カメラおよびその制御方法
【課題】 記者会見会場や結婚式会場など、数多くのフラッシュが発光される環境では、本発光の前に行われる予備発光に対して、他のフラッシュからの発光が重畳してくる。これにより、予備発光についての測光精度が低下し、適正な調光が困難となる。
【解決手段】 本発光の前に予備発光を行なうカメラシステムにおいて、複数回にわたり予備発光について測光を行ない、この予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受けたおそれのある測光値を抑圧して調光を行なう。
【解決手段】 本発光の前に予備発光を行なうカメラシステムにおいて、複数回にわたり予備発光について測光を行ない、この予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受けたおそれのある測光値を抑圧して調光を行なう。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュなどの補助光源の発光量を自動的に調整するカメラに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＴＴＬ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｔｈｅ Ｌｅｎｓ）調光では、フィルム面からの反射光を測光することによって、補助光源の発光量を決定していた。しかしながら、フィルムの種類によって反射率が異なるため、反射光に基づいて決定される発光量が不安定になるおそれがある。また、フィルムに代えて、撮像素子を採用しているデジタル一眼レフカメラでは、撮像素子からの反射光がほとんど得られないため、この方式を事実上採用できない。
【０００３】
この課題を解決すべく、本出願人は、先に「被写体に向けて予備発光を行ない、予備発光による被写体からの反射光を第１の測光手段で測光する一方で、予備発光の直接光を第２の測光手段によって測光し、この反射光の測光値と、直接光の測光値とによって調光を行なうカメラシステム」を提案している（特許文献１）。
【０００４】
ところで、コンパクトデジタルカメラでは、一眼レフカメラのようなミラーがないため、撮像用のＣＣＤを直接的に利用して調光することができる。特許文献２によれば、とりわけ、ＣＣＤに係る電子シャッタのシャッタースピードを１５００分の１に設定して予備発光の反射光を１回だけ測光することで、蛍光灯からのフリッカの影響を除去して調光を行なう発明が開示されている。
【特許文献１】特開平９−６１８８３号公報
【特許文献２】特開平１０−３２７５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、記者会見や結婚式では、多数のカメラマンが１つの被写体に対して数多くの撮影を行なう。この場合、第１のカメラシステムが予備発光とその測光を実行している最中に、他の第２のカメラシステムが本発光を実行してしまうと、第１のカメラシステムは自己の予備発光について正しく測光できなくなってしまう。
【０００６】
さらに、上述したように、第２のカメラシステムも予備発光を行なうカメラシステムであれば、他からの本発光だけでなく他からの予備発光も、第１のカメラシステムの予備発光に重畳する可能性があるため、正しく測光できない確率がさらに上昇してしまう。他のカメラシステムからの発光の影響を受ければ、露出が適性値よりアンダーとなってしまうことはいうまでもない。
【０００７】
また、特許文献２に記載された発明のように、シャッタースピードを１５００分の１に設定して予備発光を１回だけ測光する方法では、測光の瞬間に他のカメラシステムが発光してしまったときは、やはりその影響を低減することはできない。
【０００８】
そこで、本発明は、このような課題および他の課題の少なくとも１つを解決することを目的とする。なお、他の課題については明細書の全体を通して理解できよう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、例えば、本発光の前に予備発光を行なうカメラにおいて、複数回にわたり予備発光について測光を行ない、この予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受けたおそれのある測光値を抑圧して調光を行なう。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、複数回にわたり予備発光について測光を行なうことで、この予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受けたおそれのある測光値を抑圧して調光を行なうので、予備発光時に、例えば他のカメラマンによる補助光源の光が重畳してきたとしても、従来よりもその影響を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
［第１実施形態］
図１は、実施形態に係るカメラシステムの主に光学的な構成の一例を示す横断面図である。１はカメラ本体であり、この中に写真撮影に必要な光学部品、メカ部品、電気回路およびフィルムなどが収納されている。主ミラー２は、観察状態と撮影状態とに応じて撮影光路内に斜設されたり撮影光路内から退去されたりする。また、主ミラー２はハーフミラーとなっている。これにより、撮影光路内に斜設されているときは、後述する焦点検出光学系に被写体からの光線の約５０％を、主ミラー２の背面に配置された小さなサブミラー２５へと導いている。
【００１２】
３は撮影レンズ１２〜１４の予定結像面に配置されたピント板（焦点板）３である。４はファインダ光路変更用のペンタプリズムである。５はファインダであり、撮影者はファインダ５の窓を通してピント板３を視認することにより撮影画面を見ることができる。６は撮影画面内の被写体輝度を測定するための結像レンズである。７は結像レンズ６を通過してきた光を受光する多分割測光センサである。８はフォーカルプレン式のシャッタである。９は感光部材としてのフィルムである。なお、デジタルカメラシステムの場合は、フィルムに代えて撮像素子が配置されることはいうまでもない。
【００１３】
カメラ本体１と撮影レンズとの電気的結合は、インターフェースとして機能するマウント接点１０を介して行われる。撮影レンズは、レンズ鏡筒１１、第１群レンズ１２、第２群レンズ１３、第３群固定レンズ１４、第２群レンズ１３と第３群固定レンズ１４との間に配設される絞り１５を備えている。第１群レンズ１２は光軸上を前後に移動する合焦用のレンズであり、これにより撮影画面のピント位置を調整することができる。同様に第２群レンズ１３も光軸上を前後に移動でき、この移動に応じて撮影画面の変倍（ズーミング）が行われる。また、第１群レンズ１２の駆動はモータ１６によって行われ、絞り１５の絞り駆動はモータ１７によって行われる。
【００１４】
ペンタプリズム４の収納部の上面には、アクセサリーシュー２２が設けられており、このアクセサリーシュー２２には外付フラッシュ１８を装着することができる。外付フラッシュ１８は、キセノン管１９、このキセノン管１９の背面に設置される反射板２０、キセノン管１９の前方に設置されるフレネルレンズ２１を備えている。さらに、反射板２０の一部には、グラスファイバー３０の一端が挿入され、その他端にはキセノン管１９で発光した光をモニタするための受光素子などのセンサ３１（ＰＤ１）が接続されている。このように、グラスファイバー３０を介してキセノン管１９の直接光を測光することで、直接光の測光値に関しては、他のカメラシステムからの発光の影響を低減している。反射板２０には同様に光をモニタするための受光素子などのセンサ３２（ＰＤ２）が接続されている。センサ３２はキセノン管１９の発光電流を制限してフラット発光を行なうために用いられる。なお、キセノン管１９に代えて、白色ＬＥＤなどの他の光源を採用してもよいことはいうまでもない。
【００１５】
サブミラー２５の出射光路上に位置するカメラ本体１の底部近傍には、焦点検出ユニット２６が設置されている。この焦点検出ユニット２６は、２次結像ミラー２７、２次結像レンズ２８、焦点検出ラインセンサ２９等を備えている。この焦点検出ラインセンサ２９の検出面に２次結像面がくるように光学系が調整される。焦点検出ユニット２６は、後記する電気回路の処理により、既知の位相差検出法によって撮影画面内の被写体の焦点状態を検出し、撮影レンズの焦点調節機構を制御するために用いられる。
【００１６】
図２は、実施形態に係る測光エリアの分割例を示す図である。図中、４０は撮影画面全体を表し、４１は多分割測光センサ７の撮影画面上の測光エリアを表している。この例では、撮影画面を、Ｅ０（左側）、Ｅ１（中央）、Ｅ２（右側）Ｅ３（Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２の外側の左半分）、Ｅ４（Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２の外側の右半分）、Ｅ５（Ｅ３及びＥ４の外側）の６つのエリアに分割している。３つのエリアＥ０、Ｅ１、Ｅ２の各中心には、測距点Ｐ０，Ｐ１，Ｐ２がそれぞれ設定されている。撮影画面４０の下部にはファインダ内ＬＣＤ２４が設けられ、シャッタ速度及び絞り値などを表示する。
【００１７】
図３は、実施形態に係るカメラシステムにおける電気系の構成を示すブロック図である。既に説明した個所には同一の参照符号を付すことで、説明を簡略化する。
【００１８】
ＭＰＵ（マイクロ・プロセッサ・ユニット）１００は、発振器１０１から供給されるクロック信号に同期して各種制御動作を実行する。ＭＰＵ１００に内蔵されたＥＥＰＲＯＭ１０２は、フィルムカウンタその他の撮影情報を記憶するための半導体メモリである。もちろん、ＲＡＭなどの半導体メモリがＭＰＵ１００に内蔵されていてもよい。また、Ａ／Ｄ変換器１０３は、焦点検出回路１０５及び多分割測光センサ７からのアナログ信号をＡ／Ｄ変換し、これをＭＰＵ１００で処理する。
【００１９】
ＭＰＵ１００には、焦点検出回路１０５、測光回路１０６、シャッタ制御回路１０７、モータ制御回路１０８、フィルム走行検知回路１０９、動作状態を検出するためのスイッチセンス回路１１０、ファインダ内に配置されるＬＣＤ２４やモニタ用ＬＣＤ４２を駆動する液晶表示回路１１１などが接続されている。
【００２０】
焦点検出回路１０５は、ＭＰＵ１００の信号に従って焦点検出ラインセンサ２９の蓄積制御及び読出制御を行ない、それぞれの画素情報をＭＰＵ１００へ出力する。測光回路１０６は、多分割測光センサ７により得られた画面内の各エリアの輝度信号をＭＰＵ１００へ出力する。ＭＰＵ１００は、輝度信号をＡ／Ｄ変換し、撮影の露出調整を実行する。
【００２１】
積分回路１２０は、測光回路１０６から出力される多分割測光センサ７の各エリアの測光値を積分する回路である。積分時間（タイミング）は、ＭＰＵ１００からの指示に基づく。積分回路１２０は、例えば、測光値を圧縮しながら積分することで、広いダイナミックレンジを確保することができる。なお、フラット発光では、安定状態でもリップルのために波高値に多少のばらつきが生じる。しかしながら、測光値を積分演算して得ることで、定常光を複数回測光して平均をとるタイプよりも、精度の良い測光を行なうことができる。
【００２２】
シャッタ制御回路１０７は、ＭＰＵ１００からの信号に従って先幕のシャッタマグネット（ＭＧ−１）及び後幕のシャッタマグネット（ＭＧ−２）を走行させることで、露出動作を実行する。モータ制御回路１０８は、ＭＰＵ１００からの信号に従ってモータ１０４を制御することにより、主ミラー２の斜設・退去（アップダウン）、シャッタ８のチャージおよびフィルム９の給送を行なわせる。フィルム走行検知回路１０９は、フィルム給送時にフィルム９の１駒分が巻き上げられたか否かを検知し、その結果をＭＰＵ１００に信号を送出する。
【００２３】
焦点検出回路１０５には、焦点検出ラインセンサ２９が接続されている。シャッタ制御回路１０７には、シャッタマグネットＭＧ−１，ＭＧ−２が接続されている。モータ制御回路１０８には、フィルム巻き上げ等の駆動源となるモータ１０４が接続されている。また、スイッチセンス回路１１０には、ＳＷ１、ＳＷ２の各スイッチが接続されている。ＳＷ１は、レリーズボタン（不図示）の第１ストロークでオンとなって、測光及びＡＦ（オートフォーカス）を開始させるスイッチである。ＳＷ２は、レリーズボタンの第２ストロークでオンとなって、露光動作を開始させるスイッチである。そして、ＳＷ１及びＳＷ２のオン動作はスイッチセンス回路１１０で検知され、その検知結果がＭＰＵ１００へ送出される。
【００２４】
また、ラインセンサ２９は、上記したようにファインダ上の３つの測距点に対応した３組のラインセンサＬｉｎｅ−Ｌ（左），Ｌｉｎｅ−Ｃ（中央），Ｌｉｎｅ−Ｒ（右）から構成される公知のＣＣＤラインセンサである。
【００２５】
以上の構成によるカメラ本体１には、レンズ鏡筒１１がマウント接点１０４を介して接続されている。レンズ鏡筒１１は、レンズ制御回路１１２を内蔵しており、このレンズ制御回路１１２とＭＰＵ１００との間で信号の送受信が行われる。レンズ制御回路１１２には、モータ１６，１７及び光検出器３５が接続されている。この光検出器３５は、円板状で一定間隔にスリットが設けられたパルス板３６との組み合わせで用いられる。第１群レンズ１２の移動に応じてパルス板３６が回転すると、光検出器３５によりスリットをカウントすることで、ＭＰＵ１００は、第１群レンズ１２の位置情報を取得し、レンズの焦点を調節する。
【００２６】
さらに、カメラ本体１には、アクセサリーシュー２２を介して外付フラッシュ１８が接続されている。外付フラッシュ１８は、外付フラッシュ１８内の各回路を制御するための発光制御回路２００を備えている。発光制御回路２００は、ＭＰＵ１００からの信号に基づいて被写体に向けて閃光を発光させる回路である。
【００２７】
２０１は、電池２１５の電圧を昇圧するＤＣ／ＤＣコンバータであり、発光制御回路２００からの指示により電池電圧を昇圧し、メインコンデンサ２０８（Ｃ１）に約３００Ｖの電圧を蓄えることができる。
【００２８】
抵抗２１１，２１２（Ｒ１，Ｒ２）は、メインコンデンサ２０８の電圧を発光制御回路２００によってモニタするために設けられた分圧抵抗である。発光制御回路２００は、分圧抵抗２１１，２１２により分圧された電圧をＡ／Ｄ変換器２０２でＡ／Ｄ変換することにより、メインコンデンサ２０８の電圧をモニタする。これにより、発光制御回路２００は、ＤＣ／ＤＣコンバータ２０１を止めて昇圧を停止したり、現在の充電電圧の値をカメラ本体１側のＭＰＵ１００に伝達したりする。トリガ回路２０３は、発光制御回路２００を介してＭＰＵ１００からの指示を受け、キセノン管１９のトリガ電極に高電圧を印加し、キセノン管１９の放電を誘発する。これにより、メインコンデンサ２０８に蓄えられた電荷エネルギーが、キセノン管１９を介して光エネルギーとなって放出される。
【００２９】
発光停止回路２０４は、トリガ回路２０３からトリガ信号が出力されるとオンとなるが、その後、コンパレータ２０５又は２０６の出力及び発光制御回路２００からの信号に応じてオフとなり、キセノン管１９の発光を停止させる。発光停止回路２０４がオフとなると、キセノン管１９、ダイオード２１３（Ｄ１）、コイル２１４（Ｌ１）により還流ループが形成されるため、すぐには発光量が低下しないようになっている。なお、発光停止回路２０４を短い周期で連続的にオン／オフを行なうことにより、フラット発光が可能となる。
【００３０】
発光制御回路２００とコンパレータ２０５，２０６との間にＤ／Ａ変換器２０７が接続されている。２０９はセンサ３２（ＰＤ２）に接続される第２のモニタ回路であり、センサ３２の出力を増幅する。２１０はセンサ３１（ＰＤ１）に接続される第１のモニタ回路であり、センサ３２の出力を増幅する。また、積分回路２２１は、モニタ２１０の出力電圧を積分し、その値をコンパレータ２０５へ印加する。
【００３１】
〔フラット発光〕
次に、外付フラッシュ１８の各種の動作について個別に説明する。発光制御回路２００は、Ｄ／Ａ変換器２０７に所定の値を設定する。この時、キセノン管１９はまだ発光を始めていないので、センサ３２（ＰＤ２）の光電流は少ない。これは、コンパレータ２０６の反転入力端子に入力されるモニタ２０９の出力が低いことを意味する。したがって、コンパレータ２０６は“Ｈ”レベルの出力を発光停止回路２０４へ出力している。トリガ回路２０３からトリガ信号が出力されると、キセノン管１９は発光を開始する。すぐに発光の波高値は上昇する。センサ３２の光電流も多くなり、それにつれてモニタ２０９の出力も上昇し、最終的に、コンパレータ２０６の出力が“Ｌ”レベルになる。
【００３２】
コンパレータ２０６の出力が“Ｌ”レベルになると、発光停止回路２０４が動作し、キセノン管１９の放電ループが断たれる。しかしながら、上述した還流ループによって、波高値が瞬時に落ちることはなく、徐々に低下する。波高値が落ちてくると、センサ３２の光電流が少なくなり、再びコンパレータ２０６の出力は“Ｈ”レベルに転じ、キセノン管１９の放電ループが形成され、波高値は上昇方向になる。
【００３３】
このように、コンパレータ２０６の出力により、短い周期で波高値の増加と減少を繰り返すことで、フラット発光が実現される。発光制御回路２００が発光停止回路２０４に停止信号を出力すると、フラット発光が終了する。また、Ｄ／Ａ変換器２０７に与えられるデジタル値を制御することで、コンパレータ２０６の非反転入力端子に入力される電圧を異ならせ、センサ３２の光電流の動作ポイントを変化させることで、フラット発光の波高値を所望の値に制御することができる。
【００３４】
〔予備発光及び積分処理〕
予備発光は、所定の波高値で所定時間にわたりフラット発光を行なうことにより達成される。予備発光と並行して、センサ３１（ＰＤ１）はキセノン管１９から放出される直接光の輝度を測光する。また、発光制御回路２００は積分回路２２１に積分開始を指示する。積分回路２２１は、モニタ２１０からの出力により、予備発光のための積分を開始する。また、積分回路２２１は、測光量を対数圧縮し、圧縮された値を積分するように構成されている。予備発光が所定時間行われると、積分回路２２１の出力がＡ／Ｄ変換器２０２によって変換され、そのデジタル信号が発光制御回路２００によって読み出される。
【００３５】
予備発光についての被写体からの反射光については、多分割測光センサ７によって受光する。積分回路１２０は、多分割測光センサ７に接続された測光回路１０６から出力される輝度値を積分する。本実施形態では、予備発光についての被写体からの反射光を複数回にわたり測光するため、積分回路１２０は、ＭＰＵ１００の指示に応じて、複数の積分測光値をＭＰＵ１００に出力する。
【００３６】
〔本発光制御〕
ＭＰＵ１００は、予備発光（直接光）の積分値、及び予備発光時の被写体反射光輝度値（多分割測光センサ７の出力）に基づいて本発光量の適正積分値を求め、求めた適正積分値を、発光制御回路２００を介してＤ／Ａ変換器２０７に設定する。その後、積分回路２２１は初期状態に戻り、トリガ回路２０３により、キセノン管１９の発光を開始させる。この発光時の輝度はセンサ３１によって測光される。瞬時の測光値が積分回路２２１により積分される。積分により得られた値が、予め設定された適正積分値に到達すると、コンパレータ２０５の出力は“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに切り替わり、発光停止回路２０４によって発光の停止処理が行われる。このとき、発光制御回路２００からの信号により、コンパレータ２０６の出力は無視される。以上のようにして、予備発光に続く本発光においては、その発光量が演算で求めた適正な発光量に制御される。
【００３７】
図４は、実施形態に係るカメラシステムの基本的な撮影処理の例示的なフローチャートである。Ｓ４０１において、ＭＰＵ１００は、レリーズボタンの第１ストロークに応じてスイッチＳＷ１がオンになったことを検出する。ＭＰＵ１００は、ＳＷ１のオンを検出すると、Ｓ４０２において、スイッチセンス回路１１０によって他の操作スイッチ（不図示）の状態を読み込み、シャッタ速度の決め方や絞りの決め方等の様々な撮影モードの設定を実行する。例えば、ＭＰＵ１００は、撮影者の意思等によって設定された撮影モードや被写体輝度のＥＶからシャッタ速度（ＴＶ）と絞り値（ＡＶ）とによる露出値（ＥＶ＝ＴＶ＋ＡＶ）を決定する。Ｓ４０３において、ＭＰＵ１００は、位相差検出法による焦点検出動作及びこれに伴うレンズ駆動を実行する。
【００３８】
Ｓ４０４において、ＭＰＵ１００は、測光回路１０６によって自然光の下での被写体の輝度を測光する。これにより、画面上にある６つのエリアについてそれぞれ被写体輝度値が得られる。測光値は、対数圧縮した値（ＥＶ）とする。Ｓ４０５において、ＭＰＵ１００は、６つのエリアの被写体輝度値に基づいて、公知のアルゴリズムから露出値を決定し、設定された撮影モードに従ってシャッタ速度の値と絞りの値を決定する。Ｓ４０６において、ＭＰＵ１００は、レリーズボタンの第２ストロークで動作するスイッチＳＷ２のオンの有無を判別する。ＳＷ２がオフであればＳ４０１に戻る。
【００３９】
一方、ＳＷ２がオンであれば、Ｓ４０７において、ＭＰＵ１００は、発光制御回路２００からの情報伝達により、現在におけるコンデンサ２０８の充電電圧情報Ｖｃを取得する。また、ＭＰＵ１００は、レンズ制御回路１１２からの情報伝達により被写体のカメラからの絶対距離情報Ｄｉｓｔを取得する。さらに、ＭＰＵ１００は、測光回路１０６からの予備発光直前の被写体輝度情報ＥＶａを得る。
【００４０】
ここで、Ｓ４０７において、Ｓ４０４と同様に測光及び演算を行なう理由は、スイッチＳＷ１がオンとなったときと、スイッチＳＷ２がオンとなったときとでは、その間に、撮影者がフレーミングを変更するなどして被写体の状態が変化している可能性があるためである。
【００４１】
ところで、Ｓ４０７の測光時間は、Ｓ４０４の測光時間に比較して短くすることが望ましい。なぜなら、蛍光灯の下で発生するフリッカの影響をできるだけ少なくするためには、Ｓ４０４の測光処理では、比較的長い時間をかけて繰り返し測光し、その測光値の平均をとることが望ましいからである。これに対し、Ｓ４０７の測光処理では、レリーズタイムラグ等を小さくするために、予備発光時の測光と同等の短い測光時間とし、かつＳ４０７の測光時から予備発光時の測光時までの時間間隔もできるだけ短くする必要があるからである。
【００４２】
Ｓ４０８において、ＭＰＵ１００は、取得した充電電圧情報Ｖｃ、絶対距離情報Ｄｉｓｔ及び被写体輝度情報ＥＶａを基に予備発光の発光量を決定する。Ｓ４０９において、ＭＰＵ１００は、この決定値になるように、ＭＰＵ１００は発光制御回路２００に指令を出し、予備発光を制御する。Ｓ４１０において、ＭＰＵ１００は、予備発光と同時に多分割測光センサ７に測光を行なわせる。とりわけ、本実施形態によれば、ＭＰＵ１００は、予備発光による被写体からの反射光について複数回の測光を行ない、得られた複数の測光値のうち、他のカメラシステムからの発光の影響を受けているおそれのある測光値を抑圧する。
【００４３】
なお、ＭＰＵ１００は、予備発光の直前に多分割測光センサ７により被写体の輝度を測光することが望ましい。これは、予備発光直前の測光値と予備発光の測光値とを差分演算し、予備発光のみによる被写体反射光の測光値を得るためである。また、後述するように、予備発光直前の測光値は、予備発光時のモード切り替えを行なうために、他のカメラシステムからの閃光光の存在を検出する際にも利用できる。
【００４４】
また、発光制御回路２００は、予備発光と並行して、キセノン管１９の直接光をセンサ３１で測光し、積分回路２２１で積分し、予備発光終了時に積分値をＡ／Ｄ変換し、この読み込みを行なう。
【００４５】
Ｓ４１１において、ＭＰＵ１００は、予備発光の積分値、予備発光の被写体反射測光値、および露出値等から本発光の適正積分値を算出する。なお、本発明は、適正積分値の具体的な算出方法に大きく左右されるわけではないので、種々の算出方法を採用できる。例えば、特開平９−６１９１３号公報に詳細に開示されているように、本発光適正比演算（同公報のＳ５０９）を実行して、予備発光に対して適正となる本発光の積分値を算出する方法（同公報のＳ５１１）なども、本発明は採用できる。
【００４６】
Ｓ４１２において、ＭＰＵ１００は、露光動作に先行して主ミラー２をアップさせることで、サブミラー２５とともに撮影光路から退去させ、被写体像が支障なくフィルム９に到達できるようにする。Ｓ４１３において、ＭＰＵ１００は、決められた露光量に基づく絞り値となるようにレンズ制御回路１１２に指令を出し、決められたシャッタ速度値になるようにシャッタ制御回路１０７を駆動する。
【００４７】
Ｓ４１４において、ＭＰＵ１００は、シャッタ８の駆動に合わせ、露光中に本発光が行われように発光制御回路２００を制御する。この本発光は、Ｓ４１１の演算によって求められた発光量となるように制御される。このようにして露光動作が終了すると、Ｓ４１５において、ＭＰＵ１００は、撮影光路より退去していた主ミラー２及びサブミラー２５を復帰させ、さらに、モータ制御回路１０８及びフィルム走行検知回路１０９を動作させ、フィルム９を１駒だけ巻き上げる。このようにして発光制御が終了する。
【００４８】
図５は、実施形態に係る予備発光と測光処理の例示的なフローチャートである。本フローチャートによれば、被写体からの反射光の測光処理（Ｓ５０１ないしＳ５０５）と、キセノン管の発光を直接的に測光する処理（Ｓ５０６）とが同時並行的に実行されることが示されている。また、本フローチャートは、上述のＳ４１０のサブルーチンに相当する。
【００４９】
Ｓ５０１において、ＭＰＵ１００は、予備発光に対する被写体からの反射光を複数回に渡り測光すべく、カウンタの値ｉを１に設定する。Ｓ５０２において、ＭＰＵ１００は、被写体からの反射光についてｉ回目の積分測光を行なう。すなわち、測光回路１０６から出力される輝度値を積分回路１２０により積分する。Ｓ５０３において、ＭＰＵ１００は、カウンタの値ｉを１だけインクリメントする。Ｓ５０４において、ＭＰＵ１００は、カウンタ値ｉが所定回数を超えるか否かを判定する。所定回数を超える場合は、Ｓ５０５に進む。一方、所定回数以下であれば、Ｓ５０２に戻り、次の測光を実行する。
【００５０】
Ｓ５０５において、ＭＰＵ１００は、取得された複数の測光値のうち、他のカメラシステムからの閃光光が重畳したと思われる測光値について抑圧処理を実行する。これにより、他のカメラシステムからの閃光光が予備発光量の測光値に与える影響を低減でき、最終的には、本発光の調光を適正に実行することが可能となる。
【００５１】
図６は、実施形態に係る発光タイミングと測光タイミングとの関係を例示した図である。とりわけ、図６（ａ）は、蛍光灯からの光量の変動（フリッカ）、キセノン管からの予備発光と主発光との各タイミング、被写体からの反射光の測光タイミング、およびキセノン管の直接測光のタイミングとを示している。Ｓ４０４における背景光の測光時間は、フリッカの影響を防止すべく、比較的長い測光時間となっている。ここでは、予備発光の測光時間をｔ ｐｒｅ［秒］として示している。また、ＴＶは、シャッタ速度に応じた露光時間を示している。
【００５２】
図６（ｂ）は、予備発光に関して複数回の測光を行なわないときの発光タイミング、被写体反射光の測光タイミング、およびキセノン管１９からの直接光の測光タイミングを示している。また、図６（ｃ）は、予備発光に関して複数回の測光を行なうときの発光タイミング、被写体反射光の測光タイミング、およびキセノン管の直接測光タイミングを示している。図６（ｂ）と図６（ｃ）を比較すると分るように、予備発光に関して複数回の測光を行なうときは、１回あたり測光時間が短時間となっている。
【００５３】
図７は、実施形態に係る予備発光に関する複数回の測光と、他のカメラシステムからの発光との関係を示す図である。この図では、予備発光７００の途中で、他のカメラシステムからの発光７０４が重畳してきている。そのため、３回にわたる被写体反射光の測光値（７０１、７０２および７０３）のうち、３番目の測光値７０３は、他のカメラシステムからの発光７０４の影響を受けているため、抑圧対象となる。
【００５４】
［抑圧処理の具体例］
図８は、実施形態に係る抑圧処理の例示的なフローチャートである。本フローチャートは、上述のＳ５０５に相当する。Ｓ８０１において、ＭＰＵ１００は、複数の測光値をＥＥＰＲＯＭ１０２または不図示のＲＡＭから読み出し、比較演算等により、そのうちの最小値を決定する。通常、他のカメラシステムの発光が予備発光に対して重畳してきた場合、そのときの測光値は必ず上昇する。よって、最小値となる測光値は、他のカメラシステムからの発光の影響が最も少ないことになる。Ｓ８０２において、ＭＰＵ１００は、決定した最小値をＥＥＰＲＯＭ１０２または不図示のＲＡＭに記憶する。この最小値は、本発光の適正積分値を算出する際に、ＭＰＵ１００により読み出されて利用されることは言うまでもない。
【００５５】
図９は、実施形態に係る他の抑圧処理の例示的なフローチャートである。本フローチャートは、上述のＳ５０５に相当する。Ｓ９０１において、ＭＰＵ１００は、複数の測光値をＥＥＰＲＯＭ１０２または不図示のＲＡＭから読み出し、比較演算等により、そのうちの最大値を決定する。通常、他のカメラシステムの発光が予備発光に対して重畳していれば、そのときの測光値は必ず上昇するので、最大値となる測光値は、外乱の影響を最も大きく受けていることになる。Ｓ９０２において、ＭＰＵ１００は、決定した最大値を除外した残りの測光値の平均値を算出する。Ｓ９０３において、ＭＰＵ１００は、本発光の適正積分値の算出に使用されるべき値として、この平均値をＥＥＰＲＯＭ１０２または不図示のＲＡＭに記憶する。
【００５６】
図１０は、実施形態に係るさらに他の抑圧処理の例示的なフローチャートである。本フローチャートは、上述のＳ５０５に相当する。Ｓ１００１において、ＭＰＵ１００は、複数の測光値をＥＥＰＲＯＭ１０２または不図示のＲＡＭから読み出し、そのうちの３σを算出する。これは、統計処理における３σの法則により、異常な測光値を排除するためである。Ｓ１００２において、ＭＰＵ１００は、３σとなる範囲内の測光値を決定する。Ｓ１００３において、ＭＰＵ１００は、本発光の適正積分値の算出に使用されるべき値として、３σとなる範囲内の測光値らをＥＥＰＲＯＭ１０２または不図示のＲＡＭに記憶する。
【００５７】
ところで、上述の実施形態は、予備発光による被写体からの反射光の測光を複数回にわたり実行するものであった。しかしながら、通常の測光時間（ｔ ｐｒｅ）内で、複数回の測光を行なうには一回当たりの測光時間が短くなってしまう。そのため、場合によっては、十分な測光精度を確保できなくなる。この課題を解決するには、例えば、予備発光の発光時間とトータルでの測光時間とを通常の測光時間（ｔ ｐｒｅ）よりも長くすることで、一回当たりの測光時間を十分な長さにすればよい。但し、予備発光時間が長くなれば、それに比例して、コンデンサのエネルギーが無駄に消費されたり、レリーズタイムラグが伸びてしまったりといった新たな課題が生じてしまう。そこで、これらの二律背反的な課題を解決するため手段を以下で説明する。
【００５８】
図１１は、実施形態に係る他の予備発光と測光処理の例示的なフローチャートである。また、本フローチャートは、上述のＳ４１０のサブルーチンに相当する。なお、既に説明した個所については同一の参照符号を付すことで説明を簡略化する。
【００５９】
Ｓ１１０１において、ＭＰＵ１００は、カメラシステムの周囲環境が、他のカメラシステムからの発光の影響を受ける環境かどうかを判定する。例えば、上述した予備発光直前の被写体輝度の測光値（Ｓ４０７）が閃光光の影響を受けていれば、周囲の環境は、記者会見会場や披露宴会場など、多数の発光が行われる環境であると判定できる。
【００６０】
図１２は、被写体輝度についての測光値の変化例を示す図である。とりわけ、図１２（ａ）は、閃光光の影響を受けていない場合を示しており、図１２（ｂ）は、閃光光の影響を受けていない場合を示している。この図から明らかなように、他のカメラシステムからの閃光光が発生したときは、測光値の一部に大きな変動を生ずることになる。そこで、ＭＰＵ１００は、被写体輝度の測光値の一部に大きな変動が存在する場合は、閃光光の影響を受けていると判定し、Ｓ１１０２に進む。受けていなければ、Ｓ１１０３に進む。
【００６１】
代替的に、周囲環境について、カメラマンが手動で設定してもよい。周囲の環境については、カメラマンが熟知しているからである。この場合、ＭＰＵ１００は、モード設定ダイヤル等により入力される周囲環境についての設定指示を、スイッチセンス回路１１０を介して検出し、この検出結果に応じて周囲環境について判定する。
【００６２】
Ｓ１１０２において、ＭＰＵ１００は、予備発光の測光時間を通常の場合よりも延長された値に設定する。その後、Ｓ５０１−Ｓ５０５を実行する。
【００６３】
図１３は、実施形態に係る予備発光の測光時間の延長例を示す図である。この例では、通常時に比較し、予備発光の測光時間を２倍以上に確保している。また、一回当たりの測光時間は通常時の測光時間ｔ ｐｒｅと同一としている。この測光時間をどの程度まで長くするかは、レリーズタイムラグやエネルギー消費量などとのトレードオフになる。すなわち、長くすれば測定精度は向上するが、レリーズタイムラグやエネルギー消費量などは悪化してしまう。よって、このトレードオフを考慮した上で、カメラシステムごとに好適となる測光時間の長さを決めることになる。
【００６４】
一方、閃光光の影響を受けていない場合は、Ｓ１１０３において、ＭＰＵ１００は、図６（ｂ）に示したように、予備発光の測光時間を通常の測光時間ｔ ｐｒｅとして測光を実行する。なお、いずれの場合も、並行してキセノン管１９からの予備発光の直接光を直接的に測光することはいうまでもない（Ｓ５０６）。
【００６５】
以上説明したように、図１１に関連する実施形態では、カメラシステムの周囲環境に応じて予備発光の測光モードを切り替えるようにした。すなわち、他のカメラシステムからの閃光光が存在すれば、その影響を抑圧するモードを実行する。また、このモードでは、予備発光時間を通常よりも延長することで、１回当たりの測光精度を向上させることができる。一方、他のカメラシステムからの閃光光が存在しなければ、電力消費量やレリーズタイムラグについてより有利な測光モードを適用している。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態では、予備発光に対する被写体からの反射光について複数回にわたり測光を実行し、得られた複数の測光値のうち、他のカメラシステムからの発光の影響を受けたおそれのある測光値を抑圧するので、本発光における調光に基準となる積分値を適正に設定できるようになる。これにより、従来よりも、適正な露出による画像を撮影することができる。
【００６７】
また、抑圧に関しては、例えば、複数の測光値のうち最小値を選択したり、最大値以外の測光値の平均値を算出したり、あるいは、３σ内となる測光値の平均値を算出することで実現できる。いずれの場合も、他のカメラシステムからの発光の影響を受けたおそれのある測光値が、本発光の適正積分値に対して反映されにくくなる。
【００６８】
また、カメラシステムの周囲の環境が、他のカメラシステムからの発光の影響を受けるおそれが高い環境においては、予備発光に対する被写体からの反射光についてｎ回（ｎは２以上の自然数）にわたり測光を実行するが、このような影響を受けるおそれが低い環境においては、当該反射光について測光をｍ回（ｍはｎ未満の自然数であり、例えばｍ＝１）だけ実行する構成を採用することで、発光に要するエネルギーの浪費やレリーズのタイムラグの増加を低減している。とりわけ、この構成は、複数回の測光における一回当たり測光の精度を十分に確保するために、予備発光に関する測光時間を通常（図６（ｂ））よりも長く確保する場合に有利である。
【００６９】
また、他のカメラシステムからの発光の影響に限らず、予備発光に関する測光時間の一部の期間にて、この予備発光とは別の外乱となる発光が生じる状況において、本発明を適用することができる。
【００７０】
また、本実施形態では、カメラ本体１と外付フラッシュ１８とからなるカメラシステムを例にあげて説明を行ったが、カメラ本体にフラッシュが内蔵されているカメラについても本発明を適用できることは言うまでもないであろう。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】実施形態に係るカメラシステムの主に光学的な構成の一例を示す横断面図である。
【図２】実施形態に係る測光エリアの分割例を示す図である。
【図３】実施形態に係るカメラシステムにおける電気系の構成を示すブロック図である。
【図４】実施形態に係るカメラシステムの基本的な撮影処理の例示的なフローチャートである。
【図５】実施形態に係る予備発光と測光処理の例示的なフローチャートである。
【図６】実施形態に係る発光タイミングと測光タイミングとの関係を例示した図である。
【図７】実施形態に係る予備発光に関する複数回の測光と、他のカメラシステムからの発光との関係を示す図である。
【図８】実施形態に係る抑圧処理の例示的なフローチャートである。
【図９】実施形態に係る他の抑圧処理の例示的なフローチャートである。
【図１０】実施形態に係るさらに他の抑圧処理の例示的なフローチャートである。
【図１１】実施形態に係る他の予備発光と測光処理の例示的なフローチャートである。
【図１２】被写体輝度についての測光値の変化例を示す図である。
【図１３】実施形態に係る予備発光の測光時間の延長例を示す図である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、フラッシュなどの補助光源の発光量を自動的に調整するカメラに関する。
【背景技術】
【０００２】
一般に、ＴＴＬ（Ｔｈｒｏｕｇｈ Ｔｈｅ Ｌｅｎｓ）調光では、フィルム面からの反射光を測光することによって、補助光源の発光量を決定していた。しかしながら、フィルムの種類によって反射率が異なるため、反射光に基づいて決定される発光量が不安定になるおそれがある。また、フィルムに代えて、撮像素子を採用しているデジタル一眼レフカメラでは、撮像素子からの反射光がほとんど得られないため、この方式を事実上採用できない。
【０００３】
この課題を解決すべく、本出願人は、先に「被写体に向けて予備発光を行ない、予備発光による被写体からの反射光を第１の測光手段で測光する一方で、予備発光の直接光を第２の測光手段によって測光し、この反射光の測光値と、直接光の測光値とによって調光を行なうカメラシステム」を提案している（特許文献１）。
【０００４】
ところで、コンパクトデジタルカメラでは、一眼レフカメラのようなミラーがないため、撮像用のＣＣＤを直接的に利用して調光することができる。特許文献２によれば、とりわけ、ＣＣＤに係る電子シャッタのシャッタースピードを１５００分の１に設定して予備発光の反射光を１回だけ測光することで、蛍光灯からのフリッカの影響を除去して調光を行なう発明が開示されている。
【特許文献１】特開平９−６１８８３号公報
【特許文献２】特開平１０−３２７５０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
ところで、記者会見や結婚式では、多数のカメラマンが１つの被写体に対して数多くの撮影を行なう。この場合、第１のカメラシステムが予備発光とその測光を実行している最中に、他の第２のカメラシステムが本発光を実行してしまうと、第１のカメラシステムは自己の予備発光について正しく測光できなくなってしまう。
【０００６】
さらに、上述したように、第２のカメラシステムも予備発光を行なうカメラシステムであれば、他からの本発光だけでなく他からの予備発光も、第１のカメラシステムの予備発光に重畳する可能性があるため、正しく測光できない確率がさらに上昇してしまう。他のカメラシステムからの発光の影響を受ければ、露出が適性値よりアンダーとなってしまうことはいうまでもない。
【０００７】
また、特許文献２に記載された発明のように、シャッタースピードを１５００分の１に設定して予備発光を１回だけ測光する方法では、測光の瞬間に他のカメラシステムが発光してしまったときは、やはりその影響を低減することはできない。
【０００８】
そこで、本発明は、このような課題および他の課題の少なくとも１つを解決することを目的とする。なお、他の課題については明細書の全体を通して理解できよう。
【課題を解決するための手段】
【０００９】
本発明は、例えば、本発光の前に予備発光を行なうカメラにおいて、複数回にわたり予備発光について測光を行ない、この予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受けたおそれのある測光値を抑圧して調光を行なう。
【発明の効果】
【００１０】
本発明によれば、複数回にわたり予備発光について測光を行なうことで、この予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受けたおそれのある測光値を抑圧して調光を行なうので、予備発光時に、例えば他のカメラマンによる補助光源の光が重畳してきたとしても、従来よりもその影響を低減できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１１】
［第１実施形態］
図１は、実施形態に係るカメラシステムの主に光学的な構成の一例を示す横断面図である。１はカメラ本体であり、この中に写真撮影に必要な光学部品、メカ部品、電気回路およびフィルムなどが収納されている。主ミラー２は、観察状態と撮影状態とに応じて撮影光路内に斜設されたり撮影光路内から退去されたりする。また、主ミラー２はハーフミラーとなっている。これにより、撮影光路内に斜設されているときは、後述する焦点検出光学系に被写体からの光線の約５０％を、主ミラー２の背面に配置された小さなサブミラー２５へと導いている。
【００１２】
３は撮影レンズ１２〜１４の予定結像面に配置されたピント板（焦点板）３である。４はファインダ光路変更用のペンタプリズムである。５はファインダであり、撮影者はファインダ５の窓を通してピント板３を視認することにより撮影画面を見ることができる。６は撮影画面内の被写体輝度を測定するための結像レンズである。７は結像レンズ６を通過してきた光を受光する多分割測光センサである。８はフォーカルプレン式のシャッタである。９は感光部材としてのフィルムである。なお、デジタルカメラシステムの場合は、フィルムに代えて撮像素子が配置されることはいうまでもない。
【００１３】
カメラ本体１と撮影レンズとの電気的結合は、インターフェースとして機能するマウント接点１０を介して行われる。撮影レンズは、レンズ鏡筒１１、第１群レンズ１２、第２群レンズ１３、第３群固定レンズ１４、第２群レンズ１３と第３群固定レンズ１４との間に配設される絞り１５を備えている。第１群レンズ１２は光軸上を前後に移動する合焦用のレンズであり、これにより撮影画面のピント位置を調整することができる。同様に第２群レンズ１３も光軸上を前後に移動でき、この移動に応じて撮影画面の変倍（ズーミング）が行われる。また、第１群レンズ１２の駆動はモータ１６によって行われ、絞り１５の絞り駆動はモータ１７によって行われる。
【００１４】
ペンタプリズム４の収納部の上面には、アクセサリーシュー２２が設けられており、このアクセサリーシュー２２には外付フラッシュ１８を装着することができる。外付フラッシュ１８は、キセノン管１９、このキセノン管１９の背面に設置される反射板２０、キセノン管１９の前方に設置されるフレネルレンズ２１を備えている。さらに、反射板２０の一部には、グラスファイバー３０の一端が挿入され、その他端にはキセノン管１９で発光した光をモニタするための受光素子などのセンサ３１（ＰＤ１）が接続されている。このように、グラスファイバー３０を介してキセノン管１９の直接光を測光することで、直接光の測光値に関しては、他のカメラシステムからの発光の影響を低減している。反射板２０には同様に光をモニタするための受光素子などのセンサ３２（ＰＤ２）が接続されている。センサ３２はキセノン管１９の発光電流を制限してフラット発光を行なうために用いられる。なお、キセノン管１９に代えて、白色ＬＥＤなどの他の光源を採用してもよいことはいうまでもない。
【００１５】
サブミラー２５の出射光路上に位置するカメラ本体１の底部近傍には、焦点検出ユニット２６が設置されている。この焦点検出ユニット２６は、２次結像ミラー２７、２次結像レンズ２８、焦点検出ラインセンサ２９等を備えている。この焦点検出ラインセンサ２９の検出面に２次結像面がくるように光学系が調整される。焦点検出ユニット２６は、後記する電気回路の処理により、既知の位相差検出法によって撮影画面内の被写体の焦点状態を検出し、撮影レンズの焦点調節機構を制御するために用いられる。
【００１６】
図２は、実施形態に係る測光エリアの分割例を示す図である。図中、４０は撮影画面全体を表し、４１は多分割測光センサ７の撮影画面上の測光エリアを表している。この例では、撮影画面を、Ｅ０（左側）、Ｅ１（中央）、Ｅ２（右側）Ｅ３（Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２の外側の左半分）、Ｅ４（Ｅ０，Ｅ１，Ｅ２の外側の右半分）、Ｅ５（Ｅ３及びＥ４の外側）の６つのエリアに分割している。３つのエリアＥ０、Ｅ１、Ｅ２の各中心には、測距点Ｐ０，Ｐ１，Ｐ２がそれぞれ設定されている。撮影画面４０の下部にはファインダ内ＬＣＤ２４が設けられ、シャッタ速度及び絞り値などを表示する。
【００１７】
図３は、実施形態に係るカメラシステムにおける電気系の構成を示すブロック図である。既に説明した個所には同一の参照符号を付すことで、説明を簡略化する。
【００１８】
ＭＰＵ（マイクロ・プロセッサ・ユニット）１００は、発振器１０１から供給されるクロック信号に同期して各種制御動作を実行する。ＭＰＵ１００に内蔵されたＥＥＰＲＯＭ１０２は、フィルムカウンタその他の撮影情報を記憶するための半導体メモリである。もちろん、ＲＡＭなどの半導体メモリがＭＰＵ１００に内蔵されていてもよい。また、Ａ／Ｄ変換器１０３は、焦点検出回路１０５及び多分割測光センサ７からのアナログ信号をＡ／Ｄ変換し、これをＭＰＵ１００で処理する。
【００１９】
ＭＰＵ１００には、焦点検出回路１０５、測光回路１０６、シャッタ制御回路１０７、モータ制御回路１０８、フィルム走行検知回路１０９、動作状態を検出するためのスイッチセンス回路１１０、ファインダ内に配置されるＬＣＤ２４やモニタ用ＬＣＤ４２を駆動する液晶表示回路１１１などが接続されている。
【００２０】
焦点検出回路１０５は、ＭＰＵ１００の信号に従って焦点検出ラインセンサ２９の蓄積制御及び読出制御を行ない、それぞれの画素情報をＭＰＵ１００へ出力する。測光回路１０６は、多分割測光センサ７により得られた画面内の各エリアの輝度信号をＭＰＵ１００へ出力する。ＭＰＵ１００は、輝度信号をＡ／Ｄ変換し、撮影の露出調整を実行する。
【００２１】
積分回路１２０は、測光回路１０６から出力される多分割測光センサ７の各エリアの測光値を積分する回路である。積分時間（タイミング）は、ＭＰＵ１００からの指示に基づく。積分回路１２０は、例えば、測光値を圧縮しながら積分することで、広いダイナミックレンジを確保することができる。なお、フラット発光では、安定状態でもリップルのために波高値に多少のばらつきが生じる。しかしながら、測光値を積分演算して得ることで、定常光を複数回測光して平均をとるタイプよりも、精度の良い測光を行なうことができる。
【００２２】
シャッタ制御回路１０７は、ＭＰＵ１００からの信号に従って先幕のシャッタマグネット（ＭＧ−１）及び後幕のシャッタマグネット（ＭＧ−２）を走行させることで、露出動作を実行する。モータ制御回路１０８は、ＭＰＵ１００からの信号に従ってモータ１０４を制御することにより、主ミラー２の斜設・退去（アップダウン）、シャッタ８のチャージおよびフィルム９の給送を行なわせる。フィルム走行検知回路１０９は、フィルム給送時にフィルム９の１駒分が巻き上げられたか否かを検知し、その結果をＭＰＵ１００に信号を送出する。
【００２３】
焦点検出回路１０５には、焦点検出ラインセンサ２９が接続されている。シャッタ制御回路１０７には、シャッタマグネットＭＧ−１，ＭＧ−２が接続されている。モータ制御回路１０８には、フィルム巻き上げ等の駆動源となるモータ１０４が接続されている。また、スイッチセンス回路１１０には、ＳＷ１、ＳＷ２の各スイッチが接続されている。ＳＷ１は、レリーズボタン（不図示）の第１ストロークでオンとなって、測光及びＡＦ（オートフォーカス）を開始させるスイッチである。ＳＷ２は、レリーズボタンの第２ストロークでオンとなって、露光動作を開始させるスイッチである。そして、ＳＷ１及びＳＷ２のオン動作はスイッチセンス回路１１０で検知され、その検知結果がＭＰＵ１００へ送出される。
【００２４】
また、ラインセンサ２９は、上記したようにファインダ上の３つの測距点に対応した３組のラインセンサＬｉｎｅ−Ｌ（左），Ｌｉｎｅ−Ｃ（中央），Ｌｉｎｅ−Ｒ（右）から構成される公知のＣＣＤラインセンサである。
【００２５】
以上の構成によるカメラ本体１には、レンズ鏡筒１１がマウント接点１０４を介して接続されている。レンズ鏡筒１１は、レンズ制御回路１１２を内蔵しており、このレンズ制御回路１１２とＭＰＵ１００との間で信号の送受信が行われる。レンズ制御回路１１２には、モータ１６，１７及び光検出器３５が接続されている。この光検出器３５は、円板状で一定間隔にスリットが設けられたパルス板３６との組み合わせで用いられる。第１群レンズ１２の移動に応じてパルス板３６が回転すると、光検出器３５によりスリットをカウントすることで、ＭＰＵ１００は、第１群レンズ１２の位置情報を取得し、レンズの焦点を調節する。
【００２６】
さらに、カメラ本体１には、アクセサリーシュー２２を介して外付フラッシュ１８が接続されている。外付フラッシュ１８は、外付フラッシュ１８内の各回路を制御するための発光制御回路２００を備えている。発光制御回路２００は、ＭＰＵ１００からの信号に基づいて被写体に向けて閃光を発光させる回路である。
【００２７】
２０１は、電池２１５の電圧を昇圧するＤＣ／ＤＣコンバータであり、発光制御回路２００からの指示により電池電圧を昇圧し、メインコンデンサ２０８（Ｃ１）に約３００Ｖの電圧を蓄えることができる。
【００２８】
抵抗２１１，２１２（Ｒ１，Ｒ２）は、メインコンデンサ２０８の電圧を発光制御回路２００によってモニタするために設けられた分圧抵抗である。発光制御回路２００は、分圧抵抗２１１，２１２により分圧された電圧をＡ／Ｄ変換器２０２でＡ／Ｄ変換することにより、メインコンデンサ２０８の電圧をモニタする。これにより、発光制御回路２００は、ＤＣ／ＤＣコンバータ２０１を止めて昇圧を停止したり、現在の充電電圧の値をカメラ本体１側のＭＰＵ１００に伝達したりする。トリガ回路２０３は、発光制御回路２００を介してＭＰＵ１００からの指示を受け、キセノン管１９のトリガ電極に高電圧を印加し、キセノン管１９の放電を誘発する。これにより、メインコンデンサ２０８に蓄えられた電荷エネルギーが、キセノン管１９を介して光エネルギーとなって放出される。
【００２９】
発光停止回路２０４は、トリガ回路２０３からトリガ信号が出力されるとオンとなるが、その後、コンパレータ２０５又は２０６の出力及び発光制御回路２００からの信号に応じてオフとなり、キセノン管１９の発光を停止させる。発光停止回路２０４がオフとなると、キセノン管１９、ダイオード２１３（Ｄ１）、コイル２１４（Ｌ１）により還流ループが形成されるため、すぐには発光量が低下しないようになっている。なお、発光停止回路２０４を短い周期で連続的にオン／オフを行なうことにより、フラット発光が可能となる。
【００３０】
発光制御回路２００とコンパレータ２０５，２０６との間にＤ／Ａ変換器２０７が接続されている。２０９はセンサ３２（ＰＤ２）に接続される第２のモニタ回路であり、センサ３２の出力を増幅する。２１０はセンサ３１（ＰＤ１）に接続される第１のモニタ回路であり、センサ３２の出力を増幅する。また、積分回路２２１は、モニタ２１０の出力電圧を積分し、その値をコンパレータ２０５へ印加する。
【００３１】
〔フラット発光〕
次に、外付フラッシュ１８の各種の動作について個別に説明する。発光制御回路２００は、Ｄ／Ａ変換器２０７に所定の値を設定する。この時、キセノン管１９はまだ発光を始めていないので、センサ３２（ＰＤ２）の光電流は少ない。これは、コンパレータ２０６の反転入力端子に入力されるモニタ２０９の出力が低いことを意味する。したがって、コンパレータ２０６は“Ｈ”レベルの出力を発光停止回路２０４へ出力している。トリガ回路２０３からトリガ信号が出力されると、キセノン管１９は発光を開始する。すぐに発光の波高値は上昇する。センサ３２の光電流も多くなり、それにつれてモニタ２０９の出力も上昇し、最終的に、コンパレータ２０６の出力が“Ｌ”レベルになる。
【００３２】
コンパレータ２０６の出力が“Ｌ”レベルになると、発光停止回路２０４が動作し、キセノン管１９の放電ループが断たれる。しかしながら、上述した還流ループによって、波高値が瞬時に落ちることはなく、徐々に低下する。波高値が落ちてくると、センサ３２の光電流が少なくなり、再びコンパレータ２０６の出力は“Ｈ”レベルに転じ、キセノン管１９の放電ループが形成され、波高値は上昇方向になる。
【００３３】
このように、コンパレータ２０６の出力により、短い周期で波高値の増加と減少を繰り返すことで、フラット発光が実現される。発光制御回路２００が発光停止回路２０４に停止信号を出力すると、フラット発光が終了する。また、Ｄ／Ａ変換器２０７に与えられるデジタル値を制御することで、コンパレータ２０６の非反転入力端子に入力される電圧を異ならせ、センサ３２の光電流の動作ポイントを変化させることで、フラット発光の波高値を所望の値に制御することができる。
【００３４】
〔予備発光及び積分処理〕
予備発光は、所定の波高値で所定時間にわたりフラット発光を行なうことにより達成される。予備発光と並行して、センサ３１（ＰＤ１）はキセノン管１９から放出される直接光の輝度を測光する。また、発光制御回路２００は積分回路２２１に積分開始を指示する。積分回路２２１は、モニタ２１０からの出力により、予備発光のための積分を開始する。また、積分回路２２１は、測光量を対数圧縮し、圧縮された値を積分するように構成されている。予備発光が所定時間行われると、積分回路２２１の出力がＡ／Ｄ変換器２０２によって変換され、そのデジタル信号が発光制御回路２００によって読み出される。
【００３５】
予備発光についての被写体からの反射光については、多分割測光センサ７によって受光する。積分回路１２０は、多分割測光センサ７に接続された測光回路１０６から出力される輝度値を積分する。本実施形態では、予備発光についての被写体からの反射光を複数回にわたり測光するため、積分回路１２０は、ＭＰＵ１００の指示に応じて、複数の積分測光値をＭＰＵ１００に出力する。
【００３６】
〔本発光制御〕
ＭＰＵ１００は、予備発光（直接光）の積分値、及び予備発光時の被写体反射光輝度値（多分割測光センサ７の出力）に基づいて本発光量の適正積分値を求め、求めた適正積分値を、発光制御回路２００を介してＤ／Ａ変換器２０７に設定する。その後、積分回路２２１は初期状態に戻り、トリガ回路２０３により、キセノン管１９の発光を開始させる。この発光時の輝度はセンサ３１によって測光される。瞬時の測光値が積分回路２２１により積分される。積分により得られた値が、予め設定された適正積分値に到達すると、コンパレータ２０５の出力は“Ｈ”レベルから“Ｌ”レベルに切り替わり、発光停止回路２０４によって発光の停止処理が行われる。このとき、発光制御回路２００からの信号により、コンパレータ２０６の出力は無視される。以上のようにして、予備発光に続く本発光においては、その発光量が演算で求めた適正な発光量に制御される。
【００３７】
図４は、実施形態に係るカメラシステムの基本的な撮影処理の例示的なフローチャートである。Ｓ４０１において、ＭＰＵ１００は、レリーズボタンの第１ストロークに応じてスイッチＳＷ１がオンになったことを検出する。ＭＰＵ１００は、ＳＷ１のオンを検出すると、Ｓ４０２において、スイッチセンス回路１１０によって他の操作スイッチ（不図示）の状態を読み込み、シャッタ速度の決め方や絞りの決め方等の様々な撮影モードの設定を実行する。例えば、ＭＰＵ１００は、撮影者の意思等によって設定された撮影モードや被写体輝度のＥＶからシャッタ速度（ＴＶ）と絞り値（ＡＶ）とによる露出値（ＥＶ＝ＴＶ＋ＡＶ）を決定する。Ｓ４０３において、ＭＰＵ１００は、位相差検出法による焦点検出動作及びこれに伴うレンズ駆動を実行する。
【００３８】
Ｓ４０４において、ＭＰＵ１００は、測光回路１０６によって自然光の下での被写体の輝度を測光する。これにより、画面上にある６つのエリアについてそれぞれ被写体輝度値が得られる。測光値は、対数圧縮した値（ＥＶ）とする。Ｓ４０５において、ＭＰＵ１００は、６つのエリアの被写体輝度値に基づいて、公知のアルゴリズムから露出値を決定し、設定された撮影モードに従ってシャッタ速度の値と絞りの値を決定する。Ｓ４０６において、ＭＰＵ１００は、レリーズボタンの第２ストロークで動作するスイッチＳＷ２のオンの有無を判別する。ＳＷ２がオフであればＳ４０１に戻る。
【００３９】
一方、ＳＷ２がオンであれば、Ｓ４０７において、ＭＰＵ１００は、発光制御回路２００からの情報伝達により、現在におけるコンデンサ２０８の充電電圧情報Ｖｃを取得する。また、ＭＰＵ１００は、レンズ制御回路１１２からの情報伝達により被写体のカメラからの絶対距離情報Ｄｉｓｔを取得する。さらに、ＭＰＵ１００は、測光回路１０６からの予備発光直前の被写体輝度情報ＥＶａを得る。
【００４０】
ここで、Ｓ４０７において、Ｓ４０４と同様に測光及び演算を行なう理由は、スイッチＳＷ１がオンとなったときと、スイッチＳＷ２がオンとなったときとでは、その間に、撮影者がフレーミングを変更するなどして被写体の状態が変化している可能性があるためである。
【００４１】
ところで、Ｓ４０７の測光時間は、Ｓ４０４の測光時間に比較して短くすることが望ましい。なぜなら、蛍光灯の下で発生するフリッカの影響をできるだけ少なくするためには、Ｓ４０４の測光処理では、比較的長い時間をかけて繰り返し測光し、その測光値の平均をとることが望ましいからである。これに対し、Ｓ４０７の測光処理では、レリーズタイムラグ等を小さくするために、予備発光時の測光と同等の短い測光時間とし、かつＳ４０７の測光時から予備発光時の測光時までの時間間隔もできるだけ短くする必要があるからである。
【００４２】
Ｓ４０８において、ＭＰＵ１００は、取得した充電電圧情報Ｖｃ、絶対距離情報Ｄｉｓｔ及び被写体輝度情報ＥＶａを基に予備発光の発光量を決定する。Ｓ４０９において、ＭＰＵ１００は、この決定値になるように、ＭＰＵ１００は発光制御回路２００に指令を出し、予備発光を制御する。Ｓ４１０において、ＭＰＵ１００は、予備発光と同時に多分割測光センサ７に測光を行なわせる。とりわけ、本実施形態によれば、ＭＰＵ１００は、予備発光による被写体からの反射光について複数回の測光を行ない、得られた複数の測光値のうち、他のカメラシステムからの発光の影響を受けているおそれのある測光値を抑圧する。
【００４３】
なお、ＭＰＵ１００は、予備発光の直前に多分割測光センサ７により被写体の輝度を測光することが望ましい。これは、予備発光直前の測光値と予備発光の測光値とを差分演算し、予備発光のみによる被写体反射光の測光値を得るためである。また、後述するように、予備発光直前の測光値は、予備発光時のモード切り替えを行なうために、他のカメラシステムからの閃光光の存在を検出する際にも利用できる。
【００４４】
また、発光制御回路２００は、予備発光と並行して、キセノン管１９の直接光をセンサ３１で測光し、積分回路２２１で積分し、予備発光終了時に積分値をＡ／Ｄ変換し、この読み込みを行なう。
【００４５】
Ｓ４１１において、ＭＰＵ１００は、予備発光の積分値、予備発光の被写体反射測光値、および露出値等から本発光の適正積分値を算出する。なお、本発明は、適正積分値の具体的な算出方法に大きく左右されるわけではないので、種々の算出方法を採用できる。例えば、特開平９−６１９１３号公報に詳細に開示されているように、本発光適正比演算（同公報のＳ５０９）を実行して、予備発光に対して適正となる本発光の積分値を算出する方法（同公報のＳ５１１）なども、本発明は採用できる。
【００４６】
Ｓ４１２において、ＭＰＵ１００は、露光動作に先行して主ミラー２をアップさせることで、サブミラー２５とともに撮影光路から退去させ、被写体像が支障なくフィルム９に到達できるようにする。Ｓ４１３において、ＭＰＵ１００は、決められた露光量に基づく絞り値となるようにレンズ制御回路１１２に指令を出し、決められたシャッタ速度値になるようにシャッタ制御回路１０７を駆動する。
【００４７】
Ｓ４１４において、ＭＰＵ１００は、シャッタ８の駆動に合わせ、露光中に本発光が行われように発光制御回路２００を制御する。この本発光は、Ｓ４１１の演算によって求められた発光量となるように制御される。このようにして露光動作が終了すると、Ｓ４１５において、ＭＰＵ１００は、撮影光路より退去していた主ミラー２及びサブミラー２５を復帰させ、さらに、モータ制御回路１０８及びフィルム走行検知回路１０９を動作させ、フィルム９を１駒だけ巻き上げる。このようにして発光制御が終了する。
【００４８】
図５は、実施形態に係る予備発光と測光処理の例示的なフローチャートである。本フローチャートによれば、被写体からの反射光の測光処理（Ｓ５０１ないしＳ５０５）と、キセノン管の発光を直接的に測光する処理（Ｓ５０６）とが同時並行的に実行されることが示されている。また、本フローチャートは、上述のＳ４１０のサブルーチンに相当する。
【００４９】
Ｓ５０１において、ＭＰＵ１００は、予備発光に対する被写体からの反射光を複数回に渡り測光すべく、カウンタの値ｉを１に設定する。Ｓ５０２において、ＭＰＵ１００は、被写体からの反射光についてｉ回目の積分測光を行なう。すなわち、測光回路１０６から出力される輝度値を積分回路１２０により積分する。Ｓ５０３において、ＭＰＵ１００は、カウンタの値ｉを１だけインクリメントする。Ｓ５０４において、ＭＰＵ１００は、カウンタ値ｉが所定回数を超えるか否かを判定する。所定回数を超える場合は、Ｓ５０５に進む。一方、所定回数以下であれば、Ｓ５０２に戻り、次の測光を実行する。
【００５０】
Ｓ５０５において、ＭＰＵ１００は、取得された複数の測光値のうち、他のカメラシステムからの閃光光が重畳したと思われる測光値について抑圧処理を実行する。これにより、他のカメラシステムからの閃光光が予備発光量の測光値に与える影響を低減でき、最終的には、本発光の調光を適正に実行することが可能となる。
【００５１】
図６は、実施形態に係る発光タイミングと測光タイミングとの関係を例示した図である。とりわけ、図６（ａ）は、蛍光灯からの光量の変動（フリッカ）、キセノン管からの予備発光と主発光との各タイミング、被写体からの反射光の測光タイミング、およびキセノン管の直接測光のタイミングとを示している。Ｓ４０４における背景光の測光時間は、フリッカの影響を防止すべく、比較的長い測光時間となっている。ここでは、予備発光の測光時間をｔ ｐｒｅ［秒］として示している。また、ＴＶは、シャッタ速度に応じた露光時間を示している。
【００５２】
図６（ｂ）は、予備発光に関して複数回の測光を行なわないときの発光タイミング、被写体反射光の測光タイミング、およびキセノン管１９からの直接光の測光タイミングを示している。また、図６（ｃ）は、予備発光に関して複数回の測光を行なうときの発光タイミング、被写体反射光の測光タイミング、およびキセノン管の直接測光タイミングを示している。図６（ｂ）と図６（ｃ）を比較すると分るように、予備発光に関して複数回の測光を行なうときは、１回あたり測光時間が短時間となっている。
【００５３】
図７は、実施形態に係る予備発光に関する複数回の測光と、他のカメラシステムからの発光との関係を示す図である。この図では、予備発光７００の途中で、他のカメラシステムからの発光７０４が重畳してきている。そのため、３回にわたる被写体反射光の測光値（７０１、７０２および７０３）のうち、３番目の測光値７０３は、他のカメラシステムからの発光７０４の影響を受けているため、抑圧対象となる。
【００５４】
［抑圧処理の具体例］
図８は、実施形態に係る抑圧処理の例示的なフローチャートである。本フローチャートは、上述のＳ５０５に相当する。Ｓ８０１において、ＭＰＵ１００は、複数の測光値をＥＥＰＲＯＭ１０２または不図示のＲＡＭから読み出し、比較演算等により、そのうちの最小値を決定する。通常、他のカメラシステムの発光が予備発光に対して重畳してきた場合、そのときの測光値は必ず上昇する。よって、最小値となる測光値は、他のカメラシステムからの発光の影響が最も少ないことになる。Ｓ８０２において、ＭＰＵ１００は、決定した最小値をＥＥＰＲＯＭ１０２または不図示のＲＡＭに記憶する。この最小値は、本発光の適正積分値を算出する際に、ＭＰＵ１００により読み出されて利用されることは言うまでもない。
【００５５】
図９は、実施形態に係る他の抑圧処理の例示的なフローチャートである。本フローチャートは、上述のＳ５０５に相当する。Ｓ９０１において、ＭＰＵ１００は、複数の測光値をＥＥＰＲＯＭ１０２または不図示のＲＡＭから読み出し、比較演算等により、そのうちの最大値を決定する。通常、他のカメラシステムの発光が予備発光に対して重畳していれば、そのときの測光値は必ず上昇するので、最大値となる測光値は、外乱の影響を最も大きく受けていることになる。Ｓ９０２において、ＭＰＵ１００は、決定した最大値を除外した残りの測光値の平均値を算出する。Ｓ９０３において、ＭＰＵ１００は、本発光の適正積分値の算出に使用されるべき値として、この平均値をＥＥＰＲＯＭ１０２または不図示のＲＡＭに記憶する。
【００５６】
図１０は、実施形態に係るさらに他の抑圧処理の例示的なフローチャートである。本フローチャートは、上述のＳ５０５に相当する。Ｓ１００１において、ＭＰＵ１００は、複数の測光値をＥＥＰＲＯＭ１０２または不図示のＲＡＭから読み出し、そのうちの３σを算出する。これは、統計処理における３σの法則により、異常な測光値を排除するためである。Ｓ１００２において、ＭＰＵ１００は、３σとなる範囲内の測光値を決定する。Ｓ１００３において、ＭＰＵ１００は、本発光の適正積分値の算出に使用されるべき値として、３σとなる範囲内の測光値らをＥＥＰＲＯＭ１０２または不図示のＲＡＭに記憶する。
【００５７】
ところで、上述の実施形態は、予備発光による被写体からの反射光の測光を複数回にわたり実行するものであった。しかしながら、通常の測光時間（ｔ ｐｒｅ）内で、複数回の測光を行なうには一回当たりの測光時間が短くなってしまう。そのため、場合によっては、十分な測光精度を確保できなくなる。この課題を解決するには、例えば、予備発光の発光時間とトータルでの測光時間とを通常の測光時間（ｔ ｐｒｅ）よりも長くすることで、一回当たりの測光時間を十分な長さにすればよい。但し、予備発光時間が長くなれば、それに比例して、コンデンサのエネルギーが無駄に消費されたり、レリーズタイムラグが伸びてしまったりといった新たな課題が生じてしまう。そこで、これらの二律背反的な課題を解決するため手段を以下で説明する。
【００５８】
図１１は、実施形態に係る他の予備発光と測光処理の例示的なフローチャートである。また、本フローチャートは、上述のＳ４１０のサブルーチンに相当する。なお、既に説明した個所については同一の参照符号を付すことで説明を簡略化する。
【００５９】
Ｓ１１０１において、ＭＰＵ１００は、カメラシステムの周囲環境が、他のカメラシステムからの発光の影響を受ける環境かどうかを判定する。例えば、上述した予備発光直前の被写体輝度の測光値（Ｓ４０７）が閃光光の影響を受けていれば、周囲の環境は、記者会見会場や披露宴会場など、多数の発光が行われる環境であると判定できる。
【００６０】
図１２は、被写体輝度についての測光値の変化例を示す図である。とりわけ、図１２（ａ）は、閃光光の影響を受けていない場合を示しており、図１２（ｂ）は、閃光光の影響を受けていない場合を示している。この図から明らかなように、他のカメラシステムからの閃光光が発生したときは、測光値の一部に大きな変動を生ずることになる。そこで、ＭＰＵ１００は、被写体輝度の測光値の一部に大きな変動が存在する場合は、閃光光の影響を受けていると判定し、Ｓ１１０２に進む。受けていなければ、Ｓ１１０３に進む。
【００６１】
代替的に、周囲環境について、カメラマンが手動で設定してもよい。周囲の環境については、カメラマンが熟知しているからである。この場合、ＭＰＵ１００は、モード設定ダイヤル等により入力される周囲環境についての設定指示を、スイッチセンス回路１１０を介して検出し、この検出結果に応じて周囲環境について判定する。
【００６２】
Ｓ１１０２において、ＭＰＵ１００は、予備発光の測光時間を通常の場合よりも延長された値に設定する。その後、Ｓ５０１−Ｓ５０５を実行する。
【００６３】
図１３は、実施形態に係る予備発光の測光時間の延長例を示す図である。この例では、通常時に比較し、予備発光の測光時間を２倍以上に確保している。また、一回当たりの測光時間は通常時の測光時間ｔ ｐｒｅと同一としている。この測光時間をどの程度まで長くするかは、レリーズタイムラグやエネルギー消費量などとのトレードオフになる。すなわち、長くすれば測定精度は向上するが、レリーズタイムラグやエネルギー消費量などは悪化してしまう。よって、このトレードオフを考慮した上で、カメラシステムごとに好適となる測光時間の長さを決めることになる。
【００６４】
一方、閃光光の影響を受けていない場合は、Ｓ１１０３において、ＭＰＵ１００は、図６（ｂ）に示したように、予備発光の測光時間を通常の測光時間ｔ ｐｒｅとして測光を実行する。なお、いずれの場合も、並行してキセノン管１９からの予備発光の直接光を直接的に測光することはいうまでもない（Ｓ５０６）。
【００６５】
以上説明したように、図１１に関連する実施形態では、カメラシステムの周囲環境に応じて予備発光の測光モードを切り替えるようにした。すなわち、他のカメラシステムからの閃光光が存在すれば、その影響を抑圧するモードを実行する。また、このモードでは、予備発光時間を通常よりも延長することで、１回当たりの測光精度を向上させることができる。一方、他のカメラシステムからの閃光光が存在しなければ、電力消費量やレリーズタイムラグについてより有利な測光モードを適用している。
【００６６】
以上説明したように、本実施形態では、予備発光に対する被写体からの反射光について複数回にわたり測光を実行し、得られた複数の測光値のうち、他のカメラシステムからの発光の影響を受けたおそれのある測光値を抑圧するので、本発光における調光に基準となる積分値を適正に設定できるようになる。これにより、従来よりも、適正な露出による画像を撮影することができる。
【００６７】
また、抑圧に関しては、例えば、複数の測光値のうち最小値を選択したり、最大値以外の測光値の平均値を算出したり、あるいは、３σ内となる測光値の平均値を算出することで実現できる。いずれの場合も、他のカメラシステムからの発光の影響を受けたおそれのある測光値が、本発光の適正積分値に対して反映されにくくなる。
【００６８】
また、カメラシステムの周囲の環境が、他のカメラシステムからの発光の影響を受けるおそれが高い環境においては、予備発光に対する被写体からの反射光についてｎ回（ｎは２以上の自然数）にわたり測光を実行するが、このような影響を受けるおそれが低い環境においては、当該反射光について測光をｍ回（ｍはｎ未満の自然数であり、例えばｍ＝１）だけ実行する構成を採用することで、発光に要するエネルギーの浪費やレリーズのタイムラグの増加を低減している。とりわけ、この構成は、複数回の測光における一回当たり測光の精度を十分に確保するために、予備発光に関する測光時間を通常（図６（ｂ））よりも長く確保する場合に有利である。
【００６９】
また、他のカメラシステムからの発光の影響に限らず、予備発光に関する測光時間の一部の期間にて、この予備発光とは別の外乱となる発光が生じる状況において、本発明を適用することができる。
【００７０】
また、本実施形態では、カメラ本体１と外付フラッシュ１８とからなるカメラシステムを例にあげて説明を行ったが、カメラ本体にフラッシュが内蔵されているカメラについても本発明を適用できることは言うまでもないであろう。
【図面の簡単な説明】
【００７１】
【図１】実施形態に係るカメラシステムの主に光学的な構成の一例を示す横断面図である。
【図２】実施形態に係る測光エリアの分割例を示す図である。
【図３】実施形態に係るカメラシステムにおける電気系の構成を示すブロック図である。
【図４】実施形態に係るカメラシステムの基本的な撮影処理の例示的なフローチャートである。
【図５】実施形態に係る予備発光と測光処理の例示的なフローチャートである。
【図６】実施形態に係る発光タイミングと測光タイミングとの関係を例示した図である。
【図７】実施形態に係る予備発光に関する複数回の測光と、他のカメラシステムからの発光との関係を示す図である。
【図８】実施形態に係る抑圧処理の例示的なフローチャートである。
【図９】実施形態に係る他の抑圧処理の例示的なフローチャートである。
【図１０】実施形態に係るさらに他の抑圧処理の例示的なフローチャートである。
【図１１】実施形態に係る他の予備発光と測光処理の例示的なフローチャートである。
【図１２】被写体輝度についての測光値の変化例を示す図である。
【図１３】実施形態に係る予備発光の測光時間の延長例を示す図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
予備発光における被写体からの反射光の測光値を用いて本発光の積分光量を決定するカメラであって、
予備発光による被写体からの反射光を複数回にわたり測光する測光手段と、
前記測光手段により得られた複数の測光値のうち、前記予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受けたおそれのある測光値を抑圧する抑圧手段と
を含む、カメラ。
【請求項２】
前記抑圧手段は、前記複数の測光値のうち最小となる測光値を選択する手段であることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項３】
前記抑圧手段は、前記複数の測光値のうち最大となる測光値を排除した残りの測光値の平均値を算出する手段であることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項４】
前記抑圧手段は、前記複数の測光値について３σ内となる測光値の平均値を算出する手段であることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項５】
前記カメラの周囲環境が、前記予備発光とは別の発光の影響を受ける環境かどうかを判定する環境判定手段をさらに備え、
前記測光手段は、前記予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受ける環境と判定された場合には、前記予備発光による被写体からの反射光を複数回にわたり測光し、前記予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受ける環境ではないと判定された場合には、前記予備発光による被写体からの反射光を１回だけ測光する、請求項１ないし４の何れかに記載のカメラ。
【請求項６】
前記環境判定手段は、前記測光手段によって予備発光の前に測光された自然光の測光値に基づいて前記カメラの周囲環境を判定する、請求項５に記載のカメラ。
【請求項７】
前記カメラに指示を入力するための入力手段をさらに備え、
前記環境判定手段は、前記入力手段に入力された指示に応じて、前記カメラの周囲環境を判定する、請求項５に記載のカメラ。
【請求項８】
前記予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受ける環境では、前記測光手段における予備発光の測光時間を、前記予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受ない環境での予備発光の測光時間よりも相対的に長くすることを特徴とする請求項５ないし７の何れかに記載のカメラ。
【請求項９】
予備発光における被写体からの反射光の測光値を用いて本発光の積分光量を決定するカメラの制御方法であって、
前記予備発光による被写体からの反射光を複数回にわたり測光するステップと、
前記予備発光による被写体からの反射光から得られた複数の測光値のうち、前記予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受けたおそれのある測光値を抑圧するステップと
を含む、カメラの制御方法。
【請求項１】
予備発光における被写体からの反射光の測光値を用いて本発光の積分光量を決定するカメラであって、
予備発光による被写体からの反射光を複数回にわたり測光する測光手段と、
前記測光手段により得られた複数の測光値のうち、前記予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受けたおそれのある測光値を抑圧する抑圧手段と
を含む、カメラ。
【請求項２】
前記抑圧手段は、前記複数の測光値のうち最小となる測光値を選択する手段であることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項３】
前記抑圧手段は、前記複数の測光値のうち最大となる測光値を排除した残りの測光値の平均値を算出する手段であることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項４】
前記抑圧手段は、前記複数の測光値について３σ内となる測光値の平均値を算出する手段であることを特徴とする請求項１に記載のカメラ。
【請求項５】
前記カメラの周囲環境が、前記予備発光とは別の発光の影響を受ける環境かどうかを判定する環境判定手段をさらに備え、
前記測光手段は、前記予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受ける環境と判定された場合には、前記予備発光による被写体からの反射光を複数回にわたり測光し、前記予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受ける環境ではないと判定された場合には、前記予備発光による被写体からの反射光を１回だけ測光する、請求項１ないし４の何れかに記載のカメラ。
【請求項６】
前記環境判定手段は、前記測光手段によって予備発光の前に測光された自然光の測光値に基づいて前記カメラの周囲環境を判定する、請求項５に記載のカメラ。
【請求項７】
前記カメラに指示を入力するための入力手段をさらに備え、
前記環境判定手段は、前記入力手段に入力された指示に応じて、前記カメラの周囲環境を判定する、請求項５に記載のカメラ。
【請求項８】
前記予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受ける環境では、前記測光手段における予備発光の測光時間を、前記予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受ない環境での予備発光の測光時間よりも相対的に長くすることを特徴とする請求項５ないし７の何れかに記載のカメラ。
【請求項９】
予備発光における被写体からの反射光の測光値を用いて本発光の積分光量を決定するカメラの制御方法であって、
前記予備発光による被写体からの反射光を複数回にわたり測光するステップと、
前記予備発光による被写体からの反射光から得られた複数の測光値のうち、前記予備発光とは別の外乱となる発光の影響を受けたおそれのある測光値を抑圧するステップと
を含む、カメラの制御方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２００６−２６７８８０（Ｐ２００６−２６７８８０Ａ）
【公開日】平成１８年１０月５日（２００６．１０．５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−８８９３５（Ｐ２００５−８８９３５）
【出願日】平成１７年３月２５日（２００５．３．２５）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年１０月５日（２００６．１０．５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年３月２５日（２００５．３．２５）
【出願人】（０００００１００７）キヤノン株式会社 (59,756)
【Ｆターム（参考）】
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