ＴＦＴアレイ検査装置
【課題】ＴＦＴアレイ検査装置において、基板内で絶縁破壊（ＥＳＤ）を生じさせることなく、基板に帯電した電荷を放電する。
【解決手段】プローバーを基板に配置し、プローバーを介して検査信号を基板に供給し、基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、ＴＦＴアレイ検査時にプローバーを基板に配置した際に、基板をプローバーを介して接地された高抵抗の放電用抵抗に接続することによって、基板に帯電する電荷をプローバーおよび放電用抵抗を介して放電させる。基板に帯電する電荷を、基板からプローバーを介して放電用抵抗に導くことによって、ＴＦＴアレイ検査装置内において格別な機構を設けることなく基板に帯電する電荷を放電することができる。
【解決手段】プローバーを基板に配置し、プローバーを介して検査信号を基板に供給し、基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、ＴＦＴアレイ検査時にプローバーを基板に配置した際に、基板をプローバーを介して接地された高抵抗の放電用抵抗に接続することによって、基板に帯電する電荷をプローバーおよび放電用抵抗を介して放電させる。基板に帯電する電荷を、基板からプローバーを介して放電用抵抗に導くことによって、ＴＦＴアレイ検査装置内において格別な機構を設けることなく基板に帯電する電荷を放電することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶基板等のＴＦＴ基板のアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置に関し、特に、基板の帯電を除電する機構を有するＴＦＴアレイ検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶アレイ検査装置等のＴＦＴアレイ検査装置において、液晶基板等の基板上を撮像して得られる撮像画像として、光学的に撮像して得られる光学撮像画像、あるいは、電子ビームやイオンビーム等の荷電ビームを基板上で二次元的に走査して得られる走査画像を用いることができる。
【０００３】
ＴＦＴディスプレイ装置に用いるＴＦＴアレイ基板の製造工程では、製造されたＴＦＴアレイ基板が正しく駆動するかの検査が行われる（特許文献１，２）。
【０００４】
例えば、検査対象である基板のＴＦＴアレイに検査信号を印加してＴＦＴアレイに付随した透明電極を所定電位状態とし、基板上に電子ビームやイオンビーム等の荷電ビームを二次元的に照射して走査し、このビーム走査で得られる走査画像に基づいてＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置が知られている。ＴＦＴアレイ検査では、例えば、電子線の照射によって放出される二次電子をフォトマルチプライヤなどによって電気信号に変換して検出し、この検出信号の信号強度に基づいてアレイ欠陥を判定している。
【０００５】
基板のＴＦＴアレイとピクセルは対応して形成されており、ＴＦＴアレイに駆動信号を印加することによって特定のピクセルを駆動することができる。ＴＦＴアレイ検査において、一般に、ＴＦＴアレイに所定パターンの駆動信号を印加し、基板内に形成されたパネルの各ピクセルを所定パターンで駆動し、これらのピクセルに電子線を照射し、照射点から放出される二次電子を検出する。この電子線照射をパネル内で走査して行うことによって、パネル内の各ピクセルから検出信号を取得している。
【０００６】
ＴＦＴアレイの欠陥は、例えば、取得した検出信号の信号強度を、所定パターンの駆動信号で駆動した際に正常なＴＦＴアレイから得られる検出信号の信号強度と比較することによって検出することができる。
【０００７】
基板不良として、プロセスに起因する不良の他、静電気に起因する不良が指摘されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００８】
基板の製造ライン上において基板を搬送する際に、接触や摩擦等の種々の要因によって静電気が発生して帯電する場合がある。基板に対する各種処理工程において帯電した基板が処理装置と接触すると、基板と処理装置との間の電位差によって過剰電流が流れ、基板上に形成あるいは装着された電子部品が絶縁破壊（ＥＳＤ）される場合がある。
【０００９】
このような絶縁破壊を防止する方法として、搬送路上にイオナイザ（帯電中和装置）を配置し、搬送される基板にイオナイザで生成したイオンを放射することによって、基板に帯電する電荷を除電することが提案されている（例えば、特許文献４，５参照）。
【００１０】
また、装置内に収納された基板と装置とが接触する箇所に絶縁処理を施すことによって放電の発生を抑制することも行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−２７１５１６号公報
【特許文献２】特開２００４−３０９４８８号公報
【特許文献３】特開２０００−２０６１７７号公報（段落[0003]，段落[0010]，段落[0013]）
【特許文献４】特開２００１−６０６０９号公報
【特許文献５】特開２００２−２３２１８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
絶縁破壊を防ぐ方法として、上記したイオナイザ（帯電中和装置）を用いる方法では、除電に時間を要するという問題があり、除電時間を十分にとることができない場合には除電が不十分となり、搬送先の装置内において絶縁破壊が発生するという問題が生じる。基板をインラインで製造する場合には、製品のスループットを高めるためにライン上に設けられた各処理工程での処理時間を短縮することが求められているため、イオナイザによる除電は最適とは言えない場合がある。
【００１３】
基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査工程を含むライン処理においても、全体の処理時間の短縮要求から搬送に要する時間についても短縮することが求められる。そのため、イオナイザによる除電の時間を十分にとることができず、除電を十分に行うことができない。
【００１４】
また、装置内において絶縁体によって放電を防ぐ処置が考えられる。この処置では、基板が帯電した状態のままで処理が行われ、その後、帯電したまま装置から搬送されることになるため、後工程において絶縁破壊が発生するおそれがあるという問題がある。
【００１５】
基板を接地させることによって、基板に帯電した電荷を放電させることができる。しかしながら、基板を接地させることによって基板の帯電電荷を短時間で放電させると、基板内の電位が不均一となり基板内に電位差が生じることになる。この電位差が絶縁破壊電圧を超えると、放電現象と同様に絶縁破壊が発生する。
【００１６】
そこで、本発明は上記課題を解決して、ＴＦＴアレイ検査装置において、基板内で絶縁破壊を生じさせることなく、基板に帯電した電荷を放電することを目的とする。
【００１７】
また、基板内で絶縁破壊を生じさせることなく、かつ、短時間で基板に帯電した電荷を放電することを目的とし、また、後工程において絶縁破壊が発生することを防ぐことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本願発明は、プローバーを基板に載置し、プローバーを介して検査信号を基板に供給し、基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、ＴＦＴアレイ検査時にプローバーを基板に載置した際に、基板をプローバーを介して高い電気抵抗の放電用抵抗に接続し、この放電用抵抗を介して接地することによって、基板の帯電電荷の放電速度を抑制した放電させる。
【００１９】
基板に帯電する電荷を、基板からプローバーを介して放電用抵抗に導くことによって、ＴＦＴアレイ検査装置内において格別な機構を設けることなく基板に帯電する電荷を放電することができる。
【００２０】
また、高い電気抵抗の放電用抵抗を介して接地することによって、放電時に基板内に生じる電位差を低減させて、発生した電位差が絶縁破壊電圧を超えないようにすることで絶縁破壊の発生を抑制することができる。
【００２１】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置は、基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、基板検査を行うための検査信号を出力する基板検査信号部と、基板にコンタクトピンを電気的な接触させ、検査信号を基板に印加するプローバーと、基板検査信号部が出力する検査信号をプローバーに供給する給電部と、基板に帯電する電荷をプローバーを介して接地に放電する放電部とを備える。
【００２２】
本発明の放電部は、コンタクトピンとアースとの間を高い電気抵抗で接続する放電用抵抗を備える。
【００２３】
ＴＦＴアレイ検査装置は、基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査する際に、プローバーを基板に配置して、プローバーから基板に検査信号を印加する。本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、プローバーを基板に配置してコンタクトピンを基板の電極に電気的に接触させ、給電部が基板検査信号部から入力した検査信号を、コンタクトピンと基板の電極の電気的接触を通して基板に供給する。
【００２４】
本発明のプローバーは、検査信号の供給に先立って、基板に帯電する電荷を、コンタクトピンと基板の電極との電気的接触を通して基板から放電部に導く。放電部は、プローバーを介して導かれた電荷を、放電用抵抗を通して接地に放電する。放電用抵抗は高い電気抵抗を有しているため、放電時に流れる電流値は低い値に抑制され、基板内に生じる電位差は低減される。
【００２５】
基板内に生じる電位差を低減することによって、基板内の電位差が絶縁破壊電圧を越えることによる絶縁破壊の発生を抑制する。
【００２６】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置は、プローバーを介して基板に検査信号を供給すると共に、プローバーを介して基板の帯電を放電する。この放電電流が基板検査信号部に流入し、絶縁破壊によって基板検査信号部内の信号発生回路等が破損することを避けるために、プローバーへの検査信号の供給とプローバーを介して行う帯電電荷の放電とを分離して行う構成を備える。
【００２７】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置は、プローバーへの検査信号の供給とプローバーを介して行う帯電電荷の放電とを分離して行う構成として２つの形態を備える。
【００２８】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態は、プローバーの給電ピンを、放電用抵抗と基板検査信号部との間で切り替えて接続する切り替え回路を備える。
【００２９】
本発明の切り替え回路は、プローバーの給電ピンを放電用抵抗に切り替える動作によって、基板に帯電する電荷を放電用抵抗を介して接地に放電する。一方、本発明の切り替え回路は、プローバーの給電ピンを基板検査信号部に切り替える動作によって、検査用信号を給電ピンおよびコンタクトピンを介して基板に供給する。
【００３０】
本発明の切り替え回路は、はじめに放電用抵抗側に接続を切り替えておくことによって、基板に帯電する電荷を放電し、放電が完了した後、基板検査信号部側に接続を切り替えることによって、プローバーに検査信号を供給する。
【００３１】
本発明の切り替え回路において、放電用抵抗側への接続に続いて基板検査信号部側への接続を行う接続の動作は、複数の形態で行うことができる。
【００３２】
接続動作を定める一形態は、切り替え回路において、給電ピンとの接続を放電用抵抗から基板検査信号部へ切り替える動作を、基板の帯電電荷の放電が放電用抵抗を介して開始した後、所定時間が経過した時点で行う。この動作によって、はじめに基板からの帯電電荷の放電を行い、次にプローバーに検査信号を供給する。
【００３３】
基板の帯電電荷の放電が放電用抵抗を介して開始した後、所定時間が経過した時点を定める形態は、タイマーによって経過時間を計時して定める形態、あるいは、ＴＦＴアレイ検査装置において予め定められた制御プログラムに基づいてデフォルトの時間経過により定める形態とすることができる。
【００３４】
タイマーによる経過時間の計時によって切り替え時点を定める形態では、切り替え回路によって放電と検査信号の供給の切り替えを行うＴＦＴアレイ検査装置において、給電部は、プローバーに設けたプローバー側給電部と、基板を載置するステージに設けたステージ側給電部とを備え、放電部は切り替え信号を出力するタイマーを備える。タイマーは、プローバー側給電部とステージ側給電部との接触に基づいて計時を開始し、予め定められた所定時間が経過した後に切り替え信号を出力する。
【００３５】
上記した給電部および放電部を備える構成において、プローバーが基板に載置されたことを、プローバー側給電部とステージ側給電部との接触に基づいて検出し、タイマーはこの接触検出に基づいて計時を開始し、予め設定された時間が経過した時点で、切り替え信号を出力する。
【００３６】
切り替え回路は、タイマーが出力する切り替信号に基づいて、給電ピンとの接続を放電用抵抗から基板検査信号部へ切り替える動作を行う。
【００３７】
制御プログラムに基づいてデフォルトの時間経過により定める形態では、基板の検査を行うメインチャンバへ基板を搬送する工程、メインチャンバ内に配置された基板にプローバーを配置する工程、放電工程、検査信号を供給して基板検査を行う工程等の各工程を行うプログラムにおいて、基板配置工程の終了した後、基板の放電に要する時間に所定の余裕時間を加味した時間を検査信号の供給時点として設定する。
【００３８】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態は、第１の形態の切り替え回路を用いることなく、コンタクトピンと放電用抵抗との接続と、給電ピンと基板検査信号部との接続との接続を、プローバーの基板側への移動に伴って、時間差を伴って順に行うことによって、プローバーを介して行う帯電電荷の放電と、プローバーを介して行う検査信号の供給とを分離して行う。
【００３９】
第２の形態において、放電部は、放電用抵抗の一端を接地し、他端をコンタクトピンと給電ピンとの間に接続する。この放電用抵抗の接続によってコンタクトピンと放電用抵抗とを接続する第１の接続回路と、コンタクトピンと給電ピンと基板検査信号部とを接続する第２の接続回路とを備える。
【００４０】
第１の接続回路と第２の接続回路の各接続は、プローバーの移動に伴って順次行う。第１の接続回路は、基板に帯電する電荷を、コンタクトピンから放電用抵抗を介して接地に放電し、第２の接続回路は、検査用信号を、給電ピンおよびコンタクトピンから基板に供給する。
【００４１】
また、給電部は、プローバーに設けたプローバー側給電部と、基板を載置するステージに設けたステージ側給電部とを有する。プローバー側給電部はコンタクトピンと接続された給電ピンを備え、ステージ側給電部は給電ピンと電気的に接触するための電極を備える。プローバーの移動に伴って、コンタクトピンと基板側の電極との電気的接触を、給電ピンとステージ側給電部との電極との電気的接触よりも先行させるように、給電ピンおよびコンタクトピンと配置する。この配置により、プローバーが基板方向に移動すると、コンタクトピンと基板側の電極とが先に電気的に接触し、第１の接続回路の接続によってコンタクトピンと放電用抵抗とを接続し、基板に帯電する電荷を放電用抵抗を介して接地に放電する。
【００４２】
さらに、プローバーが基板方向に移動すると、給電ピンとステージ側給電部の電極とが電気的に接触し、第２の接続回路によってコンタクトピンと基板検査信号部とを接続し、検査用信号を基板に供給する。
【００４３】
前記した給電ピンとコンタクトピンの配置は、例えば、コンタクトピンの長さを給電ピンの長さよりも長く設定することで実現することができる。なお、給電ピンおよびコンタクトピンは、各ピンをスプリング等の弾性部材によって弾性的に保持することによって、コンタクトピンは電極に接触した後、所定のストローク分だけ押し込まれるため、プローバーの移動に伴って、給電ピンが電極を押圧することによる支障を解消することができる。
【００４４】
第２の形態によれば、プローバーと基板とが接触する時間を、タイマーやプログラムによって定める構成を不要とすることができる。
【００４５】
さらに、本願発明のＴＦＴアレイ検査装置が備えるステージは、ステージ用放電抵抗を介して接地する構成とすることができる。ステージ用放電用抵抗を介して接地することによって、ステージに帯電する電荷が放電した際に、このステージ上に載置される基板に発生する絶縁破壊を防ぐ。
【００４６】
さらに、本願発明のＴＦＴアレイ検査装置が備える基板搬送装置は、基板を載置する搬送用パレットを備え、この搬送用パレットは基板を載置する側に絶縁体を有し、絶縁体を介して基板と接触する構成とすることができる。搬送用パレットと基板との間に絶縁体を設けることによって、基板に帯電する電荷が搬送用パレットを介して放電しないようにし、搬送パレットに載置された基板に発生する絶縁破壊を防ぐ。
【発明の効果】
【００４７】
本発明によれば、ＴＦＴアレイ検査装置において、基板内で絶縁破壊を生じさせることなく、基板に帯電した電荷を放電することができる。
【００４８】
また、本発明によれば、基板内で絶縁破壊を生じさせることなく、かつ、短時間で基板に帯電した電荷を放電することができ、また、後工程において絶縁破壊が発生することを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の構成を説明するための図である。
【図２】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態を説明するための概略図である。
【図３】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態のプローバー、給電部、放電部の構成を説明するための概略図である。
【図４】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態の動作例を説明するためのフローチャートである。
【図５】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態の動作例を説明するための動作説明図である。
【図６】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態を説明するための概略図である。
【図７】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態のプローバー、給電部、放電部の構成を説明するための概略図である。
【図８】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態の動作例を説明するためのフローチャートである。
【図９】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態の動作例を説明するための動作説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。以下では、図１を用いて本発明のＴＦＴアレイ検査装置の構成を説明し、本発明の第１の形態に対応する実施例を図２〜図５を用いて説明し、本発明の第２の形態に対応する実施例を図６〜図９を用いて説明する。
【００５１】
はじめに、図１を用いて本発明のＴＦＴアレイ検査装置の一構成例を説明する。なお、図１はＴＦＴアレイ検査装置の内、主に基板検査を行う構成について示している。図１に示す構成例では、液晶基板等のＴＦＴ基板に電子線を照射し、ＴＦＴ基板から放出される二次電子を検出し、二次電子の検出信号から信号画像を形成し、この信号画像に基づいて欠陥検出を行う構成例を示している。本発明は、検査対象の基板は液晶基板に限らず、また、基板走査は電子線に限らずイオンビーム等の荷電ビームとすることができる。また、検出信号は照射する荷電ビームに依存し、二次電子に限られるものではない。
【００５２】
図１において、ＴＦＴアレイ検査装置１は、液晶基板等の基板１００を載置すると共にＸＹ方向に移動自在とするステージ４と、基板１００上に形成されたパネル１０１のアレイ（図示していない）に検査信号を印加するプローバー２と、プローバー２のプローバーフレーム２ａを上下方向に昇降駆動するプローバーリフター３と、ステージ４の上方位置に配置した電子銃５と、基板１００のパネル１０１のピクセル（図示していない）から放出される二次電子を検出する検出器６とを備える。電子銃５および検出器６は複数の組みを設けることができる。検査信号は、基板検査信号部１２で生成され、プローバー２を介して基板１００のパネル１０１に供給される。
【００５３】
基板検査信号部１２からプローバー２への検査信号の供給は、給電部１１を介して行われる。給電部１１は、プローバー２側に設けたプローバー側給電部１１Ａとステージ４側に設けたステージ側給電部１１Ｂとによって構成される。
【００５４】
プローバー側給電部１１Ａは給電ピン１１ａを備え、プローバーフレーム２ａに設けられる。給電ピン１１ａは、プローバーフレーム２ａに配設された配線２ｃを通してコンタクトピン２ｂに接続される。コンタクトピン２ｂは、プローバー２の移動によって基板１００に設けられた電極と電気的に接触し、検査信号を基板１００の各パネル１０１に供給する。
【００５５】
ステージ側給電部１１Ｂは電極１１ｂを備え、ステージ４あるいはＴＦＴアレイ検査装置１の固定側に設けられる。電極１１ｂは、基板検査信号部１２と直接あるいは間接に接続されており、プローバー２をステージ４側に移動させ、給電ピン１１ａを電極１１ｂに電気的に接触させることによって、基板検査信号部１２からプローバー２へ検査信号を供給する。なお、図１には給電ピン１１ａおよび電極１１ｂは図示していない。
【００５６】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置１は、基板１００に帯電する電荷を放電する放電部１６を備える。放電部１６は一端を接地した放電用抵抗１６ａを備え、放電用抵抗１６ａを通して基板１００に帯電する電荷を放電する。
【００５７】
放電用抵抗１６ａの他端は、プローバーフレーム２ａに配設された配線２ｃあるいは給電部１１に接続され、コンタクトピン２ｂが基板１００の電極１００ａ（図示していない）に接触した際に、電極１００ａ、コンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、および放電用抵抗１６ａをつなぐ放電回路が形成され、基板１００の帯電電荷は放電回路を通して接地に放電される。
【００５８】
放電用抵抗１６ａは高い電気抵抗を有しており、電荷が流れる際に放電用抵抗１６ａの両端に電圧降下が発生する。放電用抵抗１６ａの一端は接地しているため、放電用抵抗１６ａの他端側には電圧降下分の電圧が発生し、プローバー２を介して接続される基板１００の電位は、放電用抵抗１６ａの電圧降下分だけ高くなる。この電位の発生によって、基板１００内に発生する電位差は短絡した場合の電位差と比較して小さくなる。これによって、基板１００内の電位差を、絶縁破壊が発生する電位差よりも下げることができる。
【００５９】
放電部１６とプローバーフレーム２ａの配線２ｃとを接続する構成は、給電部１１を介して接続する構成とする他に、給電部１１を介することなく直接に接続する構成とすることができる。図１では、２つの構成を同一の図面に示しているが、何れか一方の構成によって、放電部１６とプローバーフレーム２ａの配線２ｃとの接続を行う。
【００６０】
給電部１１を介して接続する構成では、コンタクトピン２ｂおよび給電ピン１１ａは、基板１００に検査信号を供給する給電回路を構成すると共に、基板１００に帯電する電荷を放電用抵抗を介して接地に放電する放電回路を構成することになる。
【００６１】
第１の形態では、図２〜図５を用いて給電部１１を介して接続する構成について説明し、第２の形態では、図６〜図９を用いて給電部１１を介することなく直接に接続する構成について説明する。
【００６２】
ステージ駆動制御部１４はステージ４の駆動を制御し、電子線走査制御部１５は電子銃５が照射する電子線の照射方向を制御して、基板１００上の電子線の走査を制御する。信号処理部２０は、検出器６が検出する二次電子の検出信号を信号処理し信号画像を形成する。得られた信号画像の信号強度や検出位置は欠陥検出部３０に送られ、欠陥位置や欠陥種の判定が行われる。欠陥検出部３０は、信号処理部２０から送られた信号画像の信号強度に基づいてピクセルの欠陥を検出し、検出位置によって欠陥ピクセルおよび対応する欠陥アレイを検出する。
【００６３】
なお、ピクセルおよびアレイは基板のパネルに形成され、各ピクセルはアレイに対して電圧を印加することによって駆動されるため、ピクセルの欠陥検出は、そのピクセルに対するアレイ検査に対応している。
【００６４】
ステージ４は、基板１００を載置するとともに、ステージ駆動制御部１４によってＸ軸方向およびＹ軸方向に移動自在であり、また、電子銃５から照射される電子線は電子線走査制御部１５によってＸ軸方向あるいはＹ軸方向に振らせることができる。ステージ駆動制御部１４および電子線走査制御部１５は、単独あるいは協働動作によって電子線を基板１００上で走査させ、基板１００のパネル１０１の各ピクセルに照射させることができる。
【００６５】
プローバーリフター駆動制御部１３は、プローバーリフター３を駆動制御して、プローバーフレーム２ａを上下方向に昇降駆動する。プローバーリフター３が上昇駆動するとプローバーフレーム２ａは上方に移動して基板１００から離れ、コンタクトピン２ｂおよび給電ピン１１ａの各端子は、それぞれが対向する電極との電気的な接続が解かれる。一方、プローバーリフター３が下降駆動するとプローバーフレーム２ａは下方に移動して基板１００に近づき、コンタクトピン２ｂおよび給電ピン１１ａの各端子はそれぞれが対向する電極と電気的に接触する。
【００６６】
プローバーリフター駆動制御部１３，ステージ駆動制御部１４，電子線走査制御部１５，信号処理部２０、欠陥検出部３０の各部の駆動動作は制御部１０によって制御される。また、制御部１０は、アレイ検査装置１の全体の動作を含む制御を行う機能を有し、これらの制御を行うＣＰＵ、およびＣＰＵを制御するプログラムを記憶するメモリ等によって構成することができる。
【００６７】
[第１の形態]
次に、本願発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態について説明する。図２は第１の形態を説明するための概略図であり、図３は第１の形態のプローバー、給電部、放電部の構成を説明するための概略図であり、図４，５は第１の形態の動作例を説明するためのフローチャートおよび動作説明図である。
【００６８】
図２において、ＴＦＴアレイ検査装置１は、基板１００を検査するメインチャンバ１Ａ、基板１００をメインチャンバ１Ａとの間で搬送する搬送チャンバ１Ｂ、およびメインチャンバ１Ａと搬送チャンバ１Ｂとの間を密封自在に開閉するゲートドア１Ｃを備える。
【００６９】
搬送チャンバ１Ｂ内には、基板１００を載置した状態で搬送する搬送部１７を備える。搬送部１７は、基板１００を搬送するパレット１７ａ、およびパレット１７ａ上に設けられた絶縁体１７ｂを備え、パレット１７ａと載置する基板１００との間に絶縁体１７ｂを設けることによって、基板１００に帯電する電荷の放電を防ぎ、絶縁破壊の発生を防ぐ構成としている。
【００７０】
メインチャンバ１Ａ内には、基板１００を載置するステージ４と、基板１００に検査信号を供給するプローバー２を備える。ステージ４は、Ｘ方向あるいはＹ方向に移動する第１のステージ４ａおよび第２のステージ４ｂを備える。第１のステージ４ａと第２のステージ４ｂとの間には絶縁物４ｃを設け、基板１００を載置する側の第１のステージ４ａはステージ用放電抵抗４ｄを介して接地されている。第１のステージ４ａは絶縁物４ｃによって絶縁することによって基板１００からの帯電電荷の放電を防いでいる。
【００７１】
また、第１のステージ４ａはステージ用放電抵抗４ｄを介して接地する構成とする。この構成とすることで、基板１００の撓みによってステージ４ａと接触し、接触部位から放電が発生して部分的に絶縁破壊を生じさせるような電位差が発生する事態が生じたとしても、放電時の放電速度を低下させることによって基板１００内の電位差を低減して絶縁破壊の発生を抑制する。
【００７２】
プローバー２は、プローバーフレーム２ａを有し、基板１００の電極１００ａと電気的に接触するコンタクトピン２ｂと、検査信号の供給を受ける給電ピン１１ａを備える。プローバー２側とステージ４側は、検査信号の供給を受けるための構成として給電部１１を備える。給電部１１は、プローバー２側の構成として給電ピン１１ａを有するプローバー側給電部１１Ａを備え、ステージ４側の構成として電極１１ｂを有するステージ側給電部１１Ｂを備える。
【００７３】
第１の形態では、検査信号の供給と帯電電荷の放電とを給電部１１を介して行うと共に、切り替え部１９によって検査信号の供給と帯電電荷の放電とを切り替える。
【００７４】
切り替え部１９は、通常は放電部１６側に接続しておき、検査時において放電が終了した後、基板検査信号部１２側に切り替える。
【００７５】
放電時には、切り替え部１９は放電部１６側に接続されているため、基板１００に帯電する電荷は、コンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、給電部１１、および切り替え部１９を介して放電部１６に導かれ、放電部１６の放電用抵抗１６ａを通して接地される。
【００７６】
一方、検査時には、切り替え部１９は放電部１６を切り離して給電部１１に接続を切り替えることによって、基板検査信号部１２からの検査信号は、切り替え部１９，給電部１１、配線２ｃ、およびコンタクトピン２ｂを介して基板１００に供給される。
【００７７】
切り替え部１９は切り替え回路１９ａとタイマー１９ｂを備え、切り替え回路１９ａはタイマー１９ｂの切り替え信号に基づいて放電部１６から基板検査信号部１２に接続を切り替える。タイマー１９ｂは、プローバー２が基板１００に載置されてから所定時間が経過した時点で切り替え信号を出力する。所定時間は、基板１００に帯電する電荷が放電用抵抗１６ａを通して接地に放電されるに要する時間に応じて定めることができ、一例として２秒程度に設定される。
【００７８】
給電部１１は、プローバー側給電部１１Ａとステージ側給電部１１Ｂを備え、プローバー２が基板１００上に載置した際に、プローバー側給電部１１Ａの給電ピン１１ａとステージ側給電部１１Ｂ側の電極１１ｂとが電気的に接触することによって、プローバー２と切り替え部１９との間を接続する回路を形成する。
【００７９】
タイマー１９ｂの計時の開始は、例えば、プローバー側給電部１１Ａとステージ側給電部１１Ｂとの接触を検出することによって行うことができる。
【００８０】
切り替え回路１９ａの接続切替は、タイマーによる計時時間によって行う他、制御プリグラムに基づいて行う形態とすることもできる。
【００８１】
制御部１０は、メインチャンバへ基板を搬送する工程、メインチャンバ内に配置された基板にプローバーを配置する工程、放電工程、検査信号を供給して基板検査を行う工程等の各工程を行う制御プログラムを格納し、この制御プログラムに従って各工程を行う。各工程処理において、基板配置工程が終了した後、基板の放電の要する時間に所定の余裕時間を加味した時間を予め設定しておき、この設定時点を検査信号の供給時点として設定することで、デフォルトの時間経過により切り替え回路の接続切替を行う。
【００８２】
図３は、第１の形態が備えるプローバー２、給電部１１、切り替え部１９、および放電部１６の構成例を示している。
【００８３】
プローバー２は、基板１００の電極１００ａと電気的に接触するコンタクトピン２ｂと、給電部１１において電極１１ｂと電気的に接触する給電ピン１１ａと、コンタクトピン２ｂと給電ピン１１ａとを接続するプローバーフレーム２ａに配設された配線２ｃとを備える。給電ピン１１ａはプローバー側給電部１１Ａを構成し、電極１１ｂはステージ側給電部１１Ｂを構成している。
【００８４】
切り替え部１９が備える切り替え回路１９ａの一端には、ステージ側給電部１１Ｂの電極１１ｂが接続され、他方に切り替え端子には基板検査信号部１２と放電部１６とが接続され、通常は放電部１６側に接続し、タイマー１９ｂの切り替え信号に応じて基板検査信号部１２側に接続が切り替えられる。
【００８５】
タイマー１９ｂの計時の開始は、プローバー２が基板１００に載置された時点で行われ、予め定められた時間が経過した時点で切り替え信号を出力する。
【００８６】
プローバー２が基板１００に載置された時点の検出は、例えば、プローバー２側に設けたピン１８ａとステージ側に設けたセンサ１８ｂからなる載置検出部１８によって行うことができる。プローバー２が基板１００に載置されると、センサ１８ｂはピン１８ａの近接あるいは接触したことを検出して検出信号をタイマー１９ｂに出力する。タイマー１９ｂは、検出信号を受けて計時を開始する。
【００８７】
切り替え部１９が放電部１６側に切り替えられているときには、基板１００の電極１００ａから、コンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、給電ピン１１ａ、電極１１ｂを通って放電用抵抗１６ａにつながる放電回路が形成され、基板１００の帯電電荷はこの放電回路を介して接地に放電される。
【００８８】
一方、切り替え部１９が基板検査信号部１２側に切り替えられているときには、基板検査信号部１２から、電極１１ｂ、給電ピン１１ａ、配線２ｃ、コンタクトピン２ｂを通って１００の電極１００ａにつながる給電回路が形成され、検査信号はこの給電回路を通って基板１００の各パネルに供給される。
【００８９】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態の動作例について、図４のフローチャートおよび動作説明図を用いて説明する。
【００９０】
切り替え回路１９ａは放電用抵抗１６ａ側に接続を切り替え、ステージ側給電部１１Ｂの電極１１ｂと放電用抵抗１６ａとを接続する(S1)。ステージ４上に基板１００を搬送して載置した後（S2）、プローバー２を基板１００に移動する。図５（ａ）はプローバー２を基板１００に載置する前の状態を示している。この状態では、切り替え回路１９ａは放電用抵抗１６ａ側に接続を切り替えられている(S3)。
【００９１】
プローバー２の移動によって、プローバー２のコンタクトピン２ｂは基板１００の電極１００ａに接触し、プローバー側給電部１１Ａの給電ピン１１ａはステージ側給電部１１Ｂの電極１１ｂに接触する。これによって、電極１００ａからコンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、給電ピン１１ａ、電極１１ｂ、および放電用抵抗１６ａを介して接地に接続される放電回路が形成される。図５（ｂ）は、プローバー２が基板１００に載置された状態を示している(S4)。
【００９２】
この放電回路の形成によって、基板１００に帯電した電荷は放電用抵抗１６ａを介して接地に放電される。放電用抵抗１６ａは例えば、１００ＭΩ程度の高い電気抵抗とすることによって、放電速度を抑えると共に、コンタクトピン２ｂが接触する基板１００の電位降下を抑え、基板１００内に絶縁破壊を生じさせるような大きな電位差が発生しないようにする(S5)。
【００９３】
プローバー２が基板１００に載置され、コンタクトピン２ｂが電極１００ａに接触し、給電ピン１１ａが電極１１ｂに接触したことを検出し、タイマー１９ｂの計時を開始する。プローバー２が基板１００に載置されたことの検出は、例えば、載置検出部１８においてセンサ１８ｂがピン１８ａの移動を検出することで行うことができる。前記検出は、載置検出部１８によらず他の検出手段を用いることができる。例えば、給電ピン１１ａと電極１１ｂとの接触を検出し、この検出信号を用いる構成、プローバーフレーム２ａとステージ４との距離を検出し、この距離に基づいて検出する構成等としても良い(S6)。
【００９４】
タイマー１９ｂの計時時間があらかじめ定めておいた所定時間を経過した時点で、切り替え回路１９ａに接続を切り替える切り替え信号を出力する。所定時間は、基板の帯電電荷が放電用抵抗を介して放電されるに要する放電時間を予め想定しておき、この放電時間に基づいて定めることができる。切り替え回路１９ａの接続を切り替えるタイミングを、放電が終了する時点より後とすることによって、放電電流が基板検査信号部１２に流入して基板検査信号部１２が電気的に破壊されることを防ぐことができる(S7)。
【００９５】
切り替え回路１９ａは、タイマー１９ｂからの切り替え信号を受けて、放電用抵抗１６ａから基板検査信号部１２に接続を切り替える。図５（ｃ）は切り替え回路１９ａを放電用抵抗１６ａから基板検査信号部１２に接続を切り替えた状態を示している。(S8)。
【００９６】
基板検査信号部１２に接続を切り替えることによって、基板検査信号部１２から電極１１ｂ、給電ピン１１ａ、配線２ｃ、コンタクトピン２ｂを介して基板１００の電極１００ａに接続される給電回路が形成され、基板検査信号部１２は形成された給電回路を通して検査信号を基板１００の各パネルに給電する(S9)。
【００９７】
検査信号を基板のパネルに給電した状態において、電子線等を走査して検出信号を検出する(S10)。
【００９８】
[第２の形態]
次に、本願発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態について説明する。図６は第２の形態を説明するための概略図であり、図７は第２の形態のプローバー、給電部、放電部の構成を説明するための概略図であり、図８，９は第２の形態の動作例を説明するためのフローチャートおよび動作説明図である。
【００９９】
図６において、ＴＦＴアレイ検査装置１は、図２に示した第１の形態と同様に、基板１００を検査するメインチャンバ１Ａ、基板１００をメインチャンバ１Ａとの間で搬送する搬送チャンバ１Ｂ、およびメインチャンバ１Ａと搬送チャンバ１Ｂとの間を密封自在に開閉するゲートドア１Ｃを備える。
【０１００】
搬送チャンバ１Ｂ内には、基板１００を載置した状態で搬送する搬送部１７を備える。搬送部１７は、基板１００を搬送するパレット１７ａ、およびパレット１７ａ上に設けられた絶縁体１７ｂを備え、パレット１７ａと載置する基板１００との間の絶縁体１７ｂを設けることによって、基板１００に帯電する電荷の放電を防ぎ、絶縁破壊の発生を防ぐ構成としている。
【０１０１】
メインチャンバ１Ａ内には、基板１００を載置するステージ４と、基板１００に検査信号を供給するプローバー２を備える。ステージ４は、Ｘ方向あるいはＹ方向に移動する第１のステージ４ａおよび第２のステージ４ｂを備える。第１のステージ４ａと第２のステージ４ｂとの間には絶縁物４ｃを設け、基板１００を載置する側の第１のステージ４ａはステージ用放電抵抗４ｄを介して接地されている。第１のステージ４ａは絶縁物４ｃによって絶縁することによって基板１００からの帯電電荷の放電を防いでいる。
【０１０２】
また、第１のステージ４ａはステージ用放電抵抗４ｄを介して接地する構成とする。この構成とすることで、基板１００の撓みによってステージ４ａと接触し、接触部位から放電が発生して部分的に絶縁破壊を生じさせるような電位差が発生する事態が生じたとしても、放電時の放電速度を低下させることによって基板１００内の電位差を低減して絶縁破壊の発生を抑制する。
【０１０３】
プローバー２は、プローバーフレーム２ａを有し、基板１００の電極１００ａと電気的に接触するコンタクトピン２ｂと、検査信号の供給を受ける給電ピン１１ａを備える。プローバー２側とステージ４側は、検査信号の供給を受けるための構成として給電部１１を備える。給電部１１は、プローバー２側の構成として給電ピン１１ａからなるプローバー側給電部１１Ａを備え、ステージ４側の構成として電極１１ｂからなるステージ側給電部１１Ｂを備える。
【０１０４】
第２の形態では、給電部１１を介して検査信号を供給し、プローバー２を介して帯電電荷を放電する構成であり、プローバー２の基板１００への移動に伴って、はじめにプローバー２を介して基板の帯電電荷を放電用抵抗１６ａを通して接地に放電し、次に、検査信号を給電部１１およびプローバー２を介して基板に供給する。
【０１０５】
帯電電荷の放電と検査信号の供給の切り替えは、プローバー２の基板１００への移動に伴って、はじめにプローバー２のコンタクトピン２ｂを基板１００の電極１００ａに電気的に接触させて放電回路を形成し、次に、プローバー２の給電ピン１１ａを給電部１１の電極１１ｂに電気的に接触させて給電回路を形成することで行う。
【０１０６】
放電時には、コンタクトピン２ｂは基板１００の電極１００ａに電気的に接触するが、給電ピン１１ａは電極１１ｂに電気的に接触していないため、基板１００に帯電する電荷は、コンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、および放電部１６を介して接地される放電回路が形成され、帯電電荷は放電部１６の放電用抵抗１６ａを通して放電される。
【０１０７】
さらに、プローバー２が基板１００側に移動して、給電ピン１１ａが電極１１ｂに電気的に接触すると、基板検査信号部１２から電極１１ｂ、給電ピン１１ａ、配線２ｃ、およびコンタクトピン２ｂへの給電回路が形成され、基板検査信号部１２からの検査信号は、給電部１１、配線２ｃ、およびコンタクトピン２ｂを介して基板１００の各パネルに供給される。
【０１０８】
なお、配線２ｃには放電用抵抗１６ａが接続されているため、給電ピン１１ａが電極１１ｂと電気的に接続した場合には、基板検査信号部１２から出力された検査信号は、コンタクトピン２ｂと電極１００ａとの接続を通して基板１００に供給される他に、配線２ｃを介して放電用抵抗１６ａにも流れる経路が考えられる。しかしながら、放電用抵抗１６ａの電気抵抗は、コンタクトピン２ｂおよび電極１００ａを介して形成される回路中の電気抵抗よりも十分に高くすることによって、放電用抵抗１６ａに流れる経路は実質的に絶縁された状態と見なすことができ、基板検査信号は基板１００に供給されるとして扱うことができる。
【０１０９】
帯電電荷の放電と検査信号の供給との切り替えは、コンタクトピン２ｂが基板１００の電極１００ａに電気的に接触するタイミングと、給電部１１において給電ピン１１ａが電極１１ｂに電気的に接触するタイミングとの時間差によって行われる。コンタクトピン２ｂが給電ピン１１ａよりも先に電極に接触させる構成として、例えば、コンタクトピン２ｂと給電ピン１１ａのピンの長さ、および基板１００の電極１００ａとステージ側給電部１１Ｂの電極１１ｂの、プローバー２の移動方向における位置関係によって、コンタクトピン２ｂが給電ピン１１ａよりも先に電極に接触するように設定する。
【０１１０】
コンタクトピン２ｂが電極１００ａに接触した後、プローバー２がさらに基板方向に移動して給電ピン１１ａが電極１１ｂに接触するまで、および接触した状態においても、コンタクトピン２ｂは電極１００ａと接触した状態を保持する。
【０１１１】
ここで、コンタクトピン２ｂをスプリング等によって弾性的に保持する構成として接触状態を保持すると共に、先端が電極１００ａに当接したコンタクトピン２ｂがプローバー２の移動に伴って湾曲あるいは破損しないようにすることができる。
【０１１２】
制御部１０は、メインチャンバへ基板を搬送する工程、メインチャンバ内に配置された基板にプローバーを配置する工程、放電工程、検査信号を供給して基板検査を行う工程等の各工程を行う制御プログラムを格納し、この制御プログラムに従って各工程を行う。
【０１１３】
図７は、第２の形態が備えるプローバー２、給電部１１、および放電部１６の構成例を示している。
【０１１４】
プローバー２は、基板１００の電極１００ａと電気的に接触するコンタクトピン２ｂと、給電部１１において電極１１ｂと電気的に接触する給電ピン１１ａと、コンタクトピン２ｂと給電ピン１１ａとを接続するプローバーフレーム２ａに配設された配線２ｃとを備える。給電ピン１１ａはプローバー側給電部１１Ａを構成し、電極１１ｂはステージ側給電部１１Ｂを構成している。
【０１１５】
コンタクトピン２ｂと給電ピン１１ａとを接続する各配線２ｃには放電部１６の放電用抵抗１６ａが接続され、放電用抵抗１６ａの他端は接地されている。プローバー２を基板１００に載置して、コンタクトピン２ｂを基板１００の電極１００ａに電気的に接触させると、電極１００ａから、コンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、および放電用抵抗１６ａを介して接地される放電回路が形成される。
【０１１６】
一方、電極１１ｂには基板検査信号部１２が接続されている。プローバー２を基板１００に載置して、給電ピン１１ａを電極１１ｂに電気的に接触させると、基板検査信号部１２から、電極１１ｂ、給電ピン１１ａ、配線２ｃ、コンタクトピン２ｂ、および電極１００ａを介して基板１００のパネルにつながる給電回路が形成される。
【０１１７】
したがって、放電時には、基板１００の帯電電荷は、基板１００の電極１００ａからコンタクトピン２ｂ、配線２ｃを通って放電用抵抗１６ａにつながる放電回路を介して接地に放電される。
【０１１８】
一方、検査信号の供給時には、検査信号は、基板検査信号部１２から電極１１ｂ、給電ピン１１ａ、配線２ｃ、コンタクトピン２ｂを通って１００の電極１００ａにつながる給電回路を通って基板１００の各パネルに供給される。
【０１１９】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態の動作例について、図８のフローチャートおよび動作説明図を用いて説明する。
【０１２０】
ステージ４上に基板１００を搬送して載置した後（S11）、プローバー２を基板１００に移動する。図９（ａ）はプローバー２を基板１００に載置する前の状態を示している (S12)。
【０１２１】
プローバー２の移動によって、プローバー２のコンタクトピン２ｂは基板１００の電極１００ａに接触する。これによって、電極１００ａからコンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、および放電用抵抗１６ａを介して接地に接続される放電回路が形成される。図９（ｂ）は、プローバー２が基板１００に載置された状態を示している(S13)。
【０１２２】
この放電回路の形成によって、基板１００に帯電した電荷は放電用抵抗１６ａを介して接地に放電される。放電用抵抗１６ａは例えば、１００ＭΩ程度の高い電気抵抗とすることによって、放電速度を抑えると共に、コンタクトピン２ｂが接触する基板１００の電位降下を抑え、基板１００内に絶縁破壊を生じさせるような大きな電位差が発生しないようにする(S14)。
【０１２３】
プローバー２を基板１００側に更に移動させ（S15）、給電ピン１１ａをステージ側給電部１１Ｂの電極１１ｂに接触させる(S16)。これによって、基板検査信号部１２から電極１１ｂ、給電ピン１１ａ、配線２ｃ、コンタクトピン２ｂを介して基板１００の電極１００ａに接続される給電回路が形成され、基板検査信号部１２は形成された給電回路を通して検査信号を基板１００の各パネルに給電する(S17)。
【０１２４】
検査信号を基板のパネルに給電した状態において、電子線等を走査して検出信号を検出する(S18)。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
本発明は、ＴＦＴ基板は液晶基板や有機ＥＬとすることができ、液晶基板や有機ＥＬを形成する成膜装置の他、種々の半導体基板を形成する成膜装置に適用することができる。
【符号の説明】
【０１２６】
１ ＴＦＴアレイ検査装置
１Ａ メインチャンバ
１Ｂ 搬送チャンバ
１Ｃ ゲートドア
２ プローバー
２ａ プローバーフレーム
２ｂ コンタクトピン
２ｃ 配線
３ プローバーリフター
４ ステージ
４ａ 第１のステージ
４ｂ 第２のステージ
４ｃ 絶縁物
４ｄ ステージ用放電抵抗
５ 電子銃
６ 検出器
１０ 制御部
１１ 給電部
１１Ａ プローバー側給電部
１１Ｂ ステージ側給電部
１１ａ 給電ピン
１１ｂ 電極
１２ 基板検査信号部
１３ プローバーリフター駆動制御部
１４ ステージ駆動制御部
１５ 電子線走査制御部
１６ 放電部
１６ａ 放電用抵抗
１７ 搬送部
１７ａ パレット
１７ｂ 絶縁体
１８ 載置検出部
１８ａ ピン
１８ｂ センサ
１９ 切り替え部
１９ａ 切り替え回路
１９ｂ タイマー
２０ 信号処理部
３０ 欠陥検出部
１００ 基板
１００ａ 電極
１０１ パネル
【技術分野】
【０００１】
本発明は、液晶基板等のＴＦＴ基板のアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置に関し、特に、基板の帯電を除電する機構を有するＴＦＴアレイ検査装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
液晶アレイ検査装置等のＴＦＴアレイ検査装置において、液晶基板等の基板上を撮像して得られる撮像画像として、光学的に撮像して得られる光学撮像画像、あるいは、電子ビームやイオンビーム等の荷電ビームを基板上で二次元的に走査して得られる走査画像を用いることができる。
【０００３】
ＴＦＴディスプレイ装置に用いるＴＦＴアレイ基板の製造工程では、製造されたＴＦＴアレイ基板が正しく駆動するかの検査が行われる（特許文献１，２）。
【０００４】
例えば、検査対象である基板のＴＦＴアレイに検査信号を印加してＴＦＴアレイに付随した透明電極を所定電位状態とし、基板上に電子ビームやイオンビーム等の荷電ビームを二次元的に照射して走査し、このビーム走査で得られる走査画像に基づいてＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置が知られている。ＴＦＴアレイ検査では、例えば、電子線の照射によって放出される二次電子をフォトマルチプライヤなどによって電気信号に変換して検出し、この検出信号の信号強度に基づいてアレイ欠陥を判定している。
【０００５】
基板のＴＦＴアレイとピクセルは対応して形成されており、ＴＦＴアレイに駆動信号を印加することによって特定のピクセルを駆動することができる。ＴＦＴアレイ検査において、一般に、ＴＦＴアレイに所定パターンの駆動信号を印加し、基板内に形成されたパネルの各ピクセルを所定パターンで駆動し、これらのピクセルに電子線を照射し、照射点から放出される二次電子を検出する。この電子線照射をパネル内で走査して行うことによって、パネル内の各ピクセルから検出信号を取得している。
【０００６】
ＴＦＴアレイの欠陥は、例えば、取得した検出信号の信号強度を、所定パターンの駆動信号で駆動した際に正常なＴＦＴアレイから得られる検出信号の信号強度と比較することによって検出することができる。
【０００７】
基板不良として、プロセスに起因する不良の他、静電気に起因する不良が指摘されている（例えば、特許文献３参照）。
【０００８】
基板の製造ライン上において基板を搬送する際に、接触や摩擦等の種々の要因によって静電気が発生して帯電する場合がある。基板に対する各種処理工程において帯電した基板が処理装置と接触すると、基板と処理装置との間の電位差によって過剰電流が流れ、基板上に形成あるいは装着された電子部品が絶縁破壊（ＥＳＤ）される場合がある。
【０００９】
このような絶縁破壊を防止する方法として、搬送路上にイオナイザ（帯電中和装置）を配置し、搬送される基板にイオナイザで生成したイオンを放射することによって、基板に帯電する電荷を除電することが提案されている（例えば、特許文献４，５参照）。
【００１０】
また、装置内に収納された基板と装置とが接触する箇所に絶縁処理を施すことによって放電の発生を抑制することも行われている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１１】
【特許文献１】特開２００４−２７１５１６号公報
【特許文献２】特開２００４−３０９４８８号公報
【特許文献３】特開２０００−２０６１７７号公報（段落[0003]，段落[0010]，段落[0013]）
【特許文献４】特開２００１−６０６０９号公報
【特許文献５】特開２００２−２３２１８９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１２】
絶縁破壊を防ぐ方法として、上記したイオナイザ（帯電中和装置）を用いる方法では、除電に時間を要するという問題があり、除電時間を十分にとることができない場合には除電が不十分となり、搬送先の装置内において絶縁破壊が発生するという問題が生じる。基板をインラインで製造する場合には、製品のスループットを高めるためにライン上に設けられた各処理工程での処理時間を短縮することが求められているため、イオナイザによる除電は最適とは言えない場合がある。
【００１３】
基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査工程を含むライン処理においても、全体の処理時間の短縮要求から搬送に要する時間についても短縮することが求められる。そのため、イオナイザによる除電の時間を十分にとることができず、除電を十分に行うことができない。
【００１４】
また、装置内において絶縁体によって放電を防ぐ処置が考えられる。この処置では、基板が帯電した状態のままで処理が行われ、その後、帯電したまま装置から搬送されることになるため、後工程において絶縁破壊が発生するおそれがあるという問題がある。
【００１５】
基板を接地させることによって、基板に帯電した電荷を放電させることができる。しかしながら、基板を接地させることによって基板の帯電電荷を短時間で放電させると、基板内の電位が不均一となり基板内に電位差が生じることになる。この電位差が絶縁破壊電圧を超えると、放電現象と同様に絶縁破壊が発生する。
【００１６】
そこで、本発明は上記課題を解決して、ＴＦＴアレイ検査装置において、基板内で絶縁破壊を生じさせることなく、基板に帯電した電荷を放電することを目的とする。
【００１７】
また、基板内で絶縁破壊を生じさせることなく、かつ、短時間で基板に帯電した電荷を放電することを目的とし、また、後工程において絶縁破壊が発生することを防ぐことを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
本願発明は、プローバーを基板に載置し、プローバーを介して検査信号を基板に供給し、基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、ＴＦＴアレイ検査時にプローバーを基板に載置した際に、基板をプローバーを介して高い電気抵抗の放電用抵抗に接続し、この放電用抵抗を介して接地することによって、基板の帯電電荷の放電速度を抑制した放電させる。
【００１９】
基板に帯電する電荷を、基板からプローバーを介して放電用抵抗に導くことによって、ＴＦＴアレイ検査装置内において格別な機構を設けることなく基板に帯電する電荷を放電することができる。
【００２０】
また、高い電気抵抗の放電用抵抗を介して接地することによって、放電時に基板内に生じる電位差を低減させて、発生した電位差が絶縁破壊電圧を超えないようにすることで絶縁破壊の発生を抑制することができる。
【００２１】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置は、基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、基板検査を行うための検査信号を出力する基板検査信号部と、基板にコンタクトピンを電気的な接触させ、検査信号を基板に印加するプローバーと、基板検査信号部が出力する検査信号をプローバーに供給する給電部と、基板に帯電する電荷をプローバーを介して接地に放電する放電部とを備える。
【００２２】
本発明の放電部は、コンタクトピンとアースとの間を高い電気抵抗で接続する放電用抵抗を備える。
【００２３】
ＴＦＴアレイ検査装置は、基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査する際に、プローバーを基板に配置して、プローバーから基板に検査信号を印加する。本発明のＴＦＴアレイ検査装置は、プローバーを基板に配置してコンタクトピンを基板の電極に電気的に接触させ、給電部が基板検査信号部から入力した検査信号を、コンタクトピンと基板の電極の電気的接触を通して基板に供給する。
【００２４】
本発明のプローバーは、検査信号の供給に先立って、基板に帯電する電荷を、コンタクトピンと基板の電極との電気的接触を通して基板から放電部に導く。放電部は、プローバーを介して導かれた電荷を、放電用抵抗を通して接地に放電する。放電用抵抗は高い電気抵抗を有しているため、放電時に流れる電流値は低い値に抑制され、基板内に生じる電位差は低減される。
【００２５】
基板内に生じる電位差を低減することによって、基板内の電位差が絶縁破壊電圧を越えることによる絶縁破壊の発生を抑制する。
【００２６】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置は、プローバーを介して基板に検査信号を供給すると共に、プローバーを介して基板の帯電を放電する。この放電電流が基板検査信号部に流入し、絶縁破壊によって基板検査信号部内の信号発生回路等が破損することを避けるために、プローバーへの検査信号の供給とプローバーを介して行う帯電電荷の放電とを分離して行う構成を備える。
【００２７】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置は、プローバーへの検査信号の供給とプローバーを介して行う帯電電荷の放電とを分離して行う構成として２つの形態を備える。
【００２８】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態は、プローバーの給電ピンを、放電用抵抗と基板検査信号部との間で切り替えて接続する切り替え回路を備える。
【００２９】
本発明の切り替え回路は、プローバーの給電ピンを放電用抵抗に切り替える動作によって、基板に帯電する電荷を放電用抵抗を介して接地に放電する。一方、本発明の切り替え回路は、プローバーの給電ピンを基板検査信号部に切り替える動作によって、検査用信号を給電ピンおよびコンタクトピンを介して基板に供給する。
【００３０】
本発明の切り替え回路は、はじめに放電用抵抗側に接続を切り替えておくことによって、基板に帯電する電荷を放電し、放電が完了した後、基板検査信号部側に接続を切り替えることによって、プローバーに検査信号を供給する。
【００３１】
本発明の切り替え回路において、放電用抵抗側への接続に続いて基板検査信号部側への接続を行う接続の動作は、複数の形態で行うことができる。
【００３２】
接続動作を定める一形態は、切り替え回路において、給電ピンとの接続を放電用抵抗から基板検査信号部へ切り替える動作を、基板の帯電電荷の放電が放電用抵抗を介して開始した後、所定時間が経過した時点で行う。この動作によって、はじめに基板からの帯電電荷の放電を行い、次にプローバーに検査信号を供給する。
【００３３】
基板の帯電電荷の放電が放電用抵抗を介して開始した後、所定時間が経過した時点を定める形態は、タイマーによって経過時間を計時して定める形態、あるいは、ＴＦＴアレイ検査装置において予め定められた制御プログラムに基づいてデフォルトの時間経過により定める形態とすることができる。
【００３４】
タイマーによる経過時間の計時によって切り替え時点を定める形態では、切り替え回路によって放電と検査信号の供給の切り替えを行うＴＦＴアレイ検査装置において、給電部は、プローバーに設けたプローバー側給電部と、基板を載置するステージに設けたステージ側給電部とを備え、放電部は切り替え信号を出力するタイマーを備える。タイマーは、プローバー側給電部とステージ側給電部との接触に基づいて計時を開始し、予め定められた所定時間が経過した後に切り替え信号を出力する。
【００３５】
上記した給電部および放電部を備える構成において、プローバーが基板に載置されたことを、プローバー側給電部とステージ側給電部との接触に基づいて検出し、タイマーはこの接触検出に基づいて計時を開始し、予め設定された時間が経過した時点で、切り替え信号を出力する。
【００３６】
切り替え回路は、タイマーが出力する切り替信号に基づいて、給電ピンとの接続を放電用抵抗から基板検査信号部へ切り替える動作を行う。
【００３７】
制御プログラムに基づいてデフォルトの時間経過により定める形態では、基板の検査を行うメインチャンバへ基板を搬送する工程、メインチャンバ内に配置された基板にプローバーを配置する工程、放電工程、検査信号を供給して基板検査を行う工程等の各工程を行うプログラムにおいて、基板配置工程の終了した後、基板の放電に要する時間に所定の余裕時間を加味した時間を検査信号の供給時点として設定する。
【００３８】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態は、第１の形態の切り替え回路を用いることなく、コンタクトピンと放電用抵抗との接続と、給電ピンと基板検査信号部との接続との接続を、プローバーの基板側への移動に伴って、時間差を伴って順に行うことによって、プローバーを介して行う帯電電荷の放電と、プローバーを介して行う検査信号の供給とを分離して行う。
【００３９】
第２の形態において、放電部は、放電用抵抗の一端を接地し、他端をコンタクトピンと給電ピンとの間に接続する。この放電用抵抗の接続によってコンタクトピンと放電用抵抗とを接続する第１の接続回路と、コンタクトピンと給電ピンと基板検査信号部とを接続する第２の接続回路とを備える。
【００４０】
第１の接続回路と第２の接続回路の各接続は、プローバーの移動に伴って順次行う。第１の接続回路は、基板に帯電する電荷を、コンタクトピンから放電用抵抗を介して接地に放電し、第２の接続回路は、検査用信号を、給電ピンおよびコンタクトピンから基板に供給する。
【００４１】
また、給電部は、プローバーに設けたプローバー側給電部と、基板を載置するステージに設けたステージ側給電部とを有する。プローバー側給電部はコンタクトピンと接続された給電ピンを備え、ステージ側給電部は給電ピンと電気的に接触するための電極を備える。プローバーの移動に伴って、コンタクトピンと基板側の電極との電気的接触を、給電ピンとステージ側給電部との電極との電気的接触よりも先行させるように、給電ピンおよびコンタクトピンと配置する。この配置により、プローバーが基板方向に移動すると、コンタクトピンと基板側の電極とが先に電気的に接触し、第１の接続回路の接続によってコンタクトピンと放電用抵抗とを接続し、基板に帯電する電荷を放電用抵抗を介して接地に放電する。
【００４２】
さらに、プローバーが基板方向に移動すると、給電ピンとステージ側給電部の電極とが電気的に接触し、第２の接続回路によってコンタクトピンと基板検査信号部とを接続し、検査用信号を基板に供給する。
【００４３】
前記した給電ピンとコンタクトピンの配置は、例えば、コンタクトピンの長さを給電ピンの長さよりも長く設定することで実現することができる。なお、給電ピンおよびコンタクトピンは、各ピンをスプリング等の弾性部材によって弾性的に保持することによって、コンタクトピンは電極に接触した後、所定のストローク分だけ押し込まれるため、プローバーの移動に伴って、給電ピンが電極を押圧することによる支障を解消することができる。
【００４４】
第２の形態によれば、プローバーと基板とが接触する時間を、タイマーやプログラムによって定める構成を不要とすることができる。
【００４５】
さらに、本願発明のＴＦＴアレイ検査装置が備えるステージは、ステージ用放電抵抗を介して接地する構成とすることができる。ステージ用放電用抵抗を介して接地することによって、ステージに帯電する電荷が放電した際に、このステージ上に載置される基板に発生する絶縁破壊を防ぐ。
【００４６】
さらに、本願発明のＴＦＴアレイ検査装置が備える基板搬送装置は、基板を載置する搬送用パレットを備え、この搬送用パレットは基板を載置する側に絶縁体を有し、絶縁体を介して基板と接触する構成とすることができる。搬送用パレットと基板との間に絶縁体を設けることによって、基板に帯電する電荷が搬送用パレットを介して放電しないようにし、搬送パレットに載置された基板に発生する絶縁破壊を防ぐ。
【発明の効果】
【００４７】
本発明によれば、ＴＦＴアレイ検査装置において、基板内で絶縁破壊を生じさせることなく、基板に帯電した電荷を放電することができる。
【００４８】
また、本発明によれば、基板内で絶縁破壊を生じさせることなく、かつ、短時間で基板に帯電した電荷を放電することができ、また、後工程において絶縁破壊が発生することを防ぐことができる。
【図面の簡単な説明】
【００４９】
【図１】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の構成を説明するための図である。
【図２】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態を説明するための概略図である。
【図３】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態のプローバー、給電部、放電部の構成を説明するための概略図である。
【図４】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態の動作例を説明するためのフローチャートである。
【図５】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態の動作例を説明するための動作説明図である。
【図６】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態を説明するための概略図である。
【図７】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態のプローバー、給電部、放電部の構成を説明するための概略図である。
【図８】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態の動作例を説明するためのフローチャートである。
【図９】本発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態の動作例を説明するための動作説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００５０】
以下、本発明の実施の形態について図を参照しながら詳細に説明する。以下では、図１を用いて本発明のＴＦＴアレイ検査装置の構成を説明し、本発明の第１の形態に対応する実施例を図２〜図５を用いて説明し、本発明の第２の形態に対応する実施例を図６〜図９を用いて説明する。
【００５１】
はじめに、図１を用いて本発明のＴＦＴアレイ検査装置の一構成例を説明する。なお、図１はＴＦＴアレイ検査装置の内、主に基板検査を行う構成について示している。図１に示す構成例では、液晶基板等のＴＦＴ基板に電子線を照射し、ＴＦＴ基板から放出される二次電子を検出し、二次電子の検出信号から信号画像を形成し、この信号画像に基づいて欠陥検出を行う構成例を示している。本発明は、検査対象の基板は液晶基板に限らず、また、基板走査は電子線に限らずイオンビーム等の荷電ビームとすることができる。また、検出信号は照射する荷電ビームに依存し、二次電子に限られるものではない。
【００５２】
図１において、ＴＦＴアレイ検査装置１は、液晶基板等の基板１００を載置すると共にＸＹ方向に移動自在とするステージ４と、基板１００上に形成されたパネル１０１のアレイ（図示していない）に検査信号を印加するプローバー２と、プローバー２のプローバーフレーム２ａを上下方向に昇降駆動するプローバーリフター３と、ステージ４の上方位置に配置した電子銃５と、基板１００のパネル１０１のピクセル（図示していない）から放出される二次電子を検出する検出器６とを備える。電子銃５および検出器６は複数の組みを設けることができる。検査信号は、基板検査信号部１２で生成され、プローバー２を介して基板１００のパネル１０１に供給される。
【００５３】
基板検査信号部１２からプローバー２への検査信号の供給は、給電部１１を介して行われる。給電部１１は、プローバー２側に設けたプローバー側給電部１１Ａとステージ４側に設けたステージ側給電部１１Ｂとによって構成される。
【００５４】
プローバー側給電部１１Ａは給電ピン１１ａを備え、プローバーフレーム２ａに設けられる。給電ピン１１ａは、プローバーフレーム２ａに配設された配線２ｃを通してコンタクトピン２ｂに接続される。コンタクトピン２ｂは、プローバー２の移動によって基板１００に設けられた電極と電気的に接触し、検査信号を基板１００の各パネル１０１に供給する。
【００５５】
ステージ側給電部１１Ｂは電極１１ｂを備え、ステージ４あるいはＴＦＴアレイ検査装置１の固定側に設けられる。電極１１ｂは、基板検査信号部１２と直接あるいは間接に接続されており、プローバー２をステージ４側に移動させ、給電ピン１１ａを電極１１ｂに電気的に接触させることによって、基板検査信号部１２からプローバー２へ検査信号を供給する。なお、図１には給電ピン１１ａおよび電極１１ｂは図示していない。
【００５６】
本発明のＴＦＴアレイ検査装置１は、基板１００に帯電する電荷を放電する放電部１６を備える。放電部１６は一端を接地した放電用抵抗１６ａを備え、放電用抵抗１６ａを通して基板１００に帯電する電荷を放電する。
【００５７】
放電用抵抗１６ａの他端は、プローバーフレーム２ａに配設された配線２ｃあるいは給電部１１に接続され、コンタクトピン２ｂが基板１００の電極１００ａ（図示していない）に接触した際に、電極１００ａ、コンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、および放電用抵抗１６ａをつなぐ放電回路が形成され、基板１００の帯電電荷は放電回路を通して接地に放電される。
【００５８】
放電用抵抗１６ａは高い電気抵抗を有しており、電荷が流れる際に放電用抵抗１６ａの両端に電圧降下が発生する。放電用抵抗１６ａの一端は接地しているため、放電用抵抗１６ａの他端側には電圧降下分の電圧が発生し、プローバー２を介して接続される基板１００の電位は、放電用抵抗１６ａの電圧降下分だけ高くなる。この電位の発生によって、基板１００内に発生する電位差は短絡した場合の電位差と比較して小さくなる。これによって、基板１００内の電位差を、絶縁破壊が発生する電位差よりも下げることができる。
【００５９】
放電部１６とプローバーフレーム２ａの配線２ｃとを接続する構成は、給電部１１を介して接続する構成とする他に、給電部１１を介することなく直接に接続する構成とすることができる。図１では、２つの構成を同一の図面に示しているが、何れか一方の構成によって、放電部１６とプローバーフレーム２ａの配線２ｃとの接続を行う。
【００６０】
給電部１１を介して接続する構成では、コンタクトピン２ｂおよび給電ピン１１ａは、基板１００に検査信号を供給する給電回路を構成すると共に、基板１００に帯電する電荷を放電用抵抗を介して接地に放電する放電回路を構成することになる。
【００６１】
第１の形態では、図２〜図５を用いて給電部１１を介して接続する構成について説明し、第２の形態では、図６〜図９を用いて給電部１１を介することなく直接に接続する構成について説明する。
【００６２】
ステージ駆動制御部１４はステージ４の駆動を制御し、電子線走査制御部１５は電子銃５が照射する電子線の照射方向を制御して、基板１００上の電子線の走査を制御する。信号処理部２０は、検出器６が検出する二次電子の検出信号を信号処理し信号画像を形成する。得られた信号画像の信号強度や検出位置は欠陥検出部３０に送られ、欠陥位置や欠陥種の判定が行われる。欠陥検出部３０は、信号処理部２０から送られた信号画像の信号強度に基づいてピクセルの欠陥を検出し、検出位置によって欠陥ピクセルおよび対応する欠陥アレイを検出する。
【００６３】
なお、ピクセルおよびアレイは基板のパネルに形成され、各ピクセルはアレイに対して電圧を印加することによって駆動されるため、ピクセルの欠陥検出は、そのピクセルに対するアレイ検査に対応している。
【００６４】
ステージ４は、基板１００を載置するとともに、ステージ駆動制御部１４によってＸ軸方向およびＹ軸方向に移動自在であり、また、電子銃５から照射される電子線は電子線走査制御部１５によってＸ軸方向あるいはＹ軸方向に振らせることができる。ステージ駆動制御部１４および電子線走査制御部１５は、単独あるいは協働動作によって電子線を基板１００上で走査させ、基板１００のパネル１０１の各ピクセルに照射させることができる。
【００６５】
プローバーリフター駆動制御部１３は、プローバーリフター３を駆動制御して、プローバーフレーム２ａを上下方向に昇降駆動する。プローバーリフター３が上昇駆動するとプローバーフレーム２ａは上方に移動して基板１００から離れ、コンタクトピン２ｂおよび給電ピン１１ａの各端子は、それぞれが対向する電極との電気的な接続が解かれる。一方、プローバーリフター３が下降駆動するとプローバーフレーム２ａは下方に移動して基板１００に近づき、コンタクトピン２ｂおよび給電ピン１１ａの各端子はそれぞれが対向する電極と電気的に接触する。
【００６６】
プローバーリフター駆動制御部１３，ステージ駆動制御部１４，電子線走査制御部１５，信号処理部２０、欠陥検出部３０の各部の駆動動作は制御部１０によって制御される。また、制御部１０は、アレイ検査装置１の全体の動作を含む制御を行う機能を有し、これらの制御を行うＣＰＵ、およびＣＰＵを制御するプログラムを記憶するメモリ等によって構成することができる。
【００６７】
[第１の形態]
次に、本願発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態について説明する。図２は第１の形態を説明するための概略図であり、図３は第１の形態のプローバー、給電部、放電部の構成を説明するための概略図であり、図４，５は第１の形態の動作例を説明するためのフローチャートおよび動作説明図である。
【００６８】
図２において、ＴＦＴアレイ検査装置１は、基板１００を検査するメインチャンバ１Ａ、基板１００をメインチャンバ１Ａとの間で搬送する搬送チャンバ１Ｂ、およびメインチャンバ１Ａと搬送チャンバ１Ｂとの間を密封自在に開閉するゲートドア１Ｃを備える。
【００６９】
搬送チャンバ１Ｂ内には、基板１００を載置した状態で搬送する搬送部１７を備える。搬送部１７は、基板１００を搬送するパレット１７ａ、およびパレット１７ａ上に設けられた絶縁体１７ｂを備え、パレット１７ａと載置する基板１００との間に絶縁体１７ｂを設けることによって、基板１００に帯電する電荷の放電を防ぎ、絶縁破壊の発生を防ぐ構成としている。
【００７０】
メインチャンバ１Ａ内には、基板１００を載置するステージ４と、基板１００に検査信号を供給するプローバー２を備える。ステージ４は、Ｘ方向あるいはＹ方向に移動する第１のステージ４ａおよび第２のステージ４ｂを備える。第１のステージ４ａと第２のステージ４ｂとの間には絶縁物４ｃを設け、基板１００を載置する側の第１のステージ４ａはステージ用放電抵抗４ｄを介して接地されている。第１のステージ４ａは絶縁物４ｃによって絶縁することによって基板１００からの帯電電荷の放電を防いでいる。
【００７１】
また、第１のステージ４ａはステージ用放電抵抗４ｄを介して接地する構成とする。この構成とすることで、基板１００の撓みによってステージ４ａと接触し、接触部位から放電が発生して部分的に絶縁破壊を生じさせるような電位差が発生する事態が生じたとしても、放電時の放電速度を低下させることによって基板１００内の電位差を低減して絶縁破壊の発生を抑制する。
【００７２】
プローバー２は、プローバーフレーム２ａを有し、基板１００の電極１００ａと電気的に接触するコンタクトピン２ｂと、検査信号の供給を受ける給電ピン１１ａを備える。プローバー２側とステージ４側は、検査信号の供給を受けるための構成として給電部１１を備える。給電部１１は、プローバー２側の構成として給電ピン１１ａを有するプローバー側給電部１１Ａを備え、ステージ４側の構成として電極１１ｂを有するステージ側給電部１１Ｂを備える。
【００７３】
第１の形態では、検査信号の供給と帯電電荷の放電とを給電部１１を介して行うと共に、切り替え部１９によって検査信号の供給と帯電電荷の放電とを切り替える。
【００７４】
切り替え部１９は、通常は放電部１６側に接続しておき、検査時において放電が終了した後、基板検査信号部１２側に切り替える。
【００７５】
放電時には、切り替え部１９は放電部１６側に接続されているため、基板１００に帯電する電荷は、コンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、給電部１１、および切り替え部１９を介して放電部１６に導かれ、放電部１６の放電用抵抗１６ａを通して接地される。
【００７６】
一方、検査時には、切り替え部１９は放電部１６を切り離して給電部１１に接続を切り替えることによって、基板検査信号部１２からの検査信号は、切り替え部１９，給電部１１、配線２ｃ、およびコンタクトピン２ｂを介して基板１００に供給される。
【００７７】
切り替え部１９は切り替え回路１９ａとタイマー１９ｂを備え、切り替え回路１９ａはタイマー１９ｂの切り替え信号に基づいて放電部１６から基板検査信号部１２に接続を切り替える。タイマー１９ｂは、プローバー２が基板１００に載置されてから所定時間が経過した時点で切り替え信号を出力する。所定時間は、基板１００に帯電する電荷が放電用抵抗１６ａを通して接地に放電されるに要する時間に応じて定めることができ、一例として２秒程度に設定される。
【００７８】
給電部１１は、プローバー側給電部１１Ａとステージ側給電部１１Ｂを備え、プローバー２が基板１００上に載置した際に、プローバー側給電部１１Ａの給電ピン１１ａとステージ側給電部１１Ｂ側の電極１１ｂとが電気的に接触することによって、プローバー２と切り替え部１９との間を接続する回路を形成する。
【００７９】
タイマー１９ｂの計時の開始は、例えば、プローバー側給電部１１Ａとステージ側給電部１１Ｂとの接触を検出することによって行うことができる。
【００８０】
切り替え回路１９ａの接続切替は、タイマーによる計時時間によって行う他、制御プリグラムに基づいて行う形態とすることもできる。
【００８１】
制御部１０は、メインチャンバへ基板を搬送する工程、メインチャンバ内に配置された基板にプローバーを配置する工程、放電工程、検査信号を供給して基板検査を行う工程等の各工程を行う制御プログラムを格納し、この制御プログラムに従って各工程を行う。各工程処理において、基板配置工程が終了した後、基板の放電の要する時間に所定の余裕時間を加味した時間を予め設定しておき、この設定時点を検査信号の供給時点として設定することで、デフォルトの時間経過により切り替え回路の接続切替を行う。
【００８２】
図３は、第１の形態が備えるプローバー２、給電部１１、切り替え部１９、および放電部１６の構成例を示している。
【００８３】
プローバー２は、基板１００の電極１００ａと電気的に接触するコンタクトピン２ｂと、給電部１１において電極１１ｂと電気的に接触する給電ピン１１ａと、コンタクトピン２ｂと給電ピン１１ａとを接続するプローバーフレーム２ａに配設された配線２ｃとを備える。給電ピン１１ａはプローバー側給電部１１Ａを構成し、電極１１ｂはステージ側給電部１１Ｂを構成している。
【００８４】
切り替え部１９が備える切り替え回路１９ａの一端には、ステージ側給電部１１Ｂの電極１１ｂが接続され、他方に切り替え端子には基板検査信号部１２と放電部１６とが接続され、通常は放電部１６側に接続し、タイマー１９ｂの切り替え信号に応じて基板検査信号部１２側に接続が切り替えられる。
【００８５】
タイマー１９ｂの計時の開始は、プローバー２が基板１００に載置された時点で行われ、予め定められた時間が経過した時点で切り替え信号を出力する。
【００８６】
プローバー２が基板１００に載置された時点の検出は、例えば、プローバー２側に設けたピン１８ａとステージ側に設けたセンサ１８ｂからなる載置検出部１８によって行うことができる。プローバー２が基板１００に載置されると、センサ１８ｂはピン１８ａの近接あるいは接触したことを検出して検出信号をタイマー１９ｂに出力する。タイマー１９ｂは、検出信号を受けて計時を開始する。
【００８７】
切り替え部１９が放電部１６側に切り替えられているときには、基板１００の電極１００ａから、コンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、給電ピン１１ａ、電極１１ｂを通って放電用抵抗１６ａにつながる放電回路が形成され、基板１００の帯電電荷はこの放電回路を介して接地に放電される。
【００８８】
一方、切り替え部１９が基板検査信号部１２側に切り替えられているときには、基板検査信号部１２から、電極１１ｂ、給電ピン１１ａ、配線２ｃ、コンタクトピン２ｂを通って１００の電極１００ａにつながる給電回路が形成され、検査信号はこの給電回路を通って基板１００の各パネルに供給される。
【００８９】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置の第１の形態の動作例について、図４のフローチャートおよび動作説明図を用いて説明する。
【００９０】
切り替え回路１９ａは放電用抵抗１６ａ側に接続を切り替え、ステージ側給電部１１Ｂの電極１１ｂと放電用抵抗１６ａとを接続する(S1)。ステージ４上に基板１００を搬送して載置した後（S2）、プローバー２を基板１００に移動する。図５（ａ）はプローバー２を基板１００に載置する前の状態を示している。この状態では、切り替え回路１９ａは放電用抵抗１６ａ側に接続を切り替えられている(S3)。
【００９１】
プローバー２の移動によって、プローバー２のコンタクトピン２ｂは基板１００の電極１００ａに接触し、プローバー側給電部１１Ａの給電ピン１１ａはステージ側給電部１１Ｂの電極１１ｂに接触する。これによって、電極１００ａからコンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、給電ピン１１ａ、電極１１ｂ、および放電用抵抗１６ａを介して接地に接続される放電回路が形成される。図５（ｂ）は、プローバー２が基板１００に載置された状態を示している(S4)。
【００９２】
この放電回路の形成によって、基板１００に帯電した電荷は放電用抵抗１６ａを介して接地に放電される。放電用抵抗１６ａは例えば、１００ＭΩ程度の高い電気抵抗とすることによって、放電速度を抑えると共に、コンタクトピン２ｂが接触する基板１００の電位降下を抑え、基板１００内に絶縁破壊を生じさせるような大きな電位差が発生しないようにする(S5)。
【００９３】
プローバー２が基板１００に載置され、コンタクトピン２ｂが電極１００ａに接触し、給電ピン１１ａが電極１１ｂに接触したことを検出し、タイマー１９ｂの計時を開始する。プローバー２が基板１００に載置されたことの検出は、例えば、載置検出部１８においてセンサ１８ｂがピン１８ａの移動を検出することで行うことができる。前記検出は、載置検出部１８によらず他の検出手段を用いることができる。例えば、給電ピン１１ａと電極１１ｂとの接触を検出し、この検出信号を用いる構成、プローバーフレーム２ａとステージ４との距離を検出し、この距離に基づいて検出する構成等としても良い(S6)。
【００９４】
タイマー１９ｂの計時時間があらかじめ定めておいた所定時間を経過した時点で、切り替え回路１９ａに接続を切り替える切り替え信号を出力する。所定時間は、基板の帯電電荷が放電用抵抗を介して放電されるに要する放電時間を予め想定しておき、この放電時間に基づいて定めることができる。切り替え回路１９ａの接続を切り替えるタイミングを、放電が終了する時点より後とすることによって、放電電流が基板検査信号部１２に流入して基板検査信号部１２が電気的に破壊されることを防ぐことができる(S7)。
【００９５】
切り替え回路１９ａは、タイマー１９ｂからの切り替え信号を受けて、放電用抵抗１６ａから基板検査信号部１２に接続を切り替える。図５（ｃ）は切り替え回路１９ａを放電用抵抗１６ａから基板検査信号部１２に接続を切り替えた状態を示している。(S8)。
【００９６】
基板検査信号部１２に接続を切り替えることによって、基板検査信号部１２から電極１１ｂ、給電ピン１１ａ、配線２ｃ、コンタクトピン２ｂを介して基板１００の電極１００ａに接続される給電回路が形成され、基板検査信号部１２は形成された給電回路を通して検査信号を基板１００の各パネルに給電する(S9)。
【００９７】
検査信号を基板のパネルに給電した状態において、電子線等を走査して検出信号を検出する(S10)。
【００９８】
[第２の形態]
次に、本願発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態について説明する。図６は第２の形態を説明するための概略図であり、図７は第２の形態のプローバー、給電部、放電部の構成を説明するための概略図であり、図８，９は第２の形態の動作例を説明するためのフローチャートおよび動作説明図である。
【００９９】
図６において、ＴＦＴアレイ検査装置１は、図２に示した第１の形態と同様に、基板１００を検査するメインチャンバ１Ａ、基板１００をメインチャンバ１Ａとの間で搬送する搬送チャンバ１Ｂ、およびメインチャンバ１Ａと搬送チャンバ１Ｂとの間を密封自在に開閉するゲートドア１Ｃを備える。
【０１００】
搬送チャンバ１Ｂ内には、基板１００を載置した状態で搬送する搬送部１７を備える。搬送部１７は、基板１００を搬送するパレット１７ａ、およびパレット１７ａ上に設けられた絶縁体１７ｂを備え、パレット１７ａと載置する基板１００との間の絶縁体１７ｂを設けることによって、基板１００に帯電する電荷の放電を防ぎ、絶縁破壊の発生を防ぐ構成としている。
【０１０１】
メインチャンバ１Ａ内には、基板１００を載置するステージ４と、基板１００に検査信号を供給するプローバー２を備える。ステージ４は、Ｘ方向あるいはＹ方向に移動する第１のステージ４ａおよび第２のステージ４ｂを備える。第１のステージ４ａと第２のステージ４ｂとの間には絶縁物４ｃを設け、基板１００を載置する側の第１のステージ４ａはステージ用放電抵抗４ｄを介して接地されている。第１のステージ４ａは絶縁物４ｃによって絶縁することによって基板１００からの帯電電荷の放電を防いでいる。
【０１０２】
また、第１のステージ４ａはステージ用放電抵抗４ｄを介して接地する構成とする。この構成とすることで、基板１００の撓みによってステージ４ａと接触し、接触部位から放電が発生して部分的に絶縁破壊を生じさせるような電位差が発生する事態が生じたとしても、放電時の放電速度を低下させることによって基板１００内の電位差を低減して絶縁破壊の発生を抑制する。
【０１０３】
プローバー２は、プローバーフレーム２ａを有し、基板１００の電極１００ａと電気的に接触するコンタクトピン２ｂと、検査信号の供給を受ける給電ピン１１ａを備える。プローバー２側とステージ４側は、検査信号の供給を受けるための構成として給電部１１を備える。給電部１１は、プローバー２側の構成として給電ピン１１ａからなるプローバー側給電部１１Ａを備え、ステージ４側の構成として電極１１ｂからなるステージ側給電部１１Ｂを備える。
【０１０４】
第２の形態では、給電部１１を介して検査信号を供給し、プローバー２を介して帯電電荷を放電する構成であり、プローバー２の基板１００への移動に伴って、はじめにプローバー２を介して基板の帯電電荷を放電用抵抗１６ａを通して接地に放電し、次に、検査信号を給電部１１およびプローバー２を介して基板に供給する。
【０１０５】
帯電電荷の放電と検査信号の供給の切り替えは、プローバー２の基板１００への移動に伴って、はじめにプローバー２のコンタクトピン２ｂを基板１００の電極１００ａに電気的に接触させて放電回路を形成し、次に、プローバー２の給電ピン１１ａを給電部１１の電極１１ｂに電気的に接触させて給電回路を形成することで行う。
【０１０６】
放電時には、コンタクトピン２ｂは基板１００の電極１００ａに電気的に接触するが、給電ピン１１ａは電極１１ｂに電気的に接触していないため、基板１００に帯電する電荷は、コンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、および放電部１６を介して接地される放電回路が形成され、帯電電荷は放電部１６の放電用抵抗１６ａを通して放電される。
【０１０７】
さらに、プローバー２が基板１００側に移動して、給電ピン１１ａが電極１１ｂに電気的に接触すると、基板検査信号部１２から電極１１ｂ、給電ピン１１ａ、配線２ｃ、およびコンタクトピン２ｂへの給電回路が形成され、基板検査信号部１２からの検査信号は、給電部１１、配線２ｃ、およびコンタクトピン２ｂを介して基板１００の各パネルに供給される。
【０１０８】
なお、配線２ｃには放電用抵抗１６ａが接続されているため、給電ピン１１ａが電極１１ｂと電気的に接続した場合には、基板検査信号部１２から出力された検査信号は、コンタクトピン２ｂと電極１００ａとの接続を通して基板１００に供給される他に、配線２ｃを介して放電用抵抗１６ａにも流れる経路が考えられる。しかしながら、放電用抵抗１６ａの電気抵抗は、コンタクトピン２ｂおよび電極１００ａを介して形成される回路中の電気抵抗よりも十分に高くすることによって、放電用抵抗１６ａに流れる経路は実質的に絶縁された状態と見なすことができ、基板検査信号は基板１００に供給されるとして扱うことができる。
【０１０９】
帯電電荷の放電と検査信号の供給との切り替えは、コンタクトピン２ｂが基板１００の電極１００ａに電気的に接触するタイミングと、給電部１１において給電ピン１１ａが電極１１ｂに電気的に接触するタイミングとの時間差によって行われる。コンタクトピン２ｂが給電ピン１１ａよりも先に電極に接触させる構成として、例えば、コンタクトピン２ｂと給電ピン１１ａのピンの長さ、および基板１００の電極１００ａとステージ側給電部１１Ｂの電極１１ｂの、プローバー２の移動方向における位置関係によって、コンタクトピン２ｂが給電ピン１１ａよりも先に電極に接触するように設定する。
【０１１０】
コンタクトピン２ｂが電極１００ａに接触した後、プローバー２がさらに基板方向に移動して給電ピン１１ａが電極１１ｂに接触するまで、および接触した状態においても、コンタクトピン２ｂは電極１００ａと接触した状態を保持する。
【０１１１】
ここで、コンタクトピン２ｂをスプリング等によって弾性的に保持する構成として接触状態を保持すると共に、先端が電極１００ａに当接したコンタクトピン２ｂがプローバー２の移動に伴って湾曲あるいは破損しないようにすることができる。
【０１１２】
制御部１０は、メインチャンバへ基板を搬送する工程、メインチャンバ内に配置された基板にプローバーを配置する工程、放電工程、検査信号を供給して基板検査を行う工程等の各工程を行う制御プログラムを格納し、この制御プログラムに従って各工程を行う。
【０１１３】
図７は、第２の形態が備えるプローバー２、給電部１１、および放電部１６の構成例を示している。
【０１１４】
プローバー２は、基板１００の電極１００ａと電気的に接触するコンタクトピン２ｂと、給電部１１において電極１１ｂと電気的に接触する給電ピン１１ａと、コンタクトピン２ｂと給電ピン１１ａとを接続するプローバーフレーム２ａに配設された配線２ｃとを備える。給電ピン１１ａはプローバー側給電部１１Ａを構成し、電極１１ｂはステージ側給電部１１Ｂを構成している。
【０１１５】
コンタクトピン２ｂと給電ピン１１ａとを接続する各配線２ｃには放電部１６の放電用抵抗１６ａが接続され、放電用抵抗１６ａの他端は接地されている。プローバー２を基板１００に載置して、コンタクトピン２ｂを基板１００の電極１００ａに電気的に接触させると、電極１００ａから、コンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、および放電用抵抗１６ａを介して接地される放電回路が形成される。
【０１１６】
一方、電極１１ｂには基板検査信号部１２が接続されている。プローバー２を基板１００に載置して、給電ピン１１ａを電極１１ｂに電気的に接触させると、基板検査信号部１２から、電極１１ｂ、給電ピン１１ａ、配線２ｃ、コンタクトピン２ｂ、および電極１００ａを介して基板１００のパネルにつながる給電回路が形成される。
【０１１７】
したがって、放電時には、基板１００の帯電電荷は、基板１００の電極１００ａからコンタクトピン２ｂ、配線２ｃを通って放電用抵抗１６ａにつながる放電回路を介して接地に放電される。
【０１１８】
一方、検査信号の供給時には、検査信号は、基板検査信号部１２から電極１１ｂ、給電ピン１１ａ、配線２ｃ、コンタクトピン２ｂを通って１００の電極１００ａにつながる給電回路を通って基板１００の各パネルに供給される。
【０１１９】
本願発明のＴＦＴアレイ検査装置の第２の形態の動作例について、図８のフローチャートおよび動作説明図を用いて説明する。
【０１２０】
ステージ４上に基板１００を搬送して載置した後（S11）、プローバー２を基板１００に移動する。図９（ａ）はプローバー２を基板１００に載置する前の状態を示している (S12)。
【０１２１】
プローバー２の移動によって、プローバー２のコンタクトピン２ｂは基板１００の電極１００ａに接触する。これによって、電極１００ａからコンタクトピン２ｂ、配線２ｃ、および放電用抵抗１６ａを介して接地に接続される放電回路が形成される。図９（ｂ）は、プローバー２が基板１００に載置された状態を示している(S13)。
【０１２２】
この放電回路の形成によって、基板１００に帯電した電荷は放電用抵抗１６ａを介して接地に放電される。放電用抵抗１６ａは例えば、１００ＭΩ程度の高い電気抵抗とすることによって、放電速度を抑えると共に、コンタクトピン２ｂが接触する基板１００の電位降下を抑え、基板１００内に絶縁破壊を生じさせるような大きな電位差が発生しないようにする(S14)。
【０１２３】
プローバー２を基板１００側に更に移動させ（S15）、給電ピン１１ａをステージ側給電部１１Ｂの電極１１ｂに接触させる(S16)。これによって、基板検査信号部１２から電極１１ｂ、給電ピン１１ａ、配線２ｃ、コンタクトピン２ｂを介して基板１００の電極１００ａに接続される給電回路が形成され、基板検査信号部１２は形成された給電回路を通して検査信号を基板１００の各パネルに給電する(S17)。
【０１２４】
検査信号を基板のパネルに給電した状態において、電子線等を走査して検出信号を検出する(S18)。
【産業上の利用可能性】
【０１２５】
本発明は、ＴＦＴ基板は液晶基板や有機ＥＬとすることができ、液晶基板や有機ＥＬを形成する成膜装置の他、種々の半導体基板を形成する成膜装置に適用することができる。
【符号の説明】
【０１２６】
１ ＴＦＴアレイ検査装置
１Ａ メインチャンバ
１Ｂ 搬送チャンバ
１Ｃ ゲートドア
２ プローバー
２ａ プローバーフレーム
２ｂ コンタクトピン
２ｃ 配線
３ プローバーリフター
４ ステージ
４ａ 第１のステージ
４ｂ 第２のステージ
４ｃ 絶縁物
４ｄ ステージ用放電抵抗
５ 電子銃
６ 検出器
１０ 制御部
１１ 給電部
１１Ａ プローバー側給電部
１１Ｂ ステージ側給電部
１１ａ 給電ピン
１１ｂ 電極
１２ 基板検査信号部
１３ プローバーリフター駆動制御部
１４ ステージ駆動制御部
１５ 電子線走査制御部
１６ 放電部
１６ａ 放電用抵抗
１７ 搬送部
１７ａ パレット
１７ｂ 絶縁体
１８ 載置検出部
１８ａ ピン
１８ｂ センサ
１９ 切り替え部
１９ａ 切り替え回路
１９ｂ タイマー
２０ 信号処理部
３０ 欠陥検出部
１００ 基板
１００ａ 電極
１０１ パネル
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、
基板検査を行うための検査信号を出力する基板検査信号部と、
前記基板にコンタクトピンを電気的な接触させ、前記検査信号を基板に印加するプローバーと、
前記基板検査信号部が出力する検査信号を前記プローバーに供給する給電部と、
前記基板に帯電する電荷を前記プローバーを介して接地に放電する放電部とを備え、
前記放電部は、前記コンタクトピンと前記アースとの間を高抵抗で接続する放電用抵抗を備えることを特徴とする、ＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項２】
前記放電部は、
前記コンタクトピンとの接続を、前記放電用抵抗と前記基板検査信号部との間で切り替える切り替え回路を備え、
前記切り替え回路が前記コンタクトピンと前記放電用抵抗とを接続する切り替え状態であるとき、前記基板に帯電する電荷を前記放電用抵抗を介して接地に放電し、
前記切り替え回路が前記コンタクトピンと前記基板検査信号部とを接続する切り替え状態であるとき、前記検査用信号を前記コンタクトピンから前記基板に供給することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項３】
前記切り替え回路は、
前記コンタクトピンとの接続を前記放電用抵抗から前記基板検査信号部へ切り替える動作を、前記電荷を前記放電用抵抗を介して行う放電が開始された後、所定時間を経過した後に行うことを特徴とする、請求項２に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項４】
前記給電部は、
前記プローバーに設けたプローバー側給電部と、前記基板を載置するステージに設けたステージ側給電部とを有し、
前記放電部は、前記プローバー側給電部と前記ステージ側給電部との接触に基づいて計時を開始し、予め定められた所定時間が経過した後に切り替え信号を出力するタイマーを有し、
前記切り替え回路は、前記タイマーが出力する切り替信号に基づいて、前記コンタクトピンとの接続を前記放電用抵抗から前記基板検査信号部へ切り替える動作を行うことを特徴とする、請求項３に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項５】
前記放電部は、
前記放電用抵抗の一端をアースに接続し、他端を前記コンタクトピンと前記給電部との間に接続し、前記接続によって前記コンタクトピンと前記放電用抵抗とを接続する第１の接続回路と、前記コンタクトピンと前記基板検査信号部とを接続する第２の接続回路とを備え、
前記第１の接続回路と前記第２の接続回路の各接続は、プローバーの移動に伴って順次行い、
前記第１の接続回路は、基板に帯電する電荷を、前記コンタクトピンから前記放電用抵抗を介して接地に放電し、
前記第２の接続回路は、検査用信号を、前記コンタクトピンから前記基板に供給することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項６】
前記給電部は、
前記プローバーに設けたプローバー側給電部と、前記基板を載置するステージに設けたステージ側給電部とを有し、
前記プローバー側給電部は前記コンタクトピンと接続された給電ピンを備え、
前記ステージ側給電部は前記給電ピンと電気的に接触するための電極を備え、
前記給電ピンおよび前記コンタクトピンは、
プローバーの移動に伴って、前記コンタクトピンと基板側の電極との電気的接触を、前記給電ピンとステージ側給電部との電極との電気的接触よりも先行させる配置であり、当該配置により前記第１の接続回路と前記第２の接続回路の各接続はプローバーの移動に伴って順次行うことを特徴とする、請求項５に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項７】
前記ステージはステージ用放電抵抗を介して接地することを特徴とする、請求項４又は６に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項８】
前記基板を搬送する基板搬送装置を備え、
前記基板搬送装置は、基板を載置する搬送用パレットを備え、当該搬送用パレットは基板を載置する側に絶縁体を有し、当該絶縁体を介して基板と接触することを特徴とする、請求項１から７の何れか一つに記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項１】
基板上に形成されたＴＦＴアレイを検査するＴＦＴアレイ検査装置において、
基板検査を行うための検査信号を出力する基板検査信号部と、
前記基板にコンタクトピンを電気的な接触させ、前記検査信号を基板に印加するプローバーと、
前記基板検査信号部が出力する検査信号を前記プローバーに供給する給電部と、
前記基板に帯電する電荷を前記プローバーを介して接地に放電する放電部とを備え、
前記放電部は、前記コンタクトピンと前記アースとの間を高抵抗で接続する放電用抵抗を備えることを特徴とする、ＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項２】
前記放電部は、
前記コンタクトピンとの接続を、前記放電用抵抗と前記基板検査信号部との間で切り替える切り替え回路を備え、
前記切り替え回路が前記コンタクトピンと前記放電用抵抗とを接続する切り替え状態であるとき、前記基板に帯電する電荷を前記放電用抵抗を介して接地に放電し、
前記切り替え回路が前記コンタクトピンと前記基板検査信号部とを接続する切り替え状態であるとき、前記検査用信号を前記コンタクトピンから前記基板に供給することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項３】
前記切り替え回路は、
前記コンタクトピンとの接続を前記放電用抵抗から前記基板検査信号部へ切り替える動作を、前記電荷を前記放電用抵抗を介して行う放電が開始された後、所定時間を経過した後に行うことを特徴とする、請求項２に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項４】
前記給電部は、
前記プローバーに設けたプローバー側給電部と、前記基板を載置するステージに設けたステージ側給電部とを有し、
前記放電部は、前記プローバー側給電部と前記ステージ側給電部との接触に基づいて計時を開始し、予め定められた所定時間が経過した後に切り替え信号を出力するタイマーを有し、
前記切り替え回路は、前記タイマーが出力する切り替信号に基づいて、前記コンタクトピンとの接続を前記放電用抵抗から前記基板検査信号部へ切り替える動作を行うことを特徴とする、請求項３に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項５】
前記放電部は、
前記放電用抵抗の一端をアースに接続し、他端を前記コンタクトピンと前記給電部との間に接続し、前記接続によって前記コンタクトピンと前記放電用抵抗とを接続する第１の接続回路と、前記コンタクトピンと前記基板検査信号部とを接続する第２の接続回路とを備え、
前記第１の接続回路と前記第２の接続回路の各接続は、プローバーの移動に伴って順次行い、
前記第１の接続回路は、基板に帯電する電荷を、前記コンタクトピンから前記放電用抵抗を介して接地に放電し、
前記第２の接続回路は、検査用信号を、前記コンタクトピンから前記基板に供給することを特徴とする、請求項１に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項６】
前記給電部は、
前記プローバーに設けたプローバー側給電部と、前記基板を載置するステージに設けたステージ側給電部とを有し、
前記プローバー側給電部は前記コンタクトピンと接続された給電ピンを備え、
前記ステージ側給電部は前記給電ピンと電気的に接触するための電極を備え、
前記給電ピンおよび前記コンタクトピンは、
プローバーの移動に伴って、前記コンタクトピンと基板側の電極との電気的接触を、前記給電ピンとステージ側給電部との電極との電気的接触よりも先行させる配置であり、当該配置により前記第１の接続回路と前記第２の接続回路の各接続はプローバーの移動に伴って順次行うことを特徴とする、請求項５に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項７】
前記ステージはステージ用放電抵抗を介して接地することを特徴とする、請求項４又は６に記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【請求項８】
前記基板を搬送する基板搬送装置を備え、
前記基板搬送装置は、基板を載置する搬送用パレットを備え、当該搬送用パレットは基板を載置する側に絶縁体を有し、当該絶縁体を介して基板と接触することを特徴とする、請求項１から７の何れか一つに記載のＴＦＴアレイ検査装置。
【図３】
【図４】
【図７】
【図８】
【図１】
【図２】
【図５】
【図６】
【図９】
【図４】
【図７】
【図８】
【図１】
【図２】
【図５】
【図６】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−９６７５８（Ｐ２０１３−９６７５８Ａ）
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３７９０２（Ｐ２０１１−２３７９０２）
【出願日】平成２３年１０月２８日（２０１１．１０．２８）
【出願人】（０００００１９９３）株式会社島津製作所 (3,708)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月２０日（２０１３．５．２０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月２８日（２０１１．１０．２８）
【出願人】（０００００１９９３）株式会社島津製作所 (3,708)
【Ｆターム（参考）】
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