パターン化された磁気記録媒体及びその製造方法
【課題】パターン化された磁気記録媒体及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であり、磁気記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む合金で形成されたパターン化された磁気記録媒体。これにより、読み出し及び書き込み特性に優れ、高い耐蝕性及び記録密度を有する。
【解決手段】基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体であり、磁気記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む合金で形成されたパターン化された磁気記録媒体。これにより、読み出し及び書き込み特性に優れ、高い耐蝕性及び記録密度を有する。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体及びその製造方法に係り、より詳細にはパターン化された磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、ユーザ利用情報が増加するにつれて高い記録密度を有する磁気記録媒体への需要が増加しつつある。
連続する磁性層を記録層として使用する連続的磁気記録媒体（以下、連続的媒体）の場合、記録密度を高めるためには前記磁性層を構成する磁性粒径は縮めなければならない。しかし、前記連続的媒体で前記磁性層の磁性粒径が臨界値以下に小さくなれば、超常磁性効果が現れる。この効果により、前記磁性粒子の熱的安定性が減少する。これは、前記連続的媒体に記録されたデータの保存特性が劣化されることを意味する。したがって、磁性層の磁性粒径を縮めることで、前記連続的媒体の記録密度を高めることは難しい。
【０００３】
前記連続的媒体の記録密度限界を跳び越えられる方案として、ビット領域に対応する磁区が構造的に相互隔離されているパターン化された磁気記録媒体（以下、パターン化された媒体）が提案された。パターン化された媒体の記録密度は、前記連続的媒体よりはるかに高い約１テラビット／平方インチ以上であることが知られている。
【０００４】
パターン化された媒体で実質的にデータが記録される磁性層は、基板と垂直な磁化容易軸を有することによって、垂直磁気異方性を有することが望ましい。前記磁性層の垂直磁気異方性は、前記磁性層の縦横比を大きくして磁性層に形状磁気異方性を付与するか、前記磁性層の結晶配向方向を制御して磁性層に結晶磁気異方性を付与して得ることができる。しかし、縦横比の大きい磁性層を具現することは工程面で非常に困難である。したがって、磁性層の結晶配向方向を制御して磁性層に結晶磁気異方性を付与する方法が望ましい。結晶磁気異方性を通じて垂直磁気異方性を有する磁性層としては、ＣｏＰ、非結晶性を有するＣｏＰｔ合金、Ｌ１０結晶性を有するＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金などがある。ＣｏＰは無電解メッキまたは電解メッキで形成できるが、これらは比較的低い結晶磁気異方性エネルギーを有するために高密度記録媒体としては適していない。またＬ１０結晶性を有するＣｏＰｔ及びＦｅＰｔ合金は非常に高い結晶磁気異方性エネルギーを有するが、結晶性のためには５００℃以上のアニーリング工程が必要なために、工程が複雑になって媒体を構成する層間の相互拡散の問題点がある。一方、非結晶性を有するＣｏＰｔ合金は、電解メッキによって１００℃以下の低温で成膜が可能であり、比較的高い結晶磁気異方性を有するという長所がある。従来技術において、電解メッキでＣｏＰｔ合金を形成する時にアルカリ性メッキ液を使用するが、これによりＣｏＰｔ合金は数％のＰ（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ）を含有する。
【０００５】
しかし、Ｐを含有する従来のＣｏＰｔを記録層として備えたパターン化された媒体（以下、従来のパターン化された媒体）は、次のような問題点を持っている。
第１に、Ｐは主に粒界に存在するが、粒界に存在するＰは粒界腐蝕の原因となるので、媒体の耐蝕性を低下させる。これにより、媒体の信頼性が低下する。
第２に、従来のパターン化された媒体で粒界に存在するＰは、磁区の磁化反転特性を劣化させうる。磁気記録媒体の読み出し／書き込み特性及び記録密度の向上のためには、磁区の磁化方向は整合性回転により反転されることが望ましい。磁区の磁化方向が整合性回転により反転されるということは、磁区を構成する結晶粒子の磁化方向が同時に反転されるということを意味する。ところが、粒界に存在するＰは、結晶粒子を磁気的に相互分離する役割を行うために整合性回転を妨害する。したがって、従来技術のみでは、読み出し／書き込み特性が優秀で記録密度の高いパターン化された媒体を具現することは困難である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前記従来技術の問題点を改善するためのものであり、耐蝕性及び磁化反転特性の優秀なパターン化された磁気記録媒体を提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記パターン化された磁気記録媒体の製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記技術的課題を達成するために本発明は、基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体において、前記磁気記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む合金で形成されたことを特徴とするパターン化された磁気記録媒体を提供する。
【０００８】
ここで、前記合金は、ＣｏＮｉＰｔである。
前記ＣｏＮｉＰｔでＣｏの含有量（Ｘ）（原子パーセント：ａｔｏｍｉｃ％）は７０≦Ｘ＜９０であり、Ｐｔの含有量（Ｙ）（ａｔｏｍｉｃ％）は１０≦Ｙ＜３０であり、Ｎｉの含有量（Ｚ）（ａｔｏｍｉｃ％）は０＜Ｚ≦２０である。
【０００９】
前記基板と前記磁気記録層との間に軟磁性層と中間層とが順次に積層された下地層が備えられる。
前記中間層は、ＨＣＰ及びＦＣＣ構造のうちいずれか一つを有する。
前記ＨＣＰ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（００２）である。
前記ＦＣＣ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（１１１）である。
【００１０】
前記他の技術的課題を達成するために本発明は、基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体の製造方法において、基板上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に前記下地層が露出される複数のホールを有する非磁性テンプレートを形成する工程と、前記ホールをＣｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む磁性層で満たす工程と、を含むことを特徴とするパターン化された磁気記録媒体の製造方法を提供する。
ここで、前記磁性層は、電解メッキで形成する。
【００１１】
前記電解メッキ時に利用する電解液はＣｏ２＋、Ｐｔ２＋及びＮｉ２＋を含み、Ｃｏ２＋、Ｐｔ２＋及びＮｉ２＋の濃度（ｘ，ｙ，ｚ）（ｍｏｌ／Ｌ）は３≦（ｘ＋ｙ）／ｚ＜１００を満たすことができる。
前記下地層は、軟磁性層と中間層とを順次に積層して形成する。
前記中間層は、ＨＣＰ及びＦＣＣ構造のうちいずれか一つを有する。
前記ＨＣＰ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（００２）である。
前記ＦＣＣ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（１１１）である。
前記テンプレートは、ナノインプリント方法で形成する。
前記磁性層は、前記基板に垂直な方向に磁場を印加しつつ形成する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、本発明のパターン化された媒体で磁性層はＣｏＮｉＰｔ層であり、前記ＣｏＮｉＰｔ層でＮｉはＰｔと共にＣｏ結晶内に採用されている。したがって、磁性層の粒界腐蝕が抑制されて媒体の信頼性が向上する。
また、磁性層はＮｉを含むために、そしてＨＣＰ構造を有して結晶方向＜００２＞が基板に垂直な方向になるように形成されるために、垂直方向保磁力及び角形比が大きい。したがって、磁性層を記録層として備える本発明のパターン化された媒体は読み出し及び書き込み特性に優れ、１テラビット／平方インチ以上の高い記録密度を有することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態によるパターン化された磁気記録媒体及びその製造方法を添付された図面を参照して詳細に説明する。添付された図面に図示された層や領域などの幅及び厚さは、明細書の明確性のために誇張して図示されたものである。そして各図面で同一参照番号は同一部材を表す。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態によるパターン化された磁気記録媒体（以下、本発明のパターン化された媒体）を示す。
図１を参照すれば、基板３００上に下地層３３０が形成されており、下地層３３０上に非磁性テンプレート３４０ａが存在する。テンプレート３４０ａに下地層３３０を露出させてアレイをなす複数のホールＨが形成されている。基板３００は、シリコン基板、ガラス基板及びアルミニウム合金基板のうち一つでありうる。下地層３３０は、軟磁性層３１０と中間層３２０とが順次に積層された構造でありうる。軟磁性層３１０は、ＣｏＺｒＮｂ層、ＮｉＦｅ層、ＮｉＦｅＭｏ層及びＣｏＦｅＮｉ層のうちいずれか一つであって、厚さは５〜３００ｎｍ程度でありうる。中間層３２０は非磁性層でありうる。中間層３２０は、ＨＣＰ（Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｃｌｏｓｅ Ｐａｃｋｅｄ）またはＦＣＣ（Ｆａｃｅ Ｃｅｎｔｅｒｅｄ Ｃｕｂｉｃ）構造を有する金属層でありうる。例えば、中間層３２０はＴｉ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｃｕ及びＡｕのうちいずれか一つであり、厚さは数ないし数十ｎｍでありうる。また、中間層３２０は以後に形成される磁性層３５０と格子定数差（ｌａｔｔｉｃｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｍｉｓｍａｔｃｈ）の少ないＨＣＰ（００２）またはそれと等価のＦＣＣ １１１の配向面を有することが望ましい。これにより、中間層３２０上に形成される磁性層３５０の配向特性を向上させることができる。
【００１５】
テンプレート３４０ａのホールＨは磁性層３５０で満たされている。磁性層３５０はデータが記録される記録層であり、Ｃｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む合金、例えば、ＣｏＮｉＰｔでありうる。前記ＣｏＮｉＰｔでＣｏの含有量（Ｘ）（ａｔｏｍｉｃ％）は７０≦Ｘ＜９０であり、Ｐｔの含有量（Ｙ）（ａｔｏｍｉｃ％）は１０≦Ｙ＜３０であり、Ｎｉの含有量（Ｚ）（ａｔｏｍｉｃ％）は０＜Ｚ≦２０でありうる。磁性層３５０の厚さは１０〜２００ｎｍ程度でありうる。磁性層３５０はＨＣＰ構造を持ち、基板に垂直な方向の結晶方向が＜００２＞になるように配向されている。このようにして磁性層３５０は垂直磁気異方性を表すようになる。
【００１６】
一方、基板３００と下地層３３０との間に両者の付着のためのシード膜（図示せず）がさらに備えられうる。前記シード膜は所定の蒸着法、例えば、スパッタリング法で形成できる。前記シード膜はＴａ、Ｃｒ及びＴｉのうちいずれか一つで形成できる。この時、前記シード膜の厚さは５〜２０ｎｍ程度でありうる。
【００１７】
次いで、前述した本発明のパターン化された媒体の製造方法を図２Ａないし図２Ｃを参照して説明する。
図２Ａを参照すれば、基板３００上に所定の下地層３３０を形成し、下地層３３０上に感光膜のような樹脂層３４０を塗布する。下地層３３０は、軟磁性層３１０と中間層３２０とを順次に積層して形成できる。基板３００と下地層３３０との間に５〜２０ｎｍ程度の厚さにシード膜（図示せず）を形成できる。このようなシード膜は、スパッタリング方法を利用してＴａ、Ｃｒ及びＴｉのうちいずれか一つで形成できる。
【００１８】
図２Ｂを参照すれば、樹脂層３４０をパターニングして下地層３３０が露出される複数のホールＨを備えるテンプレート３４０ａを形成する。テンプレート３４０ａは非磁性層である。複数のホールＨはアレイをなすように形成する。このようなテンプレート３４０ａは、下地層３３０上に感光膜を塗布した後、電子ビームリソグラフィー、紫外線またはレーザーの干渉を利用したリソグラフィー、両極酸化またはダイブロック共重合体を利用した自然的リソグラフィー、またはナノ粒子を利用したナノ球リソグラフィーを利用して前記感光膜をパターニングすることによって形成できる。
【００１９】
また、テンプレート３４０ａはナノインプリントを利用して形成できる。具体的に、前記リソグラフィーを含むナノパターニング方法でマスタースタンプを製作し、次いで、下地層３３０上に感光層のような樹脂層３４０を塗布する。その後、前記マスタースタンプで樹脂層３４０をインプリントして、樹脂層３４０をナノスケールでパターニングして複数のホールＨを形成する。
【００２０】
このようなナノインプリントは工程が単純かつ経済的であるために、量産に適している。ところが、このようなナノインプリントを利用してホールＨを形成する時、ホールＨの底部に樹脂層の一部が残る恐れがある。このようにホールＨの底部に残っている樹脂層はＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）またはプラズマアッシング法で除去できる。
【００２１】
図２Ｃを参照すれば、ホールＨを磁性層３５０で満たす。磁性層３５０は電解メッキ方式で形成できる。前記電解メッキ方式に使われる電解液はＣｏソース、Ｐｔソース及びＮｉソースを含む。前記Ｃｏソースとしては、硫酸コバルト（ＣｏＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）、塩化コバルト（ＣｏＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、コバルトスルホン酸［Ｃｏ（ＳＯ３ＮＨ２）２・ＸＨ２Ｏ］のようなＣｏを含む金属塩を使用できる。前記Ｐｔソースとしては、塩化白金酸（Ｈ２ＰｔＣｌ６・６Ｈ２Ｏ）、ジニトロジアミン白金［Ｐｔ（ＮＯ２）２（ＮＨ３）２・ＸＨ２Ｏ］、塩化白金（ＰｔＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）、ジニトロ硫酸白金［（Ｈ２Ｐｔ（ＮＯ２）２ＳＯ４］のようなＰｔを含む金属塩を使用できる。前記Ｎｉソースとしては、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）及び塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）のようなＮｉを含む金属塩を使用できる。前記電解液でＣｏ２＋、Ｐｔ２＋及びＮｉ２＋の濃度（ｍｏｌ／Ｌ）をそれぞれｘ、ｙ及びｚとすれば、ｘ、ｙ及びｚは３≦（ｘ＋ｙ）／ｚ＜１００を満たすことが望ましい。また前記電解液は、ＣｏイオンとＰｔイオンとの錯化のための錯化剤とｐＨ調節のためのｐＨ調節剤とをさらに備えることができる。前記錯化剤としては、シアン塩（Ｃｙａｎａｔｅ）、ロシェル塩（Ｒｏｃｈｅｌｌｅ Ｓａｌｔ：ＫＮａＣ４Ｈ４Ｏ６・４Ｈ２Ｏ）、アンモニウム塩、ＥＤＴＡ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅｔｅｔｒａａｃｅｔｉｃ Ａｃｉｄ：Ｃ１０Ｈ１６Ｎ２Ｏ８）、ピロ燐酸塩、クエン酸塩、トリエタノールアミン、フッ化ホウ素（Ｂｏｒｏｎ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）などを使用でき、前記ｐＨ調節剤としては水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）などを使用できる。
【００２２】
一方、前記電解メッキ方式でメッキが進まれる間に基板３００に垂直な方向に外部磁場を印加してもよいが、この場合、磁性層３５０の配向特性及び垂直磁気異方性がさらに向上する。
以後、平坦化工程、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）またはみがき（ｂｕｒｎｉｓｈｉｎｇ）工程を実施して磁性層３５０の表面を平坦化できる。次いで、テンプレート３４０ａ及び磁性層３５０上にＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）のような保護膜を形成し、前記保護膜上に潤滑剤を塗布できる。
【００２３】
本発明のパターン化された媒体の磁性層３５０はＮｉを含むが、Ｎｉは結晶粒界に存在せずにＰｔと共にＣｏ結晶内に採用される。これはＣｏ−Ｎｉ ２元系合金の状態図である図３から分かる。
図３を参照すれば、常温ではＣｏのＨＣＰ構造が変わらずに約２５ａｔｏｍｉｃ％以下のＮｉを採用できるということが分かる。したがって、本発明のパターン化された媒体では結晶粒界を通じる磁性層３５０の腐蝕が抑制されるところ、媒体の信頼性が向上する。
【００２４】
またＮｉは、磁性層３５０の垂直方向保磁力を高める役割を行い、ビットを構成する結晶粒子を磁気的に分離しない。したがって、磁性層３５０の磁化反転特性が優秀である。このような効果は図４及び図５から分かる。
【００２５】
図４は、前記電解液でＮｉソースである硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）の濃度による磁性層の垂直方向保磁力の測定結果を示す。前記測定のために前記Ｃｏソース、前記Ｐｔソース、前記錯化剤及び前記ｐＨ調節剤としては、それぞれ０．１２ｍｏｌ／Ｌの硫酸コバルト（ＣｏＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）、０．０１ｍｏｌ／Ｌの塩化白金酸（Ｈ２ＰｔＣｌ６・６Ｈ２Ｏ）、０．４ｍｏｌ／Ｌのクエン酸アンモニウム［（ＮＨ４）２ＨＣ６Ｈ５Ｏ７］及び０．２ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を使用した。そして、前記電解メッキ時に使用した電流の密度は１０ｍＡ／ｃｍ２であり、前記電解液の温度は４０℃であった。また前記硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）の濃度（ｍｏｌ／Ｌ）は０から０．０２まで０．００５ほどずつ上昇させた。実験の便宜上、前記磁性層はシリコン基板上にＳｉＯ２層、Ｃｒ層及びＡｕ層を順次に積層した状態で、前記Ａｕ層上に前記電解メッキ方式で形成した。
【００２６】
図４を参照すれば、前記電解液に硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）を添加して形成した磁性層の垂直方向保磁力が、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）を添加せずに形成した磁性層の垂直方向保磁力より大きいということが分かる。特に、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）の濃度が０．０１５ｍｏｌ／Ｌである時の前記磁性層の垂直方向保磁力は、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）なしに形成した磁性層の垂直方向保磁力の約１．８倍であることが分かる。
【００２７】
図５は、前記電解液でＮｉソースである硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）の濃度による前記磁性層の角形比変化を示す。ここで角形比は、磁性層の磁気履歴曲線で飽和磁化量（Ｍｓ）と残留磁化量（Ｍｒ）との比（Ｍｒ／Ｍｓ）を意味する。前記角形比が大きいほど磁性層の磁化反転特性が優秀であるといえる。
【００２８】
図５を参照すれば、前記電解液に硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）を添加して形成した磁性層の角形比が、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）なしに形成した磁性層の角形比より大きいということが分かる。硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）の濃度が０．０１５ｍｏｌ／Ｌ程度である時、最大角形比が現れる。
【００２９】
前記の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、これらは発明の範囲を限定するものというよりは、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。したがって、本発明の範囲は説明された実施形態によって定められるものではなく特許請求の範囲に記載された技術的思想により定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明は、磁気記録媒体関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施形態によるパターン化された磁気記録媒体の断面図である。
【図２Ａ】図１に示す磁気記録媒体の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｂ】図１に示す磁気記録媒体の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｃ】図１に示す磁気記録媒体の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図３】Ｃｏ−Ｎｉ２元系合金の状態図である。
【図４】電解液で硫酸ニッケルの濃度による磁性層の垂直方向保磁力の変化を示すグラフである。
【図５】電解液で硫酸ニッケルの濃度による磁性層の角形比変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３２】
３００ 基板
３１０ 軟磁性層
３２０ 中間層
３３０ 下地層
３４０ａ 非磁性テンプレート
３５０ 磁性層
Ｈ ホール
【技術分野】
【０００１】
本発明は、記録媒体及びその製造方法に係り、より詳細にはパターン化された磁気記録媒体及びその製造方法に関する。
【背景技術】
【０００２】
最近、ユーザ利用情報が増加するにつれて高い記録密度を有する磁気記録媒体への需要が増加しつつある。
連続する磁性層を記録層として使用する連続的磁気記録媒体（以下、連続的媒体）の場合、記録密度を高めるためには前記磁性層を構成する磁性粒径は縮めなければならない。しかし、前記連続的媒体で前記磁性層の磁性粒径が臨界値以下に小さくなれば、超常磁性効果が現れる。この効果により、前記磁性粒子の熱的安定性が減少する。これは、前記連続的媒体に記録されたデータの保存特性が劣化されることを意味する。したがって、磁性層の磁性粒径を縮めることで、前記連続的媒体の記録密度を高めることは難しい。
【０００３】
前記連続的媒体の記録密度限界を跳び越えられる方案として、ビット領域に対応する磁区が構造的に相互隔離されているパターン化された磁気記録媒体（以下、パターン化された媒体）が提案された。パターン化された媒体の記録密度は、前記連続的媒体よりはるかに高い約１テラビット／平方インチ以上であることが知られている。
【０００４】
パターン化された媒体で実質的にデータが記録される磁性層は、基板と垂直な磁化容易軸を有することによって、垂直磁気異方性を有することが望ましい。前記磁性層の垂直磁気異方性は、前記磁性層の縦横比を大きくして磁性層に形状磁気異方性を付与するか、前記磁性層の結晶配向方向を制御して磁性層に結晶磁気異方性を付与して得ることができる。しかし、縦横比の大きい磁性層を具現することは工程面で非常に困難である。したがって、磁性層の結晶配向方向を制御して磁性層に結晶磁気異方性を付与する方法が望ましい。結晶磁気異方性を通じて垂直磁気異方性を有する磁性層としては、ＣｏＰ、非結晶性を有するＣｏＰｔ合金、Ｌ１０結晶性を有するＣｏＰｔまたはＦｅＰｔ合金などがある。ＣｏＰは無電解メッキまたは電解メッキで形成できるが、これらは比較的低い結晶磁気異方性エネルギーを有するために高密度記録媒体としては適していない。またＬ１０結晶性を有するＣｏＰｔ及びＦｅＰｔ合金は非常に高い結晶磁気異方性エネルギーを有するが、結晶性のためには５００℃以上のアニーリング工程が必要なために、工程が複雑になって媒体を構成する層間の相互拡散の問題点がある。一方、非結晶性を有するＣｏＰｔ合金は、電解メッキによって１００℃以下の低温で成膜が可能であり、比較的高い結晶磁気異方性を有するという長所がある。従来技術において、電解メッキでＣｏＰｔ合金を形成する時にアルカリ性メッキ液を使用するが、これによりＣｏＰｔ合金は数％のＰ（ｐｈｏｓｐｈｏｒｏｕｓ）を含有する。
【０００５】
しかし、Ｐを含有する従来のＣｏＰｔを記録層として備えたパターン化された媒体（以下、従来のパターン化された媒体）は、次のような問題点を持っている。
第１に、Ｐは主に粒界に存在するが、粒界に存在するＰは粒界腐蝕の原因となるので、媒体の耐蝕性を低下させる。これにより、媒体の信頼性が低下する。
第２に、従来のパターン化された媒体で粒界に存在するＰは、磁区の磁化反転特性を劣化させうる。磁気記録媒体の読み出し／書き込み特性及び記録密度の向上のためには、磁区の磁化方向は整合性回転により反転されることが望ましい。磁区の磁化方向が整合性回転により反転されるということは、磁区を構成する結晶粒子の磁化方向が同時に反転されるということを意味する。ところが、粒界に存在するＰは、結晶粒子を磁気的に相互分離する役割を行うために整合性回転を妨害する。したがって、従来技術のみでは、読み出し／書き込み特性が優秀で記録密度の高いパターン化された媒体を具現することは困難である。
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００６】
本発明が解決しようとする技術的課題は、前記従来技術の問題点を改善するためのものであり、耐蝕性及び磁化反転特性の優秀なパターン化された磁気記録媒体を提供するところにある。
本発明が解決しようとする他の技術的課題は、前記パターン化された磁気記録媒体の製造方法を提供するところにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
前記技術的課題を達成するために本発明は、基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体において、前記磁気記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む合金で形成されたことを特徴とするパターン化された磁気記録媒体を提供する。
【０００８】
ここで、前記合金は、ＣｏＮｉＰｔである。
前記ＣｏＮｉＰｔでＣｏの含有量（Ｘ）（原子パーセント：ａｔｏｍｉｃ％）は７０≦Ｘ＜９０であり、Ｐｔの含有量（Ｙ）（ａｔｏｍｉｃ％）は１０≦Ｙ＜３０であり、Ｎｉの含有量（Ｚ）（ａｔｏｍｉｃ％）は０＜Ｚ≦２０である。
【０００９】
前記基板と前記磁気記録層との間に軟磁性層と中間層とが順次に積層された下地層が備えられる。
前記中間層は、ＨＣＰ及びＦＣＣ構造のうちいずれか一つを有する。
前記ＨＣＰ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（００２）である。
前記ＦＣＣ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（１１１）である。
【００１０】
前記他の技術的課題を達成するために本発明は、基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体の製造方法において、基板上に下地層を形成する工程と、前記下地層上に前記下地層が露出される複数のホールを有する非磁性テンプレートを形成する工程と、前記ホールをＣｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む磁性層で満たす工程と、を含むことを特徴とするパターン化された磁気記録媒体の製造方法を提供する。
ここで、前記磁性層は、電解メッキで形成する。
【００１１】
前記電解メッキ時に利用する電解液はＣｏ２＋、Ｐｔ２＋及びＮｉ２＋を含み、Ｃｏ２＋、Ｐｔ２＋及びＮｉ２＋の濃度（ｘ，ｙ，ｚ）（ｍｏｌ／Ｌ）は３≦（ｘ＋ｙ）／ｚ＜１００を満たすことができる。
前記下地層は、軟磁性層と中間層とを順次に積層して形成する。
前記中間層は、ＨＣＰ及びＦＣＣ構造のうちいずれか一つを有する。
前記ＨＣＰ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（００２）である。
前記ＦＣＣ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（１１１）である。
前記テンプレートは、ナノインプリント方法で形成する。
前記磁性層は、前記基板に垂直な方向に磁場を印加しつつ形成する。
【発明の効果】
【００１２】
本発明によれば、本発明のパターン化された媒体で磁性層はＣｏＮｉＰｔ層であり、前記ＣｏＮｉＰｔ層でＮｉはＰｔと共にＣｏ結晶内に採用されている。したがって、磁性層の粒界腐蝕が抑制されて媒体の信頼性が向上する。
また、磁性層はＮｉを含むために、そしてＨＣＰ構造を有して結晶方向＜００２＞が基板に垂直な方向になるように形成されるために、垂直方向保磁力及び角形比が大きい。したがって、磁性層を記録層として備える本発明のパターン化された媒体は読み出し及び書き込み特性に優れ、１テラビット／平方インチ以上の高い記録密度を有することができる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００１３】
以下、本発明の実施形態によるパターン化された磁気記録媒体及びその製造方法を添付された図面を参照して詳細に説明する。添付された図面に図示された層や領域などの幅及び厚さは、明細書の明確性のために誇張して図示されたものである。そして各図面で同一参照番号は同一部材を表す。
【００１４】
図１は、本発明の実施形態によるパターン化された磁気記録媒体（以下、本発明のパターン化された媒体）を示す。
図１を参照すれば、基板３００上に下地層３３０が形成されており、下地層３３０上に非磁性テンプレート３４０ａが存在する。テンプレート３４０ａに下地層３３０を露出させてアレイをなす複数のホールＨが形成されている。基板３００は、シリコン基板、ガラス基板及びアルミニウム合金基板のうち一つでありうる。下地層３３０は、軟磁性層３１０と中間層３２０とが順次に積層された構造でありうる。軟磁性層３１０は、ＣｏＺｒＮｂ層、ＮｉＦｅ層、ＮｉＦｅＭｏ層及びＣｏＦｅＮｉ層のうちいずれか一つであって、厚さは５〜３００ｎｍ程度でありうる。中間層３２０は非磁性層でありうる。中間層３２０は、ＨＣＰ（Ｈｅｘａｇｏｎａｌ Ｃｌｏｓｅ Ｐａｃｋｅｄ）またはＦＣＣ（Ｆａｃｅ Ｃｅｎｔｅｒｅｄ Ｃｕｂｉｃ）構造を有する金属層でありうる。例えば、中間層３２０はＴｉ、Ｒｕ、Ｐｔ、Ｃｕ及びＡｕのうちいずれか一つであり、厚さは数ないし数十ｎｍでありうる。また、中間層３２０は以後に形成される磁性層３５０と格子定数差（ｌａｔｔｉｃｅ ｐａｒａｍｅｔｅｒ ｍｉｓｍａｔｃｈ）の少ないＨＣＰ（００２）またはそれと等価のＦＣＣ １１１の配向面を有することが望ましい。これにより、中間層３２０上に形成される磁性層３５０の配向特性を向上させることができる。
【００１５】
テンプレート３４０ａのホールＨは磁性層３５０で満たされている。磁性層３５０はデータが記録される記録層であり、Ｃｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む合金、例えば、ＣｏＮｉＰｔでありうる。前記ＣｏＮｉＰｔでＣｏの含有量（Ｘ）（ａｔｏｍｉｃ％）は７０≦Ｘ＜９０であり、Ｐｔの含有量（Ｙ）（ａｔｏｍｉｃ％）は１０≦Ｙ＜３０であり、Ｎｉの含有量（Ｚ）（ａｔｏｍｉｃ％）は０＜Ｚ≦２０でありうる。磁性層３５０の厚さは１０〜２００ｎｍ程度でありうる。磁性層３５０はＨＣＰ構造を持ち、基板に垂直な方向の結晶方向が＜００２＞になるように配向されている。このようにして磁性層３５０は垂直磁気異方性を表すようになる。
【００１６】
一方、基板３００と下地層３３０との間に両者の付着のためのシード膜（図示せず）がさらに備えられうる。前記シード膜は所定の蒸着法、例えば、スパッタリング法で形成できる。前記シード膜はＴａ、Ｃｒ及びＴｉのうちいずれか一つで形成できる。この時、前記シード膜の厚さは５〜２０ｎｍ程度でありうる。
【００１７】
次いで、前述した本発明のパターン化された媒体の製造方法を図２Ａないし図２Ｃを参照して説明する。
図２Ａを参照すれば、基板３００上に所定の下地層３３０を形成し、下地層３３０上に感光膜のような樹脂層３４０を塗布する。下地層３３０は、軟磁性層３１０と中間層３２０とを順次に積層して形成できる。基板３００と下地層３３０との間に５〜２０ｎｍ程度の厚さにシード膜（図示せず）を形成できる。このようなシード膜は、スパッタリング方法を利用してＴａ、Ｃｒ及びＴｉのうちいずれか一つで形成できる。
【００１８】
図２Ｂを参照すれば、樹脂層３４０をパターニングして下地層３３０が露出される複数のホールＨを備えるテンプレート３４０ａを形成する。テンプレート３４０ａは非磁性層である。複数のホールＨはアレイをなすように形成する。このようなテンプレート３４０ａは、下地層３３０上に感光膜を塗布した後、電子ビームリソグラフィー、紫外線またはレーザーの干渉を利用したリソグラフィー、両極酸化またはダイブロック共重合体を利用した自然的リソグラフィー、またはナノ粒子を利用したナノ球リソグラフィーを利用して前記感光膜をパターニングすることによって形成できる。
【００１９】
また、テンプレート３４０ａはナノインプリントを利用して形成できる。具体的に、前記リソグラフィーを含むナノパターニング方法でマスタースタンプを製作し、次いで、下地層３３０上に感光層のような樹脂層３４０を塗布する。その後、前記マスタースタンプで樹脂層３４０をインプリントして、樹脂層３４０をナノスケールでパターニングして複数のホールＨを形成する。
【００２０】
このようなナノインプリントは工程が単純かつ経済的であるために、量産に適している。ところが、このようなナノインプリントを利用してホールＨを形成する時、ホールＨの底部に樹脂層の一部が残る恐れがある。このようにホールＨの底部に残っている樹脂層はＲＩＥ（Ｒｅａｃｔｉｖｅ Ｉｏｎ Ｅｔｃｈｉｎｇ）またはプラズマアッシング法で除去できる。
【００２１】
図２Ｃを参照すれば、ホールＨを磁性層３５０で満たす。磁性層３５０は電解メッキ方式で形成できる。前記電解メッキ方式に使われる電解液はＣｏソース、Ｐｔソース及びＮｉソースを含む。前記Ｃｏソースとしては、硫酸コバルト（ＣｏＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）、塩化コバルト（ＣｏＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）、コバルトスルホン酸［Ｃｏ（ＳＯ３ＮＨ２）２・ＸＨ２Ｏ］のようなＣｏを含む金属塩を使用できる。前記Ｐｔソースとしては、塩化白金酸（Ｈ２ＰｔＣｌ６・６Ｈ２Ｏ）、ジニトロジアミン白金［Ｐｔ（ＮＯ２）２（ＮＨ３）２・ＸＨ２Ｏ］、塩化白金（ＰｔＣｌ４・５Ｈ２Ｏ）、ジニトロ硫酸白金［（Ｈ２Ｐｔ（ＮＯ２）２ＳＯ４］のようなＰｔを含む金属塩を使用できる。前記Ｎｉソースとしては、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）及び塩化ニッケル（ＮｉＣｌ２・６Ｈ２Ｏ）のようなＮｉを含む金属塩を使用できる。前記電解液でＣｏ２＋、Ｐｔ２＋及びＮｉ２＋の濃度（ｍｏｌ／Ｌ）をそれぞれｘ、ｙ及びｚとすれば、ｘ、ｙ及びｚは３≦（ｘ＋ｙ）／ｚ＜１００を満たすことが望ましい。また前記電解液は、ＣｏイオンとＰｔイオンとの錯化のための錯化剤とｐＨ調節のためのｐＨ調節剤とをさらに備えることができる。前記錯化剤としては、シアン塩（Ｃｙａｎａｔｅ）、ロシェル塩（Ｒｏｃｈｅｌｌｅ Ｓａｌｔ：ＫＮａＣ４Ｈ４Ｏ６・４Ｈ２Ｏ）、アンモニウム塩、ＥＤＴＡ（Ｅｔｈｙｌｅｎｅｄｉａｍｉｎｅｔｅｔｒａａｃｅｔｉｃ Ａｃｉｄ：Ｃ１０Ｈ１６Ｎ２Ｏ８）、ピロ燐酸塩、クエン酸塩、トリエタノールアミン、フッ化ホウ素（Ｂｏｒｏｎ Ｆｌｕｏｒｉｄｅ）などを使用でき、前記ｐＨ調節剤としては水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）、アンモニア水（ＮＨ４ＯＨ）などを使用できる。
【００２２】
一方、前記電解メッキ方式でメッキが進まれる間に基板３００に垂直な方向に外部磁場を印加してもよいが、この場合、磁性層３５０の配向特性及び垂直磁気異方性がさらに向上する。
以後、平坦化工程、例えば、ＣＭＰ（Ｃｈｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉｎｇ）またはみがき（ｂｕｒｎｉｓｈｉｎｇ）工程を実施して磁性層３５０の表面を平坦化できる。次いで、テンプレート３４０ａ及び磁性層３５０上にＤＬＣ（Ｄｉａｍｏｎｄ Ｌｉｋｅ Ｃａｒｂｏｎ）のような保護膜を形成し、前記保護膜上に潤滑剤を塗布できる。
【００２３】
本発明のパターン化された媒体の磁性層３５０はＮｉを含むが、Ｎｉは結晶粒界に存在せずにＰｔと共にＣｏ結晶内に採用される。これはＣｏ−Ｎｉ ２元系合金の状態図である図３から分かる。
図３を参照すれば、常温ではＣｏのＨＣＰ構造が変わらずに約２５ａｔｏｍｉｃ％以下のＮｉを採用できるということが分かる。したがって、本発明のパターン化された媒体では結晶粒界を通じる磁性層３５０の腐蝕が抑制されるところ、媒体の信頼性が向上する。
【００２４】
またＮｉは、磁性層３５０の垂直方向保磁力を高める役割を行い、ビットを構成する結晶粒子を磁気的に分離しない。したがって、磁性層３５０の磁化反転特性が優秀である。このような効果は図４及び図５から分かる。
【００２５】
図４は、前記電解液でＮｉソースである硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）の濃度による磁性層の垂直方向保磁力の測定結果を示す。前記測定のために前記Ｃｏソース、前記Ｐｔソース、前記錯化剤及び前記ｐＨ調節剤としては、それぞれ０．１２ｍｏｌ／Ｌの硫酸コバルト（ＣｏＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）、０．０１ｍｏｌ／Ｌの塩化白金酸（Ｈ２ＰｔＣｌ６・６Ｈ２Ｏ）、０．４ｍｏｌ／Ｌのクエン酸アンモニウム［（ＮＨ４）２ＨＣ６Ｈ５Ｏ７］及び０．２ｍｏｌ／Ｌの水酸化ナトリウム（ＮａＯＨ）を使用した。そして、前記電解メッキ時に使用した電流の密度は１０ｍＡ／ｃｍ２であり、前記電解液の温度は４０℃であった。また前記硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）の濃度（ｍｏｌ／Ｌ）は０から０．０２まで０．００５ほどずつ上昇させた。実験の便宜上、前記磁性層はシリコン基板上にＳｉＯ２層、Ｃｒ層及びＡｕ層を順次に積層した状態で、前記Ａｕ層上に前記電解メッキ方式で形成した。
【００２６】
図４を参照すれば、前記電解液に硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）を添加して形成した磁性層の垂直方向保磁力が、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）を添加せずに形成した磁性層の垂直方向保磁力より大きいということが分かる。特に、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）の濃度が０．０１５ｍｏｌ／Ｌである時の前記磁性層の垂直方向保磁力は、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）なしに形成した磁性層の垂直方向保磁力の約１．８倍であることが分かる。
【００２７】
図５は、前記電解液でＮｉソースである硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）の濃度による前記磁性層の角形比変化を示す。ここで角形比は、磁性層の磁気履歴曲線で飽和磁化量（Ｍｓ）と残留磁化量（Ｍｒ）との比（Ｍｒ／Ｍｓ）を意味する。前記角形比が大きいほど磁性層の磁化反転特性が優秀であるといえる。
【００２８】
図５を参照すれば、前記電解液に硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）を添加して形成した磁性層の角形比が、硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）なしに形成した磁性層の角形比より大きいということが分かる。硫酸ニッケル（ＮｉＳＯ４・７Ｈ２Ｏ）の濃度が０．０１５ｍｏｌ／Ｌ程度である時、最大角形比が現れる。
【００２９】
前記の説明で多くの事項が具体的に記載されているが、これらは発明の範囲を限定するものというよりは、望ましい実施形態の例示として解釈されねばならない。したがって、本発明の範囲は説明された実施形態によって定められるものではなく特許請求の範囲に記載された技術的思想により定められねばならない。
【産業上の利用可能性】
【００３０】
本発明は、磁気記録媒体関連の技術分野に好適に用いられる。
【図面の簡単な説明】
【００３１】
【図１】本発明の実施形態によるパターン化された磁気記録媒体の断面図である。
【図２Ａ】図１に示す磁気記録媒体の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｂ】図１に示す磁気記録媒体の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図２Ｃ】図１に示す磁気記録媒体の製造方法を工程別に示す断面図である。
【図３】Ｃｏ−Ｎｉ２元系合金の状態図である。
【図４】電解液で硫酸ニッケルの濃度による磁性層の垂直方向保磁力の変化を示すグラフである。
【図５】電解液で硫酸ニッケルの濃度による磁性層の角形比変化を示すグラフである。
【符号の説明】
【００３２】
３００ 基板
３１０ 軟磁性層
３２０ 中間層
３３０ 下地層
３４０ａ 非磁性テンプレート
３５０ 磁性層
Ｈ ホール
【特許請求の範囲】
【請求項１】
基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体において、
前記磁気記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む合金で形成されたことを特徴とするパターン化された磁気記録媒体。
【請求項２】
前記合金は、ＣｏＮｉＰｔであることを特徴とする請求項１に記載のパターン化された磁気記録媒体。
【請求項３】
前記ＣｏＮｉＰｔにおける、Ｃｏの含有量Ｘ、Ｐｔの含有量Ｙ、Ｎｉの含有量Ｚは、
それぞれ原子パーセントにおいて、
７０≦Ｘ＜９０、１０≦Ｙ＜３０、０＜Ｚ≦２０であることを特徴とする請求項２に記載のパターン化された磁気記録媒体。
【請求項４】
前記基板と前記磁気記録層との間に軟磁性層と中間層とが順次に積層された下地層が備えられたことを特徴とする請求項１に記載のパターン化された磁気記録媒体。
【請求項５】
前記中間層は、ＨＣＰ及びＦＣＣ構造のうちいずれか一つを有することを特徴とする請求項４に記載のパターン化された磁気記録媒体。
【請求項６】
前記ＨＣＰ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（００２）であることを特徴とする請求項５に記載のパターン化された磁気記録媒体。
【請求項７】
前記ＦＣＣ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（１１１）であることを特徴とする請求項５に記載のパターン化された磁気記録媒体。
【請求項８】
基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体の製造方法において、
基板上に下地層を形成する工程と、
前記下地層上に前記下地層が露出される複数のホールを有する非磁性テンプレートを形成する工程と、
前記ホールをＣｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む磁性層で満たす工程と、を含むことを特徴とするパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記磁性層は、電解メッキで形成することを特徴とする請求項８に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記電解メッキ時に利用する電解液はＣｏ２＋、Ｐｔ２＋及びＮｉ２＋を含み、
Ｃｏ２＋の濃度ｘ、Ｐｔ２＋の濃度ｙ、及びＮｉ２＋の濃度ｚは、それぞれｍｏｌ／Ｌにおいて、
３≦（ｘ＋ｙ）／ｚ＜１００
の関係を満たすことを特徴とする請求項９に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記下地層は、軟磁性層と中間層とを順次に積層して形成することを特徴とする請求項８に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記中間層は、ＨＣＰ及びＦＣＣ構造のうちいずれか一つを有することを特徴とする請求項１１に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記ＨＣＰ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（００２）であることを特徴とする請求項１２に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記ＦＣＣ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（１１１）であることを特徴とする請求項１２に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記テンプレートは、ナノインプリント方法で形成することを特徴とする請求項８に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記磁性層は、前記基板に垂直な方向に磁場を印加しつつ形成することを特徴とする請求項９に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１】
基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体において、
前記磁気記録層は、Ｃｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む合金で形成されたことを特徴とするパターン化された磁気記録媒体。
【請求項２】
前記合金は、ＣｏＮｉＰｔであることを特徴とする請求項１に記載のパターン化された磁気記録媒体。
【請求項３】
前記ＣｏＮｉＰｔにおける、Ｃｏの含有量Ｘ、Ｐｔの含有量Ｙ、Ｎｉの含有量Ｚは、
それぞれ原子パーセントにおいて、
７０≦Ｘ＜９０、１０≦Ｙ＜３０、０＜Ｚ≦２０であることを特徴とする請求項２に記載のパターン化された磁気記録媒体。
【請求項４】
前記基板と前記磁気記録層との間に軟磁性層と中間層とが順次に積層された下地層が備えられたことを特徴とする請求項１に記載のパターン化された磁気記録媒体。
【請求項５】
前記中間層は、ＨＣＰ及びＦＣＣ構造のうちいずれか一つを有することを特徴とする請求項４に記載のパターン化された磁気記録媒体。
【請求項６】
前記ＨＣＰ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（００２）であることを特徴とする請求項５に記載のパターン化された磁気記録媒体。
【請求項７】
前記ＦＣＣ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（１１１）であることを特徴とする請求項５に記載のパターン化された磁気記録媒体。
【請求項８】
基板及び所定間隔をおいて配列された複数の磁気記録層を備えるパターン化された磁気記録媒体の製造方法において、
基板上に下地層を形成する工程と、
前記下地層上に前記下地層が露出される複数のホールを有する非磁性テンプレートを形成する工程と、
前記ホールをＣｏ、Ｐｔ及びＮｉを含む磁性層で満たす工程と、を含むことを特徴とするパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項９】
前記磁性層は、電解メッキで形成することを特徴とする請求項８に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１０】
前記電解メッキ時に利用する電解液はＣｏ２＋、Ｐｔ２＋及びＮｉ２＋を含み、
Ｃｏ２＋の濃度ｘ、Ｐｔ２＋の濃度ｙ、及びＮｉ２＋の濃度ｚは、それぞれｍｏｌ／Ｌにおいて、
３≦（ｘ＋ｙ）／ｚ＜１００
の関係を満たすことを特徴とする請求項９に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１１】
前記下地層は、軟磁性層と中間層とを順次に積層して形成することを特徴とする請求項８に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１２】
前記中間層は、ＨＣＰ及びＦＣＣ構造のうちいずれか一つを有することを特徴とする請求項１１に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１３】
前記ＨＣＰ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（００２）であることを特徴とする請求項１２に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１４】
前記ＦＣＣ構造を有する中間層は、基板に平行な面が（１１１）であることを特徴とする請求項１２に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１５】
前記テンプレートは、ナノインプリント方法で形成することを特徴とする請求項８に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【請求項１６】
前記磁性層は、前記基板に垂直な方向に磁場を印加しつつ形成することを特徴とする請求項９に記載のパターン化された磁気記録媒体の製造方法。
【図１】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３】
【図４】
【図５】
【図２Ａ】
【図２Ｂ】
【図２Ｃ】
【図３】
【図４】
【図５】
【公開番号】特開２００８−１５２９０５（Ｐ２００８−１５２９０５Ａ）
【公開日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−３１４０２０（Ｐ２００７−３１４０２０）
【出願日】平成１９年１２月４日（２００７．１２．４）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年７月３日（２００８．７．３）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年１２月４日（２００７．１２．４）
【出願人】（３９００１９８３９）三星電子株式会社 (8,520)
【氏名又は名称原語表記】ＳＡＭＳＵＮＧ ＥＬＥＣＴＲＯＮＩＣＳ ＣＯ．，ＬＴＤ．
【住所又は居所原語表記】４１６，Ｍａｅｔａｎ−ｄｏｎｇ，Ｙｅｏｎｇｔｏｎｇ−ｇｕ，Ｓｕｗｏｎ−ｓｉ，Ｇｙｅｏｎｇｇｉ−ｄｏ ４４２−７４２（ＫＲ）
【Ｆターム（参考）】
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