エネルギー貯蔵デバイス用電極及びその製造方法
式（１ａ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むエネルギー貯蔵デバイス用電極。これにより、エネルギーレベルを高密度化することができる結果、デバイスの小型軽量化が可能なエネルギー貯蔵デバイス用電極を提供することができる。
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基等を表し、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基等を表し、Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−等を表し、ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。）。
（式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基等を表し、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基等を表し、Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−等を表し、ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。）。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エネルギー貯蔵デバイス用電極及びその製造方法に関し、さらに詳述すると、アミノキノキサリン重合体を電極活物質として含むエネルギー貯蔵デバイス用電極及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エネルギー貯蔵デバイスの１つとして知られる電気二重層キャパシタは、一般的に多孔質材料を含む一対の分極性電極、セパレータ及び電解質溶液などから構成される。この電気二重層キャパシタは、電極界面におけるイオンの移動により発生する電気二重層に起因する電気エネルギーを充放電機構として利用するデバイスであり、電極活物質の電気化学反応を伴わないことから、二次電池のような寿命を持たない上、瞬時充放電特性に優れ、広い温度範囲で安定した充放電特性を示し、かつ繰り返しによる性能低下が少ないという特性を有している。
【０００３】
従来、電気二重層キャパシタの静電容量は、分極性電極の表面積と比例的な関係にあるとされ、比表面積の大きな多孔質材料を分極性電極に使用することで、これを高める検討がなされてきた。
すなわち、分極性電極は、一般的に、炭素質材料等の多孔質材料、導電補助材であるアセチレンブラック、結着材であるフッ素系ポリマーまたはゴム系ポリマーを混練して得られる電極用組成物を集電板に貼り付けることで作製されるものであるが、例えば、炭素質材料として、高い導電性を示すとともに電気化学的に比較的安定な比表面積の大きい活性炭（多孔質炭素材料）を使用することで、静電容量を高める試みがなされてきた。
具体的には、石炭、石炭コークス、ヤシ殻、木粉、樹脂などの炭素質原料に、水蒸気，空気，酸素，ＣＯ2などの酸化性ガス、または塩化亜鉛，水酸化カリウムなどの薬品により細孔を形成する賦活化（多孔質化）処理を施して得られる比表面積の大きい活性炭が用いられている。
【０００４】
ところで、近年、電子機器、電気自動車などの開発が進展するにつれて、電気二重層キャパシタを初めとしたエネルギー貯蔵デバイスの基本設計も変わりつつある。
例えば、電気二重層キャパシタにおいては、エネルギーを高密度化して小型軽量化を図る必要があることから、多孔質材料の単位質量当りの静電容量（Ｆ／ｇ）だけでなく、単位体積当りの静電容量（Ｆ／ｃｍ3）も向上させるなどの工夫をする必要が出てきている（特許文献２：特開２０００−６８１６４号公報、特許文献３：特開２０００−１００６６８号公報、特許文献５：特開平１１−２１４２７０号公報参照）。
【０００５】
多孔質材料（分極性電極）の単位質量当たりの静電容量は、上述のように比表面積の大きな多孔質材料を使用することで、高めることができる。
しかし、比表面積の増加に伴い、多孔質材料の密度（充填）は低下するため、単位体積当りの静電容量は、必ずしも比表面積の増加と比例的な関係にはない。それどころか、比表面積がある程度以上に大きくなると、単位体積当りの静電容量はむしろ低下する傾向にあることが知られている。
このように多孔質材料の比表面積の増加を図るという手法のみでは、電気二重層キャパシタの静電容量を増加させることには限界があり、近年要求されるレベルのエネルギーの高密度化を図ることは困難であった（特許文献１：特開平１１−３１７３３３号公報、特許文献４：特開平１１−２９７５７７号公報参照）。
【０００６】
一方、電極活物質として導電性高分子を用いたポリマー電池又はキャパシタ等のエネルギー貯蔵デバイスの開発がなされている。
正極・負極とも同種の導電性高分子を使用する場合、正負極の酸化・還元電位に依存している反応電位を広くすることには限界があり、高い電圧で動作するポリマー電池又はキャパシタを作製することは一般的に困難であった。
ポリチオフェンは、参照極に銀／酸化銀電極を用いて測定した場合、酸化側で約０．７Ｖ、還元側で約２．３Ｖの位置にそれぞれＨＯＭＯ及びＬＵＭＯが観察される物質である。このため、正負極とも同種の導電性高分子で広い電位活性を示すことが期待でき、ポリチオフェンを用い、電圧範囲が広い電極を得る検討が行われている（非特許文献１：ジャーナル パワーソース）。
【０００７】
また、正極及び負極に用いる導電性高分子の種類を異なるものとし、より酸化され易い導電性高分子と、より還元され易い導電性高分子とをそれぞれ正極及び負極に用いることで、広い電圧範囲で使用でき、しかも容量が高いポリマー電池又はキャパシタが開発されている（特許文献６：特開２００２−１３４１６２号公報）。この技術では、正極活物質として、ポリ−５−シアノインドールが、負極活物質として、ポリフェニルキノキサリンが使用されている。
しかし、このエネルギー貯蔵デバイスは、上述のように正負極で異なる分子を用いる必要があるので、生産性の面で欠点を有していることから、正負両極に使用でき、広い電位活性を示す電極活物質となり得る導電性高分子化合物の開発が望まれている。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−３１７３３３号公報
【特許文献２】特開２０００−６８１６４号公報
【特許文献３】特開２０００−１００６６８号公報
【特許文献４】特開平１１−２９７５７７号公報
【特許文献５】特開平１１−２１４２７０号公報
【特許文献６】特開２００２−１３４１６２号公報
【非特許文献１】ジャーナル パワーソース、４７巻、８９頁、１９９４年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、エネルギーレベルを高密度化することができる結果、デバイスの小型軽量化を図ることのできるエネルギー貯蔵デバイス用電極及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、新規なアミノキノキサリン化合物を重合させてなる導電性高分子を電極活物質として含む電極が、当該高分子化合物の酸化還元反応及び当該高分子化合物表面に発生する電気二重層の両者をエネルギー源として用いることが可能となるため、従来の活性炭を主成分とする電極を用いたデバイスよりも高容量の蓄電が可能となることを見出し、本発明を完成した。
【００１１】
すなわち、本発明は、
１． 式（１ａ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１】
〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ1とＲ2とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ3とＲ4とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表す。Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）、ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。〕
２． 前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（２）で表されることを特徴とする１のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化２】
（式中Ｒ7〜Ｒ11は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
３． 前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（３）で表されることを特徴とする１記のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化３】
（式中Ｒ12〜Ｒ18は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
４． 前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（４）で表されることを特徴とする１のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化４】
（式中Ｒ19〜Ｒ21は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。Ａ1はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
５． 前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（５）で表されることを特徴とする１のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化５】
（式中Ｒ22は、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、Ｒ23〜Ｒ26は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
６． 前記Ｒ5が、式（６）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化６】
（式中Ｒ27〜Ｒ30は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
７． 前記Ｒ5が、式（７）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化７】
（式中Ｒ31〜Ｒ32は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。Ｗ1はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
８． 前記Ｒ5が、式（８）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化８】
（式中Ｒ33〜Ｒ34は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。Ｑ1はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
９． 前記Ｒ5が、式（９）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化９】
（式中Ｒ35〜Ｒ40は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
１０． 前記Ｒ6が、式（１０）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１０】
（式中Ｒ41〜Ｒ44は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
１１． 前記Ｒ6が、式（１１）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１１】
（式中Ｒ45〜Ｒ46は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。Ｗ2はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
１２． 前記Ｒ6が、式（１２）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１２】
（式中Ｒ47〜Ｒ48は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。Ｑ2はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
１３． 前記Ｒ6が、式（１３）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１３】
（式中Ｒ49〜Ｒ54は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
１４． 前記Ｒ1とＲ2とが単結合で結合して形成される基が、式（１４）で表されることを特徴とする１のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１４】
（式中Ａ2はＣ又はＮを表し、Ｒ55〜Ｒ62は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。ただし、Ａ2がＮのとき、Ｒ58及びＲ59は存在しない。）
１５． 式（１ｂ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１５】
〔式中、Ｒ1'及びＲ2'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表す。Ｒ3、Ｒ4、Ｘ1、Ｙ、Ｚ及びｎは上記と同じ。〕
１６． 式（１ｃ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１６】
〔式中、Ｒ3'及びＲ4'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよい。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ'、Ｘ1、Ｙ、Ｚ及びｎは上記と同じ。
１７． 式（１ｄ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１７】
（式中、Ｒ1'、Ｒ2'、Ｒ3'、Ｒ4'、Ｘ1及びｎは上記と同じ。）
１８． 前記Ｒ1'及びＲ2'が一緒になって形成される基が、式（１５）で表されることを特徴とする１５又は１７のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１８】
（式中Ａ3はＯ又はＳを表し、Ｒ63〜Ｒ66は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
１９． 前記Ｒ3'及びＲ4'が一緒になって形成される基が、式（１６）で表されることを特徴とする１６又は１７のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１９】
（式中Ａ4はＯ又はＳを表し、Ｒ67〜Ｒ70は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
２０． 前記Ｒ3'及びＲ4'が一緒になって形成される基が、式（１７）で表されることを特徴とする１６又は１７のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化２０】
（式中Ｒ71及びＲ72は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは上記と同じ。）
２１． １〜２０のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極を備えることを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス、
２２． 前記式（１ａ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする１のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
２３． 前記式（１ｂ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする１５のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
２４． 前記式（１ｃ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする１６のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
２５． 前記式（１ｄ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする１７のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
２６． 式（１８ａ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする１のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
【化２１】
〔式中、Ｘ2は、−ＮＨ−Ｒ73−ＮＨ2又は−ＮＨ−Ｒ74を表し、Ｒ73は、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表し、Ｒ74は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＹは上記と同じ。〕
２７． 式（１８ｂ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする１５のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
【化２２】
（式中、Ｒ1'、Ｒ2'、Ｒ3、Ｒ4及びＸ2は上記と同じ。）
２８． 式（１８ｃ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする１６のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
【化２３】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3'、Ｒ4'及びＸ2は上記と同じ。）
２９． 式（１８ｄ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする１７のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
【化２４】
（式中、Ｒ1'、Ｒ2'、Ｒ3'、Ｒ4'及びＸ2は上記と同じ。）
を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のエネルギー貯蔵デバイス用電極の電極活物質として用いられている上記式（１ａ）〜（１ｄ）で示されるポリアミノキノキサリン化合物は、優れた耐熱性を有し、プロトン移動を伴う電気化学的酸化還元を容易にコントロールでき、かつサイクル性に富むものである。
また、上記ポリアミノキノキサリン化合物は、その一分子内に電子受容性部と電子供与性部とを併せ持っているため、正極・負極のどちらにでも使用できるだけでなく、広い電位活性を示す導電性高分子化合物である。
このポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として使用した本発明のエネルギー貯蔵デバイス用電極を備えて構成されるデバイスは、高容量の蓄電が可能となる。
特に電気二重層キャパシタ用電極として用いた場合、電極活物質の酸化還元反応とその表面に発生する電気二重層の両者がエネルギー源として機能するため、従来の活性炭のみの電気二重層キャパシタより高容量の蓄電が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に係るエネルギー貯蔵デバイス用電極は、上記式（１ａ）〜（１ｄ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするものである。
まず、式（１ａ）〜（１ｄ）で示されるポリアミノキノキサリン化合物、又は式（１８ａ）〜（１８ｄ）で示されるアミノキノキサリン化合物について説明する。
これら各式において、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ1とＲ2とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表す。
【００１４】
Ｒ1'及びＲ2'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表す。
具体的には、例えば、下記式（２）〜（５）、（１４）及び（１５）で示される基などが挙げられる。
【００１５】
【化２５】
【００１６】
また、アミノキノキサリン化合物の溶解性を考慮した場合、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ1'及びＲ2'は、さらに置換基Ｙで置換されていることが好ましく、この置換基Ｙとしては、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基又はＣ1〜Ｃ10アルコキシ基が好適であり、Ｃ1〜Ｃ5アルキル基又はＣ1〜Ｃ5アルコキシ基がより好ましい。
さらに、ポリアミノキノキサリン化合物の電気特性という点から、Ｒ1とＲ2とが単結合で結合して上記式（１４）を形成したものが好適であり、特に、式（１４）中、Ａ2が炭素原子であるものが好ましい。
一方、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ3とＲ4とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表す。
【００１７】
Ｒ3'及びＲ4'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよい。Ｚは上記と同じである。
【００１８】
Ｒ3（Ｒ3'）及びＲ4（Ｒ4'）が、アルキル基（アルキレン基）及びアルコキシル基（アルキレンオキシ基）の場合、導電率を考慮すると、それらの炭素数は、１〜５であることが好ましい。また、酸化還元電位を良好にするという点から、Ｒ3及びＲ4は、フェニル基、ナフチル基又はチエニル基が好ましい。さらに、電気特性という点から、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ3'及びＲ4'も、さらに置換基Ｙで置換されていることが好ましい。置換基Ｙとしては、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基が好ましく、Ｃ1〜Ｃ5アルキル基又はＣ1〜Ｃ5アルコキシ基がより好ましい。具体的には、上記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ1'及びＲ2'で例示した（２）〜（５）、（１４）で示されるものに加え、例えば、下記（１６）及び（１７）で示される基などが挙げられる。
【００１９】
【化２６】
【００２０】
また、上記式（１ａ）〜（１ｄ）において、Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、これらＲ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環である。具体的には、例えば、下記式（６）〜（１３）で示される基などが挙げられる。
【００２１】
【化２７】
【００２２】
上記式（１８ａ）〜（１８ｄ）において、Ｘ2は、−ＮＨ−Ｒ73−ＮＨ2又は−ＮＨ−Ｒ74を表し、Ｒ73は、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環であり、Ｒ74は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基である。
【００２３】
上記Ｒ5、Ｒ73及びＲ74は、酸化還元電位を良好にするという点から、特に、２価のベンゼン環、２価のナフタレン環又は２価のチオフェン環が望ましい。また、ポリアミノキノキサリン化合物からなる膜等の電気特性を安定に保つという点から、これらの環状置換基は、さらに置換基Ｙで置換されていることが好ましい。
Ｒ6についても、酸化還元電位を良好にするという点から、フェニル基、ナフチル基又はチエニル基が好ましい。
なお、ポリアミノキノキサリン化合物からなる膜等のアモルファス性を安定に保つという点から、これらのＲ5、Ｒ6、Ｒ73及びＲ74は、さらに置換基Ｙで置換されていることが好ましい。これらの場合も、置換基Ｙとしては、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基が好ましく、Ｃ1〜Ｃ5アルキル基又はＣ1〜Ｃ5アルコキシ基がより好ましい。
【００２４】
また、式（１）で示されるポリアミノキノキサリン化合物の分子量は特に限定されるものではないが、重量平均分子量として１，０００〜１００，０００、特に４，０００〜５０，０００であることが好ましい。このことから、上記式（１）におけるｎは、２以上の正の整数であるが、ポリアミノキノキサリン化合物を上記重量平均分子量の範囲とする数であることが好ましく、例えば、ｎ＝２〜４００とすることができる。
【００２５】
なお、上記各式において、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、ｓ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、２−エチルプロピル、２，２−ジメチルプロピル、１，２−ジメチルプロピル、１，１，２−トリメチルプロピル、１，２，２−トリメチルプロピル、１−エチル−１−メチルプロピル、１−エチル−２−メチルプロピル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１，１−ジメチルブチル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、２，２−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、３，３−ジメチルブチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル及び４−メチルペンチル等があげられる。なお、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基としては、上記各アルキル基の水素原子を１つ外してなる基が挙げられる。
【００２６】
Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基としては、上記各アルキル基の水素原子の少なくとも１つが、ハロゲン原子で置換されてなる基が挙げられる。なお、ハロゲン原子は、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素原子のいずれでもよい。
Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基としては、上記各アルキル基の水素原子の少なくとも１つが、シアノ基で置換されてなる基が挙げられる。
縮合ヘテロアリール基としては、チエノ［３，４−ｂ］ピラジン−５−イル、フロ［３，４−ｂ］ピラジン−５−イル及び６Ｈ−ピロロ［３，４−ｂ］ピラジン−５−イル等が挙げられる。
【００２７】
Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、１，１−ジメチルプロポキシ、１，２−ジメチルプロポキシ、２，２−ジメチルプロポキシ、１−エチルプロポキシ、１，１，２−トリメチルプロポキシ、１，２，２−トリメチルプロポキシ、１−エチル−１−メチルプロポキシ、１−エチル−２−メチルプロポキシ１−メチルブトキシ、２−メチルブトキシ、３−メチルブトキシ、１−エチルブトキシ、２−エチルブトキシ、１，１−ジメチルブトキシ、１，２−ジメチルブトキシ、１，３−ジメチルブトキシ、２，２−ジメチルブトキシ、２，３−ジメチルブトキシ、３，３−ジメチルブトキシ、１−メチルペンチルオキシ、２−メチルペンチルオキシ、３−メチルペンチルオキシ及び４−メチルペンチルオキシ等が挙げられる。
上記において、ｎはノルマルを、ｉはイソを、ｓはセカンダリーを、ｔはターシャリーをそれぞれ表す。
【００２８】
上記式（１ａ）〜（１ｄ）で示される化合物としては、例えば、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２９】
【化２８】
【００３０】
【化２９】
【００３１】
【化３０】
【００３２】
【化３１】
【００３３】
【化３２】
【００３４】
【化３３】
【００３５】
次に、式（１８ａ）〜（１８ｄ）（式（１ａ）〜（１ｄ））で表される化合物のうち、式（１８ａ）（式（１ａ））で表される化合物を例に挙げて、その合成法について説明する。この化合物は、下記式（１９）で表される５−アミノキノキサリン化合物を原料として合成することができる。
【００３６】
【化３４】
（式中、Ｒ1〜Ｒ4は、上記式（１ａ）と同じ。）
【００３７】
具体的な合成法としては、特に限定されるものではなく、ジャーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサイエティ・パーキン・トランサクションズ Ｉ（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．Ｉ）、１９８８年，１３３１−１３３５頁、ケミストリ・レターズ（Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．）、１９９７年，１１８５−１１８６頁に記載されている方法を用いることができる。
例えば、対応する５−アミノキノキサリン化合物を適当な溶媒に溶解し、適当な塩基存在下でニトロフルオロベンゼンと室温で反応させ、さらにＰｄ／Ｃ存在下で水素添加反応させることによりＲ5にフェニル環を導入した目的化合物を合成できる。また、Ｒ6にチエニル基を有する目的化合物は、５−アミノキノキサリン化合物を適当な溶媒に溶解させ、Ｐｄ2（ｄｂａ）3、ＢＩＮＡＰをそれぞれ触媒量添加し、適当な塩基存在下で２−ブロモチオフェンと反応させることで合成できる。
【００３８】
なお、上記式（１９）の５−アミノキノキサリン化合物の合成法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．）、１９５７年、７９巻、２２４５−２２４８頁、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、１９６６年、３１巻、３３８４−３３９０頁に記載されている方法を用いることができる。
【００３９】
式（１ａ）で示されるポリアミノキノキサリン化合物の製造法としては、特に限定されるものではなく、式（１８ａ）のアミノキノキサリン化合物を任意の手法により重合法させて製造することができ、例えば、化学酸化重合、電解酸化重合、触媒重合等を用いることができ、多くの場合、重合体を電極表面に形成できるという点から、化学酸化重合、電解酸化重合が好ましく、特に、電解酸化重合が好適である。
化学酸化重合に用いられる酸化剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、過硫酸アンモニウム、テトラアンモニウムパーオキサイド、塩化鉄、硫酸セリウム等が挙げられる。
【００４０】
電解酸化重合の具体的手法としては、例えば、式（１８ａ）で示されるモノマーに、酸化剤を添加して充分に攪拌した後、有機溶媒を加えて均一な溶液とし、この溶液中のモノマーを白金メッシュ対極等を備えた三極式ビーカー型セルなどを用いて電解重合させればよい。
電解重合は、例えば、試験極基板として表面をエメリーペーパーなどにより傷つけた白金板を、参照極としてＡｇ／Ａｇ+を使用し、電気化学測定システムにより電解重合を行う。電解重合の具体的手法としては、例えば、電位掃引法、定電位法を用いることができる。これにより、目的とする高分子化合物は、電極上で膜状に析出することになる。
【００４１】
電解酸化重合に用いられる酸化剤としては、例えば、塩酸、硫酸、過塩素酸、トリフルオロメタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等が挙げられ、中でも過塩素酸が好適である。
また、有機溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジクロロメタン、ジメチルスルホキシド、メタノール、エタノール等が挙げられ、特に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いることが好ましい。
【００４２】
以上説明した式（１ａ）〜（１ｄ）で示されるポリアミノキノキサリン化合物は、その優れた電気化学特性を利用してエネルギー貯蔵デバイスの活物質、特に電極活物質などに好適に利用できる。この場合、ポリアミノキノキサリン化合物自体が導電性を示すため、電極界面における接触抵抗を下げる効果が期待できる。
式（１ａ）〜（１ｄ）で示されるポリアミノキノキサリン化合物を含むエネルギー貯蔵デバイス用電極を作製する手法としては、特に限定されるものではなく、上述した式（１８ａ）〜（１８ｄ）のモノマーを、それぞれ電極上で電解酸化重合して式（１ａ）〜（１ｄ）で表される化合物を膜状に析出させて電極を作製することができる。
また、ポリアミノキノキサリン化合物は、蒸着法、スピンコート法、ディッピング法、キャスト法、スクリーン印刷法等により容易に薄膜化することができ、これらの手法を用いて、電極表面をポリアミノキノキサリン化合物含有薄膜で被覆する等により、電極を作製することもできる。
【００４３】
特に、式（１ａ）〜（１ｄ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を含むコーティング用組成物を調製し、これを集電板電極上に塗布積層する方法を用いることで、ポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含む電極を簡便にかつ容易に作製することができる。
ここで、ポリアミノキノキサリン化合物を含むコーティング組成物の構成成分としては、特に限定されるものではなく、例えば、ポリアミノキノキサリン化合物、成膜性を向上させるための高分子材料、及び分散剤等を含む組成物を用いることができる。組成物中におけるポリアミノキノキサリン化合物の含有量としては、例えば、５０〜９０質量％程度とすることができる。
なお、この組成物中には、必要に応じて、熱安定剤、光安定剤、充填剤、強化剤等の添加剤を適宜配合することができる。
【００４４】
以上で説明したエネルギー貯蔵デバイス用電極では、ポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質は、電解重合や塗布等により、電極表面に付着している態様のみであったが、これに限定されるものではない。例えば、予めポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を混合してなる電極用組成物を用いて、電極を作製することもできる。
【００４５】
本発明のエネルギー貯蔵デバイス用電極は、電気二重層キャパシタ、リチウムイオン電池、プロトンポリマー電池、ニッケル水素電池、鉛蓄電池等の各種エネルギー貯蔵デバイスに好適に使用することができ、中でも、電気二重層キャパシタ、リチウムイオン電池、プロトンポリマー電池用の電極として用いることが好ましい。
特に、電気二重層キャパシタ用の電極として用いると、当該電極活物質の酸化還元反応とその表面に発生する電気二重層の両者をエネルギー源とすることができるので、従来の活性炭のみの電気二重層キャパシタより高容量の蓄電が可能となるものである。
【実施例】
【００４６】
以下、合成例、実施例及び比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、以下において、ＮＭＲデータは、日本電子（株）製のＪＮＭ−ＥＣＰ２００を用いて、ＭＳデータは、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｂｉｏｓｙｓｔｅｍｓ社製のＶｏｙａｇｅｒ ＤＥ Ｐｒｏにより測定した。
【００４７】
［合成例１］２，３−ジヒドロキシ−５−アミノキノキサリンの合成
以下の（１）〜（３）の方法で合成した。
（１）２，３−ジアミノニトロベンゼンの合成
【化３５】
【００４８】
市販の１−アミノ−２，５−ジニトロベンゼン１４ｇをメタノール２２５ｍｌに溶解し、これに硫化ナトリウム６０ｇ、炭酸水素ナトリウム２１ｇを水２４０ｇに溶解したものを、滴下ロートを用いて反応温度６０℃に保ったまま添加した。添加終了後さらに６０℃で１時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、濾過した。
ｍ／ｚ：（ＦＤ＋）１５３（計算値１５３．１３９６）
1Ｈ−ＮＭＲ：７．７２２８，７．７２０３，７．７０２６，７．２４３３，６．９２４５，６．６２０９，６．６０６３，６．６０３８，６．５８８６，５．９２１０，３．３９７８ｐｐｍ．
収量：７．７９ｇ（６６．５％）
性状：赤褐色微細結晶
融点：１４０℃
【００４９】
（２）２，３−ジヒドロキシ−５−ニトロキノキサリンの合成
【化３６】
【００５０】
２，３−ジアミノニトロベンゼン４ｇ（２６．１２ｍｍｏｌ）と市販の蓚酸２水和物６．５９ｇ（５２．２４ｍｍｏｌ）を５０％酢酸に溶解し、アルゴン気流下、沸点で３時間反応させた。反応終了後室温まで冷却し、析出した結晶を濾過した。
収量：３．０１ｇ（５５．６％）
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：２０７（計算値２０７．１４４）
【００５１】
（３）２，３−ジヒドロキシ−５−アミノキノキサリンの合成
【化３７】
【００５２】
２，３−ジヒドロキシ−５−ニトロキノキサリン２．００ｇをメタノール／ジオキサン１：１溶媒１００ｇに溶解した後、反応系を充分にアルゴン置換し、これに５％Ｐｄ／Ｃ（含水）１．００ｇ添加した。その後、系を水素置換し、室温で２０時間反応した。反応終了後、水１３０ｍｌに炭酸カリウム６．００ｇ溶解させたものに反応物を分散させ、生成物を溶解させた。濾過後得られた溶液に３５％塩酸を徐々に添加し析出物を得た。
収量：１．１０ｇ
性状：淡黄色微細結晶
ｍ／ｚ（ＦＤ＋）：１７７（計算値１７７．１６１６）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５５．８０３０，１５５．６５０４，１３５．９５７０，１２６．８３９０，１２４．１３０３，１１２．３２６５，１０９．６０２５，１０３．８４１８ ｐｐｍ．
【００５３】
［合成例２］２，３−ジフェニル−５−アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２．３−ジフェニル−５−ニトロキノキサリンの合成
【００５４】
【化３８】
【００５５】
２，３−ジアミノニトロベンゼン１．５３ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ｂｅｎｚｉｌ ２．００ｇ（９．６ｍｍｏｌ）を４つ口フラスコに入れ、これに酢酸：メタノール＝１：１溶媒３０ｇを加え溶解させた。その後反応温度７０℃で２時間反応させた。反応後溶媒を除去し、生成物をシリカゲルカラムで抽出した（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）。
収量：２．１１ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：３２７（計算値３２７．２４）
【００５６】
（２）２，３−ジフェニル−５−アミノキノキサリンの合成
【化３９】
【００５７】
２．３−ジフェニル−５−ニトロキノキサリン１．０４ｇをジオキサン３０ｇに溶解し、アルゴン置換した後、５％Ｐｄ／Ｃ（含水）０．５ｇを添加した。再度アルゴンで充分に置換した後、水素を添加し、室温で３０時間反応させた。反応終了後、濾過して反応溶媒を除去した後、シリカゲルカラムで分離精製した（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）。
収量：０．７３ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：２９７（計算値Ｍ：２９７．３６）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５３．６０５５，１５０．１１８５，１４４．２２８０，１４１．９６１９，１３９．４５１６，１３９．３５２４，１３１．１３４８，１３０．０８９４，１２９．９３６８，１２８．７６９４，１２８．６４７３，１２８．３４９７，１２８．１７４３，１１７．２０９８，１１０．２５１１ ｐｐｍ．
【００５８】
［合成例３］２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−ニトロキノキサリンの合成
【化４０】
【００５９】
２，３−ジアミノニトロベンゼン１．８４ｇ（１２ｍｍｏｌ），４，４′−ジメチルベンジル２．３８ｇ（１０ｍｍｏｌ）を酢酸、メタノール混合溶媒（１：１）４０ｇに溶解し、反応温度８０℃で４時間反応させた。反応終了後、溶媒を除去し、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：１．３０ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：３５５（計算値３５５．３９）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５４．８９５０，１５４．８３３９，１４７．０８９４，１４０．７５６３，１４０．１３０７，１３９．８６３６，１３５．５９８４，１３５．１２５３，１３３．７０６１，１３３．２２５４，１３０．２７２５，１２９．７００３，１２９．３１８８，１２９．１２０４，１２８．４１０８，１２７．７４７０，１２４．２１４２ ｐｐｍ．
【００６０】
（２）２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−アミノキノキサリンの合成
【化４１】
【００６１】
２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−ニトロキノキサリン２．０２ｇをジオキサン３０ｇに溶解し、アルゴンで置換した後に５％Ｐｄ／Ｃ（含水）０．６ｇを添加した。再度アルゴン置換した後、水素置換し、室温で１８時間反応させた。反応終了後、濾過し、濾サイをさらにアセトンとジオキサンで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶媒を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：１．３６ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：３２５（計算値３２５．１４）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５３．６１３１，１５０．１６４３，１４４．０９０７，１４１．８５５１，１３８．６５８１，１３８．５８９４，１３６．７０４７，１３６．６６６６，１３１．２７２１，１３０．７７６１，１２９．９２９２，１２９．７７６６，１２９．０３６５，１２８．９８１５，１１７．２４０３，１１０．０６０３ ｐｐｍ．
【００６２】
［合成例４］２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−（４−ジメトキシフェニル）−５−ニトロキノキサリンの合成
【化４２】
【００６３】
２，３−ジアミノニトロベンゼン１．５４ｇ（１０ｍｍｏｌ），４，４′−ジメトキシベンジル２．２５ｇ（８．３ｍｍｏｌ）を溶媒（メタノール：酢酸＝１：１、１００ｇ）に溶解し、室温で２０時間反応させた。反応終了後、濾過し、濾サイをさらにアセトンとジオキサンで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶剤を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：１．２４ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：３８７（計算値：３８７．３９）
13Ｃ−ＮＭＲ：１６１．０９８３，１６０．９０７５，１５４．３３０３，１５４．２４６４，１４６．９５２０，１４０．６４９５，１３３．５９９３，１３３．１４１５，１３１．９２０７，１３０．８４４８，１３０．４０９９，１２７．５１０４，１２４．０９９８，１１４．１０４３，１１３．８８３０ｐｐｍ．
【００６４】
（２）２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−アミノキノキサリンの合成
【化４３】
【００６５】
２，３−（４−ジメトキシフェニル）−５−ニトロキノキサリン０．５５ｇをジオキサン３０ｇに溶解し、アルゴンで充分に置換した。その後、５％Ｐｄ／Ｃ（含水）０．５ｇを添加し、再度アルゴンで充分置換した。この系を水素置換し、室温で２４時間反応させた。反応終了後、濾過し、濾サイをさらにアセトンとジオキサンで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶媒を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：０．３７ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：３２５（計算値：３２５．４３）
13Ｃ−ＮＭＲ：１６０．１３６９，１６０．０６０６，１５３．１３２４，１４９．７３７０，１４４．０１４４，１４１．７４８３，１３１．３９４２，１３１．２８７４，１３０．６２３５，１１７．１６４０，１１３．８２９６，１１３．６６１８，１１０．０１４５，５５．３８２８ ｐｐｍ．
【００６６】
［合成例５］２，３−ジ（４−ブロモフェニル）−５−アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジ（４−ブロモフェニル）−５−ニトロキノキサリンの合成
【化４４】
【００６７】
２，３−ジアミノニトロベンゼン１．５３ｇ（１０ｍｍｏｌ），４，４′−ジブロモベンジル３．６８ｇ（１０ｍｍｏｌ）を酢酸、メタノール混合溶媒（１：１）８０ｇに溶解し、反応温度７０℃で３０時間反応させた。反応終了後、溶媒を除去し、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：１．８９ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：４８５（計算値４８５．１２）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５３．４４５３，１５３．３６１３，１４７．００６５，１４０．７９４５，１３６．８１１６，１３６．３７６６，１３３．７８２４，１３３．２６３５，１３２．０５０４，１３１．８７４９，１３１．８２１５，１３１．３７８９，１２８．５７８７，１２４．９８４９，１２４．８７８０，１２４．７１０２ ｐｐｍ．
【００６８】
（２）２，３−ジ（４−ブロモフェニル）−５−アミノキノキサリンの合成
【化４５】
【００６９】
２，３−ジ（４−ブロモフェニル）−５−ニトロキノキサリン１．０１ｇ（２．１ｍｍｏｌ）をジオキサン３０ｇに溶解し、アルゴンで充分に置換した。その後、５％Ｐｄ／Ｃ（含水）０．３ｇを添加し、再度アルゴンで充分置換した。この系を水素置換し、室温で２４時間反応させた。反応終了後濾過し、濾サイをさらにアセトンとジオキサンで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶媒を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：０．６６ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：４５５（計算値：４５５．１２）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５１．９６６，１４８．４９３，１４４．０６５，１４１．８９７，１３７．９２０，１３７．８２０，１３５．０４２，１３１．７０６，１３１．６３７，１３１．４９２，１３１．４００，１３１．２４８，１２３．５１４，１２３．３７７，１１７．０６４，１１０．４５２ ｐｐｍ．
【００７０】
［合成例６］２，３−ジチエニル−５−アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジチエニル−５−ニトロキノキサリンの合成
【化４６】
【００７１】
２，３−ジアミノニトロベンゼン０．０２２ｇ（０．１４４ｍｍｏｌ），２，２′−チエニル０．０１９３８ｇ（０．０８７ｍｍｏｌ）を酢酸、メタノール混合溶媒（１：１）３ｇに溶解し、反応温度７０℃で３０時間反応させた。反応終了後溶媒を除去し、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：０．０４ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：３３９（計算値：３３９．４０）
【００７２】
（２）２，３−ジチエニル−５−アミノキノキサリンの合成
【化４７】
【００７３】
２．３−ジチエニル−５−ニトロキノキサリン１．０１ｇ（３．０ｍｍｏｌ）をジオキサン３０ｇに溶解し、アルゴンで充分に置換した。その後５％Ｐｄ／Ｃ（含水）０．３ｇを添加し、再度アルゴンで充分置換した。この系を水素置換し、室温で２４時間反応させた。反応終了後濾過し、濾サイをさらにアセトンとジオキサンで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶剤を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：０．４０ｇ
性状：黄褐色微細結晶
ｍ／ｚ：３０９（計算値３０９．４２）
13Ｃ−ＮＭＲ：１４６．５６９，１４３．７５２，１４２．１１１，１４１．５４６，１４１．２３３，１３１．２３２，１３０．６１４，１２９．０６４，１２８．８２０，１２８．５５３，１２８．４６９，１２７．５３０，１２７．４６１，１１６．９１１，１１０．４２２，９９．９０２ ｐｐｍ
【００７４】
［合成例７］１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）１，２，３−トリアミノベンゼンの合成
【化４８】
【００７５】
２，６−ジニトロアニリン１５．０ｇ（８２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１５０ｇに溶解した後、反応系を充分に窒素置換し、これに５％Ｐｄ／Ｃ（含水）７．６ｇ添加した。その後水素置換し、室温で１５時間反応した。反応終了後、反応液をろ過してＰｄを除去し、ろ液をそのまま濃縮することで目的物を得た。得られた化合物は不安定であるため、そのまま次反応に使用した。
【００７６】
（２）１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジンの合成
【化４９】
【００７７】
１，２，３−トリアミノベンゼン１０．１ｇ（８２ｍｍｏｌ）、９，１０−フェナントレンキノン１４．６ｇ（７０ｍｍｏｌ）を４つ口フラスコに入れ、これに酢酸：メタノール＝１：１溶媒３５０ｇを加え溶解させた。その後反応温度７０℃で２時間反応させた。反応後溶媒を除去し、生成物をメタノールで洗浄することで目的物を得た。
収量：１７．１ｇ
性状：黄土色固体
ｍ／ｚ：２９５（計算値２９５．１１）
13Ｃ−ＮＭＲ：１４６．９３２，１４４．１４５，１４３．０８４，１３９．７４０，１３３．４７３，１３３．００７，１３２．６５６，１３２．２１３，１３１．６０２，１３１．４８８，１３０．８４７，１３０．４７３，１２８．４６５，１２６．８６９，１２６．８３１，１２６．６６３，１２３．９００，１１６．２４３，１０８．６４７ ｐｐｍ．
【００７８】
［合成例８］２，３−ジフェニル−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジフェニル−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５０】
【００７９】
２，３−ジフェニル−５−アミノキノキサリン４．０ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、４−フルオロニトロベンゼン２．１ｇ（１４．９ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１００ｍｌを攪拌しながら、ｔ−ブトキシカリウム５．０ｇ（４４．６ｍｍｏｌ）をゆっくり添加した。添加終了後、反応容器中を窒素置換し、室温で２４時間攪拌させた。反応終了後、冷却しながら水１００ｍｌを添加した後、クロロホルム溶媒を用い有機層を抽出し、溶媒を濃縮して目的物を得た。
収量：５．４ｇ
【００８０】
（２）２，３−ジフェニル−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５１】
【００８１】
２，３−ジフェニル−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリン５．４ｇ（２．９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解し、反応容器内を窒素置換した。その後５％Ｐｄ／Ｃ（含水）５．０ｇを添加し、再度窒素で充分置換した。この系を水素置換し、室温で１０時間反応させた。反応終了後、濾過し、濾サイをさらにテトラヒドロフランで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶媒を除去した後、反応生成物をテトラヒドロフラン／ヘプタン混合溶媒中から再結晶させた。
収量：３．９ｇ
性状：橙色固体
ｍ／ｚ：３８８（計算値３８８．１７）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５３．５９７，１４９．６５８，１４２．９７８，１４２．８８７，１４２．００９，１３９．３０６，１３９．１９９，１３２．２９０，１３１．２８３，１３０．００８，１２９．８２５，１２８．６８０，１２８．５８８，１２８．２６７，１２８．１３０，１２４．７９４，１１６．１９８，１１６．１１４，１０６．６４８ ｐｐｍ．
【００８２】
［合成例９］２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５２】
【００８３】
２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−アミノキノキサリン３．０ｇ（９．２ｍｍｏｌ）、４−フルオロニトロベンゼン１．４ｇ（９．９ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１００ｍｌを攪拌しながら、ｔ−ブトキシカリウム３．４ｇ（３０．３ｍｍｏｌ）をゆっくり添加した。添加終了後、反応容器中を窒素置換し、室温で２０時間攪拌させた。反応終了後、冷却しながら水１００ｍｌを添加した後、クロロホルム溶媒を用い有機層を抽出し、溶媒を濃縮して目的物を得た。
収量：５．９ｇ
ｍ／ｚ：４４６（計算値４４６．１７）
【００８４】
（２）２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５３】
【００８５】
２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリン５．９ｇ（１３．２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン７０ｍｌに溶解し、反応容器内を窒素置換した。その後５％Ｐｄ／Ｃ（含水）２ｇを添加し、再度窒素で充分置換した。この系を水素置換し、室温で１３時間反応させた。反応終了後、濾過し、濾サイをさらにテトラヒドロフランで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶剤を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：１．１ｇ
性状：橙色固体
ｍ／ｚ：４１６（計算値４１６．２０）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５３．６０５，１４９．７１１，１４２．７１９，１４１．９１７，１３８．５７３，１３６．５４３，１３２．５４２，１３０．９７７，１２９．８６３，１２９．７０３，１２８．９７０，１２８．８７０，１２４．６６４，１１６．１９８，１０６．４８０，２１．３５２ ｐｐｍ．
【００８６】
［合成例１０］２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５４】
【００８７】
２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−アミノキノキサリン５．０ｇ（１４．０ｍｍｏｌ），４−フルオロニトロベンゼン２．４ｇ（１７．０ｍｍｏｌ），ジメチルスルホキシド１２０ｍｌを攪拌しながら、ｔ−ブトキシカリウム５．７ｇ（５０．８ｍｍｏｌ）をゆっくり添加した。添加終了後、反応容器中を窒素置換し、室温で８時間攪拌させた。反応終了後、冷却しながら水１００ｍｌを添加した後、クロロホルム溶媒を用い有機層を抽出し、溶媒を濃縮して目的物を得た。
収量：８．３ｇ
性状：茶色固体
【００８８】
（２）２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５５】
【００８９】
２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリン８．３ｇ（１７．３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解し、反応容器内を窒素置換した。その後５％Ｐｄ／Ｃ（含水）５ｇを添加し、再度窒素で充分置換した。この系を水素置換し、室温で１０時間反応させた。反応終了後、濾過し、濾サイをさらにテトラヒドロフランで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶剤を除去した後、反応生成物をヘキサン中で再結晶させることで目的物を得た。
収量：４．５ｇ
性状：橙色固体
ｍ／ｚ：４４８（計算値４４８．１９）
13Ｃ−ＮＭＲ：１６３．７６６，１５９．９９４，１５３．１３１，１４８．８７２，１４２．９４０，１４２．６８８，１４１．８０３，１３２．４２０，１３１．９４７，１３１．３２９，１３１．２０６，１３０．７７９，１２４．７２５，１１６．０７６，１１３．７５５，１１３．６２５，１０６．４１１，９８．９５３，５５．３２４ ｐｐｍ．
【００９０】
［合成例１１］２，３−ジ（２−チエニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジ（２−チエニル）−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５６】
【００９１】
２，３−ジ（２−チエニル）−５−アミノキノキサリン３．１ｇ（９．９ｍｍｏｌ），４−フルオロニトロベンゼン１．４ｇ（９．９ｍｍｏｌ），ジメチルスルホキシド１５ｇを攪拌しながら、ｔ−ブトキシカリウム３．３ｇ（２９．６ｍｍｏｌ）をゆっくり添加した。添加終了後、反応容器中を窒素置換し、室温で１４時間攪拌させた。反応終了後、冷却しながら水１００ｍｌを添加した後、得られた化合物をろ過、乾燥し、シリカゲルカラムにより精製した。
収量：２．６ｇ
性状：黄色固体
【００９２】
（２）２，３−ジ（２−チエニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５７】
【００９３】
２，３−ジ（２−チエニル）−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリン２．２ｇ（５．１ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解し、反応容器内を窒素置換した。その後５％Ｐｄ／Ｃ（含水）０．７ｇを添加し、再度窒素で充分置換した。この系を水素置換し、室温で５時間反応させた。反応終了後濾過し、濾サイをさらにテトラヒドロフランで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶剤を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：１．９ｇ
性状：橙色固体
ｍ／ｚ：３９９（計算値４００．０８）
13Ｃ−ＮＭＲ：１４６．６６５，１４３．１６１，１４３．００９，１４２．６１９，１４２．００９，１４１．４１３，１３２．０８４，１３１．５３５，１３０．４４３，１２９．０６１，１２８．８４０，１２８．６０３，１２８．４７３，１２７．６１８，１２７．５１２，１２４．８７８，１１６．０６８，１１５．９３１，１０６．９３０ ｐｐｍ．
【００９４】
［合成例１２］Ｎ−４−アミノフェニル−１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）Ｎ−４−ニトロフェニル−１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジンの合成
【化５８】
【００９５】
１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジン１０．０ｇ（３４ｍｍｏｌ）、４−フルオロニトロベンゼン４．８ｇ（３４ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド５００ｍｌを攪拌しながら、ｔ−ブトキシカリウム１９．４ｇ（１７３ｍｍｏｌ）をゆっくり添加した。添加終了後、反応容器中を窒素置換し、室温で２４時間攪拌させた。反応終了後、冷却しながら水５００ｍｌを添加した後、反応液をろ過してろ物を得た。得られたろ物をメタノールで洗浄し、目的物を得た。
【００９６】
（２）Ｎ−４−アミノフェニル−１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジンの合成
【化５９】
【００９７】
Ｎ−４−ニトロフェニル−１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジン４．５ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解し、反応容器内を窒素置換した。その後５％Ｐｄ／Ｃ（含水）４．６ｇを添加し、再度窒素で充分置換した。この系を水素置換し、室温で１０時間反応させた。反応終了後濾過し、濾サイをさらにテトラヒドロフランで洗浄した後にカラムで精製し、目的物を得た。
性状：紫色結晶
ｍ／ｚ：３８６（計算値３８６．１５）
13Ｃ−ＮＭＲ：１４６．７７１，１４５．１８３，１４４．１９１，１４３．２４４，１３９．６８７，１３３．５２６，１３３．０２２，１３２．６７１，１３２．２３６，１３１．４３４，１３１．３８９，１３０．８９２，１３０．５８７，１２８．５１８，１２６．８７７，１２６．３２０，１２５．８９２，１２３．９０７，１１６．３１９，１１５．７３９，１０５．９６０ ｐｐｍ．
【００９８】
［実施例１］ポリ｛２，３−ジフェニル−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリン｝の合成
白金メッシュ対極を備えた三極式ビーカー型セルを用い、下記の電位掃引法により電解酸化を行うことで、目的化合物の合成を行った。
２，３−ジフェニル−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリン０．１９ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）、過塩素酸１．０５ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６．５ｇに溶解させた溶液を用いた。試験極基板として、表面をエメリーペーパーにより傷つけた白金板（片面１．０ｃｍ2）を用い、参照極にＡｇ／Ａｇ+を使用し、電気化学測定システム（ビー・エー・エス株式会社）を用いて、電位範囲４００〜７００ｍＶ、掃引速度５０ｍＶｓｅｃ-1とし、３０サイクルの電位掃引を行い、電解重合を行った。電極上に重合された目的化合物が得られた。
性状：黒色固体
ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ ４１５（一量体），７７２（二量体），１１５６（三量体）
【００９９】
［実施例２］ポリ｛２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリン｝の合成
白金メッシュ対極を備えた三極式ビーカー型セルを用い、下記の電位掃引法により電解酸化を行うことで、目的化合物の合成を行った。
２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリン０．２１ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）、過塩素酸１．０５ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６．５ｇに溶解させた溶液を用いた。試験極基板として、表面をエメリーペーパーにより傷つけた白金板（片面１．０ｃｍ2）を用い、参照極にＡｇ／Ａｇ+を使用し、電気化学測定システム（ビー・エー・エス株式会社）を用いて、電位範囲１３００〜１６００ｍＶ、掃引速度１００ｍＶｓｅｃ-1とし、３０サイクルの電位掃引を行い、電解重合を行った。電極上に重合された目的化合物が得られた。
性状：黒色固体
ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ ４２９（一量体），８２６（二量体），１２４０（三量体），１６６７（四量体）
【０１００】
［実施例３］ポリ｛２，３−ジ（２−チエニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリン｝の合成
白金メッシュ対極を備えた三極式ビーカー型セルを用い、下記の電位掃引法により電解酸化を行うことで、目的化合物の合成を行った。
２，３−ジ（２−チエニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリン０．２０ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）、過塩素酸１．０５ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６．５ｇに溶解させた溶液を用いた。試験極基板として、表面をエメリーペーパーにより傷つけた白金板（片面１．０ｃｍ2）を用い、参照極にＡｇ／Ａｇ+を使用し、電気化学測定システム（ビー・エー・エス株式会社）を用いて、電位範囲４００〜７００ｍＶ、掃引速度１００ｍＶｓｅｃ-1とし、３０サイクルの電位掃引を行い、電解重合を行った。電極上に重合された目的化合物が得られた。
性状：黒色固体
ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ ３９８（一量体），７９３（二量体），１１９２（三量体），１６０２（四量体），１９８７（五量体）
【０１０１】
［実施例４］ポリ｛Ｎ−４−アミノフェニル−１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジン｝の合成
白金メッシュ対極を備えた三極式ビーカー型セルを用い、下記の定電位法により電解酸化を行うことで、目的化合物の合成を行った。
Ｎ−４−アミノフェニル−１０−ジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジン０．１９ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）、過塩素酸１．０５ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６．５ｇに溶解させた溶液を用いた。試験極基板として、表面をエメリーペーパーにより傷つけた白金板（片面１．０ｃｍ2）を用い、参照極にＡｇ／Ａｇ+を使用し、電気化学測定システム（ビー・エー・エス株式会社）を用いた。定電位法では電気量を２．０Ｃ／ｃｍ2に規制し０．７Ｖで重合を行い、試験極表面に黒色の重合膜が得られた。得られた膜はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドにより表面を洗浄した。
ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ ７８１（二量体），１１６７（三量体），１５５２（四量体），１９４０（五量体）
サイクリックボルタンメトリー測定による酸化ピーク及び還元ピーク（０．１ｍｏｌ／Ｌテトラエチルアンモニウムパークロレートのアセトニトリル溶液中で測定）：酸化ピーク７００ｍＶ，１０００ｍＶ、還元ピーク−２００ｍＶ，３００ｍＶ
【０１０２】
上記実施例４で得られた電極を用いてセルを作製し、下記方法にて充放電試験を行い、静電容量を求めたところ、５８Ｆ／ｇであった。詳述すると、１サイクル目では４８．５Ｆ／ｇの放電容量が得られ、５サイクル目には６５．８Ｆ／ｇまで向上した。また１０サイクル目でも５８．５Ｆ／ｇの容量を保持した。
（充放電試験方法）
上記重合膜が形成された白金電極を試験極、白金板を対極、Ａｇ／Ａｇ+を参照極とした三極式ビーカー型セルを用い、下記条件により定電流充放電試験を行った。
０．１ｍｏｌ／Ｌテトラエチルアンモニウムパークロレートのアセトニトリル溶液中に、上記セルをセットし、電流密度０．５ｍＡ／ｃｍ2、カットオフ電位１．５Ｖ〜−０．５Ｖで測定を行い、１０サイクル時の値を測定値とした。
【０１０３】
［比較例１］ポリ｛１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジン｝の合成
白金メッシュ対極を備えた三極式ビーカー型セルを用い、定電位法により電解酸化を行うことで、目的化合物の合成を行った。１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジン０．１５ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ），過塩素酸１．０５ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６．５ｇに溶解させた溶液を用いた。試験極基板として、表面をエメリーペーパーにより傷つけた白金板（片面１．０ｃｍ2）を用い、参照極にＡｇ／Ａｇ＋を使用し、電気化学測定システム（ビー・エー・エス株式会社）を用いた。定電位法では電気量を２．０Ｃ／ｃｍ2に規制し０．９Ｖで重合を行い、試験極表面に黒色の重合膜が得られた。得られた膜はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドにより表面を洗浄した。
【０１０４】
ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ ５９６．９（二量体），８９３．９（三量体），１１９２．３（四量体），１４８８．５（五量体），１７８８．７（六量体），２０８８．９（七量体）
サイクリックボルタンメトリー測定による酸化ピーク及び還元ピーク（０．１ｍｏｌ／Ｌテトラエチルアンモニウムパークロレートのアセトニトリル溶液中で測定）：酸化ピーク１１００ｍＶ、還元ピーク２００ｍＶ
上記比較例１で得られた電極を用いてセルを作製し、実施例４と同様の条件にて充放電試験を行い、静電容量を求めたところ、４７Ｆ／ｇであった。詳述すると、１サイクル目では８３．５Ｆ／ｇの放電容量が得られ、５サイクル目には６２．０Ｆ／ｇまで低下し、１０サイクル目で４７．０Ｆ／ｇに低下した。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エネルギー貯蔵デバイス用電極及びその製造方法に関し、さらに詳述すると、アミノキノキサリン重合体を電極活物質として含むエネルギー貯蔵デバイス用電極及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
エネルギー貯蔵デバイスの１つとして知られる電気二重層キャパシタは、一般的に多孔質材料を含む一対の分極性電極、セパレータ及び電解質溶液などから構成される。この電気二重層キャパシタは、電極界面におけるイオンの移動により発生する電気二重層に起因する電気エネルギーを充放電機構として利用するデバイスであり、電極活物質の電気化学反応を伴わないことから、二次電池のような寿命を持たない上、瞬時充放電特性に優れ、広い温度範囲で安定した充放電特性を示し、かつ繰り返しによる性能低下が少ないという特性を有している。
【０００３】
従来、電気二重層キャパシタの静電容量は、分極性電極の表面積と比例的な関係にあるとされ、比表面積の大きな多孔質材料を分極性電極に使用することで、これを高める検討がなされてきた。
すなわち、分極性電極は、一般的に、炭素質材料等の多孔質材料、導電補助材であるアセチレンブラック、結着材であるフッ素系ポリマーまたはゴム系ポリマーを混練して得られる電極用組成物を集電板に貼り付けることで作製されるものであるが、例えば、炭素質材料として、高い導電性を示すとともに電気化学的に比較的安定な比表面積の大きい活性炭（多孔質炭素材料）を使用することで、静電容量を高める試みがなされてきた。
具体的には、石炭、石炭コークス、ヤシ殻、木粉、樹脂などの炭素質原料に、水蒸気，空気，酸素，ＣＯ2などの酸化性ガス、または塩化亜鉛，水酸化カリウムなどの薬品により細孔を形成する賦活化（多孔質化）処理を施して得られる比表面積の大きい活性炭が用いられている。
【０００４】
ところで、近年、電子機器、電気自動車などの開発が進展するにつれて、電気二重層キャパシタを初めとしたエネルギー貯蔵デバイスの基本設計も変わりつつある。
例えば、電気二重層キャパシタにおいては、エネルギーを高密度化して小型軽量化を図る必要があることから、多孔質材料の単位質量当りの静電容量（Ｆ／ｇ）だけでなく、単位体積当りの静電容量（Ｆ／ｃｍ3）も向上させるなどの工夫をする必要が出てきている（特許文献２：特開２０００−６８１６４号公報、特許文献３：特開２０００−１００６６８号公報、特許文献５：特開平１１−２１４２７０号公報参照）。
【０００５】
多孔質材料（分極性電極）の単位質量当たりの静電容量は、上述のように比表面積の大きな多孔質材料を使用することで、高めることができる。
しかし、比表面積の増加に伴い、多孔質材料の密度（充填）は低下するため、単位体積当りの静電容量は、必ずしも比表面積の増加と比例的な関係にはない。それどころか、比表面積がある程度以上に大きくなると、単位体積当りの静電容量はむしろ低下する傾向にあることが知られている。
このように多孔質材料の比表面積の増加を図るという手法のみでは、電気二重層キャパシタの静電容量を増加させることには限界があり、近年要求されるレベルのエネルギーの高密度化を図ることは困難であった（特許文献１：特開平１１−３１７３３３号公報、特許文献４：特開平１１−２９７５７７号公報参照）。
【０００６】
一方、電極活物質として導電性高分子を用いたポリマー電池又はキャパシタ等のエネルギー貯蔵デバイスの開発がなされている。
正極・負極とも同種の導電性高分子を使用する場合、正負極の酸化・還元電位に依存している反応電位を広くすることには限界があり、高い電圧で動作するポリマー電池又はキャパシタを作製することは一般的に困難であった。
ポリチオフェンは、参照極に銀／酸化銀電極を用いて測定した場合、酸化側で約０．７Ｖ、還元側で約２．３Ｖの位置にそれぞれＨＯＭＯ及びＬＵＭＯが観察される物質である。このため、正負極とも同種の導電性高分子で広い電位活性を示すことが期待でき、ポリチオフェンを用い、電圧範囲が広い電極を得る検討が行われている（非特許文献１：ジャーナル パワーソース）。
【０００７】
また、正極及び負極に用いる導電性高分子の種類を異なるものとし、より酸化され易い導電性高分子と、より還元され易い導電性高分子とをそれぞれ正極及び負極に用いることで、広い電圧範囲で使用でき、しかも容量が高いポリマー電池又はキャパシタが開発されている（特許文献６：特開２００２−１３４１６２号公報）。この技術では、正極活物質として、ポリ−５−シアノインドールが、負極活物質として、ポリフェニルキノキサリンが使用されている。
しかし、このエネルギー貯蔵デバイスは、上述のように正負極で異なる分子を用いる必要があるので、生産性の面で欠点を有していることから、正負両極に使用でき、広い電位活性を示す電極活物質となり得る導電性高分子化合物の開発が望まれている。
【０００８】
【特許文献１】特開平１１−３１７３３３号公報
【特許文献２】特開２０００−６８１６４号公報
【特許文献３】特開２０００−１００６６８号公報
【特許文献４】特開平１１−２９７５７７号公報
【特許文献５】特開平１１−２１４２７０号公報
【特許文献６】特開２００２−１３４１６２号公報
【非特許文献１】ジャーナル パワーソース、４７巻、８９頁、１９９４年
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであり、エネルギーレベルを高密度化することができる結果、デバイスの小型軽量化を図ることのできるエネルギー貯蔵デバイス用電極及びその製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明者らは、上記目的を達成するために鋭意検討を重ねた結果、新規なアミノキノキサリン化合物を重合させてなる導電性高分子を電極活物質として含む電極が、当該高分子化合物の酸化還元反応及び当該高分子化合物表面に発生する電気二重層の両者をエネルギー源として用いることが可能となるため、従来の活性炭を主成分とする電極を用いたデバイスよりも高容量の蓄電が可能となることを見出し、本発明を完成した。
【００１１】
すなわち、本発明は、
１． 式（１ａ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１】
〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ1とＲ2とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ3とＲ4とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表す。Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）、ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。〕
２． 前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（２）で表されることを特徴とする１のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化２】
（式中Ｒ7〜Ｒ11は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
３． 前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（３）で表されることを特徴とする１記のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化３】
（式中Ｒ12〜Ｒ18は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
４． 前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（４）で表されることを特徴とする１のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化４】
（式中Ｒ19〜Ｒ21は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。Ａ1はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
５． 前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（５）で表されることを特徴とする１のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化５】
（式中Ｒ22は、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、Ｒ23〜Ｒ26は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
６． 前記Ｒ5が、式（６）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化６】
（式中Ｒ27〜Ｒ30は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
７． 前記Ｒ5が、式（７）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化７】
（式中Ｒ31〜Ｒ32は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。Ｗ1はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
８． 前記Ｒ5が、式（８）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化８】
（式中Ｒ33〜Ｒ34は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。Ｑ1はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
９． 前記Ｒ5が、式（９）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化９】
（式中Ｒ35〜Ｒ40は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
１０． 前記Ｒ6が、式（１０）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１０】
（式中Ｒ41〜Ｒ44は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
１１． 前記Ｒ6が、式（１１）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１１】
（式中Ｒ45〜Ｒ46は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。Ｗ2はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
１２． 前記Ｒ6が、式（１２）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１２】
（式中Ｒ47〜Ｒ48は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。Ｑ2はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
１３． 前記Ｒ6が、式（１３）で表されることを特徴とする１〜５のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１３】
（式中Ｒ49〜Ｒ54は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
１４． 前記Ｒ1とＲ2とが単結合で結合して形成される基が、式（１４）で表されることを特徴とする１のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１４】
（式中Ａ2はＣ又はＮを表し、Ｒ55〜Ｒ62は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。ただし、Ａ2がＮのとき、Ｒ58及びＲ59は存在しない。）
１５． 式（１ｂ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１５】
〔式中、Ｒ1'及びＲ2'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表す。Ｒ3、Ｒ4、Ｘ1、Ｙ、Ｚ及びｎは上記と同じ。〕
１６． 式（１ｃ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１６】
〔式中、Ｒ3'及びＲ4'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよい。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ'、Ｘ1、Ｙ、Ｚ及びｎは上記と同じ。
１７． 式（１ｄ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１７】
（式中、Ｒ1'、Ｒ2'、Ｒ3'、Ｒ4'、Ｘ1及びｎは上記と同じ。）
１８． 前記Ｒ1'及びＲ2'が一緒になって形成される基が、式（１５）で表されることを特徴とする１５又は１７のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１８】
（式中Ａ3はＯ又はＳを表し、Ｒ63〜Ｒ66は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
１９． 前記Ｒ3'及びＲ4'が一緒になって形成される基が、式（１６）で表されることを特徴とする１６又は１７のエネルギー貯蔵デバイス用電極、
【化１９】
（式中Ａ4はＯ又はＳを表し、Ｒ67〜Ｒ70は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは、上記と同じ。）
２０． 前記Ｒ3'及びＲ4'が一緒になって形成される基が、式（１７）で表されることを特徴とする１６又は１７のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化２０】
（式中Ｒ71及びＲ72は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表す。Ｚは上記と同じ。）
２１． １〜２０のいずれかのエネルギー貯蔵デバイス用電極を備えることを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス、
２２． 前記式（１ａ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする１のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
２３． 前記式（１ｂ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする１５のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
２４． 前記式（１ｃ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする１６のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
２５． 前記式（１ｄ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする１７のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
２６． 式（１８ａ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする１のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
【化２１】
〔式中、Ｘ2は、−ＮＨ−Ｒ73−ＮＨ2又は−ＮＨ−Ｒ74を表し、Ｒ73は、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表し、Ｒ74は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表す。Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3、Ｒ4及びＹは上記と同じ。〕
２７． 式（１８ｂ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする１５のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
【化２２】
（式中、Ｒ1'、Ｒ2'、Ｒ3、Ｒ4及びＸ2は上記と同じ。）
２８． 式（１８ｃ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする１６のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
【化２３】
（式中、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ3'、Ｒ4'及びＸ2は上記と同じ。）
２９． 式（１８ｄ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする１７のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法、
【化２４】
（式中、Ｒ1'、Ｒ2'、Ｒ3'、Ｒ4'及びＸ2は上記と同じ。）
を提供する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明のエネルギー貯蔵デバイス用電極の電極活物質として用いられている上記式（１ａ）〜（１ｄ）で示されるポリアミノキノキサリン化合物は、優れた耐熱性を有し、プロトン移動を伴う電気化学的酸化還元を容易にコントロールでき、かつサイクル性に富むものである。
また、上記ポリアミノキノキサリン化合物は、その一分子内に電子受容性部と電子供与性部とを併せ持っているため、正極・負極のどちらにでも使用できるだけでなく、広い電位活性を示す導電性高分子化合物である。
このポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として使用した本発明のエネルギー貯蔵デバイス用電極を備えて構成されるデバイスは、高容量の蓄電が可能となる。
特に電気二重層キャパシタ用電極として用いた場合、電極活物質の酸化還元反応とその表面に発生する電気二重層の両者がエネルギー源として機能するため、従来の活性炭のみの電気二重層キャパシタより高容量の蓄電が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明についてさらに詳しく説明する。
本発明に係るエネルギー貯蔵デバイス用電極は、上記式（１ａ）〜（１ｄ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするものである。
まず、式（１ａ）〜（１ｄ）で示されるポリアミノキノキサリン化合物、又は式（１８ａ）〜（１８ｄ）で示されるアミノキノキサリン化合物について説明する。
これら各式において、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ1とＲ2とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表す。
【００１４】
Ｒ1'及びＲ2'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表す。
具体的には、例えば、下記式（２）〜（５）、（１４）及び（１５）で示される基などが挙げられる。
【００１５】
【化２５】
【００１６】
また、アミノキノキサリン化合物の溶解性を考慮した場合、Ｒ1、Ｒ2、Ｒ1'及びＲ2'は、さらに置換基Ｙで置換されていることが好ましく、この置換基Ｙとしては、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基又はＣ1〜Ｃ10アルコキシ基が好適であり、Ｃ1〜Ｃ5アルキル基又はＣ1〜Ｃ5アルコキシ基がより好ましい。
さらに、ポリアミノキノキサリン化合物の電気特性という点から、Ｒ1とＲ2とが単結合で結合して上記式（１４）を形成したものが好適であり、特に、式（１４）中、Ａ2が炭素原子であるものが好ましい。
一方、Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ3とＲ4とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表す。
【００１７】
Ｒ3'及びＲ4'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよい。Ｚは上記と同じである。
【００１８】
Ｒ3（Ｒ3'）及びＲ4（Ｒ4'）が、アルキル基（アルキレン基）及びアルコキシル基（アルキレンオキシ基）の場合、導電率を考慮すると、それらの炭素数は、１〜５であることが好ましい。また、酸化還元電位を良好にするという点から、Ｒ3及びＲ4は、フェニル基、ナフチル基又はチエニル基が好ましい。さらに、電気特性という点から、Ｒ3、Ｒ4、Ｒ3'及びＲ4'も、さらに置換基Ｙで置換されていることが好ましい。置換基Ｙとしては、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基が好ましく、Ｃ1〜Ｃ5アルキル基又はＣ1〜Ｃ5アルコキシ基がより好ましい。具体的には、上記Ｒ1、Ｒ2、Ｒ1'及びＲ2'で例示した（２）〜（５）、（１４）で示されるものに加え、例えば、下記（１６）及び（１７）で示される基などが挙げられる。
【００１９】
【化２６】
【００２０】
また、上記式（１ａ）〜（１ｄ）において、Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、これらＲ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環である。具体的には、例えば、下記式（６）〜（１３）で示される基などが挙げられる。
【００２１】
【化２７】
【００２２】
上記式（１８ａ）〜（１８ｄ）において、Ｘ2は、−ＮＨ−Ｒ73−ＮＨ2又は−ＮＨ−Ｒ74を表し、Ｒ73は、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環であり、Ｒ74は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基である。
【００２３】
上記Ｒ5、Ｒ73及びＲ74は、酸化還元電位を良好にするという点から、特に、２価のベンゼン環、２価のナフタレン環又は２価のチオフェン環が望ましい。また、ポリアミノキノキサリン化合物からなる膜等の電気特性を安定に保つという点から、これらの環状置換基は、さらに置換基Ｙで置換されていることが好ましい。
Ｒ6についても、酸化還元電位を良好にするという点から、フェニル基、ナフチル基又はチエニル基が好ましい。
なお、ポリアミノキノキサリン化合物からなる膜等のアモルファス性を安定に保つという点から、これらのＲ5、Ｒ6、Ｒ73及びＲ74は、さらに置換基Ｙで置換されていることが好ましい。これらの場合も、置換基Ｙとしては、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基が好ましく、Ｃ1〜Ｃ5アルキル基又はＣ1〜Ｃ5アルコキシ基がより好ましい。
【００２４】
また、式（１）で示されるポリアミノキノキサリン化合物の分子量は特に限定されるものではないが、重量平均分子量として１，０００〜１００，０００、特に４，０００〜５０，０００であることが好ましい。このことから、上記式（１）におけるｎは、２以上の正の整数であるが、ポリアミノキノキサリン化合物を上記重量平均分子量の範囲とする数であることが好ましく、例えば、ｎ＝２〜４００とすることができる。
【００２５】
なお、上記各式において、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、例えば、メチル、エチル、ｎ−プロピル、ｉ−プロピル、ｎ−ブチル、ｉ−ブチル、ｔ−ブチル、ｓ−ブチル、ｎ−ペンチル、ｎ−ヘキシル、２−エチルプロピル、２，２−ジメチルプロピル、１，２−ジメチルプロピル、１，１，２−トリメチルプロピル、１，２，２−トリメチルプロピル、１−エチル−１−メチルプロピル、１−エチル−２−メチルプロピル、１−メチルブチル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、１，１−ジメチルブチル、１，２−ジメチルブチル、１，３−ジメチルブチル、２，２−ジメチルブチル、２，３−ジメチルブチル、３，３−ジメチルブチル、１−エチルブチル、２−エチルブチル、１−メチルペンチル、２−メチルペンチル、３−メチルペンチル及び４−メチルペンチル等があげられる。なお、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基としては、上記各アルキル基の水素原子を１つ外してなる基が挙げられる。
【００２６】
Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基としては、上記各アルキル基の水素原子の少なくとも１つが、ハロゲン原子で置換されてなる基が挙げられる。なお、ハロゲン原子は、塩素、臭素、ヨウ素、フッ素原子のいずれでもよい。
Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基としては、上記各アルキル基の水素原子の少なくとも１つが、シアノ基で置換されてなる基が挙げられる。
縮合ヘテロアリール基としては、チエノ［３，４−ｂ］ピラジン−５−イル、フロ［３，４−ｂ］ピラジン−５−イル及び６Ｈ−ピロロ［３，４−ｂ］ピラジン−５−イル等が挙げられる。
【００２７】
Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基としては、直鎖、分岐又は環状のいずれでもよく、例えば、メトキシ、エトキシ、ｎ−プロポキシ、ｉ−プロポキシ、ｎ−ブトキシ、ｉ−ブトキシ、ｓ−ブトキシ、ｔ−ブトキシ、ｎ−ペンチルオキシ、ｎ−ヘキシルオキシ、１，１−ジメチルプロポキシ、１，２−ジメチルプロポキシ、２，２−ジメチルプロポキシ、１−エチルプロポキシ、１，１，２−トリメチルプロポキシ、１，２，２−トリメチルプロポキシ、１−エチル−１−メチルプロポキシ、１−エチル−２−メチルプロポキシ１−メチルブトキシ、２−メチルブトキシ、３−メチルブトキシ、１−エチルブトキシ、２−エチルブトキシ、１，１−ジメチルブトキシ、１，２−ジメチルブトキシ、１，３−ジメチルブトキシ、２，２−ジメチルブトキシ、２，３−ジメチルブトキシ、３，３−ジメチルブトキシ、１−メチルペンチルオキシ、２−メチルペンチルオキシ、３−メチルペンチルオキシ及び４−メチルペンチルオキシ等が挙げられる。
上記において、ｎはノルマルを、ｉはイソを、ｓはセカンダリーを、ｔはターシャリーをそれぞれ表す。
【００２８】
上記式（１ａ）〜（１ｄ）で示される化合物としては、例えば、下記のものが挙げられるが、これらに限定されるものではない。
【００２９】
【化２８】
【００３０】
【化２９】
【００３１】
【化３０】
【００３２】
【化３１】
【００３３】
【化３２】
【００３４】
【化３３】
【００３５】
次に、式（１８ａ）〜（１８ｄ）（式（１ａ）〜（１ｄ））で表される化合物のうち、式（１８ａ）（式（１ａ））で表される化合物を例に挙げて、その合成法について説明する。この化合物は、下記式（１９）で表される５−アミノキノキサリン化合物を原料として合成することができる。
【００３６】
【化３４】
（式中、Ｒ1〜Ｒ4は、上記式（１ａ）と同じ。）
【００３７】
具体的な合成法としては、特に限定されるものではなく、ジャーナル・オブ・ザ・ケミカル・ソサイエティ・パーキン・トランサクションズ Ｉ（Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｐｅｒｋｉｎ Ｔｒａｎｓ．Ｉ）、１９８８年，１３３１−１３３５頁、ケミストリ・レターズ（Ｃｈｅｍ．Ｌｅｔｔ．）、１９９７年，１１８５−１１８６頁に記載されている方法を用いることができる。
例えば、対応する５−アミノキノキサリン化合物を適当な溶媒に溶解し、適当な塩基存在下でニトロフルオロベンゼンと室温で反応させ、さらにＰｄ／Ｃ存在下で水素添加反応させることによりＲ5にフェニル環を導入した目的化合物を合成できる。また、Ｒ6にチエニル基を有する目的化合物は、５−アミノキノキサリン化合物を適当な溶媒に溶解させ、Ｐｄ2（ｄｂａ）3、ＢＩＮＡＰをそれぞれ触媒量添加し、適当な塩基存在下で２−ブロモチオフェンと反応させることで合成できる。
【００３８】
なお、上記式（１９）の５−アミノキノキサリン化合物の合成法としては、特に限定されるものではなく、例えば、ジャーナル・オブ・アメリカン・ケミカル・ソサイエティ（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．）、１９５７年、７９巻、２２４５−２２４８頁、ジャーナル・オブ・オーガニック・ケミストリー（Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．）、１９６６年、３１巻、３３８４−３３９０頁に記載されている方法を用いることができる。
【００３９】
式（１ａ）で示されるポリアミノキノキサリン化合物の製造法としては、特に限定されるものではなく、式（１８ａ）のアミノキノキサリン化合物を任意の手法により重合法させて製造することができ、例えば、化学酸化重合、電解酸化重合、触媒重合等を用いることができ、多くの場合、重合体を電極表面に形成できるという点から、化学酸化重合、電解酸化重合が好ましく、特に、電解酸化重合が好適である。
化学酸化重合に用いられる酸化剤としては、特に限定されるものではなく、例えば、過硫酸アンモニウム、テトラアンモニウムパーオキサイド、塩化鉄、硫酸セリウム等が挙げられる。
【００４０】
電解酸化重合の具体的手法としては、例えば、式（１８ａ）で示されるモノマーに、酸化剤を添加して充分に攪拌した後、有機溶媒を加えて均一な溶液とし、この溶液中のモノマーを白金メッシュ対極等を備えた三極式ビーカー型セルなどを用いて電解重合させればよい。
電解重合は、例えば、試験極基板として表面をエメリーペーパーなどにより傷つけた白金板を、参照極としてＡｇ／Ａｇ+を使用し、電気化学測定システムにより電解重合を行う。電解重合の具体的手法としては、例えば、電位掃引法、定電位法を用いることができる。これにより、目的とする高分子化合物は、電極上で膜状に析出することになる。
【００４１】
電解酸化重合に用いられる酸化剤としては、例えば、塩酸、硫酸、過塩素酸、トリフルオロメタンスルホン酸、パラトルエンスルホン酸等が挙げられ、中でも過塩素酸が好適である。
また、有機溶媒としては、例えば、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド、テトラヒドロフラン、アセトニトリル、ジクロロメタン、ジメチルスルホキシド、メタノール、エタノール等が挙げられ、特に、Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミドを用いることが好ましい。
【００４２】
以上説明した式（１ａ）〜（１ｄ）で示されるポリアミノキノキサリン化合物は、その優れた電気化学特性を利用してエネルギー貯蔵デバイスの活物質、特に電極活物質などに好適に利用できる。この場合、ポリアミノキノキサリン化合物自体が導電性を示すため、電極界面における接触抵抗を下げる効果が期待できる。
式（１ａ）〜（１ｄ）で示されるポリアミノキノキサリン化合物を含むエネルギー貯蔵デバイス用電極を作製する手法としては、特に限定されるものではなく、上述した式（１８ａ）〜（１８ｄ）のモノマーを、それぞれ電極上で電解酸化重合して式（１ａ）〜（１ｄ）で表される化合物を膜状に析出させて電極を作製することができる。
また、ポリアミノキノキサリン化合物は、蒸着法、スピンコート法、ディッピング法、キャスト法、スクリーン印刷法等により容易に薄膜化することができ、これらの手法を用いて、電極表面をポリアミノキノキサリン化合物含有薄膜で被覆する等により、電極を作製することもできる。
【００４３】
特に、式（１ａ）〜（１ｄ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を含むコーティング用組成物を調製し、これを集電板電極上に塗布積層する方法を用いることで、ポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含む電極を簡便にかつ容易に作製することができる。
ここで、ポリアミノキノキサリン化合物を含むコーティング組成物の構成成分としては、特に限定されるものではなく、例えば、ポリアミノキノキサリン化合物、成膜性を向上させるための高分子材料、及び分散剤等を含む組成物を用いることができる。組成物中におけるポリアミノキノキサリン化合物の含有量としては、例えば、５０〜９０質量％程度とすることができる。
なお、この組成物中には、必要に応じて、熱安定剤、光安定剤、充填剤、強化剤等の添加剤を適宜配合することができる。
【００４４】
以上で説明したエネルギー貯蔵デバイス用電極では、ポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質は、電解重合や塗布等により、電極表面に付着している態様のみであったが、これに限定されるものではない。例えば、予めポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を混合してなる電極用組成物を用いて、電極を作製することもできる。
【００４５】
本発明のエネルギー貯蔵デバイス用電極は、電気二重層キャパシタ、リチウムイオン電池、プロトンポリマー電池、ニッケル水素電池、鉛蓄電池等の各種エネルギー貯蔵デバイスに好適に使用することができ、中でも、電気二重層キャパシタ、リチウムイオン電池、プロトンポリマー電池用の電極として用いることが好ましい。
特に、電気二重層キャパシタ用の電極として用いると、当該電極活物質の酸化還元反応とその表面に発生する電気二重層の両者をエネルギー源とすることができるので、従来の活性炭のみの電気二重層キャパシタより高容量の蓄電が可能となるものである。
【実施例】
【００４６】
以下、合成例、実施例及び比較例を挙げて、本発明をより具体的に説明するが、本発明は下記の実施例に限定されるものではない。なお、以下において、ＮＭＲデータは、日本電子（株）製のＪＮＭ−ＥＣＰ２００を用いて、ＭＳデータは、Ａｐｐｌｉｅｄ Ｂｉｏｓｙｓｔｅｍｓ社製のＶｏｙａｇｅｒ ＤＥ Ｐｒｏにより測定した。
【００４７】
［合成例１］２，３−ジヒドロキシ−５−アミノキノキサリンの合成
以下の（１）〜（３）の方法で合成した。
（１）２，３−ジアミノニトロベンゼンの合成
【化３５】
【００４８】
市販の１−アミノ−２，５−ジニトロベンゼン１４ｇをメタノール２２５ｍｌに溶解し、これに硫化ナトリウム６０ｇ、炭酸水素ナトリウム２１ｇを水２４０ｇに溶解したものを、滴下ロートを用いて反応温度６０℃に保ったまま添加した。添加終了後さらに６０℃で１時間攪拌した。反応終了後、室温まで冷却し、濾過した。
ｍ／ｚ：（ＦＤ＋）１５３（計算値１５３．１３９６）
1Ｈ−ＮＭＲ：７．７２２８，７．７２０３，７．７０２６，７．２４３３，６．９２４５，６．６２０９，６．６０６３，６．６０３８，６．５８８６，５．９２１０，３．３９７８ｐｐｍ．
収量：７．７９ｇ（６６．５％）
性状：赤褐色微細結晶
融点：１４０℃
【００４９】
（２）２，３−ジヒドロキシ−５−ニトロキノキサリンの合成
【化３６】
【００５０】
２，３−ジアミノニトロベンゼン４ｇ（２６．１２ｍｍｏｌ）と市販の蓚酸２水和物６．５９ｇ（５２．２４ｍｍｏｌ）を５０％酢酸に溶解し、アルゴン気流下、沸点で３時間反応させた。反応終了後室温まで冷却し、析出した結晶を濾過した。
収量：３．０１ｇ（５５．６％）
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：２０７（計算値２０７．１４４）
【００５１】
（３）２，３−ジヒドロキシ−５−アミノキノキサリンの合成
【化３７】
【００５２】
２，３−ジヒドロキシ−５−ニトロキノキサリン２．００ｇをメタノール／ジオキサン１：１溶媒１００ｇに溶解した後、反応系を充分にアルゴン置換し、これに５％Ｐｄ／Ｃ（含水）１．００ｇ添加した。その後、系を水素置換し、室温で２０時間反応した。反応終了後、水１３０ｍｌに炭酸カリウム６．００ｇ溶解させたものに反応物を分散させ、生成物を溶解させた。濾過後得られた溶液に３５％塩酸を徐々に添加し析出物を得た。
収量：１．１０ｇ
性状：淡黄色微細結晶
ｍ／ｚ（ＦＤ＋）：１７７（計算値１７７．１６１６）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５５．８０３０，１５５．６５０４，１３５．９５７０，１２６．８３９０，１２４．１３０３，１１２．３２６５，１０９．６０２５，１０３．８４１８ ｐｐｍ．
【００５３】
［合成例２］２，３−ジフェニル−５−アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２．３−ジフェニル−５−ニトロキノキサリンの合成
【００５４】
【化３８】
【００５５】
２，３−ジアミノニトロベンゼン１．５３ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ｂｅｎｚｉｌ ２．００ｇ（９．６ｍｍｏｌ）を４つ口フラスコに入れ、これに酢酸：メタノール＝１：１溶媒３０ｇを加え溶解させた。その後反応温度７０℃で２時間反応させた。反応後溶媒を除去し、生成物をシリカゲルカラムで抽出した（酢酸エチル：ヘキサン＝１：１）。
収量：２．１１ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：３２７（計算値３２７．２４）
【００５６】
（２）２，３−ジフェニル−５−アミノキノキサリンの合成
【化３９】
【００５７】
２．３−ジフェニル−５−ニトロキノキサリン１．０４ｇをジオキサン３０ｇに溶解し、アルゴン置換した後、５％Ｐｄ／Ｃ（含水）０．５ｇを添加した。再度アルゴンで充分に置換した後、水素を添加し、室温で３０時間反応させた。反応終了後、濾過して反応溶媒を除去した後、シリカゲルカラムで分離精製した（酢酸エチル：ヘキサン＝１：３）。
収量：０．７３ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：２９７（計算値Ｍ：２９７．３６）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５３．６０５５，１５０．１１８５，１４４．２２８０，１４１．９６１９，１３９．４５１６，１３９．３５２４，１３１．１３４８，１３０．０８９４，１２９．９３６８，１２８．７６９４，１２８．６４７３，１２８．３４９７，１２８．１７４３，１１７．２０９８，１１０．２５１１ ｐｐｍ．
【００５８】
［合成例３］２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−ニトロキノキサリンの合成
【化４０】
【００５９】
２，３−ジアミノニトロベンゼン１．８４ｇ（１２ｍｍｏｌ），４，４′−ジメチルベンジル２．３８ｇ（１０ｍｍｏｌ）を酢酸、メタノール混合溶媒（１：１）４０ｇに溶解し、反応温度８０℃で４時間反応させた。反応終了後、溶媒を除去し、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：１．３０ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：３５５（計算値３５５．３９）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５４．８９５０，１５４．８３３９，１４７．０８９４，１４０．７５６３，１４０．１３０７，１３９．８６３６，１３５．５９８４，１３５．１２５３，１３３．７０６１，１３３．２２５４，１３０．２７２５，１２９．７００３，１２９．３１８８，１２９．１２０４，１２８．４１０８，１２７．７４７０，１２４．２１４２ ｐｐｍ．
【００６０】
（２）２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−アミノキノキサリンの合成
【化４１】
【００６１】
２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−ニトロキノキサリン２．０２ｇをジオキサン３０ｇに溶解し、アルゴンで置換した後に５％Ｐｄ／Ｃ（含水）０．６ｇを添加した。再度アルゴン置換した後、水素置換し、室温で１８時間反応させた。反応終了後、濾過し、濾サイをさらにアセトンとジオキサンで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶媒を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：１．３６ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：３２５（計算値３２５．１４）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５３．６１３１，１５０．１６４３，１４４．０９０７，１４１．８５５１，１３８．６５８１，１３８．５８９４，１３６．７０４７，１３６．６６６６，１３１．２７２１，１３０．７７６１，１２９．９２９２，１２９．７７６６，１２９．０３６５，１２８．９８１５，１１７．２４０３，１１０．０６０３ ｐｐｍ．
【００６２】
［合成例４］２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−（４−ジメトキシフェニル）−５−ニトロキノキサリンの合成
【化４２】
【００６３】
２，３−ジアミノニトロベンゼン１．５４ｇ（１０ｍｍｏｌ），４，４′−ジメトキシベンジル２．２５ｇ（８．３ｍｍｏｌ）を溶媒（メタノール：酢酸＝１：１、１００ｇ）に溶解し、室温で２０時間反応させた。反応終了後、濾過し、濾サイをさらにアセトンとジオキサンで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶剤を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：１．２４ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：３８７（計算値：３８７．３９）
13Ｃ−ＮＭＲ：１６１．０９８３，１６０．９０７５，１５４．３３０３，１５４．２４６４，１４６．９５２０，１４０．６４９５，１３３．５９９３，１３３．１４１５，１３１．９２０７，１３０．８４４８，１３０．４０９９，１２７．５１０４，１２４．０９９８，１１４．１０４３，１１３．８８３０ｐｐｍ．
【００６４】
（２）２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−アミノキノキサリンの合成
【化４３】
【００６５】
２，３−（４−ジメトキシフェニル）−５−ニトロキノキサリン０．５５ｇをジオキサン３０ｇに溶解し、アルゴンで充分に置換した。その後、５％Ｐｄ／Ｃ（含水）０．５ｇを添加し、再度アルゴンで充分置換した。この系を水素置換し、室温で２４時間反応させた。反応終了後、濾過し、濾サイをさらにアセトンとジオキサンで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶媒を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：０．３７ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：３２５（計算値：３２５．４３）
13Ｃ−ＮＭＲ：１６０．１３６９，１６０．０６０６，１５３．１３２４，１４９．７３７０，１４４．０１４４，１４１．７４８３，１３１．３９４２，１３１．２８７４，１３０．６２３５，１１７．１６４０，１１３．８２９６，１１３．６６１８，１１０．０１４５，５５．３８２８ ｐｐｍ．
【００６６】
［合成例５］２，３−ジ（４−ブロモフェニル）−５−アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジ（４−ブロモフェニル）−５−ニトロキノキサリンの合成
【化４４】
【００６７】
２，３−ジアミノニトロベンゼン１．５３ｇ（１０ｍｍｏｌ），４，４′−ジブロモベンジル３．６８ｇ（１０ｍｍｏｌ）を酢酸、メタノール混合溶媒（１：１）８０ｇに溶解し、反応温度７０℃で３０時間反応させた。反応終了後、溶媒を除去し、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：１．８９ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：４８５（計算値４８５．１２）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５３．４４５３，１５３．３６１３，１４７．００６５，１４０．７９４５，１３６．８１１６，１３６．３７６６，１３３．７８２４，１３３．２６３５，１３２．０５０４，１３１．８７４９，１３１．８２１５，１３１．３７８９，１２８．５７８７，１２４．９８４９，１２４．８７８０，１２４．７１０２ ｐｐｍ．
【００６８】
（２）２，３−ジ（４−ブロモフェニル）−５−アミノキノキサリンの合成
【化４５】
【００６９】
２，３−ジ（４−ブロモフェニル）−５−ニトロキノキサリン１．０１ｇ（２．１ｍｍｏｌ）をジオキサン３０ｇに溶解し、アルゴンで充分に置換した。その後、５％Ｐｄ／Ｃ（含水）０．３ｇを添加し、再度アルゴンで充分置換した。この系を水素置換し、室温で２４時間反応させた。反応終了後濾過し、濾サイをさらにアセトンとジオキサンで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶媒を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：０．６６ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：４５５（計算値：４５５．１２）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５１．９６６，１４８．４９３，１４４．０６５，１４１．８９７，１３７．９２０，１３７．８２０，１３５．０４２，１３１．７０６，１３１．６３７，１３１．４９２，１３１．４００，１３１．２４８，１２３．５１４，１２３．３７７，１１７．０６４，１１０．４５２ ｐｐｍ．
【００７０】
［合成例６］２，３−ジチエニル−５−アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジチエニル−５−ニトロキノキサリンの合成
【化４６】
【００７１】
２，３−ジアミノニトロベンゼン０．０２２ｇ（０．１４４ｍｍｏｌ），２，２′−チエニル０．０１９３８ｇ（０．０８７ｍｍｏｌ）を酢酸、メタノール混合溶媒（１：１）３ｇに溶解し、反応温度７０℃で３０時間反応させた。反応終了後溶媒を除去し、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：０．０４ｇ
性状：黄色微細結晶
ｍ／ｚ：３３９（計算値：３３９．４０）
【００７２】
（２）２，３−ジチエニル−５−アミノキノキサリンの合成
【化４７】
【００７３】
２．３−ジチエニル−５−ニトロキノキサリン１．０１ｇ（３．０ｍｍｏｌ）をジオキサン３０ｇに溶解し、アルゴンで充分に置換した。その後５％Ｐｄ／Ｃ（含水）０．３ｇを添加し、再度アルゴンで充分置換した。この系を水素置換し、室温で２４時間反応させた。反応終了後濾過し、濾サイをさらにアセトンとジオキサンで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶剤を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：０．４０ｇ
性状：黄褐色微細結晶
ｍ／ｚ：３０９（計算値３０９．４２）
13Ｃ−ＮＭＲ：１４６．５６９，１４３．７５２，１４２．１１１，１４１．５４６，１４１．２３３，１３１．２３２，１３０．６１４，１２９．０６４，１２８．８２０，１２８．５５３，１２８．４６９，１２７．５３０，１２７．４６１，１１６．９１１，１１０．４２２，９９．９０２ ｐｐｍ
【００７４】
［合成例７］１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）１，２，３−トリアミノベンゼンの合成
【化４８】
【００７５】
２，６−ジニトロアニリン１５．０ｇ（８２ｍｍｏｌ）をＴＨＦ１５０ｇに溶解した後、反応系を充分に窒素置換し、これに５％Ｐｄ／Ｃ（含水）７．６ｇ添加した。その後水素置換し、室温で１５時間反応した。反応終了後、反応液をろ過してＰｄを除去し、ろ液をそのまま濃縮することで目的物を得た。得られた化合物は不安定であるため、そのまま次反応に使用した。
【００７６】
（２）１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジンの合成
【化４９】
【００７７】
１，２，３−トリアミノベンゼン１０．１ｇ（８２ｍｍｏｌ）、９，１０−フェナントレンキノン１４．６ｇ（７０ｍｍｏｌ）を４つ口フラスコに入れ、これに酢酸：メタノール＝１：１溶媒３５０ｇを加え溶解させた。その後反応温度７０℃で２時間反応させた。反応後溶媒を除去し、生成物をメタノールで洗浄することで目的物を得た。
収量：１７．１ｇ
性状：黄土色固体
ｍ／ｚ：２９５（計算値２９５．１１）
13Ｃ−ＮＭＲ：１４６．９３２，１４４．１４５，１４３．０８４，１３９．７４０，１３３．４７３，１３３．００７，１３２．６５６，１３２．２１３，１３１．６０２，１３１．４８８，１３０．８４７，１３０．４７３，１２８．４６５，１２６．８６９，１２６．８３１，１２６．６６３，１２３．９００，１１６．２４３，１０８．６４７ ｐｐｍ．
【００７８】
［合成例８］２，３−ジフェニル−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジフェニル−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５０】
【００７９】
２，３−ジフェニル−５−アミノキノキサリン４．０ｇ（１３．４ｍｍｏｌ）、４−フルオロニトロベンゼン２．１ｇ（１４．９ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１００ｍｌを攪拌しながら、ｔ−ブトキシカリウム５．０ｇ（４４．６ｍｍｏｌ）をゆっくり添加した。添加終了後、反応容器中を窒素置換し、室温で２４時間攪拌させた。反応終了後、冷却しながら水１００ｍｌを添加した後、クロロホルム溶媒を用い有機層を抽出し、溶媒を濃縮して目的物を得た。
収量：５．４ｇ
【００８０】
（２）２，３−ジフェニル−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５１】
【００８１】
２，３−ジフェニル−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリン５．４ｇ（２．９ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解し、反応容器内を窒素置換した。その後５％Ｐｄ／Ｃ（含水）５．０ｇを添加し、再度窒素で充分置換した。この系を水素置換し、室温で１０時間反応させた。反応終了後、濾過し、濾サイをさらにテトラヒドロフランで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶媒を除去した後、反応生成物をテトラヒドロフラン／ヘプタン混合溶媒中から再結晶させた。
収量：３．９ｇ
性状：橙色固体
ｍ／ｚ：３８８（計算値３８８．１７）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５３．５９７，１４９．６５８，１４２．９７８，１４２．８８７，１４２．００９，１３９．３０６，１３９．１９９，１３２．２９０，１３１．２８３，１３０．００８，１２９．８２５，１２８．６８０，１２８．５８８，１２８．２６７，１２８．１３０，１２４．７９４，１１６．１９８，１１６．１１４，１０６．６４８ ｐｐｍ．
【００８２】
［合成例９］２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５２】
【００８３】
２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−アミノキノキサリン３．０ｇ（９．２ｍｍｏｌ）、４−フルオロニトロベンゼン１．４ｇ（９．９ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド１００ｍｌを攪拌しながら、ｔ−ブトキシカリウム３．４ｇ（３０．３ｍｍｏｌ）をゆっくり添加した。添加終了後、反応容器中を窒素置換し、室温で２０時間攪拌させた。反応終了後、冷却しながら水１００ｍｌを添加した後、クロロホルム溶媒を用い有機層を抽出し、溶媒を濃縮して目的物を得た。
収量：５．９ｇ
ｍ／ｚ：４４６（計算値４４６．１７）
【００８４】
（２）２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５３】
【００８５】
２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリン５．９ｇ（１３．２ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン７０ｍｌに溶解し、反応容器内を窒素置換した。その後５％Ｐｄ／Ｃ（含水）２ｇを添加し、再度窒素で充分置換した。この系を水素置換し、室温で１３時間反応させた。反応終了後、濾過し、濾サイをさらにテトラヒドロフランで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶剤を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：１．１ｇ
性状：橙色固体
ｍ／ｚ：４１６（計算値４１６．２０）
13Ｃ−ＮＭＲ：１５３．６０５，１４９．７１１，１４２．７１９，１４１．９１７，１３８．５７３，１３６．５４３，１３２．５４２，１３０．９７７，１２９．８６３，１２９．７０３，１２８．９７０，１２８．８７０，１２４．６６４，１１６．１９８，１０６．４８０，２１．３５２ ｐｐｍ．
【００８６】
［合成例１０］２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５４】
【００８７】
２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−アミノキノキサリン５．０ｇ（１４．０ｍｍｏｌ），４−フルオロニトロベンゼン２．４ｇ（１７．０ｍｍｏｌ），ジメチルスルホキシド１２０ｍｌを攪拌しながら、ｔ−ブトキシカリウム５．７ｇ（５０．８ｍｍｏｌ）をゆっくり添加した。添加終了後、反応容器中を窒素置換し、室温で８時間攪拌させた。反応終了後、冷却しながら水１００ｍｌを添加した後、クロロホルム溶媒を用い有機層を抽出し、溶媒を濃縮して目的物を得た。
収量：８．３ｇ
性状：茶色固体
【００８８】
（２）２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５５】
【００８９】
２，３−ジ（４−メトキシフェニル）−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリン８．３ｇ（１７．３ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン１００ｍｌに溶解し、反応容器内を窒素置換した。その後５％Ｐｄ／Ｃ（含水）５ｇを添加し、再度窒素で充分置換した。この系を水素置換し、室温で１０時間反応させた。反応終了後、濾過し、濾サイをさらにテトラヒドロフランで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶剤を除去した後、反応生成物をヘキサン中で再結晶させることで目的物を得た。
収量：４．５ｇ
性状：橙色固体
ｍ／ｚ：４４８（計算値４４８．１９）
13Ｃ−ＮＭＲ：１６３．７６６，１５９．９９４，１５３．１３１，１４８．８７２，１４２．９４０，１４２．６８８，１４１．８０３，１３２．４２０，１３１．９４７，１３１．３２９，１３１．２０６，１３０．７７９，１２４．７２５，１１６．０７６，１１３．７５５，１１３．６２５，１０６．４１１，９８．９５３，５５．３２４ ｐｐｍ．
【００９０】
［合成例１１］２，３−ジ（２−チエニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）２，３−ジ（２−チエニル）−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５６】
【００９１】
２，３−ジ（２−チエニル）−５−アミノキノキサリン３．１ｇ（９．９ｍｍｏｌ），４−フルオロニトロベンゼン１．４ｇ（９．９ｍｍｏｌ），ジメチルスルホキシド１５ｇを攪拌しながら、ｔ−ブトキシカリウム３．３ｇ（２９．６ｍｍｏｌ）をゆっくり添加した。添加終了後、反応容器中を窒素置換し、室温で１４時間攪拌させた。反応終了後、冷却しながら水１００ｍｌを添加した後、得られた化合物をろ過、乾燥し、シリカゲルカラムにより精製した。
収量：２．６ｇ
性状：黄色固体
【００９２】
（２）２，３−ジ（２−チエニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリンの合成
【化５７】
【００９３】
２，３−ジ（２−チエニル）−５−（４−ニトロフェニル）アミノキノキサリン２．２ｇ（５．１ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン５０ｍｌに溶解し、反応容器内を窒素置換した。その後５％Ｐｄ／Ｃ（含水）０．７ｇを添加し、再度窒素で充分置換した。この系を水素置換し、室温で５時間反応させた。反応終了後濾過し、濾サイをさらにテトラヒドロフランで洗浄し、再度濾過した。得られた濾液から溶剤を除去した後、反応生成物をシリカゲルカラムで抽出した。
収量：１．９ｇ
性状：橙色固体
ｍ／ｚ：３９９（計算値４００．０８）
13Ｃ−ＮＭＲ：１４６．６６５，１４３．１６１，１４３．００９，１４２．６１９，１４２．００９，１４１．４１３，１３２．０８４，１３１．５３５，１３０．４４３，１２９．０６１，１２８．８４０，１２８．６０３，１２８．４７３，１２７．６１８，１２７．５１２，１２４．８７８，１１６．０６８，１１５．９３１，１０６．９３０ ｐｐｍ．
【００９４】
［合成例１２］Ｎ−４−アミノフェニル−１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジンの合成
以下の（１）、（２）の方法で合成した。
（１）Ｎ−４−ニトロフェニル−１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジンの合成
【化５８】
【００９５】
１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジン１０．０ｇ（３４ｍｍｏｌ）、４−フルオロニトロベンゼン４．８ｇ（３４ｍｍｏｌ）、ジメチルスルホキシド５００ｍｌを攪拌しながら、ｔ−ブトキシカリウム１９．４ｇ（１７３ｍｍｏｌ）をゆっくり添加した。添加終了後、反応容器中を窒素置換し、室温で２４時間攪拌させた。反応終了後、冷却しながら水５００ｍｌを添加した後、反応液をろ過してろ物を得た。得られたろ物をメタノールで洗浄し、目的物を得た。
【００９６】
（２）Ｎ−４−アミノフェニル−１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジンの合成
【化５９】
【００９７】
Ｎ−４−ニトロフェニル−１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジン４．５ｇ（１０．８ｍｍｏｌ）をテトラヒドロフラン２００ｍｌに溶解し、反応容器内を窒素置換した。その後５％Ｐｄ／Ｃ（含水）４．６ｇを添加し、再度窒素で充分置換した。この系を水素置換し、室温で１０時間反応させた。反応終了後濾過し、濾サイをさらにテトラヒドロフランで洗浄した後にカラムで精製し、目的物を得た。
性状：紫色結晶
ｍ／ｚ：３８６（計算値３８６．１５）
13Ｃ−ＮＭＲ：１４６．７７１，１４５．１８３，１４４．１９１，１４３．２４４，１３９．６８７，１３３．５２６，１３３．０２２，１３２．６７１，１３２．２３６，１３１．４３４，１３１．３８９，１３０．８９２，１３０．５８７，１２８．５１８，１２６．８７７，１２６．３２０，１２５．８９２，１２３．９０７，１１６．３１９，１１５．７３９，１０５．９６０ ｐｐｍ．
【００９８】
［実施例１］ポリ｛２，３−ジフェニル−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリン｝の合成
白金メッシュ対極を備えた三極式ビーカー型セルを用い、下記の電位掃引法により電解酸化を行うことで、目的化合物の合成を行った。
２，３−ジフェニル−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリン０．１９ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）、過塩素酸１．０５ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６．５ｇに溶解させた溶液を用いた。試験極基板として、表面をエメリーペーパーにより傷つけた白金板（片面１．０ｃｍ2）を用い、参照極にＡｇ／Ａｇ+を使用し、電気化学測定システム（ビー・エー・エス株式会社）を用いて、電位範囲４００〜７００ｍＶ、掃引速度５０ｍＶｓｅｃ-1とし、３０サイクルの電位掃引を行い、電解重合を行った。電極上に重合された目的化合物が得られた。
性状：黒色固体
ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ ４１５（一量体），７７２（二量体），１１５６（三量体）
【００９９】
［実施例２］ポリ｛２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリン｝の合成
白金メッシュ対極を備えた三極式ビーカー型セルを用い、下記の電位掃引法により電解酸化を行うことで、目的化合物の合成を行った。
２，３−ジ（４−メチルフェニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリン０．２１ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）、過塩素酸１．０５ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６．５ｇに溶解させた溶液を用いた。試験極基板として、表面をエメリーペーパーにより傷つけた白金板（片面１．０ｃｍ2）を用い、参照極にＡｇ／Ａｇ+を使用し、電気化学測定システム（ビー・エー・エス株式会社）を用いて、電位範囲１３００〜１６００ｍＶ、掃引速度１００ｍＶｓｅｃ-1とし、３０サイクルの電位掃引を行い、電解重合を行った。電極上に重合された目的化合物が得られた。
性状：黒色固体
ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ ４２９（一量体），８２６（二量体），１２４０（三量体），１６６７（四量体）
【０１００】
［実施例３］ポリ｛２，３−ジ（２−チエニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリン｝の合成
白金メッシュ対極を備えた三極式ビーカー型セルを用い、下記の電位掃引法により電解酸化を行うことで、目的化合物の合成を行った。
２，３−ジ（２−チエニル）−５−（４−アミノフェニル）アミノキノキサリン０．２０ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）、過塩素酸１．０５ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６．５ｇに溶解させた溶液を用いた。試験極基板として、表面をエメリーペーパーにより傷つけた白金板（片面１．０ｃｍ2）を用い、参照極にＡｇ／Ａｇ+を使用し、電気化学測定システム（ビー・エー・エス株式会社）を用いて、電位範囲４００〜７００ｍＶ、掃引速度１００ｍＶｓｅｃ-1とし、３０サイクルの電位掃引を行い、電解重合を行った。電極上に重合された目的化合物が得られた。
性状：黒色固体
ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ ３９８（一量体），７９３（二量体），１１９２（三量体），１６０２（四量体），１９８７（五量体）
【０１０１】
［実施例４］ポリ｛Ｎ−４−アミノフェニル−１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジン｝の合成
白金メッシュ対極を備えた三極式ビーカー型セルを用い、下記の定電位法により電解酸化を行うことで、目的化合物の合成を行った。
Ｎ−４−アミノフェニル−１０−ジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジン０．１９ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ）、過塩素酸１．０５ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６．５ｇに溶解させた溶液を用いた。試験極基板として、表面をエメリーペーパーにより傷つけた白金板（片面１．０ｃｍ2）を用い、参照極にＡｇ／Ａｇ+を使用し、電気化学測定システム（ビー・エー・エス株式会社）を用いた。定電位法では電気量を２．０Ｃ／ｃｍ2に規制し０．７Ｖで重合を行い、試験極表面に黒色の重合膜が得られた。得られた膜はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドにより表面を洗浄した。
ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ ７８１（二量体），１１６７（三量体），１５５２（四量体），１９４０（五量体）
サイクリックボルタンメトリー測定による酸化ピーク及び還元ピーク（０．１ｍｏｌ／Ｌテトラエチルアンモニウムパークロレートのアセトニトリル溶液中で測定）：酸化ピーク７００ｍＶ，１０００ｍＶ、還元ピーク−２００ｍＶ，３００ｍＶ
【０１０２】
上記実施例４で得られた電極を用いてセルを作製し、下記方法にて充放電試験を行い、静電容量を求めたところ、５８Ｆ／ｇであった。詳述すると、１サイクル目では４８．５Ｆ／ｇの放電容量が得られ、５サイクル目には６５．８Ｆ／ｇまで向上した。また１０サイクル目でも５８．５Ｆ／ｇの容量を保持した。
（充放電試験方法）
上記重合膜が形成された白金電極を試験極、白金板を対極、Ａｇ／Ａｇ+を参照極とした三極式ビーカー型セルを用い、下記条件により定電流充放電試験を行った。
０．１ｍｏｌ／Ｌテトラエチルアンモニウムパークロレートのアセトニトリル溶液中に、上記セルをセットし、電流密度０．５ｍＡ／ｃｍ2、カットオフ電位１．５Ｖ〜−０．５Ｖで測定を行い、１０サイクル時の値を測定値とした。
【０１０３】
［比較例１］ポリ｛１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジン｝の合成
白金メッシュ対極を備えた三極式ビーカー型セルを用い、定電位法により電解酸化を行うことで、目的化合物の合成を行った。１０−アミノジベンゾ（Ａ，Ｃ）フェナジン０．１５ｍｇ（０．５ｍｍｏｌ），過塩素酸１．０５ｍｌ（１１ｍｍｏｌ）をＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミド６．５ｇに溶解させた溶液を用いた。試験極基板として、表面をエメリーペーパーにより傷つけた白金板（片面１．０ｃｍ2）を用い、参照極にＡｇ／Ａｇ＋を使用し、電気化学測定システム（ビー・エー・エス株式会社）を用いた。定電位法では電気量を２．０Ｃ／ｃｍ2に規制し０．９Ｖで重合を行い、試験極表面に黒色の重合膜が得られた。得られた膜はＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドにより表面を洗浄した。
【０１０４】
ＴＯＦ−ＭＳ：ｍ／ｚ ５９６．９（二量体），８９３．９（三量体），１１９２．３（四量体），１４８８．５（五量体），１７８８．７（六量体），２０８８．９（七量体）
サイクリックボルタンメトリー測定による酸化ピーク及び還元ピーク（０．１ｍｏｌ／Ｌテトラエチルアンモニウムパークロレートのアセトニトリル溶液中で測定）：酸化ピーク１１００ｍＶ、還元ピーク２００ｍＶ
上記比較例１で得られた電極を用いてセルを作製し、実施例４と同様の条件にて充放電試験を行い、静電容量を求めたところ、４７Ｆ／ｇであった。詳述すると、１サイクル目では８３．５Ｆ／ｇの放電容量が得られ、５サイクル目には６２．０Ｆ／ｇまで低下し、１０サイクル目で４７．０Ｆ／ｇに低下した。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
式（１ａ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１】
〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ1とＲ2とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ3とＲ4とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、
Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表す。
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）、
ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。〕
【請求項２】
前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（２）で表されることを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化２】
（式中Ｒ7〜Ｒ11は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項３】
前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（３）で表されることを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化３】
（式中Ｒ12〜Ｒ18は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項４】
前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（４）で表されることを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化４】
（式中Ｒ19〜Ｒ21は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し、Ａ1はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
【請求項５】
前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（５）で表されることを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化５】
（式中Ｒ22は、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、Ｒ23〜Ｒ26は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項６】
前記Ｒ5が、式（６）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化６】
（式中Ｒ27〜Ｒ30は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項７】
前記Ｒ5が、式（７）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化７】
（式中Ｒ31〜Ｒ32は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し、Ｗ1はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
【請求項８】
前記Ｒ5が、式（８）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化８】
（式中Ｒ33〜Ｒ34は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し、Ｑ1はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
【請求項９】
前記Ｒ5が、式（９）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化９】
（式中Ｒ35〜Ｒ40は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項１０】
前記Ｒ6が、式（１０）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１０】
（式中Ｒ41〜Ｒ44は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項１１】
前記Ｒ6が、式（１１）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１１】
（式中Ｒ45〜Ｒ46は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し、Ｗ2はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
【請求項１２】
前記Ｒ6が、式（１２）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１２】
（式中Ｒ47〜Ｒ48は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し、Ｑ2はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
【請求項１３】
前記Ｒ6が、式（１３）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１３】
（式中Ｒ49〜Ｒ54は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項１４】
前記Ｒ1とＲ2とが単結合で結合して形成される基が、式（１４）で表されることを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１４】
（式中Ａ2はＣ又はＮを表し、Ｒ55〜Ｒ62は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。ただし、Ａ2がＮのとき、Ｒ58及びＲ59は存在しない。）
【請求項１５】
式（１ｂ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１５】
〔式中、Ｒ1'及びＲ2'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ3とＲ4とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、
Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表す。
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）、
ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。〕
【請求項１６】
式（１ｃ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１６】
〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ1とＲ2とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｒ3'及びＲ4'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、
Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表す。
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）、
ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。〕
【請求項１７】
式（１ｄ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１７】
〔式中、Ｒ1'及びＲ2'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｒ3'及びＲ4'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、
Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表す。
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）、
ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。〕
【請求項１８】
前記Ｒ1'及びＲ2'が一緒になって形成される基が、式（１５）で表されることを特徴とする請求項１５又は１７記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１８】
（式中Ａ3はＯ又はＳを表し、Ｒ63〜Ｒ66は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項１９】
前記Ｒ3'及びＲ4'が一緒になって形成される基が、式（１６）で表されることを特徴とする請求項１６又は１７記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１９】
（式中Ａ4はＯ又はＳを表し、Ｒ67〜Ｒ70は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項２０】
前記Ｒ3'及びＲ4'が一緒になって形成される基が、式（１７）で表されることを特徴とする請求項１６又は１７記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化２０】
（式中Ｒ71及びＲ72は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極を備えることを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス。
【請求項２２】
前記式（１ａ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【請求項２３】
前記式（１ｂ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする請求項１５記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【請求項２４】
前記式（１ｃ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする請求項１６記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【請求項２５】
前記式（１ｄ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする請求項１７記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【請求項２６】
式（１８ａ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【化２１】
〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ1とＲ2とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ3とＲ4とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｘ2は、−ＮＨ−Ｒ73−ＮＨ2又は−ＮＨ−Ｒ74を表し、
Ｒ73は、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表し、
Ｒ74は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）〕
【請求項２７】
式（１８ｂ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする請求項１５記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【化２２】
〔式中、Ｒ1'及びＲ2'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ3とＲ4とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｘ2は、−ＮＨ−Ｒ73−ＮＨ2又は−ＮＨ−Ｒ74を表し、
Ｒ73は、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表し、
Ｒ74は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）〕
【請求項２８】
式（１８ｃ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする請求項１６記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【化２３】
〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ1とＲ2とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｒ3'及びＲ4'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｘ2は、−ＮＨ−Ｒ73−ＮＨ2又は−ＮＨ−Ｒ74を表し、
Ｒ73は、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表し、
Ｒ74は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）〕
【請求項２９】
式（１８ｄ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする請求項１７記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【化２４】
〔式中、Ｒ1'及びＲ2'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｒ3'及びＲ4'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｘ2は、−ＮＨ−Ｒ73−ＮＨ2又は−ＮＨ−Ｒ74を表し、
Ｒ73は、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表し、
Ｒ74は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）〕
【請求項１】
式（１ａ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１】
〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ1とＲ2とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ3とＲ4とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、
Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表す。
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）、
ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。〕
【請求項２】
前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（２）で表されることを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化２】
（式中Ｒ7〜Ｒ11は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ4ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ4シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項３】
前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（３）で表されることを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化３】
（式中Ｒ12〜Ｒ18は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項４】
前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（４）で表されることを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化４】
（式中Ｒ19〜Ｒ21は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し、Ａ1はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
【請求項５】
前記Ｒ1及びＲ2が、それぞれ独立して、式（５）で表されることを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化５】
（式中Ｒ22は、ハロゲン原子又はシアノ基を表し、Ｒ23〜Ｒ26は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項６】
前記Ｒ5が、式（６）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化６】
（式中Ｒ27〜Ｒ30は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項７】
前記Ｒ5が、式（７）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化７】
（式中Ｒ31〜Ｒ32は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し、Ｗ1はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
【請求項８】
前記Ｒ5が、式（８）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化８】
（式中Ｒ33〜Ｒ34は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し、Ｑ1はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
【請求項９】
前記Ｒ5が、式（９）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化９】
（式中Ｒ35〜Ｒ40は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項１０】
前記Ｒ6が、式（１０）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１０】
（式中Ｒ41〜Ｒ44は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項１１】
前記Ｒ6が、式（１１）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１１】
（式中Ｒ45〜Ｒ46は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し、Ｗ2はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
【請求項１２】
前記Ｒ6が、式（１２）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１２】
（式中Ｒ47〜Ｒ48は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し、Ｑ2はＮＨ、Ｏ又はＳを表す。）
【請求項１３】
前記Ｒ6が、式（１３）で表されることを特徴とする請求項１〜５のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１３】
（式中Ｒ49〜Ｒ54は、それぞれ独立して、環上の任意の位置で置換している水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項１４】
前記Ｒ1とＲ2とが単結合で結合して形成される基が、式（１４）で表されることを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１４】
（式中Ａ2はＣ又はＮを表し、Ｒ55〜Ｒ62は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。ただし、Ａ2がＮのとき、Ｒ58及びＲ59は存在しない。）
【請求項１５】
式（１ｂ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１５】
〔式中、Ｒ1'及びＲ2'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ3とＲ4とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、
Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表す。
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）、
ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。〕
【請求項１６】
式（１ｃ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１６】
〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ1とＲ2とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｒ3'及びＲ4'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、
Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表す。
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）、
ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。〕
【請求項１７】
式（１ｄ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物を電極活物質として含むことを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１７】
〔式中、Ｒ1'及びＲ2'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｒ3'及びＲ4'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｘ1は、−ＮＨ−Ｒ5−ＮＨ−又は−ＮＨ−Ｒ6−を表し、
Ｒ5及びＲ6は、それぞれ独立して、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表す。
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）、
ｎは、少なくとも２以上の整数を表す。〕
【請求項１８】
前記Ｒ1'及びＲ2'が一緒になって形成される基が、式（１５）で表されることを特徴とする請求項１５又は１７記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１８】
（式中Ａ3はＯ又はＳを表し、Ｒ63〜Ｒ66は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項１９】
前記Ｒ3'及びＲ4'が一緒になって形成される基が、式（１６）で表されることを特徴とする請求項１６又は１７記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化１９】
（式中Ａ4はＯ又はＳを表し、Ｒ67〜Ｒ70は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項２０】
前記Ｒ3'及びＲ4'が一緒になって形成される基が、式（１７）で表されることを特徴とする請求項１６又は１７記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極。
【化２０】
（式中Ｒ71及びＲ72は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基又はＺで置換されていてもよいチエニル基を表し、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。）
【請求項２１】
請求項１〜２０のいずれか１項記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極を備えることを特徴とするエネルギー貯蔵デバイス。
【請求項２２】
前記式（１ａ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【請求項２３】
前記式（１ｂ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする請求項１５記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【請求項２４】
前記式（１ｃ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする請求項１６記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【請求項２５】
前記式（１ｄ）で表されるポリアミノキノキサリン化合物からなる電極活物質を集電板電極上に塗布積層することを特徴とする請求項１７記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【請求項２６】
式（１８ａ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする請求項１記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【化２１】
〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ1とＲ2とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ3とＲ4とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｘ2は、−ＮＨ−Ｒ73−ＮＨ2又は−ＮＨ−Ｒ74を表し、
Ｒ73は、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表し、
Ｒ74は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）〕
【請求項２７】
式（１８ｂ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする請求項１５記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【化２２】
〔式中、Ｒ1'及びＲ2'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｒ3及びＲ4は、それぞれ独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ3とＲ4とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｘ2は、−ＮＨ−Ｒ73−ＮＨ2又は−ＮＨ−Ｒ74を表し、
Ｒ73は、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表し、
Ｒ74は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）〕
【請求項２８】
式（１８ｃ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする請求項１６記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【化２３】
〔式中、Ｒ1及びＲ2は、それぞれ独立して、水素原子、水酸基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基（Ｒ1とＲ2とが前記フェニル基、ピリジル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基のとき、これらの基は単結合で結合していてもよい。）を表し、
Ｒ3'及びＲ4'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｘ2は、−ＮＨ−Ｒ73−ＮＨ2又は−ＮＨ−Ｒ74を表し、
Ｒ73は、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表し、
Ｒ74は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）〕
【請求項２９】
式（１８ｄ）で表されるアミノキノキサリン化合物を集電板電極上で電解重合することを特徴とする請求項１７記載のエネルギー貯蔵デバイス用電極の製造方法。
【化２４】
〔式中、Ｒ1'及びＲ2'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｒ3'及びＲ4'は、これら各基が一緒になって、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＯＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＳＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｎ（Ｒ'）ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＣＨ2ＯＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2ＣＨ2−、−ＣＨ2ＯＣＨ2Ｏ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＯＣＨ2ＣＨ2Ｓ−、−ＳＣＨ2ＣＨ2Ｏ−、−ＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2−、−ＯＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−ＯＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＯ−、−ＳＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＳ−、−Ｎ（Ｒ'）ＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ（Ｒ'）−、−Ｎ（Ｒ'）Ｎ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ（Ｒ'）Ｎ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＯＣＨ2ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ2Ｏ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＣＨ＝Ｎ−、−Ｎ＝ＣＨＮ＝ＣＨ−、もしくは−ＣＨ＝ＮＣＨ＝Ｎ−を形成し、このとき、これらの基の炭素原子に結合した水素原子はＹで置換されていてもよく、Ｒ'は、水素原子、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｘ2は、−ＮＨ−Ｒ73−ＮＨ2又は−ＮＨ−Ｒ74を表し、
Ｒ73は、Ｃ1〜Ｃ10アルキレン基、−Ｃ（Ｏ）ＣＨ2−、−ＣＨ2Ｃ（Ｏ）−、Ｙで置換されていてもよい２価のベンゼン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピリジン環、Ｙで置換されていてもよい２価のビフェニル基、Ｙで置換されていてもよい２価のナフタレン環、Ｙで置換されていてもよい２価のチオフェン環、Ｙで置換されていてもよい２価のピロール環、Ｙで置換されていてもよい２価のフラン環又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロ環を表し、
Ｒ74は、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、アセチル基、Ｙで置換されていてもよいフェニル基、Ｙで置換されていてもよいピリジル基、Ｙで置換されていてもよいビフェニル基、Ｙで置換されていてもよいナフチル基、Ｙで置換されていてもよいチエニル基、Ｙで置換されていてもよいピロリル基、Ｙで置換されていてもよいフリル基又はＹで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し、
Ｙは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、Ｚで置換されていてもよいフェニル基、Ｚで置換されていてもよいピリジル基、Ｚで置換されていてもよいビフェニル基、Ｚで置換されていてもよいナフチル基、Ｚで置換されていてもよいチエニル基、Ｚで置換されていてもよいピロリル基、Ｚで置換されていてもよいフリル基又はＺで置換されていてもよい縮合ヘテロアリール基を表し（ただし、Ｙが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい）、
Ｚは、ハロゲン原子、シアノ基、ニトロ基、アミノ基、エポキシ基、ビニル基、Ｃ1〜Ｃ10アルキル基、Ｃ1〜Ｃ10ハロアルキル基、Ｃ1〜Ｃ10アルコキシ基、Ｃ1〜Ｃ10シアノアルキル基、フェニル基、ビフェニル基、ナフチル基、チエニル基、ピロリル基、フリル基又は縮合ヘテロアリール基を表す。（ただし、Ｚが２個以上の場合は同一か相互に異なってもよい。）〕
【国際公開番号】ＷＯ２００５／０７６２９５
【国際公開日】平成１７年８月１８日（２００５．８．１８）
【発行日】平成１９年１０月１８日（２００７．１０．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−５１７６７３（Ｐ２００５−５１７６７３）
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００５／００１３８８
【国際出願日】平成１７年２月１日（２００５．２．１）
【出願人】（３０４０２０１７７）国立大学法人山口大学 (579)
【出願人】（０００００３９８６）日産化学工業株式会社 (510)
【Ｆターム（参考）】
【国際公開日】平成１７年８月１８日（２００５．８．１８）
【発行日】平成１９年１０月１８日（２００７．１０．１８）
【国際特許分類】
【国際出願番号】ＰＣＴ／ＪＰ２００５／００１３８８
【国際出願日】平成１７年２月１日（２００５．２．１）
【出願人】（３０４０２０１７７）国立大学法人山口大学 (579)
【出願人】（０００００３９８６）日産化学工業株式会社 (510)
【Ｆターム（参考）】
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