トランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置
【課題】良好な特性を有するトランジスタおよびその製造方法、並びにそのトランジスタを備えた表示装置を提供する
【解決手段】制御電極と、制御電極に対向する能動層と、能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極と、制御電極と第１電極および第２電極との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えたトランジスタ。
【解決手段】制御電極と、制御電極に対向する能動層と、能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極と、制御電極と第１電極および第２電極との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えたトランジスタ。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本技術は、低温での製造に好適なトランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの電子機器では、電界効果型トランジスタ（Field Effect Transistor；ＦＥＴ）として、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor;ＴＦＴ）が用いられている。薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極，ゲート絶縁層，半導体層，ソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。このうち、ゲート電極の配置によりトップゲート型とボトムゲート型との２つの構造に大別される。また、ソース電極と
ドレイン電極の配置によりトップコンタクトとボトムコンタクトに分類される。
【０００３】
例えば、トップゲート型ＴＦＴ構造は、基板側から半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極およびソース・ドレイン電極をこの順に有し、ボトムゲート型ＴＦＴ構造は、基板側からゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層およびソース・ドレイン電極をこの順に有している。現在、このようなＴＦＴでは、半導体層としてシリコン（Ｓｉ）などの無機物がよく使用されている。しかし、無機物の半導体層を形成するためには、高価で大がかりな装置を必要とするため、よりコストを抑え、かつ、簡便な方法で作製可能なＴＦＴを開発することが望まれている。
【０００４】
このようなコストを抑えたＴＦＴの一つとして、半導体層に有機半導体材料を用いたものの開発が精力的に進められている。この有機半導体材料は有機溶剤に溶解させて塗布した後、有機溶剤を乾燥させることで半導体層が形成できる。このため、従来のアモルファスシリコン等の無機半導体層の形成工程と比較すると、非常に低温で製造することが可能である。有機半導体は、インク化することが可能であり、例えば印刷法等の塗布成膜法により、低温、かつ簡易な製造工程で形成することができ、低コストでの製造が可能となる（例えば、特許文献１）。これにより、従来から用いている耐熱性のシリコン基板やガラス基板に代えて、安価なプラスチックフィルムなどを用いることが可能となり、フレキシブルなデバイスを作製することができる。
【０００５】
また、有機半導体材料の構成分子設計をすることで、その物性や性能を制御することもできる。更に、有機半導体層は無機半導体層よりも軽く、かつ可撓性を有している。このような有機半導体は、低コスト、高性能、可撓性および軽量化を実現可能なため、上記ＴＦＴ（ＦＥＴ）の他、有機発光素子、有機太陽電池等の有機エレクトロニクスデバイスでの使用も期待されている。
【０００６】
ところで、有機半導体層を用いたＴＦＴでは、半導体層以外の層の形成も低温で行うことが検討されている。具体的に、電極類は金属を用いることが好ましく、例えば銀のナノ粒子を有機溶剤に分散させインク化したものを低温（例えば、約１５０℃）で焼結させて導電性が得られるように設計している。また、ゲート絶縁層等は、無機半導体層のＴＦＴで用いられる酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の無機材料ではなく、高分子有機材料を溶媒に溶解させて塗布成膜したものが用いられている。このようなゲート絶縁層等は、有機半導体の可撓性を損なわず、また低温での製造工程により形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＷＯ２００３／０１６５９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、高分子材料の性質は種類によって大きく異なるため、これを絶縁層に用いるためにはＴＦＴの特性が向上するように高分子材料を選択することが重要となる。特に、ゲート絶縁膜に高分子材料を用いる場合には、半導体層と直接接触するため、精査が必要である。ＴＦＴの特性は、例えば高分子材料の耐熱性、製造工程で使用する有機溶剤に対する耐性および吸湿性等が要因となって変化する。絶縁層として、絶縁性の高いポリビニルフェノール（ＰＶＰ）樹脂やエポキシ樹脂、あるいはフォトレジスト材料等が好んで用いられているが、未だ得られるＴＦＴ特性は不十分であり、より絶縁層に適した高分子材料が望まれている。
【０００９】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、絶縁層に適した材料を用いることにより、その特性を向上させたトランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本技術によるトランジスタは、制御電極と、制御電極に対向する能動層と、能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極と、制御電極と能動層との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えたものである。
【００１１】
本技術によるトランジスタの製造方法は上記トランジスタを製造する方法であり、本技術の表示装置は上記トランジスタを備えたものである。
【００１２】
本技術のトランジスタ，トランジスタの製造方法または表示装置では、絶縁層がジアリルイソフタレート樹脂を含有しており、この絶縁層は、耐熱性、低吸湿性および表面のぬれ性の点で優れた性質を示す。
【発明の効果】
【００１３】
本技術のトランジスタ、トランジスタの製造方法、並びに表示装置によれば、絶縁層がジアリルイソフタレート樹脂を含有するようにしたので、その特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示の一実施の形態に係る有機ＴＦＴの構造を表す断面図である。
【図２】適用例１に係る表示装置の回路構成を表す図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。
【図４】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図５】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図６】（Ａ）は適用例４の表側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図７】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図８】適用例６の外観を表す斜視図である。
【図９】（Ａ）は適用例７の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図１０】図１に示した有機ＴＦＴの変形例に係る構造を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明
は以下の順序で行う。
１．実施の形態（絶縁層にジアリルイソフタレート樹脂を含む例）
２．適用例
３．実施例
【００１６】
＜実施の形態＞
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ１）の断面構成を表したものである。有機ＴＦＴ１は、電界効果型のトランジスタであり、液晶，有機ＥＬおよび電気泳動型の表示体を用いたディスプレイの駆動素子として用いられるものである。この有機ＴＦＴ１は、トップコンタクト・ボトムゲート型構造のＴＦＴであり、基板１１上にゲート電極１２（制御電極）、ゲート絶縁層１３（絶縁層）、有機半導体層１４（能動層）およびソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂ（第１電極および第２電極）をこの順に有している。
【００１７】
基板１１は、ガラス基板，石英基板またはプラスチックフィルムなどにより構成されている。プラスチック材料としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＡＲ（ポリアリレート）、ＰＥＳ（ポリエチレンスルフィド）あるいはＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）などを用いることができる。
【００１８】
ゲート電極１２は、有機ＴＦＴ１にゲート電圧を印加し、このゲート電圧により有機半導体層１４中のキャリア密度を制御する役割を有するものである。ゲート電極１２は基板１１上の選択的な領域に設けられ、例えば白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），ルテニウム（Ｒｕ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），クロム（Ｃｒ），ニッケル（Ｎｉ），アルミニウム（Ａｌ）およびタンタル（Ｔａ）等の金属単体または合金により構成されている。ゲート電極１２には、この他の無機導電材料、または有機導電材料、更には炭素材料を使用してもよい。ゲート電極１２と同層にはゲート電極用配線（図示せず）が設けられている。
【００１９】
ゲート絶縁層１３は、ゲート電極１２とソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂに電気的に接続された有機半導体層１４とを絶縁するため、ゲート電極１１と有機半導体層１４との間に設けられている。本実施の形態では、このゲート絶縁層１３が、ジアリルイソフタレート樹脂を含有している。これにより、有機ＴＦＴ１のＴＦＴ特性が向上する。
【００２０】
ゲート絶縁層１３中でのジアリルイソフタレート樹脂の含有量は、例えば、５０％以上（重量比）、好ましくは７５％以上である。ゲート絶縁層１３がジアリルイソフタレート樹脂のみにより構成されていてもよい。ジアリルイソフタレート樹脂が１００％使用された硬化膜の耐熱温度は高く、約２５０℃である。有機ＴＦＴ作製のための一般的なプロセス温度（製造工程温度）が１５０〜１６０℃、高くても１８０℃程度であるため、この耐熱温度は充分高い温度であるといえる。また、ゲート絶縁層１３中にジアリルイソフタレート樹脂以外の樹脂が添加されていても（添加樹脂）、ジアリルイソフタレート樹脂の含有量が５０％以上であれば、その効果が明確に発揮される。例えば、添加樹脂の割合が２５％であっても約２００℃以上の耐熱性が、５０％であっても約１５０℃以上の耐熱性がそれぞれ得られることを確認している。ゲート絶縁層１３形成後のプロセス温度に応じて添加樹脂の割合を選択すればよい。
【００２１】
添加樹脂としては、ジアリルイソフタレート樹脂と例えば光硬化する官能基を有する樹脂を用いればよく、例えば、２官能アクリレート，多官能アクリレート，２官能メタクリレートおよび多官能メタクリレート等が挙げられる。アクリレート類、メタクリレート類は多品種であるため、選択し易い。例えば、直鎖アルキルジメタクリレートや直鎖アルキルジアクリレート等が好ましく、具体的には、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート，１，９−ノナンジオールジアクリレート，１，１０−デカンジオールジアクリレート，トリシクロデカンジメタノールジアクリレート，９，９−ビス[４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル]フルオレン，ヘキサンジオールジメタクリレート，ノナンジオールジメタクリレートあるいはトリシクロデカンジメタノールジメタクリレート等を用いることが好ましい。
【００２２】
アクリレート類、メタクリレート類、更にはアクリル樹脂等を含むフォトレジスト等は単独で硬化皮膜を作製することも可能であるが、このような皮膜は、耐熱性が非常に低く、プロセス温度に適応させることができない。即ち、これらの添加樹脂はジアリルイソフタレート樹脂と混合することにより、耐熱性の高いゲート絶縁層１３を形成することができる。一方、ジアリルイソフタレート樹脂に添加樹脂を加えることで、ジアリルイソフタレート樹脂にはない特性、例えば、直鎖アルキルジメタクリレートや直鎖アルキルジアクリレート等が有する柔軟性をゲート絶縁層１３に付与することができる。
【００２３】
ジアリルイソフタレート樹脂と類似の構造を有するジアリルフタレート樹脂では、その硬化膜の耐熱温度が１５０℃前後であり、ジアリルイソフタレート樹脂と比較して低い。このジアリルフタレート樹脂の耐熱性の低さは、化学構造上のフタル酸に起因しており、加熱により自身の分子鎖が切断される。これに対し、ジアリルイソフタレート樹脂では、フタル酸構造を取らないため、耐熱性の高い硬化膜が形成される。このように、ゲート絶縁層１３が耐熱温度の高いジアリルイソフタレート樹脂を含有することにより、製造工程でのゲート絶縁層１３の劣化を抑え、ＴＦＴ特性の高い有機ＴＦＴ１を得ることができる。
【００２４】
また、ジアリルイソフタレート樹脂は、その硬化皮膜の表面エネルギーが高く、塗布性能（硬化皮膜表面のぬれ性）に優れている。換言すれば、ジアリルイソフタレート樹脂の硬化表面に容易に別の皮膜を形成することができる。この特性により、ゲート絶縁層１３上に塗布法により有機半導体層１４を形成する場合に、有機半導体層１４の膜厚が均一になり、ＴＦＴ特性のばらつきを抑えることができる。
【００２５】
更に、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）樹脂やエポキシ樹脂では、その構造中に水酸基や極性基が存在し吸湿性が高くなるのに対し、ジアリルイソフタレート樹脂はこのような吸湿性の官能基を有していない。従って、ジアリルイソフタレート樹脂の硬化皮膜の吸湿性は、他の樹脂と比較して低い。デバイス中に水分が存在すると、ＴＦＴの閾値電圧等に影響し、また長期的には特性劣化を生じることが確認されている。よって、このような低吸湿性のゲート絶縁層１３により有機ＴＦＴ１の信頼性を向上させることができる。
【００２６】
有機半導体層１４は、ゲート絶縁層１３上にゲート電極１２に対向して設けられ、かつソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂに接している。有機半導体層１４は、島状にパターニングされている。有機半導体層１４の構成材料は、例えば、ポリチオフェン、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ−３−ヘキシルチオフェン［Ｐ３ＨＴ］、ペンタセン［２，３，６，７−ジベンゾアントラセン］、ポリアントラセン、ナフタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、トリフェニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリフェニレン、ポリフラン、ポリインドール、ポリビニルカルバゾール、ポリセレノフェン、ポリテルロフェン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド、ポリチエニレンビニレン、ポリナフタレン、ポリピレン、ポリアズレン、銅フタロシアニンで代表されるフタロシアニン、メロシアニン、ヘミシアニン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ピリダジン、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］、
４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、デンドリマー、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン、１，４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、１，４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［１，２］ジチオール−１，４，７−トリチオン、アルファ−セキシチオフェン、テトラチオテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピロール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）またはキナクリドン等である。この他、縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系誘導体、フェニルビニリデン系の共役系オリゴマーまたはチオフェン系の共役系オリゴマー等を用いてもよい。
【００２７】
ソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂは、有機半導体層１４に電気的に接続され、例えばタングステン，タンタル，モリブデン，アルミニウム，クロム，銅，チタン，ニッケル，ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）またはこれらの合金からなる金属膜の単層膜あるいは２種以上のこれらの金属膜よりなる積層膜により構成されている。ソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂと同層には、ソース電極用配線およびドレイン電極用配線（図示せず）が設けられている。
【００２８】
この有機ＴＦＴ１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２９】
まず、基板１１の全面に例えば、真空成膜法，塗布法または鍍金法を用いて、ゲート電極１２およびゲート電極用配線となる金属膜を形成する。真空成膜法としては、真空蒸着法、フラッシュ蒸着法、スパッタリング法、物理的気相成長法（Physical Vapor Deposition;ＰＶＤ）、化学的気相成長法（Chemical Vapor Deposition;ＣＶＤ）、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）またはアーク放電法などを用いることができる。また、塗布法としては、スピンコート法、スリットコート法、バーコート法またはスプレーコート法等、鍍金法としては、電解鍍金法または無電解鍍金法等による成膜が可能である。
【００３０】
次いで、基板１１に形成した金属膜上に例えば、レジストパターンや金属パターン等のマスクを形成する。マスクは、例えば、塗布によりフォトレジスト膜を形成した後、これをフォトリソグラフィ法，レーザ描画法，電子線描画法またはＸ線描画法などによりパターニングして形成する。金属パターンのマスクを使用する場合は、例えばレーザアブレーション法，マスク蒸着法またはレーザ転写法を用いる。続いて、このマスクを用いてドライエッチングまたはエッチャント溶液によるウェットエッチングを行って金属膜をパターニングした後、アッシング法またはエッチング法によりマスクを除去してゲート電極１２およびゲート電極用配線を形成する。ドライエッチングとして、例えば、イオンミリングまたは反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching;ＲＩＥ）を行うことが可能である。ゲート電極１２およびゲート電極用配線は、上記の方法の他、金（Ａｕ）のナノ粒子や銀（Ａｇ）のナノ粒子等を含有するインクを用いたインクジェット法，スクリーン印刷法，グラビア印刷法またはグラビアオフセット印刷法等の印刷法により形成するようにしてもよい。
【００３１】
ゲート電極１２およびゲート電極用配線を形成した後、これらを覆うようにゲート絶縁層１３を成膜する。ゲート絶縁層１３の成膜は、ジアリルイソフタレート樹脂を溶媒に溶解させてジアリルイソフタレート樹脂溶液を調製し、これをゲート電極１２およびゲート電極用配線上に塗布または印刷した後、硬化（架橋）させることにより行う。ジアリルイソフタレート樹脂は感光性材料であるため、パターニングしてゲート絶縁層１３を形成することも可能である。
【００３２】
ジアリルイソフタレート樹脂を溶解させる溶媒としては、例えば、トルエンまたはキシレンなどの芳香族、アセトン，シクロペンタノンまたは２−ブタノンなどのケトン類あるいはＰＧＭＥＡ（Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate）などの炭化水素類等を単独で、または混合して使用することが可能である。この他、エチルアルコール、イソプロピルアルコールまたはブチルアルコールなどのアルコール類を使用してもよい。また、ジアリルイソフタレート樹脂溶液には、界面活性剤やレベリング剤などを添加するようにしてもよい。
【００３３】
ジアリルイソフタレート樹脂溶液の塗布または印刷は、例えば、キャストコーティング，スピンコーティング，スプレーコーティング，インクジェット印刷，凸版印刷，フレキソ印刷，スクリーン印刷，グラビア印刷またはグラビアオフセット印刷などにより行う。上記の方法の中から、所望の膜厚に応じて適宜選択すればよい。
【００３４】
ジアリルイソフタレート樹脂は、例えば、熱，ＥＢ（Electron Beam）またはＵＶ（UltraViolet）照射等により硬化させる。ジアリルイソフタレート樹脂に有機過酸化物を含有させると、熱硬化樹脂として取り扱うことができ、ラジカル重合開始剤を含有させると、ＵＶ硬化樹脂として取り扱うことができる。有機過酸化物には、例えば、ハイドロパーオキサイドまたはジアルキルパーオキサイド等の一般的によく使用されているものを用いることができる。ラジカル重合開始剤には、例えば、アルキルフェノン系またはアシルフォスフィンオキサイド系等を適宜選択して使用すればよい。
【００３５】
光架橋促進剤をジアリルイソフタレート樹脂（溶液）に含有させると、ＵＶ等の光の照度を抑えて、または、照射時間を短縮して硬化を行うことができる。光架橋促進剤は、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンあるいは１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン等のアルキルフェノン系光重合開始剤や２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイドあるいは１.２−オクタンジオン，１−[４−（フェニルチオ）−，２−（０−ベンゾイルオキシム）]等のアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤等である。
【００３６】
しかしながら、このような光架橋促進剤は、皮膜硬化反応後に例えば一部が未反応の状態、あるいは、反応後の残骸としてゲート絶縁層に残留してＴＦＴ特性、特にオン／オフ特性に影響を及ぼすことがある。ゲート絶縁層１３に、耐熱性の高いジアリルイソフタレート樹脂を用いることにより、光架橋促進剤を含有させずにゲート絶縁層１３を形成することも可能となる。光架橋促進剤添加の有無は、例えば、有機半導体層１４への影響（特性面への影響）等を確認して決定すればよい。
【００３７】
上記のようにしてゲート絶縁層１３を成膜した後、有機半導体層１４を形成する。有機半導体層１４は、まず、上述の有機半導体層１４の構成材料を溶媒に溶解（分散）させ、これをゲート絶縁層１３上に塗布して加熱（焼成）した後、島状にパターニングして形成する。パターニングは、上記ゲート電極１２の形成と同様の方法により行うことができる。
【００３８】
続いて、有機半導体層１４上に金属膜を成膜し、これをパターニングすることによりソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂ、ソース電極用配線およびドレイン電極用配線を形成する。金属膜の成膜およびパターニングの方法は、上記ゲート電極１２およびゲート電極用配線と同様である。以上の工程により、有機ＴＦＴ１が完成する。
【００３９】
以上のように、本実施の形態では、ゲート絶縁層１３がジアリルイソフタレート樹脂を含有するようにしたので、このゲート絶縁層１３が耐熱性、低吸湿性および硬化皮膜表面のぬれ性の点で優れた性質を示し、有機ＴＦＴ１のＴＦＴ特性が向上する。
【００４０】
＜適用例１＞
図２は、上記有機ＴＦＴ１，２のいずれかを駆動素子として備えた表示装置の回路構成を表すものである。表示装置９０は、例えば液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイまたは電気泳動方式に代表される電子ペーパーなどであり、駆動パネル９１上の表示領域１１０に、マトリクス状に配設された複数の画素１０と、画素１０を駆動するための各種駆動回路とが形成されたものである。駆動パネル９１上には、駆動回路として、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０と、画素駆動回路１５０とが配設されている。この駆動パネル９１には、図示しない封止パネルが貼り合わせられ、この封止パネルにより画素１０および上記駆動回路が封止されている。
【００４１】
図３は、画素駆動回路１５０の等価回路図である。画素駆動回路１５０は、上記有機ＴＦＴ１，２のいずれかとして、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が配設されたアクティブ型の駆動回路である。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間にはキャパシタＣｓが設けられ、第１の電源ライン（Ｖcc）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、画素１０がトランジスタＴｒ１に直列に接続されている。このような画素駆動回路１５０では、列方向に信号線１２０Ａが複数配置され、行方向に走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介してトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介してトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。この表示装置では、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が、上記実施の形態の有機ＴＦＴの１，２により構成されているので、このトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の良好なＴＦＴ特性により、高品質な表示が可能となる。このような表示装置９０は、例えば次の適用例２〜７に示した電子機器に搭載することができる。
【００４２】
＜適用例２＞
図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０、非表示部２２０および操作部２３０を有している。操作部２３０は、図４（Ａ）に示したように表示部２１０と同じ面（前面）に形成されていても、図４（Ｂ）に示したように表示部２１０とは異なる面（上面）に形成されていてもよい。
【００４３】
＜適用例３＞
図５は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有している。
【００４４】
＜適用例４＞
図６は、デジタルスチルカメラの外観を表したものである。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有している。
【００４５】
＜適用例５＞
図７は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有している。
【００４６】
＜適用例６＞
図８は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。
【００４７】
＜適用例７＞
図９は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。
【実施例】
【００４８】
更に、本技術の具体的な実施例について説明する。
【００４９】
（実験例１）
まず、ジアリルイソフタレート樹脂をシクロペンタノンに溶解させてジアリルイソフタレート樹脂溶液を調製した。このジアリルイソフタレート樹脂溶液を厚さ（積層方向の厚さ）２００ｎｍのゲート電極上に塗布した後、露光装置により照射強度６０００ｍＷで硬化させて厚さ６００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。このゲート絶縁層上に有機半導体層を形成した後、この有機半導体層に接するようにソース・ドレイン電極を形成して有機ＴＦＴを作製した。
【００５０】
（実験例２）
１，１０−デカンジオールジアクリレート５％を添加して（ジアリルイソフタレート樹脂９５％）ゲート絶縁層を形成したこと以外は、実験例１と同様にして有機ＴＦＴを作製した。
【００５１】
（実験例３）
ノナンジオールジメタクリレート２５％を添加して（ジアリルイソフタレート樹脂７５％）ゲート絶縁層を形成したこと以外は、実験例１と同様にして有機ＴＦＴを作製した。
【００５２】
（実験例４）
ゲート絶縁層を、ジアリルフタレート樹脂を用いて構成した以外は、実験例１と同様にして有機ＴＦＴを作製した。ゲート電極上に塗布したジアリルフタレート樹脂溶液には、実験例１と同様にジアリルフタレート樹脂をシクロペンタノンに溶解させたものを使用した。
【００５３】
（実験例５）
ゲート絶縁層を、ＰＶＰ系樹脂を用いて構成した以外は、実験例１と同様にして有機ＴＦＴを作製した。ゲート電極上に塗布したＰＶＰ系樹脂溶液には、ＰＶＰ系樹脂をＰＧＭＥＡに溶解させたものを使用し、添加剤としてニカラック（登録商標）１００ＬＭを加えた。
【００５４】
（実験例６）
ゲート絶縁層を、１，１０−デカンジオールジアクリレートを用いて構成した以外は、実験例１と同様にして有機ＴＦＴを作製した。
【００５５】
（実験例７）
ゲート絶縁層を、ノナンジオールジメタクリレートを用いて構成した以外は、実験例１と同様にして有機ＴＦＴを作製した。
【００５６】
まず、上記のように作製した実験例１〜７で耐熱性評価を行った結果を表１に表す。この耐熱性評価では、実験例１〜７の硬化皮膜を１５０℃で３０分間ベークし、その表面状態を目視で確認した。有機ＴＦＴの作製プロセスでは、１５０℃での耐熱性が目安となる。なお、表１中、Ａは全く問題なく有機半導体材料の塗布が可能な状態、Ｂは表面に変化が表れたものの有機半導体材料の塗布は可能な状態、Ｃは表面が変化してしまい有機半導体材料の塗布が不可能な状態をそれぞれ表す。
【００５７】
【表１】
【００５８】
次に、耐熱性評価がＡ又はＢであった実験例１〜５のＴＦＴ特性を半導体パラメータアナライザを用いて調べた。この結果を表２に表す。なお、有機ＴＦＴのチャネル長は５μｍ，チャネル幅は３８０μｍであった。
【００５９】
【表２】
【００６０】
表２からゲート絶縁層の樹脂材料によるＴＦＴ特性の違いを検討する。耐熱性の低いジアリルフタレート樹脂を用いた実験例４では、ＯＮ／ＯＦＦ比特性が実験例１〜３と比較して低く、吸湿性の高いＰＶＰ系樹脂を用いた実験例５では、閾値電圧の変動ΔＶｔｈが実験例１〜３と比較して大きい。実験例１〜３のＯＮ／ＯＦＦ比特性は実験例５と、実験例１〜３の閾値電圧の変動ΔＶｔｈは実験例４とそれぞれ同等である。即ち、ゲート絶縁層をジアリルイソフタレート樹脂を含有させて構成した実験例１〜３は、ＯＮ／ＯＦＦ比特性および閾値電圧の両方のＴＦＴ特性において優れている。
【００６１】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、トップコンタクト・ボトムゲート型の有機ＴＦＴ１（図１）について説明したが、図１０に示したように、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の構造であってもよく、図示は省略するが、トップゲート型の構造であってもよい。
【００６２】
また、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００６３】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）制御電極と、前記制御電極に対向する能動層と、前記能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極と、前記制御電極と前記能動層との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えたトランジスタ。
（２）前記能動層は、有機半導体材料からなる前記（１）に記載のトランジスタ。
（３）前記絶縁層は、ジアリルイソフタレート樹脂からなる前記（１）に記載のトランジスタ。
（４）前記絶縁層は、ジアリルイソフタレート樹脂を５０％以上含有する前記（１）に記載のトランジスタ。
（５）前記絶縁層は、ジアリルイソフタレート樹脂と共にアクリレート類およびメタクリレート類のうち少なくともどちらか一方を含有する前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載のトランジスタ。
（６）複数の画素と前記複数の画素を駆動するためのトランジスタとを備え、前記ト
ランジスタは、制御電極と、前記制御電極に対向する能動層と、前記能動層に電気的
に接続された第１電極および第２電極と、前記制御電極と前記能動層との間に設けら
れ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えた表示装置。
（７）制御電極を形成する工程と、前記制御と対向する能動層を形成する工程と、前記能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極を形成する工程と、前記制御電極と前記能動層との間に、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層を形成する工程とを含むトランジスタの製造方法。
【符号の説明】
【００６４】
１…有機ＴＦＴ、１１…基板、１２…ゲート電極、１３，２３…ゲート絶縁層、１４…有機半導体層、１５Ａ，１５Ｂ…ソース・ドレイン電極、９０・・・表示装置、９１・・・駆動パネル、１０・・・画素、１１０・・・表示領域、１２０・・・信号線駆動回路、１３０・・・走査線駆動回路、１５０・・・画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２・・・トランジスタ。
【技術分野】
【０００１】
本技術は、低温での製造に好適なトランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
多くの電子機器では、電界効果型トランジスタ（Field Effect Transistor；ＦＥＴ）として、薄膜トランジスタ（Thin Film Transistor;ＴＦＴ）が用いられている。薄膜トランジスタは、基板上にゲート電極，ゲート絶縁層，半導体層，ソース電極およびドレイン電極が設けられたものである。このうち、ゲート電極の配置によりトップゲート型とボトムゲート型との２つの構造に大別される。また、ソース電極と
ドレイン電極の配置によりトップコンタクトとボトムコンタクトに分類される。
【０００３】
例えば、トップゲート型ＴＦＴ構造は、基板側から半導体層、ゲート絶縁層、ゲート電極およびソース・ドレイン電極をこの順に有し、ボトムゲート型ＴＦＴ構造は、基板側からゲート電極、ゲート絶縁層、半導体層およびソース・ドレイン電極をこの順に有している。現在、このようなＴＦＴでは、半導体層としてシリコン（Ｓｉ）などの無機物がよく使用されている。しかし、無機物の半導体層を形成するためには、高価で大がかりな装置を必要とするため、よりコストを抑え、かつ、簡便な方法で作製可能なＴＦＴを開発することが望まれている。
【０００４】
このようなコストを抑えたＴＦＴの一つとして、半導体層に有機半導体材料を用いたものの開発が精力的に進められている。この有機半導体材料は有機溶剤に溶解させて塗布した後、有機溶剤を乾燥させることで半導体層が形成できる。このため、従来のアモルファスシリコン等の無機半導体層の形成工程と比較すると、非常に低温で製造することが可能である。有機半導体は、インク化することが可能であり、例えば印刷法等の塗布成膜法により、低温、かつ簡易な製造工程で形成することができ、低コストでの製造が可能となる（例えば、特許文献１）。これにより、従来から用いている耐熱性のシリコン基板やガラス基板に代えて、安価なプラスチックフィルムなどを用いることが可能となり、フレキシブルなデバイスを作製することができる。
【０００５】
また、有機半導体材料の構成分子設計をすることで、その物性や性能を制御することもできる。更に、有機半導体層は無機半導体層よりも軽く、かつ可撓性を有している。このような有機半導体は、低コスト、高性能、可撓性および軽量化を実現可能なため、上記ＴＦＴ（ＦＥＴ）の他、有機発光素子、有機太陽電池等の有機エレクトロニクスデバイスでの使用も期待されている。
【０００６】
ところで、有機半導体層を用いたＴＦＴでは、半導体層以外の層の形成も低温で行うことが検討されている。具体的に、電極類は金属を用いることが好ましく、例えば銀のナノ粒子を有機溶剤に分散させインク化したものを低温（例えば、約１５０℃）で焼結させて導電性が得られるように設計している。また、ゲート絶縁層等は、無機半導体層のＴＦＴで用いられる酸化シリコン（ＳｉＯ2）等の無機材料ではなく、高分子有機材料を溶媒に溶解させて塗布成膜したものが用いられている。このようなゲート絶縁層等は、有機半導体の可撓性を損なわず、また低温での製造工程により形成することができる。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００７】
【特許文献１】ＷＯ２００３／０１６５９９号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００８】
しかしながら、高分子材料の性質は種類によって大きく異なるため、これを絶縁層に用いるためにはＴＦＴの特性が向上するように高分子材料を選択することが重要となる。特に、ゲート絶縁膜に高分子材料を用いる場合には、半導体層と直接接触するため、精査が必要である。ＴＦＴの特性は、例えば高分子材料の耐熱性、製造工程で使用する有機溶剤に対する耐性および吸湿性等が要因となって変化する。絶縁層として、絶縁性の高いポリビニルフェノール（ＰＶＰ）樹脂やエポキシ樹脂、あるいはフォトレジスト材料等が好んで用いられているが、未だ得られるＴＦＴ特性は不十分であり、より絶縁層に適した高分子材料が望まれている。
【０００９】
本技術はかかる問題点に鑑みてなされたもので、その目的は、絶縁層に適した材料を用いることにより、その特性を向上させたトランジスタおよびその製造方法、並びに表示装置を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本技術によるトランジスタは、制御電極と、制御電極に対向する能動層と、能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極と、制御電極と能動層との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えたものである。
【００１１】
本技術によるトランジスタの製造方法は上記トランジスタを製造する方法であり、本技術の表示装置は上記トランジスタを備えたものである。
【００１２】
本技術のトランジスタ，トランジスタの製造方法または表示装置では、絶縁層がジアリルイソフタレート樹脂を含有しており、この絶縁層は、耐熱性、低吸湿性および表面のぬれ性の点で優れた性質を示す。
【発明の効果】
【００１３】
本技術のトランジスタ、トランジスタの製造方法、並びに表示装置によれば、絶縁層がジアリルイソフタレート樹脂を含有するようにしたので、その特性を向上させることができる。
【図面の簡単な説明】
【００１４】
【図１】本開示の一実施の形態に係る有機ＴＦＴの構造を表す断面図である。
【図２】適用例１に係る表示装置の回路構成を表す図である。
【図３】図２に示した画素駆動回路の一例を表す等価回路図である。
【図４】適用例２の外観を表す斜視図である。
【図５】適用例３の外観を表す斜視図である。
【図６】（Ａ）は適用例４の表側から見た外観を表す斜視図、（Ｂ）は裏側から見た外観を表す斜視図である。
【図７】適用例５の外観を表す斜視図である。
【図８】適用例６の外観を表す斜視図である。
【図９】（Ａ）は適用例７の開いた状態の正面図、（Ｂ）はその側面図、（Ｃ）は閉じた状態の正面図、（Ｄ）は左側面図、（Ｅ）は右側面図、（Ｆ）は上面図、（Ｇ）は下面図である。
【図１０】図１に示した有機ＴＦＴの変形例に係る構造を表す断面図である。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本技術の実施の形態について、図面を参照して詳細に説明する。なお、説明
は以下の順序で行う。
１．実施の形態（絶縁層にジアリルイソフタレート樹脂を含む例）
２．適用例
３．実施例
【００１６】
＜実施の形態＞
図１は、本開示の一実施の形態に係る有機薄膜トランジスタ（有機ＴＦＴ１）の断面構成を表したものである。有機ＴＦＴ１は、電界効果型のトランジスタであり、液晶，有機ＥＬおよび電気泳動型の表示体を用いたディスプレイの駆動素子として用いられるものである。この有機ＴＦＴ１は、トップコンタクト・ボトムゲート型構造のＴＦＴであり、基板１１上にゲート電極１２（制御電極）、ゲート絶縁層１３（絶縁層）、有機半導体層１４（能動層）およびソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂ（第１電極および第２電極）をこの順に有している。
【００１７】
基板１１は、ガラス基板，石英基板またはプラスチックフィルムなどにより構成されている。プラスチック材料としては、例えばＰＥＴ（ポリエチレンテレフタレート）、ＰＥＮ（ポリエチレンナフタレート）、ＰＩ（ポリイミド）、ＰＡＲ（ポリアリレート）、ＰＥＳ（ポリエチレンスルフィド）あるいはＰＰＳ（ポリフェニレンスルフィド）などを用いることができる。
【００１８】
ゲート電極１２は、有機ＴＦＴ１にゲート電圧を印加し、このゲート電圧により有機半導体層１４中のキャリア密度を制御する役割を有するものである。ゲート電極１２は基板１１上の選択的な領域に設けられ、例えば白金（Ｐｔ），チタン（Ｔｉ），ルテニウム（Ｒｕ），モリブデン（Ｍｏ），銅（Ｃｕ），タングステン（Ｗ），クロム（Ｃｒ），ニッケル（Ｎｉ），アルミニウム（Ａｌ）およびタンタル（Ｔａ）等の金属単体または合金により構成されている。ゲート電極１２には、この他の無機導電材料、または有機導電材料、更には炭素材料を使用してもよい。ゲート電極１２と同層にはゲート電極用配線（図示せず）が設けられている。
【００１９】
ゲート絶縁層１３は、ゲート電極１２とソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂに電気的に接続された有機半導体層１４とを絶縁するため、ゲート電極１１と有機半導体層１４との間に設けられている。本実施の形態では、このゲート絶縁層１３が、ジアリルイソフタレート樹脂を含有している。これにより、有機ＴＦＴ１のＴＦＴ特性が向上する。
【００２０】
ゲート絶縁層１３中でのジアリルイソフタレート樹脂の含有量は、例えば、５０％以上（重量比）、好ましくは７５％以上である。ゲート絶縁層１３がジアリルイソフタレート樹脂のみにより構成されていてもよい。ジアリルイソフタレート樹脂が１００％使用された硬化膜の耐熱温度は高く、約２５０℃である。有機ＴＦＴ作製のための一般的なプロセス温度（製造工程温度）が１５０〜１６０℃、高くても１８０℃程度であるため、この耐熱温度は充分高い温度であるといえる。また、ゲート絶縁層１３中にジアリルイソフタレート樹脂以外の樹脂が添加されていても（添加樹脂）、ジアリルイソフタレート樹脂の含有量が５０％以上であれば、その効果が明確に発揮される。例えば、添加樹脂の割合が２５％であっても約２００℃以上の耐熱性が、５０％であっても約１５０℃以上の耐熱性がそれぞれ得られることを確認している。ゲート絶縁層１３形成後のプロセス温度に応じて添加樹脂の割合を選択すればよい。
【００２１】
添加樹脂としては、ジアリルイソフタレート樹脂と例えば光硬化する官能基を有する樹脂を用いればよく、例えば、２官能アクリレート，多官能アクリレート，２官能メタクリレートおよび多官能メタクリレート等が挙げられる。アクリレート類、メタクリレート類は多品種であるため、選択し易い。例えば、直鎖アルキルジメタクリレートや直鎖アルキルジアクリレート等が好ましく、具体的には、１，６−ヘキサンジオールジアクリレート，１，９−ノナンジオールジアクリレート，１，１０−デカンジオールジアクリレート，トリシクロデカンジメタノールジアクリレート，９，９−ビス[４−（２−アクリロイルオキシエトキシ）フェニル]フルオレン，ヘキサンジオールジメタクリレート，ノナンジオールジメタクリレートあるいはトリシクロデカンジメタノールジメタクリレート等を用いることが好ましい。
【００２２】
アクリレート類、メタクリレート類、更にはアクリル樹脂等を含むフォトレジスト等は単独で硬化皮膜を作製することも可能であるが、このような皮膜は、耐熱性が非常に低く、プロセス温度に適応させることができない。即ち、これらの添加樹脂はジアリルイソフタレート樹脂と混合することにより、耐熱性の高いゲート絶縁層１３を形成することができる。一方、ジアリルイソフタレート樹脂に添加樹脂を加えることで、ジアリルイソフタレート樹脂にはない特性、例えば、直鎖アルキルジメタクリレートや直鎖アルキルジアクリレート等が有する柔軟性をゲート絶縁層１３に付与することができる。
【００２３】
ジアリルイソフタレート樹脂と類似の構造を有するジアリルフタレート樹脂では、その硬化膜の耐熱温度が１５０℃前後であり、ジアリルイソフタレート樹脂と比較して低い。このジアリルフタレート樹脂の耐熱性の低さは、化学構造上のフタル酸に起因しており、加熱により自身の分子鎖が切断される。これに対し、ジアリルイソフタレート樹脂では、フタル酸構造を取らないため、耐熱性の高い硬化膜が形成される。このように、ゲート絶縁層１３が耐熱温度の高いジアリルイソフタレート樹脂を含有することにより、製造工程でのゲート絶縁層１３の劣化を抑え、ＴＦＴ特性の高い有機ＴＦＴ１を得ることができる。
【００２４】
また、ジアリルイソフタレート樹脂は、その硬化皮膜の表面エネルギーが高く、塗布性能（硬化皮膜表面のぬれ性）に優れている。換言すれば、ジアリルイソフタレート樹脂の硬化表面に容易に別の皮膜を形成することができる。この特性により、ゲート絶縁層１３上に塗布法により有機半導体層１４を形成する場合に、有機半導体層１４の膜厚が均一になり、ＴＦＴ特性のばらつきを抑えることができる。
【００２５】
更に、ポリビニルフェノール（ＰＶＰ）樹脂やエポキシ樹脂では、その構造中に水酸基や極性基が存在し吸湿性が高くなるのに対し、ジアリルイソフタレート樹脂はこのような吸湿性の官能基を有していない。従って、ジアリルイソフタレート樹脂の硬化皮膜の吸湿性は、他の樹脂と比較して低い。デバイス中に水分が存在すると、ＴＦＴの閾値電圧等に影響し、また長期的には特性劣化を生じることが確認されている。よって、このような低吸湿性のゲート絶縁層１３により有機ＴＦＴ１の信頼性を向上させることができる。
【００２６】
有機半導体層１４は、ゲート絶縁層１３上にゲート電極１２に対向して設けられ、かつソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂに接している。有機半導体層１４は、島状にパターニングされている。有機半導体層１４の構成材料は、例えば、ポリチオフェン、ポリチオフェンにヘキシル基を導入したポリ−３−ヘキシルチオフェン［Ｐ３ＨＴ］、ペンタセン［２，３，６，７−ジベンゾアントラセン］、ポリアントラセン、ナフタセン、ヘキサセン、ヘプタセン、ジベンゾペンタセン、テトラベンゾペンタセン、クリセン、ペリレン、コロネン、テリレン、オバレン、クオテリレン、サーカムアントラセン、ベンゾピレン、ジベンゾピレン、トリフェニレン、ポリピロール、ポリアニリン、ポリアセチレン、ポリジアセチレン、ポリフェニレン、ポリフラン、ポリインドール、ポリビニルカルバゾール、ポリセレノフェン、ポリテルロフェン、ポリイソチアナフテン、ポリカルバゾール、ポリフェニレンスルフィド、ポリフェニレンビニレン、ポリフエニレンスルフィド、ポリビニレンスルフィド、ポリチエニレンビニレン、ポリナフタレン、ポリピレン、ポリアズレン、銅フタロシアニンで代表されるフタロシアニン、メロシアニン、ヘミシアニン、ポリエチレンジオキシチオフェン、ピリダジン、ナフタレンテトラカルボン酸ジイミド、ポリ（３，４−エチレンジオキシチオフェン）／ポリスチレンスルホン酸［ＰＥＤＯＴ／ＰＳＳ］、
４，４’−ビフェニルジチオール（ＢＰＤＴ）、４，４’−ジイソシアノビフェニル、４，４’−ジイソシアノ−ｐ−テルフェニル、２，５−ビス（５’−チオアセチル−２’−チオフェニル）チオフェン、２，５−ビス（５’−チオアセトキシル−２’−チオフェニル）チオフェン、４，４’−ジイソシアノフェニル、ベンジジン（ビフェニル−４，４’−ジアミン）、ＴＣＮＱ（テトラシアノキノジメタン）、テトラチアフルバレン（ＴＴＦ）−ＴＣＮＱ錯体、ビスエチレンテトラチアフルバレン（ＢＥＤＴＴＴＦ）−過塩素酸錯体、ＢＥＤＴＴＴＦ−ヨウ素錯体、ＴＣＮＱ−ヨウ素錯体に代表される電荷移動錯体、ビフェニル−４，４’−ジカルボン酸、１，４−ジ（４−チオフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、１，４−ジ（４−イソシアノフェニルアセチリニル）−２−エチルベンゼン、デンドリマー、Ｃ６０、Ｃ７０、Ｃ７６、Ｃ７８、Ｃ８４等のフラーレン、１，４−ジ（４−チオフェニルエチニル）−２−エチルベンゼン、２，２”−ジヒドロキシ−１，１’：４’，１”−テルフェニル、４，４’−ビフェニルジエタナール、４，４’−ビフェニルジオール、４，４’−ビフェニルジイソシアネート、１，４−ジアセチニルベンゼン、ジエチルビフェニル−４，４’−ジカルボキシレート、ベンゾ［１，２−ｃ；３，４−ｃ’；５，６−ｃ”］トリス［１，２］ジチオール−１，４，７−トリチオン、アルファ−セキシチオフェン、テトラチオテトラセン、テトラセレノテトラセン、テトラテルルテトラセン、ポリ（３−アルキルチオフェン）、ポリ（３−チオフェン−β−エタンスルホン酸）、ポリ（Ｎ−アルキルピロール）ポリ（３−アルキルピロール）、ポリ（３，４−ジアルキルピロール）、ポリ（２，２’−チエニルピロール）、ポリ（ジベンゾチオフェンスルフィド）またはキナクリドン等である。この他、縮合多環芳香族化合物、ポルフィリン系誘導体、フェニルビニリデン系の共役系オリゴマーまたはチオフェン系の共役系オリゴマー等を用いてもよい。
【００２７】
ソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂは、有機半導体層１４に電気的に接続され、例えばタングステン，タンタル，モリブデン，アルミニウム，クロム，銅，チタン，ニッケル，ＩＴＯ（インジウム錫酸化物）またはこれらの合金からなる金属膜の単層膜あるいは２種以上のこれらの金属膜よりなる積層膜により構成されている。ソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂと同層には、ソース電極用配線およびドレイン電極用配線（図示せず）が設けられている。
【００２８】
この有機ＴＦＴ１は、例えば次のようにして製造することができる。
【００２９】
まず、基板１１の全面に例えば、真空成膜法，塗布法または鍍金法を用いて、ゲート電極１２およびゲート電極用配線となる金属膜を形成する。真空成膜法としては、真空蒸着法、フラッシュ蒸着法、スパッタリング法、物理的気相成長法（Physical Vapor Deposition;ＰＶＤ）、化学的気相成長法（Chemical Vapor Deposition;ＣＶＤ）、パルスレーザ堆積法（ＰＬＤ）またはアーク放電法などを用いることができる。また、塗布法としては、スピンコート法、スリットコート法、バーコート法またはスプレーコート法等、鍍金法としては、電解鍍金法または無電解鍍金法等による成膜が可能である。
【００３０】
次いで、基板１１に形成した金属膜上に例えば、レジストパターンや金属パターン等のマスクを形成する。マスクは、例えば、塗布によりフォトレジスト膜を形成した後、これをフォトリソグラフィ法，レーザ描画法，電子線描画法またはＸ線描画法などによりパターニングして形成する。金属パターンのマスクを使用する場合は、例えばレーザアブレーション法，マスク蒸着法またはレーザ転写法を用いる。続いて、このマスクを用いてドライエッチングまたはエッチャント溶液によるウェットエッチングを行って金属膜をパターニングした後、アッシング法またはエッチング法によりマスクを除去してゲート電極１２およびゲート電極用配線を形成する。ドライエッチングとして、例えば、イオンミリングまたは反応性イオンエッチング（Reactive Ion Etching;ＲＩＥ）を行うことが可能である。ゲート電極１２およびゲート電極用配線は、上記の方法の他、金（Ａｕ）のナノ粒子や銀（Ａｇ）のナノ粒子等を含有するインクを用いたインクジェット法，スクリーン印刷法，グラビア印刷法またはグラビアオフセット印刷法等の印刷法により形成するようにしてもよい。
【００３１】
ゲート電極１２およびゲート電極用配線を形成した後、これらを覆うようにゲート絶縁層１３を成膜する。ゲート絶縁層１３の成膜は、ジアリルイソフタレート樹脂を溶媒に溶解させてジアリルイソフタレート樹脂溶液を調製し、これをゲート電極１２およびゲート電極用配線上に塗布または印刷した後、硬化（架橋）させることにより行う。ジアリルイソフタレート樹脂は感光性材料であるため、パターニングしてゲート絶縁層１３を形成することも可能である。
【００３２】
ジアリルイソフタレート樹脂を溶解させる溶媒としては、例えば、トルエンまたはキシレンなどの芳香族、アセトン，シクロペンタノンまたは２−ブタノンなどのケトン類あるいはＰＧＭＥＡ（Propylene Glycol Monomethyl Ether Acetate）などの炭化水素類等を単独で、または混合して使用することが可能である。この他、エチルアルコール、イソプロピルアルコールまたはブチルアルコールなどのアルコール類を使用してもよい。また、ジアリルイソフタレート樹脂溶液には、界面活性剤やレベリング剤などを添加するようにしてもよい。
【００３３】
ジアリルイソフタレート樹脂溶液の塗布または印刷は、例えば、キャストコーティング，スピンコーティング，スプレーコーティング，インクジェット印刷，凸版印刷，フレキソ印刷，スクリーン印刷，グラビア印刷またはグラビアオフセット印刷などにより行う。上記の方法の中から、所望の膜厚に応じて適宜選択すればよい。
【００３４】
ジアリルイソフタレート樹脂は、例えば、熱，ＥＢ（Electron Beam）またはＵＶ（UltraViolet）照射等により硬化させる。ジアリルイソフタレート樹脂に有機過酸化物を含有させると、熱硬化樹脂として取り扱うことができ、ラジカル重合開始剤を含有させると、ＵＶ硬化樹脂として取り扱うことができる。有機過酸化物には、例えば、ハイドロパーオキサイドまたはジアルキルパーオキサイド等の一般的によく使用されているものを用いることができる。ラジカル重合開始剤には、例えば、アルキルフェノン系またはアシルフォスフィンオキサイド系等を適宜選択して使用すればよい。
【００３５】
光架橋促進剤をジアリルイソフタレート樹脂（溶液）に含有させると、ＵＶ等の光の照度を抑えて、または、照射時間を短縮して硬化を行うことができる。光架橋促進剤は、例えば、２，２−ジメトキシ−１，２−ジフェニルエタン−１−オンあるいは１−ヒドロキシ−シクロヘキシル−フェニル−ケトン等のアルキルフェノン系光重合開始剤や２，４，６−トリメチルベンゾイル−ジフェニル−フォスフィンオキサイド、ビス（２，４，６−トリメチルベンゾイル）−フェニルフォスフィンオキサイドあるいは１.２−オクタンジオン，１−[４−（フェニルチオ）−，２−（０−ベンゾイルオキシム）]等のアシルフォスフィンオキサイド系光重合開始剤等である。
【００３６】
しかしながら、このような光架橋促進剤は、皮膜硬化反応後に例えば一部が未反応の状態、あるいは、反応後の残骸としてゲート絶縁層に残留してＴＦＴ特性、特にオン／オフ特性に影響を及ぼすことがある。ゲート絶縁層１３に、耐熱性の高いジアリルイソフタレート樹脂を用いることにより、光架橋促進剤を含有させずにゲート絶縁層１３を形成することも可能となる。光架橋促進剤添加の有無は、例えば、有機半導体層１４への影響（特性面への影響）等を確認して決定すればよい。
【００３７】
上記のようにしてゲート絶縁層１３を成膜した後、有機半導体層１４を形成する。有機半導体層１４は、まず、上述の有機半導体層１４の構成材料を溶媒に溶解（分散）させ、これをゲート絶縁層１３上に塗布して加熱（焼成）した後、島状にパターニングして形成する。パターニングは、上記ゲート電極１２の形成と同様の方法により行うことができる。
【００３８】
続いて、有機半導体層１４上に金属膜を成膜し、これをパターニングすることによりソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂ、ソース電極用配線およびドレイン電極用配線を形成する。金属膜の成膜およびパターニングの方法は、上記ゲート電極１２およびゲート電極用配線と同様である。以上の工程により、有機ＴＦＴ１が完成する。
【００３９】
以上のように、本実施の形態では、ゲート絶縁層１３がジアリルイソフタレート樹脂を含有するようにしたので、このゲート絶縁層１３が耐熱性、低吸湿性および硬化皮膜表面のぬれ性の点で優れた性質を示し、有機ＴＦＴ１のＴＦＴ特性が向上する。
【００４０】
＜適用例１＞
図２は、上記有機ＴＦＴ１，２のいずれかを駆動素子として備えた表示装置の回路構成を表すものである。表示装置９０は、例えば液晶ディスプレイ、有機ＥＬディスプレイまたは電気泳動方式に代表される電子ペーパーなどであり、駆動パネル９１上の表示領域１１０に、マトリクス状に配設された複数の画素１０と、画素１０を駆動するための各種駆動回路とが形成されたものである。駆動パネル９１上には、駆動回路として、例えば映像表示用のドライバである信号線駆動回路１２０および走査線駆動回路１３０と、画素駆動回路１５０とが配設されている。この駆動パネル９１には、図示しない封止パネルが貼り合わせられ、この封止パネルにより画素１０および上記駆動回路が封止されている。
【００４１】
図３は、画素駆動回路１５０の等価回路図である。画素駆動回路１５０は、上記有機ＴＦＴ１，２のいずれかとして、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が配設されたアクティブ型の駆動回路である。トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の間にはキャパシタＣｓが設けられ、第１の電源ライン（Ｖcc）および第２の電源ライン（ＧＮＤ）の間において、画素１０がトランジスタＴｒ１に直列に接続されている。このような画素駆動回路１５０では、列方向に信号線１２０Ａが複数配置され、行方向に走査線１３０Ａが複数配置されている。各信号線１２０Ａは、信号線駆動回路１２０に接続され、この信号線駆動回路１２０から信号線１２０Ａを介してトランジスタＴｒ２のソース電極に画像信号が供給されるようになっている。各走査線１３０Ａは走査線駆動回路１３０に接続され、この走査線駆動回路１３０から走査線１３０Ａを介してトランジスタＴｒ２のゲート電極に走査信号が順次供給されるようになっている。この表示装置では、トランジスタＴｒ１，Ｔｒ２が、上記実施の形態の有機ＴＦＴの１，２により構成されているので、このトランジスタＴｒ１，Ｔｒ２の良好なＴＦＴ特性により、高品質な表示が可能となる。このような表示装置９０は、例えば次の適用例２〜７に示した電子機器に搭載することができる。
【００４２】
＜適用例２＞
図４（Ａ）および図４（Ｂ）は、電子ブックの外観を表したものである。この電子ブックは、例えば、表示部２１０、非表示部２２０および操作部２３０を有している。操作部２３０は、図４（Ａ）に示したように表示部２１０と同じ面（前面）に形成されていても、図４（Ｂ）に示したように表示部２１０とは異なる面（上面）に形成されていてもよい。
【００４３】
＜適用例３＞
図５は、テレビジョン装置の外観を表したものである。このテレビジョン装置は、例えば、フロントパネル３１０およびフィルターガラス３２０を含む映像表示画面部３００を有している。
【００４４】
＜適用例４＞
図６は、デジタルスチルカメラの外観を表したものである。このデジタルスチルカメラは、例えば、フラッシュ用の発光部４１０、表示部４２０、メニュースイッチ４３０およびシャッターボタン４４０を有している。
【００４５】
＜適用例５＞
図７は、ノート型パーソナルコンピュータの外観を表したものである。このノート型パーソナルコンピュータは、例えば、本体５１０，文字等の入力操作のためのキーボード５２０および画像を表示する表示部５３０を有している。
【００４６】
＜適用例６＞
図８は、ビデオカメラの外観を表したものである。このビデオカメラは、例えば、本体部６１０，この本体部６１０の前方側面に設けられた被写体撮影用のレンズ６２０，撮影時のスタート／ストップスイッチ６３０および表示部６４０を有している。
【００４７】
＜適用例７＞
図９は、携帯電話機の外観を表したものである。この携帯電話機は、例えば、上側筐体７１０と下側筐体７２０とを連結部（ヒンジ部）７３０で連結したものであり、ディスプレイ７４０，サブディスプレイ７５０，ピクチャーライト７６０およびカメラ７７０を有している。
【実施例】
【００４８】
更に、本技術の具体的な実施例について説明する。
【００４９】
（実験例１）
まず、ジアリルイソフタレート樹脂をシクロペンタノンに溶解させてジアリルイソフタレート樹脂溶液を調製した。このジアリルイソフタレート樹脂溶液を厚さ（積層方向の厚さ）２００ｎｍのゲート電極上に塗布した後、露光装置により照射強度６０００ｍＷで硬化させて厚さ６００ｎｍのゲート絶縁層を形成した。このゲート絶縁層上に有機半導体層を形成した後、この有機半導体層に接するようにソース・ドレイン電極を形成して有機ＴＦＴを作製した。
【００５０】
（実験例２）
１，１０−デカンジオールジアクリレート５％を添加して（ジアリルイソフタレート樹脂９５％）ゲート絶縁層を形成したこと以外は、実験例１と同様にして有機ＴＦＴを作製した。
【００５１】
（実験例３）
ノナンジオールジメタクリレート２５％を添加して（ジアリルイソフタレート樹脂７５％）ゲート絶縁層を形成したこと以外は、実験例１と同様にして有機ＴＦＴを作製した。
【００５２】
（実験例４）
ゲート絶縁層を、ジアリルフタレート樹脂を用いて構成した以外は、実験例１と同様にして有機ＴＦＴを作製した。ゲート電極上に塗布したジアリルフタレート樹脂溶液には、実験例１と同様にジアリルフタレート樹脂をシクロペンタノンに溶解させたものを使用した。
【００５３】
（実験例５）
ゲート絶縁層を、ＰＶＰ系樹脂を用いて構成した以外は、実験例１と同様にして有機ＴＦＴを作製した。ゲート電極上に塗布したＰＶＰ系樹脂溶液には、ＰＶＰ系樹脂をＰＧＭＥＡに溶解させたものを使用し、添加剤としてニカラック（登録商標）１００ＬＭを加えた。
【００５４】
（実験例６）
ゲート絶縁層を、１，１０−デカンジオールジアクリレートを用いて構成した以外は、実験例１と同様にして有機ＴＦＴを作製した。
【００５５】
（実験例７）
ゲート絶縁層を、ノナンジオールジメタクリレートを用いて構成した以外は、実験例１と同様にして有機ＴＦＴを作製した。
【００５６】
まず、上記のように作製した実験例１〜７で耐熱性評価を行った結果を表１に表す。この耐熱性評価では、実験例１〜７の硬化皮膜を１５０℃で３０分間ベークし、その表面状態を目視で確認した。有機ＴＦＴの作製プロセスでは、１５０℃での耐熱性が目安となる。なお、表１中、Ａは全く問題なく有機半導体材料の塗布が可能な状態、Ｂは表面に変化が表れたものの有機半導体材料の塗布は可能な状態、Ｃは表面が変化してしまい有機半導体材料の塗布が不可能な状態をそれぞれ表す。
【００５７】
【表１】
【００５８】
次に、耐熱性評価がＡ又はＢであった実験例１〜５のＴＦＴ特性を半導体パラメータアナライザを用いて調べた。この結果を表２に表す。なお、有機ＴＦＴのチャネル長は５μｍ，チャネル幅は３８０μｍであった。
【００５９】
【表２】
【００６０】
表２からゲート絶縁層の樹脂材料によるＴＦＴ特性の違いを検討する。耐熱性の低いジアリルフタレート樹脂を用いた実験例４では、ＯＮ／ＯＦＦ比特性が実験例１〜３と比較して低く、吸湿性の高いＰＶＰ系樹脂を用いた実験例５では、閾値電圧の変動ΔＶｔｈが実験例１〜３と比較して大きい。実験例１〜３のＯＮ／ＯＦＦ比特性は実験例５と、実験例１〜３の閾値電圧の変動ΔＶｔｈは実験例４とそれぞれ同等である。即ち、ゲート絶縁層をジアリルイソフタレート樹脂を含有させて構成した実験例１〜３は、ＯＮ／ＯＦＦ比特性および閾値電圧の両方のＴＦＴ特性において優れている。
【００６１】
以上、実施の形態および実施例を挙げて本技術を説明したが、本技術は上記実施の形態等に限定されるものではなく、種々変形が可能である。例えば、上記実施の形態等では、トップコンタクト・ボトムゲート型の有機ＴＦＴ１（図１）について説明したが、図１０に示したように、ボトムコンタクト・ボトムゲート型の構造であってもよく、図示は省略するが、トップゲート型の構造であってもよい。
【００６２】
また、例えば、上記実施の形態において説明した各層の材料および厚み、または成膜方法および成膜条件などは限定されるものではなく、他の材料および厚みとしてもよく、または他の成膜方法および成膜条件としてもよい。
【００６３】
なお、本技術は以下のような構成も取ることができる。
（１）制御電極と、前記制御電極に対向する能動層と、前記能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極と、前記制御電極と前記能動層との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えたトランジスタ。
（２）前記能動層は、有機半導体材料からなる前記（１）に記載のトランジスタ。
（３）前記絶縁層は、ジアリルイソフタレート樹脂からなる前記（１）に記載のトランジスタ。
（４）前記絶縁層は、ジアリルイソフタレート樹脂を５０％以上含有する前記（１）に記載のトランジスタ。
（５）前記絶縁層は、ジアリルイソフタレート樹脂と共にアクリレート類およびメタクリレート類のうち少なくともどちらか一方を含有する前記（１）乃至（４）のうちいずれか１つに記載のトランジスタ。
（６）複数の画素と前記複数の画素を駆動するためのトランジスタとを備え、前記ト
ランジスタは、制御電極と、前記制御電極に対向する能動層と、前記能動層に電気的
に接続された第１電極および第２電極と、前記制御電極と前記能動層との間に設けら
れ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えた表示装置。
（７）制御電極を形成する工程と、前記制御と対向する能動層を形成する工程と、前記能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極を形成する工程と、前記制御電極と前記能動層との間に、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層を形成する工程とを含むトランジスタの製造方法。
【符号の説明】
【００６４】
１…有機ＴＦＴ、１１…基板、１２…ゲート電極、１３，２３…ゲート絶縁層、１４…有機半導体層、１５Ａ，１５Ｂ…ソース・ドレイン電極、９０・・・表示装置、９１・・・駆動パネル、１０・・・画素、１１０・・・表示領域、１２０・・・信号線駆動回路、１３０・・・走査線駆動回路、１５０・・・画素駆動回路、Ｔｒ１，Ｔｒ２・・・トランジスタ。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
制御電極と、
前記制御電極に対向する能動層と、
前記能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極と、
前記制御電極と前記能動層との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層と
を備えたトランジスタ。
【請求項２】
前記能動層は、有機半導体材料からなる
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記絶縁層は、ジアリルイソフタレート樹脂からなる
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記絶縁層は、ジアリルイソフタレート樹脂を５０％以上含有する
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記絶縁層は、ジアリルイソフタレート樹脂と共にアクリレート類およびメタクリレート類のうち少なくともどちらか一方を含有する
請求項４に記載のトランジスタ。
【請求項６】
複数の画素と前記複数の画素を駆動するためのトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
制御電極と、
前記制御電極に対向する能動層と、
前記能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極と、
前記制御電極と前記能動層との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えた
表示装置。
【請求項７】
制御電極を形成する工程と、
前記制御電極と対向する能動層を形成する工程と、
前記能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極を形成する工程と、
前記制御電極と前記能動層との間に、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層を形成する工程と
を含むトランジスタの製造方法。
【請求項１】
制御電極と、
前記制御電極に対向する能動層と、
前記能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極と、
前記制御電極と前記能動層との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層と
を備えたトランジスタ。
【請求項２】
前記能動層は、有機半導体材料からなる
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項３】
前記絶縁層は、ジアリルイソフタレート樹脂からなる
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項４】
前記絶縁層は、ジアリルイソフタレート樹脂を５０％以上含有する
請求項１に記載のトランジスタ。
【請求項５】
前記絶縁層は、ジアリルイソフタレート樹脂と共にアクリレート類およびメタクリレート類のうち少なくともどちらか一方を含有する
請求項４に記載のトランジスタ。
【請求項６】
複数の画素と前記複数の画素を駆動するためのトランジスタとを備え、
前記トランジスタは、
制御電極と、
前記制御電極に対向する能動層と、
前記能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極と、
前記制御電極と前記能動層との間に設けられ、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層とを備えた
表示装置。
【請求項７】
制御電極を形成する工程と、
前記制御電極と対向する能動層を形成する工程と、
前記能動層に電気的に接続された第１電極および第２電極を形成する工程と、
前記制御電極と前記能動層との間に、ジアリルイソフタレート樹脂を含有する絶縁層を形成する工程と
を含むトランジスタの製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【公開番号】特開２０１３−６５８２４（Ｐ２０１３−６５８２４Ａ）
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１５９５７８（Ｐ２０１２−１５９５７８）
【出願日】平成２４年７月１８日（２０１２．７．１８）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年４月１１日（２０１３．４．１１）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年７月１８日（２０１２．７．１８）
【出願人】（０００００２１８５）ソニー株式会社 (34,172)
【Ｆターム（参考）】
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