めっき用導電性基材、その製造法、導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材
【課題】 導電性及び光透過性を有するようにパターニングされた電磁波遮蔽部材に有用な導体層パターン付き基材を転写法を用いて生産性よく製造するためのめっき用導電性基材を提供する。
【解決手段】 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部の上端から０．５〜３μｍ低い位置よりも低い位置の凹部表面に絶縁層が形成されており、凸部の導電性基材の露出部分の幅が１μｍ〜４０μｍであって、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、１０μｍ以上であるめっき用導電性基材。凸部の露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなっていることが好ましい。
【解決手段】 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部の上端から０．５〜３μｍ低い位置よりも低い位置の凹部表面に絶縁層が形成されており、凸部の導電性基材の露出部分の幅が１μｍ〜４０μｍであって、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、１０μｍ以上であるめっき用導電性基材。凸部の露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなっていることが好ましい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき用導電性基材、その製造法、電性に優れかつ光透過性を有するようにパターニングされた導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
公共施設、ホール、病院、学校、企業ビル、住宅等の壁面、ガラス窓、樹脂パネル、電磁波を発生するディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する方法は、従来種々提案されている。例えば、被遮蔽面上に電磁波遮蔽塗料を全面塗布する方法、被遮蔽面上に金属箔を貼り合わせる方法、金属めっきされた繊維メッシュを樹脂板に熱ラミネートしてなる電磁波遮蔽シートを、被遮蔽面に貼り合わせる方法、導電性繊維をメッシュ状に編んだものを被遮蔽面に貼り合わせる方法等が一般的に行われている。
【０００３】
これらのうち、透明ガラス面、透明樹脂パネル面、陰極線管（ＣＲＴ）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）などのディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する場合においては、電磁波遮蔽用部材がなるべく薄いことが要求されるとともに、光透過性（透明性）と、これに相反する電磁波遮蔽性とをバランスよく両立させることができるものとして、金属メッシュを電磁波シールド層として有する電磁波遮蔽用部材が主流になっている。
【０００４】
金属メッシュを電磁波シールド層として有する電磁波遮蔽用部材の製造法として、特許文献１にはメッシュ状に金属電着が可能な電着基板上に金属電解液を使用して金属を電着し、接着剤を介して電磁波遮蔽基板に接着転写して電磁波遮蔽板を作製する方法（以下、転写法という）が記載されている。上記の電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュパタ−ンと逆のパターンを形成し、この結果、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製される。特許文献２には、また、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成した電着基板を用いる方法が記載されている。
【０００５】
特許文献２には、電子部品の回路パターンやセラミックコンデンサの電極パターンを作製するための金属層転写用ベースシートが開示される。金属層転写用ベースシートは、ベース金属層および電気絶縁層を備え、前記ベース金属層の表面には、転写金属層を電解めっきにより形成するための凸状パターンが形成されており、前記電気絶縁層が、前記ベース金属層の表面における前記凸状パターンが形成されていない部分に、形成されているものである。金属層転写用ベースシートのさせ製法法としては、まず、ベース金属層の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いてエッチングレジストを凸状パターンと同一パターンで形成し、エッチングレジストで覆われず露出しているベース金属層の表面をエッチングして溝を形成し、この後、エッチングレジストを除去し、エッチングされたベース金属層の全表面に電気絶縁層を形成し、次いで、凸状パターンが露出するまで電気絶縁層を研磨する方法が開示される。このとき、電気絶縁層の表面とベース金属層の凸状パターンの表面は同一平面上に配置され面一となる。また、その作製方法の他の例として、めっきレジストからなる電気絶縁層を、ベース金属層の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いて凸状パターンと逆パターン（反転パターン）で形成し、電気絶縁層の間から露出するベース金属層の表面に、電解めっき金属層を凸状パターンで形成するが、このとき、電解めっき金属層の厚みを、電気絶縁層よりも厚くする方法が記載される。電解めっき金属層の表面を、電気絶縁層の表面よりも高く形成することによって、凸状パターン上に電気めっきにより形成された転写金属層を粘着シートに転写するときに、上記電気絶縁層がこの粘着シートに損傷を与えることを防止することができる旨記載される。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２６９８０号公報
【特許文献２】特開２００４−１８６４１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記特許文献１に記載の転写法は、電磁波遮蔽部材の作製に当たりコスト低減をはかることができる方法として期待できる。電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュパタ−ンを形成し、この結果、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製されている。この電着基板を用いた場合、数回〜数十回程度の繰り返し使用は可能であるが、数百回〜数千回繰り返し使用が出来ず量産レベルにはならないという問題がある。これは、電着基板上のメッシュパターンを形成する絶縁膜が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用で導電性基材から絶縁膜が剥離してしまうためである。
また、特許文献１には、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成した電着基板を用いる方法が記載されているが、この方法によれば、実際は、導電性メッシュの側面にも金属が電着され、このことがメッシュ状電着金属層の接着転写に対する抵抗となり、剥離ができなかったり、剥離できたとしてもメッシュパターンに折れが発生し、電磁波シールド性が低下するといった不良が起こるという問題があることを、本発明者らは確認した。
【０００８】
特許文献２において、電気絶縁層の表面とベース金属層の凸状パターンの表面が同一平面上に配置され面一となっている金属層転写用ベースシートを用いて凸状パターン上に形成された転写金属層を粘着シートに転写する場合、特許文献１についての上記説明と同様に、電着基板上の電気絶縁膜が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用で導電性基材から絶縁膜が剥離してしまうという問題がある。
また、特許文献２において、電解めっき金属層からなる凸状パターンの表面を電気絶縁層の表面よりも高く形成した金属層転写用ベースシートを用いて凸状パターン上に形成された転写金属層を粘着シートに転写する場合、特許文献１についての上記説明と同様に、凸状パターンの側面にも転写金属層がめっきされ、このことが転写金属層の接着転写に対する抵抗となり、転写金属層を凸状パターンから剥離ができなかったり、剥離できたとしてもメッシュパターンに折れが発生し、電磁波シールド性が低下するといった不良が起こるという問題がある。さらに、凸状の導電性メッシュ層に析出した金属を転写する際に、電気絶縁層と凸状パターンの表面の高さの差が、最大でも数μｍ程度である場合には、転写用の接着フィルムに転写する際の圧力や、基材のたわみ等により、特許文献１についての上記説明と同様に、電着基板上の電気絶縁膜が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用で導電性基材から絶縁膜が剥離してしまうという問題がある。
【０００９】
本発明は、このような問題点に鑑み、導電性及び光透過性を有するようにパターニングされた導体層パターン付き基材を転写法を用いて生産性よく製造するためのめっき用導電性基材及びその製造法を提供するものである。また、本発明は、そのような導電性基材を用いた導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、次のものに関する。
１． 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部の上端から０．５〜５μｍ低い位置よりも低い位置の凹部表面に絶縁層が形成されており、凸部の導電性基材の露出部分の幅が１μｍ〜４０μｍであって、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、１０μｍ以上であるめっき用導電性基材。
２． 絶縁層の厚さが凸部側面におけるその端付近では１０μｍ以下である項１記載のめっき用導電性基材。
３． 凸部の間隔が１００μｍ〜１０００μｍである項１又は２のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
４． 絶縁層が炭素を主成分とする材料であることを特徴とする項１〜３のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
５． 絶縁層がダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）から成ることを特徴とする項４記載のめっき用導電性基材。
６． 導電性基材と絶縁層の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物あるいは炭化物の層を介在させてなる項５記載のめっき用導電性基材。
７． 回転体（ロール）又は回転体（ロール）に巻き付けられるものである項１〜６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
８． フープ状である項１〜６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
９． 凸部の導電性基材の露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなっている項１〜８記載のめっき用導電性基材。
１０． 凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）との高さ方向の距離ｈ１０に対する第１の位置と第２の位置との幅方向の距離ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、角度で３０°〜８０°に相当する項９記載のめっき用導電性基材。
１１． 凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）との高さ方向の距離ｈ１０に対する第１の位置と第２の位置との幅方向の距離ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、
【数１】
を満足する項９記載のめっき用導電性基材。
１２． 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超える導電性基材の表面に絶縁層形成後の凸部の高さが少なくとも１０μｍであるように絶縁層を形成する工程、形成された絶縁層の上にマスク層を形成する工程、めっき用導電性基材の凸部の上端付近の絶縁層上に形成されたマスク層を除去する工程、露出した絶縁層をドライエッチングにより除去することにより凸部上端から０．５〜３μｍ低い位置までの導電性基材の凸部を露出させる工程を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造法。
１３． 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超える導電性基材の表面に中間層及びその表面にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる絶縁層を形成し、絶縁層形成後の凸部の高さが少なくとも１０μｍであるように絶縁層を形成する工程、ＤＬＣの層上にマスク層を形成する工程、導電性基材の凸部の上端付近の絶縁層上に形成されたマスク層を除去する工程、露出した絶縁層をドライエッチングにより除去し、さらにその下の中間層を除去することにより凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置までの導電性基材の凸部を露出させる工程を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造法。
１４． 中間層をドライエッチングあるいは機械研磨により除去する項１３に記載のめっき用導電性基材の製造法。
１５． 凸部の先端付近に形成されたマスク層の除去が、機械的な研磨により行われることを特徴とする項１２〜１４のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
１６． ドライエッチングが、少なくとも酸素プラズマを用いたエッチングを含む項１２〜１５のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
１７． 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超える導電性基材が、導電性基材の表面に所定のパターンでレジストマスクを形成する工程及びその後導電性基材にエッチングを施す工程を行うことにより作製されたものである項１２〜１６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
１８． 導電性基材表面に、凸部の露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなるように導電性基材をエッチングする項１７記載のめっき用導電性基材の製造法。
１９． 凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）との高さ方向の距離ｈ１０に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、角度で３０°〜８０°に相当する項１８記載のめっき用導電性基材の製造法。
２０． 凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）との高さ方向の距離ｈ１０に対する第１の位置と第２の位置との幅方向の距離ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、
【数２】
を満足するように導電性基材をエッチングする項１８記載のめっき用導電性基材の製造法。
２１． 項１〜１１のいずれかに記載のめっき用導電性基材上に電気めっきまたは無電解めっきにより金属を析出させる工程及び上記導電性基材の凸部の上面に析出させた金属を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
２２． 別の基材が、接着性を有する項２１記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
２３． 別の基材が表面に接着剤層を有する項２２に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
２４． 凸部の導電性基材の露出部分に析出させた金属を別の基材に転写する工程の前に、導電性基材の凸部の導電性基材の露出部分に析出された金属パターンを黒化処理する工程を含む項２１〜２３のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
２５． 項２１〜２４のいずれかに記載の製造方法を行った後、別の基材に転写された金属パターンを黒化処理する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
２６． 項２１〜２５のいずれかに記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。
２７． 項２６に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材。
２８． 項２６に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のめっき用導電性基材は、凹部に絶縁層を有し、その絶縁層が、凸部上端より特定の高さより低く設けられ、絶縁層最下部からの高さが一定以上であることにより、繰り返し転写した場合の絶縁層の剥離の問題を解決し、めっき用導電性基材の寿命を長くすることができる。
また、本発明のめっき用導電性基材は、絶縁層をＤＬＣからなる絶縁層とすることにより、上記寿命をさらに長くすることができる。中間層により導電性基材と絶縁層の間の密着性を向上させることができ、これにより、めっき用導電性基材の寿命を、さらに、確実に、寿命を長くすることができる。
【００１２】
本発明のめっき用導電性基材の製造法によれば、上記のめっき用導電性基材が容易に製造でき、特に、絶縁層上のマスク層を機械研磨により除去すること、絶縁層及び場合によりその下の中間層を酸素プラズマでドライエッチングすることにより除去し、精度良く製造することができる。中間層は機械研磨により行うこともできる。
本発明の導体層パターン付き基材の製造によれば、光透過性に優れた導体層パターン付き基材が容易に製造でき、また、電磁波シールド性又は導電性に優れた導体層パターン付き基材を容易に製造できる。さらにまた、このような導体層パターン付き基材を生産効率よく製造できる。
【００１３】
本発明における電磁波遮蔽部材は、特定の導体層パターンを使用することにより、光透過性及び電磁波シールド性に優れ、また、生産効率よく製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明に係るめっき用導電性基材に用いられる導電性材料は、その表面に電気めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は、その表面に電気めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層が剥離しやすいものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどのめっき剥離性のよい材料からなることが特に好ましい。
【００１５】
上記の凸部が形成されている導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の２箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。
【００１６】
上記導電性基材の凸部は、導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するものであり、その導体層パターンは、最終的に電磁波遮蔽部材を作製したときの電磁波シールド層に対応するものである。この凸部に対する凹部の幾何学図形（凸部によって描かれる平面形状としての凹部の幾何学図形）としては、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などを組み合わせた模様であり、これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。
【００１７】
電磁波遮蔽性の観点からは三角形が最も有効であり、可視光透過性の点からは同一のライン幅なら（正）ｎ角形のｎ数が大きいほど導体層パターンの開口率が上がる。可視光透過性の点から開口率は５０％以上が必要とされ、導体層パターンの開口率は５０％以上であることがさらに好ましい。導体層パターンの開口率は、電磁波遮蔽材の有効面積（例えば、上記の幾何学図形が描かれている範囲の面積等電磁波遮蔽に有効に機能する範囲の面積）に対するその有効面積から導電層で覆われている面積を引いた面積の比の百分率である。
【００１８】
導電性基材上に凸部に対する凹部の幾何学図形を形成する方法としては、表面が滑らかな導電性基材、例えば、平板状の導電性基材などに対して、上記の幾何学図形からなる凹部を形成するように加工する方法が最も簡便である。
図１は、凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例を示す斜視図である。図１で例示しているのは凹部２の幾何学図形としては正方形であり、導電性基材１に凹部２の幾何学図形が正方形になるように凸部３が格子状に形成されている。
図２及び図３は、図１のＡ−Ａ断面を示し、図２では（ａ）〜（ｄ）の４種、図３では（ｅ）の１種を示す。凹部２及び凸部３の断面形状は適宜決定され、凸部３の側面５が、斜面（（ａ）、（ｂ）の場合）、曲面（（ｃ）の場合）、段階的斜面（（ｄ）の場合）等任意である。また、凹部２の底面も種々の形状がある。これらは、すべて、凸部の側面が少なくとも先端部分で傾斜角を有する。この傾斜角は、図中のαで、３０°〜８０°に相当することが好ましく、５０°以上であることがより好ましい。
凸部３の上面４は必ずしも平面でなくてもよく、上面全体又は上面の一部が平面から変形した形状であっても良いが、この場合、できるだけなめらかに湾曲していることが好ましい。ここで、凸部の先端部分とは、凸部の最先端から０．５〜５μｍ低い位置までの凸部の表面を意味する。
角度αの基準面は、凸部の上面又は水平面若しくは垂直面である。元の導電性基材として（ほぼ）均一な厚さのものを使用し、この一面に凸部パターンを施した場合には、他面を基準面とすることもできる。
また、断面観察の試料を水平面又は垂直面に載置又は固定し、これを観察することもできる。水平面又は垂直面は、適当な台などを使用して設定できる。
また、凸部を有する導電性基材の上にたわまない平板をのせてこの平板の面を基準面とすることもできる。また、導電性基材が円筒である場合は、その円筒より大きな断面が真円の円筒（基準円筒）を用意し、基準円筒を横にして、基準円筒の中に導電性基材を通してこれらの円筒を重ね、基準円筒の各断面円の頂点が水平になるようにし、この円筒の頂点に接する接面を基準面とすることもできる。
具体的には、導電性基材の断面の観察は、顕微鏡の倍率を適当にして、凸部の上面が観察できるようにし、導電性基材の他面（表面）が観察できるようにし、あるいは、基準となる物体が観察できるようにして基準面を確認し、適宜写真撮影後倍率を高くして詳細な断面（場合により倍率を低くして断面）を観察し、写真撮影することにより行い、角度αに関する測定を行うことができる。基準面の確認に際しては、定規等の基準になるものを同時に写し込むとよい。
以上で説明した基準面は、厚さ、高さ及び幅の測定の基準面にすることもできる。また、別の基材の表面は多くの場合変形することがなく、基準面として採用しやすい。
これに対し、図３に（ｅ）として示すように凸部の側面５が垂直面の場合もあり得る。
【００１９】
導電性基材に形成した凸部の先端部分の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を５０％以上とするために、凸部の先端部分の幅が１μｍ〜４０μｍ、凸部の先端部分の中心間隔（ラインピッチ）が１００μｍ〜１０００μｍであることが好ましい。
本発明おいて、凸部の先端部分の中心間隔（ラインピッチ）は、パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。
【００２０】
導電性基材に形成した凸部３の高さを、凹部２の最も窪んだ部分から凸部３の先端までの高さと規定する。凸部３の高さは、１１μｍ以上が好ましい。それは、凹部に絶縁層を形成しても凹部が十分な深さを有するためでだある。また、凸部３の高さの上限は、１１０μｍが好ましい。凸部の高さを大きくしていくと、アスペクト比が大きくなるため、加工が難しくなり、加工費も高くなる。このことから、凸部の高さは６０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００２１】
導電性基材上に凸部を形成させる方法としては、次のような方法をあげることができる。
（１）導電性基材の凹部を形成すべき部分（導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分）に、直接レーザ光を照射し、凹部を形成し、導電層パターンに対応した凸部を形成する方法、
（２）フォトリソグラフ法又は印刷法によって、導電性基材に光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂により幾何学図形状のパターン（レジストパターン）を形成する工程を行なった後、導電性基材をエッチングする方法、
（３）彫刻により導電性基材の凹部を形成すべき部分（導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分）を掘削する方法などがある。
導電性基材の材質が硬い場合、直接加工するには上記（１）方法（レーザ加工法）または（２）の方法（エッチング法）などを用いることが好ましいが、銅などの柔らかく加工性に優れた材料を用いる場合は、上記（３）の方法（彫刻法）により容易に加工することもでき、このとき、加工後に、クロム等の硬質のめっきを表面に施して、強度を上げることができる。
【００２２】
上記（２）の方法において、印刷法を用いる場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。
また、フォトリソグラフ法を用いる場合には、ドライフィルムレジストなどをラミネートし、マスクを装着して露光し、現像した後にレジストフィルムのエッチング工程を経ることも出来るし、液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥あるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光し、現像した後にレジストフィルムのエッチング工程を経ることも出来る。光硬化性の樹脂にマスクを介して活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。枚葉で版のサイズが大きい場合、あるいはロール・トゥ・ロール（Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ）で作製する場合などはドライフィルムレジストをラミネートしてマスクを介して露光する方法が生産性の観点からは好ましく、めっきドラムなどに直接加工する場合にはドライフィルムレジストを貼り合わせるあるいは液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザーなどでダイレクトに露光する方法が好ましい。
また、上記（２）の方法における導電性基材のエッチングは、エッチング液を用いて行うことができる。エッチング液としては導電性金属の材質によって様々な種類があり、それぞれの金属に対してエッチング液が市販されているのでそれらを使用することができる。例えば、導電性金属がステンレスであれば、塩化第二鉄を用いることが一般的であり、チタンであればふっ酸系のエッチング液がよく用いられる。ステンレスのエッチングに関しては、塩化第二鉄の比重が４０°Ｂｅ（ボーメ）〜６０°Ｂｅ（ボーメ）の範囲の液が好んで用いられる。比重が低いとエッチングスピードは速いが、サイドエッチングが大きくなるため、凹部が浅くなる傾向にあり、逆に比重が高いと、エッチングスピードは遅いが、サイドエッチングが少なく、凹部が深くなる傾向にある。したがって、エッチング液の比重は、４５°Ｂｅ（ボーメ）〜５０°Ｂｅ（ボーメ）であることがさらに好ましい。また、エッチング温度は、低いとエッチンスピードが低下し生産性が低下するため、４０℃以上であることが好ましい。さらに、エッチング温度が６０℃を超えると、エッチング液の腐食性が大きくなるため、エッチング槽をチタン製にする等設備投資が大きくなるため、６０℃以下であることが好ましい。
残存するレジストは、導電性基材のエッチング後に、剥離液等を使用して剥離することができる。
【００２３】
本発明におけるめっき用導電性基材は、その凹部がその一部を残し絶縁層で被覆されている。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に成長するため、凸部露出部分の近傍の絶縁層に覆い被さるように析出する。絶縁層に覆い被さっためっきは、剥離転写する度に毎回、絶縁層に応力がかかる原因となる。従って、凹部全面に絶縁層が形成されている場合、転写時に絶縁層にかかる応力は、凸部露出部分の近傍が最も大きいので、凸部の先端部分を露出させることで、剥離の際に絶縁層にかかる応力を低下させることができ、結果的に凹部が絶縁層で被覆されているめっき用導電性基材の寿命を向上させることができる。凸部の先端部分の露出が小さすぎると、寿命向上の効果が小さく、大きすぎると側面に深くめっきが析出し、転写不良が発生することがあるので、露出している凸部の先端部分は、凸部最先端から、０．５〜５μｍ低い位置までであることが好ましく、０．５〜３μｍ低い位置までであることが更に好ましい。
【００２４】
また、凸部パターンの寿命を長くするためには、凸部の露出部分に析出した金属を別の基材に転写する際に、その別の基材の接着面と導電性基材の凹部に形成されている絶縁層の接触を低減させることが好ましい。したがって、絶縁層を施した後の凸部の高さが、十分であることが好ましい。絶縁層の厚さは、１μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることが好ましい。絶縁層が厚すぎると、絶縁層を形成する時間が長くなるため作業効率が低下する。また、絶縁層が薄すぎると絶縁層と導電性基材の密着性が低下すると共に、ピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。
【００２５】
絶縁層を有するめっき用導電性基材の構造を、図面を用いて説明する。図４は、本発明における凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の一例を示す断面図である。ただし、凹部の形状は、図２（ｃ）で記載されているもので説明する。図４において、（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の３形態を示すが、いずれにおいても、導電性基材１は、凸部３に対し凹部２を有する。凹部２には絶縁層６が形成されており、凸部の側面５に沿って絶縁層６が形成されているが、凸部３の先端部分には形成されておらず、従って、凸部の先端部分は露出している。
図中ｈ′は、前記した凸部の高さである。ｈは凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さ（以下、「絶縁高さ」という）である。ｔは絶縁層の厚さを示す。凸部の高さｈ′は、１１μｍ〜１１０μｍが好ましく、６０μｍ以下であることがさらに好ましい。絶縁高さｈは、１０〜１００μｍであることが好ましく、ｔは、ｈ′がｈより小さくなるように決定されるが、１０μｍ以下が好ましく、特に、凸部３の側面５において、少なくとも絶縁層の端の部分では厚さが１〜１０μｍであることが好ましい。さらに、凸部の先端部分は、露出させる。凸部の先端部分の露出の程度は、幅ｄが１〜４０μｍであることが好ましく、凸部の最先端からの距離（高さ方向）ｓは、０．５〜５μｍであることが好ましく、０．５〜３μｍであることが更に好ましい。この距離ｓのために、剥離の際に絶縁層にかかる応力を低減することができる。
絶縁層は、薄膜絶縁層であることが好ましく、強度の不均一性をなくすために均一な厚さであることが好ましい。
図５は、本発明における凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の一例を示す断面図である。
図５に示すように、凸部の側面が垂直面の場合も上記の態様で凹部に絶縁層が施され、しかも、凸部の先端部分が露出しているのであれば、好ましい態様として使用できる。
絶縁高さｈが低すぎると、転写の際に転写用基材が導電性基材に接触して転写用基材を傷つけたり、転写用基材の接着面が導電性基材に設けた絶縁層に接触しやすくなって絶縁層に剥離応力がかかるため、繰り返し使用した際に絶縁層が剥離することがある。
【００２６】
図６は、本発明における導電性基材の凸部の先端部分の近辺の一例を示す断面図である。図６中、凸部３の先端部分は露出しており、それよりしたの側面５は絶縁層６で覆われている。凸部３の少なくとも露出部分は先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっているのが好ましい。凸部の露出部分は、絶縁層の端付近、例えば、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）との高さ方向の距離にｈ１０対する第１の位置と第２の位置との幅方向の距離ｄ１０との関係（図６で示すところの高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係）ｄ１０／ｈ１０が、角度で３０°〜８０°に相当することが好ましく、５０°以上であることがより好ましい。
また、ｄ１０は
【数３】
であることが好ましく、ｄ１０は０．８３９×ｈ１０以上であることがより好ましい。
図６（ａ）では、導電性基材の凸部３として、断面が台形上のものとして模式的に図示したが、（ｂ）に示すように凸部３の表面が凸凹であってもよい。また、絶縁層の表面は、（ａ）では平面の組み合わせとして模式的に図示されているが、これも（ｂ）に示すように凹凸のある面の組み合わせであってもよい。なお、図６では、上下方向を強調して引き延ばし気味に図示してある。
また、図６中、前記第２の位置は、先端部分の側面に位置するように図示されているが、場合により、第２の位置が凸部の上面に位置していてもよい。
【００２７】
上記のように凸部の側面が傾斜を有していると、そうでないときよりも、めっき用導電性基材の凸部の露出部分に電気めっきにより析出しためっき（金属）をより容易に、剥離でき、転写が円滑に行われる。
また、導電性基材にめっきを施すと、めっきが等方的に成長するため、導電性基材の凸部側面も露出しているとそこにもめっきが析出するが、転写の際に、転写用基材の接着面をめっきに接触させた後転写用基材を剥離すると、めっき層には、斜め方向の応力がかかった場合には、凸部の角度が８０°を超えると、剥離（転写）の際に抵抗が大きくなりすぎて、転写不良が発生することがありうる。このことから、凸部の角度は３０°〜８０°の範囲であることが好ましく、５０°〜８０°であることがさらに好ましい。
【００２８】
本発明で用いられる絶縁層のための絶縁材料は、金属との密着性が高く、耐薬品性が強い材料が好んで用いられる。電気めっきもしくは無電解めっきの工程では、前処理液やめっき液に浸漬されるため、耐酸性と耐アルカリ性双方に強い材料が特に好ましい。このような樹脂としては、たとえば、熱硬化性樹脂としては、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等が用いられ、これらは自己硬化性のものである（硬化触媒を使用してもよい）。
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものが使用できる。このようなものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。絶縁層の形成方法としては、例えば、刷毛塗りや、スプレー塗装、さらには、ディッピングした後にスキージやブレード等で樹脂を掻き取った後に乾燥させるなどの方法が挙げられる。
【００２９】
さらに、絶縁材料としては、皮膜の均一性や、形成の簡便さ、さらに環境に対する負荷が少ないことから、電着塗料を用いてもよい。
電着塗料は、それ自体既知のカチオン型及びアニオン型のいずれでも使用でき、ここでは、使用できる電着塗料の一例を示す。
カチオン型電着塗料には、塩基性アミノ基をもつ樹脂のペーストを作製し、これを酸で中和、水溶化（水分散化）してなる陰極析出型の熱硬化性電着塗料が包含される。カチオン型電着塗料は前記導電性基材（被塗物）を陰極にして塗装される。
塩基性アミノ基をもつ樹脂は、例えば、ビスフエノール型エポキシ樹脂、エポキシ基（またはグリシジル基）含有アクリル樹脂、アルキレングリコールのグリシジルエーテル、エポキシ化ポリブタジエンならびにノボラツクフエノール樹脂のエポキシ化物などのエポキシ基含有樹脂のエポキシ基（オキシラン環）にアミン化合物を付加したもの、塩基性アミノ基をもつ不飽和化合物（例えば、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、Ｎ−ビニルピラゾール、Ｎ−ジエチルアミノエチルアクリレートなど）を重合させたもの、第３級アミノ基含有グリコール（例えば、Ｎ−メチルジエタノールアミン）をグリコールの一成分とするグリコール成分とポリイソシアネート化合物との反応物、さらに、酸無水物とジアミン化合物との反応でイミノアミンが生成することによって、樹脂へアミノ基を導入したものなどがある。ここで、上記したアミン化合物としては、塩基性アミン化合物であって、脂肪族、脂環式もしくは芳香脂肪族系の第１級もしくは第２級アミン、アルカノールアミン、第３級アミン、第４級アンモニウム塩等のアミン化合物が挙げられる。
また、カチオン電着塗料には、架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ブロツク化したポリイソシアネート化合物がよく知られているが、塗膜を加熱（約１４０℃以上）するとブロツク剤が解離して、イソシアネート基が再生し、上記の如きカチオン性樹脂中の水酸基などのイソシアネート基と反応性の基に対し架橋反応し硬化する。
さらに、カチオン型電着塗料には、顔料（着色顔料、体質顔料、防錆顔料など。顔料の配合量は樹脂固形分１００重量部あたり４０重量部以下が好ましい）、親水性溶剤、水、添加剤などを必要に応じて配合することができる。
カチオン型電着塗料は、その固形分濃度を約５〜４０重量％となるように脱イオン水などで希釈し、ｐＨを５．５〜８．０の範囲内に調整することが好ましい。このようにして調製されたカチオン型電着塗料を用いてのカチオン電着塗料は、通常、浴温１５〜３５℃、負荷電圧１００〜４００Ｖの条件で被塗物を陰極として行うことができる。塗膜の焼付硬化温度は一般に１００〜２００℃の範囲が適している。
【００３０】
アニオン型電着塗料は、カルボキシル基を持つ樹脂をベースとし、これを塩基性化合物で中和、水溶化（水分散化）してなる陽極析出型の電着塗料が好ましく、前記導電性基材（被塗物）を陽極として塗装される。
カルボキシル基を持つ樹脂としては、乾性油（あまに油、脱水ひまし油、桐油など）に無水マレイン酸を付加したマレイン化油樹脂、ポリブタジエン（１，２−型、１，４−型など）に無水マレイン酸を付加したマレイン化ポリブタジエン、エポキシ樹脂の不飽和脂肪酸エステルに無水マレイン酸を付加した樹脂、高分子量多価アルコール（分子量約１０００以上で、エポキシ樹脂の部分エステルおよびスチレン−アリルアルコール共重合体なども含まれる）に多塩基酸（無水トリメリツト酸、マレイン化脂肪酸、マレイン化油など）を付加して得られる樹脂、カルボキシル基含有ポリエステル樹脂（脂肪酸変性したものも含む）、カルボキシル基含有アクリル樹脂、グリシジル基もしくは水酸基を含有する重合性不飽和モノマーと不飽和脂肪酸との反応生成物を用いて形成された重合体もしくは共重合体に無水マレイン酸などを付加せしめた樹脂などがあげられ、カルボキシル基の含有量が、一般に、酸価で約３０〜２００の範囲のものが適している。
【００３１】
また、アニオン型電着塗料には、架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ヘキサキスメトキシメチルメラミン、ブトキシ化メチルメラミン、エトキシ化メチルメラミンなどの低分子量メラミン樹脂を必要に応じて使用することができる。さらに、アニオン型電着塗料には顔料（着色顔料、体質顔料、防錆顔料など。顔料の配合量は樹脂固形分１００重量部あたり４０重量部以下とすることが好ましい）、親水性溶剤、水、添加剤などを必要に応じて配合することができる。
【００３２】
アニオン型電着塗料には、固形分濃度を約５〜４０重量％に脱イオン水などで調整し、ｐＨ７〜９の範囲に保ってアニオン電着塗装に供することが好ましい。アニオン電着塗装は常法に従って行うことができ、例えば、浴温１５〜３５℃、負荷電圧１００〜３５０Ｖの条件で、被塗物を陽極として実施することができる。アニオン電着塗膜は原則として１００〜２００℃、好ましくは１４０〜２００℃の範囲に加熱して硬化せしめられるが、空気乾燥性の不飽和脂肪酸で変性した樹脂を用いた場合には室温で乾燥させることもできる。
【００３３】
さらに、本発明で用いられる絶縁層として、絶縁層が炭素を主成分とする材料、たとえば、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣ薄膜とする）のうち、絶縁性を有するものにて形成させることもできる。ＤＬＣ薄膜は、酸素プラズマでエッチングすることが可能であり、さらに、耐薬品性にも優れているため、特に好ましい。
【００３４】
ＤＬＣ薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波によるプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。
上記ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香属炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第０属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
【００３５】
絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のＤＬＣ薄膜によって形成してもよいが、当該ＤＬＣ薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物又は炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。
上記ＳｉまたはＳｉＣの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のＤＬＣ薄膜との界面においてＳｉＣを形成して、当該ＤＬＣ薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、１μｍ以下であることが好ましく、生産性を考慮すると０．５μｍ以下であることが更に好ましい。１μｍ以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
【００３６】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造法を図面を用いて説明する。
図７〜図９は、めっき用導電性基材の作製方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。これらにおいて、図２（ｃ）で示す断面形状を有する導電性基材を用いて例示する。
まず、導電性基材１の両面に光硬化性樹脂層７を形成する（図７（ａ））。フォトリソグラフ法を用いて導電性基材１の一方の表面の光硬化性樹脂層７をパターン化する（図７（ｂ））。パターン化された光硬化性樹脂層７をエッチングレジストとして導電性基材をエッチングすることにより、図に示すエッチングされた導電性基材が得られる（図７（ｃ））。このとき、凸部２の側面５の傾斜角を調整することができる（少なくとも凸部の先端部分において）。傾斜角の調整は、エッチング液である塩化第二鉄溶液の比重とエッチング温度を最適化することなどにより行うことができる。次いで、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリ性の水溶液に浸漬して、エッチングレジストを剥離する（図７（ｄ））。
【００３７】
次いで、この導電性基材１の一方の面を剥離可能な粘着フィルム９を貼り合わせて保護し、エッチングした面の全面に絶縁層８を被覆する（図８（ｅ））。しかる後に、プラズマエッチングに対するマスク層１０を絶縁層の上に形成する（図８（ｆ））。
マスク層が形成されている箇所では、絶縁層がエッチングされないため、導電性基材１の凸部３の先端部分に形成された絶縁層８の上のマスク層１０を除去する（図８（ｇ））。
マスク層１０のこの部分的な除去は凸部３の露出させる先端部分の幅を勘案して除去される。凸部に平面的な又はほぼ平面的な上面がある場合、露出する絶縁層の幅が、上面の幅よりも広くなるようにすることが好ましい（図８（ｇ））。これにより、次の絶縁層８の部分的な除去において、凸部３の上面付近の側面部の絶縁層の除去が行いやすくなる。特に、研磨によるマスク層１０の除去を行うと図８（ｇ）に示すようになる。
【００３８】
次いで、絶縁層にドライエッチングを施すことにより、凸部３の先端部分に形成された絶縁層８を除去することができ、これにより凸部３の先端部分を露出させることができる（（図９（ｈ））。
特に、酸素ガスでプラズマエッチングを行った場合などには、導電性基材がストッパー層となる。凸部に平面的な又はほぼ平面的な上面がある場合、凸部３の上面の幅を超えた部分の絶縁層を露出させておけば（図８（ｇ））、絶縁層のドライエッチングによる除去が、凸部の側面部にまで及び、その結果、凸部の側面まで露出させることができる（（図９（ｈ））。側面部の絶縁層の除去の制御は、ドライエッチングの時間、出力によって行うことができる。
次いで、凹部３の絶縁層８上に形成されているマスク層９は、薬液浸漬等により除去される。このようにして本発明に係るめっき用導電性基材の一例を作製することができる（図９（ｉ））。
さらに、ＤＬＣからなる絶縁層と導電性基材の間に中間層を設けた場合、中間層が例えば有機材料である場合には、上記の酸素プラズマで、ＤＬＣからなる絶縁層の除去に引き続いて中間層の除去が行え、図９（ｈ）に示すのと同様の構造のめっき用導電性基材とすることができる。中間層が炭素を主成分とする材料でない場合には、酸素プラズマによる中間層のエッチングが困難となるが、この場合には、絶縁層及び中間層の材料に合わせて、ガスを変更するかもしくは、中間層の厚みが０．５μｍ以下程度であれば、弱い力で機械研磨することにより凸部の先端部分の露出幅を太らせることなく、凸部の先端部分に形成された中間層を除去することが可能である。
ＤＬＣ薄膜をドライエッチングした際に、中間層が酸素プラズマでエッチングされない場合には、ガスを変更して中間層をドライエッチングするか、もしくは、機械研磨で除去することができる。中間層は薄い皮膜であるため、ラインを太らせること無く、軽い研磨で除去することができる。なお、中間層が導電性である場合には、通電して析出させためっきが中間層から容易に剥離させることができるなら、必ずしも中間層を除去する必要はなく、凸部の露出部分において、それ自体を導電性基材の一部とすることができる。
【００３９】
本発明におけるマスク層は、無機系と有機系のマスク層に大別できる。
無機系のマスク層としては、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）等の金属が、特に酸素プラズマに対する耐性が強く好ましく用いられる。これらの膜は、スパッタ法、真空蒸着法、イオンビーム蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電着法、無電解めっき法などの薄膜形成方法により形成される。これらの材料の中では、酸素プラズマに対する耐性が高く、廉価であり、蒸着が容易で、酸性物質に対しても塩基性物質に対しても可溶であることから、アルミニウム（Ａｌ）が好んで用いられる。アルミニウムは導電性であるため、ドライエッチング後に残しておくと導電性基材の全面にめっきが析出するので、除去する必要がある。アルミニウムのエッチング剤としては、塩基性物質としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸二ナトリウム、リン酸三カリウム、リン酸二カリウム等、また酸性物質としては硫酸、過硫酸、リン酸、塩酸及びその塩等であるが、絶縁層の耐性を考慮して、適宜選択する
【００４０】
さらに、酸素プラズマに対する耐性を持つ無機材料としては、ウェットコーティング法を用いる場合にはアルカリ金属、オルガノポリ金属、オルガノアルコキシ金属、アルコキシ金属、変性アセチルアセトネート金属等からなる金属酸化物系ポリマーや、無機フィラーを含有した塗料、さらに、セラミックコーティングと呼ばれるケイ素化合物フリット類による塗料を、アルコールや水などの溶剤を加えた状態でスプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。また、金属のフッ化物錯体を用いて液層析出法（ＬＰＤ法）などにより絶縁層の上にマスク層として形成させることもできる。また、ドライコーティング法で各種金属の酸化物を形成させることも可能である。コーティングする方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングといったＰＶＤ法や、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤといったＣＶＤ法の他、溶射などの方法を用いて作製することができる。具体的には、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴａＯ５、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｎＯ２、ＺｒＯ２等の皮膜が好ましく用いられる。
【００４１】
また、有機系のマスク層としては、ドライエッチングに対する耐性があるもので、公知のものが使用できるが、特に酸素プラズマを用いる場合には、一般的にシリコンを含有するレジスト膜が酸素プラズマに対する耐性があるため、好んで用いられる。シリコンを含有するレジスト膜には、感光性があっても、なくてもよい。凸部の上面にあるマスク層を除去する方法として、凸部の上面にあるマスク層を現像して除去してから、現像した箇所をドライエッチングする場合には、レジスト膜が感光性を有していることが好ましいが、凸部の上面にあるマスク層を機械研磨で除去する場合には、必ずしも感光性は必要でない。用いるレジスト膜は、ネガ型でもポジ型でもよく、液状でもフィルム状でもよい。液状の場合は、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布でき、フィルムの場合は、加熱ラミネートして、凹部にレジストを追随させながら埋め込むことができる。
【００４２】
前記したシリコンを含有するレジスト膜について説明する。シリコンを含有するレジスト膜に使用されるシリコン含有感光性組成物としては、公知のものが使用できるが、好適なシリコン含有感光性組成物の代表例としては、主鎖にシリコン原子を有し、アセタール構造、３級エステル構造、ｔ−ブチルオキシカルボニル構造等の酸分解性基を含有するシロキサンポリマーを用いた化学増幅型のシリコン含有感光性組成物、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドからなるレジスト組成物に、主鎖にシリコン原子を有し、分子内にシラノール構造を有するアルカリ可溶性ラダー型ポリシロキサンをブレンドした紫外線露光用のシリコン含有感光性組成物等が挙げられる。側鎖にシリコン原子を有し、かつ側鎖にアセタール構造、３級エステル構造、ｔ−ブチルオキシカルボニル構造、又は、β−シリルエチルエステル構造等の酸分解性基を含有するビニルポリマーと光酸発生剤からなる化学増幅型の遠紫外線露光用のシリコン含有感光性組成物、さらに、メチルメタクリレートのシリコン誘導体を含有する単量体の重合によって形成される構造、アクリル酸エステルポリマーのエステル部にシリコンを含有する構造、トリメチルシリル基を２つ有するアクリル系モノマーから得られるポリマー、シリコン含有モノマー、無水マレイン酸、ｔ−ブチルアクリレートからなるポリマーを有するレジスト組成物等が挙げられる。
【００４３】
マスク層を部分的に除去する方法は、（イ）感光性を有するマスク層を用いて、フォトリソグラフプロセスで凸部の上面に形成されたマスク層を現像、除去する方法、（ロ）マスク層の除去部を機械研磨する方法などがある。上記（イ）の方法では、感光性を有するマスク層は、ポジ型であってもネガ型であってもよく、現像液は、後述するマスク層の剥離液と同様の液を用いることができる。また、上記（ロ）のマスク層を研磨して除去する方法としては、例えば、バフロールを回転させながら研磨する方法がある。バフは市販されている不織布、セラミックバフ、ダイヤモンドバフ等を用いることができる。
【００４４】
本発明で用いられるドライエッチングとは、真空容器内にガスを導入し、ガスを高周波、マイクロ波などにより励起し、プラズマを発生させラジカル、イオンを生成させた後、プラズマにより生成されたラジカル、イオンと被エッチング物（絶縁層、中間層）と反応させ、反応生成物を揮発性ガスにし真空排気系により外部に排気することにより行われるエッチングのことである。ドライエッチングは被エッチング物を載置した電極に高周波電力を印加し、発生した負の自己バイアス電圧により、プラズマから生成されたイオンを加速して被エッチング物に衝撃させる反応性イオンエッチングとエッチング物にバイアスを印加せずにプラズマより生成したラジカルにより被エッチング物をエッチングするプラズマエッチングに大別される。反応性イオンエッチングには平行平板型、マグネトロン型、２周波型、ＥＣＲ型、ヘリコン型、ＩＣＰ型などがあり、使用する圧力は低圧であることが多く得られるエッチング形状は等方性である。また、プラズマエッチング装置にはバレル型、平行平板型、ダウンフロー型などがあり、使用する圧力は高圧であることが多く、得られるエッチング形状は等方性である。本発明では、上記のどちらの方式を用いてもよい。
【００４５】
また、ドライエッチングにおけるガス組成としては、形成された絶縁層をエッチングできるとともに導電性基材をエッチングしずらいガスを適宜選択するが、代表的なガス組成としては、Ｆ原子含有プラズマを発生させる、Ｆ２、ＣＦ４−Ｏ２、Ｃ２Ｆ６−Ｏ２、Ｃ３Ｆ８−Ｏ２、ＳＦ６−Ｏ２、ＳｉＦ４−Ｏ２、ＮＦ３、ＣｌＦ３、さらに、不飽和種含有プラズマを発生させる、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＦ４−Ｈ２、ＣＨ４、さらに、Ｃｌ・Ｂｒ原子を含有するプラズマを発生させる、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＣＦ３Ｃｌ、Ｃｌ２−ＣＣｌ４、Ｂｒ２、さらに酸素プラズマを発生させる、Ｏ２、Ｏ２−Ａｒ等が用いられる。地球温暖化作用を有さず、腐食性もないことから、酸素プラズマを発生させるガス組成が好ましく、絶縁層も酸素プラズマでエッチングできる、炭素を主成分とする材料を選定することが好ましい。
【００４６】
絶縁層のドライエッチングに対するマスク層は、ドライエッチングにおけるエッチングレートが絶縁層のエッチングレートと同程度かもしくは、それ以下であるものが好ましい。ドライエッチングにおける絶縁層のエッチングレートよりもマスク層のエッチングレートが大きい場合には、絶縁層が厚くなると、マスク層も厚くしなければならないので非効率的であり、さらに、厚みのばらつきがあった場合にマスク層の下の絶縁層を、エッチングしてしまう可能性がある。したがって、マスク層のエッチングレートは、絶縁層のエッチングレートの１／２以下であることが特に好ましい。
【００４７】
上記有機系のマスク層の剥離液として、従来公知のアルカリ性水溶液が使用できる。例えば、ケイ酸ナトリウム、同カリウム、第３リン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、第２リン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、ほう酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、水酸化ナトリウム、同アンモニウム、同カリウム及び同リチウム等の無機アルカリ塩が挙げられる。
また、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類；ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、１，４−ブタンジアミン、Ｎ−エチル−エチレンジアミン、１，２−プロパンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン等のポリアルキレンポリアミン類；２−エチル−ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン；ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミン類；ピペラジン、Ｎ−メチル−ピペラジン、メチル−ピペ−メチル−ピペラジン、メチル−ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジン等の環状アミン類等の水溶性アミンも好ましく用いられる。
【００４８】
マスク層の剥離液として、第４級アンモニウム水酸化物も好ましく用いられる。具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド〔＝ＴＭＡＨ〕、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド〔＝コリン〕、（２−ヒドロキシエチル）トリエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリプロピルアンモニウムヒドロキシド、（１−ヒドロキシプロピル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド等が例示される。中でもテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、コリン等が好ましい。第４級アンモニウム水酸化物は１種または２種以上を用いることができる。
【００４９】
マスク層の剥離液として、有機アルカリ剤や、第４級アンモニウム水酸化物を用いる場合には、通常、レジスト膜の剥離性を向上させるために、水溶性有機溶媒と混合して用いることが多い。水溶性有機溶媒としては、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン〔＝スルホラン〕等のスルホン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体などが挙げられる。中でも、ジメチルスルホキシド、ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、およびジエチレングリコールモノブチルエーテル、スルホラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が好ましく用いられる。水溶性有機溶媒は１種または２種以上を用いることができる。
【００５０】
前記図７の（ｃ）において、導電性基材１のエッチングは、凸部３の上面４の幅がレジストパターンの幅と同様にした場合を例示したが、図１０の（ａ）に示すように、凸部３の上面４の幅がレジストパターンの幅よりも小さくなるようにオーバーエッチングしてもよい。この場合、オーバーエッチングを十分行って、引き続いて絶縁層を形成し、図１０の（ｂ）に示すようにし、続いてレジストパターンを剥離して図１０の（ｃ）のように絶縁層を有する導電性基材を作製してもよい。以上において、レジストパターンの形成法、エッチング法、絶縁層の形成法、残存レジストの剥離法等は前記したのと同様である。
この後、凸部上面に絶縁層がないことを除けば、図８の（ｆ）以降と同様にして目的の図９の（ｉ）に示すようなめっき用導電性基材を作製することができる。
【００５１】
本発明におけるめっき用導電性基材へのめっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電気めっき法、無電解めっき法その他のめっき法を適用することができる。
電気めっきについてさらに説明する。例えば、電気銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤（光沢剤としての効果も有する）を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電気ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加してもよい。さらに、電気金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの２元合金や、金−銅−銀の３元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電気めっき法としては、例えば、非特許文献１第８７〜５０４頁を参照することができる。
次に、無電解めっきについてさらに説明する。無電解めっき法としては、銅めっき、ニッケルめっき、代表的であるが、その他、すずめっき、金めっき、銀めっき、コバルトめっき、鉄めっき、クロムめっき等が挙げられる。工業的に利用されている無電解めっきのプロセスでは、還元剤をめっき液に添加し、その酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用するのであり、めっき液は、金属塩、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝材、安定剤等から成り立っている。無電解銅めっきの場合は、金属塩として硫酸銅、還元剤としてホルマリン、錯化剤としてロッセル塩やエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）が好んで用いられる。また、ｐＨは主として水酸化ナトリウムによって調整されるが、水酸化カリウムや水酸化リチウムなども使用でき、緩衝剤としては、炭酸塩やリン酸塩が用いられ、安定化剤としては、１価の銅と優先的に錯形成するシアン化物、チオ尿素、ビピリジル、Ｏ−フェナントロリン、ネオクプロイン等が用いられる。また、無電解ニッケルめっきの場合は、金属塩として硫酸ニッケル、還元剤には、次亜りん酸ナトリウムやヒドラジン、水素化ホウ素化合物等が好んで用いられる。次亜りん酸ナトリウムを用いた場合には、めっき皮膜中にりんが含有され、耐食性や耐摩耗性が優れている。また、緩衝剤としては、モノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩を使用する場合が多い。錯化剤は、めっき液中でニッケルイオンと安定な可溶性錯体を形成するものが使用され、酢酸、乳酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、グリシン、アラニン、ＥＤＴＡ等が用いられ、安定化剤としては、硫黄化合物や鉛イオンが添加される。無電解めっき法については上記、「現場技術者のための実用めっき」、日本プレーティング協会編（１９８６年槇書店発行）の第５０５〜５４５頁を参照することができる。
さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になることがある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持つため、無電解めっき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液中に被めっき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジウムを析出させる方法が用いられる。
本発明で利用できる無電解めっきは、例えば、前記した上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の凸部に、必要に応じてパラジウム触媒を付着させたあと、温度６０〜９０℃程度とした無電解銅めっき液に浸漬して、銅めっきを施す方法がある。
無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、前記したように基材の凹部に絶縁層を電着により形成する場合には、基材は導電性である必要があり、また、無電解めっきの準備として、基材上にに析出した金属を容易に剥離するための処理として、基材の無電解めっきされるべき箇所を、陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。
特に、導電性基材の材質がＮｉである場合、無電解めっきするには、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。
【００５２】
めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、２０℃での体積抵抗率（比抵抗）が２０μΩ／ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むことが望ましい。本発明により得られる構造体を電磁波遮蔽シートとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀（１．６２μΩ／ｃｍ）、銅（１．７２μΩ／ｃｍ）、金（２．４μΩ／ｃｍ）、アルミニウム（２．７５μΩ／ｃｍ）、タングステン（５．５μΩ／ｃｍ）、ニッケル（７．２４μΩ／ｃｍ）、鉄（９．０μΩ／ｃｍ）、クロム（１７μΩ／ｃｍ、全て２０℃での値）などがあるが特にこれらに限定するものではない。できれば体積抵抗率が１０μΩ／ｃｍであることがより好ましく、５μΩ／ｃｍであることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が２０μΩ／ｃｍである金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。
前記しためっき用導電性基材の凸部の露出部分にめっきにより形成される金属層の厚さ（めっき厚さ）は、十分な導電性を示す（このとき電磁波シールド性が十分に発現する）ためには、０．５μｍ以上であることが好ましく、導体層にピンホールが形成される（このとき、電磁波シールド性が低下する）可能性を小さくするためには、３μｍ以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、形成された金属層は幅方向にも広がるため、転写したラインの幅が広くなり、導体層付きパターン基材の開口率が低下し、透明性、非視認性が低下する。したがって、透明性、非視認性を確保するためには、形成された金属の厚みを２０μｍ以下とすることが好ましく、さらに、めっきの時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは１０μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００５３】
本発明により作製しためっき用導電性基材を用いて導電層パターン付き基材の作製方法の一例を、導電性基材に、断面形状が台形である凸部３（図２（ｃ）参照）を形成した場合を例に、図１１を用いて説明する。
まず、図１１（ａ）は、本発明におけるめっき用導電性基材の一例を示す断面図である。凸部３のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部２を有する導電性基材１の凸部３を有する面の凹部２に絶縁層８を凸部３の側面３′を含む先端部分４′が露出するように形成されている。
次に、凸部３の先端部分４′（すなわち、凸部３の露出部分）が露出している導電性基材１にめっきを施して、凸部３の先端部分４′に金属１１を析出させる。図１１（ｂ）は、この状態の断面図を示す。
次いで、粘着フィルム１２（別の基材１３に粘着剤層１４を塗布したフィルム）を、導電性基材１の金属１１が析出している面に貼り合わせる。図１１（ｃ）はこの状態の断面図を示す。粘着フィルム１２の粘着剤層１４を、金属１１が析出している面に貼り合わせる際には、粘着剤の特性に応じて、必要なら加熱される。
そして、粘着フィルム１２を剥離することにより、金属１１が粘着層１４に貼り付いて導電性基材１から剥離して、すなわち、別の基材１３に転写されて、導体層パターン付き基材１５を得る。この状態の断面図を図１１（ｄ）に示す。
【００５４】
上記で得られた導体層パターン付き基材１５の導体層パターン（金属１１）を黒化処理して、黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材とすることができる。図１２は、この導体層パターン付き基材の断面図を模式的に示す。図１２において、別の基材１３に粘着剤層１４を介して、表面が黒化処理されて黒色層１６となった導体層パターン（金属１１）が貼り合わされている。
また、前記の図１１（ｂ）の状態で、導電性基材１の凸部３の先端部分４′に析出した金属１１（めっき層）に黒化処理を施してから、その後の転写工程を行って得られる導体層パターン付き基材の断面図を図１３に模式的に示す。図１３において、別の基材１３に粘着層１４を介して、黒色層１７を有する金属１１からなる導体層パターンが貼り合わされているが、黒色層１７は、導体層パターンの転写面側と側面に形成されている。
以上の黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材としてディスプレイの前面において利用するときは、一般に、黒色層を設けた方の面がディスプレイの視聴者側に向くようにして用いられる。
なお、上記の二つの黒化処理を両方行い、どちらの側から見ても黒色層が見えるようにすることもできる。
上記の黒化処理の方法の一つは、金属パターンに黒色層を形成する方法であるが、このためには、金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な方法を用いることができる。
【００５５】
本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽体として用いる場合は、そのまま、ディスプレイ画面に適宜別の接着剤を介して又は介さないで貼着して使用することができるが、他の基材に貼着してからディスプレイに適用してもよい。他の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波を遮断するために使用するには透明であることが必要である。
【００５６】
図１４に導体層パターン付き基材が他の基材に貼着されて得られた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。図１４において、基材（別の基材）１３に積層されている粘着剤層１４上に金属１８からなる導体層パターンが貼り付けられ、この上に他の基材１９が積層されており、金属１８は、粘着剤層１４に埋設されている。これは、導体層パターン付き基材の導体層パターン側を他の基材１９に加熱又は非加熱下に加圧することにより作製することができる。この場合、粘着剤層１４が十分な流動性を有するものであるか十分な流動性を有するうちに、適度な圧力を加えることにより導体層パターンを粘着剤層１４に埋設する。基材（別の基材）１３及び基材（他の基材）１９として、透明性を有し、しかもその表面の平滑性が優れるものを使用することにより、透明性が高い電磁波遮蔽部材を得ることができる。
図１５に導体層パターン付き基材が保護樹脂で覆われた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。基材（別の基材）１３に積層されている粘着剤層１４上に金属１８からなる導体層パターンが貼り付けられており、これらは、透明な保護樹脂２０によって被覆されている。
【００５７】
図１６は、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。この電磁波遮蔽体は、図１５の電磁波遮蔽部材が、基材１３の導体層パターンがある面とは反対の面で、接着剤層２１を介して他の基材２２が貼り合わされたものである。
図１７は、さらに、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。図１７において、基材（別の基材）１３に粘着剤層１４を介して金属１８からなる導体層パターンが接着されており、その上を透明樹脂からなる接着剤又は粘着剤２３により被覆され、さらにその上に保護フィルム２４が積層されている。基材１３のもう一方の面には接着剤層２１を介してガラス板等の他の基材２２が貼着されている。この電磁波遮蔽部材では、基材（別の基材）１３に粘着剤ｓおう１４を介して接着されている導体層パターンを有する導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面を、透明樹脂２３によりコーティングし、さらに保護フィルム２４を積層し、ついで、得られた積層物の基材１３のもう一方の面（何も積層されていない面）に接着剤を塗布して接着剤層２１を形成し、これを他の基材２２に押しつけて接着することにより作製することができる。上記の透明樹脂２３としては、前記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のほかに活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることもできる。活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることは、それが瞬時に又は短時間に硬化することから、生産性が高くなるので好ましい。
【００５８】
また、本発明で用いられる導電性基材として、回転体（ロール）を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体（ロール）は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的低い材料を用いることが好ましい。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。
【００５９】
回転体を用いて、電気めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図１８を用いて説明する。図１８は、導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電気めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置の概念を示す断面図（一部正面図）である。
【００６０】
すなわち、電解浴１００内の電解液１０１が陽極１０２とドラム電極などの回転体１０３の間のスペースに配管１０４とポンプ１０５により供給されるようになっている。陽極１０２と回転体１０３の間に電圧をかけ、回転体１０３を一定速度で回転させると、回転体１０３の表面に金属が電解析出し、電解液１０１の外で、回転体１０３表面の凸部の露出部分に析出した金属１０６に、粘着層を形成したフィルム１０７の粘着層を圧着ロール１０８で圧着し、連続的に回転体１０３から金属１０６を剥離しつつ粘着層を形成したフィルム１０７にその金属１０６を転写し、導体層パターン付き基材１０９とする。これはロール（図示せず）に巻き取ることができる。このようにして導体層パターン付き基材１０８を製造することができる。なお、上記の回転体１０３の表面には、凸部とそれにより描かれている幾何学図形状の凹部が形成されている。また、回転中の回転体１０３から、凸部の上面に析出した金属１０６が剥離させられた後で、電解液１０１に浸かる前に、回転体１０３表面をエッチング洗浄したり（図示せず）してもよい。なお、図示していないが陽極１０２の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水切りロールを設置しても良く、水切りロールによってせき止められた電解液は陽極１０２の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間に消費された銅イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する態様を加えることが好ましい。
【００６１】
さらに、本発明で用いられる導電性基材として、フープ状の導電性基材を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。
フープ状の導電性基材に関しては、帯状の導電性基材の表面に凸部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的小さい材料を用いることが好ましい。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、１つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、１００〜１０００μｍであることが好ましい。
【００６２】
フープ状の導電性基材を用いて、電気めっきにより形成された導体層パターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図１９を用いて説明する。図１９は、導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に、連続的に導体層パターンを電気めっきにより析出させながら剥離する装置の概念図である。
【００６３】
フープ状の導電性基材１１０を、搬送ロール１１１〜１２８を用い、前処理槽１２９、めっき槽１３０、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次とおり、周回運動するように設置する。前処理槽１２９で導電性基材１１０の脱脂もしくは酸処理等の前処理を行う。その後、めっき槽１３０で、導電性基材１１０上に金属を析出させる。この後に、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次通して、それぞれで、導電性基材１１０上に析出した金属の表面を黒化し、さらに防錆処理する。各処理工程後にある水洗槽は、１槽しか図示していないが、必要に応じて複数の槽を用いたり、各処理工程の前に他の前処理槽等があってもよい。次いで、接着層を積層したプラスチックフィルム基材１３６を導電性基材１１０の凸部の上面に析出した金属が転写されるように搬送ロール１２８上の導電性基材１１０と圧着ロール１３７の間を通し、上記金属をプラスチックフィルム基材１３６に転写して、導電層パターン付き基材１３８を連続的に製造することができる。得られる導電層パターン付き基材１３８は、ロール状に巻き取ることができる。必要に応じて、圧着ロール１３７を加熱することもできるし、図示はしないが、プラスチックフィルム基材１３６を圧着ロールを通過させる前にプレヒート槽を通して予備加熱してもよい。また、転写したフィルムの巻取りには、必要に応じて、離型ＰＥＴ等を挿入してもよい。さらに、金属が転写された後、フープ状導電性基材は、上記の工程を繰り返すこととなる。このようにして、連続的に、高い生産性で導体層パターン付き基材を製造することができる。
【００６４】
上記のようにして得られる導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。導電性基材に析出した金属を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さらに、導体層パターンに保護層を形成する際に用いられるカバーフィルム（例えば、図１５又は図１６の保護フィルム２０）が、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。
【００６５】
また本発明は上記のようなめっき方法に限らず枚葉で作製することも可能である。枚葉で行った場合、めっき用導電性基材の作製時の取扱が容易であり、同一のめっき用導電性基材を繰り返し使用した後に一箇所だけ絶縁層が剥離した、といった場合でもドラム状やフープ状の基材であると特定部分だけの抜き取りあるいは交換は困難であるが、枚葉であれば不良が発生しためっき用導電性基材のみを抜き取りあるいは交換することが可能である。このように枚葉で作製することにより、めっき用導電性基材に不具合が発生したときの対応が容易である。枚葉状の導電性基材の厚みは適宜決定すればよいが、めっき槽内で液の攪拌等に左右されない十分な強度を持たせることを考慮すると厚みは２０μｍ以上が好ましい。厚すぎると重量が増え取扱が困難であるため１０ｃｍ以下の厚みであることが好ましい。
【００６６】
導電性基材にめっきをする場合、めっきは等方的に成長するため、導電性基材が露出した部分に析出しためっきが、凸部側面に形成された絶縁層に覆い被さるように析出するため、剥離転写するたびに絶縁層に応力がかかる。特にライン幅が微細化されるほど、端部に電気力線が集中するため、析出しためっきの絶縁層への覆い被さりは顕著になる。この場合、繰り返し使用中における絶縁層の破壊のほとんどは、粘着剤の接触によるというよりも、絶縁層に覆い被さるように析出しためっきの剥離時の応力によるもので、特に絶縁層で凸部側面の最上部にまで絶縁層が形成されていると、絶縁層にかかる応力が大きくなるため、その部分を起点にして、絶縁層が破壊されることを確認した。しかし、本発明のように凸部の先端部分が露出するようにするとこの絶縁層の破壊が起こりにくくなり、結果として、本発明に係るめっき用導電性支持体の寿命を長くすることができる。
【００６７】
以上で詳細に説明した凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部に絶縁層を有するめっき用導電性基材は、凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の絶縁層を有する凹部は、適当な広さで作製される。その領域を領域Ａとすると、本発明に係るめっき用導電性支持体には、そのまわりに、電磁波遮蔽部材のアース部に対応する領域（領域Ｂという）を備えることができる。このとき、領域Ａと領域Ｂは同一のパターンでもよい。また、領域Ａにおける凹部の面積比率を、領域Ｂにおける凹部の面積比率と同じ又はそれよりも大きくすることが好ましく、１０％以上大きくすることはさらに好ましい。ただし、凹部の面積比率は、平面図で見たときに、各領域の全面積に対する各領域の凸部における露出部分を除いた部分の面積の比率をいう。また、領域Ｂの凹部比率を０としてもよいが、この場合には、めっき用導電性支持体上にめっきによりベタの金属膜が周辺に形成される。ベタの金属膜は転写に際し、割れやすいので、望ましくは、領域Ｂの凹部の面積率は４０％以上とすることが好ましく、また、９７％未満であることが好ましい。
領域Ｂにおいて、凸部のパターンによって描かれる幾何学図形状は、前記説明したものが使用できるが、改めて例示すると、
（１）メッシュ状幾何学的模様
（２）所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様
（３）所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様
（４）円模様又は楕円模様
（５）三角形模様
（６）五角形以上の多角形模様
（７）星形模様
等がある。
また、領域Ｂにおける凸部の形成、絶縁層の形成等は、前記した領域Ａと同様に行うことができる。さらに、凸部の露出部分の高さ、露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなるようにされること、ｄ１０／ｈ１０の関係等も領域Ａと同様にされる。
【００６８】
領域Ａと領域Ｂでパターンがことなる場合、全体サイズがことなる導体層パターン付き基材を作製する場合、その各々の場合に、めっき用導電性基材の準備が必要となるため、生産性の非効率があるが、上記において、領域Ａと領域Ｂを同一パターンとすることは、すなわち、全体として単一のパターンとすることは、このような複数種類のめっき用導電性基材の準備が不必要となるため生産効率の向上の点で好ましい。ただし、サイズの調整は、より大きなめっき用導電性基材を用意しておき、生産毎に、生産すべき導体層パターン付き基材のサイズにあわせ、そのめっき用導電性基材を保護膜等で被覆することにより行うことができる。また、より大きなサイズの導体層パターン付き基材を作製し、これを切断することにより、サイズの調整を行うこともできる。この場合、生産するサイズを製品サイズの整数倍又は、異なった製品サイズの和とすることが好ましい。これにより、切断後の無駄を省くことができる。
【実施例１】
【００６９】
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、２０μｍ厚、日立化成工業株式会社製）を１０ｃｍ角のステンレス板（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）の両面に貼り合わせた（図７（ａ）に対応する）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が４０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）で、格子状に形成したネガフィルムを、ステンレス板のレジストフィルムを貼り合わせた方の面上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅４０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成した。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図７（ｂ）に対応する）。
次いで、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板のライン幅が約７μｍになるまで行い、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にレジストマスクが残っているめっき用導電性基材を作製した。凸部上面の幅は５〜８μｍであり、凸部上面の間隔（ピッチ）は３００±２μｍ、凸部の高さは３５〜３８μｍであった。凸部上面の幅は、顕微鏡（デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５００、キーエンス（株）製）を用いて、倍率１０００倍で観察して測定した。凸部上面は、エッチング液で粗化されていないため、顕微鏡観察では光沢感があった。この光沢感のある部分を凸部の上面とした。測定は、無作為の５点で行い、その最大値と最小値を採用した。凸部上面の間隔（ピッチ）の測定は、顕微鏡（デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５００、キーエンス（株）製）を用いて、倍率２００倍で観察して測定した。測定は、無作為の５点で行った。また、凸部の高さは、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、倍率は３０００倍で断面をＳＥＭ観察することにより実測した。測定点は５点で、凸部の両側を測定したので計１０点の値の最大値と最小値を採用した。これらの測定法は以下においても同様である。
なお、凸部パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった（図７（ｃ）に対応する）。次いで、めっき用導電性基材を、液温３０℃で５％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬すると、凸部パターンが形成された面及びその反対面に形成されたレジスト膜が除去された（図７（ｄ）に対応する）。
【００７０】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の凸部パターンが形成された導電性基材の凸部パターンが形成された反対面に保護用の粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り合わせたものを陰極にして、陽極をステンレス（ＳＵＳ３０４）板として、カチオン型電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、ノボラックエポキシ系、日本ペイント（株）製）中で、１５Ｖ１０秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。次いで、窒素気流下、２３０℃で４０分間電着塗膜を焼付けて、絶縁層を形成した。炉内の酸素濃度は１％であった。絶縁層の厚さは、１．５〜３μｍであった。なお、測定は導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、倍率は３０００倍で断面をＳＥＭ観察することにより実測した。測定点は５点で、凸部の両側を測定したので計１０点の値の最大値と最小値を採用した。絶縁層の厚さの測定は、以下においても同様に行った。このようにして、めっき用導電性基材の凸部パターン側全面に、電着塗装で電気絶縁樹脂による絶縁皮膜を形成した（図８（ｅ）に対応する）。
【００７１】
（酸素プラズマによるドライエッチング）
全面に絶縁層が形成されているめっき用導電性基材において、凸部パターンが形成された面に、シリコン系のレジストＤＬＲ−５０１（ＮＴＴアドバンテステクノロジ（株）製）をスピンコートで塗布した。スピンコータの回転速度を５００ｒｐｍとして、１０秒間回転した後、１０００ｒｐｍにして３０秒間回転した。次いで、９０℃に加熱したホットプレート上で、９０秒間加熱乾燥した。絶縁層のＴＯＰ部におけるシリコン系レジストの厚みは１μｍであった（図８（ｆ）に対応する）。さらに、＃４０００の研磨紙で、全面を軽く研磨し、凸部の上面にある絶縁層の上にあるシリコンレジスト層を除去した（図８（ｇ）に対応する）。
次いで、反応性イオンエッチング装置（ＣＳＥ−１１１０（株式会社アルバック製））を用いて、凸部の上面にある絶縁層を酸素プラズマを用いてドライエッチングした（図９（ｈ）に対応する）。
ガス組成は、酸素１６ｓｃｃｍ、アルゴン２ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧は４Ｐａとした。さらに、ＲＦの出力３００Ｗで６分間ドライエッチングした。次いで、５０℃に加温したジプロピレングリコールモノメチルエーテル：モノイソプロパノールアミン＝７５：２５の溶液に上記めっき用導電性基材を３分間浸漬し、絶縁皮膜上に形成されているシリコン系レジストを剥離した。以上により、凸部先端部分のステンレスが露出し、その露出幅５．９〜１０．０μｍ、絶縁高さ３２〜３６．５μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で１．５〜２．５μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、１．５〜２．５μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅５〜８μｍと変わらなかった。以上のようにして、保護用の粘着フィルムが付着している、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．３０６〜０．４０４（６８〜７３°に相当）であった。
凸部先端部分の露出部の幅、第１の位置、第２の位置における高さｈ１０及び幅ｄ１０は、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、倍率は１００００倍で断面をＳＥＭ観察することにより実測し、測定点は５点で、凸部の両側を測定したので計１０点の値の最大値と最小値を採用した（以下同様）。絶縁高さの測定も、同様に行ったが、倍率は３０００倍とした（以下同様）。
【００７２】
（銅めっき）
次いで、粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴（硫酸銅（５水塩）２３０ｇ／Ｌ、硫酸５５ｇ／Ｌ、キューブライト＃１ＡＨＨ（荏原ユージライト株式会社、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に、上記めっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を５Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さがほぼ５μｍになるまでめっきした。
【００７３】
（転写用粘着フィルムの作製）
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面にプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を厚さ１μｍ）に、粘着層としてアクリルポリマー（ＨＴＲ−２８０、長瀬ケムテック（株）製）を厚さ１０μｍに順次塗布して転写用粘着フィルムを作製した。
【００７４】
（転写）
上記転写用粘着フィルムの粘着層の面と、上記めっき用導電性基材の銅メッキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅１５〜２０μｍ、ラインピッチ３００±２μｍ、導体厚さ（凸部の上面の上に形成された部分、以下同様）４．５〜６μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。転写後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁膜が剥離している箇所はなかった。ライン幅、導体厚さの測定は、得られた導体層パターン付き基材を一部切り取って樹脂で注型し、倍率は３０００倍で断面をＳＥＭ観察することにより実測した。測定点は５点で、凸部の両側を測定したので計１０点の値の最大値と最小値を採用した（以下も同様）。ラインピッチの測定は、顕微鏡（デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５００、キーエンス（株）製）を用いて、倍率２００倍で観察して測定し、測定は、無作為の５点で行った（以下も同様）。
【００７５】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、ＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングし、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）でラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
【００７６】
（繰り返し使用）
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例２】
【００７７】
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
１０ｃｍ角のステンレス（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）に４００メッシュのポリエステル製スクリーン版にライン幅が４０μｍ、ラインピッチが２２５μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状のパターンを形成した版を用い、アルカリ除去型エッチングレジストインク（２２６Ｂｌａｃｋ、Ｎａｚｄａｒ Ｃｏｍｐａｎｙ製）を塗布した後、スキージで余分なレジストインクを５０ｍｍ／ｍｉｎの速度でかき取った。また、もう一方の面には、上記レジストインクを全体に塗布した。乾燥炉を用いて１２０℃で５分乾燥させ、ＳＵＳ板の一方の面上にライン幅４０μｍ、ラインピッチ２２５μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成し、他方の面全体にレジスト膜を形成した（図７（ｂ）に対応する）。さらに、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板に形成される凸部の上面の幅が３０μｍになるのを目安に行った。実際の凸部上面の幅は２９〜３２μｍであり、凸部上面の間隔（ピッチ）は、２２５±２μｍ、凸部の高さは１２〜１７μｍであった。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった（図７（ｃ）に対応する）。次いで、めっき用導電性基材を、液温３０℃で５％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬すると、凸部パターンが形成された面及びその反対面に形成されたレジスト膜が除去された（図７（ｄ）に対応する）。
【００７８】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材の凸部パターンがある面と反対の面に保護用の粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り合わせたものを陽極にして、陰極をチタン板として、アニオン型電着塗料（ＡＭＧ−５Ｅ／５Ｗ、（株）シミズ製エポキシ樹脂を主成分とする電着塗料）中で、１０Ｖ６０秒の条件で、上記めっき用導電性基材（中間体）に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した。次いで、１８０℃３０分の条件で窒素気流下電着塗膜を焼付けて絶縁層を形成した。炉内の酸素濃度は０．５％であった。絶縁層の厚さは、２．９〜３．５μｍであった。
このようにして、凸部パターン面全面に絶縁膜が施された導電性基材を得た（図８（ｅ）に対応する）。
【００７９】
（酸素プラズマによるドライエッチング）
凸部パターン面全面に絶縁層が形成されているめっき用導電性基材において、絶縁層の上に、シリコン系のレジストＤＬＲ−５０１（ＮＴＴアドバンテステクノロジ（株）製）をスピンコートで塗布した。スピンコータの回転速度を５００ｒｐｍとして、１０秒間回転した後、１０００ｒｐｍにして３０秒間回転した。次いで、９０℃に加熱したホットプレート上で、９０秒間加熱乾燥した。絶縁層のＴＯＰ部におけるシリコン系レジストの厚みは１μｍであった（図８（ｆ）に対応する）。さらに、＃４０００の研磨紙で、全面を軽く研磨し、凸部の上面にある絶縁層の上にあるシリコンレジスト層を除去した（図８（ｇ）に対応する）。
次いで、反応性イオンエッチング装置（ＣＳＥ−１１１０（株式会社アルバック製））を用いて、凸部の上面にある絶縁層を酸素プラズマを用いてドライエッチングした（図９（ｈ）に対応する）。ガス組成は、酸素１６ｓｃｃｍ、アルゴン２ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧は４Ｐａとした。さらに、ＲＦの出力２００Ｗで１０分間ドライエッチングした。次いで、５０℃に加温したジプロピレングリコールモノメチルエーテル：モノイソプロパノールアミン＝７５：２５の溶液に上記めっき用導電性基材を３分間浸漬し、絶縁皮膜上に形成されているシリコン系レジストを剥離した。
以上により、凸部先端部分のステンレスが露出し、その露出幅は、２９．９〜３５．０μｍ、絶縁高さ８．５〜１４．１μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で０．５〜１．５μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、０．５〜１．５μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅２９〜３２μｍは変わらなかった。
以上のようにして、保護用の粘着フィルムが付着している、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．８７０〜１．０００（４５〜４９°に相当）であった。
【００８０】
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材の凹凸のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を２０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さがほぼ３μｍになるまでめっきした。
【００８１】
（転写）
次いで、実施例１で得たのと同一の転写用粘着フィルムをその粘着層が、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面に接するように、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材から粘着フィルムを剥離すると、上記めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着層表面に転写された。このようにして、ライン幅３４〜３８μｍ、ラインピッチ２２５±２μｍ、導体厚２．５〜３．５μｍの格子状金属パターンが接着フィルム上に転写され、導体層パターン付き基材を得た。
【００８２】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例１と同様にしてＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングした後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）の易接着処理を施していない面を、ＵＶ硬化型樹脂とでラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させた後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）を剥離して、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
【００８３】
（繰り返し使用）
上記のめっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例３】
【００８４】
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
ステンレスの種類を３１６Ｌに、サイズを３１４ｍｍ×１５０ｍｍとしたこと及びレジスト膜のラインピッチを２７５μｍとしたこと以外は全て実施例１と同様にして、ＳＵＳ板をエッチングして形成された凸部上面の幅は５〜８μｍであり、凸部上面の間（ピッチ）は、２７５±２μｍ、凸部の高さは３５〜３８μｍであった。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった。次いで、めっき用導電性基材を、液温３０℃で５％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬すると、パターンが形成された面及びその反対面に形成されたレジスト膜が除去された（図７（ｄ）に対応する）。
【００８５】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
ＲＦプラズマＣＶＤ装置（ＮＡＮＯＣＯＡＴ ４００、ナノテック株式会社）によりＤＬＣ膜を形成する。ＲＦプラズマＣＶＤ装置は上部電極、基板を乗せる下部電極及びガス導入口を備えた真空チャンバー、プラズマを発生するためのＲＦ電源２５、スイッチ／マッチングボックス、マッチングボックス、真空ポンプなどから構成される。真空チャンバーは真空ポンプにより１０−３ｔｏｒｒの真空度に減圧される。最初にＡｒガスによるプラズマを励起し基板のクリーニングを行なった後、ヘキサメチルジシラザンを４ｓｃｃｍの流量で導入し、ＲＦ出力５００Ｗで膜厚０．３μｍとなるように中間層としてＳｉを製膜した。次いで、アセチレンガスを１５ｓｃｃｍの流量で導入し、ＲＦ出力５００Ｗで膜厚が２．５〜３．５μｍとなるように、中間層の上にＤＬＣ層を形成した（図８（ｅ）に対応する。ただし、粘着フィルム９はない。）。
【００８６】
（酸素プラズマによるドライエッチング）
さらに、全面に絶縁層が形成されているめっき用導電性基材において、パターンが形成された面に、シリコン系のレジストＤＬＲ−５０１（ＮＴＴアドバンテステクノロジ（株）製）をスピンコートで塗布した。スピンコータの回転速度を５００ｒｐｍとして、１０秒間回転した後、１０００ｒｐｍにして３０秒間回転した。次いで、９０℃に加熱したホットプレート上で、９０秒間加熱乾燥した。絶縁層のＴＯＰ部におけるシリコン系レジストの厚みは１μｍであった（図８（ｆ）に対応する。ただし、粘着フィルム９はない。）。さらに、＃４０００の研磨紙で、全面を軽く研磨し、凸部の上面にある絶縁層の上にあるシリコンレジスト層を除去した（図８（ｇ）に対応する。ただし、粘着フィルム９はない。）。
次いで、反応性イオンエッチング装置（ＣＳＥ−１１１０（株式会社アルバック製））を用いて、凸部の上面にある絶縁層を酸素プラズマを用いてドライエッチングした（図９（ｈ）に対応する。ただし、粘着フィルム９はない。）。ガス組成は、酸素１６ｓｃｃｍ、アルゴン２ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧は４Ｐａとした。さらに、ＲＦの出力３００Ｗで４０分間ドライエッチングした。次いで、５０℃に加温したジプロピレングリコールモノメチルエーテル：モノイソプロパノールアミン＝７５：２５の溶液に上記めっき用導電性基材を３分間浸漬し、絶縁皮膜上に形成されているシリコン系レジストを剥離した。
以上により、凸部先端部分のステンレスが露出し、その露出幅６．２〜１１．１μｍ、絶縁高さ３１．２〜３５．２μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で２．０〜４．０μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、２．０〜４．０μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅５〜８μｍは変わらなかった。
以上のようにして、保護用の粘着フィルムが付着している、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．４２４〜０．４８８（６４°〜６７°に相当）であった。
【００８７】
（銅めっき）
φ１００ｍｍ、幅２００ｍｍのステンレスロールに、前記で作製しためっき用導電性基材の背面とロールが接触するように、巻きつけて、つなぎ目を絶縁テープで貼り合わせた。
さらに、側部からめっき液が染み込まないように、導電性基材の両端５ｍｍを全周にわたって、絶縁テープで覆うように、ロールと導電性基材を貼り合わせ、一つの回転体とした。
次いで、図１８に示すような装置構成で回転体１０３に電気銅めっきした。陽極１０２には白金でコーティングしたチタン製の不溶性電極を用いた。陰極には上記ステンレス製のロールをドラム電極とした。電解銅めっき用の電解浴１００には、硫酸銅（５水塩）７０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）２０ｍｌ／Ｌの水溶液で２５℃の電荷液１０１が収容され配管１０４を通じてポンプ１０５により、陽極１０２と回転体１０３の間に送られ、満たされている。回転体１０３の約半分がこの電解液に浸漬している。電流密度を７Ａ／ｄｍ２となるように、両極に電圧をかけて上記導電性基材の領域Ａの凸部の上面に析出する金属の厚みがほぼ２μｍ厚になるまでめっきした。このとき、上記のステンレスロールを１ｍ／分の速度で回転させるようにした。
【００８８】
（転写）
実施例１で作製した粘着フィルムを一旦ロール状で巻き取り、ロール状の粘着フィルムとした。このロール状の粘着フィルムから粘着フィルム１０７を巻き出し、その粘着剤層の面を上記回転体（ステンレスロール）の凸部の上面に析出した金属（銅）１０６に圧着ロール１０８により実施例１と同様のラミネート条件で、連続的に貼り合わせるとともに剥離することにより、金属１０６を粘着フィルムの粘着剤層に転写して、導体層パターン付き基材１０９を連続的に作製した。導体層パターン付き基材１０９はロール状に巻き取られた（図示せず）。また、このとき、粘着フィルムの導体層パターンが転写された面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）をラミネートしながら巻き取ることにより、巻取り時のブロッキングを防止した。導体層パターンは、ライン幅１０〜１４μｍ、ラインピッチ２７５±２μｍ、導体厚１．５〜２．５μｍであった。銅めっきが転写された粘着フィルムを５０ｍ巻き取った後も、ステンレスロール上への銅めっきとその転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【００８９】
（保護膜の形成）
得られた導体層パターン付き基材の一部を切り取り、導体層パターンが形成されている面に、ＵＶ硬化型樹脂（アロニックスＵＶ−３７０１、東亞合成株式会社製）をアプリケータ（ヨシミツ精機株式会社製、ＹＢＡ型）を用いて１５μｍ厚でコーティングし、ＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製、７５μｍ）をハンドロールを用いて気泡が入らないように静かにラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射して、保護膜を形成した。
【００９０】
（繰り返し使用）
上記で得られためっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５０００回繰り返した（回転体を５０００回転させた）結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例４】
【００９１】
実施例３に記載した方法で導電性基材に絶縁層を形成して、ＤＬＣ膜を酸素プラズマでエッチングした後、ＰＬＡＳＭＡ ＣＨＡＭＢＥＲ ＭＯＤＥＬ ＰＣ−１０１Ａ、ＲＦＧＥＮＥＲＡＴＯＲ ＭＯＤＥＬ ＲＦＧ−５００Ａ（共にヤマト科学株式会社製）のプラズマアッシャー装置を用いて、中間層をドライエッチングした。エッチングの際のガス組成は、ＣＦ４ １０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧は４Ｐａとした。さらに、ＲＦの出力３００Ｗで３０分間ドライエッチングすることで、凸部の上面を露出させた。この際、シリコン系レジストは、上記ガス組成に対するエッチングレートが高いので、中間層と共にエッチングされたため、剥離する必要はなかった。また、この際、上記ガス組成によりエッチングはされなかった。
以上の操作により、凸部先端部分のステンレスが露出し、その露出幅５．８〜９．５μｍ、絶縁高さ３１．２〜３５．２μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で１．０〜２．５μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、１．０〜２．５μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅５〜８μｍは変わらなかった。絶縁層の厚さは、２．５〜４μｍであった。
以上のようにして、保護用の粘着フィルムが付着している、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．３０６〜０．３８４（６９〜７３°に相当）であった。
さらに、実施例３と同様にして、銅めっき、転写、保護膜の形成を行った。
導体層パターン付き基材の導体層パターンは、ライン幅９〜１２μｍ、ラインピッチ２７５±２μｍ、導体厚１．５〜２．５μｍであった。
銅めっきが転写された粘着フィルムを５０ｍ巻き取った後も、ステンレスロール上への銅めっきとその転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【００９２】
（繰り返し使用）
上記で得られためっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５０００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例５】
【００９３】
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
ロール状に巻いたＳＵＳ３０４箔（日新製鋼（株）製、仕上げ３／４Ｈ、幅２００ｍｍ、厚さ１００μｍ）と、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡製）にバイロンＵＲ−１３５０（接着剤、東洋紡（株）製）を乾燥塗布厚が２０μｍとなるように塗布して作製したロール状の接着フィルムをロールラミネータで貼りあわせて、ロール状のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔（未加工）を作製した。ラミネート条件は、ロール温度１２０℃、プレヒート１２０℃３０秒、圧力３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。
次いで、上記で作製したロール状のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔（未加工）及びロール状のレジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、２０μｍ厚、日立化成工業株式会社製）をそれぞれ巻きだして、ＳＵＳ３０４箔が露出している方の面にレジストフィルムをロールラミネータで連続的に貼り合わせ、ロール状に巻き取った。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が４０μｍ、ラインピッチが４００μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレスを一部巻出し、その上に静置した。紫外線照射装置を用いてネガフィルムの上から紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。露光した部分を巻取り、露光していないレジストフィルムを貼り合わせた部分を巻きだして上と同様の条件でネガフィルムを静置して紫外線を照射した。この工程を１０回繰り返してＳＵＳ３０４箔上に１０パターンを露光した。これを１％炭酸ナトリウムを使用して現像機を通して現像することでＳＵＳ箔の上にライン幅４０μｍ、ラインピッチが４００μｍのレジストマスクが一定間隔で配置されたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ３０４箔を形成した。次いで、このＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔をエッチングラインに通し、ＳＵＳ箔に格子模様状のパターン（凸部上面の幅９〜１４μｍ、凸部上面の間隔（ピッチ）４００±２μｍ、凸部の高さ１８〜２２μｍ）を一定間隔に配置した導電性基材を作製した。
【００９４】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、エッチングしたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔をパターン毎に切断した後、個々のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔毎に、実施例４と同様にして、中間層、ＤＬＣ膜の形成、さらに、ＤＬＣ及びＳｉ層のドライエッチングを行い、凹部が絶縁層で覆われたＰＥＴフィルム付きめっき用導電性基材を合計で１１枚製造した。
以上の操作により得られた１枚のＰＥＴフィルム付きめっき用導電性基材を使用して次の項目を調べた。その結果は、凸部先端のステンレスが露出し、その露出幅１１．０〜１８．８μｍ、絶縁高さ１４．２〜１９．２μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で２．５〜４．５μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、２．５〜４．５μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅９〜１４μｍは変わらなかった。
以上のようにして、保護用の粘着フィルムが付着している、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．５０９〜０．６０１（５９〜６３°に相当）であった。
【００９５】
（フープ状導電性基材の作製）
次いで、幅２００ｍｍ、長さ１０ｍの粘着フィルム（ＳＧＡ、日立化成工業（株）製）の粘着剤面に、上記で作製した１０枚の凹部が絶縁層で覆われたＰＥＴフィルム付きめっき用導電性基材のＰＥＴフィルム面を、隙間無く貼り合わせて、長さ１０ｍの凹部が絶縁層で覆われたＰＥＴフィルム付きめっき用導電性基材（以下、長尺のめっき用導電性基材という）を得た。次いで、図１９に示すような装置に、上記長尺のめっき用導電性基材を通紙し、フープ状導電性基材を得た。つなぎ目は、市販のガムテープを用いて繋ぎ目の裏側から貼り合わせ、表側は銅テープ（ＣＨＯ−ＦＯＩＬ、５０ｍｍ幅、太陽金網株式会社製）で貼り合わせた。
【００９６】
（導体層パターン付き基材の作製）
上記で得られたフープ状導電性基材を用い、図１９に示す装置により導体層パターン付き基材を作製した。以下、図１９を用いて説明する。
まず初めに、上記で得られたフープ状導電性基材１１０はロール１１１〜１２８により、前処理槽１２９、電解浴槽１３０、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を通って周回するように構成されている。
前処理槽１２９には、５％硫酸水溶液が収容されており、電解浴槽１３０には、硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ及びカパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液からなり温度が３０℃に調整された電解液が収容されている。黒化処理槽１３２には、コパール（オーデック社製）の４倍希釈液が収容されている。また、防錆処理槽１３４には０．５％のベンゾトリアゾール水溶液が収容されている。
電解浴槽１３０では、フープ状導電性基材１１０を陰極とし、含燐銅を陽極として電流密度を３０Ａ／ｄｍ２で電解銅めっきされるように構成されている。本例では、凸部の露出部分に析出する金属の厚さが３μｍになるのを目安にめっきして、導電性基材上に導体層パターン作製した。
水洗槽１３１における水洗後、導電性基材上の導体層パターンは、コパール液（オーデック社製）を用いて実施例１と同様に黒化処理が黒化処理層１３２で行われ、水洗槽１３２における水洗後、防錆処理槽１３４で防錆処理され、さらに、水洗槽１３５で水洗した後、ロール状で作製した実施例１で作製した粘着フィルム１３６を用いて、実施例１と同様の条件で、圧着ロール１３７を用い、導体層パターンを接着フィルム１３６上に連続的に転写して、導体層パターン付き基材１３８を連続的に得、これはロール状に巻き取られた。
凸部の露出部分に析出した銅めっきを、接着フィルムに転写して形成されたパターンは、ライン幅１１〜１６μｍ、ラインピッチ４００μｍ、厚さ２．５〜３．５μｍであった。
接着フィルムに転写後、転写されたラインを顕微鏡で観察した結果、全面で、ラインの割れは無かった。なお、導体層パターン付き基材１３８をロール状に巻き取る際には、導体層パターンの面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）が接触するようにラミネートした。上記導体層パターン付き基材を５０ｍ巻き取った後も、導電性基材上に析出した銅めっきの転写性に変化が無く、導電性基材の凹部に形成された絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【００９７】
次いで、離型ＰＥＴを剥離しながら、得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面に、ＵＶ硬化型樹脂（アロニックスＵＶ−３７０１、東亞合成株式会社製）を１５μｍ厚でコーティングし、ＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製、７５μｍ）でラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射して、いわゆるロール・トゥ・ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）で連続的に保護膜を形成して、保護槽を有する導体層パターン付き基材を得た。
導体層パターン付き基材の導体層パターンは、ライン幅１１〜１６μｍ、ラインピッチ４００±２μｍ、導体厚２．５〜３．５μｍであった。
【００９８】
（繰り返し使用）
上記のめっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５０００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【００９９】
比較例１
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、２０μｍｍ厚、日立化成工業株式会社製）を１０ｃｍ角のステンレス（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）板に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が４０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅４０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成した。さらに、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板のライン幅が７μｍになるまで行った。次いで、５％水酸化ナトリウム水溶液を用いて、ＳＵＳ版の上に形成されたレジストマスクを剥離して、格子模様上のパターン（凸部上面の幅５〜８μｍ、凸部上面の間隔（ピッチ）３００±２μｍ、凸部の高さ１４〜１８μｍ）を形成し、凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を作製した。
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材陰極にして、陽極をステンレス（ＳＵＳ３０４）板として、カチオン系電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、日本ペイント（株）製）中で、１５Ｖ１０秒の条件で、上記導電性基材に電着塗装した。水洗後１１０℃１０分間乾燥した後、２３０℃４０分の条件で窒素気流下で焼付けて絶縁層を形成した。炉内の酸素濃度は０．１％であった。絶縁層の厚さは、ほぼ２．６μｍであった。さらに電着塗装した導電性基材を、研磨粉（Ｔｙｐｅ０．１Ｒ、Ｂａｉｋｏｗｓｋｉ Ｃｈｉｍｉｅ ＳＡ製）と研磨布（マイクロクロス、Ｂｕｅｈｌｅｒ ＧＭＢＨ製）を用いて凸部の上面を研磨し、ＳＵＳ面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。このめっき用導電性基材の凹部における絶縁層の厚さは２．０〜３．０μｍであった。ただし、凸部上面の端部における絶縁層の厚さは０．２μｍ（上面の平面方向に測る）であった。研磨後のライン幅、すなわち、凸部上面の幅は５〜１５μｍであった。このめっき用導電性基材は、凸部は露出部分は上面だけで、露出高さは０であった。絶縁高さは１１〜１６μｍであった。
（銅めっき）
さらに、絶縁膜を有するめっき転写用版を陰極として、電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、キューブライト＃１Ａ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を７Ａ／ｄｍ２として、凸部上面に析出した金属の厚さが５μｍになるまでめっきした。
（転写）
実施例１で作製したのと同様の粘着フィルムの粘着剤面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき転写用版の凸部の上面に析出した銅が粘着剤表面に転写された。このようにしてライン幅（凸部上面の幅）１１〜３０μｍ、ラインピッチ３００±２μｍ、導体厚４〜６μｍの金属パターンが粘着フィルム上に転写された。本発明によって作製しためっき転写用版と比較して、研磨により作製しためっき転写用版はライン幅のばらつきが大きく、ラインもガタついていた。それによって得られた導体層パターンもライン幅のばらつきが非常に大きかった。
（繰り返し使用）
上記のめっき−転写の工程を２５０回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化がなく、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【０１００】
比較例２
実施例１と同様にして上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にレジストマスクが残っているめっき用導電性基材（中間体）を作製した。得られた導電性基材のライン幅、すなわち、凸部上面の幅は１４〜１９μｍ、ラインピッチは３５０±２μｍ、凸部の高さは１８〜２３μｍであった。
次いで、上記の導電性基材を陰極にして、陽極をステンレス（ＳＵＳ３０４）板として、カチオン型電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、日本ペイント（株）製）中で、１２０Ｖ１０秒の条件で導電性基材に電着塗装した。水洗後１１０℃で１０分間乾燥した後、２％水酸化ナトリウム水溶液でレジストマスクを剥離した。次いで、２３０℃４０分条件で窒素気流下で焼付けした。電着塗料の厚みは２０μｍであった。レジストマスクの幅が４０μｍであったため計算上は電着塗料がレジストマスクの幅を超えて電着されたことになるが、焼付の際に樹脂が流動して平坦化したため、樹脂は凸部パターンの上面より上にはほとんどはみ出していなかった。このめっき用導電性基材は、凹部は絶縁膜で覆われたものであった。得られためっき転写用版は、凸部パターンの凹部が絶縁層で完全に埋まった形状をしていた。
次いで上記めっき転写用版を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を２５Ａ／ｄｍ２として、凸部上面に析出した金属の厚さが５μｍになるまでめっきした。
さらに、実施例１で得られた粘着フィルム上に銅めっきを転写した。銅めっき−転写の工程を１１回繰り返すと、絶縁膜の一部が剥離しており、１２回目のめっきを行うと、絶縁膜が剥離した箇所に銅が析出した。粘着フィルムに銅めっきを転写した結果、絶縁膜が剥離した箇所の銅めっきが転写しなかった。
【０１０１】
以上の実施例又は比較例で得られた導体層パターンのライン厚み、ライン幅、導電性基材からの剥離性、パターンの異常の有無、パターンを有するめっき転写用から銅めっきの剥離を繰り返した後のめっき転写用版の耐久性を評価した結果を表１に示す。
なお、ライン幅、ピッチは顕微鏡写真を元に実測した。ライン厚みは得られた導体層パターンを一部切り取って樹脂で注型し、断面を顕微鏡観察することにより実測した。導電性基材からの剥離性は粘着フィルムに転写した銅のパターンを拡大鏡で観察し、転写不良のない場合を良好、転写不良が発生した場合を不良とした。ただし、比較例２及び３に関しては、電着塗料の剥離が発生する前までの転写不良の有無を記載した。パターン異常の有無は拡大鏡を用いて肉眼にて確認した。めっき転写用版の耐久性はめっき及び剥離を繰り返した後のめっき転写用版を直接拡大鏡で観察して確認した。
【０１０２】
【表１】
【実施例６】
【０１０３】
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、２０μｍ厚、６８０ｍｍ幅、日立化成工業株式会社製）を７００×１１００ｍｍのステンレス板（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）の両面に貼り合わせた（図７（ａ）に対応する）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が４０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）で、パターンサイズが基板サイズと同一である、格子状に形成したネガフィルムを、ステンレス板のレジストフィルムを貼り合わせた方の面上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅４０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成した。さらに、レジストが形成されたＳＵＳ板を１５０℃３０分間加熱処理し、レジストとＳＵＳ板の密着性を向上させた。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図７（ｂ）に対応する）。
次いで、８００ｍｍ幅のロータリー式エッチングマシン（株式会社石井表記製）に、塩化第二鉄水溶液（４７°Ｂｅ‘、ラサ工業株式会社製）１．５ｔを加えた。エッチング液の液温は４０℃で、３ｋｇ／ｃｍ２のスプレー厚で、３００秒間ＳＵＳ板をエッチングした。上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にレジストマスクが残っているめっき用導電性基材を作製した。凸部上面の幅は５〜８μｍであり、凸部上面の間隔（ピッチ）は３００±２μｍ、凸部の高さは３５〜３８μｍであった。
なお、凸部パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった（図７（ｃ）に対応する）。次いで、めっき用導電性基材を、液温３０℃で５％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬すると、凸部パターンが形成された面及びその反対面に形成されたレジスト膜が除去された（図７（ｄ）に対応する）。
【０１０４】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
ＲＦプラズマＣＶＤ装置（ＨＴＣ１５００、Ｈａｕｚｅｒ Ｔｅｃｈｎｏ Ｃｏａｔｉｎｇ ＢＶ製）によりＤＬＣ膜を形成した。ＲＦプラズマＣＶＤ装置は上部電極、基板を乗せる下部電極及びガス導入口を備えた真空チャンバー、プラズマを発生するためのＲＦ電源、スイッチ／マッチングボックス、マッチングボックス、真空ポンプなどから構成される。真空チャンバーは真空ポンプにより１０−３ｔｏｒｒの真空度に減圧される。最初にＡｒガスによるプラズマを励起し基板のクリーニングを行なった後、クロムをターゲット材料として、上記で作製した凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の両面にスパッタリングした結果、約１μｍのクロム層が形成された。なお、裏面は、めっきをする際の導通をとるために、スパッタリングする前に、４辺の外周１０ｍｍに、マスキングテープを貼り合わせた。次いで、アセチレンガスを１５ｓｃｃｍの流量で導入し、ＲＦ出力５００Ｗで膜厚が２．５〜３．５μｍとなるように、中間層であるクロム層の上に、凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の両面にＤＬＣ層を形成した（図８（ｅ）に対応する。）最後に、裏面に貼り合わせたマスキングテープを剥離して、ＳＵＳ面を露出させた。
【０１０５】
（酸素プラズマによるドライエッチング）
全面に絶縁層が形成されているめっき用導電性基材において、凸部パターンが形成された面に、シリコン系のレジストＤＬＲ−５０１（ＮＴＴアドバンテステクノロジ（株）製）をダイコータ（タツモ株式会社製）で膜厚が１〜３μｍとなるように塗布した。次いで、９０℃に加熱したホットプレート上で、９０秒間加熱乾燥した。絶縁層のＴＯＰ部におけるシリコン系レジストの厚みは１μｍであった（図８（ｆ）に対応する）。さらに、＃４０００の研磨紙で、全面を手作業で軽く研磨し、凸部の上面にある絶縁層の上にあるシリコンレジスト層を除去した（図８（ｇ）に対応する）。
次いで、プラズマＣＶＤ装置（ＨＴＣ１５００、Ｈａｕｚｅｒ Ｔｅｃｈｎｏ Ｃｏａｔｉｎｇ ＢＶ製）を用いて、凸部の上面にある絶縁層を酸素プラズマを用いてドライエッチングした（図９（ｈ）に対応する）。
ガス組成は、酸素１６ｓｃｃｍ、アルゴン２ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧は４Ｐａとした。さらに、ＲＦの出力３００Ｗで４０分間ドライエッチングした。次いで、５０℃に加温したジプロピレングリコールモノメチルエーテル：モノイソプロパノールアミン＝７５：２５の溶液に上記めっき用導電性基材を３分間浸漬し、絶縁皮膜上に形成されているシリコン系レジストを剥離した。以上により、凸部先端部分のステンレスが露出し、その露出幅５．９〜１０．０μｍ、絶縁高さ３２〜３６．５μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で１．５〜２．５μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、１．５〜２．５μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅５〜８μｍと変わらなかった。以上のようにして、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．３０６〜０．４０４（６８〜７３°に相当）であった。
【０１０６】
（銅めっき）
上記で作製しためっき用導電性基材を下記のピロリン酸銅電解液に浸漬してから、５５秒間は、電流密度１５Ａ／ｄｍ２でめっきを行いめっき用導電性基材の凸部の露出部分に銅を析出させた。ついで、次いで電流密度３０Ａ／ｄｍ２として５秒間をめっきし、先に析出した銅の表面を黒化処理した。その結果、凸部の露出部分に析出する金属の凸部上面の上では厚みは３〜５μｍであった。その凸部の露出部に表面が黒化処理された銅めっき（導体パターン）を有する導電性基材は引続き水洗し、乾燥した。
（電解液の組成等）
ピロリン酸銅 １００ｇ／Ｌ
ピロリン酸カリウム ２００ｇ／Ｌ
アンモニア水（３０％） ５ｍＬ／Ｌ
ｐＨ ８〜９
電流密度 ２０Ａ／ｄｍ２
浴温 ３０℃
陽極 銅板
回転スピード ０．５５ｍ／ｍｉｎ
【０１０７】
（転写用粘着フィルムの作製）
幅９００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面に、塗工幅７００ｍｍでプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を厚さ１μｍ）に、粘着層としてアクリルポリマー（ＨＴＲ−２８０、長瀬ケムテック（株）製）を厚さ１０μｍに順次塗布して転写用粘着フィルムを作製し、巻き取り時に、離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）のシリコン処理面を粘着剤面にラミネートしながら、巻き取った。上記粘着フィルムを２００ｍ作製し、ロール状で巻き取り、ロール状の粘着フィルムとした。
【０１０８】
（転写）
このロール状の粘着フィルムから粘着フィルム１３００ｍｍ巻き出して裁断し、裁断された粘着フィルムと前記の凸部の露出部分をに表面が黒化処理された銅めっき（導体パターン）を有する導電性基材を粘着フィルムの粘着剤層と表面が黒化処理された銅めっきが接するようにして、実施例１と同様のラミネート条件で、貼り合わせるとともに剥離することにより、導体層パターンを粘着フィルムの粘着剤層に転写して、大判の銅めっきが転写された粘着フィルムを作製した。
このとき、粘着フィルムの導体層パターンが転写された面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）をラミネートした。
導体層パターンは、ライン幅１１〜１５μｍ、ラインピッチ３００±２μｍ、導体厚３〜５μｍであった。
以上の銅メッキと転写を５０００回繰りかえても、まだ、銅めっきとその転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
得られた銅めっきが転写された粘着フィルム裁断して外形寸法６５０×９９０ｍｍの導体層パターン付き基材を得た。
以上の操作を繰り返し行い、得られた銅めっきが転写された粘着フィルム裁断寸法を変えることにより、外形寸法６４０×９５０ｍｍの導体層パターン付き基材を得た。
【０１０９】
（保護膜の形成）
得られた導体層パターン付き基材において、それぞれのパターンの導体層パターンが形成されている面に、幅６００ｍｍ、長さ９００ｍｍの範囲にダイコータで、ラインスピード５ｍ／ｍｉｎで間欠的にＵＶ硬化型樹脂（アロニックスＵＶ−３７０１、東亞合成株式会社製）を１５μｍ厚で間欠的にコーティングした。
ＵＶ硬化型樹脂を塗布した後、即座にＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製、７５μｍ）を０．１ＭＰａのロール圧でラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射して、保護膜を形成した。
外形寸法６５０×９９０ｍｍで、内部に６００×９００ｍｍの保護膜が形成された導体層パターン付き基材と外形寸法６４０×９５０ｍｍで、内部に６００×９００ｍｍの保護膜が形成された導体層パターン付き基材を得た。
【０１１０】
（繰り返し使用）
上記のめっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５０００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例７】
【０１１１】
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
７００×１１００ｍｍのステンレス（ＳＵＳ３１６Ｌ、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）に４００メッシュのポリエステル製スクリーン版にライン幅が４０μｍ、ラインピッチが２２５μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状のパターンを形成した版を用い、アルカリ除去型エッチングレジストインク（２２６Ｂｌａｃｋ、Ｎａｚｄａｒ Ｃｏｍｐａｎｙ製）を塗布した後、スキージで余分なレジストインクを５０ｍｍ／ｍｉｎの速度でかき取った。パターンの形成は、ＳＵＳ基板の中央に６５０×１０５０ｍｍの範囲に、幾何学図形のみを形成した。また、もう一方の面には、上記レジストインクを全体に塗布した。乾燥炉を用いて１２０℃で５分乾燥させ、ＳＵＳ板の一方の面上に、ＳＵＳ基板の中央に６５０×１０５０ｍｍの範囲で、ライン幅４０μｍ、ラインピッチ２２５μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成し、他方の面全体にレジスト膜を形成した（図７（ｂ）に対応する）。
次いで、８００ｍｍ幅のロータリー式エッチングマシン（株式会社石井表記製）に、塩化第二鉄水溶液（４７°Ｂｅ‘、ラサ工業株式会社製）１．５ｔを加えた。エッチング液の液温は５０℃で、３ｋｇ／ｃｍ２のスプレー厚で、１８０秒間ＳＵＳ板をエッチングした。
エッチング後の実際の凸部上面の幅は１８〜２３μｍであり、凸部上面の間隔（ピッチ）は、２２５±２μｍ、凸部の高さは１２〜１７μｍであった。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった（図７（ｃ）に対応する）。さらに、パターンの外周から４辺それぞれで、５０ｍｍの範囲で全面がエッチングされていた。次いで、めっき用導電性基材を、液温３０℃で５％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬すると、凸部パターンが形成された面及びその反対面に形成されたレジスト膜が除去された（図７（ｄ）に対応する）。
【０１１２】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材の凸部パターンがある面と反対の面に保護用の粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り合わせて、カチオン電着塗料（パワーニックス１１０Ｆ、日本ペイント株式会社製）を、株式会社秀榮産業で電着塗装した結果、ＳＵＳのパターン形成面に５〜７μｍの厚さで絶縁層が形成された。水洗後１８０℃３０分の条件で電着塗膜を焼付けて絶縁層を形成した。このようにして、凸部パターン面全面に絶縁膜が施された導電性基材を得た（図８（ｅ）に対応する）。
【０１１３】
（酸素プラズマによるドライエッチング）
全面に絶縁層が形成されているめっき用導電性基材において、凸部パターンが形成された面に、シリコン系のレジストＤＬＲ−５０１（ＮＴＴアドバンテステクノロジ（株）製）をダイコータ（タツモ株式会社製）で膜厚が１〜３μｍとなるように塗布した。次いで、９０℃に加熱したホットプレート上で、９０秒間加熱乾燥した。絶縁層のＴＯＰ部におけるシリコン系レジストの厚みは１μｍであった（図８（ｆ）に対応する）。さらに、＃４０００の研磨紙で、全面を手作業で軽く研磨し、凸部の上面にある絶縁層の上にあるシリコンレジスト層を除去した（図８（ｇ）に対応する）。
次いで、プラズマＣＶＤ装置（ＨＴＣ１５００、Ｈａｕｚｅｒ Ｔｅｃｈｎｏ Ｃｏａｔｉｎｇ ＢＶ製）を用いて、凸部の上面にある絶縁層を酸素プラズマを用いてドライエッチングした（図９（ｈ）に対応する）。
ガス組成は、酸素１６ｓｃｃｍ、アルゴン２ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧は４Ｐａとした。さらに、ＲＦの出力３００Ｗで１０分間ドライエッチングした。次いで、５０℃に加温したジプロピレングリコールモノメチルエーテル：モノイソプロパノールアミン＝７５：２５の溶液に上記めっき用導電性基材を３分間浸漬し、絶縁皮膜上に形成されているシリコン系レジストを剥離した。
以上により、凸部先端部分のステンレスが露出し、その露出幅は、２９．９〜３５．０μｍ、絶縁高さ８．５〜１４．１μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で０．５〜１．５μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、０．５〜１．５μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅２９〜３２μｍは変わらなかった。
以上のようにして、保護用の粘着フィルムが付着している、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．８７０〜１．０００（４５〜４９°に相当）であった。
【０１１４】
（銅めっき）
実施例６と同様にして上記めっき用導電性基材上にめっきにより、その凸部の露出部に表面が黒化処理された銅めっき（導体パターン）を形成し、水洗し、乾燥した。
（転写）
次いで、実施例６と同様にして、黒化処理された銅めっきを粘着フィルムに転写して、大判の銅めっきが転写された粘着フィルムを作製した。このようにして、ライン幅３４〜３８μｍ、ラインピッチ２２５±２μｍ、導体厚２．５〜３．５μｍの格子状金属パターンが接着フィルム上に転写され、導体層パターン付き基材を得た。
このようにして形成された導体層パターン付き導電性基材は、めっき用導電性基材のつなぎ目では、めっきが析出しないため、パターンの外形寸法は、７００×１０００ｍｍであった。
得られた銅めっきが転写された粘着フィルム裁断して外形寸法６５０×９９０ｍｍの導体層パターン付き基材を得た。
また、以上の操作を繰り返し行い、得られた銅めっきが転写された粘着フィルム裁断寸法を変えることにより、外形寸法６４０×９５０ｍｍの導体層パターン付き基材を得た。
（保護膜の形成）
得られた導体層パターン付き基材において、それぞれのパターンの導体層パターンが形成されている面に、実施例４と同様にして保護膜を形成し、外形寸法６５０×９９０ｍｍで、内部に６００×９００ｍｍの保護膜が形成された導体層パターン付き基材と外形寸法６４０×９５０ｍｍで、内部に６００×９００ｍｍの保護膜が形成された導体層パターン付き基材を得た。
【０１１５】
（繰り返し使用）
上記のめっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例を示す斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図の一部。
【図３】図１のＡ−Ａ断面図の一部であって図２とは別の例。
【図４】凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図。
【図５】凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の他の例を示す断面図。
【図６】本発明における導電性基材の凸部のパターン及び凸部側面の絶縁層の構造の一例を示す断面図。
【図７】凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製方法の一例を示す断面図。
【図８】凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材に絶縁層を形成する工程（前半）の一例を示す断面図。
【図９】凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材に絶縁層を形成する工程（後半）の一例を示す断面図。
【図１０】凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材に絶縁層を形成する工程の他の例を示す断面図。
【図１１】作製しためっき転写用版を用いた導体層パターン付き基材の作製方法の一例を示す断面図。
【図１２】導体層パターンが黒化処理された金属パターンからなる導体層パターン付基材の断面図。
【図１３】導体層パターンが黒化処理された金属パターンからなる導体層パターン付基材の断面図。
【図１４】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１５】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１６】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１７】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１８】回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【図１９】フープ状のめっき用導電性基材を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【符号の説明】
【０１１７】
１：めっき用導電性基材
２：凹部
３：凸部
４：凸部の上面
４′：凸部の露出部分
５：凸部の側面
６：絶縁層
７：レジストフィルム
８：絶縁膜
９：粘着フィルム
１０：マスク層
１１：金属
１２：粘着フィルム
１３：別の基材
１４：粘着層
１５：導体層パターン付き基材
１６、１７：黒色層
１８：金属
１９：他の基材
２０：保護樹脂
２１：接着剤
２２：他の基材
２３：接着剤又は粘着剤
２４：保護フィルム
１００：電解浴
１０１：電解液
１０２：陽極
１０３：回転体
１０４：配管
１０５：ポンプ
１０６：金属
１０７：フィルム
１０８：圧着ロール
１０９：導体層パターン付き基材
１１０：フープ状の導電性基材
１１１〜１２８：搬送ロール
１２９：前処理槽
１３０：めっき槽（電解浴槽）
１３１：水洗槽
１３２：黒化処理槽
１３３：水洗槽
１３４：防錆処理槽
１３５：水洗槽
１３６：プラスチックフィルム基材（接着フィルム）
１３７：圧着ロール
１３８：導電層パターン付き基材
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき用導電性基材、その製造法、電性に優れかつ光透過性を有するようにパターニングされた導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材に関する。
【背景技術】
【０００２】
公共施設、ホール、病院、学校、企業ビル、住宅等の壁面、ガラス窓、樹脂パネル、電磁波を発生するディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する方法は、従来種々提案されている。例えば、被遮蔽面上に電磁波遮蔽塗料を全面塗布する方法、被遮蔽面上に金属箔を貼り合わせる方法、金属めっきされた繊維メッシュを樹脂板に熱ラミネートしてなる電磁波遮蔽シートを、被遮蔽面に貼り合わせる方法、導電性繊維をメッシュ状に編んだものを被遮蔽面に貼り合わせる方法等が一般的に行われている。
【０００３】
これらのうち、透明ガラス面、透明樹脂パネル面、陰極線管（ＣＲＴ）やプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）などのディスプレイの表示面等を電磁波遮蔽する場合においては、電磁波遮蔽用部材がなるべく薄いことが要求されるとともに、光透過性（透明性）と、これに相反する電磁波遮蔽性とをバランスよく両立させることができるものとして、金属メッシュを電磁波シールド層として有する電磁波遮蔽用部材が主流になっている。
【０００４】
金属メッシュを電磁波シールド層として有する電磁波遮蔽用部材の製造法として、特許文献１にはメッシュ状に金属電着が可能な電着基板上に金属電解液を使用して金属を電着し、接着剤を介して電磁波遮蔽基板に接着転写して電磁波遮蔽板を作製する方法（以下、転写法という）が記載されている。上記の電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュパタ−ンと逆のパターンを形成し、この結果、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製される。特許文献２には、また、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成した電着基板を用いる方法が記載されている。
【０００５】
特許文献２には、電子部品の回路パターンやセラミックコンデンサの電極パターンを作製するための金属層転写用ベースシートが開示される。金属層転写用ベースシートは、ベース金属層および電気絶縁層を備え、前記ベース金属層の表面には、転写金属層を電解めっきにより形成するための凸状パターンが形成されており、前記電気絶縁層が、前記ベース金属層の表面における前記凸状パターンが形成されていない部分に、形成されているものである。金属層転写用ベースシートのさせ製法法としては、まず、ベース金属層の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いてエッチングレジストを凸状パターンと同一パターンで形成し、エッチングレジストで覆われず露出しているベース金属層の表面をエッチングして溝を形成し、この後、エッチングレジストを除去し、エッチングされたベース金属層の全表面に電気絶縁層を形成し、次いで、凸状パターンが露出するまで電気絶縁層を研磨する方法が開示される。このとき、電気絶縁層の表面とベース金属層の凸状パターンの表面は同一平面上に配置され面一となる。また、その作製方法の他の例として、めっきレジストからなる電気絶縁層を、ベース金属層の表面に、ドライフィルムレジストなどを用いて凸状パターンと逆パターン（反転パターン）で形成し、電気絶縁層の間から露出するベース金属層の表面に、電解めっき金属層を凸状パターンで形成するが、このとき、電解めっき金属層の厚みを、電気絶縁層よりも厚くする方法が記載される。電解めっき金属層の表面を、電気絶縁層の表面よりも高く形成することによって、凸状パターン上に電気めっきにより形成された転写金属層を粘着シートに転写するときに、上記電気絶縁層がこの粘着シートに損傷を与えることを防止することができる旨記載される。
【０００６】
【特許文献１】特開平１１−２６９８０号公報
【特許文献２】特開２００４−１８６４１６号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
前記特許文献１に記載の転写法は、電磁波遮蔽部材の作製に当たりコスト低減をはかることができる方法として期待できる。電着基板は、金属板等の導電性基板の上に、電着を阻害する絶縁性膜でメッシュパタ−ンを形成し、この結果、メッシュ状に金属電着が可能な電着部を露出させるようにして作製されている。この電着基板を用いた場合、数回〜数十回程度の繰り返し使用は可能であるが、数百回〜数千回繰り返し使用が出来ず量産レベルにはならないという問題がある。これは、電着基板上のメッシュパターンを形成する絶縁膜が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用で導電性基材から絶縁膜が剥離してしまうためである。
また、特許文献１には、絶縁層支持体上に凸状の導電性メッシュ層を形成した電着基板を用いる方法が記載されているが、この方法によれば、実際は、導電性メッシュの側面にも金属が電着され、このことがメッシュ状電着金属層の接着転写に対する抵抗となり、剥離ができなかったり、剥離できたとしてもメッシュパターンに折れが発生し、電磁波シールド性が低下するといった不良が起こるという問題があることを、本発明者らは確認した。
【０００８】
特許文献２において、電気絶縁層の表面とベース金属層の凸状パターンの表面が同一平面上に配置され面一となっている金属層転写用ベースシートを用いて凸状パターン上に形成された転写金属層を粘着シートに転写する場合、特許文献１についての上記説明と同様に、電着基板上の電気絶縁膜が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用で導電性基材から絶縁膜が剥離してしまうという問題がある。
また、特許文献２において、電解めっき金属層からなる凸状パターンの表面を電気絶縁層の表面よりも高く形成した金属層転写用ベースシートを用いて凸状パターン上に形成された転写金属層を粘着シートに転写する場合、特許文献１についての上記説明と同様に、凸状パターンの側面にも転写金属層がめっきされ、このことが転写金属層の接着転写に対する抵抗となり、転写金属層を凸状パターンから剥離ができなかったり、剥離できたとしてもメッシュパターンに折れが発生し、電磁波シールド性が低下するといった不良が起こるという問題がある。さらに、凸状の導電性メッシュ層に析出した金属を転写する際に、電気絶縁層と凸状パターンの表面の高さの差が、最大でも数μｍ程度である場合には、転写用の接着フィルムに転写する際の圧力や、基材のたわみ等により、特許文献１についての上記説明と同様に、電着基板上の電気絶縁膜が、接着転写により剥離応力を受け、少々の繰り返し使用で導電性基材から絶縁膜が剥離してしまうという問題がある。
【０００９】
本発明は、このような問題点に鑑み、導電性及び光透過性を有するようにパターニングされた導体層パターン付き基材を転写法を用いて生産性よく製造するためのめっき用導電性基材及びその製造法を提供するものである。また、本発明は、そのような導電性基材を用いた導体層パターン付き基材の製造法、導体層パターン付き基材及びそれを用いた電磁波遮蔽部材を提供するものである。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明は、次のものに関する。
１． 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部の上端から０．５〜５μｍ低い位置よりも低い位置の凹部表面に絶縁層が形成されており、凸部の導電性基材の露出部分の幅が１μｍ〜４０μｍであって、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、１０μｍ以上であるめっき用導電性基材。
２． 絶縁層の厚さが凸部側面におけるその端付近では１０μｍ以下である項１記載のめっき用導電性基材。
３． 凸部の間隔が１００μｍ〜１０００μｍである項１又は２のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
４． 絶縁層が炭素を主成分とする材料であることを特徴とする項１〜３のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
５． 絶縁層がダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）から成ることを特徴とする項４記載のめっき用導電性基材。
６． 導電性基材と絶縁層の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物あるいは炭化物の層を介在させてなる項５記載のめっき用導電性基材。
７． 回転体（ロール）又は回転体（ロール）に巻き付けられるものである項１〜６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
８． フープ状である項１〜６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
９． 凸部の導電性基材の露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなっている項１〜８記載のめっき用導電性基材。
１０． 凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）との高さ方向の距離ｈ１０に対する第１の位置と第２の位置との幅方向の距離ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、角度で３０°〜８０°に相当する項９記載のめっき用導電性基材。
１１． 凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）との高さ方向の距離ｈ１０に対する第１の位置と第２の位置との幅方向の距離ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、
【数１】
を満足する項９記載のめっき用導電性基材。
１２． 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超える導電性基材の表面に絶縁層形成後の凸部の高さが少なくとも１０μｍであるように絶縁層を形成する工程、形成された絶縁層の上にマスク層を形成する工程、めっき用導電性基材の凸部の上端付近の絶縁層上に形成されたマスク層を除去する工程、露出した絶縁層をドライエッチングにより除去することにより凸部上端から０．５〜３μｍ低い位置までの導電性基材の凸部を露出させる工程を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造法。
１３． 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超える導電性基材の表面に中間層及びその表面にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる絶縁層を形成し、絶縁層形成後の凸部の高さが少なくとも１０μｍであるように絶縁層を形成する工程、ＤＬＣの層上にマスク層を形成する工程、導電性基材の凸部の上端付近の絶縁層上に形成されたマスク層を除去する工程、露出した絶縁層をドライエッチングにより除去し、さらにその下の中間層を除去することにより凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置までの導電性基材の凸部を露出させる工程を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造法。
１４． 中間層をドライエッチングあるいは機械研磨により除去する項１３に記載のめっき用導電性基材の製造法。
１５． 凸部の先端付近に形成されたマスク層の除去が、機械的な研磨により行われることを特徴とする項１２〜１４のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
１６． ドライエッチングが、少なくとも酸素プラズマを用いたエッチングを含む項１２〜１５のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
１７． 凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超える導電性基材が、導電性基材の表面に所定のパターンでレジストマスクを形成する工程及びその後導電性基材にエッチングを施す工程を行うことにより作製されたものである項１２〜１６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
１８． 導電性基材表面に、凸部の露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなるように導電性基材をエッチングする項１７記載のめっき用導電性基材の製造法。
１９． 凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）との高さ方向の距離ｈ１０に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、角度で３０°〜８０°に相当する項１８記載のめっき用導電性基材の製造法。
２０． 凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）との高さ方向の距離ｈ１０に対する第１の位置と第２の位置との幅方向の距離ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、
【数２】
を満足するように導電性基材をエッチングする項１８記載のめっき用導電性基材の製造法。
２１． 項１〜１１のいずれかに記載のめっき用導電性基材上に電気めっきまたは無電解めっきにより金属を析出させる工程及び上記導電性基材の凸部の上面に析出させた金属を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
２２． 別の基材が、接着性を有する項２１記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
２３． 別の基材が表面に接着剤層を有する項２２に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
２４． 凸部の導電性基材の露出部分に析出させた金属を別の基材に転写する工程の前に、導電性基材の凸部の導電性基材の露出部分に析出された金属パターンを黒化処理する工程を含む項２１〜２３のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
２５． 項２１〜２４のいずれかに記載の製造方法を行った後、別の基材に転写された金属パターンを黒化処理する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
２６． 項２１〜２５のいずれかに記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。
２７． 項２６に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材。
２８． 項２６に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のめっき用導電性基材は、凹部に絶縁層を有し、その絶縁層が、凸部上端より特定の高さより低く設けられ、絶縁層最下部からの高さが一定以上であることにより、繰り返し転写した場合の絶縁層の剥離の問題を解決し、めっき用導電性基材の寿命を長くすることができる。
また、本発明のめっき用導電性基材は、絶縁層をＤＬＣからなる絶縁層とすることにより、上記寿命をさらに長くすることができる。中間層により導電性基材と絶縁層の間の密着性を向上させることができ、これにより、めっき用導電性基材の寿命を、さらに、確実に、寿命を長くすることができる。
【００１２】
本発明のめっき用導電性基材の製造法によれば、上記のめっき用導電性基材が容易に製造でき、特に、絶縁層上のマスク層を機械研磨により除去すること、絶縁層及び場合によりその下の中間層を酸素プラズマでドライエッチングすることにより除去し、精度良く製造することができる。中間層は機械研磨により行うこともできる。
本発明の導体層パターン付き基材の製造によれば、光透過性に優れた導体層パターン付き基材が容易に製造でき、また、電磁波シールド性又は導電性に優れた導体層パターン付き基材を容易に製造できる。さらにまた、このような導体層パターン付き基材を生産効率よく製造できる。
【００１３】
本発明における電磁波遮蔽部材は、特定の導体層パターンを使用することにより、光透過性及び電磁波シールド性に優れ、また、生産効率よく製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１４】
本発明に係るめっき用導電性基材に用いられる導電性材料は、その表面に電気めっきで金属を析出させるために十分な導電性を有するものであり、金属であることが特に好ましい。また、その基材は、その表面に電気めっきにより形成された金属層を接着性支持体に転写させることができるように、その上に形成された金属層が剥離しやすいものであることが好ましい。このような導電性基材の材料としてはステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料、ニッケルなどのめっき剥離性のよい材料からなることが特に好ましい。
【００１５】
上記の凸部が形成されている導電性基材の形状としては、シート状、プレート状、ロール状、フープ状等がある。ロール状の場合は、シート状、プレート状のものを回転体（ロール）に取り付けたものであってもよい。フープ状の場合は、フープの内側の２箇所から数箇所にロールを設置し、そのロールにフープ状の導電性基材を通すような形態等が考えられる。ロール状、フープ状ともに金属箔を連続的に生産することが可能であるため、シート状、プレート状に比較すると、生産効率が高く、好ましい。
【００１６】
上記導電性基材の凸部は、導体層パターン付き基材における導体層パターンに対応するものであり、その導体層パターンは、最終的に電磁波遮蔽部材を作製したときの電磁波シールド層に対応するものである。この凸部に対する凹部の幾何学図形（凸部によって描かれる平面形状としての凹部の幾何学図形）としては、正三角形、二等辺三角形、直角三角形などの三角形、正方形、長方形、ひし形、平行四辺形、台形などの四角形、（正）六角形、（正）八角形、（正）十二角形、（正）二十角形などの（正）ｎ角形（ｎは３以上の整数）、円、だ円、星型などを組み合わせた模様であり、これらの単位は、単独で又は２種類以上組み合わせて繰り返されることが可能である。
【００１７】
電磁波遮蔽性の観点からは三角形が最も有効であり、可視光透過性の点からは同一のライン幅なら（正）ｎ角形のｎ数が大きいほど導体層パターンの開口率が上がる。可視光透過性の点から開口率は５０％以上が必要とされ、導体層パターンの開口率は５０％以上であることがさらに好ましい。導体層パターンの開口率は、電磁波遮蔽材の有効面積（例えば、上記の幾何学図形が描かれている範囲の面積等電磁波遮蔽に有効に機能する範囲の面積）に対するその有効面積から導電層で覆われている面積を引いた面積の比の百分率である。
【００１８】
導電性基材上に凸部に対する凹部の幾何学図形を形成する方法としては、表面が滑らかな導電性基材、例えば、平板状の導電性基材などに対して、上記の幾何学図形からなる凹部を形成するように加工する方法が最も簡便である。
図１は、凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例を示す斜視図である。図１で例示しているのは凹部２の幾何学図形としては正方形であり、導電性基材１に凹部２の幾何学図形が正方形になるように凸部３が格子状に形成されている。
図２及び図３は、図１のＡ−Ａ断面を示し、図２では（ａ）〜（ｄ）の４種、図３では（ｅ）の１種を示す。凹部２及び凸部３の断面形状は適宜決定され、凸部３の側面５が、斜面（（ａ）、（ｂ）の場合）、曲面（（ｃ）の場合）、段階的斜面（（ｄ）の場合）等任意である。また、凹部２の底面も種々の形状がある。これらは、すべて、凸部の側面が少なくとも先端部分で傾斜角を有する。この傾斜角は、図中のαで、３０°〜８０°に相当することが好ましく、５０°以上であることがより好ましい。
凸部３の上面４は必ずしも平面でなくてもよく、上面全体又は上面の一部が平面から変形した形状であっても良いが、この場合、できるだけなめらかに湾曲していることが好ましい。ここで、凸部の先端部分とは、凸部の最先端から０．５〜５μｍ低い位置までの凸部の表面を意味する。
角度αの基準面は、凸部の上面又は水平面若しくは垂直面である。元の導電性基材として（ほぼ）均一な厚さのものを使用し、この一面に凸部パターンを施した場合には、他面を基準面とすることもできる。
また、断面観察の試料を水平面又は垂直面に載置又は固定し、これを観察することもできる。水平面又は垂直面は、適当な台などを使用して設定できる。
また、凸部を有する導電性基材の上にたわまない平板をのせてこの平板の面を基準面とすることもできる。また、導電性基材が円筒である場合は、その円筒より大きな断面が真円の円筒（基準円筒）を用意し、基準円筒を横にして、基準円筒の中に導電性基材を通してこれらの円筒を重ね、基準円筒の各断面円の頂点が水平になるようにし、この円筒の頂点に接する接面を基準面とすることもできる。
具体的には、導電性基材の断面の観察は、顕微鏡の倍率を適当にして、凸部の上面が観察できるようにし、導電性基材の他面（表面）が観察できるようにし、あるいは、基準となる物体が観察できるようにして基準面を確認し、適宜写真撮影後倍率を高くして詳細な断面（場合により倍率を低くして断面）を観察し、写真撮影することにより行い、角度αに関する測定を行うことができる。基準面の確認に際しては、定規等の基準になるものを同時に写し込むとよい。
以上で説明した基準面は、厚さ、高さ及び幅の測定の基準面にすることもできる。また、別の基材の表面は多くの場合変形することがなく、基準面として採用しやすい。
これに対し、図３に（ｅ）として示すように凸部の側面５が垂直面の場合もあり得る。
【００１９】
導電性基材に形成した凸部の先端部分の幅及びその間隔は、導体層パターンの開口率を５０％以上とするために、凸部の先端部分の幅が１μｍ〜４０μｍ、凸部の先端部分の中心間隔（ラインピッチ）が１００μｍ〜１０００μｍであることが好ましい。
本発明おいて、凸部の先端部分の中心間隔（ラインピッチ）は、パターンが複雑な図形であったり、複数の図形の組み合わせであったりして簡単に決定できない場合は、パターンの繰り返し単位を基準としてその面積を正方形の面積に換算し、その一辺の長さであると定義する。
【００２０】
導電性基材に形成した凸部３の高さを、凹部２の最も窪んだ部分から凸部３の先端までの高さと規定する。凸部３の高さは、１１μｍ以上が好ましい。それは、凹部に絶縁層を形成しても凹部が十分な深さを有するためでだある。また、凸部３の高さの上限は、１１０μｍが好ましい。凸部の高さを大きくしていくと、アスペクト比が大きくなるため、加工が難しくなり、加工費も高くなる。このことから、凸部の高さは６０μｍ以下であることが特に好ましい。
【００２１】
導電性基材上に凸部を形成させる方法としては、次のような方法をあげることができる。
（１）導電性基材の凹部を形成すべき部分（導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分）に、直接レーザ光を照射し、凹部を形成し、導電層パターンに対応した凸部を形成する方法、
（２）フォトリソグラフ法又は印刷法によって、導電性基材に光硬化性樹脂あるいは熱硬化性樹脂により幾何学図形状のパターン（レジストパターン）を形成する工程を行なった後、導電性基材をエッチングする方法、
（３）彫刻により導電性基材の凹部を形成すべき部分（導体層パターン付き基材の導体層パターンの開口部に対応する部分）を掘削する方法などがある。
導電性基材の材質が硬い場合、直接加工するには上記（１）方法（レーザ加工法）または（２）の方法（エッチング法）などを用いることが好ましいが、銅などの柔らかく加工性に優れた材料を用いる場合は、上記（３）の方法（彫刻法）により容易に加工することもでき、このとき、加工後に、クロム等の硬質のめっきを表面に施して、強度を上げることができる。
【００２２】
上記（２）の方法において、印刷法を用いる場合には、レジストパターンの印刷方法としては様々な方法を用いることができる。例えば、スクリーン印刷、凸版印刷、凸版オフセット印刷、凸版反転オフセット印刷、凹版印刷、凹版オフセット印刷、インクジェット印刷、フレキソ印刷などを用いることができる。レジストとしては光硬化性又は熱硬化性の樹脂が使用できる。
また、フォトリソグラフ法を用いる場合には、ドライフィルムレジストなどをラミネートし、マスクを装着して露光し、現像した後にレジストフィルムのエッチング工程を経ることも出来るし、液状レジストを塗布した後に溶剤を乾燥あるいは仮硬化させた後、マスクを装着して露光し、現像した後にレジストフィルムのエッチング工程を経ることも出来る。光硬化性の樹脂にマスクを介して活性エネルギー線を照射することでパターニングできればその態様は問わない。枚葉で版のサイズが大きい場合、あるいはロール・トゥ・ロール（Ｒｏｌｌ−ｔｏ−Ｒｏｌｌ）で作製する場合などはドライフィルムレジストをラミネートしてマスクを介して露光する方法が生産性の観点からは好ましく、めっきドラムなどに直接加工する場合にはドライフィルムレジストを貼り合わせるあるいは液状レジストを塗布した後にマスクを介さずにレーザーなどでダイレクトに露光する方法が好ましい。
また、上記（２）の方法における導電性基材のエッチングは、エッチング液を用いて行うことができる。エッチング液としては導電性金属の材質によって様々な種類があり、それぞれの金属に対してエッチング液が市販されているのでそれらを使用することができる。例えば、導電性金属がステンレスであれば、塩化第二鉄を用いることが一般的であり、チタンであればふっ酸系のエッチング液がよく用いられる。ステンレスのエッチングに関しては、塩化第二鉄の比重が４０°Ｂｅ（ボーメ）〜６０°Ｂｅ（ボーメ）の範囲の液が好んで用いられる。比重が低いとエッチングスピードは速いが、サイドエッチングが大きくなるため、凹部が浅くなる傾向にあり、逆に比重が高いと、エッチングスピードは遅いが、サイドエッチングが少なく、凹部が深くなる傾向にある。したがって、エッチング液の比重は、４５°Ｂｅ（ボーメ）〜５０°Ｂｅ（ボーメ）であることがさらに好ましい。また、エッチング温度は、低いとエッチンスピードが低下し生産性が低下するため、４０℃以上であることが好ましい。さらに、エッチング温度が６０℃を超えると、エッチング液の腐食性が大きくなるため、エッチング槽をチタン製にする等設備投資が大きくなるため、６０℃以下であることが好ましい。
残存するレジストは、導電性基材のエッチング後に、剥離液等を使用して剥離することができる。
【００２３】
本発明におけるめっき用導電性基材は、その凹部がその一部を残し絶縁層で被覆されている。
めっき用導電性基材にめっきした際、めっきは等方的に成長するため、凸部露出部分の近傍の絶縁層に覆い被さるように析出する。絶縁層に覆い被さっためっきは、剥離転写する度に毎回、絶縁層に応力がかかる原因となる。従って、凹部全面に絶縁層が形成されている場合、転写時に絶縁層にかかる応力は、凸部露出部分の近傍が最も大きいので、凸部の先端部分を露出させることで、剥離の際に絶縁層にかかる応力を低下させることができ、結果的に凹部が絶縁層で被覆されているめっき用導電性基材の寿命を向上させることができる。凸部の先端部分の露出が小さすぎると、寿命向上の効果が小さく、大きすぎると側面に深くめっきが析出し、転写不良が発生することがあるので、露出している凸部の先端部分は、凸部最先端から、０．５〜５μｍ低い位置までであることが好ましく、０．５〜３μｍ低い位置までであることが更に好ましい。
【００２４】
また、凸部パターンの寿命を長くするためには、凸部の露出部分に析出した金属を別の基材に転写する際に、その別の基材の接着面と導電性基材の凹部に形成されている絶縁層の接触を低減させることが好ましい。したがって、絶縁層を施した後の凸部の高さが、十分であることが好ましい。絶縁層の厚さは、１μｍ以上１０μｍ以下の範囲であることが好ましい。絶縁層が厚すぎると、絶縁層を形成する時間が長くなるため作業効率が低下する。また、絶縁層が薄すぎると絶縁層と導電性基材の密着性が低下すると共に、ピンホールが発生しやすくなるため、めっきした際に、絶縁層を施した部分にも金属が析出しやすくなる。
【００２５】
絶縁層を有するめっき用導電性基材の構造を、図面を用いて説明する。図４は、本発明における凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の一例を示す断面図である。ただし、凹部の形状は、図２（ｃ）で記載されているもので説明する。図４において、（ａ）、（ｂ）及び（ｃ）の３形態を示すが、いずれにおいても、導電性基材１は、凸部３に対し凹部２を有する。凹部２には絶縁層６が形成されており、凸部の側面５に沿って絶縁層６が形成されているが、凸部３の先端部分には形成されておらず、従って、凸部の先端部分は露出している。
図中ｈ′は、前記した凸部の高さである。ｈは凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さ（以下、「絶縁高さ」という）である。ｔは絶縁層の厚さを示す。凸部の高さｈ′は、１１μｍ〜１１０μｍが好ましく、６０μｍ以下であることがさらに好ましい。絶縁高さｈは、１０〜１００μｍであることが好ましく、ｔは、ｈ′がｈより小さくなるように決定されるが、１０μｍ以下が好ましく、特に、凸部３の側面５において、少なくとも絶縁層の端の部分では厚さが１〜１０μｍであることが好ましい。さらに、凸部の先端部分は、露出させる。凸部の先端部分の露出の程度は、幅ｄが１〜４０μｍであることが好ましく、凸部の最先端からの距離（高さ方向）ｓは、０．５〜５μｍであることが好ましく、０．５〜３μｍであることが更に好ましい。この距離ｓのために、剥離の際に絶縁層にかかる応力を低減することができる。
絶縁層は、薄膜絶縁層であることが好ましく、強度の不均一性をなくすために均一な厚さであることが好ましい。
図５は、本発明における凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の一例を示す断面図である。
図５に示すように、凸部の側面が垂直面の場合も上記の態様で凹部に絶縁層が施され、しかも、凸部の先端部分が露出しているのであれば、好ましい態様として使用できる。
絶縁高さｈが低すぎると、転写の際に転写用基材が導電性基材に接触して転写用基材を傷つけたり、転写用基材の接着面が導電性基材に設けた絶縁層に接触しやすくなって絶縁層に剥離応力がかかるため、繰り返し使用した際に絶縁層が剥離することがある。
【００２６】
図６は、本発明における導電性基材の凸部の先端部分の近辺の一例を示す断面図である。図６中、凸部３の先端部分は露出しており、それよりしたの側面５は絶縁層６で覆われている。凸部３の少なくとも露出部分は先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっているのが好ましい。凸部の露出部分は、絶縁層の端付近、例えば、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）との高さ方向の距離にｈ１０対する第１の位置と第２の位置との幅方向の距離ｄ１０との関係（図６で示すところの高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係）ｄ１０／ｈ１０が、角度で３０°〜８０°に相当することが好ましく、５０°以上であることがより好ましい。
また、ｄ１０は
【数３】
であることが好ましく、ｄ１０は０．８３９×ｈ１０以上であることがより好ましい。
図６（ａ）では、導電性基材の凸部３として、断面が台形上のものとして模式的に図示したが、（ｂ）に示すように凸部３の表面が凸凹であってもよい。また、絶縁層の表面は、（ａ）では平面の組み合わせとして模式的に図示されているが、これも（ｂ）に示すように凹凸のある面の組み合わせであってもよい。なお、図６では、上下方向を強調して引き延ばし気味に図示してある。
また、図６中、前記第２の位置は、先端部分の側面に位置するように図示されているが、場合により、第２の位置が凸部の上面に位置していてもよい。
【００２７】
上記のように凸部の側面が傾斜を有していると、そうでないときよりも、めっき用導電性基材の凸部の露出部分に電気めっきにより析出しためっき（金属）をより容易に、剥離でき、転写が円滑に行われる。
また、導電性基材にめっきを施すと、めっきが等方的に成長するため、導電性基材の凸部側面も露出しているとそこにもめっきが析出するが、転写の際に、転写用基材の接着面をめっきに接触させた後転写用基材を剥離すると、めっき層には、斜め方向の応力がかかった場合には、凸部の角度が８０°を超えると、剥離（転写）の際に抵抗が大きくなりすぎて、転写不良が発生することがありうる。このことから、凸部の角度は３０°〜８０°の範囲であることが好ましく、５０°〜８０°であることがさらに好ましい。
【００２８】
本発明で用いられる絶縁層のための絶縁材料は、金属との密着性が高く、耐薬品性が強い材料が好んで用いられる。電気めっきもしくは無電解めっきの工程では、前処理液やめっき液に浸漬されるため、耐酸性と耐アルカリ性双方に強い材料が特に好ましい。このような樹脂としては、たとえば、熱硬化性樹脂としては、アニリンホルムアルデヒド樹脂、尿素ホルムアルデヒド樹脂、フェノールホルムアルデヒド樹脂、リグリン樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、キシレンホルムアルデヒド樹脂、メラミンホルムアルデヒド樹脂、エポキシ樹脂、尿素樹脂、アニリン樹脂、メラミン樹脂、フェノール樹脂、ホルマリン樹脂、金属酸化物、金属塩化物、オキシム、アルキルフェノール樹脂等が用いられ、これらは自己硬化性のものである（硬化触媒を使用してもよい）。
熱硬化性樹脂として、硬化剤を利用するものが使用できる。このようなものとしては、カルボキシル基、水酸基、エポキシ基、アミノ基、不飽和炭化水素基等の官能基を有する樹脂とエポキシ基、水酸基、アミノ基、アミド基、カルボキシル基、チオール基等の官能基を有する硬化剤あるいは金属塩化物、イソシアネート、酸無水物、金属酸化物、過酸化物等の硬化剤との組み合わせで用いられるものがある。なお、硬化反応速度を増加する目的で、汎用の触媒等の添加剤を使用することもできる。具体的には、硬化性アクリル樹脂組成物、不飽和ポリエステル樹脂組成物、ジアリルフタレート樹脂、エポキシ樹脂組成物、ポリウレタン樹脂組成物等が例示される。絶縁層の形成方法としては、例えば、刷毛塗りや、スプレー塗装、さらには、ディッピングした後にスキージやブレード等で樹脂を掻き取った後に乾燥させるなどの方法が挙げられる。
【００２９】
さらに、絶縁材料としては、皮膜の均一性や、形成の簡便さ、さらに環境に対する負荷が少ないことから、電着塗料を用いてもよい。
電着塗料は、それ自体既知のカチオン型及びアニオン型のいずれでも使用でき、ここでは、使用できる電着塗料の一例を示す。
カチオン型電着塗料には、塩基性アミノ基をもつ樹脂のペーストを作製し、これを酸で中和、水溶化（水分散化）してなる陰極析出型の熱硬化性電着塗料が包含される。カチオン型電着塗料は前記導電性基材（被塗物）を陰極にして塗装される。
塩基性アミノ基をもつ樹脂は、例えば、ビスフエノール型エポキシ樹脂、エポキシ基（またはグリシジル基）含有アクリル樹脂、アルキレングリコールのグリシジルエーテル、エポキシ化ポリブタジエンならびにノボラツクフエノール樹脂のエポキシ化物などのエポキシ基含有樹脂のエポキシ基（オキシラン環）にアミン化合物を付加したもの、塩基性アミノ基をもつ不飽和化合物（例えば、メタクリル酸ジメチルアミノエチル、Ｎ−ビニルピラゾール、Ｎ−ジエチルアミノエチルアクリレートなど）を重合させたもの、第３級アミノ基含有グリコール（例えば、Ｎ−メチルジエタノールアミン）をグリコールの一成分とするグリコール成分とポリイソシアネート化合物との反応物、さらに、酸無水物とジアミン化合物との反応でイミノアミンが生成することによって、樹脂へアミノ基を導入したものなどがある。ここで、上記したアミン化合物としては、塩基性アミン化合物であって、脂肪族、脂環式もしくは芳香脂肪族系の第１級もしくは第２級アミン、アルカノールアミン、第３級アミン、第４級アンモニウム塩等のアミン化合物が挙げられる。
また、カチオン電着塗料には、架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ブロツク化したポリイソシアネート化合物がよく知られているが、塗膜を加熱（約１４０℃以上）するとブロツク剤が解離して、イソシアネート基が再生し、上記の如きカチオン性樹脂中の水酸基などのイソシアネート基と反応性の基に対し架橋反応し硬化する。
さらに、カチオン型電着塗料には、顔料（着色顔料、体質顔料、防錆顔料など。顔料の配合量は樹脂固形分１００重量部あたり４０重量部以下が好ましい）、親水性溶剤、水、添加剤などを必要に応じて配合することができる。
カチオン型電着塗料は、その固形分濃度を約５〜４０重量％となるように脱イオン水などで希釈し、ｐＨを５．５〜８．０の範囲内に調整することが好ましい。このようにして調製されたカチオン型電着塗料を用いてのカチオン電着塗料は、通常、浴温１５〜３５℃、負荷電圧１００〜４００Ｖの条件で被塗物を陰極として行うことができる。塗膜の焼付硬化温度は一般に１００〜２００℃の範囲が適している。
【００３０】
アニオン型電着塗料は、カルボキシル基を持つ樹脂をベースとし、これを塩基性化合物で中和、水溶化（水分散化）してなる陽極析出型の電着塗料が好ましく、前記導電性基材（被塗物）を陽極として塗装される。
カルボキシル基を持つ樹脂としては、乾性油（あまに油、脱水ひまし油、桐油など）に無水マレイン酸を付加したマレイン化油樹脂、ポリブタジエン（１，２−型、１，４−型など）に無水マレイン酸を付加したマレイン化ポリブタジエン、エポキシ樹脂の不飽和脂肪酸エステルに無水マレイン酸を付加した樹脂、高分子量多価アルコール（分子量約１０００以上で、エポキシ樹脂の部分エステルおよびスチレン−アリルアルコール共重合体なども含まれる）に多塩基酸（無水トリメリツト酸、マレイン化脂肪酸、マレイン化油など）を付加して得られる樹脂、カルボキシル基含有ポリエステル樹脂（脂肪酸変性したものも含む）、カルボキシル基含有アクリル樹脂、グリシジル基もしくは水酸基を含有する重合性不飽和モノマーと不飽和脂肪酸との反応生成物を用いて形成された重合体もしくは共重合体に無水マレイン酸などを付加せしめた樹脂などがあげられ、カルボキシル基の含有量が、一般に、酸価で約３０〜２００の範囲のものが適している。
【００３１】
また、アニオン型電着塗料には、架橋剤を配合することができる。架橋剤としては、ヘキサキスメトキシメチルメラミン、ブトキシ化メチルメラミン、エトキシ化メチルメラミンなどの低分子量メラミン樹脂を必要に応じて使用することができる。さらに、アニオン型電着塗料には顔料（着色顔料、体質顔料、防錆顔料など。顔料の配合量は樹脂固形分１００重量部あたり４０重量部以下とすることが好ましい）、親水性溶剤、水、添加剤などを必要に応じて配合することができる。
【００３２】
アニオン型電着塗料には、固形分濃度を約５〜４０重量％に脱イオン水などで調整し、ｐＨ７〜９の範囲に保ってアニオン電着塗装に供することが好ましい。アニオン電着塗装は常法に従って行うことができ、例えば、浴温１５〜３５℃、負荷電圧１００〜３５０Ｖの条件で、被塗物を陽極として実施することができる。アニオン電着塗膜は原則として１００〜２００℃、好ましくは１４０〜２００℃の範囲に加熱して硬化せしめられるが、空気乾燥性の不飽和脂肪酸で変性した樹脂を用いた場合には室温で乾燥させることもできる。
【００３３】
さらに、本発明で用いられる絶縁層として、絶縁層が炭素を主成分とする材料、たとえば、ダイヤモンドに類似したカーボン薄膜、いわゆるダイヤモンドライクカーボン（以下、ＤＬＣ薄膜とする）のうち、絶縁性を有するものにて形成させることもできる。ＤＬＣ薄膜は、酸素プラズマでエッチングすることが可能であり、さらに、耐薬品性にも優れているため、特に好ましい。
【００３４】
ＤＬＣ薄膜を形成する方法としては、真空蒸着法、スパッタリング法、イオンプレーティング法等の物理気相成長法、プラズマＣＶＤ法等の化学気相成長法等のドライコーティング法を採用し得るが、成膜温度が室温から制御できる高周波によるプラズマＣＶＤ法が特に好ましい。
上記ＤＬＣ薄膜をプラズマＣＶＤ法で形成するために、原料となる炭素源として炭化水素系のガスが好んで用いられる。例えば、メタン、エタン、プロパン、ブタン、ペンタン、ヘキサン等のアルカン系ガス類、エチレン、プロピレン、ブテン、ペンテン等のアルケン系ガス類、ペンタジエン、ブタジエン等のアルカジエン系ガス類、アセチレン、メチルアセチレン等のアルキン系ガス類、ベンゼン、トルエン、キシレン、インデン、ナフタレン、フェナントレン等の芳香属炭化水素系ガス類、シクロプロパン、シクロヘキサン等のシクロアルカン系ガス類、シクロペンテン、シクロヘキセン等のシクロアルケン系ガス類、メタノール、エタノール等のアルコール系ガス類、アセトン、メチルエチルケトン等のケトン系ガス類、メタナール、エタナール等のアルデヒド系ガス類等が挙げられる。上記ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。また、元素として炭素と水素を含有する原料ガスとして上記した炭素源と水素ガスとの混合物、上記した炭素源と一酸化炭素ガス、二酸化ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみから構成される化合物のガスと水素ガスとの混合物、一酸化炭素ガス、二酸化炭素ガス等の炭素と酸素のみからなる化合物のガスと酸素ガスまたは水蒸気との混合物等が挙げられる。更に、これらの原料ガスには希ガスが含まれていてもよい。希ガスは、周期律表第０属の元素からなるガスであり、例えば、ヘリウム、アルゴン、ネオン、キセノン等が挙げられる。これらの希ガスは単独で使用しても良いし、二種以上を併用しても良い。
【００３５】
絶縁層は、その全体を、上述した絶縁性のＤＬＣ薄膜によって形成してもよいが、当該ＤＬＣ薄膜の、金属板等の導電性基材に対する密着性を向上させて、絶縁層の耐久性をさらに向上させるためには、この両者の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物又は炭化物から選ばれる一種以上の成分又はその他よりなる中間層を介挿することが好ましい。
上記ＳｉまたはＳｉＣの薄膜は、例えば、ステンレス鋼などの金属との密着性に優れる上、その上に積層する絶縁性のＤＬＣ薄膜との界面においてＳｉＣを形成して、当該ＤＬＣ薄膜の密着性を向上させる効果を有している。
中間層は、前記したようなドライコーティング法により形成させることができる。
中間層の厚みは、１μｍ以下であることが好ましく、生産性を考慮すると０．５μｍ以下であることが更に好ましい。１μｍ以上コーティングするには、コーティング時間が長くなると共に、コーティング膜の内部応力が大きくなるため適さない。
【００３６】
本発明におけるめっき用導電性基材の製造法を図面を用いて説明する。
図７〜図９は、めっき用導電性基材の作製方法を示す工程の一例を断面図で示したものである。これらにおいて、図２（ｃ）で示す断面形状を有する導電性基材を用いて例示する。
まず、導電性基材１の両面に光硬化性樹脂層７を形成する（図７（ａ））。フォトリソグラフ法を用いて導電性基材１の一方の表面の光硬化性樹脂層７をパターン化する（図７（ｂ））。パターン化された光硬化性樹脂層７をエッチングレジストとして導電性基材をエッチングすることにより、図に示すエッチングされた導電性基材が得られる（図７（ｃ））。このとき、凸部２の側面５の傾斜角を調整することができる（少なくとも凸部の先端部分において）。傾斜角の調整は、エッチング液である塩化第二鉄溶液の比重とエッチング温度を最適化することなどにより行うことができる。次いで、水酸化ナトリウム、炭酸ナトリウム等のアルカリ性の水溶液に浸漬して、エッチングレジストを剥離する（図７（ｄ））。
【００３７】
次いで、この導電性基材１の一方の面を剥離可能な粘着フィルム９を貼り合わせて保護し、エッチングした面の全面に絶縁層８を被覆する（図８（ｅ））。しかる後に、プラズマエッチングに対するマスク層１０を絶縁層の上に形成する（図８（ｆ））。
マスク層が形成されている箇所では、絶縁層がエッチングされないため、導電性基材１の凸部３の先端部分に形成された絶縁層８の上のマスク層１０を除去する（図８（ｇ））。
マスク層１０のこの部分的な除去は凸部３の露出させる先端部分の幅を勘案して除去される。凸部に平面的な又はほぼ平面的な上面がある場合、露出する絶縁層の幅が、上面の幅よりも広くなるようにすることが好ましい（図８（ｇ））。これにより、次の絶縁層８の部分的な除去において、凸部３の上面付近の側面部の絶縁層の除去が行いやすくなる。特に、研磨によるマスク層１０の除去を行うと図８（ｇ）に示すようになる。
【００３８】
次いで、絶縁層にドライエッチングを施すことにより、凸部３の先端部分に形成された絶縁層８を除去することができ、これにより凸部３の先端部分を露出させることができる（（図９（ｈ））。
特に、酸素ガスでプラズマエッチングを行った場合などには、導電性基材がストッパー層となる。凸部に平面的な又はほぼ平面的な上面がある場合、凸部３の上面の幅を超えた部分の絶縁層を露出させておけば（図８（ｇ））、絶縁層のドライエッチングによる除去が、凸部の側面部にまで及び、その結果、凸部の側面まで露出させることができる（（図９（ｈ））。側面部の絶縁層の除去の制御は、ドライエッチングの時間、出力によって行うことができる。
次いで、凹部３の絶縁層８上に形成されているマスク層９は、薬液浸漬等により除去される。このようにして本発明に係るめっき用導電性基材の一例を作製することができる（図９（ｉ））。
さらに、ＤＬＣからなる絶縁層と導電性基材の間に中間層を設けた場合、中間層が例えば有機材料である場合には、上記の酸素プラズマで、ＤＬＣからなる絶縁層の除去に引き続いて中間層の除去が行え、図９（ｈ）に示すのと同様の構造のめっき用導電性基材とすることができる。中間層が炭素を主成分とする材料でない場合には、酸素プラズマによる中間層のエッチングが困難となるが、この場合には、絶縁層及び中間層の材料に合わせて、ガスを変更するかもしくは、中間層の厚みが０．５μｍ以下程度であれば、弱い力で機械研磨することにより凸部の先端部分の露出幅を太らせることなく、凸部の先端部分に形成された中間層を除去することが可能である。
ＤＬＣ薄膜をドライエッチングした際に、中間層が酸素プラズマでエッチングされない場合には、ガスを変更して中間層をドライエッチングするか、もしくは、機械研磨で除去することができる。中間層は薄い皮膜であるため、ラインを太らせること無く、軽い研磨で除去することができる。なお、中間層が導電性である場合には、通電して析出させためっきが中間層から容易に剥離させることができるなら、必ずしも中間層を除去する必要はなく、凸部の露出部分において、それ自体を導電性基材の一部とすることができる。
【００３９】
本発明におけるマスク層は、無機系と有機系のマスク層に大別できる。
無機系のマスク層としては、アルミニウム（Ａｌ）、クロム（Ｃｒ）、ニッケル（Ｎｉ）、コバルト（Ｃｏ）、金（Ａｕ）、チタン（Ｔｉ）等の金属が、特に酸素プラズマに対する耐性が強く好ましく用いられる。これらの膜は、スパッタ法、真空蒸着法、イオンビーム蒸着法、ＣＶＤ法、イオンプレーティング法、電着法、無電解めっき法などの薄膜形成方法により形成される。これらの材料の中では、酸素プラズマに対する耐性が高く、廉価であり、蒸着が容易で、酸性物質に対しても塩基性物質に対しても可溶であることから、アルミニウム（Ａｌ）が好んで用いられる。アルミニウムは導電性であるため、ドライエッチング後に残しておくと導電性基材の全面にめっきが析出するので、除去する必要がある。アルミニウムのエッチング剤としては、塩基性物質としては水酸化ナトリウム、水酸化カリウム、リン酸三ナトリウム、リン酸二ナトリウム、リン酸三カリウム、リン酸二カリウム等、また酸性物質としては硫酸、過硫酸、リン酸、塩酸及びその塩等であるが、絶縁層の耐性を考慮して、適宜選択する
【００４０】
さらに、酸素プラズマに対する耐性を持つ無機材料としては、ウェットコーティング法を用いる場合にはアルカリ金属、オルガノポリ金属、オルガノアルコキシ金属、アルコキシ金属、変性アセチルアセトネート金属等からなる金属酸化物系ポリマーや、無機フィラーを含有した塗料、さらに、セラミックコーティングと呼ばれるケイ素化合物フリット類による塗料を、アルコールや水などの溶剤を加えた状態でスプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布できる。また、金属のフッ化物錯体を用いて液層析出法（ＬＰＤ法）などにより絶縁層の上にマスク層として形成させることもできる。また、ドライコーティング法で各種金属の酸化物を形成させることも可能である。コーティングする方法としては、蒸着、スパッタリング、イオンプレーティングといったＰＶＤ法や、プラズマＣＶＤ、熱ＣＶＤといったＣＶＤ法の他、溶射などの方法を用いて作製することができる。具体的には、Ａｌ２Ｏ３、Ｃｒ２Ｏ３、Ｆｅ２Ｏ３、ＭｇＯ、ＳｉＯ、ＳｉＯ２、ＳｎＯ２、ＴａＯ５、ＴｉＯ２、ＷＯ３、Ｙ２Ｏ３、ＺｎＯ、ＺｎＯ２、ＺｒＯ２等の皮膜が好ましく用いられる。
【００４１】
また、有機系のマスク層としては、ドライエッチングに対する耐性があるもので、公知のものが使用できるが、特に酸素プラズマを用いる場合には、一般的にシリコンを含有するレジスト膜が酸素プラズマに対する耐性があるため、好んで用いられる。シリコンを含有するレジスト膜には、感光性があっても、なくてもよい。凸部の上面にあるマスク層を除去する方法として、凸部の上面にあるマスク層を現像して除去してから、現像した箇所をドライエッチングする場合には、レジスト膜が感光性を有していることが好ましいが、凸部の上面にあるマスク層を機械研磨で除去する場合には、必ずしも感光性は必要でない。用いるレジスト膜は、ネガ型でもポジ型でもよく、液状でもフィルム状でもよい。液状の場合は、スプレー、ディスペンサー、ディッピング、ロール、スピンコート等により塗布でき、フィルムの場合は、加熱ラミネートして、凹部にレジストを追随させながら埋め込むことができる。
【００４２】
前記したシリコンを含有するレジスト膜について説明する。シリコンを含有するレジスト膜に使用されるシリコン含有感光性組成物としては、公知のものが使用できるが、好適なシリコン含有感光性組成物の代表例としては、主鎖にシリコン原子を有し、アセタール構造、３級エステル構造、ｔ−ブチルオキシカルボニル構造等の酸分解性基を含有するシロキサンポリマーを用いた化学増幅型のシリコン含有感光性組成物、ノボラック樹脂とナフトキノンジアジドからなるレジスト組成物に、主鎖にシリコン原子を有し、分子内にシラノール構造を有するアルカリ可溶性ラダー型ポリシロキサンをブレンドした紫外線露光用のシリコン含有感光性組成物等が挙げられる。側鎖にシリコン原子を有し、かつ側鎖にアセタール構造、３級エステル構造、ｔ−ブチルオキシカルボニル構造、又は、β−シリルエチルエステル構造等の酸分解性基を含有するビニルポリマーと光酸発生剤からなる化学増幅型の遠紫外線露光用のシリコン含有感光性組成物、さらに、メチルメタクリレートのシリコン誘導体を含有する単量体の重合によって形成される構造、アクリル酸エステルポリマーのエステル部にシリコンを含有する構造、トリメチルシリル基を２つ有するアクリル系モノマーから得られるポリマー、シリコン含有モノマー、無水マレイン酸、ｔ−ブチルアクリレートからなるポリマーを有するレジスト組成物等が挙げられる。
【００４３】
マスク層を部分的に除去する方法は、（イ）感光性を有するマスク層を用いて、フォトリソグラフプロセスで凸部の上面に形成されたマスク層を現像、除去する方法、（ロ）マスク層の除去部を機械研磨する方法などがある。上記（イ）の方法では、感光性を有するマスク層は、ポジ型であってもネガ型であってもよく、現像液は、後述するマスク層の剥離液と同様の液を用いることができる。また、上記（ロ）のマスク層を研磨して除去する方法としては、例えば、バフロールを回転させながら研磨する方法がある。バフは市販されている不織布、セラミックバフ、ダイヤモンドバフ等を用いることができる。
【００４４】
本発明で用いられるドライエッチングとは、真空容器内にガスを導入し、ガスを高周波、マイクロ波などにより励起し、プラズマを発生させラジカル、イオンを生成させた後、プラズマにより生成されたラジカル、イオンと被エッチング物（絶縁層、中間層）と反応させ、反応生成物を揮発性ガスにし真空排気系により外部に排気することにより行われるエッチングのことである。ドライエッチングは被エッチング物を載置した電極に高周波電力を印加し、発生した負の自己バイアス電圧により、プラズマから生成されたイオンを加速して被エッチング物に衝撃させる反応性イオンエッチングとエッチング物にバイアスを印加せずにプラズマより生成したラジカルにより被エッチング物をエッチングするプラズマエッチングに大別される。反応性イオンエッチングには平行平板型、マグネトロン型、２周波型、ＥＣＲ型、ヘリコン型、ＩＣＰ型などがあり、使用する圧力は低圧であることが多く得られるエッチング形状は等方性である。また、プラズマエッチング装置にはバレル型、平行平板型、ダウンフロー型などがあり、使用する圧力は高圧であることが多く、得られるエッチング形状は等方性である。本発明では、上記のどちらの方式を用いてもよい。
【００４５】
また、ドライエッチングにおけるガス組成としては、形成された絶縁層をエッチングできるとともに導電性基材をエッチングしずらいガスを適宜選択するが、代表的なガス組成としては、Ｆ原子含有プラズマを発生させる、Ｆ２、ＣＦ４−Ｏ２、Ｃ２Ｆ６−Ｏ２、Ｃ３Ｆ８−Ｏ２、ＳＦ６−Ｏ２、ＳｉＦ４−Ｏ２、ＮＦ３、ＣｌＦ３、さらに、不飽和種含有プラズマを発生させる、ＣＦ４、Ｃ２Ｆ６、ＣＨＦ３、ＣＦ４−Ｈ２、ＣＨ４、さらに、Ｃｌ・Ｂｒ原子を含有するプラズマを発生させる、Ｃｌ２、ＣＣｌ４、ＣＦ３Ｃｌ、Ｃｌ２−ＣＣｌ４、Ｂｒ２、さらに酸素プラズマを発生させる、Ｏ２、Ｏ２−Ａｒ等が用いられる。地球温暖化作用を有さず、腐食性もないことから、酸素プラズマを発生させるガス組成が好ましく、絶縁層も酸素プラズマでエッチングできる、炭素を主成分とする材料を選定することが好ましい。
【００４６】
絶縁層のドライエッチングに対するマスク層は、ドライエッチングにおけるエッチングレートが絶縁層のエッチングレートと同程度かもしくは、それ以下であるものが好ましい。ドライエッチングにおける絶縁層のエッチングレートよりもマスク層のエッチングレートが大きい場合には、絶縁層が厚くなると、マスク層も厚くしなければならないので非効率的であり、さらに、厚みのばらつきがあった場合にマスク層の下の絶縁層を、エッチングしてしまう可能性がある。したがって、マスク層のエッチングレートは、絶縁層のエッチングレートの１／２以下であることが特に好ましい。
【００４７】
上記有機系のマスク層の剥離液として、従来公知のアルカリ性水溶液が使用できる。例えば、ケイ酸ナトリウム、同カリウム、第３リン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、第２リン酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、炭酸水素ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、ほう酸ナトリウム、同カリウム、同アンモニウム、水酸化ナトリウム、同アンモニウム、同カリウム及び同リチウム等の無機アルカリ塩が挙げられる。
また、モノエタノールアミン、ジエタノールアミン、トリエタノールアミン、２−（２−アミノエトキシ）エタノール、Ｎ，Ｎ−ジメチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエタノールアミン、Ｎ，Ｎ−ジブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルエタノールアミン、Ｎ−エチルエタノールアミン、Ｎ−ブチルエタノールアミン、Ｎ−メチルジエタノールアミン、モノイソプロパノールアミン、ジイソプロパノールアミン、トリイソプロパノールアミン等のアルカノールアミン類；ジエチレントリアミン、トリエチレンテトラミン、プロピレンジアミン、Ｎ，Ｎ−ジエチルエチレンジアミン、１，４−ブタンジアミン、Ｎ−エチル−エチレンジアミン、１，２−プロパンジアミン、１，３−プロパンジアミン、１，６−ヘキサンジアミン等のポリアルキレンポリアミン類；２−エチル−ヘキシルアミン、ジオクチルアミン、トリブチルアミン、トリプロピルアミン、トリアリルアミン、ヘプチルアミン、シクロヘキシルアミン等の脂肪族アミン；ベンジルアミン、ジフェニルアミン等の芳香族アミン類；ピペラジン、Ｎ−メチル−ピペラジン、メチル−ピペ−メチル−ピペラジン、メチル−ピペラジン、ヒドロキシエチルピペラジン等の環状アミン類等の水溶性アミンも好ましく用いられる。
【００４８】
マスク層の剥離液として、第４級アンモニウム水酸化物も好ましく用いられる。具体的には、テトラメチルアンモニウムヒドロキシド〔＝ＴＭＡＨ〕、テトラエチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、トリメチルエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド〔＝コリン〕、（２−ヒドロキシエチル）トリエチルアンモニウムヒドロキシド、（２−ヒドロキシエチル）トリプロピルアンモニウムヒドロキシド、（１−ヒドロキシプロピル）トリメチルアンモニウムヒドロキシド等が例示される。中でもテトラメチルアンモニウムヒドロキシド、テトラブチルアンモニウムヒドロキシド、テトラプロピルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリブチルアンモニウムヒドロキシド、メチルトリプロピルアンモニウムヒドロキシド、コリン等が好ましい。第４級アンモニウム水酸化物は１種または２種以上を用いることができる。
【００４９】
マスク層の剥離液として、有機アルカリ剤や、第４級アンモニウム水酸化物を用いる場合には、通常、レジスト膜の剥離性を向上させるために、水溶性有機溶媒と混合して用いることが多い。水溶性有機溶媒としては、ジメチルスルホキシド等のスルホキシド類；ジメチルスルホン、ジエチルスルホン、ビス（２−ヒドロキシエチル）スルホン、テトラメチレンスルホン〔＝スルホラン〕等のスルホン類；Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、Ｎ−メチルホルムアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ−メチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジエチルアセトアミド等のアミド類；Ｎ−メチル−２−ピロリドン、Ｎ−エチル−２−ピロリドン、Ｎ−プロピル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシメチル−２−ピロリドン、Ｎ−ヒドロキシエチル−２−ピロリドン等のラクタム類；１，３−ジメチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジエチル−２−イミダゾリジノン、１，３−ジイソプロピル−２−イミダゾリジノン等のイミダゾリジノン類；エチレングリコール、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、エチレングリコールモノブチルエーテル、エチレングリコールモノメチルエーテルアセテート、エチレングリコールモノエチルエーテルアセテート、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノプロピルエーテル、プロピレングリコールモノブチルエーテル等の多価アルコール類およびその誘導体などが挙げられる。中でも、ジメチルスルホキシド、ジメチルイミダゾリジノン、Ｎ−メチル−２−ピロリドン、およびジエチレングリコールモノブチルエーテル、スルホラン、Ｎ，Ｎ−ジメチルアセトアミド、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド等が好ましく用いられる。水溶性有機溶媒は１種または２種以上を用いることができる。
【００５０】
前記図７の（ｃ）において、導電性基材１のエッチングは、凸部３の上面４の幅がレジストパターンの幅と同様にした場合を例示したが、図１０の（ａ）に示すように、凸部３の上面４の幅がレジストパターンの幅よりも小さくなるようにオーバーエッチングしてもよい。この場合、オーバーエッチングを十分行って、引き続いて絶縁層を形成し、図１０の（ｂ）に示すようにし、続いてレジストパターンを剥離して図１０の（ｃ）のように絶縁層を有する導電性基材を作製してもよい。以上において、レジストパターンの形成法、エッチング法、絶縁層の形成法、残存レジストの剥離法等は前記したのと同様である。
この後、凸部上面に絶縁層がないことを除けば、図８の（ｆ）以降と同様にして目的の図９の（ｉ）に示すようなめっき用導電性基材を作製することができる。
【００５１】
本発明におけるめっき用導電性基材へのめっき法は公知の方法を採用することができる。めっき法としては、電気めっき法、無電解めっき法その他のめっき法を適用することができる。
電気めっきについてさらに説明する。例えば、電気銅めっきであれば、めっき用の電解浴には硫酸銅浴、ほうふっ化銅浴、ピロリン酸銅浴、または、シアン化銅浴などを用いることができる。このときに、めっき浴中に有機物等による応力緩和剤（光沢剤としての効果も有する）を添加すれば、より電着応力のばらつきを低下させることができることが知られている。また、電気ニッケルめっきであれば、ワット浴、スルファミン酸浴などを使用することができる。これらの浴にニッケル箔の柔軟性を調整するため、必要に応じてサッカリン、パラトルエンスルホンアミド、ベンゼンスルホン酸ナトリウム、ナフタリントリスルホン酸ナトリウムのような添加剤、及びその調合剤である市販の添加剤を添加してもよい。さらに、電気金めっきの場合は、シアン化金カリウムを用いた合金めっきや、クエン酸アンモニウム浴やクエン酸カリウム浴を用いた純金めっきなどが用いられる。合金めっきの場合は、金−銅、金−銀、金−コバルトの２元合金や、金−銅−銀の３元合金が用いられる。他の金属に関しても同様に公知の方法を用いることができる。電気めっき法としては、例えば、非特許文献１第８７〜５０４頁を参照することができる。
次に、無電解めっきについてさらに説明する。無電解めっき法としては、銅めっき、ニッケルめっき、代表的であるが、その他、すずめっき、金めっき、銀めっき、コバルトめっき、鉄めっき、クロムめっき等が挙げられる。工業的に利用されている無電解めっきのプロセスでは、還元剤をめっき液に添加し、その酸化反応によって生ずる電子を金属の析出反応に利用するのであり、めっき液は、金属塩、錯化剤、還元剤、ｐＨ調整剤、ｐＨ緩衝材、安定剤等から成り立っている。無電解銅めっきの場合は、金属塩として硫酸銅、還元剤としてホルマリン、錯化剤としてロッセル塩やエチレンジアミン四酢酸（ＥＤＴＡ）が好んで用いられる。また、ｐＨは主として水酸化ナトリウムによって調整されるが、水酸化カリウムや水酸化リチウムなども使用でき、緩衝剤としては、炭酸塩やリン酸塩が用いられ、安定化剤としては、１価の銅と優先的に錯形成するシアン化物、チオ尿素、ビピリジル、Ｏ−フェナントロリン、ネオクプロイン等が用いられる。また、無電解ニッケルめっきの場合は、金属塩として硫酸ニッケル、還元剤には、次亜りん酸ナトリウムやヒドラジン、水素化ホウ素化合物等が好んで用いられる。次亜りん酸ナトリウムを用いた場合には、めっき皮膜中にりんが含有され、耐食性や耐摩耗性が優れている。また、緩衝剤としては、モノカルボン酸またはそのアルカリ金属塩を使用する場合が多い。錯化剤は、めっき液中でニッケルイオンと安定な可溶性錯体を形成するものが使用され、酢酸、乳酸、酒石酸、りんご酸、クエン酸、グリシン、アラニン、ＥＤＴＡ等が用いられ、安定化剤としては、硫黄化合物や鉛イオンが添加される。無電解めっき法については上記、「現場技術者のための実用めっき」、日本プレーティング協会編（１９８６年槇書店発行）の第５０５〜５４５頁を参照することができる。
さらに、還元剤の還元作用を得るためには、金属表面の触媒活性化が必要になることがある。素地が鉄、鋼、ニッケルなどの金属の場合には、それらの金属が触媒活性を持つため、無電解めっき液に浸漬するだけで析出するが、銅、銀あるいはそれらの合金、ステンレスが素地となる場合には、触媒活性化を付与するために、塩化パラジウムの塩酸酸性溶液中に被めっき物を浸漬し、イオン置換によって、表面にパラジウムを析出させる方法が用いられる。
本発明で利用できる無電解めっきは、例えば、前記した上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の凸部に、必要に応じてパラジウム触媒を付着させたあと、温度６０〜９０℃程度とした無電解銅めっき液に浸漬して、銅めっきを施す方法がある。
無電解めっきでは、基材は必ずしも導電性である必要はない。しかし、前記したように基材の凹部に絶縁層を電着により形成する場合には、基材は導電性である必要があり、また、無電解めっきの準備として、基材上にに析出した金属を容易に剥離するための処理として、基材の無電解めっきされるべき箇所を、陽極酸化処理するような場合は、基材は導電性である必要がある。
特に、導電性基材の材質がＮｉである場合、無電解めっきするには、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を陽極酸化した後、無電解銅めっき液に浸漬して、銅を析出させる方法がある。
【００５２】
めっきによって出現又は析出する金属としては、銀、銅、金、アルミニウム、タングステン、ニッケル、鉄、クロム等の導電性を有するものが使用されるが、２０℃での体積抵抗率（比抵抗）が２０μΩ／ｃｍ以下の金属を少なくとも１種類以上含むことが望ましい。本発明により得られる構造体を電磁波遮蔽シートとして用いる場合には電磁波を電流としてアースするためにこれを構成する金属は導電性が高い方が電磁波遮蔽性に優れるためである。このような金属としては、銀（１．６２μΩ／ｃｍ）、銅（１．７２μΩ／ｃｍ）、金（２．４μΩ／ｃｍ）、アルミニウム（２．７５μΩ／ｃｍ）、タングステン（５．５μΩ／ｃｍ）、ニッケル（７．２４μΩ／ｃｍ）、鉄（９．０μΩ／ｃｍ）、クロム（１７μΩ／ｃｍ、全て２０℃での値）などがあるが特にこれらに限定するものではない。できれば体積抵抗率が１０μΩ／ｃｍであることがより好ましく、５μΩ／ｃｍであることがさらに好ましい。金属の価格や入手の容易さを考慮すると銅を用いることが最も好ましい。これらの金属は単体で用いてもよく、さらに機能性を付与するために他の金属との合金でも構わないし、金属の酸化物であってもよい。ただし、体積抵抗率が２０μΩ／ｃｍである金属が成分として最も多く含まれていることが導電性の観点から好ましい。
前記しためっき用導電性基材の凸部の露出部分にめっきにより形成される金属層の厚さ（めっき厚さ）は、十分な導電性を示す（このとき電磁波シールド性が十分に発現する）ためには、０．５μｍ以上であることが好ましく、導体層にピンホールが形成される（このとき、電磁波シールド性が低下する）可能性を小さくするためには、３μｍ以上の厚さであることがさらに好ましい。また、めっき厚さが大きすぎると、形成された金属層は幅方向にも広がるため、転写したラインの幅が広くなり、導体層付きパターン基材の開口率が低下し、透明性、非視認性が低下する。したがって、透明性、非視認性を確保するためには、形成された金属の厚みを２０μｍ以下とすることが好ましく、さらに、めっきの時間を短縮し、生産効率をあげるためには、めっきの厚みは１０μｍ以下であることがさらに好ましい。
【００５３】
本発明により作製しためっき用導電性基材を用いて導電層パターン付き基材の作製方法の一例を、導電性基材に、断面形状が台形である凸部３（図２（ｃ）参照）を形成した場合を例に、図１１を用いて説明する。
まず、図１１（ａ）は、本発明におけるめっき用導電性基材の一例を示す断面図である。凸部３のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部２を有する導電性基材１の凸部３を有する面の凹部２に絶縁層８を凸部３の側面３′を含む先端部分４′が露出するように形成されている。
次に、凸部３の先端部分４′（すなわち、凸部３の露出部分）が露出している導電性基材１にめっきを施して、凸部３の先端部分４′に金属１１を析出させる。図１１（ｂ）は、この状態の断面図を示す。
次いで、粘着フィルム１２（別の基材１３に粘着剤層１４を塗布したフィルム）を、導電性基材１の金属１１が析出している面に貼り合わせる。図１１（ｃ）はこの状態の断面図を示す。粘着フィルム１２の粘着剤層１４を、金属１１が析出している面に貼り合わせる際には、粘着剤の特性に応じて、必要なら加熱される。
そして、粘着フィルム１２を剥離することにより、金属１１が粘着層１４に貼り付いて導電性基材１から剥離して、すなわち、別の基材１３に転写されて、導体層パターン付き基材１５を得る。この状態の断面図を図１１（ｄ）に示す。
【００５４】
上記で得られた導体層パターン付き基材１５の導体層パターン（金属１１）を黒化処理して、黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材とすることができる。図１２は、この導体層パターン付き基材の断面図を模式的に示す。図１２において、別の基材１３に粘着剤層１４を介して、表面が黒化処理されて黒色層１６となった導体層パターン（金属１１）が貼り合わされている。
また、前記の図１１（ｂ）の状態で、導電性基材１の凸部３の先端部分４′に析出した金属１１（めっき層）に黒化処理を施してから、その後の転写工程を行って得られる導体層パターン付き基材の断面図を図１３に模式的に示す。図１３において、別の基材１３に粘着層１４を介して、黒色層１７を有する金属１１からなる導体層パターンが貼り合わされているが、黒色層１７は、導体層パターンの転写面側と側面に形成されている。
以上の黒化処理された導体層パターンを有する導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材としてディスプレイの前面において利用するときは、一般に、黒色層を設けた方の面がディスプレイの視聴者側に向くようにして用いられる。
なお、上記の二つの黒化処理を両方行い、どちらの側から見ても黒色層が見えるようにすることもできる。
上記の黒化処理の方法の一つは、金属パターンに黒色層を形成する方法であるが、このためには、金属層にめっきや酸化処理、印刷などの様々な方法を用いることができる。
【００５５】
本発明における導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽体として用いる場合は、そのまま、ディスプレイ画面に適宜別の接着剤を介して又は介さないで貼着して使用することができるが、他の基材に貼着してからディスプレイに適用してもよい。他の基材は、ディスプレイの前面からの電磁波を遮断するために使用するには透明であることが必要である。
【００５６】
図１４に導体層パターン付き基材が他の基材に貼着されて得られた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。図１４において、基材（別の基材）１３に積層されている粘着剤層１４上に金属１８からなる導体層パターンが貼り付けられ、この上に他の基材１９が積層されており、金属１８は、粘着剤層１４に埋設されている。これは、導体層パターン付き基材の導体層パターン側を他の基材１９に加熱又は非加熱下に加圧することにより作製することができる。この場合、粘着剤層１４が十分な流動性を有するものであるか十分な流動性を有するうちに、適度な圧力を加えることにより導体層パターンを粘着剤層１４に埋設する。基材（別の基材）１３及び基材（他の基材）１９として、透明性を有し、しかもその表面の平滑性が優れるものを使用することにより、透明性が高い電磁波遮蔽部材を得ることができる。
図１５に導体層パターン付き基材が保護樹脂で覆われた電磁波遮蔽部材の断面図を示す。基材（別の基材）１３に積層されている粘着剤層１４上に金属１８からなる導体層パターンが貼り付けられており、これらは、透明な保護樹脂２０によって被覆されている。
【００５７】
図１６は、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。この電磁波遮蔽体は、図１５の電磁波遮蔽部材が、基材１３の導体層パターンがある面とは反対の面で、接着剤層２１を介して他の基材２２が貼り合わされたものである。
図１７は、さらに、別の態様の電磁波遮蔽体の断面図を示す。図１７において、基材（別の基材）１３に粘着剤層１４を介して金属１８からなる導体層パターンが接着されており、その上を透明樹脂からなる接着剤又は粘着剤２３により被覆され、さらにその上に保護フィルム２４が積層されている。基材１３のもう一方の面には接着剤層２１を介してガラス板等の他の基材２２が貼着されている。この電磁波遮蔽部材では、基材（別の基材）１３に粘着剤ｓおう１４を介して接着されている導体層パターンを有する導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面を、透明樹脂２３によりコーティングし、さらに保護フィルム２４を積層し、ついで、得られた積層物の基材１３のもう一方の面（何も積層されていない面）に接着剤を塗布して接着剤層２１を形成し、これを他の基材２２に押しつけて接着することにより作製することができる。上記の透明樹脂２３としては、前記熱可塑性樹脂、熱硬化性樹脂のほかに活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることもできる。活性エネルギー線で硬化する樹脂を用いることは、それが瞬時に又は短時間に硬化することから、生産性が高くなるので好ましい。
【００５８】
また、本発明で用いられる導電性基材として、回転体（ロール）を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。回転体（ロール）は金属製が好ましい。さらに、回転体としてはドラム式電解析出法に用いるドラム電極などを用いることが好ましい。ドラム電極の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的低い材料を用いることが好ましい。導電性基材として回転体を用いることにより連続的に作製して巻物として導体層パターン付き基材を得ることが可能となるため、この場合、生産性が飛躍的に大きくなる。
【００５９】
回転体を用いて、電気めっきにより形成されたパターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図１８を用いて説明する。図１８は、導電性基材としてドラム電極を用いた場合に、ドラム電極を回転させつつ、金属を電気めっきにより連続的に析出させ、また、析出した金属を連続的に剥離する装置の概念を示す断面図（一部正面図）である。
【００６０】
すなわち、電解浴１００内の電解液１０１が陽極１０２とドラム電極などの回転体１０３の間のスペースに配管１０４とポンプ１０５により供給されるようになっている。陽極１０２と回転体１０３の間に電圧をかけ、回転体１０３を一定速度で回転させると、回転体１０３の表面に金属が電解析出し、電解液１０１の外で、回転体１０３表面の凸部の露出部分に析出した金属１０６に、粘着層を形成したフィルム１０７の粘着層を圧着ロール１０８で圧着し、連続的に回転体１０３から金属１０６を剥離しつつ粘着層を形成したフィルム１０７にその金属１０６を転写し、導体層パターン付き基材１０９とする。これはロール（図示せず）に巻き取ることができる。このようにして導体層パターン付き基材１０８を製造することができる。なお、上記の回転体１０３の表面には、凸部とそれにより描かれている幾何学図形状の凹部が形成されている。また、回転中の回転体１０３から、凸部の上面に析出した金属１０６が剥離させられた後で、電解液１０１に浸かる前に、回転体１０３表面をエッチング洗浄したり（図示せず）してもよい。なお、図示していないが陽極１０２の上端には高速で循環している電解液が上方へ噴出するのを防ぐために水切りロールを設置しても良く、水切りロールによってせき止められた電解液は陽極１０２の外部から下の電解液の浴槽へと戻り、ポンプにより循環される。また、図示しないがこの循環の間に消費された銅イオン源や添加剤等を必要に応じて追加する態様を加えることが好ましい。
【００６１】
さらに、本発明で用いられる導電性基材として、フープ状の導電性基材を用いることができることは前記したが、さらに、この詳細を説明する。
フープ状の導電性基材に関しては、帯状の導電性基材の表面に凸部を形成した後、端部をつなぎ合わせるなどして作製できる。導電性基材の表面を形成する物質としては上述のようにステンレス鋼、クロムめっきされた鋳鉄、クロムめっきされた鋼、チタン、チタンをライニングした材料などのめっき付着性が比較的小さい材料を用いることが好ましい。フープ状の導電性基材を用いた場合には、黒化処理、防錆処理、転写等の工程を、１つの連続した工程で処理可能となるため導電性パターン付き基材の生産性が高く、また、導電性パターン付き基材を連続的に作製して巻物として製品とすることができる。フープ状の導電性基材の厚さは適宜決定すればよいが、１００〜１０００μｍであることが好ましい。
【００６２】
フープ状の導電性基材を用いて、電気めっきにより形成された導体層パターンを連続的に剥離しながら、構造体を巻物として得る工程を、図１９を用いて説明する。図１９は、導電性基材としてフープ状導電性基材を用いた場合に、連続的に導体層パターンを電気めっきにより析出させながら剥離する装置の概念図である。
【００６３】
フープ状の導電性基材１１０を、搬送ロール１１１〜１２８を用い、前処理槽１２９、めっき槽１３０、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次とおり、周回運動するように設置する。前処理槽１２９で導電性基材１１０の脱脂もしくは酸処理等の前処理を行う。その後、めっき槽１３０で、導電性基材１１０上に金属を析出させる。この後に、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を順次通して、それぞれで、導電性基材１１０上に析出した金属の表面を黒化し、さらに防錆処理する。各処理工程後にある水洗槽は、１槽しか図示していないが、必要に応じて複数の槽を用いたり、各処理工程の前に他の前処理槽等があってもよい。次いで、接着層を積層したプラスチックフィルム基材１３６を導電性基材１１０の凸部の上面に析出した金属が転写されるように搬送ロール１２８上の導電性基材１１０と圧着ロール１３７の間を通し、上記金属をプラスチックフィルム基材１３６に転写して、導電層パターン付き基材１３８を連続的に製造することができる。得られる導電層パターン付き基材１３８は、ロール状に巻き取ることができる。必要に応じて、圧着ロール１３７を加熱することもできるし、図示はしないが、プラスチックフィルム基材１３６を圧着ロールを通過させる前にプレヒート槽を通して予備加熱してもよい。また、転写したフィルムの巻取りには、必要に応じて、離型ＰＥＴ等を挿入してもよい。さらに、金属が転写された後、フープ状導電性基材は、上記の工程を繰り返すこととなる。このようにして、連続的に、高い生産性で導体層パターン付き基材を製造することができる。
【００６４】
上記のようにして得られる導体層パターン付き基材を電磁波遮蔽部材として用いる場合には、反射防止層、近赤外線遮蔽層等をさらに積層してもよい。導電性基材に析出した金属を転写する基材そのものが反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。さらに、導体層パターンに保護層を形成する際に用いられるカバーフィルム（例えば、図１５又は図１６の保護フィルム２０）が、反射防止層、近赤外線遮蔽層等の機能層を兼ねていてもよい。
【００６５】
また本発明は上記のようなめっき方法に限らず枚葉で作製することも可能である。枚葉で行った場合、めっき用導電性基材の作製時の取扱が容易であり、同一のめっき用導電性基材を繰り返し使用した後に一箇所だけ絶縁層が剥離した、といった場合でもドラム状やフープ状の基材であると特定部分だけの抜き取りあるいは交換は困難であるが、枚葉であれば不良が発生しためっき用導電性基材のみを抜き取りあるいは交換することが可能である。このように枚葉で作製することにより、めっき用導電性基材に不具合が発生したときの対応が容易である。枚葉状の導電性基材の厚みは適宜決定すればよいが、めっき槽内で液の攪拌等に左右されない十分な強度を持たせることを考慮すると厚みは２０μｍ以上が好ましい。厚すぎると重量が増え取扱が困難であるため１０ｃｍ以下の厚みであることが好ましい。
【００６６】
導電性基材にめっきをする場合、めっきは等方的に成長するため、導電性基材が露出した部分に析出しためっきが、凸部側面に形成された絶縁層に覆い被さるように析出するため、剥離転写するたびに絶縁層に応力がかかる。特にライン幅が微細化されるほど、端部に電気力線が集中するため、析出しためっきの絶縁層への覆い被さりは顕著になる。この場合、繰り返し使用中における絶縁層の破壊のほとんどは、粘着剤の接触によるというよりも、絶縁層に覆い被さるように析出しためっきの剥離時の応力によるもので、特に絶縁層で凸部側面の最上部にまで絶縁層が形成されていると、絶縁層にかかる応力が大きくなるため、その部分を起点にして、絶縁層が破壊されることを確認した。しかし、本発明のように凸部の先端部分が露出するようにするとこの絶縁層の破壊が起こりにくくなり、結果として、本発明に係るめっき用導電性支持体の寿命を長くすることができる。
【００６７】
以上で詳細に説明した凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凹部に絶縁層を有するめっき用導電性基材は、凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の絶縁層を有する凹部は、適当な広さで作製される。その領域を領域Ａとすると、本発明に係るめっき用導電性支持体には、そのまわりに、電磁波遮蔽部材のアース部に対応する領域（領域Ｂという）を備えることができる。このとき、領域Ａと領域Ｂは同一のパターンでもよい。また、領域Ａにおける凹部の面積比率を、領域Ｂにおける凹部の面積比率と同じ又はそれよりも大きくすることが好ましく、１０％以上大きくすることはさらに好ましい。ただし、凹部の面積比率は、平面図で見たときに、各領域の全面積に対する各領域の凸部における露出部分を除いた部分の面積の比率をいう。また、領域Ｂの凹部比率を０としてもよいが、この場合には、めっき用導電性支持体上にめっきによりベタの金属膜が周辺に形成される。ベタの金属膜は転写に際し、割れやすいので、望ましくは、領域Ｂの凹部の面積率は４０％以上とすることが好ましく、また、９７％未満であることが好ましい。
領域Ｂにおいて、凸部のパターンによって描かれる幾何学図形状は、前記説明したものが使用できるが、改めて例示すると、
（１）メッシュ状幾何学的模様
（２）所定間隔で規則的に配列された方形状幾何学的模様
（３）所定間隔で規則的に配列された平行四辺形模様
（４）円模様又は楕円模様
（５）三角形模様
（６）五角形以上の多角形模様
（７）星形模様
等がある。
また、領域Ｂにおける凸部の形成、絶縁層の形成等は、前記した領域Ａと同様に行うことができる。さらに、凸部の露出部分の高さ、露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなるようにされること、ｄ１０／ｈ１０の関係等も領域Ａと同様にされる。
【００６８】
領域Ａと領域Ｂでパターンがことなる場合、全体サイズがことなる導体層パターン付き基材を作製する場合、その各々の場合に、めっき用導電性基材の準備が必要となるため、生産性の非効率があるが、上記において、領域Ａと領域Ｂを同一パターンとすることは、すなわち、全体として単一のパターンとすることは、このような複数種類のめっき用導電性基材の準備が不必要となるため生産効率の向上の点で好ましい。ただし、サイズの調整は、より大きなめっき用導電性基材を用意しておき、生産毎に、生産すべき導体層パターン付き基材のサイズにあわせ、そのめっき用導電性基材を保護膜等で被覆することにより行うことができる。また、より大きなサイズの導体層パターン付き基材を作製し、これを切断することにより、サイズの調整を行うこともできる。この場合、生産するサイズを製品サイズの整数倍又は、異なった製品サイズの和とすることが好ましい。これにより、切断後の無駄を省くことができる。
【実施例１】
【００６９】
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、２０μｍ厚、日立化成工業株式会社製）を１０ｃｍ角のステンレス板（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）の両面に貼り合わせた（図７（ａ）に対応する）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が４０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）で、格子状に形成したネガフィルムを、ステンレス板のレジストフィルムを貼り合わせた方の面上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅４０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成した。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図７（ｂ）に対応する）。
次いで、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板のライン幅が約７μｍになるまで行い、上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にレジストマスクが残っているめっき用導電性基材を作製した。凸部上面の幅は５〜８μｍであり、凸部上面の間隔（ピッチ）は３００±２μｍ、凸部の高さは３５〜３８μｍであった。凸部上面の幅は、顕微鏡（デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５００、キーエンス（株）製）を用いて、倍率１０００倍で観察して測定した。凸部上面は、エッチング液で粗化されていないため、顕微鏡観察では光沢感があった。この光沢感のある部分を凸部の上面とした。測定は、無作為の５点で行い、その最大値と最小値を採用した。凸部上面の間隔（ピッチ）の測定は、顕微鏡（デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５００、キーエンス（株）製）を用いて、倍率２００倍で観察して測定した。測定は、無作為の５点で行った。また、凸部の高さは、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、倍率は３０００倍で断面をＳＥＭ観察することにより実測した。測定点は５点で、凸部の両側を測定したので計１０点の値の最大値と最小値を採用した。これらの測定法は以下においても同様である。
なお、凸部パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった（図７（ｃ）に対応する）。次いで、めっき用導電性基材を、液温３０℃で５％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬すると、凸部パターンが形成された面及びその反対面に形成されたレジスト膜が除去された（図７（ｄ）に対応する）。
【００７０】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の凸部パターンが形成された導電性基材の凸部パターンが形成された反対面に保護用の粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り合わせたものを陰極にして、陽極をステンレス（ＳＵＳ３０４）板として、カチオン型電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、ノボラックエポキシ系、日本ペイント（株）製）中で、１５Ｖ１０秒の条件で、格子模様状にエッチングされたステンレス板に電着塗装した。次いで、窒素気流下、２３０℃で４０分間電着塗膜を焼付けて、絶縁層を形成した。炉内の酸素濃度は１％であった。絶縁層の厚さは、１．５〜３μｍであった。なお、測定は導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、倍率は３０００倍で断面をＳＥＭ観察することにより実測した。測定点は５点で、凸部の両側を測定したので計１０点の値の最大値と最小値を採用した。絶縁層の厚さの測定は、以下においても同様に行った。このようにして、めっき用導電性基材の凸部パターン側全面に、電着塗装で電気絶縁樹脂による絶縁皮膜を形成した（図８（ｅ）に対応する）。
【００７１】
（酸素プラズマによるドライエッチング）
全面に絶縁層が形成されているめっき用導電性基材において、凸部パターンが形成された面に、シリコン系のレジストＤＬＲ−５０１（ＮＴＴアドバンテステクノロジ（株）製）をスピンコートで塗布した。スピンコータの回転速度を５００ｒｐｍとして、１０秒間回転した後、１０００ｒｐｍにして３０秒間回転した。次いで、９０℃に加熱したホットプレート上で、９０秒間加熱乾燥した。絶縁層のＴＯＰ部におけるシリコン系レジストの厚みは１μｍであった（図８（ｆ）に対応する）。さらに、＃４０００の研磨紙で、全面を軽く研磨し、凸部の上面にある絶縁層の上にあるシリコンレジスト層を除去した（図８（ｇ）に対応する）。
次いで、反応性イオンエッチング装置（ＣＳＥ−１１１０（株式会社アルバック製））を用いて、凸部の上面にある絶縁層を酸素プラズマを用いてドライエッチングした（図９（ｈ）に対応する）。
ガス組成は、酸素１６ｓｃｃｍ、アルゴン２ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧は４Ｐａとした。さらに、ＲＦの出力３００Ｗで６分間ドライエッチングした。次いで、５０℃に加温したジプロピレングリコールモノメチルエーテル：モノイソプロパノールアミン＝７５：２５の溶液に上記めっき用導電性基材を３分間浸漬し、絶縁皮膜上に形成されているシリコン系レジストを剥離した。以上により、凸部先端部分のステンレスが露出し、その露出幅５．９〜１０．０μｍ、絶縁高さ３２〜３６．５μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で１．５〜２．５μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、１．５〜２．５μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅５〜８μｍと変わらなかった。以上のようにして、保護用の粘着フィルムが付着している、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．３０６〜０．４０４（６８〜７３°に相当）であった。
凸部先端部分の露出部の幅、第１の位置、第２の位置における高さｈ１０及び幅ｄ１０は、導電性基材の一部を切り取って樹脂で注型し、倍率は１００００倍で断面をＳＥＭ観察することにより実測し、測定点は５点で、凸部の両側を測定したので計１０点の値の最大値と最小値を採用した（以下同様）。絶縁高さの測定も、同様に行ったが、倍率は３０００倍とした（以下同様）。
【００７２】
（銅めっき）
次いで、粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として電解銅めっきを行った。電解銅めっき浴（硫酸銅（５水塩）２３０ｇ／Ｌ、硫酸５５ｇ／Ｌ、キューブライト＃１ＡＨＨ（荏原ユージライト株式会社、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に、上記めっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として浸した。両極に電圧をかけて、電流密度を５Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さがほぼ５μｍになるまでめっきした。
【００７３】
（転写用粘着フィルムの作製）
厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面にプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を厚さ１μｍ）に、粘着層としてアクリルポリマー（ＨＴＲ−２８０、長瀬ケムテック（株）製）を厚さ１０μｍに順次塗布して転写用粘着フィルムを作製した。
【００７４】
（転写）
上記転写用粘着フィルムの粘着層の面と、上記めっき用導電性基材の銅メッキを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着フィルムに転写されていた。これにより、ライン幅１５〜２０μｍ、ラインピッチ３００±２μｍ、導体厚さ（凸部の上面の上に形成された部分、以下同様）４．５〜６μｍの格子状金属パターンからなる導体層パターン付き基材が得られた。転写後のめっき用導電性基材の表面を観察した結果、絶縁膜が剥離している箇所はなかった。ライン幅、導体厚さの測定は、得られた導体層パターン付き基材を一部切り取って樹脂で注型し、倍率は３０００倍で断面をＳＥＭ観察することにより実測した。測定点は５点で、凸部の両側を測定したので計１０点の値の最大値と最小値を採用した（以下も同様）。ラインピッチの測定は、顕微鏡（デジタルマイクロスコープＶＨＸ−５００、キーエンス（株）製）を用いて、倍率２００倍で観察して測定し、測定は、無作為の５点で行った（以下も同様）。
【００７５】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、ＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングし、ポリカーボネートフィルム（マクロホールＤＥ、バイエル株式会社製、７５μｍ）でラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させて、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
【００７６】
（繰り返し使用）
次いで、上記のめっき用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例２】
【００７７】
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
１０ｃｍ角のステンレス（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）に４００メッシュのポリエステル製スクリーン版にライン幅が４０μｍ、ラインピッチが２２５μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状のパターンを形成した版を用い、アルカリ除去型エッチングレジストインク（２２６Ｂｌａｃｋ、Ｎａｚｄａｒ Ｃｏｍｐａｎｙ製）を塗布した後、スキージで余分なレジストインクを５０ｍｍ／ｍｉｎの速度でかき取った。また、もう一方の面には、上記レジストインクを全体に塗布した。乾燥炉を用いて１２０℃で５分乾燥させ、ＳＵＳ板の一方の面上にライン幅４０μｍ、ラインピッチ２２５μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成し、他方の面全体にレジスト膜を形成した（図７（ｂ）に対応する）。さらに、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板に形成される凸部の上面の幅が３０μｍになるのを目安に行った。実際の凸部上面の幅は２９〜３２μｍであり、凸部上面の間隔（ピッチ）は、２２５±２μｍ、凸部の高さは１２〜１７μｍであった。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった（図７（ｃ）に対応する）。次いで、めっき用導電性基材を、液温３０℃で５％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬すると、凸部パターンが形成された面及びその反対面に形成されたレジスト膜が除去された（図７（ｄ）に対応する）。
【００７８】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材の凸部パターンがある面と反対の面に保護用の粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り合わせたものを陽極にして、陰極をチタン板として、アニオン型電着塗料（ＡＭＧ−５Ｅ／５Ｗ、（株）シミズ製エポキシ樹脂を主成分とする電着塗料）中で、１０Ｖ６０秒の条件で、上記めっき用導電性基材（中間体）に電着塗装した。水洗後１００℃１０分間乾燥した。次いで、１８０℃３０分の条件で窒素気流下電着塗膜を焼付けて絶縁層を形成した。炉内の酸素濃度は０．５％であった。絶縁層の厚さは、２．９〜３．５μｍであった。
このようにして、凸部パターン面全面に絶縁膜が施された導電性基材を得た（図８（ｅ）に対応する）。
【００７９】
（酸素プラズマによるドライエッチング）
凸部パターン面全面に絶縁層が形成されているめっき用導電性基材において、絶縁層の上に、シリコン系のレジストＤＬＲ−５０１（ＮＴＴアドバンテステクノロジ（株）製）をスピンコートで塗布した。スピンコータの回転速度を５００ｒｐｍとして、１０秒間回転した後、１０００ｒｐｍにして３０秒間回転した。次いで、９０℃に加熱したホットプレート上で、９０秒間加熱乾燥した。絶縁層のＴＯＰ部におけるシリコン系レジストの厚みは１μｍであった（図８（ｆ）に対応する）。さらに、＃４０００の研磨紙で、全面を軽く研磨し、凸部の上面にある絶縁層の上にあるシリコンレジスト層を除去した（図８（ｇ）に対応する）。
次いで、反応性イオンエッチング装置（ＣＳＥ−１１１０（株式会社アルバック製））を用いて、凸部の上面にある絶縁層を酸素プラズマを用いてドライエッチングした（図９（ｈ）に対応する）。ガス組成は、酸素１６ｓｃｃｍ、アルゴン２ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧は４Ｐａとした。さらに、ＲＦの出力２００Ｗで１０分間ドライエッチングした。次いで、５０℃に加温したジプロピレングリコールモノメチルエーテル：モノイソプロパノールアミン＝７５：２５の溶液に上記めっき用導電性基材を３分間浸漬し、絶縁皮膜上に形成されているシリコン系レジストを剥離した。
以上により、凸部先端部分のステンレスが露出し、その露出幅は、２９．９〜３５．０μｍ、絶縁高さ８．５〜１４．１μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で０．５〜１．５μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、０．５〜１．５μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅２９〜３２μｍは変わらなかった。
以上のようにして、保護用の粘着フィルムが付着している、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．８７０〜１．０００（４５〜４９°に相当）であった。
【００８０】
（銅めっき）
さらに、上記で得られためっき用導電性基材の凹凸のパターンが形成されていない面（裏面）に粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り付けた。この粘着フィルムを貼り付けためっき用導電性基材を陰極として、また、含燐銅を陽極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸７０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に浸し、両極に電圧をかけて電流密度を２０Ａ／ｄｍ２として、めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した金属の厚さがほぼ３μｍになるまでめっきした。
【００８１】
（転写）
次いで、実施例１で得たのと同一の転写用粘着フィルムをその粘着層が、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面に接するように、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき用導電性基材から粘着フィルムを剥離すると、上記めっき用導電性基材の凸部の上面に析出した銅が粘着層表面に転写された。このようにして、ライン幅３４〜３８μｍ、ラインピッチ２２５±２μｍ、導体厚２．５〜３．５μｍの格子状金属パターンが接着フィルム上に転写され、導体層パターン付き基材を得た。
【００８２】
（保護膜の形成）
上記で得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが存在する面に、実施例１と同様にしてＵＶ硬化型樹脂ヒタロイド７９８３ＡＡ３（日立化成工業（株）製）をコーティングした後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）の易接着処理を施していない面を、ＵＶ硬化型樹脂とでラミネートして導体層パターンをＵＶ硬化型樹脂中に埋没させた。さらに、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射してＵＶ硬化型樹脂を硬化させた後、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡（株）製、７５μｍ）を剥離して、保護膜を有する導体層パターン付き基材を得た。
【００８３】
（繰り返し使用）
上記のめっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例３】
【００８４】
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
ステンレスの種類を３１６Ｌに、サイズを３１４ｍｍ×１５０ｍｍとしたこと及びレジスト膜のラインピッチを２７５μｍとしたこと以外は全て実施例１と同様にして、ＳＵＳ板をエッチングして形成された凸部上面の幅は５〜８μｍであり、凸部上面の間（ピッチ）は、２７５±２μｍ、凸部の高さは３５〜３８μｍであった。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった。次いで、めっき用導電性基材を、液温３０℃で５％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬すると、パターンが形成された面及びその反対面に形成されたレジスト膜が除去された（図７（ｄ）に対応する）。
【００８５】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
ＲＦプラズマＣＶＤ装置（ＮＡＮＯＣＯＡＴ ４００、ナノテック株式会社）によりＤＬＣ膜を形成する。ＲＦプラズマＣＶＤ装置は上部電極、基板を乗せる下部電極及びガス導入口を備えた真空チャンバー、プラズマを発生するためのＲＦ電源２５、スイッチ／マッチングボックス、マッチングボックス、真空ポンプなどから構成される。真空チャンバーは真空ポンプにより１０−３ｔｏｒｒの真空度に減圧される。最初にＡｒガスによるプラズマを励起し基板のクリーニングを行なった後、ヘキサメチルジシラザンを４ｓｃｃｍの流量で導入し、ＲＦ出力５００Ｗで膜厚０．３μｍとなるように中間層としてＳｉを製膜した。次いで、アセチレンガスを１５ｓｃｃｍの流量で導入し、ＲＦ出力５００Ｗで膜厚が２．５〜３．５μｍとなるように、中間層の上にＤＬＣ層を形成した（図８（ｅ）に対応する。ただし、粘着フィルム９はない。）。
【００８６】
（酸素プラズマによるドライエッチング）
さらに、全面に絶縁層が形成されているめっき用導電性基材において、パターンが形成された面に、シリコン系のレジストＤＬＲ−５０１（ＮＴＴアドバンテステクノロジ（株）製）をスピンコートで塗布した。スピンコータの回転速度を５００ｒｐｍとして、１０秒間回転した後、１０００ｒｐｍにして３０秒間回転した。次いで、９０℃に加熱したホットプレート上で、９０秒間加熱乾燥した。絶縁層のＴＯＰ部におけるシリコン系レジストの厚みは１μｍであった（図８（ｆ）に対応する。ただし、粘着フィルム９はない。）。さらに、＃４０００の研磨紙で、全面を軽く研磨し、凸部の上面にある絶縁層の上にあるシリコンレジスト層を除去した（図８（ｇ）に対応する。ただし、粘着フィルム９はない。）。
次いで、反応性イオンエッチング装置（ＣＳＥ−１１１０（株式会社アルバック製））を用いて、凸部の上面にある絶縁層を酸素プラズマを用いてドライエッチングした（図９（ｈ）に対応する。ただし、粘着フィルム９はない。）。ガス組成は、酸素１６ｓｃｃｍ、アルゴン２ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧は４Ｐａとした。さらに、ＲＦの出力３００Ｗで４０分間ドライエッチングした。次いで、５０℃に加温したジプロピレングリコールモノメチルエーテル：モノイソプロパノールアミン＝７５：２５の溶液に上記めっき用導電性基材を３分間浸漬し、絶縁皮膜上に形成されているシリコン系レジストを剥離した。
以上により、凸部先端部分のステンレスが露出し、その露出幅６．２〜１１．１μｍ、絶縁高さ３１．２〜３５．２μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で２．０〜４．０μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、２．０〜４．０μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅５〜８μｍは変わらなかった。
以上のようにして、保護用の粘着フィルムが付着している、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．４２４〜０．４８８（６４°〜６７°に相当）であった。
【００８７】
（銅めっき）
φ１００ｍｍ、幅２００ｍｍのステンレスロールに、前記で作製しためっき用導電性基材の背面とロールが接触するように、巻きつけて、つなぎ目を絶縁テープで貼り合わせた。
さらに、側部からめっき液が染み込まないように、導電性基材の両端５ｍｍを全周にわたって、絶縁テープで覆うように、ロールと導電性基材を貼り合わせ、一つの回転体とした。
次いで、図１８に示すような装置構成で回転体１０３に電気銅めっきした。陽極１０２には白金でコーティングしたチタン製の不溶性電極を用いた。陰極には上記ステンレス製のロールをドラム電極とした。電解銅めっき用の電解浴１００には、硫酸銅（５水塩）７０ｇ／Ｌ、硫酸１８０ｇ／Ｌ、カパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）２０ｍｌ／Ｌの水溶液で２５℃の電荷液１０１が収容され配管１０４を通じてポンプ１０５により、陽極１０２と回転体１０３の間に送られ、満たされている。回転体１０３の約半分がこの電解液に浸漬している。電流密度を７Ａ／ｄｍ２となるように、両極に電圧をかけて上記導電性基材の領域Ａの凸部の上面に析出する金属の厚みがほぼ２μｍ厚になるまでめっきした。このとき、上記のステンレスロールを１ｍ／分の速度で回転させるようにした。
【００８８】
（転写）
実施例１で作製した粘着フィルムを一旦ロール状で巻き取り、ロール状の粘着フィルムとした。このロール状の粘着フィルムから粘着フィルム１０７を巻き出し、その粘着剤層の面を上記回転体（ステンレスロール）の凸部の上面に析出した金属（銅）１０６に圧着ロール１０８により実施例１と同様のラミネート条件で、連続的に貼り合わせるとともに剥離することにより、金属１０６を粘着フィルムの粘着剤層に転写して、導体層パターン付き基材１０９を連続的に作製した。導体層パターン付き基材１０９はロール状に巻き取られた（図示せず）。また、このとき、粘着フィルムの導体層パターンが転写された面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）をラミネートしながら巻き取ることにより、巻取り時のブロッキングを防止した。導体層パターンは、ライン幅１０〜１４μｍ、ラインピッチ２７５±２μｍ、導体厚１．５〜２．５μｍであった。銅めっきが転写された粘着フィルムを５０ｍ巻き取った後も、ステンレスロール上への銅めっきとその転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【００８９】
（保護膜の形成）
得られた導体層パターン付き基材の一部を切り取り、導体層パターンが形成されている面に、ＵＶ硬化型樹脂（アロニックスＵＶ−３７０１、東亞合成株式会社製）をアプリケータ（ヨシミツ精機株式会社製、ＹＢＡ型）を用いて１５μｍ厚でコーティングし、ＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製、７５μｍ）をハンドロールを用いて気泡が入らないように静かにラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射して、保護膜を形成した。
【００９０】
（繰り返し使用）
上記で得られためっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５０００回繰り返した（回転体を５０００回転させた）結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例４】
【００９１】
実施例３に記載した方法で導電性基材に絶縁層を形成して、ＤＬＣ膜を酸素プラズマでエッチングした後、ＰＬＡＳＭＡ ＣＨＡＭＢＥＲ ＭＯＤＥＬ ＰＣ−１０１Ａ、ＲＦＧＥＮＥＲＡＴＯＲ ＭＯＤＥＬ ＲＦＧ−５００Ａ（共にヤマト科学株式会社製）のプラズマアッシャー装置を用いて、中間層をドライエッチングした。エッチングの際のガス組成は、ＣＦ４ １０ｓｃｃｍ、Ｏ２ ２ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧は４Ｐａとした。さらに、ＲＦの出力３００Ｗで３０分間ドライエッチングすることで、凸部の上面を露出させた。この際、シリコン系レジストは、上記ガス組成に対するエッチングレートが高いので、中間層と共にエッチングされたため、剥離する必要はなかった。また、この際、上記ガス組成によりエッチングはされなかった。
以上の操作により、凸部先端部分のステンレスが露出し、その露出幅５．８〜９．５μｍ、絶縁高さ３１．２〜３５．２μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で１．０〜２．５μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、１．０〜２．５μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅５〜８μｍは変わらなかった。絶縁層の厚さは、２．５〜４μｍであった。
以上のようにして、保護用の粘着フィルムが付着している、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．３０６〜０．３８４（６９〜７３°に相当）であった。
さらに、実施例３と同様にして、銅めっき、転写、保護膜の形成を行った。
導体層パターン付き基材の導体層パターンは、ライン幅９〜１２μｍ、ラインピッチ２７５±２μｍ、導体厚１．５〜２．５μｍであった。
銅めっきが転写された粘着フィルムを５０ｍ巻き取った後も、ステンレスロール上への銅めっきとその転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【００９２】
（繰り返し使用）
上記で得られためっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５０００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例５】
【００９３】
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
ロール状に巻いたＳＵＳ３０４箔（日新製鋼（株）製、仕上げ３／４Ｈ、幅２００ｍｍ、厚さ１００μｍ）と、ＰＥＴフィルム（Ａ−４１００、東洋紡製）にバイロンＵＲ−１３５０（接着剤、東洋紡（株）製）を乾燥塗布厚が２０μｍとなるように塗布して作製したロール状の接着フィルムをロールラミネータで貼りあわせて、ロール状のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔（未加工）を作製した。ラミネート条件は、ロール温度１２０℃、プレヒート１２０℃３０秒、圧力３ＭＰａ、ラインスピード０．５ｍ／ｍｉｎとした。
次いで、上記で作製したロール状のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔（未加工）及びロール状のレジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、２０μｍ厚、日立化成工業株式会社製）をそれぞれ巻きだして、ＳＵＳ３０４箔が露出している方の面にレジストフィルムをロールラミネータで連続的に貼り合わせ、ロール状に巻き取った。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が４０μｍ、ラインピッチが４００μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレスを一部巻出し、その上に静置した。紫外線照射装置を用いてネガフィルムの上から紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。露光した部分を巻取り、露光していないレジストフィルムを貼り合わせた部分を巻きだして上と同様の条件でネガフィルムを静置して紫外線を照射した。この工程を１０回繰り返してＳＵＳ３０４箔上に１０パターンを露光した。これを１％炭酸ナトリウムを使用して現像機を通して現像することでＳＵＳ箔の上にライン幅４０μｍ、ラインピッチが４００μｍのレジストマスクが一定間隔で配置されたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ３０４箔を形成した。次いで、このＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔をエッチングラインに通し、ＳＵＳ箔に格子模様状のパターン（凸部上面の幅９〜１４μｍ、凸部上面の間隔（ピッチ）４００±２μｍ、凸部の高さ１８〜２２μｍ）を一定間隔に配置した導電性基材を作製した。
【００９４】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、エッチングしたＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔をパターン毎に切断した後、個々のＰＥＴフィルム付きＳＵＳ箔毎に、実施例４と同様にして、中間層、ＤＬＣ膜の形成、さらに、ＤＬＣ及びＳｉ層のドライエッチングを行い、凹部が絶縁層で覆われたＰＥＴフィルム付きめっき用導電性基材を合計で１１枚製造した。
以上の操作により得られた１枚のＰＥＴフィルム付きめっき用導電性基材を使用して次の項目を調べた。その結果は、凸部先端のステンレスが露出し、その露出幅１１．０〜１８．８μｍ、絶縁高さ１４．２〜１９．２μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で２．５〜４．５μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、２．５〜４．５μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅９〜１４μｍは変わらなかった。
以上のようにして、保護用の粘着フィルムが付着している、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．５０９〜０．６０１（５９〜６３°に相当）であった。
【００９５】
（フープ状導電性基材の作製）
次いで、幅２００ｍｍ、長さ１０ｍの粘着フィルム（ＳＧＡ、日立化成工業（株）製）の粘着剤面に、上記で作製した１０枚の凹部が絶縁層で覆われたＰＥＴフィルム付きめっき用導電性基材のＰＥＴフィルム面を、隙間無く貼り合わせて、長さ１０ｍの凹部が絶縁層で覆われたＰＥＴフィルム付きめっき用導電性基材（以下、長尺のめっき用導電性基材という）を得た。次いで、図１９に示すような装置に、上記長尺のめっき用導電性基材を通紙し、フープ状導電性基材を得た。つなぎ目は、市販のガムテープを用いて繋ぎ目の裏側から貼り合わせ、表側は銅テープ（ＣＨＯ−ＦＯＩＬ、５０ｍｍ幅、太陽金網株式会社製）で貼り合わせた。
【００９６】
（導体層パターン付き基材の作製）
上記で得られたフープ状導電性基材を用い、図１９に示す装置により導体層パターン付き基材を作製した。以下、図１９を用いて説明する。
まず初めに、上記で得られたフープ状導電性基材１１０はロール１１１〜１２８により、前処理槽１２９、電解浴槽１３０、水洗槽１３１、黒化処理槽１３２、水洗槽１３３、防錆処理槽１３４、水洗槽１３５を通って周回するように構成されている。
前処理槽１２９には、５％硫酸水溶液が収容されており、電解浴槽１３０には、硫酸銅（５水塩）１８０ｇ／Ｌ、硫酸１００ｇ／Ｌ及びカパラシドＨＬ（アトテックジャパン株式会社製、添加剤）７０ｍｌ／Ｌの水溶液からなり温度が３０℃に調整された電解液が収容されている。黒化処理槽１３２には、コパール（オーデック社製）の４倍希釈液が収容されている。また、防錆処理槽１３４には０．５％のベンゾトリアゾール水溶液が収容されている。
電解浴槽１３０では、フープ状導電性基材１１０を陰極とし、含燐銅を陽極として電流密度を３０Ａ／ｄｍ２で電解銅めっきされるように構成されている。本例では、凸部の露出部分に析出する金属の厚さが３μｍになるのを目安にめっきして、導電性基材上に導体層パターン作製した。
水洗槽１３１における水洗後、導電性基材上の導体層パターンは、コパール液（オーデック社製）を用いて実施例１と同様に黒化処理が黒化処理層１３２で行われ、水洗槽１３２における水洗後、防錆処理槽１３４で防錆処理され、さらに、水洗槽１３５で水洗した後、ロール状で作製した実施例１で作製した粘着フィルム１３６を用いて、実施例１と同様の条件で、圧着ロール１３７を用い、導体層パターンを接着フィルム１３６上に連続的に転写して、導体層パターン付き基材１３８を連続的に得、これはロール状に巻き取られた。
凸部の露出部分に析出した銅めっきを、接着フィルムに転写して形成されたパターンは、ライン幅１１〜１６μｍ、ラインピッチ４００μｍ、厚さ２．５〜３．５μｍであった。
接着フィルムに転写後、転写されたラインを顕微鏡で観察した結果、全面で、ラインの割れは無かった。なお、導体層パターン付き基材１３８をロール状に巻き取る際には、導体層パターンの面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）が接触するようにラミネートした。上記導体層パターン付き基材を５０ｍ巻き取った後も、導電性基材上に析出した銅めっきの転写性に変化が無く、導電性基材の凹部に形成された絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【００９７】
次いで、離型ＰＥＴを剥離しながら、得られた導体層パターン付き基材の導体層パターンが形成されている面に、ＵＶ硬化型樹脂（アロニックスＵＶ−３７０１、東亞合成株式会社製）を１５μｍ厚でコーティングし、ＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製、７５μｍ）でラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射して、いわゆるロール・トゥ・ロール（ｒｏｌｌ−ｔｏ−ｒｏｌｌ）で連続的に保護膜を形成して、保護槽を有する導体層パターン付き基材を得た。
導体層パターン付き基材の導体層パターンは、ライン幅１１〜１６μｍ、ラインピッチ４００±２μｍ、導体厚２．５〜３．５μｍであった。
【００９８】
（繰り返し使用）
上記のめっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５０００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【００９９】
比較例１
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、２０μｍｍ厚、日立化成工業株式会社製）を１０ｃｍ角のステンレス（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）板に貼り合わせた。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が４０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状に形成したネガフィルムを、レジストフィルムを貼り合わせたステンレス板の上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムの上から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに。１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅４０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成した。さらに、４０℃に加温した塩化第二鉄水溶液（４５°Ｂｅ‘、鶴見曹達株式会社製）を用いて、ＳＵＳ板をエッチングした。エッチングは、ＳＵＳ板のライン幅が７μｍになるまで行った。次いで、５％水酸化ナトリウム水溶液を用いて、ＳＵＳ版の上に形成されたレジストマスクを剥離して、格子模様上のパターン（凸部上面の幅５〜８μｍ、凸部上面の間隔（ピッチ）３００±２μｍ、凸部の高さ１４〜１８μｍ）を形成し、凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材を作製した。
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材陰極にして、陽極をステンレス（ＳＵＳ３０４）板として、カチオン系電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、日本ペイント（株）製）中で、１５Ｖ１０秒の条件で、上記導電性基材に電着塗装した。水洗後１１０℃１０分間乾燥した後、２３０℃４０分の条件で窒素気流下で焼付けて絶縁層を形成した。炉内の酸素濃度は０．１％であった。絶縁層の厚さは、ほぼ２．６μｍであった。さらに電着塗装した導電性基材を、研磨粉（Ｔｙｐｅ０．１Ｒ、Ｂａｉｋｏｗｓｋｉ Ｃｈｉｍｉｅ ＳＡ製）と研磨布（マイクロクロス、Ｂｕｅｈｌｅｒ ＧＭＢＨ製）を用いて凸部の上面を研磨し、ＳＵＳ面を露出させ、絶縁膜を有する導電性基材を作製した。このめっき用導電性基材の凹部における絶縁層の厚さは２．０〜３．０μｍであった。ただし、凸部上面の端部における絶縁層の厚さは０．２μｍ（上面の平面方向に測る）であった。研磨後のライン幅、すなわち、凸部上面の幅は５〜１５μｍであった。このめっき用導電性基材は、凸部は露出部分は上面だけで、露出高さは０であった。絶縁高さは１１〜１６μｍであった。
（銅めっき）
さらに、絶縁膜を有するめっき転写用版を陰極として、電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、キューブライト＃１Ａ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、２５℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を７Ａ／ｄｍ２として、凸部上面に析出した金属の厚さが５μｍになるまでめっきした。
（転写）
実施例１で作製したのと同様の粘着フィルムの粘着剤面と、上記めっき用導電性基材の銅めっきを施した面を、ロールラミネータを用いて貼り合わせた。ラミネート条件は、ロール温度２５℃、圧力０．１ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎとした。次いで、めっき転写用版に貼り合わせた粘着フィルムを剥離したところ、上記めっき転写用版の凸部の上面に析出した銅が粘着剤表面に転写された。このようにしてライン幅（凸部上面の幅）１１〜３０μｍ、ラインピッチ３００±２μｍ、導体厚４〜６μｍの金属パターンが粘着フィルム上に転写された。本発明によって作製しためっき転写用版と比較して、研磨により作製しためっき転写用版はライン幅のばらつきが大きく、ラインもガタついていた。それによって得られた導体層パターンもライン幅のばらつきが非常に大きかった。
（繰り返し使用）
上記のめっき−転写の工程を２５０回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化がなく、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【０１００】
比較例２
実施例１と同様にして上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にレジストマスクが残っているめっき用導電性基材（中間体）を作製した。得られた導電性基材のライン幅、すなわち、凸部上面の幅は１４〜１９μｍ、ラインピッチは３５０±２μｍ、凸部の高さは１８〜２３μｍであった。
次いで、上記の導電性基材を陰極にして、陽極をステンレス（ＳＵＳ３０４）板として、カチオン型電着塗料（Ｉｎｓｕｌｅｅｄ３０２０、日本ペイント（株）製）中で、１２０Ｖ１０秒の条件で導電性基材に電着塗装した。水洗後１１０℃で１０分間乾燥した後、２％水酸化ナトリウム水溶液でレジストマスクを剥離した。次いで、２３０℃４０分条件で窒素気流下で焼付けした。電着塗料の厚みは２０μｍであった。レジストマスクの幅が４０μｍであったため計算上は電着塗料がレジストマスクの幅を超えて電着されたことになるが、焼付の際に樹脂が流動して平坦化したため、樹脂は凸部パターンの上面より上にはほとんどはみ出していなかった。このめっき用導電性基材は、凹部は絶縁膜で覆われたものであった。得られためっき転写用版は、凸部パターンの凹部が絶縁層で完全に埋まった形状をしていた。
次いで上記めっき転写用版を陰極として電解銅めっき用の電解浴（硫酸銅（５水塩）２５０ｇ／Ｌ、硫酸５０ｇ／Ｌ、キューブライトＡＲ（荏原ユージライト株式会社製、添加剤）４ｍｌ／Ｌの水溶液、３０℃）中に浸し、含燐銅を陽極として同電解浴中に浸した。両極に電圧をかけて電流密度を２５Ａ／ｄｍ２として、凸部上面に析出した金属の厚さが５μｍになるまでめっきした。
さらに、実施例１で得られた粘着フィルム上に銅めっきを転写した。銅めっき−転写の工程を１１回繰り返すと、絶縁膜の一部が剥離しており、１２回目のめっきを行うと、絶縁膜が剥離した箇所に銅が析出した。粘着フィルムに銅めっきを転写した結果、絶縁膜が剥離した箇所の銅めっきが転写しなかった。
【０１０１】
以上の実施例又は比較例で得られた導体層パターンのライン厚み、ライン幅、導電性基材からの剥離性、パターンの異常の有無、パターンを有するめっき転写用から銅めっきの剥離を繰り返した後のめっき転写用版の耐久性を評価した結果を表１に示す。
なお、ライン幅、ピッチは顕微鏡写真を元に実測した。ライン厚みは得られた導体層パターンを一部切り取って樹脂で注型し、断面を顕微鏡観察することにより実測した。導電性基材からの剥離性は粘着フィルムに転写した銅のパターンを拡大鏡で観察し、転写不良のない場合を良好、転写不良が発生した場合を不良とした。ただし、比較例２及び３に関しては、電着塗料の剥離が発生する前までの転写不良の有無を記載した。パターン異常の有無は拡大鏡を用いて肉眼にて確認した。めっき転写用版の耐久性はめっき及び剥離を繰り返した後のめっき転写用版を直接拡大鏡で観察して確認した。
【０１０２】
【表１】
【実施例６】
【０１０３】
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
レジストフィルム（フォテックＨ−Ｙ９２０、２０μｍ厚、６８０ｍｍ幅、日立化成工業株式会社製）を７００×１１００ｍｍのステンレス板（ＳＵＳ３０４、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）の両面に貼り合わせた（図７（ａ）に対応する）。貼り合わせの条件は、ロール温度１０５℃、圧力０．５ＭＰａ、ラインスピード１ｍ／ｍｉｎで行った。次いで、光透過部のライン幅が４０μｍ、ラインピッチが３００μｍ、バイアス角度が４５°（正四角形のなかに、ラインが正四角形の辺に対して４５度の角度になるように配されている）で、パターンサイズが基板サイズと同一である、格子状に形成したネガフィルムを、ステンレス板のレジストフィルムを貼り合わせた方の面上に静置した。紫外線照射装置を用いて、６００ｍｍＨｇ以下の真空下において、ネガフィルムを載置したステンレス板の上下から、紫外線を１２０ｍＪ／ｃｍ２照射した。さらに、１％炭酸ナトリウム水溶液で現像することで、ＳＵＳ板の上にライン幅４０μｍ、ラインピッチ３００μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成した。さらに、レジストが形成されたＳＵＳ板を１５０℃３０分間加熱処理し、レジストとＳＵＳ板の密着性を向上させた。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面露光されているため、現像されず、全面にレジスト膜が形成されている（図７（ｂ）に対応する）。
次いで、８００ｍｍ幅のロータリー式エッチングマシン（株式会社石井表記製）に、塩化第二鉄水溶液（４７°Ｂｅ‘、ラサ工業株式会社製）１．５ｔを加えた。エッチング液の液温は４０℃で、３ｋｇ／ｃｍ２のスプレー厚で、３００秒間ＳＵＳ板をエッチングした。上面を有する凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材上にレジストマスクが残っているめっき用導電性基材を作製した。凸部上面の幅は５〜８μｍであり、凸部上面の間隔（ピッチ）は３００±２μｍ、凸部の高さは３５〜３８μｍであった。
なお、凸部パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった（図７（ｃ）に対応する）。次いで、めっき用導電性基材を、液温３０℃で５％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬すると、凸部パターンが形成された面及びその反対面に形成されたレジスト膜が除去された（図７（ｄ）に対応する）。
【０１０４】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
ＲＦプラズマＣＶＤ装置（ＨＴＣ１５００、Ｈａｕｚｅｒ Ｔｅｃｈｎｏ Ｃｏａｔｉｎｇ ＢＶ製）によりＤＬＣ膜を形成した。ＲＦプラズマＣＶＤ装置は上部電極、基板を乗せる下部電極及びガス導入口を備えた真空チャンバー、プラズマを発生するためのＲＦ電源、スイッチ／マッチングボックス、マッチングボックス、真空ポンプなどから構成される。真空チャンバーは真空ポンプにより１０−３ｔｏｒｒの真空度に減圧される。最初にＡｒガスによるプラズマを励起し基板のクリーニングを行なった後、クロムをターゲット材料として、上記で作製した凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の両面にスパッタリングした結果、約１μｍのクロム層が形成された。なお、裏面は、めっきをする際の導通をとるために、スパッタリングする前に、４辺の外周１０ｍｍに、マスキングテープを貼り合わせた。次いで、アセチレンガスを１５ｓｃｃｍの流量で導入し、ＲＦ出力５００Ｗで膜厚が２．５〜３．５μｍとなるように、中間層であるクロム層の上に、凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の両面にＤＬＣ層を形成した（図８（ｅ）に対応する。）最後に、裏面に貼り合わせたマスキングテープを剥離して、ＳＵＳ面を露出させた。
【０１０５】
（酸素プラズマによるドライエッチング）
全面に絶縁層が形成されているめっき用導電性基材において、凸部パターンが形成された面に、シリコン系のレジストＤＬＲ−５０１（ＮＴＴアドバンテステクノロジ（株）製）をダイコータ（タツモ株式会社製）で膜厚が１〜３μｍとなるように塗布した。次いで、９０℃に加熱したホットプレート上で、９０秒間加熱乾燥した。絶縁層のＴＯＰ部におけるシリコン系レジストの厚みは１μｍであった（図８（ｆ）に対応する）。さらに、＃４０００の研磨紙で、全面を手作業で軽く研磨し、凸部の上面にある絶縁層の上にあるシリコンレジスト層を除去した（図８（ｇ）に対応する）。
次いで、プラズマＣＶＤ装置（ＨＴＣ１５００、Ｈａｕｚｅｒ Ｔｅｃｈｎｏ Ｃｏａｔｉｎｇ ＢＶ製）を用いて、凸部の上面にある絶縁層を酸素プラズマを用いてドライエッチングした（図９（ｈ）に対応する）。
ガス組成は、酸素１６ｓｃｃｍ、アルゴン２ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧は４Ｐａとした。さらに、ＲＦの出力３００Ｗで４０分間ドライエッチングした。次いで、５０℃に加温したジプロピレングリコールモノメチルエーテル：モノイソプロパノールアミン＝７５：２５の溶液に上記めっき用導電性基材を３分間浸漬し、絶縁皮膜上に形成されているシリコン系レジストを剥離した。以上により、凸部先端部分のステンレスが露出し、その露出幅５．９〜１０．０μｍ、絶縁高さ３２〜３６．５μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で１．５〜２．５μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、１．５〜２．５μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅５〜８μｍと変わらなかった。以上のようにして、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．３０６〜０．４０４（６８〜７３°に相当）であった。
【０１０６】
（銅めっき）
上記で作製しためっき用導電性基材を下記のピロリン酸銅電解液に浸漬してから、５５秒間は、電流密度１５Ａ／ｄｍ２でめっきを行いめっき用導電性基材の凸部の露出部分に銅を析出させた。ついで、次いで電流密度３０Ａ／ｄｍ２として５秒間をめっきし、先に析出した銅の表面を黒化処理した。その結果、凸部の露出部分に析出する金属の凸部上面の上では厚みは３〜５μｍであった。その凸部の露出部に表面が黒化処理された銅めっき（導体パターン）を有する導電性基材は引続き水洗し、乾燥した。
（電解液の組成等）
ピロリン酸銅 １００ｇ／Ｌ
ピロリン酸カリウム ２００ｇ／Ｌ
アンモニア水（３０％） ５ｍＬ／Ｌ
ｐＨ ８〜９
電流密度 ２０Ａ／ｄｍ２
浴温 ３０℃
陽極 銅板
回転スピード ０．５５ｍ／ｍｉｎ
【０１０７】
（転写用粘着フィルムの作製）
幅９００ｍｍ、厚さ１００μｍのポリエチレンテレフタレート（ＰＥＴ）フィルム（Ａ−４１００、東洋紡績株式会社製）の表面に、塗工幅７００ｍｍでプライマー（ＨＰ―１、日立化成工業株式会社製）を厚さ１μｍ）に、粘着層としてアクリルポリマー（ＨＴＲ−２８０、長瀬ケムテック（株）製）を厚さ１０μｍに順次塗布して転写用粘着フィルムを作製し、巻き取り時に、離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）のシリコン処理面を粘着剤面にラミネートしながら、巻き取った。上記粘着フィルムを２００ｍ作製し、ロール状で巻き取り、ロール状の粘着フィルムとした。
【０１０８】
（転写）
このロール状の粘着フィルムから粘着フィルム１３００ｍｍ巻き出して裁断し、裁断された粘着フィルムと前記の凸部の露出部分をに表面が黒化処理された銅めっき（導体パターン）を有する導電性基材を粘着フィルムの粘着剤層と表面が黒化処理された銅めっきが接するようにして、実施例１と同様のラミネート条件で、貼り合わせるとともに剥離することにより、導体層パターンを粘着フィルムの粘着剤層に転写して、大判の銅めっきが転写された粘着フィルムを作製した。
このとき、粘着フィルムの導体層パターンが転写された面に離型ＰＥＴ（Ｓ−３２、帝人デュポン株式会社製）をラミネートした。
導体層パターンは、ライン幅１１〜１５μｍ、ラインピッチ３００±２μｍ、導体厚３〜５μｍであった。
以上の銅メッキと転写を５０００回繰りかえても、まだ、銅めっきとその転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
得られた銅めっきが転写された粘着フィルム裁断して外形寸法６５０×９９０ｍｍの導体層パターン付き基材を得た。
以上の操作を繰り返し行い、得られた銅めっきが転写された粘着フィルム裁断寸法を変えることにより、外形寸法６４０×９５０ｍｍの導体層パターン付き基材を得た。
【０１０９】
（保護膜の形成）
得られた導体層パターン付き基材において、それぞれのパターンの導体層パターンが形成されている面に、幅６００ｍｍ、長さ９００ｍｍの範囲にダイコータで、ラインスピード５ｍ／ｍｉｎで間欠的にＵＶ硬化型樹脂（アロニックスＵＶ−３７０１、東亞合成株式会社製）を１５μｍ厚で間欠的にコーティングした。
ＵＶ硬化型樹脂を塗布した後、即座にＰＥＴフィルム（マイラーＤ、帝人デュポンフィルム株式会社製、７５μｍ）を０．１ＭＰａのロール圧でラミネートした後、紫外線ランプを用いて１Ｊ／ｃｍ２の紫外線を照射して、保護膜を形成した。
外形寸法６５０×９９０ｍｍで、内部に６００×９００ｍｍの保護膜が形成された導体層パターン付き基材と外形寸法６４０×９５０ｍｍで、内部に６００×９００ｍｍの保護膜が形成された導体層パターン付き基材を得た。
【０１１０】
（繰り返し使用）
上記のめっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５０００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【実施例７】
【０１１１】
（凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製）
７００×１１００ｍｍのステンレス（ＳＵＳ３１６Ｌ、仕上げ３／４Ｈ、厚さ１００μｍ、日新製鋼（株）製）に４００メッシュのポリエステル製スクリーン版にライン幅が４０μｍ、ラインピッチが２２５μｍ、バイアス角度が４５°で、格子状のパターンを形成した版を用い、アルカリ除去型エッチングレジストインク（２２６Ｂｌａｃｋ、Ｎａｚｄａｒ Ｃｏｍｐａｎｙ製）を塗布した後、スキージで余分なレジストインクを５０ｍｍ／ｍｉｎの速度でかき取った。パターンの形成は、ＳＵＳ基板の中央に６５０×１０５０ｍｍの範囲に、幾何学図形のみを形成した。また、もう一方の面には、上記レジストインクを全体に塗布した。乾燥炉を用いて１２０℃で５分乾燥させ、ＳＵＳ板の一方の面上に、ＳＵＳ基板の中央に６５０×１０５０ｍｍの範囲で、ライン幅４０μｍ、ラインピッチ２２５μｍ、バイアス角度４５°のレジストマスクを形成し、他方の面全体にレジスト膜を形成した（図７（ｂ）に対応する）。
次いで、８００ｍｍ幅のロータリー式エッチングマシン（株式会社石井表記製）に、塩化第二鉄水溶液（４７°Ｂｅ‘、ラサ工業株式会社製）１．５ｔを加えた。エッチング液の液温は５０℃で、３ｋｇ／ｃｍ２のスプレー厚で、１８０秒間ＳＵＳ板をエッチングした。
エッチング後の実際の凸部上面の幅は１８〜２３μｍであり、凸部上面の間隔（ピッチ）は、２２５±２μｍ、凸部の高さは１２〜１７μｍであった。なお、パターンが形成された面の反対面は、全面にレジスト膜が形成されているため、エッチングされなかった（図７（ｃ）に対応する）。さらに、パターンの外周から４辺それぞれで、５０ｍｍの範囲で全面がエッチングされていた。次いで、めっき用導電性基材を、液温３０℃で５％水酸化ナトリウム水溶液に浸漬すると、凸部パターンが形成された面及びその反対面に形成されたレジスト膜が除去された（図７（ｄ）に対応する）。
【０１１２】
（絶縁膜を有する導電性基材の作製）
次いで、上記の導電性基材の凸部パターンがある面と反対の面に保護用の粘着フィルム（ヒタレックスＫ−３９４０Ｂ、日立化成工業（株）製）を貼り合わせて、カチオン電着塗料（パワーニックス１１０Ｆ、日本ペイント株式会社製）を、株式会社秀榮産業で電着塗装した結果、ＳＵＳのパターン形成面に５〜７μｍの厚さで絶縁層が形成された。水洗後１８０℃３０分の条件で電着塗膜を焼付けて絶縁層を形成した。このようにして、凸部パターン面全面に絶縁膜が施された導電性基材を得た（図８（ｅ）に対応する）。
【０１１３】
（酸素プラズマによるドライエッチング）
全面に絶縁層が形成されているめっき用導電性基材において、凸部パターンが形成された面に、シリコン系のレジストＤＬＲ−５０１（ＮＴＴアドバンテステクノロジ（株）製）をダイコータ（タツモ株式会社製）で膜厚が１〜３μｍとなるように塗布した。次いで、９０℃に加熱したホットプレート上で、９０秒間加熱乾燥した。絶縁層のＴＯＰ部におけるシリコン系レジストの厚みは１μｍであった（図８（ｆ）に対応する）。さらに、＃４０００の研磨紙で、全面を手作業で軽く研磨し、凸部の上面にある絶縁層の上にあるシリコンレジスト層を除去した（図８（ｇ）に対応する）。
次いで、プラズマＣＶＤ装置（ＨＴＣ１５００、Ｈａｕｚｅｒ Ｔｅｃｈｎｏ Ｃｏａｔｉｎｇ ＢＶ製）を用いて、凸部の上面にある絶縁層を酸素プラズマを用いてドライエッチングした（図９（ｈ）に対応する）。
ガス組成は、酸素１６ｓｃｃｍ、アルゴン２ｓｃｃｍの混合ガスを用い、ガス圧は４Ｐａとした。さらに、ＲＦの出力３００Ｗで１０分間ドライエッチングした。次いで、５０℃に加温したジプロピレングリコールモノメチルエーテル：モノイソプロパノールアミン＝７５：２５の溶液に上記めっき用導電性基材を３分間浸漬し、絶縁皮膜上に形成されているシリコン系レジストを剥離した。
以上により、凸部先端部分のステンレスが露出し、その露出幅は、２９．９〜３５．０μｍ、絶縁高さ８．５〜１４．１μｍであった。絶縁層は、凸部の上端から高さ方向で０．５〜１．５μｍまで除去されていた。すなわち、凸部の露出している部分の高さは、０．５〜１．５μｍであった。また、エッチング後のめっき用導電性基材の凸部の上面の幅２９〜３２μｍは変わらなかった。
以上のようにして、保護用の粘着フィルムが付着している、転写用のめっき用導電性基材を得た（図９（ｉ）に対応する）。
このめっき用導電性基材の凸部の露出部分は、先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として凸部の下部よりも上部で幅が小さくなっていることを断面の電子顕微鏡写真で確かめた。また、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより高い位置（第２の位置）までの高さの差に対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差（減少幅）との関係は、図６で示すところでは、高さｈ１０に対する幅ｄ１０の関係、は、すなわち、ｄ１０／ｈ１０は、０．８７０〜１．０００（４５〜４９°に相当）であった。
【０１１４】
（銅めっき）
実施例６と同様にして上記めっき用導電性基材上にめっきにより、その凸部の露出部に表面が黒化処理された銅めっき（導体パターン）を形成し、水洗し、乾燥した。
（転写）
次いで、実施例６と同様にして、黒化処理された銅めっきを粘着フィルムに転写して、大判の銅めっきが転写された粘着フィルムを作製した。このようにして、ライン幅３４〜３８μｍ、ラインピッチ２２５±２μｍ、導体厚２．５〜３．５μｍの格子状金属パターンが接着フィルム上に転写され、導体層パターン付き基材を得た。
このようにして形成された導体層パターン付き導電性基材は、めっき用導電性基材のつなぎ目では、めっきが析出しないため、パターンの外形寸法は、７００×１０００ｍｍであった。
得られた銅めっきが転写された粘着フィルム裁断して外形寸法６５０×９９０ｍｍの導体層パターン付き基材を得た。
また、以上の操作を繰り返し行い、得られた銅めっきが転写された粘着フィルム裁断寸法を変えることにより、外形寸法６４０×９５０ｍｍの導体層パターン付き基材を得た。
（保護膜の形成）
得られた導体層パターン付き基材において、それぞれのパターンの導体層パターンが形成されている面に、実施例４と同様にして保護膜を形成し、外形寸法６５０×９９０ｍｍで、内部に６００×９００ｍｍの保護膜が形成された導体層パターン付き基材と外形寸法６４０×９５０ｍｍで、内部に６００×９００ｍｍの保護膜が形成された導体層パターン付き基材を得た。
【０１１５】
（繰り返し使用）
上記のめっき転写用導電性基材を用いて、銅めっき−転写の工程を上記と同様にして５００回繰り返した結果、銅めっきの転写性に変化が無く、絶縁膜の剥離箇所も観測されなかった。
【図面の簡単な説明】
【０１１６】
【図１】凸部に対する凹部の幾何学図形が形成されている導電性基材の一例を示す斜視図。
【図２】図１のＡ−Ａ断面図の一部。
【図３】図１のＡ−Ａ断面図の一部であって図２とは別の例。
【図４】凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の断面図。
【図５】凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材において、その表面に絶縁層を形成した状態の導電性基材の他の例を示す断面図。
【図６】本発明における導電性基材の凸部のパターン及び凸部側面の絶縁層の構造の一例を示す断面図。
【図７】凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材の作製方法の一例を示す断面図。
【図８】凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材に絶縁層を形成する工程（前半）の一例を示す断面図。
【図９】凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材に絶縁層を形成する工程（後半）の一例を示す断面図。
【図１０】凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有する導電性基材に絶縁層を形成する工程の他の例を示す断面図。
【図１１】作製しためっき転写用版を用いた導体層パターン付き基材の作製方法の一例を示す断面図。
【図１２】導体層パターンが黒化処理された金属パターンからなる導体層パターン付基材の断面図。
【図１３】導体層パターンが黒化処理された金属パターンからなる導体層パターン付基材の断面図。
【図１４】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１５】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１６】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１７】導体層パターン付基材が他の基材に貼着された電磁波遮蔽部材の一例を示す断面図。
【図１８】回転体を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【図１９】フープ状のめっき用導電性基材を用いて導体層パターン付き基材を連続的に作製するための装置の概念断面図。
【符号の説明】
【０１１７】
１：めっき用導電性基材
２：凹部
３：凸部
４：凸部の上面
４′：凸部の露出部分
５：凸部の側面
６：絶縁層
７：レジストフィルム
８：絶縁膜
９：粘着フィルム
１０：マスク層
１１：金属
１２：粘着フィルム
１３：別の基材
１４：粘着層
１５：導体層パターン付き基材
１６、１７：黒色層
１８：金属
１９：他の基材
２０：保護樹脂
２１：接着剤
２２：他の基材
２３：接着剤又は粘着剤
２４：保護フィルム
１００：電解浴
１０１：電解液
１０２：陽極
１０３：回転体
１０４：配管
１０５：ポンプ
１０６：金属
１０７：フィルム
１０８：圧着ロール
１０９：導体層パターン付き基材
１１０：フープ状の導電性基材
１１１〜１２８：搬送ロール
１２９：前処理槽
１３０：めっき槽（電解浴槽）
１３１：水洗槽
１３２：黒化処理槽
１３３：水洗槽
１３４：防錆処理槽
１３５：水洗槽
１３６：プラスチックフィルム基材（接着フィルム）
１３７：圧着ロール
１３８：導電層パターン付き基材
【特許請求の範囲】
【請求項１】
凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部の上端から０．５〜５μｍ低い位置よりも低い位置の凹部表面に絶縁層が形成されており、凸部の導電性基材の露出部分の幅が１μｍ〜４０μｍであって、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、１０μｍ以上であるめっき用導電性基材。
【請求項２】
絶縁層の厚さが凸部側面におけるその端付近では１０μｍ以下である請求項１記載のめっき用導電性基材。
【請求項３】
凸部の間隔が１００μｍ〜１０００μｍである請求項１又は２のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
【請求項４】
絶縁層が炭素を主成分とする材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
【請求項５】
絶縁層がダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）から成ることを特徴とする請求項４記載のめっき用導電性基材。
【請求項６】
導電性基材と絶縁層の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物あるいは炭化物の層を介在させてなる請求項５記載のめっき用導電性基材。
【請求項７】
回転体（ロール）又は回転体（ロール）に巻き付けられるものである請求項１〜６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項８】
フープ状である請求項１〜６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項９】
凸部の導電性基材の露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなっている請求項１〜８記載のめっき用導電性基材。
【請求項１０】
凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）までの高さの差ｈ１０対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、角度で３０°〜８０°に相当する請求項９記載のめっき用導電性基材。
【請求項１１】
凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）までの高さの差ｈ１０対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、
【数１】
を満足する請求項９記載のめっき用導電性基材。
【請求項１２】
凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超える導電性基材の表面に絶縁層形成後の凸部の高さが少なくとも１０μｍであるように絶縁層を形成する工程、形成された絶縁層の上にマスク層を形成する工程、めっき用導電性基材の凸部の上端付近の絶縁層上に形成されたマスク層を除去する工程、露出した絶縁層をドライエッチングにより除去することにより凸部上端から０．５〜３μｍ低い位置までの導電性基材の凸部を露出させる工程を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１３】
凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超える導電性基材の表面に中間層及びその表面にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる絶縁層を形成し、絶縁層形成後の凸部の高さが少なくとも１０μｍであるように絶縁層を形成する工程、ＤＬＣの層上にマスク層を形成する工程、導電性基材の凸部の上端付近の絶縁層上に形成されたマスク層を除去する工程、露出した絶縁層をドライエッチングにより除去し、さらにその下の中間層を除去することにより凸部先端から０．５〜３μｍ低い位置までの導電性基材の凸部を露出させる工程を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１４】
中間層をドライエッチングあるいは機械研磨により除去する請求項１３に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１５】
凸部の先端付近に形成されたマスク層の除去が、機械的な研磨により行われることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１６】
ドライエッチングが、少なくとも酸素プラズマを用いたエッチングを含む請求項１２〜１５のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１７】
凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超える導電性基材が、導電性基材の表面に所定のパターンでレジストマスクを形成する工程及びその後導電性基材にエッチングを施す工程を行うことにより作製されたものである請求項１２〜１６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１８】
導電性基材表面に、凸部の露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなるように導電性基材をエッチングする請求項１７記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１９】
凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）までの高さの差ｈ１０対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、角度で３０°〜８０°に相当する請求項１８記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項２０】
凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）までの高さの差ｈ１０対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、
【数２】
を満足する請求項１８記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項２１】
請求項１〜１１のいずれかに記載のめっき用導電性基材上に電気めっきまたは無電解めっきにより金属を析出させる工程及び上記導電性基材の凸部の上面に析出させた金属を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２２】
別の基材が、接着性を有する請求項２１記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２３】
別の基材が表面に接着剤層を有する請求項２２に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２４】
凸部の導電性基材の露出部分に析出させた金属を別の基材に転写する工程の前に、導電性基材の凸部の導電性基材の露出部分に析出された金属パターンを黒化処理する工程を含む請求項２１〜２３のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２５】
請求項２１〜２４のいずれかに記載の製造方法を行った後、別の基材に転写された金属パターンを黒化処理する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２６】
請求項２１〜２５のいずれかに記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。
【請求項２７】
請求項２６に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材。
【請求項２８】
請求項２６に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
【請求項１】
凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部の上端から０．５〜５μｍ低い位置よりも低い位置の凹部表面に絶縁層が形成されており、凸部の導電性基材の露出部分の幅が１μｍ〜４０μｍであって、凹部に絶縁層を施した後の凸部の高さが、１０μｍ以上であるめっき用導電性基材。
【請求項２】
絶縁層の厚さが凸部側面におけるその端付近では１０μｍ以下である請求項１記載のめっき用導電性基材。
【請求項３】
凸部の間隔が１００μｍ〜１０００μｍである請求項１又は２のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
【請求項４】
絶縁層が炭素を主成分とする材料であることを特徴とする請求項１〜３のいずれかに記載のめっき用導電性基材。
【請求項５】
絶縁層がダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）から成ることを特徴とする請求項４記載のめっき用導電性基材。
【請求項６】
導電性基材と絶縁層の間に、Ｔｉ、Ｃｒ、Ｗ、Ｓｉもしくはそれらの窒化物あるいは炭化物の層を介在させてなる請求項５記載のめっき用導電性基材。
【請求項７】
回転体（ロール）又は回転体（ロール）に巻き付けられるものである請求項１〜６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項８】
フープ状である請求項１〜６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項９】
凸部の導電性基材の露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなっている請求項１〜８記載のめっき用導電性基材。
【請求項１０】
凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）までの高さの差ｈ１０対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、角度で３０°〜８０°に相当する請求項９記載のめっき用導電性基材。
【請求項１１】
凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）までの高さの差ｈ１０対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、
【数１】
を満足する請求項９記載のめっき用導電性基材。
【請求項１２】
凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超える導電性基材の表面に絶縁層形成後の凸部の高さが少なくとも１０μｍであるように絶縁層を形成する工程、形成された絶縁層の上にマスク層を形成する工程、めっき用導電性基材の凸部の上端付近の絶縁層上に形成されたマスク層を除去する工程、露出した絶縁層をドライエッチングにより除去することにより凸部上端から０．５〜３μｍ低い位置までの導電性基材の凸部を露出させる工程を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１３】
凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超える導電性基材の表面に中間層及びその表面にダイヤモンドライクカーボン（ＤＬＣ）からなる絶縁層を形成し、絶縁層形成後の凸部の高さが少なくとも１０μｍであるように絶縁層を形成する工程、ＤＬＣの層上にマスク層を形成する工程、導電性基材の凸部の上端付近の絶縁層上に形成されたマスク層を除去する工程、露出した絶縁層をドライエッチングにより除去し、さらにその下の中間層を除去することにより凸部先端から０．５〜３μｍ低い位置までの導電性基材の凸部を露出させる工程を含むことを特徴とするめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１４】
中間層をドライエッチングあるいは機械研磨により除去する請求項１３に記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１５】
凸部の先端付近に形成されたマスク層の除去が、機械的な研磨により行われることを特徴とする請求項１２〜１４のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１６】
ドライエッチングが、少なくとも酸素プラズマを用いたエッチングを含む請求項１２〜１５のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１７】
凸部のパターン及びそれによって描かれる幾何学図形状の凹部を有し、凸部先端から０．５〜５μｍ低い位置での凸部の幅が１〜４０μｍであり、凸部の高さが１０μｍを超える導電性基材が、導電性基材の表面に所定のパターンでレジストマスクを形成する工程及びその後導電性基材にエッチングを施す工程を行うことにより作製されたものである請求項１２〜１６のいずれかに記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１８】
導電性基材表面に、凸部の露出部分が先端方向に進むにつれて幅が広がっておらず、全体として下部よりも上部で幅が小さくなるように導電性基材をエッチングする請求項１７記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項１９】
凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）までの高さの差ｈ１０対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、角度で３０°〜８０°に相当する請求項１８記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項２０】
凸部の導電性基材の露出部分において、凸部の側面の絶縁層の端（第１の位置）とそれより凸部の露出幅の１０％に相当する分だけ幅方向に内側における凸部表面の位置（第２の位置）までの高さの差ｈ１０対する第１の位置と第２の位置での幅方向の差ｄ１０との関係ｄ１０／ｈ１０が、
【数２】
を満足する請求項１８記載のめっき用導電性基材の製造法。
【請求項２１】
請求項１〜１１のいずれかに記載のめっき用導電性基材上に電気めっきまたは無電解めっきにより金属を析出させる工程及び上記導電性基材の凸部の上面に析出させた金属を別の基材に転写する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２２】
別の基材が、接着性を有する請求項２１記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２３】
別の基材が表面に接着剤層を有する請求項２２に記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２４】
凸部の導電性基材の露出部分に析出させた金属を別の基材に転写する工程の前に、導電性基材の凸部の導電性基材の露出部分に析出された金属パターンを黒化処理する工程を含む請求項２１〜２３のいずれかに記載の導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２５】
請求項２１〜２４のいずれかに記載の製造方法を行った後、別の基材に転写された金属パターンを黒化処理する工程を含むことを特徴とする導体層パターン付き基材の製造方法。
【請求項２６】
請求項２１〜２５のいずれかに記載の方法により製造された導体層パターン付き基材。
【請求項２７】
請求項２６に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを有する面を透明基板に貼りあわせてなる透光性電磁波遮蔽部材。
【請求項２８】
請求項２６に記載の導体層パターン付き基材の導体層パターンを樹脂で被覆してなる透光性電磁波遮蔽部材。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【公開番号】特開２００８−１９５２（Ｐ２００８−１９５２Ａ）
【公開日】平成２０年１月１０日（２００８．１．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００６−１７３７２１（Ｐ２００６−１７３７２１）
【出願日】平成１８年６月２３日（２００６．６．２３）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年１月１０日（２００８．１．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成１８年６月２３日（２００６．６．２３）
【出願人】（０００００４４５５）日立化成工業株式会社 (4,649)
【Ｆターム（参考）】
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