トランジスタ、表示装置および電子機器
【課題】良好な歩留りで製造可能なトランジスタ、表示装置および電子機器を提供する
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。
【解決手段】ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と、を備えたトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、半導体層に有機半導体材料を用いる場合に好適なトランジスタ、表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:ＴＦＴ）は、表示装置等の多くの電子機器の駆動素子として用いられている。このようなＴＦＴは、基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層およびソース・ドレイン電極が設けられたものである。このＴＦＴの半導体層には無機材料あるいは有機材料が用いられている。有機材料からなる半導体層（有機半導体層）はコストおよびフレキシブル性の点等で期待され、開発が進められている（例えば、非特許文献１，２）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】APPLIED PHYSICS LETTERS 2005,87,193508
【非特許文献２】APPLIED PHYSICS LETTERS 2009,94,055304
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような有機半導体層を用いたＴＦＴでは、製造欠陥を少なくして、より効率良く製造することが望まれる。
【０００５】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高い歩留まりで製造することができるトランジスタ、表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術によるトランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極に対向する半導体層と、半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、一対のソース・ドレイン電極それぞれと半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面がソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えたものである。本技術の表示装置は、駆動素子として上記トランジスタを有するものであり、本技術の電子機器は、本技術の表示装置を備えたものである。
【０００７】
本技術のトランジスタ、表示装置または電子機器では、コンタクト層の端面がソース・ドレイン電極に覆われているので、ソース・ドレイン電極の形成工程以降の製造工程でコンタクト層が保護される。
【発明の効果】
【０００８】
本技術のトランジスタ、表示装置および電子機器によれば、コンタクト層の端面をソース・ドレイン電極で覆うようにしたので、製造工程でのコンタクト層の損傷を防ぐことができる。よって、コンタクト層の損傷に起因した製造不良を抑え、歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係るトランジスタの構造を表す断面図である。
【図２】図１に示したトランジスタの製造方法を工程順に表す断面図である。
【図３】図２に続く工程を表す断面図である。
【図４】比較例に係るトランジスタの構成を表す断面図である。
【図５】変形例１に係るトランジスタの構造を表す断面図である。
【図６】図５に示したトランジスタの製造方法を工程順に表す断面図である。
【図７】本開示の第２の実施の形態に係るトランジスタの構造を表す断面図である。
【図８】変形例２に係るトランジスタの構造を表す断面図である。
【図９】適用例１に係る表示装置の回路構成を表す図である。
【図１０】図２に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。
【図１１】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１２】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１３】（Ａ）は適用例４の表側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１４】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図１５】適用例６の外観を表す斜視図である。
【図１６】（Ａ）は適用例７の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図１７】他の変形例に係るトランジスタ構造を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明
は以下の順序で行う。
１. 第１の実施の形態（コンタクト層が連続状態である例）
２. 変形例１（コンタクト層が不連続状態である例）
３. 第２の実施の形態（コンタクト層が連続状態で延在している例）
４. 変形例２（コンタクト層が不連続状態で延在している例）
【００１１】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本開示の第１の実施の形態に係るトランジスタ（トランジスタ１）の断面構成を表したものである。トランジスタ１は、半導体層に有機半導体材料を用いた電界効果型のトランジスタ、即ち有機ＴＦＴであり、液晶，有機ＥＬおよび電気泳動型の表示体を用いたディスプレイの駆動素子として用いられるものである。このトランジスタ１は、所謂トップコンタクト・ボトムゲート型構造のＴＦＴであり、基板１１上にゲート電極１２、ゲート絶縁層１３（絶縁層）、有機半導体層１４（半導体層）、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂおよびソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂをこの順に有している。
【００１２】
基板１１はゲート電極１２等を支持するものであり、その表面（ゲート電極１２側の面）は絶縁性を有している。基板１１は、例えば、ＰＥＳ（ポリエーテルスルフォン），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート），ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＣ（ポリカーボネート）あるいはＰＩ（ポリイミド）等のプラスチック基板により構成されている。基板１１にはステンレス（ＳＵＳ）等の金属箔の表面を樹脂でラミネートしたものを用いてもよく、あるいは、ガラス基板を使用するようにしてもよい。高いフレキシブル性（屈曲性）を得るためには、プラスチック基板あるいは金属箔を用いることが好ましい。
【００１３】
ゲート電極１２は、トランジスタ１にゲート電圧を印加し、このゲート電圧により有機半導体層１４中のキャリア密度を制御する役割を有するものである。ゲート電極１２は基板１１上の選択的な領域に設けられ、例えば金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），白金（Ｐｔ）またはニッケル（Ｎｉ）等の金属単体あるいはこれらの合金により構成されている。ゲート電極１２はチタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）を含む積層体にしてもよい。このような積層構造により、基板１１あるいは加工用のレジストとの密着性を向上させることができる。ゲート電極１２には、この他の無機導電材料、または有機導電材料、更には炭素材料を使用してもよい。
【００１４】
ゲート絶縁層１３は、ゲート電極１２とソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに電気的に接続された有機半導体層１４とを絶縁するため、ゲート電極１１と有機半導体層１４との間に設けられている。このゲート絶縁層１３は、例えば、ＰＶＰ（ポリビニルフェノール），ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート），ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）またはＰＩなどの有機絶縁膜により構成されている。ゲート絶縁層１３には、酸化シリコン（ＳｉＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等の無機絶縁膜を用いるようにしてもよい。
【００１５】
有機半導体層１４はゲート絶縁層１３上にゲート電極１２に対向して島状に設けられ、ゲート電圧の印加によりチャネルを形成するものである。有機半導体層１４はｐ型の有機半導体材料およびｎ型の有機半導体材料のどちらにより構成してもよい。ｐ型の有機半導体材料としては、例えば、ペンタセン，アントラセン，フタロシアニン，ポルフィリン，チオフェン系ポリマーあるいはこれらの誘導体等を用いることができる。ｎ型の有機半導体材料としては、例えば、フラーレン，パーフルオロペンタセン，ポリ（ベンゾビスイミダゾベンゾフェナントロリン）あるいはこれらの誘導体等を用いることができる。
【００１６】
コンタクト層１５Ａ，１５Ｂ（第１コンタクト層，第２コンタクト層）は互いに対向し、かつ、離間して有機半導体層１４上に設けられている。このコンタクト層１５Ａ，１５Ｂは、有機半導体層１４とソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂとの間、即ちキャリア移動経路に設けられ、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂと有機半導体層１４との間の接触抵抗を抑えるものである。
【００１７】
本実施の形態では、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂそれぞれの端面１５Ａ1，１５Ｂ1（コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの互いの対向端面と反対側の面）がソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われている。これにより、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの形成工程以降の工程でコンタクト層１５Ａ，１５Ｂが保護される。また、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの互いの対向端面（対向面１５Ａ2，１５Ｂ2）もソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われているため、より確実にコンタクト層１５Ａ，１５Ｂを保護することができる。
【００１８】
このコンタクト層１５Ａ，１５Ｂはそれぞれ、互いの対向面１５Ａ2，１５Ｂ2から端面１５Ａ1，１５Ｂ1までが、連続した状態の膜である。コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ｂ1は、有機半導体層１４の端面と略一致しており、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂは有機半導体層１４上のみに設けられている。
【００１９】
コンタクト層１５Ａ，１５Ｂは、例えば酸化物，ハロゲン化物，硫化物，炭酸塩,有機分子や錯体あるいは導電性ポリマー等の種々の材料により構成され、有機半導体層１４の導電型やＨＯＭＯレベルに合わせて選択される。有機半導体層１４を例えばｐ型の有機半導体材料により構成した場合、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂには、ＭｏＯ3，ＲｅＯ3，Ｖ2Ｏ5，ＷＯ3，ＴｉＯ2，ＡｕＯ，Ａｌ2Ｏ3またはＣｕＯ等の金属酸化物、ＳＯ3等の酸化物、ＣｕＩ，ＳｂＣｌ5，ＳｂＦ5，ＦｅＣｌ3，ＬｉＦ，ＢａＦ2，ＣａＦ2またはＭｇＦ2等の金属ハロゲン化物、Ｃｕ2Ｓ等の金属硫化物、ＡｓＦ5，ＢＦ3，ＢＣｌ3，ＢＢｒ3あるいはＰＦ5等のハロゲン化物、ＣａＣＯ3，ＢａＣＯ3あるいはＬｉＣＯ3等の金属炭酸塩、２,３,５,６-テトラシアノ-(ｐ-シアニル)、２,３-ジブロモ-５,６-ジシアノ-ｐ-ベンゾキノン、２,３-ジクロロ-５,６-ジシアノ-ｐ-ベンゾキノン、２,３-ジヨード-５,６-ジシアノ-ｐ-ベンゾキノン、２,３-ジシアノ-ｐ-ベンゾキノン、ｐ-ブロマニル、ｐ-クロラニル、ｐ-ヨーデニル、ｐ-フロラニル、２,５-ジクロロ-ｐ-ベンゾキノン、２,６-ジクロロ-ｐ-ベンゾキノン、クロラニル酸、ブロマニル酸、２,５-ジヒドリキシ-ｐ-ベンゾキノン、２,５-ジクロロ-３,６-ジメチル-ｐ-ベンゾキノン、２,５-ジブロモ-３,６-ジメチル-ｐ-ベンゾキノン、ＢＴＤＡＱ、ｐ-ベンゾキノン、２,５-ジメチル-ｐ-ベンゾキノン、２,６-ジメチル-ｐ-ベンゾキノン、ジュロ-(テトラメチル)、ｏ-ベンゾキノン類、ｏ-ブロマニル、ｏ-クロラニル、１,４-ナフトキノン類、２,３-ジシアノ-５-ニトロ-１,４-ナフトキノン、２,３-ジシアノ-１,４-ナフトキノン、２,３-ジクロロ-５-ニトロ-１,４-ナフトキノン、２,３-ジクロロ-１,４-ナフトキノンあるいは１,４-ナフトキノン等のｐ-ベンゾキノン類、３,３'５,５'-テトラブロモ-ジフェノキノン、３,３'５,５'-テトラクロロ-ジフェノキノンあるいはジフェノキノン等のジフェノキノン類、tetracyano-quinodimethane(ＴＣＮＱ)、Tetrafluoro-tetracyano-quinodimethane(Ｆ４-ＴＣＮＱ)、トリフルオロメチル-ＴＣＮＱ、２,５-ジフルオロ−ＴＣＮＱ、モノフルオロ−ＴＣＮＱ、ＴＮＡＰ、デシル−ＴＣＮＱ、メチル‐ＴＣＮＱ、ジヒドロバレレノ‐ＴＣＮＱ，テトラヒドロバレレノ-ＴＣＮＱ、ジメチル‐ＴＣＮＱ、ジエチル‐ＴＣＮＱ、ベンゾ‐ＴＣＮＱ、ジメトキシ‐ＴＣＮＱ、ＢＴＤＡ‐ＴＣＮＱ、ジエトキシ‐ＴＣＮＱ、テトラメチル‐ＴＣＮＱ、テトラシアノアントラキノジメタン、ポリニトロ化合物、テトラニトロビフェノール、ジニトロビフェニル、ピクリン酸、トリニトロベンゼン、２,６-ジニトロフェノールあるいは２,４-ジニトロフェノール等のＴＣＮＱ類および類縁体、９-ジシアノメチレン-２,４,５,７-テトラニトロ-フルオレン、９-ジシアノメチレン-２,４,７-トリニトロ-フルオレン、２,４,５,７-テトラニトロ-フルオレノンあるいは２,４,７-トリニトロ-フルオレノン等のフルオレン類、(ＴＢＡ)２ＨＣＴＭＭ、(ＴＢＡ)２ＨＣＤＡＨＤ、Ｋ・ＣＦ、ＴＢＡ・ＰＣＡ、ＴＢＡ・ＭｅＯＴＣＡ、ＴＢＡ・ＥｔＯＴＣＡ、ＴＢＡ・ＰｒＯＴＣＡ、(ＴＢＡ)２ＨＣＰ、ヘキサシアノブタジエンテトラシアノエチレンあるいは１,２,４,５-テトラシアノベンゼン等のベンゾシアノ類および類縁体、 (ＴＰＰ)2Ｐｄ(ｄｔｏ)2、(ＴＰＰ)2Ｐｔ (ｄｔｏ)2、（ＴＰＰ）2Ｎｉ（ｄｔｏ）2、（ＴＰＰ）2Ｃｕ（ｄｔｏ）2あるいは（ＴＢＡ）2Ｃｕ（ｏｘ）2等の遷移金属錯体類、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳあるいはポリアニリン等の導電性ポリマー等を用いることができる。
【００２０】
有機半導体層１４を例えばｎ型の有機半導体材料により構成した場合、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂには、ＬｉまたはＣｓ等の金属、Ｃｓ2ＣＯ3またはＲｂ2ＣＯ3等の金属炭酸塩、テトラセン、ペリレン、アントラセン、コロネン、ペンタセン、クリセン、フェナントレン、ナフタレン、p-ジメトキシベンゼン、ルブレンあるいはヘキサメトキシトリフェニレン等の芳香族炭化水素および類縁体、ＨＭＴＴＦ、ＯＭＴＴＦ、ＴＭＴＴＦ、ＢＥＤＯ−ＴＴＦ、ＴＴｅＣｎ−ＴＴＦ、ＴＭＴＳＦ、ＥＤＯ−ＴＴＦ、ＨＭＴＳＦ、ＴＴＦ、ＥＯＥＴ−ＴＴＦ、ＥＤＴ−ＴＴＦ、（ＥＤＯ）２ＤＢＴＴＦ、ＴＳＣｎ−ＴＴＦ、ＨＭＴＴｅＦ、ＢＥＤＴ−ＴＴＦ、ＣｎＴＥＴ−ＴＴＦ、ＴＴＣｎ−ＴＴＦ、ＴＳＦあるいはＤＢＴＴＦ等のＴＴＦ類および類縁体、テトラチオテトラセン、テトラセレノテトラセンあるいはテトラテルロテトラセン等のＴＴＴ類、ジベンソ[c,d]-フェチノアジン、ベンゾ[c]-フェノチアジン、フェノチアジン、Ｎ-メチル-フェノチアジン、ジベンソ[c,d]-フェノセレナジン、Ｎ,Ｎ-ジメチルフェナジンあるいはフェナジン等のアジン類、Ｎ,Ｎ-ジエチル-ｍ-トルイジン、Ｎ,Ｎ-ジエチルアニリン、Ｎ-エチル-ｏ-トルイジン、ジフェニルアミン、スカトール、インドール、Ｎ,Ｎ-ジメチル-ｏ-トルイジン、ｏ-トルイジン、ｍ-トルイジン、アニリン、ｏ-クロロアニリン、ｏ-ブロモアニリンあるいはｐ-ニトロアニリン等のモノアミン類、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-テトラメチル-ｐ-フェニレンジアミン、２,３,５,６-テトラメチル-（ジュレンジアミン）、ｐ-フェニルジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-テトラメチルベンジジン、３,３',５,５'-テトラメチルベンジジン、３,３'-ジメチルベンジジン、３,３'-ジメトキシベンジジン、ベンジジン、３,３'-ジブロモ-５,５'-ジメチルベンジジン、３,３'-ジクロロ-５,５'-ジメチルベンジジンあるいは１,６-ジアミノピレン等のジアミン類、その他、４,４',４''-tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)-triphenylamine：(ｍ−ＭＴＤＡＴＡ)、４,４',４''-tris(Ｎ-(２-Naphtyl)-Ｎ-phenylamino)-triphenylamine：(２ＴＮＡＴＡ)、α-ＮＤＰ、銅フタロシアニン、１,４,６,８-テトラキスジメチルアミノピレン、１,６-ジチオピレン、デカメチルフェロセンあるいはフェロセン等を用いることができる。
【００２１】
上記のような構成材料からなるコンタクト層１５Ａ，１５Ｂは、例えば、数ｎｍ〜３０ｎｍ程度の厚みを有している。このようにコンタクト層１５Ａ，１５Ｂを薄く設けることにより、縦方向（厚み方向）の抵抗を抑えることができる。
【００２２】
ソース・ドレイン電極１６Ａはコンタクト層１５Ａを介し、ソース・ドレイン電極１６Ｂはコンタクト層１５Ｂを介してそれぞれ有機半導体層１４に電気的に接続されている。ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂそれぞれの端部（ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの互いの対向部と反対側）は、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ａ2および有機半導体層１４の端面を介して、ゲート絶縁層１３に接し、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの互いの対向部は、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの互いの対向面１５Ａ2，１５Ｂ2を介して有機半導体層１４に接している。即ち、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂはゲート絶縁層１３および有機半導体層１４に直接接する領域を有し、これによりソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離を抑えることができる。また、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂが、有機半導体層１４上のみに設けられているため、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂがゲート絶縁層１３に直接接する面積が広くなり、有機半導体層１４の周囲の領域でのソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの配線剥がれを防ぐことができる。
【００２３】
ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、例えば金，アルミニウム，銀，銅，白金，ニッケルあるいはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の金属単体あるいはこれらの合金により構成されている。ゲート電極１２と同様に、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂにもチタンやクロムを上層または下層に積層させるようにしてもよい。このような積層構造により、基板１１、加工用のレジストあるいはコンタクト層１５Ａ，１５Ｂとの密着性を向上させることができる。ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは導電性微粒子を含む導電性インクをパターン化したものにより構成するようにしてもよい。
【００２４】
このトランジスタ１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２５】
まず、図２（Ａ）に表したように、基板１１上にゲート電極１２を形成した後、このゲート電極１２を覆うゲート絶縁層１３を形成する。具体的には、まず、基板１１上の全面に、上述したゲート電極１２の導電膜を例えば蒸着法またはスパッタ法等により成膜した後、この導電膜上に例えばフォトリソグラフィ法を用いてフォトレジストをパターン形成する。次いで、このパターン形成したフォトレジストをマスクとして導電膜にエッチングを施しパターニングする。これにより、ゲート電極１２が形成される。ゲート電極１２は、この他、スクリーン印刷、グラビア印刷あるいはインクジェット印刷などの印刷法により形成するようにしてもよい。次いで、例えばスピンコート法、スクリーン印刷、グラビア印刷あるいはインクジェット印刷等の印刷法を含む塗布法を用いて、基板１１上の全面に渡り有機絶縁材料からなるゲート絶縁層１３を形成する。ゲート絶縁層１３を無機絶縁性材料により形成する場合には、例えば蒸着法、スパッタ法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等を用いることが可能である。
【００２６】
ゲート絶縁層１３を形成した後、図２（Ｂ）に表したように、ゲート絶縁層１３上のゲート電極１２と対向する位置に有機半導体層１４を形成する。有機半導体層１４は、例えば、マスクを用いたパターン蒸着法あるいは印刷法等によりパターン化された状態で直接形成することができる。あるいは、有機半導体層１４の構成材料からなる膜を基板１１（ゲート絶縁膜１３上）の全面に成膜した後、例えばレーザアブレーション法等によりパターン化するようにしてもよい。この他、有機半導体層１４をリフトオフ法により形成することも可能である。素子分離が不要な場合は、有機半導体層１４が基板１１の全面に設けられていてもよい。
【００２７】
有機半導体層１４を形成した後、図３（Ａ）に表したように、有機半導体層１４上にコンタクト層１５Ａ，１５Ｂを形成する。コンタクト層１５Ａ，１５Ｂは、例えば、マスクを用いたパターン蒸着法あるいは印刷法を用いて、パターン化された状態で直接形成する。
【００２８】
続いて、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂおよび有機半導体層１４の上面から端面を覆うようにソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂを形成する。ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、図３（Ｂ）に表したように、基板１１（ゲート絶縁層１３上、有機半導体層１４上およびコンタクト層１５Ａ，１５Ｂ上）の全面に金属膜１６Ｍを成膜した後、例えばリソグラフィー工程によりパターン化する。あるいは、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、例えば印刷法によりパターン化した状態で直接形成するようにしてもよい。以上の工程によりトランジスタ１が完成する。
【００２９】
トランジスタ１を集積化する場合には、例えばソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂ上にパッシベーション層、平坦化層および配線等を形成する。ゲート絶縁層１３に接続孔を設けて、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂとゲート絶縁層１３よりも下層の電極（例えば、ゲート電極１２と同層の電極）とを接続するようにしてもよい。
【００３０】
本実施の形態では、上記のようにコンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ａ2がソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われているので、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの形成工程以降の工程でコンタクト層１５Ａ，１５Ｂが保護され、歩留りを向上させることができる。以下、比較例を用いてこれについて説明する。
【００３１】
図４（Ａ）は、比較例に係るトランジスタ１００の断面構成を表したものである。トランジスタ１００は、トランジスタ１と同様にボトムゲート・トップコンタクト構造を有するものである。しかしながら、このトランジスタ１００では、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂそれぞれの端面１１５Ａ1，１１５Ｂ1とソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂそれぞれの端面とが一致しており、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂの端面１１５Ａ1，１１５Ｂ1が露出している。また、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂの互いの対向面１１５Ａ2，１１５Ｂ2とソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの互いの対向面とも一致しており、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂの互いの対向面１１５Ａ2，１１５Ｂ2も露出している。
【００３２】
このようなトランジスタ１００では、図４（Ｂ）に表したように、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの形成時または、その後の工程でコンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂが端面１１５Ａ1，１１５Ｂ1側および対向面１１５Ａ2，１１５Ｂ2側から意図せずにサイドエッチングされ、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離や接触不良が生じる虞がある。この電極剥離や製造不良により、トランジスタ１００の製造の歩留りが低下する。
【００３３】
トップコンタクト型のトランジスタを製造する際には、有機溶剤による有機半導体層の劣化を防ぐため水溶液や水がよく用いられる。しかしながら、コンタクト層の構成材料は水に可溶なものが多く（例えば、ＭｏＯ3，ＷＯ3，Ｖ2Ｏ5，ＦｅＣｌ3あるいはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等）、また、コンタクト層は電気抵抗を抑えるため、その厚みを小さくして設けられている。このため、コンタクト層は例えば、製造時にレジスト剥離工程で使用するアルカリ水溶液や水によりエッチングされやすい。例えば、コンタクト層の構成材料となるＭｏＯ3は、５０ｎｍの厚みであっても３秒程度で純水に溶解する。
【００３４】
トランジスタ１００は、島状の有機半導体層１４を形成した後、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂの材料膜およびソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂとなる金属膜を連続して成膜してこれらを同時にパターニングする。即ち、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂの端面１１５Ａ1，１１５Ｂ1および互いの対向面１１５Ａ2，１１５Ｂ2と、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂそれぞれの端面および互いの対向面とが一致し、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂの端面１１５Ａ1，１１５Ｂ1および対向面１１５Ａ2，１１５Ｂ2が露出される。このため、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの形成時あるいは、その後の工程で使用するアルカリ水溶液や水によりコンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂが意図せずにサイドエッチングされる虞がある。特に、トランジスタ１００の集積化・微細化を行う場合にはコンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂがサイドエッチングされやすくなる。
【００３５】
また、トランジスタ１００ではソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの下面全面にコンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂが設けられ、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは有機半導体層１４、ゲート絶縁層１３それぞれに直接接する領域を有していない。このため、有機半導体層１４とコンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂ、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂとソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂまたはコンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂとゲート絶縁層１３のいずれかの密着性が低いと、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離が生じる虞がある。
【００３６】
これに対し、本実施の形態ではコンタクト層１５Ａ，１５Ｂそれぞれの端面１５Ａ1，１５Ｂ1がソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われているので、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの形成時あるいは、更に上層の例えばパッシベーション層等の形成時に使用する水溶液や水からコンタクト層１５Ａ，１５Ｂが保護される。よって、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂのサイドエッチングによるソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離や接触不良を抑え、製造の歩留りを向上させることができる。また、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ｂ1と共に、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの互いの対向面１５Ａ2，１５Ｂ2もソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われているため、より確実にコンタクト層１５Ａ，１５Ｂのサイドエッチングを防ぐことができる。
【００３７】
更に、トランジスタ１では、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの端部がゲート絶縁層１３に接し、互いの対向部が有機半導体層１４に接しているため、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂと有機半導体層１４、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂとソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂあるいはコンタクト層１５Ａ，１５Ｂとゲート絶縁層１３のいずれかの密着性が低い場合にも、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離を抑えることができる。
【００３８】
加えて、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂが有機半導体層１４上のみに設けられているので、ゲート絶縁層１３とソース・ドレイン電極１６Ａ，１６が直接接する領域が広くなり、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの密着性が低い場合にもソース・ドレイン電極１６Ａ，１６の配線剥がれを防ぐことができる。また、ゲート絶縁層１３に接続孔を設けてソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂとゲート絶縁層１３よりも下層の電極とを接続する際に、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂがこれらの接続を阻害することもない。
【００３９】
本実施の形態のトランジスタ１では、ゲート電極１２に所定の電位が供給されると、有機半導体層１４のチャネルに電界が生じて、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂ間に電流が流れ、いわゆる電界効果トランジスタとして機能する。ここでは、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ｂ1がソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われているので、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂのサイドエッチングを防ぐことができる。
【００４０】
以上のように、本実施の形態では、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ｂ1をソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂにより覆うようにしたので、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂがサイドエッチングから保護され、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離や接触不良を抑えることができる。よって、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂのサイドエッチングに起因した製造不良を防ぎ、歩留りを向上させることができる。また、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ｂ1と共にコンタクト層１５Ａ，１５Ｂの互いの対向面１５Ａ2，１５Ｂ2もソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂにより覆うようにしたので、より確実にコンタクト層１５Ａ，１５Ｂのサイドエッチングを防ぐことができる。
【００４１】
更に、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂそれぞれの端部はゲート絶縁層１３に、互いの対向部は有機半導体層１４に直接接する領域を有するため、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの密着性が低い場合にもソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離を防ぐことができる。
【００４２】
以下、上記実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降、上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００４３】
＜変形例１＞
図５は、上記実施の形態の変形例１に係るトランジスタ（トランジスタ１Ａ）の断面構成を表したものである。このトランジスタ１Ａは、コンタクト層２５Ａ，２５Ｂが不連続状態である点において上記実施の形態のトランジスタ１と異なるものである。その点を除き、トランジスタ１Ａはトランジスタ１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００４４】
コンタクト層２５Ａ，２５Ｂはコンタクト層２５Ａ，２５Ｂの互いの対向面２５Ａ2，２５Ｂ2からコンタクト層２５Ａ，２５Ｂそれぞれの端面２５Ａ1，２５Ｂ1までの間に複数の微小な間隙２５Ｓを有しており、不連続状態で設けられている。換言すれば、コンタクト層２５Ａ，２５Ｂは間隙２５Ｓを間にして粒状に点在している。このため、コンタクト層２５Ａ，２５Ｂの互いの対向面２５Ａ2，２５Ｂ2がソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂにより覆われていない場合にも、対向面２５Ａ2，２５Ｂ2側からの水溶液や水の浸入が間隙２５Ｓで止まる。即ち、キャリア移動経路となるコンタクト層２５Ａ，２５Ｂの部分を保護することができる。間隙２５Ｓの大きさは、例えば、１０〜１００ｎｍである。
【００４５】
このトランジスタ１Ａは、例えば次のようにして製造することができる。
【００４６】
まず、図６（Ａ）に表したように上記トランジスタ１と同様にして、ゲート絶縁層１３までを形成する。次いで、図６（Ｂ）に表したように、ゲート絶縁層１３上に有機半導体層１４、コンタクト層２５Ａ，２５Ｂを形成する。有機半導体層１４およびコンタクト層２５Ａ，２５Ｂは、この順にマスクを用いたパターン蒸着法あるいは印刷法により連続して、直接パターン形成してもよく、あるいは、基板１１の全面に有機半導体層１４の構成材料からなる膜、基板１１の全面に不連続状態のコンタクト層２５Ａ，２５Ｂをこの順に形成した後、レーザアブレーション法等により同時にパターン形成するようにしてもよい。有機半導体層１４およびコンタクト層２５Ａ，２５Ｂはリフトオフ法により形成することも可能である。不連続状態、即ち複数の間隙２５Ｓを有するコンタクト層２５Ａ，２５Ｂは、真空成膜のレートを低く、かつ成膜時間を短くして、連続膜への成長前に真空成膜を終了することにより形成される。パターン蒸着法あるいは印刷法により、直接不連続パターンを形成するようにしてもよい。
【００４７】
コンタクト層２５Ａ，２５Ｂを形成した後、図６（Ｃ）に表したように、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂを形成する。ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、金属膜（例えば、金属膜１６Ｍ）を基板１１の全面に成膜した後、リソグラフィー工程によりパターン化して形成するようにしてもよく、あるいは、印刷法により直接パターンを形成するようにしてもよい。
【００４８】
ソース・ドレイン電極１６Ａとソース・ドレイン電極１６Ｂとの間のコンタクト層２５Ａ，２５Ｂは、オフ電流が十分に取れている場合には残存させておいてもよい（図６（Ｃ））。オフ電流が不十分な場合には、エッチングにより除去する（図５）。このとき、コンタクト層２５Ａ，２５Ｂは間隙２５Ｓを有しているため、エッチング時に使用する水や水溶液の浸入は間隙２５Ｓで止まり、キャリア移動経路となるコンタクト層２５Ａ，２５Ｂの部分（ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂと有機半導体層１４との間のコンタクト層２５Ａ，２５Ｂの部分）まで浸食される虞がない。
【００４９】
＜第２の実施の形態＞
図７（Ａ）は、本技術の第２の実施の形態に係るトランジスタ（トランジスタ２）の断面構成を表したものである。このトランジスタ２は、コンタクト層３５Ａ，３５Ｂが有機半導体層１４の端面を介してゲート絶縁層１３上に延在している点において上記第１の実施の形態のトランジスタ１と異なるものである。その点を除き、トランジスタ２はトランジスタ１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００５０】
コンタクト層３５Ａ，３５Ｂは、連続状態の膜であり、有機半導体層１４の上面からその端面を介してゲート絶縁層１３上に延在している。コンタクト層３５Ａ，３５Ｂは、互いに離間して対向し、その対向面３５Ａ2，３５Ｂ2および端面３５Ａ1，３５Ｂ1がそれぞれソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われている。コンタクト層３５Ａ，３５Ｂは、有機半導体層１４上からゲート絶縁層１３上まで連続していてもよく（図７（（Ａ）））、図７（Ｂ）に表したように、有機半導体層１４によって段切れして有機半導体層１４上とゲート絶縁層１３上との間で分断されていてもよい。
【００５１】
＜変形例２＞
図８は、変形例２に係るトランジスタ（トランジスタ２Ａ）の断面構成を表したものである。このトランジスタ２Ａは、コンタクト層４５Ａ，４５Ｂが不連続状態である点において上記第２の実施の形態のトランジスタ２と異なるものである。その点を除き、トランジスタ２Ａはトランジスタ２と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００５２】
コンタクト層４５Ａ，４５Ｂは、互いに対向面４５Ａ2，４５Ｂ2から端面４５Ａ1，４５Ｂ1までの間に複数の微小な間隙４５Ｓを有しており、有機半導体層１４の上面およびゲート絶縁層１３上に不連続状態で設けられている。コンタクト層４５Ａ，４５Ｂは、互いに離間して対向し、その対向面４５Ａ2，４５Ｂ2および端面４５Ａ1，４５Ｂ1がそれぞれソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われている。コンタクト層４５Ａ，４５Ｂは、不連続状態であるため、コンタクト層４５Ａ，４５Ｂの互いの対向面４５Ａ2，４５Ｂ2がソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂにより覆われていない場合にも、対向面４５Ａ2，４５Ｂ2側からの水溶液や水の浸入が間隙４５Ｓで止まる。不連続状態のコンタクト層４５Ａ，４５Ｂは、上記コンタクト層２５Ａ，２５Ｂと同様にして形成する。オフ電流が十分に取れている場合には、ソース・ドレイン電極１６Ａとソース・ドレイン電極１６Ｂとの間にコンタクト層４５Ａ，４５Ｂが存在していてもよい。
【００５３】
＜適用例１＞
図９は、上記トランジスタ１，１Ａ，２，２Ａのいずれかを駆動素子として備えた表示装置（表示装置９０）の回路構成を表すものである。表示装置９０は、例えば液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイまたは電子ペーパーディスプレイなどであり、駆動パネル９１上の表示領域１１０に、マトリクス状に配設された複数の画素１０と、画素１０を駆動するための各種駆動回路とが形成されたものである。駆動パネル９１上には、駆動回路として、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０と、画素駆動回路１５０とが配設されている。この駆動パネル９１には、図示しない封止パネルが貼り合わせられ、この封止パネルにより画素１０および上記駆動回路が封止されている。
【００５４】
図１０は、画素駆動回路１５０の等価回路図である。画素駆動回路１５０は、上記トランジスタ１，１Ａ，２，２Ａのいずれかとして、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が配設されたアクティブ型の駆動回路である。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間にはキャパシタＣｓが設けられ、第１の電源ライン（Ｖcc）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、画素１０がトランジスタＴｒ１に直列に接続されている。このような画素駆動回路１５０では、列方向に信号線１２０Ａが複数配置され、行方向に走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介してトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介してトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。この表示装置では、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が、上記実施の形態のトランジスタ１，１Ａ，２，２Ａにより構成されているので、このトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の良好なＴＦＴ特性により、高品質な表示が可能となる。このような表示装置９０は、例えば次の適用例２〜７に示した電子機器に搭載することができる。
【００５５】
＜適用例２＞
図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）は、電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０、非表示部２２０および操作部２３０を有している。操作部２３０は、図１１（Ａ）に示したように表示部２１０と同じ面（前面）に形成されていても、図１１（Ｂ）に示したように表示部２１０とは異なる面（上面）に形成されていてもよい。
【００５６】
＜適用例３＞
図１２は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有している。
【００５７】
＜適用例４＞
図１３は、デジタルスチルカメラの外観を表したものである。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有している。
【００５８】
＜適用例５＞
図１４は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有している。
【００５９】
＜適用例６＞
図１５は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。
【００６０】
＜適用例７＞
図１６は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。
【００６１】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、トップコンタクト・ボトムゲート型のトランジスタ１，１Ａ，２，２Ａについて説明したが、図１７に表したように、ボトムコンタクト・ボトムゲート型のトランジスタに適用させることも可能であり、また、トップゲート型の構造を有するものであってもよい。
【００６２】
また、上記実施の形態等では、有機半導体材料を用いて半導体層を構成した場合を例示したが、半導体層は、シリコンや酸化物半導体等の無機材料により構成されていてもよい。
【００６３】
更に、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００６４】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えたトランジスタ。
（２）前記コンタクト層は、前記半導体層と前記一対のソース・ドレイン電極との間に設けられている前記（１）に記載のトランジスタ。
（３）前記コンタクト層は、前記半導体層と前記一対のソース・ドレイン電極との間にそれぞれ配置された、対向する一対の第１コンタクト層および第２コンタクト層により構成され、前記第１コンタクト層および第２コンタクト層の互いの対向面も前記ソース・ドレイン電極に覆われている前記（１）または（２）に記載のトランジスタ。
（４）前記コンタクト層は前記半導体層上に設けられ、前記一対のソース・ドレイン電極は前記絶縁層に接している前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つに記載のトランジスタ。
（５）前記コンタクト層は複数の間隙を有する、不連続状態である前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載のトランジスタ。
（６）前記コンタクト層の不連続状態は、連続状態の膜になる前に真空成膜を終了し
て形成された前記（５）に記載のトランジスタ。
（７）前記コンタクト層は連続状態の膜である前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載のトランジスタ。
（８）前記コンタクト層は、前記半導体層の端面を介して前記半導体層の両側に延在している前記（１）乃至（７）のうちいずれか１つに記載のトランジスタ。
（９）前記半導体層は有機半導体材料を含む前記（１）乃至（８）のうちいずれか１つに記載のトランジスタ。
（１０）複数の画素と前記複数の画素を駆動するためのトランジスタとを備え、前記トランジスタは、ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えた表示装置。
（１１）複数の画素および前記複数の画素を駆動するためのトランジスタを有する表示装置を備え、前記トランジスタは、ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えた電子機器。
【符号の説明】
【００６５】
１，１Ａ，２，２Ａ…トランジスタ、１１…基板、１２…ゲート電極、１３…ゲート絶縁層、１４…有機半導体層、１５Ａ，１５Ｂ，２５Ａ，２５Ｂ，３５Ａ，３５Ｂ，４５Ａ，４５Ｂ…コンタクト層、１６Ａ，１６Ｂ…ソース・ドレイン電極、９０・・・表示装置、９１・・・駆動パネル、１０・・・画素、１１０・・・表示領域、１２０・・・信号線駆動回路、１３０・・・走査線駆動回路、１５０・・・画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２・・・トランジスタ。
【技術分野】
【０００１】
本技術は、半導体層に有機半導体材料を用いる場合に好適なトランジスタ、表示装置および電子機器に関する。
【背景技術】
【０００２】
薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor:ＴＦＴ）は、表示装置等の多くの電子機器の駆動素子として用いられている。このようなＴＦＴは、基板上にゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層およびソース・ドレイン電極が設けられたものである。このＴＦＴの半導体層には無機材料あるいは有機材料が用いられている。有機材料からなる半導体層（有機半導体層）はコストおよびフレキシブル性の点等で期待され、開発が進められている（例えば、非特許文献１，２）。
【先行技術文献】
【非特許文献】
【０００３】
【非特許文献１】APPLIED PHYSICS LETTERS 2005,87,193508
【非特許文献２】APPLIED PHYSICS LETTERS 2009,94,055304
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００４】
このような有機半導体層を用いたＴＦＴでは、製造欠陥を少なくして、より効率良く製造することが望まれる。
【０００５】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、高い歩留まりで製造することができるトランジスタ、表示装置および電子機器を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００６】
本技術によるトランジスタは、ゲート電極と、ゲート電極に対向する半導体層と、半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、一対のソース・ドレイン電極それぞれと半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面がソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えたものである。本技術の表示装置は、駆動素子として上記トランジスタを有するものであり、本技術の電子機器は、本技術の表示装置を備えたものである。
【０００７】
本技術のトランジスタ、表示装置または電子機器では、コンタクト層の端面がソース・ドレイン電極に覆われているので、ソース・ドレイン電極の形成工程以降の製造工程でコンタクト層が保護される。
【発明の効果】
【０００８】
本技術のトランジスタ、表示装置および電子機器によれば、コンタクト層の端面をソース・ドレイン電極で覆うようにしたので、製造工程でのコンタクト層の損傷を防ぐことができる。よって、コンタクト層の損傷に起因した製造不良を抑え、歩留りを向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【０００９】
【図１】本開示の第１の実施の形態に係るトランジスタの構造を表す断面図である。
【図２】図１に示したトランジスタの製造方法を工程順に表す断面図である。
【図３】図２に続く工程を表す断面図である。
【図４】比較例に係るトランジスタの構成を表す断面図である。
【図５】変形例１に係るトランジスタの構造を表す断面図である。
【図６】図５に示したトランジスタの製造方法を工程順に表す断面図である。
【図７】本開示の第２の実施の形態に係るトランジスタの構造を表す断面図である。
【図８】変形例２に係るトランジスタの構造を表す断面図である。
【図９】適用例１に係る表示装置の回路構成を表す図である。
【図１０】図２に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。
【図１１】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図１２】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図１３】（Ａ）は適用例４の表側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図１４】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図１５】適用例６の外観を表す斜視図である。
【図１６】（Ａ）は適用例７の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図１７】他の変形例に係るトランジスタ構造を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１０】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明
は以下の順序で行う。
１. 第１の実施の形態（コンタクト層が連続状態である例）
２. 変形例１（コンタクト層が不連続状態である例）
３. 第２の実施の形態（コンタクト層が連続状態で延在している例）
４. 変形例２（コンタクト層が不連続状態で延在している例）
【００１１】
＜第１の実施の形態＞
図１は、本開示の第１の実施の形態に係るトランジスタ（トランジスタ１）の断面構成を表したものである。トランジスタ１は、半導体層に有機半導体材料を用いた電界効果型のトランジスタ、即ち有機ＴＦＴであり、液晶，有機ＥＬおよび電気泳動型の表示体を用いたディスプレイの駆動素子として用いられるものである。このトランジスタ１は、所謂トップコンタクト・ボトムゲート型構造のＴＦＴであり、基板１１上にゲート電極１２、ゲート絶縁層１３（絶縁層）、有機半導体層１４（半導体層）、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂおよびソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂをこの順に有している。
【００１２】
基板１１はゲート電極１２等を支持するものであり、その表面（ゲート電極１２側の面）は絶縁性を有している。基板１１は、例えば、ＰＥＳ（ポリエーテルスルフォン），ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート），ＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート），ＰＣ（ポリカーボネート）あるいはＰＩ（ポリイミド）等のプラスチック基板により構成されている。基板１１にはステンレス（ＳＵＳ）等の金属箔の表面を樹脂でラミネートしたものを用いてもよく、あるいは、ガラス基板を使用するようにしてもよい。高いフレキシブル性（屈曲性）を得るためには、プラスチック基板あるいは金属箔を用いることが好ましい。
【００１３】
ゲート電極１２は、トランジスタ１にゲート電圧を印加し、このゲート電圧により有機半導体層１４中のキャリア密度を制御する役割を有するものである。ゲート電極１２は基板１１上の選択的な領域に設けられ、例えば金（Ａｕ），アルミニウム（Ａｌ），銀（Ａｇ），銅（Ｃｕ），白金（Ｐｔ）またはニッケル（Ｎｉ）等の金属単体あるいはこれらの合金により構成されている。ゲート電極１２はチタン（Ｔｉ）やクロム（Ｃｒ）を含む積層体にしてもよい。このような積層構造により、基板１１あるいは加工用のレジストとの密着性を向上させることができる。ゲート電極１２には、この他の無機導電材料、または有機導電材料、更には炭素材料を使用してもよい。
【００１４】
ゲート絶縁層１３は、ゲート電極１２とソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに電気的に接続された有機半導体層１４とを絶縁するため、ゲート電極１１と有機半導体層１４との間に設けられている。このゲート絶縁層１３は、例えば、ＰＶＰ（ポリビニルフェノール），ＰＭＭＡ（ポリメチルメタクリレート），ＰＶＡ（ポリビニルアルコール）またはＰＩなどの有機絶縁膜により構成されている。ゲート絶縁層１３には、酸化シリコン（ＳｉＯ2），酸化アルミニウム（Ａｌ2Ｏ3），酸化タンタル（Ｔａ2Ｏ5）または窒化シリコン（ＳｉＮｘ）等の無機絶縁膜を用いるようにしてもよい。
【００１５】
有機半導体層１４はゲート絶縁層１３上にゲート電極１２に対向して島状に設けられ、ゲート電圧の印加によりチャネルを形成するものである。有機半導体層１４はｐ型の有機半導体材料およびｎ型の有機半導体材料のどちらにより構成してもよい。ｐ型の有機半導体材料としては、例えば、ペンタセン，アントラセン，フタロシアニン，ポルフィリン，チオフェン系ポリマーあるいはこれらの誘導体等を用いることができる。ｎ型の有機半導体材料としては、例えば、フラーレン，パーフルオロペンタセン，ポリ（ベンゾビスイミダゾベンゾフェナントロリン）あるいはこれらの誘導体等を用いることができる。
【００１６】
コンタクト層１５Ａ，１５Ｂ（第１コンタクト層，第２コンタクト層）は互いに対向し、かつ、離間して有機半導体層１４上に設けられている。このコンタクト層１５Ａ，１５Ｂは、有機半導体層１４とソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂとの間、即ちキャリア移動経路に設けられ、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂと有機半導体層１４との間の接触抵抗を抑えるものである。
【００１７】
本実施の形態では、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂそれぞれの端面１５Ａ1，１５Ｂ1（コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの互いの対向端面と反対側の面）がソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われている。これにより、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの形成工程以降の工程でコンタクト層１５Ａ，１５Ｂが保護される。また、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの互いの対向端面（対向面１５Ａ2，１５Ｂ2）もソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われているため、より確実にコンタクト層１５Ａ，１５Ｂを保護することができる。
【００１８】
このコンタクト層１５Ａ，１５Ｂはそれぞれ、互いの対向面１５Ａ2，１５Ｂ2から端面１５Ａ1，１５Ｂ1までが、連続した状態の膜である。コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ｂ1は、有機半導体層１４の端面と略一致しており、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂは有機半導体層１４上のみに設けられている。
【００１９】
コンタクト層１５Ａ，１５Ｂは、例えば酸化物，ハロゲン化物，硫化物，炭酸塩,有機分子や錯体あるいは導電性ポリマー等の種々の材料により構成され、有機半導体層１４の導電型やＨＯＭＯレベルに合わせて選択される。有機半導体層１４を例えばｐ型の有機半導体材料により構成した場合、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂには、ＭｏＯ3，ＲｅＯ3，Ｖ2Ｏ5，ＷＯ3，ＴｉＯ2，ＡｕＯ，Ａｌ2Ｏ3またはＣｕＯ等の金属酸化物、ＳＯ3等の酸化物、ＣｕＩ，ＳｂＣｌ5，ＳｂＦ5，ＦｅＣｌ3，ＬｉＦ，ＢａＦ2，ＣａＦ2またはＭｇＦ2等の金属ハロゲン化物、Ｃｕ2Ｓ等の金属硫化物、ＡｓＦ5，ＢＦ3，ＢＣｌ3，ＢＢｒ3あるいはＰＦ5等のハロゲン化物、ＣａＣＯ3，ＢａＣＯ3あるいはＬｉＣＯ3等の金属炭酸塩、２,３,５,６-テトラシアノ-(ｐ-シアニル)、２,３-ジブロモ-５,６-ジシアノ-ｐ-ベンゾキノン、２,３-ジクロロ-５,６-ジシアノ-ｐ-ベンゾキノン、２,３-ジヨード-５,６-ジシアノ-ｐ-ベンゾキノン、２,３-ジシアノ-ｐ-ベンゾキノン、ｐ-ブロマニル、ｐ-クロラニル、ｐ-ヨーデニル、ｐ-フロラニル、２,５-ジクロロ-ｐ-ベンゾキノン、２,６-ジクロロ-ｐ-ベンゾキノン、クロラニル酸、ブロマニル酸、２,５-ジヒドリキシ-ｐ-ベンゾキノン、２,５-ジクロロ-３,６-ジメチル-ｐ-ベンゾキノン、２,５-ジブロモ-３,６-ジメチル-ｐ-ベンゾキノン、ＢＴＤＡＱ、ｐ-ベンゾキノン、２,５-ジメチル-ｐ-ベンゾキノン、２,６-ジメチル-ｐ-ベンゾキノン、ジュロ-(テトラメチル)、ｏ-ベンゾキノン類、ｏ-ブロマニル、ｏ-クロラニル、１,４-ナフトキノン類、２,３-ジシアノ-５-ニトロ-１,４-ナフトキノン、２,３-ジシアノ-１,４-ナフトキノン、２,３-ジクロロ-５-ニトロ-１,４-ナフトキノン、２,３-ジクロロ-１,４-ナフトキノンあるいは１,４-ナフトキノン等のｐ-ベンゾキノン類、３,３'５,５'-テトラブロモ-ジフェノキノン、３,３'５,５'-テトラクロロ-ジフェノキノンあるいはジフェノキノン等のジフェノキノン類、tetracyano-quinodimethane(ＴＣＮＱ)、Tetrafluoro-tetracyano-quinodimethane(Ｆ４-ＴＣＮＱ)、トリフルオロメチル-ＴＣＮＱ、２,５-ジフルオロ−ＴＣＮＱ、モノフルオロ−ＴＣＮＱ、ＴＮＡＰ、デシル−ＴＣＮＱ、メチル‐ＴＣＮＱ、ジヒドロバレレノ‐ＴＣＮＱ，テトラヒドロバレレノ-ＴＣＮＱ、ジメチル‐ＴＣＮＱ、ジエチル‐ＴＣＮＱ、ベンゾ‐ＴＣＮＱ、ジメトキシ‐ＴＣＮＱ、ＢＴＤＡ‐ＴＣＮＱ、ジエトキシ‐ＴＣＮＱ、テトラメチル‐ＴＣＮＱ、テトラシアノアントラキノジメタン、ポリニトロ化合物、テトラニトロビフェノール、ジニトロビフェニル、ピクリン酸、トリニトロベンゼン、２,６-ジニトロフェノールあるいは２,４-ジニトロフェノール等のＴＣＮＱ類および類縁体、９-ジシアノメチレン-２,４,５,７-テトラニトロ-フルオレン、９-ジシアノメチレン-２,４,７-トリニトロ-フルオレン、２,４,５,７-テトラニトロ-フルオレノンあるいは２,４,７-トリニトロ-フルオレノン等のフルオレン類、(ＴＢＡ)２ＨＣＴＭＭ、(ＴＢＡ)２ＨＣＤＡＨＤ、Ｋ・ＣＦ、ＴＢＡ・ＰＣＡ、ＴＢＡ・ＭｅＯＴＣＡ、ＴＢＡ・ＥｔＯＴＣＡ、ＴＢＡ・ＰｒＯＴＣＡ、(ＴＢＡ)２ＨＣＰ、ヘキサシアノブタジエンテトラシアノエチレンあるいは１,２,４,５-テトラシアノベンゼン等のベンゾシアノ類および類縁体、 (ＴＰＰ)2Ｐｄ(ｄｔｏ)2、(ＴＰＰ)2Ｐｔ (ｄｔｏ)2、（ＴＰＰ）2Ｎｉ（ｄｔｏ）2、（ＴＰＰ）2Ｃｕ（ｄｔｏ）2あるいは（ＴＢＡ）2Ｃｕ（ｏｘ）2等の遷移金属錯体類、ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳあるいはポリアニリン等の導電性ポリマー等を用いることができる。
【００２０】
有機半導体層１４を例えばｎ型の有機半導体材料により構成した場合、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂには、ＬｉまたはＣｓ等の金属、Ｃｓ2ＣＯ3またはＲｂ2ＣＯ3等の金属炭酸塩、テトラセン、ペリレン、アントラセン、コロネン、ペンタセン、クリセン、フェナントレン、ナフタレン、p-ジメトキシベンゼン、ルブレンあるいはヘキサメトキシトリフェニレン等の芳香族炭化水素および類縁体、ＨＭＴＴＦ、ＯＭＴＴＦ、ＴＭＴＴＦ、ＢＥＤＯ−ＴＴＦ、ＴＴｅＣｎ−ＴＴＦ、ＴＭＴＳＦ、ＥＤＯ−ＴＴＦ、ＨＭＴＳＦ、ＴＴＦ、ＥＯＥＴ−ＴＴＦ、ＥＤＴ−ＴＴＦ、（ＥＤＯ）２ＤＢＴＴＦ、ＴＳＣｎ−ＴＴＦ、ＨＭＴＴｅＦ、ＢＥＤＴ−ＴＴＦ、ＣｎＴＥＴ−ＴＴＦ、ＴＴＣｎ−ＴＴＦ、ＴＳＦあるいはＤＢＴＴＦ等のＴＴＦ類および類縁体、テトラチオテトラセン、テトラセレノテトラセンあるいはテトラテルロテトラセン等のＴＴＴ類、ジベンソ[c,d]-フェチノアジン、ベンゾ[c]-フェノチアジン、フェノチアジン、Ｎ-メチル-フェノチアジン、ジベンソ[c,d]-フェノセレナジン、Ｎ,Ｎ-ジメチルフェナジンあるいはフェナジン等のアジン類、Ｎ,Ｎ-ジエチル-ｍ-トルイジン、Ｎ,Ｎ-ジエチルアニリン、Ｎ-エチル-ｏ-トルイジン、ジフェニルアミン、スカトール、インドール、Ｎ,Ｎ-ジメチル-ｏ-トルイジン、ｏ-トルイジン、ｍ-トルイジン、アニリン、ｏ-クロロアニリン、ｏ-ブロモアニリンあるいはｐ-ニトロアニリン等のモノアミン類、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-テトラメチル-ｐ-フェニレンジアミン、２,３,５,６-テトラメチル-（ジュレンジアミン）、ｐ-フェニルジアミン、Ｎ,Ｎ,Ｎ',Ｎ'-テトラメチルベンジジン、３,３',５,５'-テトラメチルベンジジン、３,３'-ジメチルベンジジン、３,３'-ジメトキシベンジジン、ベンジジン、３,３'-ジブロモ-５,５'-ジメチルベンジジン、３,３'-ジクロロ-５,５'-ジメチルベンジジンあるいは１,６-ジアミノピレン等のジアミン類、その他、４,４',４''-tris(N-3-methylphenyl-N-phenylamino)-triphenylamine：(ｍ−ＭＴＤＡＴＡ)、４,４',４''-tris(Ｎ-(２-Naphtyl)-Ｎ-phenylamino)-triphenylamine：(２ＴＮＡＴＡ)、α-ＮＤＰ、銅フタロシアニン、１,４,６,８-テトラキスジメチルアミノピレン、１,６-ジチオピレン、デカメチルフェロセンあるいはフェロセン等を用いることができる。
【００２１】
上記のような構成材料からなるコンタクト層１５Ａ，１５Ｂは、例えば、数ｎｍ〜３０ｎｍ程度の厚みを有している。このようにコンタクト層１５Ａ，１５Ｂを薄く設けることにより、縦方向（厚み方向）の抵抗を抑えることができる。
【００２２】
ソース・ドレイン電極１６Ａはコンタクト層１５Ａを介し、ソース・ドレイン電極１６Ｂはコンタクト層１５Ｂを介してそれぞれ有機半導体層１４に電気的に接続されている。ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂそれぞれの端部（ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの互いの対向部と反対側）は、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ａ2および有機半導体層１４の端面を介して、ゲート絶縁層１３に接し、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの互いの対向部は、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの互いの対向面１５Ａ2，１５Ｂ2を介して有機半導体層１４に接している。即ち、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂはゲート絶縁層１３および有機半導体層１４に直接接する領域を有し、これによりソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離を抑えることができる。また、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂが、有機半導体層１４上のみに設けられているため、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂがゲート絶縁層１３に直接接する面積が広くなり、有機半導体層１４の周囲の領域でのソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの配線剥がれを防ぐことができる。
【００２３】
ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、例えば金，アルミニウム，銀，銅，白金，ニッケルあるいはＩＴＯ（インジウム錫酸化物）等の金属単体あるいはこれらの合金により構成されている。ゲート電極１２と同様に、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂにもチタンやクロムを上層または下層に積層させるようにしてもよい。このような積層構造により、基板１１、加工用のレジストあるいはコンタクト層１５Ａ，１５Ｂとの密着性を向上させることができる。ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは導電性微粒子を含む導電性インクをパターン化したものにより構成するようにしてもよい。
【００２４】
このトランジスタ１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２５】
まず、図２（Ａ）に表したように、基板１１上にゲート電極１２を形成した後、このゲート電極１２を覆うゲート絶縁層１３を形成する。具体的には、まず、基板１１上の全面に、上述したゲート電極１２の導電膜を例えば蒸着法またはスパッタ法等により成膜した後、この導電膜上に例えばフォトリソグラフィ法を用いてフォトレジストをパターン形成する。次いで、このパターン形成したフォトレジストをマスクとして導電膜にエッチングを施しパターニングする。これにより、ゲート電極１２が形成される。ゲート電極１２は、この他、スクリーン印刷、グラビア印刷あるいはインクジェット印刷などの印刷法により形成するようにしてもよい。次いで、例えばスピンコート法、スクリーン印刷、グラビア印刷あるいはインクジェット印刷等の印刷法を含む塗布法を用いて、基板１１上の全面に渡り有機絶縁材料からなるゲート絶縁層１３を形成する。ゲート絶縁層１３を無機絶縁性材料により形成する場合には、例えば蒸着法、スパッタ法またはＣＶＤ（Chemical Vapor Deposition）法等を用いることが可能である。
【００２６】
ゲート絶縁層１３を形成した後、図２（Ｂ）に表したように、ゲート絶縁層１３上のゲート電極１２と対向する位置に有機半導体層１４を形成する。有機半導体層１４は、例えば、マスクを用いたパターン蒸着法あるいは印刷法等によりパターン化された状態で直接形成することができる。あるいは、有機半導体層１４の構成材料からなる膜を基板１１（ゲート絶縁膜１３上）の全面に成膜した後、例えばレーザアブレーション法等によりパターン化するようにしてもよい。この他、有機半導体層１４をリフトオフ法により形成することも可能である。素子分離が不要な場合は、有機半導体層１４が基板１１の全面に設けられていてもよい。
【００２７】
有機半導体層１４を形成した後、図３（Ａ）に表したように、有機半導体層１４上にコンタクト層１５Ａ，１５Ｂを形成する。コンタクト層１５Ａ，１５Ｂは、例えば、マスクを用いたパターン蒸着法あるいは印刷法を用いて、パターン化された状態で直接形成する。
【００２８】
続いて、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂおよび有機半導体層１４の上面から端面を覆うようにソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂを形成する。ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、図３（Ｂ）に表したように、基板１１（ゲート絶縁層１３上、有機半導体層１４上およびコンタクト層１５Ａ，１５Ｂ上）の全面に金属膜１６Ｍを成膜した後、例えばリソグラフィー工程によりパターン化する。あるいは、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、例えば印刷法によりパターン化した状態で直接形成するようにしてもよい。以上の工程によりトランジスタ１が完成する。
【００２９】
トランジスタ１を集積化する場合には、例えばソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂ上にパッシベーション層、平坦化層および配線等を形成する。ゲート絶縁層１３に接続孔を設けて、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂとゲート絶縁層１３よりも下層の電極（例えば、ゲート電極１２と同層の電極）とを接続するようにしてもよい。
【００３０】
本実施の形態では、上記のようにコンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ａ2がソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われているので、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの形成工程以降の工程でコンタクト層１５Ａ，１５Ｂが保護され、歩留りを向上させることができる。以下、比較例を用いてこれについて説明する。
【００３１】
図４（Ａ）は、比較例に係るトランジスタ１００の断面構成を表したものである。トランジスタ１００は、トランジスタ１と同様にボトムゲート・トップコンタクト構造を有するものである。しかしながら、このトランジスタ１００では、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂそれぞれの端面１１５Ａ1，１１５Ｂ1とソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂそれぞれの端面とが一致しており、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂの端面１１５Ａ1，１１５Ｂ1が露出している。また、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂの互いの対向面１１５Ａ2，１１５Ｂ2とソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの互いの対向面とも一致しており、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂの互いの対向面１１５Ａ2，１１５Ｂ2も露出している。
【００３２】
このようなトランジスタ１００では、図４（Ｂ）に表したように、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの形成時または、その後の工程でコンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂが端面１１５Ａ1，１１５Ｂ1側および対向面１１５Ａ2，１１５Ｂ2側から意図せずにサイドエッチングされ、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離や接触不良が生じる虞がある。この電極剥離や製造不良により、トランジスタ１００の製造の歩留りが低下する。
【００３３】
トップコンタクト型のトランジスタを製造する際には、有機溶剤による有機半導体層の劣化を防ぐため水溶液や水がよく用いられる。しかしながら、コンタクト層の構成材料は水に可溶なものが多く（例えば、ＭｏＯ3，ＷＯ3，Ｖ2Ｏ5，ＦｅＣｌ3あるいはＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ等）、また、コンタクト層は電気抵抗を抑えるため、その厚みを小さくして設けられている。このため、コンタクト層は例えば、製造時にレジスト剥離工程で使用するアルカリ水溶液や水によりエッチングされやすい。例えば、コンタクト層の構成材料となるＭｏＯ3は、５０ｎｍの厚みであっても３秒程度で純水に溶解する。
【００３４】
トランジスタ１００は、島状の有機半導体層１４を形成した後、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂの材料膜およびソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂとなる金属膜を連続して成膜してこれらを同時にパターニングする。即ち、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂの端面１１５Ａ1，１１５Ｂ1および互いの対向面１１５Ａ2，１１５Ｂ2と、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂそれぞれの端面および互いの対向面とが一致し、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂの端面１１５Ａ1，１１５Ｂ1および対向面１１５Ａ2，１１５Ｂ2が露出される。このため、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの形成時あるいは、その後の工程で使用するアルカリ水溶液や水によりコンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂが意図せずにサイドエッチングされる虞がある。特に、トランジスタ１００の集積化・微細化を行う場合にはコンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂがサイドエッチングされやすくなる。
【００３５】
また、トランジスタ１００ではソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの下面全面にコンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂが設けられ、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは有機半導体層１４、ゲート絶縁層１３それぞれに直接接する領域を有していない。このため、有機半導体層１４とコンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂ、コンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂとソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂまたはコンタクト層１１５Ａ，１１５Ｂとゲート絶縁層１３のいずれかの密着性が低いと、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離が生じる虞がある。
【００３６】
これに対し、本実施の形態ではコンタクト層１５Ａ，１５Ｂそれぞれの端面１５Ａ1，１５Ｂ1がソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われているので、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの形成時あるいは、更に上層の例えばパッシベーション層等の形成時に使用する水溶液や水からコンタクト層１５Ａ，１５Ｂが保護される。よって、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂのサイドエッチングによるソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離や接触不良を抑え、製造の歩留りを向上させることができる。また、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ｂ1と共に、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの互いの対向面１５Ａ2，１５Ｂ2もソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われているため、より確実にコンタクト層１５Ａ，１５Ｂのサイドエッチングを防ぐことができる。
【００３７】
更に、トランジスタ１では、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの端部がゲート絶縁層１３に接し、互いの対向部が有機半導体層１４に接しているため、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂと有機半導体層１４、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂとソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂあるいはコンタクト層１５Ａ，１５Ｂとゲート絶縁層１３のいずれかの密着性が低い場合にも、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離を抑えることができる。
【００３８】
加えて、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂが有機半導体層１４上のみに設けられているので、ゲート絶縁層１３とソース・ドレイン電極１６Ａ，１６が直接接する領域が広くなり、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの密着性が低い場合にもソース・ドレイン電極１６Ａ，１６の配線剥がれを防ぐことができる。また、ゲート絶縁層１３に接続孔を設けてソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂとゲート絶縁層１３よりも下層の電極とを接続する際に、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂがこれらの接続を阻害することもない。
【００３９】
本実施の形態のトランジスタ１では、ゲート電極１２に所定の電位が供給されると、有機半導体層１４のチャネルに電界が生じて、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂ間に電流が流れ、いわゆる電界効果トランジスタとして機能する。ここでは、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ｂ1がソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われているので、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂのサイドエッチングを防ぐことができる。
【００４０】
以上のように、本実施の形態では、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ｂ1をソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂにより覆うようにしたので、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂがサイドエッチングから保護され、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離や接触不良を抑えることができる。よって、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂのサイドエッチングに起因した製造不良を防ぎ、歩留りを向上させることができる。また、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの端面１５Ａ1，１５Ｂ1と共にコンタクト層１５Ａ，１５Ｂの互いの対向面１５Ａ2，１５Ｂ2もソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂにより覆うようにしたので、より確実にコンタクト層１５Ａ，１５Ｂのサイドエッチングを防ぐことができる。
【００４１】
更に、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂそれぞれの端部はゲート絶縁層１３に、互いの対向部は有機半導体層１４に直接接する領域を有するため、コンタクト層１５Ａ，１５Ｂの密着性が低い場合にもソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂの電極剥離を防ぐことができる。
【００４２】
以下、上記実施の形態の変形例および他の実施の形態について説明するが、以降、上記実施の形態と同一構成部分については同一符号を付してその説明は適宜省略する。
【００４３】
＜変形例１＞
図５は、上記実施の形態の変形例１に係るトランジスタ（トランジスタ１Ａ）の断面構成を表したものである。このトランジスタ１Ａは、コンタクト層２５Ａ，２５Ｂが不連続状態である点において上記実施の形態のトランジスタ１と異なるものである。その点を除き、トランジスタ１Ａはトランジスタ１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００４４】
コンタクト層２５Ａ，２５Ｂはコンタクト層２５Ａ，２５Ｂの互いの対向面２５Ａ2，２５Ｂ2からコンタクト層２５Ａ，２５Ｂそれぞれの端面２５Ａ1，２５Ｂ1までの間に複数の微小な間隙２５Ｓを有しており、不連続状態で設けられている。換言すれば、コンタクト層２５Ａ，２５Ｂは間隙２５Ｓを間にして粒状に点在している。このため、コンタクト層２５Ａ，２５Ｂの互いの対向面２５Ａ2，２５Ｂ2がソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂにより覆われていない場合にも、対向面２５Ａ2，２５Ｂ2側からの水溶液や水の浸入が間隙２５Ｓで止まる。即ち、キャリア移動経路となるコンタクト層２５Ａ，２５Ｂの部分を保護することができる。間隙２５Ｓの大きさは、例えば、１０〜１００ｎｍである。
【００４５】
このトランジスタ１Ａは、例えば次のようにして製造することができる。
【００４６】
まず、図６（Ａ）に表したように上記トランジスタ１と同様にして、ゲート絶縁層１３までを形成する。次いで、図６（Ｂ）に表したように、ゲート絶縁層１３上に有機半導体層１４、コンタクト層２５Ａ，２５Ｂを形成する。有機半導体層１４およびコンタクト層２５Ａ，２５Ｂは、この順にマスクを用いたパターン蒸着法あるいは印刷法により連続して、直接パターン形成してもよく、あるいは、基板１１の全面に有機半導体層１４の構成材料からなる膜、基板１１の全面に不連続状態のコンタクト層２５Ａ，２５Ｂをこの順に形成した後、レーザアブレーション法等により同時にパターン形成するようにしてもよい。有機半導体層１４およびコンタクト層２５Ａ，２５Ｂはリフトオフ法により形成することも可能である。不連続状態、即ち複数の間隙２５Ｓを有するコンタクト層２５Ａ，２５Ｂは、真空成膜のレートを低く、かつ成膜時間を短くして、連続膜への成長前に真空成膜を終了することにより形成される。パターン蒸着法あるいは印刷法により、直接不連続パターンを形成するようにしてもよい。
【００４７】
コンタクト層２５Ａ，２５Ｂを形成した後、図６（Ｃ）に表したように、ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂを形成する。ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂは、金属膜（例えば、金属膜１６Ｍ）を基板１１の全面に成膜した後、リソグラフィー工程によりパターン化して形成するようにしてもよく、あるいは、印刷法により直接パターンを形成するようにしてもよい。
【００４８】
ソース・ドレイン電極１６Ａとソース・ドレイン電極１６Ｂとの間のコンタクト層２５Ａ，２５Ｂは、オフ電流が十分に取れている場合には残存させておいてもよい（図６（Ｃ））。オフ電流が不十分な場合には、エッチングにより除去する（図５）。このとき、コンタクト層２５Ａ，２５Ｂは間隙２５Ｓを有しているため、エッチング時に使用する水や水溶液の浸入は間隙２５Ｓで止まり、キャリア移動経路となるコンタクト層２５Ａ，２５Ｂの部分（ソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂと有機半導体層１４との間のコンタクト層２５Ａ，２５Ｂの部分）まで浸食される虞がない。
【００４９】
＜第２の実施の形態＞
図７（Ａ）は、本技術の第２の実施の形態に係るトランジスタ（トランジスタ２）の断面構成を表したものである。このトランジスタ２は、コンタクト層３５Ａ，３５Ｂが有機半導体層１４の端面を介してゲート絶縁層１３上に延在している点において上記第１の実施の形態のトランジスタ１と異なるものである。その点を除き、トランジスタ２はトランジスタ１と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００５０】
コンタクト層３５Ａ，３５Ｂは、連続状態の膜であり、有機半導体層１４の上面からその端面を介してゲート絶縁層１３上に延在している。コンタクト層３５Ａ，３５Ｂは、互いに離間して対向し、その対向面３５Ａ2，３５Ｂ2および端面３５Ａ1，３５Ｂ1がそれぞれソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われている。コンタクト層３５Ａ，３５Ｂは、有機半導体層１４上からゲート絶縁層１３上まで連続していてもよく（図７（（Ａ）））、図７（Ｂ）に表したように、有機半導体層１４によって段切れして有機半導体層１４上とゲート絶縁層１３上との間で分断されていてもよい。
【００５１】
＜変形例２＞
図８は、変形例２に係るトランジスタ（トランジスタ２Ａ）の断面構成を表したものである。このトランジスタ２Ａは、コンタクト層４５Ａ，４５Ｂが不連続状態である点において上記第２の実施の形態のトランジスタ２と異なるものである。その点を除き、トランジスタ２Ａはトランジスタ２と同様の構成を有し、その作用および効果も同様である。
【００５２】
コンタクト層４５Ａ，４５Ｂは、互いに対向面４５Ａ2，４５Ｂ2から端面４５Ａ1，４５Ｂ1までの間に複数の微小な間隙４５Ｓを有しており、有機半導体層１４の上面およびゲート絶縁層１３上に不連続状態で設けられている。コンタクト層４５Ａ，４５Ｂは、互いに離間して対向し、その対向面４５Ａ2，４５Ｂ2および端面４５Ａ1，４５Ｂ1がそれぞれソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂに覆われている。コンタクト層４５Ａ，４５Ｂは、不連続状態であるため、コンタクト層４５Ａ，４５Ｂの互いの対向面４５Ａ2，４５Ｂ2がソース・ドレイン電極１６Ａ，１６Ｂにより覆われていない場合にも、対向面４５Ａ2，４５Ｂ2側からの水溶液や水の浸入が間隙４５Ｓで止まる。不連続状態のコンタクト層４５Ａ，４５Ｂは、上記コンタクト層２５Ａ，２５Ｂと同様にして形成する。オフ電流が十分に取れている場合には、ソース・ドレイン電極１６Ａとソース・ドレイン電極１６Ｂとの間にコンタクト層４５Ａ，４５Ｂが存在していてもよい。
【００５３】
＜適用例１＞
図９は、上記トランジスタ１，１Ａ，２，２Ａのいずれかを駆動素子として備えた表示装置（表示装置９０）の回路構成を表すものである。表示装置９０は、例えば液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイまたは電子ペーパーディスプレイなどであり、駆動パネル９１上の表示領域１１０に、マトリクス状に配設された複数の画素１０と、画素１０を駆動するための各種駆動回路とが形成されたものである。駆動パネル９１上には、駆動回路として、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０と、画素駆動回路１５０とが配設されている。この駆動パネル９１には、図示しない封止パネルが貼り合わせられ、この封止パネルにより画素１０および上記駆動回路が封止されている。
【００５４】
図１０は、画素駆動回路１５０の等価回路図である。画素駆動回路１５０は、上記トランジスタ１，１Ａ，２，２Ａのいずれかとして、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が配設されたアクティブ型の駆動回路である。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間にはキャパシタＣｓが設けられ、第１の電源ライン（Ｖcc）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、画素１０がトランジスタＴｒ１に直列に接続されている。このような画素駆動回路１５０では、列方向に信号線１２０Ａが複数配置され、行方向に走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介してトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介してトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。この表示装置では、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が、上記実施の形態のトランジスタ１，１Ａ，２，２Ａにより構成されているので、このトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の良好なＴＦＴ特性により、高品質な表示が可能となる。このような表示装置９０は、例えば次の適用例２〜７に示した電子機器に搭載することができる。
【００５５】
＜適用例２＞
図１１（Ａ）および図１１（Ｂ）は、電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０、非表示部２２０および操作部２３０を有している。操作部２３０は、図１１（Ａ）に示したように表示部２１０と同じ面（前面）に形成されていても、図１１（Ｂ）に示したように表示部２１０とは異なる面（上面）に形成されていてもよい。
【００５６】
＜適用例３＞
図１２は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有している。
【００５７】
＜適用例４＞
図１３は、デジタルスチルカメラの外観を表したものである。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有している。
【００５８】
＜適用例５＞
図１４は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有している。
【００５９】
＜適用例６＞
図１５は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。
【００６０】
＜適用例７＞
図１６は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。
【００６１】
以上、実施の形態および変形例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、トップコンタクト・ボトムゲート型のトランジスタ１，１Ａ，２，２Ａについて説明したが、図１７に表したように、ボトムコンタクト・ボトムゲート型のトランジスタに適用させることも可能であり、また、トップゲート型の構造を有するものであってもよい。
【００６２】
また、上記実施の形態等では、有機半導体材料を用いて半導体層を構成した場合を例示したが、半導体層は、シリコンや酸化物半導体等の無機材料により構成されていてもよい。
【００６３】
更に、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００６４】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えたトランジスタ。
（２）前記コンタクト層は、前記半導体層と前記一対のソース・ドレイン電極との間に設けられている前記（１）に記載のトランジスタ。
（３）前記コンタクト層は、前記半導体層と前記一対のソース・ドレイン電極との間にそれぞれ配置された、対向する一対の第１コンタクト層および第２コンタクト層により構成され、前記第１コンタクト層および第２コンタクト層の互いの対向面も前記ソース・ドレイン電極に覆われている前記（１）または（２）に記載のトランジスタ。
（４）前記コンタクト層は前記半導体層上に設けられ、前記一対のソース・ドレイン電極は前記絶縁層に接している前記（１）乃至（３）のうちいずれか１つに記載のトランジスタ。
（５）前記コンタクト層は複数の間隙を有する、不連続状態である前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載のトランジスタ。
（６）前記コンタクト層の不連続状態は、連続状態の膜になる前に真空成膜を終了し
て形成された前記（５）に記載のトランジスタ。
（７）前記コンタクト層は連続状態の膜である前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載のトランジスタ。
（８）前記コンタクト層は、前記半導体層の端面を介して前記半導体層の両側に延在している前記（１）乃至（７）のうちいずれか１つに記載のトランジスタ。
（９）前記半導体層は有機半導体材料を含む前記（１）乃至（８）のうちいずれか１つに記載のトランジスタ。
（１０）複数の画素と前記複数の画素を駆動するためのトランジスタとを備え、前記トランジスタは、ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えた表示装置。
（１１）複数の画素および前記複数の画素を駆動するためのトランジスタを有する表示装置を備え、前記トランジスタは、ゲート電極と、絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えた電子機器。
【符号の説明】
【００６５】
１，１Ａ，２，２Ａ…トランジスタ、１１…基板、１２…ゲート電極、１３…ゲート絶縁層、１４…有機半導体層、１５Ａ，１５Ｂ，２５Ａ，２５Ｂ，３５Ａ，３５Ｂ，４５Ａ，４５Ｂ…コンタクト層、１６Ａ，１６Ｂ…ソース・ドレイン電極、９０・・・表示装置、９１・・・駆動パネル、１０・・・画素、１１０・・・表示領域、１２０・・・信号線駆動回路、１３０・・・走査線駆動回路、１５０・・・画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２・・・トランジスタ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
ゲート電極と、
絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、
前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と
を備えたトランジスタ。
【請求項２】
前記コンタクト層は、前記半導体層と前記一対のソース・ドレイン電極との間に設けられている
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記コンタクト層は、前記半導体層と前記一対のソース・ドレイン電極との間にそれぞれ配置された、対向する一対の第１コンタクト層および第２コンタクト層により構成され、
前記第１コンタクト層および第２コンタクト層の互いの対向面も前記ソース・ドレイン電極に覆われている
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記コンタクト層は前記半導体層上に設けられ、
前記一対のソース・ドレイン電極は前記絶縁層に接している
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記コンタクト層は複数の間隙を有する、不連続状態である
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記コンタクト層の不連続状態は、連続状態の膜になる前に真空成膜を終了して形
成された
請求項５に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記コンタクト層は連続状態の膜である
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記コンタクト層は、前記半導体層の端面を介して前記半導体層の両側に延在している
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記半導体層は有機半導体材料を含む
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
複数の画素と前記複数の画素を駆動するためのトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、
前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えた
表示装置。
【請求項１１】
複数の画素および前記複数の画素を駆動するためのトランジスタを有する表示装置を備え、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、
前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えた
電子機器。
【請求項１】
ゲート電極と、
絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、
前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層と
を備えたトランジスタ。
【請求項２】
前記コンタクト層は、前記半導体層と前記一対のソース・ドレイン電極との間に設けられている
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記コンタクト層は、前記半導体層と前記一対のソース・ドレイン電極との間にそれぞれ配置された、対向する一対の第１コンタクト層および第２コンタクト層により構成され、
前記第１コンタクト層および第２コンタクト層の互いの対向面も前記ソース・ドレイン電極に覆われている
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記コンタクト層は前記半導体層上に設けられ、
前記一対のソース・ドレイン電極は前記絶縁層に接している
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記コンタクト層は複数の間隙を有する、不連続状態である
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項６】
前記コンタクト層の不連続状態は、連続状態の膜になる前に真空成膜を終了して形
成された
請求項５に記載のトランジスタ。
【請求項７】
前記コンタクト層は連続状態の膜である
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項８】
前記コンタクト層は、前記半導体層の端面を介して前記半導体層の両側に延在している
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項９】
前記半導体層は有機半導体材料を含む
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項１０】
複数の画素と前記複数の画素を駆動するためのトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、
前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えた
表示装置。
【請求項１１】
複数の画素および前記複数の画素を駆動するためのトランジスタを有する表示装置を備え、
前記トランジスタは、
ゲート電極と、
絶縁層を間にして前記ゲート電極に対向する半導体層と、
前記半導体層に電気的に接続された一対のソース・ドレイン電極と、
前記一対のソース・ドレイン電極それぞれと前記半導体層との間のキャリア移動経路に設けられ、その端面が前記ソース・ドレイン電極に覆われたコンタクト層とを備えた
電子機器。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【公開番号】特開２０１３−１１５０９９（Ｐ２０１３−１１５０９９Ａ）
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２５７４３８（Ｐ２０１１−２５７４３８）
【出願日】平成２３年１１月２５日（２０１１．１１．２５）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年６月１０日（２０１３．６．１０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年１１月２５日（２０１１．１１．２５）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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