説明

エレクトロルミネッセンス用蛍光体、及びエレクトロルミネッセンス素子

【課題】輝度劣化が抑制され、発光品位の優れた無機EL素子用蛍光体、及び無機EL素子を提供する。
【解決手段】ZnS系蛍光体粒子表面に硫黄添加物層を形成するか、あるいは分散剤中に硫黄添加物を添加することにより、無機EL素子の発光層中にさらに硫黄を導入する。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、無機エレクトロルミネッセンス(EL)素子、特に、分散型交流EL素子、及びこれに用いられる蛍光体に関する。
【背景技術】
【0002】
例えば携帯電話等のバックライトに使用される薄型光源として、EL素子が知られている。EL素子としては、例えば無機EL素子、発光ダイオード、及び有機EL素子があげられ、中でも、無機EL素子の1つである分散型交流EL素子は、広く一般的に用いられている。
【0003】
分散型交流EL素子用蛍光体としては、従来より、硫化亜鉛(ZnS)系蛍光体が使用されている(例えば、特許文献1参照)。このZnS系蛍光体として、例えばZnSからなる母体材料(host material)に、Cuからなる付活剤(activator)を添加したもの、あるいはZnS母体材料とCu付活剤に、さらに共付活剤(co−activator)としてClを添加したものなどを使用することが出来る。このZnS;Cu,Cl蛍光体を用いた分散型交流EL素子では、電圧を印可すると、CuがZnS結晶格子に入ってアクセプタとなり、Cl等のドナー不純物とともに発光中心を構成する。結晶格子に入りきらないCuは、結晶の格子欠陥に沿って針状に析出し、硫化銅として存在し得る。電圧を素子に印可すると、針状の硫化銅の先端に電界が集中する。針状の硫化銅からは、電子が正極側に近い先端から、正孔が負極側に近い先端から放出される。ZnS結晶内では、電子はドナー不純物に、正孔はアクセプタにトラップされる。電界の向きが反転すると、トラップされた電子が飛び出し対極側に移動してアクセプタにトラップされた正孔と再結合し、EL発光を生じる。
【0004】
しかしながら、不純物ドナーにトラップされるべき電子が、駆動中に発光層内に発生する硫黄の欠陥に入ってしまうことがあるため、電界の向きが反転しても、必要な電子が飛び出さず、その結果、発光輝度が低下するという問題があった。
【特許文献1】特開2005−132947号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0005】
本発明は、上記事情に鑑みてなされたもので、輝度劣化が抑制され、発光品位の優れた無機EL素子用蛍光体、及び無機EL素子を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【0006】
本発明の無機エレクトロルミネッセンス用蛍光体は、母体材料として硫化亜鉛を含有する蛍光体粒子と、該蛍光体粒子表面の少なくとも一部に設けられた硫黄添加剤を含有する層とを含むことを特徴とする。
【0007】
本発明の無機エレクトロルミネッセンス素子は、一対の電極と、該電極間に介在された、母体材料として硫化亜鉛を含有する蛍光体粒子、硫黄添加剤、及び分散剤を含有する発光層とを具備することを特徴とする。
【発明の効果】
【0008】
本発明を用いると、その輝度劣化が抑制され、その発光品位の優れた無機EL素子が得られる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0009】
本発明の無機EL素子用蛍光体は、母体材料としてZnSを含有するZnS系蛍光体粒子を含み、さらに、蛍光体粒子表面の少なくとも一部に硫黄添加剤層が形成されている。
【0010】
また、本発明の無機EL素子は、一対の電極と、この電極間に設けられた発光層を有し、この発光層は、ZnS系蛍光体粒子、硫黄添加剤、及びこれらを分散する分散剤を含有する。
【0011】
本発明にかかる無機EL素子の一態様は、上記本発明の無機EL素子用蛍光体を用いた無機EL素子であって、その発光層は、その表面の少なくとも一部に硫黄添加剤層が形成された上記蛍光体、及びこれを分散させるための分散剤を含む。
【0012】
一方、本発明にかかる無機EL素子の他の態様では、発光層は、ZnS系蛍光体粒子、硫黄添加剤、及びこれらが個々に分散された分散剤を含有する。
【0013】
上記本発明にかかる無機EL素子の一態様では、硫黄添加剤が、蛍光体粒子表面の少なくとも一部に形成された硫黄添加剤層中に存在し、他の態様では、蛍光体粒子が分散された分散剤中にさらに添加されている。
【0014】
ここで使用される硫黄添加剤は、本発明に用いられる発光層中に含まれる硫黄供給源として用いられ、蛍光体粒子として使用されるZnS系化合物とは区別されるもので、硫黄単体であっても、硫黄を含有する材料であっても良い。
【0015】
また、本発明の無機EL素子のさらに他の態様では、蛍光体粒子表面の少なくとも一部に硫黄を含有する層を設け、さらに分散剤中に硫黄を含有させることも可能である。
【0016】
本発明によれば、ZnS系蛍光体粒子表面に硫黄添加剤層を設ける、及び/またはZnS系蛍光体粒子表面に、硫黄添加剤が添加された分散剤を適用することにより、ZnS系蛍光体粒子周囲にさらに硫黄を導入せしめ、無機EL素子の駆動中に蛍光体に発生する硫黄の欠陥を、この蛍光体粒子周囲に存在する硫黄で補填することができるので、発光輝度の低下を抑制することが出来る。
【0017】
以下、図面を参照し、本発明をより詳細に説明する。
【0018】
図1は、本発明の無機EL素子の一例の断面構造を表す模式図を示す。
【0019】
図示するように、この無機EL素子は、いわゆる分散型交流EL素子であり、例えばガラス等の透明基板1と、その上にITO等により形成された透明電極2と、透明電極2上に形成された、例えばZnS;Cu,Cl蛍光体、S、及びシアノエチルセルロース等の分散剤を含む発光層3と、発光層3上に形成された、例えばBaTiO等からなる誘電体層4と、誘電体層4上に蒸着して形成された例えばAl等からなる背面電極5と、これらの透明電極2、発光層3、誘電体層4、及び背面電極5を封止するように、透明基板1上に設けられた防湿フィルム6とを有する。ここで、蛍光体粒子31は、分散剤32中に分散されている蛍光体粒子の一部をモデル的に示している。
【0020】
分散型交流EL素子の透明電極2と背面電極5間に設けられた電源7より電圧を印可すると、透明電極2に近い発光層3から透明電極2の方向にELが得られる。
【0021】
発光層3中のZnは、例えば蛍光体粒子31上に設けられた被覆層、及び/または蛍光体粒子31を分散させる分散剤32中に含まれている。
【0022】
蛍光体粒子表面に被覆層を形成する方法としては、例えば蛍光体粒子をメッシュかごに入れ、Sをターゲットとして抵抗加熱蒸着を行う方法、電子ビーム蒸着法、スパッタ法、イオンプレーティング法、CVD法等の既存の気相成膜法があげられる。
【0023】
本発明では、ZnS母体材料に、例えば銅、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、及びマンガンから選択される少なくとも1種の付活剤を添加することが出来る。
【0024】
母体材料と付活剤との配合モル比は、その組合せによって異なる。
【0025】
例えばZnS;Cu,Clの場合、ZnSに対して、0.1〜0.5モル%のCu、1〜15モル%のClを添加することが出来る。この範囲であると、蛍光体の発光輝度と発光効率が良好となる。
【0026】
本発明に使用されるZnS系蛍光体は、その体積平均粒径が5μmないし30μmであることが好ましい。
【0027】
分散剤としては、例えば有機バインダとして比較的誘電率が高いシアノエチルセルロースや、ポリエステル系樹脂等を用いることが出来る。
【0028】
分散剤と蛍光体との重量比は、例えば55〜70:45〜30にすることができる。
【0029】
発光層は、乾燥後の膜厚を30〜100μmとすることができる。この範囲の厚さを有する発光層を用いると、必要な輝度を得ること、及び無機EL素子を低電圧で駆動することが可能である。
【0030】
透明電極としては、例えば酸化インジウム錫(ITO)、酸化鉛(ZnO)等を用いることが出来る。
【0031】
透明電極層は可視光透過率が高いこと、電極層での電力損失を防ぐため低抵抗である観点から、膜厚300nmないし1μmであることが望ましい。
【0032】
透明電極層の成膜方法としては、スパッタ以外にも蒸着などの気相薄膜形成法や、スクリーン印刷法や、ロールコータなどの塗布法が使用できる。
【0033】
誘電体層としては、例えばBaTiO、SrTiO、TiO等の粉末を蛍光体と同様の有機バインダーに分散した材料等を用いることが出来る。
【0034】
誘電体層の膜厚は、20μm〜60μmにすることができる。この範囲であると、絶縁耐圧を確保しつつ、層の誘電率を高くすることができる。
【0035】
背面電極層の膜厚は300nmないし1μm範囲で形成することができる。電極材料はAl以外にも、Ag,Cu,Cなどの導電材料が使用可能である。
【0036】
防湿フィルムとしては、例えばPCTFE、PTFE,PFA等のフィルムを使用することが出来る。防湿フィルムの厚さは、20μm〜200μmにすることができる。
【0037】
以下、実施例を示し、本発明をより具体的に説明する。
【0038】
実施例1
平均粒径1μmのZnS粉末と、ZnSに対して0.3mol%のCuS粉末と、10mol%のNaCl粉末を混合し、1気圧のHSガス中で1000℃で2時間の焼成を行い。体積平均粒径20μmのZnS:Cu,Cl蛍光体粒子を得た。
【0039】
ZnS:Cu,Cl蛍光体粒子をメッシュかごに入れ、硫黄をターゲットとして、抵抗加熱蒸着にて、ZnS:Cu,Cl蛍光体表面に、平均膜厚500nmの硫黄層を形成し、本発明にかかる硫黄添加物層付きZnS系蛍光体を得た。
【0040】
上記硫黄被覆された蛍光体と、バインダー樹脂としてデュポン株式会社製 商品名 ELインク8155とを、55:45の重量比で混合し、スクリーン印刷用の蛍光体インキを作成した。
【0041】
例えば3mm厚のガラス基板上に、膜厚300nmの透明電極層を酸化インジウム(ITO)をスパッタしてパターン成膜した。透明電極層が形成されたガラス基板の上に、上記蛍光体インキをスクリーン印刷で塗布・乾燥し、30μmの厚さを有する発光層を得た。
【0042】
発光層の上にBaTiO等誘電体粉末を含む誘電体層を、スクリーン印刷し、乾燥することにより形成した。
【0043】
スクリーン印刷インキとして、エレクトロルミネッセンスパネル用耐圧誘電層ペースト 藤倉化成株式会社製 商品名 ドータイトFEL−615を用いた。乾燥後の誘電体層の膜厚は30μmであった。
【0044】
誘電体層の上に、Alを蒸着し、300nmの膜厚を有する背面電極層を形成した。
【0045】
さらに、透明電極層、発光層、誘電体層、及び背面電極層が形成された基板上に、PCTFEフィルムをラミネート加工し、封入を行ない、本発明にかかる分散型交流EL素子を得た。
【0046】
得られた分散型交流EL素子を、AC200V,8kHzで24時間駆動させ、初期輝度と、24時間後の輝度をトプコン社製輝度計BM−8を用いて測定し、初期輝度を100%とした場合の24時間経過後の相対輝度を求めたところ、75%という良好な結果であった。
【0047】
また、実施例1の変形例として、蛍光体粒子を作成する際に、ZnS粉末の平均粒径を1〜20μmに変化させ、ZnSに対するCuS粉末の添加量を0.2〜1mol%に変化させ、ZnSに対するNaCl粉末の添加量を1〜15mol%に変化させて混合し、1気圧のHSガス中で1000℃で2〜4時間の焼成を行い。5〜30μmの平均粒径を有する種々のZnS:Cu,Cl蛍光体を得た。
【0048】
これらのZnS:Cu,Cl蛍光体粒子をメッシュかごに入れ、抵抗加熱蒸着を用いて、蛍光体表面に、平均膜厚100nm〜1μmの範囲で硫黄層を形成した。
【0049】
硫黄被覆された蛍光体と、バインダー樹脂(デュポン株式会社製 商品名 ELインク8155)とを、その混合重量比を55ないし70:45ないし30に変化させて混合し、種々のスクリーン印刷用の蛍光体インキを作成した。
【0050】
ガラス基板上に、ITOまたはZnOを使用して、膜厚を300nm〜1μmに変化させながら透明電極層をスパッタでパターン成膜した。
【0051】
透明電極層を形成したガラス基板の上に、上記種々の蛍光体インキを、乾燥後の膜厚が30〜100μmとなるようにスクリーン印刷で塗布、乾燥し、発光層を得た。
【0052】
発光層の上にBaTiO等誘電体粉末を含む誘電体層をスクリーン印刷・乾燥で形成した。スクリーン印刷インキとして、エレクトロルミネッセンスパネル用耐圧誘電層ペースト(藤倉化成株式会社:ドータイトFEL−615)を用い、乾燥後の膜厚が20ないし60μmとにとなるようにスクリーン印刷を行った。
【0053】
さらに、誘電体層の上に、Al蒸着により背面電極層を膜厚300nmないし1μmの範囲で変化させて形成した。
【0054】
防湿効果を高める目的で、透明電極層、発光層、誘電体層、及び背面電極層が形成された基板上に、厚さを20μm〜100μmの範囲で変化させて、透明電極層、発光層、誘電体層、及び背面電極層を封入するようにPCTFEフィルムによるラミネート加工を行ない、分散型交流EL素子を得た。
【0055】
得られた分散型交流EL素子について、同様に初期輝度に対する24時間駆動後の相対輝度を測定したところ、良好な結果が得られた。
【0056】
実施例2
実施例1と同様のZnS:Cu,Cl蛍光体粒子と、硫黄と、実施例1と同様のバインダー樹脂とを55:10:35の重量比で混合し、スクリーン印刷用の蛍光体インキを作成した。
【0057】
実施例1と同様にして形成した膜厚300nmの透明電極層を有するガラス基板の上に、上記蛍光体インキをスクリーン印刷で塗布し、乾燥することにより30μmの膜厚を有する発光層を得た。
【0058】
発光層の上にBaTiO等誘電体粉末を含む誘電体層をスクリーン印刷し、乾燥することによりで形成する。スクリーン印刷インキとして、エレクトロルミネッセンスパネル用耐圧誘電層ペースト(藤倉化成株式会社:ドータイトFEL−615)を用いた。乾燥後の誘電体層の膜厚は30μmであった。
【0059】
誘電体層の上に、Alを蒸着し、膜厚300nmの背面電極層を形成し、無機EL素子を得た。
【0060】
透明電極層、発光層、誘電体層、及び背面電極層が形成された基板上に対し、防湿効果を高める目的で、透明電極層、発光層、誘電体層、及び背面電極層を封入するように、厚さ40μmのPCTFEフィルムをラミネート加工した。
【0061】
得られた分散型交流EL素子について、同様に初期輝度に対する24時間駆動後の相対輝度を測定したところ、58%という良好な結果が得られた。
【0062】
比較例1
蛍光体粒子表面に硫黄添加物層を形成しないこと以外は実施例1と同様にして、分散型交流EL素子を得た。
【0063】
得られた分散型交流EL素子について、同様に初期輝度に対する24時間駆動後の相対輝度を測定したところ、51%というやや劣る結果が得られた。
【図面の簡単な説明】
【0064】
【図1】本発明にかかる無機EL素子の一例の断面構造を表す模式図
【符号の説明】
【0065】
1…基板、2…透明電極、3…発光層、4…誘電体層、5…背面電極、6…防湿フィルム、10…分散型交流EL素子、31…蛍光体粒子、32…分散剤

【特許請求の範囲】
【請求項1】
母体材料として硫化亜鉛を含有する蛍光体粒子と、該蛍光体粒子表面の少なくとも一部に設けられた硫黄添加剤を含有する層とを含むことを特徴とする無機エレクトロルミネッセンス用蛍光体。
【請求項2】
前記蛍光体粒子は、付活剤として、銅、フッ素、塩素、臭素、ヨウ素、及びマンガンからなる群から選択される少なくとも1種の元素をさらに含むことを特徴とする請求項1に記載の無機エレクトロルミネッセンス用蛍光体。
【請求項3】
前記硫黄添加剤は、その添加量が、蛍光体粒子に対し、0.2モル%ないし1モル%であることを特徴とする請求項1または2に記載の無機エレクトロルミネッセンス用蛍光体。
【請求項4】
一対の電極と、該電極間に介在された、母体材料として硫化亜鉛を含有する蛍光体粒子、硫黄添加剤、及び分散剤を含有する発光層とを具備することを特徴とする無機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項5】
前記蛍光体粒子は、その表面の少なくとも一部に硫黄添加剤を含有する層をさらに含むことを特徴とする請求項4に記載の無機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項6】
前記蛍光体粒子と前記硫黄添加剤は、前記分散剤中に別々に分散されていることを特徴とする請求項4または5に記載の無機エレクトロルミネッセンス素子。
【請求項7】
前記硫黄添加剤は、その添加量が、蛍光体粒子に対し、10モル%ないし60モル%であることを特徴とする請求項4ないし6のいずれか1項に記載の無機エレクトロルミネッセンス素子。

【図1】
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【公開番号】特開2009−152073(P2009−152073A)
【公開日】平成21年7月9日(2009.7.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2007−329071(P2007−329071)
【出願日】平成19年12月20日(2007.12.20)
【出願人】(000003078)株式会社東芝 (54,554)
【Fターム(参考)】