スパッタリング装置およびその成膜方法
【課題】被処理基板に対して成膜の初期段階から持続的に除電を行なうことによって、異常放電の発生を抑制することが可能なスパッタリング装置を得る。
【解決手段】スパッタリング処理によって被処理基板１００に対して導電膜１０３を形成するスパッタリング装置は、処理室と、金属製のローラ基部３Ｌおよびローラ基部３Ｌの全周に設けられる樹脂材３Ｒを含む搬送ローラ３と、樹脂材３Ｒの表面を被覆しつつローラ基部３Ｌに電気的に導通された導電部３Ｓと、を備え、処理室内で被処理基板１００に導電膜１０３を形成するとき、被処理基板１００は、導電部３Ｓに当接して搬送ローラ３に搬送され、導電部３Ｓを通して除電されつつスパッタリング処理される。
【解決手段】スパッタリング処理によって被処理基板１００に対して導電膜１０３を形成するスパッタリング装置は、処理室と、金属製のローラ基部３Ｌおよびローラ基部３Ｌの全周に設けられる樹脂材３Ｒを含む搬送ローラ３と、樹脂材３Ｒの表面を被覆しつつローラ基部３Ｌに電気的に導通された導電部３Ｓと、を備え、処理室内で被処理基板１００に導電膜１０３を形成するとき、被処理基板１００は、導電部３Ｓに当接して搬送ローラ３に搬送され、導電部３Ｓを通して除電されつつスパッタリング処理される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置およびその成膜方法に関し、特に、被処理基板を搬送しつつスパッタリング処理によって被処理基板の表面に導電膜を成膜するスパッタリング装置およびその成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタリング装置を用いて成膜を行うとき、成膜中のスパッタ粒子は帯電している為、そのスパッタ粒子が堆積した被処理基板には成膜の過程で静電気という形で電荷が溜まっていく。その電荷が所定の量を超えたとき、被処理基板の近傍に導電性を有する物体があると、被処理基板とこの物体との間で異常放電が生じ、その異常放電の衝撃によって被処理基板にダメージが生じることがある。したがって、被処理基板と被処理基板の近傍の物体とを互いに絶縁することが従来から行われてきた。
【０００３】
特開２００１−０３５６９４号公報（特許文献１）には、スパッタリング装置に関する発明が開示される。このスパッタリング装置においては、被処理基板を搬送するための搬送ローラが用いられる。この搬送ローラは、ポリテトラフルオロエチレン（絶縁性を有する樹脂）から構成される。
【０００４】
特開２０１０−１４７２５６号公報（特許文献２）にも、スパッタリング装置に関する発明が開示される。このスパッタリング装置においては、被処理基板を搬送するためガイドローラが用いられる。このガイドローラの上側および下側には、防着板がそれぞれ設けられる。防着板によって、絶縁ローラとシャフトとの間の導通が防止されている。
【０００５】
特開２０１１−０２３１２３号公報（特許文献３）には、除電装置（イオナイザ）およびこれを備えた搬送装置に関する発明が開示される。イオナイザとよばれる除電装置を用いて、ガラス基板の表面にイオンが供給される。ガラス基板の帯電が中和される（除電される）ことによって、ガラス基板に発生した静電気が除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−０３５６９４号公報
【特許文献２】特開２０１０−１４７２５６号公報
【特許文献３】特開２０１１−０２３１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特開２００１−０３５６９４号公報（特許文献１）に開示されるスパッタリング装置においては、スパッタリング処理によって、搬送ローラ上に導電性膜が付着する。搬送ローラ上に付着した導電性膜によって搬送ローラの絶縁性が低下する為、搬送ローラと成膜によって帯電した基板との間で異常放電が発生する可能性がある。
【０００８】
特開２０１０−１４７２５６号公報（特許文献２）に開示されるスパッタリング装置においては、スパッタリング処理が繰り返し行なわれることによって、防着板が導電膜によって覆われる。ローラと防着板との間に導電膜が形成され、さらに、防着板とシャフトとの間に導電膜が形成される。これらの導電膜を通して、ローラとシャフトとが互いに導通する。これによって、成膜によって帯電した被処理基板とローラとの間で異常放電が発生する可能性がある。
【０００９】
特開２０１１−０２３１２３号公報（特許文献３）に開示されるイオナイザを、スパッタリング装置内に設けたとする。イオナイザを用いてスパッタリング処理中の被処理基板に対して除電を行なった場合、イオナイザから放出されるイオンが、スパッタ粒子の動きを妨げる。スパッタ粒子の動きが不均一となり、成膜される導電膜などの厚さにばらつきが生じる。スパッタリング処理が繰り返し行なわれることによって、イオナイザ自体にも導電膜が堆積する。イオナイザの除電性能が低下することによって、被処理基板は除電されなくなって電荷が溜まり、異常放電が発生する可能性がある。
【００１０】
本発明は、上記のような実情に鑑みて為されたものであって、被処理基板に対して成膜の初期段階から持続的に除電を行なうことによって、異常放電の発生を抑制することが可能なスパッタリング装置およびその成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に基づくスパッタリング装置は、スパッタリング処理によって被処理基板に対して導電膜を形成するスパッタリング装置であって、処理室と、金属製のローラ基部および上記ローラ基部の全周に設けられる樹脂材を含む搬送ローラと、上記樹脂材の表面を被覆しつつ上記ローラ基部に電気的に導通された導電部と、を備え、上記処理室内で上記被処理基板に上記導電膜を形成するとき、上記被処理基板は、上記導電部に当接して上記搬送ローラに搬送され、上記導電部を通して除電されつつスパッタリング処理される。
【００１２】
好ましくは、上記導電部は、上記樹脂材の表面に形成された上記導電膜からなる。好ましくは、上記導電部は、銀、銅、金、およびアルミニウムのうちのいずれかを含む上記導電膜である。好ましくは、上記導電部は、上記樹脂材の表面を被覆しつつ上記ローラ基部に電気的に導通された金属メッシュ部を含む。
【００１３】
本発明に基づくスパッタリング装置の成膜方法は、スパッタリング処理によって被処理基板に対して導電膜を形成するスパッタリング装置の成膜方法であって、処理室内に位置する搬送ローラの表面に、予め導電膜を成膜して導電部を形成する第１工程と、上記搬送ローラを用いて上記処理室内において上記被処理基板を搬送しつつ、上記スパッタリング処理によって上記被処理基板に対して上記導電膜を形成する第２工程と、を備え、上記第２工程のとき、上記被処理基板は、上記導電部を通して除電されている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、被処理基板に対して成膜の初期段階から持続的に除電を行なうことによって、異常放電の発生を抑制することが可能なスパッタリング装置およびその成膜方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態におけるスパッタリング装置の装置構成を示す模式図である。
【図２】図１に示すスパッタリング装置の搬送路を上方から見た場合の平面図である。
【図３】実施の形態におけるスパッタリング装置に用いられる搬送ローラおよび回転軸を示す断面図である。
【図４】実施の形態におけるスパッタリング装置に用いられる搬送ローラおよび回転軸を示す斜視図である。
【図５】実施の形態におけるスパッタリング装置を用いて被処理基板に対してスパッタリング処理が行なわれている際の被処理基板の様子を示す断面図である。
【図６】実施の形態におけるスパッタリング装置の成膜方法の１つの工程（被処理基板に対してスパッタリング処理が行なわれる前の工程）を示す模式図である。
【図７】実施の形態の第１変形例におけるスパッタリング装置に用いられる搬送ローラを示す斜視図である。
【図８】実施の形態の第２変形例におけるスパッタリング装置に用いられる搬送ローラを示す斜視図である。
【図９】実施の形態の第３変形例におけるスパッタリング装置に用いられる搬送ローラを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
［実施の形態］
本発明に基づいた実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
【００１７】
（スパッタリング装置１）
図１は、実施の形態におけるスパッタリング装置１の装置構成を示す模式図である。図１に示すように、スパッタリング装置１は、いわゆるインライン型スパッタリング装置（インライン型ＤＣマグネトロンスパッタリング装置）である。
【００１８】
スパッタリング装置１は、被処理基板１００に対して導電膜を形成するものであり、チャンバ２（処理室）と、搬送手段としての複数の搬送ローラ３と、プラズマ生成部としてのカソード２１と、材料ターゲット２８と、除電シールド２９と、底面防着板４０と、電源接続部２３とを主として備えている。
【００１９】
チャンバ２は、外部の空間と処理空間とを区画するための反応容器に相当し、たとえば箱状の形状を有している。チャンバ２の相対する一対の側面のうちの一方の側面には、処理前の被処理基板１００を処理空間に搬入するためのスリット状の搬入口２ａが設けられている。上記一対の側面のうちの他方の側面には、処理後の被処理基板１００を処理空間から搬出するためのスリット状の搬出口２ｂが設けられている。チャンバ２の下面には、処理空間に充填された後述する材料ガスを排出するためのガス排出部２ｃが設けられている。
【００２０】
搬送ローラ３は、チャンバ２の内側および外側に整列して複数設けられており、これにより上述した搬入口２ａおよび搬出口２ｂを結ぶように搬送路４が構成されている。搬送路４は、被処理基板１００を搬送するための通路であり、チャンバ２を横断するように直線状に設けられている。搬送ローラ３は、搬送路４の下方に位置し、被処理基板１００の下面を支持しつつ支持した被処理基板１００を上記搬送路４上において図中矢印Ａ方向に搬送する。
【００２１】
搬送ローラ３の各々は、インシュレータ４１を通して電気的に接地されている。被処理基板１００の搬送方向において相互に隣り合う搬送ローラ３同士の間には、底面防着板４０が設けられている。底面防着板４０は、インシュレータ４２を通して電気的に接地されている。
【００２２】
図２は、図１に示すスパッタリング装置１の搬送路４を上方から見た場合の平面図である。図２に示すように、搬送ローラ３は、被処理基板１００の搬送方向と直交する方向に沿って所定の間隔Ｘを空けて複数配置され、回転軸５によってそれぞれ軸支されている。図示しない駆動手段によって回転軸５が回転駆動されることで、複数の搬送ローラ３は被処理基板１００を搬送する。なお、これら複数の搬送ローラ３は、被処理基板１００の搬送方向に沿って互いに平行に複数配置されている。搬送ローラ３の更なる詳細については、図３および図４を参照して後述する。
【００２３】
図１を再び参照して、カソード２１は、チャンバ２内の所定位置において搬送路４の上方に配置されている。カソード２１は、平板状の電圧印加電極に相当し、搬送路４の上方にその下面が搬送路４に面するように、当該搬送路４から所定の距離をもって配置されている。カソード２１は、電源接続部２３を通して図示しない直流電源に接続されている。また、カソード２１の下面には、中央磁石２２ａおよび外周磁石２２ｂが取付けられている。中央磁石２２ａは、カソード２１の下面の中央部に配設されており、外周磁石２２ｂは、当該中央磁石２２ａを囲むようにカソード２１の下面の周縁に沿って環状に配置されている。
【００２４】
カソード２１は、電気的に接地されたカソードシールド２４によって覆われており、当該カソードシールド２４の下方の位置に、材料ターゲット２８が取付けられている。材料ターゲット２８の周囲には、電気的に接地された除電シールド２９が設けられている。この材料ターゲット２８は、スパッタリングによりスパッタ粒子を発生させるためのものであり、被処理基板１００に成膜すべき膜の組成に応じた材料ターゲットが適宜選択される。
【００２５】
カソードシールド２４は、絶縁体２５によって支持されてチャンバ２内に位置しており、当該カソードシールド２４には、冷却水を導入および排出するための冷却水導入管２６および冷却水排出管２７が取付けられている。冷却水導入管２６および冷却水排出管２７は、内部を流動する冷却水によってカソード２１の冷却を行なうものであり、図中矢印Ｄ１方向に沿って冷却水導入管２６から導入された冷却水は、カソード２１の冷却に使用され、その後図中矢印Ｄ２方向に沿って冷却水排出管２７から排出される。
【００２６】
チャンバ２の上面の所定位置には、ガス導入管２０が設けられており、当該ガス導入管２０は、図示しないガス供給源に接続されている。これにより、ガス導入管２０を通して、成膜用のガスが、図中に示す矢印Ｂ１方向に沿ってチャンバ２内の処理空間に導入されることになる。チャンバ２内に導入されたガスは、チャンバ２内を充填し、その後、カソード２１の下方に位置するガス排出部２ｃから図中矢印Ｂ２方向に向けて排出される。ここで、ガス導入管２０によって導入されるガスは、主としてアルゴン等の希ガスである。
【００２７】
カソード２１に電圧が印加された状態においては、材料ターゲット２８上に半円状の磁力線が発生し、強い発光のプラズマが材料ターゲット２８の下方でかつ搬送路４の上方の空間にドーナツ状に形成される。当該空間は、プラズマが生成される領域に相当し、これにより被処理基板１００の上面（成膜すべき表面）に面するようにプラズマが生成される。
【００２８】
気体分子がプラズマ化されてイオンとなり、当該イオンが材料ターゲット２８に衝突することにより材料ターゲット２８中に含まれる原子がスパッタ粒子として被処理基板１００側に向けて叩き出される。そして、材料ターゲット２８から叩き出されたスパッタ粒子が、上記領域を搬送される被処理基板１００の上面に堆積することにより、所望の膜が成膜されることになる。
【００２９】
搬送路４上を搬送される被処理基板１００の上面と、材料ターゲット２８の下面との間の距離ｄは、放電の開始電圧Ｖｓに影響を与えないものの被処理基板１００の上面に成膜される膜の膜厚に影響を与えるため、当該距離ｄが被処理基板１００の搬送方向において一定となるように、搬送ローラ３の配置位置を設定することが好ましい。この場合、プラズマ生成部としてのカソード２１が位置する部分の搬送路４の下方に、被処理基板１００の搬送方向（図中に示す矢印Ａ方向）に沿って複数の搬送ローラ３が配置されることになる。
【００３０】
（搬送ローラ３）
図３は、搬送ローラ３および回転軸５を示す断面図である。図４は、搬送ローラ３および回転軸５を示す斜視図である。
【００３１】
図３および図４に示すように、搬送ローラ３は、回転軸５に取り付けられるローラ基部３Ｌと、ローラ基部３Ｌの全周にわたって設けられる樹脂材３Ｒと、を含んでいる。ローラ基部３Ｌは、金属製の部材から構成されている。樹脂材３Ｒ（Ｏリング）は、フッ素樹脂などの絶縁性を有する樹脂から構成されている。
【００３２】
ここで、樹脂材３Ｒの表面は、銀、銅、金、およびアルミニウム等のうちのいずれかを含む金属薄膜（導電膜）などから構成される導電部３Ｓによって被覆されている。導電部３Ｓは、樹脂材３Ｒの表面から樹脂材３Ｒの側方にわたって形成されている。導電部３Ｓは、樹脂材３Ｒの側方を回転軸５に向かって回り込むように形成されており、ローラ基部３Ｌに電気的に導通されている（図４参照）。導電部３Ｓは、搬送ローラ３の表面を構成しており、チャンバ２（図１参照）内において搬送される被処理基板１００に当接する。
【００３３】
（スパッタリング装置の成膜方法）
図５は、スパッタリング装置１（図１参照）を用いて被処理基板１００に対してスパッタリング処理が行なわれている際の被処理基板１００の様子を示す断面図である。図５に示すように、スパッタリング装置１の成膜方法においては、上述のとおり、搬送ローラ３によって搬送される被処理基板１００に対して、スパッタリング処理が行なわれる。被処理基板１００の上面に面するように、プラズマが生成される。
【００３４】
被処理基板１００に対してスパッタリング処理が行なわれることによって、たとえば透明導電層１０１および半導体層１０２が形成された被処理基板１００の表面（半導体層１０２の表面）に、導電膜１０３が成膜される。導電膜１０３は、被処理基板１００の端部（被処理基板１００の搬送方向の前方の端部、被処理基板１００の搬送方向の後方の端部、および被処理基板１００の両側方の端部）において、被処理基板１００の表面側から裏面側に向かって回りこむように形成される。
【００３５】
被処理基板１００が複数の搬送ローラ３によって受け渡しされながら順次搬送される際、被処理基板１００の表面に形成された導電膜１０３は、搬送ローラ３の表面に形成されている導電部３Ｓと接触する。複数の搬送ローラ３の各々における導電部３Ｓを通して、被処理基板１００に対して持続的に除電が行なわれることにより、被処理基板１００における帯電は常に低減されることが可能となる。
【００３６】
これにより、被処理基板１００に、（異常放電が発生するほどの）大量の電荷が帯電する（溜め込まれる）ことは抑制されることとなり、被処理基板１００において異常放電が発生することは抑制されることが可能となる。結果として、本実施の形態におけるスパッタリング装置１によれば、異常放電の発生が抑制され、被処理基板１００に対して均一なスパッタリング処理を行なうことが可能となる。
【００３７】
また、搬送ローラ３における樹脂材３Ｒは、所定の弾性を有している。搬送ローラ３の表面が導電部３Ｓによって形成されていたとしても、搬送中に生じる被処理基板１００に対するダメージは、樹脂材３Ｒの弾性によって吸収される。
【００３８】
なお、樹脂材３Ｒおよび導電部３Ｓとして、導電性の樹脂を用いてこれらを一体的に構成した部材を用いることも可能ではあるが、現時点で知られている導電性を有する樹脂では導電性を高く構成することは困難であり、異常放電を効果的に抑制することはできない。したがって、本実施の形態のように、樹脂材３Ｒおよび導電部３Ｓを含む搬送ローラ３を用いることによって、効果的に被処理基板１００の除電が行なわれるとともに、異常放電の発生を抑制することが可能となる。
【００３９】
被処理基板１００に対するダメージを軽減するという観点からは、搬送ローラ３の全体を金属製の部材から構成するということはあまり好ましくない。被処理基板１００を搬送する際に被処理基板１００に付与される衝撃が大きくなり、被処理基板１００に割れや欠けなどが発生する原因となる。
【００４０】
図６を参照して、本実施の形態におけるスパッタリング装置の成膜方法としては、被処理基板１００（図示せず）に対してスパッタリング処理を行なう前に、チャンバ２内に位置する搬送ローラ３（樹脂材３Ｒ）の表面に、スパッタリング装置１を用いて予め導電部３Ｓを成膜しておくとよい。この場合、表面に樹脂材３Ｒを有する搬送ローラ３を回転させた状態で、搬送ローラ３に対してスパッタリング処理が行なわれ、これにより導電部３Ｓ（導電膜）が樹脂材３Ｒの全周にわたって成膜される。
【００４１】
導電部３Ｓの成膜の後、導電部３Ｓが表面に形成された搬送ローラ３を用いてチャンバ２内に被処理基板１００（図示せず）が搬送される。チャンバ２内において、スパッタリング処理によって、被処理基板１００に対して導電膜１０３が形成される。上述のとおり、被処理基板１００に対してスパッタリング処理が行なわれる際には、被処理基板１００は、導電膜１０３および導電部３Ｓを通して持続的に（常に）除電されることが可能となる。
【００４２】
また、スパッタリング処理中において、搬送ローラ３の表面上には常に新たな導電部３Ｓが堆積される。被処理基板１００を搬送する際に搬送ローラ３と被処理基板１００との接触によって導電部３Ｓの一部が剥離したとしても、被処理基板１００が搬送ローラ３上に配置されていない状態で定期的に導電部３Ｓが搬送ローラ３（樹脂材３Ｒ）の表面に形成されるため、搬送ローラ３における導電性を維持することが可能となる。
【００４３】
樹脂材３Ｒの表面に形成する導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）としては、数μｍ程度にするとよい。導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）が１１５ｎｍの場合には、２５０Ｖ（〜４０００ＭΩ）の電圧を導電部３Ｓに印加したところ、０．８ＭΩ〜１．３ＭΩの抵抗がテスターにより計測され、異常放電の発生が確認された。また、導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）が１１５ｎｍの場合、５００Ｖ（〜４０００ＭΩ）の電圧を導電部３Ｓに印加したところ、１．０ＭΩ〜２．０ＭΩの抵抗がテスターにより計測され、異常放電の発生が確認された。なお、導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）が１１５ｎｍの場合、５０Ｖ（〜４０００ＭΩ）の電圧を導電部３Ｓに印加したところ、１０Ω〜３９Ωの抵抗がテスターにより計測され、異常放電の発生は確認されなかった。
【００４４】
一方、導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）を数μｍとした場合には、５０Ｖ（〜４０００ＭΩ）、２５０Ｖ（〜４０００ＭΩ）、および５００Ｖ（〜４０００ＭΩ）のうちのいずれの電圧を導電部３Ｓに印加したとしても、０Ωの抵抗がテスターにより計測されるとともに、異常放電の発生は確認されなかった。したがって、樹脂材３Ｒの表面に形成する導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）としては、数μｍ程度にするとよい。樹脂材３Ｒの表面に形成する導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）のさらに詳細な値としては、被処理基板１００に成膜すべき膜の組成、膜の厚さ、または使用する成膜ガス等に応じて、被処理基板１００に対して良好な除電が行なわれるように最適化されるとよい。
【００４５】
［第１変形例］
図７は、本変形例における搬送ローラ３Ａを示す斜視図である。搬送ローラ３Ａにおいては、樹脂材３Ｒの表面に、金属箔３Ｐが貼付されている。本変形例における搬送ローラ３Ａによっても、上述の実施の形態１と同様に、効果的に被処理基板１００の除電が行なわれるとともに、異常放電の発生を抑制することが可能となる。また、被処理基板１００に対するダメージは、樹脂材３Ｒの弾性によって吸収されることができる。
【００４６】
また、金属箔３Ｐによれば、上述の実施の形態１における導電部３Ｓ（金属薄膜）に比べて耐久性を向上させることが可能となる。金属箔３Ｐの表面にさらに金属薄膜を堆積してもよい。
【００４７】
［第２変形例］
図８は、本変形例における搬送ローラ３Ｂを示す斜視図である。図９は、搬送ローラ３Ｂを示す断面図である。搬送ローラ３Ｂにおいては、樹脂材３Ｒの表面に、金属メッシュ部３Ｑが設けられる。金属メッシュ部３Ｑは、導電性の部材から構成され、樹脂材３Ｒをメッシュ状に覆うように設けられる。
【００４８】
本変形例における搬送ローラ３Ｂによっても、上述の実施の形態１と同様に、効果的に被処理基板１００の除電が行なわれるとともに、異常放電の発生を抑制することが可能となる。また、被処理基板１００に対するダメージは、樹脂材３Ｒの弾性によって吸収されることができる。
【００４９】
図８および図９に示すように、金属メッシュ部３Ｑが設けられていない隙間の部分を埋めるように、さらに導電部３Ｓ（金属薄膜）が形成されていてもよい。この場合、導電部３Ｓが樹脂材３Ｒの表面から剥離しにくくなり、導電部３Ｓとしての導電性を向上させることが可能となる。また、被処理基板１００による荷重が金属メッシュ部３Ｑによって分散されるため、導電部３Ｓとしての耐久性を向上させることも可能となる。
【００５０】
上述の実施の形態および各変形例において、搬送ローラ３（搬送ローラ３Ａ，３Ｂ）は、接地されていても接地されていなくてもどちらでもよい。接地させる場合は、回転軸５を通して搬送ローラ３（搬送ローラ３Ａ，３Ｂ）は接地される。この場合、被処理基板１００の帯電が効果的に除去されるため好ましい。一方、接地させない場合であっても、ローラ基部３Ｌにおいて被処理基板１００の電荷を溜め込むことができ、スパッタリングによる被処理基板１００の帯電量では、ローラ基部３Ｌが他の部品との間で異常放電を起こすほどにはならない。したがって、必要に応じて、搬送ローラ３（搬送ローラ３Ａ，３Ｂ）は接地されるとよい。
【００５１】
以上、本発明に基づいた実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５２】
１ スパッタリング装置、２ チャンバ（処理室）、２ａ 搬入口、２ｂ 搬出口、２ｃ ガス排出部、３ 搬送ローラ、３Ｌ ローラ基部、３Ｐ 金属箔、３Ｑ 金属メッシュ部、３Ｒ 樹脂材、３Ｓ 導電部、４ 搬送路、５ 回転軸、２０ ガス導入管、２１ カソード、２２ａ 中央磁石、２２ｂ 外周磁石、２３ 電源接続部、２４ カソードシールド、２５ 絶縁体、２６ 冷却水導入管、２７ 冷却水排出管、２８ 材料ターゲット、２９ 除電シールド、４０ 底面防着板、４１，４２ インシュレータ、１００ 被処理基板、１０１ 透明導電層、１０２ 半導体層、１０３ 導電膜、Ｘ 間隔、ｄ 距離。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置およびその成膜方法に関し、特に、被処理基板を搬送しつつスパッタリング処理によって被処理基板の表面に導電膜を成膜するスパッタリング装置およびその成膜方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
スパッタリング装置を用いて成膜を行うとき、成膜中のスパッタ粒子は帯電している為、そのスパッタ粒子が堆積した被処理基板には成膜の過程で静電気という形で電荷が溜まっていく。その電荷が所定の量を超えたとき、被処理基板の近傍に導電性を有する物体があると、被処理基板とこの物体との間で異常放電が生じ、その異常放電の衝撃によって被処理基板にダメージが生じることがある。したがって、被処理基板と被処理基板の近傍の物体とを互いに絶縁することが従来から行われてきた。
【０００３】
特開２００１−０３５６９４号公報（特許文献１）には、スパッタリング装置に関する発明が開示される。このスパッタリング装置においては、被処理基板を搬送するための搬送ローラが用いられる。この搬送ローラは、ポリテトラフルオロエチレン（絶縁性を有する樹脂）から構成される。
【０００４】
特開２０１０−１４７２５６号公報（特許文献２）にも、スパッタリング装置に関する発明が開示される。このスパッタリング装置においては、被処理基板を搬送するためガイドローラが用いられる。このガイドローラの上側および下側には、防着板がそれぞれ設けられる。防着板によって、絶縁ローラとシャフトとの間の導通が防止されている。
【０００５】
特開２０１１−０２３１２３号公報（特許文献３）には、除電装置（イオナイザ）およびこれを備えた搬送装置に関する発明が開示される。イオナイザとよばれる除電装置を用いて、ガラス基板の表面にイオンが供給される。ガラス基板の帯電が中和される（除電される）ことによって、ガラス基板に発生した静電気が除去される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特開２００１−０３５６９４号公報
【特許文献２】特開２０１０−１４７２５６号公報
【特許文献３】特開２０１１−０２３１２３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
特開２００１−０３５６９４号公報（特許文献１）に開示されるスパッタリング装置においては、スパッタリング処理によって、搬送ローラ上に導電性膜が付着する。搬送ローラ上に付着した導電性膜によって搬送ローラの絶縁性が低下する為、搬送ローラと成膜によって帯電した基板との間で異常放電が発生する可能性がある。
【０００８】
特開２０１０−１４７２５６号公報（特許文献２）に開示されるスパッタリング装置においては、スパッタリング処理が繰り返し行なわれることによって、防着板が導電膜によって覆われる。ローラと防着板との間に導電膜が形成され、さらに、防着板とシャフトとの間に導電膜が形成される。これらの導電膜を通して、ローラとシャフトとが互いに導通する。これによって、成膜によって帯電した被処理基板とローラとの間で異常放電が発生する可能性がある。
【０００９】
特開２０１１−０２３１２３号公報（特許文献３）に開示されるイオナイザを、スパッタリング装置内に設けたとする。イオナイザを用いてスパッタリング処理中の被処理基板に対して除電を行なった場合、イオナイザから放出されるイオンが、スパッタ粒子の動きを妨げる。スパッタ粒子の動きが不均一となり、成膜される導電膜などの厚さにばらつきが生じる。スパッタリング処理が繰り返し行なわれることによって、イオナイザ自体にも導電膜が堆積する。イオナイザの除電性能が低下することによって、被処理基板は除電されなくなって電荷が溜まり、異常放電が発生する可能性がある。
【００１０】
本発明は、上記のような実情に鑑みて為されたものであって、被処理基板に対して成膜の初期段階から持続的に除電を行なうことによって、異常放電の発生を抑制することが可能なスパッタリング装置およびその成膜方法を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【００１１】
本発明に基づくスパッタリング装置は、スパッタリング処理によって被処理基板に対して導電膜を形成するスパッタリング装置であって、処理室と、金属製のローラ基部および上記ローラ基部の全周に設けられる樹脂材を含む搬送ローラと、上記樹脂材の表面を被覆しつつ上記ローラ基部に電気的に導通された導電部と、を備え、上記処理室内で上記被処理基板に上記導電膜を形成するとき、上記被処理基板は、上記導電部に当接して上記搬送ローラに搬送され、上記導電部を通して除電されつつスパッタリング処理される。
【００１２】
好ましくは、上記導電部は、上記樹脂材の表面に形成された上記導電膜からなる。好ましくは、上記導電部は、銀、銅、金、およびアルミニウムのうちのいずれかを含む上記導電膜である。好ましくは、上記導電部は、上記樹脂材の表面を被覆しつつ上記ローラ基部に電気的に導通された金属メッシュ部を含む。
【００１３】
本発明に基づくスパッタリング装置の成膜方法は、スパッタリング処理によって被処理基板に対して導電膜を形成するスパッタリング装置の成膜方法であって、処理室内に位置する搬送ローラの表面に、予め導電膜を成膜して導電部を形成する第１工程と、上記搬送ローラを用いて上記処理室内において上記被処理基板を搬送しつつ、上記スパッタリング処理によって上記被処理基板に対して上記導電膜を形成する第２工程と、を備え、上記第２工程のとき、上記被処理基板は、上記導電部を通して除電されている。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、被処理基板に対して成膜の初期段階から持続的に除電を行なうことによって、異常放電の発生を抑制することが可能なスパッタリング装置およびその成膜方法を得ることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１５】
【図１】実施の形態におけるスパッタリング装置の装置構成を示す模式図である。
【図２】図１に示すスパッタリング装置の搬送路を上方から見た場合の平面図である。
【図３】実施の形態におけるスパッタリング装置に用いられる搬送ローラおよび回転軸を示す断面図である。
【図４】実施の形態におけるスパッタリング装置に用いられる搬送ローラおよび回転軸を示す斜視図である。
【図５】実施の形態におけるスパッタリング装置を用いて被処理基板に対してスパッタリング処理が行なわれている際の被処理基板の様子を示す断面図である。
【図６】実施の形態におけるスパッタリング装置の成膜方法の１つの工程（被処理基板に対してスパッタリング処理が行なわれる前の工程）を示す模式図である。
【図７】実施の形態の第１変形例におけるスパッタリング装置に用いられる搬送ローラを示す斜視図である。
【図８】実施の形態の第２変形例におけるスパッタリング装置に用いられる搬送ローラを示す斜視図である。
【図９】実施の形態の第３変形例におけるスパッタリング装置に用いられる搬送ローラを示す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１６】
［実施の形態］
本発明に基づいた実施の形態について、以下、図面を参照しながら説明する。実施の形態の説明において、個数、量などに言及する場合、特に記載がある場合を除き、本発明の範囲は必ずしもその個数、量などに限定されない。実施の形態の説明において、同一の部品、相当部品に対しては、同一の参照番号を付し、重複する説明は繰り返さない場合がある。
【００１７】
（スパッタリング装置１）
図１は、実施の形態におけるスパッタリング装置１の装置構成を示す模式図である。図１に示すように、スパッタリング装置１は、いわゆるインライン型スパッタリング装置（インライン型ＤＣマグネトロンスパッタリング装置）である。
【００１８】
スパッタリング装置１は、被処理基板１００に対して導電膜を形成するものであり、チャンバ２（処理室）と、搬送手段としての複数の搬送ローラ３と、プラズマ生成部としてのカソード２１と、材料ターゲット２８と、除電シールド２９と、底面防着板４０と、電源接続部２３とを主として備えている。
【００１９】
チャンバ２は、外部の空間と処理空間とを区画するための反応容器に相当し、たとえば箱状の形状を有している。チャンバ２の相対する一対の側面のうちの一方の側面には、処理前の被処理基板１００を処理空間に搬入するためのスリット状の搬入口２ａが設けられている。上記一対の側面のうちの他方の側面には、処理後の被処理基板１００を処理空間から搬出するためのスリット状の搬出口２ｂが設けられている。チャンバ２の下面には、処理空間に充填された後述する材料ガスを排出するためのガス排出部２ｃが設けられている。
【００２０】
搬送ローラ３は、チャンバ２の内側および外側に整列して複数設けられており、これにより上述した搬入口２ａおよび搬出口２ｂを結ぶように搬送路４が構成されている。搬送路４は、被処理基板１００を搬送するための通路であり、チャンバ２を横断するように直線状に設けられている。搬送ローラ３は、搬送路４の下方に位置し、被処理基板１００の下面を支持しつつ支持した被処理基板１００を上記搬送路４上において図中矢印Ａ方向に搬送する。
【００２１】
搬送ローラ３の各々は、インシュレータ４１を通して電気的に接地されている。被処理基板１００の搬送方向において相互に隣り合う搬送ローラ３同士の間には、底面防着板４０が設けられている。底面防着板４０は、インシュレータ４２を通して電気的に接地されている。
【００２２】
図２は、図１に示すスパッタリング装置１の搬送路４を上方から見た場合の平面図である。図２に示すように、搬送ローラ３は、被処理基板１００の搬送方向と直交する方向に沿って所定の間隔Ｘを空けて複数配置され、回転軸５によってそれぞれ軸支されている。図示しない駆動手段によって回転軸５が回転駆動されることで、複数の搬送ローラ３は被処理基板１００を搬送する。なお、これら複数の搬送ローラ３は、被処理基板１００の搬送方向に沿って互いに平行に複数配置されている。搬送ローラ３の更なる詳細については、図３および図４を参照して後述する。
【００２３】
図１を再び参照して、カソード２１は、チャンバ２内の所定位置において搬送路４の上方に配置されている。カソード２１は、平板状の電圧印加電極に相当し、搬送路４の上方にその下面が搬送路４に面するように、当該搬送路４から所定の距離をもって配置されている。カソード２１は、電源接続部２３を通して図示しない直流電源に接続されている。また、カソード２１の下面には、中央磁石２２ａおよび外周磁石２２ｂが取付けられている。中央磁石２２ａは、カソード２１の下面の中央部に配設されており、外周磁石２２ｂは、当該中央磁石２２ａを囲むようにカソード２１の下面の周縁に沿って環状に配置されている。
【００２４】
カソード２１は、電気的に接地されたカソードシールド２４によって覆われており、当該カソードシールド２４の下方の位置に、材料ターゲット２８が取付けられている。材料ターゲット２８の周囲には、電気的に接地された除電シールド２９が設けられている。この材料ターゲット２８は、スパッタリングによりスパッタ粒子を発生させるためのものであり、被処理基板１００に成膜すべき膜の組成に応じた材料ターゲットが適宜選択される。
【００２５】
カソードシールド２４は、絶縁体２５によって支持されてチャンバ２内に位置しており、当該カソードシールド２４には、冷却水を導入および排出するための冷却水導入管２６および冷却水排出管２７が取付けられている。冷却水導入管２６および冷却水排出管２７は、内部を流動する冷却水によってカソード２１の冷却を行なうものであり、図中矢印Ｄ１方向に沿って冷却水導入管２６から導入された冷却水は、カソード２１の冷却に使用され、その後図中矢印Ｄ２方向に沿って冷却水排出管２７から排出される。
【００２６】
チャンバ２の上面の所定位置には、ガス導入管２０が設けられており、当該ガス導入管２０は、図示しないガス供給源に接続されている。これにより、ガス導入管２０を通して、成膜用のガスが、図中に示す矢印Ｂ１方向に沿ってチャンバ２内の処理空間に導入されることになる。チャンバ２内に導入されたガスは、チャンバ２内を充填し、その後、カソード２１の下方に位置するガス排出部２ｃから図中矢印Ｂ２方向に向けて排出される。ここで、ガス導入管２０によって導入されるガスは、主としてアルゴン等の希ガスである。
【００２７】
カソード２１に電圧が印加された状態においては、材料ターゲット２８上に半円状の磁力線が発生し、強い発光のプラズマが材料ターゲット２８の下方でかつ搬送路４の上方の空間にドーナツ状に形成される。当該空間は、プラズマが生成される領域に相当し、これにより被処理基板１００の上面（成膜すべき表面）に面するようにプラズマが生成される。
【００２８】
気体分子がプラズマ化されてイオンとなり、当該イオンが材料ターゲット２８に衝突することにより材料ターゲット２８中に含まれる原子がスパッタ粒子として被処理基板１００側に向けて叩き出される。そして、材料ターゲット２８から叩き出されたスパッタ粒子が、上記領域を搬送される被処理基板１００の上面に堆積することにより、所望の膜が成膜されることになる。
【００２９】
搬送路４上を搬送される被処理基板１００の上面と、材料ターゲット２８の下面との間の距離ｄは、放電の開始電圧Ｖｓに影響を与えないものの被処理基板１００の上面に成膜される膜の膜厚に影響を与えるため、当該距離ｄが被処理基板１００の搬送方向において一定となるように、搬送ローラ３の配置位置を設定することが好ましい。この場合、プラズマ生成部としてのカソード２１が位置する部分の搬送路４の下方に、被処理基板１００の搬送方向（図中に示す矢印Ａ方向）に沿って複数の搬送ローラ３が配置されることになる。
【００３０】
（搬送ローラ３）
図３は、搬送ローラ３および回転軸５を示す断面図である。図４は、搬送ローラ３および回転軸５を示す斜視図である。
【００３１】
図３および図４に示すように、搬送ローラ３は、回転軸５に取り付けられるローラ基部３Ｌと、ローラ基部３Ｌの全周にわたって設けられる樹脂材３Ｒと、を含んでいる。ローラ基部３Ｌは、金属製の部材から構成されている。樹脂材３Ｒ（Ｏリング）は、フッ素樹脂などの絶縁性を有する樹脂から構成されている。
【００３２】
ここで、樹脂材３Ｒの表面は、銀、銅、金、およびアルミニウム等のうちのいずれかを含む金属薄膜（導電膜）などから構成される導電部３Ｓによって被覆されている。導電部３Ｓは、樹脂材３Ｒの表面から樹脂材３Ｒの側方にわたって形成されている。導電部３Ｓは、樹脂材３Ｒの側方を回転軸５に向かって回り込むように形成されており、ローラ基部３Ｌに電気的に導通されている（図４参照）。導電部３Ｓは、搬送ローラ３の表面を構成しており、チャンバ２（図１参照）内において搬送される被処理基板１００に当接する。
【００３３】
（スパッタリング装置の成膜方法）
図５は、スパッタリング装置１（図１参照）を用いて被処理基板１００に対してスパッタリング処理が行なわれている際の被処理基板１００の様子を示す断面図である。図５に示すように、スパッタリング装置１の成膜方法においては、上述のとおり、搬送ローラ３によって搬送される被処理基板１００に対して、スパッタリング処理が行なわれる。被処理基板１００の上面に面するように、プラズマが生成される。
【００３４】
被処理基板１００に対してスパッタリング処理が行なわれることによって、たとえば透明導電層１０１および半導体層１０２が形成された被処理基板１００の表面（半導体層１０２の表面）に、導電膜１０３が成膜される。導電膜１０３は、被処理基板１００の端部（被処理基板１００の搬送方向の前方の端部、被処理基板１００の搬送方向の後方の端部、および被処理基板１００の両側方の端部）において、被処理基板１００の表面側から裏面側に向かって回りこむように形成される。
【００３５】
被処理基板１００が複数の搬送ローラ３によって受け渡しされながら順次搬送される際、被処理基板１００の表面に形成された導電膜１０３は、搬送ローラ３の表面に形成されている導電部３Ｓと接触する。複数の搬送ローラ３の各々における導電部３Ｓを通して、被処理基板１００に対して持続的に除電が行なわれることにより、被処理基板１００における帯電は常に低減されることが可能となる。
【００３６】
これにより、被処理基板１００に、（異常放電が発生するほどの）大量の電荷が帯電する（溜め込まれる）ことは抑制されることとなり、被処理基板１００において異常放電が発生することは抑制されることが可能となる。結果として、本実施の形態におけるスパッタリング装置１によれば、異常放電の発生が抑制され、被処理基板１００に対して均一なスパッタリング処理を行なうことが可能となる。
【００３７】
また、搬送ローラ３における樹脂材３Ｒは、所定の弾性を有している。搬送ローラ３の表面が導電部３Ｓによって形成されていたとしても、搬送中に生じる被処理基板１００に対するダメージは、樹脂材３Ｒの弾性によって吸収される。
【００３８】
なお、樹脂材３Ｒおよび導電部３Ｓとして、導電性の樹脂を用いてこれらを一体的に構成した部材を用いることも可能ではあるが、現時点で知られている導電性を有する樹脂では導電性を高く構成することは困難であり、異常放電を効果的に抑制することはできない。したがって、本実施の形態のように、樹脂材３Ｒおよび導電部３Ｓを含む搬送ローラ３を用いることによって、効果的に被処理基板１００の除電が行なわれるとともに、異常放電の発生を抑制することが可能となる。
【００３９】
被処理基板１００に対するダメージを軽減するという観点からは、搬送ローラ３の全体を金属製の部材から構成するということはあまり好ましくない。被処理基板１００を搬送する際に被処理基板１００に付与される衝撃が大きくなり、被処理基板１００に割れや欠けなどが発生する原因となる。
【００４０】
図６を参照して、本実施の形態におけるスパッタリング装置の成膜方法としては、被処理基板１００（図示せず）に対してスパッタリング処理を行なう前に、チャンバ２内に位置する搬送ローラ３（樹脂材３Ｒ）の表面に、スパッタリング装置１を用いて予め導電部３Ｓを成膜しておくとよい。この場合、表面に樹脂材３Ｒを有する搬送ローラ３を回転させた状態で、搬送ローラ３に対してスパッタリング処理が行なわれ、これにより導電部３Ｓ（導電膜）が樹脂材３Ｒの全周にわたって成膜される。
【００４１】
導電部３Ｓの成膜の後、導電部３Ｓが表面に形成された搬送ローラ３を用いてチャンバ２内に被処理基板１００（図示せず）が搬送される。チャンバ２内において、スパッタリング処理によって、被処理基板１００に対して導電膜１０３が形成される。上述のとおり、被処理基板１００に対してスパッタリング処理が行なわれる際には、被処理基板１００は、導電膜１０３および導電部３Ｓを通して持続的に（常に）除電されることが可能となる。
【００４２】
また、スパッタリング処理中において、搬送ローラ３の表面上には常に新たな導電部３Ｓが堆積される。被処理基板１００を搬送する際に搬送ローラ３と被処理基板１００との接触によって導電部３Ｓの一部が剥離したとしても、被処理基板１００が搬送ローラ３上に配置されていない状態で定期的に導電部３Ｓが搬送ローラ３（樹脂材３Ｒ）の表面に形成されるため、搬送ローラ３における導電性を維持することが可能となる。
【００４３】
樹脂材３Ｒの表面に形成する導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）としては、数μｍ程度にするとよい。導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）が１１５ｎｍの場合には、２５０Ｖ（〜４０００ＭΩ）の電圧を導電部３Ｓに印加したところ、０．８ＭΩ〜１．３ＭΩの抵抗がテスターにより計測され、異常放電の発生が確認された。また、導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）が１１５ｎｍの場合、５００Ｖ（〜４０００ＭΩ）の電圧を導電部３Ｓに印加したところ、１．０ＭΩ〜２．０ＭΩの抵抗がテスターにより計測され、異常放電の発生が確認された。なお、導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）が１１５ｎｍの場合、５０Ｖ（〜４０００ＭΩ）の電圧を導電部３Ｓに印加したところ、１０Ω〜３９Ωの抵抗がテスターにより計測され、異常放電の発生は確認されなかった。
【００４４】
一方、導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）を数μｍとした場合には、５０Ｖ（〜４０００ＭΩ）、２５０Ｖ（〜４０００ＭΩ）、および５００Ｖ（〜４０００ＭΩ）のうちのいずれの電圧を導電部３Ｓに印加したとしても、０Ωの抵抗がテスターにより計測されるとともに、異常放電の発生は確認されなかった。したがって、樹脂材３Ｒの表面に形成する導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）としては、数μｍ程度にするとよい。樹脂材３Ｒの表面に形成する導電部３Ｓの膜厚（Ａｇ膜厚）のさらに詳細な値としては、被処理基板１００に成膜すべき膜の組成、膜の厚さ、または使用する成膜ガス等に応じて、被処理基板１００に対して良好な除電が行なわれるように最適化されるとよい。
【００４５】
［第１変形例］
図７は、本変形例における搬送ローラ３Ａを示す斜視図である。搬送ローラ３Ａにおいては、樹脂材３Ｒの表面に、金属箔３Ｐが貼付されている。本変形例における搬送ローラ３Ａによっても、上述の実施の形態１と同様に、効果的に被処理基板１００の除電が行なわれるとともに、異常放電の発生を抑制することが可能となる。また、被処理基板１００に対するダメージは、樹脂材３Ｒの弾性によって吸収されることができる。
【００４６】
また、金属箔３Ｐによれば、上述の実施の形態１における導電部３Ｓ（金属薄膜）に比べて耐久性を向上させることが可能となる。金属箔３Ｐの表面にさらに金属薄膜を堆積してもよい。
【００４７】
［第２変形例］
図８は、本変形例における搬送ローラ３Ｂを示す斜視図である。図９は、搬送ローラ３Ｂを示す断面図である。搬送ローラ３Ｂにおいては、樹脂材３Ｒの表面に、金属メッシュ部３Ｑが設けられる。金属メッシュ部３Ｑは、導電性の部材から構成され、樹脂材３Ｒをメッシュ状に覆うように設けられる。
【００４８】
本変形例における搬送ローラ３Ｂによっても、上述の実施の形態１と同様に、効果的に被処理基板１００の除電が行なわれるとともに、異常放電の発生を抑制することが可能となる。また、被処理基板１００に対するダメージは、樹脂材３Ｒの弾性によって吸収されることができる。
【００４９】
図８および図９に示すように、金属メッシュ部３Ｑが設けられていない隙間の部分を埋めるように、さらに導電部３Ｓ（金属薄膜）が形成されていてもよい。この場合、導電部３Ｓが樹脂材３Ｒの表面から剥離しにくくなり、導電部３Ｓとしての導電性を向上させることが可能となる。また、被処理基板１００による荷重が金属メッシュ部３Ｑによって分散されるため、導電部３Ｓとしての耐久性を向上させることも可能となる。
【００５０】
上述の実施の形態および各変形例において、搬送ローラ３（搬送ローラ３Ａ，３Ｂ）は、接地されていても接地されていなくてもどちらでもよい。接地させる場合は、回転軸５を通して搬送ローラ３（搬送ローラ３Ａ，３Ｂ）は接地される。この場合、被処理基板１００の帯電が効果的に除去されるため好ましい。一方、接地させない場合であっても、ローラ基部３Ｌにおいて被処理基板１００の電荷を溜め込むことができ、スパッタリングによる被処理基板１００の帯電量では、ローラ基部３Ｌが他の部品との間で異常放電を起こすほどにはならない。したがって、必要に応じて、搬送ローラ３（搬送ローラ３Ａ，３Ｂ）は接地されるとよい。
【００５１】
以上、本発明に基づいた実施の形態について説明したが、今回開示された実施の形態はすべての点で例示であって制限的なものではない。本発明の技術的範囲は特許請求の範囲によって示され、特許請求の範囲と均等の意味および範囲内でのすべての変更が含まれることが意図される。
【符号の説明】
【００５２】
１ スパッタリング装置、２ チャンバ（処理室）、２ａ 搬入口、２ｂ 搬出口、２ｃ ガス排出部、３ 搬送ローラ、３Ｌ ローラ基部、３Ｐ 金属箔、３Ｑ 金属メッシュ部、３Ｒ 樹脂材、３Ｓ 導電部、４ 搬送路、５ 回転軸、２０ ガス導入管、２１ カソード、２２ａ 中央磁石、２２ｂ 外周磁石、２３ 電源接続部、２４ カソードシールド、２５ 絶縁体、２６ 冷却水導入管、２７ 冷却水排出管、２８ 材料ターゲット、２９ 除電シールド、４０ 底面防着板、４１，４２ インシュレータ、１００ 被処理基板、１０１ 透明導電層、１０２ 半導体層、１０３ 導電膜、Ｘ 間隔、ｄ 距離。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
スパッタリング処理によって被処理基板に対して導電膜を形成するスパッタリング装置であって、
処理室と、
金属製のローラ基部および前記ローラ基部の全周に設けられる樹脂材を含む搬送ローラと、
前記樹脂材の表面を被覆しつつ前記ローラ基部に電気的に導通された導電部と、を備え、
前記処理室内で前記被処理基板に前記導電膜を形成するとき、前記被処理基板は、前記導電部に当接して前記搬送ローラに搬送され、前記導電部を通して除電されつつスパッタリング処理される、
スパッタリング装置。
【請求項２】
前記導電部は、前記樹脂材の表面に形成された前記導電膜からなる、
請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
前記導電部は、銀、銅、金、およびアルミニウムのうちのいずれかを含む前記導電膜である、
請求項１または２に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記導電部は、前記樹脂材の表面を被覆しつつ前記ローラ基部に電気的に導通された金属メッシュ部を含む、
請求項１から３のいずれかに記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
スパッタリング処理によって被処理基板に対して導電膜を形成するスパッタリング装置の成膜方法であって、
処理室内に位置する搬送ローラの表面に、予め導電膜を成膜して導電部を形成する第１工程と、
前記搬送ローラを用いて前記処理室内において前記被処理基板を搬送しつつ、前記スパッタリング処理によって前記被処理基板に対して前記導電膜を形成する第２工程と、を備え、
前記第２工程のとき、前記被処理基板は、前記導電部を通して除電されている、
スパッタリング装置の成膜方法。
【請求項１】
スパッタリング処理によって被処理基板に対して導電膜を形成するスパッタリング装置であって、
処理室と、
金属製のローラ基部および前記ローラ基部の全周に設けられる樹脂材を含む搬送ローラと、
前記樹脂材の表面を被覆しつつ前記ローラ基部に電気的に導通された導電部と、を備え、
前記処理室内で前記被処理基板に前記導電膜を形成するとき、前記被処理基板は、前記導電部に当接して前記搬送ローラに搬送され、前記導電部を通して除電されつつスパッタリング処理される、
スパッタリング装置。
【請求項２】
前記導電部は、前記樹脂材の表面に形成された前記導電膜からなる、
請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
前記導電部は、銀、銅、金、およびアルミニウムのうちのいずれかを含む前記導電膜である、
請求項１または２に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記導電部は、前記樹脂材の表面を被覆しつつ前記ローラ基部に電気的に導通された金属メッシュ部を含む、
請求項１から３のいずれかに記載のスパッタリング装置。
【請求項５】
スパッタリング処理によって被処理基板に対して導電膜を形成するスパッタリング装置の成膜方法であって、
処理室内に位置する搬送ローラの表面に、予め導電膜を成膜して導電部を形成する第１工程と、
前記搬送ローラを用いて前記処理室内において前記被処理基板を搬送しつつ、前記スパッタリング処理によって前記被処理基板に対して前記導電膜を形成する第２工程と、を備え、
前記第２工程のとき、前記被処理基板は、前記導電部を通して除電されている、
スパッタリング装置の成膜方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１３−４０３６５（Ｐ２０１３−４０３６５Ａ）
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−１７６８２１（Ｐ２０１１−１７６８２１）
【出願日】平成２３年８月１２日（２０１１．８．１２）
【特許番号】特許第５１１２５４８号（Ｐ５１１２５４８）
【特許公報発行日】平成２５年１月９日（２０１３．１．９）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２８日（２０１３．２．２８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年８月１２日（２０１１．８．１２）
【特許番号】特許第５１１２５４８号（Ｐ５１１２５４８）
【特許公報発行日】平成２５年１月９日（２０１３．１．９）
【出願人】（０００００５０４９）シャープ株式会社 (33,933)
【Ｆターム（参考）】
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