ターゲット、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体のための下層材料および磁気記録媒体
【課題】スパッタリング中にターゲットからの粒子の落下を効果的に減少させることができる、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲットを提供する。
【解決手段】立方結晶構造を有するマグネシウム一酸化物ベースの（ＭｇＯベースの）複合物からなるターゲットであって、ＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲット。
【解決手段】立方結晶構造を有するマグネシウム一酸化物ベースの（ＭｇＯベースの）複合物からなるターゲットであって、ＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料のためのターゲット。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ターゲットに関し、特に粒子の間の結合力を改善することができてかつＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体のための下層材料として用いられるターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣｏＣｒベースの複合物が、通常垂直磁化記録媒体の記録層内に用いられる。一般に、記録層の配設されたフィルムが、均一に分散された粒状物、粒状物成長の所望の粗さおよび適切な向きを有するようにするために、記録層の下の下層は通常ルテニウム−酸化物（Ｒｕ−酸化物）およびルテニウム合金（Ｒｕ−Ｘ、Ｘは金属元素を表す）のような、ルテニウムベースの材料およびプラチナ材料から作られる。
【０００３】
高い磁気異方性を備えた鉄ベースの（Ｆｅベースの）またはコバルトベースの（Ｃｏベースの）記録層に関連づけられる多くの調査が、報告されている。従来通りにそれらの磁気的に異方性の記録層は磁気記録密度を向上するために有益である。下層材料は大部分がマグネシウム一酸化物（ＭｇＯ）から作られ、記録層材料が粒状物成長の適切な配向を有し、および、粒子が相互の影響なしで別々に分散することを可能にするために、それは立方結晶構造を有する。しかしながら、マグネシウム一酸化物だけから作られるターゲットは、スパッタリング中に下層の配設されたフィルム内の粒子の落下および次いで欠陥の成形に至る可能性がある。フィルム内の欠陥は、製造の産出率を減少させる。したがって、Ｃｏベースのおよび／またはＦｅベースの磁気記録媒体の従来の下層材料の欠点を克服するために、本発明は上述した問題を緩和するかまたは取り除くターゲットを提供する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の主要な目的は、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料として用いられてかつ粒子の間の結合力を改善することができるターゲットを提供する。本発明に従うターゲットは、スパッタリング中に下層の配設されたフィルム内の粒子の落下および欠陥の形成を克服することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的を達成するために、本発明に従うターゲットはＭｇＯの立方結晶構造を有するＭｇＯベースの複合物であり、このＭｇＯベースの複合物がＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える。
【０００６】
好ましくは、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物（ＺｎＯ）、ニッケル一酸化物（ＮｉＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。
【０００７】
本発明の第２の目的は、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料を提供し、下層が、前記ターゲットをスパッタリングすることから作られるＭｇＯベースの複合物であり、および、このＭｇＯベースの複合物が実質的にＭｇＯ、単数または複数の酸化物および他の避けられない不純物から成る。
【０００８】
好ましくは、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物（ＺｎＯ）、ニッケル一酸化物（ＮｉＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。
【０００９】
本発明の第３の目的は、下層および下層上に配設されるコバルトベースのまたは鉄ベースの磁気記録層を備える磁気記録媒体を提供し、下層が、前記ターゲットをスパッタリングすることから作られるＭｇＯベースの複合物であり、および、このＭｇＯベースの複合物が実質的にＭｇＯ、単数または複数の酸化物および他の避けられない不純物から成る。
【００１０】
好ましくは、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物（ＺｎＯ）、ニッケル一酸化物（ＮｉＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。
【００１１】
本発明に従って、「実質的に成る」は、材料が主に指定された物質を備え、一方、材料がさらに他の避けられない不純物を含むことを意味する。具体的には、ＭｇＯベースの複合物は主にＭｇＯおよび単数または複数の酸化物から成り、ここで、ＭｇＯベースの複合物は他の避けられない不純物を含有する。
【００１２】
下層材料を形成するために本発明に従うＭｇＯベースの複合物から成るターゲットを用いることは、粒子の間の結合力を改善して粒子の落下を効果的に減少させることができる。単数または複数の酸化物の各々の格子定数はＭｇＯのそれより小さく、および、単数または複数の酸化物はＭｇＯとの単一固溶体相を形成することができる。したがって、ＭｇＯベースの複合物に単数または複数の酸化物を追加することは、ＭｇＯの元の立方結晶構造を維持し、したがって下層材料の特性および機能を維持することができる。
【００１３】
本発明の他の目的、利点および新奇な特徴は、添付の図面を参照しながら、以下の詳細な説明からより明白になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来技術に従う比較例１内の従来のＭｇＯベースのターゲットの金属顕微鏡画像である。
【図２】従来技術に従う比較例１内の従来のＭｇＯターゲットのＸ線回折画像である。
【図３】本発明に従う例１内のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの金属顕微鏡画像である。
【図４】本発明に従う例１内のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットのＸ線回折画像である。
【図５】本発明に従う例２内のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの金属顕微鏡画像である。
【図６】本発明に従う例２内のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットのＸ線回折画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明は、コバルトベースのまたは鉄ベースの磁気記録媒体を形成するための下層材料であるターゲットを提供する。ここで、ターゲットはＭｇＯの立方結晶構造を有するＭｇＯベースの複合物であり、このＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯ、単数または複数の酸化物および他の避けられない不純物を備える。
【００１６】
好ましい一実施態様において、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物（ＺｎＯ）、ニッケル一酸化物（ＮｉＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。
【００１７】
本発明はさらに、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料を提供し、下層材料は、ＭｇＯベースの複合物であり、および、このＭｇＯベースの複合物が実質的にＭｇＯおよび単数または複数の酸化物から成る。
【００１８】
好ましい一実施態様において、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物、ニッケル一酸化物、酸化第一鉄およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。
【００１９】
本発明は、下層および下層上に配設されるコバルトベースのまたは鉄ベースの記録層を備える磁気記録媒体を提供し、ここで、下層がＭｇＯベースの複合物であり、および、ＭｇＯベースの複合物が実質的にＭｇＯおよび単数または複数の酸化物から成る。
【００２０】
好ましい一実施態様において、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物、ニッケル一酸化物、酸化第一鉄およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。
【００２１】
本発明は、更に以下の例で例示され、本願明細書に記載されている例および実施態様は、例証となる目的だけのためにあって、かつ本願明細書に記載される実施態様を限定するように解釈されるべきでないと理解されるべきである。
【実施例】
【００２２】
比較例１：ＭｇＯターゲットの製作
【００２３】
４００グラムのＭｇＯ粉末（平均粒径：１μｍ）が、１２０分の間４５０°Ｃで焼成された。次いで、粉末が黒鉛型内に充填されてよく分散され、次いで、３００ｐｓｉの液圧プレスの下で圧粉体を形成するために圧縮された。圧粉体を伴う黒鉛型はホットプレス炉に入れられ、および、圧粉体はＭｇＯターゲットを得るために２４０分の間３８１バールの下で１３００°Ｃで焼結された。
【００２４】
次いで、ＭｇＯサンプルターゲットの３部材をそれぞれ第１の、第２のおよび第３の回転プレート上に置いた後に、各サンプル部材が１０３５秒の間、１５０ワット（Ｗ）で室温で、高周波スパッタリングによって試験される。粒子カウンタ（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ ６４２０）がスパッタリング中にＭｇＯサンプルターゲットの部材から落下する粒子の数を計数し、および、結果が後述するようにテーブル１内に示される。
【００２５】
図１は、走査型電子顕微鏡（日立Ｎ−３４００ ＳＥＭ）によって撮られた比較例１のＭｇＯターゲットの金属顕微鏡画像を示し、および、図２はＸ線回折装置（Ｂｒｕｋｅｒ−ＡＸＳジーメンス）によって撮られた比較例１のＭｇＯターゲットのＸ線粉末回折画像を示す。アルキメデス法で測定されるＭｇＯターゲットの絶対密度割る理論上の密度が、それの相対密度に等しい。
【００２６】
図１に示すように、ＭｇＯターゲットは５μｍから２５μｍにわたる平均粒径を備えた高密度構造を有する。図２に示すように、ＭｇＯターゲットの構造はペリクレースのそれと類似である、すなわち、ＭｇＯターゲットは立方結晶構造を有する。ＭｇＯターゲットの相対密度は、計算によると９８．５％を超える。テーブル１に示すように、スパッタリング中にＭｇＯサンプルターゲットの３部材から落下する粒子の平均数は、１平方インチにつき８３である。
例１：６０ＭｇＯ−４０ＮｉＯターゲットの製作
【００２７】
１７５．０２グラムのＭｇＯ粉末（平均粒径：１μｍ）、２１６．２３グラムのＮｉＯ粉末（平均粒径：１．５μｍ）が、そのＭｇＯ粉末が１２０分の間４５０°Ｃで焼成された後、１２０分の間ローラー粉末混合機械によって混合された。次いで、それらの粉末が６０−メッシュシーブによってふるいにかけられた。６０−メッシュシーブでふるいにかけられた粉末は、混合物を形成するために均一に混合された。混合物は黒鉛型内に充填されてよく分散され、次いで、３００ｐｓｉの液圧プレスの下で圧粉体を形成するために圧縮される。圧粉体を伴う黒鉛型がホットプレス炉に入れられ、および、圧粉体が６０ＭｇＯ−４０ＮｉＯターゲット（以下「ＭｇＯ−ＮｉＯターゲット」）を得るために２４０分の間３８１バールの下で１３００°Ｃで焼結された。
【００２８】
次いで、ＭｇＯ−ＮｉＯサンプルターゲットの３部材をそれぞれ第１の、第２のおよび第３の回転プレート上に置いた後に、各サンプル部材は１０３５秒の間、１５０Ｗで室温で、高周波スパッタリングによって試験される。粒子カウンタ（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ ６４２０）がスパッタリング中にＭｇＯ−ＮｉＯサンプルターゲットの部材から落下する粒子の数を計数し、および、結果が後述するようにテーブル１内に示される。
【００２９】
図３は、走査型電子顕微鏡（日立Ｎ−３４００ ＳＥＭ）によって撮られた例１のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの金属顕微鏡画像を示し、および、図４はＸ線粉末回折装置（Ｂｒｕｋｅｒ−ＡＸＳジーメンス）によって撮られた例１のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットのＸ線粉末回折画像を示す。ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの結晶構造は、また、粉末回折規格合同委員会（ＪＣＰＤＳ）のデータベースと比較される。アルキメデス法で測定されるＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの絶対密度割る理論上の密度が、それの相対密度に等しい。
【００３０】
テーブル１：ＭｇＯターゲット、６０ＭｇＯ−４０ＮｉＯターゲットおよび９０ＭｇＯ−１０ＺｎＯターゲットから落下する粒子の数と粒子の減少するパーセントの比較
【００３１】
【表１】
【００３２】
図３に示すように、ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットは５μｍから２５μｍにわたる平均粒径を備えた高密度構造を有する。図４に示すように、ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの構造はペリクレースのそれと類似である、すなわち、ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットもまた立方結晶構造を有する。ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの相対密度は、計算によると９８．５％を超える。テーブル１に示すように、スパッタリング中に３サンプル部材のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットから落下する粒子の平均数は、１平方インチにつき５４である。比較例１に従うＭｇＯターゲットと比較して、ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットから落下する粒子はＭｇＯターゲットから落下するそれらより約３５％少ない（すなわち、パーセントはＭｇＯターゲットとＭｇＯ−ＮｉＯターゲットから落下する粒子の数の間の差割るＭｇＯターゲットから落下する粒子の数によって算出され、ここで、２つのターゲットから落下する粒子の数の間の差異はＭｇＯターゲットから落下する粒子の数引くＭｇＯ−ＮｉＯターゲットから落下する粒子の数である。
例２：９０ＭｇＯ−１０ＺｎＯターゲットの製作
【００３３】
３３２グラムのＭｇＯ粉末（平均粒径：１μｍ）、７４．４グラムのＺｎＯ粉末（平均粒径：０．５μｍ）が、そのＭｇＯ粉末が１２０分の間４５０°Ｃで焼成された後、１２０分の間ローラー粉末混合機械によって混合された。次いで、それらの粉末は６０−メッシュシーブによってふるいにかけられた。６０−メッシュシーブでふるいにかけられた粉末は、混合物を形成するために均一に混合された。混合物は黒鉛型内に充填されてよく分散され、次いで、３００ｐｓｉの液圧プレスの下で圧粉体を形成するために圧縮される。圧粉体を伴う黒鉛型がホットプレス炉に入れられ、および、圧粉体が９０ＭｇＯ−１０ＺｎＯターゲット（以下「ＭｇＯ−ＺｎＯターゲット」）を得るために２４０分の間３８１バールの下で１３００°Ｃで焼結された。
【００３４】
次いで、サンプルＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの３部材をそれぞれ第１の、第２のおよび第３の回転プレート上に置いた後に、各サンプル部材が１０３５秒の間、１５０Ｗで室温で、スパッタリングによって試験される。粒子カウンタ（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ ６４２０）がスパッタリング中にサンプルＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの部材から落下する粒子の数を計数し、および、結果がテーブル１内に示される。
【００３５】
図５は、走査型電子顕微鏡（日立Ｎ−３４００ ＳＥＭ）によって撮られた例２のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの金属顕微鏡画像を示し、および、図６はＸ線粉末回折装置（Ｂｒｕｋｅｒ−ＡＸＳジーメンス）によって撮られた例２のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットのＸ線粉末回折画像を示す。ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの結晶構造は、また、粉末回折規格合同委員会（ＪＣＰＤＳ）のデータベースと比較される。アルキメデス法で測定されるＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの絶対密度割る理論上の密度が、それの相対密度に等しい。
【００３６】
図５に示すように、ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットは５μｍから２５μｍにわたる平均粒径を備えた高密度構造を有する。図５に示すように、ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの構造はペリクレースのそれと類似である、すなわち、ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットもまた立方結晶構造を有する。ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの相対密度は、計算によると９８．５％を超える。テーブル１に示すように、スパッタリング中に３サンプル部材のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットから落下する粒子の平均数は、１平方インチにつき６８である。比較例１に従うＭｇＯターゲットと比較して、ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットから落下する粒子はＭｇＯターゲットから落下するそれらより約１８％少ない（すなわち、パーセントはＭｇＯターゲットとＭｇＯ−ＺｎＯターゲットから落下する粒子の数の間の差割るＭｇＯターゲットから落下する粒子の数によって算出される。
【００３７】
前述の記述に基づいて、本発明はＭｇＯおよび他の金属酸化物を有する複合物から作られるターゲットを提供し、それはＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料として用いられることができる。本発明に従うターゲットから落下する粒子の平均数は、スパッタリング中に非常に減少する。その上、ターゲットの立方結晶構造は安定していることができ、かつＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料を製造する際の用途に有益である。
【００３８】
たとえ本発明の多数の特性および利点が、本発明の構造および特徴の詳細と共に、前述の記述内に記載されたとはいえ、開示は例証となるだけである。変更が詳細において、特に形状、寸法および部分の配置の事柄において、添付の請求の範囲が表現される用語の幅広い一般的な意味によって示唆される最大限に対して本発明の原理内でなされることができる。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ターゲットに関し、特に粒子の間の結合力を改善することができてかつＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体のための下層材料として用いられるターゲットに関する。
【背景技術】
【０００２】
ＣｏＣｒベースの複合物が、通常垂直磁化記録媒体の記録層内に用いられる。一般に、記録層の配設されたフィルムが、均一に分散された粒状物、粒状物成長の所望の粗さおよび適切な向きを有するようにするために、記録層の下の下層は通常ルテニウム−酸化物（Ｒｕ−酸化物）およびルテニウム合金（Ｒｕ−Ｘ、Ｘは金属元素を表す）のような、ルテニウムベースの材料およびプラチナ材料から作られる。
【０００３】
高い磁気異方性を備えた鉄ベースの（Ｆｅベースの）またはコバルトベースの（Ｃｏベースの）記録層に関連づけられる多くの調査が、報告されている。従来通りにそれらの磁気的に異方性の記録層は磁気記録密度を向上するために有益である。下層材料は大部分がマグネシウム一酸化物（ＭｇＯ）から作られ、記録層材料が粒状物成長の適切な配向を有し、および、粒子が相互の影響なしで別々に分散することを可能にするために、それは立方結晶構造を有する。しかしながら、マグネシウム一酸化物だけから作られるターゲットは、スパッタリング中に下層の配設されたフィルム内の粒子の落下および次いで欠陥の成形に至る可能性がある。フィルム内の欠陥は、製造の産出率を減少させる。したがって、Ｃｏベースのおよび／またはＦｅベースの磁気記録媒体の従来の下層材料の欠点を克服するために、本発明は上述した問題を緩和するかまたは取り除くターゲットを提供する。
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
本発明の主要な目的は、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料として用いられてかつ粒子の間の結合力を改善することができるターゲットを提供する。本発明に従うターゲットは、スパッタリング中に下層の配設されたフィルム内の粒子の落下および欠陥の形成を克服することができる。
【課題を解決するための手段】
【０００５】
この目的を達成するために、本発明に従うターゲットはＭｇＯの立方結晶構造を有するＭｇＯベースの複合物であり、このＭｇＯベースの複合物がＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える。
【０００６】
好ましくは、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物（ＺｎＯ）、ニッケル一酸化物（ＮｉＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。
【０００７】
本発明の第２の目的は、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料を提供し、下層が、前記ターゲットをスパッタリングすることから作られるＭｇＯベースの複合物であり、および、このＭｇＯベースの複合物が実質的にＭｇＯ、単数または複数の酸化物および他の避けられない不純物から成る。
【０００８】
好ましくは、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物（ＺｎＯ）、ニッケル一酸化物（ＮｉＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。
【０００９】
本発明の第３の目的は、下層および下層上に配設されるコバルトベースのまたは鉄ベースの磁気記録層を備える磁気記録媒体を提供し、下層が、前記ターゲットをスパッタリングすることから作られるＭｇＯベースの複合物であり、および、このＭｇＯベースの複合物が実質的にＭｇＯ、単数または複数の酸化物および他の避けられない不純物から成る。
【００１０】
好ましくは、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物（ＺｎＯ）、ニッケル一酸化物（ＮｉＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。
【００１１】
本発明に従って、「実質的に成る」は、材料が主に指定された物質を備え、一方、材料がさらに他の避けられない不純物を含むことを意味する。具体的には、ＭｇＯベースの複合物は主にＭｇＯおよび単数または複数の酸化物から成り、ここで、ＭｇＯベースの複合物は他の避けられない不純物を含有する。
【００１２】
下層材料を形成するために本発明に従うＭｇＯベースの複合物から成るターゲットを用いることは、粒子の間の結合力を改善して粒子の落下を効果的に減少させることができる。単数または複数の酸化物の各々の格子定数はＭｇＯのそれより小さく、および、単数または複数の酸化物はＭｇＯとの単一固溶体相を形成することができる。したがって、ＭｇＯベースの複合物に単数または複数の酸化物を追加することは、ＭｇＯの元の立方結晶構造を維持し、したがって下層材料の特性および機能を維持することができる。
【００１３】
本発明の他の目的、利点および新奇な特徴は、添付の図面を参照しながら、以下の詳細な説明からより明白になる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】従来技術に従う比較例１内の従来のＭｇＯベースのターゲットの金属顕微鏡画像である。
【図２】従来技術に従う比較例１内の従来のＭｇＯターゲットのＸ線回折画像である。
【図３】本発明に従う例１内のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの金属顕微鏡画像である。
【図４】本発明に従う例１内のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットのＸ線回折画像である。
【図５】本発明に従う例２内のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの金属顕微鏡画像である。
【図６】本発明に従う例２内のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットのＸ線回折画像である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
本発明は、コバルトベースのまたは鉄ベースの磁気記録媒体を形成するための下層材料であるターゲットを提供する。ここで、ターゲットはＭｇＯの立方結晶構造を有するＭｇＯベースの複合物であり、このＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯ、単数または複数の酸化物および他の避けられない不純物を備える。
【００１６】
好ましい一実施態様において、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物（ＺｎＯ）、ニッケル一酸化物（ＮｉＯ）、酸化第一鉄（ＦｅＯ）およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。
【００１７】
本発明はさらに、ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料を提供し、下層材料は、ＭｇＯベースの複合物であり、および、このＭｇＯベースの複合物が実質的にＭｇＯおよび単数または複数の酸化物から成る。
【００１８】
好ましい一実施態様において、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物、ニッケル一酸化物、酸化第一鉄およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。
【００１９】
本発明は、下層および下層上に配設されるコバルトベースのまたは鉄ベースの記録層を備える磁気記録媒体を提供し、ここで、下層がＭｇＯベースの複合物であり、および、ＭｇＯベースの複合物が実質的にＭｇＯおよび単数または複数の酸化物から成る。
【００２０】
好ましい一実施態様において、単数または複数の酸化物は亜鉛一酸化物、ニッケル一酸化物、酸化第一鉄およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える。
【００２１】
本発明は、更に以下の例で例示され、本願明細書に記載されている例および実施態様は、例証となる目的だけのためにあって、かつ本願明細書に記載される実施態様を限定するように解釈されるべきでないと理解されるべきである。
【実施例】
【００２２】
比較例１：ＭｇＯターゲットの製作
【００２３】
４００グラムのＭｇＯ粉末（平均粒径：１μｍ）が、１２０分の間４５０°Ｃで焼成された。次いで、粉末が黒鉛型内に充填されてよく分散され、次いで、３００ｐｓｉの液圧プレスの下で圧粉体を形成するために圧縮された。圧粉体を伴う黒鉛型はホットプレス炉に入れられ、および、圧粉体はＭｇＯターゲットを得るために２４０分の間３８１バールの下で１３００°Ｃで焼結された。
【００２４】
次いで、ＭｇＯサンプルターゲットの３部材をそれぞれ第１の、第２のおよび第３の回転プレート上に置いた後に、各サンプル部材が１０３５秒の間、１５０ワット（Ｗ）で室温で、高周波スパッタリングによって試験される。粒子カウンタ（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ ６４２０）がスパッタリング中にＭｇＯサンプルターゲットの部材から落下する粒子の数を計数し、および、結果が後述するようにテーブル１内に示される。
【００２５】
図１は、走査型電子顕微鏡（日立Ｎ−３４００ ＳＥＭ）によって撮られた比較例１のＭｇＯターゲットの金属顕微鏡画像を示し、および、図２はＸ線回折装置（Ｂｒｕｋｅｒ−ＡＸＳジーメンス）によって撮られた比較例１のＭｇＯターゲットのＸ線粉末回折画像を示す。アルキメデス法で測定されるＭｇＯターゲットの絶対密度割る理論上の密度が、それの相対密度に等しい。
【００２６】
図１に示すように、ＭｇＯターゲットは５μｍから２５μｍにわたる平均粒径を備えた高密度構造を有する。図２に示すように、ＭｇＯターゲットの構造はペリクレースのそれと類似である、すなわち、ＭｇＯターゲットは立方結晶構造を有する。ＭｇＯターゲットの相対密度は、計算によると９８．５％を超える。テーブル１に示すように、スパッタリング中にＭｇＯサンプルターゲットの３部材から落下する粒子の平均数は、１平方インチにつき８３である。
例１：６０ＭｇＯ−４０ＮｉＯターゲットの製作
【００２７】
１７５．０２グラムのＭｇＯ粉末（平均粒径：１μｍ）、２１６．２３グラムのＮｉＯ粉末（平均粒径：１．５μｍ）が、そのＭｇＯ粉末が１２０分の間４５０°Ｃで焼成された後、１２０分の間ローラー粉末混合機械によって混合された。次いで、それらの粉末が６０−メッシュシーブによってふるいにかけられた。６０−メッシュシーブでふるいにかけられた粉末は、混合物を形成するために均一に混合された。混合物は黒鉛型内に充填されてよく分散され、次いで、３００ｐｓｉの液圧プレスの下で圧粉体を形成するために圧縮される。圧粉体を伴う黒鉛型がホットプレス炉に入れられ、および、圧粉体が６０ＭｇＯ−４０ＮｉＯターゲット（以下「ＭｇＯ−ＮｉＯターゲット」）を得るために２４０分の間３８１バールの下で１３００°Ｃで焼結された。
【００２８】
次いで、ＭｇＯ−ＮｉＯサンプルターゲットの３部材をそれぞれ第１の、第２のおよび第３の回転プレート上に置いた後に、各サンプル部材は１０３５秒の間、１５０Ｗで室温で、高周波スパッタリングによって試験される。粒子カウンタ（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ ６４２０）がスパッタリング中にＭｇＯ−ＮｉＯサンプルターゲットの部材から落下する粒子の数を計数し、および、結果が後述するようにテーブル１内に示される。
【００２９】
図３は、走査型電子顕微鏡（日立Ｎ−３４００ ＳＥＭ）によって撮られた例１のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの金属顕微鏡画像を示し、および、図４はＸ線粉末回折装置（Ｂｒｕｋｅｒ−ＡＸＳジーメンス）によって撮られた例１のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットのＸ線粉末回折画像を示す。ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの結晶構造は、また、粉末回折規格合同委員会（ＪＣＰＤＳ）のデータベースと比較される。アルキメデス法で測定されるＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの絶対密度割る理論上の密度が、それの相対密度に等しい。
【００３０】
テーブル１：ＭｇＯターゲット、６０ＭｇＯ−４０ＮｉＯターゲットおよび９０ＭｇＯ−１０ＺｎＯターゲットから落下する粒子の数と粒子の減少するパーセントの比較
【００３１】
【表１】
【００３２】
図３に示すように、ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットは５μｍから２５μｍにわたる平均粒径を備えた高密度構造を有する。図４に示すように、ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの構造はペリクレースのそれと類似である、すなわち、ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットもまた立方結晶構造を有する。ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットの相対密度は、計算によると９８．５％を超える。テーブル１に示すように、スパッタリング中に３サンプル部材のＭｇＯ−ＮｉＯターゲットから落下する粒子の平均数は、１平方インチにつき５４である。比較例１に従うＭｇＯターゲットと比較して、ＭｇＯ−ＮｉＯターゲットから落下する粒子はＭｇＯターゲットから落下するそれらより約３５％少ない（すなわち、パーセントはＭｇＯターゲットとＭｇＯ−ＮｉＯターゲットから落下する粒子の数の間の差割るＭｇＯターゲットから落下する粒子の数によって算出され、ここで、２つのターゲットから落下する粒子の数の間の差異はＭｇＯターゲットから落下する粒子の数引くＭｇＯ−ＮｉＯターゲットから落下する粒子の数である。
例２：９０ＭｇＯ−１０ＺｎＯターゲットの製作
【００３３】
３３２グラムのＭｇＯ粉末（平均粒径：１μｍ）、７４．４グラムのＺｎＯ粉末（平均粒径：０．５μｍ）が、そのＭｇＯ粉末が１２０分の間４５０°Ｃで焼成された後、１２０分の間ローラー粉末混合機械によって混合された。次いで、それらの粉末は６０−メッシュシーブによってふるいにかけられた。６０−メッシュシーブでふるいにかけられた粉末は、混合物を形成するために均一に混合された。混合物は黒鉛型内に充填されてよく分散され、次いで、３００ｐｓｉの液圧プレスの下で圧粉体を形成するために圧縮される。圧粉体を伴う黒鉛型がホットプレス炉に入れられ、および、圧粉体が９０ＭｇＯ−１０ＺｎＯターゲット（以下「ＭｇＯ−ＺｎＯターゲット」）を得るために２４０分の間３８１バールの下で１３００°Ｃで焼結された。
【００３４】
次いで、サンプルＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの３部材をそれぞれ第１の、第２のおよび第３の回転プレート上に置いた後に、各サンプル部材が１０３５秒の間、１５０Ｗで室温で、スパッタリングによって試験される。粒子カウンタ（ＫＬＡ Ｔｅｎｃｏｒ ６４２０）がスパッタリング中にサンプルＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの部材から落下する粒子の数を計数し、および、結果がテーブル１内に示される。
【００３５】
図５は、走査型電子顕微鏡（日立Ｎ−３４００ ＳＥＭ）によって撮られた例２のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの金属顕微鏡画像を示し、および、図６はＸ線粉末回折装置（Ｂｒｕｋｅｒ−ＡＸＳジーメンス）によって撮られた例２のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットのＸ線粉末回折画像を示す。ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの結晶構造は、また、粉末回折規格合同委員会（ＪＣＰＤＳ）のデータベースと比較される。アルキメデス法で測定されるＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの絶対密度割る理論上の密度が、それの相対密度に等しい。
【００３６】
図５に示すように、ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットは５μｍから２５μｍにわたる平均粒径を備えた高密度構造を有する。図５に示すように、ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの構造はペリクレースのそれと類似である、すなわち、ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットもまた立方結晶構造を有する。ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットの相対密度は、計算によると９８．５％を超える。テーブル１に示すように、スパッタリング中に３サンプル部材のＭｇＯ−ＺｎＯターゲットから落下する粒子の平均数は、１平方インチにつき６８である。比較例１に従うＭｇＯターゲットと比較して、ＭｇＯ−ＺｎＯターゲットから落下する粒子はＭｇＯターゲットから落下するそれらより約１８％少ない（すなわち、パーセントはＭｇＯターゲットとＭｇＯ−ＺｎＯターゲットから落下する粒子の数の間の差割るＭｇＯターゲットから落下する粒子の数によって算出される。
【００３７】
前述の記述に基づいて、本発明はＭｇＯおよび他の金属酸化物を有する複合物から作られるターゲットを提供し、それはＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料として用いられることができる。本発明に従うターゲットから落下する粒子の平均数は、スパッタリング中に非常に減少する。その上、ターゲットの立方結晶構造は安定していることができ、かつＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体の下層材料を製造する際の用途に有益である。
【００３８】
たとえ本発明の多数の特性および利点が、本発明の構造および特徴の詳細と共に、前述の記述内に記載されたとはいえ、開示は例証となるだけである。変更が詳細において、特に形状、寸法および部分の配置の事柄において、添付の請求の範囲が表現される用語の幅広い一般的な意味によって示唆される最大限に対して本発明の原理内でなされることができる。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ＭｇＯの立方結晶構造を有するＭｇＯベースの複合物であるターゲットであって、前記ＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える、ことを特徴とするターゲット。
【請求項２】
前記単数または複数の酸化物が亜鉛一酸化物、ニッケル一酸化物、酸化第一鉄およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える、ことを特徴とする請求項１に記載のターゲット。
【請求項３】
ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体のための下層材料であって、それが、請求項１に記載のターゲットをスパッタリングすることから作られるＭｇＯベースの複合物であり、前記ＭｇＯベースの複合物が、実質的にＭｇＯおよび単数または複数の酸化物から成る、ことを特徴とする下層材料。
【請求項４】
前記単数または複数の酸化物が亜鉛一酸化物、ニッケル一酸化物、酸化第一鉄およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える、ことを特徴とする請求項３に記載のターゲット。
【請求項１】
ＭｇＯの立方結晶構造を有するＭｇＯベースの複合物であるターゲットであって、前記ＭｇＯベースの複合物が、ＭｇＯおよび単数または複数の酸化物を備える、ことを特徴とするターゲット。
【請求項２】
前記単数または複数の酸化物が亜鉛一酸化物、ニッケル一酸化物、酸化第一鉄およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える、ことを特徴とする請求項１に記載のターゲット。
【請求項３】
ＣｏベースのまたはＦｅベースの磁気記録媒体のための下層材料であって、それが、請求項１に記載のターゲットをスパッタリングすることから作られるＭｇＯベースの複合物であり、前記ＭｇＯベースの複合物が、実質的にＭｇＯおよび単数または複数の酸化物から成る、ことを特徴とする下層材料。
【請求項４】
前記単数または複数の酸化物が亜鉛一酸化物、ニッケル一酸化物、酸化第一鉄およびそれの組合せからなる群から選ばれる物質（複数物質）を備える、ことを特徴とする請求項３に記載のターゲット。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【公開番号】特開２０１３−１０４０７９（Ｐ２０１３−１０４０７９Ａ）
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２４７６１６（Ｐ２０１１−２４７６１６）
【出願日】平成２３年１１月１１日（２０１１．１１．１１）
【出願人】（５０９１７６１７８）光洋応用材料科技股▲ふん▼有限公司 (9)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年５月３０日（２０１３．５．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月１１日（２０１１．１１．１１）
【出願人】（５０９１７６１７８）光洋応用材料科技股▲ふん▼有限公司 (9)
【Ｆターム（参考）】
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