説明

パターン形成方法、感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物、感活性光線性又は感放射線性膜、電子デバイスの製造方法、及び、電子デバイス

【課題】ラフネス性能、局所的なパターン寸法の均一性及び露光ラチチュードに優れ、かつ現像により形成されるパターン部が良好なドライエッチング耐性を有するパターン形成方法、及び、それに用いられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】酸によって分解しカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位(a1)を含む樹脂、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、該膜を露光する工程、及び、ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が7以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程を含み、繰り返し単位(a1)が、酸分解後のカルボキシル基を生じた際の該単位中に含まれる各原子の数を下式に代入し得られる値Xが0<X≦5であるパターン形成方法。X=(酸による分解後の繰り返し単位を構成する原子数の合計)/{(炭素原子の数)−(炭素原子でも水素原子でもない原子の数)}


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【特許請求の範囲】
【請求項1】
(ア)酸によって分解しカルボキシル基を生じる基を有する繰り返し単位(a1)を含む樹脂(P)、及び、活性光線又は放射線の照射により酸を発生する化合物(B)を含有する感活性光線性又は感放線性樹脂組成物を用いて膜を形成する工程、
(イ)該膜を活性光線又は放射線により露光する工程、及び
(ウ)ヘテロ原子及び炭素原子を含み、且つ、炭素原子数が7以上の有機溶剤を含む現像液を用いて現像してネガ型のパターンを形成する工程、を含むパターン形成方法であって、上記繰り返し単位(a1)が、酸によって分解後のカルボキシル基を生じた際の該単位中に含まれる各原子の数を下記一般式に代入し得られる値Xが0<X≦5であることを特徴とするパターン形成方法。
X=(酸による分解後の繰り返し単位を構成する原子数の合計)/{(炭素原子の数)−(炭素原子でも水素原子でもない原子の数)}
【請求項2】
繰り返し単位(a1)が下記一般式(I)または(II)で表される構造であることを特徴とする請求項1に記載のパターン形成方法。
【化1】

一般式(I)及び(II)中、
はポリマー主鎖を構成する重合単位を表す。
はポリマー主鎖を構成し、且つ、脂環式骨格を有する重合単位を表す。
Ry〜Ryは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ry〜Ryの内の2つが連結して環を形成していてもよい。
Zは、n+1価の、環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造を有する連結基を表す。ただし、Zは、多環を構成する原子団としてのエステル結合を含有しない。
、L及びLは、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。
nは1〜3の整数を表す。nが2又は3のとき、複数のL、複数のRy、複数のRy、及び、複数のRyは、各々、同一であっても異なっていてもよい。
【請求項3】
繰り返し単位(a1)が下記一般式(III)で表される構造であることを特徴とする請求項1または2に記載のパターン形成方法。
【化2】

式中、Xaは、水素原子、アルキル基、シアノ基又はハロゲン原子を表す。
Ry〜Ryは、各々独立に、アルキル基又はシクロアルキル基を表す。Ry〜Ryの内の2つが連結して環を形成していてもよい。
Zは、n+1価の、環員としてヘテロ原子を有していてもよい多環式炭化水素構造を有する連結基を表す。ただし、Zは、多環を構成する原子団としてのエステル結合を含有しない。
11及びLは、各々独立に、単結合又は2価の連結基を表す。
nは1〜3の整数を表す。nが2又は3のとき、複数のL、複数のRy、複数のRy、及び、複数のRyは、各々、同一であっても異なっていてもよい。
【請求項4】
樹脂(P)が繰り返し単位(a1)を80モル%以上含有することを特徴とする請求項1〜3のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
【請求項5】
樹脂(P)に含有される全ての繰り返し単位が酸によって分解する基を有することを特徴とする請求項1〜4のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
【請求項6】
化合物(B)が、活性光線又は放射線の照射により下記一般式(IV)又は(V)で表される有機酸を発生する化合物である、請求項1〜5のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
【化3】

上記一般式(IV)及び(V)中、
Xfは、各々独立に、フッ素原子、又は、少なくとも1つのフッ素原子で置換されたアルキル基を表す。
及びRは、各々独立に、水素原子、フッ素原子、又は、アルキル基を表す。
Lは、各々独立に、2価の連結基を表す。
Cyは、環状の有機基を表す。
Rfは、フッ素原子を含んだ基である。
xは、1〜20の整数を表す。
yは、0〜10の整数を表す。
zは、0〜10の整数を表す。
【請求項7】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下する塩基性化合物、又は、活性光線又は放射線の照射により塩基性が低下するアンモニウム塩化合物を更に含有する、請求項1〜6のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
【請求項8】
前記感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物が、フッ素原子及び珪素原子の少なくともいずれかを有する疎水性樹脂を更に含有する、請求項1〜7のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
【請求項9】
前記工程(イ)における露光が液浸露光である、請求項1〜8のいずれか1項に記載のパターン形成方法。
【請求項10】
請求項1〜9のいずれか1項に記載のパターン形成方法に供せられる感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物。
【請求項11】
請求項10に記載の感活性光線性又は感放射線性樹脂組成物により形成される感活性光線性又は感放射線性膜。
【請求項12】
請求項1〜9のいずれか1項に記載のパターン形成方法を含む、電子デバイスの製造方法。
【請求項13】
請求項12に記載の電子デバイスの製造方法により製造された電子デバイス。

【公開番号】特開2013−101270(P2013−101270A)
【公開日】平成25年5月23日(2013.5.23)
【国際特許分類】
【出願番号】特願2011−245737(P2011−245737)
【出願日】平成23年11月9日(2011.11.9)
【出願人】(306037311)富士フイルム株式会社 (25,513)
【Fターム(参考)】