イオンプレーティング装置
【課題】膜材に流れる電流量に応じて成膜レートを正確に制御することができるイオンプレーティング装置を提供すること。
【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３内にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、タブレット２１を収容する貫通孔５ａが形成され、真空チャンバ３内においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、貫通孔５ａにおいて、タブレット２１を真空チャンバ３内に露出するように支持するタブレット支持棒２５と、タブレット２１に流れる電流量を測定する電流計１９とを備え、タブレット支持棒２５は、タブレット２１を支持する支持面が形成された導電性の支持棒本体３１と、支持部本体３１に対するプラズマビームＰの照射を遮断すると共に、支持面に支持されたタブレット２１を保持する絶縁性の保持具３２とを有し、電流計１９を支持部本体３１に電気的に接続して構成した。
【解決手段】真空チャンバ３と、真空チャンバ３内にプラズマビームＰを発生するプラズマガン４と、タブレット２１を収容する貫通孔５ａが形成され、真空チャンバ３内においてプラズマビームＰが照射されるハース５と、貫通孔５ａにおいて、タブレット２１を真空チャンバ３内に露出するように支持するタブレット支持棒２５と、タブレット２１に流れる電流量を測定する電流計１９とを備え、タブレット支持棒２５は、タブレット２１を支持する支持面が形成された導電性の支持棒本体３１と、支持部本体３１に対するプラズマビームＰの照射を遮断すると共に、支持面に支持されたタブレット２１を保持する絶縁性の保持具３２とを有し、電流計１９を支持部本体３１に電気的に接続して構成した。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオンプレーティング装置に関し、特に、プラズマビームを利用したイオンプレーティング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマビームを利用したイオンプレーティング装置として、突き上げ方式のイオンプレーティング装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このイオンプレーティング装置においては、ハースに形成された貫通孔に膜材としてのタブレットが収容され、このタブレットが下方から絶縁性の突き上げ棒により突き上げられることでチャンバ内に連続的に繰り出されている。そして、チャンバ内に発生したプラズマビームがステアリングコイル等によりハースに向かって誘導され、チャンバ内に繰り出されたタブレットの上面を照射することにより、照射により発生した気体がプラズマビームを通過してイオン化し、基板の表面に付着して成膜している。
【特許文献１】特開２００２−３０４２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、このようなイオンプレーティング装置においては、成膜レートがタブレットの昇華量（蒸発量）に依存しているため、タブレットの昇華量（蒸発量）を把握するためにタブレットに流れる電流量を測定することが望まれている。この場合、突き上げ棒を導電性材料で形成し、この突き上げ棒に流れる電流量を測定することにより、タブレットに流れる電流量を測定することも考えられるが、ハースの貫通孔とタブレットとの隙間からも僅かにプラズマビームが入り込むため、タブレットを介さずに直に突き上げ棒に電流が流れ、タブレットのみに流れる電流量を正確に測定することが困難であった。このように、タブレットに流れる電流量を正確に測定できないため、タブレットの昇華量（蒸発量）を正確に把握できず、成膜レートを正確に制御することができないという問題があった。
【０００４】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、膜材に流れる電流量に応じて成膜レートを正確に制御することができるイオンプレーティング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のイオンプレーティング装置は、チャンバと、陰極として機能し、前記チャンバ内にプラズマビームを発生するプラズマビーム発生源と、陽極として機能し、成膜用の膜材を収容する収容孔が形成され、前記チャンバ内においてプラズマビームが照射されるハースと、前記収容孔において、前記膜材を前記チャンバ内に露出するように支持する膜材支持部と、前記膜材に流れる電流量を測定する電流測定部とを備え、前記膜材支持部は、前記膜材を支持する支持面が形成された導電性の支持部本体と、前記支持部本体に対するプラズマビームの照射を遮断すると共に、前記支持面に支持された前記膜材を保持する絶縁性の保持具とを有し、前記電流測定部は、前記支持部本体に電気的に接続されたことを特徴とする。
【０００６】
この構成によれば、絶縁性の保持具により導電性の支持部本体に対するプラズマビームの照射が遮断されるため、膜材を介さずに直に支持部本体に電流を流すことが防止される。したがって、膜材に流れる電流量と支持部本体に流れる電流量とが一致するため、電流測定部により支持部本体に流れる電流量を測定することにより、膜材にのみに流れる電流量を正確に測定することができ、膜材に流れる電流に基づいて正確に成膜レートを制御することができる。
【０００７】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記保持具は、前記膜材を周囲から保持する円筒部を有し、前記円筒部は、前記収容孔と前記膜材との隙間に位置していることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、収容孔と膜材との間に絶縁性の保持具の円筒部が位置しているため、収容孔と膜材との間にプラズマビームが入り込み、導電性の膜材支持部に照射されることが防止される。
【０００９】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記保持具は、高耐熱性を有することを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、プラズマビームの照射により保持具の破損および変形を防止することができる。
【００１１】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記保持具は、弾性を有することを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、保持具により膜材を強固に保持することができる。
【００１３】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記保持具は、ジルコニアで形成されることを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、保持具に導電性、耐熱性、弾性を備えさせることができ、破損および変形を防止すると共に、膜材を強固に保持することができる。
【００１５】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記ハースと前記膜材とが絶縁されていることを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、膜材に流れる電流がハースに乗り移るのを防止して、膜材に流れる電流量をより正確に測定することができる。
【００１７】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記ハースは、前記チャンバの側面に設けられたことを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、チャンバの側面に設けられたハースは、膜材を脱落させることなく保持するため、基板を立てた状態で基板表面に成膜することができる。これにより、基板を水平にした状態のように自重により撓むことがないため、チャンバの側面に複数の陽極を設けることにより大面積の大型基板に成膜することが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、膜材に流れる電流量に応じて成膜レートを正確に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置は、膜材としてのタブレットとタブレットを支持する膜材支持部としてのタブレット支持棒とに流れる電流量を一致させて、タブレット支持棒に流れる電流量を測定することにより、タブレットに流れる電流量を正確に測定して、成膜レートを制御するものである。
【００２１】
図１および図２を参照して、イオンプレーティング装置の全体構成について説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るイオンプレーティング装置の模式図である。図２は、本発明の実施の形態に係る、タブレット支持棒のタブレット支持構造を示す部分断面図である。
【００２２】
図１に示すように、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置１は、気密性の真空チャンバ３を備えており、真空チャンバ３の一の側壁３ａには陰極として機能するプラズマビーム発生源としてのプラズマガン４が設けられ、真空チャンバ３の底壁３ｂには陽極として機能するハース５が設けられている。また、真空チャンバ３の上壁３ｃには成膜対象のワークＷを搬送する搬送装置６が設けられ、真空チャンバ３のプラズマガン４が設けられた側壁３ａに対向する側壁３ｄには、酸素ガスおよびアルゴンガス等のキャリアガスを導入するガス導入口３ｅが形成されている。
【００２３】
プラズマガン４は、ハース５に対してプラズマビームＰを照射するものであり、プラズマビームＰを発生させるプラズマガン本体１１と、プラズマガン本体１１の真空チャンバ３側においてプラズマガン本体１１と同軸上に配置された第１の中間電極１２および第２の中間電極１３とを有して構成されている。プラズマガン本体１１は、導体板１４を介して直流電源１６のマイナス端子に接続されており、導体板１４とハース５との間で放電を生じさせることによりプラズマビームＰを発生させている。第１の中間電極１２および第２の中間電極１３には、それぞれ永久磁石が内蔵されており、この永久磁石によりプラズマガンにより発生されたプラズマビームＰが収束される。
【００２４】
また、プラズマガン４の真空チャンバ３の外部に突出した部分には、周囲を取り囲むように第１のコイル１５が設けられており、この第１のコイル１５により第１の中間電極１２および第２の中間電極１３まで引き出されたプラズマビームＰが真空チャンバ３の内部に誘導される。
【００２５】
ハース５は、プラズマガン４から出射されたプラズマビームＰを下方に吸引するものであり、導電材料で形成され、制御部８を介して直流電源１６のプラス端子に接続されている。また、ハース５には、プラズマビームＰが入射される中央部分に貫通孔５ａが形成されており、この貫通孔５ａに円柱状のタブレット２１が充填されている。貫通孔５ａの周囲には絶縁パイプ２３が設けられており、ハース５とタブレット２１とが真空チャンバ３の内部において絶縁されている。これにより、ハース５とタブレット２１との間で異常放電が抑制される。なお、本実施の形態における真空チャンバ３の内部とは、絶縁パイプ２３とタブレット２１との対向空間等のように図示しないパッキン等により真空雰囲気が保たれている部分を含むものである。
【００２６】
貫通孔５ａの同軸上には、タブレット２１を下方から支持するタブレット支持棒２５が上下動可能に設けられており、このタブレット支持棒２５によりタブレット２１が突き上げられてハース５に対してタブレット２１が供給される。タブレット支持棒２５は、タブレット２１を支持する支持面においてタブレット２１と導通し、真空チャンバ３の外部において電流計１９を介して直流電源１６のプラス端子に接続されている。
【００２７】
また、図２に示すように、タブレット支持棒２５は、タブレット２１を支持する支持棒本体３１と、支持棒本体３１に取り付けられ、タブレット２１の周面を保持する保持具３２とから構成されている。保持具３２は、酸化ジルコニア等の絶縁性、高耐熱性、弾性を備えた材料で有底円筒状に形成されており、底壁部には支持棒本体３１に取り付けるための取付孔３２ｂが形成されている。保持具３２の周壁部には、内周面から内側に環状凸部３２ａが突出して形成されており、この環状凸部３２ａにより筒内に収容された円柱状のタブレット２１の周面が十分に挟持される。
【００２８】
また、保持具３２は、高耐熱性および弾性を有しているため、プラズマビームＰによる周辺温度の上昇による破損や変形が防止され、タブレット２１を強固に保持することが可能となる。
【００２９】
支持棒本体３１は、銅等の導電性材料で形成されており、上下方向に延在する棒状部３４と、棒状部３４の上端部に連なり棒状部３４よりも大径に形成された基部３５と、基部３５と共に保持具３２を固定する固定部３６とを有している。棒状部３４は、図示しない駆動機構に接続されており、この駆動機構によりタブレット２１の消費速度に合わせて上方に移動される。
【００３０】
基部３５は、上部中央に固定部３６を固定するための図示しない雌ねじ穴が形成されており、雌ねじ穴の周囲は保持具３２を載置するための載置面となっている。固定部３６は、保持具３２の取付孔３２ｂに挿通される挿通部３６ａと、挿通部３６ａの上部に形成されたフランジ部３６ｂとにより段状に形成されている。挿通部３６ａは、保持具３２の取付孔３２ｂに挿通され、下部に形成された図示しない雄ねじ部分が基部３５の雌ねじ穴に締結されることで、保持具３２の低壁部がフランジ部３６ｂの下面と基部３５の上面とで上下から挟持される。
【００３１】
また、固定部３６の上面は、タブレット２１を下方から支持する支持面３６ｃとなっており、この支持面３６ｃには導電シート２７が載置されている。導電シート２７は、グラファイト等により柔軟性と導電性とを有するシート状に形成されており、タブレット２１の下面のザラツキを埋めて、タブレット２１と支持棒本体３１との接触面積を増加させている。このように、導電シート２７によりタブレット２１と支持棒本体３１との接触面積が増加するため、タブレット２１と支持棒本体３１との間の接触抵抗が減少して電位差が小さくなり、異常放電が抑制される。
【００３２】
図１に戻り、ハース５の真空チャンバ３の外部に突出した部分には、周囲を取り囲むように第２のコイル２９が設けられており、この第２のコイル２９によりハース５に入射されるプラズマビームＰの向き等が修正される。
【００３３】
タブレット２１は、成膜用の膜材であり、酸化亜鉛および酸化ガリウムの粉末により円柱状に焼結成形されている。タブレット２１の上面にプラズマビームＰが照射されると、プラズマビームにより加熱されて昇華し、タブレット２１の上方に位置するワークＷの表面にＺｎＯ膜が成膜される。
【００３４】
また、本実施の形態で使用されるタブレット２１は、６０［ｍｍ］以上のロングサイズのタブレット２１であり、２０［ｍｍ］程度のスモールサイズのタブレットを縦一列に重ねた状態と異なり、タブレット間の合わせ目を少なくしている。これにより、タブレット間の合わせ目で生じる異常放電を抑制している。また、タブレットが消費されて細かい破片だけが、残った場合には、破片が真空チャンバ３の内部に飛び散って汚染の原因となるが、タブレット間の合わせ目が少ないため、真空チャンバ３の内部の汚染を抑制することも可能となる。
【００３５】
搬送装置６は、真空チャンバ３内においてハース５の上方にワークＷを支持している。
【００３６】
直流電源１６は、可変直流電源であり、マイナス端子に接続された電源ラインはプラズマガン４が直接接続され、プラス端子に接続された電源ラインは分岐点ｄにおいて２股に分岐し、一方が電流計１９を介してタブレット支持棒２５の導電性の支持棒本体３１に接続され、他方が制御部８を介してハース５に接続されている。また、電流計１９は、分岐点ｄにおいて分流されてタブレット２１側に流れる電流値を検出し、その検出結果を制御部８に出力している。
【００３７】
制御部８は、可変抵抗であるハース抵抗１７と、ハース抵抗１７の抵抗値を可変する抵抗制御部１８とを有して構成されている。ハース抵抗１７は、一端がハース５に接続され、他端が分岐点ｄに接続されており、このハース抵抗１７の抵抗値を可変させることでハース５およびタブレット２１のそれぞれに流れる電流量が調整される。
【００３８】
抵抗制御部１８は、タブレット２１に流れる電流に基づいてハース抵抗１７の抵抗値を決定するためのマップデータやテーブル等を記憶しており、このマップデータやテーブルを参照して、電流計１９に測定された測定結果に応じてハース抵抗１７の抵抗値を制御している。このように、タブレット２１に流れる電流量を監視しながらハース抵抗１７の抵抗値を制御しているため、タブレット２１に一定の電流を流すことができ、ハース５の表面状態や真空チャンバ３の内部の真空雰囲気等が異なったとしても、タブレット２１の消費レートを一定に保つことが可能となる。
【００３９】
このように構成されたイオンプレーティング装置１において、直流電源１６がハース５とプラズマガン４との間に直流電圧を印加すると、真空チャンバ３の内部にプラズマビームＰが発生し、ワークＷに成膜処理が行われる。
【００４０】
具体的には、直流電源１６によりハース５とプラズマガン４との間に直流電圧が印加されると、プラズマガン４の導体板１４とハース５との間で放電が生じ、これによりプラズマビームＰが発生される。このプラズマビームＰは、第１のコイル１５および第２のコイル２９等により形成される磁界に誘導されてハース５に照射される。タブレット支持棒２５によりハース５に供給されたタブレット２１は、プラズマビームＰの照射により上面が加熱されて昇華される。
【００４１】
昇華したタブレット２１の気体は、プラズマビームＰを通過中にイオン化して負電圧が印加されたワークＷに引き込まれ、ワークＷの表面に付着して被膜を形成する。このとき、タブレット２１に流れる電流は、ハース抵抗１７が動的に制御されることで、タブレット２１の消費レートが一定となるように制御される。
【００４２】
次に、図３を参照して、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置との対比のため、比較例に係るイオンプレーティング装置によるプラズマビームの照射状態について説明する。図３は、比較例に係るイオンプレーティング装置によるプラズマビームの照射状態の説明図である。なお、比較例に係るイオンプレーティング装置は、タブレット支持棒の構造が異なる点を除いては本実施の形態に係るイオンプレーティング装置と一致するため、同一の構成については説明を省略する。
【００４３】
図３に示すように、比較例に係るタブレット支持棒３７は、銅等の導電性材料で一体に形成されており、支持棒本体３８と本実施の形態の保持具３２に相当する保持部３９とを有して構成されている。このタブレット支持棒３７を用いた構成において、プラズマビームＰがハース５およびタブレット２１に照射されると、絶縁パイプ２３とタブレット２１との対向空間にプラズマビームＰが入り込み、保持部３９の先端にもプラズマビームＰが照射される。
【００４４】
プラズマビームＰの照射によって、ハース５、タブレット２１、保持部３９を負電荷が移動し、ハース５を移動する負電荷はハース抵抗１７を介して直流電源１６に戻ると共に、タブレット２１および保持部３９を移動する負電荷は支持棒本体３８で合流し、電流計１９を介して直流電源１６に戻る。このとき、ハース５の貫通孔５ａの内周面に絶縁パイプ２３が設けられているため、真空チャンバ３の内部においては、ハース５を移動する負電荷とタブレット２１および保持部３９を移動する負電荷は相互に乗り移ることがない。そして、電流計１９により測定された測定値が抵抗制御部１８に出力され、抵抗制御部１８によりハース抵抗１７の抵抗値が制御されて、タブレット２１に流れる電流量が調整される。
【００４５】
このように、ハース５の貫通孔５ａとタブレット２１との対向空間からもプラズマビームＰが入りこみ、保持部３９からタブレット２１を介さずに負電荷が支持棒本体３８に向かって移動するため、タブレット２１に流れる電流量と支持棒本体３８に流れる電流量とが一致せず、タブレット２１に流れる電流量を支持棒本体３８に接続された電流計１９により正確に測定することが困難となる。よって、比較例に係るイオンプレーティング装置においては、成膜レートを正確に制御することができない。
【００４６】
次に、図４を参照して、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置によるプラズマビームの照射状態について説明する。図４は、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置によるプラズマビームの照射状態の説明図である。
【００４７】
図４に示すように、プラズマビームＰがハース５およびタブレット２１に照射されると、保持具３２が絶縁性を有しているため、プラズマビームＰが絶縁パイプ２３とタブレット２１との対向空間に入り込むことがなく、支持棒本体３１に対するプラズマビームＰの照射が遮断される。
【００４８】
プラズマビームＰの照射によって、ハース５、タブレット２１を負電荷が移動し、ハース５を移動する負電荷はハース抵抗１７を介して直流電源１６に戻ると共に、タブレット２１を移動する負電荷は支持棒本体３１および電流計１９を介して直流電源１６に戻る。このとき、ハース５の貫通孔５ａの内周面に絶縁パイプ２３が設けられているため、真空チャンバ３の内部においては、ハース５を移動する負電荷とタブレット２１および保持具３２を移動する負電荷は相互に乗り移ることがない。そして、電流計１９により測定された測定値が抵抗制御部１８に出力され、抵抗制御部１８によりハース抵抗１７の抵抗値が制御されて、タブレット２１に流れる電流量が調整される。
【００４９】
このように、ハース５の貫通孔５ａとタブレット２１との対向空間からプラズマビームＰが入りこむのを防止しているため、タブレット２１に流れる電流量と支持棒本体３１に流れる電流量とを一致させ、タブレット２１に流れる電流量を支持棒本体３１に接続された電流計１９により正確に測定することができる。よって、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置１においては、成膜レートを正確に制御することが可能となる。
【００５０】
以上のように、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置１によれば、絶縁性の保持具３２により導電性の支持棒本体３１に対するプラズマビームＰの照射が遮断されるため、負電荷がタブレット２１を介さずに支持棒本体３１に移動することが防止できる。したがって、タブレット２１に流れる電流量と支持棒本体３１に流れる電流量とが一致するため、電流計１９により支持棒本体３１に流れる電流量を測定することにより、タブレット２１にのみに流れる電流量を正確に測定することができ、タブレット２１に流れる電流に基づいて正確に成膜レートを制御することができる。
【００５１】
なお、上記した実施の形態においては、ハース５を真空チャンバ３の底壁３ｂに設け、下方からワークＷの表面に成膜する構成としたが、図５に示すように、複数のハース４５を真空チャンバ４３の側壁４３ｄに設け、側方からワークＷの表面に成膜する構成としてもよい。この構成により、ワークＷを立てた状態でワークＷの表面に成膜することができ、ワークＷを水平した状態のように自重により撓むことがないため、大面積の大型ワークに成膜することが可能となる。
【００５２】
また、上記した実施の形態においては、タブレット２１の周面を有底円筒状の保持具３２の筒内に挟持するように構成したが、この構成に限定されるものではなく、支持棒本体３１に対するプラズマビームＰを遮断すると共に、タブレット２１を保持する機能を備えている構成であれば、どのような構成でもよい。例えば、支持棒本体３１の周面を覆うと共に、タブレット２１の周面を左右から挟み込むような構成としてもよい。
【００５３】
また、上記した実施の形態においては、本発明をロングサイズのタブレット２１に適用した例を挙げて説明したが、本発明をショートサイズのタブレット２１に適用することも可能である。また、膜材として酸化亜鉛および酸化ガリウムの粉末により焼結成形したタブレットを使用したが、ワークＷを被膜するものであればこれに限定されるもではない。
【００５４】
また、上記した実施の形態においては、タブレット２１に流れる電流に応じてハース抵抗１７の抵抗値を制御する構成としたが、タブレット２１に流れる電流とプラズマガン４に流れるいわゆるガン電流に基づいてハース抵抗１７の抵抗値を制御する構成としてもよい。この場合、直流電源１６とプラズマガン４との間に電流計を追加するようにする。この構成により、より高精度に成膜レートを制御することが可能となる。
【００５５】
また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
以上説明したように、本発明は、膜材に流れる電流量に応じて成膜レートを正確に制御することができるという効果を有し、特にプラズマビームを利用したイオンプレーティング装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明に係るイオンプレーティング装置の実施の形態を示す図であり、イオンプレーティング装置の模式図である。
【図２】本発明に係るイオンプレーティング装置の実施の形態を示す図であり、タブレット支持棒のタブレット支持構造を示す部分断面図である。
【図３】本発明に係るイオンプレーティング装置の比較例を示す図であり、プラズマビームの照射状態の説明図である。
【図４】本発明に係るイオンプレーティング装置の実施の形態を示す図であり、プラズマビームの照射状態の説明図である。
【図５】本発明に係るイオンプレーティング装置の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１ イオンプレーティング装置
３ 真空チャンバ（チャンバ）
４ プラズマガン（プラズマビーム発生源）
５ ハース
５ａ 貫通孔（収容孔）
６ 搬送装置
８ 制御部
１６ 直流電源
１７ ハース抵抗
１８ 抵抗制御部
１９ 電流計（電流測定部）
２１ タブレット（膜材）
２３ 絶縁パイプ
２５ タブレット支持棒（タブレット支持部）
３１ 支持棒本体
３２ 保持具
３６ｃ 支持面
Ｐ プラズマビーム
Ｗ ワーク
【技術分野】
【０００１】
本発明は、イオンプレーティング装置に関し、特に、プラズマビームを利用したイオンプレーティング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、プラズマビームを利用したイオンプレーティング装置として、突き上げ方式のイオンプレーティング装置が知られている（例えば、特許文献１参照）。このイオンプレーティング装置においては、ハースに形成された貫通孔に膜材としてのタブレットが収容され、このタブレットが下方から絶縁性の突き上げ棒により突き上げられることでチャンバ内に連続的に繰り出されている。そして、チャンバ内に発生したプラズマビームがステアリングコイル等によりハースに向かって誘導され、チャンバ内に繰り出されたタブレットの上面を照射することにより、照射により発生した気体がプラズマビームを通過してイオン化し、基板の表面に付着して成膜している。
【特許文献１】特開２００２−３０４２２号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００３】
近年、このようなイオンプレーティング装置においては、成膜レートがタブレットの昇華量（蒸発量）に依存しているため、タブレットの昇華量（蒸発量）を把握するためにタブレットに流れる電流量を測定することが望まれている。この場合、突き上げ棒を導電性材料で形成し、この突き上げ棒に流れる電流量を測定することにより、タブレットに流れる電流量を測定することも考えられるが、ハースの貫通孔とタブレットとの隙間からも僅かにプラズマビームが入り込むため、タブレットを介さずに直に突き上げ棒に電流が流れ、タブレットのみに流れる電流量を正確に測定することが困難であった。このように、タブレットに流れる電流量を正確に測定できないため、タブレットの昇華量（蒸発量）を正確に把握できず、成膜レートを正確に制御することができないという問題があった。
【０００４】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、膜材に流れる電流量に応じて成膜レートを正確に制御することができるイオンプレーティング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
本発明のイオンプレーティング装置は、チャンバと、陰極として機能し、前記チャンバ内にプラズマビームを発生するプラズマビーム発生源と、陽極として機能し、成膜用の膜材を収容する収容孔が形成され、前記チャンバ内においてプラズマビームが照射されるハースと、前記収容孔において、前記膜材を前記チャンバ内に露出するように支持する膜材支持部と、前記膜材に流れる電流量を測定する電流測定部とを備え、前記膜材支持部は、前記膜材を支持する支持面が形成された導電性の支持部本体と、前記支持部本体に対するプラズマビームの照射を遮断すると共に、前記支持面に支持された前記膜材を保持する絶縁性の保持具とを有し、前記電流測定部は、前記支持部本体に電気的に接続されたことを特徴とする。
【０００６】
この構成によれば、絶縁性の保持具により導電性の支持部本体に対するプラズマビームの照射が遮断されるため、膜材を介さずに直に支持部本体に電流を流すことが防止される。したがって、膜材に流れる電流量と支持部本体に流れる電流量とが一致するため、電流測定部により支持部本体に流れる電流量を測定することにより、膜材にのみに流れる電流量を正確に測定することができ、膜材に流れる電流に基づいて正確に成膜レートを制御することができる。
【０００７】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記保持具は、前記膜材を周囲から保持する円筒部を有し、前記円筒部は、前記収容孔と前記膜材との隙間に位置していることを特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、収容孔と膜材との間に絶縁性の保持具の円筒部が位置しているため、収容孔と膜材との間にプラズマビームが入り込み、導電性の膜材支持部に照射されることが防止される。
【０００９】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記保持具は、高耐熱性を有することを特徴とする。
【００１０】
この構成によれば、プラズマビームの照射により保持具の破損および変形を防止することができる。
【００１１】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記保持具は、弾性を有することを特徴とする。
【００１２】
この構成によれば、保持具により膜材を強固に保持することができる。
【００１３】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記保持具は、ジルコニアで形成されることを特徴とする。
【００１４】
この構成によれば、保持具に導電性、耐熱性、弾性を備えさせることができ、破損および変形を防止すると共に、膜材を強固に保持することができる。
【００１５】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記ハースと前記膜材とが絶縁されていることを特徴とする。
【００１６】
この構成によれば、膜材に流れる電流がハースに乗り移るのを防止して、膜材に流れる電流量をより正確に測定することができる。
【００１７】
また本発明は、上記イオンプレーティング装置において、前記ハースは、前記チャンバの側面に設けられたことを特徴とする。
【００１８】
この構成によれば、チャンバの側面に設けられたハースは、膜材を脱落させることなく保持するため、基板を立てた状態で基板表面に成膜することができる。これにより、基板を水平にした状態のように自重により撓むことがないため、チャンバの側面に複数の陽極を設けることにより大面積の大型基板に成膜することが可能となる。
【発明の効果】
【００１９】
本発明によれば、膜材に流れる電流量に応じて成膜レートを正確に制御することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２０】
以下、本発明の実施の形態について添付図面を参照して詳細に説明する。なお、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置は、膜材としてのタブレットとタブレットを支持する膜材支持部としてのタブレット支持棒とに流れる電流量を一致させて、タブレット支持棒に流れる電流量を測定することにより、タブレットに流れる電流量を正確に測定して、成膜レートを制御するものである。
【００２１】
図１および図２を参照して、イオンプレーティング装置の全体構成について説明する。図１は、本発明の実施の形態に係るイオンプレーティング装置の模式図である。図２は、本発明の実施の形態に係る、タブレット支持棒のタブレット支持構造を示す部分断面図である。
【００２２】
図１に示すように、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置１は、気密性の真空チャンバ３を備えており、真空チャンバ３の一の側壁３ａには陰極として機能するプラズマビーム発生源としてのプラズマガン４が設けられ、真空チャンバ３の底壁３ｂには陽極として機能するハース５が設けられている。また、真空チャンバ３の上壁３ｃには成膜対象のワークＷを搬送する搬送装置６が設けられ、真空チャンバ３のプラズマガン４が設けられた側壁３ａに対向する側壁３ｄには、酸素ガスおよびアルゴンガス等のキャリアガスを導入するガス導入口３ｅが形成されている。
【００２３】
プラズマガン４は、ハース５に対してプラズマビームＰを照射するものであり、プラズマビームＰを発生させるプラズマガン本体１１と、プラズマガン本体１１の真空チャンバ３側においてプラズマガン本体１１と同軸上に配置された第１の中間電極１２および第２の中間電極１３とを有して構成されている。プラズマガン本体１１は、導体板１４を介して直流電源１６のマイナス端子に接続されており、導体板１４とハース５との間で放電を生じさせることによりプラズマビームＰを発生させている。第１の中間電極１２および第２の中間電極１３には、それぞれ永久磁石が内蔵されており、この永久磁石によりプラズマガンにより発生されたプラズマビームＰが収束される。
【００２４】
また、プラズマガン４の真空チャンバ３の外部に突出した部分には、周囲を取り囲むように第１のコイル１５が設けられており、この第１のコイル１５により第１の中間電極１２および第２の中間電極１３まで引き出されたプラズマビームＰが真空チャンバ３の内部に誘導される。
【００２５】
ハース５は、プラズマガン４から出射されたプラズマビームＰを下方に吸引するものであり、導電材料で形成され、制御部８を介して直流電源１６のプラス端子に接続されている。また、ハース５には、プラズマビームＰが入射される中央部分に貫通孔５ａが形成されており、この貫通孔５ａに円柱状のタブレット２１が充填されている。貫通孔５ａの周囲には絶縁パイプ２３が設けられており、ハース５とタブレット２１とが真空チャンバ３の内部において絶縁されている。これにより、ハース５とタブレット２１との間で異常放電が抑制される。なお、本実施の形態における真空チャンバ３の内部とは、絶縁パイプ２３とタブレット２１との対向空間等のように図示しないパッキン等により真空雰囲気が保たれている部分を含むものである。
【００２６】
貫通孔５ａの同軸上には、タブレット２１を下方から支持するタブレット支持棒２５が上下動可能に設けられており、このタブレット支持棒２５によりタブレット２１が突き上げられてハース５に対してタブレット２１が供給される。タブレット支持棒２５は、タブレット２１を支持する支持面においてタブレット２１と導通し、真空チャンバ３の外部において電流計１９を介して直流電源１６のプラス端子に接続されている。
【００２７】
また、図２に示すように、タブレット支持棒２５は、タブレット２１を支持する支持棒本体３１と、支持棒本体３１に取り付けられ、タブレット２１の周面を保持する保持具３２とから構成されている。保持具３２は、酸化ジルコニア等の絶縁性、高耐熱性、弾性を備えた材料で有底円筒状に形成されており、底壁部には支持棒本体３１に取り付けるための取付孔３２ｂが形成されている。保持具３２の周壁部には、内周面から内側に環状凸部３２ａが突出して形成されており、この環状凸部３２ａにより筒内に収容された円柱状のタブレット２１の周面が十分に挟持される。
【００２８】
また、保持具３２は、高耐熱性および弾性を有しているため、プラズマビームＰによる周辺温度の上昇による破損や変形が防止され、タブレット２１を強固に保持することが可能となる。
【００２９】
支持棒本体３１は、銅等の導電性材料で形成されており、上下方向に延在する棒状部３４と、棒状部３４の上端部に連なり棒状部３４よりも大径に形成された基部３５と、基部３５と共に保持具３２を固定する固定部３６とを有している。棒状部３４は、図示しない駆動機構に接続されており、この駆動機構によりタブレット２１の消費速度に合わせて上方に移動される。
【００３０】
基部３５は、上部中央に固定部３６を固定するための図示しない雌ねじ穴が形成されており、雌ねじ穴の周囲は保持具３２を載置するための載置面となっている。固定部３６は、保持具３２の取付孔３２ｂに挿通される挿通部３６ａと、挿通部３６ａの上部に形成されたフランジ部３６ｂとにより段状に形成されている。挿通部３６ａは、保持具３２の取付孔３２ｂに挿通され、下部に形成された図示しない雄ねじ部分が基部３５の雌ねじ穴に締結されることで、保持具３２の低壁部がフランジ部３６ｂの下面と基部３５の上面とで上下から挟持される。
【００３１】
また、固定部３６の上面は、タブレット２１を下方から支持する支持面３６ｃとなっており、この支持面３６ｃには導電シート２７が載置されている。導電シート２７は、グラファイト等により柔軟性と導電性とを有するシート状に形成されており、タブレット２１の下面のザラツキを埋めて、タブレット２１と支持棒本体３１との接触面積を増加させている。このように、導電シート２７によりタブレット２１と支持棒本体３１との接触面積が増加するため、タブレット２１と支持棒本体３１との間の接触抵抗が減少して電位差が小さくなり、異常放電が抑制される。
【００３２】
図１に戻り、ハース５の真空チャンバ３の外部に突出した部分には、周囲を取り囲むように第２のコイル２９が設けられており、この第２のコイル２９によりハース５に入射されるプラズマビームＰの向き等が修正される。
【００３３】
タブレット２１は、成膜用の膜材であり、酸化亜鉛および酸化ガリウムの粉末により円柱状に焼結成形されている。タブレット２１の上面にプラズマビームＰが照射されると、プラズマビームにより加熱されて昇華し、タブレット２１の上方に位置するワークＷの表面にＺｎＯ膜が成膜される。
【００３４】
また、本実施の形態で使用されるタブレット２１は、６０［ｍｍ］以上のロングサイズのタブレット２１であり、２０［ｍｍ］程度のスモールサイズのタブレットを縦一列に重ねた状態と異なり、タブレット間の合わせ目を少なくしている。これにより、タブレット間の合わせ目で生じる異常放電を抑制している。また、タブレットが消費されて細かい破片だけが、残った場合には、破片が真空チャンバ３の内部に飛び散って汚染の原因となるが、タブレット間の合わせ目が少ないため、真空チャンバ３の内部の汚染を抑制することも可能となる。
【００３５】
搬送装置６は、真空チャンバ３内においてハース５の上方にワークＷを支持している。
【００３６】
直流電源１６は、可変直流電源であり、マイナス端子に接続された電源ラインはプラズマガン４が直接接続され、プラス端子に接続された電源ラインは分岐点ｄにおいて２股に分岐し、一方が電流計１９を介してタブレット支持棒２５の導電性の支持棒本体３１に接続され、他方が制御部８を介してハース５に接続されている。また、電流計１９は、分岐点ｄにおいて分流されてタブレット２１側に流れる電流値を検出し、その検出結果を制御部８に出力している。
【００３７】
制御部８は、可変抵抗であるハース抵抗１７と、ハース抵抗１７の抵抗値を可変する抵抗制御部１８とを有して構成されている。ハース抵抗１７は、一端がハース５に接続され、他端が分岐点ｄに接続されており、このハース抵抗１７の抵抗値を可変させることでハース５およびタブレット２１のそれぞれに流れる電流量が調整される。
【００３８】
抵抗制御部１８は、タブレット２１に流れる電流に基づいてハース抵抗１７の抵抗値を決定するためのマップデータやテーブル等を記憶しており、このマップデータやテーブルを参照して、電流計１９に測定された測定結果に応じてハース抵抗１７の抵抗値を制御している。このように、タブレット２１に流れる電流量を監視しながらハース抵抗１７の抵抗値を制御しているため、タブレット２１に一定の電流を流すことができ、ハース５の表面状態や真空チャンバ３の内部の真空雰囲気等が異なったとしても、タブレット２１の消費レートを一定に保つことが可能となる。
【００３９】
このように構成されたイオンプレーティング装置１において、直流電源１６がハース５とプラズマガン４との間に直流電圧を印加すると、真空チャンバ３の内部にプラズマビームＰが発生し、ワークＷに成膜処理が行われる。
【００４０】
具体的には、直流電源１６によりハース５とプラズマガン４との間に直流電圧が印加されると、プラズマガン４の導体板１４とハース５との間で放電が生じ、これによりプラズマビームＰが発生される。このプラズマビームＰは、第１のコイル１５および第２のコイル２９等により形成される磁界に誘導されてハース５に照射される。タブレット支持棒２５によりハース５に供給されたタブレット２１は、プラズマビームＰの照射により上面が加熱されて昇華される。
【００４１】
昇華したタブレット２１の気体は、プラズマビームＰを通過中にイオン化して負電圧が印加されたワークＷに引き込まれ、ワークＷの表面に付着して被膜を形成する。このとき、タブレット２１に流れる電流は、ハース抵抗１７が動的に制御されることで、タブレット２１の消費レートが一定となるように制御される。
【００４２】
次に、図３を参照して、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置との対比のため、比較例に係るイオンプレーティング装置によるプラズマビームの照射状態について説明する。図３は、比較例に係るイオンプレーティング装置によるプラズマビームの照射状態の説明図である。なお、比較例に係るイオンプレーティング装置は、タブレット支持棒の構造が異なる点を除いては本実施の形態に係るイオンプレーティング装置と一致するため、同一の構成については説明を省略する。
【００４３】
図３に示すように、比較例に係るタブレット支持棒３７は、銅等の導電性材料で一体に形成されており、支持棒本体３８と本実施の形態の保持具３２に相当する保持部３９とを有して構成されている。このタブレット支持棒３７を用いた構成において、プラズマビームＰがハース５およびタブレット２１に照射されると、絶縁パイプ２３とタブレット２１との対向空間にプラズマビームＰが入り込み、保持部３９の先端にもプラズマビームＰが照射される。
【００４４】
プラズマビームＰの照射によって、ハース５、タブレット２１、保持部３９を負電荷が移動し、ハース５を移動する負電荷はハース抵抗１７を介して直流電源１６に戻ると共に、タブレット２１および保持部３９を移動する負電荷は支持棒本体３８で合流し、電流計１９を介して直流電源１６に戻る。このとき、ハース５の貫通孔５ａの内周面に絶縁パイプ２３が設けられているため、真空チャンバ３の内部においては、ハース５を移動する負電荷とタブレット２１および保持部３９を移動する負電荷は相互に乗り移ることがない。そして、電流計１９により測定された測定値が抵抗制御部１８に出力され、抵抗制御部１８によりハース抵抗１７の抵抗値が制御されて、タブレット２１に流れる電流量が調整される。
【００４５】
このように、ハース５の貫通孔５ａとタブレット２１との対向空間からもプラズマビームＰが入りこみ、保持部３９からタブレット２１を介さずに負電荷が支持棒本体３８に向かって移動するため、タブレット２１に流れる電流量と支持棒本体３８に流れる電流量とが一致せず、タブレット２１に流れる電流量を支持棒本体３８に接続された電流計１９により正確に測定することが困難となる。よって、比較例に係るイオンプレーティング装置においては、成膜レートを正確に制御することができない。
【００４６】
次に、図４を参照して、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置によるプラズマビームの照射状態について説明する。図４は、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置によるプラズマビームの照射状態の説明図である。
【００４７】
図４に示すように、プラズマビームＰがハース５およびタブレット２１に照射されると、保持具３２が絶縁性を有しているため、プラズマビームＰが絶縁パイプ２３とタブレット２１との対向空間に入り込むことがなく、支持棒本体３１に対するプラズマビームＰの照射が遮断される。
【００４８】
プラズマビームＰの照射によって、ハース５、タブレット２１を負電荷が移動し、ハース５を移動する負電荷はハース抵抗１７を介して直流電源１６に戻ると共に、タブレット２１を移動する負電荷は支持棒本体３１および電流計１９を介して直流電源１６に戻る。このとき、ハース５の貫通孔５ａの内周面に絶縁パイプ２３が設けられているため、真空チャンバ３の内部においては、ハース５を移動する負電荷とタブレット２１および保持具３２を移動する負電荷は相互に乗り移ることがない。そして、電流計１９により測定された測定値が抵抗制御部１８に出力され、抵抗制御部１８によりハース抵抗１７の抵抗値が制御されて、タブレット２１に流れる電流量が調整される。
【００４９】
このように、ハース５の貫通孔５ａとタブレット２１との対向空間からプラズマビームＰが入りこむのを防止しているため、タブレット２１に流れる電流量と支持棒本体３１に流れる電流量とを一致させ、タブレット２１に流れる電流量を支持棒本体３１に接続された電流計１９により正確に測定することができる。よって、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置１においては、成膜レートを正確に制御することが可能となる。
【００５０】
以上のように、本実施の形態に係るイオンプレーティング装置１によれば、絶縁性の保持具３２により導電性の支持棒本体３１に対するプラズマビームＰの照射が遮断されるため、負電荷がタブレット２１を介さずに支持棒本体３１に移動することが防止できる。したがって、タブレット２１に流れる電流量と支持棒本体３１に流れる電流量とが一致するため、電流計１９により支持棒本体３１に流れる電流量を測定することにより、タブレット２１にのみに流れる電流量を正確に測定することができ、タブレット２１に流れる電流に基づいて正確に成膜レートを制御することができる。
【００５１】
なお、上記した実施の形態においては、ハース５を真空チャンバ３の底壁３ｂに設け、下方からワークＷの表面に成膜する構成としたが、図５に示すように、複数のハース４５を真空チャンバ４３の側壁４３ｄに設け、側方からワークＷの表面に成膜する構成としてもよい。この構成により、ワークＷを立てた状態でワークＷの表面に成膜することができ、ワークＷを水平した状態のように自重により撓むことがないため、大面積の大型ワークに成膜することが可能となる。
【００５２】
また、上記した実施の形態においては、タブレット２１の周面を有底円筒状の保持具３２の筒内に挟持するように構成したが、この構成に限定されるものではなく、支持棒本体３１に対するプラズマビームＰを遮断すると共に、タブレット２１を保持する機能を備えている構成であれば、どのような構成でもよい。例えば、支持棒本体３１の周面を覆うと共に、タブレット２１の周面を左右から挟み込むような構成としてもよい。
【００５３】
また、上記した実施の形態においては、本発明をロングサイズのタブレット２１に適用した例を挙げて説明したが、本発明をショートサイズのタブレット２１に適用することも可能である。また、膜材として酸化亜鉛および酸化ガリウムの粉末により焼結成形したタブレットを使用したが、ワークＷを被膜するものであればこれに限定されるもではない。
【００５４】
また、上記した実施の形態においては、タブレット２１に流れる電流に応じてハース抵抗１７の抵抗値を制御する構成としたが、タブレット２１に流れる電流とプラズマガン４に流れるいわゆるガン電流に基づいてハース抵抗１７の抵抗値を制御する構成としてもよい。この場合、直流電源１６とプラズマガン４との間に電流計を追加するようにする。この構成により、より高精度に成膜レートを制御することが可能となる。
【００５５】
また、今回開示された実施の形態は、全ての点で例示であってこの実施の形態に制限されるものではない。本発明の範囲は、上記した実施の形態のみの説明ではなくて特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内での全ての変更が含まれることが意図される。
【産業上の利用可能性】
【００５６】
以上説明したように、本発明は、膜材に流れる電流量に応じて成膜レートを正確に制御することができるという効果を有し、特にプラズマビームを利用したイオンプレーティング装置に有用である。
【図面の簡単な説明】
【００５７】
【図１】本発明に係るイオンプレーティング装置の実施の形態を示す図であり、イオンプレーティング装置の模式図である。
【図２】本発明に係るイオンプレーティング装置の実施の形態を示す図であり、タブレット支持棒のタブレット支持構造を示す部分断面図である。
【図３】本発明に係るイオンプレーティング装置の比較例を示す図であり、プラズマビームの照射状態の説明図である。
【図４】本発明に係るイオンプレーティング装置の実施の形態を示す図であり、プラズマビームの照射状態の説明図である。
【図５】本発明に係るイオンプレーティング装置の変形例を示す図である。
【符号の説明】
【００５８】
１ イオンプレーティング装置
３ 真空チャンバ（チャンバ）
４ プラズマガン（プラズマビーム発生源）
５ ハース
５ａ 貫通孔（収容孔）
６ 搬送装置
８ 制御部
１６ 直流電源
１７ ハース抵抗
１８ 抵抗制御部
１９ 電流計（電流測定部）
２１ タブレット（膜材）
２３ 絶縁パイプ
２５ タブレット支持棒（タブレット支持部）
３１ 支持棒本体
３２ 保持具
３６ｃ 支持面
Ｐ プラズマビーム
Ｗ ワーク
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チャンバと、陰極として機能し、前記チャンバ内にプラズマビームを発生するプラズマビーム発生源と、陽極として機能し、成膜用の膜材を収容する収容孔が形成され、前記チャンバ内においてプラズマビームが照射されるハースと、前記収容孔において、前記膜材を前記チャンバ内に露出するように支持する膜材支持部と、前記膜材に流れる電流量を測定する電流測定部とを備え、
前記膜材支持部は、前記膜材を支持する支持面が形成された導電性の支持部本体と、
前記支持部本体に対するプラズマビームの照射を遮断すると共に、前記支持面に支持された前記膜材を保持する絶縁性の保持具とを有し、
前記電流測定部は、前記支持部本体に電気的に接続されたことを特徴とするイオンプレーティング装置。
【請求項２】
前記保持具は、前記膜材を周囲から保持する円筒部を有し、
前記円筒部は、前記収容孔と前記膜材との隙間に位置していることを特徴とする請求項１に記載のイオンプレーティング装置。
【請求項３】
前記保持具は、高耐熱性を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のイオンプレーティング装置。
【請求項４】
前記保持具は、弾性を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のイオンプレーティング装置。
【請求項５】
前記保持具は、ジルコニアで形成されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のイオンプレーティング装置。
【請求項６】
前記ハースと前記膜材とが絶縁されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のイオンプレーティング装置。
【請求項７】
前記ハースは、前記チャンバの側面に設けられたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載のイオンプレーティング装置。
【請求項１】
チャンバと、陰極として機能し、前記チャンバ内にプラズマビームを発生するプラズマビーム発生源と、陽極として機能し、成膜用の膜材を収容する収容孔が形成され、前記チャンバ内においてプラズマビームが照射されるハースと、前記収容孔において、前記膜材を前記チャンバ内に露出するように支持する膜材支持部と、前記膜材に流れる電流量を測定する電流測定部とを備え、
前記膜材支持部は、前記膜材を支持する支持面が形成された導電性の支持部本体と、
前記支持部本体に対するプラズマビームの照射を遮断すると共に、前記支持面に支持された前記膜材を保持する絶縁性の保持具とを有し、
前記電流測定部は、前記支持部本体に電気的に接続されたことを特徴とするイオンプレーティング装置。
【請求項２】
前記保持具は、前記膜材を周囲から保持する円筒部を有し、
前記円筒部は、前記収容孔と前記膜材との隙間に位置していることを特徴とする請求項１に記載のイオンプレーティング装置。
【請求項３】
前記保持具は、高耐熱性を有することを特徴とする請求項１または請求項２に記載のイオンプレーティング装置。
【請求項４】
前記保持具は、弾性を有することを特徴とする請求項１から請求項３のいずれかに記載のイオンプレーティング装置。
【請求項５】
前記保持具は、ジルコニアで形成されることを特徴とする請求項１から請求項４のいずれかに記載のイオンプレーティング装置。
【請求項６】
前記ハースと前記膜材とが絶縁されていることを特徴とする請求項１から請求項５のいずれかに記載のイオンプレーティング装置。
【請求項７】
前記ハースは、前記チャンバの側面に設けられたことを特徴とする請求項１から請求項６のいずれかに記載のイオンプレーティング装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１０−１１６６１４（Ｐ２０１０−１１６６１４Ａ）
【公開日】平成２２年５月２７日（２０１０．５．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２９１７６８（Ｐ２００８−２９１７６８）
【出願日】平成２０年１１月１４日（２００８．１１．１４）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年５月２７日（２０１０．５．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年１１月１４日（２００８．１１．１４）
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【Ｆターム（参考）】
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