トリアリールアミン化合物、発光素子、発光装置、電子機器、および照明装置
【課題】バイポーラ性を有する新規のトリアリールアミン化合物を提供する。また、発光効率の高い発光素子、消費電力の低い発光装置、電子機器、または照明装置を提供する。
【解決手段】トリアリールアミン化合物であり、下記一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物である。
（式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表す。α１〜α３は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、またはアリール基のいずれかを表す。）
【解決手段】トリアリールアミン化合物であり、下記一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物である。
（式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表す。α１〜α３は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、またはアリール基のいずれかを表す。）
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、トリアリールアミン化合物に関する。また、トリアリールアミン化合物を用いた発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光を得ることができる。
【０００３】
このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
【０００４】
そして、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、面状の発光を容易に得ることができる。よって、面状の発光を利用した大面積の素子を形成することができる。このことは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００５】
そのエレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光性の物質が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって大別できるが、発光性の物質に有機化合物を用いる場合、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア（電子および正孔）によって発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。
【０００６】
このようなメカニズムから、このような発光素子は電流励起型の発光素子と呼ばれる。なお、有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能であり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼ばれている。
【０００７】
このような発光素子に関しては、その素子特性を向上させる上で、物質に依存した問題が多く、これらを克服するために素子構造の改良や物質開発等が行われている。（例えば、特許文献１）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２６７９７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の一態様では、正孔輸送性および電子輸送性の両方を備えた、いわゆるバイポーラ性を有する新規のトリアリールアミン化合物を提供する。また、本発明の一態様は、発光効率の高い発光素子を提供する。さらに、消費電力の低い発光装置、電子機器、または照明装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、トリアリールアミン化合物である。従って、本発明の構成は、下記一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物である。
【００１１】
【化１】
【００１２】
但し、式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１〜α３は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ１−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００１３】
【化２】
【００１４】
但し、式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４〜α６は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００１５】
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ２）で表されるトリアリールアミン化合物である。
【００１６】
【化３】
【００１７】
但し、式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ２−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００１８】
【化４】
【００１９】
但し、式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００２０】
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ３）で表されるトリアリールアミン化合物である。
【００２１】
【化５】
【００２２】
但し、式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ３−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００２３】
【化６】
【００２４】
但し、式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００２５】
また、本発明の別の一態様は、下記構造式（１００）で表されるトリアリールアミン化合物である。
【００２６】
【化７】
【００２７】
また、本発明の別の一態様は、下記構造式（１３５）で表されるトリアリールアミン化合物である。
【００２８】
【化８】
【００２９】
また、本発明のトリアリールアミン化合物は、正孔輸送性および電子輸送性の両方を備えた、いわゆるバイポーラ性を有している。また、熱物性が良好であり、アモルファス性が高いことが特徴である。従って、発光素子の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層に適用することができる。さらに、本発明のトリアリールアミン化合物は、５員環に結合したフェニル基を含む構造を介してアミンを構成する構造を有していることから、アミンに結合される他の複素環への共役の広がりを抑えることができる。そのため、発光層がホスト材料とゲスト材料（発光材料）との組み合わせにより構成される場合に、比較的短波長の発光材料に対するホスト材料としても用いることができる。また、本発明のトリアリールアミン化合物は蛍光性を有するため、発光層における発光性物質としても用いることができる。したがって本発明は、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いた発光素子も含むものとする。
【００３０】
すなわち、本発明の別の構成は、一対の電極間にＥＬ層を有する発光素子であって、ＥＬ層に含まれる発光層、または正孔輸送層の少なくとも一に本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を含むことを特徴とする。
【００３１】
また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光装置を有する電子機器および照明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、バイポーラ性を示すことから、発光素子のＥＬ層を構成する正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層に用いることができる。また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などに用いて発光素子を形成することにより、発光効率の高い発光素子を形成することができる。また、このような発光素子を適用することで、消費電力が少なく、駆動電圧の低い発光装置、電子機器、および照明装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】発光素子の構造について説明する図。
【図２】発光素子の構造について説明する図。
【図３】発光素子の構造について説明する図。
【図４】発光装置について説明する図。
【図５】発光装置について説明する図。
【図６】電子機器について説明する図。
【図７】照明器具について説明する図。
【図８】構造式（１００）に示すトリアリールアミン化合物の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図９】構造式（１００）に示すトリアリールアミン化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。
【図１０】構造式（１３５）に示すトリアリールアミン化合物の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図１１】構造式（１３５）に示すトリアリールアミン化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。
【図１２】発光素子について説明する図。
【図１３】発光素子１の電流密度−輝度特性を示す図。
【図１４】発光素子１の電圧−輝度特性を示す図。
【図１５】発光素子１の輝度−電流効率特性を示す図。
【図１６】発光素子１の電圧−電流特性を示す図。
【図１７】発光素子１の輝度−色度特性を示す図。
【図１８】発光素子１の発光スペクトルを示す図。
【図１９】発光素子１の信頼性を示す図。
【図２０】発光素子２〜４の電流密度−輝度特性を示す図。
【図２１】発光素子２〜４の電圧−輝度特性を示す図。
【図２２】発光素子２〜４の輝度−電流効率特性を示す図。
【図２３】発光素子２〜４の電圧−電流特性を示す図。
【図２４】発光素子２〜４の発光スペクトルを示す図。
【図２５】発光素子５の電流密度−輝度特性を示す図。
【図２６】発光素子５の電圧−輝度特性を示す図。
【図２７】発光素子５の輝度−電流効率特性を示す図。
【図２８】発光素子５の電圧−電流特性を示す図。
【図２９】発光素子５の発光スペクトルを示す図。
【図３０】発光素子５の信頼性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物について説明する。
【００３６】
本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、下記一般式（Ｇ１）で表される。
【００３７】
【化９】
【００３８】
一般式（Ｇ１）において、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１〜α３は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ１−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００３９】
【化１０】
【００４０】
また、一般式（Ｇ１−２）において、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４〜α６は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００４１】
また、一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物は、有機ＥＬ素子の耐熱性の観点から、分子量４３０以上が好ましい。また、蒸着膜で形成する場合、昇華性の観点から分子量１０００以下が好ましい。より好ましくは分子量５００以上、８００以下である。
【００４２】
従って、一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物は、Ｅ１が窒素原子の場合、分子量の観点からＡｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかである方が好ましい。
【００４３】
ここで、一般式（Ｇ１）または（Ｇ１−２）中、α１〜α６で示されるフェニレン基、または、ビフェニレン基の具体例としては、下記構造式（ｓ−１）〜（ｓ−８）のいずれかが挙げられる。
【００４４】
【化１１】
【００４５】
式中、（ｓ−２）、（ｓ−３）、（ｓ−５）〜（ｓ−８）の様にメタ位やオルト位で結合しているほうが、共役が伸びづらく、好ましい。（ｓ−１）や（ｓ−４）の様にパラ位で結合しているほうが、キャリア輸送性が向上し、信頼性が良好となることが期待できるため、好ましい。
【００４６】
また、一般式（Ｇ１）中、Ａｒ１〜Ａｒ３の具体例としては、下記構造式（ｓ−１１）〜（ｓ−２５）のいずれかが挙げられる。
【００４７】
【化１２】
【００４８】
式中、（ｓ−１１）〜（ｓ−２５）で示した置換基は、バンドギャップが広い置換基であるため、共役が大きくなりづらく、好ましい。（ｓ−１２）〜（ｓ−２５）の様に、２環以上で構成された環をもつアリール基は、キャリア輸送性が良好であり、好ましい。（ｓ−１９）〜（ｓ−２２）の様に、９位置換や３位置換のカルバゾリル基や２位置換のジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基は、ホール輸送性が良好となり、好ましい。
【００４９】
また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、下記一般式（Ｇ２）で表される。
【００５０】
【化１３】
【００５１】
一般式（Ｇ２）において、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ２−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００５２】
【化１４】
【００５３】
また、一般式（Ｇ２−２）において、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００５４】
ここで、一般式（Ｇ２）または一般式（Ｇ２−２）におけるα１、α４、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３の具体例としては、一般式（Ｇ１）と同様のものが挙げられる。
【００５５】
また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、下記一般式（Ｇ３）で表される。
【００５６】
【化１５】
【００５７】
一般式（Ｇ３）において、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ３−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００５８】
【化１６】
【００５９】
また、一般式（Ｇ３−２）において、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００６０】
ここで、一般式（Ｇ３）または一般式（Ｇ３−２）におけるＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３の具体例としては、一般式（Ｇ１）と同様のものが挙げられる。
【００６１】
なお、上記一般式（Ｇ１）〜（Ｇ３）で表されるトリアリールアミン化合物において、置換基を有すると熱物性（Ｔｇ）を向上させるためには、好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの炭素数１〜６のアルキル基や、フェニル基等が挙げられる。
【００６２】
次に、上述した本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物の具体的な構造式を示す。（下記構造式（１００）〜（１１８）、（１３０）〜（１３６）。）ただし、本発明はこれらに限定されることはない。
【００６３】
【化１７】
【００６４】
【化１８】
【００６５】
【化１９】
【００６６】
【化２０】
【００６７】
【化２１】
【００６８】
なお、上記構造式（１００）〜（１１８）、（１３０）〜（１３６）で表されるトリアリールアミン化合物は、バイポーラ性に優れた新規物質である。具体的には、ベンズイミダゾリル基またはベンズオキサゾリル基が電子輸送性に優れた骨格であり、トリアリールアミン骨格がホール輸送性に優れた骨格である。
【００６９】
次に、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物の合成方法の一例として、一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物の合成方法について説明する。
【００７０】
≪一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物の合成法≫
下記一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物の合成方法の一例について説明する。
【００７１】
【化２２】
【００７２】
一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物は、以下に示す合成スキーム（Ａ）に示される合成方法によって合成することができる。
【００７３】
【化２３】
【００７４】
式中、Ｘ１はハロゲンを表し、ヨウ素、臭素、塩素の順で反応性が良好となり、好ましい。
【００７５】
スキーム（Ａ）に示すように、ジアリールアミン化合物（ａ１）と、ハロゲン化アリール化合物（ａ２）とをカップリングさせることで、上記一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物が得られる。
【００７６】
また前記スキーム（Ａ）の反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。
【００７７】
前記合成反応において、ハートウィッグ・ブッフバルト反応を用いる場合について示す。金属触媒としてはパラジウム触媒を用いることができ、前記パラジウム触媒としてはパラジウム錯体とその配位子の混合物を用いることができる。前記パラジウム錯体としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げられる。また前記配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−ヘキシル）ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィンや、１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（略称：ＤＰＰＦ）等が挙げられる。また、塩基として用いることができる物質としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等を挙げることができる。また、前記反応は溶液中で行うことが好ましく、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。ただし、前記用いることができる触媒およびその配位子、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。また前記反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
【００７８】
また、一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物のＡｒ１が（Ｇ１−２）であるとき、一般式（Ｇ’）で表されるトリアリールアミン化合物は、以下に示す合成スキーム（Ｂ）に示される合成方法によって合成することができる。
【００７９】
【化２４】
【００８０】
式中、Ｘ１とＸ２はそれぞれ独立してハロゲンを表し、ヨウ素、臭素、塩素の順で反応性が良好となり、好ましい。
【００８１】
スキーム（Ｂ）に示すように、ジアリールアミン化合物（ａ１）と、ジハロゲン化アリール化合物（ａ３）と、ジアリールアミン化合物（ａ４）とをカップリングさせることで、上記一般式（Ｇ１’）で表されるトリアリールアミン化合物が得られる。
【００８２】
また、前記スキーム（Ｂ）の反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。
【００８３】
前記合成反応において、ハートウィッグ・ブッフバルト反応を用いる場合について示す。金属触媒としてはパラジウム触媒を用いることができ、前記パラジウム触媒としてはパラジウム錯体とその配位子の混合物を用いることができる。前記パラジウム錯体としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げられる。また前記配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−ヘキシル）ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィンや、１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（略称：ＤＰＰＦ）等が挙げられる。また、塩基として用いることができる物質としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等を挙げることができる。また、前記反応は溶液中で行うことが好ましく、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。ただし、前記用いることができる触媒およびその配位子、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。また前記反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
【００８４】
また、このとき、化合物（ａ１）と化合物（ａ４）は同一である方が、合成が簡便となり、好ましい。
【００８５】
以上、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物の合成方法の一例について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、他のどのような合成方法によって合成されても良い。
【００８６】
上述した本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、バイポーラ性に優れているため、発光素子におけるキャリア輸送性材料として利用できる。その他、発光素子における発光層のホスト材料としても用いることができる。
【００８７】
また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いることで、発光効率が高く、駆動電圧の上昇を最小限に抑えた発光素子を実現することができる。また、このような発光素子を適用することで、消費電力が低い発光装置、電子機器、または照明装置を実現することができる。
【００８８】
さらに、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、有機薄膜太陽電池に用いることもできる。具体的には、有機薄膜太陽電池のキャリア輸送層、キャリア注入層に用いることができる。また、アクセプター性物質との混合により、電荷発生層に用いることができる。また、光励起するため、発電層として用いることができる。
【００８９】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【００９０】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様として実施の形態１で示したトリアリールアミン化合物を正孔輸送層に用いた発光素子について図１を用いて説明する。
【００９１】
本実施の形態に示す発光素子は、図１に示すように一対の電極（第１の電極（陽極）１０１と第２の電極（陰極）１０３）間に発光層１１３を含むＥＬ層１０２が挟まれており、ＥＬ層１０２は、発光層１１３の他に、正孔（または、ホール）注入層１１１、正孔（または、ホール）輸送層１１２、電子輸送層１１４、電子注入層１１５、電荷発生層（Ｅ）１１６などを含んで形成される。
【００９２】
このような発光素子に対して電圧を印加することにより、第１の電極１０１側から注入された正孔と第２の電極１０３側から注入された電子とが、発光層１１３において再結合し、発光層１１３に含まれる物質を励起状態にする。そして、励起状態の物質が基底状態に戻る際に発光する。
【００９３】
なお、ＥＬ層１０２における正孔注入層１１１は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層であり、アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が引き抜かれることにより正孔（ホール）が発生する。従って、正孔注入層１１１から正孔輸送層１１２を介して発光層１１３に正孔が注入される。
【００９４】
また、電荷発生層（Ｅ）１１６は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層である。アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が引き抜かれるため、引き抜かれた電子が、電子注入性を有する電子注入層１１５から電子輸送層１１４を介して発光層１１３に注入される。
【００９５】
以下に本実施の形態に示す発光素子を作製する上での具体例について説明する。
【００９６】
第１の電極（陽極）１０１および第２の電極（陰極）１０３には、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。なお、第１の電極（陽極）１０１および第２の電極（陰極）１０３は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。
【００９７】
正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、および電荷発生層（Ｅ）１１６に用いる正孔輸送性の高い物質として、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール化合物、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【００９８】
さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。
【００９９】
なお、正孔輸送性の高い物質としては、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いることもできる。
【０１００】
また、正孔注入層１１１および電荷発生層（Ｅ）１１６に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。
【０１０１】
特に、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物はバイポーラ性であり、これらアクセプター性物質との混合物として正孔注入層１１１および電荷発生層（Ｅ）１１６に好適に用いることができる。他には、電子輸送骨格と正孔輸送骨格とが化合して成るバイポーラ性の有機化合物も、これらアクセプター性物質との混合物として用いることができる。
【０１０２】
発光層１１３は、発光性の物質を含む層である。発光層１１３は、発光物質のみで構成されていても、ホスト材料中に発光中心物質が分散された状態で構成されていても良い。
【０１０３】
発光層１１３において、発光物質、および発光中心物質として用いることが可能な材料には、特に限定は無く、これらの物質が発する光は、蛍光であっても燐光であっても良い。なお、上記発光物質および発光中心物質としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。
【０１０４】
蛍光を発する物質としては、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。
【０１０５】
なお、蛍光を発する物質としては、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いることもできる。
【０１０６】
燐光を発する物質としては、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））などが挙げられる。
【０１０７】
また、上記ホスト材料に用いることが可能な材料としては、特に限定はないが、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、上記発光中心物質のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。また、発光中心物質が燐光を発する物質である場合、ホスト材料としては、発光中心物質の三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい物質を選択すれば良い。
【０１０８】
なお、上記ホスト材料に用いることが可能な材料としては、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いることもできる。発明の一態様であるトリアリールアミン化合物はＳ１準位が高いため、蛍光を発する物質用のホスト材料としては、可視域の発光領域で用いることができる。発明の一態様であるトリアリールアミン化合物はＴ１準位が高いため、燐光を発する物質に対するホスト材料として用いる場合は、緑色より長波長の発光領域で用いることができる。
【０１０９】
なお、発光層１１３は２層以上が積層された構成としてもよい。例えば、第１の発光層と第２の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層１１３とする場合、第１の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第２の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。
【０１１０】
電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層１１４には、Ａｌｑ３、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジン−ジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。
【０１１１】
また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１１２】
電子注入層１１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１１５には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層１１４を構成する物質を用いることもできる。
【０１１３】
あるいは、電子注入層１１５に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１４を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物）、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【０１１４】
なお、上述した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５、電荷発生層（Ｅ）１１６は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０１１５】
上述した発光素子は、第１の電極１０１および第２の電極１０３との間に生じた電位差により電流が流れ、ＥＬ層１０２において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。
【０１１６】
以上により説明した発光素子は、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を正孔輸送層に適用して形成されることから、発光素子の素子効率の向上だけでなく、駆動電圧の上昇を最小限に抑えることができる。
【０１１７】
また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、正孔輸送層だけでなく、他の層（正孔注入層や発光層、電子輸送層など）にも用いることができるため、複数の層において共通の材料を用いることが可能となる。そのため、材料の合成コストや発光素子の製造コストを抑えることができ、好ましい。
【０１１８】
なお、本実施の形態で示した発光素子は、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を適用して作製される発光素子の一例である。また、上記の素子構造を備えた発光装置の構成としては、パッシブマトリクス型の発光装置やアクティブマトリクス型の発光装置が挙げられ、さらに素子構造の一部を改良することによりマイクロキャビティー構造の発光装置に適用することもできる。これらの発光装置は、いずれも本発明に含まれるものとする。なお、これらの発光装置においては、消費電力を低減させることができる。
【０１１９】
なお、アクティブマトリクス型の発光装置の場合において、ＴＦＴの構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のＴＦＴを適宜用いることができる。また、ＴＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴからなるものでもよいし、Ｎ型のＴＦＴまたはＰ型のＴＦＴのいずれか一方のみからなるものであってもよい。さらに、ＴＦＴに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、その他、酸化物半導体膜等を用いることができる。
【０１２０】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
【０１２１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様として、燐光性化合物と他の２種類以上の有機化合物を発光層に用いた発光素子について説明する。
【０１２２】
本実施の形態に示す発光素子は、図２に示すように一対の電極（陽極２０１及び陰極２０２）間にＥＬ層２０３を有する構造である。なお、ＥＬ層２０３には、少なくとも発光層２０４を有し、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層（Ｅ）などが含まれていても良い。なお、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層（Ｅ）には、実施の形態２に示した物質を用いることができる。
【０１２３】
本実施の形態に示す発光層２０４には、燐光性化合物２０５、第１の有機化合物２０６、および第２の有機化合物２０７が含まれている。実施の形態１に示したトリアリールアミン化合物は、第１の有機化合物２０６、または第２の有機化合物２０７として用いることができる。なお、燐光性化合物２０５は、発光層２０４におけるゲスト材料である。また、第１の有機化合物２０６、および第２の有機化合物２０７のうち発光層２０４に含まれる割合の多い方を発光層２０４におけるホスト材料とする。
【０１２４】
発光層２０４において、上記ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制し、発光素子の発光効率を高くすることができる。
【０１２５】
なお、第１の有機化合物２０６及び第２の有機化合物２０７のそれぞれの三重項励起エネルギーの準位（Ｔ１準位）は、燐光性化合物２０５のＴ１準位よりも高いことが好ましい。第１の有機化合物２０６（又は第２の有機化合物２０７）のＴ１準位が燐光性化合物２０５のＴ１準位よりも低いと、発光に寄与する燐光性化合物２０５の三重項励起エネルギーを第１の有機化合物２０６（又は第２の有機化合物２０７）が消光（クエンチ）してしまい、発光効率の低下を招くためである。
【０１２６】
ここで、ホスト材料からゲスト材料へのエネルギー移動効率を高めるため、分子間のエネルギー移動機構として知られているフェルスター機構（双極子−双極子相互作用）およびデクスター機構（電子交換相互作用）を考慮した上で、ホスト材料の発光スペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）とゲスト材料の吸収スペクトル（より詳細には、最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯におけるスペクトル）との重なりが大きくなることが好ましい。しかしながら通常、ホスト材料の蛍光スペクトルを、ゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ねることは困難である。なぜならば、そのようにしてしまうと、ホスト材料の燐光スペクトルは蛍光スペクトルよりも長波長（低エネルギー）側に位置するため、ホスト材料のＴ１準位が燐光性化合物のＴ１準位を下回ってしまい、上述したクエンチの問題が生じてしまうからである。一方、クエンチの問題を回避するため、ホスト材料のＴ１準位が燐光性化合物のＴ１準位を上回るように設計すると、今度はホスト材料の蛍光スペクトルが短波長（高エネルギー）側にシフトするため、その蛍光スペクトルはゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ならなくなる。したがって、ホスト材料の蛍光スペクトルをゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ね、ホスト材料の一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることは、通常困難である。
【０１２７】
そこで本実施形態においては、第１の有機化合物および第２の有機化合物は、励起錯体（エキサイプレックスとも言う）を形成する組み合わせであることが好ましい。この場合、発光層２０４におけるキャリア（電子及びホール）の再結合の際に第１の有機化合物２０６と第２の有機化合物２０７は、励起錯体を形成する。これにより、発光層２０４において、第１の有機化合物２０６の蛍光スペクトルおよび第２の有機化合物２０７の蛍光スペクトルは、より長波長側に位置する励起錯体の発光スペクトルに変換される。そして、励起錯体の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルとの重なりが大きくなるように、第１の有機化合物と第２の有機化合物を選択すれば、一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることができる。なお、三重項励起状態に関しても、ホスト材料ではなく励起錯体からのエネルギー移動が生じると考えられる。
【０１２８】
燐光性化合物２０５としては、燐光性の有機金属錯体を用いることが好ましい。また、第１の有機化合物２０６及び第２の有機化合物２０７としては、励起錯体を生じる組み合わせであればよいが、電子を受け取りやすい化合物（電子トラップ性化合物）と、ホールを受け取りやすい化合物（正孔トラップ性化合物）とを組み合わせることが好ましい。
【０１２９】
燐光性の有機金属錯体としては、例えば、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））などが挙げられる。
【０１３０】
電子を受け取りやすい化合物としては、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）が挙げられる。
【０１３１】
ホールを受け取りやすい化合物としては、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いることができる。その他にも、例えば、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。
【０１３２】
上述した第１の有機化合物２０６及び第２の有機化合物２０７は、これらに限定されることなく、励起錯体を形成できる組み合わせであり、励起錯体の発光スペクトルが、燐光性化合物２０５の吸収スペクトルと重なり、励起錯体の発光スペクトルのピークが、燐光性化合物２０５の吸収スペクトルのピークよりも長波長であればよい。
【０１３３】
なお、電子を受け取りやすい化合物とホールを受け取りやすい化合物で第１の有機化合物２０６と第２の有機化合物２０７を構成する場合、その混合比によってキャリアバランスを制御することができる。具体的には、第１の有機化合物：第２の有機化合物＝１：９〜９：１の範囲が好ましい。
【０１３４】
本実施の形態で示した発光素子は、励起錯体の発光スペクトルと燐光性化合物の吸収スペクトルとの重なりを利用したエネルギー移動により、エネルギー移動効率を高めることができるため、外部量子効率の高い発光素子を実現することができる。
【０１３５】
なお、本発明に含まれる別の構成として、燐光性化合物２０５（ゲスト材料）の他の２種類の有機化合物として、正孔トラップ性のホスト分子、および電子トラップ性のホスト分子を用いて発光層２０４を形成し、２種類のホスト分子中に存在するゲスト分子に正孔と電子を導いて、ゲスト分子を励起状態とする現象（すなわち、Ｇｕｅｓｔ Ｃｏｕｐｌｅｄ ｗｉｔｈ Ｃｏｍｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｈｏｓｔｓ：ＧＣＣＨ）が得られるように発光層２０４を形成する構成も可能である。
【０１３６】
この時、正孔トラップ性のホスト分子、および電子トラップ性のホスト分子としては、それぞれ、上述した正孔を受け取りやすい化合物、および電子を受け取りやすい化合物を用いることができる。
【０１３７】
なお、本実施の形態で示した発光素子は、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を適用して作製される発光素子の一例である。また、上記の素子構造を備えた発光装置の構成としては、パッシブマトリクス型の発光装置やアクティブマトリクス型の発光装置が挙げられ、さらに素子構造の一部を改良することによりマイクロキャビティー構造の発光装置に適用することもできる。これらの発光装置は、いずれも本発明に含まれるものとする。
【０１３８】
なお、アクティブマトリクス型の発光装置の場合において、ＴＦＴの構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のＴＦＴを適宜用いることができる。また、ＴＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴからなるものでもよいし、Ｎ型のＴＦＴまたはＰ型のＴＦＴのいずれか一方のみからなるものであってもよい。さらに、ＴＦＴに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、その他、酸化物半導体膜等を用いることができる。
【０１３９】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
【０１４０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様として、電荷発生層を挟んでＥＬ層を複数有する構造の発光素子（以下、タンデム型発光素子という）について説明する。
【０１４１】
本実施の形態に示す発光素子は、図３（Ａ）に示すように一対の電極（第１の電極３０１および第２の電極３０４）間に、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））を有するタンデム型発光素子である。
【０１４２】
本実施の形態において、第１の電極３０１は、陽極として機能する電極であり、第２の電極３０４は陰極として機能する電極である。なお、第１の電極３０１および第２の電極３０４は、実施の形態２と同様な構成を用いることができる。また、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））は、実施の形態２または実施の形態３で示したＥＬ層と同様な構成であっても良いが、いずれかが同様の構成であっても良い。すなわち、第１のＥＬ層３０２（１）と第２のＥＬ層３０２（２）は、同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態２または実施の形態３と同様なものを適用することができる。
【０１４３】
また、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））の間には、電荷発生層（Ｉ）３０５が設けられている。電荷発生層（Ｉ）３０５は、第１の電極３０１と第２の電極３０４に電圧を印加したときに、一方のＥＬ層に電子を注入し、他方のＥＬ層に正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第１の電極３０１に第２の電極３０４よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層（Ｉ）３０５から第１のＥＬ層３０２（１）に電子が注入され、第２のＥＬ層３０２（２）に正孔が注入される。
【０１４４】
なお、電荷発生層（Ｉ）３０５は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層（Ｉ）３０５に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層（Ｉ）３０５は、第１の電極３０１や第２の電極３０４よりも低い導電率であっても機能する。
【０１４５】
電荷発生層（Ｉ）３０５は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
【０１４６】
正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性の高い有機化合物としては、例えば、ＮＰＢやＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。なお、本発明の一態様であるカルバゾール化合物を電荷発生層（Ｉ）３０５における正孔輸送性の高い有機化合物として用いることもできる。
【０１４７】
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１４８】
一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、ＰＢＤやＯＸＤ−７、ＴＡＺ、Ｂｐｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
【０１４９】
また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２族、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
【０１５０】
なお、上述した材料を用いて電荷発生層（Ｉ）３０５を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【０１５１】
本実施の形態では、ＥＬ層を２層有する発光素子について説明したが、図３（Ｂ）に示すように、ｎ層（ただし、ｎは、３以上）のＥＬ層（３０２（１）〜３０２（ｎ））を積層し、これらのＥＬ層（３０２（１）〜３０２（ｎ））の間にそれぞれ電荷発生層（Ｉ）（３０５（１）〜３０５（ｎ−１））を配置した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数のＥＬ層を有する場合、ＥＬ層とＥＬ層との間に電荷発生層（Ｉ）を配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能であり、電流密度を低く保つことができる。従って、長寿命な発光素子を実現することができる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。
【０１５２】
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光と混合することにより、白色発光を得ることができる。
【０１５３】
また、３つのＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第１のＥＬ層の発光色が赤色であり、第２のＥＬ層の発光色が緑色であり、第３のＥＬ層の発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
【０１５４】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１５５】
（実施の形態５）
本実施の形態に示す発光装置は、一対の電極間での光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティー）構造を有しており、図４に示す様に一対の電極（反射電極４０１及び半透過・半反射電極４０２）間に少なくともＥＬ層４０５を有する構造である発光素子を複数、有している。また、ＥＬ層４０５は、少なくとも発光領域となる発光層４０４を有し、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層（Ｅ）などが含まれていても良い。なお、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、ＥＬ層４０５に含まれる正孔注入層、正孔輸送層、発光層４０４、または電子輸送層に用いることができる。
【０１５６】
本実施の形態では、図４に示すように構造の異なる発光素子（第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒ、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇ、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂ）を有して構成される発光装置について説明する。
【０１５７】
第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒは、反射電極４０１上に第１の透明導電層４０３ａと、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂ、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇ、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒを一部に含むＥＬ層４０５と、半透過・半反射電極４０２とが順次積層された構造を有する。また、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇは、反射電極４０１上に第２の透明導電層４０３ｂと、ＥＬ層４０５と、半透過・半反射電極４０２とが順次積層された構造を有する。また、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂは、反射電極４０１上にＥＬ層４０５と、半透過・半反射電極４０２とが順次積層された構造を有する。
【０１５８】
なお、上記発光素子（第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒ、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇ、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂ）において、反射電極４０１、ＥＬ層４０５、半透過・半反射電極４０２は共通である。また、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂでは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λＢ）を発光させ、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇでは、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＧ）を発光させ、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒでは、６００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＲ）を発光させる。これにより、いずれの発光素子（第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒ、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇ、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂ）でも、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂ、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇ、および第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒからの発光が重ね合わされた、すなわち可視光領域に渡るブロードな光を発光させることができる。なお、上記より、波長の長さは、λＢ＜λＧ＜λＲなる関係であるとする。
【０１５９】
本実施の形態に示す各発光素子は、それぞれ反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２との間にＥＬ層４０５を挟んでなる構造を有しており、ＥＬ層４０５に含まれる各発光層から全方向に射出される発光は、微小光共振器（マイクロキャビティー）としての機能を有する反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２とによって共振される。なお、反射電極４０１は、反射性を有する導電性材料により形成され、その膜に対する可視光の反射率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極４０２は、反射性を有する導電性材料と光透過性を有する導電性材料とにより形成され、その膜に対する可視光の反射率が２０％〜８０％、好ましくは４０％〜７０％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。
【０１６０】
また、本実施の形態では、各発光素子で、第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒと第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇにそれぞれ設けられた透明導電層（第１の透明導電層４０３ａ、第２の透明導電層４０３ｂ）の厚みを変えることにより、発光素子毎に反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２の間の光学距離を変えている。つまり、各発光素子の各発光層から発光するブロードな光は、反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２との間において、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができるため、素子毎に反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２の間の光学距離を変えることにより、異なる波長の光を取り出すことができる。
【０１６１】
なお、光学距離（光路長ともいう）とは、実際の距離に屈折率をかけたものであり、本実施の形態においては、実膜厚にｎ（屈折率）をかけたものを表している。すなわち、「光学距離＝実膜厚×ｎ」である。
【０１６２】
また、第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒでは、反射電極４０１から半透過・半反射電極４０２までの総厚をｍλＲ／２（ただし、ｍは自然数）、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇでは、反射電極４０１から半透過・半反射電極４０２までの総厚をｍλＧ／２（ただし、ｍは自然数）、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂでは、反射電極４０１から半透過・半反射電極４０２までの総厚をｍλＢ／２（ただし、ｍは自然数）としている。
【０１６３】
以上より、第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒからは、主としてＥＬ層４０５に含まれる第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒで発光した光（λＲ）が取り出され、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇからは、主としてＥＬ層４０５に含まれる第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇで発光した光（λＧ）が取り出され、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂからは、主としてＥＬ層４０５に含まれる第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂで発光した光（λＢ）が取り出される。なお、各発光素子から取り出される光は、半透過・半反射電極４０２側からそれぞれ射出される。
【０１６４】
また、上記構成において、反射電極４０１から半透過・半反射電極４０２までの総厚は、厳密には反射電極４０１における反射領域から半透過・半反射電極４０２における反射領域までの総厚ということができる。しかし、反射電極４０１や半透過・半反射電極４０２における反射領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１６５】
次に、第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒにおいて、反射電極４０１から第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒへの光学距離を所望の膜厚（（２ｍ’＋１）λＲ／４（ただし、ｍ’は自然数））に調節することにより、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒからの発光を増幅させることができる。第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒからの発光のうち、反射電極４０１によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒから半透過・半反射電極４０２に直接入射する光（第１の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４０１から第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒへの光学距離を所望の値（（２ｍ’＋１）λＲ／４（ただし、ｍ’は自然数））に調節して設けることにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒからの発光を増幅させることができる。
【０１６６】
なお、反射電極４０１と第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒとの光学距離とは、厳密には反射電極４０１における反射領域と第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極４０１における反射領域や第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４０１の任意の位置を反射領域、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１６７】
次に、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇにおいて、反射電極４０１から第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇへの光学距離を所望の膜厚（（２ｍ’’＋１）λＧ／４（ただし、ｍ’’は自然数））に調節することにより、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇからの発光を増幅させることができる。第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇからの発光のうち、反射電極４０１によって反射されて戻ってきた光（第２の反射光）は、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇから半透過・半反射電極４０２に直接入射する光（第２の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４０１から第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇへの光学距離を所望の値（（２ｍ’’＋１）λＧ／４（ただし、ｍ’’は自然数））に調節して設けることにより、第２の反射光と第２の入射光との位相を合わせ、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇからの発光を増幅させることができる。
【０１６８】
なお、反射電極４０１と第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇとの光学距離とは、厳密には反射電極４０１における反射領域と第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極４０１における反射領域や第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４０１の任意の位置を反射領域、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１６９】
次に、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂにおいて、反射電極４０１から第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂへの光学距離を所望の膜厚（（２ｍ’’’＋１）λＢ／４（ただし、ｍ’’’は自然数））に調節することにより、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂからの発光を増幅させることができる。第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂからの発光のうち、反射電極４０１によって反射されて戻ってきた光（第３の反射光）は、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂから半透過・半反射電極４０２に直接入射する光（第３の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４０１から第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂへの光学距離を所望の値（（２ｍ’’’＋１）λＢ／４（ただし、ｍ’’’は自然数））に調節して設けることにより、第３の反射光と第３の入射光との位相を合わせ、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂからの発光を増幅させることができる。
【０１７０】
なお、第３の発光素子において、反射電極４０１と第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂとの光学距離とは、厳密には反射電極４０１における反射領域と第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極４０１における反射領域や第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４０１の任意の位置を反射領域、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１７１】
なお、上記構成において、いずれの発光素子もＥＬ層に複数の発光層を有する構造を有しているが、本発明はこれに限られることはなく、例えば、実施の形態４で説明したタンデム型発光素子の構成と組み合わせて、一つの発光素子に電荷発生層を挟んで複数のＥＬ層を設け、それぞれのＥＬ層に単数もしくは複数の発光層を形成する構成としてもよい。
【０１７２】
本実施の形態で示した発光装置は、マイクロキャビティー構造を有しており、同じＥＬ層を有していても発光素子ごとに異なる波長の光を取り出すことができるためＲＧＢの塗り分けが不要となる。従って、高精細化を実現することが容易であるなどの理由からフルカラー化を実現する上で有利である。また、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。この構成は、３色以上の画素を用いたカラーディスプレイ（画像表示装置）に適用する場合に、特に有用であるが、照明などの用途に用いても良い。
【０１７３】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を発光層に用いた発光素子を有する発光装置について説明する。
【０１７４】
また、上記発光装置は、パッシブマトリクス型の発光装置でもアクティブマトリクス型の発光装置でもよい。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施形態で説明した発光素子を適用することが可能である。
【０１７５】
本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について図５を用いて説明する。
【０１７６】
なお、図５（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板５０１上に設けられた画素部５０２と、駆動回路部（ソース線駆動回路）５０３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）５０４ａ、５０４ｂと、を有する。画素部５０２、駆動回路部５０３、及び駆動回路部５０４ａ、５０４ｂは、シール材５０５によって、素子基板５０１と封止基板５０６との間に封止されている。
【０１７７】
また、素子基板５０１上には、駆動回路部５０３、及び駆動回路部５０４ａ、５０４ｂに外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線５０７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）５０８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１７８】
次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。素子基板５０１上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部５０３と、画素部５０２が示されている。
【０１７９】
駆動回路部５０３はｎチャネル型ＴＦＴ５０９とｐチャネル型ＴＦＴ５１０とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。
【０１８０】
また、画素部５０２はスイッチング用ＴＦＴ５１１と、電流制御用ＴＦＴ５１２と電流制御用ＴＦＴ５１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極（陽極）５１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極（陽極）５１３の端部を覆って絶縁物５１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。
【０１８１】
また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物５１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物５１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物５１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物５１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン等、の両者を使用することができる。
【０１８２】
第１の電極（陽極）５１３上には、ＥＬ層５１５及び第２の電極（陰極）５１６が積層形成されている。ＥＬ層５１５は、少なくとも発光層が設けられている。また、ＥＬ層５１５には、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を適宜設けることができる。なお、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、または電子輸送層に適用することができる。
【０１８３】
なお、第１の電極（陽極）５１３、ＥＬ層５１５及び第２の電極（陰極）５１６との積層構造で、発光素子５１７が形成されている。第１の電極（陽極）５１３、ＥＬ層５１５及び第２の電極（陰極）５１６に用いる材料としては、実施の形態２に示す材料を用いることができる。また、ここでは図示しないが、第２の電極（陰極）５１６は外部入力端子であるＦＰＣ５０８に電気的に接続されている。
【０１８４】
また、図５（Ｂ）に示す断面図では発光素子５１７を１つのみ図示しているが、画素部５０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部５０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
【０１８５】
さらに、シール材５０５で封止基板５０６を素子基板５０１と貼り合わせることにより、素子基板５０１、封止基板５０６、およびシール材５０５で囲まれた空間５１８に発光素子５１７が備えられた構造になっている。なお、空間５１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材５０５で充填される構成も含むものとする。
【０１８６】
なお、シール材５０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板５０６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１８７】
以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
【０１８８】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８９】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を含む発光素子を適用して作製された発光装置を用いて完成させた様々な電子機器の一例について、図６を用いて説明する。
【０１９０】
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図６に示す。
【０１９１】
図６（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【０１９２】
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
【０１９３】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１９４】
図６（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。
【０１９５】
図６（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図６（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図６（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図６（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１９６】
図６（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
【０１９７】
図６（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０１９８】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１９９】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０２００】
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０２０１】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０２０２】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０２０３】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０２０４】
以上のようにして、本発明の一態様である発光装置を適用して電子機器を得ることができる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０２０５】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０２０６】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を含む発光素子を適用して作製された発光装置を用いて完成させた照明装置の一例について、図７を用いて説明する。
【０２０７】
図７は、発光装置を室内の照明装置８００１として用いた例である。なお、発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８００２を形成することもできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８００３を備えても良い。
【０２０８】
また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照明装置８００４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
【０２０９】
以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。
【０２１０】
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例１】
【０２１１】
≪合成例１≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１００）で表される本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物、４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）の合成方法について説明する。なお、ＢＰＡＢＩｍ（略称）の構造を以下に示す。
【０２１２】
【化２５】
【０２１３】
＜４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）の合成＞
１００ｍＬ三口フラスコへ、２−（４−ブロモフェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールを１．７ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、フェニルビフェニルアミンを１．２ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドを１．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を１７ｍｇ（３０μｍｏｌ）加え、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン１０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）２００ｍＬ（０．１ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、１３０℃で５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０２１４】
反応後、この反応混合液に酢酸エチル２００ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、セライトを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 トルエン：酢酸エチル＝９：１）による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の淡黄色粉末を収量２．１ｇ、収率８２％で得た。
【０２１５】
また、上記合成法の反応スキームを下記（Ａ−１）に示す。
【０２１６】
【化２６】
【０２１７】
上記合成法で得られた化合物の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図８（ａ）および図８（ｂ）に示す。図８（ｂ）は図８（ａ）における６から９ｐｐｍの範囲の拡大図である。この結果から、上述の構造式（１００）で表される本発明の一態様のトリアリールアミン化合物である４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）が得られたことがわかった。
【０２１８】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝６．９８（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ），７．０７（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，１Ｈ），７．１２−７．５８（ｍ，２５Ｈ），７．８５（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）。
【０２１９】
次に、ＢＰＡＢＩｍ（略称）の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製 ＦＳ９２０）を用いた。また、吸収スペクトルおよび発光スペクトルのいずれの場合もＢＰＡＢＩｍ（略称）のトルエン溶液と、ＢＰＡＢＩｍ（略称）の薄膜について測定した。なお、トルエン溶液（０．１２０ｍｍｏｌ／Ｌ）の場合には、石英セルに入れ、室温で測定を行った。また薄膜の場合には、石英基板に蒸着した薄膜を用い、吸収スペクトルを測定する場合には薄膜の吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いて得られる値を示す。
【０２２０】
得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図９に示す。なお、図９（ａ）には、ＢＰＡＢＩｍ（略称）のトルエン溶液について測定した結果を示す。また、図９（ｂ）には、ＢＰＡＢＩｍ（略称）の薄膜について測定した結果を示す。図９（ａ）および図９（ｂ）において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）または発光強度（任意単位）を表す。また、図９（ａ）および図９（ｂ）において、２本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している。
【０２２１】
図９（ａ）に示すＢＰＡＢＩｍ（略称）のトルエン溶液では、３６１ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、図９（ｂ）に示すＢＰＡＢＩｍ（略称）の薄膜では、３６４ｎｍ付近に吸収ピークが見られた。
【０２２２】
また、図９（ａ）に示すＢＰＡＢＩｍ（略称）のトルエン溶液では、最大発光波長が４１０ｎｍ（励起波長３６５ｎｍ）、図９（ｂ）に示すＢＰＡＢＩｍ（略称）の薄膜では、最大発光波長が４４５ｎｍ（励起波長３６３ｎｍ）であった。
【０２２３】
以上のことから、ＢＰＡＢＩｍ（略称）は色純度の良い青色発光を呈することが分かった。従って、青色の発光材料として用いることができる。
【０２２４】
また、ＢＰＡＢＩｍ（略称）のＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位について、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定を行うことにより求めた。ＣＶ測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。
【０２２５】
また、ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ４ＮＣｌＯ４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を２ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ７非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。また、測定は室温（２０〜２５℃）とし、測定時のスキャン速度は、０．１Ｖ／ｓｅｃに統一した。なお、本実施例では、参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーを、−４．９４ｅＶであるとした。
【０２２６】
ＣＶ測定で得られる酸化ピーク電位Ｅｐａと還元ピーク電位Ｅｐｃとの中間の電位（半波電位）がＨＯＭＯ準位に相当することから、ＢＰＡＢＩｍ（略称）のＨＯＭＯ準位は、−５．３７ｅＶと算出され、さらにＢＰＡＢＩｍ（略称）のＬＵＭＯ準位は、−２．２８ｅＶと算出された。従って、ＢＰＡＢＩｍ（略称）のバンドギャップ（ΔＥ）は、３．０９ｅＶであることが分かった。
【０２２７】
従って、ＢＰＡＢＩｍ（略称）は広いバンドギャップを有していることが分かった。
【０２２８】
また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値となった。酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことが分かった。
【０２２９】
従って、ＢＰＡＢＩｍ（略称）は正孔を良好に輸送することが分かった。
【実施例２】
【０２３０】
≪合成例２≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１３５）で表される本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）の合成方法について説明する。なお、ＢＯｘＡＢＰ（略称）の構造を以下に示す。
【０２３１】
【化２７】
【０２３２】
＜Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）の合成＞
５０ｍＬ三口フラスコへ、２−（４−ブロモフェニル）−１，３−ベンゾオキサゾールを１．４ｇ（５．２ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンを０．８ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドを１．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を２８ｍｇ（５０μｍｏｌ）加え、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン２０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．３ｍＬ（０．２ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、１３０℃で４．５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０２３３】
反応後、この反応混合液に酢酸エチル２００ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、セライトを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 トルエン：酢酸エチル＝９：１）による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の黄色粉末を収量１．７ｇ、収率９６％で得た。
【０２３４】
また、上記合成法の反応スキームを下記（Ｂ−１）に示す。
【０２３５】
【化２８】
【０２３６】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒 酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）は、目的物は０．３５、２−（４−ブロモフェニル）−１，３−ベンゾオキサゾールは０．６７、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンは０．３０だった。
【０２３７】
上記合成法で得られた化合物の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示す。図１０（ｂ）は図１０（ａ）における６から９ｐｐｍの範囲の拡大図である。この結果から、上述の構造式（１３５）で表される本発明の一態様のトリアリールアミン化合物であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）が得られたことがわかった。
【０２３８】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．１１−７．２４（ｍ，１４Ｈ），７．２８−７．３５（ｍ，８Ｈ），７．５１−７．５５（ｍ，６Ｈ），７．７０−７．７３（ｍ，２Ｈ），８．９０（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ）。
【０２３９】
次に、ＢＯｘＡＢＰ（略称）の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製 ＦＳ９２０）を用いた。また、吸収スペクトルおよび発光スペクトルのいずれの場合もＢＯｘＡＢＰ（略称）のトルエン溶液と、ＢＯｘＡＢＰ（略称）の薄膜について測定した。なお、トルエン溶液（０．１２０ｍｍｏｌ／Ｌ）の場合には、石英セルに入れ、室温で測定を行った。また薄膜の場合には、石英基板に蒸着した薄膜を用い、吸収スペクトルを測定する場合には薄膜の吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いて得られる値を示す。
【０２４０】
得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図１１に示す。なお、図１１（ａ）には、ＢＯｘＡＢＰ（略称）のトルエン溶液について測定した結果を示す。また、図１１（ｂ）には、ＢＯｘＡＢＰ（略称）の薄膜について測定した結果を示す。図１１（ａ）および図１１（ｂ）において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）または発光強度（任意単位）を表す。また、図１１（ａ）および図１１（ｂ）において、２本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している。
【０２４１】
図１１（ａ）に示すＢＯｘＡＢＰ（略称）のトルエン溶液では、３８１ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、図１１（ｂ）に示すＢＯｘＡＢＰ（略称）の薄膜では、３８４ｎｍ付近に吸収ピークが見られた。
【０２４２】
また、図１１（ａ）に示すＢＯｘＡＢＰ（略称）のトルエン溶液では、最大発光波長が４３５ｎｍ（励起波長３８０ｎｍ）、図１１（ｂ）に示すＢＯｘＡＢＰ（略称）の薄膜では、最大発光波長が４７２ｎｍ（励起波長４００ｎｍ）であった。
【０２４３】
以上のことから、ＢＯｘＡＢＰ（略称）は青色発光を呈することが分かった。従って、青色の発光材料として用いることができる。
【０２４４】
また、ＢＯｘＡＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位について、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定を行うことにより求めた。ＣＶ測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。
【０２４５】
また、ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ４ＮＣｌＯ４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を２ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ７非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。また、測定は室温（２０〜２５℃）とし、測定時のスキャン速度は、０．１Ｖ／ｓｅｃに統一した。なお、本実施例では、参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーを、−４．９４ｅＶであるとした。
【０２４６】
ＣＶ測定で得られる酸化ピーク電位Ｅｐａと還元ピーク電位Ｅｐｃとの中間の電位（半波電位）がＨＯＭＯ準位に相当することから、ＢＯｘＡＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位は、−５．５０ｅＶと算出され、さらにＢＯｘＡＢＰ（略称）のＬＵＭＯ準位は、−２．５９ｅＶと算出された。従って、ＢＯｘＡＢＰ（略称）のバンドギャップ（ΔＥ）は、２．９１ｅＶであることが分かった。
【０２４７】
従って、ＢＯｘＡＢＰ（略称）は広いバンドギャップを有していることが分かった。
【０２４８】
また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値となった。酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことが分かった。
【０２４９】
従って、ＢＯｘＡＢＰ（略称）は正孔を良好に輸送することが分かった。
【実施例３】
【０２５０】
本実施例では、本発明のトリアリールアミン化合物である４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）（構造式（１００））を正孔輸送層に用いた発光素子１について図１２を用いて説明する。なお、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
【０２５１】
【化２９】
【０２５２】
≪発光素子１の作製≫
まず、ガラス製の基板１１００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜し、陽極として機能する第１の電極１１０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
【０２５３】
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
【０２５４】
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
【０２５５】
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、基板１１００を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、ＥＬ層１１０２を構成する正孔注入層１１１１、正孔輸送層１１１２、発光層１１１３、電子輸送層１１１４、電子注入層１１１５が順次形成される場合について説明する。
【０２５６】
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＢＰＡＦＬＰ（略称）：酸化モリブデン＝４：２（質量比）となるように共蒸着することにより、第１の電極１１０１上に正孔注入層１１１１を形成した。膜厚は５０ｎｍとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。
【０２５７】
次に、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を１０ｎｍ蒸着することにより、正孔輸送層１１１２を形成した。
【０２５８】
次に、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。まず、２−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（（略称：ＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）を、ＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ（略称）：ＢＰＡＢＩｍ（略称）：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（略称）＝１：０．５：０．０６（質量比）となるように共蒸着した。なお、膜厚は、２０ｎｍとした。次に、ＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ（略称）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（略称）を、ＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ（略称）：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（略称）＝１：０．０６（質量比）となるように共蒸着し、膜厚を２０ｎｍとした。以上により、積層構造を有する発光層１１１３を形成した。
【０２５９】
次に、発光層１１１３上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）を２０ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層１１１４を形成した。さらに電子輸送層１１１４上にバソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）を１０ｎｍ蒸着した後、さらにフッ化リチウムを１ｎｍ蒸着することにより、電子注入層１１１５を形成した。
【０２６０】
最後に、電子注入層１１１５上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着し、陰極となる第２の電極１１０３形成し、発光素子１を得た。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
【０２６１】
以上により得られた発光素子１の素子構造を表１に示す。
【０２６２】
【表１】
【０２６３】
また、作製した発光素子１は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）。
【０２６４】
≪発光素子１の動作特性≫
作製した発光素子１の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２６５】
まず、発光素子１の電流密度−輝度特性を図１３に示す。また、電圧−輝度特性を図１４、輝度−電流効率特性を図１５、電圧−電流特性を図１６、輝度−色度特性を図１７にそれぞれ示す。
【０２６６】
図１３〜図１５より、本発明の一態様のトリアリールアミン化合物を正孔輸送層に用いた発光素子１は、低消費電力で高効率な素子であることがわかった。また、図１６より、低駆動電圧の素子であることが分かった。また、図１７より、各輝度でキャリアバランスの良い素子であることが分かった。
【０２６７】
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子１の主な初期特性値を以下の表２に示す。
【０２６８】
【表２】
【０２６９】
上記、表２の結果からも本実施例で作製した発光素子１は、高輝度であり、高い電流効率を示していることが分かる。さらに、色純度に関しては、純度の良い緑色発光を示すことが分かる。
【０２７０】
また、発光素子１に２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図１８に示す。図１８に示す通り、発光素子１の発光スペクトルは５１４ｎｍ、５４５ｎｍ付近にピークを有しており、発光層１１１３に含まれるＩｒ（ｐｐｙ）３（略称）の発光に由来していることが示唆される。
【０２７１】
従って、ＢＰＡＢＩｍ（略称）は、緑色の光を発する物質よりも高いＴ１準位を有し、緑色から長波長の燐光を呈する素子のホスト材料やキャリア輸送材料に用いることができる。
【０２７２】
また、発光素子１についての信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図１９に示す。図１９において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は素子の駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子１を駆動させた。図１９から、発光素子１の６４０時間後の輝度は、初期輝度の７５％を保っていた。したがって、発光素子１は、高い信頼性を示すことがわかった。また、本発明のトリアリールアミン化合物を発光素子に用いることにより、長寿命の発光素子が得られることがわかった。
【実施例４】
【０２７３】
本実施例では、本発明のトリアリールアミン化合物であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）（構造式（１３５））を正孔注入層、または正孔輸送層、さらにはその両方に用いた発光素子２〜発光素子４について説明する。なお、本実施例における発光素子２〜発光素子４の説明には、実施例１で発光素子１の説明に用いた図１２を用いることとする。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
【０２７４】
【化３０】
【０２７５】
≪発光素子２〜発光素子４の作製≫
まず、ガラス製の基板１１００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜し、陽極として機能する第１の電極１１０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
【０２７６】
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
【０２７７】
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
【０２７８】
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、基板１１００を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、ＥＬ層１１０２を構成する正孔注入層１１１１、正孔輸送層１１１２、発光層１１１３、電子輸送層１１１４、電子注入層１１１５が順次形成される場合について説明する。
【０２７９】
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、発光素子２の場合には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＮＰＢ（略称）：酸化モリブデン＝４：１（質量比）となるように共蒸着することにより、第１の電極１１０１上に正孔注入層１１１１を形成した。膜厚は５０ｎｍとした。また、発光素子３および発光素子４の場合には、ＢＯｘＡＢＰ（略称）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＢＯｘＡＢＰ（略称）：酸化モリブデン＝４：１（質量比）となるように共蒸着することにより、第１の電極１１０１上に正孔注入層１１１１を形成した。膜厚は５０ｎｍとした。
【０２８０】
次に、発光素子２および発光素子４の場合には、ＢＯｘＡＢＰ（略称）を１０ｎｍ蒸着することにより、正孔輸送層１１１２を形成した。また、発光素子３の場合には、ＮＰＢ（略称）を１０ｎｍ蒸着することにより、正孔輸送層１１１２を形成した。
【０２８１】
次に、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）を、ＣｚＰＡ（略称）：ＰＣＢＡＰＡ（略称）＝１：０．１（質量比）となるように共蒸着し、発光層１１１３を形成した。膜厚は、３０ｎｍとした。
【０２８２】
次に、発光層１１１３上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）を１０ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層１１１４を形成した。さらに電子輸送層１１１４上にバソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）を２０ｎｍ蒸着した後、さらにフッ化リチウムを１ｎｍ蒸着することにより、電子注入層１１１５を形成した。
【０２８３】
最後に、電子注入層１１１５上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着し、陰極となる第２の電極１１０３形成し、発光素子２〜発光素子４を得た。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
【０２８４】
以上により得られた発光素子２〜発光素子４の素子構造を表３に示す。
【０２８５】
【表３】
【０２８６】
また、作製した発光素子２〜発光素子４は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）。
【０２８７】
≪発光素子２〜発光素子４の動作特性≫
作製した発光素子２〜発光素子４の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２８８】
まず、発光素子２〜発光素子４の電流密度−輝度特性を図２０に示す。また、電圧−輝度特性を図２１、輝度−電流効率特性を図２２、電圧−電流特性を図２３にそれぞれ示す。
【０２８９】
図２０〜図２２より、本発明の一態様のトリアリールアミン化合物を用いた発光素子２〜発光素子４は、低消費電力で高効率な素子であることがわかった。また、図２３より、低駆動電圧の素子であることが分かった。
【０２９０】
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子２〜発光素子４の主な初期特性値を以下の表４に示す。
【０２９１】
【表４】
【０２９２】
上記、表４の結果からも本実施例で作製した発光素子２〜発光素子４は、高輝度であり、高い電流効率を示していることが分かる。
【０２９３】
また、発光素子２〜発光素子４に２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図２４に示す。図２４に示す通り、発光素子２〜発光素子４の発光スペクトルは４７０ｎｍ付近にピークを有しており、発光層１１１３に含まれるＰＣＢＡＰＡ（略称）の発光に由来していることが示唆された。
【０２９４】
また、発光素子３についての信頼性試験を行った。なお、信頼性試験は、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子３を駆動させた。その結果、発光素子３の５５０時間後の輝度は、初期輝度の７９％を保っていた。したがって、本実施の一態様であるトリアリールアミン化合物を正孔注入層に用いた発光素子３は、高い信頼性を示すことがわかった。また、本発明のトリアリールアミン化合物を発光素子に用いることにより、長寿命の発光素子が得られることがわかった。
【実施例５】
【０２９５】
本実施例では、本発明のトリアリールアミン化合物であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）（構造式（１３５））発光層に用いた発光素子５について説明する。なお、本実施例における発光素子５の説明には、実施例１で発光素子１の説明に用いた図１２を用いることとする。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
【０２９６】
【化３１】
【０２９７】
≪発光素子５の作製≫
まず、ガラス製の基板１１００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜し、陽極として機能する第１の電極１１０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
【０２９８】
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
【０２９９】
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
【０３００】
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、基板１１００を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、ＥＬ層１１０２を構成する正孔注入層１１１１、正孔輸送層１１１２、発光層１１１３、電子輸送層１１１４、電子注入層１１１５が順次形成される場合について説明する。
【０３０１】
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＮＰＢ（略称）：酸化モリブデン＝４：１（質量比）となるように共蒸着することにより、第１の電極１１０１上に正孔注入層１１１１を形成した。膜厚は５０ｎｍとした。
【０３０２】
次に、ＮＰＢ（略称）を１０ｎｍ蒸着し、さらに４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）を３０ｎｍ蒸着することにより、正孔輸送層１１１２を形成した。
【０３０３】
次に、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、ＢＯｘＡＢＰ（略称）、ＰＣＢＡＰＡ（略称）を、ＣｚＰＡ（略称）：ＢＯｘＡＢＰ（略称）：ＰＣＢＡＰＡ（略称）＝１：０．０５：０．１（質量比）となるように共蒸着し、発光層１１１３を形成した。膜厚は、３０ｎｍとした。
【０３０４】
次に、発光層１１１３上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）を１０ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層１１１４を形成した。さらに電子輸送層１１１４上にフッ化リチウムを１ｎｍ蒸着することにより、電子注入層１１１５を形成した。
【０３０５】
最後に、電子注入層１１１５上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着し、陰極となる第２の電極１１０３形成し、発光素子５を得た。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
【０３０６】
以上により得られた発光素子５の素子構造を表５に示す。
【０３０７】
【表５】
【０３０８】
また、作製した発光素子５は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）。
【０３０９】
≪発光素子５の動作特性≫
作製した発光素子５の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０３１０】
まず、発光素子５の電流密度−輝度特性を図２５に示す。また、電圧−輝度特性を図２６、輝度−電流効率特性を図２７、電圧−電流特性を図２８にそれぞれ示す。
【０３１１】
図２６、図２７より、本発明の一態様のトリアリールアミン化合物を発光層に用いた発光素子５は、低消費電力で高効率な素子であることがわかった。また、図２８より、低駆動電圧の素子であることが分かった。
【０３１２】
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子５の主な初期特性値を以下の表６に示す。
【０３１３】
【表６】
【０３１４】
上記、表６の結果からも本実施例で作製した発光素子５は、高輝度であり、高い電流効率を示していることが分かる。
【０３１５】
また、発光素子５に２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図２９に示す。図２９に示す通り、発光素子５の発光スペクトルは４７３ｎｍ付近にピークを有しており、発光層１１１３に含まれるＢＯｘＡＢＰ（略称）の発光に由来していることが示唆される。
【０３１６】
従って、ＢＯｘＡＢＰ（略称）は、青色の光を発する物質よりも高いＳ１準位を有し、青色から長波長の蛍光を呈する素子のホスト材料やキャリア輸送材料に用いることができることがわかった。
【０３１７】
また、発光素子５についての信頼性試験を行った。なお、信頼性試験は、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子５を駆動させた。その結果、発光素子５の４５０時間後の輝度は、初期輝度の７９％を保っていた。したがって、発光素子５は、高い信頼性を示すことがわかった。また、本発明のトリアリールアミン化合物を発光素子の正孔注入層に用いることにより、長寿命の発光素子が得られることがわかった。
【符号の説明】
【０３１８】
１０１ 第１の電極
１０２ ＥＬ層
１０３ 第２の電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
１１６ 電荷発生層
２０１ 陽極
２０２ 陰極
２０３ ＥＬ層
２０４ 発光層
２０５ 燐光性化合物
２０６ 第１の有機化合物
２０７ 第２の有機化合物
３０１ 第１の電極
３０２（１） 第１のＥＬ層
３０２（２） 第２のＥＬ層
３０２（ｎ−１） 第（ｎ−１）のＥＬ層
３０２（ｎ） 第（ｎ）のＥＬ層
３０４ 第２の電極
３０５ 電荷発生層（Ｉ）
３０５（１） 第１の電荷発生層（Ｉ）
３０５（２） 第２の電荷発生層（Ｉ）
３０５（ｎ−２） 第（ｎ−２）の電荷発生層（Ｉ）
３０５（ｎ−１） 第（ｎ−１）の電荷発生層（Ｉ）
４０１ 反射電極
４０２ 半透過・半反射電極
４０３ａ 第１の透明導電層
４０３ｂ 第２の透明導電層
４０４Ｂ 第１の発光層（Ｂ）
４０４Ｇ 第２の発光層（Ｇ）
４０４Ｒ 第３の発光層（Ｒ）
４０５ ＥＬ層
４１０Ｒ 第１の発光素子（Ｒ）
４１０Ｇ 第２の発光素子（Ｇ）
４１０Ｂ 第３の発光素子（Ｂ）
５０１ 素子基板
５０２ 画素部
５０３ 駆動回路部（ソース線駆動回路）
５０４ａ、５０４ｂ 駆動回路部（ゲート線駆動回路）
５０５ シール材
５０６ 封止基板
５０７ 配線
５０８ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
５０９ ｎチャネル型ＴＦＴ
５１０ ｐチャネル型ＴＦＴ
５１１ スイッチング用ＴＦＴ
５１２ 電流制御用ＴＦＴ
５１３ 第１の電極（陽極）
５１４ 絶縁物
５１５ ＥＬ層
５１６ 第２の電極（陰極）
５１７ 発光素子
５１８ 空間
１１００ 基板
１１０１ 第１の電極
１１０２ ＥＬ層
１１０３ 第２の電極
１１１１ 正孔注入層
１１１２ 正孔輸送層
１１１３ 発光層
１１１４ 電子輸送層
１１１５ 電子注入層
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ａ、７４０３ｂ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
８００１ 照明装置
８００２ 照明装置
８００３ 照明装置
８００４ 照明装置
【技術分野】
【０００１】
本発明の一態様は、トリアリールアミン化合物に関する。また、トリアリールアミン化合物を用いた発光素子、発光装置、電子機器、及び照明装置に関する。
【背景技術】
【０００２】
近年、エレクトロルミネッセンス（Ｅｌｅｃｔｒｏｌｕｍｉｎｅｓｃｅｎｃｅ）を利用した発光素子の研究開発が盛んに行われている。これら発光素子の基本的な構成は、一対の電極間に発光性の物質を含む層を挟んだものである。この素子に電圧を印加することにより、発光性の物質からの発光を得ることができる。
【０００３】
このような発光素子は自発光型であるため、液晶ディスプレイに比べ画素の視認性が高く、バックライトが不要である等の利点があり、フラットパネルディスプレイ素子として好適であると考えられている。また、このような発光素子は、薄型軽量に作製できることも大きな利点である。さらに非常に応答速度が速いことも特徴の一つである。
【０００４】
そして、これらの発光素子は膜状に形成することが可能であるため、面状の発光を容易に得ることができる。よって、面状の発光を利用した大面積の素子を形成することができる。このことは、白熱電球やＬＥＤに代表される点光源、あるいは蛍光灯に代表される線光源では得難い特色であるため、照明等に応用できる面光源としての利用価値も高い。
【０００５】
そのエレクトロルミネッセンスを利用した発光素子は、発光性の物質が有機化合物であるか、無機化合物であるかによって大別できるが、発光性の物質に有機化合物を用いる場合、発光素子に電圧を印加することにより、一対の電極から電子および正孔がそれぞれ発光性の有機化合物を含む層に注入され、電流が流れる。そして、それらキャリア（電子および正孔）によって発光性の有機化合物が励起状態を形成し、その励起状態が基底状態に戻る際に発光する。
【０００６】
このようなメカニズムから、このような発光素子は電流励起型の発光素子と呼ばれる。なお、有機化合物が形成する励起状態の種類としては、一重項励起状態と三重項励起状態が可能であり、一重項励起状態からの発光が蛍光、三重項励起状態からの発光が燐光と呼ばれている。
【０００７】
このような発光素子に関しては、その素子特性を向上させる上で、物質に依存した問題が多く、これらを克服するために素子構造の改良や物質開発等が行われている。（例えば、特許文献１）
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００８】
【特許文献１】特開２００３−２６７９７２号公報
【発明の概要】
【発明が解決しようとする課題】
【０００９】
本発明の一態様では、正孔輸送性および電子輸送性の両方を備えた、いわゆるバイポーラ性を有する新規のトリアリールアミン化合物を提供する。また、本発明の一態様は、発光効率の高い発光素子を提供する。さらに、消費電力の低い発光装置、電子機器、または照明装置を提供する。
【課題を解決するための手段】
【００１０】
本発明の一態様は、トリアリールアミン化合物である。従って、本発明の構成は、下記一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物である。
【００１１】
【化１】
【００１２】
但し、式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１〜α３は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ１−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００１３】
【化２】
【００１４】
但し、式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４〜α６は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００１５】
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ２）で表されるトリアリールアミン化合物である。
【００１６】
【化３】
【００１７】
但し、式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ２−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００１８】
【化４】
【００１９】
但し、式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００２０】
また、本発明の別の一態様は、下記一般式（Ｇ３）で表されるトリアリールアミン化合物である。
【００２１】
【化５】
【００２２】
但し、式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ３−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００２３】
【化６】
【００２４】
但し、式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００２５】
また、本発明の別の一態様は、下記構造式（１００）で表されるトリアリールアミン化合物である。
【００２６】
【化７】
【００２７】
また、本発明の別の一態様は、下記構造式（１３５）で表されるトリアリールアミン化合物である。
【００２８】
【化８】
【００２９】
また、本発明のトリアリールアミン化合物は、正孔輸送性および電子輸送性の両方を備えた、いわゆるバイポーラ性を有している。また、熱物性が良好であり、アモルファス性が高いことが特徴である。従って、発光素子の正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層に適用することができる。さらに、本発明のトリアリールアミン化合物は、５員環に結合したフェニル基を含む構造を介してアミンを構成する構造を有していることから、アミンに結合される他の複素環への共役の広がりを抑えることができる。そのため、発光層がホスト材料とゲスト材料（発光材料）との組み合わせにより構成される場合に、比較的短波長の発光材料に対するホスト材料としても用いることができる。また、本発明のトリアリールアミン化合物は蛍光性を有するため、発光層における発光性物質としても用いることができる。したがって本発明は、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いた発光素子も含むものとする。
【００３０】
すなわち、本発明の別の構成は、一対の電極間にＥＬ層を有する発光素子であって、ＥＬ層に含まれる発光層、または正孔輸送層の少なくとも一に本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を含むことを特徴とする。
【００３１】
また、本発明の一態様は、発光素子を有する発光装置だけでなく、発光装置を有する電子機器および照明装置も範疇に含めるものである。従って、本明細書中における発光装置とは、画像表示デバイス、発光デバイス、もしくは光源（照明装置含む）を指す。また、発光装置にコネクター、例えばＦＰＣ（Ｆｌｅｘｉｂｌｅ ｐｒｉｎｔｅｄ ｃｉｒｃｕｉｔ）もしくはＴＡＢ（Ｔａｐｅ Ａｕｔｏｍａｔｅｄ Ｂｏｎｄｉｎｇ）テープもしくはＴＣＰ（Ｔａｐｅ Ｃａｒｒｉｅｒ Ｐａｃｋａｇｅ）が取り付けられたモジュール、ＴＡＢテープやＴＣＰの先にプリント配線板が設けられたモジュール、または発光素子にＣＯＧ（Ｃｈｉｐ Ｏｎ Ｇｌａｓｓ）方式によりＩＣ（集積回路）が直接実装されたモジュールも全て発光装置に含むものとする。
【発明の効果】
【００３２】
本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、バイポーラ性を示すことから、発光素子のＥＬ層を構成する正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層に用いることができる。また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を正孔注入層、正孔輸送層、発光層、電子輸送層などに用いて発光素子を形成することにより、発光効率の高い発光素子を形成することができる。また、このような発光素子を適用することで、消費電力が少なく、駆動電圧の低い発光装置、電子機器、および照明装置を提供することができる。
【図面の簡単な説明】
【００３３】
【図１】発光素子の構造について説明する図。
【図２】発光素子の構造について説明する図。
【図３】発光素子の構造について説明する図。
【図４】発光装置について説明する図。
【図５】発光装置について説明する図。
【図６】電子機器について説明する図。
【図７】照明器具について説明する図。
【図８】構造式（１００）に示すトリアリールアミン化合物の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図９】構造式（１００）に示すトリアリールアミン化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。
【図１０】構造式（１３５）に示すトリアリールアミン化合物の１Ｈ−ＮＭＲチャート。
【図１１】構造式（１３５）に示すトリアリールアミン化合物の紫外・可視吸収スペクトル及び発光スペクトル。
【図１２】発光素子について説明する図。
【図１３】発光素子１の電流密度−輝度特性を示す図。
【図１４】発光素子１の電圧−輝度特性を示す図。
【図１５】発光素子１の輝度−電流効率特性を示す図。
【図１６】発光素子１の電圧−電流特性を示す図。
【図１７】発光素子１の輝度−色度特性を示す図。
【図１８】発光素子１の発光スペクトルを示す図。
【図１９】発光素子１の信頼性を示す図。
【図２０】発光素子２〜４の電流密度−輝度特性を示す図。
【図２１】発光素子２〜４の電圧−輝度特性を示す図。
【図２２】発光素子２〜４の輝度−電流効率特性を示す図。
【図２３】発光素子２〜４の電圧−電流特性を示す図。
【図２４】発光素子２〜４の発光スペクトルを示す図。
【図２５】発光素子５の電流密度−輝度特性を示す図。
【図２６】発光素子５の電圧−輝度特性を示す図。
【図２７】発光素子５の輝度−電流効率特性を示す図。
【図２８】発光素子５の電圧−電流特性を示す図。
【図２９】発光素子５の発光スペクトルを示す図。
【図３０】発光素子５の信頼性を示す図。
【発明を実施するための形態】
【００３４】
以下、本発明の実施の態様について図面を用いて詳細に説明する。但し、本発明は以下の説明に限定されず、本発明の趣旨及びその範囲から逸脱することなくその形態及び詳細を様々に変更し得ることが可能である。従って、本発明は以下に示す実施の形態の記載内容に限定して解釈されるものではない。
【００３５】
（実施の形態１）
本実施の形態では、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物について説明する。
【００３６】
本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、下記一般式（Ｇ１）で表される。
【００３７】
【化９】
【００３８】
一般式（Ｇ１）において、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１〜α３は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ１−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００３９】
【化１０】
【００４０】
また、一般式（Ｇ１−２）において、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４〜α６は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００４１】
また、一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物は、有機ＥＬ素子の耐熱性の観点から、分子量４３０以上が好ましい。また、蒸着膜で形成する場合、昇華性の観点から分子量１０００以下が好ましい。より好ましくは分子量５００以上、８００以下である。
【００４２】
従って、一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物は、Ｅ１が窒素原子の場合、分子量の観点からＡｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかである方が好ましい。
【００４３】
ここで、一般式（Ｇ１）または（Ｇ１−２）中、α１〜α６で示されるフェニレン基、または、ビフェニレン基の具体例としては、下記構造式（ｓ−１）〜（ｓ−８）のいずれかが挙げられる。
【００４４】
【化１１】
【００４５】
式中、（ｓ−２）、（ｓ−３）、（ｓ−５）〜（ｓ−８）の様にメタ位やオルト位で結合しているほうが、共役が伸びづらく、好ましい。（ｓ−１）や（ｓ−４）の様にパラ位で結合しているほうが、キャリア輸送性が向上し、信頼性が良好となることが期待できるため、好ましい。
【００４６】
また、一般式（Ｇ１）中、Ａｒ１〜Ａｒ３の具体例としては、下記構造式（ｓ−１１）〜（ｓ−２５）のいずれかが挙げられる。
【００４７】
【化１２】
【００４８】
式中、（ｓ−１１）〜（ｓ−２５）で示した置換基は、バンドギャップが広い置換基であるため、共役が大きくなりづらく、好ましい。（ｓ−１２）〜（ｓ−２５）の様に、２環以上で構成された環をもつアリール基は、キャリア輸送性が良好であり、好ましい。（ｓ−１９）〜（ｓ−２２）の様に、９位置換や３位置換のカルバゾリル基や２位置換のジベンゾチオフェニル基、ジベンゾフラニル基は、ホール輸送性が良好となり、好ましい。
【００４９】
また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、下記一般式（Ｇ２）で表される。
【００５０】
【化１３】
【００５１】
一般式（Ｇ２）において、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ２−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００５２】
【化１４】
【００５３】
また、一般式（Ｇ２−２）において、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００５４】
ここで、一般式（Ｇ２）または一般式（Ｇ２−２）におけるα１、α４、Ａｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３の具体例としては、一般式（Ｇ１）と同様のものが挙げられる。
【００５５】
また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、下記一般式（Ｇ３）で表される。
【００５６】
【化１５】
【００５７】
一般式（Ｇ３）において、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ３−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００５８】
【化１６】
【００５９】
また、一般式（Ｇ３−２）において、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。
【００６０】
ここで、一般式（Ｇ３）または一般式（Ｇ３−２）におけるＡｒ１、Ａｒ２、Ａｒ３の具体例としては、一般式（Ｇ１）と同様のものが挙げられる。
【００６１】
なお、上記一般式（Ｇ１）〜（Ｇ３）で表されるトリアリールアミン化合物において、置換基を有すると熱物性（Ｔｇ）を向上させるためには、好ましい。具体的には、メチル基、エチル基、ｔｅｒｔ−ブチル基などの炭素数１〜６のアルキル基や、フェニル基等が挙げられる。
【００６２】
次に、上述した本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物の具体的な構造式を示す。（下記構造式（１００）〜（１１８）、（１３０）〜（１３６）。）ただし、本発明はこれらに限定されることはない。
【００６３】
【化１７】
【００６４】
【化１８】
【００６５】
【化１９】
【００６６】
【化２０】
【００６７】
【化２１】
【００６８】
なお、上記構造式（１００）〜（１１８）、（１３０）〜（１３６）で表されるトリアリールアミン化合物は、バイポーラ性に優れた新規物質である。具体的には、ベンズイミダゾリル基またはベンズオキサゾリル基が電子輸送性に優れた骨格であり、トリアリールアミン骨格がホール輸送性に優れた骨格である。
【００６９】
次に、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物の合成方法の一例として、一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物の合成方法について説明する。
【００７０】
≪一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物の合成法≫
下記一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物の合成方法の一例について説明する。
【００７１】
【化２２】
【００７２】
一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物は、以下に示す合成スキーム（Ａ）に示される合成方法によって合成することができる。
【００７３】
【化２３】
【００７４】
式中、Ｘ１はハロゲンを表し、ヨウ素、臭素、塩素の順で反応性が良好となり、好ましい。
【００７５】
スキーム（Ａ）に示すように、ジアリールアミン化合物（ａ１）と、ハロゲン化アリール化合物（ａ２）とをカップリングさせることで、上記一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物が得られる。
【００７６】
また前記スキーム（Ａ）の反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。
【００７７】
前記合成反応において、ハートウィッグ・ブッフバルト反応を用いる場合について示す。金属触媒としてはパラジウム触媒を用いることができ、前記パラジウム触媒としてはパラジウム錯体とその配位子の混合物を用いることができる。前記パラジウム錯体としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げられる。また前記配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−ヘキシル）ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィンや、１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（略称：ＤＰＰＦ）等が挙げられる。また、塩基として用いることができる物質としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等を挙げることができる。また、前記反応は溶液中で行うことが好ましく、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。ただし、前記用いることができる触媒およびその配位子、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。また前記反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
【００７８】
また、一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物のＡｒ１が（Ｇ１−２）であるとき、一般式（Ｇ’）で表されるトリアリールアミン化合物は、以下に示す合成スキーム（Ｂ）に示される合成方法によって合成することができる。
【００７９】
【化２４】
【００８０】
式中、Ｘ１とＸ２はそれぞれ独立してハロゲンを表し、ヨウ素、臭素、塩素の順で反応性が良好となり、好ましい。
【００８１】
スキーム（Ｂ）に示すように、ジアリールアミン化合物（ａ１）と、ジハロゲン化アリール化合物（ａ３）と、ジアリールアミン化合物（ａ４）とをカップリングさせることで、上記一般式（Ｇ１’）で表されるトリアリールアミン化合物が得られる。
【００８２】
また、前記スキーム（Ｂ）の反応は様々な反応条件があるが、その一例として、塩基存在下にて金属触媒を用いた合成方法を適用することができる。
【００８３】
前記合成反応において、ハートウィッグ・ブッフバルト反応を用いる場合について示す。金属触媒としてはパラジウム触媒を用いることができ、前記パラジウム触媒としてはパラジウム錯体とその配位子の混合物を用いることができる。前記パラジウム錯体としては、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）、酢酸パラジウム（ＩＩ）等が挙げられる。また前記配位子としては、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィンや、トリ（ｎ−ヘキシル）ホスフィンや、トリシクロヘキシルホスフィンや、１，１−ビス（ジフェニルホスフィノ）フェロセン（略称：ＤＰＰＦ）等が挙げられる。また、塩基として用いることができる物質としては、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシド等の有機塩基や、炭酸カリウム等の無機塩基等を挙げることができる。また、前記反応は溶液中で行うことが好ましく、用いることができる溶媒としては、トルエン、キシレン、ベンゼン等が挙げられる。ただし、前記用いることができる触媒およびその配位子、塩基、溶媒はこれらに限られるものでは無い。また前記反応は窒素やアルゴンなど不活性雰囲気下で行うことが好ましい。
【００８４】
また、このとき、化合物（ａ１）と化合物（ａ４）は同一である方が、合成が簡便となり、好ましい。
【００８５】
以上、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物の合成方法の一例について説明したが、本発明はこれに限定されることはなく、他のどのような合成方法によって合成されても良い。
【００８６】
上述した本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、バイポーラ性に優れているため、発光素子におけるキャリア輸送性材料として利用できる。その他、発光素子における発光層のホスト材料としても用いることができる。
【００８７】
また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いることで、発光効率が高く、駆動電圧の上昇を最小限に抑えた発光素子を実現することができる。また、このような発光素子を適用することで、消費電力が低い発光装置、電子機器、または照明装置を実現することができる。
【００８８】
さらに、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、有機薄膜太陽電池に用いることもできる。具体的には、有機薄膜太陽電池のキャリア輸送層、キャリア注入層に用いることができる。また、アクセプター性物質との混合により、電荷発生層に用いることができる。また、光励起するため、発電層として用いることができる。
【００８９】
本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【００９０】
（実施の形態２）
本実施の形態では、本発明の一態様として実施の形態１で示したトリアリールアミン化合物を正孔輸送層に用いた発光素子について図１を用いて説明する。
【００９１】
本実施の形態に示す発光素子は、図１に示すように一対の電極（第１の電極（陽極）１０１と第２の電極（陰極）１０３）間に発光層１１３を含むＥＬ層１０２が挟まれており、ＥＬ層１０２は、発光層１１３の他に、正孔（または、ホール）注入層１１１、正孔（または、ホール）輸送層１１２、電子輸送層１１４、電子注入層１１５、電荷発生層（Ｅ）１１６などを含んで形成される。
【００９２】
このような発光素子に対して電圧を印加することにより、第１の電極１０１側から注入された正孔と第２の電極１０３側から注入された電子とが、発光層１１３において再結合し、発光層１１３に含まれる物質を励起状態にする。そして、励起状態の物質が基底状態に戻る際に発光する。
【００９３】
なお、ＥＬ層１０２における正孔注入層１１１は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層であり、アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が引き抜かれることにより正孔（ホール）が発生する。従って、正孔注入層１１１から正孔輸送層１１２を介して発光層１１３に正孔が注入される。
【００９４】
また、電荷発生層（Ｅ）１１６は、正孔輸送性の高い物質とアクセプター性物質を含む層である。アクセプター性物質によって正孔輸送性の高い物質から電子が引き抜かれるため、引き抜かれた電子が、電子注入性を有する電子注入層１１５から電子輸送層１１４を介して発光層１１３に注入される。
【００９５】
以下に本実施の形態に示す発光素子を作製する上での具体例について説明する。
【００９６】
第１の電極（陽極）１０１および第２の電極（陰極）１０３には、金属、合金、電気伝導性化合物、およびこれらの混合物などを用いることができる。具体的には、酸化インジウム−酸化スズ（Ｉｎｄｉｕｍ Ｔｉｎ Ｏｘｉｄｅ）、珪素若しくは酸化珪素を含有した酸化インジウム−酸化スズ、酸化インジウム−酸化亜鉛（Ｉｎｄｉｕｍ Ｚｉｎｃ Ｏｘｉｄｅ）、酸化タングステン及び酸化亜鉛を含有した酸化インジウム、金（Ａｕ）、白金（Ｐｔ）、ニッケル（Ｎｉ）、タングステン（Ｗ）、クロム（Ｃｒ）、モリブデン（Ｍｏ）、鉄（Ｆｅ）、コバルト（Ｃｏ）、銅（Ｃｕ）、パラジウム（Ｐｄ）、チタン（Ｔｉ）の他、元素周期表の第１族または第２族に属する元素、すなわちリチウム（Ｌｉ）やセシウム（Ｃｓ）等のアルカリ金属、およびマグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、ストロンチウム（Ｓｒ）等のアルカリ土類金属、およびこれらを含む合金（ＭｇＡｇ、ＡｌＬｉ）、ユウロピウム（Ｅｕ）、イッテルビウム（Ｙｂ）等の希土類金属およびこれらを含む合金、その他グラフェン等を用いることができる。なお、第１の電極（陽極）１０１および第２の電極（陰極）１０３は、例えばスパッタリング法や蒸着法（真空蒸着法を含む）等により形成することができる。
【００９７】
正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、および電荷発生層（Ｅ）１１６に用いる正孔輸送性の高い物質として、例えば、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）やＮ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’，４’’−トリス（カルバゾール−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＴＣＴＡ）、４，４’，４’’−トリス（Ｎ，Ｎ−ジフェニルアミノ）トリフェニルアミン（略称：ＴＤＡＴＡ）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：ＭＴＤＡＴＡ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）等が挙げられる。その他、４，４’−ジ（Ｎ−カルバゾリル）ビフェニル（略称：ＣＢＰ）、１，３，５−トリス［４−（Ｎ−カルバゾリル）フェニル］ベンゼン（略称：ＴＣＰＢ）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントラセニル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）等のカルバゾール化合物、等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い物質であれば、これら以外のものを用いてもよい。
【００９８】
さらに、ポリ（Ｎ−ビニルカルバゾール）（略称：ＰＶＫ）、ポリ（４−ビニルトリフェニルアミン）（略称：ＰＶＴＰＡ）、ポリ［Ｎ−（４−｛Ｎ’−［４−（４−ジフェニルアミノ）フェニル］フェニル−Ｎ’−フェニルアミノ｝フェニル）メタクリルアミド］（略称：ＰＴＰＤＭＡ）ポリ［Ｎ，Ｎ’−ビス（４−ブチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ビス（フェニル）ベンジジン］（略称：Ｐｏｌｙ−ＴＰＤ）などの高分子化合物を用いることもできる。
【００９９】
なお、正孔輸送性の高い物質としては、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いることもできる。
【０１００】
また、正孔注入層１１１および電荷発生層（Ｅ）１１６に用いるアクセプター性物質としては、遷移金属酸化物や元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化モリブデンが特に好ましい。
【０１０１】
特に、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物はバイポーラ性であり、これらアクセプター性物質との混合物として正孔注入層１１１および電荷発生層（Ｅ）１１６に好適に用いることができる。他には、電子輸送骨格と正孔輸送骨格とが化合して成るバイポーラ性の有機化合物も、これらアクセプター性物質との混合物として用いることができる。
【０１０２】
発光層１１３は、発光性の物質を含む層である。発光層１１３は、発光物質のみで構成されていても、ホスト材料中に発光中心物質が分散された状態で構成されていても良い。
【０１０３】
発光層１１３において、発光物質、および発光中心物質として用いることが可能な材料には、特に限定は無く、これらの物質が発する光は、蛍光であっても燐光であっても良い。なお、上記発光物質および発光中心物質としては、例えば、以下のようなものが挙げられる。
【０１０４】
蛍光を発する物質としては、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルスチルベン−４，４’−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｓ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）トリフェニルアミン（略称：２ＹＧＡＰＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、ペリレン、２，５，８，１１−テトラ−ｔｅｒｔ−ブチルペリレン（略称：ＴＢＰ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）、Ｎ，Ｎ’’−（２−ｔｅｒｔ−ブチルアントラセン−９，１０−ジイルジ−４，１−フェニレン）ビス［Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン］（略称：ＤＰＡＢＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＰＡ）、Ｎ−［４−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＰＡ）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、クマリン３０、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，９−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＢＰｈＡ）、Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＰＡ）、Ｎ−［９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−２−アントリル］−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−トリフェニル−１，４−フェニレンジアミン（略称：２ＤＰＡＢＰｈＡ）、９，１０−ビス（１，１’−ビフェニル−２−イル）−Ｎ−［４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ−フェニルアントラセン−２−アミン（略称：２ＹＧＡＢＰｈＡ）、Ｎ，Ｎ，９−トリフェニルアントラセン−９−アミン（略称：ＤＰｈＡＰｈＡ）クマリン５４５Ｔ、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルキナクリドン、（略称：ＤＰＱｄ）、ルブレン、５，１２−ビス（１，１’−ビフェニル−４−イル）−６，１１−ジフェニルテトラセン（略称：ＢＰＴ）、２−（２−｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−６−メチル−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ１）、２−｛２−メチル−６−［２−（２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＭ２）、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）テトラセン−５，１１−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＴＤ）、７，１４−ジフェニル−Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’−テトラキス（４−メチルフェニル）アセナフト［１，２−ａ］フルオランテン−３，１０−ジアミン（略称：ｐ−ｍＰｈＡＦＤ）、２−｛２−イソプロピル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＩ）、２−｛２−ｔｅｒｔ−ブチル−６−［２−（１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＤＣＪＴＢ）、２−（２，６−ビス｛２−［４−（ジメチルアミノ）フェニル］エテニル｝−４Ｈ−ピラン−４−イリデン）プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＭ）、２−｛２，６−ビス［２−（８−メトキシ−１，１，７，７−テトラメチル−２，３，６，７−テトラヒドロ−１Ｈ，５Ｈ−ベンゾ［ｉｊ］キノリジン−９−イル）エテニル］−４Ｈ−ピラン−４−イリデン｝プロパンジニトリル（略称：ＢｉｓＤＣＪＴＭ）などが挙げられる。
【０１０５】
なお、蛍光を発する物質としては、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いることもできる。
【０１０６】
燐光を発する物質としては、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））などが挙げられる。
【０１０７】
また、上記ホスト材料に用いることが可能な材料としては、特に限定はないが、例えば、トリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（ＩＩ）（略称：ＢｅＢｑ２）、ビス（２−メチル−８−キノリノラト）（４−フェニルフェノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：ＢＡｌｑ）、ビス（８−キノリノラト）亜鉛（ＩＩ）（略称：Ｚｎｑ）、ビス［２−（２−ベンゾオキサゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＰＢＯ）、ビス［２−（２−ベンゾチアゾリル）フェノラト］亜鉛（ＩＩ）（略称：ＺｎＢＴＺ）などの金属錯体、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ビフェニリル）−４−フェニル−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、２，２’，２’’−（１，３，５−ベンゼントリイル）トリス（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール）（略称：ＴＰＢＩ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、９−［４−（５−フェニル−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣＯ１１）などの複素環化合物、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢまたはα−ＮＰＤ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（３−メチルフェニル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−［１，１’−ビフェニル］−４，４’−ジアミン（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物が挙げられる。また、アントラセン誘導体、フェナントレン誘導体、ピレン誘導体、クリセン誘導体、ジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン誘導体等の縮合多環芳香族化合物が挙げられ、具体的には、９，１０−ジフェニルアントラセン（略称：ＤＰＡｎｔｈ）、Ｎ，Ｎ−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＣｚＡ１ＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＤＰｈＰＡ）、４−（９Ｈ−カルバゾール−９−イル）−４’−（１０−フェニル−９−アントリル）トリフェニルアミン（略称：ＹＧＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−｛４−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］フェニル｝−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：ＰＣＡＰＢＡ）、Ｎ，９−ジフェニル−Ｎ−（９，１０−ジフェニル−２−アントリル）−９Ｈ−カルバゾール−３−アミン（略称：２ＰＣＡＰＡ）、６，１２−ジメトキシ−５，１１−ジフェニルクリセン、Ｎ，Ｎ，Ｎ’，Ｎ’，Ｎ’’，Ｎ’’，Ｎ’’’，Ｎ’’’−オクタフェニルジベンゾ［ｇ，ｐ］クリセン−２，７，１０，１５−テトラアミン（略称：ＤＢＣ１）、９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、３，６−ジフェニル−９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＤＰＣｚＰＡ）、９，１０−ビス（３，５−ジフェニルフェニル）アントラセン（略称：ＤＰＰＡ）、９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ＤＮＡ）、２−ｔｅｒｔ−ブチル−９，１０−ジ（２−ナフチル）アントラセン（略称：ｔ−ＢｕＤＮＡ）、９，９’−ビアントリル（略称：ＢＡＮＴ）、９，９’−（スチルベン−３，３’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ）、９，９’−（スチルベン−４，４’−ジイル）ジフェナントレン（略称：ＤＰＮＳ２）、３，３’，３’’−（ベンゼン−１，３，５−トリイル）トリピレン（略称：ＴＰＢ３）などを挙げることができる。これら及び公知の物質の中から、上記発光中心物質のエネルギーギャップより大きなエネルギーギャップを有する物質を、一種もしくは複数種選択して用いればよい。また、発光中心物質が燐光を発する物質である場合、ホスト材料としては、発光中心物質の三重項励起エネルギー（基底状態と三重項励起状態とのエネルギー差）よりも三重項励起エネルギーの大きい物質を選択すれば良い。
【０１０８】
なお、上記ホスト材料に用いることが可能な材料としては、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いることもできる。発明の一態様であるトリアリールアミン化合物はＳ１準位が高いため、蛍光を発する物質用のホスト材料としては、可視域の発光領域で用いることができる。発明の一態様であるトリアリールアミン化合物はＴ１準位が高いため、燐光を発する物質に対するホスト材料として用いる場合は、緑色より長波長の発光領域で用いることができる。
【０１０９】
なお、発光層１１３は２層以上が積層された構成としてもよい。例えば、第１の発光層と第２の発光層を正孔輸送層側から順に積層して発光層１１３とする場合、第１の発光層のホスト材料として正孔輸送性を有する物質を用い、第２の発光層のホスト材料として電子輸送性を有する物質を用いる構成などがある。
【０１１０】
電子輸送層１１４は、電子輸送性の高い物質を含む層である。電子輸送層１１４には、Ａｌｑ３、トリス（４−メチル−８−キノリノラト）アルミニウム（略称：Ａｌｍｑ３）、ビス（１０−ヒドロキシベンゾ［ｈ］キノリナト）ベリリウム（略称：ＢｅＢｑ２）、ＢＡｌｑ、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、ビス［２−（２−ヒドロキシフェニル）ベンゾチアゾラト］亜鉛（略称：Ｚｎ（ＢＴＺ）２）などの金属錯体を用いることができる。また、２−（４−ビフェニリル）−５−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール（略称：ＰＢＤ）、１，３−ビス［５−（ｐ−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−１，３，４−オキサジアゾール−２−イル］ベンゼン（略称：ＯＸＤ−７）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−フェニル−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ＴＡＺ）、３−（４−ｔｅｒｔ−ブチルフェニル）−４−（４−エチルフェニル）−５−（４−ビフェニリル）−１，２，４−トリアゾール（略称：ｐ−ＥｔＴＡＺ）、バソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）、バソキュプロイン（略称：ＢＣＰ）、４，４’−ビス（５−メチルベンゾオキサゾール−２−イル）スチルベン（略称：ＢｚＯｓ）などの複素芳香族化合物も用いることができる。また、ポリ（２，５−ピリジン−ジイル）（略称：ＰＰｙ）、ポリ［（９，９−ジヘキシルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（ピリジン−３，５−ジイル）］（略称：ＰＦ−Ｐｙ）、ポリ［（９，９−ジオクチルフルオレン−２，７−ジイル）−ｃｏ−（２，２’−ビピリジン−６，６’−ジイル）］（略称：ＰＦ−ＢＰｙ）のような高分子化合物を用いることもできる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い物質であれば、上記以外の物質を電子輸送層として用いてもよい。
【０１１１】
また、電子輸送層は、単層のものだけでなく、上記物質からなる層が二層以上積層したものとしてもよい。
【０１１２】
電子注入層１１５は、電子注入性の高い物質を含む層である。電子注入層１１５には、フッ化リチウム（ＬｉＦ）、フッ化セシウム（ＣｓＦ）、フッ化カルシウム（ＣａＦ２）、リチウム酸化物（ＬｉＯｘ）等のようなアルカリ金属、アルカリ土類金属、またはそれらの化合物を用いることができる。また、フッ化エルビウム（ＥｒＦ３）のような希土類金属化合物を用いることができる。また、上述した電子輸送層１１４を構成する物質を用いることもできる。
【０１１３】
あるいは、電子注入層１１５に、有機化合物と電子供与体（ドナー）とを混合してなる複合材料を用いてもよい。このような複合材料は、電子供与体によって有機化合物に電子が発生するため、電子注入性および電子輸送性に優れている。この場合、有機化合物としては、発生した電子の輸送に優れた材料であることが好ましく、具体的には、例えば上述した電子輸送層１１４を構成する物質（金属錯体や複素芳香族化合物等）を用いることができる。電子供与体としては、有機化合物に対し電子供与性を示す物質であればよい。具体的には、アルカリ金属やアルカリ土類金属や希土類金属が好ましく、リチウム、セシウム、マグネシウム、カルシウム、エルビウム、イッテルビウム等が挙げられる。また、アルカリ金属酸化物やアルカリ土類金属酸化物が好ましく、リチウム酸化物）、カルシウム酸化物、バリウム酸化物等が挙げられる。また、酸化マグネシウムのようなルイス塩基を用いることもできる。また、テトラチアフルバレン（略称：ＴＴＦ）等の有機化合物を用いることもできる。
【０１１４】
なお、上述した正孔注入層１１１、正孔輸送層１１２、発光層１１３、電子輸送層１１４、電子注入層１１５、電荷発生層（Ｅ）１１６は、それぞれ、蒸着法（真空蒸着法を含む）、インクジェット法、塗布法等の方法で形成することができる。
【０１１５】
上述した発光素子は、第１の電極１０１および第２の電極１０３との間に生じた電位差により電流が流れ、ＥＬ層１０２において正孔と電子とが再結合することにより発光する。そして、この発光は、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方または両方を通って外部に取り出される。従って、第１の電極１０１および第２の電極１０３のいずれか一方、または両方が透光性を有する電極となる。
【０１１６】
以上により説明した発光素子は、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を正孔輸送層に適用して形成されることから、発光素子の素子効率の向上だけでなく、駆動電圧の上昇を最小限に抑えることができる。
【０１１７】
また、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、正孔輸送層だけでなく、他の層（正孔注入層や発光層、電子輸送層など）にも用いることができるため、複数の層において共通の材料を用いることが可能となる。そのため、材料の合成コストや発光素子の製造コストを抑えることができ、好ましい。
【０１１８】
なお、本実施の形態で示した発光素子は、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を適用して作製される発光素子の一例である。また、上記の素子構造を備えた発光装置の構成としては、パッシブマトリクス型の発光装置やアクティブマトリクス型の発光装置が挙げられ、さらに素子構造の一部を改良することによりマイクロキャビティー構造の発光装置に適用することもできる。これらの発光装置は、いずれも本発明に含まれるものとする。なお、これらの発光装置においては、消費電力を低減させることができる。
【０１１９】
なお、アクティブマトリクス型の発光装置の場合において、ＴＦＴの構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のＴＦＴを適宜用いることができる。また、ＴＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴからなるものでもよいし、Ｎ型のＴＦＴまたはＰ型のＴＦＴのいずれか一方のみからなるものであってもよい。さらに、ＴＦＴに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、その他、酸化物半導体膜等を用いることができる。
【０１２０】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
【０１２１】
（実施の形態３）
本実施の形態では、本発明の一態様として、燐光性化合物と他の２種類以上の有機化合物を発光層に用いた発光素子について説明する。
【０１２２】
本実施の形態に示す発光素子は、図２に示すように一対の電極（陽極２０１及び陰極２０２）間にＥＬ層２０３を有する構造である。なお、ＥＬ層２０３には、少なくとも発光層２０４を有し、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層（Ｅ）などが含まれていても良い。なお、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層（Ｅ）には、実施の形態２に示した物質を用いることができる。
【０１２３】
本実施の形態に示す発光層２０４には、燐光性化合物２０５、第１の有機化合物２０６、および第２の有機化合物２０７が含まれている。実施の形態１に示したトリアリールアミン化合物は、第１の有機化合物２０６、または第２の有機化合物２０７として用いることができる。なお、燐光性化合物２０５は、発光層２０４におけるゲスト材料である。また、第１の有機化合物２０６、および第２の有機化合物２０７のうち発光層２０４に含まれる割合の多い方を発光層２０４におけるホスト材料とする。
【０１２４】
発光層２０４において、上記ゲスト材料をホスト材料に分散させた構成とすることにより、発光層の結晶化を抑制することができる。また、ゲスト材料の濃度が高いことによる濃度消光を抑制し、発光素子の発光効率を高くすることができる。
【０１２５】
なお、第１の有機化合物２０６及び第２の有機化合物２０７のそれぞれの三重項励起エネルギーの準位（Ｔ１準位）は、燐光性化合物２０５のＴ１準位よりも高いことが好ましい。第１の有機化合物２０６（又は第２の有機化合物２０７）のＴ１準位が燐光性化合物２０５のＴ１準位よりも低いと、発光に寄与する燐光性化合物２０５の三重項励起エネルギーを第１の有機化合物２０６（又は第２の有機化合物２０７）が消光（クエンチ）してしまい、発光効率の低下を招くためである。
【０１２６】
ここで、ホスト材料からゲスト材料へのエネルギー移動効率を高めるため、分子間のエネルギー移動機構として知られているフェルスター機構（双極子−双極子相互作用）およびデクスター機構（電子交換相互作用）を考慮した上で、ホスト材料の発光スペクトル（一重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は蛍光スペクトル、三重項励起状態からのエネルギー移動を論じる場合は燐光スペクトル）とゲスト材料の吸収スペクトル（より詳細には、最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯におけるスペクトル）との重なりが大きくなることが好ましい。しかしながら通常、ホスト材料の蛍光スペクトルを、ゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ねることは困難である。なぜならば、そのようにしてしまうと、ホスト材料の燐光スペクトルは蛍光スペクトルよりも長波長（低エネルギー）側に位置するため、ホスト材料のＴ１準位が燐光性化合物のＴ１準位を下回ってしまい、上述したクエンチの問題が生じてしまうからである。一方、クエンチの問題を回避するため、ホスト材料のＴ１準位が燐光性化合物のＴ１準位を上回るように設計すると、今度はホスト材料の蛍光スペクトルが短波長（高エネルギー）側にシフトするため、その蛍光スペクトルはゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ならなくなる。したがって、ホスト材料の蛍光スペクトルをゲスト材料の最も長波長（低エネルギー）側の吸収帯における吸収スペクトルと重ね、ホスト材料の一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることは、通常困難である。
【０１２７】
そこで本実施形態においては、第１の有機化合物および第２の有機化合物は、励起錯体（エキサイプレックスとも言う）を形成する組み合わせであることが好ましい。この場合、発光層２０４におけるキャリア（電子及びホール）の再結合の際に第１の有機化合物２０６と第２の有機化合物２０７は、励起錯体を形成する。これにより、発光層２０４において、第１の有機化合物２０６の蛍光スペクトルおよび第２の有機化合物２０７の蛍光スペクトルは、より長波長側に位置する励起錯体の発光スペクトルに変換される。そして、励起錯体の発光スペクトルとゲスト材料の吸収スペクトルとの重なりが大きくなるように、第１の有機化合物と第２の有機化合物を選択すれば、一重項励起状態からのエネルギー移動を最大限に高めることができる。なお、三重項励起状態に関しても、ホスト材料ではなく励起錯体からのエネルギー移動が生じると考えられる。
【０１２８】
燐光性化合物２０５としては、燐光性の有機金属錯体を用いることが好ましい。また、第１の有機化合物２０６及び第２の有機化合物２０７としては、励起錯体を生じる組み合わせであればよいが、電子を受け取りやすい化合物（電子トラップ性化合物）と、ホールを受け取りやすい化合物（正孔トラップ性化合物）とを組み合わせることが好ましい。
【０１２９】
燐光性の有機金属錯体としては、例えば、ビス［２−（３’，５’−ビストリフルオロメチルフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）ピコリナート（略称：Ｉｒ（ＣＦ３ｐｐｙ）２（ｐｉｃ））、ビス［２−（４’，６’−ジフルオロフェニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ２’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：ＦＩｒａｃａｃ）、トリス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）、ビス（２−フェニルピリジナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）２（ａｃａｃ））、トリス（アセチルアセトナト）（モノフェナントロリン）テルビウム（ＩＩＩ）（略称：Ｔｂ（ａｃａｃ）３（Ｐｈｅｎ））、ビス（ベンゾ［ｈ］キノリナト）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｚｑ）２（ａｃａｃ））、ビス（２，４−ジフェニル−１，３−オキサゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｄｐｏ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（４’−パーフルオロフェニルフェニル）ピリジナト］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐ−ＰＦ−ｐｈ）２（ａｃａｃ））、ビス（２−フェニルベンゾチアゾラト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔ）２（ａｃａｃ））、ビス［２−（２’−ベンゾ［４，５−α］チエニル）ピリジナト−Ｎ，Ｃ３’］イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｂｔｐ）２（ａｃａｃ））、ビス（１−フェニルイソキノリナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（ＩＩＩ）アセチルアセトナート（略称：Ｉｒ（ｐｉｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス［２，３−ビス（４−フルオロフェニル）キノキサリナト］イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（Ｆｄｐｑ）２（ａｃａｃ））、（アセチルアセトナト）ビス（２，３，５−トリフェニルピラジナト）イリジウム（ＩＩＩ）（略称：Ｉｒ（ｔｐｐｒ）２（ａｃａｃ））、２，３，７，８，１２，１３，１７，１８−オクタエチル−２１Ｈ，２３Ｈ−ポルフィリン白金（ＩＩ）（略称：ＰｔＯＥＰ）、トリス（１，３−ジフェニル−１，３−プロパンジオナト）（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＤＢＭ）３（Ｐｈｅｎ））、トリス［１−（２−テノイル）−３，３，３−トリフルオロアセトナト］（モノフェナントロリン）ユーロピウム（ＩＩＩ）（略称：Ｅｕ（ＴＴＡ）３（Ｐｈｅｎ））などが挙げられる。
【０１３０】
電子を受け取りやすい化合物としては、例えば、２−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、２−［４−（３，６−ジフェニル−９Ｈ−カルバゾール−９−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：２ＣｚＰＤＢｑ−ＩＩＩ）、７−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：７ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）、及び、６−［３−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］ジベンゾ［ｆ，ｈ］キノキサリン（略称：６ｍＤＢＴＰＤＢｑ−ＩＩ）が挙げられる。
【０１３１】
ホールを受け取りやすい化合物としては、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を用いることができる。その他にも、例えば、４−フェニル−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡ１ＢＰ）、３−［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＮ１）、４，４’，４’’−トリス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］トリフェニルアミン（略称：１’−ＴＮＡＴＡ）、２，７−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡ２ＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンゼン−１，３−ジアミン（略称：ＰＣＡ２Ｂ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−２−Ｎ’，Ｎ’−ジフェニルアミノ−９Ｈ−フルオレン−７−イル）ジフェニルアミン（略称：ＤＰＮＦ）、Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリフェニル−Ｎ，Ｎ’，Ｎ’’−トリス（９−フェニルカルバゾール−３−イル）ベンゼン−１，３，５−トリアミン（略称：ＰＣＡ３Ｂ）、２−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＰＣＡＳＦ）、２−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］スピロ−９，９’−ビフルオレン（略称：ＤＰＡＳＦ）、Ｎ，Ｎ’−ビス［４−（カルバゾール−９−イル）フェニル］−Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−９，９−ジメチルフルオレン−２，７−ジアミン（略称：ＹＧＡ２Ｆ）、４，４−ビス［Ｎ−（３−メチルフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＴＰＤ）、４，４’−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＤＰＡＢ）、Ｎ−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）−Ｎ−｛９，９−ジメチル−２−［Ｎ’−フェニル−Ｎ’−（９，９−ジメチル−９Ｈ−フルオレン−２−イル）アミノ］−９Ｈ−フルオレン−７−イル｝フェニルアミン（略称：ＤＦＬＡＤＦＬ）、３−［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ１）、３−［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ１）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＤＰＡ２）、４，４’−ビス（Ｎ−｛４−［Ｎ’−（３−メチルフェニル）−Ｎ’−フェニルアミノ］フェニル｝−Ｎ−フェニルアミノ）ビフェニル（略称：ＤＮＴＰＤ）、３，６−ビス［Ｎ−（４−ジフェニルアミノフェニル）−Ｎ−（１−ナフチル）アミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＴＰＮ２）、３，６−ビス［Ｎ−（９−フェニルカルバゾール−３−イル）−Ｎ−フェニルアミノ］−９−フェニルカルバゾール（略称：ＰＣｚＰＣＡ２）が挙げられる。
【０１３２】
上述した第１の有機化合物２０６及び第２の有機化合物２０７は、これらに限定されることなく、励起錯体を形成できる組み合わせであり、励起錯体の発光スペクトルが、燐光性化合物２０５の吸収スペクトルと重なり、励起錯体の発光スペクトルのピークが、燐光性化合物２０５の吸収スペクトルのピークよりも長波長であればよい。
【０１３３】
なお、電子を受け取りやすい化合物とホールを受け取りやすい化合物で第１の有機化合物２０６と第２の有機化合物２０７を構成する場合、その混合比によってキャリアバランスを制御することができる。具体的には、第１の有機化合物：第２の有機化合物＝１：９〜９：１の範囲が好ましい。
【０１３４】
本実施の形態で示した発光素子は、励起錯体の発光スペクトルと燐光性化合物の吸収スペクトルとの重なりを利用したエネルギー移動により、エネルギー移動効率を高めることができるため、外部量子効率の高い発光素子を実現することができる。
【０１３５】
なお、本発明に含まれる別の構成として、燐光性化合物２０５（ゲスト材料）の他の２種類の有機化合物として、正孔トラップ性のホスト分子、および電子トラップ性のホスト分子を用いて発光層２０４を形成し、２種類のホスト分子中に存在するゲスト分子に正孔と電子を導いて、ゲスト分子を励起状態とする現象（すなわち、Ｇｕｅｓｔ Ｃｏｕｐｌｅｄ ｗｉｔｈ Ｃｏｍｌｅｍｅｎｔａｒｙ Ｈｏｓｔｓ：ＧＣＣＨ）が得られるように発光層２０４を形成する構成も可能である。
【０１３６】
この時、正孔トラップ性のホスト分子、および電子トラップ性のホスト分子としては、それぞれ、上述した正孔を受け取りやすい化合物、および電子を受け取りやすい化合物を用いることができる。
【０１３７】
なお、本実施の形態で示した発光素子は、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を適用して作製される発光素子の一例である。また、上記の素子構造を備えた発光装置の構成としては、パッシブマトリクス型の発光装置やアクティブマトリクス型の発光装置が挙げられ、さらに素子構造の一部を改良することによりマイクロキャビティー構造の発光装置に適用することもできる。これらの発光装置は、いずれも本発明に含まれるものとする。
【０１３８】
なお、アクティブマトリクス型の発光装置の場合において、ＴＦＴの構造は、特に限定されない。例えば、スタガ型や逆スタガ型のＴＦＴを適宜用いることができる。また、ＴＦＴ基板に形成される駆動用回路についても、Ｎ型およびＰ型のＴＦＴからなるものでもよいし、Ｎ型のＴＦＴまたはＰ型のＴＦＴのいずれか一方のみからなるものであってもよい。さらに、ＴＦＴに用いられる半導体膜の結晶性についても特に限定されない。例えば、非晶質半導体膜、結晶性半導体膜、その他、酸化物半導体膜等を用いることができる。
【０１３９】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示す構成と適宜組み合わせて用いることができるものとする。
【０１４０】
（実施の形態４）
本実施の形態では、本発明の一態様として、電荷発生層を挟んでＥＬ層を複数有する構造の発光素子（以下、タンデム型発光素子という）について説明する。
【０１４１】
本実施の形態に示す発光素子は、図３（Ａ）に示すように一対の電極（第１の電極３０１および第２の電極３０４）間に、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））を有するタンデム型発光素子である。
【０１４２】
本実施の形態において、第１の電極３０１は、陽極として機能する電極であり、第２の電極３０４は陰極として機能する電極である。なお、第１の電極３０１および第２の電極３０４は、実施の形態２と同様な構成を用いることができる。また、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））は、実施の形態２または実施の形態３で示したＥＬ層と同様な構成であっても良いが、いずれかが同様の構成であっても良い。すなわち、第１のＥＬ層３０２（１）と第２のＥＬ層３０２（２）は、同じ構成であっても異なる構成であってもよく、その構成は実施の形態２または実施の形態３と同様なものを適用することができる。
【０１４３】
また、複数のＥＬ層（第１のＥＬ層３０２（１）、第２のＥＬ層３０２（２））の間には、電荷発生層（Ｉ）３０５が設けられている。電荷発生層（Ｉ）３０５は、第１の電極３０１と第２の電極３０４に電圧を印加したときに、一方のＥＬ層に電子を注入し、他方のＥＬ層に正孔を注入する機能を有する。本実施の形態の場合には、第１の電極３０１に第２の電極３０４よりも電位が高くなるように電圧を印加すると、電荷発生層（Ｉ）３０５から第１のＥＬ層３０２（１）に電子が注入され、第２のＥＬ層３０２（２）に正孔が注入される。
【０１４４】
なお、電荷発生層（Ｉ）３０５は、光の取り出し効率の点から、可視光に対して透光性を有する（具体的には、電荷発生層（Ｉ）３０５に対する可視光の透過率が、４０％以上）ことが好ましい。また、電荷発生層（Ｉ）３０５は、第１の電極３０１や第２の電極３０４よりも低い導電率であっても機能する。
【０１４５】
電荷発生層（Ｉ）３０５は、正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体（アクセプター）が添加された構成であっても、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体（ドナー）が添加された構成であってもよい。また、これらの両方の構成が積層されていても良い。
【０１４６】
正孔輸送性の高い有機化合物に電子受容体が添加された構成とする場合において、正孔輸送性の高い有機化合物としては、例えば、ＮＰＢやＴＰＤ、ＴＤＡＴＡ、ＭＴＤＡＴＡ、４，４’−ビス［Ｎ−（スピロ−９，９’−ビフルオレン−２−イル）−Ｎ―フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＢＳＰＢ）などの芳香族アミン化合物等を用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の正孔移動度を有する物質である。但し、電子よりも正孔の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。なお、本発明の一態様であるカルバゾール化合物を電荷発生層（Ｉ）３０５における正孔輸送性の高い有機化合物として用いることもできる。
【０１４７】
また、電子受容体としては、７，７，８，８−テトラシアノ−２，３，５，６−テトラフルオロキノジメタン（略称：Ｆ４−ＴＣＮＱ）、クロラニル等を挙げることができる。また、遷移金属酸化物を挙げることができる。また元素周期表における第４族乃至第８族に属する金属の酸化物を挙げることができる。具体的には、酸化バナジウム、酸化ニオブ、酸化タンタル、酸化クロム、酸化モリブデン、酸化タングステン、酸化マンガン、酸化レニウムは電子受容性が高いため好ましい。中でも特に、酸化モリブデンは大気中でも安定であり、吸湿性が低く、扱いやすいため好ましい。
【０１４８】
一方、電子輸送性の高い有機化合物に電子供与体が添加された構成とする場合において、電子輸送性の高い有機化合物としては、例えば、Ａｌｑ、Ａｌｍｑ３、ＢｅＢｑ２、ＢＡｌｑなど、キノリン骨格またはベンゾキノリン骨格を有する金属錯体等を用いることができる。また、この他、Ｚｎ（ＢＯＸ）２、Ｚｎ（ＢＴＺ）２などのオキサゾール系、チアゾール系配位子を有する金属錯体なども用いることができる。さらに、金属錯体以外にも、ＰＢＤやＯＸＤ−７、ＴＡＺ、Ｂｐｈｅｎ、ＢＣＰなども用いることができる。ここに述べた物質は、主に１０−６ｃｍ２／Ｖｓ以上の電子移動度を有する物質である。なお、正孔よりも電子の輸送性の高い有機化合物であれば、上記以外の物質を用いても構わない。
【０１４９】
また、電子供与体としては、アルカリ金属またはアルカリ土類金属または希土類金属または元素周期表における第２族、第１３族に属する金属およびその酸化物、炭酸塩を用いることができる。具体的には、リチウム（Ｌｉ）、セシウム（Ｃｓ）、マグネシウム（Ｍｇ）、カルシウム（Ｃａ）、イッテルビウム（Ｙｂ）、インジウム（Ｉｎ）、酸化リチウム、炭酸セシウムなどを用いることが好ましい。また、テトラチアナフタセンのような有機化合物を電子供与体として用いてもよい。
【０１５０】
なお、上述した材料を用いて電荷発生層（Ｉ）３０５を形成することにより、ＥＬ層が積層された場合における駆動電圧の上昇を抑制することができる。
【０１５１】
本実施の形態では、ＥＬ層を２層有する発光素子について説明したが、図３（Ｂ）に示すように、ｎ層（ただし、ｎは、３以上）のＥＬ層（３０２（１）〜３０２（ｎ））を積層し、これらのＥＬ層（３０２（１）〜３０２（ｎ））の間にそれぞれ電荷発生層（Ｉ）（３０５（１）〜３０５（ｎ−１））を配置した発光素子についても、同様に適用することが可能である。本実施の形態に係る発光素子のように、一対の電極間に複数のＥＬ層を有する場合、ＥＬ層とＥＬ層との間に電荷発生層（Ｉ）を配置することで、電流密度を低く保ったまま、高輝度領域での発光が可能であり、電流密度を低く保つことができる。従って、長寿命な発光素子を実現することができる。また、照明を応用例とした場合は、電極材料の抵抗による電圧降下を小さくできるので、大面積での均一発光が可能となる。また、低電圧駆動が可能で消費電力が低い発光装置を実現することができる。
【０１５２】
また、それぞれのＥＬ層の発光色を異なるものにすることで、発光素子全体として、所望の色の発光を得ることができる。例えば、２つのＥＬ層を有する発光素子において、第１のＥＬ層の発光色と第２のＥＬ層の発光色を補色の関係になるようにすることで、発光素子全体として白色発光する発光素子を得ることも可能である。なお、補色とは、混合すると無彩色になる色同士の関係をいう。つまり、補色の関係にある色を発光する物質から得られた光と混合することにより、白色発光を得ることができる。
【０１５３】
また、３つのＥＬ層を有する発光素子の場合でも同様であり、例えば、第１のＥＬ層の発光色が赤色であり、第２のＥＬ層の発光色が緑色であり、第３のＥＬ層の発光色が青色である場合、発光素子全体としては、白色発光を得ることができる。
【０１５４】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０１５５】
（実施の形態５）
本実施の形態に示す発光装置は、一対の電極間での光の共振効果を利用した微小光共振器（マイクロキャビティー）構造を有しており、図４に示す様に一対の電極（反射電極４０１及び半透過・半反射電極４０２）間に少なくともＥＬ層４０５を有する構造である発光素子を複数、有している。また、ＥＬ層４０５は、少なくとも発光領域となる発光層４０４を有し、その他、正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層（Ｅ）などが含まれていても良い。なお、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、ＥＬ層４０５に含まれる正孔注入層、正孔輸送層、発光層４０４、または電子輸送層に用いることができる。
【０１５６】
本実施の形態では、図４に示すように構造の異なる発光素子（第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒ、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇ、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂ）を有して構成される発光装置について説明する。
【０１５７】
第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒは、反射電極４０１上に第１の透明導電層４０３ａと、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂ、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇ、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒを一部に含むＥＬ層４０５と、半透過・半反射電極４０２とが順次積層された構造を有する。また、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇは、反射電極４０１上に第２の透明導電層４０３ｂと、ＥＬ層４０５と、半透過・半反射電極４０２とが順次積層された構造を有する。また、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂは、反射電極４０１上にＥＬ層４０５と、半透過・半反射電極４０２とが順次積層された構造を有する。
【０１５８】
なお、上記発光素子（第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒ、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇ、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂ）において、反射電極４０１、ＥＬ層４０５、半透過・半反射電極４０２は共通である。また、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂでは、４２０ｎｍ以上４８０ｎｍ以下の波長領域にピークをもつ光（λＢ）を発光させ、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇでは、５００ｎｍ以上５５０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＧ）を発光させ、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒでは、６００ｎｍ以上７６０ｎｍ以下の波長領域にピークを持つ光（λＲ）を発光させる。これにより、いずれの発光素子（第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒ、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇ、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂ）でも、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂ、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇ、および第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒからの発光が重ね合わされた、すなわち可視光領域に渡るブロードな光を発光させることができる。なお、上記より、波長の長さは、λＢ＜λＧ＜λＲなる関係であるとする。
【０１５９】
本実施の形態に示す各発光素子は、それぞれ反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２との間にＥＬ層４０５を挟んでなる構造を有しており、ＥＬ層４０５に含まれる各発光層から全方向に射出される発光は、微小光共振器（マイクロキャビティー）としての機能を有する反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２とによって共振される。なお、反射電極４０１は、反射性を有する導電性材料により形成され、その膜に対する可視光の反射率が４０％〜１００％、好ましくは７０％〜１００％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。また、半透過・半反射電極４０２は、反射性を有する導電性材料と光透過性を有する導電性材料とにより形成され、その膜に対する可視光の反射率が２０％〜８０％、好ましくは４０％〜７０％であり、かつその抵抗率が１×１０−２Ωｃｍ以下の膜であるとする。
【０１６０】
また、本実施の形態では、各発光素子で、第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒと第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇにそれぞれ設けられた透明導電層（第１の透明導電層４０３ａ、第２の透明導電層４０３ｂ）の厚みを変えることにより、発光素子毎に反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２の間の光学距離を変えている。つまり、各発光素子の各発光層から発光するブロードな光は、反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２との間において、共振する波長の光を強め、共振しない波長の光を減衰させることができるため、素子毎に反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２の間の光学距離を変えることにより、異なる波長の光を取り出すことができる。
【０１６１】
なお、光学距離（光路長ともいう）とは、実際の距離に屈折率をかけたものであり、本実施の形態においては、実膜厚にｎ（屈折率）をかけたものを表している。すなわち、「光学距離＝実膜厚×ｎ」である。
【０１６２】
また、第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒでは、反射電極４０１から半透過・半反射電極４０２までの総厚をｍλＲ／２（ただし、ｍは自然数）、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇでは、反射電極４０１から半透過・半反射電極４０２までの総厚をｍλＧ／２（ただし、ｍは自然数）、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂでは、反射電極４０１から半透過・半反射電極４０２までの総厚をｍλＢ／２（ただし、ｍは自然数）としている。
【０１６３】
以上より、第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒからは、主としてＥＬ層４０５に含まれる第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒで発光した光（λＲ）が取り出され、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇからは、主としてＥＬ層４０５に含まれる第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇで発光した光（λＧ）が取り出され、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂからは、主としてＥＬ層４０５に含まれる第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂで発光した光（λＢ）が取り出される。なお、各発光素子から取り出される光は、半透過・半反射電極４０２側からそれぞれ射出される。
【０１６４】
また、上記構成において、反射電極４０１から半透過・半反射電極４０２までの総厚は、厳密には反射電極４０１における反射領域から半透過・半反射電極４０２における反射領域までの総厚ということができる。しかし、反射電極４０１や半透過・半反射電極４０２における反射領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４０１と半透過・半反射電極４０２の任意の位置を反射領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１６５】
次に、第１の発光素子（Ｒ）４１０Ｒにおいて、反射電極４０１から第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒへの光学距離を所望の膜厚（（２ｍ’＋１）λＲ／４（ただし、ｍ’は自然数））に調節することにより、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒからの発光を増幅させることができる。第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒからの発光のうち、反射電極４０１によって反射されて戻ってきた光（第１の反射光）は、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒから半透過・半反射電極４０２に直接入射する光（第１の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４０１から第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒへの光学距離を所望の値（（２ｍ’＋１）λＲ／４（ただし、ｍ’は自然数））に調節して設けることにより、第１の反射光と第１の入射光との位相を合わせ、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒからの発光を増幅させることができる。
【０１６６】
なお、反射電極４０１と第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒとの光学距離とは、厳密には反射電極４０１における反射領域と第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極４０１における反射領域や第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４０１の任意の位置を反射領域、第３の発光層（Ｒ）４０４Ｒの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１６７】
次に、第２の発光素子（Ｇ）４１０Ｇにおいて、反射電極４０１から第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇへの光学距離を所望の膜厚（（２ｍ’’＋１）λＧ／４（ただし、ｍ’’は自然数））に調節することにより、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇからの発光を増幅させることができる。第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇからの発光のうち、反射電極４０１によって反射されて戻ってきた光（第２の反射光）は、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇから半透過・半反射電極４０２に直接入射する光（第２の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４０１から第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇへの光学距離を所望の値（（２ｍ’’＋１）λＧ／４（ただし、ｍ’’は自然数））に調節して設けることにより、第２の反射光と第２の入射光との位相を合わせ、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇからの発光を増幅させることができる。
【０１６８】
なお、反射電極４０１と第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇとの光学距離とは、厳密には反射電極４０１における反射領域と第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極４０１における反射領域や第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４０１の任意の位置を反射領域、第２の発光層（Ｇ）４０４Ｇの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１６９】
次に、第３の発光素子（Ｂ）４１０Ｂにおいて、反射電極４０１から第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂへの光学距離を所望の膜厚（（２ｍ’’’＋１）λＢ／４（ただし、ｍ’’’は自然数））に調節することにより、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂからの発光を増幅させることができる。第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂからの発光のうち、反射電極４０１によって反射されて戻ってきた光（第３の反射光）は、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂから半透過・半反射電極４０２に直接入射する光（第３の入射光）と干渉を起こすため、反射電極４０１から第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂへの光学距離を所望の値（（２ｍ’’’＋１）λＢ／４（ただし、ｍ’’’は自然数））に調節して設けることにより、第３の反射光と第３の入射光との位相を合わせ、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂからの発光を増幅させることができる。
【０１７０】
なお、第３の発光素子において、反射電極４０１と第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂとの光学距離とは、厳密には反射電極４０１における反射領域と第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂにおける発光領域との光学距離ということができる。しかし、反射電極４０１における反射領域や第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂにおける発光領域の位置を厳密に決定することは困難であるため、反射電極４０１の任意の位置を反射領域、第１の発光層（Ｂ）４０４Ｂの任意の位置を発光領域と仮定することで充分に上述の効果を得ることができるものとする。
【０１７１】
なお、上記構成において、いずれの発光素子もＥＬ層に複数の発光層を有する構造を有しているが、本発明はこれに限られることはなく、例えば、実施の形態４で説明したタンデム型発光素子の構成と組み合わせて、一つの発光素子に電荷発生層を挟んで複数のＥＬ層を設け、それぞれのＥＬ層に単数もしくは複数の発光層を形成する構成としてもよい。
【０１７２】
本実施の形態で示した発光装置は、マイクロキャビティー構造を有しており、同じＥＬ層を有していても発光素子ごとに異なる波長の光を取り出すことができるためＲＧＢの塗り分けが不要となる。従って、高精細化を実現することが容易であるなどの理由からフルカラー化を実現する上で有利である。また、特定波長の正面方向の発光強度を強めることが可能となるため、低消費電力化を図ることができる。この構成は、３色以上の画素を用いたカラーディスプレイ（画像表示装置）に適用する場合に、特に有用であるが、照明などの用途に用いても良い。
【０１７３】
（実施の形態６）
本実施の形態では、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を発光層に用いた発光素子を有する発光装置について説明する。
【０１７４】
また、上記発光装置は、パッシブマトリクス型の発光装置でもアクティブマトリクス型の発光装置でもよい。なお、本実施の形態に示す発光装置には、他の実施形態で説明した発光素子を適用することが可能である。
【０１７５】
本実施の形態では、アクティブマトリクス型の発光装置について図５を用いて説明する。
【０１７６】
なお、図５（Ａ）は発光装置を示す上面図であり、図５（Ｂ）は図５（Ａ）を鎖線Ａ−Ａ’で切断した断面図である。本実施の形態に係るアクティブマトリクス型の発光装置は、素子基板５０１上に設けられた画素部５０２と、駆動回路部（ソース線駆動回路）５０３と、駆動回路部（ゲート線駆動回路）５０４ａ、５０４ｂと、を有する。画素部５０２、駆動回路部５０３、及び駆動回路部５０４ａ、５０４ｂは、シール材５０５によって、素子基板５０１と封止基板５０６との間に封止されている。
【０１７７】
また、素子基板５０１上には、駆動回路部５０３、及び駆動回路部５０４ａ、５０４ｂに外部からの信号（例えば、ビデオ信号、クロック信号、スタート信号、又はリセット信号等）や電位を伝達する外部入力端子を接続するための引き回し配線５０７が設けられる。ここでは、外部入力端子としてＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）５０８を設ける例を示している。なお、ここではＦＰＣしか図示されていないが、このＦＰＣにはプリント配線基板（ＰＷＢ）が取り付けられていても良い。本明細書における発光装置には、発光装置本体だけでなく、それにＦＰＣもしくはＰＷＢが取り付けられた状態をも含むものとする。
【０１７８】
次に、断面構造について図５（Ｂ）を用いて説明する。素子基板５０１上には駆動回路部及び画素部が形成されているが、ここでは、ソース線駆動回路である駆動回路部５０３と、画素部５０２が示されている。
【０１７９】
駆動回路部５０３はｎチャネル型ＴＦＴ５０９とｐチャネル型ＴＦＴ５１０とを組み合わせたＣＭＯＳ回路が形成される例を示している。なお、駆動回路部を形成する回路は、種々のＣＭＯＳ回路、ＰＭＯＳ回路もしくはＮＭＯＳ回路で形成しても良い。また、本実施の形態では、基板上に駆動回路を形成したドライバー一体型を示すが、必ずしもその必要はなく、基板上ではなく外部に駆動回路を形成することもできる。
【０１８０】
また、画素部５０２はスイッチング用ＴＦＴ５１１と、電流制御用ＴＦＴ５１２と電流制御用ＴＦＴ５１２の配線（ソース電極又はドレイン電極）に電気的に接続された第１の電極（陽極）５１３とを含む複数の画素により形成される。なお、第１の電極（陽極）５１３の端部を覆って絶縁物５１４が形成されている。ここでは、ポジ型の感光性アクリル樹脂を用いることにより形成する。
【０１８１】
また、上層に積層形成される膜の被覆性を良好なものとするため、絶縁物５１４の上端部または下端部に曲率を有する曲面が形成されるようにするのが好ましい。例えば、絶縁物５１４の材料としてポジ型の感光性アクリル樹脂を用いた場合、絶縁物５１４の上端部に曲率半径（０．２μｍ〜３μｍ）を有する曲面を持たせることが好ましい。また、絶縁物５１４として、感光性の光によってエッチャントに不溶解性となるネガ型、或いは光によってエッチャントに溶解性となるポジ型のいずれも使用することができ、有機化合物に限らず無機化合物、例えば、酸化シリコン、酸窒化シリコン等、の両者を使用することができる。
【０１８２】
第１の電極（陽極）５１３上には、ＥＬ層５１５及び第２の電極（陰極）５１６が積層形成されている。ＥＬ層５１５は、少なくとも発光層が設けられている。また、ＥＬ層５１５には、発光層の他に正孔注入層、正孔輸送層、電子輸送層、電子注入層、電荷発生層等を適宜設けることができる。なお、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物は、発光層、正孔注入層、正孔輸送層、または電子輸送層に適用することができる。
【０１８３】
なお、第１の電極（陽極）５１３、ＥＬ層５１５及び第２の電極（陰極）５１６との積層構造で、発光素子５１７が形成されている。第１の電極（陽極）５１３、ＥＬ層５１５及び第２の電極（陰極）５１６に用いる材料としては、実施の形態２に示す材料を用いることができる。また、ここでは図示しないが、第２の電極（陰極）５１６は外部入力端子であるＦＰＣ５０８に電気的に接続されている。
【０１８４】
また、図５（Ｂ）に示す断面図では発光素子５１７を１つのみ図示しているが、画素部５０２において、複数の発光素子がマトリクス状に配置されているものとする。画素部５０２には、３種類（Ｒ、Ｇ、Ｂ）の発光が得られる発光素子をそれぞれ選択的に形成し、フルカラー表示可能な発光装置を形成することができる。また、カラーフィルタと組み合わせることによってフルカラー表示可能な発光装置としてもよい。
【０１８５】
さらに、シール材５０５で封止基板５０６を素子基板５０１と貼り合わせることにより、素子基板５０１、封止基板５０６、およびシール材５０５で囲まれた空間５１８に発光素子５１７が備えられた構造になっている。なお、空間５１８には、不活性気体（窒素やアルゴン等）が充填される場合の他、シール材５０５で充填される構成も含むものとする。
【０１８６】
なお、シール材５０５にはエポキシ系樹脂を用いるのが好ましい。また、これらの材料はできるだけ水分や酸素を透過しない材料であることが望ましい。また、封止基板５０６に用いる材料としてガラス基板や石英基板の他、ＦＲＰ（Ｆｉｂｅｒｇｌａｓｓ−Ｒｅｉｎｆｏｒｃｅｄ Ｐｌａｓｔｉｃｓ）、ＰＶＦ（ポリビニルフロライド）、ポリエステルまたはアクリル等からなるプラスチック基板を用いることができる。
【０１８７】
以上のようにして、アクティブマトリクス型の発光装置を得ることができる。
【０１８８】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成を適宜組み合わせて用いることができる。
【０１８９】
（実施の形態７）
本実施の形態では、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を含む発光素子を適用して作製された発光装置を用いて完成させた様々な電子機器の一例について、図６を用いて説明する。
【０１９０】
発光装置を適用した電子機器として、例えば、テレビジョン装置（テレビ、又はテレビジョン受信機ともいう）、コンピュータ用などのモニタ、デジタルカメラ、デジタルビデオカメラ、デジタルフォトフレーム、携帯電話機（携帯電話、携帯電話装置ともいう）、携帯型ゲーム機、携帯情報端末、音響再生装置、パチンコ機などの大型ゲーム機などが挙げられる。これらの電子機器の具体例を図６に示す。
【０１９１】
図６（Ａ）は、テレビジョン装置の一例を示している。テレビジョン装置７１００は、筐体７１０１に表示部７１０３が組み込まれている。表示部７１０３により、映像を表示することが可能であり、発光装置を表示部７１０３に用いることができる。また、ここでは、スタンド７１０５により筐体７１０１を支持した構成を示している。
【０１９２】
テレビジョン装置７１００の操作は、筐体７１０１が備える操作スイッチや、別体のリモコン操作機７１１０により行うことができる。リモコン操作機７１１０が備える操作キー７１０９により、チャンネルや音量の操作を行うことができ、表示部７１０３に表示される映像を操作することができる。また、リモコン操作機７１１０に、当該リモコン操作機７１１０から出力する情報を表示する表示部７１０７を設ける構成としてもよい。
【０１９３】
なお、テレビジョン装置７１００は、受信機やモデムなどを備えた構成とする。受信機により一般のテレビ放送の受信を行うことができ、さらにモデムを介して有線又は無線による通信ネットワークに接続することにより、一方向（送信者から受信者）又は双方向（送信者と受信者間、あるいは受信者間同士など）の情報通信を行うことも可能である。
【０１９４】
図６（Ｂ）はコンピュータであり、本体７２０１、筐体７２０２、表示部７２０３、キーボード７２０４、外部接続ポート７２０５、ポインティングデバイス７２０６等を含む。なお、コンピュータは、発光装置をその表示部７２０３に用いることにより作製される。
【０１９５】
図６（Ｃ）は携帯型遊技機であり、筐体７３０１と筐体７３０２の２つの筐体で構成されており、連結部７３０３により、開閉可能に連結されている。筐体７３０１には表示部７３０４が組み込まれ、筐体７３０２には表示部７３０５が組み込まれている。また、図６（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、その他、スピーカ部７３０６、記録媒体挿入部７３０７、ＬＥＤランプ７３０８、入力手段（操作キー７３０９、接続端子７３１０、センサ７３１１（力、変位、位置、速度、加速度、角速度、回転数、距離、光、液、磁気、温度、化学物質、音声、時間、硬度、電場、電流、電圧、電力、放射線、流量、湿度、傾度、振動、におい又は赤外線を測定する機能を含むもの）、マイクロフォン７３１２）等を備えている。もちろん、携帯型遊技機の構成は上述のものに限定されず、少なくとも表示部７３０４および表示部７３０５の両方、又は一方に発光装置を用いていればよく、その他付属設備が適宜設けられた構成とすることができる。図６（Ｃ）に示す携帯型遊技機は、記録媒体に記録されているプログラム又はデータを読み出して表示部に表示する機能や、他の携帯型遊技機と無線通信を行って情報を共有する機能を有する。なお、図６（Ｃ）に示す携帯型遊技機が有する機能はこれに限定されず、様々な機能を有することができる。
【０１９６】
図６（Ｄ）は、携帯電話機の一例を示している。携帯電話機７４００は、筐体７４０１に組み込まれた表示部７４０２の他、操作ボタン７４０３、外部接続ポート７４０４、スピーカ７４０５、マイク７４０６などを備えている。なお、携帯電話機７４００は、発光装置を表示部７４０２に用いることにより作製される。
【０１９７】
図６（Ｄ）に示す携帯電話機７４００は、表示部７４０２を指などで触れることで、情報を入力することができる。また、電話を掛ける、或いはメールを作成するなどの操作は、表示部７４０２を指などで触れることにより行うことができる。
【０１９８】
表示部７４０２の画面は主として３つのモードがある。第１は、画像の表示を主とする表示モードであり、第２は、文字等の情報の入力を主とする入力モードである。第３は表示モードと入力モードの２つのモードが混合した表示＋入力モードである。
【０１９９】
例えば、電話を掛ける、或いはメールを作成する場合は、表示部７４０２を文字の入力を主とする文字入力モードとし、画面に表示させた文字の入力操作を行えばよい。この場合、表示部７４０２の画面のほとんどにキーボード又は番号ボタンを表示させることが好ましい。
【０２００】
また、携帯電話機７４００内部に、ジャイロ、加速度センサ等の傾きを検出するセンサを有する検出装置を設けることで、携帯電話機７４００の向き（縦か横か）を判断して、表示部７４０２の画面表示を自動的に切り替えるようにすることができる。
【０２０１】
また、画面モードの切り替えは、表示部７４０２を触れること、又は筐体７４０１の操作ボタン７４０３の操作により行われる。また、表示部７４０２に表示される画像の種類によって切り替えるようにすることもできる。例えば、表示部に表示する画像信号が動画のデータであれば表示モード、テキストデータであれば入力モードに切り替える。
【０２０２】
また、入力モードにおいて、表示部７４０２の光センサで検出される信号を検知し、表示部７４０２のタッチ操作による入力が一定期間ない場合には、画面のモードを入力モードから表示モードに切り替えるように制御してもよい。
【０２０３】
表示部７４０２は、イメージセンサとして機能させることもできる。例えば、表示部７４０２に掌や指で触れ、掌紋、指紋等を撮像することで、本人認証を行うことができる。また、表示部に近赤外光を発光するバックライト又は近赤外光を発光するセンシング用光源を用いれば、指静脈、掌静脈などを撮像することもできる。
【０２０４】
以上のようにして、本発明の一態様である発光装置を適用して電子機器を得ることができる。発光装置の適用範囲は極めて広く、あらゆる分野の電子機器に適用することが可能である。
【０２０５】
なお、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【０２０６】
（実施の形態８）
本実施の形態では、本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物を含む発光素子を適用して作製された発光装置を用いて完成させた照明装置の一例について、図７を用いて説明する。
【０２０７】
図７は、発光装置を室内の照明装置８００１として用いた例である。なお、発光装置は大面積化も可能であるため、大面積の照明装置を形成することもできる。その他、曲面を有する筐体を用いることで、発光領域が曲面を有する照明装置８００２を形成することもできる。本実施の形態で示す発光装置に含まれる発光素子は薄膜状であり、筐体のデザインの自由度が高い。したがって、様々な意匠を凝らした照明装置を形成することができる。さらに、室内の壁面に大型の照明装置８００３を備えても良い。
【０２０８】
また、発光装置をテーブルの表面に用いることによりテーブルとしての機能を備えた照明装置８００４とすることができる。なお、その他の家具の一部に発光装置を用いることにより、家具としての機能を備えた照明装置とすることができる。
【０２０９】
以上のように、発光装置を適用した様々な照明装置が得られる。なお、これらの照明装置は本発明の一態様に含まれるものとする。
【０２１０】
また、本実施の形態に示す構成は、他の実施の形態に示した構成と適宜組み合わせて用いることができる。
【実施例１】
【０２１１】
≪合成例１≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１００）で表される本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物、４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）の合成方法について説明する。なお、ＢＰＡＢＩｍ（略称）の構造を以下に示す。
【０２１２】
【化２５】
【０２１３】
＜４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）の合成＞
１００ｍＬ三口フラスコへ、２−（４−ブロモフェニル）−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾールを１．７ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、フェニルビフェニルアミンを１．２ｇ（５．０ｍｍｏｌ）、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドを１．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を１７ｍｇ（３０μｍｏｌ）加え、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン１０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）２００ｍＬ（０．１ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、１３０℃で５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０２１４】
反応後、この反応混合液に酢酸エチル２００ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、セライトを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 トルエン：酢酸エチル＝９：１）による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の淡黄色粉末を収量２．１ｇ、収率８２％で得た。
【０２１５】
また、上記合成法の反応スキームを下記（Ａ−１）に示す。
【０２１６】
【化２６】
【０２１７】
上記合成法で得られた化合物の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図８（ａ）および図８（ｂ）に示す。図８（ｂ）は図８（ａ）における６から９ｐｐｍの範囲の拡大図である。この結果から、上述の構造式（１００）で表される本発明の一態様のトリアリールアミン化合物である４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）が得られたことがわかった。
【０２１８】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝６．９８（ｄ，Ｊ＝９．０Ｈｚ，２Ｈ），７．０７（ｔ，Ｊ＝７．２Ｈｚ，１Ｈ），７．１２−７．５８（ｍ，２５Ｈ），７．８５（ｄ，Ｊ＝７．８Ｈｚ，１Ｈ）。
【０２１９】
次に、ＢＰＡＢＩｍ（略称）の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製 ＦＳ９２０）を用いた。また、吸収スペクトルおよび発光スペクトルのいずれの場合もＢＰＡＢＩｍ（略称）のトルエン溶液と、ＢＰＡＢＩｍ（略称）の薄膜について測定した。なお、トルエン溶液（０．１２０ｍｍｏｌ／Ｌ）の場合には、石英セルに入れ、室温で測定を行った。また薄膜の場合には、石英基板に蒸着した薄膜を用い、吸収スペクトルを測定する場合には薄膜の吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いて得られる値を示す。
【０２２０】
得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図９に示す。なお、図９（ａ）には、ＢＰＡＢＩｍ（略称）のトルエン溶液について測定した結果を示す。また、図９（ｂ）には、ＢＰＡＢＩｍ（略称）の薄膜について測定した結果を示す。図９（ａ）および図９（ｂ）において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）または発光強度（任意単位）を表す。また、図９（ａ）および図９（ｂ）において、２本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している。
【０２２１】
図９（ａ）に示すＢＰＡＢＩｍ（略称）のトルエン溶液では、３６１ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、図９（ｂ）に示すＢＰＡＢＩｍ（略称）の薄膜では、３６４ｎｍ付近に吸収ピークが見られた。
【０２２２】
また、図９（ａ）に示すＢＰＡＢＩｍ（略称）のトルエン溶液では、最大発光波長が４１０ｎｍ（励起波長３６５ｎｍ）、図９（ｂ）に示すＢＰＡＢＩｍ（略称）の薄膜では、最大発光波長が４４５ｎｍ（励起波長３６３ｎｍ）であった。
【０２２３】
以上のことから、ＢＰＡＢＩｍ（略称）は色純度の良い青色発光を呈することが分かった。従って、青色の発光材料として用いることができる。
【０２２４】
また、ＢＰＡＢＩｍ（略称）のＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位について、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定を行うことにより求めた。ＣＶ測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。
【０２２５】
また、ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ４ＮＣｌＯ４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を２ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ７非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。また、測定は室温（２０〜２５℃）とし、測定時のスキャン速度は、０．１Ｖ／ｓｅｃに統一した。なお、本実施例では、参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーを、−４．９４ｅＶであるとした。
【０２２６】
ＣＶ測定で得られる酸化ピーク電位Ｅｐａと還元ピーク電位Ｅｐｃとの中間の電位（半波電位）がＨＯＭＯ準位に相当することから、ＢＰＡＢＩｍ（略称）のＨＯＭＯ準位は、−５．３７ｅＶと算出され、さらにＢＰＡＢＩｍ（略称）のＬＵＭＯ準位は、−２．２８ｅＶと算出された。従って、ＢＰＡＢＩｍ（略称）のバンドギャップ（ΔＥ）は、３．０９ｅＶであることが分かった。
【０２２７】
従って、ＢＰＡＢＩｍ（略称）は広いバンドギャップを有していることが分かった。
【０２２８】
また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値となった。酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことが分かった。
【０２２９】
従って、ＢＰＡＢＩｍ（略称）は正孔を良好に輸送することが分かった。
【実施例２】
【０２３０】
≪合成例２≫
本実施例では、実施の形態１の構造式（１３５）で表される本発明の一態様であるトリアリールアミン化合物、Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）の合成方法について説明する。なお、ＢＯｘＡＢＰ（略称）の構造を以下に示す。
【０２３１】
【化２７】
【０２３２】
＜Ｎ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）の合成＞
５０ｍＬ三口フラスコへ、２−（４−ブロモフェニル）−１，３−ベンゾオキサゾールを１．４ｇ（５．２ｍｍｏｌ）、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンを０．８ｇ（２．５ｍｍｏｌ）、ナトリウム ｔｅｒｔ−ブトキシドを１．０ｇ（１０ｍｍｏｌ）、ビス（ジベンジリデンアセトン）パラジウム（０）を２８ｍｇ（５０μｍｏｌ）加え、フラスコ内の雰囲気を窒素置換した。この混合物へ、脱水キシレン２０ｍＬを加えた。この混合物を、減圧下で攪拌しながら脱気した後、トリ（ｔｅｒｔ−ブチル）ホスフィン（１０ｗｔ％ヘキサン溶液）０．３ｍＬ（０．２ｍｍｏｌ）を加えた。この混合物を、窒素雰囲気下、１３０℃で４．５時間加熱撹拌し、反応させた。
【０２３３】
反応後、この反応混合液に酢酸エチル２００ｍＬを加え、この懸濁液をフロリジール、セライトを通してろ過した。得られたろ液を濃縮し、シリカゲルカラムクロマトグラフィー（展開溶媒 トルエン：酢酸エチル＝９：１）による精製を行った。得られたフラクションを濃縮し、アセトンとメタノールを加えて超音波をかけたのち、再結晶したところ、目的物の黄色粉末を収量１．７ｇ、収率９６％で得た。
【０２３４】
また、上記合成法の反応スキームを下記（Ｂ−１）に示す。
【０２３５】
【化２８】
【０２３６】
シリカゲル薄層クロマトグラフィー（ＴＬＣ）でのＲｆ値（展開溶媒 酢酸エチル：ヘキサン＝１：５）は、目的物は０．３５、２−（４−ブロモフェニル）−１，３−ベンゾオキサゾールは０．６７、Ｎ，Ｎ’−ジフェニルベンジジンは０．３０だった。
【０２３７】
上記合成法で得られた化合物の核磁気共鳴分光法（１Ｈ−ＮＭＲ）による分析結果を下記に示す。また、１Ｈ−ＮＭＲチャートを図１０（ａ）および図１０（ｂ）に示す。図１０（ｂ）は図１０（ａ）における６から９ｐｐｍの範囲の拡大図である。この結果から、上述の構造式（１３５）で表される本発明の一態様のトリアリールアミン化合物であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）が得られたことがわかった。
【０２３８】
１Ｈ ＮＭＲ（ＣＤＣｌ３，３００ＭＨｚ）：δ（ｐｐｍ）＝７．１１−７．２４（ｍ，１４Ｈ），７．２８−７．３５（ｍ，８Ｈ），７．５１−７．５５（ｍ，６Ｈ），７．７０−７．７３（ｍ，２Ｈ），８．９０（ｄ，Ｊ＝８．７Ｈｚ，４Ｈ）。
【０２３９】
次に、ＢＯｘＡＢＰ（略称）の紫外可視吸収スペクトル（以下、単に「吸収スペクトル」という）及び発光スペクトルを測定した。吸収スペクトルの測定には、紫外可視分光光度計（（株）日本分光製 Ｖ５５０型）を用いた。また、発光スペクトルの測定には、蛍光光度計（（株）浜松ホトニクス製 ＦＳ９２０）を用いた。また、吸収スペクトルおよび発光スペクトルのいずれの場合もＢＯｘＡＢＰ（略称）のトルエン溶液と、ＢＯｘＡＢＰ（略称）の薄膜について測定した。なお、トルエン溶液（０．１２０ｍｍｏｌ／Ｌ）の場合には、石英セルに入れ、室温で測定を行った。また薄膜の場合には、石英基板に蒸着した薄膜を用い、吸収スペクトルを測定する場合には薄膜の吸収スペクトルから石英の吸収スペクトルを差し引いて得られる値を示す。
【０２４０】
得られた吸収スペクトル及び発光スペクトルの測定結果を図１１に示す。なお、図１１（ａ）には、ＢＯｘＡＢＰ（略称）のトルエン溶液について測定した結果を示す。また、図１１（ｂ）には、ＢＯｘＡＢＰ（略称）の薄膜について測定した結果を示す。図１１（ａ）および図１１（ｂ）において、横軸は波長（ｎｍ）、縦軸は吸収強度（任意単位）または発光強度（任意単位）を表す。また、図１１（ａ）および図１１（ｂ）において、２本の実線が示されているが、細い実線は吸収スペクトルを示し、太い実線は発光スペクトルを示している。
【０２４１】
図１１（ａ）に示すＢＯｘＡＢＰ（略称）のトルエン溶液では、３８１ｎｍ付近に吸収ピークが見られ、図１１（ｂ）に示すＢＯｘＡＢＰ（略称）の薄膜では、３８４ｎｍ付近に吸収ピークが見られた。
【０２４２】
また、図１１（ａ）に示すＢＯｘＡＢＰ（略称）のトルエン溶液では、最大発光波長が４３５ｎｍ（励起波長３８０ｎｍ）、図１１（ｂ）に示すＢＯｘＡＢＰ（略称）の薄膜では、最大発光波長が４７２ｎｍ（励起波長４００ｎｍ）であった。
【０２４３】
以上のことから、ＢＯｘＡＢＰ（略称）は青色発光を呈することが分かった。従って、青色の発光材料として用いることができる。
【０２４４】
また、ＢＯｘＡＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位およびＬＵＭＯ準位について、サイクリックボルタンメトリ（ＣＶ）測定を行うことにより求めた。ＣＶ測定には、電気化学アナライザー（ビー・エー・エス（株）製、型番：ＡＬＳモデル６００Ａまたは６００Ｃ）を用いた。
【０２４５】
また、ＣＶ測定における溶液は、溶媒として脱水ジメチルホルムアミド（ＤＭＦ）（（株）アルドリッチ製、９９．８％、カタログ番号；２２７０５−６）を用い、支持電解質である過塩素酸テトラ−ｎ−ブチルアンモニウム（ｎ−Ｂｕ４ＮＣｌＯ４）（（株）東京化成製、カタログ番号；Ｔ０８３６）を１００ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させ、さらに測定対象を２ｍｍｏｌ／Ｌの濃度となるように溶解させて調製した。また、作用電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＰＴＥ白金電極）を、補助電極としては白金電極（ビー・エー・エス（株）製、ＶＣ−３用Ｐｔカウンター電極（５ｃｍ））を、参照電極としてはＡｇ／Ａｇ＋電極（ビー・エー・エス（株）製、ＲＥ７非水溶媒系参照電極）をそれぞれ用いた。また、測定は室温（２０〜２５℃）とし、測定時のスキャン速度は、０．１Ｖ／ｓｅｃに統一した。なお、本実施例では、参照電極の真空準位に対するポテンシャルエネルギーを、−４．９４ｅＶであるとした。
【０２４６】
ＣＶ測定で得られる酸化ピーク電位Ｅｐａと還元ピーク電位Ｅｐｃとの中間の電位（半波電位）がＨＯＭＯ準位に相当することから、ＢＯｘＡＢＰ（略称）のＨＯＭＯ準位は、−５．５０ｅＶと算出され、さらにＢＯｘＡＢＰ（略称）のＬＵＭＯ準位は、−２．５９ｅＶと算出された。従って、ＢＯｘＡＢＰ（略称）のバンドギャップ（ΔＥ）は、２．９１ｅＶであることが分かった。
【０２４７】
従って、ＢＯｘＡＢＰ（略称）は広いバンドギャップを有していることが分かった。
【０２４８】
また、１００サイクル後でも酸化ピークが同様の値となった。酸化状態と中性状態間の酸化還元の繰り返しに良好な特性を示すことが分かった。
【０２４９】
従って、ＢＯｘＡＢＰ（略称）は正孔を良好に輸送することが分かった。
【実施例３】
【０２５０】
本実施例では、本発明のトリアリールアミン化合物である４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）（構造式（１００））を正孔輸送層に用いた発光素子１について図１２を用いて説明する。なお、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
【０２５１】
【化２９】
【０２５２】
≪発光素子１の作製≫
まず、ガラス製の基板１１００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜し、陽極として機能する第１の電極１１０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
【０２５３】
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
【０２５４】
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
【０２５５】
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、基板１１００を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、ＥＬ層１１０２を構成する正孔注入層１１１１、正孔輸送層１１１２、発光層１１１３、電子輸送層１１１４、電子注入層１１１５が順次形成される場合について説明する。
【０２５６】
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＢＰＡＦＬＰ（略称）：酸化モリブデン＝４：２（質量比）となるように共蒸着することにより、第１の電極１１０１上に正孔注入層１１１１を形成した。膜厚は５０ｎｍとした。なお、共蒸着とは、異なる複数の物質をそれぞれ異なる蒸発源から同時に蒸発させる蒸着法である。
【０２５７】
次に、４−フェニル−４’−（９−フェニルフルオレン−９−イル）トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＦＬＰ）を１０ｎｍ蒸着することにより、正孔輸送層１１１２を形成した。
【０２５８】
次に、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。まず、２−［４−（ジベンゾチオフェン−４−イル）フェニル］−１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール（（略称：ＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ）、４−フェニル−４’−（１−フェニル−１Ｈ−ベンゾイミダゾール−２−イル）−フェニル−トリフェニルアミン（略称：ＢＰＡＢＩｍ）、トリス（２−フェニルピリジナト−Ｎ，Ｃ２’）イリジウム（略称：Ｉｒ（ｐｐｙ）３）を、ＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ（略称）：ＢＰＡＢＩｍ（略称）：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（略称）＝１：０．５：０．０６（質量比）となるように共蒸着した。なお、膜厚は、２０ｎｍとした。次に、ＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ（略称）、Ｉｒ（ｐｐｙ）３（略称）を、ＤＢＴＢＩｍ−ＩＩ（略称）：Ｉｒ（ｐｐｙ）３（略称）＝１：０．０６（質量比）となるように共蒸着し、膜厚を２０ｎｍとした。以上により、積層構造を有する発光層１１１３を形成した。
【０２５９】
次に、発光層１１１３上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）を２０ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層１１１４を形成した。さらに電子輸送層１１１４上にバソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）を１０ｎｍ蒸着した後、さらにフッ化リチウムを１ｎｍ蒸着することにより、電子注入層１１１５を形成した。
【０２６０】
最後に、電子注入層１１１５上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着し、陰極となる第２の電極１１０３形成し、発光素子１を得た。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
【０２６１】
以上により得られた発光素子１の素子構造を表１に示す。
【０２６２】
【表１】
【０２６３】
また、作製した発光素子１は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）。
【０２６４】
≪発光素子１の動作特性≫
作製した発光素子１の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２６５】
まず、発光素子１の電流密度−輝度特性を図１３に示す。また、電圧−輝度特性を図１４、輝度−電流効率特性を図１５、電圧−電流特性を図１６、輝度−色度特性を図１７にそれぞれ示す。
【０２６６】
図１３〜図１５より、本発明の一態様のトリアリールアミン化合物を正孔輸送層に用いた発光素子１は、低消費電力で高効率な素子であることがわかった。また、図１６より、低駆動電圧の素子であることが分かった。また、図１７より、各輝度でキャリアバランスの良い素子であることが分かった。
【０２６７】
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子１の主な初期特性値を以下の表２に示す。
【０２６８】
【表２】
【０２６９】
上記、表２の結果からも本実施例で作製した発光素子１は、高輝度であり、高い電流効率を示していることが分かる。さらに、色純度に関しては、純度の良い緑色発光を示すことが分かる。
【０２７０】
また、発光素子１に２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図１８に示す。図１８に示す通り、発光素子１の発光スペクトルは５１４ｎｍ、５４５ｎｍ付近にピークを有しており、発光層１１１３に含まれるＩｒ（ｐｐｙ）３（略称）の発光に由来していることが示唆される。
【０２７１】
従って、ＢＰＡＢＩｍ（略称）は、緑色の光を発する物質よりも高いＴ１準位を有し、緑色から長波長の燐光を呈する素子のホスト材料やキャリア輸送材料に用いることができる。
【０２７２】
また、発光素子１についての信頼性試験を行った。信頼性試験の結果を図１９に示す。図１９において、縦軸は初期輝度を１００％とした時の規格化輝度（％）を示し、横軸は素子の駆動時間（ｈ）を示す。なお、信頼性試験は、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子１を駆動させた。図１９から、発光素子１の６４０時間後の輝度は、初期輝度の７５％を保っていた。したがって、発光素子１は、高い信頼性を示すことがわかった。また、本発明のトリアリールアミン化合物を発光素子に用いることにより、長寿命の発光素子が得られることがわかった。
【実施例４】
【０２７３】
本実施例では、本発明のトリアリールアミン化合物であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）（構造式（１３５））を正孔注入層、または正孔輸送層、さらにはその両方に用いた発光素子２〜発光素子４について説明する。なお、本実施例における発光素子２〜発光素子４の説明には、実施例１で発光素子１の説明に用いた図１２を用いることとする。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
【０２７４】
【化３０】
【０２７５】
≪発光素子２〜発光素子４の作製≫
まず、ガラス製の基板１１００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜し、陽極として機能する第１の電極１１０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
【０２７６】
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
【０２７７】
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
【０２７８】
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、基板１１００を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、ＥＬ層１１０２を構成する正孔注入層１１１１、正孔輸送層１１１２、発光層１１１３、電子輸送層１１１４、電子注入層１１１５が順次形成される場合について説明する。
【０２７９】
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、発光素子２の場合には、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＮＰＢ（略称）：酸化モリブデン＝４：１（質量比）となるように共蒸着することにより、第１の電極１１０１上に正孔注入層１１１１を形成した。膜厚は５０ｎｍとした。また、発光素子３および発光素子４の場合には、ＢＯｘＡＢＰ（略称）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＢＯｘＡＢＰ（略称）：酸化モリブデン＝４：１（質量比）となるように共蒸着することにより、第１の電極１１０１上に正孔注入層１１１１を形成した。膜厚は５０ｎｍとした。
【０２８０】
次に、発光素子２および発光素子４の場合には、ＢＯｘＡＢＰ（略称）を１０ｎｍ蒸着することにより、正孔輸送層１１１２を形成した。また、発光素子３の場合には、ＮＰＢ（略称）を１０ｎｍ蒸着することにより、正孔輸送層１１１２を形成した。
【０２８１】
次に、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。９−［４−（Ｎ−カルバゾリル）］フェニル−１０−フェニルアントラセン（略称：ＣｚＰＡ）、４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）を、ＣｚＰＡ（略称）：ＰＣＢＡＰＡ（略称）＝１：０．１（質量比）となるように共蒸着し、発光層１１１３を形成した。膜厚は、３０ｎｍとした。
【０２８２】
次に、発光層１１１３上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）を１０ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層１１１４を形成した。さらに電子輸送層１１１４上にバソフェナントロリン（略称：Ｂｐｈｅｎ）を２０ｎｍ蒸着した後、さらにフッ化リチウムを１ｎｍ蒸着することにより、電子注入層１１１５を形成した。
【０２８３】
最後に、電子注入層１１１５上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着し、陰極となる第２の電極１１０３形成し、発光素子２〜発光素子４を得た。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
【０２８４】
以上により得られた発光素子２〜発光素子４の素子構造を表３に示す。
【０２８５】
【表３】
【０２８６】
また、作製した発光素子２〜発光素子４は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）。
【０２８７】
≪発光素子２〜発光素子４の動作特性≫
作製した発光素子２〜発光素子４の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０２８８】
まず、発光素子２〜発光素子４の電流密度−輝度特性を図２０に示す。また、電圧−輝度特性を図２１、輝度−電流効率特性を図２２、電圧−電流特性を図２３にそれぞれ示す。
【０２８９】
図２０〜図２２より、本発明の一態様のトリアリールアミン化合物を用いた発光素子２〜発光素子４は、低消費電力で高効率な素子であることがわかった。また、図２３より、低駆動電圧の素子であることが分かった。
【０２９０】
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子２〜発光素子４の主な初期特性値を以下の表４に示す。
【０２９１】
【表４】
【０２９２】
上記、表４の結果からも本実施例で作製した発光素子２〜発光素子４は、高輝度であり、高い電流効率を示していることが分かる。
【０２９３】
また、発光素子２〜発光素子４に２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図２４に示す。図２４に示す通り、発光素子２〜発光素子４の発光スペクトルは４７０ｎｍ付近にピークを有しており、発光層１１１３に含まれるＰＣＢＡＰＡ（略称）の発光に由来していることが示唆された。
【０２９４】
また、発光素子３についての信頼性試験を行った。なお、信頼性試験は、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子３を駆動させた。その結果、発光素子３の５５０時間後の輝度は、初期輝度の７９％を保っていた。したがって、本実施の一態様であるトリアリールアミン化合物を正孔注入層に用いた発光素子３は、高い信頼性を示すことがわかった。また、本発明のトリアリールアミン化合物を発光素子に用いることにより、長寿命の発光素子が得られることがわかった。
【実施例５】
【０２９５】
本実施例では、本発明のトリアリールアミン化合物であるＮ，Ｎ’−ジフェニル−Ｎ，Ｎ’−ジ−｛４−（１，３−ベンゾオキサゾール−２−イル）−フェニル｝ベンジジン（略称：ＢＯｘＡＢＰ）（構造式（１３５））発光層に用いた発光素子５について説明する。なお、本実施例における発光素子５の説明には、実施例１で発光素子１の説明に用いた図１２を用いることとする。また、本実施例で用いる材料の化学式を以下に示す。
【０２９６】
【化３１】
【０２９７】
≪発光素子５の作製≫
まず、ガラス製の基板１１００上に酸化珪素を含むインジウム錫酸化物（ＩＴＳＯ）をスパッタリング法により成膜し、陽極として機能する第１の電極１１０１を形成した。なお、その膜厚は１１０ｎｍとし、電極面積は２ｍｍ×２ｍｍとした。
【０２９８】
次に、基板１１００上に発光素子を形成するための前処理として、基板表面を水で洗浄し、２００℃で１時間焼成した後、ＵＶオゾン処理を３７０秒行った。
【０２９９】
その後、１０−４Ｐａ程度まで内部が減圧された真空蒸着装置に基板を導入し、真空蒸着装置内の加熱室において、１７０℃で３０分間の真空焼成を行った後、基板１１００を３０分程度放冷した。
【０３００】
次に、第１の電極１１０１が形成された面が下方となるように、基板１１００を真空蒸着装置内に設けられたホルダーに固定した。本実施例では、真空蒸着法により、ＥＬ層１１０２を構成する正孔注入層１１１１、正孔輸送層１１１２、発光層１１１３、電子輸送層１１１４、電子注入層１１１５が順次形成される場合について説明する。
【０３０１】
真空装置内を１０−４Ｐａに減圧した後、４，４’−ビス［Ｎ−（１−ナフチル）−Ｎ−フェニルアミノ］ビフェニル（略称：ＮＰＢ）と酸化モリブデン（ＶＩ）とを、ＮＰＢ（略称）：酸化モリブデン＝４：１（質量比）となるように共蒸着することにより、第１の電極１１０１上に正孔注入層１１１１を形成した。膜厚は５０ｎｍとした。
【０３０２】
次に、ＮＰＢ（略称）を１０ｎｍ蒸着し、さらに４−（１０−フェニル−９−アントリル）−４’−（９−フェニル−９Ｈ−カルバゾール−３−イル）トリフェニルアミン（略称：ＰＣＢＡＰＡ）を３０ｎｍ蒸着することにより、正孔輸送層１１１２を形成した。
【０３０３】
次に、正孔輸送層１１１２上に発光層１１１３を形成した。９−［４−（１０−フェニル−９−アントリル）フェニル］−９Ｈ−カルバゾール（略称：ＣｚＰＡ）、ＢＯｘＡＢＰ（略称）、ＰＣＢＡＰＡ（略称）を、ＣｚＰＡ（略称）：ＢＯｘＡＢＰ（略称）：ＰＣＢＡＰＡ（略称）＝１：０．０５：０．１（質量比）となるように共蒸着し、発光層１１１３を形成した。膜厚は、３０ｎｍとした。
【０３０４】
次に、発光層１１１３上にトリス（８−キノリノラト）アルミニウム（ＩＩＩ）（略称：Ａｌｑ）を１０ｎｍ蒸着することにより、電子輸送層１１１４を形成した。さらに電子輸送層１１１４上にフッ化リチウムを１ｎｍ蒸着することにより、電子注入層１１１５を形成した。
【０３０５】
最後に、電子注入層１１１５上にアルミニウムを２００ｎｍの膜厚となるように蒸着し、陰極となる第２の電極１１０３形成し、発光素子５を得た。なお、上述した蒸着過程において、蒸着は全て抵抗加熱法を用いた。
【０３０６】
以上により得られた発光素子５の素子構造を表５に示す。
【０３０７】
【表５】
【０３０８】
また、作製した発光素子５は、大気に曝されないように窒素雰囲気のグローブボックス内において封止した（シール材を素子の周囲に塗布し、封止時に８０℃にて１時間熱処理）。
【０３０９】
≪発光素子５の動作特性≫
作製した発光素子５の動作特性について測定した。なお、測定は室温（２５℃に保たれた雰囲気）で行った。
【０３１０】
まず、発光素子５の電流密度−輝度特性を図２５に示す。また、電圧−輝度特性を図２６、輝度−電流効率特性を図２７、電圧−電流特性を図２８にそれぞれ示す。
【０３１１】
図２６、図２７より、本発明の一態様のトリアリールアミン化合物を発光層に用いた発光素子５は、低消費電力で高効率な素子であることがわかった。また、図２８より、低駆動電圧の素子であることが分かった。
【０３１２】
また、１０００ｃｄ／ｍ２付近における発光素子５の主な初期特性値を以下の表６に示す。
【０３１３】
【表６】
【０３１４】
上記、表６の結果からも本実施例で作製した発光素子５は、高輝度であり、高い電流効率を示していることが分かる。
【０３１５】
また、発光素子５に２５ｍＡ／ｃｍ２の電流密度で電流を流した際の発光スペクトルを、図２９に示す。図２９に示す通り、発光素子５の発光スペクトルは４７３ｎｍ付近にピークを有しており、発光層１１１３に含まれるＢＯｘＡＢＰ（略称）の発光に由来していることが示唆される。
【０３１６】
従って、ＢＯｘＡＢＰ（略称）は、青色の光を発する物質よりも高いＳ１準位を有し、青色から長波長の蛍光を呈する素子のホスト材料やキャリア輸送材料に用いることができることがわかった。
【０３１７】
また、発光素子５についての信頼性試験を行った。なお、信頼性試験は、初期輝度を１０００ｃｄ／ｍ２に設定し、電流密度一定の条件で発光素子５を駆動させた。その結果、発光素子５の４５０時間後の輝度は、初期輝度の７９％を保っていた。したがって、発光素子５は、高い信頼性を示すことがわかった。また、本発明のトリアリールアミン化合物を発光素子の正孔注入層に用いることにより、長寿命の発光素子が得られることがわかった。
【符号の説明】
【０３１８】
１０１ 第１の電極
１０２ ＥＬ層
１０３ 第２の電極
１１１ 正孔注入層
１１２ 正孔輸送層
１１３ 発光層
１１４ 電子輸送層
１１５ 電子注入層
１１６ 電荷発生層
２０１ 陽極
２０２ 陰極
２０３ ＥＬ層
２０４ 発光層
２０５ 燐光性化合物
２０６ 第１の有機化合物
２０７ 第２の有機化合物
３０１ 第１の電極
３０２（１） 第１のＥＬ層
３０２（２） 第２のＥＬ層
３０２（ｎ−１） 第（ｎ−１）のＥＬ層
３０２（ｎ） 第（ｎ）のＥＬ層
３０４ 第２の電極
３０５ 電荷発生層（Ｉ）
３０５（１） 第１の電荷発生層（Ｉ）
３０５（２） 第２の電荷発生層（Ｉ）
３０５（ｎ−２） 第（ｎ−２）の電荷発生層（Ｉ）
３０５（ｎ−１） 第（ｎ−１）の電荷発生層（Ｉ）
４０１ 反射電極
４０２ 半透過・半反射電極
４０３ａ 第１の透明導電層
４０３ｂ 第２の透明導電層
４０４Ｂ 第１の発光層（Ｂ）
４０４Ｇ 第２の発光層（Ｇ）
４０４Ｒ 第３の発光層（Ｒ）
４０５ ＥＬ層
４１０Ｒ 第１の発光素子（Ｒ）
４１０Ｇ 第２の発光素子（Ｇ）
４１０Ｂ 第３の発光素子（Ｂ）
５０１ 素子基板
５０２ 画素部
５０３ 駆動回路部（ソース線駆動回路）
５０４ａ、５０４ｂ 駆動回路部（ゲート線駆動回路）
５０５ シール材
５０６ 封止基板
５０７ 配線
５０８ ＦＰＣ（フレキシブルプリントサーキット）
５０９ ｎチャネル型ＴＦＴ
５１０ ｐチャネル型ＴＦＴ
５１１ スイッチング用ＴＦＴ
５１２ 電流制御用ＴＦＴ
５１３ 第１の電極（陽極）
５１４ 絶縁物
５１５ ＥＬ層
５１６ 第２の電極（陰極）
５１７ 発光素子
５１８ 空間
１１００ 基板
１１０１ 第１の電極
１１０２ ＥＬ層
１１０３ 第２の電極
１１１１ 正孔注入層
１１１２ 正孔輸送層
１１１３ 発光層
１１１４ 電子輸送層
１１１５ 電子注入層
７１００ テレビジョン装置
７１０１ 筐体
７１０３ 表示部
７１０５ スタンド
７１０７ 表示部
７１０９ 操作キー
７１１０ リモコン操作機
７２０１ 本体
７２０２ 筐体
７２０３ 表示部
７２０４ キーボード
７２０５ 外部接続ポート
７２０６ ポインティングデバイス
７３０１ 筐体
７３０２ 筐体
７３０３ 連結部
７３０４ 表示部
７３０５ 表示部
７３０６ スピーカ部
７３０７ 記録媒体挿入部
７３０８ ＬＥＤランプ
７３０９ 操作キー
７３１０ 接続端子
７３１１ センサ
７３１２ マイクロフォン
７４００ 携帯電話機
７４０１ 筐体
７４０２ 表示部
７４０３ａ、７４０３ｂ 操作ボタン
７４０４ 外部接続ポート
７４０５ スピーカ
７４０６ マイク
８００１ 照明装置
８００２ 照明装置
８００３ 照明装置
８００４ 照明装置
【特許請求の範囲】
【請求項１】
一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物。
【化１】
（式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１〜α３は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ１−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【化２】
（式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４〜α６は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す）
【請求項２】
一般式（Ｇ２）で表されるトリアリールアミン化合物。
【化３】
（式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ２−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【化４】
（式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【請求項３】
一般式（Ｇ３）で表されるトリアリールアミン化合物。
【化５】
（式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ３−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【化６】
（式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【請求項４】
構造式（１００）で表されるトリアリールアミン化合物。
【化７】
【請求項５】
構造式（１３５）で表されるトリアリールアミン化合物。
【化８】
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載のトリアリールアミン化合物を用いた発光素子。
【請求項７】
請求項６に記載の発光素子を用いた発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置を用いた電子機器。
【請求項９】
請求項７に記載の発光装置を用いた照明装置。
【請求項１】
一般式（Ｇ１）で表されるトリアリールアミン化合物。
【化１】
（式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１〜α３は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ１−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【化２】
（式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４〜α６は、それぞれ独立して置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す）
【請求項２】
一般式（Ｇ２）で表されるトリアリールアミン化合物。
【化３】
（式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α１は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ２−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【化４】
（式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。α４は、置換又は無置換のフェニレン基、置換又は無置換のビフェニレン基のいずれかを表し、ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【請求項３】
一般式（Ｇ３）で表されるトリアリールアミン化合物。
【化５】
（式中、Ｅ１は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｍ、ｎは、それぞれ独立して０または１である。また、Ａｒ１は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基、または下記一般式（Ｇ３−２）で表されるアリール基のいずれかを表す。また、Ａｒ２は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ１〜Ｒ４は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【化６】
（式中、Ｅ２は、酸素または窒素原子を表し、窒素原子の場合は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のビフェニル基が結合する。ｑは、０または１である。また、Ａｒ３は、置換又は無置換のフェニル基、置換又は無置換のナフチル基、置換又は無置換のフェナントリル基、置換又は無置換のトリフェニレニル基、置換又は無置換のフルオレニル基、置換又は無置換のカルバゾリル基、置換又は無置換のジベンゾチオフェニル基、置換又は無置換のジベンゾフラニル基のいずれかを表す。また、Ｒ５〜Ｒ８は、水素原子、炭素数１〜６のアルキル基、置換又は無置換のフェニル基のいずれかを表す。）
【請求項４】
構造式（１００）で表されるトリアリールアミン化合物。
【化７】
【請求項５】
構造式（１３５）で表されるトリアリールアミン化合物。
【化８】
【請求項６】
請求項１乃至請求項５のいずれか一に記載のトリアリールアミン化合物を用いた発光素子。
【請求項７】
請求項６に記載の発光素子を用いた発光装置。
【請求項８】
請求項７に記載の発光装置を用いた電子機器。
【請求項９】
請求項７に記載の発光装置を用いた照明装置。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図１９】
【図２０】
【図２１】
【図２２】
【図２３】
【図２４】
【図２５】
【図２６】
【図２７】
【図２８】
【図２９】
【図３０】
【公開番号】特開２０１３−２８５９７（Ｐ２０１３−２８５９７Ａ）
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１２−１４０６９５（Ｐ２０１２−１４０６９５）
【出願日】平成２４年６月２２日（２０１２．６．２２）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２５年２月７日（２０１３．２．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成２４年６月２２日（２０１２．６．２２）
【出願人】（０００１５３８７８）株式会社半導体エネルギー研究所 (5,264)
【Ｆターム（参考）】
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