めっき処理装置、めっき処理方法および記録媒体
【課題】めっき膜からデフェクトを容易に除去することが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対してめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。また、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対して物理力を印加することにより基板２を洗浄する物理洗浄機構７０が設けられている。物理洗浄機構７０は、基板２が乾燥されるよりも前に基板２に対して物理力を印加することにより、基板２上のめっき膜からデフェクトを除去する。
【解決手段】めっき処理装置２０は、基板２を回転保持する基板回転保持機構１１０と、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対してめっき液３５を供給するめっき液供給機構３０と、を備えている。また、基板回転保持機構１１０に保持された基板２に対して物理力を印加することにより基板２を洗浄する物理洗浄機構７０が設けられている。物理洗浄機構７０は、基板２が乾燥されるよりも前に基板２に対して物理力を印加することにより、基板２上のめっき膜からデフェクトを除去する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面にめっき液を供給してめっき処理を行うためのめっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウエハや液晶基板などの基板には、表面に回路を形成するために配線が施されている。この配線は、アルミニウム素材に替わって電気抵抗が低く信頼性の高い銅素材によるものが利用されるようになっている。しかし、銅はアルミニウムと比較して酸化されやすいので、銅配線表面の酸化を防止するために、高いエレクトロマイグレーション耐性を有する金属によってめっき処理することが望まれる。
【０００３】
従来より、銅配線表面にＣｏやＮｉのパーティクルが析出し、これらのパーティクルによって銅配線間が短絡するという問題が生じている。このような課題を解決するため、特許文献１において、Ｃｕ配線形成後のシリコン熱酸化膜上に存在する無電解めっきにより生じたＣｏやＮｉのパーティクルを除去する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−８４０５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、銅配線表面にめっきされる金属の金属イオンを含む無電解めっき液中においては、金属イオンと還元剤とが酸化還元反応し、金属膜が生成する一方、副生成物として水素が発生する。本発明者らは、このめっき液中に溶存する水素が上記金属イオンと反応した場合、水素還元反応により、金属のデフェクトが発生することを見出した。このようなデフェクトが発生すると、金属膜が短絡する等の問題が生じるおそれがあるため問題となる。
【０００６】
このようにして発生したデフェクトは、めっき液や洗浄液等を乾燥する乾燥処理を経ることにより、金属膜に吸着（物理吸着と化学吸着の両方）される。これは、乾燥処理により金属膜とデフェクトとの間の溶媒が無くなるため、互いの距離が非常に近くなるためである。このように、一旦デフェクトが金属膜に吸着した場合、デフェクトを金属膜から除去することは容易ではない。
【０００７】
一方、特許文献１においては、めっき処理エリア５４で基板にめっき処理が行われた後、その基板を洗浄エリア５２に搬送し、洗浄エリア５２で基板を洗浄するようになっている。したがって、めっき処理エリア５４でめっき処理された基板は、洗浄エリア５２に搬送される前に乾燥し、このときデフェクトは金属膜に吸着してしまうと考えられる。このため、特許文献１に提案される方法を用いた場合、金属膜に吸着したデフェクトを十分に除去することは難しいと考えられる。
【０００８】
本発明は、このような課題を効果的に解決し得るめっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の本発明は、基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、前記基板を収容する基板収容部と、前記基板収容部に収容された前記基板に対してめっき液を供給するめっき液供給機構と、前記基板収容部に収容された前記基板に対して物理力を印加することにより前記基板を洗浄する物理洗浄機構と、を備え、前記物理洗浄機構は、前記めっき液供給機構により前記基板に対してめっき液が供給された後、前記基板が乾燥されるよりも前に、前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄することを特徴とするめっき処理装置である。
【００１０】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記物理洗浄機構は、洗浄液の液滴を吐出する液滴吐出手段を有してもよい。
【００１１】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記液滴吐出手段は、純水と液滴生成用ガスとを混合して純水の液滴を生成し、この純水の液滴を前記基板に対して吐出する二流体ノズルを有しでもよい。
【００１２】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記物理洗浄機構は、薬液と液滴生成用ガスとを混合して薬液の液滴を生成し、この薬液の液滴を前記基板に対して吐出する二流体ノズルを有してもよい。
【００１３】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記物理洗浄機構は、前記基材に当接する刷毛部を含む洗浄ブラシを有してもよい。
【００１４】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記めっき液供給機構により前記基板に対してめっき液が供給された後に、前記基板収容部に収容された前記基板に対して薬液を供給する薬液供給機構をさらに備え、前記物理洗浄機構は、前記薬液供給機構により前記基板に対して前記薬液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも前に、前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄してもよい。
【００１５】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記薬液供給機構により前記基板に対して薬液が供給された後に、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構をさらに備え、前記物理洗浄機構は、前記リンス処理液供給機構により前記基板に対して前記リンス処理液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも前に前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄してもよい。
【００１６】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記薬液供給機構により前記基板に対して薬液が供給された後に、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構をさらに備え、前記物理洗浄機構は、前記リンス処理液供給機構により前記基板に対して前記リンス処理液が供給される際、前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄してもよい。
【００１７】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記めっき液供給機構は、前記基板に供給されるめっき液を貯留する供給タンクと、めっき液を前記基板に対して吐出する吐出ノズルと、前記供給タンクのめっき液を前記吐出用ノズルへ供給するめっき液供給管と、前記供給タンクに貯留されるめっき液中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段と、を有してもよい。
【００１８】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記基板から飛散しためっき液を前記収容部から排出するめっき液排出機構と、前記めっき液排出機構から排出されためっき液を回収して前記めっき液供給機構の前記供給タンクに送るめっき液回収機構と、をさらに備え、前記めっき液回収機構は、前記めっき液排出機構から排出されためっき液を貯留する回収タンクと、前記回収タンクに貯留されるめっき液中の溶存酸素および溶存水素を除去する回収タンク用脱気手段と、を有してもよい。
【００１９】
第２の本発明は、基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、前記基板を基板収容部に収容することと、前記基板収容部に収容された前記基板に対してめっき液を供給することと、前記基板にめっき液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対して物理力を印加することにより前記基板を洗浄することと、前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄した後、前記基板収容部に収容された前記基板を乾燥させることと、を備えたことを特徴とするめっき処理方法である。
【００２０】
第２の本発明によるめっき処理方法において、前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、二流体ノズルによって行われてもよい。
【００２１】
第２の本発明によるめっき処理方法において、前記基板にめっき液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対して薬液を供給することをさらに備え、前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、前記基板に前記薬液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも前に行われてもよい。
【００２２】
第２の本発明によるめっき処理方法において、前記基板に前記薬液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給することをさらに備え、前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、前記基板に前記リンス処理液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも行われてもよい。
【００２３】
第２の本発明によるめっき処理方法において、前記基板に前記薬液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給することをさらに備え、前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、前記基板に前記リンス処理液が供給される際に行われてもよい。
【００２４】
第３の本発明は、めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、前記めっき処理方法は、前記基板を基板収容部に収容することと、前記基板収容部に収容された前記基板に対してめっき液を供給することと、前記基板にめっき液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対して物理力を印加することにより前記基板を洗浄することと、前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄した後、前記基板収容部に収容された前記基板を乾燥させることと、を有することを特徴とする記憶媒体である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、物理洗浄機構により、基板が乾燥されるよりも前に、非乾燥状態で基板に対して物理力を印加してデフェクトを除去している。すなわち、めっき液や洗浄液等によって濡れた状態の基板に対して物理力を印加することにより、基板を洗浄している。これにより、金属膜に吸着する前のデフェクトを効果的に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態におけるめっき処理システムの概略構成を示す平面図。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態におけるめっき処理装置を示す側面図。
【図３】図３は、図２に示すめっき処理装置の平面図。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態におけるめっき液供給機構を示す図。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態におけるめっき液供給機構を示す図。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態における液滴吐出手段の二流体ノズルを示す図。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態における第1加熱機構を示す図。
【図８】図８は、本発明の第１の実施の形態における第２加熱機構を示す図。
【図９】図９は、めっき処理方法を示すフローチャート。
【図１０】図１０は、図９のＮｉめっき工程を詳細に示すフローチャート。
【図１１】図１１は、第１加熱機構の変形例を示す図。
【図１２】図１２は、物理洗浄機構の変形例を示す図。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施の形態におけるめっき液回収機構を示す図。
【図１４】図１４は、本発明の第２の実施の形態におけるＮｉめっき工程を詳細に示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
第１の実施の形態
以下、図１乃至図１０を参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。まず図１により、本実施の形態におけるめっき処理システム１全体について説明する。
【００２８】
めっき処理システム
図１に示すように、めっき処理システム１は、基板２（ここでは、半導体ウエハ）を複数枚（たとえば、２５枚）収容するキャリア３を載置し、基板２を所定枚数ずつ搬入及び搬出するための基板搬入出室５と、基板２のめっき処理や洗浄処理などの各種の処理を行うための基板処理室６と、を含んでいる。基板搬入出室５と基板処理室６とは、隣接して設けられている。
【００２９】
（基板搬入出室）
基板搬入出室５は、キャリア載置部４、搬送装置８を収容した搬送室９、基板受渡台１０を収容した基板受渡室１１を有している。基板搬入出室５においては、搬送室９と基板受渡室１１とが受渡口１２を介して連通連結されている。キャリア載置部４は、複数の基板２を水平状態で収容するキャリア３を複数個載置する。搬送室９では、基板２の搬送が行われ、基板受渡室１１では、基板処理室６との間で基板２の受け渡しが行われる。
【００３０】
このような基板搬入出室５においては、キャリア載置部４に載置されたいずれか１個のキャリア３と基板受渡台１０との間で、搬送装置８により基板２が所定枚数ずつ搬送される。
【００３１】
（基板処理室）
また基板処理室６は、中央部において前後に伸延する基板搬送ユニット１３と、基板搬送ユニット１３の一方側および他方側において前後に並べて配置され、基板２にめっき液を供給してめっき処理を行う複数のめっき処理装置２０と、を有している。
【００３２】
このうち基板搬送ユニット１３は、前後方向に移動可能に構成した基板搬送装置１４を含んでいる。また基板搬送ユニット１３は、基板受渡室１１の基板受渡台１０に基板搬入出口１５を介して連通している。
【００３３】
このような基板処理室６においては、各めっき処理装置２０に対して、基板搬送ユニット１３の基板搬送装置１４により、基板２が、１枚ずつ水平に保持した状態で搬送される。そして、各めっき処理装置２０において、基板２が、１枚ずつ洗浄処理及びめっき処理される。
【００３４】
各めっき処理装置２０は、用いられるめっき液などが異なるのみであり、その他の点は略同一の構成からなっている。そのため、以下の説明では、複数のめっき処理装置２０のうち一のめっき処理装置２０の構成について説明する。
【００３５】
めっき処理装置
以下、図２および図３を参照して、めっき処理装置２０について説明する。図２は、めっき処理装置２０を示す側面図であり、図３は、めっき処理装置２０を示す平面図である。
【００３６】
めっき処理装置２０は、図２および図３に示すように、ケーシング１０１の内部で基板２を回転保持するための基板回転保持機構（基板収容部）１１０と、基板２の表面にめっき液や洗浄液などを供給する液供給機構３０，３０Ａ，９０，９０Ａと、基板２から飛散しためっき液や洗浄液などを排出する液排出機構１２０，１２５，１３０と、基板２の表面に物理力を印加することにより基板２の表面を洗浄する物理洗浄機構７０と、基板回転保持機構１１０、液供給機構３０，３０Ａ，９０，９０Ａ、液排出機構１２０，１２５，１３０および物理洗浄機構７０を制御する制御機構１６０と、を備えている。
【００３７】
（基板回転保持機構）
このうち基板回転保持機構１１０は、図２および図３に示すように、ケーシング１０１内で上下に伸延する中空円筒状の回転軸１１１と、回転軸１１１の上端部に取り付けられたターンテーブル１１２と、ターンテーブル１１２の上面外周部に設けられ、基板２を支持するウエハチャック１１３と、回転軸１１１を回転駆動する回転機構１６２と、を有している。このうち回転機構１６２は、制御機構１６０により制御され、回転機構１６２によって回転軸１１１が回転駆動され、これによって、ウエハチャック１１３により支持されている基板２が回転される。
【００３８】
（液供給機構）
次に、基板２の表面にめっき液や洗浄液などを供給する液供給機構３０，３０Ａ，９０，９０Ａについて、図２乃至図５を参照して説明する。液供給機構３０，３０Ａ，９０，９０Ａは、基板２の表面にＮｉを含むめっき液を供給するめっき液供給機構３０と、基板２の表面に後洗浄用の洗浄処理液（薬液）を供給する洗浄処理液供給機構（薬液供給機構）９０と、基板２の表面にＰｄを含むめっき液を供給するめっき液供給機構３０Ａと、基板２の表面に前洗浄用の洗浄処理液（薬液）を供給する洗浄処理液供給機構（薬液供給機構）９０Ａと、を含んでいる。
【００３９】
〔めっき液供給機構３０〕
図４に示すように、めっき液供給機構３０は、所定温度で基板２に供給されるめっき液３５を貯留する供給タンク３１と、めっき液３５を基板２に対して吐出する吐出ノズル３２と、供給タンク３１のめっき液３５を吐出ノズル３２へ供給するめっき液供給管３３と、供給タンク３１に貯留されるめっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段３４と、を有している。また図４に示すようにめっき液供給管３３には、開閉自在なバルブ３７ｂとが介挿されている。なお本実施の形態において、基板２に供給されるめっき液３５の「所定温度」は、めっき液３５内での自己反応が進行するめっき温度に等しい温度、または前記めっき温度よりも高温の温度となっている。めっき温度については後述する。
【００４０】
供給タンク３１には、Ｎｉなどのめっき液３５の各種の成分が貯蔵されている複数の薬液供給源（図示せず）から各種薬液が供給されている。例えば、Ｎｉイオンを含むＮｉＰ金属塩、還元剤および添加剤などの薬液が供給されている。この際、供給タンク３１内に貯留されるめっき液３５の成分が適切に調整されるよう、各種薬液の流量が調整されている。
【００４１】
吐出ノズル３２は、ノズルヘッド１０４に取り付けられている。またノズルヘッド１０４は、アーム１０３の先端部に取り付けられており、このアーム１０３は、上下方向に延伸可能となっており、かつ、回転機構１６５により回転駆動される支持軸１０２に固定されている。このような構成により、めっき液を、吐出ノズル３２を介して基板２の表面の任意の箇所に所望の高さから吐出することが可能となっている。
【００４２】
なお図２においては、めっき液供給機構３０が、アーム１０３の外側に配置されるように示されている。しかしながら、めっき液供給機構３０の配置が特に限られることはなく、めっき液供給機構３０がアーム１０３の内側に配置されていてもよい。後述する例においては、めっき液供給機構３０のめっき液供給管がアーム１０３の内側に配置される場合について説明する。同様に、図２に示すめっき液供給機構３０Ａ、洗浄処理液供給機構９０、洗浄処理液供給機構９０Ａまたは物理洗浄機構７０についても、それらの配置が特に限られることはない。
【００４３】
さらに図４に示すように、めっき液供給機構３０の供給タンク３１またはめっき液供給管３３の少なくともいずれか一方に、めっき液３５を第１温度に加熱する第1加熱機構５０が取り付けられている。また第1加熱機構５０よりも吐出ノズル３２側において、めっき液供給管３３に、めっき液３５を第１温度よりも高温の第２温度に加熱する第２加熱機構６０が取り付けられている。上記供給タンク用脱気手段３４、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０については、後に詳細に説明する。
【００４４】
〔めっき液供給機構３０Ａ〕
図５に示すように、めっき液供給機構３０Ａにおいて、吐出ノズル３２にめっき液を供給するための構成要素は、用いられるめっき液３５Ａが異なるのみであり、他の構成要素はめっき液供給機構３０における各構成要素と略同一になっている。図２に示すように、Ｐｄを含むめっき液を基板２の表面に吐出する吐出ノズル３２は、ノズルヘッド１０９に取り付けられている。またノズルヘッド１０９は、アーム１０４の先端部に取り付けられており、このアーム１０４は、上下方向に延伸可能であり、かつ回転機構１６３により回転駆動される支持軸１０７に固定されている。このような構成により、めっき液を、吐出ノズル３２を介して基板２の表面の任意の箇所に所望の高さから吐出することが可能となっている。
【００４５】
図５に示すめっき液供給機構３０Ａにおいて、めっき液供給機構３０と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００４６】
〔洗浄処理液供給機構９０〕
洗浄処理液供給機構（薬液供給機構）９０は、後述するように基板２の後洗浄工程において用いられるものであり、図２に示すように、ノズルヘッド１０４に取り付けられたノズル９２を含んでいる。また図４に示すように、洗浄処理液供給機構９０は、基板２に供給される洗浄処理液（薬液）９３を貯留するタンク９１と、タンク９１の洗浄処理液９３をノズル９２へ供給する供給管９４と、供給管９４に介挿されたポンプ９６およびバルブ９７ａと、をさらに有している。なお図４に示すように、洗浄処理液供給機構９０において、基板２の表面に純水などのリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構９５との間で、供給管９４およびノズル９２が共用されていてもよい。この場合、バルブ９７ａ，９７ｂの開閉を適切に制御することにより、ノズル９２から、洗浄処理液９３またはリンス処理液のいずれかが選択的に基板２の表面に吐出される。
【００４７】
〔洗浄処理液供給機構９０Ａ〕
洗浄処理液供給機構（薬液供給機構）９０Ａは、後述するように基板２の前洗浄工程において用いられるものであり、図２に示すように、ノズルヘッド１０９に取り付けられたノズル９２を含んでいる。洗浄処理液供給機構９０Ａの構成要素は、図５に示すように、用いられる洗浄処理液（薬液）９３Ａが異なるのみであり、他の構成要素は洗浄処理液供給機構９０における各構成要素と略同一になっている。図５に示す洗浄処理液供給機構９０Ａにおいて、洗浄処理液供給機構９０と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００４８】
（液排出機構）
次に、基板２から飛散しためっき液や洗浄液などを排出する液排出機構１２０，１２５，１３０について、図２を参照して説明する。図２に示すように、ケーシング１０１内には、昇降機構１６４により上下方向に駆動され、排出口１２４，１２９，１３４を有するカップ１０５が配置されている。液排出機構１２０，１２５，１３０は、それぞれ排出口１２４，１２９，１３４に集められる液を排出するものとなっている。
【００４９】
基板２から飛散した処理液は、種類ごとに排出口１２４，１２９，１３４を介して液排出機構１２０，１２５，１３０により排出することが可能となっている。例えば、液排出機構１２０は、めっき液３５を排出するめっき液排出機構１２０となっており、液排出機構１２５は、めっき液３５Ａを排出するめっき液排出機構１２５となっており、液排出機構１３０は、洗浄液９３，９３Ａおよびリンス処理液を排出する処理液排出機構１３０となっている。
【００５０】
図２に示すように、めっき液排出機構１２０，１２５は、流路切換器１２１，１２６により切り替えられる回収流路１２２，１２７および廃棄流路１２３，１２８をそれぞれ有している。このうち回収流路１２２，１２７は、めっき液を回収して再利用するための流路であり、一方、廃棄流路１２３，１２８は、めっき液を廃棄するための流路である。回収流路１２２，１２７により回収しためっき液を再利用するためのめっき液回収機構については、後に第２の実施の形態において説明する。なお図２に示すように、処理液排出機構１３０には廃棄流路１３３のみが設けられている。
【００５１】
（物理洗浄機構）
次に図２および図４を参照して、物理洗浄機構７０について説明する。物理洗浄機構７０は、基板２の表面に物理力を印加することにより基板２の表面を洗浄するものであり、例えば、洗浄液の液滴を吐出する液滴吐出手段７１からなっている。この液滴吐出手段７１は、後述するように、基板２の表面にめっき処理などが施された後、基板２の表面が乾燥されるよりも前に基板２の表面に液滴によって物理力を印加するよう、制御機構１６０により制御される。
【００５２】
図４に示すように、物理洗浄機構７０を構成する液滴吐出手段７１は、洗浄液７４の液滴を基板２の表面に吐出する二流体ノズル７２と、洗浄液７４を貯留するタンク７６と、タンク７６の洗浄液７４を二流体ノズル７２へ供給する供給管７４ａと、供給管７４ａに介挿されたポンプ７７およびバルブ７８ａと、二流体ノズル７２に窒素などの不活性ガスからなる液滴生成用ガス７５を供給する供給管７５ａと、を有している。この二流体ノズル７２は、ノズルヘッド１０４に取り付けられている。このノズルヘッド１０４は、上述のようにアーム１０３および回転機構１６５を介して移動可能となっており、このため、洗浄液７４の液滴を、二流体ノズル７２を介して基板２の表面の任意の箇所に吐出することが可能となっている。なお、供給管７４ａを介して二流体ノズル７２に供給される洗浄液７４が、純水などのリンス処理液からなっていてもよい。あるいは、二流体ノズル７２に供給される洗浄液７４が、後洗浄用の洗浄処理液（薬液）９３からなっていても良い（図４の仮想線参照）。
【００５３】
〔二流体ノズル〕
次に図６を参照して、二流体ノズル７２の構成について具体的に説明する。二流体ノズルとは、一般的にガスと液体とを混合させることにより微小な液滴を生成し、この微小な液滴を吐出する方式のノズルのことをいう。図６において、二点鎖線で示される領域は、二流体ノズル７２から噴霧される噴霧用洗浄液７４の液滴７２ｆの噴霧範囲を示している。
【００５４】
二流体ノズル７２は、略円柱状のノズル本体７２ａを有しており、このノズル本体７２ａの内部には、洗浄液７４が供給される供給管７４ａに連通する洗浄液流路７２ｂと、液滴生成用ガス７５が供給される供給管７５ａに連通するガス流路７２ｃとがそれぞれ設けられ、洗浄液７４と液滴生成用ガス７５とが混合部７２ｄで衝突して混合される。これによって、混合部７２ｄにおいて洗浄液７４の液滴が形成され、そして、基板２に対して洗浄液７４の液滴７２ｆが吐出される。
【００５５】
次に、めっき液供給機構３０およびめっき液供給機構３０Ａに設けられている供給タンク用脱気手段３４、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０について説明する。
【００５６】
（供給タンク用脱気手段）
はじめに供給タンク用脱気手段３４について説明する。図７に示すように、供給タンク用脱気手段３４は、窒素などの不活性ガスを供給タンク３１内に供給するガス供給管３４ａを含んでいる。
【００５７】
ガス供給管３４ａを介してめっき液３５中に導入される窒素などの不活性ガスは、その一部がめっき液３５中に溶解される。一般に、めっき液３５中に溶存可能なガスの最大量は温度などに応じて決まっており、このため、めっき液３５中に新たに窒素などの不活性ガスが溶解されると、既にめっき液３５中に溶存している酸素や水素などのその他のガスがめっき液３５の外部に排出される。このように、ガス供給管３４ａを含む供給タンク用脱気手段３４は、いわゆるバブリングによってめっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去するためのものとなっている。めっき液３から排出された酸素や水素は、排気手段３８によって供給タンク３１から排出される。
【００５８】
好ましくは、ガス供給管３４ａは、供給タンク３１内に貯留されているめっき液３５の液面近傍ではなく、供給タンク３１の底面近傍まで挿入されている。これによって、供給タンク３１内のめっき液３５の全域にわたって溶存酸素および溶存水素を除去することができる。このことにより、基板２に供給されるめっき液３５における溶存酸素および溶存水素の濃度をより低くすることができる。
【００５９】
図示はしないが、供給タンク３１の上端が何らかの封止手段により外部環境から封止され、かつ、封止手段とめっき液３５の液面との間に窒素などの不活性ガスが充填されていてもよい。すなわち、供給タンク３１内のめっき液３５が窒素などの不活性ガス雰囲気下に置かれていてもよい。これによって、溶存酸素および溶存水素が除去された後のめっき液３５が酸素および水素に曝されるのを防ぐことができる。
【００６０】
（第１加熱機構）
次に第１加熱機構５０について説明する。図７において、めっき液３５を第１温度に加熱する供給タンク用循環加熱手段５１を有する第１加熱機構５０が示されている。なお第１温度は、めっき液３５内での自己反応による金属イオンの析出が進行する温度（めっき温度）よりも低く、かつ常温よりも高い所定の温度となっている。例えば、Ｎｉを含むめっき液３５において、そのめっき温度は約６０度となっており、この場合、第１温度が４０〜６０度の範囲内に設定される。
【００６１】
供給タンク用循環加熱手段５１は、図７に示すように、供給タンク３１の近傍でめっき液３５を循環させる供給タンク用循環管５２と、供給タンク用循環管５２に取り付けられ、めっき液３５を第１温度に加熱する供給タンク用ヒータ５３と、を有している。また図７に示すように、供給タンク用循環管５２には、めっき液３５を循環させるためのポンプ５６と、フィルター５５とが介挿されている。このような供給タンク用循環加熱手段５１を設けることにより、供給タンク３１内のめっき液３５を供給タンク３１近傍で循環させながら第１温度まで加熱することができる。また図７に示すように、供給タンク用循環管５２にはめっき液供給管３３が接続されている。この場合、図７に示すバルブ３７ａが開放され、バルブ３７ｂが閉鎖されているときは、供給タンク用ヒータ５３を通っためっき液３５が供給タンク３１に戻される。一方、バルブ３７ａが閉鎖され、バルブ３７ｂが開放されているときは、供給タンク用ヒータ５３を通っためっき液３５がめっき液供給管３３を通って第２加熱機構６０に到達する。
【００６２】
なお図７において一点鎖線で示されているように、供給タンク用循環管５２に、めっき液３５の特性をモニタするモニタ手段５７が設けられていてもよい。モニタ手段５７は、例えば、めっき液３５の温度をモニタする温度モニタや、めっき液３５のｐＨをモニタするｐＨモニタなどからなっている。
【００６３】
（第２加熱機構）
次に、図８を参照して、第２加熱機構６０について説明する。第２加熱機構６０は、第１加熱機構５０によって第１温度まで加熱されためっき液３５を、さらに第２温度まで加熱するためのものである。なお第２温度とは、上述のめっき温度に等しいか、若しくはめっき温度よりも高い所定の温度となっている。例えば、Ｎｉを含むめっき液３５において、そのめっき温度は上述のように約６０度となっており、この場合、第２温度が６０〜９０度の範囲内に設定される。
【００６４】
図８に示すように、第２加熱機構６０は、所定の伝熱媒体を第２温度または第２温度よりも高い温度に加熱する第２温度媒体供給手段６１と、第1加熱機構５０よりも吐出ノズル３２側においてめっき液供給管３３に取り付けられ、第２温度媒体供給手段６１からの伝熱媒体の熱をめっき液供給管３３内のめっき液３５に伝導させる温度調節器６２と、を有している。また図８に示すように、アーム１０３に設けられ、アーム１０３内に位置するめっき液供給管３３を通るめっき液３５を第２温度で保持するための温度保持器６５がさらに設けられていてもよい。なお図８において、めっき液供給管３３のうち、温度調節器６２内に位置するめっき液供給管が符号３３ａで表され、温度保持器６５内（アーム１０３内）に位置するめっき液供給管が符号３３ｂで表されている。
【００６５】
〔温度調節器６２〕
温度調節器６２は、第２温度媒体供給手段６１から供給される温度調節用の伝熱媒体（たとえば温水）を導入する供給口６２ａと、伝熱媒体を排出する排出口６２ｂと、を有している。供給口６２ａから供給された伝熱媒体は、温度調節器６２の内部の空間６２ｃを流れる間にめっき液供給管３３ａと接触する。これによって、めっき液供給管３３ａを流れるめっき液３５が第２温度まで加熱される。めっき液３５の加熱に用いられた後の伝熱媒体は、排出口６２ｂから排出される。
【００６６】
好ましくは、温度調節器６２内のめっき液供給管３３ａは、図８に示すようにらせん状に形成されている。これによって、伝熱媒体とめっき液供給管３３ａとの間の接触面積を大きくすることができ、このことにより、伝熱媒体の熱を効率良くめっき液３５に伝えることができる。
【００６７】
〔温度保持器６５〕
温度調節器６２と吐出ノズル３２との間に配設される温度保持器６５は、めっき液３５が吐出ノズル３２から吐出されるまでの間、温度調節器６２により第２温度に加熱されためっき液３５の温度を保持するためのものである。この温度保持器６５は、図８に示すように、温度保持器６５内でめっき液供給管３３ｂに接触するよう延びる保温パイプ６５ｃと、第２温度媒体供給手段６１から供給される伝熱媒体を保温パイプ６５ｃに導入する供給口６５ａと、伝熱媒体を排出する排出口６５ｂと、を有している。保温パイプ６５ｃは、めっき液供給管３３ｂに沿って吐出ノズル３２の直近まで延びており、これによって、吐出ノズル３２から吐出される直前のめっき液３５の温度を第２温度に保持することができる。
【００６８】
保温パイプ６５ｃは、図８に示すように、吐出ノズル３２を収納するノズルヘッド１０４の内部で開放され、温度保持器６５内の空間６５ｄと通じていてもよい。この場合、温度保持器６５は、その断面中心に位置するめっき液供給管３３ｂ、めっき液供給管３３ｂの外周に熱的に接触させて配設された保温パイプ６５ｃ、および、保温パイプ６５ｃの外周に位置する空間６５ｄからなる三重構造（三重配管の構造）を有している。供給口６５ａから供給された伝熱媒体は、ノズルヘッド１０４に至るまで保温パイプ６５ｃを通ってめっき液３５を保温し、その後、温度保持器６５内の空間６５ｄを通って排出口６５ｂから排出される。空間６５ｄを流れる伝熱媒体は、保温パイプ６５ｃを流れる伝熱媒体（およびその内側のめっき液供給管３３ｂを流れるめっき液３５）と温度保持器６５の外側の雰囲気とを熱的に遮断する作用をする。したがって、保温パイプ６５ｃを流れる伝熱媒体の熱損失を抑えるとともに、保温パイプ６５ｃを流れる伝熱媒体からめっき液供給管３３ｂを流れるめっき液３５への熱伝達を効率的に行うことができる。
【００６９】
なお図８においては、温度調節器６２に供給される伝熱媒体と、温度保持器６５に供給される伝熱媒体とがいずれも、第２温度媒体供給手段６１から供給される伝熱媒体となっている例が示されている。しかしながら、これに限られることはなく、温度調節器６２に供給される伝熱媒体と、温度保持器６５に供給される伝熱媒体とが、それぞれ別個の伝熱媒体の供給源から供給されてもよい。
【００７０】
〔第１温度媒体供給手段〕
また図８に示すように、第２加熱機構６０は、伝熱媒体を第２温度に加熱して供給する第２温度媒体供給手段６１に加えて、伝熱媒体を第１温度に加熱して供給する第１温度媒体供給手段６３をさらに有していてもよい。この場合、第２加熱機構６０は、吐出ノズル３２からめっき液３５が吐出されている間、第２温度媒体供給手段６１からの伝熱媒体が温度調節器６２および温度保持器６５に送られるよう制御機構１６０により制御される。一方、吐出ノズル３２からのめっき液３５の吐出が停止された後において、第２加熱機構６０は、第１温度媒体供給手段６３からの第１温度の伝熱媒体が温度調節器６２および温度保持器６５に送られるよう制御機構１６０により制御される。これによって、吐出ノズル３２からのめっき液３５の吐出が停止された後、温度調節器６２および温度保持器６５に残っているめっき液３５を第１温度まで冷却して保持することができる。このように、残っているめっき液３５をめっき温度よりも低温の第１温度で保持することにより、めっき液３５が熱により劣化するのを防ぐことができ、これによってめっき液３５の寿命を長くすることができる。
【００７１】
第１温度媒体供給手段６３が設けられる場合、図８に示すように、伝熱媒体を温度調節器６２および温度保持器６５に送る伝熱媒体供給管６６には、第２温度媒体供給手段６１からの第２温度の伝熱媒体または第１温度媒体供給手段６３からの第１温度の伝熱媒体のいずれかを選択的に伝熱媒体供給管６６に連通させる流路切替機構６６ａ，６６ｂが設けられている。これによって、温度調節器６２内および温度保持器６５内のめっき液３５の温度を選択的に第１温度または第２温度に制御することが可能となる。
【００７２】
（その他の構成要素）
図２に示すように、めっき処理装置２０は、基板２の裏面に処理液を供給する裏面処理液供給機構１４５と、基板２の裏面に気体を供給する裏面ガス供給機構１５０と、をさらに有していてもよい。
【００７３】
以上のように構成されるめっき処理装置２０を複数含むめっき処理システム１は、制御機構１６０に設けた記憶媒体１６１に記録された各種のプログラムに従って制御機構１６０で駆動制御され、これによって基板２に対する様々な処理が行われる。ここで、記憶媒体１６１は、各種の設定データや後述するめっき処理プログラム等の各種のプログラムを格納している。記憶媒体１６１としては、コンピューターで読み取り可能なＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものが使用され得る。
【００７４】
本実施の形態において、めっき処理システム１およびめっき処理装置２０は、記憶媒体１６１に記録されためっき処理プログラムに従って、基板２にめっき処理を施すよう駆動制御される。以下の説明では、はじめに、化学還元めっきで使用されるＮｉめっき液を脱気および加熱することにより、化学還元めっきの準備を行う方法について説明する。次に、一のめっき処理装置２０で基板２にＰｄめっきを置換めっきにより施した後にＮｉめっきを化学還元めっきにより施し、その後、その他のめっき処理装置２０で基板２に金めっきを置換めっきにより施す方法について説明する。
【００７５】
化学還元めっきの準備
〔脱気工程〕
はじめに、供給タンク３１内に貯留されているめっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去するための脱気工程（Ｓ３１３）について説明する。この場合、図７に示すように、ガス供給管３４ａを介して供給タンク３１内に窒素を導入する。これによって、供給タンク３１内に貯留されているめっき液３５中の溶存酸素および溶存水素が溶存窒素に置換され、この結果、めっき液３５中の溶存酸素および溶存水素が除去される。
【００７６】
〔第１温度調整工程〕
次に、基板２の表面に吐出されるめっき液３５の温度を調整する工程について説明する。はじめに、図７を参照して、基板２の表面に吐出されるめっき液３５の温度を、基板２に供給されてめっき処理が行われる際の所定温度よりも低温の第１温度まで加熱する第１温度調整工程（Ｓ３１４）について説明する。まず、第１加熱機構５０の供給タンク用ヒータ５３の温度を第１温度または第１温度よりも高い温度まで上昇させる。次に、ポンプ５６を用いることにより、めっき液３５を供給タンク用循環管５２内で循環させながら第１温度まで加熱する。この際、バルブ３７ａは開放され、バルブ３７ｂは閉鎖されている。これによって、供給タンク３１内に貯留されているめっき液３５の温度が第１温度に制御される。
【００７７】
〔第２温度調整工程〕
次に、めっき液３５の温度を、基板２に供給されてめっき処理が行われる際の所定温度に等しい、または所定温度よりも高い第２温度まで加熱する第２温度調整工程（Ｓ３１５）について、図８を参照して説明する。まず、バルブ３７ａが閉鎖され、バルブ３７ｂが開放される。これによって、第１温度に制御されているめっき液３５が、めっき液供給管３３を通って第２加熱機構６０の温度調節器６２に送られる。温度調節器６２には、第２温度または第２温度よりも高い温度に加熱された伝熱媒体が第２温度媒体供給手段６１から供給されている。このため、めっき液３５は、温度調節器６２の内部のめっき液供給管３３ａを通る間に第２温度まで加熱される。
【００７８】
その後、第２温度に加熱されためっき液３５は、図８に示すようにアーム１０３を介して吐出ノズル３２に送られる。このとき、アーム１０３には温度保持器６５が設けられており、この温度保持器６５には、第２温度に加熱された伝熱媒体が第２温度媒体供給手段６１から供給されている。このため、めっき液３５は、温度保持器６５の内部のめっき液供給管３３ｂを通って吐出ノズル３２に到達するまで第２温度に保持される。
【００７９】
なお、温度調節器６２の内部のめっき液供給管３３ａを通る間にめっき液３５が第２温度まで加熱される例を示したが、これに限られることはない。例えば、めっき液３５が、温度調節器６２の内部のめっき液供給管３３ａを通る間に第１温度よりも高くかつ第２温度よりも低い温度まで加熱され、その後、めっき液３５が、温度保持器６５の内部のめっき液供給管３３ｂを通る間に第２温度まで加熱されてもよい。この場合、吐出ノズル３２に到達する直前でめっき液３５が第２温度まで加熱されることが好ましい。これによって、吐出ノズル３２から吐出される前にめっき液３５が第２温度で保持される期間をより短くすることができる。
【００８０】
〔第１温度保持工程〕
好ましくは、基板２の表面のＮｉめっき処理が終了した後、温度調節器６２および温度保持器６５に残っているめっき液３５は、第１温度まで冷却されて保持される（第１温度保持工程 Ｓ３１７）。この場合、第２加熱機構６０は、第１温度媒体供給手段６３からの第１温度の伝熱媒体が温度調節器６２および温度保持器６５に送られるよう制御機構１６０により制御される。
【００８１】
めっき処理方法
次に、はじめに、一のめっき処理装置２０で基板２にＰｄめっきを置換めっきにより施し、次に上述のようにして準備されたＮｉめっきを化学還元めっきにより施す方法について、図９を参照して説明する。
【００８２】
（基板搬入工程および基板受取工程）
はじめに、基板搬入工程および基板受入工程が実行される。まず、基板搬送ユニット１３の基板搬送装置１４を用いて、１枚の基板２を基板受渡室１１から一のめっき処理装置２０に搬入する。めっき処理装置２０においては、はじめに、カップ１０５が所定位置まで降下され、次に、搬入された基板２がウエハチャック１１３により支持され、その後、排出口１３４と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５が昇降機構１６４により上昇させられる。なお、以下の工程Ｓ３０２〜Ｓ３０９は、いずれも基板回転保持機構１１０に保持された状態の基板２に対して実行される。また、以下の各動作は、制御機構１６０によって制御される。
【００８３】
（洗浄工程）
次に、リンス処理、前洗浄処理およびその後のリンス処理からなる洗浄工程が実行される。（Ｓ３０２）。はじめに、リンス処理液供給機構９５Ａのバルブ９７ｂが開かれ、これによって、リンス処理液が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。次に、前洗浄工程が実行される。はじめに、洗浄処理液供給機構９０Ａのバルブ９７ａが開かれ、これによって、洗浄処理液９３が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。その後、上述の場合と同様にしてリンス処理液が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。処理後のリンス処理液や洗浄処理液９３は、カップ１０５の排出口１３４および処理液排出機構１３０の廃棄流路１３３を介して廃棄される。基板２の表面の前洗浄が終了すると、バルブ９７ａが閉じられる。
【００８４】
（Ｐｄめっき工程）
次に、Ｐｄめっき工程が実行される（Ｓ３０３）。このＰｄめっき工程は、前洗浄工程後の基板２が乾燥されていない状態の間に、置換めっき処理工程として実行される。このように、基板２が乾燥していない状態で置換めっき処理工程を実行することで、基板２の被めっき面の銅などが酸化してしまい良好に置換めっき処理できなくなるのを防止することができる。
【００８５】
Ｐｄめっき工程においては、はじめに、排出口１２９と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５を昇降機構１６４により上昇させる。次に、めっき液供給機構３０Ａのバルブ３７が開かれ、これによって、Ｐｄを含むめっき液３５Ａが、基板２の表面に吐出ノズル３２を介して所望の流量で吐出される。このことにより、基板２の表面に、置換めっきによってＰｄめっきが施される。処理後のめっき液３５Ａは、カップ１０５の排出口１２９から排出される。その後、処理後のめっき液３５Ａは、回収流路１２７を介して回収されるか、若しくは廃棄流路１２８を介して廃棄される。基板２の表面のＰｄめっき処理が終了すると、バルブ３７が閉じられる。
【００８６】
（リンス処理工程）
次に、リンス処理工程が実行される（Ｓ３０４）。このリンス処理工程Ｓ３０４は、上述の洗浄工程Ｓ３０２におけるリンス処理と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
【００８７】
（Ｎｉめっき工程）
その後、上述の工程Ｓ３０２〜３０４が実行されたのと同一のめっき処理装置２０において、Ｎｉめっき工程が実行される（Ｓ３０５）。このＮｉめっき工程は、化学還元めっき処理工程として実行される。
【００８８】
Ｎｉめっき工程Ｓ３０５においては、図１０に示すように、供給タンク用脱気手段３４によって溶存酸素および溶存水素が除去され、かつ第２加熱機構６０によって第２温度に加熱されためっき液３５が吐出ノズル３２から所望の流量で吐出される（吐出工程 Ｓ３１６）。このことにより、基板２の表面に、化学還元めっきによってＮｉめっきが施される。この際、排出口１２４と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５が昇降機構１６４により上昇されており、このため、処理後のめっき液３５は、カップ１０５の排出口１２４から排出される。排出された処理後のめっき液３５は、回収流路１２２を介して回収タンクに回収されるか、若しくは廃棄流路１２３を介して廃棄される。
【００８９】
次に、リンス処理工程Ｓ３０６、後洗浄工程Ｓ３０７およびリンス処理工程Ｓ３０８からなる洗浄工程が実行される（Ｓ３１０）。
【００９０】
（リンス処理工程）
まず、Ｎｉめっき処理が施された基板２の表面に対してリンス処理工程が実行される（Ｓ３０６）。この場合、リンス処理液供給機構９５のバルブ９７ｂが開かれ、これによって、リンス処理液が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。
【００９１】
（後洗浄工程）
その後、後洗浄工程が実行される（Ｓ３０７）。はじめに、洗浄処理液供給機構９０のバルブ９７ａが開かれ、これによって、洗浄処理液９３が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。処理後のリンス処理液や洗浄処理液９３は、カップ１０５の排出口１３４および処理液排出機構１３０の廃棄流路１３３を介して廃棄される。基板２の表面の後洗浄が終了すると、バルブ９７ａが閉じられる。
【００９２】
（リンス処理工程）
次に、リンス処理工程が実行される（Ｓ３０８）。このリンス処理工程Ｓ３０８は、上述のリンス処理工程Ｓ３０６と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
【００９３】
（乾燥工程）
その後、基板２を乾燥させる乾燥工程が実行される（Ｓ３０９）。例えば、ターンテーブル１１２を回転させることにより、基板２に付着している液体が遠心力により外方へ飛ばされ、これによって基板２が乾燥される。すなわち、ターンテーブル１１２が、基板２の表面を乾燥させる乾燥機構としての機能を備えていてもよい。
【００９４】
このようにして、一のめっき処理装置２０において、基板２の表面に対して、はじめにＰｄめっきが置換めっきにより施され、次にＮｉめっきが化学還元めっきにより施される。
【００９５】
その後、金めっき処理用の他のめっき処理装置２０に搬送される。そして、他のめっき処理装置２０において、置換めっきにより基板２の表面にＡｕめっき処理が施される。金めっき処理の方法は、めっき液および洗浄液が異なる点以外は、Ｐｄめっき処理のための上述の方法と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
【００９６】
本実施の形態の作用効果
ここで本実施の形態によれば、上述のように、吐出ノズル３２へ供給されるめっき液３５を貯留する供給タンク３１には、各種薬液の成分が調整された後のめっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段３４が設けられている。このため、めっき液３５中の溶存酸素の濃度を低減することができ、これによって、めっき液３５の寿命を長くすることができる。また、めっき液３５中の溶存水素の濃度を低減することができ、これによって、水素の還元作用によりめっき液中の金属イオンが還元されるのを防ぐことができ、還元された金属イオンが銅配線の近傍に析出するのを防ぐことができる。このことにより、プロセスの安定性を向上させることができる。
【００９７】
また本実施の形態によれば、上述のように、めっき液３５を第１温度に加熱する第１加熱機構５０と、めっき液３５を第２温度に加熱する第２加熱機構６０とが設けられている。すなわち、めっき液３５が二段階で第２温度まで加熱されている。このことによる効果を、比較例との対比に基づいて説明する。
【００９８】
まず第１の比較例として、めっき液が供給タンク内で第２温度まで加熱される比較例を考える。この場合、第２温度まで加熱されためっき液が供給タンク内で長時間保持されることになる。一般に、めっき温度よりも高温の第２温度でめっき液３５が保持される時間が長くなると、めっき液３５中の金属イオンの酸化が進行し、これによって、めっき液３５の寿命が短くなることが考えられる。また、めっき液が第２温度で保持されている間に、金属イオンの析出が進行してパーティクルが発生することが考えられる。これに対して本実施の形態によれば、めっき液３５を二段階で第２温度に加熱することにより、めっき液３５が第２温度で保持される時間を短くすることができ、これによって、めっき液３５の寿命を長くすることができる。また、パーティクルの発生を抑制することができる。
【００９９】
次に第２の比較例として、めっき液が供給タンク内で常温にて保持されており、そして、吐出ノズルから吐出される前にアーム内などでめっき液が第２温度まで加熱される比較例を考える。この場合、アーム内でめっき液が常温から第２温度まで加熱されるため、加熱に要する時間が長くなっている。これに対して本実施の形態によれば、供給タンク３１のめっき液３５が予め第１温度まで加熱されている。このため、めっき液３５を小さいエネルギーで素早く第２温度まで加熱することができる。このことにより、金属イオンの析出を抑制しつつプロセスのスループットを向上させることができる。
【０１００】
なお本実施の形態によれば、上述のように、めっき液３５中の溶存酸素の濃度が低減されており、さらに、供給タンク３１のめっき液３５を第１温度で保持するようにしている。従って本実施の形態によれば、これらの組合せに基づく相乗効果により、めっき液３５の寿命を著しく改善することが可能となっている。
【０１０１】
（物理洗浄工程）
ところで、上述のように供給タンク用脱気手段３４が設けられていても、めっき液３５中の溶存水素を完全に除去することが困難である場合が考えられる。この場合、水素の還元作用によりめっき液３５中の金属イオンが還元され、この際、還元された金属イオンが銅配線の近傍に球形状で析出することが考えられる。このような場合であっても、上述の本実施の形態のように、基板２の表面に物理力を印加する物理洗浄機構７０を用いて基板２を洗浄するのが有効であることを本発明者は発見した。以下、物理洗浄機構７０を用いることにより、銅配線の近傍に析出した球状の金属（以下、デフェクト）を除去する方法について説明する。
【０１０２】
デフェクトは、形成されためっき膜の近傍に集まる傾向を有している。めっき処理工程の途中または直後においては、めっき膜とデフェクトとの間にめっき液や洗浄処理液などの液体が介在していると考えられる。
【０１０３】
仮に、このようなデフェクトが形成されたままの状態で基板２が乾燥された場合、めっき膜とデフェクトとの間の液体が除去され、この際、デフェクトが金属膜に吸着されることが考えられる。このようにデフェクトがめっき膜に吸着されると、めっき膜とデフェクトとの間の距離が短くなり、このため、めっき膜からデフェクトを除去するのが困難になることが考えられる。従って、本実施の形態においては、めっき膜とデフェクトとの間にめっき液や洗浄処理液などの液体が介在して濡れている間に物理洗浄機構７０を用いてデフェクトを除去している。
【０１０４】
すなわち本実施の形態においては、図９に実線で示すように、リンス処理工程（Ｓ３０８）が物理洗浄工程（Ｓ３２０）として実行されるよう、物理洗浄機構７０が制御機構１６０によって制御される。このとき、物理洗浄機構７０は、リンス処理液供給機構９５により基板２に対してリンス処理液が供給される際、基板２に対して物理力を印加する。この場合、物理洗浄工程（Ｓ３２０）で用いられる洗浄液７４として、リンス処理工程（Ｓ３０８）で用いられる純水などのリンス処理液が使用される。このリンス処理液の液滴が、二流体ノズル７２から基板２に対して吐出され、同時に液滴生成用ガス７５が供給管７５ａを介して二流体ノズル７２に供給される。これによって純水の液滴を生成し、この液滴を基板２に向けて吐出する。このようにして、基板２がリンス処理され、かつ、めっき膜からデフェクトが除去される。
【０１０５】
このように本実施の形態によれば、基板２の表面に物理力を印加する物理洗浄機構７０が設けられている。また、物理洗浄機構７０は、基板２の表面が乾燥されるよりも前のめっき膜とデフェクトとの間に液体が介在している状態の基板２の表面に物理力を印加するよう、制御機構１６０によって制御される。このため、めっき膜とデフェクトとの間に液体が介在されている間に、デフェクトに対して物理力を加えることができる。このことにより、めっき膜からデフェクトを容易に除去することができる。
【０１０６】
（物理洗浄工程の変形例）
なお本実施の形態において、リンス処理工程（Ｓ３０８）が物理洗浄工程（Ｓ３２０）として実行される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、基板２の表面が乾燥されるよりも前の様々なタイミングにおいて、物理洗浄工程（Ｓ３２０）を実行することができる。
【０１０７】
例えば、後洗浄工程（Ｓ３０７）が実行された後であって、リンス処理工程（Ｓ３０８）が実行される前に物理洗浄工程（Ｓ３２０）を実行されるよう、物理洗浄機構７０が制御機構１６０によって制御されてもよい。この場合、物理洗浄工程（Ｓ３２０）で用いられる洗浄液７４として、純水などが使用される。この間、まずバルブ７８ａが開かれ、これによって純水などの洗浄液７４が供給管７４ａを介して二流体ノズル７２に供給される。同時に、液滴生成用ガス７５が供給管７５ａを介して二流体ノズル７２に供給される。これによって洗浄液７４の液滴が生成され、この液滴が基板２に向けて吐出されて、めっき膜からデフェクトが除去される。
【０１０８】
また、リンス処理工程（Ｓ３０８）が実行された後であって、乾燥工程（Ｓ３０９）が実行される前に物理洗浄工程（Ｓ３２０）を実行してもよい。この場合も、物理洗浄工程（Ｓ３２０）で用いられる洗浄液７４として、純水などが使用される。この純水などの洗浄液７４と液滴生成用ガス７５とが二流体ノズル７２に供給され、洗浄液７４の液滴が生成される。この液滴が基板２に向けて吐出されることにより、めっき膜からデフェクトが除去される。いずれの場合でも、めっき膜とデフェクトとの間にはリンス処理液や洗浄液が介在されており、このため、めっき膜からデフェクトを容易に除去することができる。
【０１０９】
なお、めっき膜とデフェクトとの間に洗浄液でなくリンス処理液が介在されているときに物理洗浄工程（Ｓ３２０）を実行した場合、洗浄液が物理力によって飛散するのを防ぐことができる。
【０１１０】
若しくは、後洗浄工程（Ｓ３０７）が物理洗浄工程（Ｓ３２０）として実行されてもよい。すなわち、物理洗浄工程（Ｓ３２０）で用いられる洗浄液７４として、後洗浄工程（Ｓ３０７）で用いられる洗浄処理液（薬液）９３が使用されてもよい。この場合、洗浄処理液９３の液滴が、二流体ノズル７２から基板２に対して吐出される。これによって、基板２が後洗浄処理され、かつ、めっき膜からデフェクトが除去される。
【０１１１】
（供給タンク用脱気手段の変形例）
また本実施の形態において、供給タンク用脱気手段３４が、バブリングによってめっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去するものである例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、液中の溶存ガスを除去するための様々な手段が、供給タンク用脱気手段３４として採用され得る。例えば、めっき液３５をいったん低温にし、これによってめっき液３５中に溶存可能なガスの量を低減させ、これによってめっき液３５中の溶存ガスを除去する手段が用いられてもよい。
【０１１２】
（加熱機構の変形例）
また本実施の形態において、第１加熱機構５０の供給タンク用循環加熱手段５１により、めっき液３５が供給タンク３１近傍で第１温度まで加熱される例を示した。しかしながら、供給タンク３１近傍でめっき液３５を第１温度まで加熱する手段が供給タンク用循環加熱手段５１に限られることはなく、様々な手段が用いられ得る。例えば、供給タンク３１内に、めっき液３５を第１温度まで加熱するヒータが設けられていてもよい。
【０１１３】
また本実施の形態において、供給タンク３１近傍においてめっき液３５が第１温度まで加熱される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第２加熱機構６０近傍に至るまでめっき液３５が第１温度に加熱されていてもよい。具体的には、図１１に示すように、供給タンク用循環加熱手段５１の供給タンク用循環管５２が、第２加熱機構６０の近傍でめっき液供給管３３に接続されていてもよい。このように、めっき液３５を第１温度まで加熱するための循環流路をより第２加熱機構６０近傍に配置することにより、第２加熱機構６０に至るまでにめっき液３５の温度が低下してしまうことを防止することができる。このことにより、小さなエネルギーで素早くめっき液３５を第２温度まで加熱するということをより確実にすることができる。なお「第２加熱機構６０の近傍」とは、例えば、供給タンク用循環管５２から第２加熱機構６０までの距離ｗ（図１１参照）が１ｍ以下となっていることを意味している。
【０１１４】
若しくは、第２加熱機構６０に至るまでにめっき液３５の温度が低下してしまうことを防止するため、図７において一点鎖線で示されているように、めっき液供給管３３を通るめっき液３５を第１温度で保持するための供給管用加熱手段５４が設けられていてもよい。この供給管用加熱手段５４は、めっき液供給管３３に取り付けられ、第１温度に加熱されたラバーヒータであってもよい。若しくは、供給管用加熱手段５４は、めっき液供給管３３に接するよう設けられ、第１温度に加熱された温水などの伝熱媒体を通す加熱用配管であってもよい。
【０１１５】
なお、供給管用加熱手段５４として、第１温度に加熱された伝熱媒体を通す加熱用配管が用いられる場合、供給管用加熱手段５４に第１温度の伝熱媒体を供給する媒体供給手段として、第２加熱機構６０の第１温度媒体供給手段６３が利用されてもよい。すなわち図８において一点鎖線で示すように、第２加熱機構６０の近傍に配置されている供給管用加熱手段５４に対して、第１温度の伝熱媒体が第１温度媒体供給手段６３により供給管５９を介して供給されてもよい。すなわち、吐出ノズル３２からのめっき液３５の吐出が停止された後に温度調節器６２および温度保持器６５の温度を第１温度に制御するために設けられている第１温度媒体供給手段６３が、めっき液３５の吐出中に供給管用加熱手段５４に第１温度の伝熱媒体を供給するために利用されてもよい。これによって、第２加熱機構６０に至るまでにめっき液３５の温度が低下してしまうことを防止するとともに、めっき処理装置２０の構成要素をより少なくすることができる。
【０１１６】
なお、吐出ノズル３２からのめっき液３５の吐出が停止された後に、第１温度の伝熱媒体が第１温度媒体供給手段６３により供給管５９を介して供給管用加熱手段５４に供給されてもよい。これによって、吐出ノズル３２からのめっき液３５の吐出が停止された後、第２加熱機構６０よりも供給タンク３１側に位置するめっき液供給管３３内に残っているめっき液３５を第１温度で保持することができる。この場合、めっき液３５の吐出が再開された直後であっても、第２加熱機構６０に到達するめっき液３５が第１温度に加熱されていることになる。このため、めっき液３５の吐出が再開された直後であっても、めっき液３５を第２加熱機構６０により容易に素早く第２温度まで加熱することができる。このことにより、第２温度に到達する前に吐出ノズル３２から吐出されてしまう無駄なめっき液３５の量を低減することができる。これによって、めっき処理を開始できるようになるまでの時間を短縮することができ、このことにより、プロセスのスループットを向上させることができる。
【０１１７】
（物理洗浄機構の変形例）
また本実施の形態において、物理洗浄機構７０として、洗浄液７４の液滴を吐出する液滴吐出手段７１が用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、その他の方法により基板２の表面に物理力を印加する手段が用いられてもよい。例えば図１２に示すように、物理洗浄機構７０として、二流体ノズル７２を有する液滴吐出手段７１の代わりに、基板２の表面に当接する刷毛部７９ａを有する洗浄ブラシ７９や高圧ノズルや超音波ノズルが用いられてもよい。いずれの場合であっても、液滴吐出手段７１が用いられる場合と同様に、めっき膜とデフェクトとの間にめっき液３５などの液体が介在されている間に、物理洗浄機構７０がデフェクトに対して物理力を印加する。これによって、めっき膜からデフェクトを容易に除去することができる。
【０１１８】
（その他の変形例）
また本実施の形態において、めっき処理装置２０により、Ｎｉを含むめっき液３５が化学還元めっきにより基板２の表面に施される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、めっき処理装置２０により、様々なめっき液を化学還元めっきにより基板２の表面に施すことができる。例えば、Ｃｏを含むめっき液（ＣｏＷＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＢ、ＣｏＰなどのめっき液）が化学還元めっきにより基板２の表面に施され得る。これらのめっき液が用いられる場合においても、供給タンク用脱気手段３４による溶存酸素および溶存水素の除去や、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０によるめっき液３５の二段階加熱が実施されてもよい。この場合、第１温度および第２温度の具体的な値は、めっき液のめっき温度に応じて適宜設定される。例えばめっき液３５としてＣｏＰのめっき液が用いられる場合、そのめっき温度は５０〜７０度となっており、そして、第１温度が４０度〜上記めっき温度の範囲内に設定され、第２温度が上記めっき温度〜９０度の範囲内に設定される。
【０１１９】
また本実施の形態において、めっき液供給機構３０Ａにも、めっき液供給機構３０の場合と同様に第１加熱機構５０および第２加熱機構６０が設けられ、また、Ｐｄを含むめっき液３５Ａに対しても、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０による二段階加熱が実施されてもよい。
【０１２０】
また本実施の形態において、一のめっき処理装置２０におけるめっき処理として、基板２にＰｄめっきが置換めっきにより施され、次にＮｉめっきが化学還元めっきにより施される例を示した（図９のＳ３０２〜Ｓ３０９参照）。しかしながら、これに限られることはなく、一のめっき処理装置２０におけるめっき処理として、化学還元めっきのみが実施されてもよい。この場合、図９に示す各工程のうち、Ｓ３０３およびＳ３０４を除く工程が実施されることになる。この際、化学還元めっきのためのめっき液が特に限られることはなく、ＣｏＷＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＢ、ＣｏＰおよびＮｉＰなど、化学還元めっきのための様々なめっき液が用いられ得る。
【０１２１】
第２の実施の形態
次に図１３および図１４を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１３および図１４に示す第２の実施の形態は、めっき液排出機構から排出されためっき液の成分を調整し、成分が調整されためっき液をめっき液供給機構の供給タンクに供給するめっき液回収機構がさらに設けられている点が異なるのみであり、他の構成は、図１乃至図１２に示す第１の実施の形態と略同一である。図１３および図１４に示す第２の実施の形態において、図１乃至図１２に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１２２】
本実施の形態においては、めっき液排出機構１２０の回収流路１２２により回収されたＮｉを含む処理後のめっき液が再利用される。以下、図１３を参照して、処理後のめっき液を再利用するためのめっき液回収機構８０について説明する。
【０１２３】
めっき液回収機構
図１３に示すように、めっき液回収機構８０は、めっき液排出機構１２０から排出された処理後のめっき液８５を貯留する回収タンク８１と、回収タンク８１に貯留されるめっき液８５中の溶存酸素および溶存水素を除去する回収タンク用脱気手段８４と、を有している。このうち回収タンク用脱気手段８４は、上述の供給タンク用脱気手段３４と同様に、窒素などの不活性ガスを回収タンク８８内に供給するガス供給管８４ａを含んでいる。すなわち回収タンク用脱気手段８４は、いわゆるバブリングによってめっき液８５中の溶存酸素および溶存水素を除去するためのものとなっている。回収タンク用脱気手段８４およびガス供給管８４ａの構成および作用効果は、供給タンク用脱気手段３４およびガス供給管３４ａの構成および作用効果と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
【０１２４】
まためっき液回収機構８０は、めっき液排出機構１２０から排出された処理後のめっき液８５に不足している成分を追加する補充手段８８ａと、回収タンク８８に貯留されるめっき液８５を撹拌する撹拌手段８１と、をさらに有していてもよい。このうち補充手段８１は、Ｎｉイオンを含むＮｉＰ金属塩、還元剤および添加剤などの薬液をめっき液８５に補充して、めっき液８５の成分を適切に調整するためのものである。なお、このような成分調整をより正確に行うため、図１３において一点鎖線で示されているように、回収タンク８８に、めっき液８５の特性をモニタするモニタ手段８７ｂが設けられていてもよい。モニタ手段８７ｂは、例えば、めっき液８５のｐＨをモニタするｐＨモニタなどからなっている。
【０１２５】
撹拌手段８１は、例えば図１３に示すように、回収タンク８８近傍でめっき液８５を循環させることによりめっき液８５を撹拌するものとなっている。このような撹拌手段８１は、図１３に示すように、その一端８２ａおよび他端８２ｂが回収タンク８８に接続された回収タンク用循環管８２と、回収タンク用循環管８２に介挿されたポンプ８６およびフィルター８９と、を有している。このような撹拌手段８１を設けることにより、めっき液８５を撹拌しながら、めっき液内に含まれる様々な不純物を除去することができる。例えば、めっき液から金属イオンが析出する際の核となり得る不純物（パーティクル）を除去することができる。なお撹拌手段８１には、めっき液８５を供給タンク３１に供給するための接続管８３が取り付けられている。
【０１２６】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。ここでは、基板２の表面にＮｉめっきを行う方法について、図１４を参照して説明する。なお図１４のフローチャートに示される各工程において、図９および図１０に示す第１の実施の形態のフローチャートの各工程と同一工程には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１２７】
〔回収工程〕
基板２に対するＮｉめっき処理を実施するために用いられた後の処理後のめっき液８５が、基板２から飛散して排出口１２４に到達する。排出口１２４に到達した処理後のめっき液８５は、液排出機構１２０の回収流路１２２を介して回収タンク８８に送られる（Ｓ３２１）。
【０１２８】
〔成分調整工程〕
次に、上述の補充手段を用いて、処理後のめっき液８５に不足している成分を追加する（Ｓ３２２）。この際、追加された成分と処理後のめっき液８５とが十分に混合されるよう、撹拌手段８１を用いてめっき液８５を撹拌する。
【０１２９】
〔脱気工程〕
その後、または成分調整工程（Ｓ３２２）と同時に、回収タンク８８内に貯留されているめっき液８５中の溶存酸素および溶存水素を除去する（Ｓ３２３）。具体的には、図１３に示すように、ガス供給管８４ａを介して回収タンク８８内に窒素を導入する。これによって、回収タンク８８内に貯留されているめっき液８５中の溶存酸素および溶存水素が溶存窒素に置換され、この結果、めっき液８５中の溶存酸素および溶存水素が除去される。
【０１３０】
溶存酸素および溶存水素が除去されためっき液８５は、図１３に示すように、接続管８３を介して供給タンク３１に送られる。
【０１３１】
回収し再生しためっき液を含むめっき液を使用して実施されるＮｉめっき処理方法の工程Ｓ３１３〜Ｓ３１７は、図１０に示す第１の実施の形態における工程Ｓ３１３〜Ｓ３１７と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
【０１３２】
本実施の形態の作用効果
このように本実施の形態によれば、処理後のめっき液８５がめっき液回収機構８０により再利用される。このため、めっき液をより有効に活用することができ、この結果、めっき液に要するコストを低減することができる。まためっき液回収機構８０は、めっき液８５中の溶存酸素および溶存水素を除去する回収タンク用脱気手段８４を有している。このため、めっき液８５中の溶存酸素の濃度を低減することができ、これによって、めっき液８５の寿命を長くすることができる。また、めっき液８５中の溶存水素の濃度を低減することができ、これによって、水素の還元作用によりめっき液中の金属イオンが還元されるのを防ぐことができる。このことにより、還元された金属イオンが銅配線の近傍に析出するのを防ぐことができる。
【０１３３】
また本実施の形態によれば、図１３に示すように、供給タンク３１にも供給タンク用脱気手段３４が設けられている。このため、めっき液３５中の溶存酸素および溶存水素の濃度をさらに低減することができる。このことにより、めっき液３５の寿命をさらに長くすることができ、かつ、水素の還元作用によりめっき液中の金属イオンが還元されるのをより強固に防ぐことができる。また、めっき液３５の寿命を長くする効果は、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０を利用してめっき液３５を二段階で加熱することによってさらに促進され得る（図１３参照）。
【０１３４】
なお本実施の形態においても、上述の第１の形態の場合と同様に、物理洗浄機構７０を用いることにより、銅配線の近傍に析出し得る球状の金属（デフェクト）を除去している。これによって、仮にめっき液３５中の溶存水素を完全に除去することが困難であり、銅配線の近傍にデフェクトが発生する場合であっても、そのようなデフェクトを除去することができる。
【０１３５】
なお本実施の形態において、回収タンク８８内に貯留されているめっき液８５の溶存酸素および溶存水素が回収タンク用脱気手段８４により除去され、さらに、供給タンク３１内に貯留されているめっき液３５の溶存酸素および溶存水素が供給タンク用脱気手段３４により除去される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、例えば回収タンク用脱気手段８４によりめっき液の溶存酸素および溶存水素が十分に除去される場合、供給タンク用脱気手段３４が設けられていなくてもよい。
【０１３６】
また、上述の第１の実施の形態において説明した変形例が、本実施の形態において採用されてもよい。例えば、供給タンク用循環加熱手段５１の供給タンク用循環管５２が第２加熱機構６０の近傍でめっき液供給管３３に接続されていてもよい。若しくは、図１３において一点鎖線で示されるように、めっき液供給管３３を通るめっき液３５を第１温度で保持するための供給管用加熱手段５４が設けられていてもよい。また、供給管用加熱手段５４として、第１温度に加熱された伝熱媒体を通す加熱用配管が用いられる場合、供給管用加熱手段５４に第１温度の伝熱媒体を供給する媒体供給手段として、第２加熱機構６０の第１温度媒体供給手段６３が利用されてもよい。
【符号の説明】
【０１３７】
１ めっき処理システム
２ 基板
２０ めっき処理装置
３０ めっき液供給機構
３１ 供給タンク
３２ 吐出ノズル
３３ めっき液供給管
３４ 供給タンク用脱気手段
３４ａ ガス供給管
３５ めっき液
４０ めっき液回収機構
４１ 回収タンク
４２ 回収タンク用脱気手段
４３ 補充手段
４４ 撹拌手段
５０ 第１加熱機構
５１ 供給タンク用循環加熱手段
５２ 供給タンク用循環管
５３ 供給タンク用ヒータ
５４ 供給管用加熱手段
６０ 第２加熱機構
６１ 第２温度媒体供給手段
６２ 温度調節器
６３ 第１温度媒体供給手段
６４ 保温器
６５ 温度保持器
７０ 物理洗浄機構
７１ 液滴吐出手段
７２ 二流体ノズル
７４ 洗浄液
７４ａ 供給管
７５ 液滴生成用ガス
７５ａ 供給管
７９ａ 刷毛部
８０ めっき液回収機構
８１ 撹拌手段
８２ 回収タンク用循環管
８４ 回収タンク用脱気手段
８５ 処理後のめっき液
８８ 回収タンク
８８ａ 補充手段
９０ 洗浄処理液供給機構
９５ リンス処理液供給機構
１１０ 基板回転保持機構
１６１ 記憶媒体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板の表面にめっき液を供給してめっき処理を行うためのめっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、半導体ウエハや液晶基板などの基板には、表面に回路を形成するために配線が施されている。この配線は、アルミニウム素材に替わって電気抵抗が低く信頼性の高い銅素材によるものが利用されるようになっている。しかし、銅はアルミニウムと比較して酸化されやすいので、銅配線表面の酸化を防止するために、高いエレクトロマイグレーション耐性を有する金属によってめっき処理することが望まれる。
【０００３】
従来より、銅配線表面にＣｏやＮｉのパーティクルが析出し、これらのパーティクルによって銅配線間が短絡するという問題が生じている。このような課題を解決するため、特許文献１において、Ｃｕ配線形成後のシリコン熱酸化膜上に存在する無電解めっきにより生じたＣｏやＮｉのパーティクルを除去する技術が開示されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００４−８４０５６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、銅配線表面にめっきされる金属の金属イオンを含む無電解めっき液中においては、金属イオンと還元剤とが酸化還元反応し、金属膜が生成する一方、副生成物として水素が発生する。本発明者らは、このめっき液中に溶存する水素が上記金属イオンと反応した場合、水素還元反応により、金属のデフェクトが発生することを見出した。このようなデフェクトが発生すると、金属膜が短絡する等の問題が生じるおそれがあるため問題となる。
【０００６】
このようにして発生したデフェクトは、めっき液や洗浄液等を乾燥する乾燥処理を経ることにより、金属膜に吸着（物理吸着と化学吸着の両方）される。これは、乾燥処理により金属膜とデフェクトとの間の溶媒が無くなるため、互いの距離が非常に近くなるためである。このように、一旦デフェクトが金属膜に吸着した場合、デフェクトを金属膜から除去することは容易ではない。
【０００７】
一方、特許文献１においては、めっき処理エリア５４で基板にめっき処理が行われた後、その基板を洗浄エリア５２に搬送し、洗浄エリア５２で基板を洗浄するようになっている。したがって、めっき処理エリア５４でめっき処理された基板は、洗浄エリア５２に搬送される前に乾燥し、このときデフェクトは金属膜に吸着してしまうと考えられる。このため、特許文献１に提案される方法を用いた場合、金属膜に吸着したデフェクトを十分に除去することは難しいと考えられる。
【０００８】
本発明は、このような課題を効果的に解決し得るめっき処理装置、めっき処理方法および記憶媒体を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
第１の本発明は、基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、前記基板を収容する基板収容部と、前記基板収容部に収容された前記基板に対してめっき液を供給するめっき液供給機構と、前記基板収容部に収容された前記基板に対して物理力を印加することにより前記基板を洗浄する物理洗浄機構と、を備え、前記物理洗浄機構は、前記めっき液供給機構により前記基板に対してめっき液が供給された後、前記基板が乾燥されるよりも前に、前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄することを特徴とするめっき処理装置である。
【００１０】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記物理洗浄機構は、洗浄液の液滴を吐出する液滴吐出手段を有してもよい。
【００１１】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記液滴吐出手段は、純水と液滴生成用ガスとを混合して純水の液滴を生成し、この純水の液滴を前記基板に対して吐出する二流体ノズルを有しでもよい。
【００１２】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記物理洗浄機構は、薬液と液滴生成用ガスとを混合して薬液の液滴を生成し、この薬液の液滴を前記基板に対して吐出する二流体ノズルを有してもよい。
【００１３】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記物理洗浄機構は、前記基材に当接する刷毛部を含む洗浄ブラシを有してもよい。
【００１４】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記めっき液供給機構により前記基板に対してめっき液が供給された後に、前記基板収容部に収容された前記基板に対して薬液を供給する薬液供給機構をさらに備え、前記物理洗浄機構は、前記薬液供給機構により前記基板に対して前記薬液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも前に、前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄してもよい。
【００１５】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記薬液供給機構により前記基板に対して薬液が供給された後に、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構をさらに備え、前記物理洗浄機構は、前記リンス処理液供給機構により前記基板に対して前記リンス処理液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも前に前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄してもよい。
【００１６】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記薬液供給機構により前記基板に対して薬液が供給された後に、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構をさらに備え、前記物理洗浄機構は、前記リンス処理液供給機構により前記基板に対して前記リンス処理液が供給される際、前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄してもよい。
【００１７】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記めっき液供給機構は、前記基板に供給されるめっき液を貯留する供給タンクと、めっき液を前記基板に対して吐出する吐出ノズルと、前記供給タンクのめっき液を前記吐出用ノズルへ供給するめっき液供給管と、前記供給タンクに貯留されるめっき液中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段と、を有してもよい。
【００１８】
第１の本発明によるめっき処理装置において、前記基板から飛散しためっき液を前記収容部から排出するめっき液排出機構と、前記めっき液排出機構から排出されためっき液を回収して前記めっき液供給機構の前記供給タンクに送るめっき液回収機構と、をさらに備え、前記めっき液回収機構は、前記めっき液排出機構から排出されためっき液を貯留する回収タンクと、前記回収タンクに貯留されるめっき液中の溶存酸素および溶存水素を除去する回収タンク用脱気手段と、を有してもよい。
【００１９】
第２の本発明は、基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、前記基板を基板収容部に収容することと、前記基板収容部に収容された前記基板に対してめっき液を供給することと、前記基板にめっき液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対して物理力を印加することにより前記基板を洗浄することと、前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄した後、前記基板収容部に収容された前記基板を乾燥させることと、を備えたことを特徴とするめっき処理方法である。
【００２０】
第２の本発明によるめっき処理方法において、前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、二流体ノズルによって行われてもよい。
【００２１】
第２の本発明によるめっき処理方法において、前記基板にめっき液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対して薬液を供給することをさらに備え、前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、前記基板に前記薬液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも前に行われてもよい。
【００２２】
第２の本発明によるめっき処理方法において、前記基板に前記薬液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給することをさらに備え、前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、前記基板に前記リンス処理液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも行われてもよい。
【００２３】
第２の本発明によるめっき処理方法において、前記基板に前記薬液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給することをさらに備え、前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、前記基板に前記リンス処理液が供給される際に行われてもよい。
【００２４】
第３の本発明は、めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、前記めっき処理方法は、前記基板を基板収容部に収容することと、前記基板収容部に収容された前記基板に対してめっき液を供給することと、前記基板にめっき液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対して物理力を印加することにより前記基板を洗浄することと、前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄した後、前記基板収容部に収容された前記基板を乾燥させることと、を有することを特徴とする記憶媒体である。
【発明の効果】
【００２５】
本発明によれば、物理洗浄機構により、基板が乾燥されるよりも前に、非乾燥状態で基板に対して物理力を印加してデフェクトを除去している。すなわち、めっき液や洗浄液等によって濡れた状態の基板に対して物理力を印加することにより、基板を洗浄している。これにより、金属膜に吸着する前のデフェクトを効果的に除去することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２６】
【図１】図１は、本発明の第１の実施の形態におけるめっき処理システムの概略構成を示す平面図。
【図２】図２は、本発明の第１の実施の形態におけるめっき処理装置を示す側面図。
【図３】図３は、図２に示すめっき処理装置の平面図。
【図４】図４は、本発明の第１の実施の形態におけるめっき液供給機構を示す図。
【図５】図５は、本発明の第１の実施の形態におけるめっき液供給機構を示す図。
【図６】図６は、本発明の第１の実施の形態における液滴吐出手段の二流体ノズルを示す図。
【図７】図７は、本発明の第１の実施の形態における第1加熱機構を示す図。
【図８】図８は、本発明の第１の実施の形態における第２加熱機構を示す図。
【図９】図９は、めっき処理方法を示すフローチャート。
【図１０】図１０は、図９のＮｉめっき工程を詳細に示すフローチャート。
【図１１】図１１は、第１加熱機構の変形例を示す図。
【図１２】図１２は、物理洗浄機構の変形例を示す図。
【図１３】図１３は、本発明の第２の実施の形態におけるめっき液回収機構を示す図。
【図１４】図１４は、本発明の第２の実施の形態におけるＮｉめっき工程を詳細に示すフローチャート。
【発明を実施するための形態】
【００２７】
第１の実施の形態
以下、図１乃至図１０を参照して、本発明の第１の実施の形態について説明する。まず図１により、本実施の形態におけるめっき処理システム１全体について説明する。
【００２８】
めっき処理システム
図１に示すように、めっき処理システム１は、基板２（ここでは、半導体ウエハ）を複数枚（たとえば、２５枚）収容するキャリア３を載置し、基板２を所定枚数ずつ搬入及び搬出するための基板搬入出室５と、基板２のめっき処理や洗浄処理などの各種の処理を行うための基板処理室６と、を含んでいる。基板搬入出室５と基板処理室６とは、隣接して設けられている。
【００２９】
（基板搬入出室）
基板搬入出室５は、キャリア載置部４、搬送装置８を収容した搬送室９、基板受渡台１０を収容した基板受渡室１１を有している。基板搬入出室５においては、搬送室９と基板受渡室１１とが受渡口１２を介して連通連結されている。キャリア載置部４は、複数の基板２を水平状態で収容するキャリア３を複数個載置する。搬送室９では、基板２の搬送が行われ、基板受渡室１１では、基板処理室６との間で基板２の受け渡しが行われる。
【００３０】
このような基板搬入出室５においては、キャリア載置部４に載置されたいずれか１個のキャリア３と基板受渡台１０との間で、搬送装置８により基板２が所定枚数ずつ搬送される。
【００３１】
（基板処理室）
また基板処理室６は、中央部において前後に伸延する基板搬送ユニット１３と、基板搬送ユニット１３の一方側および他方側において前後に並べて配置され、基板２にめっき液を供給してめっき処理を行う複数のめっき処理装置２０と、を有している。
【００３２】
このうち基板搬送ユニット１３は、前後方向に移動可能に構成した基板搬送装置１４を含んでいる。また基板搬送ユニット１３は、基板受渡室１１の基板受渡台１０に基板搬入出口１５を介して連通している。
【００３３】
このような基板処理室６においては、各めっき処理装置２０に対して、基板搬送ユニット１３の基板搬送装置１４により、基板２が、１枚ずつ水平に保持した状態で搬送される。そして、各めっき処理装置２０において、基板２が、１枚ずつ洗浄処理及びめっき処理される。
【００３４】
各めっき処理装置２０は、用いられるめっき液などが異なるのみであり、その他の点は略同一の構成からなっている。そのため、以下の説明では、複数のめっき処理装置２０のうち一のめっき処理装置２０の構成について説明する。
【００３５】
めっき処理装置
以下、図２および図３を参照して、めっき処理装置２０について説明する。図２は、めっき処理装置２０を示す側面図であり、図３は、めっき処理装置２０を示す平面図である。
【００３６】
めっき処理装置２０は、図２および図３に示すように、ケーシング１０１の内部で基板２を回転保持するための基板回転保持機構（基板収容部）１１０と、基板２の表面にめっき液や洗浄液などを供給する液供給機構３０，３０Ａ，９０，９０Ａと、基板２から飛散しためっき液や洗浄液などを排出する液排出機構１２０，１２５，１３０と、基板２の表面に物理力を印加することにより基板２の表面を洗浄する物理洗浄機構７０と、基板回転保持機構１１０、液供給機構３０，３０Ａ，９０，９０Ａ、液排出機構１２０，１２５，１３０および物理洗浄機構７０を制御する制御機構１６０と、を備えている。
【００３７】
（基板回転保持機構）
このうち基板回転保持機構１１０は、図２および図３に示すように、ケーシング１０１内で上下に伸延する中空円筒状の回転軸１１１と、回転軸１１１の上端部に取り付けられたターンテーブル１１２と、ターンテーブル１１２の上面外周部に設けられ、基板２を支持するウエハチャック１１３と、回転軸１１１を回転駆動する回転機構１６２と、を有している。このうち回転機構１６２は、制御機構１６０により制御され、回転機構１６２によって回転軸１１１が回転駆動され、これによって、ウエハチャック１１３により支持されている基板２が回転される。
【００３８】
（液供給機構）
次に、基板２の表面にめっき液や洗浄液などを供給する液供給機構３０，３０Ａ，９０，９０Ａについて、図２乃至図５を参照して説明する。液供給機構３０，３０Ａ，９０，９０Ａは、基板２の表面にＮｉを含むめっき液を供給するめっき液供給機構３０と、基板２の表面に後洗浄用の洗浄処理液（薬液）を供給する洗浄処理液供給機構（薬液供給機構）９０と、基板２の表面にＰｄを含むめっき液を供給するめっき液供給機構３０Ａと、基板２の表面に前洗浄用の洗浄処理液（薬液）を供給する洗浄処理液供給機構（薬液供給機構）９０Ａと、を含んでいる。
【００３９】
〔めっき液供給機構３０〕
図４に示すように、めっき液供給機構３０は、所定温度で基板２に供給されるめっき液３５を貯留する供給タンク３１と、めっき液３５を基板２に対して吐出する吐出ノズル３２と、供給タンク３１のめっき液３５を吐出ノズル３２へ供給するめっき液供給管３３と、供給タンク３１に貯留されるめっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段３４と、を有している。また図４に示すようにめっき液供給管３３には、開閉自在なバルブ３７ｂとが介挿されている。なお本実施の形態において、基板２に供給されるめっき液３５の「所定温度」は、めっき液３５内での自己反応が進行するめっき温度に等しい温度、または前記めっき温度よりも高温の温度となっている。めっき温度については後述する。
【００４０】
供給タンク３１には、Ｎｉなどのめっき液３５の各種の成分が貯蔵されている複数の薬液供給源（図示せず）から各種薬液が供給されている。例えば、Ｎｉイオンを含むＮｉＰ金属塩、還元剤および添加剤などの薬液が供給されている。この際、供給タンク３１内に貯留されるめっき液３５の成分が適切に調整されるよう、各種薬液の流量が調整されている。
【００４１】
吐出ノズル３２は、ノズルヘッド１０４に取り付けられている。またノズルヘッド１０４は、アーム１０３の先端部に取り付けられており、このアーム１０３は、上下方向に延伸可能となっており、かつ、回転機構１６５により回転駆動される支持軸１０２に固定されている。このような構成により、めっき液を、吐出ノズル３２を介して基板２の表面の任意の箇所に所望の高さから吐出することが可能となっている。
【００４２】
なお図２においては、めっき液供給機構３０が、アーム１０３の外側に配置されるように示されている。しかしながら、めっき液供給機構３０の配置が特に限られることはなく、めっき液供給機構３０がアーム１０３の内側に配置されていてもよい。後述する例においては、めっき液供給機構３０のめっき液供給管がアーム１０３の内側に配置される場合について説明する。同様に、図２に示すめっき液供給機構３０Ａ、洗浄処理液供給機構９０、洗浄処理液供給機構９０Ａまたは物理洗浄機構７０についても、それらの配置が特に限られることはない。
【００４３】
さらに図４に示すように、めっき液供給機構３０の供給タンク３１またはめっき液供給管３３の少なくともいずれか一方に、めっき液３５を第１温度に加熱する第1加熱機構５０が取り付けられている。また第1加熱機構５０よりも吐出ノズル３２側において、めっき液供給管３３に、めっき液３５を第１温度よりも高温の第２温度に加熱する第２加熱機構６０が取り付けられている。上記供給タンク用脱気手段３４、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０については、後に詳細に説明する。
【００４４】
〔めっき液供給機構３０Ａ〕
図５に示すように、めっき液供給機構３０Ａにおいて、吐出ノズル３２にめっき液を供給するための構成要素は、用いられるめっき液３５Ａが異なるのみであり、他の構成要素はめっき液供給機構３０における各構成要素と略同一になっている。図２に示すように、Ｐｄを含むめっき液を基板２の表面に吐出する吐出ノズル３２は、ノズルヘッド１０９に取り付けられている。またノズルヘッド１０９は、アーム１０４の先端部に取り付けられており、このアーム１０４は、上下方向に延伸可能であり、かつ回転機構１６３により回転駆動される支持軸１０７に固定されている。このような構成により、めっき液を、吐出ノズル３２を介して基板２の表面の任意の箇所に所望の高さから吐出することが可能となっている。
【００４５】
図５に示すめっき液供給機構３０Ａにおいて、めっき液供給機構３０と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００４６】
〔洗浄処理液供給機構９０〕
洗浄処理液供給機構（薬液供給機構）９０は、後述するように基板２の後洗浄工程において用いられるものであり、図２に示すように、ノズルヘッド１０４に取り付けられたノズル９２を含んでいる。また図４に示すように、洗浄処理液供給機構９０は、基板２に供給される洗浄処理液（薬液）９３を貯留するタンク９１と、タンク９１の洗浄処理液９３をノズル９２へ供給する供給管９４と、供給管９４に介挿されたポンプ９６およびバルブ９７ａと、をさらに有している。なお図４に示すように、洗浄処理液供給機構９０において、基板２の表面に純水などのリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構９５との間で、供給管９４およびノズル９２が共用されていてもよい。この場合、バルブ９７ａ，９７ｂの開閉を適切に制御することにより、ノズル９２から、洗浄処理液９３またはリンス処理液のいずれかが選択的に基板２の表面に吐出される。
【００４７】
〔洗浄処理液供給機構９０Ａ〕
洗浄処理液供給機構（薬液供給機構）９０Ａは、後述するように基板２の前洗浄工程において用いられるものであり、図２に示すように、ノズルヘッド１０９に取り付けられたノズル９２を含んでいる。洗浄処理液供給機構９０Ａの構成要素は、図５に示すように、用いられる洗浄処理液（薬液）９３Ａが異なるのみであり、他の構成要素は洗浄処理液供給機構９０における各構成要素と略同一になっている。図５に示す洗浄処理液供給機構９０Ａにおいて、洗浄処理液供給機構９０と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【００４８】
（液排出機構）
次に、基板２から飛散しためっき液や洗浄液などを排出する液排出機構１２０，１２５，１３０について、図２を参照して説明する。図２に示すように、ケーシング１０１内には、昇降機構１６４により上下方向に駆動され、排出口１２４，１２９，１３４を有するカップ１０５が配置されている。液排出機構１２０，１２５，１３０は、それぞれ排出口１２４，１２９，１３４に集められる液を排出するものとなっている。
【００４９】
基板２から飛散した処理液は、種類ごとに排出口１２４，１２９，１３４を介して液排出機構１２０，１２５，１３０により排出することが可能となっている。例えば、液排出機構１２０は、めっき液３５を排出するめっき液排出機構１２０となっており、液排出機構１２５は、めっき液３５Ａを排出するめっき液排出機構１２５となっており、液排出機構１３０は、洗浄液９３，９３Ａおよびリンス処理液を排出する処理液排出機構１３０となっている。
【００５０】
図２に示すように、めっき液排出機構１２０，１２５は、流路切換器１２１，１２６により切り替えられる回収流路１２２，１２７および廃棄流路１２３，１２８をそれぞれ有している。このうち回収流路１２２，１２７は、めっき液を回収して再利用するための流路であり、一方、廃棄流路１２３，１２８は、めっき液を廃棄するための流路である。回収流路１２２，１２７により回収しためっき液を再利用するためのめっき液回収機構については、後に第２の実施の形態において説明する。なお図２に示すように、処理液排出機構１３０には廃棄流路１３３のみが設けられている。
【００５１】
（物理洗浄機構）
次に図２および図４を参照して、物理洗浄機構７０について説明する。物理洗浄機構７０は、基板２の表面に物理力を印加することにより基板２の表面を洗浄するものであり、例えば、洗浄液の液滴を吐出する液滴吐出手段７１からなっている。この液滴吐出手段７１は、後述するように、基板２の表面にめっき処理などが施された後、基板２の表面が乾燥されるよりも前に基板２の表面に液滴によって物理力を印加するよう、制御機構１６０により制御される。
【００５２】
図４に示すように、物理洗浄機構７０を構成する液滴吐出手段７１は、洗浄液７４の液滴を基板２の表面に吐出する二流体ノズル７２と、洗浄液７４を貯留するタンク７６と、タンク７６の洗浄液７４を二流体ノズル７２へ供給する供給管７４ａと、供給管７４ａに介挿されたポンプ７７およびバルブ７８ａと、二流体ノズル７２に窒素などの不活性ガスからなる液滴生成用ガス７５を供給する供給管７５ａと、を有している。この二流体ノズル７２は、ノズルヘッド１０４に取り付けられている。このノズルヘッド１０４は、上述のようにアーム１０３および回転機構１６５を介して移動可能となっており、このため、洗浄液７４の液滴を、二流体ノズル７２を介して基板２の表面の任意の箇所に吐出することが可能となっている。なお、供給管７４ａを介して二流体ノズル７２に供給される洗浄液７４が、純水などのリンス処理液からなっていてもよい。あるいは、二流体ノズル７２に供給される洗浄液７４が、後洗浄用の洗浄処理液（薬液）９３からなっていても良い（図４の仮想線参照）。
【００５３】
〔二流体ノズル〕
次に図６を参照して、二流体ノズル７２の構成について具体的に説明する。二流体ノズルとは、一般的にガスと液体とを混合させることにより微小な液滴を生成し、この微小な液滴を吐出する方式のノズルのことをいう。図６において、二点鎖線で示される領域は、二流体ノズル７２から噴霧される噴霧用洗浄液７４の液滴７２ｆの噴霧範囲を示している。
【００５４】
二流体ノズル７２は、略円柱状のノズル本体７２ａを有しており、このノズル本体７２ａの内部には、洗浄液７４が供給される供給管７４ａに連通する洗浄液流路７２ｂと、液滴生成用ガス７５が供給される供給管７５ａに連通するガス流路７２ｃとがそれぞれ設けられ、洗浄液７４と液滴生成用ガス７５とが混合部７２ｄで衝突して混合される。これによって、混合部７２ｄにおいて洗浄液７４の液滴が形成され、そして、基板２に対して洗浄液７４の液滴７２ｆが吐出される。
【００５５】
次に、めっき液供給機構３０およびめっき液供給機構３０Ａに設けられている供給タンク用脱気手段３４、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０について説明する。
【００５６】
（供給タンク用脱気手段）
はじめに供給タンク用脱気手段３４について説明する。図７に示すように、供給タンク用脱気手段３４は、窒素などの不活性ガスを供給タンク３１内に供給するガス供給管３４ａを含んでいる。
【００５７】
ガス供給管３４ａを介してめっき液３５中に導入される窒素などの不活性ガスは、その一部がめっき液３５中に溶解される。一般に、めっき液３５中に溶存可能なガスの最大量は温度などに応じて決まっており、このため、めっき液３５中に新たに窒素などの不活性ガスが溶解されると、既にめっき液３５中に溶存している酸素や水素などのその他のガスがめっき液３５の外部に排出される。このように、ガス供給管３４ａを含む供給タンク用脱気手段３４は、いわゆるバブリングによってめっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去するためのものとなっている。めっき液３から排出された酸素や水素は、排気手段３８によって供給タンク３１から排出される。
【００５８】
好ましくは、ガス供給管３４ａは、供給タンク３１内に貯留されているめっき液３５の液面近傍ではなく、供給タンク３１の底面近傍まで挿入されている。これによって、供給タンク３１内のめっき液３５の全域にわたって溶存酸素および溶存水素を除去することができる。このことにより、基板２に供給されるめっき液３５における溶存酸素および溶存水素の濃度をより低くすることができる。
【００５９】
図示はしないが、供給タンク３１の上端が何らかの封止手段により外部環境から封止され、かつ、封止手段とめっき液３５の液面との間に窒素などの不活性ガスが充填されていてもよい。すなわち、供給タンク３１内のめっき液３５が窒素などの不活性ガス雰囲気下に置かれていてもよい。これによって、溶存酸素および溶存水素が除去された後のめっき液３５が酸素および水素に曝されるのを防ぐことができる。
【００６０】
（第１加熱機構）
次に第１加熱機構５０について説明する。図７において、めっき液３５を第１温度に加熱する供給タンク用循環加熱手段５１を有する第１加熱機構５０が示されている。なお第１温度は、めっき液３５内での自己反応による金属イオンの析出が進行する温度（めっき温度）よりも低く、かつ常温よりも高い所定の温度となっている。例えば、Ｎｉを含むめっき液３５において、そのめっき温度は約６０度となっており、この場合、第１温度が４０〜６０度の範囲内に設定される。
【００６１】
供給タンク用循環加熱手段５１は、図７に示すように、供給タンク３１の近傍でめっき液３５を循環させる供給タンク用循環管５２と、供給タンク用循環管５２に取り付けられ、めっき液３５を第１温度に加熱する供給タンク用ヒータ５３と、を有している。また図７に示すように、供給タンク用循環管５２には、めっき液３５を循環させるためのポンプ５６と、フィルター５５とが介挿されている。このような供給タンク用循環加熱手段５１を設けることにより、供給タンク３１内のめっき液３５を供給タンク３１近傍で循環させながら第１温度まで加熱することができる。また図７に示すように、供給タンク用循環管５２にはめっき液供給管３３が接続されている。この場合、図７に示すバルブ３７ａが開放され、バルブ３７ｂが閉鎖されているときは、供給タンク用ヒータ５３を通っためっき液３５が供給タンク３１に戻される。一方、バルブ３７ａが閉鎖され、バルブ３７ｂが開放されているときは、供給タンク用ヒータ５３を通っためっき液３５がめっき液供給管３３を通って第２加熱機構６０に到達する。
【００６２】
なお図７において一点鎖線で示されているように、供給タンク用循環管５２に、めっき液３５の特性をモニタするモニタ手段５７が設けられていてもよい。モニタ手段５７は、例えば、めっき液３５の温度をモニタする温度モニタや、めっき液３５のｐＨをモニタするｐＨモニタなどからなっている。
【００６３】
（第２加熱機構）
次に、図８を参照して、第２加熱機構６０について説明する。第２加熱機構６０は、第１加熱機構５０によって第１温度まで加熱されためっき液３５を、さらに第２温度まで加熱するためのものである。なお第２温度とは、上述のめっき温度に等しいか、若しくはめっき温度よりも高い所定の温度となっている。例えば、Ｎｉを含むめっき液３５において、そのめっき温度は上述のように約６０度となっており、この場合、第２温度が６０〜９０度の範囲内に設定される。
【００６４】
図８に示すように、第２加熱機構６０は、所定の伝熱媒体を第２温度または第２温度よりも高い温度に加熱する第２温度媒体供給手段６１と、第1加熱機構５０よりも吐出ノズル３２側においてめっき液供給管３３に取り付けられ、第２温度媒体供給手段６１からの伝熱媒体の熱をめっき液供給管３３内のめっき液３５に伝導させる温度調節器６２と、を有している。また図８に示すように、アーム１０３に設けられ、アーム１０３内に位置するめっき液供給管３３を通るめっき液３５を第２温度で保持するための温度保持器６５がさらに設けられていてもよい。なお図８において、めっき液供給管３３のうち、温度調節器６２内に位置するめっき液供給管が符号３３ａで表され、温度保持器６５内（アーム１０３内）に位置するめっき液供給管が符号３３ｂで表されている。
【００６５】
〔温度調節器６２〕
温度調節器６２は、第２温度媒体供給手段６１から供給される温度調節用の伝熱媒体（たとえば温水）を導入する供給口６２ａと、伝熱媒体を排出する排出口６２ｂと、を有している。供給口６２ａから供給された伝熱媒体は、温度調節器６２の内部の空間６２ｃを流れる間にめっき液供給管３３ａと接触する。これによって、めっき液供給管３３ａを流れるめっき液３５が第２温度まで加熱される。めっき液３５の加熱に用いられた後の伝熱媒体は、排出口６２ｂから排出される。
【００６６】
好ましくは、温度調節器６２内のめっき液供給管３３ａは、図８に示すようにらせん状に形成されている。これによって、伝熱媒体とめっき液供給管３３ａとの間の接触面積を大きくすることができ、このことにより、伝熱媒体の熱を効率良くめっき液３５に伝えることができる。
【００６７】
〔温度保持器６５〕
温度調節器６２と吐出ノズル３２との間に配設される温度保持器６５は、めっき液３５が吐出ノズル３２から吐出されるまでの間、温度調節器６２により第２温度に加熱されためっき液３５の温度を保持するためのものである。この温度保持器６５は、図８に示すように、温度保持器６５内でめっき液供給管３３ｂに接触するよう延びる保温パイプ６５ｃと、第２温度媒体供給手段６１から供給される伝熱媒体を保温パイプ６５ｃに導入する供給口６５ａと、伝熱媒体を排出する排出口６５ｂと、を有している。保温パイプ６５ｃは、めっき液供給管３３ｂに沿って吐出ノズル３２の直近まで延びており、これによって、吐出ノズル３２から吐出される直前のめっき液３５の温度を第２温度に保持することができる。
【００６８】
保温パイプ６５ｃは、図８に示すように、吐出ノズル３２を収納するノズルヘッド１０４の内部で開放され、温度保持器６５内の空間６５ｄと通じていてもよい。この場合、温度保持器６５は、その断面中心に位置するめっき液供給管３３ｂ、めっき液供給管３３ｂの外周に熱的に接触させて配設された保温パイプ６５ｃ、および、保温パイプ６５ｃの外周に位置する空間６５ｄからなる三重構造（三重配管の構造）を有している。供給口６５ａから供給された伝熱媒体は、ノズルヘッド１０４に至るまで保温パイプ６５ｃを通ってめっき液３５を保温し、その後、温度保持器６５内の空間６５ｄを通って排出口６５ｂから排出される。空間６５ｄを流れる伝熱媒体は、保温パイプ６５ｃを流れる伝熱媒体（およびその内側のめっき液供給管３３ｂを流れるめっき液３５）と温度保持器６５の外側の雰囲気とを熱的に遮断する作用をする。したがって、保温パイプ６５ｃを流れる伝熱媒体の熱損失を抑えるとともに、保温パイプ６５ｃを流れる伝熱媒体からめっき液供給管３３ｂを流れるめっき液３５への熱伝達を効率的に行うことができる。
【００６９】
なお図８においては、温度調節器６２に供給される伝熱媒体と、温度保持器６５に供給される伝熱媒体とがいずれも、第２温度媒体供給手段６１から供給される伝熱媒体となっている例が示されている。しかしながら、これに限られることはなく、温度調節器６２に供給される伝熱媒体と、温度保持器６５に供給される伝熱媒体とが、それぞれ別個の伝熱媒体の供給源から供給されてもよい。
【００７０】
〔第１温度媒体供給手段〕
また図８に示すように、第２加熱機構６０は、伝熱媒体を第２温度に加熱して供給する第２温度媒体供給手段６１に加えて、伝熱媒体を第１温度に加熱して供給する第１温度媒体供給手段６３をさらに有していてもよい。この場合、第２加熱機構６０は、吐出ノズル３２からめっき液３５が吐出されている間、第２温度媒体供給手段６１からの伝熱媒体が温度調節器６２および温度保持器６５に送られるよう制御機構１６０により制御される。一方、吐出ノズル３２からのめっき液３５の吐出が停止された後において、第２加熱機構６０は、第１温度媒体供給手段６３からの第１温度の伝熱媒体が温度調節器６２および温度保持器６５に送られるよう制御機構１６０により制御される。これによって、吐出ノズル３２からのめっき液３５の吐出が停止された後、温度調節器６２および温度保持器６５に残っているめっき液３５を第１温度まで冷却して保持することができる。このように、残っているめっき液３５をめっき温度よりも低温の第１温度で保持することにより、めっき液３５が熱により劣化するのを防ぐことができ、これによってめっき液３５の寿命を長くすることができる。
【００７１】
第１温度媒体供給手段６３が設けられる場合、図８に示すように、伝熱媒体を温度調節器６２および温度保持器６５に送る伝熱媒体供給管６６には、第２温度媒体供給手段６１からの第２温度の伝熱媒体または第１温度媒体供給手段６３からの第１温度の伝熱媒体のいずれかを選択的に伝熱媒体供給管６６に連通させる流路切替機構６６ａ，６６ｂが設けられている。これによって、温度調節器６２内および温度保持器６５内のめっき液３５の温度を選択的に第１温度または第２温度に制御することが可能となる。
【００７２】
（その他の構成要素）
図２に示すように、めっき処理装置２０は、基板２の裏面に処理液を供給する裏面処理液供給機構１４５と、基板２の裏面に気体を供給する裏面ガス供給機構１５０と、をさらに有していてもよい。
【００７３】
以上のように構成されるめっき処理装置２０を複数含むめっき処理システム１は、制御機構１６０に設けた記憶媒体１６１に記録された各種のプログラムに従って制御機構１６０で駆動制御され、これによって基板２に対する様々な処理が行われる。ここで、記憶媒体１６１は、各種の設定データや後述するめっき処理プログラム等の各種のプログラムを格納している。記憶媒体１６１としては、コンピューターで読み取り可能なＲＯＭやＲＡＭなどのメモリーや、ハードディスク、ＣＤ−ＲＯＭ、ＤＶＤ−ＲＯＭやフレキシブルディスクなどのディスク状記憶媒体などの公知のものが使用され得る。
【００７４】
本実施の形態において、めっき処理システム１およびめっき処理装置２０は、記憶媒体１６１に記録されためっき処理プログラムに従って、基板２にめっき処理を施すよう駆動制御される。以下の説明では、はじめに、化学還元めっきで使用されるＮｉめっき液を脱気および加熱することにより、化学還元めっきの準備を行う方法について説明する。次に、一のめっき処理装置２０で基板２にＰｄめっきを置換めっきにより施した後にＮｉめっきを化学還元めっきにより施し、その後、その他のめっき処理装置２０で基板２に金めっきを置換めっきにより施す方法について説明する。
【００７５】
化学還元めっきの準備
〔脱気工程〕
はじめに、供給タンク３１内に貯留されているめっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去するための脱気工程（Ｓ３１３）について説明する。この場合、図７に示すように、ガス供給管３４ａを介して供給タンク３１内に窒素を導入する。これによって、供給タンク３１内に貯留されているめっき液３５中の溶存酸素および溶存水素が溶存窒素に置換され、この結果、めっき液３５中の溶存酸素および溶存水素が除去される。
【００７６】
〔第１温度調整工程〕
次に、基板２の表面に吐出されるめっき液３５の温度を調整する工程について説明する。はじめに、図７を参照して、基板２の表面に吐出されるめっき液３５の温度を、基板２に供給されてめっき処理が行われる際の所定温度よりも低温の第１温度まで加熱する第１温度調整工程（Ｓ３１４）について説明する。まず、第１加熱機構５０の供給タンク用ヒータ５３の温度を第１温度または第１温度よりも高い温度まで上昇させる。次に、ポンプ５６を用いることにより、めっき液３５を供給タンク用循環管５２内で循環させながら第１温度まで加熱する。この際、バルブ３７ａは開放され、バルブ３７ｂは閉鎖されている。これによって、供給タンク３１内に貯留されているめっき液３５の温度が第１温度に制御される。
【００７７】
〔第２温度調整工程〕
次に、めっき液３５の温度を、基板２に供給されてめっき処理が行われる際の所定温度に等しい、または所定温度よりも高い第２温度まで加熱する第２温度調整工程（Ｓ３１５）について、図８を参照して説明する。まず、バルブ３７ａが閉鎖され、バルブ３７ｂが開放される。これによって、第１温度に制御されているめっき液３５が、めっき液供給管３３を通って第２加熱機構６０の温度調節器６２に送られる。温度調節器６２には、第２温度または第２温度よりも高い温度に加熱された伝熱媒体が第２温度媒体供給手段６１から供給されている。このため、めっき液３５は、温度調節器６２の内部のめっき液供給管３３ａを通る間に第２温度まで加熱される。
【００７８】
その後、第２温度に加熱されためっき液３５は、図８に示すようにアーム１０３を介して吐出ノズル３２に送られる。このとき、アーム１０３には温度保持器６５が設けられており、この温度保持器６５には、第２温度に加熱された伝熱媒体が第２温度媒体供給手段６１から供給されている。このため、めっき液３５は、温度保持器６５の内部のめっき液供給管３３ｂを通って吐出ノズル３２に到達するまで第２温度に保持される。
【００７９】
なお、温度調節器６２の内部のめっき液供給管３３ａを通る間にめっき液３５が第２温度まで加熱される例を示したが、これに限られることはない。例えば、めっき液３５が、温度調節器６２の内部のめっき液供給管３３ａを通る間に第１温度よりも高くかつ第２温度よりも低い温度まで加熱され、その後、めっき液３５が、温度保持器６５の内部のめっき液供給管３３ｂを通る間に第２温度まで加熱されてもよい。この場合、吐出ノズル３２に到達する直前でめっき液３５が第２温度まで加熱されることが好ましい。これによって、吐出ノズル３２から吐出される前にめっき液３５が第２温度で保持される期間をより短くすることができる。
【００８０】
〔第１温度保持工程〕
好ましくは、基板２の表面のＮｉめっき処理が終了した後、温度調節器６２および温度保持器６５に残っているめっき液３５は、第１温度まで冷却されて保持される（第１温度保持工程 Ｓ３１７）。この場合、第２加熱機構６０は、第１温度媒体供給手段６３からの第１温度の伝熱媒体が温度調節器６２および温度保持器６５に送られるよう制御機構１６０により制御される。
【００８１】
めっき処理方法
次に、はじめに、一のめっき処理装置２０で基板２にＰｄめっきを置換めっきにより施し、次に上述のようにして準備されたＮｉめっきを化学還元めっきにより施す方法について、図９を参照して説明する。
【００８２】
（基板搬入工程および基板受取工程）
はじめに、基板搬入工程および基板受入工程が実行される。まず、基板搬送ユニット１３の基板搬送装置１４を用いて、１枚の基板２を基板受渡室１１から一のめっき処理装置２０に搬入する。めっき処理装置２０においては、はじめに、カップ１０５が所定位置まで降下され、次に、搬入された基板２がウエハチャック１１３により支持され、その後、排出口１３４と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５が昇降機構１６４により上昇させられる。なお、以下の工程Ｓ３０２〜Ｓ３０９は、いずれも基板回転保持機構１１０に保持された状態の基板２に対して実行される。また、以下の各動作は、制御機構１６０によって制御される。
【００８３】
（洗浄工程）
次に、リンス処理、前洗浄処理およびその後のリンス処理からなる洗浄工程が実行される。（Ｓ３０２）。はじめに、リンス処理液供給機構９５Ａのバルブ９７ｂが開かれ、これによって、リンス処理液が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。次に、前洗浄工程が実行される。はじめに、洗浄処理液供給機構９０Ａのバルブ９７ａが開かれ、これによって、洗浄処理液９３が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。その後、上述の場合と同様にしてリンス処理液が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。処理後のリンス処理液や洗浄処理液９３は、カップ１０５の排出口１３４および処理液排出機構１３０の廃棄流路１３３を介して廃棄される。基板２の表面の前洗浄が終了すると、バルブ９７ａが閉じられる。
【００８４】
（Ｐｄめっき工程）
次に、Ｐｄめっき工程が実行される（Ｓ３０３）。このＰｄめっき工程は、前洗浄工程後の基板２が乾燥されていない状態の間に、置換めっき処理工程として実行される。このように、基板２が乾燥していない状態で置換めっき処理工程を実行することで、基板２の被めっき面の銅などが酸化してしまい良好に置換めっき処理できなくなるのを防止することができる。
【００８５】
Ｐｄめっき工程においては、はじめに、排出口１２９と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５を昇降機構１６４により上昇させる。次に、めっき液供給機構３０Ａのバルブ３７が開かれ、これによって、Ｐｄを含むめっき液３５Ａが、基板２の表面に吐出ノズル３２を介して所望の流量で吐出される。このことにより、基板２の表面に、置換めっきによってＰｄめっきが施される。処理後のめっき液３５Ａは、カップ１０５の排出口１２９から排出される。その後、処理後のめっき液３５Ａは、回収流路１２７を介して回収されるか、若しくは廃棄流路１２８を介して廃棄される。基板２の表面のＰｄめっき処理が終了すると、バルブ３７が閉じられる。
【００８６】
（リンス処理工程）
次に、リンス処理工程が実行される（Ｓ３０４）。このリンス処理工程Ｓ３０４は、上述の洗浄工程Ｓ３０２におけるリンス処理と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
【００８７】
（Ｎｉめっき工程）
その後、上述の工程Ｓ３０２〜３０４が実行されたのと同一のめっき処理装置２０において、Ｎｉめっき工程が実行される（Ｓ３０５）。このＮｉめっき工程は、化学還元めっき処理工程として実行される。
【００８８】
Ｎｉめっき工程Ｓ３０５においては、図１０に示すように、供給タンク用脱気手段３４によって溶存酸素および溶存水素が除去され、かつ第２加熱機構６０によって第２温度に加熱されためっき液３５が吐出ノズル３２から所望の流量で吐出される（吐出工程 Ｓ３１６）。このことにより、基板２の表面に、化学還元めっきによってＮｉめっきが施される。この際、排出口１２４と基板２の外周端縁とが対向する位置までカップ１０５が昇降機構１６４により上昇されており、このため、処理後のめっき液３５は、カップ１０５の排出口１２４から排出される。排出された処理後のめっき液３５は、回収流路１２２を介して回収タンクに回収されるか、若しくは廃棄流路１２３を介して廃棄される。
【００８９】
次に、リンス処理工程Ｓ３０６、後洗浄工程Ｓ３０７およびリンス処理工程Ｓ３０８からなる洗浄工程が実行される（Ｓ３１０）。
【００９０】
（リンス処理工程）
まず、Ｎｉめっき処理が施された基板２の表面に対してリンス処理工程が実行される（Ｓ３０６）。この場合、リンス処理液供給機構９５のバルブ９７ｂが開かれ、これによって、リンス処理液が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。
【００９１】
（後洗浄工程）
その後、後洗浄工程が実行される（Ｓ３０７）。はじめに、洗浄処理液供給機構９０のバルブ９７ａが開かれ、これによって、洗浄処理液９３が基板２の表面にノズル９２を介して供給される。処理後のリンス処理液や洗浄処理液９３は、カップ１０５の排出口１３４および処理液排出機構１３０の廃棄流路１３３を介して廃棄される。基板２の表面の後洗浄が終了すると、バルブ９７ａが閉じられる。
【００９２】
（リンス処理工程）
次に、リンス処理工程が実行される（Ｓ３０８）。このリンス処理工程Ｓ３０８は、上述のリンス処理工程Ｓ３０６と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
【００９３】
（乾燥工程）
その後、基板２を乾燥させる乾燥工程が実行される（Ｓ３０９）。例えば、ターンテーブル１１２を回転させることにより、基板２に付着している液体が遠心力により外方へ飛ばされ、これによって基板２が乾燥される。すなわち、ターンテーブル１１２が、基板２の表面を乾燥させる乾燥機構としての機能を備えていてもよい。
【００９４】
このようにして、一のめっき処理装置２０において、基板２の表面に対して、はじめにＰｄめっきが置換めっきにより施され、次にＮｉめっきが化学還元めっきにより施される。
【００９５】
その後、金めっき処理用の他のめっき処理装置２０に搬送される。そして、他のめっき処理装置２０において、置換めっきにより基板２の表面にＡｕめっき処理が施される。金めっき処理の方法は、めっき液および洗浄液が異なる点以外は、Ｐｄめっき処理のための上述の方法と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
【００９６】
本実施の形態の作用効果
ここで本実施の形態によれば、上述のように、吐出ノズル３２へ供給されるめっき液３５を貯留する供給タンク３１には、各種薬液の成分が調整された後のめっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段３４が設けられている。このため、めっき液３５中の溶存酸素の濃度を低減することができ、これによって、めっき液３５の寿命を長くすることができる。また、めっき液３５中の溶存水素の濃度を低減することができ、これによって、水素の還元作用によりめっき液中の金属イオンが還元されるのを防ぐことができ、還元された金属イオンが銅配線の近傍に析出するのを防ぐことができる。このことにより、プロセスの安定性を向上させることができる。
【００９７】
また本実施の形態によれば、上述のように、めっき液３５を第１温度に加熱する第１加熱機構５０と、めっき液３５を第２温度に加熱する第２加熱機構６０とが設けられている。すなわち、めっき液３５が二段階で第２温度まで加熱されている。このことによる効果を、比較例との対比に基づいて説明する。
【００９８】
まず第１の比較例として、めっき液が供給タンク内で第２温度まで加熱される比較例を考える。この場合、第２温度まで加熱されためっき液が供給タンク内で長時間保持されることになる。一般に、めっき温度よりも高温の第２温度でめっき液３５が保持される時間が長くなると、めっき液３５中の金属イオンの酸化が進行し、これによって、めっき液３５の寿命が短くなることが考えられる。また、めっき液が第２温度で保持されている間に、金属イオンの析出が進行してパーティクルが発生することが考えられる。これに対して本実施の形態によれば、めっき液３５を二段階で第２温度に加熱することにより、めっき液３５が第２温度で保持される時間を短くすることができ、これによって、めっき液３５の寿命を長くすることができる。また、パーティクルの発生を抑制することができる。
【００９９】
次に第２の比較例として、めっき液が供給タンク内で常温にて保持されており、そして、吐出ノズルから吐出される前にアーム内などでめっき液が第２温度まで加熱される比較例を考える。この場合、アーム内でめっき液が常温から第２温度まで加熱されるため、加熱に要する時間が長くなっている。これに対して本実施の形態によれば、供給タンク３１のめっき液３５が予め第１温度まで加熱されている。このため、めっき液３５を小さいエネルギーで素早く第２温度まで加熱することができる。このことにより、金属イオンの析出を抑制しつつプロセスのスループットを向上させることができる。
【０１００】
なお本実施の形態によれば、上述のように、めっき液３５中の溶存酸素の濃度が低減されており、さらに、供給タンク３１のめっき液３５を第１温度で保持するようにしている。従って本実施の形態によれば、これらの組合せに基づく相乗効果により、めっき液３５の寿命を著しく改善することが可能となっている。
【０１０１】
（物理洗浄工程）
ところで、上述のように供給タンク用脱気手段３４が設けられていても、めっき液３５中の溶存水素を完全に除去することが困難である場合が考えられる。この場合、水素の還元作用によりめっき液３５中の金属イオンが還元され、この際、還元された金属イオンが銅配線の近傍に球形状で析出することが考えられる。このような場合であっても、上述の本実施の形態のように、基板２の表面に物理力を印加する物理洗浄機構７０を用いて基板２を洗浄するのが有効であることを本発明者は発見した。以下、物理洗浄機構７０を用いることにより、銅配線の近傍に析出した球状の金属（以下、デフェクト）を除去する方法について説明する。
【０１０２】
デフェクトは、形成されためっき膜の近傍に集まる傾向を有している。めっき処理工程の途中または直後においては、めっき膜とデフェクトとの間にめっき液や洗浄処理液などの液体が介在していると考えられる。
【０１０３】
仮に、このようなデフェクトが形成されたままの状態で基板２が乾燥された場合、めっき膜とデフェクトとの間の液体が除去され、この際、デフェクトが金属膜に吸着されることが考えられる。このようにデフェクトがめっき膜に吸着されると、めっき膜とデフェクトとの間の距離が短くなり、このため、めっき膜からデフェクトを除去するのが困難になることが考えられる。従って、本実施の形態においては、めっき膜とデフェクトとの間にめっき液や洗浄処理液などの液体が介在して濡れている間に物理洗浄機構７０を用いてデフェクトを除去している。
【０１０４】
すなわち本実施の形態においては、図９に実線で示すように、リンス処理工程（Ｓ３０８）が物理洗浄工程（Ｓ３２０）として実行されるよう、物理洗浄機構７０が制御機構１６０によって制御される。このとき、物理洗浄機構７０は、リンス処理液供給機構９５により基板２に対してリンス処理液が供給される際、基板２に対して物理力を印加する。この場合、物理洗浄工程（Ｓ３２０）で用いられる洗浄液７４として、リンス処理工程（Ｓ３０８）で用いられる純水などのリンス処理液が使用される。このリンス処理液の液滴が、二流体ノズル７２から基板２に対して吐出され、同時に液滴生成用ガス７５が供給管７５ａを介して二流体ノズル７２に供給される。これによって純水の液滴を生成し、この液滴を基板２に向けて吐出する。このようにして、基板２がリンス処理され、かつ、めっき膜からデフェクトが除去される。
【０１０５】
このように本実施の形態によれば、基板２の表面に物理力を印加する物理洗浄機構７０が設けられている。また、物理洗浄機構７０は、基板２の表面が乾燥されるよりも前のめっき膜とデフェクトとの間に液体が介在している状態の基板２の表面に物理力を印加するよう、制御機構１６０によって制御される。このため、めっき膜とデフェクトとの間に液体が介在されている間に、デフェクトに対して物理力を加えることができる。このことにより、めっき膜からデフェクトを容易に除去することができる。
【０１０６】
（物理洗浄工程の変形例）
なお本実施の形態において、リンス処理工程（Ｓ３０８）が物理洗浄工程（Ｓ３２０）として実行される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、基板２の表面が乾燥されるよりも前の様々なタイミングにおいて、物理洗浄工程（Ｓ３２０）を実行することができる。
【０１０７】
例えば、後洗浄工程（Ｓ３０７）が実行された後であって、リンス処理工程（Ｓ３０８）が実行される前に物理洗浄工程（Ｓ３２０）を実行されるよう、物理洗浄機構７０が制御機構１６０によって制御されてもよい。この場合、物理洗浄工程（Ｓ３２０）で用いられる洗浄液７４として、純水などが使用される。この間、まずバルブ７８ａが開かれ、これによって純水などの洗浄液７４が供給管７４ａを介して二流体ノズル７２に供給される。同時に、液滴生成用ガス７５が供給管７５ａを介して二流体ノズル７２に供給される。これによって洗浄液７４の液滴が生成され、この液滴が基板２に向けて吐出されて、めっき膜からデフェクトが除去される。
【０１０８】
また、リンス処理工程（Ｓ３０８）が実行された後であって、乾燥工程（Ｓ３０９）が実行される前に物理洗浄工程（Ｓ３２０）を実行してもよい。この場合も、物理洗浄工程（Ｓ３２０）で用いられる洗浄液７４として、純水などが使用される。この純水などの洗浄液７４と液滴生成用ガス７５とが二流体ノズル７２に供給され、洗浄液７４の液滴が生成される。この液滴が基板２に向けて吐出されることにより、めっき膜からデフェクトが除去される。いずれの場合でも、めっき膜とデフェクトとの間にはリンス処理液や洗浄液が介在されており、このため、めっき膜からデフェクトを容易に除去することができる。
【０１０９】
なお、めっき膜とデフェクトとの間に洗浄液でなくリンス処理液が介在されているときに物理洗浄工程（Ｓ３２０）を実行した場合、洗浄液が物理力によって飛散するのを防ぐことができる。
【０１１０】
若しくは、後洗浄工程（Ｓ３０７）が物理洗浄工程（Ｓ３２０）として実行されてもよい。すなわち、物理洗浄工程（Ｓ３２０）で用いられる洗浄液７４として、後洗浄工程（Ｓ３０７）で用いられる洗浄処理液（薬液）９３が使用されてもよい。この場合、洗浄処理液９３の液滴が、二流体ノズル７２から基板２に対して吐出される。これによって、基板２が後洗浄処理され、かつ、めっき膜からデフェクトが除去される。
【０１１１】
（供給タンク用脱気手段の変形例）
また本実施の形態において、供給タンク用脱気手段３４が、バブリングによってめっき液３５中の溶存酸素および溶存水素を除去するものである例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、液中の溶存ガスを除去するための様々な手段が、供給タンク用脱気手段３４として採用され得る。例えば、めっき液３５をいったん低温にし、これによってめっき液３５中に溶存可能なガスの量を低減させ、これによってめっき液３５中の溶存ガスを除去する手段が用いられてもよい。
【０１１２】
（加熱機構の変形例）
また本実施の形態において、第１加熱機構５０の供給タンク用循環加熱手段５１により、めっき液３５が供給タンク３１近傍で第１温度まで加熱される例を示した。しかしながら、供給タンク３１近傍でめっき液３５を第１温度まで加熱する手段が供給タンク用循環加熱手段５１に限られることはなく、様々な手段が用いられ得る。例えば、供給タンク３１内に、めっき液３５を第１温度まで加熱するヒータが設けられていてもよい。
【０１１３】
また本実施の形態において、供給タンク３１近傍においてめっき液３５が第１温度まで加熱される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、第２加熱機構６０近傍に至るまでめっき液３５が第１温度に加熱されていてもよい。具体的には、図１１に示すように、供給タンク用循環加熱手段５１の供給タンク用循環管５２が、第２加熱機構６０の近傍でめっき液供給管３３に接続されていてもよい。このように、めっき液３５を第１温度まで加熱するための循環流路をより第２加熱機構６０近傍に配置することにより、第２加熱機構６０に至るまでにめっき液３５の温度が低下してしまうことを防止することができる。このことにより、小さなエネルギーで素早くめっき液３５を第２温度まで加熱するということをより確実にすることができる。なお「第２加熱機構６０の近傍」とは、例えば、供給タンク用循環管５２から第２加熱機構６０までの距離ｗ（図１１参照）が１ｍ以下となっていることを意味している。
【０１１４】
若しくは、第２加熱機構６０に至るまでにめっき液３５の温度が低下してしまうことを防止するため、図７において一点鎖線で示されているように、めっき液供給管３３を通るめっき液３５を第１温度で保持するための供給管用加熱手段５４が設けられていてもよい。この供給管用加熱手段５４は、めっき液供給管３３に取り付けられ、第１温度に加熱されたラバーヒータであってもよい。若しくは、供給管用加熱手段５４は、めっき液供給管３３に接するよう設けられ、第１温度に加熱された温水などの伝熱媒体を通す加熱用配管であってもよい。
【０１１５】
なお、供給管用加熱手段５４として、第１温度に加熱された伝熱媒体を通す加熱用配管が用いられる場合、供給管用加熱手段５４に第１温度の伝熱媒体を供給する媒体供給手段として、第２加熱機構６０の第１温度媒体供給手段６３が利用されてもよい。すなわち図８において一点鎖線で示すように、第２加熱機構６０の近傍に配置されている供給管用加熱手段５４に対して、第１温度の伝熱媒体が第１温度媒体供給手段６３により供給管５９を介して供給されてもよい。すなわち、吐出ノズル３２からのめっき液３５の吐出が停止された後に温度調節器６２および温度保持器６５の温度を第１温度に制御するために設けられている第１温度媒体供給手段６３が、めっき液３５の吐出中に供給管用加熱手段５４に第１温度の伝熱媒体を供給するために利用されてもよい。これによって、第２加熱機構６０に至るまでにめっき液３５の温度が低下してしまうことを防止するとともに、めっき処理装置２０の構成要素をより少なくすることができる。
【０１１６】
なお、吐出ノズル３２からのめっき液３５の吐出が停止された後に、第１温度の伝熱媒体が第１温度媒体供給手段６３により供給管５９を介して供給管用加熱手段５４に供給されてもよい。これによって、吐出ノズル３２からのめっき液３５の吐出が停止された後、第２加熱機構６０よりも供給タンク３１側に位置するめっき液供給管３３内に残っているめっき液３５を第１温度で保持することができる。この場合、めっき液３５の吐出が再開された直後であっても、第２加熱機構６０に到達するめっき液３５が第１温度に加熱されていることになる。このため、めっき液３５の吐出が再開された直後であっても、めっき液３５を第２加熱機構６０により容易に素早く第２温度まで加熱することができる。このことにより、第２温度に到達する前に吐出ノズル３２から吐出されてしまう無駄なめっき液３５の量を低減することができる。これによって、めっき処理を開始できるようになるまでの時間を短縮することができ、このことにより、プロセスのスループットを向上させることができる。
【０１１７】
（物理洗浄機構の変形例）
また本実施の形態において、物理洗浄機構７０として、洗浄液７４の液滴を吐出する液滴吐出手段７１が用いられる例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、その他の方法により基板２の表面に物理力を印加する手段が用いられてもよい。例えば図１２に示すように、物理洗浄機構７０として、二流体ノズル７２を有する液滴吐出手段７１の代わりに、基板２の表面に当接する刷毛部７９ａを有する洗浄ブラシ７９や高圧ノズルや超音波ノズルが用いられてもよい。いずれの場合であっても、液滴吐出手段７１が用いられる場合と同様に、めっき膜とデフェクトとの間にめっき液３５などの液体が介在されている間に、物理洗浄機構７０がデフェクトに対して物理力を印加する。これによって、めっき膜からデフェクトを容易に除去することができる。
【０１１８】
（その他の変形例）
また本実施の形態において、めっき処理装置２０により、Ｎｉを含むめっき液３５が化学還元めっきにより基板２の表面に施される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、めっき処理装置２０により、様々なめっき液を化学還元めっきにより基板２の表面に施すことができる。例えば、Ｃｏを含むめっき液（ＣｏＷＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＢ、ＣｏＰなどのめっき液）が化学還元めっきにより基板２の表面に施され得る。これらのめっき液が用いられる場合においても、供給タンク用脱気手段３４による溶存酸素および溶存水素の除去や、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０によるめっき液３５の二段階加熱が実施されてもよい。この場合、第１温度および第２温度の具体的な値は、めっき液のめっき温度に応じて適宜設定される。例えばめっき液３５としてＣｏＰのめっき液が用いられる場合、そのめっき温度は５０〜７０度となっており、そして、第１温度が４０度〜上記めっき温度の範囲内に設定され、第２温度が上記めっき温度〜９０度の範囲内に設定される。
【０１１９】
また本実施の形態において、めっき液供給機構３０Ａにも、めっき液供給機構３０の場合と同様に第１加熱機構５０および第２加熱機構６０が設けられ、また、Ｐｄを含むめっき液３５Ａに対しても、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０による二段階加熱が実施されてもよい。
【０１２０】
また本実施の形態において、一のめっき処理装置２０におけるめっき処理として、基板２にＰｄめっきが置換めっきにより施され、次にＮｉめっきが化学還元めっきにより施される例を示した（図９のＳ３０２〜Ｓ３０９参照）。しかしながら、これに限られることはなく、一のめっき処理装置２０におけるめっき処理として、化学還元めっきのみが実施されてもよい。この場合、図９に示す各工程のうち、Ｓ３０３およびＳ３０４を除く工程が実施されることになる。この際、化学還元めっきのためのめっき液が特に限られることはなく、ＣｏＷＢ、ＣｏＷＰ、ＣｏＢ、ＣｏＰおよびＮｉＰなど、化学還元めっきのための様々なめっき液が用いられ得る。
【０１２１】
第２の実施の形態
次に図１３および図１４を参照して、本発明の第２の実施の形態について説明する。図１３および図１４に示す第２の実施の形態は、めっき液排出機構から排出されためっき液の成分を調整し、成分が調整されためっき液をめっき液供給機構の供給タンクに供給するめっき液回収機構がさらに設けられている点が異なるのみであり、他の構成は、図１乃至図１２に示す第１の実施の形態と略同一である。図１３および図１４に示す第２の実施の形態において、図１乃至図１２に示す第１の実施の形態と同一部分には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１２２】
本実施の形態においては、めっき液排出機構１２０の回収流路１２２により回収されたＮｉを含む処理後のめっき液が再利用される。以下、図１３を参照して、処理後のめっき液を再利用するためのめっき液回収機構８０について説明する。
【０１２３】
めっき液回収機構
図１３に示すように、めっき液回収機構８０は、めっき液排出機構１２０から排出された処理後のめっき液８５を貯留する回収タンク８１と、回収タンク８１に貯留されるめっき液８５中の溶存酸素および溶存水素を除去する回収タンク用脱気手段８４と、を有している。このうち回収タンク用脱気手段８４は、上述の供給タンク用脱気手段３４と同様に、窒素などの不活性ガスを回収タンク８８内に供給するガス供給管８４ａを含んでいる。すなわち回収タンク用脱気手段８４は、いわゆるバブリングによってめっき液８５中の溶存酸素および溶存水素を除去するためのものとなっている。回収タンク用脱気手段８４およびガス供給管８４ａの構成および作用効果は、供給タンク用脱気手段３４およびガス供給管３４ａの構成および作用効果と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
【０１２４】
まためっき液回収機構８０は、めっき液排出機構１２０から排出された処理後のめっき液８５に不足している成分を追加する補充手段８８ａと、回収タンク８８に貯留されるめっき液８５を撹拌する撹拌手段８１と、をさらに有していてもよい。このうち補充手段８１は、Ｎｉイオンを含むＮｉＰ金属塩、還元剤および添加剤などの薬液をめっき液８５に補充して、めっき液８５の成分を適切に調整するためのものである。なお、このような成分調整をより正確に行うため、図１３において一点鎖線で示されているように、回収タンク８８に、めっき液８５の特性をモニタするモニタ手段８７ｂが設けられていてもよい。モニタ手段８７ｂは、例えば、めっき液８５のｐＨをモニタするｐＨモニタなどからなっている。
【０１２５】
撹拌手段８１は、例えば図１３に示すように、回収タンク８８近傍でめっき液８５を循環させることによりめっき液８５を撹拌するものとなっている。このような撹拌手段８１は、図１３に示すように、その一端８２ａおよび他端８２ｂが回収タンク８８に接続された回収タンク用循環管８２と、回収タンク用循環管８２に介挿されたポンプ８６およびフィルター８９と、を有している。このような撹拌手段８１を設けることにより、めっき液８５を撹拌しながら、めっき液内に含まれる様々な不純物を除去することができる。例えば、めっき液から金属イオンが析出する際の核となり得る不純物（パーティクル）を除去することができる。なお撹拌手段８１には、めっき液８５を供給タンク３１に供給するための接続管８３が取り付けられている。
【０１２６】
次に、このような構成からなる本実施の形態の作用について説明する。ここでは、基板２の表面にＮｉめっきを行う方法について、図１４を参照して説明する。なお図１４のフローチャートに示される各工程において、図９および図１０に示す第１の実施の形態のフローチャートの各工程と同一工程には同一符号を付して詳細な説明は省略する。
【０１２７】
〔回収工程〕
基板２に対するＮｉめっき処理を実施するために用いられた後の処理後のめっき液８５が、基板２から飛散して排出口１２４に到達する。排出口１２４に到達した処理後のめっき液８５は、液排出機構１２０の回収流路１２２を介して回収タンク８８に送られる（Ｓ３２１）。
【０１２８】
〔成分調整工程〕
次に、上述の補充手段を用いて、処理後のめっき液８５に不足している成分を追加する（Ｓ３２２）。この際、追加された成分と処理後のめっき液８５とが十分に混合されるよう、撹拌手段８１を用いてめっき液８５を撹拌する。
【０１２９】
〔脱気工程〕
その後、または成分調整工程（Ｓ３２２）と同時に、回収タンク８８内に貯留されているめっき液８５中の溶存酸素および溶存水素を除去する（Ｓ３２３）。具体的には、図１３に示すように、ガス供給管８４ａを介して回収タンク８８内に窒素を導入する。これによって、回収タンク８８内に貯留されているめっき液８５中の溶存酸素および溶存水素が溶存窒素に置換され、この結果、めっき液８５中の溶存酸素および溶存水素が除去される。
【０１３０】
溶存酸素および溶存水素が除去されためっき液８５は、図１３に示すように、接続管８３を介して供給タンク３１に送られる。
【０１３１】
回収し再生しためっき液を含むめっき液を使用して実施されるＮｉめっき処理方法の工程Ｓ３１３〜Ｓ３１７は、図１０に示す第１の実施の形態における工程Ｓ３１３〜Ｓ３１７と略同一であるので、詳細な説明は省略する。
【０１３２】
本実施の形態の作用効果
このように本実施の形態によれば、処理後のめっき液８５がめっき液回収機構８０により再利用される。このため、めっき液をより有効に活用することができ、この結果、めっき液に要するコストを低減することができる。まためっき液回収機構８０は、めっき液８５中の溶存酸素および溶存水素を除去する回収タンク用脱気手段８４を有している。このため、めっき液８５中の溶存酸素の濃度を低減することができ、これによって、めっき液８５の寿命を長くすることができる。また、めっき液８５中の溶存水素の濃度を低減することができ、これによって、水素の還元作用によりめっき液中の金属イオンが還元されるのを防ぐことができる。このことにより、還元された金属イオンが銅配線の近傍に析出するのを防ぐことができる。
【０１３３】
また本実施の形態によれば、図１３に示すように、供給タンク３１にも供給タンク用脱気手段３４が設けられている。このため、めっき液３５中の溶存酸素および溶存水素の濃度をさらに低減することができる。このことにより、めっき液３５の寿命をさらに長くすることができ、かつ、水素の還元作用によりめっき液中の金属イオンが還元されるのをより強固に防ぐことができる。また、めっき液３５の寿命を長くする効果は、第１加熱機構５０および第２加熱機構６０を利用してめっき液３５を二段階で加熱することによってさらに促進され得る（図１３参照）。
【０１３４】
なお本実施の形態においても、上述の第１の形態の場合と同様に、物理洗浄機構７０を用いることにより、銅配線の近傍に析出し得る球状の金属（デフェクト）を除去している。これによって、仮にめっき液３５中の溶存水素を完全に除去することが困難であり、銅配線の近傍にデフェクトが発生する場合であっても、そのようなデフェクトを除去することができる。
【０１３５】
なお本実施の形態において、回収タンク８８内に貯留されているめっき液８５の溶存酸素および溶存水素が回収タンク用脱気手段８４により除去され、さらに、供給タンク３１内に貯留されているめっき液３５の溶存酸素および溶存水素が供給タンク用脱気手段３４により除去される例を示した。しかしながら、これに限られることはなく、例えば回収タンク用脱気手段８４によりめっき液の溶存酸素および溶存水素が十分に除去される場合、供給タンク用脱気手段３４が設けられていなくてもよい。
【０１３６】
また、上述の第１の実施の形態において説明した変形例が、本実施の形態において採用されてもよい。例えば、供給タンク用循環加熱手段５１の供給タンク用循環管５２が第２加熱機構６０の近傍でめっき液供給管３３に接続されていてもよい。若しくは、図１３において一点鎖線で示されるように、めっき液供給管３３を通るめっき液３５を第１温度で保持するための供給管用加熱手段５４が設けられていてもよい。また、供給管用加熱手段５４として、第１温度に加熱された伝熱媒体を通す加熱用配管が用いられる場合、供給管用加熱手段５４に第１温度の伝熱媒体を供給する媒体供給手段として、第２加熱機構６０の第１温度媒体供給手段６３が利用されてもよい。
【符号の説明】
【０１３７】
１ めっき処理システム
２ 基板
２０ めっき処理装置
３０ めっき液供給機構
３１ 供給タンク
３２ 吐出ノズル
３３ めっき液供給管
３４ 供給タンク用脱気手段
３４ａ ガス供給管
３５ めっき液
４０ めっき液回収機構
４１ 回収タンク
４２ 回収タンク用脱気手段
４３ 補充手段
４４ 撹拌手段
５０ 第１加熱機構
５１ 供給タンク用循環加熱手段
５２ 供給タンク用循環管
５３ 供給タンク用ヒータ
５４ 供給管用加熱手段
６０ 第２加熱機構
６１ 第２温度媒体供給手段
６２ 温度調節器
６３ 第１温度媒体供給手段
６４ 保温器
６５ 温度保持器
７０ 物理洗浄機構
７１ 液滴吐出手段
７２ 二流体ノズル
７４ 洗浄液
７４ａ 供給管
７５ 液滴生成用ガス
７５ａ 供給管
７９ａ 刷毛部
８０ めっき液回収機構
８１ 撹拌手段
８２ 回収タンク用循環管
８４ 回収タンク用脱気手段
８５ 処理後のめっき液
８８ 回収タンク
８８ａ 補充手段
９０ 洗浄処理液供給機構
９５ リンス処理液供給機構
１１０ 基板回転保持機構
１６１ 記憶媒体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、
前記基板を収容する基板収容部と、
前記基板収容部に収容された前記基板に対してめっき液を供給するめっき液供給機構と、
前記基板収容部に収容された前記基板に対して物理力を印加することにより前記基板を洗浄する物理洗浄機構と、を備え、
前記物理洗浄機構は、前記めっき液供給機構により前記基板に対してめっき液が供給された後、前記基板が乾燥されるよりも前に、前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄することを特徴とするめっき処理装置。
【請求項２】
前記物理洗浄機構は、洗浄液の液滴を吐出する液滴吐出手段を有することを特徴とする請求項１に記載のめっき処理装置。
【請求項３】
前記液滴吐出手段は、純水と液滴生成用ガスとを混合して純水の液滴を生成し、この純水の液滴を前記基板に対して吐出する二流体ノズルを有することを特徴とする請求項２に記載のめっき処理装置。
【請求項４】
前記物理洗浄機構は、薬液と液滴生成用ガスとを混合して薬液の液滴を生成し、この薬液の液滴を前記基板に対して吐出する二流体ノズルを有することを特徴とする請求項２に記載のめっき処理装置。
【請求項５】
前記物理洗浄機構は、前記基材に当接する刷毛部を含む洗浄ブラシを有することを特徴とする請求項１に記載のめっき処理装置。
【請求項６】
前記めっき液供給機構により前記基板に対してめっき液が供給された後に、前記基板収容部に収容された前記基板に対して薬液を供給する薬液供給機構をさらに備え、
前記物理洗浄機構は、前記薬液供給機構により前記基板に対して前記薬液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも前に、前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のめっき処理装置。
【請求項７】
前記薬液供給機構により前記基板に対して薬液が供給された後に、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構をさらに備え、
前記物理洗浄機構は、前記リンス処理液供給機構により前記基板に対して前記リンス処理液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも前に前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄することを特徴とする請求項６に記載のめっき処理装置。
【請求項８】
前記薬液供給機構により前記基板に対して薬液が供給された後に、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構をさらに備え、
前記物理洗浄機構は、前記リンス処理液供給機構により前記基板に対して前記リンス処理液が供給される際、前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄することを特徴とする請求項６に記載のめっき処理装置。
【請求項９】
前記めっき液供給機構は、前記基板に供給されるめっき液を貯留する供給タンクと、めっき液を前記基板に対して吐出する吐出ノズルと、前記供給タンクのめっき液を前記吐出用ノズルへ供給するめっき液供給管と、前記供給タンクに貯留されるめっき液中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段と、を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のめっき処理装置。
【請求項１０】
前記基板から飛散しためっき液を前記収容部から排出するめっき液排出機構と、
前記めっき液排出機構から排出されためっき液を回収して前記めっき液供給機構の前記供給タンクに送るめっき液回収機構と、をさらに備え、
前記めっき液回収機構は、前記めっき液排出機構から排出されためっき液を貯留する回収タンクと、前記回収タンクに貯留されるめっき液中の溶存酸素および溶存水素を除去する回収タンク用脱気手段と、を有することを特徴とする請求項９に記載のめっき処理装置。
【請求項１１】
基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、
前記基板を基板収容部に収容することと、
前記基板収容部に収容された前記基板に対してめっき液を供給することと、
前記基板にめっき液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対して物理力を印加することにより前記基板を洗浄することと、
前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄した後、前記基板収容部に収容された前記基板を乾燥させることと、を備えたことを特徴とするめっき処理方法。
【請求項１２】
前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、二流体ノズルによって行われることを特徴とする請求項１１に記載のめっき処理方法。
【請求項１３】
前記基板にめっき液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対して薬液を供給することをさらに備え、
前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、前記基板に前記薬液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも前に行われることを特徴とする請求項１１または１２に記載のめっき処理方法。
【請求項１４】
前記基板に前記薬液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給することをさらに備え、
前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、前記基板に前記リンス処理液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも行われることを特徴とする請求項１３に記載のめっき処理方法。
【請求項１５】
前記基板に前記薬液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給することをさらに備え、
前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、前記基板に前記リンス処理液が供給される際に行われることを特徴とする請求項１３に記載のめっき処理方法。
【請求項１６】
めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記めっき処理方法は、
前記基板を基板収容部に収容することと、
前記基板収容部に収容された前記基板に対してめっき液を供給することと、
前記基板にめっき液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対して物理力を印加することにより前記基板を洗浄することと、
前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄した後、前記基板収容部に収容された前記基板を乾燥させることと、を有することを特徴とする記憶媒体。
【請求項１】
基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理装置において、
前記基板を収容する基板収容部と、
前記基板収容部に収容された前記基板に対してめっき液を供給するめっき液供給機構と、
前記基板収容部に収容された前記基板に対して物理力を印加することにより前記基板を洗浄する物理洗浄機構と、を備え、
前記物理洗浄機構は、前記めっき液供給機構により前記基板に対してめっき液が供給された後、前記基板が乾燥されるよりも前に、前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄することを特徴とするめっき処理装置。
【請求項２】
前記物理洗浄機構は、洗浄液の液滴を吐出する液滴吐出手段を有することを特徴とする請求項１に記載のめっき処理装置。
【請求項３】
前記液滴吐出手段は、純水と液滴生成用ガスとを混合して純水の液滴を生成し、この純水の液滴を前記基板に対して吐出する二流体ノズルを有することを特徴とする請求項２に記載のめっき処理装置。
【請求項４】
前記物理洗浄機構は、薬液と液滴生成用ガスとを混合して薬液の液滴を生成し、この薬液の液滴を前記基板に対して吐出する二流体ノズルを有することを特徴とする請求項２に記載のめっき処理装置。
【請求項５】
前記物理洗浄機構は、前記基材に当接する刷毛部を含む洗浄ブラシを有することを特徴とする請求項１に記載のめっき処理装置。
【請求項６】
前記めっき液供給機構により前記基板に対してめっき液が供給された後に、前記基板収容部に収容された前記基板に対して薬液を供給する薬液供給機構をさらに備え、
前記物理洗浄機構は、前記薬液供給機構により前記基板に対して前記薬液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも前に、前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄することを特徴とする請求項１乃至５のいずれか一項に記載のめっき処理装置。
【請求項７】
前記薬液供給機構により前記基板に対して薬液が供給された後に、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構をさらに備え、
前記物理洗浄機構は、前記リンス処理液供給機構により前記基板に対して前記リンス処理液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも前に前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄することを特徴とする請求項６に記載のめっき処理装置。
【請求項８】
前記薬液供給機構により前記基板に対して薬液が供給された後に、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給するリンス処理液供給機構をさらに備え、
前記物理洗浄機構は、前記リンス処理液供給機構により前記基板に対して前記リンス処理液が供給される際、前記基板に対して物理力を印加して前記基板を洗浄することを特徴とする請求項６に記載のめっき処理装置。
【請求項９】
前記めっき液供給機構は、前記基板に供給されるめっき液を貯留する供給タンクと、めっき液を前記基板に対して吐出する吐出ノズルと、前記供給タンクのめっき液を前記吐出用ノズルへ供給するめっき液供給管と、前記供給タンクに貯留されるめっき液中の溶存酸素および溶存水素を除去する供給タンク用脱気手段と、を有することを特徴とする請求項１乃至８のいずれか一項に記載のめっき処理装置。
【請求項１０】
前記基板から飛散しためっき液を前記収容部から排出するめっき液排出機構と、
前記めっき液排出機構から排出されためっき液を回収して前記めっき液供給機構の前記供給タンクに送るめっき液回収機構と、をさらに備え、
前記めっき液回収機構は、前記めっき液排出機構から排出されためっき液を貯留する回収タンクと、前記回収タンクに貯留されるめっき液中の溶存酸素および溶存水素を除去する回収タンク用脱気手段と、を有することを特徴とする請求項９に記載のめっき処理装置。
【請求項１１】
基板にめっき液を供給してめっき処理を行うめっき処理方法において、
前記基板を基板収容部に収容することと、
前記基板収容部に収容された前記基板に対してめっき液を供給することと、
前記基板にめっき液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対して物理力を印加することにより前記基板を洗浄することと、
前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄した後、前記基板収容部に収容された前記基板を乾燥させることと、を備えたことを特徴とするめっき処理方法。
【請求項１２】
前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、二流体ノズルによって行われることを特徴とする請求項１１に記載のめっき処理方法。
【請求項１３】
前記基板にめっき液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対して薬液を供給することをさらに備え、
前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、前記基板に前記薬液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも前に行われることを特徴とする請求項１１または１２に記載のめっき処理方法。
【請求項１４】
前記基板に前記薬液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給することをさらに備え、
前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、前記基板に前記リンス処理液が供給された後であって、前記基板が乾燥されるよりも行われることを特徴とする請求項１３に記載のめっき処理方法。
【請求項１５】
前記基板に前記薬液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対してリンス処理液を供給することをさらに備え、
前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄することは、前記基板に前記リンス処理液が供給される際に行われることを特徴とする請求項１３に記載のめっき処理方法。
【請求項１６】
めっき処理装置にめっき処理方法を実行させるためのコンピュータプログラムを格納した記憶媒体において、
前記めっき処理方法は、
前記基板を基板収容部に収容することと、
前記基板収容部に収容された前記基板に対してめっき液を供給することと、
前記基板にめっき液が供給された後、前記基板収容部に収容された前記基板に対して物理力を印加することにより前記基板を洗浄することと、
前記基板に物理力を印加して前記基板を洗浄した後、前記基板収容部に収容された前記基板を乾燥させることと、を有することを特徴とする記憶媒体。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【公開番号】特開２０１２−１５３９３４（Ｐ２０１２−１５３９３４Ａ）
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１３４４３（Ｐ２０１１−１３４４３）
【出願日】平成２３年１月２５日（２０１１．１．２５）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月１６日（２０１２．８．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２５日（２０１１．１．２５）
【出願人】（０００２１９９６７）東京エレクトロン株式会社 (5,184)
【Ｆターム（参考）】
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