シリコンウェーハ及びその製造方法
【課題】ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＺ法により格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットにリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハの一方の主面にポリシリコン層または歪み層を形成し、他方の主面を鏡面研磨する。
【解決手段】ＣＺ法により格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットにリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハの一方の主面にポリシリコン層または歪み層を形成し、他方の主面を鏡面研磨する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
この発明は、シリコンウェーハ及びその製造方法に関する。特に限定されないが、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（以下、ＩＧＢＴともいう。）の基板として好適に用いられるチョクラルスキー法（以下、ＣＺ法ともいう。）により形成されてなるシリコンウェーハ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）は、ＭＯＳＦＥＴに正孔注入用ＰＮ接合が付加された構造からなり、高抵抗のｎ−型シリコン層の表面側にゲート及びエミッタが形成され、裏面側にＰＮ接合を介してコレクタが形成されている。
【０００３】
ＩＧＢＴは、コレクタ−エミッタ間の電流を、シリコン酸化膜を介したゲートに印加する電圧で制御する素子である。ゲート及びエミッタとコレクタとの間に位置するｎ−型シリコンウェーハに対してコレクタ側から正孔が注入されることにより、オン抵抗を下げることができ、また大電流を流した場合でも破壊されにくいという特徴を備えている。
【０００４】
上述のように、ＩＧＢＴは酸化膜を介したゲートで電流の制御を行うので、ゲート酸化膜には欠陥がないことが望まれる。また、電流は素子表面のエミッタと裏面のコレクタの間を流れるので、ウェーハ内部の欠陥はＩＧＢＴの特性を大きく左右する。このため、従来のＩＧＢＴ用基板には、エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層や、ＦＺ法により形成されたシリコンウェーハが用いられてきた。
【０００５】
しかし、高耐圧ＩＧＢＴを構成するｎ型シリコン層には１５０μｍ前後の厚みが必要となり、エピタキシャル層でこの厚みを実現するためには、エピタキシャル成長工程に長時間を要するため、製造コストが大幅に増加するという問題がある。
【０００６】
また、ＦＺ法により形成されたシリコンウェーハは、製造工程において混入する不純物量が少なく、ＣＺ法と比べて比較的欠陥の少ないウェーハが得られる一方、ＦＺ法ではウェーハの大口径化が難しく、ウェーハの大量生産に適さないという問題がある。
【０００７】
一方、ＣＺ法により形成されたシリコンウェーハには、０．１〜０．３μｍ程度の微少空洞からなる欠陥が存在し、この欠陥がウェーハ表面に露出するとピットになって現れる。これらの欠陥は一般的にＣＯＰ（Crystal Originated Particle）と呼ばれているが、このＣＯＰが存在するウェーハを、そのままＩＧＢＴ用基板に用いることは不可能であった。
【０００８】
そこで、特許文献１、２に記載されたように、ＣＺ法により得られたウェーハを熱処理してＣＯＰを少なくするウェーハの製造方法が提案されている。
【０００９】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００４／０７３０５７パンフレット
【特許文献２】特開２００６−３４４８２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ＣＺ法は、大口径ウェーハの製造が容易であり直径３００ｍｍのウェーハも量産され、ＬＳＩ用基板には適している。しかし、ＣＺ法によるウェーハは次の理由によってＩＧＢＴ用基板には用いられていなかった。
【００１１】
第一に、ＧＯＩ（Gate Oxide Integrity）歩留まりが悪いという問題がある。すなわち、ＣＺ法によるウェーハでは単結晶育成時に過剰な空孔が凝集して０．２〜０．３μｍ程度のボイド欠陥であるＣＯＰが生じる。このＣＯＰが表面に露出してできたピットまたは表面近傍に存在するＣＯＰが、熱酸化によって酸化膜に取り込まれると、ＧＯＩ特性を劣化させることになる。
【００１２】
第二に、酸素ドナーによって抵抗率が低下するという問題がある。ＣＺ法によるシリコンウェーハには１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３オーダ（フーリエ変換赤外分光光度法ＡＳＴＭ Ｆ−１２１）の過剰な酸素が含まれており、４５０℃程度の低温熱処理を受けると酸素ドナーが発生して基板の抵抗率が下がり、コレクタ・エミッタ間の耐圧が低下することになる。
【００１３】
第三に、酸素析出物が発生するという問題がある。先にも述べたように、通常、ＣＺ法によるシリコンには１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３オーダの酸素が含まれている。このため、デバイスプロセスの熱処理過程において、ウェーハ中の過剰な酸素がＳｉＯ２となって析出し、コレクタ・エミッタ間のリークを引き起こすことになる。
【００１４】
第四に、抵抗率の均一性が悪いという問題がある。ＣＺ法によるシリコンの抵抗率は、多結晶シリコンに添加するドーパント量によって制御できるが、ＩＧＢＴ用基板に使われるリンは偏析係数が小さいために単結晶インゴットの長さ方向で濃度が大きく変化する。そのため、一本の単結晶シリコンインゴットの中で仕様に合った抵抗率のウェーハが作れる範囲が狭い。
【００１５】
上記特許文献１と特許文献２で開示された技術によれば、ＧＯＩ特性を劣化させる因子であるＣＯＰを消滅させることができ、酸素ドナーによるコレクタ・エミッタ間の耐圧低下や酸素析出物によるコレクタ・エミッタ間のリークを回避でき、ＩＧＢＴ用シリコンウェーハの製造技術として適用可能な技術ではある。
【００１６】
しかしながら、ＣＯＰを消すために高温の熱処理を行う必要があるので、熱処理による汚染やスリップ転位の発生を防ぐことが難しい。熱処理によって金属元素でウェーハが汚染されればコレクタ・エミッタ間のリークが起き、スリップ転位が発生したウェーハをデバイス工程で熱処理すればウェーハが割れる可能性が高い。
【００１７】
発明が解決しようとする課題は、ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
この発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、ＣＺ法により格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットにリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハの一方の主面にポリシリコン層または歪み層を形成し、他方の主面を鏡面研磨することを特徴とする。
【００１９】
また、この発明に係るシリコンウェーハは、酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、リンがドープされて抵抗率のウェーハ面内ばらつきが５％以下であり、０．０３μｍ以上の光散乱体が検出される領域の直径が結晶の直径の９０％以下であり、一方の主面にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
上記発明によれば、ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、発明の実施形態であるＩＧＢＴ用シリコンウェーハの製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本実施形態のシリコンウェーハの製造方法を示す工程図である。
【００２２】
本例のシリコンウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（ＡＳＴＭ Ｆ−１２１）であり、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるシリコンインゴットを形成する。次に、該シリコンインゴットに中性子照射によってリンをドープしてからウェーハを切り出す。最後にウェーハの一方の主面にゲッタリング層であるポリシリコン層または歪み層を形成し、他方の主面を鏡面研磨する。
【００２３】
以下、各工程について詳細に説明する。
【００２４】
《インゴットの製造》
格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるシリコンインゴットは、ＣＺ法により製造することができる。なお、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下とは、図２に示すようにシリコンインゴット断面のＣＯＰ発生領域を円とみなした場合に、その直径Ｄ１がシリコンインゴットの直径Ｄ２に対して９０％以下という意味である。また、ＣＯＰの有無は、赤外明視野干渉法（アクセントオプティカルテクノロジーズ社製ＯＰＰ（Optical Precipitate Profiler）等を用いることができる。）により確認することができる。
【００２５】
ＣＺ法によるシリコンインゴットの製造は次の工程で行われる。まず、引き上げ装置の石英製坩堝に多結晶シリコン塊を投入し、アルゴン雰囲気中で多結晶シリコン塊を加熱してシリコン融液とする。次にシリコン融液に種結晶を浸漬させ、種結晶及び石英製坩堝を回転させながら種結晶を徐々に引き上げて種結晶の下に単結晶を成長させる。
【００２６】
この場合の引上げ条件として、単結晶の成長速度をＶ（ｍｍ／分）、単結晶成長時の融点から１３５０℃の温度勾配Ｇ（℃／ｍｍ）としたとき、これらの比Ｖ／Ｇを０．１８〜０．２４にするという条件を例示することができる。また、他の条件としては、石英製坩堝の回転数を０．０５〜０．５ｒｐｍとし、アルゴン雰囲気の圧力を３０Ｔｏｒｒとし、更に磁場強度を３５００Ｇａｕｓｓという引上げ条件を例示することができる。
【００２７】
シリコンインゴットの格子間酸素濃度を７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることで、ＩＧＢＴ製造工程での酸素ドナー発生を防止することができる。格子間酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を越えるとＩＧＢＴ製造工程で酸素ドナーが生じ、ＩＧＢＴの特性を変えてしまうので好ましくない。
【００２８】
《リンドープ》
次に、製造されたシリコンインゴットに対して中性子線を照射する。この中性子線照射によって、シリコン原子の一部をリンに変換させ、これによりシリコンインゴットにリンを均一にドープさせて抵抗率が均一なインゴットが得られる。
【００２９】
ｎ型の単結晶シリコンでは、引き上げ時にシリコン融液にリンを添加する方式でリンをドープさせると、引き上げ方向に沿ってインゴットの抵抗率が変化してしまう。この抵抗率の変化はＩＧＢＴの特性の変化を招く。このため本例では、インゴット全体のドーパント濃度を均一にできる中性子照射法を採用する。
【００３０】
中性子線の照射条件は、例えば、３．０×１０１２個/ｃｍ２/ｓの中性子線束である位置において、結晶回転約２ｒｐｍで約８０時間の照射とすることができる。こうして中性子線が照射されたシリコンインゴットは、抵抗率が４８Ω・ｃｍ〜５２Ω・ｃｍ程度になる。
【００３１】
《スライス・ゲッタリング層の形成・鏡面研磨等》
次に、リンがドープされたシリコンインゴットからウェーハを切り出し、必要に応じてラッピングやエッチング等を行った後に、ウェーハの一方の主面にゲッタリング層として、サンドブラスト法などによって歪み層を形成するか、これに代えてポリシリコン膜を形成する。次いで、ウェーハの他方の主面を鏡面研磨したのち、洗浄を行って汚染物質を除去する。
【００３２】
以上の工程によりＩＧＢＴなどのデバイス用基板に適用して好ましいシリコンウェーハが得られる。
【００３３】
《実施形態による効果》
上記のシリコンウェーハの製造方法によれば、格子間酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のシリコンインゴットを用いることで、ＩＧＢＴ製造工程での酸素析出物（ＢＭＤ）の生成によるコレクタ・エミッタ間のリーク、及び酸素ドナー形成によるコレクタ・エミッタ間の耐圧低下を防止することができる。
【００３４】
また、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下に収縮した結晶を用いることにより、微小なＣＯＰしか含まないウェーハを作ることが可能になる。このことによってゲート酸化膜の厚いＩＧＢＴでは、ＧＯＩが向上する。通常のＣＺシリコン結晶（酸素濃度が１０〜２０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）では、ＣＯＰ領域の外側に、結晶引上げ時に板状の酸素析出物が発生し、熱酸化されると、これらの板状の酸素析出物が核となってＯＳＦ（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌｔ）がリング状に発生する。しかしながら、本例のウェーハは、酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるので、熱酸化されてもＯＳＦが発生することはない。
【００３５】
また、シリコンインゴットに中性子を照射することによりシリコン原子の一部をリンに変換させ、これによりシリコンインゴットにリンを均一にドープさせることが可能となり、抵抗率が均一なウェーハが得られる。
【００３６】
さらに本例では、ウェーハ製造工程で高温の熱処理を施さないので、熱処理による汚染やスリップ転位の発生を防ぐことが可能である。
【００３７】
また、一方の主面にゲッタリング層としてのポリシリコン層または歪み層が形成されているので、ＩＧＢＴ製造工程における重金属汚染を除去することができる。
【００３８】
そして、こうして得られたシリコンウェーハは、微小なＣＯＰしか含まないのでＩＧＢＴのようにゲート酸化膜の厚いデバイスではＧＯＩ歩留まりが良好であり、しかも、ウェーハ面内及び同じインゴットから切り出されたウェーハ間での抵抗率のばらつきが小さくなる。また、ＩＧＢＴ製造工程でのＢＭＤ生成や抵抗率変化（ばらつき）が殆ど起きない。
【実施例】
【００３９】
《実施例１，２および比較例１，２》
まず、ＣＺ法により、実施例１，２および比較例１，２のように種々の格子間酸素濃度及び結晶直径に対するＣＯＰ領域を有するシリコンインゴットを製造した。具体的には、多結晶シリコン塊を石英るつぼに投入し、アルゴン雰囲気中で多結晶シリコン塊を加熱してシリコン融液とした。
【００４０】
次に、シリコン融液に種結晶を浸漬させ、次に種結晶及び石英るつぼを回転させながら種結晶を徐々に引き上げて種結晶の下に単結晶を成長させた。
【００４１】
なお、単結晶の成長速度をＶ（ｍｍ／分）とし、単結晶成長時の融点から１３５０℃の温度勾配Ｇ（℃／分）としたときの比Ｖ／Ｇを０．１８〜０．２７の間で変動させることによって、単結晶への空孔の取り込み量を制御し、結晶の直径に対するＣＯＰ発生領域の直径の比を変えた結晶（実施例１，２及び比較例１，２）を製造した。
【００４２】
シリコンインゴットにおける格子間酸素濃度は、石英るつぼの回転数及びアルゴン雰囲気の圧力を調整することにより制御した（実施例１，２及び比較例１，２）。石英るつぼの回転数を低くすることにより酸素濃度が低減され、またアルゴン雰囲気の圧力を低くすることによっても酸素濃度が低減される。また、ＭＣＺ法（磁場印加）を採用することで、低酸素濃度のシリコンインゴットの製造がより簡便となり有効である。
【００４３】
このようにして、ＣＯＰ領域の直径が結晶の直径の５０％で酸素濃度が６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ（実施例１）、ＣＯＰ領域の直径が結晶の直径の９０％で酸素濃度が２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ（実施例２）、ＣＯＰ領域の直径が結晶の直径の９５％で酸素濃度が２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ（比較例１）、ＣＯＰ領域の直径が結晶の直径の８０％で、酸素濃度が８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ（比較例２）の直径２００ｍｍのシリコンインゴットを製造した。
【００４４】
次に、上述のシリコンインゴットに対して中性子線を照射してリンをドープした。中性子線は、線束３．０×１０１２個／ｃｍ２／sで８０時間照射した（抵抗率約５０Ω・cm）。
【００４５】
その後、シリコンインゴットをスライスしてウェーハを切り出した。切り出されたウェーハには、ラッピング、エッチング、鏡面研磨、洗浄等の表面処理を施した。
【００４６】
《評価》
実施例１，２および比較例１，２の各ウェーハのＧＯＩ歩留まり、酸素ドナーによる抵抗率の変化、ＢＭＤの発生の有無、ＯＳＦの発生の有無をそれぞれ評価した。
【００４７】
ＧＯＩ歩留まりは、ゲート酸化膜厚９０ｎｍ、電極面積８ｍｍ２、判定電界強度１１ＭＶ／ｃｍの条件で測定した。
【００４８】
また抵抗率のウェーハ面内ばらつきは、抵抗率の測定位置を、ウェーハの中心、ウェーハの中心と外周の中間の位置、ウェーハ外周から５ｍｍの位置とし、(抵抗率の最大値−抵抗率の最小値)×１００／抵抗率の最小値で算出した。
【００４９】
ＢＭＤの発生は、ａｓ−ｇｒｏｗｎ状態での欠陥密度（Ａ）と、８００℃で４時間と１０００℃で１６時間の２段熱処理を施した後の欠陥密度（Ｂ）をＯＰＰで測定し、ＢとＡの比較によって評価した。ＯＰＰでは、ＣＯＰとＢＭＤの両方が検出されるので、Ｂ＞Ａの場合は熱処理によってＢＭＤが発生したと判断した。ＯＰＰは約０．０３μｍ以上の欠陥を検出できるので、上記の方法により、０．０３μｍ以上のＢＭＤの発生を検知出来る。
【００５０】
ＯＳＦの発生は、水蒸気を含む酸素雰囲気中で、１１５０℃で２時間の熱処理を施した後、ライト液による選択エッチングを行い、エッチピットを観察することにより評価した。
【００５１】
酸素ドナーの発生による抵抗率の変化は、６５０℃で３０分間の熱処理を行った後に四探針法で測定した抵抗率（Ｃ）と６５０℃で３０分間の熱処理の後に４５０℃で１時間の熱処理を追加した後に四探針法で測定した抵抗率（Ｄ）の比較によって評価した。
【００５２】
変化率（％）は、（Ｄ―Ｃ）／Ｃ×１００と定義した。
【００５３】
《評価結果》
上述した条件で作製した実施例１，２および比較例１，２の評価結果を表１に示す。
【００５４】
【表１】
この評価結果からも明らかなように、格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、かつＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下である実施例１および２のウェーハは、ＧＯＩ歩留まりが良好で、抵抗率変化も許容範囲内であり、ＢＭＤおよびＯＳＦの発生はいずれも観察されなかった。
【００５５】
これに対し、格子間酸素濃度は７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるがＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％を越える比較例１のウェーハは、抵抗率変化は許容範囲内であり、ＢＭＤおよびＯＳＦの発生はいずれも観察されなかったが、ＣＯＰが大きくＧＯＩ歩留まりが悪い。
【００５６】
また、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるが格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超える比較例２のウェーハは、ＣＯＰが小さくＧＯＩ歩留まりは良好だが、酸素ドナーによる抵抗率変化が大きく、ＢＭＤおよびＯＳＦの発生がいずれも観察された。
【００５７】
以上、本例のようにして製造されたシリコンウェーハは、格子間酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ＣＯＰのサイズとＣＯＰの発生領域が収縮しており、熱酸化されてもＣＯＰ領域の外側にＯＳＦが発生することもなく、さらに高温の熱処理も施さないので、熱処理による汚染やスリップ転位の発生もない。このようなシリコンウェーハは、ＩＧＢＴ用基板として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】発明の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法を示す工程図である。
【図２】発明の実施形態に係るＣＯＰ発生領域の直径と結晶の直径を説明するための断面図である。
【技術分野】
【０００１】
この発明は、シリコンウェーハ及びその製造方法に関する。特に限定されないが、絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（以下、ＩＧＢＴともいう。）の基板として好適に用いられるチョクラルスキー法（以下、ＣＺ法ともいう。）により形成されてなるシリコンウェーハ及びその製造方法に関するものである。
【背景技術】
【０００２】
絶縁ゲート型バイポーラトランジスタ（ＩＧＢＴ）は、ＭＯＳＦＥＴに正孔注入用ＰＮ接合が付加された構造からなり、高抵抗のｎ−型シリコン層の表面側にゲート及びエミッタが形成され、裏面側にＰＮ接合を介してコレクタが形成されている。
【０００３】
ＩＧＢＴは、コレクタ−エミッタ間の電流を、シリコン酸化膜を介したゲートに印加する電圧で制御する素子である。ゲート及びエミッタとコレクタとの間に位置するｎ−型シリコンウェーハに対してコレクタ側から正孔が注入されることにより、オン抵抗を下げることができ、また大電流を流した場合でも破壊されにくいという特徴を備えている。
【０００４】
上述のように、ＩＧＢＴは酸化膜を介したゲートで電流の制御を行うので、ゲート酸化膜には欠陥がないことが望まれる。また、電流は素子表面のエミッタと裏面のコレクタの間を流れるので、ウェーハ内部の欠陥はＩＧＢＴの特性を大きく左右する。このため、従来のＩＧＢＴ用基板には、エピタキシャルウェーハのエピタキシャル層や、ＦＺ法により形成されたシリコンウェーハが用いられてきた。
【０００５】
しかし、高耐圧ＩＧＢＴを構成するｎ型シリコン層には１５０μｍ前後の厚みが必要となり、エピタキシャル層でこの厚みを実現するためには、エピタキシャル成長工程に長時間を要するため、製造コストが大幅に増加するという問題がある。
【０００６】
また、ＦＺ法により形成されたシリコンウェーハは、製造工程において混入する不純物量が少なく、ＣＺ法と比べて比較的欠陥の少ないウェーハが得られる一方、ＦＺ法ではウェーハの大口径化が難しく、ウェーハの大量生産に適さないという問題がある。
【０００７】
一方、ＣＺ法により形成されたシリコンウェーハには、０．１〜０．３μｍ程度の微少空洞からなる欠陥が存在し、この欠陥がウェーハ表面に露出するとピットになって現れる。これらの欠陥は一般的にＣＯＰ（Crystal Originated Particle）と呼ばれているが、このＣＯＰが存在するウェーハを、そのままＩＧＢＴ用基板に用いることは不可能であった。
【０００８】
そこで、特許文献１、２に記載されたように、ＣＺ法により得られたウェーハを熱処理してＣＯＰを少なくするウェーハの製造方法が提案されている。
【０００９】
【特許文献１】国際公開ＷＯ２００４／０７３０５７パンフレット
【特許文献２】特開２００６−３４４８２３号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
ＣＺ法は、大口径ウェーハの製造が容易であり直径３００ｍｍのウェーハも量産され、ＬＳＩ用基板には適している。しかし、ＣＺ法によるウェーハは次の理由によってＩＧＢＴ用基板には用いられていなかった。
【００１１】
第一に、ＧＯＩ（Gate Oxide Integrity）歩留まりが悪いという問題がある。すなわち、ＣＺ法によるウェーハでは単結晶育成時に過剰な空孔が凝集して０．２〜０．３μｍ程度のボイド欠陥であるＣＯＰが生じる。このＣＯＰが表面に露出してできたピットまたは表面近傍に存在するＣＯＰが、熱酸化によって酸化膜に取り込まれると、ＧＯＩ特性を劣化させることになる。
【００１２】
第二に、酸素ドナーによって抵抗率が低下するという問題がある。ＣＺ法によるシリコンウェーハには１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３オーダ（フーリエ変換赤外分光光度法ＡＳＴＭ Ｆ−１２１）の過剰な酸素が含まれており、４５０℃程度の低温熱処理を受けると酸素ドナーが発生して基板の抵抗率が下がり、コレクタ・エミッタ間の耐圧が低下することになる。
【００１３】
第三に、酸素析出物が発生するという問題がある。先にも述べたように、通常、ＣＺ法によるシリコンには１×１０１８ａｔｏｍｓ／ｃｍ３オーダの酸素が含まれている。このため、デバイスプロセスの熱処理過程において、ウェーハ中の過剰な酸素がＳｉＯ２となって析出し、コレクタ・エミッタ間のリークを引き起こすことになる。
【００１４】
第四に、抵抗率の均一性が悪いという問題がある。ＣＺ法によるシリコンの抵抗率は、多結晶シリコンに添加するドーパント量によって制御できるが、ＩＧＢＴ用基板に使われるリンは偏析係数が小さいために単結晶インゴットの長さ方向で濃度が大きく変化する。そのため、一本の単結晶シリコンインゴットの中で仕様に合った抵抗率のウェーハが作れる範囲が狭い。
【００１５】
上記特許文献１と特許文献２で開示された技術によれば、ＧＯＩ特性を劣化させる因子であるＣＯＰを消滅させることができ、酸素ドナーによるコレクタ・エミッタ間の耐圧低下や酸素析出物によるコレクタ・エミッタ間のリークを回避でき、ＩＧＢＴ用シリコンウェーハの製造技術として適用可能な技術ではある。
【００１６】
しかしながら、ＣＯＰを消すために高温の熱処理を行う必要があるので、熱処理による汚染やスリップ転位の発生を防ぐことが難しい。熱処理によって金属元素でウェーハが汚染されればコレクタ・エミッタ間のリークが起き、スリップ転位が発生したウェーハをデバイス工程で熱処理すればウェーハが割れる可能性が高い。
【００１７】
発明が解決しようとする課題は、ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハ及びその製造方法を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１８】
この発明に係るシリコンウェーハの製造方法は、ＣＺ法により格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるシリコンインゴットを形成し、該シリコンインゴットにリンをドープしてからウェーハを切り出し、該ウェーハの一方の主面にポリシリコン層または歪み層を形成し、他方の主面を鏡面研磨することを特徴とする。
【００１９】
また、この発明に係るシリコンウェーハは、酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、リンがドープされて抵抗率のウェーハ面内ばらつきが５％以下であり、０．０３μｍ以上の光散乱体が検出される領域の直径が結晶の直径の９０％以下であり、一方の主面にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とする。
【発明の効果】
【００２０】
上記発明によれば、ＩＧＢＴ用基板にも好適に用いることができるＣＺ法によるシリコンウェーハを提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２１】
以下、発明の実施形態であるＩＧＢＴ用シリコンウェーハの製造方法を図面に基づいて詳細に説明する。図１は本実施形態のシリコンウェーハの製造方法を示す工程図である。
【００２２】
本例のシリコンウェーハの製造方法は、チョクラルスキー法（ＣＺ法）により、格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下（ＡＳＴＭ Ｆ−１２１）であり、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるシリコンインゴットを形成する。次に、該シリコンインゴットに中性子照射によってリンをドープしてからウェーハを切り出す。最後にウェーハの一方の主面にゲッタリング層であるポリシリコン層または歪み層を形成し、他方の主面を鏡面研磨する。
【００２３】
以下、各工程について詳細に説明する。
【００２４】
《インゴットの製造》
格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるシリコンインゴットは、ＣＺ法により製造することができる。なお、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下とは、図２に示すようにシリコンインゴット断面のＣＯＰ発生領域を円とみなした場合に、その直径Ｄ１がシリコンインゴットの直径Ｄ２に対して９０％以下という意味である。また、ＣＯＰの有無は、赤外明視野干渉法（アクセントオプティカルテクノロジーズ社製ＯＰＰ（Optical Precipitate Profiler）等を用いることができる。）により確認することができる。
【００２５】
ＣＺ法によるシリコンインゴットの製造は次の工程で行われる。まず、引き上げ装置の石英製坩堝に多結晶シリコン塊を投入し、アルゴン雰囲気中で多結晶シリコン塊を加熱してシリコン融液とする。次にシリコン融液に種結晶を浸漬させ、種結晶及び石英製坩堝を回転させながら種結晶を徐々に引き上げて種結晶の下に単結晶を成長させる。
【００２６】
この場合の引上げ条件として、単結晶の成長速度をＶ（ｍｍ／分）、単結晶成長時の融点から１３５０℃の温度勾配Ｇ（℃／ｍｍ）としたとき、これらの比Ｖ／Ｇを０．１８〜０．２４にするという条件を例示することができる。また、他の条件としては、石英製坩堝の回転数を０．０５〜０．５ｒｐｍとし、アルゴン雰囲気の圧力を３０Ｔｏｒｒとし、更に磁場強度を３５００Ｇａｕｓｓという引上げ条件を例示することができる。
【００２７】
シリコンインゴットの格子間酸素濃度を７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下にすることで、ＩＧＢＴ製造工程での酸素ドナー発生を防止することができる。格子間酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を越えるとＩＧＢＴ製造工程で酸素ドナーが生じ、ＩＧＢＴの特性を変えてしまうので好ましくない。
【００２８】
《リンドープ》
次に、製造されたシリコンインゴットに対して中性子線を照射する。この中性子線照射によって、シリコン原子の一部をリンに変換させ、これによりシリコンインゴットにリンを均一にドープさせて抵抗率が均一なインゴットが得られる。
【００２９】
ｎ型の単結晶シリコンでは、引き上げ時にシリコン融液にリンを添加する方式でリンをドープさせると、引き上げ方向に沿ってインゴットの抵抗率が変化してしまう。この抵抗率の変化はＩＧＢＴの特性の変化を招く。このため本例では、インゴット全体のドーパント濃度を均一にできる中性子照射法を採用する。
【００３０】
中性子線の照射条件は、例えば、３．０×１０１２個/ｃｍ２/ｓの中性子線束である位置において、結晶回転約２ｒｐｍで約８０時間の照射とすることができる。こうして中性子線が照射されたシリコンインゴットは、抵抗率が４８Ω・ｃｍ〜５２Ω・ｃｍ程度になる。
【００３１】
《スライス・ゲッタリング層の形成・鏡面研磨等》
次に、リンがドープされたシリコンインゴットからウェーハを切り出し、必要に応じてラッピングやエッチング等を行った後に、ウェーハの一方の主面にゲッタリング層として、サンドブラスト法などによって歪み層を形成するか、これに代えてポリシリコン膜を形成する。次いで、ウェーハの他方の主面を鏡面研磨したのち、洗浄を行って汚染物質を除去する。
【００３２】
以上の工程によりＩＧＢＴなどのデバイス用基板に適用して好ましいシリコンウェーハが得られる。
【００３３】
《実施形態による効果》
上記のシリコンウェーハの製造方法によれば、格子間酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下のシリコンインゴットを用いることで、ＩＧＢＴ製造工程での酸素析出物（ＢＭＤ）の生成によるコレクタ・エミッタ間のリーク、及び酸素ドナー形成によるコレクタ・エミッタ間の耐圧低下を防止することができる。
【００３４】
また、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下に収縮した結晶を用いることにより、微小なＣＯＰしか含まないウェーハを作ることが可能になる。このことによってゲート酸化膜の厚いＩＧＢＴでは、ＧＯＩが向上する。通常のＣＺシリコン結晶（酸素濃度が１０〜２０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３）では、ＣＯＰ領域の外側に、結晶引上げ時に板状の酸素析出物が発生し、熱酸化されると、これらの板状の酸素析出物が核となってＯＳＦ（Ｏｘｉｄａｔｉｏｎ Ｉｎｄｕｃｅｄ Ｓｔａｃｋｉｎｇ Ｆａｕｌｔ）がリング状に発生する。しかしながら、本例のウェーハは、酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるので、熱酸化されてもＯＳＦが発生することはない。
【００３５】
また、シリコンインゴットに中性子を照射することによりシリコン原子の一部をリンに変換させ、これによりシリコンインゴットにリンを均一にドープさせることが可能となり、抵抗率が均一なウェーハが得られる。
【００３６】
さらに本例では、ウェーハ製造工程で高温の熱処理を施さないので、熱処理による汚染やスリップ転位の発生を防ぐことが可能である。
【００３７】
また、一方の主面にゲッタリング層としてのポリシリコン層または歪み層が形成されているので、ＩＧＢＴ製造工程における重金属汚染を除去することができる。
【００３８】
そして、こうして得られたシリコンウェーハは、微小なＣＯＰしか含まないのでＩＧＢＴのようにゲート酸化膜の厚いデバイスではＧＯＩ歩留まりが良好であり、しかも、ウェーハ面内及び同じインゴットから切り出されたウェーハ間での抵抗率のばらつきが小さくなる。また、ＩＧＢＴ製造工程でのＢＭＤ生成や抵抗率変化（ばらつき）が殆ど起きない。
【実施例】
【００３９】
《実施例１，２および比較例１，２》
まず、ＣＺ法により、実施例１，２および比較例１，２のように種々の格子間酸素濃度及び結晶直径に対するＣＯＰ領域を有するシリコンインゴットを製造した。具体的には、多結晶シリコン塊を石英るつぼに投入し、アルゴン雰囲気中で多結晶シリコン塊を加熱してシリコン融液とした。
【００４０】
次に、シリコン融液に種結晶を浸漬させ、次に種結晶及び石英るつぼを回転させながら種結晶を徐々に引き上げて種結晶の下に単結晶を成長させた。
【００４１】
なお、単結晶の成長速度をＶ（ｍｍ／分）とし、単結晶成長時の融点から１３５０℃の温度勾配Ｇ（℃／分）としたときの比Ｖ／Ｇを０．１８〜０．２７の間で変動させることによって、単結晶への空孔の取り込み量を制御し、結晶の直径に対するＣＯＰ発生領域の直径の比を変えた結晶（実施例１，２及び比較例１，２）を製造した。
【００４２】
シリコンインゴットにおける格子間酸素濃度は、石英るつぼの回転数及びアルゴン雰囲気の圧力を調整することにより制御した（実施例１，２及び比較例１，２）。石英るつぼの回転数を低くすることにより酸素濃度が低減され、またアルゴン雰囲気の圧力を低くすることによっても酸素濃度が低減される。また、ＭＣＺ法（磁場印加）を採用することで、低酸素濃度のシリコンインゴットの製造がより簡便となり有効である。
【００４３】
このようにして、ＣＯＰ領域の直径が結晶の直径の５０％で酸素濃度が６×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ（実施例１）、ＣＯＰ領域の直径が結晶の直径の９０％で酸素濃度が２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ（実施例２）、ＣＯＰ領域の直径が結晶の直径の９５％で酸素濃度が２×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ（比較例１）、ＣＯＰ領域の直径が結晶の直径の８０％で、酸素濃度が８×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｃ（比較例２）の直径２００ｍｍのシリコンインゴットを製造した。
【００４４】
次に、上述のシリコンインゴットに対して中性子線を照射してリンをドープした。中性子線は、線束３．０×１０１２個／ｃｍ２／sで８０時間照射した（抵抗率約５０Ω・cm）。
【００４５】
その後、シリコンインゴットをスライスしてウェーハを切り出した。切り出されたウェーハには、ラッピング、エッチング、鏡面研磨、洗浄等の表面処理を施した。
【００４６】
《評価》
実施例１，２および比較例１，２の各ウェーハのＧＯＩ歩留まり、酸素ドナーによる抵抗率の変化、ＢＭＤの発生の有無、ＯＳＦの発生の有無をそれぞれ評価した。
【００４７】
ＧＯＩ歩留まりは、ゲート酸化膜厚９０ｎｍ、電極面積８ｍｍ２、判定電界強度１１ＭＶ／ｃｍの条件で測定した。
【００４８】
また抵抗率のウェーハ面内ばらつきは、抵抗率の測定位置を、ウェーハの中心、ウェーハの中心と外周の中間の位置、ウェーハ外周から５ｍｍの位置とし、(抵抗率の最大値−抵抗率の最小値)×１００／抵抗率の最小値で算出した。
【００４９】
ＢＭＤの発生は、ａｓ−ｇｒｏｗｎ状態での欠陥密度（Ａ）と、８００℃で４時間と１０００℃で１６時間の２段熱処理を施した後の欠陥密度（Ｂ）をＯＰＰで測定し、ＢとＡの比較によって評価した。ＯＰＰでは、ＣＯＰとＢＭＤの両方が検出されるので、Ｂ＞Ａの場合は熱処理によってＢＭＤが発生したと判断した。ＯＰＰは約０．０３μｍ以上の欠陥を検出できるので、上記の方法により、０．０３μｍ以上のＢＭＤの発生を検知出来る。
【００５０】
ＯＳＦの発生は、水蒸気を含む酸素雰囲気中で、１１５０℃で２時間の熱処理を施した後、ライト液による選択エッチングを行い、エッチピットを観察することにより評価した。
【００５１】
酸素ドナーの発生による抵抗率の変化は、６５０℃で３０分間の熱処理を行った後に四探針法で測定した抵抗率（Ｃ）と６５０℃で３０分間の熱処理の後に４５０℃で１時間の熱処理を追加した後に四探針法で測定した抵抗率（Ｄ）の比較によって評価した。
【００５２】
変化率（％）は、（Ｄ―Ｃ）／Ｃ×１００と定義した。
【００５３】
《評価結果》
上述した条件で作製した実施例１，２および比較例１，２の評価結果を表１に示す。
【００５４】
【表１】
この評価結果からも明らかなように、格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下、かつＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下である実施例１および２のウェーハは、ＧＯＩ歩留まりが良好で、抵抗率変化も許容範囲内であり、ＢＭＤおよびＯＳＦの発生はいずれも観察されなかった。
【００５５】
これに対し、格子間酸素濃度は７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であるがＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％を越える比較例１のウェーハは、抵抗率変化は許容範囲内であり、ＢＭＤおよびＯＳＦの発生はいずれも観察されなかったが、ＣＯＰが大きくＧＯＩ歩留まりが悪い。
【００５６】
また、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるが格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３を超える比較例２のウェーハは、ＣＯＰが小さくＧＯＩ歩留まりは良好だが、酸素ドナーによる抵抗率変化が大きく、ＢＭＤおよびＯＳＦの発生がいずれも観察された。
【００５７】
以上、本例のようにして製造されたシリコンウェーハは、格子間酸素濃度が７×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ＣＯＰのサイズとＣＯＰの発生領域が収縮しており、熱酸化されてもＣＯＰ領域の外側にＯＳＦが発生することもなく、さらに高温の熱処理も施さないので、熱処理による汚染やスリップ転位の発生もない。このようなシリコンウェーハは、ＩＧＢＴ用基板として好適に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００５８】
【図１】発明の実施形態に係るシリコンウェーハの製造方法を示す工程図である。
【図２】発明の実施形態に係るＣＯＰ発生領域の直径と結晶の直径を説明するための断面図である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
チョクラルスキー法により、格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるシリコンインゴットを形成する工程と、
前記シリコンインゴットにリンをドープする工程と、
前記シリコンインゴットからウェーハを切り出す工程と、
前記ウェーハの一方の主面にポリシリコン層または歪み層を形成する工程と、
前記ウェーハの他方の主面を鏡面研磨する工程と、を備えたことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法において、
前記リンは中性子照射によってドープすることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
リンがドープされて抵抗率のウェーハ面内ばらつきが５％以下であり、
０．０３μｍ以上の光散乱体が検出される領域の直径が結晶の直径の９０％以下であり、
一方の主面にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするシリコンウェーハ。
但し、前記抵抗率のウェーハ面内ばらつきは、(最大値−最小値)×１００／最小値で求めた値、測定位置は、ウェーハの中心、ウェーハの中心と外周の中間の位置、ウェーハ外周から５ｍｍの位置とする。
【請求項１】
チョクラルスキー法により、格子間酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、ＣＯＰ発生領域の直径が結晶の直径の９０％以下であるシリコンインゴットを形成する工程と、
前記シリコンインゴットにリンをドープする工程と、
前記シリコンインゴットからウェーハを切り出す工程と、
前記ウェーハの一方の主面にポリシリコン層または歪み層を形成する工程と、
前記ウェーハの他方の主面を鏡面研磨する工程と、を備えたことを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項２】
請求項１に記載のシリコンウェーハの製造方法において、
前記リンは中性子照射によってドープすることを特徴とするシリコンウェーハの製造方法。
【請求項３】
酸素濃度が７．０×１０１７ａｔｏｍｓ／ｃｍ３以下であり、
リンがドープされて抵抗率のウェーハ面内ばらつきが５％以下であり、
０．０３μｍ以上の光散乱体が検出される領域の直径が結晶の直径の９０％以下であり、
一方の主面にポリシリコン層または歪み層を有することを特徴とするシリコンウェーハ。
但し、前記抵抗率のウェーハ面内ばらつきは、(最大値−最小値)×１００／最小値で求めた値、測定位置は、ウェーハの中心、ウェーハの中心と外周の中間の位置、ウェーハ外周から５ｍｍの位置とする。
【図１】
【図２】
【図２】
【公開番号】特開２０１０−５２９８９（Ｐ２０１０−５２９８９Ａ）
【公開日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−２２００５２（Ｐ２００８−２２００５２）
【出願日】平成２０年８月２８日（２００８．８．２８）
【出願人】（３０２００６８５４）株式会社ＳＵＭＣＯ (1,197)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年３月１１日（２０１０．３．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年８月２８日（２００８．８．２８）
【出願人】（３０２００６８５４）株式会社ＳＵＭＣＯ (1,197)
【Ｆターム（参考）】
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