ジアセチレン構造を有する液晶性高分子
【課題】大きい屈折率異方性を示す液晶性高分子、さらに優れた性能を有する液晶素子や光学素子の提供。
【解決手段】下記の一般式で表される化合物を反応させて得られるジアセチレン構造を有する液晶性高分子。R1-Sp1-(Ar1)p-(Ar3)q-(Phe)r-C≡C-C≡C-(Phe)r-(Ar4)q-(Ar2)p-Sp2-R2（式中、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、イソチオシアネート基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または反応性基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は反応性基を有する。また、ＳＰ１およびＳＰ２はスペーサー基を表し、Ａｒ１およびＡｒ２は、非置換または置換の芳香族の炭素環式または複素環式基であり、Ａｒ３およびＡｒ４は、非置換または置換の複素環式基であり、Ｐｈｅは、非置換または置換１，４−フェニレン基を表し、ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ０または１である。）
【解決手段】下記の一般式で表される化合物を反応させて得られるジアセチレン構造を有する液晶性高分子。R1-Sp1-(Ar1)p-(Ar3)q-(Phe)r-C≡C-C≡C-(Phe)r-(Ar4)q-(Ar2)p-Sp2-R2（式中、Ｒ１およびＲ２は、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、イソチオシアネート基、アルキル基、アルケニル基、アルキニル基、または反応性基を表し、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は反応性基を有する。また、ＳＰ１およびＳＰ２はスペーサー基を表し、Ａｒ１およびＡｒ２は、非置換または置換の芳香族の炭素環式または複素環式基であり、Ａｒ３およびＡｒ４は、非置換または置換の複素環式基であり、Ｐｈｅは、非置換または置換１，４−フェニレン基を表し、ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ０または１である。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、屈折率異方性の大きなジアセチレン構造を有する液晶性高分子に関する。また大きい屈折率異方性を利用した光学および電子光学的デバイス、例えば偏光板、補償板、ビームスプリッター等の用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示素子の高性能化は、情報化社会の進展に伴い不可欠となっている。液晶組成物の物性の中で、より高速化、あるいは高性能化のためには、屈折率異方性の大きい材料が必要とされている。
屈折率異方性の大きい低分子量の液晶材料として、シッフ塩基やピリミジンの構造を有する化合物（非特許文献１）、トラン系化合物（特許文献１、２）やジアセチレン系化合物（非特許文献２，特許文献３，４，５，６）が知られている。しかし前記の特許文献はいずれも（ジ）アセチレン骨格の両端に、アルキル基やアルコキシ基を結合したフェニレン基やナフチレン基が結合された化合物であり、大きい屈折率異方性を利用して液晶表示素子の駆動性能を向上するための液晶材料の部材として使用することが述べられている。
一方、液晶の配向状態を容易に固定化できる液晶性高分子（重合体）は配向を固定化して前記液晶表示素子の補償板や偏光板等の光学素子等に用いられているが、液晶表示素子の薄型化や高機能化に合わせて構成部材にも高機能化が要求され、より高機能な液晶性重合体が求められている。
屈折率異方性の大きい液晶性重合体として、トラン（アセチレン）骨格を有する（メタ）アクリレートの重合体（特許文献７）が知られている。また側鎖にジアセチレン骨格を有し液晶性を示すポリシロキサン（非特許文献３）も知られているが、高融点のため成形加工性は十分とは言いがたい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表平０１−５０２８３１号公報
【特許文献２】特開平０６−２３９７８６号公報
【特許文献３】特開平１１−００１４４５号公報
【特許文献４】特開平０６−２１１７０４号公報
【特許文献５】米国特許 第５３３８４８１号公報
【特許文献６】特表２００４−５１８６０８号公報
【特許文献７】特開２００２−３０８８３２号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】松本 正一、角田市良，「液晶の基礎と応用」，初版第３刷，株式会社工業調査会発行，１９９６年１１月１５日，ｐ．１２３
【非特許文献２】B. Grant, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1978, vol. 48, 175−182
【非特許文献３】Yong-Hong Lu, Chain-Shu Hsu, Shin-Tson Wu, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1993, vol. 225, 1−14
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、大きい屈折率異方性を示す液晶性高分子を提供することを目的とし、さらに優れた性能を有する液晶素子や光学素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明者らは鋭意検討を加えた結果、ジアセチレン（１，３−ブタジイン）構造を有する液晶性高分子が大きな屈折率異方性を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、上記課題を解決するための手段は、以下の通りである。
【０００７】
〔１〕下記の一般式（Ａ）で表される化合物を反応させて得られるジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
R1-Sp1-(Ar1)p-(Ar3)q-(Phe)r-C≡C-C≡C-(Phe)r-(Ar4)q-(Ar2)p-Sp2-R2 （Ａ）
（式中、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、イソチオシアネート基、あるいは炭素原子１ないし１５個を有して非置換又はハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基若しくは反応性基により一置換若しくは多置換されたアルキル基、炭素原子２ないし１５個を有して非置換又はハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基若しくは反応性基により一置換若しくは多置換されたアルケニル基若しくはアルキニル基、または反応性基を表わし、ここで１個以上の非隣接−ＣＨ２−基は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−および／または−ＯＣＯ−により置換されていてもよい。ただし、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は反応性基を有する。また、Ｓｐ１およびＳｐ２は互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ３−、−ＮＲ３−ＣＯ−、−Ｏ（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ２）ｍ−、−（ＳｉＲ４Ｒ５−Ｏ）ｎ−または単結合であり、ここでｍおよびｎは独立して１〜１０の整数を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された炭素数１６までの芳香族の炭素環式または複素環式基であり、縮合環を含んでいてもよく、Ａｒ３およびＡｒ４は、互いに独立して、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された炭素数１６までの複素環式基であり、縮合環を含んでいてもよく、単結合で連結された複数の複素環式基でもよく、Ｐｈｅは、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された１，４−フェニレン基を表し、ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ０または１である。）
【０００８】
〔２〕一般式（Ａ）で表される化合物が、下記の一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする前記［１］に記載の液晶性高分子。
R1−Sp1−Ar1−Phe−C≡C−C≡C−Phe−Ar2−Sp2−R2 （１）
【０００９】
〔３〕一般式（Ａ）で表される化合物が、下記の一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする前記［１］に記載の液晶性高分子。
R1−Sp1−Ar3−C≡C−C≡C−Ar4−Sp2−R2 （２）
【００１０】
〔４〕一般式（Ａ）で表される化合物が、下記の一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする前記［１］に記載の液晶性高分子。
R1−Sp1−Phe−C≡C−C≡C−Phe−Sp2−R2 （３）
【００１１】
〔５〕前記の反応性基が、ヒドロキシル基、カルボキシル基、酸無水物基、マレイミド基、ビニロキシ基、オキシラニル基、オキセタニル基、ビニル基、（メタ）アクリレート基、シリル基であることを特徴とする前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
〔６〕前記の反応性基が、ビニル基、（メタ）アクリレート基、オキシラニル基、オキセタニル基であることを特徴とする前記〔５〕に記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
【００１２】
〔７〕前記のＡｒ１およびＡｒ２が、チオフェン−２，５−ジイル基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基であることを特徴とする前記〔１〕または［２］に記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
〔８〕前記のＡｒ３およびＡｒ４が、チオフェン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基であることを特徴とする前記〔１〕または〔３〕に記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
【００１３】
〔９〕前記〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子を含む液晶性重合体組成物。
〔１０〕光学用又は電気光学用として用いることを特徴とする前記〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載の液晶性高分子。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のジアセチレン構造を有する液晶性高分子は大きな屈折率異方性を有しフィルム化等の成形加工も容易であり、光学および電子光学的デバイス、例えば偏光板、補償板、ビームスプリッター等の用途に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施例１で合成したアクリレートモノマーの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図２】実施例１で合成したアクリレートモノマーのＤＳＣチャートを示す図である。ａの線は昇温時、ｂの線は降温時の挙動を表す。
【図３】実施例１で得た重合体の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図４】実施例１で得た重合体のＤＳＣチャートを示す図である。ｃの線は昇温時、ｄの線は降温時の挙動を表す。
【図５】実施例１で得た重合体の複屈折の波長依存性を示す図である。ｅの線およびｆの線はそれぞれ、重合体（室温下）および重合体の側鎖と類似した構造を有する１，４−ビス（４−ヘキシロキシフェニル）ブタ―１，３―ジインの１３７．５℃の結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、下記の一般式（Ａ）で表される化合物を反応させて得られるジアセチレン構造を有する液晶性高分子である。
R1-Sp1-(Ar1)p-(Ar3)q-(Phe)r-C≡C-C≡C-(Phe)r-(Ar4)q-(Ar2)p-Sp2-R2 （Ａ）
本発明の一般式（Ａ）で表される化合物は、１，３−ブタジイン骨格にフェニレン基等の炭素環式基や複素環式基とスペーサー基Ｓｐ１およびＳｐ２を介して置換基Ｒ１およびＲ２が結合された化合物であり、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は反応性基を有する基であり、下記一般式（１）〜（３）で表わされる化合物が好ましい。
R1−Sp1−Ar1−Phe−C≡C−C≡C−Phe−Ar2−Sp2−R2 （１）
R1−Sp1−Ar3−C≡C−C≡C−Ar4−Sp2−R2 （２）
R1−Sp1−Phe−C≡C−C≡C−Phe−Sp2−R2 （３）
【００１７】
１，３−ブタジイン骨格部分は、本発明の一般式（Ａ）、（１）〜（３）の化合物の特徴である。これらの化合物は反応性基の安定性を除くと、驚くほど高い化学的及び熱的安定性を持っている。一般的に、それらは高い異方性を持ち、その構造に従いネマチック液晶性および／またはスメクチック液晶性を示す。
【００１８】
式（Ａ）、（１）〜（３）において、Ｒ１、Ｒ２としてはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、イソチオシアネート基、あるいは炭素原子１ないし１５個を有して非置換又はハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基または反応性基により一置換若しくは多置換されたアルキル基、炭素原子２ないし１５個を有して非置換又はハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基または反応性基により一置換若しくは多置換されたアルケニル基若しくはアルキニル基、または反応性基を表わし、ここで１個以上の非隣接−ＣＨ２−基は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−および／または−ＯＣＯ−により置換されていてもよい。ただし、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は反応性基を有することが必要である。
【００１９】
具体的には、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニニル、デシニル、ドデシニル、エチニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、２−メチルプロピル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、３−メチルペンチル、２−メチルヘキシル、２−メチルデシル、２−フルオロエチル、３−フルオロプロピル、４−フルオロブチル、６−フルオロヘキシル、４，４−ジフルオロブチル、６，６−ジフルオロヘキシル、２−クロロエチル、３−クロロプロピル、４−クロロブチル、６−クロロヘキシル、ペルフルオロエチル、ペルフルオロブチル、１−シアノエチル、１−シアノブチル、２−シアノブチル、１−トリフルオロメチルエチル、１−トリフルオロメチルブチル、メトキシ、エトキシ、ブチルオキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ、トリフルオロメトキシ、２−フルオロブチルオキシ、２−フルオロヘキシルオキシ、２−フルオロブチルオキシカルボニルやこれらの基に後述の反応性基を結合した基、水素原子、フッ素原子、トリフロロメチル基、シアノ基、イソチオシアネート基や反応性基等が挙げられる。
【００２０】
式（Ａ）、（１）におけるＡｒ１、Ａｒ２としては、それぞれ独立に、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された炭素数１６までの芳香族の炭素環式または複素環式基であり、縮合環を含んでいてもよい。好ましくは芳香族基または５員もしくは６員の複素環式基、あるいは２個または３個の縮合芳香族環または複素環の５員環もしくは６員環を含む基であり、これらの環は２個以上のヘテロ原子、特にＮ、ＯおよびＳから選択されるヘテロ原子を含んでいてもよい。
【００２１】
Ａｒ１およびＡｒ２の好ましい基の例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、オキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、イミダゾール、フェニレン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、インダン、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン、アントラセンおよびフェナントレン等が挙げられる。
特に好ましいＡｒ１およびＡｒ２は、フラン−２，５−ジイル、チオフェン−２，５−ジイル、ピロール−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、インダン−２，５−ジイルである。
これらのすべての基は無置換、または、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＯＨ、ＮＯ２、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、ＣＯＣＨ３、ＣＯＣ２Ｈ５、ＣＯＯＣＨ３、ＣＯＯＣ２Ｈ５、ＣＦ３、ＯＣＦ３、ＯＣＨＦ２またはＯＣ２Ｆ５により単置換もしくは多置換されることもできる。
【００２２】
式（Ａ）、（１）および（３）におけるＰｈｅは、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された１，４−フェニレン基を表す。例えば、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２−シアノ−１，４−フェニレン、２−メチル−１，４−フェニレン、３−メチル−１，４−フェニレンなどの基を挙げることができる。
【００２３】
また、式（Ａ）、（２）におけるＡｒ３、Ａｒ４としては、それぞれ独立に、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された炭素数１６までの複素環式基であり、縮合環を含んでいてもよくまた単結合で連結された複数の複素環式基でもよい。好ましくは５員もしくは６員の複素環式基、あるいは複素環式基を含む２個または３個の縮合環を含む基であり、複素環式基を構成する原子は１個または２個以上のヘテロ原子、特にＮ、ＯおよびＳから選択されるヘテロ原子が好ましい。
【００２４】
Ａｒ３およびＡｒ４の好ましい基の例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、オキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン等から誘導される基を挙げることができる。
特に好ましいＡｒ３およびＡｒ４は、フラン−２，５−ジイル、チオフェン−２，５−ジイル、ピロール−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルである。
これらのすべての基は無置換、または、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、ＣＦ３、ＯＣＦ３、ＯＣＨＦ２またはＯＣ２Ｆ５により単置換もしくは多置換されることもできる。
【００２５】
Ｓｐ１およびＳｐ２はスペーサー基とも呼ばれる基であり、当業者にこの目的のために知られているすべての基を使用することができる。
Ｓｐ１およびＳｐ２は互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ３−、−ＮＲ３−ＣＯ−、−Ｏ（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ２）ｍ−、−（ＳｉＲ４Ｒ５−Ｏ）ｎ−または単結合であり、ここでｍおよびｎは独立して１〜１０の整数を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。
好ましいスペーサー基としては、例えばエチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、ノニレン、デシレン、ウンデシレン、ドデシレン、オクタデシレン、エチレンオキシエチレン、メチレンオキシブチレン、エチレン−Ｎ−メチル−イミノエチレン、エテニレン、プロペニレンおよびブテニレンなどを挙げることができる。
【００２６】
前記の反応性基とは、適宜な条件を選択することにより反応して高分子を形成することのできる基であり、ヒドロキシル基、カルボキシル基、酸無水物基、マレイミド基、ビニル基、ビニロキシ基、オキシラニル基、オキセタニル基、（メタ）アクリレート基、シリル基などが挙げられ、これらの中でも重合や縮合の容易な基が好ましく、例えば、好ましくはＣＨ２＝ＣＷ１−ＣＯＯ−、
【化１】
ＣＨ２＝ＣＷ２−（Ｏ）ｋ１−、ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ２＝ＣＨ）２ＣＨ−ＯＣＯ−、（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２ＣＨ−ＯＣＯ−、（ＣＨ２＝ＣＨ）２ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２Ｎ−、ＨＯ−ＣＷ２Ｗ３−、ＨＳ−ＣＷ２Ｗ３−、ＨＷ２Ｎ−、ＨＯ−ＣＷ２Ｗ３−ＮＨ−、ＣＨ２＝ＣＷ１−ＣＯ−ＮＨ−、ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＯＯ）ｋ１−Ｐｈｅ−（Ｏ）ｋ２−、Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ−、ＨＯＯＣ−、ＯＣＮ−およびＷ４Ｗ５Ｗ６Ｓｉから選択される。
【００２７】
ここで、Ｗ１はＨ、Ｃｌ、ＣＮ、フェニルまたは炭素原子１〜５個を有するアルキルであり、特にＨ、ＣｌまたはＣＨ３であり、Ｗ２およびＷ３は相互に独立して、Ｈまたは炭素原子１〜５個を有するアルキルであり、特にメチル、エチルまたはｎ−プロピルであり、Ｗ４、Ｗ５およびＷ６は、相互に独立してＣｌ、炭素原子１〜５個を有するオキサアルキルもしくはオキサカルボニルアルキルであり、Ｐｈはフェニル、Ｐｈｅは１，４−フェニレンであり、ならびにｋは０，１または２であり、ｋ１およびｋ２は相互に独立して０または１である。殊に好ましい基は、ビニル基、（メタ）アクリレート基、オキシラニル基またはオキセタニル基であり、最も好ましくは（メタ）アクリレート基である。
【００２８】
次に、式（１）〜（３）で表される化合物の合成方法について説明する。
式（１）〜（３）で表される化合物は、それ自体公知の非常に簡単な方法で製造することができる。例えば有機化学の標準的学術書であるHouben-Weyl, “ Methoden der Organischen Chemie ”, Thime-Verlag, Stuttgartなどに記載されている方法またはそれと類似の方法により合成することができる。より具体的には、例えばL.Brandsma，“ Preparative Acetylenic Chemistry ”2nd Ed. Elsevier, Amsterdam NL, (1988) や Cadiot-Chodkiewicz(G.Eglinton,W.Mc Grae in Raphael, Taylor and Wynberg(eds) “ Advances in Organic Chemistry ”, Vol.4, Interscience publishers, N.Y. (1963) に記載されたように、銅錯体の存在下に末端アルキンをハロアルキン誘導体とカップリングさせることにより製造することができる。
【００２９】
それぞれカップリングの相手として必要な末端アルキン類及びハロアルキン類は、公知であるか、又は公知化合物と類似であり、それ自体公知の方法により製造することができる。例えば、アルデヒドはＣＢｒ４／ＰＰｈ３を用いるウィッティヒ反応、続く脱離反応により必要なアルキンに変換することができる。必要ならば、それらのアルキンはそれ自体公知の方法、金属化、続いてハロゲン化により相当するハロアルケンから変換することができる。Ｒ１またはＲ２がキラルである場合には、本発明の誘導体はキラルな添加物（dopant）として用いることができる。
反応性基の導入は、反応性基を結合した化合物とジアセチレン基を有する化合物との反応や反応性基を結合したアセチレン化合物と他のアセチレン化合物とのカップリングなど、目的とするジアセチレン基を有する化合物の合成に支障のないように行えばよい。
【００３０】
本発明のジアセチレン構造を有する液晶性高分子は、前記の式（１）〜（３）が有する反応性基の反応に適した条件で反応させて得ることができる。反応の条件は特に制限はなく、例えば重合性基を有する場合は当該重合性基の反応性に応じてアニオン重合、カチオン重合、ラジカル重合を行う、他の反応性基、例えばヒドロキシル基やカルボキシル基を有する場合はエステル化等の縮合反応を行う、水素―ケイ素結合に炭素―炭素二重結合の付加（ヒドロシリル化）、などにより容易に液晶性高分子を得ることができる。
【００３１】
反応性基を有する前記の式（１）〜（３）で表される化合物は、保存安定性を向上させるために、各種の酸化防止剤、紫外線吸収剤や光安定剤を添加してもよい。さらに、得られる高分子の液晶性の発現を妨げない範囲で他の添加物、例えば連鎖移動剤、共重合可能な化合物（反応性希釈剤等）、界面活性剤、流動性向上剤、消泡剤、着色剤、顔料等を添加してもよい。
【００３２】
前記の重合は式（１）〜（３）で表される化合物および生成する重合体を溶解しうる溶媒中で行うことが好ましく、前記溶媒としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、γ−ブチロラクトン、酢酸エチル、乳酸エチル、安息香酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エタノール、プロパノール、ブトキシエタノール、ヘキシルオキシエタノール、クロロホルム、クロルベンゼン等やこれらの混合物を挙げることができる。生成した重合体（高分子）は、例えば、溶媒の減圧留去やメタノール等の貧溶媒への再沈等で回収することができる。
【００３３】
また、重合は光重合で行うこともできる。光重合は公知の方法や条件から適宜選択して行えばよい。使用される光は、紫外線、赤外線、可視光、Ｘ線などを挙げることができる。例えば、紫外線を使用する場合は、好ましくは実質的に酸素や水分の不在下に照射する紫外線の波長および重合する式（１）〜（３）の化合物に適した光重合開始剤を０．０５〜２０質量％、好ましくは０．２〜１０質量％添加した組成物を後述する配向能を有する基板上に塗布した状態や２枚の基板間に挟持させた状態で適宜な光源からの紫外線を照射すればよい。光重合開始剤の添加量が前記の範囲外では重合が不十分になる、光重合後にも残存して着色しやすくなるなどして好ましくない。
【００３４】
前記の光重合開始剤としては、例えばベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキシド類、トリハロメチルトリアジン類、芳香族ヨードニウム塩類、芳香族スルホニウム塩類、芳香族ホスホニウム塩類、ジアゾジスルホン系化合物等を挙げることができる。
紫外線の照射量は組成物の組成や照射温度等により一概に決定できないが、１０ｍＪ／ｃｍ２〜２Ｊ／ｃｍ２、好ましくは５０ｍＪ／ｃｍ２〜１Ｊ／ｃｍ２である。この範囲外では重合が不十分になる、過剰露光で劣化しやすいなどして好ましくない。
紫外線源としては紫外線を多く発生する光源であれば特に制限はなく、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、カーボンアークランプ、無電極放電ランプ等を挙げることができる。
【００３５】
かくして得られる本発明の液晶性高分子は、モノマーとなる式（１）〜（３）で表される化合物や分子量により液晶相挙動（相転移温度）や光学異方性（複屈折）が異なるが、液晶相状態で測定した複屈折Δｎ（５５０ｎｍで測定）は好ましくは０．２０以上、特に０．２５以上が好ましい。
【００３６】
本発明の液晶性高分子の分子量に特に制限はないが、通常は数平均分子量で２０００〜５０００００、好ましくは３０００〜５００００である。この範囲外では成形物が脆い、十分な液晶相の発現が困難などして好ましくない。
【００３７】
本発明の液晶性高分子は、通常、光学異方性を利用したフィルム等の形態として、位相差フィルム等の光学素子として用いることができる。成形は好ましくは配向能を有する基板上に加熱溶融方式や、当該高分子を溶解しうる適宜な溶媒、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、γ−ブチロラクトン、酢酸エチル、乳酸エチル、安息香酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エタノール、プロパノール、ブトキシエタノール、ヘキシルオキシエタノール、クロロホルム、クロルベンゼン等やこれらの混合物に溶解した溶液を用いて形成する、などして行われる。使用した溶媒は乾燥除去が好ましく、当該方法としては、自然乾燥、加熱乾燥、減圧乾燥、減圧加熱などを挙げることができる。
【００３８】
また、前述の光重合による方法では、モノマーである式（１）〜（３）の化合物が液晶性を示す場合は、液晶の配向を維持した状態で重合を行わせ当該配向状態を固定化することもできる。
溶液を用いる場合はスピンコーターやバーコーター、ロールコーター、ダイコーター等適宜な装置を用いて行うことができる。前記の配向能を有する基板としては、必要に応じて配向膜塗布、ラビング処理や斜方蒸着、延伸、光配向等の配向処理を施したポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、ノルボルネン系樹脂、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリビニルアルコール、ポリフェニレンスルフィド等のプラスチックフィルムやガラス板、マイクログルーブ構造を付した鉄、銅、アルミニウム等の金属板・箔などが挙げられ、これらはシートや長尺フィルムであってもよい。
【００３９】
得られたフィルムは加熱処理して十分に配向させることが好ましい。加熱温度は用いた液晶性高分子の液晶相温度範囲や基板の耐熱性に合わせて適宜設定すればよく、配向は一般的には液晶相を形成する温度範囲、例えばネマチック相転移温度以上、等方相転移温度未満で行われるが、液晶性高分子を等方相以上の温度に加熱して等方相となした後、冷却速度を調整することにより目的とする配向を形成することもできる。配向処理時間も適宜決定できるが通常は１０秒〜３０分である。なお、溶融形成や溶液塗布に当たって各種の添加剤、例えばフィルムの安定性や均一性の向上を目的として酸化防止剤、紫外線吸収剤や光安定剤、濡れ性向上のために界面活性剤、消泡剤等を本発明の目的を逸脱しない範囲で添加してもよい。これらの添加量も一般的に使用される範囲から適宜決定することができる。また、コレステリック配向を形成するために液晶性の有無を問わず混和しうる光学活性基を有する各種の化合物を添加することもできる。
【００４０】
フィルムの厚さは用途により異なるため一概に決定できないが、通常は０．０５μｍ〜５０μｍ、好ましくは０．１〜２０μｍである。この範囲外では膜厚の均一性が悪化する、配向が不十分になる、などして好ましくない。
【００４１】
前記の配向能を有する基板が着色や不透明等の光学的に好ましくない場合は、加熱配向処理されたフィルムを粘着剤や接着剤を介して使用目的に適した他の基板に転写することもできる。
転写に使用される粘着剤や接着剤（以下、「粘・接着剤」という）は貼合される両界面に適度な接着力を有する光学グレードのものであれば特に制限はなく、例えば、アクリル重合体系、エポキシ樹脂系、エチレン−酢酸ビニル共重合体系、ゴム系、ウレタン系およびこれらの混合物系や、熱硬化型および／または光硬化型、電子線硬化型等の各種反応性のものを挙げることができるが、光硬化型が処理の容易さなどから好ましい。
【００４２】
光硬化型のアクリル系粘・接着剤は、通常の市販されている紫外線（ＵＶ）硬化型粘・接着剤や液晶性組成物の接着性に応じて適宜変性したものを使用できる。
アクリル系粘・接着剤は、市販されている各種（メタ）アクリル系の単官能モノマーや多官能モノマー、ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリウレタン（メタ）アクリレート等のオリゴマーや、光重合開始剤、粘度調整剤（増粘剤）、界面活性剤や分散剤等の添加剤等を適宜添加して調製してもよい。
また、転写にあたって接着性の向上のために被着される面にコロナ放電処理、紫外線照射処理や火炎処理等の表面処理を行ってもよい。
【００４３】
さらに光の拡散や散乱を目的としてアクリル系粘・接着剤と屈折率の異なる（微）粒子を添加してもよい。前記（微）粒子の材質としては、シリカ、アルミナ、ＩＴＯ、銀や各種の（架橋）プラスチック等を挙げることができる。また、粘・接着剤層には、例えば天然物や合成物の樹脂類、特に、粘着性付与樹脂や、ガラス繊維、ガラスビーズ、金属粉、その他の無機粉末等からなる充填剤、顔料、着色剤、酸化防止剤などの粘・接着剤に添加されることのある添加剤を含有していてもよい。これらの添加量は、その種類、構成成分、機能などにより一概には決定できないが、通常は、アクリル系粘・接着剤に対して０．０１質量％〜２０質量％が好ましい。
【００４４】
前記の他の基板としては、従来から知られているものを特に制限なく使用でき、例えばポリカーボネート、ノルボルネン系樹脂、トリアセチルセルロース、アクリル系、マレイミド系やスチレン系の樹脂等のフィルムやこれらを延伸したフィルム、ポリビニルアルコール系偏光素子や屈折率の異なる複数の樹脂薄膜の積層体からなる反射型偏光素子等を挙げることができる。
得られたフィルムは、光学膜、偏光板、補償板、反射膜等に使用することができる。例えば、液晶表示素子の補償板に用いる場合の液晶表示素子としては、ＴＮ（ツイスト・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイスト・ネマチック）型，ＩＰＳ（インプレーンスイッチング）型，ＶＡ（垂直配向）型、ＥＣＢ（電気制御複屈折）型、ＡＳＭ（軸対称ミクロセル）型等の液晶表示素子を挙げることができる。
【００４５】
また本発明の液晶性高分子は、ＰＤＬＣ、ポリマーゲルまたはポリマーネットワークディスプレイなどに組成物として使用することができる。
液晶性高分子組成物及び電気−光学装置（液晶セル）の製造は、それ自体公知の方法で行なうことができる。
【実施例】
【００４６】
以下に実施例および比較例を挙げ、本発明を具体的に説明するが本発明はこれらの例に制限されるものではない。実施例および比較例で用いた各種測定法等を説明する。
【００４７】
１．複屈折の測定
下記の機器を用いて測定した。
偏光顕微鏡： ECLIPSE LV 100 POL、（株）ニコン製）
光ファイバー： BIF600-VIS-NIR、Ocean optics, Inc. 製
分光器： USB4000、Ocean optics, Inc. 製
評価用液晶セル：KSRP-03/B311P1NSS05、（株）イーエッチシー製）
測定温度は等方相転移温度より１０℃低い液晶相温度で、波長４００〜１０００ｎｍの範囲でスペクトルを測定し、下記にしたがって求めた。
【００４８】
（１）セルギャップの測定
液晶を封入しない状態でセルの下から光を当て、透過干渉光を測定することにより、空気層の厚さを求め（（１）式）、その空気層の厚さをセルギャップとする。
２ｄ＝ｍλ （１）
【００４９】
（２）顕微分光分析
上記（１）で求めたセルギャップがｄのセルに液晶を封入しホモジニアス配向させて作成した複屈折体を、偏光軸が互いに直交する２枚の偏光子の間に挟持して測定される分光透過率が最大または最小となる波長の値（（２）式）と、各波長における複屈折体のリタデーション（（３）式）を、４次まで展開したコーシーの分散式（（４）式）でフィッテングを行い、複屈折体の複屈折率ΔｎおよびリタデーションＲの波長分散を決定した。
【００５０】
【数１】
【００５１】
２．ＤＳＣの測定
Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ社製 ＤＳＣ７を用い、窒素雰囲気下で昇降温速度１０℃／ｍｉｎで測定した。
【００５２】
３．偏光顕微鏡観察（液晶相挙動の判定）
温度調節装置Ｍｅｔｔｌｅｒ社製ＦＰ９０セントラルプロセッサーを付したＭｅｔｔｌｅｒ社製ＦＰ８２ホットステージを具備したＯｌｙｍｐｕｓ社製偏光顕微鏡（型式ＢＸ５０）により、液晶の相挙動をＤＳＣの測定結果と合わせて調べた。
Ｃｒは結晶相を、Ｓはスメクチック相を、Ｎはネマチック相を、そしてＩｓｏは等方相を示す。
【００５３】
４．ＮＭＲスペクトルの測定
テトラメチルシラン（ＴＭＳ）を内標として重水素化クルロホルム、重水素化ジメチルホルムアミドまたは重水素化ジメチルスルホキシド溶媒に試料を溶解してＮＭＲ装置（ＪＥＯＬ ＬＮＭ−ＥＸ４００）により１Ｈおよび／または１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを測定した。
【００５４】
５．分子量の測定
検出器として JASCO UV-2070 detector および JASCO RI-2031 detector を付したゲル パーメーション クロマトグラフに、分離カラムとしてTOSOH TSKgel G3000HXL または G4000HXL をセットし、２５℃でＴＨＦ溶媒（流量：１ｍｌ／ｍｉｎ）で測定した。分子量の校正は標準ポリスチレンを用いた。
【００５５】
６．その他、必要に応じて以下の機器を用いた。
ＦＴ−ＩＲ： JASCO FT-IR 460 plus spectrometer
ＵＶ−ｖｉｓスペクトル： Beckman Coutler DU800 UV-vis Spectrometer
高分解能マス スペクトル：JEOL JMS700 mass spectrometer
【００５６】
［実施例１］
Ａ．アクリレートモノマーの合成
【化２】
【００５７】
（略号）
n-BuLi n-ブチルリチウム
DIPEA ジイソプロピルエチルアミン
DMF ジメチルホルムアミド
MeOH メタノール，
MMACl メタクリロリルクロリド
Ph フェニル基
TBAF テトラブチルアンモニウム フルオライド
TBDMSCl tert-ブチルジメチルシリルクロリド
TEA トリエチルアミン
THF テトラヒドロフラン
TMS トリメチルシリル基
【００５８】
（１）化合物１の合成
４−ヨードフェノール（５．５ｇ，２５．１ｍｍｏｌ），６−ブロモ−１−ヘキサノール（５．０ｇ，２７．６ｍｍｏｌ），炭酸カリウム（４．２ｇ，３０．１ｍｍｏｌ）およびＤＭＦ（５０ｍｌ）の混合物を還流温度で１８ｈ反応させた。減圧下に溶媒を除去し、残存物をジエチルエーテルで抽出して、水洗後ＭｇＳＯ４で乾燥し、ジエチルエーテルを留去した。残存物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／３）処理して化合物１を得た（８．１ｇ，収率：９９％）。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.54 (d, J = 8.52 Hz, 2H), 6.67 (d, J = 8.56 Hz, 2H), 3.92 (t, J = 6.40 Hz, 2H), 3.67(q, J = 6.01 Hz, 2H), 1.79 (quint, J = 6.95 Hz,, 2H), 1.64-1.1.36 ( m, 6H), 1.26 (s, 1H).
【００５９】
（２）化合物２の合成
アルゴンで脱気したＴＥＡ（２０ｍｌ）およびトリメチルシリルアセチレン（５．５ｍｌ，４０ｍｍｏｌ）の混合物を、上記で得た化合物１（８．０ｇ，２５ｍｍｏｌ），Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（０．５８ｇ，０．０５０ｍｍｏｌ），ＣｕＩ（９５ｍｇ，０．０５０ｍｍｏｌ）およびＰＰｈ３（０．１３ｇ，０．０５０ｍｍｏｌ）の混合物に加え、４５℃で２日間攪拌・反応させた。
反応混合物にジエチルエーテルを加え、不溶塩を濾過して除き塩酸水溶液、水で洗浄後、ＭｇＳＯ４で乾燥、ジエチルエーテルを留去し残存物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／２）処理して化合物２を得た（収率：９９％）。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.34 (d, J = 8.32 Jz, 2H), 6.80 (d, J = 8.08 Hz, 2H), 4.12 (q, J = 7.41 Hz, 2H), 3.95 (t, J = 6.58 Hz, 2H), 1.82-1.75 (m, 2H), 1.64-1.1.39 ( m, 6H), 1.26 (s, 1H).
【００６０】
（３）化合物３の合成
得られた化合物２（３．０７ｇ，１４．１ｍｍｏｌ），ＴＢＡＦ（１６ｍｌ，１６ｍｍｏｌ）およびＴＨＦ（５０ｍｌ）を１５分間攪拌した後、溶媒を減圧下に除去した。残存物をジエチルエーテルで抽出し水洗、ＭｇＳＯ４．で乾燥してからジエチルエーテルを除去した。
残存物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／３）処理して化合物３を得た（化合物２に対する収率:６８％）。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.41, (d, J = 8.76 Hz, 2H), 6.82 (d, J = 8.80 Hz, 2H), 3.96 (t, J = 6.52 Hz, 2H), 3.66 (t, J = 6.48 Hz, 2H), 2.99 (s, 1H), 1.80 (quint, J = 6.89 Hz, 2H), 1.64-1.35 (m, 6H), 1.29 (s, 1H)
【００６１】
（４）化合物４の合成
化合物３（１．１０ｇ，５．００ｍｍｏｌ）およびイミダゾール（０．４５ｇ，６．５０ｍｍｏｌ）をＣＨ２Ｃｌ２（３０ｍＬ）に溶解した溶液にｔｅｒｔ−ブチル−ジメチル−シリルクロリド（０．９８ｇ，６．５０ｍｍｏｌ）を加え、室温で３ｈ攪拌した。反応混合物をＣＨ２Ｃｌ２で抽出し、水洗、ＭｇＳＯ４で乾燥後濃縮した。
粗生成物をシリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）で処理し化合物４を得た（収率：９９％）。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.41, (d, J = 8.56 Hz, 2H), 6.82 (d, J = 8.76 Hz, 2H), 3.95 (t, J = 6.46 Hz, 2H), 3.61 (t, J = 6.48 Hz, 2H), 2.99 (s, 1H), 1.79 (quin, J = 6.90 Hz, 2H), 1.56-1.34 (m, 6H), 0.89 (s, 9H), 0.04 (s, 6H).
【００６２】
（５）化合物５の合成
０℃で、四臭化炭素（６．６ｇ，２０ｍｍｏｌ）をＰＰｈ３（１０．５ｇ，４０ｍｍｏｌ）を溶解したＣＨ２Ｃｌ２溶液に加え１５分間攪拌後、４−ヘキシロキシベンツアルデヒド（２．１０ｇ，１０ｍｍｏｌ）を加えた。３ｈ後、メタノールを添加して反応を停止し、クロロホルムで抽出して有機層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、塩化ナトリウム水溶液で洗浄しＭｇＳＯ４で乾燥した。
減圧下に溶媒を留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）処理して化合物５を得た（１．７９ｇ，収率：４９％）。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.50, (d, J = 8.80 Hz, 2H), 7.40 (s, 1H), 6.88 (d, J = 7.68 Hz, 2H), 3.96 (t, J = 6.58 Hz, 2H), 1.78 (quin, J = 7.02 Hz, 2H), 1.49-1.29 (m, 6H), 0.91 (t, 3H).
【００６３】
（６）化合物６の合成
化合物４（１．９ｇ，５．７ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（３０ｍＬ）溶液を−７８℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉ（２．２ｍＬ，２．６Ｍ，５．８ｍｍｏｌ）を加え３０分反応後、無水ＺｎＣｌ２（０．７９ｇ，５．８ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（１５ｍＬ） 溶液を−７８℃で加えた。１５分間同温度に保った後３０分以上かけて０℃に戻した。
この亜鉛を含む溶液に化合物５（２．０ｇ，５．７ｍｍｏｌ）を加えた溶液をＰｄ（ＰＰｈ３）４（０．３３ｇ，０．２８ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（５ｍＬ）に加えて０℃で２日間攪拌反応した。ＮＨ４Ｃｌ水溶液を添加して反応を停止し、ジエチルエーテルで抽出し、有機層をＮａＨＣＯ３水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し．ＭｇＳＯ４で乾燥した。減圧下に濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）処理し化合物６を得た。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.69 (d, J = 9.04, 2H), 7.41 (d, J = 8.56 Hz, 2H), 7.21 (s, 1H), 6.89 (d, J = 8.80, 2H), 6.85 (d, J = 8.76 Hz, 2H), 3.97 (q, J = 6.35 Hz, 4H), 3.62 (t, J = 6.46 Hz, 2H), 1.86-1.73 (m, 4H).
【００６４】
（７）化合物７の合成
化合物６（１．６０ｇ，２．６０ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液にアルゴン雰囲気下で１．０Ｍ／ＬのＴＢＡＦ／ＴＨＦ溶液（４．８０ｍＬ，４．８０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１日反応させた。
有機層をクロロホルムで抽出し水洗後ＭｇＳＯ４で乾燥した。溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：クロロホルム／酢酸エチル／ヘキサン＝１／１／１）処理し化合物７を得た（１．０５ｇ）。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.44 (d, J = 8.80 Hz, 4H), 6.83 (d, J = 8.56 Hz, 4H),3.98-3.94 (m, 4H), 3.70-3.62 (m, 2H), 1.83-1.74 (m, 4H), 1.64-1.33 (m, 12H), 0.90 (t, J = 6.84 Hz, 3H).
【００６５】
（８）化合物８の合成
化合物７（０．９７ｇ，２．３０ｍｍｏｌ）およびＴＥＡ（３．００ｍｌ，３．００ｍｍｏｌ）／ＣＨ２Ｃｌ２（３５ｍｌ）溶液にメタクリロイルクロリド（０．２９ｍｌ，３．００ｍｍｏｌ）を添加し室温で７ｈ反応させた。
反応混合物をクロロホルムで抽出し有機層をＭｇＳＯ４で乾燥した後溶媒を留去し、粗生成物をシリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／２）処理し化合物８を得た。化合物８の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１に、ＤＳＣチャートを図２に示す。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.47-7.40 (m, 4H), 6.83 (dd, J = 9.04 and 2.44 Hz, 4H), 6.10 (s, 1H), 5.55 (s, 1H), 4.16 (t, J = 6.58 Hz, 2H), 3.98-3.94 (m, 4H), 1.94 (s, 3H), 1.82-1.67 (m, 6H), 1.53-1.31 (m, 10H), 0.91 (t, J = 6.72 Hz, 3H) .
【００６６】
Ｂ．重合体の合成
アルゴン雰囲気下で、上記（８）で得た化合物８の０．５ｍｏｌ／ＬのＴＨＦ溶液に化合物８に対して５ｍｏｌ％のｎ−ＢｕＬｉ溶液を添加し、−１０℃で２４ｈ反応させた。
過剰量のＭｅＯＨ中に重合液を滴下し、重合体を析出させた後、再沈殿により精製した。
得られた重合体の数分子量（Ｍｎ）は７９９０（ＧＰＣによる測定）であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．６９であった。重合体のＤＳＣの測定結果（図４）から液晶相挙動は次のようであった。
Ｃ ７０．３℃ Ｎ １４１．３℃ Ｉ
また、等方相温度に加熱した重合体を間隙を３μｍに調整したセルに注入し、１０℃／ｍｉｎでガラス転移温度以下まで冷却した後、室温で光学特性（複屈折の波長依存性）を測定した。結果を図５に示す。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明のジアセチレン構造を有する液晶性重合体は大きな屈折率異方性を有し、各種液晶表示素子の構成部材として有用であり、またフィルム化等の成形加工も容易であり光学又は電気光学の目的等に用いることができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、屈折率異方性の大きなジアセチレン構造を有する液晶性高分子に関する。また大きい屈折率異方性を利用した光学および電子光学的デバイス、例えば偏光板、補償板、ビームスプリッター等の用途に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、液晶表示素子の高性能化は、情報化社会の進展に伴い不可欠となっている。液晶組成物の物性の中で、より高速化、あるいは高性能化のためには、屈折率異方性の大きい材料が必要とされている。
屈折率異方性の大きい低分子量の液晶材料として、シッフ塩基やピリミジンの構造を有する化合物（非特許文献１）、トラン系化合物（特許文献１、２）やジアセチレン系化合物（非特許文献２，特許文献３，４，５，６）が知られている。しかし前記の特許文献はいずれも（ジ）アセチレン骨格の両端に、アルキル基やアルコキシ基を結合したフェニレン基やナフチレン基が結合された化合物であり、大きい屈折率異方性を利用して液晶表示素子の駆動性能を向上するための液晶材料の部材として使用することが述べられている。
一方、液晶の配向状態を容易に固定化できる液晶性高分子（重合体）は配向を固定化して前記液晶表示素子の補償板や偏光板等の光学素子等に用いられているが、液晶表示素子の薄型化や高機能化に合わせて構成部材にも高機能化が要求され、より高機能な液晶性重合体が求められている。
屈折率異方性の大きい液晶性重合体として、トラン（アセチレン）骨格を有する（メタ）アクリレートの重合体（特許文献７）が知られている。また側鎖にジアセチレン骨格を有し液晶性を示すポリシロキサン（非特許文献３）も知られているが、高融点のため成形加工性は十分とは言いがたい。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００３】
【特許文献１】特表平０１−５０２８３１号公報
【特許文献２】特開平０６−２３９７８６号公報
【特許文献３】特開平１１−００１４４５号公報
【特許文献４】特開平０６−２１１７０４号公報
【特許文献５】米国特許 第５３３８４８１号公報
【特許文献６】特表２００４−５１８６０８号公報
【特許文献７】特開２００２−３０８８３２号公報
【非特許文献】
【０００４】
【非特許文献１】松本 正一、角田市良，「液晶の基礎と応用」，初版第３刷，株式会社工業調査会発行，１９９６年１１月１５日，ｐ．１２３
【非特許文献２】B. Grant, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1978, vol. 48, 175−182
【非特許文献３】Yong-Hong Lu, Chain-Shu Hsu, Shin-Tson Wu, Mol. Cryst. Liq. Cryst., 1993, vol. 225, 1−14
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
本発明は、大きい屈折率異方性を示す液晶性高分子を提供することを目的とし、さらに優れた性能を有する液晶素子や光学素子を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
上記の課題を解決するため、本発明者らは鋭意検討を加えた結果、ジアセチレン（１，３−ブタジイン）構造を有する液晶性高分子が大きな屈折率異方性を有することを見出し、本発明を完成するに至った。
すなわち、上記課題を解決するための手段は、以下の通りである。
【０００７】
〔１〕下記の一般式（Ａ）で表される化合物を反応させて得られるジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
R1-Sp1-(Ar1)p-(Ar3)q-(Phe)r-C≡C-C≡C-(Phe)r-(Ar4)q-(Ar2)p-Sp2-R2 （Ａ）
（式中、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、イソチオシアネート基、あるいは炭素原子１ないし１５個を有して非置換又はハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基若しくは反応性基により一置換若しくは多置換されたアルキル基、炭素原子２ないし１５個を有して非置換又はハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基若しくは反応性基により一置換若しくは多置換されたアルケニル基若しくはアルキニル基、または反応性基を表わし、ここで１個以上の非隣接−ＣＨ２−基は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−および／または−ＯＣＯ−により置換されていてもよい。ただし、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は反応性基を有する。また、Ｓｐ１およびＳｐ２は互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ３−、−ＮＲ３−ＣＯ−、−Ｏ（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ２）ｍ−、−（ＳｉＲ４Ｒ５−Ｏ）ｎ−または単結合であり、ここでｍおよびｎは独立して１〜１０の整数を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された炭素数１６までの芳香族の炭素環式または複素環式基であり、縮合環を含んでいてもよく、Ａｒ３およびＡｒ４は、互いに独立して、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された炭素数１６までの複素環式基であり、縮合環を含んでいてもよく、単結合で連結された複数の複素環式基でもよく、Ｐｈｅは、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された１，４−フェニレン基を表し、ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ０または１である。）
【０００８】
〔２〕一般式（Ａ）で表される化合物が、下記の一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする前記［１］に記載の液晶性高分子。
R1−Sp1−Ar1−Phe−C≡C−C≡C−Phe−Ar2−Sp2−R2 （１）
【０００９】
〔３〕一般式（Ａ）で表される化合物が、下記の一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする前記［１］に記載の液晶性高分子。
R1−Sp1−Ar3−C≡C−C≡C−Ar4−Sp2−R2 （２）
【００１０】
〔４〕一般式（Ａ）で表される化合物が、下記の一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする前記［１］に記載の液晶性高分子。
R1−Sp1−Phe−C≡C−C≡C−Phe−Sp2−R2 （３）
【００１１】
〔５〕前記の反応性基が、ヒドロキシル基、カルボキシル基、酸無水物基、マレイミド基、ビニロキシ基、オキシラニル基、オキセタニル基、ビニル基、（メタ）アクリレート基、シリル基であることを特徴とする前記〔１〕〜〔４〕のいずれかに記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
〔６〕前記の反応性基が、ビニル基、（メタ）アクリレート基、オキシラニル基、オキセタニル基であることを特徴とする前記〔５〕に記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
【００１２】
〔７〕前記のＡｒ１およびＡｒ２が、チオフェン−２，５−ジイル基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基であることを特徴とする前記〔１〕または［２］に記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
〔８〕前記のＡｒ３およびＡｒ４が、チオフェン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、ピリミジン−２，５−ジイル基であることを特徴とする前記〔１〕または〔３〕に記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
【００１３】
〔９〕前記〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子を含む液晶性重合体組成物。
〔１０〕光学用又は電気光学用として用いることを特徴とする前記〔１〕〜〔８〕のいずれかに記載の液晶性高分子。
【発明の効果】
【００１４】
本発明のジアセチレン構造を有する液晶性高分子は大きな屈折率異方性を有しフィルム化等の成形加工も容易であり、光学および電子光学的デバイス、例えば偏光板、補償板、ビームスプリッター等の用途に用いることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施例１で合成したアクリレートモノマーの１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図２】実施例１で合成したアクリレートモノマーのＤＳＣチャートを示す図である。ａの線は昇温時、ｂの線は降温時の挙動を表す。
【図３】実施例１で得た重合体の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを示す図である。
【図４】実施例１で得た重合体のＤＳＣチャートを示す図である。ｃの線は昇温時、ｄの線は降温時の挙動を表す。
【図５】実施例１で得た重合体の複屈折の波長依存性を示す図である。ｅの線およびｆの線はそれぞれ、重合体（室温下）および重合体の側鎖と類似した構造を有する１，４−ビス（４−ヘキシロキシフェニル）ブタ―１，３―ジインの１３７．５℃の結果を示す。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
以下、本発明を詳細に説明する。
本発明は、下記の一般式（Ａ）で表される化合物を反応させて得られるジアセチレン構造を有する液晶性高分子である。
R1-Sp1-(Ar1)p-(Ar3)q-(Phe)r-C≡C-C≡C-(Phe)r-(Ar4)q-(Ar2)p-Sp2-R2 （Ａ）
本発明の一般式（Ａ）で表される化合物は、１，３−ブタジイン骨格にフェニレン基等の炭素環式基や複素環式基とスペーサー基Ｓｐ１およびＳｐ２を介して置換基Ｒ１およびＲ２が結合された化合物であり、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は反応性基を有する基であり、下記一般式（１）〜（３）で表わされる化合物が好ましい。
R1−Sp1−Ar1−Phe−C≡C−C≡C−Phe−Ar2−Sp2−R2 （１）
R1−Sp1−Ar3−C≡C−C≡C−Ar4−Sp2−R2 （２）
R1−Sp1−Phe−C≡C−C≡C−Phe−Sp2−R2 （３）
【００１７】
１，３−ブタジイン骨格部分は、本発明の一般式（Ａ）、（１）〜（３）の化合物の特徴である。これらの化合物は反応性基の安定性を除くと、驚くほど高い化学的及び熱的安定性を持っている。一般的に、それらは高い異方性を持ち、その構造に従いネマチック液晶性および／またはスメクチック液晶性を示す。
【００１８】
式（Ａ）、（１）〜（３）において、Ｒ１、Ｒ２としてはそれぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、イソチオシアネート基、あるいは炭素原子１ないし１５個を有して非置換又はハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基または反応性基により一置換若しくは多置換されたアルキル基、炭素原子２ないし１５個を有して非置換又はハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基または反応性基により一置換若しくは多置換されたアルケニル基若しくはアルキニル基、または反応性基を表わし、ここで１個以上の非隣接−ＣＨ２−基は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−および／または−ＯＣＯ−により置換されていてもよい。ただし、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は反応性基を有することが必要である。
【００１９】
具体的には、例えば、メチル、エチル、プロピル、ブチル、ペンチル、ヘキシル、ヘプチル、オクチル、ノニル、デシル、ウンデシル、ドデシル、エテニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、プロピニル、ブチニル、ペンチニル、ヘキシニル、ヘプチニル、オクチニル、ノニニル、デシニル、ドデシニル、エチニル、プロペニル、ブテニル、ペンテニル、ヘキセニル、ヘプテニル、オクテニル、ノネニル、デセニル、ウンデセニル、ドデセニル、２−メチルプロピル、２−メチルブチル、３−メチルブチル、３−メチルペンチル、２−メチルヘキシル、２−メチルデシル、２−フルオロエチル、３−フルオロプロピル、４−フルオロブチル、６−フルオロヘキシル、４，４−ジフルオロブチル、６，６−ジフルオロヘキシル、２−クロロエチル、３−クロロプロピル、４−クロロブチル、６−クロロヘキシル、ペルフルオロエチル、ペルフルオロブチル、１−シアノエチル、１−シアノブチル、２−シアノブチル、１−トリフルオロメチルエチル、１−トリフルオロメチルブチル、メトキシ、エトキシ、ブチルオキシ、ペンチルオキシ、ヘキシルオキシ、オクチルオキシ、デシルオキシ、ドデシルオキシ、トリフルオロメトキシ、２−フルオロブチルオキシ、２−フルオロヘキシルオキシ、２−フルオロブチルオキシカルボニルやこれらの基に後述の反応性基を結合した基、水素原子、フッ素原子、トリフロロメチル基、シアノ基、イソチオシアネート基や反応性基等が挙げられる。
【００２０】
式（Ａ）、（１）におけるＡｒ１、Ａｒ２としては、それぞれ独立に、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された炭素数１６までの芳香族の炭素環式または複素環式基であり、縮合環を含んでいてもよい。好ましくは芳香族基または５員もしくは６員の複素環式基、あるいは２個または３個の縮合芳香族環または複素環の５員環もしくは６員環を含む基であり、これらの環は２個以上のヘテロ原子、特にＮ、ＯおよびＳから選択されるヘテロ原子を含んでいてもよい。
【００２１】
Ａｒ１およびＡｒ２の好ましい基の例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、オキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、イミダゾール、フェニレン、ピリジン、ピリミジン、ピラジン、インダン、ナフタレン、テトラヒドロナフタレン、アントラセンおよびフェナントレン等が挙げられる。
特に好ましいＡｒ１およびＡｒ２は、フラン−２，５−ジイル、チオフェン−２，５−ジイル、ピロール−２，５−ジイル、１，４−フェニレン、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイル、ナフタレン−２，６−ジイル、１，２，３，４−テトラヒドロナフタレン−２，６−ジイル、インダン−２，５−ジイルである。
これらのすべての基は無置換、または、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＯＨ、ＮＯ２、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、ＣＯＣＨ３、ＣＯＣ２Ｈ５、ＣＯＯＣＨ３、ＣＯＯＣ２Ｈ５、ＣＦ３、ＯＣＦ３、ＯＣＨＦ２またはＯＣ２Ｆ５により単置換もしくは多置換されることもできる。
【００２２】
式（Ａ）、（１）および（３）におけるＰｈｅは、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された１，４−フェニレン基を表す。例えば、１，４−フェニレン、２−フルオロ−１，４−フェニレン、３−フルオロ−１，４−フェニレン、２，３−ジフルオロ−１，４−フェニレン、２−クロロ−１，４−フェニレン、２−シアノ−１，４−フェニレン、２−メチル−１，４−フェニレン、３−メチル−１，４−フェニレンなどの基を挙げることができる。
【００２３】
また、式（Ａ）、（２）におけるＡｒ３、Ａｒ４としては、それぞれ独立に、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された炭素数１６までの複素環式基であり、縮合環を含んでいてもよくまた単結合で連結された複数の複素環式基でもよい。好ましくは５員もしくは６員の複素環式基、あるいは複素環式基を含む２個または３個の縮合環を含む基であり、複素環式基を構成する原子は１個または２個以上のヘテロ原子、特にＮ、ＯおよびＳから選択されるヘテロ原子が好ましい。
【００２４】
Ａｒ３およびＡｒ４の好ましい基の例としては、例えば、フラン、ピロール、チオフェン、オキサゾール、チアゾール、チアジアゾール、イミダゾール、ピリジン、ピリミジン、ピラジン等から誘導される基を挙げることができる。
特に好ましいＡｒ３およびＡｒ４は、フラン−２，５−ジイル、チオフェン−２，５−ジイル、ピロール−２，５−ジイル、ピリジン−２，５−ジイル、ピリミジン−２，５−ジイルである。
これらのすべての基は無置換、または、Ｆ、Ｃｌ、ＣＮ、ＣＨ３、Ｃ２Ｈ５、ＯＣＨ３、ＯＣ２Ｈ５、ＣＦ３、ＯＣＦ３、ＯＣＨＦ２またはＯＣ２Ｆ５により単置換もしくは多置換されることもできる。
【００２５】
Ｓｐ１およびＳｐ２はスペーサー基とも呼ばれる基であり、当業者にこの目的のために知られているすべての基を使用することができる。
Ｓｐ１およびＳｐ２は互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ３−、−ＮＲ３−ＣＯ−、−Ｏ（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ２）ｍ−、−（ＳｉＲ４Ｒ５−Ｏ）ｎ−または単結合であり、ここでｍおよびｎは独立して１〜１０の整数を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表す。
好ましいスペーサー基としては、例えばエチレン、プロピレン、ブチレン、ペンチレン、ヘキシレン、ヘプチレン、オクチレン、ノニレン、デシレン、ウンデシレン、ドデシレン、オクタデシレン、エチレンオキシエチレン、メチレンオキシブチレン、エチレン−Ｎ−メチル−イミノエチレン、エテニレン、プロペニレンおよびブテニレンなどを挙げることができる。
【００２６】
前記の反応性基とは、適宜な条件を選択することにより反応して高分子を形成することのできる基であり、ヒドロキシル基、カルボキシル基、酸無水物基、マレイミド基、ビニル基、ビニロキシ基、オキシラニル基、オキセタニル基、（メタ）アクリレート基、シリル基などが挙げられ、これらの中でも重合や縮合の容易な基が好ましく、例えば、好ましくはＣＨ２＝ＣＷ１−ＣＯＯ−、
【化１】
ＣＨ２＝ＣＷ２−（Ｏ）ｋ１−、ＣＨ３−ＣＨ＝ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ２＝ＣＨ）２ＣＨ−ＯＣＯ−、（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２ＣＨ−ＯＣＯ−、（ＣＨ２＝ＣＨ）２ＣＨ−Ｏ−、（ＣＨ２＝ＣＨ−ＣＨ２）２Ｎ−、ＨＯ−ＣＷ２Ｗ３−、ＨＳ−ＣＷ２Ｗ３−、ＨＷ２Ｎ−、ＨＯ−ＣＷ２Ｗ３−ＮＨ−、ＣＨ２＝ＣＷ１−ＣＯ−ＮＨ−、ＣＨ２＝ＣＨ−（ＣＯＯ）ｋ１−Ｐｈｅ−（Ｏ）ｋ２−、Ｐｈ−ＣＨ＝ＣＨ−、ＨＯＯＣ−、ＯＣＮ−およびＷ４Ｗ５Ｗ６Ｓｉから選択される。
【００２７】
ここで、Ｗ１はＨ、Ｃｌ、ＣＮ、フェニルまたは炭素原子１〜５個を有するアルキルであり、特にＨ、ＣｌまたはＣＨ３であり、Ｗ２およびＷ３は相互に独立して、Ｈまたは炭素原子１〜５個を有するアルキルであり、特にメチル、エチルまたはｎ−プロピルであり、Ｗ４、Ｗ５およびＷ６は、相互に独立してＣｌ、炭素原子１〜５個を有するオキサアルキルもしくはオキサカルボニルアルキルであり、Ｐｈはフェニル、Ｐｈｅは１，４−フェニレンであり、ならびにｋは０，１または２であり、ｋ１およびｋ２は相互に独立して０または１である。殊に好ましい基は、ビニル基、（メタ）アクリレート基、オキシラニル基またはオキセタニル基であり、最も好ましくは（メタ）アクリレート基である。
【００２８】
次に、式（１）〜（３）で表される化合物の合成方法について説明する。
式（１）〜（３）で表される化合物は、それ自体公知の非常に簡単な方法で製造することができる。例えば有機化学の標準的学術書であるHouben-Weyl, “ Methoden der Organischen Chemie ”, Thime-Verlag, Stuttgartなどに記載されている方法またはそれと類似の方法により合成することができる。より具体的には、例えばL.Brandsma，“ Preparative Acetylenic Chemistry ”2nd Ed. Elsevier, Amsterdam NL, (1988) や Cadiot-Chodkiewicz(G.Eglinton,W.Mc Grae in Raphael, Taylor and Wynberg(eds) “ Advances in Organic Chemistry ”, Vol.4, Interscience publishers, N.Y. (1963) に記載されたように、銅錯体の存在下に末端アルキンをハロアルキン誘導体とカップリングさせることにより製造することができる。
【００２９】
それぞれカップリングの相手として必要な末端アルキン類及びハロアルキン類は、公知であるか、又は公知化合物と類似であり、それ自体公知の方法により製造することができる。例えば、アルデヒドはＣＢｒ４／ＰＰｈ３を用いるウィッティヒ反応、続く脱離反応により必要なアルキンに変換することができる。必要ならば、それらのアルキンはそれ自体公知の方法、金属化、続いてハロゲン化により相当するハロアルケンから変換することができる。Ｒ１またはＲ２がキラルである場合には、本発明の誘導体はキラルな添加物（dopant）として用いることができる。
反応性基の導入は、反応性基を結合した化合物とジアセチレン基を有する化合物との反応や反応性基を結合したアセチレン化合物と他のアセチレン化合物とのカップリングなど、目的とするジアセチレン基を有する化合物の合成に支障のないように行えばよい。
【００３０】
本発明のジアセチレン構造を有する液晶性高分子は、前記の式（１）〜（３）が有する反応性基の反応に適した条件で反応させて得ることができる。反応の条件は特に制限はなく、例えば重合性基を有する場合は当該重合性基の反応性に応じてアニオン重合、カチオン重合、ラジカル重合を行う、他の反応性基、例えばヒドロキシル基やカルボキシル基を有する場合はエステル化等の縮合反応を行う、水素―ケイ素結合に炭素―炭素二重結合の付加（ヒドロシリル化）、などにより容易に液晶性高分子を得ることができる。
【００３１】
反応性基を有する前記の式（１）〜（３）で表される化合物は、保存安定性を向上させるために、各種の酸化防止剤、紫外線吸収剤や光安定剤を添加してもよい。さらに、得られる高分子の液晶性の発現を妨げない範囲で他の添加物、例えば連鎖移動剤、共重合可能な化合物（反応性希釈剤等）、界面活性剤、流動性向上剤、消泡剤、着色剤、顔料等を添加してもよい。
【００３２】
前記の重合は式（１）〜（３）で表される化合物および生成する重合体を溶解しうる溶媒中で行うことが好ましく、前記溶媒としては、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、シクロヘキサン、デカヒドロナフタレン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、γ−ブチロラクトン、酢酸エチル、乳酸エチル、安息香酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エタノール、プロパノール、ブトキシエタノール、ヘキシルオキシエタノール、クロロホルム、クロルベンゼン等やこれらの混合物を挙げることができる。生成した重合体（高分子）は、例えば、溶媒の減圧留去やメタノール等の貧溶媒への再沈等で回収することができる。
【００３３】
また、重合は光重合で行うこともできる。光重合は公知の方法や条件から適宜選択して行えばよい。使用される光は、紫外線、赤外線、可視光、Ｘ線などを挙げることができる。例えば、紫外線を使用する場合は、好ましくは実質的に酸素や水分の不在下に照射する紫外線の波長および重合する式（１）〜（３）の化合物に適した光重合開始剤を０．０５〜２０質量％、好ましくは０．２〜１０質量％添加した組成物を後述する配向能を有する基板上に塗布した状態や２枚の基板間に挟持させた状態で適宜な光源からの紫外線を照射すればよい。光重合開始剤の添加量が前記の範囲外では重合が不十分になる、光重合後にも残存して着色しやすくなるなどして好ましくない。
【００３４】
前記の光重合開始剤としては、例えばベンゾインエーテル類、ベンゾフェノン類、アセトフェノン類、ベンジルケタール類、アシルフォスフィンオキシド類、トリハロメチルトリアジン類、芳香族ヨードニウム塩類、芳香族スルホニウム塩類、芳香族ホスホニウム塩類、ジアゾジスルホン系化合物等を挙げることができる。
紫外線の照射量は組成物の組成や照射温度等により一概に決定できないが、１０ｍＪ／ｃｍ２〜２Ｊ／ｃｍ２、好ましくは５０ｍＪ／ｃｍ２〜１Ｊ／ｃｍ２である。この範囲外では重合が不十分になる、過剰露光で劣化しやすいなどして好ましくない。
紫外線源としては紫外線を多く発生する光源であれば特に制限はなく、低圧水銀ランプ、高圧水銀ランプ、超高圧水銀ランプ、メタルハライドランプ、カーボンアークランプ、無電極放電ランプ等を挙げることができる。
【００３５】
かくして得られる本発明の液晶性高分子は、モノマーとなる式（１）〜（３）で表される化合物や分子量により液晶相挙動（相転移温度）や光学異方性（複屈折）が異なるが、液晶相状態で測定した複屈折Δｎ（５５０ｎｍで測定）は好ましくは０．２０以上、特に０．２５以上が好ましい。
【００３６】
本発明の液晶性高分子の分子量に特に制限はないが、通常は数平均分子量で２０００〜５０００００、好ましくは３０００〜５００００である。この範囲外では成形物が脆い、十分な液晶相の発現が困難などして好ましくない。
【００３７】
本発明の液晶性高分子は、通常、光学異方性を利用したフィルム等の形態として、位相差フィルム等の光学素子として用いることができる。成形は好ましくは配向能を有する基板上に加熱溶融方式や、当該高分子を溶解しうる適宜な溶媒、例えば、ヘキサン、ヘプタン、オクタン、デカン、ベンゼン、トルエン、キシレン、メシチレン、メチルイソブチルケトン、テトラヒドロフラン、シクロヘキサノン、Ｎ−メチル−２−ピロリジノン、γ−ブチロラクトン、酢酸エチル、乳酸エチル、安息香酸エチル、ジメチルホルムアミド、ジメチルアセトアミド、エチレングリコールジメチルエーテル、ジエチレングリコールジメチルエーテル、エタノール、プロパノール、ブトキシエタノール、ヘキシルオキシエタノール、クロロホルム、クロルベンゼン等やこれらの混合物に溶解した溶液を用いて形成する、などして行われる。使用した溶媒は乾燥除去が好ましく、当該方法としては、自然乾燥、加熱乾燥、減圧乾燥、減圧加熱などを挙げることができる。
【００３８】
また、前述の光重合による方法では、モノマーである式（１）〜（３）の化合物が液晶性を示す場合は、液晶の配向を維持した状態で重合を行わせ当該配向状態を固定化することもできる。
溶液を用いる場合はスピンコーターやバーコーター、ロールコーター、ダイコーター等適宜な装置を用いて行うことができる。前記の配向能を有する基板としては、必要に応じて配向膜塗布、ラビング処理や斜方蒸着、延伸、光配向等の配向処理を施したポリエチレンテレフタレート、ポリエチレンナフタレート、トリアセチルセルロース、ノルボルネン系樹脂、ポリイミド、ポリカーボネート、ポリスルホン、ポリエーテルスルホン、ポリエーテルエーテルケトン、ポリアリレート、ポリビニルアルコール、ポリフェニレンスルフィド等のプラスチックフィルムやガラス板、マイクログルーブ構造を付した鉄、銅、アルミニウム等の金属板・箔などが挙げられ、これらはシートや長尺フィルムであってもよい。
【００３９】
得られたフィルムは加熱処理して十分に配向させることが好ましい。加熱温度は用いた液晶性高分子の液晶相温度範囲や基板の耐熱性に合わせて適宜設定すればよく、配向は一般的には液晶相を形成する温度範囲、例えばネマチック相転移温度以上、等方相転移温度未満で行われるが、液晶性高分子を等方相以上の温度に加熱して等方相となした後、冷却速度を調整することにより目的とする配向を形成することもできる。配向処理時間も適宜決定できるが通常は１０秒〜３０分である。なお、溶融形成や溶液塗布に当たって各種の添加剤、例えばフィルムの安定性や均一性の向上を目的として酸化防止剤、紫外線吸収剤や光安定剤、濡れ性向上のために界面活性剤、消泡剤等を本発明の目的を逸脱しない範囲で添加してもよい。これらの添加量も一般的に使用される範囲から適宜決定することができる。また、コレステリック配向を形成するために液晶性の有無を問わず混和しうる光学活性基を有する各種の化合物を添加することもできる。
【００４０】
フィルムの厚さは用途により異なるため一概に決定できないが、通常は０．０５μｍ〜５０μｍ、好ましくは０．１〜２０μｍである。この範囲外では膜厚の均一性が悪化する、配向が不十分になる、などして好ましくない。
【００４１】
前記の配向能を有する基板が着色や不透明等の光学的に好ましくない場合は、加熱配向処理されたフィルムを粘着剤や接着剤を介して使用目的に適した他の基板に転写することもできる。
転写に使用される粘着剤や接着剤（以下、「粘・接着剤」という）は貼合される両界面に適度な接着力を有する光学グレードのものであれば特に制限はなく、例えば、アクリル重合体系、エポキシ樹脂系、エチレン−酢酸ビニル共重合体系、ゴム系、ウレタン系およびこれらの混合物系や、熱硬化型および／または光硬化型、電子線硬化型等の各種反応性のものを挙げることができるが、光硬化型が処理の容易さなどから好ましい。
【００４２】
光硬化型のアクリル系粘・接着剤は、通常の市販されている紫外線（ＵＶ）硬化型粘・接着剤や液晶性組成物の接着性に応じて適宜変性したものを使用できる。
アクリル系粘・接着剤は、市販されている各種（メタ）アクリル系の単官能モノマーや多官能モノマー、ポリエステル（メタ）アクリレート、ポリウレタン（メタ）アクリレート等のオリゴマーや、光重合開始剤、粘度調整剤（増粘剤）、界面活性剤や分散剤等の添加剤等を適宜添加して調製してもよい。
また、転写にあたって接着性の向上のために被着される面にコロナ放電処理、紫外線照射処理や火炎処理等の表面処理を行ってもよい。
【００４３】
さらに光の拡散や散乱を目的としてアクリル系粘・接着剤と屈折率の異なる（微）粒子を添加してもよい。前記（微）粒子の材質としては、シリカ、アルミナ、ＩＴＯ、銀や各種の（架橋）プラスチック等を挙げることができる。また、粘・接着剤層には、例えば天然物や合成物の樹脂類、特に、粘着性付与樹脂や、ガラス繊維、ガラスビーズ、金属粉、その他の無機粉末等からなる充填剤、顔料、着色剤、酸化防止剤などの粘・接着剤に添加されることのある添加剤を含有していてもよい。これらの添加量は、その種類、構成成分、機能などにより一概には決定できないが、通常は、アクリル系粘・接着剤に対して０．０１質量％〜２０質量％が好ましい。
【００４４】
前記の他の基板としては、従来から知られているものを特に制限なく使用でき、例えばポリカーボネート、ノルボルネン系樹脂、トリアセチルセルロース、アクリル系、マレイミド系やスチレン系の樹脂等のフィルムやこれらを延伸したフィルム、ポリビニルアルコール系偏光素子や屈折率の異なる複数の樹脂薄膜の積層体からなる反射型偏光素子等を挙げることができる。
得られたフィルムは、光学膜、偏光板、補償板、反射膜等に使用することができる。例えば、液晶表示素子の補償板に用いる場合の液晶表示素子としては、ＴＮ（ツイスト・ネマチック）型、ＳＴＮ（スーパー・ツイスト・ネマチック）型，ＩＰＳ（インプレーンスイッチング）型，ＶＡ（垂直配向）型、ＥＣＢ（電気制御複屈折）型、ＡＳＭ（軸対称ミクロセル）型等の液晶表示素子を挙げることができる。
【００４５】
また本発明の液晶性高分子は、ＰＤＬＣ、ポリマーゲルまたはポリマーネットワークディスプレイなどに組成物として使用することができる。
液晶性高分子組成物及び電気−光学装置（液晶セル）の製造は、それ自体公知の方法で行なうことができる。
【実施例】
【００４６】
以下に実施例および比較例を挙げ、本発明を具体的に説明するが本発明はこれらの例に制限されるものではない。実施例および比較例で用いた各種測定法等を説明する。
【００４７】
１．複屈折の測定
下記の機器を用いて測定した。
偏光顕微鏡： ECLIPSE LV 100 POL、（株）ニコン製）
光ファイバー： BIF600-VIS-NIR、Ocean optics, Inc. 製
分光器： USB4000、Ocean optics, Inc. 製
評価用液晶セル：KSRP-03/B311P1NSS05、（株）イーエッチシー製）
測定温度は等方相転移温度より１０℃低い液晶相温度で、波長４００〜１０００ｎｍの範囲でスペクトルを測定し、下記にしたがって求めた。
【００４８】
（１）セルギャップの測定
液晶を封入しない状態でセルの下から光を当て、透過干渉光を測定することにより、空気層の厚さを求め（（１）式）、その空気層の厚さをセルギャップとする。
２ｄ＝ｍλ （１）
【００４９】
（２）顕微分光分析
上記（１）で求めたセルギャップがｄのセルに液晶を封入しホモジニアス配向させて作成した複屈折体を、偏光軸が互いに直交する２枚の偏光子の間に挟持して測定される分光透過率が最大または最小となる波長の値（（２）式）と、各波長における複屈折体のリタデーション（（３）式）を、４次まで展開したコーシーの分散式（（４）式）でフィッテングを行い、複屈折体の複屈折率ΔｎおよびリタデーションＲの波長分散を決定した。
【００５０】
【数１】
【００５１】
２．ＤＳＣの測定
Ｐｅｒｋｉｎ−Ｅｌｍｅｒ社製 ＤＳＣ７を用い、窒素雰囲気下で昇降温速度１０℃／ｍｉｎで測定した。
【００５２】
３．偏光顕微鏡観察（液晶相挙動の判定）
温度調節装置Ｍｅｔｔｌｅｒ社製ＦＰ９０セントラルプロセッサーを付したＭｅｔｔｌｅｒ社製ＦＰ８２ホットステージを具備したＯｌｙｍｐｕｓ社製偏光顕微鏡（型式ＢＸ５０）により、液晶の相挙動をＤＳＣの測定結果と合わせて調べた。
Ｃｒは結晶相を、Ｓはスメクチック相を、Ｎはネマチック相を、そしてＩｓｏは等方相を示す。
【００５３】
４．ＮＭＲスペクトルの測定
テトラメチルシラン（ＴＭＳ）を内標として重水素化クルロホルム、重水素化ジメチルホルムアミドまたは重水素化ジメチルスルホキシド溶媒に試料を溶解してＮＭＲ装置（ＪＥＯＬ ＬＮＭ−ＥＸ４００）により１Ｈおよび／または１３Ｃ−ＮＭＲスペクトルを測定した。
【００５４】
５．分子量の測定
検出器として JASCO UV-2070 detector および JASCO RI-2031 detector を付したゲル パーメーション クロマトグラフに、分離カラムとしてTOSOH TSKgel G3000HXL または G4000HXL をセットし、２５℃でＴＨＦ溶媒（流量：１ｍｌ／ｍｉｎ）で測定した。分子量の校正は標準ポリスチレンを用いた。
【００５５】
６．その他、必要に応じて以下の機器を用いた。
ＦＴ−ＩＲ： JASCO FT-IR 460 plus spectrometer
ＵＶ−ｖｉｓスペクトル： Beckman Coutler DU800 UV-vis Spectrometer
高分解能マス スペクトル：JEOL JMS700 mass spectrometer
【００５６】
［実施例１］
Ａ．アクリレートモノマーの合成
【化２】
【００５７】
（略号）
n-BuLi n-ブチルリチウム
DIPEA ジイソプロピルエチルアミン
DMF ジメチルホルムアミド
MeOH メタノール，
MMACl メタクリロリルクロリド
Ph フェニル基
TBAF テトラブチルアンモニウム フルオライド
TBDMSCl tert-ブチルジメチルシリルクロリド
TEA トリエチルアミン
THF テトラヒドロフラン
TMS トリメチルシリル基
【００５８】
（１）化合物１の合成
４−ヨードフェノール（５．５ｇ，２５．１ｍｍｏｌ），６−ブロモ−１−ヘキサノール（５．０ｇ，２７．６ｍｍｏｌ），炭酸カリウム（４．２ｇ，３０．１ｍｍｏｌ）およびＤＭＦ（５０ｍｌ）の混合物を還流温度で１８ｈ反応させた。減圧下に溶媒を除去し、残存物をジエチルエーテルで抽出して、水洗後ＭｇＳＯ４で乾燥し、ジエチルエーテルを留去した。残存物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／３）処理して化合物１を得た（８．１ｇ，収率：９９％）。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.54 (d, J = 8.52 Hz, 2H), 6.67 (d, J = 8.56 Hz, 2H), 3.92 (t, J = 6.40 Hz, 2H), 3.67(q, J = 6.01 Hz, 2H), 1.79 (quint, J = 6.95 Hz,, 2H), 1.64-1.1.36 ( m, 6H), 1.26 (s, 1H).
【００５９】
（２）化合物２の合成
アルゴンで脱気したＴＥＡ（２０ｍｌ）およびトリメチルシリルアセチレン（５．５ｍｌ，４０ｍｍｏｌ）の混合物を、上記で得た化合物１（８．０ｇ，２５ｍｍｏｌ），Ｐｄ（ＰＰｈ３）４（０．５８ｇ，０．０５０ｍｍｏｌ），ＣｕＩ（９５ｍｇ，０．０５０ｍｍｏｌ）およびＰＰｈ３（０．１３ｇ，０．０５０ｍｍｏｌ）の混合物に加え、４５℃で２日間攪拌・反応させた。
反応混合物にジエチルエーテルを加え、不溶塩を濾過して除き塩酸水溶液、水で洗浄後、ＭｇＳＯ４で乾燥、ジエチルエーテルを留去し残存物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／２）処理して化合物２を得た（収率：９９％）。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.34 (d, J = 8.32 Jz, 2H), 6.80 (d, J = 8.08 Hz, 2H), 4.12 (q, J = 7.41 Hz, 2H), 3.95 (t, J = 6.58 Hz, 2H), 1.82-1.75 (m, 2H), 1.64-1.1.39 ( m, 6H), 1.26 (s, 1H).
【００６０】
（３）化合物３の合成
得られた化合物２（３．０７ｇ，１４．１ｍｍｏｌ），ＴＢＡＦ（１６ｍｌ，１６ｍｍｏｌ）およびＴＨＦ（５０ｍｌ）を１５分間攪拌した後、溶媒を減圧下に除去した。残存物をジエチルエーテルで抽出し水洗、ＭｇＳＯ４．で乾燥してからジエチルエーテルを除去した。
残存物をシリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／３）処理して化合物３を得た（化合物２に対する収率:６８％）。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.41, (d, J = 8.76 Hz, 2H), 6.82 (d, J = 8.80 Hz, 2H), 3.96 (t, J = 6.52 Hz, 2H), 3.66 (t, J = 6.48 Hz, 2H), 2.99 (s, 1H), 1.80 (quint, J = 6.89 Hz, 2H), 1.64-1.35 (m, 6H), 1.29 (s, 1H)
【００６１】
（４）化合物４の合成
化合物３（１．１０ｇ，５．００ｍｍｏｌ）およびイミダゾール（０．４５ｇ，６．５０ｍｍｏｌ）をＣＨ２Ｃｌ２（３０ｍＬ）に溶解した溶液にｔｅｒｔ−ブチル−ジメチル−シリルクロリド（０．９８ｇ，６．５０ｍｍｏｌ）を加え、室温で３ｈ攪拌した。反応混合物をＣＨ２Ｃｌ２で抽出し、水洗、ＭｇＳＯ４で乾燥後濃縮した。
粗生成物をシリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）で処理し化合物４を得た（収率：９９％）。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.41, (d, J = 8.56 Hz, 2H), 6.82 (d, J = 8.76 Hz, 2H), 3.95 (t, J = 6.46 Hz, 2H), 3.61 (t, J = 6.48 Hz, 2H), 2.99 (s, 1H), 1.79 (quin, J = 6.90 Hz, 2H), 1.56-1.34 (m, 6H), 0.89 (s, 9H), 0.04 (s, 6H).
【００６２】
（５）化合物５の合成
０℃で、四臭化炭素（６．６ｇ，２０ｍｍｏｌ）をＰＰｈ３（１０．５ｇ，４０ｍｍｏｌ）を溶解したＣＨ２Ｃｌ２溶液に加え１５分間攪拌後、４−ヘキシロキシベンツアルデヒド（２．１０ｇ，１０ｍｍｏｌ）を加えた。３ｈ後、メタノールを添加して反応を停止し、クロロホルムで抽出して有機層をチオ硫酸ナトリウム水溶液、塩化ナトリウム水溶液で洗浄しＭｇＳＯ４で乾燥した。
減圧下に溶媒を留去後、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）処理して化合物５を得た（１．７９ｇ，収率：４９％）。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.50, (d, J = 8.80 Hz, 2H), 7.40 (s, 1H), 6.88 (d, J = 7.68 Hz, 2H), 3.96 (t, J = 6.58 Hz, 2H), 1.78 (quin, J = 7.02 Hz, 2H), 1.49-1.29 (m, 6H), 0.91 (t, 3H).
【００６３】
（６）化合物６の合成
化合物４（１．９ｇ，５．７ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（３０ｍＬ）溶液を−７８℃に冷却し、ｎ−ＢｕＬｉ（２．２ｍＬ，２．６Ｍ，５．８ｍｍｏｌ）を加え３０分反応後、無水ＺｎＣｌ２（０．７９ｇ，５．８ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（１５ｍＬ） 溶液を−７８℃で加えた。１５分間同温度に保った後３０分以上かけて０℃に戻した。
この亜鉛を含む溶液に化合物５（２．０ｇ，５．７ｍｍｏｌ）を加えた溶液をＰｄ（ＰＰｈ３）４（０．３３ｇ，０．２８ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（５ｍＬ）に加えて０℃で２日間攪拌反応した。ＮＨ４Ｃｌ水溶液を添加して反応を停止し、ジエチルエーテルで抽出し、有機層をＮａＨＣＯ３水溶液、飽和塩化ナトリウム水溶液で洗浄し．ＭｇＳＯ４で乾燥した。減圧下に濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／１０）処理し化合物６を得た。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.69 (d, J = 9.04, 2H), 7.41 (d, J = 8.56 Hz, 2H), 7.21 (s, 1H), 6.89 (d, J = 8.80, 2H), 6.85 (d, J = 8.76 Hz, 2H), 3.97 (q, J = 6.35 Hz, 4H), 3.62 (t, J = 6.46 Hz, 2H), 1.86-1.73 (m, 4H).
【００６４】
（７）化合物７の合成
化合物６（１．６０ｇ，２．６０ｍｍｏｌ）／ＴＨＦ（２０ｍｌ）溶液にアルゴン雰囲気下で１．０Ｍ／ＬのＴＢＡＦ／ＴＨＦ溶液（４．８０ｍＬ，４．８０ｍｍｏｌ）を加え、室温で１日反応させた。
有機層をクロロホルムで抽出し水洗後ＭｇＳＯ４で乾燥した。溶媒を除去し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（溶出液：クロロホルム／酢酸エチル／ヘキサン＝１／１／１）処理し化合物７を得た（１．０５ｇ）。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.44 (d, J = 8.80 Hz, 4H), 6.83 (d, J = 8.56 Hz, 4H),3.98-3.94 (m, 4H), 3.70-3.62 (m, 2H), 1.83-1.74 (m, 4H), 1.64-1.33 (m, 12H), 0.90 (t, J = 6.84 Hz, 3H).
【００６５】
（８）化合物８の合成
化合物７（０．９７ｇ，２．３０ｍｍｏｌ）およびＴＥＡ（３．００ｍｌ，３．００ｍｍｏｌ）／ＣＨ２Ｃｌ２（３５ｍｌ）溶液にメタクリロイルクロリド（０．２９ｍｌ，３．００ｍｍｏｌ）を添加し室温で７ｈ反応させた。
反応混合物をクロロホルムで抽出し有機層をＭｇＳＯ４で乾燥した後溶媒を留去し、粗生成物をシリカゲルを用いたフラッシュカラムクロマトグラフィー（溶出液：酢酸エチル／ヘキサン＝１／２）処理し化合物８を得た。化合物８の１Ｈ−ＮＭＲスペクトルを図１に、ＤＳＣチャートを図２に示す。
＜スペクトルデータ＞
1H NMR (400 MHz, CDCl3, ppm) δ 7.47-7.40 (m, 4H), 6.83 (dd, J = 9.04 and 2.44 Hz, 4H), 6.10 (s, 1H), 5.55 (s, 1H), 4.16 (t, J = 6.58 Hz, 2H), 3.98-3.94 (m, 4H), 1.94 (s, 3H), 1.82-1.67 (m, 6H), 1.53-1.31 (m, 10H), 0.91 (t, J = 6.72 Hz, 3H) .
【００６６】
Ｂ．重合体の合成
アルゴン雰囲気下で、上記（８）で得た化合物８の０．５ｍｏｌ／ＬのＴＨＦ溶液に化合物８に対して５ｍｏｌ％のｎ−ＢｕＬｉ溶液を添加し、−１０℃で２４ｈ反応させた。
過剰量のＭｅＯＨ中に重合液を滴下し、重合体を析出させた後、再沈殿により精製した。
得られた重合体の数分子量（Ｍｎ）は７９９０（ＧＰＣによる測定）であり、分子量分布（Ｍｗ／Ｍｎ）は１．６９であった。重合体のＤＳＣの測定結果（図４）から液晶相挙動は次のようであった。
Ｃ ７０．３℃ Ｎ １４１．３℃ Ｉ
また、等方相温度に加熱した重合体を間隙を３μｍに調整したセルに注入し、１０℃／ｍｉｎでガラス転移温度以下まで冷却した後、室温で光学特性（複屈折の波長依存性）を測定した。結果を図５に示す。
【産業上の利用可能性】
【００６７】
本発明のジアセチレン構造を有する液晶性重合体は大きな屈折率異方性を有し、各種液晶表示素子の構成部材として有用であり、またフィルム化等の成形加工も容易であり光学又は電気光学の目的等に用いることができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
下記の一般式（Ａ）で表される化合物を反応させて得られるジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
R1-Sp1-(Ar1)p-(Ar3)q-(Phe)r-C≡C-C≡C-(Phe)r-(Ar4)q-(Ar2)p-Sp2-R2 （Ａ）
（式中、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、イソチオシアネート基、あるいは炭素原子１ないし１５個を有して非置換又はハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基若しくは反応性基により一置換若しくは多置換されたアルキル基、炭素原子２ないし１５個を有して非置換又はハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基若しくは反応性基により一置換若しくは多置換されたアルケニル基若しくはアルキニル基、または反応性基を表わし、ここで１個以上の非隣接−ＣＨ２−基は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−および／または−ＯＣＯ−により置換されていてもよい。ただし、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は反応性基を有する。また、Ｓｐ１およびＳｐ２は互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ３−、−ＮＲ３−ＣＯ−、−Ｏ（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ２）ｍ−、−（ＳｉＲ４Ｒ５−Ｏ）ｎ−または単結合であり、ここでｍおよびｎは独立して１〜１０の整数を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された炭素数１６までの芳香族の炭素環式または複素環式基であり、縮合環を含んでいてもよく、Ａｒ３およびＡｒ４は、互いに独立して、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された炭素数１６までの複素環式基であり、縮合環を含んでいてもよく、単結合で連結された複数の複素環式基でもよく、Ｐｈｅは、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された１，４−フェニレン基を表し、ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ０または１である。）
【請求項２】
一般式（Ａ）で表される化合物が、下記の一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の液晶性高分子。
R1−Sp1−Ar1−Phe−C≡C−C≡C−Phe−Ar2−Sp2−R2 （１）
【請求項３】
一般式（Ａ）で表される化合物が、下記の一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の液晶性高分子。
R1−Sp1−Ar3−C≡C−C≡C−Ar4−Sp2−R2 （２）
【請求項４】
一般式（Ａ）で表される化合物が、下記の一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の液晶性高分子。
R1−Sp1−Phe−C≡C−C≡C−Phe−Sp2−R2 （３）
【請求項５】
前記の反応性基が、ヒドロキシル基、カルボキシル基、酸無水物基、マレイミド基、ビニロキシ基、オキシラニル基、オキセタニル基、ビニル基、（メタ）アクリレート基、またはシリル基であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
【請求項６】
前記の反応性基が、ビニル基、（メタ）アクリレート基、オキシラニル基、またはオキセタニル基であることを特徴とする請求項５に記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
【請求項７】
前記のＡｒ１およびＡｒ２が、チオフェン−２，５−ジイル基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、またはピリミジン−２，５−ジイル基であることを特徴とする請求項１または２に記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
【請求項８】
前記のＡｒ３およびＡｒ４が、チオフェン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、またはピリミジン−２，５−ジイル基であることを特徴とする請求項１または３に記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子を含む液晶性重合体組成物。
【請求項１０】
光学用又は電気光学用として用いることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の液晶性高分子。
【請求項１】
下記の一般式（Ａ）で表される化合物を反応させて得られるジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
R1-Sp1-(Ar1)p-(Ar3)q-(Phe)r-C≡C-C≡C-(Phe)r-(Ar4)q-(Ar2)p-Sp2-R2 （Ａ）
（式中、Ｒ１およびＲ２は、互いに独立して、水素原子、ハロゲン原子、シアノ基、イソチオシアネート基、あるいは炭素原子１ないし１５個を有して非置換又はハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基若しくは反応性基により一置換若しくは多置換されたアルキル基、炭素原子２ないし１５個を有して非置換又はハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基若しくは反応性基により一置換若しくは多置換されたアルケニル基若しくはアルキニル基、または反応性基を表わし、ここで１個以上の非隣接−ＣＨ２−基は−Ｏ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−および／または−ＯＣＯ−により置換されていてもよい。ただし、Ｒ１およびＲ２の少なくとも一方は反応性基を有する。また、Ｓｐ１およびＳｐ２は互いに独立して、−Ｏ−、−Ｓ−、−ＣＯ−、−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−、−ＯＣＯ−Ｏ−、−ＣＯ−ＮＲ３−、−ＮＲ３−ＣＯ−、−Ｏ（ＣＨ２）ｎ−、−（ＣＨ２）ｎＯ−、−ＣＨ＝ＣＨ−ＣＯＯ−、−ＯＣＯ−ＣＨ＝ＣＨ−、−（ＣＨ２）ｍ−、−（ＳｉＲ４Ｒ５−Ｏ）ｎ−または単結合であり、ここでｍおよびｎは独立して１〜１０の整数を表し、Ｒ３、Ｒ４およびＲ５は水素原子または炭素数１〜４のアルキル基を表し、Ａｒ１およびＡｒ２は、互いに独立して、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された炭素数１６までの芳香族の炭素環式または複素環式基であり、縮合環を含んでいてもよく、Ａｒ３およびＡｒ４は、互いに独立して、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された炭素数１６までの複素環式基であり、縮合環を含んでいてもよく、単結合で連結された複数の複素環式基でもよく、Ｐｈｅは、非置換またはハロゲン原子、シアノ基、トリフルオロメチル基、メチル基、エチル基、メトキシ基若しくはエトキシ基により一置換若しくは多置換された１，４−フェニレン基を表し、ｐ、ｑおよびｒは、それぞれ０または１である。）
【請求項２】
一般式（Ａ）で表される化合物が、下記の一般式（１）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の液晶性高分子。
R1−Sp1−Ar1−Phe−C≡C−C≡C−Phe−Ar2−Sp2−R2 （１）
【請求項３】
一般式（Ａ）で表される化合物が、下記の一般式（２）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の液晶性高分子。
R1−Sp1−Ar3−C≡C−C≡C−Ar4−Sp2−R2 （２）
【請求項４】
一般式（Ａ）で表される化合物が、下記の一般式（３）で表される化合物であることを特徴とする請求項１に記載の液晶性高分子。
R1−Sp1−Phe−C≡C−C≡C−Phe−Sp2−R2 （３）
【請求項５】
前記の反応性基が、ヒドロキシル基、カルボキシル基、酸無水物基、マレイミド基、ビニロキシ基、オキシラニル基、オキセタニル基、ビニル基、（メタ）アクリレート基、またはシリル基であることを特徴とする請求項１〜４のいずれかに記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
【請求項６】
前記の反応性基が、ビニル基、（メタ）アクリレート基、オキシラニル基、またはオキセタニル基であることを特徴とする請求項５に記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
【請求項７】
前記のＡｒ１およびＡｒ２が、チオフェン−２，５−ジイル基、１，４−フェニレン基、ナフタレン−２，６−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、またはピリミジン−２，５−ジイル基であることを特徴とする請求項１または２に記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
【請求項８】
前記のＡｒ３およびＡｒ４が、チオフェン−２，５−ジイル基、ピリジン−２，５−ジイル基、またはピリミジン−２，５−ジイル基であることを特徴とする請求項１または３に記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子。
【請求項９】
請求項１〜８のいずれかに記載のジアセチレン構造を有する液晶性高分子を含む液晶性重合体組成物。
【請求項１０】
光学用又は電気光学用として用いることを特徴とする請求項１〜８のいずれかに記載の液晶性高分子。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２０１２−１６７２１４（Ｐ２０１２−１６７２１４Ａ）
【公開日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−３０１１６（Ｐ２０１１−３０１１６）
【出願日】平成２３年２月１５日（２０１１．２．１５）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２２年度、独立行政法人科学技術振興機構産学イノベーション加速事業（戦略的イノベーション創出推進）高分子ナノ配向制御による新規デバイス技術の開発、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（３０４０２１４１７）国立大学法人東京工業大学 (1,821)
【出願人】（０００００４４４４）ＪＸ日鉱日石エネルギー株式会社 (1,898)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年９月６日（２０１２．９．６）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月１５日（２０１１．２．１５）
【国等の委託研究の成果に係る記載事項】（出願人による申告）平成２２年度、独立行政法人科学技術振興機構産学イノベーション加速事業（戦略的イノベーション創出推進）高分子ナノ配向制御による新規デバイス技術の開発、産業技術力強化法第１９条の適用を受ける特許出願
【出願人】（３０４０２１４１７）国立大学法人東京工業大学 (1,821)
【出願人】（０００００４４４４）ＪＸ日鉱日石エネルギー株式会社 (1,898)
【Ｆターム（参考）】
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