説明

コンタクトプローブの製造方法

【課題】金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性が低下するのを抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法を提供する。
【解決手段】樹脂層形成工程と、樹脂層120にレーザ光Lを照射して溝122を金属基板110に至るように形成する溝形成工程と、イオンビームIBを照射して凹部112を形成する凹部形成工程と、電鋳法によって、凹部及び溝を覆うように金属配線パターン130を形成する金属配線パターン形成工程と、樹脂基材140を形成する樹脂基材形成工程と、金属基板110と樹脂基材140とを分離することにより樹脂基材140上にバンプ134付きの金属配線パターン130を転写する金属配線転写工程とをこの順序で含むことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は、コンタクトプローブの製造方法に関する。
【背景技術】
【0002】
図13は、従来のコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図13(a)〜図13(j)は従来のコンタクトプローブの製造方法における各工程を示す図である。
【0003】
従来のコンタクトプローブの製造方法は、コンタクトピンの先端部にバンプが形成されたコンタクトプローブを製造するための製造方法であって、ステンレス製の金属板からなる基板層910にバンプに対応する形状の凹部912を形成する凹部形成工程(図13(a)及び図13(b)参照。)と、基板層910上に銅からなる第1金属層950を形成する第1金属層形成工程(図13(c)参照。)と、第1金属層950上にフォトレジスト層920を形成し、フォトマスクを施して露光・現像することにより、フォトレジスト層920に金属配線パターンに対応する形状の溝922を形成する溝形成工程(図13(d)及び図13(e)参照。)と、メッキ処理により、溝922を覆うように第2金属層930を形成するメッキ処理工程(図13(f)参照。)と、フォトレジスト層920を取り除いた第2金属層930の上面に、金属配線パターンのうちコンタクトピンとなる部分以外をカバーするフィルム940を接着層946を介して被着させるフィルム被着工程(図13(g)及び図13(h)参照。)と、フィルム940、第2金属層930及び第1金属層950からなる部分と基板層910とを分離する分離工程(図13(i)参照。)と、フィルム940、第2金属層930及び第1金属層950からなる部分に銅エッチングを施す銅エッチング工程(図示せず。)と、第2金属層930(金属配線パターン)の表面に金メッキ層960を形成する金メッキ層形成工程(図13(j)参照。)とをこの順序で含む。フィルム940は、上層が銅などからなる金属フィルム942であり、下層がポリイミド樹脂などからなる樹脂フィルム944である。
【0004】
このため、従来のコンタクトプローブの製造方法によれば、上記した凹部形成工程を含んでいるため、コンタクトピンの先端部にバンプ934が形成されたコンタクトプローブを製造することが可能となる。このため、コンタクトプローブのバンプ934が測定対象装置のパッド等に良好に食い込むようになり、測定対象装置のパッド等に対するコンタクト性を向上することが可能となる。
【0005】
【特許文献1】特開平10−142259号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0006】
しかしながら、従来のコンタクトプローブの製造方法においては、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するためには、凹部形成工程で形成した凹部の位置に合わせてフォトマスクを精度良く配置する必要があるため、フォトマスクの位置合わせ作業が煩雑で、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となるという問題がある。また、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのも容易ではないという問題がある。
【0007】
また、従来のコンタクトプローブの製造方法においては、図13(h)に示すように、第2金属層930の上面にフィルム940を被着させる際にはフォトレジスト層920が取り除かれているため、金属配線パターン(第2金属層930)が傾いた状態でフィルム940に被着される場合があり、コンタクトプローブの信頼性が低下するという問題がある。
【0008】
そこで、本発明は、このような問題を解決するためになされたもので、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性が低下するのを抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【0009】
(1)本発明のコンタクトプローブの製造方法は、樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、金属基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層にレーザ光を照射して前記金属配線パターンに対応する形状の溝を前記金属基板に至るように形成する溝形成工程と、前記金属基板における溝形成部分にレーザ光又はイオンビームを照射して前記バンプに対応する形状の凹部を形成する凹部形成工程と、電鋳法によって、前記凹部及び前記溝を覆うように前記金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成工程と、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に前記樹脂基材を形成する樹脂基材形成工程と、前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することにより前記樹脂基材上に前記バンプ付きの前記金属配線パターンを転写する金属配線転写工程とをこの順序で含むことを特徴とする。
【0010】
このため、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成した後にバンプに対応する形状の凹部を形成することとしているため、従来のコンタクトプローブの製造方法のようにフォトマスクの位置合わせ作業を行う必要もなく、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業を従来よりも容易に行うことが可能となる。
【0011】
また、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、溝の位置に合わせて凹部を形成することが可能であるため、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易となる。
【0012】
また、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線パターンの間に樹脂層が残っている状態で樹脂基材形成工程を行うこととしているため、樹脂基材形成工程において金属配線パターンが傾いてしまうこともなくなり、コンタクトプローブの信頼性が低下するのを抑制することが可能となる。
【0013】
したがって、本発明のコンタクトプローブの製造方法は、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性の低下を抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法となる。
【0014】
ところで、従来のコンタクトプローブの製造方法においては、金属配線パターンに対応する形状の開口部を有するフォトマスクを予め準備することで、当該開口部と同じ形状、すなわち、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成することとしている。このことは、金属配線パターンを形成する際のパターン形成の自由度がそれほど高くないことを意味している。
これに対し、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、樹脂層にレーザ光を照射して金属配線パターンに対応する形状の溝を形成することとしているため、金属配線パターンを形成する際のパターン形成の自由度が比較的高いという効果がある。
【0015】
また、従来のコンタクトプローブの製造方法においては、凹部912が形成された基板層910上に第1金属層950を形成し、さらにその上にフォトレジスト層920を形成して当該フォトレジスト層920に溝922を形成することとしている。この場合、金属配線パターンが形成された側の部分(フィルム940、第2金属層930及び第1金属層950からなる部分)と基板層910とを分離した後に、第1金属層950を除去する工程を行う必要がある。
これに対し、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、金属基板上に樹脂層を形成し、樹脂層に溝を形成して金属基板に凹部を形成することとしている。つまり、従来のコンタクトプローブの製造方法の場合のような第1金属層に当たるものを金属基板上に形成していないため、従来のように第1金属層を除去する工程を行う必要がなくなり、工程数を少なくすることが可能となる。
【0016】
なお、凹部形成工程を行った後の溝や凹部に、レーザ加工による加工残渣が残る場合がある。したがって、本発明のコンタクトプローブの製造方法においては、凹部形成工程と金属配線パターン形成工程との間に、溝及び凹部を洗浄する洗浄工程をさらに含むことが好ましい。
このような方法とすることにより、溝や凹部に残る加工残渣を除去することが可能となるため、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。
溝や凹部を洗浄する手段としては、アルコール洗浄や超音波洗浄などを用いることが好ましい。
【0017】
(2)上記(1)に記載のコンタクトプローブの製造方法においては、紫外線レーザ加工装置を用いて前記溝形成工程を行うことが好ましい。
【0018】
紫外線レーザ加工装置は、レーザ加工時における熱の発生が比較的少ないという特徴を有する。このため、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、紫外線レーザ加工装置を用いて溝形成工程を行うこととしているため、精密に溝を形成することが可能となり、精密な金属配線パターンを形成することが可能となる。
【0019】
(3)上記(1)又は(2)に記載のコンタクトプローブの製造方法においては、フェムト秒レーザ加工装置を用いて前記凹部形成工程を行うことが好ましい。
【0020】
フェムト秒レーザ加工装置は、比較的容易に金属を加工することができ、レーザ加工時における熱の発生が紫外線レーザ加工装置よりもさらに少ないという特徴を有する。このため、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、フェムト秒レーザ加工装置を用いて凹部形成工程を行うこととしているため、精密な凹部を比較的容易に形成することが可能となり、精密なバンプを比較的容易に形成することが可能となる。
【0021】
(4)上記(1)又は(2)に記載のコンタクトプローブの製造方法においては、集束性イオンビーム加工装置を用いて前記凹部形成工程を行うことが好ましい。
【0022】
集束性イオンビーム加工装置は、比較的容易に金属を加工することができ、イオンビームのスポット径を小さくすることでレーザ加工装置よりも精密な加工を行うことができるという特徴を有する。このため、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、集束性イオンビーム加工装置を用いて凹部形成工程を行うこととしているため、精密な凹部を比較的容易に形成することが可能となり、精密なバンプを比較的容易に形成することが可能となる。
【0023】
(5)上記(3)又は(4)に記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記紫外線レーザ加工装置及び前記フェムト秒レーザ加工装置又は前記集束性イオンビーム加工装置を備える複合加工装置を準備しておき、前記複合加工装置を用いて、前記溝形成工程と前記凹部形成工程とを連続して行うことが好ましい。
【0024】
このような方法とすることにより、加工対象となる部品を装置から出し入れする手間を省略することが可能となる。
また、加工対象となる部品を複合加工装置内の移動台に位置調整して配置してしまえば、その後は、加工対象となる部品を移動台から取り外すことなく溝形成工程及び凹部形成工程を連続して実施することが可能となるため、コンタクトプローブの生産性を向上することが可能となる。
【0025】
(6)上記(1)〜(5)のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記樹脂基材形成工程においては、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に樹脂基材を圧着することにより前記樹脂基材を形成することが好ましい。
【0026】
このような方法とすることにより、比較的簡単な操作で樹脂基材を金属配線パターンに良好に被着させることが可能となる。
【0027】
(7)上記(1)〜(5)のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記樹脂基材形成工程においては、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に樹脂を塗布してその後固化させることにより前記樹脂基材を形成することが好ましい。
【0028】
このような方法とすることによっても、樹脂基材を金属配線パターンに良好に被着させることが可能となる。
【0029】
(8)上記(1)〜(7)のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記金属配線転写工程においては、前記金属基板に前記樹脂層を残したまま、前記樹脂基材上に前記金属配線パターンのみを転写することが好ましい。
【0030】
このような方法とすることにより、樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造することが可能となる。
また、上記のような方法とすることにより、金属基板上には金属配線パターンに対応する形状の溝がそのままの形で残ることとなるため、金属配線パターンに対応する形状の溝が形成された金属基板を再び使用することが可能となり、製造コストの低減化を図ることが可能となる。
【0031】
(9)上記(1)〜(7)のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記金属配線転写工程においては、前記樹脂基材上に前記金属配線パターンとともに前記樹脂層をも転写することが好ましい。
【0032】
このような方法とすることにより、樹脂基材上に樹脂層とバンプ付きの金属配線パターンとが形成されたコンタクトプローブを製造することが可能となる。
また、上記のような方法とすることにより、樹脂基材上における金属配線パターンの強度を高くすることが可能となるため、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。
【0033】
(10)上記(1)〜(7)のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記金属配線転写工程においては、前記樹脂基材が形成された前記金属基板をエッチング液に浸漬して前記樹脂層を溶解して、前記金属基板と前記金属配線パターンが転写された樹脂基材とを分離することが好ましい。
【0034】
このような方法とすることにより、金属基板と金属配線パターンが転写された樹脂基材とを分離する際に不要な応力がかかることもないため、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。
【0035】
(11)上記(8)又は(9)に記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記樹脂層形成工程においては、前記金属基板として、第2樹脂基材上に金属層が形成された金属基板又は金属箔からなる金属基板を用いることが好ましい。
【0036】
第2樹脂基材上に金属層が形成された金属基板又は金属箔からなる金属基板の厚みは比較的薄いものであり、これらの金属基板は柔軟性があるため、上記のような方法とすることにより、金属配線転写工程において金属基板を反らせ易くすることが可能となる。このため、金属配線パターンが形成された樹脂基材側の部分にかかる応力を小さくすることが可能となり、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。
【0037】
(12)上記(11)に記載のコンタクトプローブの製造方法においては、前記樹脂基材形成工程と前記金属配線転写工程との間に、前記樹脂基材上に裏打ち層を形成する裏打ち層形成工程をさらに含み、前記金属配線転写工程においては、前記金属基板を反らせることにより前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することが好ましい。
【0038】
このような方法とすることにより、金属配線パターンが転写された樹脂基材側の部分の機械的強度を高くすることが可能となるため、金属配線パターンが形成された樹脂基材側の部分にかかる応力をさらに小さくすることが可能となり、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。
【0039】
(13)上記(1)〜(12)のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法においては、1枚の金属基板に複数の金属配線パターンを形成して、複数のコンタクトプローブを製造することが好ましい。
【0040】
このような方法とすることにより、1枚の金属基板から複数のコンタクトプローブを同時に製造することが可能となるため、コンタクトプローブの生産性を向上することが可能となる。
【0041】
(14)本発明のコンタクトプローブの製造方法は、樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、上記(8)に記載のコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる「前記樹脂基材から分離された前記樹脂層付きの前記金属基板」を出発材料として用い、電鋳法によって、前記凹部及び前記溝を覆うように前記金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成工程と、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に前記樹脂基材を形成する樹脂基材形成工程と、前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することにより前記樹脂基材上に前記金属配線パターンを転写する金属配線転写工程とをこの順序で繰り返すことを特徴とする。
【0042】
このため、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線パターンに対応する形状の溝がそのままの形で残った状態の金属基板を繰り返し使用してコンタクトプローブを製造することができ、コンタクトプローブの生産性を向上することが可能となるとともに製造コストの低減化を図ることが可能となる。
【0043】
(15)本発明のコンタクトプローブの製造方法は、樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、上記(9)又は(10)に記載のコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる「前記樹脂基材から分離された前記金属基板」を出発材料として用い、前記金属基板を研磨する金属基板研磨工程と、前記金属基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、前記樹脂層にレーザ光を照射して前記金属配線パターンに対応する形状の溝を前記金属基板に至るように形成する溝形成工程と、前記金属基板における溝形成部分にレーザ光又はイオンビームを照射して前記バンプに対応する形状の凹部を形成する凹部形成工程と、電鋳法によって、前記凹部及び前記溝を覆うように前記金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成工程と、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に前記樹脂基材を形成する樹脂基材形成工程と、前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することにより前記樹脂基材上に前記金属配線パターンを転写する金属配線転写工程とをこの順序で繰り返すことを特徴とする。
【0044】
このため、本発明のコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線転写工程を行った後の金属基板について表面を研磨することにより、当該金属基板を再利用することが可能となり、コンタクトプローブを製造する際の省資源化を図ることが可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0045】
以下、本発明のコンタクトプローブの製造方法について、図に示す実施の形態に基づいて説明する。
【0046】
〔実施形態1〕
図1は、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法によって製造されたコンタクトプローブ100を説明するために示す図である。図1(a)はコンタクトプローブ100の平面図であり、図1(b)は図1(a)のA−A断面におけるコンタクトプローブ100の模式図であり、図1(c)は図1(a)のB−B断面におけるコンタクトプローブ100の模式図である。なお、図1(a)においては、金属配線パターン130の形状を説明するため、金属配線パターン130の上側に配置される樹脂基材140についての図示を省略している。
【0047】
図2は、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図2(a1)〜図2(g1)及び図2(a2)〜図2(g2)は実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。なお、図2(a1)〜図2(g1)は図1(b)に対応する図であり、図2(a2)〜図2(g2)は図1(c)に対応する図である。
【0048】
図3は、複合加工装置10を説明するために示す概念図である。なお、図3においては、装置の大きさに対して加工対象となる部品を誇張して大きく図示している。
【0049】
図4は、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図4(a)は樹脂層形成工程前の金属基板110を示す図であり、図4(b)は金属配線パターン形成工程後の樹脂層120及び金属配線パターン130を示す図であり、図4(c)は金属配線転写工程後のコンタクトプローブ100を示す図である。なお、図4(c)においては、樹脂基材140の図示を省略している。
【0050】
実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法は、図1に示すように、樹脂基材140上にバンプ134付きの金属配線パターン130が形成されたコンタクトプローブ100を製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、「樹脂層形成工程」、「溝形成工程」、「凹部形成工程」、「金属配線パターン形成工程」、「樹脂基材形成工程」及び「金属配線転写工程」が順次実施される。以下、これら各工程について、図2〜図4を用いて説明する。
【0051】
1.樹脂層形成工程
まず、図2(a1)、図2(a2)、図2(b1)及び図2(b2)に示すように、金属基板110を準備し、金属基板110上に樹脂層120を形成する。
金属基板110としては、例えばチタン又はチタン合金からなる金属基板を好適に用いることができる。金属基板110の厚さは、例えば2mmである。
樹脂層120に用いる樹脂材料としては、例えばポリイミド樹脂を好適に用いることができる。樹脂層120の厚さは、例えば5μmである。
【0052】
2.溝形成工程
次に、図2(c1)及び図2(c2)に示すように、紫外線レーザ加工装置を用いて、樹脂層120に紫外線レーザ光Lを照射して金属配線パターン130に対応する形状の溝122を金属基板110に至るように形成する。
【0053】
3.凹部形成工程
次に、図2(d1)及び図2(d2)に示すように、集束性イオンビーム加工装置を用いて、金属基板110における溝122形成部分にイオンビームIBをビーム電流が例えば1.25nAの条件で照射して、バンプ134に対応する形状の凹部112を形成する。
【0054】
なお、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法においては、上記溝形成工程及び凹部形成工程で用いる紫外線レーザ加工装置及び集束性イオンビーム加工装置を備える複合加工装置10を準備しておき、複合加工装置10を用いて、溝形成工程と凹部形成工程とを連続して行うこととしている。
【0055】
複合加工装置10は、図3に示すように、加工対象となる部品を搬入するためのロード室12と、紫外線レーザ加工装置が内部に配置された紫外線レーザ加工室14と、集束性イオンビーム加工装置が内部に配置された集束性イオンビーム加工室16と、加工後の部品を搬出するためのアンロード室18と、加工対象となる部品が配置され各部屋を移動可能な移動台20とを備える。
【0056】
4.金属配線パターン形成工程
次に、図2(e1)及び図2(e2)に示すように、電鋳法によって、凹部112及び溝122を覆うように金属配線パターン130を形成する。
金属配線パターン130に用いる金属材料としては、例えばニッケル又はニッケル合金を好適に用いることができる。
【0057】
5.樹脂基材形成工程
次に、図2(f1)及び図2(f2)に示すように、樹脂層120における金属基板110とは反対側の表面に樹脂基材140を圧着して形成する。
樹脂基材140に用いる樹脂材料としては、例えばポリイミド樹脂を好適に用いることができる。
【0058】
6.金属配線転写工程
そして、図2(g1)及び図2(g2)に示すように、金属基板110と樹脂基材140とを分離することにより樹脂基材140上にバンプ134付きの金属配線パターン130を転写する。このとき、金属基板110に樹脂層120を残したまま、樹脂基材140上に金属配線パターン130のみを転写している。
【0059】
以上により、樹脂基材140上に金属配線パターン130が形成され、コンタクトピン132の先端部にバンプ134が形成されたコンタクトプローブ100を製造することができる(図1参照。)。
【0060】
なお、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法においては、図4に示すように、1枚の金属基板110に例えば4つの金属配線パターン130を形成して、4つのコンタクトプローブ100を製造することとしている。
【0061】
このように、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法は、樹脂基材140上にバンプ134付きの金属配線パターン130が形成されたコンタクトプローブ100を製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、上述のように、樹脂層形成工程と、溝形成工程と、凹部形成工程と、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で含む。
【0062】
このため、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線パターン130に対応する形状の溝122を形成した後にバンプ134に対応する形状の凹部112を形成することとしているため、従来のコンタクトプローブの製造方法のようにフォトマスクの位置合わせ作業を行う必要もなく、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業を従来よりも容易に行うことが可能となる。
【0063】
また、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、溝122の位置に合わせて凹部112を形成することが可能であるため、コンタクトピン132の先端部にバンプ134を精度良く形成するのが容易となる。
【0064】
また、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線パターン130の間に樹脂層120が残っている状態で樹脂基材形成工程を行うこととしているため、樹脂基材形成工程において金属配線パターン130が傾いてしまうこともなくなり、コンタクトプローブの信頼性が低下するのを抑制することが可能となる。
【0065】
したがって、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法は、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性の低下を抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法となる。
【0066】
また、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法においては、樹脂層120に紫外線レーザ光Lを照射して金属配線パターン130に対応する形状の溝122を形成することとしているため、金属配線パターンを形成する際のパターン形成の自由度が比較的高いという効果がある。
【0067】
また、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属基板110上に樹脂層120を形成し、樹脂層120に溝122を形成して金属基板110に凹部112を形成することとしている。つまり、従来のコンタクトプローブの製造方法の場合のような第1金属層に当たるものを金属基板上に形成していないため、従来のように第1金属層を除去する工程を行う必要がなくなり、工程数を少なくすることが可能となる。
【0068】
実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法においては、紫外線レーザ加工装置を用いて溝形成工程を行い、集束性イオンビーム加工装置を用いて凹部形成工程を行うこととしている。
【0069】
紫外線レーザ加工装置は、レーザ加工時における熱の発生が比較的少ないという特徴を有する。このため、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、紫外線レーザ加工装置を用いて溝形成工程を行うこととしているため、精密に溝122を形成することが可能となり、精密な金属配線パターン130を形成することが可能となる。
また、集束性イオンビーム加工装置は、比較的容易に金属を加工することができ、イオンビームのスポット径を小さくすることでレーザ加工装置よりも精密な加工を行うことができるという特徴を有する。このため、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、集束性イオンビーム加工装置を用いて凹部形成工程を行うこととしているため、精密な凹部112を比較的容易に形成することが可能となり、精密なバンプ134を比較的容易に形成することが可能となる。
【0070】
実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法においては、紫外線レーザ加工装置及び集束性イオンビーム加工装置を備える複合加工装置10を準備しておき、複合加工装置10を用いて、溝形成工程と前記凹部形成工程とを連続して行うこととしている。これにより、加工対象となる部品を装置から出し入れする手間を省略することが可能となる。また、加工対象となる部品を複合加工装置10内の移動台20に位置調整して配置してしまえば、その後は、加工対象となる部品を移動台20から取り外すことなく溝形成工程及び凹部形成工程を連続して実施することが可能となるため、コンタクトプローブの生産性を向上することが可能となる。
【0071】
実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法においては、樹脂基材形成工程においては、樹脂層120における金属基板110とは反対側の表面に樹脂基材140を圧着することにより樹脂基材140を形成することとしているため、比較的簡単な操作で樹脂基材140を金属配線パターン130に良好に被着させることが可能となる。
【0072】
実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属配線転写工程においては、金属基板110に樹脂層120を残したまま、樹脂基材140上に金属配線パターン130のみを転写することとしているため、樹脂基材140上にバンプ134付きの金属配線パターン130が形成されたコンタクトプローブ100を製造することが可能となる。また、金属基板110上には金属配線パターン130に対応する形状の溝122がそのままの形で残ることとなるため、金属配線パターン130に対応する形状の溝122が形成された金属基板110を再び使用することが可能となり、製造コストの低減化を図ることが可能となる。
【0073】
実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法においては、1枚の金属基板110に4つの金属配線パターン130を形成して、4つのコンタクトプローブ100を製造することとしている。これにより、1枚の金属基板110から4つのコンタクトプローブ100を同時に製造することが可能となるため、コンタクトプローブの生産性を向上することが可能となる。
【0074】
〔実施形態2〕
図5は、実施形態2に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図5(a1)〜図5(g1)及び図5(a2)〜図5(g2)は実施形態2に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。
【0075】
実施形態2に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法と同様に、「樹脂層形成工程」、「溝形成工程」、「凹部形成工程」、「金属配線パターン形成工程」、「樹脂基材形成工程」及び「金属配線転写工程」をこの順序で含んでいるが、「金属配線転写工程」の内容が、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法の場合とは異なっている。
【0076】
以下、実施形態2に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程について説明するが、「1.樹脂層形成工程」〜「5.樹脂基材形成工程」までは、図5(a1)〜図5(f1)及び図5(a2)〜図5(f2)からもわかるように、実施形態1で説明したものと同様であるため、詳細な説明を省略し、「6.金属配線転写工程」についてのみ説明する。また、図5中に示す金属基板210、凹部212、樹脂層220、溝222、金属配線パターン230、バンプ234及び樹脂基材240は、実施形態1で説明したものと同様であるため、詳細な説明を省略する。
【0077】
6.金属配線転写工程
図5(g1)及び図5(g2)に示すように、金属基板210と樹脂基材240とを分離することにより樹脂基材240上にバンプ234付きの金属配線パターン230を転写する。このとき、樹脂基材240上に金属配線パターン230とともに樹脂層220をも転写する。
【0078】
このように、実施形態2に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法とは、「金属配線転写工程」の内容が異なるが、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法の場合と同様に、樹脂層形成工程と、溝形成工程と、凹部形成工程と、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で含んでいるため、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性の低下を抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法となる。
【0079】
また、実施形態2に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属配線転写工程においては、樹脂基材240上に金属配線パターン230とともに樹脂層220をも転写することとしている。これにより、樹脂基材240上における金属配線パターン230の強度を高くすることが可能となるため、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。
【0080】
実施形態2に係るコンタクトプローブの製造方法においては、「金属配線転写工程」の内容が異なる点以外の点では、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法と同様の工程を含むものであるため、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法が有する効果のうち該当する効果をそのまま有する。
【0081】
〔実施形態3〕
図6は、実施形態3に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図6(a1)〜図6(h1)及び図6(a2)〜図6(h2)は実施形態3に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。
【0082】
実施形態3に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法と同様に、「樹脂層形成工程」、「溝形成工程」、「凹部形成工程」、「金属配線パターン形成工程」、「樹脂基材形成工程」及び「金属配線転写工程」をこの順序で含んでいるが、「金属配線転写工程」の内容が、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法の場合とは異なっている。
【0083】
以下、実施形態3に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程について説明するが、「1.樹脂層形成工程」〜「5.樹脂基材形成工程」までは、図6(a1)〜図6(f1)及び図6(a2)〜図6(f2)からもわかるように、実施形態1で説明したものと同様であるため、詳細な説明を省略し、「6.金属配線転写工程」についてのみ説明する。また、図6中に示す金属基板310、凹部312、樹脂層320、溝322、金属配線パターン330、バンプ334及び樹脂基材340は、実施形態1で説明したものと同様であるため、詳細な説明を省略する。
【0084】
6.金属配線転写工程
図6(g1)及び図6(g2)に示すように、樹脂基材340が形成された金属基板310をエッチング液ELに浸漬して樹脂層320を溶解する。そして、図6(h1)〜図6(h2)に示すように、金属基板310と金属配線パターン330が転写された樹脂基材340とを分離する。
【0085】
このように、実施形態3に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法とは、「金属配線転写工程」の内容が異なるが、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法の場合と同様に、樹脂層形成工程と、溝形成工程と、凹部形成工程と、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で含んでいるため、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性の低下を抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法となる。
【0086】
また、実施形態3に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属配線転写工程においては、金属配線転写工程においては、樹脂基材340が形成された金属基板310をエッチング液に浸漬して樹脂層320を溶解して、金属基板310と金属配線パターン330が転写された樹脂基材340とを分離することとしている。これにより、金属基板310と金属配線パターン330が転写された樹脂基材340とを分離する際に不要な応力がかかることもないため、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。
【0087】
実施形態3に係るコンタクトプローブの製造方法においては、「金属配線転写工程」の内容が異なる点以外の点では、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法と同様の工程を含むものであるため、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法が有する効果のうち該当する効果をそのまま有する。
【0088】
〔実施形態4〕
図7は、実施形態4に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図7(a1)〜図7(h1)及び図7(a2)〜図7(h2)は実施形態4に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。
【0089】
実施形態4に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法と同様に、「樹脂層形成工程」、「溝形成工程」、「凹部形成工程」、「金属配線パターン形成工程」、「樹脂基材形成工程」及び「金属配線転写工程」をこの順序で含んでいるが、金属基板の種類及び「裏打ち層形成工程」をさらに含む点が、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法の場合とは異なっている。
【0090】
すなわち、実施形態4に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属基板として、図7(a1)及び図7(a2)に示すように、第2樹脂基材416上に金属層418が形成された金属基板410を用いている。
第2樹脂基材416に用いる樹脂材料としては、例えばポリイミド樹脂を好適に用いることができる。
金属層418に用いる金属材料としては、例えばチタン又はチタン合金を好適に用いることができる。
【0091】
また、実施形態4に係るコンタクトプローブの製造方法においては、樹脂基材形成工程(図7(f1)及び図7(f2)参照。)と金属配線転写工程(図7(h1)及び図7(h2)参照。)との間に、樹脂基材440上に裏打ち層450を形成する裏打ち層形成工程(図7(g1)及び図7(g2)参照。)をさらに含んでいる。また、金属配線転写工程においては、金属基板410を反らせることにより金属基板410と樹脂基材440とを分離することとしている。
【0092】
裏打ち層形成工程においては、例えば、Ni層を電鋳法で形成することにより樹脂基材440上に裏打ち層450を形成することができる。また、ステンレスなどの金属板を接着することにより樹脂基材440上に裏打ち層450を形成することができる。裏打ち層450の厚さは、例えば1mmである。
【0093】
なお、実施形態4に係るコンタクトプローブの製造方法における「樹脂層形成工程」、「溝形成工程」、「凹部形成工程」、「金属配線パターン形成工程」、「樹脂基材形成工程」及び「金属配線転写工程」の内容については、図7からもわかるように、実施形態1で説明したものと同様であるため、詳細な説明を省略する。また、図7中に示す凹部412、樹脂層420、溝422、金属配線パターン430、バンプ434及び樹脂基材440は、実施形態1で説明したものと同様であるため、詳細な説明を省略する。
【0094】
このように、実施形態4に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法とは、金属基板の種類及び「裏打ち層形成工程」をさらに含む点が異なるが、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法の場合と同様に、樹脂層形成工程と、溝形成工程と、凹部形成工程と、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で含んでいるため、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性の低下を抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法となる。
【0095】
また、実施形態4に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属基板として、第2樹脂基材416上に金属層418が形成された金属基板410を用いている。このような金属基板410は厚みが比較的薄いものであり、柔軟性があるため、金属配線転写工程において金属基板410を反らせ易くすることが可能となる。このため、金属配線パターン430が形成された樹脂基材440側の部分にかかる応力を小さくすることが可能となり、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。
【0096】
また、実施形態4に係るコンタクトプローブの製造方法においては、樹脂基材形成工程と金属配線転写工程との間に、樹脂基材440上に裏打ち層450を形成する裏打ち層形成工程をさらに含み、金属配線転写工程においては、金属基板410を反らせることにより金属基板410と樹脂基材440とを分離することとしている。これにより、金属配線パターン430が転写された樹脂基材440側の部分の機械的強度を高くすることが可能となるため、金属配線パターン430が形成された樹脂基材440側の部分にかかる応力をさらに小さくすることが可能となり、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。
【0097】
実施形態4に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属基板の種類及び「裏打ち層形成工程」をさらに含む点以外の点では、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法と同様の工程を含むものであるため、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法が有する効果のうち該当する効果をそのまま有する。
【0098】
〔実施形態5〕
図8は、実施形態5に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図8(a1)〜図8(g1)及び図8(a2)〜図8(g2)は実施形態5に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。
【0099】
実施形態5に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法と同様に、「樹脂層形成工程」、「溝形成工程」、「凹部形成工程」、「金属配線パターン形成工程」、「樹脂基材形成工程」及び「金属配線転写工程」をこの順序で含んでいるが、「凹部形成工程」で用いる装置の種類が、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法の場合とは異なっている。
【0100】
すなわち、実施形態5に係るコンタクトプローブの製造方法においては、集束性イオンビーム加工装置に代えて、フェムト秒レーザ加工装置を用いている。そして、図8(d2)に示すように、金属基板510における溝522形成部分にフェムト秒レーザ光Lをレーザ出力が例えば211mWの条件で照射して、バンプ534に対応する形状の凹部512を形成する。
【0101】
このように、実施形態5に係るコンタクトプローブの製造方法は、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法とは、「凹部形成工程」で用いる装置の種類が異なるが、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法の場合と同様に、樹脂層形成工程と、溝形成工程と、凹部形成工程と、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で含んでいるため、金属配線パターンに対応する形状の溝を形成する作業が煩雑となることがなく、コンタクトピンの先端部にバンプを精度良く形成するのが容易で、コンタクトプローブの信頼性の低下を抑制することが可能なコンタクトプローブの製造方法となる。
【0102】
また、実施形態5に係るコンタクトプローブの製造方法においては、フェムト秒レーザ加工装置を用いて凹部形成工程を行うこととしている。これにより、精密な凹部を比較的容易に形成することが可能となり、精密なバンプを比較的容易に形成することが可能となる。
【0103】
実施形態5に係るコンタクトプローブの製造方法においては、「凹部形成工程」で用いる装置の種類が異なる点以外の点では、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法と同様の工程を含むものであるため、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法が有する効果のうち該当する効果をそのまま有する。
【0104】
〔実施形態6〕
図9は、実施形態6に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図9(a1)〜図9(d1)及び図9(a2)〜図9(d2)は実施形態6に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。図10は、実施形態6に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示すフローチャートである。なお、図9において、図2と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【0105】
実施形態6に係るコンタクトプローブの製造方法は、図9(a1)及び図9(a2)に示すように、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる樹脂層120付きの金属基板110を出発材料として用い、図9(b1)及び図9(b2)に示すように、電鋳法によって、凹部112及び溝122を覆うように金属配線パターン130を形成する金属配線パターン形成工程(図10のステップS14)と、図9(c1)及び図9(c2)に示すように、樹脂層120における金属基板110とは反対側の表面に樹脂基材140を形成する樹脂基材形成工程(図10のステップS15)と、図9(d1)及び図9(d2)に示すように、金属基板110と樹脂基材140とを分離することにより樹脂基材140上に金属配線パターン130を転写する金属配線転写工程(図10のステップS16)とがこの順序で繰り返し行われる。
【0106】
なお、実施形態6に係るコンタクトプローブの製造方法における金属配線パターン形成工程(図10のステップS11)、樹脂基材形成工程(図10のステップS12)及び金属配線転写工程(図10のステップS13)の内容は、実施形態1で説明したものと同様であるため、詳細な説明は省略する。
【0107】
このように、実施形態6に係るコンタクトプローブの製造方法は、樹脂基材140上にバンプ134付きの金属配線パターン130が形成されたコンタクトプローブ100を製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる樹脂層120付きの金属基板110を出発材料として用い、上述のように、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で繰り返す。
【0108】
このため、実施形態6に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線パターン130に対応する形状の溝122がそのままの形で残った状態の金属基板110を繰り返し使用してコンタクトプローブ100を製造することができ、コンタクトプローブの生産性を向上することが可能となるとともに製造コストの低減化を図ることが可能となる。
【0109】
〔実施形態7〕
図11は、実施形態7に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。図11(a1)〜図11(h1)及び図11(a2)〜図11(h2)は実施形態7に係るコンタクトプローブの製造方法における各工程図である。図12は、実施形態7に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示すフローチャートである。なお、図11において、図5と同一の部材については同一の符号を付し、詳細な説明は省略する。
【0110】
実施形態7に係るコンタクトプローブの製造方法は、図11(a1)及び図11(a2)に示すように、実施形態2に係るコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる「樹脂基材140から分離された金属基板210」を出発材料として用い、図11(b1)及び図11(b2)に示すように、金属基板210を研磨する金属基板研磨工程(図12のステップS27)と、図11(c1)及び図11(c2)に示すように、金属基板210上に樹脂層220を形成する樹脂層形成工程(図12のステップS21)と、図11(d1)及び図11(d2)に示すように、樹脂層220に紫外線レーザ光Lを照射して金属配線パターン230に対応する形状の溝222を金属基板210に至るように形成する溝形成工程(図12のステップS22)と、図11(e1)及び図11(e2)に示すように、金属基板210における溝222形成部分にイオンビームIBを照射してバンプ234に対応する形状の凹部212を形成する凹部形成工程(図12のステップS23)と、図11(f1)及び図11(f2)に示すように、電鋳法によって、凹部212及び溝222を覆うように金属配線パターン230を形成する金属配線パターン形成工程(図12のステップS24)と、図11(g1)及び図11(g2)に示すように、樹脂層220における金属基板210とは反対側の表面に樹脂基材240を形成する樹脂基材形成工程(図12のステップS25)と、図11(h1)及び図11(h2)に示すように、金属基板210と樹脂基材240とを分離することにより樹脂基材240上に金属配線パターン230を転写する金属配線転写工程(図12のステップS26)とがこの順序で繰り返し行われる。
【0111】
なお、実施形態7に係るコンタクトプローブの製造方法における樹脂層形成工程(図12のステップS21)、溝形成工程(図12のステップS22)、凹部形成工程(図12のステップS23)、金属配線パターン形成工程(図12のステップS24)、樹脂基材形成工程(図12のステップS25)及び金属配線転写工程(図12のステップS26)の内容は、実施形態1及び実施形態2で説明したものと同様であるため、詳細な説明は省略する。
【0112】
このように、実施形態7に係るコンタクトプローブの製造方法は、樹脂基材240上にバンプ234付きの金属配線パターン230が形成されたコンタクトプローブ200(図示せず。)を製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、実施形態2に係るコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる「樹脂基材240から分離された金属基板210」を出発材料として用い、上述のように、金属基板研磨工程と、樹脂層形成工程と、溝形成工程と、凹部形成工程と、金属配線パターン形成工程と、樹脂基材形成工程と、金属配線転写工程とをこの順序で繰り返す。
【0113】
このため、実施形態7に係るコンタクトプローブの製造方法によれば、金属配線転写工程を行った後の金属基板210について表面を研磨することにより、金属基板210を再利用することが可能となり、コンタクトプローブを製造する際の省資源化を図ることが可能となる。
【0114】
以上、本発明のコンタクトプローブの製造方法を上記の各実施形態に基づいて説明したが、本発明は、これに限定されるものではなく、その要旨を逸脱しない範囲において実施することが可能であり、例えば、次のような変形も可能である。
【0115】
(1)上記各実施形態に係るコンタクトプローブの製造方法において、樹脂基材形成工程においては、樹脂層における金属基板とは反対側の表面に樹脂基材を圧着することにより樹脂基材を形成することとしているが、本発明はこれに限定するものではない。樹脂基材形成工程においては、樹脂層における金属基板とは反対側の表面に樹脂を塗布してその後固化させることにより樹脂基材を形成することとしてもよい。
【0116】
(2)上記実施形態4に係るコンタクトプローブの製造方法においては、金属基板として、第2樹脂基材上に金属層が形成された金属基板と用いたが、本発明はこれに限定されるものではなく、金属箔からなる金属基板を用いてもよい。
【0117】
(3)上記各実施形態に係るコンタクトプローブの製造方法においては、凹部形成工程の後に金属配線パターン形成工程を行うこととしているが、本発明はこれに限定されるものではなく、凹部形成工程と金属配線パターン形成工程との間に、溝及び凹部を洗浄する洗浄工程を行ってもよい。この場合、溝や凹部に残る加工残渣を除去することが可能となるため、高品質のコンタクトプローブを製造することが可能となる。
【0118】
(4)上記実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法においては、1枚の金属基板から4つのコンタクトプローブを製造する場合を例示して説明したが、本発明はこれに限定されるものではなく、1枚の金属基板に2つ、3つ又は5つ以上の金属配線パターンを形成して、2つ、3つ又は5つ以上のコンタクトプローブを製造してもよい。
【図面の簡単な説明】
【0119】
【図1】実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法によって製造されたコンタクトプローブ100を説明するために示す図である。
【図2】実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。
【図3】複合加工装置10を説明するために示す概念図である。
【図4】実施形態1に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。
【図5】実施形態2に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。
【図6】実施形態3に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。
【図7】実施形態4に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。
【図8】実施形態5に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。
【図9】実施形態6に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。
【図10】実施形態6に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示すフローチャートである。
【図11】実施形態7に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。
【図12】実施形態7に係るコンタクトプローブの製造方法を説明するために示すフローチャートである。
【図13】従来のコンタクトプローブの製造方法を説明するために示す図である。
【符号の説明】
【0120】
10…複合加工装置、12…ロード室、14…紫外線レーザ加工室、16…集束性イオンビーム加工室、18…アンロード室、20…移動台、100…コンタクトプローブ、110,210,310,410,510…金属基板、112,212,312,412,512…凹部、120,220,320,420,520…樹脂層、122,222,322,422,522…溝、130,230,330,430,530…金属配線パターン、132,232,332,432,532…コンタクトピン、134,234,334,434,534…バンプ、140,240,340,440,540…樹脂基材、416…第2樹脂基材、418…金属層、450…裏打ち層、910…基板層、912…凹部、920…フォトレジスト層、922…溝、930…第2金属層、934…バンプ、940…フィルム、942…金属フィルム、944…樹脂フィルム、950…第1金属層、960…金メッキ層、EL…エッチング液、IB…イオンビーム、L…紫外線レーザ、L…フェムト秒レーザ

【特許請求の範囲】
【請求項1】
樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、
金属基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層にレーザ光を照射して前記金属配線パターンに対応する形状の溝を前記金属基板に至るように形成する溝形成工程と、
前記金属基板における溝形成部分にレーザ光又はイオンビームを照射して前記バンプに対応する形状の凹部を形成する凹部形成工程と、
電鋳法によって、前記凹部及び前記溝を覆うように前記金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成工程と、
前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に前記樹脂基材を形成する樹脂基材形成工程と、
前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することにより前記樹脂基材上に前記バンプ付きの前記金属配線パターンを転写する金属配線転写工程とをこの順序で含むことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項2】
請求項1に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
紫外線レーザ加工装置を用いて前記溝形成工程を行うことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項3】
請求項1又は2に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
フェムト秒レーザ加工装置を用いて前記凹部形成工程を行うことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項4】
請求項1又は2に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
集束性イオンビーム加工装置を用いて前記凹部形成工程を行うことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項5】
請求項3又は4に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
前記紫外線レーザ加工装置及び前記フェムト秒レーザ加工装置又は前記集束性イオンビーム加工装置を備える複合加工装置を準備しておき、
前記複合加工装置を用いて、前記溝形成工程と前記凹部形成工程とを連続して行うことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項6】
請求項1〜5のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法において、
前記樹脂基材形成工程においては、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に樹脂基材を圧着することにより前記樹脂基材を形成することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項7】
請求項1〜5のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法において、
前記樹脂基材形成工程においては、前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に樹脂を塗布してその後固化させることにより前記樹脂基材を形成することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項8】
請求項1〜7のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法において、
前記金属配線転写工程においては、前記金属基板に前記樹脂層を残したまま、前記樹脂基材上に前記金属配線パターンのみを転写することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項9】
請求項1〜7のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法において、
前記金属配線転写工程においては、前記樹脂基材上に前記金属配線パターンとともに前記樹脂層をも転写することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項10】
請求項1〜7のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法において、
前記金属配線転写工程においては、前記樹脂基材が形成された前記金属基板をエッチング液に浸漬して前記樹脂層を溶解して、前記金属基板と前記金属配線パターンが転写された樹脂基材とを分離することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項11】
請求項8又は9に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
前記樹脂層形成工程においては、前記金属基板として、第2樹脂基材上に金属層が形成された金属基板又は金属箔からなる金属基板を用いることを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項12】
請求項11に記載のコンタクトプローブの製造方法において、
前記樹脂基材形成工程と前記金属配線転写工程との間に、前記樹脂基材上に裏打ち層を形成する裏打ち層形成工程をさらに含み、
前記金属配線転写工程においては、前記金属基板を反らせることにより前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項13】
請求項1〜12のいずれかに記載のコンタクトプローブの製造方法において、
1枚の金属基板に複数の金属配線パターンを形成して、複数のコンタクトプローブを製造することを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項14】
樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、
請求項8に記載のコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる「前記樹脂基材から分離された前記樹脂層付きの前記金属基板」を出発材料として用い、
電鋳法によって、前記凹部及び前記溝を覆うように前記金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成工程と、
前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に前記樹脂基材を形成する樹脂基材形成工程と、
前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することにより前記樹脂基材上に前記金属配線パターンを転写する金属配線転写工程とをこの順序で繰り返すことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。
【請求項15】
樹脂基材上にバンプ付きの金属配線パターンが形成されたコンタクトプローブを製造するためのコンタクトプローブの製造方法であって、
請求項9又は10に記載のコンタクトプローブの製造方法を実施して得られる「前記樹脂基材から分離された前記金属基板」を出発材料として用い、
前記金属基板を研磨する金属基板研磨工程と、
前記金属基板上に樹脂層を形成する樹脂層形成工程と、
前記樹脂層にレーザ光を照射して前記金属配線パターンに対応する形状の溝を前記金属基板に至るように形成する溝形成工程と、
前記金属基板における溝形成部分にレーザ光又はイオンビームを照射して前記バンプに対応する形状の凹部を形成する凹部形成工程と、
電鋳法によって、前記凹部及び前記溝を覆うように前記金属配線パターンを形成する金属配線パターン形成工程と、
前記樹脂層における前記金属基板とは反対側の表面に前記樹脂基材を形成する樹脂基材形成工程と、
前記金属基板と前記樹脂基材とを分離することにより前記樹脂基材上に前記金属配線パターンを転写する金属配線転写工程とをこの順序で繰り返すことを特徴とするコンタクトプローブの製造方法。

【図2】
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【図3】
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【図4】
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【図5】
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【図6】
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【図7】
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【図8】
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【図9】
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【図10】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図1】
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【公開番号】特開2008−89439(P2008−89439A)
【公開日】平成20年4月17日(2008.4.17)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2006−271365(P2006−271365)
【出願日】平成18年10月3日(2006.10.3)
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】(出願人による申告)平成18年度、経済産業省、地域新生コンソーシアム研究開発事業、産業再生法第30条の適用を受ける特許出願
【出願人】(392036108)株式会社みくに工業 (17)
【出願人】(501061319)学校法人 東洋大学 (68)
【Fターム(参考)】