バソプレッシン拮抗物質としてのベンズアミド誘導体およびその用途
【課題】バソプレッシン拮抗作用などを有し新規かつ有用なベンズアミド誘導体を提供すること。
【解決手段】一般式（Ｉ）：
〔式中、ＡはＮＨなどであり、 Ｅは−Ｃ（＝Ｏ）−などであり、 Ｘは−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−またはＳであり、 ＹはＣＨまたはＮである〕で表わされる新規ベンズアミド誘導体およびそれらの医薬として許容される塩、それらの製造法ならびにそれらを含有する医薬組成物。
【解決手段】一般式（Ｉ）：
〔式中、ＡはＮＨなどであり、 Ｅは−Ｃ（＝Ｏ）−などであり、 Ｘは−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−またはＳであり、 ＹはＣＨまたはＮである〕で表わされる新規ベンズアミド誘導体およびそれらの医薬として許容される塩、それらの製造法ならびにそれらを含有する医薬組成物。
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【特許請求の範囲】
【請求項１】
式
〔式中、
Ｒ１はアリ−ル、シクロ低級アルキルまたは複素環基であり、それらの各々は、ハロゲン；ヒドロキシ；ニトロ；アミノ；アシル；置換アシル；アシル低級アルキルスルフィニル；アシル低級アルキルスルホニル；アシルオキシ；低級アルキルアミノ低級アルキルカルバモイルオキシ；アリ−ル；シアノ；複素環基；アシル、置換アシル、アリ−ルもしくはアシル置換アリ−ルで置換されていてもよい低級アルケニル；アミノ、アシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換されていてもよい低級アルキニル；ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、ヒドロキシ、アシルオキシ、アシル低級アルカノイルオキシ、アシル、置換アシル、アシル低級アルコキシイミノ、アリ−ルもしくはアシル置換アリ−ルで置換されていてもよい低級アルキル；アシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルキルチオ；アリ−ル、置換アリ−ル、ヒドロキシ、アシルオキシ、アミノ、低級アルキルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、アシル置換ピリジル、置換アシル置換ピリジル、ハロゲン、アシル低級アルキルアミノ、Ｎ−保護されたアシル低級アルキルアミノ、Ｎ−アシル低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノ、アシル、置換アシル、アシルアミノ、置換アシルアミノ、低級アルキルヒドラジノカルボニルアミノ、ヒドロキシイミノ、アシル低級アルコキシイミノ、置換アシル低級アルコキシイミノ、アシル低級アルコキシ、グアニジノもしくはＮ−保護されたグアニジノで置換されていてもよいアルコキシ；および、アシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルケニルオキシからなる群から選ばれた置換基で置換されていてもよく；
Ｒ２は水素；ヒドロキシ、アリ−ルもしくはアシルで置換されていてもよい低級アルキル；またはシクロ低級アルキルであり；
Ｒ３は水素；ハロゲン；ヒドロキシ；アシルオキシ；置換アシルオキシ；ヒドロキシもしくは低級アルコキシで置換されていてもよい低級アルキル；アリ−ル、アミノ、保護されたアミノ、アシル、ヒドロキシ、シアノもしくは低級アルキルチオで置換されていてもよい低級アルコキシ；ニトロ；アミノ；アシル；置換アシル；またはシクロ低級アルキルオキシであり；
Ｒ４はヒドロキシ；ハロゲン；ニトロ；アミノ；保護されたアミノ；低級アルキルアミノ；アシルオキシ；アミノ低級アルキルアミノ；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルアミノ；ヒドロキシ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル、置換アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、保護されたアミノ、複素環基もしくはグアニジノで置換されていてもよい低級アルコキシ；アシル、置換アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、ヒドロキシ、低級アルキルスルホニルオキシ、アリ−ルスルホニルオキシ、アル低級アルコキシもしくは置換アル低級アルコキシで置換されていてもよい低級アルキルチオ；アシル、置換アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、ヒドロキシ、低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換された低級アルキル；アシルで置換されていてもよい低級アルケニル；ヒドロキシ、アミノ、保護されたアミノ、低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換されていてもよい低級アルキニル；アミノ低級アルキルスルホニル；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルスルホニル；低級アルキルアミノスルホニル；複素環スルホニル；アミノ低級アルキルスルフィニル；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルスルフィニル；ピペリジルオキシ；またはＮ−保護されたピペリジルオキシであり；
Ｒ５は水素、低級アルキル、低級アルコキシまたはハロゲンであり；
Ａは単結合、ＯまたはＮＨであり；
Ｅは低級アルキレン、低級アルケニレン、−ＣＯ−、−ＳＯ２−または式
−Ｇ−Ｊ−
〔ここに、Ｇは低級アルキレンであり、ＪはＯまたは−Ｎ（Ｒ６）−（ここに、Ｒ６は水素またはＮ−保護基である）である〕の基であり；
Ｘは−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−またはＳであり；
ＹはＣＨまたはＮである〕
の化合物およびその医薬として許容される塩。
【請求項２】
Ｒ１が、アシルアミノもしくはアシルで置換されていてもよい低級アルコキシで置換されていてもよいアリ−ルであり；
Ｒ２が低級アルキルであり；
Ｒ３が水素、低級アルキルまたは低級アルコキシであり；
Ｒ４がヒドロキシまたは各々にヒドロキシ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、保護されたアミノもしくは複素環基で置換されていてもよい低級アルコキシ、低級アルキルチオまたは低級アルキルであり；
Ｒ５が水素、低級アルキル、低級アルコキシまたはハロゲンであり；
ＡがＮＨであり；
Ｅが−ＣＯ−であり；
Ｘが−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
ＹがＣＨである
請求項１の化合物。
【請求項３】
Ｒ１が、各々にアシルで置換された低級アルコキシで置換されているフェニルまたはトリルであり；
Ｒ３が低級アルコキシまたは低級アルキルであり；
Ｒ４が、各々にアミノもしくはヒドロキシで置換されている低級アルコキシ、低級アルキルチオまたは低級アルキルである
請求項２の化合物。
【請求項４】
Ｒ１が、各々にＮ−低級アルキルピペラジニルカルボニルで置換された低級アルコキシで置換されているフェニルまたはトリルであり；
Ｒ３が低級アルコキシであり；
Ｒ４がアミノで置換されている低級アルコキシであり；
Ｒ５が水素である
請求項３の化合物。
【請求項５】
式
〔式中、
Ｒ１はアリ−ル、シクロ低級アルキルまたは複素環基であり、それらの各々は、ハロゲン；ヒドロキシ；ニトロ；アミノ；アシル；置換アシル；アシル低級アルキルスルフィニル；アシル低級アルキルスルホニル；アシルオキシ；低級アルキルアミノ低級アルキルカルバモイルオキシ；アリ−ル；シアノ；複素環基；アシル、置換アシル、アリ−ルもしくはアシル置換アリ−ルで置換されていてもよい低級アルケニル；アミノ、アシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換されていてもよい低級アルキニル；ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、ヒドロキシ、アシルオキシ、アシル低級アルカノイルオキシ、アシル、置換アシル、アシル低級アルコキシイミノ、アリ−ルもしくはアシル置換アリ−ルで置換されていてもよい低級アルキル；アシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルキルチオ；アリ−ル、置換アリ−ル、ヒドロキシ、アシルオキシ、アミノ、低級アルキルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、アシル置換ピリジル、置換アシル置換ピリジル、ハロゲン、アシル低級アルキルアミノ、Ｎ−保護されたアシル低級アルキルアミノ、Ｎ−アシル低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノ、アシル、置換アシル、アシルアミノ、置換アシルアミノ、低級アルキルヒドラジノカルボニルアミノ、ヒドロキシイミノ、アシル低級アルコキシイミノ、置換アシル低級アルコキシイミノ、アシル低級アルコキシ、グアニジノもしくはＮ−保護されたグアニジノで置換されていてもよいアルコキシ；および、アシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルケニルオキシからなる群から選ばれた置換基で置換されていてもよく；
Ｒ２は水素；ヒドロキシ、アリ−ルもしくはアシルで置換されていてもよい低級アルキル；またはシクロ低級アルキルであり；
Ｒ３は水素；ハロゲン；ヒドロキシ；アシルオキシ；置換アシルオキシ；ヒドロキシもしくは低級アルコキシで置換されていてもよい低級アルキル；アリ−ル、アミノ、保護されたアミノ、アシル、ヒドロキシ、シアノもしくは低級アルキルチオで置換されていてもよい低級アルコキシ；ニトロ；アミノ；アシル；置換アシル；またはシクロ低級アルキルオキシであり；
Ｒ４はヒドロキシ；ハロゲン；ニトロ；アミノ；保護されたアミノ；低級アルキルアミノ；アシルオキシ；アミノ低級アルキルアミノ；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルアミノ；ヒドロキシ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル、置換アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、保護されたアミノ、複素環基もしくはグアニジノで置換されていてもよい低級アルコキシ；アシル、置換アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、ヒドロキシ、低級アルキルスルホニルオキシ、アリ−ルスルホニルオキシ、アル低級アルコキシもしくは置換アル低級アルコキシで置換されていてもよい低級アルキルチオ；アシル、置換アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、ヒドロキシ、低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換された低級アルキル；アシルで置換されていてもよい低級アルケニル；ヒドロキシ、アミノ、保護されたアミノ、低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換されていてもよい低級アルキニル；アミノ低級アルキルスルホニル；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルスルホニル；低級アルキルアミノスルホニル；複素環スルホニル；アミノ低級アルキルスルフィニル；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルスルフィニル；ピペリジルオキシ；またはＮ−保護されたピペリジルオキシであり；
Ｒ５は水素、低級アルキル、低級アルコキシまたはハロゲンであり；
Ａは単結合、ＯまたはＮＨであり；
Ｅは低級アルキレン、低級アルケニレン、−ＣＯ−、−ＳＯ２−または式
−Ｇ−Ｊ−
〔ここに、Ｇは低級アルキレンであり、ＪはＯまたは−Ｎ（Ｒ６）−（ここに、Ｒ６は水素またはＮ−保護基である）である〕の基であり；
Ｘは−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−またはＳであり；
ＹはＣＨまたはＮである〕
の化合物またはその医薬として許容される塩の製造法であって、
１）式
の化合物またはその塩を式
の化合物またはそのカルボキシ基またはスルホ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｅａは−ＣＯ−または−ＳＯ２−である〕、または、
２）式
の化合物またはその塩を式
の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りである〕、または、
３）式
の化合物またはその塩を脱エステル反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ａは、各々に、エステル化されたカルボキシ；エステル化されたカルボキシもしくはエステル化されたカルボキシ置換アリ−ルで置換された低級アルケニル；エステル化されたカルボキシ、エステル化されたカルボキシ低級アルカノイルオキシもしくはエステル化されたカルボキシ低級アルコキシイミノで置換された低級アルキル；エステル化されたカルボキシで置換された低級アルキルチオ；エステル化されたカルボキシ置換アリ−ル、エステル化されたカルボキシ置換ピリジル、エステル化されたカルボキシ低級アルキルアミノ、Ｎ−保護されたエステル化されたカルボキシ低級アルキルアミノ、Ｎ−エステル化されたカルボキシ低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノ、エステル化されたカルボキシもしくはエステル化されたカルボキシ低級アルコキシイミノで置換されたアルコキシ；もしくはエステル化されたカルボキシで置換された低級アルケニルオキシ；で置換されているアリ−ル、ハロアリ−ル、シクロ低級アルキルもしくは複素環基であり；
Ｒ１ｂは、各々に、カルボキシ；カルボキシで置換された低級アルケニル；カルボキシもしくはカルボキシ置換アリ−ル、カルボキシ低級アルカノイルオキシもしくはカルボキシ低級アルコキシイミノで置換された低級アルキル；カルボキシで置換された低級アルキルチオ；カルボキシ置換アリ−ル、カルボキシ置換ピリジル、カルボキシ低級アルキルアミノ、Ｎ−保護されたカルボキシ低級アルキルアミノ、Ｎ−カルボキシ低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノ、カルボキシもしくはカルボキシ低級アルコキシイミノで置換されたアルコキシ；もしくはカルボキシで置換された低級アルケニルオキシ；で置換されているアリ−ル、ハロアリ−ル、シクロ低級アルキルもしくは複素環基である〕、または、
４）式
の化合物またはその塩を脱エステル反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ａは、エステル化されたカルボキシで置換された低級アルコキシ；エステル化されたカルボキシで置換された低級アルキルチオ；エステル化されたカルボキシで置換された低級アルキル；または、エステル化されたカルボキシで置換された低級アルケニルであり；
Ｒ４ｂは、カルボキシで置換された低級アルコキシ；カルボキシで置換された低級アルキルチオ；カルボキシで置換された低級アルキル；または、カルボキシで置換された低級アルケニルである〕、または、
５）式
の化合物またはその塩をＮ−保護基脱離反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｃは保護されたアミノ；Ｎ−保護されたピペリジルオキシ；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルアミノ；保護されたアミノで置換された低級アルコキシ；保護されたアミノで置換された低級アルキルチオ；保護されたアミノで置換された低級アルキル；保護されたアミノで置換された低級アルキニル；または、Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルスルホニルであり；
Ｒ４ｄはアミノ；ピペリジルオキシ；アミノ低級アルキルアミノ；アミノで置換された低級アルコキシ；アミノで置換された低級アルキルチオ；アミノで置換された低級アルキル；アミノで置換された低級アルキニル；またはアミノ低級アルキルスルホニルである〕、または、
６）式
の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩をアミンまたはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１ｂ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｃは、各々に、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル；カルバモイル；置換または無置換低級アルキルカルバモイル；置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル、カルバモイル、置換または無置換低級アルキルカルバモイルもしくはＮ−含有複素環カルボニル置換アリ−ルで置換された低級アルケニル；置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル、カルバモイル、置換または無置換低級アルキルカルバモイル、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル低級アルカノイルオキシ、カルバモイル低級アルカノイルオキシ、置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルカノイルオキシ、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル低級アルコキシイミノ、カルバモイル低級アルコキシイミノもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルコキシイミノで置換された低級アルキル；置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル、カルバモイルもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイルで置換された低級アルキルチオ；置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル置換アリ−ル、カルバモイル置換アリ−ル、置換または無置換低級アルキルカルバモイル置換アリ−ル、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル置換ピリジル、カルバモイル置換ピリジル、置換または無置換低級アルキルカルバモイル置換ピリジル、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル低級アルキルアミノ、カルバモイル低級アルキルアミノ、置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルキルアミノ、Ｎ−保護された（置換または無置換Ｎ−含有複素環）カルボニル低級アルキルアミノ、Ｎ−保護されたカルバモイル低級アルキルアミノ、Ｎ−保護された置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルキルアミノ、Ｎ−（置換または無置換Ｎ−含有複素環）カルボニル低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノ、Ｎ−カルバモイル低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノ、置換または無置換Ｎ−低級アルキルカルバモイル−Ｎ−低級アルキルアミノ、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル、カルバモイル、置換または無置換低級アルキルカルバモイル、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル低級アルコキシイミノ、カルバモイル低級アルコキシイミノもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルコキシイミノで置換されたアルコキシ；もしくは、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル、カルバモイルもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイルで置換された低級アルケニルオキシ；で置換されているアリ−ル、ハロアリ−ル、シクロ低級アルキルもしくは複素環基である〕、または、
７）式
の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩をアミンまたはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ｂ、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｅは、各々に、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル、カルバモイルもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイルで置換されている低級アルコキシ、低級アルキルチオ、低級アルキルもしくは低級アルケニルである〕、または、
８）式
の化合物またはその塩を脱ベンジル反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｆは、アリ−ルもしくは置換アリ−ルで置換されたメトキシ；または、アリ−ルもしくは置換アリ−ルで置換されたメトキシで置換されている低級アルキルチオであり；
Ｒ４ｇは、ヒドロキシ；またはヒドロキシで置換された低級アルキルチオである〕、または、
９）式
の化合物またはその塩を式
Ｚ１−Ｒ７ （ＶＩ）
の化合物またはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｇａはヒドロキシであり；
Ｒ７は、ヒドロキシ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、保護されたアミノもしくは複素環基で置換されていてもよい低級アルキル；またはＮ−保護されたピペリジルであり；
Ｚ１はヒドロキシ；または酸残基であり；
Ｒ４ｈは、ヒドロキシ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、保護されたアミノもしくは複素環基で置換された低級アルコキシ；またはＮ−保護されたピペリジルオキシである〕、または、
１０）式
の化合物またはその塩をアシル化剤と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｄａはアミノで置換された低級アルコキシ；アミノで置換された低級アルキルチオ；またはアミノで置換された低級アルキルであり；
Ｒ４ｉは、アシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換された低級アルコキシ；アシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換された低級アルキルチオ；またはアシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換された低級アルキルである〕、または、
１１）式
の化合物またはその塩を、還元剤の存在下に、低級アルカナ−ルまたはＮ−保護されたアミノ低級アルカナ−ルと反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｄｂはアミノ；アミノで置換された低級アルコキシ；アミノで置換された低級アルキルチオ；またはアミノで置換された低級アルキルであり；
Ｒ４ｊは低級アルキルアミノで置換された低級アルコキシ；低級アルキルアミノで置換された低級アルキルチオ；低級アルキルアミノで置換された低級アルキル；低級アルキルアミノ；またはＮ−保護されたアミノ低級アルキルアミノである〕、または、
１２）式
の化合物またはその塩を還元に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りである〕、または、
１３）式
の化合物またはその塩を脱アシル反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｋはアシルオキシである〕、または、
１４）式
の化合物またはその塩を式
の化合物またはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｚ２は酸残基であり、
Ｅｂは低級アルキレンである〕、または、
１５）式
の化合物またはその塩を酸化剤と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｌは、アミノもしくは保護されたアミノで置換された低級アルキルチオであり；
Ｒ４ｍは、アミノもしくは保護されたアミノで置換された低級アルキルスルフィニルまたはアミノもしくは保護されたアミノで置換された低級アルキルスルホニルである〕、または、
１６）式
の化合物またはその塩を接触還元に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅｂ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｅｃは低級アルケニレンである〕、または、
１７）式
の化合物またはその塩を脱ベンジル反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｄは、アリ−ルもしくは置換アリ−ルで置換されたメトキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｅは、ヒドロキシで置換されたアリ−ルである〕、または、
１８）式
の化合物またはその塩を式
Ｚ３−Ｒ８ （ＩＸ）
の化合物またはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１ｅ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｚ３はヒドロキシまたは酸残基であり、
Ｒ８は、アシル、アシルアミノ、保護されたアミノ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル置換ピリジルもしくはＮ−保護されたグアニジノで置換されていてもよい低級アルキルであり；
Ｒ１ｆは、アシル、アシルアミノ、保護されたアミノ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル置換ピリジルもしくはＮ−保護されたグアニジノで置換されていてもよい低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
１９）式
の化合物またはその塩をヒドロキシ保護基脱離反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ３ａはアリ−ルで置換されたメトキシ；アシルオキシ；または置換アシルオキシである〕、または、
２０）式
の化合物またはその塩を式
Ｚ４−Ｒ９ （Ｘ）
の化合物またはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｚ４は酸残基であり、
Ｒ９は、エステル化されたカルボキシで置換されていてもよい低級アルキルであり、
Ｒ３ｂは、エステル化されたカルボキシで置換されていてもよい低級アルコキシである〕、または、
２１）式
の化合物またはその塩を脱エステル反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ３ｃはエステル化されたカルボキシで置換された低級アルコキシであり、
Ｒ３ｄはカルボキシで置換された低級アルコキシである〕、または、
２２）式
の化合物またはその塩を、パラジウム化合物、銅化合物の存在下に、アルキン化合物と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｎはハロゲンであり、
Ｒ４ｏは、ヒドロキシ、アミノ、保護されたアミノ、低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換されていてもよい低級アルキニルである〕、または、
２３）式
の化合物またはその塩を式
Ｚ５−Ｒ１０ （ＸＩ）
の化合物と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｐは、各々にヒドロキシで置換されている低級アルキルチオ、低級アルキルもしくは低級アルキニルであり、
Ｚ５はハロゲンであり、
Ｒ１０は低級アルキルスルホニルまたはアリ−ルスルホニルであり、
Ｒ４ｑは、各々に低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換されている低級アルキルチオ、低級アルキルもしくは低級アルキニルである〕、または、
２４）式
の化合物またはその塩をアルカリ金属フタルイミドと反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ｑ、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｒは、各々にフタルイミドで置換された低級アルキルチオ、低級アルキルもしくは低級アルキニルである〕、または、
２５）式
の化合物またはその塩を還元剤と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ｏ、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｓは、ヒドロキシ、アミノ、保護されたアミノ、低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換されていてもよい低級アルキルである〕、または、
２６）式
の化合物またはその塩を式
の化合物またはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｅｄは単結合または低級アルキレンである〕、または、
２７）式
の化合物またはその塩を、塩基の存在下に、式
Ｚ６−Ｒ２ａ （ＸＩＩＩ）
の化合物と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｇ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｚ６は酸残基であり、
Ｒ２ａは、アリ−ルもしくはアシルで置換されていてもよい低級アルキルである〕、または、
２８）式
の化合物またはその塩をアシル化剤と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｇはアミノで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｈは、アシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
２９）式
の化合物またはその塩を還元剤と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｉは、オキソピペリジルカルボニルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｊは、ヒドロキシピペリジルカルボニルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３０）式
の化合物またはその塩を、還元剤の存在下に、アミン化合物またはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｋは、ホルミルもしくはオキソピペリジルカルボニルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｌは、アミノピペリジルカルボニルもしくはＮ−低級アルキルピペラジニルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３１）式
の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩を低級アルキルアミノ低級アルカノ−ルと反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｍは、カルボキシで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｎは、低級アルキルアミノ低級アルコキシカルボニルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３２）式
の化合物またはその塩を還元剤と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｏは、エステル化されたカルボキシで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｐは、ヒドロキシで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３３）式
の化合物またはその塩を酸化反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１ｐ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｑは、ホルミルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３４）式
の化合物またはその塩をアジド化合物と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｒは、シアノ置換アリ−ルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｓは、テトラゾリル置換アリ−ルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３５）式
の化合物またはその塩をイソ尿素化合物と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｔは、アミノで置換された低級アルコキシであり、
Ｒ４ｕは、グアニジノで置換された低級アルコキシである〕、または、
３６）式
の化合物またはその塩をＮ−保護基脱離反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｔは、保護されたアミノ、Ｎ−保護されたアミノ低級アルカノイルアミノ、Ｎ−保護されたピペラジニルカルボニルもしくはＮ−保護されたグアニジノで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり；
Ｒ１ｕは、アミノ、アミノ低級アルカノイルアミノ、ピペラジニルカルボニルもしくはグアニジノで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３７）式
の化合物またはその塩をＮ−低級アルキルピペラジン、ジメチルアミノピペリジン、アンモニアまたはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドと反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｖは、フェノキシカルボニルアミノで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｗは、Ｎ−低級アルキルピペラジノカルボニルアミノ、ジメチルアミノピペリジリルカルボニルアミノ、カルバモイルアミノもしくはジメチルカルバモイルアミノで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３８）式
の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩をヒドロキシ化合物またはジアゾ化合物と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ｃ、Ｒ３ｄ、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りである〕、または、
３９）式
の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩をアミンと反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ｄ、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ３ｅは、低級アルキルで置換されていてもよいカルバモイルで置換された低級アルコキシである〕
を特徴とする前記製造法。
【請求項６】
有効成分として請求項１の化合物と製薬上許容される実質的に無毒性の担体または賦形剤とを含有することを特徴とする医薬組成物。
【請求項７】
医薬として使用するための請求項１の化合物。
【請求項８】
ヒトまたは動物に請求項１の化合物の有効量を投与することを特徴とする、高血圧、心不全、腎不全、浮腫、腹水、バソプレッシン分泌異常症候群、肝硬変、低ナトリウム血症、低カリウム血症、糖尿病、循環障害、脳血管障害、メニエ−ル症候群または乗物酔いを治療および／または予防する方法。
【請求項９】
ヒトまたは動物における高血圧、心不全、腎不全、浮腫、腹水、バソプレッシン分泌異常症候群、肝硬変、低ナトリウム血症、低カリウム血症、糖尿病、循環障害、脳血管障害、メニエ−ル症候群または乗物酔いを治療および／または予防するための医薬品の製造のための請求項１の化合物の使用。
【請求項１】
式
〔式中、
Ｒ１はアリ−ル、シクロ低級アルキルまたは複素環基であり、それらの各々は、ハロゲン；ヒドロキシ；ニトロ；アミノ；アシル；置換アシル；アシル低級アルキルスルフィニル；アシル低級アルキルスルホニル；アシルオキシ；低級アルキルアミノ低級アルキルカルバモイルオキシ；アリ−ル；シアノ；複素環基；アシル、置換アシル、アリ−ルもしくはアシル置換アリ−ルで置換されていてもよい低級アルケニル；アミノ、アシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換されていてもよい低級アルキニル；ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、ヒドロキシ、アシルオキシ、アシル低級アルカノイルオキシ、アシル、置換アシル、アシル低級アルコキシイミノ、アリ−ルもしくはアシル置換アリ−ルで置換されていてもよい低級アルキル；アシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルキルチオ；アリ−ル、置換アリ−ル、ヒドロキシ、アシルオキシ、アミノ、低級アルキルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、アシル置換ピリジル、置換アシル置換ピリジル、ハロゲン、アシル低級アルキルアミノ、Ｎ−保護されたアシル低級アルキルアミノ、Ｎ−アシル低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノ、アシル、置換アシル、アシルアミノ、置換アシルアミノ、低級アルキルヒドラジノカルボニルアミノ、ヒドロキシイミノ、アシル低級アルコキシイミノ、置換アシル低級アルコキシイミノ、アシル低級アルコキシ、グアニジノもしくはＮ−保護されたグアニジノで置換されていてもよいアルコキシ；および、アシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルケニルオキシからなる群から選ばれた置換基で置換されていてもよく；
Ｒ２は水素；ヒドロキシ、アリ−ルもしくはアシルで置換されていてもよい低級アルキル；またはシクロ低級アルキルであり；
Ｒ３は水素；ハロゲン；ヒドロキシ；アシルオキシ；置換アシルオキシ；ヒドロキシもしくは低級アルコキシで置換されていてもよい低級アルキル；アリ−ル、アミノ、保護されたアミノ、アシル、ヒドロキシ、シアノもしくは低級アルキルチオで置換されていてもよい低級アルコキシ；ニトロ；アミノ；アシル；置換アシル；またはシクロ低級アルキルオキシであり；
Ｒ４はヒドロキシ；ハロゲン；ニトロ；アミノ；保護されたアミノ；低級アルキルアミノ；アシルオキシ；アミノ低級アルキルアミノ；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルアミノ；ヒドロキシ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル、置換アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、保護されたアミノ、複素環基もしくはグアニジノで置換されていてもよい低級アルコキシ；アシル、置換アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、ヒドロキシ、低級アルキルスルホニルオキシ、アリ−ルスルホニルオキシ、アル低級アルコキシもしくは置換アル低級アルコキシで置換されていてもよい低級アルキルチオ；アシル、置換アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、ヒドロキシ、低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換された低級アルキル；アシルで置換されていてもよい低級アルケニル；ヒドロキシ、アミノ、保護されたアミノ、低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換されていてもよい低級アルキニル；アミノ低級アルキルスルホニル；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルスルホニル；低級アルキルアミノスルホニル；複素環スルホニル；アミノ低級アルキルスルフィニル；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルスルフィニル；ピペリジルオキシ；またはＮ−保護されたピペリジルオキシであり；
Ｒ５は水素、低級アルキル、低級アルコキシまたはハロゲンであり；
Ａは単結合、ＯまたはＮＨであり；
Ｅは低級アルキレン、低級アルケニレン、−ＣＯ−、−ＳＯ２−または式
−Ｇ−Ｊ−
〔ここに、Ｇは低級アルキレンであり、ＪはＯまたは−Ｎ（Ｒ６）−（ここに、Ｒ６は水素またはＮ−保護基である）である〕の基であり；
Ｘは−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−またはＳであり；
ＹはＣＨまたはＮである〕
の化合物およびその医薬として許容される塩。
【請求項２】
Ｒ１が、アシルアミノもしくはアシルで置換されていてもよい低級アルコキシで置換されていてもよいアリ−ルであり；
Ｒ２が低級アルキルであり；
Ｒ３が水素、低級アルキルまたは低級アルコキシであり；
Ｒ４がヒドロキシまたは各々にヒドロキシ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、保護されたアミノもしくは複素環基で置換されていてもよい低級アルコキシ、低級アルキルチオまたは低級アルキルであり；
Ｒ５が水素、低級アルキル、低級アルコキシまたはハロゲンであり；
ＡがＮＨであり；
Ｅが−ＣＯ−であり；
Ｘが−ＣＨ＝ＣＨ−であり；
ＹがＣＨである
請求項１の化合物。
【請求項３】
Ｒ１が、各々にアシルで置換された低級アルコキシで置換されているフェニルまたはトリルであり；
Ｒ３が低級アルコキシまたは低級アルキルであり；
Ｒ４が、各々にアミノもしくはヒドロキシで置換されている低級アルコキシ、低級アルキルチオまたは低級アルキルである
請求項２の化合物。
【請求項４】
Ｒ１が、各々にＮ−低級アルキルピペラジニルカルボニルで置換された低級アルコキシで置換されているフェニルまたはトリルであり；
Ｒ３が低級アルコキシであり；
Ｒ４がアミノで置換されている低級アルコキシであり；
Ｒ５が水素である
請求項３の化合物。
【請求項５】
式
〔式中、
Ｒ１はアリ−ル、シクロ低級アルキルまたは複素環基であり、それらの各々は、ハロゲン；ヒドロキシ；ニトロ；アミノ；アシル；置換アシル；アシル低級アルキルスルフィニル；アシル低級アルキルスルホニル；アシルオキシ；低級アルキルアミノ低級アルキルカルバモイルオキシ；アリ−ル；シアノ；複素環基；アシル、置換アシル、アリ−ルもしくはアシル置換アリ−ルで置換されていてもよい低級アルケニル；アミノ、アシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換されていてもよい低級アルキニル；ハロゲン、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、ヒドロキシ、アシルオキシ、アシル低級アルカノイルオキシ、アシル、置換アシル、アシル低級アルコキシイミノ、アリ−ルもしくはアシル置換アリ−ルで置換されていてもよい低級アルキル；アシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルキルチオ；アリ−ル、置換アリ−ル、ヒドロキシ、アシルオキシ、アミノ、低級アルキルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、アシル置換ピリジル、置換アシル置換ピリジル、ハロゲン、アシル低級アルキルアミノ、Ｎ−保護されたアシル低級アルキルアミノ、Ｎ−アシル低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノ、アシル、置換アシル、アシルアミノ、置換アシルアミノ、低級アルキルヒドラジノカルボニルアミノ、ヒドロキシイミノ、アシル低級アルコキシイミノ、置換アシル低級アルコキシイミノ、アシル低級アルコキシ、グアニジノもしくはＮ−保護されたグアニジノで置換されていてもよいアルコキシ；および、アシルもしくは置換アシルで置換されていてもよい低級アルケニルオキシからなる群から選ばれた置換基で置換されていてもよく；
Ｒ２は水素；ヒドロキシ、アリ−ルもしくはアシルで置換されていてもよい低級アルキル；またはシクロ低級アルキルであり；
Ｒ３は水素；ハロゲン；ヒドロキシ；アシルオキシ；置換アシルオキシ；ヒドロキシもしくは低級アルコキシで置換されていてもよい低級アルキル；アリ−ル、アミノ、保護されたアミノ、アシル、ヒドロキシ、シアノもしくは低級アルキルチオで置換されていてもよい低級アルコキシ；ニトロ；アミノ；アシル；置換アシル；またはシクロ低級アルキルオキシであり；
Ｒ４はヒドロキシ；ハロゲン；ニトロ；アミノ；保護されたアミノ；低級アルキルアミノ；アシルオキシ；アミノ低級アルキルアミノ；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルアミノ；ヒドロキシ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル、置換アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、保護されたアミノ、複素環基もしくはグアニジノで置換されていてもよい低級アルコキシ；アシル、置換アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、ヒドロキシ、低級アルキルスルホニルオキシ、アリ−ルスルホニルオキシ、アル低級アルコキシもしくは置換アル低級アルコキシで置換されていてもよい低級アルキルチオ；アシル、置換アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、置換アシルアミノ、保護されたアミノ、複素環基、ヒドロキシ、低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換された低級アルキル；アシルで置換されていてもよい低級アルケニル；ヒドロキシ、アミノ、保護されたアミノ、低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換されていてもよい低級アルキニル；アミノ低級アルキルスルホニル；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルスルホニル；低級アルキルアミノスルホニル；複素環スルホニル；アミノ低級アルキルスルフィニル；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルスルフィニル；ピペリジルオキシ；またはＮ−保護されたピペリジルオキシであり；
Ｒ５は水素、低級アルキル、低級アルコキシまたはハロゲンであり；
Ａは単結合、ＯまたはＮＨであり；
Ｅは低級アルキレン、低級アルケニレン、−ＣＯ−、−ＳＯ２−または式
−Ｇ−Ｊ−
〔ここに、Ｇは低級アルキレンであり、ＪはＯまたは−Ｎ（Ｒ６）−（ここに、Ｒ６は水素またはＮ−保護基である）である〕の基であり；
Ｘは−ＣＨ＝ＣＨ−、−ＣＨ＝Ｎ−またはＳであり；
ＹはＣＨまたはＮである〕
の化合物またはその医薬として許容される塩の製造法であって、
１）式
の化合物またはその塩を式
の化合物またはそのカルボキシ基またはスルホ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｅａは−ＣＯ−または−ＳＯ２−である〕、または、
２）式
の化合物またはその塩を式
の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りである〕、または、
３）式
の化合物またはその塩を脱エステル反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ａは、各々に、エステル化されたカルボキシ；エステル化されたカルボキシもしくはエステル化されたカルボキシ置換アリ−ルで置換された低級アルケニル；エステル化されたカルボキシ、エステル化されたカルボキシ低級アルカノイルオキシもしくはエステル化されたカルボキシ低級アルコキシイミノで置換された低級アルキル；エステル化されたカルボキシで置換された低級アルキルチオ；エステル化されたカルボキシ置換アリ−ル、エステル化されたカルボキシ置換ピリジル、エステル化されたカルボキシ低級アルキルアミノ、Ｎ−保護されたエステル化されたカルボキシ低級アルキルアミノ、Ｎ−エステル化されたカルボキシ低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノ、エステル化されたカルボキシもしくはエステル化されたカルボキシ低級アルコキシイミノで置換されたアルコキシ；もしくはエステル化されたカルボキシで置換された低級アルケニルオキシ；で置換されているアリ−ル、ハロアリ−ル、シクロ低級アルキルもしくは複素環基であり；
Ｒ１ｂは、各々に、カルボキシ；カルボキシで置換された低級アルケニル；カルボキシもしくはカルボキシ置換アリ−ル、カルボキシ低級アルカノイルオキシもしくはカルボキシ低級アルコキシイミノで置換された低級アルキル；カルボキシで置換された低級アルキルチオ；カルボキシ置換アリ−ル、カルボキシ置換ピリジル、カルボキシ低級アルキルアミノ、Ｎ−保護されたカルボキシ低級アルキルアミノ、Ｎ−カルボキシ低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノ、カルボキシもしくはカルボキシ低級アルコキシイミノで置換されたアルコキシ；もしくはカルボキシで置換された低級アルケニルオキシ；で置換されているアリ−ル、ハロアリ−ル、シクロ低級アルキルもしくは複素環基である〕、または、
４）式
の化合物またはその塩を脱エステル反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ａは、エステル化されたカルボキシで置換された低級アルコキシ；エステル化されたカルボキシで置換された低級アルキルチオ；エステル化されたカルボキシで置換された低級アルキル；または、エステル化されたカルボキシで置換された低級アルケニルであり；
Ｒ４ｂは、カルボキシで置換された低級アルコキシ；カルボキシで置換された低級アルキルチオ；カルボキシで置換された低級アルキル；または、カルボキシで置換された低級アルケニルである〕、または、
５）式
の化合物またはその塩をＮ−保護基脱離反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｃは保護されたアミノ；Ｎ−保護されたピペリジルオキシ；Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルアミノ；保護されたアミノで置換された低級アルコキシ；保護されたアミノで置換された低級アルキルチオ；保護されたアミノで置換された低級アルキル；保護されたアミノで置換された低級アルキニル；または、Ｎ−保護されたアミノ低級アルキルスルホニルであり；
Ｒ４ｄはアミノ；ピペリジルオキシ；アミノ低級アルキルアミノ；アミノで置換された低級アルコキシ；アミノで置換された低級アルキルチオ；アミノで置換された低級アルキル；アミノで置換された低級アルキニル；またはアミノ低級アルキルスルホニルである〕、または、
６）式
の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩をアミンまたはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１ｂ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｃは、各々に、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル；カルバモイル；置換または無置換低級アルキルカルバモイル；置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル、カルバモイル、置換または無置換低級アルキルカルバモイルもしくはＮ−含有複素環カルボニル置換アリ−ルで置換された低級アルケニル；置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル、カルバモイル、置換または無置換低級アルキルカルバモイル、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル低級アルカノイルオキシ、カルバモイル低級アルカノイルオキシ、置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルカノイルオキシ、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル低級アルコキシイミノ、カルバモイル低級アルコキシイミノもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルコキシイミノで置換された低級アルキル；置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル、カルバモイルもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイルで置換された低級アルキルチオ；置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル置換アリ−ル、カルバモイル置換アリ−ル、置換または無置換低級アルキルカルバモイル置換アリ−ル、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル置換ピリジル、カルバモイル置換ピリジル、置換または無置換低級アルキルカルバモイル置換ピリジル、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル低級アルキルアミノ、カルバモイル低級アルキルアミノ、置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルキルアミノ、Ｎ−保護された（置換または無置換Ｎ−含有複素環）カルボニル低級アルキルアミノ、Ｎ−保護されたカルバモイル低級アルキルアミノ、Ｎ−保護された置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルキルアミノ、Ｎ−（置換または無置換Ｎ−含有複素環）カルボニル低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノ、Ｎ−カルバモイル低級アルキル−Ｎ−低級アルキルアミノ、置換または無置換Ｎ−低級アルキルカルバモイル−Ｎ−低級アルキルアミノ、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル、カルバモイル、置換または無置換低級アルキルカルバモイル、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル低級アルコキシイミノ、カルバモイル低級アルコキシイミノもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイル低級アルコキシイミノで置換されたアルコキシ；もしくは、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル、カルバモイルもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイルで置換された低級アルケニルオキシ；で置換されているアリ−ル、ハロアリ−ル、シクロ低級アルキルもしくは複素環基である〕、または、
７）式
の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩をアミンまたはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ｂ、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｅは、各々に、置換または無置換Ｎ−含有複素環カルボニル、カルバモイルもしくは置換または無置換低級アルキルカルバモイルで置換されている低級アルコキシ、低級アルキルチオ、低級アルキルもしくは低級アルケニルである〕、または、
８）式
の化合物またはその塩を脱ベンジル反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｆは、アリ−ルもしくは置換アリ−ルで置換されたメトキシ；または、アリ−ルもしくは置換アリ−ルで置換されたメトキシで置換されている低級アルキルチオであり；
Ｒ４ｇは、ヒドロキシ；またはヒドロキシで置換された低級アルキルチオである〕、または、
９）式
の化合物またはその塩を式
Ｚ１−Ｒ７ （ＶＩ）
の化合物またはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｇａはヒドロキシであり；
Ｒ７は、ヒドロキシ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、保護されたアミノもしくは複素環基で置換されていてもよい低級アルキル；またはＮ−保護されたピペリジルであり；
Ｚ１はヒドロキシ；または酸残基であり；
Ｒ４ｈは、ヒドロキシ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル、アミノ、低級アルキルアミノ、アシルアミノ、保護されたアミノもしくは複素環基で置換された低級アルコキシ；またはＮ−保護されたピペリジルオキシである〕、または、
１０）式
の化合物またはその塩をアシル化剤と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｄａはアミノで置換された低級アルコキシ；アミノで置換された低級アルキルチオ；またはアミノで置換された低級アルキルであり；
Ｒ４ｉは、アシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換された低級アルコキシ；アシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換された低級アルキルチオ；またはアシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換された低級アルキルである〕、または、
１１）式
の化合物またはその塩を、還元剤の存在下に、低級アルカナ−ルまたはＮ−保護されたアミノ低級アルカナ−ルと反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｄｂはアミノ；アミノで置換された低級アルコキシ；アミノで置換された低級アルキルチオ；またはアミノで置換された低級アルキルであり；
Ｒ４ｊは低級アルキルアミノで置換された低級アルコキシ；低級アルキルアミノで置換された低級アルキルチオ；低級アルキルアミノで置換された低級アルキル；低級アルキルアミノ；またはＮ−保護されたアミノ低級アルキルアミノである〕、または、
１２）式
の化合物またはその塩を還元に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りである〕、または、
１３）式
の化合物またはその塩を脱アシル反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｋはアシルオキシである〕、または、
１４）式
の化合物またはその塩を式
の化合物またはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｚ２は酸残基であり、
Ｅｂは低級アルキレンである〕、または、
１５）式
の化合物またはその塩を酸化剤と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｌは、アミノもしくは保護されたアミノで置換された低級アルキルチオであり；
Ｒ４ｍは、アミノもしくは保護されたアミノで置換された低級アルキルスルフィニルまたはアミノもしくは保護されたアミノで置換された低級アルキルスルホニルである〕、または、
１６）式
の化合物またはその塩を接触還元に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅｂ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｅｃは低級アルケニレンである〕、または、
１７）式
の化合物またはその塩を脱ベンジル反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｄは、アリ−ルもしくは置換アリ−ルで置換されたメトキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｅは、ヒドロキシで置換されたアリ−ルである〕、または、
１８）式
の化合物またはその塩を式
Ｚ３−Ｒ８ （ＩＸ）
の化合物またはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１ｅ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｚ３はヒドロキシまたは酸残基であり、
Ｒ８は、アシル、アシルアミノ、保護されたアミノ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル置換ピリジルもしくはＮ−保護されたグアニジノで置換されていてもよい低級アルキルであり；
Ｒ１ｆは、アシル、アシルアミノ、保護されたアミノ、アリ−ル、置換アリ−ル、アシル置換ピリジルもしくはＮ−保護されたグアニジノで置換されていてもよい低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
１９）式
の化合物またはその塩をヒドロキシ保護基脱離反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ３ａはアリ−ルで置換されたメトキシ；アシルオキシ；または置換アシルオキシである〕、または、
２０）式
の化合物またはその塩を式
Ｚ４−Ｒ９ （Ｘ）
の化合物またはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｚ４は酸残基であり、
Ｒ９は、エステル化されたカルボキシで置換されていてもよい低級アルキルであり、
Ｒ３ｂは、エステル化されたカルボキシで置換されていてもよい低級アルコキシである〕、または、
２１）式
の化合物またはその塩を脱エステル反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ３ｃはエステル化されたカルボキシで置換された低級アルコキシであり、
Ｒ３ｄはカルボキシで置換された低級アルコキシである〕、または、
２２）式
の化合物またはその塩を、パラジウム化合物、銅化合物の存在下に、アルキン化合物と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｎはハロゲンであり、
Ｒ４ｏは、ヒドロキシ、アミノ、保護されたアミノ、低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換されていてもよい低級アルキニルである〕、または、
２３）式
の化合物またはその塩を式
Ｚ５−Ｒ１０ （ＸＩ）
の化合物と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｐは、各々にヒドロキシで置換されている低級アルキルチオ、低級アルキルもしくは低級アルキニルであり、
Ｚ５はハロゲンであり、
Ｒ１０は低級アルキルスルホニルまたはアリ−ルスルホニルであり、
Ｒ４ｑは、各々に低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換されている低級アルキルチオ、低級アルキルもしくは低級アルキニルである〕、または、
２４）式
の化合物またはその塩をアルカリ金属フタルイミドと反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ｑ、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｒは、各々にフタルイミドで置換された低級アルキルチオ、低級アルキルもしくは低級アルキニルである〕、または、
２５）式
の化合物またはその塩を還元剤と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４ｏ、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｓは、ヒドロキシ、アミノ、保護されたアミノ、低級アルキルスルホニルオキシもしくはアリ−ルスルホニルオキシで置換されていてもよい低級アルキルである〕、または、
２６）式
の化合物またはその塩を式
の化合物またはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｅｄは単結合または低級アルキレンである〕、または、
２７）式
の化合物またはその塩を、塩基の存在下に、式
Ｚ６−Ｒ２ａ （ＸＩＩＩ）
の化合物と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ｇ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｚ６は酸残基であり、
Ｒ２ａは、アリ−ルもしくはアシルで置換されていてもよい低級アルキルである〕、または、
２８）式
の化合物またはその塩をアシル化剤と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｇはアミノで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｈは、アシルアミノもしくは置換アシルアミノで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
２９）式
の化合物またはその塩を還元剤と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｉは、オキソピペリジルカルボニルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｊは、ヒドロキシピペリジルカルボニルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３０）式
の化合物またはその塩を、還元剤の存在下に、アミン化合物またはその塩と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｋは、ホルミルもしくはオキソピペリジルカルボニルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｌは、アミノピペリジルカルボニルもしくはＮ−低級アルキルピペラジニルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３１）式
の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩を低級アルキルアミノ低級アルカノ−ルと反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｍは、カルボキシで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｎは、低級アルキルアミノ低級アルコキシカルボニルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３２）式
の化合物またはその塩を還元剤と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｏは、エステル化されたカルボキシで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｐは、ヒドロキシで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３３）式
の化合物またはその塩を酸化反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１ｐ、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｑは、ホルミルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３４）式
の化合物またはその塩をアジド化合物と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｒは、シアノ置換アリ−ルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｓは、テトラゾリル置換アリ−ルで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３５）式
の化合物またはその塩をイソ尿素化合物と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ４ｔは、アミノで置換された低級アルコキシであり、
Ｒ４ｕは、グアニジノで置換された低級アルコキシである〕、または、
３６）式
の化合物またはその塩をＮ−保護基脱離反応に付して、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｔは、保護されたアミノ、Ｎ−保護されたアミノ低級アルカノイルアミノ、Ｎ−保護されたピペラジニルカルボニルもしくはＮ−保護されたグアニジノで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり；
Ｒ１ｕは、アミノ、アミノ低級アルカノイルアミノ、ピペラジニルカルボニルもしくはグアニジノで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３７）式
の化合物またはその塩をＮ−低級アルキルピペラジン、ジメチルアミノピペリジン、アンモニアまたはＮ，Ｎ−ジメチルホルムアミドと反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ２、Ｒ３、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ１ｖは、フェノキシカルボニルアミノで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルであり、
Ｒ１ｗは、Ｎ−低級アルキルピペラジノカルボニルアミノ、ジメチルアミノピペリジリルカルボニルアミノ、カルバモイルアミノもしくはジメチルカルバモイルアミノで置換された低級アルコキシで置換されているアリ−ルである〕、または、
３８）式
の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩をヒドロキシ化合物またはジアゾ化合物と反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ｃ、Ｒ３ｄ、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りである〕、または、
３９）式
の化合物またはそのカルボキシ基における反応性誘導体もしくはそれらの塩をアミンと反応させて、式
の化合物またはその塩を生成させること〔上記式中、Ｒ１、Ｒ２、Ｒ３ｄ、Ｒ４、Ｒ５、Ａ、Ｅ、ＸおよびＹは各々上に定義した通りであり、
Ｒ３ｅは、低級アルキルで置換されていてもよいカルバモイルで置換された低級アルコキシである〕
を特徴とする前記製造法。
【請求項６】
有効成分として請求項１の化合物と製薬上許容される実質的に無毒性の担体または賦形剤とを含有することを特徴とする医薬組成物。
【請求項７】
医薬として使用するための請求項１の化合物。
【請求項８】
ヒトまたは動物に請求項１の化合物の有効量を投与することを特徴とする、高血圧、心不全、腎不全、浮腫、腹水、バソプレッシン分泌異常症候群、肝硬変、低ナトリウム血症、低カリウム血症、糖尿病、循環障害、脳血管障害、メニエ−ル症候群または乗物酔いを治療および／または予防する方法。
【請求項９】
ヒトまたは動物における高血圧、心不全、腎不全、浮腫、腹水、バソプレッシン分泌異常症候群、肝硬変、低ナトリウム血症、低カリウム血症、糖尿病、循環障害、脳血管障害、メニエ−ル症候群または乗物酔いを治療および／または予防するための医薬品の製造のための請求項１の化合物の使用。
【公開番号】特開２００８−７４８５５（Ｐ２００８−７４８５５Ａ）
【公開日】平成２０年４月３日（２００８．４．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−２５９２１３（Ｐ２００７−２５９２１３）
【出願日】平成１９年９月４日（２００７．９．４）
【分割の表示】特願平９−５０２８９６の分割
【原出願日】平成８年６月６日（１９９６．６．６）
【出願人】（０００００６６７７）アステラス製薬株式会社 (274)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年４月３日（２００８．４．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年９月４日（２００７．９．４）
【分割の表示】特願平９−５０２８９６の分割
【原出願日】平成８年６月６日（１９９６．６．６）
【出願人】（０００００６６７７）アステラス製薬株式会社 (274)
【Ｆターム（参考）】
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