サージアブソーバ
【目的】 抵抗体層間にギャップが形成されたサージアブソーバにおいて、放電開始までの応答時間を短縮化する。
【構成】 平板状チップの基体１１の表面にギャップ１３を挟んで抵抗体層１２ａと１２ｂが形成されている。一方の抵抗体層１２ａは高抵抗の層（ａ）にて形成され、他方の抵抗体層１２ｂは高抵抗の層（ａ）に低抵抗の層（ｂ）が積層された低抵抗に設定されている。抵抗体層１２ｂが低抵抗であるため、この抵抗Ｒ２とギャップ１３の容量Ｃとで決まる時定数が短くなり、ギャップ１３への充電時間が短くなる。よって、主電極間で放電が開始されるまでの応答時間を短くできる。さらに抵抗体層１２ａ，１２ｂを電子放出材料層２１で覆うことにより、さらに応答時間を短縮できる。
【構成】 平板状チップの基体１１の表面にギャップ１３を挟んで抵抗体層１２ａと１２ｂが形成されている。一方の抵抗体層１２ａは高抵抗の層（ａ）にて形成され、他方の抵抗体層１２ｂは高抵抗の層（ａ）に低抵抗の層（ｂ）が積層された低抵抗に設定されている。抵抗体層１２ｂが低抵抗であるため、この抵抗Ｒ２とギャップ１３の容量Ｃとで決まる時定数が短くなり、ギャップ１３への充電時間が短くなる。よって、主電極間で放電が開始されるまでの応答時間を短くできる。さらに抵抗体層１２ａ，１２ｂを電子放出材料層２１で覆うことにより、さらに応答時間を短縮できる。
【発明の詳細な説明】
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子回路や電子部品をサージから保護するためのサージアブソーバに係り、特に放電を開始するまでの応答速度を速め、また抵抗体層の損傷やスパッタ現象によるギャップの短絡などを防止できるようにしたサージアブソーバに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２は、従来のギャップ方式のサージアブソーバの構造を示す斜視図、図１３はサージアブソーバのギャップ部分を拡大して示す拡大断面図である。このサージアブソーバ１は、ガラス封止体２の内部に、アルミナ（酸化アルミニウム；Ａｌ2Ｏ3）などにより形成された丸棒状の基体３が設けられ、この基体３の表面に、ギャップ７を介して対向する抵抗体層４ａ，４ｂが形成されている。この抵抗体層４ａ，４ｂは酸化スズ（ＳｎＯ2）などの高抵抗材料により形成されている。ギャップ７は基体３の円周方向全周に沿って形成されており、図１３ではギャップ７の間隔（ギャップ長）をＧで示している。
【０００３】基体３の両端部には、それぞれの抵抗体層４ａ，４ｂに導通する主電極５ａ，５ｂが設けられている。この主電極５ａ，５ｂは抵抗値の低い金属材料によりキャップ状に形成されて、抵抗体層４ａ，４ｂの上から基体３の両端部に嵌着されたものである。両主電極５ａ，５ｂにはリード線６ａ，６ｂが接続され、このリード線６ａ，６ｂがガラス封止体２の外部に延びている。ガラス封止体２の内部はほぼ真空に近い低圧に設定され、この内部にはアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）などの不活性ガスが充填されている。
【０００４】この従来のサージアブソーバでは、丸棒状の基体３の外周全面に、厚さ２０μｍ程度の抵抗体層を形成し、レーザ加工を用いて基体３の中央部にて円周に沿って抵抗体層を削除することにより、ギャップ７が形成される。レーザ加工の加工精度の限界から、ギャップ長Ｇは数１０μｍ程度であり、実際のものは最小のギャップ長で３０μｍ程度である。
【０００５】上記サージアブソーバの動作を説明するための等価回路は例えば図１１のように表わすことができる。図１１においてＲ0，Ｒ0は、それぞれの抵抗体層４ａ，４ｂの抵抗値、ＲａはギャップＧでの抵抗体層間の絶縁抵抗、Ｒｂは抵抗体層４ａ，４ｂの間に放電が開始されたときの放電抵抗であり、例えば１０〜１００Ω程度である。またＣは、ギャップ７での静電容量である。
【０００６】主電極５ａ，５ｂ間にサージが印加されていない状態では、ギャップ７にて放電が行われず、よって等価回路にて表現されているスイッチＳ2は絶縁抵抗Ｒａ側に接続され、サージアブソーバは非常に高い電気抵抗を有するものとなっている。
【０００７】主電極５ａ，５ｂ間にサージが印加された時点で、等価回路にて表現されるスイッチＳ1が閉じたことになり、抵抗体層の抵抗Ｒ0を通してギャップ７に充電され始める。ギャップ７（容量Ｃ）での放電開始電圧は、ギャップ長Ｇやガラス封止体２内のガス圧などにより決められる。容量Ｃでの充電電圧が放電開始電圧（パッシェン最低電圧）に至ると、抵抗体層４ａ，４ｂ間で放電が開始される。図１１の等価回路では、ギャップ７の充電電圧が放電開始電圧に至ったときに、情報αによりスイッチＳ2が放電抵抗Ｒｂに切換えられるものとして表現されている。ギャップ７での放電は正放電または負放電であり、この放電は抵抗体層４ａ，４ｂの表面を移動し、最終的には主電極５ａ，５ｂ間がアークで橋絡される。主電極５ａと５ｂ間が放電によるアークで橋絡された最終状態では、等価回路は、主電極５ａ，５ｂ間が放電抵抗のみ（抵抗体層４ａ，４ｂの抵抗値Ｒ0よりも低い抵抗）で接続されたものとして表現できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ここで、サージが印加されてから主電極５ａ，５ｂ間がアークで橋絡されるまでを応答時間（τ）とする。主電極５ａ，５ｂ間にアークが印加されてから（図１１のＳ1が閉になってから）ギャップ部分での放電が開始されるまで（Ｓ2が閉になるまで）の時間を（τa）とし、ギャップ７にて正または負の放電が開始されてから、主電極５ａ，５ｂ間がアークで橋絡されるまでの時間を（τb）とすると、前記応答時間（τ）は（τa＋τb）である。
【０００９】次に、サージが印加されＳ1が閉となった後にギャップ７に充電されるときの時定数（τ0）は、抵抗体層の抵抗値Ｒ0と容量Ｃとにより決められ、τ0＝Ｃ・Ｒ0である。ここで、主電極５ａ，５ｂ間に印加されるときのサージ電圧が、図９（Ａ）に示すようにステップ的に上昇するもの、すなわち時刻ｔが初時刻ｔ0のときに印加電圧が０からＶiにステップするものと仮定すると、ギャップ７での充電電圧は、以下の数１で表わされる変化曲線を持つ（図９（Ｂ）参照）。
【００１０】
【数１】
【００１１】ギャップ７に充電が開始されてから、ギャップ部分での放電が開始されるまでの時間（τa）は、ほぼ（３×τ0）である。ここで、従来のサージアブソーバでは、ギャップ長Ｇが最短で３０μｍ程度であり、よって容量Ｃは１ｐＦ（ピコ・ファラッド）程度である。また従来の抵抗体層４ａと４ｂの抵抗値Ｒ0はそれぞれ１ｋ〜１００ｋΩ程度の高抵抗である。したがって、放電開始に至るまでの時間（τa）はほぼ３〜３００ｎｓｅｃ（ナノ・秒）程度である。
【００１２】前記応答時間（τ＝τa＋τb）のうち（τb）は、主電極５ａ，５ｂ間の距離やガス圧などに関係し、これはサージアブソーバの寸法によりほぼ一律的に決められる。したがって、サージアブソーバの応答時間（τ）はギャップ７での放電開始時間（τa）により決められ、これはギャップ長Ｇおよび抵抗体層の抵抗値に影響されるものとなる。
【００１３】しかし、従来のサージアブソーバでは、応答時間（τ）の要因である（τa）が上記のように比較的長くなっている。サージアブソーバにより電子回路や電子部品をサージから有効に保護するためには前記応答時間（τ）をさらに短くすることが好ましい。しかし、従来のように抵抗体層をレーザ加工により削除してギャップ７を形成する製造方法では、ギャップ長Ｇをいま以上に短くするのは困難であり、よって応答時間（τ）を短くするのに限界がある。
【００１４】次に、図１３に示すように、従来のサージアブソーバでは、ギャップ７の部分において、両側の抵抗体層４ａと４ｂが露出した状態で対向したものとなっている。ギャップ７で放電が開始されるのは、対向する抵抗体層４ａと４ｂの最も間隔の短い部分である。また通常は図１３にて符号（イ）で示す抵抗体層４ａ，４ｂのエッジ部分で放電が開始される。
【００１５】したがって抵抗体層４ａと４ｂ間で放電が行われると、エッジ部分（イ）に電気力線が集中しこの部分に損傷が生じやすくなる。この損傷が大きくまたサージ印加ごとにこの損傷が複数箇所に生じると、ギャップ７が正規のギャップ長Ｇを有するものとして機能しなくなる。よって一般のサージアブソーバでは、サージ印加回数に制限が設けられている。
【００１６】さらに、主電極５ａと５ｂ間にて放電が開始されると、ガラス封止体２内に封入されている例えばアルゴンガスのイオンやラジカルなイオン原子などが抵抗体層４ａと４ｂの表面をたたき、抵抗体層４ａと４ｂの表面がターゲットとなったスパッタ現象が生じる。抵抗体層４ａと４ｂの表面からスパッタされた抵抗物質がギャップ７の部分にて基体３の表面に再付着されると、ギャップ７が埋められてしまう。この再付着物によりギャップ７が短絡されると、サージアブソーバとして機能できなくなる。この点からの従来のサージアブソーバでは、抵抗体層４ａ，４ｂの寿命が短く、サージ印加回数に制限が与えられるものとなる。
【００１７】本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、サージが印加されてから主電極間での放電が開始されるまでの時間を短縮して応答時間を短くしたサージアブソーバを提供することを目的としている。
【００１８】また本発明は、基体表面に設けられた抵抗体層の損傷を生じにくくして、使用寿命を長くすることを目的としている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、基体の表面に形成された抵抗体層と、抵抗体層の両側に配置された主電極とを有し、前記抵抗体層に１つ以上のギャップが形成されているサージアブソーバであって、前記抵抗体層の上に電子放出材料層が設けられていることを特徴とするものである。
【００２０】上記電子放出材料は、抵抗体層の表面のみに設けてもよいが、好ましくは、両抵抗体層のギャップに対向する部分およびギャップ内にも形成される。ギャップ内に電子放出材料層が形成される場合、この電子放出材料により抵抗体層間が橋絡される。よってこの場合には、絶縁性のすなわち抵抗体層よりもインピーダンスが充分に高い電子放出材料を使用することが必要である。また、電子放出材料は、抵抗体層の上に積層して設ける構造に限られず、電子放出材料を抵抗体層の材料内に含ませても同様に効果を得ることができる。
【００２１】第２の本発明は、基体の表面に形成された抵抗体層と、抵抗体層の両側に配置された主電極とを有し、前記抵抗体層に１つ以上のギャップが形成されているサージアブソーバであって、ギャップを介して対向する一方の抵抗体層と他方の抵抗体層とで抵抗値が相違することを特徴とするものである。
【００２２】上記において、ギャップを介して対向するそれぞれの抵抗体層を別々の材料により形成することも可能である。ただし、ギャップを介して対向する両抵抗体層が、それぞれ高い抵抗値の第１の層を有し、一方の抵抗体層を、前記第１の層の上にこれよりも抵抗値の小さい第２の層が積層されている構造とすることが好ましい。
【００２３】また、上記において、抵抗体層の表面に電子放出材料層を設けることが好ましい。この場合も、電子放出材料がギャップ内にて抵抗体層を橋絡するように形成される場合には、絶縁性の電子放出材料が使用される。
【００２４】さらに上記第１の発明と第２の発明において、基体を平板状チップとし、このチップの１つの面または複数の面に抵抗体層を設けることもできる。
【００２５】
【作用】上記第１の本発明では、ギャップを介して対向する抵抗体層の上に電子放出材料層が設けられている。よって両側の抵抗体層間に所定の電圧が印加されたときに、電子放出材料から電子が積極的に放出され、まず電子放出材料の間にて放電が開始され、その後に抵抗体層間の放電さらには主電極間の放電が開始されることになる。電子放出材料層を設けることにより放電が開始されるまでの応答時間を短縮することが可能である。
【００２６】また、抵抗体層の上に電子放出材料層を設け、好ましくはギャップ部分にこの電子放出材料層を設けると、ギャップ部分にて抵抗体層間に直接的な放電が発生しないため、電極層の放電による損傷を防止できる。また、ギャップ部分を電子放出材料により覆うことにより、スパッタ現象により抵抗体層から出た抵抗物質がギャップ部分に再付着することがなく、よって再付着によるギャップの短絡などの問題が生じなくなる。
【００２７】上記のように抵抗体層の損傷が生じにくくまた、抵抗物質のギャップへの再付着が生じにくくなるため、ギャップ長を従来のものよりも短くすることが可能になる。ギャップ長を短くできることにより、ギャップの容量と抵抗体層の抵抗値とで決まる時定数（τ0）を短くできるようになり、応答時間をさらに短絡化することが可能になる。
【００２８】第２の本発明では、ギャップを介して対向する一方の抵抗体層の抵抗値が高く他方の抵抗値がこれよりも低く設定されている。一方の抵抗体層の抵抗値が小さいために、この小さい方の抵抗値とギャップ部分での静電容量とで決まる時定数（τ0）が短くなり、放電開始までの応答時間を短縮できる。また他方の抵抗体層の抵抗値が従来のものと同等に高抵抗に設定されているため、放電開始電圧は充分に高いものにできる。
【００２９】また、最初に両抵抗体層を抵抗値の高い第１の層とし、次に両抵抗体層において第１の層の上にこれよりも抵抗値の低い第２の層を形成し、一方の抵抗体層にて第２の層を除去することにより、ギャップを介して対向する抵抗体層の抵抗値を相違させることができる。この構造はエッチング工程を用いた薄膜形成技術により形成することが可能である。また薄膜形成技術を使用することにより、ギャップ長を従来のものよりも短くでき、またギャップ長の設定も高精度にできる。
【００３０】さらに、それぞれの抵抗体層において抵抗値が相違するものとした場合に、抵抗体層の上に電子放出材料層を設けることにより、放電を容易にして、さらに放電開始までの応答時間を短縮することが可能になる。また電子放出材料層を設けることにより、抵抗体層に損傷が生じるのを防止できるものとなる。
【００３１】さらに上記第１の発明と第２の発明において、基体を平板状チップとし、このチップの１つの面または複数の面に抵抗体層を設ける構造にすると、薄膜形成技術により、抵抗体層およびギャップを簡単な工程で高精度に形成でき、量産に適したものとなる。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、本発明のサージアブソーバの全体構造を示す斜視図、図２R>２はその断面図である。このサージアブソーバ１０は、平板状チップの基体１１を有している。この基体１１は、比較的融点の高いガラスやＡｌ2Ｏ3などのセラミック材料などにより形成されている。基体１１の表面には、抵抗体層１２ａ，１２ｂが形成され、抵抗体層１２ａと１２ｂとの間にギャップ長Ｇのギャップ１３が形成されている。基体１１の両端部には、抵抗体層１２ａ，１２ｂのそれぞれに導通する導電層１４ａ，１４ｂが設けられ、この導電層１４ａ，１４ｂが主電極１５ａ，１５ｂに接合されている。
【００３３】主電極１５ａ，１５ｂは、例えばジメット（銅の表面に酸化銅膜が形成されているもの）により形成されている。この主電極１５ａ，１５ｂにはリード線１６ａ，１６ｂが接続されている。基体１１および主電極１５ａ，１５ｂはガラス封止体１７の内部に収納され、リード線１６ａ，１６ｂは、ガラス封止体１７の外部に突出している。ガラス封止体１７の内部は真空に近い低圧であり、ガラス封止体１７の内部にはアルゴン、ネオン、ヘリウムなどの不活性ガスが充填されている。
【００３４】また、サージアブソーバの全体構造は、図３R>３に示すものであってもよい。図３の構造では、ガラスなどの筒体１８が使用され、ジメット製の主電極１５ａ，１５ｂの外周がこの筒体１８の内周面に接着されて、筒体１８と主電極１５ａ，１５ｂとで封止体が形成されている。
【００３５】図３に示すものでは、筒体１８内に基体１１を挿入し、筒体１８内を真空引きしてアルゴンなどの不活性ガスと置換し、主電極１５ａ，１５ｂの外周面を筒体１８の内面に接着することにより組立てを完成する。ガラスなどの筒体１８の加熱冷却工程での収縮により、主電極１５ａ，１５ｂは導電層１４ａ，１４ｂに密着して導通される。この実施例では、主電極１５ａ，１５ｂが封止体を兼ねているため、封止体の構造が簡単であり、また組立て作業も容易である。
【００３６】図４は、第１の本発明の実施例を示すものであり、同図（Ａ）ないし（Ｄ）は、基体１１を実施例別に示す側面図である。図４（Ａ）に示す実施例では、平板チップ状の基体１１の表面に抵抗体層１２ａと１２ｂが形成され、両抵抗体層１２ａと１２ｂの間にギャップ１３が形成されている。そして抵抗体層１２ａ，１２ｂの表面からギャップ１３の部分にかけて、電子放出材料層２１が積層されている。
【００３７】抵抗体層１２ａ，１２ｂは高抵抗材料により形成されている。この抵抗材料は、基体１１の表面に蒸着またはスパッタなどの工程で成膜できるものが使用される。抵抗体層１２ａ，１２ｂを形成する高抵抗材料としては、金属と酸化物とから成る例えばＴａＳｉＯ2、ＣｒＳｉＯ2、金属と酸化物の混合物であるＴａ−ＨｆＯ2、Ｃｒ−ＨｆＯ2、炭化物または窒化物と酸化物との混合物であるＳｉＣ−Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＮ−ＳｉＯ2、ＨｆＮ−ＳｉＯ2などが例示できる。これらの材料はいずれも融点が高く、また比抵抗は１０-2〜１０2Ω・ｃｍの範囲で変えることができる。
【００３８】また、高抵抗材料としてＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などの非晶質カーボン、またはアルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）が５〜４０ａｔ％含まれた非晶質カーボンを使用することが好ましい。非晶質カーボンは比較的抵抗が高く、またガラス封止体に充填されているアルゴンやネオンなどの不活性ガスに対する耐性が高いため、高抵抗の抵抗体層１２ａ，１２ｂの材料として好適である。
【００３９】抵抗体層１２ａ，１２ｂの膜厚は５０〜１０００ｎｍまたは２００〜５００ｎｍの範囲とすることが好ましい。ギャップ１３は、基体１１の表面に上記高抵抗材料の膜を形成した後に、この膜をギャップ長Ｇとなる間隔で除去することにより形成できる。この工程はウエットエッチングまたはドライエッチングにより行われる。高抵抗材料が非晶質カーボンの場合には、ＣＦ4＋Ｏ2の混合ガスを用いたドライエッチングなどによりギャップ１３を加工することが可能である。
【００４０】電子放出材料層２１は、上記ギャップ１３の加工の後に成膜される。図４（Ａ）では、ギャップ１３の部分が電子放出材料層２１により覆われているため、電子放出材料層２１は絶縁性のもの、すなわち抵抗体層１２ａ，１２ｂよりもインピーダンスが高い材料が使用される。この材料はＲＦマグネトロンスパッタなどの工程で成膜可能なものであり、例えばＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＬａＢ6などが使用される。この電子放出材料層２１の膜厚は５〜３００ｎｍまたは３０〜１００ｎｍの範囲とすることが好適である。なお図２または図３R>３に示す導電層１４ａ，１４ｂは、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）を下地膜として銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）が形成されたものである。
【００４１】図４（Ａ）に示すものでは、主電極１５ａと１５ｂにサージが印加されると、抵抗体層を経てギャップ１３で構成されるコンデンサＣ（図１１参照）に充電される。そしてギャップを挟む抵抗体層１２ａと１２ｂ間で放電が開始されるが、抵抗体層１２ａ，１２ｂが電子放出材料層２１に覆われているため、電子放出材料層２１のエッジ（ロ）の部分にて積極的に電子が放出されることになり、放電開始の応答時間（τ）を短くできる。
【００４２】このサージアブソーバの等価回路は図１１にて表現できる。抵抗体層１２ａおよび１２ｂの抵抗値をＲ0とすると、ギャップ１３（容量Ｃ）への充電は時定数τ0＝Ｒ0・Ｃを持つが、電子放出材料層２１のエッジ（ロ）間にて積極的に電子が放出されることにより、サージの印加時からギャップ１３の部分で放電が開始されるまでの時間τａを短縮でき、その結果応答時間τを短くできる。ただし、抵抗体層１２ａと１２ｂの抵抗値は従来と同様に１ｋ〜１００ｋΩと高抵抗となっており、また電子放出材料層２１は絶縁性材料であるため、放電開始電圧は従来と同等に高いものにできる。
【００４３】図７は、横軸にギャップ長Ｇを対数軸として示し、縦軸に応答時間（τ）を対数軸で示したものである。図７にて（ｉ）は、電子放出材料層２１を設けなかったもの、（ｉｉ）は電子放出材料層２１が設けられたもので図４（Ａ）に示す構造のものを示している。図７R>７に示すように、電子放出材料層２１を設けたもの（ｉｉ）は、電子放出材料層２１を設けていないもの（ｉ）に比較してギャップ長Ｇを短くしたときに応答時間（τ）を短縮化する比率が高くなることが解る。
【００４４】次に、図８はギャップ長Ｇが２０μｍのものにおいて、電子放出材料層２１を形成したもの（図４（Ａ）のもの）と、電子放出材料層２１を設けないものとで、絶縁抵抗の変化を示したものである。すなわち、電子放出材料層２１が設けられたものと設けないものとに対し、電流が５００アンペアのサージを主電極１５ａ，１５ｂ間に３０秒間隔で２０μｓｅｃ印加した。図８R>８の横軸はサージ印加回数を示し、縦軸に主電極１５ａ，１５ｂ間の絶縁抵抗を示している。電子放出材料層２１が設けられたものは、１０4回サージを印加しても、充分な絶縁抵抗を有していることが解る。
【００４５】すなわち、電子放出材料層２１が形成されたものでは、放電の際に抵抗体層１２ａ，１２ｂが損傷を受けにくく、したがってサージが繰返し印加され、放電が繰返されても、絶縁抵抗の低下が防止できるものとなっている。電子放出材料層２１が設けられていると抵抗体層１２ａ，１２ｂの損傷、特にギャップを挟んで対向している抵抗体層のエッジ（図１３での（イ））の部分の損傷が少なく寿命が高くなる。ギャップ長Ｇを短くしても抵抗体層１２ａ，１２ｂの損傷が少ないため、ギャップ長Ｇを可能な限り短くできる。したがって、エッチング加工によりギャップ長Ｇを５μｍまたは１μｍあるいはさらに短くすることにより、図７に示すように応答時間（τ）を非常に短くできる。
【００４６】また、図４（Ｂ）に示すように、ギャップ１３の部分に電子放出材料層２１を設けず、抵抗体層１２ａ，１２ｂの上にのみ電子放出材料層２１を形成してもよい。また、図４（Ｃ）に示すように、ギャップ１３の部分と、ギャップ１３の両側部分での抵抗体層１２ａ，１２ｂの上にのみ電子放出材料層２１が形成されていてもよい。さらに図４（Ｄ）に示すように、図４（Ｃ）のものにおいてギャップ部分の電子放出材料層２１を除去したものとしてもよい。いずれも（ロ）のエッジ部分にて放電が開始される。
【００４７】また、図４（Ｃ）（Ｄ）に示すように、ギャップ１３の部分にのみ電子放出材料層２１が形成されている場合には、放電時の不活性ガスのイオンやラジカルな原子により抵抗体層１２ａ，１２ｂの表面がスパッタされたときに、スパッタにて放出された物質がギャップ１３にて抵抗体層１２ａと１２ｂの間に直接付着することがなく、抵抗体層１２ａと１２ｂが短絡する現象を防止できる。
【００４８】図５は第２の本発明の実施例を示している。この実施例では、ギャップ１３を介して対向する抵抗体層１２ａと抵抗体層１２ｂとで抵抗が相違しており、抵抗体層１２ａが高抵抗値Ｒ１で、抵抗体層１２ｂが低抵抗値Ｒ２である。高抵抗値Ｒ１は例えば１ｋ〜１００ｋΩで、低抵抗値Ｒ２が１０〜１００Ω程度に設定される。
【００４９】抵抗体層１２ａと抵抗体層１２ｂを、別々の材料により形成してそれぞれ抵抗値を異ならせてもよいが、図５（Ａ）では、抵抗体層１２ｂが高抵抗材料の第１の層（ａ）と低抵抗材料の第２の層（ｂ）とから構成され、抵抗体層１２ａが高抵抗材料の第１の層（ａ）でのみ形成されている。高抵抗材料の第１の層（ａ）は、ＤＬＣなどの非晶質カーボン材料などにより形成される。低抵抗の第２の層（ｂ）は、ＴｉＮ、Ｔａ2Ｎ、ＣｒＮ、ｈ−ＢＮ（六方晶の窒化ボロン）などの窒化物、またはＳｉＣ、ＴｉＣ、ＴａＣなどの炭化物が使用される。
【００５０】このサージアブソーバの動作に関する等価回路を図１１に基づいて説明すると、主電極１５ａと１５ｂ間にサージが印加され、図１１のスイッチＳ1が等価回路の表現において閉になると、電荷が低抵抗Ｒ2の抵抗体層１２ｂを通ってギャップ１３に充電される。充電では前述のように、τ0＝Ｒ２・Ｃの時定数を持ち、充電電圧が図９（Ｂ）に示したように、数１に示す曲線により変化する。図９（Ｃ）は抵抗体層の抵抗Ｒと、ギャップへの充電電圧Ｖの変化との関係を示しているが、この図に示されるように、抵抗体層の抵抗値Ｒが小さくなるほど充電が完了するまでの時間が短くなる。
【００５１】ここで、抵抗体層１２ｂは低抵抗でありその抵抗値Ｒ２は１０〜１００Ω程度である。サージが印加されてから抵抗体層１２ａと１２ｂ間で放電が開始されるまでの時間（τa）はほぼ（３×τ0）であり、τa＝１０〜１００ｐ・ｓｅｃ（ピコ・秒）となり非常に短くなる。したがって（τa＋τb）で表わされる応答時間（τ０）が従来のものに比べてきわめて短くなる。ただし、一方の抵抗体層１２ａは高抵抗Ｒ１の値に設定されているものであるため、放電開始電圧は従来のものと同等に高くできる。
【００５２】図５（Ｂ）に示す実施例では、高抵抗の抵抗体層１２ａと、低抵抗の抵抗体層１２ｂおよびギャップ１３の部分が、絶縁性の電子放出材料層２１により覆われている。電子放出材料層２１は、例えばＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＬａＢ6などである。図４の実施例において説明したように、抵抗体層１２ａと１２ｂの間に電圧が印加され、放電開始電圧に至ったときに、電子放出材料層２１から積極的に電子が放出されるため、さらに応答時間τを短縮化できる。
【００５３】図５（Ｃ）に示す実施例は、抵抗体層１２ａと１２ｂの表面にのみ電子放出材料層２１が積層され、ギャップ１３の部分には電子放電材料層が形成されていないものと示している。この実施例においても、電子放出材料層２１のエッジ（ロ）間で積極的な放電が行われ、応答時間τを短縮することができる。
【００５４】図６（Ａ）から（Ｅ）は、基体１１に、抵抗値の相違する抵抗体層１２ａ，１２ｂおよび電子放出材料層２１さらに導電層１４ａ，１４ｂが形成される工程の一例を示している。基体１１は、「＃７０５９」などの比較的融点の高いガラスにより形成された平板状チップの基板である。この基体１１は広い面積のものであり、この上に複数個のサージアブソーバ分の抵抗体層やギャップなどが形成された後に個々に切断される。ただし、図６では１個分の基体１１のみを図示している。
【００５５】また基体１１の材料はアルミナ基板であってもよい。またサージアブソーバとしての使用電力容量が高いものである場合には、表面がホーロー仕上げされた鉄基板を用いることも可能である。
【００５６】まず上記図６（Ａ）に示すように、基体１１の表面に高い抵抗値の第１の層（ａ）と抵抗値の低い第２の層（ｂ）が連続して成膜される。高抵抗体の第１の層（ａ）は非晶質カーボンなどで、低抵抗の第２の層（ｂ）は前述の窒化物や炭化物である。それぞれの層（ａ）と（ｂ）は広い基体表面の全面に成膜される。この成膜は例えばＤＣマグネトロンスパッタなどにより行われる。それぞれの層（ａ）（ｂ）の膜厚は、５０〜１０００ｎｍ、好ましくは２００〜５００ｎｍである。
【００５７】次に、第２の層（ｂ）の上に感光性ポリイミドなどのレジスト材料を塗布し、プリベークし、フォトマスクを用いて紫外線光による露光を行う。この露光、さらには現像、リンス、乾燥およびポストベークにより、ギャップ形成部分のレジスト材料を除去する。ギャップ長Ｇが５μｍ程度までは、フォトマスクを用いた密着露光により、ギャップ長Ｇの寸法に合わせて高精度にレジスト材料を除去することが可能である。ただし、ギャップ長Ｇが５μｍよりも短く、１μｍ程度まで短くする場合には、ステッパーを用いて縮小透光露光を行うことにより、短ギャップ寸法に相当するレジスト材料除去を高精度に行うことができる。
【００５８】次に、エッチングによりギャップ長Ｇの部分にて前記第１の層（ａ）と第２の層（ｂ）を除去する。ギャップ長Ｇはエッチングにより１μｍまたはそれ以下の寸法とすることが可能であるが、ギャップ長Ｇは１〜３０μｍが好ましい。ギャップのエッチングは２つの層（ａ）（ｂ）について行うが、これはドライエッチングまたはウエットエッチングにより可能である。
【００５９】高抵抗材料の第１の層（ａ）が、ＤＬＣなどの非晶質カーボン材料などにより形成され、低抵抗の第２の層（ｂ）が、ＴｉＮ、Ｔａ2Ｎ、ＣｒＮ、ｈ−ＢＮ（六方晶の窒化ボロン）などの窒化物、またはＳｉＣ、ＴｉＣ、ＴａＣなどの炭化物である場合、ＣＦ4＋Ｏ2ガスを用いたドライエッチングにより、両層（ａ）（ｂ）を除去することが可能である。このエッチング終了後に、ギャップ形成用のレジスト材料を除去する。
【００６０】次に、一方の抵抗体層の第２の層（ｂ）を除去するためのレジスト層を形成する。このレジスト形成は、ギャップ形成時と同様にフォトマスクを使用した露光および現像により行われる。そして一方の抵抗体層の上の第２の層（ｂ）をエッチングにより除去する。低抵抗の第２の層（ｂ）が、ＴｉＮ、Ｔａ2Ｎ、ＣｒＮ、ｈ−ＢＮ（六方晶の窒化ボロン）などの窒化物である場合、ＨＦ＋ＨＮＯ3の混合液を用いたウエットエッチングが可能であり、層（ｂ）がＳｉＣ、ＴｉＣ、ＴａＣなどの炭化物である場合、ＨＦ＋ＫＩＯ3の混合液を用いたウエットエッチングが行われる。上記エッチングにより図６（Ｃ）に示すように、第１の層（ａ）のみによる高抵抗の抵抗体層１２ａが形成される。
【００６１】次に図６（Ｄ）に示すように、導電層１４ａ，１４ｂを形成する部分にレジスト層（ｃ）を形成し、レジスト層（ｃ）、抵抗体層１２ａ，１２ｂおよびギャップ１３の部分に電子放出材料層２１を形成する。電子放出材料層２１は、ＲＦマグネトロンスパッタなどを用いて成膜し、膜厚は５〜３００ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍとする。次に、アセトンなどを用いてレジスト層（ｃ）を除去し、ダイサーを用いて個々のチップごとに切断する。チップ形状の個々の基体１１の大きさは、１．２×２．０ｍｍ2〜４．５×７ｍｍ2である。
【００６２】次に図６（Ｅ）に示すように、導電層１４ａ，１４ｂを形成する。導電層１４ａ，１４ｂは、Ｃｒ，Ｔｉを下地膜とし、Ｃｕ，Ｎｉを連続して成膜したものであり、膜厚は５０〜３００ｎｍ程度である。次に、図２または図３に示すように基体１１を封止する。ジメットによる主電極１５ａ，１５ｂは直径１〜３ｍｍで、厚さ０．３〜０．５ｍｍ程度の円板である。主電極１５ａ，１５ｂにはリード線１６ａ，１６ｂを溶接により接続しておく。
【００６３】切断した個々の基体１１を主電極１５ａ，１５ｂで挟み、ガラス筒に挿入し、カーボンヒータに装填する。約４５０℃で加熱し、真空ポンプで１０-5ｔｏｒｒ程度の低圧に設定し、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅなどのガスを１〜５００ｔｏｒｒで充填する、約６００℃まで急激に加熱すると、ガラスが溶け、図２に示すように封止される。室温まで冷却してサージサブソーバが完成する。
【００６４】なお、ギャップは１つ形成されているのに限られず、複数形成してもよい。図１０は、ギャップが複数形成されている場合である。図１０では、抵抗体層１２ｂが層（ａ）と（ｂ）を有する低抵抗体であり、抵抗体層１２ａと１２ｃが層（ａ）だけの高抵抗体である。そして、各抵抗体層の間にギャップ１３ａと１３ｂが形成されている。そして、各抵抗体層とギャップの上に電子放出材料層２１が形成されている。また、図４の実施例でもギャップを複数形成することが可能である。ギャップを複数設けることにより、放電開始電圧を高くすることが可能である。
【００６５】
【発明の効果】以上のように本発明では、抵抗体層に電子放出材料層を形成し、またはギャップを介して対向する抵抗体層の抵抗値を変えることにより、放電開始までの応答時間を短縮化できる。
【００６６】また、基体を平板状のチップ形状にすることにより、抵抗体層やギャップを薄膜形成技術やエッチングにより容易に形成できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のサージアブソーバの全体構造を示す斜視図、
【図２】図１に示すサージアブソーバの断面図、
【図３】他の構造のサージアブソーバを示す断面図、
【図４】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は第１の本発明の実施例に相当する基体の側面図、
【図５】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は第２の本発明の実施例に相当する基体の側面図、
【図６】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は、図５（Ｂ）に示すものの製造方法を示す工程説明図、
【図７】第１の発明の応答時間の特性を示す線図、
【図８】第１の本発明のサージ印加回数と絶縁抵抗の関係を示す線図、
【図９】（Ａ）はサージ印加電圧を示す線図、（Ｂ）は時定数によるギャップでの充電電圧の変化を示す線図、（Ｃ）は抵抗体層の抵抗値の変化と充電電圧の変化との関係を示す線図、
【図１０】他の実施例を示す基板の側面図、
【図１１】サージアブソーバの動作を示す等価回路、
【図１２】従来のサージアブソーバの斜視図、
【図１３】図１２に示すサージアブソーバのギャップ部分を示す拡大断面図、
【符号の説明】
１１ 基体
１２ａ，１２ｂ 抵抗体層
１３ ギャップ
１４ａ，１４ｂ 導電層
１５ａ，１５ｂ 主電極
１６ａ，１６ｂ リード線
１７ ガラス封止体
２１ 電子放出材料層
Ｇ ギャップ長
【０００１】
【産業上の利用分野】本発明は電子回路や電子部品をサージから保護するためのサージアブソーバに係り、特に放電を開始するまでの応答速度を速め、また抵抗体層の損傷やスパッタ現象によるギャップの短絡などを防止できるようにしたサージアブソーバに関する。
【０００２】
【従来の技術】図１２は、従来のギャップ方式のサージアブソーバの構造を示す斜視図、図１３はサージアブソーバのギャップ部分を拡大して示す拡大断面図である。このサージアブソーバ１は、ガラス封止体２の内部に、アルミナ（酸化アルミニウム；Ａｌ2Ｏ3）などにより形成された丸棒状の基体３が設けられ、この基体３の表面に、ギャップ７を介して対向する抵抗体層４ａ，４ｂが形成されている。この抵抗体層４ａ，４ｂは酸化スズ（ＳｎＯ2）などの高抵抗材料により形成されている。ギャップ７は基体３の円周方向全周に沿って形成されており、図１３ではギャップ７の間隔（ギャップ長）をＧで示している。
【０００３】基体３の両端部には、それぞれの抵抗体層４ａ，４ｂに導通する主電極５ａ，５ｂが設けられている。この主電極５ａ，５ｂは抵抗値の低い金属材料によりキャップ状に形成されて、抵抗体層４ａ，４ｂの上から基体３の両端部に嵌着されたものである。両主電極５ａ，５ｂにはリード線６ａ，６ｂが接続され、このリード線６ａ，６ｂがガラス封止体２の外部に延びている。ガラス封止体２の内部はほぼ真空に近い低圧に設定され、この内部にはアルゴン（Ａｒ）、ヘリウム（Ｈｅ）、ネオン（Ｎｅ）などの不活性ガスが充填されている。
【０００４】この従来のサージアブソーバでは、丸棒状の基体３の外周全面に、厚さ２０μｍ程度の抵抗体層を形成し、レーザ加工を用いて基体３の中央部にて円周に沿って抵抗体層を削除することにより、ギャップ７が形成される。レーザ加工の加工精度の限界から、ギャップ長Ｇは数１０μｍ程度であり、実際のものは最小のギャップ長で３０μｍ程度である。
【０００５】上記サージアブソーバの動作を説明するための等価回路は例えば図１１のように表わすことができる。図１１においてＲ0，Ｒ0は、それぞれの抵抗体層４ａ，４ｂの抵抗値、ＲａはギャップＧでの抵抗体層間の絶縁抵抗、Ｒｂは抵抗体層４ａ，４ｂの間に放電が開始されたときの放電抵抗であり、例えば１０〜１００Ω程度である。またＣは、ギャップ７での静電容量である。
【０００６】主電極５ａ，５ｂ間にサージが印加されていない状態では、ギャップ７にて放電が行われず、よって等価回路にて表現されているスイッチＳ2は絶縁抵抗Ｒａ側に接続され、サージアブソーバは非常に高い電気抵抗を有するものとなっている。
【０００７】主電極５ａ，５ｂ間にサージが印加された時点で、等価回路にて表現されるスイッチＳ1が閉じたことになり、抵抗体層の抵抗Ｒ0を通してギャップ７に充電され始める。ギャップ７（容量Ｃ）での放電開始電圧は、ギャップ長Ｇやガラス封止体２内のガス圧などにより決められる。容量Ｃでの充電電圧が放電開始電圧（パッシェン最低電圧）に至ると、抵抗体層４ａ，４ｂ間で放電が開始される。図１１の等価回路では、ギャップ７の充電電圧が放電開始電圧に至ったときに、情報αによりスイッチＳ2が放電抵抗Ｒｂに切換えられるものとして表現されている。ギャップ７での放電は正放電または負放電であり、この放電は抵抗体層４ａ，４ｂの表面を移動し、最終的には主電極５ａ，５ｂ間がアークで橋絡される。主電極５ａと５ｂ間が放電によるアークで橋絡された最終状態では、等価回路は、主電極５ａ，５ｂ間が放電抵抗のみ（抵抗体層４ａ，４ｂの抵抗値Ｒ0よりも低い抵抗）で接続されたものとして表現できる。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】ここで、サージが印加されてから主電極５ａ，５ｂ間がアークで橋絡されるまでを応答時間（τ）とする。主電極５ａ，５ｂ間にアークが印加されてから（図１１のＳ1が閉になってから）ギャップ部分での放電が開始されるまで（Ｓ2が閉になるまで）の時間を（τa）とし、ギャップ７にて正または負の放電が開始されてから、主電極５ａ，５ｂ間がアークで橋絡されるまでの時間を（τb）とすると、前記応答時間（τ）は（τa＋τb）である。
【０００９】次に、サージが印加されＳ1が閉となった後にギャップ７に充電されるときの時定数（τ0）は、抵抗体層の抵抗値Ｒ0と容量Ｃとにより決められ、τ0＝Ｃ・Ｒ0である。ここで、主電極５ａ，５ｂ間に印加されるときのサージ電圧が、図９（Ａ）に示すようにステップ的に上昇するもの、すなわち時刻ｔが初時刻ｔ0のときに印加電圧が０からＶiにステップするものと仮定すると、ギャップ７での充電電圧は、以下の数１で表わされる変化曲線を持つ（図９（Ｂ）参照）。
【００１０】
【数１】
【００１１】ギャップ７に充電が開始されてから、ギャップ部分での放電が開始されるまでの時間（τa）は、ほぼ（３×τ0）である。ここで、従来のサージアブソーバでは、ギャップ長Ｇが最短で３０μｍ程度であり、よって容量Ｃは１ｐＦ（ピコ・ファラッド）程度である。また従来の抵抗体層４ａと４ｂの抵抗値Ｒ0はそれぞれ１ｋ〜１００ｋΩ程度の高抵抗である。したがって、放電開始に至るまでの時間（τa）はほぼ３〜３００ｎｓｅｃ（ナノ・秒）程度である。
【００１２】前記応答時間（τ＝τa＋τb）のうち（τb）は、主電極５ａ，５ｂ間の距離やガス圧などに関係し、これはサージアブソーバの寸法によりほぼ一律的に決められる。したがって、サージアブソーバの応答時間（τ）はギャップ７での放電開始時間（τa）により決められ、これはギャップ長Ｇおよび抵抗体層の抵抗値に影響されるものとなる。
【００１３】しかし、従来のサージアブソーバでは、応答時間（τ）の要因である（τa）が上記のように比較的長くなっている。サージアブソーバにより電子回路や電子部品をサージから有効に保護するためには前記応答時間（τ）をさらに短くすることが好ましい。しかし、従来のように抵抗体層をレーザ加工により削除してギャップ７を形成する製造方法では、ギャップ長Ｇをいま以上に短くするのは困難であり、よって応答時間（τ）を短くするのに限界がある。
【００１４】次に、図１３に示すように、従来のサージアブソーバでは、ギャップ７の部分において、両側の抵抗体層４ａと４ｂが露出した状態で対向したものとなっている。ギャップ７で放電が開始されるのは、対向する抵抗体層４ａと４ｂの最も間隔の短い部分である。また通常は図１３にて符号（イ）で示す抵抗体層４ａ，４ｂのエッジ部分で放電が開始される。
【００１５】したがって抵抗体層４ａと４ｂ間で放電が行われると、エッジ部分（イ）に電気力線が集中しこの部分に損傷が生じやすくなる。この損傷が大きくまたサージ印加ごとにこの損傷が複数箇所に生じると、ギャップ７が正規のギャップ長Ｇを有するものとして機能しなくなる。よって一般のサージアブソーバでは、サージ印加回数に制限が設けられている。
【００１６】さらに、主電極５ａと５ｂ間にて放電が開始されると、ガラス封止体２内に封入されている例えばアルゴンガスのイオンやラジカルなイオン原子などが抵抗体層４ａと４ｂの表面をたたき、抵抗体層４ａと４ｂの表面がターゲットとなったスパッタ現象が生じる。抵抗体層４ａと４ｂの表面からスパッタされた抵抗物質がギャップ７の部分にて基体３の表面に再付着されると、ギャップ７が埋められてしまう。この再付着物によりギャップ７が短絡されると、サージアブソーバとして機能できなくなる。この点からの従来のサージアブソーバでは、抵抗体層４ａ，４ｂの寿命が短く、サージ印加回数に制限が与えられるものとなる。
【００１７】本発明は、上記従来の課題を解決するものであり、サージが印加されてから主電極間での放電が開始されるまでの時間を短縮して応答時間を短くしたサージアブソーバを提供することを目的としている。
【００１８】また本発明は、基体表面に設けられた抵抗体層の損傷を生じにくくして、使用寿命を長くすることを目的としている。
【００１９】
【課題を解決するための手段】第１の本発明は、基体の表面に形成された抵抗体層と、抵抗体層の両側に配置された主電極とを有し、前記抵抗体層に１つ以上のギャップが形成されているサージアブソーバであって、前記抵抗体層の上に電子放出材料層が設けられていることを特徴とするものである。
【００２０】上記電子放出材料は、抵抗体層の表面のみに設けてもよいが、好ましくは、両抵抗体層のギャップに対向する部分およびギャップ内にも形成される。ギャップ内に電子放出材料層が形成される場合、この電子放出材料により抵抗体層間が橋絡される。よってこの場合には、絶縁性のすなわち抵抗体層よりもインピーダンスが充分に高い電子放出材料を使用することが必要である。また、電子放出材料は、抵抗体層の上に積層して設ける構造に限られず、電子放出材料を抵抗体層の材料内に含ませても同様に効果を得ることができる。
【００２１】第２の本発明は、基体の表面に形成された抵抗体層と、抵抗体層の両側に配置された主電極とを有し、前記抵抗体層に１つ以上のギャップが形成されているサージアブソーバであって、ギャップを介して対向する一方の抵抗体層と他方の抵抗体層とで抵抗値が相違することを特徴とするものである。
【００２２】上記において、ギャップを介して対向するそれぞれの抵抗体層を別々の材料により形成することも可能である。ただし、ギャップを介して対向する両抵抗体層が、それぞれ高い抵抗値の第１の層を有し、一方の抵抗体層を、前記第１の層の上にこれよりも抵抗値の小さい第２の層が積層されている構造とすることが好ましい。
【００２３】また、上記において、抵抗体層の表面に電子放出材料層を設けることが好ましい。この場合も、電子放出材料がギャップ内にて抵抗体層を橋絡するように形成される場合には、絶縁性の電子放出材料が使用される。
【００２４】さらに上記第１の発明と第２の発明において、基体を平板状チップとし、このチップの１つの面または複数の面に抵抗体層を設けることもできる。
【００２５】
【作用】上記第１の本発明では、ギャップを介して対向する抵抗体層の上に電子放出材料層が設けられている。よって両側の抵抗体層間に所定の電圧が印加されたときに、電子放出材料から電子が積極的に放出され、まず電子放出材料の間にて放電が開始され、その後に抵抗体層間の放電さらには主電極間の放電が開始されることになる。電子放出材料層を設けることにより放電が開始されるまでの応答時間を短縮することが可能である。
【００２６】また、抵抗体層の上に電子放出材料層を設け、好ましくはギャップ部分にこの電子放出材料層を設けると、ギャップ部分にて抵抗体層間に直接的な放電が発生しないため、電極層の放電による損傷を防止できる。また、ギャップ部分を電子放出材料により覆うことにより、スパッタ現象により抵抗体層から出た抵抗物質がギャップ部分に再付着することがなく、よって再付着によるギャップの短絡などの問題が生じなくなる。
【００２７】上記のように抵抗体層の損傷が生じにくくまた、抵抗物質のギャップへの再付着が生じにくくなるため、ギャップ長を従来のものよりも短くすることが可能になる。ギャップ長を短くできることにより、ギャップの容量と抵抗体層の抵抗値とで決まる時定数（τ0）を短くできるようになり、応答時間をさらに短絡化することが可能になる。
【００２８】第２の本発明では、ギャップを介して対向する一方の抵抗体層の抵抗値が高く他方の抵抗値がこれよりも低く設定されている。一方の抵抗体層の抵抗値が小さいために、この小さい方の抵抗値とギャップ部分での静電容量とで決まる時定数（τ0）が短くなり、放電開始までの応答時間を短縮できる。また他方の抵抗体層の抵抗値が従来のものと同等に高抵抗に設定されているため、放電開始電圧は充分に高いものにできる。
【００２９】また、最初に両抵抗体層を抵抗値の高い第１の層とし、次に両抵抗体層において第１の層の上にこれよりも抵抗値の低い第２の層を形成し、一方の抵抗体層にて第２の層を除去することにより、ギャップを介して対向する抵抗体層の抵抗値を相違させることができる。この構造はエッチング工程を用いた薄膜形成技術により形成することが可能である。また薄膜形成技術を使用することにより、ギャップ長を従来のものよりも短くでき、またギャップ長の設定も高精度にできる。
【００３０】さらに、それぞれの抵抗体層において抵抗値が相違するものとした場合に、抵抗体層の上に電子放出材料層を設けることにより、放電を容易にして、さらに放電開始までの応答時間を短縮することが可能になる。また電子放出材料層を設けることにより、抵抗体層に損傷が生じるのを防止できるものとなる。
【００３１】さらに上記第１の発明と第２の発明において、基体を平板状チップとし、このチップの１つの面または複数の面に抵抗体層を設ける構造にすると、薄膜形成技術により、抵抗体層およびギャップを簡単な工程で高精度に形成でき、量産に適したものとなる。
【００３２】
【実施例】以下、本発明の実施例を説明する。図１は、本発明のサージアブソーバの全体構造を示す斜視図、図２R>２はその断面図である。このサージアブソーバ１０は、平板状チップの基体１１を有している。この基体１１は、比較的融点の高いガラスやＡｌ2Ｏ3などのセラミック材料などにより形成されている。基体１１の表面には、抵抗体層１２ａ，１２ｂが形成され、抵抗体層１２ａと１２ｂとの間にギャップ長Ｇのギャップ１３が形成されている。基体１１の両端部には、抵抗体層１２ａ，１２ｂのそれぞれに導通する導電層１４ａ，１４ｂが設けられ、この導電層１４ａ，１４ｂが主電極１５ａ，１５ｂに接合されている。
【００３３】主電極１５ａ，１５ｂは、例えばジメット（銅の表面に酸化銅膜が形成されているもの）により形成されている。この主電極１５ａ，１５ｂにはリード線１６ａ，１６ｂが接続されている。基体１１および主電極１５ａ，１５ｂはガラス封止体１７の内部に収納され、リード線１６ａ，１６ｂは、ガラス封止体１７の外部に突出している。ガラス封止体１７の内部は真空に近い低圧であり、ガラス封止体１７の内部にはアルゴン、ネオン、ヘリウムなどの不活性ガスが充填されている。
【００３４】また、サージアブソーバの全体構造は、図３R>３に示すものであってもよい。図３の構造では、ガラスなどの筒体１８が使用され、ジメット製の主電極１５ａ，１５ｂの外周がこの筒体１８の内周面に接着されて、筒体１８と主電極１５ａ，１５ｂとで封止体が形成されている。
【００３５】図３に示すものでは、筒体１８内に基体１１を挿入し、筒体１８内を真空引きしてアルゴンなどの不活性ガスと置換し、主電極１５ａ，１５ｂの外周面を筒体１８の内面に接着することにより組立てを完成する。ガラスなどの筒体１８の加熱冷却工程での収縮により、主電極１５ａ，１５ｂは導電層１４ａ，１４ｂに密着して導通される。この実施例では、主電極１５ａ，１５ｂが封止体を兼ねているため、封止体の構造が簡単であり、また組立て作業も容易である。
【００３６】図４は、第１の本発明の実施例を示すものであり、同図（Ａ）ないし（Ｄ）は、基体１１を実施例別に示す側面図である。図４（Ａ）に示す実施例では、平板チップ状の基体１１の表面に抵抗体層１２ａと１２ｂが形成され、両抵抗体層１２ａと１２ｂの間にギャップ１３が形成されている。そして抵抗体層１２ａ，１２ｂの表面からギャップ１３の部分にかけて、電子放出材料層２１が積層されている。
【００３７】抵抗体層１２ａ，１２ｂは高抵抗材料により形成されている。この抵抗材料は、基体１１の表面に蒸着またはスパッタなどの工程で成膜できるものが使用される。抵抗体層１２ａ，１２ｂを形成する高抵抗材料としては、金属と酸化物とから成る例えばＴａＳｉＯ2、ＣｒＳｉＯ2、金属と酸化物の混合物であるＴａ−ＨｆＯ2、Ｃｒ−ＨｆＯ2、炭化物または窒化物と酸化物との混合物であるＳｉＣ−Ｔａ2Ｏ5、ＴｉＮ−ＳｉＯ2、ＨｆＮ−ＳｉＯ2などが例示できる。これらの材料はいずれも融点が高く、また比抵抗は１０-2〜１０2Ω・ｃｍの範囲で変えることができる。
【００３８】また、高抵抗材料としてＤＬＣ（ダイヤモンドライクカーボン）などの非晶質カーボン、またはアルミニウム（Ａｌ）、タンタル（Ｔａ）、ニオブ（Ｎｂ）、ジルコニウム（Ｚｒ）、チタン（Ｔｉ）、クロム（Ｃｒ）が５〜４０ａｔ％含まれた非晶質カーボンを使用することが好ましい。非晶質カーボンは比較的抵抗が高く、またガラス封止体に充填されているアルゴンやネオンなどの不活性ガスに対する耐性が高いため、高抵抗の抵抗体層１２ａ，１２ｂの材料として好適である。
【００３９】抵抗体層１２ａ，１２ｂの膜厚は５０〜１０００ｎｍまたは２００〜５００ｎｍの範囲とすることが好ましい。ギャップ１３は、基体１１の表面に上記高抵抗材料の膜を形成した後に、この膜をギャップ長Ｇとなる間隔で除去することにより形成できる。この工程はウエットエッチングまたはドライエッチングにより行われる。高抵抗材料が非晶質カーボンの場合には、ＣＦ4＋Ｏ2の混合ガスを用いたドライエッチングなどによりギャップ１３を加工することが可能である。
【００４０】電子放出材料層２１は、上記ギャップ１３の加工の後に成膜される。図４（Ａ）では、ギャップ１３の部分が電子放出材料層２１により覆われているため、電子放出材料層２１は絶縁性のもの、すなわち抵抗体層１２ａ，１２ｂよりもインピーダンスが高い材料が使用される。この材料はＲＦマグネトロンスパッタなどの工程で成膜可能なものであり、例えばＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＬａＢ6などが使用される。この電子放出材料層２１の膜厚は５〜３００ｎｍまたは３０〜１００ｎｍの範囲とすることが好適である。なお図２または図３R>３に示す導電層１４ａ，１４ｂは、クロム（Ｃｒ）やチタン（Ｔｉ）を下地膜として銅（Ｃｕ）やニッケル（Ｎｉ）が形成されたものである。
【００４１】図４（Ａ）に示すものでは、主電極１５ａと１５ｂにサージが印加されると、抵抗体層を経てギャップ１３で構成されるコンデンサＣ（図１１参照）に充電される。そしてギャップを挟む抵抗体層１２ａと１２ｂ間で放電が開始されるが、抵抗体層１２ａ，１２ｂが電子放出材料層２１に覆われているため、電子放出材料層２１のエッジ（ロ）の部分にて積極的に電子が放出されることになり、放電開始の応答時間（τ）を短くできる。
【００４２】このサージアブソーバの等価回路は図１１にて表現できる。抵抗体層１２ａおよび１２ｂの抵抗値をＲ0とすると、ギャップ１３（容量Ｃ）への充電は時定数τ0＝Ｒ0・Ｃを持つが、電子放出材料層２１のエッジ（ロ）間にて積極的に電子が放出されることにより、サージの印加時からギャップ１３の部分で放電が開始されるまでの時間τａを短縮でき、その結果応答時間τを短くできる。ただし、抵抗体層１２ａと１２ｂの抵抗値は従来と同様に１ｋ〜１００ｋΩと高抵抗となっており、また電子放出材料層２１は絶縁性材料であるため、放電開始電圧は従来と同等に高いものにできる。
【００４３】図７は、横軸にギャップ長Ｇを対数軸として示し、縦軸に応答時間（τ）を対数軸で示したものである。図７にて（ｉ）は、電子放出材料層２１を設けなかったもの、（ｉｉ）は電子放出材料層２１が設けられたもので図４（Ａ）に示す構造のものを示している。図７R>７に示すように、電子放出材料層２１を設けたもの（ｉｉ）は、電子放出材料層２１を設けていないもの（ｉ）に比較してギャップ長Ｇを短くしたときに応答時間（τ）を短縮化する比率が高くなることが解る。
【００４４】次に、図８はギャップ長Ｇが２０μｍのものにおいて、電子放出材料層２１を形成したもの（図４（Ａ）のもの）と、電子放出材料層２１を設けないものとで、絶縁抵抗の変化を示したものである。すなわち、電子放出材料層２１が設けられたものと設けないものとに対し、電流が５００アンペアのサージを主電極１５ａ，１５ｂ間に３０秒間隔で２０μｓｅｃ印加した。図８R>８の横軸はサージ印加回数を示し、縦軸に主電極１５ａ，１５ｂ間の絶縁抵抗を示している。電子放出材料層２１が設けられたものは、１０4回サージを印加しても、充分な絶縁抵抗を有していることが解る。
【００４５】すなわち、電子放出材料層２１が形成されたものでは、放電の際に抵抗体層１２ａ，１２ｂが損傷を受けにくく、したがってサージが繰返し印加され、放電が繰返されても、絶縁抵抗の低下が防止できるものとなっている。電子放出材料層２１が設けられていると抵抗体層１２ａ，１２ｂの損傷、特にギャップを挟んで対向している抵抗体層のエッジ（図１３での（イ））の部分の損傷が少なく寿命が高くなる。ギャップ長Ｇを短くしても抵抗体層１２ａ，１２ｂの損傷が少ないため、ギャップ長Ｇを可能な限り短くできる。したがって、エッチング加工によりギャップ長Ｇを５μｍまたは１μｍあるいはさらに短くすることにより、図７に示すように応答時間（τ）を非常に短くできる。
【００４６】また、図４（Ｂ）に示すように、ギャップ１３の部分に電子放出材料層２１を設けず、抵抗体層１２ａ，１２ｂの上にのみ電子放出材料層２１を形成してもよい。また、図４（Ｃ）に示すように、ギャップ１３の部分と、ギャップ１３の両側部分での抵抗体層１２ａ，１２ｂの上にのみ電子放出材料層２１が形成されていてもよい。さらに図４（Ｄ）に示すように、図４（Ｃ）のものにおいてギャップ部分の電子放出材料層２１を除去したものとしてもよい。いずれも（ロ）のエッジ部分にて放電が開始される。
【００４７】また、図４（Ｃ）（Ｄ）に示すように、ギャップ１３の部分にのみ電子放出材料層２１が形成されている場合には、放電時の不活性ガスのイオンやラジカルな原子により抵抗体層１２ａ，１２ｂの表面がスパッタされたときに、スパッタにて放出された物質がギャップ１３にて抵抗体層１２ａと１２ｂの間に直接付着することがなく、抵抗体層１２ａと１２ｂが短絡する現象を防止できる。
【００４８】図５は第２の本発明の実施例を示している。この実施例では、ギャップ１３を介して対向する抵抗体層１２ａと抵抗体層１２ｂとで抵抗が相違しており、抵抗体層１２ａが高抵抗値Ｒ１で、抵抗体層１２ｂが低抵抗値Ｒ２である。高抵抗値Ｒ１は例えば１ｋ〜１００ｋΩで、低抵抗値Ｒ２が１０〜１００Ω程度に設定される。
【００４９】抵抗体層１２ａと抵抗体層１２ｂを、別々の材料により形成してそれぞれ抵抗値を異ならせてもよいが、図５（Ａ）では、抵抗体層１２ｂが高抵抗材料の第１の層（ａ）と低抵抗材料の第２の層（ｂ）とから構成され、抵抗体層１２ａが高抵抗材料の第１の層（ａ）でのみ形成されている。高抵抗材料の第１の層（ａ）は、ＤＬＣなどの非晶質カーボン材料などにより形成される。低抵抗の第２の層（ｂ）は、ＴｉＮ、Ｔａ2Ｎ、ＣｒＮ、ｈ−ＢＮ（六方晶の窒化ボロン）などの窒化物、またはＳｉＣ、ＴｉＣ、ＴａＣなどの炭化物が使用される。
【００５０】このサージアブソーバの動作に関する等価回路を図１１に基づいて説明すると、主電極１５ａと１５ｂ間にサージが印加され、図１１のスイッチＳ1が等価回路の表現において閉になると、電荷が低抵抗Ｒ2の抵抗体層１２ｂを通ってギャップ１３に充電される。充電では前述のように、τ0＝Ｒ２・Ｃの時定数を持ち、充電電圧が図９（Ｂ）に示したように、数１に示す曲線により変化する。図９（Ｃ）は抵抗体層の抵抗Ｒと、ギャップへの充電電圧Ｖの変化との関係を示しているが、この図に示されるように、抵抗体層の抵抗値Ｒが小さくなるほど充電が完了するまでの時間が短くなる。
【００５１】ここで、抵抗体層１２ｂは低抵抗でありその抵抗値Ｒ２は１０〜１００Ω程度である。サージが印加されてから抵抗体層１２ａと１２ｂ間で放電が開始されるまでの時間（τa）はほぼ（３×τ0）であり、τa＝１０〜１００ｐ・ｓｅｃ（ピコ・秒）となり非常に短くなる。したがって（τa＋τb）で表わされる応答時間（τ０）が従来のものに比べてきわめて短くなる。ただし、一方の抵抗体層１２ａは高抵抗Ｒ１の値に設定されているものであるため、放電開始電圧は従来のものと同等に高くできる。
【００５２】図５（Ｂ）に示す実施例では、高抵抗の抵抗体層１２ａと、低抵抗の抵抗体層１２ｂおよびギャップ１３の部分が、絶縁性の電子放出材料層２１により覆われている。電子放出材料層２１は、例えばＭｇＯ、ＢａＯ、ＳｒＯ、ＬａＢ6などである。図４の実施例において説明したように、抵抗体層１２ａと１２ｂの間に電圧が印加され、放電開始電圧に至ったときに、電子放出材料層２１から積極的に電子が放出されるため、さらに応答時間τを短縮化できる。
【００５３】図５（Ｃ）に示す実施例は、抵抗体層１２ａと１２ｂの表面にのみ電子放出材料層２１が積層され、ギャップ１３の部分には電子放電材料層が形成されていないものと示している。この実施例においても、電子放出材料層２１のエッジ（ロ）間で積極的な放電が行われ、応答時間τを短縮することができる。
【００５４】図６（Ａ）から（Ｅ）は、基体１１に、抵抗値の相違する抵抗体層１２ａ，１２ｂおよび電子放出材料層２１さらに導電層１４ａ，１４ｂが形成される工程の一例を示している。基体１１は、「＃７０５９」などの比較的融点の高いガラスにより形成された平板状チップの基板である。この基体１１は広い面積のものであり、この上に複数個のサージアブソーバ分の抵抗体層やギャップなどが形成された後に個々に切断される。ただし、図６では１個分の基体１１のみを図示している。
【００５５】また基体１１の材料はアルミナ基板であってもよい。またサージアブソーバとしての使用電力容量が高いものである場合には、表面がホーロー仕上げされた鉄基板を用いることも可能である。
【００５６】まず上記図６（Ａ）に示すように、基体１１の表面に高い抵抗値の第１の層（ａ）と抵抗値の低い第２の層（ｂ）が連続して成膜される。高抵抗体の第１の層（ａ）は非晶質カーボンなどで、低抵抗の第２の層（ｂ）は前述の窒化物や炭化物である。それぞれの層（ａ）と（ｂ）は広い基体表面の全面に成膜される。この成膜は例えばＤＣマグネトロンスパッタなどにより行われる。それぞれの層（ａ）（ｂ）の膜厚は、５０〜１０００ｎｍ、好ましくは２００〜５００ｎｍである。
【００５７】次に、第２の層（ｂ）の上に感光性ポリイミドなどのレジスト材料を塗布し、プリベークし、フォトマスクを用いて紫外線光による露光を行う。この露光、さらには現像、リンス、乾燥およびポストベークにより、ギャップ形成部分のレジスト材料を除去する。ギャップ長Ｇが５μｍ程度までは、フォトマスクを用いた密着露光により、ギャップ長Ｇの寸法に合わせて高精度にレジスト材料を除去することが可能である。ただし、ギャップ長Ｇが５μｍよりも短く、１μｍ程度まで短くする場合には、ステッパーを用いて縮小透光露光を行うことにより、短ギャップ寸法に相当するレジスト材料除去を高精度に行うことができる。
【００５８】次に、エッチングによりギャップ長Ｇの部分にて前記第１の層（ａ）と第２の層（ｂ）を除去する。ギャップ長Ｇはエッチングにより１μｍまたはそれ以下の寸法とすることが可能であるが、ギャップ長Ｇは１〜３０μｍが好ましい。ギャップのエッチングは２つの層（ａ）（ｂ）について行うが、これはドライエッチングまたはウエットエッチングにより可能である。
【００５９】高抵抗材料の第１の層（ａ）が、ＤＬＣなどの非晶質カーボン材料などにより形成され、低抵抗の第２の層（ｂ）が、ＴｉＮ、Ｔａ2Ｎ、ＣｒＮ、ｈ−ＢＮ（六方晶の窒化ボロン）などの窒化物、またはＳｉＣ、ＴｉＣ、ＴａＣなどの炭化物である場合、ＣＦ4＋Ｏ2ガスを用いたドライエッチングにより、両層（ａ）（ｂ）を除去することが可能である。このエッチング終了後に、ギャップ形成用のレジスト材料を除去する。
【００６０】次に、一方の抵抗体層の第２の層（ｂ）を除去するためのレジスト層を形成する。このレジスト形成は、ギャップ形成時と同様にフォトマスクを使用した露光および現像により行われる。そして一方の抵抗体層の上の第２の層（ｂ）をエッチングにより除去する。低抵抗の第２の層（ｂ）が、ＴｉＮ、Ｔａ2Ｎ、ＣｒＮ、ｈ−ＢＮ（六方晶の窒化ボロン）などの窒化物である場合、ＨＦ＋ＨＮＯ3の混合液を用いたウエットエッチングが可能であり、層（ｂ）がＳｉＣ、ＴｉＣ、ＴａＣなどの炭化物である場合、ＨＦ＋ＫＩＯ3の混合液を用いたウエットエッチングが行われる。上記エッチングにより図６（Ｃ）に示すように、第１の層（ａ）のみによる高抵抗の抵抗体層１２ａが形成される。
【００６１】次に図６（Ｄ）に示すように、導電層１４ａ，１４ｂを形成する部分にレジスト層（ｃ）を形成し、レジスト層（ｃ）、抵抗体層１２ａ，１２ｂおよびギャップ１３の部分に電子放出材料層２１を形成する。電子放出材料層２１は、ＲＦマグネトロンスパッタなどを用いて成膜し、膜厚は５〜３００ｎｍ、好ましくは３０〜１００ｎｍとする。次に、アセトンなどを用いてレジスト層（ｃ）を除去し、ダイサーを用いて個々のチップごとに切断する。チップ形状の個々の基体１１の大きさは、１．２×２．０ｍｍ2〜４．５×７ｍｍ2である。
【００６２】次に図６（Ｅ）に示すように、導電層１４ａ，１４ｂを形成する。導電層１４ａ，１４ｂは、Ｃｒ，Ｔｉを下地膜とし、Ｃｕ，Ｎｉを連続して成膜したものであり、膜厚は５０〜３００ｎｍ程度である。次に、図２または図３に示すように基体１１を封止する。ジメットによる主電極１５ａ，１５ｂは直径１〜３ｍｍで、厚さ０．３〜０．５ｍｍ程度の円板である。主電極１５ａ，１５ｂにはリード線１６ａ，１６ｂを溶接により接続しておく。
【００６３】切断した個々の基体１１を主電極１５ａ，１５ｂで挟み、ガラス筒に挿入し、カーボンヒータに装填する。約４５０℃で加熱し、真空ポンプで１０-5ｔｏｒｒ程度の低圧に設定し、Ａｒ、Ｈｅ、Ｎｅなどのガスを１〜５００ｔｏｒｒで充填する、約６００℃まで急激に加熱すると、ガラスが溶け、図２に示すように封止される。室温まで冷却してサージサブソーバが完成する。
【００６４】なお、ギャップは１つ形成されているのに限られず、複数形成してもよい。図１０は、ギャップが複数形成されている場合である。図１０では、抵抗体層１２ｂが層（ａ）と（ｂ）を有する低抵抗体であり、抵抗体層１２ａと１２ｃが層（ａ）だけの高抵抗体である。そして、各抵抗体層の間にギャップ１３ａと１３ｂが形成されている。そして、各抵抗体層とギャップの上に電子放出材料層２１が形成されている。また、図４の実施例でもギャップを複数形成することが可能である。ギャップを複数設けることにより、放電開始電圧を高くすることが可能である。
【００６５】
【発明の効果】以上のように本発明では、抵抗体層に電子放出材料層を形成し、またはギャップを介して対向する抵抗体層の抵抗値を変えることにより、放電開始までの応答時間を短縮化できる。
【００６６】また、基体を平板状のチップ形状にすることにより、抵抗体層やギャップを薄膜形成技術やエッチングにより容易に形成できるようになる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明のサージアブソーバの全体構造を示す斜視図、
【図２】図１に示すサージアブソーバの断面図、
【図３】他の構造のサージアブソーバを示す断面図、
【図４】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）は第１の本発明の実施例に相当する基体の側面図、
【図５】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）は第２の本発明の実施例に相当する基体の側面図、
【図６】（Ａ）（Ｂ）（Ｃ）（Ｄ）（Ｅ）は、図５（Ｂ）に示すものの製造方法を示す工程説明図、
【図７】第１の発明の応答時間の特性を示す線図、
【図８】第１の本発明のサージ印加回数と絶縁抵抗の関係を示す線図、
【図９】（Ａ）はサージ印加電圧を示す線図、（Ｂ）は時定数によるギャップでの充電電圧の変化を示す線図、（Ｃ）は抵抗体層の抵抗値の変化と充電電圧の変化との関係を示す線図、
【図１０】他の実施例を示す基板の側面図、
【図１１】サージアブソーバの動作を示す等価回路、
【図１２】従来のサージアブソーバの斜視図、
【図１３】図１２に示すサージアブソーバのギャップ部分を示す拡大断面図、
【符号の説明】
１１ 基体
１２ａ，１２ｂ 抵抗体層
１３ ギャップ
１４ａ，１４ｂ 導電層
１５ａ，１５ｂ 主電極
１６ａ，１６ｂ リード線
１７ ガラス封止体
２１ 電子放出材料層
Ｇ ギャップ長
【特許請求の範囲】
【請求項１】 基体の表面に形成された抵抗体層と、抵抗体層の両側に配置された主電極とを有し、前記抵抗体層に１つ以上のギャップが形成されているサージアブソーバであって、前記抵抗体層の上に電子放出材料層が設けられていることを特徴とするサージアブソーバ。
【請求項２】 基体の表面に形成された抵抗体層と、抵抗体層の両側に配置された主電極とを有し、前記抵抗体層に１つ以上のギャップが形成されているサージアブソーバであって、ギャップを介して対向する一方の抵抗体層と他方の抵抗体層とで抵抗値が相違することを特徴とするサージアブソーバ。
【請求項３】 ギャップを介して対向する両抵抗体層が、それぞれ高い抵抗値の第１の層を有し、一方の抵抗体層には、前記第１の層の上にこれよりも抵抗値の小さい第２の層が積層されている請求項２記載のサージアブソーバ。
【請求項４】 抵抗体層の表面に電子放出材料層が設けられている請求項２または３記載のサージアブソーバ。
【請求項５】 基体は平板状チップであり、このチップの１つの面または複数の面に抵抗体層が設けられている請求項１ないし４のいずれかに記載のサージアブソーバ。
【請求項１】 基体の表面に形成された抵抗体層と、抵抗体層の両側に配置された主電極とを有し、前記抵抗体層に１つ以上のギャップが形成されているサージアブソーバであって、前記抵抗体層の上に電子放出材料層が設けられていることを特徴とするサージアブソーバ。
【請求項２】 基体の表面に形成された抵抗体層と、抵抗体層の両側に配置された主電極とを有し、前記抵抗体層に１つ以上のギャップが形成されているサージアブソーバであって、ギャップを介して対向する一方の抵抗体層と他方の抵抗体層とで抵抗値が相違することを特徴とするサージアブソーバ。
【請求項３】 ギャップを介して対向する両抵抗体層が、それぞれ高い抵抗値の第１の層を有し、一方の抵抗体層には、前記第１の層の上にこれよりも抵抗値の小さい第２の層が積層されている請求項２記載のサージアブソーバ。
【請求項４】 抵抗体層の表面に電子放出材料層が設けられている請求項２または３記載のサージアブソーバ。
【請求項５】 基体は平板状チップであり、このチップの１つの面または複数の面に抵抗体層が設けられている請求項１ないし４のいずれかに記載のサージアブソーバ。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図１０】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１１】
【図１３】
【図１２】
【図２】
【図３】
【図４】
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【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１１】
【図１３】
【図１２】
【公開番号】特開平９−１４８０４４
【公開日】平成９年（１９９７）６月６日
【国際特許分類】
【出願番号】特願平７−３０１３４５
【出願日】平成７年（１９９５）１１月２０日
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
【公開日】平成９年（１９９７）６月６日
【国際特許分類】
【出願日】平成７年（１９９５）１１月２０日
【出願人】（００００１００９８）アルプス電気株式会社 (4,263)
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