【課題】成形加工性に優れるオレフィン重合体の製造方法、成形加工性に優れるエチレン系重合体、および、該エチレン系重合体の押出成形体の提供。
【解決手段】下記成分（Ａ１）と、下記成分（Ａ２）と、活性化用助触媒成分とを用いてオレフィンを重合するオレフィン重合体の製造方法。成分（Ａ１）：下記一般式（１−１）または（１−２）で表される錯体


成分（Ａ２）：メタロセン遷移金属化合物またはそのμ−オキソタイプの遷移金属化合物二量体。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、オレフィン重合体の製造方法、エチレン系重合体および該エチレン系重合体を押出成形して得られる成形体に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
ポリエチレン、ポリプロピレンなどのオレフィン重合体は、機械的性質等に優れ、また、安価であることから各種成形品に広く用いられている。
従来から、オレフィン重合体の製造方法としては、遷移金属化合物（例えば、メタロセン錯体や非メタロセン化合物）からなる遷移金属成分とアルミノキサン等からなる有機金属成分とを含む触媒を用いる方法が知られている。例えば、２種類のメタロセン錯体を含む触媒の存在下にオレフィンを重合する方法（特許文献１）、２種類のメタロセン錯体、または、ビスフェノキシイミン錯体とメタロセン錯体を含む触媒の存在下にオレフィンを重合する方法（特許文献２）が開示されている。
【０００３】
しかしながら、これらのオレフィン重合用触媒は、成形加工性に優れたオレフィン系重合体を得るという観点では、未だ十分なものではない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００６−３２１９９１号公報
【特許文献２】特開２００６−２３３２０８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
かかる状況のもと、本発明の目的は、成形加工性に優れるオレフィン重合体の製造方法、成形加工性に優れるエチレン系重合体、および、該エチレン系重合体を押出成形して得られる成形体を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明者は、鋭意検討することにより本発明により上記課題を解決できることを見出した。
【０００７】
本発明は、下記成分（Ａ１）と、下記成分（Ａ２）と、活性化用助触媒成分（Ｂ）とを用いてオレフィンを重合するオレフィン重合体の製造方法にかかるものである。
成分（Ａ１）：下記一般式（１−１）または（１−２）で表される錯体

（式中、ｎは１、２または３であり、
Ｍは、ジルコニウム原子またはハフニウム原子を表す。
Ｒ^１およびＲ^５は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数２〜２０のアルケニル基、
炭素原子数２〜２０のアルキニル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、
炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、
または、置換シリル基を表す。
Ｒ^２〜Ｒ^４およびＲ^６〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数２〜２０のアルケニル基、
炭素原子数２〜２０のアルキニル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、
炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、
置換シリル基、
または環を構成する炭素原子数が３〜２０のヘテロ環式化合物残基を表す。
Ｒ^１〜Ｒ¹⁰における上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記アルキニル基、上記アラルキル基、上記アリール基、上記アルコキシ基、上記アラルキルオキシ基、上記アリールオキシ基および上記へテロ環式化合物残基は置換基を有していてもよい。
上記Ｒ^１〜Ｒ¹⁰の定義に関わらず、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^２とＲ^９およびＲ^６とＲ^１０の組み合わせのうち少なくとも１つの組み合わせでは、２つの置換基は相互に連結して環を形成してもよく、形成された環は置換基を有していてもよい。
Ｘは、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数２〜２０のアルケニル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、
炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、
置換シリル基、
置換アミノ基、
置換チオラート基、または
炭素原子数１〜２０のカルボキシラート基を表す。
Ｘにおける上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記アラルキル基、上記アリール基、上記アルコキシ基、上記アラルキルオキシ基および上記アリールオキシ基は置換基を有していてもよい。
隣接するＸ同士は、相互に連結して環を形成してもよい。
Ｌは中性のルイス塩基を表す。Ｌが複数ある場合は、複数のＬは同一でも異なっていてもよい。ｌは、０、１、または２である。）

成分（Ａ２）：下記一般式（２）で表される遷移金属化合物またはそのμ−オキソタイプの遷移金属化合物二量体

（式中、Ｍ^２は周期律表第4〜１１族の遷移金属原子である。Ｃｐは、シクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基であり、Ｚは、シクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基またはヘテロ原子を含有する基である。Ｑは、シクロペンタジエニル基とＺを連結する架橋基である。Ｚが、シクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基である場合、ＣｐおよびＺは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ^２は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数２〜２０のアルケニル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、
炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、
置換シリル基、
置換アミノ基、
置換チオラート基、または
炭素原子数１〜２０のカルボキシラート基を表す。
ａ’は1≦ａ’≦３を満足する数である。）
【０００８】
さらに、本発明は下記要件（１）〜（５）を満たすエチレン系重合体にかかるものである。
（１）密度が８５０〜９８０ｋｇ／ｍ³である。
（２）ＪＩＳ Ｋ７２１０−１９９５に規定された方法において、温度１９０℃、荷重２１．１８Ｎの条件で、Ａ法により測定されるメルトフローレートが０．０１〜１００ｇ／１０分である。
（３）ゲル・パーミエイション・クロマトグラフ法により測定される分子量分布曲線が二峰性の分子量分布を有し、分子量分布曲線における高分子量側のピークトップ分子量が５０，０００以上であり、低分子量側のピークトップ分子量が１０，０００以下である。
（４）重量平均分子量の数平均分子量に対する比が４〜５５である。
（５）^１３Ｃ−ＮＭＲにより測定される炭素原子数５以上の分岐数が炭素原子１０００個あたり０．２〜０．７である。
【０００９】
また、本発明は、前記エチレン系重合体を押出成形して得られる成形体にかかるものである。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、成形加工性に優れるオレフィン重合体を製造することができる。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
本発明において、「重合」という語は単独重合のみならず共重合を包含したものであり、また「重合体」という語は単独重合体のみならず共重合体を包含したものである。
【００１２】
成分（Ａ１）
以下、成分（Ａ１）について説明する。

Ｍは、ジルコニウム原子またはハフニウム原子を表す。
【００１３】
ｎは１、２または３であり、好ましくは２、３である。
【００１４】
Ｒ^１およびＲ^５として好ましくは、それぞれ独立して
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、
炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基または、
置換シリル基であり、
より好ましくは、それぞれ独立して
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
置換シリル基であり、
Ｒ^１とＲ^５の特に好ましい形態は、Ｒ^１とＲ^５が同一であって、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
または置換シリル基である。
【００１５】
Ｒ^９およびＲ^１０として好ましくは、それぞれ独立して、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
置換シリル基、
または炭素原子数３〜２０のヘテロ環式化合物残基であり、
より好ましくは、それぞれ独立して
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
または炭素原子数３〜２０のヘテロ環式化合物残基であり、
Ｒ^９とＲ^１０の特に好ましい形態は、Ｒ^９とＲ^１０が同一であって、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
または炭素原子数３〜２０のヘテロ環式化合物残基である。
【００１６】
Ｒ^２〜Ｒ^４およびＲ^６〜Ｒ^８として好ましくは、それぞれ独立して
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、
置換シリル基であり、
より好ましくは、それぞれ独立して
水素原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
または置換シリル基である。
Ｒ^２、Ｒ^４、Ｒ^６およびＲ^８として、さらに好ましくは、水素原子である。
Ｒ^３およびＲ^７としてさらに好ましくは、それぞれ独立して
炭素原子数１〜２０のアルキル基
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
または置換シリル基である。
Ｒ^３およびＲ^７として特に好ましい形態は、Ｒ^３とＲ^７が同一であって、
炭素原子数１〜２０のアルキル基
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
または置換シリル基であり、
最も好ましくは、
炭素原子数１〜２０のアルキル基である。
【００１７】
上記アルキル基、シクロアルキル基、アラルキル基、アリール基、アルコキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基およびヘテロ環式化合物残基は置換基を有していてもよい。
【００１８】
Ｒ^１〜Ｒ^１０におけるハロゲン原子としては、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子を挙げることができる。
【００１９】
Ｒ^１〜Ｒ^１０における炭素原子数１〜２０の置換または無置換のアルキル基としては、例えば、パーフルオロメチル基、パーフルオロエチル基、パーフルオロ−ｎ−プロピル基、パーフルオロイソプロピル基、パーフルオロ−ｎ−ブチル基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブチル基、パーフルオロイソブチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ブチル基、パーフルオロ−ｎ−ペンチル基、パーフルオロイソペンチル基、パーフルオロ−ｔｅｒｔ−ペンチル基、パーフルオロネオペンチル基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシル基、パーフルオロ−ｎ−ヘプチル基、パーフルオロ−ｎ−オクチル基、パーフルオロ−ｎ−デシル基、パーフルオロ−ｎ−ドデシル基、パーフルオロ−ｎ−ペンタデシル基、パーフルオロ−ｎ−エイコシル基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、テキシル基、ネオヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ペンタデシル基、ｎ−エイコシル基が挙げられる。
【００２０】
Ｒ^１、Ｒ^５、Ｒ^９およびＲ^１０における炭素原子数１〜２０の置換または無置換のアルキル基として好ましくは、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、テキシル基、ネオヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基などの炭素原子数４〜１０のアルキル基であり、より好ましくは、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、テキシル基などの炭素原子数４〜６のアルキル基であり、さらに好ましくは、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、テキシル基などの炭素原子数４〜６の第３級アルキル基である。
【００２１】
Ｒ^２〜Ｒ^４およびＲ^６〜Ｒ^８における炭素原子数１〜２０の置換または無置換のアルキル基として好ましくは、パーフルオロメチル基、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ｎ−ペンチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、ｎ−ヘキシル基、テキシル基、ネオヘキシル基、ｎ−ヘプチル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基などの炭素原子数１〜１０のアルキル基であり、
より好ましくは、パーフルオロメチル基、メチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソペンチル基、ｔｅｒｔ−ペンチル基、ネオペンチル基、テキシル基などの炭素原子数１〜８のアルキル基であり、
さらに好ましくは、パーフルオロメチル基、メチル基、イソプロピル基、イソブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基といった炭素原子数１〜４のアルキル基である。
【００２２】
Ｒ^１〜Ｒ^１０における環を構成する炭素原子数が３〜１０の置換または無置換のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル基、シクロブチル基、シクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、１−メチルシクロペンチル基、１−メチルシクロヘキシル基、１−フェニルシクロヘキシル基、１−インダニル基、２−インダニル基、ノルボルニル基、ボルニル基、メンチル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基が挙げられ、
好ましくはシクロペンチル基、シクロヘキシル基、シクロヘプチル基、シクロオクチル基、１−メチルシクロペンチル基、１−メチルシクロヘキシル基、１−インダニル基、２−インダニル基、ノルボルニル基、ボルニル基、メンチル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基などの環を構成する炭素原子数が５〜１０のシクロアルキル基であり、
より好ましくは、シクロヘキシル基、１−メチルシクロヘキシル基、ノルボルニル基、ボルニル基、１−アダマンチル基、２−アダマンチル基などの、環を構成する炭素原子数が６〜１０のシクロアルキル基である。これらのシクロアルキル基は、炭素原子数１〜１０のハイドロカルビル基を置換基として有していてもよい。
【００２３】
Ｒ^１〜Ｒ^１０における炭素原子数２〜２０の置換または無置換のアルケニル基としては、ビニル基、アリル基、プロペニル基、２−メチル−２−プロペニル基、ホモアリル基、ペンテニル基、ヘキセニル基、ヘプテニル基、オクテニル基、ノネニル基、デセニル基などが挙げられ、好ましくは炭素原子数３〜６のアルケニル基であり、より好ましくはアリル基、ホモアリル基である。
【００２４】
Ｒ^１〜Ｒ^１０における炭素原子数２〜２０の置換または無置換のアルキニル基としては、例えばエチニル基、１−プロピニル基、２−プロピニル基、１−ブチニル基、3−メチル−１−ブチニル基、３，３−ジメチル−１−ブチニル基、２−ブチニル基、３−ブチニル基、１−ペンチニル基、４−メチル−１−ペンチニル基、２−ペンチニル基、３−ペンチニル基、４−ペンチニル基、４−メチル−１−ペンテニル基、１−ヘキシニル基、１−オクチニル基、フェニルエチニル基が挙げられ、好ましくは炭素原子数３〜８のアルキニル基であり、より好ましくは3−メチル−１−ブチニル基、３，３−ジメチル−１−ブチニル基、４−メチル−１−ペンテニル基またはフェニルエチニル基である。
【００２５】
Ｒ^１〜Ｒ^１０における炭素原子数７〜３０の置換または無置換のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、（２−メチルフェニル）メチル基、（３−メチルフェニル）メチル基、（４−メチルフェニル）メチル基、（２，３−ジメチルフェニル）メチル基、（２，４−ジメチルフェニル）メチル基、（２，５−ジメチルフェニル）メチル基、（２，６−ジメチルフェニル）メチル基、（３，４−ジメチルフェニル）メチル基、（３，５−ジメチルフェニル）メチル基、（２，３，４−トリメチルフェニル）メチル基、（２，３，５−トリメチルフェニル）メチル基、（２，３，６−トリメチルフェニル）メチル基、（３，４，５−トリメチルフェニル）メチル基、（２，４，６−トリメチルフェニル）メチル基、（２，３，４，５−テトラメチルフェニル）メチル基、（２，３，４，６−テトラメチルフェニル）メチル基、（２，３，５，６−テトラメチルフェニル）メチル基、（ペンタメチルフェニル）メチル基、（エチルフェニル）メチル基、（ｎ−プロピルフェニル）メチル基、（イソプロピルフェニル）メチル基、（ｎ−ブチルフェニル）メチル基、（ｓｅｃ−ブチルフェニル）メチル基、（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メチル基、（イソブチルフェニル）メチル基、（ｎ−ペンチルフェニル）メチル基、（ネオペンチルフェニル）メチル基、（ｎ−ヘキシルフェニル）メチル基、（ｎ−オクチルフェニル）メチル基、（ｎ−デシルフェニル）メチル基、ナフチルメチル基、アントラセニルメチル基、ジメチル（フェニル）メチル基、ジメチル（４−メチルフェニル）メチル基、ジメチル（１−ナフチル）メチル基、ジメチル（２−ナフチル）メチル基、メチル（ジフェニル）メチル基、メチルビス（４−メチルフェニル）メチル基、トリフェニルメチル基が挙げられ、
好ましくはベンジル基、ナフチルメチル基、アントラセニルメチル基、ジメチル（フェニル）メチル基、ジメチル（４−メチルフェニル）メチル基、ジメチル（１−ナフチル）メチル基、ジメチル（２−ナフチル）メチル基、メチル（ジフェニル）メチル基、メチルビス（４−メチルフェニル）メチル基、トリフェニルメチル基であり、
より好ましくは、ジメチル（フェニル）メチル基、ジメチル（４−メチルフェニル）メチル基、ジメチル（１−ナフチル）メチル基、ジメチル（２−ナフチル）メチル基、メチル（ジフェニル）メチル基、メチルビス（４−メチルフェニル）メチル基、トリフェニルメチル基などの炭素原子数９〜２０の第３級アラルキル基である。
【００２６】
Ｒ^２〜Ｒ^４およびＲ^６〜Ｒ^１０における炭素原子数６〜３０の置換または無置換のアリール基としては、例えば、フェニル基、２−トリル基、３−トリル基、４−トリル基、２，３−キシリル基、２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４−キシリル基、３，５−キシリル基、２，３，４−トリメチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，３，４，５−テトラメチルフェニル基、２，３，４，６−テトラメチルフェニル基、２，３，５，６−テトラメチルフェニル基、ペンタメチルフェニル基、エチルフェニル基、ｎ−プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ−ブチルフェニル基、ｓｅｃ−ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、イソブチルフェニル基、ｎ−ペンチルフェニル基、ネオペンチルフェニル基、ｎ−ヘキシルフェニル基、ｎ−オクチルフェニル基、ｎ−デシルフェニル基、ｎ−ドデシルフェニル基、ｎ−テトラデシルフェニル基、ナフチル基、アントラセニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、３，５−ジｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、２−トリフルオロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、２−クロロフェニル基、２，３−ジクロロフェニル基、２，４−ジクロロフェニル基、２，５−ジクロロフェニル基、２−ブロモフェニル基、３−ブロモフェニル基、４−ブロモフェニル基、２，３−ジブロモフェニル基、２，４−ジブロモフェニル基、あるいは２，５−ジブロモフェニル基が挙げられ、
好ましくは、フェニル基、２−トリル基、３−トリル基、４−トリル基、２，３−キシリル基、２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４−キシリル基、３，５−キシリル基、２，３，４−トリメチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、エチルフェニル基、ｎ−プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、３，５−ジｔｅｒｔ−ブチルフェニル基などの炭素原子数６〜２０のフェニル基；２−フルオロフェニル基、３−フルオロフェニル基、４−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基などのフッ素化フェニル基；２−トリフルオロメチルフェニル基、３−トリフルオロメチルフェニル基、４−トリフルオロメチルフェニル基などのフッ素化アルキルフェニル基であり、
より好ましくは、フェニル基、２−トリル基、３−トリル基、４−トリル基、２，６−キシリル基、３，５−キシリル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、３，５−ジイソプロピルフェニル基、２，６−ジイソプロピルフェニル基、３，５−ジｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、２−フルオロフェニル基、ペンタフルオロフェニル基、２，３−ジフルオロフェニル基、２，４−ジフルオロフェニル基、２，５−ジフルオロフェニル基、２，６−ジフルオロフェニル基、２，４，６−トリフルオロフェニル基である。
【００２７】
Ｒ^１〜Ｒ^１０における置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、ジメチル（フェニル）シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、メチルビス（トリメチルシリル）シリル基、ジメチル（トリメチルシリル）シリル基、トリス（トリメチルシリル）シリル基が挙げられ、
好ましくはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基などの炭素原子数３〜２０のトリアルキルシリル基；メチルビス（トリメチルシリル）シリル基、ジメチル（トリメチルシリル）シリル基、トリス（トリメチルシリル）シリル基などの炭素原子数３〜２０のハイドロカルビルシリル基を置換基として有するシリル基が挙げられる。
【００２８】
Ｒ^１〜Ｒ^１０における炭素原子数１〜２０の置換または無置換のアルコキシ基としては、例えば、パーフルオロメトキシ基、パーフルオロエトキシ基、パーフルオロ−ｎ−プロポキシ基、パーフルオロイソプロポキシ基、パーフルオロ−ｎ−ブトキシ基、パーフルオロ−ｓｅｃ−ブトキシ基、パーフルオロイソブトキシ基、パーフルオロ−ｎ−ペンチルオキシ基、パーフルオロネオペンチルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ヘキシルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ヘプチルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−オクチルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−デシルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ドデシルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−ペンタデシルオキシ基、パーフルオロ−ｎ−エイコシルオキシ基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、イソブトキシ基、ｎ−ペンチルオキシ基、ネオペンチルオキシ基、ｎ−ヘキシルオキシ基、ｎ−ヘプチルオキシ基、ｎ−オクチルオキシ基、ｎ−デシルオキシ基、ｎ−ドデシルオキシ基、ｎ−ペンタデシルオキシ基、ｎ−エイコシルオキシ基が挙げられ、好ましくは炭素原子数１〜４のアルコキシ基であり、より好ましくはメトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基である。
【００２９】
Ｒ^１〜Ｒ^１０における炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基としては、例えばフェノキシ基、２，３，４−トリメチルフェノキシ基、２，３，５−トリメチルフェノキシ基、２，３，６−トリメチルフェノキシ基、２，４，６−トリメチルフェノキシ基、３，４，５−トリメチルフェノキシ基、２，３，４，５−テトラメチルフェノキシ基、２，３，４，６−テトラメチルフェノキシ基、２，３，５，６−テトラメチルフェノキシ基、ペンタメチルフェノキシ基、２，６−ジイソプロピルフェノキシ基、２−フルオロフェノキシ基、３−フルオロフェノキシ基、４−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェノキシ基、２−トリフルオロメチルフェノキシ基、３−トリフルオロメチルフェノキシ基、４−トリフルオロメチルフェノキシ基、２，３−ジフルオロフェノキシ基、２，４−フルオロフェノキシ基、２，５−ジフルオロフェノキシ基、２−クロロフェノキシ基、２，３−ジクロロフェノキシ基、２，４−ジクロロフェノキシ基、２，５−ジクロロフェノキシ基、２−ブロモフェノキシ基、３−ブロモフェノキシ基、４−ブロモフェノキシ基、２，３−ジブロモフェノキシ基、２，４−ジブロモフェノキシ基、あるいは２，５−ジブロモフェノキシ基が挙げられ、好ましくは炭素原子数６〜１４のアリールオキシ基であり、より好ましくは２，４，６−トリメチルフェノキシ基、３，４，５−トリメチルフェノキシ基、２，６−ジイソプロピルフェノキシ基、ペンタフルオロフェノキシ基である。
【００３０】
Ｒ^１〜Ｒ^１０における炭素原子数７〜３０の置換または無置換のアラルキルオキシ基としては、例えば、ベンジルオキシ基、（２−メチルフェニル）メトキシ基、（３−メチルフェニル）メトキシ基、（４−メチルフェニル）メトキシ基、（２，３−ジメチルフェニル）メトキシ基、（２，４−ジメチルフェニル）メトキシ基、（２，５−ジメチルフェニル）メトキシ基、（２，６−ジメチルフェニル）メトキシ基、（３，４−ジメチルフェニル）メトキシ基、（３，５−ジメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，４−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，５−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，６−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，４，５−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，４，６−トリメチルフェニル）メトキシ基、（３，４，５−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，４，５−テトラメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，４，６−テトラメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，５，６−テトラメチルフェニル）メトキシ基、（ペンタメチルフェニル）メトキシ基、（エチルフェニル）メトキシ基、（ｎ−プロピルフェニル）メトキシ基、（イソプロピルフェニル）メトキシ基、（ｎ−ブチルフェニル）メトキシ基、（ｓｅｃ−ブチルフェニル）メトキシ基、（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メトキシ基、（ｎ−ヘキシルフェニル）メトキシ基、（ｎ−オクチルフェニル）メトキシ基、（ｎ−デシルフェニル）メトキシ基、（ｎ−テトラデシルフェニル）メトキシ基、ナフチルメトキシ基、アントラセニルメトキシ基が挙げられ、好ましくは炭素原子数７〜１２のアラルキルオキシ基であり、より好ましくはベンジルオキシ基である。
【００３１】
Ｒ^２〜Ｒ^４およびＲ^６〜Ｒ^１０における環を構成する炭素原子数が３〜２０の置換または無置換のヘテロ環式化合物残基としては、例えば、チエニル基、フリル基、１−ピロリル基、１−イミダゾリル基、１−ピラゾリル基、ピリジル基、ピラジニル基、ピリミジニル基、ピリダジニル基、２−イソインドリル基、１−インドリル基、キノリル基、ジベンゾ−１Ｈ−ピロール−１−イル基、Ｎ−カルバゾリル基が挙げられ、好ましくはチエニル基、フリル基、１−ピロリル基、ピリジル基、ピリミジニル基、２−イソインドリル基、１−インドリル基、キノリル基、ジベンゾ−１Ｈ−ピロール−１−イル基、Ｎ−カルバゾリル基である。
【００３２】
上記Ｒ^１〜Ｒ¹⁰の定義に関わらず、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^２とＲ^９およびＲ^６とＲ^１０の組み合わせのうち少なくとも１つの組み合わせでは、２つの置換基は相互に連結して環を形成してもよく、形成された環は置換基を有していてもよい。好ましくは、ベンゼン環上の２つの炭素原子を含む４〜１０員環のハイドロカルビル環または複素環であり、該環は置換基を有していてもよい。
【００３３】
該環として具体的には、シクロブテン環、シクロペンテン環、シクロペンタジエン環、シクロヘキセン環、シクロヘプテン環、シクロオクテン環、ベンゼン環、ナフタレン環、フラン環、２，５−ジメチルフラン環、チオフェン環、２，５−ジメチルチオフェン環、ピリジン環などが挙げられ、好ましくは、シクロペンテン環、シクロペンタジエン環、シクロヘキセン環、ベンゼン環またはナフタレン環であり、より好ましくは、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^５とＲ^６、Ｒ^２とＲ^９および/またはＲ^６とＲ^１０とが連結したシクロペンテン環、シクロヘキセン環、ベンゼン環、ナフタレン環である。
【００３４】
Ｘにおけるハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、炭素原子数２〜２０のアルケニル基、炭素原子数７〜３０のアラルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、置換シリル基は、Ｒ^２〜Ｒ^４およびＲ^６〜Ｒ^８における前記の基と同様である。
【００３５】
Ｘにおける置換アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジベンジルアミノ基またはジフェニルアミノ基といった炭素原子数２〜１４のハイドロカルビルアミノ基が挙げられ、好ましくは、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基またはジベンジルアミノ基である。
【００３６】
Ｘにおける置換チオラート基としては、例えば、チオフェノキシ基、２，３，４−トリメチルチオフェノキシ基、２，３，５−トリメチルチオフェノキシ基、２，３，６−トリメチルチオフェノキシ基、２，４，６−トリメチルチオフェノキシ基、３，４，５−トリメチルチオフェノキシ基、２，３，４，５−テトラメチルチオフェノキシ基、２，３，４，６−テトラメチルチオフェノキシ基、２，３，５，６−テトラメチルフェノキシ基、ペンタメチルフェノキシ基、２−フルオロチオフェノキシ基、３−フルオロチオフェノキシ基、４−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロチオフェノキシ基、２−トリフルオロメチルチオフェノキシ基、３−トリフルオロメチルチオフェノキシ基、４−トリフルオロメチルチオフェノキシ基、２，３−ジフルオロチオフェノキシ基、２，４−フルオロチオフェノキシ基、２，５−ジフルオロチオフェノキシ基、２−クロロチオフェノキシ基、２，３−ジクロロチオフェノキシ基、２，４−ジクロロチオフェノキシ基、２，５−ジクロロチオフェノキシ基、２−ブロモチオフェノキシ基、３−ブロモチオフェノキシ基、４−ブロモチオフェノキシ基、２，３−ジブロモチオフェノキシ基、２，４−ジブロモチオフェノキシ基、あるいは２，５−ジブロモチオフェノキシ基といった炭素原子数６〜１２のハイドロカルビルチオラート基が挙げられ、好ましくはチオフェノキシ基、２，４，６−トリメチルチオフェノキシ基、３，４，５−トリメチルチオフェノキシ基、２，３，４，５−テトラメチルチオフェノキシ基、２，３，４，６−テトラメチルチオフェノキシ基、２，３，５，６−テトラメチルチオフェノキシ基、ペンタメチルチオフェノキシ基、ペンタフルオロチオフェノキシ基である。
【００３７】
Ｘにおける炭素原子数１〜２０のカルボキシラート基としては、例えば、アセテート基、プロピオネート基、ブチレート基、ペンタネート基、ヘキサノエート基、２−エチルヘキサノエート基またはトリフルオロアセテート基が挙げられ、好ましくは炭素原子数２〜１０のハイドロカルビルカルボキシラート基であり、より好ましくは、アセテート基、プロピオネート基、２−エチルヘキサノエート基またはトリフルオロアセテート基である。
【００３８】
Ｘは、好ましくは、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数７〜３０のアラルキル基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、または炭素原子数１〜２０のハイドロカルビルアミノ基であり、より好ましくは、塩素原子、臭素原子、炭素原子数１〜６のアルキル基、炭素原子数７〜１０のアラルキル基、炭素原子数１〜６のアルコキシ基、炭素原子数６〜１０のアリールオキシ基、炭素原子数２〜１０のハイドロカルビルアミノ基であり、さらに好ましくは、塩素原子、メチル基、エチル基、ｎ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、ベンジル基、メトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、フェノキシ基ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基であり、特に好ましくは、塩素原子、メチル基、ベンジル基、イソプロポキシ基、フェノキシ基、ジメチルアミノ基であり、最も好ましくは、塩素原子、ベンジル基である。
【００３９】
上記Ｘの定義に関わらず、２つのＸは相互に連結して環を形成してもよく、形成された環は置換基を有していてもよい。
【００４０】
Ｒ^１〜Ｒ^１０およびＸは、それぞれ独立して、ハロゲン原子、酸素原子、ケイ素原子、窒素原子、リン原子、硫黄原子を含む置換基を有していてもよい。
【００４１】
Ｌは中性のルイス塩基を表す。Ｌが複数ある場合は、複数のＬは同一でも異なっていてもよい。ｌは、０、１、または２である。
Ｌとしては、エーテル類、アミン類またはチオエーテル類などが挙げられ具体的には、テトラヒドロフラン、ジエチルエーテル、１，４−ジオキサンまたはピリジンが挙げられる。Ｌとして好ましくは、テトラヒドロフランである。
ｌは好ましくは１または０であり、さらに好ましくは０である。
【００４２】
式（１−１）で表される錯体の具体例としては下記の化合物が挙げられる。





【００４３】
また、これらの他にも、上記化合物のジルコニウム原子に直接結合しているベンジル基を、塩素原子、メチル基、ジメチルアミノ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、フェノキシ基に変更した化合物も挙げられる。
【００４４】
さらには、上記それぞれの化合物におけるジルコニウム原子をハフニウム原子に変更した化合物も挙げられる。
【００４５】
さらには、上記それぞれの化合物におけるＲ^３およびＲ^７に相当する基を水素原子、メチル基に変更した化合物も挙げることができる。
【００４６】
さらには、上記それぞれの化合物の硫黄原子を架橋するシクロオクタン環をシクロへプタン環またはシクロヘキサン環で置換した化合物も挙げることができる。
【００４７】
錯体（１−１）として好ましくは下記の化合物が挙げられる。

【００４８】
また、これらの他にも、上記化合物のジルコニウム原子に直接結合しているベンジル基を、塩素原子、メチル基に変更した化合物も挙げられる。
【００４９】
さらには、上記それぞれの化合物におけるジルコニウム原子をハフニウム原子に変更した化合物も挙げられる。
【００５０】
さらには、上記それぞれの化合物のＲ^３およびＲ^７に相当する基を水素原子、メチル基に変更した化合物も挙げることができる。
【００５１】
さらには、上記それぞれの化合物の硫黄原子を架橋するシクロオクタン環をシクロへプタン環で置換した化合物も挙げることができる。
【００５２】
錯体（１−１）としてさらに好ましくは下記の化合物が挙げられる。

【００５３】
また、これらの他にも、上記化合物のジルコニウム原子に直接結合しているベンジル基を、塩素原子に変更した化合物も挙げられる。
【００５４】
さらには、上記それぞれの化合物のＲ^３およびＲ^７に相当する基を、メチル基に変更した化合物も挙げることができる。
【００５５】
式（１−２）で表される錯体の具体例としては下記の化合物が挙げられる。









【００５６】
また、これらの他にも、上記化合物のチタン原子に直接結合しているベンジル基を、塩素原子、メチル基、ジメチルアミノ基、イソプロポキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、フェノキシ基に変更した化合物も挙げられる。
【００５７】
さらには、上記それぞれの化合物におけるＲ^３およびＲ^７に相当する基を水素原子、メチル基に変更した化合物も挙げることができる。
【００５８】
さらには、上記それぞれの化合物の硫黄原子を架橋するシクロオクタン環をシクロへプタン環またはシクロヘキサン環で置換した化合物も挙げることができる。
【００５９】
錯体（１−２）として好ましくは下記の化合物が挙げられる。



【００６０】
また、これらの他にも、上記化合物のチタン原子に直接結合しているベンジル基を、塩素原子、メチル基に変更した化合物も挙げられる。
【００６１】
さらには、上記それぞれの化合物のＲ^３およびＲ^７に相当する基を水素原子、メチル基に変更した化合物も挙げることができる。
【００６２】
さらには、上記それぞれの化合物の硫黄原子を架橋するシクロオクタン環をシクロへプタン環またはシクロヘキサン環で置換した化合物も挙げることができる。
【００６３】
錯体（１−２）としてさらに好ましくは下記の化合物が挙げられる。

【００６４】
また、これらの他にも、上記化合物のチタン原子に直接結合しているベンジル基を、塩素原子に変更した化合物も挙げられる。
【００６５】
さらには、上記それぞれの化合物のＲ^３およびＲ^７に相当する基をメチル基に変更した化合物も挙げることができる。
【００６６】
さらには、上記それぞれの化合物の硫黄原子を架橋するシクロオクタン環をシクロへプタン環またはシクロヘキサン環で置換した化合物も挙げることができる。
【００６７】
一般式（１−１）または（１−２）で表される錯体は、例えば、Journal of American Chemical Society, 2009, Volume 131,13566-13567に記載の方法により合成することができ、具体的には一般式（２−１）で表される化合物および一般式（３−１）で表される化合物を出発原料としてScheme１−１により一般式（１−１）で表される化合物を製造することができ、一般式（２−２）で表される化合物および一般式（３−２）で表される化合物を出発原料としてScheme１−２により一般式（１−２）で表される化合物を製造することができる。なお、以下の明細書では、一般式（１−１）または（１−２）で表される錯体を一般式（１）で表される錯体、一般式（２−１）または（２−２）で表される化合物を一般式（２）で表される化合物、一般式（３−１）または（３−２）で表される化合物を一般式（３）で表される化合物と記載することもある。


Ｓｃｈｅｍｅ１−１


Ｓｃｈｅｍｅ１−２
【００６８】
化合物（３−１）中のＭおよびＸは、一般式（１−１）におけるＭおよびＸと同様である。ＭＸ_４としては、例えば、Ｚｒ(ＣＨ_２Ｐｈ)_４，ＺｒＣｌ_２(ＣＨ_２Ｐｈ)_２，Ｚｒ(ＣＨ_２ＳｉＭｅ_３)_４，ＺｒＦ_４，Ｚｒ Ｃｌ_４，ＺｒＢｒ_４，ＺｒＩ_４，Ｚｒ(ＯＭｅ)_４，Ｚｒ(ＯＥｔ)_４，Ｚｒ(Ｏ−ｉ−Ｐｒ)_４，ＺｒＣｌ_２(Ｏ−ｉ−Ｐｒ)_２，Ｚｒ(Ｏ−ｎ−Ｂｕ)_４，Ｚｒ(Ｏ−ｉ−Ｂｕ)_４，Ｚｒ(Ｏ−ｔ−Ｂｕ)_４，Ｚｒ(ＯＰｈ)_４，Ｚｒ(ＮＭｅ_２)_４，ＺｒＣｌ_２(ＮＭｅ_２)_２，Ｚｒ(ＮＥｔ_２)_４，Ｈｆ(ＣＨ_２Ｐｈ)_４，ＨｆＣｌ_２(ＣＨ_２Ｐｈ)_２，Ｈｆ(ＣＨ_２ＳｉＭｅ_３)_４，ＨｆＦ_４，Ｈｆ Ｃｌ_４，ＨｆＢｒ_４，ＨｆＩ_４，Ｈｆ(ＯＭｅ)_４，Ｈｆ(ＯＥｔ)_４，Ｈｆ(Ｏ−ｉ−Ｐｒ)_４，ＨｆＣｌ_２(Ｏ−ｉ−Ｐｒ)_２，Ｈｆ(Ｏ−ｎ−Ｂｕ)_４，Ｈｆ(Ｏ−ｉ−Ｂｕ)_４，Ｈｆ(Ｏ−ｔ−Ｂｕ)_４，Ｈｆ(ＯＰｈ)_４，Ｈｆ(ＮＭｅ_２)_４，ＨｆＣｌ_２(ＮＭｅ_２)_２，Ｈｆ(ＮＥｔ_２)_４が挙げられる。好ましくは、Ｚｒ(ＣＨ_２Ｐｈ)_４，ＺｒＣｌ_２(ＣＨ_２Ｐｈ)_２，Ｚｒ(ＣＨ_２ＳｉＭｅ_３)_４，ＺｒＣｌ_４，ＺｒＢｒ_４，Ｚｒ(ＯＭｅ)_４，Ｚｒ(ＯＥｔ)_４，Ｚｒ(Ｏ−ｉ−Ｐｒ)_４，Ｚｒ(Ｏ−ｉ−Ｂｕ)_４，Ｚｒ(Ｏ−ｔ−Ｂｕ)_４，Ｚｒ(ＯＰｈ)_４，Ｚｒ(ＮＭｅ_２)_４，ＺｒＣｌ_２(ＮＭｅ_２)_２，Ｚｒ(ＮＥｔ_２)_４，Ｈｆ(ＣＨ_２Ｐｈ)_４，ＨｆＣｌ_２(ＣＨ_２Ｐｈ)_２，Ｈｆ(ＣＨ_２ＳｉＭｅ_３)_４，ＨｆＣｌ_４，ＨｆＢｒ_４，Ｈｆ(ＯＭｅ)_４，Ｈｆ(ＯＥｔ)_４，Ｈｆ(Ｏ−ｉ−Ｐｒ)_４，Ｈｆ(Ｏ−ｉ−Ｂｕ)_４，Ｈｆ(Ｏ−ｔ−Ｂｕ)_４，Ｈｆ(ＯＰｈ)_４，Ｈｆ(ＮＭｅ_２)_４，ＨｆＣｌ_２(ＮＭｅ_２)_２，Ｈｆ(ＮＥｔ_２)_４である。
【００６９】
化合物（３−２）中のＸは、一般式（１−２）におけるＸと同様である。ＴｉＸ_４としては、例えば、Ｔｉ(ＣＨ_２Ｐｈ)_４，ＴｉＣｌ_２(ＣＨ_２Ｐｈ)_２，Ｔｉ(ＣＨ_２ＳｉＭｅ_３)_４，ＴｉＦ_４，Ｔｉ Ｃｌ_４，ＴｉＢｒ_４，ＴｉＩ_４，Ｔｉ(ＯＭｅ)_４，Ｔｉ(ＯＥｔ)_４，Ｔｉ(Ｏ−ｉ−Ｐｒ)_４，ＴｉＣｌ_２(Ｏ−ｉ−Ｐｒ)_２，Ｔｉ(Ｏ−ｎ−Ｂｕ)_４，Ｔｉ(Ｏ−ｉ−Ｂｕ)_４，Ｔｉ(Ｏ−ｔ−Ｂｕ)_４，Ｔｉ(ＯＰｈ)_４，Ｔｉ(ＮＭｅ_２)_４，ＴｉＣｌ_２(ＮＭｅ_２)_２，Ｔｉ(ＮＥｔ_２)_４が挙げられる。好ましくは、Ｔｉ(ＣＨ_２Ｐｈ)_４，ＴｉＣｌ_２(ＣＨ_２Ｐｈ)_２，Ｔｉ(ＣＨ_２ＳｉＭｅ_３)_４，ＴｉＣｌ_４，ＴｉＢｒ_４，Ｔｉ(ＯＭｅ)_４，Ｔｉ(ＯＥｔ)_４，Ｔｉ(Ｏ−ｉ−Ｐｒ)_４，Ｔｉ(Ｏ−ｉ−Ｂｕ)_４，Ｔｉ(Ｏ−ｔ−Ｂｕ)_４，Ｔｉ(ＯＰｈ)_４，Ｔｉ(ＮＭｅ_２)_４，ＴｉＣｌ_２(ＮＭｅ_２)_２，Ｔｉ(ＮＥｔ_２)_４である。
【００７０】
錯体（１）は、化合物（２）と化合物（３）とをそのまま反応させてもよく、必要に応じて化合物（２）を塩基と反応させた後に化合物（３）を反応させてもよい。これらの反応は通常、溶媒中で行う。用いる塩基としては、例えば有機リチウム試薬、Ｇｒｉｇｎａｒｄ試薬および金属水素化物が挙げられ、具体的にはｎ−ブチルリチウム、ｓｅｃ−ブチルリチウム、ｔｅｒｔ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、リチウムヘキサメチルジシラザン、カリウムヘキサメチルジシラザン、水素化ナトリウムまたは水素化カリウムを挙げることができ、好ましくは、ｎ−ブチルリチウム、リチウムジイソプロピルアミド、カリウムヘキサメチルジシラザン、水素化ナトリウムまたは水素化カリウムである。
【００７１】
化合物（２）と塩基を反応させて得られる化合物、化合物（１）および化合物（３）は、通常空気および湿気に対して不安定であるため、これらの反応は脱水脱酸素下で行うことが好ましい。具体的には、乾燥窒素または乾燥アルゴン下である。
【００７２】
化合物（２）の使用量は、化合物（３）に対して１モル当量以上であればよく、好ましくは、１．０〜１．５モル当量の範囲で用いればよい。また、反応の過程で化合物（２）が残存する場合は、反応の途中で化合物（３）を追加してもよい。
【００７３】
化合物（２）と化合物（３）とを反応させる温度は、−１００℃〜１５０℃の温度範囲であり、好ましくは−８０℃〜５０℃の温度範囲である。ただし、この範囲に限定される意図ではない。
【００７４】
化合物（２）と化合物（３）との反応は、生成物の収率が最も高くなる時間まで反応を行えばよく、好ましくは５分間〜４８時間であり、より好ましくは１０分間〜２４時間である。
【００７５】
化合物（２）と塩基とを反応させる温度は−１００℃〜１５０℃の温度範囲であり、好ましくは−８０℃〜５０℃の温度範囲である。ただし、この範囲に限定される意図ではない。
【００７６】
化合物（２）と塩基とを反応させる時間は、生成物の収率が最も高くなる時間まで反応を行えばよく、５分間〜２４時間であり、好ましくは１０分間〜１２時間、より好ましくは３０分間〜３時間である。
【００７７】
化合物（２）と塩基とを反応させて生じた化合物と、化合物（３）とを反応させる温度は、−１００℃〜１５０℃の温度範囲であり、好ましくは−８０℃〜５０℃の温度範囲ある。ただし、この範囲に限定される意図ではない。
【００７８】
化合物（２）と塩基とを反応させて生じた化合物と、化合物（３）とを反応させる時間は、生成物の収率が最も高くなる時間まで反応を行えばよく、５分間〜４８時間であり、好ましくは１０分間〜２４時間である。
【００７９】
用いる溶媒は、類似の反応で一般的に用いられる溶媒であれば特に制限されるものではなく、ハイドロカーボン溶媒またはエーテル系溶媒が挙げられる。好ましくは、トルエン、ベンゼン、ｏ−キシレン、ｍ−キシレン、ｐ−キシレン、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、シクロヘキサン、ジエチルエーテルまたはテトラヒドロフランであり、より好ましくは、ジエチルエーテル、トルエン、テトラヒドロフラン、ヘキサン、ペンタン、ヘプタン、またはシクロヘキサンである。
【００８０】
化合物（２）は、例えば、Journal of American Chemical Society, 2009, Volume 131,13566-13567に記載の方法に準じて合成することができる。具体的には下記ｓｃｈｅｍｅ２により製造することができるが、本方法に限定されるべきものではない。以下各工程について詳しく説明する。
【００８１】

ｓｃｈｅｍｅ ２
【００８２】
ｓｃｈｅｍｅ ２における各化合物中のＲ^１〜Ｒ^１０およびｎは、錯体（１）のＲ^１〜Ｒ^１０およびｎと同様である。
【００８３】
以下の明細書では、一般式（５−１）または（５−２）で表される化合物を一般式（５）で表される化合物、一般式（６−１）または（６−２）で表される化合物を一般式（６）で表される化合物、一般式（７−１）または（７−２）で表される化合物を一般式（７）で表される化合物と記載することもある。
【００８４】
Ｘ’はアニオン性脱離基を表し、例えばハロゲン原子、アセテート基、トリフルオロアセテート基、ベンゾエート基、ＣＦ₃ＳＯ₃基、ＣＨ₃ＳＯ₃基、４−ＭｅＣ₆Ｈ₄ＳＯ₃基またはＰｈＳＯ₃基などであり、好ましくは塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子、ＣＦ₃ＳＯ₃基、ＣＨ₃ＳＯ₃基、４−ＭｅＣ₆Ｈ₄ＳＯ₃基またはＰｈＳＯ₃基である。
【００８５】
［ｓｔｅｐ１］
化合物（４）に１．０〜４．０当量、好ましくは１．０〜１．５当量の化合物（５）を塩基存在下で反応させ、化合物(６)を合成することができる。
【００８６】
塩基としては、特に限定されるべきものではないが、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムおよび炭酸水素カルシウム等の無機塩基、ならびにトリエチルアミンおよびトリイソブチルアミン等のアミン塩基が挙げられ、好ましくはアミン塩基である。
【００８７】
本反応は、空気、ヘリウム、アルゴンまたは窒素雰囲気下で行うことができる。好ましくは、ヘリウム、アルゴンまたは窒素雰囲気下、より好ましくは、窒素またはアルゴン雰囲気下である。
【００８８】
反応終了後、必要に応じて化合物（６）を精製してもよい。精製方法としては、例えば、反応溶液に対して塩化アンモニウム水溶液、塩酸水溶液または塩化ナトリウム水溶液を加え、次に酢酸エチルまたはジエチルエーテルを加え、抽出操作を行い、過剰の塩基または塩を除去する方法が挙げられる。さらに蒸留、再結晶またはシリカゲルクロマトグラフィー等の精製操作により、純度を高めることができる。
【００８９】
［ｓｔｅｐ２］
化合物（６）に１．０〜４．０当量、好ましくは１．０〜１．５当量の化合物（７）を塩基存在下で反応させ、化合物（２）を合成することができる。
【００９０】
塩基としては、炭酸カリウム、炭酸カルシウム、炭酸ナトリウム、炭酸水素ナトリウム、炭酸水素カリウムおよび炭酸水素カルシウム等の無機塩基、ならびにトリエチルアミンおよびトリイソブチルアミン等のアミン塩基が挙げられ、好ましくはアミン塩基である。
【００９１】
本反応は、空気、ヘリウム、アルゴンまたは窒素雰囲気下で行うことができる。好ましくは、ヘリウム、アルゴンまたは窒素雰囲気下、より好ましくは、窒素またはアルゴン雰囲気下である。
【００９２】
反応終了後、必要に応じて化合物（２）を精製してもよい。精製方法としては、例えば、反応溶液に対して塩化アンモニウム水溶液、塩酸水溶液または塩化ナトリウム水溶液を加え、次に酢酸エチルまたはジエチルエーテルを加え、抽出操作を行い、過剰の塩基または塩を除去する方法が挙げられる。さらに蒸留、再結晶またはシリカゲルクロマトグラフィー等の精製操作により、純度を高めることができる。
【００９３】
［ｓｔｅｐ１］の反応条件を制御することで、反応器内で生成した化合物（６）と化合物（７）とを反応させ、化合物（２）を得ることもできる。
【００９４】
Ｒ^１がＲ^５（またはＲ^９がＲ¹⁰）と同じであり、Ｒ²がＲ^６と同じであり、Ｒ³がＲ⁷と同じであり、かつＲ⁴がＲ⁸と同じである場合、化合物（５）と化合物（７）を合わせて、化合物（４）に対して２．０〜８．０当量、好ましくは２．０〜４．０当量を塩基存在下で化合物（４）と反応させることで、化合物(２)を合成することもできる。
【００９５】
式（２−１）で表される化合物の具体例としては下記の化合物が挙げられるが、これらの化合物に限定される意図ではない。





【００９６】
また、これらの他にも、上記化合物のＲ^３およびＲ^７に相当する基を水素原子、メチル基で置換した化合物も挙げることができる。
【００９７】
さらには、これらの化合物の硫黄原子間を架橋するシクロオクタン環をシクロへプタン環またはシクロヘキサン環で置換した化合物も挙げることができる。
【００９８】
式（２−２）で表される化合物の具体例としては、上記化合物（２−１）の具体例に加えて、下記の化合物およびこれらの化合物のＲ^３およびＲ^７に相当する基を水素原子、メチル基で置換した化合物が挙げられる。
【００９９】



【０１００】
さらには、これらの化合物の硫黄原子間を架橋するシクロオクタン環をシクロへプタン環またはシクロヘキサン環で置換した化合物も挙げることができる。
【０１０１】
化合物（５−１）および化合物（７−１）の具体例としては下記の化合物が挙げられるが、これらの化合物に限定される意図ではない。



【０１０２】
また、これらの他にも、上記化合物のＲ^３またはＲ^７に相当する基を水素原子、メチル基で置換した化合物も挙げることができる。
【０１０３】
化合物（５−２）および化合物（７−２）の具体例としては、上記化合物（５−１）および化合物（７−１）の具体例に加えて、下記の化合物およびこれらの化合物のＲ^３およびＲ^７に相当する基を水素原子、メチル基で置換した化合物が挙げられる。
【０１０４】

【０１０５】
成分（Ａ２）
以下、成分（Ａ２）について説明する。成分（Ａ２）は、下記一般式（８）で表される遷移金属化合物またはそのμ−オキソタイプの遷移金属化合物二量体である。


（式中、Ｍ^２は周期律表第4〜１１族の遷移金属原子である。Ｃｐは、シクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基であり、Ｚは、シクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基またはヘテロ原子を含有する基である。Ｑは、シクロペンタジエニル基とＺを連結する架橋基である。ＣｐおよびＺが、いずれもシクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基である場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ^２は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数２〜２０のアルケニル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、
炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、
置換シリル基、
置換アミノ基、
置換チオラート基、または
炭素原子数１〜２０のカルボキシラート基を表す。
a’は1≦a’≦３を満足する数である。）
【０１０６】
Ｍ^２は周期律表第4〜１１族の遷移金属原子であり、好ましくは、周期律表第４族の遷移金属原子であり、具体的にはチタニウム原子、ジルコニウム原子、ハフニウム原子であり、特に好ましくはチタニウム原子およびジルコニウム原子である。
【０１０７】
ＣｐまたはＺにおけるシクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基としては、例えば、置換または無置換のシクロペンタジエニル基、置換または無置換のインデニル基、置換または無置換のフルオレニル基を挙げることができる。具体的には、シクロペンタジエニル基、メチルシクロペンタジエニル基、エチルシクロペンタジエニル基、ｎ−ブチルシクロペンタジエニル基、ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル基、ジメチルシクロペンタジエニル基、エチル(メチル)シクロペンタジエニル基、ｔｅｒｔ−ブチル(メチル)シクロペンタジエニル基、イソプロピル(メチル)シクロペンタジエニル基、メチル(ｎ−ブチル)シクロペンタジエニル基、トリメチルシクロペンタジエニル基、テトラメチルシクロペンタジエニル基、インデニル基、４，５，６，７−テトラヒドロインデニル基、２−メチルインデニル基、３−メチルインデニル基、４−メチルインデニル基、５−メチルインデニル基、６−メチルインデニル基、７−メチルインデニル基、２−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル基、３−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル基、４−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル基、５−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル基、６−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル基、７−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル基、２，３−ジメチルインデニル基、４，７−ジメチルインデニル基、２，４，７−トリメチルインデニル基、２−メチル−４−イソプロピルインデニル基、４，５−ベンズインデニル基、２−メチル−４，５−ベンズインデニル基、４−フェニルインデニル基、２−メチル−５−フェニルインデニル基、２−メチル−４−フェニルインデニル基、２−メチル−４−ナフチルインデニル基、フルオレニル基、２，７−ジメチルフルオレニル基および２，７−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフルオレニル基を例示することができる。
【０１０８】
ＣｐまたはＺにおけるシクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基がＭ^２に配位する原子数ηは、シクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基がとり得るいずれの値でもよいが、好ましくは５、３または１であり、より好ましくは５または３である。
【０１０９】
Ｚが、シクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基である場合、ＣｐおよびＺは同一でも異なっていてもよい。
【０１１０】
Ｚはヘテロ原子を含有する基であってもよく、例えば、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＮＲ^ｉ−、−ＰＲ^ｉ−、下記式（ｉ）〜（iv）のいずれかで表される基を表す。また、Ｚに含まれる原子のうち、Ｍ^２と結合を形成する原子は、酸素原子、硫黄原子、窒素原子、リン原子である。
【０１１１】

【０１１２】
前記Ｒ^ｉ、Ｒ^ｊはそれぞれ独立して
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数２〜２０のアルケニル基、
炭素原子数２〜２０のアルキニル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、
炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、
置換シリル基、または
環を構成する炭素原子数が３〜２０のヘテロ環式化合物残基を表す。Ｒ^ｉ、Ｒ^ｊにおける上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記アルキニル基、上記アラルキル基、上記アリール基、上記アルコキシ基、上記アラルキルオキシ基、上記アリールオキシ基および上記へテロ環式化合物残基はそれぞれ置換基を有していてもよい。
【０１１３】
Ｒ^ｉとして好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数７〜３０のアラルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基または置換シリル基である。
【０１１４】
Ｒ^ｊとして好ましくは、水素原子、ハロゲン原子、炭素原子数１〜２０のアルキル基、炭素原子数７〜３０のアラルキル基、炭素原子数６〜３０のアリール基、炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基または置換シリル基である。また、隣接する２つのＲ^ｊ同士は互いに連結して環を形成していてもよい。
【０１１５】
Ｚにおけるヘテロ原子を含有する基として、好ましくは、−ＮＲ^ｉ−および前記式（ｉ）で表される基である。
【０１１６】
Ｑは、ＣｐとＺを架橋する基であり、例えば、メチレン基、エチレン基およびプロピレン基等のアルキレン基；ジメチルメチレン基（イソプロピリデン基）およびジフェニルメチレン基等の置換アルキレン基；シリレン基、ジメチルシリレン基、ジエチルシリレン基、ジフェニルシリレン基、テトラメチルジシリレン基、およびジメトキシシリレン基等の置換シリレン基；窒素原子、酸素原子、硫黄原子、およびリン原子等のヘテロ原子を例示することができる。好ましくは、メチレン基、エチレン基、ジメチルメチレン基（イソプロピリデン基）、ジフェニルメチレン基、ジメチルシリレン基、ジエチルシリレン基、ジフェニルシリレン基またはジメトキシシリレン基である。
【０１１７】
Ｘ^２のハロゲン原子としては、例えば、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、およびヨウ素原子を挙げることができる。
【０１１８】
Ｘ^２における炭素原子数１〜２０のアルキル基としては、例えば、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、ｓｅｃ−ブチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基、ｎ−ペンチル基、ネオペンチル基、アミル基、ｎ−ヘキシル基、ｎ−オクチル基、ｎ−デシル基、ｎ−ドデシル基、ｎ−ペンタデシル基、およびｎ−エイコシル基を挙げることができ、なかでも、より好ましくはメチル基、エチル基、イソプロピル基、ｔｅｒｔ−ブチル基、イソブチル基またはアミル基である。これらのアルキル基はいずれも、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、およびヨウ素原子等のハロゲン原子を置換基として有していてもよい。ハロゲン原子を置換基として有しているアルキル基としては、例えば、フルオロメチル基、トリフルオロメチル基、クロロメチル基、トリクロロメチル基、フルオロエチル基、ペンタフルオロエチル基、パーフルオロプロピル基、パーフルオロブチル基、パーフルオロヘキシル基、パーフルオロオクチル基、パークロロプロピル基、パークロロブチル基、およびパーブロモプロピル基を挙げることができる。またこれらのアルキル基は、メトキシ基およびエトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基またはベンジルオキシ基等のアラルキルオキシ基等を置換基として有していてもよい。
【０１１９】
Ｘ^２における炭素原子数７〜３０、好ましくは炭素原子数７〜２０のアラルキル基としては、例えば、ベンジル基、（２−メチルフェニル）メチル基、（３−メチルフェニル）メチル基、（４−メチルフェニル）メチル基、（２，３−ジメチルフェニル）メチル基、（２，４−ジメチルフェニル）メチル基、（２，５−ジメチルフェニル）メチル基、（２，６−ジメチルフェニル）メチル基、（３，４−ジメチルフェニル）メチル基、（３，５−ジメチルフェニル）メチル基、（２，３，４−トリメチルフェニル）メチル基、（２，３，５−トリメチルフェニル）メチル基、（２，３，６−トリメチルフェニル）メチル基、（３，４，５−トリメチルフェニル）メチル基、（２，４，６−トリメチルフェニル）メチル基、（２，３，４，５−テトラメチルフェニル）メチル基、（２，３，４，６−テトラメチルフェニル）メチル基、（２，３，５，６−テトラメチルフェニル）メチル基、（ペンタメチルフェニル）メチル基、（エチルフェニル）メチル基、（ｎ−プロピルフェニル）メチル基、（イソプロピルフェニル）メチル基、（ｎ−ブチルフェニル）メチル基、（ｓｅｃ−ブチルフェニル）メチル基、（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メチル基、（ｎ−ペンチルフェニル）メチル基、（ネオペンチルフェニル）メチル基、（ｎ−ヘキシルフェニル）メチル基、（ｎ−オクチルフェニル）メチル基、（ｎ−デシルフェニル）メチル基、（ｎ−ドデシルフェニル）メチル基、ナフチルメチル基、およびアントラセニルメチル基を挙げることができ、より好ましくはベンジル基である。これらのアラルキル基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、およびヨウ素原子等のハロゲン原子、メトキシ基およびエトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基またはベンジルオキシ基等のアラルキルオキシ基等を置換基として有していてもよい。
【０１２０】
Ｘ^２における炭素原子数６〜３０、好ましくは炭素原子数６〜２０のアリール基としては、例えば、フェニル基、２−トリル基、３−トリル基、４−トリル基、２，３−キシリル基、２，４−キシリル基、２，５−キシリル基、２，６−キシリル基、３，４−キシリル基、３，５−キシリル基、２，３，４−トリメチルフェニル基、２，３，５−トリメチルフェニル基、２，３，６−トリメチルフェニル基、２，４，６−トリメチルフェニル基、３，４，５−トリメチルフェニル基、２，３，４，５−テトラメチルフェニル基、２，３，４，６−テトラメチルフェニル基、２，３，５，６−テトラメチルフェニル基、ペンタメチルフェニル基、エチルフェニル基、ｎ−プロピルフェニル基、イソプロピルフェニル基、ｎ−ブチルフェニル基、ｓｅｃ−ブチルフェニル基、ｔｅｒｔ−ブチルフェニル基、ｎ−ペンチルフェニル基、ネオペンチルフェニル基、ｎ−ヘキシルフェニル基、ｎ−オクチルフェニル基、ｎ−デシルフェニル基、ｎ−ドデシルフェニル基、ｎ−テトラデシルフェニル基、ナフチル基、およびアントラセニル基を挙げることができ、より好ましくはフェニル基である。これらのアリール基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子、ヨウ素原子等のハロゲン原子、メトキシ基およびエトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基またはベンジルオキシ基等のアラルキルオキシ基等を置換基として有していてもよい。
【０１２１】
Ｘ^２における炭素原子数２〜２０、好ましくは炭素原子数３〜２０のアルケニル基としては、例えば、アリル基、メタリル基、クロチル基、１，３−ジフェニル−２−プロペニル基を挙げることができ、なかでも、より好ましくはアリル基またはメタリル基である。
【０１２２】
Ｘ^２における炭素原子数１〜２０のアルコキシ基としては、例えば、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、ｓｅｃ−ブトキシ基、ｔｅｒｔ−ブトキシ基、ｎ−ペントキシ基、ネオペントキシ基、ｎ−ヘキソキシ基、ｎ−オクトキシ基、ｎ−ドデソキシ基、ｎ−ペンタデソキシ基、およびｎ−イコソキシ基を挙げることができ、なかでも、好ましくはメトキシ基、エトキシ基、イソプロポキシ基、またはｔｅｒｔ−ブトキシ基である。これらのアルコキシ基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子等のハロゲン原子、メトキシ基およびエトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基またはベンジルオキシ基等のアラルキルオキシ基等を置換基として有していてもよい。
【０１２３】
Ｘ^２における炭素原子数７〜３０、好ましくは炭素原子数７〜２０のアラルキルオキシ基としては、例えば、ベンジルオキシ基、（２−メチルフェニル）メトキシ基、（３−メチルフェニル）メトキシ基、（４−メチルフェニル）メトキシ基、（２、３−ジメチルフェニル）メトキシ基、（２、４−ジメチルフェニル）メトキシ基、（２、５−ジメチルフェニル）メトキシ基、（２、６−ジメチルフェニル）メトキシ基、（３，４−ジメチルフェニル）メトキシ基、（３，５−ジメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，４−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，５−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，６−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，４，５−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，４，６−トリメチルフェニル）メトキシ基、（３，４，５−トリメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，４，５−テトラメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，４，６−テトラメチルフェニル）メトキシ基、（２，３，５，６−テトラメチルフェニル）メトキシ基、（ペンタメチルフェニル）メトキシ基、（エチルフェニル）メトキシ基、（ｎ−プロピルフェニル）メトキシ基、（イソプロピルフェニル）メトキシ基、（ｎ−ブチルフェニル）メトキシ基、（ｓｅｃ−ブチルフェニル）メトキシ基、（ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）メトキシ基、（ｎ−ヘキシルフェニル）メトキシ基、（ｎ−オクチルフェニル）メトキシ基、（ｎ−デシルフェニル）メトキシ基、ナフチルメトキシ基、およびアントラセニルメトキシ基を挙げることができ、なかでも、より好ましくはベンジルオキシ基である。これらのアラルキルオキシ基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子等のハロゲン原子、メトキシ基およびエトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基またはベンジルオキシ基等のアラルキルオキシ基等を置換基として有していてもよい。
【０１２４】
Ｘ^２における炭素原子数６〜３０、好ましくは炭素原子数６〜２０のアリールオキシ基としては、例えば、フェノキシ基、２−メチルフェノキシ基、３−メチルフェノキシ基、４−メチルフェノキシ基、２、３−ジメチルフェノキシ基、２、４−ジメチルフェノキシ基、２、５−ジメチルフェノキシ基、２、６−ジメチルフェノキシ基、３，４−ジメチルフェノキシ基、３，５−ジメチルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−メチルフェノキシ基、２，３，４−トリメチルフェノキシ基、２，３，５−トリメチルフェノキシ基、２，３，６−トリメチルフェノキシ基、２，４，５−トリメチルフェノキシ基、２，４，６−トリメチルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−３，４−ジメチルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−３，５−ジメチルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−３，６−ジメチルフェノキシ基、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−３−メチルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−４，５−ジメチルフェノキシ基、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−４−メチルフェノキシ基、３，４，５−トリメチルフェノキシ基、２，３，４，５−テトラメチルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−３，４，５−トリメチルフェノキシ基、２，３，４，６−テトラメチルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−３，４，６−トリメチルフェノキシ基、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−３，４−ジメチルフェノキシ基、２，３，５，６−テトラメチルフェノキシ基、２−ｔｅｒｔ−ブチル−３，５，６−トリメチルフェノキシ基、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−３，５−ジメチルフェノキシ基、ペンタメチルフェノキシ基、エチルフェノキシ基、ｎ−プロピルフェノキシ基、イソプロピルフェノキシ基、ｎ−ブチルフェノキシ基、ｓｅｃ−ブチルフェノキシ基、ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、ｎ−ヘキシルフェノキシ基、ｎ−オクチルフェノキシ基、ｎ−デシルフェノキシ基、ｎ−テトラデシルフェノキシ基、ナフトキシ基、およびアントラセノキシ基を挙げることができる。これらのアリールオキシ基は、フッ素原子、塩素原子、臭素原子およびヨウ素原子等のハロゲン原子、メトキシ基およびエトキシ基等のアルコキシ基、フェノキシ基等のアリールオキシ基またはベンジルオキシ基等のアラルキルオキシ基等を置換基として有していてもよい。
【０１２５】
Ｘ^２における置換シリル基としては、例えば、トリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、トリ−ｎ−ブチルシリル基、トリイソブチルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基、メチルジフェニルシリル基、ジメチル（フェニル）シリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジフェニルシリル基、トリフェニルシリル基、メチルビス（トリメチルシリル）シリル基、ジメチル（トリメチルシリル）シリル基、トリス（トリメチルシリル）シリル基が挙げられ、
好ましくはトリメチルシリル基、トリエチルシリル基、トリ−ｎ−プロピルシリル基、トリイソプロピルシリル基、ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル基などの炭素原子数３〜２０のトリアルキルシリル基；メチルビス（トリメチルシリル）シリル基、ジメチル（トリメチルシリル）シリル基、トリス（トリメチルシリル）シリル基などの炭素原子数３〜２０のハイドロカルビルシリル基を置換基として有するシリル基が挙げられる。
【０１２６】
Ｘにおける置換アミノ基としては、例えば、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−ブチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基、ジベンジルアミノ基またはジフェニルアミノ基といった炭素原子数２〜１４のハイドロカルビルアミノ基が挙げられ、好ましくは、ジメチルアミノ基、ジエチルアミノ基、ジ−ｎ−プロピルアミノ基、ジイソプロピルアミノ基またはジベンジルアミノ基である。
【０１２７】
Ｘにおける置換チオラート基としては、例えば、チオフェノキシ基、２，３，４−トリメチルチオフェノキシ基、２，３，５−トリメチルチオフェノキシ基、２，３，６−トリメチルチオフェノキシ基、２，４，６−トリメチルチオフェノキシ基、３，４，５−トリメチルチオフェノキシ基、２，３，４，５−テトラメチルチオフェノキシ基、２，３，４，６−テトラメチルチオフェノキシ基、２，３，５，６−テトラメチルフェノキシ基、ペンタメチルフェノキシ基、２−フルオロチオフェノキシ基、３−フルオロチオフェノキシ基、４−フルオロフェノキシ基、ペンタフルオロチオフェノキシ基、２−トリフルオロメチルチオフェノキシ基、３−トリフルオロメチルチオフェノキシ基、４−トリフルオロメチルチオフェノキシ基、２，３−ジフルオロチオフェノキシ基、２，４−フルオロチオフェノキシ基、２，５−ジフルオロチオフェノキシ基、２−クロロチオフェノキシ基、２，３−ジクロロチオフェノキシ基、２，４−ジクロロチオフェノキシ基、２，５−ジクロロチオフェノキシ基、２−ブロモチオフェノキシ基、３−ブロモチオフェノキシ基、４−ブロモチオフェノキシ基、２，３−ジブロモチオフェノキシ基、２，４−ジブロモチオフェノキシ基、あるいは２，５−ジブロモチオフェノキシ基といった炭素原子数６〜１２のハイドロカルビルチオラート基が挙げられ、好ましくはチオフェノキシ基、２，４，６−トリメチルチオフェノキシ基、３，４，５−トリメチルチオフェノキシ基、２，３，４，５−テトラメチルチオフェノキシ基、２，３，４，６−テトラメチルチオフェノキシ基、２，３，５，６−テトラメチルチオフェノキシ基、ペンタメチルチオフェノキシ基、ペンタフルオロチオフェノキシ基である。
【０１２８】
Ｘにおける炭素原子数１〜２０のカルボキシラート基としては、例えば、アセテート基、プロピオネート基、ブチレート基、ペンタネート基、ヘキサノエート基、２−エチルヘキサノエート基またはトリフルオロアセテート基が挙げられ、好ましくは炭素原子数２〜１０のハイドロカルビルカルボキシラート基であり、より好ましくは、アセテート基、プロピオネート基、２−エチルヘキサノエート基またはトリフルオロアセテート基である。
【０１２９】
Ｘ^２として、好ましくは塩素原子、メチル基、エチル基、ｎ−プロピル基、イソプロピル基、ｎ−ブチル基、メトキシ基、エトキシ基、ｎ−プロポキシ基、イソプロポキシ基、ｎ−ブトキシ基、トリフルオロメトキシ基、フェニル基、フェノキシ基、２，６−ジ−ｔｅｒｔ−ブチルフェノキシ基、３，４，５−トリフルオロフェノキシ基、ペンタフルオロフェノキシ基、２，３，５，６−テトラフルオロ−４−ペンタフルオロフェニルフェノキシ基またはベンジル基である。
【０１３０】
式（８）におけるａ’は1≦ａ’≦３を満たす数であり、Ｍ^２の価数に応じて適宜選択される。Ｍ^２がチタン原子、ジルコニウム原子またはハフニウム原子である場合、ａ’は２であることが好ましい。
【０１３１】
遷移金属原子がチタン原子である式（８）で表される化合物としては、例えば、
【０１３２】
ジメチルシリレンビス（シクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２−メチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（３−メチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（３−ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２，３−ジメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２，５−ジメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（３，４−ジメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２，３−エチルメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２，４−エチルメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２，５−エチルメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（３，５−エチルメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２，３，４−トリメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２，３，５−トリメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、
【０１３３】
ジメチルシリレンビス（インデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２−メチルインデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２−ｔｅｒｔ−ブチルインデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２，３−ジメチルインデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２，４，７−トリメチルインデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２−メチル−４−イソプロピルインデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（４，５−ベンズインデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２−メチル−４，５−ベンズインデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２−フェニルインデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（４−フェニルインデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２−メチル−４−フェニルインデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２−メチル−５−フェニルインデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（２−メチル−４−ナフチルインデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（４，５，６，７−テトラヒドロインデニル）チタンジクロライド、
【０１３４】
ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（インデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（インデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（インデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（インデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（インデニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（フルオレニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレンビス（フルオレニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（テトラメチルシクロペンタジエニル）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（フルオレニル）チタンジクロライド、
【０１３５】
ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（３−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（５−メチル−３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（５−メチル−３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メトキシ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−クロロ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（３，５−ジアミル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（シクロペンタジエニル）（１−ナフトキシ−２−イル）チタンジクロライド、
【０１３６】
ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（３−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（５−メチル−３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（５−メチル−３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メトキシ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−クロロ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（３，５−ジアミル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（メチルシクロペンタジエニル）（１−ナフトキシ−２−イル）チタンジクロライド、
【０１３７】
ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（５−メチル−３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（５−メチル−３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メトキシ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−クロロ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３，５−ジアミル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｎ−ブチルシクロペンタジエニル）（１−ナフトキシ−２−イル）チタンジクロライド、
【０１３８】
ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（５−メチル−３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（５−メチル−３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メトキシ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−クロロ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（３，５−ジアミル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（ｔｅｒｔ−ブチルシクロペンタジエニル）（１−ナフトキシ−２−イル）チタンジクロライド、
【０１３９】
ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（３−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（５−メチル−３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（５−メチル−３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メトキシ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−クロロ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（３，５−ジアミル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（テトラメチルシクロペンタジエニル）（１−ナフトキシ−２−イル）チタンジクロライド、
【０１４０】
ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（３−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（５−メチル−３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（５−メチル−３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メトキシ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−クロロ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（３，５−ジアミル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（トリメチルシリルシクロペンタジエニル）（１−ナフトキシ−２−イル）チタンジクロライド、
【０１４１】
ジメチルシリレン（インデニル）（２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（３−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（５−メチル−３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（５−メチル−３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メトキシ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−クロロ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（３，５−ジアミル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（インデニル）（１−ナフトキシ−２−イル）チタンジクロライド、
【０１４２】
ジメチルシリレン（フルオレニル）（２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（３−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（３，５−ジメチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（３，５−ジ−ｔｅｒｔ−ブチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（５−メチル−３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−５−メチル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（５−メチル−３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−メトキシ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（３−ｔｅｒｔ−ブチル−５−クロロ−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（３，５−ジアミル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（３−フェニル−２−フェノキシ）チタンジクロライド、ジメチルシリレン（フルオレニル）（１−ナフトキシ−２−イル）チタンジクロライド、
【０１４３】
（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）テトラメチルシクロペンタジエニル−１，２−エタンジイルチタンジクロライド、（メチルアミド）テトラメチルシクロペンタジエニル−１，２−エタンジイルチタンジクロライド、（エチルアミド）テトラメチルシクロペンタジエニル−１，２−エタンジイルチタンジクロライド、（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）テトラメチルシクロペンタジエニルジメチルシランチタンジクロライド、（ベンジルアミド）テトラメチルシクロペンタジエニルジメチルシランチタンジクロライド、（フェニルフォスファイド）テトラメチルシクロペンタジエニルジメチルシランチタンジクロライド、（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）インデニル−１，２−エタンジイルチタンジクロライド、（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）テトラヒドロインデニル−１，２−エタンジイルチタンジクロライド、（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）フルオレニル−１，２−エタンジイルチタンジクロライド、（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）インデニルジメチルシランチタンジクロライド、（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）テトラヒドロインデニルジメチルシランチタンジクロライド、（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）フルオレニルジメチルシランチタンジクロライド、が挙げられる
【０１４４】
また、上記化合物の「チタン」を「ジルコニウム」または「ハフニウム」に置き換えた化合物、「（２−フェノキシ）」を「（３−フェニル−２−フェノキシ）」、「（３−トリメチルシリル−２−フェノキシ）」、または「（３−ｔｅｒｔ−ブチルジメチルシリル−２−フェノキシ）」に置き換えた化合物、「ジメチルシリレン」を「メチレン」、「エチレン」、「ジメチルメチレン（イソプロピリデン）」、「ジフェニルメチレン」、「ジエチルシリレン」、「ジフェニルシリレン」、または「ジメトキシシリレン」に置き換えた化合物、「ジクロライド」を「ジフルオライド」、「ジブロマイド」、「ジアイオダイド」、「ジメチル」、「ジエチル」、「ジイソプロピル」、「ジフェニル」、「ジベンジル」、「ジメトキシド」、「ジエトキシド」、「ジ（ｎ−プロポキシド）」、「ジ（イソプロポキシド）」、「ジフェノキシド」、または「ジ（ペンタフルオロフェノキシド）」に置き換えた化合物も、式（８）で表される遷移金属化合物の例として挙げることができる。
【０１４５】
式（８）で表される遷移金属化合物は一種類のみを用いても、二種類以上を組み合わせて用いてもよい。
【０１４６】
本発明で用いる成分（Ａ２）として、上記式（８）におけるＭ^２がジルコニウムの化合物が好ましく、特に式（８）におけるＺがシクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基であり、Ｑがアルキレン基、置換アルキレン基、置換シリレン基であるジルコニウム化合物が特に好ましい。
【０１４７】
式（８）で表される遷移金属化合物は、特開平６−３４０６８４号公報、特開平７−２５８３２１号公報、国際特許公開第９５／００５６２号明細書などに記載の製造方法によって製造することが可能である。
【０１４８】
活性化用助触媒成分（Ｂ）
活性化用助触媒成分は、成分（Ａ１）と、成分（Ａ２）と、を活性化させ、オレフィンを重合可能とするものであれば特に制限はないが、例えば、
（Ｂ−１）有機アルミニウム化合物
（Ｂ−２）ホウ素化合物
よりなる群から選ばれる少なくとも１種の化合物を挙げることができる。
【０１４９】
有機アルミニウム化合物（Ｂ−１）は公知の化合物であってもよく、好ましくは下式で表される化合物またはそれらの混合物である：
（１）Ｅ¹_a ＡｌＹ¹_3-aで表される化合物（以下、有機アルミニウム化合物（Ｂ−１−１）と記載することもある）；
（２）｛−Ａｌ（Ｅ² ）−Ｏ−｝_bで表される環状のアルミノキサン（以下、有機アルミニウム化合物（Ｂ−１−２）と記載することもある）；および
（３）Ｅ³ ｛−Ａｌ（Ｅ³）−Ｏ−｝_c ＡｌＥ³₂ で表される線状のアルミノキサン（以下、有機アルミニウム化合物（Ｂ−１−３）と記載することもある）；
式中、Ｅ¹ 、Ｅ² 、Ｅ³ は炭素数１〜８のハイドロカルビル基であり、全てのＥ^１ 、全てのＥ² 及び全てのＥ^３ は同じか異なり、Ｙ¹は水素原子又はハロゲン原子を表し、全てのＹ¹は同じか異なり、ａは０＜ａ≦３の数、ｂは２以上の整数、ｃは１以上の整数をそれぞれ表す。
【０１５０】
有機アルミニウム化合物（Ｂ−１−１）として、トリメチルアルミニウム、トリエチルアルミニウム、トリプロピルアルミニウム、トリイソブチルアルミニウム、およびトリヘキシルアルミニウムのようなトリアルキルアルミニウム；ジメチルアルミニウムクロライド、ジエチルアルミニウムクロライド、ジプロピルアルミニウムクロライド、ジイソブチルアルミニウムハクロライド、およびジヘキシルアルミニウムクロライドのようなジアルキルアルミニウムクロライド；メチルアルミニウムジクロライド、エチルアルミニウムジクロライド、プロピルアルミニウムジクロライド、イソブチルアルミニウムジクロライド、およびヘキシルアルミニウムジクロライドのようなアルキルアルミニウムジクロライド；ならびにジメチルアルミニウムハイドライド、ジエチルアルミニウムハイドライド、ジプロピルアルミニウムハイドライド、ジイソブチルアルミニウムハイドライド、およびジヘキシルアルミニウムハイドライドのようなジアルキルアルミニウムハイドライドを例示することができる。中でも、好ましくはトリアルキルアルミニウムであり、より好ましくはトリエチルアルミニウムまたはトリイソブチルアルミニウムである。
【０１５１】
上式におけるＥ²およびＥ³として、メチル基、エチル基、ノルマルプロピル基、イソプロピル基、ノルマルブチル基、イソブチル基、ノルマルペンチル基、およびネオペンチル基のようなアルキル基を例示することができる。中でも、好ましくはメチル基またはイソブチル基である。ｂは２以上の整数、好ましくは２〜４０の整数であり、ｃは１以上の整数、好ましくは１〜４０の整数である。
【０１５２】
上記のアルミノキサンの製造方法は特に制限されず、公知の方法であってもよい。製造方法とてし、トリアルキルアルミニウム（例えば、トリメチルアルミニウム）を適当な有機溶剤（例えば、ベンゼンまたは脂肪族ハイドロカルビル）に溶かした溶液を水と接触させる方法や、トリアルキルアルミニウム（例えば、トリメチルアルミニウム）を結晶水を含んでいる金属塩（例えば、硫酸銅水和物）に接触させる方法を例示することができる。
【０１５３】
上記のホウ素化合物（Ｂ−２）として、以下の化合物を例示することができる：
（１）式ＢＲ^１３Ｒ^１４ Ｒ^１５で表されるホウ素化合物（以下、ホウ素化合物（Ｂ−２−１）と記載することもある）；
（２）式Ｍ^{3 +} （ＢＲ^１３ Ｒ^１４Ｒ^１５ Ｒ^１６ ）⁻ で表されるホウ素化合物（以下、ホウ素化合物（Ｂ−２−２）と記載することもある）；および
（３）式（Ｍ⁴−Ｈ）⁺ （ＢＲ^１３ Ｒ^１４Ｒ^１５ Ｒ^１６ ）⁻で表されるホウ素化合物（以下、ホウ素化合物（Ｂ−２−３）と記載することもある）；
式中、Ｒ^１３ 〜Ｒ^１６ はハロゲン原子、１〜２０個の炭素原子を含むハイドロカルビル基、１〜２０個の 炭素原子を含むハロゲン化ハイドロカルビル基、１〜２０個の炭素原子を含む置換シリル基、１〜２０個の炭素原子を含むアルコキシ基または２〜２０個の炭素原子を含む２置換アミノ基であり、それらは同じか異なり、好ましいくははハロゲン原子、１〜２０個の炭素原子を含むハイドロカルビル基、または１〜２０個の炭素原子を含むハロゲン化ハイドロカルビル基であり、Ｍ³⁺は無機または有機のカチオンであり、Ｍ⁴は中性ルイス塩基であり、（Ｍ⁴−Ｈ）⁺ はブレンステッド酸である。
上式（１）で表される化合物として、トリス（ペンタフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，４，５−テトラフルオロフェニル）ボラン、トリス（３，４，５−トリフルオロフェニル）ボラン、トリス（２，３，４−トリフルオロフェニル）ボラン、およびフェニルビス（ペンタフルオロフェニル）ボランを例示することができる。中でも、最も好ましくはトリス（ペンタフルオロフェニル）ボランである。
【０１５４】
上式（２）のＭ³⁺として、フェロセニウムカチオン、アルキル置換フェロセニウムカチオン、銀陽イオンおよびトリフェニルメチルカチオンを例示することができる。式（２）の（ＢＲ^１３ Ｒ^１４ Ｒ^１５ Ｒ^１６ ）⁻として、テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，３，５，６−テトラフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，３，４，５−テトラフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（３，４，５−トリフルオロフェニル）ボレート、テトラキス（２，２，４ートリフルオロフェニル）ボレート、フェニルビス（ペンタフルオロフェニル）ボレ−ト、およびテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレートを例示することができる。式（２）の化合物として、フェロセニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、１，１’−ジメチルフェロセニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、銀テトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルメチルテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレートなどを例示することができる。中でも、最も好ましくは、トリフェニルメチルテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートである。
【０１５５】
上式（３）の（Ｍ⁴−Ｈ）⁺として、トリアルキル置換アンモニウム、Ｎ，Ｎ−ジアルキルアニリニウム、ジアルキルアンモニウム、およびトリアリールホスホニウムを例示することができ、（ＢＲ^１３ Ｒ^１４Ｒ^１５Ｒ^１６）⁻として前述と同様のものを例示することができる。式（３）の化合物として、トリエチルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリプロピルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジエチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−２，４，６−ペンタメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（３，５−ビストリフルオロメチルフェニル）ボレート、ジイソプロピルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、ジシクロヘキシルアンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリフェニルホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、トリ（メチルフェニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、およびトリ（ジメチルフェニル）ホスホニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートを例示することができる。中でも、最も好ましくは、トリ（ノルマルブチル）アンモニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレート、もしくは、Ｎ，Ｎ−ジメチルアニリニウムテトラキス（ペンタフルオロフェニル）ボレートである。
【０１５６】
活性化用助触媒成分は、好ましくは上記の有機アルミニウム化合物（Ｂ−１−２）、有機アルミニウム化合物（Ｂ−１−３）、有機アルミニウム化合物（Ｂ−１−２）と有機アルミニウム化合物（Ｂ−１−３）を組み合わせたもの、または有機アルミニウム化合物（Ｂ−１−１）とホウ素化合物とを組合せたものが挙げられる。
【０１５７】
本発明に係る重合用触媒を、スラリー重合、気相重合およびバルク重合のような重合体粒子の形成を伴う重合に適用する場合、上記の活性化用助触媒成分として、たとえば、アルミノキサン（ａ）と粒子（ｂ）とを接触させて得られる改質された粒子が好適に用いられる。
該アルミノキサン（ａ）として好ましくは前記有機アルミニウム化合物（Ｂ−１−２）および（Ｂ−１−３）である。
【０１５８】
アルミノキサン（ａ）と粒子（ｂ）とを接触させる方法は特に制限されない。該方法として、粒子（ｂ）を分散させた溶媒中にアルミノキサン（ａ）を添加する方法を例示することができる。該溶媒として、既述の溶媒を例示することができ、アルミノキサン（ａ）と反応しない溶媒が好ましく、アルミノキサン（ａ）を溶解させる溶媒がより好ましい。溶媒は、好ましくはベンゼンや、トルエン、およびキシレンのような芳香族ハイドロカルビル溶媒、またはヘキサン、ヘプタンおよびオクタンのような脂肪族ハイドロカルビル溶媒であり、更に好ましくはトルエンまたはキシレンである。
【０１５９】
アルミノキサン（ａ）と粒子（ｂ）とを接触させる温度や時間は特に限定されず、温度は通常−１００℃〜２００℃、好ましくは−５０℃〜１５０℃、更に好ましくは−２０℃〜１２０℃である。特に接触の初期は、反応による発熱を抑えるために低温でこれらを接触させることが好ましい。アルミノキサン（ａ）および粒子（ｂ）の使用量は特に制限されない。アルミノキサン（ａ）は、使用されるアルミノキサン中のアルミニウム原子換算で、粒子（ｂ）の単位グラム当たり、通常０．０１〜１００ｍｍｏｌ、好ましくは０．１〜２０ｍｍｏｌ、更に好ましくは１〜１０ｍｍｏｌである。
【０１６０】
その他の改質された粒子としては、例えば、特開２００３−１７１４１２、特開２００３−１７１４１３、特開２００５−１２６６２７、特開２００５−１２６６２８、特開２００７−２６９９９７、特開２０１２−３１１５４、特開２０１２−３１３９７に記載の改質された粒子を好適に挙げることができる。
【０１６１】
オレフィン重合体の製造方法
【０１６２】
本発明は、成分（Ａ１）と、成分（Ａ２）と、活性化用助触媒成分（Ｂ）とを用いてオレフィンを重合するオレフィン重合体の製造方法である。例えば、成分（Ａ１）、成分（Ａ２）および活性化用助触媒成分（Ｂ）を接触させて触媒を形成し、該触媒によりオレフィンを重合する方法である。
成分（Ａ１）と成分（Ａ２）と成分（Ｂ）との接触処理は、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）と成分（Ｂ）とが接触し、触媒が形成されるならどのような手段によってもよく、あらかじめ各成分を溶媒で希釈して、もしくは希釈せずに成分（Ａ１）と成分（Ａ２）と成分（Ｂ）とを混合して接触させる方法や、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）と成分（Ｂ）とを別々に重合槽に供給して重合槽の中でこれらを接触させる方法を取ることができる。ここで、成分（Ｂ）としては複数種類を組み合わせて使用する場合があるが、それらのうちの一部をあらかじめ混合して使用してもよいし、別々に重合槽に供給して使用してもよい。
【０１６３】
移動しました。
成分（Ａ１）の成分（Ａ２）に対するモル比（（Ａ１）／（Ａ２））として、特に制限はないが、好ましくは、０．０１〜１００であり、より好ましくは０．０５〜５０であり、さらに好ましくは０．１〜２０であり、特に好ましくは０．１５〜１０である。
【０１６４】
成分（Ｂ）として有機アルミニウム化合物（Ｂ−１）を用いる場合、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の合計の使用量に対する（Ｂ−１）のモル比が０．０１〜１００００であり、好ましくは１〜５０００である。成分（Ｂ）としてホウ素化合物（Ｂ−２）を用いる場合、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の合計の使用量に対する（Ｂ−２）のモル比が０．０１〜１００であり、好ましくは１．０〜５０である。
【０１６５】
重合槽において重合反応前に触媒を製造する場合、各成分を溶液状態または溶媒に懸濁もしくはスラリー化した状態で供給する場合の濃度は、重合槽に各成分を供給する装置の性能などの条件により、適宜選択される。
一般に、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の合計の濃度は、通常０．０００１〜１００００mol/Lで、より好ましくは、０．００１〜１０００mol/L、さらに好ましくは、０．０１〜１００mol/Lである。有機アルミニウム化合物（Ｂ−１）の濃度は、Ａｌ原子換算で、通常０．０１〜１００００mol/Lであり、より好ましくは、０．０５〜５０００mol/Lであり、さらに好ましくは、０．１〜２０００mol/Lである。ホウ素化合物（Ｂ−２）の濃度は、通常０．００１〜５００mol/Lであり、より好ましくは、０．０１〜２５０mol/Lであり、さらに好ましくは、０．０５〜１００mol/Lである。
【０１６６】
成分（Ａ１）と、成分（Ａ２）と、有機アルミニウム化合物（Ｂ−１）とを接触させる際は、有機アルミニウム化合物（Ｂ−１）としては、前記の環状のアルミノキサン（Ｂ−１−２）および／または線状のアルミノキサン（Ｂ−１−３）が好ましい。
また、成分（Ａ１）、成分（Ａ２）、（Ｂ−１）および（Ｂ−２）を接触させる際は、有機アルミニウム化合物（Ｂ−１）としては前記の有機アルミニウム化合物（Ｂ−１−１）が好ましく、ホウ素化合物（Ｂ−２）としては、ホウ素化合物（Ｂ−２−１）またはホウ素化合物（Ｂ−２−２）が好ましい。
【０１６７】
本発明のオレフィン重合体の製造方法は、成分（Ａ１）と、成分（Ａ２）と、活性化用助触媒成分（Ｂ）とを用いて、炭素原子数２〜２０のオレフィンを単独重合または共重合させる方法である。
【０１６８】
重合するオレフィンの種類は単独でも複数でもよい。単独のオレフィンを重合すれば、単独重合体が得られ、複数のオレフィンを重合すれば、共重合体が得られる。共重合の場合は、例えば、エチレンとプロピレン、エチレンと１−ブテン、エチレンと１−ヘキセン、エチレンと１−ブテンと１−ヘキセン等の、エチレンと炭素数３〜２０のα−オレフィンとの組合せを挙げることができる。
【０１６９】
オレフィンの例としては、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、１−ウンデセン、１−ドデセン、１−トリデセン、１−テトラデセン、１−ペンタデセン、１−ヘキサデセン、１−ヘプタデセン、１−オクタデセン、１−ノナデセン、１−エイコセン、などの炭素原子数２〜２０の１−アルケン（枝分かれしていてもよい）、または、シクロペンテン、シクロヘキセン、５−メチルノルボルネン、５−エチルノルボルネン、５−ブチルノルボルネン、５−フェニルノルボルネン、５−ベンジルノルボルネン、テトラシクロドデセン、トリシクロデセン、トリシクロウンデセン、ペンタシクロペンタデセン、ペンタシクロヘキサデセン、８−メチルテトラシクロドデセン、８−エチルテトラシクロドデセン、５−アセチルノルボルネン、５−アセチルオキシノルボルネン、５−メトキシカルボニルノルボルネン、５−エトキシカルボニルノルボルネン、５−メチル−５−メトキシカルボニルノルボルネン、５−シアノノルボルネン、８−メトキシカルボニルテトラシクロドデセン、８−メチル−８−テトラシクロドデセン、８−シアノテトラシクロドデセン等などの環状アルケン等を挙げることができる。
【０１７０】
オレフィンとして、好ましくは、エチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、４−メチル−１−ペンテンであり、より好ましくはエチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−オクテン、１−デセン、４−メチル−１−ペンテンであり、さらに好ましくはエチレン、プロピレン、１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテンである。
【０１７１】
重合方法としては、ブタン、ペンタン、ヘキサン、ヘプタン、オクタン等の脂肪族ハイドロカーボン、ベンゼン、トルエン等の芳香族ハイドロカーボン、またはメチレンジクロライド等のハロゲン化ハイドロカーボンを溶媒として用いる溶媒重合法、またはスラリー重合法、気相重合法、バルク重合法などがあげられる。気相重合法に用いられる気相重合反応装置としては、通常、流動層型反応槽を有する装置であり、好ましくは、拡大部を有する流動層型反応槽を有する装置である。反応槽内に撹拌翼が設置されていてもよい。連続重合、回分式重合のどちらでも可能である。
【０１７２】
重合反応の温度および時間は、所望の重合平均分子量と触媒の活性度および使用量を考慮して決定することができる。重合温度は通常、−５０℃〜２００℃の範囲を取り得るが、特に、−２０℃〜１００℃の範囲が好ましく、重合圧力は通常、常圧〜５０ＭＰａが好ましい。重合時間は、一般的に、目的とするポリマーの種類、反応装置により適宜決定されるが通常、１分間〜２０時間の範囲、好ましくは５分間〜１８時間の範囲を取ることができる。但し、これらの範囲に制限される意図ではない。また、本発明は重合体の分子量を調節するために水素等の連鎖移動剤を添加することもできる。
【０１７３】
重合反応に溶媒を使用する場合、溶媒中の各化合物の濃度は、特に制限はない。溶媒中の成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の合計の濃度は、例えば、1×10^-８mmol/L〜10mol/Lの範囲を選択でき、活性化用助触媒成分の濃度は、例えば、1×10^-８mmol/L 〜10mol/Lの範囲を選択することができる。また、オレフィン：溶媒は体積比で１００:０〜１:１０００の範囲を選択することができる。但し、これらの範囲は例示であって、それらに限定される意図ではない。また、溶媒を使用しない場合も、上記の範囲を参考に適宜濃度の設定をすることができる。
【０１７４】
本発明の製造方法は、成分（Ａ１）と、成分（Ａ２）と、成分（Ｂ）とを用いてオレフィンを重合する限り、制限されるものではないが、好ましくは、成分（Ａ１）と、成分（Ｂ）とを接触させて得られる触媒の存在下、オレフィンを重合する工程（前段）、および、前段で得られた重合体の存在下、成分（Ａ２）を重合槽に供給し、オレフィンを重合する工程（後段）を含む多段重合方法が挙げられる。
【０１７５】
前記多段重合方法における、前段に使用する成分（Ａ１）と、後段に使用する成分（Ａ２）とのモル比（（Ａ１）／（Ａ２））としては、特に制限はないが、好ましくは、０．０５〜１０であり、より好ましくは０．１〜５である。
【０１７６】
前記多段重合方法における前段で重合するオレフィンとしては、好ましくは、エチレンのみや、エチレンとプロピレン、エチレンと１−ブテン、エチレンと１−ヘキセン、エチレンと１−ブテンと１−ヘキセン、の組合せを挙げることができる。後段で重合するオレフィンとしては、好ましくは、エチレンのみや、エチレンとプロピレン、エチレンと１−ブテン、エチレンと１−ヘキセン、エチレンと１−ブテンと１−ヘキセン、の組合せを挙げることができる。
【０１７７】
前記多段重合方法における前段の重合時間は、特に制限されるものではないが、好ましくは５分以上、より好ましくは１０分以上、さらに好ましくは２０分以上である。
【０１７８】
前記多段重合方法における前段の重合中のオレフィン分圧は、特に制限されるものではないが、好ましくは０．２ＭＰａ以上、より好ましくは０．４ＭＰａ以上、さらに好ましくは０．６ＭＰａ以上である。前記多段重合方法における後段の重合中のオレフィン分圧は、特に制限されるものではないが、好ましくは０．０５ＭＰａ以上、より好ましくは０．１ＭＰａ以上、さらに好ましくは０．２ＭＰａ以上である。前記多段重合方法における前段、後段の重合中のオレフィン分圧は、（前段の重合中のオレフィン分圧）≧（後段の重合中のオレフィン分圧）となることが好ましい。
【０１７９】
エチレン系重合体
本発明のエチレン系重合体は、エチレンに基づく単量体単位と、任意に炭素原子数３〜２０のα−オレフィンに基づく単量体単位とを含むエチレン系重合体である。該α−オレフィンとしては、プロピレン、１−ブテン、１−ペンテン、１−ヘキセン、１−ヘプテン、１−オクテン、１−ノネン、１−デセン、１−ドデセン、４−メチル−１−ペンテン、４−メチル−１−ヘキセン等があげられ、これらは単独で用いられていてもよく、２種以上を併用されていてもよい。α−オレフィンとしては、好ましくは１−ブテン、１−ヘキセン、４−メチル−１−ペンテン、１−オクテンである。
【０１８０】
本発明のエチレン系重合体中のエチレンに基づく単量体単位の含有量は、エチレン系重合体の全重量（１００重量％）に対して、通常５０〜１００重量％である。またα−オレフィンに基づく単量体単位の含有量は、エチレン系重合体の全重量（１００重量％）に対して、通常０〜５０重量％である。
【０１８１】
本発明のエチレン系重合体として、好ましくは、エチレン単独重合体、または、エチレンに基づく単量体単位及び炭素原子数４〜２０のα−オレフィンに基づく単量体単位を有するエチレン−α−オレフィン共重合体であり、より好ましくは、エチレン単独重合体、または、エチレンに基づく単量体単位及び炭素原子数５〜２０のα−オレフィンに基づく単量体単位を有するエチレン−α−オレフィン共重合体であり、さらに好ましくは、エチレン単独重合体、または、エチレンに基づく単量体単位及び炭素原子数６〜８のα−オレフィンに基づく単量体単位を有するエチレン−α−オレフィン共重合体である。
【０１８２】
本発明のエチレン系重合体としては、例えば、エチレン単独重合体、エチレン−１−ブテン共重合体、エチレン−１−ヘキセン共重合体、エチレン−４−メチル−１−ペンテン共重合体、エチレン−１−オクテン共重合体、エチレン−１−ブテン−１−ヘキセン共重合体、エチレン−１−ブテン−４−メチル−１−ペンテン共重合体、エチレン−１−ブテン−１−オクテン共重合体、エチレン−１−ヘキセン−１−オクテン共重合体等があげられ、好ましくはエチレン単独重合体、エチレン−１−ヘキセン共重合体、エチレン−４−メチル−１−ペンテン共重合体、エチレン−１−ブテン−１−ヘキセン共重合体、エチレン−１−ブテン−１−オクテン共重合体、エチレン−１−ヘキセン−１−オクテン共重合体である。
【０１８３】
本発明のエチレン系重合体は、下記要件（１）〜（５）を満たす。
（１）密度が８５０〜９８０ｋｇ／ｍ³である。
（２）ＪＩＳ Ｋ７２１０−１９９５に規定された方法において、温度１９０℃、荷重２１．１８Ｎの条件で、Ａ法により測定されるメルトフローレートが０．０１〜１００ｇ／１０分である。
（３）ゲル・パーミエイション・クロマトグラフ法により測定される分子量分布曲線が二峰性の分子量分布を有し、分子量分布曲線における高分子量側のピークトップ分子量が５０，０００以上であり、低分子量側のピークトップ分子量が１０，０００以下である。
（４）重量平均分子量の数平均分子量に対する比が４〜５５である。
（５）^１３Ｃ−ＮＭＲにより測定される炭素数５以上の分岐数が炭素原子１０００個あたり０．２〜０．７である。
【０１８４】
エチレン系重合体の密度は、８５０〜９８０ｋｇ／ｍ³であり、得られる成形体の剛性を高める観点から、好ましくは９００ｋｇ／ｍ³以上であり、より好ましくは９２０ｋｇ／ｍ³以上であり、更に好ましくは９４０ｋｇ／ｍ³以上であり、特に好ましくは９５０ｋｇ／ｍ³以上である。得られる成形体の機械的強度を高める観点から、好ましくは９７０ｋｇ／ｍ³以下である。
なお、該密度は、ＪＩＳ Ｋ６７６０−１９９５に記載のアニーリングを行った後、ＪＩＳ Ｋ７１１２−１９８０のうち、Ａ法に規定された方法に従って測定される。エチレン系重合体の密度は、エチレンに対するα−オレフィンの投入量割合を高めることで、小さくすることができる。また、エチレン系重合体の密度は、成分（Ａ２）に対する成分（Ａ１）の使用割合を高めることで、小さくすることができる。
【０１８５】
エチレン系重合体のメルトフローレートは、０．０１〜１００ｇ／１０分である。該メルトフローレートは、成形加工性を高める観点、特に押出負荷を低減する観点から、好ましくは０．０５ｇ／１０分以上であり、より好ましくは０．１ｇ／１０分以上である。また、溶融張力を高める観点から、好ましくは５０ｇ／１０分以下であり、より好ましくは３０ｇ／１０分以下であり、更に好ましくは２０ｇ／１０分以下である。メルトフローレートは、ＪＩＳ Ｋ７２１０−１９９５に規定された方法において、温度１９０℃、荷重２１．１８Ｎの条件で、Ａ法により測定される値である。なお、該メルトフローレートの測定では、通常、エチレン系重合体に予め酸化防止剤を１０００ｐｐｍ程度配合したものを用いる。また、エチレン系重合体のメルトフローレートは、例えば、重合時の水素濃度または重合温度を変化させることにより変化させることができ、水素濃度または重合温度を高くすると、エチレン系重合体のメルトフローレートを大きくすることができる。
【０１８６】
エチレン系重合体は、二峰性の分子量分布を示す。ここで、二峰性分布とは、ゲル・パーミエイション・クロマトグラフ（ＧＰＣ）法により測定された分子量分布曲線が２つのピークを有し、かつ、２つのピーク間に極小値をとることを意味する。分子量分布が単峰性分布の場合、押し出し負荷が高くなる。
【０１８７】
エチレン系重合体の分子量分布曲線における、高分子量側のピークトップ分子量は５０，０００以上であり、好ましくは６０，０００以上であり、より好ましくは７０，０００以上であり、低分子量側のピークトップ分子量は１０，０００以下であり、好ましくは８，０００以下であり、より好ましくは７，０００以下である。押し出し負荷をより低くする観点からは、２つのピーク間距離が遠いことが好ましい。また、押出加工時の引取性を高めるために、高分子量側のピークトップ分子量は６００，０００以下であることが好ましく、１００，０００以下であることがより好ましく、９０，０００以下であることがさらに好ましく、８０，０００以下であることが特に好ましい。また、本発明のエチレン系重合体を用いて得られる成形体の機械強度を高める観点、および、押出成形時の発煙を低減する観点から、低分子量側のピークトップ分子量が１，０００以上であることが好ましく、１，５００以上であることがより好ましい。
また、高分子量側のピークトップ分子量は、例えば、水素濃度や、成分（Ａ２）の種類、により変更することができる。水素濃度を低くすると、エチレン系重合体の高分子量側のピークトップ分子量が高くなり、成分（Ａ２）として水素制御性の小さいものを選ぶと、エチレン系重合体の高分子量側のピークトップ分子量が高くなる。低分子量側のピークトップ分子量は、例えば、水素濃度や、成分（Ａ１）の種類を変化させることにより変化させることができる。水素濃度を低くすると、エチレン系重合体の低分子量側のピークトップ分子量が高くなり、成分（Ａ１）として水素制御性の小さいものを選ぶと、エチレン系重合体の低分子量側のピークトップ分子量が高くなる。
【０１８８】
エチレン系重合体の二峰性の分子量分布において、低分子量側のピークは主として成分（Ａ１）からできるポリマーに由来するピークであり、高分子量側のピークは主として成分（Ａ２）からできるポリマーに由来するピークである。該分子量分布において、高分子量側のピーク面積の割合と低分子量側のピーク面積の割合は、エクセル（マイクロソフト社製）を使用して下記の方法によって算出した。
【０１８９】
［１］ＧＰＣの分子量分布曲線（Ｇ）を、ｌｏｇ（分子量）と、対応するｄｗｔ／ｄ（ｌｏｇ分子量）の数値データとして、ｌｏｇ（分子量）の最大値から最小値を引いた差をデータ間隔数（＝データ数ー１）で除した値を得た。
［２］［１］で得られた値を増分値として、開始値を分子量分布曲線（Ｇ）のｌｏｇ（分子量）の最小値、停止値を分子量分布曲線（Ｇ）のｌｏｇ（分子量）の最大値として連続データ（ｘ）を作成した。
［３］分子量分布曲線（Ｇ）より、低分子量側ピーク、高分子量側ピークそれぞれのピークトップのｌｏｇ（分子量）を求めた。
［４］ＮＯＲＭＤＩＳＴ関数を用いて、平均を［３］の各ピークトップｌｏｇ（分子量）、標準偏差を０．３６、関数形式を確率密度関数として、［２］で求めた連続データ（ｘ）に対する正規分布関数を、低分子量側ピーク、高分子量側ピークそれぞれに対して求め、それぞれｆ（ｘ）_Ａ１、ｆ（ｘ）_Ａ２とした。
［５］ｆ（ｘ）_Ａ１、ｆ（ｘ）_Ａ２の足し合わせで描かれる曲線を
Ｇ’＝ａ’’ｆ（ｘ）_Ａ１＋ｂ’’ｆ（ｘ）_Ａ２ （ａ’’、ｂ’’はそれぞれ係数）
とし、ソルバーを使用して（Ｇ−Ｇ’）^２の総和が最小になる様に、ａ’’、ｂ’’の値を求めた。
［６］［５］で得られたａ’’、ｂ’’より、Ｇ’の面積に対するａ’’ｆ（ｘ）_Ａ１の面積割合を低分子量側ピークのピーク面積の割合、Ｇ’の面積に対するｂ’’ｆ（ｘ）_Ａ２の面積割合を高分子量側ピークのピーク面積の割合とした。
【０１９０】
また、ＧＰＣ法により測定された分子量分布曲線の、２つのピークの高さの比は、低分子量側のピークの高さをＬ、高分子量側のピークの高さをＨとした時に、好ましくは０．８０＜Ｈ／Ｌ＜１．５０である。エチレン系重合体を用いて得られる成形体の機械強度を高くするために、Ｈ／Ｌは、より好ましくは０．９０以上である。エチレン系重合体の押し出し負荷を低減するために、Ｈ／Ｌは、より好ましくは１．４０以下である。Ｈ／Ｌは、例えば、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）との使用割合を変化させることにより、変化させることができる。成分（Ａ１）に対する成分（Ａ２）の使用比率を高くすると、エチレン系重合体のＨ／Ｌを大きくすることができる。
【０１９１】
エチレン系重合体の重量平均分子量（以下、「Ｍｗ」と記載することがある。）の数平均分子量（以下、「Ｍｎ」と記載することがある。）に対する比（以下、「Ｍｗ／Ｍｎ」と記載することがある。）は、４〜５５である。Ｍｗ／Ｍｎが小さすぎると、成形加工時の押出負荷が高くなることがある。Ｍｗ／Ｍｎは、好ましくは４．５以上であり、より好ましくは５．５以上であり、さらに好ましくは６以上である。エチレン系重合体を用いて得られる成形体の機械強度を高くするためには、Ｍｗ／Ｍｎは、好ましくは４５以下であり、より好ましくは４０以下であり、さらに好ましくは２０以下であり、特に好ましくは１５以下である。
【０１９２】
また、エチレン系重合体のＺ平均分子量（以下、「Ｍｚ」と記載することがある。）のＭｗに対する比（以下、「Ｍｚ／Ｍｗ」と記載することがある。）は、好ましくは２〜１５である。Ｍｚ／Ｍｗが小さすぎると、エチレン系重合体の溶融張力が低下し、成形性に劣る傾向があるため、Ｍｚ／Ｍｗはより好ましくは、３以上である。Ｍｚ／Ｍｗが大きすぎると、エチレン系重合体の押し出し負荷が高くなるために、Ｍｚ／Ｍｗは好ましくは１２以下であり、より好ましくは１０以下であり、さらに好ましくは８以下である。
【０１９３】
なお、該Ｍｗ／Ｍｎと該Ｍｚ／Ｍｗとは、ＧＰＣ法により、Ｍｎ、ＭｗおよびＭｚを測定し、ＭｗをＭｎで除し、ＭｚをＭｗで除すことにより、それぞれ求めることができる。また、Ｍｗ／Ｍｎは、例えば、水素濃度や、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の種類を変化させることにより、変化させることができる。水素濃度を高くすると、エチレン系重合体のＭｗ／Ｍｎが小さくなり、成分（Ａ１）として水素制御性の低いものを選ぶと、エチレン系重合体のＭｗ／Ｍｎが小さくなり、成分（Ａ２）として水素制御性の高いものを選ぶと、エチレン系重合体のＭｗ／Ｍｎが小さくなる。さらに、Ｍｚ／Ｍｗは、例えば、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）との使用割合により変更することができる。成分（Ａ１）に対する成分（Ａ２）の使用比率を高くすると、エチレン系重合体のＭｚ／Ｍｗを大きくすることができる。
【０１９４】
ＧＰＣ法による測定は、次の条件により行った。二峰性分布の各ピーク位置の分子量は、校正により、ポリエチレンに換算して求めた値である。
(1)装置：Ｗａｔｅｒｓ製Ｗａｔｅｒｓ１５０Ｃ
(2)分離カラム：ＴＯＳＯＨ ＴＳＫｇｅｌＧＭＨ６−ＨＴ
(3)測定温度：１４０℃
(4)キャリア：オルトジクロロベンゼン
(5)流量：１．０ｍＬ／分
(6)注入量：５００μＬ
(7)検出器：示差屈折
(8)分子量標準物質：標準ポリスチレン
【０１９５】
エチレン系重合体は、エチレン系重合体を構成する全炭素原子１０００個あたりの炭素原子数５以上の分岐数（以下、「Ｎ_ＬＣＢ」と記載することがある。）が０．２〜０．７である。Ｎ_ＬＣＢは、成形加工時の押出負荷をより低減する観点から、好ましくは０．３以上であり、より好ましくは０．４以上である。Ｎ_ＬＣＢは、成形体の機械強度を高める観点から、好ましくは０．６５以下であり、より好ましくは０．６以下である。
Ｎ_ＬＣＢは、先述の製造方法において、例えば、重合中の水素濃度や、重合中のエチレン分圧や、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の使用量の和に対する成分（Ｂ）の使用量の比率や、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）と成分（Ｂ）の重合槽への供給方法を変化させることにより、変化させることができる。水素濃度を低くすると、エチレン系重合体のＮ_ＬＣＢを増やすことができる。また、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の使用量の和に対する、成分（Ｂ）の使用量の比率を低くすると、エチレン系重合体のＮ_ＬＣＢを増やすことができる。また、成分（Ａ１）と成分（Ｂ）を別々に、または、同時に重合槽に供給して重合を行い、一定時間後に成分（Ａ２）を重合槽に供給して重合を行うことによって、エチレン系重合体のＮ_ＬＣＢを増やすことができる。また、重合の途中で、エチレンの分圧を下げることによっても、エチレン系重合体のＮ_ＬＣＢを増やすことができる。
【０１９６】
Ｎ_LCBは、カーボン核磁気共鳴（¹³Ｃ−ＮＭＲ）法によって測定された¹³Ｃ−ＮＭＲスペクトルから、５〜５０ｐｐｍに観測される全てのピークの面積の総和を１０００として、炭素数５以上の分岐が結合したメチン炭素に由来するピークの面積を求めることにより得られる。炭素数５以上の分岐が結合したメチン炭素に由来するピークは３８．２ｐｐｍ付近（参考：学術文献「Macromolecules」，(米国)，American Chemical Society，1999年，第32巻，p.3817−3819）に観測される。この炭素数５以上の分岐が結合したメチン炭素に由来するピークの位置は、測定装置および測定条件によりずれることがあるため、通常、測定装置および測定条件毎に、標品の測定を行って決定する。また、スペクトル解析には、窓関数として、負の指数関数を用いることが好ましい。
【０１９７】
エチレン系重合体のスウェル比は、溶融張力を高める観点から好ましくは１．３５以上であり、より好ましくは１．４０以上であり、さらに好ましくは１．４５以上である。また、該スウェル比は、押出成形時の引き取り性を高める観点からは、好ましくは２．５以下であり、より好ましくは２．０以下である。該スウェル比は、メルトフローレート（ＭＦＲ）を測定する際に、温度１９０℃、荷重２１．１８Ｎの条件でオリフィスから、１５〜２０ｍｍ程度の長さで押出したエチレン系重合体のストランドを、空気中で冷却し、得られた固体状のストランドについて、押出し上流側先端から約５ｍｍの位置でのストランドの直径Ｄ（単位：ｍｍ）を測定し、その直径Ｄをオリフィス径２．０９５ｍｍ（Ｄ₀）で除した値（Ｄ／Ｄ₀）である。エチレン系重合体のスウェル比は、例えば、水素濃度を変化させることにより、変化させることができる。水素濃度を高くすることにより、エチレン系重合体のスウェル比を大きくすることができる。
【０１９８】
エチレン系重合体の特性緩和時間は、成形時の引き取り性を高める観点から、好ましくは０．０１〜３０秒である。エチレン系重合体を用いた積層体の外観を高める観点から、より好ましくは２０秒以下であり、さらに好ましくは１０秒以下である。特性緩和時間は、エチレン系重合体が有する長鎖分枝の長さを示す指標であり、長鎖分枝が短いと特性緩和時間は小さな値となり、長鎖分枝が長いと特性緩和時間は大きな値となる。特性緩和時間は、例えば、水素濃度やエチレン圧などの重合条件や、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）との使用割合を変化させることにより、変化させることができる。重合中のエチレン圧を低くすると、エチレン系重合体の特性緩和時間を長くすることができる。成分（Ａ１）に対する成分（Ａ２）の使用割合を少なくすると、エチレン系重合体の特性緩和時間を長くすることができる。
【０１９９】
特性緩和時間は、温度−時間重ね合わせ原理に基づいて作成される、１９０℃での溶融複素粘度（単位：Ｐａ・ｓｅｃ）の角周波数（単位：ｒａｄ／ｓｅｃ）依存性を示すマスターカーブから算出される数値である。具体的には、１３０℃、１５０℃、１７０℃および１９０℃夫々の温度（Ｔ、単位：℃）におけるエチレン系重合体の溶融複素粘度−角周波数曲線（溶融複素粘度の単位はＰａ・ｓｅｃ、角周波数の単位はｒａｄ／ｓｅｃである。）を求めて、温度−時間重ね合わせ原理に基づいて、１３０℃、１５０℃および１７０℃における溶融複素粘度−角周波数曲線を１９０℃における溶融複素粘度−角周波数曲線に重ね合わせてマスターカーブを作成し、得られたマスターカーブを下記式（Ｉ）で近似することにより算出される値である。
η＝η₀／［１＋（τ×ω）ⁿ］ （Ｉ）
η：溶融複素粘度（単位：Ｐａ・ｓｅｃ）
ω：角周波数（単位：ｒａｄ／ｓｅｃ）
τ：特性緩和時間（単位：ｓｅｃ）
η₀：エチレン系重合体毎に求まる定数（単位：Ｐａ・ｓｅｃ）
ｎ：エチレン系重合体毎に求まる定数
上記計算は、市販の計算ソフトウェアを用いてもよく、該計算ソフトウェアとしては、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ社製 Ｒｈｉｏｓ Ｖ．４．４．４などがあげられる。
【０２００】
エチレン系重合体の流動の活性化エネルギー（以下、「Ｅａ」と記載することがある。）は、成形加工時の押出負荷をより低減する観点から、好ましくは３５ｋＪ／ｍｏｌ以上であり、より好ましくは４０ｋＪ／ｍｏｌ以上である。また、流動の活性化エネルギーは、押出成形時の引き取り性を高める観点からは、好ましくは１００ｋＪ／ｍｏｌ以下であり、より好ましくは９０ｋＪ／ｍｏｌ以下であり、更に好ましくは８０ｋＪ／ｍｏｌ以下であり、もっとも好ましくは７０ｋＪ／ｍｏｌ以下である。また、流動の活性化エネルギーは、例えば、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）との使用割合を変化させることによって、変化させることができる。成分（Ａ１）に対する成分（Ａ２）の使用割合を高くすると、エチレン系重合体の流動の活性化エネルギーを高くすることができる。
【０２０１】
流動の活性化エネルギー（Ｅａ）は、温度−時間重ね合わせ原理に基づいて、１９０℃での溶融複素粘度（単位はＰａ・ｓｅｃである。）の角周波数（単位：ｒａｄ／ｓｅｃ）依存性を示すマスターカーブを作成する際のシフトファクター（ａ_T）からアレニウス型方程式により算出される数値であって、以下に示す方法で求められる値である。すなわち、１３０℃、１５０℃、１７０℃および１９０℃夫々の温度（Ｔ、単位：℃）におけるエチレン−α−オレフィン共重合体の溶融複素粘度−角周波数曲線（溶融複素粘度の単位はＰａ・ｓｅｃ、角周波数の単位はｒａｄ／ｓｅｃである。）を、温度−時間重ね合わせ原理に基づいて、各温度（Ｔ）での溶融複素粘度−角周波数曲線毎に、１９０℃でのエチレン系共重合体の溶融複素粘度−角周波数曲線に重ね合わせた際に得られる各温度（Ｔ）でのシフトファクター（ａ_T）を求め、夫々の温度（Ｔ）と、各温度（Ｔ）でのシフトファクター（ａ_T）とから、最小自乗法により［ｌｎ（ａ_T）］と［1／（Ｔ＋273.16）］との一次近似式（下記（ＩＩ）式）を算出する。次に、該一次式の傾きｍと下記式（ＩＩＩ）とからＥａを求める。
ｌｎ（ａ_T） ＝ ｍ（1／（Ｔ＋273.16））＋ｎ （ＩＩ）
Ｅａ ＝ ｜0.008314×ｍ｜ （ＩＩＩ）
ａ_T ：シフトファクター
Ｅａ：流動の活性化エネルギー（単位：ｋＪ／ｍｏｌ）
Ｔ ：温度（単位：℃）
上記計算は、市販の計算ソフトウェアを用いてもよく、該計算ソフトウェアとしては、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ社製 Ｒｈｉｏｓ Ｖ．４．４．４などがあげられる。
なお、シフトファクター（ａ_T）は、夫々の温度（Ｔ）における溶融複素粘度−角周波数の両対数曲線を、ｌｏｇ（Ｙ）＝−ｌｏｇ（Ｘ）軸方向に移動させて（但し、Ｙ軸を溶融複素粘度、Ｘ軸を角周波数とする。）、１９０℃での溶融複素粘度−角周波数曲線に重ね合わせた際の移動量であり、該重ね合わせでは、夫々の温度（Ｔ）における溶融複素粘度−角周波数の両対数曲線は、各曲線ごとに、角周波数をａ_T倍に、溶融複素粘度を１／ａ_T倍に移動させる。また、１３０℃、１５０℃、１７０℃および１９０℃の４点の値から（Ｉ）式を最小自乗法で求めるときの相関係数は、通常、０．９９以上である。
【０２０２】
上記、特性緩和時間と流動の活性化エネルギーの算出に用いられる、溶融複素粘度−角周波数曲線の測定は、粘弾性測定装置（例えば、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ社製Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ ＲＭＳ−８００など。）を用い、通常、ジオメトリー：パラレルプレート、プレート直径：２５ｍｍ、プレート間隔：１．５〜２ｍｍ、ストレイン：５％、角周波数：０．１〜１００ｒａｄ／秒の条件で行われる。なお、測定は窒素雰囲気下で行われ、また、測定試料には予め酸化防止剤を適量（例えば１０００ｐｐｍ。）を配合することが好ましい。
【０２０３】
本発明のエチレン系重合体を用いて発泡体を製造する場合、使用するエチレン系重合体のメルトテンションは、発泡体の発泡倍率を高める観点から好ましくは３ｃＮ以上である。メルトテンションが小さすぎると、発泡成形時に破泡が発生しやすくなり、高い発泡倍率を維持できなくなることがある。また、該メルトテンションは、発泡体の発泡倍率を高める観点からは、好ましくは４０ｃＮ以下であり、より好ましくは３０ｃＮ以下であり、さらに好ましくは２０以下である。溶融張力が高すぎると、ガスの流入による気泡成長の際に、膨らみにくくなり発泡倍率の高い成形体を得ることが困難になる傾向がある。該メルトテンションは、１９０℃の温度および０．３２ｇ／分の押出速度で、直径２．０９５ｍｍ、長さ８ｍｍのオリフィスから溶融したエチレン系重合体を押出し、押出された溶融したエチレン系重合体を６．３（ｍ／分）／分の引取上昇速度でフィラメント状に引取る際の張力において、引取開始からフィラメント状のエチレン系重合体が切断されるまでの間の最大張力である。また、メルトテンションは、例えば、重合中のエチレンの圧力により変化させることができ、重合中のエチレンの圧力を低くすると、エチレン系重合体のメルトテンションを高くすることができる。また、メルトテンションは、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）との使用割合により変化させることができ、成分（Ａ２）の使用割合を高くすると、エチレン系重合体のメルトテンションを高くすることができる。
【０２０４】
高速加工性は、最大引取り速度（ＭＴＶ）（単位：ｍ／分）で評価することができる。この値が大きいほど高速加工性に優れる。該ＭＴＶは、９．５ｍｍφのバレルに充填した溶融樹脂を、温度１９０℃、ピストン降下速度５．５ｍｍ／分の条件で、径が２．０９ｍｍφ、長さ８ｍｍのオリフィスから押し出し、該押し出された溶融樹脂を、径が１５０ｍｍφの巻き取りロールを用い、４０ｒｐｍ／分の巻き取り上昇速度で巻き取った際に、溶融樹脂が破断した時点での引取速度である。好ましくは１０ｍ／分以上であり、より好ましくは２０ｍ／分以上であり、さらに好ましくは３０ｍ／分以上である。また、ＭＴＶは、先述の製造方法において、例えば、成分（Ａ１）と成分（Ａ２）との使用割合や、重合中の水素濃度によって変化させることができる。成分（Ａ２）に対する成分（Ａ１）の使用割合を高くすると、エチレン系重合体のＭＴＶを高くすることができる。また、重合中の水素濃度を高くすると、エチレン系重合体のＭＴＶを高くすることができる。
【０２０５】
本発明のエチレン系重合体は、公知の成形加工方法、例えば、インフレーションフィルム成形加工法、Ｔダイフィルム成形加工法、ラミネーションフィルム成形加工法などの押出成形法、射出成形法、圧縮成形法などが用いられ、押出成形法が好適に用いられる。
【０２０６】
本発明のエチレン系重合体は、種々の形態に成形して用いられる。成形品の形態は特に限定されないが、フィルム、シート、容器（トレイ、ボトルなど）などに用いられる。該成形品は、食品包装材；医薬品包装材；半導体製品などの包装に用いる電子部品包装材；表面保護材などの用途にも好適に用いられる。
【実施例】
【０２０７】
以下、実施例および比較例によって本発明をさらに詳細に説明する。実施例中の各項目の測定値は、下記の方法で測定した。
【０２０８】
（１）密度（ｄ、単位：Ｋｇ／ｍ³）
ＪＩＳ Ｋ７１１２−１９８０のうち、Ａ法に規定された方法に従って測定した。なお、試料には、ＪＩＳ Ｋ６７６０−１９９５に記載のアニーリングを行った。
【０２０９】
（２）メルトフローレート（ＭＦＲ、単位：ｇ／１０分）
ＪＩＳ Ｋ７２１０−１９９５に規定された方法において、荷重２１．１８Ｎ、温度１９０℃の条件で、Ａ法により測定した。
【０２１０】
（３）スウェル比（ＳＲ）
（２）のメルトフローレートの測定において、温度１９０℃、荷重２１．１８Ｎの条件で、オリフィスから１５〜２０ｍｍ程度の長さで押出したエチレン系重合体のストランドを、空気中で冷却し、固体状のストランドを得た。次に、該ストランドの押出し上流側先端から約５ｍｍの位置でのストランドの直径Ｄ（単位：ｍｍ）を測定し、その直径Ｄをオリフィス径２．０９５ｍｍ（Ｄ₀）で除した値（Ｄ／Ｄ₀）を算出し、スウェル比とした。
【０２１１】
（４）分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ、Ｍｚ／Ｍｗ）、高分子量及び低分子量側ピークトップの分子量、ピークの高さ比（Ｈ／Ｌ）
ゲル・パーミエイション・クロマトグラフ（ＧＰＣ）法を用いて、下記の条件(1)〜(8)により、ｚ平均分子量（Ｍｚ）、重量平均分子量（Ｍｗ）と数平均分子量（Ｍｎ）を測定し、Ｍｗ／ＭｎとＭｚ／Ｍｗを求めた。クロマトグラム上のベースラインは、試料溶出ピークが出現するよりも十分に保持時間が短い安定した水平な領域の点と、溶媒溶出ピークが観測されたよりも十分に保持時間が長い安定した水平な領域の点とを結んでできる直線とした。二峰性分布の各ピーク位置の分子量は、校正により、ポリエチレンに換算して求めた値である。
(1)装置：Ｗａｔｅｒｓ製Ｗａｔｅｒｓ１５０Ｃ
(2)分離カラム：ＴＯＳＯＨ ＴＳＫｇｅｌＧＭＨ６−ＨＴ
(3)測定温度：１４０℃
(4)キャリア：オルトジクロロベンゼン
(5)流量：１．０ｍＬ／分
(6)注入量：５００μＬ
(7)検出器：示差屈折
(8)分子量標準物質：標準ポリスチレン
【０２１２】
（５）長鎖分岐数（Ｎ_ＬＣＢ、単位：１／１０００Ｃ）
カーボン核磁気共鳴法によって、次の測定条件により、カーボン核磁気共鳴スペクトル（¹³Ｃ−ＮＭＲ）を測定し、下記算出方法より求めた。
＜測定条件＞
装置 ：Ｂｒｕｋｅｒ社製 ＡＶＡＮＣＥ６００
測定溶媒：１，２−ジクロロベンゼン／１，２−ジクロロベンゼン−ｄ４
＝７５／２５（容積比）の混合液
測定温度：１３０℃
測定方法：プロトンデカップリング法
パルス幅：４５度
パルス繰り返し時間：４秒
測定基準：トリメチルシラン
窓関数 ：負の指数関数
＜算出方法＞
５〜５０ｐｐｍに観測されるすべてのピークの総和を１０００として、３８．２２〜３８．２７ｐｐｍ付近にピークトップを有するピークのピーク面積を求めた。当該ピークのピーク面積は、高磁場側で隣接するピークとの谷のケミカルシフトから、低磁場側で隣接するピークとの谷のケミカルシフトまでの範囲でのシグナルの面積とした。なお、本条件によるエチレン系重合体の測定では、炭素数５の分岐が結合したメチン炭素に由来するピークのピークトップの位置は、３８．２１ｐｐｍであった。
【０２１３】
（６）特性緩和時間（τ）（単位：ｓｅｃ）
粘弾性測定装置（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ社製Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ ＲＭＳ−８００）を用いて、下記測定条件で１３０℃、１５０℃、１７０℃および１９０℃での溶融複素粘度−角周波数曲線を測定し、次に、得られた溶融複素粘度−角周波数曲線から、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ社製計算ソフトウェア Ｒｈｉｏｓ Ｖ．４．４．４を用いて、１９０℃での溶融複素粘度−角周波数曲線のマスターカーブを作成し、特性緩和時間（τ）を求めた。
＜測定条件＞
ジオメトリー：パラレルプレート
プレート直径：２５ｍｍ
プレート間隔：１．５〜２ｍｍ
ストレイン ：５％
角周波数 ：０．１〜１００ｒａｄ／秒
測定雰囲気 ：窒素
【０２１４】
（７）流動の活性化エネルギー（Ｅａ、単位：ｋＪ／ｍｏｌ）
粘弾性測定装置（Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ社製Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｓｐｅｃｔｒｏｍｅｔｅｒ ＲＭＳ−８００）を用いて、下記測定条件で１３０℃、１５０℃、１７０℃および１９０℃での溶融複素粘度−角周波数曲線を測定し、次に、得られた溶融複素粘度−角周波数曲線から、Ｒｈｅｏｍｅｔｒｉｃｓ社製計算ソフトウェア Ｒｈｉｏｓ Ｖ．４．４．４を用いて、１９０℃での溶融複素粘度−角周波数曲線のマスターカーブを作成し、活性化エネルギー（Ｅａ）を求めた。
＜測定条件＞
ジオメトリー：パラレルプレート
プレート直径：２５ｍｍ
プレート間隔：１．５〜２ｍｍ
ストレイン ：５％
角周波数 ：０．１〜１００ｒａｄ／秒
測定雰囲気 ：窒素
【０２１５】
（８）メルトテンション（ＭＴ、単位：ｃＮ）
東洋精機製作所製メルトテンションテスターを用い、１９０℃の温度および０．３２ｇ／分の押出速度で、直径２．０９５ｍｍ、長さ８ｍｍのオリフィスからエチレン−α−オレフィン共重合体を溶融押出し、該押出された溶融したエチレン系重合体を引取ロールにより６．３（ｍ／分）／分の引取上昇速度でフィラメント状に引取り、引取る際の張力を測定した。引取開始からフィラメント状のエチレン系重合体が切断するまでの間の最大張力をメルトテンションとした。
【０２１６】
（９）最高引取速度（ＭＴＶ、単位：ｍ／分）
（８）のメルトテンションの測定において、フィラメント状のエチレン系重合体が切断する際の引取速度を最高引取速度とした。この値が高いほど押出成形時の引取性に優れる。
【０２１７】
（参考例１）
trans-1,2-ビス（2-ヒドロキシ-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）シクロヘプタンの合成
アルゴン雰囲気下、trans-シクロヘプタン-1,2-ジチオール（文献既知）1.64 g（10.1 mmol）と臭化3,5-ジ-tert-ブチル-2-ヒドロキシベンジル6.04 g（20.2 mmol）をテトラヒドロフラン110 mLに溶かし0 ℃に冷却した。そこに、トリエチルアミン2.8 mL（20.2 mmol）を加え、0 ℃で12時間攪拌した。生成した沈殿物を濾過で除き、濾液を減圧下濃縮した。得られた残渣にエーテルと希塩酸を加え、エーテル層を水洗、無水硫酸ナトリウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ヘキサン-ジクロロメタン 1：1）で精製し無色結晶として表題化合物3.79 g（収率63％）を得た。
融点：109-110 ℃ 分解
¹H-NMR (500 MHz, δ, CDCl₃)
1.14-1.93 (m, 46H,), 2.68-2.69 (m, 2H), 3.71-3.79 (m, 4H), 6.80 (s,2H), 6.89 (d, J = 3 Hz, 2H), 7.25 (d, J = 3 Hz, 2H).
¹³C NMR (100.7 MHz, δ, CDCl₃)
25.0, 28.7, 29.7, 31.6, 31.9, 34.2, 34.6, 35.0, 50.3, 121.4, 123.7, 125.1, 137.3, 142.1, 152.1.
元素分析：計算値（C₃₇H₅₆O₂S₂）C, 74.19%; H, 9.42% 実測値: C, 74.08%; H,9.84%
【０２１８】
（参考例２）
[シクロヘプタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム
以下の実験はアルゴン雰囲気下で行った。100 mLのシュレンク管中、trans-1,2-ビス（2-ヒドロキシ-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）シクロヘプタン 1.00 g（1.67 mmol）をジエチルエーテル15 mLに溶かし、この溶液にノルマルブチルリチウム 2.2 mL（1.67 mol/L, 3.67 mmolを0 ℃で1時間攪拌した。この溶液を-78℃でテトラクロロジルコニウム400 mg（1.72 mmol）のジエチルエーテル溶液20 mLへと滴下し、さらに終夜攪拌した。生成した沈殿物を濾過して除き、濾液を減圧下濃縮した。残渣をヘキサン8 mLで洗浄後乾燥し、無色結晶として表題化合物803 mg（収率63％）を得た。
¹H NMR (500 MHz, δ, ppm, C₆D₆)
0.67-1.95 (m, 46H), 2.37 (s, 2H), 3.17 (d, J = 14 Hz, 2H), 4.34 (d, J = 14 Hz, 2H), 6.55 (s, 2H), 7.53 (d, J = 1 Hz, 2H).
¹³C NMR (100.7 MHz, δ, ppm, C₆D₆)
25.8, 29.6, 30.5, 31.0, 31.8, 34.4 35.6, 36.0, 49.7, 120.8, 124.8, 125.8, 138.6, 142.7, 157.2.
【０２１９】
（参考例３）
trans-1,2-ビス（2-ヒドロキシ-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）シクロオクタンの合成
アルゴン雰囲気下、trans-シクロオクタン-1,2-ジチオール2.18g（12.4mmol）と臭化3,5-ジ-t-ブチル-2-ヒドロキシベンジル7.52g（25.1mmol）をテトラヒドロフラン80mLに溶かし0℃に冷却した。そこに、トリエチルアミン3.5mL（24.9mmol）を加え、0℃で1時間、室温で終夜撹拌した。生成した沈殿物を濾過して除き、濾液を減圧下濃縮した。得られた残渣にエーテルと飽和塩化アンモニウム水溶液を加え、エーテル層を水洗、無水硫酸マグネシウムで乾燥後、減圧下溶媒を留去した。得られた残渣をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 ヘキサン-ジクロロメタン 1：1）で精製し無色結晶として表題化合物6.74g（収率89％）を得た。
融点：122-123℃ (ヘキサンより再結晶)
¹H-NMR (400 MHz,δ, ppm, CDCl₃)
1.12-1.94 (m, 48 H), 2.63-2.65 (m, 2 H), 3.81 (d, J = 13 Hz, 2 H), 3.90 (d, J = 13 Hz, 2 H), 6.92 (d, J = 2 Hz, 2 H), 6.95 (s, 2 H), 7.26 (d, J = 2 Hz, 2 H).
¹³C-NMR (100.7 MHz,δ, CDCl₃)
25.7, 25.8, 29.8, 31.2, 31.6, 34.2, 35.0, 35.4, 49.6, 121.6, 123.7, 125.4, 137.4, 142.0, 152.2.
元素分析：計算値（C₃₈H₆₀O₂S₂）C, 74.45%; H, 9.87%.
実測値: C, 74.39%; H, 10.09%.
文献：A. Ishii, A. Ono, N. Nakata, J. Sulf. Chem. 2009, 30, 236-244.
【０２２０】
（参考例４）
[シクロオクタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウムの合成
50mLのシュレンク管中、trans-1,2-ビス（2-ヒドロキシ-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）シクロオクタン1.00 g（1.63 mmol）およびジエチルエーテル12 mLを仕込み、氷冷した。この溶液に氷冷下、ｎ-ブチルリチウム 2.2 mL（1.6 Mヘキサン溶液、3.5 mmol）を加え、室温まで昇温した後、1時間撹拌した。この溶液を、-78 ℃まで冷却した四塩化ジルコニウムのジエチルエーテル懸濁液に滴下し、室温まで昇温後、終夜撹拌した。減圧下揮発成分を留去した後、得られた白色固体をジクロロメタンで抽出し、濾過した。濾液を減圧下濃縮し、約3倍量のヘキサンを加えた後、再度体積が1/3程度になるまで濃縮した。析出した白色固体を回収し、減圧下乾燥させることで、[シクロオクタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム・0.6CH₂Cl₂ 0.94 g（収率 75%）を白色粉末として得た。
¹H-NMR (400 MHz,δ, ppm, CDCl₃)
0.80-1.85 (m, 12H), 1.26 (s, 18H), 1.56 (s, 18H), 2.58 (m, 2H), 3.84 (d, J = 14 Hz, 2H), 4.47 (d, J = 14 Hz, 2H), 6.87 (d, J = 2 Hz, 2H), 7.37 (d, J = 2Hz, 2H).
【０２２１】
（実施例１）
減圧乾燥後、アルゴンで置換した内容積５リットルの撹拌機付きオートクレーブ内を真空にし、溶媒としてトルエンを５００ｍｌ仕込み、オートクレーブを７０℃まで昇温した。その後、エチレンを、その分圧が０．６ＭＰａになるように加え系内を安定させた。これに、濃度を２．５ｍｍｏｌ／ｍｌに調製したメチルアルミノキサンのトルエン溶液２．０ｍｌを投入した。次に、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、上記参考例２で得られた[シクロヘプタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム（Ａ１）のトルエン溶液を０．５０ｍｌ加え、全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、前段３０分間重合を行った。その後、オートクレーブ内のエチレンを、その分圧が０．２ＭＰａになるまでパージし、次に、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、ラセミ−エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジフェノキシド（Ａ２）のトルエン溶液を０．５０ｍｌ加えた。全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、さらに後段３０分間重合を行った。その結果、エチレン重合体 ６７．１ｇが得られた。成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の合計の使用量に対する重合活性は０．７×１０^８ｇ／ｍｏｌであった。得られたエチレン重合体の物性を表１に示した。
【０２２２】
（比較例１）
減圧乾燥後、アルゴンで置換した内容積５リットルの撹拌機付きオートクレーブ内を真空にし、溶媒としてトルエンを５００ｍｌ仕込み、オートクレーブを７０℃まで昇温した。その後、エチレンを、その分圧が０．６ＭＰａになるように加え系内を安定させた。これに、濃度を２．５ｍｍｏｌ／ｍｌに調製したメチルアルミノキサンのトルエン溶液２．０ｍｌを投入した。次に、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、上記参考例２で得られた[シクロヘプタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム（Ａ１）のトルエン溶液を０．５０ｍｌ加え、全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、前段３０分間重合を行った。その後、オートクレーブ内のエチレンを、その分圧が０．２ＭＰａになるまでパージし、全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、さらに後段３０分間重合を行った。その結果、エチレン重合体３８．３ｇが得られた。成分（Ａ１）に対する重合活性は０．８×１０^８ｇ／ｍｏｌであった。得られたエチレン重合体の物性を表１に示した。
【０２２３】
（比較例２）
減圧乾燥後、アルゴンで置換した内容積５リットルの撹拌機付きオートクレーブ内を真空にし、溶媒としてトルエンを５００ｍｌ仕込み、オートクレーブを７０℃まで昇温した。その後、エチレンを、その分圧が０．２ＭＰａになるように加え系内を安定させた。これに、濃度を２．５ｍｍｏｌ／ｍｌに調製したメチルアルミノキサンのトルエン溶液２．０ｍｌを投入した。次に、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、ラセミ−エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジフェノキシド（Ａ２）のトルエン溶液を０．５０ｍｌ加え、全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、３０分間重合を行った。その結果、エチレン重合体２３．６ｇが得られた。成分（Ａ２）に対する重合活性は０．５×１０^８ｇ／ｍｏｌであった。得られたエチレン重合体の物性を表１に示した。
【０２２４】
【表１】

ａ：[シクロヘプタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム
ｂ：ラセミ−エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジフェノキシド
※１：分子量が低すぎて測定不可
【０２２５】
表１に示した結果より、実施例１で得られたポリマーが成分（Ａ１）由来ポリマーと成分（Ａ２）由来ポリマーの単純な混合物であるならば、Ｎ_ＬＣＢの値は、０．１１となるはずである。
０．２３（成分（Ａ１）単独ポリマーのＮ_ＬＣＢ）×０．４５（低分子量側のピークの面積割合）＋０．０１（成分（Ａ２）単独ポリマーのＮ_ＬＣＢ）×０．５５（高分子量側のピークの面積割合）＝０．１１
しかし、実施例１で得られたポリマーのＮ_ＬＣＢは０．４１であり、単純な混合物として推測されるＮ_ＬＣＢの値よりは有意に高い値である。
【０２２６】
（実施例２）
減圧乾燥後、アルゴンで置換した内容積５リットルの撹拌機付きオートクレーブ内を真空にし、溶媒としてトルエンを５００ｍｌ仕込み、オートクレーブを７０℃まで昇温した。その後、エチレンを、その分圧が０．６ＭＰａになるように加え系内を安定させた。これに、濃度を２．５ｍｍｏｌ／ｍｌに調製したメチルアルミノキサンのトルエン溶液２．０ｍｌを投入した。次に、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、上記参考例４で得られた[シクロオクタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム（Ａ１）のトルエン溶液を０．５０ｍｌ加え、全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、前段３０分間重合を行った。その後、オートクレーブ内のエチレンを、その分圧が０．２ＭＰａになるまでパージし、次に、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、ラセミ−エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジフェノキシド（Ａ２）のトルエン溶液を０．５０ｍｌ加えた。全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、さらに後段３０分間重合を行った。その結果、オレフィン重合体１２１．３ｇが得られた。成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の合計の使用量に対する重合活性は１．２×１０^８ｇ／ｍｏｌであった。得られたエチレン重合体の物性を表２に示した。
【０２２７】
（比較例３）
減圧乾燥後、アルゴンで置換した内容積５リットルの撹拌機付きオートクレーブ内を真空にし、溶媒としてトルエンを５００ｍｌ仕込み、オートクレーブを７０℃まで昇温した。その後、エチレンを、その分圧が０．６ＭＰａになるように加え系内を安定させた。これに、濃度を２．５ｍｍｏｌ／ｍｌに調製したメチルアルミノキサンのトルエン溶液２．０ｍｌを投入した。次に、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、上記参考例４で得られた[シクロオクタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム（Ａ１）のトルエン溶液を０．５０ｍｌ加え、全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、前段３０分間重合を行った。その後、オートクレーブ内のエチレンを、その分圧が０．２ＭＰａになるまでパージし、全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、さらに後段３０分間重合を行った。その結果、オレフィン重合体７８．７ｇが得られた。成分（Ａ１）に対する重合活性は１．６×１０^８ｇ／ｍｏｌであった。得られたエチレン重合体の物性を表２に示した。
【０２２８】
【表２】

ｃ：[シクロオクタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム
ｂ：ラセミ−エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジフェノキシド
※１：分子量が低すぎて測定不可
【０２２９】
表２に示した結果より、実施例２で得られたポリマーが成分（Ａ１）由来ポリマーと成分（Ａ２）由来ポリマーの単純な混合物であるならば、Ｎ_ＬＣＢの値は、
０．６３（成分（Ａ１）単独ポリマーのＮ_ＬＣＢ）×０．５８（低分子量側のピークの面積割合）＋０．０１（成分（Ａ２）単独ポリマーのＮ_ＬＣＢ）×０．４２（高分子量側のピークの面積割合）＝０．３７
となるはずである。しかし、実施例２で得られたポリマーのＮ_ＬＣＢは０．６３であり、単純な混合物として推測されるＮ_ＬＣＢの値よりは有意に高い値である。
【０２３０】
（実施例３）
減圧乾燥後、アルゴンで置換した内容積５リットルの撹拌機付きオートクレーブ内を真空にし、溶媒としてトルエンを５００ｍｌ仕込み、オートクレーブを７０℃まで昇温した。その後、エチレンを、その分圧が０．６ＭＰａになるように加え系内を安定させた。これに、濃度を２．５ｍｍｏｌ／ｍｌに調製したメチルアルミノキサンのトルエン溶液２．０ｍｌを投入した。次に、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、上記参考例２で得られた[シクロヘプタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム（Ａ１）のトルエン溶液を０．５０ｍｌ加え、全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、前段３０分間重合を行った。その後、オートクレーブ内のエチレンを、その分圧が０．２ＭＰａになるまでパージし、次に、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、ジメチルシリレンテトラメチルシクロペンタジエニル（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）チタニウムジクロリド（Ａ２）のトルエン溶液を３．０ｍｌ加えた。全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、さらに後段３０分間重合を行った。その結果、オレフィン重合体３０．０ｇが得られた。成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の合計の使用量に対する重合活性は０．０９×１０^８ｇ／ｍｏｌであった。得られたエチレン重合体の物性を表３に示した。
【０２３１】
（比較例４）
減圧乾燥後、アルゴンで置換した内容積５リットルの撹拌機付きオートクレーブ内を真空にし、溶媒としてトルエンを５００ｍｌ仕込み、オートクレーブを７０℃まで昇温した。その後、エチレンを、その分圧が０．２ＭＰａになるように加え系内を安定させた。これに、濃度を２．５ｍｍｏｌ／ｍｌに調製したメチルアルミノキサンのトルエン溶液２．０ｍｌを投入した。次に、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、ジメチルシリレンテトラメチルシクロペンタジエニル（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）チタニウムジクロリド（Ａ２）のトルエン溶液を３．０ｍｌ加え、全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、３０分間重合を行った。その結果、オレフィン重合体１１．１ｇが得られた。成分（Ａ２）に対する重合活性は０．０４×１０^８ｇ／ｍｏｌであった。得られたエチレン重合体の物性を表３に示した。
【０２３２】
【表３】

ａ：[シクロヘプタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム
ｄ：ジメチルシリレンテトラメチルシクロペンタジエニル（ｔｅｒｔ−ブチルアミド）チタニウムジクロリド
※１：分子量が低すぎて測定不可
※２：分子量が高すぎて測定不可
【０２３３】
表３に示した結果より、実施例３で得られたポリマーが成分（Ａ１）由来ポリマーと成分（Ａ２）由来ポリマーの単純な混合物であるならば、Ｎ_ＬＣＢの値は、
０．２３（成分（Ａ１）単独ポリマーのＮ_ＬＣＢ）×０．８２（低分子量側のピークの面積割合）＋０．００（成分（Ａ２）単独ポリマーのＮ_ＬＣＢ）×０．１８（高分子量側のピークの面積割合）＝０．１９
となるはずである。しかし、実施例３で得られたポリマーのＮ_ＬＣＢは０．３２であり、単純な混合物として推測されるＮ_ＬＣＢの値よりは有意に高い値である。
【０２３４】
（実施例４）
減圧乾燥後、アルゴンで置換した内容積５リットルの撹拌機付きオートクレーブ内を真空にし、溶媒としてトルエンを５００ｍｌ仕込み、オートクレーブを７０℃まで昇温した。その後、エチレンを、その分圧が０．６ＭＰａになるように加え系内を安定させた。これに、濃度を２．５ｍｍｏｌ／ｍｌに調製したメチルアルミノキサンのトルエン溶液２．０ｍｌを投入した。次に、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、上記（参考例２）で得られた[シクロヘプタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム（Ａ１）のトルエン溶液を０．２５ｍｌと、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、ラセミ−エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジフェノキシド（Ａ２）のトルエン溶液を０．２５ｍｌ加えた。全圧を一定に保つようにエチレンをフィードしながら７０℃で、３０分間重合を行った。その結果、オレフィン重合体９４．２ｇが得られた。成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の合計の使用量に対する重合活性は１．９×１０^８ｇ／ｍｏｌであった。得られたエチレン重合体の物性を表４に示した。
【０２３５】
（実施例５）
濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、 [シクロヘプタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム（Ａ１）のトルエン溶液を０．４ｍｌと、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、ラセミ−エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジフェノキシド（Ａ２）のトルエン溶液を０．１ｍｌ用いた以外は、実施例１と同様の方法にて重合を行った。その結果、オレフィン重合体３９．０ｇが得られた。成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の合計の使用量に対する重合活性は０．８×１０^８ｇ／ｍｏｌであった。得られたエチレン重合体の物性を表４に示した。
【０２３６】
（実施例６）
濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、 [シクロヘプタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム（Ａ１）のトルエン溶液を０．１ｍｌと、濃度を１．０μｍｏｌ／ｍｌに調製した、ラセミ−エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジフェノキシド（Ａ２）のトルエン溶液を０．４ｍｌ用いた以外は、実施例１と同様の方法にて重合を行った。その結果、オレフィン重合体４５．４ｇが得られた。成分（Ａ１）と成分（Ａ２）の合計の使用量に対する重合活性は０．９×１０^８ｇ／ｍｏｌであった。得られたエチレン重合体の物性を表４に示した。
【０２３７】
【表４】

ａ：[シクロヘプタンジイル−trans-1,2-ビス（2-オキソイル-3,5-ジ-tert-ブチルベンジルスルファニル）]ジクロロジルコニウム
ｂ：ラセミ−エチレンビス（インデニル）ジルコニウムジフェノキシド
※１：分子量が低すぎて測定不可
【０２３８】
（比較例５）
（１）固体触媒成分の調製
窒素置換した撹拌機を備えた反応槽に、窒素流通下で３００℃において加熱処理したシリカ（デビソン社製 Ｓｙｌｏｐｏｌ９４８）２．８ｋｇとトルエン２４ｋｇとを入れて、撹拌した。その後、５℃に冷却した後、１，１，１，３，３，３−ヘキサメチルジシラザン０．９ｋｇとトルエン１．４ｋｇとの混合溶液を反応槽の温度を５℃に保ちながら３０分間で滴下した。滴下終了後、５℃で１時間撹拌し、次に９５℃に昇温し、９５℃で３時間撹拌し、ろ過した。得られた固体生成物をトルエン２０.８ｋｇで６回、洗浄を行った。その後、トルエン７．１ｋｇを加えスラリーとし、一晩静置した。
【０２３９】
上記で得られたスラリーに、ジエチル亜鉛のヘキサン溶液（ジエチル亜鉛濃度：５０重量％）１．７３ｋｇとヘキサン１．０２ｋｇとを投入し、撹拌した。その後、５℃に冷却した後、３，４，５−トリフルオロフェノール０．７８ｋｇとトルエン１．４４ｋｇとの混合溶液を、反応槽の温度を５℃に保ちながら６０分間で滴下した。滴下終了後、５℃で１時間撹拌し、次に４０℃に昇温し、４０℃で１時間撹拌した。その後、２２℃に冷却し、Ｈ₂Ｏ０．１１ｋｇを反応槽の温度を２２℃に保ちながら１．５時間で滴下した。滴下終了後、２２℃で１．５時間撹拌し、次に４０℃に昇温し、４０℃で２時間撹拌し、更に８０℃に昇温し、８０℃で２時間撹拌した。撹拌後、室温にて、残量１６Ｌまで上澄み液を抜き出し、トルエン１１．６ｋｇを投入し、次に、９５℃に昇温し、４時間撹拌した。撹拌後、室温にて、上澄み液を抜き出し、固体生成物を得た。得られた固体生成物をトルエン２０．８ｋｇで４回、ヘキサン２４リットルで３回、洗浄を行った。その後、乾燥することにより、固体触媒成分を得た。
【０２４０】
（２）重合
減圧乾燥後、アルゴンで置換した内容積３リットルの撹拌機付きオートクレーブ内を真空にし、水素をその分圧が０．０１ＭＰａになるように加え、１−ブテンを３０ｇ、重合溶媒としてブタンを７２０ｇ仕込み、７０℃まで昇温した。その後、エチレンを、その分圧が１．６ＭＰａになるように加え系内を安定させた。ガスクロマトグラフィー分析の結果、系内のガス組成は、水素＝０．３６ｍｏｌ％、１−ブテン＝１．５８ｍｏｌ％であった。これに、有機アルミニウム化合物として濃度を１ｍｏｌ／ｌに調整したトリイソブチルアルミニウムのヘキサン溶液 ０．９ｍｌを投入した。次に、濃度を１０μｍｏｌ／ｍｌに調整したジメチルシランジイルビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドのトルエン溶液１．５ｍｌと濃度を２μｍｏｌ／ｍｌに調整したラセミ−エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムジフェノキシドのトルエン溶液 ０．２５ｍｌを投入し、続いて上記（１）で得られた固体触媒成分１４８．８ｍｇを投入した。重合中は全圧を一定に維持するように、エチレンガスを連続的に供給しながら、７０℃で６０分間重合した。その後、ブタン、エチレン、水素をパージして、エチレン−１−ブテン共重合体１８８ｇを得た。ジメチルシランジイルビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリドとラセミ−エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムジフェノキシドの合計の使用量に対する重合活性は０．１×１０^８ｇ／ｍｏｌであった。得られた共重合体の物性を表５に示した。
【０２４１】
【表５】

錯体ｂ：ラセミ−エチレンビス（１−インデニル）ジルコニウムジフェノキシド
錯体ｅ：ジメチルシランジイルビス（シクロペンタジエニル）ジルコニウムジクロリド

【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記成分（Ａ１）と、下記成分（Ａ２）と、活性化用助触媒成分（Ｂ）とを用いてオレフィンを重合するオレフィン重合体の製造方法。
成分（Ａ１）：下記一般式（１−１）または（１−２）で表される錯体

（式中、ｎは１、２または３であり、
Ｍは、ジルコニウム原子またはハフニウム原子を表す。
Ｒ^１およびＲ^５は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数２〜２０のアルケニル基、
炭素原子数２〜２０のアルキニル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、
炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、
または、置換シリル基を表す。
Ｒ^２〜Ｒ^４およびＲ^６〜Ｒ¹⁰は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数２〜２０のアルケニル基、
炭素原子数２〜２０のアルキニル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、
炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、
置換シリル基、
または環を構成する炭素原子数が３〜２０のヘテロ環式化合物残基を表す。
Ｒ^１〜Ｒ¹⁰における上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記アルキニル基、上記アラルキル基、上記アリール基、上記アルコキシ基、上記アラルキルオキシ基、上記アリールオキシ基、およびヘテロ環式化合物残基は置換基を有していてもよい。
上記Ｒ^１〜Ｒ¹⁰の定義に関わらず、Ｒ^１とＲ^２、Ｒ^２とＲ^３、Ｒ^３とＲ^４、Ｒ^５とＲ^６、Ｒ^６とＲ^７、Ｒ^７とＲ^８、Ｒ^２とＲ^９およびＲ^６とＲ^１０の組み合わせのうち少なくとも１つの組み合わせでは、２つの置換基は相互に連結して環を形成してもよく、形成された環は置換基を有していてもよい。
Ｘは、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数２〜２０のアルケニル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、
炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、
置換シリル基、
置換アミノ基、
置換チオラート基、または
炭素原子数１〜２０のカルボキシラート基を表す。
Ｘにおける上記アルキル基、上記シクロアルキル基、上記アルケニル基、上記アラルキル基、上記アリール基、上記アルコキシ基、上記アラルキルオキシ基および上記アリールオキシ基は置換基を有していてもよい。
隣接するＸ同士は、相互に連結して環を形成してもよい。
Ｌは中性のルイス塩基を表す。Ｌが複数ある場合は、複数のＬは同一でも異なっていてもよい。ｌは、０、１、または２である。）

成分（Ａ２）：下記一般式（８）で表される遷移金属化合物またはそのμ−オキソタイプの遷移金属化合物二量体

（式中、Ｍ^２は周期律表第4〜１１族の遷移金属原子である。Ｃｐは、シクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基であり、Ｚは、シクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基またはヘテロ原子を含有する基である。Ｑは、シクロペンタジエニル基とＺを連結する架橋基である。ＣｐおよびＺが、いずれもシクロペンタジエン型アニオン骨格を有する基である場合、それらは同一でも異なっていてもよい。
Ｘ^２は、それぞれ独立して、
水素原子、
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
環を構成する炭素原子数が３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数２〜２０のアルケニル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
炭素原子数１〜２０のアルコキシ基、
炭素原子数７〜３０のアラルキルオキシ基、
炭素原子数６〜３０のアリールオキシ基、
置換シリル基、
置換アミノ基、
置換チオラート基、または
炭素原子数１〜２０のカルボキシラート基を表す。
ａ’は1≦ａ’≦３を満足する数である。）
【請求項２】
前段にて請求項１に記載の成分（Ａ1）と活性化用助触媒成分（Ｂ）とを用いてオレフィンを重合した後、後段にて請求項１に記載の成分（Ａ２）と活性化用助触媒成分（Ｂ）とを用いてオレフィンを重合することを特徴とする請求項１に記載のオレフィン重合体の製造方法。
【請求項３】
活性化用助触媒成分（Ｂ）がホウ素化合物または有機アルミニウム化合物である請求項１に記載のオレフィン重合体の製造方法。
【請求項４】
一般式（１−１）におけるＲ^１およびＲ^５が、それぞれ独立して
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
炭素原子数３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
または置換シリル基
である請求項１に記載のオレフィン重合体の製造方法
【請求項５】
一般式（１−２）におけるＲ^９およびＲ^１０が、それぞれ独立して
ハロゲン原子、
炭素原子数１〜２０のアルキル基、
炭素原子数３〜１０のシクロアルキル基、
炭素原子数７〜３０のアラルキル基、
炭素原子数６〜３０のアリール基、
置換シリル基、
または炭素原子数３〜２０のヘテロ環式化合物残基
である請求項１に記載のオレフィン重合体の製造方法。
【請求項６】
オレフィンがエチレンのみである請求項１に記載のオレフィン重合体の製造方法。
【請求項７】
オレフィンが、エチレンと炭素原子数３〜２０のα−オレフィンとを含む請求項１に記載のオレフィン重合体の製造方法。
【請求項８】
下記要件（１）〜（５）を満たすエチレン系重合体。
（１）密度が８５０〜９８０ｋｇ／ｍ³である。
（２）ＪＩＳ Ｋ７２１０−１９９５に規定された方法において、温度１９０℃、荷重２１．１８Ｎの条件で、Ａ法により測定されるメルトフローレートが０．０１〜１００ｇ／１０分である。
（３）ゲル・パーミエイション・クロマトグラフ法により測定される分子量分布曲線が二峰性の分子量分布を有し、分子量分布曲線における高分子量側のピークトップ分子量が５０，０００以上であり、低分子量側のピークトップ分子量が１０，０００以下である。
（４）重量平均分子量の数平均分子量に対する比が４〜５５である。
（５）^１３Ｃ−ＮＭＲにより測定される炭素原子数５以上の分岐数が炭素原子１０００個あたり０．２〜０．７である。
【請求項９】
請求項８に記載のエチレン系重合体を押出成形して得られる成形体。

【公開番号】特開２０１３−５３３０８（Ｐ２０１３−５３３０８Ａ）
【公開日】平成２５年３月２１日（２０１３．３．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１７４７１２（Ｐ２０１２−１７４７１２）
【出願日】平成２４年８月７日（２０１２．８．７）
【出願人】（０００００２０９３）住友化学株式会社 (8,981)
【Ｆターム（参考）】