テラヘルツ波伝播装置、及びテラヘルツ波発生部又は検出部の固定部材
【課題】テラヘルツ波の発生及び検出を行うテラヘルツ波発生検出室を有するテラヘルツ波伝播装置において、テラヘルツ波の伝播経路を簡単に調整できるテラヘルツ波発生検出室を提供すること。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室２００においては、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１は、壁面の開口部に挿入され、壁面の外側から固定部材２０３によって固定される。固定部材２０３は、凹型固定部材２０４と、凸型固定部材２０５とを含む。凹型固定部材２０４が有する凹面と、凸型固定部材２０５が有する凸面とを合致させて固定することによって、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１を所望の位置及び向きに調整することができる。
【解決手段】本発明の一実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室２００においては、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１は、壁面の開口部に挿入され、壁面の外側から固定部材２０３によって固定される。固定部材２０３は、凹型固定部材２０４と、凸型固定部材２０５とを含む。凹型固定部材２０４が有する凹面と、凸型固定部材２０５が有する凸面とを合致させて固定することによって、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１を所望の位置及び向きに調整することができる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測定物にテラヘルツ波を照射し、被測定物で反射又は透過されたテラヘルツ波を測定する装置における、テラヘルツ波の発生及び検出を行うための筐体に関する。
【背景技術】
【０００２】
被測定物にテラヘルツ波を照射し、被測定物で反射又は透過されたテラヘルツ波を測定することによって、被測定物のテラヘルツ波応答特性（例えば、複素屈折率、複素誘電率等）を測定することができることが知られている。テラヘルツ波は、放物面鏡を用いてコリメート及び集光を行うことによって、テラヘルツ波発生部から被測定物、また被測定物からテラヘルツ波検出部の間の空間を伝播させることができる。テラヘルツ波が空間を伝播する際に、テラヘルツ波は水分に吸収されるため、テラヘルツ波発生検出装置にはテラヘルツ波測定を行う際に水分の影響を低減するための手段が設けられる。
【０００３】
特許文献１に記載されているテラヘルツ波発生検出装置９００の模式図を図２４に示す。なお、図２４に示すテラヘルツ波発生検出装置９００では、密閉された空間９１４中の水分を除去するために、除湿部９１３としてシリカゲルを用いている。レーザ発振器９０１により発生された光パルスはスプリッタ９０２によってポンプ光とプローブ光に分割される。ポンプ光は強度変調器９０３によって強度変調を受け、窓材９０５ａを通してテラヘルツ波発生部９０６に照射される。プローブ光は光学遅延部９０４によって遅延され、窓材９０５ｂを通してテラヘルツ波検出部９１２に照射される。テラヘルツ波発生部９０６により発生されたテラヘルツ波は、第１の軸外し放物面鏡９０７でコリメートされた後、第２の軸外し放物面鏡９０８で集光され、窓材９０５ｃを通して、被測定物９０９に入射される。さらに、被測定物９０９により反射されたテラヘルツ波は、第３の軸外し放物面鏡９１０でコリメートされた後、第４の軸外し放物面鏡９１１で集光され、テラヘルツ波検出部９１２に照射される。テラヘルツ波検出部９１２は、遅延されたプローブ光と反射されたテラヘルツ波とを受けて、被測定物９０９のテラヘルツ波応答特性が反映された電気信号を発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１５６５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された技術では、テラヘルツ波の伝播経路を調整するためには、除湿空間を開放して内部にあるテラヘルツ波発生部、テラヘルツ波検出部又は各放物面鏡の配置を変更し、再度除湿空間を密閉する必要がある。開放と密閉を繰り返すと、密閉状態が悪化する可能性がある。
除湿空間内に該伝播経路が設けられた形態に限らず、一般的なテラヘルツ波発生検出装置においても、テラヘルツ波の伝播経路の調整は各要素の配置変更が必要なため、手間がかかる作業である。従来、個々の要素にそれぞれ調整ステージを設け、該調整ステージを微調整することにより、テラヘルツ波の伝播経路の調整を行うことがある。その場合には、調整作業が複雑であるとともに、装置が大型になるという課題もある。
【０００６】
本発明の目的は、テラヘルツ波の伝播経路を簡単に調整できるテラヘルツ波発生検出室を有するテラヘルツ波伝播装置、及びテラヘルツ波発生部又は検出部の固定部材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的を達成するために、本発明の第１の態様は、テラヘルツ波発生検出室を有するテラヘルツ波伝播装置であって、テラヘルツ波発生モジュールと、少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波透過可能な素材で構成されている、被測定物を前記テラヘルツ波発生検出室の外側に載置するためのサンプル載置手段と、前記テラヘルツ波発生検出室内でテラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段と、前記テラヘルツ波発生検出室の一面であり、開口部を有する壁面と、前記テラヘルツ波発生モジュールを固定するための固定部材と、を備え、前記テラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段によって、前記テラヘルツ波発生モジュールから出射されるテラヘルツ波が前記被測定物上に集光され、前記テラヘルツ波発生モジュールは、前記開口部に挿入され、前記固定部材によって、位置及び向きが調整可能に固定されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の態様は、テラヘルツ波発生検出室を有するテラヘルツ波伝播装置であって、テラヘルツ波検出モジュールと、少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波透過可能な素材で構成されている、被測定物を前記テラヘルツ波発生検出室の外側に載置するためのサンプル載置手段と、前記テラヘルツ波発生検出室内でテラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段と、前記テラヘルツ波発生検出室の一面であり、開口部を有する壁面と、前記テラヘルツ波検出モジュールを固定するための固定部材と、を備え、前記テラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段によって、前記被測定物から出射されるテラヘルツ波が前記テラヘルツ波検出モジュール上に集光され、前記テラヘルツ波検出モジュールは、前記開口部に挿入され、前記固定部材によって、位置及び向きが調整可能に固定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、テラヘルツ波発生部及びテラヘルツ波検出部は、テラヘルツ波発生検出室の壁面に設けられた開口部に挿入され、テラヘルツ波発生部及びテラヘルツ波検出部の位置及び向きが調整可能な固定部材によって固定される。これにより、テラヘルツ波発生部及びテラヘルツ波検出部の挿入部分のみを調整することによって、テラヘルツ波の伝播経路を簡単に調整できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出装置の概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の上面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の側面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材の正面図及び側面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材の斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る、凸型固定部材の正面図及び側面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る、凸型固定部材の斜視図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材と凸型固定部材を組み合わせた状態の側面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材と凸型固定部材を組み合わせた状態の側面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材を壁面に取り付けた状態の断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出装置の概略図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の上面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の側面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の斜視図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材の正面図及び側面図である。
【図１７】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材の斜視図である。
【図１８】本発明の一実施形態に係る、凸型固定部材の正面図及び側面図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係る、凸型固定部材の斜視図である。
【図２０】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材と凸型固定部材を組み合わせた状態の側面図である。
【図２１】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材を壁面に取り付けた状態の断面図である。
【図２２】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の側面図である。
【図２３】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の斜視図である。
【図２４】従来のテラヘルツ波発生検出装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。
【００１２】
各図中の破線は、パルス光及びテラヘルツ波の伝播経路、又は部材中で隠れて見えない部分の形状を表すものである。各図中の矢印は、パルス光及びテラヘルツ波の進行方向、を表すものである。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室２００を含むテラヘルツ波発生検出装置１００の概略図である。ここで、テラヘルツ波発生検出装置とは、被測定物にテラヘルツ波を照射して、被測定物のテラヘルツ波応答特性を検出する装置を指す。テラヘルツ波発生検出室とは、テラヘルツ波の発生、テラヘルツ波の被測定物への入射、及び被測定物上で反射又は透過されたテラヘルツ波の検出を行うための筐体を指す。また、該テラヘルツ波発生検出室と、該テラヘルツ波発生検出室の外側に設けられる部材（例えば、サンプル載置台）とを含んだ構成を、テラヘルツ波伝播装置と呼ぶ。
【００１４】
なお、本発明の独自の構成は、テラヘルツ波発生検出室２００にある。したがって、テラヘルツ波発生検出装置１００のうち、テラヘルツ波発生検出室２００以外の部分、つまりテラヘルツ波発生部に入力するためのポンプ光を生成して伝送する部分、及びテラヘルツ波検出部へ入力するためのプローブ光を生成して伝送する部分は、本発明の本質ではない。テラヘルツ波発生検出室２００以外の部分は、本明細書に記載する装置構成に限らず、テラヘルツ波の発生及び検出が可能でさえあれば、任意の装置構成が適用できる。
【００１５】
テラヘルツ波発生検出装置１００は、レーザ発振器１０１と、レーザ発振器１０１により発生された光パルス１０２をポンプ光１０３とプローブ光１０４に分割するスプリッタ１０５とを有する。
【００１６】
レーザ発振器１０１として、Ｅｒドープファイバレーザ、Ｙｂドープファイバレーザ、チタンサファイアレーザ等、目的とするテラヘルツ波を発生するためのパルス光が生成できる任意のレーザ発振器を用いることができる。Ｅｒドープファイバレーザを用いる場合は、例えばパルス幅１７ｆｓ、繰り返し周波数５０ＭＨｚ、平均強度１１０ｍＷのパルス光を発生する。
【００１７】
レーザ発振器１０１により発生された光パルス１０２は、スプリッタ１０５に入射される。スプリッタ１０５は、光パルス１０２を、ポンプ光１０３とプローブ光１０４とに分割し、２方向に出射する。
【００１８】
スプリッタ１０５からポンプ光１０３が分割されて出射される側には、強度変調器１０６が設けられる。強度変調器１０６は、ポンプ光１０３の強度変調を行って出射し、それと共に同期検波のための参照信号１１４をロックインアンプ１１５に出力する。強度変調器１０６として、チョッパ、音響光学素子（ＡＯＭ）や電気光学変調器（ＥＯＭ）等を用いることができる。
【００１９】
強度変調器１０６から変調されたポンプ光１０３が出射される側には、テラヘルツ波発生部１０７が設けられる。テラヘルツ波発生部１０７は、テラヘルツ波発生検出室２００の一面に挿入して設けられる。テラヘルツ波発生部１０７は、強度変調器１０６により変調されたポンプ光１０３を受けて、入射テラヘルツ波１０８を発生する。テラヘルツ波発生部１０７として、ＤＡＳＴ結晶等、テラヘルツ波が発生可能な非線形結晶を用いてもよいし、低温成長ＧａＡｓ光伝導アンテナデバイス等の光伝導アンテナデバイスを用いてもよい。
【００２０】
入射テラヘルツ波１０８は、テラヘルツ波発生検出室２００を介して被測定物１０９に入射される。さらに入射テラヘルツ波１０８が被測定物１０９で反射されることにより、出射テラヘルツ波１１０として出射される。出射テラヘルツ波１１０は、テラヘルツ波発生検出室２００を介してテラヘルツ波検出部１１１に入射される。
【００２１】
スプリッタ１０５からプローブ光１０４が分割されて出射される側には、光学遅延部１１２が設けられる。光学遅延部１１２は、例えば、駆動部により駆動可能なミラーを有しており、上記駆動部を駆動させることにより、プローブ光１０４に所定の遅延を付与するようにミラーを移動させることができる。すなわち、テラヘルツ波の測定を行う際には、光学遅延部１１２を駆動しながらポンプ光１０３とプローブ光１０４との時間差を調整する。なお、本実施形態では１台のレーザ発振器１０１からの光パルスを２つに分割し、遅延させる構成にしているが、２台のレーザ発振器からそれぞれ異なる繰り返し周波数を持つ光パルスを発生させ、非同期サンプリングを行う構成にしてもよい。その場合には、駆動部を省略した構成にすることが可能となる。
【００２２】
光学遅延部１１２から遅延されたプローブ光１０４が出射される側には、テラヘルツ波検出部１１１が設けられる。テラヘルツ波検出部１１１は、光学遅延部１１２により遅延されたプローブ光１０４と被測定物１０９から出射される出射テラヘルツ波１１０とを受けて、電流信号１１３を出力する。テラヘルツ波検出部１１１として、低温成長ＧａＡｓ光伝導アンテナデバイス等の光伝導アンテナデバイスを用いてもよいし、非線形結晶を用いてＥＯ検出を行ってもよい。
【００２３】
ロックインアンプ１１５は、強度変調器１０６及びテラヘルツ波検出部１１１に接続され、強度変調器１０６から出力された参照信号１１４とテラヘルツ波検出部１１１から出力された電流信号１１３とを受けて同期検波を行うことにより、被測定物１０９のテラヘルツ波応答特性を検出する。テラヘルツ波検出部１１１とロックインアンプ１１５の間に、電流信号１１３を増幅するための電流増幅器を設けることが好ましい。なお、本実施形態においては高感度検出を目的としてロックインアンプを用いているが、電流信号が十分に強い場合、又はスキャン速度が十分に大きい場合には、ロックインアンプを用いず、電流信号を直接検出してもよい。
【００２４】
図２は、本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室２００の上面図である。図２においては、被測定物１０９及びサンプル載置面２２０は、紙面鉛直方向の手前側にあるため、図示されない。図３は、図２に示すテラヘルツ波発生検出室２００をＡ−Ａ線から見た側面図である。図４は、図２に示すテラヘルツ波発生検出室２００内における各放物面鏡の配置とテラヘルツ波の伝播経路を模式的に示す斜視図である。
【００２５】
テラヘルツ波発生検出室２００は、除湿空間２０１の中に、除湿部２０２と、放物面鏡２０６と、放物面鏡２０７と、放物面鏡２０８と、放物面鏡２０９とを備える。
【００２６】
除湿空間２０１は、上面は少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波を広帯域で透過する基板（例えば、Ｔｓｕｒｕｐｉｃａ（登録商標）基板）で構成されているサンプル載置面２２０によって、他の面は大気及び水分を通さない金属又はガラス製の板によって囲まれた密閉空間である。サンプル載置面２２０において、該テラヘルツ波が通過する部分以外は、金属であってもよい。板同士はＯリング等の大気及び水分を通さない部材を用いて密閉又は溶接する。
【００２７】
サンプル載置面２２０の除湿空間２０１の外側に、被測定物が設置できる。サンプル載置面２２０に被測定物を固定するための固定手段を設けてもよい。サンプル載置面２２０の上に直接被測定物を設置せず、サンプル載置面２２０の上に少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波を広帯域で透過する素材で構成されたサンプル載置台を設け、その上に被測定物を載置しても良い。
【００２８】
除湿空間２０１を囲む壁面のうちの１面である壁面２１９には、開口部２１４及び２１５が設けられる。テラヘルツ波発生部１０７は、開口部２１４に挿入されて設けられ、さらに壁面２１９の外側から固定部材２０３によって固定される。テラヘルツ波検出部１１１は、開口部２１５に挿入されて設けられ、さらに壁面２１９の外側から固定部材２０３によって固定される。固定部材２０３は、壁面２１９上に設けられる凹型固定部材２０４と、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１上に設けられる凸型固定部材２０５とを含む。凹型固定部材２０４が有する凹面と、凸型固定部材２０５が有する凸面とを摺動可能に勘合させることによって、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１を所望の位置及び向きに調整して、除湿空間２０１を密閉することができる。
【００２９】
除湿空間２０１を囲む壁面のうちの１面である壁面２１６には、放物面鏡２０６と放物面鏡２０７とが設けられる。除湿空間２０１を囲む壁面のうちの１面である壁面２１７には、放物面鏡２０８と放物面鏡２０９とが設けられる。
【００３０】
放物面鏡２０６、放物面鏡２０７、放物面鏡２０８及び放物面鏡２０９は、軸外し放物面鏡で構成される。放物面鏡２０６は、放物面鏡２０８に対して、互いの反射面が向き合うように配置される。放物面鏡２０７は、放物面鏡２０９に対して、互いの反射面が向き合うように配置される。テラヘルツ波発生部１０７からの入射テラヘルツ波１０８は、放物面鏡２０６によってコリメートされ、放物面鏡２０８によって集光され、その後被測定物１０９に対して入射される。さらに入射テラヘルツ波１０８は、被測定物１０９上で反射されて出射テラヘルツ波１１０として出射される。出射テラヘルツ波１１０は、放物面鏡２０９によってコリメートされ、放物面鏡２０７によって集光され、その後テラヘルツ波検出部１１１に対して入射される。
【００３１】
放物面鏡２０６と放物面鏡２０８の間、及び放物面鏡２０７と放物面鏡２０９の間には、ポンプ光を除去するためのフィルタを設けてもよい。例えば、フィルタにはゲルマニウム基板、ブラックポリエチレン等を用いることができる。フィルタを設けることにより、被測定物１０９又はテラヘルツ波検出部１１１にポンプ光が入射されて破壊されたり、ポンプ光により雑音が発生したりすることを防ぐ又は低減することができる。
【００３２】
各構成要素は、テラヘルツ波発生部１０７からの入射テラヘルツ波１０８を放物面鏡２０６及び放物面鏡２０８を介して被測定物１０９の測定対象箇所に照射し、さらに出射された出射テラヘルツ波１１０を放物面鏡２０９及び放物面鏡２０７を介してテラヘルツ波検出部１１１に入力できるように配置する必要がある。各構成要素の配置は、軸外し放物面鏡の反射方向を基に、幾何光学を用いて計算するか、又は光線解析ソフトを用いることによって、決定してもよい。各構成要素の配置は、光路を調べるための実験を行うことによって、決定してもよい。
【００３３】
除湿部２０２は、内部に水分除去剤を有することで除湿を行うように構成されてよい。除湿空間２０１は除湿空間２０１の外部に通じる水分除去剤を交換するための開口部を備えてもよく、その開口部から水分除去剤の入れ替えを行うことができる。水分除去剤を交換するための開口部は、水分除去剤の交換を行った後に密閉できるように構成される。水分除去剤としてはシリカゲルを用いることができる。シリカゲルの粉が付着するのを防ぐために、シリカゲルは目の細かい袋に封入されていることが望ましい。水分除去剤として、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、塩化カルシウム、シリカアルミナゲル等の水分が除去できる任意の物質を利用してもよい。
【００３４】
一方で、除湿部２０２は、機械式の除湿器でもよい。除湿部２０２は、除湿空間２０１の外部に通じる開口部を備えてもよく、その開口部を除湿空間２０１の外部に設置された機械式の除湿器に連結してもよい。機械式の除湿器を除湿空間２０１の内部に備えてもよい。
【００３５】
除湿部２０２の入れ替え等によってテラヘルツ波の伝播経路に影響を及ぼすことを防ぐため、除湿部２０２が設けられる壁面２１８は、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１が固定されている壁面２１９、ならびに各放物面鏡が固定されている壁面２１６及び２１７とは異なる壁面であることが好ましい。
【００３６】
本実施形態においては、テラヘルツ波発生検出室２００は直方体状であるが、除湿空間２０１が密閉可能な構成であれば形状は直方体に限らず、任意の形状でよい。
【００３７】
図５から図８に固定部材２０３が備える凹型固定部材２０４及び凸型固定部材２０５を図示する。該図中で斜線部は、同一の球面の一部であることを示す。つまり、凹型固定部材２０４の斜線部は、凸型固定部材２０５の斜線部に合致させると、隙間なく密着する。
【００３８】
図５は、凹型固定部材２０４の正面図及び側面図を示す。図６は凹型固定部材２０４の斜視図を示す。凹型固定部材２０４は、球面の一部である凹型球面部２１０と、貫通部２１１とを有する。
【００３９】
貫通部２１１の径は、テラヘルツ波発生部１０７を固定する場合にはテラヘルツ波発生部１０７の径よりも、テラヘルツ波検出部１１１を固定する場合にはテラヘルツ波検出部１１１の径よりも、大きい。つまり、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１を貫通部２１１に挿入する際に、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１の側面に余裕があるように構成する。それにより、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１を傾けて、つまりあおり方向に調整して固定することができる。
【００４０】
貫通部２１１の径が大きいほど、あおり方向の角度の最大値を大きく設定できるため、所望のあおり方向の角度の値に応じて貫通部２１１の径を設定する。
【００４１】
図７は、凸型固定部材２０５の正面図及び側面図を示す。図８は凸型固定部材２０５の斜視図を示す。図７及び図８には、凸型固定部材２０５をテラヘルツ波発生部１０７に取り付けた状態の図を示しているが、テラヘルツ波検出部１１１に取り付けた場合にも同様となる。凸型固定部材２０５は、球面の一部である凸型球面部２１２と、貫通部２１３とを有する。
【００４２】
凸型固定部材２０５をテラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１に固定する位置は、Ｂ方向変えることができる。Ｂ方向の位置を変更することによって、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１が壁面２１９上で固定される位置を、壁面２１９の垂直方向に対して調整することができる。テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１は、凸型固定部材２０５の貫通部２１３に挿入され、壁面２１９の垂直方向について所望の位置に調整した状態で、ねじ、接着剤等の任意の接着手段により、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１の側面と凸型固定部材２０５の貫通部２１３の側面との間で隙間なく固定される。
【００４３】
図９は、テラヘルツ波発生部１０７を凹型固定部材２０４及び凸型固定部材２０５を用いて固定した状態の側面図を示す。テラヘルツ波検出部１１１を固定する場合にも同様となる。凹型球面部２１０と凸型球面部２１２とを合致させることによって、凹型固定部材２０４と凸型固定部材２０５とが隙間なく密着され、互いに摺動させることができる。
【００４４】
テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１の径より、貫通部２１１の径が大きく構成されているため、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１をＣ方向に傾けて、つまりあおり方向に調整して固定することができる。Ｃ方向は、凹型球面部２１０と凸型球面部２１２とが合致し、隙間が発生しない限りにおいて任意の方向でよい。つまり、図９に記載の凹型固定部材２０４及び凸型固定部材２０５では凹凸面として球面を採用しているため、Ｃ方向は球面に沿った全方向になり得る。
【００４５】
Ｃ方向への角度を変更することによって、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１が壁面２１９上で固定される際のあおり方向の角度を調整することができる。凹型固定部材２０４と凸型固定部材２０５とは、あおり方向に所望の角度を付けた状態で、ねじ、接着剤等の任意の接着手段により、隙間なく固定される。例えば、接着剤で固定する際には、凹型固定部材２０４と凸型固定部材２０５を所望のあおり角度に調整した状態で、該調整した状態を保持したまま一旦凹型固定部材２０４と凸型固定部材２０５とを引き離し、凹型固定部材２０４の凹型球面部２１０と凸型固定部材２０５の凸型球面部２１２とに接着剤を塗布してから再度密着させることで、凹型固定部材２０４と凸型固定部材２０５と固定することができる。
【００４６】
図１０は、テラヘルツ波発生部１０７を凹型固定部材２０４及び凸型固定部材２０５を用いてあおり方向に一例の角度を付けて固定した状態の側面図を示す。あおり方向の角度の大きさは、凹型球面部２１０と凸型球面部２１２との間に隙間ができず、凹型固定部材２０４の貫通部２１１の内壁にテラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１が干渉しない範囲で任意の大きさでよい。
【００４７】
図１１は、凹型固定部材２０４を壁面２１９に固定した状態の断面図を示す。凹型固定部材２０４は、凹型固定部材２０４の貫通部２１１が壁面２１９の開口部２１４に連通する状態で固定される。開口部２１４の径は、貫通部２１１の径より大きい。
【００４８】
貫通部２１１の径より、開口部２１４の径が大きく構成されているため、Ｄ方向、つまり壁面２１９の平行方向に対して調整することができる。Ｄ方向の位置を変更することによって、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１が壁面２１９上で固定される位置を、壁面２１９の平行方向に対して調整することができる。Ｄ方向への移動量は、固定するテラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１が、開口部２１４の内壁に干渉しない範囲において、任意である。凹型固定部材２０４と壁面２１９とは、壁面２１９の平行方向について所望の位置に調整した状態で、ねじ、接着剤等の任意の接着手段により、凹型固定部材２０４と壁面２１９との間を隙間なく固定される。
【００４９】
上述のように、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１と、凸型固定部材２０５と、凹型固定部材２０４と、壁面２１９とを固定することで、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１の位置及び向きを調整した状態で、除湿空間２０１を大気及び水分が侵入しないように密閉することができる。
【００５０】
本実施形態ではテラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１の形状を円柱状としているが、側面に凸型固定部材２０５が固定可能な形状であり、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１の位置及び向きの調整に干渉しない形状であれば、四角柱状、三角柱状等、任意の形状が適用できる。
【００５１】
本実施形態では凹型固定部材２０４及び凸型固定部材２０５の形状を円筒状としているが、それぞれ凹型球面部２１０及び凸型球面部２１２を有する構造であり、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１の位置及び向きの調整に干渉しない形状であれば、四角筒状、三角筒状等、任意の形状が適用できる。
【００５２】
（第２の実施形態）
図１２は、本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室４００を含むテラヘルツ波発生検出装置３００の概略図である。図１に記載のテラヘルツ波発生検出装置１００では、ポンプ光１０３及びプローブ光１０４は、それぞれテラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１まで空間伝播されているのに対して、本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出装置３００においては、ポンプ光３０３及びプローブ光３０４は、それぞれテラヘルツ波発生部３０７及びテラヘルツ波検出部３１１まで、光ファイバを用いて伝播される。そのため、テラヘルツ波発生検出装置３００では、光が空間伝播される部分はテラヘルツ波発生検出室４００の内部に限られる。光が空間伝播する部分は光軸を安定化して測定の信頼性を高めるために剛性のある素材で構成する必要があるが、それ以外の部分の剛性は落としてもよい。したがって、テラヘルツ波発生検出装置３００の構成では光が空間伝播しない部分、つまりテラヘルツ波発生検出室４００以外の部分の剛性を落としても、測定の信頼性を低下させずに軽量化することが可能である。
【００５３】
本実施形態では、テラヘルツ発生検出装置３００の各々の構成要素を光ファイバデバイスとし、該構成要素の各々を光ファイバにて接続して空間伝播部を排除している。従って、光パルスの伝播部となる光ファイバをコンパクトに巻くことができるため、装置の小型化、安定化を図ることができる。また、本実施形態では、上記各構成要素を接続している光ファイバは偏光保持ファイバ（ＰＭＦ）であることが望ましい。従って、環境変化、ファイバの曲げに対して、生成される光パルスの強度、パルス波形、偏光方向を安定にすることができる。
【００５４】
テラヘルツ波発生検出装置３００は、レーザ発振器３０１と、レーザ発振器３０１により発生された光パルス３０２をポンプ光３０３とプローブ光３０４に分割するスプリッタ３０５とを有する。
【００５５】
レーザ発振器３０１は、例えばパルス幅５００ｆｓ、繰り返し周波数１００ＭＨｚ、平均強度４０ｍＷのパルス光を発生する。
【００５６】
レーザ発振器３０１により発生された光パルス３０２は、スプリッタ３０５に入射される。スプリッタ３０５は、光パルス３０２を、ポンプ光３０３とプローブ光３０４との２つに分岐する。
【００５７】
スプリッタ３０５からポンプ光３０３が分岐される側の出射端には、強度変調器３０６がＰＭＦにより接続される。強度変調器３０６は、ポンプ光３０３の強度変調を行って出射し、それと共に同期検波のための参照信号３１４をロックインアンプ３１５に出力する。
【００５８】
光ファイバカプラ３２０ａは、２つの入射端と、１つの出射端とを有し、２つの入射端の一方と、強度変調器３０６の出射端とがＰＭＦにより接続されており、２つの入射端の他方と、励起レーザ３１９ａとがＰＭＦにより接続されており、上記２つの入射端のそれぞれから入射された光を上記出射端から出射する。励起レーザ３１９ａは、後述するファイバ増幅器３２１に増幅機能を持たせるための励起光を発振する。
【００５９】
光ファイバカプラ３２０ａの出射端と、ファイバ増幅器３２１の入射端とがＰＭＦにより接続されている。該ファイバ増幅器３２１は、分散特性が正常分散値を有するエルビウム添加ファイバであることが望ましい。このように、正常分散のエルビウム添加ファイバを増幅ファイバとして用いることにより、パルス分裂などの測定性能に悪影響を及ぼす非線形効果を低減することができる。ファイバ増幅器３２１は、励起用レーザダイオードである励起レーザ３１９ａからの励起光が光ファイバカプラ３２０ａを介して注入されることにより、ポンプ光３０３を増幅することができる。ファイバ増幅器３２１により、ポンプ光３０３のパワーを、テラヘルツ発生に必要なパワーまで増幅させる。
【００６０】
ファイバ増幅器３２１が偏光保持ファイバではない場合、偏波コントローラをファイバ増幅器３２１の前に設置して偏波を調整してもよい。ファイバ増幅器３２１を多段構成にし、それぞれ偏波コントローラを設置してもよい。また、各ファイバ増幅器の後（ファイバ増幅器の出力側）には戻り光を防ぐためにアイソレータを挿入するとよい。
【００６１】
ファイバ増幅器３２１の出射端と、ファイバ圧縮器３２２とがＰＭＦを介して接続されている。該ファイバ圧縮器３２２は、大口径の定偏波フォトニッククリスタルファイバ等のラージモードエリアファイバであり、入射されたポンプ光３０３のパルス幅を５０ｆｓに圧縮するように構成されている。
【００６２】
スプリッタ３０５からプローブ光３０４が分岐される側の出射端には、遅延ラインスキャナ３１７がＰＭＦにより接続されている。該遅延ラインスキャナ３１７は、テラヘルツ波検出用のプローブ光３０４を所定の遅延時間だけ遅延させるように構成されている、ファイバピグテール付のインライン型の遅延ラインスキャナである。該遅延ラインスキャナ３１７は、駆動部により駆動可能なミラーを有しており、上記駆動部を駆動させることにより、プローブ光３０４に所定の遅延を付与するようにミラーを移動させることができる。すなわち、テラヘルツ波の測定を行う際には、遅延ラインスキャナ３１７を駆動しながらポンプ光３０３とプローブ光３０４との時間差を調整する。
【００６３】
遅延ラインスキャナ３１７と、インライン型の光路長調整器３１８の入射端とがＰＭＦにより接続されている。該光路長調整器３１８は、手動により位置を変位可能なミラーを有している。該ミラーの位置を変位させることにより、プローブ光３０４の光路長を調節することができる。この光路長調整器３１８は、ポンプ光３０３とプローブ光３０４の光路長を調整するときに用いるもので、一度調整してしまえばその後測定の度に時間差を調整する必要はない。
【００６４】
光ファイバカプラ３２０ｂは、２つの入射端と、１つの出射端とを有し、２つの入射端の一方と、光路長調整器３１８の出射端とがＰＭＦにより接続されており、２つの入射端の他方と、励起レーザ３１９ｂとがＰＭＦにより接続されており、上記２つの入射端のそれぞれから入射された光を上記出射端から出射する。該励起レーザ３１９ｂは、後述するファイバ増幅器３２３に増幅機能を持たせるための励起光を発振する。
【００６５】
光ファイバカプラ３２０ｂの出射端と、ファイバ増幅器３２３の入射端とがＰＭＦにより接続されている。該ファイバ増幅器３２３は、異常分散特性を有するファイバ増幅器および正常分散特性を有するファイバ増幅器を２段に設けた構造を有してもよい。すなわち、ファイバ増幅器３２３へのプローブ光３０４の入射側に異常分散特性を有する第１のファイバ増幅器が設けられており、プローブ光３０４の進行方向の後段側には、正常分散特性を有する第２のファイバ増幅器が設けられている。このような構成により、本実施形態では、ファイバ増幅器３２３は、励起用レーザダイオードである励起レーザ３１９ｂからの励起光が光ファイバカプラ３２０ｂを介して注入されることにより、プローブ光３０４のパワーを、テラヘルツ検出に必要なパワーまで増幅することができる。
【００６６】
ファイバ増幅器３２３の出射端と、ファイバ圧縮器３２４の入射端とがＰＭＦにより接続されている。該ファイバ圧縮器３２４は、シングルモード光ファイバであり、該シングルモード光ファイバにより、上記ファイバ増幅器３２３から出射されたプローブ光３０４をパルス圧縮することができる。本実施形態では、ファイバ圧縮器３２４は、プローブ光３０４のパルス幅を５０ｆｓまで細くするように構成されている。
【００６７】
ファイバ圧縮器３２２の出射端は、テラヘルツ波発生部３０７に接続されている。テラヘルツ波発生部３０７は、ファイバ圧縮器３２２によりパルス幅が細くされたポンプ光３０３を受けて、入射テラヘルツ波３０８を発生する。テラヘルツ波発生部３０７として、ＤＡＳＴ結晶等、テラヘルツ波が発生可能な非線形結晶を用いてもよいし、低温成長ＧａＡｓ光伝導アンテナデバイス等の光伝導アンテナデバイスを用いてもよい。テラヘルツ波発生部３０７の種類に応じて、ＰＰＬＮ（Ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ Ｐｏｌｅｄ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ）等の波長変換素子を備えてもよい。
【００６８】
テラヘルツ波発生部３０７は、テラヘルツ波発生検出室４００の一面に挿入して設けられる。テラヘルツ波発生部３０７により発生された入射テラヘルツ波３０８は、テラヘルツ波発生検出室４００を介して被測定物３０９に照射される。さらに入射テラヘルツ波３０８が被測定物３０９で反射されることにより、出射テラヘルツ波３１０が出射される。出射テラヘルツ波３１０は、テラヘルツ波発生検出室４００を介してテラヘルツ波検出部３１１に照射される。
【００６９】
ファイバ圧縮器３２４の出射端は、テラヘルツ波検出部３１１に接続されている。テラヘルツ波検出部３１１は、ファイバ圧縮器３２４によりパルス幅が細くされたプローブ光３０４と、被測定物３０９からの出射テラヘルツ波３１０とを受けて、電流信号３１３を出力する。テラヘルツ波検出部３１１として、低温成長ＧａＡｓ光伝導アンテナデバイス等の光伝導アンテナデバイスを用いてもよいし、非線形結晶を用いてＥＯ検出を行ってもよい。テラヘルツ波検出部３１１の種類に応じて、ＰＰＬＮ（Ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ Ｐｏｌｅｄ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ）等の波長変換素子を備えてもよい。
【００７０】
ロックインアンプ３１５は、強度変調器３０６及びテラヘルツ波検出部３１１に接続され、強度変調器３０６から出力される参照信号３１４とテラヘルツ波検出部３１１から出力される電流信号３１３とを受けて同期検波を行うことにより、被測定物３０９のテラヘルツ波応答特性を検出する。テラヘルツ波検出部３１１とロックインアンプ３１５の間に、電流信号３１３を増幅するための電流増幅器を設けることが好ましい。なお、本実施形態においては高感度検出を目的としてロックインアンプを用いているが、電流信号が十分に強い場合、又はスキャン速度が十分に大きい場合には、ロックインアンプを用いず、電流信号を直接検出してもよい。
【００７１】
広帯域テラヘルツ波の発生には、高パワーかつ細いパルス幅の光パルスが必要となる。しかしながら、高パワーかつ細いパルス幅の光パルスをレーザ発振器から発生させ光ファイバ等の非線形デバイス中を伝播させる場合、光パルスの伝播時に波長分散の効果や非線形光学効果によりパルス幅が広がってしまい、テラヘルツ波発生部及びテラヘルツ波検出部に到達するまでに細いパルス幅が維持できないことがある。それに対して、本実施形態によれば、レーザ発振器３０１からはテラヘルツ波発生及び検出のために最終的に必要となる値よりも低いパワーかつ広いパルス幅を有する光パルスを発生し、テラヘルツ波発生部３０７及びテラヘルツ波検出部３１１の直前に設けられるファイバ増幅器３２１、３２３及びファイバ圧縮器３２２、３２４により、光パルスを高パワーかつ細いパルス幅にする。この構成によって、より高パワーかつ細いパルスの光パルスをテラヘルツ波発生部３０７及びテラヘルツ波検出部３１１に入射し、広帯域テラヘルツ波の発生が可能になる。
【００７２】
図１３は、本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室４００の上面図である。図１３においては、被測定物３０９及びサンプル載置面２２０は、紙面鉛直方向の手前側にあるため、図示されない。図１４は、図１３に示すテラヘルツ波発生検出室４００をＥ−Ｅ線から見た側面図である。図１５は、図１３に示すテラヘルツ波発生検出室４００内における各放物面鏡の配置とテラヘルツ波の伝播経路を模式的に示す斜視図である。
【００７３】
テラヘルツ波発生検出室４００は、除湿空間２０１の中に、除湿部２０２と、放物面鏡４０６と、放物面鏡４０７と、該放物面鏡４０６及び該放物面鏡４０７より大きい放物面鏡４０８とを備える。第１の実施形態と異なる点は、テラヘルツ波の伝播に必要な放物面鏡の数が、４つから３つに削減されている点である。そのため、以下では放物面鏡に係る部分のみ説明を行い、その他の要素については第１の実施形態と同様である。
【００７４】
除湿空間２０１を囲む壁面のうちの１面である壁面２１６には、放物面鏡４０６と放物面鏡４０７とが設けられる。除湿空間２０１を囲む壁面のうちの１面である壁面２１７には、放物面鏡４０８が設けられる。
【００７５】
放物面鏡４０６、放物面鏡４０７及び放物面鏡４０８は、軸外し放物面鏡である。放物面鏡４０６は、放物面鏡４０８に対して、互いの反射面が向き合うように配置される。放物面鏡４０７は、放物面鏡４０８に対して、互いの反射面が向き合うように配置される。放物面鏡４０６からの入射テラヘルツ波は、放物面鏡４０８の中心点Ｚを通らない位置に入射するように配置される。この構成により、放物面鏡４０６からの入射テラヘルツ波３０８は、放物面鏡４０８の中心点Ｚを通らない部分において集光され、被測定物３０９に対して０度より大きい入射角をもって入射する。被測定物３０９の測定対象箇所が平面であれば、入射テラヘルツ波３０８は、被測定物３０９上で入射角と同じ反射角で反射されて出射テラヘルツ波３１０として出射され、放物面鏡４０８上の入射時とは別の部分（つまり、放物面鏡４０８の反射面上で中心点Ｚについて反対側の部分）においてコリメートされる。この構成を実現するために、放物面鏡４０８の大きさは、放物面鏡４０６からのコリメート光を入射し、かつ放物面鏡４０７へのコリメート光を出射するために十分な大きさ（例えば、放物面鏡４０８の直径は放物面鏡４０６の直径と放物面鏡４０７の直径との和よりも大きい）であることが望ましい。
【００７６】
放物面鏡４０６と放物面鏡４０８の間、及び放物面鏡４０７と放物面鏡４０８の間には、ポンプ光を除去するためのフィルタを設けてもよい。例えば、フィルタにはゲルマニウム基板、ブラックポリエチレン等を用いることができる。フィルタを設けることにより、被測定物３０９又はテラヘルツ波検出部３１１にポンプ光が入射されて破壊されたり、ポンプ光により雑音が発生したりすることを防ぐ又は低減することができる。
【００７７】
各構成要素は、テラヘルツ波発生部３０７からの入射テラヘルツ波３０８を放物面鏡４０６及び放物面鏡４０８を介して被測定物３０９の測定対象箇所に照射し、さらに出射された出射テラヘルツ波３１０を放物面鏡４０８及び放物面鏡４０７を介してテラヘルツ波検出部３１１に入力できるように配置する必要がある。各構成要素の配置は、軸外し放物面鏡の反射方向を基に、幾何光学を用いて計算するか、又は光線解析ソフトを用いることによって、決定してもよい。各構成要素の配置は、光路を調べるための実験を行うことによって、決定してもよい。
【００７８】
図１６から図１９に固定部材４０３が備える凹型固定部材４０４及び凸型固定部材４０５を図示する。図５から図８に示す固定部材２０３は球面を合致させて密着させるのに対して、固定部材４０３は円柱面（円柱の側面部分を指す）を合致させて密着させるという違いがある。該図中で斜線部は、同一の円柱面の一部であることを示す。つまり、凹型固定部材４０４の斜線部は、凸型固定部材４０５の斜線部に合致させると、隙間なく密着され、互いに摺動させることができる。
【００７９】
図１６は、凹型固定部材４０４の正面図及び側面図を示す。図１７は凹型固定部材４０４の斜視図を示す。凹型固定部材４０４は、円柱面の一部である凹型円柱面部４１０と、貫通部４１１とを有する。
【００８０】
貫通部４１１の径は、テラヘルツ波発生部３０７を固定する場合にはテラヘルツ波発生部３０７の径よりも、テラヘルツ波検出部３１１を固定する場合にはテラヘルツ波検出部３１１の径よりも、大きい。つまり、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１を貫通部４１１に挿入する際に、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１の側面に余裕があるように構成する。それにより、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１を傾けて、つまりあおり方向に調整して固定することができる。
【００８１】
貫通部４１１の径が大きいほど、あおり方向の角度の最大値を大きく設定できるため、所望のあおり方向の角度の値に応じて貫通部４１１の径を設定する。
【００８２】
図１８は、凸型固定部材４０５の正面図及び側面図を示す。図１９は凸型固定部材４０５の斜視図を示す。図１８及び図１９には、凸型固定部材４０５をテラヘルツ波発生部３０７に取り付けた状態の図を示しているが、テラヘルツ波検出部３１１に取り付けた場合にも同様となる。凸型固定部材４０５は、円柱面の一部である凸型円柱面部４１２と、貫通部４１３とを有する。
【００８３】
凸型固定部材４０５をテラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１に固定する位置は、Ｂ方向に変えることができる。Ｂ方向の位置を変更することによって、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１が壁面２１９上で固定される位置を、壁面２１９の垂直方向に対して調整することができる。テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１は、凸型固定部材４０５の貫通部４１３に挿入され、壁面２１９の垂直方向について所望の位置に調整した状態で、ねじ、接着剤等の任意の接着手段により、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１の側面と凸型固定部材４０５の貫通部４１３の側面との間で隙間なく固定される。
【００８４】
図２０は、テラヘルツ波発生部３０７を凹型固定部材４０４及び凸型固定部材４０５を用いて固定した状態の側面図を示す。テラヘルツ波検出部３１１を固定する場合にも同様となる。凹型円柱面部４１０と凸型円柱面部４１２とを合致させることによって、凹型固定部材４０４と凸型固定部材４０５とが隙間なく密着される。
【００８５】
テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１の径より、貫通部４１１の径が大きく構成されているため、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１をＣ方向に傾けて、つまりあおり方向に調整して固定することができる。Ｃ方向は、凹型円柱面部４１０と凸型円柱面部４１２とが合致し、隙間が発生しない限りにおいて任意の方向でよい。凹凸面として球面を採用している図９に記載の凹型固定部材２０４及び凸型固定部材２０５とは異なり、本実施形態においては、図２０に記載のように、凹型固定部材４０４及び凸型固定部材４０５では凹凸面として円柱面を採用しているため、Ｃ方向は円柱面に沿った一方向のみに制限される。さらに好ましくは、凹型固定部材４０４及び凸型固定部材４０５の間に、凹型固定部材４０４の凹型円柱面部４１０に対して第一の方向に摺動し、かつ凸型固定部材４０５の凸型円柱面部４１２に対して該第一の方向とは異なる第二の方向に摺動する、追加の固定部材を設けてもよい。該追加の固定部材は、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１を挿入するための貫通部を有し、凹型固定部材４０４及び凸型固定部材４０５に隙間なく密着されるように構成される。この構成によれば、Ｃ方向は一方向に制限されず、該第一の方向及び該第二の方向への二つの摺動を組み合わせてＣ方向を所望の方向に設定することができる。
【００８６】
Ｃ方向への角度を変更することによって、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１が壁面２１９上で固定される際のあおり方向の角度を調整することができる。凹型固定部材４０４と凸型固定部材４０５とは、あおり方向に所望の角度を付けた状態で、ねじ、接着剤等の任意の接着手段により、隙間なく固定される。例えば、接着剤で固定する際には、凹型固定部材４０４と凸型固定部材４０５を所望のあおり角度に調整した状態で、該調整した状態を保持したまま一旦凹型固定部材４０４と凸型固定部材４０５とを引き離し、凹型固定部材４０４の凹型円柱面部４１０と凸型固定部材４０５の凸型円柱面部４１２とに接着剤を塗布してから再度密着させることで、凹型固定部材４０４と凸型固定部材４０５と固定することができる。
【００８７】
あおり方向の角度の大きさは、凹型円柱面部４１０と凸型円柱面部４１２との間に隙間ができず、凹型固定部材４０４の貫通部３１１の内壁にテラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１が干渉しない範囲で任意の大きさでよい。
【００８８】
図２１は、凹型固定部材４０４を壁面２１９に固定した状態の断面図を示す。凹型固定部材４０４は、凹型固定部材４０４の貫通部４１１が壁面２１９の開口部２１４に連通する状態で固定される。開口部２１４の径は、貫通部４１１の径より大きい。
【００８９】
貫通部４１１の径より、開口部２１４の径が大きく構成されているため、Ｄ方向、つまり壁面２１９の平行方向に対して調整することができる。Ｄ方向の位置を変更することによって、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１が壁面２１９上で固定される位置を、壁面２１９の平行方向に対して調整することができる。Ｄ方向への移動量は、固定するテラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１が、開口部２１４の内壁に干渉しない範囲において、任意である。凹型固定部材４０４と壁面２１９とは、壁面２１９の平行方向について所望の位置に調整した状態で、凹型固定部材４０４と壁面２１９との間でねじ、接着剤等の任意の接着手段により、隙間なく固定される。
【００９０】
上述のように、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１と、凸型固定部材４０５と、凹型固定部材４０４と、壁面２１９とを固定することで、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１の位置及び向きを調整した状態で、除湿空間２０１を大気及び水分が侵入しないように密閉することができる。
【００９１】
本実施形態ではテラヘルツ波発生部３０７及びテラヘルツ波検出部３１１の形状を四角柱状としているが、側面に凸型固定部材４０５が固定可能な形状であり、テラヘルツ波発生部３０７及びテラヘルツ波検出部３１１の位置及び向きの調整に干渉しない形状であれば、円柱状、三角柱状等、任意の形状が適用できる。
【００９２】
本実施形態では凹型固定部材４０４及び凸型固定部材４０５の形状を四角筒状としているが、それぞれ凹型円柱面部４１０及び凸型円柱面部４１２を有する構造であり、テラヘルツ波発生部３０７及びテラヘルツ波検出部３１１の位置及び向きの調整に干渉しない形状であれば、円筒状、三角筒状等、任意の形状が適用できる。
【００９３】
（第３の実施形態）
図２２は、本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室５００ａ及び５００ｂの側面図である。図２３は、図２２に示すテラヘルツ波発生検出室５００ａ及び５００ｂ内における各放物面鏡の配置とテラヘルツ波の伝播経路を模式的に示す斜視図である。上面図は図２と変わりがないため、省略する。
【００９４】
図３に記載のテラヘルツ波発生検出室２００には、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１の両方が備えられ、テラヘルツ波の反射測定を行うのに対して、図２２に示す本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室５００ａ及び５００ｂにおいては、テラヘルツ波発生検出室５００ａがテラヘルツ波発生部１０７を、テラヘルツ波発生検出室５００ｂがテラヘルツ波検出部１１１をそれぞれ備え、テラヘルツ波の透過測定を行う。テラヘルツ波発生検出室５００ａ及び５００ｂ以外の部分については、第１の実施形態又は第２の実施形態の構成を用いてもよいし、テラヘルツ波の発生及び検出が可能な任意の装置構成でもよい。
【００９５】
テラヘルツ波発生検出室５００ａは、除湿空間５０１ａの中に、除湿部５０２ａと、放物面鏡２０６と、放物面鏡２０８とを備える。テラヘルツ波発生検出室５００ｂは、除湿空間５０１ｂの中に、除湿部５０２ｂと、放物面鏡２０７と、放物面鏡２０９とを備える。
【００９６】
除湿空間５０１ａは、被測定物に対する面が、少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波を広帯域で透過する基板（例えば、Ｔｓｕｒｕｐｉｃａ（登録商標）基板）で構成されているサンプル対向面５２０ａによって、他の面は大気及び水分を通さない金属又はガラス製の板によって囲まれた密閉空間である。サンプル対向面５２０ａにおいて、該テラヘルツ波が通過する部分以外は、金属であってもよい。板同士はＯリング等の大気及び水分を通さない部材を用いて密閉又は溶接する。
【００９７】
除湿空間５０１ｂは、被測定物に対する面が、少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波を広帯域で透過する基板（例えば、Ｔｓｕｒｕｐｉｃａ（登録商標）基板）で構成されているサンプル対向面５２０ｂによって、他の面は大気及び水分を通さない金属又はガラス製の板によって囲まれた密閉空間である。サンプル対向面５２０ｂにおいて、該テラヘルツ波が通過する部分以外は、金属であってもよい。板同士はＯリング等の大気及び水分を通さない部材を用いて密閉又は溶接する。
【００９８】
サンプル対向面５２０ａとサンプル対向面５２０ｂとの間に、被測定物を載置するためのサンプル載置台５２１が設けられる。サンプル載置台５２１は、少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波を広帯域で透過する基板（例えば、Ｔｓｕｒｕｐｉｃａ（登録商標）基板）で構成される。サンプル対向面５２１において、該テラヘルツ波が通過する部分以外は、金属であってもよい。サンプル載置台５２１を設けず、直接サンプル対向面５２０ａの上に被測定物を載置してもよい。
【００９９】
除湿空間５０１ａを囲む壁面のうちの１面である壁面５１９ａには、開口部５１４が設けられる。テラヘルツ波発生部１０７は、開口部５１４に挿入されて設けられ、さらに壁面５１９ａの外側から固定部材によって固定される。除湿空間５０１ｂを囲む壁面のうちの１面である壁面５１９ｂには、開口部５１５が設けられる。テラヘルツ波検出部１１１は、開口部５１５に挿入されて設けられ、さらに壁面５１９ｂの外側から固定部材によって固定される。該固定部材は、第１の実施形態に係る固定部材２０３でもよいし、第２の実施形態に係る固定部材４０３でもよい。
【０１００】
除湿空間５０１ａ内には軸外し放物面鏡である放物面鏡２０６と放物面鏡２０８とが設けられる。放物面鏡２０６は、放物面鏡２０８に対して、互いの反射面が向き合うように配置される。除湿空間５０１ｂ内には軸外し放物面鏡である放物面鏡２０７と放物面鏡２０９とが設けられる。放物面鏡２０７は、放物面鏡２０９に対して、互いの反射面が向き合うように配置される。テラヘルツ波発生部１０７からの入射テラヘルツ波１０８は、放物面鏡２０６によってコリメートされ、放物面鏡２０８によって集光され、その後被測定物１０９に対して入射される。さらに入射テラヘルツ波１０８は、被測定物１０９を透過されて出射テラヘルツ波１１０として出射される。出射テラヘルツ波１１０は、放物面鏡２０９によってコリメートされ、放物面鏡２０７によって集光され、その後テラヘルツ波検出部１１１に対して入射される。
【０１０１】
放物面鏡２０６と放物面鏡２０８の間、及び放物面鏡２０７と放物面鏡２０９の間には、ポンプ光を除去するためのフィルタを設けてもよい。例えば、フィルタにはゲルマニウム基板、ブラックポリエチレン等を用いることができる。フィルタを設けることにより、被測定物１０９又はテラヘルツ波検出部１１１にポンプ光が入射されて破壊されたり、ポンプ光により雑音が発生したりすることを防ぐ又は低減することができる。
【０１０２】
各構成要素は、テラヘルツ波発生部１０７からの入射テラヘルツ波１０８を放物面鏡２０６及び放物面鏡２０８を介して被測定物１０９の測定対象箇所に照射し、さらに出射された出射テラヘルツ波１１０を放物面鏡２０９及び放物面鏡２０７を介してテラヘルツ波検出部１１１に入力できるように配置する必要がある。各構成要素の配置は、軸外し放物面鏡の反射方向を基に、幾何光学を用いて計算するか、又は光線解析ソフトを用いることによって、決定してもよい。各構成要素の配置は、光路を調べるための実験を行うことによって、決定してもよい。
【０１０３】
除湿部５０２ａ、５０２ｂは、内部に水分除去剤を有することで除湿を行うように構成されてよい。除湿空間５０１ａ、５０１ｂは、それぞれ除湿空間５０１ａ、５０１ｂの外部に通じる水分除去剤を交換するための開口部を備えてもよく、その開口部から水分除去剤の入れ替えを行うことができる。水分除去剤を交換するための開口部は、水分除去剤の交換を行った後に密閉できるように構成される。水分除去剤としてはシリカゲルを用いることができる。シリカゲルの粉が付着するのを防ぐために、シリカゲルは目の細かい袋に封入されていることが望ましい。水分除去剤として、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、塩化カルシウム、シリカアルミナゲル等の水分が除去できる任意の物質を利用してもよい。
【０１０４】
一方で、除湿部５０２ａ、５０２ｂは、機械式の除湿器でもよい。除湿部５０２ａ、５０２ｂは、除湿空間５０１ａ、５０１ｂの外部に通じる開口部を備えてもよく、その開口部を除湿空間５０１ａ、５０１ｂの外部に設置された機械式の除湿器に連結してもよい。機械式の除湿器を除湿空間５０１ａ、５０１ｂの内部に備えてもよい。
【０１０５】
除湿部５０２ａ、５０２ｂの入れ替え等によってテラヘルツ波の伝播経路に影響を及ぼすことを防ぐため、除湿部５０２ａ、５０２ｂが設けられる壁面５１８ａ、５１８ｂは、テラヘルツ波発生部１０７が固定されている壁面５１９ａ、テラヘルツ波検出部１１１が固定されている壁面５１９ｂ、及び各放物面鏡が固定されている壁面とは異なる壁面であることが好ましい。
【０１０６】
上述の各実施形態においては、テラヘルツ波発生部又はテラヘルツ波検出部に凸面を有する固定部材を設け、壁面に凹面を有する固定部材を設けているが、テラヘルツ波発生部又はテラヘルツ波検出部に凹面を有する固定部材を設け、壁面に凸面を有する固定部材を設けてもよい。その場合でも、上述の各実施形態における凸面と凹面の構造を逆転させるのみで本発明の作用を奏することができ、逆転後の構造は当業者には容易に理解できるであろう。
【符号の説明】
【０１０７】
１００ テラヘルツ波発生検出装置
１０１、３０１ レーザ発振器
１０２、３０２ 光パルス
１０３、３０３ ポンプ光
１０４、３０４ プローブ光
１０５、３０５ スプリッタ
１０６、３０６ 強度変調器
１０７、３０７ テラヘルツ波発生部
１０８、３０８ 入射テラヘルツ波
１０９、３０９ 被測定物
１１０、３１０ 出射テラヘルツ波
１１１、３１１ テラヘルツ波検出部
１１２ 光学遅延部
１１３、３１３ 電流信号
１１４、３１４ 参照信号
１１５、３１５ ロックインアンプ
２００、４００ テラヘルツ波発生検出室
２０１、５０１ａ、５０１ｂ 除湿空間
２０２、５０２ａ、５０２ｂ 除湿部
２０３、４０３ 固定部材
２０４、４０４ 凹型固定部材
２０５、４０５ 凸型固定部材
２０６、２０７、２０８、２０９、４０６、４０７、４０８ 放物面鏡
２１０ 凹型球面部
２１１、２１３、４１１、４１３ 貫通部
２１２ 凸型球面部
２１４、２１５、５１４、５１５ 開口部
２１６、２１７、２１８、２１９、５１８ａ、５１８ｂ、５１９ａ、５１９ｂ 壁面
２２０ サンプル載置面 ３１７ 遅延ラインスキャナ
３１８ 光路長調整器
３１９ａ、３１９ｂ 励起レーザ
３２０ａ、３２０ｂ 光ファイバカプラ
３２１、３２３ ファイバ増幅器
３２２、３２４ ファイバ圧縮器
４１０ 凹型円柱面部
４１２ 凹型円柱面部
５２０ａ、５２０ｂ サンプル対向面
５２１ サンプル載置台
【技術分野】
【０００１】
本発明は、被測定物にテラヘルツ波を照射し、被測定物で反射又は透過されたテラヘルツ波を測定する装置における、テラヘルツ波の発生及び検出を行うための筐体に関する。
【背景技術】
【０００２】
被測定物にテラヘルツ波を照射し、被測定物で反射又は透過されたテラヘルツ波を測定することによって、被測定物のテラヘルツ波応答特性（例えば、複素屈折率、複素誘電率等）を測定することができることが知られている。テラヘルツ波は、放物面鏡を用いてコリメート及び集光を行うことによって、テラヘルツ波発生部から被測定物、また被測定物からテラヘルツ波検出部の間の空間を伝播させることができる。テラヘルツ波が空間を伝播する際に、テラヘルツ波は水分に吸収されるため、テラヘルツ波発生検出装置にはテラヘルツ波測定を行う際に水分の影響を低減するための手段が設けられる。
【０００３】
特許文献１に記載されているテラヘルツ波発生検出装置９００の模式図を図２４に示す。なお、図２４に示すテラヘルツ波発生検出装置９００では、密閉された空間９１４中の水分を除去するために、除湿部９１３としてシリカゲルを用いている。レーザ発振器９０１により発生された光パルスはスプリッタ９０２によってポンプ光とプローブ光に分割される。ポンプ光は強度変調器９０３によって強度変調を受け、窓材９０５ａを通してテラヘルツ波発生部９０６に照射される。プローブ光は光学遅延部９０４によって遅延され、窓材９０５ｂを通してテラヘルツ波検出部９１２に照射される。テラヘルツ波発生部９０６により発生されたテラヘルツ波は、第１の軸外し放物面鏡９０７でコリメートされた後、第２の軸外し放物面鏡９０８で集光され、窓材９０５ｃを通して、被測定物９０９に入射される。さらに、被測定物９０９により反射されたテラヘルツ波は、第３の軸外し放物面鏡９１０でコリメートされた後、第４の軸外し放物面鏡９１１で集光され、テラヘルツ波検出部９１２に照射される。テラヘルツ波検出部９１２は、遅延されたプローブ光と反射されたテラヘルツ波とを受けて、被測定物９０９のテラヘルツ波応答特性が反映された電気信号を発生する。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００４】
【特許文献１】特開２０１０−１５６５４４号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
特許文献１に開示された技術では、テラヘルツ波の伝播経路を調整するためには、除湿空間を開放して内部にあるテラヘルツ波発生部、テラヘルツ波検出部又は各放物面鏡の配置を変更し、再度除湿空間を密閉する必要がある。開放と密閉を繰り返すと、密閉状態が悪化する可能性がある。
除湿空間内に該伝播経路が設けられた形態に限らず、一般的なテラヘルツ波発生検出装置においても、テラヘルツ波の伝播経路の調整は各要素の配置変更が必要なため、手間がかかる作業である。従来、個々の要素にそれぞれ調整ステージを設け、該調整ステージを微調整することにより、テラヘルツ波の伝播経路の調整を行うことがある。その場合には、調整作業が複雑であるとともに、装置が大型になるという課題もある。
【０００６】
本発明の目的は、テラヘルツ波の伝播経路を簡単に調整できるテラヘルツ波発生検出室を有するテラヘルツ波伝播装置、及びテラヘルツ波発生部又は検出部の固定部材を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
このような目的を達成するために、本発明の第１の態様は、テラヘルツ波発生検出室を有するテラヘルツ波伝播装置であって、テラヘルツ波発生モジュールと、少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波透過可能な素材で構成されている、被測定物を前記テラヘルツ波発生検出室の外側に載置するためのサンプル載置手段と、前記テラヘルツ波発生検出室内でテラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段と、前記テラヘルツ波発生検出室の一面であり、開口部を有する壁面と、前記テラヘルツ波発生モジュールを固定するための固定部材と、を備え、前記テラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段によって、前記テラヘルツ波発生モジュールから出射されるテラヘルツ波が前記被測定物上に集光され、前記テラヘルツ波発生モジュールは、前記開口部に挿入され、前記固定部材によって、位置及び向きが調整可能に固定されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明の第２の態様は、テラヘルツ波発生検出室を有するテラヘルツ波伝播装置であって、テラヘルツ波検出モジュールと、少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波透過可能な素材で構成されている、被測定物を前記テラヘルツ波発生検出室の外側に載置するためのサンプル載置手段と、前記テラヘルツ波発生検出室内でテラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段と、前記テラヘルツ波発生検出室の一面であり、開口部を有する壁面と、前記テラヘルツ波検出モジュールを固定するための固定部材と、を備え、前記テラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段によって、前記被測定物から出射されるテラヘルツ波が前記テラヘルツ波検出モジュール上に集光され、前記テラヘルツ波検出モジュールは、前記開口部に挿入され、前記固定部材によって、位置及び向きが調整可能に固定されていることを特徴とする。
【発明の効果】
【０００９】
本発明によれば、テラヘルツ波発生部及びテラヘルツ波検出部は、テラヘルツ波発生検出室の壁面に設けられた開口部に挿入され、テラヘルツ波発生部及びテラヘルツ波検出部の位置及び向きが調整可能な固定部材によって固定される。これにより、テラヘルツ波発生部及びテラヘルツ波検出部の挿入部分のみを調整することによって、テラヘルツ波の伝播経路を簡単に調整できる。
【図面の簡単な説明】
【００１０】
【図１】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出装置の概略図である。
【図２】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の上面図である。
【図３】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の側面図である。
【図４】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の斜視図である。
【図５】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材の正面図及び側面図である。
【図６】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材の斜視図である。
【図７】本発明の一実施形態に係る、凸型固定部材の正面図及び側面図である。
【図８】本発明の一実施形態に係る、凸型固定部材の斜視図である。
【図９】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材と凸型固定部材を組み合わせた状態の側面図である。
【図１０】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材と凸型固定部材を組み合わせた状態の側面図である。
【図１１】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材を壁面に取り付けた状態の断面図である。
【図１２】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出装置の概略図である。
【図１３】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の上面図である。
【図１４】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の側面図である。
【図１５】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の斜視図である。
【図１６】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材の正面図及び側面図である。
【図１７】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材の斜視図である。
【図１８】本発明の一実施形態に係る、凸型固定部材の正面図及び側面図である。
【図１９】本発明の一実施形態に係る、凸型固定部材の斜視図である。
【図２０】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材と凸型固定部材を組み合わせた状態の側面図である。
【図２１】本発明の一実施形態に係る、凹型固定部材を壁面に取り付けた状態の断面図である。
【図２２】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の側面図である。
【図２３】本発明の一実施形態に係る、テラヘルツ波発生検出室の斜視図である。
【図２４】従来のテラヘルツ波発生検出装置の概略図である。
【発明を実施するための形態】
【００１１】
以下、図面を参照して、本発明の実施の形態を説明するが、本発明は本実施形態に限定されるものではない。なお、以下で説明する図面で、同機能を有するものは同一符号を付け、その繰り返しの説明は省略することもある。
【００１２】
各図中の破線は、パルス光及びテラヘルツ波の伝播経路、又は部材中で隠れて見えない部分の形状を表すものである。各図中の矢印は、パルス光及びテラヘルツ波の進行方向、を表すものである。
【００１３】
（第１の実施形態）
図１は、本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室２００を含むテラヘルツ波発生検出装置１００の概略図である。ここで、テラヘルツ波発生検出装置とは、被測定物にテラヘルツ波を照射して、被測定物のテラヘルツ波応答特性を検出する装置を指す。テラヘルツ波発生検出室とは、テラヘルツ波の発生、テラヘルツ波の被測定物への入射、及び被測定物上で反射又は透過されたテラヘルツ波の検出を行うための筐体を指す。また、該テラヘルツ波発生検出室と、該テラヘルツ波発生検出室の外側に設けられる部材（例えば、サンプル載置台）とを含んだ構成を、テラヘルツ波伝播装置と呼ぶ。
【００１４】
なお、本発明の独自の構成は、テラヘルツ波発生検出室２００にある。したがって、テラヘルツ波発生検出装置１００のうち、テラヘルツ波発生検出室２００以外の部分、つまりテラヘルツ波発生部に入力するためのポンプ光を生成して伝送する部分、及びテラヘルツ波検出部へ入力するためのプローブ光を生成して伝送する部分は、本発明の本質ではない。テラヘルツ波発生検出室２００以外の部分は、本明細書に記載する装置構成に限らず、テラヘルツ波の発生及び検出が可能でさえあれば、任意の装置構成が適用できる。
【００１５】
テラヘルツ波発生検出装置１００は、レーザ発振器１０１と、レーザ発振器１０１により発生された光パルス１０２をポンプ光１０３とプローブ光１０４に分割するスプリッタ１０５とを有する。
【００１６】
レーザ発振器１０１として、Ｅｒドープファイバレーザ、Ｙｂドープファイバレーザ、チタンサファイアレーザ等、目的とするテラヘルツ波を発生するためのパルス光が生成できる任意のレーザ発振器を用いることができる。Ｅｒドープファイバレーザを用いる場合は、例えばパルス幅１７ｆｓ、繰り返し周波数５０ＭＨｚ、平均強度１１０ｍＷのパルス光を発生する。
【００１７】
レーザ発振器１０１により発生された光パルス１０２は、スプリッタ１０５に入射される。スプリッタ１０５は、光パルス１０２を、ポンプ光１０３とプローブ光１０４とに分割し、２方向に出射する。
【００１８】
スプリッタ１０５からポンプ光１０３が分割されて出射される側には、強度変調器１０６が設けられる。強度変調器１０６は、ポンプ光１０３の強度変調を行って出射し、それと共に同期検波のための参照信号１１４をロックインアンプ１１５に出力する。強度変調器１０６として、チョッパ、音響光学素子（ＡＯＭ）や電気光学変調器（ＥＯＭ）等を用いることができる。
【００１９】
強度変調器１０６から変調されたポンプ光１０３が出射される側には、テラヘルツ波発生部１０７が設けられる。テラヘルツ波発生部１０７は、テラヘルツ波発生検出室２００の一面に挿入して設けられる。テラヘルツ波発生部１０７は、強度変調器１０６により変調されたポンプ光１０３を受けて、入射テラヘルツ波１０８を発生する。テラヘルツ波発生部１０７として、ＤＡＳＴ結晶等、テラヘルツ波が発生可能な非線形結晶を用いてもよいし、低温成長ＧａＡｓ光伝導アンテナデバイス等の光伝導アンテナデバイスを用いてもよい。
【００２０】
入射テラヘルツ波１０８は、テラヘルツ波発生検出室２００を介して被測定物１０９に入射される。さらに入射テラヘルツ波１０８が被測定物１０９で反射されることにより、出射テラヘルツ波１１０として出射される。出射テラヘルツ波１１０は、テラヘルツ波発生検出室２００を介してテラヘルツ波検出部１１１に入射される。
【００２１】
スプリッタ１０５からプローブ光１０４が分割されて出射される側には、光学遅延部１１２が設けられる。光学遅延部１１２は、例えば、駆動部により駆動可能なミラーを有しており、上記駆動部を駆動させることにより、プローブ光１０４に所定の遅延を付与するようにミラーを移動させることができる。すなわち、テラヘルツ波の測定を行う際には、光学遅延部１１２を駆動しながらポンプ光１０３とプローブ光１０４との時間差を調整する。なお、本実施形態では１台のレーザ発振器１０１からの光パルスを２つに分割し、遅延させる構成にしているが、２台のレーザ発振器からそれぞれ異なる繰り返し周波数を持つ光パルスを発生させ、非同期サンプリングを行う構成にしてもよい。その場合には、駆動部を省略した構成にすることが可能となる。
【００２２】
光学遅延部１１２から遅延されたプローブ光１０４が出射される側には、テラヘルツ波検出部１１１が設けられる。テラヘルツ波検出部１１１は、光学遅延部１１２により遅延されたプローブ光１０４と被測定物１０９から出射される出射テラヘルツ波１１０とを受けて、電流信号１１３を出力する。テラヘルツ波検出部１１１として、低温成長ＧａＡｓ光伝導アンテナデバイス等の光伝導アンテナデバイスを用いてもよいし、非線形結晶を用いてＥＯ検出を行ってもよい。
【００２３】
ロックインアンプ１１５は、強度変調器１０６及びテラヘルツ波検出部１１１に接続され、強度変調器１０６から出力された参照信号１１４とテラヘルツ波検出部１１１から出力された電流信号１１３とを受けて同期検波を行うことにより、被測定物１０９のテラヘルツ波応答特性を検出する。テラヘルツ波検出部１１１とロックインアンプ１１５の間に、電流信号１１３を増幅するための電流増幅器を設けることが好ましい。なお、本実施形態においては高感度検出を目的としてロックインアンプを用いているが、電流信号が十分に強い場合、又はスキャン速度が十分に大きい場合には、ロックインアンプを用いず、電流信号を直接検出してもよい。
【００２４】
図２は、本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室２００の上面図である。図２においては、被測定物１０９及びサンプル載置面２２０は、紙面鉛直方向の手前側にあるため、図示されない。図３は、図２に示すテラヘルツ波発生検出室２００をＡ−Ａ線から見た側面図である。図４は、図２に示すテラヘルツ波発生検出室２００内における各放物面鏡の配置とテラヘルツ波の伝播経路を模式的に示す斜視図である。
【００２５】
テラヘルツ波発生検出室２００は、除湿空間２０１の中に、除湿部２０２と、放物面鏡２０６と、放物面鏡２０７と、放物面鏡２０８と、放物面鏡２０９とを備える。
【００２６】
除湿空間２０１は、上面は少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波を広帯域で透過する基板（例えば、Ｔｓｕｒｕｐｉｃａ（登録商標）基板）で構成されているサンプル載置面２２０によって、他の面は大気及び水分を通さない金属又はガラス製の板によって囲まれた密閉空間である。サンプル載置面２２０において、該テラヘルツ波が通過する部分以外は、金属であってもよい。板同士はＯリング等の大気及び水分を通さない部材を用いて密閉又は溶接する。
【００２７】
サンプル載置面２２０の除湿空間２０１の外側に、被測定物が設置できる。サンプル載置面２２０に被測定物を固定するための固定手段を設けてもよい。サンプル載置面２２０の上に直接被測定物を設置せず、サンプル載置面２２０の上に少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波を広帯域で透過する素材で構成されたサンプル載置台を設け、その上に被測定物を載置しても良い。
【００２８】
除湿空間２０１を囲む壁面のうちの１面である壁面２１９には、開口部２１４及び２１５が設けられる。テラヘルツ波発生部１０７は、開口部２１４に挿入されて設けられ、さらに壁面２１９の外側から固定部材２０３によって固定される。テラヘルツ波検出部１１１は、開口部２１５に挿入されて設けられ、さらに壁面２１９の外側から固定部材２０３によって固定される。固定部材２０３は、壁面２１９上に設けられる凹型固定部材２０４と、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１上に設けられる凸型固定部材２０５とを含む。凹型固定部材２０４が有する凹面と、凸型固定部材２０５が有する凸面とを摺動可能に勘合させることによって、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１を所望の位置及び向きに調整して、除湿空間２０１を密閉することができる。
【００２９】
除湿空間２０１を囲む壁面のうちの１面である壁面２１６には、放物面鏡２０６と放物面鏡２０７とが設けられる。除湿空間２０１を囲む壁面のうちの１面である壁面２１７には、放物面鏡２０８と放物面鏡２０９とが設けられる。
【００３０】
放物面鏡２０６、放物面鏡２０７、放物面鏡２０８及び放物面鏡２０９は、軸外し放物面鏡で構成される。放物面鏡２０６は、放物面鏡２０８に対して、互いの反射面が向き合うように配置される。放物面鏡２０７は、放物面鏡２０９に対して、互いの反射面が向き合うように配置される。テラヘルツ波発生部１０７からの入射テラヘルツ波１０８は、放物面鏡２０６によってコリメートされ、放物面鏡２０８によって集光され、その後被測定物１０９に対して入射される。さらに入射テラヘルツ波１０８は、被測定物１０９上で反射されて出射テラヘルツ波１１０として出射される。出射テラヘルツ波１１０は、放物面鏡２０９によってコリメートされ、放物面鏡２０７によって集光され、その後テラヘルツ波検出部１１１に対して入射される。
【００３１】
放物面鏡２０６と放物面鏡２０８の間、及び放物面鏡２０７と放物面鏡２０９の間には、ポンプ光を除去するためのフィルタを設けてもよい。例えば、フィルタにはゲルマニウム基板、ブラックポリエチレン等を用いることができる。フィルタを設けることにより、被測定物１０９又はテラヘルツ波検出部１１１にポンプ光が入射されて破壊されたり、ポンプ光により雑音が発生したりすることを防ぐ又は低減することができる。
【００３２】
各構成要素は、テラヘルツ波発生部１０７からの入射テラヘルツ波１０８を放物面鏡２０６及び放物面鏡２０８を介して被測定物１０９の測定対象箇所に照射し、さらに出射された出射テラヘルツ波１１０を放物面鏡２０９及び放物面鏡２０７を介してテラヘルツ波検出部１１１に入力できるように配置する必要がある。各構成要素の配置は、軸外し放物面鏡の反射方向を基に、幾何光学を用いて計算するか、又は光線解析ソフトを用いることによって、決定してもよい。各構成要素の配置は、光路を調べるための実験を行うことによって、決定してもよい。
【００３３】
除湿部２０２は、内部に水分除去剤を有することで除湿を行うように構成されてよい。除湿空間２０１は除湿空間２０１の外部に通じる水分除去剤を交換するための開口部を備えてもよく、その開口部から水分除去剤の入れ替えを行うことができる。水分除去剤を交換するための開口部は、水分除去剤の交換を行った後に密閉できるように構成される。水分除去剤としてはシリカゲルを用いることができる。シリカゲルの粉が付着するのを防ぐために、シリカゲルは目の細かい袋に封入されていることが望ましい。水分除去剤として、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、塩化カルシウム、シリカアルミナゲル等の水分が除去できる任意の物質を利用してもよい。
【００３４】
一方で、除湿部２０２は、機械式の除湿器でもよい。除湿部２０２は、除湿空間２０１の外部に通じる開口部を備えてもよく、その開口部を除湿空間２０１の外部に設置された機械式の除湿器に連結してもよい。機械式の除湿器を除湿空間２０１の内部に備えてもよい。
【００３５】
除湿部２０２の入れ替え等によってテラヘルツ波の伝播経路に影響を及ぼすことを防ぐため、除湿部２０２が設けられる壁面２１８は、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１が固定されている壁面２１９、ならびに各放物面鏡が固定されている壁面２１６及び２１７とは異なる壁面であることが好ましい。
【００３６】
本実施形態においては、テラヘルツ波発生検出室２００は直方体状であるが、除湿空間２０１が密閉可能な構成であれば形状は直方体に限らず、任意の形状でよい。
【００３７】
図５から図８に固定部材２０３が備える凹型固定部材２０４及び凸型固定部材２０５を図示する。該図中で斜線部は、同一の球面の一部であることを示す。つまり、凹型固定部材２０４の斜線部は、凸型固定部材２０５の斜線部に合致させると、隙間なく密着する。
【００３８】
図５は、凹型固定部材２０４の正面図及び側面図を示す。図６は凹型固定部材２０４の斜視図を示す。凹型固定部材２０４は、球面の一部である凹型球面部２１０と、貫通部２１１とを有する。
【００３９】
貫通部２１１の径は、テラヘルツ波発生部１０７を固定する場合にはテラヘルツ波発生部１０７の径よりも、テラヘルツ波検出部１１１を固定する場合にはテラヘルツ波検出部１１１の径よりも、大きい。つまり、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１を貫通部２１１に挿入する際に、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１の側面に余裕があるように構成する。それにより、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１を傾けて、つまりあおり方向に調整して固定することができる。
【００４０】
貫通部２１１の径が大きいほど、あおり方向の角度の最大値を大きく設定できるため、所望のあおり方向の角度の値に応じて貫通部２１１の径を設定する。
【００４１】
図７は、凸型固定部材２０５の正面図及び側面図を示す。図８は凸型固定部材２０５の斜視図を示す。図７及び図８には、凸型固定部材２０５をテラヘルツ波発生部１０７に取り付けた状態の図を示しているが、テラヘルツ波検出部１１１に取り付けた場合にも同様となる。凸型固定部材２０５は、球面の一部である凸型球面部２１２と、貫通部２１３とを有する。
【００４２】
凸型固定部材２０５をテラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１に固定する位置は、Ｂ方向変えることができる。Ｂ方向の位置を変更することによって、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１が壁面２１９上で固定される位置を、壁面２１９の垂直方向に対して調整することができる。テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１は、凸型固定部材２０５の貫通部２１３に挿入され、壁面２１９の垂直方向について所望の位置に調整した状態で、ねじ、接着剤等の任意の接着手段により、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１の側面と凸型固定部材２０５の貫通部２１３の側面との間で隙間なく固定される。
【００４３】
図９は、テラヘルツ波発生部１０７を凹型固定部材２０４及び凸型固定部材２０５を用いて固定した状態の側面図を示す。テラヘルツ波検出部１１１を固定する場合にも同様となる。凹型球面部２１０と凸型球面部２１２とを合致させることによって、凹型固定部材２０４と凸型固定部材２０５とが隙間なく密着され、互いに摺動させることができる。
【００４４】
テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１の径より、貫通部２１１の径が大きく構成されているため、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１をＣ方向に傾けて、つまりあおり方向に調整して固定することができる。Ｃ方向は、凹型球面部２１０と凸型球面部２１２とが合致し、隙間が発生しない限りにおいて任意の方向でよい。つまり、図９に記載の凹型固定部材２０４及び凸型固定部材２０５では凹凸面として球面を採用しているため、Ｃ方向は球面に沿った全方向になり得る。
【００４５】
Ｃ方向への角度を変更することによって、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１が壁面２１９上で固定される際のあおり方向の角度を調整することができる。凹型固定部材２０４と凸型固定部材２０５とは、あおり方向に所望の角度を付けた状態で、ねじ、接着剤等の任意の接着手段により、隙間なく固定される。例えば、接着剤で固定する際には、凹型固定部材２０４と凸型固定部材２０５を所望のあおり角度に調整した状態で、該調整した状態を保持したまま一旦凹型固定部材２０４と凸型固定部材２０５とを引き離し、凹型固定部材２０４の凹型球面部２１０と凸型固定部材２０５の凸型球面部２１２とに接着剤を塗布してから再度密着させることで、凹型固定部材２０４と凸型固定部材２０５と固定することができる。
【００４６】
図１０は、テラヘルツ波発生部１０７を凹型固定部材２０４及び凸型固定部材２０５を用いてあおり方向に一例の角度を付けて固定した状態の側面図を示す。あおり方向の角度の大きさは、凹型球面部２１０と凸型球面部２１２との間に隙間ができず、凹型固定部材２０４の貫通部２１１の内壁にテラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１が干渉しない範囲で任意の大きさでよい。
【００４７】
図１１は、凹型固定部材２０４を壁面２１９に固定した状態の断面図を示す。凹型固定部材２０４は、凹型固定部材２０４の貫通部２１１が壁面２１９の開口部２１４に連通する状態で固定される。開口部２１４の径は、貫通部２１１の径より大きい。
【００４８】
貫通部２１１の径より、開口部２１４の径が大きく構成されているため、Ｄ方向、つまり壁面２１９の平行方向に対して調整することができる。Ｄ方向の位置を変更することによって、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１が壁面２１９上で固定される位置を、壁面２１９の平行方向に対して調整することができる。Ｄ方向への移動量は、固定するテラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１が、開口部２１４の内壁に干渉しない範囲において、任意である。凹型固定部材２０４と壁面２１９とは、壁面２１９の平行方向について所望の位置に調整した状態で、ねじ、接着剤等の任意の接着手段により、凹型固定部材２０４と壁面２１９との間を隙間なく固定される。
【００４９】
上述のように、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１と、凸型固定部材２０５と、凹型固定部材２０４と、壁面２１９とを固定することで、テラヘルツ波発生部１０７又はテラヘルツ波検出部１１１の位置及び向きを調整した状態で、除湿空間２０１を大気及び水分が侵入しないように密閉することができる。
【００５０】
本実施形態ではテラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１の形状を円柱状としているが、側面に凸型固定部材２０５が固定可能な形状であり、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１の位置及び向きの調整に干渉しない形状であれば、四角柱状、三角柱状等、任意の形状が適用できる。
【００５１】
本実施形態では凹型固定部材２０４及び凸型固定部材２０５の形状を円筒状としているが、それぞれ凹型球面部２１０及び凸型球面部２１２を有する構造であり、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１の位置及び向きの調整に干渉しない形状であれば、四角筒状、三角筒状等、任意の形状が適用できる。
【００５２】
（第２の実施形態）
図１２は、本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室４００を含むテラヘルツ波発生検出装置３００の概略図である。図１に記載のテラヘルツ波発生検出装置１００では、ポンプ光１０３及びプローブ光１０４は、それぞれテラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１まで空間伝播されているのに対して、本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出装置３００においては、ポンプ光３０３及びプローブ光３０４は、それぞれテラヘルツ波発生部３０７及びテラヘルツ波検出部３１１まで、光ファイバを用いて伝播される。そのため、テラヘルツ波発生検出装置３００では、光が空間伝播される部分はテラヘルツ波発生検出室４００の内部に限られる。光が空間伝播する部分は光軸を安定化して測定の信頼性を高めるために剛性のある素材で構成する必要があるが、それ以外の部分の剛性は落としてもよい。したがって、テラヘルツ波発生検出装置３００の構成では光が空間伝播しない部分、つまりテラヘルツ波発生検出室４００以外の部分の剛性を落としても、測定の信頼性を低下させずに軽量化することが可能である。
【００５３】
本実施形態では、テラヘルツ発生検出装置３００の各々の構成要素を光ファイバデバイスとし、該構成要素の各々を光ファイバにて接続して空間伝播部を排除している。従って、光パルスの伝播部となる光ファイバをコンパクトに巻くことができるため、装置の小型化、安定化を図ることができる。また、本実施形態では、上記各構成要素を接続している光ファイバは偏光保持ファイバ（ＰＭＦ）であることが望ましい。従って、環境変化、ファイバの曲げに対して、生成される光パルスの強度、パルス波形、偏光方向を安定にすることができる。
【００５４】
テラヘルツ波発生検出装置３００は、レーザ発振器３０１と、レーザ発振器３０１により発生された光パルス３０２をポンプ光３０３とプローブ光３０４に分割するスプリッタ３０５とを有する。
【００５５】
レーザ発振器３０１は、例えばパルス幅５００ｆｓ、繰り返し周波数１００ＭＨｚ、平均強度４０ｍＷのパルス光を発生する。
【００５６】
レーザ発振器３０１により発生された光パルス３０２は、スプリッタ３０５に入射される。スプリッタ３０５は、光パルス３０２を、ポンプ光３０３とプローブ光３０４との２つに分岐する。
【００５７】
スプリッタ３０５からポンプ光３０３が分岐される側の出射端には、強度変調器３０６がＰＭＦにより接続される。強度変調器３０６は、ポンプ光３０３の強度変調を行って出射し、それと共に同期検波のための参照信号３１４をロックインアンプ３１５に出力する。
【００５８】
光ファイバカプラ３２０ａは、２つの入射端と、１つの出射端とを有し、２つの入射端の一方と、強度変調器３０６の出射端とがＰＭＦにより接続されており、２つの入射端の他方と、励起レーザ３１９ａとがＰＭＦにより接続されており、上記２つの入射端のそれぞれから入射された光を上記出射端から出射する。励起レーザ３１９ａは、後述するファイバ増幅器３２１に増幅機能を持たせるための励起光を発振する。
【００５９】
光ファイバカプラ３２０ａの出射端と、ファイバ増幅器３２１の入射端とがＰＭＦにより接続されている。該ファイバ増幅器３２１は、分散特性が正常分散値を有するエルビウム添加ファイバであることが望ましい。このように、正常分散のエルビウム添加ファイバを増幅ファイバとして用いることにより、パルス分裂などの測定性能に悪影響を及ぼす非線形効果を低減することができる。ファイバ増幅器３２１は、励起用レーザダイオードである励起レーザ３１９ａからの励起光が光ファイバカプラ３２０ａを介して注入されることにより、ポンプ光３０３を増幅することができる。ファイバ増幅器３２１により、ポンプ光３０３のパワーを、テラヘルツ発生に必要なパワーまで増幅させる。
【００６０】
ファイバ増幅器３２１が偏光保持ファイバではない場合、偏波コントローラをファイバ増幅器３２１の前に設置して偏波を調整してもよい。ファイバ増幅器３２１を多段構成にし、それぞれ偏波コントローラを設置してもよい。また、各ファイバ増幅器の後（ファイバ増幅器の出力側）には戻り光を防ぐためにアイソレータを挿入するとよい。
【００６１】
ファイバ増幅器３２１の出射端と、ファイバ圧縮器３２２とがＰＭＦを介して接続されている。該ファイバ圧縮器３２２は、大口径の定偏波フォトニッククリスタルファイバ等のラージモードエリアファイバであり、入射されたポンプ光３０３のパルス幅を５０ｆｓに圧縮するように構成されている。
【００６２】
スプリッタ３０５からプローブ光３０４が分岐される側の出射端には、遅延ラインスキャナ３１７がＰＭＦにより接続されている。該遅延ラインスキャナ３１７は、テラヘルツ波検出用のプローブ光３０４を所定の遅延時間だけ遅延させるように構成されている、ファイバピグテール付のインライン型の遅延ラインスキャナである。該遅延ラインスキャナ３１７は、駆動部により駆動可能なミラーを有しており、上記駆動部を駆動させることにより、プローブ光３０４に所定の遅延を付与するようにミラーを移動させることができる。すなわち、テラヘルツ波の測定を行う際には、遅延ラインスキャナ３１７を駆動しながらポンプ光３０３とプローブ光３０４との時間差を調整する。
【００６３】
遅延ラインスキャナ３１７と、インライン型の光路長調整器３１８の入射端とがＰＭＦにより接続されている。該光路長調整器３１８は、手動により位置を変位可能なミラーを有している。該ミラーの位置を変位させることにより、プローブ光３０４の光路長を調節することができる。この光路長調整器３１８は、ポンプ光３０３とプローブ光３０４の光路長を調整するときに用いるもので、一度調整してしまえばその後測定の度に時間差を調整する必要はない。
【００６４】
光ファイバカプラ３２０ｂは、２つの入射端と、１つの出射端とを有し、２つの入射端の一方と、光路長調整器３１８の出射端とがＰＭＦにより接続されており、２つの入射端の他方と、励起レーザ３１９ｂとがＰＭＦにより接続されており、上記２つの入射端のそれぞれから入射された光を上記出射端から出射する。該励起レーザ３１９ｂは、後述するファイバ増幅器３２３に増幅機能を持たせるための励起光を発振する。
【００６５】
光ファイバカプラ３２０ｂの出射端と、ファイバ増幅器３２３の入射端とがＰＭＦにより接続されている。該ファイバ増幅器３２３は、異常分散特性を有するファイバ増幅器および正常分散特性を有するファイバ増幅器を２段に設けた構造を有してもよい。すなわち、ファイバ増幅器３２３へのプローブ光３０４の入射側に異常分散特性を有する第１のファイバ増幅器が設けられており、プローブ光３０４の進行方向の後段側には、正常分散特性を有する第２のファイバ増幅器が設けられている。このような構成により、本実施形態では、ファイバ増幅器３２３は、励起用レーザダイオードである励起レーザ３１９ｂからの励起光が光ファイバカプラ３２０ｂを介して注入されることにより、プローブ光３０４のパワーを、テラヘルツ検出に必要なパワーまで増幅することができる。
【００６６】
ファイバ増幅器３２３の出射端と、ファイバ圧縮器３２４の入射端とがＰＭＦにより接続されている。該ファイバ圧縮器３２４は、シングルモード光ファイバであり、該シングルモード光ファイバにより、上記ファイバ増幅器３２３から出射されたプローブ光３０４をパルス圧縮することができる。本実施形態では、ファイバ圧縮器３２４は、プローブ光３０４のパルス幅を５０ｆｓまで細くするように構成されている。
【００６７】
ファイバ圧縮器３２２の出射端は、テラヘルツ波発生部３０７に接続されている。テラヘルツ波発生部３０７は、ファイバ圧縮器３２２によりパルス幅が細くされたポンプ光３０３を受けて、入射テラヘルツ波３０８を発生する。テラヘルツ波発生部３０７として、ＤＡＳＴ結晶等、テラヘルツ波が発生可能な非線形結晶を用いてもよいし、低温成長ＧａＡｓ光伝導アンテナデバイス等の光伝導アンテナデバイスを用いてもよい。テラヘルツ波発生部３０７の種類に応じて、ＰＰＬＮ（Ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ Ｐｏｌｅｄ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ）等の波長変換素子を備えてもよい。
【００６８】
テラヘルツ波発生部３０７は、テラヘルツ波発生検出室４００の一面に挿入して設けられる。テラヘルツ波発生部３０７により発生された入射テラヘルツ波３０８は、テラヘルツ波発生検出室４００を介して被測定物３０９に照射される。さらに入射テラヘルツ波３０８が被測定物３０９で反射されることにより、出射テラヘルツ波３１０が出射される。出射テラヘルツ波３１０は、テラヘルツ波発生検出室４００を介してテラヘルツ波検出部３１１に照射される。
【００６９】
ファイバ圧縮器３２４の出射端は、テラヘルツ波検出部３１１に接続されている。テラヘルツ波検出部３１１は、ファイバ圧縮器３２４によりパルス幅が細くされたプローブ光３０４と、被測定物３０９からの出射テラヘルツ波３１０とを受けて、電流信号３１３を出力する。テラヘルツ波検出部３１１として、低温成長ＧａＡｓ光伝導アンテナデバイス等の光伝導アンテナデバイスを用いてもよいし、非線形結晶を用いてＥＯ検出を行ってもよい。テラヘルツ波検出部３１１の種類に応じて、ＰＰＬＮ（Ｐｅｒｉｏｄｉｃａｌｌｙ Ｐｏｌｅｄ Ｌｉｔｈｉｕｍ Ｎｉｏｂａｔｅ）等の波長変換素子を備えてもよい。
【００７０】
ロックインアンプ３１５は、強度変調器３０６及びテラヘルツ波検出部３１１に接続され、強度変調器３０６から出力される参照信号３１４とテラヘルツ波検出部３１１から出力される電流信号３１３とを受けて同期検波を行うことにより、被測定物３０９のテラヘルツ波応答特性を検出する。テラヘルツ波検出部３１１とロックインアンプ３１５の間に、電流信号３１３を増幅するための電流増幅器を設けることが好ましい。なお、本実施形態においては高感度検出を目的としてロックインアンプを用いているが、電流信号が十分に強い場合、又はスキャン速度が十分に大きい場合には、ロックインアンプを用いず、電流信号を直接検出してもよい。
【００７１】
広帯域テラヘルツ波の発生には、高パワーかつ細いパルス幅の光パルスが必要となる。しかしながら、高パワーかつ細いパルス幅の光パルスをレーザ発振器から発生させ光ファイバ等の非線形デバイス中を伝播させる場合、光パルスの伝播時に波長分散の効果や非線形光学効果によりパルス幅が広がってしまい、テラヘルツ波発生部及びテラヘルツ波検出部に到達するまでに細いパルス幅が維持できないことがある。それに対して、本実施形態によれば、レーザ発振器３０１からはテラヘルツ波発生及び検出のために最終的に必要となる値よりも低いパワーかつ広いパルス幅を有する光パルスを発生し、テラヘルツ波発生部３０７及びテラヘルツ波検出部３１１の直前に設けられるファイバ増幅器３２１、３２３及びファイバ圧縮器３２２、３２４により、光パルスを高パワーかつ細いパルス幅にする。この構成によって、より高パワーかつ細いパルスの光パルスをテラヘルツ波発生部３０７及びテラヘルツ波検出部３１１に入射し、広帯域テラヘルツ波の発生が可能になる。
【００７２】
図１３は、本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室４００の上面図である。図１３においては、被測定物３０９及びサンプル載置面２２０は、紙面鉛直方向の手前側にあるため、図示されない。図１４は、図１３に示すテラヘルツ波発生検出室４００をＥ−Ｅ線から見た側面図である。図１５は、図１３に示すテラヘルツ波発生検出室４００内における各放物面鏡の配置とテラヘルツ波の伝播経路を模式的に示す斜視図である。
【００７３】
テラヘルツ波発生検出室４００は、除湿空間２０１の中に、除湿部２０２と、放物面鏡４０６と、放物面鏡４０７と、該放物面鏡４０６及び該放物面鏡４０７より大きい放物面鏡４０８とを備える。第１の実施形態と異なる点は、テラヘルツ波の伝播に必要な放物面鏡の数が、４つから３つに削減されている点である。そのため、以下では放物面鏡に係る部分のみ説明を行い、その他の要素については第１の実施形態と同様である。
【００７４】
除湿空間２０１を囲む壁面のうちの１面である壁面２１６には、放物面鏡４０６と放物面鏡４０７とが設けられる。除湿空間２０１を囲む壁面のうちの１面である壁面２１７には、放物面鏡４０８が設けられる。
【００７５】
放物面鏡４０６、放物面鏡４０７及び放物面鏡４０８は、軸外し放物面鏡である。放物面鏡４０６は、放物面鏡４０８に対して、互いの反射面が向き合うように配置される。放物面鏡４０７は、放物面鏡４０８に対して、互いの反射面が向き合うように配置される。放物面鏡４０６からの入射テラヘルツ波は、放物面鏡４０８の中心点Ｚを通らない位置に入射するように配置される。この構成により、放物面鏡４０６からの入射テラヘルツ波３０８は、放物面鏡４０８の中心点Ｚを通らない部分において集光され、被測定物３０９に対して０度より大きい入射角をもって入射する。被測定物３０９の測定対象箇所が平面であれば、入射テラヘルツ波３０８は、被測定物３０９上で入射角と同じ反射角で反射されて出射テラヘルツ波３１０として出射され、放物面鏡４０８上の入射時とは別の部分（つまり、放物面鏡４０８の反射面上で中心点Ｚについて反対側の部分）においてコリメートされる。この構成を実現するために、放物面鏡４０８の大きさは、放物面鏡４０６からのコリメート光を入射し、かつ放物面鏡４０７へのコリメート光を出射するために十分な大きさ（例えば、放物面鏡４０８の直径は放物面鏡４０６の直径と放物面鏡４０７の直径との和よりも大きい）であることが望ましい。
【００７６】
放物面鏡４０６と放物面鏡４０８の間、及び放物面鏡４０７と放物面鏡４０８の間には、ポンプ光を除去するためのフィルタを設けてもよい。例えば、フィルタにはゲルマニウム基板、ブラックポリエチレン等を用いることができる。フィルタを設けることにより、被測定物３０９又はテラヘルツ波検出部３１１にポンプ光が入射されて破壊されたり、ポンプ光により雑音が発生したりすることを防ぐ又は低減することができる。
【００７７】
各構成要素は、テラヘルツ波発生部３０７からの入射テラヘルツ波３０８を放物面鏡４０６及び放物面鏡４０８を介して被測定物３０９の測定対象箇所に照射し、さらに出射された出射テラヘルツ波３１０を放物面鏡４０８及び放物面鏡４０７を介してテラヘルツ波検出部３１１に入力できるように配置する必要がある。各構成要素の配置は、軸外し放物面鏡の反射方向を基に、幾何光学を用いて計算するか、又は光線解析ソフトを用いることによって、決定してもよい。各構成要素の配置は、光路を調べるための実験を行うことによって、決定してもよい。
【００７８】
図１６から図１９に固定部材４０３が備える凹型固定部材４０４及び凸型固定部材４０５を図示する。図５から図８に示す固定部材２０３は球面を合致させて密着させるのに対して、固定部材４０３は円柱面（円柱の側面部分を指す）を合致させて密着させるという違いがある。該図中で斜線部は、同一の円柱面の一部であることを示す。つまり、凹型固定部材４０４の斜線部は、凸型固定部材４０５の斜線部に合致させると、隙間なく密着され、互いに摺動させることができる。
【００７９】
図１６は、凹型固定部材４０４の正面図及び側面図を示す。図１７は凹型固定部材４０４の斜視図を示す。凹型固定部材４０４は、円柱面の一部である凹型円柱面部４１０と、貫通部４１１とを有する。
【００８０】
貫通部４１１の径は、テラヘルツ波発生部３０７を固定する場合にはテラヘルツ波発生部３０７の径よりも、テラヘルツ波検出部３１１を固定する場合にはテラヘルツ波検出部３１１の径よりも、大きい。つまり、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１を貫通部４１１に挿入する際に、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１の側面に余裕があるように構成する。それにより、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１を傾けて、つまりあおり方向に調整して固定することができる。
【００８１】
貫通部４１１の径が大きいほど、あおり方向の角度の最大値を大きく設定できるため、所望のあおり方向の角度の値に応じて貫通部４１１の径を設定する。
【００８２】
図１８は、凸型固定部材４０５の正面図及び側面図を示す。図１９は凸型固定部材４０５の斜視図を示す。図１８及び図１９には、凸型固定部材４０５をテラヘルツ波発生部３０７に取り付けた状態の図を示しているが、テラヘルツ波検出部３１１に取り付けた場合にも同様となる。凸型固定部材４０５は、円柱面の一部である凸型円柱面部４１２と、貫通部４１３とを有する。
【００８３】
凸型固定部材４０５をテラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１に固定する位置は、Ｂ方向に変えることができる。Ｂ方向の位置を変更することによって、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１が壁面２１９上で固定される位置を、壁面２１９の垂直方向に対して調整することができる。テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１は、凸型固定部材４０５の貫通部４１３に挿入され、壁面２１９の垂直方向について所望の位置に調整した状態で、ねじ、接着剤等の任意の接着手段により、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１の側面と凸型固定部材４０５の貫通部４１３の側面との間で隙間なく固定される。
【００８４】
図２０は、テラヘルツ波発生部３０７を凹型固定部材４０４及び凸型固定部材４０５を用いて固定した状態の側面図を示す。テラヘルツ波検出部３１１を固定する場合にも同様となる。凹型円柱面部４１０と凸型円柱面部４１２とを合致させることによって、凹型固定部材４０４と凸型固定部材４０５とが隙間なく密着される。
【００８５】
テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１の径より、貫通部４１１の径が大きく構成されているため、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１をＣ方向に傾けて、つまりあおり方向に調整して固定することができる。Ｃ方向は、凹型円柱面部４１０と凸型円柱面部４１２とが合致し、隙間が発生しない限りにおいて任意の方向でよい。凹凸面として球面を採用している図９に記載の凹型固定部材２０４及び凸型固定部材２０５とは異なり、本実施形態においては、図２０に記載のように、凹型固定部材４０４及び凸型固定部材４０５では凹凸面として円柱面を採用しているため、Ｃ方向は円柱面に沿った一方向のみに制限される。さらに好ましくは、凹型固定部材４０４及び凸型固定部材４０５の間に、凹型固定部材４０４の凹型円柱面部４１０に対して第一の方向に摺動し、かつ凸型固定部材４０５の凸型円柱面部４１２に対して該第一の方向とは異なる第二の方向に摺動する、追加の固定部材を設けてもよい。該追加の固定部材は、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１を挿入するための貫通部を有し、凹型固定部材４０４及び凸型固定部材４０５に隙間なく密着されるように構成される。この構成によれば、Ｃ方向は一方向に制限されず、該第一の方向及び該第二の方向への二つの摺動を組み合わせてＣ方向を所望の方向に設定することができる。
【００８６】
Ｃ方向への角度を変更することによって、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１が壁面２１９上で固定される際のあおり方向の角度を調整することができる。凹型固定部材４０４と凸型固定部材４０５とは、あおり方向に所望の角度を付けた状態で、ねじ、接着剤等の任意の接着手段により、隙間なく固定される。例えば、接着剤で固定する際には、凹型固定部材４０４と凸型固定部材４０５を所望のあおり角度に調整した状態で、該調整した状態を保持したまま一旦凹型固定部材４０４と凸型固定部材４０５とを引き離し、凹型固定部材４０４の凹型円柱面部４１０と凸型固定部材４０５の凸型円柱面部４１２とに接着剤を塗布してから再度密着させることで、凹型固定部材４０４と凸型固定部材４０５と固定することができる。
【００８７】
あおり方向の角度の大きさは、凹型円柱面部４１０と凸型円柱面部４１２との間に隙間ができず、凹型固定部材４０４の貫通部３１１の内壁にテラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１が干渉しない範囲で任意の大きさでよい。
【００８８】
図２１は、凹型固定部材４０４を壁面２１９に固定した状態の断面図を示す。凹型固定部材４０４は、凹型固定部材４０４の貫通部４１１が壁面２１９の開口部２１４に連通する状態で固定される。開口部２１４の径は、貫通部４１１の径より大きい。
【００８９】
貫通部４１１の径より、開口部２１４の径が大きく構成されているため、Ｄ方向、つまり壁面２１９の平行方向に対して調整することができる。Ｄ方向の位置を変更することによって、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１が壁面２１９上で固定される位置を、壁面２１９の平行方向に対して調整することができる。Ｄ方向への移動量は、固定するテラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１が、開口部２１４の内壁に干渉しない範囲において、任意である。凹型固定部材４０４と壁面２１９とは、壁面２１９の平行方向について所望の位置に調整した状態で、凹型固定部材４０４と壁面２１９との間でねじ、接着剤等の任意の接着手段により、隙間なく固定される。
【００９０】
上述のように、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１と、凸型固定部材４０５と、凹型固定部材４０４と、壁面２１９とを固定することで、テラヘルツ波発生部３０７又はテラヘルツ波検出部３１１の位置及び向きを調整した状態で、除湿空間２０１を大気及び水分が侵入しないように密閉することができる。
【００９１】
本実施形態ではテラヘルツ波発生部３０７及びテラヘルツ波検出部３１１の形状を四角柱状としているが、側面に凸型固定部材４０５が固定可能な形状であり、テラヘルツ波発生部３０７及びテラヘルツ波検出部３１１の位置及び向きの調整に干渉しない形状であれば、円柱状、三角柱状等、任意の形状が適用できる。
【００９２】
本実施形態では凹型固定部材４０４及び凸型固定部材４０５の形状を四角筒状としているが、それぞれ凹型円柱面部４１０及び凸型円柱面部４１２を有する構造であり、テラヘルツ波発生部３０７及びテラヘルツ波検出部３１１の位置及び向きの調整に干渉しない形状であれば、円筒状、三角筒状等、任意の形状が適用できる。
【００９３】
（第３の実施形態）
図２２は、本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室５００ａ及び５００ｂの側面図である。図２３は、図２２に示すテラヘルツ波発生検出室５００ａ及び５００ｂ内における各放物面鏡の配置とテラヘルツ波の伝播経路を模式的に示す斜視図である。上面図は図２と変わりがないため、省略する。
【００９４】
図３に記載のテラヘルツ波発生検出室２００には、テラヘルツ波発生部１０７及びテラヘルツ波検出部１１１の両方が備えられ、テラヘルツ波の反射測定を行うのに対して、図２２に示す本実施形態に係るテラヘルツ波発生検出室５００ａ及び５００ｂにおいては、テラヘルツ波発生検出室５００ａがテラヘルツ波発生部１０７を、テラヘルツ波発生検出室５００ｂがテラヘルツ波検出部１１１をそれぞれ備え、テラヘルツ波の透過測定を行う。テラヘルツ波発生検出室５００ａ及び５００ｂ以外の部分については、第１の実施形態又は第２の実施形態の構成を用いてもよいし、テラヘルツ波の発生及び検出が可能な任意の装置構成でもよい。
【００９５】
テラヘルツ波発生検出室５００ａは、除湿空間５０１ａの中に、除湿部５０２ａと、放物面鏡２０６と、放物面鏡２０８とを備える。テラヘルツ波発生検出室５００ｂは、除湿空間５０１ｂの中に、除湿部５０２ｂと、放物面鏡２０７と、放物面鏡２０９とを備える。
【００９６】
除湿空間５０１ａは、被測定物に対する面が、少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波を広帯域で透過する基板（例えば、Ｔｓｕｒｕｐｉｃａ（登録商標）基板）で構成されているサンプル対向面５２０ａによって、他の面は大気及び水分を通さない金属又はガラス製の板によって囲まれた密閉空間である。サンプル対向面５２０ａにおいて、該テラヘルツ波が通過する部分以外は、金属であってもよい。板同士はＯリング等の大気及び水分を通さない部材を用いて密閉又は溶接する。
【００９７】
除湿空間５０１ｂは、被測定物に対する面が、少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波を広帯域で透過する基板（例えば、Ｔｓｕｒｕｐｉｃａ（登録商標）基板）で構成されているサンプル対向面５２０ｂによって、他の面は大気及び水分を通さない金属又はガラス製の板によって囲まれた密閉空間である。サンプル対向面５２０ｂにおいて、該テラヘルツ波が通過する部分以外は、金属であってもよい。板同士はＯリング等の大気及び水分を通さない部材を用いて密閉又は溶接する。
【００９８】
サンプル対向面５２０ａとサンプル対向面５２０ｂとの間に、被測定物を載置するためのサンプル載置台５２１が設けられる。サンプル載置台５２１は、少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波を広帯域で透過する基板（例えば、Ｔｓｕｒｕｐｉｃａ（登録商標）基板）で構成される。サンプル対向面５２１において、該テラヘルツ波が通過する部分以外は、金属であってもよい。サンプル載置台５２１を設けず、直接サンプル対向面５２０ａの上に被測定物を載置してもよい。
【００９９】
除湿空間５０１ａを囲む壁面のうちの１面である壁面５１９ａには、開口部５１４が設けられる。テラヘルツ波発生部１０７は、開口部５１４に挿入されて設けられ、さらに壁面５１９ａの外側から固定部材によって固定される。除湿空間５０１ｂを囲む壁面のうちの１面である壁面５１９ｂには、開口部５１５が設けられる。テラヘルツ波検出部１１１は、開口部５１５に挿入されて設けられ、さらに壁面５１９ｂの外側から固定部材によって固定される。該固定部材は、第１の実施形態に係る固定部材２０３でもよいし、第２の実施形態に係る固定部材４０３でもよい。
【０１００】
除湿空間５０１ａ内には軸外し放物面鏡である放物面鏡２０６と放物面鏡２０８とが設けられる。放物面鏡２０６は、放物面鏡２０８に対して、互いの反射面が向き合うように配置される。除湿空間５０１ｂ内には軸外し放物面鏡である放物面鏡２０７と放物面鏡２０９とが設けられる。放物面鏡２０７は、放物面鏡２０９に対して、互いの反射面が向き合うように配置される。テラヘルツ波発生部１０７からの入射テラヘルツ波１０８は、放物面鏡２０６によってコリメートされ、放物面鏡２０８によって集光され、その後被測定物１０９に対して入射される。さらに入射テラヘルツ波１０８は、被測定物１０９を透過されて出射テラヘルツ波１１０として出射される。出射テラヘルツ波１１０は、放物面鏡２０９によってコリメートされ、放物面鏡２０７によって集光され、その後テラヘルツ波検出部１１１に対して入射される。
【０１０１】
放物面鏡２０６と放物面鏡２０８の間、及び放物面鏡２０７と放物面鏡２０９の間には、ポンプ光を除去するためのフィルタを設けてもよい。例えば、フィルタにはゲルマニウム基板、ブラックポリエチレン等を用いることができる。フィルタを設けることにより、被測定物１０９又はテラヘルツ波検出部１１１にポンプ光が入射されて破壊されたり、ポンプ光により雑音が発生したりすることを防ぐ又は低減することができる。
【０１０２】
各構成要素は、テラヘルツ波発生部１０７からの入射テラヘルツ波１０８を放物面鏡２０６及び放物面鏡２０８を介して被測定物１０９の測定対象箇所に照射し、さらに出射された出射テラヘルツ波１１０を放物面鏡２０９及び放物面鏡２０７を介してテラヘルツ波検出部１１１に入力できるように配置する必要がある。各構成要素の配置は、軸外し放物面鏡の反射方向を基に、幾何光学を用いて計算するか、又は光線解析ソフトを用いることによって、決定してもよい。各構成要素の配置は、光路を調べるための実験を行うことによって、決定してもよい。
【０１０３】
除湿部５０２ａ、５０２ｂは、内部に水分除去剤を有することで除湿を行うように構成されてよい。除湿空間５０１ａ、５０１ｂは、それぞれ除湿空間５０１ａ、５０１ｂの外部に通じる水分除去剤を交換するための開口部を備えてもよく、その開口部から水分除去剤の入れ替えを行うことができる。水分除去剤を交換するための開口部は、水分除去剤の交換を行った後に密閉できるように構成される。水分除去剤としてはシリカゲルを用いることができる。シリカゲルの粉が付着するのを防ぐために、シリカゲルは目の細かい袋に封入されていることが望ましい。水分除去剤として、酸化アルミニウム、酸化カルシウム、塩化カルシウム、シリカアルミナゲル等の水分が除去できる任意の物質を利用してもよい。
【０１０４】
一方で、除湿部５０２ａ、５０２ｂは、機械式の除湿器でもよい。除湿部５０２ａ、５０２ｂは、除湿空間５０１ａ、５０１ｂの外部に通じる開口部を備えてもよく、その開口部を除湿空間５０１ａ、５０１ｂの外部に設置された機械式の除湿器に連結してもよい。機械式の除湿器を除湿空間５０１ａ、５０１ｂの内部に備えてもよい。
【０１０５】
除湿部５０２ａ、５０２ｂの入れ替え等によってテラヘルツ波の伝播経路に影響を及ぼすことを防ぐため、除湿部５０２ａ、５０２ｂが設けられる壁面５１８ａ、５１８ｂは、テラヘルツ波発生部１０７が固定されている壁面５１９ａ、テラヘルツ波検出部１１１が固定されている壁面５１９ｂ、及び各放物面鏡が固定されている壁面とは異なる壁面であることが好ましい。
【０１０６】
上述の各実施形態においては、テラヘルツ波発生部又はテラヘルツ波検出部に凸面を有する固定部材を設け、壁面に凹面を有する固定部材を設けているが、テラヘルツ波発生部又はテラヘルツ波検出部に凹面を有する固定部材を設け、壁面に凸面を有する固定部材を設けてもよい。その場合でも、上述の各実施形態における凸面と凹面の構造を逆転させるのみで本発明の作用を奏することができ、逆転後の構造は当業者には容易に理解できるであろう。
【符号の説明】
【０１０７】
１００ テラヘルツ波発生検出装置
１０１、３０１ レーザ発振器
１０２、３０２ 光パルス
１０３、３０３ ポンプ光
１０４、３０４ プローブ光
１０５、３０５ スプリッタ
１０６、３０６ 強度変調器
１０７、３０７ テラヘルツ波発生部
１０８、３０８ 入射テラヘルツ波
１０９、３０９ 被測定物
１１０、３１０ 出射テラヘルツ波
１１１、３１１ テラヘルツ波検出部
１１２ 光学遅延部
１１３、３１３ 電流信号
１１４、３１４ 参照信号
１１５、３１５ ロックインアンプ
２００、４００ テラヘルツ波発生検出室
２０１、５０１ａ、５０１ｂ 除湿空間
２０２、５０２ａ、５０２ｂ 除湿部
２０３、４０３ 固定部材
２０４、４０４ 凹型固定部材
２０５、４０５ 凸型固定部材
２０６、２０７、２０８、２０９、４０６、４０７、４０８ 放物面鏡
２１０ 凹型球面部
２１１、２１３、４１１、４１３ 貫通部
２１２ 凸型球面部
２１４、２１５、５１４、５１５ 開口部
２１６、２１７、２１８、２１９、５１８ａ、５１８ｂ、５１９ａ、５１９ｂ 壁面
２２０ サンプル載置面 ３１７ 遅延ラインスキャナ
３１８ 光路長調整器
３１９ａ、３１９ｂ 励起レーザ
３２０ａ、３２０ｂ 光ファイバカプラ
３２１、３２３ ファイバ増幅器
３２２、３２４ ファイバ圧縮器
４１０ 凹型円柱面部
４１２ 凹型円柱面部
５２０ａ、５２０ｂ サンプル対向面
５２１ サンプル載置台
【特許請求の範囲】
【請求項１】
テラヘルツ波発生検出室を有するテラヘルツ波伝播装置であって、
テラヘルツ波発生モジュールと、
少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波透過可能な素材で構成されている、被測定物を前記テラヘルツ波発生検出室の外側に載置するためのサンプル載置手段と、
前記テラヘルツ波発生検出室内でテラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段と、
前記テラヘルツ波発生検出室の一面であり、開口部を有する壁面と、
前記テラヘルツ波発生モジュールを固定するための固定部材と、
を備え、
前記テラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段によって、前記テラヘルツ波発生モジュールから出射されるテラヘルツ波が前記被測定物上に集光され、
前記テラヘルツ波発生モジュールは、前記開口部に挿入され、前記固定部材によって、位置及び向きが調整可能に固定されている
ことを特徴とするテラヘルツ波伝播装置。
【請求項２】
テラヘルツ波発生検出室を有するテラヘルツ波伝播装置であって、
テラヘルツ波検出モジュールと、
少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波透過可能な素材で構成されている、被測定物を前記テラヘルツ波発生検出室の外側に載置するためのサンプル載置手段と、
前記テラヘルツ波発生検出室内でテラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段と、
前記テラヘルツ波発生検出室の一面であり、開口部を有する壁面と、
前記テラヘルツ波検出モジュールを固定するための固定部材と、
を備え、
前記テラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段によって、前記被測定物から出射されるテラヘルツ波が前記テラヘルツ波検出モジュール上に集光され、
前記テラヘルツ波検出モジュールは、前記開口部に挿入され、前記固定部材によって、位置及び向きが調整可能に固定されている
ことを特徴とするテラヘルツ波伝播装置。
【請求項３】
前記固定部材が、凸型曲面部を有する、前記テラヘルツ波発生モジュール又は前記テラヘルツ波検出モジュールの側面を取り囲んで設けられる凸型固定部材と、凹型曲面部及び貫通部を有する、前記貫通部が前記開口部に連通するように前記壁面の外側に設けられる凹型固定部材と、を備え、
前記テラヘルツ波発生モジュール又は前記テラヘルツ波検出モジュールが、前記凹型固定部材の前記貫通部及び前記壁面の前記開口部に挿入され、前記凸型固定部材の前記凸型曲面部と、前記凹型固定部材の前記凹型曲面部とが篏合することによって固定される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項４】
前記凹型固定部材の前記貫通部の径は、前記テラヘルツ波発生モジュール又は前記テラヘルツ波検出モジュールの径より大きく、
前記テラヘルツ波発生モジュール又は前記テラヘルツ波検出モジュールを傾けて固定することによって、前記テラヘルツ波発生モジュール又は前記テラヘルツ波検出モジュールのあおり角度を調整可能である
ことを特徴とする請求項３に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項５】
前記凹型固定部材の前記貫通部の径は、前記壁面の前記開口部の径より大きく、
前記凹型固定部材は、前記壁面の外側に沿って取り付け位置を変えることが可能であり、
前記凹型固定部材の取り付け位置を変えることによって、前記テラヘルツ波発生モジュール又は前記テラヘルツ波検出モジュールの固定位置を調整可能である、
ことを特徴とする請求項３に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項６】
前記凸型固定部材の前記凸型曲面部は、球面の一部であり、
前記凹型固定部材の前記凹型曲面部は、前記球面の一部である、
ことを特徴とする請求項３に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項７】
前記凸型固定部材の前記凸型曲面部は、円柱面の一部であり、
前記凹型固定部材の前記凹型曲面部は、前記円柱面の一部である、
ことを特徴とする請求項３に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項８】
前記テラヘルツ波発生検出室は水分が侵入できないように密閉されており、
前記テラヘルツ波発生検出室内に除湿手段をさらに備える、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項９】
前記サンプル載置手段は、前記テラヘルツ波発生検出室の一面である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項１】
テラヘルツ波発生検出室を有するテラヘルツ波伝播装置であって、
テラヘルツ波発生モジュールと、
少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波透過可能な素材で構成されている、被測定物を前記テラヘルツ波発生検出室の外側に載置するためのサンプル載置手段と、
前記テラヘルツ波発生検出室内でテラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段と、
前記テラヘルツ波発生検出室の一面であり、開口部を有する壁面と、
前記テラヘルツ波発生モジュールを固定するための固定部材と、
を備え、
前記テラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段によって、前記テラヘルツ波発生モジュールから出射されるテラヘルツ波が前記被測定物上に集光され、
前記テラヘルツ波発生モジュールは、前記開口部に挿入され、前記固定部材によって、位置及び向きが調整可能に固定されている
ことを特徴とするテラヘルツ波伝播装置。
【請求項２】
テラヘルツ波発生検出室を有するテラヘルツ波伝播装置であって、
テラヘルツ波検出モジュールと、
少なくともテラヘルツ波が通過する部分がテラヘルツ波透過可能な素材で構成されている、被測定物を前記テラヘルツ波発生検出室の外側に載置するためのサンプル載置手段と、
前記テラヘルツ波発生検出室内でテラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段と、
前記テラヘルツ波発生検出室の一面であり、開口部を有する壁面と、
前記テラヘルツ波検出モジュールを固定するための固定部材と、
を備え、
前記テラヘルツ波をコリメート及び集光させるための手段によって、前記被測定物から出射されるテラヘルツ波が前記テラヘルツ波検出モジュール上に集光され、
前記テラヘルツ波検出モジュールは、前記開口部に挿入され、前記固定部材によって、位置及び向きが調整可能に固定されている
ことを特徴とするテラヘルツ波伝播装置。
【請求項３】
前記固定部材が、凸型曲面部を有する、前記テラヘルツ波発生モジュール又は前記テラヘルツ波検出モジュールの側面を取り囲んで設けられる凸型固定部材と、凹型曲面部及び貫通部を有する、前記貫通部が前記開口部に連通するように前記壁面の外側に設けられる凹型固定部材と、を備え、
前記テラヘルツ波発生モジュール又は前記テラヘルツ波検出モジュールが、前記凹型固定部材の前記貫通部及び前記壁面の前記開口部に挿入され、前記凸型固定部材の前記凸型曲面部と、前記凹型固定部材の前記凹型曲面部とが篏合することによって固定される、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項４】
前記凹型固定部材の前記貫通部の径は、前記テラヘルツ波発生モジュール又は前記テラヘルツ波検出モジュールの径より大きく、
前記テラヘルツ波発生モジュール又は前記テラヘルツ波検出モジュールを傾けて固定することによって、前記テラヘルツ波発生モジュール又は前記テラヘルツ波検出モジュールのあおり角度を調整可能である
ことを特徴とする請求項３に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項５】
前記凹型固定部材の前記貫通部の径は、前記壁面の前記開口部の径より大きく、
前記凹型固定部材は、前記壁面の外側に沿って取り付け位置を変えることが可能であり、
前記凹型固定部材の取り付け位置を変えることによって、前記テラヘルツ波発生モジュール又は前記テラヘルツ波検出モジュールの固定位置を調整可能である、
ことを特徴とする請求項３に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項６】
前記凸型固定部材の前記凸型曲面部は、球面の一部であり、
前記凹型固定部材の前記凹型曲面部は、前記球面の一部である、
ことを特徴とする請求項３に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項７】
前記凸型固定部材の前記凸型曲面部は、円柱面の一部であり、
前記凹型固定部材の前記凹型曲面部は、前記円柱面の一部である、
ことを特徴とする請求項３に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項８】
前記テラヘルツ波発生検出室は水分が侵入できないように密閉されており、
前記テラヘルツ波発生検出室内に除湿手段をさらに備える、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【請求項９】
前記サンプル載置手段は、前記テラヘルツ波発生検出室の一面である、
ことを特徴とする請求項１又は２に記載のテラヘルツ波伝播装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【公開番号】特開２０１３−６８５２８（Ｐ２０１３−６８５２８Ａ）
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２０７４２１（Ｐ２０１１−２０７４２１）
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（０００００００１１）アイシン精機株式会社 (5,421)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１８日（２０１３．４．１８）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年９月２２日（２０１１．９．２２）
【出願人】（０００００００１１）アイシン精機株式会社 (5,421)
【Ｆターム（参考）】
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