説明

エレクトロルミネセント素子

【課題】駆動電圧の低減を図るエレクトロルミネセント素子を提供する。
【解決手段】エレクトロルミネセント素子は、第1電極層201と、第1電極層201上の蛍光体層202と、蛍光体層202上の蓄積電荷保持層203と、蓄積電荷保持層203上の第2電極層204とを含む。蓄積電荷保持層203を追加することにより、エレクトロルミネセント素子に印加される外部駆動電圧を低減することができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、エレクトロルミネセント素子に関する。
【背景技術】
【0002】
本願は、米国特許法(35USC)第119条(e)の(1)に基づき、2007年8月6日に出願した特許文献1の出願日の利益を主張するものである。
エレクトロルミネセンス(EL)は、電界を印加することにより蛍光体層から光を放出するものである。エレクトロルミネセント素子(EL)は、ランプおよびディスプレイとしての実用性を有する。図1は、底部基板100と、底部基板100上に形成された第1電極層101と、第1電極層101上に形成された蛍光体層102と、蛍光体層102上に形成された第2電極層103とを含む従来のエレクトロルミネセント素子の概略断面図である。エレクトロルミネセント素子を駆動するために、交流電力が第1電極層101および第2電極層103に供給される。黄色光放出の場合、蛍光体層102は、電子ビーム気相成長、スパッタリング、スクリーン印刷、スピン・コーティング、またはインク・ジェット印刷などの方法によりドーパントとしてのMn(発光中心)がドープされたZnS(母材)の焼結ペレットにより形成される。蛍光体層102用の他の焼結ペレットとして、緑色光放出用に、ドーパントとしてのTbFまたはTbPがドープされたZnSの焼結ペレット、青色光放出用に、TmFがドープされたZnSの焼結ペレットを利用することもできる。ランプの適用例では、第1電極層101および第2電極層103がいずれも連続層の形状を有し、それによって、この2つの電極層間の蛍光体層102全体に電界がかかる。典型的なディスプレイの適用例では、第1電極層101および第2電極層103が、行電極および列電極を画定する電気的アドレス線を用いて適切にパターン形成される(図示せず)。行電極と列電極とが重なり合ったところに画素が画定される。エレクトロルミネセント素子に対して電界を印加すると、第1電極層101からの電子は、蛍光体層102を通過するときに電界によって加速される。蛍光体層102の発光中心の外殻電子が、加速された1次電子と衝突し、それによって外殻電子が母材の伝導帯に移動して、自由電子が形成され、発光中心が電離する。自由電子と電離した発光中心とが再結合すると、それらの間のエネルギー差が光の形で放出される。
【特許文献1】米国仮出願第60/935,308号
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
従来のエレクトロルミネセント素子には、高駆動電圧や低放出輝度などの問題が依然としてある。したがって、光放出特性の改善を求めて、エレクトロルミネセント素子の研究および開発が広範囲にわたって行われている。
【課題を解決するための手段】
【0004】
本発明は、第1電極層と、第1電極層上の蛍光体層と、蛍光体層上の蓄積電荷保持層と、蓄積電荷保持層上の第2電極層とを含むエレクトロルミネセント素子を提供する。
本発明は、第1電極層と、第1電極層上の蛍光体層と、蛍光体層上の第2電極層と、第2電極層上の蓄積電荷保持層とを含む別のエレクトロルミネセント素子を提供する。
【発明を実施するための最良の形態】
【0005】
本発明は、外部駆動電圧を低減させるために、エレクトロルミネセント素子内に蛍光体層に対する励起エネルギーを増大させるための蓄積電荷保持層を追加することにより形成されたエレクトロルミネセント素子を提供する。
【0006】
本発明は、基板、基板上に配置された下部電極層、下部電極層上に配置された蛍光体層、蛍光体層上に配置された上部電極層、および蛍光体層と下部電極層との間、または蛍光体層と上部電極層との間に挿入された蓄積電荷保持層とを含むエレクトロルミネセント素子を提供する。なお、蓄積電荷保持層は、下部電極層の下、または上部電極層の上に配置することもできる。また、本エレクトロルミネセント素子では、一つの蓄積電荷保持層が下部電極層に近接して配置され、別の蓄積電荷保持層が上部電極層に近接して配置されてもよい。基板は不透明でも透明でもよい。下部電極層は基板に応じて、透明導電材料または反射導電材料から形成される。不透明基板の場合、下部電極層は、好ましくは反射導電材料から形成される。透明基板の場合、基板は発光面としての役割を果たし、下部電極層が透明導電材料から形成される。
【0007】
本発明のエレクトロルミネセント素子を、添付の図面と併せて下記の実施形態に従って詳細に説明する。
図2は、本発明の第1実施形態によるエレクトロルミネセント素子の概略断面図である。第1実施形態では、スパッタリング、電子ビーム気相成長、スクリーン印刷、スピン・コーティング、またはインク・ジェット印刷などの方法により、第1電極層201が底部基板200上に形成される。第1電極層201は、Au、Ag、またはAlなどの反射材料である。第1電極層201上に蛍光体層202が、電子ビーム気相成長、スパッタリング、スクリーン印刷、スピン・コーティング、またはインク・ジェット印刷などの方法によって形成される。蛍光体層202としては、ドーパントとしてのMn(発光中心)がドープされたZnS(母材)の焼結ペレット(ZnS:Mn)などが挙げられる。蛍光体層202用の他の焼結ペレットとしては、緑色光放出用に、ドーパントとしてのTbFまたはTbPがドープされたZnSの焼結ペレット(ZnS:TbF;ZnS;TbP)や、青色光放出用に、TmFがドープされたZnSの焼結ペレット(ZnS:TmF)を使用することもできる。蛍光体層202上に蓄積電荷保持層203が形成される。この蓄積電荷保持層203は、電荷を備えたエレクトレット層である。蓄積電荷保持層203上には、ITOまたはIZO電極層などによる、透明な第2電極層204が形成される。エレクトロルミネセント素子の電源としては、直流電源を用いることができる。図2に示すエレクトロルミネセント素子は、1対の平板電極を備えたコンデンサと見なすことができる。コンデンサ内に蓄積されるエネルギーは、Estored=1/2VQの式によって算出される。ここで、Qは平板電極上に蓄積される電荷、Vは平板電極間の電圧差であり、QまたはVのいずれかが増大すると、Estoredが増大することが知られている。第1実施形態では、エレクトロルミネセント素子内に電界を誘起し、それにより、光の放出を刺激するためにエレクトロルミネセント素子に印加すべき外部電界を低下させることができるように、エレクトロルミネセント素子内に蓄積電荷保持層203が追加される。その結果、外部駆動電圧が低減される。換言すれば、第1実施形態によるエレクトロルミネセント素子は、従来のエレクトロルミネッセント素子よりも低い駆動電圧を有することとなる。外部駆動電圧が従来のエレクトロルミネセント素子と同じに保持された場合でも、蛍光体層202に対する励起エネルギーが、蓄積電荷保持層203を追加することによって増大される。したがって、蛍光体層202の放出効率が改善され、エレクトロルミネセント素子の放出輝度が増大する。このエレクトロルミネセント素子の動作時、第1電極層201からの電子は、電界によって加速され、蛍光体層202を通過する。蛍光体層202の発光中心の外殻電子が、加速された1次電子と衝突し、それによって外殻電子が母材の伝導帯に移動して、自由電子が形成され、発光中心が電離する。そして、自由電子と、電離した発光中心とが再結合し、それらの間のエネルギー差が光の形で放出される。
【0008】
なお、他の構成として、蓄積電荷保持層203と透明な第2電極層204との位置を、互いに入れ替えることもできる(図示略)。すなわち蛍光体層202上に透明な第2電極層204を形成し、透明な第2電極層204上に蓄積電荷保持層203を積層してもよい。
【0009】
エレクトロルミネセント素子がディスプレイ・パネル内で使用される場合、第1電極層201および第2電極層204は、エレクトロルミネセント素子に適した電極パターンを得るために、所望のパターンを用いてフォト・エッチングによってエッチングされる。第1電極層201と第2電極層204の電極パターンの各交点が、画素領域を画定する。
【0010】
さらに、第1実施形態では、エレクトロルミネセント素子の電源を交流電源とすることもできる。その場合、蓄積電荷保持層203の蓄積電荷は、正電荷に限定されない。換言すれば、図2の蓄積電荷保持層203は、正電荷を有するエレクトレット層とすることもできるし、負電荷を有するエレクトレット層とすることもできる。第1電極層201および第2電極層204の極性は、それらに印加される交流電源の極性に応じて変化する。
【0011】
図3は、本発明の第2実施形態によるエレクトロルミネセント素子の概略断面図である。第2実施形態では、スパッタリング、電子ビーム気相成長、スクリーン印刷、スピン・コーティング、またはインク・ジェット印刷などの方法により、第1電極層301が底部基板300上に形成される。第1電極層301は、Au、Ag、またはAlなどの反射材料である。第1電極層301上に、蓄積電荷保持層302が形成される。蓄積電荷保持層302は、電荷を備えたエレクトレット層である。蓄積電荷保持層302上に蛍光体層303が、電子ビーム気相成長、スパッタリング、スクリーン印刷、スピン・コーティング、またはインク・ジェット印刷などの方法によって形成される。蛍光体層303としては、ドーパントとしてのMn(発光中心)がドープされたZnS(母材)の焼結ペレットなどが挙げられる。蛍光体層303用の他の焼結ペレットとしては、緑色光放出用に、ドーパントとしてのTbFまたはTbPがドープされたZnSの焼結ペレットや、青色光放出用に、TmFがドープされたZnSの焼結ペレットを使用することもできる。蛍光体層303上に、ITOまたはIZO電極層などによる、透明な第2電極層304が形成される。エレクトロルミネセント素子の動作時、第1電極層301からの電子は、電界によって加速され、蛍光体層303を通過する。蛍光体層303の発光中心の外殻電子が、加速された1次電子と衝突し、それによって外殻電子が母材の伝導帯に移動して、自由電子が形成され、発光中心が電離する。そして、自由電子と、電離した発光中心とが再結合し、それらの間のエネルギー差が光の形で放出される。図3のエレクトロルミネセント素子の電源は、直流電源とすることもできるが、交流電源とすることもできる。電源が交流電源である場合、蓄積電荷保持層302の蓄積電荷は、負の電荷に限定されない。換言すれば、蓄積電荷保持層302は、負電荷を有するエレクトレット層とすることもできるし、正電荷を有するエレクトレット層とすることもできる。第1電極層301および第2電極層304の極性は、それらに印加される交流電源の極性に応じて変化する。
【0012】
なお、他の構成として、蓄積電荷保持層302と第1電極層301との位置を、互いに入れ替えることもできる(図示略)。すなわち、蓄積電荷保持層302を底部基板300上に形成し、第1電極層301を蓄積電荷保持層302上に形成してもよい。また、エレクトロルミネセント素子の電源が交流電源である場合、蓄積正電荷保持層または蓄積負電荷保持層を、底部基板300と第1電極層301との間に配置することもできる(図示略)。第1電極層301および第2電極層304の極性は、それらに印加される交流電源の極性に応じて変化する。
【0013】
あるいは、本エレクトロルミネセント素子では、蛍光体層と、第1電極層および第2電極層のいずれか一方との間、または蛍光体層と、第1電極層および第2電極層の各々との間に、誘電体層を追加することもできる。
【0014】
図4は、本発明の第3実施形態によるエレクトロルミネセント素子の概略断面図である。第3実施形態では、スパッタリング、電子ビーム気相成長、スクリーン印刷、スピン・コーティング、またはインク・ジェット印刷などの方法により、第1電極層401が底部基板400上に形成される。第1電極層401は、Au、Ag、またはAlなどの反射材料である。第1電極層401上に第1誘電体層402が、スパッタリングまたは電子ビーム気相成長によって形成される。第1誘電体層402は、駆動電圧を低下させるために、高誘電率を有することが好ましい。第1誘電体層402の例示的材料としては、BaTiO、SrTiO、PbTiO、およびPbNbOなどが挙げられる。第1誘電体層402上に蛍光体層403が、電子ビーム気相成長、スパッタリング、スクリーン印刷、スピン・コーティング、またはインク・ジェット印刷などの方法によって形成される。蛍光体層403としては、ドーパントとしてのMn(発光中心)がドープされたZnS(母材)の焼結ペレットなどが挙げられる。蛍光体層403用の他の焼結ペレットとしては、緑色光放出用に、ドーパントとしてのTbFまたはTbPがドープされたZnSの焼結ペレットや、青色光放出用に、TmFがドープされたZnSの焼結ペレットを使用することもできる。蛍光体層403上に、第1誘電体層402で使用された材料と類似の材料からなる第2誘電体層404が形成される。第2誘電体層404上に蓄積電荷保持層405が形成される。蓄積電荷保持層405は透明なエレクトレット層である。蓄積電荷保持層405上に、ITOまたはIZO電極層などによる、透明な第2電極層406が形成される。エレクトロルミネセント素子の動作時、第1誘電体層402と蛍光体層403との間の境界面からの電子が、電界によって加速され、蛍光体層403を通過する。蛍光体層403の発光中心の外殻電子が、加速された1次電子と衝突し、それによって外殻電子が母材の伝導帯に移動して、自由電子が形成され、発光中心が電離する。そして、自由電子と、電離した発光中心とが再結合し、それらの間のエネルギー差が光の形で放出される。第2誘電体層404は、第1誘電体層402と蛍光体層403との間の境界面からの電子が蓄積電荷保持層405に引き込まれないようにするための保護層として提供される。図4のエレクトロルミネセント素子の電源は、直流電源とすることができるが、直流電源の代わりに交流電源とすることもできる。電源が交流電源である場合、蓄積電荷保持層405の蓄積電荷は正の電荷に限定されない。換言すれば、蓄積電荷保持層405は、正電荷を有するエレクトレット層とすることもできるし、負電荷を有するエレクトレット層とすることもできる。第1電極層401および第2電極層406の極性は、それらに印加される交流電源の極性に応じて変化する。
【0015】
なお、第3実施形態の変形例として、第1誘電体層402および第2誘電体層404のいずれか一方を、エレクトロルミネセント素子構造から省略してもよい(図示略)。また、第3実施形態の別の変形例として、蓄積電荷保持層を、第1電極層401と第1誘電体層402との間に配置してもよい。また、エレクトロルミネセント素子の電源が交流電源である場合、蓄積電荷保持層の蓄積電荷は、正または負の電荷に限定されない。すなわち、蓄積電荷保持層は、正または負の電荷を有するエレクトレット層とすることができる。第1電極層401および第2電極層406の極性は、それらに印加される交流電源の極性に応じて変化する。
【0016】
図5は、本発明の第4実施形態によるエレクトロルミネセント素子の概略断面図である。第4実施形態では、スパッタリング、電子ビーム気相成長、スクリーン印刷、スピン・コーティング、またはインク・ジェット印刷などの方法により、第1電極層501が底部基板500上に形成される。第1電極層501は、Au、Ag、またはAlなどの反射材料である。第1電極層501上に、蓄積電荷を有するエレクトレット層などの蓄積電荷保持層502が形成される。蓄積電荷保持層502上に第1誘電体層503が形成される。第1誘電体層503は、駆動電圧を低下させるために、高誘電率を有することが好ましい。第1誘電体層503の例示的材料としては、BaTiO、SrTiO、PbTiO、およびPbNbOなどが挙げられる。第1誘電体層503上に蛍光体層504が形成される。蛍光体層504としては、ドーパントとしてのMn(発光中心)がドープされたZnS(母材)の焼結ペレットなどが挙げられる。蛍光体層504用の他の焼結ペレットとしては、緑色光放出用に、ドーパントとしてのTbFまたはTbPがドープされたZnSの焼結ペレットや、青色光放出用に、TmFがドープされたZnSの焼結ペレットを使用することもできる。蛍光体層504上に、第1誘電体層503で使用された材料と類似の材料からなる第2誘電体層505が形成される。第2誘電体層505上に、蓄積電荷を有するエレクトレット層などの蓄積電荷保持層506が形成される。蓄積電荷保持層506上に、ITOまたはIZO電極層などによる、透明な第2電極層507が形成される。エレクトロルミネセント素子の動作時、第1誘電体層503と蛍光体層504との間の境界面からの電子が、電界によって加速され、蛍光体層504を通過する。蛍光体層504の発光中心の外殻電子が、加速された1次電子と衝突し、それによって外殻電子が母材の伝導帯に移動して、自由電子が形成され、発光中心が電離する。そして、自由電子と、電離した発光中心とが再結合し、それらの間のエネルギー差が光の形で放出される。第2誘電体層505は、第1誘電体層503と蛍光体層504との間の境界面からの電子が蓄積電荷保持層506に引き込まれないようにするための保護層として提供される。この実施形態では、2つの蓄積電荷保持層によって発生される誘起電界強度が、図2〜図4に示す素子の2倍である。図5に示す素子は、図2〜図4に示す素子よりも小さな外部駆動電圧を必要とする。図5のエレクトロルミネセント素子の電源は、直流電源とすることができるが、直流電源の代わりに交流電源とすることもできる。電源が交流電源である場合、第1電極層501および第2電極層507の極性は、それらに印加される交流電源の極性に応じて変化する。蓄積電荷保持層502と蓄積電荷保持層506との位置を、互いに入れ替えることもできる(図示略)。
【0017】
上記実施形態のエレクトロルミネセント素子およびそれらの変形例はディスプレイ・パネルで使用することができ、その第1電極層および第2電極層は、適切な電極パターンを得るために、所望のパターンを用いてフォト・エッチングによってエッチングされる。第1電極層と第2電極層の電極パターンの各交点が、画素領域を画定する。
【0018】
なお、第4実施形態の変形例として、第1誘電体層503および第2誘電体層505のいずれか一方を、エレクトロルミネセント素子構造から省略してもよい(図示略)。
本発明は、蓄積電荷保持層の形成工程を従来のエレクトロルミネセント素子の製造工程に組み込むものである。この蓄積電荷保持層の追加により、エレクトロルミネセント素子の駆動電圧が低減される。エレクトロルミネセント素子の製造コストを、大幅に低下させることができる。エレクトロルミネセント素子の実用性も拡張することができる。
【0019】
以上、本発明を種々の実施形態に関して例述して説明したが、当業者であれば、本発明の種々の変更の形態ならびに類似の構成および手順を実施することができ、本発明の有効性を達成することができる。本発明の記載は、当業者にとって最も広義の解釈として与えられるべきであり、本発明は上記実施形態に限定されない。
【図面の簡単な説明】
【0020】
【図1】従来のエレクトロルミネセント素子の概略断面図。
【図2】本発明の第1実施形態によるエレクトロルミネセント素子の概略断面図。
【図3】本発明の第2実施形態によるエレクトロルミネセント素子の概略断面図。
【図4】本発明の第3実施形態によるエレクトロルミネセント素子の概略断面図。
【図5】本発明の第4実施形態によるエレクトロルミネセント素子の概略断面図。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
エレクトロルミネセント素子であって、
第1電極層と、
前記第1電極層上の蛍光体層と、
前記蛍光体層上の蓄積電荷保持層と、
前記蓄積電荷保持層上の第2電極層と、
を備えたエレクトロルミネセント素子。
【請求項2】
直流電源または交流電源である電源をさらに備える請求項1に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項3】
前記第1電極層と前記蛍光体層との間に配置された第1誘電体層をさらに備える請求項1に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項4】
前記蛍光体層と前記蓄積電荷保持層との間に配置された第2誘電体層をさらに備える請求項1に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項5】
前記蛍光体層と前記蓄積電荷保持層との間に配置された第2誘電体層をさらに備える請求項3に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項6】
前記蓄積電荷保持層がエレクトレット層を含む、請求項1に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項7】
前記電源が交流電源である場合、前記蓄積電荷保持層は正電荷を有するエレクトレット層または負電荷を有するエレクトレット層である、請求項2に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項8】
前記第1電極層と前記蛍光体層との間に別の蓄積電荷保持層をさらに備える請求項1に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項9】
前記蓄積電荷保持層がそれぞれエレクトレット層を含む、請求項8に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項10】
前記蛍光体層と前記蓄積電荷保持層との間に配置された第1誘電体層、および前記蛍光体層と前記別の蓄積電荷保持層との間に配置された第2誘電体層をさらに備える請求項8に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項11】
エレクトロルミネセント素子であって、
第1電極層と、
前記第1電極層上の蛍光体層と、
前記蛍光体層上の第2電極層と、
前記第2電極層上の蓄積電荷保持層と、
を備えるエレクトロルミネセント素子。
【請求項12】
直流電源または交流電源である電源をさらに備える請求項11に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項13】
前記第1電極層の下に別の蓄積電荷保持層をさらに備える請求項11に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項14】
前記電源が交流電源である場合、前記蓄積電荷保持層は正電荷を有するエレクトレット層または負電荷を有するエレクトレット層である、請求項12に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項15】
前記蓄積電荷保持層がエレクトレット層を含む、請求項11に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項16】
前記第1電極層と前記蛍光体層との間に第1誘電体層をさらに備える請求項11に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項17】
前記第2電極層と前記蛍光体層との間に第2誘電体層をさらに備える請求項11に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項18】
前記第2電極層と前記蛍光体層との間に第2誘電体層をさらに備える請求項16に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項19】
前記エレクトロルミネセント素子がディスプレイ・パネルとして供される、請求項1に記載のエレクトロルミネセント素子。
【請求項20】
前記エレクトロルミネセント素子がディスプレイ・パネルとして供される、請求項11に記載のエレクトロルミネセント素子。

【図1】
image rotate

【図2】
image rotate

【図3】
image rotate

【図4】
image rotate

【図5】
image rotate


【公開番号】特開2009−43725(P2009−43725A)
【公開日】平成21年2月26日(2009.2.26)
【国際特許分類】
【外国語出願】
【出願番号】特願2008−202161(P2008−202161)
【出願日】平成20年8月5日(2008.8.5)
【出願人】(598132657)インダストリアル テクノロジー リサーチ インスティチュート (26)
【Fターム(参考)】