インプリント方法及びインプリント装置、サンプルショット抽出方法、並びにそれを用いた物品の製造方法
【課題】基板に塗布する未硬化樹脂材料の塗布分布の補間をショット単位でより厳密に行うことができ、しかも、生成工程における作業負荷を抑制しつつ効率的にショット毎の未硬化樹脂材料の塗布分布を再補間することができるインプリント方法を提供する。
【解決手段】型パターンを形成した型２０と、基板３０に型２０を接近・離反させる型駆動部１４と、基板３０に未硬化樹脂材料を塗布するディスペンサ１７と、未硬化樹脂材料を樹脂パターンとして硬化させる光源１９と、複数ショットのショット単位で樹脂パターンに対する未硬化樹脂材料の塗布分布を生成してディスペンサ１７を制御するディスペンサ制御部４３と、基板３０に対する複数ショット位置とディスペンサ１７及び光源１９との相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数としてディスペンサ制御部４３による未硬化樹脂材料の塗布分布を補間する主制御部４０と、を備える。
【解決手段】型パターンを形成した型２０と、基板３０に型２０を接近・離反させる型駆動部１４と、基板３０に未硬化樹脂材料を塗布するディスペンサ１７と、未硬化樹脂材料を樹脂パターンとして硬化させる光源１９と、複数ショットのショット単位で樹脂パターンに対する未硬化樹脂材料の塗布分布を生成してディスペンサ１７を制御するディスペンサ制御部４３と、基板３０に対する複数ショット位置とディスペンサ１７及び光源１９との相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数としてディスペンサ制御部４３による未硬化樹脂材料の塗布分布を補間する主制御部４０と、を備える。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に塗布した未硬化樹脂材料から樹脂パターンを形成するインプリント方法及びインプリント装置、サンプルショット抽出方法、並びにそれを用いた物品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板に配置された複数ショット毎に液状の未硬化樹脂材料を塗布した後、型押しによって塗布した未硬化樹脂材料を塗布パターン化したうえで硬化させることによって樹脂パターンを形成するインプリント技術が知られている。
【０００３】
このインプリント技術は、ナノスケールの微細パターンからなる樹脂パターン形成を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスの量産向けナノリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。また、インプリント技術では、電子線描画装置等を用いて最終的に基板に転写すべき樹脂パターンのネガポジ反転像に対応する型パターン（モールド又はテンプレート）が形成された型を使用する。樹脂パターンは、シリコン基板（ウエハ）やガラスプレート等の基板に未硬化樹脂材料を塗布し、その未硬化樹脂材料に対して型パターンを押し付けて塗布パターン化した状態で未硬化樹脂材料を硬化させることによって形成される。この際、基板に形成される樹脂パターンの形状はで生産するデバイスの種類によって異なる。このため、基板に塗布する未硬化樹脂材料の塗布分布も、樹脂パターンに合わせて生成する必要がある。そこで、一般には、樹脂パターンの容積から基板に塗布する未硬化樹脂材料の容量と塗布分布とを算出する必要がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
一方、基板に塗布された未硬化樹脂材料は、硬化するまでの間に液状のまま気流等の周辺環境に晒される。その結果、周辺環境の影響を受けて未硬化樹脂材料が揮発してしまうといった状態変化が生じ易い。従って、このような状態変化といった悪影響を抑制するため、予め周辺環境による変化分を予測する必要がある。例えば、基板に形成された樹脂パターンの高さを計測し、その高さにバラツキがある場合には、バラツキを抑制するように、予め、未硬化樹脂材料の塗布分布を調整する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００８−５０２１５７号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００７／０２２８５９３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した未硬化樹脂材料の塗布分布の調整方法では、樹脂パターンの高さと気流等の周辺環境とを考慮するだけであるため、調整条件が不足しており、充分な調整結果を得られないという問題が生じていた。また、樹脂パターンの状態変化は基板の中央付近と周辺付近とではショット毎にバラツキがあるため、単に高さと気流等の周辺環境とを考慮した調整結果では均一なショットを得られないという問題が生じていた。さらに、処理される基板毎、特にショット毎に調整を行うのは非常に困難で、一度調整した後の塗布分布は次の基板に対しても同様条件で実行されてしまう。したがって、基板全体の樹脂パターン精度はバラツキがある低いままであるという問題も生じていた。
【０００７】
そこで、本発明は、未硬化樹脂材料の塗布分布をショット単位で厳密に補間し得て、しかも、作業負荷を抑制しつつ効率的に塗布分布を再補間することができるインプリント方法及びインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板に配置された複数ショットに樹脂パターンを形成するインプリント方法において、前記複数ショットにショット単位で未硬化樹脂材料の塗布分布を生成する塗布分布生成ステップと、前記基板に対する前記複数ショット位置と前記未硬化樹脂材料の供給位置及び前記未硬化樹脂材料の硬化位置との相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数として前記未硬化樹脂材料の塗布分布を補間する補間制御ステップと、生成・補間された塗布分布で前記複数ショット毎に未硬化樹脂材料を塗布する未硬化樹脂材料供給ステップと、前記基板に塗布した前記未硬化樹脂材料から所定の塗布パターンを形成する塗布パターン形成ステップと、塗布パターンを硬化させて樹脂パターンを形成する樹脂パターン形成ステップと、を実行することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板に塗布する未硬化樹脂材料の塗布分布の補間をショット単位でより厳密に行うことができ、しかも、生成工程における作業負荷を抑制しつつ効率的にショット毎の未硬化樹脂材料の塗布分布を再補間することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係るインプリント装置の概略構成図である。
【図２】型パターンと塗布パターンとの関係を示す説明図である。
【図３】未硬化樹脂材料の変化の様子を示す説明図ある。
【図４】インプリント装置のメインルーチンを示すフローチャートである。
【図５】補間対象及びサンプルショットの指定・抽出を示す説明図である。
【図６】サンプルショットの抽出を説明するフローチャートである。
【図７】各矩形領域に特徴付けした状態の分布を示す説明図である。
【図８】矩形領域に対する特徴付けを説明する表である。
【図９】サンプルショットの抽出を周辺ショットに適用した概略図である。
【図１０】第２実施形態に係るサンプルショット抽出を示す説明図である。
【図１１】サンプルショットの抽出を説明するフローチャートである。
【図１２】モニタに表示される画面の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施形態に係るインプリント装置について、図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明のインプリント装置における好適な具体例であり、技術的に好ましい種々の限定を付している場合もあるが、本発明の技術範囲は、特に本発明を限定する記載がない限り、これらの態様に限定されるものではない。また、以下に示す実施形態における構成要素は適宜、既存の構成要素等との置き換えが可能であり、かつ、他の既存の構成要素との組合せを含む様々なバリエーションが可能である。したがって、以下に示す実施形態の記載をもって、特許請求の範囲に記載された発明の内容を限定するものではない。
【００１２】
（第１実施形態）
図１は本発明の一実施形態に係るインプリント装置の概略構成の説明図である。図１において、インプリント装置１０は、装置内部全体がチャンバ１１に収納されており、装置内部全体が一定の雰囲気下に保たれている。また、チャンバ１１の内側には剛性の高い構造からなる架台１２が配置されている。この架台１２には、パターン形成手段としての型２０と基板３０が高精度な位置決め状態で対向配置されている。型２０は、不図示の型搬送系によりインプリント装置１０の外部から型チャック１３に搬送され、この型チャック１３に支持される。なお、型チャック１３は、基板３０に接近・離反可能となるように、Ｚ、ωｘ、ωｙ方向に駆動可能な駆動手段としての型駆動部１４を介して架台１２に取り付けられている。また、基板３０は、不図示の基板搬送系によりインプリント装置１０の外部から基板ステージ１５の基板チャック１６に搬送される。基板ステージ１５は、Ｘ，Ｙ，Ｚ及び各軸の回転方向（ωｘ，ωｙ，ωｚ）に駆動可能である。基板チャック１６によって支持された基板３０は型２０の直下でのＸＹ移動や姿勢補正を行う。さらに、架台１２には、未硬化樹脂材料供給手段としてのディスペンサ１７と、ガス噴射手段としてのヘリウムガス射出部１８と、未硬化樹脂材料硬化手段としての光源１９とが配置されている。
【００１３】
ディスペンサ１７は、レジストとして用いられる光硬化樹脂等の液状の未硬化樹脂材料を供給する樹脂供給機構であり、未硬化樹脂材料を基板３０に対して射出する。この際、ディスペンサ１７は、未硬化樹脂材料の射出ノズル（図示せず）と基板３０とが対向するように、型チャック１３（又は架台１２）に取り付けられている。ヘリウムガス射出部１８は、基板３０に塗布された未硬化樹脂材料に向けてヘリウムガスを射出する。射出されたヘリウムガスは、未硬化樹脂材料に溶解する。これにより、型２０を未硬化樹脂材料に押し付けて塗布パターンを形成する際に、未硬化樹脂材料が型２０の溝（後述する）に充填する時間を短くすることができるという効果を奏する。光源１９は、基板３０に塗布された未硬化樹脂材料を硬化させるための紫外線を照射する。
【００１４】
一方、補間制御手段及びサンプルショット抽出手段としての主制御部４０は、型チャック位置制御部４１、基板ステージ位置制御部４２、塗布分布制御手段としてのディスペンサ制御部４３、ヘリウムガス射出制御部４４、光源制御部４５を制御する。型チャック位置制御部４１は、型２０を基板３０に接近・離反させるように型チャック１３を駆動する型駆動部１４を駆動制御する。基板ステージ位置制御部４２は、基板ステージ１５を駆動制御する。ディスペンサ制御部４３は、基板ステージ位置制御部４２と同期しながら未硬化樹脂材料の塗布分布に従って未硬化樹脂材料を基板３０に噴出する。ヘリウムガス射出制御部４４は、基板３０に塗布された未硬化樹脂材料に対してヘリウムガスを射出する。光源制御部４５は、光源１９から照射される紫外線の照射量や照射タイミングを制御する。
【００１５】
主制御部４０には、コンソール制御部４６を介して利用者が操作した操作ユニット５０からの処理要求を処理する。操作ユニット５０は、入力端末５１、モニタ５２、サーバ５３、通信ネットワーク５４、を備えている。入力端末５１やモニタ５２を用いて利用者から出力された処理要求は、コンソール制御部４６で受け付け、コンソール制御部４６から主制御部４０へ処理要求が受け渡される。入力端末５１、モニタ５２、コンソール制御部４６は、未硬化樹脂材料の塗布分布を複数のショット毎に生成するためのユーザインターフェースを構成している。サーバ５３は、ＬＡＮなどの通信ネットワーク６２を介して、コンソール制御部４６と通信を行う。本実施例においては、塗布分布の生成・補間及び後述するサンプルショットの抽出処理を主制御部４０で行うが、この主制御部４０に変えてサーバ５３で行っても良い。サーバ５３は、その処理結果を、通信ネットワーク６２を介してコンソール制御部４６に反映し、主制御部４０で各制御部４１，４２，４３，４４，４５を駆動制御することもできる。また、塗布分布の生成・補間を主制御部４０で行い、サンプルショットの抽出処理をコンソール制御部４６で行ってもよい。
【００１６】
主制御部４０は、操作ユニット５０からの処理要求の内容に応じて、型チャック位置制御部４１、基板ステージ位置制御部４２、ディスペンサ制御部４３、ヘリウムガス射出制御部４４、光源制御部４５に対して、処理要求（駆動制御）を行う。なお、本発明に係るインプリントに関するプログラムはサーバ５３に記憶されており、後述する複数ショット毎のショット情報やショット単位での塗布分布は、サーバ５３に設置されたハードディスク等の記憶領域を使用している。
【００１７】
図２は、型２０の型パターン２１と基板３０に塗布される未硬化樹脂材料３１の塗布パターン３２との関係を示す説明図である。図２（Ａ）は、型２０の平面図、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図２（Ｃ）は、基板３０の１ショットの平面図である。また、図２（Ｄ）は図２（Ｃ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図、図２（Ｅ）は、型２０による塗布パターン３２の形成を模式的に示す説明図である。型２０に設けられた溝状の型パターン２１は、最終的に基板３０に転写すべき樹脂パターンのネガポジ反転像に対応するパターン（モールド又はテンプレート）となっている。基板３０に塗布された未硬化樹脂材料３１は、型２０を基板３０に接近させて押し付けることにより、未硬化樹脂材料３１が型２０に設けられた溝状の型パターン２１の中に充填され、塗布パターン化される。そして、実際には型２０を基板３０へ押し付けたままの状態で光源１９から紫外線を照射することで、塗布パターン３２が硬化し、型２０を基板３０から剥がすことで、基板３０に型パターン２１の形状と略一致する樹脂パターンが形成される。なお、樹脂パターンは見掛け上、塗布パターン３２に一致するため、符号は省略する。ここで、図２（Ａ）の型２０は、本実施の形態においては、４個のチップ領域２２から構成されており、各々のチップ領域２２は矩形の型パターン２１が密集した部分と、型パターン２１が存在しない部分とから構成されている。図２（Ｃ）で表す塗布パターン３２は、図２（Ａ）の型２０に対応するように４個のチップ領域３３から構成されている。また、各チップ領域３３に配置された多数の矩形の型パターン２１に対応する領域は、型パターン２１の溝の深さに対応した量の未硬化樹脂材料３１を塗布する。図２（Ｄ）の断面図においても、型パターン２１の溝の量に対応して、未硬化樹脂材料３１が塗布されていることを示している。このように、型パターン２１のパターンに応じて、基板３０に塗布する未硬化樹脂材料３１の塗布パターン３２を変更する必要がある。また、基板３０には、型パターン２１の溝に対向していない部分でも、未硬化樹脂材料３１の薄膜３４が形成される。この薄膜３４は、型２０と基板３０とが直接接触することによる型２０の磨耗を防ぐことを目的として、インプリント装置１０において意図的に生成している。このように、型２０の面内においても、場所によって型パターン２１の粗密により塗布する未硬化樹脂材料３１の塗布量が異なる。
【００１８】
図３は、基板３０に塗布された未硬化樹脂材料３１が、インプリント装置１０の内部の周辺環境の影響によって変化する様子の一例を示す。図３（Ａ）は、ディスペンサ制御部４３により、未硬化樹脂材料３１を基板３０に塗布した直後の１ショット領域における各樹脂パターンの状態を表している。また、図３（Ｂ）は、図２（Ｅ）に示した未硬化樹脂材料３１に型２０が押し付けられる直前の未硬化樹脂材料３１の状態を表している。ここでは、未硬化樹脂材料３１を塗布してから型２０の押し付けが行なわれるまでの間に、基板３０をディスペンサ１７から型２０までに下方移動させる時間が発生する。このため、未硬化樹脂材料３１は液状のままインプリント装置１０の内部環境下に晒されることになる。結果、未硬化樹脂材料３１の一部が揮発し、未硬化樹脂材料３１の体積が減少するなどの状態変化が生じる。図３（Ｂ）では、未硬化樹脂材料３１が型パターン２１に早く充填させることを目的として未硬化樹脂材料３１にヘリウムガスを吹き付けている。従って、この影響を受けて、ヘリウムガス射出部１８から射出されるヘリウムガスの気流方向の上流に位置する樹脂気化領域（例えば、Ｅ１）では、他の領域よりも多くの未硬化樹脂材料３１が揮発してしまう結果、残存する未硬化樹脂材料３１の量が減少する。また、図３（Ｃ）に示すように、基板３０の周辺ショットでは、基板３０が駆動する際に生じる気流の乱れなど、基板３０の境界付近での環境変化の影響を強く受けてしまう。このため、基板３０中央付近に配置されたショットよりも未硬化樹脂材料３１の状態変化が大きく発生してしまう。ここでは、基板３０周辺に近い樹脂気化領域（例えば、Ｅ２）では、未硬化樹脂材料３１が揮発する量が多いなどの状態変化が生じる。このような未硬化樹脂材料３１が変化した状態で、型２０の押印を行うと、基板３０に形成される樹脂パターンや薄膜３４の高さにバラツキが生じる。
【００１９】
そこで、本発明は、図２及び図３で示したように、型２０に形成された型パターン２１や、周辺環境を含めた周辺機器と未硬化樹脂材料３１との相対距離等の環境要因に起因する未硬化樹脂材料３１の状態変化を考慮して塗布パターン３２を生成するものである。すなわち、型パターン２１に対応した塗布パターン３２は、型パターン２１の違いや、ヘリウムガス射出部１８から射出されるヘリウムガスの気流方向などインプリント装置１０の内部における環境要因の違いにより、ショット毎で異なる。したがって、これらの環境要因の違いを考慮してショット毎に未硬化樹脂材料３１の塗布分布を生成する。また、複数枚の基板３０を処理する際には、その基板２０を処理する度に塗布分布の補間を行うようにした。
【００２０】
図４は、本発明のインプリント装置１０におけるメインルーチンのフローチャートである。図４において、ステップＳ１１では、主制御部４０は、基板３０に配置された複数ショットのショット単位で未硬化樹脂材料３１のベース（基準）となる塗布分布を生成する塗布分布生成ステップ処理を行い、ステップＳ１２へと移行する。この際、主制御部４０は、各制御部４１，４２，４３，４４，４５に対する処理要求（駆動制御）とインプリント装置１０の内部で発生する気流等の周辺環境とを考慮して塗布分布を生成する。
【００２１】
ステップＳ１２では、主制御部４０は、基板３０に対する複数ショット位置と環境要因とを考慮した補間制御ステップ処理を行い、ステップＳ１３へと移行する。具体的には、主制御部４０は、ディスペンサ１７から供給される未硬化樹脂材料３１の供給位置との相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数として未硬化樹脂材料３１の塗布分布を補間する。また、主制御部４０は、基板３０に対する複数ショット位置と光源１９から照射される紫外線による未硬化樹脂材料３１の硬化位置との相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数として未硬化樹脂材料３１の塗布分布を補間する。さらに、主制御部４０は、基板３０に対する複数ショット位置とヘリウムガス射出部１８から射出されるヘリウムガスとの相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数として未硬化樹脂材料３１の塗布分布を補間する。
【００２２】
ステップＳ１３では、主制御部４０は、生成・補間された塗布分布を用いて複数ショット毎に未硬化樹脂材料３１を基板３０に塗布する未硬化樹脂材料供給ステップ処理を行い、ステップＳ１４へと移行する。具体的には、主制御部４０は、型チャック位置制御部４１と基板ステージ位置制御部４２とを制御してディスペンサ１７と基板３０との高さ位置や水平位置を変更する。また、主制御部４０は、このディスペンサ１７と基板３０との上下左右方向の位置を変更しつつ生成・補間された塗布分布に応じた未硬化樹脂材料３１を基板３０の各ショットに塗布する。さらに、主制御部４０は、ヘリウムガス射出制御部５５を制御して未硬化樹脂材料３１にヘリウムガスを溶解させる。なお、ディスペンサ１７と基板１７との水平方向の位置は、基板チャック１６を駆動させて基板ステージ１５のみを水平面内で移動させることにより変更してもよい。また、ディスペンサ１７と基板１７との水平方向の位置は、型駆動部１４を駆動させて型チャック１３のみを水平面内で移動させることにより変更してもよい。さらに、ディスペンサ１７と基板１７との水平方向の位置は、基板ステージ１５と型チャック１３の両方を水平面内で移動させることにより変更してもよい。
【００２３】
ステップＳ１４では、主制御部４０は、基板３０に塗布した未硬化樹脂材料３１から所定の塗布パターンを形成する塗布パターン形成ステップ処理を行い、ステップＳ１５へと移行する。具体的には、主制御部４０は、型チャック１３を駆動させて型２０を基板３０に接近させ、型パターン２１に塗布された未硬化樹脂材料３１を充填させることで塗布パターンをパターン化する。また、ステップＳ１５では、主制御部４０は、基板３０に塗布されてパターン化された塗布パターンを硬化させて樹脂パターンを形成する樹脂パターン形成ステップ処理を行ってステップＳ１６へと移行する。具体的には、主制御部４０は、型２０を基板３０に接近させた状態で光源制御部４５を制御して光源１９から紫外線を照射させる。未硬化樹脂材料３１には、光硬化樹脂が用いられているため、光源１９から照射された紫外線によって硬化する。なお、未硬化樹脂材料３１を硬化させる手法としては、上述した光によるもののほか、加熱によって硬化するものでもよい。この際、未硬化樹脂材料３１には熱硬化性樹脂が用いられると共に、光源５１にはハロゲンランプ等の加熱源が用いられる。また、光源５１に変えてコイルヒータ等を用いてもよい。
【００２４】
ステップＳ１６では、主制御部４０は、不図示の基板搬送系に次に処理する基板３０があるか否かを判断する判断ステップ処理がなされる。具体的には、主制御部４０は、基板搬送系に次に処理する基板３０がある場合にはステップＳ１７へと移行し、基板搬送系に次に処理する基板３０がない場合にはこのルーチンを終了する。なお、主制御部４０は、次に処理する基板３０が、先に処理した基板３０と異なるサイズや塗布分布である場合においても、このルーチンを終了する。
【００２５】
ステップＳ１７では、主制御部４０は、次に処理する基板３０に対する樹脂パターンの精度を向上するために、ステップＳ１２で補間した塗布分布をさらに補間するために、サンプルショット抽出ステップ処理を行い、ステップＳ１８へと移行する。具体的には、主制御部４０は、ステップＳ１１，Ｓ１２で生成・補間された塗布分布を複数ショット毎の樹脂パターンに関するショット情報としてサーバ５３の記憶領域に記憶する。また、主制御部４０は、複数ショットのうち指定（又は抽出）された補間が必要とされる補間対象ショットのショット情報とは異なるショット情報を備えたショットをサンプルショットとして抽出する。すなわち、上述したように、塗布分布は、基板３０の中央付近と周辺付近とで大きく異なる。また、中央付近のショットの塗布分布は近似している一方、周辺付近の塗布分布はショット毎に異なることが多い。したがって、基板３０の中央付近のショットをサンプルショットとして抽出し、そのサンプルショットの樹脂パターンと異なる周辺付近のショットを補間対象ショットとして指定（又は抽出）し、その補間対象ショットの塗布分布を再補間する。なお、サンプルショットの具体的な抽出ルーチンは後述する。
【００２６】
ステップＳ１８では、主制御部４０は、抽出したサンプルショットの樹脂パターンに補間対象ショットの樹脂パターンが近づくように次に処理する基板３０に用いる塗布分布を再補間する再補間ステップ処理を行う。また、この再補間ステップ処理後は、ステップＳ１３にループして次の基板３０の処理を実行する。具体的には、主制御部４０は、ステップＳ１７で指定（又は抽出）された補間対象ショットのショット情報と抽出されたサンプルショットのショット情報とを比較する。その結果、主制御部４０は、補間対象ショットのショット情報とサンプルショットのショット情報とが異なる部分が樹脂パターンの不具合部分であると判定し、その不具合部分を修正するように、塗布分布を補間する。なお、ここでの再補間を行うことにより、基板３０に形成された樹脂パターンの高さ方向などのバラツキを次に処理される基板３０に対して抑えることができ、基板３０の処理毎に品質を向上することができる。
【００２７】
図５は、上述した再補間を行うために、補間対象ショット及びサンプルショットの指定・抽出を説明するための説明図である。図５において、図示格子模様の矩形枠で示すショットＳ−１が未硬化樹脂材料３１の塗布分布の再補間対象とするショットである。また、図示斜線模様矩形枠で示すショットＳ−２とＳ−３とは、補間対象ショットＳ−１の塗布分布を（再）補間するための補間情報として用いるために抽出されたサンプルショットである。利用者が補間対象ショットＳ−１を指定すると、主制御部４０は自動的にサンプルショットＳ−２とサンプルショットＳ−３とを抽出する。これは、塗布パターン３２の塗布分布を生成するために必要な、基礎となるショット、すなわち、補間を必要としないショットの存在を事前に把握することができることを意味している。その結果、これまで周辺環境の影響が異なるショット毎に個別に塗布分布を生成したいたことに較べて、塗布分布を補間するショット数を減らすことができ、塗布分布の生成工程における作業負荷を軽減することができる。なお、補間対象ショットＳ−１の塗布分布の補間が終了した後には、サンプルショットＳ−２は補間の必要がない程度に樹脂パターンが形成されていることから、次回以降の基板３０の処理時には、サンプルショットＳ−３が補間対象ショットとなり得る。
【００２８】
図６は、塗布分布を補間するために指定された補間対象ショットＳ−１に対して、補間情報として利用するサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を抽出するフロー図、図７は、ショット単位で各矩形領域に特徴付けした状態の分布を示す説明図である。ステップＳ２１では、主制御部４０は、利用者が選択した塗布分布を補間するための補間対象ショットＳ−１として指定する指定ステップ処理を行って、ステップＳ２２へと移行する。具体的には、利用者は、再補間処理開始直後等では、基板３０の周辺に配置されたショット、特に、矩形枠状のショットの上辺と右辺との２辺が基板３０の周辺に面しているショットを補間対象ショットＳ−１とするのが望ましい。また、主制御部４０は、利両者が操作ユニット５０を用いて補間対象ショットＳ−１を選択するように、モニタ５２に図５に示したような基板３０とショットとを画面表示（ショットＳ−１，Ｓ−２，Ｓ−３は拡大画面表示しない）。
【００２９】
ステップＳ２２では、主制御部４０は、基板３０へ配置された全ショットのショットレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得ステップ処理を行い、ステップＳ２３へと移行する。具体的には、主制御部４０は、ショットレイアウト情報として、ショット毎のショット位置やショットサイズ等を取得する。この際、主制御部４０は、基板３０が基板ステージ１５によって移動するための、基板３０の中心と向きとを規定する。なお、一般的に、基板３０には、周辺の一部に凸状又は凹状の基準が設けられているための、この基準に合わせてショット位置を識別する。
【００３０】
ステップＳ２３では、主制御部４０は、基板３０に対向配置された型２０の型情報を取得する型情報取得ステップ処理を行い、ステップＳ２４へと移行する。具体的には、主制御部４０は、型２０の型情報として、型２０に形成されるチップの配置情報や、そのチップ毎のパターンの種類を取得する。ステップＳ２４では、主制御部４０は、補間対象（次処理）となる基板３０のプロセス情報を取得するプロセス情報取得ステップ処理を行い、ステップＳ２５へと移行する。具体的には、主制御部４０は、プロセス情報として、基板３０に塗布した未硬化樹脂材料３１に溶解させるヘリウムガスの噴出方向や噴出量（噴射時間を含む）、未硬化樹脂材料３１が基板３０に塗布されてから型２０を押し付けるまでの所要時間などがある。通常、プロセス情報は基板３０の各ショットで共通の場合が多いが、ショット毎にプロセス情報が異なる場合でも、主制御部４０が、ショット毎の違いを区別してプロセス情報を取得する。なお、上述したステップＳ２２〜ステップＳ２４で取得した情報は、各ショット単位でサーバ５３の記憶領域にテーブル方式で記憶されるが、後述する矩形領域単位で記憶するのが望ましい。
【００３１】
ステップＳ２５では、主制御部４０は、基板３０に配置される全ショットに対して特徴付けを行う特徴規定ステップ処理を行いステップＳ２６へと移行する。具体的には、主制御部４０は、図７の補間対象ショットＳ−１のように、ショットを幾つかの矩形領域３４に分解し、その分解した矩形領域３４の各々に対して特徴付けを行う。なお、本実施例では、補間対象ショットＳ−１は、ショット領域を縦方向と横方向に各々８等分割し、全部で６４個の矩形領域３４に分割している。したがって、主制御部４０は、分割した矩形領域３４の各々に対して、ステップＳ２２〜ステップＳ２４で取得したショットレイアウト情報、型情報、プロセス情報に基づいて特徴付けを行なう。この特徴付けは、例えば、形成済みの樹脂パターンのうち、正常ランク、補間不要ランク、補間必要ランク、といったランクを段階的に設定し、矩形領域３４毎にランク付けをする。なお、このランクは更に細かく区分した特徴として規定される。
【００３２】
ステップＳ２６では、主制御部４０は、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３の抽出対象である補間対象ショットＳ−１の各矩形領域３４が有する特徴を含んだショットを一次抽出するサンプルショット一次抽出ステップ処理を行い、ステップＳ２７へと移行する。
【００３３】
図８は、矩形領域３４に対する特徴付けを説明する図表である。特徴は、複数の特徴要素の組み合わせで決定される。特徴要素としては、例えば、矩形領域３４に押し付けられる型２０のパターンの種類、ヘリウムガスの噴出位置と噴出量から算出した各矩形領域３４におけるヘリウムガスの流量、基板３０の境界からの矩形領域３４までの距離などがある。この際、特徴要素の種類は必要に応じて変更することが可能である。また、特徴要素の値には意味的な値を設定することができる。例えば、ヘリウムガスの噴出口から離れた矩形領域３４の間では、実際のヘリウムガスの噴出口からの距離が異なっていても、ヘリウムガスが未硬化樹脂材料３１へ与える状態変化は同一と扱うことができる。このような場合、特徴要素の一つであるヘリウムガス流量には同一の値を設定する。このように幾つかの特徴要素の組み合わせを特徴として定義し、特徴要素が異なるもの同士を別々の特徴として主制御部４０で識別する。したがって、ステップＳ２５では、主制御部４０は、基板３０の全ショットを、更に矩形領域３４に分割し、その矩形領域３４毎に、図８の図表に従って特徴を付与する。また、図８に示した特徴要素は、８区分に分類しているが、この区分数は任意である。そして、例えば、特徴Ａ〜特徴Ｃは図３の樹脂気化領域Ｅ１やＥ２に該当するため補間必要ランクに区分、特徴Ｄ〜特徴Ｆは補間不要ランクに区分、特徴Ｇ，Ｈは正常ランクに区分、といったように、ランク付することができる。また、特徴Ａ〜Ｃに該当する矩形領域３４の数が多いほど、補間が必要となる。したがって、ステップＳ２６では、特徴Ａ〜特徴Ｈをポイント制（例えば、特徴Ａを１点、・・・特徴Ｈを８点）とし、所定のポイント以上のショットをサンプルショットとして一次抽出してもよい。本実施例では、補間対象ショットＳ−１が有する特徴Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの何れかを含むショットをサンプルショットとして複数抽出する一次抽出を行う。この際、単に特徴Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの何れかを含むショットを対象としたのでは、多数のショットが一次抽出されてしまう虞れが有る。したがって、一致する特徴を有する矩形領域３４の数が多いものを一次抽出するのが望ましい。
【００３４】
ステップＳ２７では、主制御部４０は、サンプルショットの数を最小化（絞込み）を行うことにより、最終的なサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を決定し、このルーチンを終了する。具体的には、主制御部４０は、ステップＳ２６で一次抽出した複数のサンプルショットから、ショットＳ−１の矩形領域３４が有する特徴Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを全て含むサンプルショットの組み合わせを比較し、同一の特徴を有するショットの数が少ないものを抽出する。ここで抽出したものが、最終的なサンプルショットＳ−２、Ｓ−３となる。すなわち、同じ特徴の配列を備えたショットとしては補間対象ショットＳ−１と対角線上で対向するショットのように補間が必要なショットであることもあり得る。また、基板３０の周辺ダレ等に起因して樹脂パターンとして一致させるだけの塗布分布に補間することが困難な正常ランクのショットであることもあり得る。したがって、同一の特徴配列を備えたショットを除外することによって、サンプルショットとなり得るものを選択する。なお、同じ特徴を有する矩形領域３４の数が多いものを一次抽出した後、図７に示すように、同じ特徴の数と位置とが多く一致するものをサンプルショットＳ−２，Ｓ−３として最終的に決定することも可能である。
【００３５】
図９は、サンプルショットの抽出を基板３０の周辺ショットに適用した際の概要を示す説明図である。上述した補間対象ショットＳ−１やサンプルショットＳ−２は、基板３０の周縁よりも内側に配置されたショットであったが、基板３０からはみ出しているチップ領域３３を含むショットにおいても補間対象ショットＳ−４，Ｓ−５になり得る。また、これらの補間対象ショットＳ−４，Ｓ−５を利用してサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を決定することができる。この際、ステップＳ２５の矩形領域３４に対する特徴付けでは、図８に示したテーブル方式の特徴要素のうち基板周辺からの距離において、基板３０に含まれないことを表す値を別途設定する。これにより、図６に示したサンプルショットの抽出ルーチンを利用してサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を抽出することができる。また、補間対象ショットＳ−４，Ｓ−５は、その一部のチップ領域３３が有効であることから、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３を決定する際の特徴は対応するチップ領域３３において行うのが望ましい。なお、補間対象ショットＳ−４，Ｓ−５は同時に指定されているものではない。
【００３６】
このように、本実施形態では、未硬化樹脂材料３１の塗布分布の算出に用いるサンプルショットを、次の基板３０を処理する前に自動抽出することができる。これにより、これまで環境内の影響が異なるショット毎に個別に塗布分布を生成・補間していたことに較べて、塗布分布を補間するショットを減らすことができ、塗布分布の生成工程における作業負荷を低減することができる。また、再補間が必要であると想定される補間対象ショットＳ−１を選択すると、その補間対象ショットＳ−１を補間するに適したサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を抽出し、そのサンプルショットＳ−２，Ｓ−３に近づくように塗布分布を補間することができる。ところで、図６に示したサンプルショットの抽出ルーチンは、インプリント装置本体１０に含まれる主制御部４０やコンソール制御部４６で行うだけでなく、サーバ５３を備えた操作ユニット５０で実行することができる。従って、樹脂パターン形成後の製品チェック用コンピュータ等の外部計算機でサンプルショットの抽出を行い、その抽出結果を、通信ネットワーク６２を介して、コンソール制御部４６に反映して主制御部４０で塗布分布を補間してもよい。
【００３７】
（第２実施形態）
図１０は、本発明のインプリント装置１０の第２実施形態を示し、基板１０の全ショットを対象としてサンプルショットを抽出する際の説明図である。第１実施形態では、図６のステップＳ２１において、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３を抽出する補間対象ショットＳ−１を利用者が指定して行っていた。しかしながら、基板３０を処理する毎に再補間を行う本発明では、再補間をするほど、次にどのショットを補間対象ショットとするのか利用者では判断が難しくなる。そこで、第２実施形態では、補間対象ショットの塗布分布を補間するためのサンプルショットを抽出する際、補間対象ショットを指定するのではなく、自動で抽出するようにしたものである。
【００３８】
図１０においては、全ショットを対象としたサンプルショットの抽出を行った結果、サンプルショットＳ−３，Ｓ−４とを抽出したことを表している。この際、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３の未硬化樹脂材料３１の塗布分布を所定条件として、これら以外の全ショットの未硬化樹脂材料３１の塗布分布を補間することが可能である。補間対象ショットＳ−６，Ｓ−７は、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３の塗布分布に基づいて生成された塗布分布によって形成されたものである。例えば、補間対象ショットＳ−６の場合では、基板３０の周辺に近接した図示上辺付近と左辺付近の各領域においては、サンプルショットＳ−３の基板３０の周辺に近接した右辺付近の領域の塗布分布が利用されている。また、補間対象ショットＳ−６では、基板３０の中心に近い図示右下付近の領域においては、基板３０の中央付近に位置するサンプルショットＳ−２の塗布分布が利用される。これにより、補間対象ショットＳ−６の樹脂パターンをサンプルショットＳ−２，Ｓ−３の樹脂パターンに近づけることができる。なお、補間対象ショットＳ−６の場合では、基板３０の周辺に近接した図示上辺付近の塗布分布は、サンプルショットＳ−３の図示右辺付近の塗布分布を９０度反時計周り方向に回転させたデータを主制御部４０で生成することで対応が可能である。同様に、補間対象ショットＳ−６の場合では、基板３０の周辺に近接した図示左辺付近の塗布分布は、サンプルショットＳ−３の図示右辺付近の塗布分布を１８０度反時計周り方向に回転させたデータを主制御部４０で生成することで対応が可能である。さらに、補間対象ショットＳ−６の基板３０の周辺に近接した図示上辺付近と左辺付近の交差する部分の塗布分布は、上述した９０度又は１８０度回転させたデータの一方を用いる。
【００３９】
図１１は、基板３０の全ショットを対象としたサンプルショットの抽出動作ルーチンを示すフローチャートである。図１１に示したルーチンと図６に示した第１実施形態の抽出ルーチンとの違いは、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３を抽出する矩形領域３４を、指定された補間対象ショットＳ−１に含まれたものに限定するか、全ショットに含まれたものにするかである。
【００４０】
具体的には、ステップＳ２１で存在したような、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３の抽出対象を指定する処理が含まれない。即ち、ステップＳ３１では、ステップＳ２２と同様に、主制御部４０は、基板３０の全ショットのショットレイアウト情報を取得する。ステップＳ３２では、ステップＳ２３と同様に、主制御部４０は、型２０の型情報を取得する。ステップＳ３３では、ステップＳ２４と同様に、主制御部４０は、基板３０のプロセス情報を取得する。ステップＳ３４では、ステップＳ２５と同様に、主制御部４０は、基板３０に配置された全ショットを複数の矩形領域３４に分解し、その矩形領域３４の各々に特徴付けを行う。
【００４１】
ステップＳ３６では、ステップＳ２６と同様に、主制御部４０は、補間対象ショットＳ−１の矩形領域３４の特徴を含んだサンプルショットを一次抽出するサンプルショット一次抽出ステップ処理を行い、ステップＳ３７へと移行する。但し、ステップＳ２６においては、補間対象ショットＳ−１の矩形領域３４が有する特徴を含むショットの抽出を行っていた。一方、ステップＳ３６では、全ショットを候補としてサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を抽出する。すなわち、全ショットの矩形領域３４に含まれる特徴の全てを含むショットを抽出する点で違いがある。具体的には、ステップＳ２６で指定された補間対象ショットＳ−１は、図７に示すように、特徴Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを含んでいた。そして、ステップ２６では、補完対象ショットＳ−１の特徴Ｄを含んだサンプルショットＳ−２と、補完対象ショットＳ−１の特徴Ａ，Ｂ，Ｃを含んだサンプルショットＳ−３とを抽出した。これに対し、ステップＳ３６では、補完対象ショットＳ−１の全ての特徴Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを含んだサンプルショットが一次抽出される。
【００４２】
ステップＳ３７では、ステップＳ２７と同様に、主制御部４０は、ステップＳ３６で一次抽出したサンプルショットから、最終的なサンプルショットへとショット数を減らすサンプルショット抽出ステップ処理を行ってこのルーチンを終了する。具体的には、ステップＳ３６で抽出した複数のサンプルショットから、全ショットの矩形領域３４の特徴を全て含むサンプルショットの組み合わせで、最も、サンプルショット数が少ない組を抽出する。そして、ここで抽出したものが最終的なサンプルショットＳ−２，Ｓ−３となる。
【００４３】
なお、上述したルーチンは、サンプルショットの抽出に関するものであるが、第２実施形態における補間対象ショットＳ−６，Ｓ−７の抽出は、ステップＳ３１の直前に、ステップＳ３６の矩形領域３４の特徴付けルーチンと同様の特徴付け処理を行う。すなわち、主制御部４０は、全ショットの各矩形領域３４が有する特徴の区分が異なるショットのうち、矩形領域３４の数が最も多いショットを補間対象ショットＳ−６，Ｓ−７に指定する補間対象ショット指定ステップ処理を行う。これにより、一番ランクの低いものを優先して補間対象ショットとして抽出することができる。補間後の補間対象ショットＳ−６，Ｓ−７の樹脂パターンは、前回処理した基板３０のショットの樹脂パターンよりも精度が向上されていると考えられる。したがって、次の基板３０を処理する際には、今回補間対象としたショットとは異なるショットが補間対象ショットとして抽出される。
【００４４】
このように、第２実施形態では、基板３０に配置された全ショットの未硬化樹脂材料３１に対する塗布分布を算出するために用いるショットを、事前に抽出することができる。これにより、これまで環境内の影響が異なるショット毎に、個別に塗布パターンを生成したいたことに較べて、塗布パターン３２を生成するショットを減らすことができ、塗布分布の生成工程における作業負荷を低減することができる。
【００４５】
（第３実施形態）
図１２は、モニタ５２に表示される補間対象ショットＳ−１の選択画面又はサンプルショットＳ−２，Ｓ−３の抽出画面を示す説明図である。モニタ５２は上下左右に表示分割（三分割）され、左上表示エリアを基板表示エリア５２ａ、右上表示エリアをショット表示エリア５２ｂ、下表示エリアを操作ボタン表示エリア５２ｃとしている。各表示エリア５２ａ，５２ｂ，５２ｃの表示画像はコンソール制御部４６により生成された画像データである。基板表示エリア５２ａは、ここでは基板３０と全ショットとを表示している。この際、コンソール制御部４６は、補間対象ショットＳ−１とサンプルショットＳ−２，Ｓ−３とは、その他のショットを含めて利用者が識別可能となるように、模様や色によって表示状態を異ならせる。ショット表示エリア５２ｂには、選択されたショットが拡大表示される。ここでは、基板３０の図示左上のショットＳ−８が表示されている。この際、コンソール制御部４６は、基板表示エリア５２ａのショットＳ−８がショット表示部５２ｂに表示されていることを識別可能とするため、例えば、点滅表示させる。操作ボタン表示部エリア５２ｃには、ショット指示ボタン５２ｄ、全ショット選択ボタン５２ｅ、抽出実行ボタン５２ｆ、樹脂パターン反映ボタン５２ｇ、画面終了ボタン５２ｈ、が表示されている。各エリア５２ａ，５２ｂ，５２ｃのボタン操作等は、入力端末５１（特にマウス）を用いて行う。なお、モニタ５２に液晶タッチパネルを採用し、ダイレクトに選択操作を行えるようにしても良い。
【００４６】
主制御部４０は、基板表示エリア５２ａに基板３０の画像と全ショットの画像とを実際の基板３０とショットとび配置や大きさに合わせた状態で表示する。また、主制御部４０は、利用者が指示アイコン５２ｉを任意のショット（例えば、ショットＳ−８）に合わせた状態で選択操作（クリック操作）をしたら、選択されたショットＳ−８をショット表示エリア５２ｂに拡大表示する。さらに、主制御部４０は、利用者が他のショットを選択操作した場合には、選択されたショットをショット表示エリア５２ｂに切り替え表示する。また、主制御部４０は、ショット表示エリア５２ｂに補完対象ショットＳ−１を表示した場合には、抽出したサンプルショットＳ−２，Ｓ−３に基づいて補間した場合の塗布パターン（または樹脂パターン）を重畳して表示する。主制御部４０は、算出した塗布分布により、未硬化樹脂材料３１の粒毎の配置座標や粒量で構成し、これらを所定の配置や大きさで表示する。
【００４７】
ショット指示ボタン５２ｄが選択操作されると、主制御部４０は、指示アイコン５２ｉと重なるショットの選択操作に連動して補完対象ショットＳ−１として認識する。全ショット選択ボタン５２ｅが選択操作されると、主制御部４０は、第２実施形態で示した補間対象ショットの自動抽出を全ショットに対して実行する。抽出実行ボタン５２ｆが選択操作されると、主制御部４０は、ショット指示ボタン５２ｄで選択（指定）又は全ショット選択ボタン５２ｅで抽出された補間対象ショットＳ−１に対するサンプルショットＳ−２，Ｓ−３の抽出処理を開始する。なお、主制御部４０は、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３の抽出処理が完了した際には、基板表示エリア５２ａのショットのうち、抽出されたサンプルショットＳ−２，Ｓ−３が識別可能となるように表示切り替えを行う。また、主制御部４０は、ショット表示エリア５２ｂに抽出されたサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を自動的に表示する。さらに、主制御部４０は、複数のサンプルショットＳ−２，Ｓ−３が抽出されている場合には、任意の一つをショット表示エリア５２ｂに自動的に表示する。この際、主制御部４０は、例えば、補完対象ショットＳ−１と一番近い塗布分布を有するサンプルショットＳ−３を優先的に表示するなど、優先順位が予め指定されている場合には、その優先順位に基づいて表示する。塗布パターン反映ボタン５２ｇが選択操作されると、主制御部４０は、ショット表示エリア５２ｂに表示したような塗布分布をサーバ５３に記憶する。なお、主制御部４０は、サーバ５３に記憶した塗布分布のデータを、次の基板３０を処理する際の該当ショットへの塗布分布として使用する。画面終了ボタン５２ｈが選択操作されると、主制御部４０は、次に処理する基板３０に対する際補間処理のために、基板表示エリア５２ａ及びショット表示エリア５２ｂの表示状態をクリアにする。指示アイコン（マウスポインタ）５２ｉは、入力端末５１（マウス）の操作により画面内を移動する。
【００４８】
このように、サンプルショットの抽出処理の作業は、グラフィカルインターフェースを利用することで、直感的かつ簡素にサンプルショットの抽出作業を行うことができ、作業効率を向上することができる。
【００４９】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。更に、該製造方法は、パターンが形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子等の他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンが形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【符号の説明】
【００５０】
１０ インプリント装置
１４ 型駆動部
１７ ディスペンサ
１８ ヘリウムガス射出部
１９ 光源
２０ 型
２１ 型パターン
３０ 基板
３２ 塗布パターン
４０ 主制御部
４３ ディスペンサ制御部
４６ コンソール制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、基板に塗布した未硬化樹脂材料から樹脂パターンを形成するインプリント方法及びインプリント装置、サンプルショット抽出方法、並びにそれを用いた物品の製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来から、基板に配置された複数ショット毎に液状の未硬化樹脂材料を塗布した後、型押しによって塗布した未硬化樹脂材料を塗布パターン化したうえで硬化させることによって樹脂パターンを形成するインプリント技術が知られている。
【０００３】
このインプリント技術は、ナノスケールの微細パターンからなる樹脂パターン形成を可能にする技術であり、磁気記憶媒体や半導体デバイスの量産向けナノリソグラフィ技術の１つとして実用化されつつある。また、インプリント技術では、電子線描画装置等を用いて最終的に基板に転写すべき樹脂パターンのネガポジ反転像に対応する型パターン（モールド又はテンプレート）が形成された型を使用する。樹脂パターンは、シリコン基板（ウエハ）やガラスプレート等の基板に未硬化樹脂材料を塗布し、その未硬化樹脂材料に対して型パターンを押し付けて塗布パターン化した状態で未硬化樹脂材料を硬化させることによって形成される。この際、基板に形成される樹脂パターンの形状はで生産するデバイスの種類によって異なる。このため、基板に塗布する未硬化樹脂材料の塗布分布も、樹脂パターンに合わせて生成する必要がある。そこで、一般には、樹脂パターンの容積から基板に塗布する未硬化樹脂材料の容量と塗布分布とを算出する必要がある（例えば、特許文献１参照）。
【０００４】
一方、基板に塗布された未硬化樹脂材料は、硬化するまでの間に液状のまま気流等の周辺環境に晒される。その結果、周辺環境の影響を受けて未硬化樹脂材料が揮発してしまうといった状態変化が生じ易い。従って、このような状態変化といった悪影響を抑制するため、予め周辺環境による変化分を予測する必要がある。例えば、基板に形成された樹脂パターンの高さを計測し、その高さにバラツキがある場合には、バラツキを抑制するように、予め、未硬化樹脂材料の塗布分布を調整する方法が提案されている（例えば、特許文献２参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】特表２００８−５０２１５７号公報
【特許文献２】米国特許出願公開第２００７／０２２８５９３号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
しかしながら、上述した未硬化樹脂材料の塗布分布の調整方法では、樹脂パターンの高さと気流等の周辺環境とを考慮するだけであるため、調整条件が不足しており、充分な調整結果を得られないという問題が生じていた。また、樹脂パターンの状態変化は基板の中央付近と周辺付近とではショット毎にバラツキがあるため、単に高さと気流等の周辺環境とを考慮した調整結果では均一なショットを得られないという問題が生じていた。さらに、処理される基板毎、特にショット毎に調整を行うのは非常に困難で、一度調整した後の塗布分布は次の基板に対しても同様条件で実行されてしまう。したがって、基板全体の樹脂パターン精度はバラツキがある低いままであるという問題も生じていた。
【０００７】
そこで、本発明は、未硬化樹脂材料の塗布分布をショット単位で厳密に補間し得て、しかも、作業負荷を抑制しつつ効率的に塗布分布を再補間することができるインプリント方法及びインプリント装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明は、基板に配置された複数ショットに樹脂パターンを形成するインプリント方法において、前記複数ショットにショット単位で未硬化樹脂材料の塗布分布を生成する塗布分布生成ステップと、前記基板に対する前記複数ショット位置と前記未硬化樹脂材料の供給位置及び前記未硬化樹脂材料の硬化位置との相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数として前記未硬化樹脂材料の塗布分布を補間する補間制御ステップと、生成・補間された塗布分布で前記複数ショット毎に未硬化樹脂材料を塗布する未硬化樹脂材料供給ステップと、前記基板に塗布した前記未硬化樹脂材料から所定の塗布パターンを形成する塗布パターン形成ステップと、塗布パターンを硬化させて樹脂パターンを形成する樹脂パターン形成ステップと、を実行することを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、基板に塗布する未硬化樹脂材料の塗布分布の補間をショット単位でより厳密に行うことができ、しかも、生成工程における作業負荷を抑制しつつ効率的にショット毎の未硬化樹脂材料の塗布分布を再補間することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の実施形態に係るインプリント装置の概略構成図である。
【図２】型パターンと塗布パターンとの関係を示す説明図である。
【図３】未硬化樹脂材料の変化の様子を示す説明図ある。
【図４】インプリント装置のメインルーチンを示すフローチャートである。
【図５】補間対象及びサンプルショットの指定・抽出を示す説明図である。
【図６】サンプルショットの抽出を説明するフローチャートである。
【図７】各矩形領域に特徴付けした状態の分布を示す説明図である。
【図８】矩形領域に対する特徴付けを説明する表である。
【図９】サンプルショットの抽出を周辺ショットに適用した概略図である。
【図１０】第２実施形態に係るサンプルショット抽出を示す説明図である。
【図１１】サンプルショットの抽出を説明するフローチャートである。
【図１２】モニタに表示される画面の一例を示す説明図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、本発明の一実施形態に係るインプリント装置について、図面を参照して説明する。なお、以下に示す実施形態は、本発明のインプリント装置における好適な具体例であり、技術的に好ましい種々の限定を付している場合もあるが、本発明の技術範囲は、特に本発明を限定する記載がない限り、これらの態様に限定されるものではない。また、以下に示す実施形態における構成要素は適宜、既存の構成要素等との置き換えが可能であり、かつ、他の既存の構成要素との組合せを含む様々なバリエーションが可能である。したがって、以下に示す実施形態の記載をもって、特許請求の範囲に記載された発明の内容を限定するものではない。
【００１２】
（第１実施形態）
図１は本発明の一実施形態に係るインプリント装置の概略構成の説明図である。図１において、インプリント装置１０は、装置内部全体がチャンバ１１に収納されており、装置内部全体が一定の雰囲気下に保たれている。また、チャンバ１１の内側には剛性の高い構造からなる架台１２が配置されている。この架台１２には、パターン形成手段としての型２０と基板３０が高精度な位置決め状態で対向配置されている。型２０は、不図示の型搬送系によりインプリント装置１０の外部から型チャック１３に搬送され、この型チャック１３に支持される。なお、型チャック１３は、基板３０に接近・離反可能となるように、Ｚ、ωｘ、ωｙ方向に駆動可能な駆動手段としての型駆動部１４を介して架台１２に取り付けられている。また、基板３０は、不図示の基板搬送系によりインプリント装置１０の外部から基板ステージ１５の基板チャック１６に搬送される。基板ステージ１５は、Ｘ，Ｙ，Ｚ及び各軸の回転方向（ωｘ，ωｙ，ωｚ）に駆動可能である。基板チャック１６によって支持された基板３０は型２０の直下でのＸＹ移動や姿勢補正を行う。さらに、架台１２には、未硬化樹脂材料供給手段としてのディスペンサ１７と、ガス噴射手段としてのヘリウムガス射出部１８と、未硬化樹脂材料硬化手段としての光源１９とが配置されている。
【００１３】
ディスペンサ１７は、レジストとして用いられる光硬化樹脂等の液状の未硬化樹脂材料を供給する樹脂供給機構であり、未硬化樹脂材料を基板３０に対して射出する。この際、ディスペンサ１７は、未硬化樹脂材料の射出ノズル（図示せず）と基板３０とが対向するように、型チャック１３（又は架台１２）に取り付けられている。ヘリウムガス射出部１８は、基板３０に塗布された未硬化樹脂材料に向けてヘリウムガスを射出する。射出されたヘリウムガスは、未硬化樹脂材料に溶解する。これにより、型２０を未硬化樹脂材料に押し付けて塗布パターンを形成する際に、未硬化樹脂材料が型２０の溝（後述する）に充填する時間を短くすることができるという効果を奏する。光源１９は、基板３０に塗布された未硬化樹脂材料を硬化させるための紫外線を照射する。
【００１４】
一方、補間制御手段及びサンプルショット抽出手段としての主制御部４０は、型チャック位置制御部４１、基板ステージ位置制御部４２、塗布分布制御手段としてのディスペンサ制御部４３、ヘリウムガス射出制御部４４、光源制御部４５を制御する。型チャック位置制御部４１は、型２０を基板３０に接近・離反させるように型チャック１３を駆動する型駆動部１４を駆動制御する。基板ステージ位置制御部４２は、基板ステージ１５を駆動制御する。ディスペンサ制御部４３は、基板ステージ位置制御部４２と同期しながら未硬化樹脂材料の塗布分布に従って未硬化樹脂材料を基板３０に噴出する。ヘリウムガス射出制御部４４は、基板３０に塗布された未硬化樹脂材料に対してヘリウムガスを射出する。光源制御部４５は、光源１９から照射される紫外線の照射量や照射タイミングを制御する。
【００１５】
主制御部４０には、コンソール制御部４６を介して利用者が操作した操作ユニット５０からの処理要求を処理する。操作ユニット５０は、入力端末５１、モニタ５２、サーバ５３、通信ネットワーク５４、を備えている。入力端末５１やモニタ５２を用いて利用者から出力された処理要求は、コンソール制御部４６で受け付け、コンソール制御部４６から主制御部４０へ処理要求が受け渡される。入力端末５１、モニタ５２、コンソール制御部４６は、未硬化樹脂材料の塗布分布を複数のショット毎に生成するためのユーザインターフェースを構成している。サーバ５３は、ＬＡＮなどの通信ネットワーク６２を介して、コンソール制御部４６と通信を行う。本実施例においては、塗布分布の生成・補間及び後述するサンプルショットの抽出処理を主制御部４０で行うが、この主制御部４０に変えてサーバ５３で行っても良い。サーバ５３は、その処理結果を、通信ネットワーク６２を介してコンソール制御部４６に反映し、主制御部４０で各制御部４１，４２，４３，４４，４５を駆動制御することもできる。また、塗布分布の生成・補間を主制御部４０で行い、サンプルショットの抽出処理をコンソール制御部４６で行ってもよい。
【００１６】
主制御部４０は、操作ユニット５０からの処理要求の内容に応じて、型チャック位置制御部４１、基板ステージ位置制御部４２、ディスペンサ制御部４３、ヘリウムガス射出制御部４４、光源制御部４５に対して、処理要求（駆動制御）を行う。なお、本発明に係るインプリントに関するプログラムはサーバ５３に記憶されており、後述する複数ショット毎のショット情報やショット単位での塗布分布は、サーバ５３に設置されたハードディスク等の記憶領域を使用している。
【００１７】
図２は、型２０の型パターン２１と基板３０に塗布される未硬化樹脂材料３１の塗布パターン３２との関係を示す説明図である。図２（Ａ）は、型２０の平面図、図２（Ｂ）は、図２（Ａ）のＢ−Ｂ線に沿う断面図、図２（Ｃ）は、基板３０の１ショットの平面図である。また、図２（Ｄ）は図２（Ｃ）のＤ−Ｄ線に沿う断面図、図２（Ｅ）は、型２０による塗布パターン３２の形成を模式的に示す説明図である。型２０に設けられた溝状の型パターン２１は、最終的に基板３０に転写すべき樹脂パターンのネガポジ反転像に対応するパターン（モールド又はテンプレート）となっている。基板３０に塗布された未硬化樹脂材料３１は、型２０を基板３０に接近させて押し付けることにより、未硬化樹脂材料３１が型２０に設けられた溝状の型パターン２１の中に充填され、塗布パターン化される。そして、実際には型２０を基板３０へ押し付けたままの状態で光源１９から紫外線を照射することで、塗布パターン３２が硬化し、型２０を基板３０から剥がすことで、基板３０に型パターン２１の形状と略一致する樹脂パターンが形成される。なお、樹脂パターンは見掛け上、塗布パターン３２に一致するため、符号は省略する。ここで、図２（Ａ）の型２０は、本実施の形態においては、４個のチップ領域２２から構成されており、各々のチップ領域２２は矩形の型パターン２１が密集した部分と、型パターン２１が存在しない部分とから構成されている。図２（Ｃ）で表す塗布パターン３２は、図２（Ａ）の型２０に対応するように４個のチップ領域３３から構成されている。また、各チップ領域３３に配置された多数の矩形の型パターン２１に対応する領域は、型パターン２１の溝の深さに対応した量の未硬化樹脂材料３１を塗布する。図２（Ｄ）の断面図においても、型パターン２１の溝の量に対応して、未硬化樹脂材料３１が塗布されていることを示している。このように、型パターン２１のパターンに応じて、基板３０に塗布する未硬化樹脂材料３１の塗布パターン３２を変更する必要がある。また、基板３０には、型パターン２１の溝に対向していない部分でも、未硬化樹脂材料３１の薄膜３４が形成される。この薄膜３４は、型２０と基板３０とが直接接触することによる型２０の磨耗を防ぐことを目的として、インプリント装置１０において意図的に生成している。このように、型２０の面内においても、場所によって型パターン２１の粗密により塗布する未硬化樹脂材料３１の塗布量が異なる。
【００１８】
図３は、基板３０に塗布された未硬化樹脂材料３１が、インプリント装置１０の内部の周辺環境の影響によって変化する様子の一例を示す。図３（Ａ）は、ディスペンサ制御部４３により、未硬化樹脂材料３１を基板３０に塗布した直後の１ショット領域における各樹脂パターンの状態を表している。また、図３（Ｂ）は、図２（Ｅ）に示した未硬化樹脂材料３１に型２０が押し付けられる直前の未硬化樹脂材料３１の状態を表している。ここでは、未硬化樹脂材料３１を塗布してから型２０の押し付けが行なわれるまでの間に、基板３０をディスペンサ１７から型２０までに下方移動させる時間が発生する。このため、未硬化樹脂材料３１は液状のままインプリント装置１０の内部環境下に晒されることになる。結果、未硬化樹脂材料３１の一部が揮発し、未硬化樹脂材料３１の体積が減少するなどの状態変化が生じる。図３（Ｂ）では、未硬化樹脂材料３１が型パターン２１に早く充填させることを目的として未硬化樹脂材料３１にヘリウムガスを吹き付けている。従って、この影響を受けて、ヘリウムガス射出部１８から射出されるヘリウムガスの気流方向の上流に位置する樹脂気化領域（例えば、Ｅ１）では、他の領域よりも多くの未硬化樹脂材料３１が揮発してしまう結果、残存する未硬化樹脂材料３１の量が減少する。また、図３（Ｃ）に示すように、基板３０の周辺ショットでは、基板３０が駆動する際に生じる気流の乱れなど、基板３０の境界付近での環境変化の影響を強く受けてしまう。このため、基板３０中央付近に配置されたショットよりも未硬化樹脂材料３１の状態変化が大きく発生してしまう。ここでは、基板３０周辺に近い樹脂気化領域（例えば、Ｅ２）では、未硬化樹脂材料３１が揮発する量が多いなどの状態変化が生じる。このような未硬化樹脂材料３１が変化した状態で、型２０の押印を行うと、基板３０に形成される樹脂パターンや薄膜３４の高さにバラツキが生じる。
【００１９】
そこで、本発明は、図２及び図３で示したように、型２０に形成された型パターン２１や、周辺環境を含めた周辺機器と未硬化樹脂材料３１との相対距離等の環境要因に起因する未硬化樹脂材料３１の状態変化を考慮して塗布パターン３２を生成するものである。すなわち、型パターン２１に対応した塗布パターン３２は、型パターン２１の違いや、ヘリウムガス射出部１８から射出されるヘリウムガスの気流方向などインプリント装置１０の内部における環境要因の違いにより、ショット毎で異なる。したがって、これらの環境要因の違いを考慮してショット毎に未硬化樹脂材料３１の塗布分布を生成する。また、複数枚の基板３０を処理する際には、その基板２０を処理する度に塗布分布の補間を行うようにした。
【００２０】
図４は、本発明のインプリント装置１０におけるメインルーチンのフローチャートである。図４において、ステップＳ１１では、主制御部４０は、基板３０に配置された複数ショットのショット単位で未硬化樹脂材料３１のベース（基準）となる塗布分布を生成する塗布分布生成ステップ処理を行い、ステップＳ１２へと移行する。この際、主制御部４０は、各制御部４１，４２，４３，４４，４５に対する処理要求（駆動制御）とインプリント装置１０の内部で発生する気流等の周辺環境とを考慮して塗布分布を生成する。
【００２１】
ステップＳ１２では、主制御部４０は、基板３０に対する複数ショット位置と環境要因とを考慮した補間制御ステップ処理を行い、ステップＳ１３へと移行する。具体的には、主制御部４０は、ディスペンサ１７から供給される未硬化樹脂材料３１の供給位置との相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数として未硬化樹脂材料３１の塗布分布を補間する。また、主制御部４０は、基板３０に対する複数ショット位置と光源１９から照射される紫外線による未硬化樹脂材料３１の硬化位置との相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数として未硬化樹脂材料３１の塗布分布を補間する。さらに、主制御部４０は、基板３０に対する複数ショット位置とヘリウムガス射出部１８から射出されるヘリウムガスとの相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数として未硬化樹脂材料３１の塗布分布を補間する。
【００２２】
ステップＳ１３では、主制御部４０は、生成・補間された塗布分布を用いて複数ショット毎に未硬化樹脂材料３１を基板３０に塗布する未硬化樹脂材料供給ステップ処理を行い、ステップＳ１４へと移行する。具体的には、主制御部４０は、型チャック位置制御部４１と基板ステージ位置制御部４２とを制御してディスペンサ１７と基板３０との高さ位置や水平位置を変更する。また、主制御部４０は、このディスペンサ１７と基板３０との上下左右方向の位置を変更しつつ生成・補間された塗布分布に応じた未硬化樹脂材料３１を基板３０の各ショットに塗布する。さらに、主制御部４０は、ヘリウムガス射出制御部５５を制御して未硬化樹脂材料３１にヘリウムガスを溶解させる。なお、ディスペンサ１７と基板１７との水平方向の位置は、基板チャック１６を駆動させて基板ステージ１５のみを水平面内で移動させることにより変更してもよい。また、ディスペンサ１７と基板１７との水平方向の位置は、型駆動部１４を駆動させて型チャック１３のみを水平面内で移動させることにより変更してもよい。さらに、ディスペンサ１７と基板１７との水平方向の位置は、基板ステージ１５と型チャック１３の両方を水平面内で移動させることにより変更してもよい。
【００２３】
ステップＳ１４では、主制御部４０は、基板３０に塗布した未硬化樹脂材料３１から所定の塗布パターンを形成する塗布パターン形成ステップ処理を行い、ステップＳ１５へと移行する。具体的には、主制御部４０は、型チャック１３を駆動させて型２０を基板３０に接近させ、型パターン２１に塗布された未硬化樹脂材料３１を充填させることで塗布パターンをパターン化する。また、ステップＳ１５では、主制御部４０は、基板３０に塗布されてパターン化された塗布パターンを硬化させて樹脂パターンを形成する樹脂パターン形成ステップ処理を行ってステップＳ１６へと移行する。具体的には、主制御部４０は、型２０を基板３０に接近させた状態で光源制御部４５を制御して光源１９から紫外線を照射させる。未硬化樹脂材料３１には、光硬化樹脂が用いられているため、光源１９から照射された紫外線によって硬化する。なお、未硬化樹脂材料３１を硬化させる手法としては、上述した光によるもののほか、加熱によって硬化するものでもよい。この際、未硬化樹脂材料３１には熱硬化性樹脂が用いられると共に、光源５１にはハロゲンランプ等の加熱源が用いられる。また、光源５１に変えてコイルヒータ等を用いてもよい。
【００２４】
ステップＳ１６では、主制御部４０は、不図示の基板搬送系に次に処理する基板３０があるか否かを判断する判断ステップ処理がなされる。具体的には、主制御部４０は、基板搬送系に次に処理する基板３０がある場合にはステップＳ１７へと移行し、基板搬送系に次に処理する基板３０がない場合にはこのルーチンを終了する。なお、主制御部４０は、次に処理する基板３０が、先に処理した基板３０と異なるサイズや塗布分布である場合においても、このルーチンを終了する。
【００２５】
ステップＳ１７では、主制御部４０は、次に処理する基板３０に対する樹脂パターンの精度を向上するために、ステップＳ１２で補間した塗布分布をさらに補間するために、サンプルショット抽出ステップ処理を行い、ステップＳ１８へと移行する。具体的には、主制御部４０は、ステップＳ１１，Ｓ１２で生成・補間された塗布分布を複数ショット毎の樹脂パターンに関するショット情報としてサーバ５３の記憶領域に記憶する。また、主制御部４０は、複数ショットのうち指定（又は抽出）された補間が必要とされる補間対象ショットのショット情報とは異なるショット情報を備えたショットをサンプルショットとして抽出する。すなわち、上述したように、塗布分布は、基板３０の中央付近と周辺付近とで大きく異なる。また、中央付近のショットの塗布分布は近似している一方、周辺付近の塗布分布はショット毎に異なることが多い。したがって、基板３０の中央付近のショットをサンプルショットとして抽出し、そのサンプルショットの樹脂パターンと異なる周辺付近のショットを補間対象ショットとして指定（又は抽出）し、その補間対象ショットの塗布分布を再補間する。なお、サンプルショットの具体的な抽出ルーチンは後述する。
【００２６】
ステップＳ１８では、主制御部４０は、抽出したサンプルショットの樹脂パターンに補間対象ショットの樹脂パターンが近づくように次に処理する基板３０に用いる塗布分布を再補間する再補間ステップ処理を行う。また、この再補間ステップ処理後は、ステップＳ１３にループして次の基板３０の処理を実行する。具体的には、主制御部４０は、ステップＳ１７で指定（又は抽出）された補間対象ショットのショット情報と抽出されたサンプルショットのショット情報とを比較する。その結果、主制御部４０は、補間対象ショットのショット情報とサンプルショットのショット情報とが異なる部分が樹脂パターンの不具合部分であると判定し、その不具合部分を修正するように、塗布分布を補間する。なお、ここでの再補間を行うことにより、基板３０に形成された樹脂パターンの高さ方向などのバラツキを次に処理される基板３０に対して抑えることができ、基板３０の処理毎に品質を向上することができる。
【００２７】
図５は、上述した再補間を行うために、補間対象ショット及びサンプルショットの指定・抽出を説明するための説明図である。図５において、図示格子模様の矩形枠で示すショットＳ−１が未硬化樹脂材料３１の塗布分布の再補間対象とするショットである。また、図示斜線模様矩形枠で示すショットＳ−２とＳ−３とは、補間対象ショットＳ−１の塗布分布を（再）補間するための補間情報として用いるために抽出されたサンプルショットである。利用者が補間対象ショットＳ−１を指定すると、主制御部４０は自動的にサンプルショットＳ−２とサンプルショットＳ−３とを抽出する。これは、塗布パターン３２の塗布分布を生成するために必要な、基礎となるショット、すなわち、補間を必要としないショットの存在を事前に把握することができることを意味している。その結果、これまで周辺環境の影響が異なるショット毎に個別に塗布分布を生成したいたことに較べて、塗布分布を補間するショット数を減らすことができ、塗布分布の生成工程における作業負荷を軽減することができる。なお、補間対象ショットＳ−１の塗布分布の補間が終了した後には、サンプルショットＳ−２は補間の必要がない程度に樹脂パターンが形成されていることから、次回以降の基板３０の処理時には、サンプルショットＳ−３が補間対象ショットとなり得る。
【００２８】
図６は、塗布分布を補間するために指定された補間対象ショットＳ−１に対して、補間情報として利用するサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を抽出するフロー図、図７は、ショット単位で各矩形領域に特徴付けした状態の分布を示す説明図である。ステップＳ２１では、主制御部４０は、利用者が選択した塗布分布を補間するための補間対象ショットＳ−１として指定する指定ステップ処理を行って、ステップＳ２２へと移行する。具体的には、利用者は、再補間処理開始直後等では、基板３０の周辺に配置されたショット、特に、矩形枠状のショットの上辺と右辺との２辺が基板３０の周辺に面しているショットを補間対象ショットＳ−１とするのが望ましい。また、主制御部４０は、利両者が操作ユニット５０を用いて補間対象ショットＳ−１を選択するように、モニタ５２に図５に示したような基板３０とショットとを画面表示（ショットＳ−１，Ｓ−２，Ｓ−３は拡大画面表示しない）。
【００２９】
ステップＳ２２では、主制御部４０は、基板３０へ配置された全ショットのショットレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得ステップ処理を行い、ステップＳ２３へと移行する。具体的には、主制御部４０は、ショットレイアウト情報として、ショット毎のショット位置やショットサイズ等を取得する。この際、主制御部４０は、基板３０が基板ステージ１５によって移動するための、基板３０の中心と向きとを規定する。なお、一般的に、基板３０には、周辺の一部に凸状又は凹状の基準が設けられているための、この基準に合わせてショット位置を識別する。
【００３０】
ステップＳ２３では、主制御部４０は、基板３０に対向配置された型２０の型情報を取得する型情報取得ステップ処理を行い、ステップＳ２４へと移行する。具体的には、主制御部４０は、型２０の型情報として、型２０に形成されるチップの配置情報や、そのチップ毎のパターンの種類を取得する。ステップＳ２４では、主制御部４０は、補間対象（次処理）となる基板３０のプロセス情報を取得するプロセス情報取得ステップ処理を行い、ステップＳ２５へと移行する。具体的には、主制御部４０は、プロセス情報として、基板３０に塗布した未硬化樹脂材料３１に溶解させるヘリウムガスの噴出方向や噴出量（噴射時間を含む）、未硬化樹脂材料３１が基板３０に塗布されてから型２０を押し付けるまでの所要時間などがある。通常、プロセス情報は基板３０の各ショットで共通の場合が多いが、ショット毎にプロセス情報が異なる場合でも、主制御部４０が、ショット毎の違いを区別してプロセス情報を取得する。なお、上述したステップＳ２２〜ステップＳ２４で取得した情報は、各ショット単位でサーバ５３の記憶領域にテーブル方式で記憶されるが、後述する矩形領域単位で記憶するのが望ましい。
【００３１】
ステップＳ２５では、主制御部４０は、基板３０に配置される全ショットに対して特徴付けを行う特徴規定ステップ処理を行いステップＳ２６へと移行する。具体的には、主制御部４０は、図７の補間対象ショットＳ−１のように、ショットを幾つかの矩形領域３４に分解し、その分解した矩形領域３４の各々に対して特徴付けを行う。なお、本実施例では、補間対象ショットＳ−１は、ショット領域を縦方向と横方向に各々８等分割し、全部で６４個の矩形領域３４に分割している。したがって、主制御部４０は、分割した矩形領域３４の各々に対して、ステップＳ２２〜ステップＳ２４で取得したショットレイアウト情報、型情報、プロセス情報に基づいて特徴付けを行なう。この特徴付けは、例えば、形成済みの樹脂パターンのうち、正常ランク、補間不要ランク、補間必要ランク、といったランクを段階的に設定し、矩形領域３４毎にランク付けをする。なお、このランクは更に細かく区分した特徴として規定される。
【００３２】
ステップＳ２６では、主制御部４０は、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３の抽出対象である補間対象ショットＳ−１の各矩形領域３４が有する特徴を含んだショットを一次抽出するサンプルショット一次抽出ステップ処理を行い、ステップＳ２７へと移行する。
【００３３】
図８は、矩形領域３４に対する特徴付けを説明する図表である。特徴は、複数の特徴要素の組み合わせで決定される。特徴要素としては、例えば、矩形領域３４に押し付けられる型２０のパターンの種類、ヘリウムガスの噴出位置と噴出量から算出した各矩形領域３４におけるヘリウムガスの流量、基板３０の境界からの矩形領域３４までの距離などがある。この際、特徴要素の種類は必要に応じて変更することが可能である。また、特徴要素の値には意味的な値を設定することができる。例えば、ヘリウムガスの噴出口から離れた矩形領域３４の間では、実際のヘリウムガスの噴出口からの距離が異なっていても、ヘリウムガスが未硬化樹脂材料３１へ与える状態変化は同一と扱うことができる。このような場合、特徴要素の一つであるヘリウムガス流量には同一の値を設定する。このように幾つかの特徴要素の組み合わせを特徴として定義し、特徴要素が異なるもの同士を別々の特徴として主制御部４０で識別する。したがって、ステップＳ２５では、主制御部４０は、基板３０の全ショットを、更に矩形領域３４に分割し、その矩形領域３４毎に、図８の図表に従って特徴を付与する。また、図８に示した特徴要素は、８区分に分類しているが、この区分数は任意である。そして、例えば、特徴Ａ〜特徴Ｃは図３の樹脂気化領域Ｅ１やＥ２に該当するため補間必要ランクに区分、特徴Ｄ〜特徴Ｆは補間不要ランクに区分、特徴Ｇ，Ｈは正常ランクに区分、といったように、ランク付することができる。また、特徴Ａ〜Ｃに該当する矩形領域３４の数が多いほど、補間が必要となる。したがって、ステップＳ２６では、特徴Ａ〜特徴Ｈをポイント制（例えば、特徴Ａを１点、・・・特徴Ｈを８点）とし、所定のポイント以上のショットをサンプルショットとして一次抽出してもよい。本実施例では、補間対象ショットＳ−１が有する特徴Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの何れかを含むショットをサンプルショットとして複数抽出する一次抽出を行う。この際、単に特徴Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄの何れかを含むショットを対象としたのでは、多数のショットが一次抽出されてしまう虞れが有る。したがって、一致する特徴を有する矩形領域３４の数が多いものを一次抽出するのが望ましい。
【００３４】
ステップＳ２７では、主制御部４０は、サンプルショットの数を最小化（絞込み）を行うことにより、最終的なサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を決定し、このルーチンを終了する。具体的には、主制御部４０は、ステップＳ２６で一次抽出した複数のサンプルショットから、ショットＳ−１の矩形領域３４が有する特徴Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを全て含むサンプルショットの組み合わせを比較し、同一の特徴を有するショットの数が少ないものを抽出する。ここで抽出したものが、最終的なサンプルショットＳ−２、Ｓ−３となる。すなわち、同じ特徴の配列を備えたショットとしては補間対象ショットＳ−１と対角線上で対向するショットのように補間が必要なショットであることもあり得る。また、基板３０の周辺ダレ等に起因して樹脂パターンとして一致させるだけの塗布分布に補間することが困難な正常ランクのショットであることもあり得る。したがって、同一の特徴配列を備えたショットを除外することによって、サンプルショットとなり得るものを選択する。なお、同じ特徴を有する矩形領域３４の数が多いものを一次抽出した後、図７に示すように、同じ特徴の数と位置とが多く一致するものをサンプルショットＳ−２，Ｓ−３として最終的に決定することも可能である。
【００３５】
図９は、サンプルショットの抽出を基板３０の周辺ショットに適用した際の概要を示す説明図である。上述した補間対象ショットＳ−１やサンプルショットＳ−２は、基板３０の周縁よりも内側に配置されたショットであったが、基板３０からはみ出しているチップ領域３３を含むショットにおいても補間対象ショットＳ−４，Ｓ−５になり得る。また、これらの補間対象ショットＳ−４，Ｓ−５を利用してサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を決定することができる。この際、ステップＳ２５の矩形領域３４に対する特徴付けでは、図８に示したテーブル方式の特徴要素のうち基板周辺からの距離において、基板３０に含まれないことを表す値を別途設定する。これにより、図６に示したサンプルショットの抽出ルーチンを利用してサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を抽出することができる。また、補間対象ショットＳ−４，Ｓ−５は、その一部のチップ領域３３が有効であることから、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３を決定する際の特徴は対応するチップ領域３３において行うのが望ましい。なお、補間対象ショットＳ−４，Ｓ−５は同時に指定されているものではない。
【００３６】
このように、本実施形態では、未硬化樹脂材料３１の塗布分布の算出に用いるサンプルショットを、次の基板３０を処理する前に自動抽出することができる。これにより、これまで環境内の影響が異なるショット毎に個別に塗布分布を生成・補間していたことに較べて、塗布分布を補間するショットを減らすことができ、塗布分布の生成工程における作業負荷を低減することができる。また、再補間が必要であると想定される補間対象ショットＳ−１を選択すると、その補間対象ショットＳ−１を補間するに適したサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を抽出し、そのサンプルショットＳ−２，Ｓ−３に近づくように塗布分布を補間することができる。ところで、図６に示したサンプルショットの抽出ルーチンは、インプリント装置本体１０に含まれる主制御部４０やコンソール制御部４６で行うだけでなく、サーバ５３を備えた操作ユニット５０で実行することができる。従って、樹脂パターン形成後の製品チェック用コンピュータ等の外部計算機でサンプルショットの抽出を行い、その抽出結果を、通信ネットワーク６２を介して、コンソール制御部４６に反映して主制御部４０で塗布分布を補間してもよい。
【００３７】
（第２実施形態）
図１０は、本発明のインプリント装置１０の第２実施形態を示し、基板１０の全ショットを対象としてサンプルショットを抽出する際の説明図である。第１実施形態では、図６のステップＳ２１において、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３を抽出する補間対象ショットＳ−１を利用者が指定して行っていた。しかしながら、基板３０を処理する毎に再補間を行う本発明では、再補間をするほど、次にどのショットを補間対象ショットとするのか利用者では判断が難しくなる。そこで、第２実施形態では、補間対象ショットの塗布分布を補間するためのサンプルショットを抽出する際、補間対象ショットを指定するのではなく、自動で抽出するようにしたものである。
【００３８】
図１０においては、全ショットを対象としたサンプルショットの抽出を行った結果、サンプルショットＳ−３，Ｓ−４とを抽出したことを表している。この際、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３の未硬化樹脂材料３１の塗布分布を所定条件として、これら以外の全ショットの未硬化樹脂材料３１の塗布分布を補間することが可能である。補間対象ショットＳ−６，Ｓ−７は、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３の塗布分布に基づいて生成された塗布分布によって形成されたものである。例えば、補間対象ショットＳ−６の場合では、基板３０の周辺に近接した図示上辺付近と左辺付近の各領域においては、サンプルショットＳ−３の基板３０の周辺に近接した右辺付近の領域の塗布分布が利用されている。また、補間対象ショットＳ−６では、基板３０の中心に近い図示右下付近の領域においては、基板３０の中央付近に位置するサンプルショットＳ−２の塗布分布が利用される。これにより、補間対象ショットＳ−６の樹脂パターンをサンプルショットＳ−２，Ｓ−３の樹脂パターンに近づけることができる。なお、補間対象ショットＳ−６の場合では、基板３０の周辺に近接した図示上辺付近の塗布分布は、サンプルショットＳ−３の図示右辺付近の塗布分布を９０度反時計周り方向に回転させたデータを主制御部４０で生成することで対応が可能である。同様に、補間対象ショットＳ−６の場合では、基板３０の周辺に近接した図示左辺付近の塗布分布は、サンプルショットＳ−３の図示右辺付近の塗布分布を１８０度反時計周り方向に回転させたデータを主制御部４０で生成することで対応が可能である。さらに、補間対象ショットＳ−６の基板３０の周辺に近接した図示上辺付近と左辺付近の交差する部分の塗布分布は、上述した９０度又は１８０度回転させたデータの一方を用いる。
【００３９】
図１１は、基板３０の全ショットを対象としたサンプルショットの抽出動作ルーチンを示すフローチャートである。図１１に示したルーチンと図６に示した第１実施形態の抽出ルーチンとの違いは、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３を抽出する矩形領域３４を、指定された補間対象ショットＳ−１に含まれたものに限定するか、全ショットに含まれたものにするかである。
【００４０】
具体的には、ステップＳ２１で存在したような、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３の抽出対象を指定する処理が含まれない。即ち、ステップＳ３１では、ステップＳ２２と同様に、主制御部４０は、基板３０の全ショットのショットレイアウト情報を取得する。ステップＳ３２では、ステップＳ２３と同様に、主制御部４０は、型２０の型情報を取得する。ステップＳ３３では、ステップＳ２４と同様に、主制御部４０は、基板３０のプロセス情報を取得する。ステップＳ３４では、ステップＳ２５と同様に、主制御部４０は、基板３０に配置された全ショットを複数の矩形領域３４に分解し、その矩形領域３４の各々に特徴付けを行う。
【００４１】
ステップＳ３６では、ステップＳ２６と同様に、主制御部４０は、補間対象ショットＳ−１の矩形領域３４の特徴を含んだサンプルショットを一次抽出するサンプルショット一次抽出ステップ処理を行い、ステップＳ３７へと移行する。但し、ステップＳ２６においては、補間対象ショットＳ−１の矩形領域３４が有する特徴を含むショットの抽出を行っていた。一方、ステップＳ３６では、全ショットを候補としてサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を抽出する。すなわち、全ショットの矩形領域３４に含まれる特徴の全てを含むショットを抽出する点で違いがある。具体的には、ステップＳ２６で指定された補間対象ショットＳ−１は、図７に示すように、特徴Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを含んでいた。そして、ステップ２６では、補完対象ショットＳ−１の特徴Ｄを含んだサンプルショットＳ−２と、補完対象ショットＳ−１の特徴Ａ，Ｂ，Ｃを含んだサンプルショットＳ−３とを抽出した。これに対し、ステップＳ３６では、補完対象ショットＳ−１の全ての特徴Ａ，Ｂ，Ｃ，Ｄを含んだサンプルショットが一次抽出される。
【００４２】
ステップＳ３７では、ステップＳ２７と同様に、主制御部４０は、ステップＳ３６で一次抽出したサンプルショットから、最終的なサンプルショットへとショット数を減らすサンプルショット抽出ステップ処理を行ってこのルーチンを終了する。具体的には、ステップＳ３６で抽出した複数のサンプルショットから、全ショットの矩形領域３４の特徴を全て含むサンプルショットの組み合わせで、最も、サンプルショット数が少ない組を抽出する。そして、ここで抽出したものが最終的なサンプルショットＳ−２，Ｓ−３となる。
【００４３】
なお、上述したルーチンは、サンプルショットの抽出に関するものであるが、第２実施形態における補間対象ショットＳ−６，Ｓ−７の抽出は、ステップＳ３１の直前に、ステップＳ３６の矩形領域３４の特徴付けルーチンと同様の特徴付け処理を行う。すなわち、主制御部４０は、全ショットの各矩形領域３４が有する特徴の区分が異なるショットのうち、矩形領域３４の数が最も多いショットを補間対象ショットＳ−６，Ｓ−７に指定する補間対象ショット指定ステップ処理を行う。これにより、一番ランクの低いものを優先して補間対象ショットとして抽出することができる。補間後の補間対象ショットＳ−６，Ｓ−７の樹脂パターンは、前回処理した基板３０のショットの樹脂パターンよりも精度が向上されていると考えられる。したがって、次の基板３０を処理する際には、今回補間対象としたショットとは異なるショットが補間対象ショットとして抽出される。
【００４４】
このように、第２実施形態では、基板３０に配置された全ショットの未硬化樹脂材料３１に対する塗布分布を算出するために用いるショットを、事前に抽出することができる。これにより、これまで環境内の影響が異なるショット毎に、個別に塗布パターンを生成したいたことに較べて、塗布パターン３２を生成するショットを減らすことができ、塗布分布の生成工程における作業負荷を低減することができる。
【００４５】
（第３実施形態）
図１２は、モニタ５２に表示される補間対象ショットＳ−１の選択画面又はサンプルショットＳ−２，Ｓ−３の抽出画面を示す説明図である。モニタ５２は上下左右に表示分割（三分割）され、左上表示エリアを基板表示エリア５２ａ、右上表示エリアをショット表示エリア５２ｂ、下表示エリアを操作ボタン表示エリア５２ｃとしている。各表示エリア５２ａ，５２ｂ，５２ｃの表示画像はコンソール制御部４６により生成された画像データである。基板表示エリア５２ａは、ここでは基板３０と全ショットとを表示している。この際、コンソール制御部４６は、補間対象ショットＳ−１とサンプルショットＳ−２，Ｓ−３とは、その他のショットを含めて利用者が識別可能となるように、模様や色によって表示状態を異ならせる。ショット表示エリア５２ｂには、選択されたショットが拡大表示される。ここでは、基板３０の図示左上のショットＳ−８が表示されている。この際、コンソール制御部４６は、基板表示エリア５２ａのショットＳ−８がショット表示部５２ｂに表示されていることを識別可能とするため、例えば、点滅表示させる。操作ボタン表示部エリア５２ｃには、ショット指示ボタン５２ｄ、全ショット選択ボタン５２ｅ、抽出実行ボタン５２ｆ、樹脂パターン反映ボタン５２ｇ、画面終了ボタン５２ｈ、が表示されている。各エリア５２ａ，５２ｂ，５２ｃのボタン操作等は、入力端末５１（特にマウス）を用いて行う。なお、モニタ５２に液晶タッチパネルを採用し、ダイレクトに選択操作を行えるようにしても良い。
【００４６】
主制御部４０は、基板表示エリア５２ａに基板３０の画像と全ショットの画像とを実際の基板３０とショットとび配置や大きさに合わせた状態で表示する。また、主制御部４０は、利用者が指示アイコン５２ｉを任意のショット（例えば、ショットＳ−８）に合わせた状態で選択操作（クリック操作）をしたら、選択されたショットＳ−８をショット表示エリア５２ｂに拡大表示する。さらに、主制御部４０は、利用者が他のショットを選択操作した場合には、選択されたショットをショット表示エリア５２ｂに切り替え表示する。また、主制御部４０は、ショット表示エリア５２ｂに補完対象ショットＳ−１を表示した場合には、抽出したサンプルショットＳ−２，Ｓ−３に基づいて補間した場合の塗布パターン（または樹脂パターン）を重畳して表示する。主制御部４０は、算出した塗布分布により、未硬化樹脂材料３１の粒毎の配置座標や粒量で構成し、これらを所定の配置や大きさで表示する。
【００４７】
ショット指示ボタン５２ｄが選択操作されると、主制御部４０は、指示アイコン５２ｉと重なるショットの選択操作に連動して補完対象ショットＳ−１として認識する。全ショット選択ボタン５２ｅが選択操作されると、主制御部４０は、第２実施形態で示した補間対象ショットの自動抽出を全ショットに対して実行する。抽出実行ボタン５２ｆが選択操作されると、主制御部４０は、ショット指示ボタン５２ｄで選択（指定）又は全ショット選択ボタン５２ｅで抽出された補間対象ショットＳ−１に対するサンプルショットＳ−２，Ｓ−３の抽出処理を開始する。なお、主制御部４０は、サンプルショットＳ−２，Ｓ−３の抽出処理が完了した際には、基板表示エリア５２ａのショットのうち、抽出されたサンプルショットＳ−２，Ｓ−３が識別可能となるように表示切り替えを行う。また、主制御部４０は、ショット表示エリア５２ｂに抽出されたサンプルショットＳ−２，Ｓ−３を自動的に表示する。さらに、主制御部４０は、複数のサンプルショットＳ−２，Ｓ−３が抽出されている場合には、任意の一つをショット表示エリア５２ｂに自動的に表示する。この際、主制御部４０は、例えば、補完対象ショットＳ−１と一番近い塗布分布を有するサンプルショットＳ−３を優先的に表示するなど、優先順位が予め指定されている場合には、その優先順位に基づいて表示する。塗布パターン反映ボタン５２ｇが選択操作されると、主制御部４０は、ショット表示エリア５２ｂに表示したような塗布分布をサーバ５３に記憶する。なお、主制御部４０は、サーバ５３に記憶した塗布分布のデータを、次の基板３０を処理する際の該当ショットへの塗布分布として使用する。画面終了ボタン５２ｈが選択操作されると、主制御部４０は、次に処理する基板３０に対する際補間処理のために、基板表示エリア５２ａ及びショット表示エリア５２ｂの表示状態をクリアにする。指示アイコン（マウスポインタ）５２ｉは、入力端末５１（マウス）の操作により画面内を移動する。
【００４８】
このように、サンプルショットの抽出処理の作業は、グラフィカルインターフェースを利用することで、直感的かつ簡素にサンプルショットの抽出作業を行うことができ、作業効率を向上することができる。
【００４９】
（物品の製造方法）
物品としてのデバイス（半導体集積回路素子、液晶表示素子等）の製造方法は、上述したインプリント装置を用いて基板（ウエハ、ガラスプレート、フィルム状基板）にパターンを形成する工程を含む。更に、該製造方法は、パターンが形成された基板をエッチングする工程を含みうる。なお、パターンドメディア（記録媒体）や光学素子等の他の物品を製造する場合には、該製造方法は、エッチングの代わりに、パターンが形成された基板を加工する他の処理を含みうる。本実施形態の物品の製造方法は、従来の方法に比べて、物品の性能・品質・生産性・生産コストの少なくとも１つにおいて有利である。
【符号の説明】
【００５０】
１０ インプリント装置
１４ 型駆動部
１７ ディスペンサ
１８ ヘリウムガス射出部
１９ 光源
２０ 型
２１ 型パターン
３０ 基板
３２ 塗布パターン
４０ 主制御部
４３ ディスペンサ制御部
４６ コンソール制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板に配置された複数ショットに樹脂パターンを形成するインプリント方法において、
前記複数ショットにショット単位で未硬化樹脂材料の塗布分布を生成する塗布分布生成ステップと、
前記基板に対する前記複数ショット位置と前記未硬化樹脂材料の供給位置及び前記未硬化樹脂材料の硬化位置との相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数として前記未硬化樹脂材料の塗布分布を補間する補間制御ステップと、
生成・補間された塗布分布で前記複数ショット毎に未硬化樹脂材料を塗布する未硬化樹脂材料供給ステップと、
前記基板に塗布した前記未硬化樹脂材料から所定の塗布パターンを形成する塗布パターン形成ステップと、
塗布パターンを硬化させて樹脂パターンを形成する樹脂パターン形成ステップと、
を実行することを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記塗布分布が生成・補間された後の前記複数ショット毎の樹脂パターンに関するショット情報を記憶すると共に前記複数ショットのうち指定又は抽出された補間対象となる補間対象ショットのショット情報とは異なるショット情報を備えたショットをサンプルショットとして抽出するサンプルショット抽出ステップと、
前記補間対象ショットのショット情報と抽出されたサンプルショットのショット情報とに基づいて、抽出したサンプルショットの樹脂パターンに補間対象ショットの樹脂パターンが近づくように次の塗布分布を再補間する再補間ステップと、
を実行することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
基板に配置される複数ショットにショット単位で塗布する未硬化樹脂材料の塗布分布を補間するためのサンプルショットを抽出するサンプルショット抽出方法であって、
補間が必要とされる補間対象ショットを指定する指定ステップと、
前記基板に配置される全ショットのショットレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得ステップと、
前記基板に対向配置されて前記基板に塗布された前記未硬化樹脂材料をパターン化する型の情報を取得する型情報取得ステップと、
前記基板のプロセス情報を取得するプロセス情報取得ステップと、
前記基板に配置された全ショットを複数の矩形領域に分解したうえで各矩形領域が有する特徴を区分して規定する特徴規定ステップと、
前記補間対象ショットの各矩形領域が有する特徴の少なくとも１つを含んだ他のショットを複数抽出するサンプルショット一次抽出ステップと、
一次抽出した前記複数のサンプルショットを対象として前記補間対象ショットの前記各矩形領域で規定された特徴と同一の特徴を備えた矩形領域が多いショットをサンプルショットとして抽出するサンプルショット抽出ステップと、
を実行することを特徴とするサンプルショット抽出方法。
【請求項４】
基板に配置される複数ショットにショット単位で塗布する未硬化樹脂材料の塗布分布を補間するためのサンプルショットを抽出するサンプルショット抽出方法であって、
前記基板に配置される全ショットのショットレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得ステップと、
前記基板に対向配置されて前記基板に塗布された前記未硬化樹脂材料をパターン化する型の情報を取得する型情報取得ステップと、
前記基板のプロセス情報を取得するプロセス情報取得ステップと、
前記基板に配置された前記全ショットを複数の矩形領域に分解したうえで各矩形領域が有する特徴を区分して規定する特徴規定ステップと、
前記全ショットの前記各矩形領域が有する特徴の区分が異なるショットのうち矩形領域の数が最も多いショットを補間対象ショットに指定する補間対象ショット指定ステップと、
前記補間対象ショットの各矩形領域が有する特徴の少なくとも１つを含んだ他のショットを複数抽出するサンプルショット一次抽出ステップと、
一次抽出した前記複数のサンプルショットを対象として前記補間対象ショットの前記各矩形領域で規定された特徴と同一の特徴を備えた矩形領域が多いショットをサンプルショットとして抽出するサンプルショット抽出ステップと、
を実行することを特徴とするサンプルショット抽出方法。
【請求項５】
基板に配置された複数ショットに樹脂パターンを形成するインプリント装置において、
前記基板に接近・離反可能に対向配置されて前記基板に転写すべき前記樹脂パターンのネガポジ反転像に対応する型パターンが形成されたパターン形成手段と、
前記基板に対して前記パターン形成手段を接近・離反させる駆動手段と、
前記基板に前記未硬化樹脂材料を塗布する未硬化樹脂材料供給手段と、
前記基板に塗布した前記未硬化樹脂材料を前記パターン形成手段の接近によって塗布パターン化した状態で硬化させて前記樹脂パターンを形成する未硬化樹脂材料硬化手段と、
前記複数ショットのショット単位で前記樹脂パターンに対する前記未硬化樹脂材料の塗布分布を生成して前記未硬化樹脂材料供給手段を制御する塗布分布制御手段と、
前記基板に対する前記複数ショット位置と前記未硬化樹脂材料供給手段及び前記未硬化樹脂材料硬化手段との相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数として前記塗布分布制御手段による前記未硬化樹脂材料の塗布分布を補間する補間制御手段と、
を備えていることを特徴とするインプリント装置。
【請求項６】
前記未硬化樹脂材料供給手段から前記基板に前記未硬化樹脂材料を塗布する際に前記未硬化樹脂材料に向かってヘリウムガスを噴射するガス噴射手段を備え、
前記補間制御手段は、前記基板に対する前記複数ショット位置と前記ガス噴射手段との相対位置とを考慮した所定条件に基づいて前記塗布分布制御手段による前記未硬化樹脂材料の塗布分布を補間することを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記塗布分布が生成された後の前記複数ショット毎の樹脂パターンに関するショット情報を記憶すると共に前記複数ショットのうち指定又は抽出された補間対象となる補間対象ショットのショット情報とは異なるショット情報を備えたショットをサンプルショットとして抽出するサンプルショット抽出手段を備え、
前記補間制御手段は、前記サンプルショット抽出手段からのショット情報に基づいて、該当するサンプルショットの樹脂パターンに補間対象ショットの樹脂パターンが近づくように次の塗布分布を補間することを特徴とする請求項５又は６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
請求項１又は２に記載のインプリント方法を用いて基板に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【請求項１】
基板に配置された複数ショットに樹脂パターンを形成するインプリント方法において、
前記複数ショットにショット単位で未硬化樹脂材料の塗布分布を生成する塗布分布生成ステップと、
前記基板に対する前記複数ショット位置と前記未硬化樹脂材料の供給位置及び前記未硬化樹脂材料の硬化位置との相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数として前記未硬化樹脂材料の塗布分布を補間する補間制御ステップと、
生成・補間された塗布分布で前記複数ショット毎に未硬化樹脂材料を塗布する未硬化樹脂材料供給ステップと、
前記基板に塗布した前記未硬化樹脂材料から所定の塗布パターンを形成する塗布パターン形成ステップと、
塗布パターンを硬化させて樹脂パターンを形成する樹脂パターン形成ステップと、
を実行することを特徴とするインプリント方法。
【請求項２】
前記塗布分布が生成・補間された後の前記複数ショット毎の樹脂パターンに関するショット情報を記憶すると共に前記複数ショットのうち指定又は抽出された補間対象となる補間対象ショットのショット情報とは異なるショット情報を備えたショットをサンプルショットとして抽出するサンプルショット抽出ステップと、
前記補間対象ショットのショット情報と抽出されたサンプルショットのショット情報とに基づいて、抽出したサンプルショットの樹脂パターンに補間対象ショットの樹脂パターンが近づくように次の塗布分布を再補間する再補間ステップと、
を実行することを特徴とする請求項１に記載のインプリント方法。
【請求項３】
基板に配置される複数ショットにショット単位で塗布する未硬化樹脂材料の塗布分布を補間するためのサンプルショットを抽出するサンプルショット抽出方法であって、
補間が必要とされる補間対象ショットを指定する指定ステップと、
前記基板に配置される全ショットのショットレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得ステップと、
前記基板に対向配置されて前記基板に塗布された前記未硬化樹脂材料をパターン化する型の情報を取得する型情報取得ステップと、
前記基板のプロセス情報を取得するプロセス情報取得ステップと、
前記基板に配置された全ショットを複数の矩形領域に分解したうえで各矩形領域が有する特徴を区分して規定する特徴規定ステップと、
前記補間対象ショットの各矩形領域が有する特徴の少なくとも１つを含んだ他のショットを複数抽出するサンプルショット一次抽出ステップと、
一次抽出した前記複数のサンプルショットを対象として前記補間対象ショットの前記各矩形領域で規定された特徴と同一の特徴を備えた矩形領域が多いショットをサンプルショットとして抽出するサンプルショット抽出ステップと、
を実行することを特徴とするサンプルショット抽出方法。
【請求項４】
基板に配置される複数ショットにショット単位で塗布する未硬化樹脂材料の塗布分布を補間するためのサンプルショットを抽出するサンプルショット抽出方法であって、
前記基板に配置される全ショットのショットレイアウト情報を取得するレイアウト情報取得ステップと、
前記基板に対向配置されて前記基板に塗布された前記未硬化樹脂材料をパターン化する型の情報を取得する型情報取得ステップと、
前記基板のプロセス情報を取得するプロセス情報取得ステップと、
前記基板に配置された前記全ショットを複数の矩形領域に分解したうえで各矩形領域が有する特徴を区分して規定する特徴規定ステップと、
前記全ショットの前記各矩形領域が有する特徴の区分が異なるショットのうち矩形領域の数が最も多いショットを補間対象ショットに指定する補間対象ショット指定ステップと、
前記補間対象ショットの各矩形領域が有する特徴の少なくとも１つを含んだ他のショットを複数抽出するサンプルショット一次抽出ステップと、
一次抽出した前記複数のサンプルショットを対象として前記補間対象ショットの前記各矩形領域で規定された特徴と同一の特徴を備えた矩形領域が多いショットをサンプルショットとして抽出するサンプルショット抽出ステップと、
を実行することを特徴とするサンプルショット抽出方法。
【請求項５】
基板に配置された複数ショットに樹脂パターンを形成するインプリント装置において、
前記基板に接近・離反可能に対向配置されて前記基板に転写すべき前記樹脂パターンのネガポジ反転像に対応する型パターンが形成されたパターン形成手段と、
前記基板に対して前記パターン形成手段を接近・離反させる駆動手段と、
前記基板に前記未硬化樹脂材料を塗布する未硬化樹脂材料供給手段と、
前記基板に塗布した前記未硬化樹脂材料を前記パターン形成手段の接近によって塗布パターン化した状態で硬化させて前記樹脂パターンを形成する未硬化樹脂材料硬化手段と、
前記複数ショットのショット単位で前記樹脂パターンに対する前記未硬化樹脂材料の塗布分布を生成して前記未硬化樹脂材料供給手段を制御する塗布分布制御手段と、
前記基板に対する前記複数ショット位置と前記未硬化樹脂材料供給手段及び前記未硬化樹脂材料硬化手段との相対位置を考慮したショットレイアウト情報を変数として前記塗布分布制御手段による前記未硬化樹脂材料の塗布分布を補間する補間制御手段と、
を備えていることを特徴とするインプリント装置。
【請求項６】
前記未硬化樹脂材料供給手段から前記基板に前記未硬化樹脂材料を塗布する際に前記未硬化樹脂材料に向かってヘリウムガスを噴射するガス噴射手段を備え、
前記補間制御手段は、前記基板に対する前記複数ショット位置と前記ガス噴射手段との相対位置とを考慮した所定条件に基づいて前記塗布分布制御手段による前記未硬化樹脂材料の塗布分布を補間することを特徴とする請求項５に記載のインプリント装置。
【請求項７】
前記塗布分布が生成された後の前記複数ショット毎の樹脂パターンに関するショット情報を記憶すると共に前記複数ショットのうち指定又は抽出された補間対象となる補間対象ショットのショット情報とは異なるショット情報を備えたショットをサンプルショットとして抽出するサンプルショット抽出手段を備え、
前記補間制御手段は、前記サンプルショット抽出手段からのショット情報に基づいて、該当するサンプルショットの樹脂パターンに補間対象ショットの樹脂パターンが近づくように次の塗布分布を補間することを特徴とする請求項５又は６に記載のインプリント装置。
【請求項８】
請求項１又は２に記載のインプリント方法を用いて基板に樹脂のパターンを形成する工程と、
前記工程で前記パターンを形成された基板を加工する工程と、
を有することを特徴とする物品の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【公開番号】特開２０１２−４３５４（Ｐ２０１２−４３５４Ａ）
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−１３８２０６（Ｐ２０１０−１３８２０６）
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年１月５日（２０１２．１．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年６月１７日（２０１０．６．１７）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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