エレクトロルミネッセンスパネル
【課題】エレクトロルミネッセンス素子の開口率を高くする。
【解決手段】基板２の上面に形成された画素電極２０ａと、画素電極２０ａ上に形成された有機ＥＬ層２０ｂと、有機ＥＬ層２０ｂ上に形成された対向電極２０ｄと、画素電極２０ａを囲む開口部３３を有する絶縁膜と、を備える発光パネルにおいて、絶縁膜は保護絶縁膜３２と、保護絶縁膜３２上に設けられた隔壁６からなり、隔壁６は画素電極２０ａと重ならない位置に設けられている。
【解決手段】基板２の上面に形成された画素電極２０ａと、画素電極２０ａ上に形成された有機ＥＬ層２０ｂと、有機ＥＬ層２０ｂ上に形成された対向電極２０ｄと、画素電極２０ａを囲む開口部３３を有する絶縁膜と、を備える発光パネルにおいて、絶縁膜は保護絶縁膜３２と、保護絶縁膜３２上に設けられた隔壁６からなり、隔壁６は画素電極２０ａと重ならない位置に設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンスパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子はアノードとカソードとの間に例えば電子注入層、有機化合物層、正孔注入層が介在した積層構造を為している。アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されると、電子注入層から有機化合物層に電子が注入され、正孔注入層から有機化合物層に正孔が注入され、有機化合物層内で電子と正孔が再結合を引き起こして有機化合物層が発光する。
【０００３】
アクティブ駆動の場合、画素トランジスタを基板上に形成した後、画素トランジスタを覆う保護絶縁膜を形成し、保護絶縁膜の上に画素電極を形成した後に画素電極上に有機化合物層を形成する構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２３４３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、製造プロセスの簡略化のために、図１５〜図１７に示す構造が検討されている。この構造のエレクトロルミネッセンスパネルを製造するには、まず、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する画素電極１２０ａと、画素トランジスタ１２１とを基板上に形成する。次に、画素トランジスタ１２１及び画素電極１２０ａを保護絶縁膜１３２で覆う。そして、保護絶縁膜１３２に画素電極１２０ａを露出させる開口部１３３を形成した後に、保護絶縁膜１３２の上部に画素電極１２０ａの外周部と重なるように網目状の隔壁１０６を形成する。ここで、保護絶縁膜１３２は無機材料からなり、隔壁１０６は有機材料からなる。
【０００６】
なお、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機化合物層１２０ｂと、隔壁１０６とが接触していると、隔壁１０６の形成時に用いる溶媒が有機化合物層１２０ｂに不測の影響を及ぼすおそれがあるため、隔壁１０６の開口部１０８の外周は保護絶縁膜１３２の開口部１３３の外周よりも外側に配置される。
その後、開口部１３３内の画素電極１２０ａ上に有機化合物層１２０ｂを形成する。
【０００７】
ところで、隔壁１０６を画素電極１２０ａの外周部に重なるように形成すると、保護絶縁膜１３２の開口部１３３の大きさを隔壁１０６の開口部１０８よりも小さくする必要があるため、有機化合物層１２０ｂの形成領域が小さくなり、開口率が低くなるという問題があった。
【０００８】
本発明の課題は、エレクトロルミネッセンス素子の開口率を高くすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様によれば、基板の上面に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された担体輸送層と、前記担体輸送層上に形成された第二電極と、前記第一電極を囲む開口部を有する絶縁層と、を備える発光パネルにおいて、前記絶縁層は第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に設けられた第二絶縁層からなり、前記第二絶縁層は前記第一電極と重ならない位置に設けられていることを特徴とする発光パネルが提供される。
好ましくは、前記第一絶縁層は無機材料からなり、前記第二絶縁層は有機材料からなる。
好ましくは、前記第一絶縁層は前記第一電極の外周部を被覆する。
好ましくは、前記基板の上面に形成され、前記第一電極に接続されたトランジスタを更に備え、
前記第一電極と前記トランジスタとの接続部においては、前記隔壁は前記第一電極と重なっている。
【００１０】
本発明の他の態様によれば、基板の上面に形成された第一電極と、前記第一電極の外周部を被覆するとともに中央部を露出させる開口部が設けられた第一絶縁層と、前記絶縁膜の上部に設けられた第二絶縁層と、前記第一電極の上部に形成された担体輸送層と、少なくとも前記担体輸送層の上部に形成された第二電極とを備え、前記第一電極の外周部の少なくとも一辺は、前記第二絶縁層と重ならない位置に設けられていることを特徴とする発光パネルが提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子の開口率を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ＥＬディスプレイパネル１０における１つの画素ＰＸの回路図である。
【図２】１つの画素ＰＸを示す平面図である。
【図３】図２のIII−III矢視断面図である。
【図４】図２のIV−IV矢視断面図である。
【図５】図２のV−V矢視断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１５】従来のＥＬディスプレイパネル１１０における１つの画素ＰＸを示す平面図である。
【図１６】図１５のXVI−XVI矢視断面図である。
【図１７】図１５のXVII−XVII矢視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。
【００１４】
〔第１実施形態〕
本発明の第１実施形態に係るエレクトロルミネッセンスパネルとして、ＥＬディスプレイパネルを挙げて説明する。図１は、ＥＬディスプレイパネル１０における１つの画素ＰＸの回路図である。このＥＬディスプレイパネル１０においては、赤、青及び緑の画素ＰＸによって１ドットの画素が構成され、このような画素が表示領域全域にマトリクス状に配列されている。図１の水平方向の配列に着目すると赤の画素ＰＸ、青の画素ＰＸ、緑の画素ＰＸの順に繰り返し配列され、図１の上下方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
【００１５】
このＥＬディスプレイパネル１０においては、画素ＰＸに各種の信号を出力するために、複数の走査線２５、信号線２４及び供給線２６が設けられている。走査線２５と信号線２４とは互いに直交する方向に延在している。
【００１６】
画素ＰＸは、２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２と、キャパシタ２７と、を有する画素回路ＰＣ及び有機ＥＬ素子４０を有する。２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２及びキャパシタ２７は、走査線２５、信号線２４及び供給線２６の入力信号に応じて有機ＥＬ素子４０に電圧を印加する。
【００１７】
図２は１つの画素ＰＸを示す平面図であり、図３は図２のIII−III矢視断面図であり、図４は図２のIV−IV矢視断面図であり、図５は図２のV−V矢視断面図である。図２〜図５に示すように、透明な絶縁基板２の上にトランジスタ２１，２２のゲート電極２１Ｇ，２２Ｇが設けられるとともに、キャパシタ２７の一方の電極２７ａ、信号線２４が設けられ、これらが共通のゲート絶縁膜３１によって被覆されている。なお、図２に示すように、電極２７ａとゲート電極２１とは一体に形成されている。
【００１８】
ゲート絶縁膜３１の上には、図３に示すように、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、トランジスタ２１，２２の半導体膜２１ａ，２２ａ、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂ、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、走査線２５及び供給線２６が設けられている。なお、図２に示すように、ドレイン電極２１Ｄは供給線２６と一体に形成されており、ソース電極２２Ｓはコンタクトホール２８ａによりゲート電極２１Ｇ及び電極２７ａと導通されており、信号線２４はコンタクトホール２８ｂによりドレイン電極２２Ｄと導通されており、走査線２５はコンタクトホール２８ｃによりゲート電極２２と導通されている。また、ソース電極２１Ｓと電極２７ｂとは一体に形成されている。
【００１９】
また、ゲート絶縁膜３１の上には、サブピクセル電極２０ａ（画素電極）がマトリクス状に配列されている。これらサブピクセル電極２０ａは、気相成長法によってゲート絶縁膜３１上に成膜された導電性膜（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。サブピクセル電極２０ａはトランジスタ２１のソース電極２１Ｓの一部と重なるように形成され、ソース電極２１Ｓと導通している。
【００２０】
トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、サブピクセル電極２０ａは共通の保護絶縁膜３２によって被覆されている。保護絶縁膜３２のサブピクセル電極２０ａの部分にはサブピクセル電極２０ａを露出させる開口部３３が形成されている。開口部３３が形成されることにより保護絶縁膜３２はサブピクセル電極２０ａの間を縫うように網目状に形成されるとともにサブピクセル電極２０ａの一部外縁部に重なり、サブピクセル電極２０ａを囲繞している。開口部３３内に後述する有機ＥＬ層２０ｂが形成される。
なお、絶縁基板２から保護絶縁膜３２までの積層構造がトランジスタアレイパネル５０である。
【００２１】
保護絶縁膜３２上には、網目状の隔壁６が形成されている。隔壁６は、例えばポリイミド等の樹脂により形成されたものであり、トランジスタ２１，２２の各電極、走査線２５、信号線２４、供給線２６よりも十分に厚い。隔壁６の形成時に用いる溶媒が有機ＥＬ層２０ｂに不測の影響を及ぼし、有機ＥＬ層２０ｂを劣化させる恐れがあるため、隔壁６の開口部８は、保護絶縁膜３２の開口部３３よりも大きく設定されている。保護絶縁膜３２と隔壁６の積層膜を絶縁膜と呼ぶ。
【００２２】
図２〜図４に示すように、サブピクセル電極２０ａは、ソース電極２１Ｓとの接続部を除き、隔壁６と重なっていない。すなわち、隔壁６の開口部８の外周は、サブピクセル電極２０ａのソース電極２１Ｓと接続される一辺を除く他の３辺よりも外側に設けられている。このため、保護絶縁膜３２の開口部３３をサブピクセル電極２０ａの大きさに合わせて極力大きくすることができる。したがって、有機ＥＬ素子２０の開口率を高くすることができる。なお、トランジスタ２１があるため、サブピクセル電極２０ａのソース電極２１Ｓと接続される一辺は、開口率の向上に寄与しない。
【００２３】
なお、図２〜図４においては、サブピクセル電極２０ａとソース電極２１Ｓとの接続部を除き、サブピクセル電極２０ａと保護絶縁膜３２との重なり幅は約２μｍであるが、重なり幅は任意である。また、開口部８の外縁は開口部３３の外縁よりも約２μｍ外側に配置されているが、開口部８の外縁が開口部３３の外縁よりも外側に配置されていればその幅は任意である。好ましくは、サブピクセル電極２０ａと保護絶縁膜３２との重なり幅よりも大きい２〜４μｍであればよい。
【００２４】
サブピクセル電極２０ａ上には正孔注入層２０ｅ、発光層２０ｆが順に積層されて有機ＥＬ層２０ｂ（担体輸送層）が形成されている。正孔注入層２０ｅは、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントであるＰＳＳからなり、発光層２０ｆは、ポリフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料等の共役ポリマーからなる。サブピクセルが赤の場合には発光層２０ｆが赤色に発光し、サブピクセルが緑の場合には発光層２０ｆが緑色に発光し、サブピクセルが青の場合には発光層２０ｆが青色に発光するように、それぞれの材料を設定する。
【００２５】
正孔注入層２０ｅ及び発光層２０ｆは、湿式塗布法（例えば、インクジェット法）によって成膜される。この場合、正孔注入層２０ｅとなるＰＥＤＯＴ及びＰＳＳを含有する有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布して成膜し、その後、発光層２０ｆとなる共役ポリマー発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布して成膜する。なお、厚膜の隔壁６が設けられるので、隣り合うサブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合うことを防止することができる。
【００２６】
なお、発光層２０ｆの上にさらに電子輸送層を設けても良い。また、有機ＥＬ層２０ｂはサブピクセル電極２０ａの上に形成された発光層、電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、担体輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に担体輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であってもよい。
【００２７】
発光層２０ｆ、保護絶縁膜３２及び隔壁６の上部には、有機ＥＬ素子２０のカソードを構成する電子注入層２０ｃが成膜されている。電子注入層２０ｃは、サブピクセル電極２０ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金より１〜１０ｎｍの厚さに形成されている。あるいは、電子注入層２０ｃは、上記各種材料の層が積層された積層構造となっていても良い。
【００２８】
電子注入層２０ｃの上部には、例えばアルミニウム、クロム、銀やパラジウム銀系の合金等の導電性材料を気相成長法によって１００ｎｍ以上成膜することによって対向電極２０ｄが形成されている。
サブピクセル電極２０ａ、有機ＥＬ層２０ｂ、電子注入層２０ｃ、対向電極２０ｄの順に積層されたものが有機ＥＬ素子２０である。
【００２９】
なお、図示しないが、対向電極２０ｄの上には、封止層が堆積されており、封止層は表示部３全体を被覆するように形成されている。つまり、封止層は、複数の有機ＥＬ素子１０全体を被覆するように形成されている。封止層は、絶縁性を有し、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等からなり、これらの樹脂にシリカ充填材等を加えたものでもよい。封止層は有機ＥＬ素子２０が外気に露出されることを防ぐ役割を果たす。
【００３０】
次に、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明する。まず、図６〜図１４を用いてトランジスタアレイパネル５０の製造工程について説明する。なお、図６〜図１４において、（ａ）は図３と同じ断面の図であり、（ｂ）は図５と同じ断面の図である。
【００３１】
まず、絶縁基板２の上部にべた一面にゲート金属３５を成膜し、パターニングすることで、図６に示すように、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ及び電極２７ａ、信号線２４を形成する。次に、図７に示すように、これらを被覆するゲート絶縁膜３１、半導体膜２１ａ，２２ａとなるアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる半導体層３６、及び、半導体層３６の上に窒化シリコン又は酸化シリコンの層３７をべた一面に形成する。次に、図８に示すように、窒化シリコン又は酸化シリコンの層３７をパターニングすることでチャネル保護膜２１ｂ，２２ｂを形成する。
【００３２】
次に、図９に示すように、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄとなるｎ型の不純物イオンを含むアモルファスシリコンからなる層（ｎ+シリコン層３８）をべた一面に形成する。次に、図１０に示すように、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃ及び開口部３３が形成される位置のゲート絶縁膜３１、半導体層、及びｎ+シリコン層にゲート金属が露出するように孔を形成する。
【００３３】
次に、ソース・ドレイン金属３９をべた一面にする。このとき、ゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３８に形成された孔の部分でゲート金属３５とソース・ドレイン金属３９とが接合され導通し、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃが形成される。
【００３４】
次に、図１１に示すように、ソース・ドレイン金属３９をパターニングすることでキャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、走査線２５及び供給線２６を形成する。
次に、図１２に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることでサブピクセル電極２０ａを形成する。
【００３５】
次に、トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、及びサブピクセル電極２０ａを覆う保護絶縁膜３２をべた一面に形成し、図１３に示すように、サブピクセル電極２０ａの部分に開口部３３を形成する。
【００３６】
次に、保護絶縁膜３２及びサブピクセル電極２０ａの上部にポリイミド等の樹脂をべた一面に塗布し、パターニングすることで、図１４に示すように、隔壁６を網目状に形成する。以上により、トランジスタアレイパネル５０が形成される。
【００３７】
次に、トランジスタアレイパネル５０上へ有機ＥＬ素子２０を形成し、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明する。
【００３８】
まず、トランジスタアレイパネル５０を洗浄する。次に、サブピクセル電極２０ａの表面を、有機ＥＬ層２０ｂの形成に使用する有機化合物含有液に対して親液化させる。例えば有機化合物含有液に親水性の溶剤を用いる場合には、酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等を施すことにより親水化させる。
【００３９】
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料（例えば導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を水に溶解した有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布する。塗布方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
【００４０】
このように湿式塗布法により正孔注入層２０ｅを形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合うサブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを形成することができる。
【００４１】
正孔注入層２０ｅを形成した後、正孔注入層２０ｅを大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル５０を１６０〜２００℃の温度で乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。
【００４２】
次に、発光色が赤、緑、青の共役ポリマー発光材料をそれぞれ疎水性の有機溶剤（例えば、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン）に溶かし、赤、緑、青それぞれの有機化合物含有液を準備する。そして、赤のサブピクセルの正孔注入層２０ｅ上には赤の有機化合物含有液を塗布し、緑のサブピクセルの正孔注入層２０ｅ上には緑の有機化合物含有液を塗布し、青のサブピクセルの正孔注入層２０ｅ上には青の有機化合物含有液を塗布する。これにより、正孔注入層２０ｅ上に発光層２０ｆを成膜する。塗布方法としてはインクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いて、色ごとに塗り分けを行う。
【００４３】
このように湿式塗布法により正孔注入層２０ｅ及び発光層２０ｆを形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合うサブピクセルに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセルごとに独立して発光層２０ｆを形成することができる。
【００４４】
次に、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）下でホットプレートによってトランジスタアレイパネル５０を乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。なお、真空中でシーズヒータによる乾燥を行っても良い。
【００４５】
次に、発光層２０ｆ、保護絶縁膜３２、及び隔壁６の上部に電子注入層２０ｃを気相成長法により成膜する。具体的には、真空蒸着法によってＣａ又はＢａの薄膜を成膜する。次に、電子注入層２０ｃの上部に対向電極２０ｄを気相成長法により成膜する。
以上により、トランジスタアレイパネル５０上に有機ＥＬ素子２０が形成される。
【００４６】
最後に、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等を対向電極２０ｄの上部に塗布し、硬化させて封止層を形成する。
以上により、ＥＬディスプレイパネル１０が完成する。
【００４７】
本実施形態によれば、隔壁６の開口部８の外周が、サブピクセル電極２０ａのソース電極２１Ｓと接続される一辺を除く他の３辺よりも外側に設けられているため、保護絶縁膜３２の開口部３３をサブピクセル電極２０ａの大きさに合わせて極力大きくすることができ、有機ＥＬ素子２０の開口率を高くすることができる。
【００４８】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行ってもよい。例えば、上記実施形態においては、隔壁６の開口部８の外周が、サブピクセル電極２０ａのソース電極２１Ｓと接続される一辺を除く他の３辺よりも外側に設けられていたが、本発明はこれに限ることはなく、少なくともサブピクセル電極２０ａの一辺よりも外側に隔壁６が配置されていればよい。また、上記実施の形態においてはＥＬディスプレイパネルのような表示装置について説明したが、本発明はこれに限らず、例えばプリンタヘッド等の露光装置に応用してもよい。
【符号の説明】
【００４９】
２ 基板
６ 隔壁
２０ａ 画素電極
２０ｂ 有機ＥＬ層（担体輸送層）
２０ｄ 対向電極
２１ トランジスタ
３２ 保護絶縁膜
３３ 開口部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、エレクトロルミネッセンスパネルに関する。
【背景技術】
【０００２】
有機エレクトロルミネッセンス素子はアノードとカソードとの間に例えば電子注入層、有機化合物層、正孔注入層が介在した積層構造を為している。アノードとカソードの間に順バイアス電圧が印加されると、電子注入層から有機化合物層に電子が注入され、正孔注入層から有機化合物層に正孔が注入され、有機化合物層内で電子と正孔が再結合を引き起こして有機化合物層が発光する。
【０００３】
アクティブ駆動の場合、画素トランジスタを基板上に形成した後、画素トランジスタを覆う保護絶縁膜を形成し、保護絶縁膜の上に画素電極を形成した後に画素電極上に有機化合物層を形成する構造が知られている（例えば、特許文献１参照）。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２３４３９１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、製造プロセスの簡略化のために、図１５〜図１７に示す構造が検討されている。この構造のエレクトロルミネッセンスパネルを製造するには、まず、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する画素電極１２０ａと、画素トランジスタ１２１とを基板上に形成する。次に、画素トランジスタ１２１及び画素電極１２０ａを保護絶縁膜１３２で覆う。そして、保護絶縁膜１３２に画素電極１２０ａを露出させる開口部１３３を形成した後に、保護絶縁膜１３２の上部に画素電極１２０ａの外周部と重なるように網目状の隔壁１０６を形成する。ここで、保護絶縁膜１３２は無機材料からなり、隔壁１０６は有機材料からなる。
【０００６】
なお、有機エレクトロルミネッセンス素子を構成する有機化合物層１２０ｂと、隔壁１０６とが接触していると、隔壁１０６の形成時に用いる溶媒が有機化合物層１２０ｂに不測の影響を及ぼすおそれがあるため、隔壁１０６の開口部１０８の外周は保護絶縁膜１３２の開口部１３３の外周よりも外側に配置される。
その後、開口部１３３内の画素電極１２０ａ上に有機化合物層１２０ｂを形成する。
【０００７】
ところで、隔壁１０６を画素電極１２０ａの外周部に重なるように形成すると、保護絶縁膜１３２の開口部１３３の大きさを隔壁１０６の開口部１０８よりも小さくする必要があるため、有機化合物層１２０ｂの形成領域が小さくなり、開口率が低くなるという問題があった。
【０００８】
本発明の課題は、エレクトロルミネッセンス素子の開口率を高くすることである。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
以上の課題を解決するため、本発明の一の態様によれば、基板の上面に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された担体輸送層と、前記担体輸送層上に形成された第二電極と、前記第一電極を囲む開口部を有する絶縁層と、を備える発光パネルにおいて、前記絶縁層は第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に設けられた第二絶縁層からなり、前記第二絶縁層は前記第一電極と重ならない位置に設けられていることを特徴とする発光パネルが提供される。
好ましくは、前記第一絶縁層は無機材料からなり、前記第二絶縁層は有機材料からなる。
好ましくは、前記第一絶縁層は前記第一電極の外周部を被覆する。
好ましくは、前記基板の上面に形成され、前記第一電極に接続されたトランジスタを更に備え、
前記第一電極と前記トランジスタとの接続部においては、前記隔壁は前記第一電極と重なっている。
【００１０】
本発明の他の態様によれば、基板の上面に形成された第一電極と、前記第一電極の外周部を被覆するとともに中央部を露出させる開口部が設けられた第一絶縁層と、前記絶縁膜の上部に設けられた第二絶縁層と、前記第一電極の上部に形成された担体輸送層と、少なくとも前記担体輸送層の上部に形成された第二電極とを備え、前記第一電極の外周部の少なくとも一辺は、前記第二絶縁層と重ならない位置に設けられていることを特徴とする発光パネルが提供される。
【発明の効果】
【００１１】
本発明によれば、エレクトロルミネッセンス素子の開口率を高くすることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１２】
【図１】ＥＬディスプレイパネル１０における１つの画素ＰＸの回路図である。
【図２】１つの画素ＰＸを示す平面図である。
【図３】図２のIII−III矢視断面図である。
【図４】図２のIV−IV矢視断面図である。
【図５】図２のV−V矢視断面図である。
【図６】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図７】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図８】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図９】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１０】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１１】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１２】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１３】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１４】（ａ）、（ｂ）はトランジスタアレイパネル５０の製造工程を示す説明図である。
【図１５】従来のＥＬディスプレイパネル１１０における１つの画素ＰＸを示す平面図である。
【図１６】図１５のXVI−XVI矢視断面図である。
【図１７】図１５のXVII−XVII矢視断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１３】
以下に、本発明を実施するための最良の形態について図面を用いて説明する。但し、以下に述べる実施形態には、本発明を実施するために技術的に好ましい種々の限定が付されているが、発明の範囲を以下の実施形態及び図示例に限定するものではない。また、以下の説明において、エレクトロルミネッセンス（Electro Luminescence）という用語をＥＬと略称する。
【００１４】
〔第１実施形態〕
本発明の第１実施形態に係るエレクトロルミネッセンスパネルとして、ＥＬディスプレイパネルを挙げて説明する。図１は、ＥＬディスプレイパネル１０における１つの画素ＰＸの回路図である。このＥＬディスプレイパネル１０においては、赤、青及び緑の画素ＰＸによって１ドットの画素が構成され、このような画素が表示領域全域にマトリクス状に配列されている。図１の水平方向の配列に着目すると赤の画素ＰＸ、青の画素ＰＸ、緑の画素ＰＸの順に繰り返し配列され、図１の上下方向の配列に着目すると同じ色が一列に配列されている。
【００１５】
このＥＬディスプレイパネル１０においては、画素ＰＸに各種の信号を出力するために、複数の走査線２５、信号線２４及び供給線２６が設けられている。走査線２５と信号線２４とは互いに直交する方向に延在している。
【００１６】
画素ＰＸは、２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２と、キャパシタ２７と、を有する画素回路ＰＣ及び有機ＥＬ素子４０を有する。２つのｎチャネル型トランジスタ２１，２２及びキャパシタ２７は、走査線２５、信号線２４及び供給線２６の入力信号に応じて有機ＥＬ素子４０に電圧を印加する。
【００１７】
図２は１つの画素ＰＸを示す平面図であり、図３は図２のIII−III矢視断面図であり、図４は図２のIV−IV矢視断面図であり、図５は図２のV−V矢視断面図である。図２〜図５に示すように、透明な絶縁基板２の上にトランジスタ２１，２２のゲート電極２１Ｇ，２２Ｇが設けられるとともに、キャパシタ２７の一方の電極２７ａ、信号線２４が設けられ、これらが共通のゲート絶縁膜３１によって被覆されている。なお、図２に示すように、電極２７ａとゲート電極２１とは一体に形成されている。
【００１８】
ゲート絶縁膜３１の上には、図３に示すように、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、トランジスタ２１，２２の半導体膜２１ａ，２２ａ、チャネル保護膜２１ｂ，２２ｂ、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、走査線２５及び供給線２６が設けられている。なお、図２に示すように、ドレイン電極２１Ｄは供給線２６と一体に形成されており、ソース電極２２Ｓはコンタクトホール２８ａによりゲート電極２１Ｇ及び電極２７ａと導通されており、信号線２４はコンタクトホール２８ｂによりドレイン電極２２Ｄと導通されており、走査線２５はコンタクトホール２８ｃによりゲート電極２２と導通されている。また、ソース電極２１Ｓと電極２７ｂとは一体に形成されている。
【００１９】
また、ゲート絶縁膜３１の上には、サブピクセル電極２０ａ（画素電極）がマトリクス状に配列されている。これらサブピクセル電極２０ａは、気相成長法によってゲート絶縁膜３１上に成膜された導電性膜（例えば、錫ドープ酸化インジウム（ＩＴＯ）、亜鉛ドープ酸化インジウム、酸化インジウム（Ｉｎ2Ｏ3）、酸化スズ（ＳｎＯ2）、酸化亜鉛（ＺｎＯ）又はカドミウム−錫酸化物（ＣＴＯ））をフォトリソグラフィー法及びエッチング法を用いてパターニングすることによって形成されたものである。サブピクセル電極２０ａはトランジスタ２１のソース電極２１Ｓの一部と重なるように形成され、ソース電極２１Ｓと導通している。
【００２０】
トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、サブピクセル電極２０ａは共通の保護絶縁膜３２によって被覆されている。保護絶縁膜３２のサブピクセル電極２０ａの部分にはサブピクセル電極２０ａを露出させる開口部３３が形成されている。開口部３３が形成されることにより保護絶縁膜３２はサブピクセル電極２０ａの間を縫うように網目状に形成されるとともにサブピクセル電極２０ａの一部外縁部に重なり、サブピクセル電極２０ａを囲繞している。開口部３３内に後述する有機ＥＬ層２０ｂが形成される。
なお、絶縁基板２から保護絶縁膜３２までの積層構造がトランジスタアレイパネル５０である。
【００２１】
保護絶縁膜３２上には、網目状の隔壁６が形成されている。隔壁６は、例えばポリイミド等の樹脂により形成されたものであり、トランジスタ２１，２２の各電極、走査線２５、信号線２４、供給線２６よりも十分に厚い。隔壁６の形成時に用いる溶媒が有機ＥＬ層２０ｂに不測の影響を及ぼし、有機ＥＬ層２０ｂを劣化させる恐れがあるため、隔壁６の開口部８は、保護絶縁膜３２の開口部３３よりも大きく設定されている。保護絶縁膜３２と隔壁６の積層膜を絶縁膜と呼ぶ。
【００２２】
図２〜図４に示すように、サブピクセル電極２０ａは、ソース電極２１Ｓとの接続部を除き、隔壁６と重なっていない。すなわち、隔壁６の開口部８の外周は、サブピクセル電極２０ａのソース電極２１Ｓと接続される一辺を除く他の３辺よりも外側に設けられている。このため、保護絶縁膜３２の開口部３３をサブピクセル電極２０ａの大きさに合わせて極力大きくすることができる。したがって、有機ＥＬ素子２０の開口率を高くすることができる。なお、トランジスタ２１があるため、サブピクセル電極２０ａのソース電極２１Ｓと接続される一辺は、開口率の向上に寄与しない。
【００２３】
なお、図２〜図４においては、サブピクセル電極２０ａとソース電極２１Ｓとの接続部を除き、サブピクセル電極２０ａと保護絶縁膜３２との重なり幅は約２μｍであるが、重なり幅は任意である。また、開口部８の外縁は開口部３３の外縁よりも約２μｍ外側に配置されているが、開口部８の外縁が開口部３３の外縁よりも外側に配置されていればその幅は任意である。好ましくは、サブピクセル電極２０ａと保護絶縁膜３２との重なり幅よりも大きい２〜４μｍであればよい。
【００２４】
サブピクセル電極２０ａ上には正孔注入層２０ｅ、発光層２０ｆが順に積層されて有機ＥＬ層２０ｂ（担体輸送層）が形成されている。正孔注入層２０ｅは、導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントであるＰＳＳからなり、発光層２０ｆは、ポリフェニレンビニレン系発光材料やポリフルオレン系発光材料等の共役ポリマーからなる。サブピクセルが赤の場合には発光層２０ｆが赤色に発光し、サブピクセルが緑の場合には発光層２０ｆが緑色に発光し、サブピクセルが青の場合には発光層２０ｆが青色に発光するように、それぞれの材料を設定する。
【００２５】
正孔注入層２０ｅ及び発光層２０ｆは、湿式塗布法（例えば、インクジェット法）によって成膜される。この場合、正孔注入層２０ｅとなるＰＥＤＯＴ及びＰＳＳを含有する有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布して成膜し、その後、発光層２０ｆとなる共役ポリマー発光材料を含有する有機化合物含有液を塗布して成膜する。なお、厚膜の隔壁６が設けられるので、隣り合うサブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合うことを防止することができる。
【００２６】
なお、発光層２０ｆの上にさらに電子輸送層を設けても良い。また、有機ＥＬ層２０ｂはサブピクセル電極２０ａの上に形成された発光層、電子輸送層からなる二層構造であっても良いし、担体輸送層と発光層との組合せは任意に設定できる。また、これらの層構造において適切な層間に担体輸送を制限するインタレイヤ層が介在した積層構造であっても良いし、その他の積層構造であってもよい。
【００２７】
発光層２０ｆ、保護絶縁膜３２及び隔壁６の上部には、有機ＥＬ素子２０のカソードを構成する電子注入層２０ｃが成膜されている。電子注入層２０ｃは、サブピクセル電極２０ａよりも仕事関数の低い材料で形成されており、例えば、インジウム、マグネシウム、カルシウム、リチウム、バリウム、希土類金属の少なくとも一種を含む単体又は合金より１〜１０ｎｍの厚さに形成されている。あるいは、電子注入層２０ｃは、上記各種材料の層が積層された積層構造となっていても良い。
【００２８】
電子注入層２０ｃの上部には、例えばアルミニウム、クロム、銀やパラジウム銀系の合金等の導電性材料を気相成長法によって１００ｎｍ以上成膜することによって対向電極２０ｄが形成されている。
サブピクセル電極２０ａ、有機ＥＬ層２０ｂ、電子注入層２０ｃ、対向電極２０ｄの順に積層されたものが有機ＥＬ素子２０である。
【００２９】
なお、図示しないが、対向電極２０ｄの上には、封止層が堆積されており、封止層は表示部３全体を被覆するように形成されている。つまり、封止層は、複数の有機ＥＬ素子１０全体を被覆するように形成されている。封止層は、絶縁性を有し、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等からなり、これらの樹脂にシリカ充填材等を加えたものでもよい。封止層は有機ＥＬ素子２０が外気に露出されることを防ぐ役割を果たす。
【００３０】
次に、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明する。まず、図６〜図１４を用いてトランジスタアレイパネル５０の製造工程について説明する。なお、図６〜図１４において、（ａ）は図３と同じ断面の図であり、（ｂ）は図５と同じ断面の図である。
【００３１】
まず、絶縁基板２の上部にべた一面にゲート金属３５を成膜し、パターニングすることで、図６に示すように、ゲート２１Ｇ，２２Ｇ及び電極２７ａ、信号線２４を形成する。次に、図７に示すように、これらを被覆するゲート絶縁膜３１、半導体膜２１ａ，２２ａとなるアモルファスシリコン又はポリシリコンからなる半導体層３６、及び、半導体層３６の上に窒化シリコン又は酸化シリコンの層３７をべた一面に形成する。次に、図８に示すように、窒化シリコン又は酸化シリコンの層３７をパターニングすることでチャネル保護膜２１ｂ，２２ｂを形成する。
【００３２】
次に、図９に示すように、不純物半導体膜２１ｃ，２１ｄ，２２ｃ，２２ｄとなるｎ型の不純物イオンを含むアモルファスシリコンからなる層（ｎ+シリコン層３８）をべた一面に形成する。次に、図１０に示すように、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃ及び開口部３３が形成される位置のゲート絶縁膜３１、半導体層、及びｎ+シリコン層にゲート金属が露出するように孔を形成する。
【００３３】
次に、ソース・ドレイン金属３９をべた一面にする。このとき、ゲート絶縁膜３１、半導体層３６、及びｎ+シリコン層３８に形成された孔の部分でゲート金属３５とソース・ドレイン金属３９とが接合され導通し、コンタクトホール２８ａ，２８ｂ，２８ｃが形成される。
【００３４】
次に、図１１に示すように、ソース・ドレイン金属３９をパターニングすることでキャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、ソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、走査線２５及び供給線２６を形成する。
次に、図１２に示すように、気相成長法によって導電性膜を成膜し、パターニングすることでサブピクセル電極２０ａを形成する。
【００３５】
次に、トランジスタ２１，２２のソース電極２１Ｓ，２２Ｓ及びドレイン電極２１Ｄ，２２Ｄ、キャパシタ２７の他方の電極２７ｂ、走査線２５及び供給線２６、及びサブピクセル電極２０ａを覆う保護絶縁膜３２をべた一面に形成し、図１３に示すように、サブピクセル電極２０ａの部分に開口部３３を形成する。
【００３６】
次に、保護絶縁膜３２及びサブピクセル電極２０ａの上部にポリイミド等の樹脂をべた一面に塗布し、パターニングすることで、図１４に示すように、隔壁６を網目状に形成する。以上により、トランジスタアレイパネル５０が形成される。
【００３７】
次に、トランジスタアレイパネル５０上へ有機ＥＬ素子２０を形成し、ＥＬディスプレイパネル１０を製造する製造工程について説明する。
【００３８】
まず、トランジスタアレイパネル５０を洗浄する。次に、サブピクセル電極２０ａの表面を、有機ＥＬ層２０ｂの形成に使用する有機化合物含有液に対して親液化させる。例えば有機化合物含有液に親水性の溶剤を用いる場合には、酸素プラズマ処理やＵＶオゾン処理等を施すことにより親水化させる。
【００３９】
次に、親水性の溶剤に対して溶解性を示し且つ疎水性の溶剤に対して難溶性又は不溶性である正孔注入材料（例えば導電性高分子であるＰＥＤＯＴ及びドーパントとなるＰＳＳ）を水に溶解した有機化合物含有液をサブピクセル電極２０ａに塗布する。塗布方法としては、インクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いても良いし、ディップコート法、スピンコート法といったコーティング法を用いても良い。サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを成膜するためには、インクジェット法等の印刷方法が好ましい。
【００４０】
このように湿式塗布法により正孔注入層２０ｅを形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合うサブピクセル電極２０ａに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセル電極２０ａごとに独立して正孔注入層２０ｅを形成することができる。
【００４１】
正孔注入層２０ｅを形成した後、正孔注入層２０ｅを大気に曝露した状態で、ホットプレートを用いてトランジスタアレイパネル５０を１６０〜２００℃の温度で乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。
【００４２】
次に、発光色が赤、緑、青の共役ポリマー発光材料をそれぞれ疎水性の有機溶剤（例えば、テトラリン、テトラメチルベンゼン、メシチレン）に溶かし、赤、緑、青それぞれの有機化合物含有液を準備する。そして、赤のサブピクセルの正孔注入層２０ｅ上には赤の有機化合物含有液を塗布し、緑のサブピクセルの正孔注入層２０ｅ上には緑の有機化合物含有液を塗布し、青のサブピクセルの正孔注入層２０ｅ上には青の有機化合物含有液を塗布する。これにより、正孔注入層２０ｅ上に発光層２０ｆを成膜する。塗布方法としてはインクジェット法（液滴吐出法）、その他の印刷方法を用いて、色ごとに塗り分けを行う。
【００４３】
このように湿式塗布法により正孔注入層２０ｅ及び発光層２０ｆを形成した場合、厚膜の隔壁６が設けられているから、隣り合うサブピクセルに塗布された有機化合物含有液が隔壁６を越えて混ざり合わない。そのため、サブピクセルごとに独立して発光層２０ｆを形成することができる。
【００４４】
次に、不活性ガス雰囲気（例えば、窒素ガス雰囲気）下でホットプレートによってトランジスタアレイパネル５０を乾燥させ、残留溶媒の除去を行う。なお、真空中でシーズヒータによる乾燥を行っても良い。
【００４５】
次に、発光層２０ｆ、保護絶縁膜３２、及び隔壁６の上部に電子注入層２０ｃを気相成長法により成膜する。具体的には、真空蒸着法によってＣａ又はＢａの薄膜を成膜する。次に、電子注入層２０ｃの上部に対向電極２０ｄを気相成長法により成膜する。
以上により、トランジスタアレイパネル５０上に有機ＥＬ素子２０が形成される。
【００４６】
最後に、例えば、エポキシ樹脂、アクリル樹脂等の熱硬化性樹脂、熱可塑性樹脂又は光硬化性樹脂等を対向電極２０ｄの上部に塗布し、硬化させて封止層を形成する。
以上により、ＥＬディスプレイパネル１０が完成する。
【００４７】
本実施形態によれば、隔壁６の開口部８の外周が、サブピクセル電極２０ａのソース電極２１Ｓと接続される一辺を除く他の３辺よりも外側に設けられているため、保護絶縁膜３２の開口部３３をサブピクセル電極２０ａの大きさに合わせて極力大きくすることができ、有機ＥＬ素子２０の開口率を高くすることができる。
【００４８】
なお、本発明は、上記実施の形態に限定されることなく、本発明の趣旨を逸脱しない範囲において、種々の改良並びに設計の変更を行ってもよい。例えば、上記実施形態においては、隔壁６の開口部８の外周が、サブピクセル電極２０ａのソース電極２１Ｓと接続される一辺を除く他の３辺よりも外側に設けられていたが、本発明はこれに限ることはなく、少なくともサブピクセル電極２０ａの一辺よりも外側に隔壁６が配置されていればよい。また、上記実施の形態においてはＥＬディスプレイパネルのような表示装置について説明したが、本発明はこれに限らず、例えばプリンタヘッド等の露光装置に応用してもよい。
【符号の説明】
【００４９】
２ 基板
６ 隔壁
２０ａ 画素電極
２０ｂ 有機ＥＬ層（担体輸送層）
２０ｄ 対向電極
２１ トランジスタ
３２ 保護絶縁膜
３３ 開口部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板の上面に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された担体輸送層と、前記担体輸送層上に形成された第二電極と、前記第一電極を囲む開口部を有する絶縁層と、を備える発光パネルにおいて、
前記絶縁層は第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に設けられた第二絶縁層からなり、前記第二絶縁層は前記第一電極と重ならない位置に設けられていることを特徴とする発光パネル。
【請求項２】
前記第一絶縁層は無機材料からなり、前記第二絶縁層は有機材料からなることを特徴とする請求項１に記載の発光パネル。
【請求項３】
前記第一絶縁層は前記第一電極の外周部を被覆することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光パネル。
【請求項４】
前記基板の上面に形成され、前記第一電極に接続されたトランジスタを更に備え、
前記第一電極と前記トランジスタとの接続部においては、前記隔壁は前記第一電極と重なっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光パネル。
【請求項５】
基板の上面に形成された第一電極と、
前記第一電極の外周部を被覆するとともに中央部を露出させる開口部が設けられた第一絶縁層と、
前記絶縁膜の上部に設けられた第二絶縁層と、
前記第一電極の上部に形成された担体輸送層と、
少なくとも前記担体輸送層の上部に形成された第二電極とを備え、
前記第一電極の外周部の少なくとも一辺は、前記第二絶縁層と重ならない位置に設けられていることを特徴とする発光パネル。
【請求項１】
基板の上面に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された担体輸送層と、前記担体輸送層上に形成された第二電極と、前記第一電極を囲む開口部を有する絶縁層と、を備える発光パネルにおいて、
前記絶縁層は第一絶縁層と、前記第一絶縁層上に設けられた第二絶縁層からなり、前記第二絶縁層は前記第一電極と重ならない位置に設けられていることを特徴とする発光パネル。
【請求項２】
前記第一絶縁層は無機材料からなり、前記第二絶縁層は有機材料からなることを特徴とする請求項１に記載の発光パネル。
【請求項３】
前記第一絶縁層は前記第一電極の外周部を被覆することを特徴とする請求項１又は２に記載の発光パネル。
【請求項４】
前記基板の上面に形成され、前記第一電極に接続されたトランジスタを更に備え、
前記第一電極と前記トランジスタとの接続部においては、前記隔壁は前記第一電極と重なっていることを特徴とする請求項１乃至３のいずれか一項に記載の発光パネル。
【請求項５】
基板の上面に形成された第一電極と、
前記第一電極の外周部を被覆するとともに中央部を露出させる開口部が設けられた第一絶縁層と、
前記絶縁膜の上部に設けられた第二絶縁層と、
前記第一電極の上部に形成された担体輸送層と、
少なくとも前記担体輸送層の上部に形成された第二電極とを備え、
前記第一電極の外周部の少なくとも一辺は、前記第二絶縁層と重ならない位置に設けられていることを特徴とする発光パネル。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１０−２０５５８０（Ｐ２０１０−２０５５８０Ａ）
【公開日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−５０２４２（Ｐ２００９−５０２４２）
【出願日】平成２１年３月４日（２００９．３．４）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月１６日（２０１０．９．１６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月４日（２００９．３．４）
【出願人】（０００００１４４３）カシオ計算機株式会社 (8,748)
【Ｆターム（参考）】
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