インダクタ部品とその部品を内蔵しているプリント配線板及びインダクタ部品の製造方法
【課題】 インダクタ部品を内蔵するプリント配線板の提供。
【解決手段】 インダクタ部品が交互に積層されているコイル層と樹脂絶縁層で形成されている。そのインダクタ部品がプリント配線板のコア基板に内蔵される。
【解決手段】 インダクタ部品が交互に積層されているコイル層と樹脂絶縁層で形成されている。そのインダクタ部品がプリント配線板のコア基板に内蔵される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダク部品とその部品を内蔵するプリント配線板、及び、プリント配線板に内蔵するためのインダク部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は多層基板の複数層に渦巻き状のパターンを形成している。そして、異なる層に存在する渦巻き状のパターンは接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１６５０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術でインダクタンスを大きくするには渦巻き状のパターンの層数が増やされると考えられる。その場合、渦巻き状のパターンの層数とともに隣接する渦巻き状のパターンで挟まれる絶縁層の層数が多くなると考えられる。そのため、プリント配線板が厚くなると考えられる。また、層数の少ないプリント配線板では、十分な層数の渦巻き状のパターンがプリント配線板に形成されないと予想される。その場合、目標のインダクタンスが得られないと考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、インダクタ部品が内蔵されても薄いプリント配線板を提供することである。別の目的は、プリント配線板が薄くても十分なインダクタンスを有するインダクタ部品を内蔵するプリント配線板を提供することである。さらに別の目的は、プリント配線板に内蔵するためのインダクタ部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係る配線板は、基材と、該基材上に形成され、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層と、前記基材の内部に収容され、第２絶縁層と該第２絶縁層上に形成されている第２導体パターンとを有するインダクタ部品と、を備える配線板であって、前記インダクタ部品の厚み方向における断面の面積がＳ１、該断面における前記第２導体パターンの断面の面積の和がＰ１であって、前記基材及び前記ビルドアップ層の厚み方向における断面の面積がＳ２、該断面における前記導体層の断面の面積の和がＰ２であるとき、Ｐ１／Ｓ１はＰ２／Ｓ２よりも大きい。
【０００７】
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、第２絶縁層と該２絶縁層上に形成されている第２導体パターンとを有するインダクタ部品を用意することと、基材を用意することと、該基材の内部に前記インダクタ部品を収容することと、前記基材上に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層を形成することと、を含み、前記インダクタ部品の厚み方向における断面の面積がＳ１、該断面における前記第２導体パターンの断面の面積の和がＰ１であって、前記基材及び前記ビルドアップ層の厚み方向における断面の面積がＳ２、該断面における前記導体層の断面の面積の和がＰ２であるとき、Ｐ１／Ｓ１はＰ２／Ｓ２よりも大きい。
【０００８】
本発明の第３の観点に係るプリント配線板は、インダクタ部品を内蔵するための開口を有すると共に第１面と該第１面と反対側の第２面とを有するコア基板と、前記開口に収容されているインダクタ部品と、前記コア基板の開口の側壁と前記インダクタ部品との隙間を充填している充填樹脂と、前記コア基板の第１面と前記インダクタ部品上に形成されている第１のビルドアップ層と、を有する。そして、前記インダクタ部品は、１つの平面に配線パターンで形成されている少なくとも１つのコイル層と該コイル層上に形成されている少なくとも１つの樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上に形成されている電極と前記樹脂絶縁層に形成され前記コイル層と前記電極とを接続するビア導体で形成されていて、前記電極が前記コア基板の第１面に向くように前記インダクタ部品は前記開口に収容されていて、前記第１のビルドアップ層は前記コア基板の第１面と前記インダクタ部品上に形成されている第１の層間樹脂絶縁層と該第１の層間樹脂絶縁層上の上側の導体層と該上側の導体層と前記電極を接続する接続ビア導体とを有する。
【０００９】
本発明の第４の観点に係るプリント配線板の製造方法は、支持板上に最下の樹脂絶縁層を形成することと、前記最下の樹脂絶縁層上に配線パターンで形成されているコイル層を形成することと、前記コイル層と前記最下の樹脂絶縁層上に第２樹脂絶縁層を形成することと、前記コイル層に至るビア導体用の開口を前記第２樹脂絶縁層に形成することと、前記第２樹脂絶縁層上に電極を形成することと、前記ビア導体用の開口に前記電極と前記コイル層を接続するビア導体を形成することと、前記支持体と前記最下層の樹脂絶縁層を分離することを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る配線板の断面図。
【図２】インダクタ部品の断面図。
【図３】インダクタ部品を構成する導体パターンの斜視図。
【図４】インダクタ部品を構成する導体パターンの斜視図。
【図５】インダクタ部品を構成する導体パターンの斜視図。
【図６】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図７】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図８】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図９】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図１０】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図１１】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図１２】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図１３】配線板の製造方法を説明するための図。
【図１４】配線板の製造方法を説明するための図。
【図１５】配線板の製造方法を説明するための図。
【図１６】配線板の製造方法を説明するための図。
【図１７】配線板の製造方法を説明するための図。
【図１８】配線板の製造方法を説明するための図。
【図１９】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２０】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２１】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２２】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２３】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２４】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２５】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２６】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２７】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２８】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２９】配線板の製造方法を説明するための図。
【図３０】配線板の製造方法を説明するための図。
【図３１】配線板の変形例を説明するための図。
【図３２】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図３３】第２実施形態のインダクタ部品の断面図。
【図３４】第２実施形態に係るインダクタ部品の各コイル層を示す平面図。
【図３５】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図３６】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図３７】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図３８】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図３９】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４０】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４１】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４２】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４３】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４４】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４５】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４６】第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４７】第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４８】第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４９】第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図５０】第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図５１】第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図５２】本発明の第２実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図。
【図５３】本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図５４】本発明の第４実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図５５】別の例に係る積層コイルの各コイル層を示す平面図。
【図５６】本発明の第５実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図５７】積層コイルの最上と最下のコイル層を示す平面図。
【図５８】積層コイルの最上のコイル層と接続配線と共通電極が示されている。
【図５９】積層コイルのコイル層を示す平面図。
【図６０】本発明の第６実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図６１】本発明の第７実施形態に係るプリント配線板の断面図及びコイル層の平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[第１実施形態]
以下、本発明の第１実施形態が図面を参照しつつ説明される。なお、説明にあたっては、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸からなる座標系が用いられる。
また、第１実施形態の断面は、インダクタを含む箇所をＸＹ平面に垂直な任意の平面で切断することで得られる面である。
【００１２】
図１は、第１実施形態に係る配線板（プリント配線板）１０のＸＺ断面図である。コア基板２０Ａは、第１面Ｆと、該第１面とは反対側の第２面Ｓとを有する絶縁性基材（基材）２０と、絶縁性基材２０の第１面Ｆ上に形成されている第１のビルドアップ層１１と、絶縁性基材２０の第２面Ｓ上に形成されている第２のビルドアップ層１２とからなる。
【００１３】
第１のビルドアップ層１１は、絶縁性基材２０の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３１と、第１導体層３１を覆うように絶縁性基材２０の第１面Ｆ上に形成されている第１の層間樹脂絶縁層（絶縁層）２１と、第１の層間樹脂絶縁層２１上に形成されている上側の導体層３３と、上側の導体層３３を覆うように第１の層間樹脂絶縁層２１上に形成されているソルダーレジスト層２３とからなる。
【００１４】
第２のビルドアップ層１２は、絶縁性基材２０の第２面Ｓ上に形成されている第２導体層３２と、第２導体層３２を覆うように絶縁性基材２０の第２面Ｓ上に形成されている第２の層間樹脂絶縁層（絶縁層）２２と、第２の層間樹脂絶縁層２２上に形成されている下側の導体層３４と、下側の導体層３４を覆うように第２の層間樹脂絶縁層２２上に形成されているソルダーレジスト層２４とからなる。
【００１５】
なお、ここでは第１のビルドアップ層１１，第２のビルドアップ層１２は、１層の層間樹脂絶縁層（絶縁層）を有しているが、複数の絶縁層を有していてもよい。
【００１６】
絶縁性基材（基材）２０の内部には、インダクタ部品６０とチップキャパシタ８０が収容されている。絶縁性基材２０は、例えばグラスファイバ、アラミドファイバ等の強化材に、エポキシ樹脂を含浸させることにより形成されている。図１に示されるように、この絶縁性基材２０には、スルーホール導体用の貫通孔２０ａと、インダクタ部品６０が収容されるキャビティ（開口）２０ｂと、チップキャパシタ８０が収容されるキャビティ（開口）２０ｃが形成されている。
【００１７】
貫通孔２０ａの内部には、スルーホール導体４０が形成されている。このスルーホール導体４０は、銅めっきからなる。
【００１８】
ここで、絶縁性基材２０及び第１のビルドアップ層１１，第２のビルドアップ層１２の厚み方向における断面の面積がＳ２、当該断面における第１導体層３１、第２導体層３２，上側の導体層３３、下側の導体層３４の断面積の和がＰ２であるとき、Ｐ２／Ｓ２は約０．３である。なお、ここでのＳ２は、絶縁性基材２０、第１の層間樹脂絶縁層２１，第２の層間樹脂絶縁層２２及びソルダーレジスト層２３，２４を合わせたＺ軸方向のプリント配線板１０の厚みＤ１と、Ｘ軸方向のプリント配線板１０の幅Ｄ２との積で表される。
【００１９】
図２は、キャビティ２０ｂに収容されるインダクタ部品６０のＸＺ断面図である。図２に示されるように、インダクタ部品６０は、複数の樹脂絶縁層（磁性体層、第２絶縁層）６１ａ〜６１ｅと、各磁性体層上に形成されている配線パターン（第２導体パターン）７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄと、最上の樹脂絶縁層（最上の磁性体層）６１ａの上面に形成されている電極（パッド）６２と、磁性体層６１ｅの下面に形成されている電極（導体パターン）６３ａ，６３ｂと、導体パターン６２を被覆する保護膜６４と、導体パターン６３ａ，６３ｂを被覆する保護膜６５とを有している。
【００２０】
磁性体層６１ａ〜６１ｅは、磁性を有している。この磁性体層６１ａ〜６１ｅは、例えば、磁性を有する粒子を含むペースト状の樹脂を硬化させることによって形成される。これらの磁性体層６１ａ〜６１ｅの厚さは、１５〜６０μｍ程度である。保護膜６４、６５は、導体パターン６２、導体パターン６３ａ，６３ｂを保護するために設けられる。
【００２１】
図３は、導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄを示す斜視図である。導体パターン７１ａ，７２ａは、磁性体層６１ａと磁性体層６１ｂの間に形成されている。これらの導体パターン７１ａ，７２ａは、磁性体層６１ｂに形成されているめっき膜をパターニングすることにより形成される。
【００２２】
同様に、導体パターン７１ｂ，７２ｂは、磁性体層６１ｂと磁性体層６１ｃの間に形成され、導体パターン７１ｃ，７２ｃは、磁性体層６１ｃと磁性体層６１ｄの間に形成され、導体パターン７１ｄ，７２ｄは、磁性体層６１ｄと磁性体層６１ｅの間に形成されている。これらの導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄの厚さは１０〜８０μｍである。
なお、インダクタの性能を高める目的で、導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄの厚さを、磁性体層６１ａ〜６１ｅの厚みよりも厚くすることが好ましい。
【００２３】
図４は、導体パターン７１ａ〜７１ｄを示す図である。図４に示されるように、導体パターン７１ａ〜７１ｄは、磁性体層６１ｂ，６１ｃ，６１ｄに設けられているビア導体７５によって相互に接続され、インダクタ（コイル）７１を形成している。
【００２４】
具体的には、導体パターン７１ａの−Ｙ側の端部は、導体パターン７１ｂの−Ｙ側の端部に接続されている。同様に、導体パターン７１ｂの＋Ｙ側の端部は、導体パターン７１ｃの＋Ｙ側の端部に接続され、導体パターン７１ｃの−Ｙ側の端部は、導体パターン７１ｄの−Ｙ側の端部に接続されている。これらの直列に接続されている導体パターン７１ａ〜７１ｄによって、インダクタ７１が形成されている。このインダクタのターン数は２である。
【００２５】
図５は、導体パターン７２ａ〜７２ｄを示す図である。図５に示されるように、導体パターン７２ａ〜７２ｄは、磁性体層６１ｂ，６１ｃ，６１ｄに設けられているビア導体７５によって相互に接続され、インダクタ７２を形成している。
【００２６】
具体的には、導体パターン７２ａの＋Ｙ側の端部は、導体パターン７２ｂの＋Ｙ側の端部に接続されている。同様に、導体パターン７２ｂの−Ｙ側の端部は、導体パターン７２ｃの−Ｙ側の端部に接続され、導体パターン７２ｃの＋Ｙ側の端部は、導体パターン７２ｄの＋Ｙ側の端部に接続されている。これらの直列に接続されている導体パターン７２ａ〜７２ｄによって、インダクタ７２が形成されている。このインダクタ７２のターン数は２である。
【００２７】
図３に示されるように、インダクタ７１を構成する導体パターン７１ｄは、ビア導体７５を介して電極（下側の電極（下側の第１電極））６３ｂに接続されている。インダクタ７２を構成する導体パターン７２ｄは、ビア導体７５を介して電極（下側の電極（下側の第２電極））６３ａに接続されている。また、インダクタ７１とインダクタ７２が、それぞれビア導体７５を介して、電極（上側の電極）６２に接続されることで、相互に並列に接続されている。
【００２８】
第１実施形態のインダクタ部品６０では、２層の導体パターンで１巻きのインダクタが複数（図３では２つ）形成されている。例えば、導体パターン７１ａと導体パターン７１ｂで１巻きのコイルが形成されている。導体パターン７１ａと導体パターン７１ｂは異なる層に形成されている。導体パターン７１ａ、７１ｂと導体パターン７２ａ、７２ｂでそれぞれ１巻きのコイルが形成されている。このため、インダクタ部品６０と同等の大きさの領域で、１つのインダクタを形成する場合と比較して、電流が流れる経路の面積が増える。その結果、１つのインダクタに比べて、インダクタ部品６０の抵抗値は、見かけ上小さくなる。また、電極６２は、インダクタ部品６０の抵抗値を低減するという観点から、それぞれ導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄよりも厚いことが好ましい。
【００２９】
図２に示されるように、インダクタ部品６０の厚み方向における断面の面積がＳ１であり、当該断面における第２導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄの断面積の和がＰ１であるとき、Ｐ１／Ｓ１の値は、上記Ｐ２／Ｓ２の値よりも大きく、０．６〜０．９である。なお、インダクタ部品６０の厚み方向における断面積Ｓ１は、Ｚ軸方向の厚みＤ３とＸ軸方向の幅Ｄ４との積で表される。
【００３０】
Ｐ１／Ｓ１の値が０．６未満の場合、インダクタ部品６０のインダクタンスを十分に確保することが困難になる。一方、Ｐ１／Ｓ１の値が０．９を超える場合、第２導体パターンの割合が過剰に増える。そのため、隣接するインダクタ同士が短絡してしまい、インダクタの性能が低下する場合がある。
【００３１】
Ｐ２／Ｓ２に対する、前記Ｐ１／Ｓ１の割合は２以上で３以下である。上記と同様に、この値が２未満の場合、インダクタ部品のインダクタンスを十分に確保することが困難になる。一方、この値が３を超える場合、第２導体パターンの割合が過剰に増える。そのため、隣接するインダクタ同士が短絡してしまい、インダクタの性能が低下する場合がある。
【００３２】
次に、上述のインダクタ部品６０の製造方法の一例が説明される。
【００３３】
まず、図６に示されるように、表面が平滑なベース基板１００の上面に、磁性を有する粒子を含む樹脂ペーストが塗布され、その樹脂ペーストを硬化することで磁性体層６１ｅが形成される。
【００３４】
次に、磁性体層６１ｅの上面に、無電解めっき処理、及び電解めっき処理が行われることにより、めっき膜が形成される。そして、このめっき膜をパターニングすることにより、図７に示される導体パターン７１ｄ，７２ｄが形成される。続いて、磁性体層６１ｅ及び導体パターン７１ｄ，７２ｄの上面に、樹脂ペーストが塗布され、その樹脂ペーストを硬化することで磁性体層６１ｄが形成される。
【００３５】
次に、図８に示されるように、磁性体層６１ｄに、レーザ光が照射され、ビアホール７５ａが形成される。
【００３６】
次に、磁性体層６１ｄの上面に、無電解めっき処理、及び電解めっき処理が行われることにより、めっき膜が形成される。そして、このめっき膜がパターニングされる。これにより、図９に示されるように、導体パターン７１ｄに、ビア導体７５を介して接続される導体パターン７１ｃと、導体パターン７２ｄに、ビア導体７５を介して接続される導体パターン７２ｃが、磁性体層６１ｄ上に形成される。
【００３７】
同様の手順で、磁性体層６１ｃ，６１ｂ，６１ａと、導体パターン７１ｂ，７２ｂ，７１ａ，７２ａが順次形成される。これにより、図１０に示される５層の磁性体層６１ａ〜６１ｅと、導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄとからなるインダクタ部品６０の本体部が形成される。
【００３８】
次に、図１１に示されるように、インダクタ部品６０の本体部とベース基板１００が分離される。そして、磁性体層６１ａ，６１ｅにビアホールが形成される。
【００３９】
次に、図１２に示されるように、磁性体層６１ａの表面と、磁性体層６１ｅの表面とに、無電解めっき処理、及び電解めっき処理を行うことにより、めっき膜が形成される。そして、このめっき膜をパターニングすることにより、電極６２、６３ａ、６３ｂが形成される。
【００４０】
電極６２は、ビア導体７５を介して、導体パターン７１ａと導体パターン７２ａに接続されている。なお、電極６２と導体パターン７１ａとを接続するビア導体は、ここでは図示されていない。
【００４１】
次に、磁性体層６１ａ上に保護膜６４が形成され、電極６２、６３ａ、６３ｂが覆われる。これにより、図２に示されるインダクタ部品６０が完成する。
【００４２】
上述のインダクタ部品６０は、図１に示されるように、絶縁性基材２０に形成されているキャビティ２０ｂに収容されている。また、絶縁性基材２０に形成されているキャビティ２０ｃの内部には、チップキャパシタ８０が収容されている。
【００４３】
第１導体層３１は、絶縁性基材２０の上面（＋Ｚ側の面）に形成されている。また、第２導体層３２は、絶縁性基材２０の下面（−Ｚ側の面）に形成されている。第１導体層３１，第２導体層３２の厚さはそれぞれ５〜３０μｍで、所定の形状にパターニングされている。これらの第１導体層３１，第２導体層３２は、プリント配線板１０の電子回路を構成し、スルーホール導体４０によって電気的に接続されている。
【００４４】
第１の層間樹脂絶縁層２１は、絶縁性基材２０の上面を覆うように形成されている。第１の層間樹脂絶縁層２１は、例えば硬化されているプリプレグからなる。
【００４５】
プリプレグは、例えばグラスファイバ又はアラミドファイバに、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を含浸させることにより形成される。プリント配線板１０では、第１の層間樹脂絶縁層２１の厚さは、１０〜６０μｍである。
【００４６】
第１の層間樹脂絶縁層２１には、複数のビアホール２１ａが形成されている。ビアホール２１ａの内部には、ビア導体３３ａが形成される。このビア導体３３ａは、銅めっきからなる。
【００４７】
第２の層間樹脂絶縁層２２は、絶縁性基材２０の下面を覆うように形成されている。第２の層間樹脂絶縁層２２は、第１の層間樹脂絶縁層２１と同様に、例えば硬化されているプリプレグからなる。この第２の層間樹脂絶縁層２２の厚さは、第１の層間樹脂絶縁層２１と同様に、１０〜６０μｍである。
【００４８】
第２の層間樹脂絶縁層２２には、複数のビアホール２２ａが形成されている。ビアホール２２ａの内部には、ビア導体３４ａが形成される。このビア導体３４ａは、銅めっきからなる。
【００４９】
上側の導体層３３は、第１の層間樹脂絶縁層２１の上面に形成されている。また、下側の導体層３４は、第２の層間樹脂絶縁層２２の下面に形成されている。上側の導体層３３，下側の導体層３４の厚さがそれぞれ５〜２０μｍで、所定の形状にパターニングされている。そして、上側の導体層３３は、第１の層間樹脂絶縁層２１に形成されているビア導体３３ａによって、第１導体層３１、インダクタ部品６０、及びチップキャパシタ８０と電気的に接続されている。また、下側の導体層３４は、第２の層間樹脂絶縁層２２に形成されているビア導体３４ａによって、第２導体層３２及びインダクタ部品６０と電気的に接続されている。インダクタ部品と接続されるビア導体は接続ビア導体である。
【００５０】
ソルダーレジスト層２３は、第１の層間樹脂絶縁層２１を覆うように形成されている。また、ソルダーレジスト層２４は、第２の層間樹脂絶縁層２２を覆うように形成されている。
【００５１】
ソルダーレジスト層２３には、複数の開口２３ａが形成されている。その開口２３ａにより露出する上側の導体層やビア導体の上面が電子部品と接続するためのパッドとして機能する。そして、開口２３ａの内部には、パッドの表面を被覆する、ニッケルめっき膜と金メッキ膜からなる２層構造の半田接続層５１が形成されている。プリント配線板１０に実装される電子部品の端子は、半田接続層５１に半田５３を介して接続される。
【００５２】
同様に、ソルダーレジスト層２４には、複数の開口２４ａが形成されている。そして、開口の内部には、下側の導体層３４の表面を被覆するための、ニッケルめっき膜と金メッキ膜からなる２層構造の半田接続層５１が形成されている。その半田接続層５１に形成されている半田５４を介してプリント配線板のマザーボードに接続されている。
【００５３】
次に、上述のプリント配線板１０の製造方法が説明される。
【００５４】
まず、図１３に示されるように銅張積層板２００が準備される。
【００５５】
次に、図１４に示されるように、銅張積層板２００に、例えばＣＯ２レーザを用いて、貫通孔２０ａが形成される。このとき、銅張積層板２００の表裏からそれぞれレーザ光が照射される。なお、銅張積層板２００の表面側からのみレーザ光が照射されてもよい。そして、例えば、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とする触媒が、銅張積層板２００の表面、及び貫通孔２０ａの内壁に付与される。その後、銅張積層板２００に無電解銅めっきが施される。これにより、図１５に示されるように、銅張積層板２００の表面、及び貫通孔２０ａの内壁に、シード層としての無電解めっき膜２０３が形成される。
【００５６】
次に、無電解めっき膜２０３を有する銅張積層板２００に、電解銅めっきが施される。これにより、図１６に示されるように、銅張積層板２００の表面にめっき膜２０４が形成され、貫通孔２０ａの内部にスルーホール導体４０が形成される。
【００５７】
次に、テンティング法などにより、銅箔２０１，２０２、及びめっき膜２０４がパターニングされる。これにより、図１７に示されるように、銅箔２０１及びめっき膜２０４からなる第１導体層３１、及び銅箔２０２及びめっき膜２０４からなる第２導体層３２が形成される。
【００５８】
次に、例えばルータ等を用いて、図１８に示されるように、絶縁性基材２０にキャビティ２０ｂ、２０ｃが形成される。そして、銅張積層板２００の下面側に粘着シート１０１が貼り付けられる。
【００５９】
次に、図１９に示されるように、キャビティ２０ｂにインダクタ部品６０が収容され、キャビティ２０ｃにチップキャパシタ８０が収容される。
【００６０】
次に、図２０に示されるように、銅張積層板２００の上面に、熱硬化性樹脂からなるフィルム２２１が配置される。そして、フィルム２２１にラミネート処理を行うことで、銅張積層板２００にフィルム２２１が積層される。これにより、図２１に示されるように、絶縁性基材２０の上面に、第１導体層３１を覆う第１の層間樹脂絶縁層２１が形成される。
【００６１】
次に、図２１に示されるように、銅張積層板２００から粘着シート１０１が剥離される。銅張積層板２００の下面に、熱硬化性樹脂からなるフィルム２２２が配置される。そして、フィルム２２２にラミネート処理を行うことで、銅張積層板２００にフィルム２２２が積層される。これにより、図２２に示されるように、絶縁性基材２０の下面に、第２導体層３２を覆う第２の層間樹脂絶縁層２２が形成される。
【００６２】
また、この状態のとき、キャビティ２０ｂ，２０ｃには、フィルム２２１，２２２を構成する樹脂がキャビティに染み出て、その樹脂でキャビティが充填される。
【００６３】
次に、第１の層間樹脂絶縁層２１及び第２の層間樹脂絶縁層２２それぞれにレーザ光が照射され、図２３に示されるようにビアホール２１ａ，２２ａが形成される。
【００６４】
次に、銅張積層板２００が無電解銅めっき液に浸漬される。これにより、図２４に示されるように、第１の層間樹脂絶縁層２１の表面、及びビアホール２１ａの内壁に、無電解めっき膜２０５が形成される。また、第２の層間樹脂絶縁層２２の表面、及びビアホール２２ａの内壁に、無電解めっき膜２０６が形成される。
【００６５】
次に、無電解めっき膜２０５，２０６の表面にめっきレジスト３０１，３０２が形成される（図２５）。
【００６６】
次に、めっきレジスト３０１，３０２の開口３０１ａ，３０２ａから露出する無電解めっき膜２０５、２０６上に電解銅めっきが施される。これにより、図２６に示されるように、めっきレジスト３０１，３０２から露出している無電解めっき膜上に電解めっき膜２０７，２０８が形成される。
【００６７】
次に、めっきレジスト３０１，３０２が除去される。そして、電解めっき膜間の無電解めっき膜２０５，２０６がエッチングで除去される。これにより、図２７に示されるように、第１の層間樹脂絶縁層２１の表面に上側の導体層３３が形成され、ビアホール２１ａにビア導体３３ａが形成される。また、第２の層間樹脂絶縁層２２の表面に下側の導体層３４が形成され、ビアホール２２ａにビア導体３４ａが形成される。
【００６８】
次に、図２８に示されるように、上側の導体層３３及び下側の導体層３４を覆うように、第１の層間樹脂絶縁層２１上及び第２の層間樹脂絶縁層２２上にそれぞれソルダーレジスト層２３，２４が形成される。
【００６９】
次に、図２９に示されるように、ソルダーレジスト層２３、２４に開口２３ａ、２４ａが形成されることで、上側の導体層３３、下側の導体層３４の少なくとも一部が露出される。
【００７０】
次に、開口２３ａ，２４ａから露出する上側の導体層３３，下側の導体層３４の表面に、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの半田接続層５１、５２が形成される。これにより、図１に示されるプリント配線板１０が完成する。
【００７１】
第１実施形態では、インダクタ部品６０は、絶縁性基材２０に形成されているキャビティ２０ｂに収容される。したがって、プリント配線板１０の層構造にかかわらず、インダクタ部品６０の占積率が十分に確保される。適切なインダクタンスが得られる。
【００７２】
仮に、第１のビルドアップ層１１または、第２のビルドアップ層１２の内部にインダクタが形成されると、インダクタの占積率が、ビルドアップ層内の導体層の層数や、第１の層間樹脂絶縁層２１，第２の層間樹脂絶縁層２２の厚み等に依存する。これに対して、第１実施形態では、インダクタ部品６０が、プリント配線板１０の目的や用途に応じて予め製造される。このため、プリント配線板１０のビルドアップ層の層構造にかかわらず、インダクタ部品６０の占積率を十分に確保することができる。したがって、プリント配線板１０の用途に応じて、適切な性能を有するインダクタを形成することが可能となる。
【００７３】
以上から、第１実施形態に係るプリント配線板１０は、プリント配線板１０に駆動電圧が低く消費電力が小さな低電圧型のマイクロプロセッサが実装されたとしても、インダクタ部品６０及びチップキャパシタ８０を含んで構成される回路を介して、マイクロプロセッサに安定して電源の供給を行うことが可能となる。
【００７４】
例えば、第１実施形態では、絶縁性基材２０の上面に、第１導体層３１，上側の導体層３３、及び、第１の層間樹脂絶縁層２１からなるビルドアップ層が形成され、絶縁性基材２０の下面に、第２導体層３２，下側の導体層３４、及び第２の層間樹脂絶縁層２２からなる第２のビルドアップ層が形成されている。これに限らず、絶縁性基材２０の表面には、３以上の導体層、及び２以上の層間樹脂絶縁層からなるビルドアップ層が形成されていてもよい。
【００７５】
基材の材料は特に限定されない。すなわち、絶縁性樹脂以外、基材としてCu、Al等の金属や、Si等の半導体材料が用いられてもよい。また、基材は金属と樹脂とが交互に積層されてなる多層構造であってもよい。
【００７６】
第１実施形態では、インダクタ部品６０を構成する導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄの厚さが、導体層３１〜３４（絶縁性基材上の導体層やビルドアップ層の導体層）の厚さよりも大きい。これに限らず、第１のビルドアップ層１１，第２のビルドアップ層１２は、導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄの厚さよりも厚い導体層を含んでいてもよい。
【００７７】
第１実施形態では、インダクタ部品６０が、並列に接続されているインダクタ７１，７２で形成されている。これに限らず、インダクタ部品６０は、１つのインダクタから構成されていてもよい。図３に示されているインダクタ部品は２組のインダクタが並列で繋がっているので、インダクタの抵抗が低くなる。そのため抵抗の低いインダクタ部品が得られる。また、インダクタ７１，７２のターン数は２ターンに限られるものではなく、３ターン以上であってもよい。
【００７８】
第１実施形態では、絶縁性基材２０の内部にチップキャパシタ８が収容されている。このチップキャパシタ８０の代わりに、図３１に示されるように、第１のビルドアップ層１１に薄膜キャパシタ９０が設けられてもよい。このように、Ｚ軸方向において、半導体素子（図示せず）とインダクタ部品６０との間に薄膜キャパシタ９０を設けることで、安定して電源の供給を行うことが可能となる。
【００７９】
絶縁性基材２０、第１の層間樹脂絶縁層２１，第２の層間樹脂絶縁層２２、ソルダーレジスト層２３，２４の材料は、プリント配線板１０の使用目的等に応じて任意に選択される。例えば、第１の層間樹脂絶縁層２１，第２の層間樹脂絶縁層２２は、プリプレグの他、液状又はフィルム状の熱硬化性樹脂や、それらの混合物、さらにはＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）で構成されていてもよい。
【００８０】
無電解めっきの材料として、ニッケルや、チタン、クロム等が用いられてもよい。無電解めっき以外に、ＰＶＤ膜やＣＶＤ膜を用いることもできる。ＰＶＤ膜やＣＶＤ膜の場合、触媒は不要である。
【００８１】
同様に、電解めっき膜の材料として、ニッケルや、チタン、クロム等が用いられてもよい。
【００８２】
また、めっきは、金属や樹脂などの表面に層状に導体（例えば金属）を析出させることと、析出により形成される導体（例えば金属層）を含む。また、めっきは、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含む。
【００８３】
また、導体層３１〜３４の形成方法、パターニング方法は限定されず、セミアディティブ法、サブトラクティブ法などを、プリント配線板１０の用途に応じて適宜選択される。
【００８４】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板４１０の断面が図３２に示される。そのプリント配線板４１０では、インダクタ部品５１０が第１面（Ｆ）とその第１面と反対側の第２面（Ｓ）を有するコア基板４３０に内蔵されている。コア基板はインダクタ部品を内蔵するための開口４２０を有すると共に第１面とその第１面と反対側の第２面を有する絶縁性基材４３０Ａとその絶縁性基材の第１面上の第１導体層４３４Ａとその絶縁性基材の第２面上の第２導体層４３４Ｂとその第１導体層４３４Ａとその第２導体層４３４Ｂを接続しているスルーホール導体４３６を有する。
【００８５】
スルーホール導体４３６は、絶縁性基材に形成されている貫通孔４３１内をめっき膜で充填することにより形成される。貫通孔４３１は、絶縁性基材の第１面側に形成されている第１開口部４３１ａと、第２面側に形成されている第２開口部４３１ｂで形成されている。第１開口部４３１ａは第１面から第２面に向かってテーパしているとともに、第２開口部４３１ｂは第２面から第１面に向かってテーパしており、該第１開口部４３１ａと該第２開口部４３１ｂは絶縁性基材の内部で繋がっている。
【００８６】
コア基板の第１面と絶縁性基材の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁性基材の第２面は同じ面である。コア基板４３０の第１面Ｆとインダクタ部品上に第１のビルドアップ層が形成されている。第１のビルドアップ層はコア基板４３０の第１面Ｆとインダクタ部品上に形成されている絶縁層（第１の層間樹脂絶縁層）４５０Ａとその絶縁層４５０Ａ上の導体層（上側の導体層）４５８Ａと絶縁層４５０Ａを貫通し第１導体層やスルーホール導体と導体層４５８Ａを接続しているビア導体４６０Ａとを有する。さらに、絶縁層４５０Ａにインダクタ部品の電極５５８ＧＤと導体層４５８Ａとを接続する接続ビア導体４６０Ａａが形成されている。第１のビルドアップ層はさらに絶縁層４５０Ａと導体層４５８Ａ上の絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）４５０Ｃと絶縁層４５０Ｃ上の導体層（最上の導体層）４５８Ｃと絶縁層４５０Ｃを貫通し導体層４５８Ａやビア導体４６０Ａ、４６０Ａａと導体層４５８Ｃとを接続するビア導体４６０Ｃを有する。
【００８７】
コア基板４３０の第２面Ｓとインダクタ部品下に第２のビルドアップ層が形成されている。第２のビルドアップ層はコア基板４３０の第２面Ｓとインダクタ部品下に形成されている絶縁層（第２の層間樹脂絶縁層）４５０Ｂとその絶縁層４５０Ｂ下の導体層（下側の導体層）４５８Ｂと絶縁層４５０Ｂを貫通し第２導体層やスルーホール導体と導体層４５８Ｂを接続しているビア導体４６０Ｂとを有する。第２のビルドアップ層はさらに絶縁層４５０Ｂと導体層４５８Ｂ下の絶縁層（最下の層間樹脂絶縁層）４５０Ｄと絶縁層４５０Ｄ下の導体層（最下の導体層）４５８Ｄと絶縁層４５０Ｄを貫通し導体層４５８Ｂと導体層４５８Ｄとを接続するビア導体４６０Ｄを有する。
【００８８】
第１と第２のビルドアップ層に開口４７１を有するソルダーレジスト層４７０が形成されている。ソルダーレジスト層の開口により露出している導体層４５８Ｃ、４５８Ｄやビア導体４６０Ｃ、４６０Ｄの上面はパッドとして機能する。パッド上にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの金属膜４７１、４７２、４７４が形成され、その金属膜上に半田バンプ４７６Ｕ、４７６Ｄが形成されている。第１のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ４７６Ｕを介してＩＣチップがプリント配線板に搭載される。第２のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ４７６Ｄを介してプリント配線板はマザーボードに搭載される。
【００８９】
第２実施形態のプリント配線板４１０では、コア基板４３０に形成されている開口４２０にインダク部品５１０が収容されている。開口４２０は絶縁性基材の第１面から第２面に至る貫通孔(開口)４２０である。該貫通孔４２０には充填樹脂４５０が充填されている。開口４２０の側壁（開口４２０により露出される絶縁性基材の側壁）とインダクタ部品の隙間は充填樹脂４５０で充填されている。
【００９０】
第２実施形態では、コア基板にインダクタ部品が内蔵されるので、ビルドアップ層の絶縁層の層数を増やすことなく、インダクタ部品をプリント配線板に内蔵することができる。複数のコイル層と樹脂絶縁層が交互に積層されているインダクタ部品がプリント配線板に内蔵されても、第２実施形態では、コア基板上の絶縁層（第１や第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層）の層数が増えない。コア基板の厚みはコア基板上の絶縁層の厚みより一般的に厚いので、第２実施形態では、コア基板上の絶縁層の層数を増やすことなく、コイル層の層数の多いインダクタ部品をプリント配線板に内蔵することができる。薄いプリント配線板にインダクタンスの高いインダクタ部品が内蔵される。第２実施形態では、プリント配線板にコイルを内蔵するためにビルドアップ層の絶縁層（層間樹脂絶縁層）を増やす必要がない。ビルドアップ層にパターンでコイルが形成されると絶縁層や導体層の数が増えプリント配線板が厚くなる。第１のビルドアップ層、もしくは、第２のビルドアップ層にコイルが形成されると、第１または第２のビルドアップ層の層数が多くなりやすい。プリント配線板の断面方向で対称性が悪くなるのでプリント配線板の反りが発生し易い。しかしながら、第２実施形態は、第１と第２のビルドアップ層の絶縁層と導体層の数を同じにすることができるので、プリント配線板の反りが小さい。
【００９１】
図３２中のインダクタ部品５１０の拡大図が図３３に示される。インダクタ部品は最下の樹脂絶縁層５５０Ａと第１のコイル層５５８Ａとそのコイル層５５８Ａ上の樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｅ、５５０Ｇとコイル層５５８Ｃ、５５８Ｅと樹脂絶縁層（最上の樹脂絶縁層）５５０Ｇ上の電極５５８ＧＤを有する。図３３では、電極は露出していて、電極上に樹脂絶縁層やコーティング層は形成されていない。電極５５８ＧＤがコア基板の第１面に向くようにインダクタ部品はコア基板に内蔵されている。
【００９２】
第１樹脂絶縁層（最下の樹脂絶縁層）５５０Ａ上に第１のコイル層５５８Ａが形成されている。第１のコイル層５５８Ａと第１樹脂絶縁層上に第２樹脂絶縁層５５０Ｃが形成され、該第２樹脂絶縁層上に第２のコイル層５５８Ｃが形成されている。第１のコイル層５５８Ａと第２のコイル層が第２樹脂絶縁層に形成されているビア導体５６０Ｃで接続されている。第２のコイル層５５８Ｃと第２樹脂絶縁層上に第３樹脂絶縁層５５０Ｅが形成されている。該第３樹脂絶縁層上に第３のコイル層５５８Ｅが形成されている。第２のコイル層５５８Ｃと第３のコイル層５５８Ｅが第３樹脂絶縁層に形成されているビア導体５６０Ｅで接続されている。第３のコイル層５５８Ｅと第３樹脂絶縁層上に第４樹脂絶縁層（最上の樹脂絶縁層）５５０Ｇが形成されている。第４樹脂絶縁層上に第４のコイル層（最上のコイル層）５５８Ｇが形成されている。第３のコイル層５５８Ｅと第４のコイル層５５８Ｇが第４樹脂絶縁層に形成されているビア導体５６０Ｇで接続されている。第４のコイル層の一部は電極５５８ＧＤとして機能する。その電極５５８ＧＤ上に接続ビア導体４６０Ａａが形成される。第２実施形態では、第４のコイル層が最上のコイル層に相当し、第４樹脂絶縁層が最上の樹脂絶縁層に相当する。最上のコイル層以外の内層のコイル層（第１のコイル層５５８Ａ、第２のコイル層５５８Ｃ、第３のコイル層５５８Ｅ）の表面が粗化されている。樹脂絶縁層とコイル層で剥がれが発生し難い。第４のコイル層（最上のコイル層）の表面は、粗面であっても粗面でなくてもよい。第２実施形態のインダクタ部品は、交互に積層されている樹脂絶縁層とコイル層を有し、異なる層のコイル層は樹脂絶縁層内のビア導体で接続されている。第２実施形態のインダクタ部品は、このような積層コイルＣＡ、ＣＢ、ＣＣを複数有し、各積層コイルは並列または直列で繋げられる。図３３のインダクタ部品は、３つの積層コイルで形成されている（ＣＡ：図中左、ＣＲ：図中真中、ＣＣ：図中右）。各積層コイルが容易に接続される。コイル層で挟まれる樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｅ、５５０Ｇは鉄-ニッケル合金、鉄合金、アモルファス合金等の磁性体粒子を含むことができる。インダクタンスが高くなる。最下の樹脂絶縁層も磁性体粒子を含むことができる。インダクタ部品内の磁束が外部に漏れ難くなる。インダクタ部品の直下の第２のビルドアップ層にグランドやパワーなどの導体回路が形成されてもインダクタンスの値の減少や損失の増大が防止される。このような観点から、最上のコイル層と最上の樹脂絶縁層上に磁性体粒子を含むコーティング層が形成されることが好ましい。インダクタ部品の直上の第１のビルドアップ層にグランドやパワーなどの導体回路が形成されてもインダクタンスの値の減少や損失の増大が防止される。コーティング層は電極を露出する開口を有することができる。磁性体粒子の量は３０〜６０vol％である。樹脂絶縁層に磁性体粒子を混合することで、第１のビルドアップ層や第２のビルドアップ層の絶縁層の層数や導体層の層数が少なくなる。そのため、コア基板にインダクタ部品を内蔵しているプリント配線板の厚みを薄くすることが出来る。
【００９３】
インダクタ部品の最下の樹脂絶縁層下と最上のコイル層と最上の樹脂絶縁層上に磁性体膜が形成されることが好ましい。さらに、インダクタ部品の側壁に磁性体膜が形成されても良い。インダクタ部品内の磁束が外部に漏れ難くなる。インダクタンスの値の減少やＱ値の低下防止のため、インダクタ部品の直上や直下に導体回路の非形成領域を設ける必要がない。第１のビルドアップ層と第２のビルドアップ層で導体回路の体積のバランスが崩れがたい。反りの少ないプリント配線板が提供される。最下の樹脂絶縁層は磁性体膜でも良い。磁性体膜が最上のコイル層と最下のコイル層上に形成されている場合、磁性体膜はコーティング層や磁性体粒子を含む樹脂絶縁層を介して形成されることが望ましい。
【００９４】
この場合、磁性体膜とコーティング層は電極を露出する開口を有することが好ましい。磁性体膜はスパッタなどで形成される。ターゲットとして酸化鉄（III）などが用いられる。
【００９５】
各コイル層５５８Ａ、５５８Ｃ、５５８Ｅ、５５８Ｇは配線パターンで形成されている。そのパターンの形状の１例が図５５に示される。各コイル層は一つの平面上に形成されている。第１から第４のコイル層５５８Ａ、５５８Ｃ、５５８Ｅ、５５８Ｇはリング状の導体回路で形成されている。各層のコイル層は略１周の導体回路で形成されている。これにより、４ターンのコイルが形成される。各コイル層の電流の向きは同じである。図中の矢印は電流の向きを示している。この例では、向きは左回りである。また、各コイル層は断面方向で重なることが好ましい。
【００９６】
以下に第１積層コイルＣＡが説明される。最上のコイル層(第４のコイル層)５５８Ｇの一端に第１のビルドアップ層の接続ビア導体４６０Ａａと接続するための電極５５８ＧＤが形成されている。電極の形状は概ね円の形状である。第４のコイル層は電極と反対側の端に最上の樹脂絶縁層に形成されているビア導体５６０Ｇと接続している接続部Ｖ４を有する。そのビア導体５６０Ｇを介して第４のコイル層と第３のコイル層５５８Ｅは繋がっている。第３のコイル層にはビア導体５６０Ｇと接続するためのビアパッドＰ３を有している。ビアパッドＰ３は第３のコイル層の一端に形成されている。第３のコイル層はビアパッドＰ３と反対側の端に第３樹脂絶縁層に形成されているビア導体５６０Ｅと接続している接続部Ｖ３を有する。そのビア導体５６０Ｅを介して第３のコイル層と第２のコイル層５５８Ｃは繋がっている。第２のコイル層はビア導体５６０Ｅと接続するためのビアパッドＰ２を有している。ビアパッドＰ２は第２のコイル層の一端に形成されている。第２のコイル層はビアパッドＰ２と反対側の端に第２樹脂絶縁層に形成されているビア導体５６０Ｃと接続している接続部Ｖ２を有する。そのビア導体５６０Ｃを介して第２のコイル層と第１のコイル層５５８Ａは繋がっている。第１のコイル層はビア導体５６０Ｃと接続するためのビアパッドＰ１を有している。ビアパッドＰ１は第１のコイル層の一端に形成されている。第１のコイル層のビアパッドＰ１と反対側の端は接続配線Ｌ１０に繋がっている。そして、接続配線Ｌ１０は第２積層コイルに繋がっている。第２積層コイルは第１積層コイルと同様であり、第１積層コイルと第２積層コイルに流れる電流の向きは同じである。第２積層コイルの最上のコイル層は第３積層コイルと繋がる接続配線につながっている。
【００９７】
図５７は別の例の積層コイルを示している。この図では最上と最下のコイル層のみ示されている。この例では各層のコイル層が螺旋状に導体回路（配線パターン）で形成されている。最上のコイル層６５８Ａは図５５に示されている積層コイルと同様に電極６５８Ａａと接続部６５８Ａｂを有する。図５７のコイルでは、最下のコイル層６５８Ｂのビアパッド６５８Ｐは最下のコイル層の中心に形成されていて、最下のコイル層は接続配線Ｌ６５８と外周で繋がっている。コイル層の層数が偶数の時、電極は最上のコイル層の外周に形成されている（図５７（Ａ））。コイル層の層数が奇数の時、電極６５８Ａａは最上のコイル層６５８Ａの中心に形成され、最下のコイル層のビアパッド６５８Ｐは最下のコイル層の中心に形成されている（図５７（Ｂ））。
【００９８】
積層コイルの別の例が図３４に示されている。
図３２中に示すビア導体４６０Ａａ（第１のビルドアップ層の接続ビア導体）が、第４のコイル層（最上のコイル層）５５８Ｇ１の電極（入力電極）５５８ＧＤＩに接続され、電流は反時計回りに略半周流れて、第４のコイル層５５８Ｇ１の入力接続部Ｖ４Ｉに至る（図３４（Ｄ））。第４のコイル層５５８Ｇ１は、ビア導体５６０Ｇを介して第３のコイル層５５８Ｅ１の入力ビアパッドＰ３Ｉに接続される。電流は反時計回りに略半周流れて、第３のコイル層５５８Ｅ１の入力接続部Ｖ３Ｉに至る（図３４（Ｃ））。第３のコイル層５５８Ｅ１は、ビア導体５６０Ｅを介して第２のコイル層５５８Ｃ１の入力ビアパッドＰ２Ｉに接続される（図３４（Ｂ））。電流は反時計回りに略半周流れて、第２のコイル層５５８Ｃ１の入力接続部Ｖ２Ｉに至る（図３４（Ｂ））。第２のコイル層５５８Ｃ２は、ビア導体５６０Ｃを介して第１のコイル層５５８Ａの入力ビアパッドＰ１Ｉに接続される（図３４（Ａ））。電流は反時計回りに第１のコイル層５５８Ａを略一周し、該第１のコイル層５５８Ａの出力ビアパッドＰ１Ｏから、ビア導体５６０Ｃを介して第２のコイル層５５８Ｃ２の出力接続部Ｖ２０に接続される。電流は反時計回りに半周流れて、第２のコイル層５５８Ｃ２の出力ビアパッドＰ２０に至る（図３４（Ｂ））。第２のコイル層はビア導体５６０Ｅを介して第３のコイル層５５８Ｅ２の出力接続部Ｖ３０に接続される（図３４（Ｃ））。電流は反時計回りに略半周流れて、第３のコイル層５５８Ｅ２の出力ビアパッドＰ３０に至る（図３４（Ｃ））。第３のコイル層は、ビア導体５６０Ｇを介して第４のコイル層５５８Ｇ２の出力接続部Ｖ４０に接続される（図３４（Ｄ））。電流は反時計回りに略半周流れて接続配線Ｌ１０に至る（図３４（Ｄ））。図３４に示されている積層コイルは接続配線を介して別の積層コイルに直列もしくは並列で接続される。第４のコイル層５５８Ｇは出力接続部Ｖ４０と反対側の端に電極（出力電極）５５８ＧＤＯを有してもよい（図５９）。この場合、図３４に示される積層コイルは他の積層コイルに繋がることなく、出力電極上の接続ビア導体４６０Ａａを介して第１のビルドアップ層の導体層に繋がる。最下のコイル層以外のコイル層（第４のコイル層、第３のコイル層、第２のコイル層）は配線パターンで形成されている入力回路５５８Ｇ１、５５８Ｅ１、５５８Ｃ１と出力回路５５８Ｇ２、５５８Ｅ２、５５８Ｃ２で形成されている。各入力回路と各出力回路は略半周の配線パターンで形成されている（図３４）。
【００９９】
第１のコイル層（最下のコイル層）は略１周のコイル形状の配線パターンで形成されている。
最下のコイル層以外のコイル層は２つの配線パターンで形成されている。第２実施形態では、積層コイルは隣接する同形状の積層コイルと接続配線Ｌ１０を介して接続される。第２実施形態のインダクタ部品５１０は、３個の積層コイルで形成されている。
インダクタ部品が複数の積層インダクタを有する場合、インダクタ部品は共通な出力電極ＫＤを有することができる（図５８（Ａ））。各積層インダクタがそれぞれ入力電極５５８ＧＤＩを有し、各積層インダクタの各出力電極５５８ＧＤＯが共通な出力電極ＫＤに繋がる（図５８（Ｂ））。その場合、各積層インダクタは並列で接続される。各積層コイルの各出力電極に接続ビア導体が形成されてもよい（図５８（Ｃ））。その場合、各積層コイルはビルドアップ層内の接続回路で接続端子に繋げられる。複数の積層コイルがビルドアップ層内で繋げられる。
【０１００】
複数の積層コイルが並列で繋げられると、複数の積層コイルが低い抵抗で繋げられる。そのため、複数の積層コイルでインダクタ部品が形成されても、低抵抗なインダクタ部品が得られる。図５８は最上の樹脂絶縁層５５０Ｇ上に形成されているアライメントマークＡＬＭを示している。インダクタ部品がアライメントマークＡＬＭを有すると、コア基板のアライメントマークに関連させてインダクタ部品がコア基板の開口に収容される。接続ビア導体と電極間の接続信頼性が高くなる。
【０１０１】
図３３や図３４などに示されているインダクタ部品は電極を有している。そのため、このようなインダクタ部品がプリント配線板のコア基板に内蔵されると、接続ビア導体用の開口を電極上に形成することができる。インダクタ部品の電極と接続ビア導体間の接続信頼性が高い。
電極と最上の樹脂絶縁層上に形成される磁性体粒子を含むコーティング層や磁性体膜は電極を露出する開口を有することができる。インダクタ部品をコア基板に内蔵後、電極に至る接続ビア導体用の開口がコーティング層や磁性体膜を貫通しなくてもよい。接続ビア導体用の開口が形成される時、インダクタ部品やその電極がダメージを受け難い。インダクタ部品がプリント配線板に内蔵されても、インダクタ部品の初期の性能が発揮される。
【０１０２】
インダクタ部品は無機粒子を含む樹脂膜で覆われても良い。樹脂膜は磁性を有していない。樹脂膜やコーティング膜は粒子以外にエポキシなどの樹脂を含む。インダクタ部品と充填樹脂との接合強度が高くなる。インダクタ部品と充填樹脂間での剥がれによるプリント配線板内の導体層の断線などの不具合が防止される。コーティング膜は磁性体粒子以外に磁性を有さない無機粒子を含んでもよい。磁性を有さない無機粒子としてシリカ粒子やアルミナ粒子が挙げられる。コーティング膜の熱膨張係数を小さくできる。
【０１０３】
インダクタ部品が交互に積層されている樹脂絶縁層とコイル層で形成され、プリント配線板の接続ビア導体と接続するための電極を有する。そのため、樹脂絶縁層の層数やコイル層の層数を調整することでインダクタ部品の厚みが調整される。従って、コア基板の厚みを考慮してインダクタ部品が製造される。そして、インダクタンスの値はコイル層の層数や積層インダクタの数で調整される。従って、本発明の実施形態のインダクタ部品はコア基板に内蔵されるための部品に適している。また、接続ビア導体でプリント配線板とインダクタ部品が接続されるので、本発明の実施形態のインダクタ部品はプリント配線板に内蔵されるための部品に適している。インダクタ部品は磁性を有していない樹脂膜で覆われても良い。インダクタ部品の劣化が抑制される。
【０１０４】
実施形態では、ビルドアップ層とインダクタ部品がプリント配線板の技術分野で使われている技術で製造されている。ビルドアップ層とインダクタ部品が別々に製造されているので、コイル層の配線パターンの厚みをビルドアップ層の導体層の厚みより厚くすることができる。そのため抵抗値の低いインダクタ部品がプリント配線板に内蔵され、微細な導体回路を有するプリント配線板が製造される。（コイル層の配線パターンの厚み）／（ビルドアップ層の導体層の厚み）は１．２〜３倍であることが好ましい。抵抗値が低くインダクタンスの値が大きいインダクタ部品が得られる。薄くて微細な回路を有するプリント配線板が得られる。
【０１０５】
最上のコイル層の表面が粗面の場合、充填樹脂やコーティング層や樹脂膜とインダクタ部品間の剥がれが防止される。最上のコイル層の表面が粗面でない場合、電極と接続ビア導体間に樹脂が存在し難い。電極と接続ビア導体間の剥がれが防止される。接続ビア導体用の開口により露出するインダクタ部品の電極の上面は平坦であって、それ以外の最上のコイル層の表面は凹凸であることが好ましい。充填樹脂やコーティング層や樹脂膜とインダクタ部品間の剥がれと電極と接続ビア導体間の剥がれが防止される。
【０１０６】
図３５〜図４０は第２実施形態のインダク部品の製造工程を示す。
（磁性体粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムの作成）
（Ａ）樹脂含有溶液の作製
MEK６．８ｇとキシレン２７．２ｇの混合溶媒に、エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名：エピコート１００７）８５ｇと酸化鉄（III）などの磁性体粒子が添加される。磁性体粒子の例として、クロム酸化鉄（フェリクロム）、コバルト酸化鉄、バリウムフェライトなどが挙げられる。
【０１０７】
（Ｂ）樹脂絶縁層用フィルムの作製
前記(Ａ)の樹脂含有溶液に硬化剤としてのジシアンジアミド（ビィ・ティ・アイ・ジャパン社製、商品名：ＣＧ−１２００）と硬化触媒（四国化成社製、商品名：キュアゾール２Ｅ４ＨＺ）が添加される。その後、これらの混合物は三本ローラで混練され、樹脂絶縁層用溶液が形成される。硬化剤と硬化触媒の添加量はエポキシ１００ｇに対してそれぞれ３．３ｇである。
この樹脂絶縁層用溶液がロールコータ（サーマトロニクス貿易社製）でポリエチレンテレフタレートのシート上に塗布される。そして、その溶液は、１６０℃、５分間の条件で加熱乾燥され、溶媒が除去される。磁性体粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムが得られる。厚みが約２０μｍ〜５０μｍである。
その樹脂絶縁層用フィルム中の磁性体粒子の量は３０ｖｏｌ％から６０ｖｏｌ％である。なお、樹脂絶縁層用フィルムは磁性体粒子を含まず、シリカやアルミナなどの無機粒子を含んでも良い。
【０１０８】
市販の両面銅張り積層板５３０と銅箔５３４Ａ、５３４Ｂが準備され、両面銅張り積層板の両面に銅箔が積層される（図３５（Ａ））。超音波で銅箔の外周部と支持板としての両面銅張り積層板５３０の外周部が接合される（図３５（Ｂ））。図３５（Ｂ）では接合部は５３６Ａ、５３６Ｂで示されている。銅箔５３４Ａ、５３４Ｂ上に上記（Ｂ）のフィルムが積層され、その後、そのフィルムを硬化することで最下の樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂが形成される（図３５（Ｃ））。第２実施形態の樹脂絶縁層はエポキシなどの樹脂と磁性体粒子で形成されている。
【０１０９】
樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂ上に無電解めっき膜５５２Ａ、５５２Ｂが形成される（図３６（Ａ））。無電解めっき膜上に所定パターンのめっきレジストが形成され、電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解めっき膜５５２Ａ、５５２Ｂ上に電解めっき膜５５６Ａ、５５６Ｂが形成される。その後、めっきレジストが除去され電解めっき膜５５６Ａ、５５６Ｂ間の無電解めっき膜が除去される。無電解めっき膜５５２Ａ、５５２Ｂと無電解めっき膜上の電解めっき膜５５６Ａ、５５６Ｂで形成される第１のコイル層５５８Ａ、５５８Ｂが形成される（図３６（Ｂ））。第１のコイル層と最下の樹脂絶縁層上に上記（Ｂ）のフィルムが積層され、その後、そのフィルムを硬化することで第２樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｄが形成される（図３６（Ｃ））。
【０１１０】
レーザで第２樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｄに第１のコイル層のビアパッドＰ１Ｉ、Ｐ１０に至るビア導体用開口５５１Ｃ、５５１Ｄが形成される（図３７（Ａ））。第２樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｄ上、及び、ビア導体用開口５５１Ｃ、５５１Ｄ内に無電解めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄが形成される（図３７（Ｂ））。
【０１１１】
無電解めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄ上に所定パターンのめっきレジスト５５４Ｃ、５５４Ｄが形成される（図３８（Ａ））。電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄが形成される（図３８（Ｂ））。めっきレジストが除去され電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄ間の無電解めっき膜が除去される。無電解めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄと無電解めっき膜上の電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄで形成される第２のコイル層５５８Ｃ、５５８Ｄとビア導体５６０Ｃ、５６０Ｄと接続部Ｖ２Ｉ、Ｖ２０が形成される（図３８（Ｃ））。ビア導体５６０Ｃ、５６０Ｄは第１のコイル層のビアパッドと第２のコイル層の接続部を接続している。第２のコイル層が電極を有すれば、２層のコイル層を有する積層コイルが完成する。第２のコイル層の表面が粗化される（図３９（Ａ））。
【０１１２】
第２樹脂絶縁層の形成方法と第２のコイル層の形成方法と同様な方法で第２樹脂絶縁層と第２のコイル層上に順に第３樹脂絶縁層５５０Ｅ、５５０Ｆと第３のコイル層５５８Ｅ、５５８Ｆと第４樹脂絶縁層５５０Ｇ、５５０Ｈと第４のコイル層（最上のコイル層）５５８Ｇ、５５８Ｈが形成される。最上の樹脂絶縁層上にコイル層以外に入力電極や接続配線や出力電極が配線パターンで形成されている。２つの積層体ＬＡ、ＬＢが銅張積層板上に形成される。積層コイルと銅張積層板からなる積層体が完成する。図３９（Ｂ）では、銅張積層板の一方の面上に３つの積層コイル（第１の積層コイルＣＡ、第２の積層コイルＣＢ、第３の積層コイルＣＣ）が示されている。この例では、インダクタ部品は第１、第２、第３の積層コイルＣＡ、ＣＢ、ＣＣで形成されている。第１の積層コイルは入力電極５５８ＧＤＩを有し、第３の積層コイルは出力電極５５８ＧＤＯを有する。第１の積層コイルと第２の積層コイルは図示されていない接続配線で繋がっている。第２と第３の積層コイルは図示されていない接続配線で繋がっている。第１と第２と第３の積層コイルは直列で繋がっている。各コイル層と各積層コイルで流れる電流の向きは同じである。第３樹脂絶縁層のビア導体５６０Ｅ、５６０Ｆは第２のコイル層と第３のコイル層を接続していて、第４樹脂絶縁層のビア導体５６０Ｇ、５６０Ｈは第３のコイル層と第４のコイル層を接続している。第１、第２と第３のコイル層の表面は粗化されている。第４のコイル層の表面は粗化されていない。第１と第２と第３の積層コイル（複数の積層コイル）はそれぞれ入力電極と出力電極を有し、各積層コイルは並列で繋げられても良い。また、各積層コイルは共通電極に並列で繋げられても良い。
【０１１３】
図３９（Ｂ）に示されている接合箇所５３６Ａ、５３６Ｂの内側のＸ１、Ｘ１線に沿って積層体がルータなどで切断され、積層体が銅箔５３４Ａ、５３４Ｂ付の積層コイルと両面銅張り積層板５３０に分離される（図４０（Ａ））。第４のコイル層と最上の樹脂絶縁層上にＰＥＴフィルム５３５が貼られ（図４０（Ｂ））、銅箔５３４Ａがエッチングで除去される。その後、ＰＥＴフィルムが剥離され、インダクタ部品５１０が完成する（図４０（Ｃ））。
【０１１４】
第２実施形態のプリント配線板４１０の製造方法が図４１〜図４５に示される。
（１）絶縁性基材４３０Ａとその両面に銅箔４３２が積層されている両面銅張積層板４３０Ｚが出発材料である。絶縁性基材の厚さは、１００〜４００μｍである。厚みが１００μｍより薄いと基板強度が低すぎる。厚みが４００μｍを越えるとプリント配線板の厚さが厚くなる。絶縁性基材は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する。銅箔４３２の表面に図示されない黒化処理が施される（図４１（Ａ））。
【０１１５】
（２）絶縁性基材の第１面Ｆ側から両面銅張積層板４３０Ｚにレーザが照射される。絶縁性基材の第１面から第２面に向けて細くなっている第１開口部４３１ａが形成される（図４１（Ｂ））。
【０１１６】
（３）絶縁性基材の第２面Ｓ側から両面銅張積層板４３０Ｚにレーザが照射される。絶縁性基材の第２面から第１面に向けて細くなっている第２開口部４３１ｂが形成される（図４１（Ｃ））。第２開口部４３１ｂは絶縁性基材内で第１開口部４３１ａと繋がりスルーホール導体用の貫通孔が形成される。
【０１１７】
（４）無電解めっき処理により無電解めっき膜４３３が貫通孔の内壁と銅箔上に形成される（図４１（Ｄ））。
【０１１８】
（５）電解めっき処理により、無電解めっき膜上に電解めっき膜４３７が形成される。貫通孔内にスルーホール導体４３６が形成される。スルーホール導体４３６は貫通孔の内壁に形成されている無電解めっき膜４３３と貫通孔を充填している電解めっき膜４３７で形成される（図４１（Ｅ））
【０１１９】
（６）コア基板４３０の表面の電解めっき膜４３７に所定パターンのエッチングレジスト４３５が形成される（図４１（Ｆ））。
【０１２０】
（７）エッチングレジストから露出する電解めっき膜４３７、無電解めっき膜４３３、銅箔４３２が除去される。その後、エッチングレジストが除去され導体層４３４Ａ、４３４Ｂ及びスルーホール導体４３６が形成される（図４２（Ａ））。
【０１２１】
（８）絶縁性基材４３０Ａの中央部にインダクタ部品を収容するための開口４２０がレーザにより形成され、コア基板が完成する（図４２（Ｂ））。コア基板の厚みＣＴ（図４２（Ｂ））は１２０μｍ〜４５０μｍである。
【０１２２】
（９）コア基板の第１面にテープ４９４が貼られる。開口４２０はテープで塞がれる（図４２（Ｃ））。テープ４９４の例としてＰＥＴフィルムが挙げられる。
【０１２３】
（１０）開口４２０により露出するテープ４９４上にインダクタ部品が置かれる（図４２（Ｄ））。この時、電極がテープに向いている。コア基板の開口４２０に収容されるインダクタ部品の厚みはコア基板の厚みの３０％〜１００％である。
【０１２４】
（１１）コア基板４３０の第２面Ｓ上にＢ−ステージのプリプレグが積層される。加熱プレスによりプリプレグから樹脂が開口内にしみ出て、開口４２０が充填剤（樹脂充填剤）４５０で充填される（図４２（Ｅ））。開口の内壁とインダクタ部品間の隙間が充填剤で満たされる。インダクタ部品がコア基板に固定される。プリプレグの代わりに層間絶縁層用樹脂フィルムが積層されてもよい。プリプレグはガラスクロスなどの補強材を有するが層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムは補強材を有していない。両者ともガラス粒子などの無機粒子を含むことが好ましい。充填剤はシリカなどの無機粒子を含んでいる。
【０１２５】
（１２）テープ剥離後（図４３（Ａ））、コア基板４３０の第１面Ｆ上にＢ−ステージのプリプレグが積層される。コア基板の第１面と第２面上のプリプレグが硬化される。コア基板の第１面と第２面上に絶縁層（層間樹脂絶縁層）４５０Ａ、４５０Ｂが形成される（図４３（Ｂ））。
【０１２６】
（１３）第１面側からＣＯ２ガスレーザにて絶縁層４５０Ａにインダクタ部品の電極に至る接続ビア導体用の開口４５１Ａが形成される。同時に、導体層４３４Ａやスルーホール導体４３６に至るビア導体用の開口４５１が形成される。第２面側から絶縁層４５０Ｂに導体層４３４Ｂやスルーホール導体４３６に至るビア導体用の開口４５１が形成される（図４３（Ｃ）参照）。絶縁層４５０Ａ、４５０Ｂに粗面が形成される（図示せず）。
【０１２７】
（１４）無電解めっき処理により、ビア導体用の開口の内壁と絶縁層上に無電解めっき膜４５２が形成される（図４３（Ｄ））。
【０１２８】
（１５）無電解めっき膜４５２上にめっきレジスト４５４が形成される（図４４（Ａ））。
【０１２９】
（１６）次に、電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜４５６が形成される（図４４（Ｂ）参照）。
【０１３０】
（１７）続いて、めっきレジスト４５４が５％ＮａＯＨで除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する無電解めっき膜４５２がエッチングにて除去され、無電解めっき膜４５２と電解めっき膜４５６からなる導体層４５８Ａ、４５８Ｂが形成される。導体層４５８Ａ、４５８Ｂは複数の導体回路やビア導体のランドを含む。同時に、ビア導体４６０Ａ、４６０Ｂや接続ビア導体４６０Ａａが形成される（図４４（Ｃ））。ビア導体４６０Ａ、４６０Ｂはコア基板の導体層やスルーホール導体と絶縁層上の導体層４５８Ａ、４５８Ｂを接続している。接続ビア導体４６０Ａａはインダクタ部品の電極（入力電極、出力電極）と絶縁層上の導体層４５８Ａを接続している。
【０１３１】
（１８）図４３（Ａ）〜図４４（Ｃ）の処理が繰り返され、絶縁層４５０Ａ、４５０Ｂ上に最上と最下の絶縁層４５０Ｃ、４５０Ｄが形成される。最上と最下の絶縁層４５０Ｃ、４５０Ｄ上に導体層４５８Ｃ、４５８Ｄが形成される。最上と最下の絶縁層４５０Ｃ、４５０Ｄにビア導体４６０Ｃ、４６０Ｄが形成され、導体層４５８Ａ、４５８Ｂと導体層４５８Ｃ、４５８Ｄはそれらのビア導体４６０Ｃ、４６０Ｄで接続される（図４４（Ｄ））。コア基板の第１面上に第１のビルドアップ層が形成され、コア基板の第２面下に第２のビルドアップ層が形成される。各ビルドアップ層は絶縁層と導体層と異なる導体層を接続するためのビア導体を有する。第２実施形態では、第１のビルドアップ層はさらに接続ビア導体を有する。
【０１３２】
（１９）第１と第２のビルドアップ層上に開口４７１を有するソルダーレジスト層４７０が形成される（図４５（Ａ））。開口４７１は導体層やビア導体の上面を露出する。その部分はパッドとして機能する。
【０１３３】
（２０）パッド上にニッケル層４７２とニッケル層４７２上の金層４７４で形成される金属膜が形成される（図４５（Ｂ））。ニッケル−金層以外にニッケル−パラジウム−金層からなる金属膜が挙げられる。図３２に示されるプリント配線板では、接続ビア導体を第１のビルドアップ層のみ有する。そのため、第２のビルドアップ層はインダクタ部品の下側に導体回路を有しなくてもよい。インダクタンスの値の低下が抑制される。インダクタ部品の直下の第２のビルドアップ層が導体回路を有さないとプリント配線板に反りが生じ易い。その場合、第１のビルドアップ層の絶縁層の厚みは第２のビルドアップ層の厚みよりも厚いことが好ましい。別の例として、第１のビルドアップ層の絶縁層は補強材を有さず、第２のビルドアップ層は補強材を有することが好ましい。プリント配線板の反りが減少する。
【０１３４】
（２１）この後、第１のビルドアップ層のパッドに半田バンプ４７６Ｕが形成され、第２のビルドアップ層のパッドに半田バンプ４７６Ｄが形成される。半田バンプを有するプリント配線板４１０が完成する（図３２）。
【０１３５】
半田バンプ４７６Ｕを介してＩＣチップがプリント配線板４１０へ実装される（図示せず）。その後、半田バンプ４７６Ｄを介してプリント配線板がマザーボードに搭載される。
【０１３６】
[第２実施形態の第１改変例]
図４６〜図５１は第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造工程を示す。
図３５（Ｂ）と同様に両面銅張り積層板５３０と銅箔５３４Ａ、５３４Ｂが接合される（図４６（Ａ））。該銅箔５３４Ａ、５３４Ｂ上に、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｃｕ膜から成る第１の導体回路５５８ＡＢ、５５８ＢＢが形成される（図４６（Ｂ））
【０１３７】
第２実施形態と同様の磁性体粒子を含む樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂが銅箔５３４Ａ、５３４Ｂと第１の導体回路５５８ＡＢ、５５８ＢＢ上に形成される（図４７（Ａ））。レーザでその樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂにビア導体用の開口５５１Ａ、５５１Ｂが形成される（図４７（Ｂ））。樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂの表面が粗化される（図４７（Ｃ））。
【０１３８】
樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂの表面、及び、ビア導体用の開口５５１Ａ、５５１Ｂ内に無電解めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄが形成される（図４８（Ａ））。無電解めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄ上に所定パターンのめっきレジスト５５４Ｃ、５５４Ｄが形成される（図４８（Ｂ））。電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄが形成される（図４８（Ｃ））。めっきレジスト除去後に、電解めっき膜から露出する無電解めっき膜が除去され、無電解めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄと電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄで形成されるコイル層５５８Ｃ、５５８Ｄが樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂ上に形成される。第１の導体回路とコイル層を接続するビア導体５６０Ｃ、５６０Ｄが樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂに形成される（図４８（Ｄ））。
【０１３９】
コイル層５５８Ｃ、５５８Ｄの表面に粗化層５５８βが形成される（図４９（Ａ））。図４７（Ａ）〜図４９（Ａ）に示されている処理が繰り返される。４層のコイル層と３層の樹脂絶縁層を有する積層コイルが形成される（図４９（Ｂ））。
第２実施形態と同様に接合箇所５３６Ａ、５３６Ｂの内側のＸ１、Ｘ１線に沿って積層体がルータで切断される（図５０（Ａ））。積層体は銅箔５３４Ａ、５３４Ｂと両面銅張り積層板５３０Ｚの間で分離される（図５０（Ｂ））。
【０１４０】
銅箔５３４Ａと第１の導体回路５５８ＡＢの一部を構成するＣｕ膜が除去される。その後、第１の導体回路からＮｉ層が選択的にエッチングで除去される。コイル層（最上のコイル層）５５８Ａと電極が形成される。インダクタ部品５１０が完成する（図５１）。インダクタ部品はコイル層５５８Ａがコア基板の第１面を向くようにプリント配線板に収容される。この実施形態では、最上のコイル層が最上の樹脂絶縁層に埋まっている。
【０１４１】
[第２実施形態の第２改変例]
図５２に第２実施形態の第２改変例に係るプリント配線板４１０の断面が示されている。
第２実施形態の第２改変例では、インダクタ部品の最上のコイル層（第４のコイル層）５５８Ｇ上に導体ポスト（突出電極）４９８が形成されている。突出電極は銅で形成されている。突出電極が形成されている位置は最上のコイル層の一端である。その突出電極上に接続ビア導体が形成される。該導体ポスト４９８を介して第４のコイル層５５８Ｇと接続ビア導体４６０Ａａとが接続される。
【０１４２】
第２実施形態の第２改変例に係るプリント配線板４１０では、導体ポスト４９８によりインダクタ部品の厚みを調整することができる。
コア基板４３０の厚みよりも薄いインダクタ部品５１０がコア基板に内蔵されてもコア基板のほぼ中心にインダクタ部品は配置される。コア基板の中心線Ｃ１−Ｃ１とインダクタ部品の中心線が近づく。インダクタ部品を内蔵しているプリント配線板が対称構造になるので反りが抑制される。
【０１４３】
第２実施形態において、コイル層を形成している配線パターンの厚みはコア基板の導体層の厚みより厚いことが好ましい。コイル層の抵抗値が小さくなる。
【０１４４】
[第３実施形態]
図５３に第３実施形態に係るプリント配線板４１０の断面が示されている。第３実施形態では、第２のビルドアップ層はコイル層を含む領域の直下に導体層を有していない。インダクタンスの値の減少が抑制される。第２のビルドアップ層の導体層はコア基板の下から隙間内の充填樹脂上を越えてインダクタ部品の外周の直下まで延びている導体回路４５９Ｂｏを有している。その隙間はインダクタ部品とコア基板の側壁との間のスペースのことである。このような導体回路４５９Ｂｏが形成されているので、第２のビルドアップ層の導体層がインダクタ部品直下に開口を有しても、プリント配線板の反りが小さい。また、第２のビルドアップ層にクラックが発生し難い。
【０１４５】
第３実施形態において、コイル層を形成している配線パターンの厚みはコア基板の導体層の厚みより厚いことが好ましい。コイル層の抵抗値が小さくなる。
【０１４６】
[第４実施形態]
図５４に第４実施形態に係るプリント配線板４１０の断面が示されている。第４実施形態では、インダクタ部品の直下の第２のビルドアップ層が電源用やグランド用のベタ層（Ｓｏｌｉｄパターン）４５９Ｆ、４５９Ｈなどの導体回路を有している層と導体回路を有していない層で形成されている。インダクタ部品直下において第２のビルドアップ層の絶縁層４５０Ｂ（コア基板直下の絶縁層）下に導体層が形成されていないことが好ましい。インダクタ部品に近い導体層はインダクタ部品直下に導体回路を有していない。導体層はインダクタ部品直下に開口を有している。また、インダクタ部品直下のベタ層はスリット５９Ｆｓ、５９Ｈｓを有し、複数に分割されている。インダクタ部品とインダクタ部品直下の導体回路までの距離Ｋは６０μｍ以上であることが好ましい。その距離Ｋは６０μｍ以上であって４００μｍ以下であることが好まし。インダクタンスの低下が抑制される。
【０１４７】
第４実施形態のプリント配線板では、インダクタ部品の直下に形成されるベタ層４５９Ｆは、複数の絶縁層を介してインダク部品から離れているので、インダクタンスの値が小さくなりがたい。コア基板に近い２層の導体層はインダクタ部品直下に導体回路を有していないことが望ましい。更に、ベタ層４５９Ｆ、４５９Ｈは分割されているので、インダクタンスの値が小さくなりがたい。
【０１４８】
第４実施形態において、コイル層を形成している配線パターンの厚みはコア基板の導体層の厚みより厚いことが好ましい。コイル層の抵抗値が小さくなる。
【０１４９】
[第５実施形態のインダクタ部品とプリント配線板]
第５実施形態のインダクタ部品とそれを内蔵しているプリント配線板が図５６に示されている。
第２実施形態と同様に銅張積層板に銅箔が接合される。最下の樹脂絶縁層上に下側の電極と第１のコイル層が形成される。下側の電極は第１のコイル層の一端に形成されていて他端にビアパッドが形成されている。最下の樹脂絶縁層と第１のコイル層上に第２の樹脂絶縁層が形成される。第２の樹脂絶縁層にビアパッドに至るビア導体用の開口が形成される。第２の樹脂絶縁層上に第２のコイル層と上側の電極が形成される。第１のコイル層と第２のコイル層はビア導体で接続される。この例ではインダクタ部品が上下に電極（上側と下側の電極）を有する。上下に電極を有するインダクタ部品がコア基板に内蔵されると、第２のビルドアップ層の導体層とインダクタ部品は下側の接続ビア導体４６０Ｂｂで接続され、第１のビルドアップ層の導体層とインダクタ部品は上側の接続ビア導体４６０Ａａで接続される。下側の接続ビア導体は下側の電極に繋がり、上側の接続ビア導体は上側の電極に繋がる。インダクタ部品が内蔵されてもプリント配線板内の配線設計が簡単に行われる。断面方向でプリント配線板は対称に成りやすい。また、インダクタ部品が接続ビア導体で挟まれるので、インダクタ部品とビルドアップ層の導体層間の接続信頼性が高くなる。
【０１５０】
第５実施形態において、コイル層を形成している配線パターンの厚みはコア基板の導体層の厚みより厚いことが好ましい。コイル層の抵抗値が小さくなる。
【０１５１】
[第６実施形態]
第６実施形態のインダクタ部品の樹脂絶縁層は磁性体粒子を含まない。第６実施形態のインダクタ部品の樹脂絶縁層はシリカなどの無機粒子とエポキシなどの樹脂で形成されている。
（無機粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムの作成）
（Ａ）樹脂含有溶液の作製
MEK６．８ｇとキシレン２７．２ｇの混合溶媒に、エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名：エピコート１００７）８５ｇとシリカなどの無機粒子が添加される。無機粒子は磁性体粒子を含まない。
【０１５２】
（Ｂ）樹脂絶縁層用フィルムの作製
前記(Ａ)の樹脂含有溶液に硬化剤としてのジシアンジアミド（ビィ・ティ・アイ・ジャパン社製、商品名：ＣＧ−１２００）と硬化触媒（四国化成社製、商品名：キュアゾール２Ｅ４ＨＺ）が添加される。その後、これらの混合物は三本ローラで混練され、樹脂絶縁層用溶液が形成される。硬化剤と硬化触媒の添加量はエポキシ１００ｇに対してそれぞれ３．３ｇである。
この樹脂絶縁層用溶液がロールコータ（サーマトロニクス貿易社製）でポリエチレンテレフタレートのシート上に塗布される。そして、その溶液は、１６０℃、５分間の条件で加熱乾燥され、溶媒が除去される。無機粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムが得られる。厚みが約２０μｍ〜５０μｍである。なお、硬化後の樹脂絶縁層中の無機粒子の量は３０ｖｏｌ％から６０ｖｏｌ％である。
【０１５３】
（Ｃ）インダクタ部品の製造方法
第６実施形態のインダクタ部品が図３３に示されている。
第６実施形態のインダクタ部品の製造方法は第１実施形態のインダクタ部品の製造方法と同様である。
第６実施形態では、この無機粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムを用いることで、第１実施形態と同様にインダクタ部品が得られる。第６実施形態では、最下と最上の樹脂絶縁層を含む各樹脂絶縁層が無機粒子とエポキシなどの樹脂で形成されている。
【０１５４】
（Ｄ）プリント配線板の製造方法
第６実施形態のプリント配線板が図３２に示されている。
第６実施形態のプリント配線板の製造方法は第１実施形態のプリント配線板の製造方法と同様である。
【０１５５】
[第６実施形態の改変例]
（Ａ）樹脂溶液の作成
MEK６．８ｇとキシレン２７．２ｇの混合溶媒に、エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名：エピコート１００７）８５ｇと酸化鉄（III）などの磁性体粒子が添加される。磁性体粒子の例として、クロム酸化鉄（フェリクロム）、コバルト酸化鉄、バリウムフェライトなどが挙げられる。
【０１５６】
（Ｂ）充填樹脂溶液の作成
前記(Ａ)の樹脂含有溶液に硬化剤としてのジシアンジアミド（ビィ・ティ・アイ・ジャパン社製、商品名：ＣＧ−１２００）と硬化触媒（四国化成社製、商品名：キュアゾール２Ｅ４ＨＺ）が添加される。その後、これらの混合物は三本ローラで混練され、樹脂絶縁層用溶液が形成される。硬化剤と硬化触媒の添加量はエポキシ１００ｇに対してそれぞれ３．３ｇである。
【０１５７】
（Ｃ）インダクタ部品の作成
第６実施形態の改変例で用いられるインダクタ部品は第６実施形態のインダクタ部品である。
【０１５８】
（Ｄ）プリント配線板の作成
第１実施形態と同様にコア基板が製造され、コア基板の第１面にテープが貼られる（図４２（Ｃ））。
インダクタ部品がテープ上に置かれる。インダクタの電極はテープに対向している。インダクタの電極はコア基板の第１面に向いている（図４２（Ｄ））。
【０１５９】
インダクタ部品とコア基板との間（スペース）に上記（Ｂ）の充填樹脂溶液がディスペンサで入れられる。その後、充填樹脂溶液の乾燥と硬化が行われる。インダクタ部品とコア基板との間（スペース）に充填樹脂４５０が形成される（図６０（Ａ））。その充填樹脂中の磁性体粒子の量は３０ｖｏｌ％から６０ｖｏｌ％である。
【０１６０】
その後、テープがコア基板から剥がされる。そして、コア基板の第１面とインダクタ部品上に第１の層間樹脂絶縁層が形成される。コア基板の第２面とインダクタ部品下に第２の層間樹脂絶縁層が形成される（図４３（Ｂ））。その後、図４３（Ｃ）から図４５（Ｂ）と同様な工程でプリント配線板が製造される（図６０（Ｂ））。この実施形態では、第２のビルドアップの第２の層間樹脂絶縁層とインダクタ部品間に磁性体粒子を含む充填樹脂が存在している。そのため、インダクタ部品直下の第２の層間樹脂絶縁層下に下側の導体層が形成されてもインダクタンスの値の低下が抑制される。インダクタ部品直下の第２のビルドアップ層に導体層を形成することができるので薄いプリント配線板が提供される。また、プリント配線板の反りが小さくなる。
【０１６１】
[第７実施形態]
第３実施形態では、第２のビルドアップ層はコイル層を含む領域の直下に導体層を有していない。
この例では、インダクタ部品直下の第２のビルドアップ層にコイル層が形成されている（図６１）。この例では、インダクタ部品のコイル層は２層である。図６１（Ｂ）は各コイル層の平面図を示す。図６１のＬ１はインダクタ部品の最上のコイル層の平面図であり、Ｌ２はインダクタ部品の最下のコイル層の平面図である。図６１のＬ３はインダクタ部品直下の下側の導体層を示し、図６１のＬ４はインダクタ部品直下の最下の導体層を示している。インダクタ部品直下の第２のビルドアップ層にコイル層が形成されている。下側の導体層と最下の導体層はインダクタ部品の直下にコイル層を有している。第２のビルドアップ層に形成されているコイル層は第２のビルドアップ層のビア導体を介してインダクタ部品と繋がっている。この例では、インダクタ部品のコイル層と第２のビルドアップ層内のコイル層でインダクタが形成される。インダクタンスの値が大きくなる。インダクタ部品内のコイル層と第２のビルドアップ層のコイル層は重なっていることが好ましい。つまり、これらのコイル層がコア基板の第１面に等倍に投影されると各コイル層の像は重なる。
【０１６２】
図６１に示されるプリント配線板は、第２ビルドアップ層が形成される時、ビア導体の位置やめっきレジストのパターンを工夫することで第２実施形態と同様な方法で製造される。
【０１６３】
各実施形態、各改変例、各実施例では、インダクタ部品内の各コイル層は重なっていることが好ましい。つまり、各コイル層がコア基板の第１面に等倍に投影されると各コイル層の像は重なる。
【０１６４】
各実施形態、各改変例、実施例に示されているインダクタ部品はアライメントマークＡＬＭ（図５８）を有していることが好ましい。また、コイル層内のビアパッドや接続部はコイル層の配線の幅より小さくてもよい。インダクタの抵抗が低くなる。
【０１６５】
（実施例１）
図３５〜図４０は実施例１のインダク部品の製造工程を示す。
（磁性体粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムの作成）
（Ａ）樹脂含有溶液の作製
MEK６．８ｇとキシレン２７．２ｇの混合溶媒に、エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名：エピコート１００７）８５ｇと酸化鉄（III）が添加される。
【０１６６】
（Ｂ）樹脂絶縁層用フィルムの作製
前記(Ａ)の樹脂含有溶液に硬化剤としてのジシアンジアミド（ビィ・ティ・アイ・ジャパン社製、商品名：ＣＧ−１２００）と硬化触媒（四国化成社製、商品名：キュアゾール２Ｅ４ＨＺ）が添加される。その後、これらの混合物は三本ローラで混練され、樹脂絶縁層用溶液が形成される。硬化剤と硬化触媒の添加量はエポキシ１００ｇに対してそれぞれ３．３ｇである。
この樹脂絶縁層用溶液がロールコータ（サーマトロニクス貿易社製）でポリエチレンテレフタレートのシート上に塗布される。そして、その溶液は、１６０℃、５分間の条件で加熱乾燥され、溶媒が除去される。樹脂絶縁層用フィルムの厚みは約５０μｍであり、酸化鉄（III）の量は４５vol%である。
【０１６７】
市販の両面銅張り積層板５３０と銅箔５３４Ａ、５３４Ｂが準備され、両面銅張り積層板の両面に銅箔が積層される（図３５（Ａ））。超音波で銅箔の外周部と両面銅張り積層板５３０の外周部が接合される（図３５（Ｂ））。銅箔５３４Ａ、５３４Ｂ上に上記（Ｂ）のフィルムが積層され、その後、そのフィルムを硬化することで最下の樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂが形成される（図３５（Ｃ））。
【０１６８】
樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂ上に無電解銅めっき膜５５２Ａ、５５２Ｂが形成される（図３６（Ａ））。無電解銅めっき膜上に所定パターンのめっきレジストが形成され、電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜５５２Ａ、５５２Ｂ上に電解めっき膜５５６Ａ、５５６Ｂが形成される。その後、めっきレジストが除去され電解めっき膜５５６Ａ、５５６Ｂ間の無電解銅めっき膜が除去される。無電解銅めっき膜５５２Ａ、５５２Ｂと無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜５５６Ａ、５５６Ｂで形成される第１のコイル層５５８Ａ、５５８Ｂが形成される（図３６（Ｂ））。第１のコイル層と最下の樹脂絶縁層上に上記（Ｂ）のフィルムが積層され、その後、そのフィルムを硬化することで第２樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｄが形成される（図３６（Ｃ））。
【０１６９】
レーザで第２樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｄに第１のコイル層のビアパッドＰ１Ｉ、Ｐ１０に至るビア導体用開口５５１Ｃ、５５１Ｄが形成される（図３７（Ａ））。第２樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｄ上、及び、ビア導体用開口５５１Ｃ、５５１Ｄ内に無電解銅めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄが形成される（図３７（Ｂ））。
【０１７０】
無電解銅めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄ上に所定パターンのめっきレジスト５５４Ｃ、５５４Ｄが形成される（図３８（Ａ））。電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜上に電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄが形成される（図３８（Ｂ））。めっきレジストが除去され電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄ間の無電解銅めっき膜が除去される。無電解銅めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄと無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄで形成される第２のコイル層５５８Ｃ、５５８Ｄとビア導体５６０Ｃ、５６０Ｄと接続部Ｖ２Ｉ、Ｖ２０が形成される（図３８（Ｃ））。ビア導体５６０Ｄ、５６０Ｃは第１のコイル層のビアパッドと第２のコイル層の接続部を接続している。第２のコイル層の表面が粗化される（図３９（Ａ））。
【０１７１】
第２樹脂絶縁層の形成方法と第２のコイル層の形成方法と同様な方法で第２樹脂絶縁層と第２のコイル層上に順に第３樹脂絶縁層と第３のコイル層と第４樹脂絶縁層と第４のコイル層（最上のコイル層）が形成される。最上の樹脂絶縁層上にコイル層以外に入力電極や接続配線や出力電極が配線パターンで形成されている。２つの積層体が銅張積層板上に形成される。積層コイルと銅張積層板からなる積層体が完成する。図３９（Ｂ）では、銅張積層板の一方の面上に３つの積層コイル（第１の積層コイルＣＡ、第２の積層コイルＣＢ、第３の積層コイルＣＣ）が示されている。この例では、インダクタ部品は第１、第２、第３の積層コイルＣＡ、ＣＢ、ＣＣで形成されている。各積層コイルは入力電極５５８ＧＤＩを有し、各積層コイルは出力電極５５８ＧＤＯを有する。各積層コイルの出力電極は図示しない接続配線で共通電極ＫＤに繋がっている。第１と第２と第３の積層コイルは並列で繋がっている。各コイル層と各積層コイルで流れる電流の向きは同じである。
【０１７２】
図３９（Ｂ）に示されている接合箇所５３６Ａ、５３６Ｂの内側のＸ１、Ｘ１線に沿って積層体がルータなどで切断され、積層体が銅箔５３４Ａ、５３４Ｂ付の積層コイルと両面銅張り積層板５３０に分離される（図４０（Ａ））。第４のコイル層と最上の樹脂絶縁層上にＰＥＴフィルム５３５が貼られ（図４０（Ｂ））、銅箔５３４Ａがエッチングで除去される。その後、ＰＥＴフィルムが剥離され、インダクタ部品５１０が完成する（図４０（Ｃ））。各樹脂絶縁層の厚みは５０μｍであり、各コイル層の厚みは３０μｍであり、インダクタ部品の厚みは約２３０μｍである。
【０１７３】
実施例のプリント配線板４１０の製造方法が図４１〜図４５に示される。
（１）絶縁性基材４３０Ａとその両面に銅箔４３２が積層されている両面銅張積層板４３０Ｚが出発材料である。絶縁性基材の厚さは、２００μｍであり、銅箔の厚みは３μｍである。銅箔４３２の表面に図示されない黒化処理が施される（図４１（Ａ））。
【０１７４】
（２）絶縁性基材の第１面Ｆ側から両面銅張積層板４３０Ｚにレーザが照射される。絶縁性基材の第１面から第２面に向けて細くなっている第１開口部４３１ａが形成される（図４１（Ｂ））。
【０１７５】
（３）絶縁性基材の第２面Ｓ側から両面銅張積層板４３０Ｚにレーザが照射される。絶縁性基材の第２面から第１面に向けて細くなっている第２開口部４３１ｂが形成される（図４１（Ｃ））。第２開口部４３１ｂは絶縁性基材内で第１開口部４３１ａと繋がりスルーホール導体用の貫通孔が形成される。
（４）無電解銅めっき処理により無電解銅めっき膜４３３が貫通孔の内壁と銅箔上に形成される（図４１（Ｄ））。
【０１７６】
（５）電解銅めっき処理により、無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜４３７が形成される。貫通孔内にスルーホール導体４３６が形成される。スルーホール導体４３６は貫通孔の内壁に形成されている無電解銅めっき膜４３３と貫通孔を充填している電解銅めっき膜４３７で形成される（図４１（Ｅ））
（６）コア基板４３０の表面の電解銅めっき膜４３７に所定パターンのエッチングレジスト４３５が形成される（図４１（Ｆ））。
【０１７７】
（７）エッチングレジストから露出する電解銅めっき膜４３７、無電解銅めっき膜４３３、銅箔４３２が除去される。その後、エッチングレジストが除去され導体層４３４Ａ、４３４Ｂ及びスルーホール導体４３６が形成される（図４２（Ａ））。コア基板の導体層４３４Ａ、４３４Ｂは２０μｍである。コア基板の厚みＣＴ（図４２（Ｂ））は２４０μｍである。
【０１７８】
（８）コア基板４３０の中央部にインダクタ部品を収容するための開口４２０がレーザにより形成される（図４２（Ｂ））。コア基板４３０が完成する。
（９）コア基板の第１面にテープ４９４が貼られる。開口４２０はテープで塞がれる（図４２（Ｃ））。テープ４９４の例としてＰＥＴフィルムが挙げられる。
【０１７９】
（１０）開口４２０により露出するテープ４９４上にインダクタ部品が置かれる（図４２（Ｄ））。
（１１）コア基板４３０の第２面Ｓ上にＢ−ステージのＡＢＦ-ＧＸ１３ＧＣ（味の素ファインテクノ株式会社製）が積層される。加熱プレスによりプリプレグから樹脂が開口内にしみ出て、開口４２０が充填剤４５０で充填される（図４２（Ｅ））。充填剤はガラス粒子を含んでいる。
【０１８０】
（１２）テープ剥離後（図４３（Ａ））、コア基板４３０の第１面Ｆ上にＢ−ステージのＡＢＦ-ＧＸ１３ＧＣ（味の素ファインテクノ株式会社製）が積層される。コア基板の第１面と第２面上のプリプレグが硬化される。コア基板の第１面と第２面上に絶縁層（層間絶縁層）４５０Ａ、４５０Ｂが形成される（図４３（Ｂ））。
【０１８１】
（１３）第１面側からＣＯ２ガスレーザにて絶縁層４５０Ａにインダクタ部品の電極に至るビア導体用の開口４５１Ａが形成される。同時に、導体層４３４Ａやスルーホール導体４３６に至るビア導体用の開口４５１が形成される。第２面側から絶縁層４５０Ｂに導体層４３４Ｂやスルーホール導体４３６に至るビア導体用の開口４５１が形成される（図４３（Ｃ）参照）。絶縁層４５０Ａ、４５０Ｂに粗面が形成される（図示せず）。
【０１８２】
（１４）無電解銅めっき処理により、ビア導体用の開口の内壁と絶縁層上に無電解銅めっき膜４５２が形成される（図４３（Ｄ））。
（１５）無電解銅めっき膜４５２上にめっきレジスト４５４が形成される（図４４（Ａ））。
（１６）次に、電解銅めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜４５６が形成される（図４４（Ｂ）参照）。
【０１８３】
（１７）続いて、めっきレジスト４５４が５％ＮａＯＨで除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する無電解銅めっき膜４５２がエッチングにて除去され、無電解銅めっき膜４５２と電解銅めっき膜４５６からなる導体層４５８Ａ、４５８Ｂが形成される。導体層４５８Ａ、４５８Ｂの厚みは１５μｍである（図４４（Ｃ））。同時にビア導体４６０Ａ、４６０Ｂや接続ビア導体４６０Ａａが形成される。導体層４５８Ｂはインダクタ部品の直下に導体回路を有していない。
【０１８４】
（１８）図４３（Ｂ）〜図４４（Ｃ）の処理が繰り返され、絶縁層４５０Ａ、４５０Ｂ上に最上と最下の絶縁層４５０Ｃ、５０Ｄが形成される。最上と最下の絶縁層４５０Ｃ、４５０Ｄ上に導体層４５８Ｃ、５８Ｄが形成される。最上と最下の絶縁層４５０Ｃ、４５０Ｄにビア導体４６０Ｃ、４６０Ｄが形成される（図４４（Ｄ））。導体層４５８Ｃ、４５８Ｄの厚みは１５μｍである。導体層４５８Ｄはインダクタ部品の直下に導体回路を有していない。
【０１８５】
（１９）第１と第２のビルドアップ層上に開口４７１を有するソルダーレジスト層４７０が形成される（図４５（Ａ））。開口４７１は導体層やビア導体の上面を露出する。その部分はパッドとして機能する。
【０１８６】
（２０）パッド上にニッケル層４７２とニッケル層４７２上の金層４７４で形成される金属膜が形成される（図４５（Ｂ））。
（２１）この後、第１のビルドアップ層のパッドに半田バンプ４７６Ｕが形成され、第２のビルドアップ層のパッドに半田バンプ４７６Ｄが形成される。半田バンプを有するプリント配線板４１０が完成する（図３２）。
【０１８７】
（実施例２）
（突出電極を有するインダクタ部品の製造方法）
実施例１と同様に最上のコイル層が形成される。その後、最上のコイル層と最上の樹脂絶縁層上に無電解銅めっき膜が形成される。そして、その無電解銅めっき膜上にめっきレジストが形成される。めっきレジストは開口を有し、その開口は最上のコイル層の端部を露出している。めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜が形成される。めっきレジストが除去される。めっきレジストを除去することで露出する無電解銅めっき膜が除去される。無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜からなる突出電極が形成される。突出電極の厚みは１０μｍである。
プリント配線板の製造方法は実施例１と同様である。
【０１８８】
各実施形態、各改変例、各実施例では、インダクタ部品内の各コイル層は重なっていることが好ましい。つまり、各コイル層がコア基板の第１面に等倍に投影されると各コイル層の像は重なる。
【符号の説明】
【０１８９】
１０ 配線板
１１ 第１のビルドアップ層
１２ 第２のビルドアップ層
２０ 絶縁性基板
２０ａ 貫通孔
２０ｂ キャビティ
２０ｃ キャビティ
２１ 第１の層間樹脂絶縁層
２２ 第２の層間樹脂絶縁層
２２ａ，２１ａ ビアホール
２３，２４ ソルダーレジスト層
２３ａ，２４ａ 開口
３１〜３４ 導体層
３３ａ，３４ａ ビア導体
４０ スルーホール導体
５１，５２ 半田接続層
５３，５４ 半田
６０ インダクタ部品
６１ａ〜６１ｅ 磁性体層
６２ 電極
６３ａ 電極
６３ｂ 電極
６４，６５ 保護膜
７１，７２ インダクタ
７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄ 導体パターン
７５ ビア導体
７５ａ ビアホール
８０ チップキャパシタ
９０ 薄膜キャパシタ
１００ ベース基板
１０１ 粘着シート
２００ 銅張積層板
２０１，２０２ 銅箔
２０３〜２０８ めっき膜
２２１，２２２ フィルム
３０１，３０２ レジスト
３０１ａ，３０２ａ 開口
４１０ プリント配線板
４２０ 開口
４３０ コア基板
４３４ 導体層
４５０Ａ 第１の層間樹脂絶縁層
４５８Ａ 上側の導体層
４６０Ａ ビア導体
４６０Ａａ 接続ビア導体
５１０ インダクタ部品
５５０Ｇ 樹脂絶縁層
５５８Ｇ コイル層
５６０Ｇ ビア導体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、インダク部品とその部品を内蔵するプリント配線板、及び、プリント配線板に内蔵するためのインダク部品の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
特許文献１は多層基板の複数層に渦巻き状のパターンを形成している。そして、異なる層に存在する渦巻き状のパターンは接続されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特開２００９−１６５０４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
特許文献１の技術でインダクタンスを大きくするには渦巻き状のパターンの層数が増やされると考えられる。その場合、渦巻き状のパターンの層数とともに隣接する渦巻き状のパターンで挟まれる絶縁層の層数が多くなると考えられる。そのため、プリント配線板が厚くなると考えられる。また、層数の少ないプリント配線板では、十分な層数の渦巻き状のパターンがプリント配線板に形成されないと予想される。その場合、目標のインダクタンスが得られないと考えられる。
【０００５】
本発明の目的は、インダクタ部品が内蔵されても薄いプリント配線板を提供することである。別の目的は、プリント配線板が薄くても十分なインダクタンスを有するインダクタ部品を内蔵するプリント配線板を提供することである。さらに別の目的は、プリント配線板に内蔵するためのインダクタ部品を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明の第１の観点に係る配線板は、基材と、該基材上に形成され、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層と、前記基材の内部に収容され、第２絶縁層と該第２絶縁層上に形成されている第２導体パターンとを有するインダクタ部品と、を備える配線板であって、前記インダクタ部品の厚み方向における断面の面積がＳ１、該断面における前記第２導体パターンの断面の面積の和がＰ１であって、前記基材及び前記ビルドアップ層の厚み方向における断面の面積がＳ２、該断面における前記導体層の断面の面積の和がＰ２であるとき、Ｐ１／Ｓ１はＰ２／Ｓ２よりも大きい。
【０００７】
本発明の第２の観点に係る配線板の製造方法は、第２絶縁層と該２絶縁層上に形成されている第２導体パターンとを有するインダクタ部品を用意することと、基材を用意することと、該基材の内部に前記インダクタ部品を収容することと、前記基材上に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層を形成することと、を含み、前記インダクタ部品の厚み方向における断面の面積がＳ１、該断面における前記第２導体パターンの断面の面積の和がＰ１であって、前記基材及び前記ビルドアップ層の厚み方向における断面の面積がＳ２、該断面における前記導体層の断面の面積の和がＰ２であるとき、Ｐ１／Ｓ１はＰ２／Ｓ２よりも大きい。
【０００８】
本発明の第３の観点に係るプリント配線板は、インダクタ部品を内蔵するための開口を有すると共に第１面と該第１面と反対側の第２面とを有するコア基板と、前記開口に収容されているインダクタ部品と、前記コア基板の開口の側壁と前記インダクタ部品との隙間を充填している充填樹脂と、前記コア基板の第１面と前記インダクタ部品上に形成されている第１のビルドアップ層と、を有する。そして、前記インダクタ部品は、１つの平面に配線パターンで形成されている少なくとも１つのコイル層と該コイル層上に形成されている少なくとも１つの樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上に形成されている電極と前記樹脂絶縁層に形成され前記コイル層と前記電極とを接続するビア導体で形成されていて、前記電極が前記コア基板の第１面に向くように前記インダクタ部品は前記開口に収容されていて、前記第１のビルドアップ層は前記コア基板の第１面と前記インダクタ部品上に形成されている第１の層間樹脂絶縁層と該第１の層間樹脂絶縁層上の上側の導体層と該上側の導体層と前記電極を接続する接続ビア導体とを有する。
【０００９】
本発明の第４の観点に係るプリント配線板の製造方法は、支持板上に最下の樹脂絶縁層を形成することと、前記最下の樹脂絶縁層上に配線パターンで形成されているコイル層を形成することと、前記コイル層と前記最下の樹脂絶縁層上に第２樹脂絶縁層を形成することと、前記コイル層に至るビア導体用の開口を前記第２樹脂絶縁層に形成することと、前記第２樹脂絶縁層上に電極を形成することと、前記ビア導体用の開口に前記電極と前記コイル層を接続するビア導体を形成することと、前記支持体と前記最下層の樹脂絶縁層を分離することを含む。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の第１実施形態に係る配線板の断面図。
【図２】インダクタ部品の断面図。
【図３】インダクタ部品を構成する導体パターンの斜視図。
【図４】インダクタ部品を構成する導体パターンの斜視図。
【図５】インダクタ部品を構成する導体パターンの斜視図。
【図６】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図７】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図８】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図９】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図１０】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図１１】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図１２】インダクタ部品の製造方法を説明するための図。
【図１３】配線板の製造方法を説明するための図。
【図１４】配線板の製造方法を説明するための図。
【図１５】配線板の製造方法を説明するための図。
【図１６】配線板の製造方法を説明するための図。
【図１７】配線板の製造方法を説明するための図。
【図１８】配線板の製造方法を説明するための図。
【図１９】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２０】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２１】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２２】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２３】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２４】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２５】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２６】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２７】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２８】配線板の製造方法を説明するための図。
【図２９】配線板の製造方法を説明するための図。
【図３０】配線板の製造方法を説明するための図。
【図３１】配線板の変形例を説明するための図。
【図３２】本発明の第２実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図３３】第２実施形態のインダクタ部品の断面図。
【図３４】第２実施形態に係るインダクタ部品の各コイル層を示す平面図。
【図３５】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図３６】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図３７】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図３８】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図３９】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４０】第２実施形態のインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４１】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４２】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４３】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４４】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４５】第２実施形態のプリント配線板の製造方法を示す工程図。
【図４６】第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４７】第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４８】第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図４９】第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図５０】第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図５１】第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造方法を示す工程図。
【図５２】本発明の第２実施形態の第２改変例に係るプリント配線板の断面図。
【図５３】本発明の第３実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図５４】本発明の第４実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図５５】別の例に係る積層コイルの各コイル層を示す平面図。
【図５６】本発明の第５実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図５７】積層コイルの最上と最下のコイル層を示す平面図。
【図５８】積層コイルの最上のコイル層と接続配線と共通電極が示されている。
【図５９】積層コイルのコイル層を示す平面図。
【図６０】本発明の第６実施形態に係るプリント配線板の断面図。
【図６１】本発明の第７実施形態に係るプリント配線板の断面図及びコイル層の平面図。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
[第１実施形態]
以下、本発明の第１実施形態が図面を参照しつつ説明される。なお、説明にあたっては、相互に直交するＸ軸、Ｙ軸及びＺ軸からなる座標系が用いられる。
また、第１実施形態の断面は、インダクタを含む箇所をＸＹ平面に垂直な任意の平面で切断することで得られる面である。
【００１２】
図１は、第１実施形態に係る配線板（プリント配線板）１０のＸＺ断面図である。コア基板２０Ａは、第１面Ｆと、該第１面とは反対側の第２面Ｓとを有する絶縁性基材（基材）２０と、絶縁性基材２０の第１面Ｆ上に形成されている第１のビルドアップ層１１と、絶縁性基材２０の第２面Ｓ上に形成されている第２のビルドアップ層１２とからなる。
【００１３】
第１のビルドアップ層１１は、絶縁性基材２０の第１面Ｆ上に形成されている第１導体層３１と、第１導体層３１を覆うように絶縁性基材２０の第１面Ｆ上に形成されている第１の層間樹脂絶縁層（絶縁層）２１と、第１の層間樹脂絶縁層２１上に形成されている上側の導体層３３と、上側の導体層３３を覆うように第１の層間樹脂絶縁層２１上に形成されているソルダーレジスト層２３とからなる。
【００１４】
第２のビルドアップ層１２は、絶縁性基材２０の第２面Ｓ上に形成されている第２導体層３２と、第２導体層３２を覆うように絶縁性基材２０の第２面Ｓ上に形成されている第２の層間樹脂絶縁層（絶縁層）２２と、第２の層間樹脂絶縁層２２上に形成されている下側の導体層３４と、下側の導体層３４を覆うように第２の層間樹脂絶縁層２２上に形成されているソルダーレジスト層２４とからなる。
【００１５】
なお、ここでは第１のビルドアップ層１１，第２のビルドアップ層１２は、１層の層間樹脂絶縁層（絶縁層）を有しているが、複数の絶縁層を有していてもよい。
【００１６】
絶縁性基材（基材）２０の内部には、インダクタ部品６０とチップキャパシタ８０が収容されている。絶縁性基材２０は、例えばグラスファイバ、アラミドファイバ等の強化材に、エポキシ樹脂を含浸させることにより形成されている。図１に示されるように、この絶縁性基材２０には、スルーホール導体用の貫通孔２０ａと、インダクタ部品６０が収容されるキャビティ（開口）２０ｂと、チップキャパシタ８０が収容されるキャビティ（開口）２０ｃが形成されている。
【００１７】
貫通孔２０ａの内部には、スルーホール導体４０が形成されている。このスルーホール導体４０は、銅めっきからなる。
【００１８】
ここで、絶縁性基材２０及び第１のビルドアップ層１１，第２のビルドアップ層１２の厚み方向における断面の面積がＳ２、当該断面における第１導体層３１、第２導体層３２，上側の導体層３３、下側の導体層３４の断面積の和がＰ２であるとき、Ｐ２／Ｓ２は約０．３である。なお、ここでのＳ２は、絶縁性基材２０、第１の層間樹脂絶縁層２１，第２の層間樹脂絶縁層２２及びソルダーレジスト層２３，２４を合わせたＺ軸方向のプリント配線板１０の厚みＤ１と、Ｘ軸方向のプリント配線板１０の幅Ｄ２との積で表される。
【００１９】
図２は、キャビティ２０ｂに収容されるインダクタ部品６０のＸＺ断面図である。図２に示されるように、インダクタ部品６０は、複数の樹脂絶縁層（磁性体層、第２絶縁層）６１ａ〜６１ｅと、各磁性体層上に形成されている配線パターン（第２導体パターン）７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄと、最上の樹脂絶縁層（最上の磁性体層）６１ａの上面に形成されている電極（パッド）６２と、磁性体層６１ｅの下面に形成されている電極（導体パターン）６３ａ，６３ｂと、導体パターン６２を被覆する保護膜６４と、導体パターン６３ａ，６３ｂを被覆する保護膜６５とを有している。
【００２０】
磁性体層６１ａ〜６１ｅは、磁性を有している。この磁性体層６１ａ〜６１ｅは、例えば、磁性を有する粒子を含むペースト状の樹脂を硬化させることによって形成される。これらの磁性体層６１ａ〜６１ｅの厚さは、１５〜６０μｍ程度である。保護膜６４、６５は、導体パターン６２、導体パターン６３ａ，６３ｂを保護するために設けられる。
【００２１】
図３は、導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄを示す斜視図である。導体パターン７１ａ，７２ａは、磁性体層６１ａと磁性体層６１ｂの間に形成されている。これらの導体パターン７１ａ，７２ａは、磁性体層６１ｂに形成されているめっき膜をパターニングすることにより形成される。
【００２２】
同様に、導体パターン７１ｂ，７２ｂは、磁性体層６１ｂと磁性体層６１ｃの間に形成され、導体パターン７１ｃ，７２ｃは、磁性体層６１ｃと磁性体層６１ｄの間に形成され、導体パターン７１ｄ，７２ｄは、磁性体層６１ｄと磁性体層６１ｅの間に形成されている。これらの導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄの厚さは１０〜８０μｍである。
なお、インダクタの性能を高める目的で、導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄの厚さを、磁性体層６１ａ〜６１ｅの厚みよりも厚くすることが好ましい。
【００２３】
図４は、導体パターン７１ａ〜７１ｄを示す図である。図４に示されるように、導体パターン７１ａ〜７１ｄは、磁性体層６１ｂ，６１ｃ，６１ｄに設けられているビア導体７５によって相互に接続され、インダクタ（コイル）７１を形成している。
【００２４】
具体的には、導体パターン７１ａの−Ｙ側の端部は、導体パターン７１ｂの−Ｙ側の端部に接続されている。同様に、導体パターン７１ｂの＋Ｙ側の端部は、導体パターン７１ｃの＋Ｙ側の端部に接続され、導体パターン７１ｃの−Ｙ側の端部は、導体パターン７１ｄの−Ｙ側の端部に接続されている。これらの直列に接続されている導体パターン７１ａ〜７１ｄによって、インダクタ７１が形成されている。このインダクタのターン数は２である。
【００２５】
図５は、導体パターン７２ａ〜７２ｄを示す図である。図５に示されるように、導体パターン７２ａ〜７２ｄは、磁性体層６１ｂ，６１ｃ，６１ｄに設けられているビア導体７５によって相互に接続され、インダクタ７２を形成している。
【００２６】
具体的には、導体パターン７２ａの＋Ｙ側の端部は、導体パターン７２ｂの＋Ｙ側の端部に接続されている。同様に、導体パターン７２ｂの−Ｙ側の端部は、導体パターン７２ｃの−Ｙ側の端部に接続され、導体パターン７２ｃの＋Ｙ側の端部は、導体パターン７２ｄの＋Ｙ側の端部に接続されている。これらの直列に接続されている導体パターン７２ａ〜７２ｄによって、インダクタ７２が形成されている。このインダクタ７２のターン数は２である。
【００２７】
図３に示されるように、インダクタ７１を構成する導体パターン７１ｄは、ビア導体７５を介して電極（下側の電極（下側の第１電極））６３ｂに接続されている。インダクタ７２を構成する導体パターン７２ｄは、ビア導体７５を介して電極（下側の電極（下側の第２電極））６３ａに接続されている。また、インダクタ７１とインダクタ７２が、それぞれビア導体７５を介して、電極（上側の電極）６２に接続されることで、相互に並列に接続されている。
【００２８】
第１実施形態のインダクタ部品６０では、２層の導体パターンで１巻きのインダクタが複数（図３では２つ）形成されている。例えば、導体パターン７１ａと導体パターン７１ｂで１巻きのコイルが形成されている。導体パターン７１ａと導体パターン７１ｂは異なる層に形成されている。導体パターン７１ａ、７１ｂと導体パターン７２ａ、７２ｂでそれぞれ１巻きのコイルが形成されている。このため、インダクタ部品６０と同等の大きさの領域で、１つのインダクタを形成する場合と比較して、電流が流れる経路の面積が増える。その結果、１つのインダクタに比べて、インダクタ部品６０の抵抗値は、見かけ上小さくなる。また、電極６２は、インダクタ部品６０の抵抗値を低減するという観点から、それぞれ導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄよりも厚いことが好ましい。
【００２９】
図２に示されるように、インダクタ部品６０の厚み方向における断面の面積がＳ１であり、当該断面における第２導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄの断面積の和がＰ１であるとき、Ｐ１／Ｓ１の値は、上記Ｐ２／Ｓ２の値よりも大きく、０．６〜０．９である。なお、インダクタ部品６０の厚み方向における断面積Ｓ１は、Ｚ軸方向の厚みＤ３とＸ軸方向の幅Ｄ４との積で表される。
【００３０】
Ｐ１／Ｓ１の値が０．６未満の場合、インダクタ部品６０のインダクタンスを十分に確保することが困難になる。一方、Ｐ１／Ｓ１の値が０．９を超える場合、第２導体パターンの割合が過剰に増える。そのため、隣接するインダクタ同士が短絡してしまい、インダクタの性能が低下する場合がある。
【００３１】
Ｐ２／Ｓ２に対する、前記Ｐ１／Ｓ１の割合は２以上で３以下である。上記と同様に、この値が２未満の場合、インダクタ部品のインダクタンスを十分に確保することが困難になる。一方、この値が３を超える場合、第２導体パターンの割合が過剰に増える。そのため、隣接するインダクタ同士が短絡してしまい、インダクタの性能が低下する場合がある。
【００３２】
次に、上述のインダクタ部品６０の製造方法の一例が説明される。
【００３３】
まず、図６に示されるように、表面が平滑なベース基板１００の上面に、磁性を有する粒子を含む樹脂ペーストが塗布され、その樹脂ペーストを硬化することで磁性体層６１ｅが形成される。
【００３４】
次に、磁性体層６１ｅの上面に、無電解めっき処理、及び電解めっき処理が行われることにより、めっき膜が形成される。そして、このめっき膜をパターニングすることにより、図７に示される導体パターン７１ｄ，７２ｄが形成される。続いて、磁性体層６１ｅ及び導体パターン７１ｄ，７２ｄの上面に、樹脂ペーストが塗布され、その樹脂ペーストを硬化することで磁性体層６１ｄが形成される。
【００３５】
次に、図８に示されるように、磁性体層６１ｄに、レーザ光が照射され、ビアホール７５ａが形成される。
【００３６】
次に、磁性体層６１ｄの上面に、無電解めっき処理、及び電解めっき処理が行われることにより、めっき膜が形成される。そして、このめっき膜がパターニングされる。これにより、図９に示されるように、導体パターン７１ｄに、ビア導体７５を介して接続される導体パターン７１ｃと、導体パターン７２ｄに、ビア導体７５を介して接続される導体パターン７２ｃが、磁性体層６１ｄ上に形成される。
【００３７】
同様の手順で、磁性体層６１ｃ，６１ｂ，６１ａと、導体パターン７１ｂ，７２ｂ，７１ａ，７２ａが順次形成される。これにより、図１０に示される５層の磁性体層６１ａ〜６１ｅと、導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄとからなるインダクタ部品６０の本体部が形成される。
【００３８】
次に、図１１に示されるように、インダクタ部品６０の本体部とベース基板１００が分離される。そして、磁性体層６１ａ，６１ｅにビアホールが形成される。
【００３９】
次に、図１２に示されるように、磁性体層６１ａの表面と、磁性体層６１ｅの表面とに、無電解めっき処理、及び電解めっき処理を行うことにより、めっき膜が形成される。そして、このめっき膜をパターニングすることにより、電極６２、６３ａ、６３ｂが形成される。
【００４０】
電極６２は、ビア導体７５を介して、導体パターン７１ａと導体パターン７２ａに接続されている。なお、電極６２と導体パターン７１ａとを接続するビア導体は、ここでは図示されていない。
【００４１】
次に、磁性体層６１ａ上に保護膜６４が形成され、電極６２、６３ａ、６３ｂが覆われる。これにより、図２に示されるインダクタ部品６０が完成する。
【００４２】
上述のインダクタ部品６０は、図１に示されるように、絶縁性基材２０に形成されているキャビティ２０ｂに収容されている。また、絶縁性基材２０に形成されているキャビティ２０ｃの内部には、チップキャパシタ８０が収容されている。
【００４３】
第１導体層３１は、絶縁性基材２０の上面（＋Ｚ側の面）に形成されている。また、第２導体層３２は、絶縁性基材２０の下面（−Ｚ側の面）に形成されている。第１導体層３１，第２導体層３２の厚さはそれぞれ５〜３０μｍで、所定の形状にパターニングされている。これらの第１導体層３１，第２導体層３２は、プリント配線板１０の電子回路を構成し、スルーホール導体４０によって電気的に接続されている。
【００４４】
第１の層間樹脂絶縁層２１は、絶縁性基材２０の上面を覆うように形成されている。第１の層間樹脂絶縁層２１は、例えば硬化されているプリプレグからなる。
【００４５】
プリプレグは、例えばグラスファイバ又はアラミドファイバに、エポキシ樹脂、ポリエステル樹脂、ビスマレイミドトリアジン樹脂（ＢＴ樹脂）、イミド樹脂（ポリイミド）、フェノール樹脂、又はアリル化フェニレンエーテル樹脂（Ａ−ＰＰＥ樹脂）等を含浸させることにより形成される。プリント配線板１０では、第１の層間樹脂絶縁層２１の厚さは、１０〜６０μｍである。
【００４６】
第１の層間樹脂絶縁層２１には、複数のビアホール２１ａが形成されている。ビアホール２１ａの内部には、ビア導体３３ａが形成される。このビア導体３３ａは、銅めっきからなる。
【００４７】
第２の層間樹脂絶縁層２２は、絶縁性基材２０の下面を覆うように形成されている。第２の層間樹脂絶縁層２２は、第１の層間樹脂絶縁層２１と同様に、例えば硬化されているプリプレグからなる。この第２の層間樹脂絶縁層２２の厚さは、第１の層間樹脂絶縁層２１と同様に、１０〜６０μｍである。
【００４８】
第２の層間樹脂絶縁層２２には、複数のビアホール２２ａが形成されている。ビアホール２２ａの内部には、ビア導体３４ａが形成される。このビア導体３４ａは、銅めっきからなる。
【００４９】
上側の導体層３３は、第１の層間樹脂絶縁層２１の上面に形成されている。また、下側の導体層３４は、第２の層間樹脂絶縁層２２の下面に形成されている。上側の導体層３３，下側の導体層３４の厚さがそれぞれ５〜２０μｍで、所定の形状にパターニングされている。そして、上側の導体層３３は、第１の層間樹脂絶縁層２１に形成されているビア導体３３ａによって、第１導体層３１、インダクタ部品６０、及びチップキャパシタ８０と電気的に接続されている。また、下側の導体層３４は、第２の層間樹脂絶縁層２２に形成されているビア導体３４ａによって、第２導体層３２及びインダクタ部品６０と電気的に接続されている。インダクタ部品と接続されるビア導体は接続ビア導体である。
【００５０】
ソルダーレジスト層２３は、第１の層間樹脂絶縁層２１を覆うように形成されている。また、ソルダーレジスト層２４は、第２の層間樹脂絶縁層２２を覆うように形成されている。
【００５１】
ソルダーレジスト層２３には、複数の開口２３ａが形成されている。その開口２３ａにより露出する上側の導体層やビア導体の上面が電子部品と接続するためのパッドとして機能する。そして、開口２３ａの内部には、パッドの表面を被覆する、ニッケルめっき膜と金メッキ膜からなる２層構造の半田接続層５１が形成されている。プリント配線板１０に実装される電子部品の端子は、半田接続層５１に半田５３を介して接続される。
【００５２】
同様に、ソルダーレジスト層２４には、複数の開口２４ａが形成されている。そして、開口の内部には、下側の導体層３４の表面を被覆するための、ニッケルめっき膜と金メッキ膜からなる２層構造の半田接続層５１が形成されている。その半田接続層５１に形成されている半田５４を介してプリント配線板のマザーボードに接続されている。
【００５３】
次に、上述のプリント配線板１０の製造方法が説明される。
【００５４】
まず、図１３に示されるように銅張積層板２００が準備される。
【００５５】
次に、図１４に示されるように、銅張積層板２００に、例えばＣＯ２レーザを用いて、貫通孔２０ａが形成される。このとき、銅張積層板２００の表裏からそれぞれレーザ光が照射される。なお、銅張積層板２００の表面側からのみレーザ光が照射されてもよい。そして、例えば、パラジウム（Ｐｄ）を主成分とする触媒が、銅張積層板２００の表面、及び貫通孔２０ａの内壁に付与される。その後、銅張積層板２００に無電解銅めっきが施される。これにより、図１５に示されるように、銅張積層板２００の表面、及び貫通孔２０ａの内壁に、シード層としての無電解めっき膜２０３が形成される。
【００５６】
次に、無電解めっき膜２０３を有する銅張積層板２００に、電解銅めっきが施される。これにより、図１６に示されるように、銅張積層板２００の表面にめっき膜２０４が形成され、貫通孔２０ａの内部にスルーホール導体４０が形成される。
【００５７】
次に、テンティング法などにより、銅箔２０１，２０２、及びめっき膜２０４がパターニングされる。これにより、図１７に示されるように、銅箔２０１及びめっき膜２０４からなる第１導体層３１、及び銅箔２０２及びめっき膜２０４からなる第２導体層３２が形成される。
【００５８】
次に、例えばルータ等を用いて、図１８に示されるように、絶縁性基材２０にキャビティ２０ｂ、２０ｃが形成される。そして、銅張積層板２００の下面側に粘着シート１０１が貼り付けられる。
【００５９】
次に、図１９に示されるように、キャビティ２０ｂにインダクタ部品６０が収容され、キャビティ２０ｃにチップキャパシタ８０が収容される。
【００６０】
次に、図２０に示されるように、銅張積層板２００の上面に、熱硬化性樹脂からなるフィルム２２１が配置される。そして、フィルム２２１にラミネート処理を行うことで、銅張積層板２００にフィルム２２１が積層される。これにより、図２１に示されるように、絶縁性基材２０の上面に、第１導体層３１を覆う第１の層間樹脂絶縁層２１が形成される。
【００６１】
次に、図２１に示されるように、銅張積層板２００から粘着シート１０１が剥離される。銅張積層板２００の下面に、熱硬化性樹脂からなるフィルム２２２が配置される。そして、フィルム２２２にラミネート処理を行うことで、銅張積層板２００にフィルム２２２が積層される。これにより、図２２に示されるように、絶縁性基材２０の下面に、第２導体層３２を覆う第２の層間樹脂絶縁層２２が形成される。
【００６２】
また、この状態のとき、キャビティ２０ｂ，２０ｃには、フィルム２２１，２２２を構成する樹脂がキャビティに染み出て、その樹脂でキャビティが充填される。
【００６３】
次に、第１の層間樹脂絶縁層２１及び第２の層間樹脂絶縁層２２それぞれにレーザ光が照射され、図２３に示されるようにビアホール２１ａ，２２ａが形成される。
【００６４】
次に、銅張積層板２００が無電解銅めっき液に浸漬される。これにより、図２４に示されるように、第１の層間樹脂絶縁層２１の表面、及びビアホール２１ａの内壁に、無電解めっき膜２０５が形成される。また、第２の層間樹脂絶縁層２２の表面、及びビアホール２２ａの内壁に、無電解めっき膜２０６が形成される。
【００６５】
次に、無電解めっき膜２０５，２０６の表面にめっきレジスト３０１，３０２が形成される（図２５）。
【００６６】
次に、めっきレジスト３０１，３０２の開口３０１ａ，３０２ａから露出する無電解めっき膜２０５、２０６上に電解銅めっきが施される。これにより、図２６に示されるように、めっきレジスト３０１，３０２から露出している無電解めっき膜上に電解めっき膜２０７，２０８が形成される。
【００６７】
次に、めっきレジスト３０１，３０２が除去される。そして、電解めっき膜間の無電解めっき膜２０５，２０６がエッチングで除去される。これにより、図２７に示されるように、第１の層間樹脂絶縁層２１の表面に上側の導体層３３が形成され、ビアホール２１ａにビア導体３３ａが形成される。また、第２の層間樹脂絶縁層２２の表面に下側の導体層３４が形成され、ビアホール２２ａにビア導体３４ａが形成される。
【００６８】
次に、図２８に示されるように、上側の導体層３３及び下側の導体層３４を覆うように、第１の層間樹脂絶縁層２１上及び第２の層間樹脂絶縁層２２上にそれぞれソルダーレジスト層２３，２４が形成される。
【００６９】
次に、図２９に示されるように、ソルダーレジスト層２３、２４に開口２３ａ、２４ａが形成されることで、上側の導体層３３、下側の導体層３４の少なくとも一部が露出される。
【００７０】
次に、開口２３ａ，２４ａから露出する上側の導体層３３，下側の導体層３４の表面に、無電解Ｎｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの半田接続層５１、５２が形成される。これにより、図１に示されるプリント配線板１０が完成する。
【００７１】
第１実施形態では、インダクタ部品６０は、絶縁性基材２０に形成されているキャビティ２０ｂに収容される。したがって、プリント配線板１０の層構造にかかわらず、インダクタ部品６０の占積率が十分に確保される。適切なインダクタンスが得られる。
【００７２】
仮に、第１のビルドアップ層１１または、第２のビルドアップ層１２の内部にインダクタが形成されると、インダクタの占積率が、ビルドアップ層内の導体層の層数や、第１の層間樹脂絶縁層２１，第２の層間樹脂絶縁層２２の厚み等に依存する。これに対して、第１実施形態では、インダクタ部品６０が、プリント配線板１０の目的や用途に応じて予め製造される。このため、プリント配線板１０のビルドアップ層の層構造にかかわらず、インダクタ部品６０の占積率を十分に確保することができる。したがって、プリント配線板１０の用途に応じて、適切な性能を有するインダクタを形成することが可能となる。
【００７３】
以上から、第１実施形態に係るプリント配線板１０は、プリント配線板１０に駆動電圧が低く消費電力が小さな低電圧型のマイクロプロセッサが実装されたとしても、インダクタ部品６０及びチップキャパシタ８０を含んで構成される回路を介して、マイクロプロセッサに安定して電源の供給を行うことが可能となる。
【００７４】
例えば、第１実施形態では、絶縁性基材２０の上面に、第１導体層３１，上側の導体層３３、及び、第１の層間樹脂絶縁層２１からなるビルドアップ層が形成され、絶縁性基材２０の下面に、第２導体層３２，下側の導体層３４、及び第２の層間樹脂絶縁層２２からなる第２のビルドアップ層が形成されている。これに限らず、絶縁性基材２０の表面には、３以上の導体層、及び２以上の層間樹脂絶縁層からなるビルドアップ層が形成されていてもよい。
【００７５】
基材の材料は特に限定されない。すなわち、絶縁性樹脂以外、基材としてCu、Al等の金属や、Si等の半導体材料が用いられてもよい。また、基材は金属と樹脂とが交互に積層されてなる多層構造であってもよい。
【００７６】
第１実施形態では、インダクタ部品６０を構成する導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄの厚さが、導体層３１〜３４（絶縁性基材上の導体層やビルドアップ層の導体層）の厚さよりも大きい。これに限らず、第１のビルドアップ層１１，第２のビルドアップ層１２は、導体パターン７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄの厚さよりも厚い導体層を含んでいてもよい。
【００７７】
第１実施形態では、インダクタ部品６０が、並列に接続されているインダクタ７１，７２で形成されている。これに限らず、インダクタ部品６０は、１つのインダクタから構成されていてもよい。図３に示されているインダクタ部品は２組のインダクタが並列で繋がっているので、インダクタの抵抗が低くなる。そのため抵抗の低いインダクタ部品が得られる。また、インダクタ７１，７２のターン数は２ターンに限られるものではなく、３ターン以上であってもよい。
【００７８】
第１実施形態では、絶縁性基材２０の内部にチップキャパシタ８が収容されている。このチップキャパシタ８０の代わりに、図３１に示されるように、第１のビルドアップ層１１に薄膜キャパシタ９０が設けられてもよい。このように、Ｚ軸方向において、半導体素子（図示せず）とインダクタ部品６０との間に薄膜キャパシタ９０を設けることで、安定して電源の供給を行うことが可能となる。
【００７９】
絶縁性基材２０、第１の層間樹脂絶縁層２１，第２の層間樹脂絶縁層２２、ソルダーレジスト層２３，２４の材料は、プリント配線板１０の使用目的等に応じて任意に選択される。例えば、第１の層間樹脂絶縁層２１，第２の層間樹脂絶縁層２２は、プリプレグの他、液状又はフィルム状の熱硬化性樹脂や、それらの混合物、さらにはＲＣＦ（Resin Coated copper Foil）で構成されていてもよい。
【００８０】
無電解めっきの材料として、ニッケルや、チタン、クロム等が用いられてもよい。無電解めっき以外に、ＰＶＤ膜やＣＶＤ膜を用いることもできる。ＰＶＤ膜やＣＶＤ膜の場合、触媒は不要である。
【００８１】
同様に、電解めっき膜の材料として、ニッケルや、チタン、クロム等が用いられてもよい。
【００８２】
また、めっきは、金属や樹脂などの表面に層状に導体（例えば金属）を析出させることと、析出により形成される導体（例えば金属層）を含む。また、めっきは、電解めっきや無電解めっき等の湿式めっきのほか、ＰＶＤ（Physical Vapor Deposition）やＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）等の乾式めっきも含む。
【００８３】
また、導体層３１〜３４の形成方法、パターニング方法は限定されず、セミアディティブ法、サブトラクティブ法などを、プリント配線板１０の用途に応じて適宜選択される。
【００８４】
[第２実施形態]
本発明の第２実施形態に係るプリント配線板４１０の断面が図３２に示される。そのプリント配線板４１０では、インダクタ部品５１０が第１面（Ｆ）とその第１面と反対側の第２面（Ｓ）を有するコア基板４３０に内蔵されている。コア基板はインダクタ部品を内蔵するための開口４２０を有すると共に第１面とその第１面と反対側の第２面を有する絶縁性基材４３０Ａとその絶縁性基材の第１面上の第１導体層４３４Ａとその絶縁性基材の第２面上の第２導体層４３４Ｂとその第１導体層４３４Ａとその第２導体層４３４Ｂを接続しているスルーホール導体４３６を有する。
【００８５】
スルーホール導体４３６は、絶縁性基材に形成されている貫通孔４３１内をめっき膜で充填することにより形成される。貫通孔４３１は、絶縁性基材の第１面側に形成されている第１開口部４３１ａと、第２面側に形成されている第２開口部４３１ｂで形成されている。第１開口部４３１ａは第１面から第２面に向かってテーパしているとともに、第２開口部４３１ｂは第２面から第１面に向かってテーパしており、該第１開口部４３１ａと該第２開口部４３１ｂは絶縁性基材の内部で繋がっている。
【００８６】
コア基板の第１面と絶縁性基材の第１面は同じ面であり、コア基板の第２面と絶縁性基材の第２面は同じ面である。コア基板４３０の第１面Ｆとインダクタ部品上に第１のビルドアップ層が形成されている。第１のビルドアップ層はコア基板４３０の第１面Ｆとインダクタ部品上に形成されている絶縁層（第１の層間樹脂絶縁層）４５０Ａとその絶縁層４５０Ａ上の導体層（上側の導体層）４５８Ａと絶縁層４５０Ａを貫通し第１導体層やスルーホール導体と導体層４５８Ａを接続しているビア導体４６０Ａとを有する。さらに、絶縁層４５０Ａにインダクタ部品の電極５５８ＧＤと導体層４５８Ａとを接続する接続ビア導体４６０Ａａが形成されている。第１のビルドアップ層はさらに絶縁層４５０Ａと導体層４５８Ａ上の絶縁層（最上の層間樹脂絶縁層）４５０Ｃと絶縁層４５０Ｃ上の導体層（最上の導体層）４５８Ｃと絶縁層４５０Ｃを貫通し導体層４５８Ａやビア導体４６０Ａ、４６０Ａａと導体層４５８Ｃとを接続するビア導体４６０Ｃを有する。
【００８７】
コア基板４３０の第２面Ｓとインダクタ部品下に第２のビルドアップ層が形成されている。第２のビルドアップ層はコア基板４３０の第２面Ｓとインダクタ部品下に形成されている絶縁層（第２の層間樹脂絶縁層）４５０Ｂとその絶縁層４５０Ｂ下の導体層（下側の導体層）４５８Ｂと絶縁層４５０Ｂを貫通し第２導体層やスルーホール導体と導体層４５８Ｂを接続しているビア導体４６０Ｂとを有する。第２のビルドアップ層はさらに絶縁層４５０Ｂと導体層４５８Ｂ下の絶縁層（最下の層間樹脂絶縁層）４５０Ｄと絶縁層４５０Ｄ下の導体層（最下の導体層）４５８Ｄと絶縁層４５０Ｄを貫通し導体層４５８Ｂと導体層４５８Ｄとを接続するビア導体４６０Ｄを有する。
【００８８】
第１と第２のビルドアップ層に開口４７１を有するソルダーレジスト層４７０が形成されている。ソルダーレジスト層の開口により露出している導体層４５８Ｃ、４５８Ｄやビア導体４６０Ｃ、４６０Ｄの上面はパッドとして機能する。パッド上にＮｉ／Ｐｄ／Ａｕなどの金属膜４７１、４７２、４７４が形成され、その金属膜上に半田バンプ４７６Ｕ、４７６Ｄが形成されている。第１のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ４７６Ｕを介してＩＣチップがプリント配線板に搭載される。第２のビルドアップ層上に形成されている半田バンプ４７６Ｄを介してプリント配線板はマザーボードに搭載される。
【００８９】
第２実施形態のプリント配線板４１０では、コア基板４３０に形成されている開口４２０にインダク部品５１０が収容されている。開口４２０は絶縁性基材の第１面から第２面に至る貫通孔(開口)４２０である。該貫通孔４２０には充填樹脂４５０が充填されている。開口４２０の側壁（開口４２０により露出される絶縁性基材の側壁）とインダクタ部品の隙間は充填樹脂４５０で充填されている。
【００９０】
第２実施形態では、コア基板にインダクタ部品が内蔵されるので、ビルドアップ層の絶縁層の層数を増やすことなく、インダクタ部品をプリント配線板に内蔵することができる。複数のコイル層と樹脂絶縁層が交互に積層されているインダクタ部品がプリント配線板に内蔵されても、第２実施形態では、コア基板上の絶縁層（第１や第２のビルドアップ層の層間樹脂絶縁層）の層数が増えない。コア基板の厚みはコア基板上の絶縁層の厚みより一般的に厚いので、第２実施形態では、コア基板上の絶縁層の層数を増やすことなく、コイル層の層数の多いインダクタ部品をプリント配線板に内蔵することができる。薄いプリント配線板にインダクタンスの高いインダクタ部品が内蔵される。第２実施形態では、プリント配線板にコイルを内蔵するためにビルドアップ層の絶縁層（層間樹脂絶縁層）を増やす必要がない。ビルドアップ層にパターンでコイルが形成されると絶縁層や導体層の数が増えプリント配線板が厚くなる。第１のビルドアップ層、もしくは、第２のビルドアップ層にコイルが形成されると、第１または第２のビルドアップ層の層数が多くなりやすい。プリント配線板の断面方向で対称性が悪くなるのでプリント配線板の反りが発生し易い。しかしながら、第２実施形態は、第１と第２のビルドアップ層の絶縁層と導体層の数を同じにすることができるので、プリント配線板の反りが小さい。
【００９１】
図３２中のインダクタ部品５１０の拡大図が図３３に示される。インダクタ部品は最下の樹脂絶縁層５５０Ａと第１のコイル層５５８Ａとそのコイル層５５８Ａ上の樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｅ、５５０Ｇとコイル層５５８Ｃ、５５８Ｅと樹脂絶縁層（最上の樹脂絶縁層）５５０Ｇ上の電極５５８ＧＤを有する。図３３では、電極は露出していて、電極上に樹脂絶縁層やコーティング層は形成されていない。電極５５８ＧＤがコア基板の第１面に向くようにインダクタ部品はコア基板に内蔵されている。
【００９２】
第１樹脂絶縁層（最下の樹脂絶縁層）５５０Ａ上に第１のコイル層５５８Ａが形成されている。第１のコイル層５５８Ａと第１樹脂絶縁層上に第２樹脂絶縁層５５０Ｃが形成され、該第２樹脂絶縁層上に第２のコイル層５５８Ｃが形成されている。第１のコイル層５５８Ａと第２のコイル層が第２樹脂絶縁層に形成されているビア導体５６０Ｃで接続されている。第２のコイル層５５８Ｃと第２樹脂絶縁層上に第３樹脂絶縁層５５０Ｅが形成されている。該第３樹脂絶縁層上に第３のコイル層５５８Ｅが形成されている。第２のコイル層５５８Ｃと第３のコイル層５５８Ｅが第３樹脂絶縁層に形成されているビア導体５６０Ｅで接続されている。第３のコイル層５５８Ｅと第３樹脂絶縁層上に第４樹脂絶縁層（最上の樹脂絶縁層）５５０Ｇが形成されている。第４樹脂絶縁層上に第４のコイル層（最上のコイル層）５５８Ｇが形成されている。第３のコイル層５５８Ｅと第４のコイル層５５８Ｇが第４樹脂絶縁層に形成されているビア導体５６０Ｇで接続されている。第４のコイル層の一部は電極５５８ＧＤとして機能する。その電極５５８ＧＤ上に接続ビア導体４６０Ａａが形成される。第２実施形態では、第４のコイル層が最上のコイル層に相当し、第４樹脂絶縁層が最上の樹脂絶縁層に相当する。最上のコイル層以外の内層のコイル層（第１のコイル層５５８Ａ、第２のコイル層５５８Ｃ、第３のコイル層５５８Ｅ）の表面が粗化されている。樹脂絶縁層とコイル層で剥がれが発生し難い。第４のコイル層（最上のコイル層）の表面は、粗面であっても粗面でなくてもよい。第２実施形態のインダクタ部品は、交互に積層されている樹脂絶縁層とコイル層を有し、異なる層のコイル層は樹脂絶縁層内のビア導体で接続されている。第２実施形態のインダクタ部品は、このような積層コイルＣＡ、ＣＢ、ＣＣを複数有し、各積層コイルは並列または直列で繋げられる。図３３のインダクタ部品は、３つの積層コイルで形成されている（ＣＡ：図中左、ＣＲ：図中真中、ＣＣ：図中右）。各積層コイルが容易に接続される。コイル層で挟まれる樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｅ、５５０Ｇは鉄-ニッケル合金、鉄合金、アモルファス合金等の磁性体粒子を含むことができる。インダクタンスが高くなる。最下の樹脂絶縁層も磁性体粒子を含むことができる。インダクタ部品内の磁束が外部に漏れ難くなる。インダクタ部品の直下の第２のビルドアップ層にグランドやパワーなどの導体回路が形成されてもインダクタンスの値の減少や損失の増大が防止される。このような観点から、最上のコイル層と最上の樹脂絶縁層上に磁性体粒子を含むコーティング層が形成されることが好ましい。インダクタ部品の直上の第１のビルドアップ層にグランドやパワーなどの導体回路が形成されてもインダクタンスの値の減少や損失の増大が防止される。コーティング層は電極を露出する開口を有することができる。磁性体粒子の量は３０〜６０vol％である。樹脂絶縁層に磁性体粒子を混合することで、第１のビルドアップ層や第２のビルドアップ層の絶縁層の層数や導体層の層数が少なくなる。そのため、コア基板にインダクタ部品を内蔵しているプリント配線板の厚みを薄くすることが出来る。
【００９３】
インダクタ部品の最下の樹脂絶縁層下と最上のコイル層と最上の樹脂絶縁層上に磁性体膜が形成されることが好ましい。さらに、インダクタ部品の側壁に磁性体膜が形成されても良い。インダクタ部品内の磁束が外部に漏れ難くなる。インダクタンスの値の減少やＱ値の低下防止のため、インダクタ部品の直上や直下に導体回路の非形成領域を設ける必要がない。第１のビルドアップ層と第２のビルドアップ層で導体回路の体積のバランスが崩れがたい。反りの少ないプリント配線板が提供される。最下の樹脂絶縁層は磁性体膜でも良い。磁性体膜が最上のコイル層と最下のコイル層上に形成されている場合、磁性体膜はコーティング層や磁性体粒子を含む樹脂絶縁層を介して形成されることが望ましい。
【００９４】
この場合、磁性体膜とコーティング層は電極を露出する開口を有することが好ましい。磁性体膜はスパッタなどで形成される。ターゲットとして酸化鉄（III）などが用いられる。
【００９５】
各コイル層５５８Ａ、５５８Ｃ、５５８Ｅ、５５８Ｇは配線パターンで形成されている。そのパターンの形状の１例が図５５に示される。各コイル層は一つの平面上に形成されている。第１から第４のコイル層５５８Ａ、５５８Ｃ、５５８Ｅ、５５８Ｇはリング状の導体回路で形成されている。各層のコイル層は略１周の導体回路で形成されている。これにより、４ターンのコイルが形成される。各コイル層の電流の向きは同じである。図中の矢印は電流の向きを示している。この例では、向きは左回りである。また、各コイル層は断面方向で重なることが好ましい。
【００９６】
以下に第１積層コイルＣＡが説明される。最上のコイル層(第４のコイル層)５５８Ｇの一端に第１のビルドアップ層の接続ビア導体４６０Ａａと接続するための電極５５８ＧＤが形成されている。電極の形状は概ね円の形状である。第４のコイル層は電極と反対側の端に最上の樹脂絶縁層に形成されているビア導体５６０Ｇと接続している接続部Ｖ４を有する。そのビア導体５６０Ｇを介して第４のコイル層と第３のコイル層５５８Ｅは繋がっている。第３のコイル層にはビア導体５６０Ｇと接続するためのビアパッドＰ３を有している。ビアパッドＰ３は第３のコイル層の一端に形成されている。第３のコイル層はビアパッドＰ３と反対側の端に第３樹脂絶縁層に形成されているビア導体５６０Ｅと接続している接続部Ｖ３を有する。そのビア導体５６０Ｅを介して第３のコイル層と第２のコイル層５５８Ｃは繋がっている。第２のコイル層はビア導体５６０Ｅと接続するためのビアパッドＰ２を有している。ビアパッドＰ２は第２のコイル層の一端に形成されている。第２のコイル層はビアパッドＰ２と反対側の端に第２樹脂絶縁層に形成されているビア導体５６０Ｃと接続している接続部Ｖ２を有する。そのビア導体５６０Ｃを介して第２のコイル層と第１のコイル層５５８Ａは繋がっている。第１のコイル層はビア導体５６０Ｃと接続するためのビアパッドＰ１を有している。ビアパッドＰ１は第１のコイル層の一端に形成されている。第１のコイル層のビアパッドＰ１と反対側の端は接続配線Ｌ１０に繋がっている。そして、接続配線Ｌ１０は第２積層コイルに繋がっている。第２積層コイルは第１積層コイルと同様であり、第１積層コイルと第２積層コイルに流れる電流の向きは同じである。第２積層コイルの最上のコイル層は第３積層コイルと繋がる接続配線につながっている。
【００９７】
図５７は別の例の積層コイルを示している。この図では最上と最下のコイル層のみ示されている。この例では各層のコイル層が螺旋状に導体回路（配線パターン）で形成されている。最上のコイル層６５８Ａは図５５に示されている積層コイルと同様に電極６５８Ａａと接続部６５８Ａｂを有する。図５７のコイルでは、最下のコイル層６５８Ｂのビアパッド６５８Ｐは最下のコイル層の中心に形成されていて、最下のコイル層は接続配線Ｌ６５８と外周で繋がっている。コイル層の層数が偶数の時、電極は最上のコイル層の外周に形成されている（図５７（Ａ））。コイル層の層数が奇数の時、電極６５８Ａａは最上のコイル層６５８Ａの中心に形成され、最下のコイル層のビアパッド６５８Ｐは最下のコイル層の中心に形成されている（図５７（Ｂ））。
【００９８】
積層コイルの別の例が図３４に示されている。
図３２中に示すビア導体４６０Ａａ（第１のビルドアップ層の接続ビア導体）が、第４のコイル層（最上のコイル層）５５８Ｇ１の電極（入力電極）５５８ＧＤＩに接続され、電流は反時計回りに略半周流れて、第４のコイル層５５８Ｇ１の入力接続部Ｖ４Ｉに至る（図３４（Ｄ））。第４のコイル層５５８Ｇ１は、ビア導体５６０Ｇを介して第３のコイル層５５８Ｅ１の入力ビアパッドＰ３Ｉに接続される。電流は反時計回りに略半周流れて、第３のコイル層５５８Ｅ１の入力接続部Ｖ３Ｉに至る（図３４（Ｃ））。第３のコイル層５５８Ｅ１は、ビア導体５６０Ｅを介して第２のコイル層５５８Ｃ１の入力ビアパッドＰ２Ｉに接続される（図３４（Ｂ））。電流は反時計回りに略半周流れて、第２のコイル層５５８Ｃ１の入力接続部Ｖ２Ｉに至る（図３４（Ｂ））。第２のコイル層５５８Ｃ２は、ビア導体５６０Ｃを介して第１のコイル層５５８Ａの入力ビアパッドＰ１Ｉに接続される（図３４（Ａ））。電流は反時計回りに第１のコイル層５５８Ａを略一周し、該第１のコイル層５５８Ａの出力ビアパッドＰ１Ｏから、ビア導体５６０Ｃを介して第２のコイル層５５８Ｃ２の出力接続部Ｖ２０に接続される。電流は反時計回りに半周流れて、第２のコイル層５５８Ｃ２の出力ビアパッドＰ２０に至る（図３４（Ｂ））。第２のコイル層はビア導体５６０Ｅを介して第３のコイル層５５８Ｅ２の出力接続部Ｖ３０に接続される（図３４（Ｃ））。電流は反時計回りに略半周流れて、第３のコイル層５５８Ｅ２の出力ビアパッドＰ３０に至る（図３４（Ｃ））。第３のコイル層は、ビア導体５６０Ｇを介して第４のコイル層５５８Ｇ２の出力接続部Ｖ４０に接続される（図３４（Ｄ））。電流は反時計回りに略半周流れて接続配線Ｌ１０に至る（図３４（Ｄ））。図３４に示されている積層コイルは接続配線を介して別の積層コイルに直列もしくは並列で接続される。第４のコイル層５５８Ｇは出力接続部Ｖ４０と反対側の端に電極（出力電極）５５８ＧＤＯを有してもよい（図５９）。この場合、図３４に示される積層コイルは他の積層コイルに繋がることなく、出力電極上の接続ビア導体４６０Ａａを介して第１のビルドアップ層の導体層に繋がる。最下のコイル層以外のコイル層（第４のコイル層、第３のコイル層、第２のコイル層）は配線パターンで形成されている入力回路５５８Ｇ１、５５８Ｅ１、５５８Ｃ１と出力回路５５８Ｇ２、５５８Ｅ２、５５８Ｃ２で形成されている。各入力回路と各出力回路は略半周の配線パターンで形成されている（図３４）。
【００９９】
第１のコイル層（最下のコイル層）は略１周のコイル形状の配線パターンで形成されている。
最下のコイル層以外のコイル層は２つの配線パターンで形成されている。第２実施形態では、積層コイルは隣接する同形状の積層コイルと接続配線Ｌ１０を介して接続される。第２実施形態のインダクタ部品５１０は、３個の積層コイルで形成されている。
インダクタ部品が複数の積層インダクタを有する場合、インダクタ部品は共通な出力電極ＫＤを有することができる（図５８（Ａ））。各積層インダクタがそれぞれ入力電極５５８ＧＤＩを有し、各積層インダクタの各出力電極５５８ＧＤＯが共通な出力電極ＫＤに繋がる（図５８（Ｂ））。その場合、各積層インダクタは並列で接続される。各積層コイルの各出力電極に接続ビア導体が形成されてもよい（図５８（Ｃ））。その場合、各積層コイルはビルドアップ層内の接続回路で接続端子に繋げられる。複数の積層コイルがビルドアップ層内で繋げられる。
【０１００】
複数の積層コイルが並列で繋げられると、複数の積層コイルが低い抵抗で繋げられる。そのため、複数の積層コイルでインダクタ部品が形成されても、低抵抗なインダクタ部品が得られる。図５８は最上の樹脂絶縁層５５０Ｇ上に形成されているアライメントマークＡＬＭを示している。インダクタ部品がアライメントマークＡＬＭを有すると、コア基板のアライメントマークに関連させてインダクタ部品がコア基板の開口に収容される。接続ビア導体と電極間の接続信頼性が高くなる。
【０１０１】
図３３や図３４などに示されているインダクタ部品は電極を有している。そのため、このようなインダクタ部品がプリント配線板のコア基板に内蔵されると、接続ビア導体用の開口を電極上に形成することができる。インダクタ部品の電極と接続ビア導体間の接続信頼性が高い。
電極と最上の樹脂絶縁層上に形成される磁性体粒子を含むコーティング層や磁性体膜は電極を露出する開口を有することができる。インダクタ部品をコア基板に内蔵後、電極に至る接続ビア導体用の開口がコーティング層や磁性体膜を貫通しなくてもよい。接続ビア導体用の開口が形成される時、インダクタ部品やその電極がダメージを受け難い。インダクタ部品がプリント配線板に内蔵されても、インダクタ部品の初期の性能が発揮される。
【０１０２】
インダクタ部品は無機粒子を含む樹脂膜で覆われても良い。樹脂膜は磁性を有していない。樹脂膜やコーティング膜は粒子以外にエポキシなどの樹脂を含む。インダクタ部品と充填樹脂との接合強度が高くなる。インダクタ部品と充填樹脂間での剥がれによるプリント配線板内の導体層の断線などの不具合が防止される。コーティング膜は磁性体粒子以外に磁性を有さない無機粒子を含んでもよい。磁性を有さない無機粒子としてシリカ粒子やアルミナ粒子が挙げられる。コーティング膜の熱膨張係数を小さくできる。
【０１０３】
インダクタ部品が交互に積層されている樹脂絶縁層とコイル層で形成され、プリント配線板の接続ビア導体と接続するための電極を有する。そのため、樹脂絶縁層の層数やコイル層の層数を調整することでインダクタ部品の厚みが調整される。従って、コア基板の厚みを考慮してインダクタ部品が製造される。そして、インダクタンスの値はコイル層の層数や積層インダクタの数で調整される。従って、本発明の実施形態のインダクタ部品はコア基板に内蔵されるための部品に適している。また、接続ビア導体でプリント配線板とインダクタ部品が接続されるので、本発明の実施形態のインダクタ部品はプリント配線板に内蔵されるための部品に適している。インダクタ部品は磁性を有していない樹脂膜で覆われても良い。インダクタ部品の劣化が抑制される。
【０１０４】
実施形態では、ビルドアップ層とインダクタ部品がプリント配線板の技術分野で使われている技術で製造されている。ビルドアップ層とインダクタ部品が別々に製造されているので、コイル層の配線パターンの厚みをビルドアップ層の導体層の厚みより厚くすることができる。そのため抵抗値の低いインダクタ部品がプリント配線板に内蔵され、微細な導体回路を有するプリント配線板が製造される。（コイル層の配線パターンの厚み）／（ビルドアップ層の導体層の厚み）は１．２〜３倍であることが好ましい。抵抗値が低くインダクタンスの値が大きいインダクタ部品が得られる。薄くて微細な回路を有するプリント配線板が得られる。
【０１０５】
最上のコイル層の表面が粗面の場合、充填樹脂やコーティング層や樹脂膜とインダクタ部品間の剥がれが防止される。最上のコイル層の表面が粗面でない場合、電極と接続ビア導体間に樹脂が存在し難い。電極と接続ビア導体間の剥がれが防止される。接続ビア導体用の開口により露出するインダクタ部品の電極の上面は平坦であって、それ以外の最上のコイル層の表面は凹凸であることが好ましい。充填樹脂やコーティング層や樹脂膜とインダクタ部品間の剥がれと電極と接続ビア導体間の剥がれが防止される。
【０１０６】
図３５〜図４０は第２実施形態のインダク部品の製造工程を示す。
（磁性体粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムの作成）
（Ａ）樹脂含有溶液の作製
MEK６．８ｇとキシレン２７．２ｇの混合溶媒に、エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名：エピコート１００７）８５ｇと酸化鉄（III）などの磁性体粒子が添加される。磁性体粒子の例として、クロム酸化鉄（フェリクロム）、コバルト酸化鉄、バリウムフェライトなどが挙げられる。
【０１０７】
（Ｂ）樹脂絶縁層用フィルムの作製
前記(Ａ)の樹脂含有溶液に硬化剤としてのジシアンジアミド（ビィ・ティ・アイ・ジャパン社製、商品名：ＣＧ−１２００）と硬化触媒（四国化成社製、商品名：キュアゾール２Ｅ４ＨＺ）が添加される。その後、これらの混合物は三本ローラで混練され、樹脂絶縁層用溶液が形成される。硬化剤と硬化触媒の添加量はエポキシ１００ｇに対してそれぞれ３．３ｇである。
この樹脂絶縁層用溶液がロールコータ（サーマトロニクス貿易社製）でポリエチレンテレフタレートのシート上に塗布される。そして、その溶液は、１６０℃、５分間の条件で加熱乾燥され、溶媒が除去される。磁性体粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムが得られる。厚みが約２０μｍ〜５０μｍである。
その樹脂絶縁層用フィルム中の磁性体粒子の量は３０ｖｏｌ％から６０ｖｏｌ％である。なお、樹脂絶縁層用フィルムは磁性体粒子を含まず、シリカやアルミナなどの無機粒子を含んでも良い。
【０１０８】
市販の両面銅張り積層板５３０と銅箔５３４Ａ、５３４Ｂが準備され、両面銅張り積層板の両面に銅箔が積層される（図３５（Ａ））。超音波で銅箔の外周部と支持板としての両面銅張り積層板５３０の外周部が接合される（図３５（Ｂ））。図３５（Ｂ）では接合部は５３６Ａ、５３６Ｂで示されている。銅箔５３４Ａ、５３４Ｂ上に上記（Ｂ）のフィルムが積層され、その後、そのフィルムを硬化することで最下の樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂが形成される（図３５（Ｃ））。第２実施形態の樹脂絶縁層はエポキシなどの樹脂と磁性体粒子で形成されている。
【０１０９】
樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂ上に無電解めっき膜５５２Ａ、５５２Ｂが形成される（図３６（Ａ））。無電解めっき膜上に所定パターンのめっきレジストが形成され、電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解めっき膜５５２Ａ、５５２Ｂ上に電解めっき膜５５６Ａ、５５６Ｂが形成される。その後、めっきレジストが除去され電解めっき膜５５６Ａ、５５６Ｂ間の無電解めっき膜が除去される。無電解めっき膜５５２Ａ、５５２Ｂと無電解めっき膜上の電解めっき膜５５６Ａ、５５６Ｂで形成される第１のコイル層５５８Ａ、５５８Ｂが形成される（図３６（Ｂ））。第１のコイル層と最下の樹脂絶縁層上に上記（Ｂ）のフィルムが積層され、その後、そのフィルムを硬化することで第２樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｄが形成される（図３６（Ｃ））。
【０１１０】
レーザで第２樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｄに第１のコイル層のビアパッドＰ１Ｉ、Ｐ１０に至るビア導体用開口５５１Ｃ、５５１Ｄが形成される（図３７（Ａ））。第２樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｄ上、及び、ビア導体用開口５５１Ｃ、５５１Ｄ内に無電解めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄが形成される（図３７（Ｂ））。
【０１１１】
無電解めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄ上に所定パターンのめっきレジスト５５４Ｃ、５５４Ｄが形成される（図３８（Ａ））。電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄが形成される（図３８（Ｂ））。めっきレジストが除去され電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄ間の無電解めっき膜が除去される。無電解めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄと無電解めっき膜上の電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄで形成される第２のコイル層５５８Ｃ、５５８Ｄとビア導体５６０Ｃ、５６０Ｄと接続部Ｖ２Ｉ、Ｖ２０が形成される（図３８（Ｃ））。ビア導体５６０Ｃ、５６０Ｄは第１のコイル層のビアパッドと第２のコイル層の接続部を接続している。第２のコイル層が電極を有すれば、２層のコイル層を有する積層コイルが完成する。第２のコイル層の表面が粗化される（図３９（Ａ））。
【０１１２】
第２樹脂絶縁層の形成方法と第２のコイル層の形成方法と同様な方法で第２樹脂絶縁層と第２のコイル層上に順に第３樹脂絶縁層５５０Ｅ、５５０Ｆと第３のコイル層５５８Ｅ、５５８Ｆと第４樹脂絶縁層５５０Ｇ、５５０Ｈと第４のコイル層（最上のコイル層）５５８Ｇ、５５８Ｈが形成される。最上の樹脂絶縁層上にコイル層以外に入力電極や接続配線や出力電極が配線パターンで形成されている。２つの積層体ＬＡ、ＬＢが銅張積層板上に形成される。積層コイルと銅張積層板からなる積層体が完成する。図３９（Ｂ）では、銅張積層板の一方の面上に３つの積層コイル（第１の積層コイルＣＡ、第２の積層コイルＣＢ、第３の積層コイルＣＣ）が示されている。この例では、インダクタ部品は第１、第２、第３の積層コイルＣＡ、ＣＢ、ＣＣで形成されている。第１の積層コイルは入力電極５５８ＧＤＩを有し、第３の積層コイルは出力電極５５８ＧＤＯを有する。第１の積層コイルと第２の積層コイルは図示されていない接続配線で繋がっている。第２と第３の積層コイルは図示されていない接続配線で繋がっている。第１と第２と第３の積層コイルは直列で繋がっている。各コイル層と各積層コイルで流れる電流の向きは同じである。第３樹脂絶縁層のビア導体５６０Ｅ、５６０Ｆは第２のコイル層と第３のコイル層を接続していて、第４樹脂絶縁層のビア導体５６０Ｇ、５６０Ｈは第３のコイル層と第４のコイル層を接続している。第１、第２と第３のコイル層の表面は粗化されている。第４のコイル層の表面は粗化されていない。第１と第２と第３の積層コイル（複数の積層コイル）はそれぞれ入力電極と出力電極を有し、各積層コイルは並列で繋げられても良い。また、各積層コイルは共通電極に並列で繋げられても良い。
【０１１３】
図３９（Ｂ）に示されている接合箇所５３６Ａ、５３６Ｂの内側のＸ１、Ｘ１線に沿って積層体がルータなどで切断され、積層体が銅箔５３４Ａ、５３４Ｂ付の積層コイルと両面銅張り積層板５３０に分離される（図４０（Ａ））。第４のコイル層と最上の樹脂絶縁層上にＰＥＴフィルム５３５が貼られ（図４０（Ｂ））、銅箔５３４Ａがエッチングで除去される。その後、ＰＥＴフィルムが剥離され、インダクタ部品５１０が完成する（図４０（Ｃ））。
【０１１４】
第２実施形態のプリント配線板４１０の製造方法が図４１〜図４５に示される。
（１）絶縁性基材４３０Ａとその両面に銅箔４３２が積層されている両面銅張積層板４３０Ｚが出発材料である。絶縁性基材の厚さは、１００〜４００μｍである。厚みが１００μｍより薄いと基板強度が低すぎる。厚みが４００μｍを越えるとプリント配線板の厚さが厚くなる。絶縁性基材は第１面Ｆとその第１面と反対側の第２面Ｓを有する。銅箔４３２の表面に図示されない黒化処理が施される（図４１（Ａ））。
【０１１５】
（２）絶縁性基材の第１面Ｆ側から両面銅張積層板４３０Ｚにレーザが照射される。絶縁性基材の第１面から第２面に向けて細くなっている第１開口部４３１ａが形成される（図４１（Ｂ））。
【０１１６】
（３）絶縁性基材の第２面Ｓ側から両面銅張積層板４３０Ｚにレーザが照射される。絶縁性基材の第２面から第１面に向けて細くなっている第２開口部４３１ｂが形成される（図４１（Ｃ））。第２開口部４３１ｂは絶縁性基材内で第１開口部４３１ａと繋がりスルーホール導体用の貫通孔が形成される。
【０１１７】
（４）無電解めっき処理により無電解めっき膜４３３が貫通孔の内壁と銅箔上に形成される（図４１（Ｄ））。
【０１１８】
（５）電解めっき処理により、無電解めっき膜上に電解めっき膜４３７が形成される。貫通孔内にスルーホール導体４３６が形成される。スルーホール導体４３６は貫通孔の内壁に形成されている無電解めっき膜４３３と貫通孔を充填している電解めっき膜４３７で形成される（図４１（Ｅ））
【０１１９】
（６）コア基板４３０の表面の電解めっき膜４３７に所定パターンのエッチングレジスト４３５が形成される（図４１（Ｆ））。
【０１２０】
（７）エッチングレジストから露出する電解めっき膜４３７、無電解めっき膜４３３、銅箔４３２が除去される。その後、エッチングレジストが除去され導体層４３４Ａ、４３４Ｂ及びスルーホール導体４３６が形成される（図４２（Ａ））。
【０１２１】
（８）絶縁性基材４３０Ａの中央部にインダクタ部品を収容するための開口４２０がレーザにより形成され、コア基板が完成する（図４２（Ｂ））。コア基板の厚みＣＴ（図４２（Ｂ））は１２０μｍ〜４５０μｍである。
【０１２２】
（９）コア基板の第１面にテープ４９４が貼られる。開口４２０はテープで塞がれる（図４２（Ｃ））。テープ４９４の例としてＰＥＴフィルムが挙げられる。
【０１２３】
（１０）開口４２０により露出するテープ４９４上にインダクタ部品が置かれる（図４２（Ｄ））。この時、電極がテープに向いている。コア基板の開口４２０に収容されるインダクタ部品の厚みはコア基板の厚みの３０％〜１００％である。
【０１２４】
（１１）コア基板４３０の第２面Ｓ上にＢ−ステージのプリプレグが積層される。加熱プレスによりプリプレグから樹脂が開口内にしみ出て、開口４２０が充填剤（樹脂充填剤）４５０で充填される（図４２（Ｅ））。開口の内壁とインダクタ部品間の隙間が充填剤で満たされる。インダクタ部品がコア基板に固定される。プリプレグの代わりに層間絶縁層用樹脂フィルムが積層されてもよい。プリプレグはガラスクロスなどの補強材を有するが層間樹脂絶縁層用樹脂フィルムは補強材を有していない。両者ともガラス粒子などの無機粒子を含むことが好ましい。充填剤はシリカなどの無機粒子を含んでいる。
【０１２５】
（１２）テープ剥離後（図４３（Ａ））、コア基板４３０の第１面Ｆ上にＢ−ステージのプリプレグが積層される。コア基板の第１面と第２面上のプリプレグが硬化される。コア基板の第１面と第２面上に絶縁層（層間樹脂絶縁層）４５０Ａ、４５０Ｂが形成される（図４３（Ｂ））。
【０１２６】
（１３）第１面側からＣＯ２ガスレーザにて絶縁層４５０Ａにインダクタ部品の電極に至る接続ビア導体用の開口４５１Ａが形成される。同時に、導体層４３４Ａやスルーホール導体４３６に至るビア導体用の開口４５１が形成される。第２面側から絶縁層４５０Ｂに導体層４３４Ｂやスルーホール導体４３６に至るビア導体用の開口４５１が形成される（図４３（Ｃ）参照）。絶縁層４５０Ａ、４５０Ｂに粗面が形成される（図示せず）。
【０１２７】
（１４）無電解めっき処理により、ビア導体用の開口の内壁と絶縁層上に無電解めっき膜４５２が形成される（図４３（Ｄ））。
【０１２８】
（１５）無電解めっき膜４５２上にめっきレジスト４５４が形成される（図４４（Ａ））。
【０１２９】
（１６）次に、電解めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜４５６が形成される（図４４（Ｂ）参照）。
【０１３０】
（１７）続いて、めっきレジスト４５４が５％ＮａＯＨで除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する無電解めっき膜４５２がエッチングにて除去され、無電解めっき膜４５２と電解めっき膜４５６からなる導体層４５８Ａ、４５８Ｂが形成される。導体層４５８Ａ、４５８Ｂは複数の導体回路やビア導体のランドを含む。同時に、ビア導体４６０Ａ、４６０Ｂや接続ビア導体４６０Ａａが形成される（図４４（Ｃ））。ビア導体４６０Ａ、４６０Ｂはコア基板の導体層やスルーホール導体と絶縁層上の導体層４５８Ａ、４５８Ｂを接続している。接続ビア導体４６０Ａａはインダクタ部品の電極（入力電極、出力電極）と絶縁層上の導体層４５８Ａを接続している。
【０１３１】
（１８）図４３（Ａ）〜図４４（Ｃ）の処理が繰り返され、絶縁層４５０Ａ、４５０Ｂ上に最上と最下の絶縁層４５０Ｃ、４５０Ｄが形成される。最上と最下の絶縁層４５０Ｃ、４５０Ｄ上に導体層４５８Ｃ、４５８Ｄが形成される。最上と最下の絶縁層４５０Ｃ、４５０Ｄにビア導体４６０Ｃ、４６０Ｄが形成され、導体層４５８Ａ、４５８Ｂと導体層４５８Ｃ、４５８Ｄはそれらのビア導体４６０Ｃ、４６０Ｄで接続される（図４４（Ｄ））。コア基板の第１面上に第１のビルドアップ層が形成され、コア基板の第２面下に第２のビルドアップ層が形成される。各ビルドアップ層は絶縁層と導体層と異なる導体層を接続するためのビア導体を有する。第２実施形態では、第１のビルドアップ層はさらに接続ビア導体を有する。
【０１３２】
（１９）第１と第２のビルドアップ層上に開口４７１を有するソルダーレジスト層４７０が形成される（図４５（Ａ））。開口４７１は導体層やビア導体の上面を露出する。その部分はパッドとして機能する。
【０１３３】
（２０）パッド上にニッケル層４７２とニッケル層４７２上の金層４７４で形成される金属膜が形成される（図４５（Ｂ））。ニッケル−金層以外にニッケル−パラジウム−金層からなる金属膜が挙げられる。図３２に示されるプリント配線板では、接続ビア導体を第１のビルドアップ層のみ有する。そのため、第２のビルドアップ層はインダクタ部品の下側に導体回路を有しなくてもよい。インダクタンスの値の低下が抑制される。インダクタ部品の直下の第２のビルドアップ層が導体回路を有さないとプリント配線板に反りが生じ易い。その場合、第１のビルドアップ層の絶縁層の厚みは第２のビルドアップ層の厚みよりも厚いことが好ましい。別の例として、第１のビルドアップ層の絶縁層は補強材を有さず、第２のビルドアップ層は補強材を有することが好ましい。プリント配線板の反りが減少する。
【０１３４】
（２１）この後、第１のビルドアップ層のパッドに半田バンプ４７６Ｕが形成され、第２のビルドアップ層のパッドに半田バンプ４７６Ｄが形成される。半田バンプを有するプリント配線板４１０が完成する（図３２）。
【０１３５】
半田バンプ４７６Ｕを介してＩＣチップがプリント配線板４１０へ実装される（図示せず）。その後、半田バンプ４７６Ｄを介してプリント配線板がマザーボードに搭載される。
【０１３６】
[第２実施形態の第１改変例]
図４６〜図５１は第２実施形態の第１改変例に係るインダクタ部品の製造工程を示す。
図３５（Ｂ）と同様に両面銅張り積層板５３０と銅箔５３４Ａ、５３４Ｂが接合される（図４６（Ａ））。該銅箔５３４Ａ、５３４Ｂ上に、Ｃｕ／Ｎｉ／Ｃｕ膜から成る第１の導体回路５５８ＡＢ、５５８ＢＢが形成される（図４６（Ｂ））
【０１３７】
第２実施形態と同様の磁性体粒子を含む樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂが銅箔５３４Ａ、５３４Ｂと第１の導体回路５５８ＡＢ、５５８ＢＢ上に形成される（図４７（Ａ））。レーザでその樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂにビア導体用の開口５５１Ａ、５５１Ｂが形成される（図４７（Ｂ））。樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂの表面が粗化される（図４７（Ｃ））。
【０１３８】
樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂの表面、及び、ビア導体用の開口５５１Ａ、５５１Ｂ内に無電解めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄが形成される（図４８（Ａ））。無電解めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄ上に所定パターンのめっきレジスト５５４Ｃ、５５４Ｄが形成される（図４８（Ｂ））。電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解めっき膜上に電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄが形成される（図４８（Ｃ））。めっきレジスト除去後に、電解めっき膜から露出する無電解めっき膜が除去され、無電解めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄと電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄで形成されるコイル層５５８Ｃ、５５８Ｄが樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂ上に形成される。第１の導体回路とコイル層を接続するビア導体５６０Ｃ、５６０Ｄが樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂに形成される（図４８（Ｄ））。
【０１３９】
コイル層５５８Ｃ、５５８Ｄの表面に粗化層５５８βが形成される（図４９（Ａ））。図４７（Ａ）〜図４９（Ａ）に示されている処理が繰り返される。４層のコイル層と３層の樹脂絶縁層を有する積層コイルが形成される（図４９（Ｂ））。
第２実施形態と同様に接合箇所５３６Ａ、５３６Ｂの内側のＸ１、Ｘ１線に沿って積層体がルータで切断される（図５０（Ａ））。積層体は銅箔５３４Ａ、５３４Ｂと両面銅張り積層板５３０Ｚの間で分離される（図５０（Ｂ））。
【０１４０】
銅箔５３４Ａと第１の導体回路５５８ＡＢの一部を構成するＣｕ膜が除去される。その後、第１の導体回路からＮｉ層が選択的にエッチングで除去される。コイル層（最上のコイル層）５５８Ａと電極が形成される。インダクタ部品５１０が完成する（図５１）。インダクタ部品はコイル層５５８Ａがコア基板の第１面を向くようにプリント配線板に収容される。この実施形態では、最上のコイル層が最上の樹脂絶縁層に埋まっている。
【０１４１】
[第２実施形態の第２改変例]
図５２に第２実施形態の第２改変例に係るプリント配線板４１０の断面が示されている。
第２実施形態の第２改変例では、インダクタ部品の最上のコイル層（第４のコイル層）５５８Ｇ上に導体ポスト（突出電極）４９８が形成されている。突出電極は銅で形成されている。突出電極が形成されている位置は最上のコイル層の一端である。その突出電極上に接続ビア導体が形成される。該導体ポスト４９８を介して第４のコイル層５５８Ｇと接続ビア導体４６０Ａａとが接続される。
【０１４２】
第２実施形態の第２改変例に係るプリント配線板４１０では、導体ポスト４９８によりインダクタ部品の厚みを調整することができる。
コア基板４３０の厚みよりも薄いインダクタ部品５１０がコア基板に内蔵されてもコア基板のほぼ中心にインダクタ部品は配置される。コア基板の中心線Ｃ１−Ｃ１とインダクタ部品の中心線が近づく。インダクタ部品を内蔵しているプリント配線板が対称構造になるので反りが抑制される。
【０１４３】
第２実施形態において、コイル層を形成している配線パターンの厚みはコア基板の導体層の厚みより厚いことが好ましい。コイル層の抵抗値が小さくなる。
【０１４４】
[第３実施形態]
図５３に第３実施形態に係るプリント配線板４１０の断面が示されている。第３実施形態では、第２のビルドアップ層はコイル層を含む領域の直下に導体層を有していない。インダクタンスの値の減少が抑制される。第２のビルドアップ層の導体層はコア基板の下から隙間内の充填樹脂上を越えてインダクタ部品の外周の直下まで延びている導体回路４５９Ｂｏを有している。その隙間はインダクタ部品とコア基板の側壁との間のスペースのことである。このような導体回路４５９Ｂｏが形成されているので、第２のビルドアップ層の導体層がインダクタ部品直下に開口を有しても、プリント配線板の反りが小さい。また、第２のビルドアップ層にクラックが発生し難い。
【０１４５】
第３実施形態において、コイル層を形成している配線パターンの厚みはコア基板の導体層の厚みより厚いことが好ましい。コイル層の抵抗値が小さくなる。
【０１４６】
[第４実施形態]
図５４に第４実施形態に係るプリント配線板４１０の断面が示されている。第４実施形態では、インダクタ部品の直下の第２のビルドアップ層が電源用やグランド用のベタ層（Ｓｏｌｉｄパターン）４５９Ｆ、４５９Ｈなどの導体回路を有している層と導体回路を有していない層で形成されている。インダクタ部品直下において第２のビルドアップ層の絶縁層４５０Ｂ（コア基板直下の絶縁層）下に導体層が形成されていないことが好ましい。インダクタ部品に近い導体層はインダクタ部品直下に導体回路を有していない。導体層はインダクタ部品直下に開口を有している。また、インダクタ部品直下のベタ層はスリット５９Ｆｓ、５９Ｈｓを有し、複数に分割されている。インダクタ部品とインダクタ部品直下の導体回路までの距離Ｋは６０μｍ以上であることが好ましい。その距離Ｋは６０μｍ以上であって４００μｍ以下であることが好まし。インダクタンスの低下が抑制される。
【０１４７】
第４実施形態のプリント配線板では、インダクタ部品の直下に形成されるベタ層４５９Ｆは、複数の絶縁層を介してインダク部品から離れているので、インダクタンスの値が小さくなりがたい。コア基板に近い２層の導体層はインダクタ部品直下に導体回路を有していないことが望ましい。更に、ベタ層４５９Ｆ、４５９Ｈは分割されているので、インダクタンスの値が小さくなりがたい。
【０１４８】
第４実施形態において、コイル層を形成している配線パターンの厚みはコア基板の導体層の厚みより厚いことが好ましい。コイル層の抵抗値が小さくなる。
【０１４９】
[第５実施形態のインダクタ部品とプリント配線板]
第５実施形態のインダクタ部品とそれを内蔵しているプリント配線板が図５６に示されている。
第２実施形態と同様に銅張積層板に銅箔が接合される。最下の樹脂絶縁層上に下側の電極と第１のコイル層が形成される。下側の電極は第１のコイル層の一端に形成されていて他端にビアパッドが形成されている。最下の樹脂絶縁層と第１のコイル層上に第２の樹脂絶縁層が形成される。第２の樹脂絶縁層にビアパッドに至るビア導体用の開口が形成される。第２の樹脂絶縁層上に第２のコイル層と上側の電極が形成される。第１のコイル層と第２のコイル層はビア導体で接続される。この例ではインダクタ部品が上下に電極（上側と下側の電極）を有する。上下に電極を有するインダクタ部品がコア基板に内蔵されると、第２のビルドアップ層の導体層とインダクタ部品は下側の接続ビア導体４６０Ｂｂで接続され、第１のビルドアップ層の導体層とインダクタ部品は上側の接続ビア導体４６０Ａａで接続される。下側の接続ビア導体は下側の電極に繋がり、上側の接続ビア導体は上側の電極に繋がる。インダクタ部品が内蔵されてもプリント配線板内の配線設計が簡単に行われる。断面方向でプリント配線板は対称に成りやすい。また、インダクタ部品が接続ビア導体で挟まれるので、インダクタ部品とビルドアップ層の導体層間の接続信頼性が高くなる。
【０１５０】
第５実施形態において、コイル層を形成している配線パターンの厚みはコア基板の導体層の厚みより厚いことが好ましい。コイル層の抵抗値が小さくなる。
【０１５１】
[第６実施形態]
第６実施形態のインダクタ部品の樹脂絶縁層は磁性体粒子を含まない。第６実施形態のインダクタ部品の樹脂絶縁層はシリカなどの無機粒子とエポキシなどの樹脂で形成されている。
（無機粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムの作成）
（Ａ）樹脂含有溶液の作製
MEK６．８ｇとキシレン２７．２ｇの混合溶媒に、エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名：エピコート１００７）８５ｇとシリカなどの無機粒子が添加される。無機粒子は磁性体粒子を含まない。
【０１５２】
（Ｂ）樹脂絶縁層用フィルムの作製
前記(Ａ)の樹脂含有溶液に硬化剤としてのジシアンジアミド（ビィ・ティ・アイ・ジャパン社製、商品名：ＣＧ−１２００）と硬化触媒（四国化成社製、商品名：キュアゾール２Ｅ４ＨＺ）が添加される。その後、これらの混合物は三本ローラで混練され、樹脂絶縁層用溶液が形成される。硬化剤と硬化触媒の添加量はエポキシ１００ｇに対してそれぞれ３．３ｇである。
この樹脂絶縁層用溶液がロールコータ（サーマトロニクス貿易社製）でポリエチレンテレフタレートのシート上に塗布される。そして、その溶液は、１６０℃、５分間の条件で加熱乾燥され、溶媒が除去される。無機粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムが得られる。厚みが約２０μｍ〜５０μｍである。なお、硬化後の樹脂絶縁層中の無機粒子の量は３０ｖｏｌ％から６０ｖｏｌ％である。
【０１５３】
（Ｃ）インダクタ部品の製造方法
第６実施形態のインダクタ部品が図３３に示されている。
第６実施形態のインダクタ部品の製造方法は第１実施形態のインダクタ部品の製造方法と同様である。
第６実施形態では、この無機粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムを用いることで、第１実施形態と同様にインダクタ部品が得られる。第６実施形態では、最下と最上の樹脂絶縁層を含む各樹脂絶縁層が無機粒子とエポキシなどの樹脂で形成されている。
【０１５４】
（Ｄ）プリント配線板の製造方法
第６実施形態のプリント配線板が図３２に示されている。
第６実施形態のプリント配線板の製造方法は第１実施形態のプリント配線板の製造方法と同様である。
【０１５５】
[第６実施形態の改変例]
（Ａ）樹脂溶液の作成
MEK６．８ｇとキシレン２７．２ｇの混合溶媒に、エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名：エピコート１００７）８５ｇと酸化鉄（III）などの磁性体粒子が添加される。磁性体粒子の例として、クロム酸化鉄（フェリクロム）、コバルト酸化鉄、バリウムフェライトなどが挙げられる。
【０１５６】
（Ｂ）充填樹脂溶液の作成
前記(Ａ)の樹脂含有溶液に硬化剤としてのジシアンジアミド（ビィ・ティ・アイ・ジャパン社製、商品名：ＣＧ−１２００）と硬化触媒（四国化成社製、商品名：キュアゾール２Ｅ４ＨＺ）が添加される。その後、これらの混合物は三本ローラで混練され、樹脂絶縁層用溶液が形成される。硬化剤と硬化触媒の添加量はエポキシ１００ｇに対してそれぞれ３．３ｇである。
【０１５７】
（Ｃ）インダクタ部品の作成
第６実施形態の改変例で用いられるインダクタ部品は第６実施形態のインダクタ部品である。
【０１５８】
（Ｄ）プリント配線板の作成
第１実施形態と同様にコア基板が製造され、コア基板の第１面にテープが貼られる（図４２（Ｃ））。
インダクタ部品がテープ上に置かれる。インダクタの電極はテープに対向している。インダクタの電極はコア基板の第１面に向いている（図４２（Ｄ））。
【０１５９】
インダクタ部品とコア基板との間（スペース）に上記（Ｂ）の充填樹脂溶液がディスペンサで入れられる。その後、充填樹脂溶液の乾燥と硬化が行われる。インダクタ部品とコア基板との間（スペース）に充填樹脂４５０が形成される（図６０（Ａ））。その充填樹脂中の磁性体粒子の量は３０ｖｏｌ％から６０ｖｏｌ％である。
【０１６０】
その後、テープがコア基板から剥がされる。そして、コア基板の第１面とインダクタ部品上に第１の層間樹脂絶縁層が形成される。コア基板の第２面とインダクタ部品下に第２の層間樹脂絶縁層が形成される（図４３（Ｂ））。その後、図４３（Ｃ）から図４５（Ｂ）と同様な工程でプリント配線板が製造される（図６０（Ｂ））。この実施形態では、第２のビルドアップの第２の層間樹脂絶縁層とインダクタ部品間に磁性体粒子を含む充填樹脂が存在している。そのため、インダクタ部品直下の第２の層間樹脂絶縁層下に下側の導体層が形成されてもインダクタンスの値の低下が抑制される。インダクタ部品直下の第２のビルドアップ層に導体層を形成することができるので薄いプリント配線板が提供される。また、プリント配線板の反りが小さくなる。
【０１６１】
[第７実施形態]
第３実施形態では、第２のビルドアップ層はコイル層を含む領域の直下に導体層を有していない。
この例では、インダクタ部品直下の第２のビルドアップ層にコイル層が形成されている（図６１）。この例では、インダクタ部品のコイル層は２層である。図６１（Ｂ）は各コイル層の平面図を示す。図６１のＬ１はインダクタ部品の最上のコイル層の平面図であり、Ｌ２はインダクタ部品の最下のコイル層の平面図である。図６１のＬ３はインダクタ部品直下の下側の導体層を示し、図６１のＬ４はインダクタ部品直下の最下の導体層を示している。インダクタ部品直下の第２のビルドアップ層にコイル層が形成されている。下側の導体層と最下の導体層はインダクタ部品の直下にコイル層を有している。第２のビルドアップ層に形成されているコイル層は第２のビルドアップ層のビア導体を介してインダクタ部品と繋がっている。この例では、インダクタ部品のコイル層と第２のビルドアップ層内のコイル層でインダクタが形成される。インダクタンスの値が大きくなる。インダクタ部品内のコイル層と第２のビルドアップ層のコイル層は重なっていることが好ましい。つまり、これらのコイル層がコア基板の第１面に等倍に投影されると各コイル層の像は重なる。
【０１６２】
図６１に示されるプリント配線板は、第２ビルドアップ層が形成される時、ビア導体の位置やめっきレジストのパターンを工夫することで第２実施形態と同様な方法で製造される。
【０１６３】
各実施形態、各改変例、各実施例では、インダクタ部品内の各コイル層は重なっていることが好ましい。つまり、各コイル層がコア基板の第１面に等倍に投影されると各コイル層の像は重なる。
【０１６４】
各実施形態、各改変例、実施例に示されているインダクタ部品はアライメントマークＡＬＭ（図５８）を有していることが好ましい。また、コイル層内のビアパッドや接続部はコイル層の配線の幅より小さくてもよい。インダクタの抵抗が低くなる。
【０１６５】
（実施例１）
図３５〜図４０は実施例１のインダク部品の製造工程を示す。
（磁性体粒子を含む樹脂絶縁層用フィルムの作成）
（Ａ）樹脂含有溶液の作製
MEK６．８ｇとキシレン２７．２ｇの混合溶媒に、エポキシ樹脂（ジャパン・エポキシ・レジン社製、商品名：エピコート１００７）８５ｇと酸化鉄（III）が添加される。
【０１６６】
（Ｂ）樹脂絶縁層用フィルムの作製
前記(Ａ)の樹脂含有溶液に硬化剤としてのジシアンジアミド（ビィ・ティ・アイ・ジャパン社製、商品名：ＣＧ−１２００）と硬化触媒（四国化成社製、商品名：キュアゾール２Ｅ４ＨＺ）が添加される。その後、これらの混合物は三本ローラで混練され、樹脂絶縁層用溶液が形成される。硬化剤と硬化触媒の添加量はエポキシ１００ｇに対してそれぞれ３．３ｇである。
この樹脂絶縁層用溶液がロールコータ（サーマトロニクス貿易社製）でポリエチレンテレフタレートのシート上に塗布される。そして、その溶液は、１６０℃、５分間の条件で加熱乾燥され、溶媒が除去される。樹脂絶縁層用フィルムの厚みは約５０μｍであり、酸化鉄（III）の量は４５vol%である。
【０１６７】
市販の両面銅張り積層板５３０と銅箔５３４Ａ、５３４Ｂが準備され、両面銅張り積層板の両面に銅箔が積層される（図３５（Ａ））。超音波で銅箔の外周部と両面銅張り積層板５３０の外周部が接合される（図３５（Ｂ））。銅箔５３４Ａ、５３４Ｂ上に上記（Ｂ）のフィルムが積層され、その後、そのフィルムを硬化することで最下の樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂが形成される（図３５（Ｃ））。
【０１６８】
樹脂絶縁層５５０Ａ、５５０Ｂ上に無電解銅めっき膜５５２Ａ、５５２Ｂが形成される（図３６（Ａ））。無電解銅めっき膜上に所定パターンのめっきレジストが形成され、電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜５５２Ａ、５５２Ｂ上に電解めっき膜５５６Ａ、５５６Ｂが形成される。その後、めっきレジストが除去され電解めっき膜５５６Ａ、５５６Ｂ間の無電解銅めっき膜が除去される。無電解銅めっき膜５５２Ａ、５５２Ｂと無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜５５６Ａ、５５６Ｂで形成される第１のコイル層５５８Ａ、５５８Ｂが形成される（図３６（Ｂ））。第１のコイル層と最下の樹脂絶縁層上に上記（Ｂ）のフィルムが積層され、その後、そのフィルムを硬化することで第２樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｄが形成される（図３６（Ｃ））。
【０１６９】
レーザで第２樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｄに第１のコイル層のビアパッドＰ１Ｉ、Ｐ１０に至るビア導体用開口５５１Ｃ、５５１Ｄが形成される（図３７（Ａ））。第２樹脂絶縁層５５０Ｃ、５５０Ｄ上、及び、ビア導体用開口５５１Ｃ、５５１Ｄ内に無電解銅めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄが形成される（図３７（Ｂ））。
【０１７０】
無電解銅めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄ上に所定パターンのめっきレジスト５５４Ｃ、５５４Ｄが形成される（図３８（Ａ））。電解めっきにより、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜上に電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄが形成される（図３８（Ｂ））。めっきレジストが除去され電解めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄ間の無電解銅めっき膜が除去される。無電解銅めっき膜５５２Ｃ、５５２Ｄと無電解銅めっき膜上の電解銅めっき膜５５６Ｃ、５５６Ｄで形成される第２のコイル層５５８Ｃ、５５８Ｄとビア導体５６０Ｃ、５６０Ｄと接続部Ｖ２Ｉ、Ｖ２０が形成される（図３８（Ｃ））。ビア導体５６０Ｄ、５６０Ｃは第１のコイル層のビアパッドと第２のコイル層の接続部を接続している。第２のコイル層の表面が粗化される（図３９（Ａ））。
【０１７１】
第２樹脂絶縁層の形成方法と第２のコイル層の形成方法と同様な方法で第２樹脂絶縁層と第２のコイル層上に順に第３樹脂絶縁層と第３のコイル層と第４樹脂絶縁層と第４のコイル層（最上のコイル層）が形成される。最上の樹脂絶縁層上にコイル層以外に入力電極や接続配線や出力電極が配線パターンで形成されている。２つの積層体が銅張積層板上に形成される。積層コイルと銅張積層板からなる積層体が完成する。図３９（Ｂ）では、銅張積層板の一方の面上に３つの積層コイル（第１の積層コイルＣＡ、第２の積層コイルＣＢ、第３の積層コイルＣＣ）が示されている。この例では、インダクタ部品は第１、第２、第３の積層コイルＣＡ、ＣＢ、ＣＣで形成されている。各積層コイルは入力電極５５８ＧＤＩを有し、各積層コイルは出力電極５５８ＧＤＯを有する。各積層コイルの出力電極は図示しない接続配線で共通電極ＫＤに繋がっている。第１と第２と第３の積層コイルは並列で繋がっている。各コイル層と各積層コイルで流れる電流の向きは同じである。
【０１７２】
図３９（Ｂ）に示されている接合箇所５３６Ａ、５３６Ｂの内側のＸ１、Ｘ１線に沿って積層体がルータなどで切断され、積層体が銅箔５３４Ａ、５３４Ｂ付の積層コイルと両面銅張り積層板５３０に分離される（図４０（Ａ））。第４のコイル層と最上の樹脂絶縁層上にＰＥＴフィルム５３５が貼られ（図４０（Ｂ））、銅箔５３４Ａがエッチングで除去される。その後、ＰＥＴフィルムが剥離され、インダクタ部品５１０が完成する（図４０（Ｃ））。各樹脂絶縁層の厚みは５０μｍであり、各コイル層の厚みは３０μｍであり、インダクタ部品の厚みは約２３０μｍである。
【０１７３】
実施例のプリント配線板４１０の製造方法が図４１〜図４５に示される。
（１）絶縁性基材４３０Ａとその両面に銅箔４３２が積層されている両面銅張積層板４３０Ｚが出発材料である。絶縁性基材の厚さは、２００μｍであり、銅箔の厚みは３μｍである。銅箔４３２の表面に図示されない黒化処理が施される（図４１（Ａ））。
【０１７４】
（２）絶縁性基材の第１面Ｆ側から両面銅張積層板４３０Ｚにレーザが照射される。絶縁性基材の第１面から第２面に向けて細くなっている第１開口部４３１ａが形成される（図４１（Ｂ））。
【０１７５】
（３）絶縁性基材の第２面Ｓ側から両面銅張積層板４３０Ｚにレーザが照射される。絶縁性基材の第２面から第１面に向けて細くなっている第２開口部４３１ｂが形成される（図４１（Ｃ））。第２開口部４３１ｂは絶縁性基材内で第１開口部４３１ａと繋がりスルーホール導体用の貫通孔が形成される。
（４）無電解銅めっき処理により無電解銅めっき膜４３３が貫通孔の内壁と銅箔上に形成される（図４１（Ｄ））。
【０１７６】
（５）電解銅めっき処理により、無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜４３７が形成される。貫通孔内にスルーホール導体４３６が形成される。スルーホール導体４３６は貫通孔の内壁に形成されている無電解銅めっき膜４３３と貫通孔を充填している電解銅めっき膜４３７で形成される（図４１（Ｅ））
（６）コア基板４３０の表面の電解銅めっき膜４３７に所定パターンのエッチングレジスト４３５が形成される（図４１（Ｆ））。
【０１７７】
（７）エッチングレジストから露出する電解銅めっき膜４３７、無電解銅めっき膜４３３、銅箔４３２が除去される。その後、エッチングレジストが除去され導体層４３４Ａ、４３４Ｂ及びスルーホール導体４３６が形成される（図４２（Ａ））。コア基板の導体層４３４Ａ、４３４Ｂは２０μｍである。コア基板の厚みＣＴ（図４２（Ｂ））は２４０μｍである。
【０１７８】
（８）コア基板４３０の中央部にインダクタ部品を収容するための開口４２０がレーザにより形成される（図４２（Ｂ））。コア基板４３０が完成する。
（９）コア基板の第１面にテープ４９４が貼られる。開口４２０はテープで塞がれる（図４２（Ｃ））。テープ４９４の例としてＰＥＴフィルムが挙げられる。
【０１７９】
（１０）開口４２０により露出するテープ４９４上にインダクタ部品が置かれる（図４２（Ｄ））。
（１１）コア基板４３０の第２面Ｓ上にＢ−ステージのＡＢＦ-ＧＸ１３ＧＣ（味の素ファインテクノ株式会社製）が積層される。加熱プレスによりプリプレグから樹脂が開口内にしみ出て、開口４２０が充填剤４５０で充填される（図４２（Ｅ））。充填剤はガラス粒子を含んでいる。
【０１８０】
（１２）テープ剥離後（図４３（Ａ））、コア基板４３０の第１面Ｆ上にＢ−ステージのＡＢＦ-ＧＸ１３ＧＣ（味の素ファインテクノ株式会社製）が積層される。コア基板の第１面と第２面上のプリプレグが硬化される。コア基板の第１面と第２面上に絶縁層（層間絶縁層）４５０Ａ、４５０Ｂが形成される（図４３（Ｂ））。
【０１８１】
（１３）第１面側からＣＯ２ガスレーザにて絶縁層４５０Ａにインダクタ部品の電極に至るビア導体用の開口４５１Ａが形成される。同時に、導体層４３４Ａやスルーホール導体４３６に至るビア導体用の開口４５１が形成される。第２面側から絶縁層４５０Ｂに導体層４３４Ｂやスルーホール導体４３６に至るビア導体用の開口４５１が形成される（図４３（Ｃ）参照）。絶縁層４５０Ａ、４５０Ｂに粗面が形成される（図示せず）。
【０１８２】
（１４）無電解銅めっき処理により、ビア導体用の開口の内壁と絶縁層上に無電解銅めっき膜４５２が形成される（図４３（Ｄ））。
（１５）無電解銅めっき膜４５２上にめっきレジスト４５４が形成される（図４４（Ａ））。
（１６）次に、電解銅めっき処理により、めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜４５６が形成される（図４４（Ｂ）参照）。
【０１８３】
（１７）続いて、めっきレジスト４５４が５％ＮａＯＨで除去される。その後、電解銅めっき膜から露出する無電解銅めっき膜４５２がエッチングにて除去され、無電解銅めっき膜４５２と電解銅めっき膜４５６からなる導体層４５８Ａ、４５８Ｂが形成される。導体層４５８Ａ、４５８Ｂの厚みは１５μｍである（図４４（Ｃ））。同時にビア導体４６０Ａ、４６０Ｂや接続ビア導体４６０Ａａが形成される。導体層４５８Ｂはインダクタ部品の直下に導体回路を有していない。
【０１８４】
（１８）図４３（Ｂ）〜図４４（Ｃ）の処理が繰り返され、絶縁層４５０Ａ、４５０Ｂ上に最上と最下の絶縁層４５０Ｃ、５０Ｄが形成される。最上と最下の絶縁層４５０Ｃ、４５０Ｄ上に導体層４５８Ｃ、５８Ｄが形成される。最上と最下の絶縁層４５０Ｃ、４５０Ｄにビア導体４６０Ｃ、４６０Ｄが形成される（図４４（Ｄ））。導体層４５８Ｃ、４５８Ｄの厚みは１５μｍである。導体層４５８Ｄはインダクタ部品の直下に導体回路を有していない。
【０１８５】
（１９）第１と第２のビルドアップ層上に開口４７１を有するソルダーレジスト層４７０が形成される（図４５（Ａ））。開口４７１は導体層やビア導体の上面を露出する。その部分はパッドとして機能する。
【０１８６】
（２０）パッド上にニッケル層４７２とニッケル層４７２上の金層４７４で形成される金属膜が形成される（図４５（Ｂ））。
（２１）この後、第１のビルドアップ層のパッドに半田バンプ４７６Ｕが形成され、第２のビルドアップ層のパッドに半田バンプ４７６Ｄが形成される。半田バンプを有するプリント配線板４１０が完成する（図３２）。
【０１８７】
（実施例２）
（突出電極を有するインダクタ部品の製造方法）
実施例１と同様に最上のコイル層が形成される。その後、最上のコイル層と最上の樹脂絶縁層上に無電解銅めっき膜が形成される。そして、その無電解銅めっき膜上にめっきレジストが形成される。めっきレジストは開口を有し、その開口は最上のコイル層の端部を露出している。めっきレジストから露出する無電解銅めっき膜上に電解銅めっき膜が形成される。めっきレジストが除去される。めっきレジストを除去することで露出する無電解銅めっき膜が除去される。無電解銅めっき膜と電解銅めっき膜からなる突出電極が形成される。突出電極の厚みは１０μｍである。
プリント配線板の製造方法は実施例１と同様である。
【０１８８】
各実施形態、各改変例、各実施例では、インダクタ部品内の各コイル層は重なっていることが好ましい。つまり、各コイル層がコア基板の第１面に等倍に投影されると各コイル層の像は重なる。
【符号の説明】
【０１８９】
１０ 配線板
１１ 第１のビルドアップ層
１２ 第２のビルドアップ層
２０ 絶縁性基板
２０ａ 貫通孔
２０ｂ キャビティ
２０ｃ キャビティ
２１ 第１の層間樹脂絶縁層
２２ 第２の層間樹脂絶縁層
２２ａ，２１ａ ビアホール
２３，２４ ソルダーレジスト層
２３ａ，２４ａ 開口
３１〜３４ 導体層
３３ａ，３４ａ ビア導体
４０ スルーホール導体
５１，５２ 半田接続層
５３，５４ 半田
６０ インダクタ部品
６１ａ〜６１ｅ 磁性体層
６２ 電極
６３ａ 電極
６３ｂ 電極
６４，６５ 保護膜
７１，７２ インダクタ
７１ａ〜７１ｄ，７２ａ〜７２ｄ 導体パターン
７５ ビア導体
７５ａ ビアホール
８０ チップキャパシタ
９０ 薄膜キャパシタ
１００ ベース基板
１０１ 粘着シート
２００ 銅張積層板
２０１，２０２ 銅箔
２０３〜２０８ めっき膜
２２１，２２２ フィルム
３０１，３０２ レジスト
３０１ａ，３０２ａ 開口
４１０ プリント配線板
４２０ 開口
４３０ コア基板
４３４ 導体層
４５０Ａ 第１の層間樹脂絶縁層
４５８Ａ 上側の導体層
４６０Ａ ビア導体
４６０Ａａ 接続ビア導体
５１０ インダクタ部品
５５０Ｇ 樹脂絶縁層
５５８Ｇ コイル層
５６０Ｇ ビア導体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基材と、
該基材上に形成され、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層と、
前記基材の内部に収容され、第２絶縁層と該第２絶縁層上に形成されている第２導体パターンとを有するインダクタ部品と、
を備える配線板であって、
前記インダクタ部品の厚み方向における断面の面積がＳ１、該断面における前記第２導体パターンの断面の面積の和がＰ１であって、前記基材及び前記ビルドアップ層の厚み方向における断面の面積がＳ２、該断面における前記導体層の断面の面積の和がＰ２である時、Ｐ１／Ｓ１はＰ２／Ｓ２よりも大きい。
【請求項２】
請求項１に記載の配線板において、前記Ｐ２／Ｓ２に対する、前記Ｐ１／Ｓ１の割合は、２以上で３以下である。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線板において、前記Ｐ１／Ｓ１の値は、０．６以上で０．９以下である。
【請求項４】
請求項１に記載の配線板において、前記第２導体パターンの厚さは、前記導体層の厚さよりも大きい。
【請求項５】
請求項１に記載の配線板において、前記インダクタ部品の第２導体パターンと前記ビルドアップ層の導体層とは、複数のビア導体を介して接続される。
【請求項６】
請求項１に記載の配線板において、前記インダクタ部品を形成する複数の第２導体パターンは、並列に相互接続されるインダクタを構成する。
【請求項７】
請求項１に記載の配線板において、前記基材の内部には、チップキャパシタが設けられている。
【請求項８】
請求項７に記載の配線板において、前記インダクタ部品と前記チップキャパシタとが電気的に接続される。
【請求項９】
請求項１に記載の配線板の製造方法であって、
第２絶縁層と該２絶縁層上に形成されている第２導体パターンとを有するインダクタ部品を用意することと、
基材を用意することと、
該基材の内部に前記インダクタ部品を収容することと、
前記基材上に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層を形成することと、
を含み、
前記インダクタ部品の厚み方向における断面の面積がＳ１、該断面における前記第２導体パターンの断面の面積の和がＰ１であって、前記基材及び前記ビルドアップ層の厚み方向における断面の面積がＳ２、該断面における前記導体層の断面の面積の和がＰ２であるとき、Ｐ１／Ｓ１はＰ２／Ｓ２よりも大きい。
【請求項１０】
インダクタ部品を内蔵するための開口を有すると共に第１面と該第１面と反対側の第２面とを有するコア基板と、
前記開口に収容されているインダクタ部品と、
前記コア基板の開口の側壁と前記インダクタ部品との隙間を充填している充填樹脂と、
前記コア基板の第１面と前記インダクタ部品上に形成されている第１のビルドアップ層と、を有するプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、１つの平面に配線パターンで形成されている少なくとも１つのコイル層と該コイル層上に形成されている少なくとも１つの樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上に形成されている電極と前記樹脂絶縁層に形成され前記コイル層と前記電極とを接続するビア導体で形成されていて、前記電極が前記コア基板の第１面に向くように前記インダクタ部品は前記開口に収容されていて、前記第１のビルドアップ層は前記コア基板の第１面と前記インダクタ部品上に形成されている第１の層間樹脂絶縁層と該第１の層間樹脂絶縁層上の上側の導体層と該上側の導体層と前記電極を接続する接続ビア導体とを有する。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプリント配線板において、前記インダクタ部品は複数のコイル層と最上の樹脂絶縁層を含む複数の樹脂絶縁層で形成されていて、該コイル層と該樹脂絶縁層は交互に積層され前記複数のコイル層の内、隣接するコイル層はその隣接するコイル層で挟まれている樹脂絶縁層に形成されているビア導体で接続され、前記電極が前記最上の樹脂絶縁層上に形成されている。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプリント配線板において、前記複数の樹脂絶縁層は最下の樹脂絶縁層を含み、前記複数のコイル層は最下のコイル層を含み、該最下のコイル層は前記最下の樹脂絶縁層上に形成されている。
【請求項１３】
請求項１０または１１に記載のプリント配線板において、前記樹脂絶縁層は、磁性体粒子を含む。
【請求項１４】
請求項１０または１１に記載のプリント配線板において、インダクタ部品は磁性体膜又は磁性体粒子を含むコーティング層で覆われている。
【請求項１５】
請求項１１に記載のプリント配線板において、さらに、前記最上の樹脂絶縁層上に配線パターンで形成されている最上のコイル層が形成されていて、前記電極は前記最上のコイル層の一端に形成されている。
【請求項１６】
請求項１１に記載のプリント配線板において、さらに、前記最上の樹脂絶縁層上に配線パターンで形成されている最上のコイル層が形成されていて、前記電極は前記最上のコイル層上に形成されている。
【請求項１７】
支持板上に最下の樹脂絶縁層を形成することと、
前記最下の樹脂絶縁層上に配線パターンで形成されているコイル層を形成することと、
前記コイル層と前記最下の樹脂絶縁層上に第２樹脂絶縁層を形成することと、
前記コイル層に至るビア導体用の開口を前記第２樹脂絶縁層に形成することと、
前記第２樹脂絶縁層上に電極を形成することと、
前記ビア導体用の開口に前記電極と前記コイル層を接続するビア導体を形成することと、
前記支持体と前記最下層の樹脂絶縁層を分離することを含むインダクタ部品の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載のインダクタ部品の製造方法において、前記電極を形成することは前記第２樹脂絶縁層上に配線パターンで形成されている第２のコイル層を形成することを含み、前記電極は前記第２のコイル層の終端に形成されている。
【請求項１９】
請求項１７に記載のインダクタ部品の製造方法において、前記樹脂絶縁層は磁性粒子を含む。
【請求項２０】
請求項１７に記載のインダクタ部品の製造方法で製造されるインダクタ部品はプリント配線板に内蔵するための部品である。
【請求項１】
基材と、
該基材上に形成され、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層と、
前記基材の内部に収容され、第２絶縁層と該第２絶縁層上に形成されている第２導体パターンとを有するインダクタ部品と、
を備える配線板であって、
前記インダクタ部品の厚み方向における断面の面積がＳ１、該断面における前記第２導体パターンの断面の面積の和がＰ１であって、前記基材及び前記ビルドアップ層の厚み方向における断面の面積がＳ２、該断面における前記導体層の断面の面積の和がＰ２である時、Ｐ１／Ｓ１はＰ２／Ｓ２よりも大きい。
【請求項２】
請求項１に記載の配線板において、前記Ｐ２／Ｓ２に対する、前記Ｐ１／Ｓ１の割合は、２以上で３以下である。
【請求項３】
請求項１又は２に記載の配線板において、前記Ｐ１／Ｓ１の値は、０．６以上で０．９以下である。
【請求項４】
請求項１に記載の配線板において、前記第２導体パターンの厚さは、前記導体層の厚さよりも大きい。
【請求項５】
請求項１に記載の配線板において、前記インダクタ部品の第２導体パターンと前記ビルドアップ層の導体層とは、複数のビア導体を介して接続される。
【請求項６】
請求項１に記載の配線板において、前記インダクタ部品を形成する複数の第２導体パターンは、並列に相互接続されるインダクタを構成する。
【請求項７】
請求項１に記載の配線板において、前記基材の内部には、チップキャパシタが設けられている。
【請求項８】
請求項７に記載の配線板において、前記インダクタ部品と前記チップキャパシタとが電気的に接続される。
【請求項９】
請求項１に記載の配線板の製造方法であって、
第２絶縁層と該２絶縁層上に形成されている第２導体パターンとを有するインダクタ部品を用意することと、
基材を用意することと、
該基材の内部に前記インダクタ部品を収容することと、
前記基材上に、導体層と絶縁層とが交互に積層されてなるビルドアップ層を形成することと、
を含み、
前記インダクタ部品の厚み方向における断面の面積がＳ１、該断面における前記第２導体パターンの断面の面積の和がＰ１であって、前記基材及び前記ビルドアップ層の厚み方向における断面の面積がＳ２、該断面における前記導体層の断面の面積の和がＰ２であるとき、Ｐ１／Ｓ１はＰ２／Ｓ２よりも大きい。
【請求項１０】
インダクタ部品を内蔵するための開口を有すると共に第１面と該第１面と反対側の第２面とを有するコア基板と、
前記開口に収容されているインダクタ部品と、
前記コア基板の開口の側壁と前記インダクタ部品との隙間を充填している充填樹脂と、
前記コア基板の第１面と前記インダクタ部品上に形成されている第１のビルドアップ層と、を有するプリント配線板であって、
前記インダクタ部品は、１つの平面に配線パターンで形成されている少なくとも１つのコイル層と該コイル層上に形成されている少なくとも１つの樹脂絶縁層と該樹脂絶縁層上に形成されている電極と前記樹脂絶縁層に形成され前記コイル層と前記電極とを接続するビア導体で形成されていて、前記電極が前記コア基板の第１面に向くように前記インダクタ部品は前記開口に収容されていて、前記第１のビルドアップ層は前記コア基板の第１面と前記インダクタ部品上に形成されている第１の層間樹脂絶縁層と該第１の層間樹脂絶縁層上の上側の導体層と該上側の導体層と前記電極を接続する接続ビア導体とを有する。
【請求項１１】
請求項１０に記載のプリント配線板において、前記インダクタ部品は複数のコイル層と最上の樹脂絶縁層を含む複数の樹脂絶縁層で形成されていて、該コイル層と該樹脂絶縁層は交互に積層され前記複数のコイル層の内、隣接するコイル層はその隣接するコイル層で挟まれている樹脂絶縁層に形成されているビア導体で接続され、前記電極が前記最上の樹脂絶縁層上に形成されている。
【請求項１２】
請求項１１に記載のプリント配線板において、前記複数の樹脂絶縁層は最下の樹脂絶縁層を含み、前記複数のコイル層は最下のコイル層を含み、該最下のコイル層は前記最下の樹脂絶縁層上に形成されている。
【請求項１３】
請求項１０または１１に記載のプリント配線板において、前記樹脂絶縁層は、磁性体粒子を含む。
【請求項１４】
請求項１０または１１に記載のプリント配線板において、インダクタ部品は磁性体膜又は磁性体粒子を含むコーティング層で覆われている。
【請求項１５】
請求項１１に記載のプリント配線板において、さらに、前記最上の樹脂絶縁層上に配線パターンで形成されている最上のコイル層が形成されていて、前記電極は前記最上のコイル層の一端に形成されている。
【請求項１６】
請求項１１に記載のプリント配線板において、さらに、前記最上の樹脂絶縁層上に配線パターンで形成されている最上のコイル層が形成されていて、前記電極は前記最上のコイル層上に形成されている。
【請求項１７】
支持板上に最下の樹脂絶縁層を形成することと、
前記最下の樹脂絶縁層上に配線パターンで形成されているコイル層を形成することと、
前記コイル層と前記最下の樹脂絶縁層上に第２樹脂絶縁層を形成することと、
前記コイル層に至るビア導体用の開口を前記第２樹脂絶縁層に形成することと、
前記第２樹脂絶縁層上に電極を形成することと、
前記ビア導体用の開口に前記電極と前記コイル層を接続するビア導体を形成することと、
前記支持体と前記最下層の樹脂絶縁層を分離することを含むインダクタ部品の製造方法。
【請求項１８】
請求項１７に記載のインダクタ部品の製造方法において、前記電極を形成することは前記第２樹脂絶縁層上に配線パターンで形成されている第２のコイル層を形成することを含み、前記電極は前記第２のコイル層の終端に形成されている。
【請求項１９】
請求項１７に記載のインダクタ部品の製造方法において、前記樹脂絶縁層は磁性粒子を含む。
【請求項２０】
請求項１７に記載のインダクタ部品の製造方法で製造されるインダクタ部品はプリント配線板に内蔵するための部品である。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【図５５】
【図５６】
【図５７】
【図５８】
【図５９】
【図６０】
【図６１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図３１】
【図３２】
【図３３】
【図３４】
【図３５】
【図３６】
【図３７】
【図３８】
【図３９】
【図４０】
【図４１】
【図４２】
【図４３】
【図４４】
【図４５】
【図４６】
【図４７】
【図４８】
【図４９】
【図５０】
【図５１】
【図５２】
【図５３】
【図５４】
【図５５】
【図５６】
【図５７】
【図５８】
【図５９】
【図６０】
【図６１】
【公開番号】特開２０１２−１８６４４０（Ｐ２０１２−１８６４４０Ａ）
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２３９３０４（Ｐ２０１１−２３９３０４）
【出願日】平成２３年１０月３１日（２０１１．１０．３１）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月２７日（２０１２．９．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１０月３１日（２０１１．１０．３１）
【出願人】（００００００１５８）イビデン株式会社 (856)
【Ｆターム（参考）】
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