コンデンサ及びその製造方法
【課題】挿入損失の小さなコンデンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】コンデンサ１は、誘電体からなるコンデンサ本体１０と、第１の内部電極と、第２の内部電極１２と、第１及び第２の信号端子１５，１６と、接地端子１７，１８とを備えている。第１及び第２の信号端子１５，１６は、第１の内部電極に接続されている。接地端子１７，１８は、コンデンサ本体１０の外表面上に、第２の内部電極１２に接続されるように形成されている。接地端子１７，１８は、グラウンド電位に接続される。接地端子１７，１８は、コンデンサ本体１０上に、第２の内部電極１２に接続されるように形成されているめっき膜１７ａ，１８ａを有する。
【解決手段】コンデンサ１は、誘電体からなるコンデンサ本体１０と、第１の内部電極と、第２の内部電極１２と、第１及び第２の信号端子１５，１６と、接地端子１７，１８とを備えている。第１及び第２の信号端子１５，１６は、第１の内部電極に接続されている。接地端子１７，１８は、コンデンサ本体１０の外表面上に、第２の内部電極１２に接続されるように形成されている。接地端子１７，１８は、グラウンド電位に接続される。接地端子１７，１８は、コンデンサ本体１０上に、第２の内部電極１２に接続されるように形成されているめっき膜１７ａ，１８ａを有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサ及びその製造方法に関し、詳細には、一対の信号端子と、接地端子とを備えるコンデンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、特許文献１などに記載されている３端子型のコンデンサが知られている。３端子型のコンデンサは、一般的に、直方体状のセラミック素体を備えている。セラミック素体の内部には、第１及び第２の内部電極が設けられている。第１の内部電極と、第２の内部電極とは、対向するように配置されている。セラミック素体の両端面には、第１及び第２の信号端子が形成されている。第１及び第２の信号端子は、第１の内部電極に接続されている。一方、セラミック素体の側面の一部には、第２の内部電極に接続されており、グラウンド電位に接続される接地端子が形成されている。
【０００３】
第１及び第２の信号端子と、接地端子とのそれぞれは、一般的には、セラミック素体上に形成されている焼成膜と、焼成膜の上に形成されている１または複数のめっき膜とにより構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１０７６５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記外部電極端子の焼成膜は、セラミック素体を機械的に位置を決めて、導電性ペーストを塗布した後に導電性ペーストを焼成することにより形成されるが、機械的に導電性ペーストを高い位置精度で正確に塗布することは、機械の寸法誤差を考慮すると極めて困難である。このため、内部電極の露出部が電極端子により確実に覆われるように、外部電極端子を内部電極の露出部よりも大きく形成する必要がある。換言すれば、内部電極の露出部は、外部電極端子よりも小さくする必要がある。
【０００６】
このように、外部電極端子を焼成膜を有するものとした場合、内部電極の露出部を小さくする必要がある。このため、第２の内部電極の接地端子との接続部の電極断面積が小さくなる傾向にある。第２の内部電極の接地端子との接続部の電極断面積が小さくなると、ＥＳＬが大きくなり、ノイズ除去特性が劣化するという問題があった。すなわち、挿入損失特性が悪くなるという問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、挿入損失特性が良好なコンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るコンデンサは、直方体状のコンデンサ本体と、第１の内部電極と、第２の内部電極と、第１及び第２の信号端子と、接地端子とを備えている。コンデンサ本体は、誘電体からなる。コンデンサ本体は、第１及び第２の主面と、第１及び第２の側面と、第１及び第２の端面とを有する。第１及び第２の主面は、長さ方向と幅方向とに沿って延びている。第１及び第２の側面は、長さ方向と高さ方向とに沿って延びている。第１及び第２の端面は、幅方向と高さ方向とに沿って延びている。第１の内部電極は、コンデンサ本体の内部に形成されている。第２の内部電極は、コンデンサ本体の内部に形成されている。第２の内部電極は、第１の内部電極と対向している。第１の信号端子は、第１の端面に形成されている。第１の信号端子は、第１の内部電極に接続されている。第２の信号端子は、第２の端面に形成されている。第２の信号端子は、第１の内部電極に接続されている。接地端子は、第１の側面の一部分の上に、第２の内部電極に接続されるように形成されている。接地端子は、グラウンド電位に接続される。接地端子は、１または複数のめっき膜を有する。１または複数のめっき膜は、コンデンサ本体上に形成されている。１または複数のめっき膜は、第２の内部電極に直接接続されている。
【０００９】
本発明に係るコンデンサのある特定の局面では、１または複数のめっき膜は、湿式めっきにより形成された湿式めっき膜である。この構成によれば、化学溶媒を使う無電解めっきに比べて、コンデンサ本体へのダメージを少なくできる。
【００１０】
本発明に係るコンデンサの他の特定の局面では、コンデンサはノイズフィルタである。
【００１１】
本発明に係るコンデンサの別の特定の局面では、信号端子は、正電位に接続される。この場合、接地端子がグラウンド電位側となる。このため、接地端子が形成されている部分からコンデンサ本体内に水分が進入しても、接地端子に含まれる金属成分はイオン化しない。従って、接地端子に含まれる金属がイオン化することに起因するコンデンサの信頼性低下を効果的に抑制することができる。
【００１２】
本発明に係るコンデンサのさらに他の特定の局面では、接地端子は、焼成導電膜を含まない。この場合、接地端子の位置精度を容易に向上し得る。
【００１３】
本発明に係るコンデンサのさらに別の特定の局面では、信号端子は、コンデンサ本体の外表面上に形成され、第１の内部電極に直接接続された１または複数のめっき膜と、１または複数のめっき膜の上に形成されており、ガラス成分を含有する焼成導電膜とを有する。この構成によれば、コンデンサの信頼性の低下をより効果的に抑制することができる。
【００１４】
本発明に係るコンデンサのまた他の特定の局面では、第１及び第２の信号端子のそれぞれは、コンデンサ本体の外表面上に形成され、第１の内部電極に直接接続されたガラス成分を含有する焼成導電膜と、焼成導電膜上に形成されている１または複数のめっき膜とを有する。この構成では、焼成導電膜にガラス成分が含まれているため、コンデンサ本体の第１及び第２の信号端子が形成されている部分からコンデンサ本体内に水分が進入することが効果的に抑制される。また、コンデンサ本体への固着力が高まる。従って、第１及び第２の信号端子に含まれる金属がイオン化することに起因するコンデンサの信頼性低下を効果的に抑制することができる。
【００１５】
本発明に係るコンデンサのまた別の特定の局面では、焼成導電膜は、Ｃｕを含む。
【００１６】
本発明に係るコンデンサのまた他の特定の局面では、接地端子は、第１及び第２の主面上に形成されている部分を有し、第２の内部電極は、高さ方向において第１の内部電極と対向している対向部と、対向部と接地端子とを接続する接続部とを含み、コンデンサは、高さ方向において、第２の内部電極の接続部と、接地端子の第１または第２の主面上に位置する部分との間に配置されており、接地端子に接続されている接地ダミー電極をさらに備えている。この構成によれば、基板に半田付けする際に、側面において第１主面から第２主面にわたって、半田の濡れ上がり部を全てめっきで一度に形成することができる。
【００１７】
本発明に係るコンデンサのさらにまた他の特定の局面では、第２の内部電極に接続されているめっき膜は、Ｃｕを含有しているＣｕめっき膜からなる。この構成によれば、めっきをセラミック素体に形成するのが容易となる。
【００１８】
本発明に係るコンデンサのさらにまた別の特定の局面では、接地端子は、Ｃｕめっき膜の上に形成されており、Ｎｉを含有しているＮｉめっき膜と、Ｎｉめっき膜の上に形成されており、Ｓｎを含有しているＳｎめっき膜とをさらに有する。この構成によれば、半田に対する接合強度を高めることができる。
【００１９】
本発明に係るコンデンサのさらに異なる他の特定の局面では、第１及び第２の内部電極は、Ｎｉからなる。この構成によれば、例えばＰｄやＡｇ／Ｐｄにより第１，第２の内部電極を形成する場合と比べて製造コストを低減できる。
【００２０】
本発明に係るコンデンサの製造方法は、上記本発明のコンデンサを製造するための方法である。本発明に係るコンデンサの製造方法は、第１の内部電極形成用導電性ペーストを誘電体シート上に印刷し、第１の内部電極形成用の導電膜が形成された第１のシートを得る工程と、第２の内部電極形成用導電性ペーストを誘電体シート上に印刷し、第２の内部電極形成用の導電膜が形成された第２のシートを得る工程と、第１のシートと、第２のシートと、導電性ペーストが印刷されていない誘電体シートとを積層することにより積層体を形成する工程と、積層体を焼成する焼成工程と、積層体の上に、第１の内部電極形成用の導電膜に接触するように導電ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程と、塗布された導電ペーストを焼き付けて焼成膜とする焼付け工程と、積層体の上に、第２の内部電極形成用の導電膜に接触するように１または複数のめっき膜を形成するめっき膜形成工程と、積層体を加熱することにより、めっき膜と第２の内部電極形成用の導電膜との界面において、めっき膜と第２の内部電極形成用の導電膜とを合金化させる合金化工程とを備えている。本発明に係る製造方法では、合金化工程により、めっき膜と第２の内部電極形成用の導電膜との界面において、めっき膜と第２の内部電極形成用の導電膜とが合金化される。このため、第２の内部電極とめっき膜との高い接続強度を実現することができる。従って、信頼性の高いコンデンサを製造することができる。
【００２１】
本発明に係るコンデンサの製造方法のある特定の局面では、導電性ペースト塗布工程と、焼付け工程と、めっき膜形成工程と、合金化工程とをこの順番で行う。
【００２２】
本発明に係るコンデンサの製造方法の他の特定の局面では、焼付け工程に先立って、めっき膜形成工程を行い、めっき形成工程後、導電性ペースト塗布工程を行い、導電性ペースト塗布工程後、焼付け工程と合金化工程とを同時に行う。この場合、コンデンサの製造工程を簡略化することができる。従って、コンデンサを容易に製造することができる。
【００２３】
本発明に係るコンデンサの製造方法の別の特定の局面では、合金化工程と、導電性ペースト塗布工程と、焼付け工程とをこの順番で行う。
【発明の効果】
【００２４】
本発明では、接地端子のうち、第２の内部電極に接続される部分がめっき膜により形成されている。めっき膜は、内部電極の露出部に合わせて導電性ペーストを浸漬し形成する焼成膜とは異なり、内部電極の露出部からめっき成長させることにより形成するため、高い位置精度で形成することができる。従って、導電性ペースト塗布時のばらつきを考慮する必要もなく、内部電極のコンデンサ本体から露出している部分を、ばらつきを考慮して小さくする必要はない。すなわち、内部電極のコンデンサ本体から露出している部分を大きくすることができる。よって、第２の内部電極の接地端子との接続部の電極断面積を大きくでき、ＥＳＬを小さくすることができ、その結果、良好な挿入損失特性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係るコンデンサの略図的斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るコンデンサの略図的平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るコンデンサの略図的側面図である。
【図４】図１における線ＩＶ−ＩＶにおける略図的断面図である。
【図５】図１における線Ｖ−Ｖにおける略図的断面図である。
【図６】図４における線ＶＩ−ＶＩにおける略図的断面図である。
【図７】図５における線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける略図的断面図である。
【図８】図５における線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける略図的断面図である。
【図９】参考例に係るコンデンサの略図的断面図である。
【図１０】コンデンサの挿入損失を表すグラフである。
【図１１】第１の変形例に係るコンデンサの略図的断面図である。
【図１２】第２の変形例に係るコンデンサの略図的断面図である。
【図１３】第３の変形例に係るコンデンサの略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について、説明する。但し、以下の実施形態は、単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に限定されない。
【００２７】
図１は、本実施形態のコンデンサの略図的斜視図である。図２は、本実施形態のコンデンサの略図的平面図である。図３は、本実施形態のコンデンサの略図的側面図である。
【００２８】
図１〜３に示す本実施形態のコンデンサ１は、ノイズフィルタとして使用されるコンデンサである。図１〜図３に示すように、コンデンサ１は、コンデンサ本体（セラミック素体）１０を備えている。コンデンサ本体１０は、誘電体からなる。具体的には、コンデンサ本体１０は、例えば、誘電体セラミックからなる。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。なお、コンデンサ本体１０には、例えば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分が適宜添加されていてもよい。
【００２９】
本実施形態では、コンデンサ本体１０は、略直方体状に形成されている。コンデンサ本体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとを備えている。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂのそれぞれは、長さ方向Ｌと幅方向Ｗとに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれは、長さ方向Ｌと高さ方向Ｈとに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆのそれぞれは、幅方向Ｗと高さ方向Ｈとに沿って延びている。
【００３０】
コンデンサ本体１０の内部には、複数の第１の内部電極１１と、複数の第２の内部電極１２とが形成されている。複数の第１及び第２の内部電極１１，１２は、誘電体層を介して、高さ方向Ｈに対向するように交互に配置されている。
【００３１】
図５及び図８に示すように、第１の内部電極１１は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びるように形成されている。第１の内部電極１１は、略矩形状に形成されている。第１の内部電極１１は、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆに露出している。第１の内部電極１１は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには露出していない。
【００３２】
図４及び図７に示すように、第２の内部電極１２は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びるように形成されている。図４及び図７に示すように、第２の内部電極１２は、高さ方向Ｈにおいて第１の内部電極１１と対応している対向部１２ａと、対向部１２ａに接続されている第１及び第２の接続部１２ｂ、１２ｃとを備えている。
【００３３】
高さ方向Ｈから視た際に、対向部１２ａは、コンデンサ本体１０の中央部に形成されている。対向部１２ａは、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆに露出していない。
【００３４】
第１の接続部１２ｂは、一端部が対向部１２ａに接続されており、他端部が第１の側面１０ｃに露出している。第２の接続部１２ｃは、一端部が対向部１２ａに接続されており、他端部が第２の側面１０ｄに露出している。第１及び第２の接続部１２ｂ、１２ｃのそれぞれの長さ方向Ｌに沿った長さは、対向部１２ａの長さ方向Ｌに沿った長さよりも短い。
【００３５】
なお、第１及び第２の内部電極１１，１２の形成材料は特に限定されないが、第１及び第２の内部電極１１，１２は、例えば、Ｎｉを含むものであることが好ましく、実質的にＮｉからなるものであることが好ましい。
【００３６】
図１〜図３及び図６〜図８に示すように、コンデンサ本体１０の第１の端面１０ｅの上には、第１の信号端子１５が形成されている。第１の信号端子１５は、第１の端面１０ｅを覆い、かつ、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに至るように形成されている。図８に示すように、第１の信号端子１５は、第１の内部電極１１に接続されている。
【００３７】
図１〜図３及び図６〜図８に示すように、コンデンサ本体１０の第２の端面１０ｆの上には、第２の信号端子１６が形成されている。第２の信号端子１６は、第２の端面１０ｆを覆い、かつ、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに至るように形成されている。図８に示すように、第２の信号端子１６は、第１の内部電極１１に接続されている。
【００３８】
なお、第１及び第２の信号端子１５，１６が接続される電位の極性は特に限定されない。本実施形態では、第１及び第２の信号端子１５，１６が正電位に接続される例について説明する。
【００３９】
図６〜図８に示すように、本実施形態では、第１及び第２の信号端子１５，１６のそれぞれは、３つの導電層の積層体により構成されている。具体的には、第１及び第２の信号端子１５，１６は、焼成導電膜１５ａ、１６ａと、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂと、第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃとが積層された複層膜により形成されている。
【００４０】
焼成導電膜１５ａ、１６ａは、導電剤と共にガラス成分を含有する導電性ペーストが焼成されてなる膜である。このため、コンデンサ本体１０の第１及び第２の信号端子１５，１６が形成されている部分からコンデンサ本体１０内に水分が進入することが効果的に抑制される。従って、第１及び第２の信号端子１５，１６に含まれる金属がイオン化することに起因するコンデンサ１の信頼性低下を効果的に抑制することができる。
【００４１】
焼成導電膜１５ａ、１６ａの厚さは、特に限定されず、例えば、１０μｍ〜６０μｍ程度とすることができる。
【００４２】
焼成導電膜１５ａ、１６ａに含まれる導電剤は、例えば、Ｃｕであることが好ましい。Ｎｉを含有する内部電極１１，１２との接合性が向上するためである。また、第１の内部電極１１をＮｉを含むものとし、焼成導電膜１５ａ、１６ａをＣｕを含む焼成導電膜とすることにより、焼成導電膜１５ａ、１６ａの焼成時に焼成導電膜１５ａ、１６ａと、第１の内部電極１１との界面において、ＣｕとＮｉとが合金化し、焼成導電膜１５ａ、１６ａと第１の内部電極１１とを強固に接続することができる。
【００４３】
第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂは、焼成導電膜１５ａ、１６ａの上に形成されている。第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂの形成材料は特に限定されないが、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂは、例えば、Ｎｉめっきにより構成することができる。そうすることにより、半田に対する半田付き性が向上する。
【００４４】
第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃは、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂの上に形成されている。第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃの形成材料は特に限定されないが、第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃは、例えば、Ｓｎめっきにより構成することができる。そうすることにより、半田に対する半田付き性が向上する。
【００４５】
第１及び第２のめっき膜１５ｂ、１６ｂ、１５ｃ、１６ｃの厚みは、特に限定されず、例えば、それぞれ、１μｍ〜５μｍ程度とすることができる。
【００４６】
図１〜図３及び図６〜図８に示すように、コンデンサ本体１０の外表面上には、第２の内部電極１２に接続されるように第１及び第２の接地端子１７，１８が形成されている。これら、第１及び第２の接地端子１７，１８は、グラウンド電位に接続される端子である。
【００４７】
図１，図２及び図４に示すように、第１の接地端子１７は、長さ方向Ｌにおいて、第１の側面１０ｃの中央部に形成されている。第１の接地端子１７の上端部は、第１の主面１０ａに至っている。第１の接地端子１７の下端部は、第２の主面１０ｂに至っている。すなわち、第１の接地端子１７は、長さ方向Ｌにおいて第１の側面１０ｃの中央部に位置する第１の部分１７ｄと、第１の主面１０ａ上に位置する第２の部分１７ｅと、第２の主面１０ｂ上に位置する第３の部分１７ｆとを備えている。図４及び図７に示すように、第１の部分１７ｄは、第２の内部電極１２の第１の接続部１２ｂに接続されている。
【００４８】
図１，図２及び図４に示すように、第２の接地端子１８は、長さ方向Ｌにおいて、第２の側面１０ｄの中央部に形成されている。第２の接地端子１８の上端部は、第１の主面１０ａに至っている。第２の接地端子１８の下端部は、第２の主面１０ｂに至っている。すなわち、第２の接地端子１８は、長さ方向Ｌにおいて第２の側面１０ｄの中央部に位置する第１の部分１８ｄと、第１の主面１０ａ上に位置する第２の部分１８ｅと、第２の主面１０ｂ上に位置する第３の部分１８ｆとを備えている。図４及び図７に示すように、第１の部分１８ｄは、第２の内部電極１２の第２の接続部１２ｃに接続されている。
【００４９】
なお、本実施形態では、第１及び第２の接地端子１７，１８のそれぞれを第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂに至るように形成するために、めっき工程における通電のためのシード層を、第１及び第２の接地端子１７，１８の形成前に予め形成しておく必要がある。但し、本発明は、これに限定されない。シード層を予め形成せずに、第１及び第２の接地端子１７，１８を形成してもよい。その場合は、図１３に示すように、第１及び第２の接地端子１７，１８のそれぞれは、第１または第２の側面１０ｃ、１０ｄの上のみに形成され、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上には形成されない。すなわち、第１及び第２の接地端子１７，１８は、第１の部分１７ｄ、１８ｄのみにより構成されることとなる。
【００５０】
図４に示すように、高さ方向Ｈにおいて、第２の内部電極１２の第１及び第２の接続部１２ｂ、１２ｃと、第１及び第２の接地端子１７，１８のそれぞれの第２及び第３の部分１７ｅ、１８ｅ、１７ｆ、１８ｆとの間には、接地ダミー電極１３が形成されている。図４及び図６に示すように、この接地ダミー電極１３は、第１または第２の接地端子１７，１８の第１の部分１７ｄ、１８ｄに接続されている。このように、接地ダミー電極１３を設けることにより、基板に半田付けする際の半田の濡れ上がり部を全てめっきで一度に形成することができる。
【００５１】
本実施形態では、図４、図６〜図８に示すように、第１及び第２の接地端子１７，１８のそれぞれは、第１〜第３のめっき膜１７ａ、１８ａ、１７ｂ、１８ｂ、１７ｃ、１８ｃの複層構造により構成されている。第１のめっき膜１７ａ、１８ａは、コンデンサ本体１０の上に形成されている。具体的には、第１のめっき膜１７ａは、第１の側面１０ｃ上に形成されている。第１のめっき膜１７ａは、第２の内部電極１２の第１の接続部１２ｂに接続されている。第１のめっき膜１８ａは、第２の側面１０ｄ上に形成されている。第１のめっき膜１８ａは、第２の内部電極１２の第２の接続部１２ｃに接続されている。第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂは、第１のめっき膜１７ａ、１８ａの上に形成されている。第３のめっき膜１７ｃ、１８ｃは、第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂの上に形成されている。
【００５２】
第１〜第３のめっき膜１７ａ、１８ａ、１７ｂ、１８ｂ、１７ｃ、１８ｃのそれぞれは、めっき膜である限りにおいて特に限定されないが、例えば、湿式めっきにより形成された湿式めっき膜であることが好ましい。この場合、化学溶媒を使う必要がなく、コンデンサ本体１０へのダメージを低減できる。また、特定箇所へ溶媒を塗るという工程が必要ではないため製造コストを下げることができる。
【００５３】
第１〜第３のめっき膜１７ａ、１８ａ、１７ｂ、１８ｂ、１７ｃ、１８ｃの形成材料は特に限定されない。例えば、第１のめっき膜１７ａ、１８ａは、Ｃｕを含有しているＣｕめっき膜であることが好ましい。第１のめっき膜１７ａ、１８ａをＣｕめっき膜とし、第２の内部電極１２をＮｉを含むものとした場合、熱処理を行うことで、第１のめっき膜１７ａ、１８ａと第２の内部電極１２との界面において、ＣｕとＮｉとが合金化する。このため、第１のめっき膜１７ａ、１８ａと第２の内部電極１２とを強固に接続することができる。
【００５４】
第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂは、Ｎｉを含有するＮｉめっき膜であることが好ましい。この場合、半田に対する半田付き性が向上する。第３のめっき膜１７ｃ、１８ｃは、Ｓｎを含有するＳｎめっき膜であることが好ましい。この場合、半田に対する半田付き性が向上する。
【００５５】
なお、第１〜第３のめっき膜１７ａ、１８ａ、１７ｂ、１８ｂ、１７ｃ、１８ｃの厚みは特に限定されない。第１のめっき膜１７ａ、１８ａの厚みは、例えば、２μｍ〜１０μｍ程度とすることができる。第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂの厚みは、例えば、１μｍ〜５μｍ程度とすることができる。第３のめっき膜１７ｃ、１８ｃの厚みは、例えば、１μｍ〜５μｍ程度とすることができる。
【００５６】
ところで、例えば、図９に示すように、接地端子１１７，１１８を焼成膜により形成した場合は、第２の内部電極１１２の接続部１１２ｂ、１１２ｃの長さ方向Ｌに沿った長さを接地端子１１７，１１８の長さ方向Ｌに沿った長さよりも短くする必要がある。接続部１１２ｂ、１１２ｃを接地端子１１７，１１８により確実に覆う必要があるが、導電性ペーストを高い位置精度で正確に塗布することは困難であるためである。また、焼成膜は、薄く形成することが困難である。このため、接地端子１１７，１１８が厚くなり、その分コンデンサ本体１１０を小さくする必要がある。従って、それに伴い、接続部１１２ｂ、１１２ｃも小さくする必要がある。その結果、ＥＳＬが大きくなり、ノイズが大きくなるという問題が生じる。
【００５７】
それに対して、本実施形態では、第１及び第２の接続部１２ｂ、１２ｃの上には、第１のめっき膜１７ａ、１８ａが形成されている。めっき膜であれば、高い位置精度で形成することができる。このため、第１及び第２の接続部１２ｂ、１２ｃを第１のめっき膜１７ａ、１８ａに対して小さくする必要はない。すなわち、第１及び第２の接続部１２ｂ、１２ｃの電極断面積を大きくすることができる。従って、例えば図１０に示すように、ＥＳＬを小さくでき、ノイズを小さくすることができる。なお、図１０に実線で示すデータは、長さ寸法が１．０ｍｍ、巾寸法が０．５ｍｍ、接地端子の長さ寸法が０．３ｍｍ、第２の内部電極の接続部の長さ方向Ｌに沿った寸法が０．３ｍｍの３端子型コンデンサであって、接地端子の最内層をめっき膜で構成したときのデータである。図１０に一点破線で示すデータは、長さ寸法が１．０ｍｍ、巾寸法が０．５ｍｍ、接地端子の長さ寸法が０．３ｍｍ、第２の内部電極の接続部の長さ方向Ｌに沿った寸法が０．１５ｍｍの３端子型コンデンサであって、接地端子の最内層を焼成被膜により構成したときのデータである。図１０に示すデータによれば、接地端子の最内層を焼成被膜からめっき膜に変更することにより、挿入損失特性が１０ｄＢ以上改善できることが分かる。
【００５８】
ところで、例えば、図９に示す例のように、接地端子１１７，１１８をガラス成分を含む焼成被膜とした場合、コンデンサ本体１１０の接地端子１１７，１１８が形成されている部分から、コンデンサ本体１１０内に水分が進入することを効果的に抑制することができる。
【００５９】
それに対して、本実施形態のように、コンデンサ本体１１０の表面上にめっき膜１５ａ、１６ａを形成した場合は、めっき膜１５ａ、１６ａが形成されている部分から、コンデンサ本体１１０内に水分が進入しやすい。しかしながら、本実施形態では、第１及び第２の信号端子１５，１６が正電圧に接続される。このため、接地端子１７，１８は、グラウンド電位側となる。このため、たとえ水分が存在しても、接地端子１７，１８に含まれる金属成分は、イオン化しない。従って、接地端子１７，１８に含まれる金属がイオン化することに起因するコンデンサ１の信頼性の低下を効果的に抑制することができる。
【００６０】
次に、コンデンサ１の製造方法の例について説明する。
【００６１】
まず、例えば、Ｎｉペーストなどの第１の内部電極用導電性ペーストを誘電体シート上に印刷し、第１の内部電極形成用の導電膜が形成された第１のシートを得る。次に、例えば、Ｎｉペーストなどの第２の内部電極形成用導電性ペーストを誘電体シート上に印刷し、第２の内部電極形成用の導電膜が形成された第２のシートを得る。また、接地ダミー電極形成用の導電膜が形成された第３のシートを、同様の手順で得る。そして、第１〜第３のシートと、導電性ペーストが印刷されていない誘電体シートとを積層することにより積層体を形成する。次に、積層体を焼成する（焼成工程）。これにより、コンデンサ本体１０を作製する。
【００６２】
その後、焼成体であるコンデンサ本体１０の端面１０ｅ、１０ｃ上に、第１及び第２の信号端子１５，１６の焼成導電膜１５ａ、１６ａを形成するための導電性ペーストを塗布し（導電性ペースト塗布工程）、焼き付けることにより焼成導電膜１５ａ，１６ａを形成する（焼付け工程）。なお、焼付け工程と焼成工程を同時に行うコファイアであってもよい。
【００６３】
次に、コンデンサ本体１０の焼成導電膜１５ａと１６ａをマスクで覆い、第１のめっき膜１７ａと１８ａを形成し、マスクを除去後、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂと、第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃと、第２、第３のめっき膜１７ｂ、１７ｃ、１８ｂ、１８ｃとを順次形成していく（めっき膜形成工程）ことで、コンデンサ１を完成させる。なお、めっき膜形成後、コンデンサ本体１０を加熱している（合金化工程）。この合金化工程は、第１のめっき膜１７ａと１８ａを形成後、コンデンサ本体１０を加熱すれば、第１のめっき膜１７ａ、１８ａと第２の内部電極との界面を合金化させることができ、接合強度を上昇させる。また、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂの形成後に、焼付け工程と合金化工程とを兼ねてコンデンサ本体１０を加熱する場合は、焼成導電膜１５ａ、１６ａと、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂとを合金化させ、同時に第１のめっき膜１７ａ、１８ａと第２の内部電極とを合金化させることができる。従って、第１のめっき膜１７ａ、１８ａと第２の内部電極との間の接合強度及び焼成導電膜１５ａ、１６ａと、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂとの間の接合強度を上昇させる。このように焼付け工程と合金化工程とを同時に行うことにより、コンデンサ１の製造工程を簡略化することができる。
【００６４】
なお、上記の例では、焼付け工程と、めっき膜形成工程と、合金化工程とをこの順番で行う例について説明した。但し、本発明はこの構成に限定されない。焼付け工程に先立って、めっき膜形成工程を行い、焼付け工程と合金化工程とを同時に行ってもよい。具体的には、以下の要領で第１及び第２の信号端子１５，１６と第１及び第２の接地端子１７，１８を形成してもよい。
【００６５】
まず、上記コンデンサ本体１０の表面上に、焼成導電膜１５ａ、１６ａを形成せずに、めっきを施す。これにより、図１１に示すように、側面１０ｃ、１０ｄの上に、第１のめっき膜１７ａ、１８ａを形成すると共に、端面１０ｅ、１０ｆの上に、第１及び第２の信号端子１５，１６を形成するための第３のめっき膜１５ｄ、１６ｄを形成する。
【００６６】
次に、第３のめっき膜１５ｄ、１６ｄの上に、導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより、ガラス成分を含有する焼成導電膜１５ａ、１６ａを形成する。この場合は、この焼付け工程における加熱により、第３のめっき膜１５ｄ、１６ｄ及び第１のめっき膜１７ａ、１８ａの合金化工程も行われる。つまり、焼付け工程と合金化工程とが同時に行われる。なお、第１のめっき膜１７ａ、１８ａ及び第３のめっき膜１５ｄ、１６ｄの加熱による合金化工程を行った後に、焼成導電膜１５ａ、１６ａの形成を行ってももちろんよい。
【００６７】
その後、上記実施形態と同様に、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂと、第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃと、第２、第３のめっき膜１７ｂ、１７ｃ、１８ｂ１８ｃとを順次形成していき、（めっき膜形成工程）コンデンサ１を完成させる。
【００６８】
この変形例のように、焼付け工程と合金化工程とを同時に行うことにより、コンデンサ１の製造工程を簡略化することができる。従って、コンデンサ１を容易に製造することができる。
【００６９】
このように、焼成導電膜１５ａ、１６ａを焼き付けるために行う焼付け工程においては、導電ペーストに含まれる有機溶剤などからガスが発生する。例えば、導電性ペースト層を形成し、その上にめっき膜を形成した後に焼き付けと合金化とを同時に行った場合には、導電性ペースト層から発生するガスがめっき膜に遮られて導電性ペースト層から抜けなくなる可能性がある。導電性ペースト層からガスが十分に抜けないと、焼成導電膜内に気泡が残存してしまうこととなる。焼成導電膜内に気泡が存在すると、コンデンサの実装に際して気泡が爆発し、半田が飛び散る虞がある。それに対して、めっき膜を形成した後に焼成導電膜１５ａ、１６ａを形成する場合は、焼付け工程においてガスが抜けやすく、気泡が残存しにくい。従って、実装時における半田の飛び散りを抑制できる。
【００７０】
また、上記実施形態や本変形例のように、第１及び第２の信号端子１５，１６を、めっき膜と焼成導電膜との異なる構造の複層構造にすることにより、例えばめっき膜のみにより構成した場合とは異なり、基板に実装された際、チップ周囲の雰囲気に含まれる水分の侵入による信頼性の低下を抑制できるという効果も得られる。なお、水分が侵入した際に信頼性が低下する主原因は、正電位に接続された信号端子において、侵入した水分によりめっき膜中の金属成分がイオン化するためであると考えられる。
【００７１】
一方、上記実施形態や本変形例においては、第１及び第２の接地端子１７，１８は、めっき膜１７ａ〜１７ｃ、１８ａ〜１８ｃの異なる構造の複層構造により構成されている。すなわち、第１及び第２の接地端子１７，１８は、めっき膜のみにより構成されており、焼成導電膜を含まない。
【００７２】
例えば、接地端子にも焼成導電膜を含めることも考えられる。しかしながら、接地端子に焼成導電膜を含める場合、側面の一部分の上に正確に導電性ペーストを塗布する必要があるが、側面の一部分の上に高い位置精度で導電性ペーストを塗布することは、機械的な位置決めを伴うため困難である。このため、接地端子の位置精度が低くなってしまう。
【００７３】
それに対して、上記実施形態や本変形例のように第１及び第２の接地端子１７，１８をめっき膜のみにより構成した場合は、めっきであるため機械的な位置決めが必要ではなく、第１及び第２の接地端子１７，１８を高い位置精度で形成することができる。
【００７４】
図１２は、第２の変形例に係るコンデンサの略図的断面図である。図１２に示すように、焼成導電膜１５ａ、１６ａと第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂとの間に、第４のめっき膜１５ｅ、１６ｅをさらに設けてもよい。その場合、第４のめっき膜１５ｅ、１６ｅと、第１のめっき膜１７ａ、１８ａとを同じＣｕを含み、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂと、第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂとを同じＮｉを含み、第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃと、第３のめっき膜１７ｃ、１８ｃとを同じＳｎを含むことが好ましい。そうすることにより、コンデンサ本体１０の端面に１０ｅと１０ｆに導電性ペーストを塗布後、コンデンサ本体１０全体にＣｕのめっき工程を施すことで、第４のめっき膜１５ｅ、１６ｅと、第１のめっき膜１７ａ、１８ａとを同じＣｕを含むめっき工程で形成することができる。なお、第１のめっき膜と第４のめっき膜を同時に形成後、焼付け工程と合金化工程とを兼ねて、コンデンサ本体１０を熱処理してもよいし、コンデンサ本体１０の端面に１０ｅと１０ｆに導電性ペーストを塗布後、焼付け工程を行い、その後、第１のめっき膜と第４のめっき膜を同時に形成し、合金化工程を行ってもよい。なお、合金化工程に先立って、焼付け工程を行う場合、コンデンサ本体１０の焼成工程と焼付け工程を同時に行うコファイアであってもよい。第４のめっき膜１５ｅ、１６ｅと、第１のめっき膜１７ａ、１８ａを形成後、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂと、第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂとを同じＮｉを含むめっき工程で同時に形成し、その後、第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃと、第３のめっき膜１７ｃ、１８ｃとを同じＳｎを含むめっき工程で形成する。なお、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂと、第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂがＮｉを含む場合、焼付け工程および合金化工程をこのめっき膜形成工程後に行ってもよい。
【符号の説明】
【００７５】
１…コンデンサ
１０…コンデンサ本体
１０ａ…コンデンサ本体の第１の主面
１０ｂ…コンデンサ本体の第２の主面
１０ｃ…コンデンサ本体の第１の側面
１０ｄ…コンデンサ本体の第２の側面
１０ｅ…コンデンサ本体の第１の端面
１０ｆ…コンデンサ本体の第２の端面
１１…第１の内部電極
１２…第２の内部電極
１２ａ…第２の内部電極の対向部
１２ｂ…第１の接続部
１２ｃ…第２の接続部
１３…接地ダミー電極
１５…第１の信号端子
１５ａ、１６ａ…焼成導電膜
１５ｂ、１６ｂ…第１のめっき膜
１５ｃ、１６ｃ…第２のめっき膜
１５ｄ，１６ｄ…第３のめっき膜
１５ｅ，１６ｅ…第４のめっき膜
１６…第２の信号端子
１７…第１の接地端子
１７ａ、１８ａ…第１のめっき膜
１７ｂ、１８ｂ…第２のめっき膜
１７ｃ、１８ｃ…第３のめっき膜
１７ｄ、１８ｄ…第１の部分
１７ｅ、１８ｅ…第２の部分
１７ｆ、１８ｆ…第３の部分
１８…第２の接地端子
【技術分野】
【０００１】
本発明は、コンデンサ及びその製造方法に関し、詳細には、一対の信号端子と、接地端子とを備えるコンデンサ及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、例えば、特許文献１などに記載されている３端子型のコンデンサが知られている。３端子型のコンデンサは、一般的に、直方体状のセラミック素体を備えている。セラミック素体の内部には、第１及び第２の内部電極が設けられている。第１の内部電極と、第２の内部電極とは、対向するように配置されている。セラミック素体の両端面には、第１及び第２の信号端子が形成されている。第１及び第２の信号端子は、第１の内部電極に接続されている。一方、セラミック素体の側面の一部には、第２の内部電極に接続されており、グラウンド電位に接続される接地端子が形成されている。
【０００３】
第１及び第２の信号端子と、接地端子とのそれぞれは、一般的には、セラミック素体上に形成されている焼成膜と、焼成膜の上に形成されている１または複数のめっき膜とにより構成されている。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０００−１０７６５８号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
上記外部電極端子の焼成膜は、セラミック素体を機械的に位置を決めて、導電性ペーストを塗布した後に導電性ペーストを焼成することにより形成されるが、機械的に導電性ペーストを高い位置精度で正確に塗布することは、機械の寸法誤差を考慮すると極めて困難である。このため、内部電極の露出部が電極端子により確実に覆われるように、外部電極端子を内部電極の露出部よりも大きく形成する必要がある。換言すれば、内部電極の露出部は、外部電極端子よりも小さくする必要がある。
【０００６】
このように、外部電極端子を焼成膜を有するものとした場合、内部電極の露出部を小さくする必要がある。このため、第２の内部電極の接地端子との接続部の電極断面積が小さくなる傾向にある。第２の内部電極の接地端子との接続部の電極断面積が小さくなると、ＥＳＬが大きくなり、ノイズ除去特性が劣化するという問題があった。すなわち、挿入損失特性が悪くなるという問題があった。
【０００７】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的は、挿入損失特性が良好なコンデンサ及びその製造方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明に係るコンデンサは、直方体状のコンデンサ本体と、第１の内部電極と、第２の内部電極と、第１及び第２の信号端子と、接地端子とを備えている。コンデンサ本体は、誘電体からなる。コンデンサ本体は、第１及び第２の主面と、第１及び第２の側面と、第１及び第２の端面とを有する。第１及び第２の主面は、長さ方向と幅方向とに沿って延びている。第１及び第２の側面は、長さ方向と高さ方向とに沿って延びている。第１及び第２の端面は、幅方向と高さ方向とに沿って延びている。第１の内部電極は、コンデンサ本体の内部に形成されている。第２の内部電極は、コンデンサ本体の内部に形成されている。第２の内部電極は、第１の内部電極と対向している。第１の信号端子は、第１の端面に形成されている。第１の信号端子は、第１の内部電極に接続されている。第２の信号端子は、第２の端面に形成されている。第２の信号端子は、第１の内部電極に接続されている。接地端子は、第１の側面の一部分の上に、第２の内部電極に接続されるように形成されている。接地端子は、グラウンド電位に接続される。接地端子は、１または複数のめっき膜を有する。１または複数のめっき膜は、コンデンサ本体上に形成されている。１または複数のめっき膜は、第２の内部電極に直接接続されている。
【０００９】
本発明に係るコンデンサのある特定の局面では、１または複数のめっき膜は、湿式めっきにより形成された湿式めっき膜である。この構成によれば、化学溶媒を使う無電解めっきに比べて、コンデンサ本体へのダメージを少なくできる。
【００１０】
本発明に係るコンデンサの他の特定の局面では、コンデンサはノイズフィルタである。
【００１１】
本発明に係るコンデンサの別の特定の局面では、信号端子は、正電位に接続される。この場合、接地端子がグラウンド電位側となる。このため、接地端子が形成されている部分からコンデンサ本体内に水分が進入しても、接地端子に含まれる金属成分はイオン化しない。従って、接地端子に含まれる金属がイオン化することに起因するコンデンサの信頼性低下を効果的に抑制することができる。
【００１２】
本発明に係るコンデンサのさらに他の特定の局面では、接地端子は、焼成導電膜を含まない。この場合、接地端子の位置精度を容易に向上し得る。
【００１３】
本発明に係るコンデンサのさらに別の特定の局面では、信号端子は、コンデンサ本体の外表面上に形成され、第１の内部電極に直接接続された１または複数のめっき膜と、１または複数のめっき膜の上に形成されており、ガラス成分を含有する焼成導電膜とを有する。この構成によれば、コンデンサの信頼性の低下をより効果的に抑制することができる。
【００１４】
本発明に係るコンデンサのまた他の特定の局面では、第１及び第２の信号端子のそれぞれは、コンデンサ本体の外表面上に形成され、第１の内部電極に直接接続されたガラス成分を含有する焼成導電膜と、焼成導電膜上に形成されている１または複数のめっき膜とを有する。この構成では、焼成導電膜にガラス成分が含まれているため、コンデンサ本体の第１及び第２の信号端子が形成されている部分からコンデンサ本体内に水分が進入することが効果的に抑制される。また、コンデンサ本体への固着力が高まる。従って、第１及び第２の信号端子に含まれる金属がイオン化することに起因するコンデンサの信頼性低下を効果的に抑制することができる。
【００１５】
本発明に係るコンデンサのまた別の特定の局面では、焼成導電膜は、Ｃｕを含む。
【００１６】
本発明に係るコンデンサのまた他の特定の局面では、接地端子は、第１及び第２の主面上に形成されている部分を有し、第２の内部電極は、高さ方向において第１の内部電極と対向している対向部と、対向部と接地端子とを接続する接続部とを含み、コンデンサは、高さ方向において、第２の内部電極の接続部と、接地端子の第１または第２の主面上に位置する部分との間に配置されており、接地端子に接続されている接地ダミー電極をさらに備えている。この構成によれば、基板に半田付けする際に、側面において第１主面から第２主面にわたって、半田の濡れ上がり部を全てめっきで一度に形成することができる。
【００１７】
本発明に係るコンデンサのさらにまた他の特定の局面では、第２の内部電極に接続されているめっき膜は、Ｃｕを含有しているＣｕめっき膜からなる。この構成によれば、めっきをセラミック素体に形成するのが容易となる。
【００１８】
本発明に係るコンデンサのさらにまた別の特定の局面では、接地端子は、Ｃｕめっき膜の上に形成されており、Ｎｉを含有しているＮｉめっき膜と、Ｎｉめっき膜の上に形成されており、Ｓｎを含有しているＳｎめっき膜とをさらに有する。この構成によれば、半田に対する接合強度を高めることができる。
【００１９】
本発明に係るコンデンサのさらに異なる他の特定の局面では、第１及び第２の内部電極は、Ｎｉからなる。この構成によれば、例えばＰｄやＡｇ／Ｐｄにより第１，第２の内部電極を形成する場合と比べて製造コストを低減できる。
【００２０】
本発明に係るコンデンサの製造方法は、上記本発明のコンデンサを製造するための方法である。本発明に係るコンデンサの製造方法は、第１の内部電極形成用導電性ペーストを誘電体シート上に印刷し、第１の内部電極形成用の導電膜が形成された第１のシートを得る工程と、第２の内部電極形成用導電性ペーストを誘電体シート上に印刷し、第２の内部電極形成用の導電膜が形成された第２のシートを得る工程と、第１のシートと、第２のシートと、導電性ペーストが印刷されていない誘電体シートとを積層することにより積層体を形成する工程と、積層体を焼成する焼成工程と、積層体の上に、第１の内部電極形成用の導電膜に接触するように導電ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程と、塗布された導電ペーストを焼き付けて焼成膜とする焼付け工程と、積層体の上に、第２の内部電極形成用の導電膜に接触するように１または複数のめっき膜を形成するめっき膜形成工程と、積層体を加熱することにより、めっき膜と第２の内部電極形成用の導電膜との界面において、めっき膜と第２の内部電極形成用の導電膜とを合金化させる合金化工程とを備えている。本発明に係る製造方法では、合金化工程により、めっき膜と第２の内部電極形成用の導電膜との界面において、めっき膜と第２の内部電極形成用の導電膜とが合金化される。このため、第２の内部電極とめっき膜との高い接続強度を実現することができる。従って、信頼性の高いコンデンサを製造することができる。
【００２１】
本発明に係るコンデンサの製造方法のある特定の局面では、導電性ペースト塗布工程と、焼付け工程と、めっき膜形成工程と、合金化工程とをこの順番で行う。
【００２２】
本発明に係るコンデンサの製造方法の他の特定の局面では、焼付け工程に先立って、めっき膜形成工程を行い、めっき形成工程後、導電性ペースト塗布工程を行い、導電性ペースト塗布工程後、焼付け工程と合金化工程とを同時に行う。この場合、コンデンサの製造工程を簡略化することができる。従って、コンデンサを容易に製造することができる。
【００２３】
本発明に係るコンデンサの製造方法の別の特定の局面では、合金化工程と、導電性ペースト塗布工程と、焼付け工程とをこの順番で行う。
【発明の効果】
【００２４】
本発明では、接地端子のうち、第２の内部電極に接続される部分がめっき膜により形成されている。めっき膜は、内部電極の露出部に合わせて導電性ペーストを浸漬し形成する焼成膜とは異なり、内部電極の露出部からめっき成長させることにより形成するため、高い位置精度で形成することができる。従って、導電性ペースト塗布時のばらつきを考慮する必要もなく、内部電極のコンデンサ本体から露出している部分を、ばらつきを考慮して小さくする必要はない。すなわち、内部電極のコンデンサ本体から露出している部分を大きくすることができる。よって、第２の内部電極の接地端子との接続部の電極断面積を大きくでき、ＥＳＬを小さくすることができ、その結果、良好な挿入損失特性を実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【００２５】
【図１】本発明の一実施形態に係るコンデンサの略図的斜視図である。
【図２】本発明の一実施形態に係るコンデンサの略図的平面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係るコンデンサの略図的側面図である。
【図４】図１における線ＩＶ−ＩＶにおける略図的断面図である。
【図５】図１における線Ｖ−Ｖにおける略図的断面図である。
【図６】図４における線ＶＩ−ＶＩにおける略図的断面図である。
【図７】図５における線ＶＩＩ−ＶＩＩにおける略図的断面図である。
【図８】図５における線ＶＩＩＩ−ＶＩＩＩにおける略図的断面図である。
【図９】参考例に係るコンデンサの略図的断面図である。
【図１０】コンデンサの挿入損失を表すグラフである。
【図１１】第１の変形例に係るコンデンサの略図的断面図である。
【図１２】第２の変形例に係るコンデンサの略図的断面図である。
【図１３】第３の変形例に係るコンデンサの略図的断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００２６】
以下、本発明を実施した好ましい形態の一例について、説明する。但し、以下の実施形態は、単なる例示である。本発明は、以下の実施形態に限定されない。
【００２７】
図１は、本実施形態のコンデンサの略図的斜視図である。図２は、本実施形態のコンデンサの略図的平面図である。図３は、本実施形態のコンデンサの略図的側面図である。
【００２８】
図１〜３に示す本実施形態のコンデンサ１は、ノイズフィルタとして使用されるコンデンサである。図１〜図３に示すように、コンデンサ１は、コンデンサ本体（セラミック素体）１０を備えている。コンデンサ本体１０は、誘電体からなる。具体的には、コンデンサ本体１０は、例えば、誘電体セラミックからなる。誘電体セラミックの具体例としては、例えば、ＢａＴｉＯ３、ＣａＴｉＯ３、ＳｒＴｉＯ３、ＣａＺｒＯ３などが挙げられる。なお、コンデンサ本体１０には、例えば、Ｍｎ化合物、Ｆｅ化合物、Ｃｒ化合物、Ｃｏ化合物、Ｎｉ化合物などの副成分が適宜添加されていてもよい。
【００２９】
本実施形態では、コンデンサ本体１０は、略直方体状に形成されている。コンデンサ本体１０は、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂと、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄと、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆとを備えている。第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂのそれぞれは、長さ方向Ｌと幅方向Ｗとに沿って延びている。第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄのそれぞれは、長さ方向Ｌと高さ方向Ｈとに沿って延びている。第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆのそれぞれは、幅方向Ｗと高さ方向Ｈとに沿って延びている。
【００３０】
コンデンサ本体１０の内部には、複数の第１の内部電極１１と、複数の第２の内部電極１２とが形成されている。複数の第１及び第２の内部電極１１，１２は、誘電体層を介して、高さ方向Ｈに対向するように交互に配置されている。
【００３１】
図５及び図８に示すように、第１の内部電極１１は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びるように形成されている。第１の内部電極１１は、略矩形状に形成されている。第１の内部電極１１は、第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆに露出している。第１の内部電極１１は、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄには露出していない。
【００３２】
図４及び図７に示すように、第２の内部電極１２は、長さ方向Ｌ及び幅方向Ｗに沿って延びるように形成されている。図４及び図７に示すように、第２の内部電極１２は、高さ方向Ｈにおいて第１の内部電極１１と対応している対向部１２ａと、対向部１２ａに接続されている第１及び第２の接続部１２ｂ、１２ｃとを備えている。
【００３３】
高さ方向Ｈから視た際に、対向部１２ａは、コンデンサ本体１０の中央部に形成されている。対向部１２ａは、第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄ並びに第１及び第２の端面１０ｅ、１０ｆに露出していない。
【００３４】
第１の接続部１２ｂは、一端部が対向部１２ａに接続されており、他端部が第１の側面１０ｃに露出している。第２の接続部１２ｃは、一端部が対向部１２ａに接続されており、他端部が第２の側面１０ｄに露出している。第１及び第２の接続部１２ｂ、１２ｃのそれぞれの長さ方向Ｌに沿った長さは、対向部１２ａの長さ方向Ｌに沿った長さよりも短い。
【００３５】
なお、第１及び第２の内部電極１１，１２の形成材料は特に限定されないが、第１及び第２の内部電極１１，１２は、例えば、Ｎｉを含むものであることが好ましく、実質的にＮｉからなるものであることが好ましい。
【００３６】
図１〜図３及び図６〜図８に示すように、コンデンサ本体１０の第１の端面１０ｅの上には、第１の信号端子１５が形成されている。第１の信号端子１５は、第１の端面１０ｅを覆い、かつ、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに至るように形成されている。図８に示すように、第１の信号端子１５は、第１の内部電極１１に接続されている。
【００３７】
図１〜図３及び図６〜図８に示すように、コンデンサ本体１０の第２の端面１０ｆの上には、第２の信号端子１６が形成されている。第２の信号端子１６は、第２の端面１０ｆを覆い、かつ、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ並びに第１及び第２の側面１０ｃ、１０ｄに至るように形成されている。図８に示すように、第２の信号端子１６は、第１の内部電極１１に接続されている。
【００３８】
なお、第１及び第２の信号端子１５，１６が接続される電位の極性は特に限定されない。本実施形態では、第１及び第２の信号端子１５，１６が正電位に接続される例について説明する。
【００３９】
図６〜図８に示すように、本実施形態では、第１及び第２の信号端子１５，１６のそれぞれは、３つの導電層の積層体により構成されている。具体的には、第１及び第２の信号端子１５，１６は、焼成導電膜１５ａ、１６ａと、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂと、第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃとが積層された複層膜により形成されている。
【００４０】
焼成導電膜１５ａ、１６ａは、導電剤と共にガラス成分を含有する導電性ペーストが焼成されてなる膜である。このため、コンデンサ本体１０の第１及び第２の信号端子１５，１６が形成されている部分からコンデンサ本体１０内に水分が進入することが効果的に抑制される。従って、第１及び第２の信号端子１５，１６に含まれる金属がイオン化することに起因するコンデンサ１の信頼性低下を効果的に抑制することができる。
【００４１】
焼成導電膜１５ａ、１６ａの厚さは、特に限定されず、例えば、１０μｍ〜６０μｍ程度とすることができる。
【００４２】
焼成導電膜１５ａ、１６ａに含まれる導電剤は、例えば、Ｃｕであることが好ましい。Ｎｉを含有する内部電極１１，１２との接合性が向上するためである。また、第１の内部電極１１をＮｉを含むものとし、焼成導電膜１５ａ、１６ａをＣｕを含む焼成導電膜とすることにより、焼成導電膜１５ａ、１６ａの焼成時に焼成導電膜１５ａ、１６ａと、第１の内部電極１１との界面において、ＣｕとＮｉとが合金化し、焼成導電膜１５ａ、１６ａと第１の内部電極１１とを強固に接続することができる。
【００４３】
第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂは、焼成導電膜１５ａ、１６ａの上に形成されている。第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂの形成材料は特に限定されないが、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂは、例えば、Ｎｉめっきにより構成することができる。そうすることにより、半田に対する半田付き性が向上する。
【００４４】
第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃは、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂの上に形成されている。第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃの形成材料は特に限定されないが、第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃは、例えば、Ｓｎめっきにより構成することができる。そうすることにより、半田に対する半田付き性が向上する。
【００４５】
第１及び第２のめっき膜１５ｂ、１６ｂ、１５ｃ、１６ｃの厚みは、特に限定されず、例えば、それぞれ、１μｍ〜５μｍ程度とすることができる。
【００４６】
図１〜図３及び図６〜図８に示すように、コンデンサ本体１０の外表面上には、第２の内部電極１２に接続されるように第１及び第２の接地端子１７，１８が形成されている。これら、第１及び第２の接地端子１７，１８は、グラウンド電位に接続される端子である。
【００４７】
図１，図２及び図４に示すように、第１の接地端子１７は、長さ方向Ｌにおいて、第１の側面１０ｃの中央部に形成されている。第１の接地端子１７の上端部は、第１の主面１０ａに至っている。第１の接地端子１７の下端部は、第２の主面１０ｂに至っている。すなわち、第１の接地端子１７は、長さ方向Ｌにおいて第１の側面１０ｃの中央部に位置する第１の部分１７ｄと、第１の主面１０ａ上に位置する第２の部分１７ｅと、第２の主面１０ｂ上に位置する第３の部分１７ｆとを備えている。図４及び図７に示すように、第１の部分１７ｄは、第２の内部電極１２の第１の接続部１２ｂに接続されている。
【００４８】
図１，図２及び図４に示すように、第２の接地端子１８は、長さ方向Ｌにおいて、第２の側面１０ｄの中央部に形成されている。第２の接地端子１８の上端部は、第１の主面１０ａに至っている。第２の接地端子１８の下端部は、第２の主面１０ｂに至っている。すなわち、第２の接地端子１８は、長さ方向Ｌにおいて第２の側面１０ｄの中央部に位置する第１の部分１８ｄと、第１の主面１０ａ上に位置する第２の部分１８ｅと、第２の主面１０ｂ上に位置する第３の部分１８ｆとを備えている。図４及び図７に示すように、第１の部分１８ｄは、第２の内部電極１２の第２の接続部１２ｃに接続されている。
【００４９】
なお、本実施形態では、第１及び第２の接地端子１７，１８のそれぞれを第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂに至るように形成するために、めっき工程における通電のためのシード層を、第１及び第２の接地端子１７，１８の形成前に予め形成しておく必要がある。但し、本発明は、これに限定されない。シード層を予め形成せずに、第１及び第２の接地端子１７，１８を形成してもよい。その場合は、図１３に示すように、第１及び第２の接地端子１７，１８のそれぞれは、第１または第２の側面１０ｃ、１０ｄの上のみに形成され、第１及び第２の主面１０ａ、１０ｂ上には形成されない。すなわち、第１及び第２の接地端子１７，１８は、第１の部分１７ｄ、１８ｄのみにより構成されることとなる。
【００５０】
図４に示すように、高さ方向Ｈにおいて、第２の内部電極１２の第１及び第２の接続部１２ｂ、１２ｃと、第１及び第２の接地端子１７，１８のそれぞれの第２及び第３の部分１７ｅ、１８ｅ、１７ｆ、１８ｆとの間には、接地ダミー電極１３が形成されている。図４及び図６に示すように、この接地ダミー電極１３は、第１または第２の接地端子１７，１８の第１の部分１７ｄ、１８ｄに接続されている。このように、接地ダミー電極１３を設けることにより、基板に半田付けする際の半田の濡れ上がり部を全てめっきで一度に形成することができる。
【００５１】
本実施形態では、図４、図６〜図８に示すように、第１及び第２の接地端子１７，１８のそれぞれは、第１〜第３のめっき膜１７ａ、１８ａ、１７ｂ、１８ｂ、１７ｃ、１８ｃの複層構造により構成されている。第１のめっき膜１７ａ、１８ａは、コンデンサ本体１０の上に形成されている。具体的には、第１のめっき膜１７ａは、第１の側面１０ｃ上に形成されている。第１のめっき膜１７ａは、第２の内部電極１２の第１の接続部１２ｂに接続されている。第１のめっき膜１８ａは、第２の側面１０ｄ上に形成されている。第１のめっき膜１８ａは、第２の内部電極１２の第２の接続部１２ｃに接続されている。第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂは、第１のめっき膜１７ａ、１８ａの上に形成されている。第３のめっき膜１７ｃ、１８ｃは、第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂの上に形成されている。
【００５２】
第１〜第３のめっき膜１７ａ、１８ａ、１７ｂ、１８ｂ、１７ｃ、１８ｃのそれぞれは、めっき膜である限りにおいて特に限定されないが、例えば、湿式めっきにより形成された湿式めっき膜であることが好ましい。この場合、化学溶媒を使う必要がなく、コンデンサ本体１０へのダメージを低減できる。また、特定箇所へ溶媒を塗るという工程が必要ではないため製造コストを下げることができる。
【００５３】
第１〜第３のめっき膜１７ａ、１８ａ、１７ｂ、１８ｂ、１７ｃ、１８ｃの形成材料は特に限定されない。例えば、第１のめっき膜１７ａ、１８ａは、Ｃｕを含有しているＣｕめっき膜であることが好ましい。第１のめっき膜１７ａ、１８ａをＣｕめっき膜とし、第２の内部電極１２をＮｉを含むものとした場合、熱処理を行うことで、第１のめっき膜１７ａ、１８ａと第２の内部電極１２との界面において、ＣｕとＮｉとが合金化する。このため、第１のめっき膜１７ａ、１８ａと第２の内部電極１２とを強固に接続することができる。
【００５４】
第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂは、Ｎｉを含有するＮｉめっき膜であることが好ましい。この場合、半田に対する半田付き性が向上する。第３のめっき膜１７ｃ、１８ｃは、Ｓｎを含有するＳｎめっき膜であることが好ましい。この場合、半田に対する半田付き性が向上する。
【００５５】
なお、第１〜第３のめっき膜１７ａ、１８ａ、１７ｂ、１８ｂ、１７ｃ、１８ｃの厚みは特に限定されない。第１のめっき膜１７ａ、１８ａの厚みは、例えば、２μｍ〜１０μｍ程度とすることができる。第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂの厚みは、例えば、１μｍ〜５μｍ程度とすることができる。第３のめっき膜１７ｃ、１８ｃの厚みは、例えば、１μｍ〜５μｍ程度とすることができる。
【００５６】
ところで、例えば、図９に示すように、接地端子１１７，１１８を焼成膜により形成した場合は、第２の内部電極１１２の接続部１１２ｂ、１１２ｃの長さ方向Ｌに沿った長さを接地端子１１７，１１８の長さ方向Ｌに沿った長さよりも短くする必要がある。接続部１１２ｂ、１１２ｃを接地端子１１７，１１８により確実に覆う必要があるが、導電性ペーストを高い位置精度で正確に塗布することは困難であるためである。また、焼成膜は、薄く形成することが困難である。このため、接地端子１１７，１１８が厚くなり、その分コンデンサ本体１１０を小さくする必要がある。従って、それに伴い、接続部１１２ｂ、１１２ｃも小さくする必要がある。その結果、ＥＳＬが大きくなり、ノイズが大きくなるという問題が生じる。
【００５７】
それに対して、本実施形態では、第１及び第２の接続部１２ｂ、１２ｃの上には、第１のめっき膜１７ａ、１８ａが形成されている。めっき膜であれば、高い位置精度で形成することができる。このため、第１及び第２の接続部１２ｂ、１２ｃを第１のめっき膜１７ａ、１８ａに対して小さくする必要はない。すなわち、第１及び第２の接続部１２ｂ、１２ｃの電極断面積を大きくすることができる。従って、例えば図１０に示すように、ＥＳＬを小さくでき、ノイズを小さくすることができる。なお、図１０に実線で示すデータは、長さ寸法が１．０ｍｍ、巾寸法が０．５ｍｍ、接地端子の長さ寸法が０．３ｍｍ、第２の内部電極の接続部の長さ方向Ｌに沿った寸法が０．３ｍｍの３端子型コンデンサであって、接地端子の最内層をめっき膜で構成したときのデータである。図１０に一点破線で示すデータは、長さ寸法が１．０ｍｍ、巾寸法が０．５ｍｍ、接地端子の長さ寸法が０．３ｍｍ、第２の内部電極の接続部の長さ方向Ｌに沿った寸法が０．１５ｍｍの３端子型コンデンサであって、接地端子の最内層を焼成被膜により構成したときのデータである。図１０に示すデータによれば、接地端子の最内層を焼成被膜からめっき膜に変更することにより、挿入損失特性が１０ｄＢ以上改善できることが分かる。
【００５８】
ところで、例えば、図９に示す例のように、接地端子１１７，１１８をガラス成分を含む焼成被膜とした場合、コンデンサ本体１１０の接地端子１１７，１１８が形成されている部分から、コンデンサ本体１１０内に水分が進入することを効果的に抑制することができる。
【００５９】
それに対して、本実施形態のように、コンデンサ本体１１０の表面上にめっき膜１５ａ、１６ａを形成した場合は、めっき膜１５ａ、１６ａが形成されている部分から、コンデンサ本体１１０内に水分が進入しやすい。しかしながら、本実施形態では、第１及び第２の信号端子１５，１６が正電圧に接続される。このため、接地端子１７，１８は、グラウンド電位側となる。このため、たとえ水分が存在しても、接地端子１７，１８に含まれる金属成分は、イオン化しない。従って、接地端子１７，１８に含まれる金属がイオン化することに起因するコンデンサ１の信頼性の低下を効果的に抑制することができる。
【００６０】
次に、コンデンサ１の製造方法の例について説明する。
【００６１】
まず、例えば、Ｎｉペーストなどの第１の内部電極用導電性ペーストを誘電体シート上に印刷し、第１の内部電極形成用の導電膜が形成された第１のシートを得る。次に、例えば、Ｎｉペーストなどの第２の内部電極形成用導電性ペーストを誘電体シート上に印刷し、第２の内部電極形成用の導電膜が形成された第２のシートを得る。また、接地ダミー電極形成用の導電膜が形成された第３のシートを、同様の手順で得る。そして、第１〜第３のシートと、導電性ペーストが印刷されていない誘電体シートとを積層することにより積層体を形成する。次に、積層体を焼成する（焼成工程）。これにより、コンデンサ本体１０を作製する。
【００６２】
その後、焼成体であるコンデンサ本体１０の端面１０ｅ、１０ｃ上に、第１及び第２の信号端子１５，１６の焼成導電膜１５ａ、１６ａを形成するための導電性ペーストを塗布し（導電性ペースト塗布工程）、焼き付けることにより焼成導電膜１５ａ，１６ａを形成する（焼付け工程）。なお、焼付け工程と焼成工程を同時に行うコファイアであってもよい。
【００６３】
次に、コンデンサ本体１０の焼成導電膜１５ａと１６ａをマスクで覆い、第１のめっき膜１７ａと１８ａを形成し、マスクを除去後、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂと、第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃと、第２、第３のめっき膜１７ｂ、１７ｃ、１８ｂ、１８ｃとを順次形成していく（めっき膜形成工程）ことで、コンデンサ１を完成させる。なお、めっき膜形成後、コンデンサ本体１０を加熱している（合金化工程）。この合金化工程は、第１のめっき膜１７ａと１８ａを形成後、コンデンサ本体１０を加熱すれば、第１のめっき膜１７ａ、１８ａと第２の内部電極との界面を合金化させることができ、接合強度を上昇させる。また、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂの形成後に、焼付け工程と合金化工程とを兼ねてコンデンサ本体１０を加熱する場合は、焼成導電膜１５ａ、１６ａと、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂとを合金化させ、同時に第１のめっき膜１７ａ、１８ａと第２の内部電極とを合金化させることができる。従って、第１のめっき膜１７ａ、１８ａと第２の内部電極との間の接合強度及び焼成導電膜１５ａ、１６ａと、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂとの間の接合強度を上昇させる。このように焼付け工程と合金化工程とを同時に行うことにより、コンデンサ１の製造工程を簡略化することができる。
【００６４】
なお、上記の例では、焼付け工程と、めっき膜形成工程と、合金化工程とをこの順番で行う例について説明した。但し、本発明はこの構成に限定されない。焼付け工程に先立って、めっき膜形成工程を行い、焼付け工程と合金化工程とを同時に行ってもよい。具体的には、以下の要領で第１及び第２の信号端子１５，１６と第１及び第２の接地端子１７，１８を形成してもよい。
【００６５】
まず、上記コンデンサ本体１０の表面上に、焼成導電膜１５ａ、１６ａを形成せずに、めっきを施す。これにより、図１１に示すように、側面１０ｃ、１０ｄの上に、第１のめっき膜１７ａ、１８ａを形成すると共に、端面１０ｅ、１０ｆの上に、第１及び第２の信号端子１５，１６を形成するための第３のめっき膜１５ｄ、１６ｄを形成する。
【００６６】
次に、第３のめっき膜１５ｄ、１６ｄの上に、導電性ペーストを塗布し、焼き付けることにより、ガラス成分を含有する焼成導電膜１５ａ、１６ａを形成する。この場合は、この焼付け工程における加熱により、第３のめっき膜１５ｄ、１６ｄ及び第１のめっき膜１７ａ、１８ａの合金化工程も行われる。つまり、焼付け工程と合金化工程とが同時に行われる。なお、第１のめっき膜１７ａ、１８ａ及び第３のめっき膜１５ｄ、１６ｄの加熱による合金化工程を行った後に、焼成導電膜１５ａ、１６ａの形成を行ってももちろんよい。
【００６７】
その後、上記実施形態と同様に、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂと、第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃと、第２、第３のめっき膜１７ｂ、１７ｃ、１８ｂ１８ｃとを順次形成していき、（めっき膜形成工程）コンデンサ１を完成させる。
【００６８】
この変形例のように、焼付け工程と合金化工程とを同時に行うことにより、コンデンサ１の製造工程を簡略化することができる。従って、コンデンサ１を容易に製造することができる。
【００６９】
このように、焼成導電膜１５ａ、１６ａを焼き付けるために行う焼付け工程においては、導電ペーストに含まれる有機溶剤などからガスが発生する。例えば、導電性ペースト層を形成し、その上にめっき膜を形成した後に焼き付けと合金化とを同時に行った場合には、導電性ペースト層から発生するガスがめっき膜に遮られて導電性ペースト層から抜けなくなる可能性がある。導電性ペースト層からガスが十分に抜けないと、焼成導電膜内に気泡が残存してしまうこととなる。焼成導電膜内に気泡が存在すると、コンデンサの実装に際して気泡が爆発し、半田が飛び散る虞がある。それに対して、めっき膜を形成した後に焼成導電膜１５ａ、１６ａを形成する場合は、焼付け工程においてガスが抜けやすく、気泡が残存しにくい。従って、実装時における半田の飛び散りを抑制できる。
【００７０】
また、上記実施形態や本変形例のように、第１及び第２の信号端子１５，１６を、めっき膜と焼成導電膜との異なる構造の複層構造にすることにより、例えばめっき膜のみにより構成した場合とは異なり、基板に実装された際、チップ周囲の雰囲気に含まれる水分の侵入による信頼性の低下を抑制できるという効果も得られる。なお、水分が侵入した際に信頼性が低下する主原因は、正電位に接続された信号端子において、侵入した水分によりめっき膜中の金属成分がイオン化するためであると考えられる。
【００７１】
一方、上記実施形態や本変形例においては、第１及び第２の接地端子１７，１８は、めっき膜１７ａ〜１７ｃ、１８ａ〜１８ｃの異なる構造の複層構造により構成されている。すなわち、第１及び第２の接地端子１７，１８は、めっき膜のみにより構成されており、焼成導電膜を含まない。
【００７２】
例えば、接地端子にも焼成導電膜を含めることも考えられる。しかしながら、接地端子に焼成導電膜を含める場合、側面の一部分の上に正確に導電性ペーストを塗布する必要があるが、側面の一部分の上に高い位置精度で導電性ペーストを塗布することは、機械的な位置決めを伴うため困難である。このため、接地端子の位置精度が低くなってしまう。
【００７３】
それに対して、上記実施形態や本変形例のように第１及び第２の接地端子１７，１８をめっき膜のみにより構成した場合は、めっきであるため機械的な位置決めが必要ではなく、第１及び第２の接地端子１７，１８を高い位置精度で形成することができる。
【００７４】
図１２は、第２の変形例に係るコンデンサの略図的断面図である。図１２に示すように、焼成導電膜１５ａ、１６ａと第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂとの間に、第４のめっき膜１５ｅ、１６ｅをさらに設けてもよい。その場合、第４のめっき膜１５ｅ、１６ｅと、第１のめっき膜１７ａ、１８ａとを同じＣｕを含み、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂと、第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂとを同じＮｉを含み、第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃと、第３のめっき膜１７ｃ、１８ｃとを同じＳｎを含むことが好ましい。そうすることにより、コンデンサ本体１０の端面に１０ｅと１０ｆに導電性ペーストを塗布後、コンデンサ本体１０全体にＣｕのめっき工程を施すことで、第４のめっき膜１５ｅ、１６ｅと、第１のめっき膜１７ａ、１８ａとを同じＣｕを含むめっき工程で形成することができる。なお、第１のめっき膜と第４のめっき膜を同時に形成後、焼付け工程と合金化工程とを兼ねて、コンデンサ本体１０を熱処理してもよいし、コンデンサ本体１０の端面に１０ｅと１０ｆに導電性ペーストを塗布後、焼付け工程を行い、その後、第１のめっき膜と第４のめっき膜を同時に形成し、合金化工程を行ってもよい。なお、合金化工程に先立って、焼付け工程を行う場合、コンデンサ本体１０の焼成工程と焼付け工程を同時に行うコファイアであってもよい。第４のめっき膜１５ｅ、１６ｅと、第１のめっき膜１７ａ、１８ａを形成後、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂと、第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂとを同じＮｉを含むめっき工程で同時に形成し、その後、第２のめっき膜１５ｃ、１６ｃと、第３のめっき膜１７ｃ、１８ｃとを同じＳｎを含むめっき工程で形成する。なお、第１のめっき膜１５ｂ、１６ｂと、第２のめっき膜１７ｂ、１８ｂがＮｉを含む場合、焼付け工程および合金化工程をこのめっき膜形成工程後に行ってもよい。
【符号の説明】
【００７５】
１…コンデンサ
１０…コンデンサ本体
１０ａ…コンデンサ本体の第１の主面
１０ｂ…コンデンサ本体の第２の主面
１０ｃ…コンデンサ本体の第１の側面
１０ｄ…コンデンサ本体の第２の側面
１０ｅ…コンデンサ本体の第１の端面
１０ｆ…コンデンサ本体の第２の端面
１１…第１の内部電極
１２…第２の内部電極
１２ａ…第２の内部電極の対向部
１２ｂ…第１の接続部
１２ｃ…第２の接続部
１３…接地ダミー電極
１５…第１の信号端子
１５ａ、１６ａ…焼成導電膜
１５ｂ、１６ｂ…第１のめっき膜
１５ｃ、１６ｃ…第２のめっき膜
１５ｄ，１６ｄ…第３のめっき膜
１５ｅ，１６ｅ…第４のめっき膜
１６…第２の信号端子
１７…第１の接地端子
１７ａ、１８ａ…第１のめっき膜
１７ｂ、１８ｂ…第２のめっき膜
１７ｃ、１８ｃ…第３のめっき膜
１７ｄ、１８ｄ…第１の部分
１７ｅ、１８ｅ…第２の部分
１７ｆ、１８ｆ…第３の部分
１８…第２の接地端子
【特許請求の範囲】
【請求項１】
誘電体からなり、長さ方向と幅方向とに沿って延びる第１及び第２の主面と、前記長さ方向と高さ方向とに沿って延びる第１及び第２の側面と、前記幅方向と前記高さ方向とに沿って延びる第１及び第２の端面とを有する直方体状のコンデンサ本体と、
前記コンデンサ本体の内部に形成されている第１の内部電極と、
前記コンデンサ本体の内部に形成されており、前記第１の内部電極と対向している第２の内部電極と、
前記第１の端面に形成されており、前記第１の内部電極に接続されている第１の信号端子と、
前記第２の端面に形成されており、前記第１の内部電極に接続されている第２の信号端子と、
前記第１の側面の一部分の上に、前記第２の内部電極に接続されるように形成されており、グラウンド電位に接続される接地端子と、
を備えるコンデンサであって、
前記接地端子は、前記コンデンサ本体上に形成されており、前記第２の内部電極に直接接続されている１または複数のめっき膜を有する、コンデンサ。
【請求項２】
前記１または複数のめっき膜は、湿式めっきにより形成された湿式めっき膜である、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
ノイズフィルタである、請求項１または２に記載のコンデンサ。
【請求項４】
前記第１及び第２の信号端子は、正電位に接続される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項５】
前記接地端子は、焼成導電膜を含まない、請求項１〜４のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項６】
前記信号端子は、前記コンデンサ本体の外表面上に形成され、前記第１の内部電極に直接接続された１または複数のめっき膜と、前記１または複数のめっき膜の上に形成されており、ガラス成分を含有する焼成導電膜とを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項７】
前記信号端子は、前記コンデンサ本体の外表面上に形成され、前記第１の内部電極に直接接続されたガラス成分を含有する焼成導電膜と、前記焼成導電膜上に形成されている１または複数のめっき膜とを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項８】
前記焼成導電膜は、Ｃｕを含む、請求項６または７に記載のコンデンサ。
【請求項９】
前記接地端子は、前記第１及び第２の主面上に形成されている部分を有し、
前記第２の内部電極は、前記高さ方向において前記第１の内部電極と対向している対向部と、前記対向部と前記接地端子とを接続する接続部とを含み、
前記高さ方向において、前記第２の内部電極の接続部と、前記接地端子の前記第１または第２の主面上に位置する部分との間に配置されており、前記接地端子に接続されている接地ダミー電極をさらに備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項１０】
前記第２の内部電極に接続されているめっき膜は、Ｃｕを含有しているＣｕめっき膜からなる、請求項１〜９のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項１１】
前記接地端子は、前記Ｃｕめっき膜の上に形成されており、Ｎｉを含有しているＮｉめっき膜と、前記Ｎｉめっき膜の上に形成されており、Ｓｎを含有しているＳｎめっき膜とをさらに有する、請求項１０に記載のコンデンサ。
【請求項１２】
前記第１及び第２の内部電極は、Ｎｉからなる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のコンデンサの製造方法であって、
第１の内部電極形成用導電性ペーストを誘電体シート上に印刷し、前記第１の内部電極形成用の導電膜が形成された第１のシートを得る工程と、
第２の内部電極形成用導電性ペーストを誘電体シート上に印刷し、前記第２の内部電極形成用の導電膜が形成された第２のシートを得る工程と、
前記第１のシートと、前記第２のシートと、導電性ペーストが印刷されていない誘電体シートとを積層することにより積層体を形成する工程と、
前記積層体を焼成する焼成工程と、
前記積層体の上に、前記第1の内部電極形成用の導電膜に接触するように導電ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程と、
前記塗布された導電ペーストを焼き付けて前記焼成膜とする焼付け工程と、
前記積層体の上に、前記第２の内部電極形成用の導電膜に接触するように前記１または複数のめっき膜を形成するめっき膜形成工程と、
前記積層体を加熱することにより、前記めっき膜と前記第２の内部電極形成用の導電膜との界面において、前記めっき膜と前記第２の内部電極形成用の導電膜とを合金化させる合金化工程とを備える、コンデンサの製造方法。
【請求項１４】
前記導電性ペースト塗布工程と、前記焼付け工程と、前記めっき膜形成工程と、前記合金化工程とをこの順番で行う、請求項１３に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項１５】
前記焼付け工程に先立って、前記めっき膜形成工程を行い、前記めっき膜形成工程後、前記導電性ペースト塗布工程を行い、前記導電性ペースト塗布工程後、前記焼付け工程と前記合金化工程とを同時に行う、請求項１３に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項１６】
前記めっき膜形成工程と、前記合金化工程と、前記導電性ペースト塗布工程と、前記焼付け工程とをこの順番で行う、請求項１３に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項１】
誘電体からなり、長さ方向と幅方向とに沿って延びる第１及び第２の主面と、前記長さ方向と高さ方向とに沿って延びる第１及び第２の側面と、前記幅方向と前記高さ方向とに沿って延びる第１及び第２の端面とを有する直方体状のコンデンサ本体と、
前記コンデンサ本体の内部に形成されている第１の内部電極と、
前記コンデンサ本体の内部に形成されており、前記第１の内部電極と対向している第２の内部電極と、
前記第１の端面に形成されており、前記第１の内部電極に接続されている第１の信号端子と、
前記第２の端面に形成されており、前記第１の内部電極に接続されている第２の信号端子と、
前記第１の側面の一部分の上に、前記第２の内部電極に接続されるように形成されており、グラウンド電位に接続される接地端子と、
を備えるコンデンサであって、
前記接地端子は、前記コンデンサ本体上に形成されており、前記第２の内部電極に直接接続されている１または複数のめっき膜を有する、コンデンサ。
【請求項２】
前記１または複数のめっき膜は、湿式めっきにより形成された湿式めっき膜である、請求項１に記載のコンデンサ。
【請求項３】
ノイズフィルタである、請求項１または２に記載のコンデンサ。
【請求項４】
前記第１及び第２の信号端子は、正電位に接続される、請求項１〜３のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項５】
前記接地端子は、焼成導電膜を含まない、請求項１〜４のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項６】
前記信号端子は、前記コンデンサ本体の外表面上に形成され、前記第１の内部電極に直接接続された１または複数のめっき膜と、前記１または複数のめっき膜の上に形成されており、ガラス成分を含有する焼成導電膜とを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項７】
前記信号端子は、前記コンデンサ本体の外表面上に形成され、前記第１の内部電極に直接接続されたガラス成分を含有する焼成導電膜と、前記焼成導電膜上に形成されている１または複数のめっき膜とを有する、請求項１〜５のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項８】
前記焼成導電膜は、Ｃｕを含む、請求項６または７に記載のコンデンサ。
【請求項９】
前記接地端子は、前記第１及び第２の主面上に形成されている部分を有し、
前記第２の内部電極は、前記高さ方向において前記第１の内部電極と対向している対向部と、前記対向部と前記接地端子とを接続する接続部とを含み、
前記高さ方向において、前記第２の内部電極の接続部と、前記接地端子の前記第１または第２の主面上に位置する部分との間に配置されており、前記接地端子に接続されている接地ダミー電極をさらに備える、請求項１〜８のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項１０】
前記第２の内部電極に接続されているめっき膜は、Ｃｕを含有しているＣｕめっき膜からなる、請求項１〜９のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項１１】
前記接地端子は、前記Ｃｕめっき膜の上に形成されており、Ｎｉを含有しているＮｉめっき膜と、前記Ｎｉめっき膜の上に形成されており、Ｓｎを含有しているＳｎめっき膜とをさらに有する、請求項１０に記載のコンデンサ。
【請求項１２】
前記第１及び第２の内部電極は、Ｎｉからなる、請求項１〜１１のいずれか一項に記載のコンデンサ。
【請求項１３】
請求項１〜１２のいずれか一項に記載のコンデンサの製造方法であって、
第１の内部電極形成用導電性ペーストを誘電体シート上に印刷し、前記第１の内部電極形成用の導電膜が形成された第１のシートを得る工程と、
第２の内部電極形成用導電性ペーストを誘電体シート上に印刷し、前記第２の内部電極形成用の導電膜が形成された第２のシートを得る工程と、
前記第１のシートと、前記第２のシートと、導電性ペーストが印刷されていない誘電体シートとを積層することにより積層体を形成する工程と、
前記積層体を焼成する焼成工程と、
前記積層体の上に、前記第1の内部電極形成用の導電膜に接触するように導電ペーストを塗布する導電性ペースト塗布工程と、
前記塗布された導電ペーストを焼き付けて前記焼成膜とする焼付け工程と、
前記積層体の上に、前記第２の内部電極形成用の導電膜に接触するように前記１または複数のめっき膜を形成するめっき膜形成工程と、
前記積層体を加熱することにより、前記めっき膜と前記第２の内部電極形成用の導電膜との界面において、前記めっき膜と前記第２の内部電極形成用の導電膜とを合金化させる合金化工程とを備える、コンデンサの製造方法。
【請求項１４】
前記導電性ペースト塗布工程と、前記焼付け工程と、前記めっき膜形成工程と、前記合金化工程とをこの順番で行う、請求項１３に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項１５】
前記焼付け工程に先立って、前記めっき膜形成工程を行い、前記めっき膜形成工程後、前記導電性ペースト塗布工程を行い、前記導電性ペースト塗布工程後、前記焼付け工程と前記合金化工程とを同時に行う、請求項１３に記載のコンデンサの製造方法。
【請求項１６】
前記めっき膜形成工程と、前記合金化工程と、前記導電性ペースト塗布工程と、前記焼付け工程とをこの順番で行う、請求項１３に記載のコンデンサの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【公開番号】特開２０１１−１９２９６８（Ｐ２０１１−１９２９６８Ａ）
【公開日】平成２３年９月２９日（２０１１．９．２９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１４２２６（Ｐ２０１１−１４２２６）
【出願日】平成２３年１月２６日（２０１１．１．２６）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年９月２９日（２０１１．９．２９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１月２６日（２０１１．１．２６）
【出願人】（０００００６２３１）株式会社村田製作所 (3,635)
【Ｆターム（参考）】
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