなるバンプ４を介して接続されている。また、バンプ４は、半導体チップ３の下面に設けられている図示しない電極に接続されている。
【００２６】
なお、配線基板２の基材と半導体チップ３との間（例えば、ギャップ３０μｍ）は、熱硬化性のエポキシ系樹脂等からなる封止樹脂で封止されるが、ここでは図示を省略している。
【００２７】
フリップチップ方式により実装される半導体チップ３は、ベアチップにバンプを設けたフリップチップ型の半導体チップのみならず、ベアチップとバンプの間に基板（インターポーザ）が存在し、ベアチップの表面および側面を樹脂で封止したＣＳＰ（Chip Size Package）型の半導体チップも含まれる。
【００２８】
配線基板２は、例えば、テープ状、プラスチック基板、セラミック等の基材と、基材の表面に上記配線導体２１を含む導電パターンが銅等の導電性材料から形成されている。
【００２９】
配線導体２１は、所定の厚さ（例えば１０〜２５μｍ）および所定の幅を有し、チップ搭載領域２ａの対向する２辺に所定の間隔を有して複数設けられている。また、配線導体２１は、チップ搭載領域２ａの外側から内側へ延在し、かつ、バンプ４に接続可能な長さ以上の長さを有している。すなわち、配線導体２１の先端部は、バンプ４との接続部２１ａより延伸した気泡把持部としてのダミー配線導体部２１ｂを設けている。ダミー配線導体部２１ｂは、気泡が接続部２１ａに到達しない長さ、具体的には、配線ピッチｐの３倍以上の長さＬを有することが望ましい。
【００３０】
（第１の実装方法）
次に、図１の半導体装置の実装方法について説明する。図２（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板２に半導体チップ３を実装する第１の実装方法を示す。
【００３１】
まず、配線導体２１が設けられている配線基板２と、チップ底面３ａ側にバンプ４を実装済みの半導体チップ３を用意する。次に、図２の（ａ）のように、半導体チップ３を配線基板２のチップ搭載領域２ａの上方に位置決めする。なお、バンプ４が設けれている電極は、チップ底面３ａと面一でも、チップ底面３ａ内に凹んだ位置に設けられていても、チップ底面３ａから下方に突出するように設けられていてもよい。
【００３２】
次に、半導体チップ３を降下し、図２の（ｂ）のように、配線導体２１の接続部２１ａにバンプ４が接触した時点で降下を停止する。
【００３３】
次に、図２の（ｃ）のように、半導体チップ３のチップ底面３ａと配線基板２の間に、熱硬化性の封止樹脂５を半導体チップ３の周囲からはみ出る程度に注入する。封止樹脂５を注入後、封止樹脂５を加熱硬化し、更に、半導体チップ３のバンプ４と配線導体２１とを電気的に接続する。以上により、半導体チップ３の配線基板２への実装が完了する。
【００３４】
（第２の実装方法）
図３（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板２に半導体チップ３を実装する第２の実装方法を示す。この実装方法は、第１の実装方法において、バンプ４が配線導体２１側に設けられている場合である。半導体チップ３は、配線導体２１側にあるバンプ４に接続するための電極３１を有している。
【００３５】
まず、配線導体２１およびバンプ４が設けられている配線基板２と、チップ底面３ａから電極３１が露出している半導体チップ３を用意する。次に、図３の（ａ）のように、半導体チップ３を配線基板２のチップ搭載領域２ａの上方に位置決めする。なお、電極３１は、チップ底面３ａと面一でも、チップ底面３ａ内に凹んだ位置に設けられていてもよい。
【００３６】
次に、半導体チップ３を降下し、図３の（ｂ）のように、配線導体２１のバンプ４に電極３１が接触した時点で降下を停止する。
【００３７】
次に、図３の（ｃ）のように、半導体チップ３のチップ底面３ａと配線基板２の間に、熱硬化性の封止樹脂５を半導体チップ３の周囲からはみ出る程度に注入する。封止樹脂５を注入後、封止樹脂５を加熱硬化し、更に、半導体チップ３の電極３１と配線導体２１上のバンプ４とを電気的に接続する。以上により、半導体チップ３の配線基板２への実装が完了する。
【００３８】
（第３の実装方法）
図４（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板２に半導体チップ３を実装する第３の実装方法を示す。まず、配線導体２１が設けられている配線基板２と、チップ底面３ａ側にバンプ４を実装済みの半導体チップ３とを用意する。次に、図４の（ａ）のように、熱硬化性を有する封止樹脂５の適量を配線基板２のチップ搭載領域２ａに塗布する。
【００３９】
次に、図４の（ｂ）のように、配線基板２のチップ搭載領域２ａの上方に半導体チップ３を位置決めした後、半導体チップ３を降下する。この降下により、バンプ４は配線基板２の配線導体２１の接続部２１ａに接触する。
【００４０】
次に、半導体チップ３を配線基板２方向へ加圧する。これにより、図４の（ｃ）のように、封止樹脂５が配線基板２と半導体チップ３との間に拡散する。ついで、封止樹脂５を全体または部分的に加熱して硬化させ、更に、半導体チップ３のバンプ４と配線導体２１とを電気的に接続する。以上により、半導体チップ３の実装が完了する。
【００４１】
（第４の実装方法）
図５（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板２に半導体チップ３を実装する第４の実装方法を示す。この実装方法は、第３の実装方法において、バンプ４が配線導体２１側に設けられている場合である。半導体チップ３は、配線導体２１側にあるバンプ４に接続するための電極３１を有している。
【００４２】
まず、配線導体２１およびバンプ４が設けられている配線基板２と、チップ底面３ａから電極３１が露出している半導体チップ３を用意する。次に、図５の（ａ）のように、熱硬化性を有する封止樹脂５の適量を配線基板２のチップ搭載領域２ａに塗布する。
【００４３】
次に、図５の（ｂ）のように、配線基板２のチップ搭載領域２ａの上方に半導体チップ３を位置決めした後、半導体チップ３を降下する。この降下により、半導体チップ３の電極３１は配線導体２１上のバンプ４に接触する。
【００４４】
次に、半導体チップ３を配線基板２方向へ加圧する。これにより、図５の（ｃ）のように、封止樹脂５が配線基板２と半導体チップ３との間に拡散する。ついで、封止樹脂５を全体または部分的に加熱して硬化させ、更に、半導体チップ３の電極３１と配線導体２１上のバンプ４とを電気的に接続する。以上により、半導体チップ３の実装が完了する。
【００４５】
（第１の実施の形態の効果）
上述した第１の実施の形態によれば、下記の効果を奏する。
（イ）気泡が、図２〜図５の各（ｃ）の工程において封止樹脂５に生じたとしても、ダミー配線導体部２１ｂが設けられたことにより、封止樹脂５の流入部とバンプ４の距離が離れ、従来、図１２のように生じていた気泡３００は、本実施の形態では配線導体２１間に進入し易くなり、図１のように、気泡３０１は配線導体２１間に分断される。このため、分断された気泡３０１は、分断されない従来の気泡３００に比べて境界面の周囲長が長くなり、配線基板２と半導体チップ３の間の接続強度の低下を低減することができる。
（ロ）ダミー配線導体部２１ｂの長さを最適にすることにより、配線導体２１間に入り込んだ気泡３０１が配線導体２１とバンプ４の接続部２１ａに到達しないようにすることができ、電気的絶縁性の低下を防止することができる。
（ハ）気泡３０１がダミー配線導体部２１ｂに入り込んだとしても、ダミー配線導体部２１ｂと封止樹脂５との密着長さを長くとれるため、接続強度の低下を抑えることができる。
【００４６】
［第２の実施の形態］
図６は、本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す。本実施の形態は、第１の実施の形態において、配線導体２１とパッド４の接続部２１ａの近傍から気泡把持部を電気的に分離してダミー配線導体２３としたものであり、その他の構成は、第１の実施の形態と同様である。また、本実施の形態における半導体チップ３の実装方法は、図２〜図５で説明した方法を採用することができる。
【００４７】
上述した第２の実施の形態によれば、ダミー配線導体２３が配線導体２１へ進入しようとする気泡に対して遮蔽材として機能し、図１２のように、配線導体２１間に気泡３００が跨がったとしても、ほぼ、ダミー配線導体２３で進入が止まり、配線導体２１とパッド４の接続部２１ａ周辺に気泡が存在しないようにすることができる。更に、図１のように、気泡３０１を分断することができるため、接続強度の低下を抑えることができる。その他の効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００４８】
［第３の実施の形態］
図７は、本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す。本実施の形態は、第２の実施の形態において、ダミー配線導体２３に複数の開口２３ａを設けて格子状にしたものであり、その他の構成は、第２の実施の形態と同様である。また、本実施の形態における半導体チップ３の実装方法は、図２〜図５で説明した方法を採用することができる。なお、ダミー配線導体２３の開口２３ａは、図７に示した格子状のほか、千鳥状やランダムに配置してもよい。
【００４９】
この第３の実施の形態によれば、ダミー配線導体２３が気泡に対して突堤になるので、上記各実施の形態に比べ、配線導体２１間への気泡の進入を防止する効果を高めることができる。
【００５０】
［第４の実施の形態］
図８は、本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す。本実施の形態は、図６に示した第２の実施の形態において、ダミー配線導体２３の端部に第２のダミー配線導体２４を設けたものであり、その他の構成は第２の実施の形態と同様である。また、本実施の形態における半導体チップ３の実装方法は、図２〜図５で説明した方法を採用することができる。
【００５１】
第２のダミー配線導体２４は、ダミー配線導体２３の列方向に平行した水平部２４ａと、水平部２４ａに対して傾斜させた傾斜部２４ｂとからなり、全体が“へ”字形の形状を成している。
【００５２】
半導体チップ３のチップ搭載領域２ａの内側に注入された封止樹脂５は、ダミー配線導体２３の方向へ流動し、その過程で配線導体２１の端部近傍に発生した気泡は、第２のダミー配線導体２４の傾斜部２４ｂに沿ってダミー配線導体２３の外側へ流れ出る。
【００５３】
この第４の実施の形態によれば、ダミー配線導体２３の端部に向かった封止樹脂５及び気泡は、第２のダミー配線導体２４の傾斜部２４ｂによって排出方向が変更され、同図矢印の方向に沿ってチップ搭載領域２ａの外側へ導かれる。このため、ダミー配線導体２３に進入する気泡数を低減することができる。
【００５４】
［第５の実施の形態］
図９は、本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置を示す。本実施の形態は、図６に示した第２の実施の形態において、ダミー配線導体２３に接続されたダミーバンプ６を半導体チップ３に設けたものであり、その他の構成は第２の実施の形態と同様である。
【００５５】
この第５の実施の形態によれば、ダミーバンプ６によってダミー配線導体２３への気泡の侵入を阻止することができる。その他の効果は、第２の実施の形態と同様である。
【００５６】
なお、第５の実施の形態は、第２の実施の形態以外に、第１，第３及び第４の実施の形態にも適用することができる。
【００５７】
［第６の実施の形態］
図１０は、本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置を示す。本実施の形態は、図６に示した第２の実施の形態において、ダミー配線導体２３のピッチｐ２を配線導体２１のピッチｐ１よりも小さくし、ダミー配線導体２３の導体数が配線導体２１よりも多くなるようにしたものであり、その他の構成は第２の実施の形態と同様である。
【００５８】
この第６の実施の形態によれば、配線導体２１に比してダミー配線導体２３のピッチを小さくしたことにより、ダミー配線導体２３が配線導体２１間にも位置するようになり、気泡がダミー配線導体２３を通過したとしても、配線導体２１の先端部で阻止されるため、配線導体２１に気泡が進入しないようにすることができる。その他の効果は、第２の実施の形態と同様である。
【００５９】
［第７の実施の形態］
図１１は、本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置を示す。本実施の形態は、第１の実施の形態において、ダミー配線導体部２１ｂを先端に進みに従ってピッチを小さくしたものであり、その他の構成は第１の実施の形態と同様である。
【００６０】
この第７の実施の形態によれば、ダミー配線導体部２１ｂの両側が、図８に示した第４の実施の形態と同様に、封止樹脂５の流動方向に対して傾斜しているため、ダミー配線導体部２１ｂに向かった封止樹脂５及び気泡の排出方向が斜面に沿って変更され、チップ搭載領域２ａの外へ導かれる。このため、配線導体２１及びダミー配線導体部２１ｂに介在する気泡を低減することができる。その他の効果は、第１の実施の形態と同様である。
【００６１】
［他の実施の形態］
なお、本発明は、上記各実施の形態に限定されず、本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で種々な変形が可能である。また、上記各実施の形態の構成要素を本発明の趣旨を逸脱しない範囲内で任意に組み合わせることができる。
【００６２】
例えば、上記各実施の形態においては、配線導体２１と、ダミー配線導体２３が、チップ搭載領域２ａの２辺に設けられているものとしたが、チップ搭載領域２ａの４辺に設けられた構成であってもよい。
【図面の簡単な説明】
【００６３】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係る半導体装置を示し、（ａ）は平面図、（ｂ）は（ａ）のＡ部詳細図である。
【図２】（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板に半導体チップを実装する第１の実装方法を示す工程図である。
【図３】（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板に半導体チップを実装する第２の実装方法を示す工程図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板に半導体チップを実装する第３の実装方法を示す工程図である。
【図５】（ａ）〜（ｃ）は、図１の配線基板に半導体チップを実装する第４の実装方法を示す工程図である。
【図６】本発明の第２の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図７】本発明の第３の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図８】本発明の第４の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図９】本発明の第５の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図１０】本発明の第６の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図１１】本発明の第７の実施の形態に係る半導体装置を示す平面図である。
【図１２】封止樹脂内に気泡が発生した半導体装置を示す平面図である。
【符号の説明】
【００６４】
１ 半導体装置
２ 配線基板
２ａ チップ搭載領域
３ 半導体チップ
３ａ チップ底面
４ バンプ
５ 封止樹脂
６ ダミーバンプ
１０ 半導体装置
２１ 配線導体
２１ａ 接続部
２１ｂ ダミー配線導体部
２３ ダミー配線導体
２３ａ 開口
２４ 第２のダミー配線導体
２４ａ 水平部
２４ｂ 傾斜部
３１ 電極
１００ 配線基板
１００ａ チップ搭載領域
１０１ 配線導体
１０１ａ 接続部
２００ 半導体チップ
２０１ バンプ
３００，３０１ 気泡
Ｌ 長さ
ｐ，ｐ１，ｐ２ ピッチ
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体チップがバンプを介して実装され、前記半導体チップが熱硬化性樹脂により封止される配線基板において、
絶縁性を有する基材と、
前記基材の前記半導体チップが実装される面に形成された複数の配線導体と、
前記複数の配線導体の前記バンプとの接続部よりも内側に設けられ、前記熱硬化性樹脂に含まれる気泡を把持する気泡把持部とを備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体を前記接続部から前記配線導体のピッチの３倍以上の長さに延在した構成であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体の延長線上に前記複数の配線導体に絶縁して形成された複数の所定長のダミー配線導体であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体に絶縁して形成され、格子状、千鳥状、ランダムに配置された複数の開口を有するダミー配線導体であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
前記気泡把持部は、前記熱硬化性樹脂の注入方向に対して傾斜した部分を有し、前記複数の配線導体の端部に設けられたダミー配線導体であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項６】
前記気泡把持部は、ダミーバンプを有することを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項７】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体のピッチよりも小さいピッチであることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項８】
前記気泡把持部は、先端のピッチが中心部に向かって小さくなっていることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項９】
前記バンプは、予め前記複数の配線導体に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の配線基板と、
前記配線基板上にバンプを介して実装される半導体チップと、
前記半導体チップを封止する熱硬化性樹脂とを備えたことを特徴とするフリップチップ実装構造。
【請求項１】
半導体チップがバンプを介して実装され、前記半導体チップが熱硬化性樹脂により封止される配線基板において、
絶縁性を有する基材と、
前記基材の前記半導体チップが実装される面に形成された複数の配線導体と、
前記複数の配線導体の前記バンプとの接続部よりも内側に設けられ、前記熱硬化性樹脂に含まれる気泡を把持する気泡把持部とを備えたことを特徴とする配線基板。
【請求項２】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体を前記接続部から前記配線導体のピッチの３倍以上の長さに延在した構成であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項３】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体の延長線上に前記複数の配線導体に絶縁して形成された複数の所定長のダミー配線導体であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項４】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体に絶縁して形成され、格子状、千鳥状、ランダムに配置された複数の開口を有するダミー配線導体であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項５】
前記気泡把持部は、前記熱硬化性樹脂の注入方向に対して傾斜した部分を有し、前記複数の配線導体の端部に設けられたダミー配線導体であることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項６】
前記気泡把持部は、ダミーバンプを有することを特徴とすることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項７】
前記気泡把持部は、前記複数の配線導体のピッチよりも小さいピッチであることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項８】
前記気泡把持部は、先端のピッチが中心部に向かって小さくなっていることを特徴とする請求項３に記載の配線基板。
【請求項９】
前記バンプは、予め前記複数の配線導体に設けられていることを特徴とする請求項１に記載の配線基板。
【請求項１０】
請求項１乃至９のいずれか１項に記載の配線基板と、
前記配線基板上にバンプを介して実装される半導体チップと、
前記半導体チップを封止する熱硬化性樹脂とを備えたことを特徴とするフリップチップ実装構造。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２００７−１７３７３８（Ｐ２００７−１７３７３８Ａ）
【公開日】平成１９年７月５日（２００７．７．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３７２８７３（Ｐ２００５−３７２８７３）
【出願日】平成１７年１２月２６日（２００５．１２．２６）
【出願人】（０００００５４９６）富士ゼロックス株式会社 (21,908)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１９年７月５日（２００７．７．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１２月２６日（２００５．１２．２６）
【出願人】（０００００５４９６）富士ゼロックス株式会社 (21,908)
【Ｆターム（参考）】
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