スパッタリング装置
【課題】簡易な構成で、基板の裏面に対して高いシールド効果が得られるスパッタリング装置を提供する。
【解決手段】第１の成膜室３０内の基板ステージ３２上に基板トレー７０が載置されている。基板トレー７０は複数の基板８０を把持しており、基板８０の表面がターゲット４１に対向している。基板トレー７０の裏面側にはシールド板３４が当接している。シールド板３４には、シールド蓋３５との連結部３７が有するスプリングによって基板トレー７０の方向に所定の荷重が加わっている。シールド蓋３５は上端が閉塞した円筒状を有し、その円筒部は基板トレー７０を囲繞するとともに、下端が基板ステージ３２に当接する。シールド蓋３５及びこれに連結されたシールド板３４は、昇降機構３６により昇降可能である。
【解決手段】第１の成膜室３０内の基板ステージ３２上に基板トレー７０が載置されている。基板トレー７０は複数の基板８０を把持しており、基板８０の表面がターゲット４１に対向している。基板トレー７０の裏面側にはシールド板３４が当接している。シールド板３４には、シールド蓋３５との連結部３７が有するスプリングによって基板トレー７０の方向に所定の荷重が加わっている。シールド蓋３５は上端が閉塞した円筒状を有し、その円筒部は基板トレー７０を囲繞するとともに、下端が基板ステージ３２に当接する。シールド蓋３５及びこれに連結されたシールド板３４は、昇降機構３６により昇降可能である。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールド機構を備えたスパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の表面に各種材料の成膜を行うスパッタリング装置は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
特許文献１に開示されたスパッタリング装置は、成膜室を大気に開放しないように構成されたいわゆるロードロック式のスパッタリング装置である。スパッタ室と基板の搬入出等を行う仕込取出室との間は、仕切弁で区画されている。仕込取出室には、真空引きをするための排気ポンプが設けられている。特許文献１のスパッタリング装置は、仕込取出室が十分な高真空状態になった後に、仕切弁を開放し、仕込取出室に設けられたロボットハンドを用いて、仕込取出室とスパッタ室との間で基板の移動を行う。
【特許文献１】特開平９−２２８０３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板上に成膜する場合、基板の成膜される側の反対側の面（以下、裏面という）に成膜されないようにシールドが必要となる場合がある。特許文献１のスパッタリング装置では、基板がスパッタ室に搬入されてターゲットに対向して固定された状態で、基板の裏面は基板保持プレートに当接している。しかしながら、例えば基板を保持するスプリング部等に経時的に粒子が付着した場合等、裏面のシールドが十分でない場合には、裏面にターゲット材料の粒子が付着してしまう可能性があった。
【０００５】
そこで、裏面のシールド効果を向上させるため、基板トレーに基板を装着し、基板トレーの裏面側にカバーを取り付けることにより、基板の裏面を覆うことが行われている。
【０００６】
しかしながら、基板の種類によっては両面に成膜が必要な場合もあるため、基板を反転させる際に、基板トレーにカバーを着脱させるための手間がかかってしまうという問題点があった。また、カバーの着脱及び反転の際に基板が基板トレーから脱落し易くなるという問題点もあった。従来は、片面成膜が終了した基板トレーを一旦大気中に搬出し、カバーの脱着及び基板の反転をした後、真空室内に搬入してもう片方の面を成膜していたため、反転動作に多くの時間を要していた。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、簡易な構成で、基板の裏面に対して高いシールド効果が得られるスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係るスパッタリング装置は、
真空槽と、
前記真空槽内で成膜対象物の表面に成膜材料の粒子を蒸着させて成膜する成膜手段と、
前記成膜対象物の成膜対象面が露出するように前記成膜対象物を載置する載置部材と、
前記成膜時に、前記成膜対象物の前記成膜対象面以外の所定の面に当接することにより前記所定の面を前記成膜材料の粒子からシールドするシールド部材と、
前記成膜時に、前記載置部材に当接することにより前記成膜対象物の前記所定の面と前記シールド部材とを覆うカバー部材と、
前記シールド部材と前記カバー部材とを昇降させる昇降手段と、を備える、
ことを特徴とする。
【０００９】
前記スパッタリング装置は、
前記シールド部材と前記カバー部材とを連結する連結手段をさらに備え、
前記連結手段は、前記シールド部材と前記カバー部材との間に介在し、前記シールド部材と前記カバー部材との相対位置に応じて変形するスプリングを備える、
こととしてもよい。
【００１０】
前記スパッタリング装置は、
同時に処理される１又は複数個の前記成膜対象物を一体に把持する把持部材をさらに備え、
前記把持部材は、全体として板状体に形成され、前記板状体の両主面側に前記成膜対象面を露出させる複数の開口を有しており、
前記成膜時に、前記把持部材が前記成膜対象物を把持した状態で前記載置部材上に載置され、前記シールド部材が前記把持部材の一主面に当接することにより前記成膜対象面以外の所定の面を前記成膜材料の粒子からシールドする、
こととしてもよい。
【００１１】
前記スパッタリング装置は、
前記把持部材を反転させる反転手段をさらに備える、
こととしてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、簡易な構成で、基板の裏面に対して高いシールド効果が得られるスパッタリング装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について添付図面を参照して説明する。
【００１４】
図１は、本実施形態のスパッタリング装置１の概略を示す上面図である。スパッタリング装置１は、枚葉式スパッタリング装置であり、搬送室１０と、仕込取出し室２０と、反転室６０と、第１の成膜室３０と、第２の成膜室５０と、制御部１００と、を備えている。仕込取出し室２０、反転室６０、第１の成膜室３０及び第２の成膜室５０は、それぞれ搬送室１０の周りに隣接して設けられている。
【００１５】
搬送室１０は、基板搬送用のロボットアーム１１を内部に収容している。なお、図１では、図示の便宜上搬送室１０の内部を透視して表示している。
【００１６】
ロボットアーム１１は、水平移動、昇降、及び回転が自在となるように構成されている。図１に示すように、ロボットアーム１１は、その先端部に基板トレー７０（又は基板）を載置することが可能である。また、駆動機構１２は、制御部１００からの指令に基づいて、ロボットアーム１１を動作させる。
【００１７】
仕込取出し室２０は、基板カセット２１を内部に収容している。基板カセット２１の内部には多段式の棚が形成されており、基板トレー７０を各段の棚に収納することが可能である。基板カセット２１は、昇降機構（図示せず）を備えている。この昇降機構は、基板トレー７０が収納されている任意の棚をロボットアーム１１による搬出入位置に合わせて昇降させる。
【００１８】
また、仕込取出し室２０は、他室とは独立の排気手段（図示せず）を備えている。この排気手段は、基板トレー７０もしくは基板カセット２１の搬出入時に、大気開放又は真空引きを行うことが可能である。排気手段が仕込取出し室２０の真空引きを行う間、仕込取出し室２０と搬送室１０との間の扉２３は閉じられている。扉２３は、仕込取出し室２０の真空度が搬送室１０と同程度となった時点で開放される。なお、仕込取出し室２０以外の各室と搬送室１０との間にも適宜扉を設けることができるが、図１では図示を省略している。
【００１９】
反転室６０は、基板支持台６１及び反転機構６２を備えている。基板支持台６１は、基板トレー７０の反転動作の際に基板トレー７０が固定される台である。反転機構６２は、制御部１００の指令により駆動するモータ等を備えており、基板支持台６１を反転させる。また、反転室６０は、図示した以外に基板支持台６１の昇降機構も備えている。なお、反転室６０における基板トレー７０の反転動作については後述する。
【００２０】
第１の成膜室３０は、基本的に真空槽から構成されており、図示しない排気手段を備えている。第１の成膜室３０は、後述するようにスパッタカソード等を真空槽内部に収容しており、このスパッタカソードに取り付けられるターゲット材料の粒子を基板表面に成膜する。
【００２１】
第２の成膜室５０の構成は、第１の成膜室３０の構成と同様である。本実施形態の例では、スパッタカソードに取り付けられるターゲット材料が第１の成膜室３０と第２の成膜室５０とでは異なる。具体的には、本実施形態では、第１の成膜室３０にはターゲットとして高屈折率の材料が配置され、第２の成膜室５０にはターゲットとして低屈折率材料が配置されている。
【００２２】
制御部１００は、マイクロプロセッサまたはシーケンサー等から構成され、例えばロボットアーム１１等、各部の動作を制御する。
【００２３】
図２に、第１の成膜室３０の構成を示す。第１の成膜室３０は、図示しない排気手段を備えた真空槽から構成されており、真空槽の内部に、スパッタカソード３１、基板ステージ３２、及び、裏面シールド機構３３を備えている。なお、図２は、第１の成膜室３０に基板トレー７０を搬入（又は搬出）する途中の状態を示している。また、第１の成膜室３０の構成物でない基板トレー７０は、基板を２枚の板状のトレーで挟み込んで把持する構成を有しているが、その詳細な構成については後述することとし、図２においては単純な断面図として表示している（図６及び図９も同様）。
【００２４】
第１の成膜室３０の内部には、スパッタカソード３１が配置されている。スパッタカソード３１は、基板に成膜するための材料であるターゲット４１が取付けられるようになっている。また、スパッタカソード３１には、電圧を印加するための電源４０が接続されている。
【００２５】
基板ステージ３２は開口を有しており、その周囲には基板載置部３２ａが設けられている。基板への成膜の際、この基板載置部３２ａ上に基板トレー７０が載置される。基板ステージ３２に基板トレー７０が載置された際に、基板の成膜対象面がターゲット４１と対向して露出するようになっている。また、基板ステージ３２は、成膜時の基板の昇温を抑制するための冷却機構３９を備えている。
【００２６】
基板ステージ３２の背面側には、裏面シールド機構３３が配設されている。裏面シールド機構３３は、シールド板３４、カバー部材となるシールド蓋３５、及び、昇降機構３６から構成されている。なお、以下の説明において、背面又は裏面とは、基板トレー７０が基板ステージ３２に載置され固定された状態で、基板の成膜される側の反対側の面をさす。
【００２７】
シールド板３４は、成膜時に基板トレー７０の裏面（ターゲット４１に対向する面の反対側の面）に当接する板である。
【００２８】
シールド蓋３５は、上端が閉塞され、軸方向の長さが直径よりも短い円筒形状を有するカバー部材である。成膜時に、シールド蓋３５の円筒部が基板トレー７０を囲繞する。シールド板３４とシールド蓋３５とは、連結部３７によって連結されている。シールド板３４は、連結部３７の軸方向（図の上下方向）の可動範囲内でシールド蓋３５に対して変位可能である。
【００２９】
連結部３７は、一組の連結部が軸３７ａと、ガイド３７ｂと、スプリング３７ｃと、から構成されており、装置の上から見たときに円周状に複数組配置されている。
【００３０】
軸３７ａの一端はシールド板３４に固定され、他端にフランジ等のストッパを有している。ガイド３７ｂはシールド蓋３５に固定されている。軸３７ａは、ガイド３７ｂに対して軸方向に移動可能である。また、スプリング３７ｃは、軸３７ａのシールド板３４側の固定部とガイド３７ｂとの間に介在しており、軸３７ａのガイド３７ｂに対する運動に合わせて、即ちシールド板３４とシールド蓋３５との相対位置に応じて伸縮する。
【００３１】
昇降機構３６は、モータ等を備えており、基板ステージ３２への基板トレー７０の搬出入時にシールド蓋３５を上昇させ、成膜時にシールド蓋３５を下降させる機構である。
【００３２】
第１の成膜室３０の構成物のうち、基板ステージ３２、シールド板３４、シールド蓋３５及び昇降機構３６を図３（ａ）の斜視図及び図３（ｂ）の側面図に示す。昇降機構３６は、例えば図示されているような板状部材４２で第１の成膜室３０の外壁面に取り付けられるようになっている。シールド蓋３５は、柱状部材４３によって昇降機構３６に接続されている。柱状部材４３と昇降機構３６とは、又は、柱状部材４３とシールド蓋３５とは、適宜分解可能である。
【００３３】
また、図３（ａ）に示すように、基板ステージ３２は切欠き３２ｂを有している。この切欠き３２ｂは、図２に示すようにロボットアーム１１で基板トレー７０を基板ステージ３２に載置する際に、ロボットアーム１１の移動のために設けられている。
【００３４】
次に、基板トレー７０の構成について、図４（ａ）〜（ｃ）及び図５を参照して説明する。
【００３５】
図４（ａ）及び図４（ｃ）に示すように、基板トレー７０は２枚の板状のトレー７０ａ，７０ｂから構成されている。各々のトレーには、複数の開口７１ａ，７１ｂが設けられている。また、各々のトレーには、両者をネジ７３で締結するための孔７２ａ及びネジ孔７２ｂが設けられている。
【００３６】
本実施形態で用いられる基板８０は、図４（ｂ）に示すように円形の板状体である。開口７１ａ，７１ｂの内径は、基板８０の外径よりもやや小さくなっている。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）の順に重ね合わせると、図５に示すような構成となる。
【００３７】
基板トレー７０は反転しても基板が脱落することのないよう、基板を両面から把持する基板保持機構を有している。具体的には、図５に示すように、基板成膜面を露出する開口を有する同形状の２枚の板（７０ａ，７０ｂ）により基板８０を挟んで把持する。トレー７０ａ，７０ｂはネジ７３（図５の例では皿ネジ）で締結されている。基板８０は、図５のように基板トレー７０に固定された状態で、開口７１ａ又は開口７１ｂを介して表面に成膜される。
【００３８】
なお、基板トレー７０が導電材料で形成されている場合は、接地電位（本実施形態ではアノード電位）である真空槽に対して基板トレー７０を電気的に絶縁しフローティングにする。本実施形態では、シールド蓋３５とシールド板３４とを連結する連結部３７（例えば図示のガイド３７ｂ）、及び基板ステージ３２における基板載置部３２ａに絶縁材料を用いて構成している。
【００３９】
基板トレー７０を絶縁しない場合、アノード電位である基板トレー７０に電子が入射して基板温度が上昇してしまうおそれがある。基板トレー７０を真空槽に対してフローティングとすることで、基板８０の昇温を抑え、耐熱温度が低い樹脂基板であっても良好な成膜ができる。従って、基板トレー７０が樹脂等の絶縁材料で形成されている場合には、裏面シールド機構３３及び基板ステージ３２は全て導電材料で形成されていてもよい。
【００４０】
次に、本実施形態のスパッタリング装置１の動作について、図６及び図７を参照して説明する。図６は基板トレー７０が基板ステージ３２上に載置された成膜時の状態を示す構成を模式的に示す断面図である。なお、説明において適宜既に説明した図面も参照する。また、以下の記載において、特に断りが無い限り、スパッタリング装置１の各部の動作は制御部１００の指令に基づいて行われる。
【００４１】
図２に示したように、第１の成膜室３０内にロボットアーム１１により基板トレー７０が搬入される。基板トレー７０が基板ステージ３２上に載置されると、図６に示すように、昇降機構３６はシールド蓋３５及びシールド板３４を基板ステージ３２に向けて下降させる。シールド蓋３５が下降すると、シールド蓋３５の円筒部の下端が基板ステージ３２に当接し、シールド板３４が基板トレー７０の裏面を押圧する。図７（ａ），（ｂ）に、シールド蓋３５及びシールド板３４が下降した状態における基板ステージ３２、シールド板３４、シールド蓋３５、昇降機構３６及び基板トレー７０を示す斜視図及び側面図を示す。
【００４２】
基板トレー７０の裏面にはシールド板３４が当接している。シールド板３４には、スプリング３７ｃによって所定の荷重が加わっており、シールド板３４と基板トレー７０との間の隙間が生じるのを防いでいる。また、シールド蓋３５の円筒部の端面と基板ステージ３２が当接している。これにより、シールド板３４とともに基板裏面のシール効果を高めることができる。
【００４３】
基板トレー７０が図６の状態にセットされた後、真空槽内に図示しないスパッタリングガス供給手段からスパッタカソード３１に対してアルゴン（Ａｒ）等のスパッタリングガスを噴出させる。そして、スパッタカソード３１に電源４０によって電圧が印加されると、スパッタカソード３１の上側領域にプラズマが生成される。このプラズマによってターゲット粒子がスパッタリングされ、基板８０上に堆積する。これにより、基板８０の表面にターゲット材料の膜が形成される。
【００４４】
本実施形態では、基板トレー７０を、ロボットアーム１１で第１の成膜室３０と第２の成膜室５０との間で移動させる。そして、基板８０の表面に、高屈折率材料と低屈折率材料とを交互に成膜して積層することにより、基板８０の表面にＡＲ（Anti Reflection）コートを形成する。基板８０の両面にＡＲコートを生成する場合には、基板トレー７０をロボットアーム１１で反転室６０に移動させ、以下に示すような動作で基板トレー７０を反転させる。従来のように基板トレーにカバーを装着することなく成膜時の裏面シールドができるため、真空開放せずに基板を反転させることができ、生産性が向上する。
【００４５】
以下、図８（ａ）〜（ｉ）を参照して、反転室６０における基板トレー７０の反転動作について説明する。なお、図示の簡単化のため、図８（ａ）〜（ｉ）において、反転室６０のうち基板支持台６１以外の構成物については図示を省略する。また、図８（ａ）〜（ｉ）に示された矢印は、各動作におけるロボットアーム１１の移動方向を示す。
【００４６】
図８（ａ）に示すように、基板支持台６１は、支持部材６１ａ，６１ｂから構成されている。支持部材６１ａは、昇降機構によって基板トレー７０の把持位置よりも高い位置に保持されている。この状態で、反転室６０の外からロボットアーム１１が基板トレー７０を搬入する。
【００４７】
次に、図８（ｂ），（ｃ）に示すように、ロボットアーム１１が基板トレー７０を支持部材６１ａと支持部材６１ｂとの間に移動させた後、下方へ移動して基板トレー７０を支持部材６１ｂ上に載置させる。支持部材６１ｂには、ロボットアーム１１の降下時に干渉しないように適宜切欠き等が設けられている。ロボットアーム１１が図８（ｃ）の矢印の方向に戻った後、図８（ｄ）に示すように、反転室６０の昇降機構が支持部材６１ａを降下させる。これにより、支持部材６１ａと支持部材６１ｂとが基板トレー７０を把持する。
【００４８】
続いて、図８（ｅ），（ｆ）に示すように、反転機構６２が基板支持台６１を反転させると、支持部材６１ｂが支持部材６１ａよりも上に位置した状態で基板支持台６１は基板トレー７０を把持する。
【００４９】
その後、図８（ｆ）〜（ｉ）に示すように、図８（ａ）〜（ｄ）の逆の動作により、ロボットアーム１１は支持部材６１ａに載置されていた基板トレー７０を持ち上げて反転室６０の外に搬出する。なお、支持部材６１ａも、ロボットアーム１１の上昇時に干渉しないよう、適宜切欠き等が設けられている。成膜室３０，５０においてもロボットアーム１１は図８と同様に動作して基板トレー７０を搬出入するため、切欠き３２ｂが設けられている。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態においては、基板トレー７０を基板ステージ３２上に載置した後、シールド板３４によって基板トレー７０の裏面をシールドするとともに、基板トレー７０をシールド蓋３５で覆う。これにより、仮にスパッタリング装置の各部に経時的にスパッタリング粒子が付着していたとしても、シールド効果を高い状態で保つことができ、成膜品質を向上させ、また安定化を図ることができる。
【００５１】
このとき、シールド蓋３５とシールド板３４との間に介在するスプリング３７ｃによって、基板トレー７０は所定の力で押圧される。そのため、昇降機構３６が下降しすぎて基板トレー７０を強い力で押圧することによる基板トレー７０の変形、及び、昇降機構３６の下降が足りずに基板トレー７０の裏面に隙間ができることによるシールド効果の減少を効果的に抑制することができる。
【００５２】
なお、図７に示すように基板ステージ３２に切欠き３２ｂが設けられているが、シールド蓋３５によってシールド板３４及び成膜対象面を除く基板トレー７０の大部分は覆われているためシールド性の向上の点では問題ない。但し、例えばロボットアーム１１、基板ステージ３２、又はシールド蓋３５の形状を工夫することで、より完全にシールド蓋３５によって覆うことが可能となる。例えば、ロボットアーム１１が基板トレー７０を上面から吸着する構成とすれば切欠きが不要となり、シールド性を高めることができる。
【００５３】
また、図９（ａ），（ｂ）に示すように、基板トレー７０の厚さに応じて適宜スプリング３７ｃが変形するため、基板トレー７０の厚さが異なる場合にも容易に対応できる。図９（ａ）は基板トレー７０の厚さが大きい場合を示し、図９（ｂ）は基板トレー７０の厚さが小さい場合を示す。
【００５４】
また、シールド蓋３５と昇降機構３６とを機械的に切り離すことが可能であるため、メンテナンスを容易に行うことができる。切り離す場合は、例えば基板ステージ３２とシールド蓋３５との間にスプリングを介在させ、昇降機構３６がスプリングの弾性力に抗してシールド蓋３５を下降させる構成とすれば、シールド蓋３５と昇降機構３６が機械的に切り離されていても、スプリングの弾性力によりシールド蓋３５を上昇させることができる。
【００５５】
なお、この発明は上述した実施形態や具体例に限定されず、種々の変形及び応用が可能である。
【００５６】
上述の実施形態では、複数枚の基板８０を同時処理するため、基板８０を基板トレー７０に固定し、基板トレー７０をロボットアーム１１により各室に搬出入することとした。その他にも、処理する基板８０が１枚の場合には、基板トレー７０を使用せず、基板カセット２１に収納された基板８０をロボットアーム１１が各室に直接搬出入することとしてもよい。この場合、シールド板３４は基板８０の裏面に直接当接することにより、基板８０の裏面をシールドする。
【００５７】
また、同時に処理される基板８０の枚数、基板トレー７０の形状及び材料は、適宜選択することができる。
【００５８】
また、例えば図５に示す基板トレー７０の基板保持機構は、図５では一例として単純な形態を示しているが、基板トレー７０を反転したときに基板８０が脱落しないような構成であれば任意の構成とすることができる。
【００５９】
また、上述の実施形態では樹脂基板の両面にＡＲコートを形成することとしているが、基板の種類はこれに限られない。また、基板表面に成膜する材料、及びスパッタリングガスの種類等の成膜条件も任意に選択することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態に係るスパッタリング装置を示す上面図である。
【図２】第１の成膜室に基板トレーが搬入出される途中の状態を示す断面図である。
【図３】（ａ）は基板裏面のシールド前における裏面シールド機構等の状態を示す斜視図であり、（ｂ）はその側面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、基板トレー及び基板の構成を示す分解斜視図である。
【図５】図４（ａ）〜（ｃ）に示す基板トレー及び基板を組み合わせた状態を示す部分断面図である。
【図６】第１の成膜室において基板裏面がシールドされた状態を示す断面図である。
【図７】（ａ）は基板裏面のシールド時における裏面シールド機構等の状態を示す斜視図であり、（ｂ）はその側面図である。
【図８】基板トレー７０の反転動作を示す模式図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は、互いに異なる厚さの基板トレーを用いたときの裏面シールド状態を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１ スパッタリング装置
１０ 搬送室
１１ ロボットアーム
１２ 駆動機構
２０ 仕込取出し室
２１ 基板カセット
２３ 扉
３０ 第１の成膜室
３１ スパッタカソード
３２ 基板ステージ
３３ 裏面シールド機構
３４ シールド板
３５ シールド蓋
３６ 昇降機構
３７ 連結部
３９ 冷却機構
４０ 電源
４１ ターゲット
５０ 第２の成膜室
６０ 反転室
６１ 基板支持台
６２ 反転機構
７０ 基板トレー
７１ 開口
８０ 基板
１００ 制御部
【技術分野】
【０００１】
本発明は、シールド機構を備えたスパッタリング装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
基板の表面に各種材料の成膜を行うスパッタリング装置は、例えば特許文献１に開示されている。
【０００３】
特許文献１に開示されたスパッタリング装置は、成膜室を大気に開放しないように構成されたいわゆるロードロック式のスパッタリング装置である。スパッタ室と基板の搬入出等を行う仕込取出室との間は、仕切弁で区画されている。仕込取出室には、真空引きをするための排気ポンプが設けられている。特許文献１のスパッタリング装置は、仕込取出室が十分な高真空状態になった後に、仕切弁を開放し、仕込取出室に設けられたロボットハンドを用いて、仕込取出室とスパッタ室との間で基板の移動を行う。
【特許文献１】特開平９−２２８０３９号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
基板上に成膜する場合、基板の成膜される側の反対側の面（以下、裏面という）に成膜されないようにシールドが必要となる場合がある。特許文献１のスパッタリング装置では、基板がスパッタ室に搬入されてターゲットに対向して固定された状態で、基板の裏面は基板保持プレートに当接している。しかしながら、例えば基板を保持するスプリング部等に経時的に粒子が付着した場合等、裏面のシールドが十分でない場合には、裏面にターゲット材料の粒子が付着してしまう可能性があった。
【０００５】
そこで、裏面のシールド効果を向上させるため、基板トレーに基板を装着し、基板トレーの裏面側にカバーを取り付けることにより、基板の裏面を覆うことが行われている。
【０００６】
しかしながら、基板の種類によっては両面に成膜が必要な場合もあるため、基板を反転させる際に、基板トレーにカバーを着脱させるための手間がかかってしまうという問題点があった。また、カバーの着脱及び反転の際に基板が基板トレーから脱落し易くなるという問題点もあった。従来は、片面成膜が終了した基板トレーを一旦大気中に搬出し、カバーの脱着及び基板の反転をした後、真空室内に搬入してもう片方の面を成膜していたため、反転動作に多くの時間を要していた。
【０００７】
本発明は、上記問題点に鑑みてなされたもので、簡易な構成で、基板の裏面に対して高いシールド効果が得られるスパッタリング装置を提供することを目的とする。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
上記目的を達成するため、本発明に係るスパッタリング装置は、
真空槽と、
前記真空槽内で成膜対象物の表面に成膜材料の粒子を蒸着させて成膜する成膜手段と、
前記成膜対象物の成膜対象面が露出するように前記成膜対象物を載置する載置部材と、
前記成膜時に、前記成膜対象物の前記成膜対象面以外の所定の面に当接することにより前記所定の面を前記成膜材料の粒子からシールドするシールド部材と、
前記成膜時に、前記載置部材に当接することにより前記成膜対象物の前記所定の面と前記シールド部材とを覆うカバー部材と、
前記シールド部材と前記カバー部材とを昇降させる昇降手段と、を備える、
ことを特徴とする。
【０００９】
前記スパッタリング装置は、
前記シールド部材と前記カバー部材とを連結する連結手段をさらに備え、
前記連結手段は、前記シールド部材と前記カバー部材との間に介在し、前記シールド部材と前記カバー部材との相対位置に応じて変形するスプリングを備える、
こととしてもよい。
【００１０】
前記スパッタリング装置は、
同時に処理される１又は複数個の前記成膜対象物を一体に把持する把持部材をさらに備え、
前記把持部材は、全体として板状体に形成され、前記板状体の両主面側に前記成膜対象面を露出させる複数の開口を有しており、
前記成膜時に、前記把持部材が前記成膜対象物を把持した状態で前記載置部材上に載置され、前記シールド部材が前記把持部材の一主面に当接することにより前記成膜対象面以外の所定の面を前記成膜材料の粒子からシールドする、
こととしてもよい。
【００１１】
前記スパッタリング装置は、
前記把持部材を反転させる反転手段をさらに備える、
こととしてもよい。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、簡易な構成で、基板の裏面に対して高いシールド効果が得られるスパッタリング装置を提供することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態について添付図面を参照して説明する。
【００１４】
図１は、本実施形態のスパッタリング装置１の概略を示す上面図である。スパッタリング装置１は、枚葉式スパッタリング装置であり、搬送室１０と、仕込取出し室２０と、反転室６０と、第１の成膜室３０と、第２の成膜室５０と、制御部１００と、を備えている。仕込取出し室２０、反転室６０、第１の成膜室３０及び第２の成膜室５０は、それぞれ搬送室１０の周りに隣接して設けられている。
【００１５】
搬送室１０は、基板搬送用のロボットアーム１１を内部に収容している。なお、図１では、図示の便宜上搬送室１０の内部を透視して表示している。
【００１６】
ロボットアーム１１は、水平移動、昇降、及び回転が自在となるように構成されている。図１に示すように、ロボットアーム１１は、その先端部に基板トレー７０（又は基板）を載置することが可能である。また、駆動機構１２は、制御部１００からの指令に基づいて、ロボットアーム１１を動作させる。
【００１７】
仕込取出し室２０は、基板カセット２１を内部に収容している。基板カセット２１の内部には多段式の棚が形成されており、基板トレー７０を各段の棚に収納することが可能である。基板カセット２１は、昇降機構（図示せず）を備えている。この昇降機構は、基板トレー７０が収納されている任意の棚をロボットアーム１１による搬出入位置に合わせて昇降させる。
【００１８】
また、仕込取出し室２０は、他室とは独立の排気手段（図示せず）を備えている。この排気手段は、基板トレー７０もしくは基板カセット２１の搬出入時に、大気開放又は真空引きを行うことが可能である。排気手段が仕込取出し室２０の真空引きを行う間、仕込取出し室２０と搬送室１０との間の扉２３は閉じられている。扉２３は、仕込取出し室２０の真空度が搬送室１０と同程度となった時点で開放される。なお、仕込取出し室２０以外の各室と搬送室１０との間にも適宜扉を設けることができるが、図１では図示を省略している。
【００１９】
反転室６０は、基板支持台６１及び反転機構６２を備えている。基板支持台６１は、基板トレー７０の反転動作の際に基板トレー７０が固定される台である。反転機構６２は、制御部１００の指令により駆動するモータ等を備えており、基板支持台６１を反転させる。また、反転室６０は、図示した以外に基板支持台６１の昇降機構も備えている。なお、反転室６０における基板トレー７０の反転動作については後述する。
【００２０】
第１の成膜室３０は、基本的に真空槽から構成されており、図示しない排気手段を備えている。第１の成膜室３０は、後述するようにスパッタカソード等を真空槽内部に収容しており、このスパッタカソードに取り付けられるターゲット材料の粒子を基板表面に成膜する。
【００２１】
第２の成膜室５０の構成は、第１の成膜室３０の構成と同様である。本実施形態の例では、スパッタカソードに取り付けられるターゲット材料が第１の成膜室３０と第２の成膜室５０とでは異なる。具体的には、本実施形態では、第１の成膜室３０にはターゲットとして高屈折率の材料が配置され、第２の成膜室５０にはターゲットとして低屈折率材料が配置されている。
【００２２】
制御部１００は、マイクロプロセッサまたはシーケンサー等から構成され、例えばロボットアーム１１等、各部の動作を制御する。
【００２３】
図２に、第１の成膜室３０の構成を示す。第１の成膜室３０は、図示しない排気手段を備えた真空槽から構成されており、真空槽の内部に、スパッタカソード３１、基板ステージ３２、及び、裏面シールド機構３３を備えている。なお、図２は、第１の成膜室３０に基板トレー７０を搬入（又は搬出）する途中の状態を示している。また、第１の成膜室３０の構成物でない基板トレー７０は、基板を２枚の板状のトレーで挟み込んで把持する構成を有しているが、その詳細な構成については後述することとし、図２においては単純な断面図として表示している（図６及び図９も同様）。
【００２４】
第１の成膜室３０の内部には、スパッタカソード３１が配置されている。スパッタカソード３１は、基板に成膜するための材料であるターゲット４１が取付けられるようになっている。また、スパッタカソード３１には、電圧を印加するための電源４０が接続されている。
【００２５】
基板ステージ３２は開口を有しており、その周囲には基板載置部３２ａが設けられている。基板への成膜の際、この基板載置部３２ａ上に基板トレー７０が載置される。基板ステージ３２に基板トレー７０が載置された際に、基板の成膜対象面がターゲット４１と対向して露出するようになっている。また、基板ステージ３２は、成膜時の基板の昇温を抑制するための冷却機構３９を備えている。
【００２６】
基板ステージ３２の背面側には、裏面シールド機構３３が配設されている。裏面シールド機構３３は、シールド板３４、カバー部材となるシールド蓋３５、及び、昇降機構３６から構成されている。なお、以下の説明において、背面又は裏面とは、基板トレー７０が基板ステージ３２に載置され固定された状態で、基板の成膜される側の反対側の面をさす。
【００２７】
シールド板３４は、成膜時に基板トレー７０の裏面（ターゲット４１に対向する面の反対側の面）に当接する板である。
【００２８】
シールド蓋３５は、上端が閉塞され、軸方向の長さが直径よりも短い円筒形状を有するカバー部材である。成膜時に、シールド蓋３５の円筒部が基板トレー７０を囲繞する。シールド板３４とシールド蓋３５とは、連結部３７によって連結されている。シールド板３４は、連結部３７の軸方向（図の上下方向）の可動範囲内でシールド蓋３５に対して変位可能である。
【００２９】
連結部３７は、一組の連結部が軸３７ａと、ガイド３７ｂと、スプリング３７ｃと、から構成されており、装置の上から見たときに円周状に複数組配置されている。
【００３０】
軸３７ａの一端はシールド板３４に固定され、他端にフランジ等のストッパを有している。ガイド３７ｂはシールド蓋３５に固定されている。軸３７ａは、ガイド３７ｂに対して軸方向に移動可能である。また、スプリング３７ｃは、軸３７ａのシールド板３４側の固定部とガイド３７ｂとの間に介在しており、軸３７ａのガイド３７ｂに対する運動に合わせて、即ちシールド板３４とシールド蓋３５との相対位置に応じて伸縮する。
【００３１】
昇降機構３６は、モータ等を備えており、基板ステージ３２への基板トレー７０の搬出入時にシールド蓋３５を上昇させ、成膜時にシールド蓋３５を下降させる機構である。
【００３２】
第１の成膜室３０の構成物のうち、基板ステージ３２、シールド板３４、シールド蓋３５及び昇降機構３６を図３（ａ）の斜視図及び図３（ｂ）の側面図に示す。昇降機構３６は、例えば図示されているような板状部材４２で第１の成膜室３０の外壁面に取り付けられるようになっている。シールド蓋３５は、柱状部材４３によって昇降機構３６に接続されている。柱状部材４３と昇降機構３６とは、又は、柱状部材４３とシールド蓋３５とは、適宜分解可能である。
【００３３】
また、図３（ａ）に示すように、基板ステージ３２は切欠き３２ｂを有している。この切欠き３２ｂは、図２に示すようにロボットアーム１１で基板トレー７０を基板ステージ３２に載置する際に、ロボットアーム１１の移動のために設けられている。
【００３４】
次に、基板トレー７０の構成について、図４（ａ）〜（ｃ）及び図５を参照して説明する。
【００３５】
図４（ａ）及び図４（ｃ）に示すように、基板トレー７０は２枚の板状のトレー７０ａ，７０ｂから構成されている。各々のトレーには、複数の開口７１ａ，７１ｂが設けられている。また、各々のトレーには、両者をネジ７３で締結するための孔７２ａ及びネジ孔７２ｂが設けられている。
【００３６】
本実施形態で用いられる基板８０は、図４（ｂ）に示すように円形の板状体である。開口７１ａ，７１ｂの内径は、基板８０の外径よりもやや小さくなっている。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）の順に重ね合わせると、図５に示すような構成となる。
【００３７】
基板トレー７０は反転しても基板が脱落することのないよう、基板を両面から把持する基板保持機構を有している。具体的には、図５に示すように、基板成膜面を露出する開口を有する同形状の２枚の板（７０ａ，７０ｂ）により基板８０を挟んで把持する。トレー７０ａ，７０ｂはネジ７３（図５の例では皿ネジ）で締結されている。基板８０は、図５のように基板トレー７０に固定された状態で、開口７１ａ又は開口７１ｂを介して表面に成膜される。
【００３８】
なお、基板トレー７０が導電材料で形成されている場合は、接地電位（本実施形態ではアノード電位）である真空槽に対して基板トレー７０を電気的に絶縁しフローティングにする。本実施形態では、シールド蓋３５とシールド板３４とを連結する連結部３７（例えば図示のガイド３７ｂ）、及び基板ステージ３２における基板載置部３２ａに絶縁材料を用いて構成している。
【００３９】
基板トレー７０を絶縁しない場合、アノード電位である基板トレー７０に電子が入射して基板温度が上昇してしまうおそれがある。基板トレー７０を真空槽に対してフローティングとすることで、基板８０の昇温を抑え、耐熱温度が低い樹脂基板であっても良好な成膜ができる。従って、基板トレー７０が樹脂等の絶縁材料で形成されている場合には、裏面シールド機構３３及び基板ステージ３２は全て導電材料で形成されていてもよい。
【００４０】
次に、本実施形態のスパッタリング装置１の動作について、図６及び図７を参照して説明する。図６は基板トレー７０が基板ステージ３２上に載置された成膜時の状態を示す構成を模式的に示す断面図である。なお、説明において適宜既に説明した図面も参照する。また、以下の記載において、特に断りが無い限り、スパッタリング装置１の各部の動作は制御部１００の指令に基づいて行われる。
【００４１】
図２に示したように、第１の成膜室３０内にロボットアーム１１により基板トレー７０が搬入される。基板トレー７０が基板ステージ３２上に載置されると、図６に示すように、昇降機構３６はシールド蓋３５及びシールド板３４を基板ステージ３２に向けて下降させる。シールド蓋３５が下降すると、シールド蓋３５の円筒部の下端が基板ステージ３２に当接し、シールド板３４が基板トレー７０の裏面を押圧する。図７（ａ），（ｂ）に、シールド蓋３５及びシールド板３４が下降した状態における基板ステージ３２、シールド板３４、シールド蓋３５、昇降機構３６及び基板トレー７０を示す斜視図及び側面図を示す。
【００４２】
基板トレー７０の裏面にはシールド板３４が当接している。シールド板３４には、スプリング３７ｃによって所定の荷重が加わっており、シールド板３４と基板トレー７０との間の隙間が生じるのを防いでいる。また、シールド蓋３５の円筒部の端面と基板ステージ３２が当接している。これにより、シールド板３４とともに基板裏面のシール効果を高めることができる。
【００４３】
基板トレー７０が図６の状態にセットされた後、真空槽内に図示しないスパッタリングガス供給手段からスパッタカソード３１に対してアルゴン（Ａｒ）等のスパッタリングガスを噴出させる。そして、スパッタカソード３１に電源４０によって電圧が印加されると、スパッタカソード３１の上側領域にプラズマが生成される。このプラズマによってターゲット粒子がスパッタリングされ、基板８０上に堆積する。これにより、基板８０の表面にターゲット材料の膜が形成される。
【００４４】
本実施形態では、基板トレー７０を、ロボットアーム１１で第１の成膜室３０と第２の成膜室５０との間で移動させる。そして、基板８０の表面に、高屈折率材料と低屈折率材料とを交互に成膜して積層することにより、基板８０の表面にＡＲ（Anti Reflection）コートを形成する。基板８０の両面にＡＲコートを生成する場合には、基板トレー７０をロボットアーム１１で反転室６０に移動させ、以下に示すような動作で基板トレー７０を反転させる。従来のように基板トレーにカバーを装着することなく成膜時の裏面シールドができるため、真空開放せずに基板を反転させることができ、生産性が向上する。
【００４５】
以下、図８（ａ）〜（ｉ）を参照して、反転室６０における基板トレー７０の反転動作について説明する。なお、図示の簡単化のため、図８（ａ）〜（ｉ）において、反転室６０のうち基板支持台６１以外の構成物については図示を省略する。また、図８（ａ）〜（ｉ）に示された矢印は、各動作におけるロボットアーム１１の移動方向を示す。
【００４６】
図８（ａ）に示すように、基板支持台６１は、支持部材６１ａ，６１ｂから構成されている。支持部材６１ａは、昇降機構によって基板トレー７０の把持位置よりも高い位置に保持されている。この状態で、反転室６０の外からロボットアーム１１が基板トレー７０を搬入する。
【００４７】
次に、図８（ｂ），（ｃ）に示すように、ロボットアーム１１が基板トレー７０を支持部材６１ａと支持部材６１ｂとの間に移動させた後、下方へ移動して基板トレー７０を支持部材６１ｂ上に載置させる。支持部材６１ｂには、ロボットアーム１１の降下時に干渉しないように適宜切欠き等が設けられている。ロボットアーム１１が図８（ｃ）の矢印の方向に戻った後、図８（ｄ）に示すように、反転室６０の昇降機構が支持部材６１ａを降下させる。これにより、支持部材６１ａと支持部材６１ｂとが基板トレー７０を把持する。
【００４８】
続いて、図８（ｅ），（ｆ）に示すように、反転機構６２が基板支持台６１を反転させると、支持部材６１ｂが支持部材６１ａよりも上に位置した状態で基板支持台６１は基板トレー７０を把持する。
【００４９】
その後、図８（ｆ）〜（ｉ）に示すように、図８（ａ）〜（ｄ）の逆の動作により、ロボットアーム１１は支持部材６１ａに載置されていた基板トレー７０を持ち上げて反転室６０の外に搬出する。なお、支持部材６１ａも、ロボットアーム１１の上昇時に干渉しないよう、適宜切欠き等が設けられている。成膜室３０，５０においてもロボットアーム１１は図８と同様に動作して基板トレー７０を搬出入するため、切欠き３２ｂが設けられている。
【００５０】
以上説明したように、本実施形態においては、基板トレー７０を基板ステージ３２上に載置した後、シールド板３４によって基板トレー７０の裏面をシールドするとともに、基板トレー７０をシールド蓋３５で覆う。これにより、仮にスパッタリング装置の各部に経時的にスパッタリング粒子が付着していたとしても、シールド効果を高い状態で保つことができ、成膜品質を向上させ、また安定化を図ることができる。
【００５１】
このとき、シールド蓋３５とシールド板３４との間に介在するスプリング３７ｃによって、基板トレー７０は所定の力で押圧される。そのため、昇降機構３６が下降しすぎて基板トレー７０を強い力で押圧することによる基板トレー７０の変形、及び、昇降機構３６の下降が足りずに基板トレー７０の裏面に隙間ができることによるシールド効果の減少を効果的に抑制することができる。
【００５２】
なお、図７に示すように基板ステージ３２に切欠き３２ｂが設けられているが、シールド蓋３５によってシールド板３４及び成膜対象面を除く基板トレー７０の大部分は覆われているためシールド性の向上の点では問題ない。但し、例えばロボットアーム１１、基板ステージ３２、又はシールド蓋３５の形状を工夫することで、より完全にシールド蓋３５によって覆うことが可能となる。例えば、ロボットアーム１１が基板トレー７０を上面から吸着する構成とすれば切欠きが不要となり、シールド性を高めることができる。
【００５３】
また、図９（ａ），（ｂ）に示すように、基板トレー７０の厚さに応じて適宜スプリング３７ｃが変形するため、基板トレー７０の厚さが異なる場合にも容易に対応できる。図９（ａ）は基板トレー７０の厚さが大きい場合を示し、図９（ｂ）は基板トレー７０の厚さが小さい場合を示す。
【００５４】
また、シールド蓋３５と昇降機構３６とを機械的に切り離すことが可能であるため、メンテナンスを容易に行うことができる。切り離す場合は、例えば基板ステージ３２とシールド蓋３５との間にスプリングを介在させ、昇降機構３６がスプリングの弾性力に抗してシールド蓋３５を下降させる構成とすれば、シールド蓋３５と昇降機構３６が機械的に切り離されていても、スプリングの弾性力によりシールド蓋３５を上昇させることができる。
【００５５】
なお、この発明は上述した実施形態や具体例に限定されず、種々の変形及び応用が可能である。
【００５６】
上述の実施形態では、複数枚の基板８０を同時処理するため、基板８０を基板トレー７０に固定し、基板トレー７０をロボットアーム１１により各室に搬出入することとした。その他にも、処理する基板８０が１枚の場合には、基板トレー７０を使用せず、基板カセット２１に収納された基板８０をロボットアーム１１が各室に直接搬出入することとしてもよい。この場合、シールド板３４は基板８０の裏面に直接当接することにより、基板８０の裏面をシールドする。
【００５７】
また、同時に処理される基板８０の枚数、基板トレー７０の形状及び材料は、適宜選択することができる。
【００５８】
また、例えば図５に示す基板トレー７０の基板保持機構は、図５では一例として単純な形態を示しているが、基板トレー７０を反転したときに基板８０が脱落しないような構成であれば任意の構成とすることができる。
【００５９】
また、上述の実施形態では樹脂基板の両面にＡＲコートを形成することとしているが、基板の種類はこれに限られない。また、基板表面に成膜する材料、及びスパッタリングガスの種類等の成膜条件も任意に選択することができる。
【図面の簡単な説明】
【００６０】
【図１】本発明の実施形態に係るスパッタリング装置を示す上面図である。
【図２】第１の成膜室に基板トレーが搬入出される途中の状態を示す断面図である。
【図３】（ａ）は基板裏面のシールド前における裏面シールド機構等の状態を示す斜視図であり、（ｂ）はその側面図である。
【図４】（ａ）〜（ｃ）は、基板トレー及び基板の構成を示す分解斜視図である。
【図５】図４（ａ）〜（ｃ）に示す基板トレー及び基板を組み合わせた状態を示す部分断面図である。
【図６】第１の成膜室において基板裏面がシールドされた状態を示す断面図である。
【図７】（ａ）は基板裏面のシールド時における裏面シールド機構等の状態を示す斜視図であり、（ｂ）はその側面図である。
【図８】基板トレー７０の反転動作を示す模式図である。
【図９】（ａ），（ｂ）は、互いに異なる厚さの基板トレーを用いたときの裏面シールド状態を示す部分断面図である。
【符号の説明】
【００６１】
１ スパッタリング装置
１０ 搬送室
１１ ロボットアーム
１２ 駆動機構
２０ 仕込取出し室
２１ 基板カセット
２３ 扉
３０ 第１の成膜室
３１ スパッタカソード
３２ 基板ステージ
３３ 裏面シールド機構
３４ シールド板
３５ シールド蓋
３６ 昇降機構
３７ 連結部
３９ 冷却機構
４０ 電源
４１ ターゲット
５０ 第２の成膜室
６０ 反転室
６１ 基板支持台
６２ 反転機構
７０ 基板トレー
７１ 開口
８０ 基板
１００ 制御部
【特許請求の範囲】
【請求項１】
真空槽と、
前記真空槽内で成膜対象物の表面に成膜材料の粒子を蒸着させて成膜する成膜手段と、
前記成膜対象物の成膜対象面が露出するように前記成膜対象物を載置する載置部材と、
前記成膜時に、前記成膜対象物の前記成膜対象面以外の所定の面に当接することにより前記所定の面を前記成膜材料の粒子からシールドするシールド部材と、
前記成膜時に、前記載置部材に当接することにより前記成膜対象物の前記所定の面と前記シールド部材とを覆うカバー部材と、
前記シールド部材と前記カバー部材とを昇降させる昇降手段と、を備える、
ことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記シールド部材と前記カバー部材とを連結する連結手段をさらに備え、
前記連結手段は、前記シールド部材と前記カバー部材との間に介在し、前記シールド部材と前記カバー部材との相対位置に応じて変形するスプリングを備える、
ことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
同時に処理される１又は複数個の前記成膜対象物を一体に把持する把持部材をさらに備え、
前記把持部材は、全体として板状体に形成され、前記板状体の両主面側に前記成膜対象面を露出させる複数の開口を有しており、
前記成膜時に、前記把持部材が前記成膜対象物を把持した状態で前記載置部材上に載置され、前記シールド部材が前記把持部材の一主面に当接することにより前記成膜対象面以外の所定の面を前記成膜材料の粒子からシールドする、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記把持部材を反転させる反転手段をさらに備える、
ことを特徴とする請求項３に記載のスパッタリング装置。
【請求項１】
真空槽と、
前記真空槽内で成膜対象物の表面に成膜材料の粒子を蒸着させて成膜する成膜手段と、
前記成膜対象物の成膜対象面が露出するように前記成膜対象物を載置する載置部材と、
前記成膜時に、前記成膜対象物の前記成膜対象面以外の所定の面に当接することにより前記所定の面を前記成膜材料の粒子からシールドするシールド部材と、
前記成膜時に、前記載置部材に当接することにより前記成膜対象物の前記所定の面と前記シールド部材とを覆うカバー部材と、
前記シールド部材と前記カバー部材とを昇降させる昇降手段と、を備える、
ことを特徴とするスパッタリング装置。
【請求項２】
前記シールド部材と前記カバー部材とを連結する連結手段をさらに備え、
前記連結手段は、前記シールド部材と前記カバー部材との間に介在し、前記シールド部材と前記カバー部材との相対位置に応じて変形するスプリングを備える、
ことを特徴とする請求項１に記載のスパッタリング装置。
【請求項３】
同時に処理される１又は複数個の前記成膜対象物を一体に把持する把持部材をさらに備え、
前記把持部材は、全体として板状体に形成され、前記板状体の両主面側に前記成膜対象面を露出させる複数の開口を有しており、
前記成膜時に、前記把持部材が前記成膜対象物を把持した状態で前記載置部材上に載置され、前記シールド部材が前記把持部材の一主面に当接することにより前記成膜対象面以外の所定の面を前記成膜材料の粒子からシールドする、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のスパッタリング装置。
【請求項４】
前記把持部材を反転させる反転手段をさらに備える、
ことを特徴とする請求項３に記載のスパッタリング装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【公開番号】特開２０１０−１３７０７（Ｐ２０１０−１３７０７Ａ）
【公開日】平成２２年１月２１日（２０１０．１．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００８−１７５４５４（Ｐ２００８−１７５４５４）
【出願日】平成２０年７月４日（２００８．７．４）
【出願人】（０００１４６００９）株式会社昭和真空 (72)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２２年１月２１日（２０１０．１．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２０年７月４日（２００８．７．４）
【出願人】（０００１４６００９）株式会社昭和真空 (72)
【Ｆターム（参考）】
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