データリードのためのヘッド位置決めにオフセットを用いる磁気ディスク装置及びヘッド位置決め方法
【課題】書き込み回数増加に起因する読み出しエラーレートの悪化またはリードリトライの発生回数の増加を防止する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気ディスク装置は、書き込み回数記憶手段と、リードオフセット設定手段と、制御手段とを具備する。前記書き込み回数記憶手段は、ディスク上のトラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数を格納する。前記リードオフセット設定手段は、データリードのためにヘッドが目標トラックに位置付けられる際に、前記書き込み回数記憶手段に格納されている前記目標トラックの隣接トラックまたは前記隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に応じて、前記ヘッドが位置付けられるべきリード位置の前記目標トラック内の所定位置からのオフセット量を設定する。前記制御手段は、前記設定されたオフセット量だけ前記所定位置からずれた位置に前記ヘッドを位置付ける。
【解決手段】実施形態によれば、磁気ディスク装置は、書き込み回数記憶手段と、リードオフセット設定手段と、制御手段とを具備する。前記書き込み回数記憶手段は、ディスク上のトラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数を格納する。前記リードオフセット設定手段は、データリードのためにヘッドが目標トラックに位置付けられる際に、前記書き込み回数記憶手段に格納されている前記目標トラックの隣接トラックまたは前記隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に応じて、前記ヘッドが位置付けられるべきリード位置の前記目標トラック内の所定位置からのオフセット量を設定する。前記制御手段は、前記設定されたオフセット量だけ前記所定位置からずれた位置に前記ヘッドを位置付ける。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、データリードのためのヘッド位置決めにオフセットを用いる磁気ディスク装置及びヘッド位置決め方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置の高容量化に伴い、高記録密度化、高トラック密度化が進んでいる。高トラック密度化により、ディスク（磁気ディスク）上で隣接するトラック間の間隔（つまりトラックピッチ）が狭小化されている。
【０００３】
トラックピッチが狭小化されると、ヘッド（磁気ヘッド）により目標トラックにデータを磁気的に書き込む際に、当該目標トラックに隣接するトラックに既に磁気的に書き込まれているデータの磁気的劣化、つまり隣接トラックの磁化の減少を招く可能性がある。この要因は、ヘッドが発生する磁界のうちデータ書き込みに寄与しない成分、いわゆる漏洩磁界にある。
【０００４】
隣接トラックへの漏洩磁界の影響は、目標トラックへのデータ書き込みの都度蓄積される。このため、目標トラックへのデータ書き込みの回数の増加に応じて、隣接トラックの磁化の減少が進む。このように、隣接トラックの磁化が減少（つまり減磁）する現象は、サイドイレーズ（隣接トラック消去）と呼ばれる。
【０００５】
隣接トラックの減磁（サイドイレーズ）が進行すると、当該隣接トラックからデータを読み出す際のエラー率も増加する。やがて、誤り訂正符号（ＥＣＣ）を最大限に用いて隣接トラックのデータの修復を試みても、当該データを修復することが困難となる。これにより、結果としてデータが消失する。
【０００６】
そこで近年の磁気ディスク装置では、隣接トラックの減磁の進行により、当該隣接トラックからのデータの読み出しが不能になる前に、当該隣接トラックの磁化を回復させるためのトラックリフレッシュ（再書き込み）が必須になりつつある。つまり、ゾーン毎、あるいはトラック毎に書き込み回数が監視され、当該書き込み回数が閾値を超えた場合に、対応するゾーン内の各トラック、あるいは対応するトラック（より詳細には、書き込み回数が閾値を超えたトラックに隣接するトラック）のトラックリフレッシュが行われる。
【０００７】
トラックリフレッシュは、減磁したトラックのデータを、当該トラックから読み出し、当該読み出されたデータを当該トラックに再度書き込む動作として知られている。このトラックへのデータの再書き込み（つまりトラックリフレッシュ）により、当該トラックの磁化は回復する。
【０００８】
隣接トラックの減磁（サイドイレーズ）は、データが書き込まれるべき目標トラックにヘッドを位置付ける際の位置誤差によっても発生する。そこで近年は、ディスク上のセクタ毎にライトインヒビットスライスが設定される磁気ディスク装置も知られている。このような磁気ディスク装置では、目標トラック内の目標セクタにデータを書き込む際における、当該目標トラックの中心線からのヘッド位置のずれ量が当該目標セクタに対応するライトインヒビットスライスを超える場合、当該目標セクタへの書き込みが禁止される。これにより、ヘッド位置のずれに起因して目標トラックに隣接するトラックのデータが消去される（書き換えられる）のを防止できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−３０３３０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記したように近年の磁気ディスク装置では、ゾーン毎、あるいはトラック毎の書き込み回数が閾値を超えた場合にトラックリフレッシュが行われる。これによりトラックのデータが減磁によって読み出し不能となるのを防止できる。但し、頻繁にトラックリフレッシュが行われると、磁気ディスク装置のパフォーマンスが低下する。そのため、上記書き込み回数の閾値は比較的高めに設定される傾向にある。
【００１１】
一方、書き込み回数、例えば第１のトラックに隣接する第２のトラックの書き込み回数が閾値を超えない範囲内でも、当該書き込み回数が増加するに従って、第１のトラックの読み出しエラーレートは増加する傾向にある。この閾値が比較的高めに設定される場合、この傾向は強くなる。このように、トラックの読み出しエラーレートが増加すると、当該トラックのリードリトライの回数が増加する。すると、トラックからのデータの読み出しに長時間を要し、かえって磁気ディスク装置のパフォーマンスが低下するおそれがある。
【００１２】
本発明の目的は、書き込み回数増加に起因する読み出しエラーレートの悪化またはリードリトライの発生回数の増加を防止できる、データリードのためのヘッド位置決めにオフセットを用いる磁気ディスク装置及びヘッド位置決め方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
実施形態によれば、磁気ディスク装置は、書き込み回数記憶手段と、リードオフセット設定手段と、制御手段とを具備する。前記書き込み回数記憶手段は、ディスク上のトラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数を格納する。前記リードオフセット設定手段は、データリードのためにヘッドが目標トラックに位置付けられる際に、前記書き込み回数記憶手段に格納されている前記目標トラックの隣接トラックまたは前記隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に応じて、前記ヘッドが位置付けられるべきリード位置の前記目標トラック内の所定位置からのオフセット量を設定する。前記制御手段は、前記設定されたオフセット量だけ前記所定位置からずれた位置に前記ヘッドを位置付ける。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態に係る磁気ディスク装置を備えた電子機器の典型的な構成を示すブロック図。
【図２】同実施形態で適用されるディスクのフォーマットの概要を示す概念図。
【図３】隣接トラックへのデータ書き込みの回数と最適リード位置との関係について説明するための模式図。
【図４】リードされるべき目標トラックに隣接するトラックにデータを書き込んだ場合の、書き込み回数毎のリード成否のプロファイルを、ディスクの外周部，中周部，内周部で測定した結果の例を示す図。
【図５】図４に示されるプロファイルに基づいて取得される、書き込み回数毎の最適リード位置をゾーン別にプロットし直した折れ線グラフを示す図。
【図６】同実施形態で適用されるコントローラの主要な構成を、当該コントローラと関係する周辺の構成と共に示すブロック図。
【図７】同実施形態で適用される書き込み回数メモリにおける書き込み回数の格納形式の一例を示す図。
【図８】同実施形態で適用されるイレーズ幅テーブルのデータ構造の一例を示す図。
【図９】同実施形態で適用されるイレーズ幅テーブルの示す、トラック毎の書き込み回数に対応するイレーズ幅の概念を説明するための図。
【図１０】同実施形態においてリードコマンドに応じてヘッドを目標トラックに位置付ける場合の手順を示すフローチャート。
【図１１】同実施形態の効果を説明するための図であり、ゾーン毎の内周側イレーズ幅及び外周側イレーズ幅を測定した結果と、当該測定結果に基づいて設定されたイレーズ幅テーブルに基づいて決定されるゾーン毎の最適リード位置を表す曲線とを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施の形態につき図面を参照して説明する。
図１は１つの実施形態に係る磁気ディスク装置を備えた電子機器の典型的な構成を示すブロック図である。
【００１６】
図１に示す電子機器は、磁気ディスク装置（以下、ＨＤＤと称する）１０とホスト２０とを備えている。電子機器は、例えば、パーソナルコンピュータである。ホスト２０は、ホストインタフェース２１を介してＨＤＤ１０と接続されている。ホスト２０は、ＨＤＤ１０を当該ホスト２０の記憶装置として利用する。
【００１７】
ＨＤＤ１０は、ディスク（磁気ディスク）１１、ヘッド（磁気ヘッド）１２、スピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）１３、アクチュエータ１４及びコントローラ１５を備えている。
ディスク１１は上側と下側の２つのディスク面を有している。ディスク１１の例えば上側のディスク面は、データが磁気記録される記録面をなしている。
【００１８】
ヘッド１２はディスク１１の記録面に対応して配置される。ヘッド１２は、図示せぬリード素子ＲＥ及び図３に示すライト素子ＷＥを備えている。ヘッド１２は、ディスク１１に記録されたデータを再生し、且つディスク１１にデータを記録する。つまりヘッド１２は、ディスク１１からデータを読み出し、且つディスク１１にデータを書き込む。
【００１９】
なお図１では、作図の都合上、ディスク１１の上側のディスク面（記録面）に対応してヘッド１２が配置されている。しかし、一般には、ディスク１１の２つのディスク面が共に記録面をなしており、各々のディスク面に対応してヘッドが配置される。そこで、以下の説明では、ディスク１１の各々のディスク面に対応してヘッド１２が配置されているものとする。また図１の構成では、単一枚のディスク１１を備えたＨＤＤ１０を想定している。しかし、ディスク１１が複数枚積層配置されたＨＤＤであっても構わない。
【００２０】
図２は、ディスク１１のフォーマットの概要を示す概念図である。
ディスク１１（より詳細にはディスク１１の各記録面）は、当該ディスク１１の半径方向にｎ個のゾーンＺ0（＃０）〜ＺM-1（＃Ｍ−１）に区分して管理される。つまり、ディスク１１は、Ｎ個のゾーンＺ0〜ＺM-1を備えている。本実施形態において、Ｎは２９である。ゾーンＺ0〜ＺM-1の各々は、複数のトラックを備えている。
【００２１】
再び図１を参照すると、ディスク１１はＳＰＭ１３によって高速に回転させられる。ヘッド１２は、アクチュエータ１４のアーム１４１の先端に取り付けられている。ヘッド１２は、ディスク１１が高速に回転することにより当該ディスク１１上で浮上する。アクチュエータ１４は、当該アクチュエータ１４の駆動源となるボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）１４２を有している。ヘッド１２は、アクチュエータ１４がＶＣＭ１４２によって駆動されることにより、ディスク１１上を当該ディスク１１の半径方向に、円弧を描くように移動する。このため、アクチュエータ１４のアームの中心線とトラック方向（ディスク１１の円周方向）とのなす角は、ディスク１１の内周部、中周部及び外周部で異なる。つまり、ヘッド１２のライト素子ＷＥ（図３参照）とトラックとのなす角も、ディスク１１の内周部、中周部及び外周部とで異なる。この角はスキュー（skew）角と呼ばれる。
【００２２】
コントローラ１５は、例えばマイクロプロセッサユニット（ＭＰＵ）、メモリ等を含む複数の要素が単一チップに集積されたシステムＬＳＩによって実現される。コントローラ１５は、当該コントローラ１５とホスト２０との間で信号を授受する。具体的には、コントローラ１５は、ホスト２０からホストインタフェース２１を介して転送されるコマンド（ライトコマンド、リードコマンド等）を受信する。コントローラ１５はまた、ホスト２０と当該コントローラ１５との間のデータ転送を制御する。コントローラ１５はまた、ヘッド１２を介して行われるディスク１１と当該コントローラ１５との間のデータ転送を制御する。コントローラ１５はまた、ＳＰＭ１３及びＶＣＭ１４２を制御する。特にコントローラ１５は、ヘッド１２を目標トラックに位置付けるために、ＶＣＭ１４２を制御する。
【００２３】
前述したように、第１のトラックに隣接する第２のトラックの書き込み回数が増加するに従って、第１のトラックの読み出しエラーレートは増加する傾向にある。この要因について、図２を参照して説明する。
【００２４】
図３は、隣接トラックへのデータ書き込みの回数と最適リード位置との関係について説明するための模式図である。
図３には、トラック番号が連続する３つのトラックＴ［ｎ−１］，Ｔ［ｎ］，Ｔ［ｎ＋１］が示されている。トラックＴ［ｎ−１］，Ｔ［ｎ］，Ｔ［ｎ＋１］のトラック番号は、それぞれ「ｎ−１」，「ｎ」，「ｎ＋１」である。図３の例では、トラックＴ［ｎ−１］がディスク１１の外周に最も近く、トラックＴ［ｎ＋１］がディスク１１の内周に最も近いものとする。
【００２５】
図３において、トラックＴ［ｎ］は、リードされるべき目標トラックであるものとする。また、トラックＴ［ｎ］に隣接する２つのトラックＴ［ｎ−１］，Ｔ［ｎ＋１］に対するデータ書き込みが１０００回実行されているものとする。図３にはまた、トラックＴ［ｎ−１］へのデータの書き込みのために、当該トラックＴ［ｎ−１］内の所定位置、例えば当該トラックＴ［ｎ−１］の中心線にヘッド１２のライト素子ＷＥが位置付けられている状態と、トラックＴ［ｎ＋１］へのデータの書き込みのために、当該トラックＴ［ｎ＋１］の中心線にヘッド１２のライト素子ＷＥが位置付けられている状態とが、模式的に示されている。
【００２６】
トラックＴ［ｎ−１］，Ｔ［ｎ＋１］の各々に対するデータ書き込みが行われた場合に、ライト素子ＷＥの漏れ磁界に起因して減磁される領域（以下、イレーズ領域と称する）は、データ書き込みの回数が増加するに従って拡大する。図３には、トラックＴ［ｎ−１］に対するデータ書き込みの回数がそれぞれ１，１０，１００，１０００の場合のイレーズ領域３-0(n-1)，３-1(n-1)，３-2(n-1)，３-3(n-1)と、トラックＴ［ｎ＋１］に対するデータ書き込みの回数がそれぞれ１，１０，１００，１０００の場合のイレーズ領域３-0(n+1)，３-1(n+1)，３-2(n+1)，３-3(n+1)とが示されている。
【００２７】
さて、図３からも明らかなように、ライト素子ＷＥは、トラックＴ［ｎ−１］，Ｔ［ｎ＋１］に対してスキュー角を有する。勿論、ライト素子ＷＥは、トラックＴ［ｎ］に対してもスキュー角を有する。
【００２８】
ライト素子ＷＥが、トラックＴ［ｎ−１］に対してスキュー角を有する場合、イレーズ領域３-i(n-1)（ｉ＝０，１，２，３）は、当該トラックＴ［ｎ−１］の中心線に対して、ディスク１１の半径方向にアンバランスな幅（以下、イレーズ幅と称する）Ｅ（−），Ｅ（＋）を有する。トラックＴ［ｎ＋１］に関しても同様である。つまり、ライト素子ＷＥが、トラックＴ［ｎ＋１］に対してスキュー角を有する場合、イレーズ領域３-i(n+1)は、当該トラックＴ［ｎ＋１］の中心線に対してアンバランスなイレーズ幅Ｅ（−），Ｅ（＋）を有する。イレーズ幅Ｅ（−）を外周側イレーズ幅と呼び、イレーズ幅Ｅ（＋）を内周側イレーズ幅と呼ぶこともある。
【００２９】
図３の例では、イレーズ領域３-i(n-1)及び３-i(n+1)のうちイレーズ領域３-i(n+1)の方がトラックＴ［ｎ］に対する影響が大きい。この場合、トラックＴ［ｎ］のトラック幅のうちトラックＴ［ｎ＋１］側の部分が広く減磁される。また前述したように、トラックＴ［ｎ−１］，Ｔ［ｎ＋１］へのデータ書き込みの回数（以下、隣接トラック書き込み回数と称することもある）が増加すると、イレーズ領域３-i(n-1)，３-i(n+1)が広がる。
【００３０】
したがって図３の例では、隣接トラック書き込み回数の増加に従い、トラックＴ［ｎ］の減磁がトラックＴ［ｎ＋１］側から進行する。このような状況で、トラックＴ［ｎ］（つまり、リードされるべき目標トラックＴ［ｎ］）の中心線にヘッド１２のリード素子ＲＥを位置付けたならば、当該トラックＴ［ｎ］からデータを読み出す際のエラーレートは増加する
例えば、隣接トラック書き込み回数が１の場合、トラックＴ［ｎ］からデータを読み出す際のエラーレートが最小となるリード位置の最適点（最適リード位置）は、図３から明らかなように、トラックＴ［ｎ］のほぼ中心線である。これに対し、隣接トラック書き込み回数が例えば１０００の場合、最適リード位置は、トラックＴ［ｎ］の減磁のトラックＴ［ｎ＋１］側からの進行によって、トラックＴ［ｎ］の中心線からトラックＴ［ｎ−１］の方向にシフトする。
【００３１】
この隣接トラック書き込み回数が１０００の場合の最適リード位置は、トラックＴ［ｎ−１］の内周側イレーズ幅をＥ（＋）、トラックＴ［ｎ＋１］の外側イレーズ幅をＥ（−）とすると、図３に示されるように、トラックＴ［ｎ］の中心線からｘ＝（（Ｅ（＋）−Ｅ（−））／２だけずれた位置となる。
【００３２】
図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ、リードされるべき目標トラックＴ［ｎ］に隣接するトラックＴ［ｎ−１］及びＴ［ｎ＋１］の双方にデータを１回、１０回、１００回及び１０００回書き込んだ場合の、書き込み回数毎のリード成否のプロファイルを、ディスク１１の外周部，中周部，内周部で測定した結果の例を示す。この測定は、ヘッド１２のリード素子ＲＥ（の中央位置）を、目標トラックＴ［ｎ］の中心線から、ディスク１１の半径方向に、一定長ずつずらした位置（リード位置）に位置付けた状態で繰り返し行われている。ディスク１１の外周部，中周部，内周部は、Ｎ＝２９の本実施形態では、それぞれ、ゾーンＺ0（＃０），Ｚ14（＃１４），Ｚ28（＃２８）である。
【００３３】
図４（ａ），（ｂ），（ｃ）には、いずれも、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００及び１０００の場合のリード成否のプロファイルが示されている。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、リード成否の確率として、エラーレートと相関のよい、周知のビタビ・メトリクス（Viterbi-Metrics）マージン値（ＶＭＭ）が用いられている。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）の縦軸は、このＶＭＭ（より詳細にはＶＭＭの対数値）を示し、横軸は、リード位置の目標トラックＴ［ｎ］の中心線からのオフセット（単位はｎｍ）を示す。
【００３４】
図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すリード成否のプロファイル（ＶＭＭプロファイル）からは、隣接トラック書き込み回数の増加に従ってＶＭＭが悪化すると共に、ＶＭＭの最小値を得るためのリード位置の最適点（最適リード位置）が、目標トラックＴ［ｎ］の中心線からずれていくことが分かる。つまり、最適リード位置の目標トラックＴ［ｎ］の中心線からのオフセット値（以下、最適リードオフセット値と称することもある）がシフトしていくことが分かる。
【００３５】
図５は、図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すＶＭＭプロファイルに基づいて取得される、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００，１０００のそれぞれの場合の最適リード位置をゾーン毎にプロットし直した折れ線グラフを示す。図５から、例えば最外周ゾーンＺ0（＃０）において隣接トラック書き込み回数が１０００回になると、最適リード位置は４．８ｎｍ程度となり、目標トラックＴ［ｎ］の中心線から４．８ｎｍ程度のずれが発生していることが分かる。このずれ、つまりオフセット（リードオフセット）を考慮して、リード位置を最適リード位置に補正するには、当該リードオフセットを例えば一定値ずつ変えながらエラーレートあるいはＶＭＭが最小となる最適点を探索する処理を実行すればよい。しかし、このような処理を実行した場合、ＨＤＤ１０のパフォーマンスを著しく阻害することになる。そこで本実施形態では、以下に述べるように、イレーズ幅テーブル１５２（図６参照）を利用して最適リード位置を設定するようにしている。
【００３６】
図６は、コントローラ１５の主要な構成を、当該コントローラ１５と関係する周辺の構成と共に示すブロック図である。
コントローラ１５は、書き込み回数メモリ１５１、イレーズ幅テーブル１５２、コマンド解析モジュール１５３、更新モジュール１５４、テーブルアクセスモジュール１５５、リードオフセット設定モジュール１５６及びサーボ制御器１５７を備えている。
【００３７】
書き込み回数メモリ１５１は、例えば、ヘッド毎で且つシリンダ毎（つまりトラック毎）のデータの書き込み回数を格納する。書き込み回数メモリ１５１における書き込み回数の格納形式の一例を図７に示す。図７の例では、ヘッド番号ｍ（ｍ＝０，１）、シリンダ番号ｎ（ｎ＝０，１，…ｐ−１）で指定されるトラックＴ［ｍ，ｎ］の書き込み回数は、Ｎ［ｍ，ｎ］で示される。
【００３８】
イレーズ幅テーブル１５２は、ヘッド毎、シリンダ毎で且つ書き込み回数毎のイレーズ幅Ｅ（＋），Ｅ（−）を予め登録する。つまりイレーズ幅テーブル１５２は、トラック毎の書き込み回数に対応するイレーズ幅Ｅ（＋），Ｅ（−）を予め登録する。本実施形態において、書き込み回数の最大値ｑは、トラックリフレッシュを実行すべきか否かの判定に用いられる閾値より小さく、例えば「閾値−１」である。トラック毎の書き込み回数に対応するイレーズ幅Ｅ（＋），Ｅ（−）は、後述するように、予め測定及び推定可能である。本実施形態では、この測定及び推定結果に基づいてイレーズ幅テーブル１５２が設定される。イレーズ幅テーブル１５２は、例えばフラッシュメモリのような不揮発性メモリに保存されている。
【００３９】
図８は、イレーズ幅テーブル１５２のデータ構造の一例を示す。図８の例では、ヘッド番号（ｍ＝０，１）、シリンダ番号ｎ（ｎ＝０，１，…ｐ−１）で指定されるトラックＴ［ｍ，ｎ］の書き込み回数Ｎ（Ｎ＝Ｎ［ｍ，ｎ］＝０，１，…ｑ）に対応するイレーズ幅Ｅ（＋）及びＥ（−）は、それぞれ、Ｅ（＋）［ｍ，ｎ，Ｎ］及びＥ（−）［ｍ，ｎ，Ｎ］で示される。
【００４０】
図９は、イレーズ幅テーブル１５２の示す、トラック毎の書き込み回数に対応するイレーズ幅Ｅ（＋），Ｅ（−）の概念を説明するための図である。図９から明らかなように、イレーズ幅（内周側イレーズ幅）Ｅ（＋）は外周側のトラックほど広くなり、イレーズ幅（外周側イレーズ幅）Ｅ（−）は内周側のトラックほど広くなる。
【００４１】
再び図６を参照すると、コマンド解析モジュール１５３は、ホスト２０から転送されたコマンドを解析し、当該コマンドの指定する動作を制御する。更新モジュール１５４は、解析されたコマンドに応じてディスク１１上のトラックＴ［ｍ，ｎ］にデータが書き込まれる場合に、書き込み回数メモリ１５１に格納されている当該トラックＴ［ｍ，ｎ］の書き込み回数をインクリメントする。また更新モジュール１５４は、トラックＴ［ｍ，ｎ］の書き込み回数がトラックリフレッシュのための閾値を超えたために、当該トラックＴ［ｍ，ｎ］に隣接するトラックＴ［ｍ，ｎ−１］，Ｔ［ｍ，ｎ＋１］がリフレッシュされた場合、従来技術と同様に、書き込み回数メモリ１５１に格納されている、当該トラックＴ［ｍ，ｎ］の書き込み回数をゼロにリセットする。
【００４２】
テーブルアクセスモジュール１５５は、解析されたコマンドがリードコマンドであり、当該リードコマンドの指定するトラック（つまり目標トラック）からデータを読み出すために、当該目標トラックにヘッド１２を位置付ける場合に、イレーズ幅テーブル１５２にアクセスする。テーブルアクセスモジュール１５５はイレーズ幅テーブル１５２から、目標トラックにディスク１１の外周側で隣接するトラックの書き込み回数（隣接トラック書き込み回数）に対応する内周側イレーズ幅Ｅ（＋）及当該目標トラックにディスク１１の内周側で隣接するトラックの書き込み回数に対応する外周側イレーズ幅Ｅ（−）を取得する。
【００４３】
リードオフセット設定モジュール１５６は、取得された内周側イレーズ幅Ｅ（＋）及び外周側イレーズ幅Ｅ（−）に基づいて、ヘッド１２が位置付けられるべき目標トラック上の位置（リード位置）の当該目標トラックの中心線からのオフセット量を、リードオフセット値として設定する。
【００４４】
サーボ制御器１５７は、ヘッド１２を最適リード位置に位置付けるリード位置決め制御系１５８の主要素である。サーボ制御器１５７は、ヘッド１２（より詳細には、ヘッド１２のヘッド素子ＲＥ）の最適リード位置からのずれ（位置誤差）を圧縮するようにＶＣＭ１４２をフィードバック制御する。
【００４５】
一般に、最適リード位置は目標トラックＴ［ｎ］の中心線の位置である。しかし本実施形態では、テーブルアクセスモジュール１５５によって外周側隣接トラックＴ［ｎ−１］の内周側イレーズ幅Ｅ（＋）及び内周側隣接トラックＴ［ｎ＋１］の外周側イレーズ幅Ｅ（−）が取得された場合、図３を参照しての前述の説明からも明らかなように、最適リード位置は、目標トラックＴ［ｎ］の中心線からｘ＝（Ｅ（＋）−Ｅ（−））／２だけずれた位置として決定される。（Ｅ（＋）−Ｅ（−））／２は、ヘッド１２のヘッド素子ＲＥを最適リード位置に位置付けるためのリードオフセット値であり、リードオフセット設定モジュール１５６によって算出される。。
【００４６】
次に、本実施形態の動作について、ホスト２０からＨＤＤ１０に転送されたリードコマンドに応じて、ヘッド１２を目標トラックに位置付ける場合を例に、図１０のフローチャートを参照して説明する。
【００４７】
まず、ホスト２０からＨＤＤ１０にコマンドが転送され、当該転送されたコマンドがＨＤＤ１０のコントローラ１５で受信されたものとする。この受信コマンドが、ヘッド番号ｍ、シリンダ番号ｎで示されるトラックＴ［ｍ，ｎ］（つまり目標トラックＴ［ｍ，ｎ］）からのデータの読み出しを指定するリードコマンドであるものとする。また、ヘッド番号ｍで示されるヘッドがヘッド１２であるものとする。
【００４８】
コントローラ１５のコマンド解析モジュール１５３は、受信されたリードコマンドを解析する（ステップ１０１）。このリードコマンドの解析結果に基づいて、コントローラ１５内では、ヘッド１２のリード素子ＲＥの中央位置を最適リード位置に位置付けるための制御が次のように行われる。以下の説明では、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］にディスク１１の外周側で隣接するトラックを、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］または外周隣接トラックＴ［ｍ，ｎ−１］と表現する。また、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］にディスク１１の内周側で隣接するトラックを、トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］または内周隣接トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］と表現する。
【００４９】
まず、コマンド解析モジュール１５３は、リードコマンドの解析の結果に基づいて、リードされるべき目標トラックＴ［ｍ，ｎ］のヘッド番号ｍ及びシリンダ番号ｎをテーブルアクセスモジュール１５５に通知する（ステップ１０２）。
【００５０】
するとコントローラ１５のテーブルアクセスモジュール１５５は、書き込み回数メモリ１５１を参照することにより、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］及びＴ［ｍ，ｎ＋１］それぞれの書き込み回数Ｎ１及びＮ２を取得する（ステップ１０３）。つまりテーブルアクセスモジュール１５５は、ヘッド番号ｍ及びシリンダ番号ｎ−１に対応付けて、書き込み回数メモリ１５１に格納されている、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］にデータが書き込まれた回数Ｎ［ｍ，ｎ−１］を、当該トラックＴ［ｍ，ｎ−１］の書き込み回数Ｎ１として取得する。またテーブルアクセスモジュール１５５は、ヘッド番号ｍ及びシリンダ番号ｎ＋１に対応付けて、書き込み回数メモリ１５１に格納されている、トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］にデータが書き込まれた回数Ｎ［ｍ，ｎ＋１］を、当該トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］の書き込み回数Ｎ２として取得する。
【００５１】
次にテーブルアクセスモジュール１５５はイレーズ幅テーブル１５２にアクセスすることにより、イレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］及びＥ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］を取得する（ステップ１０４）。つまりテーブルアクセスモジュール１５５は、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］及び書き込み回数Ｎ１に対応付けてイレーズ幅テーブル１５２に格納されている２つのイレーズ幅のうちの内周側イレーズ幅Ｅ（＋）を、イレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］として取得する。またテーブルアクセスモジュール１５５は、トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］及び書き込み回数Ｎ２に対応付けてイレーズ幅テーブル１５２に格納されている２つのイレーズ幅のうちの外周側イレーズ幅Ｅ（−）を、イレーズ幅Ｅ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］として取得する。
【００５２】
このように本実施形態では、イレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］及びＥ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］をイレーズ幅テーブル１５２から直接取得することができる。その理由は、イレーズ幅テーブル１５２に、ディスク１１上の全てのトラック及び書き込み回数の最大値ｑまでの全ての書き込み回数に対応するイレーズ幅Ｅ（＋）及びＥ（−）が登録されているためである。
【００５３】
しかしイレーズ幅テーブル１５２に、予め定められたトラックの予め定められた書き込み回数に対応するイレーズ幅Ｅ（＋）及びＥ（−）のみが登録される構成であっても構わない。例えばイレーズ幅テーブル１５２に、ゾーンＺ0〜Ｚ28(Ｍ＝２９)内の相対位置が同一のトラック（以下、代表トラックと称する）の書き込み回数１，１０，１００及び１０００のそれぞれに対応するイレーズ幅Ｅ（＋）及びＥ（−）のみが登録される構成であっても構わない。このような構成において、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］及び書き込み回数Ｎ１に対応するイレーズ幅（つまり取得されるべきイレーズ幅）、あるいはトラックＴ［ｍ，ｎ＋１］及び書き込み回数Ｎ２に対応するイレーズ幅（つまり取得されるべきイレーズ幅）がイレーズ幅テーブル１５２に登録されていないものとする。この場合、取得されるべきイレーズ幅を、当該イレーズ幅テーブル１５２に基づいて周知の補間法（例えば線形補間法）で補間により決定すればよい。
【００５４】
また、例えば、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］及び書き込み回数Ｎ１にそれぞれ最も近いトラック及び書き込み回数に対応付けてイレーズ幅テーブル１５２に登録されている内周側イレーズ幅Ｅ（＋）を、イレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］として用いてもよい。同様に、トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］及び書き込み回数Ｎ２にそれぞれ最も近いトラック及び書き込み回数に対応付けてイレーズ幅テーブル１５２に登録されている外周側イレーズ幅Ｅ（−）を、イレーズ幅Ｅ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］として用いてもよい。
【００５５】
リードオフセット設定モジュール１５６は、テーブルアクセスモジュール１５５によって取得されたイレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］及びＥ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］に基づいて、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］の最適リード位置にヘッド１２のリード素子ＲＥを位置付ける際のリードオフセット値（最適リードオフセット値）ｘ［ｍ，ｎ］を算出する（ステップ１０５）。より具体的には、リードオフセット設定モジュール１５６は、リードオフセット値ｘ［ｍ，ｎ］を、次式
ｘ［ｍ，ｎ］
＝（Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］−Ｅ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］）／２
に従って算出する。
【００５６】
このことから明らかなように、イレーズ幅テーブル１５２に登録されている、トラック毎の書き込み回数に対応するイレーズ幅Ｅ（＋），Ｅ（−）は、リードオフセット値を決定するためのリードオフセットパラメータ値であるといえる。リードオフセット設定モジュール１５６は、算出されたリードオフセット値ｘ［ｍ，ｎ］を、リード位置決め制御系１５８に設定する（ステップ１０６）。
【００５７】
リード位置決め制御系１５８では、設定されたリードオフセット値ｘ［ｍ，ｎ］が目標トラックＴ［ｍ，ｎ］の中央線の位置（通常の目標位置）に加算され、加算結果の示す位置が、新たな目標位置、つまり最適リード位置として決定される。リード位置決め制御系１５８のサーボ制御器１５７は、この新たな目標位置にヘッド１２のリード素子ＲＥが位置付けられるように、ＶＣＭ１４２を制御する。つまりサーボ制御器１５７は、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］の中央線の位置からリードオフセット値ｘ［ｍ，ｎ］だけずれた最適リード位置にヘッド１２のリード素子ＲＥを位置付けるための位置決め制御を実行する（ステップ１０７）。ここで、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］の中央線の位置を０とするならば、最適リード位置はリードオフセット値ｘ［ｍ，ｎ］に一致する。
【００５８】
このように本実施形態によれば、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］の外周側隣接トラックＴ［ｍ，ｎ−１］の書き込み回数Ｎ１に対応する内周側イレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］と、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］の内周側隣接トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］の書き込み回数Ｎ２に対応する外周側イレーズ幅Ｅ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］とに基づいて、リード位置が補正される。つまり、エラーレートが最小となる最適リード位置とのずれが補正され、ヘッド１２のリード素子が当該最適リード位置に位置付けられる。これにより、目標トラックに隣接するトラックへのデータ書き込みの回数の増加に伴う当該隣接トラックのイレーズ領域（イレーズ幅）の広がりに起因して、目標トラックからデータを読み出す場合のエラーレートが高くなるのを防止できる。
【００５９】
この本実施形態の効果について、図１１を参照して説明する。
図１１（ａ）は、ヘッド１２に対応するディスク１１の記録面上のゾーン毎の内周側イレーズ幅を測定した結果を、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００，１０００のそれぞれについて示す。図１１（ｂ）は、ヘッド１２に対応するディスク１１の記録面上のゾーン毎の外周側イレーズ幅を測定した結果を、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００，１０００のそれぞれについて示す。ここでは、ゾーンＺ0〜Ｚ28(Ｍ＝２９)内のそれぞれの代表トラックの内周側イレーズ幅及び外周側イレーズ幅が、当該ゾーンＺ0〜Ｚ28の内周側イレーズ幅及び外周側イレーズ幅として測定される。
【００６０】
また、図１１（ａ）は、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００，１０００のそれぞれについてのゾーン毎の内周側イレーズ幅の測定結果を、それぞれ多項式（例えば２次多項式）で近似した曲線１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ，１１４ａも示す。一方、図１１（ｂ）は、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００，１０００のそれぞれについてのゾーン毎の外周側イレーズ幅測定結果を、それぞれ多項式（例えば２次多項式）で近似した曲線１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂ，１１４ｂも示す。
【００６１】
曲線１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ，１１４ａ，１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂ，１１４ｂは、所定の多項式で近似される。これらの曲線の違いは、多項式の係数（多項式係数）の違いである。図８に示すデータ構造のイレーズ幅テーブル１５２は、図１１（ａ）及び（ｂ）の測定結果（より詳細には、測定結果から取得された曲線）に基づいて設定されたものである。つまり、各ゾーンの代表トラック以外のトラック群の、隣接トラック書き込み回数１，１０，１００，１０００に対応する内周側イレーズ幅及び外周側イレーズ幅は、上述の曲線から決定（推定）される。また、各トラックの隣接トラック書き込み回数１，１０，１００，１０００以外の書き込み回数に対応する内周側イレーズ幅及び外周側イレーズ幅も、上述の曲線から例えば補間により決定される。
【００６２】
曲線１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ，１１４ａ，１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂ，１１は、多項式と、対応する多項式係数とに基づいて特定できる。よって、曲線１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ，１１４ａ，１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂ，１１４ｂにそれぞれ対応する多項式係数を不揮発性メモリに予め格納しておき、イレーズ幅テーブル１５２に代えて、適宜対応する多項式係数を用いるようにしても構わない。つまり、多項式と目的とする隣接トラック書き込み回数に対応する多項式係数とに基づいて、目標トラックの外周側隣接トラック及び内周側隣接トラックの、それぞれ内周側イレーズ幅及び外周側イレーズ幅を計算するようにしてもよい。
【００６３】
曲線１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ，１１４ａ，１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂ，１１４ｂ（にそれぞれ対応する多項式）は、トラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数に依存する。したがってリードオフセット設定モジュール１５６は、トラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数に基づいてリードオフセット値ｘを設定することが可能である。
【００６４】
図１１（ｃ）は、図５との比較のために、上述のようにして設定されたイレーズ幅テーブル１５２に基づいて決定される、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００，１０００のそれぞれについてのゾーン毎の最適リード位置（＝リードオフセット値）ｘを表す曲線の例を示す。ここで、例えばディスク１１の外周部に位置するゾーンＺ0（＃０）内の目標トラックＴ［ｎ］からデータを読み出すものとする。このとき、隣接トラックＴ［ｎ−１］及びＴ［ｎ＋１］へのデータの書き込み回数が１０００であるものとすると、図１１（ｃ）に示す最適リード位置はほぼ４ｎｍである。この値は、図４（ａ）のＶＭＭが最小となる最適点（リード位置）の、目標トラックＴ［ｎ］の中心線からのずれ（４．８ｎｍ程度）を十分補償可能である。
【００６５】
つまり本実施形態によれば、目標トラックが属するゾーンに対応する最適リード位置（リードオフセット値）ｘに基づいて、ヘッド１２のリード素子ＲＥの位置決めを制御することにより、当該目標トラックからデータを読み出す際のエラーレートを低減することができる。また、仮にリードエラーが発生しても、リード位置を例えば一定オフセット量ずつずらしながらリード位置の最適点を検索するための動作（つまりオフセット検索）を繰り返すリードリトライにおける、当該繰り返しの回数を減らすことができる。その理由は、オフセット探索の開始位置が最適点に近くなるためである。これによりＨＤＤ１０のパフォーマンスを向上させることができる。
【００６６】
［第１の変形例］
次に上記実施形態の第１の変形例について、図６を援用して説明する。
上記実施形態では、書き込み回数メモリ１５１は、トラック毎（ヘッド毎で且つシリンダ毎）の書き込み回数を格納する。これに対して第１の変形例では、書き込み回数メモリ１５１は、ゾーン毎（より詳細には、ヘッド毎で且つゾーン毎）の書き込み回数を格納する。ゾーン毎の書き込み回数は、対応するゾーンに属する全てのトラックの書き込み回数の総和である。一方、イレーズ幅テーブル１５２は、ゾーン毎（ヘッド毎、ゾーン毎）で且つ書き込み回数毎のイレーズ幅Ｅ（＋），Ｅ（−）を予め登録する。
【００６７】
この場合、テーブルアクセスモジュール１５５は、目標トラックにディスク１１の外周側で隣接する外周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数及び当該目標トラックにディスク１１の内周側で隣接する内周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数を書き込み回数メモリ１５１から取得する。またテーブルアクセスモジュール１５５は、取得された外周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数及び内周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数にそれぞれ対応するイレーズ幅Ｅ（＋）及びＥ（−）をイレーズ幅テーブル１５２から取得する。第１の変形例は、各ゾーンにおいて、当該ゾーン内のそれぞれのトラックへのデータ書き込みが一様に行われる場合に適している。第１の変形例によれば、書き込み回数メモリ１５１及びイレーズ幅テーブル１５２に必要な記憶容量を低減できる。
【００６８】
［第２の変形例］
次に上記実施形態の第２の変形例について、図６を援用して説明する。
第２の変形例において、書き込み回数メモリ１５１は、トラック毎（ヘッド毎、シリンダ毎）で且つセクタ毎の書き込み回数を格納する。この場合、目標トラックがトラックＴ［ｍ，ｎ］であるものとすると、テーブルアクセスモジュール１５５は、当該トラックＴ［ｍ，ｎ］内の目標セクタ（データが読み出されるべきセクタ）に隣接する、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］内の第１のセクタ及びトラックＴ［ｍ，ｎ＋１］内の第２のセクタのそれぞれの書き込み回数Ｎ１及びＮ２を書き込み回数メモリ１５１から取得する。
【００６９】
次にテーブルアクセスモジュール１５５は、取得されたトラックＴ［ｍ，ｎ−１］内の第１のセクタの書き込み回数Ｎ１及びトラックＴ［ｍ，ｎ＋１］内の第２のセクタの書き込み回数Ｎ２を、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］の書き込み回数Ｎ１及びトラックＴ［ｍ，ｎ＋１］の書き込み回数Ｎ２として用いる。これによりテーブルアクセスモジュール１５５は、上記実施形態と同様に、イレーズ幅テーブル１５２からイレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］及びＥ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］を取得する。以降の動作は上記実施形態と同様であり、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］内の目標セクタからデータを読み出す場合のエラーレートを効率的に低減できる。第２の変形例は、トラック内のそれぞれのセクタの間で、書き込み回数が著しく異なる場合に適している。
【００７０】
以上説明した少なくとも１つの実施形態によれば、書き込み回数増加に起因する読み出しエラーレートの悪化またはリードリトライの発生回数の増加を防止できる、データリードのためのヘッド位置決めにオフセットを用いる磁気ディスク装置及びヘッド位置決め方法を提供することができる。
【００７１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７２】
１０…ＨＤＤ（磁気ディスク装置）、１１…ディスク、１２…ヘッド、１４…アクチュエータ、１５…コントローラ、２０…ホスト、１４２…ＶＣＭ（ボイスコイルモータ）、１５１…書き込み回数メモリ、１５２…イレーズ幅テーブル、１５３…コマンド解析モジュール、１５４…更新モジュール、１５５…テーブルアクセスモジュール、１５６…リードオフセット設定モジュール、１５７…サーボ制御器、１５８…リード位置決め制御系。
【技術分野】
【０００１】
本発明の実施形態は、データリードのためのヘッド位置決めにオフセットを用いる磁気ディスク装置及びヘッド位置決め方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、磁気ディスク装置の高容量化に伴い、高記録密度化、高トラック密度化が進んでいる。高トラック密度化により、ディスク（磁気ディスク）上で隣接するトラック間の間隔（つまりトラックピッチ）が狭小化されている。
【０００３】
トラックピッチが狭小化されると、ヘッド（磁気ヘッド）により目標トラックにデータを磁気的に書き込む際に、当該目標トラックに隣接するトラックに既に磁気的に書き込まれているデータの磁気的劣化、つまり隣接トラックの磁化の減少を招く可能性がある。この要因は、ヘッドが発生する磁界のうちデータ書き込みに寄与しない成分、いわゆる漏洩磁界にある。
【０００４】
隣接トラックへの漏洩磁界の影響は、目標トラックへのデータ書き込みの都度蓄積される。このため、目標トラックへのデータ書き込みの回数の増加に応じて、隣接トラックの磁化の減少が進む。このように、隣接トラックの磁化が減少（つまり減磁）する現象は、サイドイレーズ（隣接トラック消去）と呼ばれる。
【０００５】
隣接トラックの減磁（サイドイレーズ）が進行すると、当該隣接トラックからデータを読み出す際のエラー率も増加する。やがて、誤り訂正符号（ＥＣＣ）を最大限に用いて隣接トラックのデータの修復を試みても、当該データを修復することが困難となる。これにより、結果としてデータが消失する。
【０００６】
そこで近年の磁気ディスク装置では、隣接トラックの減磁の進行により、当該隣接トラックからのデータの読み出しが不能になる前に、当該隣接トラックの磁化を回復させるためのトラックリフレッシュ（再書き込み）が必須になりつつある。つまり、ゾーン毎、あるいはトラック毎に書き込み回数が監視され、当該書き込み回数が閾値を超えた場合に、対応するゾーン内の各トラック、あるいは対応するトラック（より詳細には、書き込み回数が閾値を超えたトラックに隣接するトラック）のトラックリフレッシュが行われる。
【０００７】
トラックリフレッシュは、減磁したトラックのデータを、当該トラックから読み出し、当該読み出されたデータを当該トラックに再度書き込む動作として知られている。このトラックへのデータの再書き込み（つまりトラックリフレッシュ）により、当該トラックの磁化は回復する。
【０００８】
隣接トラックの減磁（サイドイレーズ）は、データが書き込まれるべき目標トラックにヘッドを位置付ける際の位置誤差によっても発生する。そこで近年は、ディスク上のセクタ毎にライトインヒビットスライスが設定される磁気ディスク装置も知られている。このような磁気ディスク装置では、目標トラック内の目標セクタにデータを書き込む際における、当該目標トラックの中心線からのヘッド位置のずれ量が当該目標セクタに対応するライトインヒビットスライスを超える場合、当該目標セクタへの書き込みが禁止される。これにより、ヘッド位置のずれに起因して目標トラックに隣接するトラックのデータが消去される（書き換えられる）のを防止できる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００９】
【特許文献１】特開２００４−３０３３０３号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【００１０】
上記したように近年の磁気ディスク装置では、ゾーン毎、あるいはトラック毎の書き込み回数が閾値を超えた場合にトラックリフレッシュが行われる。これによりトラックのデータが減磁によって読み出し不能となるのを防止できる。但し、頻繁にトラックリフレッシュが行われると、磁気ディスク装置のパフォーマンスが低下する。そのため、上記書き込み回数の閾値は比較的高めに設定される傾向にある。
【００１１】
一方、書き込み回数、例えば第１のトラックに隣接する第２のトラックの書き込み回数が閾値を超えない範囲内でも、当該書き込み回数が増加するに従って、第１のトラックの読み出しエラーレートは増加する傾向にある。この閾値が比較的高めに設定される場合、この傾向は強くなる。このように、トラックの読み出しエラーレートが増加すると、当該トラックのリードリトライの回数が増加する。すると、トラックからのデータの読み出しに長時間を要し、かえって磁気ディスク装置のパフォーマンスが低下するおそれがある。
【００１２】
本発明の目的は、書き込み回数増加に起因する読み出しエラーレートの悪化またはリードリトライの発生回数の増加を防止できる、データリードのためのヘッド位置決めにオフセットを用いる磁気ディスク装置及びヘッド位置決め方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１３】
実施形態によれば、磁気ディスク装置は、書き込み回数記憶手段と、リードオフセット設定手段と、制御手段とを具備する。前記書き込み回数記憶手段は、ディスク上のトラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数を格納する。前記リードオフセット設定手段は、データリードのためにヘッドが目標トラックに位置付けられる際に、前記書き込み回数記憶手段に格納されている前記目標トラックの隣接トラックまたは前記隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に応じて、前記ヘッドが位置付けられるべきリード位置の前記目標トラック内の所定位置からのオフセット量を設定する。前記制御手段は、前記設定されたオフセット量だけ前記所定位置からずれた位置に前記ヘッドを位置付ける。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】実施形態に係る磁気ディスク装置を備えた電子機器の典型的な構成を示すブロック図。
【図２】同実施形態で適用されるディスクのフォーマットの概要を示す概念図。
【図３】隣接トラックへのデータ書き込みの回数と最適リード位置との関係について説明するための模式図。
【図４】リードされるべき目標トラックに隣接するトラックにデータを書き込んだ場合の、書き込み回数毎のリード成否のプロファイルを、ディスクの外周部，中周部，内周部で測定した結果の例を示す図。
【図５】図４に示されるプロファイルに基づいて取得される、書き込み回数毎の最適リード位置をゾーン別にプロットし直した折れ線グラフを示す図。
【図６】同実施形態で適用されるコントローラの主要な構成を、当該コントローラと関係する周辺の構成と共に示すブロック図。
【図７】同実施形態で適用される書き込み回数メモリにおける書き込み回数の格納形式の一例を示す図。
【図８】同実施形態で適用されるイレーズ幅テーブルのデータ構造の一例を示す図。
【図９】同実施形態で適用されるイレーズ幅テーブルの示す、トラック毎の書き込み回数に対応するイレーズ幅の概念を説明するための図。
【図１０】同実施形態においてリードコマンドに応じてヘッドを目標トラックに位置付ける場合の手順を示すフローチャート。
【図１１】同実施形態の効果を説明するための図であり、ゾーン毎の内周側イレーズ幅及び外周側イレーズ幅を測定した結果と、当該測定結果に基づいて設定されたイレーズ幅テーブルに基づいて決定されるゾーン毎の最適リード位置を表す曲線とを示す図。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、実施の形態につき図面を参照して説明する。
図１は１つの実施形態に係る磁気ディスク装置を備えた電子機器の典型的な構成を示すブロック図である。
【００１６】
図１に示す電子機器は、磁気ディスク装置（以下、ＨＤＤと称する）１０とホスト２０とを備えている。電子機器は、例えば、パーソナルコンピュータである。ホスト２０は、ホストインタフェース２１を介してＨＤＤ１０と接続されている。ホスト２０は、ＨＤＤ１０を当該ホスト２０の記憶装置として利用する。
【００１７】
ＨＤＤ１０は、ディスク（磁気ディスク）１１、ヘッド（磁気ヘッド）１２、スピンドルモータ（以下、ＳＰＭと称する）１３、アクチュエータ１４及びコントローラ１５を備えている。
ディスク１１は上側と下側の２つのディスク面を有している。ディスク１１の例えば上側のディスク面は、データが磁気記録される記録面をなしている。
【００１８】
ヘッド１２はディスク１１の記録面に対応して配置される。ヘッド１２は、図示せぬリード素子ＲＥ及び図３に示すライト素子ＷＥを備えている。ヘッド１２は、ディスク１１に記録されたデータを再生し、且つディスク１１にデータを記録する。つまりヘッド１２は、ディスク１１からデータを読み出し、且つディスク１１にデータを書き込む。
【００１９】
なお図１では、作図の都合上、ディスク１１の上側のディスク面（記録面）に対応してヘッド１２が配置されている。しかし、一般には、ディスク１１の２つのディスク面が共に記録面をなしており、各々のディスク面に対応してヘッドが配置される。そこで、以下の説明では、ディスク１１の各々のディスク面に対応してヘッド１２が配置されているものとする。また図１の構成では、単一枚のディスク１１を備えたＨＤＤ１０を想定している。しかし、ディスク１１が複数枚積層配置されたＨＤＤであっても構わない。
【００２０】
図２は、ディスク１１のフォーマットの概要を示す概念図である。
ディスク１１（より詳細にはディスク１１の各記録面）は、当該ディスク１１の半径方向にｎ個のゾーンＺ0（＃０）〜ＺM-1（＃Ｍ−１）に区分して管理される。つまり、ディスク１１は、Ｎ個のゾーンＺ0〜ＺM-1を備えている。本実施形態において、Ｎは２９である。ゾーンＺ0〜ＺM-1の各々は、複数のトラックを備えている。
【００２１】
再び図１を参照すると、ディスク１１はＳＰＭ１３によって高速に回転させられる。ヘッド１２は、アクチュエータ１４のアーム１４１の先端に取り付けられている。ヘッド１２は、ディスク１１が高速に回転することにより当該ディスク１１上で浮上する。アクチュエータ１４は、当該アクチュエータ１４の駆動源となるボイスコイルモータ（以下、ＶＣＭと称する）１４２を有している。ヘッド１２は、アクチュエータ１４がＶＣＭ１４２によって駆動されることにより、ディスク１１上を当該ディスク１１の半径方向に、円弧を描くように移動する。このため、アクチュエータ１４のアームの中心線とトラック方向（ディスク１１の円周方向）とのなす角は、ディスク１１の内周部、中周部及び外周部で異なる。つまり、ヘッド１２のライト素子ＷＥ（図３参照）とトラックとのなす角も、ディスク１１の内周部、中周部及び外周部とで異なる。この角はスキュー（skew）角と呼ばれる。
【００２２】
コントローラ１５は、例えばマイクロプロセッサユニット（ＭＰＵ）、メモリ等を含む複数の要素が単一チップに集積されたシステムＬＳＩによって実現される。コントローラ１５は、当該コントローラ１５とホスト２０との間で信号を授受する。具体的には、コントローラ１５は、ホスト２０からホストインタフェース２１を介して転送されるコマンド（ライトコマンド、リードコマンド等）を受信する。コントローラ１５はまた、ホスト２０と当該コントローラ１５との間のデータ転送を制御する。コントローラ１５はまた、ヘッド１２を介して行われるディスク１１と当該コントローラ１５との間のデータ転送を制御する。コントローラ１５はまた、ＳＰＭ１３及びＶＣＭ１４２を制御する。特にコントローラ１５は、ヘッド１２を目標トラックに位置付けるために、ＶＣＭ１４２を制御する。
【００２３】
前述したように、第１のトラックに隣接する第２のトラックの書き込み回数が増加するに従って、第１のトラックの読み出しエラーレートは増加する傾向にある。この要因について、図２を参照して説明する。
【００２４】
図３は、隣接トラックへのデータ書き込みの回数と最適リード位置との関係について説明するための模式図である。
図３には、トラック番号が連続する３つのトラックＴ［ｎ−１］，Ｔ［ｎ］，Ｔ［ｎ＋１］が示されている。トラックＴ［ｎ−１］，Ｔ［ｎ］，Ｔ［ｎ＋１］のトラック番号は、それぞれ「ｎ−１」，「ｎ」，「ｎ＋１」である。図３の例では、トラックＴ［ｎ−１］がディスク１１の外周に最も近く、トラックＴ［ｎ＋１］がディスク１１の内周に最も近いものとする。
【００２５】
図３において、トラックＴ［ｎ］は、リードされるべき目標トラックであるものとする。また、トラックＴ［ｎ］に隣接する２つのトラックＴ［ｎ−１］，Ｔ［ｎ＋１］に対するデータ書き込みが１０００回実行されているものとする。図３にはまた、トラックＴ［ｎ−１］へのデータの書き込みのために、当該トラックＴ［ｎ−１］内の所定位置、例えば当該トラックＴ［ｎ−１］の中心線にヘッド１２のライト素子ＷＥが位置付けられている状態と、トラックＴ［ｎ＋１］へのデータの書き込みのために、当該トラックＴ［ｎ＋１］の中心線にヘッド１２のライト素子ＷＥが位置付けられている状態とが、模式的に示されている。
【００２６】
トラックＴ［ｎ−１］，Ｔ［ｎ＋１］の各々に対するデータ書き込みが行われた場合に、ライト素子ＷＥの漏れ磁界に起因して減磁される領域（以下、イレーズ領域と称する）は、データ書き込みの回数が増加するに従って拡大する。図３には、トラックＴ［ｎ−１］に対するデータ書き込みの回数がそれぞれ１，１０，１００，１０００の場合のイレーズ領域３-0(n-1)，３-1(n-1)，３-2(n-1)，３-3(n-1)と、トラックＴ［ｎ＋１］に対するデータ書き込みの回数がそれぞれ１，１０，１００，１０００の場合のイレーズ領域３-0(n+1)，３-1(n+1)，３-2(n+1)，３-3(n+1)とが示されている。
【００２７】
さて、図３からも明らかなように、ライト素子ＷＥは、トラックＴ［ｎ−１］，Ｔ［ｎ＋１］に対してスキュー角を有する。勿論、ライト素子ＷＥは、トラックＴ［ｎ］に対してもスキュー角を有する。
【００２８】
ライト素子ＷＥが、トラックＴ［ｎ−１］に対してスキュー角を有する場合、イレーズ領域３-i(n-1)（ｉ＝０，１，２，３）は、当該トラックＴ［ｎ−１］の中心線に対して、ディスク１１の半径方向にアンバランスな幅（以下、イレーズ幅と称する）Ｅ（−），Ｅ（＋）を有する。トラックＴ［ｎ＋１］に関しても同様である。つまり、ライト素子ＷＥが、トラックＴ［ｎ＋１］に対してスキュー角を有する場合、イレーズ領域３-i(n+1)は、当該トラックＴ［ｎ＋１］の中心線に対してアンバランスなイレーズ幅Ｅ（−），Ｅ（＋）を有する。イレーズ幅Ｅ（−）を外周側イレーズ幅と呼び、イレーズ幅Ｅ（＋）を内周側イレーズ幅と呼ぶこともある。
【００２９】
図３の例では、イレーズ領域３-i(n-1)及び３-i(n+1)のうちイレーズ領域３-i(n+1)の方がトラックＴ［ｎ］に対する影響が大きい。この場合、トラックＴ［ｎ］のトラック幅のうちトラックＴ［ｎ＋１］側の部分が広く減磁される。また前述したように、トラックＴ［ｎ−１］，Ｔ［ｎ＋１］へのデータ書き込みの回数（以下、隣接トラック書き込み回数と称することもある）が増加すると、イレーズ領域３-i(n-1)，３-i(n+1)が広がる。
【００３０】
したがって図３の例では、隣接トラック書き込み回数の増加に従い、トラックＴ［ｎ］の減磁がトラックＴ［ｎ＋１］側から進行する。このような状況で、トラックＴ［ｎ］（つまり、リードされるべき目標トラックＴ［ｎ］）の中心線にヘッド１２のリード素子ＲＥを位置付けたならば、当該トラックＴ［ｎ］からデータを読み出す際のエラーレートは増加する
例えば、隣接トラック書き込み回数が１の場合、トラックＴ［ｎ］からデータを読み出す際のエラーレートが最小となるリード位置の最適点（最適リード位置）は、図３から明らかなように、トラックＴ［ｎ］のほぼ中心線である。これに対し、隣接トラック書き込み回数が例えば１０００の場合、最適リード位置は、トラックＴ［ｎ］の減磁のトラックＴ［ｎ＋１］側からの進行によって、トラックＴ［ｎ］の中心線からトラックＴ［ｎ−１］の方向にシフトする。
【００３１】
この隣接トラック書き込み回数が１０００の場合の最適リード位置は、トラックＴ［ｎ−１］の内周側イレーズ幅をＥ（＋）、トラックＴ［ｎ＋１］の外側イレーズ幅をＥ（−）とすると、図３に示されるように、トラックＴ［ｎ］の中心線からｘ＝（（Ｅ（＋）−Ｅ（−））／２だけずれた位置となる。
【００３２】
図４（ａ），（ｂ），（ｃ）は、それぞれ、リードされるべき目標トラックＴ［ｎ］に隣接するトラックＴ［ｎ−１］及びＴ［ｎ＋１］の双方にデータを１回、１０回、１００回及び１０００回書き込んだ場合の、書き込み回数毎のリード成否のプロファイルを、ディスク１１の外周部，中周部，内周部で測定した結果の例を示す。この測定は、ヘッド１２のリード素子ＲＥ（の中央位置）を、目標トラックＴ［ｎ］の中心線から、ディスク１１の半径方向に、一定長ずつずらした位置（リード位置）に位置付けた状態で繰り返し行われている。ディスク１１の外周部，中周部，内周部は、Ｎ＝２９の本実施形態では、それぞれ、ゾーンＺ0（＃０），Ｚ14（＃１４），Ｚ28（＃２８）である。
【００３３】
図４（ａ），（ｂ），（ｃ）には、いずれも、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００及び１０００の場合のリード成否のプロファイルが示されている。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）の例では、リード成否の確率として、エラーレートと相関のよい、周知のビタビ・メトリクス（Viterbi-Metrics）マージン値（ＶＭＭ）が用いられている。図４（ａ），（ｂ），（ｃ）の縦軸は、このＶＭＭ（より詳細にはＶＭＭの対数値）を示し、横軸は、リード位置の目標トラックＴ［ｎ］の中心線からのオフセット（単位はｎｍ）を示す。
【００３４】
図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すリード成否のプロファイル（ＶＭＭプロファイル）からは、隣接トラック書き込み回数の増加に従ってＶＭＭが悪化すると共に、ＶＭＭの最小値を得るためのリード位置の最適点（最適リード位置）が、目標トラックＴ［ｎ］の中心線からずれていくことが分かる。つまり、最適リード位置の目標トラックＴ［ｎ］の中心線からのオフセット値（以下、最適リードオフセット値と称することもある）がシフトしていくことが分かる。
【００３５】
図５は、図４（ａ），（ｂ），（ｃ）に示すＶＭＭプロファイルに基づいて取得される、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００，１０００のそれぞれの場合の最適リード位置をゾーン毎にプロットし直した折れ線グラフを示す。図５から、例えば最外周ゾーンＺ0（＃０）において隣接トラック書き込み回数が１０００回になると、最適リード位置は４．８ｎｍ程度となり、目標トラックＴ［ｎ］の中心線から４．８ｎｍ程度のずれが発生していることが分かる。このずれ、つまりオフセット（リードオフセット）を考慮して、リード位置を最適リード位置に補正するには、当該リードオフセットを例えば一定値ずつ変えながらエラーレートあるいはＶＭＭが最小となる最適点を探索する処理を実行すればよい。しかし、このような処理を実行した場合、ＨＤＤ１０のパフォーマンスを著しく阻害することになる。そこで本実施形態では、以下に述べるように、イレーズ幅テーブル１５２（図６参照）を利用して最適リード位置を設定するようにしている。
【００３６】
図６は、コントローラ１５の主要な構成を、当該コントローラ１５と関係する周辺の構成と共に示すブロック図である。
コントローラ１５は、書き込み回数メモリ１５１、イレーズ幅テーブル１５２、コマンド解析モジュール１５３、更新モジュール１５４、テーブルアクセスモジュール１５５、リードオフセット設定モジュール１５６及びサーボ制御器１５７を備えている。
【００３７】
書き込み回数メモリ１５１は、例えば、ヘッド毎で且つシリンダ毎（つまりトラック毎）のデータの書き込み回数を格納する。書き込み回数メモリ１５１における書き込み回数の格納形式の一例を図７に示す。図７の例では、ヘッド番号ｍ（ｍ＝０，１）、シリンダ番号ｎ（ｎ＝０，１，…ｐ−１）で指定されるトラックＴ［ｍ，ｎ］の書き込み回数は、Ｎ［ｍ，ｎ］で示される。
【００３８】
イレーズ幅テーブル１５２は、ヘッド毎、シリンダ毎で且つ書き込み回数毎のイレーズ幅Ｅ（＋），Ｅ（−）を予め登録する。つまりイレーズ幅テーブル１５２は、トラック毎の書き込み回数に対応するイレーズ幅Ｅ（＋），Ｅ（−）を予め登録する。本実施形態において、書き込み回数の最大値ｑは、トラックリフレッシュを実行すべきか否かの判定に用いられる閾値より小さく、例えば「閾値−１」である。トラック毎の書き込み回数に対応するイレーズ幅Ｅ（＋），Ｅ（−）は、後述するように、予め測定及び推定可能である。本実施形態では、この測定及び推定結果に基づいてイレーズ幅テーブル１５２が設定される。イレーズ幅テーブル１５２は、例えばフラッシュメモリのような不揮発性メモリに保存されている。
【００３９】
図８は、イレーズ幅テーブル１５２のデータ構造の一例を示す。図８の例では、ヘッド番号（ｍ＝０，１）、シリンダ番号ｎ（ｎ＝０，１，…ｐ−１）で指定されるトラックＴ［ｍ，ｎ］の書き込み回数Ｎ（Ｎ＝Ｎ［ｍ，ｎ］＝０，１，…ｑ）に対応するイレーズ幅Ｅ（＋）及びＥ（−）は、それぞれ、Ｅ（＋）［ｍ，ｎ，Ｎ］及びＥ（−）［ｍ，ｎ，Ｎ］で示される。
【００４０】
図９は、イレーズ幅テーブル１５２の示す、トラック毎の書き込み回数に対応するイレーズ幅Ｅ（＋），Ｅ（−）の概念を説明するための図である。図９から明らかなように、イレーズ幅（内周側イレーズ幅）Ｅ（＋）は外周側のトラックほど広くなり、イレーズ幅（外周側イレーズ幅）Ｅ（−）は内周側のトラックほど広くなる。
【００４１】
再び図６を参照すると、コマンド解析モジュール１５３は、ホスト２０から転送されたコマンドを解析し、当該コマンドの指定する動作を制御する。更新モジュール１５４は、解析されたコマンドに応じてディスク１１上のトラックＴ［ｍ，ｎ］にデータが書き込まれる場合に、書き込み回数メモリ１５１に格納されている当該トラックＴ［ｍ，ｎ］の書き込み回数をインクリメントする。また更新モジュール１５４は、トラックＴ［ｍ，ｎ］の書き込み回数がトラックリフレッシュのための閾値を超えたために、当該トラックＴ［ｍ，ｎ］に隣接するトラックＴ［ｍ，ｎ−１］，Ｔ［ｍ，ｎ＋１］がリフレッシュされた場合、従来技術と同様に、書き込み回数メモリ１５１に格納されている、当該トラックＴ［ｍ，ｎ］の書き込み回数をゼロにリセットする。
【００４２】
テーブルアクセスモジュール１５５は、解析されたコマンドがリードコマンドであり、当該リードコマンドの指定するトラック（つまり目標トラック）からデータを読み出すために、当該目標トラックにヘッド１２を位置付ける場合に、イレーズ幅テーブル１５２にアクセスする。テーブルアクセスモジュール１５５はイレーズ幅テーブル１５２から、目標トラックにディスク１１の外周側で隣接するトラックの書き込み回数（隣接トラック書き込み回数）に対応する内周側イレーズ幅Ｅ（＋）及当該目標トラックにディスク１１の内周側で隣接するトラックの書き込み回数に対応する外周側イレーズ幅Ｅ（−）を取得する。
【００４３】
リードオフセット設定モジュール１５６は、取得された内周側イレーズ幅Ｅ（＋）及び外周側イレーズ幅Ｅ（−）に基づいて、ヘッド１２が位置付けられるべき目標トラック上の位置（リード位置）の当該目標トラックの中心線からのオフセット量を、リードオフセット値として設定する。
【００４４】
サーボ制御器１５７は、ヘッド１２を最適リード位置に位置付けるリード位置決め制御系１５８の主要素である。サーボ制御器１５７は、ヘッド１２（より詳細には、ヘッド１２のヘッド素子ＲＥ）の最適リード位置からのずれ（位置誤差）を圧縮するようにＶＣＭ１４２をフィードバック制御する。
【００４５】
一般に、最適リード位置は目標トラックＴ［ｎ］の中心線の位置である。しかし本実施形態では、テーブルアクセスモジュール１５５によって外周側隣接トラックＴ［ｎ−１］の内周側イレーズ幅Ｅ（＋）及び内周側隣接トラックＴ［ｎ＋１］の外周側イレーズ幅Ｅ（−）が取得された場合、図３を参照しての前述の説明からも明らかなように、最適リード位置は、目標トラックＴ［ｎ］の中心線からｘ＝（Ｅ（＋）−Ｅ（−））／２だけずれた位置として決定される。（Ｅ（＋）−Ｅ（−））／２は、ヘッド１２のヘッド素子ＲＥを最適リード位置に位置付けるためのリードオフセット値であり、リードオフセット設定モジュール１５６によって算出される。。
【００４６】
次に、本実施形態の動作について、ホスト２０からＨＤＤ１０に転送されたリードコマンドに応じて、ヘッド１２を目標トラックに位置付ける場合を例に、図１０のフローチャートを参照して説明する。
【００４７】
まず、ホスト２０からＨＤＤ１０にコマンドが転送され、当該転送されたコマンドがＨＤＤ１０のコントローラ１５で受信されたものとする。この受信コマンドが、ヘッド番号ｍ、シリンダ番号ｎで示されるトラックＴ［ｍ，ｎ］（つまり目標トラックＴ［ｍ，ｎ］）からのデータの読み出しを指定するリードコマンドであるものとする。また、ヘッド番号ｍで示されるヘッドがヘッド１２であるものとする。
【００４８】
コントローラ１５のコマンド解析モジュール１５３は、受信されたリードコマンドを解析する（ステップ１０１）。このリードコマンドの解析結果に基づいて、コントローラ１５内では、ヘッド１２のリード素子ＲＥの中央位置を最適リード位置に位置付けるための制御が次のように行われる。以下の説明では、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］にディスク１１の外周側で隣接するトラックを、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］または外周隣接トラックＴ［ｍ，ｎ−１］と表現する。また、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］にディスク１１の内周側で隣接するトラックを、トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］または内周隣接トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］と表現する。
【００４９】
まず、コマンド解析モジュール１５３は、リードコマンドの解析の結果に基づいて、リードされるべき目標トラックＴ［ｍ，ｎ］のヘッド番号ｍ及びシリンダ番号ｎをテーブルアクセスモジュール１５５に通知する（ステップ１０２）。
【００５０】
するとコントローラ１５のテーブルアクセスモジュール１５５は、書き込み回数メモリ１５１を参照することにより、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］及びＴ［ｍ，ｎ＋１］それぞれの書き込み回数Ｎ１及びＮ２を取得する（ステップ１０３）。つまりテーブルアクセスモジュール１５５は、ヘッド番号ｍ及びシリンダ番号ｎ−１に対応付けて、書き込み回数メモリ１５１に格納されている、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］にデータが書き込まれた回数Ｎ［ｍ，ｎ−１］を、当該トラックＴ［ｍ，ｎ−１］の書き込み回数Ｎ１として取得する。またテーブルアクセスモジュール１５５は、ヘッド番号ｍ及びシリンダ番号ｎ＋１に対応付けて、書き込み回数メモリ１５１に格納されている、トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］にデータが書き込まれた回数Ｎ［ｍ，ｎ＋１］を、当該トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］の書き込み回数Ｎ２として取得する。
【００５１】
次にテーブルアクセスモジュール１５５はイレーズ幅テーブル１５２にアクセスすることにより、イレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］及びＥ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］を取得する（ステップ１０４）。つまりテーブルアクセスモジュール１５５は、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］及び書き込み回数Ｎ１に対応付けてイレーズ幅テーブル１５２に格納されている２つのイレーズ幅のうちの内周側イレーズ幅Ｅ（＋）を、イレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］として取得する。またテーブルアクセスモジュール１５５は、トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］及び書き込み回数Ｎ２に対応付けてイレーズ幅テーブル１５２に格納されている２つのイレーズ幅のうちの外周側イレーズ幅Ｅ（−）を、イレーズ幅Ｅ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］として取得する。
【００５２】
このように本実施形態では、イレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］及びＥ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］をイレーズ幅テーブル１５２から直接取得することができる。その理由は、イレーズ幅テーブル１５２に、ディスク１１上の全てのトラック及び書き込み回数の最大値ｑまでの全ての書き込み回数に対応するイレーズ幅Ｅ（＋）及びＥ（−）が登録されているためである。
【００５３】
しかしイレーズ幅テーブル１５２に、予め定められたトラックの予め定められた書き込み回数に対応するイレーズ幅Ｅ（＋）及びＥ（−）のみが登録される構成であっても構わない。例えばイレーズ幅テーブル１５２に、ゾーンＺ0〜Ｚ28(Ｍ＝２９)内の相対位置が同一のトラック（以下、代表トラックと称する）の書き込み回数１，１０，１００及び１０００のそれぞれに対応するイレーズ幅Ｅ（＋）及びＥ（−）のみが登録される構成であっても構わない。このような構成において、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］及び書き込み回数Ｎ１に対応するイレーズ幅（つまり取得されるべきイレーズ幅）、あるいはトラックＴ［ｍ，ｎ＋１］及び書き込み回数Ｎ２に対応するイレーズ幅（つまり取得されるべきイレーズ幅）がイレーズ幅テーブル１５２に登録されていないものとする。この場合、取得されるべきイレーズ幅を、当該イレーズ幅テーブル１５２に基づいて周知の補間法（例えば線形補間法）で補間により決定すればよい。
【００５４】
また、例えば、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］及び書き込み回数Ｎ１にそれぞれ最も近いトラック及び書き込み回数に対応付けてイレーズ幅テーブル１５２に登録されている内周側イレーズ幅Ｅ（＋）を、イレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］として用いてもよい。同様に、トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］及び書き込み回数Ｎ２にそれぞれ最も近いトラック及び書き込み回数に対応付けてイレーズ幅テーブル１５２に登録されている外周側イレーズ幅Ｅ（−）を、イレーズ幅Ｅ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］として用いてもよい。
【００５５】
リードオフセット設定モジュール１５６は、テーブルアクセスモジュール１５５によって取得されたイレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］及びＥ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］に基づいて、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］の最適リード位置にヘッド１２のリード素子ＲＥを位置付ける際のリードオフセット値（最適リードオフセット値）ｘ［ｍ，ｎ］を算出する（ステップ１０５）。より具体的には、リードオフセット設定モジュール１５６は、リードオフセット値ｘ［ｍ，ｎ］を、次式
ｘ［ｍ，ｎ］
＝（Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］−Ｅ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］）／２
に従って算出する。
【００５６】
このことから明らかなように、イレーズ幅テーブル１５２に登録されている、トラック毎の書き込み回数に対応するイレーズ幅Ｅ（＋），Ｅ（−）は、リードオフセット値を決定するためのリードオフセットパラメータ値であるといえる。リードオフセット設定モジュール１５６は、算出されたリードオフセット値ｘ［ｍ，ｎ］を、リード位置決め制御系１５８に設定する（ステップ１０６）。
【００５７】
リード位置決め制御系１５８では、設定されたリードオフセット値ｘ［ｍ，ｎ］が目標トラックＴ［ｍ，ｎ］の中央線の位置（通常の目標位置）に加算され、加算結果の示す位置が、新たな目標位置、つまり最適リード位置として決定される。リード位置決め制御系１５８のサーボ制御器１５７は、この新たな目標位置にヘッド１２のリード素子ＲＥが位置付けられるように、ＶＣＭ１４２を制御する。つまりサーボ制御器１５７は、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］の中央線の位置からリードオフセット値ｘ［ｍ，ｎ］だけずれた最適リード位置にヘッド１２のリード素子ＲＥを位置付けるための位置決め制御を実行する（ステップ１０７）。ここで、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］の中央線の位置を０とするならば、最適リード位置はリードオフセット値ｘ［ｍ，ｎ］に一致する。
【００５８】
このように本実施形態によれば、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］の外周側隣接トラックＴ［ｍ，ｎ−１］の書き込み回数Ｎ１に対応する内周側イレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］と、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］の内周側隣接トラックＴ［ｍ，ｎ＋１］の書き込み回数Ｎ２に対応する外周側イレーズ幅Ｅ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］とに基づいて、リード位置が補正される。つまり、エラーレートが最小となる最適リード位置とのずれが補正され、ヘッド１２のリード素子が当該最適リード位置に位置付けられる。これにより、目標トラックに隣接するトラックへのデータ書き込みの回数の増加に伴う当該隣接トラックのイレーズ領域（イレーズ幅）の広がりに起因して、目標トラックからデータを読み出す場合のエラーレートが高くなるのを防止できる。
【００５９】
この本実施形態の効果について、図１１を参照して説明する。
図１１（ａ）は、ヘッド１２に対応するディスク１１の記録面上のゾーン毎の内周側イレーズ幅を測定した結果を、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００，１０００のそれぞれについて示す。図１１（ｂ）は、ヘッド１２に対応するディスク１１の記録面上のゾーン毎の外周側イレーズ幅を測定した結果を、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００，１０００のそれぞれについて示す。ここでは、ゾーンＺ0〜Ｚ28(Ｍ＝２９)内のそれぞれの代表トラックの内周側イレーズ幅及び外周側イレーズ幅が、当該ゾーンＺ0〜Ｚ28の内周側イレーズ幅及び外周側イレーズ幅として測定される。
【００６０】
また、図１１（ａ）は、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００，１０００のそれぞれについてのゾーン毎の内周側イレーズ幅の測定結果を、それぞれ多項式（例えば２次多項式）で近似した曲線１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ，１１４ａも示す。一方、図１１（ｂ）は、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００，１０００のそれぞれについてのゾーン毎の外周側イレーズ幅測定結果を、それぞれ多項式（例えば２次多項式）で近似した曲線１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂ，１１４ｂも示す。
【００６１】
曲線１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ，１１４ａ，１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂ，１１４ｂは、所定の多項式で近似される。これらの曲線の違いは、多項式の係数（多項式係数）の違いである。図８に示すデータ構造のイレーズ幅テーブル１５２は、図１１（ａ）及び（ｂ）の測定結果（より詳細には、測定結果から取得された曲線）に基づいて設定されたものである。つまり、各ゾーンの代表トラック以外のトラック群の、隣接トラック書き込み回数１，１０，１００，１０００に対応する内周側イレーズ幅及び外周側イレーズ幅は、上述の曲線から決定（推定）される。また、各トラックの隣接トラック書き込み回数１，１０，１００，１０００以外の書き込み回数に対応する内周側イレーズ幅及び外周側イレーズ幅も、上述の曲線から例えば補間により決定される。
【００６２】
曲線１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ，１１４ａ，１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂ，１１は、多項式と、対応する多項式係数とに基づいて特定できる。よって、曲線１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ，１１４ａ，１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂ，１１４ｂにそれぞれ対応する多項式係数を不揮発性メモリに予め格納しておき、イレーズ幅テーブル１５２に代えて、適宜対応する多項式係数を用いるようにしても構わない。つまり、多項式と目的とする隣接トラック書き込み回数に対応する多項式係数とに基づいて、目標トラックの外周側隣接トラック及び内周側隣接トラックの、それぞれ内周側イレーズ幅及び外周側イレーズ幅を計算するようにしてもよい。
【００６３】
曲線１１１ａ，１１２ａ，１１３ａ，１１４ａ，１１１ｂ，１１２ｂ，１１３ｂ，１１４ｂ（にそれぞれ対応する多項式）は、トラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数に依存する。したがってリードオフセット設定モジュール１５６は、トラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数に基づいてリードオフセット値ｘを設定することが可能である。
【００６４】
図１１（ｃ）は、図５との比較のために、上述のようにして設定されたイレーズ幅テーブル１５２に基づいて決定される、隣接トラック書き込み回数が１，１０，１００，１０００のそれぞれについてのゾーン毎の最適リード位置（＝リードオフセット値）ｘを表す曲線の例を示す。ここで、例えばディスク１１の外周部に位置するゾーンＺ0（＃０）内の目標トラックＴ［ｎ］からデータを読み出すものとする。このとき、隣接トラックＴ［ｎ−１］及びＴ［ｎ＋１］へのデータの書き込み回数が１０００であるものとすると、図１１（ｃ）に示す最適リード位置はほぼ４ｎｍである。この値は、図４（ａ）のＶＭＭが最小となる最適点（リード位置）の、目標トラックＴ［ｎ］の中心線からのずれ（４．８ｎｍ程度）を十分補償可能である。
【００６５】
つまり本実施形態によれば、目標トラックが属するゾーンに対応する最適リード位置（リードオフセット値）ｘに基づいて、ヘッド１２のリード素子ＲＥの位置決めを制御することにより、当該目標トラックからデータを読み出す際のエラーレートを低減することができる。また、仮にリードエラーが発生しても、リード位置を例えば一定オフセット量ずつずらしながらリード位置の最適点を検索するための動作（つまりオフセット検索）を繰り返すリードリトライにおける、当該繰り返しの回数を減らすことができる。その理由は、オフセット探索の開始位置が最適点に近くなるためである。これによりＨＤＤ１０のパフォーマンスを向上させることができる。
【００６６】
［第１の変形例］
次に上記実施形態の第１の変形例について、図６を援用して説明する。
上記実施形態では、書き込み回数メモリ１５１は、トラック毎（ヘッド毎で且つシリンダ毎）の書き込み回数を格納する。これに対して第１の変形例では、書き込み回数メモリ１５１は、ゾーン毎（より詳細には、ヘッド毎で且つゾーン毎）の書き込み回数を格納する。ゾーン毎の書き込み回数は、対応するゾーンに属する全てのトラックの書き込み回数の総和である。一方、イレーズ幅テーブル１５２は、ゾーン毎（ヘッド毎、ゾーン毎）で且つ書き込み回数毎のイレーズ幅Ｅ（＋），Ｅ（−）を予め登録する。
【００６７】
この場合、テーブルアクセスモジュール１５５は、目標トラックにディスク１１の外周側で隣接する外周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数及び当該目標トラックにディスク１１の内周側で隣接する内周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数を書き込み回数メモリ１５１から取得する。またテーブルアクセスモジュール１５５は、取得された外周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数及び内周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数にそれぞれ対応するイレーズ幅Ｅ（＋）及びＥ（−）をイレーズ幅テーブル１５２から取得する。第１の変形例は、各ゾーンにおいて、当該ゾーン内のそれぞれのトラックへのデータ書き込みが一様に行われる場合に適している。第１の変形例によれば、書き込み回数メモリ１５１及びイレーズ幅テーブル１５２に必要な記憶容量を低減できる。
【００６８】
［第２の変形例］
次に上記実施形態の第２の変形例について、図６を援用して説明する。
第２の変形例において、書き込み回数メモリ１５１は、トラック毎（ヘッド毎、シリンダ毎）で且つセクタ毎の書き込み回数を格納する。この場合、目標トラックがトラックＴ［ｍ，ｎ］であるものとすると、テーブルアクセスモジュール１５５は、当該トラックＴ［ｍ，ｎ］内の目標セクタ（データが読み出されるべきセクタ）に隣接する、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］内の第１のセクタ及びトラックＴ［ｍ，ｎ＋１］内の第２のセクタのそれぞれの書き込み回数Ｎ１及びＮ２を書き込み回数メモリ１５１から取得する。
【００６９】
次にテーブルアクセスモジュール１５５は、取得されたトラックＴ［ｍ，ｎ−１］内の第１のセクタの書き込み回数Ｎ１及びトラックＴ［ｍ，ｎ＋１］内の第２のセクタの書き込み回数Ｎ２を、トラックＴ［ｍ，ｎ−１］の書き込み回数Ｎ１及びトラックＴ［ｍ，ｎ＋１］の書き込み回数Ｎ２として用いる。これによりテーブルアクセスモジュール１５５は、上記実施形態と同様に、イレーズ幅テーブル１５２からイレーズ幅Ｅ（＋）［ｍ，ｎ−１，Ｎ１］及びＥ（−）［ｍ，ｎ＋１，Ｎ２］を取得する。以降の動作は上記実施形態と同様であり、目標トラックＴ［ｍ，ｎ］内の目標セクタからデータを読み出す場合のエラーレートを効率的に低減できる。第２の変形例は、トラック内のそれぞれのセクタの間で、書き込み回数が著しく異なる場合に適している。
【００７０】
以上説明した少なくとも１つの実施形態によれば、書き込み回数増加に起因する読み出しエラーレートの悪化またはリードリトライの発生回数の増加を防止できる、データリードのためのヘッド位置決めにオフセットを用いる磁気ディスク装置及びヘッド位置決め方法を提供することができる。
【００７１】
本発明のいくつかの実施形態を説明したが、これらの実施形態は、例として提示したものであり、発明の範囲を限定することは意図していない。これら新規な実施形態は、その他の様々な形態で実施されることが可能であり、発明の要旨を逸脱しない範囲で、種々の省略、置き換え、変更を行うことができる。これら実施形態やその変形は、発明の範囲や要旨に含まれるとともに、特許請求の範囲に記載された発明とその均等の範囲に含まれる。
【符号の説明】
【００７２】
１０…ＨＤＤ（磁気ディスク装置）、１１…ディスク、１２…ヘッド、１４…アクチュエータ、１５…コントローラ、２０…ホスト、１４２…ＶＣＭ（ボイスコイルモータ）、１５１…書き込み回数メモリ、１５２…イレーズ幅テーブル、１５３…コマンド解析モジュール、１５４…更新モジュール、１５５…テーブルアクセスモジュール、１５６…リードオフセット設定モジュール、１５７…サーボ制御器、１５８…リード位置決め制御系。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ディスク上のトラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数を格納する書き込み回数記憶手段と、
データリードのためにヘッドが目標トラックに位置付けられる際に、前記書き込み回数記憶手段に格納されている前記目標トラックの隣接トラックまたは前記隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に応じて、前記ヘッドが位置付けられるべきリード位置の前記目標トラック内の所定位置からのオフセット量を設定するリードオフセット設定手段と、
前記設定されたオフセット量だけ前記所定位置からずれた位置に前記ヘッドを位置付ける制御手段と
を具備する磁気ディスク装置。
【請求項２】
トラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数に対応し、前記オフセット量の決定に用いられるリードオフセットパラメータ値が予め登録されたテーブルと、
前記テーブルにアクセスすることにより、前記目標トラックの隣接トラックまたは前記隣接トラックが属するゾーンの前記書き込み回数に対応するリードオフセットパラメータ値を取得するテーブルアクセス手段とを更に具備し、
前記リードオフセット設定手段は、前記取得されたリードオフセットパラメータ値に基づいて、前記オフセット量を設定する
請求項１記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記トラック毎あるいは前記ゾーン毎の書き込み回数に対応するイレーズ幅の測定結果が前記リードオフセットパラメータ値として前記テーブルに登録されている請求項２記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記イレーズ幅の測定結果は、対応するトラック内あるいは対応するゾーンに属する各トラック内の前記所定位置を基準とする前記ディスクの内周方向の第１のイレーズ幅Ｅ（＋）と、前記ディスクの外周方向の第２のイレーズ幅Ｅ（−）とを含み、
前記テーブルアクセス手段は、前記リードオフセットパラメータ値として、前記目標トラックに前記ディスクの外周側で隣接する外周隣接トラックまたは前記外周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に対応する第１のイレーズ幅Ｅ（＋）、及び前記目標トラックに前記ディスクの内周側で隣接する内周隣接トラックまたは前記内周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に対応する第２のイレーズ幅Ｅ（−）を前記テーブルに基づいて取得し、
前記リードオフセット設定手段は、前記取得された第１のイレーズ幅Ｅ（＋）及び第２のイレーズ幅Ｅ（−）に基づいて前記オフセット量を設定する
請求項３記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記リードオフセット設定手段は、（Ｅ（＋）−Ｅ（−））／２の計算により前記オフセット量を算出する
請求項４記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記テーブルアクセス手段は、前記外周隣接トラックまたは前記外周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に対応する前記第１のイレーズ幅Ｅ（＋）、あるいは前記内周隣接トラックまたは前記内周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に対応する第２のイレーズ幅Ｅ（−）が前記テーブルに登録されていない場合、前記第１のイレーズ幅Ｅ（＋）あるいは前記第２のイレーズ幅Ｅ（−）を前記テーブルに基づいて補間する請求項５記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
前記テーブルアクセス手段は、前記外周隣接トラックまたは前記外周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に対応する前記第１のイレーズ幅Ｅ（＋）が前記テーブルに登録されていない場合、前記外周隣接トラックまたは前記外周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に最も近い第１のトラックまたは第１のゾーンに対応するイレーズ幅Ｅ（＋）を前記テーブルから前記第１のイレーズ幅Ｅ（＋）として取得し、前記内周隣接トラックまたは前記内周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に対応する第２のイレーズ幅Ｅ（−）が前記テーブルに登録されていない場合、前記内周隣接トラックまたは前記内周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に最も近い第２のトラックまたは第２のゾーンに対応するイレーズ幅Ｅ（−）を前記テーブルから前記第２のイレーズ幅Ｅ（−）として取得する請求項５記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】
トラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数を格納する書き込み回数記憶手段を備えた磁気ディスク装置におけるヘッド位置決め方法であって、
データリードのためにヘッドが目標トラックに位置付けられる際に、前記書き込み回数記憶手段に格納されている前記目標トラックの隣接トラックまたは前記隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数を取得し、
前記隣接トラックまたは前記隣接トラックが属するゾーンの前記取得された書き込み回数に応じて、前記ヘッドが位置付けられるべきリード位置の前記目標トラック内の所定位置からのオフセット量を設定し、
前記設定されたオフセット量だけ前記所定位置からずれた位置に前記ヘッドを位置付ける
ヘッド位置決め方法。
【請求項１】
ディスク上のトラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数を格納する書き込み回数記憶手段と、
データリードのためにヘッドが目標トラックに位置付けられる際に、前記書き込み回数記憶手段に格納されている前記目標トラックの隣接トラックまたは前記隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に応じて、前記ヘッドが位置付けられるべきリード位置の前記目標トラック内の所定位置からのオフセット量を設定するリードオフセット設定手段と、
前記設定されたオフセット量だけ前記所定位置からずれた位置に前記ヘッドを位置付ける制御手段と
を具備する磁気ディスク装置。
【請求項２】
トラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数に対応し、前記オフセット量の決定に用いられるリードオフセットパラメータ値が予め登録されたテーブルと、
前記テーブルにアクセスすることにより、前記目標トラックの隣接トラックまたは前記隣接トラックが属するゾーンの前記書き込み回数に対応するリードオフセットパラメータ値を取得するテーブルアクセス手段とを更に具備し、
前記リードオフセット設定手段は、前記取得されたリードオフセットパラメータ値に基づいて、前記オフセット量を設定する
請求項１記載の磁気ディスク装置。
【請求項３】
前記トラック毎あるいは前記ゾーン毎の書き込み回数に対応するイレーズ幅の測定結果が前記リードオフセットパラメータ値として前記テーブルに登録されている請求項２記載の磁気ディスク装置。
【請求項４】
前記イレーズ幅の測定結果は、対応するトラック内あるいは対応するゾーンに属する各トラック内の前記所定位置を基準とする前記ディスクの内周方向の第１のイレーズ幅Ｅ（＋）と、前記ディスクの外周方向の第２のイレーズ幅Ｅ（−）とを含み、
前記テーブルアクセス手段は、前記リードオフセットパラメータ値として、前記目標トラックに前記ディスクの外周側で隣接する外周隣接トラックまたは前記外周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に対応する第１のイレーズ幅Ｅ（＋）、及び前記目標トラックに前記ディスクの内周側で隣接する内周隣接トラックまたは前記内周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に対応する第２のイレーズ幅Ｅ（−）を前記テーブルに基づいて取得し、
前記リードオフセット設定手段は、前記取得された第１のイレーズ幅Ｅ（＋）及び第２のイレーズ幅Ｅ（−）に基づいて前記オフセット量を設定する
請求項３記載の磁気ディスク装置。
【請求項５】
前記リードオフセット設定手段は、（Ｅ（＋）−Ｅ（−））／２の計算により前記オフセット量を算出する
請求項４記載の磁気ディスク装置。
【請求項６】
前記テーブルアクセス手段は、前記外周隣接トラックまたは前記外周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に対応する前記第１のイレーズ幅Ｅ（＋）、あるいは前記内周隣接トラックまたは前記内周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に対応する第２のイレーズ幅Ｅ（−）が前記テーブルに登録されていない場合、前記第１のイレーズ幅Ｅ（＋）あるいは前記第２のイレーズ幅Ｅ（−）を前記テーブルに基づいて補間する請求項５記載の磁気ディスク装置。
【請求項７】
前記テーブルアクセス手段は、前記外周隣接トラックまたは前記外周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に対応する前記第１のイレーズ幅Ｅ（＋）が前記テーブルに登録されていない場合、前記外周隣接トラックまたは前記外周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に最も近い第１のトラックまたは第１のゾーンに対応するイレーズ幅Ｅ（＋）を前記テーブルから前記第１のイレーズ幅Ｅ（＋）として取得し、前記内周隣接トラックまたは前記内周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に対応する第２のイレーズ幅Ｅ（−）が前記テーブルに登録されていない場合、前記内周隣接トラックまたは前記内周隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数に最も近い第２のトラックまたは第２のゾーンに対応するイレーズ幅Ｅ（−）を前記テーブルから前記第２のイレーズ幅Ｅ（−）として取得する請求項５記載の磁気ディスク装置。
【請求項８】
トラック毎あるいはゾーン毎の書き込み回数を格納する書き込み回数記憶手段を備えた磁気ディスク装置におけるヘッド位置決め方法であって、
データリードのためにヘッドが目標トラックに位置付けられる際に、前記書き込み回数記憶手段に格納されている前記目標トラックの隣接トラックまたは前記隣接トラックが属するゾーンの書き込み回数を取得し、
前記隣接トラックまたは前記隣接トラックが属するゾーンの前記取得された書き込み回数に応じて、前記ヘッドが位置付けられるべきリード位置の前記目標トラック内の所定位置からのオフセット量を設定し、
前記設定されたオフセット量だけ前記所定位置からずれた位置に前記ヘッドを位置付ける
ヘッド位置決め方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【公開番号】特開２０１２−７９３８７（Ｐ２０１２−７９３８７Ａ）
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１０−２２５９４０（Ｐ２０１０−２２５９４０）
【出願日】平成２２年１０月５日（２０１０．１０．５）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年４月１９日（２０１２．４．１９）
【国際特許分類】
【出願日】平成２２年１０月５日（２０１０．１０．５）
【出願人】（０００００３０７８）株式会社東芝 (54,554)
【Ｆターム（参考）】
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