めっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法
【課題】めっき時間が短く効率的にめっき処理を行うことができ、めっき対象物の品質を向上させることが可能なめっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法を提供すること。
【解決手段】めっき液を貯留する凹状容器２０ａの内周壁面２３ａの少なくとも一部を構成する第１カソード電極２３ｂと、第１カソード電極２３ｂとは絶縁され、凹状容器２０ａの底面２２ａの少なくとも一部を構成する第２カソード電極２２ｂと、凹状容器２０ａに貯留されるめっき液３０に浸されるアノード電極４０と、凹状容器２０ａを、底面２２ａに略垂直な中心軸２０Ｔの回りに回転させる回転手段２１ａと、を有するめっき装置である。
【解決手段】めっき液を貯留する凹状容器２０ａの内周壁面２３ａの少なくとも一部を構成する第１カソード電極２３ｂと、第１カソード電極２３ｂとは絶縁され、凹状容器２０ａの底面２２ａの少なくとも一部を構成する第２カソード電極２２ｂと、凹状容器２０ａに貯留されるめっき液３０に浸されるアノード電極４０と、凹状容器２０ａを、底面２２ａに略垂直な中心軸２０Ｔの回りに回転させる回転手段２１ａと、を有するめっき装置である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型の部品に均一なめっき層を形成するために、めっき対象物（部品）をめっき装置に投入した後で、回転接触リングを回転させ、部品を遠心力により回転接触リングに接触させた状態で、回転接触リングを通電することで、めっき処理を行う技術が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
この方法では、回転接触リングの回転と、停止または減速を繰り返すことで、部品のめっき処理が行われる。部品を十分にめっき処理するためには、特許文献１に記載のめっき方法では、回転接触リングの回転と、停止または減速を繰り返す必要がある。
【０００４】
しかしながら、めっき時間が長すぎると、回転接触リングの回転中に受ける衝撃などにより、部品が欠けるおそれがある。また、長時間めっきを行うことで、部品にゴミが付着する確率が高まり、部品の品質が低下するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３１２６８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、めっき時間が短く効率的にめっき処理を行うことができ、めっき対象物の品質を向上させることが可能なめっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係るめっき装置は、
めっき液を貯留する凹状容器の内周壁面の少なくとも一部を構成する第１カソード電極と、
前記第１カソード電極とは絶縁され、前記凹状容器の底面の少なくとも一部を構成する第２カソード電極と、
前記凹状容器に貯留される前記めっき液に浸されるアノード電極と、
前記凹状容器を、前記底面に略垂直な中心軸の回りに回転させる回転手段と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係るめっき方法は、複数のめっき対象物を、凹状容器の内部に収容する工程と、
前記凹状容器の内部にめっき液を入れた状態で、前記凹状容器を第１回転速度で回転させ、前記めっき対象物を、前記凹状容器の底面で内側壁面近くに移動させる底面移動工程と、
前記凹状容器を前記第１回転速度よりも高速な第２回転速度で回転させ、前記めっき対象物を前記内側壁面に沿って上方に移動させる壁面移動工程と、
前記凹状容器を前記第２回転速度で回転させると共に、前記内側壁面の少なくとも一部に形成してある第１カソード電極を通電し、前記第１カソード電極に直接または間接的に接触してある前記めっき対象物の表面をめっき処理する第１めっき工程と、
前記凹状容器の回転を停止させ、前記めっき対象物を底面にばらけさせる底面戻し工程と、
前記底面の少なくとも一部に形成してある第２カソード電極に前記めっき対象物が直接または間接的に接触している状態で、前記第２カソード電極を通電して前記めっき対象物の表面をめっきする第２めっき工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明に係るチップ型電子部品の製造方法は、素子本体を製造する工程と、
前記素子本体に下地電極層を形成する工程と、
前記下地電極層の表面にめっき膜を形成する工程とを有するチップ型電子部品の製造方法であって、
前記めっき膜を形成する工程が、
前記下地電極層が形成された複数の素子本体を、凹状容器の内部に収容する工程と、
前記凹状容器の内部にめっき液を入れた状態で、前記凹状容器を第１回転速度で回転させ、前記素子本体を、前記凹状容器の底面で内側壁面近くに移動させる底面移動工程と、
前記凹状容器を前記第１回転速度よりも高速な第２回転速度で回転させ、前記素子本体を前記内側壁面に沿って上方に移動させる壁面移動工程と、
前記凹状容器を前記第２回転速度で回転させると共に、前記内側壁面の少なくとも一部に形成してある第１カソード電極を通電し、前記第１カソード電極に直接または間接的に接触してある前記下地電極層の表面をめっき処理する第１めっき工程と、
前記凹状容器の回転を停止させ、前記素子本体を底面にばらけさせる底面戻し工程と、
前記底面の少なくとも一部に形成してある第２カソード電極に前記素子本体の下地電極層が直接または間接的に接触している状態で、前記第２カソード電極を通電して前記下地電極層の表面をめっきする第２めっき工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明に係るめっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法では、凹状容器の回転を制御することで、遠心力により、めっき対象物（たとえばチップ型電子部品、以下同様）が、直接または間接的に第１カソード電極に接触する。めっき対象物が間接的に第１カソード電極に接触するとは、たとえば他のめっき対象物あるいは導電性メディアを介して間接的に第１カソード電極に電気的に接続されるという意味である。
【００１１】
本発明では、めっき対象物が直接または間接的に第１カソード電極に接触するタイミングで、第１カソード電極を通電するように制御が行われ、アノード電極から溶出した溶出物を、めっき対象物の表面に析出させることができる。さらに、凹状容器の回転を制御することで、めっき対象物が、自重により、直接または間接的に第２カソード電極に接触する。
【００１２】
本発明では、めっき対象物が直接または間接的に第２カソード電極に接触するタイミングで、第２カソード電極を通電するように制御が行われ、アノード電極から溶出した溶出物を、めっき対象物の表面に析出させることができる。
【００１３】
このように、凹状容器の回転を制御すると共に、第１カソード電極だけでなく、第２カソード電極に対しても効果的なタイミングで電圧が印加される。このように、１回あたりのめっきサイクルにおいて、めっき対象物の表面のめっき処理時間を比較的に長く確保することが可能となる。
【００１４】
本発明では、上述したサイクルを繰り返して行うように制御する。したがって、めっき工程をトータルで見た場合に、めっき時間を短くすることが可能となり、効率的にめっき処理を行うことができる。トータルの処理時間が短く済むので、めっき対象物が欠けたり、ごみが付着する確率も低減され、めっき後のめっき対象物の品質を向上させることが可能となる。特に、チップバリスタなどの電子部品では、素子本体の表面が長時間めっき液に曝されて特性に悪影響を与えることを避ける必要があり、めっき処理時間を短縮することで、電子部品の信頼性を向上させることができる。
【００１５】
好ましくは、本発明に係るめっき装置は、前記回転手段による前記凹状容器の回転状態に合わせて、前記第１カソード電極に通電するタイミングと、前記第２カソード電極に通電するタイミングとを、切り替え制御する制御手段をさらに有する。切り替え制御することで、効率的にめっき対象物の表面をめっき処理することができる。
【００１６】
好ましくは、前記第１カソード電極を通電する時のめっき電圧が、前記第２カソード電極を通電する時のめっき電圧に比較して大きい。めっき対象物が第１カソード電極に接触する場合には、凹状容器の回転による遠心力により、めっき対象物が第１カソード電極に強く押し付けられているために、めっき電圧が高くてもスパークなどが生じにくく、めっき電圧を高く設定することでめっき効率が向上する。
【００１７】
好ましくは、前記内周壁面は、前記底面に対して、９０度よりも大きく１８０度よりも小さな傾斜角度で傾斜している。このような傾斜を有することで、凹状容器の回転に伴い、めっき対象物が容易に内周壁面を這い上がり、内周壁面に沿って分散する。したがって、第１カソード電極を通電する時に、より効果的にめっき対象物の表面をめっき処理することができる。
【００１８】
好ましくは、前記底面移動工程に際しても、前記第２カソード電極を通電させ、前記めっき対象物の表面をめっき処理する。凹状容器の形状と回転制御・電圧印加制御を効果的に組み合わせることにより、凹状容器の形状を最大限に生かしてめっき対象物の表面をめっき処理することが可能となる。その結果、トータルで見た場合の処理時間をより短縮することができ、めっき対象物が欠けたり、ごみが付着する確率も低減され、めっき後のめっき対象物の品質を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るめっき装置の断面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係るめっき方法により処理されるチップ型電子部品の断面図である。
【図３】図３は、図１に示すめっき装置における凹状容器の回転制御パターンを示す説明図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明の一実施形態に係るめっき方法の工程を示す断面図である。
【図５】図５は、図４（Ａ）に示すＶ部の詳細を示す要部拡大図である。
【図６】図６は、図４（Ｃ）に示すVI部の詳細を示す要部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
めっき対象物としての積層チップバリスタ
【００２１】
まず、本発明の一実施形態に係る図１に示すめっき装置２０を用いてめっき処理されるチップ型電子部品としての図２に示す積層チップバリスタ２について説明する。図２に示すように、積層チップバリスタ２は、内部電極層４，６と抵抗体層８とが積層された構成の素子本体１０を有する。この素子本体１０の両端部１１，１３には、素子本体１０の内部に配置された内部電極層４，６と各々導通する一対の外部端子電極１２，１４が形成してある。
【００２２】
内部電極層４，６は、各端面が素子本体１０の対向する両端部１１，１３の表面に露出するように積層してある。一対の外部端子電極１２，１４は、素子本体１０の両端部に形成され、内部電極層４，６の露出端面にそれぞれ接続されて、バリスタ回路を構成している。
【００２３】
抵抗体層８は、バリスタ特性を有する材料であれば特に限定されないが、たとえば酸化亜鉛系バリスタ材料層で構成される。この酸化亜鉛系バリスタ材料層は、例えばＺｎＯを主成分とし、副成分として希土類元素、Ｃｏ、ＩＩＩｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ）等を含む材料で構成される。または、ＺｎＯを主成分とし、副成分としてＢｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ａｌ等を含む材料で構成されていても良い。
【００２４】
抵抗体層８としては、酸化亜鉛系バリスタ材料層以外に、コンデンサ材料層、インダクタ材料層、ＮＴＣサーミスタ材料層などで構成されてもよい。
【００２５】
内部電極層４，６は、導電材を含んで構成される。内部電極層４，６に含まれる導電材としては、特に限定されないが、ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金からなることが好ましい。内部電極層４，６の厚さは、用途に応じて適宜決定すればよいが、通常０．５〜５μｍ程度である。
【００２６】
外部端子電極１２，１４も導電材を含んで構成される。外部端子電極１２，１４に含まれる導電材としては、特に限定されないが、通常、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金などを用いる。本実施形態では、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金などのペースト電極膜から成る下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面に、電気メッキ等により、Ｎｉ及びＳｎ膜などで構成されるめっき膜１２ｃ，１４ｃが形成してある。下地電極層１２ｐ，１４ｐの厚みは、用途に応じて適宜決定すればよいが、通常５〜５０μｍ程度である。また、めっき膜１２ｃ，１４ｃの厚みは、用途に応じて適宜決定すればよいが、通常３〜１０μｍ程度である。
【００２７】
素子本体１０の形状は、特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて決定され、特に、１００５形状（縦１．０ｍｍ×横０．５ｍｍ×厚み０．５ｍｍ）サイズ以下、たとえば、小さく軽く電極間距離が短い０６０３形状（縦０．６ｍｍ×横０．３ｍｍ×厚み０．３ｍｍ）サイズ以下である場合に本実施形態の方法の効果が大きい。
【００２８】
素子本体１０において、内部電極層４，６および抵抗体層８の積層方向の両外側端部には、外側抵抗体層１８が配置してあり、素子本体１０の内部を保護している。外側抵抗体層１８の材質は、抵抗体層８の材質と同じであっても異なっていても良いが、通常、抵抗体層８の材質とほぼ同じであり、半導体材料で構成されている。
【００２９】
一対の下地電極層１２ｐ，１４ｐの外側にめっき膜１２ｃ，１４ｃを形成する際には、そのめっき処理時に、半導体である外側抵抗体層１８の外表面（素子本体１０の表面１０α）には、めっき膜が形成されてショート不良となりやすい。そのため、その表面１０αには、ガラスコートなどの保護膜１６が形成してあることが好ましいが、必ずしも保護膜１６は形成されていなくとも良い。保護膜１６を形成する場合には、保護膜１６の厚さは、好ましくは０．０５〜０．２μｍ程度に薄い。保護膜１６が厚すぎると、保護膜１６を形成した後に、下地電極層１２ｐ，１４ｐを形成する際に、内部電極層４および６と下地電極層１２ｐ，１４ｐとのコンタクトが困難になる傾向にある。
【００３０】
下地電極層１２ｐ，１４ｐは、電極ペーストの焼付け処理により形成されている。下地電極層１２ｐ，１４ｐは、素子本体１０の端面に位置する端面部分１２γ，１４γと、端面部分１２γ，１４γに連続して形成され、素子本体１０の端面近傍の四側面にまで延びる側面部分１２β，１４βとを有している。
積層チップバリスタの製造方法
【００３１】
次に、図２に示す積層チップバリスタ２の製造方法について説明する。
まず素子本体１０を製造する。素子本体１０を製造するために、印刷工法またはシート工法等により、内部電極層４，６が互い違いに両端部に露出するように、抵抗体層８（バリスタ層）と内部電極層４，６を交互に積層し、その積層方向の両端に外側抵抗体層１８を積層し、積層体を形成する。
【００３２】
次に、この積層体を切断し、グリーンチップを得る。次に、必要に応じて脱バインダー処理を行い、グリーンチップを焼成し、素子本体１０を得る。次に、必要に応じて、素子本体１０の研磨（たとえば一般的なバレル研磨）を行い、内部電極の端部を素子本体の両端面に露出させる。その後に、素子本体１０の両端部に外部端子電極１２，１４を形成するための電極ペーストを塗布、焼き付けして下地電極層１２ｐ，１４ｐを形成する。
【００３３】
次に、下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面を研磨して、下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面に導電性粒子を露出させ、その下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面にめっき膜１２ｃ，１４ｃを均一に形成しやすくする。その研磨は、一般的なバレル研磨でも良いが、後述するめっき装置と同様な構造の研磨装置による研磨でも良い。すなわち、回転する凹状容器の内側壁面に素子本体を遠心力で押し付けて研磨する方法でも良い。
【００３４】
そのような研磨後に、図２に示す下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面に、めっき膜１２ｃ，１４ｃを、図１に示すめっき装置を用いて電気めっき法により形成する。このようにして図２に示す積層チップバリスタ２が製造される。
【００３５】
なお、図２に示すガラスコートなどの保護膜１６の形成は、めっき処理の前に行うことが好ましく、下地電極層１２ｐ，１４ｐの形成前に行っても良い。保護膜１６は、十分に薄いので、素子本体１０の端面に下地電極層１２ｐ，１４ｐを形成する際に、内部電極層４，６との接続を確保することが可能である。
めっき装置
【００３６】
次に、めっき処理を行うためのめっき装置について説明する。
図１に示すように、めっき装置２０は、回転盤２１と、底板２２と、側面リング２３と、スリット形成部材２４と、カバー２５と、取出し用蓋２６と、供給パイプ２７と、排出受け２８と、排出パイプ２９とを有している。
【００３７】
回転盤２１には、軸部２１ａが下面に形成してあり、その軸部２１ａが不図示のベルトおよびベルト駆動モータからの駆動力を受けることによって、回転軸２０Ｔを中心に時計回りおよび反時計回りの双方に回転可能になっている。回転盤２１には、底板２２が固定され、底板２２の上には、側面リング２３が固定してある。
【００３８】
側面リング２３の上面には、スリット形成部材２４が配置してある。スリット形成部材２４の上面には、カバー２５の固定部２５ａが固定され、カバー２５の上面には、取出し用蓋２６が開閉可能に固定されている。これにより、後述するめっき液３０の飛散を防止している。
【００３９】
本実施形態では、スリット形成部材２４と、側面リング２３と、底板２２と、回転盤２１とを、カバー２５に対して着脱自在に固定してあり、回転盤２１と共に回転可能になっている。取出し用蓋２６は、カバー２５に着脱自在に装着され、カバー２５と共に回転可能に構成してある。供給パイプ２７は、取り出し用蓋２６には固定されず、回転盤２１とは共に回転しないようになっていることが好ましい。なお、本実施形態では、回転盤２１と共に、回転する部分は、少なくとも側面リング２３であればよく、スリット形成部材２４、カバー２５、取り出し用蓋２６および供給パイプ２７は、必ずしも回転しなくとも良い。
【００４０】
側面リング２３は、底板２２と共に、凹状容器２０ａを構成する部材であり、内周に沿って内側壁面２３ａが形成してある。内側壁面２３ａは、底板２２の上面、すなわち凹状容器２０ａの底面２２ａに対して、所定角度θで傾斜してある。所定角度θは、９０度よりも大きく１８０度よりも小さな傾斜角度、さらに好ましくは１００度〜１２０度である。なお、内側壁面２３ａは、必ずしも直線状の傾斜面である必要はなく、凸状あるいは凹状の曲面状の傾斜面でも良い。ただし、好ましくは、内側壁面２３ａは、直線状の傾斜面である。
【００４１】
側面リング２３の軸方向の高さは、特に限定されないが、好ましくは５〜３５ｍｍである。側面リング２３とスリット形成部材２４との間、あるいはスリット形成部材２４とカバー２５の固定部２５ａとの間には、凹状容器２０ａの内部と外部とを連通させるスリット２４ａが形成してある。凹状容器２０ａの内部には、供給パイプ２７からめっき液３０が供給され、余分なめっき液３０は、スリット２４ａから容器の外部に排出され、排出受け２８および排出パイプ２９を通して外部に排出され、必要に応じて濾過後に供給パイプ２７に戻される。
【００４２】
凹状収容部２０ａに貯留してあるめっき液３０中には、アノード電極４０が浸されるようになっている。アノード電極４０は、凹状容器２０ａと共に回転可能に保持してあっても良いが、凹状容器２０ａには固定せずに、上から吊り下げ保持してあることが好ましく、凹状容器２０ａと共には回転しないようになっている。アノード電極４０には、たとえばＮｉ球など、めっき液３０中に溶け出し、めっき膜として析出する材料が保持してある。
【００４３】
本実施形態では、側面リング２３において、少なくとも内側壁面２３ａは、導電性金属などの導電材料で構成してあり、その導電材料で構成してある内側壁面２３ａが第１カソード電極２３ｂを構成している。第１カソード電極２３ｂは、制御手段５０に接続してあり、制御手段５０により制御された第１めっき電圧が第１カソード電極２３ｂに印加されるようになっている。
【００４４】
底板２２においては、凹状容器２０ａの底面２２ａが少なくとも導電性金属などの導電材料で構成してあり、第２カソード電極２２ｂを構成してある。第２カソード電極２２ｂは、制御手段５０に接続してあり、制御手段５０により制御された第２めっき電圧が第２カソード電極２２ｂに印加されるようになっている。第２めっき電圧は、第１めっき電圧に比較して低く、その差は、好ましくは１〜３Ｖである。
【００４５】
第１カソード電極２３ｂと第２カソード電極２２ｂとは絶縁されている。本実施形態では、底板２２において、側面リング２３との接続部分を絶縁部材で構成することにより、第１カソード電極２３ｂと第２カソード電極２２ｂとを絶縁しているが、それ以外の方法で絶縁しても良い。
【００４６】
制御手段５０は、回転盤２１を回転させるためのモータなどの回転手段に接続してあり、モータを制御することで、凹状容器２０ａの回転を制御している。制御手段５０は、凹状容器２０ａの回転状態に合わせて、第１カソード電極２３ｂに通電するタイミングと、第２カソード電極２２ｂに通電するタイミングとを、切り替え制御している。本実施形態では、制御手段５０は、コンピュータなどで構成され、第１カソード電極２３ｂ、第２カソード電極２２ｂ、アノード電極４０へのめっき電圧印加手段を含んでいると共に、回転盤２１の回転駆動手段の制御手段も兼ねている。
めっき方法
【００４７】
本実施形態では、図１に示すめっき装置２０の回転盤２１を、図３に示すように回転制御する。まず、図２に示す下地電極層１２ｐ，１４ｐが形成された素子本体１０を、図４（Ａ）に示すように、凹状容器２０ａの内部に多数投入する。投入される素子本体１０の個数は、特に限定されず、例えば１０００個〜２００００００個投入される。これらの素子本体１０は、めっき液３０が貯留されている凹状容器２０ａの内部で、底面２２ａの中央部に集まり、素子本体群１０ａを形成している。
【００４８】
凹状容器２０ａを一定方向にゆっくりと回転させながら、徐々に回転速度を上げていく（図３に示す第１工程Ｔ０１／第１可変速度領域）と、素子本体群１０ａが、凹状容器２０ａの底面２２ａに沿って外周方向にゆっくり移動する。その後に、図３に示す第２工程Ｔ０２では、凹状容器２０ａが一定の回転速度（第１定速度領域）で回転し、素子本体群１０ａは、図４（Ｂ）に示すように、凹状容器２０ａの底面２２ａにおいて、内側壁面２３近くに移動する（底面移動工程）。
【００４９】
本実施形態では、この第１工程Ｔ０１および／または第２工程Ｔ０２において、図１に示す制御手段５０を用いて、第１カソード電極２３ｂには第１めっき電圧を印加させずに、第２カソード電極２２ｂとアノード電極４０との間に第２めっき電圧を印加する。第２カソード電極２２ｂの表面には、図５に示すように、下地電極層１２ｐ，１４ｐが形成してある素子本体１０が整列して配置される。なお、実際には、必ずしも整然と整列するわけではないと共に、折り重なって雑然として配置されるが、ミクロ的に見れば、整列して配置される部分もあるので、ここでは、図５に示すように配列されたとして説明する。
【００５０】
図５に示すように、素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐが第２カソード電極２２ｂに接触して通電され、下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面にめっき液中の金属成分が析出してめっき処理がなされる。図５では、素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐが第２カソード電極２２ｂに直接に接触して通電されるが、実際には、その上に、下地電極層１２ｐ，１４ｐが形成してある多数の素子本体１０が折り重なる。折り重なっている他の素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐは、その下で接触している他の素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐを介して第２カソード電極２２ｂに間接的に接触して通電されてめっき処理がなされる。
【００５１】
なお、めっき対象物としての素子本体１０以外に、図示しないが、導電性メディアを素子本体１０と共に、めっき液中に入れても良い。その場合には、導電性メディアを介して、折り重なっている他の素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐは、第２カソード電極２２ｂに間接的に接触して通電されてめっき処理がなされる。
【００５２】
次に、図３に示す第３工程Ｔ０３において、第１工程Ｔ０１および第２工程Ｔ０２よりも速い回転速度で凹状容器２０ａを回転させる。第３工程Ｔ０３の間に、回転速度が急激に上昇する（第２可変速度領域）。この時、図４（Ｃ）に示すように、遠心力により、素子本体群１０ａは、内側壁面２３ａに沿って上方に移動する（壁面移動工程）。その後に、図３に示すように、第４工程Ｔ０４において、最もめっき効率の良い回転速度（第２定速度領域）が維持される。
【００５３】
第３工程Ｔ０３では、第１カソード電極２３ｂおよび第２カソード電極２２ｂへの通電は停止している。第４工程Ｔ０４では、図１に示す制御手段５０が、第１カソード電極２３とアノード電極４０との間に、第１めっき電圧を印加する。第２カソード電極２２ｂには通電しない。
【００５４】
本実施形態では、素子本体群１０ａが内側壁面２３ａを登り上がる際に、遠心力により、図３（Ｃ）および図６に示すように、内側壁面２３ａに沿って素子本体１０が層状にばらけて押し付けられる。その状態では、遠心力により、内側壁面２３ａに対して素子本体１０が縦置きされる確率よりも横置きされる確率が高く、確実に、下地電極層１２ｐ，１４ｐが第１カソード電極２３ｂに強く接触してめっき処理がなされる。
【００５５】
このめっき処理に際しては、素子本体１０相互が衝突する確率も比較的に少なくなる。したがって、下地電極層１２ｐ，１４ｐよりも窪んだ位置に存在する素子本体１０の表面１０α（図参照）には、メディアや他の素子本体１０あるいは内側壁面２３ａが衝突するおそれが少なく、素子本体１０の表面１０αに対するダメージも少ない。
【００５６】
なお、図６では、素子本体１０が一列に配列してあるが、必ずしも一列である必要はなく、数列に折り重なっても良い。いずれにしても、遠心力が作用するために、内側壁面２３ａに対して素子本体１０が縦置きされる確率よりも横置きされる確率が高い。そのため、折り重なっている他の素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐは、その下で接触している他の素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐを介して第２カソード電極２２ｂに間接的に接触して通電され、確実にめっき処理がなされる。
【００５７】
なお、めっき対象物としての素子本体１０以外に、導電性メディアがめっき液中に入っている場合には、導電性メディアを介して、素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐは、第２カソード電極２２ｂに間接的に接触して通電されてめっき処理がなされる。
【００５８】
その後に、図４に示す第５工程Ｔ０５では、凹状容器２０ａの回転速度を急激に低下させる。第５工程Ｔ０５では、第１カソード電極２３ｂおよび第２カソード電極２２ｂのいずれにもめっき電圧を印加しない。次に、第６工程Ｔ０６において、凹状容器２０ａの回転速度をゼロにする状態を維持する。凹状容器２０ａの回転を停止させても、凹状容器２０ａの内部に存在する液体は、慣性力により回転し続ける。そのため、内側壁面２３ａに沿って押し付けられていた素子本体１０は、その液体の回転流により、内側壁面２３ａから離れ、渦を巻きながら、ゆっくりと、内側容器２３ａの底面２２ａの略中央に攪拌されながら落下する（底面戻し工程）。その状態を図３（Ａ）に示す。
【００５９】
第６工程Ｔ０６においては、第１工程Ｔ０１および／または第２工程Ｔ０２と同様に、第２カソード電極２２ｂとアノード電極４０との間に第２めっき電圧を印加しても良い。
【００６０】
その後に、図３に示すように、第１工程Ｔ０１〜第６工程Ｔ０６とは回転方向が異なる以外は同様な第１工程Ｔ１１〜第６工程Ｔ１６を行い、その後に、第１工程Ｔ０１〜第６工程Ｔ０６と、第１工程Ｔ１１〜第６工程Ｔ１６とを交互に繰り返し行う。このようなサイクルを繰り返し行うことで、多数の素子本体１０にそれぞれ形成してある下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面が均一にめっき処理され、めっき不良になる不良品の発生率を抑制することができる。その結果、図２に示すように、めっき膜１２ｃ，１４ｃが形成された積層チップバリスタ２が得られる。
【００６１】
本実施形態のめっき装置、めっき方法、およびそれを利用したチップ型電子部品の製造方法では、凹状容器の回転を制御することで、遠心力により、めっき対象物としての素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐが、直接または間接的に第１カソード電極２３ｂに接触する。
【００６２】
本実施形態では、素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐが、直接または間接的に第１カソード電極２３ｂに接触するタイミング（図３に示す工程Ｔ０４およびＴ１４）で、第１カソード電極２３ｂを通電するように制御が行われる。そのため、アノード電極４０から溶出した溶出物を、下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面に析出させてめっき処理することができる。
【００６３】
さらに、図３に示す工程Ｔ０１（Ｔ１１），Ｔ０２（Ｔ１２），Ｔ０６（Ｔ１６）のように、凹状容器２０ａの回転を制御することで、素子本体１０が、直接または間接的に第２カソード電極２２ｂに接触する状態を作り出すことができる。その状態で、制御手段５０は、第２カソード電極２２ｂを通電し、アノード電極から溶出した溶出物を、めっき対象物の表面に析出させて、めっき処理することができる。
【００６４】
このように、本実施形態では、凹状容器２０ａの回転を制御すると共に、第１カソード電極２３ａだけでなく、第２カソード電極２２ａに対しても効果的なタイミングで電圧が印加される。このように、１回あたりのめっきサイクルにおいて、めっき処理時間を比較的に長く確保することが可能となる。
【００６５】
しかも本実施形態では、上述したサイクルを繰り返して行うように制御する。したがって、めっき工程をトータルで見た場合に、めっき時間を短くすることが可能となり、効率的にめっき処理を行うことができる。トータルの処理時間が短く済むので、素子本体１０が欠けたり、ごみが付着する確率も低減され、めっき後の部品の品質を向上させることが可能となる。特に、チップバリスタ２などの電子部品では、素子本体１０の表面が長時間めっき液に曝されて特性に悪影響を与えることを避ける必要があり、めっき処理時間を短縮することで、バリスタ２の信頼性を向上させることができる。
【００６６】
また本実施形態では、素子本体１０が第１カソード電極２３ｂに接触する場合には、凹状容器２０ａの回転による遠心力により、素子本体１０が第１カソード電極２３ｂに強く押し付けられているために、めっき電圧が高くてもスパークなどが生じにくく、めっき電圧を高く設定することでめっき効率が向上する。
【００６７】
しかも本実施形態では、凹状容器２０ａの内周壁面２３ａが、回転軸２０Ｔに沿って上側に向けてテーパ状に広がる方向に傾斜しているため、凹状容器２０ａの回転に伴い、素子本体１０が容易に内周壁面２３ａを這い上がり、内周壁面２３ａに沿って分散する。したがって、内周壁面２３ａに形成してある第１カソード電極２３ｂを通電する時に、より効果的に下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面をめっき処理することができる。
【００６８】
また本実施形態では、メディアを用いないでもめっき処理が可能なので、メディアによる衝撃で発生するチップ部品やメディアの破片（カス）の付着がめっき不均一や外観不良の原因となることもない。また、メディアを用いないことから、めっき後に、メディアと素子本体１０とを分離する必要もない。
【００６９】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。たとえば、上述した実施形態では、積層チップバリスタを例に説明を行ったが、これに限定されず、本発明のめっき装置およびめっき方法が適用されるチップ型電子部品としては、積層コンデンサ、チップバリスタ、チップインダクタ、チップＮＴＣサーミスタなどであってもよい。また、本発明のめっき装置およびめっき方法が適用されるめっき対象物は、チップ型電子部品に限らず、たとえば粉体（５〜１００μｍ）、コネクタ、リードスイッチ、釘、ボルト、ナット、ワッシャなどのような小物（小形部品）が例示される。
【００７０】
また、上述した実施形態では、側面リング２３の内側壁面２３ａの全面を第１カソード電極２３ｂとして構成したが、本発明では、それに限らず、内側壁面２３ａの少なくとも一部を第１カソード電極２３ｂとして構成してもよい。また、上述した実施形態では、凹状容器２０ａの底面２２ａのほぼ全面を、第２カソード電極２２ｂとして構成したが、本発明では、それに限らず、その少なくとも一部を第２カソード電極２２ｂとして構成してもよい。
【符号の説明】
【００７１】
２…積層チップバリスタ
６，８…内部電極
１０…素子本体
１２，１４…外部端子電極
１２ｐ，１４ｐ…下地電極層
１２ｃ，１４ｃ…めっき膜
１２β，１４β…側面部分
１２γ，１４γ…端面部分
１６…保護膜
２０…めっき装置
２０ａ…凹状容器
２２…底板
２２ａ…底面
２２ｂ…第２カソード電極
２３…側面リング
２３ａ…内側壁面
２３ｂ…第１カソード電極
３０…めっき液
４０…アノード電極
５０…制御手段
【技術分野】
【０００１】
本発明は、めっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
小型の部品に均一なめっき層を形成するために、めっき対象物（部品）をめっき装置に投入した後で、回転接触リングを回転させ、部品を遠心力により回転接触リングに接触させた状態で、回転接触リングを通電することで、めっき処理を行う技術が知られている（特許文献１参照）。
【０００３】
この方法では、回転接触リングの回転と、停止または減速を繰り返すことで、部品のめっき処理が行われる。部品を十分にめっき処理するためには、特許文献１に記載のめっき方法では、回転接触リングの回転と、停止または減速を繰り返す必要がある。
【０００４】
しかしながら、めっき時間が長すぎると、回転接触リングの回転中に受ける衝撃などにより、部品が欠けるおそれがある。また、長時間めっきを行うことで、部品にゴミが付着する確率が高まり、部品の品質が低下するおそれがある。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特許第３１２６８６７号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、このような実状に鑑みてなされ、その目的は、めっき時間が短く効率的にめっき処理を行うことができ、めっき対象物の品質を向上させることが可能なめっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記目的を達成するために、本発明に係るめっき装置は、
めっき液を貯留する凹状容器の内周壁面の少なくとも一部を構成する第１カソード電極と、
前記第１カソード電極とは絶縁され、前記凹状容器の底面の少なくとも一部を構成する第２カソード電極と、
前記凹状容器に貯留される前記めっき液に浸されるアノード電極と、
前記凹状容器を、前記底面に略垂直な中心軸の回りに回転させる回転手段と、を有することを特徴とする。
【０００８】
本発明に係るめっき方法は、複数のめっき対象物を、凹状容器の内部に収容する工程と、
前記凹状容器の内部にめっき液を入れた状態で、前記凹状容器を第１回転速度で回転させ、前記めっき対象物を、前記凹状容器の底面で内側壁面近くに移動させる底面移動工程と、
前記凹状容器を前記第１回転速度よりも高速な第２回転速度で回転させ、前記めっき対象物を前記内側壁面に沿って上方に移動させる壁面移動工程と、
前記凹状容器を前記第２回転速度で回転させると共に、前記内側壁面の少なくとも一部に形成してある第１カソード電極を通電し、前記第１カソード電極に直接または間接的に接触してある前記めっき対象物の表面をめっき処理する第１めっき工程と、
前記凹状容器の回転を停止させ、前記めっき対象物を底面にばらけさせる底面戻し工程と、
前記底面の少なくとも一部に形成してある第２カソード電極に前記めっき対象物が直接または間接的に接触している状態で、前記第２カソード電極を通電して前記めっき対象物の表面をめっきする第２めっき工程と、を有することを特徴とする。
【０００９】
本発明に係るチップ型電子部品の製造方法は、素子本体を製造する工程と、
前記素子本体に下地電極層を形成する工程と、
前記下地電極層の表面にめっき膜を形成する工程とを有するチップ型電子部品の製造方法であって、
前記めっき膜を形成する工程が、
前記下地電極層が形成された複数の素子本体を、凹状容器の内部に収容する工程と、
前記凹状容器の内部にめっき液を入れた状態で、前記凹状容器を第１回転速度で回転させ、前記素子本体を、前記凹状容器の底面で内側壁面近くに移動させる底面移動工程と、
前記凹状容器を前記第１回転速度よりも高速な第２回転速度で回転させ、前記素子本体を前記内側壁面に沿って上方に移動させる壁面移動工程と、
前記凹状容器を前記第２回転速度で回転させると共に、前記内側壁面の少なくとも一部に形成してある第１カソード電極を通電し、前記第１カソード電極に直接または間接的に接触してある前記下地電極層の表面をめっき処理する第１めっき工程と、
前記凹状容器の回転を停止させ、前記素子本体を底面にばらけさせる底面戻し工程と、
前記底面の少なくとも一部に形成してある第２カソード電極に前記素子本体の下地電極層が直接または間接的に接触している状態で、前記第２カソード電極を通電して前記下地電極層の表面をめっきする第２めっき工程と、を有することを特徴とする。
【００１０】
本発明に係るめっき装置、めっき方法およびチップ型電子部品の製造方法では、凹状容器の回転を制御することで、遠心力により、めっき対象物（たとえばチップ型電子部品、以下同様）が、直接または間接的に第１カソード電極に接触する。めっき対象物が間接的に第１カソード電極に接触するとは、たとえば他のめっき対象物あるいは導電性メディアを介して間接的に第１カソード電極に電気的に接続されるという意味である。
【００１１】
本発明では、めっき対象物が直接または間接的に第１カソード電極に接触するタイミングで、第１カソード電極を通電するように制御が行われ、アノード電極から溶出した溶出物を、めっき対象物の表面に析出させることができる。さらに、凹状容器の回転を制御することで、めっき対象物が、自重により、直接または間接的に第２カソード電極に接触する。
【００１２】
本発明では、めっき対象物が直接または間接的に第２カソード電極に接触するタイミングで、第２カソード電極を通電するように制御が行われ、アノード電極から溶出した溶出物を、めっき対象物の表面に析出させることができる。
【００１３】
このように、凹状容器の回転を制御すると共に、第１カソード電極だけでなく、第２カソード電極に対しても効果的なタイミングで電圧が印加される。このように、１回あたりのめっきサイクルにおいて、めっき対象物の表面のめっき処理時間を比較的に長く確保することが可能となる。
【００１４】
本発明では、上述したサイクルを繰り返して行うように制御する。したがって、めっき工程をトータルで見た場合に、めっき時間を短くすることが可能となり、効率的にめっき処理を行うことができる。トータルの処理時間が短く済むので、めっき対象物が欠けたり、ごみが付着する確率も低減され、めっき後のめっき対象物の品質を向上させることが可能となる。特に、チップバリスタなどの電子部品では、素子本体の表面が長時間めっき液に曝されて特性に悪影響を与えることを避ける必要があり、めっき処理時間を短縮することで、電子部品の信頼性を向上させることができる。
【００１５】
好ましくは、本発明に係るめっき装置は、前記回転手段による前記凹状容器の回転状態に合わせて、前記第１カソード電極に通電するタイミングと、前記第２カソード電極に通電するタイミングとを、切り替え制御する制御手段をさらに有する。切り替え制御することで、効率的にめっき対象物の表面をめっき処理することができる。
【００１６】
好ましくは、前記第１カソード電極を通電する時のめっき電圧が、前記第２カソード電極を通電する時のめっき電圧に比較して大きい。めっき対象物が第１カソード電極に接触する場合には、凹状容器の回転による遠心力により、めっき対象物が第１カソード電極に強く押し付けられているために、めっき電圧が高くてもスパークなどが生じにくく、めっき電圧を高く設定することでめっき効率が向上する。
【００１７】
好ましくは、前記内周壁面は、前記底面に対して、９０度よりも大きく１８０度よりも小さな傾斜角度で傾斜している。このような傾斜を有することで、凹状容器の回転に伴い、めっき対象物が容易に内周壁面を這い上がり、内周壁面に沿って分散する。したがって、第１カソード電極を通電する時に、より効果的にめっき対象物の表面をめっき処理することができる。
【００１８】
好ましくは、前記底面移動工程に際しても、前記第２カソード電極を通電させ、前記めっき対象物の表面をめっき処理する。凹状容器の形状と回転制御・電圧印加制御を効果的に組み合わせることにより、凹状容器の形状を最大限に生かしてめっき対象物の表面をめっき処理することが可能となる。その結果、トータルで見た場合の処理時間をより短縮することができ、めっき対象物が欠けたり、ごみが付着する確率も低減され、めっき後のめっき対象物の品質を向上させることが可能となる。
【図面の簡単な説明】
【００１９】
【図１】図１は、本発明の一実施形態に係るめっき装置の断面図である。
【図２】図２は、本発明の一実施形態に係るめっき方法により処理されるチップ型電子部品の断面図である。
【図３】図３は、図１に示すめっき装置における凹状容器の回転制御パターンを示す説明図である。
【図４】図４（Ａ）〜図４（Ｃ）は、本発明の一実施形態に係るめっき方法の工程を示す断面図である。
【図５】図５は、図４（Ａ）に示すＶ部の詳細を示す要部拡大図である。
【図６】図６は、図４（Ｃ）に示すVI部の詳細を示す要部拡大図である。
【発明を実施するための形態】
【００２０】
以下、本発明を、図面に示す実施形態に基づき説明する。
めっき対象物としての積層チップバリスタ
【００２１】
まず、本発明の一実施形態に係る図１に示すめっき装置２０を用いてめっき処理されるチップ型電子部品としての図２に示す積層チップバリスタ２について説明する。図２に示すように、積層チップバリスタ２は、内部電極層４，６と抵抗体層８とが積層された構成の素子本体１０を有する。この素子本体１０の両端部１１，１３には、素子本体１０の内部に配置された内部電極層４，６と各々導通する一対の外部端子電極１２，１４が形成してある。
【００２２】
内部電極層４，６は、各端面が素子本体１０の対向する両端部１１，１３の表面に露出するように積層してある。一対の外部端子電極１２，１４は、素子本体１０の両端部に形成され、内部電極層４，６の露出端面にそれぞれ接続されて、バリスタ回路を構成している。
【００２３】
抵抗体層８は、バリスタ特性を有する材料であれば特に限定されないが、たとえば酸化亜鉛系バリスタ材料層で構成される。この酸化亜鉛系バリスタ材料層は、例えばＺｎＯを主成分とし、副成分として希土類元素、Ｃｏ、ＩＩＩｂ族元素（Ｂ、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎ）、Ｓｉ、Ｃｒ、アルカリ金属元素（Ｋ、Ｒｂ及びＣｓ）及びアルカリ土類金属元素（Ｍｇ、Ｃａ、Ｓｒ及びＢａ）等を含む材料で構成される。または、ＺｎＯを主成分とし、副成分としてＢｉ、Ｃｏ、Ｍｎ、Ｓｂ、Ａｌ等を含む材料で構成されていても良い。
【００２４】
抵抗体層８としては、酸化亜鉛系バリスタ材料層以外に、コンデンサ材料層、インダクタ材料層、ＮＴＣサーミスタ材料層などで構成されてもよい。
【００２５】
内部電極層４，６は、導電材を含んで構成される。内部電極層４，６に含まれる導電材としては、特に限定されないが、ＰｄまたはＡｇ−Ｐｄ合金からなることが好ましい。内部電極層４，６の厚さは、用途に応じて適宜決定すればよいが、通常０．５〜５μｍ程度である。
【００２６】
外部端子電極１２，１４も導電材を含んで構成される。外部端子電極１２，１４に含まれる導電材としては、特に限定されないが、通常、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金などを用いる。本実施形態では、ＡｇやＡｇ−Ｐｄ合金などのペースト電極膜から成る下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面に、電気メッキ等により、Ｎｉ及びＳｎ膜などで構成されるめっき膜１２ｃ，１４ｃが形成してある。下地電極層１２ｐ，１４ｐの厚みは、用途に応じて適宜決定すればよいが、通常５〜５０μｍ程度である。また、めっき膜１２ｃ，１４ｃの厚みは、用途に応じて適宜決定すればよいが、通常３〜１０μｍ程度である。
【００２７】
素子本体１０の形状は、特に制限はないが、通常、直方体状とされる。また、その寸法にも特に制限はなく、用途に応じて決定され、特に、１００５形状（縦１．０ｍｍ×横０．５ｍｍ×厚み０．５ｍｍ）サイズ以下、たとえば、小さく軽く電極間距離が短い０６０３形状（縦０．６ｍｍ×横０．３ｍｍ×厚み０．３ｍｍ）サイズ以下である場合に本実施形態の方法の効果が大きい。
【００２８】
素子本体１０において、内部電極層４，６および抵抗体層８の積層方向の両外側端部には、外側抵抗体層１８が配置してあり、素子本体１０の内部を保護している。外側抵抗体層１８の材質は、抵抗体層８の材質と同じであっても異なっていても良いが、通常、抵抗体層８の材質とほぼ同じであり、半導体材料で構成されている。
【００２９】
一対の下地電極層１２ｐ，１４ｐの外側にめっき膜１２ｃ，１４ｃを形成する際には、そのめっき処理時に、半導体である外側抵抗体層１８の外表面（素子本体１０の表面１０α）には、めっき膜が形成されてショート不良となりやすい。そのため、その表面１０αには、ガラスコートなどの保護膜１６が形成してあることが好ましいが、必ずしも保護膜１６は形成されていなくとも良い。保護膜１６を形成する場合には、保護膜１６の厚さは、好ましくは０．０５〜０．２μｍ程度に薄い。保護膜１６が厚すぎると、保護膜１６を形成した後に、下地電極層１２ｐ，１４ｐを形成する際に、内部電極層４および６と下地電極層１２ｐ，１４ｐとのコンタクトが困難になる傾向にある。
【００３０】
下地電極層１２ｐ，１４ｐは、電極ペーストの焼付け処理により形成されている。下地電極層１２ｐ，１４ｐは、素子本体１０の端面に位置する端面部分１２γ，１４γと、端面部分１２γ，１４γに連続して形成され、素子本体１０の端面近傍の四側面にまで延びる側面部分１２β，１４βとを有している。
積層チップバリスタの製造方法
【００３１】
次に、図２に示す積層チップバリスタ２の製造方法について説明する。
まず素子本体１０を製造する。素子本体１０を製造するために、印刷工法またはシート工法等により、内部電極層４，６が互い違いに両端部に露出するように、抵抗体層８（バリスタ層）と内部電極層４，６を交互に積層し、その積層方向の両端に外側抵抗体層１８を積層し、積層体を形成する。
【００３２】
次に、この積層体を切断し、グリーンチップを得る。次に、必要に応じて脱バインダー処理を行い、グリーンチップを焼成し、素子本体１０を得る。次に、必要に応じて、素子本体１０の研磨（たとえば一般的なバレル研磨）を行い、内部電極の端部を素子本体の両端面に露出させる。その後に、素子本体１０の両端部に外部端子電極１２，１４を形成するための電極ペーストを塗布、焼き付けして下地電極層１２ｐ，１４ｐを形成する。
【００３３】
次に、下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面を研磨して、下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面に導電性粒子を露出させ、その下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面にめっき膜１２ｃ，１４ｃを均一に形成しやすくする。その研磨は、一般的なバレル研磨でも良いが、後述するめっき装置と同様な構造の研磨装置による研磨でも良い。すなわち、回転する凹状容器の内側壁面に素子本体を遠心力で押し付けて研磨する方法でも良い。
【００３４】
そのような研磨後に、図２に示す下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面に、めっき膜１２ｃ，１４ｃを、図１に示すめっき装置を用いて電気めっき法により形成する。このようにして図２に示す積層チップバリスタ２が製造される。
【００３５】
なお、図２に示すガラスコートなどの保護膜１６の形成は、めっき処理の前に行うことが好ましく、下地電極層１２ｐ，１４ｐの形成前に行っても良い。保護膜１６は、十分に薄いので、素子本体１０の端面に下地電極層１２ｐ，１４ｐを形成する際に、内部電極層４，６との接続を確保することが可能である。
めっき装置
【００３６】
次に、めっき処理を行うためのめっき装置について説明する。
図１に示すように、めっき装置２０は、回転盤２１と、底板２２と、側面リング２３と、スリット形成部材２４と、カバー２５と、取出し用蓋２６と、供給パイプ２７と、排出受け２８と、排出パイプ２９とを有している。
【００３７】
回転盤２１には、軸部２１ａが下面に形成してあり、その軸部２１ａが不図示のベルトおよびベルト駆動モータからの駆動力を受けることによって、回転軸２０Ｔを中心に時計回りおよび反時計回りの双方に回転可能になっている。回転盤２１には、底板２２が固定され、底板２２の上には、側面リング２３が固定してある。
【００３８】
側面リング２３の上面には、スリット形成部材２４が配置してある。スリット形成部材２４の上面には、カバー２５の固定部２５ａが固定され、カバー２５の上面には、取出し用蓋２６が開閉可能に固定されている。これにより、後述するめっき液３０の飛散を防止している。
【００３９】
本実施形態では、スリット形成部材２４と、側面リング２３と、底板２２と、回転盤２１とを、カバー２５に対して着脱自在に固定してあり、回転盤２１と共に回転可能になっている。取出し用蓋２６は、カバー２５に着脱自在に装着され、カバー２５と共に回転可能に構成してある。供給パイプ２７は、取り出し用蓋２６には固定されず、回転盤２１とは共に回転しないようになっていることが好ましい。なお、本実施形態では、回転盤２１と共に、回転する部分は、少なくとも側面リング２３であればよく、スリット形成部材２４、カバー２５、取り出し用蓋２６および供給パイプ２７は、必ずしも回転しなくとも良い。
【００４０】
側面リング２３は、底板２２と共に、凹状容器２０ａを構成する部材であり、内周に沿って内側壁面２３ａが形成してある。内側壁面２３ａは、底板２２の上面、すなわち凹状容器２０ａの底面２２ａに対して、所定角度θで傾斜してある。所定角度θは、９０度よりも大きく１８０度よりも小さな傾斜角度、さらに好ましくは１００度〜１２０度である。なお、内側壁面２３ａは、必ずしも直線状の傾斜面である必要はなく、凸状あるいは凹状の曲面状の傾斜面でも良い。ただし、好ましくは、内側壁面２３ａは、直線状の傾斜面である。
【００４１】
側面リング２３の軸方向の高さは、特に限定されないが、好ましくは５〜３５ｍｍである。側面リング２３とスリット形成部材２４との間、あるいはスリット形成部材２４とカバー２５の固定部２５ａとの間には、凹状容器２０ａの内部と外部とを連通させるスリット２４ａが形成してある。凹状容器２０ａの内部には、供給パイプ２７からめっき液３０が供給され、余分なめっき液３０は、スリット２４ａから容器の外部に排出され、排出受け２８および排出パイプ２９を通して外部に排出され、必要に応じて濾過後に供給パイプ２７に戻される。
【００４２】
凹状収容部２０ａに貯留してあるめっき液３０中には、アノード電極４０が浸されるようになっている。アノード電極４０は、凹状容器２０ａと共に回転可能に保持してあっても良いが、凹状容器２０ａには固定せずに、上から吊り下げ保持してあることが好ましく、凹状容器２０ａと共には回転しないようになっている。アノード電極４０には、たとえばＮｉ球など、めっき液３０中に溶け出し、めっき膜として析出する材料が保持してある。
【００４３】
本実施形態では、側面リング２３において、少なくとも内側壁面２３ａは、導電性金属などの導電材料で構成してあり、その導電材料で構成してある内側壁面２３ａが第１カソード電極２３ｂを構成している。第１カソード電極２３ｂは、制御手段５０に接続してあり、制御手段５０により制御された第１めっき電圧が第１カソード電極２３ｂに印加されるようになっている。
【００４４】
底板２２においては、凹状容器２０ａの底面２２ａが少なくとも導電性金属などの導電材料で構成してあり、第２カソード電極２２ｂを構成してある。第２カソード電極２２ｂは、制御手段５０に接続してあり、制御手段５０により制御された第２めっき電圧が第２カソード電極２２ｂに印加されるようになっている。第２めっき電圧は、第１めっき電圧に比較して低く、その差は、好ましくは１〜３Ｖである。
【００４５】
第１カソード電極２３ｂと第２カソード電極２２ｂとは絶縁されている。本実施形態では、底板２２において、側面リング２３との接続部分を絶縁部材で構成することにより、第１カソード電極２３ｂと第２カソード電極２２ｂとを絶縁しているが、それ以外の方法で絶縁しても良い。
【００４６】
制御手段５０は、回転盤２１を回転させるためのモータなどの回転手段に接続してあり、モータを制御することで、凹状容器２０ａの回転を制御している。制御手段５０は、凹状容器２０ａの回転状態に合わせて、第１カソード電極２３ｂに通電するタイミングと、第２カソード電極２２ｂに通電するタイミングとを、切り替え制御している。本実施形態では、制御手段５０は、コンピュータなどで構成され、第１カソード電極２３ｂ、第２カソード電極２２ｂ、アノード電極４０へのめっき電圧印加手段を含んでいると共に、回転盤２１の回転駆動手段の制御手段も兼ねている。
めっき方法
【００４７】
本実施形態では、図１に示すめっき装置２０の回転盤２１を、図３に示すように回転制御する。まず、図２に示す下地電極層１２ｐ，１４ｐが形成された素子本体１０を、図４（Ａ）に示すように、凹状容器２０ａの内部に多数投入する。投入される素子本体１０の個数は、特に限定されず、例えば１０００個〜２００００００個投入される。これらの素子本体１０は、めっき液３０が貯留されている凹状容器２０ａの内部で、底面２２ａの中央部に集まり、素子本体群１０ａを形成している。
【００４８】
凹状容器２０ａを一定方向にゆっくりと回転させながら、徐々に回転速度を上げていく（図３に示す第１工程Ｔ０１／第１可変速度領域）と、素子本体群１０ａが、凹状容器２０ａの底面２２ａに沿って外周方向にゆっくり移動する。その後に、図３に示す第２工程Ｔ０２では、凹状容器２０ａが一定の回転速度（第１定速度領域）で回転し、素子本体群１０ａは、図４（Ｂ）に示すように、凹状容器２０ａの底面２２ａにおいて、内側壁面２３近くに移動する（底面移動工程）。
【００４９】
本実施形態では、この第１工程Ｔ０１および／または第２工程Ｔ０２において、図１に示す制御手段５０を用いて、第１カソード電極２３ｂには第１めっき電圧を印加させずに、第２カソード電極２２ｂとアノード電極４０との間に第２めっき電圧を印加する。第２カソード電極２２ｂの表面には、図５に示すように、下地電極層１２ｐ，１４ｐが形成してある素子本体１０が整列して配置される。なお、実際には、必ずしも整然と整列するわけではないと共に、折り重なって雑然として配置されるが、ミクロ的に見れば、整列して配置される部分もあるので、ここでは、図５に示すように配列されたとして説明する。
【００５０】
図５に示すように、素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐが第２カソード電極２２ｂに接触して通電され、下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面にめっき液中の金属成分が析出してめっき処理がなされる。図５では、素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐが第２カソード電極２２ｂに直接に接触して通電されるが、実際には、その上に、下地電極層１２ｐ，１４ｐが形成してある多数の素子本体１０が折り重なる。折り重なっている他の素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐは、その下で接触している他の素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐを介して第２カソード電極２２ｂに間接的に接触して通電されてめっき処理がなされる。
【００５１】
なお、めっき対象物としての素子本体１０以外に、図示しないが、導電性メディアを素子本体１０と共に、めっき液中に入れても良い。その場合には、導電性メディアを介して、折り重なっている他の素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐは、第２カソード電極２２ｂに間接的に接触して通電されてめっき処理がなされる。
【００５２】
次に、図３に示す第３工程Ｔ０３において、第１工程Ｔ０１および第２工程Ｔ０２よりも速い回転速度で凹状容器２０ａを回転させる。第３工程Ｔ０３の間に、回転速度が急激に上昇する（第２可変速度領域）。この時、図４（Ｃ）に示すように、遠心力により、素子本体群１０ａは、内側壁面２３ａに沿って上方に移動する（壁面移動工程）。その後に、図３に示すように、第４工程Ｔ０４において、最もめっき効率の良い回転速度（第２定速度領域）が維持される。
【００５３】
第３工程Ｔ０３では、第１カソード電極２３ｂおよび第２カソード電極２２ｂへの通電は停止している。第４工程Ｔ０４では、図１に示す制御手段５０が、第１カソード電極２３とアノード電極４０との間に、第１めっき電圧を印加する。第２カソード電極２２ｂには通電しない。
【００５４】
本実施形態では、素子本体群１０ａが内側壁面２３ａを登り上がる際に、遠心力により、図３（Ｃ）および図６に示すように、内側壁面２３ａに沿って素子本体１０が層状にばらけて押し付けられる。その状態では、遠心力により、内側壁面２３ａに対して素子本体１０が縦置きされる確率よりも横置きされる確率が高く、確実に、下地電極層１２ｐ，１４ｐが第１カソード電極２３ｂに強く接触してめっき処理がなされる。
【００５５】
このめっき処理に際しては、素子本体１０相互が衝突する確率も比較的に少なくなる。したがって、下地電極層１２ｐ，１４ｐよりも窪んだ位置に存在する素子本体１０の表面１０α（図参照）には、メディアや他の素子本体１０あるいは内側壁面２３ａが衝突するおそれが少なく、素子本体１０の表面１０αに対するダメージも少ない。
【００５６】
なお、図６では、素子本体１０が一列に配列してあるが、必ずしも一列である必要はなく、数列に折り重なっても良い。いずれにしても、遠心力が作用するために、内側壁面２３ａに対して素子本体１０が縦置きされる確率よりも横置きされる確率が高い。そのため、折り重なっている他の素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐは、その下で接触している他の素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐを介して第２カソード電極２２ｂに間接的に接触して通電され、確実にめっき処理がなされる。
【００５７】
なお、めっき対象物としての素子本体１０以外に、導電性メディアがめっき液中に入っている場合には、導電性メディアを介して、素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐは、第２カソード電極２２ｂに間接的に接触して通電されてめっき処理がなされる。
【００５８】
その後に、図４に示す第５工程Ｔ０５では、凹状容器２０ａの回転速度を急激に低下させる。第５工程Ｔ０５では、第１カソード電極２３ｂおよび第２カソード電極２２ｂのいずれにもめっき電圧を印加しない。次に、第６工程Ｔ０６において、凹状容器２０ａの回転速度をゼロにする状態を維持する。凹状容器２０ａの回転を停止させても、凹状容器２０ａの内部に存在する液体は、慣性力により回転し続ける。そのため、内側壁面２３ａに沿って押し付けられていた素子本体１０は、その液体の回転流により、内側壁面２３ａから離れ、渦を巻きながら、ゆっくりと、内側容器２３ａの底面２２ａの略中央に攪拌されながら落下する（底面戻し工程）。その状態を図３（Ａ）に示す。
【００５９】
第６工程Ｔ０６においては、第１工程Ｔ０１および／または第２工程Ｔ０２と同様に、第２カソード電極２２ｂとアノード電極４０との間に第２めっき電圧を印加しても良い。
【００６０】
その後に、図３に示すように、第１工程Ｔ０１〜第６工程Ｔ０６とは回転方向が異なる以外は同様な第１工程Ｔ１１〜第６工程Ｔ１６を行い、その後に、第１工程Ｔ０１〜第６工程Ｔ０６と、第１工程Ｔ１１〜第６工程Ｔ１６とを交互に繰り返し行う。このようなサイクルを繰り返し行うことで、多数の素子本体１０にそれぞれ形成してある下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面が均一にめっき処理され、めっき不良になる不良品の発生率を抑制することができる。その結果、図２に示すように、めっき膜１２ｃ，１４ｃが形成された積層チップバリスタ２が得られる。
【００６１】
本実施形態のめっき装置、めっき方法、およびそれを利用したチップ型電子部品の製造方法では、凹状容器の回転を制御することで、遠心力により、めっき対象物としての素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐが、直接または間接的に第１カソード電極２３ｂに接触する。
【００６２】
本実施形態では、素子本体１０の下地電極層１２ｐ，１４ｐが、直接または間接的に第１カソード電極２３ｂに接触するタイミング（図３に示す工程Ｔ０４およびＴ１４）で、第１カソード電極２３ｂを通電するように制御が行われる。そのため、アノード電極４０から溶出した溶出物を、下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面に析出させてめっき処理することができる。
【００６３】
さらに、図３に示す工程Ｔ０１（Ｔ１１），Ｔ０２（Ｔ１２），Ｔ０６（Ｔ１６）のように、凹状容器２０ａの回転を制御することで、素子本体１０が、直接または間接的に第２カソード電極２２ｂに接触する状態を作り出すことができる。その状態で、制御手段５０は、第２カソード電極２２ｂを通電し、アノード電極から溶出した溶出物を、めっき対象物の表面に析出させて、めっき処理することができる。
【００６４】
このように、本実施形態では、凹状容器２０ａの回転を制御すると共に、第１カソード電極２３ａだけでなく、第２カソード電極２２ａに対しても効果的なタイミングで電圧が印加される。このように、１回あたりのめっきサイクルにおいて、めっき処理時間を比較的に長く確保することが可能となる。
【００６５】
しかも本実施形態では、上述したサイクルを繰り返して行うように制御する。したがって、めっき工程をトータルで見た場合に、めっき時間を短くすることが可能となり、効率的にめっき処理を行うことができる。トータルの処理時間が短く済むので、素子本体１０が欠けたり、ごみが付着する確率も低減され、めっき後の部品の品質を向上させることが可能となる。特に、チップバリスタ２などの電子部品では、素子本体１０の表面が長時間めっき液に曝されて特性に悪影響を与えることを避ける必要があり、めっき処理時間を短縮することで、バリスタ２の信頼性を向上させることができる。
【００６６】
また本実施形態では、素子本体１０が第１カソード電極２３ｂに接触する場合には、凹状容器２０ａの回転による遠心力により、素子本体１０が第１カソード電極２３ｂに強く押し付けられているために、めっき電圧が高くてもスパークなどが生じにくく、めっき電圧を高く設定することでめっき効率が向上する。
【００６７】
しかも本実施形態では、凹状容器２０ａの内周壁面２３ａが、回転軸２０Ｔに沿って上側に向けてテーパ状に広がる方向に傾斜しているため、凹状容器２０ａの回転に伴い、素子本体１０が容易に内周壁面２３ａを這い上がり、内周壁面２３ａに沿って分散する。したがって、内周壁面２３ａに形成してある第１カソード電極２３ｂを通電する時に、より効果的に下地電極層１２ｐ，１４ｐの表面をめっき処理することができる。
【００６８】
また本実施形態では、メディアを用いないでもめっき処理が可能なので、メディアによる衝撃で発生するチップ部品やメディアの破片（カス）の付着がめっき不均一や外観不良の原因となることもない。また、メディアを用いないことから、めっき後に、メディアと素子本体１０とを分離する必要もない。
【００６９】
なお、本発明は、上述した実施形態に限定されるものではなく、本発明の範囲内で種々に改変することができる。たとえば、上述した実施形態では、積層チップバリスタを例に説明を行ったが、これに限定されず、本発明のめっき装置およびめっき方法が適用されるチップ型電子部品としては、積層コンデンサ、チップバリスタ、チップインダクタ、チップＮＴＣサーミスタなどであってもよい。また、本発明のめっき装置およびめっき方法が適用されるめっき対象物は、チップ型電子部品に限らず、たとえば粉体（５〜１００μｍ）、コネクタ、リードスイッチ、釘、ボルト、ナット、ワッシャなどのような小物（小形部品）が例示される。
【００７０】
また、上述した実施形態では、側面リング２３の内側壁面２３ａの全面を第１カソード電極２３ｂとして構成したが、本発明では、それに限らず、内側壁面２３ａの少なくとも一部を第１カソード電極２３ｂとして構成してもよい。また、上述した実施形態では、凹状容器２０ａの底面２２ａのほぼ全面を、第２カソード電極２２ｂとして構成したが、本発明では、それに限らず、その少なくとも一部を第２カソード電極２２ｂとして構成してもよい。
【符号の説明】
【００７１】
２…積層チップバリスタ
６，８…内部電極
１０…素子本体
１２，１４…外部端子電極
１２ｐ，１４ｐ…下地電極層
１２ｃ，１４ｃ…めっき膜
１２β，１４β…側面部分
１２γ，１４γ…端面部分
１６…保護膜
２０…めっき装置
２０ａ…凹状容器
２２…底板
２２ａ…底面
２２ｂ…第２カソード電極
２３…側面リング
２３ａ…内側壁面
２３ｂ…第１カソード電極
３０…めっき液
４０…アノード電極
５０…制御手段
【特許請求の範囲】
【請求項１】
めっき液を貯留する凹状容器の内周壁面の少なくとも一部を構成する第１カソード電極と、
前記第１カソード電極とは絶縁され、前記凹状容器の底面の少なくとも一部を構成する第２カソード電極と、
前記凹状容器に貯留される前記めっき液に浸されるアノード電極と、
前記凹状容器を、前記底面に略垂直な中心軸の回りに回転させる回転手段と、を有するめっき装置。
【請求項２】
前記内周壁面は、前記底面に対して、９０度よりも大きく１８０度よりも小さな傾斜角度で傾斜している請求項１に記載のめっき装置。
【請求項３】
前記回転手段による前記凹状容器の回転状態に合わせて、前記第１カソード電極に通電するタイミングと、前記第２カソード電極に通電するタイミングとを、切り替え制御する制御手段をさらに有する請求項１または２に記載のめっき装置。
【請求項４】
前記制御手段では、前記第１カソード電極に印加するめっき電圧を、前記第２カソード電極に印加するめっき電圧よりも高く設定する請求項３に記載のめっき装置。
【請求項５】
複数のめっき対象物を、凹状容器の内部に収容する工程と、
前記凹状容器の内部にめっき液を入れた状態で、前記凹状容器を第１回転速度で回転させ、前記めっき対象物を、前記凹状容器の底面で内側壁面近くに移動させる底面移動工程と、
前記凹状容器を前記第１回転速度よりも高速な第２回転速度で回転させ、前記めっき対象物を前記内側壁面に沿って上方に移動させる壁面移動工程と、
前記凹状容器を前記第２回転速度で回転させると共に、前記内側壁面の少なくとも一部に形成してある第１カソード電極を通電し、前記第１カソード電極に直接または間接的に接触してある前記めっき対象物の表面をめっき処理する第１めっき工程と、
前記凹状容器の回転を停止させ、前記めっき対象物を底面にばらけさせる底面戻し工程と、
前記底面の少なくとも一部に形成してある第２カソード電極に前記めっき対象物の下地電極層が直接または間接的に接触している状態で、前記第２カソード電極を通電して前記めっき対象物の表面をめっきする第２めっき工程と、を有することを特徴とするめっき方法。
【請求項６】
前記底面移動工程に際しても、前記第２カソード電極を通電させ、前記めっき対象物の表面をめっき処理する請求項５に記載のめっき方法。
【請求項７】
前記第１カソード電極を通電する時のめっき電圧が、前記第２カソード電極を通電する時のめっき電圧に比較して大きい請求項５または６に記載のめっき方法。
【請求項８】
素子本体を製造する工程と、
前記素子本体に下地電極層を形成する工程と、
前記下地電極層の表面にめっき膜を形成する工程とを有するチップ型電子部品の製造方法であって、
前記めっき膜を形成する工程が、
前記下地電極層が形成された複数の素子本体を、凹状容器の内部に収容する工程と、
前記凹状容器の内部にめっき液を入れた状態で、前記凹状容器を第１回転速度で回転させ、前記素子本体を、前記凹状容器の底面で内側壁面近くに移動させる底面移動工程と、
前記凹状容器を前記第１回転速度よりも高速な第２回転速度で回転させ、前記素子本体を前記内側壁面に沿って上方に移動させる壁面移動工程と、
前記凹状容器を前記第２回転速度で回転させると共に、前記内側壁面の少なくとも一部に形成してある第１カソード電極を通電し、前記第１カソード電極に直接または間接的に接触してある前記下地電極層の表面をめっき処理する第１めっき工程と、
前記凹状容器の回転を停止させ、前記素子本体を底面にばらけさせる底面戻し工程と、
前記底面の少なくとも一部に形成してある第２カソード電極に前記素子本体の下地電極層が直接または間接的に接触している状態で、前記第２カソード電極を通電して前記下地電極層の表面をめっきする第２めっき工程と、を有することを特徴とするチップ型電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記底面移動工程に際しても、前記第２カソード電極を通電させ、前記下地電極層の表面をめっき処理する請求項８に記載のチップ型電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第１カソード電極を通電する時のめっき電圧が、前記第２カソード電極を通電する時のめっき電圧に比較して大きい請求項８または９に記載のチップ型電子部品の製造方法。
【請求項１】
めっき液を貯留する凹状容器の内周壁面の少なくとも一部を構成する第１カソード電極と、
前記第１カソード電極とは絶縁され、前記凹状容器の底面の少なくとも一部を構成する第２カソード電極と、
前記凹状容器に貯留される前記めっき液に浸されるアノード電極と、
前記凹状容器を、前記底面に略垂直な中心軸の回りに回転させる回転手段と、を有するめっき装置。
【請求項２】
前記内周壁面は、前記底面に対して、９０度よりも大きく１８０度よりも小さな傾斜角度で傾斜している請求項１に記載のめっき装置。
【請求項３】
前記回転手段による前記凹状容器の回転状態に合わせて、前記第１カソード電極に通電するタイミングと、前記第２カソード電極に通電するタイミングとを、切り替え制御する制御手段をさらに有する請求項１または２に記載のめっき装置。
【請求項４】
前記制御手段では、前記第１カソード電極に印加するめっき電圧を、前記第２カソード電極に印加するめっき電圧よりも高く設定する請求項３に記載のめっき装置。
【請求項５】
複数のめっき対象物を、凹状容器の内部に収容する工程と、
前記凹状容器の内部にめっき液を入れた状態で、前記凹状容器を第１回転速度で回転させ、前記めっき対象物を、前記凹状容器の底面で内側壁面近くに移動させる底面移動工程と、
前記凹状容器を前記第１回転速度よりも高速な第２回転速度で回転させ、前記めっき対象物を前記内側壁面に沿って上方に移動させる壁面移動工程と、
前記凹状容器を前記第２回転速度で回転させると共に、前記内側壁面の少なくとも一部に形成してある第１カソード電極を通電し、前記第１カソード電極に直接または間接的に接触してある前記めっき対象物の表面をめっき処理する第１めっき工程と、
前記凹状容器の回転を停止させ、前記めっき対象物を底面にばらけさせる底面戻し工程と、
前記底面の少なくとも一部に形成してある第２カソード電極に前記めっき対象物の下地電極層が直接または間接的に接触している状態で、前記第２カソード電極を通電して前記めっき対象物の表面をめっきする第２めっき工程と、を有することを特徴とするめっき方法。
【請求項６】
前記底面移動工程に際しても、前記第２カソード電極を通電させ、前記めっき対象物の表面をめっき処理する請求項５に記載のめっき方法。
【請求項７】
前記第１カソード電極を通電する時のめっき電圧が、前記第２カソード電極を通電する時のめっき電圧に比較して大きい請求項５または６に記載のめっき方法。
【請求項８】
素子本体を製造する工程と、
前記素子本体に下地電極層を形成する工程と、
前記下地電極層の表面にめっき膜を形成する工程とを有するチップ型電子部品の製造方法であって、
前記めっき膜を形成する工程が、
前記下地電極層が形成された複数の素子本体を、凹状容器の内部に収容する工程と、
前記凹状容器の内部にめっき液を入れた状態で、前記凹状容器を第１回転速度で回転させ、前記素子本体を、前記凹状容器の底面で内側壁面近くに移動させる底面移動工程と、
前記凹状容器を前記第１回転速度よりも高速な第２回転速度で回転させ、前記素子本体を前記内側壁面に沿って上方に移動させる壁面移動工程と、
前記凹状容器を前記第２回転速度で回転させると共に、前記内側壁面の少なくとも一部に形成してある第１カソード電極を通電し、前記第１カソード電極に直接または間接的に接触してある前記下地電極層の表面をめっき処理する第１めっき工程と、
前記凹状容器の回転を停止させ、前記素子本体を底面にばらけさせる底面戻し工程と、
前記底面の少なくとも一部に形成してある第２カソード電極に前記素子本体の下地電極層が直接または間接的に接触している状態で、前記第２カソード電極を通電して前記下地電極層の表面をめっきする第２めっき工程と、を有することを特徴とするチップ型電子部品の製造方法。
【請求項９】
前記底面移動工程に際しても、前記第２カソード電極を通電させ、前記下地電極層の表面をめっき処理する請求項８に記載のチップ型電子部品の製造方法。
【請求項１０】
前記第１カソード電極を通電する時のめっき電圧が、前記第２カソード電極を通電する時のめっき電圧に比較して大きい請求項８または９に記載のチップ型電子部品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１１−１７４１５７（Ｐ２０１１−１７４１５７Ａ）
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−４０７８８（Ｐ２０１０−４０７８８）
【出願日】平成２２年２月２５日（２０１０．２．２５）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
【公開日】平成２３年９月８日（２０１１．９．８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年２月２５日（２０１０．２．２５）
【出願人】（０００００３０６７）ＴＤＫ株式会社 (7,238)
[ Back to top ]