説明

ナノチューブ・センサ

バイモルフ構造物上に成長させ、それによって支持されたナノチューブを有するセンサ。ナノチューブは、気体または液体を検知している間、ヒートシンク上に着座し、気体または液体をナノチューブから脱着するために加熱されるとヒートシンクから離れる。ヒートシンクはトランジスタのゲートとして機能し、バイモルフ構造物がその他のトランジスタの端子として機能する。ナノチューブの電流−電圧および電流−ゲート電圧特性を、トランジスタと同様な素子として得ることができる。これら特性は、ナノチューブに吸収された気体または液体についての情報を提供することができる。

【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【0001】
本発明は気体センサに関し、特に、ナノチューブ・センサに関する。
【背景技術】
【0002】
気体検知にナノチューブを用いる試みがいくつか行われてきた。2002年3月18日出願の米国特許出願第10/100,440号、件名「カーボン・ナノチューブ・センサ」は、参照によって本明細書に組み込まれる。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【0003】
【課題を解決するための手段】
【0004】
ナノチューブは、或るガス環境中で方向付けしながら、ナノチューブ用の2つの移動可能な指状または腕状の支持片、接合点、または電極の間の隙間に架橋させることによって、その場で成長させることができる。製造可能なMEMSベースのナノチューブ・センサを作成することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【0005】
図1aはナノチューブを支持する基本構造を示す。バイモルフの指または腕状の長手構造物11および12が、基板10上に配置されている。受け台のような構造物13を、基板10上、構造物11と12の端部の間に配置することができる。構造物13は、ヒートシンク、電極、またはその両方に使用することができる。
【0006】
構造物11および12は、上側の金属層21および下側の誘電体22、またはその逆から構成され得る。これらの構造物は別の構成物を有することもできる。図1bでは、構造物11および12は加熱することができ、それらの端部は熱のために構造物13および基板10から離れる。
【0007】
図2aのように、指または腕11および12がもち上がっている間に、1つまたは複数のナノチューブを、構造物11および12の近い方の2つの端部間に架橋して成長させることができる。この成長は、エチレン、メタン、COなどの雰囲気または局部環境中で果たすことができる。1つまたは複数のナノチューブは、両構造物を約700〜900℃に加熱することにより成長する。一般に、その結果、構造物11と12の互いに対向する端部に架橋した単壁(すなわち、分子が1層の)カーボンナノチューブ15が得られる。ナノチューブは、流れおよび/または電場によって、構造物11および12の一方の端部から他方の端部に向かって成長することができる。素子14が加熱炉または他の熱源から取り外されると、構造物11および12が冷め、図2bに示されるように、その端部16および17が基板10へ向かって移動する。この動きによって、ナノチューブ15がヒートシンク/電極13上に着座する。構造物13は、薄い不動態化層18で被覆された金属19で構成され得る。素子14は、ダイとして切り出すことができ、実用のためにヘッダ上に取り付けることができる。
【0008】
ナノチューブ15は冷却されると、流体に曝されその一部を吸着することができる。流体は気体または液体であり得る。本説明では、「気体」に言及することがあるが、それは「液体」に置き換えることができる。素子14がダイとして加熱されると、構造物11および12は、そのバイモルフ構造物が加熱された結果撓んで、ナノチューブ14を支柱または受け台13からもち上げる。ナノチューブ15は加熱されると、吸着されている気体がナノチューブ15から放出され、新しい気体を再吸着できるようになる。熱が取り去られると、腕11および12が降りてきて、ナノチューブ15がヒートシンク13上に着座し、ヒートシンク13がナノチューブ15から熱を取り去る。その時、ナノチューブ15は、センサがじかに触れる環境中の新しい気体を再吸着する準備ができる。
【0009】
ヒートシンク13からナノチューブ15をもち上げるために、腕11および12は異なるいくつかの方法で動かされる。ヘッダ20上のダイとしての素子14を加熱することもできるし、また、構造物11および12がそれぞれの中に加熱要素を有することもできる。どちらの場合も、図2aに示されるように、ナノチューブ15はヒートシンク13との接触から離され、その結果、より急速に加熱され、ナノチューブ15上のすべての気体を脱着する。その後、ヘッダ20から熱が取り去られ、または、腕11および12中の加熱要素23の電源が切られる。構造物11および12は、基板10に向かって動き、ナノチューブ15がヒートシンク13上に着座してさらに冷却され、新しい気体を吸着する準備ができる。
【0010】
図3aは、ナノチューブ15によって吸着された気体の同定を支援するのに用いることができる電気的構成を示す。電源24は、ナノチューブ15への接続部となる構造物11および12に接続される。メータ26の電流表示およびメータ25の電圧表示に注目することができ、そのようなIV特性から、ナノチューブ15によって吸着された気体または液体についての情報を得ることができ、またはそれを同定することができる。
【0011】
図3bは、電源27、およびゲート電圧を測定するためのメータ28を有する、電界効果トランジスタに似た3端子電気構成を示す。構造物13がゲートで、構造物11および12が、それぞれソースおよびドレインである。この図のその他の電気的態様は、図3aに示す態様と同様である。電流(I)メータ26およびゲート電圧(Vg)メータ28に注目することができ、そのようなIVg特性から、ナノチューブ15によって吸着された気体または液体についての情報を得ることができ、またはそれを同定することができる。他方、電源27によって設定される所定のVgに対して、メータ26の電流およびメータ25の電圧に注目することができ、そのようなIV特性から、ナノチューブ15によって吸着された気体または液体についての情報を得ることができ、またはそれを同定することができる。上記の読み取りを、気体がナノチューブ15に吸着され始めた時点から或る時間間隔の間、周期的に行うことができる。そのようなIVおよびIVg特性は、ナノチューブ15の周囲環境中の気体および液体の濃度など、さらに別の情報をもたらす。
【0012】
図4は、図3bの素子14によって吸着された数種類の気体のIVg特性の例である。曲線31は、ナノチューブ15が気体を吸着する前のIVg特性を示す。曲線32は、ナノチューブ15がNHを吸着した後のIVg特性を示す。曲線33は、ナノチューブ15がNOを吸着した後のIVg特性を示す。各気体の吸着は、ナノチューブ15中の気体および液体が全て脱着または除去された後に行われる。ナノチューブは、様々な物質(金属、有機体、半導体)で機能化されて、様々な気体に対する応答性および識別性が強化され得る。
【0013】
図5は、上記の、素子14の気体/液体検知過程の概要を表す流れ図30を示す。ブロック34では、ナノチューブ15を気体および/または液体に曝す。ナノチューブ15のIVおよび/またはIVg特性の測定が、ブロック35によって示される。次いでブロック36で、ナノチューブ15が、熱を持った支持構造物11および12によってヒートシンク13から離される。
【0014】
ブロック37によって示されるように、熱はまた、気体/液体をナノチューブ15から放出するのにも使用される。ブロック38では、構造物11および12は、冷却され、ナノチューブ15をヒートシンク13の上に着座させるように戻してさらに冷却する。経路39は、別の、あるいは同じ気体または液体を検知するために、検知過程を繰り返すことができることを示す。
【0015】
図6aは、特に気体/液体検知のための、構造物または横断梁40を有するセンサ41の平面図を示し、その横断梁40はヒートシンク、および/またはナノチューブ15のIVg特性を得ることを目的とするトランジスタの電極になり得る。構造物47および48は、トランジスタ、すなわちナノチューブ15への他の接続部になり得る。図7aおよび7bは、素子41の断面図を示す。ナノチューブ15は、横断梁40と基板43の間に配置されている。構造物47および48はそれぞれおよびナノチューブ15を加熱するための加熱要素を有することができ、または、同様な効果を得るために基板43を加熱することもできる。加熱されると、構造物47および48は、ナノチューブ15を下げてヒートシンク40から離す。冷却されると、ナノチューブ15はヒートシンク40まで持ち上げられ、構造物40によってナノチューブ15がさらに冷却される。冷却またはその他の理由で、逆ピラミッド形状の窪み44が基板43にエッチングされてもよい。気体/液体検知のための素子41のその他のいくつかの態様は、素子14のそれらと同様である。
【0016】
図6bは、ナノチューブ15と基板43の間に配置された、横断梁、ヒートシンク、またはゲート類似構造物40を有する素子42を示す。構造物40、ナノチューブ15に接続された構造物45および46、ならびに図3aおよび図3bの素子14と同様な構成によって、吸着気体または液体有り、または無しでのナノチューブ15のIVおよびIVgデータを得ることができる。図8aおよび8bは、素子42の断面を示す。ナノチューブ15を支持している指または腕のよう長手構造物45および46は、加熱されたとき基板43に向かうのではなくそれから離れていく以外は、素子41の構造物47および48と同様である。構造物47および48は、冷却すると、基板43に向かって動き、ナノチューブ15は、さらに冷却するためにヒートシンク構造物40上に着座させられる。素子42に関する冷却性改善の可能性やその他の要件をかなえるために、基板43はピラミッド形の窪み44を有し得る。あるいは、窪み44は無くてもよい。気体/液体検知のための素子42の態様の多くは、素子14および41と同様である。
【0017】
長手構造物45、46、47、および48は、基板43から少なくとも部分的にエッチング成形するか、または基板43上に形成することができる。構造物40も、構造物45、46、47、および48と同様な方法で作成され得る。素子14、41、および42の構造物はMEMS技術またはそれと同等な技術から成る。これら素子の技術は、シリコンをベースとする技術か、または別の材料の技術であり得る。
【0018】
本発明を、少なくとも1つの特定の実施形態に関して説明してきたが、本明細書を読むことにより、多くの変形形態および修正形態が当業者にとって明らかになろう。したがって、添付特許請求の範囲は、先行技術として見るとき可能な限り広く解釈し、そのような変形形態および修正形態を全て包含するものとする。
【図面の簡単な説明】
【0019】
【図1】図1aはナノチューブを支持するセンサ構造を示す図である。図1bはナノチューブを支持するセンサ構造を示す図である。
【図2】図2aはナノチューブを有するセンサ構造を示す図である。図2bはナノチューブを有するセンサ構造を示す図である。
【図3】図3aはナノチューブ・センサの電気的構成を示す図である。図3bはナノチューブ・センサの電気的構成を示す図である。
【図4】センサのナノチューブによって吸収された数種類の気体の電流−ゲート電圧曲線のグラフである。
【図5】ナノチューブ・センサの処理過程の流れ図である。
【図6】図6aは横断梁状の構造物を有するナノチューブ・センサを示す図である。図6bは横断梁状の構造物を有するナノチューブ・センサを示す図である。
【図7】図7aは、図6aと同様なナノチューブ・センサの断面図である。図7bは、図6aと同様なナノチューブ・センサの断面図である。
【図8】図8aは、図6bと同様なナノチューブ・センサの断面図である。図8bは、図6bと同様なナノチューブ・センサの断面図である。



【特許請求の範囲】
【請求項1】
第1の構造物と、
前記第1の構造物に取り付けられた第1の端部、および第2の端部を有する第2の構造物と、
前記第1の構造物に取り付けられた第1の端部、および第2の端部を有する第3の構造物と、
前記第2および第3の構造物の前記第2の端部に取り付けられた少なくとも1つのナノチューブと
を備えるナノチューブ・センサ。
【請求項2】
前記第1の構造物上に、前記少なくとも1つのナノチューブに近接して配置された第4の構造物をさらに備える、請求項1に記載のセンサ。
【請求項3】
前記第2および第3の構造物の前記第2の端部が、温度の変化によって前記第1の構造物に対して相対移動することができる、請求項2に記載のセンサ。
【請求項4】
前記第4の構造物が熱を吸収することができる、請求項3に記載のセンサ。
【請求項5】
前記少なくとも1つのナノチューブが前記第4の構造物に近接することができる、請求項4に記載のセンサ。
【請求項6】
前記第2および第3の構造物の温度変化によって、前記少なくとも1つのナノチューブが前記第4の構造物から遠ざかるように、または近付くように移動させられる、請求項5に記載のセンサ。
【請求項7】
前記少なくとも1つのナノチューブの電流−電圧(IV)特性が測定可能である、請求項6に記載のセンサ。
【請求項8】
前記少なくとも1つのナノチューブが流体に曝され得る、請求項7に記載のセンサ。
【請求項9】
前記流体が気体および/または液体であり得る、請求項8に記載のセンサ。
【請求項10】
前記少なくとも1つのナノチューブのIV特性は、前記少なくとも1つのナノチューブがどんな種類の流体に曝されているか示すことができる、請求項9に記載のセンサ。
【請求項11】
前記少なくとも1つのナノチューブを加熱することによって、前記少なくとも1つのナノチューブが曝された流体のかなりの部分を取り除くことができる、請求項10に記載のセンサ。
【請求項12】
前記加熱することによって、前記第2および第3の構造物が、前記少なくとも1つのナノチューブを前記第4の構造物から離れさせる、請求項11に記載のセンサ。
【請求項13】
前記少なくとも1つのナノチューブが前記第4の構造物から離れることにより、前記少なくとも1つのナノチューブがより強く加熱され得る、請求項12に記載のセンサ。
【請求項14】
冷却することにより、前記第2および第3の構造物が、前記少なくとも1つのナノチューブを前記第4の構造物に接近させることができる、請求項13に記載のセンサ。
【請求項15】
前記少なくとも1つのナノチューブが前記第4の構造物に接近することにより、前記少なくとも1つのナノチューブがより強く冷却され得る、請求項14に記載のセンサ。
【請求項16】
前記少なくとも1つのナノチューブが、前記第2および第3の構造物によって加熱され得る、請求項15に記載のセンサ。
【請求項17】
前記第2および/または第3の構造物がバイモルフ構成を有する、請求項16に記載のセンサ。
【請求項18】
前記少なくとも1つのナノチューブが前記第1の構造物によって加熱される、請求項15に記載のセンサ。
【請求項19】
前記第2および/または第3の構造物がバイモルフ構成を有する、請求項18に記載のセンサ。
【請求項20】
前記センサがトランジスタに類似しており、
前記第2、第3、および第4の構造物が、それぞれトランジスタのソース、ドレイン、およびゲートになる、請求項6に記載のセンサ。
【請求項21】
前記センサの電流−ゲート電圧(IVg)特性が測定可能である、請求項20に記載のセンサ。
【請求項22】
前記少なくとも1つのナノチューブが流体に曝され得る、請求項21に記載のセンサ。
【請求項23】
前記流体が気体または液体であり得る、請求項22に記載のセンサ。
【請求項24】
前記IVg特性は、前記少なくとも1つのナノチューブがどんな種類の流体に曝されているかを示すことができる、請求項23に記載のセンサ。
【請求項25】
前記少なくとも1つのナノチューブを加熱することによって、前記少なくとも1つのナノチューブが曝された流体のかなりの部分を取り除くことができる、請求項24に記載のセンサ。
【請求項26】
加熱することによって、前記第2および第3の構造物が、前記少なくとも1つのナノチューブを前記第4の構造物から離れさせて、前記少なくとも1つのナノチューブの温度を上昇させることができる、請求項25に記載のセンサ。
【請求項27】
冷却することによって、前記第2および第3の構造物が、前記少なくとも1つのナノチューブを前記第4の構造物に接近させて、前記少なくとも1つのナノチューブの温度を低下させることができる、請求項26に記載のセンサ。
【請求項28】
前記第2および第3の構造物の少なくとも一方が温度バイモルフ構成を有する、請求項27に記載のセンサ。
【請求項29】
前記第1、第2、第3、および第4の構造物の少なくとも1つが、MEMSベースの工程で作成される、請求項28に記載のセンサ。
【請求項30】
前記少なくとも1つのナノチューブが、前記第1の構造物と前記第4の構造物の間に配置される、請求項2に記載のセンサ。
【請求項31】
前記第4の構造物が、前記第1の構造物に取り付けられた第1および第2の端部を有する、請求項30に記載のセンサ。
【請求項32】
前記少なくとも1つのナノチューブの電流−電圧(IV)特性が測定可能である、請求項31に記載のセンサ。
【請求項33】
前記少なくとも1つのナノチューブを流体に曝すことができ、
前記流体が気体および/または液体であり得る、請求項32に記載のセンサ。
【請求項34】
前記少なくとも1つのナノチューブのIV特性は、前記少なくとも1つのナノチューブがどんな種類の流体に曝されているか示すことができる、請求項33に記載のセンサ。
【請求項35】
前記センサがトランジスタに類似しており、
前記第2、第3、および第4の構造物が、それぞれトランジスタのソース、ドレイン、およびゲートに類似する、請求項31に記載のセンサ。
【請求項36】
センサの電流−ゲート電圧(IVg)特性が測定可能である、請求項35に記載のセンサ。
【請求項37】
前記少なくとも1つのナノチューブを流体に曝すことができ、
前記流体が気体および/または液体であり得る、請求項36に記載のセンサ。
【請求項38】
前記IVg特性は、前記少なくとも1つのナノチューブがどんな種類の流体に曝されているかを示すことができる、請求項37に記載のセンサ。
【請求項39】
前記少なくとも1つのナノチューブを加熱することによって、前記少なくとも1つのナノチューブが曝され、吸収した流体のかなりの部分を取り除くことができ、
前記少なくとも1つのナノチューブを冷却することによって、流体の再吸収を可能にすることができる、請求項38に記載のセンサ。
【請求項40】
前記第2および第3の構造物が加熱されると、前記少なくとも1つのナノチューブを前記第4の構造物から離し、冷却されると、前記少なくとも1つのナノチューブを前記第4の構造物に向かって移動させる、請求項39に記載のセンサ。
【請求項41】
前記第2および第3の構造物が温度バイモルフ構造を有する、請求項40に記載のセンサ。
【請求項42】
前記第4の構造物が、前記少なくとも1つのナノチューブに対してほぼ非平行に配置された長手構造物である、請求項39に記載のセンサ。
【請求項43】
前記第1の構造物が、前記少なくとも1つのナノチューブに近接する窪みを有する、請求項42に記載のセンサ。
【請求項44】
前記少なくとも1つのナノチューブが、前記第4の構造物と前記第1の構造物との間に配置され、前記第4の構造物が前記第1の構造物に取り付けられた第1および第2の端部を有する、請求項2に記載のセンサ。
【請求項45】
前記少なくとも1つのナノチューブの電流−電圧(IV)特性が測定可能であり、
前記少なくとも1つのナノチューブを流体に曝すことができ、
前記流体は気体および/または液体であり得ることができ、
前記少なくとも1つのナノチューブのIV特性は、前記少なくとも1つのナノチューブがどんな種類の流体に曝されているかを示すことができる、請求項44に記載のセンサ。
【請求項46】
前記センサがトランジスタに類似しており、
前記第2、第3、および第4の構造物が、それぞれトランジスタのソース、ドレイン、およびゲートに類似しており、
前記センサの電流−ゲート電圧(IVg)特性が測定可能であり、
前記少なくとも1つのナノチューブを流体に曝すことができ、
前記流体が気体および/または液体であり、
前記IVg特性は、前記少なくとも1つのナノチューブがどんな種類の流体に曝されているかを示すことができる、請求項45に記載のセンサ。
【請求項47】
前記第4の構造物が、前記少なくとも1つのナノチューブにほぼ非平行に配置された長手構造物である、請求項46に記載のセンサ。
【請求項48】
前記第1の構造物が、前記少なくとも1つのナノチューブに近接する窪みを有する、請求項47に記載のセンサ。
【請求項49】
前記第2および第3の構造物が加熱されると、前記少なくとも1つのナノチューブを前記第4の構造物から離し、冷却されると、前記少なくとも1つのナノチューブを前記第4の構造物に向かって移動させる、請求項47に記載のセンサ。
【請求項50】
MEMSベースの工程で作成される請求項49に記載のセンサ。
【請求項51】
基板と、
前記基板上にある第1の長手突起物と、
前記基板上にある第2の長手突起物と、
第1および第2の長手突起物を接続するように成長した少なくとも1つのナノチューブと
を備える、ナノチューブ・センサ。
【請求項52】
前記第1および第2の突起物が、加熱されると前記基板から離れ、冷却されると前記基板に向かって移動する、請求項51に記載のセンサ。
【請求項53】
前記突起物がエチレン、メタン、CO、またはその他の同様な流体からなる周囲環境を有し、
前記環境が、前記突起物を前記基板から離すのに十分な温度に加熱され、
前記温度が前記少なくとも1つのナノチューブを成長させるのに十分な温度であり、
前記少なくとも1つのナノチューブが成長した後、環境が冷却し、前記突起物が前記少なくとも1つのナノチューブと共に前記基板に向かって移動する、請求項52に記載のセンサ。
【請求項54】
前記第1および第2の突起物が前記基板に向かって移動したとき、前記少なくとも1つのナノチューブをその上に着座させ得るヒートシンク構造物をさらに備え、
前記少なくとも1つのナノチューブが近接する環境の気体/液体を吸収することができ、
前記少なくとも1つのナノチューブの電流−電圧(IV)特性が、吸収された気体についての情報を示すことができる、請求項51に記載のセンサ。
【請求項55】
前記第1および第2の突起物を加熱すると、前記少なくとも1つのナノチューブが前記ヒートシンク構造物から離され、それによって加熱されて、前記少なくとも1つのナノチューブ上の気体/液体のかなりの部分が脱着され、
前記第1および第2の突起物を冷却すると、前記少なくとも1つのナノチューブが、前記ヒートシンク構造物まで移動させられて冷却され得ることができ、いくらかの気体/液体を吸収することができる、請求項54に記載のセンサ。
【請求項56】
前記センサは、前記第1の突起物、前記第2の突起物、および前記ヒートシンク構造物が、トランジスタのソース、ドレイン、およびゲート接点に類似しているという点で、トランジスタに類似し、
前記少なくとも1つのナノチューブの電流−電圧(IV)特性が、前記少なくとも1つのナノチューブによって吸収された気体についての実情報を示すことができる、請求項55に記載のセンサ。
【請求項57】
前記第1および第2の突起物が、加熱されたとき第1の方向へ移動し、冷却されたとき第2の方向へ移動する、請求項51に記載のセンサ。
【請求項58】
前記基板に取り付けられた第1および第2の端部を有する長手細片をさらに備える、請求項57に記載のセンサ。
【請求項59】
前記少なくとも1つのナノチューブが、前記長手細片と前記基板の間に配置され、
前記第1および第2の突起物が、それぞれトランジスタのソースおよびドレインに類似し、前記長手細片がトランジスタのゲートに類似している、請求項58に記載のセンサ。
【請求項60】
前記少なくとも1つのナノチューブの電流−電圧特性が、前記少なくとも1つのナノチューブによって吸収された気体についての情報を示すことができる、請求項59に記載のセンサ。
【請求項61】
前記センサの電流−ゲート電圧特性が、前記少なくとも1つのナノチューブによって吸収された気体についての情報を示すことができる、請求項59に記載のセンサ。
【請求項62】
前記長手細片が、前記少なくとも1つのナノチューブと前記基板の間に配置され、
前記第1および第2の突起物が、それぞれトランジスタのソースおよびドレインに類似し、前記長手細片が、トランジスタのゲートに類似する、請求項58に記載のセンサ。
【請求項63】
前記少なくとも1つのナノチューブの電流−電圧特性が、前記少なくとも1つのナノチューブに吸収された気体についての情報を示すことができる、請求項62に記載のセンサ。
【請求項64】
前記センサの電流−ゲート電圧特性が、前記少なくとも1つのナノチューブに吸収された気体の情報を示すことができる、請求項62に記載のセンサ。
【請求項65】
熱を除去する手段と、
ナノチューブを支持し、前記熱を除去する手段に対して相対移動させる手段と
を備えるナノチューブ・センサであって、
前記ナノチューブを支持し移動させる手段が、加熱されると、前記熱を除去する手段から前記ナノチューブを離し、冷却されると、前記熱を除去する手段に前記ナノチューブを近付ける、ナノチューブ・センサ。
【請求項66】
ナノチューブの電流−電圧特性を測定する手段をさらに備え、前記測定する手段が前記ナノチューブに接続されている、請求項65に記載のセンサ。
【請求項67】
前記ナノチューブの電流−電圧特性が、前記ナノチューブによって吸収された気体または液体についての情報を示すことができる、請求項66に記載のセンサ。
【請求項68】
前記ナノチューブを加熱する手段をさらに備える、請求項67に記載のセンサ。
【請求項69】
前記ナノチューブに近接してゲートを形成する手段と、
前記ナノチューブの電流−ゲート電圧特性を測定する手段と
をさらに備え、
前記ナノチューブへの第1および第2の接点がそれぞれソースおよびドレインになり、
前記ゲートを形成する手段と共に、前記ソースおよびドレインが、前記ナノチューブをトランジスタに類似させる、請求項65に記載のセンサ。
【請求項70】
前記ナノチューブの前記電流−ゲート電圧特性が、前記ナノチューブによって吸収された気体または液体についての情報を示すことができる、請求項69に記載のセンサ。
【請求項71】
前記ナノチューブを加熱する手段をさらに備える、請求項70に記載のセンサ。
【請求項72】
ナノチューブの両端にそれぞれ接続された第1および第2の端子を有する構造物を得るステップと、
前記ナノチューブを気体/液体に曝すステップと、
前記ナノチューブの電流−電圧特性を測定するステップと、
前記気体/液体について知り得る情報を得るために、前記電流−電圧特性を調査するステップと
を含む、気体/液体を検知する方法。
【請求項73】
前記ナノチューブから気体/液体を脱着するために前記ナノチューブを加熱するステップと、
前記ナノチューブが気体/液体を吸収できるようにするために、前記ナノチューブから熱を取り去るステップと
をさらに含む、請求項72に記載の方法。
【請求項74】
ナノチューブに接続されたソースおよびドレイン端子、およびナノチューブに近接したゲート端子を有する構造物を得るステップと、
前記ナノチューブを気体または液体に曝すステップと、
前記ナノチューブの電流−ゲート電圧特性を測定するステップと、
前記気体または液体について知り得る情報を得るために、前記電流−ゲート電圧特性を調査するステップと
を含む、気体または液体を検知する方法。
【請求項75】
前記ナノチューブから前記気体または液体を脱着するために、前記ナノチューブを加熱するステップと、
前記ナノチューブが気体または液体を吸収できるようにするために、前記ナノチューブから熱を取り去るステップと
を含む、請求項74に記載の方法。

【図3】
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【図4】
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【図5】
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【公表番号】特表2006−508348(P2006−508348A)
【公表日】平成18年3月9日(2006.3.9)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2004−555821(P2004−555821)
【出願日】平成15年11月25日(2003.11.25)
【国際出願番号】PCT/US2003/038146
【国際公開番号】WO2004/048958
【国際公開日】平成16年6月10日(2004.6.10)
【出願人】(500575824)ハネウェル・インターナショナル・インコーポレーテッド (1,504)
【Fターム(参考)】