ドット構造体、磁気記録媒体およびそれらの製造方法
【課題】結晶性の良いドット構造体および、パターンドメディアを用いた磁気記録媒体において、結晶性の良い磁気記録ビットを形成し、高機能、高信頼の磁気記録装置を提供する。
【解決手段】連続的な第１の層と離散的な第２の層を有するドット構造体において、結晶構造を有する薄膜上にフォトレジストを用いて溝部を形成し、その溝部に前記薄膜の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込んで第１の層を形成し、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に前記薄膜の材料と異なる材料をエピタキシャル成長により埋め込んで第２の層を形成する。磁気記録媒体においては、下地層上にフォトレジストを用いて溝部を形成し、その溝部に下地層材料と同じ膜をエピタキシャル成長により埋め込む。その後、溶液中でフォトレジストを取り除くことで形成された溝部に記録層の磁性膜をエピタキシャル成長により埋め込む。
【解決手段】連続的な第１の層と離散的な第２の層を有するドット構造体において、結晶構造を有する薄膜上にフォトレジストを用いて溝部を形成し、その溝部に前記薄膜の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込んで第１の層を形成し、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に前記薄膜の材料と異なる材料をエピタキシャル成長により埋め込んで第２の層を形成する。磁気記録媒体においては、下地層上にフォトレジストを用いて溝部を形成し、その溝部に下地層材料と同じ膜をエピタキシャル成長により埋め込む。その後、溶液中でフォトレジストを取り除くことで形成された溝部に記録層の磁性膜をエピタキシャル成長により埋め込む。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドット構造体、ドット構造を有する磁気記録媒体およびそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ等の磁気記録装置の高速、大容量、低コスト化には記録媒体における記録密度の向上が不可欠である。ＨＤＤは記録層となる磁性薄膜上の磁性粒子の磁化状態をデータのビット情報として用いる装置であるが、高記録密度化のためには磁性粒子を縮小する必要がある。しかし、従来の水平磁気記録媒体では磁性粒子を縮小しすぎると熱的安定性が大きく低下し、記録された磁化の方向が乱れて、記録された情報が消失してしまうため、磁性粒子の縮小化には限界があり、また、現在その限界に近づいていると考えられている。
【０００３】
この問題を解決するため、近年、垂直磁気記録方式を用いた媒体が開発されている（例えば、非特許文献１参照）。垂直磁気記録媒体は熱揺らぎに強く、ビット間隔をより小さくできるため、これにより水平磁気記録媒体での磁性粒子の縮小化限界を超えた高密度化が可能となる見込みである。しかし、現在の垂直磁気記録媒体の記録膜は、従来の水平磁気記録媒体と同様に磁性薄膜であり、磁性粒子はサイズ、形状が不規則になっている。そのため、ビット間のばらつきや、再生信号にノイズが生じる問題は依然として存在する。
【０００４】
この問題を解決するために、パターンドメディアと呼ばれる磁気記録媒体が提案されている（例えば、非特許文献２参照）。これは、微細加工により記録層の磁性粒子のサイズ、形状を揃えて、磁性粒子をドット状にしてディスク上に形成したものであり、上記の問題を解決するのに有効である。一方、磁気記録媒体における記録層の磁性膜は、磁化容易軸を基板面に対して水平あるいは垂直に配向させるために、結晶性の良い状態で形成されることが不可欠である。そのためには、記録膜と同様に、記録膜の下地膜の結晶性も良いことが重要である。したがって、磁気記録媒体の記録膜の磁性粒子をドット状に形成するパターンドメディアにおいては、ドット構造形成時において、エッチング、金型を用いるインプリント等による機械的ダメージ等、記録膜、下地膜の結晶性が低下するようなプロセスは極力回避する必要がある。
【０００５】
【非特許文献１】細江譲：「磁気記録媒体」、第２８回応用磁気学会サマースクール「応用磁気の基礎」（２００４．７．１３−１５）、第１−１３頁
【非特許文献２】Ｓ． Ｙ． Ｃｈｏｕ ｅｔ ａｌ．： Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． ７６， ６６７３ （１９９４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、結晶構造を有する連続的な第１の層に対して第２の層が離散的に配置されているドット構造体において、第１の層および第２の層がいずれも結晶性の良いドット構造体を提供すること、および、パターンドメディアを用いた磁気記録媒体において、記録膜、下地膜ともに結晶性の良い磁気記録媒体とその製造方法を提供し、高機能、高信頼の磁気記録装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、連続的な第１の層に対して離散的な第２の層が配置されているドット構造体において、前記第１の層が、結晶構造を有する薄膜と、前記薄膜上にフォトレジストを用いて形成された１つあるいは複数の溝部に前記薄膜の材料と同じ材料が埋め込まれて一体に形成された構造を有し、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に前記薄膜の材料と異なる材料が埋め込まれて前記第２の層が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明は、連続的な第１の層に対して離散的な第２の層が配置されたドット構造体の製造方法において、結晶構造を有する薄膜の上にフォトレジストを用いて１つあるいは複数の溝部を形成し、前記溝部に前記薄膜の材料と同じ材料を埋め込んで前記第１の層を形成し、前記フォトレジストを除去することにより形成した溝部に前記薄膜の材料と異なる材料を埋め込んで離散的な前記第２の層を形成したことを特徴とする。
【０００９】
本発明は、基板上に下地層を有し、前記下地層上にフォトレジストを用いて形成した１つあるいは複数の溝部に前記下地層の材料と同じ材料が埋め込まれ、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に記録層の磁性膜が埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体にある。
【００１０】
本発明は、基板上に下地層を有し、前記下地層上にフォトレジストを用いて１つあるいは複数の溝部を形成し、前記溝部に前記下地層の材料と同じ材料を埋め込んだ後に、前記フォトレジストを除去することにより形成した溝部に記録層の磁性膜を埋め込んで製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法にある。
【００１１】
また、本発明は、基板上に軟磁性層を有し、前記軟磁性層上に下地層を有し、前記下地層上にフォトレジストを用いて形成された１つあるいは複数の溝部に前記下地層の材料と同じ材料が埋め込まれ、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に記録層の磁性膜が埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体にある。
【００１２】
また、本発明は、基板上に軟磁性層を形成し、前記軟磁性層上に下地層を形成し、前記下地層上にフォトレジストを用いて１つあるいは複数の溝部を形成し、前記溝部に前記下地層の材料と同じ材料を埋め込み、前記フォトレジストを除去することにより形成した溝部に記録層の磁性膜を埋め込んで製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法にある。
【００１３】
本発明において、ドット構造体とは連続的な第１の層に対して離散的な第２の層が配置されているものをいう。本発明の磁気記録媒体において、記録層の下部にある下地層がこの第１の層に当たり、記録層の磁性膜が第２の層に当たる。
【００１４】
本発明のドット構造体において第１の層にフォトレジストを用いて形成した溝部、あるいは本発明の磁気記録媒体において下地層にフォトレジストを用いて形成した溝部には、エピタキシャル成長により第１の層あるいは下地層と同じ材料を埋め込むことが好ましい。
【００１５】
また、フォトレジストを溶液中で取り除いて溝部を形成し、その溝部に第２の層あるいは記録層材料をエピタキシャル成長により埋め込むことが好ましい。
【００１６】
本発明の発明者は磁気記録媒体における材料構成、製造方法を再検討し、下地層上にフォトレジストを用いて溝部を形成し、その溝部に下地層材料と同じ膜をエピタキシャル成長により埋め込み、溶液中でフォトレジストを取り除くことで形成された溝部に、最後に記録層の磁性膜をエピタキシャル成長により埋め込んで形成することで、記録層の磁性膜、下地層ともに結晶性が良く、高機能、高信頼の磁気記録媒体を提供できることを見出した。
【００１７】
この際、下地層の材料は、記録層に用いられる磁性元素のＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等よりも最密面原子間距離、ヤング率ともに大きく、水平磁気記録媒体においては体心立方構造を有するＣｒ、Ｗ、Ｍｏ等を含む材料を用い、垂直磁気記録媒体においては六方最密構造を有するＲｕ、Ｏｓ、Ｒｅ等を含む材料を用いることが好ましい。これにより、磁性層が引張ひずみ状態となり、磁性原子の磁気モーメントが無ひずみ状態、圧縮ひずみ状態と比べて増大し、記録層の熱的安定性が向上し、再生信号が増大する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、結晶性が良く、熱的安定性に優れ、磁気記録ビットのばらつきの少ない磁気記録媒体およびドット構造体の製造が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図１から図１５を用いて詳細に説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１は本実施例における磁気記録媒体の断面図である。基板１上に下地層２を有し、下地層２上にドット状に記録層３が形成されている。この際、ドット状の記録層３は、下地層２上にフォトレジストを用いて溝部を形成し、その溝部に下地層材料と同じ膜を埋め込み、最後に記録層３の磁性膜を埋め込んで形成されることが望ましい。これにより、下地膜、磁性膜ともに機械的なダメージが少なく、結晶性の良好な膜となる。
【００２１】
基板１は例えばガラス基板、アルミニウム基板、アルミニウム合金基板等である。記録層３はＣｏＣｒＰｔやＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２等のように、磁性合金、あるいは磁性合金と酸化物等のグラニュラー膜、あるいはこれらに添加元素を加えた材料等からなる。また、下地層２はＣｒ、Ｗ、Ｍｏ等を含み、体心立方構造を有し、記録層の磁性元素のＣｏ等よりも最密面原子間距離、ヤング率ともに大きい材料からなることが好ましい。また、記録層の磁性原子の磁化容易軸が基板に対して水平方向に配向し、さらに磁性層が引張ひずみ状態となることで、磁性原子の磁気モーメントが無ひずみ状態、圧縮ひずみ状態と比べて増大していることが好ましい。
【００２２】
また、本実施例における磁気記録媒体は図２に示すように、基板１上にシード層４を有し、シード層４上に下地層２を有し、下地層２上にドット状に記録層３が形成されていても良い。この場合、シード層が無い場合に比べて下地層の体心立方構造の（１００）面が基板に平行に成長しやすくなり、下地層上の磁性層の磁性原子の磁化容易軸も基板に対して水平方向に配向しやすくなる。シード層４はＮｉ−Ｐ等のＮｉ合金からなる。
【００２３】
また、図３に示すように、基板１上にシード層４を有し、シード層４上に下地層５を有し、下地層５上に磁性材料からなる記録磁化安定化層６を有し、記録磁化安定化層６上に下地層２を有していても良い。この場合、下地層２は磁気結合層の役割も担い、記録磁化安定化層６の磁気モーメントと記録層３の磁気モーメントが反強磁性結合することで、より熱的安定性に優れた磁気記録媒体とすることが可能となる。また、下地層５上に記録磁化安定化層と非磁性の磁気結合層を交互に複数層有していても良い。
【００２４】
次に、本実施例の磁気記録媒体の製造方法の１例について説明する。ここでは、図２の構造の磁気記録媒体の製造方法を図４〜７を用いて説明する。
【００２５】
まず、図４に示すように、基板上１上にめっき法、スパッタ法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等によりシード層４を形成する。その後、エピタキシャル成長により下地層７を形成し、パターニング用のフォトレジスト８を塗布する。
【００２６】
その後、図５に示すように、リソグラフィー、現像により溝部を形成する。
【００２７】
次に、図６に示すように、下地層７と同じ材料をエピタキシャル成長により前記溝部に埋め込む。これにより、下地層７の材料と溝部に埋め込まれた材料とが一体になり、下地層２が形成される。
【００２８】
その後、フォトレジスト８とフォトレジスト上に堆積した下地層材料９を、アセトン等の溶液中に浸すことで同時に取り除き、図７のように磁性材料埋め込み用溝部１０を形成する。
【００２９】
その後、磁性材料埋め込み用溝部１０に磁性層を埋め込み、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等による平坦化処理により、図２に示す磁気記録媒体が製造される。
【００３０】
なお、実際の製造プロセスでは、この後、図２の媒体上に炭素等を含む保護膜を形成し、保護膜上に潤滑材を塗布するが、ここでは省略している。
【００３１】
以上により、記録層、下地層ともに結晶性が良く、熱的安定性に優れ、磁気記録ビットのばらつきの少ない磁気記録媒体が製造される。
【実施例２】
【００３２】
図８は本実施例における磁気記録媒体の断面図である。基板１００上に軟磁性層１１を有し、軟磁性層１１上に下地層１２、下地層１２上にドット状に記録層１３が形成されている。この際、ドット状の記録層１３は、下地層１２上にフォトレジストを用いて溝部を形成し、その溝部に下地層材料と同じ膜を埋め込み、最後に記録層の磁性膜を埋め込んで形成されることが望ましい。これにより、下地膜、磁性膜ともに機械的なダメージが少なく、結晶性の良好な膜となる。
【００３３】
基板１００は例えばガラス基板、アルミニウム基板、アルミニウム合金基板等からなる。軟磁性層１１はＮｉＦｅ、ＦｅＴａＣ、ＣｏＴａＺｒ等のように、鉄合金、ニッケル合金、コバルト合金等からなる。また、記録層１３はＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２等のように、磁性合金、磁性合金と酸化物等のグラニュラー膜、あるいはこれらに添加元素を加えた材料等からなる。また、下地層１２はＲｕ、Ｏｓ、Ｒｅ等を含み、六方最密構造を有し、記録層の磁性元素のＣｏ等よりも最密面原子間距離、ヤング率ともに大きい材料からなることが好ましい。また、記録層の磁性原子の磁化容易軸が基板に対して垂直方向に配向し、さらに磁性層が引張ひずみ状態となることで、磁性原子の磁気モーメントが無ひずみ状態、圧縮ひずみ状態と比べて増大していることが好ましい。
【００３４】
また、本実施例における磁気記録媒体は図９に示すように、基板１００上にプリコート層１４、プリコート層１４上に軟磁性層１１を有し、軟磁性層１１上に下地層１２を有し、下地層１２上にドット状に記録層１３が形成されていても良い。
【００３５】
プリコート層１４は基板１００がガラス基板の場合にはＮｉＴａ、ＮｉＴａＺｒ等の合金からなることが好ましく、基板１００がアルミニウム基板、アルミニウム合金基板の場合には、基板材料と組成の異なるアルミニウム合金等からなることが好ましい。この場合には、プリコート層が無い場合に比べて、基板１００との密着性が向上する。
【００３６】
あるいは、図１０に示すように、基板１００上にプリコート層１４、プリコート層１４上に第一の軟磁性層１５を有し、第一の軟磁性層１５上に磁気結合層１６を有し、磁気結合層１６上に第二の軟磁性層１７を有し、第二の軟磁性層１７上に下地層１２を有し、下地層１２上にドット状に記録層１３が形成されていても良い。
【００３７】
この場合には、第一の軟磁性層１５の磁気モーメントと第二の軟磁性層１７の磁気モーメントが反強磁性結合することで、これらの軟磁性層からの磁気ノイズを低減することが可能となる。
【００３８】
磁気結合層１６はＲｕ、Ｏｓ、Ｒｅ等を含む非磁性材料からなる。また、プリコート層１４上に軟磁性層と磁気結合層を交互に複数層有していても良い。
【００３９】
さらに、図１１に示すように、第二の軟磁性層１７上に下地層１８を形成し、下地層１８上に磁性材料からなる記録磁化安定化層１９を有していても良い。この場合、記録磁化安定化層１９上の下地層１２は磁気結合層の役割も担い、記録磁化安定化層１９の磁気モーメントと記録層３の磁気モーメントが反強磁性結合することで、より熱的安定性に優れた磁気記録媒体とすることが可能となる。
【００４０】
また、下地層１８上に記録磁化安定化層と非磁性の磁気結合層を交互に複数層有していても良い。
【００４１】
次に、本実施例の磁気記録媒体の製造方法の１例について説明する。ここでは、図９の構造の磁気記録媒体の製造方法を図１２〜１５を用いて説明する。
【００４２】
まず、基板上１００上にめっき法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、プリコート層１４を形成し、プリコート層１４上にめっき法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、軟磁性層１１を形成する。
【００４３】
その後、エピタキシャル成長により下地層２０を形成し、パターニング用のフォトレジスト２１を塗布して、図１２のようにする。
【００４４】
その後、リソグラフィー、現像により、フォトレジスト２１の一部を除去して溝部を形成し、図１３のようにする。
【００４５】
次に、下地層２０と同じ材料をエピタキシャル成長により前記溝部に埋め込み、図１４に示すようにする。
【００４６】
その後、残ったフォトレジスト２１とフォトレジスト上に堆積した下地層材料２２を、アセトン等の溶液中に浸すことで同時に取り除き、図１５に示すように磁性材料埋め込み用溝部２３を形成する。
【００４７】
その後、磁性材料埋め込み用溝部２３に磁性層材料を埋め込み、ＣＭＰ法等による平坦化処理により図９に示す磁気記録媒体が製造される。
【００４８】
なお、実際の製造プロセスでは、この後、図９の媒体上に炭素等を含む保護膜を形成し、保護膜上に潤滑材を塗布するが、ここでは省略している。
【００４９】
以上により、結晶性が良く、熱的安定性に優れ、磁気記録ビットのばらつきの少ない磁気記録媒体が製造される。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施例１における磁気記録媒体の断面図。
【図２】実施例１における磁気記録媒体の別の例を示す断面図。
【図３】実施例１における磁気記録媒体の他の例を示す断面図。
【図４】図２の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図５】図２の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図６】図２の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図７】図２の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図８】実施例２における磁気記録媒体の断面図。
【図９】実施例２における磁気記録媒体の別の例を示す断面図。
【図１０】実施例２における磁気記録媒体の他の例を示す断面図。
【図１１】実施例２における磁気記録媒体のさらに別の例を示す断面図。
【図１２】図９の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図１３】図９の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図１４】図９の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図１５】図９の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【符号の説明】
【００５１】
１，１００…基板、２，５，７，１２，１８，２０…下地層、９，２２…下地層材料、３，１３…記録層、４…シード層、６，１９…記録磁化安定化層、８，２１…フォトレジスト、１０，２３…磁性材料埋め込み用溝部、１１…軟磁性層、１５…第一の軟磁性層、１７…第二の軟磁性層、１４…プリコート層、１６…磁気結合層。
【技術分野】
【０００１】
本発明は、ドット構造体、ドット構造を有する磁気記録媒体およびそれらの製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
ＨＤＤ等の磁気記録装置の高速、大容量、低コスト化には記録媒体における記録密度の向上が不可欠である。ＨＤＤは記録層となる磁性薄膜上の磁性粒子の磁化状態をデータのビット情報として用いる装置であるが、高記録密度化のためには磁性粒子を縮小する必要がある。しかし、従来の水平磁気記録媒体では磁性粒子を縮小しすぎると熱的安定性が大きく低下し、記録された磁化の方向が乱れて、記録された情報が消失してしまうため、磁性粒子の縮小化には限界があり、また、現在その限界に近づいていると考えられている。
【０００３】
この問題を解決するため、近年、垂直磁気記録方式を用いた媒体が開発されている（例えば、非特許文献１参照）。垂直磁気記録媒体は熱揺らぎに強く、ビット間隔をより小さくできるため、これにより水平磁気記録媒体での磁性粒子の縮小化限界を超えた高密度化が可能となる見込みである。しかし、現在の垂直磁気記録媒体の記録膜は、従来の水平磁気記録媒体と同様に磁性薄膜であり、磁性粒子はサイズ、形状が不規則になっている。そのため、ビット間のばらつきや、再生信号にノイズが生じる問題は依然として存在する。
【０００４】
この問題を解決するために、パターンドメディアと呼ばれる磁気記録媒体が提案されている（例えば、非特許文献２参照）。これは、微細加工により記録層の磁性粒子のサイズ、形状を揃えて、磁性粒子をドット状にしてディスク上に形成したものであり、上記の問題を解決するのに有効である。一方、磁気記録媒体における記録層の磁性膜は、磁化容易軸を基板面に対して水平あるいは垂直に配向させるために、結晶性の良い状態で形成されることが不可欠である。そのためには、記録膜と同様に、記録膜の下地膜の結晶性も良いことが重要である。したがって、磁気記録媒体の記録膜の磁性粒子をドット状に形成するパターンドメディアにおいては、ドット構造形成時において、エッチング、金型を用いるインプリント等による機械的ダメージ等、記録膜、下地膜の結晶性が低下するようなプロセスは極力回避する必要がある。
【０００５】
【非特許文献１】細江譲：「磁気記録媒体」、第２８回応用磁気学会サマースクール「応用磁気の基礎」（２００４．７．１３−１５）、第１−１３頁
【非特許文献２】Ｓ． Ｙ． Ｃｈｏｕ ｅｔ ａｌ．： Ｊ． Ａｐｐｌ． Ｐｈｙｓ． ７６， ６６７３ （１９９４）
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明の目的は、結晶構造を有する連続的な第１の層に対して第２の層が離散的に配置されているドット構造体において、第１の層および第２の層がいずれも結晶性の良いドット構造体を提供すること、および、パターンドメディアを用いた磁気記録媒体において、記録膜、下地膜ともに結晶性の良い磁気記録媒体とその製造方法を提供し、高機能、高信頼の磁気記録装置を実現することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
本発明は、連続的な第１の層に対して離散的な第２の層が配置されているドット構造体において、前記第１の層が、結晶構造を有する薄膜と、前記薄膜上にフォトレジストを用いて形成された１つあるいは複数の溝部に前記薄膜の材料と同じ材料が埋め込まれて一体に形成された構造を有し、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に前記薄膜の材料と異なる材料が埋め込まれて前記第２の層が形成されていることを特徴とする。
【０００８】
本発明は、連続的な第１の層に対して離散的な第２の層が配置されたドット構造体の製造方法において、結晶構造を有する薄膜の上にフォトレジストを用いて１つあるいは複数の溝部を形成し、前記溝部に前記薄膜の材料と同じ材料を埋め込んで前記第１の層を形成し、前記フォトレジストを除去することにより形成した溝部に前記薄膜の材料と異なる材料を埋め込んで離散的な前記第２の層を形成したことを特徴とする。
【０００９】
本発明は、基板上に下地層を有し、前記下地層上にフォトレジストを用いて形成した１つあるいは複数の溝部に前記下地層の材料と同じ材料が埋め込まれ、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に記録層の磁性膜が埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体にある。
【００１０】
本発明は、基板上に下地層を有し、前記下地層上にフォトレジストを用いて１つあるいは複数の溝部を形成し、前記溝部に前記下地層の材料と同じ材料を埋め込んだ後に、前記フォトレジストを除去することにより形成した溝部に記録層の磁性膜を埋め込んで製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法にある。
【００１１】
また、本発明は、基板上に軟磁性層を有し、前記軟磁性層上に下地層を有し、前記下地層上にフォトレジストを用いて形成された１つあるいは複数の溝部に前記下地層の材料と同じ材料が埋め込まれ、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に記録層の磁性膜が埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体にある。
【００１２】
また、本発明は、基板上に軟磁性層を形成し、前記軟磁性層上に下地層を形成し、前記下地層上にフォトレジストを用いて１つあるいは複数の溝部を形成し、前記溝部に前記下地層の材料と同じ材料を埋め込み、前記フォトレジストを除去することにより形成した溝部に記録層の磁性膜を埋め込んで製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法にある。
【００１３】
本発明において、ドット構造体とは連続的な第１の層に対して離散的な第２の層が配置されているものをいう。本発明の磁気記録媒体において、記録層の下部にある下地層がこの第１の層に当たり、記録層の磁性膜が第２の層に当たる。
【００１４】
本発明のドット構造体において第１の層にフォトレジストを用いて形成した溝部、あるいは本発明の磁気記録媒体において下地層にフォトレジストを用いて形成した溝部には、エピタキシャル成長により第１の層あるいは下地層と同じ材料を埋め込むことが好ましい。
【００１５】
また、フォトレジストを溶液中で取り除いて溝部を形成し、その溝部に第２の層あるいは記録層材料をエピタキシャル成長により埋め込むことが好ましい。
【００１６】
本発明の発明者は磁気記録媒体における材料構成、製造方法を再検討し、下地層上にフォトレジストを用いて溝部を形成し、その溝部に下地層材料と同じ膜をエピタキシャル成長により埋め込み、溶液中でフォトレジストを取り除くことで形成された溝部に、最後に記録層の磁性膜をエピタキシャル成長により埋め込んで形成することで、記録層の磁性膜、下地層ともに結晶性が良く、高機能、高信頼の磁気記録媒体を提供できることを見出した。
【００１７】
この際、下地層の材料は、記録層に用いられる磁性元素のＦｅ，Ｃｏ，Ｎｉ等よりも最密面原子間距離、ヤング率ともに大きく、水平磁気記録媒体においては体心立方構造を有するＣｒ、Ｗ、Ｍｏ等を含む材料を用い、垂直磁気記録媒体においては六方最密構造を有するＲｕ、Ｏｓ、Ｒｅ等を含む材料を用いることが好ましい。これにより、磁性層が引張ひずみ状態となり、磁性原子の磁気モーメントが無ひずみ状態、圧縮ひずみ状態と比べて増大し、記録層の熱的安定性が向上し、再生信号が増大する。
【発明の効果】
【００１８】
本発明によれば、結晶性が良く、熱的安定性に優れ、磁気記録ビットのばらつきの少ない磁気記録媒体およびドット構造体の製造が可能となる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１９】
以下、本発明の実施の形態を図１から図１５を用いて詳細に説明する。
【実施例１】
【００２０】
図１は本実施例における磁気記録媒体の断面図である。基板１上に下地層２を有し、下地層２上にドット状に記録層３が形成されている。この際、ドット状の記録層３は、下地層２上にフォトレジストを用いて溝部を形成し、その溝部に下地層材料と同じ膜を埋め込み、最後に記録層３の磁性膜を埋め込んで形成されることが望ましい。これにより、下地膜、磁性膜ともに機械的なダメージが少なく、結晶性の良好な膜となる。
【００２１】
基板１は例えばガラス基板、アルミニウム基板、アルミニウム合金基板等である。記録層３はＣｏＣｒＰｔやＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２等のように、磁性合金、あるいは磁性合金と酸化物等のグラニュラー膜、あるいはこれらに添加元素を加えた材料等からなる。また、下地層２はＣｒ、Ｗ、Ｍｏ等を含み、体心立方構造を有し、記録層の磁性元素のＣｏ等よりも最密面原子間距離、ヤング率ともに大きい材料からなることが好ましい。また、記録層の磁性原子の磁化容易軸が基板に対して水平方向に配向し、さらに磁性層が引張ひずみ状態となることで、磁性原子の磁気モーメントが無ひずみ状態、圧縮ひずみ状態と比べて増大していることが好ましい。
【００２２】
また、本実施例における磁気記録媒体は図２に示すように、基板１上にシード層４を有し、シード層４上に下地層２を有し、下地層２上にドット状に記録層３が形成されていても良い。この場合、シード層が無い場合に比べて下地層の体心立方構造の（１００）面が基板に平行に成長しやすくなり、下地層上の磁性層の磁性原子の磁化容易軸も基板に対して水平方向に配向しやすくなる。シード層４はＮｉ−Ｐ等のＮｉ合金からなる。
【００２３】
また、図３に示すように、基板１上にシード層４を有し、シード層４上に下地層５を有し、下地層５上に磁性材料からなる記録磁化安定化層６を有し、記録磁化安定化層６上に下地層２を有していても良い。この場合、下地層２は磁気結合層の役割も担い、記録磁化安定化層６の磁気モーメントと記録層３の磁気モーメントが反強磁性結合することで、より熱的安定性に優れた磁気記録媒体とすることが可能となる。また、下地層５上に記録磁化安定化層と非磁性の磁気結合層を交互に複数層有していても良い。
【００２４】
次に、本実施例の磁気記録媒体の製造方法の１例について説明する。ここでは、図２の構造の磁気記録媒体の製造方法を図４〜７を用いて説明する。
【００２５】
まず、図４に示すように、基板上１上にめっき法、スパッタ法、ＣＶＤ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｖａｐｏｒ Ｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）法等によりシード層４を形成する。その後、エピタキシャル成長により下地層７を形成し、パターニング用のフォトレジスト８を塗布する。
【００２６】
その後、図５に示すように、リソグラフィー、現像により溝部を形成する。
【００２７】
次に、図６に示すように、下地層７と同じ材料をエピタキシャル成長により前記溝部に埋め込む。これにより、下地層７の材料と溝部に埋め込まれた材料とが一体になり、下地層２が形成される。
【００２８】
その後、フォトレジスト８とフォトレジスト上に堆積した下地層材料９を、アセトン等の溶液中に浸すことで同時に取り除き、図７のように磁性材料埋め込み用溝部１０を形成する。
【００２９】
その後、磁性材料埋め込み用溝部１０に磁性層を埋め込み、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）法等による平坦化処理により、図２に示す磁気記録媒体が製造される。
【００３０】
なお、実際の製造プロセスでは、この後、図２の媒体上に炭素等を含む保護膜を形成し、保護膜上に潤滑材を塗布するが、ここでは省略している。
【００３１】
以上により、記録層、下地層ともに結晶性が良く、熱的安定性に優れ、磁気記録ビットのばらつきの少ない磁気記録媒体が製造される。
【実施例２】
【００３２】
図８は本実施例における磁気記録媒体の断面図である。基板１００上に軟磁性層１１を有し、軟磁性層１１上に下地層１２、下地層１２上にドット状に記録層１３が形成されている。この際、ドット状の記録層１３は、下地層１２上にフォトレジストを用いて溝部を形成し、その溝部に下地層材料と同じ膜を埋め込み、最後に記録層の磁性膜を埋め込んで形成されることが望ましい。これにより、下地膜、磁性膜ともに機械的なダメージが少なく、結晶性の良好な膜となる。
【００３３】
基板１００は例えばガラス基板、アルミニウム基板、アルミニウム合金基板等からなる。軟磁性層１１はＮｉＦｅ、ＦｅＴａＣ、ＣｏＴａＺｒ等のように、鉄合金、ニッケル合金、コバルト合金等からなる。また、記録層１３はＣｏＣｒＰｔ、ＣｏＣｒＰｔ−ＳｉＯ２等のように、磁性合金、磁性合金と酸化物等のグラニュラー膜、あるいはこれらに添加元素を加えた材料等からなる。また、下地層１２はＲｕ、Ｏｓ、Ｒｅ等を含み、六方最密構造を有し、記録層の磁性元素のＣｏ等よりも最密面原子間距離、ヤング率ともに大きい材料からなることが好ましい。また、記録層の磁性原子の磁化容易軸が基板に対して垂直方向に配向し、さらに磁性層が引張ひずみ状態となることで、磁性原子の磁気モーメントが無ひずみ状態、圧縮ひずみ状態と比べて増大していることが好ましい。
【００３４】
また、本実施例における磁気記録媒体は図９に示すように、基板１００上にプリコート層１４、プリコート層１４上に軟磁性層１１を有し、軟磁性層１１上に下地層１２を有し、下地層１２上にドット状に記録層１３が形成されていても良い。
【００３５】
プリコート層１４は基板１００がガラス基板の場合にはＮｉＴａ、ＮｉＴａＺｒ等の合金からなることが好ましく、基板１００がアルミニウム基板、アルミニウム合金基板の場合には、基板材料と組成の異なるアルミニウム合金等からなることが好ましい。この場合には、プリコート層が無い場合に比べて、基板１００との密着性が向上する。
【００３６】
あるいは、図１０に示すように、基板１００上にプリコート層１４、プリコート層１４上に第一の軟磁性層１５を有し、第一の軟磁性層１５上に磁気結合層１６を有し、磁気結合層１６上に第二の軟磁性層１７を有し、第二の軟磁性層１７上に下地層１２を有し、下地層１２上にドット状に記録層１３が形成されていても良い。
【００３７】
この場合には、第一の軟磁性層１５の磁気モーメントと第二の軟磁性層１７の磁気モーメントが反強磁性結合することで、これらの軟磁性層からの磁気ノイズを低減することが可能となる。
【００３８】
磁気結合層１６はＲｕ、Ｏｓ、Ｒｅ等を含む非磁性材料からなる。また、プリコート層１４上に軟磁性層と磁気結合層を交互に複数層有していても良い。
【００３９】
さらに、図１１に示すように、第二の軟磁性層１７上に下地層１８を形成し、下地層１８上に磁性材料からなる記録磁化安定化層１９を有していても良い。この場合、記録磁化安定化層１９上の下地層１２は磁気結合層の役割も担い、記録磁化安定化層１９の磁気モーメントと記録層３の磁気モーメントが反強磁性結合することで、より熱的安定性に優れた磁気記録媒体とすることが可能となる。
【００４０】
また、下地層１８上に記録磁化安定化層と非磁性の磁気結合層を交互に複数層有していても良い。
【００４１】
次に、本実施例の磁気記録媒体の製造方法の１例について説明する。ここでは、図９の構造の磁気記録媒体の製造方法を図１２〜１５を用いて説明する。
【００４２】
まず、基板上１００上にめっき法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、プリコート層１４を形成し、プリコート層１４上にめっき法、スパッタ法、ＣＶＤ法等により、軟磁性層１１を形成する。
【００４３】
その後、エピタキシャル成長により下地層２０を形成し、パターニング用のフォトレジスト２１を塗布して、図１２のようにする。
【００４４】
その後、リソグラフィー、現像により、フォトレジスト２１の一部を除去して溝部を形成し、図１３のようにする。
【００４５】
次に、下地層２０と同じ材料をエピタキシャル成長により前記溝部に埋め込み、図１４に示すようにする。
【００４６】
その後、残ったフォトレジスト２１とフォトレジスト上に堆積した下地層材料２２を、アセトン等の溶液中に浸すことで同時に取り除き、図１５に示すように磁性材料埋め込み用溝部２３を形成する。
【００４７】
その後、磁性材料埋め込み用溝部２３に磁性層材料を埋め込み、ＣＭＰ法等による平坦化処理により図９に示す磁気記録媒体が製造される。
【００４８】
なお、実際の製造プロセスでは、この後、図９の媒体上に炭素等を含む保護膜を形成し、保護膜上に潤滑材を塗布するが、ここでは省略している。
【００４９】
以上により、結晶性が良く、熱的安定性に優れ、磁気記録ビットのばらつきの少ない磁気記録媒体が製造される。
【図面の簡単な説明】
【００５０】
【図１】実施例１における磁気記録媒体の断面図。
【図２】実施例１における磁気記録媒体の別の例を示す断面図。
【図３】実施例１における磁気記録媒体の他の例を示す断面図。
【図４】図２の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図５】図２の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図６】図２の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図７】図２の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図８】実施例２における磁気記録媒体の断面図。
【図９】実施例２における磁気記録媒体の別の例を示す断面図。
【図１０】実施例２における磁気記録媒体の他の例を示す断面図。
【図１１】実施例２における磁気記録媒体のさらに別の例を示す断面図。
【図１２】図９の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図１３】図９の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図１４】図９の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【図１５】図９の構造を有する磁気記録媒体の製造工程の一部を示す説明図。
【符号の説明】
【００５１】
１，１００…基板、２，５，７，１２，１８，２０…下地層、９，２２…下地層材料、３，１３…記録層、４…シード層、６，１９…記録磁化安定化層、８，２１…フォトレジスト、１０，２３…磁性材料埋め込み用溝部、１１…軟磁性層、１５…第一の軟磁性層、１７…第二の軟磁性層、１４…プリコート層、１６…磁気結合層。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
連続的な第１の層に対して離散的な第２の層が配置されているドット構造体であり、前記第１の層が、結晶構造を有する薄膜と、前記薄膜上にフォトレジストを用いて形成された１つあるいは複数の溝部に前記薄膜の材料と同じ材料が埋め込まれて一体に形成された構造を有し、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に前記薄膜の材料と異なる材料が埋め込まれて前記第２の層が形成されていることを特徴とするドット構造体。
【請求項２】
請求項１において、前記フォトレジストを用いて形成された溝部に前記薄膜の材料と同じ材料がエピタキシャル成長により埋め込まれて前記第１の層が形成されていることを特徴とするドット構造体。
【請求項３】
請求項２において、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に前記薄膜の材料と異なる材料がエピタキシャル成長により埋め込まれて前記第２の層が形成されていることを特徴とするドット構造体。
【請求項４】
連続的な第１の層に対して離散的な第２の層が配置されたドット構造体の製造方法であり、結晶構造を有する薄膜の上にフォトレジストを用いて１つあるいは複数の溝部を形成し、前記溝部に前記薄膜の材料と同じ材料を埋め込んで前記第１の層を形成し、前記フォトレジストを除去して溝部を形成し、その溝部に前記薄膜の材料と異なる材料を埋め込んで離散的な前記第２の層を形成することを特徴とするドット構造体の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、前記フォトレジストを用いて形成した溝部に前記薄膜の材料と同じ材料を溝の深さよりも浅く埋め込んで前記第１の層を形成した後に、前記フォトレジストを除去することにより形成した溝部に前記薄膜の材料と異なる材料を埋め込んで前記第２の層を形成することを特徴とするドット構造体の製造方法。
【請求項６】
請求項４において、前記薄膜の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込んで前記第１の層を形成することを特徴とするドット構造体の製造方法。
【請求項７】
請求項４において、前記薄膜の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込んで前記第１の層を形成した後に、前記フォトレジストを溶液中で取り除くことにより溝部を形成し、その溝部に前記薄膜の材料と異なる材料をエピタキシャル成長により埋め込んで前記第２の層を形成することを特徴とするドット構造体の製造方法。
【請求項８】
基板上に下地層を有し、前記下地層上にフォトレジストを用いて形成した１つあるいは複数の溝部に前記下地層の材料と同じ材料が埋め込まれ、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に記録層の磁性膜が埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項８において、前記下地層の材料と同じ材料がエピタキシャル成長により埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項８において、前記下地層の材料と同じ材料および前記記録層の磁性膜がいずれもエピタキシャル成長により埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１１】
請求項８において、前記下地層がＣｒ、Ｗ、Ｍｏのいずれかを含む材料で形成されており、前記記録層がＣｏを含む材料で形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１２】
基板上に下地層を有し、前記下地層上にフォトレジストを用いて１つあるいは複数の溝部を形成し、前記溝部に前記下地層の材料と同じ材料を埋め込んだ後に、前記フォトレジストを除去して溝部を形成し、その溝部に記録層の磁性膜を埋め込んで製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記フォトレジストを用いて形成した溝部に前記下地層の材料と同じ材料を溝の深さよりも浅く埋め込んだ後に、前記フォトレジストを除去することにより形成した溝部に前記記録層の磁性膜を埋め込むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２において、前記下地層の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２において、前記下地層の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込んだ後に、前記フォトレジストを溶液中で取り除くことにより溝部を形成し、その溝部に前記記録層の磁性膜をエピタキシャル成長により埋め込むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２において、前記下地層をＣｒ、Ｗ、Ｍｏのいずれかを含む材料で成膜し、前記記録層をＣｏを含む材料で成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
基板上に軟磁性層を有し、前記軟磁性層上に下地層を有し、前記下地層上にフォトレジストを用いて形成された１つあるいは複数の溝部に前記下地層の材料と同じ材料が埋め込まれ、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に記録層の磁性膜が埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１８】
請求項１７において、前記下地層上に前記フォトレジストを用いて形成された前記溝部に前記下地層の材料と同じ材料がエピタキシャル成長により埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１９】
請求項１７において、前記下地層上に前記フォトレジストを用いて形成された前記溝部に前記下地層の材料と同じ材料がエピタキシャル成長により埋め込まれ、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に前記記録層の磁性膜がエピタキシャル成長により埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２０】
請求項１７において、前記下地層がＲｕ、Ｏｓ、Ｒｅのいずれかを含む材料で形成されており、前記記録層がＣｏを含む材料で形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２１】
基板上に軟磁性層を形成し、前記軟磁性層上に下地層を形成し、前記下地層上にフォトレジストを用いて１つあるいは複数の溝部を形成し、前記溝部に前記下地層の材料と同じ材料を埋め込み、前記フォトレジストを除去して溝部を形成し、その溝部に記録層の磁性膜を埋め込んで製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１において、前記フォトレジストを用いて形成した溝部に前記下地層の材料と同じ材料を溝の深さよりも浅く埋め込んだ後に、前記フォトレジストを除去することにより形成した溝部に前記記録層の磁性膜を埋め込むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
請求項２１において、前記下地層の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
請求項２１において、前記下地層の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込み、前記フォトレジストを溶液中で取り除くことにより溝部を形成し、その溝部に前記記録層の磁性膜をエピタキシャル成長により埋め込むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
請求項２１において、前記下地層をＲｕ、Ｏｓ、Ｒｅのいずれかを含む材料で成膜し、前記記録層をＣｏを含む材料で成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１】
連続的な第１の層に対して離散的な第２の層が配置されているドット構造体であり、前記第１の層が、結晶構造を有する薄膜と、前記薄膜上にフォトレジストを用いて形成された１つあるいは複数の溝部に前記薄膜の材料と同じ材料が埋め込まれて一体に形成された構造を有し、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に前記薄膜の材料と異なる材料が埋め込まれて前記第２の層が形成されていることを特徴とするドット構造体。
【請求項２】
請求項１において、前記フォトレジストを用いて形成された溝部に前記薄膜の材料と同じ材料がエピタキシャル成長により埋め込まれて前記第１の層が形成されていることを特徴とするドット構造体。
【請求項３】
請求項２において、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に前記薄膜の材料と異なる材料がエピタキシャル成長により埋め込まれて前記第２の層が形成されていることを特徴とするドット構造体。
【請求項４】
連続的な第１の層に対して離散的な第２の層が配置されたドット構造体の製造方法であり、結晶構造を有する薄膜の上にフォトレジストを用いて１つあるいは複数の溝部を形成し、前記溝部に前記薄膜の材料と同じ材料を埋め込んで前記第１の層を形成し、前記フォトレジストを除去して溝部を形成し、その溝部に前記薄膜の材料と異なる材料を埋め込んで離散的な前記第２の層を形成することを特徴とするドット構造体の製造方法。
【請求項５】
請求項４において、前記フォトレジストを用いて形成した溝部に前記薄膜の材料と同じ材料を溝の深さよりも浅く埋め込んで前記第１の層を形成した後に、前記フォトレジストを除去することにより形成した溝部に前記薄膜の材料と異なる材料を埋め込んで前記第２の層を形成することを特徴とするドット構造体の製造方法。
【請求項６】
請求項４において、前記薄膜の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込んで前記第１の層を形成することを特徴とするドット構造体の製造方法。
【請求項７】
請求項４において、前記薄膜の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込んで前記第１の層を形成した後に、前記フォトレジストを溶液中で取り除くことにより溝部を形成し、その溝部に前記薄膜の材料と異なる材料をエピタキシャル成長により埋め込んで前記第２の層を形成することを特徴とするドット構造体の製造方法。
【請求項８】
基板上に下地層を有し、前記下地層上にフォトレジストを用いて形成した１つあるいは複数の溝部に前記下地層の材料と同じ材料が埋め込まれ、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に記録層の磁性膜が埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項９】
請求項８において、前記下地層の材料と同じ材料がエピタキシャル成長により埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１０】
請求項８において、前記下地層の材料と同じ材料および前記記録層の磁性膜がいずれもエピタキシャル成長により埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１１】
請求項８において、前記下地層がＣｒ、Ｗ、Ｍｏのいずれかを含む材料で形成されており、前記記録層がＣｏを含む材料で形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１２】
基板上に下地層を有し、前記下地層上にフォトレジストを用いて１つあるいは複数の溝部を形成し、前記溝部に前記下地層の材料と同じ材料を埋め込んだ後に、前記フォトレジストを除去して溝部を形成し、その溝部に記録層の磁性膜を埋め込んで製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
請求項１２において、前記フォトレジストを用いて形成した溝部に前記下地層の材料と同じ材料を溝の深さよりも浅く埋め込んだ後に、前記フォトレジストを除去することにより形成した溝部に前記記録層の磁性膜を埋め込むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
請求項１２において、前記下地層の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
請求項１２において、前記下地層の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込んだ後に、前記フォトレジストを溶液中で取り除くことにより溝部を形成し、その溝部に前記記録層の磁性膜をエピタキシャル成長により埋め込むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
請求項１２において、前記下地層をＣｒ、Ｗ、Ｍｏのいずれかを含む材料で成膜し、前記記録層をＣｏを含む材料で成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１７】
基板上に軟磁性層を有し、前記軟磁性層上に下地層を有し、前記下地層上にフォトレジストを用いて形成された１つあるいは複数の溝部に前記下地層の材料と同じ材料が埋め込まれ、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に記録層の磁性膜が埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１８】
請求項１７において、前記下地層上に前記フォトレジストを用いて形成された前記溝部に前記下地層の材料と同じ材料がエピタキシャル成長により埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項１９】
請求項１７において、前記下地層上に前記フォトレジストを用いて形成された前記溝部に前記下地層の材料と同じ材料がエピタキシャル成長により埋め込まれ、前記フォトレジストを除去することにより形成された溝部に前記記録層の磁性膜がエピタキシャル成長により埋め込まれていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２０】
請求項１７において、前記下地層がＲｕ、Ｏｓ、Ｒｅのいずれかを含む材料で形成されており、前記記録層がＣｏを含む材料で形成されていることを特徴とする磁気記録媒体。
【請求項２１】
基板上に軟磁性層を形成し、前記軟磁性層上に下地層を形成し、前記下地層上にフォトレジストを用いて１つあるいは複数の溝部を形成し、前記溝部に前記下地層の材料と同じ材料を埋め込み、前記フォトレジストを除去して溝部を形成し、その溝部に記録層の磁性膜を埋め込んで製造することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２２】
請求項２１において、前記フォトレジストを用いて形成した溝部に前記下地層の材料と同じ材料を溝の深さよりも浅く埋め込んだ後に、前記フォトレジストを除去することにより形成した溝部に前記記録層の磁性膜を埋め込むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２３】
請求項２１において、前記下地層の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２４】
請求項２１において、前記下地層の材料と同じ材料をエピタキシャル成長により埋め込み、前記フォトレジストを溶液中で取り除くことにより溝部を形成し、その溝部に前記記録層の磁性膜をエピタキシャル成長により埋め込むことを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【請求項２５】
請求項２１において、前記下地層をＲｕ、Ｏｓ、Ｒｅのいずれかを含む材料で成膜し、前記記録層をＣｏを含む材料で成膜することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【公開番号】特開２００９−９９１８９（Ｐ２００９−９９１８９Ａ）
【公開日】平成２１年５月７日（２００９．５．７）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２６９２３５（Ｐ２００７−２６９２３５）
【出願日】平成１９年１０月１６日（２００７．１０．１６）
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２１年５月７日（２００９．５．７）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１０月１６日（２００７．１０．１６）
【出願人】（０００００５１０８）株式会社日立製作所 (27,607)
【Ｆターム（参考）】
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