スパッタリング装置および液晶装置の製造装置
【課題】基板の斜め方向からスパッタリング粒子が供給される反応性のスパッタリング装置において、良好な成膜レートを確保できるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板ホルダー６を有し基板ホルダー６が搬送可能に設けられた成膜室２と、成膜室２に連通しターゲット１０が配置されるスパッタリング室３と、を備え、スパッタリング室３から成膜室２に放出されたスパッタリング粒子と反応ガスとの反応により基板Ｗ上に反応生成膜を形成させるスパッタリング装置であって、ターゲット１０が基板ホルダー６の搬送経路に対して斜めに配置され、ターゲット１０の外周より大きな穴部を有する箱体２０がスパッタリング室３に設けられ、箱体２０の第１開口部２１を通してターゲット１０の表面が箱体２０の内面を向き、ターゲット１０が向かい合う箱体２０の面の一部にスパッタリング粒子が通過する第２開口部２２が設けられている。
【解決手段】基板Ｗを保持する基板ホルダー６を有し基板ホルダー６が搬送可能に設けられた成膜室２と、成膜室２に連通しターゲット１０が配置されるスパッタリング室３と、を備え、スパッタリング室３から成膜室２に放出されたスパッタリング粒子と反応ガスとの反応により基板Ｗ上に反応生成膜を形成させるスパッタリング装置であって、ターゲット１０が基板ホルダー６の搬送経路に対して斜めに配置され、ターゲット１０の外周より大きな穴部を有する箱体２０がスパッタリング室３に設けられ、箱体２０の第１開口部２１を通してターゲット１０の表面が箱体２０の内面を向き、ターゲット１０が向かい合う箱体２０の面の一部にスパッタリング粒子が通過する第２開口部２２が設けられている。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置および液晶装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶装置などに用いられる配向膜において、信頼性の向上のために無機物の配向膜が検討されている。
この無機物の配向膜（無機配向膜）の製作において、例えば特許文献１に示すような、基板が収容される成膜室と、ターゲットが対向配置されるスパッタリング粒子放出部（スパッタリング室）とを有した対向ターゲット式のスパッタリング装置が用いられている。
対向ターゲット式のスパッタリング装置は、真空槽内に所定の間隔を設けて一対のターゲットを対向配置して対向空間内にプラズマを生成し、この対向空間の側方に配置した基板に薄膜を形成する装置である。
【０００３】
近年、配向膜の配向角度を大きくすることが求められており、それには小さな入射角で成膜する必要がある。この場合には対向ターゲット式スパッタリング装置では成膜レートが大きく低下する不具合がある。
対向ターゲット式スパッタリング装置では対向するターゲット表面から斜めに放出されたスパッタリング粒子を利用することになり、ターゲットと基板間の距離が大きくなる浅い入射角での成膜において成膜レートが低下するのは避けられない。
これに対して、マグネトロンスパッタリング方式の装置では、スパッタリング粒子の直進成分が多く、ターゲットと基板間の距離が大きくなっても成膜レートは対向ターゲット式スパッタリング装置ほどには低減せずに成膜が可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２８６４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、マグネトロンスパッタリング方式の装置を用いて、反応性スパッタリングを行う場合、反応ガスとスッパッタリング粒子とがスパッタリング室内で反応してしまいターゲット表面に反応生成物が堆積して成膜レートが低下する問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例にかかるスパッタリング装置は、基板を保持する基板ホルダーを有し該基板ホルダーが搬送可能に設けられ反応ガスが導入される成膜室と、前記成膜室に連通しターゲットが配置されるスパッタリング室と、を備え、前記スパッタリング室から前記成膜室に放出されたスパッタリング粒子と該反応ガスとの反応により前記基板上に反応生成膜を形成させるスパッタリング装置であって、前記ターゲットが前記基板ホルダーの搬送経路に対して斜めに配置され、前記ターゲットの表面と平行に形成された一面に前記ターゲットの外周より大きな第１開口部を有する箱体が前記スパッタリング室に設けられ、前記箱体の前記第１開口部を通して前記ターゲットの表面が前記箱体の内面を向き、前記ターゲットが向かい合う前記箱体の面の一部に前記スパッタリング粒子が通過する第２開口部が設けられていること特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、スパッタリングガスをスパッタリング室の箱体内に閉じ込めることができ、かつ、成膜室からの反応ガスが箱体に流入するのを少なくすることができる。
このことから、スパッタリング室における放電状態が安定することに加え、反応ガスがターゲット表面に流入してターゲット表面に反応生成物が堆積することがなく、安定した成膜レートを得ることができる。
また、箱体に設けられた第２開口部により、スパッタリング粒子を選択し、指向性の高いスパッタリング粒子を成膜室に放出できる。
さらに、箱体内部には、成膜に寄与しないスパッタリング粒子が捕捉され、箱体が防着板として機能し、スパッタリングに起因するパーティクルが基板上に到達するのを防止できる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例にかかるスパッタリング装置において、前記スパッタリング室の前記箱体内に直接スパッタリングガスが供給されることが望ましい。
【００１０】
この構成によれば、箱体の内部にスパッタリングガスを充満させることができ、安定した放電状態を維持できる。このため、スパッタリングの成膜レートが安定し膜厚の均一性を確保できる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例にかかるスパッタリング装置において、前記箱体内へのスパッタリングガスの供給は、前記ターゲットの上方の表面近くより供給されることが望ましい。
【００１２】
この構成によれば、スパッタリングガスがターゲットの上方の表面近くより供給されることにより、スパッタリングガスを傾斜したターゲットの表面の上から下に向かって流すことができる。このことから、ターゲットの表面に発生したパーティクルを下方に押し流すことができ、ターゲット上のパーティクルに起因する膜質の低下を防止することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例にかかるスパッタリング装置において、前記成膜室の前記基板ホルダーと前記スパッタリング室の間に、前記スパッタリング粒子の一部を選択して通過させる制御板が設けられていることが望ましい。
【００１４】
この構成によれば、箱体の第２開口部から放出されたスパッタリング粒子を制御板によりさらに選択して通過させ、指向性の高いスパッタリング粒子を基板上に到達させることができる。このことで、膜質の良好な成膜が可能となる。
【００１５】
［適用例５］本適用例にかかる液晶装置の製造装置は、対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、上記適用例１乃至４のいずれかに記載のスパッタリング装置を備え、該スパッタリング装置によって前記無機配向膜を形成することを特徴とする。
【００１６】
本適用例の液晶装置の製造装置によれば、配向角度が大きい無機配向膜を成膜できるスパッタリング装置を備えているので、特性の良好な無機配向膜を備えた液晶装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態のスパッタリング装置の一例を示す概略構成図。
【図２】実施形態のスパッタリング装置にかかる箱体を示す斜視図。
【図３】液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の平面図。
【図４】液晶装置を説明する液晶装置の模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更している。
（実施形態）
【００１９】
図１は本実施形態のスパッタリング装置の一例を示す概略構成図である。図２はスパッタリング装置にかかる箱体を示す斜視図である。スパッタリング装置は、液晶装置の製造装置を構成し、液晶装置の構成部材となる基板上に無機配向膜を成膜するものである。
なお、以下のスパッタリング装置の説明において、便宜上、直交座標系を用いて説明を行う。
図１に示すように、スパッタリング装置１は、基板Ｗを収容する成膜室２と、プラズマを生成してターゲットからスパッタリング粒子を放出するスパッタリング室３とを備えている。このスパッタリング粒子とは、スパッタリング現象により飛び出してくるターゲットの構成原子をいう。
【００２０】
成膜室２には、その室内圧力を制御し、所望の真空度を得るためのロータリーポンプおよびクライオポンプなどから構成される排気制御装置３０が接続されている。
そして、成膜室２の室内に収容された基板Ｗ上に飛来するスパッタリング粒子と反応して無機配向膜を形成する反応ガスとしての酸素ガスを供給する反応ガス供給手段１４を備えている。
反応ガス供給手段１４は、排気制御装置３０の反対側に接続されており、反応ガス供給手段１４から供給される酸素ガスは、成膜室２の−Ｘ側から＋Ｘ側に流動し、後述するスパッタリング室３の上方を経由して排気制御装置３０側へ流れるようになっている。
【００２１】
成膜室２は、基板Ｗの被処理面（成膜面）がＸＹ面に平行（水平）になるようにして保持する基板ホルダー６を有している。この基板ホルダー６には、基板ホルダー６を搬送する移動手段７が接続されている。移動手段７による基板Ｗの搬送は、図１においてＸ軸方向に平行に一定速度で搬送可能となっており、スパッタリング室３から放出されるスパッタリング粒子により基板Ｗ上に良質な無機配向膜を形成できるようになっている。
【００２２】
また、基板ホルダー６には、保持した基板Ｗを加熱する加熱手段としてのヒータ（図示せず）が設けられ、さらに、保持した基板Ｗを冷却するための冷却手段８が設けられている。ヒータは所望の温度に基板ホルダー６を加熱できるように構成されている。一方、冷却手段８は、冷媒循環手段９と接続されており、冷媒循環手段９から供給される冷媒を循環させることにより基板ホルダー６を所望の温度に冷却するように構成されている。
さらに、成膜室２内には基板ホルダー６の移動経路とスパッタリング室との間に、制御板２５が配置され、放出されたスパッタリング粒子を選択して通過させるための開口部２６が設けられている。
【００２３】
また、成膜室２の−Ｘ側には基板供給室４が配置され、成膜室２の＋Ｘ側には基板回収室５が配置されている。基板供給室４および基板回収室５は、それぞれ独立して減圧雰囲気に調整する排気制御装置が接続されている。成膜室２と基板供給室４、基板回収室５とはチャンバー間を気密に閉塞するゲートバルブ２８，２９を介して接続されている。
【００２４】
基板供給室４にて減圧雰囲気で待機していた基板Ｗは、ゲートバルブ２８を開いて成膜室２に搬送され、基板Ｗが基板供給室４を出て行くと、ゲートバルブ２８が閉められる。そして、成膜室２で成膜が終了するとゲートバルブ２９が開き、減圧雰囲気に維持された基板回収室５に基板Ｗが搬送され、基板Ｗが成膜室２を出て行くと、ゲートバルブ２９が閉められる。
このようにして、ゲートバルブ２８，２９の開閉により成膜室２を大気に解放することなく基板Ｗの出し入れを行えるように構成されている。
【００２５】
スパッタリング室３は、直方体を斜めに切ったような形態であり、この切り口が開放されて成膜室２とスパッタリング室３とが連通するように取り付けられている。
成膜室２は外壁を構成する側板１８ａ，１８ｂを有し、それぞれ取り外し可能に構成されている。側板１８ａ，１８ｂと成膜室２の外壁２ａおよびフランジ部１７の間には、成膜室２内の気密を保つためにＯリング１９が備えられ、側板１８ａ，１８ｂが取り付けねじにより締結されている。
【００２６】
そして、スパッタリング室３の一面にはターゲット１０が設けられている。スパッタリング室３は、成膜室２内部に収容される基板Ｗの成膜面法線方向（Ｚ方向）に対し、スパッタリング室３内に保持されるターゲット１０の面方向（Ｚａ方向）が所定の角度θとなるように形成されている。換言すれば、スパッタリング室３内に保持されるターゲット１０の面方向（Ｚａ方向）と基板ホルダー６の搬送方向（Ｘ方向）とのなす角度が所定の角度をなすように形成されている。
【００２７】
より具体的には、ターゲット１０は所定角度θとして、基板Ｗの法線方向に対して１０°〜６０°傾けられた状態に保持されている。
本実施形態では、成膜時に基板ホルダー６の搬送方向は始点が−Ｘから終点が＋Ｘ方向に搬送され、ターゲット１０の表面が基板ホルダー６の搬送の終点側に向いて配置されている。
また、成膜時におけるターゲット１０と基板ホルダー６の間は少なくとも２０ｃｍ離して配置されるのが好ましい。このようにすれば、スパッタリング粒子の多くが途中で衝突することなく所定の入射角で基板Ｗに到達することができる。
なお、ターゲット１０は、基板Ｗ上に形成する無機配向膜の構成物質を含む材料、例えばシリコンからなるものとされる。また、ターゲット１０は、Ｙ方向に延びる細長い板状のものが用いられている。
【００２８】
ターゲット１０は一面が平板状のバッキングプレート１１に装着され、バッキングプレート１１は成膜室２の外壁を構成する側板１８ａに取り付けられている。また、側板１８ａとバッキングプレート１１の間には絶縁板１６が配置されている。
バッキングプレート１１の背面部には内側磁石１２ａ、外側磁石１２ｂおよびヨーク１３が設けられている。内側磁石１２ａと外側磁石１２ｂとは極性が逆向きに配置され、両磁石の端部はヨーク１３に連結されている。この磁気回路によりターゲット１０表面付近にはターゲット１０表面と平行な成分を持つ磁力線が発生する。
【００２９】
また、バッキングプレート１１は電極の役目をなし、これには直流電源又は高周波電源からなる電源が接続されている。
さらに、バッキングプレート１１には図示しないがターゲット１０を冷却するための冷却手段が接続されている。
このように、本実施形態のスパッタリング装置１はマグネトロンスパッタリング方式の装置を構成している。
【００３０】
スパッタリング室３の空間には箱体２０が配置されている。箱体２０はスパッタリング室３の内側の壁に沿った形状を有し、その内部には空間が形成されている。
図１、図２に示すように、箱体２０はターゲット１０の表面とほぼ平行に配置された一面にターゲット１０の外周より大きな第１開口部２１を有している。この第１開口部２１を通してターゲット１０の表面が箱体２０の内面を向いている。そして、ターゲット１０の表面が向く箱体２０の面の一部にスパッタリング粒子が通過する第２開口部２２が設けられている。
【００３１】
箱体２０は取り付け部２３により側板１８ｂに取り付けられて固定されている。なお、箱体２０とスパッタリング室３の内側の壁との隙間から成膜室２に導入される反応ガスが侵入しないようにするために、この隙間をできる限り狭めることが有効である。
箱体２０の第２開口部２２は、開口する位置および幅を選ぶことで、通過するスパッタリング粒子を規制し、指向性の高いスパッタリング粒子を成膜室２へ放出する。
また、スパッタリング室３には、放電用のアルゴンガスを流入させるスパッタリングガス供給手段１５を備えている。アルゴンガスはスパッタリング室３の箱体２０の中に直接流入するように箱体２０の一部に穴が開けられ、ターゲット１０の上方の表面近くより供給されている。このようにして、ターゲット１０の表面に発生したパーティクルをアルゴンガスが下方に押し流すことができ、ターゲット１０上のパーティクルに起因する成膜される膜質の低下を防止することができる。また、箱体２０内に充満したアルゴンガスは、成膜室２に流入するように構成されている。
そして、スパッタリングガスが供給された状態で、各電源から供給される電力により、ターゲット１０の上方にプラズマを発生させる。
【００３２】
なお、スパッタリング室３の箱体２０の容積が成膜室２内の容積よりはるかに小さいことと、成膜室２に接続された排気制御装置３０より排気がなされることから、箱体２０内の圧力は導入されるスパッタリングガスにより成膜室２内の圧力よりも高くなっており、スパッタリング室３から成膜室２に向かって圧力勾配が生じている。このため、スパッタリングガスがスパッタリング室３から成膜室２に向かって流出する一方、大容積の成膜室２に直接導入される反応ガスが成膜室２からスパッタリング室３へ流入することは難しい。
また、箱体２０の第２開口部２２から流入しようとする反応ガスは、放出されるスパッタリング粒子と速やかに反応して捕捉され、箱体２０の内部に侵入することができない。
【００３３】
以上の構成のスパッタリング装置１を用いて基板Ｗ上に無機配向膜を形成するには、まず、スパッタリングガス供給手段１５からアルゴンガスを導入しつつ、バッキングプレート１１に直流または交流の高電圧をかけることで、ターゲット１０の上方にプラズマを発生させる。プラズマ雰囲気中のアルゴンイオンをターゲット１０に衝突させることで、ターゲット１０から配向膜材料（シリコン）をスパッタリング粒子としてたたき出す。さらにターゲット１０からたたき出されたスパッタリング粒子のうち、箱体２０の第２開口部２２を通過するスパッタリング粒子のみを成膜室２側へ放出する。
【００３４】
箱体２０の第２開口部２２から放出されるスパッタリング粒子は入射角度がそろい、指向性の高いスパッタリング粒子となる。そして、これらのスパッタリング粒子は制御板２５により、その開口部２６からはさらに指向性の高いスパッタリング粒子を基板Ｗ上に到達させることができる。
そして、基板Ｗの面上に斜め方向から飛来したスパッタリング粒子と、成膜室２を流通する酸素ガスとを基板Ｗ上で反応させることで、シリコン酸化物からなる配向膜を基板Ｗ上に形成する。
このように、スパッタリング装置１によれば、指向性の高いスパッタリング粒子を基板Ｗに供給し、反応ガスと反応させて一方向に配向した柱状構造を有する無機配向膜を基板Ｗ上に形成することができる。
なお、スパッタリング装置１は、スパッタリング粒子の指向性をさらに高める制御板２５を設けない構成としてもよい。
【００３５】
以上、本実施形態のスパッタリング装置１ではスパッタリングガスをスパッタリング室３の箱体２０内に閉じ込めることができ、かつ、成膜室２からの反応ガスが箱体２０に流入するのを少なくすることができる。このことから、スパッタリング室における放電状態が安定することに加え、反応ガスがターゲット１０表面に流入してターゲット１０表面に反応生成物が堆積することがなく、安定した成膜レートを得ることができる。
さらに、箱体２０内部には、成膜に寄与しないスパッタリング粒子が捕捉され、箱体が防着板として機能し、スパッタリングに起因するパーティクルが基板Ｗ上に到達するのを防止できる。
【００３６】
なお、本実施形態では、スパッタリング粒子としてのシリコンを、酸素ガスと反応させることでシリコン酸化物を基板Ｗ上に成膜する場合について説明しているが、他のターゲット材料と反応ガスを用いることで酸化物、窒化物などを基板Ｗ上に形成することも可能である。
（液晶装置）
【００３７】
以下、上記で説明したスパッタリング装置１を用いて製造することができる液晶装置の一例について図面を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板と、対向基板との間に液晶層を挟持した構成を備えたＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置である。
図３は、本実施形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の平面図である。図４は、液晶装置の模式断面図である。
【００３８】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１１０は、中央に画像表示領域１０１が形成されている。画像表示領域１０１の周縁部にシール材１０２が配設され、このシール材１０２によりＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とを貼り合わせて、両基板１１０，１２０とシール材１０２とに囲まれる領域内に液晶層（図示せず）が封止される。
シール材１０２の外側には、走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路１０３と、データ線に画像信号を供給するデータ線駆動回路１０４とが実装されている。ＴＦＴアレイ基板１１０の端部には外部回路に接続する複数の接続端子１０６が設けられており、接続端子１０６には駆動回路１０３，１０４から延びる配線が接続されている。また、シール材１０２の四隅にはＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とを電気的に接続する基板間導通部１０５が設けられており、配線を介して接続端子１０６と電気的に接続されている。
【００３９】
図４に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１１０と、これに対向配置された対向基板１２０と、これらの間に挟持された液晶層１３０とを備えて構成されている。
ＴＦＴアレイ基板１１０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体１１１、及びその内側（液晶層１３０側）に形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１１８、画素電極１１２、さらにこれを覆う配向下地膜１１３、無機配向膜１１４などを備えている。
対向基板１２０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体１２１、およびその内側（液晶層１３０側）に形成された透明導電材料からなる共通電極１２２、さらにこれを覆う配向下地膜１２３、無機配向膜１２４などを備えている。
無機配向膜１１４，１２４は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）により構成されるが、シリコン酸化物に限らず、アルミニウム酸化物、亜鉛酸化物、マグネシウム酸化物、インジウム錫酸化物、あるいはシリコン窒化物、チタン窒化物などにより形成してもよい。
なお、基板本体１１１，１２１のそれぞれの外側（液晶層１３０と反対側）には、偏光板１１５，１２５が互いの透過軸を直交させた状態（クロスニコル）で配置されている。
【００４０】
以上説明した液晶装置１００にあっては、特に無機配向膜１１４，１２４として、前述したスパッタリング装置１により形成できる配向性の良好な無機配向膜を備えているので、これらの無機配向膜１１４，１２４によって液晶分子のプレチルト角等の配向状態をより良好に制御することができる。そして、高輝度、高コントラストの表示が可能であり、また耐熱性、耐光性に優れた信頼性の高い液晶装置１００となる。
また、この液晶装置１００を光変調手段として備えたプロジェクターなどに利用することができる。
【符号の説明】
【００４１】
１…スパッタリング装置、２…成膜室、２ａ…外壁、３…スパッタリング室、４…基板供給室、５…基板回収室、６…基板ホルダー、７…移動手段、８…冷却手段、９…冷却循環手段、１０…ターゲット、１１…バッキングプレート、１２ａ…内側磁石、１２ｂ…外側磁石、１３…ヨーク、１４…反応ガス供給手段、１５…スパッタリングガス供給手段、１６…絶縁板、１７…フランジ部、１８ａ，１８ｂ…側板、１９…Ｏリング、２０…箱体、２１…第１開口部、２２…第２開口部、２３…取り付け部、２５…制御板、２６…開口部、２８，２９…ゲートバルブ、３０…排気制御装置、１００…液晶装置、１０１…画像表示領域、１０２…シール材、１０３…走査線駆動回路、１０４…データ線駆動回路、１０５…基板間導通部、１０６…接続端子、１１０…ＴＦＴアレイ基板、１１１…基板本体、１１２…画素電極、１１３…配向下地膜、１１４…無機配向膜、１１５…偏光板、１１８…ＴＦＴ、１２０…対向基板、１２１…基板本体、１２２…共通電極、１２３…配向下地膜、１２４…無機配向膜、１２５…偏光板、１３０…液晶層。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、スパッタリング装置および液晶装置の製造装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来から、液晶装置などに用いられる配向膜において、信頼性の向上のために無機物の配向膜が検討されている。
この無機物の配向膜（無機配向膜）の製作において、例えば特許文献１に示すような、基板が収容される成膜室と、ターゲットが対向配置されるスパッタリング粒子放出部（スパッタリング室）とを有した対向ターゲット式のスパッタリング装置が用いられている。
対向ターゲット式のスパッタリング装置は、真空槽内に所定の間隔を設けて一対のターゲットを対向配置して対向空間内にプラズマを生成し、この対向空間の側方に配置した基板に薄膜を形成する装置である。
【０００３】
近年、配向膜の配向角度を大きくすることが求められており、それには小さな入射角で成膜する必要がある。この場合には対向ターゲット式スパッタリング装置では成膜レートが大きく低下する不具合がある。
対向ターゲット式スパッタリング装置では対向するターゲット表面から斜めに放出されたスパッタリング粒子を利用することになり、ターゲットと基板間の距離が大きくなる浅い入射角での成膜において成膜レートが低下するのは避けられない。
これに対して、マグネトロンスパッタリング方式の装置では、スパッタリング粒子の直進成分が多く、ターゲットと基板間の距離が大きくなっても成膜レートは対向ターゲット式スパッタリング装置ほどには低減せずに成膜が可能である。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２００７−２８６４０１号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、マグネトロンスパッタリング方式の装置を用いて、反応性スパッタリングを行う場合、反応ガスとスッパッタリング粒子とがスパッタリング室内で反応してしまいターゲット表面に反応生成物が堆積して成膜レートが低下する問題がある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本発明は上記課題の少なくとも一部を解決するためになされたものであり、以下の形態または適用例として実現することが可能である。
【０００７】
［適用例１］本適用例にかかるスパッタリング装置は、基板を保持する基板ホルダーを有し該基板ホルダーが搬送可能に設けられ反応ガスが導入される成膜室と、前記成膜室に連通しターゲットが配置されるスパッタリング室と、を備え、前記スパッタリング室から前記成膜室に放出されたスパッタリング粒子と該反応ガスとの反応により前記基板上に反応生成膜を形成させるスパッタリング装置であって、前記ターゲットが前記基板ホルダーの搬送経路に対して斜めに配置され、前記ターゲットの表面と平行に形成された一面に前記ターゲットの外周より大きな第１開口部を有する箱体が前記スパッタリング室に設けられ、前記箱体の前記第１開口部を通して前記ターゲットの表面が前記箱体の内面を向き、前記ターゲットが向かい合う前記箱体の面の一部に前記スパッタリング粒子が通過する第２開口部が設けられていること特徴とする。
【０００８】
この構成によれば、スパッタリングガスをスパッタリング室の箱体内に閉じ込めることができ、かつ、成膜室からの反応ガスが箱体に流入するのを少なくすることができる。
このことから、スパッタリング室における放電状態が安定することに加え、反応ガスがターゲット表面に流入してターゲット表面に反応生成物が堆積することがなく、安定した成膜レートを得ることができる。
また、箱体に設けられた第２開口部により、スパッタリング粒子を選択し、指向性の高いスパッタリング粒子を成膜室に放出できる。
さらに、箱体内部には、成膜に寄与しないスパッタリング粒子が捕捉され、箱体が防着板として機能し、スパッタリングに起因するパーティクルが基板上に到達するのを防止できる。
【０００９】
［適用例２］上記適用例にかかるスパッタリング装置において、前記スパッタリング室の前記箱体内に直接スパッタリングガスが供給されることが望ましい。
【００１０】
この構成によれば、箱体の内部にスパッタリングガスを充満させることができ、安定した放電状態を維持できる。このため、スパッタリングの成膜レートが安定し膜厚の均一性を確保できる。
【００１１】
［適用例３］上記適用例にかかるスパッタリング装置において、前記箱体内へのスパッタリングガスの供給は、前記ターゲットの上方の表面近くより供給されることが望ましい。
【００１２】
この構成によれば、スパッタリングガスがターゲットの上方の表面近くより供給されることにより、スパッタリングガスを傾斜したターゲットの表面の上から下に向かって流すことができる。このことから、ターゲットの表面に発生したパーティクルを下方に押し流すことができ、ターゲット上のパーティクルに起因する膜質の低下を防止することができる。
【００１３】
［適用例４］上記適用例にかかるスパッタリング装置において、前記成膜室の前記基板ホルダーと前記スパッタリング室の間に、前記スパッタリング粒子の一部を選択して通過させる制御板が設けられていることが望ましい。
【００１４】
この構成によれば、箱体の第２開口部から放出されたスパッタリング粒子を制御板によりさらに選択して通過させ、指向性の高いスパッタリング粒子を基板上に到達させることができる。このことで、膜質の良好な成膜が可能となる。
【００１５】
［適用例５］本適用例にかかる液晶装置の製造装置は、対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、上記適用例１乃至４のいずれかに記載のスパッタリング装置を備え、該スパッタリング装置によって前記無機配向膜を形成することを特徴とする。
【００１６】
本適用例の液晶装置の製造装置によれば、配向角度が大きい無機配向膜を成膜できるスパッタリング装置を備えているので、特性の良好な無機配向膜を備えた液晶装置を製造できる。
【図面の簡単な説明】
【００１７】
【図１】実施形態のスパッタリング装置の一例を示す概略構成図。
【図２】実施形態のスパッタリング装置にかかる箱体を示す斜視図。
【図３】液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の平面図。
【図４】液晶装置を説明する液晶装置の模式断面図。
【発明を実施するための形態】
【００１８】
以下、本発明を具体化した実施形態について図面に従って説明する。なお、以下の説明に用いる各図面では、各部材を認識可能な大きさとするため、各部材の寸法の割合を適宜変更している。
（実施形態）
【００１９】
図１は本実施形態のスパッタリング装置の一例を示す概略構成図である。図２はスパッタリング装置にかかる箱体を示す斜視図である。スパッタリング装置は、液晶装置の製造装置を構成し、液晶装置の構成部材となる基板上に無機配向膜を成膜するものである。
なお、以下のスパッタリング装置の説明において、便宜上、直交座標系を用いて説明を行う。
図１に示すように、スパッタリング装置１は、基板Ｗを収容する成膜室２と、プラズマを生成してターゲットからスパッタリング粒子を放出するスパッタリング室３とを備えている。このスパッタリング粒子とは、スパッタリング現象により飛び出してくるターゲットの構成原子をいう。
【００２０】
成膜室２には、その室内圧力を制御し、所望の真空度を得るためのロータリーポンプおよびクライオポンプなどから構成される排気制御装置３０が接続されている。
そして、成膜室２の室内に収容された基板Ｗ上に飛来するスパッタリング粒子と反応して無機配向膜を形成する反応ガスとしての酸素ガスを供給する反応ガス供給手段１４を備えている。
反応ガス供給手段１４は、排気制御装置３０の反対側に接続されており、反応ガス供給手段１４から供給される酸素ガスは、成膜室２の−Ｘ側から＋Ｘ側に流動し、後述するスパッタリング室３の上方を経由して排気制御装置３０側へ流れるようになっている。
【００２１】
成膜室２は、基板Ｗの被処理面（成膜面）がＸＹ面に平行（水平）になるようにして保持する基板ホルダー６を有している。この基板ホルダー６には、基板ホルダー６を搬送する移動手段７が接続されている。移動手段７による基板Ｗの搬送は、図１においてＸ軸方向に平行に一定速度で搬送可能となっており、スパッタリング室３から放出されるスパッタリング粒子により基板Ｗ上に良質な無機配向膜を形成できるようになっている。
【００２２】
また、基板ホルダー６には、保持した基板Ｗを加熱する加熱手段としてのヒータ（図示せず）が設けられ、さらに、保持した基板Ｗを冷却するための冷却手段８が設けられている。ヒータは所望の温度に基板ホルダー６を加熱できるように構成されている。一方、冷却手段８は、冷媒循環手段９と接続されており、冷媒循環手段９から供給される冷媒を循環させることにより基板ホルダー６を所望の温度に冷却するように構成されている。
さらに、成膜室２内には基板ホルダー６の移動経路とスパッタリング室との間に、制御板２５が配置され、放出されたスパッタリング粒子を選択して通過させるための開口部２６が設けられている。
【００２３】
また、成膜室２の−Ｘ側には基板供給室４が配置され、成膜室２の＋Ｘ側には基板回収室５が配置されている。基板供給室４および基板回収室５は、それぞれ独立して減圧雰囲気に調整する排気制御装置が接続されている。成膜室２と基板供給室４、基板回収室５とはチャンバー間を気密に閉塞するゲートバルブ２８，２９を介して接続されている。
【００２４】
基板供給室４にて減圧雰囲気で待機していた基板Ｗは、ゲートバルブ２８を開いて成膜室２に搬送され、基板Ｗが基板供給室４を出て行くと、ゲートバルブ２８が閉められる。そして、成膜室２で成膜が終了するとゲートバルブ２９が開き、減圧雰囲気に維持された基板回収室５に基板Ｗが搬送され、基板Ｗが成膜室２を出て行くと、ゲートバルブ２９が閉められる。
このようにして、ゲートバルブ２８，２９の開閉により成膜室２を大気に解放することなく基板Ｗの出し入れを行えるように構成されている。
【００２５】
スパッタリング室３は、直方体を斜めに切ったような形態であり、この切り口が開放されて成膜室２とスパッタリング室３とが連通するように取り付けられている。
成膜室２は外壁を構成する側板１８ａ，１８ｂを有し、それぞれ取り外し可能に構成されている。側板１８ａ，１８ｂと成膜室２の外壁２ａおよびフランジ部１７の間には、成膜室２内の気密を保つためにＯリング１９が備えられ、側板１８ａ，１８ｂが取り付けねじにより締結されている。
【００２６】
そして、スパッタリング室３の一面にはターゲット１０が設けられている。スパッタリング室３は、成膜室２内部に収容される基板Ｗの成膜面法線方向（Ｚ方向）に対し、スパッタリング室３内に保持されるターゲット１０の面方向（Ｚａ方向）が所定の角度θとなるように形成されている。換言すれば、スパッタリング室３内に保持されるターゲット１０の面方向（Ｚａ方向）と基板ホルダー６の搬送方向（Ｘ方向）とのなす角度が所定の角度をなすように形成されている。
【００２７】
より具体的には、ターゲット１０は所定角度θとして、基板Ｗの法線方向に対して１０°〜６０°傾けられた状態に保持されている。
本実施形態では、成膜時に基板ホルダー６の搬送方向は始点が−Ｘから終点が＋Ｘ方向に搬送され、ターゲット１０の表面が基板ホルダー６の搬送の終点側に向いて配置されている。
また、成膜時におけるターゲット１０と基板ホルダー６の間は少なくとも２０ｃｍ離して配置されるのが好ましい。このようにすれば、スパッタリング粒子の多くが途中で衝突することなく所定の入射角で基板Ｗに到達することができる。
なお、ターゲット１０は、基板Ｗ上に形成する無機配向膜の構成物質を含む材料、例えばシリコンからなるものとされる。また、ターゲット１０は、Ｙ方向に延びる細長い板状のものが用いられている。
【００２８】
ターゲット１０は一面が平板状のバッキングプレート１１に装着され、バッキングプレート１１は成膜室２の外壁を構成する側板１８ａに取り付けられている。また、側板１８ａとバッキングプレート１１の間には絶縁板１６が配置されている。
バッキングプレート１１の背面部には内側磁石１２ａ、外側磁石１２ｂおよびヨーク１３が設けられている。内側磁石１２ａと外側磁石１２ｂとは極性が逆向きに配置され、両磁石の端部はヨーク１３に連結されている。この磁気回路によりターゲット１０表面付近にはターゲット１０表面と平行な成分を持つ磁力線が発生する。
【００２９】
また、バッキングプレート１１は電極の役目をなし、これには直流電源又は高周波電源からなる電源が接続されている。
さらに、バッキングプレート１１には図示しないがターゲット１０を冷却するための冷却手段が接続されている。
このように、本実施形態のスパッタリング装置１はマグネトロンスパッタリング方式の装置を構成している。
【００３０】
スパッタリング室３の空間には箱体２０が配置されている。箱体２０はスパッタリング室３の内側の壁に沿った形状を有し、その内部には空間が形成されている。
図１、図２に示すように、箱体２０はターゲット１０の表面とほぼ平行に配置された一面にターゲット１０の外周より大きな第１開口部２１を有している。この第１開口部２１を通してターゲット１０の表面が箱体２０の内面を向いている。そして、ターゲット１０の表面が向く箱体２０の面の一部にスパッタリング粒子が通過する第２開口部２２が設けられている。
【００３１】
箱体２０は取り付け部２３により側板１８ｂに取り付けられて固定されている。なお、箱体２０とスパッタリング室３の内側の壁との隙間から成膜室２に導入される反応ガスが侵入しないようにするために、この隙間をできる限り狭めることが有効である。
箱体２０の第２開口部２２は、開口する位置および幅を選ぶことで、通過するスパッタリング粒子を規制し、指向性の高いスパッタリング粒子を成膜室２へ放出する。
また、スパッタリング室３には、放電用のアルゴンガスを流入させるスパッタリングガス供給手段１５を備えている。アルゴンガスはスパッタリング室３の箱体２０の中に直接流入するように箱体２０の一部に穴が開けられ、ターゲット１０の上方の表面近くより供給されている。このようにして、ターゲット１０の表面に発生したパーティクルをアルゴンガスが下方に押し流すことができ、ターゲット１０上のパーティクルに起因する成膜される膜質の低下を防止することができる。また、箱体２０内に充満したアルゴンガスは、成膜室２に流入するように構成されている。
そして、スパッタリングガスが供給された状態で、各電源から供給される電力により、ターゲット１０の上方にプラズマを発生させる。
【００３２】
なお、スパッタリング室３の箱体２０の容積が成膜室２内の容積よりはるかに小さいことと、成膜室２に接続された排気制御装置３０より排気がなされることから、箱体２０内の圧力は導入されるスパッタリングガスにより成膜室２内の圧力よりも高くなっており、スパッタリング室３から成膜室２に向かって圧力勾配が生じている。このため、スパッタリングガスがスパッタリング室３から成膜室２に向かって流出する一方、大容積の成膜室２に直接導入される反応ガスが成膜室２からスパッタリング室３へ流入することは難しい。
また、箱体２０の第２開口部２２から流入しようとする反応ガスは、放出されるスパッタリング粒子と速やかに反応して捕捉され、箱体２０の内部に侵入することができない。
【００３３】
以上の構成のスパッタリング装置１を用いて基板Ｗ上に無機配向膜を形成するには、まず、スパッタリングガス供給手段１５からアルゴンガスを導入しつつ、バッキングプレート１１に直流または交流の高電圧をかけることで、ターゲット１０の上方にプラズマを発生させる。プラズマ雰囲気中のアルゴンイオンをターゲット１０に衝突させることで、ターゲット１０から配向膜材料（シリコン）をスパッタリング粒子としてたたき出す。さらにターゲット１０からたたき出されたスパッタリング粒子のうち、箱体２０の第２開口部２２を通過するスパッタリング粒子のみを成膜室２側へ放出する。
【００３４】
箱体２０の第２開口部２２から放出されるスパッタリング粒子は入射角度がそろい、指向性の高いスパッタリング粒子となる。そして、これらのスパッタリング粒子は制御板２５により、その開口部２６からはさらに指向性の高いスパッタリング粒子を基板Ｗ上に到達させることができる。
そして、基板Ｗの面上に斜め方向から飛来したスパッタリング粒子と、成膜室２を流通する酸素ガスとを基板Ｗ上で反応させることで、シリコン酸化物からなる配向膜を基板Ｗ上に形成する。
このように、スパッタリング装置１によれば、指向性の高いスパッタリング粒子を基板Ｗに供給し、反応ガスと反応させて一方向に配向した柱状構造を有する無機配向膜を基板Ｗ上に形成することができる。
なお、スパッタリング装置１は、スパッタリング粒子の指向性をさらに高める制御板２５を設けない構成としてもよい。
【００３５】
以上、本実施形態のスパッタリング装置１ではスパッタリングガスをスパッタリング室３の箱体２０内に閉じ込めることができ、かつ、成膜室２からの反応ガスが箱体２０に流入するのを少なくすることができる。このことから、スパッタリング室における放電状態が安定することに加え、反応ガスがターゲット１０表面に流入してターゲット１０表面に反応生成物が堆積することがなく、安定した成膜レートを得ることができる。
さらに、箱体２０内部には、成膜に寄与しないスパッタリング粒子が捕捉され、箱体が防着板として機能し、スパッタリングに起因するパーティクルが基板Ｗ上に到達するのを防止できる。
【００３６】
なお、本実施形態では、スパッタリング粒子としてのシリコンを、酸素ガスと反応させることでシリコン酸化物を基板Ｗ上に成膜する場合について説明しているが、他のターゲット材料と反応ガスを用いることで酸化物、窒化物などを基板Ｗ上に形成することも可能である。
（液晶装置）
【００３７】
以下、上記で説明したスパッタリング装置１を用いて製造することができる液晶装置の一例について図面を参照して説明する。
本実施形態の液晶装置は、対向配置されたＴＦＴアレイ基板と、対向基板との間に液晶層を挟持した構成を備えたＴＦＴアクティブマトリクス方式の透過型液晶装置である。
図３は、本実施形態の液晶装置を構成するＴＦＴアレイ基板の平面図である。図４は、液晶装置の模式断面図である。
【００３８】
図３に示すように、ＴＦＴアレイ基板１１０は、中央に画像表示領域１０１が形成されている。画像表示領域１０１の周縁部にシール材１０２が配設され、このシール材１０２によりＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とを貼り合わせて、両基板１１０，１２０とシール材１０２とに囲まれる領域内に液晶層（図示せず）が封止される。
シール材１０２の外側には、走査線に走査信号を供給する走査線駆動回路１０３と、データ線に画像信号を供給するデータ線駆動回路１０４とが実装されている。ＴＦＴアレイ基板１１０の端部には外部回路に接続する複数の接続端子１０６が設けられており、接続端子１０６には駆動回路１０３，１０４から延びる配線が接続されている。また、シール材１０２の四隅にはＴＦＴアレイ基板１１０と対向基板１２０とを電気的に接続する基板間導通部１０５が設けられており、配線を介して接続端子１０６と電気的に接続されている。
【００３９】
図４に示すように、本実施形態の液晶装置１００は、ＴＦＴアレイ基板１１０と、これに対向配置された対向基板１２０と、これらの間に挟持された液晶層１３０とを備えて構成されている。
ＴＦＴアレイ基板１１０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体１１１、及びその内側（液晶層１３０側）に形成されたＴＦＴ（Ｔｈｉｎ Ｆｉｌｍ Ｔｒａｎｓｉｓｔｏｒ）１１８、画素電極１１２、さらにこれを覆う配向下地膜１１３、無機配向膜１１４などを備えている。
対向基板１２０は、ガラスや石英等の透光性材料からなる基板本体１２１、およびその内側（液晶層１３０側）に形成された透明導電材料からなる共通電極１２２、さらにこれを覆う配向下地膜１２３、無機配向膜１２４などを備えている。
無機配向膜１１４，１２４は、シリコン酸化物（ＳｉＯ２）により構成されるが、シリコン酸化物に限らず、アルミニウム酸化物、亜鉛酸化物、マグネシウム酸化物、インジウム錫酸化物、あるいはシリコン窒化物、チタン窒化物などにより形成してもよい。
なお、基板本体１１１，１２１のそれぞれの外側（液晶層１３０と反対側）には、偏光板１１５，１２５が互いの透過軸を直交させた状態（クロスニコル）で配置されている。
【００４０】
以上説明した液晶装置１００にあっては、特に無機配向膜１１４，１２４として、前述したスパッタリング装置１により形成できる配向性の良好な無機配向膜を備えているので、これらの無機配向膜１１４，１２４によって液晶分子のプレチルト角等の配向状態をより良好に制御することができる。そして、高輝度、高コントラストの表示が可能であり、また耐熱性、耐光性に優れた信頼性の高い液晶装置１００となる。
また、この液晶装置１００を光変調手段として備えたプロジェクターなどに利用することができる。
【符号の説明】
【００４１】
１…スパッタリング装置、２…成膜室、２ａ…外壁、３…スパッタリング室、４…基板供給室、５…基板回収室、６…基板ホルダー、７…移動手段、８…冷却手段、９…冷却循環手段、１０…ターゲット、１１…バッキングプレート、１２ａ…内側磁石、１２ｂ…外側磁石、１３…ヨーク、１４…反応ガス供給手段、１５…スパッタリングガス供給手段、１６…絶縁板、１７…フランジ部、１８ａ，１８ｂ…側板、１９…Ｏリング、２０…箱体、２１…第１開口部、２２…第２開口部、２３…取り付け部、２５…制御板、２６…開口部、２８，２９…ゲートバルブ、３０…排気制御装置、１００…液晶装置、１０１…画像表示領域、１０２…シール材、１０３…走査線駆動回路、１０４…データ線駆動回路、１０５…基板間導通部、１０６…接続端子、１１０…ＴＦＴアレイ基板、１１１…基板本体、１１２…画素電極、１１３…配向下地膜、１１４…無機配向膜、１１５…偏光板、１１８…ＴＦＴ、１２０…対向基板、１２１…基板本体、１２２…共通電極、１２３…配向下地膜、１２４…無機配向膜、１２５…偏光板、１３０…液晶層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板を保持する基板ホルダーを有し該基板ホルダーが搬送可能に設けられ反応ガスが導入される成膜室と、前記成膜室に連通しターゲットが配置されるスパッタリング室と、を備え、前記スパッタリング室から前記成膜室に放出されたスパッタリング粒子と該反応ガスとの反応により前記基板上に反応生成膜を形成させるスパッタリング装置であって、
前記ターゲットが前記基板ホルダーの搬送経路に対して斜めに配置され、
前記ターゲットの表面と平行に形成された一面に前記ターゲットの外周より大きな第１開口部を有する箱体が前記スパッタリング室に設けられ、前記箱体の前記第１開口部を通して前記ターゲットの表面が前記箱体の内面を向き、前記ターゲットが向かい合う前記箱体の面の一部に前記スパッタリング粒子が通過する第２開口部が設けられていること特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のスパッタリング装置において、
前記スパッタリング室の前記箱体内に直接スパッタリングガスが供給されることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項３】
請求項２に記載のスパッタリング装置において、
前記箱体内へのスパッタリングガスの供給は、前記ターゲットの上方の表面近くより供給されることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のスパッタリング装置において、
前記成膜室の前記基板ホルダーと前記スパッタリング室の間に、前記スパッタリング粒子の一部を選択して通過させる制御板が設けられていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項５】
対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のスパッタリング装置を備え、該スパッタリング装置によって前記無機配向膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造装置。
【請求項１】
基板を保持する基板ホルダーを有し該基板ホルダーが搬送可能に設けられ反応ガスが導入される成膜室と、前記成膜室に連通しターゲットが配置されるスパッタリング室と、を備え、前記スパッタリング室から前記成膜室に放出されたスパッタリング粒子と該反応ガスとの反応により前記基板上に反応生成膜を形成させるスパッタリング装置であって、
前記ターゲットが前記基板ホルダーの搬送経路に対して斜めに配置され、
前記ターゲットの表面と平行に形成された一面に前記ターゲットの外周より大きな第１開口部を有する箱体が前記スパッタリング室に設けられ、前記箱体の前記第１開口部を通して前記ターゲットの表面が前記箱体の内面を向き、前記ターゲットが向かい合う前記箱体の面の一部に前記スパッタリング粒子が通過する第２開口部が設けられていること特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
請求項１に記載のスパッタリング装置において、
前記スパッタリング室の前記箱体内に直接スパッタリングガスが供給されることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項３】
請求項２に記載のスパッタリング装置において、
前記箱体内へのスパッタリングガスの供給は、前記ターゲットの上方の表面近くより供給されることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項４】
請求項１乃至３のいずれか一項に記載のスパッタリング装置において、
前記成膜室の前記基板ホルダーと前記スパッタリング室の間に、前記スパッタリング粒子の一部を選択して通過させる制御板が設けられていることを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項５】
対向する一対の基板間に挟持された液晶層を備え、少なくとも一方の前記基板の内面側に無機配向膜を形成してなる液晶装置の製造装置であって、
請求項１乃至４のいずれか一項に記載のスパッタリング装置を備え、該スパッタリング装置によって前記無機配向膜を形成することを特徴とする液晶装置の製造装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図２】
【図３】
【図４】
【公開番号】特開２０１１−１７０３４（Ｐ２０１１−１７０３４Ａ）
【公開日】平成２３年１月２７日（２０１１．１．２７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００９−１６０４９７（Ｐ２００９−１６０４９７）
【出願日】平成２１年７月７日（２００９．７．７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２３年１月２７日（２０１１．１．２７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２１年７月７日（２００９．７．７）
【出願人】（０００００２３６９）セイコーエプソン株式会社 (51,324)
【Ｆターム（参考）】
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