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ソフトリソグラフィー又はインプリントリソグラフィーを用いる分離微小構造及び分離ナノ構造の作製方法
説明

ソフトリソグラフィー又はインプリントリソグラフィーを用いる分離微小構造及び分離ナノ構造の作製方法

【課題】ソフトリソグラフィー又はインプリントリソグラフィーを用いる分離微小構造及
び分離ナノ構造の作製方法を提供すること。
【解決手段】本開示の主題は、フッ化エラストマー系材料の使用、詳細には、マイクロス
ケール及びナノスケールの複製成形、及びエラストマー型を用いて再現性の高い形状生成
するための有機材料の第1のナノ接触成形など、高解像度のソフトリソグラフィー又はイ
ンプリントリソグラフィー用途におけるパーフルオロポリエーテル(PFPE)系材料の
使用を記載する。したがって、本開示の主題は、ソフトリソグラフィー又はインプリント
リソグラフィー技術を用いて任意の形状の自立分離ナノ構造を製造する方法を記載する。


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
(a)複数の凹み領域がその中に形成されたパターン形成テンプレート表面を含む、パ
ターン形成テンプレート及び基板を提供するステップと;
(b)ある体積の液体材料を;
(i)前記パターン形成テンプレート表面上;及び
(ii)前記複数の凹み領域中;
の少なくとも1つの上に配置するステップと、
(c)1つ以上の粒子を:
(i)前記パターン形成テンプレート表面を前記基板に接触させて前記液体材料を処
理すること;及び
(ii)前記液体材料を処理すること;
の1つによって形成するステップとを含む、1つ以上の粒子の形成方法。
【請求項2】
前記パターン形成テンプレートが、耐溶媒性のある低表面エネルギーポリマー材料を含
む、請求項1記載の方法。
【請求項3】
前記パターン形成テンプレートが、耐溶媒性のあるエラストマー材料を含む、請求項1
記載の方法。
【請求項4】
前記パターン形成テンプレート及び基板の少なくとも1つが、パーフルオロポリエーテ
ル材料、フルオロオレフィン材料、アクリレート材料、シリコーン材料、スチレン系材料
、フッ化熱可塑性エラストマー(TPE)、トリアジンフルオロポリマー、パーフルオロ
シクロブチル材料、フッ化エポキシ樹脂、メタセシス重合反応によって重合又は架橋させ
ることのできるフッ化モノマー又はフッ化オリゴマーからなる群から選択される、材料を
含む、請求項1記載の方法。
【請求項5】
前記パーフルオロポリエーテル材料が、下記式からなる群から選択される、主鎖構造を
含む、請求項4記載の方法:
【化1】

(式中、Xは存在しても存在しなくてもよく、存在するとき末端封鎖基を含む)。
【請求項6】
前記フルオロオレフィン材料が、下記式からなる群から選択される、請求項4記載の方
法:
【化2】

(式中、CSMは硬化部位のモノマーを含む)。
【請求項7】
前記フルオロオレフィン材料が、テトラフルオロエチレン、フッ化ビニリデン又はヘキ
サフルオロプロピレン、2,2−ビス(トリフルオロメチル)−4,5−ジフルオロ−1
,3−ジオキソール、官能性フルオロオレフィン、官能性アクリル系モノマー、官能性メ
タクリル系モノマーを含む、モノマーから作られる、請求項4記載の方法。
【請求項8】
前記シリコーン材料が、下記の構造を有するフルオロアルキル官能化されたポリジメチ
ルシロキサン(PDMS)を含む、請求項4記載の方法:
【化3】

(式中、Rはアクリレート、メタクリレート、及びビニル基からなる群から選択され;
Rfはフルオロアルキル鎖を含む)。
【請求項9】
前記スチレン系材料が、下記式からなる群から選択される、フッ化スチレンモノマーを
含む、請求項4記載の方法:
【化4】

(式中、Rfはフルオロアルキル鎖を含む)。
【請求項10】
前記アクリレート材料が、下記の構造を有するフッ化アクリレート又はフッ化メタクリ
レートを含む、請求項4記載の方法:
【化5】

(式中、Rは、H、アルキル、置換アルキル、アリール、及び置換アリールからなる群か
ら選択され;
Rfはフルオロアルキル鎖を含む)。
【請求項11】
前記トリアジンフルオロポリマーがフッ化モノマーを含む、請求項4記載の方法。
【請求項12】
メタセシス重合反応によって重合又は架橋することのできる前記フッ化モノマー又はフ
ッ化オリゴマーが官能化オレフィンを含む、請求項4記載の方法。
【請求項13】
前記官能化オレフィンが官能化環状オレフィンを含む、請求項12記載の方法。
【請求項14】
前記パターン形成テンプレート及び基板の少なくとも1つが、18mN/m未満の表面
エネルギーを有する、請求項1記載の方法。
【請求項15】
前記パターン形成テンプレート及び基板の少なくとも1つが、15mN/m未満の表面
エネルギーを有する、請求項1記載の方法。
【請求項16】
前記基板が、ポリマー材料、無機材料、ケイ素材料、石英材料、ガラス材料、及びそれ
らの表面処理された変形からなる群から選択される、請求項1記載の方法。
【請求項17】
前記基板がパターン形成領域を含む、請求項1記載の方法。
【請求項18】
前記複数の凹み領域が複数の空洞を含む、請求項1記載の方法。
【請求項19】
前記複数の空洞が複数の構造形状を含む、請求項18記載の方法。
【請求項20】
前記複数の構造形状が約10ミクロン〜約1ナノメートルの範囲のサイズを有する、請
求項19記載の方法。
【請求項21】
前記複数の構造形状が、約10ミクロン〜約1ミクロンの範囲のサイズを有する、請求
項19記載の方法。
【請求項22】
前記複数の構造形状が、約1ミクロン〜約100nmの範囲のサイズを有する、請求項
19記載の方法。
【請求項23】
前記複数の構造形状が、約100nm〜約1nmの範囲のサイズを有する、請求項19
記載の方法。
【請求項24】
前記1つ以上の粒子に本質的にスカム層がない、請求項1記載の方法。
【請求項25】
前記パターン形成テンプレートが、複製成形プロセスによって形成されたパターン形成
テンプレートを含む、請求項1記載の方法。
【請求項26】
前記複製成形プロセスが:
(a)母型テンプレートを提供するステップと;
(b)液体材料を前記母型テンプレートに接触させるステップと;
(c)液体材料を硬化してパターン形成テンプレートを形成するステップとを含む、請
求項25記載の方法。
【請求項27】
前記母型テンプレートが:
(a)リソグラフィープロセスから形成されたテンプレート;
(b)天然のテンプレート;
(c)その組合せからなる群から選択される、請求項26記載の方法。
【請求項28】
前記天然のテンプレートが、生物学的構造及び自己集合構造の1種から選択される、請
求項27記載の方法。
【請求項29】
前記生物学的構造及び自己集合構造の1種が、天然の結晶、タンパク質、酵素、ウイル
ス、ミセル、及び組織表面からなる群から選択される、請求項28記載の方法。
【請求項30】
表面修飾ステップによって前記パターン形成テンプレート表面を修飾することを含む、
請求項1記載の方法。
【請求項31】
前記表面修飾ステップが、プラズマ処理、化学的処理、吸着プロセスからなる群から選
択される、請求項30記載の方法。
【請求項32】
前記吸着プロセスが、高分子電解質、ポリ(ビニルアルコール)、アルキルハロシラン
、及びリガンドからなる群から選択される、吸着分子を含む、請求項31記載の方法。
【請求項33】
前記パターン形成テンプレート表面と前記基板が互いに所定の配向で面するように、前
記パターン形成テンプレートと前記基板を互いに間隔を置いた関係に配置するステップを
含む、請求項1記載の方法。
【請求項34】
前記液体材料が、ポリマー、溶液、モノマー、複数のモノマー、重合開始剤、重合触媒
、無機前駆体、金属前駆体、医薬品、標識、磁性材料、常磁性材料、超常磁性材料、リガ
ンド、細胞透過性ペプチド、ポロゲン、界面活性剤、複数の非相溶性液体、溶媒、荷電化
学種からなる群から選択される、請求項1記載の方法。
【請求項35】
前記医薬品が、薬物、ペプチド、RNAi、DNAからなる群から選択される、請求項
34記載の方法。
【請求項36】
前記標識が、蛍光標識、放射線標識、造影剤からなる群から選択される、請求項34記
載の方法。
【請求項37】
前記リガンドが細胞標的化ペプチドを含む、請求項34記載の方法。
【請求項38】
前記液体材料が、非湿潤剤を含む、請求項1記載の方法。
【請求項39】
前記体積の液体材料を配置するステップが、塗布プロセスによって制御される、請求項
1記載の方法。
【請求項40】
前記塗布プロセスが:
(a)第1の体積の液体材料を前記パターン形成テンプレート上に配置して、前記パタ
ーン形成テンプレート上に液体材料層を形成するステップと;
(b)液体材料層を横断して器具を引っ張り;
(i)前記パターン形成テンプレート上の液体材料層から第2の体積の液体材料を除
去し;
(ii)前記パターン形成テンプレート上に第3の体積の液体材料を残すステップと
を含む、請求項39記載の方法。
【請求項41】
前記パターン形成テンプレート表面を前記基板に接触させるステップによって、本質的
にすべての前記配置された液体材料を前記パターン形成テンプレート表面と基板の間から
除去する、請求項1記載の方法。
【請求項42】
前記液体材料を処理するステップが、熱的プロセス、光化学プロセス、化学プロセスか
らなる群から選択される、プロセスを含む、請求項1記載の方法。
【請求項43】
(a)(i)前記パターン形成テンプレート表面に接触圧力を加えること;及び
(ii)前記テンプレートを通して第2の体積の液体を蒸発又は浸透させること

の1つによって、複数の凹み領域中に配置された前記体積の液体材料を減少させるステ
ップと;
(b)前記パターン形成テンプレート表面に加えられた前記接触圧力を除去するステッ
プと;
(c)前記パターン形成テンプレート表面の前記凹み領域内にガスを導入するステップ
と;
(d)前記液体材料を処理して、前記パターン形成テンプレート表面の前記凹み領域内
に1つ以上の粒子を形成するステップと;
(e)前記1つ以上の粒子を放出するステップとをさらに含む、請求項1記載の方法。
【請求項44】
前記1つ以上の粒子を放出するステップが:
(a)前記パターン形成テンプレートを前記1つ以上の粒子に親和力のある基板に適用
すること;
(b)前記パターン形成テンプレートから前記1つ以上の粒子が放出されるように前記
パターン形成テンプレートを変形させること;
(c)前記パターン形成テンプレートを第1溶媒で膨潤させて、前記1つ以上の粒子を
押し出すこと;
(d)前記パターン形成テンプレートを前記1つ以上の粒子に親和力のある第2溶媒で
洗浄することの1つによって行われる、請求項43記載の方法。
【請求項45】
前記粒子を採取又は収集するステップを含む、請求項1記載の方法。
【請求項46】
前記粒子を採取又は収集するステップが、医療用メスで削ること、ブラッシングプロセ
ス、溶解プロセス、超音波プロセス、メガソニックプロセス、静電気プロセス、磁気プロ
セスからなる群から選択されるプロセスを含む、請求項45記載の方法。
【請求項47】
バッチプロセスを含む、請求項1記載の方法。
【請求項48】
前記バッチプロセスが、半バッチプロセス及び連続バッチプロセスの1つから選択され
る、請求項47記載の方法。
【請求項49】
請求項1記載の方法によって形成される、1つ以上の粒子。
【請求項50】
前記複数の粒子が複数の単分散粒子を含む、請求項49記載の複数の粒子。
【請求項51】
半導体デバイス、結晶、薬物送達ベクター、遺伝子送達ベクター、疾患検出デバイス、
疾患位置検出デバイス、光起電デバイス、太陽電池デバイス、ポロゲン、化粧品、エレク
トレット、添加剤、触媒、センサー、解毒剤、研磨剤、マイクロエレクトロメカニカルシ
ステム(MEMS)、細胞骨格、タッガート、医薬品、生物学的標識からなる群から選択
される、請求項49記載の1つ以上の。
【請求項52】
自立構造を含む、請求項49記載の1つ以上の粒子。
【請求項53】
(a)請求項49記載の粒子を提供するステップと;
(b)第2のパターン形成テンプレートを提供するステップと;
(c)前記第2のパターン形成テンプレートに第2液体材料を配置するステップと;
(d)前記第2のパターン形成テンプレートをステップ(a)の粒子に接触させるステ
ップと;
(e)前記第2液体材料を処理して多次元構造を形成するステップとを含む、請求項1
記載の方法。
【請求項54】
相互接続された構造を形成するステップを含む、請求項1記載の方法。
【請求項55】
前記相互接続された構造が、複数の形状及び特定サイズの孔を含む、請求項54記載の
方法。
【請求項56】
前記相互接続された構造が膜を含む、請求項55記載の方法。
【請求項57】
(a)請求項49記載の粒子を提供するステップと;
(b)前記治療薬を前記粒子と混合するステップと、
(c)前記治療薬を含む、前記粒子を標的へ送達するステップとを含む、治療薬を標的
へ送達する方法。
【請求項58】
前記治療薬が、薬物及び遺伝子材料の1つから選択される、請求項57記載の方法。
【請求項59】
前記遺伝子材料が、非ウイルス性遺伝子ベクター、DNA、RNA、RNAi、及びウ
イルス性粒子からなる群から選択される、請求項58記載の方法。
【請求項60】
前記粒子が生分解性ポリマーを含む、請求項59記載の方法。
【請求項61】
前記生分解性ポリマーが、ポリエステル、ポリ無水物、ポリアミド、リン系ポリマー、
ポリ(シアノアクリレート)、ポリウレタン、ポリオルソエステル、ポリジヒドロピラン
、ポリアセタールからなる群から選択される、請求項60記載の方法。
【請求項62】
前記ポリエステルが、ポリ乳酸、ポリグリコール酸、ポリ(ヒドロキシブチレート)、
ポリ(ε−カプロラクトン)、ポリ(β−リンゴ酸)、ポリ(ジオキサノン)からなる群
から選択される、請求項61記載の方法。
【請求項63】
前記ポリ無水物が、ポリ(セバシン酸)、ポリ(アジピン酸)、ポリ(テレフタル酸)
からなる群から選択される、請求項61記載の方法。
【請求項64】
前記ポリアミドが、ポリ(イミノカーボネート)及びポリアミノ酸からなる群から選択
される、請求項61記載の方法。
【請求項65】
前記リン系ポリマーが、ポリリン酸、ポリホスホネート、ポリホスファゼンからなる群
から選択される、請求項61記載の方法。
【請求項66】
前記生分解性ポリマーが、刺激に応答するポリマーをさらに含む、請求項60記載の方
法。
【請求項67】
前記刺激が、pH、放射線、イオン強度、温度、交流磁場、交流電場からなる群から選
択される、請求項66記載の方法。
【請求項68】
前記刺激が、交流磁場を含む、請求項67記載の方法。
【請求項69】
前記粒子が前記標的に送達されると、前記粒子を交流磁場に露出するステップを含む、
請求項57記載の方法。
【請求項70】
前記粒子を交流磁場に露出するステップが、低体温療法プロセス及び熱切除プロセスの
1つによって前記粒子に熱を発生させる、請求項69記載の方法。
【請求項71】
前記粒子によって生成された熱が、前記粒子のポリマー成分の相変化及び標的の温熱処
置の1つを誘発する、請求項70記載の方法。
【請求項72】
前記粒子のポリマー成分の相変化が、固相から液相への変化を含む、請求項71記載の
方法。
【請求項73】
固相から液相への相変化が、前記治療薬を前記粒子から放出させる、請求項72記載の
方法。
【請求項74】
前記粒子からの治療薬の放出が、制御放出を含む、請求項73記載の方法。
【請求項75】
前記標的が、細胞標的化ペプチド、細胞透過性ペプチド、インテグリン受容体ペプチド
(GRGDSP)、メラノサイト刺激ホルモン、血管作動性腸管ペプチド、抗Her2マ
ウス抗体、ビタミンからなる群から選択される、請求項57記載の方法。
【請求項76】
(a)パターン形成テンプレートと基板を提供するステップであって、前記パターン形
成テンプレートが、その中に複数の凹み領域を有するパターン形成テンプレート表面を含
む、ステップと;
(b)ある体積の液体材料を:
(i)前記パターン形成テンプレート表面上;及び
(ii)前記複数の凹み領域中;
の少なくとも1つに配置するステップと;
(c)前記パターン形成テンプレート表面を前記基板に接触させるステップと;
(d)前記液体材料を処理して前記基板上にパターンを形成するステップとを含む、基
板上にパターンを形成する方法。
【請求項77】
前記パターン形成テンプレートが耐溶媒性のあるエラストマー材料を含む、請求項76
記載の方法。
【請求項78】
前記パターン形成テンプレート及び基板の少なくとも1つが、パーフルオロポリエーテ
ル材料、フルオロオレフィン材料、アクリレート材料、シリコーン材料、スチレン系材料
、フッ化熱可塑性エラストマー(TPE)、トリアジンフルオロポリマー、パーフルオロ
シクロブチル材料、フッ化エポキシ樹脂、メタセシス重合反応によって重合又は架橋させ
ることのできるフッ化モノマー又はフッ化オリゴマーからなる群から選択される、材料を
含む、請求項76記載の方法。
【請求項79】
前記パーフルオロポリエーテル材料が、下記式からなる群から選択される、主鎖構造を
含む、請求項78記載の方法。
【化6】

(式中、Xは存在しても存在しなくてもよく、存在するとき末端封鎖基を含む)。
【請求項80】
前記フルオロオレフィン材料が、下記式からなる群から選択される、請求項78記載の
方法:
【化7】

(式中、CSMは硬化部位のモノマーを含む)。
【請求項81】
前記フルオロオレフィン材料が、テトラフルオロエチレン、フッ化ビニリデン又はヘキ
サフルオロプロピレン、2,2−ビス(トリフルオロメチル)−4,5−ジフルオロ−1
,3−ジオキソール、官能性フルオロオレフィン、官能性アクリル系モノマー、官能性メ
タクリル系モノマーを含む、モノマーから作られる、請求項78記載の方法。
【請求項82】
前記シリコーン材料が、下記の構造を有するフルオロアルキル官能化されたポリジメチ
ルシロキサン(PDMS)を含む、請求項78記載の方法:
【化8】

(式中、Rはアクリレート、メタクリレート、及びビニル基からなる群から選択され、R
fはフルオロアルキル鎖を含む)。
【請求項83】
前記スチレン系材料が、下記式からなる群から選択される、フッ化スチレンモノマーを
含む、請求項78記載の方法:
【化9】

(式中、Rfはフルオロアルキル鎖を含む)。
【請求項84】
前記アクリレート材料が、下記の構造を有するフッ化アクリレート又はフッ化メタクリ
レートを含む、請求項78記載の方法:
【化10】

(式中、Rは、H、アルキル、置換アルキル、アリール、及び置換アリールからなる群か
ら選択され、
Rfはフルオロアルキル鎖を含む)。
【請求項85】
前記トリアジンフルオロポリマーがフッ化モノマーを含む、請求項78記載の方法。
【請求項86】
メタセシス重合反応によって重合又は架橋することのできる前記フッ化モノマー又はフ
ッ化オリゴマーが、官能化オレフィンを含む、請求項78記載の方法。
【請求項87】
前記官能化オレフィンが官能化環状オレフィンを含む、請求項86記載の方法。
【請求項88】
前記パターン形成テンプレート及び基板の少なくとも1つが、18mN/m未満の表面
エネルギーを有する、請求項76記載の方法。
【請求項89】
前記パターン形成テンプレート及び基板の少なくとも1つが、15mN/m未満の表面
エネルギーを有する、請求項76記載の方法。
【請求項90】
前記基板が、ポリマー材料、無機材料、ケイ素材料、石英材料、ガラス材料、及びそれ
らの表面処理された変形からなる群から選択される、請求項76記載の方法。
【請求項91】
前記基板が、製造プロセス中の電子デバイス及び製造プロセス中の光学デバイスの1つ
から選択される、請求項76記載の方法。
【請求項92】
前記基板がパターン形成領域を含む、請求項76記載の方法。
【請求項93】
前記複数の凹み領域が複数の空洞を含む、請求項76記載の方法。
【請求項94】
前記複数の空洞が複数の構造形状を含む、請求項93記載の方法。
【請求項95】
前記複数の構造形状が約10ミクロン〜約1ナノメートルの範囲のサイズを有する、請
求項94記載の方法。
【請求項96】
前記複数の構造形状が、約10ミクロン〜約1ミクロンの範囲のサイズを有する、請求
項94記載の方法。
【請求項97】
前記複数の構造形状が、約1ミクロン〜約100nmの範囲のサイズを有する、請求項
94記載の方法。
【請求項98】
前記複数の構造形状が、約100nm〜約1nmの範囲のサイズを有する、請求項94
記載の方法。
【請求項99】
前記液体材料が、ポリマー、溶液、モノマー、複数のモノマー、重合開始剤、重合触媒
、無機前駆体、金属前駆体、医薬品、標識、磁性材料、常磁性材料、超常磁性材料、リガ
ンド、細胞透過性ペプチド、ポロゲン、界面活性剤、複数の非相溶性液体、溶媒、荷電化
学種からなる群から選択される、請求項76記載の方法。
【請求項100】
前記医薬品が、薬物、ペプチド、RNAi、DNAからなる群から選択される、請求項
99記載の方法。
【請求項101】
前記標識が、蛍光標識、放射線標識、造影剤からなる群から選択される、請求項99記
載の方法。
【請求項102】
前記リガンドが細胞標的化ペプチドを含む、請求項99記載の方法。
【請求項103】
前記液体材料が、レジストポリマー及び低k誘電体の1つから選択される、請求項76
記載の方法。
【請求項104】
前記液体材料が、非湿潤剤を含む、請求項76記載の方法。
【請求項105】
前記体積の液体材料を配置するステップが、塗布プロセスによって制御される、請求項
76記載の方法。
【請求項106】
前記塗布プロセスが、
(a)第1の体積の液体材料を前記パターン形成テンプレート上に配置して、前記パタ
ーン形成テンプレート上に液体材料層を形成するステップと;
(b)液体材料層を横断して器具を引っ張り;
(i)前記パターン形成テンプレート上の液体材料層から第2の体積の液体材料を除
去し;
(ii)前記パターン形成テンプレート上に第3の体積の液体材料を残すステップと
を含む、請求項105記載の方法。
【請求項107】
前記第1のテンプレート表面を前記基板に接触させるステップが、本質的にすべての配
置された体積の液体材料を除去する、請求項76記載の方法。
【請求項108】
前記液体材料を処理するステップが、熱的プロセス、光化学プロセス、化学プロセスか
らなる群から選択される、プロセスを含む、請求項76記載の方法。
【請求項109】
バッチプロセスを含む、請求項76記載の方法。
【請求項110】
前記バッチプロセスが、半バッチプロセス及び連続バッチプロセスの1つから選択され
る、請求項109記載の方法。
【請求項111】
請求項76記載の方法によって形成されるパターン基板。
【請求項112】
(a)複数の凹み領域がその中に形成されたパターン形成テンプレート表面を含む、パ
ターン形成テンプレート及び基板と;
(b)(i)前記パターン形成テンプレート表面上、及び
(ii)前記複数の凹み領域中
の少なくとも1つにある体積の液体材料を配置する貯蔵器と;
(c)(i)前記パターン形成テンプレート表面を前記基板に接触させて前記液体材料
を処理すること、及び
(ii)前記液体材料を処理することの1つにより、1つ以上の粒子を形成する
制御装置とを含む、1つ以上の粒子を形成する装置。
【請求項113】
1以上の特性、又は1つ以上の粒子の検査、測定、及び検査と測定の両方の1つを行う
ための検査デバイスをさらに含む、請求項112記載の装置。
【請求項114】
(a)複数の凹み領域がその中に形成されたパターン形成テンプレート表面を含む、パ
ターン形成テンプレート、及び基板と、
(b)(i)前記パターン形成テンプレート表面上、及び
(ii)前記複数の凹み領域中
の少なくとも1つに、ある体積の液体材料を配置する貯蔵器と、
(c)(i)前記パターン形成テンプレート表面を前記基板に接触させること、及び
(ii)前記液体材料を処理することの1つにより、前記基板上にパターンを形
成する制御装置とを含む、基板上にパターンを形成する装置。
【請求項115】
前記基板上の前記パターンの1以上の特性の検査、測定、及び検査と測定の両方の1つ
を行うための検査デバイスをさらに含む、請求項114記載の装置。
【請求項116】
表面にパターンを形成する方法であって:
(a)物品の表面の第1部分を、前記物品の前記表面に共形接触(conformal contact
)させるエラストマーマスクを含む、マスキング系で遮蔽すること、
(b)前記マスキング系で遮蔽された前記第1部分に薬品が塗布されることを防止しな
がら、前記物品の前記表面の第2部分に、マスキング系内にパターン形成すべき薬品を塗
布することによって、物品の表面を選択的に薬品に露出するステップを含む方法。
【請求項117】
前記エラストマーマスクが複数のチャンネルを含む、請求項116記載の方法。
【請求項118】
前記チャンネルの各々が約1ミリメートル未満の断面寸法を有する、請求項117記載
の方法。
【請求項119】
前記チャンネルの各々が約1ミクロン未満の断面寸法を有する、請求項117記載の方
法。
【請求項120】
前記薬品がエラストマーマスクを約25%未満膨潤させる、請求項116記載の方法。
【請求項121】
前記薬品が、有機エレクトロルミネセンス材料又はその前駆体を含む、請求項116記
載の方法。
【請求項122】
(a)前記薬品から前記表面の前記第2部分に前記有機エレクトロルミネセンス材料を
形成させるステップと、
(b)前記有機エレクトロルミネセンス材料と電気回路の間に電気的連通を確立するス
テップとをさらに含む、請求項121記載の方法。
【請求項123】
前記薬品が堆積プロセスの生成物を含み、前記堆積プロセスが、化学的気相成長プロセ
ス、気相堆積プロセス、電子ビーム堆積プロセス、電子ビーム蒸着プロセス、電子ビーム
スパッタプロセス、電気化学的堆積プロセスからなる群から選択される、請求項116記
載の方法。
【請求項124】
前記薬品が無電解堆積生成物を含む、請求項116記載の方法。
【請求項125】
前記薬品が流体前駆体から塗布される、請求項116記載の方法。
【請求項126】
前記流体前駆体が、無機化合物の溶液、無機化合物の懸濁液、流体担体中の粒子の懸濁
液、流体担体中の化学活性薬品からなる群から選択される、請求項125記載の方法。
【請求項127】
前記無機化合物が、前記物品表面の前記第2部分の上に固化する、請求項116記載の
方法。
【請求項128】
前記流体担体を散逸させ、それによって前記物品表面の前記第1領域に粒子を堆積させ
るステップをさらに含む、請求項126記載の方法。
【請求項129】
前記流体担体を散逸させ、それによって前記物品表面の前記第1領域に前記化学活性薬
品を堆積させるステップをさらに含む、請求項126記載の方法。
【請求項130】
前記化学活性薬品がポリマー前駆体を含む、請求項126記載の方法。
【請求項131】
前記ポリマー前駆体からポリマー物品を形成するステップをさらに含む、請求項130
記載の方法。
【請求項132】
前記化学活性薬品が、材料の堆積を促進することのできる薬品を含む、請求項126記
載の方法。
【請求項133】
前記化学活性薬品がエッチング薬品を含む、請求項126記載の方法。
【請求項134】
前記物品の表面の前記第2部分をエッチングするステップをさらに含む、請求項116
記載の方法。
【請求項135】
前記物品表面の前記第2部分に接着した前記薬品を残して、前記物品表面の前記第1部
分から前記マスキング系の前記エラストマーマスクを除去することをさらに含む、請求項
116記載の方法。

【図1A】
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【図1B】
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【図1C】
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【図1D】
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【図2A】
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【図2B】
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【図2C】
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【図2D】
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【図2E】
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【図2F】
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【図3A】
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【図3B】
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【図3C】
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【図3D】
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【図3E】
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【図3F】
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【図4A】
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【図4B】
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【図4C】
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【図4D】
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【図5A】
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【図5B】
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【図5C】
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【図6A】
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【図6B】
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【図6C】
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【図7A】
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【図7B】
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【図7C】
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【図7D】
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【図7E】
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【図7F】
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【図8A】
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【図8B】
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【図8C】
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【図8D】
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【図8E】
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【図9A】
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【図9B】
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【図9C】
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【図9D】
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【図9E】
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【図10A】
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【図10B】
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【図10C】
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【図10D】
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【図10E】
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【図11】
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【図12】
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【図13】
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【図14】
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【図15】
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【図16】
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【図17】
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【図18】
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【図19】
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【図20】
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【図21】
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【図22】
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【図23】
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【図24】
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【図25】
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【図26】
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【図27】
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【図28A】
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【図28B】
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【図28C】
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【図29】
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【図30】
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【図31A】
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【図31B】
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【図32A】
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【図32B】
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【図33A】
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【図33B】
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【図34A】
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【図34B】
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【図35A】
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【図35B】
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【公開番号】特開2011−223009(P2011−223009A)
【公開日】平成23年11月4日(2011.11.4)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−104856(P2011−104856)
【出願日】平成23年5月10日(2011.5.10)
【分割の表示】特願2006−545541(P2006−545541)の分割
【原出願日】平成16年12月20日(2004.12.20)
【公序良俗違反の表示】
(特許庁注:以下のものは登録商標)
1.テフロン
【出願人】(501345323)ザ ユニバーシティ オブ ノース カロライナ アット チャペル ヒル (52)
【氏名又は名称原語表記】THE UNIVERSITY OF NORTH CAROLINA AT CHAPEL HILL
【住所又は居所原語表記】308 Bynum Hall,Campus Box 4105,Chapel Hill,North Carolina 27599−4105, United States of America
【出願人】(506207532)ノース カロライナ ステイト ユニバーシティ (4)
【Fターム(参考)】