めっき処理装置およびめっき処理方法
【課題】触媒層に対するアルカリ処理の処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行うことが可能なめっき処理装置を提供する。
【解決手段】上流から下流にプラスチック基板（被処理物）１１０を搬送しながら、めっき液を用いてプラスチック基板１１０の被処理面上にめっき層１１４を形成するめっき処理槽（めっき処理装置）１０であって、搬送部９と、初期析出部７と、を備えている。搬送部９は、被処理物を上流側から下流側へ搬送する。初期析出部７は、当該めっき処理装置の上流側に備えられ、めっき処理による析出物が被処理面上において層状になるまでの析出処理を行う。
【解決手段】上流から下流にプラスチック基板（被処理物）１１０を搬送しながら、めっき液を用いてプラスチック基板１１０の被処理面上にめっき層１１４を形成するめっき処理槽（めっき処理装置）１０であって、搬送部９と、初期析出部７と、を備えている。搬送部９は、被処理物を上流側から下流側へ搬送する。初期析出部７は、当該めっき処理装置の上流側に備えられ、めっき処理による析出物が被処理面上において層状になるまでの析出処理を行う。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長尺の被処理物の被処理面にめっき処理を施すめっき処理装置およびめっき処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来行われていた個々の物品に対するめっきとともに、近年では、連続する長尺の被処理物（例えば、連続するフィルム状のプラスチック基板）上にめっきを施すことも行われている。このような連続した長尺の被処理物のめっき処理装置では、被処理物の搬送路における上流側から、脱脂槽、アルカリ処理槽、触媒処理槽、還元処理槽、めっき処理槽などの複数の処理槽が備えられており、これらを被処理物が一定の速度で通過しつつ処理される。
【０００３】
ここで、アルカリ処理槽とは、被処理物の被処理面に触媒層を形成するための前処理を行うための処理槽であって、アルカリ溶液によって被処理面に対して改質処理を行うためのものである。また、触媒処理槽とは、めっき処理を行う前にめっきの析出を可能にするために改質された被処理面上に触媒を付与するための処理槽であって、この処理槽によって形成される触媒層の厚みは、上記アルカリ溶液による表面処理（以下、アルカリ処理と記述する）の処理深さに依存する。なお、この触媒槽で付与される触媒は、パラジウム、ニッケル、銅、スズなどである（例えば、特許文献１参照）。特に、触媒としてパラジウム錯体を用いる方法は、被処理面と高い密着性を有するめっき層を形成することが可能であるため、広く用いられている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
つまり、フィルム状プラスチックなど、プラスチック基材のめっき処理装置では、めっき処理、すなわち析出処理によって形成される層の直下面側に、めっきの析出を可能にする触媒層を形成するためにアルカリ処理槽および触媒処理槽が設けられている。そしてさらに、めっきの析出を可能とするために、めっき処理の直前に触媒層に含まれる触媒を金属化させる処理（還元処理）を行うための還元処理槽が設けられている。
【０００５】
しかし、このようなめっき処理において、上記アルカリ処理は、プラスチック基材の被処理面に対して損傷を与えることになり、この処理深さが深い場合、損傷領域の深さも深くなる。そして、この損傷領域においては、経時変化にともなって被処理物とめっき層との密着性が低下することが問題となっている。つまり、アルカリ処理の処理深さを浅くすると、経時変化によるめっき層の密着性の低下を軽減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１６２１２２号公報
【特許文献２】国際公開第２００７／０６６４６０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のように、経時変化にともなうめっき層の密着性の低下を軽減するために、プラスチック基板表面に対するアルカリ処理の処理深さを浅くすることが望ましいが、そうすると、触媒層の厚みも薄くなるという問題が生じる。このように触媒層の厚みを薄くした場合、その後のめっき処理槽におけるめっき処理において、めっき液の液流により触媒層内に含まれる触媒の離脱が生じてしまうことがあり、この結果、触媒層内の触媒の分布が不均一となり、不均一なめっき層が形成されてしまう。
【０００８】
そこで、本発明の課題は、アルカリ処理の処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行うことが可能なめっき処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係るめっき処理装置は、上流から下流に被処理物を搬送しながら、めっき液を用いて被処理物の被処理面上にめっき層を形成するめっき処理装置であって、搬送部と、初期析出部と、を備えているものである。搬送部は、被処理物を上流側から下流側へ搬送する。初期析出部は、当該めっき処理装置の上流側に備えられ、めっき処理による析出物が被処理面上において層状になるまでの析出処理を行う。
【００１０】
ここでは、被処理物を上流から下流に搬送しながら被処理物の被処理面にめっき層を形成するめっき処理装置において、均一なめっき層を効率よく形成するために、以下のような構成を採用している。
【００１１】
当該めっき処理装置は、被処理物を上流から下流に搬送しながら、その被処理物の被処理面に対し、めっき処理に必要な工程を順に行う。そして、このめっき処理装置は、搬送部と、めっき処理による析出物が層状になるまでの析出処理を行う初期析出部を備えている。
【００１２】
ここで、被処理物は、例えば、長尺のフィルムであってもよい。また、搬送部は、例えば、搬送ローラであってもよい。
【００１３】
また、めっき処理とは、溶液（めっき液）中に溶解している無機材料（例えば、金属）を物質（被処理物）の表面（被処理面）に析出させる析出処理である。通常、このようなめっき処理を施す被処理物の被処理面上には、析出を可能にするための触媒層などが設けられている。
【００１４】
また、初期析出部とは、当該装置における上流側に設けられており、めっき処理を行う前に被処理面上に付与した触媒を離脱させないために、めっき処理によって析出した析出物が層状になるまでの析出処理を確実に行うものである。このため、例えば、この初期析出部は、被処理面の搬送速度に対して、めっき処理に用いるめっき液の流速を、上記触媒層内に含まれる触媒（または、その一部）がめっき液による洗い流し（離脱）が生じない程度に遅く（例えば、０．３メートル毎秒（ｍ／ｓ））した構成であることが好ましい。
【００１５】
具体的には、この初期析出部は、めっき液の流入口を設けない領域であってもよい。また、この初期析出部は、めっき液の流入口の近傍にめっき液の流速を抑制する抑制板が配置されている領域であってもよい。更に、この初期析出部は、被処理面の走行方向に対して略平行かつ同じ向きにめっき液を流入させる流入口を設けた領域であってもよい。
【００１６】
また、析出物が層状になる状態とは、析出物が被処理面全体を一様に覆う状態である。すなわち、この状態は、析出物の下面側に存在する層（めっき処理の前に設けられた層）が、析出物によって被覆されることにより、析出物以外のもの、すなわちめっき液や粒子に曝露されていない状態である。
【００１７】
これまで、このような量産用のめっき処理装置では、被処理物の被処理面に対し、脱脂処理、アルカリ処理、触媒層の形成（触媒処理）、触媒層の還元処理およびめっき処理を順に行っている。
【００１８】
このようなめっき処理において、上記アルカリ処理は、被処理面に対して損傷を与えることになり、この処理深さが深い場合、損傷領域の深さも深くなる。そして、この損傷領域の経時変化にともなって、被処理物とめっき層との密着性が低下することが問題となっている。つまり、アルカリ処理の処理深さを浅くすると、経時変化によるめっき層の密着性の低下を軽減することができる。
【００１９】
しかしながら、上述のように、経時変化にともなうめっき層の密着性の低下を軽減するために、プラスチック基板表面に対するアルカリ処理の処理深さを浅くすると、触媒層の厚みも薄くなる。この場合、その後のめっき処理槽におけるめっき処理において、めっき液の液流により触媒層内に含まれる触媒の離脱が生じてしまう。この結果、触媒層内の触媒の分布が不均一となり、不均一なめっき層が形成されてしまう。
【００２０】
そこで、本発明は、アルカリ処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行う初期析出部を当該装置の上流側領域に備えている。
【００２１】
このような構成により、上流側から搬送されてくる被処理物の被処理面に対し、めっき処理の前に形成された触媒層内に含まれる触媒が離脱してしまうことを防止することができる。したがって、この層を覆うめっき層のうちの初期析出層を均一に形成することが可能になる。また、離脱した触媒がめっき層へ混入することを防止することが可能になる。
【００２２】
この結果、領域依存がない、すなわち被めっき物の全面において均一で良質なめっき層を形成することができる。したがって、品質の高い被処理物を安定して作製することが可能になり、歩留まりの高い製造を行うことができる。
【００２３】
請求項２に係るめっき処理装置は、請求項１発明に係るめっき処理装置であって、めっき液の流速を抑える遮蔽板を含むものである。
ここでは、めっき液の流速を抑えるために、遮蔽板を設けている。
ここで、遮蔽板は、めっき液の流入口の近傍に設けられることが好ましい。
【００２４】
通常、量産用のめっき処理装置では、槽の内部にめっき液が満たされている。そして、長尺の被処理物がそのめっき液が満たされた槽（めっき槽）内部を通過することによってめっき処理が連続して行われる。このとき、めっき液は、析出が進むに連れて希釈されるため、濃度が調整されためっき液をめっき槽に常に流入する必要がある。つまり、遮蔽板は、この常に流入されるめっき液のめっき槽内における流速を抑えるためのものであってもよい。
【００２５】
これにより、初期析出部では、めっき液の流速を抑えつつ、めっき液を攪拌および循環させることが可能になる。したがって、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒が被処理面から離脱することを防ぎつつ、常に一定範囲の濃度のめっき液を被処理面に対して供給することが可能になる。
【００２６】
この結果、量産用のめっき処理においても、均一かつ良質なめっき層を連続して形成することが可能になる。
【００２７】
請求項３に係るめっき処理装置は、請求項１または２に係るめっき処理装置であって、初期析出部は、被処理面側において、めっき液が上流側から下流側に向けて流れる。
【００２８】
ここでは、被処理物の搬送方向、すなわち被処理面の走行方向に合わせて、めっき液が上流側から下流側に向けて流れる。
【００２９】
ここで、めっき液が上流側から下流側に流れるための構成として、例えば、めっき液の流入口を上流側に設け、流出口を下流側に設ける構成が好ましい。
【００３０】
これにより、めっき液と被処理物との相対速度を比較的低くすることができる。したがって、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒が離脱することを防ぐことが可能になる結果、均一かつ良質なめっき層を形成することが可能になる。
【００３１】
請求項４に係るめっき処理装置は、請求項１から３ののいずれか１つに係るめっき処理装置であって、初期析出部は、被処理物の搬入口に隣接する液漏れ防止部を含む。
【００３２】
ここでは、めっき液が被処理物の搬入口から漏れることによって、めっき液の流速が速くなることを防ぐために、搬入口に隣接する液漏れ防止部が設けられている。
【００３３】
ここで、通常、量産用のめっき処理装置は、連続して搬送される被処理物に対して、効率よくめっき処理を施し続けるために、めっき槽における被処理物の搬入口および搬出口からめっき液が漏れ出し、この漏れ出しためっき液を循環させて再びめっき槽に流入させる構成を採用している。したがって、液漏れ防止部とは、めっき槽における被処理物の搬入口からめっき液が漏れ出すことを軽減するためのものであって、例えば、その搬入口に隣接して被処理物を挟持する一対のローラであってもよい。
【００３４】
これにより、上記のような量産用のめっき処理装置であっても、初期析出部における被処理物の搬入口、すなわち上流側からめっき液が漏れ出すことを軽減することができる。したがって、被処理物の搬送方向とは逆向きのめっき液の流れを軽減することが可能になる。つまり、被処理面に対するめっき液の相対速度が速くなることを軽減することができる。
【００３５】
この結果、特に、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒の離脱に最も影響を及ぼす領域である初期析出部の上流領域において、従来よりも均一かつ良質な析出処理を行うことが可能になる。
【００３６】
請求項５に係るめっき処理装置は、第１から第４の発明のいずれか１つに係るめっき処理装置であって、初期析出部の下流側に、厚付け部をさらに備えている。厚付け部は、初期析出部によって形成された層状の析出物が所望の厚さになるまでの析出処理を行う。
【００３７】
ここでは、めっき処理による析出物、すなわちめっき層を所望の厚さに形成する厚付け部をさらに備えている。
【００３８】
ここで、厚付け部は、初期析出部を形成するめっき槽と同じ槽に設けられていてもよく、または、独立した槽として設けられていてもよい。そして、この厚付け部におけるめっき液の流速には、初期析出部のめっき液の流速や被処理物の搬送に影響を与えない程度であれば特に制限はないが、初期析出部における流速以上の速度であってもよい。これは、すでに、初期析出部において析出した析出物によって、めっき処理の前に形成された触媒層が覆われているため、この触媒層がめっき液によって離脱するおそれがないためである。また、所望の厚さとは、例えば、１００ｎｍ程度であってもよい。
【００３９】
これにより、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒が初期析出部において形成された層状の析出物によって覆われた後に、析出物、すなわちめっき層が所望の厚さになるまでのめっき処理を行うことができる。
【００４０】
この結果、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒が被処理面から離脱するおそれを考慮することなく、所望の厚さのめっき層を均一かつ効率的に形成することが可能になる。
【００４１】
請求項６に係るめっき処理装置は、請求項５に係るめっき処理装置であって、初期析出部における被処理面に対するめっき液の流速を、厚付け部における被処理面に対するめっき液の流速以下の流速とするものである。
【００４２】
ここでは、めっき液の流速が、厚付け部と比較して、初期析出部の流速が遅い、または同じ流速である。
【００４３】
ここで、めっき液の流速は、めっき槽内で積極的にめっき液を攪拌しない限り、主に、めっき液がめっき槽に流入する際の速度に依存する。したがって、初期析出部と厚付け部とにおけるそれぞれのめっき液の流速の制御は、例えば、めっき液の流入口の有無または設置場所、あるいはこの流入口におけるめっき液の流速などを調整することによって制御するものであってもよい。
【００４４】
これにより、めっき液の流速が遅い初期析出部においては、触媒を離脱させることなく被処理面を一様に覆うことができ、めっき液の流速が速い厚付け部においては、めっき液の攪拌が十分に行われるためめっき液濃度、めっき液温度のばらつきを軽減することができる。したがって、より均一なめっき層を形成することが可能になる。
【００４５】
請求項７に係るめっき処理装置は、請求項５または６に係るめっき処理装置であって、被処理物の搬送方向における初期析出部の長さＬａと厚付け部の長さＬｂとの関係が、Ｌａ≧Ｌｂ／２のものである。
【００４６】
ここで、一般的に用いられるめっき層の厚さは、およそ９０ｎｍ以上である。また、通常のめっき処理に用いられる触媒層の全体を覆うために要求される析出物（めっき層）の厚さはおよそ３０ｎｍである。また、当該めっき処理装置のような搬送型のめっき処理では、めっき液の濃度や搬送速度が一定である場合、めっき液に被処理面を浸している時間とめっき層の厚さとが比例する。したがって、上記触媒層を一様に覆うには、ＬａがＬｂの１／２以上であればよい。
【００４７】
これにより、初期析出部において、確実に、めっき処理の前に形成された層を覆う析出層を形成することが可能になる結果、必要最小限の初期析出部を設ければよく、無駄なスペースを費やすことがないため、効率的に、均一かつ良質なめっき処理を行うことが可能になる。
【００４８】
請求項８に係るめっき処理装置は、請求項５から７のいずれか１つに係るめっき処理装置であって、初期析出部が、厚付け部に対して独立して設けられているものである。
【００４９】
ここで、初期析出部と厚付け部とが独立して設けられているとは、例えば、それぞれを構成するための槽が別々に設けられていることである。つまり、搬送方向上流側に初期析出部を構成する槽が設けられ、その下流側に厚付け部を構成する槽が設けられている。
【００５０】
これにより、初期析出部と厚付け部とのめっき液が互いに干渉することがない。このため、個々のめっき処理条件（例えば、めっき液の濃度や流速など）をそれぞれ別々に制御することが可能になる。
【００５１】
この結果、さらに高精度なめっき処理を行うことができる。したがって、従来よりも高品質な被処理物を作製することが可能になる。
【００５２】
請求項９に係るめっき処理装置は、請求項１から８のいずれか１つに係るめっき処理装置であって、初期析出部におけるめっき液の流速が０．３ｍ／ｓ以下のものである。
【００５３】
これにより、確実に、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒の被処理面からの離脱を防ぐことができる結果、高い精度で制御された均一かつ良質なめっき層を形成することが可能になる。
【００５４】
請求項１０に係るめっき処理方法は、上流側から下流側に被処理物を搬送しながら、めっき液を用いて被処理物の被処理面上にめっき層を形成するめっき処理方法であって、初期析出工程と、厚付け工程と、を備えている。初期析出工程は、めっき処理による析出物が被処理面上において層状になるまで析出処理を行う。厚付け工程は、初期析出工程の後に、初期析出工程において形成された層状の析出物が所望の厚さになるまで析出処理を行う。
【００５５】
ここでは、被処理物を上流から下流に搬送しながら被処理物の被処理面にめっき層を形成するめっき処理方法において、均一なめっき層を効率よく形成するために、以下のような方法を採用している。
【００５６】
当該方法は、まず、析出物が層状になるまでの析出処理を行う初期析出工程を行い、その後、層状の析出物の厚さが所望の厚さになるまでの析出処理を行う厚付け工程を行う。
【００５７】
ここで、被処理物は、例えば、長尺のフィルムであってもよい。また、搬送部は、例えば、搬送ローラであってもよい。
【００５８】
また、めっき処理とは、溶液（めっき液）中に溶解している無機材料（例えば、金属）を物質（被処理物）の表面（被処理面）に析出させる析出処理である。通常、このようなめっき処理を施す被処理物の被処理面上には、析出を可能にするための触媒層などが設けられている。
【００５９】
また、初期析出工程とは、めっき処理を行う前に被処理面上に形成された層（例えば、上記触媒層）から触媒を離脱させないために、めっき処理によって析出した析出物が層状になるまでの析出処理を確実に行う工程である。このため、例えば、この初期析出工程は、被処理面の搬送速度に対して、めっき処理に用いるめっき液の流速を、上記触媒層（または、その一部）内に含まれる触媒がめっき液による洗い流し（離脱）が生じない程度に遅く（例えば、０．３メートル毎秒（ｍ／ｓ））した工程であることが好ましい。
【００６０】
具体的には、この初期析出工程は、めっき液を流入しない条件での工程であってもよい。また、この初期析出工程は、めっき液の流入口の近傍にめっき液の流速を抑制する抑制板などを配置して行う工程であってもよい。更に、この初期析出工程は、被処理面の走行方向に対して略平行かつ同じ向きにめっき液を流入させながら析出処理を行う工程であってもよい。
【００６１】
また、析出物が層状になる状態とは、析出物が被処理面全体を一様に覆う状態である。すなわち、この状態は、析出物の下面側に存在する層（めっき処理の前に設けられた層）が、析出物によって被覆されることにより、析出物以外のもの、すなわちめっき液や粒子に曝露されていない状態である。
【００６２】
厚付け工程は、初期析出工程の後に行われる。この厚付け工程におけるめっき液の流速には、初期析出工程のめっき液の流速や被処理物の搬送に影響を与えない程度であれば特に制限はないが、初期析出工程における流速以上の速度であってもよい。これは、すでに、初期析出工程において析出した析出物によって、めっき処理の前に形成された層が覆われているため、この層内に含まれる触媒がめっき液によって離脱するおそれがないためである。また、所望の厚さとは、例えば、１００ｎｍ程度であってもよい。
【００６３】
これまで、量産用のめっき処理方法では、このめっき処理、すなわち析出処理によって形成される層の直下面側に、析出を可能にするための触媒層を設ける。そして、めっき処理において、所望の厚さのめっき層を均一に形成するためには、めっき液が常に攪拌されていること、すなわち常に一定条件のめっき液が被処理物の被処理面に行きわたることが要求される。このため、めっき槽へのめっき液の流入速度を速い速度（例えば、１ｍ／ｓ）にすることによって、その要求を満たしている。
【００６４】
しかしながら、めっき液の流速が速い場合、析出物が触媒層を覆う前にそのめっき液が触媒を被処理面から離脱させてしまうという問題がある。また、この問題は、触媒層が薄いほど顕著になる。そして、触媒層から触媒が離脱した領域では、めっき液からの析出がなく、結果的にめっき層が不均一に形成されてしまう。
【００６５】
そこで、当該めっき処理方法は、触媒層が薄い場合であっても、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行う初期析出工程を備えている。
【００６６】
このような方法により、上流側から搬送されてくる被処理物の被処理面に対し、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒が離脱してしまうことを防止することができる。したがって、初期析出層を均一に形成することが可能になる。また、離脱した触媒がめっき層へ混入することを防止することが可能になる。そして、厚付け工程において、このように均一に形成された初期析出層の上面に、めっき層が所望の厚さになるまでのめっき処理を行うことができる。
【００６７】
この結果、領域依存がない、すなわち均一で良質なめっき層を形成することができる。したがって、品質の高い被処理物を安定して作製することが可能になり、歩留まりの高い製造を行うことができる。
【発明の効果】
【００６８】
本発明に係るめっき処理装置によれば、アルカリ処理の処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行うことが可能になり、均一かつ良質なめっき層を形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の一実施形態に係るめっき処理システムを示す斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１に示すめっき処理システムのめっき処理槽を示す上面視図であり、（ｂ）は、図１に示すめっき処理システムのめっき処理槽を示す側面視図である。
【図３】図１に示すめっき処理システムを用いて行われるめっき処理工程のフローチャート図である。
【図４】図３に示すめっき処理工程を用いて作製されるフレキシブルプリント基板の断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、図１に示すめっき処理システムを用いてめっき処理を行った場合のめっき層の形成状態を説明する流れ図であり、（ｆ）〜（ｊ）は、従来のめっき処理システムを用いてめっき処理を行った場合のめっき層の形成状態を説明する流れ図である。
【図６】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係るめっき処理槽を示す上面視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すめっき処理槽を示す側面視図である。
【図７】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係るめっき処理槽を示す上面視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すめっき処理槽を示す側面視図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係るめっき処理システムを示す斜視図である。
【図９】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係るめっき処理槽を示す上面視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すめっき処理槽を示す側面視図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係るめっき処理槽を示す上面視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すめっき処理槽を示す側面視図である。
【図１１】本発明に係るめっき処理システムと従来のめっき処理システムとのそれぞれによって実施されためっき処理の実施結果を示す図である。
【図１２】本発明に係るめっき処理システムの一参考例を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係るめっき処理システムにおける搬送ローラの一参考例を示す平面視図である。
【発明を実施するための形態】
【００７０】
本発明の一実施形態に係るめっき処理システム１について、図１〜図５（ｊ）を用いて以下で説明する。なお、以下では、被処理物の搬送経路における上手側を上流側、下手側を下流側として説明する。
【００７１】
［めっき処理システム１全体の構成］
めっき処理システム１は、図１に示すように、プラスチック基板１１０の搬送経路の上流側から順に、触媒処理槽３、第１水洗処理槽４、還元処理槽５、第２水洗処理槽６、めっき処理槽（めっき処理装置）１０を備えている。また、これらの各槽の前後には、プラスチック基板１１０を垂直な状態で通過させ、搬送するための複数の搬送ローラ対９が設けられている。
【００７２】
上記のめっき処理システム１は、特に制約されるものではないが、フレキシブルなプラスチック基板（被処理物）１１０にニッケルのめっき層１１４を形成するための装置が示されている。このめっき処理システム１において、原料となるプラスチック基板１１０はめっき処理システム１の上流側（矢印のある側）にロール状に巻かれた状態で置かれている。そして、そこから巻き出されたプラスチック基板１１０は、めっき処理システム１によってめっき処理され、めっき処理システム１の下流側に設けられた巻き取りローラ（図示しない）によって巻き取られる。
【００７３】
図１の触媒処理槽３は、プラスチック基板１１０の被処理面と化学的結合した状態で触媒層１１１（図４参照）を形成するための処理槽である。また、触媒処理槽３は、直方体形状の槽であって、上流側にプラスチック基板１１０の搬入口３ａ、下流側に搬出口３ｂを有している。この触媒処理槽３には、プラスチック上に触媒金属を付与できる金属触媒溶液が満たされており、その好ましい一例としては、特許文献２に記載のパラジウム溶液が挙げられる。なお、ここには図示されていないが、一般には、この触媒処理層３の前段には、脱脂槽、一または複数の水洗槽、アルカリ処理槽および一または複数の水洗槽がこの順序で設けられている。また、これら各槽には、それぞれプラスチック基板を垂直な状態で通過させる出入り口が設けられている。
【００７４】
図１の第１水洗処理槽４は、触媒層１１１を形成するために用いられたパラジウム溶液の余剰溶液を洗い流すための処理槽である。この第１水洗処理槽４は直方体形状の槽であって良く、上流側にプラスチック基板１１０の搬入口４ａ、下流側に搬出口４ｂを有している。この第１水洗処理槽４には水が満たされているか、あるいはシャワー水洗できるようになっていることが好ましい。
【００７５】
還元処理槽５は、触媒（触媒層１１１）を還元することによって金属化するための処理槽である。この還元処理槽５は直方体形状の槽であって良く、上流側にプラスチック基板１１０の搬入口５ａ、下流側に搬出口５ｂを有している。この還元処理槽５には、前記した触媒を金属にまで還元しうる還元剤が満たされるが、その好ましい一例としては、ジメチルアミンボランを有効成分とする溶液が挙げられる。
【００７６】
第２水洗処理槽６は、触媒層１１１の還元処理のために用いられた処理溶液の余剰溶液を洗い流すための処理槽である。この第２水洗処理槽６は、直方体形状の水槽であって良く、上流側にプラスチック基板１１０の搬入口６ａ、下流側に搬出口６ｂを有している。この第２水洗処理槽６にも水が満たされているか、あるいはシャワー水洗できるようになっていることが好ましい。
【００７７】
ここで、触媒処理槽３、第１水洗処理槽４、還元処理槽５および第２水洗処理槽６のそれぞれは、上述したように、各処理槽において必要とされるそれぞれの処理液が常に満たされている状態を保つために、それぞれの処理槽は、個々に各処理液の流入口（図示しない）を備えている。なお、この流入口が備えられる位置や流入口の形状などには、プラスチック基板１１０の搬送に影響を与えないものであれば特に限定はなく、例えば、各処理槽の下面側に円筒形状の管が備えられたものであってもよい。また、この流入口から流入する各処理液は、各処理槽が有する搬入口および搬出口から流出し続けるものであってもよい。更に、この流出した各処理液は、循環装置（図示しない）によってそれぞれの流入口に循環されるものであってもよい。
【００７８】
めっき処理槽１０は、還元処理された触媒層１１１の上面に無電解めっき処理によってめっき層１１４を形成するための処理槽である。このめっき処理槽１０は、直方体形状の槽であって良く、上流側にプラスチック基板１１０の搬入口１０ａ、下流側に搬出口１０ｂを有している。このめっき処理槽１０には、無電解金属めっき液が満たされており、その好ましい一例としては、ニッケルリンめっき液が挙げられる。
【００７９】
本発明において、めっき処理槽１０は、初期析出部７と厚付け部８とを有しているものである。
【００８０】
めっき処理槽１０の初期析出部７は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、触媒層１１１の上面にめっき層１１４の一部である初期析出層１１２を形成するための領域であって、めっき処理槽１０の上流側領域に設けられている。図１および２においては、この初期析出部７は、めっき処理槽１０の搬送方向における長さＬに対して１／３の長さ、すなわちＬ／３の長さを有しているが必要により、初期析出部７の長さ（Ｌａ）を、厚付け部８の長さ（Ｌｂ）に対し、Ｌａ≧Ｌｂ／２となる範囲で調製しても良い。そして、初期析出部７は、流入口１２と遮蔽板２６と液漏れ防止ローラ対１１とを有しており、めっき処理槽１０への搬入口１０ａを含む。
【００８１】
流入口１２は、めっき液をめっき処理槽１０（初期析出部７）内部に流入させるための部材で、上面に開口部１２ａが形成されている筒形状の形状のものであり、初期析出部７の下面に設けられている。
【００８２】
また、遮蔽板２６は、流入口１２から流入するめっき液の流速を抑えるための板形状の部材であって、流入口１２の開口部１２ａの近傍において、開口部１２ａにこの遮蔽板２６の一方の面が対向するように設置されている。そして、流入口１２から流入するめっき液の速度は、この遮蔽板２６によって低速に、例えば、０．３ｍ／ｓ以下に抑えることができる。また、これにより、後述する厚付け部８の流入口１３から流入するめっき液の流速が、流入口１２から流入するめっき液の流速と同じ速度であっても、この遮蔽板２６を設けることによって、初期析出部７における被処理面に接するめっき液の流速を厚付け部８におけるめっき液の流速以下の速度に抑えることが可能になる。
【００８３】
液漏れ防止ローラ対１１は、めっき液の搬入口１０ａからの流出を軽減することで、初期析出部７の上流領域においてめっき液の流速が速くなること防ぐための部材であって、搬入口１０ａに隣接して設けられている。また、液漏れ防止ローラ対１１は、図２の（ａ）および（ｂ）に示されるように、搬送されるプラスチック基板１１０を挟むように設けられた２本のローラである。この２本のローラは、回転自在に構成されている。ただし、この液漏れ防止ローラ対１１は、プラスチック基板１１０を搬送および保持するために設けられるものではない。このため、ローラの外周面がプラスチック基板１１０に対して接していなくてもよい。
【００８４】
厚付け部８は、図４に示すように、初期析出層１１２の上面にめっき層１１４の一部である厚付け層１１３を形成するための領域であって、めっき処理槽１０の下流側領域に設けられている。図１では、この厚付け部８は、めっき処理槽１０の搬送方向における長さＬに対して２／３の長さ、すなわち２Ｌ／３の長さを有しているが、これに限られず、前記Ｌａ≧Ｌｂ／２となる範囲で調製しても良い。また、厚付け部８は、流入口１３を有しており、めっき処理槽１０からの搬出口１０ｂを含む。
【００８５】
めっき処理槽１０での流入口１３は、図２に示すように厚付け部８の下面に設けられており、めっき液をめっき処理槽１０（厚付け部８）内部に流入させるため、上面に開口部１３ａが形成されている筒形状の部材である。この流入口１３から流入するめっき液の流速は、上述の初期析出部７におけるめっき液の流速に影響を与えない程度の流速であればよい。
【００８６】
一方、めっき処理槽１０の搬出口１０ｂは、プラスチック基板１１０の出口であるとともに、初期析出部７および厚付け部８に流入しためっき液の流出口を兼ねている。そして、搬出口１０ｂから流出しためっき液は、上記各処理槽と同様に、循環装置によって循環されて流入口１２および流入口１３から再びめっき処理槽１０へ流入する。なお、循環装置には、各処理液の条件（例えば、濃度、温度、清浄化など）を調整する機能を備えたものであることが好ましい。
【００８７】
搬送ローラ対９は、図１に示すように、触媒処理槽３の上流側、第１水洗処理槽４と還元処理槽５との間、第２水洗処理槽６とめっき処理槽１０との間、およびめっき処理槽１０の下流側にそれぞれ配置されている。この搬送ローラ対９は、プラスチック基板１１０の被処理面が鉛直方向を向くように挟持し、この挟持するプラスチック基板１１０の被処理面に損傷を与えないように構成されている。また、各ローラは、回動自在に設置されている。そして、各ローラの回転は、同期して駆動されており、その外周面が対向して対をなすローラ同士の回転方向は、一方が時計回りであるときは、他の一方は反時計回りになる。
【００８８】
このような構成により、搬送ローラ対９は、プラスチック基板１１０に、撓みを生じさせたり、過剰な張力をかけたりすることを防ぎつつ、上記各処理槽を順に通過させることができる。
【００８９】
また、各処理槽の搬送方向における長さは、被処理物であるプラスチック基板１１０の搬送速度が一定であるため、各処理槽において必要とされる処理時間を考慮して予め設定されている。
【００９０】
以上の構成により、本発明に係るめっき処理システム１はプラスチック基板１１０の被処理面１１０を垂直とした状態でめっき処理を行うことができる。
【００９１】
［めっき処理システム１におけるめっき処理工程］
次に、本実施形態のめっき処理システム１のめっき処理工程を、図３を用いて工程順に述べる。
【００９２】
まず、プラスチック基板１１０の被処理面に対し、上述しためっき処理システム１において処理する前に行う処理について説明する。本実施形態では、被処理物であるプラスチック基板１１０としてポリイミドフィルム（カプトン１５０ＥＮ：東レデュポン社製）を材料としたものを例として説明する。
【００９３】
第１の工程は、脱脂工程Ｓ０３０である。この脱脂工程Ｓ０３０は、プラスチック基板１１０の被処理面に付着している、または形成されている不純物（例えば、汚染物、油脂分、指紋など）を化学的に除去する工程である。これは、被処理面にこのような不純物が付着したままの状態で下流側の工程に進んだ場合に不具合が生じることを防ぐために行うものである。このため、本実施形態においては、この脱脂工程Ｓ０３０では、これに限られないが、例えば、アルカリ性脱脂剤ＥＳ−１００（荏原ユージライト株式会社製）を用い、５０℃程度の温度で３分間程度の処理を行う。
【００９４】
第２の工程は、水洗工程Ｓ０３１である。この水洗工程Ｓ０３１は、脱脂工程Ｓ０３０において使用された余剰の処理液を水によって洗い流す工程である。
【００９５】
第３の工程は、アルカリ処理工程Ｓ０３２である。このアルカリ処理工程Ｓ０３２は、プラスチック基板１１０の被処理面をアルカリ溶液によってエッチングするものである。本実施形態においては、このアルカリ処理工程Ｓ０３２では、水酸化アルカリ溶液、例えば、濃度２％程度の水酸化カリウム溶液を用い、５０℃程度の温度で３分間程度の処理を行う。
【００９６】
第４の工程は、水洗工程Ｓ０３３である。この水洗工程Ｓ０３３は、アルカリ処理工程Ｓ０３２において使用された余剰の処理液を水によって洗い流す工程である。
【００９７】
以上の第１の工程から第４の工程が、めっき処理の前処理として行われる工程である。
【００９８】
次に上述しためっき処理システム１によって行われる工程を説明する。
【００９９】
第５の工程は、触媒処理工程Ｓ０３４である。この触媒処理工程Ｓ０３４は、プラスチック基板１１０の被処理面に触媒層１１１を形成する工程であって、めっき処理システム１の触媒処理槽３において行われる。これは、後述するめっき処理においてめっき層１１４の析出を可能にするための層を形成するための工程である。本実施形態において、この触媒処理工程Ｓ０３４は、イオン性パラジウム触媒付与溶液ＥＳ−３００（荏原ユージライト株式会社製）を用い、５０℃程度の温度で３分間程度の処理を行うが、これに限らず、別の触媒金属溶液や、異なる条件で実施しても良い。
【０１００】
第６の工程は、水洗工程Ｓ０３５である。この水洗工程Ｓ０３５は、触媒処理工程Ｓ０３４において使用された処理液であるパラジウム溶液の余剰溶液を水によって洗い流す工程である。また、この水洗工程Ｓ０３５は、めっき処理システム１における第１水洗処理槽４において行われる。
【０１０１】
第７の工程は、還元処理工程Ｓ０３６である。この還元処理工程Ｓ０３６は、触媒処理工程Ｓ０３４において形成された触媒層１１１内に含まれる触媒３０を金属化させる工程であって、めっき処理システム１の還元処理槽５において行われる。これは、触媒３０をイオン状態から金属状態に変化させ、次のめっき処理においてめっきの析出を促進させるために行う工程である。本実施形態においては、ジメチルアミンボランを還元成分とするＥＳ−４００（荏原ユージライト株式会社製）を用い、３５℃程度の温度で３分間程度処理を行ったが、これに限らず、他の還元剤や、異なる条件で行っても良い。
【０１０２】
第８の工程は、水洗工程Ｓ０３７である。この水洗工程Ｓ０３７は、還元処理工程Ｓ０３６において使用された余剰の処理液を水によって洗い流す工程である。また、この水洗工程Ｓ０３７は、めっき処理システム１における第２水洗処理槽６において行われる。
【０１０３】
第９の工程は、初期析出工程Ｓ０３８である。この初期析出工程Ｓ０３８は、上記初期析出部７において行われる工程であって、図４に示すように、触媒層１１１の上面に初期析出層１１２を形成する工程である。つまり、初期析出工程Ｓ０３８は、還元処理工程Ｓ０３７において還元処理された触媒層１１１の上面に、析出物がこの触媒層１１１を一様に覆うまで、すなわち層状になるまでのめっき処理（析出処理）を行う工程である。
【０１０４】
ここで、初期析出工程Ｓ０３８について、図５（ａ）から図５（ｅ）を用いて説明する。まず、図５（ａ）に示すように、プラスチック基板１１０は、被処理面に還元処理された触媒層１１１が設けられている状態で初期析出部７に搬送されてくる。初期析出部７は上述のように構成されているため、初期析出工程Ｓ０３８では、図５（ｂ）に示すように、触媒３０の離脱が生じない状態のまま析出物３１の核形成が始まる。その後、図５（ｃ）に示すように、析出物３１の核が成長する。そして、図５（ｄ）に示すように、隣接するそれぞれの核同士が成長に伴って一体化する。最終的には、図５（ｄ）に示すように、析出物３１が層状に成長し、平坦な初期析出層１１２が形成される。このように析出物３１が、層状であり、かつ平坦な初期析出層１１２になるための層の厚さは、およそ３０ｎｍ程度以上である。
【０１０５】
一方、従来のめっき処理を行った場合について、図５（ｆ）から図５（ｊ）を用いて簡単に説明する。初期析出部７を備えていない従来のめっき処理システムでは、めっき液による触媒３０の洗い流しが生じる、すなわち、図５（ｆ）に示すように、触媒３０が離脱することになる。このため、図５（ｇ）に示すように、析出物３１の核形成が疎らになり、図５（ｈ）に示すように、隣接する核同士がつながる前にそれぞれの核が比較的大きく成長する。したがって、図５（ｉ）に示すように、隣接する核がつながる程度にそれぞれの核が成長するころには、表面の凹凸（ラフネス）が大きくなってしまう。そして、最終的には、図５（ｊ）に示すように、表面のラフネスが粗い析出層３２が形成される。
【０１０６】
このように、初期析出部７を備える本実施形態のめっき処理システム１と従来のめっき処理システムとでは、形成される初期析出層１１２（最終的にはめっき層１１４）と析出層３２との表面のラフネスに大きな差が生じることになる。また触媒３０の洗い流しが顕著である場合には、隣接する核がつながらずに、初期析出部７にピンホールを生じる。
【０１０７】
第１０の工程は、厚付け工程Ｓ０３９である。この厚付け工程Ｓ０３９は、上記厚付け部８において行われる工程であって、図４に示すように、初期析出層１１２の上面側に厚付け層１１３を形成する工程である。この厚付け工程Ｓ０３９は、初期析出層１１２と同じ材質（本実施形態ではニッケル）による厚付け層１１３を初期析出層１１２の上面側に形成する。なお、厚付け層１１３の厚さは、通常、９０ｎｍ以上であることが好ましい。
【０１０８】
プラスチック基板１１０は、以上の第１から第１０工程を経た後、めっき層１１４の上面側に、めっき処理（例えば、電解めっき処理であってもよい）を用いて金属層（例えば、銅層）１１５が形成されてフレキシブルプリント基板３５となる（図４参照）。このようなフレキシブルプリント基板３５は、通常、電子部品の回路として用いられるものである。
【０１０９】
［本実施形態のめっき処理システム１の特徴］
（１）本実施形態のめっき処理システム１は、図１、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、上流から下流にプラスチック基板（被処理物）１１０を搬送しながら、めっき液を用いてプラスチック基板１１０の被処理面上にめっき層１１４を形成する装置であって、複数の搬送ローラ対（搬送部）９と、初期析出部７とを備えている。搬送ローラ対９は、プラスチック基板１１０を上流側から下流側へ搬送する。初期析出部７は、めっき処理槽（めっき処理装置）１０の上流側に備えられ、めっき処理による析出物３１が被処理面上において層状になるまでの析出処理を行う。
【０１１０】
このような構成により、上流側から搬送されてくるプラスチック基板１１０の被処理面に対し、めっき処理の前に形成された触媒層１１１内に含まれる触媒３０が離脱してしまうことを防止することができる。したがって、図５（ｅ）に示すように、触媒層１１１を覆うめっき層１１４のうちの初期析出層１１２を、平坦に形成することが可能になる。また、離脱した触媒３０がめっき層１１４へ混入することを防止することが可能になる。
【０１１１】
この結果、領域依存がない、すなわち被めっき面の全面において、均一で良質なめっき層１１４を形成することができる。また、触媒３０の離脱が生じないことから、先に形成される触媒層１１１を薄く形成することも可能になる。さらに、触媒層１１１を薄く形成してもよいということは、アルカリ処理の処理深さを浅くしてもよいということである。つまり、アルカリ処理の処理深さが浅いほどプラスチック基板に与える損傷や後の経時変化による密着性の低下を抑えられることができる。なお、このような経時変化の影響については、後段の実施例において実証する。したがって、品質の高いプラスチック基板１１０を安定して作製することが可能になり、歩留まりの高いフレキシブルプリント基板３５の製造を行うことができる。
【０１１２】
（２）本実施形態のめっき処理システム１は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、初期析出部におけるめっき液の流入口１２の開口部１２ａの近傍に、開口部１２ａに一方の面が対向する遮蔽板２６を備えている。
【０１１３】
これにより、遮蔽板２６が流入口１２から流入するめっき液の流速を抑えることができる。つまり、プラスチック基板１１０の被処理面に対して勢いの強いめっき液が直接あたることを防ぐことが可能になる。したがって、初期析出部７では、めっき液の流速を抑えつつ、めっき液を攪拌および循環させることが可能になる。
【０１１４】
この結果、触媒層１１１内に含まれる触媒３０が被処理面から離脱することを防ぎつつ、常に一定範囲の濃度のめっき液を被処理面に対して供給することができる。したがって、量産用のめっき処理のような長尺の連続したプラスチック基板１１０に対するめっき処理においても、均一かつ良質なめっき層１１４を連続して形成することが可能になる。
【０１１５】
（３）本実施形態のめっき処理システム１は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、初期析出部７にプラスチック基板１１０の搬入口１０ａに隣接する液漏れ防止ローラ対（液漏れ防止部）１１が備えられている。
【０１１６】
これにより、本実施形態のような量産用のめっき処理システム１であっても、初期析出部７におけるプラスチック基板１１０の搬入口１０ａ、すなわちめっき処理槽１０の上流側からめっき液が漏れ出すことを軽減することができる。したがって、プラスチック基板１１０の搬送方向とは逆向きのめっき液の流れを軽減することが可能になる。つまり、被処理面に対するめっき液の相対速度が速くなることを軽減することができる。
【０１１７】
この結果、特に、初期析出工程Ｓ０３８の前に形成された触媒層１１１内に含まれる触媒３０の離脱に最も影響を及ぼす領域である初期析出部７の上流領域において、従来よりも均一かつ良質な析出処理を行うことが可能になる。
【０１１８】
（４）本実施形態のめっき処理システム１は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、初期析出部７の下流側に、厚付け部８をさらに備えている。この厚付け部８は、初期析出部７によって形成された初期析出層１１２の上面側に、初期析出層１１２と同じ材質の析出物にからなる層（厚付け層１１３）が所望の厚さになるまでの析出処理を行う。
【０１１９】
これにより、触媒層１１１が初期析出部７において形成された初期析出層（層状の析出物）によって覆われた後に、析出物３１、すなわちめっき層１１４が所望の厚さになるまでのめっき処理を行うことができる。
【０１２０】
この結果、触媒層１１１内に含まれる触媒３０がプラスチック基板１１０の被処理面から離脱するおそれを考慮することなく、所望の厚さのめっき層１１４を均一かつ効率的に形成することが可能になる。
【０１２１】
（５）本実施形態のめっき処理システム１は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、プラスチック基板１１０の搬出口１０ｂがめっき液の流出口を兼ねている。すなわち、流入しためっき液は、めっき処理槽１０の下流側に向かって流れ、その速度は下流側に行くに連れて速くなる。したがって、流入口１２および流入口１３から流入するめっき液のそれぞれの速度が同じ速度であっても、初期析出部７におけるプラスチック基板１１０被処理面に対するめっき液の流速は、厚付け部８における被処理面に対するめっき液の流速以下の流速である。
【０１２２】
これにより、めっき液の流速が遅い初期析出部７においては、触媒３０を離脱させることなくめっき層１１４の下地（初期析出層１１２）を形成し、めっき液の流速が速い厚付け部８においては、初期析出層１１２上に均一なめっき処理を行うことが可能になる。
【０１２３】
（６）本実施形態のめっき処理システム１は、図１に示すように、プラスチック基板１１０の搬送方向における初期析出部７の長さＬａと厚付け部の長さＬｂとの関係は、Ｌａ＝Ｌｂ／２である。すなわち、搬送方向におけるめっき処理槽１０の長さの１／３が初期析出部の長さである。
【０１２４】
これにより、初期析出部７において、確実に、めっき処理の前に形成された層である触媒層１１１を覆う初期析出層１１２を形成することが可能になる。
【０１２５】
［他の実施形態］
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【０１２６】
（Ａ）上記実施形態では、初期析出部７と厚付け部８との長さの比が１：２である例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１２７】
例えば、初期析出部７と厚付け部８との長さの比が１：１であってもよい。つまり、初期析出部の長さＬａと厚付け部の長さＬｂとの関係が、Ｌａ≧Ｌｂ／２であればよい。
【０１２８】
通常、上述のように、めっき処理を施す場合、そのめっき層の厚さがおよそ９０ｎｍ以上であることが要求される。したがって、ＬａとＬｂとが上記関係を満たしている場合、初期析出層１１２の厚さが３０ｎｍ以上となるため、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２９】
（Ｂ）上記実施形態では、流入口１２および流入口１３がめっき処理槽１０の下面側に設けられている例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１３０】
例えば、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、めっき処理槽１０の上流側側面に流入口４１，４１を設け、下流側側面に流出口４２，４２を設ける構成であってもよい。
【０１３１】
このような構成によると、プラスチック基板１１０（被処理物）の搬送方向、すなわち被処理面の走行方向に合わせて、めっき液が上流側から下流側に向けて流れる。
【０１３２】
これにより、めっき液と被処理物との相対速度を比較的低くすることができる。したがって、めっき処理の前に形成された層である触媒層１１１が離脱することをより確実に防ぐことが可能になる結果、均一かつ良質なめっき層１１４を形成することが可能になる。
【０１３３】
（Ｃ）上記実施形態では、遮蔽板２６を流入口１２の近傍にのみ設ける例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１３４】
例えば、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、流入口１２および流入口１３とプラスチック基板（被処理物）１１０との間に遮蔽板２７を設ける構成であってもよい。 このような構成によっても、上記実施形態と同様の効果を奏することが可能になる。
【０１３５】
（Ｄ）上記実施形態では、初期析出部７と厚付け部８とを同じ処理槽（めっき処理槽１０）の内部に設けた例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１３６】
例えば、図８に示すように、めっき処理システム２が、初期析出部７０と厚付け部８０とを独立した処理槽として設ける構成であってもよい。ただし、この場合、初期析出部７０と厚付け部８０とを合わせてめっき処理装置とする。
【０１３７】
これにより、初期析出部７０と厚付け部８０とのめっき液が互いに干渉することがない。このため、個々のめっき処理条件（例えば、めっき液の濃度や流速など）をそれぞれ別々に制御することが可能になる。
【０１３８】
この結果、さらに高精度なめっき処理を行うことができる。したがって、従来よりも高品質な被処理物（例えば、プラスチック基板１１０）を作製することが可能になる。
【０１３９】
（Ｅ）上記実施形態では、初期析出部７と厚付け部８との間には、特に仕切りとなるものを設けていない例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１４０】
例えば、図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、初期析出部７と厚付け部８との間に仕切り板２８を設けてもよい。この仕切り板２８は、初期析出部７と厚付け部８との間に設けられるが、めっき液が初期析出部７から厚付け部８へ流れ出ることが可能とするために、めっき処理槽１０の上面１０ｃおよび側面１０ｄ，１０ｄに対し若干の隙間１０ｅを有するように形成されている。このような構成によっても、上記実施形態と同様の効果を奏することが可能になる。
【０１４１】
（Ｆ）上記実施形態では、初期析出部７の下流側に厚付け部８を設ける例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、厚付け部８を設けずに、めっき処理槽１０の全てが初期析出部７の構成であってもよい。
【０１４２】
このような構成によっても、所望の厚さのめっき層１１４を設けることが可能である。したがって、上記実施形態と同様の効果を奏することが可能になる。
【０１４３】
（Ｇ）上記実施形態では、液漏れ防止ローラ対１１は回転自在である例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１４４】
例えば、液漏れ防止ローラ対１１はプラスチック基板１１０（被処理物）の搬送速度に応じて回動する、すなわち搬送ローラ対９の回転速度と同じ速度で自ら回転するものであってもよい。このような構成によっても、上記実施形態と同様の効果を奏することが可能なる。
【０１４５】
（Ｈ）上記実施形態では、プラスチック基板１１０（被処理物）の全体をめっき液に浸漬する例を挙げて説明した。しかし本発明はこれに限定されるものではない。
【０１４６】
例えば、図１０に示すように、めっき処理槽１０において浮き壁２０を備える片面浸漬法を採用するめっき処理システムであってもよい。浮き壁２０は、板状の部材であって、その一方の面がプラスチック基板１１０の被処理面と対向するように設置されている。めっき液は、浮き壁の上端部２３側から供給され、浮き壁２０の一方の面とプラスチック基板１１０の被処理面との間を流れ落ちる。浮き壁２０とプラスチック基板１１０との間を流れるめっき液は、浮き壁２０の側端部２１及び下端部２２から漏れ出る。
【０１４７】
このような構成によると、供給するめっき液の量を調整することによって、浮き壁２０とプラスチック基板１１０との間に流れるめっき液の流速を制御することができる。したがって、このめっき液の流速を、触媒が洗い流されない程度に遅くすることができる。このため、触媒層１１１内に含まれる触媒３０の離脱を防ぐことが可能になる。
【０１４８】
また、搬入口１０ａから液が漏れ出ることがないため、液漏れ防止ローラ対１１を設ける必要がない。
【実施例】
【０１４９】
ここで、本実施形態のめっき処理システム１と他の実施形態（Ｄ）に記載のめっき処理システム２と従来のめっき処理システムとをそれぞれ用いて、プラスチック基板１１０表面へのめっき処理をそれぞれ実施した。
【０１５０】
本実施態様のめっき処理システム１としては、めっき処理槽は、４３．８Ｌ（１０×１２５×３５ｃｍ）のめっき槽を利用し、その前段に２６．３Ｌの脱脂槽、８．８Ｌの水洗槽が３槽、２６．３Ｌのアルカリ処理槽、８．８Ｌの水洗槽が３槽、２６．３Ｌの触媒槽、８．８Ｌの水洗槽が３槽、２６．３Ｌの還元槽および８．８Ｌの水洗槽が３槽よりなるシステムを使用した。各槽には、中の溶液が漏出せずに長尺のプラスチック基板を出し入れできる搬入口および搬出口が設けられている。また、プラスチック基板としては、３０ｃｍ×１００ｍのポリイミドフィルム（カプトン１５０ＥＮ：東レデュポン社製）を用い、各槽での処理液の条件は、下記の通りとした。また、実施形態（Ｄ）に記載のめっき処理システム２は、装置構成および使用処理液は本実施態様と同じであるが、めっき層中でのめっき液の速度管理は行わなかった。
【０１５１】
脱脂処理液：
アルカリ性脱脂剤ＥＳ−１００（荏原ユージライト株式会社製）を４０ｍＬ／
Ｌの濃度とし、５０℃で３分間浸漬した。
アルカリ処理液：
２％水酸化カリウム溶液を５０℃とし、３分間浸漬した。
触媒処理液：
イオン性パラジウム触媒付与触媒ＥＳ−３００(荏原ユージライト株式会社製)
を１００ｍＬ／Ｌの濃度とし、５０℃で３分間浸漬した。
還元処理液：
ＥＳ−４００（荏原ユージライト株式会社製）を１０ｍＬ／Ｌの濃度とし、
３５℃で３分間浸漬した。
めっき液：
無電解ニッケルめっき液ＥＳ−５００（荏原ユージライト株式会社製）を、
その指定濃度で用い、４０℃で５分間浸漬した。
＊ なお、めっき槽中においては、その行程の１／３までは、めっき液の流速が、
めっきされるプラスチック基板との相対速度として、０．３ｍ／ｓを越えない
ように管理した。
【０１５２】
めっきされたプラスチック基板１１について、プラスチック基板１１０とめっき層との剥離強度を比較した。なお、剥離強度の測定は、めっき層が形成された直後（初期）と１５０℃で１６８時間のアニールを行った後（耐熱後）との２回の測定を行った。この結果を図１１に示す。
【０１５３】
図１１に示すように、初期における剥離強度には大きな差がないことがわかった。しかしながら、耐熱後における剥離強度には顕著な差が現れた。具体的には、従来のめっき処理システムに比べて、本発明に係るめっき処理システム１，２は、１６８時間後にはおよそ２倍の剥離強度を維持することができるプラスチック基板１１０を形成することが可能であることが示された。
【０１５４】
［参考］
本発明に係るめっき処理システムにおいて、図１２に示すように、還元処理槽５の下流側からめっき処理槽１０の上流側までの領域において搬送ローラ対９を設けない構成が考えられる。
【０１５５】
これは、上述したように、還元処理槽５において還元された触媒層１１１内に含まれる触媒３０は、プラスチック基板１１０（被処理物）と化学的結合を有していない状態であるため、外力によって剥がれ落ちる（離脱する）おそれがあるからである。すなわち、搬送ローラ対９の外周面と還元された触媒層１１１とが接触することによって、触媒層１１１内に含まれる触媒３０が搬送ローラ対９の外周面に拭き取られて（吸着して）しまうおそれがある。
【０１５６】
そこで、還元処理が施された後からめっき処理が行われる直前までの間で、上記拭き取りがなされないように、被処理物の被処理面に対して、処理液や大気を除く他のものを接触させないことが重要であると考えられる。具体的には、量産用のめっき処理システムでは、搬送ローラ対を設けない構成が有効であると考えられる。または、搬送ローラと被処理物との接触面積を小さくする構造である段付きローラ５０（図１３参照）を用いることも有効であると考えられる。これは、通常、プラスチック基板などの被処理物は、製品化される場合に実際に使用されるまたは必要とされる領域、すなわち有効領域がその中央領域に制限されており、その端部領域ではめっき処理の品質が要求されないことが多からである。
【産業上の利用可能性】
【０１５７】
本発明に係るめっき処理装置は、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒を離脱させないため、初期析出層を均一に形成することができるという効果を奏することから、積層基板などに対する薄膜形成装置に対して広く適用可能である。
【符号の説明】
【０１５８】
１ めっき処理システム
２ めっき処理システム
３ 触媒処理槽
３ａ 搬入口
３ｂ 搬出口
４ 第１水洗処理槽
４ａ 搬入口
４ｂ 搬出口
５ 還元処理槽
５ａ 搬入口
５ｂ 搬出口
６ 第２水洗処理槽
６ａ 搬入口
６ｂ 搬出口
７ 初期析出部
８ 厚付け部
９ 搬送送ローラ対（搬送部）
１０ めっき処理槽（めっき処理装置）
１０ａ 搬入口
１０ｂ 搬出口
１０ｃ 上面
１０ｄ 側面
１０ｅ 隙間
１１ 液漏れ防止ローラ対（液漏れ防止部）
１２ 流入口
１２ａ 開口部
１３ 流入口
１３ａ 開口部
２０ 浮き壁
２１ 側端部
２２ 下端部
２３ 上端部
２６ 遮蔽板
２７ 遮蔽板
２８ 仕切り板
３０ 触媒
３１ 析出物
３２ 析出層
３５ フレキシブルプリント基板
４１ 流入口
４２ 流出口
５０ 段付きローラ
７０ 初期析出部
８０ 厚付け部
１１０ プラスチック基板（被処理物）
１１１ 触媒層
１１２ 初期析出層
１１３ 厚付け層
１１４ めっき層
１１５ 金属層
【技術分野】
【０００１】
本発明は、長尺の被処理物の被処理面にめっき処理を施すめっき処理装置およびめっき処理方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来行われていた個々の物品に対するめっきとともに、近年では、連続する長尺の被処理物（例えば、連続するフィルム状のプラスチック基板）上にめっきを施すことも行われている。このような連続した長尺の被処理物のめっき処理装置では、被処理物の搬送路における上流側から、脱脂槽、アルカリ処理槽、触媒処理槽、還元処理槽、めっき処理槽などの複数の処理槽が備えられており、これらを被処理物が一定の速度で通過しつつ処理される。
【０００３】
ここで、アルカリ処理槽とは、被処理物の被処理面に触媒層を形成するための前処理を行うための処理槽であって、アルカリ溶液によって被処理面に対して改質処理を行うためのものである。また、触媒処理槽とは、めっき処理を行う前にめっきの析出を可能にするために改質された被処理面上に触媒を付与するための処理槽であって、この処理槽によって形成される触媒層の厚みは、上記アルカリ溶液による表面処理（以下、アルカリ処理と記述する）の処理深さに依存する。なお、この触媒槽で付与される触媒は、パラジウム、ニッケル、銅、スズなどである（例えば、特許文献１参照）。特に、触媒としてパラジウム錯体を用いる方法は、被処理面と高い密着性を有するめっき層を形成することが可能であるため、広く用いられている（例えば、特許文献２参照）。
【０００４】
つまり、フィルム状プラスチックなど、プラスチック基材のめっき処理装置では、めっき処理、すなわち析出処理によって形成される層の直下面側に、めっきの析出を可能にする触媒層を形成するためにアルカリ処理槽および触媒処理槽が設けられている。そしてさらに、めっきの析出を可能とするために、めっき処理の直前に触媒層に含まれる触媒を金属化させる処理（還元処理）を行うための還元処理槽が設けられている。
【０００５】
しかし、このようなめっき処理において、上記アルカリ処理は、プラスチック基材の被処理面に対して損傷を与えることになり、この処理深さが深い場合、損傷領域の深さも深くなる。そして、この損傷領域においては、経時変化にともなって被処理物とめっき層との密着性が低下することが問題となっている。つまり、アルカリ処理の処理深さを浅くすると、経時変化によるめっき層の密着性の低下を軽減することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００７−１６２１２２号公報
【特許文献２】国際公開第２００７／０６６４６０号
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
上述のように、経時変化にともなうめっき層の密着性の低下を軽減するために、プラスチック基板表面に対するアルカリ処理の処理深さを浅くすることが望ましいが、そうすると、触媒層の厚みも薄くなるという問題が生じる。このように触媒層の厚みを薄くした場合、その後のめっき処理槽におけるめっき処理において、めっき液の液流により触媒層内に含まれる触媒の離脱が生じてしまうことがあり、この結果、触媒層内の触媒の分布が不均一となり、不均一なめっき層が形成されてしまう。
【０００８】
そこで、本発明の課題は、アルカリ処理の処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行うことが可能なめっき処理装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
請求項１に係るめっき処理装置は、上流から下流に被処理物を搬送しながら、めっき液を用いて被処理物の被処理面上にめっき層を形成するめっき処理装置であって、搬送部と、初期析出部と、を備えているものである。搬送部は、被処理物を上流側から下流側へ搬送する。初期析出部は、当該めっき処理装置の上流側に備えられ、めっき処理による析出物が被処理面上において層状になるまでの析出処理を行う。
【００１０】
ここでは、被処理物を上流から下流に搬送しながら被処理物の被処理面にめっき層を形成するめっき処理装置において、均一なめっき層を効率よく形成するために、以下のような構成を採用している。
【００１１】
当該めっき処理装置は、被処理物を上流から下流に搬送しながら、その被処理物の被処理面に対し、めっき処理に必要な工程を順に行う。そして、このめっき処理装置は、搬送部と、めっき処理による析出物が層状になるまでの析出処理を行う初期析出部を備えている。
【００１２】
ここで、被処理物は、例えば、長尺のフィルムであってもよい。また、搬送部は、例えば、搬送ローラであってもよい。
【００１３】
また、めっき処理とは、溶液（めっき液）中に溶解している無機材料（例えば、金属）を物質（被処理物）の表面（被処理面）に析出させる析出処理である。通常、このようなめっき処理を施す被処理物の被処理面上には、析出を可能にするための触媒層などが設けられている。
【００１４】
また、初期析出部とは、当該装置における上流側に設けられており、めっき処理を行う前に被処理面上に付与した触媒を離脱させないために、めっき処理によって析出した析出物が層状になるまでの析出処理を確実に行うものである。このため、例えば、この初期析出部は、被処理面の搬送速度に対して、めっき処理に用いるめっき液の流速を、上記触媒層内に含まれる触媒（または、その一部）がめっき液による洗い流し（離脱）が生じない程度に遅く（例えば、０．３メートル毎秒（ｍ／ｓ））した構成であることが好ましい。
【００１５】
具体的には、この初期析出部は、めっき液の流入口を設けない領域であってもよい。また、この初期析出部は、めっき液の流入口の近傍にめっき液の流速を抑制する抑制板が配置されている領域であってもよい。更に、この初期析出部は、被処理面の走行方向に対して略平行かつ同じ向きにめっき液を流入させる流入口を設けた領域であってもよい。
【００１６】
また、析出物が層状になる状態とは、析出物が被処理面全体を一様に覆う状態である。すなわち、この状態は、析出物の下面側に存在する層（めっき処理の前に設けられた層）が、析出物によって被覆されることにより、析出物以外のもの、すなわちめっき液や粒子に曝露されていない状態である。
【００１７】
これまで、このような量産用のめっき処理装置では、被処理物の被処理面に対し、脱脂処理、アルカリ処理、触媒層の形成（触媒処理）、触媒層の還元処理およびめっき処理を順に行っている。
【００１８】
このようなめっき処理において、上記アルカリ処理は、被処理面に対して損傷を与えることになり、この処理深さが深い場合、損傷領域の深さも深くなる。そして、この損傷領域の経時変化にともなって、被処理物とめっき層との密着性が低下することが問題となっている。つまり、アルカリ処理の処理深さを浅くすると、経時変化によるめっき層の密着性の低下を軽減することができる。
【００１９】
しかしながら、上述のように、経時変化にともなうめっき層の密着性の低下を軽減するために、プラスチック基板表面に対するアルカリ処理の処理深さを浅くすると、触媒層の厚みも薄くなる。この場合、その後のめっき処理槽におけるめっき処理において、めっき液の液流により触媒層内に含まれる触媒の離脱が生じてしまう。この結果、触媒層内の触媒の分布が不均一となり、不均一なめっき層が形成されてしまう。
【００２０】
そこで、本発明は、アルカリ処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行う初期析出部を当該装置の上流側領域に備えている。
【００２１】
このような構成により、上流側から搬送されてくる被処理物の被処理面に対し、めっき処理の前に形成された触媒層内に含まれる触媒が離脱してしまうことを防止することができる。したがって、この層を覆うめっき層のうちの初期析出層を均一に形成することが可能になる。また、離脱した触媒がめっき層へ混入することを防止することが可能になる。
【００２２】
この結果、領域依存がない、すなわち被めっき物の全面において均一で良質なめっき層を形成することができる。したがって、品質の高い被処理物を安定して作製することが可能になり、歩留まりの高い製造を行うことができる。
【００２３】
請求項２に係るめっき処理装置は、請求項１発明に係るめっき処理装置であって、めっき液の流速を抑える遮蔽板を含むものである。
ここでは、めっき液の流速を抑えるために、遮蔽板を設けている。
ここで、遮蔽板は、めっき液の流入口の近傍に設けられることが好ましい。
【００２４】
通常、量産用のめっき処理装置では、槽の内部にめっき液が満たされている。そして、長尺の被処理物がそのめっき液が満たされた槽（めっき槽）内部を通過することによってめっき処理が連続して行われる。このとき、めっき液は、析出が進むに連れて希釈されるため、濃度が調整されためっき液をめっき槽に常に流入する必要がある。つまり、遮蔽板は、この常に流入されるめっき液のめっき槽内における流速を抑えるためのものであってもよい。
【００２５】
これにより、初期析出部では、めっき液の流速を抑えつつ、めっき液を攪拌および循環させることが可能になる。したがって、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒が被処理面から離脱することを防ぎつつ、常に一定範囲の濃度のめっき液を被処理面に対して供給することが可能になる。
【００２６】
この結果、量産用のめっき処理においても、均一かつ良質なめっき層を連続して形成することが可能になる。
【００２７】
請求項３に係るめっき処理装置は、請求項１または２に係るめっき処理装置であって、初期析出部は、被処理面側において、めっき液が上流側から下流側に向けて流れる。
【００２８】
ここでは、被処理物の搬送方向、すなわち被処理面の走行方向に合わせて、めっき液が上流側から下流側に向けて流れる。
【００２９】
ここで、めっき液が上流側から下流側に流れるための構成として、例えば、めっき液の流入口を上流側に設け、流出口を下流側に設ける構成が好ましい。
【００３０】
これにより、めっき液と被処理物との相対速度を比較的低くすることができる。したがって、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒が離脱することを防ぐことが可能になる結果、均一かつ良質なめっき層を形成することが可能になる。
【００３１】
請求項４に係るめっき処理装置は、請求項１から３ののいずれか１つに係るめっき処理装置であって、初期析出部は、被処理物の搬入口に隣接する液漏れ防止部を含む。
【００３２】
ここでは、めっき液が被処理物の搬入口から漏れることによって、めっき液の流速が速くなることを防ぐために、搬入口に隣接する液漏れ防止部が設けられている。
【００３３】
ここで、通常、量産用のめっき処理装置は、連続して搬送される被処理物に対して、効率よくめっき処理を施し続けるために、めっき槽における被処理物の搬入口および搬出口からめっき液が漏れ出し、この漏れ出しためっき液を循環させて再びめっき槽に流入させる構成を採用している。したがって、液漏れ防止部とは、めっき槽における被処理物の搬入口からめっき液が漏れ出すことを軽減するためのものであって、例えば、その搬入口に隣接して被処理物を挟持する一対のローラであってもよい。
【００３４】
これにより、上記のような量産用のめっき処理装置であっても、初期析出部における被処理物の搬入口、すなわち上流側からめっき液が漏れ出すことを軽減することができる。したがって、被処理物の搬送方向とは逆向きのめっき液の流れを軽減することが可能になる。つまり、被処理面に対するめっき液の相対速度が速くなることを軽減することができる。
【００３５】
この結果、特に、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒の離脱に最も影響を及ぼす領域である初期析出部の上流領域において、従来よりも均一かつ良質な析出処理を行うことが可能になる。
【００３６】
請求項５に係るめっき処理装置は、第１から第４の発明のいずれか１つに係るめっき処理装置であって、初期析出部の下流側に、厚付け部をさらに備えている。厚付け部は、初期析出部によって形成された層状の析出物が所望の厚さになるまでの析出処理を行う。
【００３７】
ここでは、めっき処理による析出物、すなわちめっき層を所望の厚さに形成する厚付け部をさらに備えている。
【００３８】
ここで、厚付け部は、初期析出部を形成するめっき槽と同じ槽に設けられていてもよく、または、独立した槽として設けられていてもよい。そして、この厚付け部におけるめっき液の流速には、初期析出部のめっき液の流速や被処理物の搬送に影響を与えない程度であれば特に制限はないが、初期析出部における流速以上の速度であってもよい。これは、すでに、初期析出部において析出した析出物によって、めっき処理の前に形成された触媒層が覆われているため、この触媒層がめっき液によって離脱するおそれがないためである。また、所望の厚さとは、例えば、１００ｎｍ程度であってもよい。
【００３９】
これにより、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒が初期析出部において形成された層状の析出物によって覆われた後に、析出物、すなわちめっき層が所望の厚さになるまでのめっき処理を行うことができる。
【００４０】
この結果、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒が被処理面から離脱するおそれを考慮することなく、所望の厚さのめっき層を均一かつ効率的に形成することが可能になる。
【００４１】
請求項６に係るめっき処理装置は、請求項５に係るめっき処理装置であって、初期析出部における被処理面に対するめっき液の流速を、厚付け部における被処理面に対するめっき液の流速以下の流速とするものである。
【００４２】
ここでは、めっき液の流速が、厚付け部と比較して、初期析出部の流速が遅い、または同じ流速である。
【００４３】
ここで、めっき液の流速は、めっき槽内で積極的にめっき液を攪拌しない限り、主に、めっき液がめっき槽に流入する際の速度に依存する。したがって、初期析出部と厚付け部とにおけるそれぞれのめっき液の流速の制御は、例えば、めっき液の流入口の有無または設置場所、あるいはこの流入口におけるめっき液の流速などを調整することによって制御するものであってもよい。
【００４４】
これにより、めっき液の流速が遅い初期析出部においては、触媒を離脱させることなく被処理面を一様に覆うことができ、めっき液の流速が速い厚付け部においては、めっき液の攪拌が十分に行われるためめっき液濃度、めっき液温度のばらつきを軽減することができる。したがって、より均一なめっき層を形成することが可能になる。
【００４５】
請求項７に係るめっき処理装置は、請求項５または６に係るめっき処理装置であって、被処理物の搬送方向における初期析出部の長さＬａと厚付け部の長さＬｂとの関係が、Ｌａ≧Ｌｂ／２のものである。
【００４６】
ここで、一般的に用いられるめっき層の厚さは、およそ９０ｎｍ以上である。また、通常のめっき処理に用いられる触媒層の全体を覆うために要求される析出物（めっき層）の厚さはおよそ３０ｎｍである。また、当該めっき処理装置のような搬送型のめっき処理では、めっき液の濃度や搬送速度が一定である場合、めっき液に被処理面を浸している時間とめっき層の厚さとが比例する。したがって、上記触媒層を一様に覆うには、ＬａがＬｂの１／２以上であればよい。
【００４７】
これにより、初期析出部において、確実に、めっき処理の前に形成された層を覆う析出層を形成することが可能になる結果、必要最小限の初期析出部を設ければよく、無駄なスペースを費やすことがないため、効率的に、均一かつ良質なめっき処理を行うことが可能になる。
【００４８】
請求項８に係るめっき処理装置は、請求項５から７のいずれか１つに係るめっき処理装置であって、初期析出部が、厚付け部に対して独立して設けられているものである。
【００４９】
ここで、初期析出部と厚付け部とが独立して設けられているとは、例えば、それぞれを構成するための槽が別々に設けられていることである。つまり、搬送方向上流側に初期析出部を構成する槽が設けられ、その下流側に厚付け部を構成する槽が設けられている。
【００５０】
これにより、初期析出部と厚付け部とのめっき液が互いに干渉することがない。このため、個々のめっき処理条件（例えば、めっき液の濃度や流速など）をそれぞれ別々に制御することが可能になる。
【００５１】
この結果、さらに高精度なめっき処理を行うことができる。したがって、従来よりも高品質な被処理物を作製することが可能になる。
【００５２】
請求項９に係るめっき処理装置は、請求項１から８のいずれか１つに係るめっき処理装置であって、初期析出部におけるめっき液の流速が０．３ｍ／ｓ以下のものである。
【００５３】
これにより、確実に、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒の被処理面からの離脱を防ぐことができる結果、高い精度で制御された均一かつ良質なめっき層を形成することが可能になる。
【００５４】
請求項１０に係るめっき処理方法は、上流側から下流側に被処理物を搬送しながら、めっき液を用いて被処理物の被処理面上にめっき層を形成するめっき処理方法であって、初期析出工程と、厚付け工程と、を備えている。初期析出工程は、めっき処理による析出物が被処理面上において層状になるまで析出処理を行う。厚付け工程は、初期析出工程の後に、初期析出工程において形成された層状の析出物が所望の厚さになるまで析出処理を行う。
【００５５】
ここでは、被処理物を上流から下流に搬送しながら被処理物の被処理面にめっき層を形成するめっき処理方法において、均一なめっき層を効率よく形成するために、以下のような方法を採用している。
【００５６】
当該方法は、まず、析出物が層状になるまでの析出処理を行う初期析出工程を行い、その後、層状の析出物の厚さが所望の厚さになるまでの析出処理を行う厚付け工程を行う。
【００５７】
ここで、被処理物は、例えば、長尺のフィルムであってもよい。また、搬送部は、例えば、搬送ローラであってもよい。
【００５８】
また、めっき処理とは、溶液（めっき液）中に溶解している無機材料（例えば、金属）を物質（被処理物）の表面（被処理面）に析出させる析出処理である。通常、このようなめっき処理を施す被処理物の被処理面上には、析出を可能にするための触媒層などが設けられている。
【００５９】
また、初期析出工程とは、めっき処理を行う前に被処理面上に形成された層（例えば、上記触媒層）から触媒を離脱させないために、めっき処理によって析出した析出物が層状になるまでの析出処理を確実に行う工程である。このため、例えば、この初期析出工程は、被処理面の搬送速度に対して、めっき処理に用いるめっき液の流速を、上記触媒層（または、その一部）内に含まれる触媒がめっき液による洗い流し（離脱）が生じない程度に遅く（例えば、０．３メートル毎秒（ｍ／ｓ））した工程であることが好ましい。
【００６０】
具体的には、この初期析出工程は、めっき液を流入しない条件での工程であってもよい。また、この初期析出工程は、めっき液の流入口の近傍にめっき液の流速を抑制する抑制板などを配置して行う工程であってもよい。更に、この初期析出工程は、被処理面の走行方向に対して略平行かつ同じ向きにめっき液を流入させながら析出処理を行う工程であってもよい。
【００６１】
また、析出物が層状になる状態とは、析出物が被処理面全体を一様に覆う状態である。すなわち、この状態は、析出物の下面側に存在する層（めっき処理の前に設けられた層）が、析出物によって被覆されることにより、析出物以外のもの、すなわちめっき液や粒子に曝露されていない状態である。
【００６２】
厚付け工程は、初期析出工程の後に行われる。この厚付け工程におけるめっき液の流速には、初期析出工程のめっき液の流速や被処理物の搬送に影響を与えない程度であれば特に制限はないが、初期析出工程における流速以上の速度であってもよい。これは、すでに、初期析出工程において析出した析出物によって、めっき処理の前に形成された層が覆われているため、この層内に含まれる触媒がめっき液によって離脱するおそれがないためである。また、所望の厚さとは、例えば、１００ｎｍ程度であってもよい。
【００６３】
これまで、量産用のめっき処理方法では、このめっき処理、すなわち析出処理によって形成される層の直下面側に、析出を可能にするための触媒層を設ける。そして、めっき処理において、所望の厚さのめっき層を均一に形成するためには、めっき液が常に攪拌されていること、すなわち常に一定条件のめっき液が被処理物の被処理面に行きわたることが要求される。このため、めっき槽へのめっき液の流入速度を速い速度（例えば、１ｍ／ｓ）にすることによって、その要求を満たしている。
【００６４】
しかしながら、めっき液の流速が速い場合、析出物が触媒層を覆う前にそのめっき液が触媒を被処理面から離脱させてしまうという問題がある。また、この問題は、触媒層が薄いほど顕著になる。そして、触媒層から触媒が離脱した領域では、めっき液からの析出がなく、結果的にめっき層が不均一に形成されてしまう。
【００６５】
そこで、当該めっき処理方法は、触媒層が薄い場合であっても、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行う初期析出工程を備えている。
【００６６】
このような方法により、上流側から搬送されてくる被処理物の被処理面に対し、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒が離脱してしまうことを防止することができる。したがって、初期析出層を均一に形成することが可能になる。また、離脱した触媒がめっき層へ混入することを防止することが可能になる。そして、厚付け工程において、このように均一に形成された初期析出層の上面に、めっき層が所望の厚さになるまでのめっき処理を行うことができる。
【００６７】
この結果、領域依存がない、すなわち均一で良質なめっき層を形成することができる。したがって、品質の高い被処理物を安定して作製することが可能になり、歩留まりの高い製造を行うことができる。
【発明の効果】
【００６８】
本発明に係るめっき処理装置によれば、アルカリ処理の処理深さにかかわらず、析出物が層状になるまで、めっき液による触媒の離脱を生じさせずに析出処理を行うことが可能になり、均一かつ良質なめっき層を形成することが可能になる。
【図面の簡単な説明】
【００６９】
【図１】本発明の一実施形態に係るめっき処理システムを示す斜視図である。
【図２】（ａ）は、図１に示すめっき処理システムのめっき処理槽を示す上面視図であり、（ｂ）は、図１に示すめっき処理システムのめっき処理槽を示す側面視図である。
【図３】図１に示すめっき処理システムを用いて行われるめっき処理工程のフローチャート図である。
【図４】図３に示すめっき処理工程を用いて作製されるフレキシブルプリント基板の断面図である。
【図５】（ａ）〜（ｅ）は、図１に示すめっき処理システムを用いてめっき処理を行った場合のめっき層の形成状態を説明する流れ図であり、（ｆ）〜（ｊ）は、従来のめっき処理システムを用いてめっき処理を行った場合のめっき層の形成状態を説明する流れ図である。
【図６】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係るめっき処理槽を示す上面視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すめっき処理槽を示す側面視図である。
【図７】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係るめっき処理槽を示す上面視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すめっき処理槽を示す側面視図である。
【図８】本発明の他の実施形態に係るめっき処理システムを示す斜視図である。
【図９】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係るめっき処理槽を示す上面視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すめっき処理槽を示す側面視図である。
【図１０】（ａ）は、本発明の他の実施形態に係るめっき処理槽を示す上面視図であり、（ｂ）は、（ａ）に示すめっき処理槽を示す側面視図である。
【図１１】本発明に係るめっき処理システムと従来のめっき処理システムとのそれぞれによって実施されためっき処理の実施結果を示す図である。
【図１２】本発明に係るめっき処理システムの一参考例を示す斜視図である。
【図１３】本発明に係るめっき処理システムにおける搬送ローラの一参考例を示す平面視図である。
【発明を実施するための形態】
【００７０】
本発明の一実施形態に係るめっき処理システム１について、図１〜図５（ｊ）を用いて以下で説明する。なお、以下では、被処理物の搬送経路における上手側を上流側、下手側を下流側として説明する。
【００７１】
［めっき処理システム１全体の構成］
めっき処理システム１は、図１に示すように、プラスチック基板１１０の搬送経路の上流側から順に、触媒処理槽３、第１水洗処理槽４、還元処理槽５、第２水洗処理槽６、めっき処理槽（めっき処理装置）１０を備えている。また、これらの各槽の前後には、プラスチック基板１１０を垂直な状態で通過させ、搬送するための複数の搬送ローラ対９が設けられている。
【００７２】
上記のめっき処理システム１は、特に制約されるものではないが、フレキシブルなプラスチック基板（被処理物）１１０にニッケルのめっき層１１４を形成するための装置が示されている。このめっき処理システム１において、原料となるプラスチック基板１１０はめっき処理システム１の上流側（矢印のある側）にロール状に巻かれた状態で置かれている。そして、そこから巻き出されたプラスチック基板１１０は、めっき処理システム１によってめっき処理され、めっき処理システム１の下流側に設けられた巻き取りローラ（図示しない）によって巻き取られる。
【００７３】
図１の触媒処理槽３は、プラスチック基板１１０の被処理面と化学的結合した状態で触媒層１１１（図４参照）を形成するための処理槽である。また、触媒処理槽３は、直方体形状の槽であって、上流側にプラスチック基板１１０の搬入口３ａ、下流側に搬出口３ｂを有している。この触媒処理槽３には、プラスチック上に触媒金属を付与できる金属触媒溶液が満たされており、その好ましい一例としては、特許文献２に記載のパラジウム溶液が挙げられる。なお、ここには図示されていないが、一般には、この触媒処理層３の前段には、脱脂槽、一または複数の水洗槽、アルカリ処理槽および一または複数の水洗槽がこの順序で設けられている。また、これら各槽には、それぞれプラスチック基板を垂直な状態で通過させる出入り口が設けられている。
【００７４】
図１の第１水洗処理槽４は、触媒層１１１を形成するために用いられたパラジウム溶液の余剰溶液を洗い流すための処理槽である。この第１水洗処理槽４は直方体形状の槽であって良く、上流側にプラスチック基板１１０の搬入口４ａ、下流側に搬出口４ｂを有している。この第１水洗処理槽４には水が満たされているか、あるいはシャワー水洗できるようになっていることが好ましい。
【００７５】
還元処理槽５は、触媒（触媒層１１１）を還元することによって金属化するための処理槽である。この還元処理槽５は直方体形状の槽であって良く、上流側にプラスチック基板１１０の搬入口５ａ、下流側に搬出口５ｂを有している。この還元処理槽５には、前記した触媒を金属にまで還元しうる還元剤が満たされるが、その好ましい一例としては、ジメチルアミンボランを有効成分とする溶液が挙げられる。
【００７６】
第２水洗処理槽６は、触媒層１１１の還元処理のために用いられた処理溶液の余剰溶液を洗い流すための処理槽である。この第２水洗処理槽６は、直方体形状の水槽であって良く、上流側にプラスチック基板１１０の搬入口６ａ、下流側に搬出口６ｂを有している。この第２水洗処理槽６にも水が満たされているか、あるいはシャワー水洗できるようになっていることが好ましい。
【００７７】
ここで、触媒処理槽３、第１水洗処理槽４、還元処理槽５および第２水洗処理槽６のそれぞれは、上述したように、各処理槽において必要とされるそれぞれの処理液が常に満たされている状態を保つために、それぞれの処理槽は、個々に各処理液の流入口（図示しない）を備えている。なお、この流入口が備えられる位置や流入口の形状などには、プラスチック基板１１０の搬送に影響を与えないものであれば特に限定はなく、例えば、各処理槽の下面側に円筒形状の管が備えられたものであってもよい。また、この流入口から流入する各処理液は、各処理槽が有する搬入口および搬出口から流出し続けるものであってもよい。更に、この流出した各処理液は、循環装置（図示しない）によってそれぞれの流入口に循環されるものであってもよい。
【００７８】
めっき処理槽１０は、還元処理された触媒層１１１の上面に無電解めっき処理によってめっき層１１４を形成するための処理槽である。このめっき処理槽１０は、直方体形状の槽であって良く、上流側にプラスチック基板１１０の搬入口１０ａ、下流側に搬出口１０ｂを有している。このめっき処理槽１０には、無電解金属めっき液が満たされており、その好ましい一例としては、ニッケルリンめっき液が挙げられる。
【００７９】
本発明において、めっき処理槽１０は、初期析出部７と厚付け部８とを有しているものである。
【００８０】
めっき処理槽１０の初期析出部７は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、触媒層１１１の上面にめっき層１１４の一部である初期析出層１１２を形成するための領域であって、めっき処理槽１０の上流側領域に設けられている。図１および２においては、この初期析出部７は、めっき処理槽１０の搬送方向における長さＬに対して１／３の長さ、すなわちＬ／３の長さを有しているが必要により、初期析出部７の長さ（Ｌａ）を、厚付け部８の長さ（Ｌｂ）に対し、Ｌａ≧Ｌｂ／２となる範囲で調製しても良い。そして、初期析出部７は、流入口１２と遮蔽板２６と液漏れ防止ローラ対１１とを有しており、めっき処理槽１０への搬入口１０ａを含む。
【００８１】
流入口１２は、めっき液をめっき処理槽１０（初期析出部７）内部に流入させるための部材で、上面に開口部１２ａが形成されている筒形状の形状のものであり、初期析出部７の下面に設けられている。
【００８２】
また、遮蔽板２６は、流入口１２から流入するめっき液の流速を抑えるための板形状の部材であって、流入口１２の開口部１２ａの近傍において、開口部１２ａにこの遮蔽板２６の一方の面が対向するように設置されている。そして、流入口１２から流入するめっき液の速度は、この遮蔽板２６によって低速に、例えば、０．３ｍ／ｓ以下に抑えることができる。また、これにより、後述する厚付け部８の流入口１３から流入するめっき液の流速が、流入口１２から流入するめっき液の流速と同じ速度であっても、この遮蔽板２６を設けることによって、初期析出部７における被処理面に接するめっき液の流速を厚付け部８におけるめっき液の流速以下の速度に抑えることが可能になる。
【００８３】
液漏れ防止ローラ対１１は、めっき液の搬入口１０ａからの流出を軽減することで、初期析出部７の上流領域においてめっき液の流速が速くなること防ぐための部材であって、搬入口１０ａに隣接して設けられている。また、液漏れ防止ローラ対１１は、図２の（ａ）および（ｂ）に示されるように、搬送されるプラスチック基板１１０を挟むように設けられた２本のローラである。この２本のローラは、回転自在に構成されている。ただし、この液漏れ防止ローラ対１１は、プラスチック基板１１０を搬送および保持するために設けられるものではない。このため、ローラの外周面がプラスチック基板１１０に対して接していなくてもよい。
【００８４】
厚付け部８は、図４に示すように、初期析出層１１２の上面にめっき層１１４の一部である厚付け層１１３を形成するための領域であって、めっき処理槽１０の下流側領域に設けられている。図１では、この厚付け部８は、めっき処理槽１０の搬送方向における長さＬに対して２／３の長さ、すなわち２Ｌ／３の長さを有しているが、これに限られず、前記Ｌａ≧Ｌｂ／２となる範囲で調製しても良い。また、厚付け部８は、流入口１３を有しており、めっき処理槽１０からの搬出口１０ｂを含む。
【００８５】
めっき処理槽１０での流入口１３は、図２に示すように厚付け部８の下面に設けられており、めっき液をめっき処理槽１０（厚付け部８）内部に流入させるため、上面に開口部１３ａが形成されている筒形状の部材である。この流入口１３から流入するめっき液の流速は、上述の初期析出部７におけるめっき液の流速に影響を与えない程度の流速であればよい。
【００８６】
一方、めっき処理槽１０の搬出口１０ｂは、プラスチック基板１１０の出口であるとともに、初期析出部７および厚付け部８に流入しためっき液の流出口を兼ねている。そして、搬出口１０ｂから流出しためっき液は、上記各処理槽と同様に、循環装置によって循環されて流入口１２および流入口１３から再びめっき処理槽１０へ流入する。なお、循環装置には、各処理液の条件（例えば、濃度、温度、清浄化など）を調整する機能を備えたものであることが好ましい。
【００８７】
搬送ローラ対９は、図１に示すように、触媒処理槽３の上流側、第１水洗処理槽４と還元処理槽５との間、第２水洗処理槽６とめっき処理槽１０との間、およびめっき処理槽１０の下流側にそれぞれ配置されている。この搬送ローラ対９は、プラスチック基板１１０の被処理面が鉛直方向を向くように挟持し、この挟持するプラスチック基板１１０の被処理面に損傷を与えないように構成されている。また、各ローラは、回動自在に設置されている。そして、各ローラの回転は、同期して駆動されており、その外周面が対向して対をなすローラ同士の回転方向は、一方が時計回りであるときは、他の一方は反時計回りになる。
【００８８】
このような構成により、搬送ローラ対９は、プラスチック基板１１０に、撓みを生じさせたり、過剰な張力をかけたりすることを防ぎつつ、上記各処理槽を順に通過させることができる。
【００８９】
また、各処理槽の搬送方向における長さは、被処理物であるプラスチック基板１１０の搬送速度が一定であるため、各処理槽において必要とされる処理時間を考慮して予め設定されている。
【００９０】
以上の構成により、本発明に係るめっき処理システム１はプラスチック基板１１０の被処理面１１０を垂直とした状態でめっき処理を行うことができる。
【００９１】
［めっき処理システム１におけるめっき処理工程］
次に、本実施形態のめっき処理システム１のめっき処理工程を、図３を用いて工程順に述べる。
【００９２】
まず、プラスチック基板１１０の被処理面に対し、上述しためっき処理システム１において処理する前に行う処理について説明する。本実施形態では、被処理物であるプラスチック基板１１０としてポリイミドフィルム（カプトン１５０ＥＮ：東レデュポン社製）を材料としたものを例として説明する。
【００９３】
第１の工程は、脱脂工程Ｓ０３０である。この脱脂工程Ｓ０３０は、プラスチック基板１１０の被処理面に付着している、または形成されている不純物（例えば、汚染物、油脂分、指紋など）を化学的に除去する工程である。これは、被処理面にこのような不純物が付着したままの状態で下流側の工程に進んだ場合に不具合が生じることを防ぐために行うものである。このため、本実施形態においては、この脱脂工程Ｓ０３０では、これに限られないが、例えば、アルカリ性脱脂剤ＥＳ−１００（荏原ユージライト株式会社製）を用い、５０℃程度の温度で３分間程度の処理を行う。
【００９４】
第２の工程は、水洗工程Ｓ０３１である。この水洗工程Ｓ０３１は、脱脂工程Ｓ０３０において使用された余剰の処理液を水によって洗い流す工程である。
【００９５】
第３の工程は、アルカリ処理工程Ｓ０３２である。このアルカリ処理工程Ｓ０３２は、プラスチック基板１１０の被処理面をアルカリ溶液によってエッチングするものである。本実施形態においては、このアルカリ処理工程Ｓ０３２では、水酸化アルカリ溶液、例えば、濃度２％程度の水酸化カリウム溶液を用い、５０℃程度の温度で３分間程度の処理を行う。
【００９６】
第４の工程は、水洗工程Ｓ０３３である。この水洗工程Ｓ０３３は、アルカリ処理工程Ｓ０３２において使用された余剰の処理液を水によって洗い流す工程である。
【００９７】
以上の第１の工程から第４の工程が、めっき処理の前処理として行われる工程である。
【００９８】
次に上述しためっき処理システム１によって行われる工程を説明する。
【００９９】
第５の工程は、触媒処理工程Ｓ０３４である。この触媒処理工程Ｓ０３４は、プラスチック基板１１０の被処理面に触媒層１１１を形成する工程であって、めっき処理システム１の触媒処理槽３において行われる。これは、後述するめっき処理においてめっき層１１４の析出を可能にするための層を形成するための工程である。本実施形態において、この触媒処理工程Ｓ０３４は、イオン性パラジウム触媒付与溶液ＥＳ−３００（荏原ユージライト株式会社製）を用い、５０℃程度の温度で３分間程度の処理を行うが、これに限らず、別の触媒金属溶液や、異なる条件で実施しても良い。
【０１００】
第６の工程は、水洗工程Ｓ０３５である。この水洗工程Ｓ０３５は、触媒処理工程Ｓ０３４において使用された処理液であるパラジウム溶液の余剰溶液を水によって洗い流す工程である。また、この水洗工程Ｓ０３５は、めっき処理システム１における第１水洗処理槽４において行われる。
【０１０１】
第７の工程は、還元処理工程Ｓ０３６である。この還元処理工程Ｓ０３６は、触媒処理工程Ｓ０３４において形成された触媒層１１１内に含まれる触媒３０を金属化させる工程であって、めっき処理システム１の還元処理槽５において行われる。これは、触媒３０をイオン状態から金属状態に変化させ、次のめっき処理においてめっきの析出を促進させるために行う工程である。本実施形態においては、ジメチルアミンボランを還元成分とするＥＳ−４００（荏原ユージライト株式会社製）を用い、３５℃程度の温度で３分間程度処理を行ったが、これに限らず、他の還元剤や、異なる条件で行っても良い。
【０１０２】
第８の工程は、水洗工程Ｓ０３７である。この水洗工程Ｓ０３７は、還元処理工程Ｓ０３６において使用された余剰の処理液を水によって洗い流す工程である。また、この水洗工程Ｓ０３７は、めっき処理システム１における第２水洗処理槽６において行われる。
【０１０３】
第９の工程は、初期析出工程Ｓ０３８である。この初期析出工程Ｓ０３８は、上記初期析出部７において行われる工程であって、図４に示すように、触媒層１１１の上面に初期析出層１１２を形成する工程である。つまり、初期析出工程Ｓ０３８は、還元処理工程Ｓ０３７において還元処理された触媒層１１１の上面に、析出物がこの触媒層１１１を一様に覆うまで、すなわち層状になるまでのめっき処理（析出処理）を行う工程である。
【０１０４】
ここで、初期析出工程Ｓ０３８について、図５（ａ）から図５（ｅ）を用いて説明する。まず、図５（ａ）に示すように、プラスチック基板１１０は、被処理面に還元処理された触媒層１１１が設けられている状態で初期析出部７に搬送されてくる。初期析出部７は上述のように構成されているため、初期析出工程Ｓ０３８では、図５（ｂ）に示すように、触媒３０の離脱が生じない状態のまま析出物３１の核形成が始まる。その後、図５（ｃ）に示すように、析出物３１の核が成長する。そして、図５（ｄ）に示すように、隣接するそれぞれの核同士が成長に伴って一体化する。最終的には、図５（ｄ）に示すように、析出物３１が層状に成長し、平坦な初期析出層１１２が形成される。このように析出物３１が、層状であり、かつ平坦な初期析出層１１２になるための層の厚さは、およそ３０ｎｍ程度以上である。
【０１０５】
一方、従来のめっき処理を行った場合について、図５（ｆ）から図５（ｊ）を用いて簡単に説明する。初期析出部７を備えていない従来のめっき処理システムでは、めっき液による触媒３０の洗い流しが生じる、すなわち、図５（ｆ）に示すように、触媒３０が離脱することになる。このため、図５（ｇ）に示すように、析出物３１の核形成が疎らになり、図５（ｈ）に示すように、隣接する核同士がつながる前にそれぞれの核が比較的大きく成長する。したがって、図５（ｉ）に示すように、隣接する核がつながる程度にそれぞれの核が成長するころには、表面の凹凸（ラフネス）が大きくなってしまう。そして、最終的には、図５（ｊ）に示すように、表面のラフネスが粗い析出層３２が形成される。
【０１０６】
このように、初期析出部７を備える本実施形態のめっき処理システム１と従来のめっき処理システムとでは、形成される初期析出層１１２（最終的にはめっき層１１４）と析出層３２との表面のラフネスに大きな差が生じることになる。また触媒３０の洗い流しが顕著である場合には、隣接する核がつながらずに、初期析出部７にピンホールを生じる。
【０１０７】
第１０の工程は、厚付け工程Ｓ０３９である。この厚付け工程Ｓ０３９は、上記厚付け部８において行われる工程であって、図４に示すように、初期析出層１１２の上面側に厚付け層１１３を形成する工程である。この厚付け工程Ｓ０３９は、初期析出層１１２と同じ材質（本実施形態ではニッケル）による厚付け層１１３を初期析出層１１２の上面側に形成する。なお、厚付け層１１３の厚さは、通常、９０ｎｍ以上であることが好ましい。
【０１０８】
プラスチック基板１１０は、以上の第１から第１０工程を経た後、めっき層１１４の上面側に、めっき処理（例えば、電解めっき処理であってもよい）を用いて金属層（例えば、銅層）１１５が形成されてフレキシブルプリント基板３５となる（図４参照）。このようなフレキシブルプリント基板３５は、通常、電子部品の回路として用いられるものである。
【０１０９】
［本実施形態のめっき処理システム１の特徴］
（１）本実施形態のめっき処理システム１は、図１、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、上流から下流にプラスチック基板（被処理物）１１０を搬送しながら、めっき液を用いてプラスチック基板１１０の被処理面上にめっき層１１４を形成する装置であって、複数の搬送ローラ対（搬送部）９と、初期析出部７とを備えている。搬送ローラ対９は、プラスチック基板１１０を上流側から下流側へ搬送する。初期析出部７は、めっき処理槽（めっき処理装置）１０の上流側に備えられ、めっき処理による析出物３１が被処理面上において層状になるまでの析出処理を行う。
【０１１０】
このような構成により、上流側から搬送されてくるプラスチック基板１１０の被処理面に対し、めっき処理の前に形成された触媒層１１１内に含まれる触媒３０が離脱してしまうことを防止することができる。したがって、図５（ｅ）に示すように、触媒層１１１を覆うめっき層１１４のうちの初期析出層１１２を、平坦に形成することが可能になる。また、離脱した触媒３０がめっき層１１４へ混入することを防止することが可能になる。
【０１１１】
この結果、領域依存がない、すなわち被めっき面の全面において、均一で良質なめっき層１１４を形成することができる。また、触媒３０の離脱が生じないことから、先に形成される触媒層１１１を薄く形成することも可能になる。さらに、触媒層１１１を薄く形成してもよいということは、アルカリ処理の処理深さを浅くしてもよいということである。つまり、アルカリ処理の処理深さが浅いほどプラスチック基板に与える損傷や後の経時変化による密着性の低下を抑えられることができる。なお、このような経時変化の影響については、後段の実施例において実証する。したがって、品質の高いプラスチック基板１１０を安定して作製することが可能になり、歩留まりの高いフレキシブルプリント基板３５の製造を行うことができる。
【０１１２】
（２）本実施形態のめっき処理システム１は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、初期析出部におけるめっき液の流入口１２の開口部１２ａの近傍に、開口部１２ａに一方の面が対向する遮蔽板２６を備えている。
【０１１３】
これにより、遮蔽板２６が流入口１２から流入するめっき液の流速を抑えることができる。つまり、プラスチック基板１１０の被処理面に対して勢いの強いめっき液が直接あたることを防ぐことが可能になる。したがって、初期析出部７では、めっき液の流速を抑えつつ、めっき液を攪拌および循環させることが可能になる。
【０１１４】
この結果、触媒層１１１内に含まれる触媒３０が被処理面から離脱することを防ぎつつ、常に一定範囲の濃度のめっき液を被処理面に対して供給することができる。したがって、量産用のめっき処理のような長尺の連続したプラスチック基板１１０に対するめっき処理においても、均一かつ良質なめっき層１１４を連続して形成することが可能になる。
【０１１５】
（３）本実施形態のめっき処理システム１は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、初期析出部７にプラスチック基板１１０の搬入口１０ａに隣接する液漏れ防止ローラ対（液漏れ防止部）１１が備えられている。
【０１１６】
これにより、本実施形態のような量産用のめっき処理システム１であっても、初期析出部７におけるプラスチック基板１１０の搬入口１０ａ、すなわちめっき処理槽１０の上流側からめっき液が漏れ出すことを軽減することができる。したがって、プラスチック基板１１０の搬送方向とは逆向きのめっき液の流れを軽減することが可能になる。つまり、被処理面に対するめっき液の相対速度が速くなることを軽減することができる。
【０１１７】
この結果、特に、初期析出工程Ｓ０３８の前に形成された触媒層１１１内に含まれる触媒３０の離脱に最も影響を及ぼす領域である初期析出部７の上流領域において、従来よりも均一かつ良質な析出処理を行うことが可能になる。
【０１１８】
（４）本実施形態のめっき処理システム１は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、初期析出部７の下流側に、厚付け部８をさらに備えている。この厚付け部８は、初期析出部７によって形成された初期析出層１１２の上面側に、初期析出層１１２と同じ材質の析出物にからなる層（厚付け層１１３）が所望の厚さになるまでの析出処理を行う。
【０１１９】
これにより、触媒層１１１が初期析出部７において形成された初期析出層（層状の析出物）によって覆われた後に、析出物３１、すなわちめっき層１１４が所望の厚さになるまでのめっき処理を行うことができる。
【０１２０】
この結果、触媒層１１１内に含まれる触媒３０がプラスチック基板１１０の被処理面から離脱するおそれを考慮することなく、所望の厚さのめっき層１１４を均一かつ効率的に形成することが可能になる。
【０１２１】
（５）本実施形態のめっき処理システム１は、図２（ａ）および図２（ｂ）に示すように、プラスチック基板１１０の搬出口１０ｂがめっき液の流出口を兼ねている。すなわち、流入しためっき液は、めっき処理槽１０の下流側に向かって流れ、その速度は下流側に行くに連れて速くなる。したがって、流入口１２および流入口１３から流入するめっき液のそれぞれの速度が同じ速度であっても、初期析出部７におけるプラスチック基板１１０被処理面に対するめっき液の流速は、厚付け部８における被処理面に対するめっき液の流速以下の流速である。
【０１２２】
これにより、めっき液の流速が遅い初期析出部７においては、触媒３０を離脱させることなくめっき層１１４の下地（初期析出層１１２）を形成し、めっき液の流速が速い厚付け部８においては、初期析出層１１２上に均一なめっき処理を行うことが可能になる。
【０１２３】
（６）本実施形態のめっき処理システム１は、図１に示すように、プラスチック基板１１０の搬送方向における初期析出部７の長さＬａと厚付け部の長さＬｂとの関係は、Ｌａ＝Ｌｂ／２である。すなわち、搬送方向におけるめっき処理槽１０の長さの１／３が初期析出部の長さである。
【０１２４】
これにより、初期析出部７において、確実に、めっき処理の前に形成された層である触媒層１１１を覆う初期析出層１１２を形成することが可能になる。
【０１２５】
［他の実施形態］
以上、本発明の一実施形態について説明したが、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、発明の要旨を逸脱しない範囲で種々の変更が可能である。
【０１２６】
（Ａ）上記実施形態では、初期析出部７と厚付け部８との長さの比が１：２である例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１２７】
例えば、初期析出部７と厚付け部８との長さの比が１：１であってもよい。つまり、初期析出部の長さＬａと厚付け部の長さＬｂとの関係が、Ｌａ≧Ｌｂ／２であればよい。
【０１２８】
通常、上述のように、めっき処理を施す場合、そのめっき層の厚さがおよそ９０ｎｍ以上であることが要求される。したがって、ＬａとＬｂとが上記関係を満たしている場合、初期析出層１１２の厚さが３０ｎｍ以上となるため、上記実施形態と同様の効果を得ることができる。
【０１２９】
（Ｂ）上記実施形態では、流入口１２および流入口１３がめっき処理槽１０の下面側に設けられている例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１３０】
例えば、図６（ａ）および図６（ｂ）に示すように、めっき処理槽１０の上流側側面に流入口４１，４１を設け、下流側側面に流出口４２，４２を設ける構成であってもよい。
【０１３１】
このような構成によると、プラスチック基板１１０（被処理物）の搬送方向、すなわち被処理面の走行方向に合わせて、めっき液が上流側から下流側に向けて流れる。
【０１３２】
これにより、めっき液と被処理物との相対速度を比較的低くすることができる。したがって、めっき処理の前に形成された層である触媒層１１１が離脱することをより確実に防ぐことが可能になる結果、均一かつ良質なめっき層１１４を形成することが可能になる。
【０１３３】
（Ｃ）上記実施形態では、遮蔽板２６を流入口１２の近傍にのみ設ける例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１３４】
例えば、図７（ａ）および図７（ｂ）に示すように、流入口１２および流入口１３とプラスチック基板（被処理物）１１０との間に遮蔽板２７を設ける構成であってもよい。 このような構成によっても、上記実施形態と同様の効果を奏することが可能になる。
【０１３５】
（Ｄ）上記実施形態では、初期析出部７と厚付け部８とを同じ処理槽（めっき処理槽１０）の内部に設けた例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１３６】
例えば、図８に示すように、めっき処理システム２が、初期析出部７０と厚付け部８０とを独立した処理槽として設ける構成であってもよい。ただし、この場合、初期析出部７０と厚付け部８０とを合わせてめっき処理装置とする。
【０１３７】
これにより、初期析出部７０と厚付け部８０とのめっき液が互いに干渉することがない。このため、個々のめっき処理条件（例えば、めっき液の濃度や流速など）をそれぞれ別々に制御することが可能になる。
【０１３８】
この結果、さらに高精度なめっき処理を行うことができる。したがって、従来よりも高品質な被処理物（例えば、プラスチック基板１１０）を作製することが可能になる。
【０１３９】
（Ｅ）上記実施形態では、初期析出部７と厚付け部８との間には、特に仕切りとなるものを設けていない例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１４０】
例えば、図９（ａ）および図９（ｂ）に示すように、初期析出部７と厚付け部８との間に仕切り板２８を設けてもよい。この仕切り板２８は、初期析出部７と厚付け部８との間に設けられるが、めっき液が初期析出部７から厚付け部８へ流れ出ることが可能とするために、めっき処理槽１０の上面１０ｃおよび側面１０ｄ，１０ｄに対し若干の隙間１０ｅを有するように形成されている。このような構成によっても、上記実施形態と同様の効果を奏することが可能になる。
【０１４１】
（Ｆ）上記実施形態では、初期析出部７の下流側に厚付け部８を設ける例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。例えば、厚付け部８を設けずに、めっき処理槽１０の全てが初期析出部７の構成であってもよい。
【０１４２】
このような構成によっても、所望の厚さのめっき層１１４を設けることが可能である。したがって、上記実施形態と同様の効果を奏することが可能になる。
【０１４３】
（Ｇ）上記実施形態では、液漏れ防止ローラ対１１は回転自在である例を挙げて説明した。しかし、本発明はこれに限定されるものではない。
【０１４４】
例えば、液漏れ防止ローラ対１１はプラスチック基板１１０（被処理物）の搬送速度に応じて回動する、すなわち搬送ローラ対９の回転速度と同じ速度で自ら回転するものであってもよい。このような構成によっても、上記実施形態と同様の効果を奏することが可能なる。
【０１４５】
（Ｈ）上記実施形態では、プラスチック基板１１０（被処理物）の全体をめっき液に浸漬する例を挙げて説明した。しかし本発明はこれに限定されるものではない。
【０１４６】
例えば、図１０に示すように、めっき処理槽１０において浮き壁２０を備える片面浸漬法を採用するめっき処理システムであってもよい。浮き壁２０は、板状の部材であって、その一方の面がプラスチック基板１１０の被処理面と対向するように設置されている。めっき液は、浮き壁の上端部２３側から供給され、浮き壁２０の一方の面とプラスチック基板１１０の被処理面との間を流れ落ちる。浮き壁２０とプラスチック基板１１０との間を流れるめっき液は、浮き壁２０の側端部２１及び下端部２２から漏れ出る。
【０１４７】
このような構成によると、供給するめっき液の量を調整することによって、浮き壁２０とプラスチック基板１１０との間に流れるめっき液の流速を制御することができる。したがって、このめっき液の流速を、触媒が洗い流されない程度に遅くすることができる。このため、触媒層１１１内に含まれる触媒３０の離脱を防ぐことが可能になる。
【０１４８】
また、搬入口１０ａから液が漏れ出ることがないため、液漏れ防止ローラ対１１を設ける必要がない。
【実施例】
【０１４９】
ここで、本実施形態のめっき処理システム１と他の実施形態（Ｄ）に記載のめっき処理システム２と従来のめっき処理システムとをそれぞれ用いて、プラスチック基板１１０表面へのめっき処理をそれぞれ実施した。
【０１５０】
本実施態様のめっき処理システム１としては、めっき処理槽は、４３．８Ｌ（１０×１２５×３５ｃｍ）のめっき槽を利用し、その前段に２６．３Ｌの脱脂槽、８．８Ｌの水洗槽が３槽、２６．３Ｌのアルカリ処理槽、８．８Ｌの水洗槽が３槽、２６．３Ｌの触媒槽、８．８Ｌの水洗槽が３槽、２６．３Ｌの還元槽および８．８Ｌの水洗槽が３槽よりなるシステムを使用した。各槽には、中の溶液が漏出せずに長尺のプラスチック基板を出し入れできる搬入口および搬出口が設けられている。また、プラスチック基板としては、３０ｃｍ×１００ｍのポリイミドフィルム（カプトン１５０ＥＮ：東レデュポン社製）を用い、各槽での処理液の条件は、下記の通りとした。また、実施形態（Ｄ）に記載のめっき処理システム２は、装置構成および使用処理液は本実施態様と同じであるが、めっき層中でのめっき液の速度管理は行わなかった。
【０１５１】
脱脂処理液：
アルカリ性脱脂剤ＥＳ−１００（荏原ユージライト株式会社製）を４０ｍＬ／
Ｌの濃度とし、５０℃で３分間浸漬した。
アルカリ処理液：
２％水酸化カリウム溶液を５０℃とし、３分間浸漬した。
触媒処理液：
イオン性パラジウム触媒付与触媒ＥＳ−３００(荏原ユージライト株式会社製)
を１００ｍＬ／Ｌの濃度とし、５０℃で３分間浸漬した。
還元処理液：
ＥＳ−４００（荏原ユージライト株式会社製）を１０ｍＬ／Ｌの濃度とし、
３５℃で３分間浸漬した。
めっき液：
無電解ニッケルめっき液ＥＳ−５００（荏原ユージライト株式会社製）を、
その指定濃度で用い、４０℃で５分間浸漬した。
＊ なお、めっき槽中においては、その行程の１／３までは、めっき液の流速が、
めっきされるプラスチック基板との相対速度として、０．３ｍ／ｓを越えない
ように管理した。
【０１５２】
めっきされたプラスチック基板１１について、プラスチック基板１１０とめっき層との剥離強度を比較した。なお、剥離強度の測定は、めっき層が形成された直後（初期）と１５０℃で１６８時間のアニールを行った後（耐熱後）との２回の測定を行った。この結果を図１１に示す。
【０１５３】
図１１に示すように、初期における剥離強度には大きな差がないことがわかった。しかしながら、耐熱後における剥離強度には顕著な差が現れた。具体的には、従来のめっき処理システムに比べて、本発明に係るめっき処理システム１，２は、１６８時間後にはおよそ２倍の剥離強度を維持することができるプラスチック基板１１０を形成することが可能であることが示された。
【０１５４】
［参考］
本発明に係るめっき処理システムにおいて、図１２に示すように、還元処理槽５の下流側からめっき処理槽１０の上流側までの領域において搬送ローラ対９を設けない構成が考えられる。
【０１５５】
これは、上述したように、還元処理槽５において還元された触媒層１１１内に含まれる触媒３０は、プラスチック基板１１０（被処理物）と化学的結合を有していない状態であるため、外力によって剥がれ落ちる（離脱する）おそれがあるからである。すなわち、搬送ローラ対９の外周面と還元された触媒層１１１とが接触することによって、触媒層１１１内に含まれる触媒３０が搬送ローラ対９の外周面に拭き取られて（吸着して）しまうおそれがある。
【０１５６】
そこで、還元処理が施された後からめっき処理が行われる直前までの間で、上記拭き取りがなされないように、被処理物の被処理面に対して、処理液や大気を除く他のものを接触させないことが重要であると考えられる。具体的には、量産用のめっき処理システムでは、搬送ローラ対を設けない構成が有効であると考えられる。または、搬送ローラと被処理物との接触面積を小さくする構造である段付きローラ５０（図１３参照）を用いることも有効であると考えられる。これは、通常、プラスチック基板などの被処理物は、製品化される場合に実際に使用されるまたは必要とされる領域、すなわち有効領域がその中央領域に制限されており、その端部領域ではめっき処理の品質が要求されないことが多からである。
【産業上の利用可能性】
【０１５７】
本発明に係るめっき処理装置は、めっき処理の前に被処理面に付与した触媒を離脱させないため、初期析出層を均一に形成することができるという効果を奏することから、積層基板などに対する薄膜形成装置に対して広く適用可能である。
【符号の説明】
【０１５８】
１ めっき処理システム
２ めっき処理システム
３ 触媒処理槽
３ａ 搬入口
３ｂ 搬出口
４ 第１水洗処理槽
４ａ 搬入口
４ｂ 搬出口
５ 還元処理槽
５ａ 搬入口
５ｂ 搬出口
６ 第２水洗処理槽
６ａ 搬入口
６ｂ 搬出口
７ 初期析出部
８ 厚付け部
９ 搬送送ローラ対（搬送部）
１０ めっき処理槽（めっき処理装置）
１０ａ 搬入口
１０ｂ 搬出口
１０ｃ 上面
１０ｄ 側面
１０ｅ 隙間
１１ 液漏れ防止ローラ対（液漏れ防止部）
１２ 流入口
１２ａ 開口部
１３ 流入口
１３ａ 開口部
２０ 浮き壁
２１ 側端部
２２ 下端部
２３ 上端部
２６ 遮蔽板
２７ 遮蔽板
２８ 仕切り板
３０ 触媒
３１ 析出物
３２ 析出層
３５ フレキシブルプリント基板
４１ 流入口
４２ 流出口
５０ 段付きローラ
７０ 初期析出部
８０ 厚付け部
１１０ プラスチック基板（被処理物）
１１１ 触媒層
１１２ 初期析出層
１１３ 厚付け層
１１４ めっき層
１１５ 金属層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
上流側から下流側に被処理物を搬送しながら、めっき液を用いて前記被処理物の被処理面上にめっき層を形成するめっき処理装置であって、
前記被処理物を前記上流側から前記下流側へ搬送する搬送部と、
上流側領域に配置されており、めっき処理による析出物が前記被処理面上において
層状になるまで析出処理を行う初期析出部と、
を備えることを特徴とするめっき処理装置。
【請求項２】
前記初期析出部は、前記めっき液の流速を抑える遮蔽板を含む請求項１に記載のめっき処理装置。
【請求項３】
前記初期析出部は、前記被処理面側において、前記めっき液が前記上流側から前記下流側に向けて流れる請求項１または２に記載のめっき処理装置。
【請求項４】
前記初期析出部は、前記被処理物の搬入口に隣接する液漏れ防止部を含む請求項１から３のいずれか１項に記載のめっき処理装置。
【請求項５】
前記初期析出部の下流側に、前記初期析出部によって形成された前記層状の前記析出物が所望の厚さになるまでの析出処理を行う厚付け部をさらに備える請求項１から４のいずれか１項に記載のめっき処理装置。
【請求項６】
前記初期析出部における前記被処理面に対する前記めっき液の流速は、前記厚付け部における前記被処理面に対する前記めっき液の流速以下の流速である請求項５に記載のめっき処理装置。
【請求項７】
前記搬送方向における前記初期析出部の長さＬａと前記厚付け部の長さＬｂとの関係は、Ｌａ≧Ｌｂ／２である請求項５または６に記載のめっき処理装置。
【請求項８】
前記初期析出部は、前記厚付け部に対して独立して設けられている請求項５から７のいずれか１項に記載のめっき処理装置。
【請求項９】
前記初期析出部における前記被処理物の前記被処理面に対する前記めっき液の相対流速は、０．３ｍ／ｓ以下である請求項１から８のいずれか１項に記載のめっき処理装置。
【請求項１０】
上流側から下流側に被処理物を搬送しながら、めっき液を用いて前記被処理物の被処理面上にめっき層を形成するめっき処理方法であって、
めっき処理による析出物が前記被処理面上において層状になるまで析出処理を行う初期析出工程と、
前記初期析出工程の後に、前記初期析出工程において形成された前記層状の前記析出物が所望の厚さになるまで析出処理を行う厚付け工程と、
を備えるめっき処理方法。
【請求項１】
上流側から下流側に被処理物を搬送しながら、めっき液を用いて前記被処理物の被処理面上にめっき層を形成するめっき処理装置であって、
前記被処理物を前記上流側から前記下流側へ搬送する搬送部と、
上流側領域に配置されており、めっき処理による析出物が前記被処理面上において
層状になるまで析出処理を行う初期析出部と、
を備えることを特徴とするめっき処理装置。
【請求項２】
前記初期析出部は、前記めっき液の流速を抑える遮蔽板を含む請求項１に記載のめっき処理装置。
【請求項３】
前記初期析出部は、前記被処理面側において、前記めっき液が前記上流側から前記下流側に向けて流れる請求項１または２に記載のめっき処理装置。
【請求項４】
前記初期析出部は、前記被処理物の搬入口に隣接する液漏れ防止部を含む請求項１から３のいずれか１項に記載のめっき処理装置。
【請求項５】
前記初期析出部の下流側に、前記初期析出部によって形成された前記層状の前記析出物が所望の厚さになるまでの析出処理を行う厚付け部をさらに備える請求項１から４のいずれか１項に記載のめっき処理装置。
【請求項６】
前記初期析出部における前記被処理面に対する前記めっき液の流速は、前記厚付け部における前記被処理面に対する前記めっき液の流速以下の流速である請求項５に記載のめっき処理装置。
【請求項７】
前記搬送方向における前記初期析出部の長さＬａと前記厚付け部の長さＬｂとの関係は、Ｌａ≧Ｌｂ／２である請求項５または６に記載のめっき処理装置。
【請求項８】
前記初期析出部は、前記厚付け部に対して独立して設けられている請求項５から７のいずれか１項に記載のめっき処理装置。
【請求項９】
前記初期析出部における前記被処理物の前記被処理面に対する前記めっき液の相対流速は、０．３ｍ／ｓ以下である請求項１から８のいずれか１項に記載のめっき処理装置。
【請求項１０】
上流側から下流側に被処理物を搬送しながら、めっき液を用いて前記被処理物の被処理面上にめっき層を形成するめっき処理方法であって、
めっき処理による析出物が前記被処理面上において層状になるまで析出処理を行う初期析出工程と、
前記初期析出工程の後に、前記初期析出工程において形成された前記層状の前記析出物が所望の厚さになるまで析出処理を行う厚付け工程と、
を備えるめっき処理方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１２−１０２３７４（Ｐ２０１２−１０２３７４Ａ）
【公開日】平成２４年５月３１日（２０１２．５．３１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２５２４２２（Ｐ２０１０−２５２４２２）
【出願日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【出願人】（０００１２０３８６）荏原ユージライト株式会社 (48)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年５月３１日（２０１２．５．３１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１１月１１日（２０１０．１１．１１）
【出願人】（０００１２０３８６）荏原ユージライト株式会社 (48)
【Ｆターム（参考）】
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