シリコン薄膜の製造方法
【課題】低い温度でシリコン薄膜を形成しつつ、不純物の濃度を低く抑えることのできるシリコン薄膜の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明のシリコン薄膜の製造方法は、基板１をチャンバ１０内に配置するステップと、イオンビーム蒸着を２５０℃以下の温度条件で行うことによって前記基板１上にシリコン薄膜を形成するステップと、を含むことを特徴とする。前記イオンビーム蒸着が行われるチャンバ１０の基本気圧を１０−１２Ｔｏｒｒ以上１０−７Ｔｏｒｒ以下に調節するのがよい。
【解決手段】本発明のシリコン薄膜の製造方法は、基板１をチャンバ１０内に配置するステップと、イオンビーム蒸着を２５０℃以下の温度条件で行うことによって前記基板１上にシリコン薄膜を形成するステップと、を含むことを特徴とする。前記イオンビーム蒸着が行われるチャンバ１０の基本気圧を１０−１２Ｔｏｒｒ以上１０−７Ｔｏｒｒ以下に調節するのがよい。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン薄膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多結晶シリコン（poly crystalline Si；ｐｏｌｙ−Ｓｉ）は、非晶質シリコン（amorphous Si；ａ−Ｓｉ）に比べて高い移動度を持つために、平板ディスプレイ素子のみならず太陽電池などの多様な電子素子に応用されている。
【０００３】
一般的に、良質の多結晶シリコンを得るためには良質の非晶質シリコンが必要である。ＬＰＣＶＤ法（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）は、４５０℃以上の高温でシリコン薄膜を形成するために、ガラスのような熱に強い材料ではない、例えば、プラスチックのような熱に弱い基板にはシリコン薄膜を形成し難い。
【０００４】
ＰＥＣＶＤ法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）の場合は、ＬＰＣＶＤ法に比べて比較的低い３５０℃程度の温度でシリコン薄膜を形成することが可能である。しかし、ＰＥＣＶＤ法から得られたシリコン薄膜は１０〜２０％の水素を含んでいるために、それを除去するための脱水素工程が必須となる。
一般的に、脱水素工程は約４００℃で行われるため、プラスチックのような熱に弱い基板を熱的に変形または損傷させるおそれがある。結論的に、ＰＥＣＶＤ法によってもやはりプラスチック基板にシリコン薄膜を形成し難い。
【０００５】
プラスチック基板にシリコン薄膜を形成するためには、スパッタリング法のように低い温度でこれを形成できる工程の導入が不可欠である。しかし、スパッタリング法でシリコン薄膜を形成すると、シリコン薄膜に多量の不純物、例えば、Ａｒ、Ｏ、Ｈなどのガスが残留しやすい。このような不純物は、シリコンの電気的特性を悪化させるので、除去することが望ましい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、低い温度でシリコン薄膜を形成しつつ、不純物の濃度を低く抑えることのできるシリコン薄膜の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るシリコン薄膜の製造方法は、基板をチャンバ内に配置するステップと、イオンビーム蒸着（Ion Beam Deposition；ＩＢＤ）を２５０℃以下の温度条件で行うことによって前記基板上にシリコン薄膜を形成するステップと、を含む。
【０００８】
本発明に係るシリコン薄膜の製造方法において、前記イオンビーム蒸着が行われるチャンバの基本気圧を１０-12Ｔｏｒｒ以上１０-7Ｔｏｒｒ以下に調節することが望ましい。
【０００９】
本発明に係るシリコン薄膜の製造方法において、前記イオンビーム蒸着を行う装置は、ターゲット物質に対応するメイン高周波誘導結合プラズマソースと、前記基板に対応する補助高周波誘導結合プラズマソースと、を備えることが望ましい。
【００１０】
また、本発明に係るシリコン薄膜の製造方法において、前記メイン高周波誘導結合プラズマソース及び前記補助高周波誘導結合プラズマソースは、フィラメントのない構造であることが望ましい。そして、前記メイン高周波誘導結合プラズマソースは、イオンビームを前記ターゲット物質に集中させるためのフォーカスレンズ型グリッドを備えることが望ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のシリコン薄膜の製造方法によれば、低い温度でシリコン薄膜を形成しつつ、不純物の濃度を低く抑えることのできる。そのため、結晶構造面で非常に良質のシリコン薄膜を得ることができる。このような本発明のシリコン薄膜の製造方法は、電気的に良好な特性を持つポリシリコンの製作を可能にし、それにより、良質のスイッチング素子用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）または太陽電池の製作が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付された図面を参照して本発明に係るシリコン薄膜の製造方法の実施形態を説明する。
図１は、本発明に係るシリコン薄膜の製造方法によって製造されたシリコン薄膜を示す概略的断面図である。
なお、本発明に係るシリコン薄膜の製造方法においては、基板として、プラスチック基板を用いることができる。
図１に示すように、シリコンウェーハまたはプラスチック基板（以下、単に「基板」という）１上にＳｉＯ２バッファ層（以下、単に「バッファ層」という）２が形成され、その上に本発明のシリコン薄膜の製造方法によって形成される非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜（以下、単に「シリコン薄膜」という）３が形成されている。
【００１３】
バッファ層２は、基板１がシリコンウェーハ及びプラスチックである場合に任意的に堆積された絶縁物質層である。バッファ層２は、通常行われる手段により形成することができる。
シリコン薄膜３は、常温（望ましくは、約０℃以上約２５０℃以下）で行われるイオンビーム蒸着（ＩＢＤ）装置により形成される。
【００１４】
図２は、本発明のシリコン薄膜の製造方法で適用するＩＢＤ装置の概略的構造を示す図である。
図２に示すように、チャンバ１０の一側に基板装着部１１が設けられている。基板装着部１１は、任意回転軸Ｘを中心に回転する。チャンバ１０には、二つの高周波誘導結合プラズマソース（Radio Frequency Inductively Coupled Plasma Source；ＲＦＩＣＰ）が設けられている。一つは、メインＲＦＩＣＰソース２１であり、他の一つは、補助ＲＦＩＣＰソース２２である。そのうち、補助ＲＦＩＣＰソース２２は、基板装着部１１に搭載された基板１に対して所定角度傾いてイオンビームを照射するように配置されている。メインＲＦＩＣＰソース２１と基板装着部１１との間にはターゲット組立体３０が設けられている。ターゲット組立体３０は、複数のターゲット３１を備え、ターゲット３１を選択的に使用するために任意軸Ｙを中心に回転する構造となっている。
【００１５】
メインＲＦＩＣＰソース２１は、ターゲット組立体３０に備えられることで任意に選択されるターゲット３１に対して、所定角度傾斜した方向でイオンビームを照射する。ターゲット３１から出たイオンビームは、基板１に対してやはり所定角度（θ）傾いて入射する。イオンビームの入射角（θ）は０度以上４５度以下であることが望ましく、４０度とするのがより望ましい。
【００１６】
メインＲＦＩＣＰソース２１と選択されたターゲット３１との距離ａと、選択されたターゲット３１と基板１との距離ｂは、それぞれ８０ｃｍ以下とするのが望ましい。メインＲＦＩＣＰソース２１及び補助ＲＦＩＣＰソース２２は、フィラメントのない構造であるのが望ましい。ＩＢＤを行う条件として、ビーム電流は３００ｍＡ、電圧は６００ボルトに調節することが望ましい。また、蒸着率は０．７Å／ｓｅｃであり、ＩＢＤを行う前の基本圧力は１０-12Ｔｏｒｒ以上１０-7Ｔｏｒｒ以下（なお、１［Ｔｏｒｒ］＝（１０１３２５／７６０）［Ｐａ］）、ＩＢＤを行うときの圧力は０．１ｍＴｏｒｒ以下に調節することが望ましい。メインＲＦＩＣＰソース２１は、イオンビームを選択されたターゲット３１に集中させるためのフォーカスレンズ型グリッド２１ａを備え、補助ＲＦＩＣＰソース２２は平坦なグリッド２２ａを備えている。このような二つのソース（メインＲＦＩＣＰソース２１及び補助ＲＦＩＣＰソース２２）は、基板１の汚染源となるおそれのあるフィラメントを備えない方が望ましい。
【００１７】
本発明のシリコン薄膜の製造方法は、前記のような構造のＩＢＤ装置を用いてシリコンウェーハ、ガラス製またはプラスチック製の基板１にシリコン薄膜３を形成する。
具体的には、本発明のシリコン薄膜の製造方法は、基板１をチャンバ１０内に配置するステップと、イオンビーム蒸着を２５０℃以下の温度条件で行うことによって基板１上にシリコン薄膜３を形成するステップと、を含むものである。
【００１８】
図３Ａ及び図３Ｂは、本発明のシリコン薄膜の製造方法によって、常温（２５０℃以下）でＩＢＤによりウェーハ及びプラスチック基板上に形成（ＩＢＤによりシリコン薄膜３を堆積した後、ＥＬＡ（Excimer Laser）により結晶化した）されたシリコン薄膜３のＳＥＭイメージを示す図である。図３Ｃは、従来の５５０℃という高い温度で行われるＬＰＣＶＤによって形成されたシリコン薄膜のＳＥＭイメージを示す図である。なお、図３Ａないし図３Ｃに示すスケールバーは、６００ｎｍを示す。
【００１９】
図３Ａないし図３Ｃに示すように、本発明のシリコン薄膜の製造方法によれば、従来の高い温度でシリコン薄膜を形成するＬＰＣＶＤ法に劣らない良質のシリコン薄膜３を得ることができた。
【００２０】
図４は、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３（ＩＢＤ）と、ＬＰＣＶＤ法による従来のシリコン薄膜（ＬＰＣＶＤ）、そして、クリスタルシリコン（ｘ−Ｓｉ）の光学的特性を示すグラフである。なお、図４中、横軸は波長（Wave length (ｎｍ)）を示し、縦軸は反射率（Reflectance (％)）を示す。
図４に示すように、クリスタルシリコン（ｘ−Ｓｉ）は波長別反射率の変化が激しい一方、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３及びＬＰＣＶＤ法によるシリコン薄膜は、一部区間を除いては直線的反射率変化を示す。
【００２１】
下記の表１は、スパッタリング及びＩＢＤにより得られたシリコンの粒子密度差を示すものであり、ＸＲＲ（X-ray reflectometry）、ＲＢＳ（Rutherford Back Scattering Spectroscopy）により測定された密度を比較して示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】
一方、図５Ａは、本発明のシリコン薄膜の製造方法による、ＩＢＤによって形成されたシリコン薄膜３の、不純物含有量の差を示すＲＢＳによって測定された結果を示すグラフである。図５Ｂは、従来のシリコン薄膜の製造方法による、スパッタリングによって形成されたシリコン薄膜の不純物含有量の差を示すＲＢＳによって測定された結果を示すグラフである。
【００２４】
図５Ａに示すように、本発明のシリコン薄膜の製造方法によって形成されたシリコン薄膜３は、Ａｒは存在せずに極微量のＦｅ成分を含有することが分かる。しかし、図５Ｂに示すように、従来の方法によるシリコン薄膜は、相当量のＡｒが含まれていることが分かる。なお、図５Ａ及び図５Ｂ中において、横軸はチャンネル（Channel）であり、縦軸はカウント数（Counts (arb. Units)）であり、「Ａ」は、測定したデータ（raw data）を示し、「Ｂ」は、シミュレーションしたデータ（simulation）を示す。
そして、ＲＢＳで測定した結果、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３は、約０．２％のＡｒを含有する一方、従来の方法によるシリコン薄膜は、２．４％のＡｒを含有していることが分かった。Ｆｅは、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３のみ０．００５％を含有することが分かった。
【００２５】
一方、図６Ａ及び図６Ｂは、本発明のシリコン薄膜の製造方法による、ＩＢＤによって形成されたシリコン薄膜３（図６Ａ及び図６Ｂにおいて「Ｂ」で示す）と、従来の方法による、スパッタによって形成されたシリコン薄膜（図６Ａ及び図６Ｂにおいて「Ａ」で示す）と、の不純物において、酸素（図６Ａ）及び水素（図６Ｂ）の含有量を示すＳＩＭＳ結果を示すグラフである。なお、図６Ａ及び図６Ｂにおいて、横軸は深さ（Depth (μｍ)）を示し、縦軸は濃度（Concentretion (atoms/cc)）を示す。
【００２６】
図６Ａに示すように、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３（ＩＢＤ）は、従来の方法（スパッタ）によるシリコン薄膜に比べて酸素の含有量が少ないことが分かる。計測した結果、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３は、約０．０００２％の酸素を含み、従来の方法によるシリコン薄膜は、約０．００２％の酸素を含むことが分かった。
【００２７】
図６Ｂに示すように、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３（ＩＢＤ）は、従来の方法によるシリコン薄膜に比べて水素の含有量が少ないことが分かる。計測した結果、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３は、約０．００６％の水素を含み、従来の方法によるシリコン薄膜は、０．８％の酸素を含むことが分かった。
【００２８】
このように、本発明のシリコン薄膜の製造方法によれば、シリコン薄膜３中の不純物の含有量も低減できる。
前記のような特徴を有する本発明のシリコン薄膜の製造方法により形成されたシリコン薄膜３は、ＥＬＡ（Excimer Laser）などにより熱処理されて結晶化することができる。
【００２９】
以上、本願発明の理解を助けるためにいくつかの模範的な実施形態を、添付された図面とともに説明したが、このような実施形態は単に広い発明を例示し、それを制限しないということを理解しなければならない。また、本願発明は図示及び説明された構造に限定されないということも理解されねばならない。これは多様な他の修正が当業者により行われ得るためである。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明は、シリコン薄膜の関連技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係るシリコン薄膜の製造方法によって製造されたシリコン薄膜を示す概略的断面図である。
【図２】本発明のシリコン薄膜の製造方法で適用するＩＢＤ装置の概略的構造を示す図である。
【図３Ａ】本発明のシリコン薄膜の製造方法によって形成されたシリコン薄膜のＳＥＭイメージを示す図である。
【図３Ｂ】本発明のシリコン薄膜の製造方法によって形成されたシリコン薄膜のＳＥＭイメージを示す図である。
【図３Ｃ】従来のシリコン薄膜の製造方法（ＬＰＣＶＤ）によって形成されたシリコン薄膜のＳＥＭイメージを示す図である。
【図４】本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜（ＩＢＤ）と、ＬＰＣＶＤ法による従来のシリコン薄膜（ＬＰＣＶＤ）、そして、クリスタルシリコン（ｘ−Ｓｉ）の光学的特性を示すグラフである。
【図５Ａ】本発明のシリコン薄膜の製造方法による、ＩＢＤによって形成されたシリコン薄膜の不純物含有量の差を示すＲＢＳによって測定された結果を示すグラフである。
【図５Ｂ】従来のシリコン薄膜の製造方法による、スパッタリングによって形成されたシリコン薄膜の不純物含有量の差を示すＲＢＳによって測定された結果を示すグラフである。
【図６Ａ】本発明のシリコン薄膜の製造方法による、ＩＢＤによって形成されたシリコン薄膜と、従来のシリコン薄膜の製造方法による、スパッタによって形成されたシリコン薄膜と、の不純物において、酸素の含有量を示すＳＩＭＳ結果を示すグラフである。
【図６Ｂ】本発明のシリコン薄膜の製造方法による、ＩＢＤによって形成されたシリコン薄膜と、従来の方法による、スパッタによって形成されたシリコン薄膜と、の不純物において、水素の含有量を示すＳＩＭＳ結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３２】
１ シリコンウェーハまたはプラスチック基板
２ ＳｉＯ２バッファ層
３ 非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜
１０ チャンバ
１１ 基板装着部
２１ メインＲＦＩＣＰソース
２１ａ フォーカスレンズ型グリッド
２２ 補助ＲＦＩＣＰソース
２２ａ グリッド
３０ ターゲット組立体
３１ ターゲット
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シリコン薄膜の製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
多結晶シリコン（poly crystalline Si；ｐｏｌｙ−Ｓｉ）は、非晶質シリコン（amorphous Si；ａ−Ｓｉ）に比べて高い移動度を持つために、平板ディスプレイ素子のみならず太陽電池などの多様な電子素子に応用されている。
【０００３】
一般的に、良質の多結晶シリコンを得るためには良質の非晶質シリコンが必要である。ＬＰＣＶＤ法（Low Pressure Chemical Vapor Deposition）は、４５０℃以上の高温でシリコン薄膜を形成するために、ガラスのような熱に強い材料ではない、例えば、プラスチックのような熱に弱い基板にはシリコン薄膜を形成し難い。
【０００４】
ＰＥＣＶＤ法（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）の場合は、ＬＰＣＶＤ法に比べて比較的低い３５０℃程度の温度でシリコン薄膜を形成することが可能である。しかし、ＰＥＣＶＤ法から得られたシリコン薄膜は１０〜２０％の水素を含んでいるために、それを除去するための脱水素工程が必須となる。
一般的に、脱水素工程は約４００℃で行われるため、プラスチックのような熱に弱い基板を熱的に変形または損傷させるおそれがある。結論的に、ＰＥＣＶＤ法によってもやはりプラスチック基板にシリコン薄膜を形成し難い。
【０００５】
プラスチック基板にシリコン薄膜を形成するためには、スパッタリング法のように低い温度でこれを形成できる工程の導入が不可欠である。しかし、スパッタリング法でシリコン薄膜を形成すると、シリコン薄膜に多量の不純物、例えば、Ａｒ、Ｏ、Ｈなどのガスが残留しやすい。このような不純物は、シリコンの電気的特性を悪化させるので、除去することが望ましい。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明は、低い温度でシリコン薄膜を形成しつつ、不純物の濃度を低く抑えることのできるシリコン薄膜の製造方法を提供することを課題とする。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明に係るシリコン薄膜の製造方法は、基板をチャンバ内に配置するステップと、イオンビーム蒸着（Ion Beam Deposition；ＩＢＤ）を２５０℃以下の温度条件で行うことによって前記基板上にシリコン薄膜を形成するステップと、を含む。
【０００８】
本発明に係るシリコン薄膜の製造方法において、前記イオンビーム蒸着が行われるチャンバの基本気圧を１０-12Ｔｏｒｒ以上１０-7Ｔｏｒｒ以下に調節することが望ましい。
【０００９】
本発明に係るシリコン薄膜の製造方法において、前記イオンビーム蒸着を行う装置は、ターゲット物質に対応するメイン高周波誘導結合プラズマソースと、前記基板に対応する補助高周波誘導結合プラズマソースと、を備えることが望ましい。
【００１０】
また、本発明に係るシリコン薄膜の製造方法において、前記メイン高周波誘導結合プラズマソース及び前記補助高周波誘導結合プラズマソースは、フィラメントのない構造であることが望ましい。そして、前記メイン高周波誘導結合プラズマソースは、イオンビームを前記ターゲット物質に集中させるためのフォーカスレンズ型グリッドを備えることが望ましい。
【発明の効果】
【００１１】
本発明のシリコン薄膜の製造方法によれば、低い温度でシリコン薄膜を形成しつつ、不純物の濃度を低く抑えることのできる。そのため、結晶構造面で非常に良質のシリコン薄膜を得ることができる。このような本発明のシリコン薄膜の製造方法は、電気的に良好な特性を持つポリシリコンの製作を可能にし、それにより、良質のスイッチング素子用のＴＦＴ（Thin Film Transistor）または太陽電池の製作が可能である。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１２】
以下、添付された図面を参照して本発明に係るシリコン薄膜の製造方法の実施形態を説明する。
図１は、本発明に係るシリコン薄膜の製造方法によって製造されたシリコン薄膜を示す概略的断面図である。
なお、本発明に係るシリコン薄膜の製造方法においては、基板として、プラスチック基板を用いることができる。
図１に示すように、シリコンウェーハまたはプラスチック基板（以下、単に「基板」という）１上にＳｉＯ２バッファ層（以下、単に「バッファ層」という）２が形成され、その上に本発明のシリコン薄膜の製造方法によって形成される非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜（以下、単に「シリコン薄膜」という）３が形成されている。
【００１３】
バッファ層２は、基板１がシリコンウェーハ及びプラスチックである場合に任意的に堆積された絶縁物質層である。バッファ層２は、通常行われる手段により形成することができる。
シリコン薄膜３は、常温（望ましくは、約０℃以上約２５０℃以下）で行われるイオンビーム蒸着（ＩＢＤ）装置により形成される。
【００１４】
図２は、本発明のシリコン薄膜の製造方法で適用するＩＢＤ装置の概略的構造を示す図である。
図２に示すように、チャンバ１０の一側に基板装着部１１が設けられている。基板装着部１１は、任意回転軸Ｘを中心に回転する。チャンバ１０には、二つの高周波誘導結合プラズマソース（Radio Frequency Inductively Coupled Plasma Source；ＲＦＩＣＰ）が設けられている。一つは、メインＲＦＩＣＰソース２１であり、他の一つは、補助ＲＦＩＣＰソース２２である。そのうち、補助ＲＦＩＣＰソース２２は、基板装着部１１に搭載された基板１に対して所定角度傾いてイオンビームを照射するように配置されている。メインＲＦＩＣＰソース２１と基板装着部１１との間にはターゲット組立体３０が設けられている。ターゲット組立体３０は、複数のターゲット３１を備え、ターゲット３１を選択的に使用するために任意軸Ｙを中心に回転する構造となっている。
【００１５】
メインＲＦＩＣＰソース２１は、ターゲット組立体３０に備えられることで任意に選択されるターゲット３１に対して、所定角度傾斜した方向でイオンビームを照射する。ターゲット３１から出たイオンビームは、基板１に対してやはり所定角度（θ）傾いて入射する。イオンビームの入射角（θ）は０度以上４５度以下であることが望ましく、４０度とするのがより望ましい。
【００１６】
メインＲＦＩＣＰソース２１と選択されたターゲット３１との距離ａと、選択されたターゲット３１と基板１との距離ｂは、それぞれ８０ｃｍ以下とするのが望ましい。メインＲＦＩＣＰソース２１及び補助ＲＦＩＣＰソース２２は、フィラメントのない構造であるのが望ましい。ＩＢＤを行う条件として、ビーム電流は３００ｍＡ、電圧は６００ボルトに調節することが望ましい。また、蒸着率は０．７Å／ｓｅｃであり、ＩＢＤを行う前の基本圧力は１０-12Ｔｏｒｒ以上１０-7Ｔｏｒｒ以下（なお、１［Ｔｏｒｒ］＝（１０１３２５／７６０）［Ｐａ］）、ＩＢＤを行うときの圧力は０．１ｍＴｏｒｒ以下に調節することが望ましい。メインＲＦＩＣＰソース２１は、イオンビームを選択されたターゲット３１に集中させるためのフォーカスレンズ型グリッド２１ａを備え、補助ＲＦＩＣＰソース２２は平坦なグリッド２２ａを備えている。このような二つのソース（メインＲＦＩＣＰソース２１及び補助ＲＦＩＣＰソース２２）は、基板１の汚染源となるおそれのあるフィラメントを備えない方が望ましい。
【００１７】
本発明のシリコン薄膜の製造方法は、前記のような構造のＩＢＤ装置を用いてシリコンウェーハ、ガラス製またはプラスチック製の基板１にシリコン薄膜３を形成する。
具体的には、本発明のシリコン薄膜の製造方法は、基板１をチャンバ１０内に配置するステップと、イオンビーム蒸着を２５０℃以下の温度条件で行うことによって基板１上にシリコン薄膜３を形成するステップと、を含むものである。
【００１８】
図３Ａ及び図３Ｂは、本発明のシリコン薄膜の製造方法によって、常温（２５０℃以下）でＩＢＤによりウェーハ及びプラスチック基板上に形成（ＩＢＤによりシリコン薄膜３を堆積した後、ＥＬＡ（Excimer Laser）により結晶化した）されたシリコン薄膜３のＳＥＭイメージを示す図である。図３Ｃは、従来の５５０℃という高い温度で行われるＬＰＣＶＤによって形成されたシリコン薄膜のＳＥＭイメージを示す図である。なお、図３Ａないし図３Ｃに示すスケールバーは、６００ｎｍを示す。
【００１９】
図３Ａないし図３Ｃに示すように、本発明のシリコン薄膜の製造方法によれば、従来の高い温度でシリコン薄膜を形成するＬＰＣＶＤ法に劣らない良質のシリコン薄膜３を得ることができた。
【００２０】
図４は、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３（ＩＢＤ）と、ＬＰＣＶＤ法による従来のシリコン薄膜（ＬＰＣＶＤ）、そして、クリスタルシリコン（ｘ−Ｓｉ）の光学的特性を示すグラフである。なお、図４中、横軸は波長（Wave length (ｎｍ)）を示し、縦軸は反射率（Reflectance (％)）を示す。
図４に示すように、クリスタルシリコン（ｘ−Ｓｉ）は波長別反射率の変化が激しい一方、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３及びＬＰＣＶＤ法によるシリコン薄膜は、一部区間を除いては直線的反射率変化を示す。
【００２１】
下記の表１は、スパッタリング及びＩＢＤにより得られたシリコンの粒子密度差を示すものであり、ＸＲＲ（X-ray reflectometry）、ＲＢＳ（Rutherford Back Scattering Spectroscopy）により測定された密度を比較して示す。
【００２２】
【表１】
【００２３】
一方、図５Ａは、本発明のシリコン薄膜の製造方法による、ＩＢＤによって形成されたシリコン薄膜３の、不純物含有量の差を示すＲＢＳによって測定された結果を示すグラフである。図５Ｂは、従来のシリコン薄膜の製造方法による、スパッタリングによって形成されたシリコン薄膜の不純物含有量の差を示すＲＢＳによって測定された結果を示すグラフである。
【００２４】
図５Ａに示すように、本発明のシリコン薄膜の製造方法によって形成されたシリコン薄膜３は、Ａｒは存在せずに極微量のＦｅ成分を含有することが分かる。しかし、図５Ｂに示すように、従来の方法によるシリコン薄膜は、相当量のＡｒが含まれていることが分かる。なお、図５Ａ及び図５Ｂ中において、横軸はチャンネル（Channel）であり、縦軸はカウント数（Counts (arb. Units)）であり、「Ａ」は、測定したデータ（raw data）を示し、「Ｂ」は、シミュレーションしたデータ（simulation）を示す。
そして、ＲＢＳで測定した結果、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３は、約０．２％のＡｒを含有する一方、従来の方法によるシリコン薄膜は、２．４％のＡｒを含有していることが分かった。Ｆｅは、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３のみ０．００５％を含有することが分かった。
【００２５】
一方、図６Ａ及び図６Ｂは、本発明のシリコン薄膜の製造方法による、ＩＢＤによって形成されたシリコン薄膜３（図６Ａ及び図６Ｂにおいて「Ｂ」で示す）と、従来の方法による、スパッタによって形成されたシリコン薄膜（図６Ａ及び図６Ｂにおいて「Ａ」で示す）と、の不純物において、酸素（図６Ａ）及び水素（図６Ｂ）の含有量を示すＳＩＭＳ結果を示すグラフである。なお、図６Ａ及び図６Ｂにおいて、横軸は深さ（Depth (μｍ)）を示し、縦軸は濃度（Concentretion (atoms/cc)）を示す。
【００２６】
図６Ａに示すように、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３（ＩＢＤ）は、従来の方法（スパッタ）によるシリコン薄膜に比べて酸素の含有量が少ないことが分かる。計測した結果、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３は、約０．０００２％の酸素を含み、従来の方法によるシリコン薄膜は、約０．００２％の酸素を含むことが分かった。
【００２７】
図６Ｂに示すように、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３（ＩＢＤ）は、従来の方法によるシリコン薄膜に比べて水素の含有量が少ないことが分かる。計測した結果、本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜３は、約０．００６％の水素を含み、従来の方法によるシリコン薄膜は、０．８％の酸素を含むことが分かった。
【００２８】
このように、本発明のシリコン薄膜の製造方法によれば、シリコン薄膜３中の不純物の含有量も低減できる。
前記のような特徴を有する本発明のシリコン薄膜の製造方法により形成されたシリコン薄膜３は、ＥＬＡ（Excimer Laser）などにより熱処理されて結晶化することができる。
【００２９】
以上、本願発明の理解を助けるためにいくつかの模範的な実施形態を、添付された図面とともに説明したが、このような実施形態は単に広い発明を例示し、それを制限しないということを理解しなければならない。また、本願発明は図示及び説明された構造に限定されないということも理解されねばならない。これは多様な他の修正が当業者により行われ得るためである。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明は、シリコン薄膜の関連技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明に係るシリコン薄膜の製造方法によって製造されたシリコン薄膜を示す概略的断面図である。
【図２】本発明のシリコン薄膜の製造方法で適用するＩＢＤ装置の概略的構造を示す図である。
【図３Ａ】本発明のシリコン薄膜の製造方法によって形成されたシリコン薄膜のＳＥＭイメージを示す図である。
【図３Ｂ】本発明のシリコン薄膜の製造方法によって形成されたシリコン薄膜のＳＥＭイメージを示す図である。
【図３Ｃ】従来のシリコン薄膜の製造方法（ＬＰＣＶＤ）によって形成されたシリコン薄膜のＳＥＭイメージを示す図である。
【図４】本発明のシリコン薄膜の製造方法によるシリコン薄膜（ＩＢＤ）と、ＬＰＣＶＤ法による従来のシリコン薄膜（ＬＰＣＶＤ）、そして、クリスタルシリコン（ｘ−Ｓｉ）の光学的特性を示すグラフである。
【図５Ａ】本発明のシリコン薄膜の製造方法による、ＩＢＤによって形成されたシリコン薄膜の不純物含有量の差を示すＲＢＳによって測定された結果を示すグラフである。
【図５Ｂ】従来のシリコン薄膜の製造方法による、スパッタリングによって形成されたシリコン薄膜の不純物含有量の差を示すＲＢＳによって測定された結果を示すグラフである。
【図６Ａ】本発明のシリコン薄膜の製造方法による、ＩＢＤによって形成されたシリコン薄膜と、従来のシリコン薄膜の製造方法による、スパッタによって形成されたシリコン薄膜と、の不純物において、酸素の含有量を示すＳＩＭＳ結果を示すグラフである。
【図６Ｂ】本発明のシリコン薄膜の製造方法による、ＩＢＤによって形成されたシリコン薄膜と、従来の方法による、スパッタによって形成されたシリコン薄膜と、の不純物において、水素の含有量を示すＳＩＭＳ結果を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３２】
１ シリコンウェーハまたはプラスチック基板
２ ＳｉＯ２バッファ層
３ 非晶質シリコン（ａ−Ｓｉ）薄膜
１０ チャンバ
１１ 基板装着部
２１ メインＲＦＩＣＰソース
２１ａ フォーカスレンズ型グリッド
２２ 補助ＲＦＩＣＰソース
２２ａ グリッド
３０ ターゲット組立体
３１ ターゲット
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板をチャンバ内に配置するステップと、
イオンビーム蒸着を２５０℃以下の温度条件で行うことによって前記基板上にシリコン薄膜を形成するステップと、
を含むことを特徴とするシリコン薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記イオンビーム蒸着が行われるチャンバの基本気圧を１０-12Ｔｏｒｒ以上１０-7Ｔｏｒｒ以下に調節することを特徴とする請求項１に記載のシリコン薄膜の製造方法。
【請求項３】
前記イオンビーム蒸着を行う装置は、ターゲットに対応するメイン高周波誘導結合プラズマソースと、前記基板に対応する補助高周波誘導結合プラズマソースと、を備えることを特徴とする請求項１または２に記載のシリコン薄膜の製造方法。
【請求項４】
前記メイン高周波誘導結合プラズマソース及び前記補助高周波誘導結合プラズマソースは、フィラメントのない構造であることを特徴とする請求項３に記載のシリコン薄膜の製造方法。
【請求項５】
前記メイン高周波誘導結合プラズマソースは、イオンビームを前記ターゲットに集中させるためのフォーカスレンズ型グリッドを備えることを特徴とする請求項３に記載のシリコン薄膜の製造方法。
【請求項１】
基板をチャンバ内に配置するステップと、
イオンビーム蒸着を２５０℃以下の温度条件で行うことによって前記基板上にシリコン薄膜を形成するステップと、
を含むことを特徴とするシリコン薄膜の製造方法。
【請求項２】
前記イオンビーム蒸着が行われるチャンバの基本気圧を１０-12Ｔｏｒｒ以上１０-7Ｔｏｒｒ以下に調節することを特徴とする請求項１に記載のシリコン薄膜の製造方法。
【請求項３】
前記イオンビーム蒸着を行う装置は、ターゲットに対応するメイン高周波誘導結合プラズマソースと、前記基板に対応する補助高周波誘導結合プラズマソースと、を備えることを特徴とする請求項１または２に記載のシリコン薄膜の製造方法。
【請求項４】
前記メイン高周波誘導結合プラズマソース及び前記補助高周波誘導結合プラズマソースは、フィラメントのない構造であることを特徴とする請求項３に記載のシリコン薄膜の製造方法。
【請求項５】
前記メイン高周波誘導結合プラズマソースは、イオンビームを前記ターゲットに集中させるためのフォーカスレンズ型グリッドを備えることを特徴とする請求項３に記載のシリコン薄膜の製造方法。
【図１】
【図２】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【図２】
【図４】
【図５Ａ】
【図５Ｂ】
【図６Ａ】
【図６Ｂ】
【図３Ａ】
【図３Ｂ】
【図３Ｃ】
【公開番号】特開２００６−１４０４７７（Ｐ２００６−１４０４７７Ａ）
【公開日】平成１８年６月１日（２００６．６．１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００５−３２３４６４（Ｐ２００５−３２３４６４）
【出願日】平成１７年１１月８日（２００５．１１．８）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成１８年６月１日（２００６．６．１）
【国際特許分類】
【出願日】平成１７年１１月８日（２００５．１１．８）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】Ｓａｍｓｕｎｇ Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｃｏ．，Ｌｔｄ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ，Ｒｅｐｕｂｌｉｃ ｏｆ Ｋｏｒｅａ
【Ｆターム（参考）】
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