バンプ形成用導電性ペースト
【課題】多層配線基板のバンプとして導電性ペーストを用いた際、導電性金属箔への印刷後に樹脂にじみの発生によるランド径周辺の汚染を抑制し、良好なバンプ貫通性を保持できるようなバンプ形状（印刷性）を与えることができる導電性ペーストを提供すること。
【解決手段】
多層基板のバンプ形成に用いられる導電性ペーストであり
（Ａ）常温において固形であるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）導電性フィラー、および（Ｄ）有機溶剤を含む導電性ペーストであって、前記（Ｂ）硬化剤の重量平均分子量が２００以下である成分の割合が７．５重量％未満であり、重量平均分子量が１０００以上である成分の割合が０．０１重量％未満であることを特徴とする導電性ペースト。
【解決手段】
多層基板のバンプ形成に用いられる導電性ペーストであり
（Ａ）常温において固形であるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）導電性フィラー、および（Ｄ）有機溶剤を含む導電性ペーストであって、前記（Ｂ）硬化剤の重量平均分子量が２００以下である成分の割合が７．５重量％未満であり、重量平均分子量が１０００以上である成分の割合が０．０１重量％未満であることを特徴とする導電性ペースト。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層配線基板のバンプを形成するために用いられる導電性ペーストに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化、小型化、軽量化が進む中で、半導体パッケ−ジには小型化、多ピン化、外部端子のファインピッチ化が求められており、またそれらを実装する配線基板の高密度化がより一層求められている。このような高密度化に対し、配線基板も銅箔等の導電性金属箔からなる配線層および熱硬化樹脂とガラスクロスなどの繊維状物からなる絶縁層を多層に積み上げていき、多層化した配線基板を使用するようになっている。通常このような多層配線基板においては各配線層の導通を取るために、スルーホールと呼ばれるドリル加工で孔開けされた貫通した孔を設け、その壁面に銅などの金属メッキを施すまたは導電性ペーストで充填することで各配線層の導通を設けてきたが、より高密度化になると機械的にドリルで孔あけ、壁面をメッキする方法では細線化に限界が生じ、そのため種々の配線方法が提案されてきた。
【０００３】
この中には特許文献１〜５に示されるように導電性ペーストをスクリーンやステンシル印刷などでコア基板や銅箔上印刷し、１５０℃から２００℃で３０〜１２０分程度加熱硬化しバンプを形成した上で、バンプをプリプレグに貫通させて、突き当て側に導電性金属箔を重ね、加圧加熱することで多層基板内の各配線層を導通させるという方法がある。
【０００４】
通常、このような多層配線基板に半導体パッケージや電子部品を搭載する際には半田を用いる。そのため半田を融解するためには、ＩＲリフローなどで２００℃以上に加熱されることとなり、その際各部材は熱により膨張する。このとき導電性確保のために銀などの導電性フィラーを含んだ導電性ペーストにより形成されたバンプは隣接するプリプレグに比べ（特に厚み方向の）熱膨張係数が小さいものとなっている。そのためにパンプと導電性金属箔の接点に応力が集中し、バンプ／導電性金属箔間での剥離が生じる場合がある。このバンプ／導電性金属箔間の剥離は、接点抵抗の上昇につながり、更には基板全体の抵抗率を上昇させるものとなる。その結果、多層基板と半導体パッケージなどからなるモジュールや電子機器の性能低下が生じるという問題があった。
【０００５】
また、従来、バンプ形成に用いられる銀などの導電性フィラーを含んだ導電性ペーストには、粘度調整のための有機溶剤が多量に配合されているため、おのずと硬化後のランド径周辺の樹脂にじみによる汚染が発生する。さらにはプリプレグにバンプを貫通させるためにも、用いられる硬化剤は分子量の高い成分を多く含んでおり、結果として導電性ペーストの粘度上昇につながり、良好なバンプ貫通性を保持できる印刷性に支障が生じるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３９８９９７４号
【特許文献２】特許第４３１９８３１号
【特許文献３】特開２００４−１５２９１５号公報
【特許文献４】特開２００４−１９３２９７号公報
【特許文献５】特開２００３−３２０６４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明が解決しようとする課題は、多層配線基板のバンプとして導電性ペーストを用いた際、導電性金属箔への印刷後に樹脂にじみの発生によるランド径周辺の汚染を抑制し、良好なバンプ貫通性を保持できるようなバンプ形状（印刷性）を与えることができる導電性ペーストを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の導電性ペーストは、（Ａ）常温において固形であるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）導電性フィラー、および（Ｄ）有機溶剤を含み、前記（Ｂ）硬化剤の重量平均分子量が２００以下である成分の割合が７．５重量％未満であり、重量平均分子量が１０００以上である成分の割合が０．０１重量％未満であることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る前記（Ｂ）硬化剤の軟化点（環球法：ＪＩＳ Ｋ５６０１−２−２）が５０℃以上、１００℃未満のものであるとすることができる。
【００１０】
本発明に係る前記（Ｂ）硬化剤はフェノール樹脂とすることができる。
【００１１】
本発明に係る前記（Ｄ）有機溶剤の重量比率は６．０重量％以下とすることができる。
【００１２】
本発明に係る前記（Ｃ）導電性フィラーの重量比率は８０〜９０重量％とすることができる。
【００１３】
本発明の導電性ペーストにより配線基板に形成されたバンプはプリプレグを貫通するとともに他の配線基板と当接することにより当該配線基板間を電気的に接続する多層配線基板となることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、多層配線基板のバンプとして用いた際、導電性金属箔への印刷後に樹脂にじみの発生によるランド径周辺の汚染を抑制し、良好なバンプ貫通性を保持できるようなバンプ形状（印刷性）を与えることができる導電性ペーストを提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１６】
本発明の導電性ペーストは、多層配線基板を製造するためのバンプを形成するために用いることができ、（Ａ）常温において固形であるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）導電性フィラー、および（Ｄ）有機溶剤を含み、前記（Ｂ）硬化剤の重量平均分子量が２００以下である成分の割合が７．５重量％未満であり、重量平均分子量が１０００以上である成分の割合が０．０１重量％未満であることを特徴とする。
【００１７】
（（Ａ）常温において固形であるエポキシ樹脂）
本発明の導電性ペーストは、樹脂にじみを低減させ、印刷性を向上するとともにバンプとしての好適な弾性率を得るという観点から、ベースエポキシ樹脂として常温において固形であるエポキシ樹脂を使用することが望ましい。ベースエポキシ樹脂が常温において液状であるエポキシ樹脂だとバンプ形成後の樹脂にじみが悪化するとともに、十分なバンプ貫通性を保持できなくなり、また１７５℃で加圧する際に弾性率が低下して２００℃以上に加熱された際に接点の接触抵抗が悪化する。なお本発明では、常温において固形であるエポキシ樹脂とは、原材料の保存温度である２５℃において固形状態であることを意味する。なお、２５℃以上４０℃以下において固形状態であるのものが、樹脂にじみ低減の観点からより好ましい。
【００１８】
本発明の導電性ペーストに用いられる常温において固形であるエポキシ樹脂は１分子に少なくとも２つ以上のグリシジル基を持つ芳香族エポキシ樹脂が望ましい。上記のような弾性率を得るために硬化物の架橋密度をなるべく上げることが必要である。そのためには１分子内に２つ以上のグリシジル基が必要になる。さらにエポキシ樹脂の構造としては脂肪族エポキシ樹脂よりも剛直な芳香環を有する芳香族エポキシ樹脂であることで１７５℃の弾性率を上げることができる。 このようなエポキシにはビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビフェノール等のビスフェノール化合物又はこれらの誘導体、またはトリヒドロキシフェニルメタン骨格、アミノフェノール骨格を有する３官能のもの、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等をエポキシ化したエポキシ樹脂が上げられる。また１７５℃の弾性率を低下させないのであれば、芳香環を持たない水素添加ビスフェノールＡ、水素添加ビスフェノールＦ、水素添加ビフェノール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、シジロヘキサンジエタノール等の脂環構造を有するジオール又はこれらの誘導体、ブタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、ノナンジオール、デカンジオール等の脂肪族ジオール又はこれらの誘導体等をエポキシ化した２官能のものなどを添加しても構わない。
【００１９】
（（Ｂ）硬化剤）
本発明の導電性ペーストに用いられる硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させるものである。このような硬化剤としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジカルボン酸ジヒドラジド化合物、酸無水物、フェノール樹脂等が挙げられるが、上記のように通常バンプ形成には１５０〜２００℃で硬化させることからフェノール樹脂が望ましい。フェノール樹脂は１分子内にフェノール性水酸基を２つ以上有する化合物である。なお、このフェノール樹脂は、１分子内にフェノール性水酸基を１つしか有しない場合には架橋構造をとることができないため、十分な硬化物特性が得られず使用することができない。１分子内のフェノール性水酸基数が２つ以上であれば使用することができるが、好ましい１分子内のフェノール性水酸基数は２〜５である。１分子内のフェノール性水酸基数が５超である場合には分子量が大きくなりすぎ、その結果、導電性ペーストの粘度が高くなりすぎるため好ましくない。また、本発明で用いられるフェノール樹脂は、重量平均分子量が２００以下である成分の割合が７．５重量％未満であり、重量平均分子量が１０００以上である成分の割合が０．０１重量％未満であることが望ましい。重量平均分子量が２００以下である成分の割合が７．５重量％超である場合には、バンプ形成、硬化後の樹脂にじみの悪化につながり、また重量平均分子量が１０００以上である成分の割合が０．０１重量％超である場合にはフェノール樹脂全体としての分子量が大きくなりすぎ、その結果、導電性ペーストの粘度が高くなりすぎて印刷性を悪化させるため好ましくない。またさらに本発明で用いられるフェノール樹脂の軟化点は５０℃以上、１００℃未満であることが好ましい。軟化点が前記下限値以下であると粘度が低くなりすぎ、硬化性の悪化につながる。軟化点が前記範囲上限値以上であると、導電性ペースト作製時に配合する有機溶剤の必要量が増え、その結果、樹脂にじみの悪化につながるので好ましくない。このような化合物としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノールＳ、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフェノン、テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェノール、メチルエチリデンビス(メチルフェノール)、シクロへキシリデンビスフェノール、ビフェノールといったビスフェノール類及びその誘導体、トリ（ヒドロキシフェニル）メタン、トリ（ヒドロキシフェニル）エタンといった３官能のフェノール類及びその誘導体、フェノールノボラック、クレゾールノボラックといったフェノール類とホルムアルデヒドを反応することで得られる化合物で２核体又は３核体がメインのもの及びその誘導体、ポリビニルフェノールなどが挙げられる。
【００２０】
（（Ｃ）導電性フィラー）
本発明に用いられる導電性フィラーは、特に限定されないが、例えば、金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、インジウム、鉄、クロム、タンタル、錫、鉛、亜鉛、コバルト、チタン、タングステン、ビスマス、シリコン、アンチモン、アルミニウム、マグネシウムなどの金属粉がある。その中でも化学的に安定し、かつ安定した導電性を得られると言う点から銀であることが望ましい。
【００２１】
本発明に用いられる導電性フィラーの形状には球状、フレーク状、不定形、樹脂状などの形状があるが特に限定されるものではない。ただし通常、導電性ペーストにより形成されるバンプが直径により５０〜２００μｍ、高さ１００〜３００μｍ程度であることから最大粒径は３０μｍ程度までであることが望ましい。また印刷性を調整する目的で少量のシリカやアルミナのような非導電性フィラーを添加しても導電性を悪化しない程度なら構わない。導電性フィラーの含有量は、例えば銀を用いる場合は、導電性ペーストの全重量に対して８０〜９０重量％であることが望ましい。導電性フィラーの含有量が前記範囲上限値以下とすることで、好適な溶融粘度となり、スクリーン印刷によるバンプ形成が容易なものとなる。導電性フィラーの含有量を前記下限値以上とすることで好適な導電性を得ることができる。また導電性ペーストの１７５℃における弾性率を所定の範囲とするという観点からも充填の配合量を上記範囲とすることが好ましい。
【００２２】
（（Ｄ）有機溶剤）
有機溶剤は粘度の調整として用いられることから上記の導電性フィラーを除く成分を溶解するものが望ましい。本発明の導電性ペーストは印刷で塗布されるため沸点が１８０℃以上であることが望ましい。それよりも低いと印刷作業中に溶剤が揮発し、作業可能時間が短くなり生産性を著しく低下させる。そのような有機溶剤は例えば、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、２−ブテン−１，４−ジオール、２-メチルー２，４−ペンタンジオール、２-エチルー１，３−ヘキサンジオール、エチレングリコールモノブチルエーテルアセタート、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノイソアミルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ホロン、イソホロン、Ｎ−メチルピロリドンなどがあげられる。
【００２３】
有機溶剤の添加量は、導電性ペースト中１０重量％以下、より好ましくは６重量％以下であることが望ましい。それよりも多いと硬化中に溶剤が揮発することによって硬化物中に気泡が多くなり、十分な弾性率を得ることができなく、また硬化後のランド径周辺の樹脂にじみによる汚染が悪化するためである。
【００２４】
（導電性ペーストの製造方法）
本発明の導電性ペーストは、例えば、上述の各成分を予備混合した後、３本ロールや遊星式攪拌混合機を用いて混練し、さらに真空下脱泡することにより製造することができる。
【００２５】
（本発明の導電性ペーストの使用方法）
配線基板間の導通を得るためには、本発明の導電性ペーストを用いて、導電性金属箔もしくは導電性金属箔を表面に有した配線基板（以下配線基板等）上に、印刷により直径５０〜２００μｍ、高さ１００〜３００μｍ程度の円錐状のバンプを形成する。
【００２６】
前記バンプを１５０〜２００℃で硬化した後、ガラスクロスに熱硬化樹脂を含浸させて得られるプリプレグに貫通させた上で、他の配線基板等と重ね合わせて１７５℃程度の温度で加圧させることにより配線基板等の間の導通を得る。
【００２７】
１７５℃で加圧する際のバンプの弾性率は４０００ＭＰａ以上であることが望ましい。４０００ＭＰａ以下であるとバンプが加圧による力を吸収し、配線基板等とバンプの先端にかかる力が低下してしまい結果、配線基板等とバンプの接点の密着強度が低下するからである。接点の密着強度が低下すると接触抵抗が高くなるという不具合が生じる。
【００２８】
またさらに多層配線基板は半導体パッケージを搭載するために２００℃以上の温度環境下で加工工程を経ることがあるが、このような加工工程ではプリプレグとバンプの熱膨張差によりバンプ先端と導電性金属箔の接点に応力が加わるため、接点でバンプと配線基板等との密着強度が充分でなければ、接点に剥離が生じ多層配線基板全体としての電気抵抗値が高くなる。
【００２９】
接点の剥離防止のために接点の強度を十分に得るためにはバンプと配線基板等とが接した状態で硬化をさせるという方法がある。しかし上記のような製造工程においてバンプ形成時の硬化が充分でない場合プリプレグを貫通させることができない場合がある。そのため本発明の導電性ペーストを硬化した後のバンプの弾性率を４０００ＭＰａ以上とすることが好ましい。
【００３０】
またさらに前記バンプを１５０〜２００℃で硬化した際に導電性金属箔もしくは配線基板等上にできるランド径周辺の樹脂にじみは５０μｍ未満であることが望ましい。５０μｍ以上であると配線基板等とプリプレグとの間で界面剥離が起こってしまい結果、接続信頼性が低下するという不具合が生じる。またさらにランド径以上の樹脂にじみというのはバンプの位置精度や形状の寸法精度を悪くし、隣接するバンプ同士の間隔を小さくすることができなく、多層配線基板全体としての製品性能を落とすこととなるからである。
【実施例】
【００３１】
以下本発明の導電性ペーストについて、実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３２】
（燐系化合物Ｃ１の合成）
市販のテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（北興化学工業（株）製、ＴＰＰ−Ｋ）３２．９ｇ（０．０５モル）、１−ナフトエ酸３４．４ｇ（０．２０モル）を温度計、共沸分液漏斗、冷却管及び撹拌機を付けたフラスコに仕込み、窒素雰囲気下、２６０℃で５時間反応した。その際、副生成物であるベンゼンを系外に除去した。反応終了後冷却し、メタノールで洗浄乾燥し、白色結晶の燐系化合物Ｃ１を得た。この合成の収率は９３％であった。
【００３３】
（燐系化合物Ｃ２の合成）
撹拌装置付きの１リットルのセパラブルフラスコにビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン５０．１ｇ（０．２モル）、メタノール１００ｍｌを仕込み、常温で撹拌溶解し、さらに攪拌しながら水酸化ナトリウム４．０ｇ（０．１モル）を予め、５０ｍｌのメタノールで溶解した溶液を添加した。次いで、予めテトラフェニルホスホニウムブロマイド４１．９ｇ（０．１モル）を１５０ｍｌのメタノールに溶解した溶液を加えた。しばらく攪拌を継続し、３００ｍｌのメタノールを追加した後、フラスコ内の溶液を大量の水に撹拌しながら滴下し、白色沈殿を得た。沈殿を濾過、乾燥し、白色結晶の燐系化合物Ｃ２を得た。この合成の収率は９７．４％であった。
【００３４】
（実施例１）
常温において固形であるエポキシ樹脂としてエポキシ樹脂Ａ（ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、新日鉄化（株）製、ＹＤＣＮ−８００−７０）、硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（群栄化学（株）製、ＬＶ−７０Ｓ、以下硬化剤Ｂ１）、前記燐系化合物Ｃ１、前記燐系化合物Ｃ２、導電性フィラーとして平均粒径が２．５μｍのフレーク銀粉、および溶剤（ブチルカルビトールアセテート）を表１に示す重量部で配合した上で３本ロールを用いて混練、脱泡して導電性ペーストを得た。
【００３５】
（１）樹脂にじみ量評価
導電性ペーストを印刷した際のランド径周辺の汚染量の指標として、導電性ペーストを印刷・硬化後の樹脂にじみ量を測定した。導電性ペーストを銅箔上に開口径１００μｍのステンシル印刷用版により印刷し、１７５℃、３０分加熱硬化し、硬化後の樹脂にじみ量（印刷最外径よりにじみ出した長さ）を顕微鏡にて測定した。得られた結果を表１に示す。
○：樹脂にじみ量が５０μｍ未満。
×：樹脂にじみ量が５０μｍ以上。
【００３６】
（２）印刷性評価
良好なバンプ貫通性の指標として導電性ペーストの印刷性を評価した。導電性ペーストを銅箔上に開口径１００μｍのステンシル印刷用版により印刷し、１７５℃、３０分加熱硬化後の印刷形状をデジタルマイクロスコープにて観察した。陥没、先端尖り・曲がりが無く、円錐状を保持できている場合を合格とした。得られた結果を表１に示す。
【００３７】
（３）硬化物の導電性評価
硬化物の導電性の指標として硬化後の硬化物を用いて体積抵抗率を測定した。導電性ペーストをガラス板上に幅４ｍｍ、長さ約５０ｍｍ、厚み０．０４ｍｍとなるよう印刷し、１７５℃、３０分加熱硬化した。硬化後長さ方向４０ｍｍの抵抗値を測定し体積抵抗率を算出した。体積抵抗率が１×１０−４Ω・ｃｍ以下である場合を合格とした。得られた結果を表１に示す。
【００３８】
（４）硬化物の弾性率評価
バンプ形成後の配線基板との接点の密着強度および接触抵抗の指標として硬化後の硬化物を用いて１７５℃における弾性率を測定した。導電性ペーストをガラス板上に幅４ｍｍ、長さ２５ｍｍ、厚み１００μｍとなるよう印刷し、１６５℃、３０分加熱硬化してフィルム状硬化物の試験用サンプルを得た。得られた試験用サンプルをさらに１７５℃２時間で加熱した後、下記条件により１７５℃における弾性率を測定した。弾性率が４０００ＭＰａ以上である場合を合格とした。得られた結果を表１に示す。
（弾性率測定条件）
測定方法：ＪＩＳ Ｋ７２４４
引張りモード、
チャック間距離：２０ｍｍ
昇温速度：３０〜３００℃の温度範囲で１０℃／分
測定周波数：１０Ｈｚ
測定装置：セイコー・インスツルメンツ社製 動的粘弾性測定装置 ＥＸＳＴＡＲ−６０００
【００３９】
（５）銅箔へのぬれ性評価
良好なバンプ貫通性の指標として導電性ペーストの銅箔に対するぬれ性を評価した。導電性ペーストを銅箔上に１．５μｌ滴下し、銅箔面と導電性ペーストとのなす角度（接触角）を固液界面解析装置（Ｄｒｏｐ Ｍａｓｔｅｒ 協和界面科学（株）製）にて測定した。接触角が４０°以上である場合を合格とした。得られた結果を表１に示す。
【００４０】
実施例２〜４、ならびに比較例１〜６
実施例１と同様に導電性ペーストを作製し評価した。評価結果を表１に示す。
なお実施例２では実施例１に対して硬化剤としてさらにポリビニルフェノール（日本曹達（株）製、ＶＰ−２５００、以下硬化剤Ｂ５）を、実施例３では硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７、以下硬化剤Ｂ２）を、実施例４では実施例３に対して硬化剤としてさらに硬化剤Ｂ５を、比較例１では硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５１４７０、以下硬化剤Ｂ３）を、比較例２では比較例１に対して溶剤の重量％を１．２倍に増やし、比較例３では比較例２に対して硬化剤としてさらに硬化剤Ｂ５を、比較例４では硬化剤としてトリスフェニルメタン型フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７５００、以下硬化剤Ｂ４）を、比較例５では比較例４に対して溶剤の重量％を１．２倍に増やし、比較例６では比較例５に対して硬化剤としてさらに硬化剤Ｂ５を表１に示す配合で加えた。
【００４１】
【表１】
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の導電性ペーストは、導電性金属箔へ印刷の際、樹脂にじみの発生によるランド径周辺の汚染が極めて少なく、さらに良好なバンプ貫通性を保持できるようなバンプ形状（印刷性）を与えることができるため、例えば多層配線基板の導電接続バンプの形成用途に利用可能である。
【技術分野】
【０００１】
本発明は多層配線基板のバンプを形成するために用いられる導電性ペーストに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
近年、電子機器の高機能化、小型化、軽量化が進む中で、半導体パッケ−ジには小型化、多ピン化、外部端子のファインピッチ化が求められており、またそれらを実装する配線基板の高密度化がより一層求められている。このような高密度化に対し、配線基板も銅箔等の導電性金属箔からなる配線層および熱硬化樹脂とガラスクロスなどの繊維状物からなる絶縁層を多層に積み上げていき、多層化した配線基板を使用するようになっている。通常このような多層配線基板においては各配線層の導通を取るために、スルーホールと呼ばれるドリル加工で孔開けされた貫通した孔を設け、その壁面に銅などの金属メッキを施すまたは導電性ペーストで充填することで各配線層の導通を設けてきたが、より高密度化になると機械的にドリルで孔あけ、壁面をメッキする方法では細線化に限界が生じ、そのため種々の配線方法が提案されてきた。
【０００３】
この中には特許文献１〜５に示されるように導電性ペーストをスクリーンやステンシル印刷などでコア基板や銅箔上印刷し、１５０℃から２００℃で３０〜１２０分程度加熱硬化しバンプを形成した上で、バンプをプリプレグに貫通させて、突き当て側に導電性金属箔を重ね、加圧加熱することで多層基板内の各配線層を導通させるという方法がある。
【０００４】
通常、このような多層配線基板に半導体パッケージや電子部品を搭載する際には半田を用いる。そのため半田を融解するためには、ＩＲリフローなどで２００℃以上に加熱されることとなり、その際各部材は熱により膨張する。このとき導電性確保のために銀などの導電性フィラーを含んだ導電性ペーストにより形成されたバンプは隣接するプリプレグに比べ（特に厚み方向の）熱膨張係数が小さいものとなっている。そのためにパンプと導電性金属箔の接点に応力が集中し、バンプ／導電性金属箔間での剥離が生じる場合がある。このバンプ／導電性金属箔間の剥離は、接点抵抗の上昇につながり、更には基板全体の抵抗率を上昇させるものとなる。その結果、多層基板と半導体パッケージなどからなるモジュールや電子機器の性能低下が生じるという問題があった。
【０００５】
また、従来、バンプ形成に用いられる銀などの導電性フィラーを含んだ導電性ペーストには、粘度調整のための有機溶剤が多量に配合されているため、おのずと硬化後のランド径周辺の樹脂にじみによる汚染が発生する。さらにはプリプレグにバンプを貫通させるためにも、用いられる硬化剤は分子量の高い成分を多く含んでおり、結果として導電性ペーストの粘度上昇につながり、良好なバンプ貫通性を保持できる印刷性に支障が生じるという問題があった。
【先行技術文献】
【特許文献】
【０００６】
【特許文献１】特許第３９８９９７４号
【特許文献２】特許第４３１９８３１号
【特許文献３】特開２００４−１５２９１５号公報
【特許文献４】特開２００４−１９３２９７号公報
【特許文献５】特開２００３−３２０６４０号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００７】
従って、本発明が解決しようとする課題は、多層配線基板のバンプとして導電性ペーストを用いた際、導電性金属箔への印刷後に樹脂にじみの発生によるランド径周辺の汚染を抑制し、良好なバンプ貫通性を保持できるようなバンプ形状（印刷性）を与えることができる導電性ペーストを提供することである。
【課題を解決するための手段】
【０００８】
本発明の導電性ペーストは、（Ａ）常温において固形であるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）導電性フィラー、および（Ｄ）有機溶剤を含み、前記（Ｂ）硬化剤の重量平均分子量が２００以下である成分の割合が７．５重量％未満であり、重量平均分子量が１０００以上である成分の割合が０．０１重量％未満であることを特徴とする。
【０００９】
本発明に係る前記（Ｂ）硬化剤の軟化点（環球法：ＪＩＳ Ｋ５６０１−２−２）が５０℃以上、１００℃未満のものであるとすることができる。
【００１０】
本発明に係る前記（Ｂ）硬化剤はフェノール樹脂とすることができる。
【００１１】
本発明に係る前記（Ｄ）有機溶剤の重量比率は６．０重量％以下とすることができる。
【００１２】
本発明に係る前記（Ｃ）導電性フィラーの重量比率は８０〜９０重量％とすることができる。
【００１３】
本発明の導電性ペーストにより配線基板に形成されたバンプはプリプレグを貫通するとともに他の配線基板と当接することにより当該配線基板間を電気的に接続する多層配線基板となることを特徴とする。
【発明の効果】
【００１４】
本発明によれば、多層配線基板のバンプとして用いた際、導電性金属箔への印刷後に樹脂にじみの発生によるランド径周辺の汚染を抑制し、良好なバンプ貫通性を保持できるようなバンプ形状（印刷性）を与えることができる導電性ペーストを提供できる。
【発明を実施するための形態】
【００１５】
以下、本発明を詳細に説明する。
【００１６】
本発明の導電性ペーストは、多層配線基板を製造するためのバンプを形成するために用いることができ、（Ａ）常温において固形であるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）導電性フィラー、および（Ｄ）有機溶剤を含み、前記（Ｂ）硬化剤の重量平均分子量が２００以下である成分の割合が７．５重量％未満であり、重量平均分子量が１０００以上である成分の割合が０．０１重量％未満であることを特徴とする。
【００１７】
（（Ａ）常温において固形であるエポキシ樹脂）
本発明の導電性ペーストは、樹脂にじみを低減させ、印刷性を向上するとともにバンプとしての好適な弾性率を得るという観点から、ベースエポキシ樹脂として常温において固形であるエポキシ樹脂を使用することが望ましい。ベースエポキシ樹脂が常温において液状であるエポキシ樹脂だとバンプ形成後の樹脂にじみが悪化するとともに、十分なバンプ貫通性を保持できなくなり、また１７５℃で加圧する際に弾性率が低下して２００℃以上に加熱された際に接点の接触抵抗が悪化する。なお本発明では、常温において固形であるエポキシ樹脂とは、原材料の保存温度である２５℃において固形状態であることを意味する。なお、２５℃以上４０℃以下において固形状態であるのものが、樹脂にじみ低減の観点からより好ましい。
【００１８】
本発明の導電性ペーストに用いられる常温において固形であるエポキシ樹脂は１分子に少なくとも２つ以上のグリシジル基を持つ芳香族エポキシ樹脂が望ましい。上記のような弾性率を得るために硬化物の架橋密度をなるべく上げることが必要である。そのためには１分子内に２つ以上のグリシジル基が必要になる。さらにエポキシ樹脂の構造としては脂肪族エポキシ樹脂よりも剛直な芳香環を有する芳香族エポキシ樹脂であることで１７５℃の弾性率を上げることができる。 このようなエポキシにはビスフェノールＡ、ビスフェノールＦ、ビフェノール等のビスフェノール化合物又はこれらの誘導体、またはトリヒドロキシフェニルメタン骨格、アミノフェノール骨格を有する３官能のもの、フェノールノボラック樹脂、クレゾールノボラック樹脂、フェノールアラルキル樹脂、ビフェニルアラルキル樹脂、ナフトールアラルキル樹脂等をエポキシ化したエポキシ樹脂が上げられる。また１７５℃の弾性率を低下させないのであれば、芳香環を持たない水素添加ビスフェノールＡ、水素添加ビスフェノールＦ、水素添加ビフェノール、シクロヘキサンジオール、シクロヘキサンジメタノール、シジロヘキサンジエタノール等の脂環構造を有するジオール又はこれらの誘導体、ブタンジオール、ヘキサンジオール、オクタンジオール、ノナンジオール、デカンジオール等の脂肪族ジオール又はこれらの誘導体等をエポキシ化した２官能のものなどを添加しても構わない。
【００１９】
（（Ｂ）硬化剤）
本発明の導電性ペーストに用いられる硬化剤は、エポキシ樹脂を硬化させるものである。このような硬化剤としては、例えば、脂肪族アミン、芳香族アミン、ジシアンジアミド、ジカルボン酸ジヒドラジド化合物、酸無水物、フェノール樹脂等が挙げられるが、上記のように通常バンプ形成には１５０〜２００℃で硬化させることからフェノール樹脂が望ましい。フェノール樹脂は１分子内にフェノール性水酸基を２つ以上有する化合物である。なお、このフェノール樹脂は、１分子内にフェノール性水酸基を１つしか有しない場合には架橋構造をとることができないため、十分な硬化物特性が得られず使用することができない。１分子内のフェノール性水酸基数が２つ以上であれば使用することができるが、好ましい１分子内のフェノール性水酸基数は２〜５である。１分子内のフェノール性水酸基数が５超である場合には分子量が大きくなりすぎ、その結果、導電性ペーストの粘度が高くなりすぎるため好ましくない。また、本発明で用いられるフェノール樹脂は、重量平均分子量が２００以下である成分の割合が７．５重量％未満であり、重量平均分子量が１０００以上である成分の割合が０．０１重量％未満であることが望ましい。重量平均分子量が２００以下である成分の割合が７．５重量％超である場合には、バンプ形成、硬化後の樹脂にじみの悪化につながり、また重量平均分子量が１０００以上である成分の割合が０．０１重量％超である場合にはフェノール樹脂全体としての分子量が大きくなりすぎ、その結果、導電性ペーストの粘度が高くなりすぎて印刷性を悪化させるため好ましくない。またさらに本発明で用いられるフェノール樹脂の軟化点は５０℃以上、１００℃未満であることが好ましい。軟化点が前記下限値以下であると粘度が低くなりすぎ、硬化性の悪化につながる。軟化点が前記範囲上限値以上であると、導電性ペースト作製時に配合する有機溶剤の必要量が増え、その結果、樹脂にじみの悪化につながるので好ましくない。このような化合物としては、特に限定されないが、例えば、ビスフェノールＦ、ビスフェノールＡ、ビスフェノールＳ、テトラメチルビスフェノールＡ、テトラメチルビスフェノールＦ、テトラメチルビスフェノールＳ、ジヒドロキシジフェニルエーテル、ジヒドロキシベンゾフェノン、テトラメチルビフェノール、エチリデンビスフェノール、メチルエチリデンビス(メチルフェノール)、シクロへキシリデンビスフェノール、ビフェノールといったビスフェノール類及びその誘導体、トリ（ヒドロキシフェニル）メタン、トリ（ヒドロキシフェニル）エタンといった３官能のフェノール類及びその誘導体、フェノールノボラック、クレゾールノボラックといったフェノール類とホルムアルデヒドを反応することで得られる化合物で２核体又は３核体がメインのもの及びその誘導体、ポリビニルフェノールなどが挙げられる。
【００２０】
（（Ｃ）導電性フィラー）
本発明に用いられる導電性フィラーは、特に限定されないが、例えば、金、銀、銅、白金、ニッケル、パラジウム、インジウム、鉄、クロム、タンタル、錫、鉛、亜鉛、コバルト、チタン、タングステン、ビスマス、シリコン、アンチモン、アルミニウム、マグネシウムなどの金属粉がある。その中でも化学的に安定し、かつ安定した導電性を得られると言う点から銀であることが望ましい。
【００２１】
本発明に用いられる導電性フィラーの形状には球状、フレーク状、不定形、樹脂状などの形状があるが特に限定されるものではない。ただし通常、導電性ペーストにより形成されるバンプが直径により５０〜２００μｍ、高さ１００〜３００μｍ程度であることから最大粒径は３０μｍ程度までであることが望ましい。また印刷性を調整する目的で少量のシリカやアルミナのような非導電性フィラーを添加しても導電性を悪化しない程度なら構わない。導電性フィラーの含有量は、例えば銀を用いる場合は、導電性ペーストの全重量に対して８０〜９０重量％であることが望ましい。導電性フィラーの含有量が前記範囲上限値以下とすることで、好適な溶融粘度となり、スクリーン印刷によるバンプ形成が容易なものとなる。導電性フィラーの含有量を前記下限値以上とすることで好適な導電性を得ることができる。また導電性ペーストの１７５℃における弾性率を所定の範囲とするという観点からも充填の配合量を上記範囲とすることが好ましい。
【００２２】
（（Ｄ）有機溶剤）
有機溶剤は粘度の調整として用いられることから上記の導電性フィラーを除く成分を溶解するものが望ましい。本発明の導電性ペーストは印刷で塗布されるため沸点が１８０℃以上であることが望ましい。それよりも低いと印刷作業中に溶剤が揮発し、作業可能時間が短くなり生産性を著しく低下させる。そのような有機溶剤は例えば、１，２−プロパンジオール、１，３−プロパンジオール、１，２−ブタンジオール、１，３−ブタンジオール、１，４−ブタンジオール、２，３−ブタンジオール、１，５−ペンタンジオール、２−ブテン−１，４−ジオール、２-メチルー２，４−ペンタンジオール、２-エチルー１，３−ヘキサンジオール、エチレングリコールモノブチルエーテルアセタート、エチレングリコールジブチルエーテル、エチレングリコールモノイソアミルエーテル、エチレングリコールモノヘキシルエーテル、エチレングリコールモノベンジルエーテル、ジエチレングリコール、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、ジエチレングリコールジエチルエーテル、ジエチレングリコールジブチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテルアセタート、ジエチレングリコールモノブチルエーテルアセタート、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノブチルエーテル、トリエチレングリコール、トリエチレングリコールモノメチルエーテル、テトラエチレングリコール、ジプロピレングリコール、ジプロピレングリコールモノメチルエーテル、ジプロピレングリコールモノエチルエーテル、ホロン、イソホロン、Ｎ−メチルピロリドンなどがあげられる。
【００２３】
有機溶剤の添加量は、導電性ペースト中１０重量％以下、より好ましくは６重量％以下であることが望ましい。それよりも多いと硬化中に溶剤が揮発することによって硬化物中に気泡が多くなり、十分な弾性率を得ることができなく、また硬化後のランド径周辺の樹脂にじみによる汚染が悪化するためである。
【００２４】
（導電性ペーストの製造方法）
本発明の導電性ペーストは、例えば、上述の各成分を予備混合した後、３本ロールや遊星式攪拌混合機を用いて混練し、さらに真空下脱泡することにより製造することができる。
【００２５】
（本発明の導電性ペーストの使用方法）
配線基板間の導通を得るためには、本発明の導電性ペーストを用いて、導電性金属箔もしくは導電性金属箔を表面に有した配線基板（以下配線基板等）上に、印刷により直径５０〜２００μｍ、高さ１００〜３００μｍ程度の円錐状のバンプを形成する。
【００２６】
前記バンプを１５０〜２００℃で硬化した後、ガラスクロスに熱硬化樹脂を含浸させて得られるプリプレグに貫通させた上で、他の配線基板等と重ね合わせて１７５℃程度の温度で加圧させることにより配線基板等の間の導通を得る。
【００２７】
１７５℃で加圧する際のバンプの弾性率は４０００ＭＰａ以上であることが望ましい。４０００ＭＰａ以下であるとバンプが加圧による力を吸収し、配線基板等とバンプの先端にかかる力が低下してしまい結果、配線基板等とバンプの接点の密着強度が低下するからである。接点の密着強度が低下すると接触抵抗が高くなるという不具合が生じる。
【００２８】
またさらに多層配線基板は半導体パッケージを搭載するために２００℃以上の温度環境下で加工工程を経ることがあるが、このような加工工程ではプリプレグとバンプの熱膨張差によりバンプ先端と導電性金属箔の接点に応力が加わるため、接点でバンプと配線基板等との密着強度が充分でなければ、接点に剥離が生じ多層配線基板全体としての電気抵抗値が高くなる。
【００２９】
接点の剥離防止のために接点の強度を十分に得るためにはバンプと配線基板等とが接した状態で硬化をさせるという方法がある。しかし上記のような製造工程においてバンプ形成時の硬化が充分でない場合プリプレグを貫通させることができない場合がある。そのため本発明の導電性ペーストを硬化した後のバンプの弾性率を４０００ＭＰａ以上とすることが好ましい。
【００３０】
またさらに前記バンプを１５０〜２００℃で硬化した際に導電性金属箔もしくは配線基板等上にできるランド径周辺の樹脂にじみは５０μｍ未満であることが望ましい。５０μｍ以上であると配線基板等とプリプレグとの間で界面剥離が起こってしまい結果、接続信頼性が低下するという不具合が生じる。またさらにランド径以上の樹脂にじみというのはバンプの位置精度や形状の寸法精度を悪くし、隣接するバンプ同士の間隔を小さくすることができなく、多層配線基板全体としての製品性能を落とすこととなるからである。
【実施例】
【００３１】
以下本発明の導電性ペーストについて、実施例に基づいて詳細に説明するが、本発明はこれに限定されるものではない。
【００３２】
（燐系化合物Ｃ１の合成）
市販のテトラフェニルホスホニウムテトラフェニルボレート（北興化学工業（株）製、ＴＰＰ−Ｋ）３２．９ｇ（０．０５モル）、１−ナフトエ酸３４．４ｇ（０．２０モル）を温度計、共沸分液漏斗、冷却管及び撹拌機を付けたフラスコに仕込み、窒素雰囲気下、２６０℃で５時間反応した。その際、副生成物であるベンゼンを系外に除去した。反応終了後冷却し、メタノールで洗浄乾燥し、白色結晶の燐系化合物Ｃ１を得た。この合成の収率は９３％であった。
【００３３】
（燐系化合物Ｃ２の合成）
撹拌装置付きの１リットルのセパラブルフラスコにビス（４−ヒドロキシフェニル）スルホン５０．１ｇ（０．２モル）、メタノール１００ｍｌを仕込み、常温で撹拌溶解し、さらに攪拌しながら水酸化ナトリウム４．０ｇ（０．１モル）を予め、５０ｍｌのメタノールで溶解した溶液を添加した。次いで、予めテトラフェニルホスホニウムブロマイド４１．９ｇ（０．１モル）を１５０ｍｌのメタノールに溶解した溶液を加えた。しばらく攪拌を継続し、３００ｍｌのメタノールを追加した後、フラスコ内の溶液を大量の水に撹拌しながら滴下し、白色沈殿を得た。沈殿を濾過、乾燥し、白色結晶の燐系化合物Ｃ２を得た。この合成の収率は９７．４％であった。
【００３４】
（実施例１）
常温において固形であるエポキシ樹脂としてエポキシ樹脂Ａ（ｏ−クレゾールノボラック型エポキシ樹脂、新日鉄化（株）製、ＹＤＣＮ−８００−７０）、硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（群栄化学（株）製、ＬＶ−７０Ｓ、以下硬化剤Ｂ１）、前記燐系化合物Ｃ１、前記燐系化合物Ｃ２、導電性フィラーとして平均粒径が２．５μｍのフレーク銀粉、および溶剤（ブチルカルビトールアセテート）を表１に示す重量部で配合した上で３本ロールを用いて混練、脱泡して導電性ペーストを得た。
【００３５】
（１）樹脂にじみ量評価
導電性ペーストを印刷した際のランド径周辺の汚染量の指標として、導電性ペーストを印刷・硬化後の樹脂にじみ量を測定した。導電性ペーストを銅箔上に開口径１００μｍのステンシル印刷用版により印刷し、１７５℃、３０分加熱硬化し、硬化後の樹脂にじみ量（印刷最外径よりにじみ出した長さ）を顕微鏡にて測定した。得られた結果を表１に示す。
○：樹脂にじみ量が５０μｍ未満。
×：樹脂にじみ量が５０μｍ以上。
【００３６】
（２）印刷性評価
良好なバンプ貫通性の指標として導電性ペーストの印刷性を評価した。導電性ペーストを銅箔上に開口径１００μｍのステンシル印刷用版により印刷し、１７５℃、３０分加熱硬化後の印刷形状をデジタルマイクロスコープにて観察した。陥没、先端尖り・曲がりが無く、円錐状を保持できている場合を合格とした。得られた結果を表１に示す。
【００３７】
（３）硬化物の導電性評価
硬化物の導電性の指標として硬化後の硬化物を用いて体積抵抗率を測定した。導電性ペーストをガラス板上に幅４ｍｍ、長さ約５０ｍｍ、厚み０．０４ｍｍとなるよう印刷し、１７５℃、３０分加熱硬化した。硬化後長さ方向４０ｍｍの抵抗値を測定し体積抵抗率を算出した。体積抵抗率が１×１０−４Ω・ｃｍ以下である場合を合格とした。得られた結果を表１に示す。
【００３８】
（４）硬化物の弾性率評価
バンプ形成後の配線基板との接点の密着強度および接触抵抗の指標として硬化後の硬化物を用いて１７５℃における弾性率を測定した。導電性ペーストをガラス板上に幅４ｍｍ、長さ２５ｍｍ、厚み１００μｍとなるよう印刷し、１６５℃、３０分加熱硬化してフィルム状硬化物の試験用サンプルを得た。得られた試験用サンプルをさらに１７５℃２時間で加熱した後、下記条件により１７５℃における弾性率を測定した。弾性率が４０００ＭＰａ以上である場合を合格とした。得られた結果を表１に示す。
（弾性率測定条件）
測定方法：ＪＩＳ Ｋ７２４４
引張りモード、
チャック間距離：２０ｍｍ
昇温速度：３０〜３００℃の温度範囲で１０℃／分
測定周波数：１０Ｈｚ
測定装置：セイコー・インスツルメンツ社製 動的粘弾性測定装置 ＥＸＳＴＡＲ−６０００
【００３９】
（５）銅箔へのぬれ性評価
良好なバンプ貫通性の指標として導電性ペーストの銅箔に対するぬれ性を評価した。導電性ペーストを銅箔上に１．５μｌ滴下し、銅箔面と導電性ペーストとのなす角度（接触角）を固液界面解析装置（Ｄｒｏｐ Ｍａｓｔｅｒ 協和界面科学（株）製）にて測定した。接触角が４０°以上である場合を合格とした。得られた結果を表１に示す。
【００４０】
実施例２〜４、ならびに比較例１〜６
実施例１と同様に導電性ペーストを作製し評価した。評価結果を表１に示す。
なお実施例２では実施例１に対して硬化剤としてさらにポリビニルフェノール（日本曹達（株）製、ＶＰ−２５００、以下硬化剤Ｂ５）を、実施例３では硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５３６４７、以下硬化剤Ｂ２）を、実施例４では実施例３に対して硬化剤としてさらに硬化剤Ｂ５を、比較例１では硬化剤としてノボラック型フェノール樹脂（住友ベークライト（株）製、ＰＲ−５１４７０、以下硬化剤Ｂ３）を、比較例２では比較例１に対して溶剤の重量％を１．２倍に増やし、比較例３では比較例２に対して硬化剤としてさらに硬化剤Ｂ５を、比較例４では硬化剤としてトリスフェニルメタン型フェノール樹脂（明和化成（株）製、ＭＥＨ−７５００、以下硬化剤Ｂ４）を、比較例５では比較例４に対して溶剤の重量％を１．２倍に増やし、比較例６では比較例５に対して硬化剤としてさらに硬化剤Ｂ５を表１に示す配合で加えた。
【００４１】
【表１】
【産業上の利用可能性】
【００４２】
本発明の導電性ペーストは、導電性金属箔へ印刷の際、樹脂にじみの発生によるランド径周辺の汚染が極めて少なく、さらに良好なバンプ貫通性を保持できるようなバンプ形状（印刷性）を与えることができるため、例えば多層配線基板の導電接続バンプの形成用途に利用可能である。
【特許請求の範囲】
【請求項１】
多層基板のバンプ形成に用いられる導電性ペーストであり
（Ａ）常温において固形であるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）導電性フィラー、および（Ｄ）有機溶剤を含む導電性ペーストであって、前記（Ｂ）硬化剤の重量平均分子量が２００以下である成分の割合が７．５重量％未満であり、重量平均分子量が１０００以上である成分の割合が０．０１重量％未満であることを特徴とする導電性ペースト。
【請求項２】
前記（Ｂ）硬化剤の軟化点（環球法：ＪＩＳ Ｋ５６０１−２−２）が５０℃以上、１００℃未満である請求項１記載の導電性ペースト。
【請求項３】
前記（Ｂ）硬化剤がフェノール樹脂である請求項１または２記載の導電性ペースト。
【請求項４】
導電性ペースト中の前記（Ｄ）有機溶剤の重量比率が６．０重量％以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性ペースト。
【請求項５】
導電性ペースト中の前記（Ｃ）導電性フィラーの重量比率が８０〜９０重量％である請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性ペースト。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性ペーストにより配線基板に形成されたバンプがプリプレグを貫通するとともに他の配線基板と当接することにより当該配線基板間を電気的に接続する多層配線基板。
【請求項１】
多層基板のバンプ形成に用いられる導電性ペーストであり
（Ａ）常温において固形であるエポキシ樹脂、（Ｂ）硬化剤、（Ｃ）導電性フィラー、および（Ｄ）有機溶剤を含む導電性ペーストであって、前記（Ｂ）硬化剤の重量平均分子量が２００以下である成分の割合が７．５重量％未満であり、重量平均分子量が１０００以上である成分の割合が０．０１重量％未満であることを特徴とする導電性ペースト。
【請求項２】
前記（Ｂ）硬化剤の軟化点（環球法：ＪＩＳ Ｋ５６０１−２−２）が５０℃以上、１００℃未満である請求項１記載の導電性ペースト。
【請求項３】
前記（Ｂ）硬化剤がフェノール樹脂である請求項１または２記載の導電性ペースト。
【請求項４】
導電性ペースト中の前記（Ｄ）有機溶剤の重量比率が６．０重量％以下である請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性ペースト。
【請求項５】
導電性ペースト中の前記（Ｃ）導電性フィラーの重量比率が８０〜９０重量％である請求項１〜３のいずれか１項に記載の導電性ペースト。
【請求項６】
請求項１〜５のいずれか１項に記載の導電性ペーストにより配線基板に形成されたバンプがプリプレグを貫通するとともに他の配線基板と当接することにより当該配線基板間を電気的に接続する多層配線基板。
【公開番号】特開２０１２−１６４６９６（Ｐ２０１２−１６４６９６Ａ）
【公開日】平成２４年８月３０日（２０１２．８．３０）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２０１１−２１６３６（Ｐ２０１１−２１６３６）
【出願日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２４年８月３０日（２０１２．８．３０）
【国際特許分類】
【出願日】平成２３年２月３日（２０１１．２．３）
【出願人】（０００００２１４１）住友ベークライト株式会社 (2,927)
【Ｆターム（参考）】
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