シン立体配置を有するβ−アミノアルコール類の製造方法
【課題】ラセミ体を原料として、シン立体配置を有するβ−アミノアルコール類を製造するための、一般性の高い、高収率かつ高選択的な製造方法を開発する。
【解決手段】
一般式（１）Ｒａ−ＣＯ−ＣＨ（Ｒｂ）−Ｒｃ（但し、Ｒａ，Ｒｃは置換可能なアルキル基等を表し、Ｒｂは（３）〜（６）から選ばれる。（３）Ｒ１ＣＯ（Ｒ２）Ｎ−，（４）Ｒ１ＣＯ（Ｒ１’ＣＯ）Ｎ−，（５）Ｒ１ＳＯ２（Ｒ２）Ｎ−，（６）Ｒ１Ｒ２Ｎ−（Ｒ１，Ｒ１’，Ｒ２は置換可能なアルキル基等を表す。））で表されるα−アミノカルボニル化合物類を光学活性ルテニウム錯体及び塩基の存在下水素を作用させ、一般式（２）Ｒａ−Ｃ＊Ｈ（ＯＨ）−Ｃ＊Ｈ（Ｒｂ）−Ｒｃ（Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃは前記と同じ意味を表し、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。）で表されるシン立体配置を有するラセミ体のβ−アミノアルコールを製造する。
【解決手段】
一般式（１）Ｒａ−ＣＯ−ＣＨ（Ｒｂ）−Ｒｃ（但し、Ｒａ，Ｒｃは置換可能なアルキル基等を表し、Ｒｂは（３）〜（６）から選ばれる。（３）Ｒ１ＣＯ（Ｒ２）Ｎ−，（４）Ｒ１ＣＯ（Ｒ１’ＣＯ）Ｎ−，（５）Ｒ１ＳＯ２（Ｒ２）Ｎ−，（６）Ｒ１Ｒ２Ｎ−（Ｒ１，Ｒ１’，Ｒ２は置換可能なアルキル基等を表す。））で表されるα−アミノカルボニル化合物類を光学活性ルテニウム錯体及び塩基の存在下水素を作用させ、一般式（２）Ｒａ−Ｃ＊Ｈ（ＯＨ）−Ｃ＊Ｈ（Ｒｂ）−Ｒｃ（Ｒａ，Ｒｂ，Ｒｃは前記と同じ意味を表し、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。）で表されるシン立体配置を有するラセミ体のβ−アミノアルコールを製造する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラセミ体のα−アミノカルボニル化合物を出発原料として、医薬農薬の合成中間体として有用なシン立体配置を有するβ−アミノアルコール類を、高収率かつ、高ジアステレオ選択的、さらに高エナンチオ選択的に製造する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明は入手容易なラセミ体のα−アミノカルボニル化合物を出発原料として、シン立体配置を有する光学活性β−アミノアルコール類の実用的製造法を提供することを目的とするものである。
【０００３】
光学活性β−アミノアルコール類を製造する方法としては以下の方法が知られている。
（１）α−（置換アミノ）アルデヒドと金属試薬との反応による方法
特開昭５０−１３７９１１ ＊（ａｎｔｉ／ｓｉｎ＝４．３〜２．５／１）
Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５５，１４３９（１９９０）．
（２）光学活性α−アミノケトンのジアステレオ選択的還元による方法
Ｔｅｔｒａｈｅｄｏｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．，３５，５４７（１９９４）
（３）光学活性α−アルコキシイミンのジアステレオ選択的還元による方法
Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，７４６（１９８７）
（４）α−アミノ−β−ケト酸のジアステレオ選択的水素化による方法
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１１，９１３４（１９８９）
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１５，１４４（１９９３）
（５）ケトオキシムの不斉還元
特開平１０−４５６８８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した従来法のうち、（１）、（５）の方法はアンチ異性体の生成率が高く、一般的なシン異性体の製造には適さない。（２）、（３）の方法は、あらかじめ光学活性体の原料を製造しておかねばならず煩雑であり、（４）の方法は、分子内にカルボキシル基のような官能基を含む基質に対しては、高いジアステレオ選択性で光学活性アミノアルコールを製造することが可能であるが、分子中にその様な官能基をもたない単純アミノアルコール類の光学活性体を製造することは困難である。
【０００５】
又、水素化触媒を用いてカルボニル化合物からアルコールを得る方法は知られているが（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９５，１１７，２６７５−２６７６）、α−アミノカルボニル化合物よりβ−アミノアルコール類が得られるかどうかは知られておらず、また、どのような条件でシン異性体もしくはアンチ異性体が有利に生成ずるかは不明であった。
このため、従来よりラセミ体を原料として、シン立体配置を有するβ−アミノアルコール類を製造するための、一般性の高い、高収率かつ高選択的な製造方法の開発が望まれていた。
【０００６】
なお、本発明において、ジアステレオ異性体の一方を意味するシン異性体（シン立体配置を有する化合物）とは、炭素鎖を主鎖としてジグザグに左右方向に置いた場合に、その上下方向にそれぞれ置換するアミノ基とヒドロキシル基が同じ面を向くような立体配置を有するものをいう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
発明者らは、シン異性体を優位に合成するための条件を鋭意研究した結果、アミノ基の置換基がジアステレオ選択性に大きな影響を与えることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は、下記一般式（１）
【０００８】
Ｒａ−ＣＯ−ＣＨ（Ｒｂ）−Ｒｃ （１）
【０００９】
〔式中、Ｒａ、Ｒｃは、同一又は相異なって、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールオキシ基をそれぞれ表す。
【００１０】
Ｒｂは、下記の一般式（３）、（４）、（５）、（６）のいずれかの基を表す。
【００１１】
（３）Ｒ１ＣＯ（Ｒ２）Ｎ−
（４）Ｒ１ＣＯ（Ｒ１’ＣＯ）Ｎ−
（５）Ｒ１ＳＯ２（Ｒ２）Ｎ−
（６）Ｒ１Ｒ２Ｎ−
【００１２】
（ここで、Ｒ１、Ｒ１’及びＲ２は、同一又は相異なって、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールオキシ基をそれぞれ表し、又、Ｒ１とＲ２若しくはＲ１とＲ１’は結合して、５〜８員の含窒素ヘテロ環を形成してもよい。
ただし、Ｒ２が水素原子の場合は、Ｒ１はアルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基ではない。）〕
【００１３】
で表されるラセミ体のα−アミノカルボニル化合物類に遷移金属化合物及び塩基の存在下に水素あるいは水素を供与する化合物を作用させることを特徴とする、下記一般式（２）
【００１４】
Ｒａ−Ｃ＊Ｈ（ＯＨ）−Ｃ＊Ｈ（Ｒｂ）−Ｒｃ（２）
【００１５】
（式中、Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは前記と同じ意味を表し、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。）
で表されるシン立体配置を有するβ−アミノアルコール類を製造する方法である。
本発明のシン立体配置を有するβ−アミノアルコール類の製造法において、前記遷移金属化合物は均一系水素化触媒であるのが好ましい。
【００１６】
前記均一系水素化触媒は、より好ましくは、下記一般式（７）
【００１７】
ＭａＸＹＰｘｍＮｘｎ （７）
【００１８】
（式中、Ｍａは、第ＶＩＩＩ族金属原子を表し、Ｘ，Ｙは、同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基又はアルコキシル基を表し、Ｐｘは、ホスフィン配位子を表し、Ｎｘは、アミン配位子を表し、ｍ、ｎは０又は１〜４の整数を表す。）で表される遷移金属化合物である。
【００１９】
また、本発明のシン立体配置を有するβ−アミノアルコール類の製造法において、前記塩基としては、下記一般式（８）
【００２０】
Ｍｂｍ’Ｚｎ’ （８）
【００２１】
（式中、Ｍｂは、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を表し、Ｚは、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルコキシ基、メルカプト基、芳香族基、又はＣＯ３基を表し、ｍ’、ｎ’は１〜３の整数を表す。）で表される化合物であるのが好ましい。
【００２２】
また、本発明において光学活性遷移金属化合物を用いることにより、シン立体配置を有する光学活性β−アミノアルコールを得ることができる。光学活性遷移金属化合物としては、一般式（７）中のＰｘおよびＮｘが共に光学活性であるが、もしくはどちらか一方が光学活性である光学活性遷移金属化合物を用いることができる。
【００２３】
また、本発明においては、光学不活性遷移金属化合物を用いることにより、シン立体配置を有するラセミ体のβ−アミノアルコールを得ることができる。光学不活性遷移金属錯体としては、一般式（７）中のＰｘおよびＮｘが共に光学不活性である光学不活性遷移金属錯体を用いることができる。ＰｘおよびＮｘが共に光学不活性であるというのは、これらの配位子がラセミ体である場合、あるいは不斉中心を持たない配位子である場合のことをいう。
【００２４】
本発明によれば、医薬農薬の合成中間体として有用なシン立体配置を有する前記一般式（２）で表されるシン立体配置を有する光学活性β−アミノアルコール類を、高選択的かつ高収率に製造することができる。
【００２５】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、上述したように前記一般式（１）で表されるα−アミノカルボニル化合物類に、遷移金属化合物及び塩基の存在下に、水素または水素を供与する化合物を作用させることを特徴とする、前記一般式（２）で表されるシン立体配置を有するβ−アミノアルコール類の製造方法である。
【００２６】
本発明の原料化合物は、下記一般式（１）で表わされる化合物である。
【００２７】
Ｒａ−ＣＯ−ＣＨ（Ｒｂ）−Ｒｃ （１）
【００２８】
式中、Ｒａ、Ｒｃは、同一又は相異なって、置換基を有していてもよい直鎖もしくは分岐のアルキル基、置換基を有していてもよい直鎖もしくは分岐のアルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基をそれぞれ表す。
【００２９】
前記一般式（１）において、Ｒａ、Ｒｃの置換基を有していてもよい（直鎖もしくは分岐のアルキル基、直鎖もしくは分岐のアルケニル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基）の置換基としては、本反応を阻害することのない置換基であれば、その置換位置、置換基の種類、置換基の数等に特に制限はない。
【００３０】
かかる置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、 メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル基等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンゼン環の任意の位置に置換基を有していてもよいフェニル基、 ナフタレン環の任意の位置に置換基を有していてもよい、１−ナフチル、２−ナフチル基等のナフチル基、フラン、ピラン、ジオキソラン、ジオキサン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、トリアゾール、チアゾール、イソチアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾピラゾール、ベンゾチアゾール、キノリン等の複素環の基（これらの基は、任意の位置に置換基を有していてもよい）、及び、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子等を挙げることができる。
【００３１】
前記置換基を有していてもよい直鎖もしくは分岐のアルキル基のアルキル基としては、メチル，エチル，プロピル，イソプロピル、ブチル，ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル，イソペンチル，ネオペンチル，ｔｅｒｔ−ペンチル，ヘキシル，ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、オクタデシル、イコシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基を例示することができる。
【００３２】
前記置換基を有していてもよい直鎖もしくは分岐のアルケニル基のアルケニル基としては、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−イソプロペニル、１−ブテニル、１−イソプロペニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１，３−ブタジエニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、２−ヘキセン等の炭素数２〜２０のアルケニル基を例示することができる。
【００３３】
前記置換基を有していてもよいシクロアルキル基のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル，シクロブチル，シクロペンチル，シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基を挙げることができる。
【００３４】
前記置換基を有していてもよいアラルキル基のアラルキル基としては、例えば、ベンジル、α−メチルベンジル、α，α−ジメチルベンジル、α−エチルベンジル基等の炭素数７〜２０のアラルキル基を挙げることができる。
【００３５】
前記置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、フェニル，１−ナフチル、２−ナフチル基等の芳香族炭化水素基、フラニル、ピラニル、ジオキソラニル等の含酸素複素環基、チエニル等の含イオウ複素環基、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、トリアゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、ピリジル、ピラダジル、ピラジニル、ベンゾイミダゾリル、ベンツピラゾリル、ペンゾチアゾリル、キノリル、アントラニル、インドリル、フェナントリニリル等の飽和若しくは不飽和の含窒素複素環基を例示することができる。
【００３６】
Ｒｂは下記一般式（３）、（４）、（５）、（６）のいずれかの基を表す。
【００３７】
（３）Ｒ１ＣＯ（Ｒ２）Ｎ−
（４）Ｒ１ＣＯ（Ｒ１’ＣＯ）Ｎ−
（５）Ｒ１ＳＯ２（Ｒ２）Ｎ−
（６）Ｒ１Ｒ２Ｎ−
【００３８】
ここで、Ｒ１、Ｒ１’及びＲ２は、同一又は相異なって、水素原子、ホルミル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールオキシ基をそれぞれ表し、又、Ｒ１とＲ２若しくはＲ１とＲ１’は結合して、５〜８員の含窒素ヘテロ環を形成してもよい。
【００３９】
ただし、Ｒ２が水素原子の場合は、Ｒ１はアルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基ではない。
Ｒ２が水素原子で、かつＲ１がアルコキシ基もしくはシクロアルコキシ基もしくはアリールオキシ基もしくはアラルキルオキシ基の場合は、本発明の目的化合物ではないアンチ立体配置を有するβ−アミノアルコールが優位に生成するからである。
【００４０】
Ｒｂが一般式（３）Ｒ１ＣＯ（Ｒ２）Ｎ−の場合において、特にＲ１、Ｒ２が、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールオキシ基である場合、又は、Ｒ１とＲ２が結合して、５〜８員の含窒素ヘテロ環を形成している場合には、シン立体異性体の選択性が高く好ましい。
【００４１】
前記ＲｂにおけるＲ１、Ｒ１’及びＲ２として、具体的には、水素原子、メチル，エチル，プロピル，イソプロピル、ブチル，ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル，イソペンチル，ネオペンチル，ｔ−ペンチル，ヘキシル，ヘプチル等の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロプロピル，シクロブチル，シクロペンチル，シクロヘキシル等の炭素数３〜８のシクロアルキル基，フェニル基，２−メチルフェニル，２−エチルフェニル，２−イソプロピルフェニル，２−ｔ−ブチルフェニル，２−メトキシフェニル，２−クロロフェニル，２−ビニルフェニル，３−メチルフェニル，３−エチルフェニル，３−イソプロピルフェニル，３−メトキシフェニル，３−クロロフェニル，３−ビニルフェニル，４−メチルフェニル，４−エチルフェニル，４−イソプロピルフェニル，４−ｔ−ブチルフェニル，４−ビニルフェニル，クメニル，メシチル，キシリル基、１−ナフチル，２−ナフチル，アントリル，フェナントリル，インデニル基等の置換基を有していてもよいアリール基、ベンジル、４−クロロベンジル、α−メチルベンジル基等の置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基，ビニル，アリル、クロチル基等の炭素数２〜１０のアルケニル基、 メトキシ，エトキシ，プロポキシ、イソプロポキシ，ブトキシ，イソブトキシ，ｔ−ブトキシ，ペンチルオキシ，イソペンチルオキシ，ネオペンチルオキシ，ｔ−ペンチルオキシ，ヘキシルオキシ，シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ，ヘプチルオキシ等の炭素数１〜１０のアルコキシ基または炭素数３〜８のシクロアルコキシ基を例示することができる。
【００４２】
フェノキシ基，２−メチルフェノキシ，２−エチルフェノキシ，２−イソプロピルフェノキシ，２−ｔ−ブチルフェノキシ，２−メトキシフェノキシ，２−クロロフェノキシ，２−ビニルフェノキシ，３−メチルフェノキシ，３−エチルフェノキシ，３−イソプロピルフェノキシ，３−メトキシフェノキシ，３−クロロフェノキシ，３−ビニルフェノキシ，４−メチルフェノキシ，４−エチルフェノキシ，４−イソプロピルフェノキシ，４−ｔ−ブチルフェノキシ，４−ビニルフェノキシ，１−ナフトキシ，２−ナフトキシ等のアリールオキシ基、ベンジルオキシ、４−クロロベンジルオキシ、４−メチルベンジルオキシ基等アラルキルオキシ基等の置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキルオキシ基等を例示することができる。
【００４３】
Ｒ１とＲ１’又はＲ１とＲ２が結合して、含窒素ヘテロ環を形成する場合の複素環の例としては、スクシンイミド、マレイミド、フタルイミド、１，２−シクロヘキサンカルボキサミド、２，４，６−トリオキソピペリジン、α−ピリドン等のイミド類等を挙げることができる。
【００４４】
より具体的なＲｂとして、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、プロピルカルボニルアミノ、ベンゾイルアミノ、４−メチルベンゾイルアミノ、２−クロロベンゾイルアミノ、３−メトキシベンゾイルアミノ、２−クロロ−４−メトキシベンゾイルアミノ基等のアシルアミノ基、ジアセチルアミノ、ジベンゾイルアミノ基等のジアシルアミノ基、 Ｎ−アセチルＮ−メチルアミノ、Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−アセチル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−アセチル−Ｎ−ベンジルアミノ、Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−ベンジルアミノ、４−メチルベンゾイルメチルアミノ基等のＮ−アルキルＮ−アシルアミノ基、Ｎ−アセチル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−アセチル−Ｎ−４−メチルファニルアミノ、Ｎ−アセチル−Ｎ−２−クロルフェニルアミノ、Ｎ−アセチル−Ｎ−２，４−ジクロルフェニルアミノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−４−メチルフェニルアミノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−２−クロルフェニルアミノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−２，４−ジクロルフェニルアミノ基等のＮ−アリール−Ｎ−アシルアミノ基、Ｎ−メトキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−メトキシカルボニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−プロポキシカルボニル−Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−イソプロポキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−ブトキシカルボニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−ブトキシアミノ基等のＮ−アルコキシカルボニル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−メトキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−メトキシカルボニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−プロポキシカルボニル−Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−イソプロポキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−ブトキシカルボニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−ブトキシアミノ基、等のＮ−アルコキシカルボニル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−メトキシカルボニル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−プロポキシカルボニル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−イソプロポキシカルボニル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−ブトキシカルボニル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−フェニルアミノ基等のＮ−アルコキシカルボニル−Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ−メチル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−プロピル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−イソプロピル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−ベンジル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−ブチル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−エチルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−エチルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−プロピルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−プロピルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−イソプロピルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−イソプロピルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−ブチルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−ブチルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−ｔ−ブチルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−ｔ−ブチルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−フェニルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−フェニルスルホニルアミノ、Ｎ−ベンジル−フェニルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−４−メチルフェニルスルホニルアミノ、Ｎ−ベンジル−４−メチルフェニルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−２−クロロフェニルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−２，４−ジクロロフェニルスルホニルアミノ基等のＮ−アルキル−アルキルスルホニルアミノ基またはＮ−アルキル−置換フェニルスルホニルアミノ基、Ｎ−フェニル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−エチルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−プロピルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−イソプロピルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−ブチルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−ｔ−ブチルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−フェニルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−４−メチルフェニルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−２−クロロフェニルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−２，４−ジクロロフェニルスルホニルアミノ基等のＮ−アリール−アルキルスルホニルアミノ基またはＮ−アリール−置換フェニルスルホニルアミノ基、スクシンイミドイル基、マレイミドイル基、フタルイミドイル基、３−メチルフタルイミドイル基、４−メチルフタルイミドイル基、４−ｎ−ブチルフタルイミドイル基、４−クロロフタルイミドイル基、テトラメチルフタルイミドイル基、１，２−シクロヘキサンカルボキサミドイル基、２，４，６−トリオキソピペリジン−１−イル基、α−ピリドン−１−イル基等のイミド基等を挙げることができる。
【００４５】
本発明で使用される遷移金属化合物は、均一系水素化触媒であるのが好ましい。かかる均一系水素化触媒としては、例えば、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｔ等の周期律表第ＶＩＩＩ族元素の遷移金属の錯体が好ましい。これらの遷移金属化合物は、例えば、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，３７、１７０３（１９９８）等に記載の方法で合成、入手することができる。
【００４６】
前記遷移金属化合物は、一般式（７）で表される遷移金属錯体であるのがより好ましい。
【００４７】
ＭａＸＹＰｘｍＮｘｎ （７）
【００４８】
式中、Ｍａは、第ＶＩＩＩ族金属原子を表し、Ｘ，Ｙは、同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子、水酸基又はアルコキシ基を表し、Ｐｘは、ホスフィン配位子を表し、Ｎｘは、アミン配位子を表し、ｍ，ｎはそれぞれ０又は１〜４の整数を表す。
【００４９】
前記一般式（７）中、Ｍａは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔなどの第ＶＩＩＩ族金属を表す。これらの内、錯体の安定性、入手容易性の点からＲｕの錯体が特に好ましい。
前記一般式（７）中、Ｘ、Ｙは、同一若しくは相異なって、水素原子、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ基等のアルコキシ基などのアニオンを表す。
【００５０】
前記ホスフィン配位子であるＰｘとしては、例えば、一般式ＰＲＡＲＢＲＣで表されるリンの単座配位子やＲＤＲＥＰ−Ｗ−ＰＲＦＲＧで表されるリンの２座配位子等を挙げることができる。
【００５１】
前記一般式ＰＲＡＲＢＲＣにおいて、ＲＡ、ＲＢ、ＲＣは、同一又は相異なって、アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基又はシクロアルキル基等を表し、また、ＲＡ、ＲＢ、ＲＣの内、二つが一緒になって、置換基を有していてもよい脂環式基を形成してもよい。
前記ＲＡ、ＲＢ、ＲＣのうち少なくとも一つの基が光学活性であるか、あるいは三つとも異なる置換基である場合には一般式ＰＲＡＲＢＲＣは光学活性である。またＲＡ、ＲＢ、ＲＣのいづれも光学不活性基であり、かつ少なくとも２つが同一の場合には、一般式ＰＲＡＲＢＲＣは光学不活性である。
【００５２】
前記一般式ＲＤＲＥＰ−Ｗ−ＰＲＦＲＧにおいて、ＲＤ、ＲＥ、ＲＦ、ＲＧは、同一又は相異なって、アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基又はシクロアルキル基を表し、また、ＲＤとＲＥあるいはＲＦとＲＧが一緒になって置換基を有していてもよい脂環式基を形成してもよい。Ｗは、炭素数１〜５の炭化水素基、シクロ炭化水素基，アリール基又は不飽和炭化水素基等を表す。
【００５３】
前記一般式ＰＲＡＲＢＲＣで表される単座ホスフィン配位子の例としては、例えば、トリメチルホスフィン，トリエチルホスフィン，トリブチルホスフィン，トリフェニルホスフィン，トリシクロヘキシルホスフィン，トリ（ｐ−トリル）ホスフィン，ジフェニルメチルホスフィン，ジメチルフェニルホスフィン、イソプロピルメチルホスフィン、シクロヘキシル（Ｏ−アニシル）−メチルホスフィン、１−〔２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル〕エチルメチルエーテル、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−メトキシ−１，１’−ビナフチル等の３級ホスフィンが好適なものとして挙げることができる。さらに、ＲＡ、ＲＢ、ＲＣが三種とも異なる置換基からなるホスフィン配位子を用いることもできる。
【００５４】
前記一般式ＲＤＲＥＰ−Ｗ−ＰＲＦＲＧで表されるラセミあるいは光学活性の２座ホスフィン配位子の例としては、ビスジフェニルホスフィノメタン，ビスジフェニルホスフィノエタン，ビスジフェニルホスフィノプロパン，ビスジフェニルホスフィノブタン，ビスジメチルホスフィノエタン，ビスジメチルホスフィノプロパンなどの２座配位の３級ホスフィン化合物等を好適なものとして挙げることができる。
【００５５】
さらに、入手可能な２座ホスフィン配位子として、例えば、ＢＩＮＡＰ：２，２’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、ＢＩＮＡＰのナフチル環にアルキル基やアリール基置換基をもつＢＩＮＡＰ誘導体、例えば、Ｈ８ＢＩＮＡＰ、ＢＩＮＡＰ等のリン原子に結合するベンゼン環にアルキル基等の置換基を１〜５個有するＢＩＮＡＰ誘導体、例えば、Ｘｙｌｙｌ−ＢＩＮＡＰ：２，２’−ビス−（ジ−３，５−キシリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、さらにＢＩＣＨＥＰ：２，２’−ビス−（ジシクロヘキシルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル、ＢＰＰＦＡ；１−〔１’，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル〕エチルジアミン、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ：２，３−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ＣＹＣＰＨＯＳ：１−シクロヘキシル−１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）エタン、ＤＥＧＰＨＯＳ：１−置換−３，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ピロリジン、ＤＩＯＰ：２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ＤＩＰＡＭＰ：１，２−ビス［（Ｏ−メトキシフェニル）フェニルホスフィノ］エタン、ＤｕＰＨＯＳ：（置換−１，２−ビス（ホスホラノ）ベンゼン）、ＮＯＲＰＨＯＳ：５，６−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−２−ノルボルネン、ＰＮＮＰ：Ｎ，Ｎ’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−Ｎ，Ｎ’−ビス［１−フェニルエチル］エチレンジアミン、ＰＲＯＰＨＯＳ：１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ＳＫＥＷＰＨＯＳ：２，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ペンタン等を挙げることができる。また、フッ素置換基をもつＢＩＮＡＰ誘導体等を用いることもできる。もちろん、この発明に用いることのできるホスフィン配位子は、安定して金属錯体を形成し得るものであれば、これらに何ら限定されるものではない。
【００５６】
アミン配位子であるＮｘとしては、一般式ＮＲＨＲＩＲＪで表される窒素の単座配位子や一般式ＲＫＲＬＮ−Ｘ−ＮＲＭＲＮで表されるジアミン配位子等を挙げることができる。
【００５７】
前記一般式ＮＲＨＲＩＲＪにおいて、ＲＨ、ＲＩ、ＲＪは、同一又は相異なって、水素，アルキル基，アリール基，不飽和炭化水素基を表し、ＲＨ、ＲＩ、ＲＪの内、二つが一緒になって置換基を有していてもよい脂環式基を形成してもよい。また、ＲＨ、ＲＩ、ＲＪの少なくともひとつが光学活性基であってもよい。
【００５８】
前記一般式ＲＫＲＬＮ−Ｘ−ＮＲＭＲＮにおいて、ＲＫ、ＲＬ、ＲＭ、ＲＮは、同一又は相異なって、水素、アルキル基、アリール基又は不飽和炭化水素基を表し、ＲＫとＲＬあるいはＲＭとＲＮが一緒になって置換基を有していてもよい脂環式基を形成してもよい。
Ｘは、炭素数１〜５のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は不飽和炭化水素基等を表す。
【００５９】
前記一般式ＮＲＨＲＩＲＪで表されるモノアミン配位子としては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジベンジルアミン、ジフェニルアミン、フェニルエチルアミン、プロリン、ピペリジンなどのモノアミン化合物を例示することができる。さらに、光学活性モノアミン配位子としては、光学活性フェニルエチルミン、ナフチルエチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロヘプチルエチレンジアミン等の光学活性モノアミン化合物を例示することができる。
【００６０】
前記一般式ＲＫＲＬＮ−Ｘ−ＮＲＭＲＮで表されるジアミン配位子としては、メチレンジアミン、エチレンジアミン、１，２−ジアミノプロパン、プロピレンジアン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、２，３−ジアミノブタン、１，２−シクロペンタンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンなどが例示される。
【００６１】
また、光学活性ジアミン配位子としては、光学活性１，２−ジフェニルエチレンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、１，２−シクロヘプタンジアミン、２，３−ジメチルブタンジアミン、１−メチル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−メチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−ベンジル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−メチル−２，２−ジナフチルエチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジナフチルエチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジナフチルエチレンジアミン等を例示することができる。
【００６２】
光学活性ジアミン化合物は例示した光学活性ジアミン誘導体に限るものではなく、更に光学活性なプロパンジアミン、ブタンジアミン、フェニレンジアミン、シクロヘキサンジアミン誘導体等も用いる事ができる。この発明に用いることのできるアミン配位子は、安定して金属錯体を形成し得るものであれば、これらに何ら限定されるものではない。
【００６３】
前記本発明において、上記均一系水素化触媒の使用量は、反応基質の種類、反応容器や経済性等によって異なるが、反応基質であるカルボニル化合物に対して、通常、モル比１／１００〜１／１０，０００，０００、好ましくは、１／２００〜１／１００，０００の範囲である。
【００６４】
また、本発明に用いられる塩基は、一般式（８）で表される化合物であり、
【００６５】
Ｍｂｍ’Ｚｎ’ （８）
【００６６】
（式中、Ｍｂはアルカリ金属又はアルカリ土類金属を表し、 Ｚは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等の炭素数１〜６のアルコキシ基、 フェニル、ナフチル等のアリール基、またはヒドロキシ基、メルカプト基、ＣＯ３基を表し、 ｍ’、ｎ’は１〜３の整数を表す。）
【００６７】
かかる塩基としては、ＫＯＨ、ＫＯＣＨ３、ＫＯＣＨ（ＣＨ３）２、ＫＯＣ（ＣＨ３）３、ＫＣ１０Ｈ８、ＮａＯＨ、ＮａＯＣＨ３、ＬｉＯＨ、ＬｉＯＣＨ３、ＬｉＯＣＨ（ＣＨ３）２、Ｍｇ（ＯＣ２Ｈ５）２、ＮａＳＨ、Ｋ２ＣＯ３、Ｃｓ２ＣＯ３等を例示することができる。
また、本発明においては、４級アンモニウム塩も塩基として同様に用いることができる。
上記の塩基の使用量は、第ＶＩＩＩ族遷移金属錯体に対して、通常、０．５〜１００当量であり、好ましくは２〜４０当量である。
【００６８】
反応は、基質である前記一般式（１）で表されるα−アミノカルボニル化合物を不活性溶媒に溶解し、所定量の遷移金属錯体及び塩基の存在下に、水素または水素を供与する化合物を作用させることにより行われる。
【００６９】
反応に用いることのできる溶媒としては、不活性で反応原料（基質）及び触媒系を可溶化するものであれば、特に制限はない。かかる溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、ペンタン、ヘキサン、オクタンなどの脂肪族炭化水素、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などの含ハロゲン炭化水素、エーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコールなどのアルコール類、アセトニトリル、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、Ｎ−メチルピロリドン、ピリジン、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）等のヘテロ原子を含む有機溶媒を挙げることができる。
上記したものの内、本発明においては、生成物がアルコールであることからアルコール系溶媒が特に好適である。これら溶媒は単独でも用いることができるがこれらの混合溶媒としても使うことができる。
【００７０】
溶媒の使用量は、反応基質の溶解度及び経済性等により決定される。例えば、２−プロパノールを用いる場合は、基質濃度は１％以下の低濃度から基質だけの無溶媒に近い状態で行うことができるが、好ましくは２０〜５０重量％で用いることができる。
【００７１】
反応は、水素ガス又は水素を供与する化合物の存在下に行われる。水素ガスを用いる場合には、系内の水素圧力を１〜２００気圧、好ましくは３〜１００気圧の圧力下で行うのが望ましい。水素を供与する化合物としては、ヒドリド錯体や水素貯蔵合金等がある。
反応温度は、反応速度等を考慮して、−３０〜１００℃、好ましくは、１５℃から１００℃である。２５℃〜４０℃の室温付近でも実施する事ができる。反応は、反応基質濃度、温度、圧力等の反応条件によって異なるが、通常、数分から１０時間で完結する。
なお、前記一般式（２）で表される光学活性アミノアルコールを工業的に大量製造する場合においては、反応形式はバッチ式であっても連続式であってもよい。
【００７２】
また、本発明においては、原料である一般式（１）
【００７３】
Ｒａ−ＣＯ−ＣＨ（Ｒｂ）−Ｒｃ（１）
【００７４】
で表わされる化合物のＲｂが（３）ｒ１ＣＯ（Ｒ２）Ｎ−（４）ｒ１ＣＯ（Ｒ１’ＣＯ）Ｎ−（ここで、ｒ１は、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アルケニルオキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基を表わし、Ｒ２、Ｒ１’は前記と同じである。）の場合、対応するシン立体配置β−アミノアルコールが生成した後、更に閉環反応が進行し、オキサゾリジノン誘導体を生成する場合がある。
オキサゾリジノン誘導体が生成した場合は、酸または塩基等で処理することにより、シン立体配置β−アミノアルコールを得ることが出来る。
【００７５】
本発明により製造することができる一般式（２）で表される化合物、及び出発原料である一般式（１）で表される化合物の例を以下の表に示す。
表中、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｐｒはプロピル基、Ｂｕはブチル基、Ｐｈはフェニル基を表す。
【００７６】
【表１】
【００７７】
【表２】
【００７８】
【表３】
【００７９】
【表４】
【００８０】
【表５】
【発明を実施するための形態】
【００８１】
以下の実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。尚、各実施例における物性の測定に用いた装置は次の通りである。
核磁気共鳴：１ＨＮＭＲ ＶａｒｉａｎＧＥＭＩＮＩ−３００（３００ＭＨｚ）
旋光度：ＪＡＳＣＯ ＤＩＰ−３６０
高速液体クロマトグラフィー：島津製作所ＬＣ−１０Ａｄｖｐ ＆ ＳＰＤ−１０Ａｖｐ
ガスクロマトグラフィー：島津製作所ＧＣ−１７Ａ ＆ Ｃ−Ｒ７Ａ Ｐｌｕｓ
【００８２】
実施例１
シン−２−フタルイミドイル−１−フェニル−１−プロパノールの合成
１００ｍｌオートクレーブ中に２−プロパノール４０ｍｌ、〔（ＰＰｈ３）２〕Ｒｕ（ＩＩ）Ｃｌ２〔ＮＨ２ＣＨ２ＣＨ２、ＮＨ２〕、３．８ｍｇ（０．００５ｍｍｏｌ）、１Ｎ−ｔＢｕＯＫ／２−プロパノール溶液０．２５ｍｌ、及び２−フタルイミドイルプロピオフェノン１．４０ｇ（５．０ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下に入れ、水素を１０気圧まで圧入した。３０℃にて１８時間攪拌した後、反応混合物をシリカゲルショートカラム（溶離液＝ジエチルエーテル）に付し、溶離液を減圧濃縮し、２−フタルイミドイル−１−フェニル−１−プロパノール１．４３ｇを得た。ジアステレオ異性体（ジアステレオマー）の生成比とそれらの相対配置は１Ｈ−ＮＭＲスペクトル分析において末端メチル基のケミカルシフト値から決定できる（特開昭５０−１３７９１１：シン異性体δ＝１．４７、アンチ異性体δ＝１．４０）。ジアステレオマー比は３５：１．１（ジアステレオ異性体過剰率９４％ｄｅ）であり、主生成物はシン異性体であった。
【００８３】
実施例２
光学活性−２−フタルイミドイル−１−フェニル−１−プロパノールの合成
１００ｍｌオートクレーブ中に２−プロパノール１０ｍｌ、トルエン４ｍｌ、〔（Ｓ）−Ｘｙｌｙｌｂｉｎａｐ〕Ｒｕ（ＩＩ）Ｃｌ２〔（Ｓ，Ｓ）ＤＰＥＮ〕５．６ｍｇ（０．００５ｍｍｏｌ）、０．５Ｎ−ｔＢｕＯＫ／２−プロパノール溶液２．０ｍｌ、及び２−フタルイミドイルプロピオフェノン１．４０ｇ（５．０ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下に金属製オートクレーブに入れ、水素を１００気圧まで圧入した。２５℃にて１８時間攪拌した後、反応混合物をシリカゲルショートカラム（溶離液＝ジエチルエーテル）に付し、溶離液を減圧濃縮し、２−フタルイミドイル−１−フェニル−１−プロパノール１．１１ｇ（収率７９％）を得た。実施例１と同様に１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより、シン異性体：アンチ異性体比は２２．６：１（９２％ｄｅ）であった。
【００８４】
これらのジアステレオマーをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝８／２）により主生成物を分離した。この旋光度が〔α］Ｄ３１＝＋４３．３°（ｃ＝１．００，アセトン）であることから、主生成物は表題の構造の化合物であることを確認した（Ｊ．Ｐｒａｋｔ．Ｃｈｅｍ．，３３２，３０７（１９９０）．）。このものをＨＰＬＣで測定したところ光学活性体過剰率は９６％ｅｅ（カラム：ＤａｉｃｅｌＣｈｉｒａｌｃｅｌ ＯＪ、移動相；ヘキサン：エタノール＝１５：１）であった。
【００８５】
実施例３
光学活性−１−フェニル−２−（Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾイルアミノ）１−プロパノールの合成
アルゴン雰囲気下、〔（Ｓ）−Ｘｙｌｙｌｂｉｎａｐ〕Ｒｕ（ＩＩ）Ｃｌ２〔（Ｓ，Ｓ）ＤＰＥＮ〕の０．００１Ｎイソプロパノール溶液０．５ｍｌ（０．０００５ｍｍｏｌ）を入れた簡易型オートクレーブ（容量１００ｍｌ）にイソプロパノール１ｍｌと０．５Ｎ−ｔＢｕＯＫ／２−プロパノール溶液０．２５ｍｌ（０．１２５ｍｍｏｌ）を添加して１０分間攪拌した。これに１−フェニル−２−（Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾイルアミノ）プロパン−１−オン（１．３４ｇ；５．０１ｍｍｏｌ）のイソプロパノール溶液（５ｍｌ）を加え、水素を１２気圧で圧入した。２５℃にて１８時間攪拌した後、反応混合物をシリカゲルショートカラム（溶離液＝ジエチルエーテル）に付し溶離液を減圧濃縮し、１−フェニル−２−（Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾイルアミノ）１−プロパノール４．９８ｇ（収率９９％）を得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトル分析の結果、シン異性体のみが生成していた（ｓｙｎ異性体δ＝１．４７、ａｎｔｉ異性体δ＝１．４０）。光学純度をＨＰＬＣで測定したところ９８％ｅｅ（カラム：ＤａｉｃｅｌＣｈｉｒａｌｃｅｌ ＯＪ、移動相；ヘキサン：エタノール＝３：１）であった。
【００８６】
実施例４
光学活性−シン−１−フェニル−２−（Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾイルアミノ）−４−メチルペンタン−１−オールの合成
アルゴン雰囲気下、１−フェニル−２−（Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾイルアミノ）−４−メチルペンタン−１−オン（１５０ｍｇ；０．４８５ｍｍｏｌ）と〔Ｐ（３，５−ｘｙｌｙｌ）３〕２Ｒｕ（ＩＩ）Ｃｌ２〔（Ｓ，Ｓ）−ＤＰＥＮ〕５．４ｍｇ（０．００５ｍｍｏｌ）のイソプロパノール溶液５ｍｌを入れた簡易型オートクレーブ（容量１００ｍｌ）に０．５Ｎ−ｔＢｕＯＫ／２−プロパノール溶液０．５ｍｌ（０．１２５ｍｍｏｌ）を加え、水素を１０気圧で圧入した。２５℃にて６５時間攪拌した後、反応混合物をシリカゲルショートカラム（溶離液＝ジエチルエーテル）に付した。溶離液を減圧濃縮し、１−フェニル−２−（Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾイルアミノ）−４−メチルペンタン−１−オール８６．７ｍｇ（収率５７％）を得た。ジアステレオマー比は１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおいてＮ−メチル基のケミカルシフト値から決定でき（ｓｙｎ異性体δ＝３．１２ｐｐｍ、ａｎｔｉ異性体δ＝２．６６ｐｐｍ）、シン異性体のみが生成していた。光学純度をＨＰＬＣで測定した結果、８４％ｅｅ（カラム：ＤａｉｃｅｌＣｈｉｒａｌｃｅｌ ＯＪ、移動相；ヘキサン：エタノール＝４０：１）であった。
【００８７】
参考例１
光学活性−トランス−３，４−ジメチル−５−フェニル−２−オキサゾリジノンの合成
アルゴン雰囲気下、２−（Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ−メチルアミノ）プロピオフェノン（５９０ｍｇ；２．２４ｍｍｏｌ）と〔（Ｓ）−Ｘｙｌｙｌｂｉｎａｐ〕Ｒｕ（ＩＩ）Ｃｌ２〔（Ｓ，Ｓ）ＤＰＥＮ〕（１２．５ｍｇ；０．０１１ｍｍｏｌ）をイソプロパノール５ｍｌに溶解させた。この溶液と０．５Ｎ−ｔＢｕＯＫ／２−プロパノール溶液１．１ｍｌ（０．５６ｍｍｏｌ）を簡易型オートクレーブ（容量１００ｍｌに入れ、水素を１２気圧で圧入した。室温で１６時間攪拌後、反応溶液をセライトろ過・減圧濃縮して３，４−ジメチル−５−フェニル−２−オキサゾリジノンを得た（３７４ｍｇ；１．９６ｍｍｏｌ）。ジアステレオマー比は、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおいて４位のメチル基のケミカルシフト値から決定でき（トランス異性体δ＝１．３８ｐｐｍ、シス異性体δ＝０．５６ｐｐｍ）、トランス異性体のみ（＞９９％ｄｅ）であった。光学純度をガスクロマトグラフィー（カラム：ジーエルサイエンス社ＣＰ ＣＨＲＡＳＩＬ−ＤＥＸ ＣＢ φ０．２５ｍｍ＊２５ｍ）にて測定した結果、９９％ｅｅであった。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明によれば、医農薬の合成中間体として有用なシン立体配置を有するβ−アミノアルコール類をラセミ体、光学活性体いずれも高選択的、高収率かつ工業的に有利に製造することができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ラセミ体のα−アミノカルボニル化合物を出発原料として、医薬農薬の合成中間体として有用なシン立体配置を有するβ−アミノアルコール類を、高収率かつ、高ジアステレオ選択的、さらに高エナンチオ選択的に製造する技術に関する。
【背景技術】
【０００２】
本発明は入手容易なラセミ体のα−アミノカルボニル化合物を出発原料として、シン立体配置を有する光学活性β−アミノアルコール類の実用的製造法を提供することを目的とするものである。
【０００３】
光学活性β−アミノアルコール類を製造する方法としては以下の方法が知られている。
（１）α−（置換アミノ）アルデヒドと金属試薬との反応による方法
特開昭５０−１３７９１１ ＊（ａｎｔｉ／ｓｉｎ＝４．３〜２．５／１）
Ｊ．Ｏｒｇ．Ｃｈｅｍ．，５５，１４３９（１９９０）．
（２）光学活性α−アミノケトンのジアステレオ選択的還元による方法
Ｔｅｔｒａｈｅｄｏｒｏｎ．Ｌｅｔｔ．，３５，５４７（１９９４）
（３）光学活性α−アルコキシイミンのジアステレオ選択的還元による方法
Ｊ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．Ｃｈｅｍ．Ｃｏｍｍｕｎ．，７４６（１９８７）
（４）α−アミノ−β−ケト酸のジアステレオ選択的水素化による方法
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１１，９１３４（１９８９）
Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１１５，１４４（１９９３）
（５）ケトオキシムの不斉還元
特開平１０−４５６８８
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
上述した従来法のうち、（１）、（５）の方法はアンチ異性体の生成率が高く、一般的なシン異性体の製造には適さない。（２）、（３）の方法は、あらかじめ光学活性体の原料を製造しておかねばならず煩雑であり、（４）の方法は、分子内にカルボキシル基のような官能基を含む基質に対しては、高いジアステレオ選択性で光学活性アミノアルコールを製造することが可能であるが、分子中にその様な官能基をもたない単純アミノアルコール類の光学活性体を製造することは困難である。
【０００５】
又、水素化触媒を用いてカルボニル化合物からアルコールを得る方法は知られているが（Ｊ．Ａｍ．Ｃｈｅｍ．Ｓｏｃ．，１９９５，１１７，２６７５−２６７６）、α−アミノカルボニル化合物よりβ−アミノアルコール類が得られるかどうかは知られておらず、また、どのような条件でシン異性体もしくはアンチ異性体が有利に生成ずるかは不明であった。
このため、従来よりラセミ体を原料として、シン立体配置を有するβ−アミノアルコール類を製造するための、一般性の高い、高収率かつ高選択的な製造方法の開発が望まれていた。
【０００６】
なお、本発明において、ジアステレオ異性体の一方を意味するシン異性体（シン立体配置を有する化合物）とは、炭素鎖を主鎖としてジグザグに左右方向に置いた場合に、その上下方向にそれぞれ置換するアミノ基とヒドロキシル基が同じ面を向くような立体配置を有するものをいう。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
発明者らは、シン異性体を優位に合成するための条件を鋭意研究した結果、アミノ基の置換基がジアステレオ選択性に大きな影響を与えることを見出し、本発明を完成した。
即ち、本発明は、下記一般式（１）
【０００８】
Ｒａ−ＣＯ−ＣＨ（Ｒｂ）−Ｒｃ （１）
【０００９】
〔式中、Ｒａ、Ｒｃは、同一又は相異なって、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールオキシ基をそれぞれ表す。
【００１０】
Ｒｂは、下記の一般式（３）、（４）、（５）、（６）のいずれかの基を表す。
【００１１】
（３）Ｒ１ＣＯ（Ｒ２）Ｎ−
（４）Ｒ１ＣＯ（Ｒ１’ＣＯ）Ｎ−
（５）Ｒ１ＳＯ２（Ｒ２）Ｎ−
（６）Ｒ１Ｒ２Ｎ−
【００１２】
（ここで、Ｒ１、Ｒ１’及びＲ２は、同一又は相異なって、水素原子、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールオキシ基をそれぞれ表し、又、Ｒ１とＲ２若しくはＲ１とＲ１’は結合して、５〜８員の含窒素ヘテロ環を形成してもよい。
ただし、Ｒ２が水素原子の場合は、Ｒ１はアルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基ではない。）〕
【００１３】
で表されるラセミ体のα−アミノカルボニル化合物類に遷移金属化合物及び塩基の存在下に水素あるいは水素を供与する化合物を作用させることを特徴とする、下記一般式（２）
【００１４】
Ｒａ−Ｃ＊Ｈ（ＯＨ）−Ｃ＊Ｈ（Ｒｂ）−Ｒｃ（２）
【００１５】
（式中、Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは前記と同じ意味を表し、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。）
で表されるシン立体配置を有するβ−アミノアルコール類を製造する方法である。
本発明のシン立体配置を有するβ−アミノアルコール類の製造法において、前記遷移金属化合物は均一系水素化触媒であるのが好ましい。
【００１６】
前記均一系水素化触媒は、より好ましくは、下記一般式（７）
【００１７】
ＭａＸＹＰｘｍＮｘｎ （７）
【００１８】
（式中、Ｍａは、第ＶＩＩＩ族金属原子を表し、Ｘ，Ｙは、同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基又はアルコキシル基を表し、Ｐｘは、ホスフィン配位子を表し、Ｎｘは、アミン配位子を表し、ｍ、ｎは０又は１〜４の整数を表す。）で表される遷移金属化合物である。
【００１９】
また、本発明のシン立体配置を有するβ−アミノアルコール類の製造法において、前記塩基としては、下記一般式（８）
【００２０】
Ｍｂｍ’Ｚｎ’ （８）
【００２１】
（式中、Ｍｂは、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を表し、Ｚは、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルコキシ基、メルカプト基、芳香族基、又はＣＯ３基を表し、ｍ’、ｎ’は１〜３の整数を表す。）で表される化合物であるのが好ましい。
【００２２】
また、本発明において光学活性遷移金属化合物を用いることにより、シン立体配置を有する光学活性β−アミノアルコールを得ることができる。光学活性遷移金属化合物としては、一般式（７）中のＰｘおよびＮｘが共に光学活性であるが、もしくはどちらか一方が光学活性である光学活性遷移金属化合物を用いることができる。
【００２３】
また、本発明においては、光学不活性遷移金属化合物を用いることにより、シン立体配置を有するラセミ体のβ−アミノアルコールを得ることができる。光学不活性遷移金属錯体としては、一般式（７）中のＰｘおよびＮｘが共に光学不活性である光学不活性遷移金属錯体を用いることができる。ＰｘおよびＮｘが共に光学不活性であるというのは、これらの配位子がラセミ体である場合、あるいは不斉中心を持たない配位子である場合のことをいう。
【００２４】
本発明によれば、医薬農薬の合成中間体として有用なシン立体配置を有する前記一般式（２）で表されるシン立体配置を有する光学活性β−アミノアルコール類を、高選択的かつ高収率に製造することができる。
【００２５】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、上述したように前記一般式（１）で表されるα−アミノカルボニル化合物類に、遷移金属化合物及び塩基の存在下に、水素または水素を供与する化合物を作用させることを特徴とする、前記一般式（２）で表されるシン立体配置を有するβ−アミノアルコール類の製造方法である。
【００２６】
本発明の原料化合物は、下記一般式（１）で表わされる化合物である。
【００２７】
Ｒａ−ＣＯ−ＣＨ（Ｒｂ）−Ｒｃ （１）
【００２８】
式中、Ｒａ、Ｒｃは、同一又は相異なって、置換基を有していてもよい直鎖もしくは分岐のアルキル基、置換基を有していてもよい直鎖もしくは分岐のアルケニル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアラルキル基又は置換基を有していてもよいアリール基をそれぞれ表す。
【００２９】
前記一般式（１）において、Ｒａ、Ｒｃの置換基を有していてもよい（直鎖もしくは分岐のアルキル基、直鎖もしくは分岐のアルケニル基、シクロアルキル基、アラルキル基又はアリール基）の置換基としては、本反応を阻害することのない置換基であれば、その置換位置、置換基の種類、置換基の数等に特に制限はない。
【００３０】
かかる置換基としては、例えば、ヒドロキシ基、カルボキシル基、アミノ基、 メチル、エチル、プロピル、イソプロピル、ブチル、ｓｅｃ−ブチル、ｔ−ブチル、ペンチル、ヘキシル基等のアルキル基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ、ｔ−ブトキシ基等のアルコキシ基、メトキシカルボニル、エトキシカルボニル、プロポキシカルボニル、イソプロポキシカルボニル、ブトキシカルボニル、ｔ−ブトキシカルボニル基等のアルコキシカルボニル基、ベンゼン環の任意の位置に置換基を有していてもよいフェニル基、 ナフタレン環の任意の位置に置換基を有していてもよい、１−ナフチル、２−ナフチル基等のナフチル基、フラン、ピラン、ジオキソラン、ジオキサン、ピロール、チオフェン、イミダゾール、ピラゾール、オキサゾール、イソオキサゾール、トリアゾール、チアゾール、イソチアゾール、ピリジン、ピリダジン、ピラジン、ベンゾイミダゾール、ベンゾピラゾール、ベンゾチアゾール、キノリン等の複素環の基（これらの基は、任意の位置に置換基を有していてもよい）、及び、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子等を挙げることができる。
【００３１】
前記置換基を有していてもよい直鎖もしくは分岐のアルキル基のアルキル基としては、メチル，エチル，プロピル，イソプロピル、ブチル，ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル，イソペンチル，ネオペンチル，ｔｅｒｔ−ペンチル，ヘキシル，ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ドデシル、オクタデシル、イコシル基等の炭素数１〜２０のアルキル基を例示することができる。
【００３２】
前記置換基を有していてもよい直鎖もしくは分岐のアルケニル基のアルケニル基としては、ビニル、１−プロペニル、２−プロペニル、１−イソプロペニル、１−ブテニル、１−イソプロペニル、２−ブテニル、３−ブテニル、１，３−ブタジエニル、１−ペンテニル、２−ペンテニル、３−ペンテニル、２−ヘキセン等の炭素数２〜２０のアルケニル基を例示することができる。
【００３３】
前記置換基を有していてもよいシクロアルキル基のシクロアルキル基としては、例えば、シクロプロピル，シクロブチル，シクロペンチル，シクロヘキシル基等の炭素数３〜８のシクロアルキル基を挙げることができる。
【００３４】
前記置換基を有していてもよいアラルキル基のアラルキル基としては、例えば、ベンジル、α−メチルベンジル、α，α−ジメチルベンジル、α−エチルベンジル基等の炭素数７〜２０のアラルキル基を挙げることができる。
【００３５】
前記置換基を有していてもよいアリール基のアリール基としては、フェニル，１−ナフチル、２−ナフチル基等の芳香族炭化水素基、フラニル、ピラニル、ジオキソラニル等の含酸素複素環基、チエニル等の含イオウ複素環基、ピロリル、イミダゾリル、ピラゾリル、オキサゾリル、イソオキサゾリル、トリアゾリル、チアゾリル、イソチアゾリル、ピリジル、ピラダジル、ピラジニル、ベンゾイミダゾリル、ベンツピラゾリル、ペンゾチアゾリル、キノリル、アントラニル、インドリル、フェナントリニリル等の飽和若しくは不飽和の含窒素複素環基を例示することができる。
【００３６】
Ｒｂは下記一般式（３）、（４）、（５）、（６）のいずれかの基を表す。
【００３７】
（３）Ｒ１ＣＯ（Ｒ２）Ｎ−
（４）Ｒ１ＣＯ（Ｒ１’ＣＯ）Ｎ−
（５）Ｒ１ＳＯ２（Ｒ２）Ｎ−
（６）Ｒ１Ｒ２Ｎ−
【００３８】
ここで、Ｒ１、Ｒ１’及びＲ２は、同一又は相異なって、水素原子、ホルミル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールオキシ基をそれぞれ表し、又、Ｒ１とＲ２若しくはＲ１とＲ１’は結合して、５〜８員の含窒素ヘテロ環を形成してもよい。
【００３９】
ただし、Ｒ２が水素原子の場合は、Ｒ１はアルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基ではない。
Ｒ２が水素原子で、かつＲ１がアルコキシ基もしくはシクロアルコキシ基もしくはアリールオキシ基もしくはアラルキルオキシ基の場合は、本発明の目的化合物ではないアンチ立体配置を有するβ−アミノアルコールが優位に生成するからである。
【００４０】
Ｒｂが一般式（３）Ｒ１ＣＯ（Ｒ２）Ｎ−の場合において、特にＲ１、Ｒ２が、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールオキシ基である場合、又は、Ｒ１とＲ２が結合して、５〜８員の含窒素ヘテロ環を形成している場合には、シン立体異性体の選択性が高く好ましい。
【００４１】
前記ＲｂにおけるＲ１、Ｒ１’及びＲ２として、具体的には、水素原子、メチル，エチル，プロピル，イソプロピル、ブチル，ｓｅｃ−ブチル、ｔｅｒｔ−ブチル、ペンチル，イソペンチル，ネオペンチル，ｔ−ペンチル，ヘキシル，ヘプチル等の炭素数１〜１０のアルキル基、シクロプロピル，シクロブチル，シクロペンチル，シクロヘキシル等の炭素数３〜８のシクロアルキル基，フェニル基，２−メチルフェニル，２−エチルフェニル，２−イソプロピルフェニル，２−ｔ−ブチルフェニル，２−メトキシフェニル，２−クロロフェニル，２−ビニルフェニル，３−メチルフェニル，３−エチルフェニル，３−イソプロピルフェニル，３−メトキシフェニル，３−クロロフェニル，３−ビニルフェニル，４−メチルフェニル，４−エチルフェニル，４−イソプロピルフェニル，４−ｔ−ブチルフェニル，４−ビニルフェニル，クメニル，メシチル，キシリル基、１−ナフチル，２−ナフチル，アントリル，フェナントリル，インデニル基等の置換基を有していてもよいアリール基、ベンジル、４−クロロベンジル、α−メチルベンジル基等の置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキル基，ビニル，アリル、クロチル基等の炭素数２〜１０のアルケニル基、 メトキシ，エトキシ，プロポキシ、イソプロポキシ，ブトキシ，イソブトキシ，ｔ−ブトキシ，ペンチルオキシ，イソペンチルオキシ，ネオペンチルオキシ，ｔ−ペンチルオキシ，ヘキシルオキシ，シクロペンチルオキシ、シクロヘキシルオキシ，ヘプチルオキシ等の炭素数１〜１０のアルコキシ基または炭素数３〜８のシクロアルコキシ基を例示することができる。
【００４２】
フェノキシ基，２−メチルフェノキシ，２−エチルフェノキシ，２−イソプロピルフェノキシ，２−ｔ−ブチルフェノキシ，２−メトキシフェノキシ，２−クロロフェノキシ，２−ビニルフェノキシ，３−メチルフェノキシ，３−エチルフェノキシ，３−イソプロピルフェノキシ，３−メトキシフェノキシ，３−クロロフェノキシ，３−ビニルフェノキシ，４−メチルフェノキシ，４−エチルフェノキシ，４−イソプロピルフェノキシ，４−ｔ−ブチルフェノキシ，４−ビニルフェノキシ，１−ナフトキシ，２−ナフトキシ等のアリールオキシ基、ベンジルオキシ、４−クロロベンジルオキシ、４−メチルベンジルオキシ基等アラルキルオキシ基等の置換基を有していてもよい炭素数７〜２０のアラルキルオキシ基等を例示することができる。
【００４３】
Ｒ１とＲ１’又はＲ１とＲ２が結合して、含窒素ヘテロ環を形成する場合の複素環の例としては、スクシンイミド、マレイミド、フタルイミド、１，２−シクロヘキサンカルボキサミド、２，４，６−トリオキソピペリジン、α−ピリドン等のイミド類等を挙げることができる。
【００４４】
より具体的なＲｂとして、アセチルアミノ、プロピオニルアミノ、プロピルカルボニルアミノ、ベンゾイルアミノ、４−メチルベンゾイルアミノ、２−クロロベンゾイルアミノ、３−メトキシベンゾイルアミノ、２−クロロ−４−メトキシベンゾイルアミノ基等のアシルアミノ基、ジアセチルアミノ、ジベンゾイルアミノ基等のジアシルアミノ基、 Ｎ−アセチルＮ−メチルアミノ、Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−アセチル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−アセチル−Ｎ−ベンジルアミノ、Ｎ−ベンゾイル−Ｎ−ベンジルアミノ、４−メチルベンゾイルメチルアミノ基等のＮ−アルキルＮ−アシルアミノ基、Ｎ−アセチル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−アセチル−Ｎ−４−メチルファニルアミノ、Ｎ−アセチル−Ｎ−２−クロルフェニルアミノ、Ｎ−アセチル−Ｎ−２，４−ジクロルフェニルアミノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−４−メチルフェニルアミノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−２−クロルフェニルアミノ、Ｎ−ベンジル−Ｎ−２，４−ジクロルフェニルアミノ基等のＮ−アリール−Ｎ−アシルアミノ基、Ｎ−メトキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−メトキシカルボニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−プロポキシカルボニル−Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−イソプロポキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−ブトキシカルボニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−ブトキシアミノ基等のＮ−アルコキシカルボニル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−メトキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−メトキシカルボニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−プロポキシカルボニル−Ｎ−プロピルアミノ、Ｎ−イソプロポキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ、Ｎ−ブトキシカルボニル−Ｎ−エチルアミノ、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−メチルアミノ基、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−ブトキシアミノ基、等のＮ−アルコキシカルボニル−Ｎ−アルキルアミノ基、Ｎ−メトキシカルボニル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−エトキシカルボニル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−プロポキシカルボニル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−イソプロポキシカルボニル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−ブトキシカルボニル−Ｎ−フェニルアミノ、Ｎ−ｔ−ブトキシカルボニル−Ｎ−フェニルアミノ基等のＮ−アルコキシカルボニル−Ｎ−アリールアミノ基、Ｎ−メチル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−プロピル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−イソプロピル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−ベンジル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−ブチル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−エチルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−エチルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−プロピルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−プロピルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−イソプロピルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−イソプロピルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−ブチルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−ブチルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−ｔ−ブチルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−ｔ−ブチルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−フェニルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−フェニルスルホニルアミノ、Ｎ−ベンジル−フェニルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−４−メチルフェニルスルホニルアミノ、Ｎ−ベンジル−４−メチルフェニルスルホニルアミノ、Ｎ−エチル−２−クロロフェニルスルホニルアミノ、Ｎ−メチル−２，４−ジクロロフェニルスルホニルアミノ基等のＮ−アルキル−アルキルスルホニルアミノ基またはＮ−アルキル−置換フェニルスルホニルアミノ基、Ｎ−フェニル−メチルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−エチルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−プロピルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−イソプロピルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−ブチルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−ｔ−ブチルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−フェニルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−４−メチルフェニルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−２−クロロフェニルスルホニルアミノ、Ｎ−フェニル−２，４−ジクロロフェニルスルホニルアミノ基等のＮ−アリール−アルキルスルホニルアミノ基またはＮ−アリール−置換フェニルスルホニルアミノ基、スクシンイミドイル基、マレイミドイル基、フタルイミドイル基、３−メチルフタルイミドイル基、４−メチルフタルイミドイル基、４−ｎ−ブチルフタルイミドイル基、４−クロロフタルイミドイル基、テトラメチルフタルイミドイル基、１，２−シクロヘキサンカルボキサミドイル基、２，４，６−トリオキソピペリジン−１−イル基、α−ピリドン−１−イル基等のイミド基等を挙げることができる。
【００４５】
本発明で使用される遷移金属化合物は、均一系水素化触媒であるのが好ましい。かかる均一系水素化触媒としては、例えば、Ｒｕ，Ｒｈ，Ｉｒ，Ｐｔ等の周期律表第ＶＩＩＩ族元素の遷移金属の錯体が好ましい。これらの遷移金属化合物は、例えば、Ａｎｇｅｗ．Ｃｈｅｍ．Ｉｎｔ．Ｅｄ．，３７、１７０３（１９９８）等に記載の方法で合成、入手することができる。
【００４６】
前記遷移金属化合物は、一般式（７）で表される遷移金属錯体であるのがより好ましい。
【００４７】
ＭａＸＹＰｘｍＮｘｎ （７）
【００４８】
式中、Ｍａは、第ＶＩＩＩ族金属原子を表し、Ｘ，Ｙは、同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子、水酸基又はアルコキシ基を表し、Ｐｘは、ホスフィン配位子を表し、Ｎｘは、アミン配位子を表し、ｍ，ｎはそれぞれ０又は１〜４の整数を表す。
【００４９】
前記一般式（７）中、Ｍａは、Ｒｕ、Ｒｈ、Ｉｒ、Ｐｔなどの第ＶＩＩＩ族金属を表す。これらの内、錯体の安定性、入手容易性の点からＲｕの錯体が特に好ましい。
前記一般式（７）中、Ｘ、Ｙは、同一若しくは相異なって、水素原子、フッ素、塩素、臭素等のハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基、メトキシ、エトキシ、プロポキシ、イソプロポキシ、ブトキシ基等のアルコキシ基などのアニオンを表す。
【００５０】
前記ホスフィン配位子であるＰｘとしては、例えば、一般式ＰＲＡＲＢＲＣで表されるリンの単座配位子やＲＤＲＥＰ−Ｗ−ＰＲＦＲＧで表されるリンの２座配位子等を挙げることができる。
【００５１】
前記一般式ＰＲＡＲＢＲＣにおいて、ＲＡ、ＲＢ、ＲＣは、同一又は相異なって、アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基又はシクロアルキル基等を表し、また、ＲＡ、ＲＢ、ＲＣの内、二つが一緒になって、置換基を有していてもよい脂環式基を形成してもよい。
前記ＲＡ、ＲＢ、ＲＣのうち少なくとも一つの基が光学活性であるか、あるいは三つとも異なる置換基である場合には一般式ＰＲＡＲＢＲＣは光学活性である。またＲＡ、ＲＢ、ＲＣのいづれも光学不活性基であり、かつ少なくとも２つが同一の場合には、一般式ＰＲＡＲＢＲＣは光学不活性である。
【００５２】
前記一般式ＲＤＲＥＰ−Ｗ−ＰＲＦＲＧにおいて、ＲＤ、ＲＥ、ＲＦ、ＲＧは、同一又は相異なって、アルキル基、置換基を有していてもよいフェニル基又はシクロアルキル基を表し、また、ＲＤとＲＥあるいはＲＦとＲＧが一緒になって置換基を有していてもよい脂環式基を形成してもよい。Ｗは、炭素数１〜５の炭化水素基、シクロ炭化水素基，アリール基又は不飽和炭化水素基等を表す。
【００５３】
前記一般式ＰＲＡＲＢＲＣで表される単座ホスフィン配位子の例としては、例えば、トリメチルホスフィン，トリエチルホスフィン，トリブチルホスフィン，トリフェニルホスフィン，トリシクロヘキシルホスフィン，トリ（ｐ−トリル）ホスフィン，ジフェニルメチルホスフィン，ジメチルフェニルホスフィン、イソプロピルメチルホスフィン、シクロヘキシル（Ｏ−アニシル）−メチルホスフィン、１−〔２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル〕エチルメチルエーテル、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−メトキシ−１，１’−ビナフチル等の３級ホスフィンが好適なものとして挙げることができる。さらに、ＲＡ、ＲＢ、ＲＣが三種とも異なる置換基からなるホスフィン配位子を用いることもできる。
【００５４】
前記一般式ＲＤＲＥＰ−Ｗ−ＰＲＦＲＧで表されるラセミあるいは光学活性の２座ホスフィン配位子の例としては、ビスジフェニルホスフィノメタン，ビスジフェニルホスフィノエタン，ビスジフェニルホスフィノプロパン，ビスジフェニルホスフィノブタン，ビスジメチルホスフィノエタン，ビスジメチルホスフィノプロパンなどの２座配位の３級ホスフィン化合物等を好適なものとして挙げることができる。
【００５５】
さらに、入手可能な２座ホスフィン配位子として、例えば、ＢＩＮＡＰ：２，２’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、ＢＩＮＡＰのナフチル環にアルキル基やアリール基置換基をもつＢＩＮＡＰ誘導体、例えば、Ｈ８ＢＩＮＡＰ、ＢＩＮＡＰ等のリン原子に結合するベンゼン環にアルキル基等の置換基を１〜５個有するＢＩＮＡＰ誘導体、例えば、Ｘｙｌｙｌ−ＢＩＮＡＰ：２，２’−ビス−（ジ−３，５−キシリルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル、さらにＢＩＣＨＥＰ：２，２’−ビス−（ジシクロヘキシルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル、ＢＰＰＦＡ；１−〔１’，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル〕エチルジアミン、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ：２，３−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ＣＹＣＰＨＯＳ：１−シクロヘキシル−１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）エタン、ＤＥＧＰＨＯＳ：１−置換−３，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ピロリジン、ＤＩＯＰ：２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン、ＤＩＰＡＭＰ：１，２−ビス［（Ｏ−メトキシフェニル）フェニルホスフィノ］エタン、ＤｕＰＨＯＳ：（置換−１，２−ビス（ホスホラノ）ベンゼン）、ＮＯＲＰＨＯＳ：５，６−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−２−ノルボルネン、ＰＮＮＰ：Ｎ，Ｎ’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−Ｎ，Ｎ’−ビス［１−フェニルエチル］エチレンジアミン、ＰＲＯＰＨＯＳ：１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）プロパン、ＳＫＥＷＰＨＯＳ：２，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ペンタン等を挙げることができる。また、フッ素置換基をもつＢＩＮＡＰ誘導体等を用いることもできる。もちろん、この発明に用いることのできるホスフィン配位子は、安定して金属錯体を形成し得るものであれば、これらに何ら限定されるものではない。
【００５６】
アミン配位子であるＮｘとしては、一般式ＮＲＨＲＩＲＪで表される窒素の単座配位子や一般式ＲＫＲＬＮ−Ｘ−ＮＲＭＲＮで表されるジアミン配位子等を挙げることができる。
【００５７】
前記一般式ＮＲＨＲＩＲＪにおいて、ＲＨ、ＲＩ、ＲＪは、同一又は相異なって、水素，アルキル基，アリール基，不飽和炭化水素基を表し、ＲＨ、ＲＩ、ＲＪの内、二つが一緒になって置換基を有していてもよい脂環式基を形成してもよい。また、ＲＨ、ＲＩ、ＲＪの少なくともひとつが光学活性基であってもよい。
【００５８】
前記一般式ＲＫＲＬＮ−Ｘ−ＮＲＭＲＮにおいて、ＲＫ、ＲＬ、ＲＭ、ＲＮは、同一又は相異なって、水素、アルキル基、アリール基又は不飽和炭化水素基を表し、ＲＫとＲＬあるいはＲＭとＲＮが一緒になって置換基を有していてもよい脂環式基を形成してもよい。
Ｘは、炭素数１〜５のアルキル基、シクロアルキル基、アリール基又は不飽和炭化水素基等を表す。
【００５９】
前記一般式ＮＲＨＲＩＲＪで表されるモノアミン配位子としては、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジベンジルアミン、ジフェニルアミン、フェニルエチルアミン、プロリン、ピペリジンなどのモノアミン化合物を例示することができる。さらに、光学活性モノアミン配位子としては、光学活性フェニルエチルミン、ナフチルエチルアミン、シクロヘキシルアミン、シクロヘプチルエチレンジアミン等の光学活性モノアミン化合物を例示することができる。
【００６０】
前記一般式ＲＫＲＬＮ−Ｘ−ＮＲＭＲＮで表されるジアミン配位子としては、メチレンジアミン、エチレンジアミン、１，２−ジアミノプロパン、プロピレンジアン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、２，３−ジアミノブタン、１，２−シクロペンタンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン、ｐ−フェニレンジアミンなどが例示される。
【００６１】
また、光学活性ジアミン配位子としては、光学活性１，２−ジフェニルエチレンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、１，２−シクロヘプタンジアミン、２，３−ジメチルブタンジアミン、１−メチル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジフェニルエチレンジアミン、１−メチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−ベンジル−２，２−ジ（ｐ−メトキシフェニル）エチレンジアミン、１−メチル−２，２−ジナフチルエチレンジアミン、１−イソブチル−２，２−ジナフチルエチレンジアミン、１−イソプロピル−２，２−ジナフチルエチレンジアミン等を例示することができる。
【００６２】
光学活性ジアミン化合物は例示した光学活性ジアミン誘導体に限るものではなく、更に光学活性なプロパンジアミン、ブタンジアミン、フェニレンジアミン、シクロヘキサンジアミン誘導体等も用いる事ができる。この発明に用いることのできるアミン配位子は、安定して金属錯体を形成し得るものであれば、これらに何ら限定されるものではない。
【００６３】
前記本発明において、上記均一系水素化触媒の使用量は、反応基質の種類、反応容器や経済性等によって異なるが、反応基質であるカルボニル化合物に対して、通常、モル比１／１００〜１／１０，０００，０００、好ましくは、１／２００〜１／１００，０００の範囲である。
【００６４】
また、本発明に用いられる塩基は、一般式（８）で表される化合物であり、
【００６５】
Ｍｂｍ’Ｚｎ’ （８）
【００６６】
（式中、Ｍｂはアルカリ金属又はアルカリ土類金属を表し、 Ｚは、メトキシ、エトキシ、プロポキシ等の炭素数１〜６のアルコキシ基、 フェニル、ナフチル等のアリール基、またはヒドロキシ基、メルカプト基、ＣＯ３基を表し、 ｍ’、ｎ’は１〜３の整数を表す。）
【００６７】
かかる塩基としては、ＫＯＨ、ＫＯＣＨ３、ＫＯＣＨ（ＣＨ３）２、ＫＯＣ（ＣＨ３）３、ＫＣ１０Ｈ８、ＮａＯＨ、ＮａＯＣＨ３、ＬｉＯＨ、ＬｉＯＣＨ３、ＬｉＯＣＨ（ＣＨ３）２、Ｍｇ（ＯＣ２Ｈ５）２、ＮａＳＨ、Ｋ２ＣＯ３、Ｃｓ２ＣＯ３等を例示することができる。
また、本発明においては、４級アンモニウム塩も塩基として同様に用いることができる。
上記の塩基の使用量は、第ＶＩＩＩ族遷移金属錯体に対して、通常、０．５〜１００当量であり、好ましくは２〜４０当量である。
【００６８】
反応は、基質である前記一般式（１）で表されるα−アミノカルボニル化合物を不活性溶媒に溶解し、所定量の遷移金属錯体及び塩基の存在下に、水素または水素を供与する化合物を作用させることにより行われる。
【００６９】
反応に用いることのできる溶媒としては、不活性で反応原料（基質）及び触媒系を可溶化するものであれば、特に制限はない。かかる溶媒としては、例えば、ベンゼン、トルエン、キシレンなどの芳香族炭化水素、ペンタン、ヘキサン、オクタンなどの脂肪族炭化水素、塩化メチレン、クロロホルム、四塩化炭素などの含ハロゲン炭化水素、エーテル、テトラヒドロフランなどのエーテル類、メタノール、エタノール、２−プロパノール、ブタノール、ベンジルアルコールなどのアルコール類、アセトニトリル、ＤＭＦ（Ｎ，Ｎ−ジメチルホルムアミド）、Ｎ−メチルピロリドン、ピリジン、ＤＭＳＯ（ジメチルスルホキシド）等のヘテロ原子を含む有機溶媒を挙げることができる。
上記したものの内、本発明においては、生成物がアルコールであることからアルコール系溶媒が特に好適である。これら溶媒は単独でも用いることができるがこれらの混合溶媒としても使うことができる。
【００７０】
溶媒の使用量は、反応基質の溶解度及び経済性等により決定される。例えば、２−プロパノールを用いる場合は、基質濃度は１％以下の低濃度から基質だけの無溶媒に近い状態で行うことができるが、好ましくは２０〜５０重量％で用いることができる。
【００７１】
反応は、水素ガス又は水素を供与する化合物の存在下に行われる。水素ガスを用いる場合には、系内の水素圧力を１〜２００気圧、好ましくは３〜１００気圧の圧力下で行うのが望ましい。水素を供与する化合物としては、ヒドリド錯体や水素貯蔵合金等がある。
反応温度は、反応速度等を考慮して、−３０〜１００℃、好ましくは、１５℃から１００℃である。２５℃〜４０℃の室温付近でも実施する事ができる。反応は、反応基質濃度、温度、圧力等の反応条件によって異なるが、通常、数分から１０時間で完結する。
なお、前記一般式（２）で表される光学活性アミノアルコールを工業的に大量製造する場合においては、反応形式はバッチ式であっても連続式であってもよい。
【００７２】
また、本発明においては、原料である一般式（１）
【００７３】
Ｒａ−ＣＯ−ＣＨ（Ｒｂ）−Ｒｃ（１）
【００７４】
で表わされる化合物のＲｂが（３）ｒ１ＣＯ（Ｒ２）Ｎ−（４）ｒ１ＣＯ（Ｒ１’ＣＯ）Ｎ−（ここで、ｒ１は、アルコキシ基、シクロアルコキシ基、アルケニルオキシ基、アラルキルオキシ基、アリールオキシ基を表わし、Ｒ２、Ｒ１’は前記と同じである。）の場合、対応するシン立体配置β−アミノアルコールが生成した後、更に閉環反応が進行し、オキサゾリジノン誘導体を生成する場合がある。
オキサゾリジノン誘導体が生成した場合は、酸または塩基等で処理することにより、シン立体配置β−アミノアルコールを得ることが出来る。
【００７５】
本発明により製造することができる一般式（２）で表される化合物、及び出発原料である一般式（１）で表される化合物の例を以下の表に示す。
表中、Ｍｅはメチル基、Ｅｔはエチル基、Ｐｒはプロピル基、Ｂｕはブチル基、Ｐｈはフェニル基を表す。
【００７６】
【表１】
【００７７】
【表２】
【００７８】
【表３】
【００７９】
【表４】
【００８０】
【表５】
【発明を実施するための形態】
【００８１】
以下の実施例により本発明をさらに詳細に説明するが、本発明はこれらによってなんら限定されるものではない。尚、各実施例における物性の測定に用いた装置は次の通りである。
核磁気共鳴：１ＨＮＭＲ ＶａｒｉａｎＧＥＭＩＮＩ−３００（３００ＭＨｚ）
旋光度：ＪＡＳＣＯ ＤＩＰ−３６０
高速液体クロマトグラフィー：島津製作所ＬＣ−１０Ａｄｖｐ ＆ ＳＰＤ−１０Ａｖｐ
ガスクロマトグラフィー：島津製作所ＧＣ−１７Ａ ＆ Ｃ−Ｒ７Ａ Ｐｌｕｓ
【００８２】
実施例１
シン−２−フタルイミドイル−１−フェニル−１−プロパノールの合成
１００ｍｌオートクレーブ中に２−プロパノール４０ｍｌ、〔（ＰＰｈ３）２〕Ｒｕ（ＩＩ）Ｃｌ２〔ＮＨ２ＣＨ２ＣＨ２、ＮＨ２〕、３．８ｍｇ（０．００５ｍｍｏｌ）、１Ｎ−ｔＢｕＯＫ／２−プロパノール溶液０．２５ｍｌ、及び２−フタルイミドイルプロピオフェノン１．４０ｇ（５．０ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下に入れ、水素を１０気圧まで圧入した。３０℃にて１８時間攪拌した後、反応混合物をシリカゲルショートカラム（溶離液＝ジエチルエーテル）に付し、溶離液を減圧濃縮し、２−フタルイミドイル−１−フェニル−１−プロパノール１．４３ｇを得た。ジアステレオ異性体（ジアステレオマー）の生成比とそれらの相対配置は１Ｈ−ＮＭＲスペクトル分析において末端メチル基のケミカルシフト値から決定できる（特開昭５０−１３７９１１：シン異性体δ＝１．４７、アンチ異性体δ＝１．４０）。ジアステレオマー比は３５：１．１（ジアステレオ異性体過剰率９４％ｄｅ）であり、主生成物はシン異性体であった。
【００８３】
実施例２
光学活性−２−フタルイミドイル−１−フェニル−１−プロパノールの合成
１００ｍｌオートクレーブ中に２−プロパノール１０ｍｌ、トルエン４ｍｌ、〔（Ｓ）−Ｘｙｌｙｌｂｉｎａｐ〕Ｒｕ（ＩＩ）Ｃｌ２〔（Ｓ，Ｓ）ＤＰＥＮ〕５．６ｍｇ（０．００５ｍｍｏｌ）、０．５Ｎ−ｔＢｕＯＫ／２−プロパノール溶液２．０ｍｌ、及び２−フタルイミドイルプロピオフェノン１．４０ｇ（５．０ｍｍｏｌ）をアルゴン雰囲気下に金属製オートクレーブに入れ、水素を１００気圧まで圧入した。２５℃にて１８時間攪拌した後、反応混合物をシリカゲルショートカラム（溶離液＝ジエチルエーテル）に付し、溶離液を減圧濃縮し、２−フタルイミドイル−１−フェニル−１−プロパノール１．１１ｇ（収率７９％）を得た。実施例１と同様に１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにより、シン異性体：アンチ異性体比は２２．６：１（９２％ｄｅ）であった。
【００８４】
これらのジアステレオマーをシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶離液：ヘキサン／酢酸エチル＝８／２）により主生成物を分離した。この旋光度が〔α］Ｄ３１＝＋４３．３°（ｃ＝１．００，アセトン）であることから、主生成物は表題の構造の化合物であることを確認した（Ｊ．Ｐｒａｋｔ．Ｃｈｅｍ．，３３２，３０７（１９９０）．）。このものをＨＰＬＣで測定したところ光学活性体過剰率は９６％ｅｅ（カラム：ＤａｉｃｅｌＣｈｉｒａｌｃｅｌ ＯＪ、移動相；ヘキサン：エタノール＝１５：１）であった。
【００８５】
実施例３
光学活性−１−フェニル−２−（Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾイルアミノ）１−プロパノールの合成
アルゴン雰囲気下、〔（Ｓ）−Ｘｙｌｙｌｂｉｎａｐ〕Ｒｕ（ＩＩ）Ｃｌ２〔（Ｓ，Ｓ）ＤＰＥＮ〕の０．００１Ｎイソプロパノール溶液０．５ｍｌ（０．０００５ｍｍｏｌ）を入れた簡易型オートクレーブ（容量１００ｍｌ）にイソプロパノール１ｍｌと０．５Ｎ−ｔＢｕＯＫ／２−プロパノール溶液０．２５ｍｌ（０．１２５ｍｍｏｌ）を添加して１０分間攪拌した。これに１−フェニル−２−（Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾイルアミノ）プロパン−１−オン（１．３４ｇ；５．０１ｍｍｏｌ）のイソプロパノール溶液（５ｍｌ）を加え、水素を１２気圧で圧入した。２５℃にて１８時間攪拌した後、反応混合物をシリカゲルショートカラム（溶離液＝ジエチルエーテル）に付し溶離液を減圧濃縮し、１−フェニル−２−（Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾイルアミノ）１−プロパノール４．９８ｇ（収率９９％）を得た。１Ｈ−ＮＭＲスペクトル分析の結果、シン異性体のみが生成していた（ｓｙｎ異性体δ＝１．４７、ａｎｔｉ異性体δ＝１．４０）。光学純度をＨＰＬＣで測定したところ９８％ｅｅ（カラム：ＤａｉｃｅｌＣｈｉｒａｌｃｅｌ ＯＪ、移動相；ヘキサン：エタノール＝３：１）であった。
【００８６】
実施例４
光学活性−シン−１−フェニル−２−（Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾイルアミノ）−４−メチルペンタン−１−オールの合成
アルゴン雰囲気下、１−フェニル−２−（Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾイルアミノ）−４−メチルペンタン−１−オン（１５０ｍｇ；０．４８５ｍｍｏｌ）と〔Ｐ（３，５−ｘｙｌｙｌ）３〕２Ｒｕ（ＩＩ）Ｃｌ２〔（Ｓ，Ｓ）−ＤＰＥＮ〕５．４ｍｇ（０．００５ｍｍｏｌ）のイソプロパノール溶液５ｍｌを入れた簡易型オートクレーブ（容量１００ｍｌ）に０．５Ｎ−ｔＢｕＯＫ／２−プロパノール溶液０．５ｍｌ（０．１２５ｍｍｏｌ）を加え、水素を１０気圧で圧入した。２５℃にて６５時間攪拌した後、反応混合物をシリカゲルショートカラム（溶離液＝ジエチルエーテル）に付した。溶離液を減圧濃縮し、１−フェニル−２−（Ｎ−メチル−Ｎ−ベンゾイルアミノ）−４−メチルペンタン−１−オール８６．７ｍｇ（収率５７％）を得た。ジアステレオマー比は１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおいてＮ−メチル基のケミカルシフト値から決定でき（ｓｙｎ異性体δ＝３．１２ｐｐｍ、ａｎｔｉ異性体δ＝２．６６ｐｐｍ）、シン異性体のみが生成していた。光学純度をＨＰＬＣで測定した結果、８４％ｅｅ（カラム：ＤａｉｃｅｌＣｈｉｒａｌｃｅｌ ＯＪ、移動相；ヘキサン：エタノール＝４０：１）であった。
【００８７】
参考例１
光学活性−トランス−３，４−ジメチル−５−フェニル−２−オキサゾリジノンの合成
アルゴン雰囲気下、２−（Ｎ−（ｔ−ブトキシカルボニル）−Ｎ−メチルアミノ）プロピオフェノン（５９０ｍｇ；２．２４ｍｍｏｌ）と〔（Ｓ）−Ｘｙｌｙｌｂｉｎａｐ〕Ｒｕ（ＩＩ）Ｃｌ２〔（Ｓ，Ｓ）ＤＰＥＮ〕（１２．５ｍｇ；０．０１１ｍｍｏｌ）をイソプロパノール５ｍｌに溶解させた。この溶液と０．５Ｎ−ｔＢｕＯＫ／２−プロパノール溶液１．１ｍｌ（０．５６ｍｍｏｌ）を簡易型オートクレーブ（容量１００ｍｌに入れ、水素を１２気圧で圧入した。室温で１６時間攪拌後、反応溶液をセライトろ過・減圧濃縮して３，４−ジメチル−５−フェニル−２−オキサゾリジノンを得た（３７４ｍｇ；１．９６ｍｍｏｌ）。ジアステレオマー比は、１Ｈ−ＮＭＲスペクトルにおいて４位のメチル基のケミカルシフト値から決定でき（トランス異性体δ＝１．３８ｐｐｍ、シス異性体δ＝０．５６ｐｐｍ）、トランス異性体のみ（＞９９％ｄｅ）であった。光学純度をガスクロマトグラフィー（カラム：ジーエルサイエンス社ＣＰ ＣＨＲＡＳＩＬ−ＤＥＸ ＣＢ φ０．２５ｍｍ＊２５ｍ）にて測定した結果、９９％ｅｅであった。
【産業上の利用可能性】
【００８８】
本発明によれば、医農薬の合成中間体として有用なシン立体配置を有するβ−アミノアルコール類をラセミ体、光学活性体いずれも高選択的、高収率かつ工業的に有利に製造することができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（１）
Ｒａ−ＣＯ−ＣＨ（Ｒｂ）−Ｒｃ （１）
〔式中、Ｒａ、Ｒｃは、同一又は相異なって、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールオキシ基をそれぞれ表す（ここで、上記有していてもよい置換基は、それぞれヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、フェニル基、ナフチル基、複素環基及びハロゲン原子から選択される少なくとも１つの置換基を表す）。
Ｒｂは、下記の一般式（３）、（４）、（５）、（６）のいずれかの基を表す。
（３）Ｒ１ＣＯ（Ｒ２）Ｎ−
（４）Ｒ１ＣＯ（Ｒ１’ＣＯ）Ｎ−
（５）Ｒ１ＳＯ２（Ｒ２）Ｎ−
（６）Ｒ１Ｒ２Ｎ−
（ここで、Ｒ１、Ｒ１’及びＲ２は、同一又は相異なって、水素原子、ホルミル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルケニルオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールオキシ基をそれぞれ表し（ここで、上記有していてもよい置換基は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又はビニル基である）、又、Ｒ１とＲ２若しくはＲ１とＲ１’は結合して、スクシンイミド、マレイミド、フタルイミド、１，２−シクロヘキサンカルボキサミド、２，４，６−トリオキソピペリジン又はα−ピリドンを形成してもよい。
ただし、Ｒ２が水素原子の場合は、Ｒ１はアルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基ではない。）〕
で表されるラセミ体のα−アミノカルボニル化合物類に光不学活性ルテニウム錯体及び一般式（８）
Ｍｂｍ’Ｚｎ’ （８）
（式中、Ｍｂは、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を表し、Ｚは、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルコキシ基、メルカプト基又はＣＯ３基を表し、ｍ’、ｎ’は１〜３の整数を表す。）
で表される塩基の存在下に水素を作用させることを特徴とする、一般式（２）
Ｒａ−Ｃ＊Ｈ（ＯＨ）−Ｃ＊Ｈ（Ｒｂ）−Ｒｃ（２）
（式中、Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは前記と同じ意味を表し、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。）
で表されるシン立体配置を有するラセミ体のβ−アミノアルコールの製造方法。
【請求項２】
前記光不学活性ルテニウム錯体が、一般式（７）
ＭａＸＹＰｘｍＮｘｎ （７）
（式中、Ｍａは、ルテニウム原子を表し、
Ｘ、Ｙは、同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基又はアルコキシル基を表し、
Ｐｘは、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ（ｐ−トリル）ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、イソプロピルメチルホスフィン、シクロヘキシル（Ｏ−アニシル）−メチルホスフィン、１−〔２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル〕エチルメチルエーテル、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−メトキシ−１，１’−ビナフチル、ビスジフェニルホスフィノメタン、ビスジフェニルホスフィノエタン、ビスジフェニルホスフィノプロパン、ビスジフェニルホスフィノブタン，ビスジメチルホスフィノエタン、ビスジメチルホスフィノプロパン、ＢＩＮＡＰ｛２，２’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル｝、ＢＩＮＡＰのナフチル環にアルキル基又はアリール基置換基をもつＢＩＮＡＰ誘導体、ＢＩＮＡＰのリン原子に結合するベンゼン環にアルキル基の置換基を１〜５個有するＢＩＮＡＰ誘導体、ＢＩＣＨＥＰ｛２，２’−ビス−（ジシクロヘキシルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル｝、ＢＰＰＦＡ｛１−〔１’，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル〕エチルジアミン｝、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ｛２，３−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン｝、ＣＹＣＰＨＯＳ｛１−シクロヘキシル−１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）エタン｝、ＤＥＧＰＨＯＳ｛１−置換−３，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ピロリジン｝、ＤＩＯＰ｛２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン｝、ＤＩＰＡＭＰ｛１，２−ビス［（Ｏ−メトキシフェニル）フェニルホスフィノ］エタン｝、ＤｕＰＨＯＳ｛置換−１，２−ビス（ホスホラノ）ベンゼン｝、ＮＯＲＰＨＯＳ｛５，６−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−２−ノルボルネン｝、ＰＮＮＰ｛Ｎ，Ｎ’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−Ｎ，Ｎ’−ビス［１−フェニルエチル］エチレンジアミン｝、ＰＲＯＰＨＯＳ｛１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）プロパン｝、ＳＫＥＷＰＨＯＳ｛２，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ペンタン｝及びフッ素置換基をもつＢＩＮＡＰ誘導体から選択される少なくとも１つのホスフィン配位子を表し、
Ｎｘは、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジベンジルアミン、ジフェニルアミン、フェニルエチルアミン、プロリン、ピペリジン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、１，２−ジアミノプロパン、プロピレンジアン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、２，３−ジアミノブタン、１，２−シクロペンタンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン及びｐ−フェニレンジアミンから選択される少なくとも１つのアミン配位子を表し、
ｍ、ｎは０又は１〜４の整数を表す。）
で表される遷移金属錯体である、 請求項１記載のシン立体配置を有するラセミ体のβ−アミノアルコール類の製造方法。
【請求項１】
一般式（１）
Ｒａ−ＣＯ−ＣＨ（Ｒｂ）−Ｒｃ （１）
〔式中、Ｒａ、Ｒｃは、同一又は相異なって、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールオキシ基をそれぞれ表す（ここで、上記有していてもよい置換基は、それぞれヒドロキシル基、カルボキシル基、アミノ基、アルキル基、アルコキシ基、アルコキシカルボニル基、フェニル基、ナフチル基、複素環基及びハロゲン原子から選択される少なくとも１つの置換基を表す）。
Ｒｂは、下記の一般式（３）、（４）、（５）、（６）のいずれかの基を表す。
（３）Ｒ１ＣＯ（Ｒ２）Ｎ−
（４）Ｒ１ＣＯ（Ｒ１’ＣＯ）Ｎ−
（５）Ｒ１ＳＯ２（Ｒ２）Ｎ−
（６）Ｒ１Ｒ２Ｎ−
（ここで、Ｒ１、Ｒ１’及びＲ２は、同一又は相異なって、水素原子、ホルミル基、置換基を有していてもよいアルキル基、置換基を有していてもよいアルコキシ基、置換基を有していてもよいシクロアルキル基、置換基を有していてもよいシクロアルコキシ基、置換基を有していてもよいアルケニル基、置換基を有していてもよいアルケニルオキシ基、置換基を有していてもよいアラルキル基、置換基を有していてもよいアラルキルオキシ基、置換基を有していてもよいアリール基又は置換基を有していてもよいアリールオキシ基をそれぞれ表し（ここで、上記有していてもよい置換基は、それぞれアルキル基、アルコキシ基、ハロゲン原子又はビニル基である）、又、Ｒ１とＲ２若しくはＲ１とＲ１’は結合して、スクシンイミド、マレイミド、フタルイミド、１，２−シクロヘキサンカルボキサミド、２，４，６−トリオキソピペリジン又はα−ピリドンを形成してもよい。
ただし、Ｒ２が水素原子の場合は、Ｒ１はアルコキシ基、シクロアルコキシ基、アリールオキシ基、アラルキルオキシ基ではない。）〕
で表されるラセミ体のα−アミノカルボニル化合物類に光不学活性ルテニウム錯体及び一般式（８）
Ｍｂｍ’Ｚｎ’ （８）
（式中、Ｍｂは、アルカリ金属又はアルカリ土類金属を表し、Ｚは、ヒドロキシ基、炭素数１〜６のアルコキシ基、メルカプト基又はＣＯ３基を表し、ｍ’、ｎ’は１〜３の整数を表す。）
で表される塩基の存在下に水素を作用させることを特徴とする、一般式（２）
Ｒａ−Ｃ＊Ｈ（ＯＨ）−Ｃ＊Ｈ（Ｒｂ）−Ｒｃ（２）
（式中、Ｒａ、Ｒｂ及びＲｃは前記と同じ意味を表し、Ｃ＊は不斉炭素原子を表す。）
で表されるシン立体配置を有するラセミ体のβ−アミノアルコールの製造方法。
【請求項２】
前記光不学活性ルテニウム錯体が、一般式（７）
ＭａＸＹＰｘｍＮｘｎ （７）
（式中、Ｍａは、ルテニウム原子を表し、
Ｘ、Ｙは、同一又は相異なって、水素原子、ハロゲン原子、カルボキシル基、水酸基又はアルコキシル基を表し、
Ｐｘは、トリメチルホスフィン、トリエチルホスフィン、トリブチルホスフィン、トリフェニルホスフィン、トリシクロヘキシルホスフィン、トリ（ｐ−トリル）ホスフィン、ジフェニルメチルホスフィン、ジメチルフェニルホスフィン、イソプロピルメチルホスフィン、シクロヘキシル（Ｏ−アニシル）−メチルホスフィン、１−〔２−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル〕エチルメチルエーテル、２−（ジフェニルホスフィノ）−２’−メトキシ−１，１’−ビナフチル、ビスジフェニルホスフィノメタン、ビスジフェニルホスフィノエタン、ビスジフェニルホスフィノプロパン、ビスジフェニルホスフィノブタン，ビスジメチルホスフィノエタン、ビスジメチルホスフィノプロパン、ＢＩＮＡＰ｛２，２’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−１，１’−ビナフチル｝、ＢＩＮＡＰのナフチル環にアルキル基又はアリール基置換基をもつＢＩＮＡＰ誘導体、ＢＩＮＡＰのリン原子に結合するベンゼン環にアルキル基の置換基を１〜５個有するＢＩＮＡＰ誘導体、ＢＩＣＨＥＰ｛２，２’−ビス−（ジシクロヘキシルホスフィノ）−６，６’−ジメチル−１，１’−ビフェニル｝、ＢＰＰＦＡ｛１−〔１’，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）フェロセニル〕エチルジアミン｝、ＣＨＩＲＡＰＨＯＳ｛２，３−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン｝、ＣＹＣＰＨＯＳ｛１−シクロヘキシル−１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）エタン｝、ＤＥＧＰＨＯＳ｛１−置換−３，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ピロリジン｝、ＤＩＯＰ｛２，３−Ｏ−イソプロピリデン−２，３−ジヒドロキシ−１，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ブタン｝、ＤＩＰＡＭＰ｛１，２−ビス［（Ｏ−メトキシフェニル）フェニルホスフィノ］エタン｝、ＤｕＰＨＯＳ｛置換−１，２−ビス（ホスホラノ）ベンゼン｝、ＮＯＲＰＨＯＳ｛５，６−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−２−ノルボルネン｝、ＰＮＮＰ｛Ｎ，Ｎ’−ビス−（ジフェニルホスフィノ）−Ｎ，Ｎ’−ビス［１−フェニルエチル］エチレンジアミン｝、ＰＲＯＰＨＯＳ｛１，２−ビス−（ジフェニルホスフィノ）プロパン｝、ＳＫＥＷＰＨＯＳ｛２，４−ビス−（ジフェニルホスフィノ）ペンタン｝及びフッ素置換基をもつＢＩＮＡＰ誘導体から選択される少なくとも１つのホスフィン配位子を表し、
Ｎｘは、メチルアミン、エチルアミン、プロピルアミン、ブチルアミン、ペンチルアミン、ヘキシルアミン、シクロペンチルアミン、シクロヘキシルアミン、ベンジルアミン、ジメチルアミン、ジエチルアミン、ジプロピルアミン、ジヘキシルアミン、ジシクロペンチルアミン、ジシクロヘキシルアミン、ジベンジルアミン、ジフェニルアミン、フェニルエチルアミン、プロリン、ピペリジン、メチレンジアミン、エチレンジアミン、１，２−ジアミノプロパン、プロピレンジアン、１，３−ジアミノプロパン、１，４−ジアミノブタン、２，３−ジアミノブタン、１，２−シクロペンタンジアミン、１，２−シクロヘキサンジアミン、Ｎ−メチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ’−ジメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’−トリメチルエチレンジアミン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラメチルエチレンジアミン、ｏ−フェニレンジアミン及びｐ−フェニレンジアミンから選択される少なくとも１つのアミン配位子を表し、
ｍ、ｎは０又は１〜４の整数を表す。）
で表される遷移金属錯体である、 請求項１記載のシン立体配置を有するラセミ体のβ−アミノアルコール類の製造方法。
【公開番号】特開２０１２−１１６８５３（Ｐ２０１２−１１６８５３Ａ）
【公開日】平成２４年６月２１日（２０１２．６．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−２０４７６（Ｐ２０１２−２０４７６）
【出願日】平成２４年２月２日（２０１２．２．２）
【分割の表示】特願２００２−５０９０６９（Ｐ２００２−５０９０６９）の分割
【原出願日】平成１３年７月９日（２００１．７．９）
【出願人】（０００００４３０７）日本曹達株式会社 (434)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年６月２１日（２０１２．６．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年２月２日（２０１２．２．２）
【分割の表示】特願２００２−５０９０６９（Ｐ２００２−５０９０６９）の分割
【原出願日】平成１３年７月９日（２００１．７．９）
【出願人】（０００００４３０７）日本曹達株式会社 (434)
【Ｆターム（参考）】
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