シールド室用前室及びシールド室
【課題】高い遮蔽性能のシールド扉を必要としないシールド室用前室を提供する。
【解決手段】シールド室１２と第１側壁１４を共有してシールド室用前室１０が設けられている。第１側壁１４には第１出入口１６が設けられ、第２側壁２０には第２出入口２２が設けられ、いずれも扉は設けられていない。シールド室用前室１０の内部には仕切壁２６が設けられ、仕切壁２６の端部には開口部２４が設けられている。このとき、仕切壁２６の壁部は、第１出入口と第２出入口の間であり、シールド室１２から第１出入口１６を通して第２出入口２２を見たとき、仕切壁２６で第２出入口２２を隠す位置に配置されている。シールド室用前室１０を構成する第１側壁１４、第２側壁２０、天井壁、及び仕切壁２６の内部には、導電性の材料で形成されたシールド層が設けられ、シールド室用前室１０の室内側の表面には、電波吸収体２８が設けられている。
【解決手段】シールド室１２と第１側壁１４を共有してシールド室用前室１０が設けられている。第１側壁１４には第１出入口１６が設けられ、第２側壁２０には第２出入口２２が設けられ、いずれも扉は設けられていない。シールド室用前室１０の内部には仕切壁２６が設けられ、仕切壁２６の端部には開口部２４が設けられている。このとき、仕切壁２６の壁部は、第１出入口と第２出入口の間であり、シールド室１２から第１出入口１６を通して第２出入口２２を見たとき、仕切壁２６で第２出入口２２を隠す位置に配置されている。シールド室用前室１０を構成する第１側壁１４、第２側壁２０、天井壁、及び仕切壁２６の内部には、導電性の材料で形成されたシールド層が設けられ、シールド室用前室１０の室内側の表面には、電波吸収体２８が設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールド室用前室及びシールド室に関する。
【背景技術】
【０００２】
室内で発生する電波を室外へ出したくない場合、若しくは室外からの電波を室内へ入れたくない場合には、床、壁、天井等を電磁シールドし、室内と室外を電磁的に遮蔽したシールド室が利用されている。また常時シールド性能を維持する必要がある施設では、人の出入りの際にも性能を保持するために前室が設けられている。
【０００３】
このとき、シールド室の出入口に設けられるシールド扉は、シールド室としての遮蔽性能を維持するために、シールド室と同等以上の遮蔽性能が要求される。
【０００４】
高いシールド扉の遮蔽性能は、扉を扉枠に強く押し付けて、シールド扉と扉枠の電気的な接触を担保している。このため、一般に、遮蔽性能の高いシールド扉は頑丈な構造となり、高価になるのみでなく、扉の開閉操作に大きな力が必要となるという問題がある。
【０００５】
開閉操作に大きな力を必要とするシールド扉は、特に高齢者や女性にとっては負担が大きく、使い勝手が悪い。また、人の出入りに時間がかかり、不経済でもある。
そこで、電気式のシールド室用回転扉が提案されている（特許文献１）。
【０００６】
図１４に示すように、特許文献１に記載のシールド室用回転扉８０は、出入口に枠体８８を有し、枠体８８の側壁には、シールド室側に開口した開口部８２と、室外側に開口した開口部８３が設けられている。枠体８８の内部には、回転軸を中心に放射状に複数の扉体８４が取付けられ、図示しないモータにより扉体８４が回転軸の回りに回転される。
【０００７】
隣り合う扉体８４との間には、人が入れる空間８６が形成され、扉体８４の回転により、空間８６が順次開口部８２に面する位置に移動し、シールド室への出入りが可能となる。
このとき、いずれかの扉体８４で、室内側と室外側が常に仕切られた状態となる。扉体８４には、枠体８８と摺接する導電体９０が設けられており、扉体８４が室内と室外を仕切る位置にある場合には、扉体８４の周縁が導電体９０を介して枠体８８と接触し、遮蔽性能が確保される。
【０００８】
しかし、シールド室用回転扉８０は、停電時に使用できないこと、可動部分が多く機械的なトラブルが発生しやすいこと、更には高い頻度でメンテナンスを必要とする等の問題がある。
一方、シールド室の出入口に前室を設け、前室のシールド扉の位置を工夫することで、低コストで高い遮蔽性能を確保する技術が提案されている（特許文献２）。
【０００９】
図１５に示すように、特許文献２に記載のシールド室用前室９２は、シールド室９４に隣接し、出入口を囲んで外側に設けられている。これにより、電気式のシールド扉を必要とせず、人の出入りの際にも常時シールド性能が確保される。
【００１０】
即ち、シールド室用前室９２は、電波吸収材を内部に有する壁面９８で外部と仕切られ、内部が電磁シールド空間９６とされている。シールド室用前室９２の側壁１０１は、シールド室９４と共有され、シールド室９４に出入りする側壁１０１の出入口１０３には、電磁シールド内部用扉１０２が設けられている。
【００１１】
また、シールド室用前室９２の、側壁１０１と直交する側壁９９の出入口１０４には、電磁シールド外部用扉１００が設けられている。即ち、出入口１０４と出入口１０３は対面しない位置に配置されている。
【００１２】
しかし、シールド室用前室９２の構成では、出入口１０４と出入口１０３が対面していなくても、２つの出入口の間には電波の遮蔽物がないため、例えば、２つの扉を室９４より低い遮蔽性能の扉とした場合、人の出入りの際に1つの扉が開くともう一方の扉から漏れた電波が電磁シールド空間９６を通過して、外部に漏れる可能性がある。
【００１３】
このため、人の出入りの際でもシールド性能を確保するには２つの扉を高い遮蔽性能の扉とする必要があり、低コストで高い遮蔽性能を確保することはできない。この結果、操作性を良くすることもできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００６−１６９７４４号公報
【特許文献２】特開平６−１７７５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記事実に鑑み、高い遮蔽性能のシールド扉を必要としないシールド室用前室及びシールド室を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項1に記載の発明に係るシールド室用前室は、シールド室に隣接して設けられたシールド室用前室であって、前記シールド室と前記シールド室用前室を仕切る第１側壁に設けられた第１出入口と、前記シールド室用前室と外部を仕切る第２側壁に設けられた第２出入口と、前記シールド室用前室内を仕切り一端に通路となる開口部が設けられた、少なくとも１つの仕切壁と、を有し、前記仕切壁は、前記シールド室から前記第１出入口を通して前記第２出入口を見たとき、前記第２出入口を隠す位置に設けられ、前記第１側壁、前記第２側壁、前記シールド室用前室の天井壁、及び前記仕切壁には、導電性の材料で形成されたシールド層が設けられ、前記第１側壁、前記第２側壁、前記天井壁、及び前記仕切壁の表面には、電波を吸収する電波吸収体が設けられていることを特徴としている。
【００１７】
請求項1に記載の発明によれば、少なくとも１つの仕切壁が、シールド室から第１出入口を通して第２出入口を見たとき、第２出入口を隠す位置に設けられている。これにより、第１出入口から第２出入口に向かう電波が、途中に設けられた仕切壁で遮られ、シールド室用前室を通過して、直接外部へ出ることはない。
【００１８】
また、シールド室用前室を構成する第１側壁、第２側壁、及び天井壁、更には仕切壁に設けられた電波吸収体が、衝突した電波の一部を吸収し残りを反射させる。反射した電波は、他の電波吸収体で一部が吸収され残りが反射される。このように、順次、電波吸収体で吸収、反射を繰り返すことで、シールド室用前室の内部で電波が減衰する。
これにより、高い遮蔽性能のシールド扉を使用しなくても、シールド性能を確保することができる。
【００１９】
請求項２の発明は、請求項１に記載のシールド室用前室において、前記電波吸収体は、電波吸収特性が異なる複数種類の前記電波吸収体を組合せていることを特徴としている。
【００２０】
請求項２に記載の発明によれば、電波吸収特性の異なる複数種類の電波吸収体を組合せて電波吸収体が構成されている。これにより、シールド室用前室において、電波を広い周波数帯域に渡り吸収できる。
【００２１】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載のシールド室用前室において、前記電波吸収体が表面に設けられた平板を、前記第１側壁、前記第２側壁、又は前記天井壁に対し、傾斜させて設置したことを特徴としている。
【００２２】
請求項３に記載の発明によれば、電波吸収体が第１側壁、第２側壁、又は天井壁に対して傾斜して設置されている。この平板で電波が反射されると、電波は室内全体に反射する。
この結果、シールド室用前室における電波の減衰率を大きくできる。
【００２３】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３に記載のシールド室用前室において、前記第１出入口、前記第２出入口、及び前記開口部の少なくとも１つに、前記シールド層及び前記電波吸収体を備えたシールド扉を設けたことを特徴としている。
【００２４】
請求項４に記載の発明によれば、第１出入口、第２出入口、及び開口部の少なくとも１つに、必要に応じ設けたシールド扉が電波を遮蔽する。
このとき、シールド室に要求される遮蔽性能のうち、シールド室用前室が負担する遮蔽性能分を差し引き、残りをシールド扉で負担させることができる。
【００２５】
請求項５に記載の発明に係るシールド室は、シールド層が設けられた側壁及び天井壁でシールド空間を構成し、前記シールド空間を構成する前記側壁及び前記天井壁の表面には電波吸収体が備えられ、出入口の外側には請求項１〜４のいずれか１項に記載のシールド室用前室が設けられていることを特徴としている。
【００２６】
請求項５に記載の発明によれば、シールド室の出入口には、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシールド室用前室が設けられ、シールド室用前室が電波を吸収し、減衰させる。
これにより、高い遮蔽性能のシールド扉を必要としないシールド室が提供できる。この結果、シールド扉の押し付け力が小さくなり、シールド扉の開閉操作が容易となる。また、低コストで、使い勝手のよいシールド室が提供できる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は、上記構成としてあるので、高い遮蔽性能のシールド扉を必要としないシールド室用前室が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るシールド室用前室の仕切壁位置を説明する図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係るシールド室用前室の仕切壁位置を説明する図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るシールド室用前室の仕切壁の数を増した構成を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図９】本発明の第５の実施の形態に係るシールド室用前室の、シールド扉の構成を示す図である。
【図１０】本発明の第５の実施の形態に係るシールド室用前室の他の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第６の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図１２】本発明の第７の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図１３】本発明の第８の実施の形態に係るシールド室の基本構成を示す図である。
【図１４】従来例のシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図１５】従来例のシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
（第１の実施の形態）
図１に示すように、第１の実施の形態に係るシールド室用前室１０は、シールド室１２と第１側壁１４を共有して設けられている。
第１側壁１４には、シールド室１２に出入りするための第１出入口１６が設けられ、第１出入口１６を囲んでシールド室用前室１０の第２側壁２０が設けられている。
【００３０】
シールド室用前室１０は、第２側壁２０及び図示しない天井壁で外部１８と仕切られ、第２側壁２０の第１側壁１４と平行な壁面には、シールド室用前室１０に出入りするための第２出入口２２が設けられている。
第１出入口１６と第２出入口２２には、いずれも扉は設けられていない。
【００３１】
また、シールド室用前室１０の内部には、仕切壁２６が第１側壁１４と平行な方向に設けられ、シールド室用前室１０を２つに分割している。
【００３２】
仕切壁２６は、第１出入口と第２出入口の間であり、シールド室１２から第１出入口１６を通して第２出入口２２を見たとき、仕切壁２６で第２出入口２２を隠す位置に配置されている。
即ち、図２に示すように、第１側壁１４に設けられた第１出入口１６は、開口部の上面１６Ｕ、左側面１６Ｌ、右側面１６Ｒ及び下面１６Ｄで囲まれた範囲とされ、第２側壁２０に設けられた第２出入口２２は、開口部の上面２２Ｕ、左側面２２Ｌ、右側面２２Ｒ及び下面２２Ｄで囲まれた範囲とされている。
【００３３】
このとき、図３（Ａ）（Ｂ）に示すように、シールド室１０の内部には、上面１６Ｕ、上面２２Ｕ、及び上面１６Ｕ及び上面２２Ｕの対向する両端部同士を結ぶ２本の直線で囲まれた平面である上面平面ＰＵと、左側面１６Ｌ、左側面２２Ｌ、及び左側面１６Ｌ及び左側面２２Ｌの対向する両端部同士を結ぶ２本の直線で囲まれた平面である左側面平面ＰＬと、右側面１６Ｒ、右側面２２Ｒ、及び右側面１６Ｒ及び右側面２２Ｒの対向する両端部同士を結ぶ２本の直線で囲まれた平面である右側面平面ＰＲと、下面１６Ｄ、下面２２Ｄ、及び下面１６Ｄ及び下面２２Ｄの対向する両端部同士を結ぶ２本の直線で囲まれた平面である下面平面ＰＤの４つの平面で空間を区画することができる。
【００３４】
この４つの平面で区画された空間を、第１側壁１４と平行な方向に設けられた仕切壁２６が遮断している。
このように、シールド室１２から、矢印Ｓで示す方向に第１出入口１６を通して第２出入口２２を見たとき、仕切壁２６が視界を遮り（斜線部分）、第２出入口２２を見ることができない構成とされている。
仕切壁２６の端部には通路となる開口部２４が設けられている。なお、開口部２４には扉は設けられていない。
【００３５】
シールド室用前室１０を構成する第１側壁１４、第２側壁２０、天井壁、及び仕切壁２６の内部には、例えば鉄板やアルミ箔等の導電性の材料で形成されたシールド層が設けられている（図示せず）。これにより、シールド室用前室１０はシールド空間とされている。
【００３６】
更に、第１側壁１４、第２側壁２０、天井壁、及び仕切壁２６のシールド室用前室１０の室内側の表面には、破線で示す電波吸収体２８が設けられている。電波吸収体２８は入射された電波の一部を吸収し、残りを反射する部材であり、それぞれの壁面の全面、又は一部を覆っている。
【００３７】
このような構成とすることにより、シールド室用前室１０の内部で、電波を遮断し減衰させることができる。
例えば、シールド室１２の内部で発生し、第１出入口１６から第２出入口２２に向かう電波Ｋは、一旦、仕切壁２６で遮られるため、シールド室用前室１０を通過して直接外部１８へ出ることはできない。
【００３８】
また、電波Ｋは、電波吸収体２８で吸収され減衰する。即ち、仕切壁２６に衝突した電波Ｋは、一部が電波吸収体２８に吸収され残りが反射される。反射された電波Ｋは第１側壁１４に衝突する。そして、第１側壁１４で一部が吸収され、残りが反射される。このように、順次、シールド室用前室１０の内部の電波吸収体２８で吸収、反射を繰り返すことで、電波Ｋは減衰してゆく。
【００３９】
このように、第１出入口１６、第２出入口２２、及び開口部２４にシールド扉を使用しなくても、シールド室用前室１０で、電波を遮断し減衰させることができる。
これにより、例えば、ホール、スタジオ、会議室等のように要求される電波の遮蔽性能が比較的低く（２０ｄＢ程度）、人の出入りが多い場所では、人の出入りに支障をきたさずシールド性能を発揮することができる。
【００４０】
電波吸収体２８としては、フェライト吸収体、ウレタン吸収体、若しくは超広帯域電波吸収フィルムなどがある。
【００４１】
なお、図示は省略するが、床面にもシールド層が用いられ電波を遮断している。さらに、床面に電波吸収体を取付けることもできる。
例えば、下層から、コンクリート床、シールド層、緩衝材、電波吸収体、ＯＡフロアーの構成とすれば、床面に電波吸収体を取付けることができる。
また、ＯＡフロアーを使用しない場合でも、下層から、コンクリート床、シールド層、緩衝材、電波吸収体、緩衝材、床仕上げフロアーの構成とすれば、床面に電波吸収体を取付けることができる。
これにより、シールド性能を向上させることができる。
【００４２】
なお、仕切壁２６が１つの場合について説明したが、これに拘束されることはなく、図４に示すように、設置スペースが確保される場合には、シールド室用前室３４を大きくし複数の仕切壁２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃを配置してもよい。
このとき、仕切壁２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの各開口部２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃは同一直線状に設けるのではなく、交互に位置をずらし、第１出入口１６側から第２出入口２２側を見たとき、順次、前の仕切壁の開口部を次の仕切壁の壁部で塞ぐ配置とする。
これにより、シールド室用前室３４の内部での電波の減衰量をより大きくできる。
【００４３】
（第２の実施の形態）
図５に示すように、第２の実施の形態に係るシールド室用前室３０は、仕切壁２６の両側の表面に電波吸収体３２が設けられ、シールド室用前室３０の他の壁面には、第１の実施の形態で説明した電波吸収体２８が設けられている。
電波吸収体３２は、電波吸収体２８より膜の厚さが厚く形成されており、電波吸収体２８より低い周波数帯の電波を吸収する特性を有している。
【００４４】
シールド室用前室３０で減衰させたい電波Ｋには、一般に広い周波数帯域の電波が含まれている。一方、電波吸収体２８は、効率よく吸収できる周波数帯がその構造から決定され、１つの種類の電波吸収体２８で効率よく吸収できる周波数帯には限界がある。そこで、電波吸収特性が異なる複数種類の電波吸収体を組合せることで、広い周波数帯域の電波を吸収し減衰できるようになる。
【００４５】
即ち、シールド室用前室３０に、電波吸収体２８と電波吸収体３２を設けることで、電波Ｋを広い周波数帯域に渡り、吸収し減衰できる。
【００４６】
なお、電波吸収体３２の位置は、仕切壁２６の位置に限定されることはなく、他の壁面であってもよい。また、電波吸収特性が異なる複数種類の電波吸収体を組合せは、２種類に限定されることはなく、３種類以上の電波吸収体を組み合わせてもよい。
他の構成は、第１の実施の形態と同じであり説明は省略する。
【００４７】
（第３の実施の形態）
図６に示すように、第３の実施の形態に係るシールド室用前室４０は、第２側壁２０の１つの壁面の前に平板４２が設置されている。
【００４８】
平板４２は、内部にシールド層を有する壁材であり、表面には電波吸収体２８が設けられている。平板４２は、第２側壁２０に対し傾斜させて設置されている。
【００４９】
この平板４２で電波Ｋが反射されると、平板４２が第２側壁２０に対し傾斜しているため、電波Ｋは、第２側壁２０で反射する場合とは異なる方向に変えられ、室内全体に広げられる。この結果、シールド室用前室４０における電波吸収体２８を有効に活用でき、電波の減衰率を大きくできる。
【００５０】
なお、平板４２の位置は、第２側壁２０の壁部に限定されることはなく、他の第１側壁１４又は天井壁の壁面等であってもよい。
【００５１】
また、平板４２の表面は、電波吸収体２８に限定されることはなく、電波吸収体３２等の他の電波吸収体を用いてもよい。
他の構成は、第１の実施の形態と同じであり説明は省略する。
【００５２】
（第４の実施の形態）
図７に示すように、第４の実施の形態に係るシールド室用前室４４は、第２側壁２０の壁面のうちの第１側壁１４と直交する壁面に、第２出入口２２が設けられている。
第１出入口１６と第２出入口２２の間には、第１側壁１４と直交する方向に仕切壁２６が設けられている。
【００５３】
開口部２４は、第１出入口１６と第２出入口２４の間に配置され、シールド室１２から第１出入口１６を通して第２出入口２２を見たとき、仕切壁２６で第２出入口２２が隠されている。仕切壁２６の端部には、通路となる開口部２４が設けられている。なお、開口部２４にはシールド扉が設けられていない。
【００５４】
これにより、第１出入口１６から第２出入口２４に向かう電波Ｋは、仕切壁２６で反射される。また、反射された電波Ｋは、電波吸収体２８で一部が吸収され残りを反射する。この結果、シールド室用前室において電波Ｋが順次減衰される。
他は、第１の実施の形態と同じであり説明は省略する。
【００５５】
（第５の実施の形態）
図８に示すように、第５の実施の形態に係るシールド室用前室４６は、第１出入口１６に第１シールド扉４８が、第２出入口２２に第２シールド扉５０が設けられている。
【００５６】
第１シールド扉４８と第２シールド扉５０は、いずれもシールド層を有し、性能に応じ必要な場合には、扉の表面に電波吸収体２８を設けることができる。
これにより、第１出入口１６及び第２出入口２４の位置で電波を遮蔽することができ、シールド室用前室４６遮蔽性能を高くできる。
【００５７】
例えば、シールド室が要求される遮蔽性能が４０ｄＢ〜６０ｄＢ程度の場合、上述したように、シールド室用前室４６の遮蔽性能が２０ｄＢ程度であるから、不足する分を補うべく、第１シールド扉４８及び第２シールド扉５０を遮蔽性能が２０ｄＢ〜４０ｄＢ程度のシールド扉とすればよい。これにより、出入り時に、いずれか一方の扉の開放を考慮しても、常に要求性能を満足できる。
【００５８】
このように、シールド室用前室４６を利用し、シールド扉に要求される遮蔽性能を低くすることで、使い勝手やメンテナンスがより簡単な扉を採用することができる。
【００５９】
次に、シールド扉について説明する。
図７に示すように、シールド扉は、要求される遮蔽性能が低いほど、構造が簡便で操作し易いものとなる。
【００６０】
即ち、図９（Ａ）に示す高性能のシールド扉３６は、シールド扉３６を扉枠３８に押し当てた後ハンドル３７で加圧してシールドするタイプである。ハンドル３７を回転させ３箇所の爪部３９Ａ、３９Ｂ、３９Ｃを連動してスライドさせ、爪部３９Ａ、３９Ｂ、３９Ｃを扉枠３８に設けた止め金具に差し込むことで、シールド扉３６を扉枠３８に圧力をかけて締め付けることができる扉本体と扉枠との電気接触を良好にするものである。
【００６１】
これにより、ハンドル３７の操作に多少力を必要とするが、８０ｄＢ〜１００ｄＢ程度の遮蔽性能が期待できる。
【００６２】
図９（Ｂ）は、シールド扉５６を扉枠５９に押さえつけ、上下連動レバー５８の加圧力で上下部をシールドするタイプである。ハンドル５７を回転させれば、上下連動レバー５８が連動して上下に移動して扉枠５９に差し込まれ、シールド扉５６を扉枠５９に圧力をかけて締め付けることができる。
これにより、最大遮蔽性能はシールド扉３６より低下し、６０ｄＢ〜８０ｄＢ程度となるが、操作に要する力は軽減される。
【００６３】
図９（Ｃ）は、シールド扉７２の一般的なドアノブによる開閉のみでシールド扉７２を扉枠７５に押さえつける力を付与しているタイプである。締付力が低いため遮蔽性能は２０〜４０ｄＢとなるが開閉操作が簡単である。
【００６４】
これにより、最大遮蔽性能はシールド扉５６より低下するが、引き手７３の操作に要する力は、更に軽減される。
【００６５】
これらのシールド扉３６、５６、７２は、一般的にシールド室用前室４６がない場合に要求される、大きな遮蔽性能を備えた本格的なシールド扉（図示せず）に比べ、安価であり、操作が容易とされている。
【００６６】
この簡易なシールド扉３６、５６、７２を、要求される遮蔽性能に対応させて選定すれば、多様な要求に対応できる。
【００６７】
例えば、図１０（Ａ）に示すように、第１出入口１６にのみ第１シールド扉４８を取り付ける構成としてもよい。第２出入口２２の遮蔽効果は期待できないが、第１シールド扉４８とシールド室用前室４６における遮蔽性能が期待でき、第１シールド扉４８の開閉時の遮蔽性能の低下が問題とならない場合に適用できる。
【００６８】
また、図１０（Ｂ）に示すように、第１出入口１６及び第２出入口２２に加え、仕切壁２６の開口部２４にも第３シールド扉５２を取り付けることができる。これにより、より高い遮蔽性能の要求に対応できる。
他の構成は、第１の実施の形態と同じであり、説明は省略する。
【００６９】
（第６の実施の形態）
図１１に示すように、第６の実施の形態に係るシールド室用前室５４は、仕切壁５３が、透明のシールドガラス５５で形成されている。
【００７０】
シールドガラス５５は、内部に接地されたシールド層を有し、シールドガラス５５の表面には、透明な電波吸収体２９が設けられている。
【００７１】
仕切壁５３が透明とされているので、シールド室用前室５４を開放感のある空間とすることができる。また、第２出入口の第２シールド扉５０にシールド層を有する覗き窓７８を設ければ、シールド性能を保持したままで、シールドガラス５６を透過して第１出入口の開閉状態を目視で直接確認できる。
他は、第１の実施の形態と同じであり、説明は省略する。
【００７２】
（第７の実施の形態）
図１２に示すように、第７の実施の形態に係るシールド室用前室６６は、内部に階段６７が設けられている。
【００７３】
階段６７を下りた所に第１出入口１６が開口し、第１出入口１６の奥がシールド室１２とされている。また、階段６７を上がった所に第２出入口２２が設けられている。第１出入口１６と第２出入口２２には、シールド扉は設けられていない。このとき、シールド室１２から第１出入口１６を通して第２出入口２２を見たとき、階段６７で第２出入口２２が隠されている。即ち、階段６７が、第１の実施の形態〜第６の実施の形態で説明した仕切壁２６と同様の作用をする。
【００７４】
また、シールド室用前室６６を構成する第１側壁１４、第２側壁２０、天井壁６８には、導電性の材料で形成されたシールド層が設けられ、シールド構造とされている。
これにより、第１出入口１６から第２出入口２２に向かう電波Ｋは、階段６７で遮られ、反射する。反射された電波Ｋは、第１側壁１４、第２側壁２０、天井壁６８で一部が吸収され、残りが反射するため、第２出入口２２から直接外部へ出ることはない。
この結果、シールド室用前室６６の内部で、電波を遮断し減衰させることができる。
なお、天井壁６８に、内部にシールド層を有し、表面に電波吸収体２８を設けた垂壁７７を設けることもできる。これにより、電波をより減衰させることができる。
また、シールド室１２を、階段６７を下りた位置でなく、階段６７を上がった位置に配置してもよい。他は、第１の実施の形態と同じであり、説明は省略する。
【００７５】
（第８の実施の形態）
図１３に示すように、第８の実施の形態に係るシールド室１２は、シールド層が設けられた側壁６２及び天井壁（図示せず）でシールド空間６４が構成されている。
【００７６】
シールド空間６４を構成する側壁６２、第１側壁１４、及び天井壁の表面には、第１の実施の形態で説明した電波吸収体２８が設けられている。
【００７７】
第１側壁１４に設けられた第１出入口１６の外側には、第１の実施の形態で説明したシールド室用前室１０が設けられ、シールド室用前室１０が電波を吸収し減衰させる。
他の構成は、第１の実施の形態と同じであり、説明は省略する。
これにより、高い遮蔽性能のシールド扉を必要としないシールド室１２が提供できる。
【００７８】
なお、シールド室用前室１０は、第１の実施の形態で説明したシールド室用前室１０に限定されることはなく、第２の実施の形態〜第６の実施の形態で説明したシールド室用前室３０、４０、４４、４６、５４のいずれでもよい。
【符号の説明】
【００７９】
１０ シールド室用前室
１２ シールド室
１４ 第１側壁
１６ 第１出入口
１８ 外部
２０ 第２側壁
２２ 第２出入口
２４ 開口部
２６ 仕切壁
２８ 電波吸収体
２９ 電波吸収体
３２ 電波吸収体
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールド室用前室及びシールド室に関する。
【背景技術】
【０００２】
室内で発生する電波を室外へ出したくない場合、若しくは室外からの電波を室内へ入れたくない場合には、床、壁、天井等を電磁シールドし、室内と室外を電磁的に遮蔽したシールド室が利用されている。また常時シールド性能を維持する必要がある施設では、人の出入りの際にも性能を保持するために前室が設けられている。
【０００３】
このとき、シールド室の出入口に設けられるシールド扉は、シールド室としての遮蔽性能を維持するために、シールド室と同等以上の遮蔽性能が要求される。
【０００４】
高いシールド扉の遮蔽性能は、扉を扉枠に強く押し付けて、シールド扉と扉枠の電気的な接触を担保している。このため、一般に、遮蔽性能の高いシールド扉は頑丈な構造となり、高価になるのみでなく、扉の開閉操作に大きな力が必要となるという問題がある。
【０００５】
開閉操作に大きな力を必要とするシールド扉は、特に高齢者や女性にとっては負担が大きく、使い勝手が悪い。また、人の出入りに時間がかかり、不経済でもある。
そこで、電気式のシールド室用回転扉が提案されている（特許文献１）。
【０００６】
図１４に示すように、特許文献１に記載のシールド室用回転扉８０は、出入口に枠体８８を有し、枠体８８の側壁には、シールド室側に開口した開口部８２と、室外側に開口した開口部８３が設けられている。枠体８８の内部には、回転軸を中心に放射状に複数の扉体８４が取付けられ、図示しないモータにより扉体８４が回転軸の回りに回転される。
【０００７】
隣り合う扉体８４との間には、人が入れる空間８６が形成され、扉体８４の回転により、空間８６が順次開口部８２に面する位置に移動し、シールド室への出入りが可能となる。
このとき、いずれかの扉体８４で、室内側と室外側が常に仕切られた状態となる。扉体８４には、枠体８８と摺接する導電体９０が設けられており、扉体８４が室内と室外を仕切る位置にある場合には、扉体８４の周縁が導電体９０を介して枠体８８と接触し、遮蔽性能が確保される。
【０００８】
しかし、シールド室用回転扉８０は、停電時に使用できないこと、可動部分が多く機械的なトラブルが発生しやすいこと、更には高い頻度でメンテナンスを必要とする等の問題がある。
一方、シールド室の出入口に前室を設け、前室のシールド扉の位置を工夫することで、低コストで高い遮蔽性能を確保する技術が提案されている（特許文献２）。
【０００９】
図１５に示すように、特許文献２に記載のシールド室用前室９２は、シールド室９４に隣接し、出入口を囲んで外側に設けられている。これにより、電気式のシールド扉を必要とせず、人の出入りの際にも常時シールド性能が確保される。
【００１０】
即ち、シールド室用前室９２は、電波吸収材を内部に有する壁面９８で外部と仕切られ、内部が電磁シールド空間９６とされている。シールド室用前室９２の側壁１０１は、シールド室９４と共有され、シールド室９４に出入りする側壁１０１の出入口１０３には、電磁シールド内部用扉１０２が設けられている。
【００１１】
また、シールド室用前室９２の、側壁１０１と直交する側壁９９の出入口１０４には、電磁シールド外部用扉１００が設けられている。即ち、出入口１０４と出入口１０３は対面しない位置に配置されている。
【００１２】
しかし、シールド室用前室９２の構成では、出入口１０４と出入口１０３が対面していなくても、２つの出入口の間には電波の遮蔽物がないため、例えば、２つの扉を室９４より低い遮蔽性能の扉とした場合、人の出入りの際に1つの扉が開くともう一方の扉から漏れた電波が電磁シールド空間９６を通過して、外部に漏れる可能性がある。
【００１３】
このため、人の出入りの際でもシールド性能を確保するには２つの扉を高い遮蔽性能の扉とする必要があり、低コストで高い遮蔽性能を確保することはできない。この結果、操作性を良くすることもできない。
【先行技術文献】
【特許文献】
【００１４】
【特許文献１】特開２００６−１６９７４４号公報
【特許文献２】特開平６−１７７５７６号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１５】
本発明は、上記事実に鑑み、高い遮蔽性能のシールド扉を必要としないシールド室用前室及びシールド室を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１６】
請求項1に記載の発明に係るシールド室用前室は、シールド室に隣接して設けられたシールド室用前室であって、前記シールド室と前記シールド室用前室を仕切る第１側壁に設けられた第１出入口と、前記シールド室用前室と外部を仕切る第２側壁に設けられた第２出入口と、前記シールド室用前室内を仕切り一端に通路となる開口部が設けられた、少なくとも１つの仕切壁と、を有し、前記仕切壁は、前記シールド室から前記第１出入口を通して前記第２出入口を見たとき、前記第２出入口を隠す位置に設けられ、前記第１側壁、前記第２側壁、前記シールド室用前室の天井壁、及び前記仕切壁には、導電性の材料で形成されたシールド層が設けられ、前記第１側壁、前記第２側壁、前記天井壁、及び前記仕切壁の表面には、電波を吸収する電波吸収体が設けられていることを特徴としている。
【００１７】
請求項1に記載の発明によれば、少なくとも１つの仕切壁が、シールド室から第１出入口を通して第２出入口を見たとき、第２出入口を隠す位置に設けられている。これにより、第１出入口から第２出入口に向かう電波が、途中に設けられた仕切壁で遮られ、シールド室用前室を通過して、直接外部へ出ることはない。
【００１８】
また、シールド室用前室を構成する第１側壁、第２側壁、及び天井壁、更には仕切壁に設けられた電波吸収体が、衝突した電波の一部を吸収し残りを反射させる。反射した電波は、他の電波吸収体で一部が吸収され残りが反射される。このように、順次、電波吸収体で吸収、反射を繰り返すことで、シールド室用前室の内部で電波が減衰する。
これにより、高い遮蔽性能のシールド扉を使用しなくても、シールド性能を確保することができる。
【００１９】
請求項２の発明は、請求項１に記載のシールド室用前室において、前記電波吸収体は、電波吸収特性が異なる複数種類の前記電波吸収体を組合せていることを特徴としている。
【００２０】
請求項２に記載の発明によれば、電波吸収特性の異なる複数種類の電波吸収体を組合せて電波吸収体が構成されている。これにより、シールド室用前室において、電波を広い周波数帯域に渡り吸収できる。
【００２１】
請求項３に記載の発明は、請求項１に記載のシールド室用前室において、前記電波吸収体が表面に設けられた平板を、前記第１側壁、前記第２側壁、又は前記天井壁に対し、傾斜させて設置したことを特徴としている。
【００２２】
請求項３に記載の発明によれば、電波吸収体が第１側壁、第２側壁、又は天井壁に対して傾斜して設置されている。この平板で電波が反射されると、電波は室内全体に反射する。
この結果、シールド室用前室における電波の減衰率を大きくできる。
【００２３】
請求項４に記載の発明は、請求項１〜３に記載のシールド室用前室において、前記第１出入口、前記第２出入口、及び前記開口部の少なくとも１つに、前記シールド層及び前記電波吸収体を備えたシールド扉を設けたことを特徴としている。
【００２４】
請求項４に記載の発明によれば、第１出入口、第２出入口、及び開口部の少なくとも１つに、必要に応じ設けたシールド扉が電波を遮蔽する。
このとき、シールド室に要求される遮蔽性能のうち、シールド室用前室が負担する遮蔽性能分を差し引き、残りをシールド扉で負担させることができる。
【００２５】
請求項５に記載の発明に係るシールド室は、シールド層が設けられた側壁及び天井壁でシールド空間を構成し、前記シールド空間を構成する前記側壁及び前記天井壁の表面には電波吸収体が備えられ、出入口の外側には請求項１〜４のいずれか１項に記載のシールド室用前室が設けられていることを特徴としている。
【００２６】
請求項５に記載の発明によれば、シールド室の出入口には、請求項１〜４のいずれか１項に記載のシールド室用前室が設けられ、シールド室用前室が電波を吸収し、減衰させる。
これにより、高い遮蔽性能のシールド扉を必要としないシールド室が提供できる。この結果、シールド扉の押し付け力が小さくなり、シールド扉の開閉操作が容易となる。また、低コストで、使い勝手のよいシールド室が提供できる。
【発明の効果】
【００２７】
本発明は、上記構成としてあるので、高い遮蔽性能のシールド扉を必要としないシールド室用前室が提供できる。
【図面の簡単な説明】
【００２８】
【図１】本発明の第１の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図２】本発明の第１の実施の形態に係るシールド室用前室の仕切壁位置を説明する図である。
【図３】本発明の第２の実施の形態に係るシールド室用前室の仕切壁位置を説明する図である。
【図４】本発明の第１の実施の形態に係るシールド室用前室の仕切壁の数を増した構成を示す図である。
【図５】本発明の第２の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図６】本発明の第３の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図７】本発明の第４の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図８】本発明の第５の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図９】本発明の第５の実施の形態に係るシールド室用前室の、シールド扉の構成を示す図である。
【図１０】本発明の第５の実施の形態に係るシールド室用前室の他の構成を示す図である。
【図１１】本発明の第６の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図１２】本発明の第７の実施の形態に係るシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図１３】本発明の第８の実施の形態に係るシールド室の基本構成を示す図である。
【図１４】従来例のシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【図１５】従来例のシールド室用前室の基本構成を示す図である。
【発明を実施するための形態】
【００２９】
（第１の実施の形態）
図１に示すように、第１の実施の形態に係るシールド室用前室１０は、シールド室１２と第１側壁１４を共有して設けられている。
第１側壁１４には、シールド室１２に出入りするための第１出入口１６が設けられ、第１出入口１６を囲んでシールド室用前室１０の第２側壁２０が設けられている。
【００３０】
シールド室用前室１０は、第２側壁２０及び図示しない天井壁で外部１８と仕切られ、第２側壁２０の第１側壁１４と平行な壁面には、シールド室用前室１０に出入りするための第２出入口２２が設けられている。
第１出入口１６と第２出入口２２には、いずれも扉は設けられていない。
【００３１】
また、シールド室用前室１０の内部には、仕切壁２６が第１側壁１４と平行な方向に設けられ、シールド室用前室１０を２つに分割している。
【００３２】
仕切壁２６は、第１出入口と第２出入口の間であり、シールド室１２から第１出入口１６を通して第２出入口２２を見たとき、仕切壁２６で第２出入口２２を隠す位置に配置されている。
即ち、図２に示すように、第１側壁１４に設けられた第１出入口１６は、開口部の上面１６Ｕ、左側面１６Ｌ、右側面１６Ｒ及び下面１６Ｄで囲まれた範囲とされ、第２側壁２０に設けられた第２出入口２２は、開口部の上面２２Ｕ、左側面２２Ｌ、右側面２２Ｒ及び下面２２Ｄで囲まれた範囲とされている。
【００３３】
このとき、図３（Ａ）（Ｂ）に示すように、シールド室１０の内部には、上面１６Ｕ、上面２２Ｕ、及び上面１６Ｕ及び上面２２Ｕの対向する両端部同士を結ぶ２本の直線で囲まれた平面である上面平面ＰＵと、左側面１６Ｌ、左側面２２Ｌ、及び左側面１６Ｌ及び左側面２２Ｌの対向する両端部同士を結ぶ２本の直線で囲まれた平面である左側面平面ＰＬと、右側面１６Ｒ、右側面２２Ｒ、及び右側面１６Ｒ及び右側面２２Ｒの対向する両端部同士を結ぶ２本の直線で囲まれた平面である右側面平面ＰＲと、下面１６Ｄ、下面２２Ｄ、及び下面１６Ｄ及び下面２２Ｄの対向する両端部同士を結ぶ２本の直線で囲まれた平面である下面平面ＰＤの４つの平面で空間を区画することができる。
【００３４】
この４つの平面で区画された空間を、第１側壁１４と平行な方向に設けられた仕切壁２６が遮断している。
このように、シールド室１２から、矢印Ｓで示す方向に第１出入口１６を通して第２出入口２２を見たとき、仕切壁２６が視界を遮り（斜線部分）、第２出入口２２を見ることができない構成とされている。
仕切壁２６の端部には通路となる開口部２４が設けられている。なお、開口部２４には扉は設けられていない。
【００３５】
シールド室用前室１０を構成する第１側壁１４、第２側壁２０、天井壁、及び仕切壁２６の内部には、例えば鉄板やアルミ箔等の導電性の材料で形成されたシールド層が設けられている（図示せず）。これにより、シールド室用前室１０はシールド空間とされている。
【００３６】
更に、第１側壁１４、第２側壁２０、天井壁、及び仕切壁２６のシールド室用前室１０の室内側の表面には、破線で示す電波吸収体２８が設けられている。電波吸収体２８は入射された電波の一部を吸収し、残りを反射する部材であり、それぞれの壁面の全面、又は一部を覆っている。
【００３７】
このような構成とすることにより、シールド室用前室１０の内部で、電波を遮断し減衰させることができる。
例えば、シールド室１２の内部で発生し、第１出入口１６から第２出入口２２に向かう電波Ｋは、一旦、仕切壁２６で遮られるため、シールド室用前室１０を通過して直接外部１８へ出ることはできない。
【００３８】
また、電波Ｋは、電波吸収体２８で吸収され減衰する。即ち、仕切壁２６に衝突した電波Ｋは、一部が電波吸収体２８に吸収され残りが反射される。反射された電波Ｋは第１側壁１４に衝突する。そして、第１側壁１４で一部が吸収され、残りが反射される。このように、順次、シールド室用前室１０の内部の電波吸収体２８で吸収、反射を繰り返すことで、電波Ｋは減衰してゆく。
【００３９】
このように、第１出入口１６、第２出入口２２、及び開口部２４にシールド扉を使用しなくても、シールド室用前室１０で、電波を遮断し減衰させることができる。
これにより、例えば、ホール、スタジオ、会議室等のように要求される電波の遮蔽性能が比較的低く（２０ｄＢ程度）、人の出入りが多い場所では、人の出入りに支障をきたさずシールド性能を発揮することができる。
【００４０】
電波吸収体２８としては、フェライト吸収体、ウレタン吸収体、若しくは超広帯域電波吸収フィルムなどがある。
【００４１】
なお、図示は省略するが、床面にもシールド層が用いられ電波を遮断している。さらに、床面に電波吸収体を取付けることもできる。
例えば、下層から、コンクリート床、シールド層、緩衝材、電波吸収体、ＯＡフロアーの構成とすれば、床面に電波吸収体を取付けることができる。
また、ＯＡフロアーを使用しない場合でも、下層から、コンクリート床、シールド層、緩衝材、電波吸収体、緩衝材、床仕上げフロアーの構成とすれば、床面に電波吸収体を取付けることができる。
これにより、シールド性能を向上させることができる。
【００４２】
なお、仕切壁２６が１つの場合について説明したが、これに拘束されることはなく、図４に示すように、設置スペースが確保される場合には、シールド室用前室３４を大きくし複数の仕切壁２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃを配置してもよい。
このとき、仕切壁２６Ａ、２６Ｂ、２６Ｃの各開口部２４Ａ、２４Ｂ、２４Ｃは同一直線状に設けるのではなく、交互に位置をずらし、第１出入口１６側から第２出入口２２側を見たとき、順次、前の仕切壁の開口部を次の仕切壁の壁部で塞ぐ配置とする。
これにより、シールド室用前室３４の内部での電波の減衰量をより大きくできる。
【００４３】
（第２の実施の形態）
図５に示すように、第２の実施の形態に係るシールド室用前室３０は、仕切壁２６の両側の表面に電波吸収体３２が設けられ、シールド室用前室３０の他の壁面には、第１の実施の形態で説明した電波吸収体２８が設けられている。
電波吸収体３２は、電波吸収体２８より膜の厚さが厚く形成されており、電波吸収体２８より低い周波数帯の電波を吸収する特性を有している。
【００４４】
シールド室用前室３０で減衰させたい電波Ｋには、一般に広い周波数帯域の電波が含まれている。一方、電波吸収体２８は、効率よく吸収できる周波数帯がその構造から決定され、１つの種類の電波吸収体２８で効率よく吸収できる周波数帯には限界がある。そこで、電波吸収特性が異なる複数種類の電波吸収体を組合せることで、広い周波数帯域の電波を吸収し減衰できるようになる。
【００４５】
即ち、シールド室用前室３０に、電波吸収体２８と電波吸収体３２を設けることで、電波Ｋを広い周波数帯域に渡り、吸収し減衰できる。
【００４６】
なお、電波吸収体３２の位置は、仕切壁２６の位置に限定されることはなく、他の壁面であってもよい。また、電波吸収特性が異なる複数種類の電波吸収体を組合せは、２種類に限定されることはなく、３種類以上の電波吸収体を組み合わせてもよい。
他の構成は、第１の実施の形態と同じであり説明は省略する。
【００４７】
（第３の実施の形態）
図６に示すように、第３の実施の形態に係るシールド室用前室４０は、第２側壁２０の１つの壁面の前に平板４２が設置されている。
【００４８】
平板４２は、内部にシールド層を有する壁材であり、表面には電波吸収体２８が設けられている。平板４２は、第２側壁２０に対し傾斜させて設置されている。
【００４９】
この平板４２で電波Ｋが反射されると、平板４２が第２側壁２０に対し傾斜しているため、電波Ｋは、第２側壁２０で反射する場合とは異なる方向に変えられ、室内全体に広げられる。この結果、シールド室用前室４０における電波吸収体２８を有効に活用でき、電波の減衰率を大きくできる。
【００５０】
なお、平板４２の位置は、第２側壁２０の壁部に限定されることはなく、他の第１側壁１４又は天井壁の壁面等であってもよい。
【００５１】
また、平板４２の表面は、電波吸収体２８に限定されることはなく、電波吸収体３２等の他の電波吸収体を用いてもよい。
他の構成は、第１の実施の形態と同じであり説明は省略する。
【００５２】
（第４の実施の形態）
図７に示すように、第４の実施の形態に係るシールド室用前室４４は、第２側壁２０の壁面のうちの第１側壁１４と直交する壁面に、第２出入口２２が設けられている。
第１出入口１６と第２出入口２２の間には、第１側壁１４と直交する方向に仕切壁２６が設けられている。
【００５３】
開口部２４は、第１出入口１６と第２出入口２４の間に配置され、シールド室１２から第１出入口１６を通して第２出入口２２を見たとき、仕切壁２６で第２出入口２２が隠されている。仕切壁２６の端部には、通路となる開口部２４が設けられている。なお、開口部２４にはシールド扉が設けられていない。
【００５４】
これにより、第１出入口１６から第２出入口２４に向かう電波Ｋは、仕切壁２６で反射される。また、反射された電波Ｋは、電波吸収体２８で一部が吸収され残りを反射する。この結果、シールド室用前室において電波Ｋが順次減衰される。
他は、第１の実施の形態と同じであり説明は省略する。
【００５５】
（第５の実施の形態）
図８に示すように、第５の実施の形態に係るシールド室用前室４６は、第１出入口１６に第１シールド扉４８が、第２出入口２２に第２シールド扉５０が設けられている。
【００５６】
第１シールド扉４８と第２シールド扉５０は、いずれもシールド層を有し、性能に応じ必要な場合には、扉の表面に電波吸収体２８を設けることができる。
これにより、第１出入口１６及び第２出入口２４の位置で電波を遮蔽することができ、シールド室用前室４６遮蔽性能を高くできる。
【００５７】
例えば、シールド室が要求される遮蔽性能が４０ｄＢ〜６０ｄＢ程度の場合、上述したように、シールド室用前室４６の遮蔽性能が２０ｄＢ程度であるから、不足する分を補うべく、第１シールド扉４８及び第２シールド扉５０を遮蔽性能が２０ｄＢ〜４０ｄＢ程度のシールド扉とすればよい。これにより、出入り時に、いずれか一方の扉の開放を考慮しても、常に要求性能を満足できる。
【００５８】
このように、シールド室用前室４６を利用し、シールド扉に要求される遮蔽性能を低くすることで、使い勝手やメンテナンスがより簡単な扉を採用することができる。
【００５９】
次に、シールド扉について説明する。
図７に示すように、シールド扉は、要求される遮蔽性能が低いほど、構造が簡便で操作し易いものとなる。
【００６０】
即ち、図９（Ａ）に示す高性能のシールド扉３６は、シールド扉３６を扉枠３８に押し当てた後ハンドル３７で加圧してシールドするタイプである。ハンドル３７を回転させ３箇所の爪部３９Ａ、３９Ｂ、３９Ｃを連動してスライドさせ、爪部３９Ａ、３９Ｂ、３９Ｃを扉枠３８に設けた止め金具に差し込むことで、シールド扉３６を扉枠３８に圧力をかけて締め付けることができる扉本体と扉枠との電気接触を良好にするものである。
【００６１】
これにより、ハンドル３７の操作に多少力を必要とするが、８０ｄＢ〜１００ｄＢ程度の遮蔽性能が期待できる。
【００６２】
図９（Ｂ）は、シールド扉５６を扉枠５９に押さえつけ、上下連動レバー５８の加圧力で上下部をシールドするタイプである。ハンドル５７を回転させれば、上下連動レバー５８が連動して上下に移動して扉枠５９に差し込まれ、シールド扉５６を扉枠５９に圧力をかけて締め付けることができる。
これにより、最大遮蔽性能はシールド扉３６より低下し、６０ｄＢ〜８０ｄＢ程度となるが、操作に要する力は軽減される。
【００６３】
図９（Ｃ）は、シールド扉７２の一般的なドアノブによる開閉のみでシールド扉７２を扉枠７５に押さえつける力を付与しているタイプである。締付力が低いため遮蔽性能は２０〜４０ｄＢとなるが開閉操作が簡単である。
【００６４】
これにより、最大遮蔽性能はシールド扉５６より低下するが、引き手７３の操作に要する力は、更に軽減される。
【００６５】
これらのシールド扉３６、５６、７２は、一般的にシールド室用前室４６がない場合に要求される、大きな遮蔽性能を備えた本格的なシールド扉（図示せず）に比べ、安価であり、操作が容易とされている。
【００６６】
この簡易なシールド扉３６、５６、７２を、要求される遮蔽性能に対応させて選定すれば、多様な要求に対応できる。
【００６７】
例えば、図１０（Ａ）に示すように、第１出入口１６にのみ第１シールド扉４８を取り付ける構成としてもよい。第２出入口２２の遮蔽効果は期待できないが、第１シールド扉４８とシールド室用前室４６における遮蔽性能が期待でき、第１シールド扉４８の開閉時の遮蔽性能の低下が問題とならない場合に適用できる。
【００６８】
また、図１０（Ｂ）に示すように、第１出入口１６及び第２出入口２２に加え、仕切壁２６の開口部２４にも第３シールド扉５２を取り付けることができる。これにより、より高い遮蔽性能の要求に対応できる。
他の構成は、第１の実施の形態と同じであり、説明は省略する。
【００６９】
（第６の実施の形態）
図１１に示すように、第６の実施の形態に係るシールド室用前室５４は、仕切壁５３が、透明のシールドガラス５５で形成されている。
【００７０】
シールドガラス５５は、内部に接地されたシールド層を有し、シールドガラス５５の表面には、透明な電波吸収体２９が設けられている。
【００７１】
仕切壁５３が透明とされているので、シールド室用前室５４を開放感のある空間とすることができる。また、第２出入口の第２シールド扉５０にシールド層を有する覗き窓７８を設ければ、シールド性能を保持したままで、シールドガラス５６を透過して第１出入口の開閉状態を目視で直接確認できる。
他は、第１の実施の形態と同じであり、説明は省略する。
【００７２】
（第７の実施の形態）
図１２に示すように、第７の実施の形態に係るシールド室用前室６６は、内部に階段６７が設けられている。
【００７３】
階段６７を下りた所に第１出入口１６が開口し、第１出入口１６の奥がシールド室１２とされている。また、階段６７を上がった所に第２出入口２２が設けられている。第１出入口１６と第２出入口２２には、シールド扉は設けられていない。このとき、シールド室１２から第１出入口１６を通して第２出入口２２を見たとき、階段６７で第２出入口２２が隠されている。即ち、階段６７が、第１の実施の形態〜第６の実施の形態で説明した仕切壁２６と同様の作用をする。
【００７４】
また、シールド室用前室６６を構成する第１側壁１４、第２側壁２０、天井壁６８には、導電性の材料で形成されたシールド層が設けられ、シールド構造とされている。
これにより、第１出入口１６から第２出入口２２に向かう電波Ｋは、階段６７で遮られ、反射する。反射された電波Ｋは、第１側壁１４、第２側壁２０、天井壁６８で一部が吸収され、残りが反射するため、第２出入口２２から直接外部へ出ることはない。
この結果、シールド室用前室６６の内部で、電波を遮断し減衰させることができる。
なお、天井壁６８に、内部にシールド層を有し、表面に電波吸収体２８を設けた垂壁７７を設けることもできる。これにより、電波をより減衰させることができる。
また、シールド室１２を、階段６７を下りた位置でなく、階段６７を上がった位置に配置してもよい。他は、第１の実施の形態と同じであり、説明は省略する。
【００７５】
（第８の実施の形態）
図１３に示すように、第８の実施の形態に係るシールド室１２は、シールド層が設けられた側壁６２及び天井壁（図示せず）でシールド空間６４が構成されている。
【００７６】
シールド空間６４を構成する側壁６２、第１側壁１４、及び天井壁の表面には、第１の実施の形態で説明した電波吸収体２８が設けられている。
【００７７】
第１側壁１４に設けられた第１出入口１６の外側には、第１の実施の形態で説明したシールド室用前室１０が設けられ、シールド室用前室１０が電波を吸収し減衰させる。
他の構成は、第１の実施の形態と同じであり、説明は省略する。
これにより、高い遮蔽性能のシールド扉を必要としないシールド室１２が提供できる。
【００７８】
なお、シールド室用前室１０は、第１の実施の形態で説明したシールド室用前室１０に限定されることはなく、第２の実施の形態〜第６の実施の形態で説明したシールド室用前室３０、４０、４４、４６、５４のいずれでもよい。
【符号の説明】
【００７９】
１０ シールド室用前室
１２ シールド室
１４ 第１側壁
１６ 第１出入口
１８ 外部
２０ 第２側壁
２２ 第２出入口
２４ 開口部
２６ 仕切壁
２８ 電波吸収体
２９ 電波吸収体
３２ 電波吸収体
【特許請求の範囲】
【請求項１】
シールド室に隣接して設けられたシールド室用前室であって、
前記シールド室と前記シールド室用前室を仕切る第１側壁に設けられた第１出入口と、
前記シールド室用前室と外部を仕切る第２側壁に設けられた第２出入口と、
前記シールド室用前室内を仕切り一端に通路となる開口部が設けられた、少なくとも１つの仕切壁と、
を有し、
前記仕切壁は、前記シールド室から前記第１出入口を通して前記第２出入口を見たとき、前記第２出入口を隠す位置に設けられ、
前記第１側壁、前記第２側壁、前記シールド室用前室の天井壁、及び前記仕切壁には、導電性の材料で形成されたシールド層が設けられ、前記第１側壁、前記第２側壁、前記天井壁、及び前記仕切壁の表面には、電波を吸収する電波吸収体が設けられているシールド室用前室。
【請求項２】
前記電波吸収体は、電波吸収特性が異なる複数種類の前記電波吸収体を組合せて構成されている請求項１に記載のシールド室用前室。
【請求項３】
前記電波吸収体が表面に設けられた平板を、前記第１側壁、前記第２側壁、又は前記天井壁に対し、傾斜させて設置した請求項１に記載のシールド室用前室。
【請求項４】
前記第１出入口、前記第２出入口、及び前記開口部の少なくとも１つに、前記シールド層及び前記電波吸収体を備えたシールド扉を設けた請求項１〜３に記載のシールド室用前室。
【請求項５】
シールド層が設けられた側壁及び天井壁でシールド空間を構成し、前記シールド空間を構成する前記側壁及び前記天井壁の表面には電波吸収体が備えられ、出入口の外側には請求項１〜４のいずれか１項に記載のシールド室用前室が設けられているシールド室。
【請求項１】
シールド室に隣接して設けられたシールド室用前室であって、
前記シールド室と前記シールド室用前室を仕切る第１側壁に設けられた第１出入口と、
前記シールド室用前室と外部を仕切る第２側壁に設けられた第２出入口と、
前記シールド室用前室内を仕切り一端に通路となる開口部が設けられた、少なくとも１つの仕切壁と、
を有し、
前記仕切壁は、前記シールド室から前記第１出入口を通して前記第２出入口を見たとき、前記第２出入口を隠す位置に設けられ、
前記第１側壁、前記第２側壁、前記シールド室用前室の天井壁、及び前記仕切壁には、導電性の材料で形成されたシールド層が設けられ、前記第１側壁、前記第２側壁、前記天井壁、及び前記仕切壁の表面には、電波を吸収する電波吸収体が設けられているシールド室用前室。
【請求項２】
前記電波吸収体は、電波吸収特性が異なる複数種類の前記電波吸収体を組合せて構成されている請求項１に記載のシールド室用前室。
【請求項３】
前記電波吸収体が表面に設けられた平板を、前記第１側壁、前記第２側壁、又は前記天井壁に対し、傾斜させて設置した請求項１に記載のシールド室用前室。
【請求項４】
前記第１出入口、前記第２出入口、及び前記開口部の少なくとも１つに、前記シールド層及び前記電波吸収体を備えたシールド扉を設けた請求項１〜３に記載のシールド室用前室。
【請求項５】
シールド層が設けられた側壁及び天井壁でシールド空間を構成し、前記シールド空間を構成する前記側壁及び前記天井壁の表面には電波吸収体が備えられ、出入口の外側には請求項１〜４のいずれか１項に記載のシールド室用前室が設けられているシールド室。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
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【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２０１０−２１９４３１（Ｐ２０１０−２１９４３１Ａ）
【公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−６６７６９（Ｐ２００９−６６７６９）
【出願日】平成２１年３月１８日（２００９．３．１８）
【出願人】（０００００３６２１）株式会社竹中工務店 (1,669)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年９月３０日（２０１０．９．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年３月１８日（２００９．３．１８）
【出願人】（０００００３６２１）株式会社竹中工務店 (1,669)
【Ｆターム（参考）】
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