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オニウム塩及びそれを含有する帯電防止剤
説明

オニウム塩及びそれを含有する帯電防止剤

【課題】耐水性を有し、比較的安定した帯電防止性を樹脂に付与できる新規なオニウム塩を提供する。
【解決手段】下式(1)で示されるオニウム塩。Q・C(1)(式中、Qは下式(2)等で表されるカチオンを表し、YはO、CO又はSOを表す。)


(式中、R〜Rは炭素数1〜20のアルキル基を表し、Rは炭素数5〜20のアルキル基を表す。)

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明はオニウム塩及びそれを含有する帯電防止剤に関する。
【背景技術】
【0002】
ペンタフルオロフェノレート及びペンタフルオロベンゾエートをアニオンとして有するオニウム塩としては、以下のものが公知である。テトラメチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート(非特許文献1参照)、テトラエチルアンモニウム=ペンタフルロフェノレート(非特許文献2参照)、テトラブチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート(特許文献1参照)、テトラブチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート(特許文献2参照)。
【0003】
本発明者らが、前記の公知のオニウム塩をポリカーボネート樹脂用の帯電防止剤として使用したところ、耐水性が不十分であり、水洗により帯電防止性能が大幅に低下することが分かった(比較応用例参照)。
【先行技術文献】
【特許文献】
【0004】
【特許文献1】米国特許第4588795号明細書
【特許文献2】特開2010−59371号公報
【非特許文献】
【0005】
【非特許文献1】ジャーナル オブ ザ アメリカン ケミカル ソサイエティー(J.Am.Chem.Soc.),2002年,124巻,28号,p.8307−8315
【非特許文献2】ジャーナル オブ ザ アメリカン ケミカル ソサイエティー(J.Am.Chem.Soc.),2001年,123巻,9号,p.1920−1930
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
本発明は、耐水性を有し、比較的安定した帯電防止性を樹脂に付与できる新規なオニウム塩を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【0007】
本発明者が上記課題を解決するために鋭意検討を行ったところ、式(1)で表されるオニウム塩を見出し、さらに当該オニウム塩を帯電防止剤としてポリカーボネート樹脂に使用したところ、ポリカーボネート樹脂に対して帯電性能を付与できることを見出し、本発明を完成するに至った。
【0008】
即ち本発明は、式(1)で示されるオニウム塩(以下、オニウム塩(1)という)に関する。
【0009】
・C (1)
(式中、Qは式(2)〜式(7)のいずれかで表されるカチオンであり、
【0010】
【化1】

(式中、R〜Rは炭素数1〜20のアルキル基、Rは炭素数5〜20のアルキル基を表す。)
【0011】
【化2】

(式中、R〜Rは炭素数1〜20のアルキル基、炭素数7〜20のアラルキル基又はアリール基を表す。)
【0012】
【化3】

(式中、R及びR10は炭素数1〜20のアルキル基、R11〜R14は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表す。)
【0013】
【化4】

(式中、R15及びR16は炭素数1〜20のアルキル基、R17〜R21は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表す。)
【0014】
【化5】

(式中、R22は炭素数1〜20のアルキル基、R25は炭素数4〜20のアルキル基、R23、R24及びR26は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表す。)
【0015】
【化6】

(式中、R27は炭素数2〜20のアルキル基、R28〜R32は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表す。)
はO、CO又はSOを表す。)
【発明の効果】
【0016】
本発明のオニウム塩は、ポリカーボネート樹脂に帯電防止剤として用いることで、公知のペンタフルオロフェノレート及びペンタフルオロベンゾエートをアニオンとして有するオニウム塩に比べて、水洗による帯電防止性能の低下が少ないポリカーボネート樹脂を製造できるため、工業上利用可能性が高い。
【発明を実施するための形態】
【0017】
以下、本発明を具体的に説明する。
【0018】
式(2)中、R〜Rは炭素数1〜20のアルキル基を表し、好ましくは炭素数1〜12のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプタン基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。Rは炭素数5〜20のアルキル基を表し、好ましくは炭素数6〜12のアルキル基である。具体的には、ヘキシル基、ヘプタン基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。YがOである場合、R〜Rは炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、炭素数1〜8のアルキル基がより好ましい。Rは炭素数6〜10のアルキル基が好ましく、炭素数6〜8のアルキル基がより好ましい。YがCOである場合、R〜Rは炭素数1〜10のアルキル基が好ましく、炭素数1〜8のアルキル基がより好ましい。Rは炭素数6〜10のアルキル基が好ましく、炭素数6〜8のアルキル基がより好ましい。YがSOである場合、R〜Rは炭素数1〜4のアルキル基が好ましく、炭素数1〜2のアルキル基がより好ましい。Rは炭素数6〜12のアルキル基が好ましく、炭素数8〜12のアルキル基がより好ましい。
【0019】
式(3)中、R〜Rは炭素数1〜20のアルキル基、炭素数7〜20のアラルキル基又は炭素数6〜20のアリール基を表し、好ましくは炭素数2〜12のアルキル基、炭素数7〜10のアラルキル基又は炭素数6〜9のアリール基である。具体的には、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ベンジル基、フェニル基、1−メチルフェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基等が挙げられる。Rは炭素数8〜20のアルキル基、炭素数7〜20のアラルキル基又は炭素数6〜20のアリール基を表し、好ましくは炭素数8〜12のアルキル基、炭素数7〜10のアラルキル基又は炭素数6〜9のアリール基である。具体的には、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ベンジル基、フェニル基、1−メチルフェニル基、2−メチルフェニル基、3−メチルフェニル基等が挙げられる。YがOである場合、R〜Rは炭素数3〜12アルキル基又はフェニル基が好ましく、炭素数4〜12のアルキル基又はフェニル基がより好ましい。YがCOである場合、R〜Rは炭素数3〜12アルキル基が好ましく、炭素数4〜12のアルキル基がより好ましい。YがSOである場合、炭素数3〜12アルキル基又はフェニル基が好ましく、炭素数4〜12のアルキル基又はフェニル基がより好ましい。
【0020】
式(4)中、R及びR10は炭素数1〜20のアルキル基を表し、好ましくは炭素数1〜12のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプタン基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。R11〜R14は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表し、好ましくは水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基である。具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。YがOである場合、R及びR10は炭素数1〜14アルキル基が好ましく、炭素数1〜12のアルキル基がより好ましい。R11〜R14は水素原子が好ましい。YがCOである場合、R及びR10は炭素数1〜14アルキル基が好ましく、炭素数1〜12のアルキル基がより好ましい。R11〜R14は水素原子が好ましい。YがSOである場合、R及びR10は炭素数1〜14アルキル基が好ましく、炭素数1〜12のアルキル基がより好ましい。R11〜R14は水素原子が好ましい。
【0021】
式(5)中、R15及びR16は炭素数1〜20のアルキル基を表し、好ましくは炭素数1〜12のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプタン基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。R17〜R21は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表し、好ましくは水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基である。具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
【0022】
式(6)中、R22は炭素数1〜20のアルキル基を表し、好ましくは炭素数1〜10のアルキル基である。具体的には、メチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプタン基、オクチル基、ノニル基、デシル基等が挙げられる。R25は炭素数4〜20のアルキル基を表し、好ましくは炭素数4〜10のアルキル基である。具体的にはブチル基、ペンチル基、ヘキシル基、ヘプチル基、オクチル基等が挙げられる。R23、R24及びR26は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表し、好ましくは水素原子又は炭素数1〜10のアルキル基である。YがOである場合、R22は炭素数1〜6のアルキル基が好ましく、炭素数1〜4のアルキル基がより好ましい。R25は炭素数4〜10のアルキル基が好ましく、炭素数6〜8のアルキル基がより好ましい。R23、R24及びR26は水素原子が好ましい。
【0023】
式(7)中、R27は炭素数2〜20のアルキル基を表し、好ましくは炭素数6〜12のアルキル基である。具体的には、ヘキシル基、ヘプタン基、オクチル基、ノニル基、デシル基、ウンデシル基、ドデシル基等が挙げられる。R28〜R32は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表し、好ましくは水素原子又は炭素数1〜6のアルキル基であり、水素原子がより好ましい。具体的にはメチル基、エチル基、プロピル基、ブチル基、ペンチル基、ヘキシル基等が挙げられる。
【0024】
オニウム塩(1)の具体例としては、テトラヘキシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート、テトラヘプチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート、テトラオクチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート、テトラノニルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート、テトラデシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリエチルエイコシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリブチルヘキシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリブチルヘプチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノール、トリブチルオクチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリブチルノニルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリブチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリブチルエイコシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート、
【0025】
テトラメチルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、テトラエチルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、テトラプロピルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、テトラブチルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、テトラペンチルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、テトラヘキシルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、テトラヘプチルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、テトラオクチルホスホニウム=ペンタフルオロフェノール、テトラノニルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、テトラデシルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリエチルデシルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリエチルエイコシルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリブチルペンチルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリブチルヘキシルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリブチルヘプチルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリブチルオクチルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリブチルノニルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリブチルデシルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、トリブチルエイコシルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレート、
【0026】
1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム=ペンタフルオロフェノレート、1−ヘプチル−3−メチルイミダゾリウム=ペンタフルオロフェノレート、1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム=ペンタフルオロフェノレート、1−メチル−3−ノニルイミダゾリウム=ペンタフルオロフェノール、1−デシル−3−メチルイミダゾリウム=ペンタフルオロフェノレート、1−エイコシル−3−メチルイミダゾリウム=ペンタフルオロフェノレート、
【0027】
1−メチルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−エチルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−プロピルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−ブチルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−ペンチルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−ヘキシルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−ヘプチルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−オクチルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−ノニルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−デシルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−エイコシルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、
【0028】
1−ヘキシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−ヘプチル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−メチル−1−オクチルピロリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−メチル−1−ノニルピロリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−デシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−エイコシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、
【0029】
1−ヘキシル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−ヘプチル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−メチル−1−オクチルピペリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−メチル−1−ノニルピペリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−デシル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、1−エイコシル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロフェノレート、
【0030】
テトラヘキシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラヘプチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラオクチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラノニルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラデシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリエチルエイコシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルヘキシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルヘプチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルオクチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルノニルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルエイコシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、
【0031】
テトラメチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラエチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラプロピルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラブチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラペンチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラヘキシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラヘプチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラオクチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラノニルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、テトラデシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリエチルデシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリエチルエイコシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルペンチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルヘキシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルヘプチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルオクチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルノニルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルデシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、トリブチルエイコシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、
【0032】
1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−ヘプチル−3−メチルイミダゾリウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−メチル−3−ノニルイミダゾリウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−デシル−3−メチルイミダゾリウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−エイコシル−3−メチルイミダゾリウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、
【0033】
1−ヘキシルピリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−ヘプチルピリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−オクチルピリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−ノニルピリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−デシルピリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−エイコシルピリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、
【0034】
1−ヘキシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−ヘプチル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−メチル−1−オクチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−メチル−1−ノニルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−デシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−エイコシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、
【0035】
1−ヘキシル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−ヘプチル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−メチル−1−オクチルピペリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−メチル−1−ノニルピペリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−デシル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、1−エイコシル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート、
【0036】
テトラヘキシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラヘプチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラオクチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラノニルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラデシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリエチルエイコシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリブチルヘキシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリブチルヘプチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリブチルオクチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリブチルノニルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリブチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリブチルエイコシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエート、
【0037】
テトラメチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラエチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラプロピルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラブチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラペンチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラヘキシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラヘプチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラオクチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラノニルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラデシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリエチルデシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリエチルエイコシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリブチルペンチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリブチルヘキシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリブチルヘプチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリブチルオクチルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリブチルノニルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、トリブチルデシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエートトリブチルエイコシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、
【0038】
1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−ヘプチル−3−メチルイミダゾリウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−メチル−3−ノニルイミダゾリウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−デシル−3−メチルイミダゾリウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−エイコシル−3−メチルイミダゾリウム=ペンタフルオロベンゾエート、
【0039】
1−ヘキシルピリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−ヘプチルピリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−オクチルピリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−ノニルピリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−デシルピリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−エイコシルピリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、
【0040】
1−ヘキシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−ヘプチル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−メチル−1−オクチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−メチル−1−ノニルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−デシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−エイコシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、
【0041】
1−ヘキシル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−ヘプチル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−メチル−1−オクチルピペリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−メチル−1−ノニルピペリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−デシル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、1−エイコシル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート等が挙げられるが、本発明はこれらに限定されるものではない。
【0042】
本発明のオニウム塩(1)は、例えば、式(8):
・X (8)
(式中、Qは前記に同じ。Xはハロゲンイオン又はメチル炭酸イオンを表す。)
で示されるオニウム塩(以下、オニウム塩(8)という。)を、式(9):
・C (9)
(式中、Mはアルカリ金属イオン又は水素イオンを表す。Yは前記に同じ。)
で示される酸又はそのアルカリ金属塩(以下、酸類(9)という。)を用いてアニオン交換することにより製造することができ、Mが水素イオンである場合、塩基性化合物を添加して反応を行うことが好ましい。
【0043】
オニウム塩(8)としては、例えば、テトラヘキシルアンモニウム=クロリド、テトラヘプチルアンモニウム=クロリド、テトラオクチルアンモニウム=クロリド、テトラノニルアンモニウム=クロリド、テトラデシルアンモニウム=クロリド、トリエチルデシルアンモニウム=クロリド、トリエチルエイコシルアンモニウム=クロリド、トリブチルペンチルアンモニウム=クロリド、トリブチルヘキシルアンモニウム=クロリド、トリブチルヘプチルアンモニウム=クロリド、トリブチルオクチルアンモニウム=クロリド、トリブチルノニルアンモニウム=クロリド、トリブチルデシルアンモニウム=クロリド、トリブチルエイコシルアンモニウム=クロリド、
【0044】
テトラメチルホスホニウム=クロリド、テトラエチルホスホニウム=クロリド、テトラプロピルホスホニウム=クロリド、テトラブチルホスホニウム=クロリド、テトラペンチルホスホニウム=クロリド、テトラヘキシルホスホニウム=クロリド、テトラヘプチルホスホニウム=クロリド、テトラオクチルホスホニウム=クロリド、テトラノニルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート、テトラデシルホスホニウム=クロリド、トリエチルデシルホスホニウム=クロリド、トリエチルエイコシルホスホニウム=クロリド、トリブチルペンチルホスホニウム=クロリド、トリブチルヘキシルホスホニウム=クロリド、トリブチルヘプチルホスホニウム=クロリド、トリブチルオクチルホスホニウム=クロリド、トリブチルノニルホスホニウム=クロリド、トリブチルデシルホスホニウム=クロリド、トリブチルエイコシルホスホニウム=クロリド
【0045】
1−ヘキシル−3−メチルイミダゾリウム=クロリド、1−ヘプチル−3−メチルイミダゾリウム=クロリド、1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム=クロリド、1−メチル−3−ノニルイミダゾリウム=クロリド、1−デシル−3−メチルイミダゾリウム=クロリド、1−エイコシル−3−メチルイミダゾリウム=クロリド、
【0046】
1−メチルピリジニウム=クロリド、1−エチルピリジニウム=クロリド、1−プロピルピリジニウム=クロリド、1−ブチルピリジニウム=クロリド、1−ペンチルピリジニウム=クロリド、1−ヘキシルピリジニウム=クロリド、1−ヘプチルピリジニウム=クロリド、1−オクチルピリジニウム=クロリド、1−ノニルピリジニウム=クロリド、1−デシルピリジニウム=クロリド、1−エイコシルピリジニウム=ペンタフルオロベンゾエート、
【0047】
1−ヘキシル−1−メチルピロリジニウム=クロリド、1−ヘプチル−1−メチルピロリジニウム=クロリド、1−メチル−1−オクチルピロリジニウム=クロリド、1−メチル−1−ノニルピロリジニウム=クロリド、1−デシル−1−メチルピロリジニウム=クロリド、1−エイコシル−1−メチルピロリジニウム=クロリド、
【0048】
1−ヘキシル−1−メチルピペリジニウム=クロリド、1−ヘプチル−1−メチルピペリジニウム=クロリド、1−メチル−1−オクチルピペリジニウム=クロリド、1−メチル−1−ノニルピペリジニウム=クロリド、1−デシル−1−メチルピペリジニウム=クロリド、1−エイコシル−1−メチルピペリジニウム=クロリド等が挙げられる。
【0049】
酸類(9)としては、例えば、ペンタフルオロフェノールナトリウム、ペンタフルオロフェノール、ペンタフルオロ安息香酸、ペンタフルオロベンゼンスルホン酸等が挙げられる。酸類(9)の使用量は、オニウム塩(8)1モルに対して、通常0.8モル以上、好ましくは0.9モル〜1.5モルである。
【0050】
が水素イオンである場合に添加される塩基性化合物としては、例えば、水酸化ナトリウム、水酸化カリウム等が挙げられる。塩基性化合物の使用量は、酸類(9)1モルに対して、通常0.8モル以上、好ましくは0.9モル〜1.5モルである。
【0051】
イオン交換反応は、通常水溶媒中で行われる。水の使用量は特に制限はないが、通常、オニウム塩(8)1重量部に対して通常20.0重量部以下、好ましくは0.5〜10.0重量部であり、特に好ましくは1.0重量部〜5.0重量部である。また、水に不溶で、且つオニウム塩(1)が可溶な有機溶媒(例えば、トルエン、酢酸エチル、ジクロロメタン等)を共存させることも可能である。
【0052】
オニウム塩(8)、酸類(9)及び水の混合順序は特に限定されず、オニウム塩(8)と水を混合した後に酸類(9)を添加してもよいし、酸類(9)と水を混合した後にオニウム塩(8)を添加してもよい。
【0053】
イオン交換反応の反応温度は、生成するオニウム塩(1)の融点より高い温度であることが好ましく、通常10℃〜80℃、好ましくは15℃〜60℃、特に好ましくは20℃〜40℃である。反応時間としては、通常15分以上、好ましくは30分〜3時間、特に好ましくは45分〜3時間である。
【0054】
反応終了後の反応液からオニウム塩(1)を取り出す方法としては、反応液が有機層と水層とに分液している場合には、有機層を分離し、所望により有機層を水洗した後、有機層を濃縮することによってオニウム塩(1)を得る方法、反応液が均一な場合には、前記の水に不溶で、且つオニウム塩(1)が可溶な有機溶媒を添加してオニウム塩(1)を有機溶媒に抽出、得られた有機層を所望により水洗し、次いで有機溶媒を留去することにより、オニウム塩(1)を得る方法等が挙げられる。
【実施例】
【0055】
次に、本発明を実施例に基づいて具体的に説明するが、本発明はなんらこれらに限定されるものではない。実施例中、H−NMR及び19F−NMRは日本電子データム社製AL−400を使用し、H−NMRは400MHzでテトラメトキシシランを基準として、19F−NMRは376MHzでトリフルオロトルエンを基準としてケミカルシフトを算出した。また、表面抵抗率は三菱化学株式会社製ハイレスターUP(MCP−HT450)を用い、23±3℃、湿度45±5%の条件下で測定を行った。
【0056】
参考例1 ペンタフルオロフェノールナトリウムの合成
1L4つ口丸底フラスコにペンタフルオロフェノール200.15g(1.09mol)及びイオン交換水199.52gを仕込み、0℃に冷却した。ここに48%水酸化ナトリウム水溶液91.55g(1.10mol)を滴下し、30分撹拌した。反応溶液をロータリーエバポレーターで濃縮後、真空ポンプを用いて60℃で7時間乾燥させることにより、ペンタフルオロフェノールナトリウム242.96gを得た(収率108.5%)。
【0057】
19F−NMR(溶媒:CDOD)−133.00−−130.00(m,1F),109.50−−108.50(m,2F),108.40−−108.00(m,2H)
【0058】
実施例1 トリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートの合成
撹拌子を備えた100mLのガラス反応器に、トリエチルアミン5.00g(49.41mmol)、1−ヨードドデカン13.25g(49.41mmol)を仕込み、60℃で16時間撹拌した。その後、アセトニトリル5.00gを追加し、75℃で6時間撹拌した。反応液をロータリーエバポレーターで濃縮し、ジクロロメタン10.01gに溶解させた。このジクロロメタン溶液をヘキサン100.08g中に滴下した。析出した白色沈殿を濾過したのち、ヘキサン20.0gで3回洗浄した。得られた固体を真空ポンプを用いて60℃で1.5時間乾燥させることにより、トリエチルデシルアンモニウム=ヨージド13.02g(収率71.9%)を合成した。これを用いて次のアニオン交換反応を行った。
撹拌子を備えた100mLのガラス反応器に、トリエチルデシルアンモニウム=ヨージド5.01g(13.54mmol)、イオン交換水10.29g、ジクロロメタン10.02g、酢酸エチル10.11g及び参考例1で合成したペンタフルオロフェノールナトリウム3.13g(14.00mmol)を仕込み、室温で2時間撹拌した。得られた反応液を分液し、有機層をイオン交換水10gで3回洗浄した。得られた有機層に対して、ペンタフルオロフェノールナトリウム1.05g(4.70mmolモル)及びイオン交換水9.98gを加え、室温で2時間反応した。得られた反応液を分液し、有機層をイオン交換水10gで3回洗浄し、ロータリーエバポレーターで濃縮後、真空ポンプを用いて60℃で1.5時間乾燥させ、トリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート5.45g(収率94.6%)を得た。
【0059】
H−NMR(溶媒:CDOD)σ(ppm)=0.88(3H,t,J=6.8Hz),1.20−1.50(23H,m),1.60−1.70(2H,m),3.16(2H,t,J=8.4Hz),3.18−3.32(6H,m)
【0060】
19F−NMR(溶媒:CDOD)−125.60−−125.00(m,1F),110.30−−110.10(m,2F),107.30−−107.20(m,2H)
【0061】
実施例2 ヘキシルジメチルオクチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートの合成
撹拌子を備えた100mLのガラス反応器に、ヘキシルジメチルオクチルアンモニウム=ブロミド5.01g(15.54mmol)、イオン交換水10.00g、ジクロロメタン10.02g及びペンタフルオロフェノールナトリウム3.47g(15.52mmol)を仕込み、室温にて2時間反応した。得られた反応液を分液し、有機層をイオン交換水10gで3回洗浄した。得られた有機層に対して、ペンタフルオロフェノールナトリウム1.16g(5.19mmol)及びイオン交換水9.98gを仕込み、室温にて一晩反応した。得られた反応液を分液し、有機層をイオン交換水10gで3回洗浄、ロータリーエバポレーターで濃縮後、真空ポンプを用いて60℃で2時間乾燥させることにより、ヘキシルジメチルオクチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート4.01g(収率60.8%)を得た。
【0062】
H−NMR(溶媒:CDOD)σ(ppm)=0.80−1.00(6H,m),1.20−1.40(16H,m),1.70−1.80(4H,m),3.06(6H,s),3.20−3.30(4H,m)
【0063】
19F−NMR(溶媒:CDOD)−125.00−−125.50(m,1F),110.00−−110.70(m,2F),107.00−−107.70(m,2H)
【0064】
実施例3 メチルトリオクチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートの合成
実施例2のヘキシルジメチルオクチルアンモニウム=ブロミドに代えてメチルトリオクチルアンモニウム=ブロミドを用いた以外は、実施例2と同様にしてメチルトリオクチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートを合成した。
【0065】
H−NMR(溶媒:CDOD)σ(ppm)=0.93(t,J=6.8Hz,12H),1.33−1.40(m,30H),1.60−1.85(m,6H),3.04(s,3H),3.28(m,6H)
【0066】
19F−NMR(溶媒:CDOD)−125.40−−125.25(m,1F),110.10−−110.00(m,2F), 107.25−−107.10(m,2H)
【0067】
実施例4 トリブチルドデシルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレートの合成
実施例2のヘキシルジメチルオクチルアンモニウム=ブロミドに代えてトリブチルドデシルホスホニウム=ブロミドを用いた以外は実施例2と同様にしてトリブチルドデシルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレートを合成した。
【0068】
H−NMR(溶媒:CDOD)σ(ppm)=0.60−1.00(m,12H),1.10−1.70(m,32H),2.00−2.30(m,8H)
【0069】
19F−NMR(溶媒:CDOD)−125.00−−125.50(m,1F),109.80−−110.50(m,2F), 106.90−−107.00(m,2H)
【0070】
実施例5 テトラフェニルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレートの合成
実施例2のヘキシルジメチルオクチルアンモニウム=ブロミドに代えてテトラフェニルホスホニウム=ブロミドを用いた以外は、実施例2と同様にしてテトラフェニルホスホニウム=ペンタフルオロフェノレートを合成した。
【0071】
H−NMR(溶媒:CDOD)σ(ppm)=7.52−8.25(m,20H)
【0072】
19F−NMR(溶媒:CDOD)−125.00−−125.50(m,1F),109.80−−110.50(m,2F), 106.90−−107.00(m,2H)
【0073】
実施例6 1−ドデシルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレートの合成
実施例2のヘキシルジメチルオクチルアンモニウム=ブロミドに代えて1−ドデシルピリジニウム=クロリドを用いた以外は、実施例2と同様にして1−ドデシルピリジニウム=ペンタフルオロフェノレートを合成した。
【0074】
H−NMR(溶媒:CDOD)σ(ppm)=0.88(3H,t,J=6.8Hz),1.25−1.40(m,18H),2.01(2H,t,J=6.8Hz),4.62(2H,t,J=6.8Hz),8.11(2H,t,J=6.8Hz),8.58(1H,t,J=8.0Hz),8.99(2Hd,J=5.2Hz)
【0075】
19F−NMR(溶媒:CDOD)−125.00−−125.50(m,1F),109.80―−110.50(m,2F), 107.30 −−107.40(m,2F)
【0076】
実施例7 1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム=ペンタフルオロフェノレートの合成
撹拌子を備えた500mLのガラスの四つ口反応器に、ペンタフルオロフェノール20.34g(0.11mol)及びメタノール20.00gを仕込み、室温にて49.7%1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム=メチルカーボネート メタノール溶液50.28g(0.09mol)を滴下し、室温で2時間反応した。得られた反応液に49.7%1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム=メチルカーボネート メタノール溶液4.12g(7.57mmol)を添加し、30分反応した。得られた反応液をロータリーエバポレーターで濃縮、真空ポンプを用いて60℃で3時間乾燥させ、1−メチル−3−オクチルイミダゾリウム=ペンタフルオロフェノレート39.25gを得た(収率93.9%)。
【0077】
H−NMR(溶媒:CDOD)σ(ppm)=0.89(16H,t,J=3.2Hz,),1.25−1.45(10H,m),1.86−1.88(2H,m),3.92(s,3H),4.19(t,J=3.2Hz,2H),7.56(d,J=2.0Hz,2H),7.62(d,J=2,2H)
【0078】
19F−NMR(溶媒:CDOD)σ(ppm)=−124.55−−124.45(m,1F),110.02−−109.92(m,、2F), −107.12 −−107.05(m,2F)
【0079】
実施例8 1−ドデシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロフェノレートの合成
500mL四つ口フラスコにアセトニトリル81.97g及び1−メチルピロリジン40.76g(0.48mol)を仕込み、70℃に昇温した。ここに、1−ブロモドデカン131.90g(0.53mol)を滴下し、4時間加熱還流させた。これを冷却し、固体を濾過した。得られた固体をアセトニトリル41.14gで洗浄し、これを真空ポンプを用いて60℃で3時間乾燥させることにより、1−ドデシル−1−メチルピロリジニウム=ブロミド115.15g(収率71.94%)を得た。これを用いて次のアニオン交換反応を行った。
撹拌子を備えた100mLのガラス反応器に、ペンタフルオロフェノールナトリウム5.01g(22.41mmol)、イオン交換水10.13g、酢酸エチル10.02g及び1−ドデシル−1−メチルピロリジニウム=ブロミド7.48g(22.37mmol)を仕込み、室温で2時間反応した。得られた反応液を分液し、有機層をイオン交換水16gで3回洗浄し、ロータリーエバポレーターで濃縮後、真空ポンプを用いて60℃で3時間乾燥させることにより、1−ドデシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロフェノレート9.33g(収率88.1%)を得た。
【0080】
H−NMR(溶媒:CDOD)σ(ppm)=0.88(3H,t,J=6.8Hz),1.25−1.40(m,18H),1.70−1.85(2H,m),3.04(3H,s),3.30(2H,m),3.49(4H,m)
【0081】
19F−NMR(溶媒:CDOD)−125.25−−125.05(m,1F),109.20−−110.80(m,2F), −107.35−−107.25(m,2F)
【0082】
実施例9 1−エイコシル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロフェノレートの合成
撹拌子を備えた100mLのガラス反応器に、1−メチルピペリジン1.00g(10.08mmol)、1−ブロモエイコサン3.65g(10.10mmol)、トルエン5.00gを仕込み、70℃で6時間撹拌した。その後90℃で15時間撹拌した。反応液をロータリーエバポレーターで濃縮し、ジクロロメタン10.01gに溶解させた。このジクロロメタン溶液をヘキサン81.65g中に滴下した。析出した白色沈殿を濾過したのち、ヘキサン20gで2回洗浄した。真空ポンプを用いて60℃で1.5時間乾燥させることにより、1−エイコシル−1−メチルピペリジン=ブロミド4.06g(収率87.4%)を合成した。これを用いて次のアニオン交換反応を行った。
撹拌子を備えた10mLのガラス反応器に、1−エイコシル−1−メチルピペリジニウム=ブロミド1.01g(2.19mmol)、イオン交換水2.01g、酢酸エチル2.00g及びペンタフルオロフェノールナトリウム0.50g(2.23mmol)を仕込み、室温で2時間撹拌した。得られた反応液を分液し、有機層をイオン交換水2gで2回洗浄した。得られた有機層に対して、ペンタフルオロフェノールナトリウム0.25g(1.12mmol)及びイオン交換水2.00gを加え、室温で1時間反応した。得られた反応液を分液し、有機層をイオン交換水2gで2回洗浄した。さらに得られた有機層に対して、ペンタフルオロフェノールナトリウム0.25g(1.12mmol)及びイオン交換水2.00gを加え、室温で1時間反応した。得られた反応液を分液し、有機層をイオン交換水2gで3回洗浄し、ロータリーエバポレーターで濃縮後、真空ポンプを用いて1時間乾燥させ、1−エイコシル−1−メチルピペリジニウム=ペンタフルオロフェノレート1.21g(収率98.9%)を得た。
【0083】
H−NMR(溶媒:CDCl)δ(ppm)=0.88(3H,t,J=6.8Hz),1.20−1.30(34H,m),1.60−1.80(4H,m),3.22(3H,s),3.37−3.49(4H,m),3.50−3.70(2H,m)
【0084】
19F−NMR(溶媒:CDCl)δ(ppm)=−125.80−−125.50(m,1F),−107.80−−170.10(m,2F),−106.86−−106.00(m,2F)
【0085】
実施例10 テトラフェニルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエートの合成
撹拌子を備えた50mlナスフラスコに48%水酸化ナトリウム水溶液0.83g(10.00mmol)、水6mlを入れ、ペンタフルオロ安息香酸2.12g(10.00mmol)をゆっくり加え、常温で混合物を攪拌した。この混合物にテトラフェニルホスホニウム=ブロミド4.06g(10.00mmol)、ジクロロメタン12mlを加えて、さらに常温で2時間攪拌を行った。分液を行い、有機層を50mlナスフラスコに戻した。有機層の入った50mlナスフラスコに水4ml、48%水酸化ナトリウム水溶液0.41g(5.00mmol)、ペンタフルオロ安息香酸1.06g(5.00mmol)を加え、再び常温で2時間撹拌した。反応溶液を分液し、その有機層を水8gで3回洗浄し、最終的に得られた有機層を常温・減圧下で濃縮することでテトラフェニルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエートを得た。ペンタフロオロベンゼンを内標としてH−NMR、19F− NMRで定量し、テトラフェニルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエート4.32g(収率78.5%)で得た。
【0086】
H−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=7.52−8.25(20H,m)
【0087】
19F−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=−102.32−−102.16(2H,m),−98.02−−97.90(1H,m),−82.49−−82.39(2H,m)
【0088】
実施例11 メチルトリオクチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエートの合成
実施例10のテトラフェニルホスホニウム=ブロミドに代えて、メチルトリオクチルアンモニウム=クロリドを用いた以外は実施例10と同様にしてメチルトリオクチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエートを合成した。
【0089】
H−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=0.89(9H,t,J=3.2Hz),1.19−1.50(30H,m),1.53−1.79(6H,m),3.19(3H,s),3.32(6H,t,J=5.6Hz)
【0090】
19F−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=−102.32−−102.16(2H,m),−98.02−−97.90(1H,m),−82.49−−82.39(2H,m)
【0091】
実施例12 トリブチルドデシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエートの合成
実施例10のテトラフェニルホスホニウム=ブロミドに代えてトリブチルドデシルホスホニウム=ブロミドを用いた以外は実施例10と同様にしてトリブチルドデシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゾエートを合成した。
【0092】
H−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=0.88(3H,t,J=6.8Hz),0.92−1.02(9H,m),1.24−1.30(16H,m),1.42−1.58(16H,m),2.20−2.32(8H,m)
【0093】
19F−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=−102.32−−102.16(2H,m),−98.02−−97.90(1H,m),−82.49−−82.39(2H,m)
【0094】
実施例13 1−ドデシルピリジニウム=ペンタフルオロベンゾエートの合成
実施例10のテトラフェニルホスホニウム=ブロミドに代えて1−ドデシルピリジニウム=クロリド用いた以外は実施例10と同様にして1−ドデシルピリジニウム=ペンタフルオロベンゾエートを合成した。
【0095】
H−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=0.87(3H,t,J=7.7Hz),1.02−1.36(18H、m),1.93−2.12(2H,m),4.79(2H,t,J=7.7Hz),8.01−8.17(2H,m),8.52(1H,q,J=13.2Hz,J2=7.2Hz),9.08−9.25(2H,m)
【0096】
19F−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=−102.32−−102.16(2H,m),−98.02−−97.90(1H,m),−82.49−−82.39(2H,m)
【0097】
実施例14 1−ドデシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゾエートの合成
実施例10のテトラフェニルホスホニウム=ブロミドに代えて、1−ドデシル−1−メチルピロリジニウム=ブロミド用いた以外は実施例10と同様にして1−ドデシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゾエートを合成した。
【0098】
H−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=0.88(3H,t,J=6.0Hz),1.19−1.45(18H、m),1.68−1.80(2H,m),2.20(4H,m),3.22(3H,s),3.46(2H,t,J=8.4Hz),3.60−3.80(4H,m)
【0099】
19F−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=−102.32−−102.16(2H,m),−98.02−−97.90(1H,m),−82.49−−82.39(2H,m)
【0100】
参考例2
特許文献(国際公開WO2008/106442号)に従い、ペンタフルオロスルホン酸を合成した。
【0101】
実施例15 テトラフェニルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートの合成
撹拌子を備えた50mlナスフラスコに48%水酸化ナトリウム水溶液0.72g(8.62mmol)及び水4mlを入れ、ペンタフルオロスルホン酸2.00g(8.62mmol)をゆっくり加えた後、室温で撹拌混合した。この混合物に、テトラフェニルホスホニウム=ブロミド3.61g(8.62mmol)及びジクロロメタン6mlを加えて、常温で2時間反応を行った。得られた反応液を分液し、有機層を50mlナスフラスコに戻した。有機層の入った50mlナスフラスコに水4g、48%水酸化ナトリウム水溶液0.36g(4.31mmol)及びペンタフルオロスルホン酸1.00g(4.31mmol)を加え、再び常温で2時間反応した。得られた反応液を分液し、有機層を水8mlで3回洗浄、有機層を室温・減圧下で濃縮することでテトラフェニルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートを4.02gを得た(収率81.8%)。
【0102】
H−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=7.52−8.25(20H,m)
【0103】
19F−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=−100.74−−100.50(2H,m),−93.60−−93.50(1H,m),−74.83−−74.72(2H,m)
【0104】
実施例16 トリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートの合成
実施例15のテトラフェニルホスホニウム=ブロミドに代えて、トリエチルデシルアンモニウム=ヨージドを用いた以外は実施例15と同様にしてトリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートを合成した。
【0105】
H−NMR(溶媒:CDOD):δ(ppm)=0.87(3H,t,J=6.8Hz),1.22−1.40(23H,m),1.60−1.70(2H,m),3.14−3.20(3H,m),3.28−3.34(6H,m)
【0106】
19F−NMR(溶媒:CDOD):δ(ppm)=−102.90――101.90(2F、m),−93.53――93.40(1F、m),−77.52−77.40(2F,m)
【0107】
実施例17 ヘキシルジメチルオクチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートの合成
実施例15のテトラフェニルホスホニウム=ブロミドに代えてヘキシルジメチルオクチルアンモニウム=ブロミドを用いた以外は実施例15と同様にしてヘキシルジメチルオクチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートを合成した。
【0108】
H−NMR(溶媒:CDCl):δ(ppm)=0.86−0.95(6H,m),1.28−1.37(16H,m),1.70−1.76(4H,m),3.07(6H,s),3.25−3.32(4H,m)
【0109】
19F−NMR(溶媒:CDCl):δ(ppm)=−102.01−−101.85(2F、m),−93.55−−93.40(1F、m),−77.50−77.35(2F,m)
【0110】
実施例18 メチルトリオクチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートの合成
実施例15のテトラフェニルホスホニウム=ブロミドに代えて、メチルトリオクチルアンモニウム=クロリドを用いた以外は実施例15と同様にしてメチルトリオクチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートを合成した。
【0111】
H−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=0.89(9H,t,J=3.2Hz),1.19−1.50(30H,m),1.53−1.79(6H,m),3.19(3H,s),3.32(6H,t,J=5.6Hz)
【0112】
19F−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=−100.74−−100.50(2H,m),−93.60−−93.50(1H,m),−74.83−−74.72(2H,m)
【0113】
実施例19 トリブチルドデシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートの合成
実施例15のテトラフェニルホスホニウム=ブロミドに代えてトリブチルドデシルホスホニウム=ブロミドを用いた以外は実施例15と同様にしてトリブチルドデシルホスホニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートを合成した。
【0114】
H−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=0.88(3H,t,J=6.8Hz),0.92−1.02(9H,m),1.24−1.30(16H,m),1.42−1.58(16H,m),2.20−2.32(8H,m)
【0115】
19F−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=−100.74−−100.50(2H,m),−93.60−−93.50(1H,m),−74.83−−74.72(2H,m)
【0116】
実施例20 1−ドデシルピリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートの合成
実施例15のテトラフェニルホスホニウム=ブロミドに代えて1−ドデシルピリジニウム=クロリド用いた以外は実施例15と同様にして1−ドデシルピリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートを合成した。
【0117】
H−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=0.87(3H,t,J=7.7Hz),1.02−1.36(18H、m),1.93−2.12(2H,m),4.79(2H,t,J=7.7Hz),8.01−8.17(2H,m),8.52(1H,q,J1=13.2Hz,J2=7.2Hz),9.08−9.25(2H,m)
【0118】
19F−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=−100.74−−100.50(2H,m),−93.60−−93.50(1H,m),−74.83−−74.72(2H,m)
【0119】
実施例21 1−ドデシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート
実施例15のテトラフェニルホスホニウム=ブロミドに代えて、1−ドデシル−1−メチルピロリジニウム=ブロミドを用いた以外は実施例15と同様にして1−ドデシル−1−メチルピロリジニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートを合成した。
【0120】
H−NMR(溶媒:CDOD)σ(ppm)=0.89(3H,t,J=5.6Hz),1.25−1.40(m,18H),1.70−1.85(2H,m),2.20−2.40(4H,m),3.04(3H,s),3.30(2H,m),3.49(4H,m)
【0121】
19F−NMR(溶媒:CDOD)−102.05−−101.90(2F,m),−93.45−−93.30(m,1F), −77.60−−77.50(m,2F)
【0122】
比較例1 テトラブチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートの合成
実施例1のトリエチルデシルアンモニウム=ヨージドに代えて、テトラブチルアンモニウム=ブロミドを用いた以外は実施例1と同様にしてテトラブチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートを合成した。
【0123】
H−NMR(溶媒:CDOD)σ(ppm)=1.02(12H,t,J=7.2Hz),1.37−1.42(8H,m),3.23(8H,t,J=7.2Hz)
【0124】
19F−NMR(溶媒:CDOD)−125.35−−125.50(m,1F),110.30−−110.50(m,2F),107.29−−107.34(m,2H)
【0125】
比較例2 テトラブチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエートの合成
実施例10のテトラフェニルホスホニウム=ブロミドに代えてテトラブチルアンモニウム=ブロミドを用いた以外は実施例10と同様にしてテトラブチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエートを合成した。
【0126】
H−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=0.99(12H,t,J=7.6Hz),1.27−1.49(8H,m),1.49−1.71(8H,m),3.27(2H,t,J=8.4Hz)
【0127】
19F−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=−102.32−−102.16(2H,m),−98.02−−97.90(1H,m),−82.49−−82.39(2H,m)
【0128】
比較例3 テトラブチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネート
実施例15のテトラフェニルホスホニウム=ブロミドに代えて、テトラブチルアンモニウム=ブロミドを用いた以外は実施例15と同様にしてテトラブチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートを合成した。
【0129】
H−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=0.99(12H,t,J=7.6Hz),1.27−1.49(8H,m),1.49−1.71(8H,m),3.27(2H,t,J=8.4Hz)
【0130】
19F−NMR(溶媒:CDCl)σ(ppm)=−100.74−−100.50(2H,m),−93.60−−93.50(1H,m),−74.83−−74.72(2H,m)
【0131】
応用例1 評価用ポリカーボネート樹脂シートの作成及び帯電防止性能評価
50mLのサンプル瓶にポリカーボネート樹脂(住友ダウ株式会社製、カリバー200−13 NAT)3.2gとジクロロメタン20mLを入れ、ポリカーボネート樹脂を溶解させた。そこに実施例1で得たトリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレート0.16gを添加し、完溶させたのちに金型(12cm×20cm×2cm)へ流し込み、室温にて1時間、40℃で1時間乾燥させ、ポリカーボネート樹脂シート(膜厚0.1±0.02mm)を作成した。前記により得られたポリカーボネート樹脂シートの表面抵抗率を耐水試験前及び耐水試験後に測定した。その結果を表1に示す。なお、耐水試験は、次のように行った。
ポリカーボネート樹脂シートの表面を、イオン交換水を含浸させた産業用ワイパーで50回拭き取り、その後3時間、23±3℃、湿度45±5%の条件下で放置した。
【0132】
応用例2〜9
応用例1のトリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートに代えて、表1に示すオニウム塩を用いた以外は応用例1と同様にして評価用ポリカーボネート樹脂シートを作成し、表面抵抗率を測定した。その結果を表1に示す。
【0133】
比較応用例1
応用例1のトリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートに代えて比較例1のテトラブチルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートを用いた以外は応用例1と同様にしてポリカーボネート樹脂シートを作成し、表面抵抗率を測定した。その結果を表1に示す。
【0134】
【表1】

【0135】
応用例10〜14
応用例1のトリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートに代えて、表2に示すオニウム塩を用いた以外は応用例1と同様にして評価用ポリカーボネート樹脂シートを作成し、表面抵抗率を測定した。その結果を表2に示す。
【0136】
比較応用例2
応用例1のトリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートに代えて比較例2のテトラブチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゾエートを用いた以外は応用例1と同様にしてポリカーボネート樹脂シートを作成し、表面抵抗率を測定した。その結果を表2に示す。
【0137】
【表2】

【0138】
応用例15〜21
応用例1のトリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートに代えて、表3に示すオニウム塩を用いた以外は応用例1と同様にして評価用ポリカーボネート樹脂シートを作成し、表面抵抗率を測定した。その結果を表3に示す。
【0139】
比較応用例3
応用例1のトリエチルデシルアンモニウム=ペンタフルオロフェノレートに代えて比較例3のテトラブチルアンモニウム=ペンタフルオロベンゼンスルホネートを用いた以外は応用例1と同様にしてポリカーボネート樹脂シートを作成し、表面抵抗率を測定した。その結果を表3に示す。
【0140】
【表3】

【0141】
表1〜3の結果から本発明のオニウム塩(1)を帯電防止剤として添加したポリカーボネート樹脂は、比較例1〜3の公知のテトラブチルアンモニウム塩を添加したポリカーボネート樹脂に比べ、水洗による表面抵抗率の変化が少なく、耐水性に優れていることが分かった。

【特許請求の範囲】
【請求項1】
式(1)で示されるオニウム塩。
・C (1)
(式中、Qは式(2)〜式(7)のいずれかで表されるカチオンであり、
【化1】

(式中、R〜Rは炭素数1〜20のアルキル基、Rは炭素数5〜20のアルキル基を表す。)
【化2】

(式中、R〜Rは炭素数1〜20のアルキル基、炭素数7〜20のアラルキル基又はアリール基を表す。)
【化3】

(式中、R及びR10は炭素数1〜20のアルキル基、R11〜R14は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表す。)
【化4】

(式中、R15及びR16は炭素数1〜20のアルキル基、R17〜R21は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表す。)
【化5】

(式中、R22は炭素数1〜20のアルキル基、R25は炭素数4〜20のアルキル基、R23、R24及びR26は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表す。)
【化6】

(式中、R27は炭素数2〜20のアルキル基、R28〜R32は水素原子又は炭素数1〜20のアルキル基を表す。)
はO、CO又はSOを表す。)
【請求項2】
がOである請求項1に記載のオニウム塩。
【請求項3】
がCOである請求項1に記載のオニウム塩。
【請求項4】
がSOである請求項1に記載のオニウム塩。
【請求項5】
請求項1〜4のいずれかに記載のオニウム塩の少なくとも1種を含有することを特徴とする帯電防止剤。
【請求項6】
請求項5に記載の帯電防止剤を含有することを特徴とする帯電防止性樹脂組成物。

【公開番号】特開2013−63949(P2013−63949A)
【公開日】平成25年4月11日(2013.4.11)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2012−127575(P2012−127575)
【出願日】平成24年6月4日(2012.6.4)
【出願人】(000167646)広栄化学工業株式会社 (114)
【Fターム(参考)】