テスト回路、集積回路、及び、テスト回路のレイアウト方法
【課題】 より簡易な設計手法で作製可能なテスト回路を提供する。
【解決手段】 テスト回路１００は、基板と、基板上に形成された配線部及び被試験デバイス部１０とを備える構成とする。テスト回路１００では、被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置Ｏと複数の接続電極１３ａ〜１３ｄのそれぞれとを結ぶ直線Ｌ１の延在方向が、配線２１の延在方向に対して所定の角度で傾いている。さらに、被試験デバイス本体及び複数の接続電極１３ａ〜１３ｄをパターン形成面内で９０度回転させた際にも、複数の接続電極１３ａ〜１３ｄ及び複数の配線２１〜２４間の接続が維持されるような位置に複数の接続電極１３ａ〜１３ｄが配置される。
【解決手段】 テスト回路１００は、基板と、基板上に形成された配線部及び被試験デバイス部１０とを備える構成とする。テスト回路１００では、被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置Ｏと複数の接続電極１３ａ〜１３ｄのそれぞれとを結ぶ直線Ｌ１の延在方向が、配線２１の延在方向に対して所定の角度で傾いている。さらに、被試験デバイス本体及び複数の接続電極１３ａ〜１３ｄをパターン形成面内で９０度回転させた際にも、複数の接続電極１３ａ〜１３ｄ及び複数の配線２１〜２４間の接続が維持されるような位置に複数の接続電極１３ａ〜１３ｄが配置される。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本開示は、例えば半導体装置等の製造途中においてウエハレベルの性能評価に用いる被試験デバイスを含むテスト回路及び該テスト回路のレイアウト方法、並びに、該テスト回路のレイアウト方法と同じレイアウト方法を用いて作製された集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程の途中においてウエハレベルの電気的な性能評価をするために、ＴＥＧ（Test Element Group）と呼ばれるウエハ出荷検査用のテストストラクチャが、ウエハ（基板）上に設けられる。テストストラクチャは、通常、複数の被試験デバイス（以下、ＤＵＴと記す）と、例えばウエハテスタ等の評価装置のプローブを接触させる電極パッドと、ＤＵＴ及び電極パッド間を電気的に接続する接続配線（接続ピン）とを有する。
【０００３】
また、従来、このようなテストストラクチャにおいて、様々なレイアウト設計パターンが提案されている（例えば特許文献１参照）。図２１に、特許文献１で提案されているテストストラクチャのレイアウト設計パターンの概略構成を示す。なお、図２１は、一つのＤＵＴ付近の概略平面図である。
【０００４】
特許文献１には、ＤＵＴとしてＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）トランジスタ２００を用いた例が記載されている。そして、特許文献１では、図２１に示すように、ＭＯＳトランジスタ２００のゲート、ドレイン、ソース、及び、ウエル（ボディ）のそれぞれに、Ｌ字型ルーティング構造体２０１からなる接続ピンが接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第７，４８９，１５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述したテストストラクチャは、一般に、ウエハ内において、所定方向に延在して形成されたスクライブライン上、及び／又は、該所定方向に直交する方向に延在して形成されたスクライブライン上に設けられる。それゆえ、例えば、テストストラクチャの形成領域の全体形状が横長形状である場合、テストストラクチャを配置するスクライブラインの延在方向に応じて、テストストラクチャ全体のレイアウト設計パターンを、設計時に、９０度回転させる必要がある。
【０００７】
このような状況において、テストストラクチャ内のレイアウト設計パターンを変えずに、９０度回転させた場合には、例えば、次のような問題が生じる。テストストラクチャ内のＤＵＴが例えばＭＯＳトランジスタである場合、テストストラクチャを配置するスクライブラインの延在方向に応じて、ゲート電極の延在方向が所定方向、及び、該所定方向に直交する方向で混在することになる。この場合、テストストラクチャの作製プロセス時にゲート電極の寸法のばらつきが増大するという問題が生じる（例えば“Intra-Field Gate CD Variability and Its Impact On Circuit Performance”，IEDM1999，pp.479-482を参照）。
【０００８】
なお、このような問題に対処するため、例えば４０ｎｍ未満等のサイズのパターンを形成するような先端プロセス技術では、デザインルールにより、ゲート電極の延在方向を一方の方向に揃えるように規定する場合もある。しかしながら、この場合には、テストストラクチャを配置するスクライブラインの延在方向に応じて、テストストラクチャ全体のレイアウト設計パターンを修正する必要があり、設計に手間がかかるという問題が生じる。
【０００９】
ただし、ゲート電極の延在方向を揃えるための簡易なレイアウト設計パターンの修正手法としては、例えば、次のような手法が考えられる。まず、ＤＵＴを含むテストストラクチャの設計データをセル階層化する。そして、ＤＵＴ階層の設計データ（ＤＵＴのセルデータ）のみを、テストストラクチャ全体の回転方向とは、逆の方向に９０度させる。
【００１０】
しかしながら、この修正手法では、設計データの構成上、ＤＵＴの上位階層に設けられる配線（以下、上位配線という）と、上位配線及びＤＵＴ間の接続ピンの位置も回転するので、接続ピンの位置、及び／又は、上位配線のパターンを修正する必要がある。それゆえ、このようなレイアウト設計パターンの修正手法を用いても、設計に手間がかかるという問題は生じる。
【００１１】
本開示は、上記問題を解消するためになされたものである。本開示の目的は、設計時にテストストラクチャ全体のレイアウト設計パターンを９０度回転させる必要がある場合にも、より簡易な設計手法で作製可能なテスト回路、及び、そのテスト回路のレイアウト手法を提供することである。また、本開示の別の目的は、本開示のテスト回路のレイアウト手法と同様の手法を用いて作製された集積回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本開示のテスト回路は、基板と、基板上に形成された配線部と、基板上に形成された被試験デバイス部とを備える構成とし、各部の構成を次のようにする。配線部は、複数の配線を有する。被試験デバイス部は、被試験デバイス本体、並びに、被試験デバイス本体と複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有する。そして、本開示のテスト回路では、被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置と複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の方向が、配線の延在方向に対して所定の角度で傾いている。さらに、本開示では、被試験デバイス本体及び複数の接続電極をパターン形成面内で回転中心位置を中心にして配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも複数の接続電極及び複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に複数の接続電極が配置されている。
【００１３】
なお、本明細書でいう、「回転中心位置」とは、被試験デバイス本体（又は後述のデバイス素子本体）のパターン形成面内における被試験デバイス部（又は後述のデバイス素子本体及び複数の接続電極）の形成領域の中心位置である。設計時にテスト回路（又は後述のデバイス素子部）の設計データを９０度回転させる際には、この回転中心位置を中心にして、被試験デバイス部（又はデバイス素子本体及び複数の接続電極）の設計データを回転する。
【００１４】
また、本開示の集積回路は、基板と、基板上に形成された配線部と、基板上に形成されたデバイス素子部とを備える構成とし、各部の構成を次のようにする。配線部は、複数の配線を有する。デバイス素子部は、デバイス素子本体、並びに、デバイス素子本体と複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有する。そして、本開示の集積回路では、デバイス素子本体のパターン形成面内における回転中心位置と複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、配線の延在方向に対して所定の角度で傾いている。さらに、本開示では、デバイス素子本体及び複数の接続電極をパターン形成面内で回転中心位置を中心にして配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、複数の接続電極及び複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に複数の接続電極が配置される。
【００１５】
さらに、本開示のテスト回路のレイアウト方法は、上記本開示のテスト回路のレイアウト設計パターンを作成する方法であり、配線部のレイアウトパターンを作成するステップと、被試験デバイス部のレイアウトパターンを作成するステップとを含む。
【００１６】
本開示のテスト回路（集積回路）では、被試験デバイス本体（デバイス素子本体）のパターン形成面内における回転中心位置と各接続電極とを結ぶ直線の延在方向が、配線の延在方向に対して所定の角度で傾いている。さらに、本開示のテスト回路では、被試験デバイス部をそのパターン形成面内で配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも複数の接続電極及び複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に複数の接続電極が配置される。また、本開示の集積回路も同様に、デバイス素子本体及び複数の接続電極をそれらのパターン形成面内で配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも複数の接続電極及び複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に複数の接続電極が配置される。それゆえ、本開示のテスト回路（集積回路）では、設計上、テスト回路（デバイス素子部）を９０度回転させる必要がある場合には、被試験デバイス部（デバイス素子本体及び複数の接続電極）を配線部に対して相対的に９０度回転させるだけで対応することができる。
【発明の効果】
【００１７】
上述のように、本開示では、設計上、テスト回路（デバイス素子部）を９０度回転させる場合には、被試験デバイス部（デバイス素子本体及び複数の接続電極）を配線部に対して相対的に９０度回転させるだけでよい。すなわち、本開示のテスト回路（集積回路）の設計技術では、接続電極の位置や配線のパターンなどを修正する必要がない。それゆえ、本開示によれば、より簡易にテスト回路（集積回路）を設計することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態に係るテストストラクチャの概略構成図である。
【図２】第１の実施形態に係るテストストラクチャの概略平面図である。
【図３】図２中のａ−ａ断面図である。
【図４】図２中のｂ−ｂ断面図である。
【図５】第１の実施形態に係るテストストラクチャを９０度回転させた後のテストストラクチャの概略平面図である。
【図６】第１の実施形態に係るテストストラクチャの回転操作例を説明するための図である。
【図７】第１の実施形態に係るテストストラクチャのレイアウト手法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図８】比較例のテストストラクチャの概略平面図である。
【図９】第２の実施形態に係るテストストラクチャの概略平面図である。
【図１０】第２の実施形態に係るテストストラクチャの回転操作例を説明するための図である。
【図１１】第３の実施形態に係るテストストラクチャの概略平面図である。
【図１２】第３の実施形態に係るテストストラクチャの回転操作例を説明するための図である。
【図１３】第４の実施形態に係るテストストラクチャの概略平面図である。
【図１４】第４の実施形態に係るテストストラクチャの回転操作例を説明するための図である。
【図１５】第５の実施形態に係るテストストラクチャの概略平面図である。
【図１６】第５の実施形態に係るテストストラクチャの回転操作例を説明するための図である。
【図１７】変形例１−１のテストストラクチャの回転操作前後における各接続ピンの配置位置の変化の様子を示す図である。
【図１８】変形例１−２のテストストラクチャの回転操作前後における各接続ピンの配置位置の変化の様子を示す図である。
【図１９】応用例の集積回路におけるＩ／Ｏ（Input/Output）セルの配置構成図である。
【図２０】応用例の集積回路で用いるＩ／Ｏセルの概略構成図である。
【図２１】従来のテストストラクチャの概略構成平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本開示の実施形態に係るテスト回路及びそのレイアウト手法、並びに、本開示のテスト回路のレイアウト手法と同様の手法を用いて作製された集積回路の一例を、図面を参照しながら下記の順で説明する。ただし、本開示は下記の例に限定されない。
１．第１の実施形態：全ての上位配線の延在方向が同じである第１の構成例
２．第２の実勢形態：全ての上位配線の延在方向が同じである第２の構成例
３．第３の実施形態：全ての上位配線の延在方向が同じである第３の構成例
４．第４の実施形態：全ての上位配線の延在方向が同じである第４の構成例
５．第５の実施形態：一部の上位配線の延在方向が残りの上位配線の延在方向と異なる構成例
６．各種変形例
７．応用例：集積回路の構成例
【００２０】
＜１．第１の実施形態＞
［テストストラクチャの構成］
図１に、本開示の第１の実施形態に係るウエハ出荷検査用のテストストラクチャ（テスト回路）の概略構成を示す。本実施形態のテストストラクチャ１００は、一列に配列された複数のＤＵＴ１０（被試験デバイス部）と、複数のテスト用電極パッド（不図示）と、該複数のテスト用電極パッド及び各ＤＵＴ１０間をそれぞれ接続する複数の上位配線を有する配線部２０とを備える。また、テストストラクチャ１００は、図１には示さないが、半導体基板（基板）を備え、該半導体基板上に、ＤＵＴ１０、テスト用電極パッド及び配線部２０が形成される。
【００２１】
なお、図１には、複数のＤＵＴ１０を所定方向（図１中のＸ軸方向）に一列に配列した例を示すが、本開示はこれに限定されず、複数のＤＵＴ１０の配列形態は、例えば用途、ＤＵＴ１０を構成するデバイスの種類等の条件に応じて適宜変更できる。それゆえ、テストストラクチャ１００の形成面内（図１中のＸ−Ｙ面内）におけるテストストラクチャ１００の形成領域の形状もまた、図１に示す矩形状（横長形状）に限定されず、複数のＤＵＴ１０の配列形態に応じて、適宜変更することができる。
【００２２】
本実施形態では、ＤＵＴ１０に含まれる後述のＤＵＴ本体１０ａがＭＯＳトランジスタである場合について説明する（なお、ＤＵＴ１０の構成は後で詳述する）。それゆえ、配線部２０内には、ＭＯＳトランジスタのウエル（ボディ）、ソース、ドレイン、及び、ゲートにそれぞれ接続される４本の上位配線２１〜２４（以下、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４という）を設ける。なお、各ＤＵＴ間配線（配線）は、対応するテスト用電極パッドにも接続される。
【００２３】
また、本実施形態のテストストラクチャ１００では、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４を複数のＤＵＴ１０間で共用する。さらに、本実施形態では、後述するように、ＤＵＴ１０の各内部配線が形成されたメタル層Ｍ１上に第２層間絶縁膜１２を形成し、そして、第２層間絶縁膜１２の表面に、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４が形成される（後述の図３及び４参照）。すなわち、本実施形態では、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４は、一つのメタル層Ｍ２に形成される。
【００２４】
なお、テストストラクチャ１００の設計データは階層化されており、配線部２０（第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４）の設計データの階層は、各ＤＵＴ１０のセルデータの階層より上位になる。それゆえ、設計データ上では、配線部２０の階層において、下位階層となる各ＤＵＴ１０のセルデータを引用することにより、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４と各ＤＵＴ１０との間の接続関係が構築される。
【００２５】
［ＤＵＴの構成］
次に、各ＤＵＴ１０の構成を、図２〜４を参照しながらより詳細に説明する。図２は、本実施形態のテストストラクチャ１００の回転前（以下、基本状態という）におけるＤＵＴ１０、及び、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４のレイアウト設計パターンの概略平面図である。また、図３は、図２中のａ−ａ断面図であり、図４は、図２中のｂ−ｂ断面図である。なお、本実施形態では、図２に示すように、基本状態において、各ＤＵＴ間配線が後述するゲート電極４の延在方向（図２中のＹ軸方向：以下、ゲート方向という）と直交する方向（図２中のＸ軸方向）に延在する例を示す。
【００２６】
ＤＵＴ１０は、図２〜４に示すように、ＤＵＴ本体１０ａ（ＭＯＳトランジスタ）と、ＤＵＴ本体１０ａの一方（メタル層Ｍ１側）の表面上に形成された第２層間絶縁膜１２とを備える。さらに、ＤＵＴ１０は、第２層間絶縁膜１２内を貫通するように形成された４つの接続電極１３ａ〜１３ｄ（以下、それぞれ、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄという）を備える。なお、配線部２０の第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４（メタル層Ｍ２）は、図３及び４に示すように、第２層間絶縁膜１２のメタル層Ｍ１側とは反対側の表面に埋め込むようにして設けられる。
【００２７】
ＤＵＴ本体１０ａは、半導体基板（基板：不図示）と、該半導体基板内に設けられたウエル領域１と、ソース領域２と、ドレイン領域３と、ゲート電極４と、素子分離層１５とを備える。
【００２８】
ウエル領域１は、例えば、キャリア極性がＰ型の不純物層で構成される。また、ソース領域２及びドレイン領域３は、例えば、キャリア極性がＮ型の不純物層で構成される。ソース領域２及びドレイン領域３は、ウエル領域１のゲート電極４側の表面内の所定領域に、埋め込むようにして形成される。
【００２９】
ゲート電極４は、各ＤＵＴ間配線の延在方向と直交する方向（図２中のＹ軸方向）に延在した金属膜で構成される。そして、ゲート電極４は、図２に示すように、ウエル領域１のソース領域２及びドレイン領域３間の領域上に形成され、かつ、ウエル領域１の略中央を横切るように延在して形成される。
【００３０】
素子分離層１５は、図３及び４に示すように、ウエル領域１のゲート電極４側の表面に埋め込むようにして形成され、かつ、ウエル接続部１ａ、ソース領域２、ドレイン領域３及びゲート電極４の形成領域の周囲を覆うように形成される。
【００３１】
また、ＤＵＴ本体１０ａは、第１層間絶縁膜１１と、該第１層間絶縁膜１１のウエル領域１側とは反対側の表面に形成された内部配線（ボディ配線膜５、ソース配線膜６、ドレイン配線膜７及びゲート配線膜８）とを備える。すなわち、本実施形態のＤＵＴ１０では、ボディ配線膜５、ソース配線膜６、ドレイン配線膜７及びゲート配線膜８を、一つのメタル層（図３及び４中のメタル層Ｍ１）に形成する。なお、ボディ配線膜５、ソース配線膜６、ドレイン配線膜７及びゲート配線膜８はそれぞれ、図２に示すように、メタル層Ｍ１の形成面内（図２中のＸ−Ｙ面内）において、略Ｌ字状に延在した金属膜で構成される。ただし、内部配線のパターン形状は、図２に示す例に限定されず、例えばデザインルール等の条件を満足する範囲内で、任意に設定することができる。
【００３２】
さらに、ＤＵＴ本体１０ａは、第１コンタクト電極９ａ〜第４コンタクト電極９ｄを備える。各コンタクト電極は、図３及び４に示すように、縦孔配線（ビア）で構成され、第１層間絶縁膜１１内を貫通するように形成される。なお、第１コンタクト電極９ａ〜第４コンタクト電極９ｄは、ウエル領域１、ソース領域２、ドレイン領域３及びゲート電極４と、ボディ配線膜５、ソース配線膜６、ドレイン配線膜７及びゲート配線膜８とをそれぞれ電気的に接続する。
【００３３】
具体的には、第１コンタクト電極９ａの一方の端部（図４では下端部）は、ウエル接続部１ａの略中央に接続され、第１コンタクト電極９ａの他方の端部（図４では上端部）は、ボディ配線膜５の一方の端部に接続される。第２コンタクト電極９ｂの一方の端部（図３では下端部）は、ソース領域２の略中央に接続され、第２コンタクト電極９ｂの他方の端部（図３では上端部）は、ソース配線膜６の一方の端部に接続される。第３コンタクト電極９ｃの一方の端部は、ドレイン領域３の略中央に接続され、第３コンタクト電極９ｃの他方の端部は、ドレイン配線膜７の一方の端部に接続される。そして、第４コンタクト電極９ｄの一方の端部は、ゲート電極４の一方の端部（図２では下端部）に接続され、第４コンタクト電極９ｄの他方の端部は、ゲート配線膜８の一方の端部に接続される。
【００３４】
なお、本実施形態では、ＤＵＴ本体１０ａの各領域又はゲート電極と対応する内部配線（配線膜）との間を一つのコンタクト電極で接続する例を説明するが、本開示はこれに限定されない。ＤＵＴ本体１０ａの各領域又はゲート電極と対応する内部配線との間に複数のコンタクト電極を設けてもよい。
【００３５】
第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄのそれぞれは、図３及び４に示すように、縦孔配線（ビア）で構成され、対応する内部配線とＤＵＴ間配線とを電気的に接続する。
【００３６】
具体的には、第１接続ピン１３ａの一方の端部（図４では下端部）は、ボディ配線膜５の他方の端部（コンタクト電極との接続側とは反対側の端部）に接続される。また、第１接続ピン１３ａの他方の端部（図４では上端部）は、ボディ端子用の第１ＤＵＴ間配線２１に接続される。第２接続ピン１３ｂの一方の端部（図３では下端部）は、ソース配線膜６の他方の端部に接続され、第２接続ピン１３ｂの他方の端部（図３では上端部）は、ソース端子用の第２ＤＵＴ間配線２２に接続される。第３接続ピン１３ｃの一方の端部は、ドレイン配線膜７の他方の端部に接続され、第３接続ピン１３ｃの他方の端部は、ドレイン端子用の第３ＤＵＴ間配線２３に接続される。そして、第４接続ピン１３ｄの一方の端部は、ゲート配線膜８の他方の端部に接続され、第４接続ピン１３ｄの他方の端部は、ゲート端子用の第４ＤＵＴ間配線２４に接続される。
【００３７】
［接続ピンの配置及びテストストラクチャの回転操作］
本実施形態のＤＵＴ１０では、図２に示すように、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄはそれぞれ、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４と接続される位置に配置される。すなわち、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄは、ＤＵＴ１０のパターン形成面内（図２中のＸ−Ｙ面内）において、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４の形成領域と重なる位置に配置される。
【００３８】
ただし、本実施形態では、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄを、ＤＵＴ１０のパターン形成面内における回転中心Ｏ（ゲート電極４の略中央）を通り、かつ、ＤＵＴ間配線の延在方向（図２の例ではＸ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ１上に配置する。より詳細には、例えば、いま、ＤＵＴ１０の回転中心Ｏ（回転中心位置）の座標を原点とするＸＹ直交座標系（右手系）を設定した場合、直線Ｌ１はＹ＝−Ｘで表され、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄの各座標はＹ＝−Ｘの直線Ｌ１上の座標となる。
【００３９】
ここで、図５に、上記構成の第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄを有するＤＵＴ１０のパターンを、そのパターン形成面内において、回転中心Ｏを中心にして、基本状態から配線部２０に対して相対的に右回り方向に９０度回転した際の様子を示す。なお、図５は、回転後のＤＵＴ１０の第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄと、配線部２０の第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４との間の接続関係を示す図である。
【００４０】
図５から明らかなように、本実施形態の構成では、ＤＵＴ１０のパターンを配線部２０に対して相対的に右周り方向（図５中の矢印Ａ０方向）に９０度回転させた場合にも、回転前の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持できることが分かる。
【００４１】
上述のようなＤＵＴ１０のセルデータ（パターン）の回転操作は、例えば、テストストラクチャ１００を、それが配置されるスクライブラインの延在方向に応じて、９０度回転させる必要が有る場合に実施される。具体的には、図１に示すように、Ｘ軸方向に延在した矩形状の形成領域を有するテストストラクチャ１００を、Ｘ軸方向に延在するスクライブライン上に配置する場合には、テストストラクチャ１００を回転することなく、基本状態のまま配置すればよい。しかしながら、例えば、Ｙ軸方向に延在するスクライブライン上にテストストラクチャ１００を設ける場合には、テストストラクチャ１００を９０度回転させる必要があり、この際には、上記ＤＵＴ１０の回転操作が実施される。その様子を図６（ａ）及び（ｂ）に示す。
【００４２】
図６（ａ）は、基本状態のＤＵＴ１０の第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄと、配線部２０の第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４との間の接続関係を示す図である。一方、図６（ｂ）は、回転後のＤＵＴ１０の第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄと、配線部２０の第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４との間の接続関係を示す図である。なお、図６（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ１０の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ１０の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ１０の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。ただし、ＤＵＴ１０の形成領域の外周端を規定する外枠は、例えば、レイアウト設計エディタによりデフォルトで設定される。
【００４３】
図６（ａ）中のＹ軸方向に延在するスクライブライン上にテストストラクチャ１００を設ける場合には、設計データ上において、ＤＵＴ１０のパターンを配線部２０に対して相対的に右周り方向（図６（ｂ）中の矢印Ａ１方向）に９０度回転させる。また、この際、テストストラクチャ１００全体を回転中心Ｏに対して、左周り方向（図６（ｂ）中の矢印Ａ２方向）に９０度回転させる。この結果、回転後には、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４の延在方向はＹ軸方向となるが、接続ピン（図６（ｂ）中のＢ，Ｓ，Ｄ，Ｇ）とＤＵＴ間配線との間の接続関係は、基本状態（図６（ａ））のそれと同じになる。
【００４４】
すなわち、テストストラクチャ１００の全体形状を横長形状から縦長形状に変更する際には、テストストラクチャ１００全体の回転方向と逆方向にＤＵＴ１０を９０度回転させることにより、接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。なお、この際、図２と図５との比較から明らかなように、ＤＵＴ１０内の各種内部配線のパターンや各種コンタクト電極の位置等の構成を修正する必要がない。
【００４５】
［レイアウト設計手法］
次に、本実施形態のテストストラクチャ１００のレイアウト設計手法（レイアウト方法）を、図７を参照しながら説明する。図７は、本実施形態のテストストラクチャ１００のレイアウト設計手法の具体的な手順を示すフローチャートである。
【００４６】
まず、オペレータは、レイアウト設計エディタを用いて、ＤＵＴ１０のレイアウト設計パターン（レイアウトパターン）を作成する（ステップＳ１）。具体的には、オペレータは、レイアウト設計エディタを用いて、ＤＵＴ１０のソース領域、ドレイン領域、ウエル接続部、ゲート電極、各コンタクト電極、各内部配線、及び、各接続ピンのレイアウト設計パターンを作成する。この際、図２に示すように、ＤＵＴ１０のパターン形成面内のＸＹ直交座標系（原点はＤＵＴ１０の回転中心Ｏ）において、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄの座標が、Ｙ＝−Ｘで表される直線Ｌ１上の座標になるように、各接続ピンを配置する。
【００４７】
次いで、オペレータは、レイアウト設計エディタを用いて、ＤＵＴ１０のセルデータの上位階層となる各種ＤＵＴ間配線（配線部２０）のレイアウト設計パターン（レイアウトパターン）を作成する（ステップＳ２）。この際、本実施形態では、各ＤＵＴ間配線の延在方向がＤＵＴ１０のゲート方向と直交する方向（図２中のＸ軸方向）になるように、各ＤＵＴ間配線のレイアウト設計パターンを作成する。
【００４８】
上記ステップＳ１及びＳ２により、テストストラクチャ１００の基本状態のレイアウト設計パターンが作成される。なお、本実施形態では、ステップＳ２の設計操作をステップＳ１の設計操作の前に行ってもよい。
【００４９】
次いで、テストストラクチャ１００をウエハ上の所定領域（例えばスクライブライン上）に配置した際に、例えばオペレータは、レイアウト設計エディタ上で、ＤＵＴ１０のゲート方向が所望の方向であるか否かを判定する（ステップＳ３）。具体的には、本実施形態では、この際、例えばオペレータは、レイアウト設計エディタ上で、ＤＵＴ１０のゲート方向が図２中のＹ軸方向であるか否かを判定する。
【００５０】
ステップＳ３において、例えば、Ｘ軸方向に延在するスクライブライン上にテストストラクチャ１００を配置した場合には、ゲート方向が所望の方向（Ｙ軸方向）に向くので、ステップＳ３はＹＥＳ判定となる。この場合、テストストラクチャ１００を基本状態で配置すればよいので、例えばオペレータは、ＤＵＴ１０のセルデータを回転させずにテストストラクチャ１００を所定の位置に配置する（ステップＳ４）。
【００５１】
一方、ステップＳ３において、例えば、Ｙ軸方向に延在するスクライブライン上にテストストラクチャ１００を配置した場合には、テストストラクチャ１００全体が９０度回転する。この場合には、ゲート方向が所望の方向（Ｙ軸方向）と直交する方向（Ｘ軸方向）に向くので、ステップＳ３はＮＯ判定となる。それゆえ、この場合、例えばオペレータは、ＤＵＴ１０のセルデータのみを、テストストラクチャ１００全体の回転方向と逆方向に９０度回転させてゲート方向を所望の方向に向ける（ステップＳ５）。ただし、この際、本実施形態（図２及び５に示す例）では、ＤＵＴ１０のセルデータを配線部２０に対して相対的に右回り方向に９０度回転させる。
【００５２】
なお、レイアウト設計エディタとして、例えば、Ｃａｄｅｎｃｅ社製のＶｉｒｔｕｏｓｏを用いた場合には、ＤＵＴ１０の上記回転操作は、レイアウト設計エディタ上でＤＵＴインスタンス（又はＤＵＴセル）の回転情報を操作することにより実現できる。また、ＤＵＴ１０の回転操作の別の手法として、例えば、配線部２０の階層において、ＤＵＴ１０の引用情報に含まれるＤＵＴ１０の角度情報を直接操作する手法を用いてもよい。
【００５３】
本実施形態では、上述のようにして、テストストラクチャ１００のレイアウト設計パターンを作成する。なお、上記ステップＳ３以降の動作の説明では、オペレータが各種操作を行う例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、レイアウト設計エディタが、自身の内部に含まれるプログラムを用いて、上記ステップＳ３以降の操作を自動的に実施するようにしてもよい。
【００５４】
［比較例］
ここで、比較のため、本実施形態のＤＵＴ１０の接続ピンの配置構成を適用しない場合のテストストラクチャの構成例（比較例）を、図８に示す。なお、図８に示す比較例のテストストラクチャ１１０において、図２に示す本実施形態のテストストラクチャ１００と同様の構成には、同じ符号を付して示す。また、比較例では、ＤＵＴ１１１がＭＯＳトランジスタである例を示す。
【００５５】
図８と図２との比較から明らかなように、比較例のＤＵＴ１１１の各内部配線の形状、及び、各接続ピンの配置位置が、本実施形態のＤＵＴ１０のそれらと異なる。それ以外のテストストラクチャ１１０の構成は、本実施形態のテストストラクチャ１００の対応する構成と同様である。
【００５６】
比較例のＤＵＴ１１１では、ボディ配線膜１０５、ソース配線膜１０６、ドレイン配線膜１０７及びゲート配線膜１０８をメタル層Ｍ１の形成面内において、直線状に延在した金属膜で構成する。そして、ＤＵＴ１１１のパターン形成面内のＸＹ直交座標系（原点はＤＵＴ１１１の回転中心Ｏ）において、第１接続ピン１１３ａ〜第４接続ピン１１３ｄの座標が、Ｙ＝−Ｘで表される直線Ｌ１上の座標にならないように、各接続ピンを配置する。なお、従来の設計手法では、ＤＵＴの各内部配線の形状、及び、各接続ピンの配置位置は、例えば、ＤＵＴの形成スペース、デザインルール等の条件を満たす範囲内で任意に設定される。
【００５７】
比較例の構成では、図示しないが、ＤＵＴ１１１のパターンを配線部２０に対して相対的に９０度回転させても、基本状態における接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を回転後も維持することはできない。それゆえ、比較例において、例えば、スクライブラインの延在方向に応じてテストストラクチャ１１０を９０度回転させる必要がある場合には、ＤＵＴ１１１の各内部配線の形状、及び、各接続ピンの配置位置等の構成を適宜修正する必要がある。
【００５８】
それに対して、本実施形態のテストストラクチャ１００では、テストストラクチャ１００を９０度回転させる必要がある場合には、上述のように、ＤＵＴ１０のパターンを配線部２０に対して相対的に９０度回転させるだけで対応することができる。また、この際、本実施形態では、回転前のＤＵＴ１０内の各種内部配線、及び、配線部２０の各種ＤＵＴ間配線のパターンを修正（変更）することなく、基本状態における接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を回転後も維持することができる。それゆえ、本実施形態では、比較例に比べて、より簡易にテストストラクチャ１００を設計することができる。
【００５９】
また、本実施形態のテストストラクチャ１００では、上述のように、ＤＵＴ１０の引用情報内の回転情報を操作するだけで、ＤＵＴ１０の配置方向（縦又は横方向）を設定することができる。それゆえ、本実施形態のテストストラクチャ１００の設計技術を用いた場合には、ＤＵＴ１０と、その上位のＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持しながら、ＤＵＴ１０の配置方向を簡易に選択することのできるレイアウト設計システムを構築することができる。
【００６０】
なお、上記特許文献１で提案されている設計手法のように、接続ピンをＬ字型ルーティング構造体で構成した場合、テストストラクチャ全体を９０度回転させても、ＤＵＴの内部配線及びＤＵＴ間配線のパターンを修正する必要がない。しかしながら、本実施形態におけるテストストラクチャ１００の設計手法では、上記特許文献１で提案されている設計手法に対して、次のような利点を有する。
【００６１】
上記特許文献１の設計手法では、２つのＬ字状の接続ピンを、ＤＵＴの回転中心を間に挟んで対向する位置に形成する必要があり、レイアウト上の制約が大きく、設計の自由度が小さい。
【００６２】
それに対して、本実施形態では、ＤＵＴ１０のパターン形成面内のＸＹ直交座標系（原点はＤＵＴ１０の回転中心Ｏ）において、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄの座標が、Ｙ＝−Ｘで表される直線Ｌ１上の座標になるように、各接続ピンを配置すればよい。それ以外のテストストラクチャ１００のレイアウト設計パターンの構成は、例えばデザインルール等の条件を満足する範囲内で、任意に設定することができる。それゆえ、本実施形態では、特許文献１の手法に比べて、レイアウト上の制約が小さく、設計の自由度を大きくすることができる。
【００６３】
また、特許文献１の設計手法では、一つの金属配線層に、多くても２つのＬ字状の接続ピンしか形成することができない。すなわち、一つのＤＵＴに対して、３つ以上の接続ピンを設ける必要がある場合（ＭＯＳトランジスタの場合には４つの接続ピンが必要）には、一つのＤＵＴに対して金属配線層を２層以上設ける必要がある。
【００６４】
それに対して、本実施形態の設計手法では、上述のように、全ての接続ピンを一つの層に形成することができる。また、本実施形態では、各内部配線のパターン形状も任意に設定することができる。さらに、本実施形態では、全ての内部配線を一つの金属配線層（Ｍ１）に形成することができ、ＤＵＴ間配線の有効利用も可能になる。
【００６５】
＜２．第２の実施形態＞
［テストストラクチャの構成］
図９に、本開示の第２の実施形態に係るテストストラクチャの概略構成を示す。図９は、第２の実施形態のテストストラクチャ１２０における基本状態（回転前）のＤＵＴ及び各種ＤＵＴ間配線のレイアウト設計パターンの概略平面図である。なお、図９に示す本実施形態のテストストラクチャ１２０において、図２に示す第１の実施形態のテストストラクチャ１００と同様の構成には、同じ符号を付して示す。
【００６６】
本実施形態のテストストラクチャ１２０は、図示しないが、上記第１の実施形態と同様に、複数のＤＵＴ３０と、複数のテスト用電極パッドと、該複数のテスト用電極パッド及び各ＤＵＴ３０間をそれぞれ接続する複数のＤＵＴ間配線を有する配線部とを備える。また、テストストラクチャ１２０は、図示しないが、半導体基板（基板）を備え、該半導体基板上に、ＤＵＴ３０、テスト用電極パッド及び配線部が形成される。なお、本実施形態のテストストラクチャ１２０では、ＤＵＴ本体をＭＯＳトランジスタで構成するので、配線部は、上記第１の実施形態と同様に、４本のＤＵＴ間配線（第１ＤＵＴ間配線４１〜第４ＤＵＴ間配線４４）で構成される。
【００６７】
ただし、図９と図２との比較から明らかなように、本実施形態では、上記第１の実施形態において、ソース端子用の第２ＤＵＴ間配線の配置位置とドレイン端子用の第３ＤＵＴ間配線の配置位置とを入れ替えた構成となる。すなわち、本実施形態では、第２ＤＵＴ間配線４２がドレイン端子用のＤＵＴ間配線となり、第３ＤＵＴ間配線４３がソース端子用のＤＵＴ間配線となる。それ以外の各ＤＵＴ間配線の構成は、上記第１の実施形態の対応する構成と同様である。
【００６８】
また、本実施形態のＤＵＴ３０は、図９と図２との比較から明らかなように、本実施形態のＤＵＴ３０の各接続ピンの配置位置、各内部配線の形状等の構成が、上記第１の実施形態のＤＵＴ１０のそれらと異なる。それ以外のＤＵＴ３０の構成は、上記第１の実施形態のＤＵＴ１０の対応する構成と同様である。
【００６９】
本実施形態では、第１接続ピン３３ａ、第２接続ピン３３ｂ、第３接続ピン３３ｃ及び第４接続ピン３３ｄは、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線４１、第３ＤＵＴ間配線４３、第２ＤＵＴ間配線４２及び第４ＤＵＴ間配線４４と接続される位置に配置される。すなわち、第１接続ピン３３ａ、第３接続ピン３３ｃ、第２接続ピン３３ｂ及び第４接続ピン３３ｄは、ＤＵＴ３０のパターン形成面内（図９中のＸ−Ｙ面内）において、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線４１〜第４ＤＵＴ間配線４４の形成領域と重なる位置に配置される。
【００７０】
さらに、本実施形態では、第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄを、ＤＵＴ３０のパターン形成面内における回転中心Ｏ（ゲート電極４の略中央）を通り、かつ、ＤＵＴ間配線の延在方向（図９中のＸ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ２上に配置する。ただし、本実施形態では、図９中のＹ軸方向に対する直線Ｌ２の傾き方向が、上記第１の実施形態における直線Ｌ１の傾き方向と逆になる。より詳細には、例えば、いま、ＤＵＴ３０の回転中心Ｏの座標を原点とするＸＹ直交座標系（右手系）を設定した場合、直線Ｌ２はＹ＝Ｘで表され、第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄの各座標はＹ＝Ｘの直線Ｌ２上の座標となる。
【００７１】
また、本実施形態では、ボディ配線膜３５、ソース配線膜３６、ドレイン配線膜３７及びゲート配線膜３８は、それぞれ、メタル層Ｍ１に形成され、そのメタル層Ｍ１の形成面内において、略Ｌ字状に延在した金属膜で構成される。
【００７２】
ただし、本実施形態では、上述した各接続ピンの位置の変更に伴い、各内部配線のパターンも変わる。具体的には、本実施形態のボディ配線膜３５及びゲート配線膜３８のＬ字形状パターンは、図９中のＹ軸方向に対して、上記第１の実施形態のボディ配線膜５及びゲート配線膜８のＬ字形状パターンとそれぞれ線対称になる。また、本実施形態のソース配線膜３６及びドレイン配線膜３７のＬ字形状パターンは、図９中のＸ軸方向に対して、上記第１の実施形態のソース配線膜６及びドレイン配線膜７のＬ字形状パターンとそれぞれ線対称になる。
【００７３】
なお、上記構成の本実施形態のテストストラクチャ１２０は、上記第１の実施形態で説明したテストストラクチャ１００の設計手順（図７）と同様の手順により設計することができる。
【００７４】
［テストストラクチャの回転操作］
本実施形態のテストストラクチャ１２０では、ＤＵＴ３０のパターンを配線部に対して相対的に左周り方向に９０度回転させた場合に、回転後も、回転前の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。その回転操作例を、図１０（ａ）及び（ｂ）に示す。
【００７５】
図１０（ａ）は、基本状態のＤＵＴ３０の第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線４１〜第４ＤＵＴ間配線４４との間の接続関係を示す図である。一方、図１０（ｂ）は、回転後のＤＵＴ３０の第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線４１〜第４ＤＵＴ間配線４４との間の接続関係を示す図である。また、図１０（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ３０の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ３０の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ３０の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。
【００７６】
なお、図１０（ａ）及び（ｂ）に示す回転操作は、例えば、テストストラクチャ１２０を配置するスクライブラインの延在方向に応じて、テストストラクチャ１２０全体を９０度回転する必要がある場合に実施される。
【００７７】
本実施形態のテストストラクチャ１２０を基本状態（図１０（ａ））から９０度回転させる場合には、設計データ上において、ＤＵＴ３０のパターンを配線部に対して相対的に左周り方向（図１０（ｂ）中の矢印Ａ３方向）に９０度回転させる。また、この際、テストストラクチャ１２０全体を回転中心Ｏに対して、右周り方向（図１０（ｂ）中の矢印Ａ４方向）に９０度回転させる。この結果、回転後には、第１ＤＵＴ間配線４１〜第４ＤＵＴ間配線４４の延在方向はＹ軸方向となるが、接続ピン（図１０（ｂ）中のＢ，Ｓ，Ｄ，Ｇ）とＤＵＴ間配線との間の接続関係は、基本状態（図１０（ａ））のそれと同じになる。
【００７８】
すなわち、本実施形態においても、テストストラクチャ１２０を９０度回転させる際には、テストストラクチャ１２０全体の回転方向と逆方向にＤＵＴ３０を９０度回転させることにより、接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。また、この際、本実施形態においても、ＤＵＴ３０内の各種内部配線のパターンや各種コンタクト電極の位置等の構成を変える必要がない。それゆえ、本実施形態においても、より簡易にテストストラクチャ１２０を設計することができ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７９】
＜３．第３の実施形態＞
上記第１及び第２の実施形態では、テストストラクチャの基本状態において、ＤＵＴ間配線の延在方向がゲート方向と直交する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。テストストラクチャの基本状態において、ＤＵＴ間配線の延在方向がゲート方向と平行である場合にも、本開示のテストストラクチャの設計技術を適用することができる。第３の実施形態では、その一例を説明する。
【００８０】
［テストストラクチャの構成］
図１１に、本開示の第３の実施形態に係るテストストラクチャの概略構成を示す。図１１は、第３の実施形態のテストストラクチャ１３０における基本状態（回転前）のＤＵＴ及び各種ＤＵＴ間配線のレイアウト設計パターンの概略平面図である。なお、図１１に示す本実施形態のテストストラクチャ１３０において、図２に示す第１の実施形態のテストストラクチャ１００と同様の構成には、同じ符号を付して示す。
【００８１】
本実施形態のテストストラクチャ１３０は、図示しないが、上記第１の実施形態と同様に、複数のＤＵＴ１０と、複数のテスト用電極パッドと、該複数のテスト用電極パッド及び各ＤＵＴ１０間をそれぞれ接続する複数のＤＵＴ間配線を有する配線部とを備える。また、テストストラクチャ１３０は、図示しないが、半導体基板（基板）を備え、該半導体基板上に、ＤＵＴ１０、テスト用電極パッド及び配線部が形成される。なお、本実施形態のテストストラクチャ１３０では、ＤＵＴ本体をＭＯＳトランジスタで構成するので、配線部は、上記第１の実施形態と同様に、４本のＤＵＴ間配線（第１ＤＵＴ間配線５１〜第４ＤＵＴ間配線５４）で構成される。
【００８２】
また、図１１と図２との比較から明らかなように、本実施形態のテストストラクチャ１３０は、上記第１の実施形態のテストストラクチャ１００において、各ＤＵＴ間配線の延在方向をＤＵＴ１０のゲート電極４の延在方向（Ｙ軸方向）と平行にした構成である。テストストラクチャ１３０のそれ以外の構成は、上記第１の実施形態の対応する構成と同様である。
【００８３】
ただし、本実施形態においても、図１１に示すように、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄはそれぞれ、第１ＤＵＴ間配線５１〜第４ＤＵＴ間配線５４と接続される位置に配置される。すなわち、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄは、ＤＵＴ１０のパターン形成面内（図１１中のＸ−Ｙ面内）において、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線５１〜第４ＤＵＴ間配線５４の形成領域と重なる位置に配置される。
【００８４】
さらに、本実施形態では、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄを、ＤＵＴ１０のパターン形成面内における回転中心Ｏ（ゲート電極４の略中央）を通り、かつ、ＤＵＴ間配線の延在方向（図１１中のＹ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ１上に配置する。すなわち、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様に、ＤＵＴ１０の回転中心Ｏの座標を原点とするＸＹ直交座標系において、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄの各座標が、Ｙ＝−Ｘで表される直線Ｌ１上の座標となるように、各接続ピンが配置される。
【００８５】
なお、上記構成の本実施形態のテストストラクチャ１３０は、上記第１の実施形態で説明したテストストラクチャ１００の設計手順（図７）と同様の手順により設計することができる。
【００８６】
［テストストラクチャの回転操作］
本実施形態のテストストラクチャ１３０では、ＤＵＴ１０のパターンを配線部に対して相対的に左周り方向に９０度回転させた場合に、回転後も、回転前の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。その回転操作例を、図１２（ａ）及び（ｂ）に示す。
【００８７】
図１２（ａ）は、基本状態のＤＵＴ１０の第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線５１〜第４ＤＵＴ間配線５４との間の接続関係を示す図である。一方、図１２（ｂ）は、回転後のＤＵＴ１０の第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線５１〜第４ＤＵＴ間配線５４との間の接続関係を示す図である。また、図１２（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ１０の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ１０の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ１０の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。
【００８８】
なお、図１２（ａ）及び（ｂ）に示す回転操作は、例えば、テストストラクチャ１３０を配置するスクライブラインの延在方向に応じて、テストストラクチャ１３０全体を９０度回転する必要がある場合に実施される。
【００８９】
本実施形態のテストストラクチャ１３０を基本状態（図１２（ａ））から９０度回転させる場合には、設計データ上において、ＤＵＴ１０のパターンを配線部に対して相対的に左周り方向（図１２（ｂ）中の矢印Ａ５方向）に９０度回転させる。また、この際、テストストラクチャ１３０全体を回転中心Ｏに対して、右周り方向（図１２（ｂ）中の矢印Ａ６方向）に９０度回転させる。この結果、回転後には、第１ＤＵＴ間配線５１〜第４ＤＵＴ間配線５４の延在方向はＸ軸方向となるが、接続ピン（図１２（ｂ）中のＢ，Ｓ，Ｄ，Ｇ）とＤＵＴ間配線との間の接続関係は、基本状態（図１２（ａ））のそれと同じになる。
【００９０】
すなわち、本実施形態においても、テストストラクチャ１３０を９０度回転させる際には、テストストラクチャ１３０全体の回転方向と逆方向にＤＵＴ１０を９０度回転させることにより、接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。また、この際、本実施形態においても、ＤＵＴ１０内の各種内部配線のパターンや各種コンタクト電極の位置等の構成を変える必要がない。それゆえ、本実施形態においても、より簡易にテストストラクチャ１３０を設計することができ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００９１】
＜４．第４の実施形態＞
上記第３の実施形態では、上記第１の実施形態のテストストラクチャ１００において、ＤＵＴ間配線の延在方向をゲート方向と平行にする例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、上記第２の実施形態のテストストラクチャ１２０において、ＤＵＴ間配線の延在方向をゲート方向と平行にしてもよい。第４の実施形態では、その一例を説明する。
【００９２】
［テストストラクチャの構成］
図１３に、本開示の第４の実施形態に係るテストストラクチャの概略構成を示す。図１３は、第４の実施形態のテストストラクチャ１４０における基本状態（回転前）のＤＵＴ及び各種ＤＵＴ間配線のレイアウト設計パターンの概略平面図である。なお、図１３に示す本実施形態のテストストラクチャ１４０において、図９に示す第２の実施形態のテストストラクチャ１２０と同様の構成には、同じ符号を付して示す。
【００９３】
本実施形態のテストストラクチャ１４０は、図示しないが、上記第１の実施形態と同様に、複数のＤＵＴ３０と、複数のテスト用電極パッドと、該複数のテスト用電極パッド及び各ＤＵＴ３０間をそれぞれ接続する複数のＤＵＴ間配線を有する配線部とを備える。また、テストストラクチャ１４０は、図示しないが、半導体基板（基板）を備え、該半導体基板上に、ＤＵＴ３０、テスト用電極パッド及び配線部が形成される。なお、本実施形態のテストストラクチャ１４０では、ＤＵＴ本体をＭＯＳトランジスタで構成するので、配線部は、上記第１の実施形態と同様に、４本のＤＵＴ間配線（第１ＤＵＴ間配線６１〜第４ＤＵＴ間配線６４）で構成される。
【００９４】
また、図１３と図９との比較から明らかなように、本実施形態のテストストラクチャ１４０は、上記第２の実施形態のテストストラクチャ１２０において、各ＤＵＴ間配線の延在方向をＤＵＴ３０のゲート方向（Ｙ軸方向）と平行にした構成である。テストストラクチャ１４０のそれ以外の構成は、上記第２の実施形態の対応する構成と同様である。
【００９５】
ただし、本実施形態においても、図１３に示すように、第１接続ピン３３ａ、第３接続ピン３３ｃ、第２接続ピン３３ｂ及び第４接続ピン３３ｄはそれぞれ、第１ＤＵＴ間配線６１〜第４ＤＵＴ間配線６４と接続される位置に配置される。すなわち、第１接続ピン３３ａ、第３接続ピン３３ｃ、第２接続ピン３３ｂ及び第４接続ピン３３ｄは、図１３中のＸ−Ｙ面内において、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線６１〜第４ＤＵＴ間配線６４の形成領域と重なる位置に配置される。
【００９６】
さらに、本実施形態では、第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄを、ＤＵＴ３０のパターン形成面内における回転中心Ｏ（ゲート電極４の略中央）を通り、かつ、ＤＵＴ間配線の延在方向（図１３中のＹ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ２上に配置する。すなわち、本実施形態では、上記第２の実施形態と同様に、ＤＵＴ３０の回転中心Ｏの座標を原点とするＸＹ直交座標系において、第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄの各座標が、Ｙ＝Ｘで表される直線Ｌ２上の座標となるように、各接続ピンが配置される。
【００９７】
なお、上記構成の本実施形態のテストストラクチャ１４０は、上記第１の実施形態で説明したテストストラクチャ１００の設計手順（図７）と同様の手順により設計することができる。
【００９８】
［テストストラクチャの回転操作］
本実施形態のテストストラクチャ１４０では、ＤＵＴ３０のパターンを配線部に対して相対的に右周り方向に９０度回転させた場合に、回転後も、回転前の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。その回転操作例を、図１４（ａ）及び（ｂ）に示す。
【００９９】
図１４（ａ）は、基本状態のＤＵＴ３０の第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線６１〜第４ＤＵＴ間配線６４との間の接続関係を示す図である。一方、図１４（ｂ）は、回転後のＤＵＴ３０の第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線６１〜第４ＤＵＴ間配線６４との間の接続関係を示す図である。また、図１４（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ３０の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ３０の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ３０の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。
【０１００】
なお、図１４（ａ）及び（ｂ）に示す回転操作は、例えば、テストストラクチャ１４０を配置するスクライブラインの延在方向に応じて、テストストラクチャ１４０全体を９０度回転する必要がある場合に実施される。
【０１０１】
本実施形態のテストストラクチャ１４０を基本状態（図１４（ａ））から９０度回転させる場合には、設計データ上において、ＤＵＴ３０のパターンを配線部に対して相対的に右周り方向（図１４（ｂ）中の矢印Ａ７方向）に９０度回転させる。また、この際、テストストラクチャ１４０全体を回転中心Ｏに対して、左周り方向（図１４（ｂ）中の矢印Ａ８方向）に９０度回転させる。この結果、回転後には、第１ＤＵＴ間配線６１〜第４ＤＵＴ間配線６４の延在方向はＸ軸方向となるが、接続ピン（図１４（ｂ）中のＢ，Ｓ，Ｄ，Ｇ）とＤＵＴ間配線との間の接続関係は、基本状態（図１４（ａ））のそれと同じになる。
【０１０２】
すなわち、本実施形態においても、テストストラクチャ１４０を９０度回転させる際には、テストストラクチャ１４０全体の回転方向と逆方向にＤＵＴ３０を９０度回転させることにより、接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。また、この際、本実施形態においても、ＤＵＴ３０内の各種内部配線のパターンや各種コンタクト電極の位置等の構成を変える必要がない。それゆえ、本実施形態においても、より簡易にテストストラクチャ１４０を設計することができ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１０３】
＜５．第５の実施形態＞
上記第１〜第４の実施形態では、複数のＤＵＴ間配線の全てが同じ方向に延在するテストストラクチャの構成例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、複数のＤＵＴ間配線のうち、一部のＤＵＴ間配線の延在方向と、残りのＤＵＴ間配線の延在方向とが互いに直交していてもよい。第５の実施形態では、その一例を説明する。
【０１０４】
［テストストラクチャの構成］
図１５に、本開示の第５の実施形態に係るテストストラクチャの概略構成を示す。図１５は、第５の実施形態のテストストラクチャ１５０における基本状態（回転前）のＤＵＴ及び各種ＤＵＴ間配線のレイアウト設計パターンの概略平面図である。また、図１５に示す本実施形態のテストストラクチャ１５０において、図９に示す第２の実施形態のテストストラクチャ１２０と同様の構成には、同じ符号を付して示す。
【０１０５】
本実施形態のテストストラクチャ１５０は、図示しないが、上記第１の実施形態と同様に、複数のＤＵＴ７０と、複数のテスト用電極パッドと、該複数のテスト用電極パッド及び各ＤＵＴ７０間をそれぞれ接続する複数のＤＵＴ間配線を有する配線部とを備える。また、テストストラクチャ１５０は、図示しないが、半導体基板（基板）を備え、該半導体基板上に、ＤＵＴ７０、テスト用電極パッド及び配線部が形成される。なお、本実施形態のテストストラクチャ１５０では、ＤＵＴ本体をＭＯＳトランジスタで構成するので、配線部は、上記第１の実施形態と同様に、４本のＤＵＴ間配線（第１ＤＵＴ間配線８１〜第４ＤＵＴ間配線８４）で構成される。
【０１０６】
ただし、本実施形態では、ボディ端子用の第１ＤＵＴ間配線８１及びゲート端子用の第４ＤＵＴ間配線８４（第１配線）の延在方向は、上記第２の実施形態と同様に、図１５中のＸ軸方向とする。しかしながら、ドレイン端子用の第２ＤＵＴ間配線８２及びソース端子用の第３ＤＵＴ間配線８３（第２配線）の延在方向は、図１５中のＹ軸方向とする。すなわち、本実施形態では、ドレイン端子用の第２ＤＵＴ間配線８２及びソース端子用の第３ＤＵＴ間配線８３の延在方向を、ボディ端子用の第１ＤＵＴ間配線８１及びゲート端子用の第４ＤＵＴ間配線８４の延在方向と直交させる。
【０１０７】
また、本実施形態では、ボディ端子用の第１ＤＵＴ間配線８１及びゲート端子用の第４ＤＵＴ間配線８４を、上記第２の実施形態と同様に、メタル層Ｍ２に形成する。一方、ドレイン端子用の第２ＤＵＴ間配線８２及びソース端子用の第３ＤＵＴ間配線８３は、メタル層Ｍ２上に図示しない層間絶縁膜を介して形成されたメタル層Ｍ３に形成される。なお、各ＤＵＴ間配線の上記以外の構成は、上記第２の実施形態のそれと同様である。
【０１０８】
また、本実施形態のＤＵＴ７０は、図１５と図９との比較から明らかなように、本実施形態のＤＵＴ７０の各接続ピンの配置位置、各内部配線の形状等の構成が、上記第２の実施形態のＤＵＴ３０のそれらと異なる。それ以外のＤＵＴ７０の構成は、上記第２の実施形態のＤＵＴ３０の対応する構成と同様である。
【０１０９】
本実施形態では、第１接続ピン７３ａ、第２接続ピン７３ｂ、第３接続ピン７３ｃ及び第４接続ピン７３ｄはそれぞれ、第１ＤＵＴ間配線８１、第３ＤＵＴ間配線８３、第２ＤＵＴ間配線８２及び第４ＤＵＴ間配線８４と接続される位置に配置される。すなわち、第１接続ピン７３ａ、第３接続ピン７３ｃ、第２接続ピン７３ｂ及び第４接続ピン７３ｄは、ＤＵＴ７０のパターン形成面内（図１５中のＸ−Ｙ面内）において、それぞれ第１ＤＵＴ間配線８１〜第４ＤＵＴ間配線８４の形成領域と重なる位置に配置される。
【０１１０】
さらに、本実施形態では、第１接続ピン７３ａ及び第４接続ピン７３ｄを、ＤＵＴ７０のパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、対応するＤＵＴ間配線の延在方向（図１５中のＸ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ２上に配置する。具体的には、本実施形態では、上記第２の実施形態と同様に、ＤＵＴ７０の回転中心Ｏの座標を原点とするＸＹ直交座標系において、第１接続ピン７３ａ及び第４接続ピン７３ｄの各座標が、Ｙ＝Ｘで表される直線Ｌ２上の座標となるように、各接続ピンが配置される。
【０１１１】
また、本実施形態では、第２接続ピン７３ｂ及び第３接続ピン７３ｃを、ＤＵＴ７０のパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、対応するＤＵＴ間配線の延在方向（図１５中のＹ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ１上に配置する。具体的には、上記第３の実施形態と同様に、ＤＵＴ７０の回転中心Ｏの座標を原点とするＸＹ直交座標系において、第２接続ピン７３ｂ及び第３接続ピン７３ｃの各座標が、Ｙ＝−Ｘで表される直線Ｌ１上の座標となるように、各接続ピンが配置される。すなわち、本実施形態におけるテストストラクチャ１５０の接続ピンの配置構成は、上記第２の実施形態の構成と、上記第３の実施形態の構成とを組み合わせたものとなる。
【０１１２】
また、本実施形態では、ボディ配線膜３５、ソース配線膜７６、ドレイン配線膜７７及びゲート配線膜３８は、それぞれ、ＤＵＴ７０の形成面内において、略Ｌ字状に延在した金属膜で構成される。
【０１１３】
ただし、本実施形態では、上述した各接続ピンの位置の変更に伴い、各内部配線のパターンも変わる。具体的には、ボディ配線膜３５及びゲート配線膜３８のＬ字形状パターンは、上記第２の実施形態のそれらと同様になる。一方、ソース配線膜７６及びドレイン配線膜７７のＬ字形状パターンは、図１５中のＸ軸方向に対して、上記第２の実施形態のソース配線膜３６及びドレイン配線膜３７のＬ字形状パターンとそれぞれ線対称になる。
【０１１４】
なお、上記構成の本実施形態のテストストラクチャ１５０は、上記第１の実施形態で説明したテストストラクチャ１００の設計手順（図７）と同様の手順により設計することができる。
【０１１５】
［テストストラクチャの回転操作］
本実施形態のテストストラクチャ１５０では、ＤＵＴ７０のパターンを配線部に対して相対的に左周り方向に９０度回転させた場合に、回転後も、回転前の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。その回転操作例を、図１６（ａ）及び（ｂ）に示す。
【０１１６】
図１６（ａ）は、基本状態のＤＵＴ７０の第１接続ピン７３ａ〜第４接続ピン７３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線８１〜第４ＤＵＴ間配線８４との間の接続関係を示す図である。一方、図１６（ｂ）は、回転後のＤＵＴ７０の第１接続ピン７３ａ〜第４接続ピン７３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線８１〜第４ＤＵＴ間配線８４との間の接続関係を示す図である。なお、図１６（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ７０の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ７０の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ７０の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。
【０１１７】
なお、図１６（ａ）及び（ｂ）に示す回転操作は、例えば、テストストラクチャ１５０を配置するスクライブラインの延在方向に応じて、テストストラクチャ１５０全体を９０度回転する必要がある場合に実施される。
【０１１８】
本実施形態のテストストラクチャ１５０を基本状態（図１６（ａ））から９０度回転させる場合には、設計データ上において、ＤＵＴ７０のパターンを配線部に対して相対的に左周り方向（図１６（ｂ）中の矢印Ａ９方向）に９０度回転させる。また、この際、テストストラクチャ１５０全体を回転中心Ｏに対して、右周り方向（図１６（ｂ）中の矢印Ａ１０方向）に９０度回転させる。これにより、回転後には、第１ＤＵＴ間配線８１及び第４ＤＵＴ間配線８４の延在方向はＹ軸方向となり、第２ＤＵＴ間配線８２及び第３ＤＵＴ間配線８３の延在方向はＸ軸方向となる。しかしながら、回転後も接続ピン（図１６（ｂ）中のＢ，Ｓ，Ｄ，Ｇ）とＤＵＴ間配線との間の接続関係は、基本状態（図１６（ａ））のそれと同じになる。
【０１１９】
すなわち、本実施形態においても、テストストラクチャ１５０を９０度回転させる際には、テストストラクチャ１５０全体の回転方向と逆方向にＤＵＴ７０を９０度回転させることにより、接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。また、この際、本実施形態においても、ＤＵＴ７０内の各種内部配線のパターンや各種コンタクト電極の位置等の構成を変える必要がない。それゆえ、本実施形態においても、より簡易にテストストラクチャ１５０を設計することができ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１２０】
＜６．各種変形例＞
本開示のテストストラクチャの構成は、上記第１〜第５の実施形態で説明した構成例に限定されない。ＤＵＴとＤＵＴ間配線とを接続する接続ピンが、ＤＵＴのパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、該ＤＵＴ間配線の延在方向に対して所定角度で傾いた直線上の位置に配置されていればよい。また、この際、ＤＵＴをそのパターン形成面内で回転中心Ｏを中心にしてＤＵＴ間配線に対して相対的に９０度回転させた際にも、ＤＵＴ及びＤＵＴ間配線間の接続関係が維持されるような位置に接続ピンが配置されていればよい。本開示のテストストラクチャにおいて、このような接続ピンの配置位置以外の構成は、任意に設計することができる。ここでは、上記各種実施形態のテストストラクチャの各種変形例を説明する。
【０１２１】
［変形例１］
上記各種実施形態では、接続ピンが配置される直線がＤＵＴ間配線の延在方向に対して４５度傾いた直線である例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、ＤＵＴ間配線の線幅にある程度余裕がある場合には、接続ピンが配置される直線の方向とＤＵＴ間配線の延在方向との間の角度が、ＤＵＴを９０度回転させた際にＤＵＴとＤＵＴ間配線との間の接続関係が維持される範囲内で、４５度からずれていてもよい。
【０１２２】
変形例１では、そのような接続ピンの配置例を、図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下に説明する変形例１−１及び１−２のテストストラクチャでは、上記各種実施形態と同様にＤＵＴ本体をＭＯＳトランジスタで構成した例を説明する。それゆえ、下記変形例１−１及び１−２のＤＵＴでは、上記各種実施形態と同様に、ＭＯＳトランジスタのボディ（ウエル）、ソース、ドレイン及びゲートに、それぞれ、４つの接続ピン（第１〜第４接続ピン）が設けられる。また、ここでは、上記各種実施形態と同様に、４つの接続ピン（第１〜第４接続ピン）が、配線部内の対応する４本のＤＵＴ間配線（第１〜第４ＤＵＴ間配線）にそれぞれ接続される例を説明する。
【０１２３】
（１）変形例１−１
変形例１−１では、上記第１の実施形態と同様に、各ＤＵＴ間配線の線幅が比較的狭い場合のテストストラクチャの構成例を説明する。
【０１２４】
図１７（ａ）及び（ｂ）に、変形例１−１に係るテストストラクチャ１６０のＤＵＴ１６１における４つの接続ピン（第１接続ピン１６３ａ〜第４接続ピン１６３ｄ）の配置例を示す。図１７（ａ）は、基本状態におけるＤＵＴ１６１の第１接続ピン１６３ａ〜第４接続ピン１６３ｄ（図中の四角印）と、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４との間の接続関係を示す図である。一方、図１７（ｂ）は、回転操作後のＤＵＴ１６１の第１接続ピン１６３ａ〜第４接続ピン１６３ｄと、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４との間の接続関係を示す図である。
【０１２５】
なお、図１７（ａ）及び（ｂ）に示すテストストラクチャ１６０において、図２に示す上記第１の実施形態のテストストラクチャ１００と同様の構成には、同じ符号を付して示す。また、図１７（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ１６１の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ１６１の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ１６１の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。
【０１２６】
この例では、第１接続ピン１６３ａ〜第４接続ピン１６３ｄは、ＤＵＴ１６１のパターン形成面内（図１７（ａ）中のＸ−Ｙ面内）において、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４の形成領域と重なる位置に配置される。また、この例では、各接続ピンを、ＤＵＴ１６１のパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、ＤＵＴ間配線の延在方向（図１７（ａ）中のＸ軸方向）に対して、４５度（直線Ｌ１の傾斜角度）から少しずれた角度で傾いた直線Ｌ３上に配置する。さらに、この例では、直線Ｌ３の傾斜角度を、ＤＵＴ１６１のパターンを配線部に対して相対的に右周り方向（図１７（ｂ）中の矢印Ａ１１方向）に９０度回転させた際にも、各接続ピンと対応するＤＵＴ間配線との接続関係が維持されるような角度に設定する。
【０１２７】
なお、変形例１−１のテストストラクチャ１６０において、ＤＵＴ１６１の第１接続ピン１６３ａ〜第４接続ピン１６３ｄの配置位置以外の構成は、上記第１の実施形態のテストストラクチャ１００の対応する構成と同様である。
【０１２８】
上述のように、変形例１−１の構成では、接続ピンが配置される直線Ｌ３の方向とＤＵＴ間配線の延在方向との間の角度が４５度から多少ずれるが、ＤＵＴ１６１を９０度回転させた際にもＤＵＴ１６１の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係が維持される。それゆえ、この例においても、より簡易にテストストラクチャ１６０を設計することができ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１２９】
（２）変形例１−２
変形例１−２では、上記変形例１−１（上記各種実施形態）に比べて、各ＤＵＴ間配線の線幅が比較的広い場合のテストストラクチャの構成例を説明する。
【０１３０】
図１８（ａ）及び（ｂ）に、変形例１−２に係るテストストラクチャ１７０のＤＵＴ１７１における４つの接続ピン（第１接続ピン１７３ａ〜第４接続ピン１７３ｄ）の配置例を示す。図１８（ａ）は、基本状態におけるＤＵＴ１７１の第１接続ピン１７３ａ〜第４接続ピン１７３ｄ（図中の四角印）と、第１ＤＵＴ間配線１７５〜第４ＤＵＴ間配線１７８との間の接続関係を示す図である。一方、図１８（ｂ）は、回転操作後のＤＵＴ１７１の第１接続ピン１７３ａ〜第４接続ピン１７３ｄと、第１ＤＵＴ間配線１７５〜第４ＤＵＴ間配線１７８との間の接続関係を示す図である。また、図１８（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ１７１の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ１７１の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ１７１の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。
【０１３１】
この例では、第１接続ピン１７３ａ〜第４接続ピン１７３ｄは、ＤＵＴ１７１のパターン形成面内（図１８（ａ）中のＸ−Ｙ面内）において、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線１７５〜第４ＤＵＴ間配線１７８の形成領域と重なる位置に配置される。また、この例では、各接続ピンを、ＤＵＴ１７１のパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、ＤＵＴ間配線の延在方向（図１８（ａ）中のＸ軸方向）に対して、４５度（直線Ｌ１の傾斜角度）からずれた角度で傾いた直線Ｌ４上に配置する。さらに、この例では、直線Ｌ４の傾斜角度を、ＤＵＴ１７１のパターンを配線部に対して相対的に右周り方向（図１８（ｂ）中の矢印Ａ１１方向）に９０度回転させた際にも、各接続ピンと対応するＤＵＴ間配線との接続関係が維持されるような角度に設定する。
【０１３２】
なお、変形例１−２のテストストラクチャ１７０において、ＤＵＴ１７１の第１接続ピン１７３ａ〜第４接続ピン１７３ｄの配置位置、及び、各ＤＵＴ間配線の線幅以外の構成は、上記第１の実施形態のテストストラクチャ１００の対応する構成と同様である。
【０１３３】
上述のように、変形例１−２の構成においても、上記変形例１−１と同様に、接続ピンが配置される直線Ｌ４の方向とＤＵＴ間配線の延在方向との間の角度が４５度からずれた値となる。しかしながら、この例においても、ＤＵＴ１７１を９０度回転させた際にＤＵＴ１７１の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係が維持される。それゆえ、この例においても、より簡易にテストストラクチャ１７０を設計することができ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１３４】
また、変形例１−２では、ＤＵＴ間配線の線幅が上記変形例１−１のそれより広いので、変形例１−２における接続ピンの配置方向（直線Ｌ４）の傾斜角度の４５度（直線Ｌ１）からのずれ量を、上記変形例１−１のそれより大きくすることができる。すなわち、変形例１−２のように、ＤＵＴ間配線の線幅を広くすることにより、ＤＵＴ間配線の延在方向に対する接続ピンの配置方向の傾斜角度の許容範囲を大きくすることができる。
【０１３５】
［変形例２］
上記第５の実施形態では、複数のＤＵＴ間配線のうち、一部のＤＵＴ間配線の延在方向と残りのＤＵＴ間配線の延在方向とを互いに直交させる例として、上記第２の実施形態の構成と、上記第３の実施形態の構成とを組み合わせた構成例を説明した。しかしながら、本開示はこれに限定されず、例えば、上記第１の実施形態の構成と、上記第４の実施形態の構成とを組み合わせて、一部のＤＵＴ間配線の延在方向と残りのＤＵＴ間配線の延在方向とを互いに直交させるようにしてもよい。ただし、この場合も、上記第５の実施形態と同様に、一部のＤＵＴ間配線、及び、残りのＤＵＴ間配線をそれぞれ別個の金属配線層に形成する。
【０１３６】
［変形例３］
上記第１〜第４実施形態では、複数のＤＵＴ間配線を全てメタル層Ｍ２に形成する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。上記第１〜第４実施形態の構成において、上記第５の実施形態と同様に、複数のＤＵＴ間配線のうち、一部のＤＵＴ間配線と、残りのＤＵＴ間配線とを、それぞれ別個のメタル層に形成してもよい。
【０１３７】
［変形例４］
上記各種実施形態では、ＤＵＴのパターン形成面内におけるＤＵＴの形成領域の外周端を規定する外枠形状が正方形状である例を説明したが、本開示はこれに限定されず、例えば、長方形状であってもよい。
【０１３８】
［変形例５］
上記各種実施形態では、ＤＵＴ本体がＭＯＳトランジスタである例を説明した。また、特許文献１においても、ＤＵＴ本体がＭＯＳトランジスタである場合に限定した技術が記載されている。しかしながら、上記各種実施形態のテストストラクチャの設計技術は、ＤＵＴ本体がＭＯＳトランジスタ以外のデバイスである場合にも適用可能であり、同様の効果が得られる。
【０１３９】
例えば、ＤＵＴ本体が抵抗素子や容量素子等のデバイスである場合にも、上記各種実施形態のテストストラクチャの設計技術を適用することができる。なお、この場合、ＤＵＴとＤＵＴ間配線との間の接続ピンの数は、ＤＵＴ本体を構成するデバイスにより変わるが、２端子以上となる。
【０１４０】
接続ピンが４端子以外の場合においても、各接続ピンが、ＤＵＴのパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、対応するＤＵＴ間配線の延在方向に対して所定角度（略４５度）傾いた直線上の位置に配置されていればよい。この際、複数の接続ピンが、全て、上記第１〜第４の実施形態と同様に、一本の直線上に配置されていてもよいし、上記第５の実施形態と同様に、複数の接続ピンの一部が配置される第１の直線が、残りの接続ピンが配置される第２の直線と異なっていてもよい。
【０１４１】
＜７．応用例：集積回路の構成例＞
上記各種実施形態及び各種変形例では、本開示の設計技術をウエハ検査用のテストストラクチャに適用する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。上記設計技術は、実際に製品として作製される、デバイス（例えば、ＭＯＳトランジスタ、抵抗素子、容量素子等のデバイス素子本体）を含む所定の回路セルやハードマクロなどのデバイス素子部、及び、それを含む集積回路にも適用可能である。
【０１４２】
例えば、デバイス素子部に含まれるデバイスがＭＯＳトランジスタである場合には、上記各種実施形態及び各種変形例のＤＵＴ及び配線部の構成（例えば図２参照）を、デバイス素子部及びその上位配線（配線部）の構成にそれぞれ適用すればよい。すなわち、所定の回路セルやハードマクロに含まれるＭＯＳトランジスタ及びその上位配線のレイアウト設計パターンに、上記各種実施形態及び各種変形例のＤＵＴ本体及びＤＵＴ間配線のレイアウト設計パターンを、そのまま適用すればよい。
【０１４３】
この場合も、集積回路の設計時にデバイス素子部のレイアウト設計パターンを９０度回転させる際には、各種デバイスのセルデータのみを配線部に対して相対的に所定方向に９０度回転させるだけでよく、その他のレイアウト設計パターンを修正する必要がない。それゆえ、上記各種実施形態及び各種変形例で説明したテストストラクチャの設計技術を、集積回路の設計に適用した場合には、集積回路の設計をより簡易にすることができる。
【０１４４】
ここで、本開示の上記ＤＵＴの設計技術を集積回路のＩ／Ｏセルに適用した例を、図面を参照しながら具体的に説明する。
【０１４５】
［集積回路の構成］
図１９に、本開示の上記ＤＵＴの設計技術を適用して作製された集積回路の概略構成を示す。なお、図１９には、説明を簡略化するため、集積回路１８０内の一部のＩ／Ｏセル付近の構成のみを示す。
【０１４６】
この例の集積回路１８０は、チップコア部１８１と、該チップコア部１８１の周囲に設けられた複数の第１Ｉ／Ｏセル１８２及び複数の第２Ｉ／Ｏセル１８３とを備える。さらに、集積回路１８０は、各Ｉ／Ｏセル（デバイス素子部）に共通して設けられたＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６を含む配線部１８４を備える。なお、図１９には示さないが、集積回路１８０の各部は、図示しない半導体基板（基板）上に形成される。
【０１４７】
各Ｉ／Ｏセルは、チップコア部１８１内の回路と外部との電気的接続を制御するインターフェース回路セルであり、例えばＭＯＳトランジスタ等の回路素子を含む所定の回路で各Ｉ／Ｏセルを構成することができる。また、各Ｉ／Ｏセルの入力電極部１９１は、ボンディングワイヤ（不図示）等を介して外部のピン（不図示）等に接続され、出力電極部１９２は、チップコア部１８１内の所定回路の電極等に接続される。なお、各Ｉ／Ｏセルの構成については、後で詳述する。
【０１４８】
図１９に示す例では、チップコア部１８１の形成領域は正方形状又は長方形状であり、その形成領域の一方の対向する一対の辺部（図１９では、上辺部及び下辺部（不図示））の外側に、複数の第１Ｉ／Ｏセル１８２が配置される。一方、複数の第２Ｉ／Ｏセル１８３は、チップコア部１８１の形成領域の他方の対向する一対の辺部（図１９では、左辺部及び右辺部（不図示））の外側に配置される。また、複数の第１Ｉ／Ｏセル１８２及び複数の第２Ｉ／Ｏセル１８３のそれぞれは、チップコア部１８１の形成領域の対応する辺部に沿って一列に配置される。
【０１４９】
この際、この例では、各Ｉ／Ｏセルを、その入力電極部１９１と出力電極部１９２との対向方向が対応するチップコア部１８１の形成領域の辺部の延在方向と直交するように配置し、かつ、出力電極部１９２がチップコア部１８１側に位置するように配置する。それゆえ、図１９に示す集積回路１８０では、第１Ｉ／Ｏセル１８２は、縦置き用のＩ／Ｏセルになり、第２Ｉ／Ｏセル１９３は、横置き用のＩ／Ｏセルとなる。
【０１５０】
ＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６は、チップコア部１８１の形成領域の周囲に設けられ、かつ、チップコア部１８１の形成領域の辺部に沿って周回する方向に延在して設けられる。また、この例では、ＶＳＳ電源配線１８６を、ＶＤＤ電源配線１８５と平行に設け、ＶＤＤ電源配線１８５よりチップコア部１８１側の位置に配置する。
【０１５１】
ＶＤＤ電源配線１８５は、各Ｉ／Ｏセル内の後述する機能ブロック部１９０の第２接続ピン１９０ｂに接続され、ＶＳＳ電源配線１８６は、後述する機能ブロック部１９０の第３接続ピン１９０ｃに接続される。なお、ＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６は、例えば、同じ金属配線層（メタル層）に形成することができる。
【０１５２】
［Ｉ／Ｏセルの構成］
次に、各Ｉ／Ｏセルの構成を、図２０（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。図２０（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ第１Ｉ／Ｏセル１８２及び第２Ｉ／Ｏセル１８３の概略平面構成図であり、各Ｉ／Ｏセルにおいて、同じ構成には同じ符号を付して示す。また、図２０（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、後述の機能ブロック部の詳細なパターンの図示を省略し、機能ブロック部の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内における機能ブロック部の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。なお、機能ブロック部の形成領域（正方形状）の外周端を規定する外枠は、例えば、レイアウト設計エディタによりデフォルトで設定される。
【０１５３】
第１Ｉ／Ｏセル１８２は、機能ブロック部１９０と、入力電極部１９１と、出力電極部１９２とを備える。
【０１５４】
機能ブロック部１９０は、所定の回路素子（デバイス）を含む所定の回路（不図示：デバイス素子本体）と、４つの接続電極１９０ａ〜１９０ｄ（以下、それぞれ、第１接続ピン１９０ａ〜第４接続ピン１９０ｄという）とを備える。なお、第１接続ピン１９０ａ及び第４接続ピン１９０ｄは、それぞれ、機能ブロック部１９０を構成する回路の入力端子及び出力端子であり、第２接続ピン１９０ｂ及び第３接続ピン１９０ｃはともに、機能ブロック部１９０を構成する回路の電源端子である。そして、第１接続ピン１９０ａ、第２接続ピン１９０ｂ、第３接続ピン１９０ｃ及び第４接続ピン１９０ｄは、それぞれ、入力電極部１９１、ＶＤＤ電源配線１８５、ＶＳＳ電源配線１８６及び出力電極部１９２に接続される（図１９参照）。
【０１５５】
また、図２０（ａ）には示さないが、機能ブロック部１９０は、その内部の回路素子と対応する接続ピンとを接続する内部配線も備える。この内部配線は、例えば、ＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６が形成されるメタル層より下位のメタル層に形成することができる。
【０１５６】
この例の機能ブロック部１９０において、第１接続ピン１９０ａ〜第４接続ピン１９０ｄは、それぞれ、入力電極部１９１、ＶＤＤ電源配線１８５、ＶＳＳ電源配線１８６及び出力電極部１９２の形成領域と重なる位置に配置される。さらに、第１接続ピン１９０ａ〜第４接続ピン１９０ｄは、機能ブロック部１９０のパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、各電源配線の延在方向（図２０（ａ）中のＸ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ１上に配置される。より詳細には、例えば、いま、機能ブロック部１９０の回転中心Ｏ（回転中心位置）の座標を原点とするＸＹ直交座標系（右手系）を設定した場合、第１接続ピン１９０ａ〜第４接続ピン１９０ｄをＹ＝−Ｘの直線Ｌ１上の座標に配置する。
【０１５７】
入力電極部１９１は、入力配線部１９１ａと、入力パッド部１９１ｂと、接続部１９１ｃとで構成される。
【０１５８】
入力配線部１９１ａは、第１接続ピン１９０ａに電気的に接続される電極部分であり、第１接続ピン１９０ａ上に形成される。この例では、入力配線部１９１ａは、ＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６の延在方向（図２０（ａ）中のＸ軸方向）と同じ方向に延在して形成される。なお、この際、入力配線部１９１ａは、その延在方向に直交する機能ブロック部１９０の一方の辺部（図２０（ａ）では左辺部）付近から他方の辺部（右辺部）付近に渡る領域に形成される。
【０１５９】
また、入力パッド部１９１ｂは、ボンディングワイヤが取り付けられる電極部分であり、接続部１９１ｃは、入力配線部１９１ａと入力パッド部１９１ｂと繋ぐ電極部分である。接続部１９１ｃは、図２０（ａ）に示すように、入力配線部１９１ａの延在方向における入力配線部１９１ａの中央から、入力パッド部１９１ｂに向かって（図２０（ａ）中のＹ軸方向に）直線状に延在して形成される。
【０１６０】
出力電極部１９２は、出力配線部１９２ａと、出力接続部１９２ｂとで構成される。
【０１６１】
出力配線部１９２ａは、第４接続ピン１９０ｄに電気的に接続される電極部分であり、第４接続ピン１９０ｄ上に形成される。この例では、出力配線部１９２ａは、ＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６の延在方向（図２０（ａ）中のＸ軸方向）と同じ方向に延在して形成される。なお、この際、出力配線部１９２ａは、その延在方向に直交する機能ブロック部の一方の辺部（図２０（ａ）では左辺部）付近から他方の辺部（右辺部）付近に渡る領域に形成される。
【０１６２】
また、出力接続部１９２ｂは、チップコア部１８１内の所定回路に接続される電極部分である。出力接続部１９２ｂは、図２０（ａ）に示すように、出力配線部１９２ａの延在方向における出力配線部１９２ａの中央から、機能ブロック部１９０の形成領域の外側に向かって（図２０（ａ）中のＹ軸方向に）、所定の長さで延在して形成される。
【０１６３】
なお、入力電極部１９１及び出力電極部１９２（入出力電極部）は、例えば、配線部１８４（ＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６）が形成されるメタル層より上位のメタル層に形成することができる。また、入力電極部１９１及び出力電極部１９２の面形状は、図２０（ａ）に示す例に限定されず、例えば、Ｉ／Ｏセルの形成領域のサイズ、チップコア部１８１内の回路パターン、デザインルール等を考慮して適宜変更することができる。
【０１６４】
第２Ｉ／Ｏセル１８３は、図２０（ｂ）に示すように、第１Ｉ／Ｏセル１８２と同様に、機能ブロック部１９０と、入力電極部１９１と、出力電極部１９２とを備える。第２Ｉ／Ｏセル１８３は、第１Ｉ／Ｏセル１８２において、機能ブロック部１９０のパターン（セルデータ）のみを、入出力電極部のパターンに対して相対的に右回り方向（矢印Ａ１２方向：時計回り方向）に９０度回転した構成を有する。なお、第２Ｉ／Ｏセル１８３のそれ以外の構成は、第１Ｉ／Ｏセル１８２の対応する構成と同様である。
【０１６５】
上述のように、この例において、第２Ｉ／Ｏセル１８３の各部の構成（セルデータ）は、第１Ｉ／Ｏセル１８２の対応する構成と同じであるので、この例では、第２Ｉ／Ｏセル１８３のライブラリを、予め第１Ｉ／Ｏセル１８２とは別個に作成しない。その代わりに、この例では、後述するように、Ｉ／Ｏセルの配置時に、第１Ｉ／Ｏセル１８２の機能ブロック部１９０のセルデータのみを入出力電極部のパターンに対して相対的に右回り方向に９０度回転させることにより、第２Ｉ／Ｏセル１８３を作成する。
【０１６６】
なお、この例の集積回路１８０において、ＶＤＤ電源配線１８５、ＶＳＳ電源配線１８６、入力配線部１９１ａ及び出力配線部１９２ａの各線幅にある程度余裕がある場合には、上記変形例１の設計技術をこの例に適用してもよい。すなわち、接続ピンが配置される直線の方向と電源配線の延在方向との間の角度が、機能ブロック部１９０を９０度回転させた際に、機能ブロック部１９０と各電源配線及び入出力電極部との間の接続関係が維持される範囲内で、４５度からずれていてもよい。
【０１６７】
［Ｉ／Ｏセルの配置操作及び回転操作例］
次に、集積回路１８０の設計時において、上述のような構成の各Ｉ／Ｏセルをチップコア部１８１の形成領域の周囲に配置する際に行う操作を簡単に説明する。
【０１６８】
まず、図１９に示す例において、チップコア部１８１の形成領域の上辺部の外側にＩ／Ｏセルを配置する場合には、図２０（ａ）で説明した縦置き用の第１Ｉ／Ｏセル１８２を、そのまま回転させずに配置する。なお、図１９には示さないが、チップコア部１８１の形成領域の下辺部の外側にＩ／Ｏセルを配置する場合には、第１Ｉ／Ｏセル１８２全体のパターンを、１８０度回転させて配置する。
【０１６９】
また、図１９に示す例において、チップコア部１８１の形成領域の左辺部の外側にＩ／Ｏセルを配置する場合には、まず、縦置き用の第１Ｉ／Ｏセル１８２全体のパターンを左回り方向（反時計回り方向）に９０度回転させて、左辺部の外側の所定位置に配置する。次いで、機能ブロック部１９０のパターン（セルデータ）のみを、第１Ｉ／Ｏセル１８２全体のパターンの回転方向と反対方向（時計回り方向）に９０度回転させる。図１９に示す例では、このような回転操作により第１Ｉ／Ｏセル１８２から第２Ｉ／Ｏセル１８３を作成して、該第２Ｉ／Ｏセル１８３をチップコア部１８１の形成領域の左辺部の外側に配置する。
【０１７０】
さらに、図１９には示さないが、チップコア部１８１の形成領域の右辺部の外側にＩ／Ｏセルを配置する場合には、まず、縦置き用の第１Ｉ／Ｏセル１８２全体のパターンを左回り方向（反時計回り方向）に２７０度回転させて、右辺部の外側の所定位置に配置する。次いで、機能ブロック部１９０のパターンのみを、第１Ｉ／Ｏセル１８２全体のパターンの回転方向と反対方向（時計回り方向）に９０度回転させる。図１９に示す例では、このような回転操作により第１Ｉ／Ｏセル１８２から第２Ｉ／Ｏセル１８３を作成して、該第２Ｉ／Ｏセル１８３をチップコア部１８１の形成領域の右辺部の外側に配置する。なお、上述した第２Ｉ／Ｏセル１８３作成時の機能ブロック部１９０のパターン（セルデータ）の回転操作は、上記各種実施形態で説明したＤＵＴの回転操作の手法と同様にして行うことができる。
【０１７１】
この例では、第１Ｉ／Ｏセル１８２の第１接続ピン１９０ａ〜第４接続ピン１９０ｄを、機能ブロック部１９０のパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、ＶＤＤ電源配線１８５の延在方向に対して４５度傾いた直線Ｌ１上に配置する。それゆえ、上述した回転操作により生成され、チップコア部１８１の左辺部及び右辺部の外側に配置された第２Ｉ／Ｏセル１８３においても、回転操作前の接続ピンと各電源配線及び入出力電極部との間の接続関係が回転操作後も維持される（図１９参照）。また、機能ブロック部１９０の回路内にＭＯＳトランジスタが含まれる場合には、上述したＩ／Ｏセルの回転操作により第２Ｉ／Ｏセル１８３内のＭＯＳトランジスタのゲート方向は、第１Ｉ／Ｏセル１８２のゲート方向と同じになる。
【０１７２】
［各種効果］
上述のように、この例においても、集積回路１８０の設計時にＩ／Ｏセルのレイアウト設計パターンを９０度回転させる際には、機能ブロック部１９０のセルデータのみを配線部１８４に対して相対的に所定方向に９０度回転させるだけでよい。それゆえ、上記各種実施形態で説明したテストストラクチャの設計技術を、Ｉ／Ｏセルを含む集積回路の設計に適用した場合には、集積回路の設計をより簡易にすることができる。また、この例の集積回路１８０の設計技術では、下記従来技術に対して、次のような各種効果も得られる。
【０１７３】
従来、集積回路の設計時には、縦置き用（チップコア部の上下辺部配置用）のＩ／Ｏセル及び横置き用（チップコア部の左右辺部配置用）のＩ／Ｏセルに対して、同じパターン（種類）のＩ／Ｏセルを共通して用いることが一般的である。ここで、いま、共通のＩ／ＯセルにＭＯＳトランジスタが含まれ、かつ、共通のＩ／Ｏセルをチップコア部の上下辺部の外側に配置した際に機能ブロック部のパターン（ゲート）の方向が適正な方向に向くように設計されている場合を考える。
【０１７４】
この場合、Ｉ／Ｏセルをチップコア部の左右辺部の外側に配置する際には、チップコア部の上下辺部の外側に配置するＩ／Ｏセルのセルデータ全体を９０度又は２７０度回転させる。しかしながら、この手法では、Ｉ／Ｏセル内のゲート方向が、縦方向及び横方向で混在することになり、集積回路内において、ゲート長のばらつきが増加する。
【０１７５】
それに対して、上記応用例の集積回路１８０では、Ｉ／ＯセルにＭＯＳトランジスタが含まれていても、縦置き用のＩ／Ｏセル（第１Ｉ／Ｏセル１８２）及び横置き用のＩ／Ｏセル（第２Ｉ／Ｏセル１８３）のゲート方向を統一することができる。それゆえ、上記応用例では、Ｉ／Ｏセル内のゲート長のばらつきを低減することができ、上記従来技術の課題を解消することができる。
【０１７６】
また、従来、Ｉ／Ｏセルの設計及び配置手法として、縦置き用のＩ／Ｏセル及び横置き用のＩ／Ｏセル（ライブラリ）をそれぞれ別個に用意する手法もある。この手法では、縦置き用のＩ／Ｏセルのゲート方向を縦（又は横）方向に設定し、かつ、横置き用のＩ／Ｏセルのゲート方向を横（又は縦）方向に設定する。そして、縦置き用のＩ／Ｏセルをチップコア部の周辺領域の縦置き領域（例えば上下辺部の外側領域）に配置し、横置き用のＩ／Ｏセルをチップコア部の周辺領域の横置き領域（例えば左右辺部の外側領域）に配置する。この際、縦置き用のＩ／Ｏセル及び横置き用のＩ／Ｏセルの一方を９０度回転させることにより、両方のＩ／Ｏセル間でゲート方向を縦（又は横）方向に揃えることができる。
【０１７７】
しかしながら、この手法では、Ｉ／Ｏセルのライブラリ（ラインナップ）を２種類用意する必要があり、ライブラリ作成の手間が増える。また、この手法では、Ｉ／Ｏセルの配置領域に応じて、その領域に適した専用のＩ／Ｏセルを使用する必要があり、レイアウトの自由度が減る。
【０１７８】
それに対して、上記応用例では、第１Ｉ／Ｏセル１８２を所定位置に配置した後、その配置領域（縦置き領域又は横置き領域）に応じて、適宜、機能ブロック部１９０のパターン（セルデータ）を所定方向に９０度回転させる。それゆえ、この例では、縦置き専用のＩ／Ｏセル及び横置き専用のＩ／Ｏセルを個別に用意する必要がないので、ライブラリ作成の手間を少なくすることができるとともに、Ｉ／Ｏセルのレイアウト自由度も向上させることができる。
【０１７９】
さらに、従来、例えば特開２００８−２１８７５１号公報には、複数の電源配線と形成領域が矩形状であるＩ／Ｏセルの内部配線とを接続する複数のコンタクトの位置を、電源配線の延在方向に対して斜め方向に配置する手法が開示されている。この文献では、この設計手法により、全てのＩ／Ｏセルの長辺方向を、チップコア部の外周辺に対して垂直な方向に揃える場合（通常配置）と、チップコア部の外周辺に平行な方向に揃える場合（９０度回転配置）とで、Ｉ／Ｏセルを共用できるようにしている。
【０１８０】
しかしながら、上記文献の設計手法では、全てのＩ／Ｏセルにおいて、その長辺方向はチップコアの外周辺に対して垂直な方向又は平行な方向になる。すなわち、Ｉ／Ｏセルの配置形態（通常配置又は９０度回転配置）に関係なく、チップコア部の左右辺部の外側に配置されるＩ／Ｏセルは、上下辺部の外側に配置されるＩ／Ｏセルに対して、Ｉ／Ｏセル全体が相対的に９０度回転した状態で配置される。それゆえ、この場合もまた、上下辺部の外側に配置されたＩ／Ｏセルのゲート方向と、左右辺部の外側に配置されたＩ／Ｏセルのゲート方向とは互いに異なり、ゲート長のばらつきが増加する。
【０１８１】
それに対して、上記応用例では、上述のように、Ｉ／Ｏセルの配置領域に関係なく、ゲート方向を所定の方向に揃えることができるので、上記文献の課題を解消することができる。
【０１８２】
また、従来、例えば特開２０１１−９１０８４号公報には、形成領域が矩形状である機能ブロック部を複数備えたＩ／Ｏセルをチップコア部の周囲に配置する手法が開示されている。そして、この文献の設計手法では、Ｉ／Ｏセルの配置領域に関係なく、各機能ブロック部のゲート方向を所定の方向に揃えて配置する。具体的には、チップコア部の左辺部の外側に配置されたＩ／Ｏセルを上辺部の外側に配置する際には、Ｉ／Ｏセル内の各機能ブロックを回転させることなく、チップコア部の上辺部の外側に配置する。
【０１８３】
しかしながら、上記文献では、電源配線と、Ｉ／Ｏセル内の各機能ブロックのコンタクトとの配置関係については議論されていない。また、上記文献の設計手法では、各機能ブロック部を繋ぐ配線パターン（内部配線）を、Ｉ／Ｏセルの配置領域に応じて変える必要があるので、設計に手間がかかる。
【０１８４】
それに対して、この例では、Ｉ／Ｏセルの配置領域に応じて、適宜、機能ブロック部のパターン（セルデータ）のみを、９０度回転させるだけであり、内部配線を修正する必要がない。それゆえ、この例では、上記文献の課題も解消することができる。
【０１８５】
なお、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
（１）
基板と、
複数の配線を有し、前記基板上に形成された配線部と、
前記基板上に形成され、被試験デバイス本体、並びに、該被試験デバイス本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該被試験デバイス本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されている被試験デバイス部と
を備えるテスト回路。
（２）
前記所定の角度が、４５度である
（１）に記載のテスト回路。
（３）
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＸ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＹ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で前記回転中心位置に対して９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝−Ｘで表される直線上の位置に配置されている
（１）又は（２）に記載のテスト回路。
（４）
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＸ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＹ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝Ｘで表される直線上の位置に配置されている
（１）又は（２）に記載のテスト回路。
（５）
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＹ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＸ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝−Ｘで表される直線上の位置に配置されている
（１）又は（２）に記載のテスト回路。
（６）
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＹ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＸ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝Ｘで表される直線上の位置に配置されている
（１）又は（２）に記載のテスト回路。
（７）
前記配線部が、所定方向に延在して形成された第１配線と、該所定方向と直交する方向に延在して形成された第２配線とを有し、
前記被試験デバイス部が、前記被試験デバイス本体及び前記第１配線間を接続する第１接続電極と、前記被試験デバイス本体及び前記第２配線間を接続する第２接続電極とを有し、
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記第１配線の延在方向をＸ軸方向とし、かつ、前記第２配線の延在方向をＹ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記第１接続電極が、Ｙ＝Ｘで表される直線上の位置に配置されており、前記第２接続電極が、Ｙ＝−Ｘで表される直線上の位置に配置されている
（１）又は（２）に記載のテスト回路。
（８）
前記被試験デバイス本体が、ＭＯＳトランジスタであり、前記被試験デバイス部が、該ＭＯＳトランジスタのゲート、ソース、ドレイン及びウエルにそれぞれ接続された４つの前記接続電極を有し、
前記配線部が、前記４つの接続電極にそれぞれ接続された４本の前記配線を有する
（１）〜（７）のいずれか一項に記載のテスト回路。
（９）
基板と、
複数の配線を有し、前記基板上に形成された配線部と、
前記基板上に形成され、デバイス素子本体、並びに、該デバイス素子本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該デバイス素子本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該デバイス素子本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されているデバイス素子部と
を備える集積回路。
（１０）
前記デバイス素子部が、Ｉ／Ｏセルである
（９）に記載の集積回路。
複数の配線を有する配線部のレイアウトパターンを作成するステップと、
被試験デバイス本体、並びに、該被試験デバイス本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該被試験デバイス本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されている被試験デバイス部のレイアウトパターンを作成するステップと
を含むテスト回路のレイアウト方法。
（１１）
複数の配線を有する配線部のレイアウトパターンを作成するステップと、
被試験デバイス本体、並びに、該被試験デバイス本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該被試験デバイス本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されている被試験デバイス部のレイアウトパターンを作成するステップと
を含むテスト回路のレイアウト方法。
【符号の説明】
【０１８６】
１…ウエル領域、１ａ…ウエル接続部、２…ソース領域、３…ドレイン領域、４…ゲート電極、５…ボディ配線膜、６…ソース配線膜、７…ドレイン配線膜、８…ゲート配線膜、９ａ〜９ｄ…第１〜第４コンタクト電極、１０…ＤＵＴ、１１…第１層間絶縁膜、１２…第２層間絶縁膜、１３ａ〜１３ｄ，１９０ａ〜１９０ｄ…第１〜第４接続ピン、１５…素子分離層、２０，１８４…配線部、２１〜２４…第１〜第４ＤＵＴ間配線、１００…テストストラクチャ、１８０…集積回路、１８１…チップコア部、１８２…第１Ｉ／Ｏセル、１８３…第２Ｉ／Ｏセル、１８５…ＶＤＤ電源配線、１８６…ＶＳＳ電源配線、１９０…機能ブロック部、１９１…入力電極部、１９２…出力電極部、Ｌ１…直線（Ｙ＝−Ｘ）、Ｍ１，Ｍ２…メタル層
【技術分野】
【０００１】
本開示は、例えば半導体装置等の製造途中においてウエハレベルの性能評価に用いる被試験デバイスを含むテスト回路及び該テスト回路のレイアウト方法、並びに、該テスト回路のレイアウト方法と同じレイアウト方法を用いて作製された集積回路に関する。
【背景技術】
【０００２】
従来、半導体装置の製造工程の途中においてウエハレベルの電気的な性能評価をするために、ＴＥＧ（Test Element Group）と呼ばれるウエハ出荷検査用のテストストラクチャが、ウエハ（基板）上に設けられる。テストストラクチャは、通常、複数の被試験デバイス（以下、ＤＵＴと記す）と、例えばウエハテスタ等の評価装置のプローブを接触させる電極パッドと、ＤＵＴ及び電極パッド間を電気的に接続する接続配線（接続ピン）とを有する。
【０００３】
また、従来、このようなテストストラクチャにおいて、様々なレイアウト設計パターンが提案されている（例えば特許文献１参照）。図２１に、特許文献１で提案されているテストストラクチャのレイアウト設計パターンの概略構成を示す。なお、図２１は、一つのＤＵＴ付近の概略平面図である。
【０００４】
特許文献１には、ＤＵＴとしてＭＯＳ（Metal-Oxide-Semiconductor）トランジスタ２００を用いた例が記載されている。そして、特許文献１では、図２１に示すように、ＭＯＳトランジスタ２００のゲート、ドレイン、ソース、及び、ウエル（ボディ）のそれぞれに、Ｌ字型ルーティング構造体２０１からなる接続ピンが接続される。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００５】
【特許文献１】米国特許第７，４８９，１５１号明細書
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
ところで、上述したテストストラクチャは、一般に、ウエハ内において、所定方向に延在して形成されたスクライブライン上、及び／又は、該所定方向に直交する方向に延在して形成されたスクライブライン上に設けられる。それゆえ、例えば、テストストラクチャの形成領域の全体形状が横長形状である場合、テストストラクチャを配置するスクライブラインの延在方向に応じて、テストストラクチャ全体のレイアウト設計パターンを、設計時に、９０度回転させる必要がある。
【０００７】
このような状況において、テストストラクチャ内のレイアウト設計パターンを変えずに、９０度回転させた場合には、例えば、次のような問題が生じる。テストストラクチャ内のＤＵＴが例えばＭＯＳトランジスタである場合、テストストラクチャを配置するスクライブラインの延在方向に応じて、ゲート電極の延在方向が所定方向、及び、該所定方向に直交する方向で混在することになる。この場合、テストストラクチャの作製プロセス時にゲート電極の寸法のばらつきが増大するという問題が生じる（例えば“Intra-Field Gate CD Variability and Its Impact On Circuit Performance”，IEDM1999，pp.479-482を参照）。
【０００８】
なお、このような問題に対処するため、例えば４０ｎｍ未満等のサイズのパターンを形成するような先端プロセス技術では、デザインルールにより、ゲート電極の延在方向を一方の方向に揃えるように規定する場合もある。しかしながら、この場合には、テストストラクチャを配置するスクライブラインの延在方向に応じて、テストストラクチャ全体のレイアウト設計パターンを修正する必要があり、設計に手間がかかるという問題が生じる。
【０００９】
ただし、ゲート電極の延在方向を揃えるための簡易なレイアウト設計パターンの修正手法としては、例えば、次のような手法が考えられる。まず、ＤＵＴを含むテストストラクチャの設計データをセル階層化する。そして、ＤＵＴ階層の設計データ（ＤＵＴのセルデータ）のみを、テストストラクチャ全体の回転方向とは、逆の方向に９０度させる。
【００１０】
しかしながら、この修正手法では、設計データの構成上、ＤＵＴの上位階層に設けられる配線（以下、上位配線という）と、上位配線及びＤＵＴ間の接続ピンの位置も回転するので、接続ピンの位置、及び／又は、上位配線のパターンを修正する必要がある。それゆえ、このようなレイアウト設計パターンの修正手法を用いても、設計に手間がかかるという問題は生じる。
【００１１】
本開示は、上記問題を解消するためになされたものである。本開示の目的は、設計時にテストストラクチャ全体のレイアウト設計パターンを９０度回転させる必要がある場合にも、より簡易な設計手法で作製可能なテスト回路、及び、そのテスト回路のレイアウト手法を提供することである。また、本開示の別の目的は、本開示のテスト回路のレイアウト手法と同様の手法を用いて作製された集積回路を提供することである。
【課題を解決するための手段】
【００１２】
上記課題を解決するために、本開示のテスト回路は、基板と、基板上に形成された配線部と、基板上に形成された被試験デバイス部とを備える構成とし、各部の構成を次のようにする。配線部は、複数の配線を有する。被試験デバイス部は、被試験デバイス本体、並びに、被試験デバイス本体と複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有する。そして、本開示のテスト回路では、被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置と複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の方向が、配線の延在方向に対して所定の角度で傾いている。さらに、本開示では、被試験デバイス本体及び複数の接続電極をパターン形成面内で回転中心位置を中心にして配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも複数の接続電極及び複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に複数の接続電極が配置されている。
【００１３】
なお、本明細書でいう、「回転中心位置」とは、被試験デバイス本体（又は後述のデバイス素子本体）のパターン形成面内における被試験デバイス部（又は後述のデバイス素子本体及び複数の接続電極）の形成領域の中心位置である。設計時にテスト回路（又は後述のデバイス素子部）の設計データを９０度回転させる際には、この回転中心位置を中心にして、被試験デバイス部（又はデバイス素子本体及び複数の接続電極）の設計データを回転する。
【００１４】
また、本開示の集積回路は、基板と、基板上に形成された配線部と、基板上に形成されたデバイス素子部とを備える構成とし、各部の構成を次のようにする。配線部は、複数の配線を有する。デバイス素子部は、デバイス素子本体、並びに、デバイス素子本体と複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有する。そして、本開示の集積回路では、デバイス素子本体のパターン形成面内における回転中心位置と複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、配線の延在方向に対して所定の角度で傾いている。さらに、本開示では、デバイス素子本体及び複数の接続電極をパターン形成面内で回転中心位置を中心にして配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、複数の接続電極及び複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に複数の接続電極が配置される。
【００１５】
さらに、本開示のテスト回路のレイアウト方法は、上記本開示のテスト回路のレイアウト設計パターンを作成する方法であり、配線部のレイアウトパターンを作成するステップと、被試験デバイス部のレイアウトパターンを作成するステップとを含む。
【００１６】
本開示のテスト回路（集積回路）では、被試験デバイス本体（デバイス素子本体）のパターン形成面内における回転中心位置と各接続電極とを結ぶ直線の延在方向が、配線の延在方向に対して所定の角度で傾いている。さらに、本開示のテスト回路では、被試験デバイス部をそのパターン形成面内で配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも複数の接続電極及び複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に複数の接続電極が配置される。また、本開示の集積回路も同様に、デバイス素子本体及び複数の接続電極をそれらのパターン形成面内で配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも複数の接続電極及び複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に複数の接続電極が配置される。それゆえ、本開示のテスト回路（集積回路）では、設計上、テスト回路（デバイス素子部）を９０度回転させる必要がある場合には、被試験デバイス部（デバイス素子本体及び複数の接続電極）を配線部に対して相対的に９０度回転させるだけで対応することができる。
【発明の効果】
【００１７】
上述のように、本開示では、設計上、テスト回路（デバイス素子部）を９０度回転させる場合には、被試験デバイス部（デバイス素子本体及び複数の接続電極）を配線部に対して相対的に９０度回転させるだけでよい。すなわち、本開示のテスト回路（集積回路）の設計技術では、接続電極の位置や配線のパターンなどを修正する必要がない。それゆえ、本開示によれば、より簡易にテスト回路（集積回路）を設計することができる。
【図面の簡単な説明】
【００１８】
【図１】第１の実施形態に係るテストストラクチャの概略構成図である。
【図２】第１の実施形態に係るテストストラクチャの概略平面図である。
【図３】図２中のａ−ａ断面図である。
【図４】図２中のｂ−ｂ断面図である。
【図５】第１の実施形態に係るテストストラクチャを９０度回転させた後のテストストラクチャの概略平面図である。
【図６】第１の実施形態に係るテストストラクチャの回転操作例を説明するための図である。
【図７】第１の実施形態に係るテストストラクチャのレイアウト手法の手順の一例を示すフローチャートである。
【図８】比較例のテストストラクチャの概略平面図である。
【図９】第２の実施形態に係るテストストラクチャの概略平面図である。
【図１０】第２の実施形態に係るテストストラクチャの回転操作例を説明するための図である。
【図１１】第３の実施形態に係るテストストラクチャの概略平面図である。
【図１２】第３の実施形態に係るテストストラクチャの回転操作例を説明するための図である。
【図１３】第４の実施形態に係るテストストラクチャの概略平面図である。
【図１４】第４の実施形態に係るテストストラクチャの回転操作例を説明するための図である。
【図１５】第５の実施形態に係るテストストラクチャの概略平面図である。
【図１６】第５の実施形態に係るテストストラクチャの回転操作例を説明するための図である。
【図１７】変形例１−１のテストストラクチャの回転操作前後における各接続ピンの配置位置の変化の様子を示す図である。
【図１８】変形例１−２のテストストラクチャの回転操作前後における各接続ピンの配置位置の変化の様子を示す図である。
【図１９】応用例の集積回路におけるＩ／Ｏ（Input/Output）セルの配置構成図である。
【図２０】応用例の集積回路で用いるＩ／Ｏセルの概略構成図である。
【図２１】従来のテストストラクチャの概略構成平面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１９】
以下に、本開示の実施形態に係るテスト回路及びそのレイアウト手法、並びに、本開示のテスト回路のレイアウト手法と同様の手法を用いて作製された集積回路の一例を、図面を参照しながら下記の順で説明する。ただし、本開示は下記の例に限定されない。
１．第１の実施形態：全ての上位配線の延在方向が同じである第１の構成例
２．第２の実勢形態：全ての上位配線の延在方向が同じである第２の構成例
３．第３の実施形態：全ての上位配線の延在方向が同じである第３の構成例
４．第４の実施形態：全ての上位配線の延在方向が同じである第４の構成例
５．第５の実施形態：一部の上位配線の延在方向が残りの上位配線の延在方向と異なる構成例
６．各種変形例
７．応用例：集積回路の構成例
【００２０】
＜１．第１の実施形態＞
［テストストラクチャの構成］
図１に、本開示の第１の実施形態に係るウエハ出荷検査用のテストストラクチャ（テスト回路）の概略構成を示す。本実施形態のテストストラクチャ１００は、一列に配列された複数のＤＵＴ１０（被試験デバイス部）と、複数のテスト用電極パッド（不図示）と、該複数のテスト用電極パッド及び各ＤＵＴ１０間をそれぞれ接続する複数の上位配線を有する配線部２０とを備える。また、テストストラクチャ１００は、図１には示さないが、半導体基板（基板）を備え、該半導体基板上に、ＤＵＴ１０、テスト用電極パッド及び配線部２０が形成される。
【００２１】
なお、図１には、複数のＤＵＴ１０を所定方向（図１中のＸ軸方向）に一列に配列した例を示すが、本開示はこれに限定されず、複数のＤＵＴ１０の配列形態は、例えば用途、ＤＵＴ１０を構成するデバイスの種類等の条件に応じて適宜変更できる。それゆえ、テストストラクチャ１００の形成面内（図１中のＸ−Ｙ面内）におけるテストストラクチャ１００の形成領域の形状もまた、図１に示す矩形状（横長形状）に限定されず、複数のＤＵＴ１０の配列形態に応じて、適宜変更することができる。
【００２２】
本実施形態では、ＤＵＴ１０に含まれる後述のＤＵＴ本体１０ａがＭＯＳトランジスタである場合について説明する（なお、ＤＵＴ１０の構成は後で詳述する）。それゆえ、配線部２０内には、ＭＯＳトランジスタのウエル（ボディ）、ソース、ドレイン、及び、ゲートにそれぞれ接続される４本の上位配線２１〜２４（以下、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４という）を設ける。なお、各ＤＵＴ間配線（配線）は、対応するテスト用電極パッドにも接続される。
【００２３】
また、本実施形態のテストストラクチャ１００では、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４を複数のＤＵＴ１０間で共用する。さらに、本実施形態では、後述するように、ＤＵＴ１０の各内部配線が形成されたメタル層Ｍ１上に第２層間絶縁膜１２を形成し、そして、第２層間絶縁膜１２の表面に、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４が形成される（後述の図３及び４参照）。すなわち、本実施形態では、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４は、一つのメタル層Ｍ２に形成される。
【００２４】
なお、テストストラクチャ１００の設計データは階層化されており、配線部２０（第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４）の設計データの階層は、各ＤＵＴ１０のセルデータの階層より上位になる。それゆえ、設計データ上では、配線部２０の階層において、下位階層となる各ＤＵＴ１０のセルデータを引用することにより、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４と各ＤＵＴ１０との間の接続関係が構築される。
【００２５】
［ＤＵＴの構成］
次に、各ＤＵＴ１０の構成を、図２〜４を参照しながらより詳細に説明する。図２は、本実施形態のテストストラクチャ１００の回転前（以下、基本状態という）におけるＤＵＴ１０、及び、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４のレイアウト設計パターンの概略平面図である。また、図３は、図２中のａ−ａ断面図であり、図４は、図２中のｂ−ｂ断面図である。なお、本実施形態では、図２に示すように、基本状態において、各ＤＵＴ間配線が後述するゲート電極４の延在方向（図２中のＹ軸方向：以下、ゲート方向という）と直交する方向（図２中のＸ軸方向）に延在する例を示す。
【００２６】
ＤＵＴ１０は、図２〜４に示すように、ＤＵＴ本体１０ａ（ＭＯＳトランジスタ）と、ＤＵＴ本体１０ａの一方（メタル層Ｍ１側）の表面上に形成された第２層間絶縁膜１２とを備える。さらに、ＤＵＴ１０は、第２層間絶縁膜１２内を貫通するように形成された４つの接続電極１３ａ〜１３ｄ（以下、それぞれ、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄという）を備える。なお、配線部２０の第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４（メタル層Ｍ２）は、図３及び４に示すように、第２層間絶縁膜１２のメタル層Ｍ１側とは反対側の表面に埋め込むようにして設けられる。
【００２７】
ＤＵＴ本体１０ａは、半導体基板（基板：不図示）と、該半導体基板内に設けられたウエル領域１と、ソース領域２と、ドレイン領域３と、ゲート電極４と、素子分離層１５とを備える。
【００２８】
ウエル領域１は、例えば、キャリア極性がＰ型の不純物層で構成される。また、ソース領域２及びドレイン領域３は、例えば、キャリア極性がＮ型の不純物層で構成される。ソース領域２及びドレイン領域３は、ウエル領域１のゲート電極４側の表面内の所定領域に、埋め込むようにして形成される。
【００２９】
ゲート電極４は、各ＤＵＴ間配線の延在方向と直交する方向（図２中のＹ軸方向）に延在した金属膜で構成される。そして、ゲート電極４は、図２に示すように、ウエル領域１のソース領域２及びドレイン領域３間の領域上に形成され、かつ、ウエル領域１の略中央を横切るように延在して形成される。
【００３０】
素子分離層１５は、図３及び４に示すように、ウエル領域１のゲート電極４側の表面に埋め込むようにして形成され、かつ、ウエル接続部１ａ、ソース領域２、ドレイン領域３及びゲート電極４の形成領域の周囲を覆うように形成される。
【００３１】
また、ＤＵＴ本体１０ａは、第１層間絶縁膜１１と、該第１層間絶縁膜１１のウエル領域１側とは反対側の表面に形成された内部配線（ボディ配線膜５、ソース配線膜６、ドレイン配線膜７及びゲート配線膜８）とを備える。すなわち、本実施形態のＤＵＴ１０では、ボディ配線膜５、ソース配線膜６、ドレイン配線膜７及びゲート配線膜８を、一つのメタル層（図３及び４中のメタル層Ｍ１）に形成する。なお、ボディ配線膜５、ソース配線膜６、ドレイン配線膜７及びゲート配線膜８はそれぞれ、図２に示すように、メタル層Ｍ１の形成面内（図２中のＸ−Ｙ面内）において、略Ｌ字状に延在した金属膜で構成される。ただし、内部配線のパターン形状は、図２に示す例に限定されず、例えばデザインルール等の条件を満足する範囲内で、任意に設定することができる。
【００３２】
さらに、ＤＵＴ本体１０ａは、第１コンタクト電極９ａ〜第４コンタクト電極９ｄを備える。各コンタクト電極は、図３及び４に示すように、縦孔配線（ビア）で構成され、第１層間絶縁膜１１内を貫通するように形成される。なお、第１コンタクト電極９ａ〜第４コンタクト電極９ｄは、ウエル領域１、ソース領域２、ドレイン領域３及びゲート電極４と、ボディ配線膜５、ソース配線膜６、ドレイン配線膜７及びゲート配線膜８とをそれぞれ電気的に接続する。
【００３３】
具体的には、第１コンタクト電極９ａの一方の端部（図４では下端部）は、ウエル接続部１ａの略中央に接続され、第１コンタクト電極９ａの他方の端部（図４では上端部）は、ボディ配線膜５の一方の端部に接続される。第２コンタクト電極９ｂの一方の端部（図３では下端部）は、ソース領域２の略中央に接続され、第２コンタクト電極９ｂの他方の端部（図３では上端部）は、ソース配線膜６の一方の端部に接続される。第３コンタクト電極９ｃの一方の端部は、ドレイン領域３の略中央に接続され、第３コンタクト電極９ｃの他方の端部は、ドレイン配線膜７の一方の端部に接続される。そして、第４コンタクト電極９ｄの一方の端部は、ゲート電極４の一方の端部（図２では下端部）に接続され、第４コンタクト電極９ｄの他方の端部は、ゲート配線膜８の一方の端部に接続される。
【００３４】
なお、本実施形態では、ＤＵＴ本体１０ａの各領域又はゲート電極と対応する内部配線（配線膜）との間を一つのコンタクト電極で接続する例を説明するが、本開示はこれに限定されない。ＤＵＴ本体１０ａの各領域又はゲート電極と対応する内部配線との間に複数のコンタクト電極を設けてもよい。
【００３５】
第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄのそれぞれは、図３及び４に示すように、縦孔配線（ビア）で構成され、対応する内部配線とＤＵＴ間配線とを電気的に接続する。
【００３６】
具体的には、第１接続ピン１３ａの一方の端部（図４では下端部）は、ボディ配線膜５の他方の端部（コンタクト電極との接続側とは反対側の端部）に接続される。また、第１接続ピン１３ａの他方の端部（図４では上端部）は、ボディ端子用の第１ＤＵＴ間配線２１に接続される。第２接続ピン１３ｂの一方の端部（図３では下端部）は、ソース配線膜６の他方の端部に接続され、第２接続ピン１３ｂの他方の端部（図３では上端部）は、ソース端子用の第２ＤＵＴ間配線２２に接続される。第３接続ピン１３ｃの一方の端部は、ドレイン配線膜７の他方の端部に接続され、第３接続ピン１３ｃの他方の端部は、ドレイン端子用の第３ＤＵＴ間配線２３に接続される。そして、第４接続ピン１３ｄの一方の端部は、ゲート配線膜８の他方の端部に接続され、第４接続ピン１３ｄの他方の端部は、ゲート端子用の第４ＤＵＴ間配線２４に接続される。
【００３７】
［接続ピンの配置及びテストストラクチャの回転操作］
本実施形態のＤＵＴ１０では、図２に示すように、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄはそれぞれ、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４と接続される位置に配置される。すなわち、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄは、ＤＵＴ１０のパターン形成面内（図２中のＸ−Ｙ面内）において、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４の形成領域と重なる位置に配置される。
【００３８】
ただし、本実施形態では、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄを、ＤＵＴ１０のパターン形成面内における回転中心Ｏ（ゲート電極４の略中央）を通り、かつ、ＤＵＴ間配線の延在方向（図２の例ではＸ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ１上に配置する。より詳細には、例えば、いま、ＤＵＴ１０の回転中心Ｏ（回転中心位置）の座標を原点とするＸＹ直交座標系（右手系）を設定した場合、直線Ｌ１はＹ＝−Ｘで表され、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄの各座標はＹ＝−Ｘの直線Ｌ１上の座標となる。
【００３９】
ここで、図５に、上記構成の第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄを有するＤＵＴ１０のパターンを、そのパターン形成面内において、回転中心Ｏを中心にして、基本状態から配線部２０に対して相対的に右回り方向に９０度回転した際の様子を示す。なお、図５は、回転後のＤＵＴ１０の第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄと、配線部２０の第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４との間の接続関係を示す図である。
【００４０】
図５から明らかなように、本実施形態の構成では、ＤＵＴ１０のパターンを配線部２０に対して相対的に右周り方向（図５中の矢印Ａ０方向）に９０度回転させた場合にも、回転前の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持できることが分かる。
【００４１】
上述のようなＤＵＴ１０のセルデータ（パターン）の回転操作は、例えば、テストストラクチャ１００を、それが配置されるスクライブラインの延在方向に応じて、９０度回転させる必要が有る場合に実施される。具体的には、図１に示すように、Ｘ軸方向に延在した矩形状の形成領域を有するテストストラクチャ１００を、Ｘ軸方向に延在するスクライブライン上に配置する場合には、テストストラクチャ１００を回転することなく、基本状態のまま配置すればよい。しかしながら、例えば、Ｙ軸方向に延在するスクライブライン上にテストストラクチャ１００を設ける場合には、テストストラクチャ１００を９０度回転させる必要があり、この際には、上記ＤＵＴ１０の回転操作が実施される。その様子を図６（ａ）及び（ｂ）に示す。
【００４２】
図６（ａ）は、基本状態のＤＵＴ１０の第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄと、配線部２０の第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４との間の接続関係を示す図である。一方、図６（ｂ）は、回転後のＤＵＴ１０の第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄと、配線部２０の第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４との間の接続関係を示す図である。なお、図６（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ１０の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ１０の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ１０の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。ただし、ＤＵＴ１０の形成領域の外周端を規定する外枠は、例えば、レイアウト設計エディタによりデフォルトで設定される。
【００４３】
図６（ａ）中のＹ軸方向に延在するスクライブライン上にテストストラクチャ１００を設ける場合には、設計データ上において、ＤＵＴ１０のパターンを配線部２０に対して相対的に右周り方向（図６（ｂ）中の矢印Ａ１方向）に９０度回転させる。また、この際、テストストラクチャ１００全体を回転中心Ｏに対して、左周り方向（図６（ｂ）中の矢印Ａ２方向）に９０度回転させる。この結果、回転後には、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４の延在方向はＹ軸方向となるが、接続ピン（図６（ｂ）中のＢ，Ｓ，Ｄ，Ｇ）とＤＵＴ間配線との間の接続関係は、基本状態（図６（ａ））のそれと同じになる。
【００４４】
すなわち、テストストラクチャ１００の全体形状を横長形状から縦長形状に変更する際には、テストストラクチャ１００全体の回転方向と逆方向にＤＵＴ１０を９０度回転させることにより、接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。なお、この際、図２と図５との比較から明らかなように、ＤＵＴ１０内の各種内部配線のパターンや各種コンタクト電極の位置等の構成を修正する必要がない。
【００４５】
［レイアウト設計手法］
次に、本実施形態のテストストラクチャ１００のレイアウト設計手法（レイアウト方法）を、図７を参照しながら説明する。図７は、本実施形態のテストストラクチャ１００のレイアウト設計手法の具体的な手順を示すフローチャートである。
【００４６】
まず、オペレータは、レイアウト設計エディタを用いて、ＤＵＴ１０のレイアウト設計パターン（レイアウトパターン）を作成する（ステップＳ１）。具体的には、オペレータは、レイアウト設計エディタを用いて、ＤＵＴ１０のソース領域、ドレイン領域、ウエル接続部、ゲート電極、各コンタクト電極、各内部配線、及び、各接続ピンのレイアウト設計パターンを作成する。この際、図２に示すように、ＤＵＴ１０のパターン形成面内のＸＹ直交座標系（原点はＤＵＴ１０の回転中心Ｏ）において、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄの座標が、Ｙ＝−Ｘで表される直線Ｌ１上の座標になるように、各接続ピンを配置する。
【００４７】
次いで、オペレータは、レイアウト設計エディタを用いて、ＤＵＴ１０のセルデータの上位階層となる各種ＤＵＴ間配線（配線部２０）のレイアウト設計パターン（レイアウトパターン）を作成する（ステップＳ２）。この際、本実施形態では、各ＤＵＴ間配線の延在方向がＤＵＴ１０のゲート方向と直交する方向（図２中のＸ軸方向）になるように、各ＤＵＴ間配線のレイアウト設計パターンを作成する。
【００４８】
上記ステップＳ１及びＳ２により、テストストラクチャ１００の基本状態のレイアウト設計パターンが作成される。なお、本実施形態では、ステップＳ２の設計操作をステップＳ１の設計操作の前に行ってもよい。
【００４９】
次いで、テストストラクチャ１００をウエハ上の所定領域（例えばスクライブライン上）に配置した際に、例えばオペレータは、レイアウト設計エディタ上で、ＤＵＴ１０のゲート方向が所望の方向であるか否かを判定する（ステップＳ３）。具体的には、本実施形態では、この際、例えばオペレータは、レイアウト設計エディタ上で、ＤＵＴ１０のゲート方向が図２中のＹ軸方向であるか否かを判定する。
【００５０】
ステップＳ３において、例えば、Ｘ軸方向に延在するスクライブライン上にテストストラクチャ１００を配置した場合には、ゲート方向が所望の方向（Ｙ軸方向）に向くので、ステップＳ３はＹＥＳ判定となる。この場合、テストストラクチャ１００を基本状態で配置すればよいので、例えばオペレータは、ＤＵＴ１０のセルデータを回転させずにテストストラクチャ１００を所定の位置に配置する（ステップＳ４）。
【００５１】
一方、ステップＳ３において、例えば、Ｙ軸方向に延在するスクライブライン上にテストストラクチャ１００を配置した場合には、テストストラクチャ１００全体が９０度回転する。この場合には、ゲート方向が所望の方向（Ｙ軸方向）と直交する方向（Ｘ軸方向）に向くので、ステップＳ３はＮＯ判定となる。それゆえ、この場合、例えばオペレータは、ＤＵＴ１０のセルデータのみを、テストストラクチャ１００全体の回転方向と逆方向に９０度回転させてゲート方向を所望の方向に向ける（ステップＳ５）。ただし、この際、本実施形態（図２及び５に示す例）では、ＤＵＴ１０のセルデータを配線部２０に対して相対的に右回り方向に９０度回転させる。
【００５２】
なお、レイアウト設計エディタとして、例えば、Ｃａｄｅｎｃｅ社製のＶｉｒｔｕｏｓｏを用いた場合には、ＤＵＴ１０の上記回転操作は、レイアウト設計エディタ上でＤＵＴインスタンス（又はＤＵＴセル）の回転情報を操作することにより実現できる。また、ＤＵＴ１０の回転操作の別の手法として、例えば、配線部２０の階層において、ＤＵＴ１０の引用情報に含まれるＤＵＴ１０の角度情報を直接操作する手法を用いてもよい。
【００５３】
本実施形態では、上述のようにして、テストストラクチャ１００のレイアウト設計パターンを作成する。なお、上記ステップＳ３以降の動作の説明では、オペレータが各種操作を行う例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、レイアウト設計エディタが、自身の内部に含まれるプログラムを用いて、上記ステップＳ３以降の操作を自動的に実施するようにしてもよい。
【００５４】
［比較例］
ここで、比較のため、本実施形態のＤＵＴ１０の接続ピンの配置構成を適用しない場合のテストストラクチャの構成例（比較例）を、図８に示す。なお、図８に示す比較例のテストストラクチャ１１０において、図２に示す本実施形態のテストストラクチャ１００と同様の構成には、同じ符号を付して示す。また、比較例では、ＤＵＴ１１１がＭＯＳトランジスタである例を示す。
【００５５】
図８と図２との比較から明らかなように、比較例のＤＵＴ１１１の各内部配線の形状、及び、各接続ピンの配置位置が、本実施形態のＤＵＴ１０のそれらと異なる。それ以外のテストストラクチャ１１０の構成は、本実施形態のテストストラクチャ１００の対応する構成と同様である。
【００５６】
比較例のＤＵＴ１１１では、ボディ配線膜１０５、ソース配線膜１０６、ドレイン配線膜１０７及びゲート配線膜１０８をメタル層Ｍ１の形成面内において、直線状に延在した金属膜で構成する。そして、ＤＵＴ１１１のパターン形成面内のＸＹ直交座標系（原点はＤＵＴ１１１の回転中心Ｏ）において、第１接続ピン１１３ａ〜第４接続ピン１１３ｄの座標が、Ｙ＝−Ｘで表される直線Ｌ１上の座標にならないように、各接続ピンを配置する。なお、従来の設計手法では、ＤＵＴの各内部配線の形状、及び、各接続ピンの配置位置は、例えば、ＤＵＴの形成スペース、デザインルール等の条件を満たす範囲内で任意に設定される。
【００５７】
比較例の構成では、図示しないが、ＤＵＴ１１１のパターンを配線部２０に対して相対的に９０度回転させても、基本状態における接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を回転後も維持することはできない。それゆえ、比較例において、例えば、スクライブラインの延在方向に応じてテストストラクチャ１１０を９０度回転させる必要がある場合には、ＤＵＴ１１１の各内部配線の形状、及び、各接続ピンの配置位置等の構成を適宜修正する必要がある。
【００５８】
それに対して、本実施形態のテストストラクチャ１００では、テストストラクチャ１００を９０度回転させる必要がある場合には、上述のように、ＤＵＴ１０のパターンを配線部２０に対して相対的に９０度回転させるだけで対応することができる。また、この際、本実施形態では、回転前のＤＵＴ１０内の各種内部配線、及び、配線部２０の各種ＤＵＴ間配線のパターンを修正（変更）することなく、基本状態における接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を回転後も維持することができる。それゆえ、本実施形態では、比較例に比べて、より簡易にテストストラクチャ１００を設計することができる。
【００５９】
また、本実施形態のテストストラクチャ１００では、上述のように、ＤＵＴ１０の引用情報内の回転情報を操作するだけで、ＤＵＴ１０の配置方向（縦又は横方向）を設定することができる。それゆえ、本実施形態のテストストラクチャ１００の設計技術を用いた場合には、ＤＵＴ１０と、その上位のＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持しながら、ＤＵＴ１０の配置方向を簡易に選択することのできるレイアウト設計システムを構築することができる。
【００６０】
なお、上記特許文献１で提案されている設計手法のように、接続ピンをＬ字型ルーティング構造体で構成した場合、テストストラクチャ全体を９０度回転させても、ＤＵＴの内部配線及びＤＵＴ間配線のパターンを修正する必要がない。しかしながら、本実施形態におけるテストストラクチャ１００の設計手法では、上記特許文献１で提案されている設計手法に対して、次のような利点を有する。
【００６１】
上記特許文献１の設計手法では、２つのＬ字状の接続ピンを、ＤＵＴの回転中心を間に挟んで対向する位置に形成する必要があり、レイアウト上の制約が大きく、設計の自由度が小さい。
【００６２】
それに対して、本実施形態では、ＤＵＴ１０のパターン形成面内のＸＹ直交座標系（原点はＤＵＴ１０の回転中心Ｏ）において、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄの座標が、Ｙ＝−Ｘで表される直線Ｌ１上の座標になるように、各接続ピンを配置すればよい。それ以外のテストストラクチャ１００のレイアウト設計パターンの構成は、例えばデザインルール等の条件を満足する範囲内で、任意に設定することができる。それゆえ、本実施形態では、特許文献１の手法に比べて、レイアウト上の制約が小さく、設計の自由度を大きくすることができる。
【００６３】
また、特許文献１の設計手法では、一つの金属配線層に、多くても２つのＬ字状の接続ピンしか形成することができない。すなわち、一つのＤＵＴに対して、３つ以上の接続ピンを設ける必要がある場合（ＭＯＳトランジスタの場合には４つの接続ピンが必要）には、一つのＤＵＴに対して金属配線層を２層以上設ける必要がある。
【００６４】
それに対して、本実施形態の設計手法では、上述のように、全ての接続ピンを一つの層に形成することができる。また、本実施形態では、各内部配線のパターン形状も任意に設定することができる。さらに、本実施形態では、全ての内部配線を一つの金属配線層（Ｍ１）に形成することができ、ＤＵＴ間配線の有効利用も可能になる。
【００６５】
＜２．第２の実施形態＞
［テストストラクチャの構成］
図９に、本開示の第２の実施形態に係るテストストラクチャの概略構成を示す。図９は、第２の実施形態のテストストラクチャ１２０における基本状態（回転前）のＤＵＴ及び各種ＤＵＴ間配線のレイアウト設計パターンの概略平面図である。なお、図９に示す本実施形態のテストストラクチャ１２０において、図２に示す第１の実施形態のテストストラクチャ１００と同様の構成には、同じ符号を付して示す。
【００６６】
本実施形態のテストストラクチャ１２０は、図示しないが、上記第１の実施形態と同様に、複数のＤＵＴ３０と、複数のテスト用電極パッドと、該複数のテスト用電極パッド及び各ＤＵＴ３０間をそれぞれ接続する複数のＤＵＴ間配線を有する配線部とを備える。また、テストストラクチャ１２０は、図示しないが、半導体基板（基板）を備え、該半導体基板上に、ＤＵＴ３０、テスト用電極パッド及び配線部が形成される。なお、本実施形態のテストストラクチャ１２０では、ＤＵＴ本体をＭＯＳトランジスタで構成するので、配線部は、上記第１の実施形態と同様に、４本のＤＵＴ間配線（第１ＤＵＴ間配線４１〜第４ＤＵＴ間配線４４）で構成される。
【００６７】
ただし、図９と図２との比較から明らかなように、本実施形態では、上記第１の実施形態において、ソース端子用の第２ＤＵＴ間配線の配置位置とドレイン端子用の第３ＤＵＴ間配線の配置位置とを入れ替えた構成となる。すなわち、本実施形態では、第２ＤＵＴ間配線４２がドレイン端子用のＤＵＴ間配線となり、第３ＤＵＴ間配線４３がソース端子用のＤＵＴ間配線となる。それ以外の各ＤＵＴ間配線の構成は、上記第１の実施形態の対応する構成と同様である。
【００６８】
また、本実施形態のＤＵＴ３０は、図９と図２との比較から明らかなように、本実施形態のＤＵＴ３０の各接続ピンの配置位置、各内部配線の形状等の構成が、上記第１の実施形態のＤＵＴ１０のそれらと異なる。それ以外のＤＵＴ３０の構成は、上記第１の実施形態のＤＵＴ１０の対応する構成と同様である。
【００６９】
本実施形態では、第１接続ピン３３ａ、第２接続ピン３３ｂ、第３接続ピン３３ｃ及び第４接続ピン３３ｄは、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線４１、第３ＤＵＴ間配線４３、第２ＤＵＴ間配線４２及び第４ＤＵＴ間配線４４と接続される位置に配置される。すなわち、第１接続ピン３３ａ、第３接続ピン３３ｃ、第２接続ピン３３ｂ及び第４接続ピン３３ｄは、ＤＵＴ３０のパターン形成面内（図９中のＸ−Ｙ面内）において、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線４１〜第４ＤＵＴ間配線４４の形成領域と重なる位置に配置される。
【００７０】
さらに、本実施形態では、第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄを、ＤＵＴ３０のパターン形成面内における回転中心Ｏ（ゲート電極４の略中央）を通り、かつ、ＤＵＴ間配線の延在方向（図９中のＸ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ２上に配置する。ただし、本実施形態では、図９中のＹ軸方向に対する直線Ｌ２の傾き方向が、上記第１の実施形態における直線Ｌ１の傾き方向と逆になる。より詳細には、例えば、いま、ＤＵＴ３０の回転中心Ｏの座標を原点とするＸＹ直交座標系（右手系）を設定した場合、直線Ｌ２はＹ＝Ｘで表され、第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄの各座標はＹ＝Ｘの直線Ｌ２上の座標となる。
【００７１】
また、本実施形態では、ボディ配線膜３５、ソース配線膜３６、ドレイン配線膜３７及びゲート配線膜３８は、それぞれ、メタル層Ｍ１に形成され、そのメタル層Ｍ１の形成面内において、略Ｌ字状に延在した金属膜で構成される。
【００７２】
ただし、本実施形態では、上述した各接続ピンの位置の変更に伴い、各内部配線のパターンも変わる。具体的には、本実施形態のボディ配線膜３５及びゲート配線膜３８のＬ字形状パターンは、図９中のＹ軸方向に対して、上記第１の実施形態のボディ配線膜５及びゲート配線膜８のＬ字形状パターンとそれぞれ線対称になる。また、本実施形態のソース配線膜３６及びドレイン配線膜３７のＬ字形状パターンは、図９中のＸ軸方向に対して、上記第１の実施形態のソース配線膜６及びドレイン配線膜７のＬ字形状パターンとそれぞれ線対称になる。
【００７３】
なお、上記構成の本実施形態のテストストラクチャ１２０は、上記第１の実施形態で説明したテストストラクチャ１００の設計手順（図７）と同様の手順により設計することができる。
【００７４】
［テストストラクチャの回転操作］
本実施形態のテストストラクチャ１２０では、ＤＵＴ３０のパターンを配線部に対して相対的に左周り方向に９０度回転させた場合に、回転後も、回転前の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。その回転操作例を、図１０（ａ）及び（ｂ）に示す。
【００７５】
図１０（ａ）は、基本状態のＤＵＴ３０の第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線４１〜第４ＤＵＴ間配線４４との間の接続関係を示す図である。一方、図１０（ｂ）は、回転後のＤＵＴ３０の第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線４１〜第４ＤＵＴ間配線４４との間の接続関係を示す図である。また、図１０（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ３０の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ３０の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ３０の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。
【００７６】
なお、図１０（ａ）及び（ｂ）に示す回転操作は、例えば、テストストラクチャ１２０を配置するスクライブラインの延在方向に応じて、テストストラクチャ１２０全体を９０度回転する必要がある場合に実施される。
【００７７】
本実施形態のテストストラクチャ１２０を基本状態（図１０（ａ））から９０度回転させる場合には、設計データ上において、ＤＵＴ３０のパターンを配線部に対して相対的に左周り方向（図１０（ｂ）中の矢印Ａ３方向）に９０度回転させる。また、この際、テストストラクチャ１２０全体を回転中心Ｏに対して、右周り方向（図１０（ｂ）中の矢印Ａ４方向）に９０度回転させる。この結果、回転後には、第１ＤＵＴ間配線４１〜第４ＤＵＴ間配線４４の延在方向はＹ軸方向となるが、接続ピン（図１０（ｂ）中のＢ，Ｓ，Ｄ，Ｇ）とＤＵＴ間配線との間の接続関係は、基本状態（図１０（ａ））のそれと同じになる。
【００７８】
すなわち、本実施形態においても、テストストラクチャ１２０を９０度回転させる際には、テストストラクチャ１２０全体の回転方向と逆方向にＤＵＴ３０を９０度回転させることにより、接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。また、この際、本実施形態においても、ＤＵＴ３０内の各種内部配線のパターンや各種コンタクト電極の位置等の構成を変える必要がない。それゆえ、本実施形態においても、より簡易にテストストラクチャ１２０を設計することができ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００７９】
＜３．第３の実施形態＞
上記第１及び第２の実施形態では、テストストラクチャの基本状態において、ＤＵＴ間配線の延在方向がゲート方向と直交する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。テストストラクチャの基本状態において、ＤＵＴ間配線の延在方向がゲート方向と平行である場合にも、本開示のテストストラクチャの設計技術を適用することができる。第３の実施形態では、その一例を説明する。
【００８０】
［テストストラクチャの構成］
図１１に、本開示の第３の実施形態に係るテストストラクチャの概略構成を示す。図１１は、第３の実施形態のテストストラクチャ１３０における基本状態（回転前）のＤＵＴ及び各種ＤＵＴ間配線のレイアウト設計パターンの概略平面図である。なお、図１１に示す本実施形態のテストストラクチャ１３０において、図２に示す第１の実施形態のテストストラクチャ１００と同様の構成には、同じ符号を付して示す。
【００８１】
本実施形態のテストストラクチャ１３０は、図示しないが、上記第１の実施形態と同様に、複数のＤＵＴ１０と、複数のテスト用電極パッドと、該複数のテスト用電極パッド及び各ＤＵＴ１０間をそれぞれ接続する複数のＤＵＴ間配線を有する配線部とを備える。また、テストストラクチャ１３０は、図示しないが、半導体基板（基板）を備え、該半導体基板上に、ＤＵＴ１０、テスト用電極パッド及び配線部が形成される。なお、本実施形態のテストストラクチャ１３０では、ＤＵＴ本体をＭＯＳトランジスタで構成するので、配線部は、上記第１の実施形態と同様に、４本のＤＵＴ間配線（第１ＤＵＴ間配線５１〜第４ＤＵＴ間配線５４）で構成される。
【００８２】
また、図１１と図２との比較から明らかなように、本実施形態のテストストラクチャ１３０は、上記第１の実施形態のテストストラクチャ１００において、各ＤＵＴ間配線の延在方向をＤＵＴ１０のゲート電極４の延在方向（Ｙ軸方向）と平行にした構成である。テストストラクチャ１３０のそれ以外の構成は、上記第１の実施形態の対応する構成と同様である。
【００８３】
ただし、本実施形態においても、図１１に示すように、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄはそれぞれ、第１ＤＵＴ間配線５１〜第４ＤＵＴ間配線５４と接続される位置に配置される。すなわち、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄは、ＤＵＴ１０のパターン形成面内（図１１中のＸ−Ｙ面内）において、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線５１〜第４ＤＵＴ間配線５４の形成領域と重なる位置に配置される。
【００８４】
さらに、本実施形態では、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄを、ＤＵＴ１０のパターン形成面内における回転中心Ｏ（ゲート電極４の略中央）を通り、かつ、ＤＵＴ間配線の延在方向（図１１中のＹ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ１上に配置する。すなわち、本実施形態では、上記第１の実施形態と同様に、ＤＵＴ１０の回転中心Ｏの座標を原点とするＸＹ直交座標系において、第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄの各座標が、Ｙ＝−Ｘで表される直線Ｌ１上の座標となるように、各接続ピンが配置される。
【００８５】
なお、上記構成の本実施形態のテストストラクチャ１３０は、上記第１の実施形態で説明したテストストラクチャ１００の設計手順（図７）と同様の手順により設計することができる。
【００８６】
［テストストラクチャの回転操作］
本実施形態のテストストラクチャ１３０では、ＤＵＴ１０のパターンを配線部に対して相対的に左周り方向に９０度回転させた場合に、回転後も、回転前の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。その回転操作例を、図１２（ａ）及び（ｂ）に示す。
【００８７】
図１２（ａ）は、基本状態のＤＵＴ１０の第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線５１〜第４ＤＵＴ間配線５４との間の接続関係を示す図である。一方、図１２（ｂ）は、回転後のＤＵＴ１０の第１接続ピン１３ａ〜第４接続ピン１３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線５１〜第４ＤＵＴ間配線５４との間の接続関係を示す図である。また、図１２（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ１０の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ１０の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ１０の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。
【００８８】
なお、図１２（ａ）及び（ｂ）に示す回転操作は、例えば、テストストラクチャ１３０を配置するスクライブラインの延在方向に応じて、テストストラクチャ１３０全体を９０度回転する必要がある場合に実施される。
【００８９】
本実施形態のテストストラクチャ１３０を基本状態（図１２（ａ））から９０度回転させる場合には、設計データ上において、ＤＵＴ１０のパターンを配線部に対して相対的に左周り方向（図１２（ｂ）中の矢印Ａ５方向）に９０度回転させる。また、この際、テストストラクチャ１３０全体を回転中心Ｏに対して、右周り方向（図１２（ｂ）中の矢印Ａ６方向）に９０度回転させる。この結果、回転後には、第１ＤＵＴ間配線５１〜第４ＤＵＴ間配線５４の延在方向はＸ軸方向となるが、接続ピン（図１２（ｂ）中のＢ，Ｓ，Ｄ，Ｇ）とＤＵＴ間配線との間の接続関係は、基本状態（図１２（ａ））のそれと同じになる。
【００９０】
すなわち、本実施形態においても、テストストラクチャ１３０を９０度回転させる際には、テストストラクチャ１３０全体の回転方向と逆方向にＤＵＴ１０を９０度回転させることにより、接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。また、この際、本実施形態においても、ＤＵＴ１０内の各種内部配線のパターンや各種コンタクト電極の位置等の構成を変える必要がない。それゆえ、本実施形態においても、より簡易にテストストラクチャ１３０を設計することができ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【００９１】
＜４．第４の実施形態＞
上記第３の実施形態では、上記第１の実施形態のテストストラクチャ１００において、ＤＵＴ間配線の延在方向をゲート方向と平行にする例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、上記第２の実施形態のテストストラクチャ１２０において、ＤＵＴ間配線の延在方向をゲート方向と平行にしてもよい。第４の実施形態では、その一例を説明する。
【００９２】
［テストストラクチャの構成］
図１３に、本開示の第４の実施形態に係るテストストラクチャの概略構成を示す。図１３は、第４の実施形態のテストストラクチャ１４０における基本状態（回転前）のＤＵＴ及び各種ＤＵＴ間配線のレイアウト設計パターンの概略平面図である。なお、図１３に示す本実施形態のテストストラクチャ１４０において、図９に示す第２の実施形態のテストストラクチャ１２０と同様の構成には、同じ符号を付して示す。
【００９３】
本実施形態のテストストラクチャ１４０は、図示しないが、上記第１の実施形態と同様に、複数のＤＵＴ３０と、複数のテスト用電極パッドと、該複数のテスト用電極パッド及び各ＤＵＴ３０間をそれぞれ接続する複数のＤＵＴ間配線を有する配線部とを備える。また、テストストラクチャ１４０は、図示しないが、半導体基板（基板）を備え、該半導体基板上に、ＤＵＴ３０、テスト用電極パッド及び配線部が形成される。なお、本実施形態のテストストラクチャ１４０では、ＤＵＴ本体をＭＯＳトランジスタで構成するので、配線部は、上記第１の実施形態と同様に、４本のＤＵＴ間配線（第１ＤＵＴ間配線６１〜第４ＤＵＴ間配線６４）で構成される。
【００９４】
また、図１３と図９との比較から明らかなように、本実施形態のテストストラクチャ１４０は、上記第２の実施形態のテストストラクチャ１２０において、各ＤＵＴ間配線の延在方向をＤＵＴ３０のゲート方向（Ｙ軸方向）と平行にした構成である。テストストラクチャ１４０のそれ以外の構成は、上記第２の実施形態の対応する構成と同様である。
【００９５】
ただし、本実施形態においても、図１３に示すように、第１接続ピン３３ａ、第３接続ピン３３ｃ、第２接続ピン３３ｂ及び第４接続ピン３３ｄはそれぞれ、第１ＤＵＴ間配線６１〜第４ＤＵＴ間配線６４と接続される位置に配置される。すなわち、第１接続ピン３３ａ、第３接続ピン３３ｃ、第２接続ピン３３ｂ及び第４接続ピン３３ｄは、図１３中のＸ−Ｙ面内において、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線６１〜第４ＤＵＴ間配線６４の形成領域と重なる位置に配置される。
【００９６】
さらに、本実施形態では、第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄを、ＤＵＴ３０のパターン形成面内における回転中心Ｏ（ゲート電極４の略中央）を通り、かつ、ＤＵＴ間配線の延在方向（図１３中のＹ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ２上に配置する。すなわち、本実施形態では、上記第２の実施形態と同様に、ＤＵＴ３０の回転中心Ｏの座標を原点とするＸＹ直交座標系において、第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄの各座標が、Ｙ＝Ｘで表される直線Ｌ２上の座標となるように、各接続ピンが配置される。
【００９７】
なお、上記構成の本実施形態のテストストラクチャ１４０は、上記第１の実施形態で説明したテストストラクチャ１００の設計手順（図７）と同様の手順により設計することができる。
【００９８】
［テストストラクチャの回転操作］
本実施形態のテストストラクチャ１４０では、ＤＵＴ３０のパターンを配線部に対して相対的に右周り方向に９０度回転させた場合に、回転後も、回転前の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。その回転操作例を、図１４（ａ）及び（ｂ）に示す。
【００９９】
図１４（ａ）は、基本状態のＤＵＴ３０の第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線６１〜第４ＤＵＴ間配線６４との間の接続関係を示す図である。一方、図１４（ｂ）は、回転後のＤＵＴ３０の第１接続ピン３３ａ〜第４接続ピン３３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線６１〜第４ＤＵＴ間配線６４との間の接続関係を示す図である。また、図１４（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ３０の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ３０の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ３０の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。
【０１００】
なお、図１４（ａ）及び（ｂ）に示す回転操作は、例えば、テストストラクチャ１４０を配置するスクライブラインの延在方向に応じて、テストストラクチャ１４０全体を９０度回転する必要がある場合に実施される。
【０１０１】
本実施形態のテストストラクチャ１４０を基本状態（図１４（ａ））から９０度回転させる場合には、設計データ上において、ＤＵＴ３０のパターンを配線部に対して相対的に右周り方向（図１４（ｂ）中の矢印Ａ７方向）に９０度回転させる。また、この際、テストストラクチャ１４０全体を回転中心Ｏに対して、左周り方向（図１４（ｂ）中の矢印Ａ８方向）に９０度回転させる。この結果、回転後には、第１ＤＵＴ間配線６１〜第４ＤＵＴ間配線６４の延在方向はＸ軸方向となるが、接続ピン（図１４（ｂ）中のＢ，Ｓ，Ｄ，Ｇ）とＤＵＴ間配線との間の接続関係は、基本状態（図１４（ａ））のそれと同じになる。
【０１０２】
すなわち、本実施形態においても、テストストラクチャ１４０を９０度回転させる際には、テストストラクチャ１４０全体の回転方向と逆方向にＤＵＴ３０を９０度回転させることにより、接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。また、この際、本実施形態においても、ＤＵＴ３０内の各種内部配線のパターンや各種コンタクト電極の位置等の構成を変える必要がない。それゆえ、本実施形態においても、より簡易にテストストラクチャ１４０を設計することができ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１０３】
＜５．第５の実施形態＞
上記第１〜第４の実施形態では、複数のＤＵＴ間配線の全てが同じ方向に延在するテストストラクチャの構成例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、複数のＤＵＴ間配線のうち、一部のＤＵＴ間配線の延在方向と、残りのＤＵＴ間配線の延在方向とが互いに直交していてもよい。第５の実施形態では、その一例を説明する。
【０１０４】
［テストストラクチャの構成］
図１５に、本開示の第５の実施形態に係るテストストラクチャの概略構成を示す。図１５は、第５の実施形態のテストストラクチャ１５０における基本状態（回転前）のＤＵＴ及び各種ＤＵＴ間配線のレイアウト設計パターンの概略平面図である。また、図１５に示す本実施形態のテストストラクチャ１５０において、図９に示す第２の実施形態のテストストラクチャ１２０と同様の構成には、同じ符号を付して示す。
【０１０５】
本実施形態のテストストラクチャ１５０は、図示しないが、上記第１の実施形態と同様に、複数のＤＵＴ７０と、複数のテスト用電極パッドと、該複数のテスト用電極パッド及び各ＤＵＴ７０間をそれぞれ接続する複数のＤＵＴ間配線を有する配線部とを備える。また、テストストラクチャ１５０は、図示しないが、半導体基板（基板）を備え、該半導体基板上に、ＤＵＴ７０、テスト用電極パッド及び配線部が形成される。なお、本実施形態のテストストラクチャ１５０では、ＤＵＴ本体をＭＯＳトランジスタで構成するので、配線部は、上記第１の実施形態と同様に、４本のＤＵＴ間配線（第１ＤＵＴ間配線８１〜第４ＤＵＴ間配線８４）で構成される。
【０１０６】
ただし、本実施形態では、ボディ端子用の第１ＤＵＴ間配線８１及びゲート端子用の第４ＤＵＴ間配線８４（第１配線）の延在方向は、上記第２の実施形態と同様に、図１５中のＸ軸方向とする。しかしながら、ドレイン端子用の第２ＤＵＴ間配線８２及びソース端子用の第３ＤＵＴ間配線８３（第２配線）の延在方向は、図１５中のＹ軸方向とする。すなわち、本実施形態では、ドレイン端子用の第２ＤＵＴ間配線８２及びソース端子用の第３ＤＵＴ間配線８３の延在方向を、ボディ端子用の第１ＤＵＴ間配線８１及びゲート端子用の第４ＤＵＴ間配線８４の延在方向と直交させる。
【０１０７】
また、本実施形態では、ボディ端子用の第１ＤＵＴ間配線８１及びゲート端子用の第４ＤＵＴ間配線８４を、上記第２の実施形態と同様に、メタル層Ｍ２に形成する。一方、ドレイン端子用の第２ＤＵＴ間配線８２及びソース端子用の第３ＤＵＴ間配線８３は、メタル層Ｍ２上に図示しない層間絶縁膜を介して形成されたメタル層Ｍ３に形成される。なお、各ＤＵＴ間配線の上記以外の構成は、上記第２の実施形態のそれと同様である。
【０１０８】
また、本実施形態のＤＵＴ７０は、図１５と図９との比較から明らかなように、本実施形態のＤＵＴ７０の各接続ピンの配置位置、各内部配線の形状等の構成が、上記第２の実施形態のＤＵＴ３０のそれらと異なる。それ以外のＤＵＴ７０の構成は、上記第２の実施形態のＤＵＴ３０の対応する構成と同様である。
【０１０９】
本実施形態では、第１接続ピン７３ａ、第２接続ピン７３ｂ、第３接続ピン７３ｃ及び第４接続ピン７３ｄはそれぞれ、第１ＤＵＴ間配線８１、第３ＤＵＴ間配線８３、第２ＤＵＴ間配線８２及び第４ＤＵＴ間配線８４と接続される位置に配置される。すなわち、第１接続ピン７３ａ、第３接続ピン７３ｃ、第２接続ピン７３ｂ及び第４接続ピン７３ｄは、ＤＵＴ７０のパターン形成面内（図１５中のＸ−Ｙ面内）において、それぞれ第１ＤＵＴ間配線８１〜第４ＤＵＴ間配線８４の形成領域と重なる位置に配置される。
【０１１０】
さらに、本実施形態では、第１接続ピン７３ａ及び第４接続ピン７３ｄを、ＤＵＴ７０のパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、対応するＤＵＴ間配線の延在方向（図１５中のＸ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ２上に配置する。具体的には、本実施形態では、上記第２の実施形態と同様に、ＤＵＴ７０の回転中心Ｏの座標を原点とするＸＹ直交座標系において、第１接続ピン７３ａ及び第４接続ピン７３ｄの各座標が、Ｙ＝Ｘで表される直線Ｌ２上の座標となるように、各接続ピンが配置される。
【０１１１】
また、本実施形態では、第２接続ピン７３ｂ及び第３接続ピン７３ｃを、ＤＵＴ７０のパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、対応するＤＵＴ間配線の延在方向（図１５中のＹ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ１上に配置する。具体的には、上記第３の実施形態と同様に、ＤＵＴ７０の回転中心Ｏの座標を原点とするＸＹ直交座標系において、第２接続ピン７３ｂ及び第３接続ピン７３ｃの各座標が、Ｙ＝−Ｘで表される直線Ｌ１上の座標となるように、各接続ピンが配置される。すなわち、本実施形態におけるテストストラクチャ１５０の接続ピンの配置構成は、上記第２の実施形態の構成と、上記第３の実施形態の構成とを組み合わせたものとなる。
【０１１２】
また、本実施形態では、ボディ配線膜３５、ソース配線膜７６、ドレイン配線膜７７及びゲート配線膜３８は、それぞれ、ＤＵＴ７０の形成面内において、略Ｌ字状に延在した金属膜で構成される。
【０１１３】
ただし、本実施形態では、上述した各接続ピンの位置の変更に伴い、各内部配線のパターンも変わる。具体的には、ボディ配線膜３５及びゲート配線膜３８のＬ字形状パターンは、上記第２の実施形態のそれらと同様になる。一方、ソース配線膜７６及びドレイン配線膜７７のＬ字形状パターンは、図１５中のＸ軸方向に対して、上記第２の実施形態のソース配線膜３６及びドレイン配線膜３７のＬ字形状パターンとそれぞれ線対称になる。
【０１１４】
なお、上記構成の本実施形態のテストストラクチャ１５０は、上記第１の実施形態で説明したテストストラクチャ１００の設計手順（図７）と同様の手順により設計することができる。
【０１１５】
［テストストラクチャの回転操作］
本実施形態のテストストラクチャ１５０では、ＤＵＴ７０のパターンを配線部に対して相対的に左周り方向に９０度回転させた場合に、回転後も、回転前の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。その回転操作例を、図１６（ａ）及び（ｂ）に示す。
【０１１６】
図１６（ａ）は、基本状態のＤＵＴ７０の第１接続ピン７３ａ〜第４接続ピン７３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線８１〜第４ＤＵＴ間配線８４との間の接続関係を示す図である。一方、図１６（ｂ）は、回転後のＤＵＴ７０の第１接続ピン７３ａ〜第４接続ピン７３ｄと、配線部の第１ＤＵＴ間配線８１〜第４ＤＵＴ間配線８４との間の接続関係を示す図である。なお、図１６（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ７０の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ７０の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ７０の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。
【０１１７】
なお、図１６（ａ）及び（ｂ）に示す回転操作は、例えば、テストストラクチャ１５０を配置するスクライブラインの延在方向に応じて、テストストラクチャ１５０全体を９０度回転する必要がある場合に実施される。
【０１１８】
本実施形態のテストストラクチャ１５０を基本状態（図１６（ａ））から９０度回転させる場合には、設計データ上において、ＤＵＴ７０のパターンを配線部に対して相対的に左周り方向（図１６（ｂ）中の矢印Ａ９方向）に９０度回転させる。また、この際、テストストラクチャ１５０全体を回転中心Ｏに対して、右周り方向（図１６（ｂ）中の矢印Ａ１０方向）に９０度回転させる。これにより、回転後には、第１ＤＵＴ間配線８１及び第４ＤＵＴ間配線８４の延在方向はＹ軸方向となり、第２ＤＵＴ間配線８２及び第３ＤＵＴ間配線８３の延在方向はＸ軸方向となる。しかしながら、回転後も接続ピン（図１６（ｂ）中のＢ，Ｓ，Ｄ，Ｇ）とＤＵＴ間配線との間の接続関係は、基本状態（図１６（ａ））のそれと同じになる。
【０１１９】
すなわち、本実施形態においても、テストストラクチャ１５０を９０度回転させる際には、テストストラクチャ１５０全体の回転方向と逆方向にＤＵＴ７０を９０度回転させることにより、接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係を維持することができる。また、この際、本実施形態においても、ＤＵＴ７０内の各種内部配線のパターンや各種コンタクト電極の位置等の構成を変える必要がない。それゆえ、本実施形態においても、より簡易にテストストラクチャ１５０を設計することができ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１２０】
＜６．各種変形例＞
本開示のテストストラクチャの構成は、上記第１〜第５の実施形態で説明した構成例に限定されない。ＤＵＴとＤＵＴ間配線とを接続する接続ピンが、ＤＵＴのパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、該ＤＵＴ間配線の延在方向に対して所定角度で傾いた直線上の位置に配置されていればよい。また、この際、ＤＵＴをそのパターン形成面内で回転中心Ｏを中心にしてＤＵＴ間配線に対して相対的に９０度回転させた際にも、ＤＵＴ及びＤＵＴ間配線間の接続関係が維持されるような位置に接続ピンが配置されていればよい。本開示のテストストラクチャにおいて、このような接続ピンの配置位置以外の構成は、任意に設計することができる。ここでは、上記各種実施形態のテストストラクチャの各種変形例を説明する。
【０１２１】
［変形例１］
上記各種実施形態では、接続ピンが配置される直線がＤＵＴ間配線の延在方向に対して４５度傾いた直線である例を説明したが、本開示はこれに限定されない。例えば、ＤＵＴ間配線の線幅にある程度余裕がある場合には、接続ピンが配置される直線の方向とＤＵＴ間配線の延在方向との間の角度が、ＤＵＴを９０度回転させた際にＤＵＴとＤＵＴ間配線との間の接続関係が維持される範囲内で、４５度からずれていてもよい。
【０１２２】
変形例１では、そのような接続ピンの配置例を、図面を参照しながら具体的に説明する。なお、以下に説明する変形例１−１及び１−２のテストストラクチャでは、上記各種実施形態と同様にＤＵＴ本体をＭＯＳトランジスタで構成した例を説明する。それゆえ、下記変形例１−１及び１−２のＤＵＴでは、上記各種実施形態と同様に、ＭＯＳトランジスタのボディ（ウエル）、ソース、ドレイン及びゲートに、それぞれ、４つの接続ピン（第１〜第４接続ピン）が設けられる。また、ここでは、上記各種実施形態と同様に、４つの接続ピン（第１〜第４接続ピン）が、配線部内の対応する４本のＤＵＴ間配線（第１〜第４ＤＵＴ間配線）にそれぞれ接続される例を説明する。
【０１２３】
（１）変形例１−１
変形例１−１では、上記第１の実施形態と同様に、各ＤＵＴ間配線の線幅が比較的狭い場合のテストストラクチャの構成例を説明する。
【０１２４】
図１７（ａ）及び（ｂ）に、変形例１−１に係るテストストラクチャ１６０のＤＵＴ１６１における４つの接続ピン（第１接続ピン１６３ａ〜第４接続ピン１６３ｄ）の配置例を示す。図１７（ａ）は、基本状態におけるＤＵＴ１６１の第１接続ピン１６３ａ〜第４接続ピン１６３ｄ（図中の四角印）と、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４との間の接続関係を示す図である。一方、図１７（ｂ）は、回転操作後のＤＵＴ１６１の第１接続ピン１６３ａ〜第４接続ピン１６３ｄと、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４との間の接続関係を示す図である。
【０１２５】
なお、図１７（ａ）及び（ｂ）に示すテストストラクチャ１６０において、図２に示す上記第１の実施形態のテストストラクチャ１００と同様の構成には、同じ符号を付して示す。また、図１７（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ１６１の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ１６１の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ１６１の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。
【０１２６】
この例では、第１接続ピン１６３ａ〜第４接続ピン１６３ｄは、ＤＵＴ１６１のパターン形成面内（図１７（ａ）中のＸ−Ｙ面内）において、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線２１〜第４ＤＵＴ間配線２４の形成領域と重なる位置に配置される。また、この例では、各接続ピンを、ＤＵＴ１６１のパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、ＤＵＴ間配線の延在方向（図１７（ａ）中のＸ軸方向）に対して、４５度（直線Ｌ１の傾斜角度）から少しずれた角度で傾いた直線Ｌ３上に配置する。さらに、この例では、直線Ｌ３の傾斜角度を、ＤＵＴ１６１のパターンを配線部に対して相対的に右周り方向（図１７（ｂ）中の矢印Ａ１１方向）に９０度回転させた際にも、各接続ピンと対応するＤＵＴ間配線との接続関係が維持されるような角度に設定する。
【０１２７】
なお、変形例１−１のテストストラクチャ１６０において、ＤＵＴ１６１の第１接続ピン１６３ａ〜第４接続ピン１６３ｄの配置位置以外の構成は、上記第１の実施形態のテストストラクチャ１００の対応する構成と同様である。
【０１２８】
上述のように、変形例１−１の構成では、接続ピンが配置される直線Ｌ３の方向とＤＵＴ間配線の延在方向との間の角度が４５度から多少ずれるが、ＤＵＴ１６１を９０度回転させた際にもＤＵＴ１６１の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係が維持される。それゆえ、この例においても、より簡易にテストストラクチャ１６０を設計することができ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１２９】
（２）変形例１−２
変形例１−２では、上記変形例１−１（上記各種実施形態）に比べて、各ＤＵＴ間配線の線幅が比較的広い場合のテストストラクチャの構成例を説明する。
【０１３０】
図１８（ａ）及び（ｂ）に、変形例１−２に係るテストストラクチャ１７０のＤＵＴ１７１における４つの接続ピン（第１接続ピン１７３ａ〜第４接続ピン１７３ｄ）の配置例を示す。図１８（ａ）は、基本状態におけるＤＵＴ１７１の第１接続ピン１７３ａ〜第４接続ピン１７３ｄ（図中の四角印）と、第１ＤＵＴ間配線１７５〜第４ＤＵＴ間配線１７８との間の接続関係を示す図である。一方、図１８（ｂ）は、回転操作後のＤＵＴ１７１の第１接続ピン１７３ａ〜第４接続ピン１７３ｄと、第１ＤＵＴ間配線１７５〜第４ＤＵＴ間配線１７８との間の接続関係を示す図である。また、図１８（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、ＤＵＴ１７１の詳細なパターンの図示を省略し、ＤＵＴ１７１の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内におけるＤＵＴ１７１の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。
【０１３１】
この例では、第１接続ピン１７３ａ〜第４接続ピン１７３ｄは、ＤＵＴ１７１のパターン形成面内（図１８（ａ）中のＸ−Ｙ面内）において、それぞれ、第１ＤＵＴ間配線１７５〜第４ＤＵＴ間配線１７８の形成領域と重なる位置に配置される。また、この例では、各接続ピンを、ＤＵＴ１７１のパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、ＤＵＴ間配線の延在方向（図１８（ａ）中のＸ軸方向）に対して、４５度（直線Ｌ１の傾斜角度）からずれた角度で傾いた直線Ｌ４上に配置する。さらに、この例では、直線Ｌ４の傾斜角度を、ＤＵＴ１７１のパターンを配線部に対して相対的に右周り方向（図１８（ｂ）中の矢印Ａ１１方向）に９０度回転させた際にも、各接続ピンと対応するＤＵＴ間配線との接続関係が維持されるような角度に設定する。
【０１３２】
なお、変形例１−２のテストストラクチャ１７０において、ＤＵＴ１７１の第１接続ピン１７３ａ〜第４接続ピン１７３ｄの配置位置、及び、各ＤＵＴ間配線の線幅以外の構成は、上記第１の実施形態のテストストラクチャ１００の対応する構成と同様である。
【０１３３】
上述のように、変形例１−２の構成においても、上記変形例１−１と同様に、接続ピンが配置される直線Ｌ４の方向とＤＵＴ間配線の延在方向との間の角度が４５度からずれた値となる。しかしながら、この例においても、ＤＵＴ１７１を９０度回転させた際にＤＵＴ１７１の接続ピンとＤＵＴ間配線との間の接続関係が維持される。それゆえ、この例においても、より簡易にテストストラクチャ１７０を設計することができ、上記第１の実施形態と同様の効果が得られる。
【０１３４】
また、変形例１−２では、ＤＵＴ間配線の線幅が上記変形例１−１のそれより広いので、変形例１−２における接続ピンの配置方向（直線Ｌ４）の傾斜角度の４５度（直線Ｌ１）からのずれ量を、上記変形例１−１のそれより大きくすることができる。すなわち、変形例１−２のように、ＤＵＴ間配線の線幅を広くすることにより、ＤＵＴ間配線の延在方向に対する接続ピンの配置方向の傾斜角度の許容範囲を大きくすることができる。
【０１３５】
［変形例２］
上記第５の実施形態では、複数のＤＵＴ間配線のうち、一部のＤＵＴ間配線の延在方向と残りのＤＵＴ間配線の延在方向とを互いに直交させる例として、上記第２の実施形態の構成と、上記第３の実施形態の構成とを組み合わせた構成例を説明した。しかしながら、本開示はこれに限定されず、例えば、上記第１の実施形態の構成と、上記第４の実施形態の構成とを組み合わせて、一部のＤＵＴ間配線の延在方向と残りのＤＵＴ間配線の延在方向とを互いに直交させるようにしてもよい。ただし、この場合も、上記第５の実施形態と同様に、一部のＤＵＴ間配線、及び、残りのＤＵＴ間配線をそれぞれ別個の金属配線層に形成する。
【０１３６】
［変形例３］
上記第１〜第４実施形態では、複数のＤＵＴ間配線を全てメタル層Ｍ２に形成する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。上記第１〜第４実施形態の構成において、上記第５の実施形態と同様に、複数のＤＵＴ間配線のうち、一部のＤＵＴ間配線と、残りのＤＵＴ間配線とを、それぞれ別個のメタル層に形成してもよい。
【０１３７】
［変形例４］
上記各種実施形態では、ＤＵＴのパターン形成面内におけるＤＵＴの形成領域の外周端を規定する外枠形状が正方形状である例を説明したが、本開示はこれに限定されず、例えば、長方形状であってもよい。
【０１３８】
［変形例５］
上記各種実施形態では、ＤＵＴ本体がＭＯＳトランジスタである例を説明した。また、特許文献１においても、ＤＵＴ本体がＭＯＳトランジスタである場合に限定した技術が記載されている。しかしながら、上記各種実施形態のテストストラクチャの設計技術は、ＤＵＴ本体がＭＯＳトランジスタ以外のデバイスである場合にも適用可能であり、同様の効果が得られる。
【０１３９】
例えば、ＤＵＴ本体が抵抗素子や容量素子等のデバイスである場合にも、上記各種実施形態のテストストラクチャの設計技術を適用することができる。なお、この場合、ＤＵＴとＤＵＴ間配線との間の接続ピンの数は、ＤＵＴ本体を構成するデバイスにより変わるが、２端子以上となる。
【０１４０】
接続ピンが４端子以外の場合においても、各接続ピンが、ＤＵＴのパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、対応するＤＵＴ間配線の延在方向に対して所定角度（略４５度）傾いた直線上の位置に配置されていればよい。この際、複数の接続ピンが、全て、上記第１〜第４の実施形態と同様に、一本の直線上に配置されていてもよいし、上記第５の実施形態と同様に、複数の接続ピンの一部が配置される第１の直線が、残りの接続ピンが配置される第２の直線と異なっていてもよい。
【０１４１】
＜７．応用例：集積回路の構成例＞
上記各種実施形態及び各種変形例では、本開示の設計技術をウエハ検査用のテストストラクチャに適用する例を説明したが、本開示はこれに限定されない。上記設計技術は、実際に製品として作製される、デバイス（例えば、ＭＯＳトランジスタ、抵抗素子、容量素子等のデバイス素子本体）を含む所定の回路セルやハードマクロなどのデバイス素子部、及び、それを含む集積回路にも適用可能である。
【０１４２】
例えば、デバイス素子部に含まれるデバイスがＭＯＳトランジスタである場合には、上記各種実施形態及び各種変形例のＤＵＴ及び配線部の構成（例えば図２参照）を、デバイス素子部及びその上位配線（配線部）の構成にそれぞれ適用すればよい。すなわち、所定の回路セルやハードマクロに含まれるＭＯＳトランジスタ及びその上位配線のレイアウト設計パターンに、上記各種実施形態及び各種変形例のＤＵＴ本体及びＤＵＴ間配線のレイアウト設計パターンを、そのまま適用すればよい。
【０１４３】
この場合も、集積回路の設計時にデバイス素子部のレイアウト設計パターンを９０度回転させる際には、各種デバイスのセルデータのみを配線部に対して相対的に所定方向に９０度回転させるだけでよく、その他のレイアウト設計パターンを修正する必要がない。それゆえ、上記各種実施形態及び各種変形例で説明したテストストラクチャの設計技術を、集積回路の設計に適用した場合には、集積回路の設計をより簡易にすることができる。
【０１４４】
ここで、本開示の上記ＤＵＴの設計技術を集積回路のＩ／Ｏセルに適用した例を、図面を参照しながら具体的に説明する。
【０１４５】
［集積回路の構成］
図１９に、本開示の上記ＤＵＴの設計技術を適用して作製された集積回路の概略構成を示す。なお、図１９には、説明を簡略化するため、集積回路１８０内の一部のＩ／Ｏセル付近の構成のみを示す。
【０１４６】
この例の集積回路１８０は、チップコア部１８１と、該チップコア部１８１の周囲に設けられた複数の第１Ｉ／Ｏセル１８２及び複数の第２Ｉ／Ｏセル１８３とを備える。さらに、集積回路１８０は、各Ｉ／Ｏセル（デバイス素子部）に共通して設けられたＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６を含む配線部１８４を備える。なお、図１９には示さないが、集積回路１８０の各部は、図示しない半導体基板（基板）上に形成される。
【０１４７】
各Ｉ／Ｏセルは、チップコア部１８１内の回路と外部との電気的接続を制御するインターフェース回路セルであり、例えばＭＯＳトランジスタ等の回路素子を含む所定の回路で各Ｉ／Ｏセルを構成することができる。また、各Ｉ／Ｏセルの入力電極部１９１は、ボンディングワイヤ（不図示）等を介して外部のピン（不図示）等に接続され、出力電極部１９２は、チップコア部１８１内の所定回路の電極等に接続される。なお、各Ｉ／Ｏセルの構成については、後で詳述する。
【０１４８】
図１９に示す例では、チップコア部１８１の形成領域は正方形状又は長方形状であり、その形成領域の一方の対向する一対の辺部（図１９では、上辺部及び下辺部（不図示））の外側に、複数の第１Ｉ／Ｏセル１８２が配置される。一方、複数の第２Ｉ／Ｏセル１８３は、チップコア部１８１の形成領域の他方の対向する一対の辺部（図１９では、左辺部及び右辺部（不図示））の外側に配置される。また、複数の第１Ｉ／Ｏセル１８２及び複数の第２Ｉ／Ｏセル１８３のそれぞれは、チップコア部１８１の形成領域の対応する辺部に沿って一列に配置される。
【０１４９】
この際、この例では、各Ｉ／Ｏセルを、その入力電極部１９１と出力電極部１９２との対向方向が対応するチップコア部１８１の形成領域の辺部の延在方向と直交するように配置し、かつ、出力電極部１９２がチップコア部１８１側に位置するように配置する。それゆえ、図１９に示す集積回路１８０では、第１Ｉ／Ｏセル１８２は、縦置き用のＩ／Ｏセルになり、第２Ｉ／Ｏセル１９３は、横置き用のＩ／Ｏセルとなる。
【０１５０】
ＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６は、チップコア部１８１の形成領域の周囲に設けられ、かつ、チップコア部１８１の形成領域の辺部に沿って周回する方向に延在して設けられる。また、この例では、ＶＳＳ電源配線１８６を、ＶＤＤ電源配線１８５と平行に設け、ＶＤＤ電源配線１８５よりチップコア部１８１側の位置に配置する。
【０１５１】
ＶＤＤ電源配線１８５は、各Ｉ／Ｏセル内の後述する機能ブロック部１９０の第２接続ピン１９０ｂに接続され、ＶＳＳ電源配線１８６は、後述する機能ブロック部１９０の第３接続ピン１９０ｃに接続される。なお、ＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６は、例えば、同じ金属配線層（メタル層）に形成することができる。
【０１５２】
［Ｉ／Ｏセルの構成］
次に、各Ｉ／Ｏセルの構成を、図２０（ａ）及び（ｂ）を参照しながら説明する。図２０（ａ）及び（ｂ）は、それぞれ第１Ｉ／Ｏセル１８２及び第２Ｉ／Ｏセル１８３の概略平面構成図であり、各Ｉ／Ｏセルにおいて、同じ構成には同じ符号を付して示す。また、図２０（ａ）及び（ｂ）では、説明を簡略化するため、後述の機能ブロック部の詳細なパターンの図示を省略し、機能ブロック部の接続ピン及び回転中心Ｏの位置、並びに、Ｘ−Ｙ面内における機能ブロック部の形成領域の外周端を規定する外枠を示す。なお、機能ブロック部の形成領域（正方形状）の外周端を規定する外枠は、例えば、レイアウト設計エディタによりデフォルトで設定される。
【０１５３】
第１Ｉ／Ｏセル１８２は、機能ブロック部１９０と、入力電極部１９１と、出力電極部１９２とを備える。
【０１５４】
機能ブロック部１９０は、所定の回路素子（デバイス）を含む所定の回路（不図示：デバイス素子本体）と、４つの接続電極１９０ａ〜１９０ｄ（以下、それぞれ、第１接続ピン１９０ａ〜第４接続ピン１９０ｄという）とを備える。なお、第１接続ピン１９０ａ及び第４接続ピン１９０ｄは、それぞれ、機能ブロック部１９０を構成する回路の入力端子及び出力端子であり、第２接続ピン１９０ｂ及び第３接続ピン１９０ｃはともに、機能ブロック部１９０を構成する回路の電源端子である。そして、第１接続ピン１９０ａ、第２接続ピン１９０ｂ、第３接続ピン１９０ｃ及び第４接続ピン１９０ｄは、それぞれ、入力電極部１９１、ＶＤＤ電源配線１８５、ＶＳＳ電源配線１８６及び出力電極部１９２に接続される（図１９参照）。
【０１５５】
また、図２０（ａ）には示さないが、機能ブロック部１９０は、その内部の回路素子と対応する接続ピンとを接続する内部配線も備える。この内部配線は、例えば、ＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６が形成されるメタル層より下位のメタル層に形成することができる。
【０１５６】
この例の機能ブロック部１９０において、第１接続ピン１９０ａ〜第４接続ピン１９０ｄは、それぞれ、入力電極部１９１、ＶＤＤ電源配線１８５、ＶＳＳ電源配線１８６及び出力電極部１９２の形成領域と重なる位置に配置される。さらに、第１接続ピン１９０ａ〜第４接続ピン１９０ｄは、機能ブロック部１９０のパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、各電源配線の延在方向（図２０（ａ）中のＸ軸方向）に対して４５度傾いた直線Ｌ１上に配置される。より詳細には、例えば、いま、機能ブロック部１９０の回転中心Ｏ（回転中心位置）の座標を原点とするＸＹ直交座標系（右手系）を設定した場合、第１接続ピン１９０ａ〜第４接続ピン１９０ｄをＹ＝−Ｘの直線Ｌ１上の座標に配置する。
【０１５７】
入力電極部１９１は、入力配線部１９１ａと、入力パッド部１９１ｂと、接続部１９１ｃとで構成される。
【０１５８】
入力配線部１９１ａは、第１接続ピン１９０ａに電気的に接続される電極部分であり、第１接続ピン１９０ａ上に形成される。この例では、入力配線部１９１ａは、ＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６の延在方向（図２０（ａ）中のＸ軸方向）と同じ方向に延在して形成される。なお、この際、入力配線部１９１ａは、その延在方向に直交する機能ブロック部１９０の一方の辺部（図２０（ａ）では左辺部）付近から他方の辺部（右辺部）付近に渡る領域に形成される。
【０１５９】
また、入力パッド部１９１ｂは、ボンディングワイヤが取り付けられる電極部分であり、接続部１９１ｃは、入力配線部１９１ａと入力パッド部１９１ｂと繋ぐ電極部分である。接続部１９１ｃは、図２０（ａ）に示すように、入力配線部１９１ａの延在方向における入力配線部１９１ａの中央から、入力パッド部１９１ｂに向かって（図２０（ａ）中のＹ軸方向に）直線状に延在して形成される。
【０１６０】
出力電極部１９２は、出力配線部１９２ａと、出力接続部１９２ｂとで構成される。
【０１６１】
出力配線部１９２ａは、第４接続ピン１９０ｄに電気的に接続される電極部分であり、第４接続ピン１９０ｄ上に形成される。この例では、出力配線部１９２ａは、ＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６の延在方向（図２０（ａ）中のＸ軸方向）と同じ方向に延在して形成される。なお、この際、出力配線部１９２ａは、その延在方向に直交する機能ブロック部の一方の辺部（図２０（ａ）では左辺部）付近から他方の辺部（右辺部）付近に渡る領域に形成される。
【０１６２】
また、出力接続部１９２ｂは、チップコア部１８１内の所定回路に接続される電極部分である。出力接続部１９２ｂは、図２０（ａ）に示すように、出力配線部１９２ａの延在方向における出力配線部１９２ａの中央から、機能ブロック部１９０の形成領域の外側に向かって（図２０（ａ）中のＹ軸方向に）、所定の長さで延在して形成される。
【０１６３】
なお、入力電極部１９１及び出力電極部１９２（入出力電極部）は、例えば、配線部１８４（ＶＤＤ電源配線１８５及びＶＳＳ電源配線１８６）が形成されるメタル層より上位のメタル層に形成することができる。また、入力電極部１９１及び出力電極部１９２の面形状は、図２０（ａ）に示す例に限定されず、例えば、Ｉ／Ｏセルの形成領域のサイズ、チップコア部１８１内の回路パターン、デザインルール等を考慮して適宜変更することができる。
【０１６４】
第２Ｉ／Ｏセル１８３は、図２０（ｂ）に示すように、第１Ｉ／Ｏセル１８２と同様に、機能ブロック部１９０と、入力電極部１９１と、出力電極部１９２とを備える。第２Ｉ／Ｏセル１８３は、第１Ｉ／Ｏセル１８２において、機能ブロック部１９０のパターン（セルデータ）のみを、入出力電極部のパターンに対して相対的に右回り方向（矢印Ａ１２方向：時計回り方向）に９０度回転した構成を有する。なお、第２Ｉ／Ｏセル１８３のそれ以外の構成は、第１Ｉ／Ｏセル１８２の対応する構成と同様である。
【０１６５】
上述のように、この例において、第２Ｉ／Ｏセル１８３の各部の構成（セルデータ）は、第１Ｉ／Ｏセル１８２の対応する構成と同じであるので、この例では、第２Ｉ／Ｏセル１８３のライブラリを、予め第１Ｉ／Ｏセル１８２とは別個に作成しない。その代わりに、この例では、後述するように、Ｉ／Ｏセルの配置時に、第１Ｉ／Ｏセル１８２の機能ブロック部１９０のセルデータのみを入出力電極部のパターンに対して相対的に右回り方向に９０度回転させることにより、第２Ｉ／Ｏセル１８３を作成する。
【０１６６】
なお、この例の集積回路１８０において、ＶＤＤ電源配線１８５、ＶＳＳ電源配線１８６、入力配線部１９１ａ及び出力配線部１９２ａの各線幅にある程度余裕がある場合には、上記変形例１の設計技術をこの例に適用してもよい。すなわち、接続ピンが配置される直線の方向と電源配線の延在方向との間の角度が、機能ブロック部１９０を９０度回転させた際に、機能ブロック部１９０と各電源配線及び入出力電極部との間の接続関係が維持される範囲内で、４５度からずれていてもよい。
【０１６７】
［Ｉ／Ｏセルの配置操作及び回転操作例］
次に、集積回路１８０の設計時において、上述のような構成の各Ｉ／Ｏセルをチップコア部１８１の形成領域の周囲に配置する際に行う操作を簡単に説明する。
【０１６８】
まず、図１９に示す例において、チップコア部１８１の形成領域の上辺部の外側にＩ／Ｏセルを配置する場合には、図２０（ａ）で説明した縦置き用の第１Ｉ／Ｏセル１８２を、そのまま回転させずに配置する。なお、図１９には示さないが、チップコア部１８１の形成領域の下辺部の外側にＩ／Ｏセルを配置する場合には、第１Ｉ／Ｏセル１８２全体のパターンを、１８０度回転させて配置する。
【０１６９】
また、図１９に示す例において、チップコア部１８１の形成領域の左辺部の外側にＩ／Ｏセルを配置する場合には、まず、縦置き用の第１Ｉ／Ｏセル１８２全体のパターンを左回り方向（反時計回り方向）に９０度回転させて、左辺部の外側の所定位置に配置する。次いで、機能ブロック部１９０のパターン（セルデータ）のみを、第１Ｉ／Ｏセル１８２全体のパターンの回転方向と反対方向（時計回り方向）に９０度回転させる。図１９に示す例では、このような回転操作により第１Ｉ／Ｏセル１８２から第２Ｉ／Ｏセル１８３を作成して、該第２Ｉ／Ｏセル１８３をチップコア部１８１の形成領域の左辺部の外側に配置する。
【０１７０】
さらに、図１９には示さないが、チップコア部１８１の形成領域の右辺部の外側にＩ／Ｏセルを配置する場合には、まず、縦置き用の第１Ｉ／Ｏセル１８２全体のパターンを左回り方向（反時計回り方向）に２７０度回転させて、右辺部の外側の所定位置に配置する。次いで、機能ブロック部１９０のパターンのみを、第１Ｉ／Ｏセル１８２全体のパターンの回転方向と反対方向（時計回り方向）に９０度回転させる。図１９に示す例では、このような回転操作により第１Ｉ／Ｏセル１８２から第２Ｉ／Ｏセル１８３を作成して、該第２Ｉ／Ｏセル１８３をチップコア部１８１の形成領域の右辺部の外側に配置する。なお、上述した第２Ｉ／Ｏセル１８３作成時の機能ブロック部１９０のパターン（セルデータ）の回転操作は、上記各種実施形態で説明したＤＵＴの回転操作の手法と同様にして行うことができる。
【０１７１】
この例では、第１Ｉ／Ｏセル１８２の第１接続ピン１９０ａ〜第４接続ピン１９０ｄを、機能ブロック部１９０のパターン形成面内における回転中心Ｏを通り、かつ、ＶＤＤ電源配線１８５の延在方向に対して４５度傾いた直線Ｌ１上に配置する。それゆえ、上述した回転操作により生成され、チップコア部１８１の左辺部及び右辺部の外側に配置された第２Ｉ／Ｏセル１８３においても、回転操作前の接続ピンと各電源配線及び入出力電極部との間の接続関係が回転操作後も維持される（図１９参照）。また、機能ブロック部１９０の回路内にＭＯＳトランジスタが含まれる場合には、上述したＩ／Ｏセルの回転操作により第２Ｉ／Ｏセル１８３内のＭＯＳトランジスタのゲート方向は、第１Ｉ／Ｏセル１８２のゲート方向と同じになる。
【０１７２】
［各種効果］
上述のように、この例においても、集積回路１８０の設計時にＩ／Ｏセルのレイアウト設計パターンを９０度回転させる際には、機能ブロック部１９０のセルデータのみを配線部１８４に対して相対的に所定方向に９０度回転させるだけでよい。それゆえ、上記各種実施形態で説明したテストストラクチャの設計技術を、Ｉ／Ｏセルを含む集積回路の設計に適用した場合には、集積回路の設計をより簡易にすることができる。また、この例の集積回路１８０の設計技術では、下記従来技術に対して、次のような各種効果も得られる。
【０１７３】
従来、集積回路の設計時には、縦置き用（チップコア部の上下辺部配置用）のＩ／Ｏセル及び横置き用（チップコア部の左右辺部配置用）のＩ／Ｏセルに対して、同じパターン（種類）のＩ／Ｏセルを共通して用いることが一般的である。ここで、いま、共通のＩ／ＯセルにＭＯＳトランジスタが含まれ、かつ、共通のＩ／Ｏセルをチップコア部の上下辺部の外側に配置した際に機能ブロック部のパターン（ゲート）の方向が適正な方向に向くように設計されている場合を考える。
【０１７４】
この場合、Ｉ／Ｏセルをチップコア部の左右辺部の外側に配置する際には、チップコア部の上下辺部の外側に配置するＩ／Ｏセルのセルデータ全体を９０度又は２７０度回転させる。しかしながら、この手法では、Ｉ／Ｏセル内のゲート方向が、縦方向及び横方向で混在することになり、集積回路内において、ゲート長のばらつきが増加する。
【０１７５】
それに対して、上記応用例の集積回路１８０では、Ｉ／ＯセルにＭＯＳトランジスタが含まれていても、縦置き用のＩ／Ｏセル（第１Ｉ／Ｏセル１８２）及び横置き用のＩ／Ｏセル（第２Ｉ／Ｏセル１８３）のゲート方向を統一することができる。それゆえ、上記応用例では、Ｉ／Ｏセル内のゲート長のばらつきを低減することができ、上記従来技術の課題を解消することができる。
【０１７６】
また、従来、Ｉ／Ｏセルの設計及び配置手法として、縦置き用のＩ／Ｏセル及び横置き用のＩ／Ｏセル（ライブラリ）をそれぞれ別個に用意する手法もある。この手法では、縦置き用のＩ／Ｏセルのゲート方向を縦（又は横）方向に設定し、かつ、横置き用のＩ／Ｏセルのゲート方向を横（又は縦）方向に設定する。そして、縦置き用のＩ／Ｏセルをチップコア部の周辺領域の縦置き領域（例えば上下辺部の外側領域）に配置し、横置き用のＩ／Ｏセルをチップコア部の周辺領域の横置き領域（例えば左右辺部の外側領域）に配置する。この際、縦置き用のＩ／Ｏセル及び横置き用のＩ／Ｏセルの一方を９０度回転させることにより、両方のＩ／Ｏセル間でゲート方向を縦（又は横）方向に揃えることができる。
【０１７７】
しかしながら、この手法では、Ｉ／Ｏセルのライブラリ（ラインナップ）を２種類用意する必要があり、ライブラリ作成の手間が増える。また、この手法では、Ｉ／Ｏセルの配置領域に応じて、その領域に適した専用のＩ／Ｏセルを使用する必要があり、レイアウトの自由度が減る。
【０１７８】
それに対して、上記応用例では、第１Ｉ／Ｏセル１８２を所定位置に配置した後、その配置領域（縦置き領域又は横置き領域）に応じて、適宜、機能ブロック部１９０のパターン（セルデータ）を所定方向に９０度回転させる。それゆえ、この例では、縦置き専用のＩ／Ｏセル及び横置き専用のＩ／Ｏセルを個別に用意する必要がないので、ライブラリ作成の手間を少なくすることができるとともに、Ｉ／Ｏセルのレイアウト自由度も向上させることができる。
【０１７９】
さらに、従来、例えば特開２００８−２１８７５１号公報には、複数の電源配線と形成領域が矩形状であるＩ／Ｏセルの内部配線とを接続する複数のコンタクトの位置を、電源配線の延在方向に対して斜め方向に配置する手法が開示されている。この文献では、この設計手法により、全てのＩ／Ｏセルの長辺方向を、チップコア部の外周辺に対して垂直な方向に揃える場合（通常配置）と、チップコア部の外周辺に平行な方向に揃える場合（９０度回転配置）とで、Ｉ／Ｏセルを共用できるようにしている。
【０１８０】
しかしながら、上記文献の設計手法では、全てのＩ／Ｏセルにおいて、その長辺方向はチップコアの外周辺に対して垂直な方向又は平行な方向になる。すなわち、Ｉ／Ｏセルの配置形態（通常配置又は９０度回転配置）に関係なく、チップコア部の左右辺部の外側に配置されるＩ／Ｏセルは、上下辺部の外側に配置されるＩ／Ｏセルに対して、Ｉ／Ｏセル全体が相対的に９０度回転した状態で配置される。それゆえ、この場合もまた、上下辺部の外側に配置されたＩ／Ｏセルのゲート方向と、左右辺部の外側に配置されたＩ／Ｏセルのゲート方向とは互いに異なり、ゲート長のばらつきが増加する。
【０１８１】
それに対して、上記応用例では、上述のように、Ｉ／Ｏセルの配置領域に関係なく、ゲート方向を所定の方向に揃えることができるので、上記文献の課題を解消することができる。
【０１８２】
また、従来、例えば特開２０１１−９１０８４号公報には、形成領域が矩形状である機能ブロック部を複数備えたＩ／Ｏセルをチップコア部の周囲に配置する手法が開示されている。そして、この文献の設計手法では、Ｉ／Ｏセルの配置領域に関係なく、各機能ブロック部のゲート方向を所定の方向に揃えて配置する。具体的には、チップコア部の左辺部の外側に配置されたＩ／Ｏセルを上辺部の外側に配置する際には、Ｉ／Ｏセル内の各機能ブロックを回転させることなく、チップコア部の上辺部の外側に配置する。
【０１８３】
しかしながら、上記文献では、電源配線と、Ｉ／Ｏセル内の各機能ブロックのコンタクトとの配置関係については議論されていない。また、上記文献の設計手法では、各機能ブロック部を繋ぐ配線パターン（内部配線）を、Ｉ／Ｏセルの配置領域に応じて変える必要があるので、設計に手間がかかる。
【０１８４】
それに対して、この例では、Ｉ／Ｏセルの配置領域に応じて、適宜、機能ブロック部のパターン（セルデータ）のみを、９０度回転させるだけであり、内部配線を修正する必要がない。それゆえ、この例では、上記文献の課題も解消することができる。
【０１８５】
なお、本開示は、以下のような構成を取ることもできる。
（１）
基板と、
複数の配線を有し、前記基板上に形成された配線部と、
前記基板上に形成され、被試験デバイス本体、並びに、該被試験デバイス本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該被試験デバイス本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されている被試験デバイス部と
を備えるテスト回路。
（２）
前記所定の角度が、４５度である
（１）に記載のテスト回路。
（３）
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＸ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＹ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で前記回転中心位置に対して９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝−Ｘで表される直線上の位置に配置されている
（１）又は（２）に記載のテスト回路。
（４）
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＸ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＹ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝Ｘで表される直線上の位置に配置されている
（１）又は（２）に記載のテスト回路。
（５）
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＹ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＸ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝−Ｘで表される直線上の位置に配置されている
（１）又は（２）に記載のテスト回路。
（６）
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＹ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＸ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝Ｘで表される直線上の位置に配置されている
（１）又は（２）に記載のテスト回路。
（７）
前記配線部が、所定方向に延在して形成された第１配線と、該所定方向と直交する方向に延在して形成された第２配線とを有し、
前記被試験デバイス部が、前記被試験デバイス本体及び前記第１配線間を接続する第１接続電極と、前記被試験デバイス本体及び前記第２配線間を接続する第２接続電極とを有し、
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記第１配線の延在方向をＸ軸方向とし、かつ、前記第２配線の延在方向をＹ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記第１接続電極が、Ｙ＝Ｘで表される直線上の位置に配置されており、前記第２接続電極が、Ｙ＝−Ｘで表される直線上の位置に配置されている
（１）又は（２）に記載のテスト回路。
（８）
前記被試験デバイス本体が、ＭＯＳトランジスタであり、前記被試験デバイス部が、該ＭＯＳトランジスタのゲート、ソース、ドレイン及びウエルにそれぞれ接続された４つの前記接続電極を有し、
前記配線部が、前記４つの接続電極にそれぞれ接続された４本の前記配線を有する
（１）〜（７）のいずれか一項に記載のテスト回路。
（９）
基板と、
複数の配線を有し、前記基板上に形成された配線部と、
前記基板上に形成され、デバイス素子本体、並びに、該デバイス素子本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該デバイス素子本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該デバイス素子本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されているデバイス素子部と
を備える集積回路。
（１０）
前記デバイス素子部が、Ｉ／Ｏセルである
（９）に記載の集積回路。
複数の配線を有する配線部のレイアウトパターンを作成するステップと、
被試験デバイス本体、並びに、該被試験デバイス本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該被試験デバイス本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されている被試験デバイス部のレイアウトパターンを作成するステップと
を含むテスト回路のレイアウト方法。
（１１）
複数の配線を有する配線部のレイアウトパターンを作成するステップと、
被試験デバイス本体、並びに、該被試験デバイス本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該被試験デバイス本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されている被試験デバイス部のレイアウトパターンを作成するステップと
を含むテスト回路のレイアウト方法。
【符号の説明】
【０１８６】
１…ウエル領域、１ａ…ウエル接続部、２…ソース領域、３…ドレイン領域、４…ゲート電極、５…ボディ配線膜、６…ソース配線膜、７…ドレイン配線膜、８…ゲート配線膜、９ａ〜９ｄ…第１〜第４コンタクト電極、１０…ＤＵＴ、１１…第１層間絶縁膜、１２…第２層間絶縁膜、１３ａ〜１３ｄ，１９０ａ〜１９０ｄ…第１〜第４接続ピン、１５…素子分離層、２０，１８４…配線部、２１〜２４…第１〜第４ＤＵＴ間配線、１００…テストストラクチャ、１８０…集積回路、１８１…チップコア部、１８２…第１Ｉ／Ｏセル、１８３…第２Ｉ／Ｏセル、１８５…ＶＤＤ電源配線、１８６…ＶＳＳ電源配線、１９０…機能ブロック部、１９１…入力電極部、１９２…出力電極部、Ｌ１…直線（Ｙ＝−Ｘ）、Ｍ１，Ｍ２…メタル層
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板と、
複数の配線を有し、前記基板上に形成された配線部と、
前記基板上に形成され、被試験デバイス本体、並びに、該被試験デバイス本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該被試験デバイス本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されている被試験デバイス部と
を備えるテスト回路。
【請求項２】
前記所定の角度が、４５度である
請求項１に記載のテスト回路。
【請求項３】
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＸ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＹ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で前記回転中心位置に対して９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝−Ｘで表される直線上の位置に配置されている
請求項２に記載のテスト回路。
【請求項４】
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＸ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＹ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝Ｘで表される直線上の位置に配置されている
請求項２に記載のテスト回路。
【請求項５】
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＹ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＸ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝−Ｘで表される直線上の位置に配置されている
請求項２に記載のテスト回路。
【請求項６】
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＹ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＸ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝Ｘで表される直線上の位置に配置されている
請求項２に記載のテスト回路。
【請求項７】
前記配線部が、所定方向に延在して形成された第１配線と、該所定方向と直交する方向に延在して形成された第２配線とを有し、
前記被試験デバイス部が、前記被試験デバイス本体及び前記第１配線間を接続する第１接続電極と、前記被試験デバイス本体及び前記第２配線間を接続する第２接続電極とを有し、
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記第１配線の延在方向をＸ軸方向とし、かつ、前記第２配線の延在方向をＹ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記第１接続電極が、Ｙ＝Ｘで表される直線上の位置に配置されており、前記第２接続電極が、Ｙ＝−Ｘで表される直線上の位置に配置されている
請求項２に記載のテスト回路。
【請求項８】
前記被試験デバイス本体が、ＭＯＳトランジスタであり、前記被試験デバイス部が、該ＭＯＳトランジスタのゲート、ソース、ドレイン及びウエルにそれぞれ接続された４つの前記接続電極を有し、
前記配線部が、前記４つの接続電極にそれぞれ接続された４本の前記配線を有する
請求項１に記載のテスト回路。
【請求項９】
基板と、
複数の配線を有し、前記基板上に形成された配線部と、
前記基板上に形成され、デバイス素子本体、並びに、該デバイス素子本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該デバイス素子本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該デバイス素子本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されているデバイス素子部と
を備える集積回路。
【請求項１０】
前記デバイス素子部が、Ｉ／Ｏセルである
請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
複数の配線を有する配線部のレイアウトパターンを作成するステップと、
被試験デバイス本体、並びに、該被試験デバイス本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該被試験デバイス本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されている被試験デバイス部のレイアウトパターンを作成するステップと
を含むテスト回路のレイアウト方法。
【請求項１】
基板と、
複数の配線を有し、前記基板上に形成された配線部と、
前記基板上に形成され、被試験デバイス本体、並びに、該被試験デバイス本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該被試験デバイス本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されている被試験デバイス部と
を備えるテスト回路。
【請求項２】
前記所定の角度が、４５度である
請求項１に記載のテスト回路。
【請求項３】
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＸ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＹ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で前記回転中心位置に対して９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝−Ｘで表される直線上の位置に配置されている
請求項２に記載のテスト回路。
【請求項４】
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＸ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＹ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝Ｘで表される直線上の位置に配置されている
請求項２に記載のテスト回路。
【請求項５】
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＹ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＸ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝−Ｘで表される直線上の位置に配置されている
請求項２に記載のテスト回路。
【請求項６】
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記複数の配線の延在方向をＹ軸方向とし、かつ、前記複数の配線の延在方向と直交する方向をＸ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記複数の接続電極が、Ｙ＝Ｘで表される直線上の位置に配置されている
請求項２に記載のテスト回路。
【請求項７】
前記配線部が、所定方向に延在して形成された第１配線と、該所定方向と直交する方向に延在して形成された第２配線とを有し、
前記被試験デバイス部が、前記被試験デバイス本体及び前記第１配線間を接続する第１接続電極と、前記被試験デバイス本体及び前記第２配線間を接続する第２接続電極とを有し、
前記被試験デバイス本体のパターン形成面内における前記回転中心位置を原点とし、前記第１配線の延在方向をＸ軸方向とし、かつ、前記第２配線の延在方向をＹ軸方向としたときに、前記被試験デバイス本体及び前記複数の接続電極をパターン形成面内で９０度回転させる前の状態において、前記第１接続電極が、Ｙ＝Ｘで表される直線上の位置に配置されており、前記第２接続電極が、Ｙ＝−Ｘで表される直線上の位置に配置されている
請求項２に記載のテスト回路。
【請求項８】
前記被試験デバイス本体が、ＭＯＳトランジスタであり、前記被試験デバイス部が、該ＭＯＳトランジスタのゲート、ソース、ドレイン及びウエルにそれぞれ接続された４つの前記接続電極を有し、
前記配線部が、前記４つの接続電極にそれぞれ接続された４本の前記配線を有する
請求項１に記載のテスト回路。
【請求項９】
基板と、
複数の配線を有し、前記基板上に形成された配線部と、
前記基板上に形成され、デバイス素子本体、並びに、該デバイス素子本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該デバイス素子本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該デバイス素子本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されているデバイス素子部と
を備える集積回路。
【請求項１０】
前記デバイス素子部が、Ｉ／Ｏセルである
請求項９に記載の集積回路。
【請求項１１】
複数の配線を有する配線部のレイアウトパターンを作成するステップと、
被試験デバイス本体、並びに、該被試験デバイス本体と前記複数の配線との間をそれぞれ接続する複数の接続電極を有し、該被試験デバイス本体のパターン形成面内における回転中心位置と該複数の接続電極のそれぞれとを結ぶ直線の延在方向が、前記配線の延在方向に対して所定の角度で傾いており、かつ、該被試験デバイス本体及び該複数の接続電極をパターン形成面内で該回転中心位置を中心にして前記配線部に対して相対的に９０度回転させた際にも、該複数の接続電極及び前記複数の配線間の接続関係が維持されるような位置に該複数の接続電極が配置されている被試験デバイス部のレイアウトパターンを作成するステップと
を含むテスト回路のレイアウト方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【公開番号】特開２０１３−３８３８０（Ｐ２０１３−３８３８０Ａ）
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−４３２１６（Ｐ２０１２−４３２１６）
【出願日】平成２４年２月２９日（２０１２．２．２９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月２１日（２０１３．２．２１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年２月２９日（２０１２．２．２９）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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